WO2022175618A1 - Pyroelectric device comprising a substrate having a pyroelectric surface layer, and method for producing same - Google Patents

Pyroelectric device comprising a substrate having a pyroelectric surface layer, and method for producing same Download PDF

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WO2022175618A1
WO2022175618A1 PCT/FR2022/050247 FR2022050247W WO2022175618A1 WO 2022175618 A1 WO2022175618 A1 WO 2022175618A1 FR 2022050247 W FR2022050247 W FR 2022050247W WO 2022175618 A1 WO2022175618 A1 WO 2022175618A1
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WO
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layer
cavity
pyroelectric
pyroelectric material
electrode
Prior art date
Application number
PCT/FR2022/050247
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French (fr)
Inventor
Ayrat GALISULTANOV
Original Assignee
Elichens
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Publication date
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Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
    • G01J5/10—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors
    • G01J5/34—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors using capacitors, e.g. pyroelectric capacitors
    • G01J5/35—Electrical features thereof

Definitions

  • the invention relates to the field of pyroelectric detectors, or sensors, and in particular that of the production of such detectors.
  • the invention applies in particular to the field of pyroelectric detectors used for the production of gas detectors of the NDIR type ("Non-Dispersive InfraRed" in English, or non-dispersive infrared) or as an infrared imager in presence sensors, movement and temperature.
  • a pyroelectric detector is a device comprising at least one pyroelectric material in which a change in temperature results in a variation in its electrical polarization.
  • a thin membrane suspended with the stack containing at least one layer of pyroelectric material is used (thickness of the membrane for example less than or equal to 1 ⁇ m or 2 ⁇ m).
  • the thin thickness of the membrane guarantees a low thermal mass, and the suspension of the membrane makes it possible to limit losses by thermal conduction between the pyroelectric material and the substrate and, consequently, to have good thermal insulation.
  • the most common pyroelectric detector manufacturing technology is based on the deposition of a very thin piezoelectric film on a substrate, which generally includes a bottom electrode and a support layer. After the application of the upper electrode, the manufacturing process of the pyroelectric detector is completed by a release of the membrane by etching the substrate.
  • the typical pyroelectric material deposited by this technology is PZT.
  • the main problems of the pyroelectric films thus deposited are the repeatability of the parameters, the absence of spontaneous polarization, as well as its degradation over time which is accelerated by the high temperature treatments.
  • LiTaOs Lithium tantalate
  • LiNb0 3 LiNb0 3
  • the thin membrane of pyroelectric material is generally obtained by etching and machining by ion beam (IBE etching, or " Ion Beam Etching” in English) of a slice or thick layer of pyroelectric material.
  • IBE etching or " Ion Beam Etching” in English
  • ion beam machining is a complex technique to implement.
  • the LiTa0 3 etching times are significant.
  • An object of the present invention is to propose a pyroelectric device and a method for producing a pyroelectric device having the good performance of pyroelectric detectors comprising a thin membrane of pyroelectric material produced by etching and ion machining of a thick slice of the pyroelectric material. but with a lower manufacturing cost and without the disadvantages linked to the implementation of ionic machining.
  • the present invention proposes a method for producing at least one pyroelectric detector, comprising at least the following steps: - production of at least a first electrode on, or against, at least a first part of a front face of a surface layer of pyroelectric material of a substrate further comprising a support layer on which, or against which, the layer of pyroelectric material is arranged;
  • This method which is based on techniques related to MEMS technology ("MicroElectroMechanical Systems" in English), proposes using a substrate with a pyroelectric surface layer for the production of pyroelectric detectors, in which the layer of pyroelectric material is obtained from of a thick layer of pyroelectric material.
  • this method no step of ionic machining of a thick layer of pyroelectric material is implemented, which makes it possible to considerably reduce the cost of producing the detector and not to have the constraints of implementing ion milling, while allowing excellent detection performance to be obtained.
  • the surface of the openings formed through the support layer is minimized and is equal only to that allowing the production of the second electrode.
  • This makes it possible to improve the rigidity of the substrate during the manufacturing process (ratio between the surface area of the openings through the support layer and the total surface area of the substrate) and makes it possible to increase the density of pyroelectric detectors which can be produced in the same substrate.
  • the detector thus produced has a low thermal mass because only the pyroelectric layer and the two electrodes are in the stack of the membrane, which is favorable to obtaining good detection performance.
  • Such a method is not obvious because a substrate with a pyroelectric surface layer is known to be able to be used for the production of a surface acoustic wave (SAW) RF filter by manufacturing interdigitated combs from the front face of the layer of pyroelectric material, but has never been used as proposed here.
  • SAW surface acoustic wave
  • At least a part of the bottom wall of the cavity is placed directly above the first electrode.
  • at least part of this projection is superimposed on the surface of the first part of this front face which is covered by the first electrode.
  • the detectors obtained by implementing this method can advantageously be used as thermal detectors in NDIR gas sensors or as an infrared imager in presence, movement or temperature sensors.
  • the layer of pyroelectric material is described as “surface” because its thickness is much lower, for example by at least a factor of 100, than that of the support layer.
  • the use of a surface layer of pyroelectric material as proposed in the invention has the advantage of forming a portion of pyroelectric material in the form of a suspended membrane, without an additional support layer, which reduces the thermal inertia of the pyroelectric material of the detector.
  • Another advantage is also that this method will make it possible to produce, from the substrate used, several detectors with greater density, and whose characteristics may be uniform from one detector to another.
  • the pyroelectric material may correspond to LiTa0 3 , or lithium tantalate.
  • the pyroelectric detector benefits from the advantages provided by this pyroelectric material resulting from a thick layer, namely a high figure of merit for a pyroelectric detector and a high polarization stability.
  • the thickness of the layer of pyroelectric material can be between 300 nm and 3 ⁇ m.
  • the layer of pyroelectric material of the substrate in this case forms a fine membrane of pyroelectric material having a low thermal mass and directly usable for producing the pyroelectric detector.
  • the shape and/or the dimensions of the first electrode, in a plane parallel to the front face of the layer of pyroelectric material, may be similar to those of the second electrode.
  • the production of the first electrode may comprise at least one deposit of at least a first portion of a first electrically conductive material on, or against, the first part of the front face of the layer of pyroelectric material, a second portion of the first electrically conductive material also being deposited on, or against, a second part of the front face of the layer of pyroelectric material such that it forms at least part of a first electrical contact electrically connected to the first electrode.
  • the method may further comprise, before the production of the first electrode, the etching of an opening through the layer of pyroelectric material and arranged such that it opens onto the part of the bottom wall of the cavity on which the second electrode is intended to be produced, and a third portion of the first electrically conductive material can also be deposited on, or against, a third part of the front face of the layer of pyroelectric material and in the opening such that it forms at least part of a second electrical contact intended to be electrically connected to the second electrode.
  • This configuration makes it possible to simplify the integration of the detector with control electronics to which the detector is connected.
  • the making of the first electrical contact and/or of the second electrical contact may further comprise a deposition of at least one second electrically conductive material on the second portion and/or the third portion of the first electrically conductive material.
  • the cavity can be formed by implementing:
  • DRIE Deep Reactive Ion Etching
  • the dimensions of the second part of the cavity, in a plane parallel to the front face of the layer of pyroelectric material, may be greater than those of the first part of the cavity, and the method may further comprise a production of at at least one thermal insulation trench through the layer of pyroelectric material and arranged at least partly around the first electrode. This or these trenches improve the thermal insulation of the portion of pyroelectric material located between the first and second electrodes vis-à-vis the rest of the substrate.
  • the step of producing the thermal insulation trench or trenches can be implemented simultaneously with the step of etching the opening through the layer of pyroelectric material and which opens onto the part of the bottom wall of the cavity on which the second electrode is intended to be made.
  • the process can be such as:
  • the substrate is of the POI type and further comprises a buried dielectric layer placed between the support layer and the layer of pyroelectric material, the rear face of the layer of pyroelectric material being placed against the buried dielectric layer, and
  • the cavity is made such that it also passes through the buried dielectric layer.
  • the POI substrate corresponds to an LTOI (“Lithium Tantalate On Insulator”) substrate.
  • the use of a POI substrate has the particular advantage of having additional protection of the layer of pyroelectric material during etching of the rear face of the support layer, thanks to the presence of the buried dielectric layer.
  • the steps implemented to form the cavity may further comprise a third etching from a bottom wall of the second part of the cavity and through the buried dielectric layer, implemented after the second isotropic etching and forming a third part of the cavity in the buried dielectric layer.
  • the dimensions of the third part of the cavity, in a plane parallel to the front face of the layer of pyroelectric material, may be greater than those of the first part of the cavity.
  • a pyroelectric detector comprising at least: - a substrate comprising a support layer and a layer of pyroelectric material placed on the support layer;
  • a first electrode arranged on, or against, at least a first part of a front face of the layer of pyroelectric material opposite a rear face of the layer of pyroelectric material arranged on the side of the support layer;
  • a cavity passing through the support layer such that a bottom wall of the cavity is formed by a part of the rear face of the layer of pyroelectric material, and such that at least a part of the bottom wall of the cavity is placed directly above the first electrode;
  • a second electrode arranged on at least part of the bottom wall of the cavity.
  • the term “on” is used without distinction of the orientation in space of the element to which this term refers.
  • this front face is not necessarily oriented upwards but may correspond to a face oriented according to any which way.
  • the arrangement of a first element on a second element must be understood as being able to correspond to the arrangement of the first element directly against the second element, without any intermediate element between the first and second elements, or as being able to correspond to the arrangement of the first element on the second element with one or more intermediate elements arranged between the first and second elements.
  • FIG. 11 and 12 show pyroelectric detectors, objects of the present invention, according to alternative embodiments.
  • FIGS. 1 to 10 An example of a method for producing a pyroelectric detector 100 is described below in connection with FIGS. 1 to 10.
  • Each of FIGS. 1 to 10 comprises a first view a) corresponding to a top view of the structure produced (of the side of the face of the detector 100 intended to receive thermal radiation to be detected), a second view b) corresponding to a sectional view of the structure produced, and a third view c) corresponding to a bottom view of the structure produced.
  • the reference axes X, Y and Z represented in FIG. 1 are similar for all of FIGS. 1 to 10.
  • the detector 100 is made from a substrate 102, here of the POI type and comprising a support layer 104, a buried dielectric layer 106 and a surface layer of pyroelectric material 108.
  • the substrate 102 is represented in FIG. buried dielectric 106 is placed between the support layer 104 and the layer of pyroelectric material 108.
  • the presence of the buried dielectric layer 106 in the substrate 102 has the advantage of protecting the rear face of the layer of pyroelectric material 108 (rear face lying on the side of the buried dielectric layer 106) for example against DRIE etching steps which will be put implemented later.
  • the substrate 102 corresponds for example to a substrate with a diameter equal to 100 or 150 mm.
  • the diameter of the substrate 102 can have a value different from 100 or 150 mm.
  • the substrate 102 is for example produced by implementing a “smart-cut” type process similar to that implemented for the production of an SOI (silicon on insulator) substrate, the silicon layer used to form the surface layer of the substrate SOI being here replaced by a layer of thick pyroelectric material serving to produce the surface layer of pyroelectric material 108.
  • the layer of S1O2 106 can be produced by thermal oxidation or by a deposition process, for example PECVD.
  • the support layer 104 corresponds for example to a layer of silicon or of glass, sapphire, etc., and in particular silicon of the HR (High Resistivity) type.
  • the resistivity of the silicon of the support layer 104 is for example greater than 10 kO.cm.
  • the thickness (dimension parallel to the Z axis) of support layer 104 is for example equal to 500 ⁇ m or more generally between 300 ⁇ m and 800 ⁇ m.
  • the buried dielectric layer 106 corresponds for example to an S1O2 layer.
