WO2022088660A1 - 提高晶圆检测灵敏度的方法、装置以及存储介质 - Google Patents

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Abstract

本申请提供一种提高晶圆检测灵敏度的方法、装置以及存储介质。该方法包括获取晶圆外围电路区域的灰阶图；将所述灰阶图划分为至少一个像素区域；确定每个所述像素区域中的重复图像区域，所述重复图像区域为N*M像素点区域，所述重复图像区域中同一列的M个像素点的灰阶值相同；其中，N和M为大于0的整数；根据所述灰阶图中所有的所述重复图像区域，确定所述晶圆外围电路区域的出现干涉叠加的位置信息。本申请的方法可以更精准、更全面得确定出外围电路区域的重复图像区域，解决现有技术暗场扫描检测晶圆的灵敏度低，无法有效检测出晶圆的缺陷，检测效率低的问题。

Description

提高晶圆检测灵敏度的方法、装置以及存储介质
本申请要求于2020年10月29日提交中国专利局、申请号为202011177610.0、申请名称为“提高晶圆检测灵敏度的方法、装置以及存储介质”的中国专利申请的优先权，其全部内容通过引用结合在本申请中。
技术领域
本申请涉及半导体储存器技术，更为具体地，涉及一种提高晶圆检测灵敏度的方法、装置以及存储介质。
背景技术
在晶圆生产过程中，通常需要对晶圆缺陷进行扫描检测，目前扫描检测的方法包括三种：暗场扫描检测、明场扫描检测或电子扫描检测，其中，暗场扫描检测是用多个光束照射在晶圆表面，通过收集并处理从每一光束入射点散射回来的光，来确定晶圆表面的缺陷情况。
晶圆中存储电路区域和外围电路区域都存在重复图像区域，这就导致在对晶圆进行暗场扫描时，由于光干涉的原理，光束照射在重复图像区域时会出现光波叠加的现象，对晶圆表面的缺陷检测造成影响。因此，如何提高暗场扫描检测的灵敏度，提高晶圆缺陷的检测效率依然是需要解决的问题。
发明内容
本申请的目的在于提供一种提高晶圆检测灵敏度的方法、装置以及存储介质，通过对晶圆外围电路区域的灰阶图进行分析，确定出晶圆外围电路区域中出现干涉叠加的位置信息，可以更精准、更全面得确定出外围电路区域的重复图像区域，避免了现有技术中通过人为选择外围电路区域中的重复图像会导致误差较大的问题。从而有效提高暗场扫描检测的灵敏度，提高晶圆缺陷的检测效率。
第一方面，本申请公开了一种提高晶圆检测灵敏度的方法，包括：
获取晶圆外围电路区域的灰阶图；
将所述灰阶图划分为至少一个像素区域；
确定每个所述像素区域中的重复图像区域，所述重复图像区域为N*M像素点区域，所述重复图像区域中同一列的M个像素点的灰阶值相同；其中，N和M为大于0的整数；
根据所述灰阶图中所有的所述重复图像区域，确定所述晶圆外围电路区域的出现干涉叠加的位置信息。
基于上述技术内容，将晶圆中的外围电路区域的灰阶图划分为至少一个像素区域，再确定每个该像素区域中的重复图像区域，该重复图像区域为N*M像素点区域，该重复图像区域中同一列的M个像素点的灰阶值相同。再对该灰阶图中所有的该重复图像区域进行傅里叶分析后确定出晶圆外围电路区域的出现光干涉叠加的位置信息。避免了人为筛选外 围电路区域的重复图像区域误差较大，导致暗场扫描检测的灵敏度降低，甚至导致无法检测出对晶圆有致命影响的缺陷的问题。
可选的，所述获取晶圆外围电路区域的灰阶图包括：
获取所述外围电路区域的黑白光学图像；
对所述黑白光学图像进行灰阶转换后得到所述灰阶图。
通过将黑白光学图像进行灰阶转换后得到该灰阶图，使该灰阶图显示的各像素点的灰阶值更加精准，进一步的提高暗场扫描检测晶圆的灵敏度，可以有效检测出晶圆的缺陷，提高检测效率。
可选的，对所述黑白光学图像进行灰阶转换后得到所述灰阶图包括：
根据所述黑白光学图像的图像尺寸和预设像素点数量，确定所述黑白光学图像中的像素点尺寸，得到灰度影像图；
确定所述灰度影像图中每个像素点的灰阶值并进行标记，得到所述灰阶图。
可选的，所述对所述黑白光学图像进行灰阶转换后得到所述灰阶图之前，所述方法还包括：
调节所述黑白光学图像的饱和度至预设饱和度。
通过将该黑白光学图像调节至该预设饱和度，使该晶圆检测设备可以有效识别出该黑白光学图像的黑白程度，进一步的提高提高暗场扫描检测晶圆的灵敏度，可以有效检测出晶圆的缺陷，提高检测效率。
