WO2022145470A1 - Structure, and exposure device and mirror for position measurement using same - Google Patents

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Abstract

The present invention comprises a prismatic-shaped or square-tube-shaped elongated body in which the cross section perpendicular to the axial direction is rectangular, and is provided with, on the outer surface thereof, a bonding surface for bonding to a to-be-bonded surface, wherein the bonding surface is provided with a plurality of first grooves that extend in the longitudinal direction of the elongated body, and a plurality of second grooves that intersect the first grooves, and the first grooves are open on both ends thereof and the second grooves are formed such that at least one end thereof is sealed.

Description

構造体、これを使用した位置計測用ミラーおよび露光装置Structure, position measurement mirror and exposure equipment using this
 本開示は、例えば、露光装置において基板ステージの位置計測に用いる反射膜を装着するための構造体、これを使用した位置計測用ミラーおよび露光装置に関する。 The present disclosure relates to, for example, a structure for mounting a reflective film used for position measurement of a substrate stage in an exposure apparatus, a position measurement mirror using the structure, and an exposure apparatus.
 従来、レーザー干渉計および反射鏡を用いて、基板を搭載するステージの位置を計測する方法が液浸露光装置等の電子ビーム露光装置で用いられている(特許文献1)。 Conventionally, a method of measuring the position of a stage on which a substrate is mounted using a laser interferometer and a reflecting mirror has been used in an electron beam exposure apparatus such as an immersion exposure apparatus (Patent Document 1).
 このような露光装置では、図8に示すような、ステージ機構が用いられ、このステージ機構は、半導体ウエハ100を載置する基板ステージ101と、基板ステージ101をX方向に移動させるX方向モータ102と、基板ステージ101をY方向に移動させるY方向モータ103と、基板ステージ101の端部に固定されY方向に延在するX方向の位置計測用ミラー104と、この位置計測用ミラー104と直交するように基板ステージ101の端部に固定されX方向に延在するY方向の位置計測用ミラー105と、位置計測用ミラー104にレーザー光を照射するX方向の位置計測用レーザー干渉計106と、位置計測用ミラー105にレーザー光を照射するY方向の位置計測用レーザー干渉計107とを有している。 In such an exposure apparatus, a stage mechanism as shown in FIG. 8 is used, and the stage mechanism is a substrate stage 101 on which the semiconductor wafer 100 is placed and an X-direction motor 102 that moves the substrate stage 101 in the X direction. The Y-direction motor 103 that moves the board stage 101 in the Y direction, the X-direction position measurement mirror 104 that is fixed to the end of the board stage 101 and extends in the Y direction, and the position measurement mirror 104 are orthogonal to each other. A Y-direction position measurement mirror 105 fixed to the end of the substrate stage 101 and extending in the X direction, and an X-direction position measurement laser interferometer 106 that irradiates the position measurement mirror 104 with laser light. It has a position measurement laser interferometer 107 for irradiating a position measurement mirror 105 with a laser beam in the Y direction.
 X方向の位置計測用ミラー104は、角柱状または角筒状の長尺体からなるミラー本体108と、ミラー本体108のレーザー光が照射される側の表面に形成された反射膜109とを有している。 The position measuring mirror 104 in the X direction has a mirror main body 108 made of a long prismatic or cylindrical body, and a reflective film 109 formed on the surface of the mirror main body 108 on the side to be irradiated with the laser beam. is doing.
 Y方向の位置計測用ミラー105は、角柱状または角筒状の長尺体からなるミラー本体110と、ミラー本体110のレーザー光が照射される側の表面に形成された反射膜111とを有している。 The mirror 105 for position measurement in the Y direction has a mirror main body 110 made of a long body having a prismatic or square cylinder shape, and a reflective film 111 formed on the surface of the mirror main body 110 on the side to be irradiated with the laser beam. is doing.
 位置計測用レーザー干渉計106から照射されたレーザー光は、位置計測用ミラー104によって反射されて位置計測用レーザー干渉計106に戻り、基準光と干渉し、基板ステージ101のX方向における変化量が計測され、基準位置からのX方向における位置が算出される。 The laser light emitted from the position measurement laser interferometer 106 is reflected by the position measurement mirror 104 and returns to the position measurement laser interferometer 106, interferes with the reference light, and the amount of change in the substrate stage 101 in the X direction changes. It is measured and the position in the X direction from the reference position is calculated.
 同様に、位置計測用レーザー干渉計107から照射されたレーザー光は、位置計測用ミラー105によって反射されて位置計測用レーザー干渉計107に戻り、基準光と干渉し、基板ステージ101のY方向における変化量が計測され、基準位置からのY方向における位置が算出される。 Similarly, the laser light emitted from the position measurement laser interferometer 107 is reflected by the position measurement mirror 105, returns to the position measurement laser interferometer 107, interferes with the reference light, and is in the Y direction of the substrate stage 101. The amount of change is measured and the position in the Y direction from the reference position is calculated.
特開2004-177331号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2004-177331
 本開示の構造体は、軸方向に垂直な断面がN角形状(Nは4以上の整数)である角柱状または角筒状の長尺体からなり、外側面に、被接合面に接合するための接合面を備え、接合面は、長尺体の長手方向に延びる複数の第1溝と、第1溝と交差する複数の第2溝とを備え、第1溝は、両端が開口しており、第2溝は少なくともいずれか一端が封止されてなる。 The structure of the present disclosure consists of a prismatic or square tubular elongated body having an N-square cross section (N is an integer of 4 or more) perpendicular to the axial direction, and is joined to the outer surface and the bonded surface. The joint surface is provided with a plurality of first grooves extending in the longitudinal direction of the elongated body and a plurality of second grooves intersecting with the first groove, and the first groove is open at both ends. The second groove is sealed at least one end thereof.
 本開示の位置計測用ミラーは、上記構造体と、構造体の被装着面に装着された反射膜と、を有する。本開示の露光装置は、位置計測用ミラーが接合された基板ステージを備える。 The position measurement mirror of the present disclosure has the above structure and a reflective film mounted on the mounted surface of the structure. The exposure apparatus of the present disclosure includes a substrate stage to which a position measuring mirror is joined.
本開示の一実施形態に係る構造体を被装着面側から見た概略斜視図である。It is a schematic perspective view which looked at the structure which concerns on one Embodiment of this disclosure from the side to which it wears. 図1Aに示す構造体を接合面側から見た概略斜視図である。FIG. 3 is a schematic perspective view of the structure shown in FIG. 1A as viewed from the joint surface side. ~ それぞれ図1Aに示す構造体の軸方向に垂直な断面図である。It is sectional drawing which is perpendicular to the axial direction of the structure shown in FIG. 1A, respectively. 本開示の一実施形態における接合面を示す正面図である。It is a front view which shows the joint surface in one Embodiment of this disclosure. 図2のA部分の拡大図である。It is an enlarged view of the part A of FIG. 図1A~1Fに示す構造体の貫通孔を囲繞する内周面の断面を拡大した模式図である。It is a schematic diagram which enlarged the cross section of the inner peripheral surface surrounding the through hole of the structure shown in FIGS. 1A to 1F. 本開示の一実施形態における構造体の軸方向に垂直な断面図であるIt is sectional drawing perpendicular to the axial direction of the structure in one Embodiment of this disclosure. 本開示の一実施形態における構造体の軸方向に垂直な断面図である。It is sectional drawing perpendicular to the axial direction of the structure in one Embodiment of this disclosure. 本開示の一実施形態に係る構造体を用いたリニアガイドの概略斜視図である。It is a schematic perspective view of the linear guide using the structure which concerns on one Embodiment of this disclosure. 本開示における露光装置の一例を示す概略斜視図である。It is a schematic perspective view which shows an example of the exposure apparatus in this disclosure. 基板ステージの一例を示す概略模式図である。It is a schematic schematic diagram which shows an example of a substrate stage.
 以下、本開示の一実施形態に係る構造体を、図面を参照して説明する。図1A~1Fは、本実施形態の構造体を示している。図1A~1Fに示すように、構造体1は、軸方向に垂直な断面が矩形状である長尺体からなり、外側面に、被接合面に接合するための接合面3と、接合面3を除き、機能性膜が装着される被装着面4とを備える。接合面3とは、例えば、構造体1が図8に示した基板ステージ101に搭載される面をいい、接合面3と被装着面4とは直交する。図8では、接合面3に対向する基板ステージ101の上面が被接合面である。 Hereinafter, the structure according to the embodiment of the present disclosure will be described with reference to the drawings. 1A to 1F show the structure of this embodiment. As shown in FIGS. 1A to 1F, the structure 1 is composed of a long body having a rectangular cross section perpendicular to the axial direction, and has a joint surface 3 for joining to the surface to be joined and a joint surface on the outer surface. Except for 3, the mounted surface 4 on which the functional film is mounted is provided. The joint surface 3 is, for example, a surface on which the structure 1 is mounted on the substrate stage 101 shown in FIG. 8, and the joint surface 3 and the mounted surface 4 are orthogonal to each other. In FIG. 8, the upper surface of the substrate stage 101 facing the joint surface 3 is the surface to be joined.
