WO2022069427A1 - Optische komponente - Google Patents

Optische komponente Download PDF

Info

Publication number
WO2022069427A1
WO2022069427A1 PCT/EP2021/076562 EP2021076562W WO2022069427A1 WO 2022069427 A1 WO2022069427 A1 WO 2022069427A1 EP 2021076562 W EP2021076562 W EP 2021076562W WO 2022069427 A1 WO2022069427 A1 WO 2022069427A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
diffraction
substructures
structures
optical component
light
Prior art date
Application number
PCT/EP2021/076562
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Valentin Bolsinger
Original Assignee
Carl Zeiss Smt Gmbh
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Carl Zeiss Smt Gmbh filed Critical Carl Zeiss Smt Gmbh
Priority to JP2023519907A priority Critical patent/JP2023543613A/ja
Priority to EP21785835.6A priority patent/EP4222558A1/de
Publication of WO2022069427A1 publication Critical patent/WO2022069427A1/de
Priority to US18/187,295 priority patent/US20230221648A1/en

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems
    • G03F7/7015Details of optical elements
    • G03F7/70158Diffractive optical elements
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/7055Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
    • G03F7/70575Wavelength control, e.g. control of bandwidth, multiple wavelength, selection of wavelength or matching of optical components to wavelength
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70008Production of exposure light, i.e. light sources
    • G03F7/70033Production of exposure light, i.e. light sources by plasma extreme ultraviolet [EUV] sources
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems
    • G03F7/7015Details of optical elements
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems
    • G03F7/7015Details of optical elements
    • G03F7/70175Lamphouse reflector arrangements or collector mirrors, i.e. collecting light from solid angle upstream of the light source
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems
    • G03F7/70191Optical correction elements, filters or phase plates for controlling intensity, wavelength, polarisation, phase or the like
    • GPHYSICS
    • G21NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
    • G21KTECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
    • G21K1/00Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating
    • G21K1/06Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating using diffraction, refraction or reflection, e.g. monochromators
    • G21K1/067Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating using diffraction, refraction or reflection, e.g. monochromators using surface reflection, e.g. grazing incidence mirrors, gratings

Definitions

  • the invention relates to an optical component for use in a projection exposure system for projection lithography, having a diffraction structure for diffraction influencing a direction of emergence of light of at least one wavelength impinging on the optical component.
  • the invention also relates to such an optical component designed as an EUV collector, an illumination system with such an EUV collector, an optical system with such an illumination system, a projection exposure system with such an optical system, a method for producing a structured component using such a projection exposure system and a microstructured or nanostructured component produced with such a method.
  • Optical components of the type mentioned at the outset are known from DE 10 2019 200 698 A1, US 2020/0 225 586 A1 and DE 10 2018 218 981 A1.
  • Variants of optical security components that can be used for authentication are known from AU 2017/270 014 A1.
  • US Pat. No. 6,462,875 B1 describes designs of diffractive optical elements.
  • US 2017/0 112 376 A1 describes optical sensors with and without lenses.
  • DE 10 2016 209 359 A1 describes an EUV collector with a mirror surface with surface structures for scattering a useful EUV wavelength.
  • this object is achieved by an optical component for use in a projection exposure system for projection lithography with a diffraction structure having the features specified in claim 1 .
  • the optical component can be used in particular in EUV projection lithography.
  • the symmetry conditions of the two diffraction substructures differ if at least one of the following criteria is not met:
  • Both diffraction substructures are periodic gratings, each with exactly one grating period direction; both diffraction substructures are structures without any symmetry, for example CGH (Computer Generated Hologram) structures. Once at least one of these two criteria is met, the diffraction substructures do not have different symmetry constraints.
  • both diffraction substructures can be converted into one another by translation.
  • different production techniques can be used for the different diffraction substructures (periodic/aperiodic).
  • the rotationally symmetrical diffraction substructure can have positive diffraction structures and/or negative diffraction structures in the form of circular paths around a structure origin.
  • a rotational symmetry of the diffraction substructure can also be present if there is a multiple rotational symmetry if the positive diffraction structures and the negative diffraction structures are thus in a corresponding plurality of rotation steps in catch direction are transferred one after the other.
  • a spiral shape of the positive diffraction structures and/or the negative diffraction structures of the substructure is also possible.
  • the two diffraction substructures of the diffraction structure can in particular be designed as counter-rotating spiral track substructures.
  • Concentric, closed paths deviating from a circular path to a structure origin are also possible for the course of the positive diffraction structures and/or the negative diffraction structures, for example elliptical, square or rectangular paths.
  • the mutually different symmetry conditions of two diffraction sub-structures can also result from diffraction sub-structures which are each formed as positive diffraction structures and/or negative diffraction structures in the form of circular paths around structure origins spaced apart from one another.
  • Such a diffraction structure can be understood as a superposition of diffraction sub-structures in the form of two mutually offset circular path sub-structures.
  • a spoke structure according to claim 5 has turned out to be another possible class of diffraction substructures.
  • Structures arranged like a grid according to claim 6 have also turned out to be a possible class for the diffraction substructures.
  • the grid arrangement can be a square grid, a rectangular grid and/or a point grid.
  • a binary structure according to claim 7 leads to a good diffraction result.
  • Such a binary structure is present when a total area of the diffraction positive structures of a total area of the diffraction negative structures of the respective diffraction substructure is the same.
  • the diffraction substructure can be designed as a blazed structure.
  • a smooth, e.g. B. sinusoidal, course of cross-sectional structural transitions according to claim 8 has been found to be particularly effective for certain applications.
  • a smooth progression is present in particular when the progression of the respective cross-sectional structure transition can be continuously differentiated.
  • Such a smooth progression can lead to production-related advantages for the optical component.
  • Smooth gradient diffraction substructures have no edges in the cross-section gradient. This simplifies the application of a coating to the diffraction s structure, in particular a coating that increases the reflectivity of the optical component for useful light. Configurations of the smooth progression of the diffraction substructures are possible, in which shadowing of the useful light incident on the diffraction structure is avoided.
  • a smooth gradient e.g. B. a sinusoidal curve, a Gaussian curve or a sin 2 - course for cross-sectional structure transitions between the diffraction positive structures and diffraction negative structures of at least one of the diffraction substructures.
  • the positive diffraction structures and/or the negative diffraction structures can also have a cross-section in the form of a rectangular structure, in the form of three sides of a square structure or in the form of a triangular structure.
  • a triangular structure of the cross-section can be used to generate a blaze diffraction structure.
  • a diffraction structure with at least three diffraction substructures according to claim 9 expands the possibilities for designing the diffraction structure again.
  • the three diffraction substructures can each be designed to influence the diffraction of different light wavelengths. Structure depths can then result which correspond to a sum of two of the three target wavelengths and a sum of all three target wavelengths. It is also possible to design the three diffraction substructures to influence the diffraction of one and the same light wavelength. This leads to an improvement in the diffraction efficiency of this wavelength of light.
  • optical component come into play particularly well when designed as an EUV collector according to claim 10 .
  • the various wavelengths to be suppressed can be, for example, wavelengths in the infrared spectral range and/or wavelengths in the DUV (deep ultraviolet) spectral range and/or wavelengths in the EU V spectral range.
  • the advantages of an illumination system according to claim 11 correspond to those which have already been explained above with reference to the EUV collector according to the invention.
  • the lighting system can be designed with the EUV collector with the diffraction structure described above in such a way that the stray light is distributed homogeneously in the area of stray light removal locations and, for example, in the area of beam dumps provided for this purpose.
  • the collector sections designed as computer-generated holograms can ensure an optimal distribution function of the useful light, particularly in specific sections of an illumination beam path of the illumination system, for example in the area of a pupil plane.
  • the illumination system can be designed with a collector designed in such a way that a bundle diameter of partial illumination light bundles in a pupil plane of the illumination optics deviates so slightly from a circular shape that the bundle diameter, regardless of the direction in which this diameter is measured, is less than 20 % deviates from an average diameter, ie essentially has a circular diameter.
  • a projection exposure system according to claim 13 a manufacturing method according to claim 14 and a microstructured or nanostructured component according to claim 15 correspond to those already explained above with reference to the collector according to the invention.
  • a semiconductor component for example a memory chip, can be produced with the projection exposure apparatus.
  • FIG. 1 shows a schematic meridional section of a projection exposure system for EUV projection lithography
  • FIG. 3 shows, in a representation that is more abstract than that in FIG. 2, guidance of EUV useful light on the one hand and stray light of different wavelengths on the other during reflection/diffraction at the EUV collector;
  • FIG. 21 shows a top view of a further embodiment of a diffraction structure with three diffraction substructures, each of which has positive diffraction structures and negative diffraction structures, the arrangement of these structures of the three diffraction substructures following different symmetry conditions.
  • a reticle 7 arranged in the object field 5 is exposed.
  • the reticle 7 is held by a reticle holder 8 .
  • the reticle holder 8 can be displaced via a reticle displacement drive 9, in particular in a scanning direction.
  • the first facets 21 can be embodied as macroscopic facets, in particular as rectangular facets or as facets with an arcuate or part-circular edge contour.
  • the first facets 21 can be embodied as planar facets or alternatively as convexly or concavely curved facets.
  • the first facets 21 themselves can each also be composed of a multiplicity of individual mirrors, in particular a multiplicity of micromirrors.
  • the first facet mirror 20 can be embodied in particular as a microelectromechanical system (MEMS system). Reference is made to DE 10 2008 009 600 A1 for details.
  • MEMS system microelectromechanical system
  • the second facet mirror 22 includes a plurality of second facets 23.
  • the second facets 23 are also referred to as pupil facets.
  • the deflection mirror 19 can also be omitted, so that the illumination optics 4 can then have exactly two mirrors after the collector 17, namely the first facet mirror 20 and the second facet mirror 22.
  • the projection optics 10 has a large object-image offset in the y-direction between a y-coordinate of a center of the object field 5 and a y-coordinate of the center of the image field 11.
  • This object-image offset in the y-direction can be something like this be as large as a z-distance between the object plane 6 and the image plane 12.
  • the projection optics 10 thus leads to a reduction in the ratio 4:1 in the x-direction, that is to say in the direction perpendicular to the scanning direction.
  • the projection optics 10 can in particular have a homocentric entrance pupil. This can be accessible. It can also be inaccessible.
  • the field facet mirror 20 is arranged in the beam path of the EUV useful light 16 after the intermediate focus IF in the area of a far field of the EUV useful light 16 .
  • the stray light section 38 or 39 can extend over the entire impingement surface 40
  • the stray light section 38, 39 of the collector 17 is used as a diffraction structure for diffraction influencing a direction of emission of the illumination light 16 and/or the stray light 37, ie for the diffraction influencing a direction of emergence of light impinging on the collector 17 of at least one wavelength.
  • Exemplary embodiments of diffraction substructures from which this diffraction structure of the collector 17 is constructed are explained below with reference to FIGS. 4 et seq. Components and functions that correspond to those already described above with reference to FIGS. 1 to 3 bear the same reference numerals where appropriate and will not be discussed again in detail.
  • Fig. 4 shows a top view of the collector 17 from view IV in Fig. 2.
  • the diffraction substructure 41 can be described as a two-dimensional binary structure An (x,y).
  • a maximum depth, ie a maximum z-extension between the negative diffraction structures 43 and the positive diffraction structures 42 is X n /4c.
  • x, y are the spatial coordinates of the collector.
  • c is a location-dependent function that is a location-dependent refractive index, n (x, y), and a location-dependent angle of incidence, ⁇ i (x, y), of the light to be influenced with regard to its exit direction perpendicular to an incidence plane x, z.
  • FT Fourier transform of the phase function
  • the direction of emergence of the diffraction structure of the collector 17 that has these diffraction substructures is influenced by a plurality of light Reached wavelengths or an optionally improved suppression of incident light of a wavelength.
  • the respective diffraction substructure for example the diffraction substructure 41 according to FIG. 4, can be given in Cartesian coordinates, A n (x, y), or in polar coordinates, A n (r, cp).
  • the respective diffraction substructure A n can be periodic, ie it can have a periodically repeating sequence of positive diffraction structures and negative diffraction structures.
  • An intensity image of the diffraction substructure An in the far field, for example in the area where the field facet mirror is arranged, can have discrete intensity maxima.
  • a periodicity of the positive diffraction structures/negative diffraction structures of the respective diffraction substructure A n can satisfy a functional relationship. More generally, a structure period T can vary over the respective stray light section 38, 39 or the entire impingement surface 40. In this regard, reference is made to DE 10 2018 218 981 A1, where corresponding variations of a structure period T are described.
  • the respective diffraction substructure can also be designed to be aperiodic.
  • the respective diffraction substructure can be implemented as a binary structure.
  • an area of the positive diffraction structures, integrated over an entire area of the respective stray light section 38, 39, is just as large as an area of the negative diffraction structures arranged there.
  • the diffraction substructure can be designed as a blaze structure.
  • a height profile of the positive diffraction structures 42 and/or negative diffraction structures 43 can have a rectangular structure profile.
  • Cross-sectional structure transitions between the positive diffraction structures and the negative diffraction structures 43 of the diffraction substructure 41 are then designed to run rectangularly.
  • a triangular profile corresponding to the cross-sectional structure transitions or a sinusoidal profile corresponding to the cross-sectional structure transitions between the positive diffraction structures and the negative diffraction structures of the diffraction substructure is also possible.
  • diffraction substructures are described below with reference to FIGS. At least two of these diffraction substructures, the arrangement of which follow different symmetry conditions, can be superimposed to form an entire diffraction structure for diffraction influencing either different target wavelengths or for improved diffraction influencing one and the same target wavelength.
  • Components and functions which correspond to those which have already been explained above with reference to FIGS. 1 to 4 bear the same reference numbers and will not be discussed again in detail.
  • a direction of progression of the positive diffraction structures 42 and the negative diffraction structures 43 can also be horizontal or oblique to the x/y coordinate axes in an alternative arrangement to that in FIG. 6 .
  • Fig. 8 shows a further embodiment of a diffraction substructure 48.
  • the diffraction substructure 45 also has a second type of diffraction negative structures 43i in Form of non-continuous spokes. These spokes 431 in turn run radially to the structure origin 44 and begin at about half the radius of the entire impact surface 40.
  • the diffraction negative structures 431 extend radially outwards to the outer edge of the entire impact surface 40.
  • 9 shows a further embodiment of a diffraction substructure 49.
  • Both the positive diffraction structures 42 and the negative diffraction structures 43 are designed in the shape of a sector of a circle in relation to the structure origin 44.
  • sixteen positive diffraction structures 42 and sixteen negative diffraction structures 43 as in the embodiment according to FIG.
  • a diffraction substructure 52 shows another embodiment of a diffraction substructure 52.
  • This is designed as a computer-generated hologram (CGH) with positive diffraction structures 42 and negative diffraction structures 43, which follow an aperiodic course.
  • CGH computer-generated hologram
  • a total area of the diffraction positive structures 42 is as large as a total area of the diffraction negative structures 43, so that a binary diffraction substructure 52 results overall.
  • FIG. 13 shows a further embodiment of a diffraction substructure 53.
  • the negative diffraction structures 43 of this diffraction substructure 53 are designed as elliptical paths which run around the structure origin 44 as the centre.
  • a semi-axis of the elliptical orbits 43 can be larger in the y-direction than in the x-direction.
  • Fig. 17 shows one of the possible examples of a diffraction structure 57, as a superimposition of two diffraction sub-structures, namely the diffraction sub-structure 41 according to Fig. 4 with the spoke-shaped positive/negative structures, and the diffraction sub-structure 47 according to Fig. 7 is formed with the spoke-shaped positive/negative structures.
  • Other combinations of at least two diffraction substructures which were explained above in particular with reference to FIGS. 4 to 16, are also possible Formation of the diffraction structure is possible and will be described below with reference to FIGS. 18 to 21.
  • the two diffraction substructures can belong to different symmetry classes. Examples of such different symmetry classes are those that are used in connection with the description of crystal systems, i.e. the seven symmetry classes used there for the description (cubic, hexagonal, tetragonal, trigonal, orthorhombic, monoclinic, triclinic).
  • Fig. 18 shows another possible combination of two diffraction substructures to form a further variant of a diffraction structure 58.
  • the two diffraction substructures combined with one another are on the one hand the spoke-like diffraction substructure 49 according to Fig. 9 and on the other hand the grid-like diffraction substructure 50 according to Fig. 10. These two diffraction substructures also differ in their symmetry conditions, since none of the criteria listed above is met.

