WO2021246443A1

WO2021246443A1 - 圧電デバイス

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Publication number: WO2021246443A1
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Inventors: 龍之介日野; 伸介池内
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
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Filing date: 2021-06-02
Publication date: 2021-12-09
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Abstract

メンブレン部(Ｍｂ)には、上下方向に貫通する貫通溝(１８０)が設けられている。単結晶圧電体層(１３０)における貫通溝(１８０)の幅は、下方に行くにしたがって狭くなっている。単結晶圧電体層(１３０)と補強層(１６０)とにおいて、下側に位置する層における貫通溝(１８０)の最大幅は、上側に位置する層における貫通溝(１８０)の最小幅より小さい。

Description

圧電デバイス

　本発明は、圧電デバイスに関する。

　圧電デバイスの構成を開示した文献として、国際公開第２０１７／２１８２９９号（特許文献１）がある。特許文献１に記載された圧電デバイスは、基板と、メンブレン部とを備えている。基板は、基板を貫通する開口部を有している。メンブレン部は、少なくとも１つの弾性層と、上部電極層および下部電極層の間に挟まれた少なくとも１つの圧電層とから形成されている。メンブレン部は、開口部より上方において基板に取り付けられている。開口部の端に近接するメンブレン部には、エッチングにより貫通溝が形成されている。

国際公開第２０１７／２１８２９９号

　メンブレン部が上下に振動する際、貫通溝を通過する流体との粘性抵抗が大きい場合、圧電デバイスの励振効率が低下する。

　本発明は上記の問題点に鑑みてなされたものであって、励振効率の高い圧電デバイスを提供することを目的とする。

　本発明に基づく圧電デバイスは、基部と、積層部とを備える。基部は、一方の主面と、一方の主面とは反対側に位置する他方の主面とを含み、かつ、一方の主面から他方の主面まで貫通した開口部を有する。積層部は、基部の一方の主面側に積層され、開口部を上方から覆う。積層部は、少なくとも開口部の上方において、単結晶圧電体層と、単結晶圧電体層の上側に配置された上部電極層と、単結晶圧電体層を挟んで上部電極層の少なくとも一部に対向する下部電極層と、単結晶圧電体層との間に上部電極層または下部電極層を挟む補強層とを含み、かつ、開口部を覆っている部分であるメンブレン部を有する。メンブレン部には、上下方向に貫通する貫通溝が設けられている。単結晶圧電体層における貫通溝の幅は、下方に行くにしたがって狭くなっている。単結晶圧電体層と補強層とにおいて、下側に位置する層における貫通溝の最大幅は、上側に位置する層における貫通溝の最小幅より小さい。

　本発明によれば、圧電デバイスの励振効率を高くすることができる。

本発明の実施形態１に係る圧電デバイスの平面図である。図１の圧電デバイスをＩＩ－ＩＩ線矢印方向から見た断面図である。本発明の実施形態１に係る圧電デバイスの製造方法において、単結晶圧電体層の下面に密着層を設けた状態を示す断面図である。本発明の実施形態１に係る圧電デバイスの製造方法において、密着層および単結晶圧電体層の各々の下面に下部電極層を設けた状態を示す断面図である。本発明の実施形態１に係る圧電デバイスの製造方法において、下部電極層および単結晶圧電体層の各々の下面に補強層を設けた状態を示す断面図である。本発明の実施形態１に係る圧電デバイスの製造方法において、補強層の下面を平坦にした状態を示す断面図である。本発明の実施形態１に係る圧電デバイスの製造方法において、図６に示す複数の層に基部を接合させる状態を示す断面図である。本発明の実施形態１に係る圧電デバイスの製造方法において、補強層の下面に基部を接合させた状態を示す断面図である。本発明の実施形態１に係る圧電デバイスの製造方法において、単結晶圧電体層の上面を削った状態を示す断面図である。本発明の実施形態１に係る圧電デバイスの製造方法において、単結晶圧電体層の上面に上部電極層を設けた状態を示す断面図である。本発明の実施形態１に係る圧電デバイスの製造方法において、単結晶圧電体層に孔部を設けた状態を示す断面図である。本発明の実施形態１に係る圧電デバイスの製造方法において、単結晶圧電体層に貫通溝を設けた状態を示す断面図である。本発明の実施形態１に係る圧電デバイスの製造方法において、補強層の下面に達するように貫通溝を設けた状態を示す断面図である。本発明の実施形態１に係る圧電デバイスの製造方法において、開口部を形成した状態を示す断面図である。本発明の実施形態１の第１変形例に係る圧電デバイスの構成を示す断面図である。本発明の実施形態１の第２変形例に係る圧電デバイスの構成を示す断面図である。本発明の実施形態１の第２変形例に係る圧電デバイスにおけるメンブレン部の貫通溝の縦断面形状の模式図である。本発明の実施形態１の第３変形例に係る圧電デバイスの構成を示す断面図である。本発明の実施形態１の第３変形例に係る圧電デバイスにおけるメンブレン部の貫通溝の縦断面形状の模式図である。本発明の実施形態２に係る圧電デバイスの断面図である。本発明の実施形態２に係る圧電デバイスの製造方法において、下部電極層および単結晶圧電体層の各々の下面に補強層を設けた状態を示す断面図である。本発明の実施形態２に係る圧電デバイスの製造方法において、補強層の下面を平坦にした状態を示す断面図である。本発明の実施形態２に係る圧電デバイスの製造方法において、図２２に示す複数の層に基部を接合させる状態を示す断面図である。本発明の実施形態２に係る圧電デバイスの製造方法において、補強層の下面に基部を接合させた状態を示す断面図である。本発明の実施形態２に係る圧電デバイスの製造方法において、単結晶圧電体層の上面を削った状態を示す断面図である。本発明の実施形態２に係る圧電デバイスの製造方法において、単結晶圧電体層の上面に上部電極層を設けた状態を示す断面図である。本発明の実施形態２に係る圧電デバイスの製造方法において、単結晶圧電体層に孔部を設けた状態を示す断面図である。本発明の実施形態２に係る圧電デバイスの製造方法において、単結晶圧電体層に貫通溝を設けた状態を示す断面図である。本発明の実施形態２に係る圧電デバイスの製造方法において、補強層の下面に達するように貫通溝を設けた状態を示す断面図である。本発明の実施形態２に係る圧電デバイスの製造方法において、開口部を形成した状態を示す断面図である。本発明の実施形態２の第１変形例に係る圧電デバイスの構成を示す断面図である。本発明の実施形態２の第２変形例に係る圧電デバイスの構成を示す断面図である。本発明の実施形態２の第３変形例に係る圧電デバイスの構成を示す断面図である。本発明の実施形態３に係る圧電デバイスの断面図である。本発明の実施形態３に係る圧電デバイスの製造方法において、図６に示す複数の層と追加補強層が積層された基部とを接合させる状態を示す断面図である。本発明の実施形態３に係る圧電デバイスの製造方法において、補強層の下面に追加補強層を接合させた状態を示す断面図である。本発明の実施形態３に係る圧電デバイスの製造方法において、単結晶圧電体層の上面を削った状態を示す断面図である。本発明の実施形態３に係る圧電デバイスの製造方法において、単結晶圧電体層の上面に上部電極層を設けた状態を示す断面図である。本発明の実施形態３に係る圧電デバイスの製造方法において、単結晶圧電体層に孔部を設けた状態を示す断面図である。本発明の実施形態３に係る圧電デバイスの製造方法において、単結晶圧電体層に貫通溝を設けた状態を示す断面図である。本発明の実施形態３に係る圧電デバイスの製造方法において、補強層の下面に達するように貫通溝を設けた状態を示す断面図である。本発明の実施形態３に係る圧電デバイスの製造方法において、追加補強層の下面に達するように貫通溝を設けた状態を示す断面図である。本発明の実施形態３に係る圧電デバイスの製造方法において、開口部を形成した状態を示す断面図である。本発明の実施形態３の第１変形例に係る圧電デバイスの構成を示す断面図である。本発明の実施形態３の第２変形例に係る圧電デバイスの構成を示す断面図である。本発明の実施形態３の第３変形例に係る圧電デバイスの構成を示す断面図である。本発明の実施形態４に係る圧電デバイスの断面図である。本発明の実施形態４に係る圧電デバイスの製造方法において、上部電極層および単結晶圧電体層の各々の上面に補強層を設けた状態を示す断面図である。本発明の実施形態４に係る圧電デバイスの製造方法において、補強層の上面を平坦にした状態を示す断面図である。本発明の実施形態４に係る圧電デバイスの製造方法において、単結晶圧電体層および補強層の各々に孔部を設けた状態を示す断面図である。本発明の実施形態４に係る圧電デバイスの製造方法において、補強層および上部電極層の各々に貫通溝を設けた状態を示す断面図である。本発明の実施形態４に係る圧電デバイスの製造方法において、下部電極層の下面に達するように貫通溝を設けた状態を示す断面図である。本発明の実施形態４に係る圧電デバイスの製造方法において、開口部を形成した状態を示す断面図である。本発明の実施形態４の第１変形例に係る圧電デバイスの構成を示す断面図である。本発明の実施形態４の第２変形例に係る圧電デバイスの構成を示す断面図である。本発明の実施形態４の第３変形例に係る圧電デバイスの構成を示す断面図である。本発明の実施形態５に係る圧電デバイスの断面図である。本発明の実施形態５に係る圧電デバイスの製造方法において、ＳＯＩ基板に単結晶圧電体層を接合させる状態を示す断面図である。本発明の実施形態５に係る圧電デバイスの製造方法において、単結晶圧電体層の上面を削った状態を示す断面図である。本発明の実施形態５に係る圧電デバイスの製造方法において、単結晶圧電体層の上面に上部電極層を設けた状態を示す断面図である。本発明の実施形態５に係る圧電デバイスの製造方法において、単結晶圧電体層に孔部を設けた状態を示す断面図である。本発明の実施形態５に係る圧電デバイスの製造方法において、単結晶圧電体層に貫通溝を設けた状態を示す断面図である。本発明の実施形態５に係る圧電デバイスの製造方法において、補強層の下面に達するように貫通溝を設けた状態を示す断面図である。本発明の実施形態５に係る圧電デバイスの製造方法において、開口部を形成した状態を示す断面図である。本発明の実施形態６に係る圧電デバイスの断面図である。本発明の実施形態６に係る圧電デバイスの製造方法において、単結晶圧電体層の各々の上面に補強層を設けた状態を示す断面図である。本発明の実施形態６に係る圧電デバイスの製造方法において、単結晶圧電体層および補強層の各々に孔部を設けた状態を示す断面図である。本発明の実施形態６に係る圧電デバイスの製造方法において、補強層に貫通溝を設けた状態を示す断面図である。本発明の実施形態６に係る圧電デバイスの製造方法において、下部電極層の下面に達するように貫通溝を設けた状態を示す断面図である。本発明の実施形態６に係る圧電デバイスの製造方法において、開口部を形成した状態を示す断面図である。本発明の実施形態７に係る圧電デバイスの断面図である。本発明の実施形態７に係る圧電デバイスの製造方法において、開口部を形成した状態を示す断面図である。本発明の実施形態７に係る圧電デバイスの製造方法において、開口部側から下部電極層の上面に達するように貫通溝を設けた状態を示す断面図である。本発明の実施形態７に係る圧電デバイスにおけるメンブレン部の貫通溝の縦断面形状の模式図である。

　以下、本発明の各実施形態に係る圧電デバイスについて図を参照して説明する。以下の実施形態の説明においては、図中の同一または相当部分には同一符号を付して、その説明は繰り返さない。

