WO2022138648A1

WO2022138648A1 - レジスト組成物及びレジストパターン形成方法

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Publication number: WO2022138648A1
Application number: PCT/JP2021/047337
Authority: WO
Inventors: 智之平野; 幸治米村; 裕介中川
Original assignee: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd
Current assignee: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd
Priority date: 2020-12-21
Filing date: 2021-12-21
Publication date: 2022-06-30
Anticipated expiration: 2023-06-21
Also published as: CN116583784A; JP7542653B2; JPWO2022138648A1; US20240302743A1; KR102811141B1; KR20230098899A

Abstract

フェノール性水酸基を含む構成単位（ａ１０）を有する高分子化合物（Ａ１）と、酸発生剤（Ｂ）と、メラミン系架橋剤、尿素系架橋剤、アルキレン尿素系架橋剤、グリコールウリル系架橋剤、およびエポキシ系架橋剤からなる群から選ばれる少なくとも１種の架橋剤（Ｃ）と、ポリエーテル化合物（Ｚ）と、を含有し、前記ポリエーテル化合物（Ｚ）の含有量が、前記高分子化合物（Ａ１）１００質量部に対して５０質量部未満であるレジスト組成物。

Description

レジスト組成物及びレジストパターン形成方法

　本発明は、レジスト組成物及びレジストパターン形成方法に関する。
　本願は、２０２０年１２月２１日に日本に出願された、特願２０２０－２１１６１９号に基づき優先権主張し、その内容をここに援用する。

　近年、半導体素子や液晶表示素子の製造においては、リソグラフィー技術の進歩により急速にパターンの微細化が進んでいる。微細化の手法としては、一般に、露光光源の短波長化（高エネルギー化）が行われている。

　レジスト材料には、これらの露光光源に対する感度、微細な寸法のパターンを再現できる解像性等のリソグラフィー特性が求められる。
　このような要求を満たすレジスト材料として、従来、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分と、露光により酸を発生する酸発生剤成分と、を含有する化学増幅型レジスト組成物が用いられている。

　レジスト材料には、これらの露光光源に対する感度、微細な寸法のパターンを再現できる解像性等のリソグラフィー特性が求められる。
　このような要求を満たすレジスト材料として、従来、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分と、露光により酸を発生する酸発生剤成分と、を含有する化学増幅型レジスト組成物が用いられている。
　例えば上記現像液がアルカリ現像液（アルカリ現像プロセス）の場合、ポジ型の化学増幅型レジスト組成物としては、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する樹脂成分（ベース樹脂）と酸発生剤成分とを含有するものが一般的に用いられている。かかるレジスト組成物を用いて形成されるレジスト膜は、レジストパターン形成時に選択的露光を行うと、露光部において、酸発生剤成分から酸が発生し、該酸の作用によりベース樹脂の極性が増大して、レジスト膜の露光部がアルカリ現像液に対して可溶となる。そのためアルカリ現像することにより、レジスト膜の未露光部がパターンとして残るポジ型パターンが形成される。

　また、レジスト材料として、従来、アルカリ現像液に可溶性の基材成分（アルカリ可溶性基材成分）と、露光により酸を発生する酸発生剤成分と、架橋剤成分と、を含有する化学増幅型レジスト組成物も用いられている。かかる化学増幅型レジスト組成物は、例えば、露光により酸発生剤成分から酸が発生すると、該酸が作用して該アルカリ可溶性基材成分と架橋剤成分との間で架橋が起こり、この結果、アルカリ現像液に対する溶解性が減少する。そのため、レジストパターンの形成において、かかる化学増幅型レジスト組成物を支持体上に塗布して得られるレジスト膜を選択的に露光すると、レジスト膜露光部はアルカリ現像液に対して難溶性へ転じる一方で、レジスト膜未露光部はアルカリ現像液に対して可溶性のまま変化しないため、アルカリ現像液で現像することによりネガ型レジストパターンが形成される。
　例えば、特許文献１には、アルカリ可溶性ポリヒドロキシスチレン系樹脂、酸架橋性物質、特定の光酸発生剤及び溶解促進剤を含有するネガ型化学増幅型レジスト組成物が記載されている。

特許第３６５５０３０号公報

　本発明らが検討した結果、基材成分としてアルカリ可溶性ポリヒドロキシスチレン系樹脂を採用したレジスト組成物を用いてミクロンオーダーの厚膜レジスト膜を成膜し、レジストパターンを形成してウェットエッチングを行った場合、ウェットエッチング耐性が不十分な場合があった。
　一方、基材成分としてノボラック樹脂を採用したレジスト組成物を用いてミクロンオーダーの厚膜レジスト膜を成膜し、レジストパターンを形成する場合、解像性が不十分な場合があった。

　本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、解像性及びウェットエッチング耐性が良好なレジストパターンを形成できるレジスト組成物、及び該レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法を提供することを課題とする。

　上記の課題を解決するために、本発明は以下の構成を採用した。
　すなわち、本発明の第１の態様は、下記一般式（ａ１０－１）で表される構成単位（ａ１０）を有する高分子化合物（Ａ１）と、酸発生剤（Ｂ）と、メラミン系架橋剤、尿素系架橋剤、アルキレン尿素系架橋剤、グリコールウリル系架橋剤、およびエポキシ系架橋剤からなる群から選ばれる少なくとも１種の架橋剤（Ｃ）と、ポリエーテル化合物（Ｚ）と、を含有し、前記ポリエーテル化合物（Ｚ）の含有量が、前記高分子化合物（Ａ１）１００質量部に対して５０質量部未満であるレジスト組成物である。

［式中、Ｒは、水素原子、炭素数１～５のアルキル基又は炭素数１～５のハロゲン化アルキル基である。Ｙａ^ｘ１は、単結合又は２価の連結基である。Ｗａ^ｘ１は、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基である。ｎ_ａｘ１は、１以上の整数である。］

　本発明の第２の態様は、支持体上に、前記第１の態様に係るレジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光する工程、及び前記露光後のレジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程を有する、レジストパターン形成方法である。

　本発明によれば、解像性及びウェットエッチング耐性が良好なレジストパターンを形成できるレジスト組成物、及び該レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法を提供することができる。

　本明細書及び本特許請求の範囲において、「脂肪族」とは、芳香族に対する相対的な概念であって、芳香族性を持たない基、化合物等を意味するものと定義する。
　「アルキル基」は、特に断りがない限り、直鎖状、分岐鎖状及び環状の１価の飽和炭化水素基を包含するものとする。アルコキシ基中のアルキル基も同様である。
　「アルキレン基」は、特に断りがない限り、直鎖状、分岐鎖状及び環状の２価の飽和炭化水素基を包含するものとする。
　「ハロゲン原子」は、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。　「構成単位」とは、高分子化合物（樹脂、重合体、共重合体）を構成するモノマー単位（単量体単位）を意味する。
　「置換基を有してもよい」と記載する場合、水素原子（－Ｈ）を１価の基で置換する場合と、メチレン基（－ＣＨ_２－）を２価の基で置換する場合との両方を含む。
　「露光」は、放射線の照射全般を含む概念とする。

　「酸分解性基」は、酸の作用により、当該酸分解性基の構造中の少なくとも一部の結合が開裂し得る酸分解性を有する基である。
　酸の作用により極性が増大する酸分解性基としては、例えば、酸の作用により分解して極性基を生じる基が挙げられる。
　極性基としては、例えばカルボキシ基、水酸基、アミノ基、スルホ基（－ＳＯ_３Ｈ）等が挙げられる。
　酸分解性基としてより具体的には、前記極性基が酸解離性基で保護された基（例えばＯＨ含有極性基の水素原子を、酸解離性基で保護した基）が挙げられる。

　「酸解離性基」とは、（ｉ）酸の作用により、当該酸解離性基と該酸解離性基に隣接する原子との間の結合が開裂し得る酸解離性を有する基、又は、（ｉｉ）酸の作用により一部の結合が開裂した後、さらに脱炭酸反応が生じることにより、当該酸解離性基と該酸解離性基に隣接する原子との間の結合が開裂し得る基、の双方をいう。
　酸分解性基を構成する酸解離性基は、当該酸解離性基の解離により生成する極性基よりも極性の低い基であることが必要で、これにより、酸の作用により該酸解離性基が解離した際に、該酸解離性基よりも極性の高い極性基が生じて極性が増大する。その結果、（Ａ１）成分全体の極性が増大する。極性が増大することにより、相対的に、現像液に対する溶解性が変化し、現像液がアルカリ現像液の場合には溶解性が増大し、現像液が有機系現像液の場合には溶解性が減少する。

　「基材成分」とは、膜形成能を有する有機化合物である。基材成分として用いられる有機化合物は、非重合体と重合体とに大別される。非重合体としては、通常、分子量が５００以上４０００未満のものが用いられる。以下「低分子化合物」という場合は、分子量が５００以上４０００未満の非重合体を示す。重合体としては、通常、分子量が１０００以上のものが用いられる。以下「樹脂」、「高分子化合物」又は「ポリマー」という場合は、分子量が１０００以上の重合体を示す。重合体の分子量としては、ＧＰＣ（ゲルパーミエーションクロマトグラフィー）によるポリスチレン換算の質量平均分子量を用いるものとする。

　「誘導される構成単位」とは、炭素原子間の多重結合、例えば、エチレン性二重結合が開裂して構成される構成単位を意味する。
　「アクリル酸エステル」は、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよい。該α位の炭素原子に結合した水素原子を置換する置換基（Ｒ^αｘ）は、水素原子以外の原子又は基である。また、置換基（Ｒ^αｘ）がエステル結合を含む置換基で置換されたイタコン酸ジエステルや、置換基（Ｒ^αｘ）がヒドロキシアルキル基やその水酸基を修飾した基で置換されたαヒドロキシアクリルエステルも含むものとする。なお、アクリル酸エステルのα位の炭素原子とは、特に断りがない限り、アクリル酸のカルボニル基が結合している炭素原子のことである。
　以下、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されたアクリル酸エステルを、α置換アクリル酸エステルということがある。

　「誘導体」とは、対象化合物のα位の水素原子がアルキル基、ハロゲン化アルキル基等の他の置換基に置換されたもの、並びにそれらの誘導体を含む概念とする。それらの誘導体としては、α位の水素原子が置換基に置換されていてもよい対象化合物の水酸基の水素原子を有機基で置換したもの；α位の水素原子が置換基に置換されていてもよい対象化合物に、水酸基以外の置換基が結合したもの等が挙げられる。なお、α位とは、特に断りがない限り、官能基と隣接した1番目の炭素原子のことをいう。
　ヒドロキシスチレンのα位の水素原子を置換する置換基としては、Ｒ^αｘと同様のものが挙げられる。

　本明細書及び本特許請求の範囲において、化学式で表される構造によっては、不斉炭素が存在し、エナンチオ異性体（ｅｎａｎｔｉｏｍｅｒ）やジアステレオ異性体（ｄｉａｓｔｅｒｅｏｍｅｒ）が存在し得るものがある。その場合は一つの化学式でそれら異性体を代表して表す。それらの異性体は単独で用いてもよいし、混合物として用いてもよい。

　（レジスト組成物）
　本発明の第１の態様に係るレジスト組成物は、一般式（ａ１０－１）で表される構成単位（ａ１０）を有する高分子化合物（Ａ１）（以下「（Ａ１）成分」ともいう）と、酸発生剤（Ｂ）（以下「（Ｂ）成分」ともいう）と、メラミン系架橋剤、尿素系架橋剤、アルキレン尿素系架橋剤、グリコールウリル系架橋剤、およびエポキシ系架橋剤からなる群から選ばれる少なくとも１種の架橋剤（Ｃ）（以下「（Ｃ）成分」ともいう）と、ポリエーテル化合物（Ｚ）と、を含有する。本実施形態のレジスト組成物において、（Ｚ）成分の含有量は、（Ａ１）成分１００質量部に対して５０質量部未満である。
　かかるレジスト組成物を用いてレジスト膜を形成すると、厚膜レジスト膜（例えば、膜厚１μｍ以上）を形成することができる。

　かかるレジスト組成物を用いてレジスト膜を形成し、該レジスト膜に対して選択的露光を行うと、該レジスト膜の露光部では酸が発生し、該酸の作用により（Ａ）成分の現像液に対する溶解性が変化する一方で、該レジスト膜の未露光部では（Ａ）成分の現像液に対する溶解性が変化しないため、該レジスト膜の露光部と未露光部との間で現像液に対する溶解性の差が生じる。そのため、該レジスト膜を現像すると、該レジスト組成物がポジ型の場合はレジスト膜露光部が溶解除去されてポジ型のレジストパターンが形成され、該レジスト組成物がネガ型の場合はレジスト膜未露光部が溶解除去されてネガ型のレジストパターンが形成される。

　本明細書においては、レジスト膜露光部が溶解除去されてポジ型レジストパターンを形成するレジスト組成物をポジ型レジスト組成物といい、レジスト膜未露光部が溶解除去されてネガ型レジストパターンを形成するレジスト組成物をネガ型レジスト組成物という。本実施形態のレジスト組成物は、ポジ型レジスト組成物であってもよく、ネガ型レジスト組成物であってもよい。また、本実施形態のレジスト組成物は、レジストパターン形成時の現像処理にアルカリ現像液を用いるアルカリ現像プロセス用であってもよいし、該現像処理に有機溶剤を含む現像液（有機系現像液）を用いる溶剤現像プロセス用であってもよい。

＜（Ａ）成分＞
　（Ａ）成分は、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分である。
　本発明において「基材成分」とは、膜形成能を有する有機化合物であり、好ましくは分子量が５００以上の有機化合物が用いられる。該有機化合物の分子量が５００以上であることにより、膜形成能が向上し、加えて、ナノレベルのレジストパターンを形成しやすくなる。
　基材成分として用いられる有機化合物は、非重合体と重合体とに大別される。
　非重合体としては、通常、分子量が５００以上４０００未満のものが用いられる。以下「低分子化合物」という場合は、分子量が５００以上４０００未満の非重合体を示す。　重合体としては、通常、分子量が１０００以上のものが用いられる。以下「樹脂」、「高分子化合物」又は「ポリマー」という場合は、分子量が１０００以上の重合体を示す。　重合体の分子量としては、ＧＰＣ（ゲルパーミエーションクロマトグラフィー）によるポリスチレン換算の重量平均分子量を用いるものとする。

　本実施形態のレジスト組成物において、（Ａ）成分には、一般式（ａ０－１）で表される構成単位（ａ１０）を有する高分子化合物（Ａ１）が少なくとも用いられ、さらに、該（Ａ１）成分以外の高分子化合物及び／又は低分子化合物が併用されてもよい。
　（Ａ１）成分を少なくとも含有するレジスト組成物を用いて、レジスト膜を形成し、該レジスト膜に対して選択的に露光を行うと、該レジスト膜の露光部では、例えばレジスト組成物が（Ｂ）成分を含有する場合には該（Ｂ）成分から酸が発生し、該酸の作用により、架橋性を有する構成単位（ａ１０）を介して（Ａ１）成分間で架橋が起こり、この結果、該レジスト膜露光部のアルカリ現像液に対する溶解性が減少する。そのため、レジストパターンの形成において、本実施形態のレジスト組成物を支持体上に塗布して得られるレジスト膜を選択的に露光すると、レジスト膜露光部はアルカリ現像液に対して難溶性へ転じる一方で、レジスト膜未露光部はアルカリ現像液に対して可溶性のまま変化しないため、アルカリ現像液で現像することにより、ネガ型レジストパターンが形成される。

