WO2022089900A1 - Übertragungseinrichtung für ein differentielles bussystem - Google Patents

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WO2022089900A1
WO2022089900A1 PCT/EP2021/077548 EP2021077548W WO2022089900A1 WO 2022089900 A1 WO2022089900 A1 WO 2022089900A1 EP 2021077548 W EP2021077548 W EP 2021077548W WO 2022089900 A1 WO2022089900 A1 WO 2022089900A1
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bus connection
bus
impedance
connection
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Steffen Walker
Sebastian STEGEMANN
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Robert Bosch Gmbh
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Definitions

  • the disclosure relates to a transmission device for a differential bus system.
  • the disclosure also relates to a method for operating a transmission device for a differential bus system.
  • Exemplary embodiments relate to a transmission device for a differential bus system, with a first bus connection and a second bus connection for connection to a transmission medium of the differential bus system, for example with differential bus lines, and with a connection that can be and/or is connected to the first bus connection and the second bus connection Transmission device, further comprising an impedance matching circuit which is designed to influence an impedance at the first bus connection and/or at the second bus connection.
  • this enables electromagnetic emissions of the transmission device to be reduced at least temporarily and/or greater immunity to interference.
  • the impedance matching circuit is designed to influence the impedance at the first bus connection (“first impedance”) and/or at the second bus connection (“second impedance”) in such a way that the impedance at the first bus connection at most by a definable difference value from the impedance differs at the second bus connection.
  • this can apply, for example, to at least one predefinable frequency range, ie, for example, a subrange of an entire frequency range used by the bus system, but in other exemplary embodiments also, for example, to the entire frequency range used by the bus system.
  • the respective impedance can, for example, have complex values, i.e. a non-vanishing imaginary part, at least temporarily.
  • the aforementioned difference value can also be complex-valued, for example.
  • the definable difference value can also be purely real or purely imaginary, for example.
  • the impedance matching circuit has at least one active semiconductor element, which in further exemplary embodiments enables a particularly efficient and/or precise matching of the first and/or second impedance.
  • the impedance matching circuit has a first active semiconductor element and a second active semiconductor element, the first active semiconductor element being connectable and/or connected to the first bus connection, the second active semiconductor element being connectable and/or connected to the second bus connection connected is.
  • the impedance matching circuit has at least one circuit component which represents a simulation of at least part of the transmission device.
  • “replication of at least part of the transmission device” is understood to mean a circuit component that has the same component types (e.g. with the same component parameters or component values, e.g. apart from a specifiable tolerance) in has the same topology as the relevant, for example simulated, part of the transmission device.
  • the impedance matching circuit has at least one circuit component which represents a complete simulation of the transmission device.
  • the at least one circuit component has a series circuit made up of a first diode and a first transistor and a second transistor.
  • the first transistor and/or the second transistor is/are each formed as a field effect transistor, e.g. of the type NMOS (n-type metal-oxide semiconductor, n-channel MOSFET) or PMOS (p-type metal-oxide semiconductor, p -channel MOSFET) or as a corresponding "high-voltage" variant of an n-channel MOSFET or p-channel MOSFET.
  • the first diode of the at least one circuit component corresponds to a first diode of the at least one part of the transmission device, for example corresponds to a type of the first diode of the at least one part of the transmission device.
  • the first transistor of the at least one circuit component corresponds to a first transistor of the at least one part of the transmission device, for example corresponds to a type of the first transistor of the at least one part of the transmission device.
  • the second transistor of the at least one circuit component corresponds to a second transistor of the at least one part of the transmission device, for example corresponds to a type of the second transistor of the at least one part of the transmission device.
  • the transmission device has a receiving device, whereby the Transmission device, for example, can work at least temporarily as a transmitting and receiving device ("transceiver").
  • the Transmission device for example, can work at least temporarily as a transmitting and receiving device ("transceiver").
  • the principle according to the embodiments advantageously enables comparatively low electromagnetic emissions, for example during reception of signals by the optional receiving device.
  • the bus system has one of the following types: CAN (Controller Area Network), CAN FD (CAN Flexible Data Rate), CAN FD SIC (CAN FD Signal Improvement Capability), CAN XL (CAN Extra Large), LVDS (Low Voltage Differential Signalling), 10BASE-T1S.
  • CAN Controller Area Network
  • CAN FD CAN Flexible Data Rate
  • CAN FD SIC CAN FD Signal Improvement Capability
  • CAN XL CAN Extra Large
  • LVDS Low Voltage Differential Signalling
  • the method and/or the transmission device associated with the method has one or more of the aspects described above in relation to exemplary embodiments of the transmission device.
  • FIG. 1 For exemplary embodiments, relate to a use of the transmission device according to the embodiments and/or the method according to the embodiments for at least one of the following elements: a) Matching an impedance (eg the first impedance and/or the second impedance) to at least the first and / or second bus connection, b) matching, for example up to a definable differential value, the first impedance at the first bus connection to the second impedance at the second bus connection and/or vice versa, c) reducing electromagnetic emissions, for example when receiving signals by means of the transmission device, d) reducing errors or increasing efficiency during an arbitration phase, for example in a bus system designed as a CAN-XL.
  • an impedance eg the first impedance and/or the second impedance
  • b matching, for example up to a definable differential value, the first impedance at the first bus connection to the second impedance at the second bus connection and/or vice versa
  • FIG. 1 schematically shows a simplified block diagram according to exemplary embodiments
  • FIG. 1 schematically shows a simplified block diagram of a differential bus system 10 for the transmission of signals, which can be used, for example, in technical products such as vehicles, in particular motor vehicles, manufacturing facilities, etc.
  • Exemplary embodiments relate to a transmission device 100 for a differential bus system 10.
  • the transmission device 100 has a first bus connection 101 and a second bus connection 102 for connection to a transmission medium 12 of the differential bus system 10, for example with differential bus lines 12a, 12b, and one with the first bus connection 101 and the transmitting device 110 which can be connected and/or is connected to the second bus connection 102.
  • the transmission device 100 has an impedance matching circuit 120 which is designed to influence an impedance at the first bus connection 101 and/or at the second bus connection 102 . In some embodiments, this makes it possible to reduce electromagnetic emissions from the transmission device 100 at least temporarily.
  • the impedance matching circuit 120 is designed to influence the impedance at the first bus connection 101 ("first impedance Z1") and/or at the second bus connection 102 ("second impedance Z2") in such a way that the Impedance Z1 at the first bus connection 101 deviates from the impedance Z2 at the second bus connection 102 by a maximum of a definable differential value.
  • this can apply, e.g.
  • the respective impedance Z1, Z2 can, for example, at least temporarily have complex values, i.e. a non-vanishing imaginary part.
  • the aforementioned difference value can also be complex-valued, for example.
  • the definable differential value can also be purely real or purely imaginary, at least temporarily, for example.