可选的，所述方法还包括：
显示所述晶圆外围电路区域的出现干涉叠加的位置信息。
第二方面，本申请公开了一种提高晶圆检测灵敏度的装置，包括：
获取模块，用于获取晶圆外围电路区域的灰阶图；
处理模块，用于将所述灰阶图划分为至少一个像素区域；
所述处理模块还用于确定每个像素区域中的重复图像区域，所述重复图像区域为N*M像素点区域，所述重复图像区域中同一列的M个像素点的灰阶值相同；其中，N和M为大于0的整数；
所述处理模块还用于根据所述灰阶图中所有的所述重复图像区域，确定所述晶圆外围电路区域的出现干涉叠加的位置信息。
基于上述技术内容，将晶圆中的外围电路区域的灰阶图划分为至少一个像素区域，再确定每个该像素区域中的重复图像区域，该重复图像区域为N*M像素点区域，该重复图像区域中同一列的M个像素点的灰阶值相同。再对该灰阶图中所有的该重复图像区域进行傅里叶分析后确定出晶圆外围电路区域的出现光干涉叠加的位置信息。避免了人为筛选外围电路区域的重复图像区域误差较大，导致暗场扫描检测的灵敏度降低，甚至导致无法检测出对晶圆有致命影响的缺陷的问题。
可选的，所述处理模块具体用于：
获取所述外围电路区域的黑白光学图像；
对所述黑白光学图像进行灰阶转换后得到所述灰阶图。
通过将黑白光学图像进行灰阶转换后得到该灰阶图，使该灰阶图显示的各像素点的灰阶值更加精准，进一步的提高暗场扫描检测晶圆的灵敏度，可以有效检测出晶圆的缺陷， 提高检测效率。
可选的，所述处理模块具体用于：
根据所述黑白光学图像的图像尺寸和预设像素点数量，确定所述黑白光学图像中的像素点尺寸，得到灰度影像图；
确定所述灰度影像图中每个像素点的灰阶值并进行标记，得到所述灰阶图。
可选的，所述处理模块还用于：
调节所述黑白光学图像的饱和度至预设饱和度。
通过将该黑白光学图像调节至该预设饱和度，使该晶圆检测设备可以有效识别出该黑白光学图像的黑白程度，进一步的提高提高暗场扫描检测晶圆的灵敏度，可以有效检测出晶圆的缺陷，提高检测效率。
可选的，所述提高晶圆检测灵敏度的装置还包括：
显示模块，用于显示所述晶圆外围电路区域的出现干涉叠加的位置信息。
第三方面，本申请公开了一种晶圆检测设备，包括存储器，处理器和收发器，所述存储器用于存储指令，所述收发器用于和其他设备通信，所述处理器用于执行所述存储器中存储的指令，以使所述晶圆检测设备执行如第一方面所述的提高晶圆检测灵敏度的方法。
第四方面，本申请公开了一种计算机可读存储介质，其中，所述计算机可读存储介质中存储有计算机执行指令，当所述指令被执行时，使得计算机执行如第一方面所述的提高晶圆检测灵敏度的方法。
结合上述技术方案，本申请公开的提高晶圆检测灵敏度的方法可以将晶圆的外围电路区域的灰阶图划分为至少一个像素区域，再确定每个该像素区域中的重复图像区域，该重复图像区域为N*M像素点区域，该重复图像区域中同一列的M个像素点的灰阶值相同。再对该灰阶图中所有的该重复图像区域进行分析后确定出晶圆外围电路区域的出现干涉叠加的位置信息。本申请提供的方法可以更精准、更全面得确定出外围电路区域的重复图像区域，避免了现有技术中通过人为选择外围电路区域中的重复图形误差较大的问题。本申请提供的方法可以提高暗场扫描检测的灵敏度，从而有效检测出晶圆的缺陷，提高检测效率。
附图说明
图1为本申请提供的提高晶圆检测灵敏度的方法的一种应用场景示意图。
图2为本申请的实施例一提供的提高晶圆检测灵敏度的方法的方法流程示例图。
图3为本申请的一个实施例提供的灰阶图的示意图。
图4为本申请的另一个实施例提供的灰阶图的示意图。
图5为本申请的一个实施例提供的灰阶图中重复图像区域的示意图。
图6为本申请的实施例二提供的提高晶圆检测灵敏度的方法的方法流程示例图。
图7为本申请的实施例三提供的提高晶圆检测灵敏度的方法的方法流程示例图。
图8为本申请的实施例四提供的提高晶圆检测灵敏度的装置的示意图。
图9为本申请的一个实施例提供的晶圆检测设备的示意图。
具体实施方式
