WO2022012248A1 - 半导体器件测量数据的处理方法、处理系统、计算机设备及计算机可读存储介质 - Google Patents

半导体器件测量数据的处理方法、处理系统、计算机设备及计算机可读存储介质 Download PDF

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target
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Changxin Memory Technologies Inc
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    • H04L67/00—Network arrangements or protocols for supporting network services or applications
    • H04L67/01—Protocols
    • H04L67/06—Protocols specially adapted for file transfer, e.g. file transfer protocol [FTP]

Definitions

  • the present application relates to a method, a processing system, a computer device, and a computer-readable storage medium for processing measurement data of a semiconductor device.
  • CD measurement is an index to test the line width of the process.
  • Semiconductor foundries will use a variety of different types of measurement machines for CD measurement, and the supporting measurement data analysis report systems are also diverse. .
  • a first aspect of the present application provides a method for processing measurement data of a semiconductor device, which is applied to a processing server, including:
  • the measurement data file is converted into a preset report, and the preset report is stored in the database of the processing server.
  • a second aspect of the present application provides a method for processing measurement data of a semiconductor device, applied to a client server, including:
  • a third aspect of the present application provides a system for processing measurement data of a semiconductor device, including:
  • a data reading module connected with the measuring machine, for obtaining the measurement data files of the measuring machine
  • a data conversion module connected with the data reading module, is used for converting the measurement data file into a preset report.
  • a fourth aspect of the present application provides a computer device, comprising a memory and a processor, the memory stores a computer program, and the processor implements any of the above methods when executing the computer program A step of.
  • a fifth aspect of the present application provides a computer-readable storage medium on which a computer program is stored, and when the computer program is executed by a processor, implements the steps of any of the methods described above.
  • FIG. 1 is a flowchart of a method for processing measurement data of a semiconductor device in one embodiment.
  • FIG. 2 is a flow chart of converting a measurement data file into a preset report in the first embodiment.
  • FIG. 3 is a flowchart of obtaining exposure coordinate data of each target chip group on a target wafer in an embodiment.
  • FIG. 4 is a flow chart of converting the data file into a preset report in the second embodiment.
  • FIG. 5 is a flow chart of converting the data file into a preset report in the third embodiment.
  • FIG. 6 is a flowchart of a method for processing measurement data of a semiconductor device in another embodiment.
  • FIG. 7 is a flowchart of converting a data file into a preset report in the fourth embodiment.
  • Spatial relational terms such as “under”, “below”, “below”, “under”, “above”, “above”, etc., in This may be used to describe the relationship of one element or feature to other elements or features shown in the figures. It should be understood that in addition to the orientation shown in the figures, the spatially relative terms encompass different orientations of the device in use and operation. For example, if the device in the figures is turned over, elements or features described as “below” or “beneath” or “beneath” other elements or features would then be oriented “above” the other elements or features. Thus, the exemplary terms “below” and “under” can encompass both an orientation of above and below. In addition, the device may also be otherwise oriented (eg, rotated 90 degrees or at other orientations) and the spatial descriptors used herein interpreted accordingly.
  • Embodiments of the invention are described herein with reference to cross-sectional illustrations that are schematic illustrations of idealized embodiments (and intermediate structures) of the invention, such that variations in the shapes shown may be contemplated due, for example, to manufacturing techniques and/or tolerances.
  • CD measurement is an index to check the line width of the process.
  • the measurement reports generated by each measurement model are very different, which is inconvenient for engineers to perform data analysis.
  • the coordinates used by various CD measuring machines are divided into Shot coordinates and Die coordinates.
  • engineers obtain the focus energy matrix report they need to manually convert the Die coordinates into Shot coordinates, and then according to the converted coordinates.
  • the focus energy matrix report obtained from the shot coordinates reduces the work efficiency of the engineer. Therefore, it is very important to use the same program logic to generate the same report for the measurement data obtained by various CD measuring machines.
  • a method for processing measurement data of a semiconductor device is provided, which is applied to a processing server, including:
  • the processing server obtains the server information (FTP server information) of all the configured measuring machines, and then logs in to the measuring machine FTP Server according to the login information to establish data transmission between the processing server and the measuring machine server.
  • FTP server information server information
  • the measuring data file on the measuring machine server is obtained, that is, the file including the measuring data saved after the measuring machine tests the product is obtained.
  • S106 Convert the measurement data file into a preset report, and store the preset report in the database of the processing server.
  • the processing server After the processing server obtains the measurement data file, it converts the measurement data file into a preset report according to the report type set by the user, and stores the preset report in the database of the processing server. Users can call the preset report stored in the database of the processing server according to their needs, and then analyze the data in the preset report to obtain the measurement result, without the need for the measurement of different measurement machines after obtaining the measurement data.
  • the measurement data is manually matched to generate a report in a unified format that meets the requirements, which saves the time for data conversion, improves work efficiency, and can quickly obtain the information of measurement data storage.
  • the user can log in to the processing server as required to obtain the desired preset report, avoiding the restriction on login requirements of the measuring machine.
  • the number of measuring machine servers that perform data transmission with the processing server is greater than or equal to one.
  • the measuring machine servers may be servers of the same type of measuring machine, or may be servers of different types of measuring machines.
  • the preset report includes an exposure coordinate report
  • the step of converting the measurement data file into a preset report includes:
  • S202 Acquire exposure coordinate data of each target chipset on the target wafer.
  • Exposure coordinates refer to dividing the chips on the wafer according to A*B chips as a group to obtain multiple chip groups, and then turning the flat or notch of the wafer upwards, Taking A*B chips in the center of the wafer as the origin O(0,0), the origin O is upward as the positive direction of the Y-axis, and the origin O is to the right as the positive direction of the X-axis.
  • the wafer measured by the measuring machine is selected as the target wafer, and the exposure coordinate data of each target chipset on the target wafer is obtained, and the exposure coordinate data includes the X exposure coordinate value, the Y exposure coordinate value and the chip set feature size value. . That is, the X coordinate value of each target chipset on the target wafer in the shot coordinate system is obtained as the X exposure coordinate value, and the Y coordinate value is used as the Y exposure coordinate value, and the feature size value of the target chipset is corresponding to it, as each Exposure coordinate data for the target chipset.
  • S208 Acquire an exposure coordinate report of the target wafer according to the chip set feature size value of each of the target chip sets.
  • the chip set feature size value of each of the target chip sets is set in the exposure coordinate report to obtain the exposure coordinate report of the target wafer.
  • the X exposure coordinate value and Y exposure coordinate value of each target chip set on the target wafer fill in the chip set feature size value of the target chip set into the blank exposure coordinate report, and obtain the exposure coordinate report of the target wafer, that is, the target wafer is obtained.
  • MAP map of chipset feature size values for each target chipset on the circle Compared with viewing the measurement data table, the user can intuitively see the actual distribution of the feature size value of the target wafer according to the exposure coordinate report, and then perform operations such as process adjustment and abnormal analysis according to the distribution of the feature size value without manual operation.
  • the abnormal data in the measurement data table is mapped to the target wafer, and then the data is analyzed.
