WO2021260494A1

WO2021260494A1 - 正孔注入層用複合材料、光デバイス、装置、モジュール、電子機器、及び、照明装置

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Publication number: WO2021260494A1
Application number: PCT/IB2021/055292
Authority: WO
Inventors: 渡部剛吉; 植田藍莉; 大澤信晴; 瀬尾哲史
Original assignee: 株式会社半導体エネルギー研究所
Priority date: 2020-06-26
Filing date: 2021-06-16
Publication date: 2021-12-30
Also published as: KR20230028298A; US20230225149A1; JPWO2021260494A1; CN116018898A

Abstract

発光デバイス、受光デバイス、受発光デバイス等の光デバイスに用いることができる、屈折率の低い複合材料を提供する。第１の有機化合物と、第２の有機化合物と、を有し、第１の有機化合物の、総炭素数に対するｓｐ３混成軌道で結合を形成している炭素数の割合は、２３％以上５５％以下であり、第２の有機化合物は、フッ素を含む、複合材料である。また、陽極と、陰極と、第１の層と、を有し、第１の層に当該複合材料を有する、光デバイスである。

Description

正孔注入層用複合材料、光デバイス、装置、モジュール、電子機器、及び、照明装置

本発明の一態様は、正孔注入層用複合材料、正孔輸送層用複合材料、及び、電荷発生層用複合材料等の複合材料に関する。本発明の一態様は、発光デバイス、受光デバイス、及び、受発光デバイス等の光デバイスに関する。本発明の一態様は、発光装置、受光装置、及び、受発光装置等の装置に関する。本発明の一態様は、発光モジュール、受光モジュール、受発光モジュール、表示モジュール、及び、照明モジュール等のモジュールに関する。本発明の一態様は、電子機器、及び、照明装置に関する。

なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本発明の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、記憶装置、電子機器、照明装置、入力装置（例えば、タッチセンサ）、入出力装置（例えば、タッチパネル）、それらの駆動方法、又はそれらの製造方法を一例として挙げることができる。

有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ：Ｅｌｅｃｔｒｏ　Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）現象を利用した発光デバイス（有機ＥＬデバイス、有機ＥＬ素子ともいう）の研究開発が盛んに行われている。有機ＥＬデバイスの基本的な構成は、一対の電極間に発光性の有機化合物を含む層（以下、発光層とも記す）を挟んだものである。この有機ＥＬデバイスに電圧を印加することにより、発光性の有機化合物からの発光を得ることができる。

有機ＥＬデバイスは、薄型軽量化が容易である、入力信号に対し高速に応答可能である、及び、直流定電圧電源を用いて駆動可能である等の特徴を有し、表示装置に好適である。

また、有機ＥＬデバイスは、膜状に形成することができるため、面状に発光を得ることができる。よって、大面積の発光デバイスを容易に形成することができる。このことは、ＬＥＤ（発光ダイオード）に代表される点光源及び蛍光灯に代表される線光源では得難い特色であるため、有機ＥＬデバイスは、照明装置等に応用できる面光源としての利用価値も高い。

有機ＥＬデバイスにおいて、光取り出し効率のさらなる向上が求められている。互いに隣接する層の屈折率の違いから起こる反射による光の減衰は、光取り出し効率を低下させる要因の一つである。有機ＥＬデバイスにおいて、屈折率の低い材料を用いることで、光取り出し効率を向上させることができる。例えば、非特許文献１では、屈折率の低い層を有する有機ＥＬデバイスが開示されている。

一方で、有機ＥＬデバイスに用いる材料において、低い屈折率と、高い信頼性または高い耐熱性と、を両立することは難しい。

米国特許出願公開第２０２０／０１７６６９２号明細書

本発明の一態様は、発光デバイス、受光デバイス、受発光デバイス等に用いることができる、新規な複合材料を提供することを課題の一つとする。本発明の一態様は、発光デバイス、受光デバイス、受発光デバイス等に用いることができる、屈折率の低い複合材料を提供することを課題の一つとする。本発明の一態様は、発光デバイス、受光デバイス、受発光デバイス等に用いることができる、耐熱性の高い複合材料を提供することを課題の一つとする。本発明の一態様は、新規な、正孔注入層用複合材料、正孔輸送層用複合材料、または、電荷発生層用複合材料を提供することを課題の一つとする。本発明の一態様は、屈折率の低い、正孔注入層用複合材料、正孔輸送層用複合材料、または、電荷発生層用複合材料を提供することを課題の一つとする。本発明の一態様は、耐熱性の高い有機化合物を含み、かつ、屈折率の低い、正孔注入層用複合材料、正孔輸送層用複合材料、または、電荷発生層用複合材料を提供することを課題の一つとする。

本発明の一態様は、発光効率の高い、発光デバイス、または、受発光デバイスを提供することを課題の一つとする。本発明の一態様は、光取り出し効率の高い、発光デバイス、または、受発光デバイスを提供することを課題の一つとする。本発明の一態様は、耐熱性の高い、発光デバイス、受光デバイス、または、受発光デバイスを提供することを課題の一つとする。本発明の一態様は、長寿命の、発光デバイス、受光デバイス、または、受発光デバイスを提供することを課題の一つとする。本発明の一態様は、消費電力の低い、発光デバイス、受光デバイス、または、受発光デバイスを提供することを課題の一つとする。

なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。本発明の一態様は、必ずしも、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。明細書、図面、請求項の記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。

本発明の一態様は、第１の有機化合物と、第２の有機化合物と、を有し、第１の有機化合物の、総炭素数に対するｓｐ３混成軌道で結合を形成している炭素数の割合は、２３％以上５５％以下であり、第２の有機化合物は、フッ素を含む、複合材料である。第１の有機化合物からなる層の波長６３３ｎｍの光における屈折率は、１．４５以上１．７０以下であることが好ましい。

本発明の一態様は、第１の有機化合物と、第２の有機化合物と、を有し、第１の有機化合物のガラス転移温度は、９０℃以上であり、第１の有機化合物からなる層の波長６３３ｎｍの光における屈折率は、１．４５以上１．７０以下であり、第２の有機化合物は、フッ素を含む、複合材料である。

第１の有機化合物は、アミン化合物であることが好ましく、モノアミン化合物であることがより好ましい。

本発明の一態様は、第１の有機化合物と、第２の有機化合物と、を有し、第１の有機化合物は、モノアミン化合物であり、第１の有機化合物からなる層の波長６３３ｎｍの光における屈折率は、１．４５以上１．７０以下であり、第２の有機化合物は、フッ素を含む、複合材料である。

第１の有機化合物の分子量は、６５０以上１２００以下であることが好ましい。

第１の有機化合物は、トリアリールモノアミン化合物であることが好ましい。

第１の有機化合物の^１Ｈ−ＮＭＲ測定結果における、４ｐｐｍ未満のシグナルの積分値は、４ｐｐｍ以上のシグナルの積分値より大きいことが好ましい。

第１の有機化合物は、炭素数１以上１２以下の炭化水素基を少なくとも一つ有することが好ましい。

第１の有機化合物は、炭素数３以上８以下のアルキル基、及び、炭素数６以上１２以下のシクロアルキル基の少なくとも一方を有することが好ましい。

第２の有機化合物は、シアノ基を含むことが好ましい。

第２の有機化合物のＬＵＭＯ準位は、−５．０ｅＶ以下であることが好ましい。

第２の有機化合物は、第１の有機化合物に対して電子受容性を示すことが好ましい。

本発明の一態様は、上記いずれかの構成の複合材料を有する、光デバイスである。光デバイスとしては、発光デバイス、受光デバイス、または受発光デバイスなどが挙げられる。本発明の一態様の複合材料は、正孔注入層、正孔輸送層、または電荷発生層などに用いることができる。

本発明の一態様は、陽極と、陰極と、第１の層と、を有し、第１の層は、第１の有機化合物と、第２の有機化合物と、を有し、第１の有機化合物の、総炭素数に対するｓｐ３混成軌道で結合を形成している炭素数の割合は、２３％以上５５％以下であり、第２の有機化合物は、フッ素を含む、光デバイスである。第１の有機化合物からなる層の波長６３３ｎｍの光における屈折率は、１．４５以上１．７０以下であることが好ましい。

本発明の一態様は、陽極と、陰極と、第１の層と、を有し、第１の層は、第１の有機化合物と、第２の有機化合物と、を有し、第１の有機化合物のガラス転移温度は、９０℃以上であり、第１の有機化合物からなる層の波長６３３ｎｍの光における屈折率は、１．４５以上１．７０以下であり、第２の有機化合物は、フッ素を含む、光デバイスである。

本発明の一態様は、陽極と、陰極と、第１の層と、を有し、第１の層は、第１の有機化合物と、第２の有機化合物と、を有し、第１の有機化合物は、モノアミン化合物であり、第１の有機化合物からなる層の波長６３３ｎｍの光における屈折率は、１．４５以上１．７０以下であり、第２の有機化合物は、フッ素を含む、光デバイスである。

上記いずれかの構成の光デバイスは、さらに、第２の層を有し、第２の層は、第１の層と陰極との間に位置し、第２の層は、第１の有機化合物を有することが好ましい。第２の層は、第１の層と接することが好ましい。

上記いずれかの構成の光デバイスにおいて、第１の層は、陽極と接することが好ましい。

または、上記いずれかの構成の光デバイスは、さらに、第１の発光層と、第２の発光層と、を有し、第１の層は、第１の発光層と第２の発光層の間に位置することが好ましい。

本発明の一態様は、上記いずれかの構成の光デバイスと、トランジスタ及び基板のうち少なくとも一方と、を有する、装置である。

本発明の一態様は、上記の装置と、コネクタ及び集積回路（ＩＣ）の少なくとも一方と、を有する、モジュールである。コネクタとしては、フレキシブルプリント回路基板（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ　Ｐｒｉｎｔｅｄ　Ｃｉｒｃｕｉｔ、以下、ＦＰＣと記す）、及び、ＴＣＰ（Ｔａｐｅ　Ｃａｒｒｉｅｒ　Ｐａｃｋａｇｅ）などが挙げられる。ＩＣは、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ　Ｏｎ　Ｇｌａｓｓ）方式もしくはＣＯＦ（Ｃｈｉｐ　Ｏｎ　Ｆｉｌｍ）方式などにより、装置に実装することができる。なお、本発明の一態様のモジュールは、コネクタ及びＩＣのうち一方のみを有していてもよく、双方を有していてもよい。

本発明の一態様は、上記の装置と、アンテナ、バッテリ、筐体、カメラ、スピーカ、マイク、及び操作ボタンのうち少なくとも一つと、を有する、電子機器である。

本発明の一態様は、上記いずれかの構成の光デバイスと、筐体、カバー、及び支持台のうち少なくとも一つと、を有し、光デバイスは、発光デバイスである、照明装置である。

本発明の一態様により、発光デバイス、受光デバイス、受発光デバイス等に用いることができる、新規な複合材料を提供できる。本発明の一態様により、発光デバイス、受光デバイス、受発光デバイス等に用いることができる、屈折率の低い複合材料を提供できる。本発明の一態様により、発光デバイス、受光デバイス、受発光デバイス等に用いることができる、耐熱性の高い複合材料を提供できる。本発明の一態様により、新規な、正孔輸送層用複合材料、正孔注入層用複合材料、または、電荷発生層用複合材料を提供できる。本発明の一態様により、屈折率の低い、正孔輸送層用複合材料、正孔注入層用複合材料、または、電荷発生層用複合材料を提供できる。本発明の一態様により、耐熱性の高い有機化合物を含み、かつ、屈折率の低い、正孔輸送層用複合材料、正孔注入層用複合材料、または、電荷発生層用複合材料を提供できる。

本発明の一態様により、発光効率の高い、発光デバイス、または、受発光デバイスを提供できる。本発明の一態様により、光取り出し効率の高い、発光デバイス、または、受発光デバイスを提供できる。本発明の一態様により、耐熱性の高い、発光デバイス、受光デバイス、または、受発光デバイスを提供できる。本発明の一態様により、長寿命の、発光デバイス、受光デバイス、または、受発光デバイスを提供できる。本発明の一態様により、消費電力の低い、発光デバイス、受光デバイス、または、受発光デバイスを提供できる。

なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。本発明の一態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。明細書、図面、請求項の記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。

図１Ａ~図１Ｄは、発光デバイスの一例を示す断面図である。
図２Ａは、発光装置の一例を示す上面図である。図２Ｂ及び図２Ｃは、発光装置の一例を示す断面図である。
図３Ａ及び図３Ｃは、発光装置の一例を示す断面図である。図３Ｂは、発光デバイスの一例を示す断面図である。
図４Ａ及び図４Ｂは、発光装置の一例を示す断面図である。
図５Ａは、発光装置の一例を示す上面図である。図５Ｂは、発光装置の一例を示す断面図である。
図５Ｃ及び図５Ｄは、トランジスタの一例を示す断面図である。
図６Ａ及び図６Ｂは、受光デバイスの一例を示す断面図である。図６Ｃ及び図６Ｄは、受発光装置の一例を示す図である。
図７Ａ~図７Ｃは、表示装置の一例を示す図である。
図８Ａ~図８Ｄは、電子機器の一例を示す図である。
図９Ａ~図９Ｆは、電子機器の一例を示す図である。
図１０Ａ~図１０Ｃは、自動車の一例を示す図である。
図１１Ａ~図１１Ｅは、電子機器の一例を示す図である。
図１２は、実施例の発光デバイスを示す断面図である。
図１３は、ｄｃｈＰＡＦ及びＰＣＢＢｉＦの屈折率の測定結果を示す図である。
図１４は、実施例１の発光デバイスの輝度−電流密度特性を示す図である。
図１５は、実施例１の発光デバイスの電流効率−輝度特性を示す図である。
図１６は、実施例１の発光デバイスの電流−電圧特性を示す図である。
図１７は、実施例１の発光デバイスの外部量子効率−輝度特性を示す図である。
図１８は、実施例１の発光デバイスの発光スペクトルを示す図である。
図１９は、実施例１の発光デバイスの信頼性試験の結果を示す図である。
図２０は、ｍｍｔＢｕｍＴＰｃｈＰＡＦ及びＰＣＢＢｉＦの屈折率の測定結果を示す図である。
図２１は、実施例２の発光デバイスの輝度−電流密度特性を示す図である。
図２２は、実施例２の発光デバイスの電流効率−輝度特性を示す図である。
図２３は、実施例２の発光デバイスの電流−電圧特性を示す図である。
図２４は、実施例２の発光デバイスの外部量子効率−輝度特性を示す図である。
図２５は、実施例２の発光デバイスの発光スペクトルを示す図である。
図２６は、実施例２の発光デバイスの信頼性試験の結果を示す図である。

実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。

なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。また、同様の機能を指す場合には、ハッチパターンを同じくし、特に符号を付さない場合がある。

また、図面において示す各構成の、位置、大きさ、及び、範囲などは、理解の簡単のため、実際の位置、大きさ、及び、範囲などを表していない場合がある。このため、開示する発明は、必ずしも、図面に開示された位置、大きさ、及び、範囲などに限定されない。

なお、「膜」という言葉と、「層」という言葉とは、場合によっては、又は、状況に応じて、互いに入れ替えることが可能である。例えば、「導電層」という用語を、「導電膜」という用語に変更することが可能である。または、例えば、「絶縁膜」という用語を、「絶縁層」という用語に変更することが可能である。

（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様の複合材料について説明する。

本発明の一態様の複合材料は、有機ＥＬデバイスなどの発光デバイスにおける、正孔注入層、正孔輸送層、電荷発生層等に用いることができる。

本発明の一態様の複合材料は、有機フォトダイオードなどの受光デバイス、発光及び受光の双方の機能を有する受発光デバイスなどにおいて、キャリア輸送性材料（正孔輸送性材料）として用いることができる。

例えば、有機ＥＬデバイスにおける正孔注入層及び電荷発生層には、それぞれ、正孔輸送性材料と、当該正孔輸送性材料に対して電子受容性を有する材料と、を含む複合材料を用いることができる。これらの層が正孔注入性または電荷発生機能を有するためには、複合材料を構成する材料の間に相互作用が生じ、電荷移動錯体が形成される必要がある。

ここで、複合材料が電子受容性を有する材料を多く含むと、可視領域の光の吸収が生じ、有機ＥＬデバイスの発光効率が低下する恐れがある。したがって、複合材料は、電子受容性を有する材料よりも、正孔輸送性材料を多く含むことが好ましい。例えば、本発明の一態様の複合材料には、正孔輸送性材料に、電子受容性を有する材料を微量で添加する構成を適用することができる。

また、有機ＥＬデバイスに用いる材料の屈折率を低くすることで、外部量子効率を高められるため、複合材料の屈折率は低いことが望ましい。複合材料の大部分を占める正孔輸送性材料の屈折率を低くすることで、複合材料の屈折率を低くすることができる。

屈折率が低い材料を得るためには、分子内に原子屈折が低い置換基を導入することが好ましい。当該置換基としては鎖式飽和炭化水素基及び環式飽和炭化水素基等を挙げることができる。しかし、これらの置換基は、電子受容性を有する材料との相互作用を妨げてしまう。したがって、正孔輸送性材料において、電子受容性を有する材料との相互作用のしやすさと、低い屈折率と、を両立させることは難しい。また、これらの置換基は、キャリア輸送性の発現も妨げてしまう。したがって、複合材料を含む層の高いキャリア輸送性と、低い屈折率と、を両立させることも難しいといえる。

さらに、有機ＥＬデバイスの信頼性を高めるため、有機ＥＬデバイスに用いる材料のガラス転移温度（Ｔｇ）は高いことが望ましい。ガラス転移温度を高くするためには、材料の分子量を高くすることが求められる。耐熱性が高く、信頼性の良好な正孔輸送性材料を得るための一つの方法として、不飽和炭化水素基、特に環式不飽和炭化水素基を分子内に導入することが考えられる。しかし、分子量を高めるために不飽和結合を有する骨格を分子内に導入すると、材料の屈折率が高くなってしまう。このように、正孔輸送性材料において、高いガラス転移温度と、低い屈折率を両立させることも難しい。また、分子量を高めるために飽和結合を有する骨格を導入すると、電子受容性を有する材料との相互作用がさらに抑制されてしまう。

有機ＥＬデバイスに用いることができる正孔輸送性材料の中でも屈折率が低い材料の一つとして、１，１−ビス−（４−ビス（４−メチル−フェニル）−アミノ−フェニル）シクロヘキサン（略称：ＴＡＰＣ）が知られている。ＴＡＰＣを用いることで、良好な外部量子効率を有する発光デバイスが得られることが期待される。

通常、高いキャリア輸送性と低い屈折率とはトレードオフの関係にある。それは、有機化合物におけるキャリア輸送性は不飽和結合の存在に由来するところが大きく、不飽和結合を多く有する有機化合物は、屈折率が高い傾向があるからである。ＴＡＰＣは、キャリア輸送性と低い屈折率とが絶妙なバランスの上に成り立っている物質である。一方で、ＴＡＰＣのようにシクロヘキサンの１，１−ジ置換構造を有する化合物では、シクロヘキサンの一炭素上に、嵩高い置換基が二基挿入されていることから、立体反発が大きくなり、分子自体の不安定を誘起するため、信頼性の観点で不利である。また、ＴＡＰＣは、その骨格の構成がシクロヘキサンと単純なベンゼン環とからなることに起因して、ガラス転移温度が８５℃と低く、耐熱性にも問題を有する。

以上のように、正孔輸送性材料において、電子受容性を有する材料との相互作用のしやすさ及び高いキャリア輸送性と、低い屈折率と、を兼ね備えつつ、さらにガラス転移温度を向上させて耐熱性を高めること、及び、駆動時の信頼性を高めることは容易ではない。本発明者らはこのようなトレードオフを乗り越えるべく、ガラス転移温度が高く、ｓｐ３混成軌道で結合を形成している炭素の割合が一定の範囲内の有機化合物を見出した。また、このような有機化合物を有する複合材料が、正孔注入層用複合材料、正孔輸送層用複合材料、及び、電荷発生層用複合材料として有用であることを見出した。

具体的には、本発明の一態様は、第１の有機化合物と、第２の有機化合物と、を有し、第１の有機化合物の、総炭素数に対するｓｐ３混成軌道で結合を形成している炭素数の割合は、２３％以上５５％以下であり、第２の有機化合物は、フッ素を含む、複合材料である。

または、本発明の一態様は、第１の有機化合物と、第２の有機化合物と、を有し、第１の有機化合物のガラス転移温度は、９０℃以上であり、第１の有機化合物からなる層の波長６３３ｎｍの光における屈折率は、１．４５以上１．７０以下であり、第２の有機化合物は、フッ素を含む、複合材料である。

または、本発明の一態様は、第１の有機化合物と、第２の有機化合物と、を有し、第１の有機化合物は、モノアミン化合物であり、第１の有機化合物からなる層の波長６３３ｎｍの光における屈折率は、１．４５以上１．７０以下であり、第２の有機化合物は、フッ素を含む、複合材料である。

これらの複合材料は、正孔輸送層用複合材料、正孔注入層用複合材料、電荷発生層用複合材料等として用いることができる。

［第１の有機化合物］
第１の有機化合物の、総炭素数に対するｓｐ３混成軌道で結合を形成している炭素数の割合は、２３％以上５５％以下であることが好ましい。ｓｐ３混成軌道で結合を形成している炭素で構成される置換基は、いわゆる鎖式飽和炭化水素基または環式飽和炭化水素基であるため、原子屈折が低い。そのため、第１の有機化合物の屈折率を低くすることができ、複合材料の屈折率も低下させることができる。

第１の有機化合物のガラス転移温度は、９０℃以上が好ましく、９５℃以上がより好ましく、１００℃以上がより好ましく、１１０℃以上がより好ましく、１２０℃以上がさらに好ましい。

第１の有機化合物は、環式飽和炭化水素基または剛直な３級炭化水素基を有することで、ガラス転移温度を高く維持し、耐熱性の高い材料とすることができる。一般に、飽和炭化水素基、特に鎖式飽和炭化水素基を導入すると、対応する（例えば炭素数が同等の）芳香族基または複素芳香族基と比べて、化合物のガラス転移温度及び融点が下がる傾向がある。ガラス転移温度が下がると、有機ＥＬ材料として耐熱性が下がる場合がある。有機ＥＬ材料を用いた各種デバイスは、ヒトの生活における様々な環境下で安定した物性を示すことが望ましいことから、同等の特性を示す材料であればガラス転移温度が高いことが好ましい。

第１の有機化合物からなる層の波長６３３ｎｍの光における屈折率は、１．４５以上１．７０以下であることが好ましい。なお、６３３ｎｍは、屈折率の測定に通常用いられる波長である。また、第１の有機化合物からなる層の青色発光領域の波長（４５５ｎｍ以上４６５ｎｍ以下）における屈折率は、１．５０以上１．７５以下であることが好ましい。なお、材料に異方性が生じている場合、常光に対する屈折率と異常光に対する屈折率が異なることがある。この場合、異方性解析を実施することで、常光屈折率と異常光屈折率に分離してそれぞれの屈折率を算出することができる。なお、本明細書においては、測定した材料に常光屈折率と異常光屈折率の双方が存在した場合、常光屈折率を指標として用いる。

なお、第１の有機化合物からなる層の屈折率として、当該第１の有機化合物が用いられた発光デバイスが発する光のピーク波長または当該発光デバイスに含まれる発光物質の発光ピーク波長における屈折率を用いて、第１の有機化合物を評価してもよい。この場合も、第１の有機化合物からなる層の屈折率は、１．５０以上１．７５以下、または、１．４５以上１．７０以下であることが好ましい。発光デバイスが発する光のピーク波長は、カラーフィルタなど光を調整する構造が設けられている場合は、当該構造を介する前の光のピーク波長とする。また、発光物質の発光ピーク波長は、溶液状態のＰＬスペクトルで算出する。発光デバイスのＥＬ層を構成する有機化合物の比誘電率は３程度であるため、発光デバイスの発光スペクトルとの齟齬を避ける目的で、発光中心物質を溶液状態にするための溶媒の比誘電率は、室温において１以上１０以下であることが好ましく、より好ましくは２以上５以下である。当該溶液としては、具体的には、ヘキサン、ベンゼン、トルエン、ジエチルエーテル、酢酸エチル、クロロホルム、クロロベンゼン、及び、ジクロロメタンが挙げられる。また、室温における比誘電率が２以上５以下で、溶解性が高く、汎用的な溶媒がより好ましく、例えば、当該溶液として、トルエンまたはクロロホルムを用いることが好ましい。

第１の有機化合物は、アミン化合物であることが好ましく、モノアミン化合物であることがより好ましく、トリアリールモノアミン化合物であることがさらに好ましい。

第１の有機化合物がアミン化合物であると、アルキル基の置換位置によって、最高被占有軌道（ＨＯＭＯ）準位を所望の高さに制御しやすくなるため、好ましい。

第１の有機化合物は、ＨＯＭＯを形成する平面と同一平面またはその近傍にアルキル基が結合していることが好ましい。つまり、ＨＯＭＯが遮蔽されない位置に、アルキル基を配置することが好ましい。第１の有機化合物が芳香族アミン化合物である場合、ＨＯＭＯを形成する平面としては、窒素が結合している芳香環の平面が挙げられる。当該アルキル基としては、ｔｅｒｔ−ブチル基またはシクロヘキシル基が好ましい。

第１の有機化合物は、ＨＯＭＯのエネルギーをより不安定化させる結合位置に、電子供与基として機能するアルキル基を有することが好ましい。例えば、トリフェニルアミンの窒素原子のパラ位にアルキル基を有することが好ましい。これにより、第１の有機化合物のＨＯＭＯ準位を高く（浅く）することができる。

第１の有機化合物は、キャリア輸送性が高い骨格を有することが好ましく、中でも芳香族アミン骨格は正孔輸送性が高く好ましい骨格である。キャリア輸送性をさらに向上させるために、アミン骨格を二基導入する手段も考えられる。しかし、上述のＴＡＰＣのように、その周辺に配置される置換基によっては、ジアミン構造は信頼性に対して不利に働くこともある。

トレードオフを乗り越え、電子受容性を有する材料との相互作用のしやすさ、高いキャリア輸送性、低い屈折率、そして高い信頼性を兼ね備える化合物として、本発明者らは、ｓｐ３混成軌道で結合を形成している炭素の割合が一定の範囲内のモノアミン化合物を見出した。特に、当該モノアミン化合物は、通常の屈折率を有する従来の正孔輸送性材料と同等の良好な信頼性を有する材料である。また、当該モノアミン化合物のｓｐ３混成軌道で結合を形成している炭素を有する置換基（アルキル基、及びシクロアルキル基など）の置換基数及び置換位置の一方または双方を工夫することでより良好な特性を有する材料とすることができる。モノアミン化合物において、飽和炭化水素基に結合する芳香族基の数を制限し、立体的な反発を小さくすることで、分子の安定性を向上させることができる。このことから、寿命の良好な光デバイスを得ることができる。

第１の有機化合物の分子量は、６５０以上１２００以下であることが好ましい。これにより、第１の有機化合物の耐熱性を高めることができる。

４ｐｐｍ未満のシグナルは鎖式または環式飽和炭化水素基における水素を反映しており、これが４ｐｐｍ以上のシグナルの積分値より大きいということは飽和炭化水素基を構成する水素原子の数が、不飽和炭化水素を構成する水素原子よりも多いということを意味する。このことから分子におけるｓｐ３炭素の割合が推し量れる。ここで、不飽和炭化水素基の炭素の方が水素と結合できる結合手が少なく、例えばベンゼンとシクロヘキサンで比較すれば、Ｃ_６Ｈ_６とＣ_６Ｈ_１２と差がある。この差を考慮すると、^１Ｈ−ＮＭＲで測定を行った結果における、４ｐｐｍ未満のシグナルの積分値が、４ｐｐｍ以上のシグナルの積分値より大きいということは、すなわち、分子を構成する炭素のうち、飽和炭化水素基にあずかる炭素原子が全体のおよそ３分の１程度存在していることを示している。結果として、第１の有機化合物は屈折率の低い有機化合物となり、正孔輸送性材料及び複合材料として好適に利用することができる。

第１の有機化合物の一例としては、第１の芳香族基、第２の芳香族基、及び第３の芳香族基を有し、第１の芳香族基、第２の芳香族基、及び第３の芳香族基が、同一の窒素原子に直接結合しているモノアミン化合物が挙げられる。

モノアミン化合物は、少なくとも一つのフルオレン骨格を有すると、正孔輸送性が良好となるため、好ましい。したがって、上述の第１の芳香族基、第２の芳香族基、及び第３の芳香族基のいずれか一または複数がフルオレン骨格であることが好ましい。また、当該フルオレン骨格がアミンの窒素原子と直接結合していることは、分子のＨＯＭＯ準位を高くすることに寄与し、正孔の受け渡しを容易にすることができる。

第１の芳香族基及び第２の芳香族基は、それぞれ独立に、１以上３以下のベンゼン環を有する。また、第１の芳香族基及び第２の芳香族基はいずれも炭化水素基であることが好ましい。すなわち、第１の芳香族基及び第２の芳香族基は、それぞれ、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、または、ナフチルフェニル基であることが好ましい。なお、第１の芳香族基または第２の芳香族基がターフェニル基であると、ガラス転移温度が向上し、耐熱性が良好となるため、好ましい。

第１の芳香族基及び第２の芳香族基が、それぞれ２または３のベンゼン環を有する場合、当該２個または３個のベンゼン環は、互いに結合していることが好ましい。なお、第１の芳香族基及び第２の芳香族基の一方または双方が、２個または３個のベンゼン環が互いに結合した置換基、すなわち、ビフェニル基またはターフェニル基であるとガラス転移温度が向上し、耐熱性が良好となるため好ましく、第１の芳香族基及び第２の芳香族基は、それぞれ独立に、ビフェニル基またはターフェニル基であることがより好ましい。