  • the thickness of the buried dielectric layer 106 is for example equal to 0.5 ⁇ m or more generally between 0 and 4 ⁇ m (the zero thickness representing the fact that this buried dielectric layer 106 may not be present in the substrate 102 ).
  • the layer of pyroelectric material 108 corresponds to a layer of LiTa03.
  • the thickness of the layer of pyroelectric material 108 is for example equal to 0.5 ⁇ m, with a tolerance of 0.1 ⁇ m or 0.05 ⁇ m. More generally, the thickness of the layer of pyroelectric material 108 is for example between 300 nm and 3 ⁇ m, which makes it possible to use it directly (without implementing etching) to form a thin membrane of pyroelectric material.
  • the layer 108 may comprise a pyroelectric material different from LaTi0 3 , such as for example LiNb0 3 .
  • the substrate 102 can be produced by implementing an ion implantation, for example of hydrogen ions, in the thick layer of pyroelectric material, at a depth corresponding to the desired thickness of the layer of pyroelectric material 108.
  • the part of the thick layer of pyroelectric material intended to form the layer 108 is then joined to the buried dielectric layer 106 formed beforehand on the support layer 104, for example by oxidation of the support layer 104 when the latter comprises silicon.
  • a treatment step for example the formation of microbubbles
  • cleavage at the level of the previously implanted ions, is then implemented in order to separate the part of the thick layer of pyroelectric material intended to form the layer 108 with respect to the rest of the thick layer of pyroelectric material.
  • the surface quality and the desired thickness of the layer 108 can be adjusted by mechanical-chemical polishing.
  • the substrate 102 via the implementation of direct bonding of a layer of thick pyroelectric material against the support layer 104 or the buried dielectric layer 106, then of a polishing the layer of thick pyroelectric material in order to obtain the layer 108 having the desired thickness.
  • An opening 110 is then made through the layer of pyroelectric material 108, from a front face 112 of the layer of pyroelectric material 108 to through a rear face 114 of the layer of pyroelectric material 108 in contact with the dielectric layer.
  • buried 106 (see Figure 2, in which view b) corresponds to a sectional view along the axis AA visible in view a), this also being the case in Figures 3 to 10).
  • the purpose of this opening 110 is to form access, from the front face 112 of the layer of pyroelectric material 108, to a part of the rear face 114 on which a rear electrode of the detector 100 will be produced subsequently.
  • the opening 110 is made by implementing an etching through the layer of pyroelectric material 108, for example of the IBE type.
  • the opening 110 has a substantially conical shape, the diameter of which at the level of the front face 112, denoted "a" in FIG. 2, is equal to about 10 ⁇ m or more generally between 3 pm and 30 pm.
  • the diameter of the opening 100 at the rear face 114 is for example between 1 ⁇ m and 28 ⁇ m.
  • the shape of the opening 110 can be different, for example cylindrical or of any other shape.
  • a first electrode 116 is then made on a first part 118 of the front face 112 of the layer of pyroelectric material 108.
  • This first electrode 116 comprises at least a first electrically conductive material, for example NiCr or TiN.
  • the first electrode 116 is for example produced by implementing a deposition of a layer of this first electrically conductive material through a first screen printing mask whose pattern (that is to say the opening or openings that the first mask), through which the first electrically conductive material is deposited, corresponds to that of the first electrode 116.
  • the thickness of the layer of first electrically conductive material deposited is for example equal to 10 nm or more generally between 5 nm and 50nm.
  • the implementation of the step of depositing the layer of the first electrically conductive material also makes it possible to form part of a first electrical contact 120 electrically connected to the first electrode 116 and arranged on a second part (not referenced in the figures ) of the front face 112 of the layer of pyroelectric material 108, as well as part of a second electrical contact 122 disposed on a third part 124 of the front face 112 of the layer of pyroelectric material 108 and in the opening 110 3, a first portion of the first electrically conductive material deposited on the first part 118 of the front face 112 forms the first electrode 116, a second portion 121 of the first electrically conductive material deposited on the second part of the front face 112 forms part of the first electrical contact 120 electrically connected to the first electrode 116, and a third portion 123 of the first mat electrically conductive material deposited on the third part 124 of the front face 112 and in the opening 110 forms part of the second electrical contact 122.
  • the third portion 123 of the first electrically conductive material is in particular deposited on the bottom wall of the opening 110 which is formed by the buried dielectric layer 106. This third portion 123 is intended to be electrically connected to the second electrode of the detector 100 which will be performed subsequently on the rear face 114 of the layer of pyroelectric material 108.
  • the pattern of the first screen printing mask through which the first electrically conductive material is deposited included, in addition to that of the first electrode 116, those of the first and second electrical contacts 120, 122. These patterns are such that the first and second electrical contacts 120, 122 produced will not be in electrical contact with each other, and that the first electrode 116 will not be in electrical contact with the second electrical contact 122.
  • the shape of the first electrode 116 in a plane parallel to the front face 112, is substantially rectangular (with however a corner of this rectangle which is trimmed to avoid being in electrical contact with the second electrical contact 122).
  • the shape of the first electrode 116 can however be different.
  • a thick layer of a second electrically conductive material is then deposited so as to cover the second and third portions 121, 123 of the first electrically conductive material ( see figure 4).
  • the thickness of this layer of the second electrically conductive material is for example between 100 nm and 1000 nm.
  • This thick deposition of the second electrically conductive material makes it possible to obtain the thickness required for a test under probes and wiring by wire of the first and second electrical contacts 120, 122.
  • This deposition is for example carried out through a second screen printing mask whose the pattern corresponds to that of the first and second electrical contacts 120, 122.
  • the portions of the second electrically conductive material formed by this deposit carry the references 126 and 128 and form, with the second and third portions 121, 123 of the first material electrically conductive previously deposited, the first and second electrical contacts 120, 122.
  • a protective layer 130 is then applied to the front face 112 of the layer of pyroelectric material 108, also covering the first electrode 116 as well as the first and second electrical contacts 120, 122 (see FIG. 5).
  • the protective layer 130 has for example a thickness equal to 10 ⁇ m and comprises for example a so-called “positive” resin (a type of photosensitive resin for which the part of unexposed photosensitive resin remains insoluble).
  • the role of the protective layer 130 is to protect the pyroelectric material of the layer 108 as well as the first electrode 116 and the electrical contacts 120, 122 from the steps which will be implemented subsequently.
  • a cavity 132 is then produced by etching in the support layer 104 and the buried dielectric layer 106 such that a bottom wall of the cavity 132 is formed by a part of the rear face 114 of the layer of pyroelectric material 108, and that at least a part of this bottom wall of the cavity 132 is placed directly above the first electrode 116.
  • the cavity 132 is formed by successively implementing several etching steps.
  • a hard mask 134 comprising for example aluminum, is first of all deposited on a first part 136 of a rear face 138 (reference visible in FIG. 5, this rear face 138 being the face opposite the front face of the support layer 104 which is in contact with the buried dielectric layer 106) of the support layer 104.
  • This first part 136 of the rear face 138 of the support layer 104 is intended to be located on the periphery of the cavity 132.
  • a first etching for example of the DRIE type, is implemented through at least a second part of the rear face 138 of the support layer 104 not covered by the hard mask 134 and in part of the thickness of the support layer 104 (see figure 6).
  • the second part of the rear face 138 is surrounded by the first part 136 of the rear face 138.
  • This first etching makes it possible to form a first part of the cavity 132 in a part of the thickness of the material of the support layer 104, and more particularly in a major part of the thickness of the support layer 104.
  • this major part of the thickness of the support layer 104 can correspond to 90 % of the total thickness of the support layer 104, or be such that the remaining thickness of the support layer 104 forming the bottom of this first part of the cavity 132 is equal to approximately 50 ⁇ m.
  • a fluorocarbon protective layer is deposited at least on the side walls of the first part of the cavity 132. In the embodiment described here, this fluorocarbon protective layer is also deposited on the hard mask 134 and on the bottom wall of the first portion of the cavity 132. The fluorocarbon protective layer can be selectively removed from the side surfaces in order to remove the portions thereof on the hard mask 134 and on the bottom wall of the first portion of the cavity 132. After that, remaining portions 140 of the fluorocarbon protective layer remain only on side walls of the first portion of the cavity 132.
  • a second isotropic etching is then implemented through the remaining thickness of the support layer 104, from a bottom wall of the first part of the cavity 132 (see FIG. 7). Given that this second etching is of the isotropic type, portions of the support layer 104 forming the side walls of the cavity 132 are also etched, over the entire remaining thickness of the support layer 104 which is etched during this second etching. At the end of this second etching, the dimensions of the second part of the cavity 132 formed by this second etching, in a plane parallel to the front face 112 of the layer of pyroelectric material 108, are greater than those of the first part of the cavity 132.
  • the lateral over-etching produced in the remaining thickness of the support layer 104 is for example of the order of 100 ⁇ m, or between 50 ⁇ m and 200 ⁇ m.
  • a third anisotropic etching corresponding for example to hydrofluoric acid vapor etching (HF vapor) is then implemented from a bottom wall of the second part of the cavity 132 and through the buried dielectric layer 106, completing the realization of the cavity 132 (see Figure 8).
  • HF vapor hydrofluoric acid vapor etching
  • the dimensions of the third part of the cavity 132 formed by this third etching, in a plane parallel to the front face 112 of the layer of pyroelectric material 108, are greater than those of the first part of the cavity 132 Residues of portions 140 may still be present against the side walls of cavity 132.
  • a second electrode 142 is then produced by depositing a layer of a third electrically conductive material against the bottom wall of cavity 132 (see FIG. 9).
  • the shape and/or the dimensions of the opening formed by the cavity 132 and the hard mask 134 at the level of the rear face 138 of the support layer 104, which forms a mask during the deposition of the third electrically conductive material, are advantageously similar to those of the first electrode 116 so that the shape and dimensions of the second electrode 142 are substantially similar to those of the first electrode 116.
  • the thickness of the layer of third electrically conductive material deposited to form the second electrode 142 is by example equal to 50 nm or more generally between 20 nm and 200 nm, and this third electrically conductive material corresponds for example to Au, Al, Pt, or NiCr.
  • the second electrode 142 produced is in electrical contact with the second electrical contact 122 present through the opening 110.
  • portions 144 of the layer of the third electrically conductive material are also deposited against the first part 136 of the rear face 138 of the support layer 104.
  • the protective layer 130 is then removed, completing the production of the detector 100 (see FIG. 10).
  • thermal insulation trenches 146 can be made through the layer of pyroelectric material 108, around the active part of the detector formed by the first and second electrodes 116, 142 and the part of the layer of pyroelectric material 108 disposed between the first and second electrodes 116, 142.
  • the thermal insulation trenches 146 can be made during the etching of the opening 110 through the layer of material pyroelectric 108.
  • view b) corresponds to a sectional view along the axis BB visible in view a) of Figure 11.
  • the detector 100 is made from a substrate 102 of the POI type, that is to say comprising the buried dielectric layer 106 placed between the support layer 104 and the layer of pyroelectric material 108.
  • the substrate 102 does not include the buried dielectric layer 106.
  • the layer of pyroelectric material 108 is placed directly on the support layer 104.
  • the detector 100 can be produced by implementing steps similar to those described above in connection with FIGS. 1 to 10, with however the cavity 132 which is produced such that it only crosses the support layer 104 (no implementation of the third previously described engraving).
  • the detector 100 according to such a variant is shown in Figure 12.

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Abstract

A method for producing a pyroelectric detector (100), involving: producing a first electrode (116) on a first part (118) of a front face (112) of a layer of pyroelectric material (108) of a substrate (102) also having a support layer (104) on which the layer of pyroelectric material is disposed; producing a cavity (132) passing through the support layer such that a bottom wall of the cavity is formed by a part of a rear face (114) of the layer of pyroelectric material, and such that a part of the bottom wall of the cavity is disposed vertically in line with the first electrode; producing a second electrode (142) on the part of the bottom wall of the cavity.