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
  • Diffracting Gratings Or Hologram Optical Elements (AREA)

Abstract

Eine optische Komponente hat eine Beugungsstruktur (7) zur Beugungs-Beeinflussung einer Ausfallsrichtung von auf die optische Komponente auftreffendem Licht mindestens einer Wellenlänge. Die Beugungsstruktur (57) ist mit mindestens zwei in zumindest einem Abschnitt der optischen Komponente einander überlagernden Beugungs-Unterstrukturen (41, 47) mit ersten Beugungspositivstrukturen (42) und ersten Beugungsnegativstrukturen (43) ausgeführt. Eine erste der Beugungs-Unterstrukturen (41) ist mit ersten Beugungspositivstrukturen (42) und ersten Beugungsnegativstrukturen (43) ausgeführt, deren Anordnung einer ersten Symmetriebedingung folgt. Eine zweite der Beugungs-Unterstrukturen (47) ist mit zweiten Beugungspositivstrukturen (42) und zweiten Beugungsnegativstrukturen (43) ausgeführt, deren Anordnung einer zweiten Symmetriebedingung folgt, die sich von der ersten Symmetriebedingung unterscheidet. Es resultiert eine optische Komponente, bei der eine Herstellung einer Beugungsstruktur mit einer Beugungswirkung für unterschiedliche Zielwellenlängen und/oder einer verbesserten Beugungswirkung für ein und dieselbe Zielwellenlänge flexibilisiert ist.