・（Ａ１）成分について
　（Ａ１）成分は、一般式（ａ１０－１）で表される構成単位（ａ１０）を有する高分子化合物である。
　（Ａ１）成分としては、構成単位（ａ１０）に加えて、さらに、芳香環（ヒドロキシ基が結合した芳香環を除く）を側鎖に含む構成単位（ａ１１）を有する共重合体が好ましい。
　また、（Ａ１）成分は、構成単位（ａ１０）、構成単位（ａ１１）以外のその他構成単位を有するものでもよい。

　構成単位（ａ１０）について：
　構成単位（ａ１０）は、下記一般式（ａ１０－１）で表される構成単位である。

［式中、Ｒは、水素原子、炭素数１～５のアルキル基又は炭素数１～５のハロゲン化アルキル基である。Ｙａ^ｘ１は、単結合又は２価の連結基である。Ｗａ^ｘ１は、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基である。ｎ_ａｘ１は、１以上の整数である。］
［式中、Ｒは、水素原子、炭素数１～５のアルキル基又は炭素数１～５のハロゲン化アルキル基である。Ｙａ^ｘ１は、単結合又は２価の連結基である。Ｗａ^ｘ１は、置換基を有してもよい芳香族炭化水素基である。ｎ_ａｘ１は、１以上の整数である。］

　前記式（ａ１０－１）中、Ｒは、水素原子、炭素数１～５のアルキル基又は炭素数１～５のハロゲン化アルキル基である。
　Ｒにおける炭素数１～５のアルキル基は、炭素数１～５の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基が好ましく、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基等が挙げられる。
　Ｒにおける炭素数１～５のハロゲン化アルキル基は、前記炭素数１～５のアルキル基の水素原子の一部又は全部がハロゲン原子で置換された基である。該ハロゲン原子としては、特にフッ素原子が好ましい。
　Ｒとしては、水素原子、炭素数１～５のアルキル基又は炭素数１～５のフッ素化アルキル基が好ましく、工業上の入手の容易さから、水素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基がより好ましく、水素原子又はメチル基がさらに好ましく、水素原子が特に好ましい。

　前記式（ａ１０－１）中、Ｙａ^ｘ１は、単結合又は２価の連結基である。
　前記の化学式中、Ｙａ^ｘ１における２価の連結基としては、特に限定されないが、置換基を有してもよい２価の炭化水素基、ヘテロ原子を含む２価の連結基等が好適なものとして挙げられる。

　・置換基を有してもよい２価の炭化水素基：
　Ｙａ^ｘ１が置換基を有してもよい２価の炭化水素基である場合、該炭化水素基は、脂肪族炭化水素基でもよいし、芳香族炭化水素基でもよい。

　・・Ｙａ^ｘ１における脂肪族炭化水素基
　脂肪族炭化水素基は、芳香族性を持たない炭化水素基を意味する。該脂肪族炭化水素基は、飽和であってもよく、不飽和であってもよく、通常は飽和であることが好ましい。　前記脂肪族炭化水素基としては、直鎖状若しくは分岐鎖状の脂肪族炭化水素基、又は構造中に環を含む脂肪族炭化水素基等が挙げられる。

　・・・直鎖状若しくは分岐鎖状の脂肪族炭化水素基
　該直鎖状の脂肪族炭化水素基は、炭素数が１～１０であることが好ましく、炭素数１～６がより好ましく、炭素数１～４がさらに好ましく、炭素数１～３が最も好ましい。
　直鎖状の脂肪族炭化水素基としては、直鎖状のアルキレン基が好ましく、具体的には、メチレン基［－ＣＨ_２－］、エチレン基［－（ＣＨ_２）_２－］、トリメチレン基［－（ＣＨ_２）_３－］、テトラメチレン基［－（ＣＨ_２）_４－］、ペンタメチレン基［－（ＣＨ_２）_５－］等が挙げられる。
　該分岐鎖状の脂肪族炭化水素基は、炭素数が２～１０であることが好ましく、炭素数３～６がより好ましく、炭素数３又は４がさらに好ましく、炭素数３が最も好ましい。
　分岐鎖状の脂肪族炭化水素基としては、分岐鎖状のアルキレン基が好ましく、具体的には、－ＣＨ（ＣＨ_３）－、－ＣＨ（ＣＨ_２ＣＨ_３）－、－Ｃ（ＣＨ_３）_２－、－Ｃ（ＣＨ_３）（ＣＨ_２ＣＨ_３）－、－Ｃ（ＣＨ_３）（ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_３）－、－Ｃ（ＣＨ_２ＣＨ_３）_２－等のアルキルメチレン基；－ＣＨ（ＣＨ_３）ＣＨ_２－、－ＣＨ（ＣＨ_３）ＣＨ（ＣＨ_３）－、－Ｃ（ＣＨ_３）_２ＣＨ_２－、－ＣＨ（ＣＨ_２ＣＨ_３）ＣＨ_２－、－Ｃ（ＣＨ_２ＣＨ_３）_２－ＣＨ_２－等のアルキルエチレン基；－ＣＨ（ＣＨ_３）ＣＨ_２ＣＨ_２－、－ＣＨ_２ＣＨ（ＣＨ_３）ＣＨ_２－等のアルキルトリメチレン基；－ＣＨ（ＣＨ_３）ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２－、－ＣＨ_２ＣＨ（ＣＨ_３）ＣＨ_２ＣＨ_２－等のアルキルテトラメチレン基などのアルキルアルキレン基等が挙げられる。アルキルアルキレン基におけるアルキル基としては、炭素数１～５の直鎖状のアルキル基が好ましい。

　前記直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基は、置換基を有していてもよく、有していなくてもよい。該置換基としては、フッ素原子、フッ素原子で置換された炭素数１～５のフッ素化アルキル基、カルボニル基等が挙げられる。

　・・・構造中に環を含む脂肪族炭化水素基
　該構造中に環を含む脂肪族炭化水素基としては、環構造中にヘテロ原子を含む置換基を含んでもよい環状の脂肪族炭化水素基（脂肪族炭化水素環から水素原子を２個除いた基）、前記環状の脂肪族炭化水素基が直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基の末端に結合した基、前記環状の脂肪族炭化水素基が直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基の途中に介在する基などが挙げられる。前記直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基としては前記と同様のものが挙げられる。
　環状の脂肪族炭化水素基は、炭素数が３～２０であることが好ましく、炭素数３～１２であることがより好ましい。
　環状の脂肪族炭化水素基は、多環式基であってもよく、単環式基であってもよい。単環式の脂環式炭化水素基としては、モノシクロアルカンから２個の水素原子を除いた基が好ましい。該モノシクロアルカンとしては、炭素数３～６のものが好ましく、具体的にはシクロペンタン、シクロヘキサン等が挙げられる。多環式の脂環式炭化水素基としては、ポリシクロアルカンから２個の水素原子を除いた基が好ましく、該ポリシクロアルカンとしては、炭素数７～１２のものが好ましく、具体的にはアダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等が挙げられる。

　環状の脂肪族炭化水素基は、置換基を有してもよいし、有していなくてもよい。該置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基、カルボニル基等が挙げられる。
　前記置換基としてのアルキル基としては、炭素数１～５のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、ｎ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基であることがより好ましい。
　前記置換基としてのアルコキシ基としては、炭素数１～５のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基、ｎ－プロポキシ基、ｉｓｏ－プロポキシ基、ｎ－ブトキシ基、ｔｅｒｔ－ブトキシ基がより好ましく、メトキシ基、エトキシ基がさらに好ましい。
　前記置換基としてのハロゲン原子としては、フッ素原子が好ましい。
　前記置換基としてのハロゲン化アルキル基としては、前記アルキル基の水素原子の一部または全部が前記ハロゲン原子で置換された基が挙げられる。
　環状の脂肪族炭化水素基は、その環構造を構成する炭素原子の一部がヘテロ原子を含む置換基で置換されてもよい。該ヘテロ原子を含む置換基としては、－Ｏ－、－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－、－Ｓ－、－Ｓ（＝Ｏ）_２－、－Ｓ（＝Ｏ）_２－Ｏ－が好ましい。

　・・Ｙａ^ｘ１における芳香族炭化水素基
　該芳香族炭化水素基は、芳香環を少なくとも１つ有する炭化水素基である。
　この芳香環は、４ｎ＋２個のπ電子をもつ環状共役系であれば特に限定されず、単環式でもよいし、多環式でもよい。芳香環の炭素数は５～３０であることが好ましく、炭素数５～２０がより好ましく、炭素数６～１５がさらに好ましく、炭素数６～１２が特に好ましい。ただし、該炭素数には、置換基における炭素数を含まないものとする。
　芳香環として具体的には、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン等の芳香族炭化水素環；前記芳香族炭化水素環を構成する炭素原子の一部がヘテロ原子で置換された芳香族複素環等が挙げられる。芳香族複素環におけるヘテロ原子としては、酸素原子、硫黄原子、窒素原子等が挙げられる。芳香族複素環として具体的には、ピリジン環、チオフェン環等が挙げられる。
　芳香族炭化水素基として具体的には、前記芳香族炭化水素環または芳香族複素環から水素原子を２つ除いた基（アリーレン基またはヘテロアリーレン基）；２以上の芳香環を含む芳香族化合物（例えばビフェニル、フルオレン等）から水素原子を２つ除いた基；前記芳香族炭化水素環または芳香族複素環から水素原子を１つ除いた基（アリール基またはヘテロアリール基）の水素原子の１つがアルキレン基で置換された基（例えば、ベンジル基、フェネチル基、１－ナフチルメチル基、２－ナフチルメチル基、１－ナフチルエチル基、２－ナフチルエチル基等のアリールアルキル基におけるアリール基から水素原子をさらに１つ除いた基）等が挙げられる。前記アリール基またはヘテロアリール基に結合するアルキレン基の炭素数は、１～４であることが好ましく、炭素数１～２であることがより好ましく、炭素数１であることが特に好ましい。

　前記芳香族炭化水素基は、当該芳香族炭化水素基が有する水素原子が置換基で置換されていてもよい。例えば当該芳香族炭化水素基中の芳香環に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよい。該置換基としては、例えば、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基等が挙げられる。
　前記置換基としてのアルキル基としては、炭素数１～５のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、ｎ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基であることがより好ましい。
　前記置換基としてのアルコキシ基、ハロゲン原子およびハロゲン化アルキル基としては、前記環状の脂肪族炭化水素基が有する水素原子を置換する置換基として例示したものが挙げられる。

　・ヘテロ原子を含む２価の連結基：
　Ｙａ^ｘ１がヘテロ原子を含む２価の連結基である場合、該連結基として好ましいものとしては、－Ｏ－、－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－、－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－、－Ｃ（＝Ｏ）－、－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－、－Ｃ（＝Ｏ）－ＮＨ－、－ＮＨ－、－ＮＨ－Ｃ（＝ＮＨ）－（Ｈはアルキル基、アシル基等の置換基で置換されていてもよい。）、－Ｓ－、－Ｓ（＝Ｏ）_２－、－Ｓ（＝Ｏ）_２－Ｏ－、一般式－Ｙ^２１－Ｏ－Ｙ^２２－、－Ｙ^２１－Ｏ－、－Ｙ^２１－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－、－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－Ｙ^２１－、－［Ｙ^２１－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ］_ｍ”－Ｙ^２２－、－Ｙ^２１－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－Ｙ^２２－または－Ｙ^２１－Ｓ（＝Ｏ）_２－Ｏ－Ｙ^２２－で表される基［式中、Ｙ^２１およびＹ^２２はそれぞれ独立して置換基を有してもよい２価の炭化水素基であり、Ｏは酸素原子であり、ｍ”は０～３の整数である。］等が挙げられる。
　前記へテロ原子を含む２価の連結基が－Ｃ（＝Ｏ）－ＮＨ－、－Ｃ（＝Ｏ）－ＮＨ－Ｃ（＝Ｏ）－、－ＮＨ－、－ＮＨ－Ｃ（＝ＮＨ）－の場合、そのＨはアルキル基、アシル等の置換基で置換されていてもよい。該置換基（アルキル基、アシル基等）は、炭素数が１～１０であることが好ましく、１～８であることがさらに好ましく、１～５であることが特に好ましい。
　一般式－Ｙ^２１－Ｏ－Ｙ^２２－、－Ｙ^２１－Ｏ－、－Ｙ^２１－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－、－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－Ｙ^２１－、－［Ｙ^２１－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ］_ｍ”－Ｙ^２２－、－Ｙ^２１－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－Ｙ^２２－または－Ｙ^２１－Ｓ（＝Ｏ）_２－Ｏ－Ｙ^２２－中、Ｙ^２１およびＹ^２２は、それぞれ独立して、置換基を有してもよい２価の炭化水素基である。該２価の炭化水素基としては、前記Ｙａ^ｘ１における２価の連結基としての説明で挙げた（置換基を有してもよい２価の炭化水素基）と同様のものが挙げられる。
　Ｙ^２１としては、直鎖状の脂肪族炭化水素基が好ましく、直鎖状のアルキレン基がより好ましく、炭素数１～５の直鎖状のアルキレン基がさらに好ましく、メチレン基またはエチレン基が特に好ましい。
　Ｙ^２２としては、直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基が好ましく、メチレン基、エチレン基またはアルキルメチレン基がより好ましい。該アルキルメチレン基におけるアルキル基は、炭素数１～５の直鎖状のアルキル基が好ましく、炭素数１～３の直鎖状のアルキル基がより好ましく、メチル基が最も好ましい。
　式－［Ｙ^２１－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ］_ｍ”－Ｙ^２２－で表される基において、ｍ”は０～３の整数であり、０～２の整数であることが好ましく、０または１がより好ましく、１が特に好ましい。つまり、式－［Ｙ^２１－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ］_ｍ”－Ｙ^２２－で表される基としては、式－Ｙ^２１－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－Ｙ^２２－で表される基が特に好ましい。なかでも、式－（ＣＨ_２）_ａ’－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－（ＣＨ_２）_ｂ’－で表される基が好ましい。該式中、ａ’は、１～１０の整数であり、１～８の整数が好ましく、１～５の整数がより好ましく、１または２がさらに好ましく、１が最も好ましい。ｂ’は、１～１０の整数であり、１～８の整数が好ましく、１～５の整数がより好ましく、１または２がさらに好ましく、１が最も好ましい。

　上記の中でも、Ｙａ^ｘ１としては、単結合、エステル結合［－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－、－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－］、エーテル結合（－Ｏ－）、直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキレン基、又はこれらの組合せであることが好ましく、単結合、エステル結合［－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－、－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－］がより好ましい。