Description

DISPOSITIF PYROELECTRIQUE COMPRENANT UN SUBSTRAT A COUCHE SUPERFICIELLE PYROELECTRIQUE ET PROCEDE DE REALISATION PYROELECTRIC DEVICE COMPRISING A SUBSTRATE WITH A PYROELECTRIC SURFACE LAYER AND METHOD OF REALIZATION
DESCRIPTIONDESCRIPTION
DOMAINE TECHNIQUE TECHNICAL AREA
L'invention concerne le domaine des détecteurs, ou capteurs, pyroélectriques, et notamment celui de la réalisation de tels détecteurs. L'invention s'applique en particulier au domaine des détecteurs pyroélectriques utilisés pour la réalisation de détecteurs de gaz de type NDIR (« Non-Dispersive InfraRed » en anglais, ou infrarouge non dispersif) ou comme un imageur infrarouge dans les capteurs de présence, mouvement et température. The invention relates to the field of pyroelectric detectors, or sensors, and in particular that of the production of such detectors. The invention applies in particular to the field of pyroelectric detectors used for the production of gas detectors of the NDIR type ("Non-Dispersive InfraRed" in English, or non-dispersive infrared) or as an infrared imager in presence sensors, movement and temperature.
ÉTAT DE LA TECHNIQUE ANTÉRIEURE PRIOR ART
Un détecteur pyroélectrique est un dispositif comprenant au moins un matériau pyroélectrique dans lequel un changement de température se traduit par une variation de sa polarisation électrique. A pyroelectric detector is a device comprising at least one pyroelectric material in which a change in temperature results in a variation in its electrical polarization.
Pour réaliser un détecteur pyroélectrique performant, une fine membrane suspendue avec l'empilement contenant au moins une couche du matériau pyroélectrique est utilisée (épaisseur de la membrane par exemple inférieure ou égale à 1 pm ou 2 pm). La fine épaisseur de la membrane garantit une faible masse thermique, et la suspension de la membrane permet de limiter les pertes par conduction thermique entre le matériau pyroélectrique et le substrat et, par conséquent, d'avoir une bonne isolation thermique. To produce a high-performance pyroelectric detector, a thin membrane suspended with the stack containing at least one layer of pyroelectric material is used (thickness of the membrane for example less than or equal to 1 μm or 2 μm). The thin thickness of the membrane guarantees a low thermal mass, and the suspension of the membrane makes it possible to limit losses by thermal conduction between the pyroelectric material and the substrate and, consequently, to have good thermal insulation.
La technologie de fabrication de détecteurs pyroélectriques la plus courante est basée sur le dépôt d'un film piézoélectrique très fin sur un substrat, qui comprend généralement une électrode inférieure et une couche de support. Après l'application de l'électrode supérieure, le processus de fabrication du détecteur pyroélectrique est complété par une libération de la membrane par gravure du substrat. Le matériau pyroélectrique typique déposé par cette technologie est le PZT. Les principaux problèmes des films pyroélectriques ainsi déposés sont la répétabilité des paramètres, l'absence de polarisation spontanée, ainsi que sa dégradation dans le temps qui est accélérée par les traitements à haute température. The most common pyroelectric detector manufacturing technology is based on the deposition of a very thin piezoelectric film on a substrate, which generally includes a bottom electrode and a support layer. After the application of the upper electrode, the manufacturing process of the pyroelectric detector is completed by a release of the membrane by etching the substrate. The typical pyroelectric material deposited by this technology is PZT. The main problems of the pyroelectric films thus deposited are the repeatability of the parameters, the absence of spontaneous polarization, as well as its degradation over time which is accelerated by the high temperature treatments.
Le tantalate de lithium (LiTaOs) est un matériau pyroélectrique très intéressant pour la réalisation de tels détecteurs car il présente, sous forme de tranche, ou couche, d'épaisseur comprise par exemple entre 10 pm et 800 pm, un important facteur de mérite et une grande stabilité de polarisation. Cela est également valable pour d'autres matériaux pyroélectriques, comme par exemple le LiNb03. Malheureusement, il n'existe pas pour le moment de technologie fiable de dépôt de ces matériaux. Lithium tantalate (LiTaOs) is a very interesting pyroelectric material for the production of such detectors because it has, in the form of a slice, or layer, with a thickness of for example between 10 μm and 800 μm, a significant figure of merit and high polarization stability. This is also valid for other pyroelectric materials, such as for example LiNb0 3 . Unfortunately, there is currently no reliable technology for depositing these materials.
Afin de bénéficier des caractéristiques conférées par la couche épaisse de matériau pyroélectrique tout en ayant un détecteur de faible masse thermique et une bonne isolation thermique, la fine membrane de matériau pyroélectrique est généralement obtenue par gravure et usinage par faisceau ionique (gravure IBE, ou « Ion Beam Etching » en anglais) d'une tranche ou couche épaisse de matériau pyroélectrique. In order to benefit from the characteristics conferred by the thick layer of pyroelectric material while having a low thermal mass detector and good thermal insulation, the thin membrane of pyroelectric material is generally obtained by etching and machining by ion beam (IBE etching, or " Ion Beam Etching” in English) of a slice or thick layer of pyroelectric material.
Toutefois, l'usinage par faisceau ionique est une technique complexe à mettre en œuvre. De plus, les temps de gravure du LiTa03 sont importants. Ces contraintes engendrent un coût de réalisation important d'un détecteur pyroélectrique comprenant une fine membrane de matériau pyroélectrique réalisée par gravure et usinage ionique d'une couche épaisse du matériau pyroélectrique. However, ion beam machining is a complex technique to implement. In addition, the LiTa0 3 etching times are significant. These constraints generate a high production cost for a pyroelectric detector comprising a thin membrane of pyroelectric material produced by etching and ion machining of a thick layer of pyroelectric material.
EXPOSÉ DE L'INVENTION DISCLOSURE OF THE INVENTION
Un but de la présente invention est de proposer un dispositif pyroélectrique et un procédé de réalisation d'un dispositif pyroélectrique présentant les bonnes performances des détecteurs pyroélectriques comprenant une fine membrane de matériau pyroélectrique réalisée par gravure et usinage ionique d'une tranche épaisse du matériau pyroélectrique mais avec un coût de fabrication inférieur et sans les inconvénients liés à la mise en œuvre d'un usinage ionique. An object of the present invention is to propose a pyroelectric device and a method for producing a pyroelectric device having the good performance of pyroelectric detectors comprising a thin membrane of pyroelectric material produced by etching and ion machining of a thick slice of the pyroelectric material. but with a lower manufacturing cost and without the disadvantages linked to the implementation of ionic machining.
Pour cela, la présente invention propose un procédé de réalisation d'au moins un détecteur pyroélectrique, comportant au moins les étapes suivantes : - réalisation d'au moins une première électrode sur, ou contre, au moins une première partie d'une face avant d'une couche superficielle de matériau pyroélectrique d'un substrat comportant en outre une couche support sur laquelle, ou contre laquelle, la couche de matériau pyroélectrique est disposée ; For this, the present invention proposes a method for producing at least one pyroelectric detector, comprising at least the following steps: - production of at least a first electrode on, or against, at least a first part of a front face of a surface layer of pyroelectric material of a substrate further comprising a support layer on which, or against which, the layer of pyroelectric material is arranged;
- réalisation d'au moins une cavité traversant la couche support telle qu'une paroi de fond de la cavité soit formée par une partie d'une face arrière de la couche de matériau pyroélectrique qui est opposée à la face avant de la couche de matériau pyroélectrique, et telle qu'au moins une partie de la paroi de fond de la cavité soit disposée à l'aplomb de la première électrode ; - production of at least one cavity passing through the support layer such that a bottom wall of the cavity is formed by a part of a rear face of the layer of pyroelectric material which is opposite to the front face of the layer of material pyroelectric, and such that at least part of the bottom wall of the cavity is placed directly above the first electrode;
- réalisation d'au moins une deuxième électrode sur, ou contre, au moins la partie de la paroi de fond de la cavité. - production of at least a second electrode on, or against, at least the part of the bottom wall of the cavity.
Ce procédé, qui repose sur des techniques liées à la technologie MEMS (« MicroElectroMechanical Systems » en anglais), propose d'utiliser un substrat à couche superficielle pyroélectrique pour la réalisation de détecteurs pyroélectriques, dans lequel la couche de matériau pyroélectrique est obtenue à partir d'une couche épaisse de matériau pyroélectrique. Dans ce procédé, aucune étape d'usinage ionique d'une couche épaisse du matériau pyroélectrique n'est mise en œuvre, ce qui permet de réduire considérablement le coût de réalisation du détecteur et de ne pas avoir les contraintes de mise en œuvre d'un usinage ionique, tout en permettant l'obtention d'excellentes performances de détection. This method, which is based on techniques related to MEMS technology ("MicroElectroMechanical Systems" in English), proposes using a substrate with a pyroelectric surface layer for the production of pyroelectric detectors, in which the layer of pyroelectric material is obtained from of a thick layer of pyroelectric material. In this method, no step of ionic machining of a thick layer of pyroelectric material is implemented, which makes it possible to considerably reduce the cost of producing the detector and not to have the constraints of implementing ion milling, while allowing excellent detection performance to be obtained.
En outre, grâce à la cavité formée à travers la couche support, aucun masque supplémentaire n'est nécessaire pour la réalisation de la deuxième électrode puisque la couche support sert elle-même de masque pour la réalisation de cette deuxième électrode. Furthermore, thanks to the cavity formed through the support layer, no additional mask is necessary for the production of the second electrode since the support layer itself serves as a mask for the production of this second electrode.
En outre, la surface des ouvertures formées à travers la couche support est minimisée et est égale uniquement à celle permettant la réalisation de la deuxième électrode. Cela permet d'améliorer la rigidité du substrat pendant le processus de fabrication (rapport entre la surface des ouvertures à travers la couche support et la surface totale du substrat) et permet d'augmenter la densité de détecteurs pyroélectriques réalisables dans un même substrat. Enfin, le détecteur ainsi réalisé présente une masse thermique faible car seule la couche pyroélectrique et les deux électrodes sont dans l'empilement de la membrane, ce qui est favorable à l'obtention de bonnes performances de détection. In addition, the surface of the openings formed through the support layer is minimized and is equal only to that allowing the production of the second electrode. This makes it possible to improve the rigidity of the substrate during the manufacturing process (ratio between the surface area of the openings through the support layer and the total surface area of the substrate) and makes it possible to increase the density of pyroelectric detectors which can be produced in the same substrate. Finally, the detector thus produced has a low thermal mass because only the pyroelectric layer and the two electrodes are in the stack of the membrane, which is favorable to obtaining good detection performance.
Un tel procédé n'est pas évident car un substrat à couche superficielle pyroélectrique est connu pour pouvoir servir à la réalisation de filtre RF à ondes acoustiques de surface (SAW) par fabrication de peignes interdigités depuis la face avant de la couche de matériau pyroélectrique, mais n'a jamais été utilisé comme proposé ici. Such a method is not obvious because a substrate with a pyroelectric surface layer is known to be able to be used for the production of a surface acoustic wave (SAW) RF filter by manufacturing interdigitated combs from the front face of the layer of pyroelectric material, but has never been used as proposed here.
Dans le procédé exposé ci-dessus, au moins une partie de la paroi de fond de la cavité est disposée à l'aplomb de la première électrode. Autrement dit, en considérant une projection de cette partie de la paroi de fond de la cavité dans un plan parallèle à la face avant de la couche de matériau pyroélectrique et qui passe par cette face avant, au moins une partie de cette projection se superpose à la surface de la première partie de la cette face avant qui est recouverte par la première électrode. In the method described above, at least a part of the bottom wall of the cavity is placed directly above the first electrode. In other words, by considering a projection of this part of the bottom wall of the cavity in a plane parallel to the front face of the layer of pyroelectric material and which passes through this front face, at least part of this projection is superimposed on the surface of the first part of this front face which is covered by the first electrode.