また、第１の芳香族基及び第２の芳香族基の一方または双方は、炭素がｓｐ３混成軌道のみで結合を形成している炭素数１以上１２以下の炭化水素基を一つまたは複数有することが好ましい。当該炭化水素基としては、炭素数３以上８以下のアルキル基、及び、炭素数６以上１２以下のシクロアルキル基が好ましい。

第１の芳香族基または第２の芳香族基に結合している上記炭化水素基に含まれる炭素の合計は６以上である。かつ、第１の芳香族基及び第２の芳香族基に結合している全ての上記炭化水素基に含まれる炭素の合計は８以上、好ましくは１２以上である。原子屈折の小さい上記炭化水素基がこのように結合していることにより、上記モノアミン化合物は屈折率の小さな有機化合物とすることができる。

なお、炭素原子の不飽和結合に由来するπ電子が多い方がキャリアを輸送するためには有利である。第１の芳香族基及び第２の芳香族基に結合した全ての上記炭化水素基に含まれる炭素の合計は、キャリア輸送性を良好に保つため、３６以下が好ましく、３０以下であることがより好ましい。

第３の芳香族基は、置換もしくは無置換の単環、または、置換もしくは無置換の３環以下の縮合環である。縮合環の環数が増加すると、屈折率は増加する傾向がある。また、縮合環の環数が増加すると、可視領域の光の吸収及び発光が観測されるようになる。したがって、縮合環を３環以下とすることで、屈折率を低く維持し、かつ、吸収及び発光の影響が小さい材料とすることができる。なお、第３の芳香族基は、屈折率を低く維持するため、環を形成する炭素の数が６以上１３以下であることが好ましい。第３の芳香族基としては、具体的には、ベンゼン環、ナフタレン環、フルオレン環、及び、アセナフチレン環などを挙げることができる。特に正孔輸送性が良好となることから、第３の芳香族基は、フルオレン環が含まれることが好ましく、フルオレン環であることがより好ましい。

例えば、第１の有機化合物として、一般式（Ｇ１）乃至一般式（Ｇ４）で表される有機化合物を用いることができる。一般式（Ｇ１）乃至一般式（Ｇ４）で表される有機化合物は、モノアミン化合物の一例、及び、トリアリールモノアミン化合物の一例ということができる。

一般式（Ｇ１）中、Ａｒ^１及びＡｒ^２は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換のベンゼン環、または、２個もしくは３個のそれぞれ置換もしくは無置換のベンゼン環が互いに結合した置換基を表す。ただし、Ａｒ^１及びＡｒ^２の一方または双方は、炭素がｓｐ３混成軌道のみで結合を形成している炭素数１以上１２以下の炭化水素基を一つまたは複数有し、Ａｒ^１及びＡｒ^２に結合した全ての炭化水素基に含まれる炭素の合計は８以上であり、かつ、Ａｒ^１及びＡｒ^２のどちらか一方に結合した全ての炭化水素基に含まれる炭素の合計は６以上である。Ｒ^１乃至Ｒ^３は、それぞれ独立に、炭素数１以上４以下のアルキル基を表し、ｕは０以上４以下の整数を表す。なお、Ｒ^１及びＲ^２は互いに結合して環を形成していてもよい。

Ａｒ^１及びＡｒ^２としては、具体的には、それぞれ置換もしくは無置換の、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、ナフチルフェニル基などを挙げることができる。

炭素がｓｐ３混成軌道のみで結合を形成している炭素数１以上１２以下の炭化水素基としては、炭素数３以上８以下のアルキル基、及び、炭素数６以上１２以下のシクロアルキル基が好ましい。具体的には、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ｓｅｃ−ペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、イソヘキシル基、ｓｅｃ−ヘキシル基、ｔｅｒｔ−ヘキシル基、ネオヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、シクロヘキシル基、４−メチルシクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロノニル基、シクロデシル基、デカヒドロナフチル基、シクロウンデシル基、及び、シクロドデシル基などが挙げられる。特に、ｔｅｒｔ−ブチル基、シクロヘキシル基、及び、シクロドデシル基が好ましい。

なお、Ａｒ^１またはＡｒ^２に炭化水素基として炭素数１または２の直鎖アルキル基が複数結合している場合、当該直鎖アルキル基同士が結合して環を形成していてもよい。

一般式（Ｇ２）中、ｎ、ｍ、ｐ、及びｒは、それぞれ独立に、１または２を表し、ｓ、ｔ、及びｕは、それぞれ独立に、０以上４以下の整数を表す。また、ｎ＋ｐ及びｍ＋ｒは、それぞれ独立に、２または３である。Ｒ^１乃至Ｒ^３は、それぞれ独立に、炭素数１以上４以下のアルキル基を表し、Ｒ^４及びＲ^５は、それぞれ独立に、水素、または、炭素数１以上３以下の炭化水素基を表し、Ｒ^１０乃至Ｒ^１４及びＲ^２０乃至Ｒ^２４は、それぞれ独立に、水素、または、炭素がｓｐ３混成軌道のみで結合を形成している炭素数１以上１２以下の炭化水素基を表す。なお、Ｒ^１０乃至Ｒ^１４及びＲ^２０乃至Ｒ^２４に含まれる炭素の合計は８以上であり、かつ、Ｒ^１０乃至Ｒ^１４またはＲ^２０乃至Ｒ^２４のどちらか一方に含まれる炭素の合計が６以上である。Ｒ^１及びＲ^２は互いに結合して環を形成していてもよく、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^１０乃至Ｒ^１４、及び、Ｒ^２０乃至Ｒ^２４は、隣り合う基が互いに結合して環を形成していてもよい。

一般式（Ｇ３）中、ｎ及びｐは、それぞれ独立に、１または２を表し、ｓ及びｕは、それぞれ独立に、０以上４以下の整数を表す。また、ｎ＋ｐは、２または３である。Ｒ^１乃至Ｒ^３は、それぞれ独立に、炭素数１以上４以下のアルキル基を表し、Ｒ^４は、水素、または、炭素数１以上３以下の炭化水素基を表し、Ｒ^１０乃至Ｒ^１４及びＲ^２０乃至Ｒ^２４は、それぞれ独立に、水素、または、炭素がｓｐ３混成軌道のみで結合を形成している炭素数１以上１２以下の炭化水素基を表す。なお、Ｒ^１０乃至Ｒ^１４及びＲ^２０乃至Ｒ^２４に含まれる炭素の合計は８以上であり、かつ、Ｒ^１０乃至Ｒ^１４またはＲ^２０乃至Ｒ^２４のどちらか一方に含まれる炭素の合計が６以上である。また、Ｒ^１及びＲ^２は互いに結合して環を形成していてもよく、Ｒ^４、Ｒ^１０乃至Ｒ^１４、及び、Ｒ^２０乃至Ｒ^２４は、隣り合う基が互いに結合して環を形成していてもよい。

一般式（Ｇ２）及び一般式（Ｇ３）において、炭素数１以上３以下の炭化水素基としては、メチル基、エチル基、及び、プロピル基などを挙げることができる。炭素数１以上４以下の炭化水素基としては、上記に加えてブチル基を挙げることができる。

一般式（Ｇ２）及び一般式（Ｇ３）において、ｎが２である場合、２つのフェニレン基の有する置換基の種類、置換基の数、及び、結合手の位置は同じであっても異なっていてもよい。同様に、ｍ、ｐ、ｒのいずれかが２である場合においても、２つのフェニレン基の有する置換基の種類、置換基の数及び結合手の位置は同じであっても異なっていてもよい。

なお、ｓ、ｔ、及びｕは、それぞれ独立に、０であることが好ましい。また、ｓが２以上４以下の整数である場合、複数のＲ^４はそれぞれ同じであっても異なっていてもよく、ｔが２以上４以下の整数である場合、複数のＲ^５はそれぞれ同じであっても異なっていてもよく、ｕが２以上４以下の整数である場合、複数のＲ^３はそれぞれ同じであっても異なっていてもよい。

一般式（Ｇ４）中、ｕは、０以上４以下の整数を表し、Ｒ^１乃至Ｒ^３は、それぞれ独立に、炭素数１以上４以下のアルキル基を表し、Ｒ^１０乃至Ｒ^１４及びＲ^２０乃至Ｒ^２４は、それぞれ独立に、水素、または、炭素がｓｐ３混成軌道のみで結合を形成している炭素数１以上１２以下の炭化水素基を表す。なお、Ｒ^１０乃至Ｒ^１４及びＲ^２０乃至Ｒ^２４に含まれる炭素の合計は８以上であり、かつ、Ｒ^１０乃至Ｒ^１４またはＲ^２０乃至Ｒ^２４のどちらか一方に含まれる炭素の合計が６以上である。また、Ｒ^１及びＲ^２は互いに結合して環を形成していてもよく、Ｒ^１０乃至Ｒ^１４、及び、Ｒ^２０乃至Ｒ^２４は、隣り合う基が互いに結合して環を形成していてもよい。

ｕは０であることが好ましい。また、ｕが２以上４以下の整数である場合、複数のＲ^３はそれぞれ同じであっても異なっていてもよい。

一般式（Ｇ２）乃至一般式（Ｇ４）において、Ｒ^１０乃至Ｒ^１４及びＲ^２０乃至Ｒ^２４は、それぞれ独立に、水素、ｔｅｒｔ−ブチル基、及びシクロヘキシル基のいずれかであると、屈折率を低くできるため、好ましい。また、Ｒ^１０乃至Ｒ^１４の少なくとも３つ、及び、Ｒ^２０乃至Ｒ^２４の少なくとも３つが水素であると、キャリア輸送性を阻害しにくく、好ましい。

また、第１の有機化合物の一例としては、少なくとも１つの芳香族基を有し、当該芳香族基は第１乃至第３のベンゼン環と、少なくとも３つのアルキル基とを有する、アリールアミン化合物が挙げられる。なお、第１乃至第３のベンゼン環はこの順に結合しており、第１のベンゼン環がアミンの窒素原子に直接結合しているものとする。

第１のベンゼン環はさらに置換または無置換のフェニル基を有していてもよく、無置換のフェニル基を有することが好ましい。また、第２のベンゼン環または第３のベンゼン環が、アルキル基で置換されたフェニル基を有していてもよい。

なお、当該第１乃至第３のベンゼン環のうち、２つ以上のベンゼン環、好ましくはすべてのベンゼン環の１位及び３位の炭素は、水素と直接結合しておらず、上述の第１乃至第３のベンゼン環、上述のアルキル基で置換されたフェニル基、上述の少なくとも３つのアルキル基、及び上述のアミンの窒素原子のいずれかと結合しているものとする。

また、上記アリールアミン化合物は、さらに第２の芳香族基を有することが好ましい。第２の芳香族基としては、無置換の単環、または置換もしくは無置換の３環以下の縮合環を有する基であることが好ましく、中でも置換もしくは無置換の３環以下の縮合環であり、縮合環が、環を形成する炭素の数が６以上１３以下の縮合環を有する基であることがより好ましく、フルオレン環を有する基であることがさらに好ましい。なお、第２の芳香族基としてはジメチルフルオレニル基が好ましい。

また、上記アリールアミン化合物は、さらに第３の芳香族基を有することが好ましい。第３の芳香族基は、１以上３以下の、それぞれ置換または無置換のベンゼン環を、有する。

上述の少なくとも３つのアルキル基、フェニル基に置換するアルキル基は、炭素数２以上５以下の鎖式アルキル基であることが好ましく、炭素数３以上５以下の分岐を有する鎖式アルキル基がより好ましく、ｔ−ブチル基がさらに好ましい。

例えば、第１の有機化合物として、一般式（Ｇ１１）乃至一般式（Ｇ１３）で表される有機化合物を用いることができる。一般式（Ｇ１１）乃至一般式（Ｇ１３）で表される有機化合物は、モノアミン化合物の一例、及び、トリアリールモノアミン化合物の一例ということができる。

一般式（Ｇ１１）中、Ａｒ^１０１は、置換もしくは無置換のベンゼン環、または、２個もしくは３個の置換または無置換のベンゼン環が互いに結合した置換基を表し、Ｒ^１０６乃至Ｒ^１０８は、それぞれ独立に、炭素数１以上４以下のアルキル基を表し、ｖは０以上４以下の整数を表し、Ｒ^１１１乃至Ｒ^１１５のうち、一つは一般式（ｇ１）で表される置換基を表し、その他は、それぞれ独立に、水素、炭素数１以上６以下のアルキル基、及び、置換または無置換のフェニル基のいずれか一を表す。なお、Ｒ^１１１乃至Ｒ^１１５における置換または無置換のフェニル基の数は１以下である。また、当該フェニル基は無置換であることが好ましい。また、当該フェニル基が置換基を有する場合、当該置換基は、炭素数１以上６以下のアルキル基である。

Ａｒ^１０１としては、具体的には、それぞれ置換もしくは無置換の、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、ナフチルフェニル基などを挙げることができる。

なお、ｖが２以上である場合、複数のＲ^１０８はそれぞれ同じであっても異なっていてもよい。

一般式（ｇ１）中、Ｒ^１２１乃至Ｒ^１２５のうち、一つは一般式（ｇ２）で表される置換基を表し、その他は、それぞれ独立に、水素、炭素数１以上６以下のアルキル基、及び、炭素数１以上６以下のアルキル基で置換されたフェニル基のいずれか一を表す。

一般式（ｇ２）中、Ｒ^１３１乃至Ｒ^１３５は、それぞれ独立に、水素、炭素数１以上６以下のアルキル基、炭素数１以上６以下のアルキル基で置換されたフェニル基のいずれか一を表す。

Ｒ^１１１乃至Ｒ^１１５、Ｒ^１２１乃至Ｒ^１２５、及びＲ^１３１乃至Ｒ^１３５のうち、少なくとも３つ以上が炭素数１以上６以下のアルキル基である。これにより、上記一般式（Ｇ１１）で表される有機化合物を、低い屈折率を有するアリールアミン化合物とすることができる。

Ｒ^１２１乃至Ｒ^１２５及びＲ^１３１乃至Ｒ^１３６における炭素数１以上６以下のアルキル基で置換されたフェニル基は１つ以下、すなわち、Ｒ^１２１乃至Ｒ^１２５及びＲ^１３１乃至Ｒ^１３５の中で、炭素数１以上６以下のアルキル基で置換されたフェニル基は１または０であるものとする。

なお、Ｒ^１１２及びＲ^１１４、Ｒ^１２２及びＲ^１２４、並びにＲ^１３２及びＲ^１３４の３つの組み合わせのうち少なくとも２つの組み合わせにおいて、少なくとも一方のＲが水素以外であるものとする。すなわち、Ｒ^１１２及びＲ^１１４を有するベンゼン環、Ｒ^１２２及びＲ^１２４を有するベンゼン環、並びにＲ^１３２及びＲ^１３４を有するベンゼン環のうち、２つ以上のベンゼン環において、それぞれが有するメタ位の炭素の少なくとも一つが水素ではない、すなわち置換基を有する。また、この際、Ｒ^１１２、Ｒ^１１４、Ｒ^１２２、Ｒ^１２４の少なくとも一つが水素以外である、かつ、Ｒ^１３２及びＲ^１３４の少なくとも一つが水素以外であることが好ましい。

炭素数１以上４以下のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、及び、イソブチル基などを挙げることができ、ｔｅｒｔ−ブチル基が特に好ましい。

ベンゼン環またはフェニル基が置換基を有する場合、当該置換基としては、炭素数１以上６以下のアルキル基、炭素数５以上１２以下のシクロアルキル基を用いることができる。

炭素数１以上６以下のアルキル基は、屈折率を下げる観点から、炭素数２以上の鎖式アルキル基が好ましく、キャリア輸送性を確保する観点から、炭素数５以下の鎖式アルキル基が好ましい。また、屈折率低減効果が顕著なのは、炭素数３以上の分岐を有する鎖式アルキル基である。すなわち、上記炭素数１以上６以下のアルキル基は、炭素数２以上５以下の鎖式アルキル基が好ましく、炭素数３以上５以下の分岐を有する鎖式アルキル基がさらに好ましい。炭素数１以上６以下のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、及び、ヘキシル基などを挙げることができ、ｔｅｒｔ−ブチル基が特に好ましい。

炭素数５以上１２以下のシクロアルキル基としては、シクロヘキシル基、４−メチルシクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロノニル基、シクロデシル基、デカヒドロナフチル基、シクロウンデシル基、及びシクロドデシル基などを挙げることができ、炭素数６以上のシクロアルキル基が低屈折率化のために好ましく、特にシクロヘキシル基及びシクロドデシル基が好ましい。

一般式（Ｇ１２）は、一般式（Ｇ１１）において、Ａｒ^１０１が、２個もしくは３個の置換または無置換のベンゼン環が互いに結合した置換基である例である。そのため、一般式（Ｇ１１）と同様の部分については説明を省略する場合がある。

一般式（Ｇ１２）中、Ｒ^１０６乃至Ｒ^１０９は、それぞれ独立に、炭素数１以上４以下のアルキル基を表し、ｖ及びｗは、それぞれ独立に、０以上４以下の整数を表し、ｘ及びｙは、それぞれ独立に、１または２を表し、ｘ＋ｙは２または３である。ｘとｙはどちらも１が好ましい。Ｒ^１４１乃至Ｒ^１４５は、それぞれ独立に、水素、炭素数１以上６以下のアルキル基、炭素数５以上１２以Ｆのシクロアルキル基のいずれか一を表す。

なお、ｖが２以上である場合、複数のＲ^１０８はそれぞれ同じであっても異なっていてもよい。同様に、ｗが２以上である場合、複数のＲ^１０９はそれぞれ同じであっても異なっていてもよい。

ｘが２である場合、２つのフェニレン基の有する置換基の種類、置換基の数、及び、結合手の位置は同じであっても異なっていてもよい。また、ｙが２である場合、２つのフェニル基の有する置換基の種類、及び、置換基の数は同じであっても異なっていてもよい。

一般式（Ｇ１３）は、一般式（Ｇ１１）において、Ａｒ^１０１が、１個の置換または無置換のベンゼン環である例である。そのため、一般式（Ｇ１１）と同様の部分については説明を省略する場合がある。

一般式（Ｇ１３）中、Ｒ^１０１乃至Ｒ^１０５は、それぞれ独立に、水素、炭素数１以上６以下のアルキル基、炭素数６以上１２以下のシクロアルキル基、及び、置換または無置換のフェニル基のいずれか一を表す。

Ｒ^１０１乃至Ｒ^１０５のうち、Ｒ^１０３がシクロヘキシル基であり、残りがすべて水素であることが好ましい。また、Ｒ^１０１乃至Ｒ^１０５のうち、Ｒ^１０１が無置換のフェニル基であり、残りがすべて水素であると、正孔輸送性が向上するため、好ましい。

第１の有機化合物として用いることができる有機化合物としては、具体的には、Ｎ，Ｎ−ビス（４−シクロヘキシルフェニル）−９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−アミン（略称：ｄｃｈＰＡＦ）、Ｎ−［（３’，５’−ジターシャリーブチル）−１，１’−ビフェニル−４−イル］−Ｎ−（４−シクロヘキシルフェニル）−９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−アミン（略称：ｍｍｔＢｕＢｉｃｈＰＡＦ）、Ｎ−（３，３’’，５，５’’−テトラ−ｔ−ブチル−１，１’：３’，１’’−ターフェニル−５’−イル）−Ｎ−（４−シクロヘキシルフェニル）−９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−アミン（略称：ｍｍｔＢｕｍＴＰｃｈＰＡＦ）、Ｎ−［（３，３’，５’−ｔ−ブチル）−１，１’−ビフェニル−５−イル］−Ｎ−（４−シクロヘキシルフェニル）−９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−アミン（略称：ｍｍｔＢｕｍＢｉｃｈＰＡＦ）、Ｎ−（１，１’−ビフェニル−２−イル）−Ｎ−［（３，３’，５’−トリ−ｔ−ブチル）−１，１’−ビフェニル−５−イル］−９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−アミン（略称：ｍｍｔＢｕｍＢｉｏＦＢｉ）、Ｎ−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−Ｎ−（３，３’’，５，５’’−テトラ−ｔ−ブチル−１，１’：３’，１’’−ターフェニル−５’−イル）−９，９，−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−アミン（略称：ｍｍｔＢｕｍＴＰｔＢｕＰＡＦ）、Ｎ−（１，１’−ビフェニル−２−イル）−Ｎ−（３，３’’，５’，５’’−テトラ−ｔ−ブチル−１，１’：３’，１’’−ターフェニル−５−イル）−９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−アミン（略称：ｍｍｔＢｕｍＴＰｏＦＢｉ−０２）、Ｎ−（４−シクロヘキシルフェニル）−Ｎ−（３，３’’，５’，５’’−テトラ−ｔ−ブチル−１，１’：３’，１’’−ターフェニル−５−イル）−９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−アミン（略称：ｍｍｔＢｕｍＴＰｃｈＰＡＦ−０２）、Ｎ−（１，１’−ビフェニル−２−イル）−Ｎ−（３’’，５’，５’’−トリ−ｔ−ブチル−１，１’：３’，１’’−ターフェニル−５−イル）−９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−アミン（略称：ｍｍｔＢｕｍＴＰｏＦＢｉ−０３）、及び、Ｎ−（４−シクロヘキシルフェニル）−Ｎ−（３’’，５’，５’’−トリ−ｔ−ブチル−１，１’：３’，１’’−ターフェニル−５−イル）−９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−アミン（略称：ｍｍｔＢｕｍＴＰｃｈＰＡＦ−０３）などが挙げられる。なお、これらの有機化合物の合成方法については、参考例で詳述する。

［第２の有機化合物］
上述の通り、第２の有機化合物は、フッ素を含む。第２の有機化合物は、特に、シアノ基を含むことが好ましい。

第２の有機化合物は、第１の有機化合物に対して電子受容性を示すことが好ましい。そのためには、第２の有機化合物の最低空軌道（ＬＵＭＯ）準位は、−５．０ｅＶ以下であることが好ましい。

本発明の一態様の複合材料における、第２の有機化合物の質量パーセント濃度は、１０ｗｔ％以下が好ましく、５ｗｔ％以下がより好ましい。または、本発明の一態様の複合材料における、第２の有機化合物の体積パーセント濃度は、１０ｖｏｌ％以下が好ましく、５ｖｏｌ％以下がより好ましく、３ｖｏｌ％以下がさらに好ましい。第２の有機化合物の濃度を低くすることで、可視領域の光の吸収を抑制することができる。これにより、例えば、発光デバイスにおいて、発光効率を高めることができる。また、発光装置が有する複数の発光デバイスに共通して、本発明の一態様の複合材料を含む層を形成した場合に、クロストークが生じることを抑制することができる。

第２の有機化合物としては、具体的には、７，７，８，８−テトラシアノ−２，３，５，６−テトラフルオロキノジメタン（略称：Ｆ_４−ＴＣＮＱ）、１，３，４，５，７，８−ヘキサフルオロテトラシアノ−ナフトキノジメタン（略称：Ｆ６−ＴＣＮＮＱ）、及び、２−（７−ジシアノメチレン−１，３，４，５，６，８，９，１０−オクタフルオロ−７Ｈ−ピレン−２−イリデン）マロノニトリル等を挙げることができる。また、電子吸引基（特にフルオロ基のようなハロゲン基、または、シアノ基）を有する［３］ラジアレン誘導体は、電子受容性が非常に高いため好ましく、具体的にはα，α’，α’’−１，２，３−シクロプロパントリイリデントリス［４−シアノ−２，３，５，６−テトラフルオロベンゼンアセトニトリル］、α，α’，α’’−１，２，３−シクロプロパントリイリデントリス［２，６−ジクロロ−３，５−ジフルオロ−４−（トリフルオロメチル）ベンゼンアセトニトリル］、及び、α，α’，α’’−１，２，３−シクロプロパントリイリデントリス［２，３，４，５，６−ペンタフルオロベンゼンアセトニトリル］などが挙げられる。

以上のように、本実施の形態の複合材料は、第１の有機化合物と第２の有機化合物の相互作用が強く、屈折率が低く、耐熱性が高い。したがって、発光デバイスの光取り出し効率を高めることができる。また、電流−電圧特性が良好な光デバイスを得ることができる。また、光デバイスの信頼性を高めることができる。

本実施の形態は、他の実施の形態及び実施例と適宜組み合わせることができる。また、本明細書において、一つの実施の形態の中に、複数の構成例が示される場合は、構成例を適宜組み合わせることが可能である。

（実施の形態２）
本実施の形態では、本発明の一態様の発光デバイスについて図１を用いて説明する。本実施の形態では、可視光または近赤外光を発する機能を有する発光デバイスについて説明する。

［発光デバイスの構成例］
≪発光デバイスの基本的な構造≫
図１Ａ~図１Ｄに、一対の電極間にＥＬ層を有する発光デバイスの一例を示す。

図１Ａに示す発光デバイスは、第１の電極１０１と第２の電極１０２との間にＥＬ層１０３が挟まれた構造（シングル構造）を有する。ＥＬ層１０３は、少なくとも発光層を有する。ＥＬ層１０３は、さらに、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層、キャリアブロック層、励起子ブロック層、及び、電荷発生層などの様々な層のうち一つまたは複数の層を有することができる。

図１Ｂに、ＥＬ層１０３の積層構造の一例を示す。本実施の形態では、第１の電極１０１が陽極として機能し、第２の電極１０２が陰極として機能する場合を例に挙げて説明する。ＥＬ層１０３は、第１の電極１０１上に、正孔注入層１１１、正孔輸送層１１２、発光層１１３、電子輸送層１１４、及び、電子注入層１１５が順次積層された構造を有する。正孔注入層１１１、正孔輸送層１１２、発光層１１３、電子輸送層１１４、及び電子注入層１１５は、それぞれ、単層構造であってもよく、積層構造であってもよい。第１の電極１０１が陰極で、第２の電極１０２が陽極の場合、積層順は逆になる。

発光デバイスは、一対の電極間に複数のＥＬ層を有していてもよい。例えば、発光デバイスは、ｎ層（ｎは２以上の整数）のＥＬ層を有し、（ｎ−１）層目のＥＬ層とｎ層目のＥＬ層との間に電荷発生層１０４を有することが好ましい。

図１Ｃに、一対の電極間に２層のＥＬ層（ＥＬ層１０３ａ、１０３ｂ）を有する、タンデム構造の発光デバイスを示す。また、図１Ｄに、３層のＥＬ層（ＥＬ層１０３ａ、１０３ｂ、１０３ｃ）を有する、タンデム構造の発光デバイスを示す。

ＥＬ層１０３ａ、１０３ｂ、１０３ｃは、それぞれ、少なくとも発光層を有する。図１Ｃ、図１Ｄに示すタンデム構造のように複数のＥＬ層を有する場合であっても、各ＥＬ層に、図１Ｂに示すＥＬ層１０３と同様の積層構造を適用することができる。ＥＬ層１０３ａ、１０３ｂ、１０３ｃは、それぞれ、正孔注入層１１１、正孔輸送層１１２、電子輸送層１１４、及び電子注入層１１５のうち一種または複数種の層を有することができる。

図１Ｃに示す電荷発生層１０４は、第１の電極１０１と第２の電極１０２に電圧を印加したときに、ＥＬ層１０３ａ及びＥＬ層１０３ｂのうち、一方に電子を注入し、他方に正孔（ホール）を注入する機能を有する。従って、図１Ｃにおいて、第１の電極１０１に第２の電極１０２よりも電位が高くなるように電圧を印加すると、電荷発生層１０４からＥＬ層１０３ａに電子が注入され、ＥＬ層１０３ｂに正孔が注入される。

なお、電荷発生層１０４は、光の取り出し効率の点から、可視光または近赤外光を透過する（具体的には、電荷発生層１０４の可視光または近赤外光の透過率が、４０％以上である）ことが好ましい。また、電荷発生層１０４は、第１の電極１０１及び第２の電極１０２の一方または双方よりも低い導電率であっても機能する。

なお、ＥＬ層同士を接して設けることで、両者の間に電荷発生層１０４と同じ構成が形成される場合は、電荷発生層を介さずにＥＬ層同士を接して設けることができる。例えば、ＥＬ層の一方の面に電荷発生領域が形成されている場合、その面に接してＥＬ層を設けることができる。

タンデム構造の発光デバイスは、シングル構造のデバイスに比べて、電流効率が高く、同一の輝度で光らせる場合に必要な電流が少ない。そのため、発光デバイスの寿命が長く、発光装置及び電子機器の信頼性を高めることができる。

発光層１１３は、発光物質と複数の物質とを適宜組み合わせて有しており、所望の波長の蛍光発光または燐光発光が得られる構成とすることができる。また、発光層１１３を発光波長の異なる積層構造としてもよい。なお、この場合、積層された各発光層に用いる発光物質及びその他の物質は、それぞれ異なる材料を用いてもよい。また、図１Ｃ、図１Ｄに示すＥＬ層１０３ａ、１０３ｂ、１０３ｃは、互いに異なる波長の光を発する構成であってもよい。この場合も各発光層に用いる発光物質及びその他の物質をそれぞれ異なる材料とすることができる。例えば、図１Ｃにおいて、ＥＬ層１０３ａが赤色と緑色の光を発する構成とし、ＥＬ層１０３ｂが青色の光を発する構成とすることで、発光デバイス全体として白色発光する発光デバイスを得ることが可能となる。また、一つの発光デバイスは、同じ色を呈する発光層またはＥＬ層を複数有していてもよい。例えば、図１Ｄにおいて、ＥＬ層１０３ａが第１の青色の光を発する構成とし、ＥＬ層１０３ｂが黄色、黄緑色、または緑色の光と赤色の光とを発する構成とし、ＥＬ層１０３ｃが第２の青色の光を発する構成とすることで、発光デバイス全体として白色発光する発光デバイスを得ることが可能となる。

本発明の一態様の発光デバイスにおいて、ＥＬ層で得られた発光を一対の電極間で共振させることにより、得られる発光を強める構成としてもよい。例えば、図１Ｂにおいて、第１の電極１０１を反射電極とし、第２の電極１０２を半透過・半反射電極とすることにより、微小光共振器（マイクロキャビティ）構造を形成することで、ＥＬ層１０３から得られる発光を強めることができる。