　(実施形態１)
　図１は、本発明の実施形態１に係る圧電デバイスの平面図である。図２は、図１の圧電デバイスをＩＩ－ＩＩ線矢印方向から見た断面図である。図１においては、圧電デバイスの内部の構成を点線で示している。図１および図２に示すように、本発明の実施形態１に係る圧電デバイス１００は、基部１１０と、積層部１２０とを備えている。

　基部１１０は、一方の主面１１１と、一方の主面１１１とは反対側に位置する他方の主面１１２とを含んでいる。基部１１０は、一方の主面１１１から他方の主面１１２まで貫通した開口部１１３を有している。開口部１１３は、基部１１０の一方の主面１１１側に積層された積層部１２０によって上方から覆われている。

　本実施形態においては、基部１１０は、本体基部１１０ａと、本体基部１１０ａの上面を覆う表層基部１１０ｂとから構成されている。本実施形態においては、本体基部１１０ａはＳｉで構成され、表層基部１１０ｂはＳｉＯ₂で構成されている。ただし、本体基部１１０ａを構成する材料はＳｉに限定されず、表層基部１１０ｂを構成する材料はＳｉＯ₂に限定されない。

　積層部１２０は、少なくとも開口部１１３の上方において、単結晶圧電体層１３０と、上部電極層１４０と、下部電極層１５０と、補強層１６０とを含んでいる。

　積層部１２０は、開口部１１３を覆っている部分であるメンブレン部Ｍｂを有する。メンブレン部Ｍｂは、一方の主面１１１に直交する方向から見て、積層部１２０における開口部１１３の開口端の内側に位置する部分である。メンブレン部Ｍｂには、メンブレン部Ｍｂを上下方向に貫通する貫通溝１８０が設けられている。

　単結晶圧電体層１３０は、基部１１０より上側に位置している。単結晶圧電体層１３０の一部は、開口部１１３の上方に位置している。単結晶圧電体層１３０の上面および下面の各々は、平坦である。

　単結晶圧電体層１３０は、孔部１３１を有している。孔部１３１は、単結晶圧電体層１３０を上下に貫通している。本実施形態において、孔部１３１は、基部１１０の一方の主面１１１の上方に位置しており、開口部１１３の上方には位置していない。

　単結晶圧電体層１３０は、タンタル酸リチウムまたはニオブ酸リチウムで構成されている。タンタル酸リチウムまたはニオブ酸リチウムで構成された単結晶圧電体層１３０は、分極状態が一様である。

　上部電極層１４０は、単結晶圧電体層１３０の上側に配置されている。上部電極層１４０の一部は、開口部１１３の上方に位置している。本実施形態において、上部電極層１４０は単結晶圧電体層１３０の一部の上側に配置されている。上部電極層１４０は、たとえばＡｌまたはＰｔなどの金属で構成されている。なお、上部電極層１４０と単結晶圧電体層１３０との間に、Ｔｉなどで構成された密着層が配置されていてもよい。

　下部電極層１５０は、単結晶圧電体層１３０を挟んで上部電極層１４０の少なくとも一部に対向する。本実施形態においては、下部電極層１５０の一部は、単結晶圧電体層１３０を挟んで上部電極層１４０の一部と対向している。下部電極層１５０の一部は、開口部１１３の上方に位置している。

　下部電極層１５０の他の一部は、単結晶圧電体層１３０に形成された孔部１３１の下方に位置している。本実施形態においては、下部電極層１５０の他の一部は、密着層１５５を介して単結晶圧電体層１３０と接続されている。密着層１５５は、単結晶圧電体層１３０の孔部１３１を下方から覆っている。なお、密着層１５５は必ずしも設けられていなくてもよい。密着層１５５が設けられていない場合、下部電極層１５０の他の一部は、孔部１３１を下方から直接覆う。

　下部電極層１５０は、たとえばＡｌまたはＰｔなどの金属で構成されている。密着層１５５の材料は、導電性および密着性を有する材料であれば特に限定されない。密着層１５５は、たとえばＴｉ、Ｃｒ、ＮｉまたはＮｉＣｒで構成される。

　補強層１６０は、単結晶圧電体層１３０との間に上部電極層１４０または下部電極層１５０を挟む。本実施形態においては、補強層１６０は、単結晶圧電体層１３０より下方に配置されている。補強層１６０は、単結晶圧電体層１３０との間に下部電極層１５０を挟んでいる。補強層１６０は、下部電極層１５０の下面、および、単結晶圧電体層１３０の下面のうち下部電極層１５０に覆われていない部分の、各々と接している。

　補強層１６０の一部は、開口部１１３の上方に位置している。補強層１６０の一部は、開口部１１３を覆っている。開口部１１３を覆っていない部分の補強層１６０と基部１１０とは互いに直接接続されている。なお、開口部１１３を覆っていない部分の補強層１６０と基部１１０とは互いに直接接続されていなくてもよい。開口部１１３を覆っていない部分の補強層１６０と基部１１０とは、金属層を介して互いに接続されていてもよい。

　本実施形態において、補強層１６０は、Ｓｉ₃Ｎ₄で構成されている。なお、補強層１６０の材料は、Ｓｉ₃Ｎ₄に限定されず、他の絶縁物でもよい。たとえば、補強層１６０は、電気絶縁性および断熱性を有する有機材料で構成されていてもよい。

　図１および図２に示すように、圧電デバイス１００は、第１引出配線１７１と第２引出配線１７２とをさらに含んでいる。第１引出配線１７１は、上部電極層１４０の一部の上側に積層されている。第２引出配線１７２は、単結晶圧電体層１３０の一部および密着層１５５の各々の上側に積層されている。第２引出配線１７２は、孔部１３１内において、密着層１５５を介して下部電極層１５０の上側に積層されている。

　このように、積層部１２０は、少なくとも開口部１１３の上方において、単結晶圧電体層１３０と、上部電極層１４０と、下部電極層１５０と、補強層１６０とを含んでいる。

　本実施形態においては、一方の主面１１１に直交する方向から見て、開口部１１３の外形は、矩形である。ただし、一方の主面１１１に直交する方向から見て、開口部１１３の外形は、矩形に限られず、矩形以外の多角形または円形であってもよい。

　上記の構成により、上部電極層１４０と下部電極層１５０との間に電圧が印加されることによって、単結晶圧電体層１３０の伸縮に応じてメンブレン部Ｍｂが上下に屈曲振動する。

　上記のように、メンブレン部Ｍｂには、メンブレン部Ｍｂを上下方向に貫通する貫通溝１８０が設けられている。貫通溝１８０の幅は、単結晶圧電体層１３０および補強層１６０の各々において、下方に行くにしたがって狭くなっている。

　単結晶圧電体層１３０と補強層１６０とにおいて、下側に位置する層における貫通溝１８０の最大幅は、上側に位置する層における貫通溝の最小幅より小さい。本実施形態においては、補強層１６０が下側に位置する層であり、単結晶圧電体層１３０が上側に位置する層である。補強層１６０における貫通溝１８０の最大幅は、単結晶圧電体層１３０における貫通溝１８０の最小幅より小さい。

　具体的には、単結晶圧電体層１３０は、貫通溝１８０と接する端面１３８を有する。補強層１６０は、貫通溝１８０と接する端面１６８を有する。単結晶圧電体層１３０と補強層１６０との間に挟まれている下部電極層１５０は、端面１５８を有する。

　本実施形態においては、端面１３８が上側端面、端面１６８が下側端面、端面１５８が中間端面である。上側端面である端面１３８の傾斜角度は、下側端面である端面１６８の傾斜角度より小さい。すなわち、単結晶圧電体層１３０における貫通溝１８０の最小幅は、単結晶圧電体層１３０の端面１３８の下端の位置における貫通溝１８０の幅である。補強層１６０における貫通溝１８０の最大幅は、補強層１６０の端面１６８の上端の位置における貫通溝１８０の幅である。

　中間端面である端面１５８は、下側端面である端面１６８の延長面上に位置しており、端面１６８と連続している。上側端面である端面１３８と中間端面である端面１５８との間には、段が形成されている。上側端面である端面１３８の下端は、下部電極層１５０の上面上に位置している。貫通溝１８０に隣接している、下部電極層１５０の上面の一部は、露出している。

　図２に示すように、貫通溝１８０の幅は、貫通溝１８０の上端から下端に向かうに従って狭くなっている。なお、貫通溝１８０の幅が、貫通溝１８０の上端から下端に向かうに従って段階的に狭くなっていてもよい。すなわち、貫通溝１８０の上端から下端に向かうに従って貫通溝１８０の幅が同一となっている部分が含まれていてもよい。本実施形態においては、貫通溝１８０の幅は、上下方向における上部電極層１４０の上端の位置から下端の位置まで略同一である。貫通溝１８０の幅は、上下方向における下部電極層１５０の上端の位置から下端の位置まで略同一であってもよい。この場合、下部電極層１５０の端面１５８の傾斜角度は、９０°である。

　貫通溝１８０は、開口部１１３側の端部において最も狭くなっている。すなわち、上下方向における補強層１６０の端面１６８の下端の位置において、貫通溝１８０が最も狭くなっている。

　以下、本発明の実施形態１に係る圧電デバイスの製造方法について説明する。
　図３は、本発明の実施形態１に係る圧電デバイスの製造方法において、単結晶圧電体層の下面に密着層を設けた状態を示す断面図である。形成時の単結晶圧電体層１３０の厚みは、本実施形態に係る圧電デバイス１００に最終的に含まれる単結晶圧電体層１３０の厚みより厚い。

　図３に示すように、リフトオフ法、めっき法、または、エッチング法などにより、単結晶圧電体層１３０の下面に密着層１５５を設ける。

　図４は、本発明の実施形態１に係る圧電デバイスの製造方法において、密着層および単結晶圧電体層の各々の下面に下部電極層を設けた状態を示す断面図である。図４に示すように、リフトオフ法、めっき法、または、エッチング法などにより、密着層１５５の下面の全面および単結晶圧電体層の下面の一部に、下部電極層１５０を設ける。

　図５は、本発明の実施形態１に係る圧電デバイスの製造方法において、下部電極層および単結晶圧電体層の各々の下面に補強層を設けた状態を示す断面図である。図５に示すように、ＣＶＤ(Chemical　Vapor　Deposition)法またはＰＶＤ(Physical　Vapor　Deposition)法などにより、下部電極層１５０および単結晶圧電体層１３０の各々の下面に、補強層１６０を設ける。

　図６は、本発明の実施形態１に係る圧電デバイスの製造方法において、補強層の下面を平坦にした状態を示す断面図である。図６に示すように、補強層１６０の下面を化学機械研磨(ＣＭＰ：Chemical　Mechanical　Polishing)などにより、平坦にする。

　図７は、本発明の実施形態１に係る圧電デバイスの製造方法において、図６に示す複数の層に基部を接合させる状態を示す断面図である。図８は、本発明の実施形態１に係る圧電デバイスの製造方法において、補強層の下面に基部を接合させた状態を示す断面図である。

　図７および図８に示すように、基部１１０は、本体基部１１０ａと、本体基部１１０ａの上面を覆う表層基部１１０ｂとから構成されている。表層基部１１０ｂは、本体基部１１０ａの上面を熱酸化することにより形成される。表面活性化接合または原子拡散接合などにより、補強層１６０の下面に、開口部１１３が形成されていない、基部１１０である基板を接合させる。

