WO2020218598A1 - スパッタリング装置 - Google Patents

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WO2020218598A1
WO2020218598A1 PCT/JP2020/017878 JP2020017878W WO2020218598A1 WO 2020218598 A1 WO2020218598 A1 WO 2020218598A1 JP 2020017878 W JP2020017878 W JP 2020017878W WO 2020218598 A1 WO2020218598 A1 WO 2020218598A1
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gas introduction
film forming
forming chamber
targets
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清 久保田
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日新電機株式会社
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    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
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    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
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    • C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C23C14/564—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3488—Constructional details of particle beam apparatus not otherwise provided for, e.g. arrangement, mounting, housing, environment; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus

Definitions

  • the present invention relates to a sputtering apparatus.
  • a sputtering device configured to eject sputtered particles from a target by forming a magnetic field on the surface of the target to generate plasma and causing ions in the plasma to collide with the target is known as a conventional technique.
  • Examples of such a sputtering apparatus include the sputtering apparatus disclosed in Patent Document 1.
  • the sputtering apparatus disclosed in Patent Document 1 has a target apparatus in which a voltage is applied between one set of targets with two adjacent targets as one set.
  • the target device has a partition wall arranged to face the side surface of a set of targets, a gas introduction port is formed between the partition wall and the target, and a main exhaust port is formed on the bottom surface of the vacuum chamber.
  • the reaction gas introduced from the gas inlet passes between a set of targets and is exhausted from the main exhaust port.
  • a gas inlet is formed between the partition wall and the target, but a gas inlet is not formed between the set of targets. Further, although the main exhaust port is formed between the set of targets, the main exhaust port is not formed between the partition wall and the target.
  • One aspect of the present invention is to make the pressure of the gas supplied to the target uniform in the film forming chamber and improve the uniformity of the thin film formed on the substrate.
  • the sputtering apparatus is provided with a vacuum vessel in which a film forming chamber in which a substrate is housed is formed so as to face the substrate, and causes plasma.
  • a plurality of antennas to be generated and a plurality of targets provided on the opposite side of the substrate side to the plurality of antennas and to be sputtered are provided, and the film forming chamber is provided in the film forming chamber.
  • a plurality of gas introduction ports for introducing gas and a plurality of gas exhaust ports for exhausting gas in the film forming chamber are formed, and one of the two adjacent targets among the plurality of targets is formed.
  • the antenna is arranged in a predetermined first positional relationship with respect to the first space formed between the two targets, and the gas introduction port is arranged in the first space. And the antenna is arranged in a predetermined second positional relationship with respect to the gas exhaust port.
  • the pressure of the gas supplied to the target in the film forming chamber can be made uniform, and the uniformity of the thin film formed on the substrate can be improved.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view showing the configuration of the sputtering apparatus 1 according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a plan view of the inside of the sputtering apparatus 1 shown in FIG. Specifically, FIG. 2 is a plan view of the inside of the sputtering apparatus 1 when viewed from the direction from the substrate W toward the antenna 20 in FIG. 1. Further, in FIG. 2, the substrate holding portion 70 and the vacuum exhaust devices 81 and 91 are omitted. Further, in FIGS. 1 to 5, member numbers are omitted for shapes that can be identified on the drawing.
  • the sputtering apparatus 1 includes a vacuum vessel 10, a plurality of antennas 20, a plurality of targets 30, a plurality of target holding portions 31, a plurality of gas introduction pipes 40, an exhaust plate 50, and the like.
  • a plurality of insulating portions 60, a substrate holding portion 70, and vacuum exhaust devices 81 and 91 are provided.
  • the sputtering device 1 sputters the target 30 using inductively coupled plasma to form a film on the substrate W.
  • the substrate W is, for example, a glass substrate for a flat panel display such as a liquid crystal display or an organic EL display, a flexible substrate for a flexible display, or the like.
  • the vacuum container 10 is a container that is evacuated and gas is supplied to the inside. Further, the vacuum container 10 is a container in which a film forming chamber 11 in which the substrate W is housed is formed.
  • the film forming chamber 11 is formed by being surrounded by the side wall 12 of the vacuum vessel 10, the bottom surface 13 of the vacuum vessel 10, the substrate holding portion 70, the plurality of targets 30, and the plurality of gas introduction pipes 40. ..
  • a plurality of gas introduction ports 41 and a plurality of gas exhaust ports 51 are formed in the film forming chamber 11. The gas introduction port 41 and the gas exhaust port 51 will be described later.
  • Each of the plurality of antennas 20 is an ICP (Inductively Coupled Plasma) antenna that is provided in the film forming chamber 11 so as to face the substrate W and generates plasma.