  • Table 1 is a part of the measurement data obtained after measuring the feature size of the wafer by a certain measurement machine.
  • the coordinates used in the measurement are shot coordinates, and the corresponding data are shot coordinates measurement data.
  • After selecting the test wafer No. 1 as the target wafer obtain the test data corresponding to No. 1, and assign the X of each target chipset to the target wafer.
  • the exposure coordinate values are arranged from small to large [-11,-5,-3,-2,0,2,4,6,9,11], as the horizontal axis of the exposure coordinate report, the Y exposure coordinate of each target chipset Arrange the values from large to small [19,13,8,7,5,2,0,-2,-8,-13,-14,-15] as the vertical axis of the exposure coordinate report, and then put the
  • the chip set feature size value of each target chip set is set in the exposure coordinate report, and the exposure coordinate report of target wafer No. 1 as shown in Table 2 is obtained.
  • Table 2 the user can intuitively see the distribution of the feature size of each part on the target wafer, and then quickly analyze the test results without processing the obtained test data, which improves the work efficiency and reduces the production cost.
  • the measurement data file includes a chip coordinate data file
  • the step of acquiring the exposure coordinate data of each target chip group on the target wafer includes:
  • the chip coordinate data of each target chip on the target wafer in the measurement data file is acquired, and the chip coordinate data includes X chip coordinate value, Y chip coordinate value and chip feature size value. That is, the X chip coordinate value, the Y chip coordinate value and the chip feature size value in the chip coordinates of each target chip on the target wafer are obtained.
  • Chip coordinates refer to the flat or notch of the wafer facing up, with one chip in the center of the wafer as the origin O'(0,0), and the origin O' facing up is Y
  • the positive direction of the axis, the origin O' to the right is the coordinate system established in the positive direction of the X axis.
  • the target chips on the target wafer are converted into chips in the target chip set. That is, a target chipset is set to include A*B target chips, and then the target chips on the target wafer are converted into the target chipset.
  • the values of A and B in the target chipset on the same wafer are the same. For example, 2*3, 4*3, 2*6, and 4*2 chips can be selected as one chipset.
  • the value is obtained by a ceil function and then subtracting 1, as the X exposure coordinate value corresponding to the X chip coordinate value.
  • Shot Row Ceil((Die Row+1)/Shot Die Row Num.)-1; among them, Die Row: the X chip coordinate value of the target chip in the die coordinate system; Shot Die Row Num.: in a target chip set The number of rows of the target chip; Shot Row: The X exposure coordinate value of the target chip in the shot coordinate system.
  • Shot Row The X chip coordinate value of each target chip on the target wafer can be converted into the corresponding X exposure coordinate value in the shot coordinate.
  • Shot Column Ceil((Die Column+1)/Shot Die Column Num.)-1; among them, Die Column: the Y chip coordinate value of the target chip in the die coordinate system; Shot Die Column Num.: in a target chip set The number of columns of the target chip; Shot Column: the corresponding Y exposure coordinate value of the target chip in the shot coordinate system.
  • Shot Column the Y chip coordinate value of each target chip on the target wafer can be converted into the corresponding Y exposure coordinate value in the shot coordinate.
  • S310 Obtain the chip set feature size value corresponding to each target chip set on the target wafer.
  • the chip feature size values corresponding to [1,1], [1,2], [0,0], [0,1], [0,2], [1,3] are a', b', c, respectively ', d', e', f', g', for example for acquiring the exposure coordinate data of the target chip set corresponding to the target chip.
  • the measurement data file includes a chip coordinate data file
  • the preset report includes a chip coordinate report
  • the step of converting the data file into a preset report includes: :
  • the wafer measured by the measuring machine is selected as the target wafer, and the chip coordinate data of each target chip on the target wafer is obtained, and the chip coordinate data includes the X chip coordinate value, the Y chip coordinate value and the chip feature size value. That is, the X coordinate value of each target chip on the target wafer in the die coordinate system is obtained as the X chip coordinate value, and the Y coordinate value is taken as the Y chip coordinate value, and the feature size value of the target chip is corresponding to it as each target chip. exposure coordinate data.
  • S408 Acquire a chip coordinate report of the target wafer according to the chip feature size value of each of the target chips.
  • the chip feature size value of each of the target chips is set in the chip coordinate report to obtain the chip coordinate report of the target wafer.
  • the X chip coordinate value and the Y chip coordinate value of each target chip on the target wafer fill in the chip feature size value of the target chip into the blank chip coordinate report to obtain the chip coordinate report of the target wafer, that is, to obtain the chip coordinate value of the target wafer.
  • MAP map of chip feature size values for the target chip Compared with viewing the measurement data table, the user can intuitively see the actual distribution of the feature size value of the target wafer according to the chip coordinate report, and then perform operations such as process adjustment and anomaly analysis according to the distribution of the feature size value without manual operation.
  • the abnormal data in the measurement data table is mapped to the target wafer, and then the data is analyzed.
  • the preset report further includes a focus energy matrix report
  • the step of converting the data file into a preset report further includes:
  • the exposure coordinate batch report refers to the exposure focus value report and the exposure energy value report of the exposure process of the exposure machine to the target wafer, and the exposure focus value report and the exposure energy value report are shot coordinate reports.
  • the focus energy matrix report of the target wafer is obtained.
  • the target chipset coordinate is [-1,0], and in the exposure coordinate batch report, that is, the exposure machine Lot report Focus type, the corresponding Focus value is -0.02, then in the exposure coordinate report, the horizontal axis -1 will be replaced by -0.02, and so on, replace the horizontal axis of the entire exposure coordinate report with the Focus value in the Focus type of the exposure machine Lot report, and similarly replace the vertical axis of the entire exposure coordinate report with the exposure machine Lot report
  • the Energy value in the Energy type obtains the focus energy matrix report corresponding to the exposure coordinate report.
  • the acquiring the target chipset with each Y exposure coordinate value of zero further includes the steps before exposing each exposure focus value in the coordinate batch report:
  • the exposure coordinate batch report includes an exposure focus value report and an exposure energy value report.
  • the Y-axis coordinate has a certain angle with the positive direction of the Y-axis of the exposure coordinate, that is, the exposure batch report of the exposure machine has a certain angle with the positive direction of the Y-axis of the exposure coordinate (Scanner Notch), before obtaining the focal energy matrix report of the target wafer, it is necessary to first perform a turn-angle to exposure coordinate batch report on the exposure batch report, and then match the exposure coordinate report and the exposure coordinate batch report to obtain the target wafer's Focus Energy Matrix report.
  • the Scanner Notch is 90°, turn the exposure batch report 90° counterclockwise; if the Scanner Notch is 270°, turn the exposure batch report 270° counterclockwise; if the Scanner Notch is 180°, turn the exposure batch report counterclockwise Hour/clockwise 180°.
  • the method further includes: acquiring a test picture corresponding to the measurement data file, and storing the test picture in a network storage of the processing server.
  • the above method for processing measurement data of a semiconductor device, applied to a processing server includes establishing data transmission between the processing server and a measuring machine server; acquiring a measurement data file on the measuring machine server; The measurement data file is converted into a preset report, and the preset report is stored in the database of the processing server.