Les détecteurs obtenus en mettant en œuvre ce procédé peuvent avantageusement être utilisés comme détecteurs thermiques dans les capteurs de gaz NDIR ou comme un imageur infrarouge dans les capteurs de présence, de mouvement ou de température. The detectors obtained by implementing this method can advantageously be used as thermal detectors in NDIR gas sensors or as an infrared imager in presence, movement or temperature sensors.
Dans le substrat utilisé, la couche de matériau pyroélectrique est qualifiée de « superficielle » car son épaisseur est très inférieure, par exemple d'au moins un facteur 100, à celle de la couche support. In the substrate used, the layer of pyroelectric material is described as “surface” because its thickness is much lower, for example by at least a factor of 100, than that of the support layer.
Dans le substrat utilisé pour la mise en œuvre de ce procédé, toute la surface d'une des faces principales de la couche support, ou de la couche diélectrique enterrée dans le cas d'un substrat de type POI (« Pyroelectric-On-Insulator » en anglais, ou pyroélectrique sur isolant), est recouverte par la couche de matériau pyroélectrique. In the substrate used for the implementation of this method, the entire surface of one of the main faces of the support layer, or of the buried dielectric layer in the case of a POI type substrate ("Pyroelectric-On-Insulator in English, or pyroelectric on insulator), is covered by the layer of pyroelectric material.
Par rapport aux procédés de l'art antérieur dans lesquels il est fait appel à une couche support sur laquelle repose une portion de matériau pyroélectrique, l'utilisation d'une couche superficielle de matériau pyroélectrique telle que proposée dans l'invention a pour avantage de former une portion de matériau pyroélectrique sous la forme d'une membrane suspendue, sans couche de support supplémentaire, ce qui réduit l'inertie thermique du matériau pyroélectrique du détecteur. Un autre avantage est également que ce procédé va permettre de réaliser, à partir du substrat utilisé, plusieurs détecteurs avec une plus grande densité, et dont les caractéristiques pourront être uniformes d'un détecteur à l'autre. Compared to the methods of the prior art in which use is made of a support layer on which rests a portion of pyroelectric material, the use of a surface layer of pyroelectric material as proposed in the invention has the advantage of forming a portion of pyroelectric material in the form of a suspended membrane, without an additional support layer, which reduces the thermal inertia of the pyroelectric material of the detector. Another advantage is also that this method will make it possible to produce, from the substrate used, several detectors with greater density, and whose characteristics may be uniform from one detector to another.
De manière avantageuse, le matériau pyroélectrique peut correspondre à du LiTa03, ou tantalate de lithium. Le détecteur pyroélectrique bénéficie dans ce cas des avantages apportés par ce matériau pyroélectrique issu d'une couche épaisse, à savoir un important facteur de mérite pour un détecteur pyroélectrique et une grande stabilité de polarisation. Advantageously, the pyroelectric material may correspond to LiTa0 3 , or lithium tantalate. In this case, the pyroelectric detector benefits from the advantages provided by this pyroelectric material resulting from a thick layer, namely a high figure of merit for a pyroelectric detector and a high polarization stability.
De manière avantageuse, l'épaisseur de la couche de matériau pyroélectrique peut être comprise entre 300 nm et 3 pm. La couche de matériau pyroélectrique du substrat forme dans ce cas une fine membrane de matériau pyroélectrique ayant une faible masse thermique et directement utilisable pour la réalisation du détecteur pyroélectrique. Advantageously, the thickness of the layer of pyroelectric material can be between 300 nm and 3 μm. The layer of pyroelectric material of the substrate in this case forms a fine membrane of pyroelectric material having a low thermal mass and directly usable for producing the pyroelectric detector.
La forme et/ou les dimensions de la première électrode, dans un plan parallèle à la face avant de la couche de matériau pyroélectrique, peuvent être similaires de celles de la deuxième électrode. The shape and/or the dimensions of the first electrode, in a plane parallel to the front face of the layer of pyroelectric material, may be similar to those of the second electrode.
La réalisation de la première électrode peut comporter au moins un dépôt d'au moins une première portion d'un premier matériau électriquement conducteur sur, ou contre, la première partie de la face avant de la couche de matériau pyroélectrique, une deuxième portion du premier matériau électriquement conducteur étant également déposée sur, ou contre, une deuxième partie de la face avant de la couche de matériau pyroélectrique telle qu'elle forme au moins une partie d'un premier contact électrique relié électriquement à la première électrode. The production of the first electrode may comprise at least one deposit of at least a first portion of a first electrically conductive material on, or against, the first part of the front face of the layer of pyroelectric material, a second portion of the first electrically conductive material also being deposited on, or against, a second part of the front face of the layer of pyroelectric material such that it forms at least part of a first electrical contact electrically connected to the first electrode.
Le procédé peut comporter en outre, avant la réalisation de la première électrode, la gravure d'une ouverture à travers la couche de matériau pyroélectrique et agencée telle qu'elle débouche sur la partie de la paroi de fond de la cavité sur laquelle la deuxième électrode est destinée à être réalisée, et une troisième portion du premier matériau électriquement conducteur peut être également déposée sur, ou contre, une troisième partie de la face avant de la couche de matériau pyroélectrique et dans l'ouverture telle qu'elle forme au moins une partie d'un deuxième contact électrique destiné à être relié électriquement à la deuxième électrode. The method may further comprise, before the production of the first electrode, the etching of an opening through the layer of pyroelectric material and arranged such that it opens onto the part of the bottom wall of the cavity on which the second electrode is intended to be produced, and a third portion of the first electrically conductive material can also be deposited on, or against, a third part of the front face of the layer of pyroelectric material and in the opening such that it forms at least part of a second electrical contact intended to be electrically connected to the second electrode.
Cette configuration permet de simplifier l'intégration du détecteur avec une électronique de commande à laquelle le détecteur est relié. This configuration makes it possible to simplify the integration of the detector with control electronics to which the detector is connected.
La réalisation du premier contact électrique et/ou du deuxième contact électrique peut comporter en outre un dépôt d'au moins un deuxième matériau électriquement conducteur sur la deuxième portion et/ou la troisième portion du premier matériau électriquement conducteur. The making of the first electrical contact and/or of the second electrical contact may further comprise a deposition of at least one second electrically conductive material on the second portion and/or the third portion of the first electrically conductive material.
La cavité peut être formée en mettant en œuvre : The cavity can be formed by implementing:
- un dépôt d'un masque dur sur, ou contre, au moins une première partie d'une face arrière de la couche support destinée à être localisée en périphérie de la cavité ; - a deposition of a hard mask on, or against, at least a first part of a rear face of the support layer intended to be located on the periphery of the cavity;
- une première gravure ionique réactive profonde, ou DRIE (« Deep Reactive Ion Etching » en anglais) à travers au moins une deuxième partie de la face arrière de la couche support non recouverte par le masque dur, formant une première partie de la cavité dans une partie de l'épaisseur de la couche support ; - a first deep reactive ion etching, or DRIE (“Deep Reactive Ion Etching”) through at least a second part of the rear face of the support layer not covered by the hard mask, forming a first part of the cavity in a part of the thickness of the support layer;
- un dépôt d'une couche de protection fluorocarbonée au moins sur, ou contre, des parois latérale de la première partie de la cavité ; - A deposit of a fluorocarbon protective layer at least on, or against, the side walls of the first part of the cavity;
- une deuxième gravure isotrope depuis une paroi de fond de la première partie de la cavité et à travers une épaisseur restante de la couche support, formant une deuxième partie de la cavité dans l'épaisseur restante de la couche support. - a second isotropic etching from a bottom wall of the first part of the cavity and through a remaining thickness of the support layer, forming a second part of the cavity in the remaining thickness of the support layer.
Ainsi, il est possible de graver rapidement une majeure partie de la couche support, grâce à la mise en œuvre de la première gravure DRIE, sans endommager la couche de matériau pyroélectrique, grâce à la mise en œuvre de la deuxième gravure isotrope. Thus, it is possible to quickly etch a major part of the support layer, thanks to the implementation of the first DRIE etching, without damaging the layer of pyroelectric material, thanks to the implementation of the second isotropic etching.
Les dimensions de la deuxième partie de la cavité, dans un plan parallèle à la face avant de la couche de matériau pyroélectrique, peuvent être supérieures à celles de la première partie de la cavité, et le procédé peut comporter en outre une réalisation d'au moins une tranchée d'isolation thermique à travers la couche de matériau pyroélectrique et agencée au moins en partie autour de la première électrode. Cette ou ces tranchées améliorent l'isolation thermique de la portion de matériau pyroélectrique se trouvant entre les première et deuxième électrodes vis-à-vis du reste du substrat. L'étape de réalisation de la ou des tranchées d'isolation thermique peut être mise en œuvre simultanément à l'étape de gravure de l'ouverture à travers la couche de matériau pyroélectrique et qui débouche sur la partie de la paroi de fond de la cavité sur laquelle la deuxième électrode est destinée à être réalisée. The dimensions of the second part of the cavity, in a plane parallel to the front face of the layer of pyroelectric material, may be greater than those of the first part of the cavity, and the method may further comprise a production of at at least one thermal insulation trench through the layer of pyroelectric material and arranged at least partly around the first electrode. This or these trenches improve the thermal insulation of the portion of pyroelectric material located between the first and second electrodes vis-à-vis the rest of the substrate. The step of producing the thermal insulation trench or trenches can be implemented simultaneously with the step of etching the opening through the layer of pyroelectric material and which opens onto the part of the bottom wall of the cavity on which the second electrode is intended to be made.
Le procédé peut être tel que : The process can be such as:
- le substrat est de type POI et comporte en outre une couche diélectrique enterrée disposée entre la couche support et la couche de matériau pyroélectrique, la face arrière de la couche de matériau pyroélectrique étant disposée contre la couche diélectrique enterrée, et - the substrate is of the POI type and further comprises a buried dielectric layer placed between the support layer and the layer of pyroelectric material, the rear face of the layer of pyroelectric material being placed against the buried dielectric layer, and
- la cavité est réalisée telle qu'elle traverse également la couche diélectrique enterrée. - the cavity is made such that it also passes through the buried dielectric layer.
Lorsque le matériau pyroélectrique correspond à du LiTa03, le substrat POI correspond à un substrat LTOI (« Lithium Tantalate On Insulator » en anglais, ou Tantalate de lithium sur isolant). When the pyroelectric material corresponds to LiTa0 3 , the POI substrate corresponds to an LTOI (“Lithium Tantalate On Insulator”) substrate.
L'utilisation d'un substrat POI a notamment pour avantage d'avoir une protection additionnelle de la couche de matériau pyroélectrique lors d'une gravure de la face arrière de la couche support, grâce à la présence de la couche diélectrique enterrée. The use of a POI substrate has the particular advantage of having additional protection of the layer of pyroelectric material during etching of the rear face of the support layer, thanks to the presence of the buried dielectric layer.
Les étapes mises en œuvre pour former la cavité peuvent comporter en outre une troisième gravure depuis une paroi de fond de la deuxième partie de la cavité et à travers la couche diélectrique enterrée, mise en œuvre après la deuxième gravure isotrope et formant une troisième partie de la cavité dans la couche diélectrique enterrée. The steps implemented to form the cavity may further comprise a third etching from a bottom wall of the second part of the cavity and through the buried dielectric layer, implemented after the second isotropic etching and forming a third part of the cavity in the buried dielectric layer.
Dans ce cas, les dimensions de la troisième partie de la cavité, dans un plan parallèle à la face avant de la couche de matériau pyroélectrique, peuvent supérieures à celles de la première partie de la cavité. In this case, the dimensions of the third part of the cavity, in a plane parallel to the front face of the layer of pyroelectric material, may be greater than those of the first part of the cavity.