  • the plurality of antennas 20 are arranged in parallel on the surface side of the substrate W in the film forming chamber 11 on the same plane along the surface of the substrate W.
  • the plurality of antennas 20 are arranged substantially parallel to the surface of the substrate W.
  • each antenna 20 located inside the vacuum vessel 10 is covered with a straight tubular insulating cover 21.
  • each antenna 20 has a linear shape and the same configuration in a plan view.
  • the plan view means a case where the board W is viewed from the direction toward the antenna 20.
  • Each of the plurality of targets 30 is provided on the side opposite to the substrate W side with respect to the plurality of antennas 20, and is a target of sputtering.
  • Each target 30 is a flat plate having a rectangular shape in a plan view, and is, for example, an oxide semiconductor material such as InGaZnO.
  • Each target holding portion 31 holds the target 30 so as to face the substrate W held by the substrate holding portion 70.
  • the target holding portion 31 is provided on the exhaust plate 50 via an insulating portion 60 having a vacuum sealing function on the side opposite to the side facing the substrate W.
  • each of the plurality of gas introduction pipes 40 extends in the same direction as the extension direction D1 of the antenna 20.
  • Each gas introduction pipe 40 is connected to an intermediate pipe 100 extending in the same direction as the direction D2 in which the plurality of gas introduction pipes 40 are lined up via a connection pipe 101. That is, the connection pipe 101 connects each gas introduction pipe 40 and the intermediate pipe 100.
  • the size of the plurality of gas introduction pipes 40 may be appropriately determined according to the amount of gas to be introduced into the film forming chamber 11.
  • a gas supply mechanism 110 is connected to the central portion of the intermediate pipe 100 in the direction D2.
  • the gas supply mechanism 110 supplies a mixed gas of a reactive gas such as O 2 (oxygen) or N 2 (nitrogen) and a sputtering gas such as Ar (argon) into the inside of the intermediate pipe 100.
  • the mixed gas supplied to the inside of the intermediate pipe 100 is supplied to the inside of the gas introduction pipe 40 through the connecting pipe 101.
  • the mixed gas supplied to the inside of the gas introduction pipe 40 is introduced from the gas introduction port 41 toward the substrate W side of the target 30 in the film forming chamber 11.
  • the gas supply mechanism 110 may supply only the reactive gas to the inside of the intermediate pipe 100.
  • the reactive gas supplied to the inside of the intermediate pipe 100 is supplied to the inside of the gas introduction pipe 40 through the connecting pipe 101.
  • the reactive gas supplied to the inside of the gas introduction pipe 40 is introduced from the gas introduction port 41 toward the substrate W side of the target 30 in the film forming chamber 11.
  • the gas introduction port for introducing the sputtering gas into the film forming chamber 11 on the side wall 12 of the vacuum vessel 10 may be formed.
  • the sputtering gas is introduced into the film forming chamber 11 from the gas introduction port by a gas supply mechanism (not shown) that supplies the sputtering gas.
  • the gas supply mechanism is connected to the vacuum vessel 10.
  • the plurality of gas introduction pipes 40 are arranged so as to extend in a direction parallel to the longitudinal direction of the plurality of targets 30 in a plan view.
  • Each gas introduction pipe 40 is formed with a plurality of gas introduction ports 41 for introducing gas into the film forming chamber 11.
  • the shape of the plurality of gas inlets 41 is preferably circular, but is not limited to this, and may be, for example, a triangle or a quadrangle.
  • the direction in which the plurality of gas introduction ports 41 are lined up is the same as the extension direction of the plurality of antennas 20, and the plurality of gas introduction ports 41 are formed along the antenna 20. According to the above configuration, the gas introduced into the film forming chamber 11 is uniformly supplied to the antenna 20. Therefore, since the plasma generated by the antenna 20 is uniformly diffused on the surface of the target 30, the uniformity of the thin film formed on the substrate W can be improved in the film forming chamber 11.
  • the exhaust plate 50 is provided on the side of the gas introduction pipe 40 opposite to the substrate W side, and a plurality of gas exhaust ports 51 for exhausting the gas in the film forming chamber 11 are formed. Targets 30 and gas introduction pipes 40 are alternately arranged on the exhaust plate 50. Each of the plurality of gas exhaust ports 51 is formed along the extending direction of the gas introduction pipe 40, and is formed on both sides of the gas introduction pipe 40.
  • the total opening area of the plurality of gas exhaust ports 51 is larger than the total opening area of the plurality of gas introduction ports 41.