  • the measurement data file is converted into a preset report, and the preset report is stored in the database of the processing server, and the engineer can call and view the preset report in the database of the processing server when needed, which avoids the engineer from viewing different reports.
  • a method for processing measurement data of a semiconductor device is provided, applied to a client server, including:
  • the client server obtains the server information (FTP server information) of the measuring machine to be connected, and then logs in to the measuring machine FTP Server according to the login information to establish data transmission between the client server and the measuring machine server.
  • FTP server information server information
  • the measuring data file on the measuring machine server is obtained, that is, the file including the measuring data saved after the product is tested by the measuring machine is obtained.
  • the client server After acquiring the measurement data file, the client server converts the measurement data file into a preset report according to the report type set by the user. Users can set the data type of the preset report according to their needs. After obtaining the preset report from the client server, the data in the preset report can be analyzed to obtain the measurement results.
  • the measurement data of the measuring machine is manually matched to generate a report in a unified format that meets the requirements, which saves the time for data conversion, improves work efficiency, and can quickly obtain the information stored in the measurement data. Users can log in to the client server according to their needs and obtain the required preset reports, which avoids the login requirements of the measuring machine.
  • the preset report includes an exposure coordinate report
  • the step of converting the data file into a preset report includes:
  • S702 Acquire exposure coordinate data of each target chipset on the target wafer.
  • the wafer measured by the measuring machine is selected as the target wafer, and the exposure coordinate data of each target chipset on the target wafer is obtained, and the exposure coordinate data includes the X exposure coordinate value, the Y exposure coordinate value and the chip set feature size value. .
  • the user can intuitively see the actual distribution of the feature size value of the target wafer according to the exposure coordinate report, and then perform process adjustment, abnormal analysis and other operations according to the distribution of the feature size value, without the need to manually correspond to the abnormal data in the measurement data table. onto the target wafer, followed by data analysis.
  • the measurement data file includes a chip coordinate data file
  • the step of acquiring the exposure coordinate data file of each target chip group on the target wafer includes:
  • the chip coordinate data including X chip coordinate value, Y chip coordinate value and chip feature size value
  • the value of the ceil function is subtracted by 1, as the Y exposure coordinate value corresponding to the Y chip coordinate value;
  • the feature size values of the target chips with the same X exposure coordinate value and Y exposure coordinate value are averaged as the chip set feature size value corresponding to the X exposure coordinate value and the Y exposure coordinate value.
  • the preset report further includes a focus energy matrix report
  • the step of converting the measurement data file into a preset report further includes:
  • the focus energy matrix report of the target wafer is obtained.
  • the acquiring the target chipset with each Y exposure coordinate value of zero further includes the steps before exposing each exposure focus value in the coordinate batch report:
  • the exposure coordinate batch report includes exposure focus value report and exposure energy value report.
  • the above-mentioned processing method of semiconductor device measurement data applied to the client server is similar to the processing method applied to the semiconductor device measurement data of the processing server.
  • the features and their beneficial effects are all applicable to the embodiments of the method for processing measurement data of a semiconductor device applied to a client server, and it is hereby declared.
  • the method for processing measurement data of a semiconductor device, applied to a client server includes: establishing data transmission between the client server and a measuring machine server; acquiring a measuring data file on the measuring machine server; The above data files are converted into preset reports.
  • this application avoids that when engineers view the measurement reports provided by different measurement machines, the measurement reports are quite different or the measurement reports do not meet the requirements for analysis of the measurement results. Problems that take time to deal with measurement data.
  • a system for processing measurement data of a semiconductor device comprising:
  • the data reading module is connected with the measuring machine to obtain the measurement data files of the measuring machine;
  • a data conversion module connected with the data reading module, is used for converting the measurement data file into a preset report.
  • the preset report includes an exposure coordinate report;
  • the data conversion module is used to obtain exposure coordinate data of each target chip set on the target wafer in the measurement data file, and the exposure coordinate data includes X Exposure coordinate value, Y exposure coordinate value and chipset feature size value;
  • the data conversion module is also used for arranging the X exposure coordinate values of each of the target chipsets from small to large, as the horizontal axis of the exposure coordinate report; arranging the Y exposure coordinate values of each of the target chipsets from large to small , as the vertical axis of the exposure coordinate report; set the chip group feature size value of each of the target chip groups in the exposure coordinate report to obtain the exposure coordinate report of the target wafer.
  • the semiconductor device measurement data processing system of the present invention corresponds to the semiconductor device measurement data processing method one-to-one, and the technical features and beneficial effects described in the embodiments of the semiconductor device measurement data processing method are applicable to the semiconductor device measurement data Embodiments of the data processing system are hereby stated.
  • the above-mentioned processing system for measuring data of semiconductor devices includes: a data reading module, connected with a measuring machine, and used for obtaining the measuring data files of the measuring machine; a data conversion module, connected with the data reading module, and used for for converting the measurement data file into a preset report.
  • This application converts the measurement data file into a preset report through the data conversion module, which avoids the engineer viewing the measurement report provided by different measurement machines, because the measurement report is quite different or the measurement report does not meet the measurement result analysis. requirements, and it takes time to process the measurement data.
  • a computer device comprising a memory and a processor, wherein the memory stores a computer program, and the processor implements the steps of any of the methods described above when the processor executes the computer program.
  • a computer-readable storage medium on which a computer program is stored, and when the computer program is executed by a processor, implements the steps of any of the methods described above.
  • the above-mentioned computer device and computer-readable storage medium include a memory and a processor, wherein the memory stores a computer program, and the processor implements the steps of any one of the methods described above when the processor executes the computer program.