  • the impedance matching circuit 120 has at least one active semiconductor element 122, which in further exemplary embodiments enables a particularly efficient and/or precise matching of the first and/or second impedance Z1, Z2.
  • the transmission device 100 has an optional receiving device 130 for receiving signals transmitted via the bus system, whereby the transmission device 100 can, for example, at least temporarily operate as a transmitting and receiving device ("transceiver").
  • the principle according to the embodiments enables, e.g. during reception of signals by the optional receiving device 130, comparatively low electromagnetic emissions, which in some conventional transmission devices are caused, for example, by properties of the transmitting device 110 and e.g. impair the electromagnetic compatibility of the conventional transmission devices.
  • the principle according to the embodiments also advantageously enables increased interference immunity in further exemplary embodiments, since, for example, the same impedance between the bus connections causes the same currents in the bus connections, so that, for example, no equalizing current flows through a bus load resistor, which, for example, causes distortion of a differential signal transmitted via the bus or differential signal is avoided.
  • the impedance matching circuit 120 has a first active semiconductor element 122a and a second active semiconductor element 122b, the first active semiconductor element 122a being connectable and/or connected to the first bus connection 101. wherein the second active semiconductor element 122b can be and/or is connected to the second bus connection 102 .
  • the exemplary configuration 100a according to FIG. 2 can, for example together with the optional receiving device 130, form a transceiver 100a or a transceiver module 100a, which in further exemplary embodiments also has an optional protective device 140 against overvoltages or electrostatic discharges (ESD, electrostatic discharge). has which, for example, can also be connected to the bus lines 12a, 12b, for example via the bus connections 101, 102.
  • the transceiver module 100a has a connection N_1 for a first reference potential of the bus system 10, which is a ground potential, for example.
  • the connection N_1 can be a “CAN_GND” connection, for example.
  • the transceiver module 100a has a connection N_2 for a second reference potential of the bus system 10, which is, for example, an electrical potential associated with an operating voltage of the bus system 10 and/or the transceiver module 100a.
  • connection N_1 can be a "CAN_SUPPLY" connection, for example.
  • the transmission device 110a has a connection N_3 to which a transmission signal to be transmitted via the bus system 10 (FIG. 1) can be fed.
  • the transmission device 110a transforms the transmission signal into a differential signal and outputs the differential signal via the bus connections 101, 102 to the transmission medium 12 (FIG. 1) of the differential bus system 10.
  • the impedance matching circuit 120a has at least one circuit component SK1, which represents a simulation of at least part TE1 of the transmission device 110a.
  • "replication of at least part of the transmission device” is understood to mean a circuit component SK1 which has the same component types (e.g. with the same component parameters or component values, e.g. apart from a specifiable tolerance) in the same topology as the relevant, for example replicated, part TE1 of the transmitting device 110a.
  • the impedance matching circuit 120a has at least one circuit component SK1, SK2, SKT, SK2', which, for example with one another, represents or represent a complete simulation of the transmission device 110a.
  • the at least one circuit component SK1 has a series circuit made up of a first diode DT and a first transistor TT and a second transistor T2', with the first transistor TT, for example, corresponding to the at least one active semiconductor element 122a described above as an example.
  • the first transistor TT and/or the second transistor T2' is in the form of a field effect transistor, e.g.
  • NMOS n-type metal-oxide semiconductor, n-channel MOSFET
  • PMOS p-type metal-oxide semiconductor type semiconductor, p-channel MOSFET
  • high-voltage variant of an n-channel MOSFET or p-channel MOSFET.
  • the at least one circuit component SK1 of the impedance matching circuit 120 thus represents, by way of example, a simulation of the part TE1 the transmitting device 110a.
  • the further circuit component SKT with regard to the part TET of the transmission device 110a, e.g. with the circuit components: connection N_2, a current source SQ1 connected to the connection N_2, transistor T3, RC network RC1.
  • the further circuit component SKT has a replica of part TET of transmission device 110a, and e.g. the further circuit component SK2' has a replica of part TE2' of transmission device 110a.
  • the circuit components SK1, SK2, SKT, SK2' of the impedance matching circuit 120 according to FIG. 3 thus represent a complete simulation of the transmission device 110a with its parts TE1, TE2, TET, TE2'.
  • the first transistor T 1 is an n-channel MOSFET, e.g.
  • the second transistor T2 is an n-channel MOSFET, e.g., just like the exemplary corresponding transistor T2' of the impedance matching circuit 120a.
  • the diode D1 is provided as reverse polarity protection. In further exemplary embodiments, it is used, for example, to decouple the substrate diodes of the subsequent components of the series circuit D1, T1, T2 (eg drain connection of transistor T1 to a substrate) from the bus connection 102, and thus, for example, to enable "submersion capability" (eg tolerance to bus voltages of different polarity).
  • the transistor T4 is in the form of a p-channel MOSFET, for example a “high-voltage” p-channel MOSFET, for example in order to decouple the cathode of the diode D3 with its substrate diode from the bus connection 101 .
  • the transistor T5 is in the form of a p-channel MOSFET.
  • FIG. 4 schematically shows aspects of a transmission device 110b and an impedance matching circuit 120b according to further exemplary embodiments. While the transmitting device 110b has a structure or topology comparable to the transmitting device 110a according to FIG. 3, the impedance matching circuit 120b according to FIG. 3 is reduced compared to the impedance matching circuit 120a according to FIG 3 are not present in the impedance matching circuit 120b of FIG.
  • the impedance matching circuit 120b according to FIG. 4 thus has circuit components SK1, SK2 which simulate the parts TE1, TE2 of the transmission device 110b, but not the other parts TET, TE2' of the transmission device 110b.
  • the impedance matching circuit 120b according to FIG. 4 can also be used to at least partially match the impedances Z1, Z2 (FIG. 1), e.g. in such a way that undesired emissions e.g Transmission device can be reduced. Due to the smaller number of components, the embodiment 120b according to FIG. 4 has a lower area consumption, e.g. of a substrate that can be used for implementation (e.g. made of silicon) than the embodiment 120a according to FIG. 3.
  • the impedance matching circuit 120, 120a, 120b forms a replica or copy of the transmitting device 110, 110a, 110b, for example the circuit components SK1, SK2 (Fig. 3) being connected inversely with respect to the bus connections 101, 102, compared to the parts they replicate TE1, TE2 of the transmitting device 110a.
  • the series circuit made up of the components DT, TT, T2' (corresponding to the circuit component SK1) is connected to the first bus connection 101, whereas the circuit part TE1 of the transmitting device 110a, which is simulated by the series circuit SK1, is connected to the second bus connection 102 , seg the unspecified anode of the diode D1.