Description

Optische Komponente
Die vorliegende Patentanmeldung nimmt die Priorität der deutschen Patentanmeldung DE 10 2020 212 367.5 in Anspruch, deren Inhalt durch Bezugnahme hierin aufgenommen wird
Die Erfindung betrifft eine optische Komponente zum Einsatz in einer Projektionsbelichtungsanlage für die Projektionslithografie mit einer Beugungsstruktur zur Beugungs-Beeinflussung einer Ausfallsrichtung von auf die optische Komponente auftreffendem Licht mindestens einer Wellenlänge. Ferner betrifft die Erfindung eine derartige, als EUV-Kollektor ausgelegte optische Komponente, ein Beleuchtungs system mit einem derartigen EUV-Kollektor, ein optisches System mit einem derartigen Beleuchtungssystem, eine Projektionsbelichtungsanlage mit einem derartigen optischen System, ein Verfahren zur Herstellung eines strukturierten Bauteils unter Einsatz einer derartigen Projektionsbelichtungsanlage sowie ein mit einem derartigen Verfahren hergestellten mikro- bzw. nano strukturiertes Bauteil.
Optische Komponenten der eingangs genannten Art sind bekannt aus der DE 10 2019 200 698 Al, der US 2020/0 225 586 Al und der DE 10 2018 218 981 Al. Aus der AU 2017/270 014 Al sind Varianten optischer Sicherheitskomponenten bekannt, die zur Authentifizierung zum Einsatz kommen können. Die US 6,462,875 Bl beschreibt Ausführungen diffrakti- ver optischer Elemente. Die US 2017/0 112 376 Al beschreibt optische Sensoren mit und ohne Linsen. Die DE 10 2016 209 359 Al beschreibt einen EUV-Kollektor mit einer Spiegelfläche mit Oberflächenstrukturen zum Streuen einer EUV-Nutzwellenlänge. Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine optische Komponente der eingangs genannten Art derart weiterzubilden, dass eine Herstellung einer Beugungs Struktur mit einer Beugungs Wirkung für unterschiedliche Zielwellenlängen und/oder einer verbesserten Beugungs Wirkung für ein und dieselbe Zielwellenlänge flexibilisiert ist.
Diese Aufgabe ist erfindungsgemäß gelöst durch eine optische Komponente zum Einsatz in einer Projektionsbelichtungsanlage für die Projektionslithografie mit einer Beugungs Struktur mit den im Anspruch 1 angegebenen Merkmalen. Die optische Komponente kann insbesondere bei der EUV- Projektionslithografie zum Einsatz kommen.
Erfindungsgemäß wurde erkannt, dass es zur Ausbildung einer Beugungsstruktur mit mehr als zwei Struktumiveaus nicht zwingend erforderlich ist, Beugungs-Unterstrukturen mit gleichen Symmetriebedingungen zu überlagern. Es wurde vielmehr erkannt, dass es vorteilhaft ist, Beugungs- Unterstrukturen unterschiedlicher Symmetriebedingungen zur Ausbildung der die gewünschten Eigenschaften aufweisenden Beugungs Struktur heranzuziehen.
Die Symmetriebedingungen der beiden Beugungs-Unterstrukturen unterscheiden sich dann, wenn nicht mindestens eines der folgenden Kriterien erfüllt ist:
Beide Beugungs-Unterstrukturen sind periodische Gitter mit jeweils genau einer Gitterperioden-Laufrichtung; beide Beugungs-Unterstrukturen sind Strukturen ohne jede Symmetrie, zum Beispiel CGH (Computer Generated Hologram)- Strukturen. Sobald mindestens eines dieser beiden Kriterien erfüllt ist, haben die Beugungs-Unterstrukturen keine verschiedenen Symmetriebedingungen.
Als weiteres Kriterium für sich unterscheidende Symmetriebedingungen der beiden Beugungs-Unterstrukturen kann folgendes Kriterium gelten: beide Beugungs-Unterstrukturen lassen sich durch Translation ineinander überführen.
Soweit dieses dritte Kriterium zu berücksichtigen ist, haben die Beugungs- Unterstrukturen keine verschiedenen Symmetriebedingungen, sobald mindestens eines dieser drei Kriterien erfüllt ist.
Die Verwendung mehrerer Beugungs-Unterstrukturen unterschiedlicher Symmetriebedingen ermöglicht herstellungstechnische Vereinfachungen. Zudem lassen sich die einzelnen Beugungs-Unterstrukturen mit hoher Präzision herstellen.
Mindestens eine der Beugungs-Unterstrukturen kann eine gesamte optisch genutzte Fläche der optischen Komponente bedecken, was zu einer entsprechend starken Beugungs Wirkung führt. Auch alle Beugungs- Unterstrukturen können die gesamte optisch genutzte Fläche der optischen Komponente bedecken.
Die beiden Beugungs-Unterstrukturen können zu unterschiedlichen Symmetrieklassen gehören. Beispiele für derartige unterschiedliche Symmetrieklassen sind diejenigen, die im Zusammenhang mit der Beschreibung von Kristallsystemen zum Einsatz kommen, also die dort zur Beschreibung genutzten sieben Symmetrieklassen (kubisch, hexagonal, tetragonal, trigonal, orthorhombisch, monoklin, triklin). Eine Beugungs Struktur nach Anspruch 2 ermöglicht es beispielsweise, die Ausfallsrichtung von Falschlicht unterschiedlicher Falschlichtwellenlängen mit ein und derselben Beugungs Struktur zu beeinflussen. Alternativ ist es möglich, die Beugungs-Unterstrukturen zur Beugungs-Beeinflussung ein und derselben Lichtwellenlänge auszulegen. In diesem Fall kann eine Verbesserung einer Beugungseffizienz erreicht werden. In diesem Zusammenhang wird auf die US 2020/0 225 586 Al verwiesen.
Beispiele für Gestaltungen der individuellen Beugungs-Unterstrukturen finden sich auch in der DE 10 2019 200 698 Al.
Bei einer optischen Komponente nach Anspruch 3 lassen sich unterschiedliche Herstellungstechniken für die verschiedenen Beugungs- Unterstrukturen (periodisch/aperiodisch) nutzen. Alternativ ist es möglich, bei der Beugungs Struktur mindestens zwei periodische Beugungs- Unterstrukturen oder auch mindestens zwei aperiodische Beugungs- Unterstrukturen einzusetzen. Bei Einsatz mindestens einer periodischen Beugungs-Unterstruktur ist auch eine Variabilität einer Strukturperiode oder ein funktionaler Zusammenhang der Strukturperiodizität möglich, wie dies beschrieben ist in der DE 10 2018 218 981 Al.
Bei einer Beugungs Struktur nach Anspruch 4 kann die rotationssymmetrische Beugungs-Unterstruktur Beugungspositivstrukturen und/oder Beugungsnegativstrukturen in Form von Kreisbahnen um einen Strukturursprung aufweisen. Eine Rotations Symmetrie der Beugungs-Unterstruktur kann auch dann vorliegen, wenn eine mehrzählige Rotationssymmetrie vorliegt, wenn die Beugungspositivstrukturen und die Beugungsnegativstrukturen also bei einer entsprechenden Mehrzahl von Drehschritten in Um- fangsrichtung hintereinander überführt werden. Auch eine Spiralform der Beugungspositivstrukturen und/oder der Beugungsnegativstrukturen der Beugungs-Unterstruktur ist möglich. Die beiden Beugungs-Unterstrukturen der Beugungs Struktur können insbesondere als gegenläufige Spiralbahn- Unterstrukturen ausgeführt sein. Auch konzentrische, von einer Kreisbahn abweichende, geschlossene Bahnen zu einem Strukturursprung sind für den Verlauf der Beugungspositivstrukturen und/oder der Beugungsnegativstrukturen möglich, zum Beispiel Ellipsen-, Quadrat- oder Rechteckbahnen. Die sich voneinander unterscheidenden Symmetriebedingungen zweier Beugungs-Unterstrukturen können sich auch durch Beugungs- Unterstrukturen ergeben, die jeweils als Beugungspositivstrukturen und/oder Beugungsnegativstrukturen in Form von Kreisbahnen um voneinander beabstandete Strukturursprünge ausgebildet sind. Eine solche Beugungsstruktur kann als Überlagerung von Beugungs-Unterstrukturen in Form von zwei zueinander versetzten Kreisbahn-Unterstrukturen verstanden werden.
Eine Speichenstruktur nach Anspruch 5 hat sich als weitere mögliche Klasse von Beugungs-Unterstrukturen herausgestellt.
Rasterartig angeordnete Strukturen nach Anspruch 6 haben sich ebenfalls als mögliche Klasse für die Beugungs-Unterstrukturen herausgestellt. Bei der Rasteranordnung kann es sich um ein Quadratraster, um ein Rechteckraster und/oder um ein Punktraster handeln.
Eine binäre Struktur nach Anspruch 7 führt zu einem guten Beugungsergebnis. Eine derartige binäre Struktur liegt vor, wenn eine Gesamtfläche der Beugungspositivstrukturen einer Gesamtfläche der Beugungsnegativ- strukturen der jeweiligen Beugungs-Unterstruktur gleich ist. Die Beugungs-Unterstruktur kann als Blaze- Struktur ausgeführt sein.
Ein glatter, z. B. sinusförmiger, Verlauf von Querschnitts- Strukturübergängen nach Anspruch 8 hat sich für bestimmte Anwendungen als besonders effektiv herausgestellt. Ein glatter Verlauf liegt insbesondere dann vor, wenn der Verlauf des jeweiligen Querschnitts-Strukturübergangs stetig differenzierbar ist. Ein derartiger glatter Verlauf kann zu herstellungsbedingten Vorteilen für die optische Komponente führen. Beugungs- Unterstrukturen mit glattem Verlauf haben keine Kanten im Querschnittsverlauf. Hierdurch ist das Aufbringen einer Beschichtung auf die Beugung s Struktur, insbesondere einer die Reflektivität der optischen Komponente für Nutzlicht steigernden Beschichtung vereinfacht. Gestaltungen des glatten Verlaufs der Beugungs-Unterstrukturen sind möglich, bei denen eine Abschattung des auf die Beugungs Struktur einfallenden Nutzlichts vermieden ist. Anstelle eines glatten Verlaufs, z. B. eines sinusförmigen Verlaufs, kann auch ein Gauß verlauf oder ein sin2- Verlauf für Querschnitts-Strukturübergänge zwischen den Beugungspositivstrukturen und Beugungsnegativstrukturen mindestens einer der Beugungs- Unterstrukturen vorliegen.
Alternativ können die Beugungspositivstrukturen und/oder die Beugungsnegativstrukturen auch einen Querschnitts verlauf in Form einer Rechteckstruktur, in Form von drei Seiten einer Quadratstruktur oder in Form einer Dreieckstruktur haben. Eine Dreieckstruktur des Querschnittsverlaufes kann zur Erzeugung einer Blaze-Beugungsstruktur genutzt werden.
Eine Beugungs Struktur mit mindestens drei Beugungs-Unterstrukturen nach Anspruch 9 erweitert die Möglichkeiten zur Auslegung der Beu- gungsstruktur nochmals. Die drei Beugungs-Unterstrukturen können zur Beugungs-Beeinflussung jeweils unterschiedlicher Lichtwellenlängen ausgelegt sein. Es können sich dann Strukturtiefen ergeben, die einer Summe jeweils zweier der drei Zielwellenlängen sowie einer Summe aller drei Zielwellenlängen entsprechen. Auch eine Auslegung der drei Beugungs- Unterstrukturen zur Beugungs-Beeinflussung ein und derselben Lichtwellenlänge ist möglich. Dies führt zu einer Verbesserung der Beugungseffizienz dieser Lichtwellenlänge. Schließlich ist es bei Verwendung von drei Beugungs-Unterstrukturen möglich, eine der Beugungs-Unterstrukturen zur Beugung einer ersten Zielwellenlänge und die beiden anderen der Beugungs-Unterstrukturen zur Beugung einer zweiten Zielwellenlänge auszuführen, was angepasst an die Anforderungen, die an eine Beugungseffizienz der verschiedenen Zielwellenlängen gestellt werden, angepasst werden kann.
Die Vorteile der optischen Komponente kommen bei einer Auslegung als EUV-Kollektor nach Anspruch 10 besonders gut zum Tragen.
Mit einem so ausgelegten EUV-Kollektor können insbesondere Thermaleffekte vermieden werden, die durch Licht verschiedener Wellenlängen hervorgerufen würden, die von einer mit dem Kollektor zu bündelnden Lichtquelle ausgehen.
Bei den verschiedenen zu unterdrückenden Wellenlängen kann es sich beispielsweise um Wellenlängen im Infrarot- Spektralbereich und/oder um Wellenlängen im DUV-(deep ultravioletjSpektralbereich und/oder um Wellenlängen im EU V- Spektralbereich handeln. Die Vorteile eines Beleuchtungssystems nach Anspruch 11 entsprechen denjenigen, die vorstehend unter Bezugnahme auf den erfindungsgemäßen EUV-Kollektor bereits erläutert wurden.