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Abstract

一种半导体器件测量数据的处理方法、处理系统、计算机设备及计算机可读存储介质。上述处理方法，应用于处理服务器，包括建立所述处理服务器与量测机台服务器之间的数据传输；获取所述量测机台服务器上的量测数据文件；将所述量测数据文件转换成预设报表，并将所述预设报表存储在所述处理服务器的数据库中。

Description

半导体器件测量数据的处理方法、处理系统、计算机设备及计算机可读存储介质
相关申请交叉引用
本申请要求2020年07月13日递交的、标题为“半导体器件测量数据的处理方法、处理系统及计算机设备”、申请号为2020106677798的中国申请，其公开内容通过引用全部结合在本申请中。
技术领域
本申请涉及半导体器件测量数据的处理方法、处理系统、计算机设备及计算机可读存储介质。
背景技术
在半导体制程中，进行CD量测是检验制程线宽的指标，半导体代工厂会使用多种不同类型的量测机台进行CD量测，其配套的量测数据分析报表系统也是多种多样的。
发明内容
根据多个实施例，本申请第一方面提供一种半导体器件测量数据的处理方法，应用于处理服务器，包括：
建立所述处理服务器与量测机台服务器之间的数据传输；
获取所述量测机台服务器上的量测数据文件；以及
将所述量测数据文件转换成预设报表，并将所述预设报表存储在所述处理服务器的数据库中。
根据多个实施例，本申请第二方面提供一种半导体器件测量数据的处理方法，应用于客户端服务器，包括：
建立所述客户端服务器与量测机台服务器之间的数据传输；
获取量测机台服务器上的量测数据文件；以及
将所述数据文件转换成预设报表。
根据多个实施例，本申请第三方面提供一种半导体器件测量数据的处理系统，包括：
数据读取模块，与量测机台连接，用于获取量测机台的量测数据文件；以及
数据转换模块，与所述数据读取模块连接，用于将所述量测数据文件转换成预设报表。
根据多个实施例，本申请第四方面提供一种计算机设备，包括存储器和处理器，所述存储器存储有计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现上述任一项所述的方法的步骤。
根据多个实施例，本申请第五方面提供一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现上述任一项所述的方法的步骤。
本申请的一个或多个实施例的细节在下面的附图和描述中提出。本申请的其它特征和优点将从说明书、附图以及权利要求书变得明显。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或传统技术中的技术方案，下面将对实施例或传统技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为一实施例中半导体器件测量数据的处理方法的流程图。
图2为第一实施例中将量测数据文件转换成预设报表的流程图。
图3为一实施例中获取目标晶圆上各个目标芯片组的曝光坐标数据的流程图。
图4为第二实施例中将所述数据文件转换成预设报表的流程图。
图5为第三实施例中将所述数据文件转换成预设报表的流程图。
图6为另一实施例中半导体器件测量数据的处理方法的流程图。
图7为第四实施例中将数据文件转换成预设报表的流程图。
具体实施方式
多种多样的配套的量测数据分析报表系统一方面造成代工厂IT资源的浪费及维护成本增加，另一方面工程师需要在各种报表系统之间来回切换，量测机台提供的量测报告过于简单或差异很大或不满足工程师进行量测结果分析的要求，需要工程师手动制作需要的报表，这会花费工程师大量的时间、降低其工作效率。
为了便于理解本申请，下面将参照相关附图对本申请进行更全面地描述。附图中给出了本申请的首选实施例。但是，本申请可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本申请的公开内容更加透彻全面。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术 人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本申请。
应当明白，当元件或层被称为“在...上”、“与...相邻”、“连接到”或“耦合到”其它元件或层时，其可以直接地在其它元件或层上、与之相邻、连接或耦合到其它元件或层，或者可以存在居间的元件或层。相反，当元件被称为“直接在...上”、“与...直接相邻”、“直接连接到”或“直接耦合到”其它元件或层时，则不存在居间的元件或层。应当明白，尽管可使用术语第一、第二、第三等描述各种元件、部件和/或部分，这些元件、部件和/或部分不应当被这些术语限制。这些术语仅仅用来区分一个元件、部件或部分与另一个元件、部件或部分。因此，在不脱离本发明教导之下，下面讨论的第一元件、部件、区或部分可表示为第二元件、部件或部分。
空间关系术语例如“在...下”、“在...下面”、“下面的”、“在...之下”、“在...之上”、“上面的”等，在这里可以用于描述图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应当明白，除了图中所示的取向以外，空间关系术语还包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附图中的器件翻转，描述为“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征将取向为在其它元件或特征“上”。因此，示例性术语“在...下面”和“在...下”可包括上和下两个取向。此外，器件也可以包括另外地取向(譬如，旋转90度或其它取向)，并且在此使用的空间描述语相应地被解释。
在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也可以包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应明白，当术语“组成”和/或“包括”在该说明书中使用时，可以确定所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或更多其它的特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或组的存在或添加。同时，在此使用时，术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。
这里参考作为本发明的理想实施例(和中间结构)的示意图的横截面图来描述发明的实施例，这样可以预期由于例如制造技术和/或容差导致的所示形状的变化。
在半导体制程中，进行CD量测是检验制程线宽的指标，而目前CD量测机型很多，每种量测机型产生的量测报告差异很大，对于工程师进行数据分析造成不便。并且，各种CD量测机台在量测时，其使用的坐标分为Shot坐标和Die坐标，工程师在获取焦点能量矩阵报表时，还需手动将Die坐标转换成Shot坐标，然后根据转换的shot坐标得到焦点能量矩阵报表，降低了工程师的工作效率，因此，如何让各种CD量测机台得到的量测数据使用相同的程序逻辑，产生相同的报表，变得非常重要。