　前記式（ａ１０－１）中、Ｗａ^ｘ１は、置換基を有してもよい芳香族炭化水素基である。
　Ｗａ^ｘ１における芳香族炭化水素基としては、置換基を有してもよい芳香環から（ｎ_ａｘ１＋１）個の水素原子を除いた基が挙げられる。ここでの芳香環は、４ｎ＋２個のπ電子をもつ環状共役系であれば特に限定されず、単環式でも多環式でもよい。芳香環の炭素数は５～３０であることが好ましく、炭素数５～２０がより好ましく、炭素数６～１５がさらに好ましく、炭素数６～１２が特に好ましい。該芳香環として具体的には、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン等の芳香族炭化水素環；前記芳香族炭化水素環を構成する炭素原子の一部がヘテロ原子で置換された芳香族複素環等が挙げられる。芳香族複素環におけるヘテロ原子としては、酸素原子、硫黄原子、窒素原子等が挙げられる。芳香族複素環として具体的には、ピリジン環、チオフェン環等が挙げられる。
　また、Ｗａ^ｘ１における芳香族炭化水素基としては、２以上の置換基を有してもよい芳香環を含む芳香族化合物（例えばビフェニル、フルオレン等）から（ｎ_ａｘ１＋１）個の水素原子を除いた基も挙げられる。
　上記の中でも、Ｗａ^ｘ１としては、ベンゼン、ナフタレン、アントラセンまたはビフェニルから（ｎ_ａｘ１＋１）個の水素原子を除いた基が好ましく、ベンゼン又はナフタレンから（ｎ_ａｘ１＋１）個の水素原子を除いた基がより好ましく、ベンゼンから（ｎ_ａｘ１＋１）個の水素原子を除いた基がさらに好ましい。

　Ｗａ^ｘ１における芳香族炭化水素基は、置換基を有していてもよく、有していなくてもよい。前記置換基としては、例えば、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基等が挙げられる。前記置換基としてのアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基としては、Ｙａ^ｘ１における環状の脂肪族炭化水素基の置換基として挙げたものと同様のものが挙げられる。前記置換基は、炭素数１～５の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基が好ましく、炭素数１～３の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基がより好ましく、エチル基又はメチル基がさらに好ましく、メチル基が特に好ましい。Ｗａ^ｘ１における芳香族炭化水素基は、置換基を有していないことが好ましい。

　前記式（ａ１０－１）中、ｎ_ａｘ１は、１以上の整数であり、１～１０の整数が好ましく、１～５の整数がより好ましく、１、２又は３がさらに好ましく、１又は２が特に好ましい。

　以下に、前記式（ａ１０－１）で表される構成単位（ａ１０）の具体例を示す。
　以下の各式中、Ｒ^αは、水素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基を示す。

　（Ａ１）成分が有する構成単位（ａ１０）は、１種でもよく２種以上でもよい。
　（Ａ１）成分中の構成単位（ａ１０）の割合は、（Ａ１）成分を構成する全構成単位の合計（１００モル％）に対して、７０～９９モル％が好ましく、７５～９９モル％がより好ましく、８０～９９モル％がさらに好ましく、８５～９５モル％が特に好ましい。
　構成単位（ａ１０）の割合を下限値以上とすることにより、現像特性やリソグラフィー特性がより向上する。一方、上限値以下とすることにより、他の構成単位とのバランスをとりやすくなる。

　構成単位（ａ１１）について：
　（Ａ１）成分は、上述した構成単位（ａ１０）に加えて、さらに、芳香環（ヒドロキシ基が結合した芳香環を除く）を側鎖に含む化合物から誘導される構成単位（ａ１１）を有する共重合体が好ましい。
　芳香環（ヒドロキシ基が結合した芳香環を除く）を側鎖に含む化合物、としては、例えば、下記一般式（ａ１１－１）で表される化合物が好適に挙げられる。

［式（ａ１１－１）中、Ｒａ^ｘ２は重合性基含有基である。Ｗａ^ｘ２は、（ｎ_ａｘ２＋１）価の芳香族炭化水素基である。但し、Ｒａ^ｘ２とＷａ^ｘ２とで縮合環構造が形成されていてもよい。Ｒａ^ｘ０２は、Ｗａ^ｘ２（芳香族炭化水素基）を構成する水素原子を置換する置換基である。ｎ_ａｘ２は、０～３の整数である。ｎ_ａｘ２が２以上の場合、複数のＲａ^ｘ０２が相互に結合して環構造を形成してもよい。］

　前記式（ａ１１－１）中、Ｒａ^ｘ２は、重合性基含有基である。
　Ｒａ^ｘ２における「重合性基」とは、重合性基を有する化合物がラジカル重合等により重合することを可能とする基であり、例えばエチレン性二重結合などの炭素原子間の多重結合を含む基をいう。
　重合性基としては、例えばビニル基、アリル基、アクリロイル基、メタクリロイル基、フルオロビニル基、ジフルオロビニル基、トリフルオロビニル基、ジフルオロトリフルオロメチルビニル基、トリフルオロアリル基、パーフルオロアリル基、トリフルオロメチルアクリロイル基、ノニルフルオロブチルアクリロイル基、ビニルエーテル基、含フッ素ビニルエーテル基、アリルエーテル基、含フッ素アリルエーテル基、スチリル基、ビニルナフチル基、含フッ素スチリル基、含フッ素ビニルナフチル基、ノルボルニル基、含フッ素ノルボルニル基、シリル基等が挙げられる。
　重合性基含有基としては、重合性基のみから構成される基でもよいし、重合性基と該重合性基以外の他の基とから構成される基でもよい。該重合性基以外の他の基としては、置換基を有してもよい２価の炭化水素基、ヘテロ原子を含む２価の連結基等が挙げられる。

　Ｒａ^ｘ２としては、例えば、化学式：ＣＨ_２＝Ｃ（Ｒ）－Ｙａ^ｘ０－で表される基、が好適に挙げられる。この化学式中、Ｒは、水素原子、炭素数１～５のアルキル基又は炭素数１～５のハロゲン化アルキル基であり、Ｙａ^ｘ０は、２価の連結基である。

　前記式（ａ１１－１）中、Ｗａ^ｘ２は、（ｎ_ａｘ２＋１）価の芳香族炭化水素基であり、前記（ａ１０－１）中のＷａ^ｘ１と同様のものが挙げられる。

　但し、Ｒａ^ｘ２とＷａ^ｘ２とで縮合環構造が形成されていてもよい。
　Ｒａ^ｘ２とＷａ^ｘ２とで縮合環構造を形成する場合、その縮合環構造には、Ｗａ^ｘ２に由来する芳香環が含まれる。また、Ｒａ^ｘ２に由来する重合性基の、炭素原子間の多重結合が開裂して、（Ａ１）成分の主鎖を形成する。すなわち、該縮合環を構成する炭素原子の一部が（Ａ１）成分の主鎖を構成する。

　前記式（ａ１１－１）中、Ｒａ^ｘ０２は、Ｗａ^ｘ２（芳香族炭化水素基）を構成する水素原子を置換する置換基である。
　Ｒａ^ｘ０２における置換基としては、例えば、アルキル基、アルコキシ基、アシルオキシ基などが挙げられる。
　Ｒａ^ｘ０２における置換基としてのアルキル基は、炭素数１～５のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、ｎ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基がより好ましい。
　Ｒａ^ｘ０２における置換基としてのアルコキシ基は、炭素数１～５のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基、ｎ－プロポキシ基、ｉｓｏ－プロポキシ基、ｎ－ブトキシ基、ｔｅｒｔ－ブトキシ基がより好ましく、メトキシ基、エトキシ基が特に好ましい。
　Ｒａ^ｘ０２における置換基としてのアシルオキシ基は、その炭素数が２～６であることが好ましく、ＣＨ_３Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－（アセトキシ基）、Ｃ_２Ｈ_５Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－がより好ましく、ＣＨ_３Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－（アセトキシ基）が特に好ましい。

　前記式（ａ１１－１）中、ｎ_ａｘ２は、０～３の整数であり、０、１又は２が好ましく、０又は１がより好ましい。
　ｎ_ａｘ２が２以上の場合、複数のＲａ^ｘ０２が相互に結合して、環構造を形成してもよい。ここで形成する環構造は、炭化水素環であってもよいし複素環であってもよい。例えば、Ｗａ^ｘ２における同一の芳香環に結合する２つのＲａ^ｘ０２と、この２つのＲａ^ｘ０２が結合する芳香環（Ｗａ^ｘ２）の一辺（炭素原子間の結合）と、によって形成する環構造が挙げられる。

　かかる構成単位（ａ１１）としては、例えば、下記の一般式（ａ１１－ｕ１－１）～（ａ１１－ｕ１－６）でそれぞれ表される構成単位が好適に挙げられる。

［式中、Ｒ^αは、水素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。Ｒ^βは、アルキル基、アルコキシ基又はアシルオキシ基である。ｎ_ａｘ２は、０～３の整数である。ｎ_ａｘ２が２以上の場合、複数のＲ^βが相互に結合して、環構造を形成してもよい。ｎ_２１、ｎ_２２、ｎ_２４及びｎ_２５は、それぞれ独立に、０又は１である。ｎ_２３及びｎ_２６は、それぞれ独立に、１又は２である。］

　前記の式（ａ１１－ｕ１－１）～（ａ１１－ｕ１－６）中、Ｒ^βにおけるアルキル基、アルコキシ基、アシルオキシ基は、前記式（ａ１１－１）中のＲａ^ｘ０２における置換基として例示したアルキル基、アルコキシ基、アシルオキシ基と同様である。

　以下に、前記一般式（ａ１１－１）で表される化合物から誘導される構成単位（構成単位（ａ１１））の具体例を示す。
　以下の各式中、Ｒ^αは、水素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基を示す。

　上記例示の中でも、構成単位（ａ１１）は、一般式（ａ１１－ｕ１－１）～（ａ１１－ｕ１－３）でそれぞれ表される構成単位からなる群より選択される少なくとも１種が好ましく、一般式（ａ１１－ｕ１－１）で表される構成単位がより好ましい。
　これらの中でも、構成単位（ａ１１）は、化学式（ａ１１－ｕ１－１１）、（ａ１１－ｕ１－２１）又は（ａ１１－ｕ１－３１）のいずれかで表される構成単位が好ましい。

　（Ａ１）成分が有する構成単位（ａ１１）は、１種でもよく２種以上でもよい。
　（Ａ１）成分が構成単位（ａ１１）を有する場合、（Ａ１）成分中の構成単位（ａ１１）の割合は、（Ａ１）成分を構成する全構成単位の合計（１００モル％）に対して、１～３０モル％であることが好ましく、１～２５モル％がより好ましく、１～２０モル％が更に好ましく、５～１５モル％が特に好ましい。
　構成単位（ａ１１）の割合を下限値以上とすることにより、耐エッチング性やリソグラフィー特性がより向上する。一方、上限値以下とすることにより、他の構成単位とのバランスをとりやすくなる。

　≪その他構成単位≫
　（Ａ１）成分は、構成単位（ａ１０）、構成単位（ａ１１）以外のその他構成単位を有してもよい。
　かかるその他構成単位を誘導する化合物としては、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸等のモノカルボン酸類；マレイン酸、フマル酸、イタコン酸等のジカルボン酸類；２－メタクリロイルオキシエチルコハク酸、２－メタクリロイルオキシエチルマレイン酸、２－メタクリロイルオキシエチルフタル酸、２－メタクリロイルオキシエチルヘキサヒドロフタル酸等のカルボキシ基及びエステル結合を有するメタクリル酸誘導体類；メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート等の（メタ）アクリル酸アルキルエステル類；２－ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート等の（メタ）アクリル酸ヒドロキシアルキルエステル類；フェニル（メタ）アクリレート、ベンジル（メタ）アクリレート等の（メタ）アクリル酸アリールエステル類；マレイン酸ジエチル、フマル酸ジブチル等のジカルボン酸ジエステル類；酢酸ビニル等のビニル基含有脂肪族化合物類；ブタジエン、イソプレン等の共役ジオレフィン類；アクリロニトリル、メタクリロニトリル等のニトリル基含有重合性化合物類；塩化ビニル、塩化ビニリデン等の塩素含有重合性化合物；アクリルアミド、メタクリルアミド等のアミド結合含有重合性化合物類；エポキシ基含有重合性化合物類等が挙げられる。

　本実施形態のレジスト組成物において、（Ａ）成分は、構成単位（ａ１０）を有する高分子化合物（Ａ１）（（Ａ１）成分）を含むものである。
　好ましい（Ａ１）成分としては、構成単位（ａ１０）を少なくとも有する高分子化合物が挙げられる。具体的には、構成単位（ａ１０）の繰り返し構造を有する高分子化合物（構成単位（ａ１０）からなるホモポリマー）；構成単位（ａ１０）と構成単位（ａ１１）との繰り返し構造を有する高分子化合物が好適に挙げられる。

　（Ａ１）成分の重量平均分子量（Ｍｗ）（ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）によるポリスチレン換算基準）は、特に限定されるものではなく、５００～５００００が好ましく、１０００～３００００がより好ましく、２０００～２００００がさらに好ましい。
　（Ａ１）成分のＭｗがこの範囲の好ましい上限値以下であると、レジストとして用いるのに充分なレジスト溶剤への溶解性があり、この範囲の好ましい下限値以上であると、耐ドライエッチング性やレジストパターン断面形状がより良好となる。

　（Ａ１）成分の分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）は、特に限定されず、１．０～４．０が好ましく、１．０～３．０がより好ましく、１．０～２．５が特に好ましい。尚、Ｍｎは数平均分子量を示す。

　かかる（Ａ１）成分は、各構成単位を誘導するモノマーを重合溶媒に溶解し、ここに、例えばアゾビスイソブチロニトリル（ＡＩＢＮ）、アゾビスイソ酪酸ジメチル（例えばＶ－６０１など）等のラジカル重合開始剤を加えて重合することにより製造することができる。
　あるいは、かかる（Ａ１）成分は、構成単位（ａ１０）を誘導するモノマーと、必要に応じて構成単位（ａ１０）以外の構成単位を誘導するモノマーと、を重合溶媒に溶解し、ここに、上記のようなラジカル重合開始剤を加えて重合し、その後、脱保護反応を行うことにより製造することができる。
　なお、重合の際に、例えば、ＨＳ－ＣＨ_２－ＣＨ_２－ＣＨ_２－Ｃ（ＣＦ_３）_２－ＯＨのような連鎖移動剤を併用して用いることにより、末端に－Ｃ（ＣＦ_３）_２－ＯＨ基を導入してもよい。このように、アルキル基の水素原子の一部がフッ素原子で置換されたヒドロキシアルキル基が導入された共重合体は、現像欠陥の低減やＬＥＲ（ラインエッジラフネス：ライン側壁の不均一な凹凸）の低減に有効である。
　また、（Ａ１）成分は、ｎ－ブチルリチウム、ｓ－ブチルリチウム、ｔ－ブチルリチウム、エチルリチウム、エチルナトリウム、１，１－ジフェニルヘキシルリチウム、１，１－ジフェニル－３－メチルペンチルリチウム等の有機アルカリ金属を重合開始剤として用いてアニオン重合法により製造することもできる。

　・（Ａ２）成分について
　本実施形態のレジスト組成物は、（Ａ）成分として、前記（Ａ１）成分に該当しない、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分（以下「（Ａ２）成分」という。）を併用してもよい。
　（Ａ２）成分としては、特に限定されず、化学増幅型レジスト組成物用の基材成分として従来から知られている多数のものから任意に選択して用いればよい。
　（Ａ２）成分は、高分子化合物又は低分子化合物の１種を単独で用いてもよく２種以上を組み合わせて用いてもよい。