 被装着面4の平面度は、例えば、316.4nm以下である。平面度とは、平面形体の幾何学的に正しい平面からの狂いの大きさをいう。平面度の測定方法としては、例えば、レーザー光を用いる非接触式が採用可能である。非接触式は、測定器が測定対象と直接接触せず、測定対象を傷付けることがない。測定機器としては、例えば、ZYGO社製のフィゾー型レーザー干渉計が採用可能であり、測定する環境の温度を、22℃に設定し、温度変動が±0.05℃になるように管理すればよい。 The flatness of the mounted surface 4 is, for example, 316.4 nm or less. Planarity refers to the magnitude of deviation from a geometrically correct plane of a planar feature. As a method for measuring the flatness, for example, a non-contact method using a laser beam can be adopted. In the non-contact type, the measuring instrument does not come into direct contact with the measuring object and does not damage the measuring object. As a measuring device, for example, a Fizeau type laser interferometer manufactured by ZYGO can be adopted, and if the temperature of the environment to be measured is set to 22 ° C and the temperature fluctuation is controlled to ± 0.05 ° C. good.
 角柱状である構造体1は、長手方向に沿って貫通孔8を有していてもよい。貫通孔8の長手方向に垂直な断面の形状は円状またはN角形状(Nは4以上の整数)である。貫通孔8の長手方向に垂直な断面の形状が円状である場合、その直径は、例えば、6mm以上10mm以下であるのがよい。貫通孔8の長手方向に垂直な断面の形状がN角形状である場合、その対角線のうち、最も長い対角線の長さが、例えば、6mm以上10mm以下であるのがよい。貫通孔8を設けるのは、構造体1の軽量化を図るためである。構造体1が軽量化されると、基板ステージ101に構造体を搭載して用いる場合、基板ステージ101の上面が撓みにくくなるため、この上面の平面度が維持される。 The structure 1 having a prismatic shape may have a through hole 8 along the longitudinal direction. The shape of the cross section perpendicular to the longitudinal direction of the through hole 8 is a circular shape or an N-square shape (N is an integer of 4 or more). When the shape of the cross section perpendicular to the longitudinal direction of the through hole 8 is circular, the diameter thereof is preferably, for example, 6 mm or more and 10 mm or less. When the shape of the cross section perpendicular to the longitudinal direction of the through hole 8 is an N-sided shape, the length of the longest diagonal line among the diagonal lines is preferably, for example, 6 mm or more and 10 mm or less. The through hole 8 is provided in order to reduce the weight of the structure 1. When the structure 1 is made lighter, when the structure is mounted on the substrate stage 101 and used, the upper surface of the substrate stage 101 is less likely to bend, so that the flatness of the upper surface is maintained.
 本開示における長尺体とは、例えば、長手方向における長さが300mm以上の構造体をいう。構造体1の厚みおよび幅は、いずれも、例えば、12mm以上20mm以下であるのがよい。なお、構造体1は、角柱状である他、軸方向に垂直な断面が矩形状の角筒状等であってもよい。さらに、断面が矩形状を含め、N角形状(Nは4以上の整数)、例えば、菱形、台形(等脚台形、直角台形等)、五角形(正五角形、直角を有する五角形(例えば、特許第4655659号公報に開示の図4(b))等)、六角形(正六角形、段差を有する六角形(例えば、特許第6380662号公報に開示の図1の固定鏡160)等)、八角形等であってもよい。 The long body in the present disclosure means, for example, a structure having a length of 300 mm or more in the longitudinal direction. The thickness and width of the structure 1 are all preferably 12 mm or more and 20 mm or less, for example. In addition to being prismatic, the structure 1 may have a rectangular tubular shape or the like having a rectangular cross section perpendicular to the axial direction. Further, N-square shapes (N is an integer of 4 or more) including rectangular cross-sections, such as rhombuses, trapezoids (equal leg trapezoids, right angle trapezoids, etc.), pentagons (regular pentagons, pentagons with right angles (eg, Patent No. 1). FIG. 4 (b), etc. disclosed in Japanese Patent Publication No. 4655659), hexagon (regular hexagon, hexagon with steps (for example, fixed mirror 160 in FIG. 1 disclosed in Japanese Patent No. 6380662), etc.), octagonal shape, etc. It may be.
 図5Aに示す構造体は、軸方向に垂直な断面が直角を有する五角形である長尺体からなり、外側面に、被接合面に接合するための接合面3と、接合面3を除き、機能性膜が装着される被装着面4とを備えている。 The structure shown in FIG. 5A consists of a long body having a pentagonal cross section perpendicular to the axial direction, and has a joint surface 3 for joining to the surface to be joined and a joint surface 3 on the outer surface, except for the joint surface 3. It is provided with a mounted surface 4 on which a functional film is mounted.
 図5Bに示す構造体は、軸方向に垂直な断面が段差を有する六角形である長尺体からなり、外側面に、被接合面に接合するための接合面3と、接合面3を除き、機能性膜が装着される被装着面4とを備えている。 The structure shown in FIG. 5B is a hexagonal long body having a stepped cross section perpendicular to the axial direction, and has a joint surface 3 for joining to the surface to be joined and a joint surface 3 on the outer surface, except for the joint surface 3. It is provided with a mounted surface 4 on which a functional film is mounted.
 構造体1の材質としては、例えば酸化アルミニウム、炭化珪素または窒化珪素を主成分とするセラミックスである。特に、高い寸法安定性、耐熱性、耐熱変形性などが要求される場合、40℃~400℃における平均線膨張率がいずれも±2×10-6/K以内であるセラミックスやガラス等が使用可能である。 The material of the structure 1 is, for example, ceramics containing aluminum oxide, silicon carbide or silicon nitride as a main component. In particular, when high dimensional stability, heat resistance, heat resistance deformation, etc. are required, ceramics, glass, etc. having an average linear expansion coefficient within ± 2 × 10 -6 / K at 40 ° C to 400 ° C are used. It is possible.
 このようなセラミックスの例としては、例えばコージェライト、リチウムアルミノシリケート、リン酸ジルコニウムカリウムまたはムライトを主成分とするセラミックスが挙げられる。コージェライトが主成分であるセラミックスは、CaがCaO換算で0.4質量%以上0.6質量%以下、AlがAl換算で2.3質量%以上3.5質量%以下ならびにMnおよびCrがMnCr換算で0.6質量%以上0.7質量%以下含んでいてもよい。このセラミックスは、平均線膨張率を±20×10-9/K以内にすることができる。リチウムアルミノシリケートが主成分であるセラミックスは、炭化珪素を20質量%以下含んでいてもよい。 Examples of such ceramics include ceramics containing corgerite, lithium aluminosilicate, potassium zirconium phosphate or mullite as a main component. For ceramics containing cordierite as the main component, Ca is 0.4% by mass or more and 0.6% by mass or less in terms of CaO, Al is 2.3 % by mass or more and 3.5% by mass or less in terms of Al2O3 , and Mn. And Cr may be contained in an amount of 0.6% by mass or more and 0.7% by mass or less in terms of MnCr 2 O4 . This ceramic can have an average coefficient of linear expansion within ± 20 × 10-9 / K. Ceramics containing lithium aluminosilicate as a main component may contain 20% by mass or less of silicon carbide.
 また、ガラスの例としては、例えば、チタニウムケイ酸を主成分とするガラスが挙げられる。平均線膨張率が小さいセラミックスまたはガラスからなる部材を用いれば、大きな温度変化に曝されても形状の変化が小さいため、構造体は高い信頼性を有する。 Further, as an example of glass, for example, glass containing titanium silicic acid as a main component can be mentioned. If a member made of ceramics or glass having a small average coefficient of linear expansion is used, the change in shape is small even when exposed to a large temperature change, so that the structure has high reliability.
 ここで、構造体1がセラミックスからなる場合、JIS R 1618:2002に準拠して、平均線膨張率を求めればよい。構造体1がガラスからなる場合、JIS R 3251:1995に準拠して、平均線膨張率を求めればよい。なお、構造体1の平均線膨張率が±1×10-6/K以内である場合には、光ヘテロダイン法1光路干渉計を用いて測定すればよい。 Here, when the structure 1 is made of ceramics, the average coefficient of linear expansion may be obtained in accordance with JIS R 1618: 2002. When the structure 1 is made of glass, the average coefficient of linear expansion may be obtained in accordance with JIS R 3251: 1995. When the average coefficient of linear expansion of the structure 1 is within ± 1 × 10 -6 / K, the measurement may be performed using an optical heterodyne method 1 optical path interferometer.
 セラミックスにおける主成分とは、着目するセラミックスを構成する成分の合計100質量%のうち、60質量%以上を占める成分をいう。特に、主成分は、着目するセラミックスを構成する成分の合計100質量%のうち、95質量%以上を占める成分であるとよい。セラミックスを構成する成分は、X線回折装置(XRD)を用いて求めればよい。各成分の含有量は、成分を同定した後、蛍光X線分析装置(XRF)またはICP発光分光分析装置を用いて、成分を構成する元素の含有量を求め、同定された成分に換算すればよい。ガラスについても同様である。 The main component in ceramics means a component that occupies 60% by mass or more of the total 100% by mass of the components constituting the ceramic of interest. In particular, the main component is preferably a component that accounts for 95% by mass or more of the total 100% by mass of the components constituting the ceramic of interest. The components constituting the ceramics may be obtained by using an X-ray diffractometer (XRD). The content of each component can be determined by determining the content of the elements constituting the component using a fluorescent X-ray analyzer (XRF) or an ICP emission spectroscopic analyzer after identifying the component and converting it into the identified component. good. The same applies to glass.