如图1所示，在其中一个实施例中，提供一种半导体器件测量数据的处理方法，应用于处理服务器，包括：
S102，建立所述处理服务器与量测机台服务器之间的数据传输。
处理服务器获取配置的所有量测机台的服务器信息(FTP server信息)，然后根据登录信息登录量测机台FTP Server，建立处理服务器与量测机台服务器之间的数据传输。
S104，获取所述量测机台服务器上的量测数据文件。
建立处理服务器和量测机台服务器之间数据传输之后，获取量测机台服务器上的量测数据文件，即获取量测机台测试产品后保存的包括量测数据的文件。
S106，将所述量测数据文件转换成预设报表，并将所述预设报表存储在所述处理服务器的数据库中。
处理服务器获取量测数据文件后，根据用户设置的报表类型将量测数据文件转换成预设报表，并将预设报表存储在处理服务器的数据库中。用户可以根据需要调用处理服务器的数据库中存储的预设报表后，对预设报表中的数据进行分析后得到量测结果，而不需要在获取量测数据后，对不同量测机台的量测数据进行手动匹配生成符合要求的统一格式的报表，省去了进行数据转换的时间，提高了工作效率，并且可以快速得到量测数据存储的信息。并且，用户可以根据需要登录处理服务器，获取需要的预设报表，避免了量测机台对登录要求的限制。
在其中一个实施例中，与处理服务器之间进行数据传输的量测机台服务器的数量大于或等于1。当与处理服务器之间进行数据传输的量测机台服务器的数量大于1时，量测机台服务器可以是同一种类型量测机台的服务器，也可以是不同类型量测机台的服务器。
如图2所示，在其中一个实施例中，所述预设报表包括曝光坐标报表，所述将所述量测数据文件转换成预设报表的步骤包括：
S202，获取目标晶圆上各个目标芯片组的曝光坐标数据。
曝光坐标(shot坐标)指的是将晶圆上的芯片按照A*B个芯片为一组进行划分得到多个芯片组，然后将晶圆的平边(flat)或缺口(notch)朝上，以晶圆中心的A*B个芯片为原点O(0,0)，原点O朝上为Y轴正方向，原点O朝右为X轴正方向建立的坐标系。
选取量测机台测量过的晶圆作为目标晶圆，获取目标晶圆上各个目标芯片组的曝光坐标数据，所述曝光坐标数据包括X曝光坐标值、Y曝光坐标值和芯片组特征尺寸值。即获取目标晶圆上的各个目标芯片组在shot坐标系中的X坐标值作为X曝光坐标值、Y坐标值作为Y曝光坐标值，并将目标芯片组的特征尺寸值与其对应起来，作为各个目标芯片组 的曝光坐标数据。
S204，将各个所述目标芯片组的X曝光坐标值从小到大排列，作为曝光坐标报表的横轴。
将目标晶圆上所有目标芯片组的X曝光坐标值从小到大进行排列，作为曝光坐标报表的横轴。
S206，将各个所述目标芯片组的Y曝光坐标值从大到小排列，作为曝光坐标报表的纵轴。
将目标晶圆上所有目标芯片组的Y曝光坐标值从大到小排列，作为曝光坐标报表的纵轴，此时，得到具有横轴和纵轴的空白曝光坐标报表。
S208，根据各个所述目标芯片组的芯片组特征尺寸值，获取所述目标晶圆的曝光坐标报表。
将各个所述目标芯片组的芯片组特征尺寸值设于所述曝光坐标报表内，得到所述目标晶圆的曝光坐标报表。
根据目标晶圆上各个目标芯片组的X曝光坐标值和Y曝光坐标值，将目标芯片组的芯片组特征尺寸值填入空白曝光坐标报表，得到目标晶圆的曝光坐标报表，即得到目标晶圆上各个目标芯片组的芯片组特征尺寸值的MAP图。与查看量测数据表格相比，用户根据该曝光坐标报表可以直观地看到目标晶圆特征尺寸值的实际分布，然后根据特征尺寸值的分布进行工艺调整、异常分析等操作，而不需要手动将量测数据表格中异常数据对应到目标晶圆上，然后进行数据分析。
以下以表一数据为例，对获取目标晶圆的曝光坐标报表进行具体说明，其中，表一为某量测机台测量晶圆特征尺寸后得到的部分量测数据，该量测机台进行量测时使用的坐标为Shot坐标，对应的数据为shot坐标量测数据，选取测试的NO.1晶圆为目标晶圆后，获取NO.1对应的测试数据，将各个目标芯片组的X曝光坐标值从小到大排列[-11,-5,-3,-2,0,2,4,6,9,11]，作为曝光坐标报表的横轴，将各个目标芯片组的Y曝光坐标值从大到小排列[19,13,8,7,5,2,0,-2,-8,-13,-14,-15]，作为曝光坐标报表的纵轴，然后将表一中各个目标芯片组的芯片组特征尺寸值设于曝光坐标报表内，得到如表二所示的目标晶圆NO.1的曝光坐标报表。通过表二用户可直观地看到目标晶圆上各个部分特征尺寸的分布，进而快速分析测试结果，而不需要对得到的测试数据进行加工，提高了工作效率，降低了生产成本。
Chip NO. Data P NO.
-2,-8 a 1
06,-2 b 1
02,00 c 1
00,05 d 1
-3,08 e 1
00,19 f 1
06,13 g 1
11,07 h 1
09,-15 i 1
04,-13 j 1
-5,-14 k 1
-11,02 l 1
表一
  -11 -5 -3 -2 0 2 4 6 9 11
19         f          
13               g    
8     e              
7                   h
5         d          
2 l                  
0           c        
-2               b    
-8       a            
-13             j      
-14   k                
-15                 i  
表二
如图3所示，在其中一个实施例中，所述量测数据文件包括芯片坐标数据文件，所述获取目标晶圆上各个目标芯片组的曝光坐标数据的步骤包括：
S302，获取所述目标晶圆上各个目标芯片的芯片坐标数据。
获取量测数据文件中所述目标晶圆上各个目标芯片的芯片坐标数据，所述芯片坐标数据包括X芯片坐标值、Y芯片坐标值和芯片特征尺寸值。即获取目标晶圆上各个目标芯片在芯片坐标中的X芯片坐标值、Y芯片坐标值和芯片特征尺寸值。
芯片坐标(die坐标)指的是晶圆的平边(flat)或缺口(notch)朝上，以晶圆中心的1个芯片为原点O’(0,0)，原点O’朝上为Y轴正方向，原点O’朝右为X轴正方向建立的坐标系。
S304，将所述目标晶圆上的目标芯片转换成目标芯片组。
以A行、B列所述目标芯片作为一个目标芯片组，将所述目标晶圆上的目标芯片转换成目标芯片组中的芯片。即设置一个目标芯片组包括A*B个目标芯片，然后将目标晶圆上的目标芯片转成目标芯片组。同一个晶圆上的目标芯片组中A和B的数值相同，例如，可以选取2*3、4*3、2*6、4*2个芯片为一个芯片组。
S306，获取各个目标芯片对应的X曝光坐标值。
对所述X芯片坐标值与1的和除以A后以ceil函数取值再减去1，作为所述X芯片坐标值对应的X曝光坐标值。
Shot Row＝Ceil((Die Row+1)/Shot Die Row Num.)-1；其中，Die Row：目标芯片在die坐标系中的X芯片坐标值；Shot Die Row Num.：一个目标芯片组中目标芯片的行数；Shot Row：目标芯片在shot坐标系中对应的X曝光坐标值。通过Shot Row公式，可以将目标晶圆上的各个目标芯片的X芯片坐标值转换成在shot坐标中对应的X曝光坐标值。