  • the impedance matching circuit 120, 120a, 120b which e.g. represents a replica or copy of the transmission device 110, 110a, 110b, is not, e.g. at no time, switched to an active operating mode (comparable to transmission via the bus connections 101, 102), as can be done at least temporarily, e.g. This is symbolized by way of example in Fig. 3 by the fact that no control signal acts on the switches ST, S2', so they remain open, e.g. always, e.g. in contrast to the corresponding switches S1, S2 of the transmission device 110a, to which the transmission signal from Connection N_3 acts.
  • the bus system 10 has one of the following types: CAN (Controller Area Network), CAN-FD (CAN Flexible Data Rate), CAN-FD-SIC (CAN-FD Signal Improvement Capability), CAN-XL (CAN Extra Large), LVDS (Low Voltage Differential Signaling), 10BASE-T1S.
  • CAN Controller Area Network
  • CAN-FD CAN Flexible Data Rate
  • CAN-FD-SIC CAN-FD Signal Improvement Capability
  • CAN-XL CAN Extra Large
  • LVDS Low Voltage Differential Signaling
  • 10BASE-T1S 10BASE-T1S.
  • the bus system 10 can also be of a different type than that have the types mentioned above as examples, which has a differential signal transmission.
  • Fig. 5 relate to a method for operating a transmission device 100 (Fig. 1) for a differential bus system 10, with a first bus connection 101 and a second bus connection 102 for connection to a transmission medium 12 of the differential bus system 10, for example with differential bus lines 12a, 12b, and with a transmission device 110 that can be and/or is connected to the first bus connection 101 and the second bus connection 102, the transmission device 100 having an impedance matching circuit 120, the method having: matching 200 (Fig. 5) an impedance Z1, Z2 at the first bus connection 101 and/or at the second bus connection 102.
  • the optional further block 202 from FIG. 5 symbolizes an optional further operation of the transmission device 100, which can, for example, have the purpose of sending and/or receiving signals relating to the differential bus system 10.
  • Fig. 6 relate to a use 300 of the transmission device according to the embodiments and/or the method according to the embodiments for at least one of the following elements: a) Adjusting 302 an impedance (e.g. the first impedance Z1 and/or the second impedance Z2) at at least the first and/or second bus connection 101, 102, b) equalizing 304, for example up to a definable difference value, the first impedance Z1 at the first bus connection 101 to the second impedance Z2 at the second bus connection 102 and/ or vice versa, c) reducing 306 electromagnetic emissions, for example when signals are received by means of the transmission device, d) reducing 308 errors or increasing efficiency during an arbitration phase, for example in a bus system 10 designed as a CAN-XL.
  • an impedance e.g. the first impedance Z1 and/or the second impedance Z2
  • equalizing 304 for example up to a definable difference value

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Abstract

Übertragungseinrichtung für ein differentielles Bussystem, mit einem ersten Busanschluss und einem zweiten Busanschluss zur Verbindung mit einem Übertragungsmedium des differentiellen Bussystems, beispielsweise mit differentiellen Busleitungen, und mit einer mit dem ersten Busanschluss und dem zweiten Busanschluss verbindbaren und/oder verbundenen Sendeeinrichtung, weiter aufweisend eine Impedanzanpassungsschaltung, die dazu ausgebildet ist, eine Impedanz an dem ersten Busanschluss und/oder an dem zweiten Busanschluss zu beeinflussen.

Description

Beschreibung
Titel Übertragungseinrichtuna für ein differentielles Bussystem
Stand der Technik
Die Offenbarung betrifft eine Übertragungseinrichtung für ein differentielles Bussystem.
Die Offenbarung betrifft ferner ein Verfahren zum Betreiben einer Übertragungseinrichtung für ein differentielles Bussystem.
Offenbarung der Erfindung
Beispielhafte Ausführungsformen beziehen sich auf eine Übertragungseinrichtung für ein differentielles Bussystem, mit einem ersten Busanschluss und einem zweiten Busanschluss zur Verbindung mit einem Übertragungsmedium des differentiellen Bussystems, beispielsweise mit differentiellen Busleitungen, und mit einer mit dem ersten Busanschluss und dem zweiten Busanschluss verbindbaren und/oder verbundenen Sendeeinrichtung, weiter aufweisend eine Impedanzanpassungsschaltung, die dazu ausgebildet ist, eine Impedanz an dem ersten Busanschluss und/oder an dem zweiten Busanschluss zu beeinflussen. Dies ermöglicht in manchen Ausführungsformen, elektromagnetische Emissionen der Übertragungseinrichtung zumindest zeitweise zu vermindern und/oder eine höhere Störfestigkeit.
Bei weiteren beispielhaften Ausführungsformen ist vorgesehen, dass die Impedanzanpassungsschaltung dazu ausgebildet ist, die Impedanz an dem ersten Busanschluss ("erste Impedanz") und/oder an dem zweiten Busanschluss ("zweite Impedanz") so zu beeinflussen, dass die Impedanz an dem ersten Busanschluss maximal um einen vorgebbaren Differenzwert von der Impedanz an dem zweiten Busanschluss abweicht. Dies kann bei weiteren beispielhaften Ausführungsformen z.B. für wenigstens einen vorgebbaren Frequenzbereich, also z.B. einen Teilbereich eines gesamten von dem Bussystem genutzten Frequenzbereichs, gelten, bei anderen beispielhaften Ausführungsformen jedoch z.B. auch für den gesamten von dem Bussystem genutzten Frequenzbereich.
Bei weiteren beispielhaften Ausführungsformen kann die jeweilige Impedanz z.B. zumindest zeitweise komplexe Werte, also einen nichtverschwindenden Imaginärteil, aufweisen. Dementsprechend kann bei weiteren beispielhaften Ausführungsformen der vorstehend genannte Differenzwert z.B. auch komplexwertig sein. Bei weiteren beispielhaften Ausführungsformen kann der vorgebbare Differenzwert z.B. auch rein reell oder rein imaginär sein.
Bei weiteren beispielhaften Ausführungsformen ist vorgesehen, dass die Impedanzanpassungsschaltung wenigstens ein aktives Halbleiterelement aufweist, was bei weiteren beispielhaften Ausführungsformen eine besonders effiziente und/oder präzise Anpassung der ersten und/oder zweiten Impedanz ermöglicht.
Bei weiteren beispielhaften Ausführungsformen ist vorgesehen, dass die Impedanzanpassungsschaltung ein erstes aktives Halbleiterelement und ein zweites aktives Halbleiterelement aufweist, wobei das erste aktive Halbleiterelement mit dem ersten Busanschluss verbindbar und/oder verbunden ist, wobei das zweite aktive Halbleiterelement mit dem zweiten Busanschluss verbindbar und/oder verbunden ist.
Bei weiteren beispielhaften Ausführungsformen ist vorgesehen, dass die Impedanzanpassungsschaltung wenigstens eine Schaltungskomponente aufweist, die eine Nachbildung wenigstens eines Teils der Sendeeinrichtung darstellt.