Das Beleuchtungs system kann mit dem EUV-Kollektor mit der wie oben beschrieben ausgeführten Beugungs Struktur so gestaltet sein, dass eine homogene Verteilung des Falschlichtes im Bereich von Falschlicht- Abführorten und beispielsweise im Bereich von hierfür vorgesehenen Beam dumps erfolgt. Alternativ oder zusätzlich kann mit den als computergenerierten Hologrammen ausgeführten Kollektor- Abschnitten eine optimale Verteilungsfunktion des Nutzlichts insbesondere in spezifischen Abschnitten eines Beleuchtungs-Strahlengangs des Beleuchtungssystems, beispielsweise im Bereich einer Pupillenebene, gewährleistet sein.
Das Beleuchtungs system kann mit einem derart ausgeführten Kollektor gestaltet sein, dass ein Bündeldurchmesser von Beleuchtungslicht- Teilbündeln in einer Pupillenebene der Beleuchtungsoptik von einer Kreisform derart gering abweicht, dass der Bündeldurchmesser unabhängig von der Richtung, in der dieser Durchmesser gemessen wird, um weniger als 20% von einem mittleren Durchmesser abweicht, also im Wesentlichen einen kreisförmigen Durchmesser hat.
Die Vorteile eines optischen Systems nach Anspruch 12, einer Projektionsbelichtungsanlage nach Anspruch 13, eines Herstellungsverfahrens nach Anspruch 14 und eines mikro- bzw. nano strukturierten Bauteils nach Anspruch 15 entsprechen denen, die vorstehend unter Bezugnahme auf den erfindungsgemäßen Kollektor bereits erläutert wurden. Hergestellt werden kann mit der Projektionsbelichtungsanlage insbesondere ein Halbleiter-Bauteil, beispielsweise ein Speicherchip.
Nachfolgend wird anhand der Zeichnung mindestens ein Ausführungsbeispiel der Erfindung beschrieben. In der Zeichnung zeigen:
Fig. 1 schematisch im Meridionalschnitt eine Projektionsbelichtungsanlage für die EUV-Projektionslithografie;
Fig. 2 Details einer Lichtquelle der Projektionsbelichtungsanlage im Umfeld eines EUV-Kollektors zur Führung von EUV-Nutzlicht von einem Plasma-Quellbereich hin zu einem Feldfacettenspiegel einer Beleuchtungsoptik der Projektionsbelichtungsanlage, wobei der EUV-Kollektor in einem Meridionalschnitt dargestellt ist;
Fig. 3 in einer im Vergleich zu Fig. 2 abstrakteren Darstellung eine Führung einerseits von EUV-Nutzlicht und andererseits von wellenlängenverschiedenem Falschlicht bei einer Reflexion/Beugung am EUV-Kollektor;
Fig. 4 bis 14 jeweils in einer Aufsicht Ausführungsbeispiele von Beugungs-Unterstrukturen einer mindestens zwei derartige, einander überlagernde Beugungs-Unterstrukturen aufweisenden Beugungs Struktur zur Beugungs-Beeinflussung einer Ausfallsrichtung von auf eine optische Komponente, für die der EUV-Kollektor ein Beispiel ist, auftreffendem Licht mindestens einer Wellenlänge, wobei diese Ausführungsbeispiele Vertreter von Anordnungen von Beugungspositivstrukturen und Beugungsnegativstrukturen sind, die verschiedene Symmetriebedingungen aufweisen;
Fig. 15 und 16 wiederum jeweils in einer Aufsicht zwei Beispiele von Beugungs-Unterstrukturen mit Querschnitts- Strukturübergängen zwischen Beugungspositivstrukturen und Beugungsnegativstrukturen, wobei diese Querschnitts-Strukturübergänge einen sinusförmigen Verlauf haben;
Fig. 17 bis 20 wiederum jeweils in einer Aufsicht Beispiele von Beugung s Struktur en für die optische Komponente mit zwei einander überlagernden Beugungs-Unterstrukturen, die jeweils Beugungspositivstrukturen und Beugungsnegativstrukturen aufweisen, wobei die Anordnung dieser Strukturen bei den beiden Beugungs-Unterstrukturen verschiedenen Symmetriebedingungen folgt; und
Fig. 21 in einer Aufsicht eine weitere Ausführung einer Beugungsstruktur mit drei Beugungs-Unterstrukturen, die jeweils Beugungspositivstrukturen und Beugungsnegativstrukturen aufweisen, wobei die Anordnung dieser Strukturen der drei Beugungs-Unterstrukturen verschiedenen Symmetriebedingungen folgt.
Im Folgenden werden zunächst unter Bezugnahme auf die Figur 1 exemplarisch die wesentlichen Bestandteile einer Projektionsbelichtungsanlage 1 für die Mikrolithografie beschrieben. Die Beschreibung des grundsätzli- chen Aufbaus der Projektionsbelichtungsanlage 1 sowie deren Bestandteile sei hierbei nicht einschränkend verstanden.
Eine Ausführung eines Beleuchtungssystems 2 der Projektionsbelichtungsanlage 1 hat neben einer Licht- bzw. Strahlungsquelle 3 eine Beleuchtungsoptik 4 zur Beleuchtung eines Objektfeldes 5 in einer Objektebene 6. Bei einer alternativen Ausführung kann die Lichtquelle 3 auch als ein zum sonstigen Beleuchtungs system separates Modul bereitgestellt sein. In diesem Fall umfasst das Beleuchtungs system die Lichtquelle 3 nicht.
Belichtet wird ein im Objektfeld 5 angeordnetes Retikel 7. Das Retikel 7 ist von einem Retikelhalter 8 gehalten. Der Retikelhalter 8 ist über einen Reti- kelverlagerung santrieb 9 insbesondere in einer Scanrichtung verlagerbar.
In der Figur 1 ist zur Erläuterung ein kartesisches xyz-Koordinatensystem eingezeichnet. Die x-Richtung verläuft senkrecht zur Zeichenebene hinein. Die y-Richtung verläuft horizontal und die z-Richtung verläuft vertikal.
Die Scanrichtung verläuft in der Fig. 1 längs der y-Richtung. Die z- Richtung verläuft senkrecht zur Objektebene 6.
Die Projektionsbelichtungsanlage 1 umfasst eine Projektions optik 10. Die Projektionsoptik 10 dient zur Abbildung des Objektfeldes 5 in ein Bildfeld 11 in einer Bildebene 12. Die Bildebene 12 verläuft parallel zur Objektebene 6. Alternativ ist auch ein von 0° verschiedener Winkel zwischen der Objektebene 6 und der Bildebene 12 möglich.
Abgebildet wird eine Struktur auf dem Retikel 7 auf eine lichtempfindliche Schicht eines im Bereich des Bildfeldes 11 in der Bildebene 12 angeordneten Wafers 13. Der Wafer 13 wird von einem Waferhalter 14 gehalten. Der Waferhalter 14 ist über einen Waferverlagerungsantrieb 15 insbesondere längs der y-Richtung verlagerbar. Die Verlagerung einerseits des Retikels 7 über den Retikelverlagerungsantrieb 9 und andererseits des Wafers 13 über den Waferverlagerungsantrieb 15 kann synchronisiert zueinander erfolgen.
Bei der Strahlungsquelle 3 handelt es sich um eine EUV-Strahlungsquelle. Die Strahlungsquelle 3 emittiert insbesondere EUV-Strahlung 16, welche im Folgenden auch als Nutzstrahlung, Beleuchtungs Strahlung oder Beleuchtungslicht bezeichnet wird. Die Nutzstrahlung hat insbesondere eine Wellenlänge im Bereich zwischen 5 nm und 30 nm. Bei der Strahlungsquelle 3 kann es sich um eine Plasmaquelle handeln, zum Beispiel um eine LPP-Quelle (Laser Produced Plasma, mithilfe eines Lasers erzeugtes Plasma) oder um eine DPP-Quelle (Gas Discharged Produced Plasma, mittels Gasentladung erzeugtes Plasma). Es kann sich auch um eine synchrotronbasierte Strahlungsquelle handeln. Bei der Strahlungsquelle 3 kann es sich um einen Freie-Elektronen-Laser (Free-Electron-Laser, FEL) handeln.
Die Beleuchtungs Strahlung 16, die von der Strahlungsquelle 3 ausgeht, wird von einem Kollektor 17 gebündelt. Bei dem Kollektor 17 kann es sich um einen Kollektor mit einer oder mit mehreren ellipsoidalen und/oder hy- perboloiden Reflexionsflächen handeln. Die mindestens eine Reflexionsfläche des Kollektors 17 kann im streifenden Einfall (Grazing Incidence, Gl), also mit Einfallswinkeln größer als 45°, oder im normalen Einfall (Normal Incidence, NI), also mit Einfallwinkeln kleiner als 45°, mit der Beleuchtungs Strahlung 16 beaufschlagt werden. Der Kollektor 17 kann einerseits zur Optimierung seiner Reflektivität für die Nutzstrahlung und andererseits zur Unterdrückung von Falschlicht strukturiert und/oder beschichtet sein. Details hierzu werden nachfolgend anhand der Fig. 2 ff. noch erläutert. Nach dem Kollektor 17 propagiert die Beleuchtungs Strahlung 16 durch einen Zwischenfokus in einer Zwischenfokusebene 18. Die Zwischenfokusebene 18 kann eine Trennung zwischen einem Strahlungsquellenmodul, aufweisend die Strahlungsquelle 3 und den Kollektor 17, und der Beleuchtungsoptik 4 darstellen.
Die Beleuchtungsoptik 4 umfasst einen Umlenkspiegel 19 und diesem im Strahlengang nachgeordnet einen ersten Facettenspiegel 20. Bei dem Umlenkspiegel 19 kann es sich um einen planen Umlenkspiegel oder alternativ um einen Spiegel mit einer über die reine Umlenkungswirkung hinaus bündelbeeinflussenden Wirkung handeln. Alternativ oder zusätzlich kann der Umlenkspiegel 19 als Spektralfilter ausgeführt sein, der eine Nutzlichtwellenlänge der Beleuchtungs Strahlung 16 von Falschlicht einer hiervon abweichenden Wellenlänge trennt. Sofern der erste Facettenspiegel 20 in einer Ebene der Beleuchtungsoptik 4 angeordnet ist, die zur Objektebene 6 als Feldebene optisch konjugiert ist, wird dieser auch als Feldfacettenspiegel bezeichnet. Der erste Facettenspiegel 20 umfasst eine Vielzahl von einzelnen ersten Facetten 21, welche im Folgenden auch als Feldfacetten bezeichnet werden. Von diesen Facetten 21 sind in der Fig. 1 nur beispielhaft einige dargestellt.
Die ersten Facetten 21 können als makroskopische Facetten ausgeführt sein, insbesondere als rechteckige Facetten oder als Facetten mit bogenförmiger oder teilkreisförmiger Randkontur. Die ersten Facetten 21 können als plane Facetten oder alternativ als konvex oder konkav gekrümmte Facetten ausgeführt sein. Wie beispielsweise aus der DE 10 2008 009 600 Al bekannt ist, können die ersten Facetten 21 selbst jeweils auch aus einer Vielzahl von Einzelspiegeln, insbesondere einer Vielzahl von Mikrospiegeln, zusammengesetzt sein. Der erste Facettenspiegel 20 kann insbesondere als mikroelektromechanisches System (MEMS-System) ausgebildet sein. Für Details wird auf die DE 10 2008 009 600 Al verwiesen.
Zwischen dem Kollektor 17 und dem Umlenkspiegel 19 verläuft die Beleuchtung s Strahlung 16 horizontal, also längs der y-Richtung.
Im Strahlengang der Beleuchtungsoptik 4 ist dem ersten Facettenspiegel 20 nachgeordnet ein zweiter Facettenspiegel 22. Sofern der zweite Facettenspiegel 22 in einer Pupillenebene der Beleuchtungs optik 4 angeordnet ist, wird dieser auch als Pupillenfacettenspiegel bezeichnet. Der zweite Facettenspiegel 22 kann auch beabstandet zu einer Pupillenebene der Beleuchtungsoptik 4 angeordnet sein. In diesem Fall wird die Kombination aus dem ersten Facettenspiegel 20 und dem zweiten Facettenspiegel 22 auch als spekularer Reflektor bezeichnet. Spekulare Reflektoren sind bekannt aus der US 2006/0132747 Al, der EP 1 614 008 Bl und der US 6,573,978.
Der zweite Facettenspiegel 22 umfasst eine Mehrzahl von zweiten Facetten 23. Die zweiten Facetten 23 werden im Falle eines Pupillenfacettenspiegels auch als Pupillenfacetten bezeichnet.
Bei den zweiten Facetten 23 kann es sich ebenfalls um makroskopische Facetten, die beispielsweise rund, rechteckig oder auch hexagonal berandet sein können, oder alternativ um aus Mikrospiegeln zusammengesetzte Facetten handeln. Diesbezüglich wird ebenfalls auf die DE 10 2008 009 600 Al verwiesen. Die zweiten Facetten 23 können plane oder alternativ konvex oder konkav gekrümmte Reflexionsflächen aufweisen.
Die Beleuchtungsoptik 4 bildet somit ein doppelt facettiertes System. Dieses grundlegende Prinzip wird auch als Wabenkondensor (Fly‘s Eye Integrator) bezeichnet.
Es kann vorteilhaft sein, den zweiten Facettenspiegel 22 nicht exakt in einer Ebene, welche zu einer Pupillenebene der Projektionsoptik 10 optisch konjugiert ist, anzuordnen.
Mit Hilfe des zweiten Facettenspiegels 22 werden die einzelnen ersten Facetten 21 in das Objektfeld 5 abgebildet. Der zweite Facettenspiegel 22 ist der letzte bündelformende oder auch tatsächlich der letzte Spiegel für die Beleuchtungs Strahlung 16 im Strahlengang vor dem Objektfeld 5.