　図９は、本発明の実施形態１に係る圧電デバイスの製造方法において、単結晶圧電体層の上面を削った状態を示す断面図である。図９に示すように、単結晶圧電体層１３０の上面をＣＭＰなどにより削って、単結晶圧電体層１３０を所望の厚さにする。なお、単結晶圧電体層１３０の上面側に、予めイオン注入することにより、剥離層を形成していてもよい。この場合、単結晶圧電体層１３０の上面を切削またはＣＭＰなどにより削る前に、剥離層を剥離させることにより、単結晶圧電体層１３０の厚み調整が容易になる。単結晶圧電体層１３０の厚さは、電圧の印加による単結晶圧電体層１３０の所望の励振が得られるように調整される。

　図１０は、本発明の実施形態１に係る圧電デバイスの製造方法において、単結晶圧電体層の上面に上部電極層を設けた状態を示す断面図である。図１０に示すように、リフトオフ法、めっき法、または、エッチング法などにより、単結晶圧電体層１３０の上面の一部に、上部電極層１４０を設ける。

　図１１は、本発明の実施形態１に係る圧電デバイスの製造方法において、単結晶圧電体層に孔部を設けた状態を示す断面図である。図１１に示すように、単結晶圧電体層１３０の一部をエッチングすることにより、孔部１３１を形成する。

　図１２は、本発明の実施形態１に係る圧電デバイスの製造方法において、単結晶圧電体層に貫通溝を設けた状態を示す断面図である。図１２に示すように、単結晶圧電体層１３０をエッチングすることにより、単結晶圧電体層１３０に貫通溝１８０を形成する。これにより、単結晶圧電体層１３０に、貫通溝１８０と接する端面１３８が形成される。

　図１３は、本発明の実施形態１に係る圧電デバイスの製造方法において、補強層の下面に達するように貫通溝を設けた状態を示す断面図である。図１３に示すように、下部電極層１５０および補強層１６０をエッチングすることにより、下部電極層１５０および補強層１６０の各々に貫通溝１８０を形成する。これにより、下部電極層１５０に、貫通溝１８０と接する端面１５８が形成される。補強層１６０に、貫通溝１８０と接する端面１６８が形成される。

　図１４は、本発明の実施形態１に係る圧電デバイスの製造方法において、開口部を形成した状態を示す断面図である。図１４に示すように、基部１１０の他方の主面１１２側から基部１１０に対して、深堀反応性イオンエッチングなどにより、基部１１０に開口部１１３を形成する。これにより、本実施形態に係る圧電デバイス１００において、メンブレン部Ｍｂが形成される。

　最後に、リフトオフ法、めっき法またはエッチング法などにより、第１引出配線１７１および第２引出配線１７２の各々が設けられる。上記の工程により、図２に示すような本発明の実施形態１に係る圧電デバイス１００が製造される。

　上記のように、本発明の実施形態１に係る圧電デバイス１００においては、貫通溝１８０の幅は、単結晶圧電体層１３０および補強層１６０の各々において、下方に行くにしたがって狭くなっている。単結晶圧電体層１３０と補強層１６０とにおいて、下側に位置する層における貫通溝１８０の最大幅は、上側に位置する層における貫通溝１８０の最小幅より小さい。

　これにより、メンブレン部Ｍｂが上下に振動する際の貫通溝１８０を通過する流体との粘性抵抗を小さくして、圧電デバイス１００の励振効率を高くすることができる。

　本実施形態においては、単結晶圧電体層１３０が位置する部分の貫通溝１８０の幅を広く確保しつつ、補強層１６０が位置する部分の貫通溝１８０の幅を狭くすることができる。その結果、メンブレン部Ｍｂが屈曲振動する際に単結晶圧電体層１３０に作用する応力を緩和して、単結晶圧電体層１３０と上部電極層１４０との間、および、単結晶圧電体層１３０と下部電極層１５０との間の、各々における層間剥離の発生を抑制することができる。

　さらに、補強層１６０が位置する部分の貫通溝１８０の幅を狭くすることができるため、貫通溝１８０の幅が広くなりすぎることによる圧電デバイス１００の特性低下が起きることを抑制できる。たとえば、圧電デバイス１００が音響デバイスとして用いられる場合には、貫通溝１８０の幅が広くなりすぎることによる音響抵抗の低下を抑制することができる。

　本実施形に係る圧電デバイス１００においては、上側端面である単結晶圧電体層１３０の端面１３８の傾斜角度は、下側端面である補強層１６０の端面１６８の傾斜角度より小さい。これにより、単結晶圧電体層１３０の端面１３８における粘性抵抗を効果的に低下させることができる。

　本実施形に係る圧電デバイス１００においては、単結晶圧電体層１３０は、タンタル酸リチウムまたはニオブ酸リチウムで構成されている。これにより、圧電デバイス１００の圧電特性を向上させることができる。

　以下、本発明の実施形態１に係る圧電デバイス１００の変形例について説明する。
　図１５は、本発明の実施形態１の第１変形例に係る圧電デバイスの構成を示す断面図である。図１５においては、図２と同一の断面視にて図示している。図１５に示すように、本発明の実施形態１の第１変形例に係る圧電デバイス１００ａにおいては、下側端面である補強層１６０の端面１６８ａの傾斜角度は、上側端面である単結晶圧電体層１３０の端面１３８ａの傾斜角度より小さい。中間端面である下部電極層１５０の端面１５８ａは、下側端面である端面１６８ａの延長面上に位置しており、端面１６８ａと連続している。これにより、補強層１６０の端面１６８ａにおける粘性抵抗を効果的に低下させることができる。

　図１６は、本発明の実施形態１の第２変形例に係る圧電デバイスの構成を示す断面図である。図１６においては、図２と同一の断面視にて図示している。図１６に示すように、本発明の実施形態１の第２変形例に係る圧電デバイス１００ｂにおいては、単結晶圧電体層１３０と補強層１６０とにおいて、下側に位置する層における貫通溝１８０と接する下側端面と、上側に位置する層における貫通溝１８０と接する上側端面とは、上部電極層１４０または下部電極層１５０における貫通溝１８０と接する中間端面を介して連続している。

　本変形例においては、下側端面である補強層１６０の端面１６８と、上側端面である単結晶圧電体層１３０の端面１３８ｂとは、中間端面である下部電極層１５０の端面１５８を介して連続している。

　図１６に示すように、単結晶圧電体層１３０と補強層１６０とにおいて、上側に位置する層における貫通溝１８０の最大幅はｄｕであり、上側に位置する層における貫通溝１８０の最小幅はｄｍ１であり、下側に位置する層における貫通溝１８０の最小幅はｄｂである。上側端面の傾斜角度は、下側端面の傾斜角度より小さい。ｄｕ＞ｄｍ１＞ｄｂの関係が満たされている。

　図１７は、本発明の実施形態１の第２変形例に係る圧電デバイスにおけるメンブレン部の貫通溝の縦断面形状の模式図である。図１７に示すように、上側端面の傾斜角度が下側端面の傾斜角度より小さいことにより、上側から貫通溝１８０に浸入する流体Ｆ１に対する粘性抵抗を小さくすることができる。

　これにより、メンブレン部Ｍｂが上下に振動する際の貫通溝１８０を通過する流体との粘性抵抗を効果的に小さくして、圧電デバイス１００ｂの励振効率を高くすることができる。さらに、単結晶圧電体層１３０と下部電極層１５０との間への応力集中を緩和して、単結晶圧電体層１３０と下部電極層１５０との間における層間剥離の発生を抑制することができる。

　図１８は、本発明の実施形態１の第３変形例に係る圧電デバイスの構成を示す断面図である。図１８においては、図２と同一の断面視にて図示している。図１８に示すように、本発明の実施形態１の第３変形例に係る圧電デバイス１００ｃにおいては、下側端面である補強層１６０の端面１６８ａの傾斜角度は、上側端面である単結晶圧電体層１３０の端面１３８ｃの傾斜角度より小さい。これにより、補強層１６０の端面１６８ａにおける粘性抵抗を効果的に低下させることができる。

　また、下側端面である補強層１６０の端面１６８ａと、上側端面である単結晶圧電体層１３０の端面１３８ｃとは、中間端面である下部電極層１５０の端面１５８ａを介して連続している。

　図１８に示すように、単結晶圧電体層１３０と補強層１６０とにおいて、上側に位置する層における貫通溝１８０の最大幅はｄｕであり、上側に位置する層における貫通溝１８０の最小幅はｄｍ２であり、下側に位置する層における貫通溝１８０の最小幅はｄｂである。下側端面の傾斜角度は、上側端面の傾斜角度より小さい。ｄｕ＞ｄｍ２＞ｄｂの関係が満たされている。

　図１９は、本発明の実施形態１の第３変形例に係る圧電デバイスにおけるメンブレン部の貫通溝の縦断面形状の模式図である。図１９に示すように、下側端面の傾斜角度が上側端面の傾斜角度より小さいことにより、下側から貫通溝１８０に浸入する流体Ｆ２に対する粘性抵抗を小さくすることができる。

　これにより、メンブレン部Ｍｂが上下に振動する際の貫通溝１８０を通過する流体との粘性抵抗を効果的に小さくして、圧電デバイス１００ｃの励振効率を高くすることができる。さらに、単結晶圧電体層１３０と下部電極層１５０との間への応力集中を緩和して、単結晶圧電体層１３０と下部電極層１５０との間における層間剥離の発生を抑制することができる。

　図１７および図１９に示すように、上側に位置する層における貫通溝１８０の最大幅はｄｕ、および、下側に位置する層における貫通溝１８０の最小幅はｄｂの各々を、一定の寸法に固定した場合、ｄｍ１＜ｄｍ２の関係が満たされる。すなわち、上側端面の傾斜角度と下側端面の傾斜角度とを調整することにより、貫通溝１８０の上下方向の両端の寸法を維持しつつ貫通溝１８０の縦断面のプロファイルを制御することができる。貫通溝１８０の上下方向の両端の寸法は、加工上の制約および貫通溝１８０内への異物の浸入抑制の観点から自由度が小さい。そこで、貫通溝１８０の上下方向の両端の寸法を維持しつつ上側端面の傾斜角度および下側端面の傾斜角度の各々を調整することにより、貫通溝１８０内への異物の浸入を抑制しつつ貫通溝１８０内における流体との粘性抵抗を所望の分布にすることができる。

　(実施形態２)
　以下、本発明の実施形態２に係る圧電デバイスについて図を参照して説明する。本発明の実施形態２に係る圧電デバイスは、基部および補強層の構成が本発明の実施形態１に係る圧電デバイス１００と異なるため、本発明の実施形態１に係る圧電デバイス１００と同様である構成については説明を繰り返さない。

　図２０は、本発明の実施形態２に係る圧電デバイスの断面図である。図２０においては、図２と同一の断面視にて図示している。図２０に示すように、本発明の実施形態２に係る圧電デバイス２００は、基部１１０と、積層部２２０とを備えている。

　本実施形態においては、基部１１０は、本体基部１１０ａのみから構成されている。基部１１０の開口部１１３は、基部１１０の一方の主面１１１側に積層された積層部２２０によって上方から覆われている。

　本体基部１１０ａはＳｉＯ₂で構成されている。ただし、本体基部１１０ａを構成する材料はＳｉＯ₂に限定されない。

　積層部２２０は、少なくとも開口部１１３の上方において、単結晶圧電体層１３０と、上部電極層１４０と、下部電極層１５０と、補強層２６０とを含んでいる。

　積層部２２０は、開口部１１３を覆っている部分であるメンブレン部Ｍｂを有する。メンブレン部Ｍｂは、一方の主面１１１に直交する方向から見て、積層部２２０における開口部１１３の開口端の内側に位置する部分である。メンブレン部Ｍｂには、メンブレン部Ｍｂを上下方向に貫通する貫通溝１８０が設けられている。

