WO2020229927A1 - 検索方法、検索装置、および検索システム - Google Patents

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WO2020229927A1
WO2020229927A1 PCT/IB2020/054055 IB2020054055W WO2020229927A1 WO 2020229927 A1 WO2020229927 A1 WO 2020229927A1 IB 2020054055 W IB2020054055 W IB 2020054055W WO 2020229927 A1 WO2020229927 A1 WO 2020229927A1
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WO
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node
circuit diagram
graph
terminal
circuit
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PCT/IB2020/054055
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English (en)
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郷戸宏充
福留貴浩
岡本悟
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株式会社半導体エネルギー研究所
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Definitions

  • One aspect of the present invention relates to a search method, a search device, and a search system.
  • it relates to a circuit diagram and a search method, a search device, and a search system for texts related to the circuit diagram.
  • a graph consists of a set of vertices (nodes) and edges (edges), and is used as a means for expressing a network structure such as a connection between people in a community and a transportation network (Patent Document 1).
  • Non-Patent Document 1 discloses a method of calculating the similarity between graphs.
  • One aspect of the present invention is to provide a method for searching a circuit diagram. Further, one aspect of the present invention is to provide a circuit diagram search device. Another object of the present invention is to provide a circuit diagram search system. Another object of one aspect of the present invention is to provide a method for searching a sentence for explaining a circuit diagram. Further, one aspect of the present invention is to provide a text search device for explaining a circuit diagram. Another object of one aspect of the present invention is to provide a text search system for explaining a circuit diagram.
  • One aspect of the present invention is a means for inputting the first circuit diagram information to the terminal, a database in which the second circuit diagram information is registered, and the input first circuit diagram information is converted into the first graph.
  • the search system includes means for calculating the similarity between the first graph and the second graph based on the second circuit diagram information, and means for displaying the similarity on the terminal.
  • the search system has a server connected to the terminal via a network, and the database is stored in the server.
  • the first circuit diagram information is a circuit element constituting the circuit diagram.
  • the first circuit diagram information is preferably text explaining the circuit diagram.
  • one aspect of the present invention is a step of converting the first circuit diagram information input to the terminal into the first graph, and the degree of similarity between the first graph and the second graph registered in the database.
  • This is a search method having a step of calculating the above and a step of displaying the similarity on the terminal.
  • the first circuit diagram information is a circuit element constituting the circuit diagram.
  • the first circuit diagram information is preferably text explaining the circuit diagram.
  • One aspect of the present invention makes it possible to provide a method for searching a circuit diagram. Further, one aspect of the present invention makes it possible to provide a circuit diagram search device. Moreover, one aspect of the present invention makes it possible to provide a circuit diagram search system. Further, one aspect of the present invention makes it possible to provide a method for searching a sentence explaining a circuit diagram. Further, according to one aspect of the present invention, it becomes possible to provide a text search device for explaining a circuit diagram. In addition, one aspect of the present invention makes it possible to provide a text search system for explaining a circuit diagram.
  • 1A1 to 1F2 show a circuit element or a graph corresponding to the circuit element, and are views for explaining one aspect of the present invention.
  • 2A1 to 2F2 show a circuit element or a graph corresponding to the circuit element, and are views for explaining one aspect of the present invention.
  • 3A1 to 3G2 show a circuit element or a graph corresponding to the circuit element, and are views for explaining one aspect of the present invention.
  • 4A and 4B are diagrams showing a circuit diagram or a graph corresponding to the circuit diagram and explaining one aspect of the present invention.
  • 5A and 5B are diagrams showing a circuit diagram or a graph corresponding to the circuit diagram and explaining one aspect of the present invention.
  • FIG. 6A and 6B show a circuit diagram or a graph corresponding to the circuit diagram, and are diagrams illustrating one aspect of the present invention.
  • 7A and 7B are schematic views illustrating an operation method of a terminal used for a circuit diagram search of one aspect of the present invention.
  • FIG. 8A is a schematic diagram illustrating an operation method of the terminal used for the circuit diagram search of one aspect of the present invention.
  • 8B and 8C are examples of circuit diagrams of one aspect of the present invention.
  • FIG. 9 is a schematic diagram illustrating a terminal according to an aspect of the present invention.
  • FIG. 10 is a schematic diagram illustrating a network used for a circuit diagram search of one aspect of the present invention.
  • FIGS. 11A1 to 11E2 are diagrams illustrating a method of calculating the degree of similarity between graphs according to one aspect of the present invention.
  • FIG. 12 is a flowchart illustrating one aspect of the present invention.
  • FIG. 13 is a flowchart illustrating one aspect of the present invention.
  • 14A and 14B are schematic views illustrating an operation method of a terminal used for a circuit diagram search of one aspect of the present invention.
  • FIG. 15 is a diagram illustrating an embodiment of the present invention.
  • 16A to 16D are diagrams illustrating an embodiment of the present invention.
  • the graph is a data structure composed of vertices (nodes) and edges (edges), and represents the connection between the data.
  • edges edges
  • FIG. 1A1 shows the circuit symbol of the NMOS transistor
  • FIG. 1A2 shows the corresponding graph.
  • the graph of FIG. 1A2 is composed of one node N, two nodes Nsd, and one node Ng.
  • Node Ng represents a gate and node Nsd represents a source or drain.
  • Node Ng and Nsd are each connected to node N.
  • node N is an element node
  • nodes Ng and Nsd are terminal nodes.
  • a plurality of terminal nodes are connected to one element node.
  • FIG. 1B1 shows the circuit symbol of the MOSFET transistor
  • FIG. 1B2 shows the corresponding graph.
  • the graph of FIG. 1B2 is composed of one node P, two node Psd, and one node Pg.
  • the node Pg represents the gate and the node Psd represents the source or drain.
  • the node P is an element node, and the nodes Pg and Psd are terminal nodes connected to the node P, respectively.
  • FIG. 1C1 shows the circuit symbol of the NMOS transistor
  • FIG. 1C2 shows the corresponding graph.
  • the NMOS transistor shown in FIG. 1C1 is used when the source / drain is distinguished (the one with the arrow is the source).
  • the graph of FIG. 1C2 is composed of one node N, one node Ng, one node Ns, and one node Nd.
  • Node Ng represents the gate
  • node Ns represents the source
  • node Nd represents the drain.
  • Node N is an element node
  • nodes Ng, Ns, and Nd are terminal nodes connected to node N, respectively.
  • FIG. 1D1 shows the circuit symbol of the MOSFET transistor
  • FIG. 1D2 shows the corresponding graph.
  • the MOSFET transistor shown in FIG. 1D1 is used when the source / drain is distinguished (the one with the arrow is the source).
  • the graph of FIG. 1D2 is composed of one node P, one node Pg, one node Ps, and one node Pd.
  • Node Pg represents the gate
  • node Ps represents the source
  • node Pd represents the drain.
  • the node P is an element node
  • the nodes Pg, Ps, and Pd are terminal nodes connected to the node P, respectively.
  • FIG. 1E1 shows the circuit symbol of an NMOS transistor having two gate electrodes
  • FIG. 1E2 shows the corresponding graph.
  • the graph of FIG. 1E2 is composed of one node N, two node Nsd, one node Ng, and one node Nbg.
  • Node Ng represents a first gate (also referred to as a front gate)
  • node Nbg represents a second gate (also referred to as a back gate)
  • node Nsd represents a source or drain.
  • Node N is an element node
  • nodes Ng, Nbg, and Nsd are terminal nodes connected to node N, respectively.
  • a graph of a MOSFET transistor having two gate electrodes can be defined in the same manner.
  • FIG. 1F1 shows a circuit symbol of an NMOS transistor to which a substrate potential can be applied
  • FIG. 1F2 shows a corresponding graph.
  • the graph of FIG. 1F2 is composed of one node N, two node Nsd, one node Ng, and one node Nsub.
  • Node Ng represents a gate
  • node Nsub represents a substrate to which an electric potential can be applied
  • node Nsd represents a source or drain.
  • Node N is an element node
  • nodes Ng, Nsub, and Nsd are terminal nodes connected to node N, respectively.
  • a graph of a MOSFET transistor to which a substrate potential can be applied can be defined in the same manner.
  • information on the semiconductor material used for the channel of the MOS transistor can be included in the circuit diagram and the graph.
  • FIG. 2A1 shows a circuit symbol of an NMOS transistor using silicon as a channel
  • FIG. 2A2 shows a corresponding graph.
  • the graph of FIG. 2A2 is composed of one node SN, two node SNsd, and one node SNg.
  • the node SNg represents a gate and the node SNsd represents a source or drain.
  • the node SN is an element node, and the node SNg and SNsd are terminal nodes connected to the node SN, respectively.
  • FIG. 2B1 shows a circuit symbol of a MOSFET transistor using silicon as a channel
  • FIG. 2B2 shows a corresponding graph.
  • the graph of FIG. 2B2 is composed of one node SP, two node SPsd, and one node SPg.
  • the node SPg represents the gate and the node SPsd represents the source or drain.
  • the node SP is an element node, and the nodes SPg and SPsd are terminal nodes connected to the node SP, respectively.
  • an oxide semiconductor can be used as the semiconductor material of the transistor.
  • a transistor using an OS in the channel formation region is preferable because the leakage current is extremely small in a non-conducting state.
  • Such transistors can be used in semiconductor devices such as display devices, projection devices, lighting devices, electro-optical devices, power storage devices, storage devices, semiconductor circuits, imaging devices, and electronic devices.
  • Specific examples of the display device include a liquid crystal display device, a light emitting display device, and the like.
  • specific examples of the semiconductor circuit include an LSI such as a CPU and a memory, and an IC chip on which one or more of them are mounted. Since the transistor using the OS in the channel formation region has an extremely small leakage current in the non-conducting state, it is possible to provide a semiconductor device having low power consumption.
  • an oxide containing at least one of indium (In), gallium (Ga), and zinc (Zn) can be used.
  • OS In-M-Zn oxide
  • element M is aluminum, gallium, yttrium, tin, copper, vanadium, beryllium, boron, titanium, iron, nickel, germanium, zirconium, molybdenum, lantern, cerium, neodymium).
  • Hafnium, tantalum, tungsten, magnesium, etc. (one or more) and the like may be used.
  • aluminum, gallium, yttrium, tin and the like are preferably contained.
  • In—Ga oxide or In—Zn oxide may be used as the OS.
  • the OS preferably has a crystal structure.
  • the OS having a crystal structure include CAAC-OS (c-axis aligned crystalline oxide semiconductor), polycrystalline oxide semiconductor, and nc-OS (nanocrystalline oxide semiconductor).
  • CAAC-OS has a c-axis orientation and has a distorted crystal structure in which a plurality of nanocrystals are connected in the ab plane direction.
  • the strain refers to a region in which a plurality of nanocrystals are connected, in which the orientation of the lattice arrangement changes between a region in which the lattice arrangement is aligned and a region in which another lattice arrangement is aligned.
  • nanocrystals are basically hexagonal, they are not limited to regular hexagons and may have non-regular hexagons.
  • it may have a lattice arrangement such as a pentagon and a heptagon.
  • CAAC-OS it is difficult to confirm a clear grain boundary (also referred to as grain boundary) even in the vicinity of strain. That is, it can be seen that the formation of grain boundaries is suppressed by the distortion of the lattice arrangement. This is because CAAC-OS can tolerate distortion because the arrangement of oxygen atoms is not dense in the ab plane direction and the bond distance between atoms changes due to substitution of metal elements. Because.