Il est également décrit un détecteur pyroélectrique, comportant au moins : - un substrat comportant une couche support et une couche de matériau pyroélectrique disposée sur la couche support ; A pyroelectric detector is also described, comprising at least: - a substrate comprising a support layer and a layer of pyroelectric material placed on the support layer;
- une première électrode disposée sur, ou contre, au moins une première partie d'une face avant de la couche de matériau pyroélectrique opposée à une face arrière de la couche de matériau pyroélectrique disposée du côté de la couche support ; - a first electrode arranged on, or against, at least a first part of a front face of the layer of pyroelectric material opposite a rear face of the layer of pyroelectric material arranged on the side of the support layer;
- une cavité traversant la couche support telle qu'une paroi de fond de la cavité soit formée par une partie de la face arrière de la couche de matériau pyroélectrique, et telle qu'au moins une partie de la paroi de fond de la cavité soit disposée à l'aplomb de la première électrode ; - a cavity passing through the support layer such that a bottom wall of the cavity is formed by a part of the rear face of the layer of pyroelectric material, and such that at least a part of the bottom wall of the cavity is placed directly above the first electrode;
- une deuxième électrode disposée sur au moins la partie de la paroi de fond de la cavité. - A second electrode arranged on at least part of the bottom wall of the cavity.
Dans l'ensemble du document, le terme « sur » est utilisé sans distinction de l'orientation dans l'espace de l'élément auquel ce rapporte ce terme. Par exemple, dans la caractéristique « sur au moins une première partie d'une face avant d'une couche de matériau pyroélectrique », cette face avant n'est pas nécessairement orientée vers le haut mais peut correspondre à une face orientée selon n'importe quelle direction. En outre, la disposition d'un premier élément sur un deuxième élément doit être comprise comme pouvant correspondre à la disposition du premier élément directement contre le deuxième élément, sans aucun élément intermédiaire entre les premier et deuxième éléments, ou bien comme pouvant correspondre à la disposition du premier élément sur le deuxième élément avec un ou plusieurs éléments intermédiaires disposés entre les premier et deuxième éléments. Throughout the document, the term “on” is used without distinction of the orientation in space of the element to which this term refers. For example, in the characteristic "on at least a first part of a front face of a layer of pyroelectric material", this front face is not necessarily oriented upwards but may correspond to a face oriented according to any which way. In addition, the arrangement of a first element on a second element must be understood as being able to correspond to the arrangement of the first element directly against the second element, without any intermediate element between the first and second elements, or as being able to correspond to the arrangement of the first element on the second element with one or more intermediate elements arranged between the first and second elements.
BRÈVE DESCRIPTION DES DESSINS La présente invention sera mieux comprise à la lecture de la description d'exemples de réalisation donnés à titre purement indicatif et nullement limitatif en faisant référence aux dessins annexés sur lesquels : - les figures 1 à 10 représentent des étapes d'un procédé de réalisation d'un détecteur pyroélectrique, objet de la présente invention, selon un mode de réalisation particulier ; BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The present invention will be better understood on reading the description of exemplary embodiments given purely for information and in no way limiting with reference to the appended drawings in which: - Figures 1 to 10 represent steps of a method of producing a pyroelectric detector, object of the present invention, according to a particular embodiment;
- les figures 11 et 12 représentent des détecteurs pyroélectriques, objets de la présente invention, selon des variantes de réalisation. - Figures 11 and 12 show pyroelectric detectors, objects of the present invention, according to alternative embodiments.
Des parties identiques, similaires ou équivalentes des différentes figures décrites ci-après portent les mêmes références numériques de façon à faciliter le passage d'une figure à l'autre. Identical, similar or equivalent parts of the various figures described below bear the same numerical references so as to facilitate passage from one figure to another.
Les différentes parties représentées sur les figures ne le sont pas nécessairement selon une échelle uniforme, pour rendre les figures plus lisibles. The different parts shown in the figures are not necessarily shown on a uniform scale, to make the figures more readable.
Les différentes possibilités (variantes et modes de réalisation) doivent être comprises comme n'étant pas exclusives les unes des autres et peuvent se combiner entre elles. The different possibilities (variants and embodiments) must be understood as not mutually exclusive and can be combined with each other.
EXPOSÉ DÉTAILLÉ DE MODES DE RÉALISATION PARTICULIERS DETAILED DISCUSSION OF PARTICULAR EMBODIMENTS
Un exemple de procédé de réalisation d'un détecteur pyroélectrique 100 est décrit ci-dessous en lien avec les figures 1 à 10. Chacune des figures 1 à 10 comporte une première vue a) correspondant à une vue de dessus de la structure réalisée (du côté de la face du détecteur 100 destinée à recevoir un rayonnement thermique à détecter), une deuxième vue b) correspondant à une vue en coupe de la structure réalisée, et une troisième vue c) correspondant à vue de dessous de la structure réalisée. Les axes de référence X, Y et Z représentés sur la figure 1 sont similaires pour l'ensemble des figures 1 à 10. Bien que la réalisation d'un seul détecteur pyroélectrique 100 soit décrite ici, le procédé est généralement mis en œuvre tel que de nombreux détecteurs pyroélectriques 100 soient simultanément réalisés sur le substrat utilisé. An example of a method for producing a pyroelectric detector 100 is described below in connection with FIGS. 1 to 10. Each of FIGS. 1 to 10 comprises a first view a) corresponding to a top view of the structure produced (of the side of the face of the detector 100 intended to receive thermal radiation to be detected), a second view b) corresponding to a sectional view of the structure produced, and a third view c) corresponding to a bottom view of the structure produced. The reference axes X, Y and Z represented in FIG. 1 are similar for all of FIGS. 1 to 10. Although the production of a single pyroelectric detector 100 is described here, the method is generally implemented such that many pyroelectric detectors 100 are simultaneously produced on the substrate used.
Le détecteur 100 est réalisé à partir d'un substrat 102, ici de type POI et comprenant une couche support 104, une couche diélectrique enterrée 106 et une couche superficielle de matériau pyroélectrique 108. Le substrat 102 est représenté sur la figure 1. La couche diélectrique enterrée 106 est disposée entre la couche support 104 et la couche de matériau pyroélectrique 108. La présence de la couche diélectrique enterrée 106 dans le substrat 102 a pour avantage de protéger la face arrière de la couche de matériau pyroélectrique 108 (face arrière se trouvant du côté de la couche diélectrique enterrée 106) par exemple vis-à-vis d'étapes de gravure DRIE qui seront mises en œuvre ultérieurement. The detector 100 is made from a substrate 102, here of the POI type and comprising a support layer 104, a buried dielectric layer 106 and a surface layer of pyroelectric material 108. The substrate 102 is represented in FIG. buried dielectric 106 is placed between the support layer 104 and the layer of pyroelectric material 108. The presence of the buried dielectric layer 106 in the substrate 102 has the advantage of protecting the rear face of the layer of pyroelectric material 108 (rear face lying on the side of the buried dielectric layer 106) for example against DRIE etching steps which will be put implemented later.
Le substrat 102 correspond par exemple à un substrat de diamètre égal à 100 ou 150 mm. En variante, le diamètre du substrat 102 peut avoir une valeur différente de 100 ou 150 mm. The substrate 102 corresponds for example to a substrate with a diameter equal to 100 or 150 mm. As a variant, the diameter of the substrate 102 can have a value different from 100 or 150 mm.
Le substrat 102 est par exemple réalisé en mettant en œuvre un procédé de type « smart-cut » analogue à celui mis en œuvre pour la réalisation de substrat SOI (silicium sur isolant), la couche de silicium utilisée pour former la couche superficielle du substrat SOI étant ici remplacée par une couche de matériau pyroélectrique épaisse servant à la réalisation de la couche superficielle de matériau pyroélectrique 108. La couche de S1O2 106 peut être réalisée par oxydation thermique ou par un processus de dépôt, par exemple PECVD. The substrate 102 is for example produced by implementing a “smart-cut” type process similar to that implemented for the production of an SOI (silicon on insulator) substrate, the silicon layer used to form the surface layer of the substrate SOI being here replaced by a layer of thick pyroelectric material serving to produce the surface layer of pyroelectric material 108. The layer of S1O2 106 can be produced by thermal oxidation or by a deposition process, for example PECVD.
La couche support 104 correspond par exemple à une couche de silicium ou de verre, saphir, etc., et notamment du silicium de type HR (Haute Résistivité). La résistivité du silicium de la couche support 104 est par exemple supérieure à 10 kO.cm. L'épaisseur (dimension parallèle à l'axe Z) de la couche support 104 est par exemple égale à 500 pm ou plus généralement comprise entre 300 pm et 800 pm. The support layer 104 corresponds for example to a layer of silicon or of glass, sapphire, etc., and in particular silicon of the HR (High Resistivity) type. The resistivity of the silicon of the support layer 104 is for example greater than 10 kO.cm. The thickness (dimension parallel to the Z axis) of support layer 104 is for example equal to 500 μm or more generally between 300 μm and 800 μm.
La couche diélectrique enterrée 106 correspond par exemple à une couche de S1O2. L'épaisseur de la couche diélectrique enterrée 106 est par exemple égale à 0,5 pm ou plus généralement comprise entre 0 et 4 pm (l'épaisseur nulle représentant le fait que cette couche diélectrique enterrée 106 peut ne pas être présente dans le substrat 102). The buried dielectric layer 106 corresponds for example to an S1O2 layer. The thickness of the buried dielectric layer 106 is for example equal to 0.5 μm or more generally between 0 and 4 μm (the zero thickness representing the fact that this buried dielectric layer 106 may not be present in the substrate 102 ).
De manière avantageuse, la couche de matériau pyroélectrique 108 correspond à une couche de LiTa03. L'épaisseur de la couche de matériau pyroélectrique 108 est par exemple égale à 0,5 pm, avec une tolérance de 0,1 pm ou de 0,05 pm. Plus généralement, l'épaisseur de la couche de matériau pyroélectrique 108 est par exemple comprise entre 300 nm et 3 pm, ce qui permet de l'utiliser directement (sans mise en œuvre de gravure) pour former une fine membrane de matériau pyroélectrique. En variante, la couche 108 peut comporter un matériau pyroélectrique différent du LaTi03, comme par exemple du LiNb03. Advantageously, the layer of pyroelectric material 108 corresponds to a layer of LiTa03. The thickness of the layer of pyroelectric material 108 is for example equal to 0.5 μm, with a tolerance of 0.1 μm or 0.05 μm. More generally, the thickness of the layer of pyroelectric material 108 is for example between 300 nm and 3 μm, which makes it possible to use it directly (without implementing etching) to form a thin membrane of pyroelectric material. In alternatively, the layer 108 may comprise a pyroelectric material different from LaTi0 3 , such as for example LiNb0 3 .
Selon un exemple, le substrat 102 peut être réalisé en mettant en œuvre une implantation ionique, par exemple d'ions hydrogène, dans la couche épaisse de matériau pyroélectrique, à une profondeur correspondant à l'épaisseur souhaitée de la couche de matériau pyroélectrique 108. La partie de la couche épaisse de matériau pyroélectrique destinée à former la couche 108 est ensuite solidarisée à la couche diélectrique enterrée 106 formée au préalable sur la couche support 104, par exemple par oxydation de la couche support 104 lorsque celle-ci comporte du silicium. Comme pour la réalisation d'un substrat SOI, une étape de traitement (par exemple la formation de microbulles) et de clivage, au niveau des ions précédemment implantés, est ensuite mise en œuvre afin de séparer la partie de la couche épaisse de matériau pyroélectrique destinée à former la couche 108 par rapport au reste de la couche épaisse de matériau pyroélectrique. La qualité de surface et l'épaisseur souhaitée de la couche 108 peuvent être ajustées par le polissage mécano-chimique. According to one example, the substrate 102 can be produced by implementing an ion implantation, for example of hydrogen ions, in the thick layer of pyroelectric material, at a depth corresponding to the desired thickness of the layer of pyroelectric material 108. The part of the thick layer of pyroelectric material intended to form the layer 108 is then joined to the buried dielectric layer 106 formed beforehand on the support layer 104, for example by oxidation of the support layer 104 when the latter comprises silicon. As for the production of an SOI substrate, a treatment step (for example the formation of microbubbles) and cleavage, at the level of the previously implanted ions, is then implemented in order to separate the part of the thick layer of pyroelectric material intended to form the layer 108 with respect to the rest of the thick layer of pyroelectric material. The surface quality and the desired thickness of the layer 108 can be adjusted by mechanical-chemical polishing.