　（Ａ）成分中の（Ａ１）成分の割合は、（Ａ）成分の総質量に対し、２５質量％以上が好ましく、５０質量％以上がより好ましく、７５質量％以上がさらに好ましく、１００質量％であってもよい。該割合が２５質量％以上であると、高感度化や解像性、ラフネス改善などの種々のリソグラフィー特性に優れたレジストパターンが形成されやすくなる。

　本実施形態のレジスト組成物中、（Ａ）成分の含有量は、形成しようとするレジスト膜厚等に応じて調整すればよい。

≪酸発生剤成分（Ｂ）≫
　（Ｂ）成分としては、特に限定されず、これまで化学増幅型レジスト組成物用の酸発生剤として提案されているものを用いることができる。
　本実施形態において、（Ｂ）成分としては、下記一般式（ｂ０－１）で表される酸発生剤（Ｂ０）（以下、「（Ｂ０）成分」という。）を含むことが好ましい。

・（Ｂ０）成分について
　（Ｂ０）成分は、下記一般式（ｂ０－１）で表される酸発生剤である。

［式中、Ｒｂ^１は有機基である。Ｒｂ^２は、下記一般式（ｂ０－ｒ－１）又は下記一般式（ｂ０－ｒ－２）で表される基である。］

［式（ｂ０－ｒ－１）中、Ｒｂ^２０１及びＲｂ^２０２は、それぞれ独立に、有機基である。＊は結合手を示す。式（ｂ０－ｒ－２）中、Ｘｂは、－（Ｏ＝）Ｃ－Ｎ－Ｃ（＝Ｏ）－と共に環状イミド構造を有する環式基を形成する基である。＊は結合手を示す。］

　本実施形態において、（Ｂ０）成分は、前記式（ｂ０－１）で表される化合物であれば特に限定されず、例えば下記一般式（ｂ０－１－１）～（ｂ０－１－６）からなる群より選ばれる少なくとも１種の化合物等が挙げられる。

［式中、Ｒｂ^１１及びＲｂ^２１は、それぞれ独立に、非芳香族性基である。］

［式中、Ｒｂ^１２は、アルキル基又はハロゲン化アルキル基である。Ｒｂ^２２は、芳香族性基である。］

［式中、Ｒｂ^１３は置換を有してもよい炭化水素基である。ｎｂ３は、２又は３である。Ａｂは２価又は３価の有機基である。］

［式中、Ｒｂ^１４は、芳香族性多環式炭化水素基、飽和若しくは不飽和の非芳香族性多環式炭化水素基又はそれらの置換誘導体の基である。Ｒｂ^２４は、不活性有機基である。］

［式中、Ｒｂ^１５は、置換若しくは未置換の一価の飽和炭化水素基、不飽和炭化水素基又は芳香族性基である。Ｘｂ^５は、－（Ｏ＝）Ｃ－Ｎ－Ｃ（＝Ｏ）－と共に環状イミド構造を有する環式基を形成する基である。］

［式中、Ｒｂ^１６は、置換基を有してもよいアルキル基又は置換基を有してもよい芳香族炭化水素基である。Ｒｂ^２６１～Ｒｂ^２６３は、それぞれ独立に、ハロゲン原子、炭素数１～６のアルキル基又は炭素数１～６のアルコキシ基である。ｎｂ６は、０～５の整数である。］

　前記式（ｂ０－１－１）中、Ｒｂ^１１及びＲｂ^１２における非芳香族性基としては、それぞれアルキル基、ハロゲノアルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、シクロアルケニル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基及びアダマンチル基などが挙げられる。

　Ｒｂ^１１及びＲｂ^１２におけるアルキル基としては、好ましくは炭素数１～１２の直鎖状又は分枝鎖状のアルキル基、例えばメチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ｎ－ペンチル基、ｎ－オクチル基、ｎ－ドデシル基などが挙げられる。
　Ｒｂ^１１及びＲｂ^１２におけるハロゲノアルキル基は、ハロゲン原子の数については特に制限はなく、１個導入されていてもよいし、複数個導入されていてもよい。またハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子のいずれでもよい。このハロゲノアルキル基として、好ましいのは炭素数１～４のハロゲノアルキル基、例えばクロロメチル基、トリクロロメチル基、トリフルオロメチル基、２－ブロモプロピル基などである。
　Ｒｂ^１１及びＲｂ^１２におけるアルケニル基としては、炭素数２～６の直鎖状又は分岐鎖状のアルケニル基、例えばビニル基、１－プロペニル基、イソプロペニル基、２－ブテニル基などが好ましい。
　Ｒｂ^１１及びＲｂ^１２におけるシクロアルキル基としては、炭素数５～１２のシクロアルキル基、例えばシクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロオクチル基、シクロドデシル基などが、また、シクロアルケニル基としては、炭素数４～８のシクロアルケニル基、例えば１－シクロブテニル基、１－シクロペンテニル基、１－シクロヘキセニル基、１－シクロヘプテニル基、１－シクロオクテニル基などが好ましい。
　Ｒｂ^１１及びＲｂ^１２におけるアルコキシ基としては、炭素数１～８のアルコキシ基、例えばメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペントキシ基などが好ましい。
　Ｒｂ^１１及びＲｂ^１２におけるシクロアルコキシ基としては、炭素数５～８のシクロアルコキシ基、例えばシクロペントキシ基、シクロヘキシルオキシ基などが好ましい。

　前記式（ｂ０－１－１）中、Ｒｂ^１１としては、アルキル基、ハロゲノアルキル基及びシクロアルキル基、特にアルキル基が好ましい。Ｒｂ^２１としては、アルキル基、シクロアルキル基及びシクロアルケニル基、特にシクロアルケニル基が好ましい。なかでも、Ｒｂ^１１が炭素数１～４のアルキル基であり、Ｒｂ^２１がシクロペンテニル基であることがより好ましい。

　前記式（ｂ０－１－１）で表わされる化合物の具体例としては、α－（メチルスルホニルオキシイミノ）－１－シクロペンテニルアセトニトリル、α－（メチルスルホニルオキシイミノ）－１－シクロヘキセニルアセトニトリル、α－（メチルスルホニルオキシイミノ）－１－シクロヘプテニルアセトニトリル、α－（メチルスルホニルオキシイミノ）－１－シクロオクテニルアセトニトリル、α－（トリフルオロメチルスルホニルオキシイミノ）－１－シクロペンテニルアセトニトリル、α－（トリフルオロメチルスルホニルオキシイミノ）－シクロヘキシルアセトニトリル、α－（エチルスルホニルオキシイミノ）－エチルアセトニトリル、α－（プロピルスルホニルオキシイミノ）－プロピルアセトニトリル、α－（シクロヘキシルスルホニルオキシイミノ）－シクロペンチルアセトニトリル、α－（シクロヘキシルスルホニルオキシイミノ）－シクロヘキシルアセトニトリル、α－（シクロヘキシルスルホニルオキシイミノ）－１－シクロペンテニルアセトニトリル、α－（エチルスルホニルオキシイミノ）－１－シクロペンテニルアセトニトリル、α－（イソプロピルスルホニルオキシイミノ）－１－シクロペンテニルアセトニトリル、α－（ｎ－ブチルスルホニルオキシイミノ）－１－シクロペンテニルアセトニトリル、α－（エチルスルホニルオキシイミノ）－１－シクロヘキセニルアセトニトリル、α－（イソプロピルスルホニルオキシイミノ）－１－シクロヘキセニルアセトニトリル、α－（ｎ－ブチルスルホニルオキシイミノ）－１－シクロヘキセニルアセトニトリルなどが挙げられる。

　前記式（ｂ０－１－２）中、Ｒｂ^１２におけるアルキル基としては、炭素数１～４の直鎖状又は分枝鎖状のアルキル基、例えば、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基などが挙げられる。
　Ｒｂ^１２におけるハロゲン化アルキル基としては、炭素数１～４のハロゲン化アルキル基、例えばクロロメチル基、トリクロロメチル基、トリフルオロメチル基、２－ブロモプロピル基などが挙げられる。

　前記式（ｂ０－１－２）中、Ｒｂ^２２における芳香族性基とは、芳香族化合物に特有な物理的・化学的性質を示す基を意味し、例えばフェニル基、ナフチル基、フリル基、チエニル基などが挙げられる。Ｒｂ^２２における芳香族性基は、該芳香族性基を構成する芳香環の水素原子の一部が置換基で置換されていてもよい。該置換基としては、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、ニトロ基等が挙げられる。

　前記式（ｂ０－１－２）で表される化合物としては、具体的には、α－（メチルスルホニルオキシイミノ）－フェニルアセトニトリル、α－（メチルスルホニルオキシイミノ）－４－メトキシフェニルアセトニトリル、α－（メチルスルホニルオキシイミノ）－４－メチルフェニルアセトニトリル、α－（トリフルオロメチルスルホニルオキシイミノ）－フェニルアセトニトリル、α－（トリフルオロメチルスルホニルオキシイミノ）－４－メトキシフェニルアセトニトリル、α－（エチルスルホニルオキシイミノ）－４－メトキシフェニルアセトニトリル、α－（プロピルスルホニルオキシイミノ）－４－メチルフェニルアセトニトリル、α－（メチルスルホニルオキシイミノ）－４－ブロモフェニルアセトニトリルなどが挙げられる。

　前記式（ｂ０－１－３）中、Ｒｂ^１３における炭化水素基としては、芳香族性基又は非芳香族性炭化水素基が挙げられる。ここで、芳香族性基としては、炭素数６～１４のものが好ましく、例えばフェニル基、トリル基、メトキシフェニル基、キシリル基、ビフェニル基、ナフチル基、アントリル基などの芳香族炭化水素基やフラニル基、ピリジル基、キノリル基などの複素環基が挙げられる。また、非芳香族性炭化水素基にはベンゼン環、ナフタレン環、フラン環、チオフェン環、ピリジン環のような芳香族性を示す環を有しない炭化水素基、例えば脂肪族炭化水素基、脂環式炭化水素基、例えばアルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、シクロアルケニル基などが含まれる。このアルキル基、アルケニル基は、直鎖状、枝分れ状のいずれでもよいが、炭素数１～１２のものが、またシクロアルキル基、シクロアルケニル基は、炭素数４～１２のものが好ましい。このアルキル基の例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ｎ－ペンチル基、ｎ－オクチル基、ｎ－ドデシル基などを、アルケニル基の例としては、エテニル基、プロペニル基、ブテニル基、ブタジエニル基、ヘキセニル基、オクタジエニル基などを、シクロアルキル基の例としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロオクチル基、シクロドデシル基を、シクロアルケニル基の例としては、１－シクロブテニル基、１－シクロペンテニル基、１－シクロヘキセニル基、１－シクロヘプテニル基、１－シクロオクテニル基などをそれぞれ挙げることができる。

　前記式（ｂ０－１－３）中、Ｒｂ^１３における炭化水素基は、置換基を有してもよい。該置換基としては、ハロゲン原子、水酸基、アルコキシ基、アシル基等が挙げられる。

　前記式（ｂ０－１－３）中、Ａｂにおける２価又は３価の有機基としては、２価又は３価の脂肪族炭化水素基及び芳香族炭化水素基が挙げられる。

　前記式（ｂ０－１－３）で表される化合物の具体例を以下に示す。

　前記式（ｂ０－１－４）中、Ｒｂ^１４における芳香族性多環式炭化水素基としては、例えば、２－インデニル基、１－ナフチル基、２－ナフチル基、２－アントリル基などの芳香族性縮合多環式炭化水素基、ビフェニル基、テルフェニル基などの芳香族性非縮合多環式炭化水素基が挙げられる。また、その置換誘導体基としては、これらの基の芳香環が、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子のようなハロゲン原子、ニトロ基、アミノ基、ヒドロキシル基、アルキル基、アルコキシル基などの置換基で置換されたもの、例えば、５－ヒドロキシ－１－ナフチル基、４－アミノ－１－ナフチル基などが挙げられる。

　前記式（ｂ０－１－４）中、Ｒｂ^１４における飽和若しくは不飽和の非芳香族性多環式炭化水素基としては、例えば、多環式テルペン残基やアダマンチル基などがあるが、多環式テルペン残基が好ましい。また、その置換誘導体基としては、環上に塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子のようなハロゲン原子、ニトロ基、アミノ基、ヒドロキシル基、オキソ基、アルキル基、アルコキシル基などの適当な置換基を有するものが挙げられる。このようなものの例としてはカンファ－３－イル基、カンファ－８－イル基、カンファ－１０－イル基、３－ブロモカンファ－１０－イル基などがある。
　このＲｂ^１４としては、ナフチル基及びカンファ－１０－イル基が好ましく、特に１－ナフチル基が解像性に優れる点で好適である。

　前記式（ｂ０－１－４）中、Ｒｂ^２４における不活性有機基とは使用条件下において、共存する成分に対して不活性な有機基のことであり、特に制限はないが、エキシマレーザー、電子線、Ｘ線に対する感受性の点から芳香族性基が好ましい。この芳香族性基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基、フリル基、チエニル基などが挙げられる。また、これらの芳香族性基は塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子のようなハロゲン原子、アルキル基、アルコキシル基、ニトロ基などの不活性な置換基を有してもよい。

　前記式（ｂ０－１－４）で表される化合物の具体例としては、α－（１－ナフチルスルホニルオキシイミノ）－４－メトキシベンジルシアニド、α－（２－ナフチルスルホニルオキシイミノ）－４－メトキシベンジルシアニド、α－（１－ナフチルスルホニルオキシイミノ）ベンジルシアニド、α－（２－ナフチルスルホニルオキシイミノ）ベンジルシアニド、α－（１０－カンファスルホニルオキシイミノ）－４－メトキシベンジルシアニド、α－（１０－カンファスルホニルオキシイミノ）ベンジルシアニド、α－（３－カンファスルホニルオキシイミノ）－４－メトキシベンジルシアニド、α－（３－ブロモ－１０－カンファスルホニルオキシイミノ）－４－メトキシベンジルシアニドなどが挙げられる。

　前記式（ｂ０－１－５）中、Ｒｂ^１５における置換若しくは未置換の一価の飽和炭化水素基、不飽和炭化水素基としては、例えば炭素数１～８の直鎖又は分枝状の飽和あるいは不飽和の炭化水素基及びこれらがハロゲン原子、ニトロ基、アセチルアミノ基、低級アルコキシ基、単環アリール基などで置換された基が挙げられるが、特にハロゲン原子、低級アルコキシ基などの置換基を有するものが好ましい。また、Ｒｂ^１５における置換若しくは未置換の一価の芳香族性基としては、例えば単環又は二環のものが挙げられるが、特にベンゼン環にビニル基、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子などが置換したものが好ましい。

　前記式（ｂ０－１－５）中、Ｘｂ^５が－（Ｏ＝）Ｃ－Ｎ－Ｃ（＝Ｏ）－と共に形成する環状イミド構造を有する環式基としては、スクシンイミド環、マレイミド環、グルタルイミド環、フタルイミド環、１，８－ナフタレンジカルボキシイミド環等が挙げられる。　Ｘｂ^５が－（Ｏ＝）Ｃ－Ｎ－Ｃ（＝Ｏ）－と共に形成する環状イミド構造を有する環式基は、置換基を有してもよい。該置換基としては、ハロゲン原子、ニトロ基、アセチルアミノ基、アルコキシ基、単環のアリール基等が挙げられる。