発光デバイスにマイクロキャビティ構造を適用することで、同じＥＬ層を有していても異なる波長の光（単色光）を取り出すことができる。そのため、異なる発光色を得るための、画素ごとに異なる機能層の形成（いわゆる、塗り分け）が不要となる。従って、高精細化を実現することが容易である。また、着色層（カラーフィルタ）との組み合わせも可能である。さらに、特定波長の正面方向の発光強度を強めることが可能となるため、低消費電力化を図ることができる。

なお、発光デバイスの第１の電極１０１が、可視光または近赤外光に対して反射性を有する導電膜と可視光または近赤外光に対して透光性を有する導電膜との積層構造からなる反射電極である場合、当該透光性を有する導電膜の膜厚を制御することにより光学調整を行うことができる。具体的には、発光層１１３から得られる光の波長λに対して、第１の電極１０１と、第２の電極１０２との電極間距離がｍλ／２（ただし、ｍは自然数）近傍となるように調整するのが好ましい。

また、発光層１１３から得られる所望の光（波長：λ）を増幅させるために、第１の電極１０１から発光層１１３の所望の光が得られる領域（発光領域）までの光学距離と、第２の電極１０２から発光層１１３の所望の光が得られる領域（発光領域）までの光学距離と、をそれぞれ（２ｍ’＋１）λ／４（ただし、ｍ’は自然数）近傍となるように調節するのが好ましい。なお、ここでいう発光領域とは、発光層１１３における正孔と電子との再結合領域を示す。

このような光学調整を行うことにより、発光層１１３から得られる光のスペクトルを狭線化させ、色純度の良い発光を得ることができる。

但し、上記の場合、第１の電極１０１と第２の電極１０２との光学距離は、厳密には第１の電極１０１における反射領域から第２の電極１０２における反射領域までの総厚ということができる。しかし、第１の電極１０１及び第２の電極１０２における反射領域を厳密に決定することは困難であるため、第１の電極１０１と第２の電極１０２の任意の位置を反射領域と仮定することで充分に上述の効果を得ることができるものとする。また、第１の電極１０１と、所望の光が得られる発光層との光学距離は、厳密には第１の電極１０１における反射領域と、所望の光が得られる発光層における発光領域との光学距離であるということができる。しかし、第１の電極１０１における反射領域、及び、所望の光が得られる発光層における発光領域を厳密に決定することは困難であるため、第１の電極１０１の任意の位置を反射領域、所望の光が得られる発光層の任意の位置を発光領域と仮定することで充分に上述の効果を得ることができるものとする。

第１の電極１０１と第２の電極１０２の少なくとも一方は、可視光または近赤外光に対して透光性を有する電極とする。可視光または近赤外光に対して透光性を有する電極の可視光または近赤外光の透過率は、４０％以上とする。なお、可視光または近赤外光に対して透光性を有する電極が、上記半透過・半反射電極の場合、当該電極の可視光または近赤外光の反射率は、２０％以上８０％以下、好ましくは４０％以上７０％以下とする。また、これらの電極の抵抗率は、１×１０^−２Ωｃｍ以下が好ましい。

第１の電極１０１または第２の電極１０２が、可視光または近赤外光に対して反射性を有する電極（反射電極）である場合、反射電極の可視光または近赤外光の反射率は、４０％以上１００％以下、好ましくは７０％以上１００％以下とする。また、この電極の抵抗率は、１×１０^−２Ωｃｍ以下が好ましい。

≪発光デバイスの具体的な構造≫
次に、発光デバイスの具体的な構造について説明する。ここでは、図１Ｂに示すシングル構造を有する発光デバイスを用いて説明する。

＜電極＞
第１の電極１０１及び第２の電極１０２を形成する材料としては、上述した両電極の機能が満たせるのであれば、以下に示す材料を適宜組み合わせて用いることができる。例えば、金属、合金、電気伝導性化合物、及びこれらの混合物などを適宜用いることができる。具体的には、Ｉｎ−Ｓｎ酸化物（ＩＴＯともいう）、Ｉｎ−Ｓｉ−Ｓｎ酸化物（ＩＴＳＯともいう）、Ｉｎ−Ｚｎ酸化物、Ｉｎ−Ｗ−Ｚｎ酸化物が挙げられる。その他、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、マンガン（Ｍｎ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、ガリウム（Ｇａ）、亜鉛（Ｚｎ）、インジウム（Ｉｎ）、スズ（Ｓｎ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、パラジウム（Ｐｄ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、銀（Ａｇ）、イットリウム（Ｙ）、ネオジム（Ｎｄ）などの金属、及びこれらを適宜組み合わせて含む合金（銀とパラジウムと銅の合金（Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ（ＡＰＣ））など）を用いることもできる。その他、上記例示のない元素周期表の第１族または第２族に属する元素（例えば、リチウム（Ｌｉ）、セシウム（Ｃｓ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ））、ユウロピウム（Ｅｕ）、イッテルビウム（Ｙｂ）などの希土類金属及びこれらを適宜組み合わせて含む合金、グラフェン等を用いることができる。

なお、マイクロキャビティ構造を有する発光デバイスを作製する場合は、第１の電極１０１を反射電極として形成し、第２の電極１０２を半透過・半反射電極として形成する。したがって、所望の導電性材料を単数または複数用い、単層または積層して形成することができる。なお、第２の電極１０２は、ＥＬ層１０３を形成した後、上記と同様に材料を選択して形成する。また、これらの電極の作製には、スパッタリング法または真空蒸着法を用いることができる。

＜正孔注入層＞
正孔注入層１１１は、陽極である第１の電極１０１からＥＬ層１０３に正孔を注入する層であり、正孔注入性の高い材料を含む層である。

正孔注入性の高い材料としては、正孔輸送性材料とアクセプター性材料（電子受容性材料）とを含む複合材料を用いることができる。この場合、アクセプター性材料により正孔輸送性材料から電子が引き抜かれて正孔注入層１１１で正孔が発生し、正孔輸送層１１２を介して発光層１１３に正孔が注入される。なお、正孔注入層１１１は、正孔輸送性材料とアクセプター性材料とを含む複合材料からなる単層で形成してもよく、正孔輸送性材料とアクセプター性材料とをそれぞれ別の層で積層して形成してもよい。

正孔注入層１１１には、実施の形態１で説明した、本発明の一態様の複合材料を用いることが好ましい。

そのほか、正孔注入性の高い材料としては、モリブデン酸化物、バナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物等の遷移金属酸化物、フタロシアニン（略称：Ｈ_２Ｐｃ）、及び、銅フタロシアニン（略称：ＣｕＰｃ）等のフタロシアニン系の化合物等を用いることができる。

また、正孔注入性の高い材料としては、４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）、４，４’−ビス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＰＡＢ）、４，４’−ビス（Ｎ−｛４−［Ｎ’−（３−メチルフェニル）−Ｎ’−フェニルアミノ］フェニル｝−Ｎ−フェニルアミノ）ビフェニル（略称：ＤＮＴＰＤ）、１，３，５−トリス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ベンゼン（略称：ＤＰＡ３Ｂ）、３−［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ１）、３，６−ビス［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ２）、３−［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）アミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＮ１）等の芳香族アミン化合物等を用いることができる。

正孔注入性の高い材料としては、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）（略称：ＰＶＫ）、ポリ（４−ビニルトリフェニルアミン）（略称：ＰＶＴＰＡ）、ポリ［Ｎ−（４−｛Ｎ’−［４−（４−ジフェニルアミノ）フェニル］フェニル−Ｎ’−フェニルアミノ｝フェニル）メタクリルアミド］（略称：ＰＴＰＤＭＡ）、ポリ［Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）ベンジジン］（略称：Ｐｏｌｙ−ＴＰＤ）等を用いることができる。または、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（スチレンスルホン酸）（略称：ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）、ポリアニリン／ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＡｎｉ／ＰＳＳ）等の酸を添加した高分子化合物等を用いることもできる。

または、正孔注入層１１１に用いる正孔輸送性材料は、カルバゾール骨格、ジベンゾフラン骨格、ジベンゾチオフェン骨格、及びアントラセン骨格のうち少なくとも一つを有していてもよい。正孔輸送性材料は、ジベンゾフラン環またはジベンゾチオフェン環を含む置換基を有する芳香族アミン、ナフタレン環を有する芳香族モノアミン、または９−フルオレニル基がアリーレン基を介してアミンの窒素原子に結合する芳香族モノアミンであってもよい。

正孔輸送性材料としては、例えば、Ｎ−（４−ビフェニル）−６，Ｎ−ジフェニルベンゾ［ｂ］ナフト［１，２−ｄ］フラン−８−アミン（略称：ＢｎｆＡＢＰ）、Ｎ，Ｎ−ビス（４−ビフェニル）−６−フェニルベンゾ［ｂ］ナフト［１，２−ｄ］フラン−８−アミン（略称：ＢＢＡＢｎｆ）、４，４’−ビス（６−フェニルベンゾ［ｂ］ナフト［１，２−ｄ］フラン−８−イル）−４’’−フェニルトリフェニルアミン（略称：ＢｎｆＢＢ１ＢＰ）、Ｎ，Ｎ−ビス（４−ビフェニル）ベンゾ［ｂ］ナフト［１，２−ｄ］フラン−６−アミン（略称：ＢＢＡＢｎｆ（６））、Ｎ，Ｎ−ビス（４−ビフェニル）ベンゾ［ｂ］ナフト［１，２−ｄ］フラン−８−アミン（略称：ＢＢＡＢｎｆ（８））、Ｎ，Ｎ−ビス（４−ビフェニル）ベンゾ［ｂ］ナフト［２，３−ｄ］フラン−４−アミン（略称：ＢＢＡＢｎｆ（ＩＩ）（４））、Ｎ，Ｎ−ビス［４−（ジベンゾフラン−４−イル）フェニル］−４−アミノ−ｐ−ターフェニル（略称：ＤＢｆＢＢ１ＴＰ）、Ｎ−［４−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］−Ｎ−フェニル−４−ビフェニルアミン（略称：ＴｈＢＡ１ＢＰ）、４−（２−ナフチル）−４’，４’’−ジフェニルトリフェニルアミン（略称：ＢＢＡβＮＢ）、４−［４−（２−ナフチル）フェニル］−４’，４’’−ジフェニルトリフェニルアミン（略称：ＢＢＡβＮＢｉ）、４−（２；１’−ビナフチル−６−イル）−４’，４’’−ジフェニルトリフェニルアミン（略称：ＢＢＡαＮβＮＢ）、４，４’−ジフェニル−４’’−（７；１’−ビナフチル−２−イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＢＡαＮβＮＢ−０３）、４，４’−ジフェニル−４’’−（７−フェニル）ナフチル−２−イルトリフェニルアミン（略称：ＢＢＡＰβＮＢ−０３）、４−（６；２’−ビナフチル−２−イル）−４’，４’’−ジフェニルトリフェニルアミン（略称：ＢＢＡ（βＮ２）Ｂ）、４−（２；２’−ビナフチル−７−イル）−４’，４’’−ジフェニルトリフェニルアミン（略称：ＢＢＡ（βＮ２）Ｂ−０３）、４−（１；２’−ビナフチル−４−イル）−４’，４’’−ジフェニルトリフェニルアミン（略称：ＢＢＡβＮαＮＢ）、４−（１；２’−ビナフチル−５−イル）−４’，４’’−ジフェニルトリフェニルアミン（略称：ＢＢＡβＮαＮＢ−０２）、４−（４−ビフェニリル）−４’−（２−ナフチル）−４’’−フェニルトリフェニルアミン（略称：ＴＰＢｉＡβＮＢ）、４−（３−ビフェニリル）−４’−［４−（２−ナフチル）フェニル］−４’’−フェニルトリフェニルアミン（略称：ｍＴＰＢｉＡβＮＢｉ）、４−（４−ビフェニリル）−４’−［４−（２−ナフチル）フェニル］−４’’−フェニルトリフェニルアミン（略称：ＴＰＢｉＡβＮＢｉ）、４−（１−ナフチル）−４’−フェニルトリフェニルアミン（略称：αＮＢＡ１ＢＰ）、４，４’−ビス（１−ナフチル）トリフェニルアミン（略称：αＮＢＢ１ＢＰ）、４，４’−ジフェニル−４’’−［４’−（カルバゾール−９−イル）ビフェニル−４−イル］トリフェニルアミン（略称：ＹＧＴＢｉ１ＢＰ）、４’−［４−（３−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］トリス（１，１’−ビフェニル−４−イル）アミン（略称：ＹＧＴＢｉ１ＢＰ−０２）、４−［４’−（カルバゾール−９−イル）ビフェニル−４−イル］−４’−（２−ナフチル）−４’’−フェニルトリフェニルアミン（略称：ＹＧＴＢｉβＮＢ）、Ｎ−［４−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）フェニル］−Ｎ−［４−（１−ナフチル）フェニル］−９，９’−スピロビ［９Ｈ−フルオレン］−２−アミン（略称：ＰＣＢＮＢＳＦ）、Ｎ，Ｎ−ビス（［１，１’−ビフェニル］−４−イル）−９，９’−スピロビ［９Ｈ−フルオレン］−２−アミン（略称：ＢＢＡＳＦ）、Ｎ，Ｎ−ビス（［１，１’−ビフェニル］−４−イル）−９，９’−スピロビ［９Ｈ−フルオレン］−４−アミン（略称：ＢＢＡＳＦ（４））、Ｎ−（１，１’−ビフェニル−２−イル）−Ｎ−（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）−９，９’−スピロビ［９Ｈ−フルオレン］−４−アミン（略称：ｏＦＢｉＳＦ）、Ｎ−（４−ビフェニル）−Ｎ−（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）ジベンゾフラン−４−アミン（略称：ＦｒＢｉＦ）、Ｎ−［４−（１−ナフチル）フェニル］−Ｎ−［３−（６−フェニルジベンゾフラン−４−イル）フェニル］−１−ナフチルアミン（略称：ｍＰＤＢｆＢＮＢＮ）、４−フェニル−４’−（９−フェニルフルオレン−９−イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＰＡＦＬＰ）、４−フェニル−３’−（９−フェニルフルオレン−９−イル）トリフェニルアミン（略称：ｍＢＰＡＦＬＰ）、４−フェニル−４’−［４−（９−フェニルフルオレン−９−イル）フェニル］トリフェニルアミン（略称：ＢＰＡＦＬＢｉ）、４−フェニル−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡ１ＢＰ）、４，４’−ジフェニル−４’’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＢｉ１ＢＰ）、４−（１−ナフチル）−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡＮＢ）、４，４’−ジ（１−ナフチル）−４’’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＮＢＢ）、Ｎ−フェニル−Ｎ−［４−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）フェニル］スピロ−９，９’−ビフルオレン−２−アミン（略称：ＰＣＢＡＳＦ）、及び、Ｎ−（１，１’−ビフェニル−４−イル）−９，９−ジメチル−Ｎ−［４−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）フェニル］−９Ｈ−フルオレン−２−アミン（略称：ＰＣＢＢｉＦ）等が挙げられる。

正孔注入層１１１に用いることができるアクセプター性材料としては、クロラニル、及び、２，３，６，７，１０，１１−ヘキサシアノ−１，４，５，８，９，１２−ヘキサアザトリフェニレン（略称：ＨＡＴ−ＣＮ）等を挙げることができる。

また、アクセプター性材料としては、元素周期表における第４族乃至第８族に属する金属の酸化物を用いることもできる。具体的には、酸化モリブデン、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化タングステン、酸化マンガン、及び、酸化レニウムが挙げられる。中でも特に、酸化モリブデンは大気中でも安定であり、吸湿性が低く、扱いやすいため好ましい。また、キノジメタン誘導体、クロラニル誘導体、及び、ヘキサアザトリフェニレン誘導体などの有機アクセプターを用いることもできる。

＜正孔輸送層＞
正孔輸送層１１２は、正孔注入層１１１によって、第１の電極１０１から注入された正孔を発光層１１３に輸送する層であり、正孔輸送性材料を含む層である。

正孔輸送層１１２に用いる正孔輸送性材料は、正孔注入層１１１のＨＯＭＯ準位と同じまたは近いＨＯＭＯ準位を有することが好ましい。

正孔輸送層１１２に用いる正孔輸送性材料としては、１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質が好ましい。なお、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものも用いることができる。

正孔輸送層１１２が積層構造である場合、発光層１１３側の層は、電子ブロック層としての機能を有することが好ましい。

正孔輸送層１１２には、実施の形態１で説明した、本発明の一態様の複合材料に用いることができる第１の有機化合物（正孔輸送性材料）を用いることが好ましい。

なお、正孔注入層１１１と正孔輸送層１１２の双方に、第１の有機化合物を用いることで、発光デバイスにおける屈折率の低い層の厚さを厚くする（屈折率の低い層が占める割合を大きくする）ことができ、光取り出し効率を高めることができる。

正孔注入層１１１と正孔輸送層１１２の双方に、同一の第１の有機化合物を用いると、屈折率段差を低減し、光取り出し効率を高めることができる。

また、正孔輸送層１１２には、正孔注入層１１１に用いることができる正孔輸送性材料を用いることができる。

そのほか、正孔輸送層１１２に用いる正孔輸送性材料としては、π電子過剰型複素芳香族化合物（例えばカルバゾール誘導体、チオフェン誘導体、フラン誘導体）、及び、芳香族アミン（芳香族アミン骨格を有する化合物）等の正孔輸送性の高い材料が好ましい。

カルバゾール誘導体（カルバゾール骨格を有する化合物）としては、ビカルバゾール誘導体（例えば、３，３’−ビカルバゾール誘導体）、及び、カルバゾリル基を有する芳香族アミン等が挙げられる。

ビカルバゾール誘導体（例えば、３，３’−ビカルバゾール誘導体）としては、具体的には、３，３’−ビス（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール）（略称：ＰＣＣＰ）、９，９’−ビス（１，１’−ビフェニル−４−イル）−３，３’−ビ−９Ｈ−カルバゾール、９，９’−ビス（１，１’−ビフェニル−３−イル）−３，３’−ビ−９Ｈ−カルバゾール、９−（１，１’−ビフェニル−３−イル）−９’−（１，１’−ビフェニル−４−イル）−９Ｈ，９’Ｈ−３，３’−ビカルバゾール（略称：ｍＢＰＣＣＢＰ）、及び、９−（２−ナフチル）−９’−フェニル−９Ｈ，９’Ｈ−３，３’−ビカルバゾール（略称：βＮＣＣＰ）などが挙げられる。

カルバゾリル基を有する芳香族アミンとしては、具体的には、Ｎ−（４−ビフェニル）−Ｎ−（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）−９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：ＰＣＢｉＦ）、４−フェニルジフェニル−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）アミン（略称：ＰＣＡ１ＢＰ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンゼン−１，３−ジアミン（略称：ＰＣＡ２Ｂ）、Ｎ，Ｎ’，Ｎ’’−トリフェニル−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’’−トリス（９−フェニルカルバゾール−３−イル）ベンゼン−１，３，５−トリアミン（略称：ＰＣＡ３Ｂ）、９，９−ジメチル−Ｎ−フェニル−Ｎ−［４−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）フェニル］フルオレン−２−アミン（略称：ＰＣＢＡＦ）、ＰＣｚＰＣＡ１、ＰＣｚＰＣＡ２、ＰＣｚＰＣＮ１、３−［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＤＰＡ１）、３，６−ビス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＤＰＡ２）、３，６−ビス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−（１−ナフチル）アミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＴＰＮ２）、２−［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］スピロ−９，９’−ビフルオレン（略称：ＰＣＡＳＦ）、Ｎ−［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ−（４−フェニル）フェニルアニリン（略称：ＹＧＡ１ＢＰ）、Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−９，９−ジメチルフルオレン−２，７−ジアミン（略称：ＹＧＡ２Ｆ）、及び、４，４’，４’’−トリス（カルバゾール−９−イル）トリフェニルアミン（略称：ＴＣＴＡ）などが挙げられる。

カルバゾール誘導体としては、上記に加えて、３−［４−（９−フェナントリル）−フェニル］−９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＰＣＰＰｎ）、３−［４−（１−ナフチル）−フェニル］−９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＰＣＰＮ）、１，３−ビス（Ｎ−カルバゾリル）ベンゼン（略称：ｍＣＰ）、４，４’−ジ（Ｎ−カルバゾリル）ビフェニル（略称：ＣＢＰ）、３，６−ビス（３，５−ジフェニルフェニル）−９−フェニルカルバゾール（略称：ＣｚＴＰ）、１，３，５−トリス［４−（Ｎ−カルバゾリル）フェニル］ベンゼン（略称：ＴＣＰＢ）、及び、９−［４−（１０−フェニル−９−アントラセニル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＣｚＰＡ）等が挙げられる。

チオフェン誘導体（チオフェン骨格を有する化合物）及びフラン誘導体（フラン骨格を有する化合物）としては、具体的には、４，４’，４’’−（ベンゼン−１，３，５−トリイル）トリ（ジベンゾチオフェン）（略称：ＤＢＴ３Ｐ−ＩＩ）、２，８−ジフェニル−４−［４−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェニル］ジベンゾチオフェン（略称：ＤＢＴＦＬＰ−ＩＩＩ）、４−［４−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェニル］−６−フェニルジベンゾチオフェン（略称：ＤＢＴＦＬＰ−ＩＶ）などのチオフェン骨格を有する化合物、４，４’，４’’−（ベンゼン−１，３，５−トリイル）トリ（ジベンゾフラン）（略称：ＤＢＦ３Ｐ−ＩＩ）、及び、４−｛３−［３−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェニル］フェニル｝ジベンゾフラン（略称：ｍｍＤＢＦＦＬＢｉ−ＩＩ）等が挙げられる。

芳香族アミンとしては、具体的には、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢまたはα−ＮＰＤ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（略称：ＴＰＤ）、４，４’−ビス［Ｎ−（スピロ−９，９’−ビフルオレン−２−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＢＳＰＢ）、４−フェニル−４’−（９−フェニルフルオレン−９−イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＰＡＦＬＰ）、４−フェニル−３’−（９−フェニルフルオレン−９−イル）トリフェニルアミン（略称：ｍＢＰＡＦＬＰ）、Ｎ−（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）−Ｎ−｛９，９−ジメチル−２−［Ｎ’−フェニル−Ｎ’−（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）アミノ］−９Ｈ−フルオレン−７−イル｝フェニルアミン（略称：ＤＦＬＡＤＦＬ）、Ｎ−（９，９−ジメチル−２−ジフェニルアミノ−９Ｈ−フルオレン−７−イル）ジフェニルアミン（略称：ＤＰＮＦ）、２−［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］スピロ−９，９’−ビフルオレン（略称：ＤＰＡＳＦ）、２，７−ビス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］スピロ−９，９’−ビフルオレン（略称：ＤＰＡ２ＳＦ）、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：１’−ＴＮＡＴＡ）、ＴＤＡＴＡ、ｍ−ＭＴＤＡＴＡ、Ｎ，Ｎ’−ジ（ｐ−トリル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ｐ−フェニレンジアミン（略称：ＤＴＤＰＰＡ）、ＤＰＡＢ、ＤＮＴＰＤ、及び、ＤＰＡ３Ｂ等が挙げられる。

正孔輸送性材料としては、ＰＶＫ、ＰＶＴＰＡ、ＰＴＰＤＭＡ、Ｐｏｌｙ−ＴＰＤなどの高分子化合物を用いることもできる。

正孔輸送性材料は、上記に限られることなく公知の様々な材料を１種または複数種組み合わせて、正孔注入層１１１及び正孔輸送層１１２に用いることができる。

本発明の一態様の発光デバイスにおいて、正孔輸送層１１２に用いる正孔輸送性材料のＨＯＭＯ準位は、正孔注入層１１１に用いる正孔輸送性材料のＨＯＭＯ準位以下の値であることが好ましい。正孔輸送層１１２に用いる正孔輸送性材料のＨＯＭＯ準位と、正孔注入層１１１に用いる正孔輸送性材料のＨＯＭＯ準位と、の差は、０．２ｅＶ以内であることが好ましい。正孔注入層１１１に用いる正孔輸送性材料と、正孔輸送層１１２に用いる正孔輸送性材料と、が同じであると、正孔の注入がスムーズとなるため、より好ましい。

正孔輸送層１１２が積層構造を有する場合、発光層１１３側に形成される層に用いる正孔輸送性材料のＨＯＭＯ準位は、正孔注入層１１１側に形成される層に用いる正孔輸送性材料のＨＯＭＯ準位よりも低い（深い）ことが好ましい。さらに、２つの正孔輸送性材料のＨＯＭＯ準位の差は０．２ｅＶ以内であることが好ましい。正孔注入層１１１及び積層構造を有する正孔輸送層１１２に用いる正孔輸送性材料のＨＯＭＯ準位が上記の関係を有することにより、各層への正孔注入がスムーズに行われ、駆動電圧の上昇及び発光層１１３における正孔の過少状態を防ぐことができる。

正孔輸送層１１２が積層構造を有する場合、発光層１１３側に形成される層に用いる正孔輸送性材料は、正孔輸送性骨格を有することが好ましい。当該正孔輸送性骨格としては、正孔輸送性材料のＨＯＭＯ準位が高くなりすぎない、カルバゾール骨格、ジベンゾフラン骨格、ジベンゾチオフェン骨格、及びアントラセン骨格が好ましい。

＜発光層＞
発光層１１３は、発光物質を含む層である。発光層１１３は、１種または複数種の発光物質を有することができる。発光物質としては、青色、紫色、青紫色、緑色、黄緑色、黄色、橙色、赤色などの発光色を呈する物質を適宜用いる。また、発光物質として、近赤外光を発する物質を用いることもできる。また、複数の発光層に異なる発光物質を用いることにより、異なる発光色を呈する構成（例えば、補色の関係にある発光色を組み合わせて得られる白色発光）とすることができる。さらに、一つの発光層が異なる発光物質を有していてもよい。

発光層１１３は、発光物質（ゲスト材料）に加えて、１種または複数種の有機化合物（ホスト材料、アシスト材料等）を有することが好ましい。１種または複数種の有機化合物として、本実施の形態で説明する正孔輸送性材料及び電子輸送性材料の一方または双方を用いることができる。また、１種または複数種の有機化合物として、バイポーラ性材料を用いてもよい。

発光層１１３に用いることができる発光物質として、特に限定は無く、一重項励起エネルギーを可視光領域または近赤外光領域の発光に変える発光物質、または三重項励起エネルギーを可視光領域または近赤外光領域の発光に変える発光物質を用いることができる。

一重項励起エネルギーを発光に変える発光物質としては、蛍光を発する物質（蛍光材料）が挙げられ、例えば、ピレン誘導体、アントラセン誘導体、トリフェニレン誘導体、フルオレン誘導体、カルバゾール誘導体、ジベンゾチオフェン誘導体、ジベンゾフラン誘導体、ジベンゾキノキサリン誘導体、キノキサリン誘導体、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、フェナントレン誘導体、及び、ナフタレン誘導体などが挙げられる。特にピレン誘導体は発光量子収率が高いので好ましい。ピレン誘導体の具体例としては、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス［３−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェニル］ピレン−１，６−ジアミン（略称：１，６ｍＭｅｍＦＬＰＡＰｒｎ）、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェニル］ピレン−１，６−ジアミン（略称：１，６ＦＬＰＡＰｒｎ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（ジベンゾフラン−２−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルピレン−１，６−ジアミン（略称：１，６ＦｒＡＰｒｎ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（ジベンゾチオフェン−２−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルピレン−１，６−ジアミン（略称：１，６ＴｈＡＰｒｎ）、Ｎ，Ｎ’−（ピレン−１，６−ジイル）ビス［（Ｎ−フェニルベンゾ［ｂ］ナフト［１，２−ｄ］フラン）−６−アミン］（略称：１，６ＢｎｆＡＰｒｎ）、Ｎ，Ｎ’−（ピレン−１，６−ジイル）ビス［（Ｎ−フェニルベンゾ［ｂ］ナフト［１，２−ｄ］フラン）−８−アミン］（略称：１，６ＢｎｆＡＰｒｎ−０２）、及び、Ｎ，Ｎ’−（ピレン−１，６−ジイル）ビス［（６，Ｎ−ジフェニルベンゾ［ｂ］ナフト［１，２−ｄ］フラン）−８−アミン］（略称：１，６ＢｎｆＡＰｒｎ−０３）などが挙げられる。

その他にも、５，６−ビス［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−２，２’−ビピリジン（略称：ＰＡＰ２ＢＰｙ）、５，６−ビス［４’−（１０−フェニル−９−アントリル）ビフェニル−４−イル］−２，２’−ビピリジン（略称：ＰＡＰＰ２ＢＰｙ）、Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルスチルベン−４，４’−ジアミン（略称：ＹＧＡ２Ｓ）、４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−４’−（１０−フェニル−９−アントリル）トリフェニルアミン（略称：ＹＧＡＰＡ）、４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−４’−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）トリフェニルアミン（略称：２ＹＧＡＰＰＡ）、Ｎ，９−ジフェニル−Ｎ−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：ＰＣＡＰＡ）、４−（１０−フェニル−９−アントリル）−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡＰＡ）、４−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡＰＢＡ）、ペリレン、２，５，８，１１−テトラ（ｔｅｒｔ−ブチル）ペリレン（略称：ＴＢＰ）、Ｎ，Ｎ’’−（２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラセン−９，１０−ジイルジ−４，１−フェニレン）ビス［Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン］（略称：ＤＰＡＢＰＡ）、Ｎ，９−ジフェニル−Ｎ−［４−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＰＰＡ）、Ｎ−［４−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）フェニル］−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＰＰＡ）、３，１０−ビス［Ｎ−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−２−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］ナフト［２，３−ｂ；６，７−ｂ’］ビスベンゾフラン（略称：３，１０ＰＣＡ２Ｎｂｆ（ＩＶ）−０２）、３，１０−ビス［Ｎ−（ジベンゾフラン−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］ナフト［２，３−ｂ；６，７−ｂ’］ビスベンゾフラン（略称：３，１０ＦｒＡ２Ｎｂｆ（ＩＶ）−０２）等を用いることができる。