　補強層２６０は、単結晶圧電体層１３０との間に下部電極層１５０を挟んでいる。補強層２６０の一部は、開口部１１３の上方に位置している。補強層２６０の下面には、基部１１０の開口部１１３と連通した開口部２６３が形成されている。開口部２６３は、開口部１１３の上方に位置しており、上底面２６１を有している。開口部２６３の上底面２６１は、メンブレン部Ｍｂの下面を構成している。

　本実施形態において、補強層２６０は、ＳｉＯ₂で構成されている。補強層２６０の材料は、ＳｉＯ₂に限定されず、絶縁物であればよい。たとえば、補強層２６０は、電気絶縁性および断熱性を有する有機材料で構成されていてもよい。

　このように、積層部２２０は、少なくとも開口部１１３の上方において、単結晶圧電体層１３０と、上部電極層１４０と、下部電極層１５０と、補強層２６０とを含んでいる。

　上記のように、メンブレン部Ｍｂには、メンブレン部Ｍｂを上下方向に貫通する貫通溝１８０が設けられている。貫通溝１８０の幅は、単結晶圧電体層１３０および補強層２６０の各々において、下方に行くにしたがって狭くなっている。

　単結晶圧電体層１３０と補強層２６０とにおいて、下側に位置する層における貫通溝１８０の最大幅は、上側に位置する層における貫通溝の最小幅より小さい。本実施形態においては、補強層２６０が下側に位置する層であり、単結晶圧電体層１３０が上側に位置する層である。補強層２６０における貫通溝１８０の最大幅は、単結晶圧電体層１３０における貫通溝１８０の最小幅より小さい。

　具体的には、単結晶圧電体層１３０は、貫通溝１８０と接する端面１３８を有する。補強層２６０は、貫通溝１８０と接する端面２６８を有する。単結晶圧電体層１３０と補強層２６０との間に挟まれている下部電極層１５０は、端面１５８を有する。

　本実施形態においては、端面１３８が上側端面、端面２６８が下側端面、端面１５８が中間端面である。上側端面である端面１３８の傾斜角度は、下側端面である端面２６８の傾斜角度より小さい。すなわち、単結晶圧電体層１３０における貫通溝１８０の最小幅は、単結晶圧電体層１３０の端面１３８の下端の位置における貫通溝１８０の幅である。補強層２６０における貫通溝１８０の最大幅は、補強層２６０の端面２６８の上端の位置における貫通溝１８０の幅である。中間端面である端面１５８は、下側端面である端面２６８の延長面上に位置しており、端面２６８と連続している。

　貫通溝１８０は、開口部１１３側の端部において最も狭くなっている。すなわち、上下方向における補強層２６０の端面２６８の下端の位置において、貫通溝１８０が最も狭くなっている。

　以下、本発明の実施形態２に係る圧電デバイスの製造方法について説明する。
　図２１は、本発明の実施形態２に係る圧電デバイスの製造方法において、下部電極層および単結晶圧電体層の各々の下面に補強層を設けた状態を示す断面図である。まず、本発明の実施形態１に係る圧電デバイス１００の製造方法と同様にして、単結晶圧電体層１３０の下側に密着層１５５および下部電極層１５０の各々を設ける。次に、図２１に示すように、ＣＶＤ法またはＰＶＤ法などにより、下部電極層１５０および単結晶圧電体層１３０の各々の下面に、補強層２６０を設ける。

　図２２は、本発明の実施形態２に係る圧電デバイスの製造方法において、補強層の下面を平坦にした状態を示す断面図である。図２２に示すように、補強層２６０の下面をＣＭＰなどにより、平坦にする。

　図２３は、本発明の実施形態２に係る圧電デバイスの製造方法において、図２２に示す複数の層に基部を接合させる状態を示す断面図である。図２４は、本発明の実施形態２に係る圧電デバイスの製造方法において、補強層の下面に基部を接合させた状態を示す断面図である。

　図２３および図２４に示すように、表面活性化接合または原子拡散接合などにより、補強層２６０の下面に、開口部１１３が形成されていない、基部１１０である基板を接合させる。

　図２５は、本発明の実施形態２に係る圧電デバイスの製造方法において、単結晶圧電体層の上面を削った状態を示す断面図である。図２５に示すように、単結晶圧電体層１３０の上面をＣＭＰなどにより削って、単結晶圧電体層１３０を所望の厚さにする。

　図２６は、本発明の実施形態２に係る圧電デバイスの製造方法において、単結晶圧電体層の上面に上部電極層を設けた状態を示す断面図である。図２６に示すように、リフトオフ法、めっき法、または、エッチング法などにより、単結晶圧電体層１３０の上面の一部に、上部電極層１４０を設ける。

　図２７は、本発明の実施形態２に係る圧電デバイスの製造方法において、単結晶圧電体層に孔部を設けた状態を示す断面図である。図２７に示すように、単結晶圧電体層１３０の一部をエッチングすることにより、孔部１３１を形成する。

　図２８は、本発明の実施形態２に係る圧電デバイスの製造方法において、単結晶圧電体層に貫通溝を設けた状態を示す断面図である。図２８に示すように、単結晶圧電体層１３０をエッチングすることにより、単結晶圧電体層１３０に貫通溝１８０を形成する。これにより、単結晶圧電体層１３０に、貫通溝１８０と接する端面１３８が形成される。

　図２９は、本発明の実施形態２に係る圧電デバイスの製造方法において、補強層の下面に達するように貫通溝を設けた状態を示す断面図である。図２９に示すように、下部電極層１５０および補強層２６０をエッチングすることにより、下部電極層１５０および補強層２６０の各々に貫通溝１８０を形成する。これにより、下部電極層１５０に、貫通溝１８０と接する端面１５８が形成される。補強層２６０に、貫通溝１８０と接する端面２６８が形成される。

　図３０は、本発明の実施形態２に係る圧電デバイスの製造方法において、開口部を形成した状態を示す断面図である。図３０に示すように、基部１１０の他方の主面１１２側から深堀反応性イオンエッチングなどを行なうことにより、基部１１０に開口部１１３を形成し、補強層２６０に開口部２６３を形成する。これにより、本実施形態に係る圧電デバイス２００において、メンブレン部Ｍｂが形成される。

　最後に、リフトオフ法、めっき法またはエッチング法などにより、第１引出配線１７１および第２引出配線１７２の各々が設けられる。上記の工程により、図２０に示すような本発明の実施形態２に係る圧電デバイス２００が製造される。

　上記のように、本発明の実施形態２に係る圧電デバイス２００においては、貫通溝１８０の幅は、単結晶圧電体層１３０および補強層２６０の各々において、下方に行くにしたがって狭くなっている。単結晶圧電体層１３０と補強層２６０とにおいて、下側に位置する層における貫通溝１８０の最大幅は、上側に位置する層における貫通溝１８０の最小幅より小さい。

　これにより、メンブレン部Ｍｂが上下に振動する際の貫通溝１８０を通過する流体との粘性抵抗を小さくして、圧電デバイス２００の励振効率を高くすることができる。

　本実施形に係る圧電デバイス２００においては、上側端面である単結晶圧電体層１３０の端面１３８の傾斜角度は、下側端面である補強層２６０の端面１６８の傾斜角度より小さい。これにより、単結晶圧電体層１３０の端面１３８における粘性抵抗を効果的に低下させることができる。

　以下、本発明の実施形態２に係る圧電デバイス２００の変形例について説明する。
　図３１は、本発明の実施形態２の第１変形例に係る圧電デバイスの構成を示す断面図である。図３１においては、図２０と同一の断面視にて図示している。図３１に示すように、本発明の実施形態２の第１変形例に係る圧電デバイス２００ａにおいては、下側端面である補強層２６０の端面２６８ａの傾斜角度は、上側端面である単結晶圧電体層１３０の端面１３８ａの傾斜角度より小さい。中間端面である下部電極層１５０の端面１５８ａは、下側端面である端面２６８ａの延長面上に位置しており、端面２６８ａと連続している。これにより、補強層２６０の端面２６８ａにおける粘性抵抗を効果的に低下させることができる。

　図３２は、本発明の実施形態２の第２変形例に係る圧電デバイスの構成を示す断面図である。図３２においては、図２０と同一の断面視にて図示している。図３２に示すように、本発明の実施形態２の第２変形例に係る圧電デバイス２００ｂにおいては、単結晶圧電体層１３０と補強層２６０とにおいて、下側に位置する層における貫通溝１８０と接する下側端面と、上側に位置する層における貫通溝１８０と接する上側端面とは、上部電極層１４０または下部電極層１５０における貫通溝１８０と接する中間端面を介して連続している。

　本変形例においては、下側端面である補強層２６０の端面２６８と、上側端面である単結晶圧電体層１３０の端面１３８ｂとは、中間端面である下部電極層１５０の端面１５８を介して連続している。

　これにより、メンブレン部Ｍｂが上下に振動する際の貫通溝１８０を通過する流体との粘性抵抗を効果的に小さくして、圧電デバイス２００ｂの励振効率を高くすることができる。さらに、単結晶圧電体層１３０と下部電極層１５０との間への応力集中を緩和して、単結晶圧電体層１３０と下部電極層１５０との間における層間剥離の発生を抑制することができる。

　図３３は、本発明の実施形態２の第３変形例に係る圧電デバイスの構成を示す断面図である。図３３においては、図２０と同一の断面視にて図示している。図３３に示すように、本発明の実施形態２の第３変形例に係る圧電デバイス２００ｃにおいては、下側端面である補強層２６０の端面２６８ａの傾斜角度は、上側端面である単結晶圧電体層１３０の端面１３８ｃの傾斜角度より小さい。これにより、補強層２６０の端面２６８ａにおける粘性抵抗を効果的に低下させることができる。

　また、下側端面である補強層２６０の端面２６８ａと、上側端面である単結晶圧電体層１３０の端面１３８ｃとは、中間端面である下部電極層１５０の端面１５８ａを介して連続している。

　これにより、メンブレン部Ｍｂが上下に振動する際の貫通溝１８０を通過する流体との粘性抵抗を効果的に小さくして、圧電デバイス２００ｃの励振効率を高くすることができる。さらに、単結晶圧電体層１３０と下部電極層１５０との間への応力集中を緩和して、単結晶圧電体層１３０と下部電極層１５０との間における層間剥離の発生を抑制することができる。

　(実施形態３)
　以下、本発明の実施形態３に係る圧電デバイスについて図を参照して説明する。本発明の実施形態３に係る圧電デバイスは、複数の補強層を備える点が本発明の実施形態１に係る圧電デバイス１００と異なるため、本発明の実施形態１に係る圧電デバイス１００と同様である構成については説明を繰り返さない。

　図３４は、本発明の実施形態３に係る圧電デバイスの断面図である。図３４においては、図２と同一の断面視にて図示している。図３４に示すように、本発明の実施形態３に係る圧電デバイス３００は、基部１１０と、積層部３２０とを備えている。

　積層部３２０は、少なくとも開口部１１３の上方において、単結晶圧電体層１３０と、上部電極層１４０と、下部電極層１５０と、補強層１６０と、追加補強層３９０とを含んでいる。本実施形態においては、補強層は、補強層１６０と追加補強層３９０との２層で構成されている。

　積層部３２０は、開口部１１３を覆っている部分であるメンブレン部Ｍｂを有する。メンブレン部Ｍｂは、一方の主面１１１に直交する方向から見て、積層部３２０における開口部１１３の開口端の内側に位置する部分である。メンブレン部Ｍｂには、メンブレン部Ｍｂを上下方向に貫通する貫通溝１８０が設けられている。

　追加補強層３９０は、補強層１６０を下方から覆うように積層されている。本実施形態において、追加補強層３９０は、補強層１６０の下面と接するように設けられている。追加補強層３９０の下面の一部は、基部１１０の一方の主面１１１と接している。