　前記式（ｂ０－１－５）で表される化合物の具体例としては、Ｎ－メチルスルホニルオキシスクシンイミド、Ｎ－イソプロピルスルホニルオキシスクシンイミド、Ｎ－クロロエチルスルホニルオキシスクシンイミド、Ｎ－（ｐ－メトキシフェニル）スルホニルオキシスクシンイミド、Ｎ－（ｐ－ビニルフェニル）スルホニルオキシスクシンイミド、Ｎ－ナフチルスルホニルオキシスクシンイミド、Ｎ－フェニルスルホニルオキシスクシンイミド、Ｎ－（２，４，６－トリメチルフェニル）スルホニルオキシスクシンイミド、Ｎ－メチルスルホニルオキシマレイミド、Ｎ－イソプロピルスルホニルオキシマレイミド、Ｎ－クロロエチルスルホニルオキシマレイミド、Ｎ－（ｐ－メトキシフェニル）スルホニルオキシマレイミド、Ｎ－（ｐ－ビニルフェニル）スルホニルオキシマレイミド、Ｎ－ナフチルスルホニルオキシマレイミド、Ｎ－フェニルスルホニルオキシマレイミド、Ｎ－（２，４，６－トリメチルフェニル）スルホニルオキシマレイミド、Ｎ－メチルスルホニルオキシフタルイミド、Ｎ－イソプロピルスルホニルオキシフタルイミド、Ｎ－クロロエチルスルホニルオキシフタルイミド、Ｎ－（ｐ－メトキシフェニル）スルホニルオキシフタルイミド、Ｎ－（ｐ－ビニルフェニル）スルホニルオキシフタルイミド、Ｎ－ナフチルスルホニルオキシフタルイミド、Ｎ－フェニルスルホニルオキシフタルイミド、Ｎ－（２，４，６－トリメチルフェニル）スルホニルオキシフタルイミド、特開平１０－０９７０７５号公報の段落［００８９］－［００９１］に記載されている化合物等が挙げられる。

　前記式（ｂ０－１－６）中、Ｒｂ^１６におけるアルキル基としては、炭素数１～１８の直鎖、分岐鎖状又は環状のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、２，４，４－トリメチルペンチル基、２－エチルヘキシル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロオクチル基、シクロドデシル基等が挙げられる。
　なかでも、Ｒｂ^１６におけるアルキル基としては、炭素数１～１０の直鎖又は分岐鎖状のアルキル基が好ましく、炭素数１～５の直鎖又は分岐鎖状のアルキル基がより好ましい。

　Ｒｂ^１６におけるアルキル基は、置換基を有してもよい。該置換基としては、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、ＣＮ、ＮＯ_２、フェニル基、アルコキシ基、カルボキシ基、カルボニル基、スルホニル基、アミノ基等が挙げられる。

　前記式（ｂ０－１－６）中、Ｒｂ^１６における芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ナフチル基、フェナントリル基、アントラシル基、ヘテロアリール基等が挙げられる。　Ｒｂ^１６における芳香族炭化水素基は、置換基を有してもよい。該置換基としては、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、ＣＮ、ＮＯ_２、フェニル基、アルコキシ基、カルボキシ基、カルボニル基、スルホニル基、アミノ基等が挙げられる。

　前記式（ｂ０－１－６）で表される化合物の具体例としては、下記化学式（ｂ０－１－６１）で表される化合物、特表２００２－５０８７７４号公報の実施例２５～４０及び５３の化合物等が挙げられる。

　（Ｂ０）成分のその他の具体例としては、特許第４１１０３９２号の段落［００５６］、［００５８］、［００６０］、［００６３］に記載されている化合物、特許第４０００４６９号の段落［００５３］、［００５４］、［００５６］、［００５８］、［００６０］－［００６２］に記載されている化合物等が挙げられる。

　なかでも、（Ｂ０）成分としては、前記式（ｂ０－１－２）で表される化合物、前記式（ｂ０－１－３）で表される化合物、前記式（ｂ０－１－５）で表される化合物及び前記式（ｂ０－１－６）で表される化合物からなる群より選ばれる少なくとも１種が好ましく、前記式（ｂ０－１－２）で表される化合物、前記式（ｂ０－１－３）で表される化合物及び前記式（ｂ０－１－６）で表される化合物からなる群より選ばれる少なくとも１種がより好ましい。
　また、感度及び解像性を両立する観点から、前記式（ｂ０－１－２）で表される化合物及び／又は前記式（ｂ０－１－３）で表される化合物と、前記式（ｂ０－１－６）で表される化合物とを併用することも好ましい。

　以下に、（Ｂ０）成分の好ましい具体例を挙げる。

　本実施形態のレジスト組成物が含有する（Ｂ０）成分は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。

　本実施形態のレジスト組成物中、（Ｂ０）成分の含有量は、（Ａ）成分１００質量部に対し、５０質量部以下が好ましく、０．１～４０質量部がより好ましく、０．１～３０質量部がさらに好ましく、０．１～２０質量部が特に好ましい。
　（Ｂ０）成分の含有量を上記範囲とすることで、パターン形成が充分に行われる。

・（Ｂ１）成分について
　本実施形態のレジスト組成物は、（Ｂ）成分として、（Ｂ０）成分以外の酸発生剤（以下、「（Ｂ１）成分という」）を含んでもよい。
　（Ｂ１）成分としては、特に限定されず、これまで化学増幅型レジスト組成物用の酸発生剤として提案されているものを用いることができる。
　このような酸発生剤としては、ヨードニウム塩やスルホニウム塩などのオニウム塩系酸発生剤、オキシムスルホネート系酸発生剤；ビスアルキル又はビスアリールスルホニルジアゾメタン類、ポリ（ビススルホニル）ジアゾメタン類などのジアゾメタン系酸発生剤；ニトロベンジルスルホネート系酸発生剤、ジスルホン系酸発生剤など多種のものが挙げられる。

　オニウム塩系酸発生剤としては、例えば、下記の一般式（ｂ－１）で表される化合物（以下「（ｂ－１）成分」ともいう）、一般式（ｂ－２）で表される化合物（以下「（ｂ－２）成分」ともいう）又は一般式（ｂ－３）で表される化合物（以下「（ｂ－３）成分」ともいう）が挙げられる。

［式中、Ｒ^１０１、Ｒ^１０４～Ｒ^１０８はそれぞれ独立に、置換基を有してもよい環式基、置換基を有してもよい鎖状のアルキル基、又は置換基を有してもよい鎖状のアルケニル基である。Ｒ^１０４、Ｒ^１０５は、相互に結合して環を形成していてもよい。Ｒ^１０２及びＲ^１０３はそれぞれ独立に、水素原子、炭素数１～５のアルキル基、フッ素原子又は炭素数１～５のフッ素化アルキル基である。ｎｂは、０又は１である。Ｙ^１０１は単結合、又は酸素原子を含む２価の連結基である。Ｖ^１０１～Ｖ^１０３はそれぞれ独立に単結合、アルキレン基又はフッ素化アルキレン基である。Ｌ^１０１～Ｌ^１０２はそれぞれ独立に単結合又は酸素原子である。Ｌ^１０３～Ｌ^１０５はそれぞれ独立に単結合、－ＣＯ－又は－ＳＯ_２－である。ｍは１以上の整数であって、Ｍ’^ｍ＋はｍ価のオニウムカチオンである。］

　前記式（ｂ－１）中、Ｒ^１０１は、置換基を有してもよい環式基が好ましく、置換基を有してもよい環状の炭化水素基であることがより好ましい。より具体的には、フェニル基、ナフチル基、ポリシクロアルカンから１個以上の水素原子を除いた基；カンファーから１個以上の水素原子を除いた基；前記一般式（ａ２－ｒ－１）、（ａ２－ｒ－３）～（ａ２－ｒ－７）でそれぞれ表されるラクトン含有環式基；前記一般式（ａ５－ｒ－１）～（ａ５－ｒ－４）でそれぞれ表される－ＳＯ_２－含有環式基などが好ましい（いずれの基も置換基を有してもよい）。

　前記式（ｂ－１）中、Ｙ^１０１としては、単結合、エステル結合を含む２価の連結基、またはエーテル結合を含む２価の連結基が好ましい。

　前記式（ｂ－１）中、Ｖ^１０１は、単結合、又は炭素数１～４のフッ素化アルキレン基であることが好ましい。

　前記式（ｂ－１）中、Ｒ^１０２は、水素原子、フッ素原子または炭素数１～５のパーフルオロアルキル基であることが好ましい。

　前記式（ｂ－２）中、Ｒ^１０４、Ｒ^１０５は、それぞれ独立に、置換基を有してもよい環式基、置換基を有してもよい鎖状のアルキル基、または置換基を有してもよい鎖状のアルケニル基であり、それぞれ、前記式式（ｂ－１）中のＲ^１０１と同様のものが挙げられる。ただし、Ｒ^１０４、Ｒ^１０５は、相互に結合して環を形成していてもよい。
　Ｒ^１０４、Ｒ^１０５は、置換基を有してもよい鎖状のアルキル基が好ましく、直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基、又は直鎖状若しくは分岐鎖状のフッ素化アルキル基であることがより好ましい。
　式（ｂ－２）中、Ｖ^１０２、Ｖ^１０３は、それぞれ独立に、単結合、アルキレン基、またはフッ素化アルキレン基であり、それぞれ、式（ｂ－１）中のＶ^１０１と同様のものが挙げられる。
　式（ｂ－２）中、Ｌ^１０１、Ｌ^１０２は、それぞれ独立に単結合又は酸素原子である。

　式（ｂ－３）中、Ｒ^１０６～Ｒ^１０８は、それぞれ独立に、置換基を有してもよい環式基、置換基を有してもよい鎖状のアルキル基、又は置換基を有してもよい鎖状のアルケニル基であり、それぞれ、式（ｂ－１）中のＲ^１０１と同様のものが挙げられる。
　Ｌ^１０３～Ｌ^１０５は、それぞれ独立に、単結合、－ＣＯ－又は－ＳＯ_２－である。

　前記式（ｂ－１）、（ｂ－２）及び（ｂ－３）中、ｍは１以上の整数であって、Ｍ’^ｍ＋はｍ価のオニウムカチオンであり、スルホニウムカチオン、ヨードニウムカチオンが好適に挙げられる。

　本実施形態のレジスト組成物において、（Ｂ１）成分は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
　レジスト組成物が（Ｂ１）成分を含有する場合、レジスト組成物中、（Ｂ１）成分の含有量は、（Ａ）成分１００質量部に対して、５０質量部以下が好ましく、０．１～４０質量部がより好ましく、０．１～３０質量部がさらに好ましく、０．１～２０質量部が特に好ましい。

　本実施形態のレジスト組成物において、（Ｂ）成分は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
　本実施形態のレジスト組成物中、（Ｂ）成分の含有量は、（Ａ）成分１００質量部に対して、５０質量部未満が好ましく、０．１～４０質量部がより好ましく、０．３～２５質量部がさらに好ましい。
　（Ｂ）成分の含有量を、前記の好ましい範囲とすることで、パターン形成が充分に行われる。また、レジスト組成物の各成分を有機溶剤に溶解した際、均一な溶液が得られやすく、レジスト組成物としての保存安定性が良好となるため好ましい。

＜（Ｃ）成分＞
　（Ｃ）成分は、メラミン系架橋剤、尿素系架橋剤、アルキレン尿素系架橋剤、グリコールウリル系架橋剤、およびエポキシ系架橋剤からなる群から選ばれる少なくとも１種の架橋剤である。

　メラミン系架橋剤としては、メラミンとホルムアルデヒドとを反応させて、アミノ基の水素原子をヒドロキシメチル基で置換した化合物、メラミンとホルムアルデヒドと低級アルコールとを反応させて、アミノ基の水素原子を低級アルコキシメチル基で置換した化合物等が挙げられる。具体的には、ヘキサメトキシメチルメラミン、ヘキサエトキシメチルメラミン、ヘキサプロポキシメチルメラミン、ヘキサブトキシブチルメラミン等が挙げられ、なかでもヘキサメトキシメチルメラミンが好ましい。

　尿素系架橋剤としては、尿素とホルムアルデヒドとを反応させて、アミノ基の水素原子をヒドロキシメチル基で置換した化合物、尿素とホルムアルデヒドと低級アルコールとを反応させて、アミノ基の水素原子を低級アルコキシメチル基で置換した化合物等が挙げられる。具体的には、ビスメトキシメチル尿素、ビスエトキシメチル尿素、ビスプロポキシメチル尿素、ビスブトキシメチル尿素等が挙げられ、なかでもビスメトキシメチル尿素が好ましい。

　アルキレン尿素系架橋剤としては、下記一般式（ＣＡ－１）で表される化合物が挙げられる。

［式（ＣＡ－１）中、Ｒｃ^１とＲｃ^２はそれぞれ独立に水酸基又は低級アルコキシ基であり、Ｒｃ^３とＲｃ^４はそれぞれ独立に水素原子、水酸基又は低級アルコキシ基であり、ｖｃは０～２の整数である。］

　Ｒｃ^１とＲｃ^２が低級アルコキシ基であるとき、好ましくは炭素数１～４のアルコキシ基であり、直鎖状でもよく分岐状でもよい。Ｒｃ^１とＲｃ^２は同じであってもよく、互いに異なっていてもよい。同じであることがより好ましい。
　Ｒｃ^３とＲｃ^４が低級アルコキシ基であるとき、好ましくは炭素数１～４のアルコキシ基であり、直鎖状でもよく分岐状でもよい。Ｒｃ^３とＲｃ^４は同じであってもよく、互いに異なっていてもよい。同じであることがより好ましい。
　ｖｃは、０～２の整数であり、好ましくは０又は１である。
　アルキレン尿素系架橋剤としては、特に、ｖｃが０である化合物（エチレン尿素系架橋剤）および／またはｖｃが１である化合物（プロピレン尿素系架橋剤）が好ましい。

　上記一般式（ＣＡ－１）で表される化合物は、アルキレン尿素とホルマリンを縮合反応させることにより、また、この生成物を低級アルコールと反応させることにより得ることができる。

　アルキレン尿素系架橋剤の具体例としては、例えば、モノ及び／又はジヒドロキシメチル化エチレン尿素、モノ及び／又はジメトキシメチル化エチレン尿素、モノ及び／又はジエトキシメチル化エチレン尿素、モノ及び／又はジプロポキシメチル化エチレン尿素、モノ及び／又はジブトキシメチル化エチレン尿素等のエチレン尿素系架橋剤；モノ及び／又はジヒドロキシメチル化プロピレン尿素、モノ及び／又はジメトキシメチル化プロピレン尿素、モノ及び／又はジエトキシメチル化プロピレン尿素、モノ及び／又はジプロポキシメチル化プロピレン尿素、モノ及び／又はジブトキシメチル化プロピレン尿素等のプロピレン尿素系架橋剤；１，３－ジ（メトキシメチル）４，５－ジヒドロキシ－２－イミダゾリジノン、１，３－ジ（メトキシメチル）－４，５－ジメトキシ－２－イミダゾリジノンなどを挙げられる。