また、三重項励起エネルギーを発光に変える発光物質としては、例えば、燐光を発する物質（燐光材料）、及び、熱活性化遅延蛍光を示す熱活性化遅延蛍光（Ｔｈｅｒｍａｌｌｙ　Ａｃｔｉｖａｔｅｄ　Ｄｅｌａｙｅｄ　Ｆｌｕｏｒｅｓｃｅｎｃｅ：ＴＡＤＦ）材料などが挙げられる。

燐光材料としては、有機金属錯体、金属錯体（白金錯体）、及び、希土類金属錯体等が挙げられる。これらは、物質ごとに異なる発光色（発光ピーク）を示すため、必要に応じて適宜選択して用いる。

青色または緑色を呈し、発光スペクトルのピーク波長が４５０ｎｍ以上５７０ｎｍ以下である燐光材料としては、以下のような物質が挙げられる。

例えば、トリス｛２−［５−（２−メチルフェニル）−４−（２，６−ジメチルフェニル）−４Ｈ−１，２，４−トリアゾール−３−イル−κＮ^２］フェニル−κＣ｝イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｍｐｐｔｚ−ｄｍｐ）_３］）、トリス（５−メチル−３，４−ジフェニル−４Ｈ−１，２，４−トリアゾラト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（Ｍｐｔｚ）_３］）、トリス［４−（３−ビフェニル）−５−イソプロピル−３−フェニル−４Ｈ−１，２，４−トリアゾラト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｉＰｒｐｔｚ−３ｂ）_３］）、トリス［３−（５−ビフェニル）−５−イソプロピル−４−フェニル−４Ｈ−１，２，４−トリアゾラト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｉＰｒ５ｂｔｚ）_３］）、のような４Ｈ−トリアゾール骨格を有する有機金属錯体、トリス［３−メチル−１−（２−メチルフェニル）−５−フェニル−１Ｈ−１，２，４−トリアゾラト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（Ｍｐｔｚ１−ｍｐ）_３］）、トリス（１−メチル−５−フェニル−３−プロピル−１Ｈ−１，２，４−トリアゾラト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（Ｐｒｐｔｚ１−Ｍｅ）_３］）のような１Ｈ−トリアゾール骨格を有する有機金属錯体、ｆａｃ−トリス［１−（２，６−ジイソプロピルフェニル）−２−フェニル−１Ｈ−イミダゾール］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｉＰｒｐｍｉ）_３］）、トリス［３−（２，６−ジメチルフェニル）−７−メチルイミダゾ［１，２−ｆ］フェナントリジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｄｍｐｉｍｐｔ−Ｍｅ）_３］）のようなイミダゾール骨格を有する有機金属錯体、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’］イリジウム（ＩＩＩ）テトラキス（１−ピラゾリル）ボラート（略称：ＦＩｒ６）、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’］イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：ＦＩｒｐｉｃ）、ビス｛２−［３’，５’−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’｝イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：［Ｉｒ（ＣＦ_３ｐｐｙ）_２（ｐｉｃ）］）、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：ＦＩｒ（ａｃａｃ））のように電子吸引基を有するフェニルピリジン誘導体を配位子とする有機金属錯体等が挙げられる。

緑色または黄色を呈し、発光スペクトルのピーク波長が４９５ｎｍ以上５９０ｎｍ以下である燐光材料としては、以下のような物質が挙げられる。

例えば、トリス（４−メチル−６−フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｍｐｐｍ）_３］）、トリス（４−ｔ−ブチル−６−フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）_３］）、（アセチルアセトナト）ビス（６−メチル−４−フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｍｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）］）、（アセチルアセトナト）ビス（６−ｔｅｒｔ−ブチル−４−フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）］）、（アセチルアセトナト）ビス［６−（２−ノルボルニル）−４−フェニルピリミジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｎｂｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）］）、（アセチルアセトナト）ビス［５−メチル−６−（２−メチルフェニル）−４−フェニルピリミジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｍｐｍｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）］）、（アセチルアセトナト）ビス｛４，６−ジメチル−２−［６−（２，６−ジメチルフェニル）−４−ピリミジニル−κＮ^３］フェニル−κＣ｝イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｄｍｐｐｍ−ｄｍｐ）_２（ａｃａｃ）］）、（アセチルアセトナト）ビス（４，６−ジフェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｄｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）］）のようなピリミジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体、（アセチルアセトナト）ビス（３，５−ジメチル−２−フェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｍｐｐｒ−Ｍｅ）_２（ａｃａｃ）］）、（アセチルアセトナト）ビス（５−イソプロピル−３−メチル−２−フェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｍｐｐｒ−ｉＰｒ）_２（ａｃａｃ）］）のようなピラジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体、トリス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｐｐｙ）_３］）、ビス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：［Ｉｒ（ｐｐｙ）_２（ａｃａｃ）］）、ビス（ベンゾ［ｈ］キノリナト）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：［Ｉｒ（ｂｚｑ）_２（ａｃａｃ）］）、トリス（ベンゾ［ｈ］キノリナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｂｚｑ）_３］）、トリス（２−フェニルキノリナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｐｑ）_３］）、ビス（２−フェニルキノリナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：［Ｉｒ（ｐｑ）_２（ａｃａｃ）］）、［２−（４−フェニル−２−ピリジニル−κＮ）フェニル−κＣ］ビス［２−（２−ピリジニル−κＮ）フェニル−κＣ］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｐｐｙ）_２（４ｄｐｐｙ）］）、ビス［２−（２−ピリジニル−κＮ）フェニル−κＣ］［２−（４−メチル−５−フェニル−２−ピリジニル−κＮ）フェニル−κＣ］のようなピリジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体、ビス（２，４−ジフェニル−１，３−オキサゾラト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：［Ｉｒ（ｄｐｏ）_２（ａｃａｃ）］）、ビス｛２−［４’−（パーフルオロフェニル）フェニル］ピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’｝イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：［Ｉｒ（ｐ−ＰＦ−ｐｈ）_２（ａｃａｃ）］）、ビス（２−フェニルベンゾチアゾラト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：［Ｉｒ（ｂｔ）_２（ａｃａｃ）］）などの有機金属錯体の他、トリス（アセチルアセトナト）（モノフェナントロリン）テルビウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｔｂ（ａｃａｃ）_３（Ｐｈｅｎ）］）のような希土類金属錯体が挙げられる。

黄色または赤色を呈し、発光スペクトルのピーク波長が５７０ｎｍ以上７５０ｎｍ以下である燐光材料としては、以下のような物質が挙げられる。

例えば、（ジイソブチリルメタナト）ビス［４，６−ビス（３−メチルフェニル）ピリミジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（５ｍｄｐｐｍ）_２（ｄｉｂｍ）］）、ビス［４，６−ビス（３−メチルフェニル）ピリミジナト］（ジピバロイルメタナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（５ｍｄｐｐｍ）_２（ｄｐｍ）］）、ビス［４，６−ジ（ナフタレン−１−イル）ピリミジナト］（ジピバロイルメタナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｄ１ｎｐｍ）_２（ｄｐｍ）］）、トリス（４−ｔ−ブチル−６−フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）_３］）のようなピリミジン骨格を有する有機金属錯体、（アセチルアセトナト）ビス（２，３，５−トリフェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｔｐｐｒ）_２（ａｃａｃ）］）、ビス（２，３，５−トリフェニルピラジナト）（ジピバロイルメタナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｔｐｐｒ）_２（ｄｐｍ）］）、ビス｛４，６−ジメチル−２−［３−（３，５−ジメチルフェニル）−５−フェニル−２−ピラジニル−κＮ］フェニル−κＣ｝（２，６−ジメチル−３，５−ヘプタンジオナト−κ^２Ｏ，Ｏ’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｄｍｄｐｐｒ−Ｐ）_２（ｄｉｂｍ）］）、ビス｛４，６−ジメチル−２−［５−（４−シアノ−２，６−ジメチルフェニル）−３−（３，５−ジメチルフェニル）−２−ピラジニル−κＮ］フェニル−κＣ｝（２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナト−κ^２Ｏ，Ｏ’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｄｍｄｐｐｒ−ｄｍＣＰ）_２（ｄｐｍ）］）、（アセチルアセトナト）ビス［２−メチル−３−フェニルキノキサリナト−Ｎ，Ｃ^２’］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｍｐｑ）_２（ａｃａｃ）］）、（アセチルアセトナト）ビス（２，３−ジフェニルキノキサリナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｄｐｑ）_２（ａｃａｃ）］）、（アセチルアセトナト）ビス［２，３−ビス（４−フルオロフェニル）キノキサリナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（Ｆｄｐｑ）_２（ａｃａｃ）］）、ビス｛４，６−ジメチル−２−［５−（５−シアノ−２−メチルフェニル）−３−（３，５−ジメチルフェニル）−２−ピラジニル−κＮ］フェニル−κＣ｝（２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナト−κ^２Ｏ，Ｏ’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｄｍｄｐｐｒ−ｍ５ＣＰ）_２（ｄｐｍ）］）のようなピラジン骨格を有する有機金属錯体、トリス（１−フェニルイソキノリナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｐｉｑ）_３］）、ビス（１−フェニルイソキノリナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：［Ｉｒ（ｐｉｑ）_２（ａｃａｃ）］）、ビス［４，６−ジメチル−２−（２−キノリニル−κＮ）フェニル−κＣ］（２，４−ペンタンジオナト−κ^２Ｏ，Ｏ’）イリジウム（ＩＩＩ）のようなピリジン骨格を有する有機金属錯体、２，３，７，８，１２，１３，１７，１８−オクタエチル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィリン白金（ＩＩ）（略称：［ＰｔＯＥＰ］）のような白金錯体、トリス（１，３−ジフェニル−１，３−プロパンジオナト）（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｅｕ（ＤＢＭ）_３（Ｐｈｅｎ）］）、トリス［１−（２−テノイル）−３，３，３−トリフルオロアセトナト］（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｅｕ（ＴＴＡ）_３（Ｐｈｅｎ）］）のような希土類金属錯体が挙げられる。

発光層１１３に用いる有機化合物（ホスト材料、アシスト材料等）としては、発光物質のエネルギーギャップより大きなエネルギーギャップを有する物質を、一種もしくは複数種選択して用いることができる。

発光層１１３に用いる発光物質が蛍光材料である場合、発光物質と組み合わせて用いる有機化合物としては、一重項励起状態のエネルギー準位が大きく、三重項励起状態のエネルギー準位が小さい有機化合物を用いるのが好ましい。

一部上記の具体例と重複するが、発光物質（蛍光材料または燐光材料）との好ましい組み合わせという観点から、以下に有機化合物の具体例を示す。

発光物質が蛍光材料である場合、発光物質と組み合わせて用いることができる有機化合物としては、アントラセン誘導体、テトラセン誘導体、フェナントレン誘導体、ピレン誘導体、クリセン誘導体、及び、ジベンゾ［ｇ，ｐ］クリセン誘導体等の縮合多環芳香族化合物が挙げられる。

蛍光材料と組み合わせて用いる有機化合物（ホスト材料）の具体例としては、９−フェニル−３−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＰＣｚＰＡ）、３，６−ジフェニル−９−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＤＰＣｚＰＡ）、ＰＣＰＮ、９，１０−ジフェニルアントラセン（略称：ＤＰＡｎｔｈ）、Ｎ，Ｎ−ジフェニル−９−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：ＣｚＡ１ＰＡ）、４−（１０−フェニル−９−アントリル）トリフェニルアミン（略称：ＤＰｈＰＡ）、４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−４’−（１０−フェニル−９−アントリル）トリフェニルアミン（略称：ＹＧＡＰＡ）、Ｎ，９−ジフェニル−Ｎ−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：ＰＣＡＰＡ）、Ｎ，９−ジフェニル−Ｎ−｛４−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］フェニル｝−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：ＰＣＡＰＢＡ）、Ｎ−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）−Ｎ，９−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＰＡ）、６，１２−ジメトキシ−５，１１−ジフェニルクリセン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’，Ｎ’’，Ｎ’’，Ｎ’’’，Ｎ’’’−オクタフェニルジベンゾ［ｇ，ｐ］クリセン−２，７，１０，１５−テトラアミン（略称：ＤＢＣ１）、ＣｚＰＡ、７−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−７Ｈ−ジベンゾ［ｃ，ｇ］カルバゾール（略称：ｃｇＤＢＣｚＰＡ）、６−［３−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）フェニル］−ベンゾ［ｂ］ナフト［１，２−ｄ］フラン（略称：２ｍＢｎｆＰＰＡ）、９−フェニル−１０−｛４−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）ビフェニル−４’−イル｝アントラセン（略称：ＦＬＰＰＡ）、９，１０−ビス（３，５−ジフェニルフェニル）アントラセン（略称：ＤＰＰＡ）、９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ＤＮＡ）、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＮＡ）、９，９’−ビアントリル（略称：ＢＡＮＴ）、９，９’−（スチルベン−３，３’−ジイル）ジフェナントレン（略称：ＤＰＮＳ）、９，９’−（スチルベン−４，４’−ジイル）ジフェナントレン（略称：ＤＰＮＳ２）、１，３，５−トリ（１−ピレニル）ベンゼン（略称：ＴＰＢ３）、５，１２−ジフェニルテトラセン、及び、５，１２−ビス（ビフェニル−２−イル）テトラセンなどが挙げられる。

発光物質が燐光材料である場合、発光物質と組み合わせて用いる有機化合物としては、発光物質の三重項励起エネルギー（基底状態と三重項励起状態とのエネルギー差）よりも三重項励起エネルギーの大きい有機化合物を選択することができる。

励起錯体を形成させるべく複数の有機化合物（例えば、第１のホスト材料、及び第２のホスト材料（またはアシスト材料）等）を発光物質と組み合わせて用いる場合は、これらの複数の有機化合物を燐光材料（特に有機金属錯体）と混合して用いることが好ましい。

このような構成とすることにより、励起錯体から発光物質へのエネルギー移動であるＥｘＴＥＴ（Ｅｘｃｉｐｌｅｘ−Ｔｒｉｐｌｅｔ　Ｅｎｅｒｇｙ　Ｔｒａｎｓｆｅｒ）を用いた発光を効率よく得ることができる。なお、複数の有機化合物の組み合わせとしては、励起錯体が形成されやすいものがよく、正孔を受け取りやすい化合物（正孔輸送性材料）と、電子を受け取りやすい化合物（電子輸送性材料）とを組み合わせることが特に好ましい。なお、正孔輸送性材料及び電子輸送性材料の具体例については、本実施の形態で示す材料を用いることができる。この構成により、発光デバイスの高効率、低電圧駆動、長寿命を同時に実現できる。

発光物質が燐光材料である場合に発光物質と組み合わせて用いることができる有機化合物としては、芳香族アミン、カルバゾール誘導体、ジベンゾチオフェン誘導体、ジベンゾフラン誘導体、亜鉛系の金属錯体、アルミニウム系の金属錯体、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、キノキサリン誘導体、ジベンゾキノキサリン誘導体、ピリミジン誘導体、トリアジン誘導体、ピリジン誘導体、ビピリジン誘導体、及び、フェナントロリン誘導体等が挙げられる。

なお、上記のうち、正孔輸送性の高い有機化合物である芳香族アミン（芳香族アミン骨格を有する化合物）、カルバゾール誘導体、ジベンゾチオフェン誘導体（チオフェン誘導体）、ジベンゾフラン誘導体（フラン誘導体）の具体例としては、上記に示した正孔輸送性材料の具体例と同じものが挙げられる。

電子輸送性の高い有機化合物である、亜鉛系の金属錯体及びアルミニウム系の金属錯体の具体例としては、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：Ａｌｑ）、トリス（４−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：Ａｌｍｑ_３）、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム（ＩＩ）（略称：ＢｅＢｑ_２）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（４−フェニルフェノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：ＢＡｌｑ）、ビス（８−キノリノラト）亜鉛（ＩＩ）（略称：Ｚｎｑ）など、キノリン骨格またはベンゾキノリン骨格を有する金属錯体等が挙げられる。

この他、ビス［２−（２−ベンゾオキサゾリル）フェノラト］亜鉛（ＩＩ）（略称：ＺｎＰＢＯ）、ビス［２−（２−ベンゾチアゾリル）フェノラト］亜鉛（ＩＩ）（略称：ＺｎＢＴＺ）などのオキサゾール系、チアゾール系配位子を有する金属錯体なども用いることができる。

電子輸送性の高い有機化合物である、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、キノキサリン誘導体、ジベンゾキノキサリン誘導体、フェナントロリン誘導体の具体例としては、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）、１，３−ビス［５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ−７）、９−［４−（５−フェニル−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＣＯ１１）、３−（４−ビフェニリル）−４−フェニル−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、３−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４−（４−エチルフェニル）−５−（４−ビフェニリル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ｐ−ＥｔＴＡＺ）、２，２’，２’’−（１，３，５−ベンゼントリイル）トリス（１−フェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾール）（略称：ＴＰＢＩ）、２−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］−１−フェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾール（略称：ｍＤＢＴＢＩｍ−ＩＩ）、４，４’−ビス（５−メチルベンゾオキサゾール−２−イル）スチルベン（略称：ＢｚＯｓ）、バソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）、２，９−ビス（ナフタレン−２−イル）−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（略称：ＮＢＰｈｅｎ）、２−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩ）、２−［３’−（ジベンゾチオフェン−４−イル）ビフェニル−３−イル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩ）、２−［３’−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）ビフェニル−３−イル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＣｚＢＰＤＢｑ）、２−［４−（３，６−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ＣｚＰＤＢｑ−ＩＩＩ）、７−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：７ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩ）、及び６−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：６ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩ）などが挙げられる。

電子輸送性の高い有機化合物である、ジアジン骨格を有する複素環化合物、トリアジン骨格を有する複素環化合物、ピリジン骨格を有する複素環化合物の具体例としては、４，６−ビス［３−（フェナントレン−９−イル）フェニル］ピリミジン（略称：４，６ｍＰｎＰ２Ｐｍ）、４，６−ビス［３−（４−ジベンゾチエニル）フェニル］ピリミジン（略称：４，６ｍＤＢＴＰ２Ｐｍ−ＩＩ）、４，６−ビス［３−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］ピリミジン（略称：４，６ｍＣｚＰ２Ｐｍ）、２−｛４−［３−（Ｎ−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）−９Ｈ−カルバゾール−９−イル］フェニル｝−４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン（略称：ＰＣＣｚＰＴｚｎ）、９−［３−（４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン−２−イル）フェニル］−９’−フェニル−２，３’−ビ−９Ｈ−カルバゾール（略称：ｍＰＣＣｚＰＴｚｎ−０２）、２−［３’−（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）−１，１’−ビフェニル−３−イル］−４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン（略称：ｍＦＢＰＴｚｎ）、２−［（１，１’−ビフェニル）−４−イル］−４−フェニル−６−［９，９’−スピロビ（９Ｈ−フルオレン）−２−イル］−１，３，５−トリアジン（略称：ＢＰ−ＳＦＴｚｎ）、２−｛３−［３−（ベンゾ［ｂ］ナフト［１，２−ｄ］フラン−８−イル）フェニル］フェニル｝−４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン（略称：ｍＢｎｆＢＰＴｚｎ）、２−｛３−［３−（ベンゾ［ｂ］ナフト［１，２−ｄ］フラン−６−イル）フェニル］フェニル｝−４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン（略称：ｍＢｎｆＢＰＴｚｎ−０２）、３，５−ビス［３−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］ピリジン（略称：３５ＤＣｚＰＰｙ）、及び、１，３，５−トリ［３−（３−ピリジル）フェニル］ベンゼン（略称：ＴｍＰｙＰＢ）などが挙げられる。

電子輸送性の高い有機化合物としては、ポリ（２，５−ピリジンジイル）（略称：ＰＰｙ）、ポリ［（９，９−ジヘキシルフルオレン−２，７−ジイル）−ｃｏ−（ピリジン−３，５−ジイル）］（略称：ＰＦ−Ｐｙ）、ポリ［（９，９−ジオクチルフルオレン−２，７−ジイル）−ｃｏ−（２，２’−ビピリジン−６，６’−ジイル）］（略称：ＰＦ−ＢＰｙ）のような高分子化合物を用いることもできる。

ＴＡＤＦ材料とは、三重項励起状態をわずかな熱エネルギーによって一重項励起状態にアップコンバート（逆項間交差）が可能で、一重項励起状態からの発光（蛍光）を効率よく呈する材料のことである。また、熱活性化遅延蛍光が効率良く得られる条件としては、三重項励起準位と一重項励起準位のエネルギー差が０ｅＶ以上０．２ｅＶ以下、好ましくは０ｅＶ以上０．１ｅＶ以下であることが挙げられる。また、ＴＡＤＦ材料における遅延蛍光とは、通常の蛍光と同様のスペクトルを持ちながら、寿命が著しく長い発光をいう。その寿命は、１０^−６秒以上、好ましくは１０^−３秒以上である。

ＴＡＤＦ材料としては、例えば、フラーレン及びその誘導体、プロフラビン等のアクリジン誘導体、エオシン等が挙げられる。また、マグネシウム（Ｍｇ）、亜鉛（Ｚｎ）、カドミウム（Ｃｄ）、スズ（Ｓｎ）、白金（Ｐｔ）、インジウム（Ｉｎ）、もしくはパラジウム（Ｐｄ）等を含む金属含有ポルフィリンが挙げられる。金属含有ポルフィリンとしては、例えば、プロトポルフィリン−フッ化スズ錯体（略称：ＳｎＦ_２（Ｐｒｏｔｏ　ＩＸ））、メソポルフィリン−フッ化スズ錯体（略称：ＳｎＦ_２（Ｍｅｓｏ　ＩＸ））、ヘマトポルフィリン−フッ化スズ錯体（略称：ＳｎＦ_２（Ｈｅｍａｔｏ　ＩＸ））、コプロポルフィリンテトラメチルエステル−フッ化スズ錯体（略称：ＳｎＦ_２（Ｃｏｐｒｏ　ＩＩＩ−４Ｍｅ））、オクタエチルポルフィリン−フッ化スズ錯体（略称：ＳｎＦ_２（ＯＥＰ））、エチオポルフィリン−フッ化スズ錯体（略称：ＳｎＦ_２（Ｅｔｉｏ　Ｉ））、及び、オクタエチルポルフィリン−塩化白金錯体（略称：ＰｔＣｌ_２ＯＥＰ）等が挙げられる。

その他にも、２−（ビフェニル−４−イル）−４，６−ビス（１２−フェニルインドロ［２，３−ａ］カルバゾール−１１−イル）−１，３，５−トリアジン（略称：ＰＩＣ−ＴＲＺ）、ＰＣＣｚＰＴｚｎ、２−［４−（１０Ｈ−フェノキサジン−１０−イル）フェニル］−４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン（略称：ＰＸＺ−ＴＲＺ）、３−［４−（５−フェニル−５，１０−ジヒドロフェナジン−１０−イル）フェニル］−４，５−ジフェニル−１，２，４−トリアゾール（略称：ＰＰＺ−３ＴＰＴ）、３−（９，９−ジメチル−９Ｈ−アクリジン−１０−イル）−９Ｈ−キサンテン−９−オン（略称：ＡＣＲＸＴＮ）、ビス［４−（９，９−ジメチル−９，１０−ジヒドロアクリジン）フェニル］スルホン（略称：ＤＭＡＣ−ＤＰＳ）、及び、１０−フェニル−１０Ｈ，１０’Ｈ−スピロ［アクリジン−９，９’−アントラセン］−１０’−オン（略称：ＡＣＲＳＡ）、等のπ電子過剰型複素芳香環及びπ電子不足型複素芳香環を有する複素環化合物を用いることができる。なお、π電子過剰型複素芳香環とπ電子不足型複素芳香環とが直接結合した物質は、π電子過剰型複素芳香環のドナー性とπ電子不足型複素芳香環のアクセプター性が共に強くなり、一重項励起状態と三重項励起状態のエネルギー差が小さくなるため、特に好ましい。

なお、ＴＡＤＦ材料を用いる場合、他の有機化合物と組み合わせて用いることもできる。特に、上述したホスト材料、正孔輸送材料、電子輸送材料と組み合わせることができる。

また、上記の材料は、低分子材料及び高分子材料の一方または双方と組み合わせることにより発光層１１３の形成に用いることができる。また、成膜には、公知の方法（蒸着法、塗布法、または印刷法など）を適宜用いることができる。

＜電子輸送層＞
電子輸送層１１４は、電子注入層１１５によって、第２の電極１０２から注入された電子を発光層１１３に輸送する層である。なお、電子輸送層１１４は、電子輸送性材料を含む層である。電子輸送層１１４に用いる電子輸送性材料は、１×１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質が好ましい。なお、正孔よりも電子の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものも用いることができる。

電子輸送性材料としては、キノリン骨格を有する金属錯体、ベンゾキノリン骨格を有する金属錯体、オキサゾール骨格を有する金属錯体、チアゾール骨格を有する金属錯体等の他、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、オキサゾール誘導体、チアゾール誘導体、フェナントロリン誘導体、キノリン配位子を有するキノリン誘導体、ベンゾキノリン誘導体、キノキサリン誘導体、ジベンゾキノキサリン誘導体、ピリジン誘導体、ビピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、その他含窒素複素芳香族化合物を含むπ電子不足型複素芳香族化合物等の電子輸送性の高い材料を用いることができる。

電子輸送性材料の具体例としては、上記に示した材料を用いることができる。

また、本発明の一態様の発光デバイスにおいて、電子輸送層１１４は、電子輸送性材料と、アルカリ金属またはアルカリ土類金属の有機金属錯体と、を含むことが好ましい。

この場合、電子輸送性材料は、アントラセン骨格を有することが好ましく、アントラセン骨格と複素環骨格とを有することがさらに好ましい。当該複素環骨格としては、含窒素５員環骨格が好ましい。当該含窒素５員環骨格としては、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサゾール環、チアゾール環のように２つの複素原子を環に含む含窒素５員環骨格を有することが特に好ましい。

アルカリ金属またはアルカリ土類金属の有機金属錯体としては、リチウムの有機錯体が好ましく、特に、８−キノリノラト−リチウム（略称：Ｌｉｑ）が好ましい。

電子輸送層１１４における電子の輸送性を落とすことにより発光層１１３への電子の注入量を制御することができ、発光層１１３が電子過多の状態になることを防ぐことができる。そして、発光層１１３における発光領域を広げ、発光層１１３を構成する材料への負担を分散させることで、寿命が長く発光効率の高い発光デバイスを提供することができる。

また、電子輸送層１１４は、その厚さ方向において、電子輸送性材料と、アルカリ金属またはアルカリ土類金属の有機金属錯体と、の混合比が異なる部分が存在することが好ましい。電子輸送層１１４は、濃度勾配を持っていてもよく、電子輸送性材料と、アルカリ金属またはアルカリ土類金属の有機金属錯体と、の混合比が互いに異なる複数の層の積層構造であってもよい。

当該混合比の大小に関しては、飛行時間型二次イオン質量分析（ＴｏＦ−ＳＩＭＳ：Ｔｉｍｅ−ｏｆ−ｆｌｉｇｈｔ　ｓｅｃｏｎｄａｒｙ　ｉｏｎ　ｍａｓｓ　ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）で得られる原子または分子の検出量により推察できる。同じ二種類の材料で構成され、混合比が互いに異なる部分において、ＴｏＦ−ＳＩＭＳ分析によってそれぞれ検出された値の大小は、注目する原子または分子の存在量の大小に相当する。そのため、電子輸送性材料及び有機金属錯体の検出量を比較することによって、混合比の大小の見当をつけることができる。

電子輸送層１１４における有機金属錯体の含有量は、第１の電極１０１側に比べて、第２の電極１０２側の方が少ないことが好ましい。つまり、有機金属錯体の濃度が、第２の電極１０２側から第１の電極１０１側に向かって上昇するように、電子輸送層１１４が形成されることが好ましい。すなわち、電子輸送層１１４には、電子輸送性材料の存在量が多い部分よりも発光層１１３側に電子輸送性材料の存在量が少ない部分が存在することになり、また、換言すると、電子輸送層１１４には、有機金属錯体の存在量が少ない部分よりも発光層１１３側に有機金属錯体の存在量が多い部分が存在するということができる。

本発明の一態様の発光デバイスにおけるキャリアバランスの変化は、電子輸送層１１４の電子移動度の変化によってもたらされると考えられる。本発明の一態様の発光デバイスは、電子輸送層１１４内部に、アルカリ金属またはアルカリ土類金属の有機金属錯体の濃度差が存在する。電子輸送層１１４は、当該有機金属錯体の濃度が低い領域と発光層１１３との間に、当該有機金属錯体の濃度が高い領域を有する。すなわち、有機金属錯体の濃度が低い領域が高い領域よりも第２の電極１０２側に位置する構成を有する。当該有機金属錯体の濃度が高いほど電子輸送層１１４の電子移動度は高くなるため、当該電子輸送層１１４の電子移動度は、その濃度が低い領域に律速されていることになる。

当該発光デバイスに電圧をかけて駆動すると、アルカリ金属またはアルカリ土類金属の有機金属錯体が、電圧によって第１の電極１０１側から第２の電極１０２側（濃度の濃い領域から薄い領域）へと拡散する。当該有機金属錯体の濃度が高い領域が低い領域よりも第１の電極１０１側に存在することによって、駆動に伴って電子輸送層１１４の電子移動度を向上する。これにより、発光デバイス内部でキャリアバランスの変化が起こり、再結合領域が移動し、寿命の長い発光デバイスを得ることができる。