  • CAAC-OS is a layered crystal in which a layer having indium and oxygen (hereinafter, In layer) and a layer having elements M, zinc, and oxygen (hereinafter, (M, Zn) layer) are laminated. It tends to have a structure (also called a layered structure). Indium and the element M can be replaced with each other, and when the element M of the (M, Zn) layer is replaced with indium, it can be expressed as the (In, M, Zn) layer. Further, when the indium of the In layer is replaced with the element M, it can be expressed as the (In, M) layer.
  • CAAC-OS is a highly crystalline metal oxide.
  • CAAC-OS it is difficult to confirm a clear crystal grain boundary, so it can be said that a decrease in electron mobility due to the crystal grain boundary is unlikely to occur.
  • CAAC-OS impurities and defects oxygen deficiency (V O:. Oxygen vacancy also referred) etc.) with less metal It can also be called an oxide. Therefore, the metal oxide having CAAC-OS has stable physical properties. Therefore, the metal oxide having CAAC-OS is resistant to heat and has high reliability.
  • the nc-OS has periodicity in the atomic arrangement in a minute region (for example, a region of 1 nm or more and 10 nm or less, particularly a region of 1 nm or more and 3 nm or less).
  • nc-OS does not show regularity in crystal orientation between different nanocrystals. Therefore, no orientation is observed in the entire film. Therefore, nc-OS may be indistinguishable from a-like OS and amorphous oxide semiconductors depending on the analysis method.
  • Indium-gallium-zinc oxide which is a kind of metal oxide having indium, gallium, and zinc, may have a stable structure by forming the above-mentioned nanocrystals. is there.
  • IGZO tends to have difficulty in crystal growth in the atmosphere, it is recommended to use smaller crystals (for example, the above-mentioned nanocrystals) than large crystals (here, a few mm crystal or a few cm crystal). However, it may be structurally stable.
  • the OS may be a pseudo-amorphous oxide semiconductor (a-like OS: amorphous-like oxide semiconductor) or an amorphous oxide semiconductor.
  • the a-like OS is a metal oxide having a structure between the nc-OS and an amorphous oxide semiconductor.
  • the a-like OS has a void or low density region. That is, the a-like OS has lower crystallinity than the nc-OS and CAAC-OS.
  • the OS has various structures, and each has different characteristics.
  • the OS of one aspect of the present invention may have two or more of an amorphous oxide semiconductor, a polycrystalline oxide semiconductor, an a-like OS, an nc-OS, and a CAAC-OS.
  • FIG. 2C1 shows a circuit symbol of an NMOS transistor using an OS as a channel
  • FIG. 2C2 shows a corresponding graph.
  • the graph of FIG. 2C2 is composed of one node ON, two node ONsd, and one node ONg.
  • Node ONg represents a gate and node ONsd represents a source or drain.
  • Node ON is an element node, and nodes ONg and ONsd are terminal nodes connected to node ON, respectively.
  • FIG. 2D1 shows a circuit symbol of a MOSFET transistor using an OS as a channel
  • FIG. 2D2 shows a corresponding graph.
  • the graph of FIG. 2D2 is composed of one node OP, two node OPsd, and one node OPg.
  • Node OPg represents a gate and node OPsd represents a source or drain.
  • the node OP is an element node, and the nodes OPg and OPsd are terminal nodes connected to the node OP, respectively.
  • FIG. 2E1 shows a circuit symbol of an NMOS transistor using an OS as a channel and having two gate electrodes
  • FIG. 2E2 shows a corresponding graph.
  • the graph of FIG. 2E2 is composed of one node ON, two node ONsd, one node ONg, and one node ONbg.
  • Node ONg represents a first gate (also referred to as a front gate)
  • node ONbg represents a second gate (also referred to as a back gate)
  • node ONsd represents a source or drain.
  • Node ON is an element node
  • nodes ONg, ONbg, and ONsd are terminal nodes connected to node ON, respectively.
  • FIG. 2F1 shows a circuit symbol of an NMOS transistor that uses silicon as a channel and can apply a substrate potential
  • FIG. 2F2 shows a corresponding graph.
  • the graph of FIG. 2F2 is composed of one node SN, two node SNsd, one node SNg, and one node SNsub.
  • the node SNg represents a gate
  • the node SNsub represents a substrate to which an electric potential can be applied
  • the node SNsd represents a source or drain.
  • the node SN is an element node
  • the nodes SNg, SNsub, and SNsd are terminal nodes connected to the node SN, respectively.
  • FIG. 3A1 shows the circuit symbol of the NPN type bipolar transistor
  • FIG. 3A2 shows the corresponding graph.
  • the graph of FIG. 3A2 is composed of one node NB, one node NBb, one node NBe, and one node NBc.
  • Node NBb represents the base
  • node NBe represents the emitter
  • node NBc represents the collector.
  • the node NB is an element node
  • the nodes NBb, NBe, and NBc are terminal nodes connected to the node NB, respectively.
  • FIG. 3B1 shows the circuit symbol of the PNP type bipolar transistor
  • FIG. 3B2 shows the corresponding graph.
  • the graph of FIG. 3B2 is composed of one node PB, one node PBb, one node PBe, and one node PBc.
  • Node PBb represents the base
  • node PBe represents the emitter
  • node PBc represents the collector.
  • the node PB is an element node
  • the nodes PBb, PBe, and PBc are terminal nodes connected to the node PB, respectively.
  • FIG. 3C1 shows the capacitance circuit symbol and FIG. 3C2 shows the corresponding graph.
  • the graph of FIG. 3C2 is composed of one node C and two nodes Ct.
  • Node C is an element node, and node Ct is a terminal node connected to node C.
  • FIG. 3D1 shows the circuit symbol of the resistor
  • FIG. 3D2 shows the corresponding graph.
  • the graph of FIG. 3D2 is composed of one node R and two nodes Rt.
  • Node R is an element node
  • node Rt is a terminal node connected to node R.
  • FIG. 3E1 shows the circuit symbol of the inductor
  • FIG. 3E2 shows the corresponding graph.
  • the graph of FIG. 3E2 is composed of one node L and two nodes Lt.
  • Node L is an element node
  • node Lt is a terminal node connected to node L.
  • FIG. 3F1 shows the circuit symbol of the diode
  • FIG. 3F2 shows the corresponding graph.
  • the graph of FIG. 3F2 is composed of one node D, one node Da, and one node Dc.
  • Node Da represents the anode and node Dc represents the cathode.
  • Node D is an element node, and nodes Da and Dc are terminal nodes connected to node D.
  • FIG. 3G1 shows the circuit symbol of the light emitting diode
  • FIG. 3G2 shows the corresponding graph.
  • the graph of FIG. 3G2 is composed of one node LE, one node LEa, and one node LEc.
  • Node LEa represents the anode and node LEc represents the cathode.
  • the node LE is an element node, and the nodes LEa and LEc are terminal nodes connected to the node LE.
  • the graph representing the circuit element can be defined by the "element node” and the "terminal node”.
  • the number of element nodes is one, and the number of terminal nodes exists as many as the number of terminals possessed by the element.
  • Graphs can be defined in the same manner for other circuit symbols not shown in FIGS. 1A1 to 3G2.
  • FIG. 4A shows a circuit diagram of a SRAM (Static Random Access Memory) composed of CMOS transistors
  • FIG. 4B shows a graph corresponding thereto.
  • some edges are represented by curves for ease of viewing.
  • the SRAM of FIG. 4A is composed of four NMOS transistors, two MOSFET transistors, a wiring WL, two wiring BLs, a power supply line (Vdd), and a GND. Of the two wiring BLs, the inverted signal of the other is input to one of them.
  • the graph of FIG. 4B is composed of the graphs shown in FIGS. 1A2 and 1B2 and terminal nodes representing each wiring such as wiring WL and wiring BL. Each terminal node shares an edge with all equipotential terminal nodes.
  • wiring such as wiring WL and wiring BL may be provided as needed, and may be omitted if unnecessary.
  • FIG. 5A shows a pixel circuit of an organic EL display
  • FIG. 5B shows a corresponding graph.
  • some edges are represented by curves with an emphasis on visibility.
  • the pixel circuit of FIG. 5A includes three NMOS transistors, one capacitance, one light emitting diode (OLED: organic light-emitting diode), a scanning line GL, a signal line SL, a monitor line ML, an anode ANL, and a cathode CTL. Consists of.
  • the three NMOS transistors each have a first gate and a second gate.
  • the graph of FIG. 5B is composed of the graphs shown in FIGS. 1E2, 3C2, and 3G2, and terminal nodes representing each wiring such as scanning line GL and signal line SL. Also, as in FIG. 4B, each terminal node shares an edge with all equipotential terminal nodes.
  • wirings such as scanning line GL, signal line SL, and monitor line ML may be provided as needed, and may be omitted if unnecessary.
  • FIG. 6A is a circuit diagram of a memory cell using an OS transistor.
  • the memory cell is a non-volatile memory utilizing the low off-current of the OS transistor, and is called NOSRAM (registered trademark, Nonvolatile Oxide Semiconductor RAM).
  • NOSRAM registered trademark, Nonvolatile Oxide Semiconductor RAM
  • the NOSRAM of FIG. 6A includes an OS transistor having one back gate, two Si-MOSFET transistors, a capacitance C, a wiring BL, a wiring SL, a wiring WWL, a wiring RWL, a wiring WCL, and a wiring BG. It is composed of.
  • the graph of FIG. 6B is composed of the graphs shown in FIGS. 2B2, 2E2 and 3C2, and terminal nodes representing each wiring such as wiring BL and wiring SL. Also, as in FIGS. 4B and 5B, each terminal node shares an edge with all equipotential terminal nodes.
  • wirings such as wiring BL, wiring SL, wiring WWL, wiring RWL, wiring WCL, and wiring BG may be provided as needed, and may be omitted if unnecessary.
  • the characteristics of the circuit can be represented in a graph by distinguishing each transistor in a graph.
  • the circuit diagram When the circuit diagram is represented by a graph, it is not always necessary to graph all the wiring. For example, only the wiring showing the characteristics of the circuit may be graphed.
  • FIG. 4B it is not necessary to graphically represent all of the wiring WL, the wiring BL, the power supply line Vdd, and the GND. Only some of these may be represented graphically, or they may not be represented graphically.
  • FIG. 5B it is not necessary to graph all of the scanning line GL, the signal line SL, the monitor line ML, the anode ANL, and the cathode CTL. Only some of these may be represented graphically, or they may not be represented graphically.
  • FIG. 6B it is not necessary to graphically represent all of the wiring BL, the wiring SL, the wiring WWL, the wiring RWL, the wiring WCL, and the wiring BG. Only some of these may be represented graphically, or they may not be represented graphically.
  • FIGS. 7A, 7B, and 8A is an example of a search device having a function of searching a circuit diagram registered in a database close to a circuit diagram input by a user and displaying the result. ..
  • FIG. 9 is a block diagram showing an example of the configuration of the terminal 10.
  • the terminal 10 has a display unit 101, an input unit 103, a processing unit 105, a calculation unit 107, a storage unit 109, and an external connection circuit 111.