本申请提供的提高晶圆检测灵敏度的方法应用于晶圆检测设备，该晶圆检测设备可以为专用设备、专用计算机、个人计算机、服务器等。图1为本申请提供的提高晶圆检测灵敏度的方法的应用示意图，图中，该晶圆检测设备接收暗场显微镜采集的晶圆样品的光学图像，该晶圆检测设备再对该光学图像进行处理，获取到该晶圆样品中外围电路区域的黑白光学图像。该晶圆检测设备再对该黑白光学图像进行分析处理，确定出该晶圆样品中外围电路区域的缺陷信息。该暗场显微镜也可以替换为其他显微镜，例如光学显微镜。
在晶圆的生产工艺中，化学气相沉淀、光学显影、化学机械研磨等都会致使晶圆表面产生缺陷，因此需要对晶圆缺陷进行扫描检测。但由于晶圆中存储电路区域和外围电路区域都存在重复图像区域，这就导致在对晶圆进行暗场扫描检测时，由于光干涉的原理，光束照射在重复图像区域时出现光波叠加的现象。这种光波叠加的现象会对晶圆表面的缺陷检测造成影响。因此，为了消除光干涉叠加的影响，往往需要人工筛选出存储电路区域和外围电路区域中的重复图像区域，并对这些重复图像区域进行傅里叶分析，从而确定出光干涉叠加出现的位置，最后根据该位置信息对干涉叠加现象进行处理后再获取晶圆缺陷检测结果。然而，外围电路区域的图形呈现无序排布，人为选择外围电路区域的重复图像区域误差较大，导致暗场扫描检测的灵敏度降低，甚至导致无法检测出对晶圆有致命影响的缺陷。
基于此，本申请提供一种提高晶圆检测灵敏度的方法、装置以及存储介质，通过对晶圆样品的外围电路区域的黑白光学图像的像素点的灰阶值进行分析，确定出外围电路区域的重复图像区域，再对这些重复图像区域进行分析后确定出晶圆样品的缺陷信息。
下面以具体地实施例对本申请的技术方案以及本申请的技术方案如何解决上述技术问题进行详细说明。下面这几个具体的实施例可以相互结合，对于相同或相似的概念或过程可能在某些实施例中不再赘述。下面将结合附图，对本申请的实施例进行描述。请参见图2，本申请实施例一提供一种提高晶圆检测灵敏度的方法，可以由图1所示的晶圆检测设备执行，该提高晶圆检测灵敏度的方法包括：
S201，获取晶圆外围电路区域的灰阶图。
该灰阶图由许多个像素点组成，每个像素点都被标记有灰阶值，每个像素点的灰阶值都由该像素点的黑白程度决定。该晶圆检测设备在获取到暗场显微镜发送的该晶圆的表面图像后，将该表面图像转换成黑白色图像，该晶圆检测设备再将该黑白色图像转换为灰阶图。
S202，将该灰阶图划分为至少一个像素区域。
在对该灰阶图进行分析时，是以像素区域为单位进行分析的，该灰阶图中包括的所有像素区域的分布应该使得该灰阶图中的所有像素点都被分析到。当灰阶图中包括多个该像素区域时，多个该像素区域的大小可以相同，也可以不相同。
在一个可选的实施例中，当该灰阶图中包括多个像素区域时，该多个像素区域之间可以存在区域重叠。如图3所示，该灰阶图包括像素区域1、像素区域2、像素区域3和像素区域4，该像素区域1、该像素区域2、该像素区域3和该像素区域4之间均存在区域叠加。在另一个可选的实施例中，当该灰阶图中包括多个像素区域时，该多个像素区域之间也可以不存在区域重叠，如图4所示，该灰阶图被划分为像素区域1、像素区域2、像素区域3和像素区域4，像素区域1、像素区域2、像素区域3和像素区域4之间相接触。
具体的，每个该像素区域的长和宽的大小可以相同，可以不相同。该像素区域的大小例如表示为m*n，m表示该像素区域的长，n表示该像素区域的宽，m和n的取值可以根据实际情况设置，m和n的取值可以相同，也可以不相同。若m＝10，n＝10，则该像素区域为10×10像素点的像素区域，一共包括100个像素点。
S203，确定每个该像素区域中的重复图像区域，该重复图像区域为N*M像素点区域，该重复图像区域中同一列的M个像素点的灰阶值相同。其中，N和M为大于0的整数。
例如图5所示为像素区域A，该像素区域A中连续3列中每列都出现了连续4个灰阶值相同的像素点，此时就确定当N＝3，M＝4时组成的N*M像素点区域为该像素区域A中的该重复图像区域。在一个可选的实施例中，N和M大于或等于3。若该灰阶图中的该像素区域以图3所示方式分布，则此时确定的该灰阶图中的多个该重复图像区域之间也可能存在重复区域，例如图3中该像素区域1包含重复图像区域a，该像素区域2包含重复图像区域b，该重复图像区域a和该重复图像区域b之间存在重复区域c。若该灰阶图中的该像素区域以图4所示方式分布，则此时确定的该灰阶图中的多个重复图像区域之间不存在重复区域。