以上のような構成を有する本発明の一態様の発光デバイスは、寿命が非常に長い。特に、ＬＴ９５（輝度が初期輝度の９５％まで低下する時間）程度までの劣化が極めて小さい領域における寿命を大幅に伸ばすことが可能である。

＜電子注入層＞
電子注入層１１５は、電子注入性の高い材料を含む層である。電子注入層１１５には、Ｌｉｑ、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化カルシウム（ＣａＦ_２）、リチウム酸化物（ＬｉＯ_ｘ）等のようなアルカリ金属、アルカリ土類金属、またはそれらの化合物を用いることができる。また、フッ化エルビウム（ＥｒＦ_３）のような希土類金属化合物を用いることができる。また、電子注入層１１５にエレクトライドを用いてもよい。エレクトライドとしては、例えば、カルシウムとアルミニウムの混合酸化物に電子を高濃度添加した物質等が挙げられる。なお、上述した電子輸送層１１４を構成する物質を用いることもできる。

また、電子注入層１１５に、電子輸送性材料とドナー性材料（電子供与性材料）とを含む複合材料を用いてもよい。このような複合材料は、電子供与体によって有機化合物に電子が発生するため、電子注入性及び電子輸送性に優れている。この場合、有機化合物としては、発生した電子の輸送に優れた材料であることが好ましく、具体的には、例えば上述した電子輸送層１１４に用いる電子輸送性材料（金属錯体、及び、複素芳香族化合物等）を用いることができる。電子供与体としては、有機化合物に対し電子供与性を示す物質を用いることができる。具体的には、アルカリ金属、アルカリ土類金属、及び希土類金属が好ましく、リチウム、セシウム、マグネシウム、カルシウム、エルビウム、及びイッテルビウム等が挙げられる。また、アルカリ金属酸化物及びアルカリ土類金属酸化物が好ましく、リチウム酸化物、カルシウム酸化物、及びバリウム酸化物等が挙げられる。また、酸化マグネシウムのようなルイス塩基を用いることもできる。また、テトラチアフルバレン（略称：ＴＴＦ）等の有機化合物を用いることもできる。

＜電荷発生層＞
図１Ｃに示す発光デバイスにおいて、電荷発生層１０４は、第１の電極１０１（陽極）と第２の電極１０２（陰極）との間に電圧を印加したときに、ＥＬ層１０３ａに電子を注入し、ＥＬ層１０３ｂに正孔を注入する機能を有する。

電荷発生層１０４は、正孔輸送性材料とアクセプター性材料（電子受容性材料）とを含む構成であっても、電子輸送性材料とドナー性材料とを含む構成であってもよい。このような構成の電荷発生層１０４を形成することにより、ＥＬ層が積層された場合における駆動電圧の上昇を抑制することができる。

電荷発生層１０４には、実施の形態１で説明した、本発明の一態様の複合材料を用いることが好ましい。

その他、正孔輸送性材料、アクセプター性材料、電子輸送性材料、及びドナー性材料として、それぞれ上述の材料を用いることもできる。

なお、本実施の形態で示す発光デバイスの作製には、蒸着法などの真空プロセスと、スピンコート法、インクジェット法などの溶液プロセスと、のうち、一方または双方を用いることができる。蒸着法を用いる場合には、スパッタ法、イオンプレーティング法、イオンビーム蒸着法、分子線蒸着法、真空蒸着法などの物理蒸着法（ＰＶＤ法）、化学蒸着法（ＣＶＤ法）等を用いることができる。特にＥＬ層に含まれる機能層（正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層）及び電荷発生層については、蒸着法（真空蒸着法等）、塗布法（ディップコート法、ダイコート法、バーコート法、スピンコート法、スプレーコート法等）、印刷法（インクジェット法、スクリーン（孔版印刷）法、オフセット（平版印刷）法、フレキソ（凸版印刷）法、グラビア法、マイクロコンタクト法等）などの方法により形成することができる。

ＥＬ層１０３を構成する機能層及び電荷発生層の材料は、それぞれ、上述の材料に限定されない。例えば、機能層の材料として、高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）、中分子化合物（低分子と高分子の中間領域の化合物：分子量４００以上４０００以下）、無機化合物（量子ドット材料等）等を用いてもよい。なお、量子ドット材料としては、コロイド状量子ドット材料、合金型量子ドット材料、コア・シェル型量子ドット材料、コア型量子ドット材料などを用いることができる。

本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態３）
本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置について図２~図５を用いて説明する。

［発光装置の構成例１］
図２Ａに、発光装置の上面図を示し、図２Ｂ、図２Ｃに、図２Ａの一点鎖線Ｘ１−Ｙ１間及びＸ２−Ｙ２間の断面図を示す。図２Ａ~図２Ｃに示す発光装置は、例えば、照明装置に用いることができる。発光装置は、ボトムエミッション、トップエミッション、デュアルエミッションのいずれであってもよい。

図２Ｂに示す発光装置は、基板４９０ａ、基板４９０ｂ、導電層４０６、導電層４１６、絶縁層４０５、有機ＥＬデバイス４５０（第１の電極４０１、ＥＬ層４０２、及び第２の電極４０３）、及び接着層４０７を有する。有機ＥＬデバイス４５０は、発光素子、有機ＥＬ素子、または発光デバイスなどということもできる。ＥＬ層４０２は、実施の形態１に示す、本発明の一態様の複合材料を有することが好ましい。例えば、正孔注入層の材料、正孔輸送層の材料、及び、電荷発生層の材料のうち、少なくともいずれか一つとして、当該複合材料を有することが好ましい。

有機ＥＬデバイス４５０は、基板４９０ａ上の第１の電極４０１と、第１の電極４０１上のＥＬ層４０２と、ＥＬ層４０２上の第２の電極４０３とを有する。基板４９０ａ、接着層４０７、及び基板４９０ｂによって、有機ＥＬデバイス４５０は封止されている。

第１の電極４０１、導電層４０６、及び、導電層４１６のそれぞれの端部は絶縁層４０５で覆われている。導電層４０６は第１の電極４０１と電気的に接続し、導電層４１６は第２の電極４０３と電気的に接続する。第１の電極４０１を介して絶縁層４０５に覆われた導電層４０６は、補助配線として機能し、第１の電極４０１と電気的に接続する。有機ＥＬデバイス４５０の電極と電気的に接続する補助配線を有すると、電極の抵抗に起因する電圧降下を抑制できるため、好ましい。導電層４０６は、第１の電極４０１上に設けられていてもよい。また、絶縁層４０５上等に、第２の電極４０３と電気的に接続する補助配線を有していてもよい。

基板４９０ａ及び基板４９０ｂには、それぞれ、ガラス、石英、セラミック、サファイア、有機樹脂などを用いることができる。基板４９０ａ及び基板４９０ｂに可撓性を有する材料を用いると、表示装置の可撓性を高めることができる。

発光装置の発光面には、光取り出し効率を高めるための光取り出し構造、ゴミの付着を抑制する帯電防止膜、汚れを付着しにくくする撥水性の膜、使用に伴う傷の発生を抑制するハードコート膜、及び衝撃吸収層等のうち一つまたは複数を配置してもよい。

絶縁層４０５に用いることのできる絶縁材料としては、例えば、アクリル樹脂、及び、エポキシ樹脂などの樹脂、並びに、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、及び、酸化アルミニウムなどの無機絶縁材料が挙げられる。

接着層４０７としては、紫外線硬化型等の光硬化型接着剤、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、嫌気型接着剤などの各種硬化型接着剤を用いることができる。これら接着剤としてはエポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、イミド樹脂、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）樹脂、ＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）樹脂等が挙げられる。特に、エポキシ樹脂等の透湿性が低い材料が好ましい。また、二液混合型の樹脂を用いてもよい。また、接着シート等を用いてもよい。

図２Ｃに示す発光装置は、バリア層４９０ｃ、導電層４０６、導電層４１６、絶縁層４０５、有機ＥＬデバイス４５０、接着層４０７、バリア層４２３、及び基板４９０ｂを有する。

図２Ｃに示すバリア層４９０ｃは、基板４２０、接着層４２２、及びバリア性の高い絶縁層４２４を有する。

図２Ｃに示す発光装置では、バリア性の高い絶縁層４２４とバリア層４２３との間に、有機ＥＬデバイス４５０が配置されている。したがって、基板４２０及び基板４９０ｂに比較的防水性の低い樹脂フィルムなどを用いても、有機ＥＬデバイスに水などの不純物が入り込み寿命が低減することを、抑制することができる。

基板４２０及び基板４９０ｂには、それぞれ、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート（ＰＣ）樹脂、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）樹脂、ポリアミド樹脂（ナイロン、アラミド等）、ポリシロキサン樹脂、シクロオレフィン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）樹脂、ＡＢＳ樹脂、セルロースナノファイバー等を用いることができる。基板４２０及び基板４９０ｂには、可撓性を有する程度の厚さのガラスを用いてもよい。

バリア性の高い絶縁層４２４としては、無機絶縁膜を用いることが好ましい。無機絶縁膜としては、例えば、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、窒化アルミニウム膜などを用いることができる。また、酸化ハフニウム膜、酸化イットリウム膜、酸化ジルコニウム膜、酸化ガリウム膜、酸化タンタル膜、酸化マグネシウム膜、酸化ランタン膜、酸化セリウム膜、及び酸化ネオジム膜等を用いてもよい。また、上述の絶縁膜を２以上積層して用いてもよい。

バリア層４２３には、少なくとも１層の無機膜を有することが好ましい。例えば、バリア層４２３には、無機膜の単層構造、または、無機膜と有機膜との積層構造を適用することができる。無機膜としては、上記無機絶縁膜が好適である。当該積層構造としては、例えば、酸化窒化シリコン膜と、酸化シリコン膜と、有機膜と、酸化シリコン膜と、窒化シリコン膜と、を順に形成する構成などが挙げられる。バリア層を無機膜と有機膜との積層構造とすることで、有機ＥＬデバイス４５０に入り込みうる不純物（代表的には、水素、水など）を好適に抑制することができる。

バリア性の高い絶縁層４２４及び有機ＥＬデバイス４５０は、可撓性を有する基板４２０上に直接形成することができる。この場合、接着層４２２は不要である。また、絶縁層４２４及び有機ＥＬデバイス４５０は、硬質基板上に剥離層を介して形成した後、基板４２０に転置することができる。例えば、剥離層に、熱、力、レーザ光などを与えることにより、硬質基板から絶縁層４２４及び有機ＥＬデバイス４５０を剥離した後、接着層４２２を用いて基板４２０を貼り合わせることで、基板４２０に転置してもよい。剥離層としては、例えば、タングステン膜と酸化シリコン膜とを含む無機膜の積層構造、または、ポリイミド等の有機樹脂膜等を用いることができる。硬質基板を用いる場合、樹脂基板などに比べて、高温をかけて絶縁層４２４を形成することができるため、絶縁層４２４を緻密で極めてバリア性の高い絶縁膜とすることができる。

［発光装置の構成例２］
図３Ａに、発光装置の断面図を示す。図３Ａに示す発光装置は、トランジスタと発光デバイスとが電気的に接続されてなるアクティブマトリクス型の発光装置である。

図３Ａに示す発光装置は、基板２０１、トランジスタ２１０、発光デバイス２０３Ｒ、発光デバイス２０３Ｇ、発光デバイス２０３Ｂ、カラーフィルタ２０６Ｒ、カラーフィルタ２０６Ｇ、カラーフィルタ２０６Ｂ、及び、基板２０５等を有する。

図３Ａでは、基板２０１上にトランジスタ２１０が設けられ、トランジスタ２１０上に絶縁層２０２が設けられ、絶縁層２０２上に発光デバイス２０３Ｒ、２０３Ｇ、２０３Ｂが設けられている。

トランジスタ２１０、及び、発光デバイス２０３Ｒ、２０３Ｇ、２０３Ｂは、基板２０１、基板２０５、及び接着層２０８によって囲まれた空間２０７に封止されている。空間２０７は、例えば、減圧雰囲気、不活性雰囲気、または樹脂で充填された構成を適用できる。

図３Ａに示す発光装置は、一つの画素が、赤色の副画素（Ｒ）、緑色の副画素（Ｇ）、及び青色の副画素（Ｂ）を有する構成である。

本発明の一態様の発光装置は、マトリクス状に配置された複数の画素を有する。一つの画素は、一つ以上の副画素を有する。一つの副画素は、一つの発光デバイスを有する。例えば、画素には、副画素を３つ有する構成（Ｒ、Ｇ、Ｂの３色、または、黄色（Ｙ）、シアン（Ｃ）、及びマゼンタ（Ｍ）の３色など）、または、副画素を４つ有する構成（Ｒ、Ｇ、Ｂ、白色（Ｗ）の４色、または、Ｒ、Ｇ、Ｂ、Ｙの４色など）を適用できる。

図３Ｂに、発光デバイス２０３Ｒ、発光デバイス２０３Ｇ、及び、発光デバイス２０３Ｂの詳細な構成を示す。発光デバイス２０３Ｒ、２０３Ｇ、２０３Ｂは、共通のＥＬ層２１３を有し、また、各発光デバイスの発光色に応じて、各発光デバイスの電極間の光学距離が調整されたマイクロキャビティ構造を有する。ＥＬ層２１３は、実施の形態１に示す、本発明の一態様の複合材料を有することが好ましい。例えば、正孔注入層の材料、正孔輸送層の材料、及び、電荷発生層の材料のうち、少なくともいずれか一つとして、当該複合材料を有することが好ましい。

第１の電極２１１は、反射電極として機能し、第２の電極２１５は、半透過・半反射電極として機能する。

発光デバイス２０３Ｒは、赤色の光の強度が強められるよう、第１の電極２１１と第２の電極２１５との間が光学距離２２０Ｒとなるように調整されている。同様に、発光デバイス２０３Ｇは、緑色の光の強度が強められるよう、第１の電極２１１と第２の電極２１５との間が光学距離２２０Ｇとなるように調整され、発光デバイス２０３Ｂは、青色の光の強度が強められるよう、第１の電極２１１と第２の電極２１５との間が光学距離２２０Ｂとなるように調整されている。

図３Ｂに示すように、発光デバイス２０３Ｒにおいて導電層２１２Ｒを第１の電極２１１上に形成し、発光デバイス２０３Ｇにおいて導電層２１２Ｇを第１の電極２１１上に形成することで、光学調整を行うことができる。さらに、発光デバイス２０３Ｂにおいて、導電層２１２Ｒ及び導電層２１２Ｇとは異なる厚さの導電層を、第１の電極２１１上に形成して、光学距離２２０Ｂを調整してもよい。なお、図３Ａに示すように、第１の電極２１１、導電層２１２Ｒ、及び導電層２１２Ｇの端部は、絶縁層２０４に覆われている。

図３Ａに示す発光装置は、発光デバイスから得られた発光が基板２０５に形成された各色のカラーフィルタを介して射出されるトップエミッション型の発光装置である。カラーフィルタは、可視光のうち特定の波長域を通過させ、特定の波長域を阻止することができる。

赤色の副画素（Ｒ）では、発光デバイス２０３Ｒからの発光が、赤色のカラーフィルタ２０６Ｒを介して射出される。図３Ａに示すように、発光デバイス２０３Ｒと重なる位置に赤の波長域のみを通過させるカラーフィルタ２０６Ｒを設けることにより、発光デバイス２０３Ｒから赤色発光を得ることができる。

同様に、緑色の副画素（Ｇ）では、発光デバイス２０３Ｇからの発光が、緑色のカラーフィルタ２０６Ｇを介して射出され、青色の副画素（Ｂ）では、発光デバイス２０３Ｂからの発光が、青色のカラーフィルタ２０６Ｂを介して射出される。

なお、基板２０５には、ブラックマトリックス２０９（黒色層ともいえる）が設けられていてもよい。このとき、カラーフィルタの端部は、ブラックマトリックス２０９と重なることが好ましい。さらに、各色のカラーフィルタ及びブラックマトリックス２０９は、可視光を透過するオーバーコート層で覆われていてもよい。

図３Ｃに示す発光装置は、一つの画素が、赤色の副画素（Ｒ）、緑色の副画素（Ｇ）、青色の副画素（Ｂ）、白色の副画素（Ｗ）を有する構成である。図３Ｃにおいて、白色の副画素（Ｗ）が有する発光デバイス２０３Ｗからの光は、カラーフィルタを介さずに発光装置の外部に射出される。

なお、発光デバイス２０３Ｗにおける第１の電極２１１と第２の電極２１５との間の光学距離は、発光デバイス２０３Ｒ、２０３Ｇ、２０３Ｂのいずれかと同じであってもよく、いずれとも異なっていてもよい。

例えば、発光デバイス２０３Ｗから発せられる光が色温度の低い白色光であるなど、青色の光の強度を強めたい場合には、図３Ｃに示すように、発光デバイス２０３Ｗにおける光学距離を、発光デバイス２０３Ｂにおける光学距離２２０Ｂと等しくすることが好ましい。これにより、発光デバイス２０３Ｗから得られる光を所望の色温度の白色光に近づけることができる。

図３Ａでは、各色の副画素が有する発光デバイスに、共通のＥＬ層２１３を用いる例を示したが、図４Ａに示すように、各色の副画素が有する発光デバイスに、それぞれ異なるＥＬ層を用いてもよい。図４Ａにおいても、上述のマイクロキャビティ構造を同様に適用できる。

図４Ａでは、発光デバイス２０３Ｒが、ＥＬ層２１３Ｒを有し、発光デバイス２０３Ｇが、ＥＬ層２１３Ｇを有し、発光デバイス２０３Ｂが、ＥＬ層２１３Ｂを有する例を示す。ＥＬ層２１３Ｒ、２１３Ｇ、２１３Ｂは、共通の層を有していてもよい。例えば、ＥＬ層２１３Ｒ、２１３Ｇ、２１３Ｂは、互いに発光層の構成が異なり、他の層は共通の層であってもよい。図４Ａにおいて、発光デバイス２０３Ｒ、２０３Ｇ、２０３Ｂが発した光は、カラーフィルタを介して取り出されてもよく、カラーフィルタを介さずに取り出されてもよい。

図３Ａでは、トップエミッション型の発光装置を示したが、図４Ｂに示すように、トランジスタ２１０が形成されている基板２０１側に光を取り出す構造（ボトムエミッション型）の発光装置も本発明の一態様である。

ボトムエミッション型の発光装置では、各色のカラーフィルタを、基板２０１と発光デバイスとの間に設けることが好ましい。図４Ｂでは、基板２０１上にトランジスタ２１０を形成し、トランジスタ２１０上に絶縁層２０２ａを形成し、絶縁層２０２ａ上にカラーフィルタ２０６Ｒ、２０６Ｇ、２０６Ｂを形成し、カラーフィルタ２０６Ｒ、２０６Ｇ、２０６Ｂ上に絶縁層２０２ｂを形成し、絶縁層２０２ｂ上に発光デバイス２０３Ｒ、２０３Ｇ、２０３Ｂを形成する例を示す。

トップエミッション型の発光装置の場合には、基板２０１として遮光性の基板及び透光性の基板を用いることができ、基板２０５として透光性の基板を用いることができる。

ボトムエミッション型の発光装置の場合には、基板２０５として遮光性の基板及び透光性の基板を用いることができ、基板２０１として透光性の基板を用いることができる。

［発光装置の構成例３］
本発明の一態様の発光装置は、パッシブマトリクス型またはアクティブマトリクス型とすることができる。アクティブマトリクス型の発光装置について図５を用いて説明する。

図５Ａに発光装置の上面図を示す。図５Ｂに、図５Ａに示す一点鎖線Ａ−Ａ’間の断面図を示す。

図５Ａ、図５Ｂに示すアクティブマトリクス型の発光装置は、画素部３０２、回路部３０３、回路部３０４ａ、及び回路部３０４ｂを有する。

回路部３０３、回路部３０４ａ、及び回路部３０４ｂは、それぞれ、走査線駆動回路（ゲートドライバ）または信号線駆動回路（ソースドライバ）として機能することができる。または、外付けのゲートドライバまたはソースドライバと、画素部３０２と、を電気的に接続する回路であってもよい。

第１の基板３０１上には、引き回し配線３０７が設けられる。引き回し配線３０７は、外部入力端子であるＦＰＣ３０８と電気的に接続される。ＦＰＣ３０８は、回路部３０３、回路部３０４ａ、及び回路部３０４ｂに外部からの信号（例えば、ビデオ信号、クロック信号、スタート信号、リセット信号等）及び電位を伝達する。また、ＦＰＣ３０８にはプリント配線基板（ＰＷＢ）が取り付けられていてもよい。図５Ａ、図５Ｂに示す構成は、発光デバイス（または発光装置）及びＦＰＣを有する発光モジュールということもできる。

画素部３０２は、有機ＥＬデバイス３１７、トランジスタ３１１、及びトランジスタ３１２を有する画素を、複数有する。トランジスタ３１２は、有機ＥＬデバイス３１７が有する第１の電極３１３と電気的に接続されている。トランジスタ３１１は、スイッチング用トランジスタとして機能する。トランジスタ３１２は、電流制御用トランジスタとして機能する。なお、各画素が有するトランジスタの数は、特に限定されることはなく、必要に応じて適宜設けることができる。

回路部３０３は、トランジスタ３０９、及び、トランジスタ３１０等を含む、複数のトランジスタを有する。回路部３０３は、単極性（Ｎ型またはＰ型のいずれか一方のみ）のトランジスタを含む回路で形成されてもよいし、Ｎ型のトランジスタとＰ型のトランジスタを含むＣＭＯＳ回路で形成されてもよい。また、外部に駆動回路を有する構成としてもよい。

本実施の形態の発光装置が有するトランジスタの構造は特に限定されない。例えば、プレーナ型のトランジスタ、スタガ型のトランジスタ、逆スタガ型のトランジスタ等を用いることができる。また、トップゲート型またはボトムゲート型のいずれのトランジスタ構造としてもよい。または、チャネルが形成される半導体層の上下にゲートが設けられていてもよい。

トランジスタに用いる半導体材料の結晶性についても特に限定されず、非晶質半導体、結晶性を有する半導体（微結晶半導体、多結晶半導体、単結晶半導体、または一部に結晶領域を有する半導体）のいずれを用いてもよい。結晶性を有する半導体を用いると、トランジスタ特性の劣化を抑制できるため好ましい。

トランジスタの半導体層は、金属酸化物（酸化物半導体ともいう）を有することが好ましい。または、トランジスタの半導体層は、シリコンを有していてもよい。シリコンとしては、アモルファスシリコン、及び、結晶性のシリコン（低温ポリシリコン、及び、単結晶シリコンなど）などが挙げられる。

半導体層は、例えば、インジウムと、Ｍ（Ｍは、ガリウム、アルミニウム、シリコン、ホウ素、イットリウム、スズ、銅、バナジウム、ベリリウム、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、及びマグネシウムから選ばれた一種または複数種）と、亜鉛と、を有することが好ましい。特に、Ｍは、アルミニウム、ガリウム、イットリウム、及びスズから選ばれた一種または複数種であることが好ましい。

特に、半導体層として、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物（ＩＧＺＯとも記す）を用いることが好ましい。

半導体層がＩｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物の場合、Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物を成膜するために用いるスパッタリングターゲットは、Ｉｎの原子数比がＭの原子数比以上であることが好ましい。このようなスパッタリングターゲットの金属元素の原子数比として、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：１：１、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：１：１．２、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝２：１：３、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝３：１：２、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝４：２：３、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝４：２：４．１、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：６、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：７、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：８、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝６：１：６、及び、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：２：５等が挙げられる。

回路部３０３、回路部３０４ａ、及び、回路部３０４ｂが有するトランジスタと、画素部３０２が有するトランジスタは、同じ構造であってもよく、異なる構造であってもよい。回路部３０３、回路部３０４ａ、回路部３０４ｂが有する複数のトランジスタの構造は、全て同じであってもよく、２種類以上あってもよい。同様に、画素部３０２が有する複数のトランジスタの構造は、全て同じであってもよく、２種類以上あってもよい。

第１の電極３１３の端部は、絶縁層３１４により覆われている。なお、絶縁層３１４には、ネガ型の感光性樹脂、ポジ型の感光性樹脂（アクリル樹脂）などの有機化合物、及び、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化シリコン等の無機化合物の一方または双方を用いることができる。絶縁層３１４の上端部または下端部には、曲率を有する曲面を有するのが好ましい。これにより、絶縁層３１４の上層に形成される膜の被覆性を良好なものとすることができる。

第１の電極３１３上にはＥＬ層３１５が設けられ、ＥＬ層３１５上には第２の電極３１６が設けられる。ＥＬ層３１５は、発光層、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層、及び、電荷発生層等のうち少なくとも１層を有する。ＥＬ層３１５は、実施の形態１に示す、本発明の一態様の複合材料を有することが好ましい。例えば、正孔注入層の材料、正孔輸送層の材料、及び、電荷発生層の材料のうち、少なくともいずれか一つとして、当該複合材料を有することが好ましい。

複数のトランジスタ及び複数の有機ＥＬデバイス３１７は、第１の基板３０１、第２の基板３０６、及びシール材３０５によって、封止されている。第１の基板３０１、第２の基板３０６、及びシール材３０５で囲まれた空間３１８は、不活性気体（窒素、アルゴン等）または有機物（シール材３０５を含む）で充填されていてもよい。

シール材３０５には、エポキシ樹脂、または、ガラスフリットなどを用いることができる。なお、シール材３０５には、できるだけ水分及び酸素を透過しない材料を用いることが好ましい。シール材としてガラスフリットを用いる場合には、接着性の観点から第１の基板３０１及び第２の基板３０６はガラス基板であることが好ましい。

図５Ｃ、図５Ｄに、発光装置に用いることができるトランジスタの例を示す。

図５Ｃに示すトランジスタ３２０は、ゲートとして機能する導電層３２１、ゲート絶縁層として機能する絶縁層３２８、チャネル形成領域３２７ｉ及び一対の低抵抗領域３２７ｎを有する半導体層３２７、一対の低抵抗領域３２７ｎの一方と接続する導電層３２２ａ、一対の低抵抗領域３２７ｎの他方と接続する導電層３２２ｂ、ゲート絶縁層として機能する絶縁層３２５、ゲートとして機能する導電層３２３、並びに、導電層３２３を覆う絶縁層３２４を有する。絶縁層３２８は、導電層３２１とチャネル形成領域３２７ｉとの間に位置する。絶縁層３２５は、導電層３２３とチャネル形成領域３２７ｉとの間に位置する。トランジスタ３２０は、絶縁層３２６によって覆われていることが好ましい。絶縁層３２６をトランジスタ３２０の構成要素に含んでいてもよい。

導電層３２２ａ及び導電層３２２ｂは、それぞれ、絶縁層３２４に設けられた開口を介して低抵抗領域３２７ｎと接続される。導電層３２２ａ及び導電層３２２ｂのうち、一方はソースとして機能し、他方はドレインとして機能する。

絶縁層３２５は、少なくとも半導体層３２７のチャネル形成領域３２７ｉと重ねて設けられる。絶縁層３２５は、一対の低抵抗領域３２７ｎの上面及び側面を覆っていてもよい。

図５Ｄに示すトランジスタ３３０は、ゲートとして機能する導電層３３１、ゲート絶縁層として機能する絶縁層３３８、ソース及びドレインとして機能する導電層３３２ａ及び導電層３３２ｂ、半導体層３３７、ゲート絶縁層として機能する絶縁層３３５、並びに、ゲートとして機能する導電層３３３を有する。絶縁層３３８は、導電層３３１と半導体層３３７との間に位置する。絶縁層３３５は、導電層３３３と半導体層３３７との間に位置する。トランジスタ３３０は、絶縁層３３４によって覆われていることが好ましい。絶縁層３３４を、トランジスタ３３０の構成要素に含んでもよい。

トランジスタ３２０及びトランジスタ３３０には、チャネルが形成される半導体層を２つのゲートで挟持する構成が適用されている。２つのゲートを接続し、これらに同一の信号を供給することによりトランジスタを駆動してもよい。または、２つのゲートのうち、一方に閾値電圧を制御するための電位を与え、他方に駆動のための電位を与えることで、トランジスタの閾値電圧を制御してもよい。

トランジスタを覆う絶縁層の少なくとも一層に、水及び水素などの不純物が拡散しにくい材料を用いることが好ましい。これにより、絶縁層をバリア層として機能させることができる。このような構成とすることで、トランジスタに外部から不純物が拡散することを効果的に抑制でき、発光装置の信頼性を高めることができる。

絶縁層３２５、絶縁層３２６、絶縁層３２８、絶縁層３３４、絶縁層３３５、及び絶縁層３３８としては、それぞれ、無機絶縁膜を用いることが好ましい。無機絶縁膜としては、例えば、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、窒化アルミニウム膜などを用いることができる。また、酸化ハフニウム膜、酸化イットリウム膜、酸化ジルコニウム膜、酸化ガリウム膜、酸化タンタル膜、酸化マグネシウム膜、酸化ランタン膜、酸化セリウム膜、及び酸化ネオジム膜等を用いてもよい。また、上述の絶縁膜を２以上積層して用いてもよい。

なお、発光装置を構成する各種導電層に用いることができる材料としては、アルミニウム、チタン、クロム、ニッケル、銅、イットリウム、ジルコニウム、モリブデン、銀、タンタル、またはタングステンなどの金属、またはこれを主成分とする合金などが挙げられる。またこれらの材料を含む膜を単層で、または積層構造として用いることができる。例えば、シリコンを含むアルミニウム膜の単層構造、チタン膜上にアルミニウム膜を積層する二層構造、タングステン膜上にアルミニウム膜を積層する二層構造、銅−マグネシウム−アルミニウム合金膜上に銅膜を積層する二層構造、チタン膜上に銅膜を積層する二層構造、タングステン膜上に銅膜を積層する二層構造、チタン膜または窒化チタン膜と、その上に重ねてアルミニウム膜または銅膜を積層し、さらにその上にチタン膜または窒化チタン膜を形成する三層構造、モリブデン膜または窒化モリブデン膜と、その上に重ねてアルミニウム膜または銅膜を積層し、さらにその上にモリブデン膜または窒化モリブデン膜を形成する三層構造等がある。なお、酸化インジウム、酸化錫または酸化亜鉛等の酸化物を用いてもよい。また、マンガンを含む銅を用いると、エッチングによる形状の制御性が高まるため好ましい。