  • the exhaust of the gas from the film forming chamber 11 to the outside can be prioritized over the introduction of the gas into the film forming chamber 11. Therefore, the differential pressure between the pressure in the film forming chamber 11 and the pressure in the exhaust chamber 15 can be secured, and the pressure in the film forming chamber 11 can be appropriately maintained.
  • the gas exhaust port 51 is a film forming chamber in the second space S2 so that the gas is exhausted via the second space S2 formed between the gas introduction pipe 40 and the target 30 and the target holding portion 31. It is formed on the side opposite to the side communicating with 11.
  • the gas introduced from the gas introduction port 41 is exhausted via the second space S2 formed between the gas introduction pipe 40, the target 30, and the target holding portion 31.
  • the gas is evenly distributed in the membrane chamber 11.
  • the gas exhaust port 51 is also formed on the side opposite to the side communicating with the film forming chamber 11 in the space between the side wall 12 of the vacuum vessel 10 and the gas introduction pipe 40.
  • the antenna 20 has a predetermined first positional relationship with respect to the first space S1 formed between the two targets 30. It is arranged in. Further, the antenna 20 is arranged in a predetermined second positional relationship with respect to the gas introduction port 41 and the gas exhaust port 51 arranged in the first space S1.
  • the positional relationship between the antenna 20, the target 30, the gas introduction port 41, and the gas exhaust port 51 is constant in any of the two adjacent targets 30. Therefore, the pressure of the gas supplied to the target 30 can be made uniform in the film forming chamber 11. Thereby, the uniformity of the thin film formed on the substrate W can be improved.
  • the gas utilization efficiency can be improved, and the uniformity of the film thickness and film quality of the thin film formed on the substrate W can be improved.
  • the target 30 is an oxide semiconductor material such as InGaZnO.
  • the pressure of the gas supplied to the target 30 is uniform. become.
  • the specific resistance and crystallinity of the thin film formed on the substrate W can be made extremely uniform.
  • the partial pressure of the reactive gas in the direction D2 can be made uniform for all the targets 30.
  • the first positional relationship is a positional relationship in which the distance between the antenna 20 and each of the two adjacent targets 30 among the plurality of targets 30 is the same
  • the second positional relationship is the antenna 20. Is the positional relationship facing the gas introduction port 41 and the gas exhaust port 51. According to the above configuration, the pressure of the gas supplied to each of the two adjacent targets 30 can be made uniform.
  • the second positional relationship is preferably a positional relationship in which the gas introduction port 41 is in a direction parallel to the direction from the substrate W toward the antenna 20 and is arranged on a straight line passing through the antenna 20. ..
  • the gas introduced from the gas introduction port 41 can be passed through the antenna 20 and supplied to the target 30.
  • the substrate holding portion 70 is a holder that holds the substrate W in the film forming chamber 11 so as to be in a horizontal state, for example.
  • a main exhaust port 80 is formed in the center of the upper surface 14 of the vacuum vessel 10. The main exhaust port 80 is formed to exhaust the gas introduced into the film forming chamber 11 from the gas introduction port 41 to the outside of the film forming chamber 11.
  • the gas in the film forming chamber 11 exhausted from the plurality of gas exhaust ports 51 is exhausted from the main exhaust port 80 to the outside of the vacuum vessel 10 by a vacuum exhaust device 81 such as a vacuum pump.
  • the vacuum exhaust device 81 is connected to the vacuum container 10.
  • a sub-exhaust port 90 is formed on the bottom surface 13 of the vacuum container 10.
  • the sub-exhaust port 90 is formed to exhaust the gas in the film forming chamber 11 to the outside of the film forming chamber 11 before and after forming a film on the substrate W.
  • the gas in the film forming chamber 11 is exhausted from the sub-exhaust port 90 to the outside of the vacuum vessel 10 by a vacuum exhaust device 91 such as a vacuum pump before and after forming a film on the substrate W.
  • the vacuum exhaust device 91 is connected to the vacuum container 10.
  • a plurality of main exhaust ports 80 may be formed on the upper surface 14 of the vacuum container 10. As a result, even when the size of the sputtering apparatus 1 is large, that is, when the size of the vacuum vessel 10 is large, the gas in the film forming chamber 11 can be sufficiently exhausted. Further, since the gas in the film forming chamber 11 can be uniformly exhausted, the pressure of the gas supplied to the target 30 in the film forming chamber 11 can be made uniform.
  • a plurality of sub-exhaust ports 90 may also be formed on the bottom surface 13 of the vacuum container 10.