  • the display unit 101 is preferably a touch panel display.
  • the calculation unit 107 may also function as the processing unit 105.
  • FIGS. 8B and 8C show an example of a circuit diagram displayed on the display unit 101 of the terminal 10.
  • the database may be stored in a storage unit 109 built in the terminal 10, or may be stored in an external storage device connected to the terminal 10. Further, as shown in FIG. 10, the database may be stored in the server 50 connected to the terminal 10 via a network. The terminal 10 can be connected to the network by using the external connection circuit 111.
  • the network includes a local area network (LAN) and the Internet.
  • the network can use either wired communication, wireless communication, or both.
  • wireless communication in addition to short-range communication means such as Wi-Fi (registered trademark) and Bluetooth (registered trademark), communication means compliant with the third generation mobile communication system (3G), LTE
  • 3G third generation mobile communication system
  • LTE Various means such as a communication means compliant with (sometimes called 3.9G), a communication means compliant with the 4th generation mobile communication system (4G), or a communication means compliant with the 5th generation mobile communication system (5G).
  • Communication means can be used.
  • FIG. 10 shows an example in which a desktop computer is used as the terminal 30 and a laptop computer is used as the terminal 40.
  • the terminal 30 has a main body 301, a display unit 302, and an input unit 303.
  • the terminal 40 has a main body 401, a display unit 402, and an input unit 403. It is preferable that the terminal 30 and the terminal 40 have a processing unit 105, a calculation unit 107, a storage unit 109, and a processing unit, a calculation unit, a storage unit, and an external connection circuit corresponding to the external connection circuit 111, respectively. ..
  • the server 50 includes a rack 501 and a plurality of rack-mounted computers 502.
  • the database is stored in the storage device provided in the computer 502.
  • the terminal 30 and the terminal 40 have the same functions as the terminal 10, and are connected to the server 50 via a network.
  • the terminal 10, the terminal 30, and the terminal 40 can access the database stored in the computer 502 of the server 50.
  • FIG. 7A and 7B show an example in which the user inputs a circuit diagram to be searched for in the terminal 10.
  • the area 11 and the area 12 are displayed on the display unit 101 of the terminal 10, and the user creates a circuit diagram to be searched for in the area 11.
  • Areas 13 and 14 are arranged above and below the areas 11 and 12, respectively.
  • Circuit elements constituting the circuit diagram are arranged in the region 13 and the region 14.
  • the terminal 10 is provided with input means such as a touch panel display, a keyboard, and a mouse, and the user can create a desired circuit diagram by dragging and dropping each circuit element into the area 11 ().
  • FIG. 7A shows an example in which the user inputs a circuit diagram to be searched for in the terminal 10.
  • the area 11 and the area 12 are displayed on the display unit 101 of the terminal 10, and the user creates a circuit diagram to be searched for in the area 11.
  • Areas 13 and 14 are arranged above and below the areas 11 and 12, respectively.
  • Circuit elements constituting the circuit diagram are arranged in the
  • the graph may be created by the calculation unit 107.
  • the created graph is displayed in the area 12. Further, when the user touches any one of the circuit elements in the area 11, the colors of the nodes and edges of the graph corresponding to the elements touched by the user change in the area 12 (FIG. 7B). As a result, the user can confirm the correspondence between the circuit diagram created by himself / herself and the graph generated by the terminal 10.
  • the terminal 10 can handle the netlist as input data instead of the circuit diagram.
  • the netlist is a text file in which connection information of circuit elements is described.
  • the terminal 10 can convert the netlist into a graph.
  • the terminal 10 can also handle the graph directly as input data.
  • the terminal 10 can handle the image data on which the circuit diagram is drawn as the input data.
  • the terminal 10 can read the connection information of the circuit element from the image data and generate a graph.
  • a label histogram kernel method a random walk kernel method, a WL (Weissfiler-Lehman) kernel method, a GNN (Graph Neural Network), or the like may be used for calculating the similarity between graphs.
  • the method using the WL kernel method is preferable because it has high accuracy and a short calculation time.
  • the circuit G shown in FIG. 11A1 is a circuit in which an NMOS transistor and a MOSFET transistor are connected in series. Further, the circuit G'shown in FIG. 11A2 is a circuit in which an NMOS transistor and a MOSFET transistor are connected in parallel.
  • a method of calculating the similarity between these two circuits will be described.
  • FIG. 11B1 is a graph showing the circuit G
  • FIG. 11B2 is a graph showing the circuit G'. Labels (numbers) are assigned to the nodes that make up these graphs for each node type. In FIGS. 11B1 and 11B2, the numbers in parentheses correspond to the labels.
  • Equation 1 represents the feature vector of circuit G
  • ⁇ (G ′) in Equation 2 represents the feature vector of circuit G ′.
  • Equation 2 For example, on the right side of Equation 1, from left to right, there is one label “1", one label "2", two label "3", one label "4", and one label "5". It means that there are two labels "6". The same applies to Equation 2.
  • FIG. 11C1 the labels of adjacent nodes are counted (FIGS. 11C1 and 11C2).
  • "1.233" in FIG. 11C1 means that the adjacent node of the label "1" has one label "2" and two labels "3". The same applies to other nodes.
  • FIGS. 11D1 and 11D2 are reassigned to circuits G and G'(see FIGS. 11E1 and 11E2).
  • the series of operations shown in FIGS. 11C1, 11D1, and 11E1 (or FIGS. 11C2, 11D2, and 11E2) is referred to as relabeling.
  • Equation 3 represents the feature vector of circuit G
  • Equation 4 represents the feature vector of circuit G'.
  • Equation 3 For example, on the right side of Equation 3, the first 6 terms are the same as Equation (1) in order from the left, but the following 8 terms are added by relabeling. The same applies to Equation 4.
  • the calculation of the similarity may be performed by the calculation unit 107 such as the CPU or GPU built in the terminal 10, or the calculation of the CPU or GPU built in the server 50 connected to the terminal 10 via the network. It may be done by means.
  • FIG. 8A shows an example in which the search result is displayed on the display unit 101 of the terminal 10.
  • the circuit diagram of the search query input by the user is displayed in the area 16 of the display unit 101, and the list of search results is displayed in the area 18.
  • the numerical value 19 in the region 18 indicates the degree of similarity.
  • FIGS. 8B and 8C both represent SRAM and are equivalent as circuits.
  • the search system cannot understand the circuit connection information, it will recognize these two circuits as different drawings.
  • FIGS. 8B and 8C are replaced with the same graph, so that the search system of the present invention can recognize the two as the same circuit diagram.
  • a sentence explaining the displayed circuit diagram can also be displayed.
  • the user can compare the input text information with the circuit diagram or sentence displayed on the terminal 10 while referring to the obtained similarity.
  • FIG. 12 is a flowchart illustrating one aspect of the circuit diagram of the present invention and a method of searching for sentences explaining the circuit diagram.
  • the circuit diagram information is input to the terminal 10 (S101).
  • the user inputs a circuit element to the terminal 10 using the input unit 103.
  • a circuit diagram can be created by using a plurality of circuit elements.
  • the input circuit element and the created circuit diagram are used as circuit diagram information.
  • the processing unit 105 generates a graph from the input circuit diagram information (S102).
  • the generated graph will be referred to as the first graph for convenience.
  • the processing unit 105 has a second storage unit for temporarily storing the input circuit diagram information and a second calculation unit for generating the first graph.
  • the input circuit diagram information may be temporarily stored in the storage unit 109.
  • the calculation unit 107 may generate the first graph.
  • the calculation unit 107 calculates the degree of similarity between the first graph and the plurality of graphs registered in the database (S103).
  • the graph registered in the database is referred to as a second graph for convenience.
  • the similarity between the first graph stored in the processing unit 105 or the storage unit 109 and the second graph is determined by the label histogram kernel method, the random walk kernel method, the WL kernel method, the GNN, and the like. Calculate using.
  • the similarity is calculated for each of the plurality of second graphs. It can be said that the larger the degree of similarity, the more similar the second graph is to the first graph.
  • the terminal 10 can connect to the network and access the database by using the external connection circuit 111.
  • the above calculation may be performed on the server 50.
  • the data of the first graph is transmitted to the server 50 via the external connection circuit 111 and the network, and the server 50 calculates the similarity between the first graph and the second graph.
  • the calculation result is transmitted to the terminal 10 via the network and the external connection circuit 111.
  • the calculation result that is, the search result is displayed on the display unit 101 (S104).
  • the similarity can be displayed in descending order. Further, at the same time as displaying the similarity, one or a plurality of graphs, circuit diagrams, and sentences explaining the circuit diagrams corresponding to the similarity may be displayed. Further, the calculation results may be displayed in the order of the earliest or the latest creation date of the circuit diagram and the text explaining the circuit diagram within a certain degree of similarity.
  • the user can search for a desired circuit diagram or a circuit diagram similar to the desired circuit diagram from a plurality of circuit diagrams registered in the database based on the calculation result.
  • one aspect of the present invention makes it possible to provide a circuit diagram and a search method capable of searching a sentence explaining the circuit diagram. Moreover, according to one aspect of the present invention, it becomes possible to provide a circuit diagram and a search device capable of searching a sentence explaining the circuit diagram. In addition, one aspect of the present invention makes it possible to provide a circuit diagram and a search system capable of searching a sentence explaining the circuit diagram.
  • the text information is graphed, compared with the graph information registered in the database, and the similarity is calculated.
  • the text information includes circuit diagram information, that is, information expressing circuit elements and their connection relationships in characters. Specific examples of text information include texts such as papers and patent specifications. In particular, in the patent specification, text information includes a form for carrying out the invention, examples, claims described in the claims, and the like.
  • the text information is input to the terminal 10 as a search query (FIG. 13, S201).
  • a keyboard or the like can be displayed in the area 15 of the display unit 101 of the terminal 10 and text information can be input.
  • the entered text information is displayed in the area 11.
  • text information may be input by copying and pasting the electronic data of the text prepared by the user.
  • the terminal 10 or the server 50 connected to the terminal 10 via a network extracts a circuit element from the text information input to the terminal 10.
  • the element node is specified from the name of the circuit element (S202).
  • the circuit element refers to a transistor, a capacitance, a resistor, an inductor, a diode, a light emitting diode, and the like.
  • the terminal 10 or the server 50 identifies the terminal node included in the circuit element (S203).
  • the terminal node can be specified based on the text information input to the terminal 10 or the information registered in the database of the terminal 10 or the server 50.
  • connection relationship of the terminal nodes is specified from the text information input to the terminal 10 (S204).
  • the terminal 10 or the server 50 acts as an element node. , Transistor, and capacitance.
  • the terminal 10 or the server 50 specifies at least 3 terminal nodes for the element node of the transistor and 2 terminal nodes for the element node of the capacitance.
  • connection relationship that one of the terminal node corresponding to the gate of the transistor and the terminal node of the capacitance is connected can be specified.
  • the terminal 10 or the server 50 specifies the connection relationship between the element node, the terminal node, and each terminal node from the text information.
  • the circuit diagram information is graphed from the obtained element node, terminal node, and connection relationship of each terminal node, and the first graph is created (S205).
  • the obtained first graph can be displayed in the area 12 of the display unit 101 as shown in FIG. 14B.
  • graph data, sentences corresponding to the graph data, and circuit diagrams corresponding to the graph data may be registered in the database.