Bei weiteren beispielhaften Ausführungsformen wird unter "Nachbildung wenigstens eines Teils der Sendeeinrichtung" eine Schaltungskomponente verstanden, die dieselben Bauteiltypen (z.B. mit denselben Bauteilparametern bzw. Bauteilwerten, z.B. abgesehen von einer vorgebbaren Toleranz) in derselben Topologie wie der betreffende, beispielsweise nachgebildete, Teil der Sendeeinrichtung aufweist.
Bei weiteren beispielhaften Ausführungsformen ist vorgesehen, dass die Impedanzanpassungsschaltung wenigstens eine Schaltungskomponente aufweist, die eine vollständige Nachbildung der Sendeeinrichtung darstellt.
Bei weiteren beispielhaften Ausführungsformen ist vorgesehen, dass die wenigstens eine Schaltungskomponente eine Serienschaltung aus einer ersten Diode und einem ersten Transistor und einem zweiten Transistor aufweist. Bei weiteren beispielhaften Ausführungsformen ist der erste Transistor und/oder der zweite Transistor jeweils als Feldeffekttransistor ausgebildet, z.B. vom Typ NMOS (n-type metal-oxide semiconductor, n-Kanal-MOSFET) oder PMOS (p- type metal-oxide semiconductor, p-Kanal-MOSFET) bzw. als entsprechende "Hochvolt'-Variante eines n-Kanal-MOSFET oder p-Kanal-MOSFET.
Bei weiteren beispielhaften Ausführungsformen ist vorgesehen, dass die erste Diode der wenigstens einen Schaltungskomponente mit einer ersten Diode des wenigstens einen Teils der Sendeeinrichtung korrespondiert, beispielsweise einem Typ der ersten Diode des wenigstens einen Teils der Sendeeinrichtung entspricht.
Bei weiteren beispielhaften Ausführungsformen ist vorgesehen, dass der erste Transistor der wenigstens einen Schaltungskomponente mit einem ersten Transistor des wenigstens einen Teils der Sendeeinrichtung korrespondiert, beispielsweise einem Typ des ersten Transistors des wenigstens einen Teils der Sendeeinrichtung entspricht.
Bei weiteren beispielhaften Ausführungsformen ist vorgesehen, dass der zweite Transistor der wenigstens einen Schaltungskomponente mit einem zweiten Transistor des wenigstens einen Teils der Sendeeinrichtung korrespondiert, beispielsweise einem Typ des zweiten Transistors des wenigstens einen Teils der Sendeeinrichtung entspricht.
Bei weiteren beispielhaften Ausführungsformen ist vorgesehen, dass die Übertragungseinrichtung eine Empfangseinrichtung aufweist, wodurch die Übertragungseinrichtung z.B. zumindest zeitweise als Sende- und Empfangseinrichtung ("Transceiver") arbeiten kann. Vorteilhaft ermöglicht das Prinzip gemäß den Ausführungsformen z.B. während eines Empfangs von Signalen durch die optionale Empfangseinrichtung vergleichsweise geringe elektromagnetische Emissionen.
Bei weiteren beispielhaften Ausführungsformen ist vorgesehen, dass das Bussystem einen der folgenden Typen aufweist: CAN (Controller Area Network), CAN-FD (CAN Flexible Data Rate), CAN-FD-SIC (CAN-FD Signal Improvement Capability), CAN-XL (CAN Extra Large), LVDS (Low Voltage Differential Signaling), 10BASE-T1S.
Weitere beispielhafte Ausführungsformen beziehen sich auf ein Verfahren zum Betreiben einer Übertragungseinrichtung für ein differentielles Bussystem, mit einem ersten Busanschluss und einem zweiten Busanschluss zur Verbindung mit einem Übertragungsmedium des differentiellen Bussystems, beispielsweise mit differentiellen Busleitungen, und mit einer mit dem ersten Busanschluss und dem zweiten Busanschluss verbindbaren und/oder verbundenen Sendeeinrichtung, wobei die Übertragungseinrichtung eine Impedanzanpassungsschaltung aufweist, wobei das Verfahren aufweist: Anpassen einer Impedanz an dem ersten Busanschluss und/oder an dem zweiten Busanschluss.
Bei weiteren beispielhaften Ausführungsformen ist vorgesehen, dass das Verfahren und/oder die mit dem Verfahren assoziierte Übertragungseinrichtung ein oder mehrere der vorstehend in Bezug auf beispielhafte Ausführungsformen der Übertragungseinrichtung beschriebene Aspekte aufweist.
Weitere beispielhafte Ausführungsformen beziehen sich auf eine Verwendung der Übertragungseinrichtung gemäß den Ausführungsformen und/oder des Verfahrens gemäß den Ausführungsformen für wenigstens eines der folgenden Elemente: a) Anpassen einer Impedanz (z.B. der ersten Impedanz und/oder der zweiten Impedanz) an wenigstens dem ersten und/oder zweiten Busanschluss, b) Angleichen, beispielsweise bis auf einen vorgebbaren Differenzwert, der ersten Impedanz an dem ersten Busanschluss an die zweite Impedanz an dem zweiten Busanschluss und/oder umgekehrt, c) Vermindern von elektromagnetischen Emissionen, beispielsweise bei einem Empfang von Signalen mittels der Übertragungseinrichtung, d) Reduzieren von Fehlern bzw. Steigern einer Effizienz während einer Arbitrierungsphase, beispielsweise bei einem als CAN-XL ausgebildeten Bussystem.
Weitere beispielhafte Ausführungsformen ergeben sich aus der folgenden Beschreibung und der Zeichnung. In der Zeichnung zeigt:
Fig. 1 schematisch ein vereinfachtes Blockdiagramm gemäß beispielhaften Ausführungsformen,
Fig. 2 schematisch ein vereinfachtes Blockdiagramm gemäß weiteren beispielhaften Ausführungsformen,
Fig. 3 schematisch ein vereinfachtes Schaltungsdiagramm gemäß weiteren beispielhaften Ausführungsformen,
Fig. 4 schematisch ein vereinfachtes Schaltungsdiagramm gemäß weiteren beispielhaften Ausführungsformen,
Fig. 5 schematisch ein vereinfachtes Flussdiagramm gemäß weiteren beispielhaften Ausführungsformen, und
Fig. 6 schematisch Aspekte von Verwendungen gemäß weiteren beispielhaften Ausführungsformen.
Fig. 1 zeigt schematisch ein vereinfachtes Blockdiagramm eines differentiellen Bussystems 10 zur Übertragung von Signalen, das beispielsweise in technischen Erzeugnissen wie z.B. Fahrzeugen, insbesondere Kraftfahrzeugen, fertigungstechnischen Einrichtungen usw. einsetzbar ist.