　グリコールウリル系架橋剤としては、Ｎ位がヒドロキシアルキル基および炭素数１～４のアルコキシアルキル基の一方又は両方で置換されたグリコールウリル誘導体が挙げられる。かかるグリコールウリル誘導体は、グリコールウリルとホルマリンとを縮合反応させることにより、また、この生成物を低級アルコールと反応させることにより得ることができる。
　グリコールウリル系架橋剤の具体例としては、例えばモノ，ジ，トリ及び／又はテトラヒドロキシメチル化グリコールウリル；モノ，ジ，トリ及び／又はテトラメトキシメチル化グリコールウリル；モノ，ジ，トリ及び／又はテトラエトキシメチル化グリコールウリル；モノ，ジ，トリ及び／又はテトラプロポキシメチル化グリコールウリル；モノ，ジ，トリ及び／又はテトラブトキシメチル化グリコールウリルなどが挙げられる。

　エポキシ系架橋剤としては、エポキシ基を有するものであれば特に限定されず、任意に選択して用いることができる。その中でも、エポキシ基を２つ以上有するものが好ましい。エポキシ基を２つ以上有することにより、架橋反応性が向上する。
　エポキシ基の数は、２つ以上であることが好ましく、より好ましくは２～４つであり、最も好ましくは２つである。
　エポキシ系架橋剤として好適なものを以下に示す。

　なかでも、（Ｃ）成分としては、－ＮＣＨ_２－ＯＣＨ_３基を有する架橋剤が好ましく、下記式（ｃ１－１）又は（ｃ１－２）で表される化合物、並びにモノ，ジ，トリ及び／又はテトラメトキシメチル化グリコールウリルからなる群より選ばれる架橋剤がより好ましく、下記式（ｃ１－１）又は（ｃ１－２）で表される、並びにメラミン骨格を有する化合物、モノ，ジ，トリ及び／又はテトラメトキシメチル化グリコールウリルからなる群より選ばれる架橋剤が更に好ましい。

［式中、ｎｃ１及びｎｃ２は、それぞれ独立に、１～３の整数である。］

　（Ｃ）成分は、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。　本実施形態のレジスト組成物中、（Ｃ）成分の含有量は、（Ａ）成分１００質量部に対し、１～５０質量部であることが好ましく、３～４０質量部がより好ましく、３～３０質量部がさらに好ましく、５～２５質量部が最も好ましい。
　（Ｃ）成分の含有量が下限値以上であると、架橋形成が充分に進行し、解像性能、リソグラフィー特性がより向上する。また、膨潤の少ない良好なレジストパターンが得られる。また、この上限値以下であると、レジスト組成物の保存安定性が良好であり、感度の経時的劣化が抑制されやすくなる。

＜（Ｚ）成分＞
　（Ｚ）成分は、ポリエーテル化合物であれば特に限定されず、下記一般式（ｚ－１）で表される部分構造を有する化合物等が挙げられる。

[式中、Ｒｚ^１１は、置換基を有してもよいアルキレン基である。ｎｚは、１以上の整数である。]

　上記一般式（ｚ－１）中、Ｒｚ^１１は、置換基を有してもよいアルキレン基を表す。アルキレン基の炭素数は特に制限されないが、１～１５であることが好ましく、２～８であることがより好ましく、２～４であることがさらに好ましい。置換基は特に制限されないが、アルキル基（好ましくは炭素数１～１０）であることが好ましい。
　上記一般式（ｚ－１）中、＊は、結合手を表す。
　一般式（ｚ－１）で表される化合物の質量平均分子量（Ｍｗ）（ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）によるポリスチレン換算基準）は、２００～２５０００が好ましく、Ｍｗ２５０～２４０００がより好ましく、Ｍｗ３００～２３０００がさらに好ましい。

　（Ｚ）成分としては、下記一般式（ｚ－１－１）で表される化合物であることが好ましい。

[式中、Ｒｚ^１１は、置換基を有してもよいアルキレン基である。Ｒｚ^１２およびＲｚ^１３は、それぞれ独立に、水素原子又はアルキル基である。ｎｚは、１以上の整数である。]

　上記一般式（ｚ－１－１）中のＲｚ^１１の定義、具体例および好適な態様は、上述した一般式（１）中のＲｚ^１１と同じである。
　上記一般式（ｚ－１－１）中、Ｒｚ^１２およびＲｚ^１３は、それぞれ独立に、水素原子又はアルキル基を表す。アルキル基の炭素数は特に制限されないが、１～１５であることが好ましい。なかでも、Ｒｚ^１２およびＲｚ^１３としては、水素原子が好ましい。
　一般式（ｚ－１－１）で表される化合物の質量平均分子量（Ｍｗ）（ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）によるポリスチレン換算基準）は、２００～２５０００が好ましく、Ｍｗ２５０～２４０００がより好ましく、Ｍｗ３００～２３０００がさらに好ましい。

　なかでも、（Ｚ）成分としては、下記一般式（ｚ－１－１１）で表される化合物、下記一般式（ｚ－１－１２）で表される化合物及び下記一般式（ｚ－１－１３）で表される化合物からなる群より選ばれる少なくとも１種であることがより好ましい。

　（Ｚ）の質量平均分子量（Ｍｗ）（ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）によるポリスチレン換算基準）は、２００～２５０００であることが好ましく、２５０～２４０００であることが好ましく、３００～２３０００であることが更に好ましい。　（Ｚ）の質量平均分子量（Ｍｗ）が上記の好ましい範囲の下限値以上であると、ウェットエッチング耐性が良好なパターンを形成しやすい。一方、（Ｚ）の質量平均分子量（Ｍｗ）が上記の好ましい範囲の上限値以下であると、レジスト膜の現像液への溶解性が良好となりやすく、解像性が良好なパターンを形成しやすい。

　本実施形態のレジスト組成物が含有する（Ｚ）成分は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
　本実施形態のレジスト組成物中、（Ｚ）成分の含有量は、（Ａ１）成分１００質量部に対し、５０質量部未満であり、４０質量部以下であることが好ましく、３５質量部以下であることがより好ましく、３０質量部以下であることが更に好ましく、２０質量部未満であることが更に好ましい。
　（Ｚ）成分の含有量の下限値は特に制限されないが、（Ａ１）成分１００質量部に対し、０．１質量部以上であることが好ましく、０．２質量部以上であることがより好ましく、０．５質量部以上であることが更に好ましい。
　（Ｚ）成分の含有量が５０質量部未満であることにより、解像性及びウェットエッチング耐性が良好なパターンを形成できる。
　（Ｚ）成分の含有量が上記の好ましい範囲の上限値以下であると、解像性がより良好なパターンを形成しやすい。
　（Ｚ）成分の含有量が上記の好ましい範囲の下限値以上であると、ウェットエッチング耐性がより良好なパターンを形成しやすい。

＜任意成分＞
　≪（Ｄ）成分≫
　本実施形態におけるレジスト組成物は、（Ａ）成分、（Ｂ）成分、（Ｃ）成分及び（Ｚ）成分に加えて、さらに、酸拡散制御剤成分（以下「（Ｄ）成分」という。）を含有してもよい。（Ｄ）成分は、レジスト組成物において露光により発生する酸をトラップするクエンチャー（酸拡散制御剤）として作用するものである。
　（Ｄ）成分としては、例えば、含窒素有機化合物（Ｄ１）（以下「（Ｄ１）成分」、該（Ｄ１）成分に該当しない露光により分解して酸拡散制御性を失う光崩壊性塩基（Ｄ２）（以下「（Ｄ２）成分」という。）という。）等が挙げられる。
　（Ｄ）成分を含有するレジスト組成物とすることで、レジストパターンを形成する際に、レジスト膜の露光部と未露光部とのコントラストをより向上させることができる。

・（Ｄ１）成分について
　（Ｄ１）成分は、塩基成分であって、レジスト組成物中で酸拡散制御剤として作用する含窒素有機化合物成分である。

　（Ｄ１）成分としては、酸拡散制御剤として作用するものであれば特に限定されず、例えば、脂肪族アミン、芳香族アミン等が挙げられる。

　脂肪族アミンは、中でも、第２級脂肪族アミンや第３級脂肪族アミンが好ましい。
　脂肪族アミンとは、１つ以上の脂肪族基を有するアミンであり、該脂肪族基は炭素数が１～１２であることが好ましい。
　脂肪族アミンとしては、アンモニアＮＨ_３の水素原子の少なくとも１つを、炭素数１２以下のアルキル基もしくはヒドロキシアルキル基で置換したアミン（アルキルアミンもしくはアルキルアルコールアミン）又は環式アミンが挙げられる。
　アルキルアミンおよびアルキルアルコールアミンの具体例としては、ｎ－ヘキシルアミン、ｎ－ヘプチルアミン、ｎ－オクチルアミン、ｎ－ノニルアミン、ｎ－デシルアミン等のモノアルキルアミン；ジエチルアミン、ジ－ｎ－プロピルアミン、ジ－ｎ－ヘプチルアミン、ジ－ｎ－オクチルアミン、ジシクロヘキシルアミン等のジアルキルアミン；トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリ－ｎ－プロピルアミン、トリ－ｎ－ブチルアミン、トリ－ｎ－ペンチルアミン、トリ－ｎ－ヘキシルアミン、トリ－ｎ－ヘプチルアミン、トリ－ｎ－オクチルアミン、トリ－ｎ－ノニルアミン、トリ－ｎ－デシルアミン、トリ－ｎ－ドデシルアミン等のトリアルキルアミン；ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、ジイソプロパノールアミン、トリイソプロパノールアミン、ジ－ｎ－オクタノールアミン、トリ－ｎ－オクタノールアミン等のアルキルアルコールアミンが挙げられる。これらの中でも、炭素数５～１０のトリアルキルアミンがさらに好ましく、トリ－ｎ－ペンチルアミン又はトリ－ｎ－オクチルアミンが特に好ましい。

　環式アミンとしては、たとえば、ヘテロ原子として窒素原子を含む複素環化合物が挙げられる。該複素環化合物としては、単環式のもの（脂肪族単環式アミン）であっても多環式のもの（脂肪族多環式アミン）であってもよい。
　脂肪族単環式アミンとして、具体的には、ピペリジン、ピペラジン等が挙げられる。　脂肪族多環式アミンとしては、炭素数が６～１０のものが好ましく、具体的には、１，５－ジアザビシクロ［４．３．０］－５－ノネン、１，８－ジアザビシクロ［５．４．０］－７－ウンデセン、ヘキサメチレンテトラミン、１，４－ジアザビシクロ［２．２．２］オクタン等が挙げられる。

　その他脂肪族アミンとしては、トリス（２－メトキシメトキシエチル）アミン、トリス｛２－（２－メトキシエトキシ）エチル｝アミン、トリス｛２－（２－メトキシエトキシメトキシ）エチル｝アミン、トリス｛２－（１－メトキシエトキシ）エチル｝アミン、トリス｛２－（１－エトキシエトキシ）エチル｝アミン、トリス｛２－（１－エトキシプロポキシ）エチル｝アミン、トリス［２－｛２－（２－ヒドロキシエトキシ）エトキシ｝エチル］アミン、トリエタノールアミントリアセテート等が挙げられ、トリエタノールアミントリアセテートが好ましい。

　芳香族アミンとしては、４－ジメチルアミノピリジン、ピロール、インドール、ピラゾール、イミダゾールまたはこれらの誘導体、トリベンジルアミン、アニリン化合物、Ｎ－ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニルピロリジン等が挙げられる。

　（Ｄ１）成分は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。　（Ｄ１）成分は、上記の中でも、芳香族アミンが好ましく、アニリン化合物がより好ましい。アニリン化合物としては、例えば、２，６－ジイソプロピルアニリン、Ｎ，Ｎ－ジメチルアニリン、Ｎ，Ｎ－ジブチルアニリン、Ｎ，Ｎ－ジヘキシルアニリン等が挙げられる。

・（Ｄ２）成分について
　（Ｄ２）成分としては、露光により分解して酸拡散制御性を失うものであれば特に限定されず、下記一般式（ｄ２－１）で表される化合物（以下「（ｄ２－１）成分」という。）及び下記一般式（ｄ２－２）で表される化合物（以下「（ｄ２－２）成分」という。）からなる群より選ばれる１種以上の化合物が好ましい。
　（ｄ２－１）～（ｄ２－２）成分は、レジスト膜の露光部において分解して酸拡散制御性（塩基性）を失うためクエンチャーとして作用せず、レジスト膜の未露光部においてクエンチャーとして作用する。

［式中、Ｒｄ^１、Ｒｄ^３及びＲｄ^４は、それぞれ独立に、置換基を有してもよい環式基、置換基を有してもよい鎖状のアルキル基、又は置換基を有してもよい鎖状のアルケニル基である。Ｙｄ^１は単結合又は２価の連結基である。ｍは１以上の整数であって、Ｍ’^ｍ＋はそれぞれ独立にｍ価のオニウムカチオンである。］

　式（ｄ２－１）中、Ｒｄ^１としては、置換基を有してもよい芳香族炭化水素基、置換基を有してもよい脂肪族環式基、又は置換基を有してもよい鎖状のアルキル基が好ましい。

　式（ｄ２－２）中、Ｒｄ^３は、フッ素原子を含む環式基、鎖状のアルキル基、又は鎖状のアルケニル基であることが好ましい。

　式（ｄ２－２）中、Ｒｄ^４は、置換基を有してもよいアルキル基、アルコキシ基、アルケニル基、環式基であることが好ましい。

　式（ｄ２－２）中、Ｙｄ^１は、カルボニル基、エステル結合、アミド結合、アルキレン基又はこれらの組み合わせであることが好ましい。

　式（ｄ２－１）～（ｄ２－２）中、ｍは１以上の整数であって、Ｍ’^ｍ＋はｍ価のオニウムカチオンであり、スルホニウムカチオン、ヨードニウムカチオンが好適に挙げられる。

　（Ｄ２）成分は、上記（ｄ２－１）～（ｄ２－２）成分のいずれか１種のみを用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
　レジスト組成物が（Ｄ２）成分を含有する場合、レジスト組成物中、（Ｄ２）成分の含有量は、（Ａ）成分１００質量部に対して、０．５～３５質量部が好ましく、１～２５質量部がより好ましく、２～２０質量部がさらに好ましく、３～１５質量部が特に好ましい。
　（Ｄ２）成分の含有量が好ましい下限値以上であると、特に良好なリソグラフィー特性及びレジストパターン形状が得られやすい。一方、上限値以下であると、他成分とのバランスをとることができ、種々のリソグラフィー特性が良好となる。

　（Ｄ２）成分の製造方法：
　前記の（ｄ２－１）成分の製造方法は、特に限定されず、公知の方法により製造することができる。
　また、（ｄ２－２）成分の製造方法は、特に限定されず、例えば、ＵＳ２０１２－０１４９９１６号公報に記載の方法と同様にして製造される。