S204，根据该灰阶图中所有的该重复图像区域，确定该晶圆外围电路区域的出现干涉叠加的位置信息。
在一个可选的实施例中，可以利用傅里叶变换对所有的重复图像区域进行分析，进而确定出该外围电路区域的出现光干涉叠加的位置信息，即该外围电路区域中干涉区所在的位置信息。在利用傅里叶分析确定干涉叠加所在的位置信息后，通过检测装置在该干涉叠加所在的位置信息对应的光路物理位置上设置遮光条，遮光条的宽度可以为1mm或者4mm，该遮光条能够有效遮挡傅里叶分析检测到的发生干涉叠加的光路，从而避免了干涉叠加现象对暗场下晶圆缺陷检测的影响。本方案能够有效提高暗场扫描检测的灵敏度以及晶圆缺陷检测效率和检测结果的准确度。
本实施例提供的提高晶圆检测灵敏度的方法可以将晶圆中的外围电路区域的灰阶图划分为至少一个像素区域，再确定每个该像素区域中的重复图像区域，该重复图像区域为N*M像素点区域，该重复图像区域中同一列的M个像素点的灰阶值相同。再对该灰阶图中所有的该重复图像区域进行傅里叶分析后确定出晶圆外围电路区域的出现光干涉叠加的位置信息。本实施例提供的方法可以更精准、更全面得确定出外围电路区域的重复图像区域，避免了人为筛选外围电路区域的重复图像区域误差较大，导致暗场扫描检测的灵敏度降低，甚至导致无法检测出对晶圆有致命影响的缺陷的问题。检测灵敏度降低的问题。本实施例提供的方法可以提高暗场扫描检测晶圆的灵敏度，可以有效检测出晶圆的缺陷，提高检测效率。
请参见图6，本申请实施例二提供一种提高晶圆检测灵敏度的方法，本实施例主要对晶圆中外围电路区域的灰阶图的获取方式进行描述，可以由图1所示的晶圆检测设备执行，该提高晶圆检测灵敏度的方法包括：
S601，获取该外围电路区域的黑白光学图像；
该黑白光学图像在转换为黑白图像之前是彩色图像，该彩色图像由暗场显微镜采集后发送给该晶圆检测设备，该晶圆检测设备可以对该彩色图像进行色彩的转变，即黑白化处理后生成该黑白光学图像。
S602，对该黑白光学图像进行灰阶转换后得到该灰阶图。
该灰阶图由被标记有灰阶值的像素点组成，该灰阶转换指的是将该黑白光学图像转换为由被标记有灰阶值的像素点组成的图像。在一个可选的实施例中，步骤S602之前，可以先调节该黑白光学图像的饱和度至预设饱和度。该预设饱和度可以由工作人员进行设置，也可以由该晶圆检测设备自动生成。将该黑白光学图像调节至该预设饱和度的目的是使该晶圆检测设备可以有效识别出该黑白光学图像的黑白程度。
S603，将该灰阶图划分为至少一个像素区域。
S604，确定每个该像素区域中的重复图像区域，该重复图像区域为N*M像素点区域，该重复图像区域中同一列的M个像素点的灰阶值相同；其中，N和M为大于0的整数。
S605，根据该灰阶图中所有的该重复图像区域，确定该晶圆外围电路区域的出现干涉叠加的位置信息。
步骤S603～步骤S605的具体实现方式可以参照实施例一中步骤S202～步骤S204的相关描述，此处不再赘述。
本实施例提供的方法可以将该黑白光学图像调节至该预设饱和度，使该晶圆检测设备可以有效识别出该黑白光学图像的黑白程度。在此基础上将该黑白光学图像进行灰阶转换后得到该灰阶图，此时该灰阶图显示的各像素点的灰阶值更加精准。
请参见图7，本申请实施例三提供一种提高晶圆检测灵敏度的方法，可以由图1所示的晶圆检测设备执行，该提高晶圆检测灵敏度的方法包括：
S701，获取该外围电路区域的黑白光学图像。
本步骤的具体实现方式参照实施例二中步骤S601的描述，此处不再赘述。
S702，根据该黑白光学图像的图像尺寸和预设像素点数量，确定该黑白光学图像中的像素点尺寸，得到灰度影像图。
该黑白光学图像的图像尺寸指的是物理尺寸，例如该黑白光学图像为直径为3厘米的正圆形图像，或者该黑白光学图像可以为长2厘米，宽1厘米的矩形图像。该预设像素点数量可以由工作人员根据实际需要进行设置，在一个可选的实施例中，该预设像素点数量需要大于4000个像素点数量。该晶圆检测设备在获知该黑白光学图像的图像尺寸和该预设像素点数量后，可以经过分析确定出该黑白光学图像中的像素点尺寸，该像素点尺寸例如0.01毫米×0.01毫米。在确定出该像素点尺寸后，可以得到该灰度影像图，换句话说，以像素点为表现形式的该黑白光学图像即该灰度影像图。
S702，确定该灰度影像图中每个像素点的灰阶值并进行标记，得到该灰阶图。