 構造体1の形状は、前記した角筒状の他、角柱状であってもよい。図1Cに示すように、軸方向に垂直な断面が正方形であってもよい。 The shape of the structure 1 may be a prismatic shape in addition to the above-mentioned square tubular shape. As shown in FIG. 1C, the cross section perpendicular to the axial direction may be a square.
 図1Dに示すように、軸方向に垂直な断面は、接合面3側および被装着面4側の角部11、12が曲面である正方形状であってもよい。 As shown in FIG. 1D, the cross section perpendicular to the axial direction may be a square shape in which the corner portions 11 and 12 on the joint surface 3 side and the mounted surface 4 side are curved surfaces.
 図1Eに示すように、軸方向に垂直な断面は、被装着面4側のみ角部12´が曲面である正方形状であってもよい。 As shown in FIG. 1E, the cross section perpendicular to the axial direction may be a square shape in which the corner portion 12'is a curved surface only on the mounted surface 4 side.
 図1Fに示すように、軸方向に垂直な断面は、接合面3側および被装着面4側の角部11´、12が曲面であって、その曲率半径は、接合面3側よりも被装着面4側の方が小さい正方形状であってもよい。 As shown in FIG. 1F, in the cross section perpendicular to the axial direction, the corner portions 11'and 12 on the joint surface 3 side and the mounted surface 4 side are curved surfaces, and the radius of curvature thereof is larger than that on the joint surface 3 side. The mounting surface 4 side may have a smaller square shape.
 図1D~1Fに示すような形状であると、曲面の角部11、11´、12、12´によって被装着面4における反射膜の面積を大きくすることができる。特に、図1Fに示すような形状であると、被装着面4における反射膜の面積をより大きくすることができる。反射膜が角部11、11´、12、12´に形成されていると、角部11、11´、12、12´にある開気孔の一部が反射膜によって封止されるので、開気孔から生じるおそれのあるパーティクルが低減する。 With the shape shown in FIGS. 1D to 1F, the area of the reflective film on the mounted surface 4 can be increased by the corner portions 11, 11', 12, 12' of the curved surface. In particular, when the shape is as shown in FIG. 1F, the area of the reflective film on the mounted surface 4 can be made larger. When the reflective film is formed on the corners 11, 11', 12, 12', a part of the open pores in the corners 11, 11', 12, 12'is sealed by the reflective film, so that the reflective film is opened. Particles that can arise from the pores are reduced.
 図1Cおよび1Dに示す構造体1の断面は、実質的に正方形であるが、実質的に矩形を含め、N角形状(Nは4以上の整数)であればよい。 The cross section of the structure 1 shown in FIGS. 1C and 1D is substantially square, but may be an N-square shape (N is an integer of 4 or more) including a substantially rectangle.
 機能性膜が装着される被装着面4には、例えば、位置計測用の光源、例えば、位置計測用レーザー干渉計から出射されたレーザー光を反射するための反射膜(図示せず)が装着される。反射膜としては、例えばアルミニウム、金、銀等からなる金属膜が挙げられる。 A light source for position measurement, for example, a reflective film (not shown) for reflecting laser light emitted from a laser interferometer for position measurement is mounted on the mounted surface 4 on which the functional film is mounted. Will be done. Examples of the reflective film include a metal film made of aluminum, gold, silver and the like.
 本開示における機能性膜とは、反射膜以外、低摩擦膜、半導電性膜等であり、長尺体に対して、求められる機能が付与される膜である。 The functional film in the present disclosure is a low friction film, a semi-conductive film, etc. other than the reflective film, and is a film to which the required function is imparted to a long body.
 摺動特性の向上が求められる場合には、ダイヤモンドライクカーボン(DLC)膜等の低摩擦膜を被装着面4に装着すればよい。 When improvement of sliding characteristics is required, a low friction film such as a diamond-like carbon (DLC) film may be mounted on the mounted surface 4.
 構造体1と、構造体1の被装着面4に装着された低摩擦膜(例えば、ダイヤモンドライクカーボン(DLC)膜)と、を有する部材は、例えば、図6に示すリニアガイドのガイドレールである。 A member having a structure 1 and a low friction film (for example, a diamond-like carbon (DLC) film) mounted on the mounted surface 4 of the structure 1 is, for example, a guide rail of a linear guide shown in FIG. be.
 図6に示すリニアガイド20は、第1軌道面21と第1軌道面21に接続するV溝状の第2軌道面22とを有するガイドレール23と、ガイドレール23に沿って移動可能に摺接する摺動面を有するスライダ24とを備えており、第1軌道面21および第2軌道面22の少なくともいずれかに低摩擦膜(図示しない)を有する。 The linear guide 20 shown in FIG. 6 has a guide rail 23 having a first raceway surface 21 and a V-groove-shaped second raceway surface 22 connected to the first raceway surface 21, and slides movably along the guide rail 23. It comprises a slider 24 having a sliding surface in contact with it, and has a low friction film (not shown) on at least one of the first raceway surface 21 and the second raceway surface 22.
 このガイドレール23は、軸方向に垂直な断面が六角形状である角柱状の長尺体であり、第1軌道面21と反対側の面がステージ(図示しない)等の被接合面に接合するための接合面25である。 The guide rail 23 is a long prismatic body having a hexagonal cross section perpendicular to the axial direction, and the surface opposite to the first raceway surface 21 is joined to a surface to be joined such as a stage (not shown). It is a joint surface 25 for the purpose.
 スライダ24は、鞍状の基部26と、第1軌道面21に対向する第1摺動部27と、第2軌道面22に対向する第2摺動部28とを備える。第1摺動部27および第2摺動部28はいずれも基部26に装着されている。 The slider 24 includes a saddle-shaped base portion 26, a first sliding portion 27 facing the first raceway surface 21, and a second sliding portion 28 facing the second raceway surface 22. Both the first sliding portion 27 and the second sliding portion 28 are attached to the base portion 26.
 静電気の緩やかな除去が求められる場合には、半導電性膜を被装着面4に装着すればよい。本開示における半導電性膜とは、表面抵抗値が10Ω以上1011Ω以下である膜をいい、例えば、酸化アルミニウムと、酸化チタン、酸化亜鉛および酸化ニオブから選択される少なくとも1種の酸化物との混合膜である。半導電性膜の成分の合計を100質量%とした場合に、酸化チタン等の酸化物は、例えば、32質量%以上48質量%以下の割合で含まれるのがよい。 When the gradual removal of static electricity is required, the semi-conductive film may be mounted on the mounted surface 4. The semi-conductive film in the present disclosure refers to a film having a surface resistance value of 105 Ω or more and 10 11 Ω or less, for example, aluminum oxide and at least one selected from titanium oxide, zinc oxide and niobium oxide. It is a mixed film with an oxide. When the total of the components of the semi-conductive film is 100% by mass, the oxide such as titanium oxide is preferably contained in a ratio of, for example, 32% by mass or more and 48% by mass or less.
 プラズマに対する耐食性が求められる場合には、酸化イットリウム等の希土類酸化物を主成分とする膜を被装着面4に装着すればよい。 When corrosion resistance to plasma is required, a film containing a rare earth oxide such as yttrium oxide as a main component may be mounted on the mounted surface 4.
 構造体1と、構造体1の被装着面4に装着された希土類酸化物を主成分とする膜と、を有する部材は、例えば、成膜装置用部材である。 The member having the structure 1 and the film containing the rare earth oxide as a main component mounted on the mounted surface 4 of the structure 1 is, for example, a member for a film forming apparatus.
 この成膜装置用部材は、例えば、スパッタガスが導入される円筒状の処理チャンバ内に配置された複数の被成膜部材に、成膜材料を堆積させる複数のスパッタ源を備え、これらのスパッタ源毎に、処理チャンバ内を放射状に区切る角柱状の隔壁部材である。このような成膜装置用部材は、例えば、特開2018-3152号公報に記載されている。隔壁部材の接合面は、処理チャンバを構成する天板の被接合面に装着されている。スパッタガスは電力の印加により生じるプラズマにより、発生するイオン等を被成膜部材に衝突させるためのガスである。 This film forming apparatus member includes, for example, a plurality of sputter sources for depositing a film forming material on a plurality of film-deposited members arranged in a cylindrical processing chamber into which a sputter gas is introduced, and spatters these. It is a prismatic partition wall member that radially divides the inside of the processing chamber for each source. Such a member for a film forming apparatus is described in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2018-3152. The joint surface of the partition wall member is attached to the joint surface of the top plate constituting the processing chamber. The sputter gas is a gas for colliding ions or the like generated by the plasma generated by the application of electric power with the member to be film-formed.