　≪（Ｅ）成分：有機カルボン酸並びにリンのオキソ酸及びその誘導体からなる群より選択される少なくとも１種の化合物≫
　本実施形態のレジスト組成物には、感度劣化の防止や、レジストパターン形状、引き置き経時安定性等の向上の目的で、任意の成分として、有機カルボン酸並びにリンのオキソ酸及びその誘導体からなる群より選択される少なくとも１種の化合物（Ｅ）（以下「（Ｅ）成分」という）を含有させることができる。
　有機カルボン酸としては、例えば、酢酸、マロン酸、クエン酸、リンゴ酸、コハク酸、安息香酸、サリチル酸などが好適である。
　リンのオキソ酸としては、リン酸、ホスホン酸、ホスフィン酸等が挙げられ、これらの中でも特にホスホン酸が好ましい。
　リンのオキソ酸の誘導体としては、例えば、上記オキソ酸の水素原子を炭化水素基で置換したエステル等が挙げられ、前記炭化水素基としては、炭素数１～５のアルキル基、炭素数６～１５のアリール基等が挙げられる。
　リン酸の誘導体としては、リン酸ジ－ｎ－ブチルエステル、リン酸ジフェニルエステル等のリン酸エステルなどが挙げられる。
　ホスホン酸の誘導体としては、ホスホン酸ジメチルエステル、ホスホン酸－ジ－ｎ－ブチルエステル、フェニルホスホン酸、ホスホン酸ジフェニルエステル、ホスホン酸ジベンジルエステル等のホスホン酸エステルなどが挙げられる。
　ホスフィン酸の誘導体としては、ホスフィン酸エステルやフェニルホスフィン酸などが挙げられる。
　本実施形態のレジスト組成物において、（Ｅ）成分は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
　レジスト組成物が（Ｅ）成分を含有する場合、（Ｅ）成分の含有量は、（Ａ）成分１００質量部に対して、通常、０．０１～５質量部の範囲で用いられる。

　≪（Ｓ）成分：有機溶剤成分≫
　本実施形態のレジスト組成物は、レジスト材料を有機溶剤成分（以下「（Ｓ）成分」という）に溶解させて製造することができる。
　（Ｓ）成分としては、使用する各成分を溶解し、均一な溶液とすることができるものであればよく、従来、化学増幅型レジスト組成物の溶剤として公知のものの中から任意のものを適宜選択して用いることができる。
　（Ｓ）成分としては、例えば、γ－ブチロラクトン等のラクトン類；アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、メチル－ｎ－ペンチルケトン、メチルイソペンチルケトン、２－ヘプタノンなどのケトン類；エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコールなどの多価アルコール類；エチレングリコールモノアセテート、ジエチレングリコールモノアセテート、プロピレングリコールモノアセテート、またはジプロピレングリコールモノアセテート等のエステル結合を有する化合物、前記多価アルコール類または前記エステル結合を有する化合物のモノメチルエーテル、モノエチルエーテル、モノプロピルエーテル、モノブチルエーテル等のモノアルキルエーテルまたはモノフェニルエーテル等のエーテル結合を有する化合物等の多価アルコール類の誘導体［これらの中では、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）が好ましい］；ジオキサンのような環式エーテル類や、乳酸メチル、乳酸エチル（ＥＬ）、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチルなどのエステル類；アニソール、エチルベンジルエーテル、クレジルメチルエーテル、ジフェニルエーテル、ジベンジルエーテル、フェネトール、ブチルフェニルエーテル、エチルベンゼン、ジエチルベンゼン、ペンチルベンゼン、イソプロピルベンゼン、トルエン、キシレン、シメン、メシチレン等の芳香族系有機溶剤、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）等が挙げられる。
　本実施形態のレジスト組成物において、（Ｓ）成分は、１種単独で用いてもよく、２種以上の混合溶剤として用いてもよい。
　なかでも、ＰＧＭＥＡ、ＰＧＭＥ、γ－ブチロラクトン、ＥＬ、シクロヘキサノンが好ましい。
　また、ＰＧＭＥＡと極性溶剤とを混合した混合溶剤も好ましい。その配合比（質量比）は、ＰＧＭＥＡと極性溶剤との相溶性等を考慮して適宜決定すればよいが、好ましくは１：９～９：１、より好ましくは２：８～８：２の範囲内とすることが好ましい。
　より具体的には、極性溶剤としてＥＬ又はシクロヘキサノンを配合する場合は、ＰＧＭＥＡ：ＥＬ又はシクロヘキサノンの質量比は、好ましくは１：９～９：１、より好ましくは２：８～８：２である。また、極性溶剤としてＰＧＭＥを配合する場合は、ＰＧＭＥＡ：ＰＧＭＥの質量比は、好ましくは１：９～９：１、より好ましくは２：８～８：２、さらに好ましくは３：７～７：３である。さらに、ＰＧＭＥＡとＰＧＭＥとシクロヘキサノンとの混合溶剤も好ましい。
　また、（Ｓ）成分として、その他には、ＰＧＭＥＡ及びＥＬの中から選ばれる少なくとも１種とγ－ブチロラクトンとの混合溶剤も好ましい。この場合、混合割合としては、前者と後者との質量比が、好ましくは７０：３０～９５：５とされる。
　（Ｓ）成分の使用量は、特に限定されず、基板等に塗布可能な濃度で、塗布膜厚に応じて適宜設定される。一般的にはレジスト組成物の固形分濃度が０．１～５０質量％、好ましくは１０～５０質量％の範囲内となるように（Ｓ）成分は用いられる。

　本実施形態のレジスト組成物には、さらに所望により混和性のある添加剤、例えばレジスト膜の性能を改良するための付加的樹脂、イオン性や非イオン性のフッ素系及び／又はシリコン系界面活性剤、溶解抑制剤、可塑剤、安定剤、着色剤、ハレーション防止剤、染料などを適宜、添加含有させることができる。

　本実施形態のレジスト組成物は、上記レジスト材料を（Ｓ）成分に溶解させた後、ポリイミド多孔質膜、ポリアミドイミド多孔質膜等を用いて、不純物等の除去を行ってもよい。例えば、ポリイミド多孔質膜からなるフィルター、ポリアミドイミド多孔質膜からなるフィルター、ポリイミド多孔質膜及びポリアミドイミド多孔質膜からなるフィルター等を用いて、レジスト組成物の濾過を行ってもよい。前記ポリイミド多孔質膜及び前記ポリアミドイミド多孔質膜としては、例えば、特開２０１６－１５５１２１号公報に記載のもの等が例示される。

　本実施形態のレジスト組成物は、一般式（ａ１０－１）で表される構成単位（ａ１０）を有する高分子化合物（Ａ１）と、酸発生剤（Ｂ）と、メラミン系架橋剤、尿素系架橋剤、アルキレン尿素系架橋剤、グリコールウリル系架橋剤、およびエポキシ系架橋剤からなる群から選ばれる少なくとも１種の架橋剤（Ｃ）と、ポリエーテル化合物（Ｚ）と、を含有する。
　本発明らが検討した結果、基材成分としてアルカリ可溶性ポリヒドロキシスチレン系樹脂を採用したレジスト組成物を用いてミクロンオーダーの厚膜レジスト膜を成膜し、レジストパターンを形成してエッチングを行った場合、ウェットエッチング耐性が不十分な場合があった。これは、当該レジスト組成物を用いて形成したレジスト膜は、基板界面との密着性が不十分であるためであると考えられる。
　上述した本実施形態のレジスト組成物においては、（Ｚ）成分がレジスト膜内で可塑剤としての効果を発揮し、レジスト膜と基板界面との接触面積を向上させると推測される。そのため、（Ａ１）成分と基板表面に存在する極性基とが結合しやすくなり、基板密着性の向上に寄与し、良好な解像性を維持しつつ、ウェットエッチング耐性が改善されると推測される。

（レジストパターン形成方法）
　本発明の第２の態様は、支持体上に、上述した第１の態様に係るレジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程（ｉ）、前記レジスト膜を露光する工程（ｉｉ）、及び前記露光後のレジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程（ｉｉｉ）を有するレジストパターン形成方法である。
　かかるレジストパターン形成方法の一実施形態としては、例えば以下のようにして行うレジストパターン形成方法が挙げられる。

　工程（ｉ）：
　まず、支持体上に、上述した実施形態のレジスト組成物を、スピンナーなどで塗布し、ベーク（ポストアプライベーク（ＰＡＢ））処理を、例えば８０～１６０℃の温度条件にて４０～２００秒間、好ましくは６０～１５０秒間施してレジスト膜を形成する。

　工程（ｉｉ）：
　次に、該レジスト膜に対し、例えばＫｒＦ露光装置等の露光装置を用いて、所定のパターンが形成されたマスク（マスクパターン）を介した露光等による選択的露光を行った後、ベーク（ポストエクスポージャーベーク（ＰＥＢ））処理を、例えば８０～１５０℃の温度条件にて４０～１５０秒間、好ましくは６０～１２０秒間施す。

　工程（ｉｉｉ）：
　次に、前記レジスト膜を現像処理する。現像処理は、アルカリ現像プロセスの場合は、アルカリ現像液を用い、溶剤現像プロセスの場合は、有機溶剤を含有する現像液（有機系現像液）を用いて行う。
　現像処理後、好ましくはリンス処理を行う。リンス処理は、アルカリ現像プロセスの場合は、純水を用いた水リンスが好ましく、溶剤現像プロセスの場合は、有機溶剤を含有するリンス液を用いることが好ましい。
　溶剤現像プロセスの場合、前記現像処理又はリンス処理の後に、パターン上に付着している現像液又はリンス液を、超臨界流体により除去する処理を行ってもよい。

　現像処理後又はリンス処理後、乾燥を行う。また、場合によっては、上記現像処理後にベーク処理（ポストベーク）を行ってもよい。ここでのベーク処理（ポストベーク）は、例えば８０℃以上、好ましくは９０～１２０℃の温度条件にて１０～１２０秒間、好ましくは３００～９０秒間施される。
　このようにして、レジストパターンを形成することができる。

　支持体としては、特に限定されず、従来公知のものを用いることができ、例えば、電子部品用の基板や、これに所定の配線パターンが形成されたもの等が挙げられる。より具体的には、シリコンウェーハ、銅、クロム、鉄、アルミニウム等の金属製の基板や、ガラス基板等が挙げられる。配線パターンの材料としては、例えば銅、アルミニウム、ニッケル、金等が使用可能である。
　また、支持体としては、上述のような基板上に、無機系及び／又は有機系の膜が設けられたものであってもよい。無機系の膜としては、無機反射防止膜（無機ＢＡＲＣ）が挙げられる。有機系の膜としては、有機反射防止膜（有機ＢＡＲＣ）や、多層レジスト法における下層有機膜等の有機膜が挙げられる。
　ここで、多層レジスト法とは、基板上に、少なくとも一層の有機膜（下層有機膜）と、少なくとも一層のレジスト膜（上層レジスト膜）とを設け、上層レジスト膜に形成したレジストパターンをマスクとして下層有機膜のパターニングを行う方法であり、高アスペクト比のパターンを形成できるとされている。すなわち、多層レジスト法によれば、下層有機膜により所要の厚みを確保できるため、レジスト膜を薄膜化でき、高アスペクト比の微細パターン形成が可能となる。
　多層レジスト法には、基本的に、上層レジスト膜と、下層有機膜との二層構造とする方法（２層レジスト法）と、上層レジスト膜と下層有機膜との間に一層以上の中間層（金属薄膜等）を設けた三層以上の多層構造とする方法（３層レジスト法）と、に分けられる。

　実施形態のレジストパターン形成方法は、厚膜のレジスト膜を成膜して行う際に有用な方法である。前記工程（ｉ）で形成するレジスト膜の膜厚が、例えば１～１０μｍでも、レジストパターンを良好な形状で安定に形成できる。

　露光に用いる波長は、特に限定されず、ｇ線、ｉ線等の紫外線、ＡｒＦエキシマレーザー光、ＫｒＦエキシマレーザー光、Ｆ_２エキシマレーザー光、ＥＵＶ（極端紫外線）、ＶＵＶ（真空紫外線）、ＥＢ（電子線）、Ｘ線、軟Ｘ線等の放射線を用いて行うことができる。
　上述した第１の態様に係るレジスト組成物は、ｇ線、ｉ線等の紫外線、ＫｒＦエキシマレーザー光、ＡｒＦエキシマレーザー光、ＥＢ又はＥＵＶ用としての有用性が高く、ｇ線、ｉ線等の紫外線、ＫｒＦエキシマレーザー光、ＡｒＦエキシマレーザー光用としての有用性がより高く、ｇ線、ｉ線等の紫外線、ＫｒＦエキシマレーザー光用としての有用性が特に高い。第２の態様に係るレジストパターン形成方法は、前記工程（ｉｉ）において、前記レジスト膜に、ｇ線、ｉ線等の紫外線、ＫｒＦエキシマレーザー光を照射する場合に特に好適な方法である。

　レジスト膜の露光方法は、空気や窒素等の不活性ガス中で行う通常の露光（ドライ露光）であってもよく、液浸露光（Ｌｉｑｕｉｄ　Ｉｍｍｅｒｓｉｏｎ　Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）であってもよい。
　液浸露光は、予めレジスト膜と露光装置の最下位置のレンズ間を、空気の屈折率よりも大きい屈折率を有する溶媒（液浸媒体）で満たし、その状態で露光（浸漬露光）を行う露光方法である。
　液浸媒体としては、空気の屈折率よりも大きく、かつ、露光されるレジスト膜の屈折率よりも小さい屈折率を有する溶媒が好ましい。かかる溶媒の屈折率としては、前記範囲内であれば特に制限されない。
　空気の屈折率よりも大きく、かつ、前記レジスト膜の屈折率よりも小さい屈折率を有する溶媒としては、例えば、水、フッ素系不活性液体、シリコン系溶剤、炭化水素系溶剤等が挙げられる。
　液浸媒体としては、コスト、安全性、環境問題、汎用性等の観点から、水が好ましく用いられる。

　アルカリ現像プロセスで現像処理に用いるアルカリ現像液としては、例えば０．１～１０質量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）水溶液が挙げられる。
　溶剤現像プロセスで現像処理に用いる有機系現像液が含有する有機溶剤としては、（Ａ）成分（露光前の（Ａ）成分）を溶解し得るものであればよく、公知の有機溶剤の中から適宜選択できる。具体的には、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、ニトリル系溶剤、アミド系溶剤、エーテル系溶剤等の極性溶剤、炭化水素系溶剤等が挙げられる。
　ケトン系溶剤は、構造中にＣ－Ｃ（＝Ｏ）－Ｃを含む有機溶剤である。エステル系溶剤は、構造中にＣ－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－Ｃを含む有機溶剤である。アルコール系溶剤は、構造中にアルコール性水酸基を含む有機溶剤である。「アルコール性水酸基」は、脂肪族炭化水素基の炭素原子に結合した水酸基を意味する。ニトリル系溶剤は、構造中にニトリル基を含む有機溶剤である。アミド系溶剤は、構造中にアミド基を含む有機溶剤である。エーテル系溶剤は、構造中にＣ－Ｏ－Ｃを含む有機溶剤である。
　有機溶剤の中には、構造中に上記各溶剤を特徴づける官能基を複数種含む有機溶剤も存在するが、その場合は、当該有機溶剤が有する官能基を含むいずれの溶剤種にも該当するものとする。例えば、ジエチレングリコールモノメチルエーテルは、上記分類中のアルコール系溶剤、エーテル系溶剤のいずれにも該当するものとする。
　炭化水素系溶剤は、ハロゲン化されていてもよい炭化水素からなり、ハロゲン原子以外の置換基を有さない炭化水素溶剤である。ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、フッ素原子が好ましい。
　有機系現像液が含有する有機溶剤としては、上記の中でも、極性溶剤が好ましく、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、ニトリル系溶剤等が好ましい。