S308，获取各个目标芯片对应的Y曝光坐标值。
对所述Y芯片坐标值与1的和除以B后以ceil函数取值再减去1，作为所述Y芯片坐标值对应的Y曝光坐标值。
Shot Column＝Ceil((Die Column+1)/Shot Die Column Num.)-1；其中，Die Column：目标芯片在die坐标系中的Y芯片坐标值；Shot Die Column Num.：一个目标芯片组中目标芯片的列数；Shot Column：目标芯片在shot坐标系中对应的Y曝光坐标值。通过Shot Column公式，可以将目标晶圆上的各个目标芯片的Y芯片坐标值转换成在shot坐标中对应的Y曝光坐标值。
S310，获取目标晶圆上各个目标芯片组对应的芯片组特征尺寸值。
对X曝光坐标值和Y曝光坐标值均相同的目标芯片的特征尺寸值取平均值，作为与所述X曝光坐标值和所述Y曝光坐标值对应的芯片组特征尺寸值，得到所述目标晶圆芯 片坐标数据对应的曝光坐标数据。
以下以将目标晶圆上的目标芯片转换成2*3的目标芯片组，即Shot Die Row Num.＝2，Shot Die Column Num.＝3，目标芯片的芯片坐标分别为[1,0]、[1,1]、[1,2]、[0,0]、[0,1]、[0,2]，[1,3]对应的芯片特征尺寸值分别为a’、b’、c’、d’、e’、f’，g’，对获取目标芯片对应的目标芯片组的曝光坐标数据进行举例。对于芯片坐标[1,0]，Die Row＝1，Die Column＝0；Shot Row＝Ceil((1+1)/2)-1＝0，Shot Column＝Ceil((0+1)/3)-1＝0，即芯片坐标[1,0]对应的芯片组坐标为[0,0]；同理可知，芯片坐标[1,1]、[1,2]、[0,0]、[0,1]、[0,2]对应的芯片组坐标均为[0,0]，芯片组坐标[0,0)的芯片组特征尺寸值M＝(a’+b’+c’+d’+e’+f’)/6；芯片坐标(1,3)的Shot Row＝Ceil((1+1)/2)-1＝0，Shot Column＝Ceil((3+1)/3)-1＝1，芯片坐标(1,3)对应的芯片组坐标为(0,1)。同理，可以得到目标晶圆上各个目标芯片对应的目标芯片组，及目标芯片组对应的曝光坐标数据。
如图4所示，在其中一个实施例中，所述量测数据文件包括芯片坐标数据文件，所述预设报表包括芯片坐标报表，所述将所述数据文件转换成预设报表的步骤包括：
S402，获取目标晶圆上各个目标芯片的芯片坐标数据。
选取量测机台测量过的晶圆作为目标晶圆，获取目标晶圆上各个目标芯片的芯片坐标数据，所述芯片坐标数据包括X芯片坐标值、Y芯片坐标值和芯片特征尺寸值。即获取目标晶圆上的各个目标芯片在die坐标系中的X坐标值作为X芯片坐标值、Y坐标值作为Y芯片坐标值，并将目标芯片的特征尺寸值与其对应起来，作为各个目标芯片的曝光坐标数据。
S404，将各个所述目标芯片的X芯片坐标值从小到大排列，作为芯片坐标报表的横轴。
将目标晶圆上所有目标芯片的X芯片坐标值从小到大进行排列，作为芯片坐标报表的横轴。
S406，将各个所述目标芯片的Y芯片坐标值从大到小排列，作为芯片坐标报表的纵轴。
将目标晶圆上所有目标芯片的Y芯片坐标值从大到小排列，作为芯片坐标报表的纵轴，此时，得到具有横轴和纵轴的空白芯片坐标报表。
S408，根据各个所述目标芯片的芯片特征尺寸值，获取所述目标晶圆的芯片坐标报表。
将各个所述目标芯片的芯片特征尺寸值设于所述芯片坐标报表内，得到所述目标晶圆的芯片坐标报表。
根据目标晶圆上各个目标芯片的X芯片坐标值和Y芯片坐标值，将目标芯片的芯片特征尺寸值填入空白芯片坐标报表，得到目标晶圆的芯片坐标报表，即得到目标晶圆上各个目标芯片的芯片特征尺寸值的MAP图。与查看量测数据表格相比，用户根据该芯片坐标报表可以直观地看到目标晶圆特征尺寸值的实际分布，然后根据特征尺寸值的分布进行工艺调整、异常分析等操作，而不需要手动将量测数据表格中异常数据对应到目标晶圆上，然后进行数据分析。
如图5所示，在其中一个实施例中，所述预设报表还包括焦点能量矩阵报表，所述将所述数据文件转换成预设报表的步骤还包括：
S502，获取各个Y曝光坐标值为零的所述目标芯片组在曝光坐标批次报表中的各个曝光焦点值。
获取目标晶圆上Y曝光坐标值为零的各个目标芯片组在曝光坐标批次报表中对应曝光焦点值，即曝光坐标批次报表中Y曝光坐标值的各个目标芯片组的曝光焦点值。曝光坐标批次报表指的是曝光机对目标晶圆进行曝光工艺的曝光焦点值报表和曝光能量值报表，曝光焦点值报表和曝光能量值报表为shot坐标报表。
S504，获取各个X曝光坐标值为零的所述目标芯片组在曝光坐标批次报表中的各个曝光能量值。
获取目标晶圆上X曝光坐标值为零的各个目标芯片组在曝光坐标批次报表中对应曝光能量值，即曝光坐标批次报表中X曝光坐标值的各个目标芯片组的曝光能量值。
S506，将曝光坐标报表的横轴转换成曝光焦点值、纵轴转换成曝光能量值，获得目标晶圆的焦点能量矩阵报表。
以各个所述曝光焦点值为所述曝光坐标报表的横轴，以各个所述曝光能量值为所述曝光坐标报表的纵轴，得到所述目标晶圆的焦点能量矩阵报表。
例如，曝光坐标报表中目标芯片组坐标为[-1,0]，在曝光坐标批次报表即曝光机Lot报表Focus类型中对应的Focus值为-0.02，那么在曝光坐标报表中，横轴的-1会被替换成-0.02，以此类推，将整个曝光坐标报表的横轴换成曝光机Lot报表Focus类型中的Focus值，同理将整个曝光坐标报表的纵轴换成曝光机Lot报表Energy类型中的Energy值，得到所述曝光坐标报表对应的焦点能量矩阵报表。
在其中一个实施例中，所述获取各个Y曝光坐标值为零的所述目标芯片组在曝光坐标批次报表中的各个曝光焦点值之前还包括步骤：
对目标晶圆的曝光批次报表进行转角，使得所述曝光批次报表的纵轴与所述曝光坐标 的Y轴方向一致，得到所述目标芯片组在所述曝光坐标中的曝光坐标批次报表；其中，所述曝光坐标批次报表包括曝光焦点值报表和曝光能量值报表。
曝光机对目标晶圆进行曝光时的Y轴坐标与曝光坐标的Y轴正方向具有一定的夹角，即曝光机的曝光批次报表与曝光坐标的Y轴正方向具有一定的夹角(Scanner Notch)，在获取目标晶圆的焦点能量矩阵报表之前，需要先对曝光批次报表进行转角到曝光坐标批次报表，然后进行曝光坐标报表和曝光坐标批次报表的匹配后得到目标晶圆的焦点能量矩阵报表。例如若Scanner Notch为90°，将曝光批次报表逆时针转90°；若Scanner Notch为270°，将曝光批次报表逆时针转270°；若Scanner Notch为180°，将曝光批次报表逆时/顺时针转180°。
在其中一个实施例中，所述方法还包括：获取所述量测数据文件对应的测试图片，并将所述测试图片存储在所述处理服务器的网络存储器中。
上述半导体器件测量数据的处理方法，应用于处理服务器，包括建立所述处理服务器与量测机台服务器之间的数据传输；获取所述量测机台服务器上的量测数据文件；将所述量测数据文件转换成预设报表，并将所述预设报表存储在所述处理服务器的数据库中。本申请通过将量测数据文件转换成预设报表，并将所述预设报表存储处理服务器的数据库中，工程师在需要时调用查看处理服务器数据库中的预设报表即可，避免了工程师查看不同量测机台提供的量测报告时，因量测报告差异较大或量测报告不满足量测结果分析的要求，需要花费时间处理量测数据的问题。