Beispielhafte Ausführungsformen beziehen sich auf eine Übertragungseinrichtung 100 für ein differentielles Bussystem 10. Die Übertragungseinrichtung 100 weist einen ersten Busanschluss 101 und einen zweiten Busanschluss 102 zur Verbindung mit einem Übertragungsmedium 12 des differentiellen Bussystems 10 auf, beispielsweise mit differentiellen Busleitungen 12a, 12b, und eine mit dem ersten Busanschluss 101 und dem zweiten Busanschluss 102 verbindbare und/oder verbundene Sendeeinrichtung 110.
Weiter weist die Übertragungseinrichtung 100 eine Impedanzanpassungsschaltung 120 auf, die dazu ausgebildet ist, eine Impedanz an dem ersten Busanschluss 101 und/oder an dem zweiten Busanschluss 102 zu beeinflussen. Dies ermöglicht in manchen Ausführungsformen, elektromagnetische Emissionen der Übertragungseinrichtung 100 zumindest zeitweise zu vermindern.
Bei weiteren beispielhaften Ausführungsformen ist vorgesehen, dass die Impedanzanpassungsschaltung 120 dazu ausgebildet ist, die Impedanz an dem ersten Busanschluss 101 ("erste Impedanz Z1") und/oder an dem zweiten Busanschluss 102 ("zweite Impedanz Z2") so zu beeinflussen, dass die Impedanz Z1 an dem ersten Busanschluss 101 maximal um einen vorgebbaren Differenzwert von der Impedanz Z2 an dem zweiten Busanschluss 102 abweicht.
Dies kann bei weiteren beispielhaften Ausführungsformen z.B. für wenigstens einen vorgebbaren Frequenzbereich, also z.B. einen Teilbereich eines gesamten von dem Bussystem 10 für die Signalübertragung genutzten Frequenzbereichs, gelten, bei anderen beispielhaften Ausführungsformen jedoch z.B. auch für den gesamten von dem Bussystem 10 genutzten Frequenzbereich.
Bei weiteren beispielhaften Ausführungsformen kann die jeweilige Impedanz Z1 , Z2 z.B. zumindest zeitweise komplexe Werte, also einen nichtverschwindenden Imaginärteil, aufweisen. Dementsprechend kann bei weiteren beispielhaften Ausführungsformen der vorstehend genannte Differenzwert z.B. auch komplexwertig sein. Bei weiteren beispielhaften Ausführungsformen kann der vorgebbare Differenzwert zumindest zeitweise z.B. auch rein reell oder rein imaginär sein.
Bei weiteren beispielhaften Ausführungsformen ist vorgesehen, dass die Impedanzanpassungsschaltung 120 wenigstens ein aktives Halbleiterelement 122 aufweist, was bei weiteren beispielhaften Ausführungsformen eine besonders effiziente und/oder präzise Anpassung der ersten und/oder zweiten Impedanz Z1 , Z2 ermöglicht. Bei weiteren beispielhaften Ausführungsformen ist vorgesehen, dass die Übertragungseinrichtung 100 eine optionale Empfangseinrichtung 130 zum Empfang von über das Bussystem übertragenen Signalen aufweist, wodurch die Übertragungseinrichtung 100 z.B. zumindest zeitweise als Sende- und Empfangseinrichtung ("Transceiver") arbeiten kann.
Vorteilhaft ermöglicht das Prinzip gemäß den Ausführungsformen z.B. während eines Empfangs von Signalen durch die optionale Empfangseinrichtung 130 vergleichsweise geringe elektromagnetische Emissionen, die bei manchen konventionellen Übertragungseinrichtungen z.B. durch Eigenschaften der Sendeeinrichtung 110 verursacht werden und z.B. die elektromagnetische Verträglichkeit der konventionellen Übertragungseinrichtungen beeinträchtigen.
Weiter vorteilhaft ermöglicht das Prinzip gemäß den Ausführungsformen bei weiteren beispielhaften Ausführungsformen eine gesteigerte Störfestigkeit, da beispielsweise eine gleiche Impedanz zwischen den Busanschlüssen gleiche Ströme in die Busanschlüsse bedingt, sodass z.B. kein Ausgleichsstrom über einen Buslastwiderstand fließt, wodurch z.B. eine Verzerrung eines über den Bus übertragenen Differenzsignals bzw. differentiellen Signals vermieden wird.
Bei weiteren beispielhaften Ausführungsformen 100a, vgl. Fig. 2, ist vorgesehen, dass die Impedanzanpassungsschaltung 120 ein erstes aktives Halbleiterelement 122a und ein zweites aktives Halbleiterelement 122b aufweist, wobei das erste aktive Halbleiterelement 122a mit dem ersten Busanschluss 101 verbindbar und/oder verbunden ist, wobei das zweite aktive Halbleiterelement 122b mit dem zweiten Busanschluss 102 verbindbar und/oder verbunden ist.
Die beispielhafte Konfiguration 100a gemäß Fig. 2 kann, z.B. zusammen mit der optionalen Empfangseinrichtung 130, einen Transceiver 100a bzw. ein Transceivermodul 100a bilden, das bei weiteren beispielhaften Ausführungsformen auch eine optionale Schutzeinrichtung 140 vor Überspannungen bzw. elektrostatischen Entladungen (ESD, electrostatic discharge) aufweist, die z.B. ebenfalls mit den Busleitungen 12a, 12b, z.B. über die Busanschlüsse 101 , 102, verbindbar ist. Bei weiteren beispielhaften Ausführungsformen weist das Transceivermodul 100a einen Anschluss N_1 für ein erstes Bezugspotential des Bussystems 10 auf, bei dem es sich beispielsweise um ein Massepotential handelt. Im Falle einer beispielhaften Ausbildung des Bussystems 10 als CAN-Bussystem kann es sich bei dem Anschluss N_1 z.B. um einen "CAN_GND"-Anschluss handeln.
Bei weiteren beispielhaften Ausführungsformen weist das Transceivermodul 100a einen Anschluss N_2 für ein zweites Bezugspotential des Bussystems 10 auf, bei dem es sich beispielsweise um ein mit einer Betriebsspannung des Bussystems 10 und/oder des Transceivermoduls 100a assoziiertes elektrisches Potential handelt. Im Falle einer beispielhaften Ausbildung des Bussystems 10 als CAN-Bussystem kann es sich bei dem Anschluss N_1 z.B. um einen "CAN_SUPPLY"-Anschluss handeln.
Fig. 3 zeigt schematisch Aspekte einer Sendeeinrichtung 110a und einer Impedanzanpassungsschaltung 120a gemäß weiteren beispielhaften Ausführungsformen. Bei weiteren beispielhaften Ausführungsformen weist die Sendeeinrichtung 110a einen Anschluss N_3 auf, an ihr ein über das Bussystem 10 (Fig. 1) auszusendendes Sendesignal zuführbar ist. Die Sendeeinrichtung 110a transformiert bei weiteren beispielhaften Ausführungsformen das Sendesignal in ein differentielles Signal und gibt das differentielle Signal über die Busanschlüsse 101, 102 auf das Übertragungsmedium 12 (Fig. 1) des differentiellen Bussystems 10 aus.