  • the plurality of gas exhaust ports 51 may be formed on the exhaust plate 50 by appropriately determining the number, size, and arrangement of the plurality of gas exhaust ports 51 so that the gas exhaust speeds are equal to each other. For example, as the distance from the main exhaust port 80 increases, the number of gas exhaust ports 51 may be increased or the gas exhaust port 51 may be increased. Further, as the distance from the main exhaust port 80 is smaller, the number of gas exhaust ports 51 may be reduced or the gas exhaust port 51 may be made smaller. In FIG. 2, the configuration in which the number, size, and arrangement of the gas exhaust ports 51 are uniform is an example.
  • the number, size, and arrangement of the plurality of gas introduction ports 41 are appropriately determined so that a gas having an equal flow rate is introduced from each gas introduction port 41 into the film forming chamber 11, and the gas introduction pipe 40 is used. May be formed in.
  • the number of gas introduction ports 41 may be increased, or the gas introduction port 41 may be increased.
  • the number of gas introduction ports 41 may be reduced or the gas introduction ports 41 may be made smaller.
  • FIG. 2 the configuration in which the number, size, and arrangement of the gas introduction ports 41 are uniform is an example.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view showing the configuration of the sputtering apparatus 2 according to the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 4 is a plan view of the inside of the sputtering apparatus 2 shown in FIG. Specifically, FIG. 4 is a plan view of the inside of the sputtering apparatus 2 when viewed from the direction from the substrate W toward the antenna 20 in FIG. Further, in FIG. 4, the antenna 20, the substrate holding portion 70, and the vacuum exhaust devices 81 and 91 are omitted.
  • the same reference numerals are added to the members having the same functions as the members described in the above-described embodiment, and the description is not repeated.
  • the sputtering apparatus 2 is different from the sputtering apparatus 1 in that the gas introduction pipe 40 is changed to the gas introduction pipe 40a and that the sputtering apparatus 120 is provided with the protective plate 120.
  • the gas introduction pipe 40a has a concave cross section that extends in the same direction as the extension direction of the antenna 20 and has an open side facing the antenna 20. Specifically, the concave surface 42a of the gas introduction pipe 40a faces the antenna 20.
  • the concave cross section of the gas introduction pipe 40a may be, for example, a U-shape, a shape such that the concave surface 42a is a curved surface, or a V-shape.
  • the adhesive plate 120 is provided on the open side of the gas introduction pipe 40a, and a plurality of gas introduction ports 121 are formed to prevent sputter particles released from the target 30 from adhering to the gas introduction pipe 40a. Is for. According to the above configuration, since the adhesive plate 120 is provided for the gas introduction pipe 40a, the adhesive plate 120 to which the sputter particles emitted from the target 30 are attached can be replaced to facilitate maintenance. it can.
  • the protective plate 120 covers the gas introduction pipe 40a when viewed from the direction from the substrate W toward the antenna 20.
  • the protective plate 120 is arranged between two adjacent targets 30. That is, the protective plate 120 is arranged in the above-mentioned first space S1.
  • the exhaust plate 50 is provided on the side opposite to the open side of the gas introduction pipe 40a, and a plurality of gas exhaust ports 51 are formed.
  • the protective plate 120 is formed with a plurality of second gas exhaust ports 122 for exhausting the gas in the film forming chamber 11 to the plurality of gas exhaust ports 51.
  • the gas exhaust amount can be adjusted in two steps of the gas exhaust port 51 and the second gas exhaust port 122. it can. Therefore, a structure for uniformly exhausting the gas can be easily realized.
  • the plurality of second gas exhaust ports 122 are formed at both ends of the protective plate 120 along the extending direction.
  • the plurality of adhesion plates 120 extend in the same direction as the extension direction D1 of the antenna 20.
  • a part of the second gas exhaust port 122 out of the plurality of second gas exhaust ports 122 is formed between the gas introduction port 121 and the target 30.
  • the number of the second gas exhaust ports 122 formed on the protective plate 120 is larger than the number of gas introduction ports 121 formed on the protective plate 120.
  • the gas is introduced into the film forming chamber 11 from the film forming chamber 11. It is possible to give priority to exhausting gas to the outside. Therefore, the differential pressure between the pressure in the film forming chamber 11 and the pressure in the exhaust chamber 15 can be secured, and the pressure in the film forming chamber 11 can be appropriately maintained.
  • FIG. 5 is a plan view of the inside of the sputtering apparatus 2 shown in FIG. 4 according to a modified example.
  • a modification of the sputtering apparatus 2 is referred to as a sputtering apparatus 2a.
  • the sputtering device 2a is different from the sputtering device 2 in that two intermediate pipes 100 and two gas supply mechanisms 110 are provided.