　追加補強層３９０の一部は、開口部１１３の上方に位置している。追加補強層３９０の一部は、開口部１１３を覆っている。開口部１１３を覆っていない部分の追加補強層３９０と基部１１０とは互いに直接接続されている。なお、開口部１１３を覆っていない部分の追加補強層３９０と基部１１０とは互いに直接接続されていなくてもよい。開口部１１３を覆っていない部分の追加補強層３９０と基部１１０とは、金属層を介して互いに接続されていてもよい。

　本実施形態において、追加補強層３９０は、Ｓｉで構成されている。基部１１０と追加補強層３９０とは、ＳＯＩ(Silicon　on　Insulator)基板である。なお、追加補強層３９０の材料は、Ｓｉに限定されず、絶縁物でもよい。たとえば、追加補強層３９０は、電気絶縁性および断熱性を有する有機材料で構成されていてもよい。

　このように、積層部３２０は、少なくとも開口部１１３の上方において、単結晶圧電体層１３０と、上部電極層１４０と、下部電極層１５０と、補強層１６０と、追加補強層３９０とを含んでいる。

　上記のように、メンブレン部Ｍｂには、メンブレン部Ｍｂを上下方向に貫通する貫通溝１８０が設けられている。貫通溝１８０の幅は、単結晶圧電体層１３０および補強層の各々において、下方に行くにしたがって狭くなっている。

　単結晶圧電体層１３０と補強層とにおいて、下側に位置する層における貫通溝１８０の最大幅は、上側に位置する層における貫通溝の最小幅より小さい。本実施形態においては、補強層が下側に位置する層であり、単結晶圧電体層１３０が上側に位置する層である。補強層における貫通溝１８０の最大幅は、単結晶圧電体層１３０における貫通溝１８０の最小幅より小さい。

　具体的には、追加補強層３９０は、貫通溝１８０と接する端面３９８を有する。本実施形態においては、端面１３８が上側端面、端面１６８および端面３９８の各々が下側端面、端面１５８が中間端面である。上側端面である端面１３８の傾斜角度は、下側端面である端面１６８および端面３９８の各々の傾斜角度より小さい。傾斜角度は、端面３９８、端面１６８、端面１３８の順に小さくなっている。すなわち、単結晶圧電体層１３０における貫通溝１８０の最小幅は、単結晶圧電体層１３０の端面１３８の下端の位置における貫通溝１８０の幅である。補強層における貫通溝１８０の最大幅は、補強層１６０の端面１６８の上端の位置における貫通溝１８０の幅である。

　補強層１６０の端面１６８の傾斜角度は、追加補強層３９０の端面３９８の傾斜角度より小さい。補強層１６０の端面１６８と追加補強層３９０の端面３９８との間には、段が形成されている。補強層１６０の端面１６８の下端は、追加補強層３９０の上面上に位置している。貫通溝１８０に隣接している、追加補強層３９０の上面の一部は、露出している。

　貫通溝１８０は、開口部１１３側の端部において最も狭くなっている。すなわち、上下方向における追加補強層３９０の端面３９８の下端の位置において、貫通溝１８０が最も狭くなっている。

　以下、本発明の実施形態３に係る圧電デバイスの製造方法について説明する。
　図３５は、本発明の実施形態３に係る圧電デバイスの製造方法において、図６に示す複数の層と追加補強層が積層された基部とを接合させる状態を示す断面図である。図３６は、本発明の実施形態３に係る圧電デバイスの製造方法において、補強層の下面に追加補強層を接合させた状態を示す断面図である。

　まず、本発明の実施形態１に係る圧電デバイス１００の製造方法と同様にして、単結晶圧電体層１３０の下側に密着層１５５および下部電極層１５０の各々を設ける。さらに、下部電極層１５０および単結晶圧電体層１３０の各々の下面に補強層１６０を設け、補強層１６０の下面を平坦にする。

　次に、図３５に示すように、表面活性化接合または原子拡散接合などにより、基部１１０の一方の主面１１１に追加補強層３９０を接合させる。

　図３５および図３６に示すように、表面活性化接合または原子拡散接合などにより、補強層１６０の下面に、追加補強層３９０が接合された基部１１０である基板を接合させる。

　図３７は、本発明の実施形態３に係る圧電デバイスの製造方法において、単結晶圧電体層の上面を削った状態を示す断面図である。図３７に示すように、単結晶圧電体層１３０の上面をＣＭＰなどにより削って、単結晶圧電体層１３０を所望の厚さにする。

　図３８は、本発明の実施形態３に係る圧電デバイスの製造方法において、単結晶圧電体層の上面に上部電極層を設けた状態を示す断面図である。図３８に示すように、リフトオフ法、めっき法、または、エッチング法などにより、単結晶圧電体層１３０の上面の一部に、上部電極層１４０を設ける。

　図３９は、本発明の実施形態３に係る圧電デバイスの製造方法において、単結晶圧電体層に孔部を設けた状態を示す断面図である。図３９に示すように、単結晶圧電体層１３０の一部をエッチングすることにより、孔部１３１を形成する。

　図４０は、本発明の実施形態３に係る圧電デバイスの製造方法において、単結晶圧電体層に貫通溝を設けた状態を示す断面図である。図４０に示すように、単結晶圧電体層１３０をエッチングすることにより、単結晶圧電体層１３０に貫通溝１８０を形成する。これにより、単結晶圧電体層１３０に、貫通溝１８０と接する端面１３８が形成される。

　図４１は、本発明の実施形態３に係る圧電デバイスの製造方法において、補強層の下面に達するように貫通溝を設けた状態を示す断面図である。図４１に示すように、下部電極層１５０および補強層１６０をエッチングすることにより、下部電極層１５０および補強層１６０の各々に貫通溝１８０を形成する。これにより、下部電極層１５０に、貫通溝１８０と接する端面１５８が形成される。補強層１６０に、貫通溝１８０と接する端面１６８が形成される。

　図４２は、本発明の実施形態３に係る圧電デバイスの製造方法において、追加補強層の下面に達するように貫通溝を設けた状態を示す断面図である。図４２に示すように、追加補強層３９０をエッチングすることにより、追加補強層３９０に貫通溝１８０を形成する。これにより、追加補強層３９０に、貫通溝１８０と接する端面３９８が形成される。

　図４３は、本発明の実施形態３に係る圧電デバイスの製造方法において、開口部を形成した状態を示す断面図である。図４３に示すように、基部１１０の他方の主面１１２側から深堀反応性イオンエッチングなどを行なうことにより、基部１１０に開口部１１３を形成する。これにより、本実施形態に係る圧電デバイス３００において、メンブレン部Ｍｂが形成される。

　最後に、リフトオフ法、めっき法またはエッチング法などにより、第１引出配線１７１および第２引出配線１７２の各々が設けられる。上記の工程により、図３４に示すような本発明の実施形態３に係る圧電デバイス３００が製造される。

　上記のように、本発明の実施形態３に係る圧電デバイス３００においては、貫通溝１８０の幅は、単結晶圧電体層１３０および補強層の各々において、下方に行くにしたがって狭くなっている。単結晶圧電体層１３０と補強層とにおいて、下側に位置する層における貫通溝１８０の最大幅は、上側に位置する層における貫通溝１８０の最小幅より小さい。

　これにより、メンブレン部Ｍｂが上下に振動する際の貫通溝１８０を通過する流体との粘性抵抗を小さくして、圧電デバイス３００の励振効率を高くすることができる。

　本実施形に係る圧電デバイス３００においては、上側端面である単結晶圧電体層１３０の端面１３８の傾斜角度は、下側端面である補強層１６０の端面１６８および追加補強層３９０の端面３９８の各々の傾斜角度より小さい。これにより、単結晶圧電体層１３０の端面１３８における粘性抵抗を効果的に低下させることができる。

　以下、本発明の実施形態３に係る圧電デバイス３００の変形例について説明する。
　図４４は、本発明の実施形態３の第１変形例に係る圧電デバイスの構成を示す断面図である。図４４においては、図３４と同一の断面視にて図示している。図４４に示すように、本発明の実施形態３の第１変形例に係る圧電デバイス３００ａにおいては、下側端面である補強層１６０の端面１６８ａおよび追加補強層３９０の端面３９８ａの各々の傾斜角度は、上側端面である単結晶圧電体層１３０の端面１３８ａの傾斜角度より小さい。傾斜角度は、端面１３８ａ、端面１６８ａ、端面３９８ａの順に小さくなっている。中間端面である下部電極層１５０の端面１５８ａは、下側端面である端面１６８ａの延長面上に位置しており、端面１６８ａと連続している。これにより、補強層１６０の端面１６８ａおよび追加補強層３９０の端面３９８ａの各々における粘性抵抗を効果的に低下させることができる。

　図４５は、本発明の実施形態３の第２変形例に係る圧電デバイスの構成を示す断面図である。図４５においては、図３４と同一の断面視にて図示している。図４５に示すように、本発明の実施形態３の第２変形例に係る圧電デバイス３００ｂにおいては、上側端面である単結晶圧電体層１３０の端面１３８ｂの傾斜角度は、下側端面である補強層１６０の端面１６８ｂおよび追加補強層３９０の端面３９８の各々の傾斜角度より小さい。傾斜角度は、端面３９８、端面１６８ｂ、端面１３８ｂの順に小さくなっている。単結晶圧電体層１３０と補強層とにおいて、下側に位置する層における貫通溝１８０と接する下側端面と、上側に位置する層における貫通溝１８０と接する上側端面とは、上部電極層１４０または下部電極層１５０における貫通溝１８０と接する中間端面を介して連続している。

　本変形例においては、下側端面である補強層１６０の端面１６８ｂと、上側端面である単結晶圧電体層１３０の端面１３８ｂとは、中間端面である下部電極層１５０の端面１５８ｂを介して連続している。

　これにより、メンブレン部Ｍｂが上下に振動する際の貫通溝１８０を通過する流体との粘性抵抗を効果的に小さくして、圧電デバイス３００ｂの励振効率を高くすることができる。さらに、単結晶圧電体層１３０と下部電極層１５０との間への応力集中を緩和して、単結晶圧電体層１３０と下部電極層１５０との間における層間剥離の発生を抑制することができる。

　図４６は、本発明の実施形態３の第３変形例に係る圧電デバイスの構成を示す断面図である。図４６においては、図３４と同一の断面視にて図示している。図４６に示すように、本発明の実施形態３の第３変形例に係る圧電デバイス３００ｃにおいては、下側端面である補強層１６０の端面１６８ｃおよび追加補強層３９０の端面３９８ａの各々の傾斜角度は、上側端面である単結晶圧電体層１３０の端面１３８ｃの傾斜角度より小さい。傾斜角度は、端面１３８ｃ、端面１６８ｃ、端面３９８ａの順に小さくなっている。これにより、補強層１６０の端面１６８ｃおよび追加補強層３９０の端面３９８ａの各々における粘性抵抗を効果的に低下させることができる。

　また、下側端面である補強層１６０の端面１６８ｃと、上側端面である単結晶圧電体層１３０の端面１３８ｃとは、中間端面である下部電極層１５０の端面１５８ｃを介して連続している。

　これにより、メンブレン部Ｍｂが上下に振動する際の貫通溝１８０を通過する流体との粘性抵抗を効果的に小さくして、圧電デバイス３００ｃの励振効率を高くすることができる。さらに、単結晶圧電体層１３０と下部電極層１５０との間への応力集中を緩和して、単結晶圧電体層１３０と下部電極層１５０との間における層間剥離の発生を抑制することができる。