Bei einer weiteren, nicht dargestellten Ausführung der Beleuchtungs optik 4 kann im Strahlengang zwischen dem zweiten Facettenspiegel 22 und dem Objektfeld 5 eine Übertragungsoptik angeordnet sein, die insbesondere zur Abbildung der ersten Facetten 21 in das Objektfeld 5 beiträgt. Die Übertragungsoptik kann genau einen Spiegel, alternativ aber auch zwei oder mehr Spiegel aufweisen, welche hintereinander im Strahlengang der Beleuchtungsoptik 4 angeordnet sind. Die Übertragungsoptik kann insbesondere einen oder zwei Spiegel für senkrechten Einfall (NI- Spiegel, Normal Incidence Spiegel) und/oder einen oder zwei Spiegel für streifenden Einfall (Gl-Spiegel, Grazing Incidence Spiegel) umfassen. Die Beleuchtungsoptik 4 hat bei der Ausführung, die in der Fig. 1 gezeigt ist, nach dem Kollektor 17 genau drei Spiegel, nämlich den Umlenkspiegel 19, den Feldfacettenspiegel 20 und den Pupillenfacettenspiegel 22.
Bei einer weiteren Ausführung der Beleuchtungs optik 4 kann der Umlenkspiegel 19 auch entfallen, so dass die Beleuchtungsoptik 4 nach dem Kollektor 17 dann genau zwei Spiegel aufweisen kann, nämlich den ersten Facettenspiegel 20 und den zweiten Facettenspiegel 22.
Die Abbildung der ersten Facetten 21 mittels der zweiten Facetten 23 beziehungsweise mit den zweiten Facetten 23 und einer Übertragungsoptik in die Objektebene 6 ist regelmäßig nur eine näherungsweise Abbildung.
Die Projektionsoptik 10 umfasst eine Mehrzahl von Spiegeln Mi, welche gemäß ihrer Anordnung im Strahlengang der Projektionsbelichtungsanlage 1 durchnummeriert sind.
Bei dem in der Figur 1 dargestellten Beispiel umfasst die Projektionsoptik 10 sechs Spiegel Ml bis M6. Alternativen mit vier, acht, zehn, zwölf oder einer anderen Anzahl an Spiegeln Mi sind ebenso möglich. Der vorletzte Spiegel M5 und der letzte Spiegel M6 haben jeweils eine Durchtrittsöffnung für die Beleuchtungs Strahlung 16. Bei der Projektionsoptik 10 handelt es sich um eine doppelt obskurierte Optik. Die Projektionsoptik 10 hat eine bildseitige numerische Apertur, die größer ist als 0,5 und die auch größer sein kann als 0,6 und die beispielsweise 0,7 oder 0,75 betragen kann.
Reflexionsflächen der Spiegel Mi können als Freiformflächen ohne Rotationssymmetrieachse ausgeführt sein. Alternativ können die Reflexionsflächen der Spiegel Mi als asphärische Flächen mit genau einer Rotations- symmetrieachse der Reflexionsflächenform gestaltet sein. Die Spiegel Mi können, genauso wie die Spiegel der Beleuchtungsoptik 4, hoch reflektierende Beschichtungen für die Beleuchtungs Strahlung 16 aufweisen. Diese Beschichtungen können als Multilayer-Beschichtungen, insbesondere mit alternierenden Lagen aus Molybdän und Silizium, gestaltet sein.
Die Projektionsoptik 10 hat einen großen Objekt-Bildversatz in der y- Richtung zwischen einer y-Koordinate eines Zentrums des Objektfeldes 5 und einer y-Koordinate des Zentrums des Bildfeldes 11. Dieser Objekt- Bild- Versatz in der y-Richtung kann in etwa so groß sein wie ein z- Abstand zwischen der Objektebene 6 und der Bildebene 12.
Die Projektionsoptik 10 kann insbesondere anamorphotisch ausgebildet sein. Sie weist insbesondere unterschiedliche Abbildungsmaßstäbe ßx, ßy in x- und y-Richtung auf. Die beiden Abbildungsmaßstäbe ßx, ßy der Projektionsoptik 7 liegen bevorzugt bei (ßx, ßy) = (+/- 0,25, /+- 0,125). Ein positiver Abbildungsmaßstab ß bedeutet eine Abbildung ohne Bildumkehr. Ein negatives Vorzeichen für den Abbildungsmaßstab ß bedeutet eine Abbildung mit Bildumkehr.
Die Projektionsoptik 10 führt somit in x-Richtung, das heißt in Richtung senkrecht zur Scanrichtung, zu einer Verkleinerung im Verhältnis 4: 1.
Die Projektionsoptik 10 führt in y-Richtung, das heißt in Scanrichtung, zu einer Verkleinerung von 8: 1.
Andere Abbildungsmaßstäbe sind ebenso möglich. Auch vorzeichengleiche und absolut gleiche Abbildungsmaßstäbe in x- und y-Richtung, zum Beispiel mit Absolutwerten von 0, 125 oder von 0,25, sind möglich. Die Anzahl von Zwischenbildebenen in der x- und in der y-Richtung im Strahlengang zwischen dem Objektfeld 5 und dem Bildfeld 11 kann gleich sein oder kann, je nach Ausführung der Projektionsoptik 10, unterschiedlich sein. Beispiele für Projektionsoptiken mit unterschiedlichen Anzahlen derartiger Zwischenbilder in x- und y-Richtung sind bekannt aus der US 2018/0074303 Al.
Jeweils eine der Pupillenfacetten 23 ist genau einer der Feldfacetten 21 zur Ausbildung jeweils eines Beleuchtungskanals zur Ausleuchtung des Objektfeldes 5 zugeordnet. Es kann sich hierdurch insbesondere eine Beleuchtung nach dem Köhlerschen Prinzip ergeben. Das Femfeld wird mit Hilfe der Feldfacetten 21 in eine Vielzahl an Objektfeldern 5 zerlegt. Die Feldfacetten 21 erzeugen eine Mehrzahl von Bildern des Zwischenfokus auf den diesen jeweils zugeordneten Pupillenfacetten 23.
Die Feldfacetten 21 werden jeweils von einer zugeordneten Pupillenfacette 23 einander überlagernd zur Ausleuchtung des Objektfeldes 5 auf das Reti- kel 7 abgebildet. Die Ausleuchtung des Objektfeldes 5 ist insbesondere möglichst homogen. Sie weist vorzugsweise einen Uniformitätsfehler von weniger als 2 % auf. Die Felduniformität kann über die Überlagerung unterschiedlicher Beleuchtungskanäle erreicht werden.
Durch eine Anordnung der Pupillenfacetten kann geometrisch die Ausleuchtung der Eintrittspupille der Projektionsoptik 10 definiert werden. Durch Auswahl der Beleuchtungskanäle, insbesondere der Teilmenge der Pupillenfacetten, die Licht führen, kann die Intensitätsverteilung in der Eintrittspupille der Projektionsoptik 10 eingestellt werden. Diese Intensitätsverteilung wird auch als Beleuchtungs setting bezeichnet. Eine ebenfalls bevorzugte Pupillenuniformität im Bereich definiert ausgeleuchteter Abschnitte einer Beleuchtungspupille der Beleuchtungsoptik 4 kann durch eine Umverteilung der Beleuchtungskanäle erreicht werden.
Im Folgenden werden weitere Aspekte und Details der Ausleuchtung des Objektfeldes 5 sowie insbesondere der Eintrittspupille der Projektionsoptik 10 beschrieben.
Die Projektionsoptik 10 kann insbesondere eine homozentrische Eintrittspupille aufweisen. Diese kann zugänglich sein. Sie kann auch unzugänglich sein.
Die Eintrittspupille der Projektionsoptik 10 lässt sich regelmäßig mit dem Pupillenfacettenspiegel 22 nicht exakt ausleuchten. Bei einer Abbildung der Projektionsoptik 10, welche das Zentrum des Pupillenfacettenspiegels 22 telezentrisch auf den Wafer 13 abbildet, schneiden sich die Aperturstrahlen oftmals nicht in einem einzigen Punkt. Es lässt sich jedoch eine Fläche finden, in welcher der paarweise bestimmte Abstand der Aperturstrahlen minimal wird. Diese Fläche stellt die Eintrittspupille oder eine zu ihr konjugierte Fläche im Ortsraum dar. Insbesondere zeigt diese Fläche eine endliche Krümmung.
Es kann sein, dass die Projektions optik 10 unterschiedliche Lagen der Eintrittspupille für den tangentialen und für den sagittalen Strahlengang aufweist. In diesem Fall sollte ein abbildendes Element, insbesondere ein optisches Bauelement der Übertragungsoptik, zwischen dem zweiten Facettenspiegel 22 und dem Retikel 7 bereitgestellt werden. Mit Hilfe dieses opti- schen Elements kann die unterschiedliche Lage der tangentialen Eintrittspupille und der sagittalen Eintrittspupille berücksichtigt werden.
Bei der in der Figur 1 dargestellten Anordnung der Komponenten der Beleuchtungsoptik 4 ist der Pupillenfacettenspiegel 22 in einer zur Eintrittspupille der Projektionsoptik 10 konjugierten Fläche angeordnet. Der Feldfacettenspiegel 20 ist verkippt zur Objektebene 5 angeordnet. Der erste Facettenspiegel 20 ist verkippt zu einer Anordnungsebene angeordnet, die vom Umlenkspiegel 19 definiert ist.
Der erste Facettenspiegel 20 ist verkippt zu einer Anordnungsebene angeordnet, die vom zweiten Facettenspiegel 22 definiert ist.
Fig. 2 zeigt Details der Lichtquelle 3. Komponenten und Funktionen, die denjenigen entsprechen, die vorstehend unter Bezugnahme auf die Fig. 1 bereits erläutert wurden, tragen die gleichen Bezugsziffem und werden nicht nochmals im Einzelnen diskutiert.
Bei der Lichtquelle 3 handelt es sich um eine LPP-Quelle (laser produced plasma, lasererzeugtes Plasma). Zur Plasmaerzeugung werden Zinn- Tröpfchen 24 von einem Zinn-Tröpfchengenerator 25 als kontinuierliche Tröpfchenabfolge erzeugt. Eine Flugbahn der Zinn-Tröpfchen 24 verläuft quer zu einer Hauptstrahlrichtung 26 des EUV-Nutzlichts 16. Die Zinn- Tröpfchen 24 fliegen dabei frei zwischen dem Zinn-Tröpfchengenerator 25 und einem Zinn-Fänger 27, wobei sie einen Plasma-Quellbereich 28 durchtreten. Vom Plasma-Quellbereich 28 wird das EUV-Nutzlicht 16 emittiert. Im Plasma-Quellbereich 28 wird das dort ankommende Zinn-Tröpfchen 24 mit Pumplicht 29 einer Pumplichtquelle 30 beaufschlagt. Bei der Pumplichtquelle 30 kann es sich um eine Infrafrot-Laserquelle in Form bei- spielsweise eines CCL-Lasers handeln. Auch eine andere IR-Laserquelle ist möglich, insbesondere ein Festkörperlaser, beispielsweise ein Nd:YAG- Laser.
Das Pumplicht 29 wird über einen Spiegel 31, bei dem es sich um einen geregelt verkippbaren Spiegel handeln kann, und über eine Fokussierlinse 32 in den Plasma-Quellbereich 28 überführt. Durch die Pumplichtbeaufschlagung wird aus dem im Plasma-Quellbereich 28 ankommenden Zinn- Tröpfchen 24 ein das EUV-Nutzlicht 16 emittierendes Plasma erzeugt. Ein Strahlengang des EUV-Nutzlichts 16 ist in der Fig. 2 zwischen dem Plasma-Quellbereich 28 und dem in der Fig. 2 hinsichtlich Lage und Anordnung nur angedeuteten Feldfacettenspiegel 20 dargestellt, soweit das EUV- Nutzlicht 16 vom Kollektorspiegel 17 reflektiert wird, der auch als EUV- Kollektor 17 bezeichnet ist. Der EUV-Kollektor 17 hat eine zentrale Durchtrittsöffnung 33 für das über die Fokussierlinse 32 hin zum Plasma- Quellbereich 28 fokussierte Pumplicht 29. Der Kollektor 17 ist als Ellip- soidspiegel ausgeführt und überführt das vom Plasma-Quellbereich 28, der in einem Ellipsoidbrennpunkt angeordnet ist, emittierte EUV-Nutzlicht 16 in einen Zwischenfokus IF des EUV-Nutzlichts 16, der in der Zwischenfokusebene 18 im anderen Ellipsoidbrennpunkt des Kollektors 17 angeordnet ist.
Der Feldfacettenspiegel 20 ist im Strahlengang des EUV-Nutzlichts 16 nach dem Zwischenfokus IF im Bereich eines Femfeldes des EUV- Nutzlichts 16 angeordnet.
Der EUV-Kollektor 17 und weitere Komponenten der Lichtquelle 3, bei denen es sich um den Zinn-Tröpfchengenerator 25, den Zinn-Fänger 27 und um die Fokussierlinse 32 handeln kann, sind in einem Vakuumgehäuse 34 angeordnet. Im Bereich des Zwischenfokus IF hat das Vakuumgehäuse 34 eine Durchtrittsöffnung 35. Im Bereich eines Eintritts des Pumplichts 29 in das Vakuumgehäuse 34 hat letzteres ein Pumplicht-Eintrittsfenster 36.
Fig. 3 zeigt stark abstrakt eine Führung einerseits von EUV-Nutzlicht, also dem Beleuchtungslicht 16 und andererseits von Falschlicht 37, insbesondere von längerwelliger Strahlung, beispielsweise IR-Strahlung, zwischen dem Plasma-Quellbereich 28 der Lichtquelle 3 und der Zwischenfokusebene 18, in der der Zwischenfokus IF angeordnet ist. Gleichzeitig zeigt die Fig. 3 eine Variante einer seitlichen Führung des Pumplichts 29 hin zum Plasma-Quellbereich 28, also eine Führung, bei der es einer Durchtrittsöffnung nach Art der Durchtrittsöffnung 33 im EUV-Kollektor 17 nicht bedarf. Sowohl das Nutzlicht 3 als auch das Falschlicht 37 gehen vom Plasma-Quellbereich 28 aus. Sowohl das Nutzlicht 3 als auch das Falschlicht 37 treffen auf Falschlicht- Abschnitte 38, 39 einer gesamten Beaufschlagungsfläche 40 des EUV-Kollektors 17. Die Falschlicht- Abschnitte/Falschlicht-Zusatz-Abschnitte 38, 39 dienen jeweils zum Abführen der Falschlicht-Strahlung 37. Die Beaufschlagungsfläche 40 kann genau einen Falschlicht- Abschnitt 31 aufweisen. Die Beaufschlagungsfläche 40 kann genau einen Falschlicht-Zusatz- Abschnitt 38, 39 aufweisen.
Der Falschlicht- Abschnitt 38 bzw. 39 kann sich über die gesamte Beaufschlagungsfläche 40 erstrecken