  • two intermediate pipes 100 and two gas supply mechanisms 110 are provided on both sides of the vacuum vessel 10.
  • the two intermediate pipes 100 are connected to a plurality of gas introduction pipes 40a via connection pipes 101, respectively.
  • a gas supply mechanism 110 is connected to each of the two intermediate pipes 100.
  • three or more intermediate pipes 100 and gas supply mechanism 110 may be provided for the vacuum container 10, respectively.
  • the plurality of intermediate pipes 100 are each connected to the plurality of gas introduction pipes 40a via the connection pipe 101.
  • the gas can be sufficiently introduced into the film forming chamber 11. Therefore, since the gas is sufficiently introduced into the film forming chamber 11, the thin film can be appropriately formed on the substrate W.
  • the sputtering apparatus includes a vacuum container in which a film forming chamber in which a substrate is housed is formed, a plurality of antennas provided so as to face the substrate and generate plasma, and the plurality of antennas.
  • a plurality of targets provided on the side opposite to the substrate side with respect to the antenna of the above and subject to sputtering, and a plurality of gases for introducing gas into the film forming chamber are provided in the film forming chamber.
  • An introduction port and a plurality of gas exhaust ports for exhausting gas in the film forming chamber are formed, and in any of the two adjacent targets among the plurality of targets, the two targets
  • the antennas are arranged in a predetermined first positional relationship with respect to the first space formed between them, and the gas introduction port and the gas exhaust port arranged in the first space are said to be said.
  • the antennas are arranged in a predetermined second positional relationship.
  • the gas supplied to the target in the film forming chamber is supplied.
  • the pressure can be made uniform. As a result, the uniformity of the thin film formed on the substrate can be improved.
  • the first positional relationship is a positional relationship in which the distance between the antenna and each of two adjacent targets among the plurality of targets is the same
  • the second positional relationship is a positional relationship in which the antenna is the gas.
  • the positional relationship may be such that the introduction port and the gas exhaust port face each other. According to the above configuration, the distance between the antenna and each of the two adjacent targets is the same, and the antenna faces the gas inlet and the gas exhaust port. Therefore, for each of the two adjacent targets.
  • the pressure of the supplied gas can be made uniform.
  • the side where the gas exhaust port communicates with the film forming chamber in the second space so that the gas is exhausted through the second space formed between the gas introduction pipe and the target and the target holding portion. It may be formed on the opposite side. According to the above configuration, the gas introduced from the gas introduction port is exhausted via the second space formed between the gas introduction pipe and the target and the target holding portion, so that the gas is discharged into the film forming chamber. Spread evenly. As a result, the uniformity of the thin film formed on the substrate can be improved in the film forming chamber.
  • the sputtering device is provided for a gas introduction pipe that extends in the same direction as the extension direction of the antenna and has a concave cross section with the side facing the antenna open, and for the open side of the gas introduction pipe. , The plurality of gas introduction ports are formed, and a protective plate for preventing the sputtered particles discharged from the target from adhering to the gas introduction pipe may be further provided. According to the above configuration, since the adhesive plate is provided on the gas introduction pipe, the adhesive plate to which the sputter particles emitted from the target are attached can be replaced and maintenance can be easily performed.
  • the sputtering apparatus is provided on a side opposite to the open side of the gas introduction pipe, further includes an exhaust plate on which the plurality of gas exhaust ports are formed, and the adhesion plate is provided with gas in the film forming chamber.
  • a plurality of second gas exhaust ports for exhausting to the plurality of gas exhaust ports may be formed. According to the above configuration, since the second gas exhaust port is formed in addition to the gas exhaust port, the gas exhaust amount can be adjusted in two stages of the gas exhaust port and the second gas exhaust port. Therefore, a structure for uniformly exhausting the gas can be easily realized.
  • the direction in which the plurality of gas inlets are lined up and the extension direction of the plurality of antennas may be the same. According to the above configuration, the gas introduced into the film forming chamber is uniformly supplied to the antenna. Therefore, since the plasma generated by the antenna is uniformly diffused on the surface of the target, the uniformity of the thin film formed on the substrate can be improved in the film forming chamber.