如图6所示，在其中一个实施例中，提供一种半导体器件测量数据的处理方法，应用于客户端服务器，包括：
S602，建立客户端服务器与量测机台服务器之间的数据传输。
客户端服务器获取需要连接的量测机台的服务器信息(FTP server信息)，然后根据登录信息登录量测机台FTP Server，建立客户端服务器与量测机台服务器之间的数据传输。
S604，获取量测机台服务器上的量测数据文件。
建立客户端服务器和量测机台服务器之间数据传输之后，获取量测机台服务器上的量测数据文件，即获取量测机台测试产品后保存的包括量测数据的文件。
S606，将所述数据文件转换成预设报表。
客户端服务器获取量测数据文件后，根据用户设置的报表类型将量测数据文件转换成预设报表。用户可以根据需要设置预设报表的数据类型，从客户端服务器得到预设报表后，对预设报表中的数据进行分析后得到量测结果，而不需要在获取量测数据后，对不同量测 机台的量测数据进行手动匹配生成符合要求的统一格式的报表，省去了进行数据转换的时间，提高了工作效率，并且可以快速得到量测数据存储的信息。用户可以根据需要登录客户端服务器，获取需要的预设报表，避免了量测机台对登录要求的限制。
如图7所示，在其中一个实施例中，所述预设报表包括曝光坐标报表，所述将数据文件转换成预设报表的步骤包括：
S702，获取目标晶圆上各个目标芯片组的曝光坐标数据。
选取量测机台测量过的晶圆作为目标晶圆，获取目标晶圆上各个目标芯片组的曝光坐标数据，所述曝光坐标数据包括X曝光坐标值、Y曝光坐标值和芯片组特征尺寸值。
S704，将各个所述目标芯片组的X曝光坐标值从小到大排列，作为曝光坐标报表的横轴。
S706，将各个所述目标芯片组的Y曝光坐标值从大到小排列，作为曝光坐标报表的纵轴。
S708，将各个所述目标芯片组的芯片组特征尺寸值设于所述曝光坐标报表内，得到所述目标晶圆的曝光坐标报表。
用户根据该曝光坐标报表可以直观地看到目标晶圆特征尺寸值的实际分布，然后根据特征尺寸值的分布进行工艺调整、异常分析等操作，而不需要手动将量测数据表格中异常数据对应到目标晶圆上，然后进行数据分析。
在其中一个实施例中，所述量测数据文件包括芯片坐标数据文件，所述获取目标晶圆上各个目标芯片组的曝光坐标数据文件的步骤包括：
获取所述目标晶圆上各个目标芯片的芯片坐标数据，所述芯片坐标数据包括X芯片坐标值、Y芯片坐标值和芯片特征尺寸值；
以A行、B列所述目标芯片作为一个目标芯片组；
对所述X芯片坐标值与1的和除以A后以ceil函数取值再减去1，作为所述X芯片坐标值对应的X曝光坐标值；
对所述Y芯片坐标值与1的和除以B后以所述ceil函数取值再减去1，作为所述Y芯片坐标值对应的Y曝光坐标值；
对X曝光坐标值和Y曝光坐标值均相同的目标芯片的特征尺寸值取平均值作为与所述X曝光坐标值和所述Y曝光坐标值对应的芯片组特征尺寸值。
在其中一个实施例中，所述预设报表还包括焦点能量矩阵报表，所述将所述量测数据文件转换成预设报表的步骤还包括：
获取各个Y曝光坐标值为零的所述目标芯片组在曝光坐标批次报表中的各个曝光焦点值；
获取各个X曝光坐标值为零的所述目标芯片组在曝光坐标批次报表中的各个曝光能量值；
以各个所述曝光焦点值为所述曝光坐标报表的横轴，以各个所述曝光能量值为所述曝光坐标报表的纵轴，得到所述目标晶圆的焦点能量矩阵报表。
在其中一个实施例中，所述获取各个Y曝光坐标值为零的所述目标芯片组在曝光坐标批次报表中的各个曝光焦点值之前还包括步骤：
对目标晶圆的曝光批次报表进行转角，使得所述曝光批次报表的纵轴与所述曝光坐标的Y轴方向一致，得到所述目标芯片组在所述曝光坐标中的曝光坐标批次报表；
其中，所述曝光坐标批次报表包括曝光焦点值报表和曝光能量值报表。
上述应用于客户端服务器的半导体器件测量数据的处理方法，与应用于处理服务器的半导体器件测量数据的处理方法类似，在上述应用于处理服务器的半导体器件测量数据的处理方法的实施例阐述的技术特征及其有益效果均适用于所述应用于客户端服务器的半导体器件测量数据的处理方法的实施例中，特此声明。
上述半导体器件测量数据的处理方法，应用于客户端服务器，包括：建立所述客户端服务器与量测机台服务器之间的数据传输；获取量测机台服务器上的量测数据文件；将所述数据文件转换成预设报表。本申请通过将量测数据文件转换成预设报表，避免了工程师查看不同量测机台提供的量测报告时，因量测报告差异较大或量测报告不满足量测结果分析的要求，需要花费时间处理量测数据的问题。
在其中一个实施例中，提供一种半导体器件测量数据的处理系统，包括：
数据读取模块，与量测机台连接，用于获取量测机台的量测数据文件；
数据转换模块，与所述数据读取模块连接，用于将所述量测数据文件转换成预设报表。
在其中一个实施例中，所述预设报表包括曝光坐标报表；所述数据转换模块用于获取量测数据文件中目标晶圆上各个目标芯片组的曝光坐标数据，所述曝光坐标数据包括X曝光坐标值、Y曝光坐标值和芯片组特征尺寸值；
所述数据转换模块还用于将各个所述目标芯片组的X曝光坐标值从小到大排列，作为曝光坐标报表的横轴；将各个所述目标芯片组的Y曝光坐标值从大到小排列，作为曝光坐标报表的纵轴；将各个所述目标芯片组的芯片组特征尺寸值设于所述曝光坐标报表内，得到所述目标晶圆的曝光坐标报表。
本发明的半导体器件测量数据的处理系统与半导体器件测量数据的处理方法一一对应，在上述半导体器件测量数据的处理方法的实施例阐述的技术特征及其有益效果均适用于所述半导体器件测量数据的处理系统的实施例中，特此声明。
上述半导体器件测量数据的处理系统，包括：数据读取模块，与量测机台连接，用于获取量测机台的量测数据文件；数据转换模块，与所述数据读取模块连接，用于将所述量测数据文件转换成预设报表。本申请通过数据转换模块将量测数据文件转换成预设报表，避免了工程师查看不同量测机台提供的量测报告时，因量测报告差异较大或量测报告不满足量测结果分析的要求，需要花费时间处理量测数据的问题。
在其中一个实施例中，提供一种计算机设备，包括存储器和处理器，所述存储器存储有计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现上述任一项所述的方法的步骤。
在其中一个实施例中，提供一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现上述任一项所述的方法的步骤。
上述计算机设备及计算机可读存储介质，包括存储器和处理器，所述存储器存储有计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现上述任一项所述的方法的步骤。本申请通过将量测数据文件转换成预设报表，避免了工程师查看不同量测机台提供的量测报告时，因量测报告差异较大或量测报告不满足量测结果分析的要求，需要花费时间处理量测数据的问题。
上述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本申请的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对申请专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。因此，本申请专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (16)