Bei weiteren beispielhaften Ausführungsformen ist vorgesehen, dass die Impedanzanpassungsschaltung 120a wenigstens eine Schaltungskomponente SK1 aufweist, die eine Nachbildung wenigstens eines Teils TE1 der Sendeeinrichtung 110a darstellt.
Bei weiteren beispielhaften Ausführungsformen wird unter "Nachbildung wenigstens eines Teils der Sendeeinrichtung" eine Schaltungskomponente SK1 verstanden, die dieselben Bauteiltypen (z.B. mit denselben Bauteilparametern bzw. Bauteilwerten, z.B. abgesehen von einer vorgebbaren Toleranz) in derselben Topologie wie der betreffende, beispielsweise nachgebildete, Teil TE1 der Sendeeinrichtung 110a aufweist. Bei weiteren beispielhaften Ausführungsformen ist vorgesehen, dass die Impedanzanpassungsschaltung 120a wenigstens eine Schaltungskomponente SK1 , SK2, SKT, SK2' aufweist, die, z.B. miteinander, eine vollständige Nachbildung der Sendeeinrichtung 110a darstellt bzw. darstellen.
Bei weiteren beispielhaften Ausführungsformen ist vorgesehen, dass die wenigstens eine Schaltungskomponente SK1 eine Serienschaltung aus einer ersten Diode DT und einem ersten Transistor TT und einem zweiten Transistor T2' aufweist, wobei z.B. der erste Transistor TT dem vorstehend beispielhaft beschrieben wenigstens einen aktiven Halbleiterelement 122a entspricht. Bei weiteren beispielhaften Ausführungsformen ist der erste Transistor TT und/oder der zweite Transistor T2' jeweils als Feldeffekttransistor ausgebildet, z.B. vom Typ NMOS (n-type metal-oxide semiconductor, n-Kanal-MOSFET) oder PMOS (p-type metal-oxide semiconductor, p-Kanal-MOSFET) bzw. als entsprechende "Hochvolt' -Variante eines n-Kanal-MOSFET oder p-Kanal-MOSFET.
Bei weiteren beispielhaften Ausführungsformen ist vorgesehen, dass die erste Diode DT der wenigstens einen Schaltungskomponente SK1 mit einer ersten Diode D1 des wenigstens einen Teils TE1 der Sendeeinrichtung 110a korrespondiert, beispielsweise einem Typ der ersten Diode D1 des wenigstens einen Teils TE1 der Sendeeinrichtung 110a entspricht.
Bei weiteren beispielhaften Ausführungsformen ist vorgesehen, dass der erste Transistor TT der wenigstens einen Schaltungskomponente SK1 mit einem ersten Transistor T1 des wenigstens einen Teils TE1 der Sendeeinrichtung 110a korrespondiert, beispielsweise einem Typ des ersten Transistors T1 des wenigstens einen Teils TE1 der Sendeeinrichtung 110a entspricht.
Bei weiteren beispielhaften Ausführungsformen ist vorgesehen, dass der zweite Transistor T2' der wenigstens einen Schaltungskomponente SK1 mit einem zweiten Transistor T2 des wenigstens einen Teils TE1 der Sendeeinrichtung 110a korrespondiert, beispielsweise einem Typ des zweiten Transistors T2 des wenigstens einen Teils TE1 der Sendeeinrichtung 110a entspricht.
Somit repräsentiert die wenigstens eine Schaltungskomponente SK1 der Impedanzanpassungsschaltung 120 beispielhaft eine Nachbildung des Teils TE1 der Sendeeinrichtung 110a. Vergleichbares gilt bei weiteren beispielhaften Ausführungsformen für die Schaltungskomponente SK2 bezüglich des Teils TE2 der Sendeeinrichtung 110a.
Vergleichbares gilt bei weiteren beispielhaften Ausführungsformen für die weitere Schaltungskomponente SKT bezüglich des Teils TET der Sendeeinrichtung 110a, z.B. mit den Schaltungskomponenten: Anschluss N_2, eine mit dem Anschluss N_2 verbundenen Stromquelle SQ1 , Transistor T3, RC-Netzwerk RC1. Mit anderen Worten weist bei weiteren beispielhaften Ausführungsformen die weitere Schaltungskomponente SKT eine Nachbildung des Teils TET der Sendeeinrichtung 110a auf, und z.B. die weitere Schaltungskomponente SK2' eine Nachbildung des Teils TE2' der Sendeeinrichtung 110a.
Bei weiteren beispielhaften Ausführungsformen stellen somit die Schaltungskomponenten SK1 , SK2, SKT, SK2' der Impedanzanpassungsschaltung 120 gemäß Fig. 3 eine vollständige Nachbildung der Sendeeinrichtung 110a mit ihren Teilen TE1 , TE2, TET, TE2' dar.
Bei weiteren beispielhaften Ausführungsformen ist der erste Transistor T 1 ein n- Kanal-MOSFET, z.B. ein "Hochvolt"-n-Kanal-MOSFET, z.B. ebenso wie der damit beispielhaft korrespondierende Transistor TT der Impedanzanpassungsschaltung 120a. Bei weiteren beispielhaften Ausführungsformen ist der zweite Transistor T2 ein n-Kanal-MOSFET, z.B. ebenso wie der damit beispielhaft korrespondierende Transistor T2' der Impedanzanpassungsschaltung 120a.
Bei weiteren beispielhaften Ausführungsformen ist die Diode D1 als Verpolungsschutz vorgesehen. Sie dient bei weiteren beispielhaften Ausführungsformen z.B. u.a. dazu, die Substratdioden der nachfolgenden Bauteile der Serienschaltung D1, T1, T2 (z.B. Drain-Anschluss von Transistor T1 zu einem Substrat) von dem Busanschluss 102 zu entkoppeln, und damit z.B. eine "Untertauchfähigkeit" zu ermöglichen (z.B. Toleranz gegenüber Busspannungen unterschiedlicher Polarität). Bei weiteren beispielhaften Ausführungsformen ist der Transistor T4 als p-Kanal- MOSFET, z.B. "Hochvolt"-p-Kanal-MOSFET, ausgebildet, z.B. um die Kathode der Diode D3 mit ihrer Substratdiode von dem Busanschluss 101 zu entkoppeln.
Bei weiteren beispielhaften Ausführungsformen ist der Transistor T5 als p-Kanal- MOSFET ausgebildet.