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Abstract

成膜室内においてターゲットに対して供給するガスの圧力を均一にし、基板に形成される薄膜の均一性を向上させる。スパッタリング装置（１）では、複数のターゲット（３０）のうち、隣り合う２枚のターゲット（３０）のいずれにおいても、２枚のターゲット（３０）の間に形成される第１空間（Ｓ１）に対して、アンテナ（２０）が所定の第１位置関係で配置されているとともに、第１空間（Ｓ１）内に配置されるガス導入口（４１）およびガス排気口（５１）に対してアンテナ（２０）が所定の第２位置関係で配置されている。

Description

スパッタリング装置
　本発明は、スパッタリング装置に関する。
　ターゲットの表面に磁界を形成してプラズマを生成し、プラズマ中のイオンをターゲットに衝突させることで、ターゲットからスパッタ粒子が飛び出すように構成されたスパッタリング装置が従来技術として知られている。このようなスパッタリング装置としては、例えば、特許文献１に開示されているスパッタリング装置が挙げられる。
　特許文献１に開示されているスパッタリング装置は、隣り合う２枚のターゲットを１組として、１組のターゲット間に電圧が印加されるターゲット装置を有する。ターゲット装置は、１組のターゲットの側面と対向して配置された隔壁を有し、隔壁とターゲットとの間にガス導入口が形成され、真空槽の底面に主排気口が形成される。ガス導入口から導入された反応ガスは、１組のターゲット間を通って主排気口から排気される。
日本国公開特許公報「特開２０１３－４９８８４号公報（２０１３年３月１４日公開）」
　特許文献１に開示されているスパッタリング装置では、隔壁とターゲットとの間にはガス導入口が形成されているが、１組のターゲット間にはガス導入口が形成されていない。また、１組のターゲット間には主排気口が形成されているが、隔壁とターゲットとの間には主排気口が形成されていない。
　このため、特許文献１に開示されているスパッタリング装置では、真空槽内においてターゲットに対して供給するガスの圧力を十分に均一にすることができず、基板に形成される薄膜を十分に均一にすることができないという問題がある。本発明の一態様は、成膜室内においてターゲットに対して供給するガスの圧力を均一にし、基板に形成される薄膜の均一性を向上させることを目的とする。
　前記の課題を解決するために、本発明の一態様に係るスパッタリング装置は、基板が収容される成膜室が内部に形成された真空容器と、前記基板と対向するように設けられ、プラズマを発生させる複数のアンテナと、前記複数のアンテナに対して前記基板側とは反対側に設けられ、スパッタリングの対象である複数のターゲットと、を備え、前記成膜室には、前記成膜室内にガスを導入するための複数のガス導入口と、前記成膜室内のガスを排気するための複数のガス排気口と、が形成され、前記複数のターゲットのうち、隣り合う２枚のターゲットのいずれにおいても、前記２枚のターゲットの間に形成される第１空間に対して、前記アンテナが所定の第１位置関係で配置されているとともに、前記第１空間内に配置される前記ガス導入口および前記ガス排気口に対して前記アンテナが所定の第２位置関係で配置されている。
　本発明の一態様によれば、成膜室内においてターゲットに対して供給するガスの圧力を均一にすることができ、基板に形成される薄膜の均一性を向上させることができる。
本発明の実施形態１に係るスパッタリング装置の構成を示す断面図である。 図１に示すスパッタリング装置の内部の平面図である。 本発明の実施形態２に係るスパッタリング装置の構成を示す断面図である。 図３に示すスパッタリング装置の内部の平面図である。 図４に示すスパッタリング装置の変形例に係る内部の平面図である。
　〔実施形態１〕
　＜スパッタリング装置１の構成＞
　図１は、本発明の実施形態１に係るスパッタリング装置１の構成を示す断面図である。図２は、図１に示すスパッタリング装置１の内部の平面図である。具体的には、図２は、図１において基板Ｗからアンテナ２０に向かう方向から見た場合のスパッタリング装置１の内部の平面図である。また、図２において、基板保持部７０および真空排気装置８１，９１を省略している。さらに、図１から図５において、図上で同一視できる形状のものについては、部材番号を省略している。
　スパッタリング装置１は、図１に示すように、真空容器１０と、複数のアンテナ２０と、複数のターゲット３０と、複数のターゲット保持部３１と、複数のガス導入管４０と、排気プレート５０と、複数の絶縁部６０と、基板保持部７０と、真空排気装置８１，９１と、を備えている。