该晶圆检测设备可以根据每个像素点的平均黑白程度确定出每个像素点的灰阶值，在一个可选的实施例中，该灰阶值的取值范围在0～256。再对该灰度影响图中每个像素点的灰阶值进行标记后，便可以得到该灰阶图，再执行步骤S202至步骤S204，确定出该晶圆外围电路区域的出现干涉叠加的位置信息。
S703，将该灰阶图划分为至少一个像素区域。
S704，确定每个该像素区域中的重复图像区域，该重复图像区域为N*M像素点区域，该重复图像区域中同一列的M个像素点的灰阶值相同；其中，N和M为大于0的整数。
S705，根据该灰阶图中所有的该重复图像区域，确定该晶圆外围电路区域的出现干涉叠加的位置信息。
步骤S703～步骤S705的具体实现方式可以参照实施例一中步骤S202～步骤S204的相关描述，此处不再赘述。
请参见图8，本申请实施例四提供一种提高晶圆检测灵敏度的装置10，该提高晶圆检测灵敏度的装置10包括：
获取模块11，用于获取晶圆外围电路区域的灰阶图。
处理模块12，用于将该灰阶图划分为至少一个像素区域。
该处理模块12还用于确定每个该像素区域中的重复图像区域，该重复图像区域为N*M像素点区域，该重复图像区域中同一列的M个像素点的灰阶值相同；其中，N和M为大于0的整数。
该处理模块12还用于根据该灰阶图中所有的该重复图像区域，确定该晶圆外围电路区域的出现干涉叠加的位置信息。
该处理模块12具体用于获取该外围电路区域的黑白光学图像；对该黑白光学图像进行灰阶转换后得到该灰阶图。
该处理模块12具体用于根据该黑白光学图像的图像尺寸和预设像素点数量，确定该黑白光学图像中的像素点尺寸，得到灰度影像图；确定该灰度影像图中每个像素点的灰阶值并进行标记，得到该灰阶图。
该处理模块12还用于调节该黑白光学图像的饱和度至预设饱和度。
该提高晶圆检测灵敏度的装置10还包括显示模块13，该显示模块13用于显示该晶圆外围电路区域的出现干涉叠加的位置信息。
请参见图9，在示例性实施例中，还提供了一种晶圆检测设备20，包括存储器21，处理器22和收发器23，该存储器21用于存储指令，该收发器23用于和其他设备通信，该处理器22用于执行该存储器21中存储的指令，以使该晶圆检测设备20执行如上任一项实施例提供的该提高晶圆检测灵敏度的方法。
在示例性实施例中，还提供了一种计算机可读存储介质，该计算机可读存储介质中存储有计算机执行指令，当该指令被执行时，使得计算机执行指令被处理器执行时用于实现如上任一项实施例提供的该提高晶圆检测灵敏度的方法。
需要说明的是，上述计算机可读存储介质可以是只读存储器(Read Only Memory，ROM)、可编程只读存储器(Programmable Read-Only Memory，PROM)、可擦除可编程只读存储器(Erasable Programmable Read-Only Memory，EPROM)、电可擦除可编程只读存储器(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory，EEPROM)、磁性随机存取存储器(Ferromagnetic Random Access Memory，FRAM)、快闪存储器(Flash Memory)、磁表面存储器、光盘、或只读光盘(Compact Disc Read-Only Memory，CD-ROM)等存储器。也可以是包括上述存储器之一或任意组合的各种电子设备，如移动电话、计算机、平板设备、个人数字助理等。
需要说明的是，在本文中，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者装置不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者装置所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括该要素的过程、方法、物品或者装置中还存在另外的相同要素。
上述本申请实施例序号仅仅为了描述，不代表实施例的优劣。