　(実施形態４)
　以下、本発明の実施形態４に係る圧電デバイスについて図を参照して説明する。本発明の実施形態４に係る圧電デバイスは、基部および補強層の構成が主に、本発明の実施形態１に係る圧電デバイス１００と異なるため、本発明の実施形態１に係る圧電デバイス１００と同様である構成については説明を繰り返さない。

　図４７は、本発明の実施形態４に係る圧電デバイスの断面図である。図４７においては、図２と同一の断面視にて図示している。図４７に示すように、本発明の実施形態４に係る圧電デバイス４００は、基部１１０と、積層部４２０とを備えている。

　本実施形態においては、基部１１０は、本体基部１１０ａのみから構成されている。基部１１０の開口部１１３は、基部１１０の一方の主面１１１側に積層された積層部４２０によって上方から覆われている。

　積層部４２０は、少なくとも開口部１１３の上方において、単結晶圧電体層１３０と、上部電極層１４０と、下部電極層１５０と、補強層４６０とを含んでいる。積層部４２０は、中間層４９０をさらに含んでいる。

　積層部４２０は、開口部１１３を覆っている部分であるメンブレン部Ｍｂを有する。メンブレン部Ｍｂは、一方の主面１１１に直交する方向から見て、積層部４２０における開口部１１３の開口端の内側に位置する部分である。メンブレン部Ｍｂには、メンブレン部Ｍｂを上下方向に貫通する貫通溝１８０が設けられている。

　補強層４６０は、単結晶圧電体層１３０との間に上部電極層１４０を挟んでいる。補強層４６０の一部は、開口部１１３の上方に位置している。

　本実施形態において、補強層４６０は、Ｓｉ₃Ｎ₄で構成されている。補強層４６０の材料は、Ｓｉ₃Ｎ₄に限定されず、他の絶縁物でもよい。たとえば、補強層４６０は、電気絶縁性および断熱性を有する有機材料で構成されていてもよい。補強層４６０が電気抵抗率の低いＳｉで構成されている場合には、上部電極層１４０を設けずに、補強層４６０を上部電極層として機能させることが可能である。

　このように、積層部４２０は、少なくとも開口部１１３の上方において、単結晶圧電体層１３０と、上部電極層１４０と、下部電極層１５０と、補強層４６０とを含んでいる。

　中間層４９０は、単結晶圧電体層１３０との間に下部電極層１５０を挟んでいる。中間層４９０の下面には、基部１１０の開口部１１３と連通した開口部４９３が形成されている。開口部４９３は、開口部１１３の上方に位置している。開口部４９３によって、下部電極層１５０の下面の一部が露出している。開口部４９３によって露出した下部電極層１５０の下面の一部は、メンブレン部Ｍｂの下面を構成している。

　中間層４９０は、ＳｉＯ₂で構成されている。中間層４９０の材料は、ＳｉＯ₂に限定されず、絶縁物であればよい。たとえば、中間層４９０は、電気絶縁性および断熱性を有する有機材料で構成されていてもよい。

　上記のように、メンブレン部Ｍｂには、メンブレン部Ｍｂを上下方向に貫通する貫通溝１８０が設けられている。貫通溝１８０の幅は、単結晶圧電体層１３０および補強層４６０の各々において、下方に行くにしたがって狭くなっている。

　単結晶圧電体層１３０と補強層４６０とにおいて、下側に位置する層における貫通溝１８０の最大幅は、上側に位置する層における貫通溝の最小幅より小さい。本実施形態においては、単結晶圧電体層１３０が下側に位置する層であり、補強層４６０が上側に位置する層である。単結晶圧電体層１３０における貫通溝１８０の最大幅は、補強層４６０における貫通溝１８０の最小幅より小さい。

　具体的には、単結晶圧電体層１３０は、貫通溝１８０と接する端面１３８を有する。補強層４６０は、貫通溝１８０と接する端面４６８を有する。単結晶圧電体層１３０と補強層４６０との間に挟まれている上部電極層１４０は、端面１４８を有する。

　本実施形態においては、端面４６８が上側端面、端面１３８が下側端面、端面１４８が中間端面である。上側端面である端面４６８の傾斜角度は、下側端面である端面１３８の傾斜角度より小さい。すなわち、単結晶圧電体層１３０における貫通溝１８０の最小幅は、単結晶圧電体層１３０の端面１３８の下端の位置における貫通溝１８０の幅である。補強層４６０における貫通溝１８０の最大幅は、補強層４６０の端面４６８の上端の位置における貫通溝１８０の幅である。中間端面である端面１４８は、上側端面である端面４６８の延長面上に位置しており、端面４６８と連続している。

　貫通溝１８０は、開口部１１３側の端部において最も狭くなっている。すなわち、上下方向における下部電極層１５０の端面１５８の下端の位置において、貫通溝１８０が最も狭くなっている。

　以下、本発明の実施形態４に係る圧電デバイスの製造方法について説明する。
　図４８は、本発明の実施形態４に係る圧電デバイスの製造方法において、上部電極層および単結晶圧電体層の各々の上面に補強層を設けた状態を示す断面図である。まず、本発明の実施形態４に係る圧電デバイスの製造方法は、本発明の実施形態２に係る圧電デバイス２００の製造方法における図２６に示す工程までは、補強層２６０の代わりに中間層４９０を形成する以外は本発明の実施形態２に係る圧電デバイス２００の製造方法と同様である。

　次に、図４８に示すように、ＣＶＤ法またはＰＶＤ法などにより、上部電極層１４０および単結晶圧電体層１３０の各々の上面に、補強層４６０を設ける。

　図４９は、本発明の実施形態４に係る圧電デバイスの製造方法において、補強層の上面を平坦にした状態を示す断面図である。図４９に示すように、補強層４６０の上面をＣＭＰなどにより、平坦にする。

　図５０は、本発明の実施形態４に係る圧電デバイスの製造方法において、単結晶圧電体層および補強層の各々に孔部を設けた状態を示す断面図である。図５０に示すように、単結晶圧電体層１３０および補強層４６０の各々の一部をエッチングすることにより、単結晶圧電体層１３０に孔部１３１を形成し、補強層４６０に孔部４６１および孔部４６２の各々を形成する。

　図５１は、本発明の実施形態４に係る圧電デバイスの製造方法において、補強層および上部電極層の各々に貫通溝を設けた状態を示す断面図である。図５１に示すように、補強層４６０および上部電極層１４０をエッチングすることにより、補強層４６０および上部電極層１４０の各々に貫通溝１８０を形成する。これにより、補強層４６０に、貫通溝１８０と接する端面４６８が形成される。上部電極層１４０に、貫通溝１８０と接する端面１４８が形成される。

　図５２は、本発明の実施形態４に係る圧電デバイスの製造方法において、下部電極層の下面に達するように貫通溝を設けた状態を示す断面図である。図５２に示すように、単結晶圧電体層１３０および下部電極層１５０をエッチングすることにより、単結晶圧電体層１３０および下部電極層１５０の各々に貫通溝１８０を形成する。これにより、単結晶圧電体層１３０に、貫通溝１８０と接する端面１３８が形成される。下部電極層１５０に、貫通溝１８０と接する端面１５８が形成される。

　図５３は、本発明の実施形態４に係る圧電デバイスの製造方法において、開口部を形成した状態を示す断面図である。図５３に示すように、基部１１０の他方の主面１１２側から深堀反応性イオンエッチングなどを行なうことにより、基部１１０に開口部１１３を形成し、中間層４９０に開口部４９３を形成する。これにより、本実施形態に係る圧電デバイス４００において、メンブレン部Ｍｂが形成される。

　最後に、リフトオフ法、めっき法またはエッチング法などにより、第１引出配線１７１および第２引出配線１７２の各々が設けられる。上記の工程により、図４７に示すような本発明の実施形態４に係る圧電デバイス４００が製造される。

　上記のように、本発明の実施形態４に係る圧電デバイス４００においては、貫通溝１８０の幅は、単結晶圧電体層１３０および補強層４６０の各々において、下方に行くにしたがって狭くなっている。単結晶圧電体層１３０と補強層４６０とにおいて、下側に位置する層における貫通溝１８０の最大幅は、上側に位置する層における貫通溝１８０の最小幅より小さい。

　これにより、メンブレン部Ｍｂが上下に振動する際の貫通溝１８０を通過する流体との粘性抵抗を小さくして、圧電デバイス４００の励振効率を高くすることができる。

　本実施形に係る圧電デバイス４００においては、上側端面である補強層４６０の端面４６８の傾斜角度は、下側端面である単結晶圧電体層１３０の端面１３８の傾斜角度より小さい。これにより、補強層４６０の端面４６８における粘性抵抗を効果的に低下させることができる。

　以下、本発明の実施形態４に係る圧電デバイス４００の変形例について説明する。
　図５４は、本発明の実施形態４の第１変形例に係る圧電デバイスの構成を示す断面図である。図５４においては、図４７と同一の断面視にて図示している。

　図５４に示すように、本発明の実施形態４の第１変形例に係る圧電デバイス４００ａにおいては、下側端面である単結晶圧電体層１３０の端面１３８ａの傾斜角度は、上側端面である補強層４６０の端面４６８ａの傾斜角度より小さい。中間端面である上部電極層１４０の端面１４８ａは、上側端面である端面４６８ａの延長面上に位置しており、端面４６８ａと連続している。下部電極層１５０の端面１５８ａは、下側端面である端面１３８ａの延長面上に位置しており、端面１３８ａと連続している。これにより、単結晶圧電体層１３０の端面１３８ａにおける粘性抵抗を効果的に低下させることができる。

　図５５は、本発明の実施形態４の第２変形例に係る圧電デバイスの構成を示す断面図である。図５５においては、図４７と同一の断面視にて図示している。図５５に示すように、本発明の実施形態４の第２変形例に係る圧電デバイス４００ｂにおいては、単結晶圧電体層１３０と補強層４６０とにおいて、下側に位置する層における貫通溝１８０と接する下側端面と、上側に位置する層における貫通溝１８０と接する上側端面とは、上部電極層１４０または下部電極層１５０における貫通溝１８０と接する中間端面を介して連続している。

　本変形例においては、下側端面である単結晶圧電体層１３０の端面１３８と、上側端面である補強層４６０の端面４６８ｂとは、中間端面である上部電極層１４０の端面１４８ｂを介して連続している。

　これにより、メンブレン部Ｍｂが上下に振動する際の貫通溝１８０を通過する流体との粘性抵抗を効果的に小さくして、圧電デバイス４００ｂの励振効率を高くすることができる。さらに、単結晶圧電体層１３０と上部電極層１４０との間への応力集中を緩和して、単結晶圧電体層１３０と上部電極層１４０との間における層間剥離の発生を抑制することができる。

　図５６は、本発明の実施形態４の第３変形例に係る圧電デバイスの構成を示す断面図である。図５６においては、図４７と同一の断面視にて図示している。図５６に示すように、本発明の実施形態４の第３変形例に係る圧電デバイス４００ｃにおいては、下側端面である単結晶圧電体層１３０の端面１３８ｃの傾斜角度は、上側端面である補強層４６０の端面４６８ｃの傾斜角度より小さい。これにより、単結晶圧電体層１３０の端面１３８ｃにおける粘性抵抗を効果的に低下させることができる。

　また、下側端面である単結晶圧電体層１３０の端面１３８ｃと、上側端面である補強層４６０の端面４６８ｃとは、中間端面である上部電極層１４０の端面１４８ｃを介して連続している。下部電極層１５０の端面１５８ｃは、下側端面である端面１３８ｃの延長面上に位置しており、端面１３８ｃと連続している。