  • the similarity of the graph is obtained as described above and the similarity is displayed on the terminal 10
  • the sentence corresponding to the similarity and one or both of the circuit diagrams may be displayed together.
  • the user can appropriately select the similarity of the graph, the text, and the display method of the circuit diagram.
  • the user can search for similar sentences and circuit diagrams by inputting text information.
  • the user can compare the input text information with the text or circuit diagram displayed on the terminal 10 while referring to the obtained similarity.
  • one aspect of the present invention makes it possible to provide a circuit diagram and a search method capable of searching a sentence explaining the circuit diagram. Moreover, according to one aspect of the present invention, it becomes possible to provide a circuit diagram and a search device capable of searching a sentence explaining the circuit diagram. In addition, one aspect of the present invention makes it possible to provide a circuit diagram and a search system capable of searching a sentence explaining the circuit diagram.
  • circuit diagram was represented by a graph, and the similarity between the graphs was calculated using the method of the WL (Weissfiler-Lehman) kernel.
  • FIG. 15 is an example in which the similarity ( KWL ) between the circuit diagram G input as a query and the circuit diagram G'to be compared is calculated by using the above-mentioned WL kernel method. That is, FIG. 15 compares the circuit diagram 1101 with the circuit diagram 1102, the circuit diagram 1103, and the circuit diagram 1104, respectively.
  • the circuit diagram 1101 is a circuit diagram in which CMOS inverters are connected in a loop.
  • the circuit diagram 1102 is a circuit diagram in which two CMOS inverters are connected in series.
  • Circuit diagram 1103 is a circuit diagram of SRAM.
  • Circuit diagram 1104 is a circuit diagram of a NAND gate.
  • FIG. 16A to 16D are graphs of the circuit diagrams shown in FIG. 16A shows the graph of circuit diagram 1101, FIG. 16B shows the graph of circuit diagram 1102, FIG. 16C shows the graph of circuit diagram 1103, and FIG. 16D shows the graph of circuit diagram 1104.
  • the K WL shown in FIG. 15 is a Gaussian kernel represented by the equation 5, and represents the similarity between the two circuit diagrams. The closer the K WL value is to 1, the more similar the two schematics are.
  • ⁇ in Equation 5 was set to 0.001
  • the number of iterations was set to 3.
  • the above relabeling calculation and KWL calculation may be performed at the terminal 10 or at the server.
  • Terminal 10: Terminal, 11: Area, 12: Area, 13: Area, 14: Area, 15: Area, 16: Area, 17: Area, 18: Area, 19: Numerical value
  • 30: Terminal, 40: Terminal, 50: Server 101: Display unit, 103: Input unit, 105: Processing unit, 107: Calculation unit, 109: Storage unit, 111: External connection circuit, 301: Main unit, 302: Display unit, 303: Input unit, 401: Main unit , 402: Display unit, 403: Input unit, 501: Rack, 502: Computer, 1101: Circuit diagram, 1102: Circuit diagram, 1103: Circuit diagram, 1104: Circuit diagram

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Abstract

検索システム、および検索方法を提供する。 端末に第１の回路図情報を入力する手段と、第２の回路図情報が登録されたデータベースと、入力 された第１の回路図情報を第１のグラフに変換する手段と、第１のグラフと、第２の回路図情報に 基づく第２のグラフとの類似度を計算する演算手段と、類似度を端末に表示する手段とを有する。

Description

検索方法、検索装置、および検索システム
本発明の一態様は、検索方法、検索装置、および検索システムに関する。特に、回路図、および回路図に関する文章の検索方法、検索装置、および検索システムに関する。
情報処理の分野で、グラフと呼ばれるデータ構造が提案されている。グラフは頂点（ノード）と辺（エッジ）の集合からなり、例えば、コミュニティにおける人と人との繋がりや、交通網など、ネットワーク構造を表現する手段に用いられる（特許文献１）。
グラフを理論的に解析する方法はこれまでにも数多く提案されている。例えば、非特許文献１には、グラフ同士の類似度を計算する方法が開示されている。
特開２０１６−１１９０８２号公報
Ｎｉｎｏ　Ｓｈｅｒｖａｓｈｉｄｚｅ，ｅｔ　ａｌ．，Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　Ｍａｃｈｉｎｅ　Ｌｅａｒｎｉｎｇ　Ｒｅｓｅａｒｃｈ　１２，ｐｐ．２５３９−２５６１，２０１１
コンピューターやサーバーなどに保存された図面、または文書に記載された図面、または図面を説明する文章（テキスト情報ともいう）を検索したいという需要は多い。ここで文書の例として、特許公報、および論文などがある。また図面の例として、電子回路図などの回路図がある。しかし、現在普及している一般的な図面検索の方法は、回路素子の接続情報まで考慮することができない。そのため、機械は検索クエリを用いた検索方法等ではネットワークの回路図を見つけることができず、結局、人間が目視で探すことになる。
本発明の一態様は、回路図の検索方法を提供することを課題の一とする。また、本発明の一態様は、回路図の検索装置を提供することを課題の一とする。また、本発明の一態様は、回路図の検索システムを提供することを課題の一とする。また、本発明の一態様は、回路図を説明する文章の検索方法を提供することを課題の一とする。また、本発明の一態様は、回路図を説明する文章の検索装置を提供することを課題の一とする。また、本発明の一態様は、回路図を説明する文章の検索システムを提供することを課題の一とする。
本発明の一態様は、端末に第１の回路図情報を入力する手段と、第２の回路図情報が登録されたデータベースと、入力された第１の回路図情報を第１のグラフに変換する手段と、第１のグラフと、第２の回路図情報に基づく第２のグラフとの類似度を計算する演算手段と、類似度を端末に表示する手段と、を有する検索システムである。
上記において、検索システムは、端末とネットワークを介して接続するサーバーを有し、データベースは、サーバーに保存されることが好ましい。
上記において、第１の回路図情報は、回路図を構成する回路素子であることが好ましい。
上記において、第１の回路図情報は、回路図を説明するテキストであることが好ましい。
また、本発明の一態様は、端末に入力された第１の回路図情報を第１のグラフに変換する工程と、第１のグラフと、データベースに登録された第２のグラフとの類似度を計算する工程と、類似度を端末に表示する工程と、を有する検索方法である。
上記において、第１の回路図情報は、回路図を構成する回路素子であることが好ましい。
上記において、第１の回路図情報は、回路図を説明するテキストであることが好ましい。
本発明の一態様により、回路図の検索方法を提供することが可能になる。また、本発明の一態様により、回路図の検索装置を提供することが可能になる。また、本発明の一態様により、回路図の検索システムを提供することが可能になる。また、本発明の一態様により、回路図を説明する文章の検索方法を提供することが可能になる。また、本発明の一態様により、回路図を説明する文章の検索装置を提供することが可能になる。また、本発明の一態様により、回路図を説明する文章の検索システムを提供することが可能になる。
図１Ａ１乃至図１Ｆ２は、回路素子、または該回路素子に対応するグラフを示し、本発明の一態様を説明する図である。
図２Ａ１乃至図２Ｆ２は、回路素子、または該回路素子に対応するグラフを示し、本発明の一態様を説明する図である。
図３Ａ１乃至図３Ｇ２は、回路素子、または該回路素子に対応するグラフを示し、本発明の一態様を説明する図である。
図４Ａ、および図４Ｂは、回路図、または該回路図に対応するグラフを示し、本発明の一態様を説明する図である。
図５Ａ、および図５Ｂは、回路図、または該回路図に対応するグラフを示し、本発明の一態様を説明する図である。