（実施の形態４）
本実施の形態では、本発明の一態様の受光デバイス、受発光デバイス、及び、受発光装置について、図を用いて説明する。

［受光デバイスの構成例］
本実施の形態では、可視光または近赤外光を検出する機能を有する受光デバイスについて説明する。図６Ａ、図６Ｂに、一対の電極間に有機化合物を含む層を有する受光デバイスの一例を示す。

図６Ａに示す受光デバイスは、第１の電極１０１と第２の電極１０２との間に有機化合物を含む層１０５が挟まれた構造を有する。有機化合物を含む層１０５は、少なくとも活性層を有する。

図６Ｂに、有機化合物を含む層１０５の積層構造の一例を示す。本実施の形態では、第１の電極１０１が陽極として機能し、第２の電極１０２が陰極として機能する場合を例に挙げて説明する。受光デバイスは、第１の電極１０１と第２の電極１０２との間に逆バイアスをかけて駆動することで、受光デバイスに入射する光を検出し、電荷を発生させ、電流として取り出すことができる。有機化合物を含む層１０５は、第１の電極１０１上に、正孔輸送層１１６、活性層１１７、及び、電子輸送層１１８が順次積層された構造を有する。正孔輸送層１１６、活性層１１７、及び、電子輸送層１１８は、それぞれ、単層構造であってもよく、積層構造であってもよい。第１の電極１０１が陰極で、第２の電極１０２が陽極の場合、積層順は逆になる。

活性層１１７は、半導体を含む。当該半導体としては、シリコンなどの無機半導体、及び、有機化合物を含む有機半導体が挙げられる。本実施の形態では、活性層が有する半導体として、有機半導体を用いる例を示す。有機半導体を用いることで、発光デバイスの発光層と、活性層１１７と、を同じ方法（例えば、真空蒸着法）で形成することができ、製造装置を共通化できるため好ましい。

活性層１１７が有するｎ型半導体の材料としては、フラーレン（例えばＣ_６０、Ｃ_７０）、フラーレン誘導体等の電子受容性の有機半導体材料が挙げられる。

また、ｎ型半導体の材料としては、キノリン骨格を有する金属錯体、ベンゾキノリン骨格を有する金属錯体、オキサゾール骨格を有する金属錯体、チアゾール骨格を有する金属錯体、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、オキサゾール誘導体、チアゾール誘導体、フェナントロリン誘導体、キノリン誘導体、ベンゾキノリン誘導体、キノキサリン誘導体、ジベンゾキノキサリン誘導体、ピリジン誘導体、ビピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、クマリン誘導体、ローダミン誘導体、トリアジン誘導体、及び、キノン誘導体等が挙げられる。

活性層１１７が有するｐ型半導体の材料としては、銅（ＩＩ）フタロシアニン（Ｃｏｐｐｅｒ（ＩＩ）　ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ；ＣｕＰｃ）、テトラフェニルジベンゾペリフランテン（Ｔｅｔｒａｐｈｅｎｙｌｄｉｂｅｎｚｏｐｅｒｉｆｌａｎｔｈｅｎｅ；ＤＢＰ）、亜鉛フタロシアニン（Ｚｉｎｃ　Ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ；ＺｎＰｃ）、スズフタロシアニン（ＳｎＰｃ）、及び、キナクリドン等の電子供与性の有機半導体材料が挙げられる。

また、ｐ型半導体の材料としては、カルバゾール誘導体、チオフェン誘導体、フラン誘導体、及び、芳香族アミン骨格を有する化合物等が挙げられる。さらに、ｐ型半導体の材料としては、ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、ピレン誘導体、トリフェニレン誘導体、フルオレン誘導体、ピロール誘導体、ベンゾフラン誘導体、ベンゾチオフェン誘導体、インドール誘導体、ジベンゾフラン誘導体、ジベンゾチオフェン誘導体、インドロカルバゾール誘導体、ポルフィリン誘導体、フタロシアニン誘導体、ナフタロシアニン誘導体、キナクリドン誘導体、ポリフェニレンビニレン誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリビニルカルバゾール誘導体、及び、ポリチオフェン誘導体等が挙げられる。

電子供与性の有機半導体材料のＨＯＭＯ準位は、電子受容性の有機半導体材料のＨＯＭＯ準位よりも高いことが好ましい。電子供与性の有機半導体材料のＬＵＭＯ準位は、電子受容性の有機半導体材料のＬＵＭＯ準位よりも高いことが好ましい。

電子受容性の有機半導体材料として、球状のフラーレンを用い、電子供与性の有機半導体材料として、平面に近い形状の有機半導体材料を用いることが好ましい。似た形状の分子同士は集まりやすい傾向にあり、同種の分子が凝集すると、分子軌道のエネルギー準位が近いため、キャリア輸送性を高めることができる。

例えば、活性層１１７は、ｎ型半導体とｐ型半導体と共蒸着して形成することが好ましい。または、活性層１１７は、ｎ型半導体を有する層と、ｐ型半導体を有する層と、の積層構造であってもよい。

第１の電極１０１と第２の電極１０２には、実施の形態２で説明した発光デバイスの電極と同様の材料を用いることができる。

正孔輸送層１１６には、実施の形態１で説明した、本発明の一態様の複合材料を用いることが好ましい。そのほか、正孔輸送層１１６には、実施の形態２で説明した発光デバイスの正孔注入層１１１に用いることができる材料、及び、正孔輸送層１１２に用いることができる材料等を、単数または複数用いることができる。つまり、正孔輸送層１１６は、実施の形態２で説明した発光デバイスの正孔注入層１１１及び正孔輸送層１１２の一方または双方と同様の構成を有することができる。

電子輸送層１１８には、実施の形態２で説明した発光デバイスの電子輸送層１１４に用いることができる材料、及び、電子注入層１１５に用いることができる材料等を、単数または複数用いることができる。つまり、電子輸送層１１８は、実施の形態２で説明した発光デバイスの電子輸送層１１４及び電子注入層１１５の一方または双方と同様の構成を有することができる。

［受発光デバイスの構成例］
図６Ａ、図６Ｂに示す積層構造において、有機化合物を含む層１０５として、正孔輸送層１１６、活性層１１７、及び、電子輸送層１１８に加えて、発光層１１３を設けることで、受発光デバイスとして機能させることができる。

発光層１１３は、正孔輸送層１１６と活性層１１７の間、または、活性層１１７と電子輸送層１１８の間に設けることが好ましい。さらに、発光層１１３と活性層１１７の間にバッファ層を設けることが好ましい。

受発光デバイスは、発光デバイスと受光デバイスとを兼ねることができるため、１画素に配置するデバイスの数を減らすことができる。そのため、表示装置の高精細化、高開口率化、及び、高解像度化などが容易となる。

［受発光装置の構成例］
受発光装置は、受光機能及び発光機能を有する。以下では、受発光装置の一例として、受光機能を有する表示装置について説明する。

本実施の形態の表示装置は、発光デバイスに加えて、受光デバイスまたは受発光デバイスを有する。

本実施の形態の表示装置は、発光デバイス（及び受発光デバイス）を用いて、画像を表示する機能を有する。つまり、発光デバイス（及び受発光デバイス）は、表示デバイスとして機能する。

発光デバイスは、表示デバイス（表示素子ともいう）として機能する。発光デバイスとしては、ＯＬＥＤ（Ｏｒｇａｎｉｃ　Ｌｉｇｈｔ　Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　Ｄｉｏｄｅ）、ＱＬＥＤ（Ｑｕａｎｔｕｍ−ｄｏｔ　Ｌｉｇｈｔ　Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　Ｄｉｏｄｅ）などのＥＬデバイスを用いることが好ましい。また、発光デバイスとして、マイクロＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ　Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　Ｄｉｏｄｅ）などのＬＥＤを用いることもできる。実施の形態１で説明した本発明の一態様の複合材料を用いた発光デバイスは、光取り出し効率及び信頼性が高いため、本発明の一態様の表示装置に好適に用いることができる。

本実施の形態の表示装置は、受光デバイスまたは受発光デバイスを用いて、光を検出する機能を有する。

受光デバイスまたは受発光デバイスをイメージセンサに用いる場合、本実施の形態の表示装置は、画像を撮像することができる。例えば、本実施の形態の表示装置は、スキャナとして用いることができる。

例えば、イメージセンサを用いて、指紋、掌紋などの生体情報に係るデータを取得することができる。つまり、表示装置に、生体認証用センサを内蔵させることができる。表示装置が生体認証用センサを内蔵することで、表示装置とは別に生体認証用センサを設ける場合に比べて、電子機器の部品点数を少なくでき、電子機器の小型化及び軽量化が可能である。

また、受光デバイスまたは受発光デバイスをタッチセンサに用いる場合、本実施の形態の表示装置は、対象物の近接または接触を検出することができる。

受光デバイスとしては、例えば、ｐｎ型またはｐｉｎ型のフォトダイオードを用いることができる。特に、受光デバイスとして、有機化合物を含む層を有する有機フォトダイオードを用いることが好ましい。有機フォトダイオードは、薄型化、軽量化、及び大面積化が容易であり、また、形状及びデザインの自由度が高いため、様々な表示装置に適用できる。本実施の形態で説明した本発明の一態様の複合材料を用いた受光デバイスは、本発明の一態様の表示装置に好適に用いることができる。

本発明の一態様の表示装置は、発光デバイスとして有機ＥＬデバイスを有し、受光デバイスとして有機フォトダイオードを有する。有機ＥＬデバイス及び有機フォトダイオードは、同一基板上に形成することができる。したがって、有機ＥＬデバイスを用いた表示装置に有機フォトダイオードを内蔵することができる。

受発光デバイスは、上記発光デバイスの構成に、受光デバイスの活性層を追加することで作製することができる。受発光デバイスには、例えば、ｐｎ型またはｐｉｎ型のフォトダイオードの活性層を用いることができる。特に、受発光デバイスには、有機化合物を含む層を有する有機フォトダイオードの活性層を用いることが好ましい。本実施の形態で説明した本発明の一態様の複合材料を用いた受発光デバイスは、本発明の一態様の表示装置に好適に用いることができる。

具体的には、受発光デバイスは、有機ＥＬデバイスと有機フォトダイオードを組み合わせて作製することができる。例えば、有機ＥＬデバイスの積層構造に、有機フォトダイオードの活性層を追加することで、受発光デバイスを作製することができる。さらに、有機ＥＬデバイスと有機フォトダイオードを組み合わせて作製する受発光デバイスは、有機ＥＬデバイスと共通の構成にできる層を一括で成膜することで、成膜工程の増加を抑制することができる。

本発明の一態様の表示装置は、発光デバイスをセンサの光源として利用することができる。したがって、表示装置と別に受光部及び光源を設けなくてよく、電子機器の部品点数を削減することができる。

次に、表示装置の詳細な構成について説明する。図６Ｃ、図６Ｄを用いて、表示装置の具体的な構造について主に説明し、図７Ａ~図７Ｃを用いて、表示装置の具体的な機能について主に説明する。

［表示装置５００Ａ］
図６Ｃに表示装置５００Ａの断面図を示す。

表示装置５００Ａは、一対の基板（基板５５１及び基板５５２）間に、受光デバイス５１０、発光デバイス５９０、トランジスタ５３１、及びトランジスタ５３２等を有する。

発光デバイス５９０は、画素電極５９１、バッファ層５１２、発光層５９３、バッファ層５１４、及び共通電極５１５をこの順で積層して有する。バッファ層５１２は、正孔注入層及び正孔輸送層の一方または双方を有することができる。発光層５９３は、有機化合物を有する。バッファ層５１４は、電子注入層及び電子輸送層の一方または双方を有することができる。発光デバイス５９０は、可視光を発する機能を有する。なお、表示装置５００Ａは、さらに、赤外光を発する機能を有する発光デバイス５９０を有していてもよい。

受光デバイス５１０は、画素電極５１１、バッファ層５１２、活性層５１３、バッファ層５１４、及び共通電極５１５をこの順で積層して有する。受光デバイス５１０において、バッファ層５１２は、正孔輸送層として機能する。活性層５１３は、有機化合物を有する。受光デバイス５１０は、可視光を検出する機能を有する。受光デバイス５１０において、バッファ層５１４は、電子輸送層として機能する。なお、受光デバイス５１０は、さらに、赤外光を検出する機能を有していてもよい。

バッファ層５１２、バッファ層５１４、及び共通電極５１５は、発光デバイス５９０及び受光デバイス５１０に共通の層であり、これらに亘って設けられる。

本実施の形態では、発光デバイス５９０及び受光デバイス５１０のいずれにおいても、画素電極５１１が陽極として機能し、共通電極５１５が陰極として機能するものとして説明する。つまり、受光デバイス５１０を、画素電極５１１と共通電極５１５との間に逆バイアスをかけて駆動することで、表示装置５００Ａは、受光デバイス５１０に入射する光を検出し、電荷を発生させ、電流として取り出すことができる。

画素電極５１１、バッファ層５１２、活性層５１３、発光層５９３、バッファ層５１４、及び共通電極５１５は、それぞれ、単層構造であってもよく、積層構造であってもよい。

画素電極５１１及び画素電極５９１は、絶縁層５３３上に位置する。画素電極５１１の端部及び画素電極５９１の端部は、それぞれ、絶縁層５３４によって覆われている。互いに隣り合う画素電極５１１と画素電極５９１は絶縁層５３４によって互いに電気的に絶縁されている（電気的に分離されている、ともいう）。

絶縁層５３４としては、有機絶縁膜が好適である。有機絶縁膜に用いることができる材料としては、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミドアミド樹脂、シロキサン樹脂、ベンゾシクロブテン系樹脂、フェノール樹脂、及びこれら樹脂の前駆体等が挙げられる。絶縁層５３４は、可視光を透過する機能を有していてもよく、可視光を遮る機能を有していてもよい。

受光デバイス５１０及び発光デバイス５９０が有する一対の電極の材料及び膜厚等は等しくすることができる。これにより、表示装置の作製コストの削減及び作製工程の簡略化ができる。

受光デバイス５１０において、それぞれ画素電極５１１及び共通電極５１５の間に位置するバッファ層５１２、活性層５１３、及びバッファ層５１４は、有機層（有機化合物を含む層）ということもできる。画素電極５１１は可視光を反射する機能を有することが好ましい。共通電極５１５は可視光を透過する機能を有する。なお、受光デバイス５１０が赤外光を検出する構成である場合、共通電極５１５は赤外光を透過する機能を有する。さらに、画素電極５１１は赤外光を反射する機能を有することが好ましい。

受光デバイス５１０は、光を検出する機能を有する。具体的には、受光デバイス５１０は、表示装置５００Ａの外部から入射される光５２２を受光し、電気信号に変換する、光電変換デバイス（光電変換素子ともいう）である。光５２２は、発光デバイス５９０の発光を対象物が反射した光ということもできる。また、光５２２は、表示装置５００Ａに設けられたレンズなどを介して受光デバイス５１０に入射してもよい。

発光デバイス５９０において、それぞれ画素電極５９１及び共通電極５１５の間に位置するバッファ層５１２、発光層５９３、及びバッファ層５１４は、まとめてＥＬ層ということもできる。なお、ＥＬ層は、少なくとも発光層５９３を有する。画素電極５９１は可視光を反射する機能を有することが好ましい。また、共通電極５１５は可視光を透過する機能を有する。なお、表示装置５００Ａが、赤外光を発する発光デバイスを有する構成である場合、共通電極５１５は赤外光を透過する機能を有する。さらに、画素電極５９１は赤外光を反射する機能を有することが好ましい。

発光デバイス５９０は、可視光を発する機能を有する。具体的には、発光デバイス５９０は、画素電極５９１と共通電極５１５との間に電圧を印加することで、基板５５２側に光を射出する電界発光デバイスである（光５２１参照）。

受光デバイス５１０が有する画素電極５１１は、絶縁層５３３に設けられた開口を介して、トランジスタ５３１が有するソースまたはドレインと電気的に接続される。

発光デバイス５９０が有する画素電極５９１は、絶縁層５３３に設けられた開口を介して、トランジスタ５３２が有するソースまたはドレインと電気的に接続される。

トランジスタ５３１とトランジスタ５３２とは、同一の層（図６Ｃでは基板５５１）上に接している。

受光デバイス５１０と電気的に接続される回路の少なくとも一部は、発光デバイス５９０と電気的に接続される回路と同一の材料及び同一の工程で形成されることが好ましい。これにより、２つの回路を別々に形成する場合に比べて、表示装置の厚さを薄くすることができ、また、作製工程を簡略化できる。

受光デバイス５１０及び発光デバイス５９０は、それぞれ、保護層５９５に覆われていることが好ましい。図６Ｃでは、保護層５９５が、共通電極５１５上に接して設けられている。保護層５９５を設けることで、受光デバイス５１０及び発光デバイス５９０に水などの不純物が入り込むことを抑制し、受光デバイス５１０及び発光デバイス５９０の信頼性を高めることができる。また、接着層５５３によって、保護層５９５と基板５５２とが貼り合わされている。

基板５５２の基板５５１側の面には、遮光層５５４が設けられている。遮光層５５４は、発光デバイス５９０と重なる位置、及び、受光デバイス５１０と重なる位置に開口を有する。

ここで、発光デバイス５９０の発光が対象物によって反射された光を受光デバイス５１０は検出する。しかし、発光デバイス５９０の発光が、表示装置５００Ａ内で反射され、対象物を介さずに、受光デバイス５１０に入射されてしまう場合がある。遮光層５５４は、このような迷光の影響を抑制することができる。これにより、ノイズを低減し、受光デバイス５１０を用いたセンサの感度を高めることができる。

遮光層５５４としては、発光デバイスからの発光を遮る材料を用いることができる。遮光層５５４は、可視光を吸収することが好ましい。遮光層５５４として、例えば、金属材料、又は、顔料（カーボンブラックなど）もしくは染料を含む樹脂材料等を用いてブラックマトリクスを形成することができる。遮光層５５４は、赤色のカラーフィルタ、緑色のカラーフィルタ、及び青色のカラーフィルタのうち少なくとも２層の積層構造であってもよい。

［表示装置５００Ｂ］
図６Ｄに表示装置５００Ｂの断面図を示す。なお、表示装置５００Ｂの説明において、先に説明した表示装置５００Ａと同様の構成については、説明を省略することがある。

表示装置５００Ｂは、発光デバイス５９０Ｂ、発光デバイス５９０Ｇ、及び受発光デバイス５８０ＳＲを有する。

発光デバイス５９０Ｂは、画素電極５９１Ｂ、バッファ層５１２、発光層５９３Ｂ、バッファ層５１４、及び共通電極５１５をこの順で積層して有する。発光デバイス５９０Ｂは、青色の光５２１Ｂを発する機能を有する。発光デバイス５９０Ｂは、トランジスタ５３２Ｂと電気的に接続されている。

発光デバイス５９０Ｇは、画素電極５９１Ｇ、バッファ層５１２、発光層５９３Ｇ、バッファ層５１４、及び共通電極５１５をこの順で積層して有する。発光デバイス５９０Ｇは、緑色の光５２１Ｇを発する機能を有する。発光デバイス５９０Ｇは、トランジスタ５３２Ｇと電気的に接続されている。

受発光デバイス５８０ＳＲは、画素電極５１１、バッファ層５１２、活性層５１３、発光層５９３Ｒ、バッファ層５１４、及び共通電極５１５をこの順で積層して有する。受発光デバイス５８０ＳＲは、赤色の光５２１Ｒを発する機能と、光５２２を検出する機能と、を有する。受発光デバイス５８０ＳＲは、トランジスタ５３１と電気的に接続されている。

［表示装置５００Ｃ］
図７Ａに示す表示装置５００Ｃは、基板５５１、基板５５２、受光デバイス５１０、発光デバイス５９０Ｒ、発光デバイス５９０Ｇ、発光デバイス５９０Ｂ、及び、機能層５５５等を有する。

発光デバイス５９０Ｒ、発光デバイス５９０Ｇ、発光デバイス５９０Ｂ、及び受光デバイス５１０は、基板５５１と基板５５２の間に設けられている。発光デバイス５９０Ｒ、発光デバイス５９０Ｇ、発光デバイス５９０Ｂは、それぞれ赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、または青色（Ｂ）の光を発する。

表示装置５００Ｃは、マトリクス状に配置された複数の画素を有する。一つの画素は、一つ以上の副画素を有する。一つの副画素は、一つの発光デバイスを有する。例えば、画素には、副画素を３つ有する構成（Ｒ、Ｇ、Ｂの３色、または、黄色（Ｙ）、シアン（Ｃ）、及びマゼンタ（Ｍ）の３色など）、または、副画素を４つ有する構成（Ｒ、Ｇ、Ｂ、白色（Ｗ）の４色、または、Ｒ、Ｇ、Ｂ、Ｙの４色など）を適用できる。さらに、画素は、受光デバイス５１０を有する。受光デバイス５１０は、全ての画素に設けられていてもよく、一部の画素に設けられていてもよい。また、一つの画素が複数の受光デバイス５１０を有していてもよい。

図７Ａには、基板５５２の表面に指５２０が触れる様子を示している。発光デバイス５９０Ｇが発する光の一部は、基板５５２と指５２０との接触部で反射される。そして、反射光の一部が、受光デバイス５１０に入射されることにより、指５２０が基板５５２に接触したことを検出することができる。すなわち、表示装置５００Ｃはタッチパネルとして機能することができる。

機能層５５５は、発光デバイス５９０Ｒ、発光デバイス５９０Ｇ、発光デバイス５９０Ｂを駆動する回路、及び、受光デバイス５１０を駆動する回路を有する。機能層５５５には、スイッチ、トランジスタ、容量、配線などが設けられる。なお、発光デバイス５９０Ｒ、発光デバイス５９０Ｇ、発光デバイス５９０Ｂ、及び受光デバイス５１０をパッシブマトリクス方式で駆動させる場合には、スイッチ及びトランジスタの一方または双方を設けない構成としてもよい。

［表示装置５００Ｄ］
図７Ｂに示す表示装置５００Ｄは、図７Ａで例示した構成に加えて、発光デバイス５９０ＩＲを有する。発光デバイス５９０ＩＲは、赤外光ＩＲを発する発光デバイスである。つまり、表示装置５００Ｄは、可視光を呈する発光デバイスと、赤外光を呈する発光デバイスと、受光デバイスと、を備える構成である。このとき、受光デバイス５１０は、少なくとも発光デバイス５９０ＩＲが発する赤外光ＩＲを受光できることが好ましい。また、受光デバイス５１０は、可視光と赤外光の両方を受光できることがより好ましい。

図７Ｂに示すように、基板５５２に指５２０が触れると、発光デバイス５９０ＩＲから発せられた赤外光ＩＲが指５２０により反射され、当該反射光の一部が受光デバイス５１０に入射されることにより、指５２０の位置情報を取得することができる。

［表示装置５００Ｅ］
図７Ｃに示す表示装置５００Ｅは、発光デバイス５９０Ｂ、発光デバイス５９０Ｇ、及び受発光デバイス５８０ＳＲを有する。受発光デバイス５８０ＳＲは、赤色（Ｒ）の光を発する発光デバイスとしての機能と、可視光を受光する光電変換デバイスとしての機能と、を有する。つまり、表示装置５００Ｅは、可視光を呈する発光デバイスと、可視光を呈し、かつ可視光を受光する受発光デバイスと、を備える構成である。図７Ｃでは、受発光デバイス５８０ＳＲが、発光デバイス５９０Ｇが発する緑色（Ｇ）の光を受光する例を示している。なお、受発光デバイス５８０ＳＲは、発光デバイス５９０Ｂが発する青色（Ｂ）の光を受光してもよい。また、受発光デバイス５８０ＳＲは、緑色の光と青色の光の両方を受光してもよい。

例えば、受発光デバイス５８０ＳＲは、自身が発する光よりも短波長の光を受光することが好ましい。受発光デバイス５８０ＳＲは、自身が発する光よりも長波長の光（例えば赤外光）を受光する構成としてもよい。受発光デバイス５８０ＳＲは、自身が発する光と同程度の波長を受光する構成としてもよいが、その場合は自身が発する光をも受光してしまい、発光効率が低下してしまう恐れがある。そのため、受発光デバイス５８０ＳＲは、発光スペクトルのピークと、吸収スペクトルのピークとができるだけ重ならないように構成されることが好ましい。

また、受発光デバイスが発する光は、赤色の光に限られない。また、発光デバイスが発する光も、緑色の光と青色の光の組み合わせに限定されない。例えば受発光デバイスは、緑色または青色の光を発し、かつ、自身が発する光とは異なる波長の光を受光してもよい。

このように、受発光デバイス５８０ＳＲが、発光デバイスと受光デバイスとを兼ねることにより、一画素に配置するデバイスの数を減らすことができる。したがって、表示装置の高精細化、高開口率化、及び、高解像度化などが容易となる。

（実施の形態５）
本実施の形態では、本発明の一態様の電子機器について図を用いて説明する。

電子機器としては、例えば、テレビジョン装置、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機（携帯電話、携帯電話装置ともいう）、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機、生体認証機器、及び、検査機器が挙げられる。

本実施の形態の電子機器は、表示部に本発明の一態様の発光装置を有するため、発光効率が高く、信頼性が高い。なお、本発明の一態様の電子機器は、本発明の一態様の発光装置を有する構成に限られず、本発明の一態様の受光装置、または、本発明の一態様の受発光装置を有していてもよい。

本実施の形態の電子機器の表示部には、例えばフルハイビジョン、４Ｋ２Ｋ、８Ｋ４Ｋ、１６Ｋ８Ｋ、またはそれ以上の解像度を有する映像を表示させることができる。また、表示部の画面サイズとしては、対角２０インチ以上、対角３０インチ以上、対角５０インチ以上、対角６０インチ以上、または対角７０インチ以上とすることができる。

本発明の一態様の電子機器は可撓性を有するため、家屋もしくはビルの内壁もしくは外壁、または、自動車の内装もしくは外装の曲面に沿って組み込むことも可能である。

また、本発明の一態様の電子機器は、二次電池を有していてもよく、非接触電力伝送を用いて、二次電池を充電することができると好ましい。

二次電池としては、例えば、ゲル状電解質を用いるリチウムポリマー電池（リチウムイオンポリマー電池）等のリチウムイオン二次電池、ニッケル水素電池、ニカド電池、有機ラジカル電池、鉛蓄電池、空気二次電池、ニッケル亜鉛電池、及び、銀亜鉛電池などが挙げられる。

本発明の一態様の電子機器は、アンテナを有していてもよい。アンテナで信号を受信することで、表示部で映像または情報等の表示を行うことができる。また、電子機器がアンテナ及び二次電池を有する場合、アンテナを、非接触電力伝送に用いてもよい。

本実施の形態の電子機器は、センサ（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、においまたは赤外線を測定する機能を含むもの）を有していてもよい。

本実施の形態の電子機器は、様々な機能を有することができる。例えば、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示部に表示する機能、タッチパネル機能、カレンダー、日付または時刻などを表示する機能、様々なソフトウェア（プログラム）を実行する機能、無線通信機能、記録媒体に記録されているプログラムまたはデータを読み出す機能等を有することができる。

図８Ａにテレビジョン装置の一例を示す。テレビジョン装置７１００は、筐体７１０１に表示部７０００が組み込まれている。ここでは、スタンド７１０３により筐体７１０１を支持した構成を示している。

表示部７０００に、本発明の一態様の発光装置を適用することができる。

図８Ａに示すテレビジョン装置７１００の操作は、筐体７１０１が備える操作スイッチ、及び、別体のリモコン操作機７１１１により行うことができる。または、表示部７０００にタッチセンサを備えていてもよく、指等で表示部７０００に触れることで操作してもよい。リモコン操作機７１１１は、当該リモコン操作機７１１１から出力する情報を表示する表示部を有していてもよい。リモコン操作機７１１１が備える操作キーまたはタッチパネルにより、チャンネル及び音量の操作を行うことができ、表示部７０００に表示される映像を操作することができる。

なお、テレビジョン装置７１００は、受信機及びモデムなどを備えた構成とする。受信機により一般のテレビ放送の受信を行うことができる。また、モデムを介して有線または無線による通信ネットワークに接続することにより、一方向（送信者から受信者）または双方向（送信者と受信者間、あるいは受信者間同士など）の情報通信を行うことも可能である。

図８Ｂに、ノート型パーソナルコンピュータの一例を示す。ノート型パーソナルコンピュータ７２００は、筐体７２１１、キーボード７２１２、ポインティングデバイス７２１３、及び、外部接続ポート７２１４等を有する。筐体７２１１に、表示部７０００が組み込まれている。

図８Ｃ、図８Ｄに、デジタルサイネージの一例を示す。

図８Ｃに示すデジタルサイネージ７３００は、筐体７３０１、表示部７０００、及びスピーカ７３０３等を有する。さらに、ＬＥＤランプ、操作キー（電源スイッチ、または操作スイッチを含む）、接続端子、各種センサ、及び、マイクロフォン等を有することができる。

図８Ｄは円柱状の柱７４０１に取り付けられたデジタルサイネージ７４００である。デジタルサイネージ７４００は、柱７４０１の曲面に沿って設けられた表示部７０００を有する。

図８Ｃ、図８Ｄにおいて、表示部７０００に、本発明の一態様の発光装置を適用することができる。

表示部７０００が広いほど、一度に提供できる情報量を増やすことができる。また、表示部７０００が広いほど、人の目につきやすく、例えば、広告の宣伝効果を高めることができる。