  1. 一种半导体器件测量数据的处理方法，应用于处理服务器，包括：
    建立所述处理服务器与量测机台服务器之间的数据传输；
    获取所述量测机台服务器上的量测数据文件；以及
    将所述量测数据文件转换成预设报表，并将所述预设报表存储在所述处理服务器的数据库中。
  2. 根据权利要求1所述的处理方法，其中所述预设报表包括曝光坐标报表，所述将所述量测数据文件转换成预设报表的步骤包括：
    获取目标晶圆上各个目标芯片组的曝光坐标数据，所述曝光坐标数据包括X曝光坐标值、Y曝光坐标值和芯片组特征尺寸值；
    将各个所述目标芯片组的X曝光坐标值从小到大排列，作为曝光坐标报表的横轴；
    将各个所述目标芯片组的Y曝光坐标值从大到小排列，作为曝光坐标报表的纵轴；以及
    将各个所述目标芯片组的芯片组特征尺寸值设于所述曝光坐标报表内，得到所述目标晶圆的曝光坐标报表。
  3. 根据权利要求2所述的处理方法，其中所述量测数据文件包括芯片坐标数据文件，所述获取目标晶圆上各个目标芯片组的曝光坐标数据的步骤包括：
    获取所述目标晶圆上各个目标芯片的芯片坐标数据，所述芯片坐标数据包括X芯片坐标值、Y芯片坐标值和芯片特征尺寸值；
    以A行、B列所述目标芯片作为一个目标芯片组；
    对所述X芯片坐标值与1的和除以A后以ceil函数取值再减去1，作为所述X芯片坐标值对应的X曝光坐标值；
    对所述Y芯片坐标值与1的和除以B后以所述ceil函数取值再减去1，作为所述Y芯片坐标值对应的Y曝光坐标值；以及
    对X曝光坐标值和Y曝光坐标值均相同的目标芯片的特征尺寸值取平均值，作为与所述X曝光坐标值和所述Y曝光坐标值对应的芯片组特征尺寸值。
  4. 根据权利要求2所述的处理方法，其中所述预设报表还包括焦点能量矩阵报表，所述将所述数据文件转换成预设报表的步骤还包括：
    获取各个Y曝光坐标值为零的所述目标芯片组在曝光坐标批次报表中的各个曝光焦点值；
    获取各个X曝光坐标值为零的所述目标芯片组在曝光坐标批次报表中的各个曝光能量值；以及
    以各个所述曝光焦点值为所述曝光坐标报表的横轴，以各个所述曝光能量值为所述曝光坐标报表的纵轴，得到所述目标晶圆的焦点能量矩阵报表。
  5. 根据权利要求4所述的处理方法，其中所述获取各个Y曝光坐标值为零的所述目标芯片组在曝光坐标批次报表中的各个曝光焦点值之前还包括步骤：
    对目标晶圆的曝光批次报表进行转角，使得所述曝光批次报表的纵轴与所述曝光坐标的Y轴方向一致，得到所述目标芯片组在所述曝光坐标中的曝光坐标批次报表；
    其中，所述曝光坐标批次报表包括曝光焦点值报表和曝光能量值报表。
  6. 根据权利要求1所述的处理方法，其中所述方法还包括：
    获取所述量测数据文件对应的测试图片，并将所述测试图片存储在所述处理服务器的网络存储器中。
  7. 根据权利要求1所述的处理方法，其中与所述处理服务器之间进行数据传输的所述量测机台服务器的数量大于或等于1。
  8. 一种半导体器件测量数据的处理方法，应用于客户端服务器，包括：
    建立所述客户端服务器与量测机台服务器之间的数据传输；
    获取量测机台服务器上的量测数据文件；以及
    将所述数据文件转换成预设报表。
  9. 根据权利要求8所述的处理方法，其中所述预设报表包括曝光坐标报表，所述将数据文件转换成预设报表的步骤包括：
    获取目标晶圆上各个目标芯片组的曝光坐标数据，所述曝光坐标数据包括X曝光坐标值、Y曝光坐标值和芯片组特征尺寸值；
    将各个所述目标芯片组的X曝光坐标值从小到大排列，作为曝光坐标报表的横轴；
    将各个所述目标芯片组的Y曝光坐标值从大到小排列，作为曝光坐标报表的纵轴；以及
    将各个所述目标芯片组的芯片组特征尺寸值设于所述曝光坐标报表内，得到所述目标晶圆的曝光坐标报表。
  10. 根据权利要求9所述的处理方法，其中所述量测数据文件包括芯片坐标数据文件，所述获取目标晶圆上各个目标芯片组的曝光坐标数据文件的步骤包括：
    获取所述目标晶圆上各个目标芯片的芯片坐标数据，所述芯片坐标数据包括X芯片坐 标值、Y芯片坐标值和芯片特征尺寸值；
    以A行、B列所述目标芯片作为一个目标芯片组；
    对所述X芯片坐标值与1的和除以A后以ceil函数取值再减去1，作为所述X芯片坐标值对应的X曝光坐标值；
    对所述Y芯片坐标值与1的和除以B后以所述ceil函数取值再减去1，作为所述Y芯片坐标值对应的Y曝光坐标值；以及
    对X曝光坐标值和Y曝光坐标值均相同的目标芯片的特征尺寸值取平均值，作为与所述X曝光坐标值和所述Y曝光坐标值对应的芯片组特征尺寸值。
  11. 根据权利要求9所述的处理方法，其中所述预设报表还包括焦点能量矩阵报表，所述将所述量测数据文件转换成预设报表的步骤还包括：
    获取各个Y曝光坐标值为零的所述目标芯片组在曝光坐标批次报表中的各个曝光焦点值；
    获取各个X曝光坐标值为零的所述目标芯片组在曝光坐标批次报表中的各个曝光能量值；以及
    以各个所述曝光焦点值为所述曝光坐标报表的横轴，以各个所述曝光能量值为所述曝光坐标报表的纵轴，得到所述目标晶圆的焦点能量矩阵报表。
  12. 根据权利要求11所述的处理方法，其中所述获取各个Y曝光坐标值为零的所述目标芯片组在曝光坐标批次报表中的各个曝光焦点值之前还包括步骤：
    对目标晶圆的曝光批次报表进行转角，使得所述曝光批次报表的纵轴与所述曝光坐标的Y轴方向一致，得到所述目标芯片组在所述曝光坐标中的曝光坐标批次报表；
    其中，所述曝光坐标批次报表包括曝光焦点值报表和曝光能量值报表。
  13. 一种半导体器件测量数据的处理系统，其中包括：
    数据读取模块，与量测机台连接，用于获取量测机台的量测数据文件；以及
    数据转换模块，与所述数据读取模块连接，用于将所述量测数据文件转换成预设报表。
  14. 根据权利要求13所述的处理系统，其中所述预设报表包括曝光坐标报表；
    所述数据转换模块用于获取量测数据文件中目标晶圆上各个目标芯片组的曝光坐标数据，所述曝光坐标数据包括X曝光坐标值、Y曝光坐标值和芯片组特征尺寸值；以及
    所述数据转换模块还用于将各个所述目标芯片组的X曝光坐标值从小到大排列，作为曝光坐标报表的横轴；将各个所述目标芯片组的Y曝光坐标值从大到小排列，作为曝光坐标报表的纵轴；将各个所述目标芯片组的芯片组特征尺寸值设于所述曝光坐标报表内，得 到所述目标晶圆的曝光坐标报表。
  15. 一种计算机设备，包括存储器和处理器，所述存储器存储有计算机程序，其中所述处理器执行所述计算机程序时实现权利要求1所述的方法的步骤。
  16. 一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现权利要求1所述的方法的步骤。
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