　これにより、メンブレン部Ｍｂが上下に振動する際の貫通溝１８０を通過する流体との粘性抵抗を効果的に小さくして、圧電デバイス４００ｃの励振効率を高くすることができる。さらに、単結晶圧電体層１３０と上部電極層１４０との間への応力集中を緩和して、単結晶圧電体層１３０と上部電極層１４０との間における層間剥離の発生を抑制することができる。

　(実施形態５)
　以下、本発明の実施形態５に係る圧電デバイスについて図を参照して説明する。本発明の実施形態５に係る圧電デバイスは、補強層が下部電極層を兼ねている点が本発明の実施形態１に係る圧電デバイス１００と異なるため、本発明の実施形態１に係る圧電デバイス１００と同様である構成については説明を繰り返さない。

　図５７は、本発明の実施形態５に係る圧電デバイスの断面図である。図５７においては、図２と同一の断面視にて図示している。図５７に示すように、本発明の実施形態５に係る圧電デバイス５００は、基部１１０と、積層部５２０とを備えている。

　積層部５２０は、少なくとも開口部１１３の上方において、単結晶圧電体層１３０と、上部電極層１４０と、補強層５６０とを含んでいる。

　積層部５２０は、開口部１１３を覆っている部分であるメンブレン部Ｍｂを有する。メンブレン部Ｍｂは、一方の主面１１１に直交する方向から見て、積層部５２０における開口部１１３の開口端の内側に位置する部分である。メンブレン部Ｍｂには、メンブレン部Ｍｂを上下方向に貫通する貫通溝１８０が設けられている。

　上部電極層１４０は、単結晶圧電体層１３０に隣接配置されている。上部電極層１４０は、単結晶圧電体層１３０の上側に配置されている。

　補強層５６０は、単結晶圧電体層１３０を挟んで上部電極層１４０の少なくとも一部に対向している。補強層５６０は、単結晶圧電体層１３０の下面に隣接している。

　補強層５６０の一部は、開口部１１３の上方に位置している。補強層５６０の一部は、開口部１１３を覆っている。開口部１１３を覆っていない部分の補強層５６０と基部１１０とは互いに直接接続されている。なお、開口部１１３を覆っていない部分の補強層５６０と基部１１０とは互いに直接接続されていなくてもよい。開口部１１３を覆っていない部分の補強層５６０と基部１１０とは、金属層を介して互いに接続されていてもよい。

　補強層５６０は、Ｓｉで構成されている。基部１１０と補強層５６０とは、ＳＯＩ基板である。補強層５６０の材料は、Ｓｉに限定されず、導電性を有する材料であればよい。

　貫通溝１８０の幅は、単結晶圧電体層１３０および補強層５６０の各々において、下方に行くにしたがって狭くなっている。単結晶圧電体層１３０と補強層５６０とにおいて、下側に位置する層における貫通溝１８０の最大幅は、上側に位置する層における貫通溝の最小幅より小さい。本実施形態においては、補強層５６０が下側に位置する層であり、単結晶圧電体層１３０が上側に位置する層である。補強層５６０における貫通溝１８０の最大幅は、単結晶圧電体層１３０における貫通溝１８０の最小幅より小さい。

　補強層５６０は、貫通溝１８０と接する端面５６８を有する。本実施形態においては、端面１３８が上側端面、端面５６８が下側端面である。上側端面である端面１３８の傾斜角度は、下側端面である端面５６８の傾斜角度より小さい。なお、下側端面である端面５６８の傾斜角度が、上側端面である端面１３８の傾斜角度より小さくてもよい。

　単結晶圧電体層１３０における貫通溝１８０の最小幅は、単結晶圧電体層１３０の端面１３８の下端の位置における貫通溝１８０の幅である。補強層５６０における貫通溝１８０の最大幅は、補強層５６０の端面５６８の上端の位置における貫通溝１８０の幅である。図５７に示すように、貫通溝１８０の幅は、貫通溝１８０の上端から下端に向かうに従って狭くなっている。

　貫通溝１８０は、開口部１１３側の端部において最も狭くなっている。すなわち、上下方向における補強層５６０の端面５６８の下端の位置において、貫通溝１８０が最も狭くなっている。

　以下、本発明の実施形態５に係る圧電デバイスの製造方法について説明する。図５８は、本発明の実施形態５に係る圧電デバイスの製造方法において、ＳＯＩ基板に単結晶圧電体層を接合させる状態を示す断面図である。図５８に示すように、表面活性化接合または原子拡散接合などにより、単結晶圧電体層１３０の下面に、ＳＯＩ基板を接合させる。

　図５９は、本発明の実施形態５に係る圧電デバイスの製造方法において、単結晶圧電体層の上面を削った状態を示す断面図である。図９に示すように、単結晶圧電体層１３０の上面をＣＭＰなどにより削って、単結晶圧電体層１３０を所望の厚さにする。なお、単結晶圧電体層１３０の上面側に、予めイオン注入することにより、剥離層を形成していてもよい。この場合、単結晶圧電体層１３０の上面を切削またはＣＭＰなどにより削る前に、剥離層を剥離させることにより、単結晶圧電体層１３０の厚み調整が容易になる。単結晶圧電体層１３０の厚さは、電圧の印加による単結晶圧電体層１３０の所望の励振が得られるように調整される。

　図６０は、本発明の実施形態５に係る圧電デバイスの製造方法において、単結晶圧電体層の上面に上部電極層を設けた状態を示す断面図である。図６０に示すように、リフトオフ法、めっき法、または、エッチング法などにより、単結晶圧電体層１３０の上面の一部に、上部電極層１４０を設ける。

　図６１は、本発明の実施形態５に係る圧電デバイスの製造方法において、単結晶圧電体層に孔部を設けた状態を示す断面図である。図６１に示すように、単結晶圧電体層１３０の一部をエッチングすることにより、孔部１３１を形成する。

　図６２は、本発明の実施形態５に係る圧電デバイスの製造方法において、単結晶圧電体層に貫通溝を設けた状態を示す断面図である。図６２に示すように、単結晶圧電体層１３０をエッチングすることにより、単結晶圧電体層１３０に貫通溝１８０を形成する。これにより、単結晶圧電体層１３０に、貫通溝１８０と接する端面１３８が形成される。

　図６３は、本発明の実施形態５に係る圧電デバイスの製造方法において、補強層の下面に達するように貫通溝を設けた状態を示す断面図である。図６３に示すように、補強層５６０をエッチングすることにより、補強層５６０に貫通溝１８０を形成する。これにより、補強層５６０に、貫通溝１８０と接する端面５６８が形成される。

　図６４は、本発明の実施形態５に係る圧電デバイスの製造方法において、開口部を形成した状態を示す断面図である。図６４に示すように、基部１１０の他方の主面１１２側から基部１１０に対して、深堀反応性イオンエッチングなどにより、基部１１０に開口部１１３を形成する。これにより、本実施形態に係る圧電デバイス５００において、メンブレン部Ｍｂが形成される。

　最後に、リフトオフ法、めっき法またはエッチング法などにより、第１引出配線１７１および第２引出配線１７２の各々が設けられる。上記の工程により、図５７に示すような本発明の実施形態５に係る圧電デバイス５００が製造される。

　上記のように、本発明の実施形態５に係る圧電デバイス５００においては、貫通溝１８０の幅は、単結晶圧電体層１３０および補強層５６０の各々において、下方に行くにしたがって狭くなっている。単結晶圧電体層１３０と補強層５６０とにおいて、下側に位置する層における貫通溝１８０の最大幅は、上側に位置する層における貫通溝１８０の最小幅より小さい。

　本実施形に係る圧電デバイス５００においては、上側端面である単結晶圧電体層１３０の端面１３８の傾斜角度は、下側端面である補強層５６０の端面１６８の傾斜角度より小さい。これにより、単結晶圧電体層１３０の端面１３８における粘性抵抗を効果的に低下させることができる。また、補強層５６０を下部電極層として機能させることにより、圧電デバイス５００の構成を簡易にすることができる。

　(実施形態６)
　以下、本発明の実施形態６に係る圧電デバイスについて図を参照して説明する。本発明の実施形態６に係る圧電デバイスは、補強層が上部電極層を兼ねている点が本発明の実施形態４に係る圧電デバイス４００と異なるため、本発明の実施形態４に係る圧電デバイス４００と同様である構成については説明を繰り返さない。

　図６５は、本発明の実施形態６に係る圧電デバイスの断面図である。図６５においては、図２と同一の断面視にて図示している。図６５に示すように、本発明の実施形態６に係る圧電デバイス６００は、基部１１０と、積層部６２０とを備えている。

　本実施形態においては、基部１１０は、本体基部１１０ａのみから構成されている。基部１１０の開口部１１３は、基部１１０の一方の主面１１１側に積層された積層部６２０によって上方から覆われている。

　積層部６２０は、少なくとも開口部１１３の上方において、単結晶圧電体層１３０と、下部電極層１５０と、補強層６６０とを含んでいる。積層部６２０は、中間層４９０をさらに含んでいる。

　積層部６２０は、開口部１１３を覆っている部分であるメンブレン部Ｍｂを有する。メンブレン部Ｍｂは、一方の主面１１１に直交する方向から見て、積層部６２０における開口部１１３の開口端の内側に位置する部分である。メンブレン部Ｍｂには、メンブレン部Ｍｂを上下方向に貫通する貫通溝１８０が設けられている。

　下部電極層１５０は、単結晶圧電体層１３０に隣接配置されている。下部電極層１５０は、単結晶圧電体層１３０の下側に配置されている。

　補強層６６０は、単結晶圧電体層１３０を挟んで下部電極層１５０の少なくとも一部に対向している。補強層６６０は、単結晶圧電体層１３０の上面に隣接している。補強層６６０の一部は、開口部１１３の上方に位置している。補強層６６０の一部は、開口部１１３を覆っている。

　補強層６６０は、Ｓｉで構成されている。補強層６６０の材料は、Ｓｉに限定されず、導電性を有する材料であればよい。

　貫通溝１８０の幅は、単結晶圧電体層１３０および補強層６６０の各々において、下方に行くにしたがって狭くなっている。単結晶圧電体層１３０と補強層６６０とにおいて、下側に位置する層における貫通溝１８０の最大幅は、上側に位置する層における貫通溝の最小幅より小さい。本実施形態においては、単結晶圧電体層１３０が下側に位置する層であり、補強層６６０が上側に位置する層である。単結晶圧電体層１３０における貫通溝１８０の最大幅は、補強層６６０における貫通溝１８０の最小幅より小さい。

　補強層６６０は、貫通溝１８０と接する端面６６８を有する。本実施形態においては、端面６６８が上側端面、端面１３８が下側端面である。上側端面である端面６６８の傾斜角度は、下側端面である端面１３８の傾斜角度より小さい。なお、下側端面である端面１３８の傾斜角度が、上側端面である端面６６８の傾斜角度より小さくてもよい。

　単結晶圧電体層１３０における貫通溝１８０の最小幅は、単結晶圧電体層１３０の端面１３８の下端の位置における貫通溝１８０の幅である。補強層６６０における貫通溝１８０の最大幅は、補強層６６０の端面６６８の上端の位置における貫通溝１８０の幅である。図６５に示すように、貫通溝１８０の幅は、貫通溝１８０の上端から下端に向かうに従って狭くなっている。

　以下、本発明の実施形態６に係る圧電デバイスの製造方法について説明する。
　図６６は、本発明の実施形態６に係る圧電デバイスの製造方法において、単結晶圧電体層の各々の上面に補強層を設けた状態を示す断面図である。まず、本発明の実施形態６に係る圧電デバイスの製造方法は、本発明の実施形態２に係る圧電デバイス２００の製造方法における図２５に示す工程までは、補強層２６０の代わりに中間層４９０を形成する以外は本発明の実施形態２に係る圧電デバイス２００の製造方法と同様である。