 膜における主成分とは、膜を構成する成分の合計100質量%のうち、60質量%以上を占める成分をいう。特に、主成分は、膜構成する成分の合計100質量%のうち、95質量%以上を占める成分であるとよい。膜を構成する成分は、X線回折装置(XRD)を用いて求めればよい。各成分の含有量は、成分を同定した後、蛍光X線分析装置(XRF)またはICP発光分光分析装置を用いて、成分を構成する元素の含有量を求め、同定された成分に換算すればよい。 The main component in the film means a component that occupies 60% by mass or more of the total 100% by mass of the components constituting the film. In particular, the main component is preferably a component that occupies 95% by mass or more of the total 100% by mass of the components constituting the film. The components constituting the film may be obtained by using an X-ray diffractometer (XRD). The content of each component can be determined by determining the content of the elements constituting the component using a fluorescent X-ray analyzer (XRF) or an ICP emission spectroscopic analyzer after identifying the component and converting it into the identified component. good.
 以下、機能性膜が反射膜である場合について説明する。 Hereinafter, the case where the functional film is a reflective film will be described.
 接合面3は、図1Bに示すように、構造体1の長手方向に延びる複数の第1溝5と、第1溝5と交差する複数の第2溝6とを備える。具体的には、図2に示すように、第2溝6は第1溝5と直交する方向、すなわち構造体1の長手方向に直交する短手方向に延びている。 As shown in FIG. 1B, the joint surface 3 includes a plurality of first grooves 5 extending in the longitudinal direction of the structure 1 and a plurality of second grooves 6 intersecting with the first groove 5. Specifically, as shown in FIG. 2, the second groove 6 extends in a direction orthogonal to the first groove 5, that is, in a lateral direction orthogonal to the longitudinal direction of the structure 1.
 なお、本実施形態では、3本の第1溝5が形成されているが、これに限定されるものではなく、第1溝5を3~6本の範囲で形成することができる。第2溝6についても、6~12本の範囲で形成することができる。 In the present embodiment, three first grooves 5 are formed, but the present invention is not limited to this, and the first groove 5 can be formed in the range of 3 to 6. The second groove 6 can also be formed in the range of 6 to 12.
 第1溝5は、図2に示すように、両端51,52が開口している。これは、図2のA部分を拡大した図3に矢印で示すように、接合面3の短手方向の両側に位置する第1溝5b、5cを、接着剤を塗布・充填する接着剤塗布部7(便宜上、接着剤塗布部をハッチングで示している。)としたとき、第1溝5b、5cへの接着剤塗布時および被接合面への接着時に空気の排出路となるからである。 As shown in FIG. 2, the first groove 5 has both ends 51 and 52 open. This is an adhesive application that applies and fills the first grooves 5b and 5c located on both sides of the joint surface 3 in the lateral direction as shown by an arrow in FIG. 3, which is an enlarged view of the A portion of FIG. This is because when the portion 7 (for convenience, the adhesive coating portion is shown by hatching), it becomes an air discharge path when the adhesive is applied to the first grooves 5b and 5c and when the adhesive is adhered to the surface to be joined. ..
 第1溝5b、5cの少なくともいずれかの第1底面5xの粗さ曲線における25%の負荷長さ率での切断レベルと、前記粗さ曲線における75%の負荷長さ率での切断レベルとの差を表す切断レベル差(Rδc)の平均値は1.1μm以上2.3μm以下であるとよい。 The cutting level at a load length ratio of 25% in the roughness curve of at least one of the first grooves 5b and 5c of the first bottom surface 5x, and the cutting level at a load length ratio of 75% in the roughness curve. The average value of the cutting level difference (Rδc) representing the difference between the above is preferably 1.1 μm or more and 2.3 μm or less.
 切断レベル差(Rδc)の平均値は1.1μm以上であると、接着剤に対するアンカー効果が高くなるので、基板ステージ101等の被接合体に対する接合強度が向上する。切断レベル差(Rδc)の平均値は2.3μm以下であると、被接合体に接着する場合、第1底面から大きな粒子が脱離しにくくなる。その結果、この粒子の接着剤に混入するおそれも低減し、接合強度が維持される。 When the average value of the cutting level difference (Rδc) is 1.1 μm or more, the anchoring effect on the adhesive is high, so that the bonding strength with respect to the object to be bonded such as the substrate stage 101 is improved. When the average value of the cutting level difference (Rδc) is 2.3 μm or less, it becomes difficult for large particles to be detached from the first bottom surface when adhering to the object to be bonded. As a result, the possibility that the particles are mixed with the adhesive is reduced, and the bonding strength is maintained.
 切断レベル差(Rδc)は、JIS B 0601:2001に準拠し、レーザー顕微鏡((株)キーエンス製、超深度カラー3D形状測定顕微鏡(VK-X1000またはその後継機種))を用いて測定することができる。測定条件としては、照明方式を同軸落射、測定倍率を120倍、カットオフ値λsを無し、カットオフ値λcを0.08mm、カットオフ値λfを無し、終端効果の補正を有り、1か所当たりの測定範囲を2792μm×2093μmとして、対象とする第1溝5b、5cの第1底面5xの計2か所から測定範囲をそれぞれ設定すればよい。 The cutting level difference (Rδc) can be measured using a laser microscope (manufactured by KEYENCE Co., Ltd., ultra-deep color 3D shape measuring microscope (VK-X1000 or its successor model)) in accordance with JIS B 0601: 2001. can. The measurement conditions are coaxial epi-illumination for the illumination method, measurement magnification of 120 times, no cutoff value λs, 0.08 mm for the cutoff value λc, no cutoff value λf, and correction of the termination effect at one location. The measurement range may be set to 2792 μm × 2093 μm, and the measurement range may be set from a total of two locations of the target first groove 5b and 5c, the first bottom surface 5x.
 そして、測定範囲毎に、測定対象とする線を長手方向に沿って略等間隔に4本引いて、線粗さ計測を行えばよい。測定対象とする線1本当たりの長さは、2644μmである。切断レベル差(Rδc)の平均値は、測定対象とする合計8本の線から得られた切断レベル差(Rδc)を用いて算出すればよい。 Then, for each measurement range, four lines to be measured may be drawn at approximately equal intervals along the longitudinal direction to measure the line roughness. The length of one line to be measured is 2644 μm. The average value of the cutting level difference (Rδc) may be calculated using the cutting level difference (Rδc) obtained from a total of eight lines to be measured.
 一方、第2溝6は、両端が構造体1の短手方向両端に位置する第1溝5b、5cに当接し連通することによって封止されている。そのため、接着剤塗布部7から接着剤が第2溝6を通って外部にはみ出すのを抑制することができ、接合効率が向上する。なお、図3では、第2溝6の両端を封止しているが、レーザー光が反射膜で反射する側と反対側、すなわち、半導体ウエハ100が位置する側の端部が封止されていればよい。すなわち、半導体ウエハ100が位置する側の端部が封止されていれば、少なくとも接着剤から発生するアウトガスによる半導体ウエハ100の汚染も抑制することができる。 On the other hand, the second groove 6 is sealed by abutting and communicating with the first grooves 5b and 5c whose both ends are located at both ends in the lateral direction of the structure 1. Therefore, it is possible to prevent the adhesive from squeezing out from the adhesive coating portion 7 through the second groove 6 to the outside, and the bonding efficiency is improved. In FIG. 3, both ends of the second groove 6 are sealed, but the end opposite to the side where the laser beam is reflected by the reflective film, that is, the end on the side where the semiconductor wafer 100 is located is sealed. Just do it. That is, if the end portion on the side where the semiconductor wafer 100 is located is sealed, it is possible to suppress contamination of the semiconductor wafer 100 by at least the outgas generated from the adhesive.
 図3に示すように、構造体1の短手方向の中央部に位置する第1溝5aの幅w1は、中央部の両側に位置する他の第1溝5b、5cの幅w2よりも狭くなっているのがよい。これにより、複数の第1溝5の幅がすべて同じである場合よりも、構造体1の剛性が損なわれにくくなり、反射膜を装着するための被装着面の平面度の変化を抑制することができる。また、両側に位置する他の第1溝5b、5cが接着剤塗布部7であるため、十分に広い幅を必要とするのに対して、中央部に位置する第1溝5aは後述するように、第1溝5b、5cへの接着剤塗布時および接合時に空気の排出に十分な溝幅であればよく、広い幅を必要としないからである。このように空気の排出路を設けることにより、接着剤の接合面3からのはみ出しを抑制することができる。例えば、幅w1は、1.7mm以上2.3mm以下であり、幅w2は、2.7mm以上3.3mm以下である。 As shown in FIG. 3, the width w1 of the first groove 5a located in the central portion of the structure 1 in the lateral direction is narrower than the width w2 of the other first grooves 5b and 5c located on both sides of the central portion. It should be. As a result, the rigidity of the structure 1 is less likely to be impaired than when the widths of the plurality of first grooves 5 are all the same, and the change in the flatness of the mounted surface for mounting the reflective film is suppressed. Can be done. Further, since the other first grooves 5b and 5c located on both sides are the adhesive application portions 7, a sufficiently wide width is required, whereas the first grooves 5a located in the central portion will be described later. In addition, the groove width is sufficient for discharging air at the time of applying the adhesive to the first grooves 5b and 5c and at the time of joining, and a wide width is not required. By providing the air discharge path in this way, it is possible to prevent the adhesive from squeezing out from the joint surface 3. For example, the width w1 is 1.7 mm or more and 2.3 mm or less, and the width w2 is 2.7 mm or more and 3.3 mm or less.