Fig. 4 zeigt schematisch Aspekte einer Sendeeinrichtung 110b und einer Impedanzanpassungsschaltung 120b gemäß weiteren beispielhaften Ausführungsformen. Während die Sendeeinrichtung 110b eine zu der Sendeeinrichtung 110a gemäß Fig. 3 vergleichbare Struktur bzw. Topologie aufweist, ist die Impedanzanpassungsschaltung 120b gemäß Fig. 3 gegenüber der Impedanzanpassungsschaltung 120a gemäß Fig. 2 beispielhaft dahingehend reduziert, dass z.B. die Schaltungskomponenten SKT, SK2' der gemäß Fig. 3 nicht bei der Impedanzanpassungsschaltung 120b gemäß Fig. 4 vorhanden sind. Die Impedanzanpassungsschaltung 120b gemäß Fig. 4 weist somit Schaltungskomponenten SK1, SK2 auf, die die Teile TE1, TE2 der Sendeeinrichtung 110b nachbilden, nicht jedoch die weiteren Teile TET, TE2' der Sendeeinrichtung 110b.
Bei weiteren beispielhaften Ausführungsformen kann auch mit der Impedanzanpassungsschaltung 120b gemäß Fig. 4 eine zumindest teilweise Anpassung der Impedanzen Z1 , Z2 (Fig. 1), z.B. derart bewirkt werden, dass unerwünschte Emissionen z.B. bei einem Empfangsbetrieb einer die Sendeeinrichtung 110b und die Impedanzanpassungsschaltung 120b aufweisenden Übertragungseinrichtung reduziert werden. Aufgrund der geringeren Anzahl von Komponenten weist die Ausführungsform 120b gemäß Fig. 4 einen geringeren Flächenverbrauch z.B. eines zur Implementierung nutzbaren Substrats (z.B. aus Silizium) auf als die Ausführungsform 120a gemäß Fig. 3.
Bei weiteren beispielhaften Ausführungsformen bildet die Impedanzanpassungsschaltung 120, 120a, 120b demnach eine Nachbildung bzw. Kopie der Sendeeinrichtung 110, 110a, 110b, wobei z.B. die Schaltungskomponenten SK1 , SK2 (Fig. 3) invers bezüglich der Busanschlüsse 101 , 102 geschaltet werden, verglichen mit den durch sie nachgebildeten Teilen TE1, TE2 der Sendeeinrichtung 110a. Beispielsweise ist also die Serienschaltung aus den Komponenten DT, TT, T2' (entsprechend der Schaltungskomponente SK1) mit dem ersten Busanschluss 101 verbunden, wohingegen der Schaltungsteil TE1 der Sendeeinrichtung 110a, der durch die Serienschaltung SK1 nachgebildet wird, mit dem zweiten Busanschluss 102 verbunden ist, s. z.B. die nicht näher bezeichnete Anode der Diode D1. Dies gilt bei weiteren beispielhaften Ausführungsformen in entsprechender Weise für die Schaltungskomponente SK2 (an Busanschluss 102) und den Teil TE2 (an Busanschluss 101).
Durch vorstehend beschriebene Verschaltung der Komponenten SK1, SK2, TE1 , TE2 bezüglich der Busanschlüsse 101, 102 weist ein bei weiteren beispielhaften Ausführungsformen z.B. empfangender Transceiver 100a (Fig. 2) bezüglich der Busanschlüsse 101 , 102 (z.B. CANH und CANL bei einem CAN-Bussystem 10) auch an seinem (bei Empfangsbetrieb passiven) "Transmitter" 110a die gleiche Impedanz Z1 , Z2 (Fig. 1) aus, sein Einfluss auf das Emissionsergebnis ist somit reduziert bzw. eliminiert.
Bei weiteren beispielhaften Ausführungsformen wird die Impedanzanpassungsschaltung 120, 120a, 120b, die z.B. eine Nachbildung bzw. Kopie der Sendeeinrichtung 110, 110a, 110b repräsentiert, nicht, z.B. zu keiner Zeit, in eine aktive Betriebsart (vergleichbar zu einem Senden über die Busanschlüsse 101 , 102) versetzt, wie dies bei weiteren beispielhaften Ausführungsformen bei der Sendeeinrichtung 110, 110a, 110b zumindest zeitweise, z.B. für einen gewünschten Sendebetrieb, erfolgen kann. Dies ist in Fig. 3 beispielhaft dadurch symbolisiert, dass auf die Schalter ST, S2' kein Ansteuersignal wirkt, diese mithin, z.B. immer, geöffnet bleiben, z.B. im Gegensatz zu den korrespondierenden Schaltern S1 , S2 der Sendeeinrichtung 110a, auf die das Sendesignal vom Anschluss N_3 wirkt.
Bei weiteren beispielhaften Ausführungsformen ist vorgesehen, dass das Bussystem 10 (Fig. 1) einen der folgenden Typen aufweist: CAN (Controller Area Network), CAN-FD (CAN Flexible Data Rate), CAN-FD-SIC (CAN-FD Signal Improvement Capability), CAN-XL (CAN Extra Large), LVDS (Low Voltage Differential Signaling), 10BASE-T1S. Bei weiteren beispielhaften Ausführungsformen kann das Bussystem 10 auch einen anderen Typ als die vorstehend beispielhaft genannten Typen aufweisen, der eine differentielle Signalübertragung aufweist.
Weitere beispielhafte Ausführungsformen, Fig. 5, beziehen sich auf ein Verfahren zum Betreiben einer Übertragungseinrichtung 100 (Fig. 1) für ein differentielles Bussystem 10, mit einem ersten Busanschluss 101 und einem zweiten Busanschluss 102 zur Verbindung mit einem Übertragungsmedium 12 des differentiellen Bussystems 10, beispielsweise mit differentiellen Busleitungen 12a, 12b, und mit einer mit dem ersten Busanschluss 101 und dem zweiten Busanschluss 102 verbindbaren und/oder verbundenen Sendeeinrichtung 110, wobei die Übertragungseinrichtung 100 eine Impedanzanpassungsschaltung 120 aufweist, wobei das Verfahren aufweist: Anpassen 200 (Fig. 5) einer Impedanz Z1 , Z2 an dem ersten Busanschluss 101 und/oder an dem zweiten Busanschluss 102.
Der optionale weitere Block 202 aus Fig. 5 symbolisiert einen optionalen weiteren Betrieb der Übertragungseinrichtung 100, der z.B. ein Senden und/oder Empfangen von Signalen bezüglich des differentiellen Bussystems 10 zum Gegenstand haben kann.
Weitere beispielhafte Ausführungsformen, Fig. 6, beziehen sich auf eine Verwendung 300 der Übertragungseinrichtung gemäß den Ausführungsformen und/oder des Verfahrens gemäß den Ausführungsformen für wenigstens eines der folgenden Elemente: a) Anpassen 302 einer Impedanz (z.B. der ersten Impedanz Z1 und/oder der zweiten Impedanz Z2) an wenigstens dem ersten und/oder zweiten Busanschluss 101 , 102, b) Angleichen 304, beispielsweise bis auf einen vorgebbaren Differenzwert, der ersten Impedanz Z1 an dem ersten Busanschluss 101 an die zweite Impedanz Z2 an dem zweiten Busanschluss 102 und/oder umgekehrt, c) Vermindern 306 von elektromagnetischen Emissionen, beispielsweise bei einem Empfang von Signalen mittels der Übertragungseinrichtung, d) Reduzieren 308 von Fehlern bzw. Steigern einer Effizienz während einer Arbitrierungsphase, beispielsweise bei einem als CAN- XL ausgebildeten Bussystem 10.