Selon un autre exemple, il est possible d'envisager de former le substrat 102 via la mise en œuvre d'un collage direct d'une couche de matériau pyroélectrique épaisse contre la couche support 104 ou la couche diélectrique enterrée 106, puis d'un polissage de la couche de matériau pyroélectrique épaisse afin d'obtenir la couche 108 ayant l'épaisseur souhaitée. According to another example, it is possible to envisage forming the substrate 102 via the implementation of direct bonding of a layer of thick pyroelectric material against the support layer 104 or the buried dielectric layer 106, then of a polishing the layer of thick pyroelectric material in order to obtain the layer 108 having the desired thickness.
Une ouverture 110 est ensuite réalisée à travers la couche de matériau pyroélectrique 108, depuis une face avant 112 de la couche de matériau pyroélectrique 108 jusqu'au travers d'une face arrière 114 de la couche de matériau pyroélectrique 108 en contact avec la couche diélectrique enterrée 106 (voir figure 2, sur laquelle la vue b) correspond à une vue en coupe selon l'axe AA visible sur la vue a), cela étant également le cas sur les figures 3 à 10). Cette ouverture 110 a pour but de former un accès, depuis la face avant 112 de la couche de matériau pyroélectrique 108, à une partie de la face arrière 114 sur laquelle une électrode arrière du détecteur 100 sera réalisée ultérieurement. L'ouverture 110 est réalisée en mettant en œuvre une gravure à travers la couche de matériau pyroélectrique 108, par exemple de type IBE. Dans l'exemple de réalisation décrit ici, l'ouverture 110 a une forme sensiblement conique dont le diamètre au niveau de la face avant 112, noté « a » sur la figure 2, est égal à environ 10 pm ou plus généralement compris entre 3 pm et 30 pm. Le diamètre de l'ouverture 100 au niveau de la face arrière 114 est par exemple compris entre 1 pm et 28 pm. En variante, la forme de l'ouverture 110 peut être différente, par exemple cylindrique ou d'une toute autre forme. An opening 110 is then made through the layer of pyroelectric material 108, from a front face 112 of the layer of pyroelectric material 108 to through a rear face 114 of the layer of pyroelectric material 108 in contact with the dielectric layer. buried 106 (see Figure 2, in which view b) corresponds to a sectional view along the axis AA visible in view a), this also being the case in Figures 3 to 10). The purpose of this opening 110 is to form access, from the front face 112 of the layer of pyroelectric material 108, to a part of the rear face 114 on which a rear electrode of the detector 100 will be produced subsequently. The opening 110 is made by implementing an etching through the layer of pyroelectric material 108, for example of the IBE type. In the embodiment described here, the opening 110 has a substantially conical shape, the diameter of which at the level of the front face 112, denoted "a" in FIG. 2, is equal to about 10 μm or more generally between 3 pm and 30 pm. The diameter of the opening 100 at the rear face 114 is for example between 1 μm and 28 μm. As a variant, the shape of the opening 110 can be different, for example cylindrical or of any other shape.
Une première électrode 116 est ensuite réalisée sur une première partie 118 de la face avant 112 de la couche de matériau pyroélectrique 108. Cette première électrode 116 comporte au moins un premier matériau électriquement conducteur, par exemple du NiCr ou du TiN. La première électrode 116 est par exemple réalisée en mettant en œuvre un dépôt d'une couche de ce premier matériau électriquement conducteur à travers un premier masque de sérigraphie dont le motif (c'est-à-dire la ou les ouvertures que comporte le premier masque), à travers lequel le premier matériau électriquement conducteur est déposé, correspond à celui de la première électrode 116. L'épaisseur de la couche du premier matériau électriquement conducteur déposée est par exemple égale à 10 nm ou plus généralement comprise entre 5 nm et 50 nm. A first electrode 116 is then made on a first part 118 of the front face 112 of the layer of pyroelectric material 108. This first electrode 116 comprises at least a first electrically conductive material, for example NiCr or TiN. The first electrode 116 is for example produced by implementing a deposition of a layer of this first electrically conductive material through a first screen printing mask whose pattern (that is to say the opening or openings that the first mask), through which the first electrically conductive material is deposited, corresponds to that of the first electrode 116. The thickness of the layer of first electrically conductive material deposited is for example equal to 10 nm or more generally between 5 nm and 50nm.
La mise en œuvre de l'étape de dépôt de la couche du premier matériau électriquement conducteur permet de former également une partie d'un premier contact électrique 120 relié électriquement à la première électrode 116 et disposé sur une deuxième partie (non référencée sur les figures) de la face avant 112 de la couche de matériau pyroélectrique 108, ainsi qu'une partie d'un deuxième contact électrique 122 disposé sur une troisième partie 124 de la face avant 112 de la couche de matériau pyroélectrique 108 et dans l'ouverture 110. Comme cela est visible sur la figure 3, une première portion du premier matériau électriquement conducteur déposée sur la première partie 118 de la face avant 112 forme la première électrode 116, une deuxième portion 121 du premier matériau électriquement conducteur déposée sur la deuxième partie de la face avant 112 forme une partie du premier contact électrique 120 relié électriquement à la première électrode 116, et une troisième portion 123 du premier matériau électriquement conducteur déposée sur la troisième partie 124 de la face avant 112 et dans l'ouverture 110 forme une partie du deuxième contact électrique 122. La troisième portion 123 du premier matériau électriquement conducteur est notamment déposée sur la paroi de fond de l'ouverture 110 qui est formée par la couche diélectrique enterrée 106. Cette troisième portion 123 est destinée à être reliée électriquement à la deuxième électrode du détecteur 100 qui sera réalisée ultérieurement sur la face arrière 114 de la couche de matériau pyroélectrique 108. The implementation of the step of depositing the layer of the first electrically conductive material also makes it possible to form part of a first electrical contact 120 electrically connected to the first electrode 116 and arranged on a second part (not referenced in the figures ) of the front face 112 of the layer of pyroelectric material 108, as well as part of a second electrical contact 122 disposed on a third part 124 of the front face 112 of the layer of pyroelectric material 108 and in the opening 110 3, a first portion of the first electrically conductive material deposited on the first part 118 of the front face 112 forms the first electrode 116, a second portion 121 of the first electrically conductive material deposited on the second part of the front face 112 forms part of the first electrical contact 120 electrically connected to the first electrode 116, and a third portion 123 of the first mat electrically conductive material deposited on the third part 124 of the front face 112 and in the opening 110 forms part of the second electrical contact 122. The third portion 123 of the first electrically conductive material is in particular deposited on the bottom wall of the opening 110 which is formed by the buried dielectric layer 106. This third portion 123 is intended to be electrically connected to the second electrode of the detector 100 which will be performed subsequently on the rear face 114 of the layer of pyroelectric material 108.
Pour former ces deuxième et troisième portions 121, 123 du premier matériau électriquement conducteur, le motif du premier masque de sérigraphie à travers lequel le premier matériau électriquement conducteur est déposé inclus, en plus de celui de la première électrode 116, ceux des premier et deuxième contacts électriques 120, 122. Ces motifs sont tels que les premier et deuxième contacts électriques 120, 122 réalisés ne seront pas en contact électriquement l'un avec l'autre, et que la première électrode 116 ne sera pas en contact électriquement avec le deuxième contact électrique 122. To form these second and third portions 121, 123 of the first electrically conductive material, the pattern of the first screen printing mask through which the first electrically conductive material is deposited included, in addition to that of the first electrode 116, those of the first and second electrical contacts 120, 122. These patterns are such that the first and second electrical contacts 120, 122 produced will not be in electrical contact with each other, and that the first electrode 116 will not be in electrical contact with the second electrical contact 122.
Dans l'exemple de réalisation décrit ici, la forme de la première électrode 116, dans un plan parallèle à la face avant 112, est sensiblement rectangulaire (avec toutefois un coin de ce rectangle qui est rogné pour éviter d'être en contact électriquement avec le deuxième contact électrique 122). La forme de la première électrode 116 peut toutefois être différente. In the embodiment described here, the shape of the first electrode 116, in a plane parallel to the front face 112, is substantially rectangular (with however a corner of this rectangle which is trimmed to avoid being in electrical contact with the second electrical contact 122). The shape of the first electrode 116 can however be different.
Une couche épaisse d'un deuxième matériau électriquement conducteur, correspondant par exemple à de l'Au, de GAI, du Pt ou du NiCr, est ensuite déposée de manière à recouvrir les deuxième et troisième portions 121, 123 du premier matériau électriquement conducteur (voir figure 4). L'épaisseur de cette couche du deuxième matériau électriquement conducteur est par exemple comprise entre 100 nm et 1000 nm. Ce dépôt épais du deuxième matériau électriquement conducteur permet d'obtenir l'épaisseur requise pour un test sous pointes et un câblage par fil des premier et deuxième contacts électriques 120, 122. Ce dépôt est par exemple réalisé à travers un deuxième masque de sérigraphie dont le motif correspond à celui des premier et deuxième contacts électriques 120, 122. Les portions du deuxième matériau électriquement conducteur formées par ce dépôt portent les références 126 et 128 et forment, avec les deuxième et troisième portions 121, 123 du premier matériau électriquement conducteur précédemment déposées, les premier et deuxième contacts électriques 120, 122. A thick layer of a second electrically conductive material, corresponding for example to Au, GAI, Pt or NiCr, is then deposited so as to cover the second and third portions 121, 123 of the first electrically conductive material ( see figure 4). The thickness of this layer of the second electrically conductive material is for example between 100 nm and 1000 nm. This thick deposition of the second electrically conductive material makes it possible to obtain the thickness required for a test under probes and wiring by wire of the first and second electrical contacts 120, 122. This deposition is for example carried out through a second screen printing mask whose the pattern corresponds to that of the first and second electrical contacts 120, 122. The portions of the second electrically conductive material formed by this deposit carry the references 126 and 128 and form, with the second and third portions 121, 123 of the first material electrically conductive previously deposited, the first and second electrical contacts 120, 122.
Une couche de protection 130 est ensuite appliquée sur la face avant 112 de la couche de matériau pyroélectrique 108, en recouvrant également la première électrode 116 ainsi que les premier et deuxième contacts électriques 120, 122 (voir figure 5). La couche de protection 130 a par exemple une épaisseur égale à 10 pm et comporte par exemple une résine dite « positive » (un type de résine photosensible pour laquelle la partie de résine photosensible non exposée reste insoluble). Le rôle de la couche de protection 130 est de protéger le matériau pyroélectrique de la couche 108 ainsi que la première électrode 116 et les contacts électriques 120, 122 des étapes qui seront mises en œuvre par la suite. A protective layer 130 is then applied to the front face 112 of the layer of pyroelectric material 108, also covering the first electrode 116 as well as the first and second electrical contacts 120, 122 (see FIG. 5). The protective layer 130 has for example a thickness equal to 10 μm and comprises for example a so-called “positive” resin (a type of photosensitive resin for which the part of unexposed photosensitive resin remains insoluble). The role of the protective layer 130 is to protect the pyroelectric material of the layer 108 as well as the first electrode 116 and the electrical contacts 120, 122 from the steps which will be implemented subsequently.