 複数の第1溝5は、接合面3の長手方向の中心線、すなわち接合面3の短手方向の全長に対して1/2の長さの位置にある長手方向に延びる線に対して鏡面対称に配置されているのがよい。また、複数の第1溝5は、構造体1の短手方向に等間隔で配置されているのがよい。これにより、接合面3の短手方向における部分的な変化を抑制することができるので、装着面の平面度の変化が抑制される。ここで、第1溝5の等間隔の配置とは、第1溝5のそれぞれの中心線の間隔が等しくなっている状態を言う。 The plurality of first grooves 5 are mirror surfaces with respect to the center line in the longitudinal direction of the joint surface 3, that is, the line extending in the longitudinal direction at a position having a length of 1/2 of the total length in the lateral direction of the joint surface 3. It should be arranged symmetrically. Further, it is preferable that the plurality of first grooves 5 are arranged at equal intervals in the lateral direction of the structure 1. As a result, it is possible to suppress a partial change in the joint surface 3 in the lateral direction, so that a change in the flatness of the mounting surface is suppressed. Here, the equidistant arrangement of the first grooves 5 means a state in which the intervals of the center lines of the first grooves 5 are equal.
 複数の第2溝6は、接合面3の短手方向の中心線、すなわち接合面3の長手方向の全長に対して1/2の長さの位置にある短手方向に延びる線に対して鏡面対称に配置されているのがよい。また、複数の第2溝6は、接合面3の長手方向に等間隔で配置されているのがよい。これにより、接合面3の長手方向における部分的な変化を抑制することができるで、装着面の平面度の変化が抑制される。ここで、第2溝6の等間隔の配置とは、第2溝6のそれぞれの中心線の間隔が等しくなっている状態を言う。 The plurality of second grooves 6 are for the center line in the lateral direction of the joint surface 3, that is, the line extending in the lateral direction at a position of 1/2 of the total length in the longitudinal direction of the joint surface 3. It is better to arrange them mirror-symmetrically. Further, the plurality of second grooves 6 are preferably arranged at equal intervals in the longitudinal direction of the joint surface 3. As a result, the partial change in the longitudinal direction of the joint surface 3 can be suppressed, and the change in the flatness of the mounting surface can be suppressed. Here, the equidistant arrangement of the second grooves 6 means a state in which the intervals of the center lines of the second grooves 6 are equal.
 複数の第1溝5および複数の第2溝6のうち、少なくとも接着剤塗布部7は、溝深さよりも溝幅が大きいのがよい。これにより、構造体1の剛性を維持しつつ、接着面積が大きくなるので、基板ステージ等の被接合部材に対する接着強度を高くすることができる。 Of the plurality of first grooves 5 and the plurality of second grooves 6, at least the adhesive application portion 7 should have a groove width larger than the groove depth. As a result, the adhesive area is increased while maintaining the rigidity of the structure 1, so that the adhesive strength to the bonded member such as the substrate stage can be increased.
 第1溝5の第1底面5xは、ブラスト加工面またはレーザー加工面であるとよい。第1底面5xが、ブラスト加工面およびレーザー加工面のいずれであっても、研削面に比べ、算術平均粗さ(Ra)を大きくしやすいので、被接合部材に対する接着工程で高いアンカー効果が得られ、振動が与えられても、接合の信頼性は維持される。 The first bottom surface 5x of the first groove 5 may be a blasted surface or a laser machined surface. Regardless of whether the first bottom surface 5x is a blasted surface or a laser machined surface, the arithmetic mean roughness (Ra) is likely to be larger than that of the ground surface, so that a high anchoring effect can be obtained in the bonding process to the member to be joined. The reliability of the joint is maintained even when vibration is applied.
 同様に、第2溝6の第2底面6xは、ブラスト加工面またはレーザー加工面であるとよい。 Similarly, the second bottom surface 6x of the second groove 6 may be a blasted surface or a laser machined surface.
 第1溝5bの第1底面5xと第1溝5bの側面とが曲面によって接続されているとよい。曲面によって接続されていると、接着剤を塗布する場合、第1底面5xと第1溝5bの側面の交差部で気泡が抜けやすく、接着剤は交差部付近まで充填されるため、接合強度を高くすることができる。 It is preferable that the first bottom surface 5x of the first groove 5b and the side surface of the first groove 5b are connected by a curved surface. When the adhesive is applied by being connected by a curved surface, air bubbles easily escape at the intersection of the first bottom surface 5x and the side surface of the first groove 5b, and the adhesive is filled up to the vicinity of the intersection, so that the bonding strength is increased. Can be high.
 同様の理由で、第1溝5cの第1底面5xと第1溝5cの側面とが曲面によって接続されているとよい。 For the same reason, it is preferable that the first bottom surface 5x of the first groove 5c and the side surface of the first groove 5c are connected by a curved surface.
 被装着面4は、算術平均粗さ(Ra)が0.01μm以上0.5μm以下であるのがよい。算術平均粗さ(Ra)が0.01μm以上であると、蒸着法で反射膜を形成する場合、適切なアンカー効果を得ることができ、算術平均粗さ(Ra)が0.5μm以下であると、深い傷が被装着面4に相対的に少なくなるので、傷の内部に粗大な浮遊粒子が付着しにくくなる。算術平均粗さ(Ra)が上記範囲であると、反射膜の接合強度が向上すると共に、反射膜の表面の平面度も抑制されたものになる。 The mounted surface 4 should have an arithmetic mean roughness (Ra) of 0.01 μm or more and 0.5 μm or less. When the arithmetic mean roughness (Ra) is 0.01 μm or more, an appropriate anchor effect can be obtained when the reflective film is formed by the vapor deposition method, and the arithmetic mean roughness (Ra) is 0.5 μm or less. Then, since deep scratches are relatively reduced on the mounted surface 4, coarse suspended particles are less likely to adhere to the inside of the scratches. When the arithmetic mean roughness (Ra) is in the above range, the bonding strength of the reflective film is improved and the flatness of the surface of the reflective film is also suppressed.
 被装着面4の算術平均粗さ(Ra)を0.01μm以上0.5μm以下とするには、被装着面4をダイヤモンド砥粒などで研磨する際に、砥粒の粒径を調整することによって、所望の算術平均粗さ(Ra)を得ることができる。 In order to make the arithmetic mean roughness (Ra) of the mounted surface 4 0.01 μm or more and 0.5 μm or less, the particle size of the abrasive grains should be adjusted when the mounted surface 4 is polished with diamond abrasive grains or the like. Allows the desired arithmetic mean roughness (Ra) to be obtained.
 被装着面4の算術平均粗さ(Ra)は、JIS B0601:2001に準拠して求め、例えば、 (株)小坂研究所製 表面粗さ測定機(サーフコーダ)SE500を用い、測定条件としては、触針の半径を5μm、測定長さを2.5mm、カットオフ値を0.8mmとすればよい。 The arithmetic average roughness (Ra) of the mounted surface 4 is obtained in accordance with JIS B0601: 2001. For example, a surface roughness measuring machine (surf coder) SE500 manufactured by Kosaka Laboratory Co., Ltd. is used as a measurement condition. The radius of the stylus may be 5 μm, the measurement length may be 2.5 mm, and the cutoff value may be 0.8 mm.
 図4は、図1に示す構造体1の貫通孔8を囲繞する内周面の断面を拡大した模式図であり、貫通孔8の中心線を含む平面で切断した断面の一例を示す図である。構造体1の貫通孔8を囲繞する内周面は、結晶粒子間に存在する粒界相10の露出部10aよりも突出している結晶粒子9を有していてもよい。このような構成であると、粒界相10が結晶粒子9から凹んだ状態で位置することになる。そのため、純水、超純水等との接触角が小さくなって親水性(濡れ性)がより向上するので、洗浄効率が高くなる。 FIG. 4 is a schematic view of an enlarged cross section of the inner peripheral surface surrounding the through hole 8 of the structure 1 shown in FIG. 1, and is a diagram showing an example of a cross section cut by a plane including the center line of the through hole 8. be. The inner peripheral surface surrounding the through hole 8 of the structure 1 may have crystal particles 9 protruding from the exposed portion 10a of the grain boundary phase 10 existing between the crystal particles. With such a configuration, the grain boundary phase 10 is positioned in a recessed state from the crystal particles 9. Therefore, the contact angle with pure water, ultrapure water, or the like is reduced, and the hydrophilicity (wetting property) is further improved, so that the cleaning efficiency is increased.