Claims

Ansprüche
1. Übertragungseinrichtung (100; 100a) für ein differentielles Bussystem (10), mit einem ersten Busanschluss (101) und einem zweiten Busanschluss (102) zur Verbindung mit einem Übertragungsmedium (12) des differentiellen Bussystems (10), beispielsweise mit differentiellen Busleitungen (12a, 12b), und mit einer mit dem ersten Busanschluss (101) und dem zweiten Busanschluss (102) verbindbaren und/oder verbundenen Sendeeinrichtung (110; 110a; 110b), weiter aufweisend eine Impedanzanpassungsschaltung (120; 120a; 120b), die dazu ausgebildet ist, eine Impedanz (Z1 , Z2) an dem ersten Busanschluss (101) und/oder an dem zweiten Busanschluss (102) zu beeinflussen.
2. Übertragungseinrichtung (100) nach Anspruch 1 , wobei die Impedanzanpassungsschaltung (120) dazu ausgebildet ist, die Impedanz an dem ersten Busanschluss (101) und/oder an dem zweiten Busanschluss (102) so zu beeinflussen, dass die Impedanz (Z1) an dem ersten Busanschluss (101) maximal um einen vorgebbaren Differenzwert von der Impedanz (Z2) an dem zweiten Busanschluss (102) abweicht.
3. Übertragungseinrichtung (100) nach wenigstens einem der vorstehenden Ansprüche, wobei die Impedanzanpassungsschaltung (120) wenigstens ein aktives Halbleiterelement (122) aufweist.
4. Übertragungseinrichtung (100) nach wenigstens einem der vorstehenden Ansprüche, wobei die Impedanzanpassungsschaltung (120) ein erstes aktives Halbleiterelement (122a) und ein zweites aktives Halbleiterelement (122b) aufweist, wobei das erste aktive Halbleiterelement (122a) mit dem ersten Busanschluss (101) verbindbar und/oder verbunden ist, wobei das zweite aktive Halbleiterelement (122b) mit dem zweiten Busanschluss (102) verbindbar und/oder verbunden ist.
5. Übertragungseinrichtung (100) nach wenigstens einem der vorstehenden Ansprüche, wobei die Impedanzanpassungsschaltung (120) wenigstens eine Schaltungskomponente (SK1 ; SK2) aufweist, die eine Nachbildung wenigstens eines Teils (TE1; TE2) der Sendeeinrichtung (110) darstellt.
6. Übertragungseinrichtung (100) nach wenigstens einem der vorstehenden Ansprüche, wobei die Impedanzanpassungsschaltung (120) wenigstens eine Schaltungskomponente (SK1 ; SK2) aufweist, die eine vollständige Nachbildung der Sendeeinrichtung (110) darstellt.
7. Übertragungseinrichtung (100) nach wenigstens einem der vorstehenden Ansprüche, wobei die wenigstens eine Schaltungskomponente (SK1) eine Serienschaltung aus einer ersten Diode (DT) und einem ersten Transistor (TT) und einem zweiten Transistor (T21) aufweist.
8. Übertragungseinrichtung (100) nach Anspruch 7, wobei a) die erste Diode (DT) der wenigstens einen Schaltungskomponente (SK1) mit einer ersten Diode (D1) des wenigstens einen Teils (TE1) der Sendeeinrichtung (110) korrespondiert, beispielsweise einem Typ der ersten Diode (D1) des wenigstens einen Teils (TE1) der Sendeeinrichtung (110) entspricht, und/oder wobei b) der erste Transistor (TT) der wenigstens einen Schaltungskomponente (SK1) mit einem ersten Transistor (T1) des wenigstens einen Teils (TE1) der Sendeeinrichtung (110) korrespondiert, beispielsweise einem Typ des ersten Transistors (T1) des wenigstens einen Teils (TE1) der Sendeeinrichtung (110) entspricht, und/oder wobei c) der zweite Transistor (T21) der wenigstens einen Schaltungskomponente (SK1) mit einem zweiten Transistor (T2) des wenigstens einen Teils (TE1) der Sendeeinrichtung (110) korrespondiert, beispielsweise einem Typ des zweiten Transistors (T2) des wenigstens einen Teils (TE1) der Sendeeinrichtung (110) entspricht.
9. Übertragungseinrichtung (100) nach wenigstens einem der vorstehenden Ansprüche, wobei eine Empfangseinrichtung (130) vorgesehen ist.
10. Übertragungseinrichtung (100) nach wenigstens einem der vorstehenden Ansprüche, wobei das Bussystem (10) einen der folgenden Typen aufweist: CAN, CAN-FD, CAN-FD-SIC, CAN-XL, LVDS, 10BASE-T1S. - 16 - Verfahren zum Betreiben einer Übertragungseinrichtung (100) für ein differentielles Bussystem (10), mit einem ersten Busanschluss (101) und einem zweiten Busanschluss (102) zur Verbindung mit einem Übertragungsmedium (12) des differentiellen Bussystems (10), beispielsweise mit differentiellen Busleitungen (12a, 12b), und mit einer mit dem ersten Busanschluss (101) und dem zweiten Busanschluss (102) verbindbaren und/oder verbundenen Sendeeinrichtung (110), wobei die Übertragungseinrichtung (100) eine Impedanzanpassungsschaltung (120) aufweist, wobei das Verfahren aufweist: Anpassen (200) einer Impedanz an dem ersten Busanschluss (101) und/oder an dem zweiten Busanschluss (102). Verwendung (300) der Übertragungseinrichtung (100) nach wenigstens einem der Ansprüche 1 bis 10 und/oder des Verfahrens nach Anspruch 11 , für wenigstens eines der folgenden Elemente: a) Anpassen (302) einer Impedanz (Z1 , Z2) an wenigstens dem ersten und/oder zweiten Busanschluss (101 , 102), b) Angleichen (304), beispielsweise bis auf einen vorgebbaren Differenzwert, der ersten Impedanz (Z1) an dem ersten Busanschluss (101) an die zweite Impedanz (Z2) an dem zweiten Busanschluss (102), c) Vermindern (306) von elektromagnetischen Emissionen, beispielsweise bei einem Empfang von Signalen mittels der Übertragungseinrichtung (100), d) Reduzieren (308) von Fehlern bzw. Steigern (308) einer Effizienz während einer Arbitrierungsphase, beispielsweise bei einem als CAN-XL ausgebildeten Bussystem (10).
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