図６Ａ、および図６Ｂは、回路図、または該回路図に対応するグラフを示し、本発明の一態様を説明する図である。
図７Ａ、および図７Ｂは、本発明の一態様の回路図検索に用いられる端末の操作方法を説明する模式図である。
図８Ａは、本発明の一態様の回路図検索に用いられる端末の操作方法を説明する模式図である。図８Ｂ、および図８Ｃは、本発明の一態様の回路図の一例である。
図９は、本発明の一態様の端末を説明する模式図である。
図１０は、本発明の一態様の回路図検索に用いられるネットワークを説明する模式図である。
図１１Ａ１乃至図１１Ｅ２は、本発明の一態様のグラフどうしの類似度の計算方法を説明する図である。
図１２は、本発明の一態様を説明するフローチャートである。
図１３は、本発明の一態様を説明するフローチャートである。
図１４Ａ、および図１４Ｂは、本発明の一態様の回路図検索に用いられる端末の操作方法を説明する模式図である。
図１５は、本発明の一実施例を説明する図である。
図１６Ａ乃至図１６Ｄは、本発明の一実施例を説明する図である。
（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様である検索システムについて説明を行う。本実施の形態の検索システムでは、回路図や回路図を説明する文章の検索を行うことができる。
なお、本明細書においてグラフとは、頂点（ノード）と辺（エッジ）からなるデータ構造であり、各データ間の繋がりを表したものである。グラフにはエッジの向きを考慮した有向グラフと、エッジの向きを考慮しない無向グラフが存在するが、本明細書は特に断りがない限り、無向グラフを扱うことにする。
図１Ａ１はＮＭＯＳトランジスタの回路記号を示し、図１Ａ２はそれに対応するグラフを示している。図１Ａ２のグラフは、１つのノードＮ、２つのノードＮｓｄ、および１つのノードＮｇから構成されている。ノードＮｇはゲートを表し、ノードＮｓｄはソースまたはドレインを表している。ノードＮｇ、およびＮｓｄは、それぞれノードＮに接続されている。
本明細書において、黒丸で図示されたノードを「素子ノード」と呼び、素子の中心を表すことにする。また、白丸で図示されたノードを「端子ノード」と呼び、素子の端子を表すことにする。例えば、図１Ａ２において、ノードＮは素子ノードであり、ノードＮｇ、およびＮｓｄは端子ノードである。通常、１つの素子ノードに複数の端子ノードが接続される。
図１Ｂ１はＰＭＯＳトランジスタの回路記号を示し、図１Ｂ２はそれに対応するグラフを示している。図１Ｂ２のグラフは、１つのノードＰ、２つのノードＰｓｄ、および１つのノードＰｇから構成されている。ノードＰｇはゲートを表し、ノードＰｓｄはソースまたはドレインを表している。ノードＰは素子ノードであり、ノードＰｇ、およびＰｓｄは、それぞれノードＰに接続された端子ノードである。
図１Ｃ１はＮＭＯＳトランジスタの回路記号を示し、図１Ｃ２はそれに対応するグラフを示している。図１Ｃ１に示すＮＭＯＳトランジスタは、ソース／ドレインが区別されている場合に用いられる（矢印が記載されている方がソース）。図１Ｃ２のグラフは、１つのノードＮ、１つのノードＮｇ、１つのノードＮｓ、および１つのノードＮｄから構成されている。ノードＮｇはゲートを表し、ノードＮｓはソースを表し、ノードＮｄはドレインを表している。ノードＮは素子ノードであり、ノードＮｇ、Ｎｓ、およびＮｄは、それぞれノードＮに接続された端子ノードである。
図１Ｄ１はＰＭＯＳトランジスタの回路記号を示し、図１Ｄ２はそれに対応するグラフを示している。図１Ｄ１に示すＰＭＯＳトランジスタは、ソース／ドレインが区別されている場合に用いられる（矢印が記載されている方がソース）。図１Ｄ２のグラフは、１つのノードＰ、１つのノードＰｇ、１つのノードＰｓ、および１つのノードＰｄから構成されている。ノードＰｇはゲートを表し、ノードＰｓはソースを表し、ノードＰｄはドレインを表している。ノードＰは素子ノードであり、ノードＰｇ、Ｐｓ、およびＰｄは、それぞれノードＰに接続された端子ノードである。
図１Ｅ１は２つのゲート電極を持つＮＭＯＳトランジスタの回路記号を示し、図１Ｅ２はそれに対応するグラフを示している。図１Ｅ２のグラフは、１つのノードＮ、２つのノードＮｓｄ、１つのノードＮｇ、および１つのノードＮｂｇから構成されている。ノードＮｇは第１のゲート（フロントゲートともいう）を表し、ノードＮｂｇは第２のゲート（バックゲートともいう）を表し、ノードＮｓｄはソースまたはドレインを表している。ノードＮは素子ノードであり、ノードＮｇ、Ｎｂｇ、およびＮｓｄは、それぞれノードＮに接続された端子ノードである。
その他、図示しないが、２つのゲート電極をもつＰＭＯＳトランジスタのグラフも、同様に定義できる。
図１Ｆ１は基板電位を印加できるＮＭＯＳトランジスタの回路記号を示し、図１Ｆ２はそれに対応するグラフを示している。図１Ｆ２のグラフは、１つのノードＮ、２つのノードＮｓｄ、１つのノードＮｇ、および１つのノードＮｓｕｂから構成されている。ノードＮｇはゲートを表し、ノードＮｓｕｂは電位を印加できる基板を表し、ノードＮｓｄはソースまたはドレインを表している。ノードＮは素子ノードであり、ノードＮｇ、Ｎｓｕｂ、およびＮｓｄは、それぞれノードＮに接続された端子ノードである。
その他、図示しないが、基板電位を印加できるＰＭＯＳトランジスタのグラフも、同様に定義できる。
また、ＭＯＳトランジスタのチャネルに用いられる半導体材料の情報を回路図、およびグラフに含めることができる。
図２Ａ１は、チャネルとしてシリコンを用いたＮＭＯＳトランジスタの回路記号を示し、図２Ａ２はそれに対応するグラフを示している。図２Ａ２のグラフは、１つのノードＳＮ、２つのノードＳＮｓｄ、および１つのノードＳＮｇから構成されている。ノードＳＮｇはゲートを表し、ノードＳＮｓｄはソースまたはドレインを表している。ノードＳＮは素子ノードであり、ノードＳＮｇ、およびＳＮｓｄはそれぞれノードＳＮに接続された端子ノードである。
図２Ｂ１は、チャネルとしてシリコンを用いたＰＭＯＳトランジスタの回路記号を示し、図２Ｂ２はそれに対応するグラフを示している。図２Ｂ２のグラフは、１つのノードＳＰ、２つのノードＳＰｓｄ、および１つのノードＳＰｇから構成されている。ノードＳＰｇはゲートを表し、ノードＳＰｓｄはソースまたはドレインを表している。ノードＳＰは素子ノードであり、ノードＳＰｇおよびＳＰｓｄはそれぞれノードＳＰに接続された端子ノードである。
また、トランジスタの半導体材料として、酸化物半導体（Ｏｘｉｄｅ　Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ：ＯＳ）を用いることができる。特にチャネル形成領域にＯＳを用いたトランジスタは、非導通状態において極めてリーク電流が小さく、好ましい。このようなトランジスタは、表示装置、投影装置、照明装置、電気光学装置、蓄電装置、記憶装置、半導体回路、撮像装置、および電子機器などの半導体装置に用いることができる。表示装置の具体例として、液晶表示装置、および発光表示装置などが挙げられる。また、半導体回路の具体例として、ＣＰＵ、メモリなどのＬＳＩ、およびそれらの一、または複数を搭載したＩＣチップなどが挙げられる。チャネル形成領域にＯＳを用いたトランジスタは、非導通状態において極めてリーク電流が小さいため、低消費電力の半導体装置を提供できる。
ＯＳとして、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、亜鉛（Ｚｎ）の少なくとも一を含む酸化物を用いることができる。例えば、ＯＳとして、Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物（元素Ｍは、アルミニウム、ガリウム、イットリウム、スズ、銅、バナジウム、ベリリウム、ホウ素、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、またはマグネシウムなどから選ばれた一種、または複数種）等の金属酸化物を用いるとよい。特に、インジウムおよび亜鉛に加えて、アルミニウム、ガリウム、イットリウムまたはスズなどが含まれていることが好ましい。また、ＯＳとして、Ｉｎ−Ｇａ酸化物、Ｉｎ−Ｚｎ酸化物を用いてもよい。
また、ＯＳは結晶構造を有することが好ましい。結晶構造を有するＯＳとして、例えば、ＣＡＡＣ−ＯＳ（ｃ−ａｘｉｓ　ａｌｉｇｎｅｄ　ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ　ｏｘｉｄｅ　ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）、多結晶酸化物半導体、およびｎｃ−ＯＳ（ｎａｎｏｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ　ｏｘｉｄｅ　ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）などがある。
ＣＡＡＣ−ＯＳは、ｃ軸配向性を有し、かつａ−ｂ面方向において複数のナノ結晶が連結し、歪みを有した結晶構造となっている。なお、歪みとは、複数のナノ結晶が連結する領域において、格子配列の揃った領域と、別の格子配列の揃った領域と、の間で格子配列の向きが変化している箇所を指す。
ナノ結晶は、六角形を基本とするが、正六角形状とは限らず、非正六角形状である場合がある。また、歪みにおいて、五角形、および七角形などの格子配列を有する場合がある。なお、ＣＡＡＣ−ＯＳにおいて、歪み近傍においても、明確な結晶粒界（グレインバウンダリーともいう。）を確認することは難しい。すなわち、格子配列の歪みによって、結晶粒界の形成が抑制されていることがわかる。これは、ＣＡＡＣ−ＯＳが、ａ−ｂ面方向において酸素原子の配列が稠密でないことや、金属元素が置換することで原子間の結合距離が変化することなどによって、歪みを許容することができるためである。
また、ＣＡＡＣ−ＯＳは、インジウム、および酸素を有する層（以下、Ｉｎ層）と、元素Ｍ、亜鉛、および酸素を有する層（以下、（Ｍ，Ｚｎ）層）とが積層した、層状の結晶構造（層状構造ともいう）を有する傾向がある。なお、インジウムと元素Ｍは、互いに置換可能であり、（Ｍ，Ｚｎ）層の元素Ｍがインジウムと置換した場合、（Ｉｎ，Ｍ，Ｚｎ）層と表すこともできる。また、Ｉｎ層のインジウムが元素Ｍと置換した場合、（Ｉｎ，Ｍ）層と表すこともできる。
ＣＡＡＣ−ＯＳは結晶性の高い金属酸化物である。一方、ＣＡＡＣ−ＯＳは、明確な結晶粒界を確認することが難しいため、結晶粒界に起因する電子移動度の低下が起こりにくいといえる。また、金属酸化物の結晶性は不純物の混入や欠陥の生成などによって低下する場合があるため、ＣＡＡＣ−ＯＳは不純物や欠陥（酸素欠損（ＶＯ：ｏｘｙｇｅｎ　ｖａｃａｎｃｙともいう。）など）の少ない金属酸化物ともいえる。したがって、ＣＡＡＣ−ＯＳを有する金属酸化物は、物理的性質が安定する。そのため、ＣＡＡＣ−ＯＳを有する金属酸化物は熱に強く、信頼性が高い。
ｎｃ−ＯＳは、微小な領域（例えば、１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の領域、特に１ｎｍ以上３ｎｍ以下の領域）において原子配列に周期性を有する。また、ｎｃ−ＯＳは、異なるナノ結晶間で結晶方位に規則性が見られない。そのため、膜全体で配向性が見られない。したがって、ｎｃ−ＯＳは、分析方法によっては、ａ−ｌｉｋｅ　ＯＳや非晶質酸化物半導体と区別が付かない場合がある。
なお、インジウムと、ガリウムと、亜鉛と、を有する金属酸化物の一種である、インジウム−ガリウム−亜鉛酸化物（以下、ＩＧＺＯ）は、上述のナノ結晶とすることで安定な構造をとる場合がある。特に、ＩＧＺＯは、大気中では結晶成長がし難い傾向があるため、大きな結晶（ここでは、数ｍｍの結晶、または数ｃｍの結晶）よりも小さな結晶（例えば、上述のナノ結晶）とする方が、構造的に安定となる場合がある。
また、ＯＳは、擬似非晶質酸化物半導体（ａ−ｌｉｋｅ　ＯＳ：ａｍｏｒｐｈｏｕｓ−ｌｉｋｅ　ｏｘｉｄｅ　ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）、または非晶質酸化物半導体でもよい。