 このような結晶粒子間に存在する粒界相10の露出部10aよりも突出している結晶粒子9を有する内周面を得るには、顆粒から成る成形体を作製し、この成形体に機械加工で貫通孔を形成した後、この成形体を焼成することによって作製することができる。つまり、焼成後は機械加工を施さない、いわゆる焼肌面とすることで、貫通孔8の内周面が、結晶粒子間に存在する粒界相10の露出部10aよりも突出した結晶粒子9を有するものとなる。 In order to obtain an inner peripheral surface having crystal particles 9 protruding from the exposed portion 10a of the grain boundary phase 10 existing between the crystal particles, a molded body made of granules is prepared and machined into the molded body. It can be produced by forming a through hole in the above and then firing this molded body. That is, by forming a so-called baked surface that is not machined after firing, the inner peripheral surface of the through hole 8 protrudes from the exposed portion 10a of the grain boundary phase 10 existing between the crystal particles 9. Will have.
 位置計測用ミラーは、被装着面4と反射膜(例えば、図8に示すような反射膜109、111)との間に下地層(図示しない)を備え、下地層は、クロム、酸化クロム、酸化イットリウム、チタン酸ランタン、酸化珪素、酸化チタン、酸化アルミニウムおよびアルミン酸マグネシウムの少なくともいずれかからなっていてもよい。 The position measurement mirror includes a base layer (not shown) between the mounted surface 4 and the reflective film (for example, reflective films 109 and 111 as shown in FIG. 8), and the base layer is chromium, chromium oxide, or the like. It may consist of at least one of yttrium oxide, lanthanum titanate, silicon oxide, titanium oxide, aluminum oxide and magnesium aluminome.
 これらの成分からなる下地層は被装着面4と反射膜との密着性を高めるとともに、被装着面4上で開口する気孔内に含まれる水蒸気の反射膜への接触による腐食を抑制することができる。 The base layer composed of these components enhances the adhesion between the mounted surface 4 and the reflective film, and can suppress corrosion due to contact of water vapor contained in the pores opened on the mounted surface 4 with the reflective film. can.
 酸化クロム、酸化イットリウム、チタン酸ランタン、酸化珪素、酸化チタン、酸化アルミニウムおよびアルミン酸マグネシウムの各組成式は、例えば、CrO、Cr、Y、LaTiO、LaTi、SiO、TiO、AlおよびMgAlである。下地層の厚さは、例えば、10~200nm、特に、30~80nmであるとよい。 The composition formulas of chromium oxide, yttrium oxide, lanthanum titanate, silicon oxide, titanium oxide, aluminum oxide and magnesium aluminate are, for example, CrO, Cr 2 O 3 , Y 2 O 3 , La TIM 3 , La 2 Ti 3 O. 8 , SiO 2 , TiO 2 , Al 2 O 3 and Mg Al 2 O 4 . The thickness of the base layer is, for example, preferably 10 to 200 nm, particularly 30 to 80 nm.
 位置計測用ミラーは、反射膜の表面上に増反射膜(図示しない)を備え、増反射膜は、酸化イットリウム、フッ化マグネシウム、チタン酸ランタン、酸化珪素、酸化チタンおよび酸化アルミニウムの少なくともいずれかからなっていてもよい。増反射膜は、光の干渉効果により反射率を高くすることができる。 The position measuring mirror has a reflective film (not shown) on the surface of the reflective film, and the reflective film is at least one of yttrium oxide, magnesium fluoride, lanthanum titanate, silicon oxide, titanium oxide, and aluminum oxide. It may consist of. The antireflection film can increase the reflectance due to the interference effect of light.
 これらの成分からなる増反射膜は、反射率を高くすることができるとともに、空気中に含まれる水蒸気の反射膜への接触による腐食を抑制することができる。酸化イットリウム、フッ化マグネシウム、チタン酸ランタン、酸化珪素、酸化チタンおよび酸化アルミニウムの各組成式は、例えば、Y、MgF、LaTiO、LaTi、SiO、TiO、Alである。 The hyperreflective film composed of these components can increase the reflectance and suppress the corrosion of water vapor contained in the air due to contact with the reflective film. The composition formulas of yttrium oxide, magnesium fluoride, lanthanum titanate, silicon oxide, titanium oxide and aluminum oxide are, for example, Y2O 3 , MgF, LaTIO 3 , La 2 Ti 3 O 8 , SiO 2 , TIO 2 , and so on . It is Al 2 O 3 .
 また、増反射膜は、低屈折率層と、低屈折率層と厚みの異なる高屈折率層とからなる積層体を複数備えていてもよい。このような構成にすることで、広い波長域で高い反射率を得ることができる。 Further, the hyperrefractive film may include a plurality of laminated bodies composed of a low refractive index layer and a high refractive index layer having a different thickness from the low refractive index layer. With such a configuration, high reflectance can be obtained in a wide wavelength range.
 積層体は、例えば、低屈折率層がSiOまたはMgF、高屈折率層がNb5、TiOまたはHfOからなり、厚み(物理層厚)の差は、1nm以上50nm以下であり、積層体の個数は20個以上(層数は40層以上)である。積層体の厚みの合計は、例えば、400nm以上3000nm以下である。 The laminated body is, for example, composed of SiO 2 or MgF for the low refractive index layer and Nb 2 O 5, TIO 2 or HfO 2 for the high refractive index layer, and the difference in thickness (physical layer thickness) is 1 nm or more and 50 nm or less. The number of laminated bodies is 20 or more (the number of layers is 40 or more). The total thickness of the laminate is, for example, 400 nm or more and 3000 nm or less.
 反射膜あるいは増反射膜の表面がレーザー光等の光の照射面である場合、この表面の粗さ曲線における2乗平均平方根傾斜(RΔq)の平均値は、0.1以下であるとよい。2乗平均平方根傾斜(RΔq)の平均値は、0.1以下であると、光が照射面に入射しても、乱反射が発生しにくい状態になっているので、基板ステージ等の計測対象物の位置決めの精度を向上させることができる。また、照射面の凹凸が少ない状態になるので、浮遊粒子が照射面に固着するおそれも低減する。2乗平均平方根傾斜(RΔq)は、切断レベル差(Rδc)を求めた方法と同じ方法を用いればよい。 When the surface of the reflective film or the hyperreflecting film is an irradiation surface of light such as laser light, the average value of the root mean square slope (RΔq) in the roughness curve of this surface is preferably 0.1 or less. If the average value of the root mean square slope (RΔq) is 0.1 or less, diffuse reflection is unlikely to occur even if light is incident on the irradiation surface. The accuracy of positioning can be improved. Further, since the unevenness of the irradiation surface is reduced, the possibility that the suspended particles adhere to the irradiation surface is reduced. For the root mean square slope (RΔq), the same method as the method for obtaining the cutting level difference (Rδc) may be used.
 本開示の構造体は、接合面3が構造体の長手方向に延びる複数の第1溝5と、該第1溝5と交差する複数の第2溝6とを備え、第1溝5は、両端が開口している。これにより、これらの溝5、6において接着剤塗布部7となる部分に接着剤を塗布・充填することにより、接合面3と被接合面との間からはみ出す余分な接着剤が少なくなり、反射膜等の機能性膜を装着する被装着面の平面度の変化を抑制することができる。その結果、基板ステージ等の計測対象物の位置を正確に計測することができる。 The structure of the present disclosure includes a plurality of first grooves 5 in which the joint surface 3 extends in the longitudinal direction of the structure, and a plurality of second grooves 6 intersecting the first groove 5. Both ends are open. As a result, by applying and filling the adhesive in the portions of the grooves 5 and 6 to be the adhesive coating portion 7, the amount of excess adhesive protruding from between the joint surface 3 and the surface to be joined is reduced, and reflection is achieved. It is possible to suppress changes in the flatness of the mounted surface on which a functional film such as a film is mounted. As a result, the position of the object to be measured such as the substrate stage can be accurately measured.
 また、第2溝6は、光が反射膜で反射する側に位置する端部が封止されていることから、接着剤を用いて基板ステージ101の側面に装着しても、反射した光を受ける基準ミラー(反射膜109、111)が位置する側への余分な接着剤のはみ出しが抑制される。そのため、接着剤のはみ出しによって生じる光の不規則な散乱が抑制される。また、反射膜、下地層および増反射膜は接着剤の収縮による影響を受けにくくなり、基板ステージの位置を正確に計測することができる。 Further, since the second groove 6 has an end portion located on the side where the light is reflected by the reflective film is sealed, even if the second groove 6 is attached to the side surface of the substrate stage 101 using an adhesive, the reflected light is emitted. Excessive adhesive squeeze out to the side where the receiving reference mirrors (reflecting films 109 and 111) are located is suppressed. Therefore, the irregular scattering of light caused by the protrusion of the adhesive is suppressed. In addition, the reflective film, the base layer, and the hyperreflective film are less likely to be affected by the shrinkage of the adhesive, and the position of the substrate stage can be accurately measured.
 本開示の位置計測用ミラー1は、構造体1と、構造体1の被装着面4に反射膜とを、有する。すなわち、図8に示す基板ステージ101等の被接合面(搭載面)に接合して、位置を計測することができる。位置計測用ミラー1は、被接合面(搭載面)に接合されても、被装着面4に装着した反射膜の平面度はほとんど変動しないので、基板ステージ101等の正確な位置計測が可能となる。 The position measurement mirror 1 of the present disclosure has a structure 1 and a reflective film on the mounted surface 4 of the structure 1. That is, the position can be measured by joining to the bonded surface (mounting surface) of the substrate stage 101 or the like shown in FIG. Even if the position measurement mirror 1 is joined to the bonded surface (mounting surface), the flatness of the reflective film mounted on the mounted surface 4 hardly changes, so that accurate position measurement of the substrate stage 101 or the like is possible. Become.