Der Falschlicht- Abschnitt 38, 39 ist zum Abführen der Falschlicht- Strahlung 37 durch Beugung ausgeführt.
Hierzu ist der Falschlicht- Abschnitt 38, 39 des Kollektors 17 als Beugungsstruktur zur Beugungs-Beeinflussung einer Ausfallsrichtung des Be- leuchtungslichts 16 und/oder des Falschlichts 37, also zur Beugungs- Beeinflussung einer Ausfallsrichtung von auf den Kollektor 17 auftreffendem Licht mindestens einer Wellenlänge ausgeführt. Ausführungsbeispiele von Beugungs-Unterstrukturen, aus denen diese Beugungs Struktur des Kollektors 17 aufgebaut ist, werden nachfolgend anhand der Fig. 4 ff. erläutert. Komponenten und Funktionen, die denjenigen entsprechen, die vorstehend unter Bezugnahme auf die Fig. 1 bis 3 bereits beschrieben wurden, tragen gegebenenfalls die gleichen Bezugsziffem und werden nicht nochmals im Einzelnen diskutiert.
Fig. 4 zeigt eine Aufsicht auf den Kollektor 17 aus Blickrichtung IV in Fig. 2.
Die gesamte Beaufschlagungsfläche 40 des Kollektors 17 ist als Falschlicht-Abschnitt ausgeführt. Eine Beugungs-Unterstruktur 41 auf der gesamten Beaufschlagungsfläche 40 hat Beugungspositivstrukturen 42 und schraffiert dargestellte Beugungsnegativstrukturen 43. Die Beugungs- Unterstruktur 41 ist in Form einer Spiralbahn um einen Strukturursprung 44 gestaltet, der bei der Ausführung des Kollektors 17 mit der Durchtrittsöffnung 33 zentral in dieser liegt. Eine Steigung der Wendeln der Spiralbahn der Beugungs-Unterstruktur 41 kann so groß sein, dass zwischen einer inneren Berandung der Beaufschlagungsfläche 40, die gleichzeitig die Außenberandung der Durchtrittsöffnung 33 darstellt, und einer Außenberandung der Beaufschlagungsfläche 40 zwischen 5 und mehreren Tausend derartiger Einzelbahnen, also in radialer Richtung aufeinanderfolgender Beugungspositivstrukturen 42 und Beugungsnegativstrukturen 43 vorliegen. Insgesamt können für die jeweilige Beugungs-Unterstruktur 41 zwischen einer und 100.000 Einzelbahnen, beispielsweise zwischen 100 und 30.000 Einzelbahnen vorliegen. Die Beugungs-Unterstruktur 41 kann als zweidimensionale, binäre Struktur An (x, y) beschrieben werden. Eine maximale Tiefe, also eine maximale z- Erstreckung zwischen den Beugungsnegativstrukturen 43 und den Beugungspositivstrukturen 42 ist Xn/4c.
Xn (n = 1,...N) ist die oder eine der zu unterdrückenden Wellenlängen des Falschlichts 37. x, y sind die Ortskoordinaten des Kollektors. c ist eine ortsabhängige Funktion, die einen ortsabhängigen Brechungsindex, n (x, y), sowie einen ortsabhängigen Einfallswinkel, 0i (x, y), des hinsichtlich seiner Ausfallsrichtung zu beeinflussenden Lichts senkrecht zu einer Einfallsebene x, z ist.
Figure imgf000026_0001
Die Beugungs-Unterstruktur 41 erzeugt im Femfeld, also beispielsweise in der Zwischenfokusebene 18 im Abstand D zur Beaufschlagungsfläche 40, für eine beliebige Wellenlänge X folgendes Intensitätsbild I (X, k):
Figure imgf000026_0002
k ist hierbei der Wellenvektor des einfallenden Lichts; r ist der Ortvektor r = (x,y)T. „T“ bezeichnet hierbei, dass es sich bei dem Vektor um einen transponierten Vektor handelt, damit auch hier eine Zei- len-Schreibweise möglich ist. FT: Fouriertransformierte der Phasenfunktion
Figure imgf000027_0001
Durch Überlagerung mindestens zweier Beugungs-Unterstrukturen nach Art der Beugungs-Unterstruktur 41, insbesondere durch Überlagerung von Beugungs-Unterstrukturen, deren Strukturanordnungen unterschiedlichen Symmetriebeziehungen folgen, wird eine Ausfallsrichtungs-Beeinflussung von auf die diese Beugungs-Unterstrukturen aufweisende Beugungs Struktur des Kollektors 17 auftreffendem Licht mehrerer Wellenlängen bzw. eine gegebenenfalls verbesserte Unterdrückung von auftreffendem Licht einer Wellenlänge erreicht. Allgemein kann die Überlagerung A (x, y) einer Anzahl N derartiger Strukturen An (x, y) (n = 1,. . ,N) geschrieben werden als:
Figure imgf000027_0002
Für die Intensitätsverteilung im Femfeld für die sich durch die Überlagerung ergebende Beugungs Struktur folgt dann:
Figure imgf000027_0003
wobei * einen Faltungsoperator bezeichnet. Die jeweilige Beugungs-Unterstruktur, beispielsweise die Beugungs- Unterstruktur 41 nach Fig. 4 kann in kartesischen Koordinaten, An (x, y), oder in Polarkoordinaten, An (r, cp), gegeben sein.
Die jeweilige Beugungs-Unterstruktur An kann periodisch sein, kann also eine sich periodisch wiederholende Abfolge von Beugungspositivstrukturen und Beugungsnegativstrukturen aufweisen. Ein Intensitätsbild der Beugungs-Unterstruktur An im Femfeld, beispielsweise im Anordnungsbereich des Feldfacettenspiegels, kann diskrete Intensitätsmaxima aufweisen.
Eine Periodizität der Beugungspositivstrukturen/ Beugungsnegativstrukturen der jeweiligen Beugungs-Unterstruktur An kann einem funktionalen Zusammenhang genügen. Allgemeiner kann eine Strukturperiode T über den jeweiligen Falschlicht- Abschnitt 38, 39 bzw. die gesamte Beaufschlagungsfläche 40 variieren. Hierzu wird auf die DE 10 2018 218 981 A1 verwiesen, wo entsprechende Variationen einer Strukturperiode T beschrieben sind.
Die jeweilige Beugungs-Unterstruktur kann auch aperiodisch ausgeführt sein.
Die jeweilige Beugungs-Unterstruktur kann, wie beim Beispiel der Beugungs-Unterstruktur 41 nach Fig. 4, als binäre Struktur ausgeführt sein. Bei einer derartigen binären Struktur ist eine Fläche der Beugungspositivstrukturen, integriert über eine gesamte Fläche des jeweiligen Falschlicht- Abschnitts 38, 39 genauso groß wie eine Fläche der dort angeordneten Beugungsnegativstrukturen. Alternativ oder zusätzlich kann die Beugungs- Unterstruktur als Blaze-Struktur ausgeführt sein. Ein Höhenprofil der Beugungspositivstrukturen 42 und/oder Beugungsnegativstrukturen 43 kann einen Rechteckstruktur- Verlauf haben. Querschnitts-Strukturübergänge zwischen den Beugungspositivstrukturen und den Beugungsnegativstrukturen 43 der Beugung-Unterstruktur 41, beispielsweise gesehen in einem Radial-Querschnitt, ausgehend vom Strukturursprung 44, sind dann rechteckig verlaufend ausgeführt. Alternativ ist auch ein dreieckiger Verlauf entsprechend der Querschnitts- Strukturübergänge oder auch ein sinusförmiger Verlauf entsprechend der Querschnitts-Strukturübergänge zwischen den Beugungspositivstrukturen und den Beugungsnegativstrukturen der Beugungs-Unterstruktur möglich.
Anhand der Fig. 5 bis 16 werden nachfolgend weitere Varianten von Beugungs-Unterstrukturen beschrieben. Jeweils mindestens zwei dieser Beugungs-Unterstrukturen, deren Anordnung verschiedenen Symmetriebedingungen folgen, können, einander überlagernd eine gesamte Beugungs Struktur zur Beugungs-Beeinflussung entweder verschiedener Zielwellenlängen oder zur verbesserten Beugungs-Beeinflussung ein und derselben Zielwellenlänge bilden. Komponenten und Funktionen, die denjenigen entsprechen, die vorstehend unter Bezugnahme auf die Fig. 1 bis 4 bereits erläutert wurden, tragen die gleichen Bezugsziffern und werden nicht nochmals im Einzelnen diskutiert.
Eine Beugungs-Unterstruktur 45 nach Fig. 5 weist Beugungspositivstrukturen 42 und Beugungsnegativstrukturen 43 auf, die auf der gesamten Beaufschlagungsfläche 40 in Form von um den Strukturursprung 44 konzentrischen Kreisbahnen angeordnet sind. Eine Tiefe der Beugungsnegativstrukturen 43, gemessen von einem Niveau der Beugungspositivstrukturen aus, beträgt Xi/4c, wobei Xi die Zielwellenlänge ist und c wie oben definiert ist. Fig. 6 zeigt eine weitere Variante einer Beugungs-Unterstruktur 46 in Form von senkrecht, also längs der y-Richtung, verlaufenden Beugungspositivstrukturen 42, zwischen denen ebenfalls senkrecht verlaufende Beugungsnegativstrukturen 43 verlaufen.
Eine Verlaufsrichtung der Beugungspositivstrukturen 42 und der Beugungsnegativstrukturen 43 kann bei einer zur Fig. 6 alternativen Anordnung auch horizontal oder schräg zu den x-/y-Koordinatenachsen sein.
Fig. 7 zeigt eine weitere Variante einer Beugungs-Unterstruktur 47. Die Beugungsnegativstrukturen 43 sind in Form radial zu dem Strukturursprung 44 verlaufender Speichen ausgeführt, zwischen denen die kreissektorförmigen Beugungspositivstrukturen 42 verlaufen. Die Anzahl der Beugung snegativstrukturen 43 kann im Bereich zwischen 4 und 30.000, z. B. im Bereich zwischen 10 und 10.000 oder im Bereich zwischen 100 und 5.000 liegen.
Bei der Ausführung nach Fig. 7 liegen genau sechzehn Beugungsnegativstrukturen 43 vor.
Fig. 8 zeigt eine weitere Ausführung einer Beugungs-Unterstruktur 48. Zusätzlich zu den radial durchgehenden Beugungsnegativstrukturen 43, die wie bei der Beugungs-Unterstruktur 47 nach Fig. 7 angeordnet sind, hat die Beugungs-Unterstruktur 45 noch einen zweiten Typ von Beugungsnegativstrukturen 43i in Form von nicht durchgehend verlaufenden Speichen. Diese Speichen 431 verlaufen wiederum radial zum Strukturursprung 44 und beginnen etwas beim halben Radius der gesamten Beaufschlagungsfläche 40. Die Beugungsnegativstrukturen 431 erstrecken sich radial nach außen bis zum äußeren Rand der gesamten Beaufschlagungsfläche 40. Fig. 9 zeigt eine weitere Ausführung einer Beugungs-Unterstruktur 49. Hierbei sind sowohl die Beugungspositivstrukturen 42 als auch die Beugungsnegativstrukturen 43 kreissektorförmig bezogen auf den Strukturursprung 44 gestaltet. Auch hier liegen wieder sechzehn Beugungspositivstrukturen 42 und sechzehn Beugungsnegativstrukturen 43 wie bei der Ausführung nach Fig. 7 vor.
Fig. 10 zeigt eine weitere Ausführung einer Beugungs-Unterstruktur 50. Die Beugungspositivstrukturen 42 und die Beugungsnegativstrukturen 43 der Beugungs-Unterstruktur 50 sind rasterartig nach Art eines regelmäßigen Quadratrasters angeordnet. Die Abfolge der Beugungspositivstrukturen 42 und der Beugungsnegativstrukturen 43 ist bei der Beugungs- Unterstruktur 50 wie diejenige der weißen und schwarzen Felder eines Schachbretts. Eine Strukturperiode einer Abfolge der Beugungspositivstrukturen 42 und der Beugungsnegativstrukturen 43 kann bei der Beugungs-Unterstruktur 50 in etwa so groß sein wie eine in radialer Richtung gemessene Strukturperiode der Beugungs-Unterstrukturen 41, 45 nach den Fig. 4 und 5 oder wie eine in horizontaler (x-Richtung) Richtung gemessene Strukturperiode der Beugungs-Unterstruktur 46 nach Fig. 6 oder wie eine in Umfangsrichtung um den Strukturursprung 44 gemessene Strukturperiode der Beugungs-Unterstrukturen 47 bis 49 nach Fig. 7 bis 9.
Fig. 11 zeigt eine weitere Ausführung einer Beugungs-Unterstruktur 51. Die Beugungsnegativstrukturen 43 sind als kartesisches Punktraster angeordnet. Zwischen den punktförmigen Beugungsnegativstrukturen 43 ergeben sich dann die Beugungspositivstrukturen 42. Für einen typischen Abstand der Beugungsnegativstrukturen 43 der Beugungs-Unterstruktur 51 nach Fig. 11 gilt, was vorstehend insbesondere zur Strukturperiode der Beugungs-Unterstruktur 50 nach Fig. 10 ausgeführt wurde.
Fig. 12 zeigt eine weitere Ausführung einer Beugungs-Unterstruktur 52. Diese ist als computergeneriertes Hologramm (CGH) mit Beugungspositivstrukturen 42 und Beugungsnegativstrukturen 43 ausgeführt, die einem aperiodischen Verlauf folgen. Eine Gesamtfläche der Beugungspositivstrukturen 42 ist bei der Beugungs-Unterstruktur 52 so groß wie eine Gesamtfläche der Beugungsnegativstrukturen 43, so dass sich insgesamt eine binäre Beugungs-Unterstruktur 52 ergibt.
Fig. 13 zeigt eine weitere Ausführung einer Beugungs-Unterstruktur 53. Die Beugungsnegativstrukturen 43 dieser Beugungs-Unterstruktur 53 sind als Ellipsenbahnen ausgeführt, die um den Strukturursprung 44 als Zentrum verlaufen. Eine Halbachse der Ellipsenbahnen 43 kann in der y- Richtung größer sein als in der x-Richtung.