ａ−ｌｉｋｅ　ＯＳは、ｎｃ−ＯＳと非晶質酸化物半導体との間の構造を有する金属酸化物である。ａ−ｌｉｋｅ　ＯＳは、鬆または低密度領域を有する。すなわち、ａ−ｌｉｋｅ　ＯＳは、ｎｃ−ＯＳおよびＣＡＡＣ−ＯＳと比べて、結晶性が低い。
ＯＳは、多様な構造をとり、それぞれが異なる特性を有する。本発明の一態様のＯＳは、非晶質酸化物半導体、多結晶酸化物半導体、ａ−ｌｉｋｅ　ＯＳ、ｎｃ−ＯＳ、ＣＡＡＣ−ＯＳのうち、二種以上を有していてもよい。
図２Ｃ１は、チャネルとしてＯＳを用いたＮＭＯＳトランジスタの回路記号を示し、図２Ｃ２はそれに対応するグラフを示している。図２Ｃ２のグラフは、１つのノードＯＮ、２つのノードＯＮｓｄ、および１つのノードＯＮｇから構成されている。ノードＯＮｇはゲートを表し、ノードＯＮｓｄはソースまたはドレインを表している。ノードＯＮは素子ノードであり、ノードＯＮｇおよびＯＮｓｄはそれぞれノードＯＮに接続された端子ノードである。
図２Ｄ１は、チャネルとしてＯＳを用いたＰＭＯＳトランジスタの回路記号を示し、図２Ｄ２はそれに対応するグラフを示している。図２Ｄ２のグラフは、１つのノードＯＰ、２つのノードＯＰｓｄ、および１つのノードＯＰｇから構成されている。ノードＯＰｇはゲートを表し、ノードＯＰｓｄはソースまたはドレインを表している。ノードＯＰは素子ノードであり、ノードＯＰｇおよびＯＰｓｄはそれぞれノードＯＰに接続された端子ノードである。
図２Ｅ１は、チャネルとしてＯＳを用い、２つのゲート電極を持つＮＭＯＳトランジスタの回路記号を示し、図２Ｅ２はそれに対応するグラフを示している。図２Ｅ２のグラフは、１つのノードＯＮ、２つのノードＯＮｓｄ、１つのノードＯＮｇ、および１つのノードＯＮｂｇから構成されている。ノードＯＮｇは第１のゲート（フロントゲートともいう）を表し、ノードＯＮｂｇは第２のゲート（バックゲートともいう）を表し、ノードＯＮｓｄはソースまたはドレインを表している。ノードＯＮは素子ノードであり、ノードＯＮｇ、ＯＮｂｇ、およびＯＮｓｄは、それぞれノードＯＮに接続された端子ノードである。
図２Ｆ１はチャネルとしてシリコンを用い、基板電位を印加できるＮＭＯＳトランジスタの回路記号を示し、図２Ｆ２はそれに対応するグラフを示している。図２Ｆ２のグラフは、１つのノードＳＮ、２つのノードＳＮｓｄ、１つのノードＳＮｇ、および１つのノードＳＮｓｕｂから構成されている。ノードＳＮｇはゲートを表し、ノードＳＮｓｕｂは電位を印加できる基板を表し、ノードＳＮｓｄはソースまたはドレインを表している。ノードＳＮは素子ノードであり、ノードＳＮｇ、ＳＮｓｕｂ、およびＳＮｓｄは、それぞれノードＳＮに接続された端子ノードである。
図３Ａ１はＮＰＮ型のバイポーラトランジスタの回路記号を示し、図３Ａ２はそれに対応するグラフを示している。図３Ａ２のグラフは、１つのノードＮＢ、１つのノードＮＢｂ、１つのノードＮＢｅ、および１つのノードＮＢｃから構成されている。ノードＮＢｂはベースを表し、ノードＮＢｅはエミッタを表し、ノードＮＢｃはコレクタを表している。ノードＮＢは素子ノードであり、ノードＮＢｂ、ＮＢｅ、およびＮＢｃは、それぞれノードＮＢに接続された端子ノードである。
図３Ｂ１はＰＮＰ型のバイポーラトランジスタの回路記号を示し、図３Ｂ２はそれに対応するグラフを示している。図３Ｂ２のグラフは、１つのノードＰＢ、１つのノードＰＢｂ、１つのノードＰＢｅ、および１つのノードＰＢｃから構成されている。ノードＰＢｂはベースを表し、ノードＰＢｅはエミッタを表し、ノードＰＢｃはコレクタを表している。ノードＰＢは素子ノードであり、ノードＰＢｂ、ＰＢｅ、およびＰＢｃは、それぞれノードＰＢに接続された端子ノードである。
図３Ｃ１は容量の回路記号を示し、図３Ｃ２はそれに対応するグラフを示している。図３Ｃ２のグラフは、１つのノードＣ、および２つのノードＣｔから構成されている。ノードＣは素子ノードであり、ノードＣｔは、ノードＣに接続された端子ノードである。
図３Ｄ１は抵抗の回路記号を示し、図３Ｄ２はそれに対応するグラフを示している。図３Ｄ２のグラフは、１つのノードＲ、および２つのノードＲｔから構成されている。ノードＲは素子ノードであり、ノードＲｔは、ノードＲに接続された端子ノードである。
図３Ｅ１はインダクタの回路記号を示し、図３Ｅ２はそれに対応するグラフを示している。図３Ｅ２のグラフは、１つのノードＬ、および２つのノードＬｔから構成されている。ノードＬは素子ノードであり、ノードＬｔは、ノードＬに接続された端子ノードである。
図３Ｆ１はダイオードの回路記号を示し、図３Ｆ２はそれに対応するグラフを示している。図３Ｆ２のグラフは、１つのノードＤ、１つのノードＤａ、および１つのノードＤｃから構成されている。ノードＤａは陽極を表し、ノードＤｃは陰極を表している。ノードＤは素子ノードであり、ノードＤａ、およびＤｃは、ノードＤに接続された端子ノードである。
図３Ｇ１は発光ダイオードの回路記号を示し、図３Ｇ２はそれに対応するグラフを示している。図３Ｇ２のグラフは、１つのノードＬＥ、１つのノードＬＥａ、および１つのノードＬＥｃから構成されている。ノードＬＥａは陽極を表し、ノードＬＥｃは陰極を表している。ノードＬＥは素子ノードであり、ノードＬＥａ、およびＬＥｃは、ノードＬＥに接続された端子ノードである。
以上、上述のように、回路素子を表すグラフは、「素子ノード」と「端子ノード」で定義することができる。素子ノードの数は１つであり、端子ノードの数は素子が有する端子の数だけ存在する。図１Ａ１乃至図３Ｇ２に示されていない他の回路記号も、同様の考え方でグラフを定義することができる。
図４Ａは、ＣＭＯＳトランジスタで構成されたＳＲＡＭ（Ｓｔａｔｉｃ　Ｒａｎｄｏｍ　Ａｃｃｅｓｓ　Ｍｅｍｏｒｙ）の回路図を示し、図４Ｂは、それに対応するグラフを示している。なお、図４Ｂのグラフは、見やすさのため、一部のエッジを曲線で表している。
図４ＡのＳＲＡＭは、４つのＮＭＯＳトランジスタと、２つのＰＭＯＳトランジスタと、配線ＷＬと、２つの配線ＢＬと、電源線（Ｖｄｄ）と、ＧＮＤで構成されている。なお、２つの配線ＢＬのうち、一方は他方の反転信号が入力される。
図４Ｂのグラフは、図１Ａ２、および図１Ｂ２に示したグラフと、配線ＷＬや配線ＢＬなど、各配線を表す端子ノードで構成されている。各端子ノードは、等電位な全ての端子ノードとエッジを共有する。なお、図４Ｂのグラフにおいて、配線ＷＬおよび配線ＢＬなどの配線は、必要に応じて設ければよく、不要なら省略してもよい。
図５Ａは、有機ＥＬディスプレイの画素回路を示し、図５Ｂは、それに対応するグラフを示している。なお、図５Ｂのグラフは、見易さを重視して、一部のエッジを曲線で表している。
図５Ａの画素回路は、３つのＮＭＯＳトランジスタと、１つの容量と、１つの発光ダイオード（ＯＬＥＤ：ｏｒｇａｎｉｃ　ｌｉｇｈｔ−ｅｍｉｔｔｉｎｇ　ｄｉｏｄｅ）と、走査線ＧＬ、信号線ＳＬ、モニター線ＭＬ、陽極ＡＮＬ、陰極ＣＴＬからなる。なお、３つのＮＭＯＳトランジスタは、それぞれ第１のゲートと第２のゲートを持つ。
図５Ｂのグラフは、図１Ｅ２、図３Ｃ２、および図３Ｇ２に示したグラフと、走査線ＧＬや信号線ＳＬなど、各配線を表す端子ノードで構成されている。また、図４Ｂと同様に、各端子ノードは、等電位な全ての端子ノードとエッジを共有する。なお、図５Ｂのグラフにおいて、走査線ＧＬ、信号線ＳＬおよびモニター線ＭＬなどの配線は、必要に応じて設ければよく、不要なら省略してもよい。
図６Ａは、ＯＳトランジスタを用いたメモリセルの回路図である。当該メモリセルは、ＯＳトランジスタのオフ電流が低いことを利用した不揮発性メモリで、ＮＯＳＲＡＭ（登録商標、Ｎｏｎｖｏｌａｔｉｌｅ　Ｏｘｉｄｅ　Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ　ＲＡＭ）と呼ばれる。
図６ＡのＮＯＳＲＡＭは、１つのバックゲートをもつＯＳトランジスタと、２つのＳｉ−ＰＭＯＳトランジスタと、容量Ｃと、配線ＢＬと、配線ＳＬと、配線ＷＷＬと、配線ＲＷＬと、配線ＷＣＬと、配線ＢＧで構成されている。
図６Ｂのグラフは、図２Ｂ２、図２Ｅ２および図３Ｃ２に示したグラフと、配線ＢＬや配線ＳＬなど、各配線を表す端子ノードで構成されている。また、図４Ｂおよび図５Ｂと同様に、各端子ノードは、等電位な全ての端子ノードとエッジを共有する。なお、図６Ｂのグラフにおいて、配線ＢＬ、配線ＳＬ、配線ＷＷＬ、配線ＲＷＬ、配線ＷＣＬおよび配線ＢＧなどの配線は、必要に応じて設ければよく、不要なら省略してもよい。
このように、同一回路内に、ＯＳトランジスタとＳｉトランジスタが混在する場合でも、それぞれのトランジスタをグラフで区別することで、回路の特徴をグラフで表すことができる。
なお、回路図をグラフで表す際、必ずしも全ての配線をグラフ化する必要は無い。例えば、回路の特徴を示す配線のみグラフ化すればよい。図４Ｂにおいて、配線ＷＬ、配線ＢＬ、電源線Ｖｄｄ、およびＧＮＤのすべてをグラフで表す必要は無い。これらの一部のみグラフで表してもよいし、これらをグラフで表さなくてもよい。図５Ｂにおいて、走査線ＧＬ、信号線ＳＬ、モニター線ＭＬ、陽極ＡＮＬ、および陰極ＣＴＬのすべてをグラフで表す必要は無い。これらの一部のみグラフで表してもよいし、これらをグラフで表さなくてもよい。図６Ｂにおいて、配線ＢＬ、配線ＳＬ、配線ＷＷＬ、配線ＲＷＬ、配線ＷＣＬ、および配線ＢＧのすべてをグラフで表す必要は無い。これらの一部のみグラフで表してもよいし、これらをグラフで表さなくてもよい。
以上、回路図をグラフで表現する方法について説明を行った。次に、上述のグラフを用いた、本発明の一態様である、検索装置、および検索システムについて説明を行う。
図７Ａ、図７Ｂ、および図８Ａに示す端末１０は、データベースに登録された回路図から、ユーザーが入力した回路図に近いものを検索し、結果を表示する機能を有する検索装置の一例である。また、図９は端末１０の構成の一例を示すブロック図である。図９に示すように、端末１０は表示部１０１、入力部１０３、処理部１０５、演算部１０７、記憶部１０９、および外部接続回路１１１を有する。表示部１０１は、タッチパネルディスプレイであることが好ましい。なお、演算部１０７が、処理部１０５の機能を兼ねてもよい。また、図８Ｂ、および図８Ｃに、端末１０の表示部１０１に表示される回路図の例を示す。
上記データベースには、回路図情報として、複数の回路図と、それぞれの回路図に対応したグラフが予め登録されている。また、上記データベースには、該回路図を説明する文章が登録されていてもよい。上記データベースは、端末１０が内蔵する記憶部１０９に保存されていてもよいし、端末１０に接続された外部記憶装置に保存されていてもよい。また、上記データベースは、図１０に示すように、端末１０とネットワークを介して接続されているサーバー５０に保存されていてもよい。端末１０は、外部接続回路１１１を用いて、ネットワークに接続することができる。
ここで、ネットワークには、ローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）や、インターネットが含まれる。また、上記ネットワークは、有線、および無線のいずれか一方、または両方による通信を用いることができる。また、上記ネットワークにおいて無線通信を用いる場合、Ｗｉ−Ｆｉ（登録商標）、Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ（登録商標）などの近距離通信手段の他に、第３世代移動通信システム（３Ｇ）に準拠した通信手段、ＬＴＥ（３．９Ｇと呼ぶ場合もある）に準拠した通信手段、第４世代移動通信システム（４Ｇ）に準拠した通信手段、または第５世代移動通信システム（５Ｇ）に準拠した通信手段などの様々な通信手段を用いることができる。
なお、端末１０としてタブレット型のコンピューターの例を示すが、本実施の形態はこれに限らない。図１０では、端末３０として、デスクトップ型のコンピューター、および端末４０として、ラップトップ型のコンピューターを用いる例を示す。端末３０は、本体３０１と、表示部３０２と、入力部３０３と、を有する。端末４０は、本体４０１と、表示部４０２と、入力部４０３と、を有する。端末３０、および端末４０は、それぞれ端末１０の処理部１０５、演算部１０７、記憶部１０９、および外部接続回路１１１と対応する処理部、演算部、記憶部、および外部接続回路を有することが好ましい。サーバー５０は、ラック５０１と、複数のラックマウント型の計算機５０２と、を有する。計算機５０２に設けられた記憶装置にデータベースが保存される。端末３０、および端末４０は、端末１０と同様の機能を有し、サーバー５０にネットワークを介して接続される。端末１０、端末３０、および端末４０は、サーバー５０の計算機５０２に保存されたデータベースにアクセスすることができる。