　スパッタリング装置１は、誘導結合型のプラズマを用いてターゲット３０をスパッタリングして基板Ｗに成膜するものである。ここで、基板Ｗは、例えば、液晶ディスプレイや有機ＥＬディスプレイ等のフラットパネルディスプレイ用のガラス基板、フレキシブルディスプレイ用のフレキシブル基板等である。
　真空容器１０は、真空排気され、かつ、内部にガスが供給される容器である。また、真空容器１０は、基板Ｗが収容される成膜室１１が内部に形成された容器である。成膜室１１は、真空容器１０の側壁１２と、真空容器１０の底面１３と、基板保持部７０と、複数のターゲット３０と、複数のガス導入管４０と、によって囲まれることにより形成される。成膜室１１には、複数のガス導入口４１と複数のガス排気口５１とが形成される。ガス導入口４１およびガス排気口５１については後述する。
　複数のアンテナ２０は、それぞれ、基板Ｗと対向するように成膜室１１内に設けられ、プラズマを発生させるＩＣＰ（Inductively Coupled Plasma）アンテナである。具体的には、複数のアンテナ２０は、成膜室１１内における基板Ｗの表面側に、基板Ｗの表面に沿うように同一平面上に並列に配置されている。例えば、複数のアンテナ２０は、基板Ｗの表面と実質的に平行に配置されている。
　各アンテナ２０における真空容器１０内に位置する部分は、直管状の絶縁カバー２１により覆われている。なお、各アンテナ２０は、図２に示すように、平面視において直線状で同一の構成である。ここでは、平面視とは、基板Ｗからアンテナ２０に向かう方向から見た場合を意味している。
　複数のターゲット３０は、それぞれ、複数のアンテナ２０に対して基板Ｗ側とは反対側に設けられ、スパッタリングの対象である。各ターゲット３０は、平面視において矩形状をなす平板状のものであり、例えば、ＩｎＧａＺｎＯ等の酸化物半導体材料である。各ターゲット保持部３１は、基板保持部７０に保持された基板Ｗと対向するようにターゲット３０を保持する。ターゲット保持部３１は、基板Ｗと対向する側とは反対側において、真空シール機能を有する絶縁部６０を介して排気プレート５０に設けられている。
　複数のガス導入管４０は、それぞれ、図２に示すように、アンテナ２０の延伸方向Ｄ１と同一の方向に延伸する。各ガス導入管４０は、複数のガス導入管４０が並ぶ方向Ｄ２と同一の方向に延伸する中間配管１００と、接続配管１０１を介して接続されている。つまり、接続配管１０１は、各ガス導入管４０と中間配管１００とを接続している。複数のガス導入管４０のサイズは、成膜室１１内に導入すべきガスの量に応じて、適宜決定されてもよい。
　中間配管１００について、方向Ｄ２における中央部分には、ガス供給機構１１０が接続されている。ガス供給機構１１０は、Ｏ２（酸素）やＮ２（窒素）等の反応性ガスとＡｒ（アルゴン）等のスパッタ用ガスとの混合ガスを中間配管１００の内部に供給する。中間配管１００の内部に供給された混合ガスは、接続配管１０１を通ってガス導入管４０の内部に供給される。ガス導入管４０の内部に供給された混合ガスは、ガス導入口４１から、成膜室１１内におけるターゲット３０の基板Ｗ側に向かって導入される。
　なお、ガス供給機構１１０は、反応性ガスのみを中間配管１００の内部に供給してもよい。この場合、中間配管１００の内部に供給された反応性ガスは、接続配管１０１を通ってガス導入管４０の内部に供給される。ガス導入管４０の内部に供給された反応性ガスは、ガス導入口４１から、成膜室１１内におけるターゲット３０の基板Ｗ側に向かって導入される。
　また、ガス供給機構１１０が、反応性ガスのみを中間配管１００の内部に供給する場合、真空容器１０の側壁１２に、成膜室１１内にスパッタ用ガスを導入するためのガス導入口（図示せず）が形成されていてもよい。この場合、スパッタ用ガスを供給するガス供給機構（図示せず）によって当該ガス導入口から成膜室１１内にスパッタ用ガスが導入される。当該ガス供給機構は、真空容器１０に接続される。
　複数のガス導入管４０は、それぞれ、平面視において複数のターゲット３０の長手方向と平行な方向に延伸するように配置されている。各ガス導入管４０には、成膜室１１内にガスを導入するための複数のガス導入口４１が形成されている。複数のガス導入口４１の形状は、円形であることが好ましいが、これに限定されず、例えば、三角形または四角形等であってもよい。
　複数のガス導入口４１が並ぶ方向は、複数のアンテナ２０の延伸方向と同一であり、複数のガス導入口４１は、アンテナ２０に沿って形成されている。前記構成によれば、成膜室１１内に導入されたガスがアンテナ２０に均一に供給される。よって、アンテナ２０により生成されたプラズマがターゲット３０の表面に均一に拡散されるため、成膜室１１内において、基板Ｗに形成される薄膜の均一性を向上させることができる。