　ケトン系溶剤としては、例えば、１－オクタノン、２－オクタノン、１－ノナノン、２－ノナノン、アセトン、４－ヘプタノン、１－ヘキサノン、２－ヘキサノン、ジイソブチルケトン、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン、フェニルアセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、アセチルアセトン、アセトニルアセトン、イオノン、ジアセトニルアルコール、アセチルカービノール、アセトフェノン、メチルナフチルケトン、イソホロン、プロピレンカーボネート、γ－ブチロラクトン、メチルアミルケトン（２－ヘプタノン）等が挙げられる。これらの中でも、ケトン系溶剤としては、メチルアミルケトン（２－ヘプタノン）が好ましい。

　エステル系溶剤としては、例えば、酢酸メチル、酢酸ブチル、酢酸エチル、酢酸イソプロピル、酢酸アミル、酢酸イソアミル、メトキシ酢酸エチル、エトキシ酢酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノフェニルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノフェニルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、２－メトキシブチルアセテート、３－メトキシブチルアセテート、４－メトキシブチルアセテート、３－メチル－３－メトキシブチルアセテート、３－エチル－３－メトキシブチルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、２－エトキシブチルアセテート、４－エトキシブチルアセテート、４－プロポキシブチルアセテート、２－メトキシペンチルアセテート、３－メトキシペンチルアセテート、４－メトキシペンチルアセテート、２－メチル－３－メトキシペンチルアセテート、３－メチル－３－メトキシペンチルアセテート、３－メチル－４－メトキシペンチルアセテート、４－メチル－４－メトキシペンチルアセテート、プロピレングリコールジアセテート、蟻酸メチル、蟻酸エチル、蟻酸ブチル、蟻酸プロピル、乳酸エチル、乳酸ブチル、乳酸プロピル、炭酸エチル、炭酸プロピル、炭酸ブチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、ピルビン酸プロピル、ピルビン酸ブチル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、プロピオン酸メチル、プロピオン酸エチル、プロピオン酸プロピル、プロピオン酸イソプロピル、２－ヒドロキシプロピオン酸メチル、２－ヒドロキシプロピオン酸エチル、メチル－３－メトキシプロピオネート、エチル－３－メトキシプロピオネート、エチル－３－エトキシプロピオネート、プロピル－３－メトキシプロピオネート等が挙げられる。これらの中でも、エステル系溶剤としては、酢酸ブチルが好ましい。

　ニトリル系溶剤としては、例えば、アセトニトリル、プロピオ二トリル、バレロニトリル、ブチロ二トリル等が挙げられる。

　有機系現像液には、必要に応じて公知の添加剤を配合できる。該添加剤としては、例えば界面活性剤が挙げられる。界面活性剤としては、特に限定されないが、例えばイオン性や非イオン性のフッ素系及び／又はシリコン系界面活性剤等を用いることができる。界面活性剤としては、非イオン性の界面活性剤が好ましく、非イオン性のフッ素系界面活性剤、又は非イオン性のシリコン系界面活性剤がより好ましい。
　界面活性剤を配合する場合、その配合量は、有機系現像液の全量に対して、通常０．００１～５質量％であり、０．００５～２質量％が好ましく、０．０１～０．５質量％がより好ましい。

　現像処理は、公知の現像方法により実施することが可能であり、例えば現像液中に支持体を一定時間浸漬する方法（ディップ法）、支持体表面に現像液を表面張力によって盛り上げて一定時間静止する方法（パドル法）、支持体表面に現像液を噴霧する方法（スプレー法）、一定速度で回転している支持体上に一定速度で現像液塗出ノズルをスキャンしながら現像液を塗出し続ける方法（ダイナミックディスペンス法）等が挙げられる。

　溶剤現像プロセスで現像処理後のリンス処理に用いるリンス液が含有する有機溶剤としては、例えば前記有機系現像液に用いる有機溶剤として挙げた有機溶剤のうち、レジストパターンを溶解しにくいものを適宜選択して使用できる。通常、炭化水素系溶剤、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤及びエーテル系溶剤から選択される少なくとも１種の溶剤を使用する。これらの中でも、炭化水素系溶剤、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤及びアミド系溶剤から選択される少なくとも１種が好ましく、アルコール系溶剤およびエステル系溶剤から選択される少なくとも１種がより好ましく、アルコール系溶剤が特に好ましい。
　リンス液に用いるアルコール系溶剤は、炭素数６～８の１価アルコールが好ましく、該１価アルコールは直鎖状、分岐状又は環状のいずれであってもよい。具体的には、１－ヘキサノール、１－ヘプタノール、１－オクタノール、２－ヘキサノール、２－ヘプタノール、２－オクタノール、３－ヘキサノール、３－ヘプタノール、３－オクタノール、４－オクタノール、ベンジルアルコール等が挙げられる。これらの中でも、１－ヘキサノール、２－ヘプタノール、２－ヘキサノールが好ましく、１－ヘキサノール、２－ヘキサノールがより好ましい。
　これらの有機溶剤は、いずれか１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。また、上記以外の有機溶剤や水と混合して用いてもよい。但し、現像特性を考慮すると、リンス液中の水の配合量は、リンス液の全量に対し、３０質量％以下が好ましく、１０質量％以下がより好ましく、５質量％以下さらに好ましく、３質量％以下が特に好ましい。
　リンス液には、必要に応じて公知の添加剤を配合できる。該添加剤としては、例えば界面活性剤が挙げられる。界面活性剤は、前記と同様のものが挙げられ、非イオン性の界面活性剤が好ましく、非イオン性のフッ素系界面活性剤、又は非イオン性のシリコン系界面活性剤がより好ましい。
　界面活性剤を配合する場合、その配合量は、リンス液の全量に対して、通常０．００１～５質量％であり、０．００５～２質量％が好ましく、０．０１～０．５質量％がより好ましい。

　リンス液を用いたリンス処理（洗浄処理）は、公知のリンス方法により実施できる。該リンス処理の方法としては、例えば一定速度で回転している支持体上にリンス液を塗出し続ける方法（回転塗布法）、リンス液中に支持体を一定時間浸漬する方法（ディップ法）、支持体表面にリンス液を噴霧する方法（スプレー法）等が挙げられる。

　以上説明した本実施形態のレジストパターン形成方法においては、上述した第１の態様に係るレジスト組成物が用いられているため、解像性及びウェットエッチング耐性が良好なレジストパターンが得られると推測される。

　以下、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの例によって限定されるものではない。

＜レジスト組成物の調製＞
（実施例１～２１、比較例１～３）
　表１～３に示す各成分を混合して溶解し、各例のレジスト組成物をそれぞれ調製した。

　表１～３中、各略号はそれぞれ以下の意味を有する。［　］内の数値は配合量（質量部）である。
　（Ａ）－１：下記の化学式（Ａ－１）で表される高分子化合物。この高分子化合物（Ａ－１）は、該高分子化合物を構成する構成単位を誘導するモノマーを、所定のモル比で用いてアニオン重合させることによって得た。この高分子化合物（Ａ－１）について、ＧＰＣ測定により求めた標準ポリスチレン換算の重量平均分子量（Ｍｗ）は２５００、分子量分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）は１．２。^１３Ｃ－ＮＭＲにより求められた共重合組成比（構造式中の各構成単位の割合（モル比））はｌ／ｍ＝９０／１０。

　（Ａ）－２：下記の化学式（Ａ－２）で表される高分子化合物（ホモポリマー）。この高分子化合物（Ａ－２）は、該高分子化合物を構成する構成単位を誘導するモノマー（ヒドロキシスチレン）をアニオン重合させることによって得た。この高分子化合物（Ａ－２）について、ＧＰＣ測定により求めた標準ポリスチレン換算の重量平均分子量（Ｍｗ）は２５００、分子量分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）は１．２。

　（Ｂ）－１～（Ｂ）－３：下記の化学式（Ｂ－１）～（Ｂ－３）でそれぞれ表される化合物からなる酸発生剤。

　（Ｃ）－１：下記化学式（Ｃ－１）で表される化合物からなる架橋剤。
　（Ｃ）－１１：下記化学式（Ｃ－１１）で表される化合物からなる架橋剤。
　（Ｄ）－１：下記化学式（Ｄ－１）で表される化合物からなる含窒素有機化合物。

　（Ｚ）－１：下記化学式（Ｚ－１）で表される、質量平均分子量（Ｍｗ）が４００のポリプロピレングリコール。
　（Ｚ）－２：下記化学式（Ｚ－１）で表される、質量平均分子量（Ｍｗ）が１０００のポリプロピレングリコール。
　（Ｚ）－３：下記化学式（Ｚ－１）で表される、質量平均分子量（Ｍｗ）が３０００のポリプロピレングリコール。
　（Ｚ）－４：下記化学式（Ｚ－１）で表される、質量平均分子量（Ｍｗ）が４０００のポリプロピレングリコール。

　（Ｚ）－５：下記化学式（Ｚ－２）で表される、質量平均分子量（Ｍｗ）が１０００のポリエチレングリコール。
　（Ｚ）－６：下記化学式（Ｚ－２）で表される、質量平均分子量（Ｍｗ）が４０００のポリエチレングリコール。
　（Ｚ）－７：下記化学式（Ｚ－２）で表される、質量平均分子量（Ｍｗ）が８０００のポリエチレングリコール。
　（Ｚ）－８：下記化学式（Ｚ－２）で表される、質量平均分子量（Ｍｗ）が２００００のポリエチレングリコール。

　（Ｚ）－９：下記化学式（Ｚ－３）で表される、質量平均分子量（Ｍｗ）が１０００のポリテトラヒドロフラン。
　（Ｚ）－１０：下記化学式（Ｚ－３）で表される、質量平均分子量（Ｍｗ）が２０００のポリテトラヒドロフラン。

　（Ｓ）－１：プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート。

＜レジストパターンの形成方法＞
　工程（ｉ）：
　ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）処理を施したシリコン基板上に、各例のレジスト組成物をそれぞれ、スピンナーを用いて塗布し、ホットプレート上で、９０℃で９０秒間のプレベーク（ＰＡＢ）処理を行い、乾燥することにより、膜厚３μｍのレジスト膜を形成した。

　工程（ｉｉ）：
　次いで、前記レジスト膜に対し、ｉ線ステッパー（縮小投影露光装置：ＮＳＲ－２２０５ｉ１４Ｅ（ニコン社製；ＮＡ（開口数）＝０．５７，σ＝０．６７））により、高圧水銀灯（３６５ｎｍ）を、マスクパターンを介して選択的に照射した。
　次いで、１１０℃で６０秒間の露光後加熱（ＰＥＢ）処理を行った。

　工程（ｉｉｉ）：
　次いで、現像液として２．３８質量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）水溶液「ＮＭＤ－３」（商品名、東京応化工業株式会社製）を用い、２３℃で６０秒間の条件によりアルカリ現像を行った。
　その後、１００℃で６０秒間のベーク処理（ポストベーク）を行った。
　その結果、スペース幅７００ｎｍ、ピッチ３５００ｎｍの孤立ラインパターン（以下「ＩＳパターン」という。）が形成された。
　なお、比較例２及び３では、上記ＩＳパターンが解像しなかった。

［感度の評価］
　上記＜レジストパターンの形成＞においてスペース幅７００ｎｍ、ピッチ３５００ｎｍのＩＳパターンが形成される最適露光量Ｅｏｐ（ｍＪ／ｃｍ^２）を求めた。これを「Ｅｏｐ（ｍＪ／ｃｍ^２）」として表４～６に示す。

　［解像性の評価］
　上記＜レジストパターンの形成＞によってターゲットサイズのＩＳパターンが形成される最適露光量Ｅｏｐから露光量を少しずつ増大させてＬＳパターンを形成していく際に、倒れずに解像するパターンの最小寸法を、走査型電子顕微鏡Ｓ－９３８０（日立ハイテクノロジーズ社製）を用いて求めた。これを「解像性（ｎｍ）」として表４～６に示す。

　＜耐ウェットエッチング評価＞
　上述したレジストパターンの形成方法によってＩＳパターンが形成された基板の一部を切り取り、２３％バッファードフッ酸に１２分間浸漬した。
　浸漬後のＩＳパターンの断面形状を、走査型電子顕微鏡（製品名：Ｓ４５００；日立製作所社製）で観察し、サイドエッチング（レジスト膜と基板界面における、エッチングにより生じた切れ込み）（μｍ）を評価した。結果を表４～６に示す。

　表４～６に示す結果から、実施例１～２１のレジスト組成物を用いた形成したレジストパターンは、解像性及びウェットエッチング耐性が良好であることが確認された。特に、実施例１～２０のレジスト組成物を用いた形成したレジストパターンは、解像性及びウェットエッチング耐性は両立の観点から良好な特性が得られていることが確認された。

　以上、本発明の好ましい実施例を説明したが、本発明はこれら実施例に限定されることはない。本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、構成の付加、省略、置換、およびその他の変更が可能である。本発明は前述した説明によって限定されることはなく、添付のクレームの範囲によってのみ限定される。

Claims

　下記一般式（ａ１０－１）で表される構成単位（ａ１０）を有する高分子化合物（Ａ１）と、
　酸発生剤（Ｂ）と、
　メラミン系架橋剤、尿素系架橋剤、アルキレン尿素系架橋剤、グリコールウリル系架橋剤、およびエポキシ系架橋剤からなる群から選ばれる少なくとも１種の架橋剤（Ｃ）と、　ポリエーテル化合物（Ｚ）と、
　を含有し、
　前記ポリエーテル化合物（Ｚ）の含有量が、前記高分子化合物（Ａ１）１００質量部に対して５０質量部未満であるレジスト組成物。

［式中、Ｒは、水素原子、炭素数１～５のアルキル基又は炭素数１～５のハロゲン化アルキル基である。Ｙａ^ｘ１は、単結合又は２価の連結基である。Ｗａ^ｘ１は、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基である。ｎ_ａｘ１は、１以上の整数である。］
　前記ポリエーテル化合物（Ｚ）の含有量が、前記高分子化合物（Ａ１）１００質量部に対して２０質量部未満である請求項１に記載のレジスト組成物。
　前記ポリエーテル化合物（Ｚ）の質量平均分子量（Ｍｗ）が、２００～２５０００である、請求項１又は２に記載のレジスト組成物。
　前記酸発生剤（Ｂ）が、下記一般式（ｂ０－１）で表される酸発生剤（Ｂ０）を含有する、請求項１～３のいずれか一項に記載のレジスト組成物。

［式中、Ｒｂ^１は有機基である。Ｒｂ^２は、下記一般式（ｂ０－ｒ－１）又は下記一般式（ｂ０－ｒ－２）で表される基である。］

［式（ｂ０－ｒ－１）中、Ｒｂ^２０１及びＲｂ^２０２は、それぞれ独立に、有機基である。＊は結合手を示す。式（ｂ０－ｒ－２）中、Ｘｂは、－（Ｏ＝）Ｃ－Ｎ－Ｃ（＝Ｏ）－と共に環状イミド構造を有する環式基を形成する基である。＊は結合手を示す。］
　支持体上に、請求項１～４のいずれか一項に記載のレジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光する工程、及び前記露光後のレジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程を有する、レジストパターン形成方法。