図７Ａ、図７Ｂは、ユーザーが端末１０に検索したい回路図を入力する例を示している。端末１０の表示部１０１に、領域１１と領域１２が表示され、ユーザーは領域１１に検索したい回路図を作成する。領域１１と領域１２の上下にそれぞれ領域１３、および領域１４が配置される。領域１３、および領域１４には、回路図を構成する回路素子が配置される。端末１０には、タッチパネルディスプレイ、キーボード、およびマウスなどの入力手段が設けられており、ユーザーは、各回路素子を領域１１へドラッグ＆ドロップすることで、所望の回路図を作成することができる（図７Ａ）。
ユーザーが領域１１に回路図を入力し終えると、端末１０、またはネットワークを介して端末１０と接続されたサーバー５０に内蔵された処理部１０５により、領域１１に入力された回路図に相当するグラフが作成される。なお、グラフの作成は、演算部１０７で行われてもよい。作成されたグラフは、領域１２に表示される。また、ユーザーが領域１１の回路素子のどれか１つをタッチすると、領域１２において、ユーザーがタッチした素子に対応するグラフのノードとエッジの色が変わる（図７Ｂ）。これによって、ユーザーは自分が作成した回路図と、端末１０が生成したグラフの対応関係を確認することができる。
なお、端末１０は回路図の代わりに、ネットリストを入力データとして扱うことができる。ネットリストは回路素子の接続情報が記載されたテキストファイルである。端末１０は、ネットリストをグラフに変換することができる。
また、端末１０は、グラフを直接入力データとして扱うこともできる。
また、端末１０は、回路図が描かれた画像データを入力データとして扱うことができる。端末１０は、画像データから回路素子の接続情報を読み取り、グラフを生成することができる。
次に、領域１２に表示されたグラフと、データベースに登録されているグラフとの類似度を計算する。グラフどうしの類似度の計算には、ラベルヒストグラムカーネル法、ランダムウォークカーネル法、ＷＬ（Ｗｅｉｓｆｅｉｌｅｒ−Ｌｅｈｍａｎ）カーネル法、ＧＮＮ（Ｇｒａｐｈ　Ｎｅｕｒａｌ　Ｎｅｔｗｏｒｋ）、等を用いればよい。特にＷＬカーネル法を用いた方法は精度が高く、計算時間も短いため好ましい。
＜ＷＬカーネルの説明＞
ここで、グラフどうしの類似度を計算する手法の一つである、ＷＬカーネルの方法について、単純な回路を用いて説明を行う。
図１１Ａ１に示す回路Ｇは、ＮＭＯＳトランジスタとＰＭＯＳトランジスタを直列に接続した回路である。また、図１１Ａ２に示す回路Ｇ′は、ＮＭＯＳトランジスタとＰＭＯＳトランジスタを並列に接続した回路である。以下、これら２つの回路の類似度を計算する方法を説明する。
まず、回路ＧおよびＧ′を、上述した方法を用いてグラフで表す。図１１Ｂ１は回路Ｇをグラフで表したものであり、図１１Ｂ２は回路Ｇ′をグラフで表したものである。これらグラフを構成するノードは、ノードの種類ごとにラベル（数字）が割りあてられている。図１１Ｂ１、図１１Ｂ２では、括弧内の数字が上記ラベルに相当する。
次に、それぞれの回路内のラベルの数をカウントし、それぞれの回路の特徴ベクトルを生成する。式１のφ（Ｇ）は回路Ｇの特徴ベクトルを表し、式２のφ（Ｇ′）は回路Ｇ′の特徴ベクトルを表している。
φ（Ｇ　）＝（１、１、２、１、１、２）　　　　　　　　　　　（式１）
φ（Ｇ′）＝（１、１、２、１、１、２）　　　　　　　　　　　（式２）
例えば、式１の右辺は、左から順に、ラベル「１」が１つ、ラベル「２」が１つ、ラベル「３」が２つ、ラベル「４」が１つ、ラベル「５」が１つ、ラベル「６」が２つ、という意味を表している。式２も同様である。
次に、隣接ノードのラベルを数える（図１１Ｃ１、図１１Ｃ２）。例えば、図１１Ｃ１における「１．２３３」は、ラベル「１」の隣接ノードは、ラベル「２」が１つ、ラベル「３」が２つという意味である。他のノードも同様である。
次に、図１１Ｃ１、図１１Ｃ２で与えた数値に、新しいラベルを割りあてる（図１１Ｄ１、および図１１Ｄ２参照）。
次に、図１１Ｄ１および図１１Ｄ２で割りあてたラベルを、回路ＧおよびＧ′に振りなおす（図１１Ｅ１、図１１Ｅ２参照）。なお、この図１１Ｃ１、図１１Ｄ１、図１１Ｅ１（または、図１１Ｃ２、図１１Ｄ２、図１１Ｅ２）に示す一連の作業をリラベリングと呼ぶ。
次に、リラベリングを行った回路ＧおよびＧ′のラベルの数をカウントし、それぞれの回路の特徴ベクトルを再び求める。式３は回路Ｇの特徴ベクトルを表し、式４は回路Ｇ′の特徴ベクトルを表している。
φ（Ｇ　）＝（１、１、２、１、１、２、１、１、１、１、１、１、１、１）　（式３）
φ（Ｇ′）＝（１、１、２、１、１、２、１、１、０、２、１、１、０、２）　（式４）
例えば、式３の右辺において、左から順に、始めの６項は式（１）と同じであるが、その後に続く８項は、リラベリングによって追加されたものである。式４も同様である。
以下、上記リラベリングの作業を、ある一定数繰り返すことで、グラフの特徴をより正確に表した特徴ベクトルφ（Ｇ）およびφ（Ｇ′）が得られる。最後に、以下の式５で表されるＫＷＬ（ガウスカーネル、またはＲＢＦカーネルと呼ぶ）を計算することで、回路Ｇと回路Ｇ′の類似度が計算される。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000001
以上が、ＷＬカーネルの方法を用いたグラフ同士の類似度の計算方法である。
上記類似度の計算は、端末１０に内蔵されたＣＰＵまたはＧＰＵなどの演算部１０７で行ってもよいし、ネットワークを介して端末１０と接続されたサーバー５０に内蔵されたＣＰＵまたはＧＰＵなどの演算手段で行ってもよい。
図８Ａは、端末１０の表示部１０１に検索結果を表示させた例を示している。表示部１０１における領域１６にはユーザーが入力した検索クエリの回路図が表示され、領域１８には検索結果の一覧が表示される。領域１８における数値１９は類似度を示している。領域１８に表示される回路図のうち、どれか１つをユーザーがタッチすると、その拡大図が領域１７に表示される。こうして、ユーザーは検索結果を確認することができる。
例えば、図８Ｂ、および図８Ｃに示す２つの回路図は、ともにＳＲＡＭを表したものであり、回路としては等価である。しかし、検索システムが、回路の接続情報を理解できない場合は、これら２つの回路を異なる図面として認識してしまう。一方、上記方法を用いれば、図８Ｂ、および図８Ｃは、同じグラフに置き換えられるため、本発明の検索システムはこの２つを同じ回路図と認識することができる。
また、領域１８には、表示された回路図を説明する文章を併せて表示することができる。ユーザーは、得られた類似度を参照しながら、入力したテキスト情報と、端末１０に表示された回路図や文章を比較することができる。
図１２は、本発明の回路図、および回路図を説明する文章の検索方法の一態様を説明するフローチャートである。
まず、端末１０に回路図情報を入力する（Ｓ１０１）。ユーザーは、入力部１０３を用いて端末１０に回路素子を入力する。また、複数の回路素子を用いて、回路図を作成できる。ここで、入力された回路素子、および作成された回路図を回路図情報とする。
次に、処理部１０５にて、入力された回路図情報からグラフを生成する（Ｓ１０２）。ここで、生成されたグラフを、便宜上第１のグラフとする。処理部１０５には、入力された回路図情報を一時保存する第２の記憶部、および第１のグラフを生成するための第２の演算部を有していることが好ましい。一方、入力された回路図情報は、記憶部１０９に一時保存されてもよい。また、第１のグラフの生成を演算部１０７で行ってもよい。
次に、演算部１０７にて、第１のグラフと、データベースに登録されている複数のグラフとの類似度を計算する（Ｓ１０３）。ここで、データベースに登録されているグラフを、便宜上第２のグラフとする。演算部１０７では、処理部１０５、または記憶部１０９に保存された第１のグラフと、第２のグラフとの類似度を、ラベルヒストグラムカーネル法、ランダムウォークカーネル法、ＷＬカーネル法、ＧＮＮ等を用いて計算する。複数の第２のグラフに対してそれぞれ類似度を求める。類似度が大きい程、当該第２のグラフは、第１のグラフに類似したグラフであるといえる。
データベースが、端末１０とネットワークを介して接続されているサーバー５０に保存されていている場合、端末１０は、外部接続回路１１１を用いて、ネットワークに接続し、データベースにアクセスすることができる。
また、上記計算をサーバー５０にて行ってもよい。この場合、第１のグラフのデータを、外部接続回路１１１、およびネットワークを介してサーバー５０に送信し、サーバー５０にて第１のグラフと第２のグラフの類似度を計算する。計算結果は、ネットワーク、および外部接続回路１１１を介して端末１０に送信される。
次に、計算結果、すなわち検索結果を表示部１０１に表示する（Ｓ１０４）。計算結果として、類似度を大きいものから順に表示することができる。また、類似度の表示と同時に、当該類似度に対応するグラフ、回路図、および回路図を説明する文章の一、または複数を表示してもよい。また、ある類似度の範囲内で、回路図、および回路図を説明する文章の作成日の早い順、または遅い順に計算結果を表示してもよい。
ユーザーは、計算結果を基に、データベースに登録された複数の回路図から、所望の回路図、または所望の回路図に類似した回路図を検索することができる。
以上、本発明の一態様により、回路図、および回路図を説明する文章を検索することが可能な検索方法を提供することが可能になる。また、本発明の一態様により、回路図、および回路図を説明する文章を検索することが可能な検索装置を提供することが可能になる。また、本発明の一態様により、回路図、および回路図を説明する文章を検索することが可能な検索システムを提供することが可能になる。
本実施の形態に示す構成、構造、方法などは、他の実施の形態、および実施例に示す構成、構造、方法などと適宜組み合わせて用いることができる。
（実施の形態２）
本実施の形態では、図１３、および図１４を用いて、先の実施の形態とは異なる、本発明の一態様である検索システムについて説明を行う。本実施の形態の検索システムでは、回路図を説明する文章や回路図の検索を行うことができる。
本実施の形態では、テキスト情報をグラフ化し、データベースに登録されたグラフ情報と比較し、類似度を算出する。テキスト情報には、回路図の情報、すなわち回路素子、およびその接続関係を文字で表した情報が含まれている。テキスト情報の具体例として、論文、特許明細書などの文章が含まれる。特に、特許明細書においては、発明を実施するための形態、実施例、特許請求の範囲に記載の請求項等がテキスト情報となる。
テキスト情報は、検索クエリとして、端末１０に入力される（図１３、Ｓ２０１）。例えば、図１４Ａに示すように、端末１０の表示部１０１の領域１５にキーボードなどを表示させ、テキスト情報を入力することができる。入力されたテキスト情報は、領域１１に表示される。また、ユーザーが用意した文章の電子データをコピーし、ペーストすることでテキスト情報を入力してもよい。
端末１０、または端末１０とネットワークを介して接続されているサーバー５０は、端末１０に入力されたテキスト情報から回路素子を抽出する。次に、該回路素子の名称から素子ノードを特定する（Ｓ２０２）。回路素子の抽出、および素子ノードの特定を端末１０で行う場合、これらの処理は、処理部１０５で行うことができる。
ここで、回路素子とは、トランジスタ、容量、抵抗、インダクタ、ダイオード、および発光ダイオードなどを示す。
次に、端末１０、またはサーバー５０は、該回路素子が有する端子ノードを特定する（Ｓ２０３）。該端子ノードの特定は、端末１０に入力されたテキスト情報、または端末１０、またはサーバー５０が有するデータベースに登録された情報に基づき実施できる。
次に、端末１０に入力されたテキスト情報から端子ノードの接続関係を特定する（Ｓ２０４）。