 従って、本開示は、位置計測用ミラーが接合された基板ステージを備えた露光装置に好適に適用可能である。図7は本開示における露光装置の一例を示している。この露光装置は、表面に感光膜(フォトレジスト膜)を含むことがある半導体ウエハ100(被処理基板)を載置する基板ステージ101と、基板ステージ101をX方向に移動させるX方向モータ102と、基板ステージ101をY方向に移動させるY方向モータ103と、基板ステージ101の端部に固定されY方向に延在するX方向の位置計測用ミラー115と、この位置計測用ミラー115と直交するように基板ステージ101の端部に固定されX方向に延在するY方向の位置計測用ミラー116と、基板ステージ101に載置された半導体ウエハ100に露光光を照射する投影光学系112とを有している。図7に示す投影光学系112は、鏡筒で構成されており、半導体ウエハ100の表面を合焦対象面としたとき、投影光学系112の焦点が合焦対象面に合うように調整されている。すなわち、露光光Lは、投影光学系112によって半導体ウエハ100の投影領域Rに投影される。このように露光光Lで半導体ウエハ100を露光することにより、形成予定の膜パターンに応じたパターンの像を半導体ウエハ100上のレジスト膜(図示せず)に投影する。そして、露光されたレジスト膜を現像する。 Therefore, the present disclosure is suitably applicable to an exposure apparatus provided with a substrate stage to which a position measuring mirror is joined. FIG. 7 shows an example of the exposure apparatus in the present disclosure. This exposure apparatus includes a substrate stage 101 on which a semiconductor wafer 100 (a substrate to be processed) that may include a photosensitive film (photoresist film) on its surface is placed, and an X-direction motor 102 that moves the substrate stage 101 in the X direction. , The Y-direction motor 103 that moves the substrate stage 101 in the Y direction, the position measurement mirror 115 in the X direction that is fixed to the end of the substrate stage 101 and extends in the Y direction, and the position measurement mirror 115 are orthogonal to each other. A mirror 116 for position measurement in the Y direction fixed to the end of the substrate stage 101 and extending in the X direction, and a projection optical system 112 that irradiates the semiconductor wafer 100 mounted on the substrate stage 101 with exposure light. Have. The projection optical system 112 shown in FIG. 7 is composed of a lens barrel, and when the surface of the semiconductor wafer 100 is set as the in-focus target surface, the focus of the projection optical system 112 is adjusted so as to be in focus with the in-focus target surface. There is. That is, the exposure light L is projected onto the projection region R of the semiconductor wafer 100 by the projection optical system 112. By exposing the semiconductor wafer 100 with the exposure light L in this way, an image of a pattern corresponding to the film pattern to be formed is projected onto a resist film (not shown) on the semiconductor wafer 100. Then, the exposed resist film is developed.
 また、本開示の位置計測用ミラーは、露光装置だけでなく、正確な位置計測が要求される用途、例えば、衛星等の宇宙飛行体に搭載される光学部品にも適用可能である。また、本開示の構造体は、位置計測用ミラー、ガイドレール以外にも、長尺状の液晶パネル製造装置用部材や半導体製造装置用部材にも適用可能である。 Further, the position measurement mirror of the present disclosure can be applied not only to an exposure apparatus but also to an application requiring accurate position measurement, for example, an optical component mounted on a space flying object such as a satellite. Further, the structure of the present disclosure can be applied not only to a mirror for position measurement and a guide rail, but also to a member for a long liquid crystal panel manufacturing device and a member for a semiconductor manufacturing device.
 次に、本開示の構造体の製造方法の一例について説明する。構造体がコージェライトを主成分とするセラミックスからなる場合について説明する。 Next, an example of the manufacturing method of the structure of the present disclosure will be described. A case where the structure is made of ceramics containing cordierite as a main component will be described.
 まず、炭酸マグネシウム、酸化アルミニウム、酸化珪素の各粉末が所定割合となるように調合した混合粉末を仮焼し、粉砕した合成コージェライト粉末と、酸化アルミニウム粉末と、炭酸カルシウム粉末とを用いて、所定の割合で秤量して1次原料とする。 First, synthetic cordierite powder, aluminum oxide powder, and calcium carbonate powder, which are crushed by calcining a mixed powder prepared so that each powder of magnesium carbonate, aluminum oxide, and silicon oxide has a predetermined ratio, are used. Weigh at a predetermined ratio and use as the primary raw material.
 ここで、例えば、1次原料の合計100質量%に含まれる酸化アルミニウム粉末の含有量は3質量%以上、炭酸カルシウム粉末はCaO換算での含有量が0.4質量%以上0.6質量%以下と、合成コージェライト粉末は95質量%以上となるようにすればよい。 Here, for example, the content of aluminum oxide powder contained in the total 100% by mass of the primary raw material is 3% by mass or more, and the content of calcium carbonate powder in terms of CaO is 0.4% by mass or more and 0.6% by mass. Below, the synthetic corderite powder may be 95% by mass or more.
 このような比率にすることで、40℃~400℃における平均線膨張率の絶対値が0.03ppm/℃以下であり、比剛性が57GPa・cm/g以上であり、4点曲げ強度が250MPa以上のセラミックスとすることができる。 With such a ratio, the absolute value of the average linear expansion rate from 40 ° C to 400 ° C is 0.03 ppm / ° C or less, the specific rigidity is 57 GPa · cm 3 / g or more, and the four-point bending strength is high. Ceramics of 250 MPa or more can be used.
 セラミックスの機械的強度および耐薬品性を向上させるために、1次原料の合計100質量%中、酸化ジルコニウムの粉末を3質量%以下含んでいてもよい。この1次原料を湿式混合した後、バインダを加えてスラリーを得る。 In order to improve the mechanical strength and chemical resistance of the ceramics, zirconium oxide powder may be contained in an amount of 3% by mass or less in a total of 100% by mass of the primary raw materials. After wet mixing this primary raw material, a binder is added to obtain a slurry.
 次に、噴霧造粒法(スプレードライ法)にてスラリーを噴霧、乾燥して顆粒を得る。顆粒を成形型に充填して静水圧プレス成形(ラバープレス)法や粉末プレス成形法にて成形し角柱状の成形体を得る。必要に応じて、切削加工により、貫通孔8を形成した後、大気雰囲気中1400℃を超えて1450℃以下の最高温度で焼成することにより、角柱状の構造体1を得ることができる。また、角柱状の成形体から切削加工により、角筒状の構造体1を得ることができる。 Next, the slurry is sprayed and dried by the spray granulation method (spray drying method) to obtain granules. Granules are filled in a molding die and molded by a hydrostatic pressure press molding (rubber press) method or a powder press molding method to obtain a prismatic molded body. If necessary, a prismatic structure 1 can be obtained by forming a through hole 8 by cutting and then firing at a maximum temperature of 1400 ° C. or higher and 1450 ° C. or lower in the atmospheric atmosphere. Further, a square tubular structure 1 can be obtained by cutting from a prismatic molded body.
 さらに、焼成後に圧力を100~200MPa、温度を1000~1350℃として熱間等方加圧プレスすることにより、より緻密化させることができる。 Further, by hot isotropic pressure pressing at a pressure of 100 to 200 MPa and a temperature of 1000 to 1350 ° C. after firing, the density can be further refined.
 そして、研磨後に接合面となる焼成面のうち、加工を施さない部分をマスクで被覆し、その状態で、ブラスト加工またはレーザー加工で第1溝5および第2溝6を形成すればよい。 Then, of the fired surface to be the joint surface after polishing, the unprocessed portion may be covered with a mask, and in that state, the first groove 5 and the second groove 6 may be formed by blasting or laser processing.
 第1溝5および第2溝6を形成した後、マスクを取り外し、少なくとも研磨後に被装着面4となる第1焼成面および接合面3となる第2焼成面を研磨することで、本開示の構造体1を得ることができる。 After forming the first groove 5 and the second groove 6, the mask is removed, and at least after polishing, the first fired surface to be the mounted surface 4 and the second fired surface to be the joint surface 3 are polished to obtain the present disclosure. Structure 1 can be obtained.
 研磨の詳細については、例えば、まず、平均粒径が1μmの酸化アルミニウムの砥粒を用い、ポリウレタンパッド上で2~10時間研磨する。次いで、平均粒径が1μmの酸化セリウム砥粒を使用し、ポリウレタンパッド上で2~10時間程度研磨することで、斜面および接合面を得ることができる。 Regarding the details of polishing, for example, first, using abrasive grains of aluminum oxide having an average particle size of 1 μm, polishing is performed on a polyurethane pad for 2 to 10 hours. Next, a slope and a joint surface can be obtained by polishing on a polyurethane pad for about 2 to 10 hours using cerium oxide abrasive grains having an average particle size of 1 μm.