Une cavité 132 est ensuite réalisée par gravure dans la couche support 104 et la couche diélectrique enterrée 106 telle qu'une paroi de fond de la cavité 132 soit formée par une partie de la face arrière 114 de la couche de matériau pyroélectrique 108, et qu'au moins une partie de cette paroi de fond de la cavité 132 soit disposée à l'aplomb de la première électrode 116. A cavity 132 is then produced by etching in the support layer 104 and the buried dielectric layer 106 such that a bottom wall of the cavity 132 is formed by a part of the rear face 114 of the layer of pyroelectric material 108, and that at least a part of this bottom wall of the cavity 132 is placed directly above the first electrode 116.
Dans l'exemple de réalisation décrit ici, la cavité 132 est formée en mettant en œuvre successivement plusieurs étapes de gravure. In the embodiment described here, the cavity 132 is formed by successively implementing several etching steps.
Un masque dur 134, comportant par exemple de l'aluminium, est tout d'abord déposé sur une première partie 136 d'une face arrière 138 (référence visible sur la figure 5, cette face arrière 138 étant la face opposée à la face avant de la couche support 104 qui est en contact avec la couche diélectrique enterrée 106) de la couche support 104. Cette première partie 136 de la face arrière 138 de la couche support 104 est destinée à être localisée en périphérie de la cavité 132. A hard mask 134, comprising for example aluminum, is first of all deposited on a first part 136 of a rear face 138 (reference visible in FIG. 5, this rear face 138 being the face opposite the front face of the support layer 104 which is in contact with the buried dielectric layer 106) of the support layer 104. This first part 136 of the rear face 138 of the support layer 104 is intended to be located on the periphery of the cavity 132.
Une première gravure, par exemple de type DRIE, est mise en œuvre à travers au moins une deuxième partie de la face arrière 138 de la couche support 104 non recouverte par le masque dur 134 et dans une partie de l'épaisseur de la couche support 104 (voir figure 6). Dans l'exemple de réalisation décrit ici, la deuxième partie de la face arrière 138 est entourée par la première partie 136 de la face arrière 138. Cette première gravure permet de former une première partie de la cavité 132 dans une partie de l'épaisseur du matériau de la couche support 104, et plus particulièrement dans une majeure partie de l'épaisseur de la couche support 104. A titre d'exemple, cette majeure partie de l'épaisseur de la couche support 104 peut correspondre à 90 % de l'épaisseur totale de la couche support 104, ou être telle que l'épaisseur restante de la couche support 104 formant le fond de cette première partie de la cavité 132 soit égale à environ 50 pm. A first etching, for example of the DRIE type, is implemented through at least a second part of the rear face 138 of the support layer 104 not covered by the hard mask 134 and in part of the thickness of the support layer 104 (see figure 6). In the embodiment described here, the second part of the rear face 138 is surrounded by the first part 136 of the rear face 138. This first etching makes it possible to form a first part of the cavity 132 in a part of the thickness of the material of the support layer 104, and more particularly in a major part of the thickness of the support layer 104. By way of example, this major part of the thickness of the support layer 104 can correspond to 90 % of the total thickness of the support layer 104, or be such that the remaining thickness of the support layer 104 forming the bottom of this first part of the cavity 132 is equal to approximately 50 μm.
Une couche de protection fluorocarbonée est déposée au moins sur des parois latérales de la première partie de la cavité 132. Dans l'exemple de réalisation décrit ici, cette couche de protection fluorocarbonée est également déposée sur le masque dur 134 et sur la paroi de fond de la première partie de la cavité 132. La couche de protection fluorocarbonée peut être retirée sélectivement des surfaces latérales afin d'en retirer les parties se trouvant sur le masque dur 134 et sur la paroi de fond de la première partie de la cavité 132. Après cela, des portions restantes 140 de la couche de protection fluorocarbonée restent seulement sur des parois latérales de la première partie de la cavité 132. A fluorocarbon protective layer is deposited at least on the side walls of the first part of the cavity 132. In the embodiment described here, this fluorocarbon protective layer is also deposited on the hard mask 134 and on the bottom wall of the first portion of the cavity 132. The fluorocarbon protective layer can be selectively removed from the side surfaces in order to remove the portions thereof on the hard mask 134 and on the bottom wall of the first portion of the cavity 132. After that, remaining portions 140 of the fluorocarbon protective layer remain only on side walls of the first portion of the cavity 132.
Une deuxième gravure isotrope est ensuite mise en œuvre à travers l'épaisseur restante de la couche support 104, depuis une paroi de fond de la première partie de la cavité 132 (voir figure 7). Etant donné que cette deuxième gravure est de type isotrope, des portions de la couche support 104 formant des parois latérales de la cavité 132 sont également gravées, sur toute l'épaisseur restante de la couche support 104 qui est gravée lors de cette deuxième gravure. A la fin de cette deuxième gravure, les dimensions de la deuxième partie de la cavité 132 formée par cette deuxième gravure, dans un plan parallèle à la face avant 112 de la couche de matériau pyroélectrique 108, sont supérieures à celles de la première partie de la cavité 132. La sur-gravure latérale réalisée dans l'épaisseur restante de la couche support 104 est par exemple de l'ordre de 100 pm, ou comprise entre 50 pm et 200 pm. A second isotropic etching is then implemented through the remaining thickness of the support layer 104, from a bottom wall of the first part of the cavity 132 (see FIG. 7). Given that this second etching is of the isotropic type, portions of the support layer 104 forming the side walls of the cavity 132 are also etched, over the entire remaining thickness of the support layer 104 which is etched during this second etching. At the end of this second etching, the dimensions of the second part of the cavity 132 formed by this second etching, in a plane parallel to the front face 112 of the layer of pyroelectric material 108, are greater than those of the first part of the cavity 132. The lateral over-etching produced in the remaining thickness of the support layer 104 is for example of the order of 100 μm, or between 50 μm and 200 μm.
Une troisième gravure anisotrope, correspondant par exemple à une gravure à vapeurs d'acide fluorhydrique (HF vapeur), est ensuite mise en œuvre depuis une paroi de fond de la deuxième partie de la cavité 132 et à travers la couche diélectrique enterrée 106, achevant la réalisation de la cavité 132 (voir figure 8). A la fin de cette troisième gravure, les dimensions de la troisième partie de la cavité 132 formée par cette troisième gravure, dans un plan parallèle à la face avant 112 de la couche de matériau pyroélectrique 108, sont supérieures à celles de la première partie de la cavité 132. Des résidus des portions 140 peuvent être encore présents contre les parois latérales de la cavité 132. A third anisotropic etching, corresponding for example to hydrofluoric acid vapor etching (HF vapor), is then implemented from a bottom wall of the second part of the cavity 132 and through the buried dielectric layer 106, completing the realization of the cavity 132 (see Figure 8). At the end of this third etching, the dimensions of the third part of the cavity 132 formed by this third etching, in a plane parallel to the front face 112 of the layer of pyroelectric material 108, are greater than those of the first part of the cavity 132 Residues of portions 140 may still be present against the side walls of cavity 132.
Une deuxième électrode 142 est ensuite réalisée par un dépôt d'une couche d'un troisième matériau électriquement conducteur contre la paroi de fond de la cavité 132 (voir figure 9). La forme et/ou les dimensions de l'ouverture formée par la cavité 132 et le masque dur 134 au niveau de la face arrière 138 de la couche support 104, qui forme un masque lors du dépôt du troisième matériau électriquement conducteur, sont avantageusement similaires à celles de la première électrode 116 afin que la forme et les dimensions de la deuxième électrode 142 soient sensiblement similaires à celles de la première électrode 116. L'épaisseur de la couche du troisième matériau électriquement conducteur déposée pour former la deuxième électrode 142 est par exemple égale à 50 nm ou plus généralement comprise entre 20 nm et 200 nm, et ce troisième matériau électriquement conducteur correspond par exemple à de l'Au, de l'AI, du Pt, ou du NiCr. La deuxième électrode 142 réalisée est en contact électriquement avec le deuxième contact électrique 122 présent à travers l'ouverture 110. En outre, comme cela est visible sur la figure 9, des parties 144 de la couche du troisième matériau électriquement conducteur sont également déposées contre la première partie 136 de la face arrière 138 de la couche support 104. A second electrode 142 is then produced by depositing a layer of a third electrically conductive material against the bottom wall of cavity 132 (see FIG. 9). The shape and/or the dimensions of the opening formed by the cavity 132 and the hard mask 134 at the level of the rear face 138 of the support layer 104, which forms a mask during the deposition of the third electrically conductive material, are advantageously similar to those of the first electrode 116 so that the shape and dimensions of the second electrode 142 are substantially similar to those of the first electrode 116. The thickness of the layer of third electrically conductive material deposited to form the second electrode 142 is by example equal to 50 nm or more generally between 20 nm and 200 nm, and this third electrically conductive material corresponds for example to Au, Al, Pt, or NiCr. The second electrode 142 produced is in electrical contact with the second electrical contact 122 present through the opening 110. In addition, as can be seen in FIG. 9, portions 144 of the layer of the third electrically conductive material are also deposited against the first part 136 of the rear face 138 of the support layer 104.
La couche de protection 130 est ensuite supprimée, achevant la réalisation du détecteur 100 (voir figure 10). The protective layer 130 is then removed, completing the production of the detector 100 (see FIG. 10).
De manière optionnelle, des tranchées d'isolation thermique 146 peuvent être réalisées à travers la couche de matériau pyroélectrique 108, autour de la partie active du détecteur formé par les première et deuxième électrodes 116, 142 et la partie de la couche de matériau pyroélectrique 108 disposée entre les première et deuxième électrodes 116, 142. Les tranchées d'isolation thermique 146 peuvent être réalisées lors de la gravure de l'ouverture 110 à travers la couche de matériau pyroélectrique 108. Sur la figure 11, la vue b) correspond à une vue en coupe selon l'axe BB visible sur la vue a) de la figure 11. Optionally, thermal insulation trenches 146 can be made through the layer of pyroelectric material 108, around the active part of the detector formed by the first and second electrodes 116, 142 and the part of the layer of pyroelectric material 108 disposed between the first and second electrodes 116, 142. The thermal insulation trenches 146 can be made during the etching of the opening 110 through the layer of material pyroelectric 108. In Figure 11, view b) corresponds to a sectional view along the axis BB visible in view a) of Figure 11.
Dans la description ci-dessus, le détecteur 100 est réalisé à partir d'un substrat 102 de type POI, c'est-à-dire comportant la couche diélectrique enterrée 106 disposée entre la couche support 104 et la couche de matériau pyroélectrique 108. En variante, il est possible que le substrat 102 ne comporte pas la couche diélectrique enterrée 106. Dans ce cas, la couche de matériau pyroélectrique 108 est disposée directement sur la couche support 104. En outre, dans cette configuration, le détecteur 100 peut être réalisé en mettant en œuvre des étapes similaires à celles décrites ci-dessus en lien avec les figures 1 à 10, avec toutefois la cavité 132 qui est réalisée telle qu'elle traverse uniquement la couche support 104 (pas de mise en œuvre de la troisième gravure précédemment décrite). Le détecteur 100 selon une telle variante est représenté sur la figure 12. In the description above, the detector 100 is made from a substrate 102 of the POI type, that is to say comprising the buried dielectric layer 106 placed between the support layer 104 and the layer of pyroelectric material 108. As a variant, it is possible that the substrate 102 does not include the buried dielectric layer 106. In this case, the layer of pyroelectric material 108 is placed directly on the support layer 104. In addition, in this configuration, the detector 100 can be produced by implementing steps similar to those described above in connection with FIGS. 1 to 10, with however the cavity 132 which is produced such that it only crosses the support layer 104 (no implementation of the third previously described engraving). The detector 100 according to such a variant is shown in Figure 12.