表示部７０００にタッチパネルを適用することで、表示部７０００に画像または動画を表示するだけでなく、使用者が直感的に操作することができ、好ましい。また、路線情報もしくは交通情報などの情報を提供するための用途に用いる場合には、直感的な操作によりユーザビリティを高めることができる。

また、図８Ｃ、図８Ｄに示すように、デジタルサイネージ７３００またはデジタルサイネージ７４００は、ユーザが所持するスマートフォン等の情報端末機７３１１または情報端末機７４１１と無線通信により連携可能であることが好ましい。例えば、表示部７０００に表示される広告の情報を、情報端末機７３１１または情報端末機７４１１の画面に表示させることができる。また、情報端末機７３１１または情報端末機７４１１を操作することで、表示部７０００の表示を切り替えることができる。

また、デジタルサイネージ７３００またはデジタルサイネージ７４００に、情報端末機７３１１または情報端末機７４１１の画面を操作手段（コントローラ）としたゲームを実行させることもできる。これにより、不特定多数のユーザが同時にゲームに参加し、楽しむことができる。

図９Ａ~図９Ｆに、可撓性を有する表示部７００１を有する携帯情報端末の一例を示す。

表示部７００１は、本発明の一態様の発光装置を用いて作製される。例えば、曲率半径０．０１ｍｍ以上１５０ｍｍ以下で曲げることができる発光装置を適用できる。また、表示部７００１はタッチセンサを備えていてもよく、指等で表示部７００１に触れることで携帯情報端末を操作することができる。

図９Ａ~図９Ｃに、折りたたみ可能な携帯情報端末の一例を示す。図９Ａでは、展開した状態、図９Ｂでは、展開した状態または折りたたんだ状態の一方から他方に変化する途中の状態、図９Ｃでは、折りたたんだ状態の携帯情報端末７６００を示す。携帯情報端末７６００は、折りたたんだ状態では可搬性に優れ、展開した状態では、継ぎ目のない広い表示領域により一覧性に優れる。

表示部７００１はヒンジ７６０２によって連結された３つの筐体７６０１に支持されている。ヒンジ７６０２を介して２つの筐体７６０１間を屈曲させることにより、携帯情報端末７６００を展開した状態から折りたたんだ状態に可逆的に変形させることができる。

図９Ｄ、図９Ｅに、折りたたみ可能な携帯情報端末の一例を示す。図９Ｄでは、表示部７００１が内側になるように折りたたんだ状態、図９Ｅでは、表示部７００１が外側になるように折りたたんだ状態の携帯情報端末７６５０を示す。携帯情報端末７６５０は表示部７００１及び非表示部７６５１を有する。携帯情報端末７６５０を使用しない際に、表示部７００１が内側になるように折りたたむことで、表示部７００１の汚れまたは傷つきを抑制できる。

図９Ｆに腕時計型の携帯情報端末の一例を示す。携帯情報端末７８００は、バンド７８０１、表示部７００１、入出力端子７８０２、及び、操作ボタン７８０３等を有する。バンド７８０１は、筐体としての機能を有する。また、携帯情報端末７８００は、可撓性を有するバッテリ７８０５を搭載することができる。バッテリ７８０５は例えば表示部７００１またはバンド７８０１と重ねて配置してもよい。

バンド７８０１、表示部７００１、及びバッテリ７８０５は可撓性を有する。そのため、携帯情報端末７８００を所望の形状に湾曲させることが容易である。

操作ボタン７８０３は、時刻設定のほか、電源のオン、オフ動作、無線通信のオン、オフ動作、マナーモードの実行及び解除、省電力モードの実行及び解除など、様々な機能を持たせることができる。例えば、携帯情報端末７８００に組み込まれたオペレーティングシステムにより、操作ボタン７８０３の機能を自由に設定することもできる。

また、表示部７００１に表示されたアイコン７８０４に指等で触れることで、アプリケーションを起動することができる。

また、携帯情報端末７８００は、通信規格された近距離無線通信を実行することが可能である。例えば無線通信可能なヘッドセットと相互通信することによって、ハンズフリーで通話することもできる。

また、携帯情報端末７８００は入出力端子７８０２を有していてもよい。入出力端子７８０２を有する場合、他の情報端末とコネクタを介して直接データのやりとりを行うことができる。また入出力端子７８０２を介して充電を行うこともできる。なお、本実施の形態で例示する携帯情報端末の充電動作は、入出力端子を介さずに非接触電力伝送により行ってもよい。

図１０Ａに自動車９７００の外観を示す。図１０Ｂに自動車９７００の運転席を示す。自動車９７００は、車体９７０１、車輪９７０２、フロントガラス９７０３、ライト９７０４、及び、フォグランプ９７０５等を有する。本発明の一態様の発光装置は、自動車９７００の表示部などに用いることができる。例えば、図１０Ｂに示す表示部９７１０乃至表示部９７１５に本発明の一態様の発光装置を設けることができる。または、ライト９７０４またはフォグランプ９７０５に本発明の一態様の発光装置を用いてもよい。

表示部９７１０と表示部９７１１は、自動車のフロントガラスに設けられた表示装置である。本発明の一態様の発光装置は、電極及び配線を、透光性を有する導電性材料で作製することによって、反対側が透けて見える、いわゆるシースルー状態とすることができる。表示部９７１０または表示部９７１１がシースルー状態であれば、自動車９７００の運転時にも視界の妨げになることがない。よって、本発明の一態様の発光装置を自動車９７００のフロントガラスに設置することができる。なお、発光装置を駆動するためのトランジスタなどを設ける場合には、有機半導体材料を用いた有機トランジスタ、または酸化物半導体を用いたトランジスタなど、透光性を有するトランジスタを用いるとよい。

表示部９７１２はピラー部分に設けられた表示装置である。例えば、車体に設けられた撮像手段からの映像を表示部９７１２に映し出すことによって、ピラーで遮られた視界を補完することができる。表示部９７１３はダッシュボード部分に設けられた表示装置である。例えば、車体に設けられた撮像手段からの映像を表示部９７１３に映し出すことによって、ダッシュボードで遮られた視界を補完することができる。すなわち、自動車の外側に設けられた撮像手段からの映像を映し出すことによって、死角を補い、安全性を高めることができる。また、見えない部分を補完する映像を映すことによって、より自然に違和感なく安全確認を行うことができる。

また、図１０Ｃは、運転席と助手席にベンチシートを採用した自動車の室内を示している。表示部９７２１は、ドア部に設けられた表示装置である。例えば、車体に設けられた撮像手段からの映像を表示部９７２１に映し出すことによって、ドアで遮られた視界を補完することができる。また、表示部９７２２は、ハンドルに設けられた表示装置である。表示部９７２３は、ベンチシートの座面の中央部に設けられた表示装置である。なお、表示装置を座面または背もたれ部分などに設置して、当該表示装置を、当該表示装置の発熱を熱源としたシートヒーターとして利用することもできる。

表示部９７１４、表示部９７１５、または表示部９７２２はナビゲーション情報、スピードメーター、タコメーター、走行距離、燃料計、ギア状態、空調の設定などを表示することで、様々な情報を提供することができる。また、表示部に表示される表示項目及びレイアウトなどは、使用者の好みに合わせて適宜変更することができる。なお、上記情報は、表示部９７１０乃至表示部９７１３、表示部９７２１、表示部９７２３にも表示することができる。また、表示部９７１０乃至表示部９７１５、表示部９７２１乃至表示部９７２３は照明装置として用いることも可能である。また、表示部９７１０乃至表示部９７１５、表示部９７２１乃至表示部９７２３は加熱装置として用いることも可能である。

また、本発明の一態様の電子機器は、光源に、本発明の一態様の発光装置を有するため、発光効率が高く、信頼性が高い。例えば、可視光または近赤外光を発する光源に、本発明の一態様の発光装置を用いることができる。また、本発明の一態様の発光装置は、照明装置の光源に用いることもできる。

図１１Ａは指の静脈を対象とした生体認証機器であり、筐体９１１、光源９１２、及び、検知ステージ９１３等を有する。検知ステージ９１３に指を載せることにより静脈の形状を撮像することができる。検知ステージ９１３の上部には近赤外光を発する光源９１２が設置され、下部には撮像装置９１４が設置される。検知ステージ９１３は近赤外光を透過する材料で構成されており、光源９１２から照射され、指を透過した近赤外光を撮像装置９１４で撮像することができる。なお、検知ステージ９１３と撮像装置９１４の間に光学系が設けられていてもよい。上記機器の構成は、手のひらの静脈を対象とした生体認証機器に利用することもできる。

本発明の一態様の発光装置を、光源９１２に用いることができる。本発明の一態様の発光装置は、湾曲した形状に設置することができ、対象物に対して均一性よく光を照射することができる。特に波長７００ｎｍ以上１２００ｎｍ以下に最も強いピーク強度を有する近赤外光を発する発光装置であることが好ましい。例えば、指または手のひらなどを透過した光を受光して画像化することで静脈の位置を検出することができる。当該作用は生体認証として利用することができる。また、グローバルシャッタ方式と組み合わせることで、被写体に動きがあっても精度の高いセンシングが可能となる。

また、光源９１２は、図１１Ｂに示す発光部９１５、９１６、９１７のように、複数の発光部を有することができる。発光部９１５、９１６、９１７のそれぞれは、発光する波長が異なっていてもよい。また、それぞれを別のタイミングで照射することもできる。したがって、照射する光の波長及び角度の一方または双方を変えることにより異なる画像を連続して撮像することができるため、複数の画像を認証に利用し、高いセキュリティを実現することができる。

図１１Ｃは手のひらの静脈を対象とした生体認証機器であり、筐体９２１、操作ボタン９２２、検知部９２３、及び、近赤外光を発する光源９２４等を有する。検知部９２３上に手をかざすことにより手のひらの静脈の形状を認識することができる。また、操作ボタンにより暗証番号などを入力することもできる。検知部９２３の周囲には光源９２４が配置され対象物（手）を照射する。そして、対象物からの反射光が検知部９２３に入射される。本発明の一態様の発光装置を、光源９２４に用いることができる。検知部９２３直下には撮像装置９２５が配置され、対象物の像（手の全体像）を取り込むことができる。なお、検知部９２３と撮像装置９２５の間に光学系が設けられていてもよい。上記機器の構成は、指の静脈を対象とした生体認証機器に利用することもできる。

図１１Ｄは非破壊検査機器であり、筐体９３１、操作パネル９３２、搬送機構９３３、モニタ９３４、検知ユニット９３５、及び、近赤外光を発する光源９３８等を有する。本発明の一態様の発光装置を、光源９３８に用いることができる。被検査部材９３６は搬送機構９３３で検知ユニット９３５の直下に運搬される。被検査部材９３６には光源９３８から近赤外光が照射され、その透過光を検知ユニット９３５内に設けられた撮像装置９３７で撮像する。撮像された画像は、モニタ９３４に映し出される。その後、筐体９３１の出口まで運搬され、不良品が分別されて回収される。近赤外光を用いた撮像により、被検査部材内部の欠陥及び異物などの不良要素を非破壊で高速に検出することができる。

図１１Ｅは携帯電話機であり、筐体９８１、表示部９８２、操作ボタン９８３、外部接続ポート９８４、スピーカ９８５、マイク９８６、第１のカメラ９８７、及び、第２のカメラ９８８等を有する。当該携帯電話機は、表示部９８２にタッチセンサを備える。筐体９８１及び表示部９８２は可撓性を有する。電話を掛ける、或いは文字を入力するなどのあらゆる操作は、指またはスタイラスなどで表示部９８２に触れることで行うことができる。第１のカメラ９８７では可視光画像を取得することができ、第２のカメラ９８８では赤外光画像（近赤外光画像）を取得することができる。図１１Ｅに示す携帯電話機または表示部９８２は、本発明の一態様の発光装置を有していてもよい。

本実施例では、本発明の一態様の発光デバイスを作製し、評価した結果について説明する。

本実施例では、本発明の一態様の正孔注入層用複合材料を用いたデバイス１と、比較用の比較デバイス２と、を作製し、評価した結果について説明する。

本実施例で用いる２つの発光デバイスの構造を図１２に示し、具体的な構成について表１に示す。また、本実施例で用いる材料の化学式を以下に示す。

≪発光デバイスの作製≫
本実施例で示す発光デバイスは、図１２に示すように基板８００上に第１の電極８０１が形成され、第１の電極８０１上にＥＬ層８０２として、正孔注入層８１１、正孔輸送層８１２、発光層８１３、電子輸送層８１４、及び電子注入層８１５が順次積層され、電子注入層８１５上に第２の電極８０３が積層された構造を有する。

まず、基板８００上に第１の電極８０１を形成した。電極面積は、４ｍｍ^２（２ｍｍ×２ｍｍ）とした。基板８００には、ガラス基板を用いた。第１の電極８０１は、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）をスパッタリング法により、５５ｎｍの膜厚で成膜して形成した。なお、本実施例において、第１の電極８０１は、陽極として機能する。

ここで、前処理として、基板の表面を水で洗浄し、２００℃で１時間焼成した後、ＵＶオゾン処理を３７０秒行った。その後、１０^−４Ｐａ程度まで内部が減圧された真空蒸着装置に基板を導入し、真空蒸着装置内の加熱室において、１７０℃で３０分間の真空焼成を行った後、基板を３０分程度放冷した。

次に、第１の電極８０１上に正孔注入層８１１を形成した。

デバイス１の正孔注入層８１１は、真空蒸着装置内を１０^−４Ｐａに減圧した後、Ｎ，Ｎ−ビス（４−シクロヘキシルフェニル）−９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−アミン（略称：ｄｃｈＰＡＦ）と、電子アクセプター材料（ＯＣＨＤ−００１）と、を、重量比がｄｃｈＰＡＦ：ＯＣＨＤ−００１＝１：０．０５となり、かつ、膜厚が１０ｎｍとなるように共蒸着して形成した。なお、ＯＣＨＤ−００１は、フッ素を含む、アクセプター性材料である。

比較デバイス２の正孔注入層８１１は、真空蒸着装置内を１０^−４Ｐａに減圧した後、Ｎ−（１，１’−ビフェニル−４−イル）−Ｎ−［４−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）フェニル］−９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−アミン（略称：ＰＣＢＢｉＦ）と、ＯＣＨＤ−００１と、を、重量比がＰＣＢＢｉＦ：ＯＣＨＤ−００１＝１：０．０５となり、かつ、膜厚が１０ｎｍとなるように共蒸着して形成した。

デバイス１、比較デバイス２ともに、正孔注入層８１１におけるＯＣＨＤ−００１の重量パーセント濃度は、４．８ｗｔ％であり、体積パーセント濃度は３．６ｖｏｌ％である。

次に、正孔注入層８１１上に正孔輸送層８１２を形成した。

デバイス１の正孔輸送層８１２は、ｄｃｈＰＡＦを膜厚が５５ｎｍとなるように蒸着し、Ｎ，Ｎ−ビス［４−（ジベンゾフラン−４−イル）フェニル］−４−アミノ−ｐ−ターフェニル（略称：ＤＢｆＢＢ１ＴＰ）を膜厚が１０ｎｍとなるように蒸着して形成した。

比較デバイス２の正孔輸送層８１２は、ＰＣＢＢｉＦを膜厚が５５ｎｍとなるように蒸着し、ＤＢｆＢＢ１ＴＰを膜厚が１０ｎｍとなるように蒸着して形成した。

次に、正孔輸送層８１２上に発光層８１３を形成した。発光層８１３は、ホスト材料として、９−（１−ナフチル）−１０−［４−（２−ナフチル）フェニル］アントラセン（略称：αＮ−βＮＰＡｎｔｈ）を用い、ゲスト材料（蛍光材料）として、３，１０−ビス［Ｎ−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−２−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］ナフト［２，３−ｂ；６，７−ｂ’］ビスベンゾフラン（略称：３，１０ＰＣＡ２Ｎｂｆ（ＩＶ）−０２）を用い、重量比がαＮ−βＮＰＡｎｔｈ：３，１０ＰＣＡ２Ｎｂｆ（ＩＶ）−０２＝１：０．０１５となり、かつ、膜厚が２５ｎｍとなるように共蒸着して形成した。

次に、発光層８１３上に電子輸送層８１４を形成した。電子輸送層８１４は、２−｛４−［９，１０−ジ（ナフタレン−２−イル）−２−アントリル］フェニル｝−１−フェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾール（略称：ＺＡＤＮ）と８−ヒドロキシキノリナト−リチウム（略称：Ｌｉｑ）と、を、重量比がＺＡＤＮ：Ｌｉｑ＝１：１となり、かつ、膜厚が２５ｎｍとなるように共蒸着して形成した。

次に、電子輸送層８１４上に電子注入層８１５を形成した。電子注入層８１５は、Ｌｉｑを、膜厚が１ｎｍとなるように蒸着して形成した。

次に、電子注入層８１５上に第２の電極８０３を形成した。第２の電極８０３は、アルミニウムを、蒸着法により、膜厚が２００ｎｍとなるように形成した。なお、本実施例において、第２の電極８０３は、陰極として機能する。

以上の工程により、基板８００上に一対の電極間にＥＬ層８０２を挟んでなる発光デバイスを形成した。なお、上述した作製方法における蒸着工程では、全て抵抗加熱法による蒸着法を用いた。

また、作製した発光デバイスは、別の基板（図示せず）により封止した。なお、別の基板（図示せず）を用いた封止の際は、窒素雰囲気のグローブボックス内において、紫外光により固化する接着剤を塗布した別の基板（図示せず）を基板８００上に固定し、基板８００上に形成された発光デバイスの周囲に接着剤が付着するよう基板同士を接着させた。封止時には３６５ｎｍの紫外光を６Ｊ／ｃｍ^２照射し接着剤を固化し、８０℃にて１時間熱処理することにより接着剤を安定化させた。

ここで、正孔注入層８１１及び正孔輸送層８１２に用いた低屈折率材料（ｄｃｈＰＡＦ）と、比較材料であるＰＣＢＢｉＦの屈折率を図１３に示す。測定には、分光エリプソメーター（ジェー・エー・ウーラム・ジャパン社製Ｍ−２０００Ｕ）を用いた。サンプルとしては、石英基板上に真空蒸着法により材料を約５０ｎｍ成膜した膜を使用した。なお、図には、常光線の屈折率であるｎ　Ｏｒｄｉｎａｒｙと異常光線の屈折率であるｎ　Ｅｘｔｒａ−ｏｒｄｉｎａｒｙとを記載した。測定の結果、ｄｃｈＰＡＦからなる層の波長６３３ｎｍの光における屈折率は、１．６５であり、ＰＣＢＢｉＦからなる層の波長６３３ｎｍの光における屈折率は、１．８１であった。また、ｄｃｈＰＡＦからなる層の波長４６０ｎｍの光における屈折率は、１．７１であり、ＰＣＢＢｉＦからなる層の波長４６０ｎｍの光における屈折率は、１．９４であった。

また、サイクリックボルタンメトリ（ＣＶ）測定の結果から算出したＯＣＨＤ−００１のＬＵＭＯ準位は、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）が溶媒のときに−５．２７ｅＶ、クロロホルムが溶媒のときに−５．４０ｅＶであった。また、ＤＭＦが溶媒のとき、ｄｃｈＰＡＦのＨＯＭＯ準位は−５．３６ｅＶであり、ＰＣＢＢｉＦのＨＯＭＯ準位は−５．３６ｅＶであった。これらのことから、ＯＣＨＤ−００１は、ｄｃｈＰＡＦ及びＰＣＢＢｉＦに対して電子受容性を示すといえる。なお、ＣＶ測定の測定装置としては、電気化学アナライザー（ビー・エー・エス（株）製、型番：ＡＬＳモデル６００Ａまたは６００Ｃ）を用い、測定する材料を溶媒に溶解させた溶液を測定した。

また、ｄｃｈＰＡＦとＰＣＢＢｉＦの正孔移動度を、インピーダンス分光法（Ｉｍｐｅｄａｎｃｅ　Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ：ＩＳ法）を用いて測定した。具体的には、ｄｃｈＰＡＦまたはＰＣＢＢｉＦの膜厚５００ｎｍの層を、インジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）とアルミニウムの一対の電極で挟んだ素子を用いて測定した。なお、ＩＴＳＯと接する領域にＯＣＨＤ−００１を７ｖｏｌ％の濃度で含み、アルミニウムと接する領域には、酸化モリブデン（ＭｏＯ_３）を１７ｖｏｌ％の濃度で含む構成とした。

測定の結果、電界強度（Ｖ／ｃｍ）の平方根が２００（Ｖ／ｃｍ）^１／２のとき、ｄｃｈＰＡＦの正孔移動度は７．０×１０^−４ｃｍ^２／Ｖｓであり、ＰＣＢＢｉＦの正孔移動度は５．６×１０^−４ｃｍ^２／Ｖｓであった。このように、ｄｃｈＰＡＦは、本発明の一態様の複合材料に用いることができる正孔輸送性材料であり、高い正孔移動度を有するモノアミン化合物である。

≪発光デバイスの動作特性≫
本実施例で作製した発光デバイスの動作特性について測定した。なお、測定は、分光放射計（トプコン社製、ＳＲ−ＵＬ１Ｒ）を用い、室温で行った。

図１４に、発光デバイスの輝度−電流密度特性を示す。図１５に、発光デバイスの電流効率−輝度特性を示す。図１６に、発光デバイスの電流−電圧特性を示す。図１７に、発光デバイスの外部量子効率−輝度特性を示す。

表２に１０００ｃｄ／ｍ^２付近における発光デバイスの主な初期特性値を示す。

図１４~図１７及び表２に示すように、デバイス１は、比較デバイス２に比べて、発光効率が高いことがわかった。また、デバイス１は、駆動電圧の大幅な上昇などもなく、駆動特性が良好であることがわかった。

デバイス１に用いたｄｃｈＰＡＦは、比較デバイス２に用いたＰＣＢＢｉＦに比べて、屈折率が低い。これにより、デバイス１は、比較デバイス２よりも高い発光効率を示した。また、デバイス１では、正孔注入層８１１及び正孔輸送層８１２の双方にｄｃｈＰＡＦを用いており、発光デバイスにおける屈折率の低い層の厚さが厚い（屈折率の低い層が占める割合が大きい）ため、光取り出し効率の向上の効果が得られている。

正孔注入層８１１において、ＯＣＨＤ−００１の濃度は低い。つまり、正孔注入層８１１と正孔輸送層８１２の屈折率はほぼ同等とみなせる。これにより、屈折率段差を低減し、光取り出し効率を高めることができる。また、正孔注入層８１１におけるＯＣＨＤ−００１の濃度が低いことから、ＯＣＨＤ−００１による青色の光の吸収を抑制できるため、本実施例では、青色の発光デバイスにおいて、高い発光効率が得られた。

ｄｃｈＰＡＦの、総炭素数に対するｓｐ３混成軌道で結合を形成している炭素数の割合は３８．５％である。このような不飽和結合を多く有する材料を用いていても、デバイス１における各種特性（発光効率、及び、後述する信頼性など）への悪影響はほとんど確認されなかった。

また、発光デバイスにおける１０００ｃｄ／ｍ^２付近の発光スペクトルを、図１８に示す。図１８に示すように、デバイス１及び比較デバイス２は、いずれも、発光層８１３に含まれる３，１０ＰＣＡ２Ｎｂｆ（ＩＶ）−０２の発光に由来して、４５８ｎｍ付近に最大ピークを有する発光スペクトルを示した。

次に、発光デバイスに対する信頼性試験を行った。信頼性試験の結果を図１９に示す。図１９において、縦軸は初期輝度を１００％とした時の規格化輝度（％）を示し、横軸は駆動時間（ｈ）を示す。なお、信頼性試験は、室温にて、電流密度を５０ｍＡ／ｃｍ^２に設定し、発光デバイスを駆動させた。

初期輝度を１００％とした場合、輝度が９５％になるまでの時間（ＬＴ９５）は、デバイス１では３４１時間、比較デバイス２では１４１時間であった。また、１０００時間後の輝度を比較すると、デバイス１では初期輝度の８３％、比較デバイス２では初期輝度の８０％を保っていた。

以上のように、本実施例では、本発明の一態様の複合材料を用いることで、発光効率及び信頼性が高い青色の発光デバイスを作製することができた。

本実施例では、本発明の一態様の正孔注入層用複合材料を用いたデバイス３と、比較用の比較デバイス４と、を作製し、評価した結果について説明する。

本実施例で用いる２つの発光デバイスの構造を図１２に示し、具体的な構成について表３に示す。また、本実施例で用いる材料の化学式を以下に示す。

≪発光デバイスの作製≫
本実施例の発光デバイスの作製方法のうち、実施例１で作製した発光デバイスの作製方法と同様の部分については、実施例１を参照できるため、説明を省略する。

デバイス３の正孔注入層８１１は、真空蒸着装置内を１０^−４Ｐａに減圧した後、Ｎ−（３，３’’，５，５’’−テトラ−ｔ−ブチル−１，１’：３’，１’’−ターフェニル−５’−イル）−Ｎ−（４−シクロヘキシルフェニル）−９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−アミン（略称：ｍｍｔＢｕｍＴＰｃｈＰＡＦ）と、ＯＣＨＤ−００１と、を、重量比がｍｍｔＢｕｍＴＰｃｈＰＡＦ：ＯＣＨＤ−００１＝１：０．１となり、かつ、膜厚が６５ｎｍとなるように共蒸着して形成した。

比較デバイス４の正孔注入層８１１は、真空蒸着装置内を１０^−４Ｐａに減圧した後、ＰＣＢＢｉＦと、ＯＣＨＤ−００１と、を、重量比がＰＣＢＢｉＦ：ＯＣＨＤ−００１＝１：０．１となり、かつ、膜厚が７０ｎｍとなるように共蒸着して形成した。

デバイス３、比較デバイス４ともに、正孔注入層８１１におけるＯＣＨＤ−００１の重量パーセント濃度は、９．１ｗｔ％であり、体積パーセント濃度は６．８ｖｏｌ％である。

デバイス３と比較デバイス４のいずれにおいても、正孔輸送層８１２は、ＰＣＢＢｉＦを膜厚が２０ｎｍとなるように蒸着して形成した。

発光層８１３は、ホスト材料（第１のホスト材料ともいえる）として、９−［（３’−ジベンゾチオフェン−４−イル）ビフェニル−３−イル］ナフト［１’，２’：４，５］フロ［２，３−ｂ］ピラジン（略称：９ｍＤＢｔＢＰＮｆｐｒ）を用い、アシスト材料（第２のホスト材料ともいえる）として、ＰＣＢＢｉＦを用い、ゲスト材料（燐光材料）として、｛４，６−ジメチル−２−［５−（５−シアノ−２−メチルフェニル）−３−（３，５−ジメチルフェニル）−２−ピラジニル−κＮ］フェニル−κＣ｝（２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナト−κ^２Ｏ，Ｏ’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｄｍｄｐｐｒ−ｍ５ＣＰ）_２（ｄｐｍ）］）を用い、重量比が９ｍＤＢｔＢＰＮｆｐｒ：ＰＣＢＢｉＦ：［Ｉｒ（ｄｍｄｐｐｒ−ｍ５ＣＰ）_２（ｄｐｍ）］＝０．８：０．２：０．１となり、かつ、膜厚が２５ｎｍとなるように共蒸着して形成した。

電子輸送層８１４は、９ｍＤＢｔＢＰＮｆｐｒを膜厚が３０ｎｍとなるように蒸着し、２，９−ビス（ナフタレン−２−イル）−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（略称：ＮＢＰｈｅｎ）を膜厚が１５ｎｍとなるように蒸着して形成した。

電子注入層８１５は、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を、膜厚が１ｎｍとなるように蒸着して形成した。

ここで、正孔注入層８１１に用いた低屈折率材料（ｍｍｔＢｕｍＴＰｃｈＰＡＦ）と、比較材料であるＰＣＢＢｉＦの屈折率を図２０に示す。測定には、分光エリプソメーター（ジェー・エー・ウーラム・ジャパン社製Ｍ−２０００Ｕ）を用いた。サンプルとしては、石英基板上に真空蒸着法により材料を約５０ｎｍ成膜した膜を使用した。なお、図には、常光線の屈折率であるｎ　Ｏｒｄｉｎａｒｙと異常光線の屈折率であるｎ　Ｅｘｔｒａ−ｏｒｄｉｎａｒｙとを記載した。測定の結果、ｍｍｔＢｕｍＴＰｃｈＰＡＦからなる層の波長６３３ｎｍの光における屈折率は、１．６２であり、ＰＣＢＢｉＦからなる層の波長６３３ｎｍの光における屈折率は、１．８１であった。なお、ｍｍｔＢｕｍＴＰｃｈＰＡＦのガラス転移温度は１２４℃である。つまり、ｍｍｔＢｕｍＴＰｃｈＰＡＦは、ガラス転移温度が高く、屈折率の低い材料であるといえる。ｍｍｔＢｕｍＴＰｃｈＰＡＦを用いることで、熱による劣化を抑制することができ、高温プロセスを用いたデバイス作製、及び、高温下での発光デバイスの駆動が可能となる。

実施例１で述べた通り、ＣＶ測定の結果から算出したＯＣＨＤ−００１のＬＵＭＯ準位は、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）が溶媒のときに−５．２７ｅＶ、クロロホルムが溶媒のときに−５．４０ｅＶであった。また、ＤＭＦが溶媒のとき、ｍｍｔＢｕｍＴＰｃｈＰＡＦのＨＯＭＯ準位は−５．４２ｅＶであった。これらのことから、ＯＣＨＤ−００１は、ｍｍｔＢｕｍＴＰｃｈＰＡＦに対して電子受容性を示すといえる。なお、ＣＶ測定の測定装置は、実施例１と同様である。

図２１に、発光デバイスの輝度−電流密度特性を示す。図２２に、発光デバイスの電流効率−輝度特性を示す。図２３に、発光デバイスの電流−電圧特性を示す。図２４に、発光デバイスの外部量子効率−輝度特性を示す。