通过以上的实施方式的描述，本领域的技术人员可以清楚地了解到上述实施例方法可借助软件加必需的通用硬件平台的方式来实现，当然也可以通过硬件，但很多情况下前者是更佳的实施方式。基于这样的理解，本申请的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质(如ROM/RAM、磁碟、光盘)中，包括若干指令用以使得一台终端设备(可以是手机，计算机，服务器，空调器，或者网络设备等)执行本申请各个实施例所描述的方法。
本申请是参照根据本申请实施例的方法、设备(系统)、和计算机程序产品的流程图和/或方框图来描述的。应理解可由计算机程序指令实现流程图和/或方框图中的每一流程和/或方框、以及流程图和/或方框图中的流程和/或方框的结合。可提供这些计算机程序指令到通用计算机、专用计算机、嵌入式处理机或其他可编程数据处理设备的处理器以产生一个机器，使得通过计算机或其他可编程数据处理设备的处理器执行的指令产生用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的装置。
这些计算机程序指令也可存储在能引导计算机或其他可编程数据处理设备以特定方式工作的计算机可读存储器中，使得存储在该计算机可读存储器中的指令产生包括指令装置的制造品，该指令装置实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能。
这些计算机程序指令也可装载到计算机或其他可编程数据处理设备上，使得在计算机或其他可编程设备上执行一系列操作步骤以产生计算机实现的处理，从而在计算机或其他可编程设备上执行的指令提供用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的步骤。
以上所述，仅为本申请的具体实施方式，但本申请的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本申请的保护范围之内。因此，本申请的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (12)

  1. 一种提高晶圆检测灵敏度的方法，包括：
    获取晶圆外围电路区域的灰阶图；
    将所述灰阶图划分为至少一个像素区域；
    确定每个所述像素区域中的重复图像区域，所述重复图像区域为N*M像素点区域，所述重复图像区域中同一列的M个像素点的灰阶值相同；其中，N和M为大于0的整数；
    根据所述灰阶图中所有的所述重复图像区域，确定所述晶圆外围电路区域的出现干涉叠加的位置信息。
  2. 根据权利要求1所述的方法，其中，所述获取晶圆外围电路区域的灰阶图包括：
    获取所述外围电路区域的黑白光学图像；
    对所述黑白光学图像进行灰阶转换后得到所述灰阶图。
  3. 根据权利要求2所述的方法，其中，对所述黑白光学图像进行灰阶转换后得到所述灰阶图包括：
    根据所述黑白光学图像的图像尺寸和预设像素点数量，确定所述黑白光学图像中的像素点尺寸，得到灰度影像图；
    确定所述灰度影像图中每个像素点的灰阶值并进行标记，得到所述灰阶图。
  4. 根据权利要求2所述的方法，其中，所述对所述黑白光学图像进行灰阶转换后得到所述灰阶图之前，所述方法还包括：
    调节所述黑白光学图像的饱和度至预设饱和度。
  5. 根据权利要求1所述的方法，其中，所述方法还包括：
    显示所述晶圆外围电路区域的出现干涉叠加的位置信息。
  6. 一种提高晶圆检测灵敏度的装置，包括：
    获取模块，用于获取晶圆外围电路区域的灰阶图；
    处理模块，用于将所述灰阶图划分为至少一个像素区域；
    所述处理模块还用于确定每个像素区域中的重复图像区域，所述重复图像区域为N*M像素点区域，所述重复图像区域中同一列的M个像素点的灰阶值相同；其中，N和M为大于0的整数；
    所述处理模块还用于根据所述灰阶图中所有的所述重复图像区域，确定所述晶圆外围电路区域的出现干涉叠加的位置信息。
  7. 根据权利要求6所述的装置，其中，所述处理模块具体用于：
    获取所述外围电路区域的黑白光学图像；
    对所述黑白光学图像进行灰阶转换后得到所述灰阶图。
  8. 根据权利要求7所述的装置，其中，所述处理模块具体用于：