Claims

REVENDICATIONS
1. Procédé de réalisation d'au moins un détecteur pyroélectrique (100), comportant au moins les étapes suivantes : 1. Method for producing at least one pyroelectric detector (100), comprising at least the following steps:
- réalisation d'au moins une première électrode (116) sur au moins une première partie (118) d'une face avant (112) d'une couche superficielle de matériau pyroélectrique (108) d'un substrat (102) comportant en outre une couche support (104) sur laquelle la couche de matériau pyroélectrique (108) est disposée ; - production of at least a first electrode (116) on at least a first part (118) of a front face (112) of a surface layer of pyroelectric material (108) of a substrate (102) further comprising a support layer (104) on which the layer of pyroelectric material (108) is disposed;
- réalisation d'au moins une cavité (132) traversant la couche support (104) telle qu'une paroi de fond de la cavité (132) soit formée par une partie d'une face arrière (114) de la couche de matériau pyroélectrique (108) qui est opposée à la face avant (112) de la couche de matériau pyroélectrique (108), et telle qu'au moins une partie de la paroi de fond de la cavité (132) soit disposée à l'aplomb de la première électrode (116) ; - production of at least one cavity (132) passing through the support layer (104) such that a bottom wall of the cavity (132) is formed by part of a rear face (114) of the layer of pyroelectric material (108) which is opposite the front face (112) of the layer of pyroelectric material (108), and such that at least a part of the bottom wall of the cavity (132) is arranged directly above the first electrode (116);
- réalisation d'au moins une deuxième électrode (142) sur au moins la partie de la paroi de fond de la cavité (132). - production of at least one second electrode (142) on at least the part of the bottom wall of the cavity (132).
2. Procédé selon la revendication 1, dans lequel le matériau pyroélectrique correspond à du LiTa03. 2. Method according to claim 1, in which the pyroelectric material corresponds to LiTa0 3 .
3. Procédé selon l'une des revendications précédentes, dans lequel l'épaisseur de la couche de matériau pyroélectrique (108) est comprise entre 300 nm et 3 pm. 3. Method according to one of the preceding claims, in which the thickness of the layer of pyroelectric material (108) is between 300 nm and 3 μm.
4. Procédé selon l'une des revendications précédentes, dans lequel la forme et/ou les dimensions de la première électrode (116), dans un plan parallèle à la face avant (112) de la couche de matériau pyroélectrique (108), sont similaires de celles de la deuxième électrode (142). 4. Method according to one of the preceding claims, in which the shape and/or the dimensions of the first electrode (116), in a plane parallel to the front face (112) of the layer of pyroelectric material (108), are similar to those of the second electrode (142).
5. Procédé selon l'une des revendications précédentes, dans lequel la réalisation de la première électrode (116) comporte au moins un dépôt d'au moins une première portion d'un premier matériau électriquement conducteur sur la première partie (118) de la face avant (112) de la couche de matériau pyroélectrique (108), une deuxième portion (121) du premier matériau électriquement conducteur étant également déposée sur une deuxième partie de la face avant (112) de la couche de matériau pyroélectrique (108) telle qu'elle forme au moins une partie d'un premier contact électrique (120) relié électriquement à la première électrode (116). 5. Method according to one of the preceding claims, in which the production of the first electrode (116) comprises at least one deposition of at least a first portion of a first electrically conductive material on the first part (118) of the front face (112) of the layer of pyroelectric material (108), a second portion (121) of the first electrically conductive material also being deposited on a second part of the front face (112) of the layer of pyroelectric material (108) such that it forms at least part of a first electrical contact (120) electrically connected to the first electrode (116).
6. Procédé selon la revendication 5, comportant en outre, avant la réalisation de la première électrode (116), la gravure d'une ouverture (110) à travers la couche de matériau pyroélectrique (108) et agencée telle qu'elle débouche sur la partie de la paroi de fond de la cavité (132) sur laquelle la deuxième électrode (142) est destinée à être réalisée, et dans lequel une troisième portion (123) du premier matériau électriquement conducteur est également déposée sur une troisième partie (124) de la face avant (112) de la couche de matériau pyroélectrique (108) et dans l'ouverture (110) telle qu'elle forme au moins une partie d'un deuxième contact électrique (122) destiné à être relié électriquement à la deuxième électrode (142). 6. Method according to claim 5, further comprising, before the production of the first electrode (116), the etching of an opening (110) through the layer of pyroelectric material (108) and arranged such that it opens onto the part of the bottom wall of the cavity (132) on which the second electrode (142) is intended to be made, and in which a third portion (123) of the first electrically conductive material is also deposited on a third part (124 ) of the front face (112) of the layer of pyroelectric material (108) and in the opening (110) such that it forms at least part of a second electrical contact (122) intended to be electrically connected to the second electrode (142).
7. Procédé selon l'une des revendications 5 ou 6, dans lequel la réalisation du premier contact électrique (120) et/ou du deuxième contact électrique (122) comporte en outre un dépôt d'au moins un deuxième matériau électriquement conducteur (126, 128) sur la deuxième portion (121) et/ou la troisième portion (123) du premier matériau électriquement conducteur. 7. Method according to one of claims 5 or 6, wherein the production of the first electrical contact (120) and / or the second electrical contact (122) further comprises a deposition of at least a second electrically conductive material (126 , 128) on the second portion (121) and/or the third portion (123) of the first electrically conductive material.
8. Procédé selon l'une des revendications précédentes, dans lequel la cavité (132) est formée en mettant en œuvre : 8. Method according to one of the preceding claims, in which the cavity (132) is formed by implementing:
- un dépôt d'un masque dur (134) sur au moins une première partie (136) d'une face arrière (138) de la couche support (104) destinée à être localisée en périphérie de la cavité (132) ; - une première gravure ionique réactive profonde à travers au moins une deuxième partie de la face arrière (138) de la couche support (104) non recouverte par le masque dur (134), formant une première partie de la cavité (132) dans une partie de l'épaisseur de la couche support (104) ; - a deposit of a hard mask (134) on at least a first part (136) of a rear face (138) of the support layer (104) intended to be located on the periphery of the cavity (132); - a first deep reactive ion etching through at least a second part of the rear face (138) of the support layer (104) not covered by the hard mask (134), forming a first part of the cavity (132) in a part of the thickness of the support layer (104);
- un dépôt d'une couche de protection fluorocarbonée au moins sur des parois latérale de la première partie de la cavité (132) ; - a deposit of a fluorocarbon protective layer at least on the side walls of the first part of the cavity (132);
- une deuxième gravure isotrope depuis une paroi de fond de la première partie de la cavité (132) et à travers une épaisseur restante de la couche support (104), formant une deuxième partie de la cavité (132) dans l'épaisseur restante de la couche support (104). - a second isotropic etching from a bottom wall of the first part of the cavity (132) and through a remaining thickness of the support layer (104), forming a second part of the cavity (132) in the remaining thickness of the support layer (104).
9. Procédé selon la revendication 8, dans lequel les dimensions de la deuxième partie de la cavité (132), dans un plan parallèle à la face avant (112) de la couche de matériau pyroélectrique (108), sont supérieures à celles de la première partie de la cavité (132), et comportant en outre une réalisation d'au moins une tranchée d'isolation thermique (146) à travers la couche de matériau pyroélectrique (108) et agencée au moins en partie autour de la première électrode (116). 9. Method according to claim 8, in which the dimensions of the second part of the cavity (132), in a plane parallel to the front face (112) of the layer of pyroelectric material (108), are greater than those of the first part of the cavity (132), and further comprising a realization of at least one thermal insulation trench (146) through the layer of pyroelectric material (108) and arranged at least in part around the first electrode ( 116).
10. Procédé selon l'une des revendications précédentes, dans lequel :10. Method according to one of the preceding claims, in which:
- le substrat (102) est de type pyroélectrique sur isolant, POI, et comporte en outre une couche diélectrique enterrée (106) disposée entre la couche support (104) et la couche de matériau pyroélectrique (108), la face arrière (114) de la couche de matériau pyroélectrique (108) étant disposée contre la couche diélectrique enterrée (106), et - the substrate (102) is of the pyroelectric on insulator, POI, type and further comprises a buried dielectric layer (106) arranged between the support layer (104) and the layer of pyroelectric material (108), the rear face (114) the layer of pyroelectric material (108) being disposed against the buried dielectric layer (106), and
- la cavité (132) est réalisée telle qu'elle traverse également la couche diélectrique enterrée (106). - the cavity (132) is made such that it also passes through the buried dielectric layer (106).
11. Procédé selon les revendications 8 et 10, dans lequel les étapes mises en œuvre pour former la cavité (132) comportent en outre une troisième gravure depuis une paroi de fond de la deuxième partie de la cavité (132) et à travers la couche diélectrique enterrée (106), mise en œuvre après la deuxième gravure isotrope et formant une troisième partie de la cavité (132) dans la couche diélectrique enterrée (106). 11. Method according to claims 8 and 10, in which the steps implemented to form the cavity (132) further comprise a third etching from a bottom wall of the second part of the cavity (132) and through the layer buried dielectric (106), implemented after the second isotropic etching and forming a third part of the cavity (132) in the buried dielectric layer (106).
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Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60171425A (en) * 1984-02-17 1985-09-04 Matsushita Electric Ind Co Ltd Pyroelectric type heat detection element
JPS6135320A (en) * 1984-07-27 1986-02-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd Pyroelectric type infrared detecting element and its manufacture
JPS6327722A (en) * 1986-07-21 1988-02-05 Meidensha Electric Mfg Co Ltd Pyroelectric matrix sensor and its preparation
JPS63129677A (en) * 1986-11-20 1988-06-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd Pyroelectric infrared-ray array device and manufacture thereof
JPS63131032A (en) * 1986-11-20 1988-06-03 Matsushita Electric Ind Co Ltd Pyroelectric type infrared ray detector
EP0510920A2 (en) * 1991-04-22 1992-10-28 Shimadzu Corporation Thermal photodetector and method of manufacturing the same
US5286975A (en) * 1991-05-29 1994-02-15 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Pyro-electric type infrared-ray sensor
EP0640815A1 (en) * 1993-08-23 1995-03-01 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Pyroelectric infrared radiation detector and method of producing the same
JP2015052517A (en) * 2013-09-06 2015-03-19 住友精密工業株式会社 Infrared sensor manufacturing method and infrared sensor

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60171425A (en) * 1984-02-17 1985-09-04 Matsushita Electric Ind Co Ltd Pyroelectric type heat detection element
JPS6135320A (en) * 1984-07-27 1986-02-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd Pyroelectric type infrared detecting element and its manufacture
JPS6327722A (en) * 1986-07-21 1988-02-05 Meidensha Electric Mfg Co Ltd Pyroelectric matrix sensor and its preparation
JPS63129677A (en) * 1986-11-20 1988-06-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd Pyroelectric infrared-ray array device and manufacture thereof
JPS63131032A (en) * 1986-11-20 1988-06-03 Matsushita Electric Ind Co Ltd Pyroelectric type infrared ray detector
EP0510920A2 (en) * 1991-04-22 1992-10-28 Shimadzu Corporation Thermal photodetector and method of manufacturing the same
US5286975A (en) * 1991-05-29 1994-02-15 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Pyro-electric type infrared-ray sensor
EP0640815A1 (en) * 1993-08-23 1995-03-01 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Pyroelectric infrared radiation detector and method of producing the same
JP2015052517A (en) * 2013-09-06 2015-03-19 住友精密工業株式会社 Infrared sensor manufacturing method and infrared sensor

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
RYOICHI TAKAYAMA ET AL: "PYROELECTRIC INFRARED ARRAY SENSORS MADE OF C-AXIS-ORIENTED LA-MODIFIED PBTIO3 THIN FILMS", SENSORS AND ACTUATORS A: PHYSICAL, ELSEVIER BV, NL, vol. A22, no. 1 / 03, 1 March 1990 (1990-03-01), pages 508 - 512, XP000358493, ISSN: 0924-4247 *

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