Für eine Strukturperiode einer Abfolge der zwischen den Beugungsnegativstrukturen 43 liegenden Beugungspositivstrukturen 42 einerseits und den Beugungsnegativstrukturen 43 andererseits gilt, was vorstehend zu den anderen Ausführungen der Beugungs-Unterstrukturen bereits erläutert wurde.
Fig. 14 zeigt eine weitere Ausführung einer Beugungs-Unterstruktur 54. Die Beugungsnegativstrukturen 43 dieser Beugungs-Unterstruktur 54 sind in Form von quadratisch verlaufenden Bahnen ausgeführt, deren Zentrum jeweils mit dem Strukturursprung 44 zusammenfällt. Zwischen diesen längs quadratischer Bahnen verlaufenden Beugungsnegativstrukturen 43 sind wiederum die Beugungspositivstrukturen 42 angeordnet. Eine Struk- turperiode kann auch hier denen der vorstehend erläuterten Beugungs- Unterstrukturen entsprechen.
Fig. 15 zeigt eine weitere Ausführung einer Beugungs-Unterstruktur 55.
Die Beugungsnegativstrukturen 43 und die zwischenliegenden Beugungspositivstrukturen 42 verlaufen längs horizontaler Bahnen, also längs Bahnen, die in der x-Richtung verlaufen. Querschnitts-Strukturübergänge zwischen den Beugungspositivstrukturen 42 und den Beugungsnegativstrukturen 43, also die Strukturquerschnitte gesehen in einer zur yz-Ebene parallelen Schnittebene, haben einen sinusförmigen Verlauf, was in der Fig. 15 durch eine entsprechende Schattierung angedeutet ist.
Fig. 16 zeigt eine weitere Ausführung einer Beugungs-Unterstruktur 56. Beugungsnegativstrukturen 43 dieser Beugungs-Unterstruktur 56 haben vergleichbar zu der Ausführung nach Fig. 5 einen Kreisbahn- Verlauf, wobei zwischen benachbarten Beugungsnegativstrukturen 43 wiederum jeweils eine Beugungspositivstruktur 42 angeordnet ist. Radial verlaufende Querschnitts-Strukturübergänge zwischen den Beugungspositivstrukturen 42 und den Beugungsnegativstrukturen 43 haben bei der Ausführung nach Fig. 16 einen sinusförmigen Verlauf entsprechend dem, was vorstehend insbesondere im Zusammenhang mit der Fig. 15 erläutert wurde.
Fig. 17 zeigt eines der möglichen Beispiele einer Beugungs Struktur 57, die als Überlagerung zweier Beugungs-Unterstrukturen, nämlich der Beugungs-Unterstruktur 41 nach Fig. 4 mit den speichenförmigen Posi- tiv/Negativstrukturen, und der Beugungs-Unterstruktur 47 nach Fig. 7 mit den speichenförmigen Positiv/Negativstrukturen gebildet ist. Auch andere Kombinationen aus mindestens zwei Beugungs-Unterstrukturen, die vorstehend insbesondere anhand der Fig. 4 bis 16 erläutert wurden, sind zur Bildung der Beugungs Struktur möglich und werden nachfolgend anhand der Fig. 18 bis 21 noch beschrieben.
Kombiniert werden jeweils mindestens zwei Beugungs-Unterstrukturen, deren Beugungspositivstruktur/Beugungsnegativstruktur- Anordnung verschiedenen Symmetriebedingungen folgen. Diese Symmetriebedingungen unterscheiden sich dann, wenn nicht mindestens eines der folgenden Kriterien erfüllt ist: beide Beugungs-Unterstrukturen sind periodische Gitter mit jeweils genau einer Gitterperioden-Laufrichtung; beide Beugungs-Unterstrukturen sind Strukturen ohne jede Symmetrie, z. B. CGH-Strukturen; beide Beugungs-Unterstrukturen lassen sich durch Translation ineinander überführen.
Für die Kombination der beiden Beugungs-Unterstrukturen 41, 47 zur Bildung der Beugungs Struktur 57 ist keines dieser drei obigen Kriterien erfüllt, so dass sich die Symmetriebedingungen der beiden Beugungs- Unterstrukturen 41, 47 also unterscheiden.
Die beiden Beugungs-Unterstrukturen können zu unterschiedlichen Symmetrieklassen gehören. Beispiele für derartige unterschiedliche Symmetrieklassen sind diejenigen, die im Zusammenhang mit der Beschreibung von Kristallsystemen zum Einsatz kommen, also die dort zur Beschreibung genutzten sieben Symmetrieklassen (kubisch, hexagonal, tetragonal, trigonal, orthorhombisch, monoklin, triklin). Fig. 18 zeigt eine weitere mögliche Kombination zweier Beugungs- Unterstrukturen zur Bildung einer weiteren Variante einer Beugungs Struktur 58. Die beiden miteinander kombinierten Beugungs-Unterstrukturen sind einerseits die speichenartige Beugungs-Unterstruktur 49 nach Fig. 9 und andererseits die rasterartige Beugungs-Unterstruktur 50 nach Fig. 10. Auch diese beiden Beugungs-Unterstrukturen unterscheiden sich in ihren Symmetriebedingungen, da keines der oben gelisteten Kriterien erfüllt ist.
Fig. 19 zeigt eine weitere Variante einer Beugungs Struktur 59, gebildet als Kombination der linienhaften Beugungs-Unterstruktur 46 nach Fig. 6 und der kreisbahnförmigen Beugungs-Unterstruktur 45 nach Fig. 5. Auch diese beiden Beugungs-Unterstrukturen 45, 46 erfüllen keines der drei oben gelisteten Kriterien, so dass sich deren Symmetriebedingungen unterscheiden.
Fig. 20 zeigt eine weitere Variante einer Beugungs Struktur 60, die gebildet ist als Kombination zweier Beugungs-Unterstrukturen, nämlich der spiralbahnförmigen Beugungs-Unterstruktur 41 und einer weiteren spiralbahnförmigen Beugungs-Unterstruktur 61 mit gegenläufiger Wendei- Laufrichtung. Während bei der Beugungs-Unterstruktur 41 eine Wendei- Laufrichtung radial von innen nach außen entgegen dem Uhrzeigersinn läuft, ist bei der Beugungs-Unterstruktur 61 die Wendel-Laufrichtung radial von innen nach außen im Uhrzeigersinn.
Auch bei den beiden Beugungs-Unterstrukturen 41, 61, deren Überlagerung die Beugungs Struktur 60 bildet, ist keines der obigen Kriterien erfüllt, so dass sich die beiden Beugungs-Unterstrukturen 41, 61 in ihren Symmetriebedingungen unterscheiden. Bei der Überlagerung der Beugungs-Unterstrukturen der Beugungs Strukturen 57 bis 60 entstehen Strukturabschnitte mit der Tiefe einer der Beugungsnegativstrukturen, also entweder der Beugungsnegativstruktur 43 der ersten Beugungs-Unterstruktur oder der Beugungsnegativstruktur 43 der zweiten Beugungs-Unterstruktur sowie Strukturabschnitte mit einer Strukturtiefe, die der Summe aus den Strukturtiefen der beiden Beugungsnegativstrukturen der beiden Beugungs-Unterstruktur entspricht.
Eine Strukturtiefe der beiden Beugungs-Unterstrukturen kann sich, soweit die beiden Beugungs-Unterstrukturen zur Beugung verschiedener Wellenlängen ausgelegt sind, unterscheiden. Bei verschiedenen Zielwellenlängen Xi, Xj kann beispielsweise die eine Beugungs-Unterstruktur eine Strukturtiefe von Xi/4c und die andere der beiden Beugungs-Unterstrukturen eine Strukturtiefe von Xj/4c aufweisen. In den Strukturbereichen, in denen sich die Beugungsnegativstrukturen 43 der beiden Beugungs-Unterstrukturen überlagern, resultiert dann eine Strukturtiefe von (Xi+ Xj)/4c. Hierzu wird auch auf die obigen Erläuterungen zur Gleichung (1) hingewiesen.
Fig. 21 zeigt eine Variante einer Beugungs Struktur 62, die als Überlagerung von drei Beugungs-Unterstrukturen, nämlich der Beugungs- Unterstruktur 46 (senkrechte Linien), der Beugungs-Unterstruktur 45 (Kreisbahnen) sowie einer weiteren Beugungs-Unterstruktur, die beispielsweise durch Verschwenkung der Beugungs-Unterstruktur 46 in der Zeichenebene der Fig. 6 um 90° um den Strukturursprung 44 entsteht, so dass horizontal verlaufende Beugungspositivstrukturen 42 und Beugungsnegativstrukturen 43 resultieren. Diese Beugungs-Unterstruktur mit horizontalen Linien wird nachfolgend als Beugungs-Unterstruktur 63 bezeichnet. Die Beugungs-Unterstrukturen 45 und 46 haben, da sie die obigen, im Zusammenhang mit der Fig. 17 erläuterten Kriterien nicht erfüllen, verschiedene Symmetriebedingungen.
Aufgrund der Überlagerung von drei Beugungs-Unterstrukturen 45, 46, 63 gibt es bei der Beugungs Struktur 61 Strukturbereiche, bei denen genau eine der drei Beugungsnegativstrukturen 43 jeweils einer der Beugungs- Unterstrukturen 45, 46, 63 vorliegt, Strukturbereiche, bei denen genau zwei dieser Beugungsnegativstrukturen 43 der drei Beugungs-Unterstrukturen 45, 46, 63 einander überlagern, sowie Strukturbereiche, in denen alle drei Beugungsnegativstrukturen 43 der Beugungs-Unterstrukturen 45, 46 und 63 einander überlagern.
Je nachdem, für welche Wellenlängen Xi, Xj, Xk die Beugungs- Unterstrukturen 45, 46, 63 ausgelegt sind, ergeben sich also Strukturbereiche mit einer Strukturtiefe von Xi/4c, Strukturbereiche mit einer Strukturtiefe von Xj/4c, Strukturbereiche mit einer Strukturtiefe von Xk/4c, Strukturbereiche mit einer Strukturtiefe von (Xi + Xj)/4c, Strukturbereiche mit einer Strukturtiefe von (Xj + Xk)/4c, Strukturbereiche mit einer Strukturtiefe von (Xi + Xk)/4c sowie Strukturbereiche mit einer Strukturtiefe von (Xi + Xj + Xk)/4c.
Für die Wellenlängen Xi, Xj kann gelten: Xi = 10 prn, also beispielsweise die Wellenlänge des Pumplichts 29, und Xj = 1 prn, also die Wellenlänge einer anderen Pumplichtquelle 30, beispielsweise für einen Vorpuls.
Für die dritte Wellenlänge Xk kann gelten: Xk = 0,1 gm, also die Wellenlänge eines parasitär von der Lichtquelle 3 erzeugten EUV-Strahlungsanteils. Bei einer weiteren nicht dargestellten Variante kann eine Beugungs Struktur auch als Überlagerung von vier verschiedenen Beugungs-Unterstrukturen gebildet sein.
Eine erste Beugungs-Unterstruktur kann nach Art der Beugungs- Unterstruktur 46 gebildet sein und eine Strukturtiefe zur Unterdrückung einer Zielwellenlänge im Bereich von 10 pm haben. Eine zweite Beugungs-Unterstruktur kann wie die dritte Beugungs-Unterstruktur 63 der vorstehend im Zusammenhang mit der Fig. 21 erläuterten Beugungs Struktur 62 mit horizontalen Beugungspositivstrukturen und Beugungsnegativstrukturen gestaltet sein und eine Strukturtiefe zur Unterdrückung einer Zielwellenlänge von 1 pm haben. Eine dritte Beugungs-Unterstruktur kann speichenförmig nach Art der Beugungs-Unterstruktur 47 nach Fig. 7 gebildet sein und zur Unterdrückung einer Zielwellenlänge von 150 nm gestaltet sein, um eine erste parasitäre DU V- Wellenlänge zu gewährleisten. Eine vierte Beugungs-Unterstruktur kann wiederum nach Art der Beugungs- Unterstruktur 47 nach Fig. 7 mit einer anderen Strukturtiefe zur Unterdrückung einer weiteren parasitären DU V- Wellenlänge von 250 nm gestaltet sein. Alle vier Beugungs-Unterstrukturen sind dann zur Unterdrückung von vier verschiedenen Zielwellenlängen ausgeführt.
Auch eine andere Kombination der Beugungs-Unterstruktur-Typen, ausgewählt aus den Beugungs-Unterstruktur-Typen ist möglich, die vorstehend im Zusammenhang mit Fig. 4 bis 21 erläutert wurden.
Bei einer weiteren Ausführung einer Beugungs Struktur mit insgesamt drei einander überlagernden Beugungs-Unterstrukturen sind zwei der Beugungs-Unterstrukturen vom Typ der Beugungs-Unterstruktur 45 nach Fig.
5 des Kreisbahn-Typs ausgeführt, wobei sich die beiden Beugungs- Unterstrukturen in ihrer Strukturtiefe zur Unterdrückung zweiter verschiedener Zielwellenlängen von 10,6 gm und 10,2 gm, nämlich einer Vorpulsund einer Hauptpuls- Wellenlänge einer Ausführung der Plasma- Strahlenquelle 3 ausgeführt. Eine dritte Beugungs-Unterstruktur ist bei die- ser Variante der Beugungs Struktur als spiralbahnförmige Beugungs- Unterstruktur nach Art der Beugungs-Unterstruktur 41 nach Fig. 4 ausgeführt und dient wiederum zur Unterdrückung einer parasitären DUV- Wellenlänge von 150 nm. Zur Herstellung eines mikro- oder nano strukturierten Bauteils wird die Projektionsbelichtungsanlage 1 folgendermaßen eingesetzt: Zunächst werden die Reflexionsmaske 7 bzw. das Retikel und das Substrat bzw. der Wafer 13 bereitgestellt. Anschließend wird eine Struktur auf dem Retikel 7 auf eine lichtempfindliche Schicht des Wafers 13 mithilfe der Projektionsbe- lichtungsanlage 1 projiziert. Durch Entwicklung der lichtempfindlichen Schicht wird dann eine Mikro- oder Nanostruktur auf dem Wafer 13 und somit das mikrostrukturierte Bauteil erzeugt.