    根据所述黑白光学图像的图像尺寸和预设像素点数量，确定所述黑白光学图像中的像素点尺寸，得到灰度影像图；
    确定所述灰度影像图中每个像素点的灰阶值并进行标记，得到所述灰阶图。
  9. 根据权利要求7所述的装置，其中，所述处理模块还用于：
    调节所述黑白光学图像的饱和度至预设饱和度。
  10. 根据权利要求6所述的装置，其中，所述提高晶圆检测灵敏度的装置还包括：
    显示模块，用于显示所述晶圆外围电路区域的出现干涉叠加的位置信息。
  11. 一种晶圆检测设备，其中，包括存储器、处理器和收发器，所述存储器用于存储指令，所述收发器用于和其他设备通信，所述处理器用于执行所述存储器中存储 的指令，使得所述晶圆检测设备执行如权利要求1所述的提高晶圆检测灵敏度的方法。
  12. 一种计算机可读存储介质，其中，所述计算机可读存储介质中存储有计算机执行指令，当所述指令被执行时，使得计算机执行如权利要求1所述的提高晶圆检测灵敏度的方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN117057371A (zh) * 2023-08-26 2023-11-14 泓浒(苏州)半导体科技有限公司 一种基于ai识别算法的自适应晶圆读码方法

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115575411A (zh) * 2022-09-28 2023-01-06 东方晶源微电子科技（北京）有限公司 晶片的缺陷检测方法、装置、设备及计算机可读存储介质

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10135287A (ja) * 1996-10-31 1998-05-22 Toshiba Corp ウエーハ検査装置および検査方法
KR20040110588A (ko) * 2003-06-19 2004-12-31 삼성전자주식회사 패턴불량 검사방법
CN101090083A (zh) * 2006-06-12 2007-12-19 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 晶片检测方法
CN109560000A (zh) * 2018-11-30 2019-04-02 上海华力微电子有限公司 一种晶圆缺陷扫描方法
CN111403310A (zh) * 2020-03-30 2020-07-10 上海华力集成电路制造有限公司 晶圆缺陷监控方法及其监控系统

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10135287A (ja) * 1996-10-31 1998-05-22 Toshiba Corp ウエーハ検査装置および検査方法
KR20040110588A (ko) * 2003-06-19 2004-12-31 삼성전자주식회사 패턴불량 검사방법
CN101090083A (zh) * 2006-06-12 2007-12-19 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 晶片检测方法
CN109560000A (zh) * 2018-11-30 2019-04-02 上海华力微电子有限公司 一种晶圆缺陷扫描方法
CN111403310A (zh) * 2020-03-30 2020-07-10 上海华力集成电路制造有限公司 晶圆缺陷监控方法及其监控系统

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN117057371A (zh) * 2023-08-26 2023-11-14 泓浒(苏州)半导体科技有限公司 一种基于ai识别算法的自适应晶圆读码方法
CN117057371B (zh) * 2023-08-26 2024-02-20 泓浒(苏州)半导体科技有限公司 一种基于ai识别算法的自适应晶圆读码方法

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