表４に１０００ｃｄ／ｍ^２付近における発光デバイスの主な初期特性値を示す。

表４に示すように、デバイス３と比較デバイス４は同一の色度の光を呈する発光デバイスである。図２１~図２４及び表４に示すように、デバイス３は、比較デバイス４と同じ色度で、電流−電圧特性をほとんど変えることなく、より高い発光効率を実現することができた。

実施例１では、正孔注入層８１１及び正孔輸送層８１２の双方に屈折率の低い層を用いたが、実施例２では、正孔注入層８１１のみに屈折率の低い層を用いた。本実施例の結果から、正孔注入層８１１のみに屈折率の低い層を適用しても、高い発光効率が得られることがわかった。

実施例２の発光デバイスでは、正孔注入層８１１の厚さが、実施例１の発光デバイスに比べて厚い。正孔注入層８１１は導電性の高い層であるため、厚く設けることで、発光デバイスの駆動電圧を低下させることができる。ＯＣＨＤ−００１は赤色の光をほとんど吸収しないため、正孔注入層８１１を厚くしても発光効率の低下は生じなかった。

ｍｍｔＢｕｍＴＰｃｈＰＡＦの、総炭素数に対するｓｐ３混成軌道で結合を形成している炭素数の割合は４１．０％である。このような不飽和結合を多く有する材料を用いていても、デバイス３における各種特性（発光効率、及び、後述する信頼性など）への悪影響はほとんど確認されなかった。

また、発光デバイスにおける１０００ｃｄ／ｍ^２付近の発光スペクトルを、図２５に示す。図２５に示すように、デバイス３は、発光層８１３に含まれる［Ｉｒ（ｄｍｄｐｐｒ−ｍ５ＣＰ）_２（ｄｐｍ）］の発光に由来して、６４４ｎｍ付近に最大ピークを有する発光スペクトルを示した。同様に、比較デバイス４は、６４５ｎｍ付近に最大ピークを有する発光スペクトルを示した。

次に、発光デバイスに対する信頼性試験を行った。信頼性試験の結果を図２６に示す。図２６において、縦軸は初期輝度を１００％とした時の規格化輝度（％）を示し、横軸は駆動時間（ｈ）を示す。なお、信頼性試験は、室温にて、電流密度を５０ｍＡ／ｃｍ^２に設定し、発光デバイスを駆動させた。

デバイス３と比較デバイス４はどちらも５２０時間後の輝度が初期輝度の８８％であり、同等の信頼性特性を示すことがわかった。

以上のことから、デバイス３は、比較デバイス４よりも発光効率が高く、かつ、同等の信頼性が得られることがわかった。

（参考例）
本参考例では、実施の形態１で説明した第１の有機化合物として用いることができる有機化合物の合成方法について説明する。これらの有機化合物は、それぞれ、屈折率が低く、正孔輸送性を有する材料の一例である。具体的には、表５に示すように、これらの有機化合物は、いずれも、青色発光領域（４５５ｎｍ以上４６５ｎｍ以下）における常光屈折率が１．５０以上１．７５以下、かつ、屈折率の測定に通常用いられる６３３ｎｍの光における常光屈折率が、１．４５以上１．７０以下である。また、表５に示すように、これらの有機化合物は、それぞれ、総炭素数に対するｓｐ３混成軌道で結合を形成している炭素数の割合は、２３％以上５５％以下である。

まず、下記構造式（１００）で表される、Ｎ，Ｎ−ビス（４−シクロヘキシルフェニル）−９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−アミン（略称：ｄｃｈＰＡＦ）の合成方法について説明する。

三口フラスコに９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−アミン１０．６ｇ（５１ｍｍｏｌ）、４−シクロヘキシル−１−ブロモベンゼン１８．２ｇ（７６ｍｍｏｌ）、ナトリウム−ｔｅｒｔ−ブトキシド２１．９ｇ（２２８ｍｍｏｌ）、キシレン２５５ｍＬを入れ、減圧下にて脱気処理をした後、フラスコ内を窒素置換した。この混合物を約５０℃まで加熱撹拌した。ここで、アリル塩化パラジウム二量体（ＩＩ）（略称：［（Ａｌｌｙｌ）ＰｄＣｌ］_２）３７０ｍｇ（１．０ｍｍｏｌ）、ジ−ｔｅｒｔ−ブチル（１−メチル−２，２−ジフェニルシクロプロピル）ホスフィン（略称：ｃＢＲＩＤＰ（登録商標））１６６０ｍｇ（４．０ｍｍｏｌ）を加え、この混合物を、１２０℃にて約５時間加熱した。その後、フラスコの温度を約６０℃に戻し、水約４ｍＬを加え、固体を析出させた。析出した固体をろ別した。ろ液を濃縮し、得られた溶液をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製した。得られた溶液を濃縮し、濃厚なトルエン溶液を得た。このトルエン溶液をエタノールに滴下し、再沈殿した。約１０℃にて析出物をろ過し、得られた固体を約８０℃で減圧乾燥させ、目的物である白色固体を１０．１ｇ、収率４０％で得た。以下に、ｄｃｈＰＡＦの合成スキームを示す。

得られた白色固体の核磁気共鳴分光法（^１Ｈ−ＮＭＲ）による分析結果を以下に示す。この結果から、ｄｃｈＰＡＦを合成できたことがわかった。

^１Ｈ−ＮＭＲ．δ（ＣＤＣｌ_３）：７．６０（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝７．５Ｈｚ），７．５３（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝８．０Ｈｚ），７．３７（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝７．５Ｈｚ），７．２９（ｔｄ，１Ｈ，Ｊ＝７．５Ｈｚ，１．０Ｈｚ），７．２３（ｔｄ，１Ｈ，Ｊ＝７．５Ｈｚ，１．０Ｈｚ），７．１９（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝１．５Ｈｚ），７．０６（ｍ，８Ｈ），６．９７（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝８．０Ｈｚ，１．５Ｈｚ），２．４１−２．５１（ｂｒｍ，２Ｈ），１．７９−１．９５（ｍ，８Ｈ），１．７０−１．７７（ｍ，２Ｈ），１．３３−１．４５（ｂｒｍ，１４Ｈ），１．１９−１．３０（ｂｒｍ，２Ｈ）．

同様に、下記構造式（１０１）~構造式（１０９）で表される有機化合物を合成した。

これら有機化合物の核磁気共鳴分光法（^１Ｈ−ＮＭＲ）による分析結果を、それぞれ、以下に示す。また、一部の有機化合物については、ガラス転移温度についても示す。

構造式（１０１）で表されるＮ−［（３’，５’−ジターシャリーブチル）−１，１’−ビフェニル−４−イル］−Ｎ−（４−シクロヘキシルフェニル）−９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−アミン（略称：ｍｍｔＢｕＢｉｃｈＰＡＦ）の結果。

^１Ｈ−ＮＭＲ．δ（ＣＤＣｌ_３）：７．６３（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝７．５Ｈｚ），７．５７（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝８．０Ｈｚ），７．４４−７．４９（ｍ，２Ｈ），７．３７−７．４２（ｍ，４Ｈ），７．３１（ｔｄ，１Ｈ，Ｊ＝７．５Ｈｚ，２．０Ｈｚ），７．２３−７．２７（ｍ，２Ｈ），７．１５−７．１９（ｍ，２Ｈ），７．０８−７．１４（ｍ，４Ｈ），７．０５（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝８．０Ｈｚ，２．０Ｈｚ），２．４３−２．５３（ｂｒｍ，１Ｈ），１．８１−１．９６（ｍ，４Ｈ），１．７５（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝１２．５Ｈｚ），１．３２−１．４８（ｍ，２８Ｈ），１．２０−１．３１（ｂｒｍ，１Ｈ）．

なお、構造式（１０１）で表されるｍｍｔＢｕＢｉｃｈＰＡＦのガラス転移温度は１０２℃であった。

構造式（１０２）で表されるＮ−（３，３’’，５，５’’−テトラ−ｔ−ブチル−１，１’：３’，１’’−ターフェニル−５’−イル）−Ｎ−（４−シクロヘキシルフェニル）−９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−アミン（略称：ｍｍｔＢｕｍＴＰｃｈＰＡＦ）の結果。

^１Ｈ−ＮＭＲ．δ（ＣＤＣｌ_３）：７．６３（ｄ，Ｊ＝６．６Ｈｚ，１Ｈ），７．５８（ｄ，Ｊ＝８．１Ｈｚ，１Ｈ），７．４２−７．３７（ｍ，４Ｈ），７．３６−７．０９（ｍ，１４Ｈ），２．５５−２．３９（ｍ，１Ｈ），１．９８−１．２０（ｍ，５１Ｈ）．

なお、構造式（１０２）で表されるｍｍｔＢｕｍＴＰｃｈＰＡＦのガラス転移温度は１２４℃であった。

構造式（１０３）で表されるＮ−［（３，３’，５’−ｔ−ブチル）−１，１’−ビフェニル−５−イル］−Ｎ−（４−シクロヘキシルフェニル）−９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−アミン（略称：ｍｍｔＢｕｍＢｉｃｈＰＡＦ）の結果。

^１Ｈ−ＮＭＲ．δ（ＣＤＣｌ_３）：７．６３（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝７．５Ｈｚ），７．５６（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝８．５Ｈｚ），７．３７−４０（ｍ，２Ｈ），７．２７−７．３２（ｍ，４Ｈ），７．２２−７．２５（ｍ，１Ｈ），７．１６−７．１９（ｂｒｍ，２Ｈ），７．０８−７．１５（ｍ，４Ｈ），７．０２−７．０６（ｍ，２Ｈ），２．４３−２．５１（ｂｒｍ，１Ｈ）、１．８０−１．９３（ｂｒｍ，４Ｈ），１．７１−１．７７（ｂｒｍ，１Ｈ），１．３６−１．４６（ｂｒｍ，１０Ｈ），１．３３（ｓ，１８Ｈ），１．２２−１．３０（ｂｒｍ，１０Ｈ）．

なお、構造式（１０３）で表されるｍｍｔＢｕｍＢｉｃｈＰＡＦのガラス転移温度は１０３℃であった。

構造式（１０４）で表されるＮ−（１，１’−ビフェニル−２−イル）−Ｎ−［（３，３’，５’−トリ−ｔ−ブチル）−１，１’−ビフェニル−５−イル］−９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−アミン（略称：ｍｍｔＢｕｍＢｉｏＦＢｉ）の結果。

^１Ｈ−ＮＭＲ．δ（ＣＤＣｌ_３）：７．５７（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝７．５Ｈｚ），７．４０−７．４７（ｍ，２Ｈ），７．３２−７．３９（ｍ，４Ｈ），７．２７−７．３１（ｍ，２Ｈ），７．２７−７．２４（ｍ，５Ｈ），６．９４−７．０９（ｍ，６Ｈ），６．８３（ｂｒｓ，２Ｈ），１．３３（ｓ，１８Ｈ），１．３２（ｓ，６Ｈ），１．２０（ｓ，９Ｈ）．

なお、構造式（１０４）で表されるｍｍｔＢｕｍＢｉｏＦＢｉのガラス転移温度は１０２℃であった。

構造式（１０５）で表されるＮ−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−Ｎ−（３，３’’，５，５’’−テトラ−ｔ−ブチル−１，１’：３’，１’’−ターフェニル−５’−イル）−９，９，−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−アミン（略称：ｍｍｔＢｕｍＴＰｔＢｕＰＡＦ）の結果。

^１Ｈ−ＮＭＲ．δ（ＣＤＣｌ_３）：７．６４（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝７．５Ｈｚ），７．５９（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝８．０Ｈｚ），７．３８−７．４３（ｍ，４Ｈ），７．２９−７．３６（ｍ，８Ｈ），７．２４−７．２８（ｍ，３Ｈ），７．１９（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝８．５Ｈｚ），７．１３（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝１．５Ｈｚ，８．０Ｈｚ），１．４７（ｓ，６Ｈ），１．３２（ｓ，４５Ｈ）．

なお、構造式（１０５）で表されるｍｍｔＢｕｍＴＰｔＢｕＰＡＦのガラス転移温度は１２３℃であった。

構造式（１０６）で表されるＮ−（１，１’−ビフェニル−２−イル）−Ｎ−（３，３’’，５’，５’’−テトラ−ｔ−ブチル−１，１’：３’，１’’−ターフェニル−５−イル）−９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−アミン（略称：ｍｍｔＢｕｍＴＰｏＦＢｉ−０２）の結果。

^１Ｈ−ＮＭＲ．δ（ＣＤＣｌ_３）：７．５６（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝７．４Ｈｚ），７．５０（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝１．７Ｈｚ），７．３３−７．４６（ｍ，１１Ｈ），７．２７−７．２９（ｍ，２Ｈ），７．２２（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝２．３Ｈｚ），７．１５（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝６．９Ｈｚ），６．９８−７．０７（ｍ，７Ｈ），６．９３（ｓ，１Ｈ），６．８４（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝６．３Ｈｚ），１．３８（ｓ，９Ｈ），１．３７（ｓ，１８Ｈ），１．３１（ｓ，６Ｈ），１．２０（ｓ，９Ｈ）．

なお、構造式（１０６）で表されるｍｍｔＢｕｍＴＰｏＦＢｉ−０２のガラス転移温度は１２６℃であった。

構造式（１０７）で表されるＮ−（４−シクロヘキシルフェニル）−Ｎ−（３，３’’，５’，５’’−テトラ−ｔ−ブチル−１，１’：３’，１’’−ターフェニル−５−イル）−９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−アミン（略称：ｍｍｔＢｕｍＴＰｃｈＰＡＦ−０２）の結果。

^１Ｈ−ＮＭＲ．δ（ＣＤＣｌ_３）：７．６２（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝７．５Ｈｚ），７．５６（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝８．０Ｈｚ），７．５０（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝１．７Ｈｚ），７．４６−７．４７（ｍ，２Ｈ），７．４３（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝１．７Ｈｚ），７．３７−７．３９（ｍ，３Ｈ），７．２９−７．３２（ｍ，２Ｈ），７．２３−７．２５（ｍ，２Ｈ），７．２０（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝１．７Ｈｚ），７．０９−７．１４（ｍ，５Ｈ），７．０５（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝２．３Ｈｚ），２．４６（ｂｒｍ，１Ｈ），１．８３−１．８８（ｍ，４Ｈ），１．７３−１．７５（ｂｒｍ，１Ｈ），１．４２（ｓ，６Ｈ），１．３８（ｓ，９Ｈ），１．３６（ｓ，１８Ｈ），１．２９（ｓ，９Ｈ）．

なお、構造式（１０７）で表されるｍｍｔＢｕｍＴＰｃｈＰＡＦ−０２のガラス転移温度は１２７℃であった。

構造式（１０８）で表されるＮ−（１，１’−ビフェニル−２−イル）−Ｎ−（３’’，５’，５’’−トリ−ｔ−ブチル−１，１’：３’，１’’−ターフェニル−５−イル）−９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−アミン（略称：ｍｍｔＢｕｍＴＰｏＦＢｉ−０３）の結果。

^１Ｈ−ＮＭＲ．δ（ＣＤＣｌ_３）：７．５５（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝７．４Ｈｚ），７．５０（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝１．７Ｈｚ），７．４２−７．４３（ｍ，３Ｈ），７．２７−７．３９（ｍ，１０Ｈ），７．１８−７．２５（ｍ，４Ｈ），７．００−７．１２（ｍ，４Ｈ），６．９７（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝６．３Ｈｚ，１．７Ｈｚ），６．９３（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝１．７Ｈｚ），６．８２（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝７．３Ｈｚ，２．３Ｈｚ），１．３７（ｓ，９Ｈ），１．３６（ｓ，１８Ｈ），１．２９（ｓ，６Ｈ）．

構造式（１０９）で表されるＮ−（４−シクロヘキシルフェニル）−Ｎ−（３’’，５’，５’’−トリ−ｔ−ブチル−１，１’：３’，１’’−ターフェニル−５−イル）−９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−アミン（略称：ｍｍｔＢｕｍＴＰｃｈＰＡＦ−０３）の結果。

^１Ｈ−ＮＭＲ．δ（ＣＤＣｌ_３）：７．６２（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝７．５Ｈｚ），７．５６（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝８．６Ｈｚ），７．５１（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝１．７Ｈｚ），７．４８（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝１．７Ｈｚ），７．４６（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝１．７Ｈｚ），７．４２（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝１．７Ｈｚ），７．３７−７．３９（ｍ，４Ｈ），７．２７−７．３３（ｍ，２Ｈ），７．２３−７．２５（ｍ，２Ｈ），７．０５−７．１３（ｍ，７Ｈ），２．４６（ｂｒｍ，１Ｈ），１．８３−１．９０（ｍ，４Ｈ），１．７３−１．７５（ｂｒｍ，１Ｈ），１．４１（ｓ，６Ｈ），１．３７（ｓ，９Ｈ），１．３５（ｓ，１８Ｈ）．

１０１：第１の電極、１０２：第２の電極、１０３ａ：ＥＬ層、１０３ｂ：ＥＬ層、１０３ｃ：ＥＬ層、１０３：ＥＬ層、１０４：電荷発生層、１０５：有機化合物を含む層、１１１：正孔注入層、１１２：正孔輸送層、１１３：発光層、１１４：電子輸送層、１１５：電子注入層、１１６：正孔輸送層、１１７：活性層、１１８：電子輸送層、２０１：基板、２０２ａ：絶縁層、２０２ｂ：絶縁層、２０２：絶縁層、２０３Ｂ：発光デバイス、２０３Ｇ：発光デバイス、２０３Ｒ：発光デバイス、２０３Ｗ：発光デバイス、２０４：絶縁層、２０５：基板、２０６Ｂ：カラーフィルタ、２０６Ｇ：カラーフィルタ、２０６Ｒ：カラーフィルタ、２０７：空間、２０８：接着層、２０９：ブラックマトリックス、２１０：トランジスタ、２１１：第１の電極、２１２Ｇ：導電層、２１２Ｒ：導電層、２１３Ｂ：ＥＬ層、２１３Ｇ：ＥＬ層、２１３Ｒ：ＥＬ層、２１３：ＥＬ層、２１５：第２の電極、２２０Ｂ：光学距離、２２０Ｇ：光学距離、２２０Ｒ：光学距離、３０１：第１の基板、３０２：画素部、３０３：回路部、３０４ａ：回路部、３０４ｂ：回路部、３０５：シール材、３０６：第２の基板、３０７：引き回し配線、３０８：ＦＰＣ、３０９：トランジスタ、３１０：トランジスタ、３１１：トランジスタ、３１２：トランジスタ、３１３：第１の電極、３１４：絶縁層、３１５：ＥＬ層、３１６：第２の電極、３１８：空間、３２０：トランジスタ、３２１：導電層、３２２ａ：導電層、３２２ｂ：導電層、３２３：導電層、３２４：絶縁層、３２５：絶縁層、３２６：絶縁層、３２７ｉ：チャネル形成領域、３２７ｎ：低抵抗領域、３２７：半導体層、３２８：絶縁層、３３０：トランジスタ、３３１：導電層、３３２ａ：導電層、３３２ｂ：導電層、３３３：導電層、３３４：絶縁層、３３５：絶縁層、３３７：半導体層、３３８：絶縁層、４０１：第１の電極、４０２：ＥＬ層、４０３：第２の電極、４０５：絶縁層、４０６：導電層、４０７：接着層、４１６：導電層、４２０：基板、４２２：接着層、４２３：バリア層、４２４：絶縁層、４９０ａ：基板、４９０ｂ：基板、４９０ｃ：バリア層、５００Ａ：表示装置、５００Ｂ：表示装置、５００Ｃ：表示装置、５００Ｄ：表示装置、５００Ｅ：表示装置、５１０：受光デバイス、５１１：画素電極、５１２：バッファ層、５１３：活性層、５１４：バッファ層、５１５：共通電極、５２０：指、５２１：光、５２１Ｂ：光、５２１Ｇ：光、５２１Ｒ：光、５２２：光、５３１：トランジスタ、５３２Ｂ：トランジスタ、５３２Ｇ：トランジスタ、５３２：トランジスタ、５３３：絶縁層、５３４：絶縁層、５５１：基板、５５２：基板、５５３：接着層、５５４：遮光層、５５５：機能層、５８０ＳＲ：受発光デバイス、５９０Ｂ：発光デバイス、５９０Ｇ：発光デバイス、５９０ＩＲ：発光デバイス、５９０Ｒ：発光デバイス、５９０：発光デバイス、５９１Ｂ：画素電極、５９１Ｇ：画素電極、５９１：画素電極、５９３Ｂ：発光層、５９３Ｇ：発光層、５９３Ｒ：発光層、５９３：発光層、５９５：保護層、８００：基板、８０１：第１の電極、８０２：ＥＬ層、８０３：第２の電極、８１１：正孔注入層、８１２：正孔輸送層、８１３：発光層、８１４：電子輸送層、８１５：電子注入層、９１１：筐体、９１２：光源、９１３：検知ステージ、９１４：撮像装置、９１５：発光部、９１６：発光部、９１７：発光部、９２１：筐体、９２２：操作ボタン、９２３：検知部、９２４：光源、９２５：撮像装置、９３１：筐体、９３２：操作パネル、９３３：搬送機構、９３４：モニタ、９３５：検知ユニット、９３６：被検査部材、９３７：撮像装置、９３８：光源、９８１：筐体、９８２：表示部、９８３：操作ボタン、９８４：外部接続ポート、９８５：スピーカ、９８６：マイク、９８７：第１のカメラ、９８８：第２のカメラ、７０００：表示部、７００１：表示部、７１００：テレビジョン装置、７１０１：筐体、７１０３：スタンド、７１１１：リモコン操作機、７２００：ノート型パーソナルコンピュータ、７２１１：筐体、７２１２：キーボード、７２１３：ポインティングデバイス、７２１４：外部接続ポート、７３００：デジタルサイネージ、７３０１：筐体、７３０３：スピーカ、７３１１：情報端末機、７４００：デジタルサイネージ、７４０１：柱、７４１１：情報端末機、７６００：携帯情報端末、７６０１：筐体、７６０２：ヒンジ、７６５０：携帯情報端末、７６５１：非表示部、７８００：携帯情報端末、７８０１：バンド、７８０２：入出力端子、７８０３：操作ボタン、７８０４：アイコン、７８０５：バッテリ、９７００：自動車、９７０１：車体、９７０２：車輪、９７０３：フロントガラス、９７０４：ライト、９７０５：フォグランプ、９７１０：表示部、９７１１：表示部、９７１２：表示部、９７１３：表示部、９７１４：表示部、９７１５：表示部、９７２１：表示部、９７２２：表示部、９７２３：表示部

Claims

　第１の有機化合物と、第２の有機化合物と、を有し、
　前記第１の有機化合物の、総炭素数に対するｓｐ３混成軌道で結合を形成している炭素数の割合は、２３％以上５５％以下であり、
　前記第２の有機化合物は、フッ素を含む、正孔注入層用複合材料。
　請求項１において、
　前記第１の有機化合物からなる層の波長６３３ｎｍの光における屈折率は、１．４５以上１．７０以下である、正孔注入層用複合材料。
　第１の有機化合物と、第２の有機化合物と、を有し、
　前記第１の有機化合物のガラス転移温度は、９０℃以上であり、
　前記第１の有機化合物からなる層の波長６３３ｎｍの光における屈折率は、１．４５以上１．７０以下であり、
　前記第２の有機化合物は、フッ素を含む、正孔注入層用複合材料。
　請求項１乃至３のいずれか一において、
　前記第１の有機化合物は、アミン化合物である、正孔注入層用複合材料。
　請求項４において、
　前記第１の有機化合物は、モノアミン化合物である、正孔注入層用複合材料。
　第１の有機化合物と、第２の有機化合物と、を有し、
　前記第１の有機化合物は、モノアミン化合物であり、
　前記第１の有機化合物からなる層の波長６３３ｎｍの光における屈折率は、１．４５以上１．７０以下であり、
　前記第２の有機化合物は、フッ素を含む、正孔注入層用複合材料。
　請求項１乃至６のいずれか一において、
　前記第１の有機化合物の分子量は、６５０以上１２００以下である、正孔注入層用複合材料。
　請求項１乃至７のいずれか一において、
　前記第１の有機化合物は、トリアリールモノアミン化合物である、正孔注入層用複合材料。
　請求項１乃至８のいずれか一において、
　前記第１の有機化合物の^１Ｈ−ＮＭＲ測定結果における、４ｐｐｍ未満のシグナルの積分値は、４ｐｐｍ以上のシグナルの積分値より大きい、正孔注入層用複合材料。
　請求項１乃至９のいずれか一において、
　前記第１の有機化合物は、炭素数１以上１２以下の炭化水素基を少なくとも一つ有する、正孔注入層用複合材料。
　請求項１乃至１０のいずれか一において、
　前記第１の有機化合物は、炭素数３以上８以下のアルキル基、及び、炭素数６以上１２以下のシクロアルキル基の少なくとも一方を有する、正孔注入層用複合材料。
　請求項１乃至１１のいずれか一において、
　前記第２の有機化合物は、シアノ基を含む、正孔注入層用複合材料。
　請求項１乃至１２のいずれか一において、
　前記第２の有機化合物のＬＵＭＯ準位は、−５．０ｅＶ以下である、正孔注入層用複合材料。
　請求項１乃至１１のいずれか一において、
　前記第２の有機化合物は、前記第１の有機化合物に対して電子受容性を示す、正孔注入層用複合材料。
　陽極と、陰極と、第１の層と、を有し、
　前記第１の層は、前記陽極と前記陰極との間に位置し、
　前記第１の層は、第１の有機化合物と、第２の有機化合物と、を有し、
　前記第１の有機化合物の、総炭素数に対するｓｐ３混成軌道で結合を形成している炭素数の割合は、２３％以上５５％以下であり、
　前記第２の有機化合物は、フッ素を含む、光デバイス。
　請求項１５において、
　前記第１の有機化合物からなる層の波長６３３ｎｍの光における屈折率は、１．４５以上１．７０以下である、光デバイス。
　陽極と、陰極と、第１の層と、を有し、
　前記第１の層は、前記陽極と前記陰極との間に位置し、
　前記第１の層は、第１の有機化合物と、第２の有機化合物と、を有し、
　前記第１の有機化合物のガラス転移温度は、９０℃以上であり、
　前記第１の有機化合物からなる層の波長６３３ｎｍの光における屈折率は、１．４５以上１．７０以下であり、
　前記第２の有機化合物は、フッ素を含む、光デバイス。
　請求項１５乃至１７のいずれか一において、
　前記第１の有機化合物は、アミン化合物である、光デバイス。
　請求項１８において、
　前記第１の有機化合物は、モノアミン化合物である、光デバイス。
　陽極と、陰極と、第１の層と、を有し、
　前記第１の層は、前記陽極と前記陰極との間に位置し、
　前記第１の層は、第１の有機化合物と、第２の有機化合物と、を有し、
　前記第１の有機化合物は、モノアミン化合物であり、
　前記第１の有機化合物からなる層の波長６３３ｎｍの光における屈折率は、１．４５以上１．７０以下であり、
　前記第２の有機化合物は、フッ素を含む、光デバイス。
　請求項１５乃至２０のいずれか一において、
　前記第１の有機化合物の分子量は、６５０以上１２００以下である、光デバイス。
　請求項１５乃至２１のいずれか一において、
　前記第１の有機化合物は、トリアリールモノアミン化合物である、光デバイス。
　請求項１５乃至２２のいずれか一において、
　前記第１の有機化合物の^１Ｈ−ＮＭＲ測定結果における、４ｐｐｍ未満のシグナルの積分値は、４ｐｐｍ以上のシグナルの積分値より大きい、光デバイス。
　請求項１５乃至２３のいずれか一において、
　前記第１の有機化合物は、炭素数１以上１２以下の炭化水素基を少なくとも一つ有する、光デバイス。
　請求項１５乃至２４のいずれか一において、
　前記第１の有機化合物は、炭素数３以上８以下のアルキル基、及び、炭素数６以上１２以下のシクロアルキル基の少なくとも一方を有する、光デバイス。
　請求項１５乃至２５のいずれか一において、
　前記第２の有機化合物は、シアノ基を含む、光デバイス。
　請求項１５乃至２６のいずれか一において、
　前記第２の有機化合物のＬＵＭＯ準位は、−５．０ｅＶ以下である、光デバイス。
　請求項１５乃至２７のいずれか一において、
　前記第２の有機化合物は、前記第１の有機化合物に対して電子受容性を示す、光デバイス。
　請求項１５乃至２８のいずれか一において、
　さらに、第２の層を有し、
　前記第２の層は、前記第１の層と前記陰極との間に位置し、
　前記第２の層は、前記第１の有機化合物を有する、光デバイス。
　請求項２９において、
　前記第２の層は、前記第１の層と接する、光デバイス。
　請求項１５乃至３０のいずれか一において、
　前記第１の層は、前記陽極と接する、光デバイス。
　請求項１５乃至３０のいずれか一において、
　さらに、第１の発光層と、第２の発光層と、を有し、
　前記第１の層は、前記第１の発光層と前記第２の発光層の間に位置する、光デバイス。
　請求項１５乃至３２のいずれか一において、
　前記光デバイスは、発光デバイスである、光デバイス。
　請求項１５乃至３２のいずれか一において、
　前記光デバイスは、受光デバイスである、光デバイス。
　請求項１５乃至３４のいずれか一に記載の光デバイスと、
　トランジスタ及び基板のうち少なくとも一方と、を有する、装置。
　請求項３５に記載の装置と、
　コネクタ及び集積回路の少なくとも一方と、を有する、モジュール。
　請求項３５に記載の装置と、
　アンテナ、バッテリ、筐体、カメラ、スピーカ、マイク、及び操作ボタンのうち少なくとも一つと、を有する、電子機器。
　請求項１５乃至３４のいずれか一に記載の光デバイスと、
　筐体、カバー、及び支持台のうち少なくとも一つと、を有し、
　前記光デバイスは、発光デバイスである、照明装置。