Claims

- 38 -
Patentansprüche
1. Optische Komponente zum Einsatz in einer Projektionsbelichtungsanlage für die Projektionslithografie mit einer Beugungs Struktur (57; 58; 59; 60; 62) zur Beugungs- Beeinflussung einer Ausfallsrichtung von auf die optische Komponente auftreffendem Licht (16; 29) mindestens einer Wellenlänge, wobei die Beugungs Struktur (57; 58; 59; 60; 62) aus mindestens zwei in zumindest einem Abschnitt (38, 39; 40) der optischen Komponente einander überlagernden Beugungs-Unterstrukturen (41; 45 bis 56; 61; 63) aufgebaut ist, wobei eine erste der Beugungs-Unterstrukturen (41; 45 bis 56; 61; 63) mit ersten Beugungspositivstrukturen (42) und ersten Beugungsnegativstrukturen (43) ausgeführt ist, deren Anordnung einer ersten Symmetriebedingung folgt, wobei eine zweite der Beugungs-Unterstrukturen (41; 45 bis 56; 61; 63) mit zweiten Beugungspositivstrukturen (42) und zweiten Beugungsnegativstrukturen (43) ausgeführt ist, deren Anordnung einer zweiten Symmetriebedingung folgt, die sich von der ersten Symmetriebedingung unterscheidet.
2. Optische Komponente nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die beiden Beugungs-Unterstrukturen (41, 47; 49, 50, 45, 46; 41, 61; 45, 46, 63) zur Beugungs-Beeinflussung unterschiedlicher Lichtwellenlängen (Li, Lj, Lk) ausgelegt sind.
3. Optische Komponente nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass eine der Beugungs-Unterstrukturen (41; 45 bis 51; 53 - 39 - bis 56; 61; 63) als periodische Struktur und die andere der Beugungs- Unterstrukturen (52) als aperiodische Struktur gestaltet ist.
4. Optische Komponente nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens eine der Beugungs-Unterstrukturen (41; 45; 47 bis 49; 61) eine Rotations Symmetrie um einen Strukturursprung (44) aufweist.
5. Optische Komponente nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens eine der Beugungs-Unterstrukturen (47 bis 49) eine Speichenstruktur, angeordnet um einen Strukturursprung (44), aufweist.
6. Optische Komponente nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens eine der Beugungs-Unterstrukturen (50; 51) rasterartig angeordnete Beugungspositivstrukturen (42) und/oder rasterartig angeordnete Beugungsnegativstrukturen (43) aufweist.
7. Optische Komponente nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens eine der Beugungs-Unterstrukturen (41; 45 bis 56; 61; 63) als binäre Struktur ausgeführt ist.
8. Optische Komponente nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass Querschnitts-Strukturübergänge zwischen Beugungspositivstrukturen (42) und Beugungsnegativstrukturen (43) mindestens einer der Beugungs-Unterstrukturen (55; 56) einen glatten Verlaufhaben. - 40 - Optische Komponente nach einem der Ansprüche 1 bis 8, gekennzeichnet durch mindestens drei Beugungs-Unterstrukturen (45; 46; 63), wobei die dritte der Beugungs-Unterstrukturen mit dritten Beugungspositivstrukturen (42) und dritten Beugungsnegativstrukturen (43) ausgeführt ist, deren Anordnung einer weiteren Symmetriebedingung folgt, die sich von der ersten Symmetriebedingung und/oder der zweiten Symmetriebedingung unterscheidet. Optische Komponente nach einem der Ansprüche 1 bis 9, ausgelegt als EUV-Kollektor (17) zum Einsatz in einer EUV- Projektionsbelichtungsanlage (1), wobei der Kollektor (17) zur Führung von EUV-Nutzlicht (16) ausgeführt ist, welches von einem Plasma-Quellbereich (28) emittiert wird, wobei mindestens ein strukturierter Falschlicht- Abschnitt (38, 39) einer Beaufschlagungsfläche des Kollektors (17) zum Abführen von Falschlicht- Strahlung (37) durch Beugung ausgeführt ist, wobei sich die Wellenlänge des Falschlichts (37) von derjenigen des Nutzlichts (16) unterscheidet. Beleuchtungs system mit einem EUV-Kollektor (17) nach Anspruch 10 und mit einer Beleuchtungsoptik (4) zur Beleuchtung eines Objektfeldes (5), in dem ein abzubildendes Objekt (7) anordenbar ist, mit dem EUV-Nutzlicht als Beleuchtungslicht (16). Optisches System mit einem Beleuchtungssystem nach Anspruch 11 und mit einer Projektionsoptik (10) zur Abbildung des Objektfeldes (5) in ein Bildfeld (11), in welchem ein Substrat (13) anordenbar ist, auf welches ein Abschnitt des abzubildenden Objekts (7) abzubilden ist. 13. Projektionsbelichtungsanlage (1) mit einem optischen System nach Anspruch 12 und mit einer EUV-Lichtquelle (3). 14. Verfahren zur Herstellung eines strukturierten Bauteils mit folgenden
V erfahrens s chritten :
Bereitstellen eines Retikels (7) und eines Wafers (13),
Projizieren einer Struktur auf dem Retikel (7) auf eine lichtempfindliche Schicht des Wafers (13) mit Hilfe der Projektionsbelich- tungsanlage nach Anspruch 13,
Erzeugen einer Mikro- und/oder Nanostruktur auf dem Wafer (13).
15. Strukturiertes Bauteil, hergestellt nach einem Verfahren nach Anspruch 14.
PCT/EP2021/076562 2020-09-30 2021-09-28 Optische komponente WO2022069427A1 (de)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2023519907A JP2023543613A (ja) 2020-09-30 2021-09-28 光学部品
EP21785835.6A EP4222558A1 (de) 2020-09-30 2021-09-28 Optische komponente
US18/187,295 US20230221648A1 (en) 2020-09-30 2023-03-21 Optical component

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102020212367.5 2020-09-30
DE102020212367.5A DE102020212367A1 (de) 2020-09-30 2020-09-30 Optische Komponente

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
US18/187,295 Continuation US20230221648A1 (en) 2020-09-30 2023-03-21 Optical component

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2022069427A1 true WO2022069427A1 (de) 2022-04-07

Family

ID=78049227

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/EP2021/076562 WO2022069427A1 (de) 2020-09-30 2021-09-28 Optische komponente

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20230221648A1 (de)
EP (1) EP4222558A1 (de)
JP (1) JP2023543613A (de)
DE (1) DE102020212367A1 (de)
WO (1) WO2022069427A1 (de)

Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6462875B1 (en) 1999-01-19 2002-10-08 Canon Kabushiki Kaisha Diffractive optical element
US6573978B1 (en) 1999-01-26 2003-06-03 Mcguire, Jr. James P. EUV condenser with non-imaging optics
US20060132747A1 (en) 2003-04-17 2006-06-22 Carl Zeiss Smt Ag Optical element for an illumination system
DE102008009600A1 (de) 2008-02-15 2009-08-20 Carl Zeiss Smt Ag Facettenspiegel zum Einsatz in einer Projektionsbelichtungsanlage für die Mikro-Lithographie
US20140131586A1 (en) * 2012-11-12 2014-05-15 Kla-Tencor Corporation Phase Grating For Mask Inspection System
US20170112376A1 (en) 2014-06-20 2017-04-27 Rambus Inc. Systems and Methods for Lensed and Lensless Optical Sensing
DE102016209359A1 (de) 2016-05-31 2017-11-30 Carl Zeiss Smt Gmbh EUV-Kollektor
US20180074303A1 (en) 2015-04-14 2018-03-15 Carl Zeiss Smt Gmbh Imaging optical unit and projection exposure unit including same
DE102018218981A1 (de) 2018-11-07 2018-12-20 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches Gitter
AU2017270014A1 (en) 2016-05-23 2019-01-17 Institut Mines-Telecom Optical security component and method for manufacturing such a component
DE102019200698A1 (de) 2019-01-21 2019-12-05 Carl Zeiss Smt Gmbh EUV-Kollektor zum Einsatz in einer EUV-Projektionsbelichtungsanlage
US20200225586A1 (en) 2019-01-15 2020-07-16 Carl Zeiss Smt Gmbh Optical diffraction component for suppressing at least one target wavelength by destructive interference
DE102019200376A1 (de) * 2019-01-15 2020-07-16 Carl Zeiss Smt Gmbh Optische Beugungskomponente zur Unterdrückung mindestens einer Ziel-Wellenlänge durch destruktive Interferenz

Patent Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6462875B1 (en) 1999-01-19 2002-10-08 Canon Kabushiki Kaisha Diffractive optical element
US6573978B1 (en) 1999-01-26 2003-06-03 Mcguire, Jr. James P. EUV condenser with non-imaging optics
US20060132747A1 (en) 2003-04-17 2006-06-22 Carl Zeiss Smt Ag Optical element for an illumination system
EP1614008B1 (de) 2003-04-17 2009-12-02 Carl Zeiss SMT AG Optisches element für ein beleuchtungssystem
DE102008009600A1 (de) 2008-02-15 2009-08-20 Carl Zeiss Smt Ag Facettenspiegel zum Einsatz in einer Projektionsbelichtungsanlage für die Mikro-Lithographie
US20140131586A1 (en) * 2012-11-12 2014-05-15 Kla-Tencor Corporation Phase Grating For Mask Inspection System
US20170112376A1 (en) 2014-06-20 2017-04-27 Rambus Inc. Systems and Methods for Lensed and Lensless Optical Sensing
US20180074303A1 (en) 2015-04-14 2018-03-15 Carl Zeiss Smt Gmbh Imaging optical unit and projection exposure unit including same
AU2017270014A1 (en) 2016-05-23 2019-01-17 Institut Mines-Telecom Optical security component and method for manufacturing such a component
DE102016209359A1 (de) 2016-05-31 2017-11-30 Carl Zeiss Smt Gmbh EUV-Kollektor
DE102018218981A1 (de) 2018-11-07 2018-12-20 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches Gitter
US20200225586A1 (en) 2019-01-15 2020-07-16 Carl Zeiss Smt Gmbh Optical diffraction component for suppressing at least one target wavelength by destructive interference
DE102019200376A1 (de) * 2019-01-15 2020-07-16 Carl Zeiss Smt Gmbh Optische Beugungskomponente zur Unterdrückung mindestens einer Ziel-Wellenlänge durch destruktive Interferenz
DE102019200698A1 (de) 2019-01-21 2019-12-05 Carl Zeiss Smt Gmbh EUV-Kollektor zum Einsatz in einer EUV-Projektionsbelichtungsanlage

Also Published As

Publication number Publication date
US20230221648A1 (en) 2023-07-13
JP2023543613A (ja) 2023-10-17
DE102020212367A1 (de) 2022-03-31
EP4222558A1 (de) 2023-08-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP3465348B1 (de) Euv-kollektor
DE102012216502A1 (de) Spiegel
WO2002099534A9 (de) Beleuchtungssystem mit einer vielzahl von einzelgittern
WO2021028132A1 (de) Optisches beleuchtungssystem zur führung von euv-strahlung
DE102017217867A1 (de) EUV-Facettenspiegel für eine EUV-Projektionsbelichtungsanlage
DE102010063530A1 (de) Blendenelement und optisches System für die EUV-Lithographie
EP4222558A1 (de) Optische komponente
DE102022206110A1 (de) Abbildende EUV-Optik zur Abbildung eines Objektfeldes in ein Bildfeld
DE102010002822A1 (de) Beleuchtungssystem für eine Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage
DE102022205815A1 (de) Komponente für eine Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithografie und Projektionsbelichtungsanlage
EP4222540A1 (de) Mikrospiegel-array für eine beleuchtungsoptische komponente einer projektionsbelichtungsanlage
DE102017212417A1 (de) Kollektor
DE102022207545A1 (de) Optische Komponente
EP1485759A2 (de) Gitterelement zum filtern von wellenlängen = 100nm
DE102009047316A1 (de) Optische reflektierende Komponente zum Einsatz in einer Beleuchtungsoptik für eine Projektionsbelichtungsanlage der EUV-Mikrolithographie
WO2021037437A1 (de) Optische beugungskomponente
DE102022209791B3 (de) EUV-Kollektor für eine EUV-Projektionsbelichtungsanlage
DE102020212229B3 (de) Blenden-Vorrichtung zur Begrenzung eines Strahlengangs zwischen einer Lichtquelle und einer Beleuchtungsoptik einer Projektionsbelichtungsanlage für die Projektionslithographie
DE102023201556A1 (de) EUV-Kollektor für eine EUV-Projektionsbelichtungsanlage
DE102020213837A1 (de) Facettenspiegel-Vorrichtung
WO2022008102A1 (de) Optisches beleuchtungssystem zur führung von euv-strahlung
DE102022204098A1 (de) Beleuchtungsoptik für die Projektionslithografie
DE102022204643A1 (de) Optisches system, lithographieanlage mit einem optischen system und verfahren zum herstellen eines optischen systems
DE102022211909A1 (de) Optisches system, lithographieanlage und verfahren zum betreiben eines optischen systems
DE102022210356A1 (de) Optisches system, lithographieanlage mit einem optischen system und verfahren zum herstellen eines optischen systems

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 21785835

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2023519907

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2021785835

Country of ref document: EP

Effective date: 20230502