以下に例文を示す。端末１０に、「トランジスタと、容量を有し、前記トランジスタのゲートは、前記容量の第１端子と接続する。」というテキスト情報が入力された場合、端末１０、またはサーバー５０は、素子ノードとして、トランジスタ、および容量を特定する。端末１０、またはサーバー５０が有するデータベースには、トランジスタはゲート、ソース、およびドレインにそれぞれ対応する端子を有するという情報、および容量は２つの端子を有するという情報が登録されている。そのため、端末１０、またはサーバー５０は、トランジスタの素子ノードに対して少なくとも３の端子ノード、容量の素子ノードに対して２の端子ノードを特定する。
次に、前記トランジスタのゲートは、前記容量の第１の端子と接続するというテキスト情報から、トランジスタのゲートに対応する端子ノードと、容量の端子ノードの一方が接続するという接続関係を特定できる。
以上の方法により、端末１０、またはサーバー５０により、テキスト情報から、素子ノード、端子ノード、および各端子ノードの接続関係を特定する。
次に、得られた素子ノード、端子ノード、および各端子ノードの接続関係から、回路図情報をグラフ化し、第１のグラフを作成する（Ｓ２０５）。得られた第１のグラフは、図１４Ｂに示すように、表示部１０１の領域１２に表示させることができる。
回路図情報のグラフ化が完了したら、先の実施の形態と同様に第１のグラフと、データベースに保存された第２のグラフとの類似度を計算し（Ｓ２０６）、計算結果を端末１０に表示することができる（Ｓ２０７）。
また、データベースには、グラフデータ、該グラフデータに対応する文章、および該グラフデータに対応する回路図が登録されていてもよい。上記のようにグラフの類似度を求め、類似度を端末１０に表示する際、類似度に対応する文章、および回路図の一方、または両方も併せて表示してもよい。グラフの類似度、文章、および回路図の表示方法については、ユーザーが適宜選択できる。
すなわち、ユーザーは、テキスト情報を入力することで、それに類似した文章や、回路図を検索することができる。
ユーザーは、得られた類似度を参照しながら、入力したテキスト情報と、端末１０に表示された文章や回路図を比較することができる。
以上、本発明の一態様により、回路図、および回路図を説明する文章を検索することが可能な検索方法を提供することが可能になる。また、本発明の一態様により、回路図、および回路図を説明する文章を検索することが可能な検索装置を提供することが可能になる。また、本発明の一態様により、回路図、および回路図を説明する文章を検索することが可能な検索システムを提供することが可能になる。
本実施の形態に示す構成、構造、方法などは、他の実施の形態、および実施例に示す構成、構造、方法などと適宜組み合わせて用いることができる。
本実施例では、実施の形態１で説明した方法を用いて、実際に回路図の類似度を計算した例を説明する。具体的には、回路図をグラフで表し、ＷＬ（Ｗｅｉｓｆｅｉｌｅｒ−Ｌｅｈｍａｎ）カーネルの方法を用いてグラフ同士の類似度を計算した。
＜類似度の計算例＞
図１５は、クエリとして入力した回路図Ｇと、比較対象の回路図Ｇ′の類似度（ＫＷＬ）を、上述のＷＬカーネルの方法を用いて計算した例である。すなわち、図１５は、回路図１１０１と、回路図１１０２、回路図１１０３、および回路図１１０４それぞれとの比較を行っている。
回路図１１０１は、ＣＭＯＳインバータをループ状に接続した回路図である。回路図１１０２は、ＣＭＯＳインバータを２つ直列に接続した回路図である。回路図１１０３はＳＲＡＭの回路図である。回路図１１０４は、ＮＡＮＤゲートの回路図である。
図１６Ａ乃至図１６Ｄは、図１５に示す回路図を、それぞれグラフで表したものである。図１６Ａは回路図１１０１のグラフを示し、図１６Ｂは回路図１１０２のグラフを示し、図１６Ｃは回路図１１０３のグラフを示し、図１６Ｄは回路図１１０４のグラフを示している。
再び、図１５に説明を戻す。図１５に示すＫＷＬは式５で表されるガウスカーネルであり、２つの回路図の類似度を表している。ＫＷＬの値が１に近いほど、２つの回路図は類似していることを表している。なお、ＫＷＬの計算において、式５のγを０．００１とし、イタレーションの回数（リラベリングの回数）を３とした。
上記リラベリングの計算、およびＫＷＬの計算は、端末１０で計算を行ってもよいし、サーバーで行ってもよい。
図１５の結果をみると、回路図１１０１との類似度は、回路図１１０２が最も高く、回路図１１０４、回路図１１０３の順に続いていることがわかる。このように、回路図をグラフで表すことで、回路図どうしの類似度を計算できることが確認された。
本実施例に示す構成、構造、方法などは、他の実施の形態、および実施例に示す構成、構造、方法などと適宜組み合わせて用いることができる。
１０：端末、１１：領域、１２：領域、１３：領域、１４：領域、１５：領域、１６：領域、１７：領域、１８：領域、１９：数値、３０：端末、４０：端末、５０：サーバー、１０１：表示部、１０３：入力部、１０５：処理部、１０７：演算部、１０９：記憶部、１１１：外部接続回路、３０１：本体、３０２：表示部、３０３：入力部、４０１：本体、４０２：表示部、４０３：入力部、５０１：ラック、５０２：計算機、１１０１：回路図、１１０２：回路図、１１０３：回路図、１１０４：回路図

Claims (7)

  1. 　端末に第１の回路図情報を入力する手段と、
    　第２の回路図情報が登録されたデータベースと、
    　入力された前記第１の回路図情報を第１のグラフに変換する手段と、
    　前記第１のグラフと、前記第２の回路図情報に基づく第２のグラフとの類似度を計算する演算手段と、
    　前記類似度を前記端末に表示する手段と、
    　を有する検索システム。
  2. 　請求項１において、
    　前記検索システムは、前記端末とネットワークを介して接続するサーバーを有し、
    　前記データベースは、前記サーバーに保存される検索システム。
  3. 　請求項１または請求項２において、
    　前記第１の回路図情報は、回路図を構成する回路素子である検索システム。
  4. 　請求項１または請求項２において、
    　前記第１の回路図情報は、回路図を説明するテキストである検索システム。
  5. 　端末に入力された第１の回路図情報を第１のグラフに変換する工程と、
    　前記第１のグラフと、データベースに登録された第２のグラフとの類似度を計算する工程と、
    　前記類似度を前記端末に表示する工程と、
    　を有する検索方法。
  6. 　請求項５において、
    　前記第１の回路図情報は、回路図を構成する回路素子である検索方法。
  7. 　請求項５において、
    　前記第１の回路図情報は、回路図を説明するテキストである検索方法。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7378001B1 (ja) 2023-03-09 2023-11-10 株式会社 日立産業制御ソリューションズ マッピング装置、マッピング方法及びマッピングプログラム

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115329319B (zh) * 2022-08-31 2023-05-19 重庆市规划和自然资源信息中心 一种基于ElasticSearch技术的空间算子搜寻系统

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04239973A (ja) * 1991-01-23 1992-08-27 Nec Corp 回路図エディタ
JP2000200298A (ja) * 1998-06-09 2000-07-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd グラフ表現変換方法及びその装置、並びに自動配置方法及びその装置
JP2004030122A (ja) * 2002-06-25 2004-01-29 Fujitsu Ltd 図面検索支援装置および図面検索方法
US8434037B2 (en) * 2008-11-26 2013-04-30 Texas Instruments Incorporated Sub-circuit pattern recognition in integrated circuit design

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7680250B1 (en) * 2004-11-24 2010-03-16 Interactive Quality Services Interactive method and system of testing an automated call telephonic communication system
JP2007128383A (ja) 2005-11-07 2007-05-24 Toyota Motor Corp 類似回路検索装置およびその方法
JP2007280000A (ja) 2006-04-06 2007-10-25 Hitachi Ltd 人脈分析検索方法及び人脈分析検索システム
US8332333B2 (en) * 2006-10-19 2012-12-11 Massachusetts Institute Of Technology Learning algorithm for ranking on graph data
JP5859839B2 (ja) * 2011-01-14 2016-02-16 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶素子の駆動方法、及び、記憶素子
CN103646411A (zh) * 2013-12-25 2014-03-19 友达光电股份有限公司 图表分析系统及图表分析方法
US20160179901A1 (en) 2014-12-23 2016-06-23 Palo Alto Research Center Incorporated Computer-Implemented System And Method For Providing Selective Contextual Exposure Within Social Network Situations
US10657543B2 (en) * 2015-06-23 2020-05-19 International Business Machines Corporation Targeted e-commerce business strategies based on affiliation networks derived from predictive cognitive traits

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04239973A (ja) * 1991-01-23 1992-08-27 Nec Corp 回路図エディタ
JP2000200298A (ja) * 1998-06-09 2000-07-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd グラフ表現変換方法及びその装置、並びに自動配置方法及びその装置
JP2004030122A (ja) * 2002-06-25 2004-01-29 Fujitsu Ltd 図面検索支援装置および図面検索方法
US8434037B2 (en) * 2008-11-26 2013-04-30 Texas Instruments Incorporated Sub-circuit pattern recognition in integrated circuit design

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7378001B1 (ja) 2023-03-09 2023-11-10 株式会社 日立産業制御ソリューションズ マッピング装置、マッピング方法及びマッピングプログラム

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