　次に、図６６に示すように、ＣＶＤ法またはＰＶＤ法などにより、単結晶圧電体層１３０の上面に、補強層６６０を設ける。

　図６７は、本発明の実施形態６に係る圧電デバイスの製造方法において、単結晶圧電体層および補強層の各々に孔部を設けた状態を示す断面図である。図６７に示すように、単結晶圧電体層１３０および補強層６６０の各々の一部をエッチングすることにより、単結晶圧電体層１３０に孔部１３１を形成し、補強層６６０に孔部６６１を形成する。

　図６８は、本発明の実施形態６に係る圧電デバイスの製造方法において、補強層に貫通溝を設けた状態を示す断面図である。図６８に示すように、補強層６６０をエッチングすることにより、補強層６６０に貫通溝１８０を形成する。これにより、補強層６６０に、貫通溝１８０と接する端面６６８が形成される。

　図６９は、本発明の実施形態６に係る圧電デバイスの製造方法において、下部電極層の下面に達するように貫通溝を設けた状態を示す断面図である。図６９に示すように、単結晶圧電体層１３０および下部電極層１５０をエッチングすることにより、単結晶圧電体層１３０および下部電極層１５０の各々に貫通溝１８０を形成する。これにより、単結晶圧電体層１３０に、貫通溝１８０と接する端面１３８が形成される。下部電極層１５０に、貫通溝１８０と接する端面１５８が形成される。

　図７０は、本発明の実施形態６に係る圧電デバイスの製造方法において、開口部を形成した状態を示す断面図である。図７０に示すように、基部１１０の他方の主面１１２側から深堀反応性イオンエッチングなどを行なうことにより、基部１１０に開口部１１３を形成し、中間層４９０に開口部４９３を形成する。これにより、本実施形態に係る圧電デバイス６００において、メンブレン部Ｍｂが形成される。

　最後に、リフトオフ法、めっき法またはエッチング法などにより、第１引出配線１７１および第２引出配線１７２の各々が設けられる。上記の工程により、図６５に示すような本発明の実施形態６に係る圧電デバイス６００が製造される。

　上記のように、本発明の実施形態６に係る圧電デバイス６００においては、貫通溝１８０の幅は、単結晶圧電体層１３０および補強層６６０の各々において、下方に行くにしたがって狭くなっている。単結晶圧電体層１３０と補強層６６０とにおいて、下側に位置する層における貫通溝１８０の最大幅は、上側に位置する層における貫通溝１８０の最小幅より小さい。

　これにより、メンブレン部Ｍｂが上下に振動する際の貫通溝１８０を通過する流体との粘性抵抗を小さくして、圧電デバイス６００の励振効率を高くすることができる。

　本実施形に係る圧電デバイス６００においては、上側端面である補強層６６０の端面６６８の傾斜角度は、下側端面である単結晶圧電体層１３０の端面１３８の傾斜角度より小さい。これにより、補強層６６０の端面６６８における粘性抵抗を効果的に低下させることができる。また、補強層６６０を上部電極層として機能させることにより、圧電デバイス６００の構成を簡易にすることができる。

　(実施形態７)
　以下、本発明の実施形態７に係る圧電デバイスについて図を参照して説明する。本発明の実施形態７に係る圧電デバイスは、補強層における貫通溝の幅が下方に行くにしたがって広くなっている点が本発明の実施形態１に係る圧電デバイス１００と異なるため、本発明の実施形態１に係る圧電デバイス１００と同様である構成については説明を繰り返さない。

　図７１は、本発明の実施形態７に係る圧電デバイスの断面図である。図７１においては、図２と同一の断面視にて図示している。図７１に示すように、本発明の実施形態７に係る圧電デバイス７００は、基部１１０と、積層部１２０とを備えている。

　本実施形態においては、単結晶圧電体層１３０における貫通溝１８０の幅は、下方に行くにしたがって狭くなっている。補強層１６０における貫通溝１８０の幅は、下方に行くにしたがって広くなっている。

　貫通溝１８０は、下部電極層１５０において最も狭くなっている。具体的には、上下方向における下部電極層１５０の端面１５８の上端の位置において、貫通溝１８０が最も狭くなっている。

　以下、本発明の実施形態７に係る圧電デバイスの製造方法について説明する。
　図７２は、本発明の実施形態７に係る圧電デバイスの製造方法において、開口部を形成した状態を示す断面図である。まず、本発明の実施形態７に係る圧電デバイスの製造方法は、本発明の実施形態１に係る圧電デバイス１００の製造方法における図１２に示す工程までは、本発明の実施形態１に係る圧電デバイス１００の製造方法と同様である。

　図７２に示すように、基部１１０の他方の主面１１２側から基部１１０に対して、深堀反応性イオンエッチングなどにより、基部１１０に開口部１１３を形成する。これにより、本実施形態に係る圧電デバイス７００において、メンブレン部Ｍｂが形成される。

　図７３は、本発明の実施形態７に係る圧電デバイスの製造方法において、開口部側から下部電極層の上面に達するように貫通溝を設けた状態を示す断面図である。図７３に示すように、開口部１１３側から下部電極層１５０および補強層１６０をエッチングすることにより、下部電極層１５０および補強層１６０の各々に貫通溝１８０を形成する。これにより、下部電極層１５０に、貫通溝１８０と接する端面１５８が形成される。補強層１６０に、貫通溝１８０と接する端面１６８が形成される。

　図７３に示すように、単結晶圧電体層１３０と補強層１６０とにおいて、上側に位置する層における貫通溝１８０の最大幅はｄｕであり、上側に位置する層における貫通溝１８０の最小幅はｄｍ３であり、下側に位置する層における貫通溝１８０の最大幅はｄｂである。ｄｕ＞ｄｍ３＞ｄｂの関係が満たされている。下部電極層１５０における貫通溝１８０の最小幅はｄｍ４である。ｄｂ＞ｄｍ４の関係が満たされている。

　最後に、リフトオフ法、めっき法またはエッチング法などにより、第１引出配線１７１および第２引出配線１７２の各々が設けられる。上記の工程により、図７３に示すような本発明の実施形態７に係る圧電デバイス７００が製造される。

　図７４は、本発明の実施形態７に係る圧電デバイスにおけるメンブレン部の貫通溝の縦断面形状の模式図である。図７４に示すように、ｄｕ＞ｄｍ３＞ｄｂ＞ｄｍ４の関係が満たされていることにより、上側から貫通溝１８０に浸入する流体Ｆ１に対する粘性抵抗、および、下側から貫通溝１８０に浸入する流体Ｆ２に対する粘性抵抗の、各々を小さくすることができる。

　これにより、メンブレン部Ｍｂが上下に振動する際の貫通溝１８０を通過する流体との粘性抵抗を効果的に小さくして、圧電デバイス７００の励振効率を高くすることができる。

　上述した実施形態の説明において、組み合わせ可能な構成を相互に組み合わせてもよい。

　今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。

　１００，１００ａ，１００ｂ，１００ｃ，２００，２００ａ，２００ｂ，２００ｃ，３００，３００ａ，３００ｂ，３００ｃ，４００，４００ａ，４００ｂ，４００ｃ，５００，６００，７００　圧電デバイス、１１０　基部、１１０ａ　本体基部、１１０ｂ　表層基部、１１１　一方の主面、１１２　他方の主面、１１３，２６３，４９３　開口部、１２０，２２０，３２０，４２０，５２０，６２０　積層部、１３０　単結晶圧電体層、１３１，４６１，４６２，６６１　孔部、１３８，１３８ａ，１３８ｂ，１３８ｃ，１４８，１４８ａ，１４８ｂ，１４８ｃ，１５８，１５８ａ，１５８ｂ，１５８ｃ，１６８，１６８ａ，１６８ｂ，１６８ｃ，２６８，２６８ａ，３９８，３９８ａ，４６８，４６８ａ，４６８ｂ，４６８ｃ，５６８，６６８　端面、１４０　上部電極層、１５０　下部電極層、１５５　密着層、１６０，２６０，４６０，５６０，６６０　補強層、１７１　第１引出配線、１７２　第２引出配線、１８０　貫通溝、２６１　上底面、３９０　追加補強層、４９０　中間層、Ｍｂ　メンブレン部。

Claims

　一方の主面と、該一方の主面とは反対側に位置する他方の主面とを含み、かつ、前記一方の主面から前記他方の主面まで貫通した開口部を有する基部と、
　前記基部の前記一方の主面側に積層され、前記開口部を上方から覆う積層部とを備え、
　前記積層部は、少なくとも前記開口部の上方において、単結晶圧電体層と、該単結晶圧電体層の上側に配置された上部電極層と、前記単結晶圧電体層を挟んで前記上部電極層の少なくとも一部に対向する下部電極層と、前記単結晶圧電体層との間に前記上部電極層または前記下部電極層を挟む補強層とを含み、かつ、前記開口部を覆っている部分であるメンブレン部を有し、
　前記メンブレン部には、上下方向に貫通する貫通溝が設けられており、
　前記単結晶圧電体層における前記貫通溝の幅は、下方に行くにしたがって狭くなっており、
　前記単結晶圧電体層と前記補強層とにおいて、下側に位置する層における前記貫通溝の最大幅は、上側に位置する層における前記貫通溝の最小幅より小さい、圧電デバイス。
　前記補強層における前記貫通溝の幅は、下方に行くにしたがって狭くなっている、請求項１に記載の圧電デバイス。
　前記単結晶圧電体層と前記補強層とにおいて、前記下側に位置する層における前記貫通溝と接する下側端面と、前記上側に位置する層における前記貫通溝と接する上側端面とは、前記上部電極層または前記下部電極層における前記貫通溝と接する中間端面を介して連続している、請求項１または請求項２に記載の圧電デバイス。
　前記下側端面の傾斜角度は、前記上側端面の傾斜角度より小さい、請求項３に記載の圧電デバイス。
　前記上側端面の傾斜角度は、前記下側端面の傾斜角度より小さい、請求項３に記載の圧電デバイス。
　前記単結晶圧電体層は、タンタル酸リチウムまたはニオブ酸リチウムで構成されている、請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の圧電デバイス。
　一方の主面と、該一方の主面とは反対側に位置する他方の主面とを含み、かつ、前記一方の主面から前記他方の主面まで貫通した開口部を有する基部と、
　前記基部の前記一方の主面側に積層され、前記開口部を上方から覆う積層部とを備え、
　前記積層部は、少なくとも前記開口部の上方において、単結晶圧電体層と、該単結晶圧電体層に隣接配置された電極層と、前記単結晶圧電体層を挟んで前記電極層の少なくとも一部に対向し、導電性を有する補強層とを含み、かつ、前記開口部を覆っている部分であるメンブレン部を有し、
　前記メンブレン部には、上下方向に貫通する貫通溝が設けられており、
　前記貫通溝の幅は、前記単結晶圧電体層および前記補強層の各々において、下方に行くにしたがって狭くなっており、
　前記単結晶圧電体層と前記補強層とにおいて、下側に位置する層における前記貫通溝の最大幅は、上側に位置する層における前記貫通溝の最小幅より小さい、圧電デバイス。
　前記単結晶圧電体層と前記補強層とにおいて、前記下側に位置する層における前記貫通溝と接する下側端面の傾斜角度は、前記上側に位置する層における前記貫通溝と接する上側端面の傾斜角度より小さい、請求項７に記載の圧電デバイス。
　前記単結晶圧電体層と前記補強層とにおいて、前記上側に位置する層における前記貫通溝と接する上側端面の傾斜角度は、前記下側に位置する層における前記貫通溝と接する下側端面の傾斜角度より小さい、請求項７に記載の圧電デバイス。