 焼成で生じた残留応力を低減する等の目的で、第1焼成面と第2焼成面とを接続する第3焼成面および構造体の長手方向両端に位置する端面の少なくともいずれかを研磨してもよい。 For the purpose of reducing residual stress generated by firing, at least one of the third firing surface connecting the first firing surface and the second firing surface and the end faces located at both ends in the longitudinal direction of the structure is polished. May be good.
 そして、下地層、反射膜、増反射膜等を備えた位置計測用ミラーは、例えば、真空蒸着、イオンアシスト蒸着等の蒸着法、スパッタリングあるいはイオンプレーティングによって形成することができる。 Then, the position measurement mirror provided with the underlayer, the reflective film, the antireflection film and the like can be formed by, for example, a vapor deposition method such as vacuum deposition or ion-assisted vapor deposition, sputtering or ion plating.
1 構造体
3 接合面
4 被装着面
5、5a、5b、5c 第1溝
5x 第1底面
6 第2溝
6x 第2底面
7 接着剤塗布部
8 貫通孔
9 結晶粒子
10  粒界相
10a 露出部
11、11´、12、12´ 角部
20 リニアガイド
21 第1軌道面
22 第2軌道面
23 ガイドレール
24 スライダ
25 接合面
26 基部
27 第1摺動部
28 第2摺動部
100 半導体ウエハ
101 基板ステージ
102 X方向モータ
103 Y方向モータ
104、105 位置計測用ミラー
106、107 位置計測用レーザー干渉計
108、110 ミラー本体
109、111 反射膜
1 Structure 3 Joint surface 4 Mounted surface 5, 5a, 5b, 5c 1st groove 5x 1st bottom surface 6 2nd groove 6x 2nd bottom surface 7 Adhesive coating part 8 Through hole 9 Crystal particle 10 Grain boundary phase 10a Exposed part 11, 11', 12, 12'Square 20 Linear guide 21 First track surface 22 Second track surface 23 Guide rail 24 Slider 25 Joint surface 26 Base 27 First sliding part 28 Second sliding part 100 Semiconductor wafer 101 Substrate Stage 102 X-direction motor 103 Y- direction motor 104, 105 Position measurement mirror 106, 107 Position measurement laser interferometer 108, 110 Mirror body 109, 111 Reflective film

Claims (18)

  1.  軸方向に垂直な断面がN角形状(Nは4以上の整数)である角柱状または角筒状の長尺体からなり、外側面に、被接合面に接合するための接合面を備え、該接合面は、前記長尺体の長手方向に延びる複数の第1溝と、該第1溝と交差する複数の第2溝とを備え、前記第1溝は、両端が開口しており、前記第2溝は、少なくともいずれか一端が封止されてなる、構造体。 It consists of a prismatic or square tubular elongated body whose cross section perpendicular to the axial direction is N-square (N is an integer of 4 or more), and has a joint surface on the outer surface for joining to the surface to be joined. The joint surface includes a plurality of first grooves extending in the longitudinal direction of the elongated body and a plurality of second grooves intersecting the first groove, and the first groove is open at both ends. The second groove is a structure in which at least one end thereof is sealed.
  2.  前記外側面の少なくともいずれかは、前記接合面を除き、機能性膜が装着される被装着面である、請求項1に記載の構造体。 The structure according to claim 1, wherein at least one of the outer surfaces is a mounted surface to which a functional membrane is mounted, except for the joint surface.
  3.  前記長尺体は、40℃~400℃における平均線膨張率がいずれも±2×10-6/K以内であるセラミックスまたはガラスからなる、請求項1または2に記載の構造体。 The structure according to claim 1 or 2, wherein the long body is made of ceramics or glass having an average coefficient of linear expansion of ± 2 × 10-6 / K at 40 ° C to 400 ° C.
  4.  前記接合面において、前記長尺体の長手方向に交差する短手方向の中央部に位置する前記第1溝の幅は、前記中央部の両側に位置する他の前記第1溝の幅よりも狭い、請求項1から3のいずれかに記載の構造体。 In the joint surface, the width of the first groove located in the central portion in the lateral direction intersecting the longitudinal direction of the elongated body is larger than the width of the other first grooves located on both sides of the central portion. The narrow structure according to any one of claims 1 to 3.
  5.  複数の前記第1溝は、前記接合面の長手方向の中心線に対して鏡面対称に配置されてなる、請求項1から4のいずれかに記載の構造体。 The structure according to any one of claims 1 to 4, wherein the plurality of first grooves are arranged mirror-symmetrically with respect to the center line in the longitudinal direction of the joint surface.
  6.  複数の前記第1溝は、前記接合面の短手方向に等間隔で配置されてなる、請求項1から5のいずれかに記載の構造体。 The structure according to any one of claims 1 to 5, wherein the plurality of first grooves are arranged at equal intervals in the lateral direction of the joint surface.
  7.  複数の前記第2溝は、前記接合面の短手方向の中心線に対して鏡面対称に配置されてなる、請求項1から6のいずれかに記載の構造体。 The structure according to any one of claims 1 to 6, wherein the plurality of second grooves are arranged mirror-symmetrically with respect to the center line in the lateral direction of the joint surface.
  8.  複数の前記第2溝は、前記接合面の長手方向に等間隔で配置されてなる、請求項1から7のいずれかに記載の構造体。 The structure according to any one of claims 1 to 7, wherein the plurality of second grooves are arranged at equal intervals in the longitudinal direction of the joint surface.
  9.  複数の前記第1溝および複数の前記第2溝のうち、少なくとも接着剤塗布部は、溝深さよりも溝幅が大きい、請求項1から8のいずれかに記載の構造体。 The structure according to any one of claims 1 to 8, wherein at least the adhesive-applied portion has a groove width larger than the groove depth among the plurality of the first grooves and the plurality of the second grooves.
  10.  複数の前記第1溝の第1底面は、ブラスト加工面またはレーザー加工面である、請求項1から9のいずれかに記載の構造体。 The structure according to any one of claims 1 to 9, wherein the first bottom surface of the plurality of first grooves is a blasted surface or a laser machined surface.
  11.  複数の前記第2溝の第2底面は、ブラスト加工面またはレーザー加工面である、請求項1から10のいずれかに記載の構造体。 The structure according to any one of claims 1 to 10, wherein the second bottom surface of the plurality of second grooves is a blasted surface or a laser machined surface.
  12.  前記被装着面の算術平均粗さ(Ra)は、0.1μm以上0.5μm以下である、請求項1から11のいずれかに記載の構造体。 The structure according to any one of claims 1 to 11, wherein the arithmetic mean roughness (Ra) of the mounted surface is 0.1 μm or more and 0.5 μm or less.
  13.  前記長尺体は前記長手方向に沿って貫通孔を有し、該貫通孔を囲繞する内周面は、結晶粒子間に存在する粒界相の露出部よりも突出している結晶粒子を有する、請求項1から12のいずれかに記載の構造体。 The elongated body has a through hole along the longitudinal direction, and the inner peripheral surface surrounding the through hole has crystal particles protruding from the exposed portion of the grain boundary phase existing between the crystal particles. The structure according to any one of claims 1 to 12.
  14.  請求項1から13のいずれかに記載の構造体と、該構造体の被装着面に装着された反射膜と、を有する位置計測用ミラー。 A position measurement mirror having the structure according to any one of claims 1 to 13 and a reflective film mounted on the mounted surface of the structure.
  15.  前記被装着面と前記反射膜との間に下地層を備え、該下地層は、クロム、酸化クロム、酸化イットリウム、チタン酸ランタン、酸化珪素、酸化チタン、酸化アルミニウムおよびアルミン酸マグネシウムの少なくともいずれかからなる、請求項14に記載の位置計測用ミラー。 An underlayer is provided between the mounting surface and the reflective film, and the underlayer is at least one of chromium, chromium oxide, yttrium oxide, lanthanum titanate, silicon oxide, titanium oxide, aluminum oxide, and magnesium aluminome. The position measuring mirror according to claim 14.
  16.  前記反射膜の表面上に増反射膜を備え、該増反射膜は、酸化イットリウム、フッ化マグネシウム、チタン酸ランタン、酸化珪素、酸化チタンおよび酸化アルミニウムの少なくともいずれかからなる、請求項15に記載の位置計測用ミラー。 15. The 15th aspect of the present invention, wherein a hyperreflective film is provided on the surface of the reflective film, and the hyperreflective film is composed of at least one of yttrium oxide, magnesium fluoride, lanthanum titanate, silicon oxide, titanium oxide and aluminum oxide. Mirror for position measurement.
  17.  前記反射膜の表面上に増反射膜を備え、該増反射膜は、低屈折率層と、該低屈折率層と厚みの異なる高屈折率層とからなる積層体を複数備えている、請求項15に記載の位置計測用ミラー。 A claim is provided that a hyperrefractive film is provided on the surface of the reflective film, and the antireflection film includes a plurality of laminates composed of a low refractive index layer and a high refractive index layer having a different thickness from the low refractive index layer. Item 5. The position measuring mirror according to Item 15.
  18.  請求項14~17のいずれかに記載の位置計測用ミラーが接合された基板ステージを備えた露光装置。
     
     
     
    An exposure apparatus including a substrate stage to which a position measurement mirror according to any one of claims 14 to 17 is joined.


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