　排気プレート５０は、ガス導入管４０の基板Ｗ側とは反対側に設けられ、成膜室１１内のガスを排気するための複数のガス排気口５１が形成されている。排気プレート５０には、ターゲット３０とガス導入管４０とが交互に配置されている。複数のガス排気口５１は、それぞれ、ガス導入管４０の延伸方向に沿って形成されており、ガス導入管４０の両側に形成されている。
　複数のガス排気口５１の総開口面積は、図２に示すように、複数のガス導入口４１の総開口面積よりも大きい。これにより、成膜室１１内へのガスの導入よりも、成膜室１１から外部へのガスの排気を優先して行うことができる。このため、成膜室１１内の圧力と排気室１５内の圧力との差圧を確保し、成膜室１１内の圧力を適切に維持することができる。
　さらに、ガス導入管４０と、ターゲット３０およびターゲット保持部３１との間に形成される第２空間Ｓ２を経由してガスが排気されるよう、ガス排気口５１が第２空間Ｓ２における成膜室１１と連通する側とは反対側に形成される。
　前記構成によれば、ガス導入口４１から導入されたガスが、ガス導入管４０とターゲット３０およびターゲット保持部３１との間に形成される第２空間Ｓ２を経由して排気されるため、成膜室１１内にガスが均一に行き渡る。これにより、成膜室１１内において、基板Ｗに形成される薄膜の均一性を向上させることができる。なお、ガス排気口５１は、真空容器１０の側壁１２とガス導入管４０との間の空間における成膜室１１と連通する側とは反対側にも形成される。
　ここで、複数のターゲット３０のうち、隣り合う２枚のターゲット３０のいずれにおいても、２枚のターゲット３０の間に形成される第１空間Ｓ１に対して、アンテナ２０が所定の第１位置関係で配置されている。また、第１空間Ｓ１内に配置されるガス導入口４１およびガス排気口５１に対してアンテナ２０が所定の第２位置関係で配置されている。
　前記構成によれば、隣り合う２枚のターゲット３０のいずれにおいても、アンテナ２０とターゲット３０とガス導入口４１とガス排気口５１との位置関係が一定である。このため、成膜室１１内においてターゲット３０に対して供給するガスの圧力を均一にすることができる。これにより、基板Ｗに形成される薄膜の均一性を向上させることができる。
　具体的には、ガスの利用効率を向上させることができ、基板Ｗに形成される薄膜に係る膜厚および膜質の均一性を向上させることができる。ここで、特に、ターゲット３０がＩｎＧａＺｎＯ等の酸化物半導体材料である場合を考える。
　この場合、酸素分圧の制御を行うとき、多層構造として酸素分圧を変更するとき、または、結晶構造を有する薄膜を基板Ｗに形成するとき、ターゲット３０に対して供給するガスの圧力が均一になる。これにより、基板Ｗに形成される薄膜の比抵抗および結晶性を極めて均一にすることができる。また、全てのターゲット３０に対して、方向Ｄ２における反応性ガスの分圧を均一にすることができる。
　さらに、前記第１位置関係は、アンテナ２０と、複数のターゲット３０のうち隣り合う２枚のターゲット３０のそれぞれと、の距離が同一となる位置関係であり、前記第２位置関係は、アンテナ２０がガス導入口４１およびガス排気口５１と対向する位置関係である。前記構成によれば、隣り合う２枚のターゲット３０のそれぞれに対して供給するガスの圧力を均一にすることができる。
　また、前記第２位置関係は、ガス導入口４１が、基板Ｗからアンテナ２０に向かう方向と平行な方向であり、かつ、アンテナ２０を通る直線上に配置されている位置関係であることが好ましい。これにより、ガス導入口４１から導入されたガスを、アンテナ２０に通過させ、ターゲット３０に対して供給することができる。
　基板保持部７０は、成膜室１１内において基板Ｗを、例えば水平状態となるように保持するホルダである。平面視において、真空容器１０の上面１４の中央には、主排気口８０が形成されている。主排気口８０は、ガス導入口４１から成膜室１１内に導入されたガスを、成膜室１１の外部へ排気するために形成されている。
　複数のガス排気口５１から排気された成膜室１１内のガスは、真空ポンプ等の真空排気装置８１によって主排気口８０から真空容器１０の外部に排気される。真空排気装置８１は、真空容器１０に接続される。また、真空容器１０の底面１３には、副排気口９０が形成されている。副排気口９０は、基板Ｗに対して成膜を行う前後に、成膜室１１内のガスを成膜室１１の外部に排気するために形成されている。成膜室１１内のガスは、基板Ｗに対して成膜を行う前後に、真空ポンプ等の真空排気装置９１によって副排気口９０から真空容器１０の外部に排気される。真空排気装置９１は、真空容器１０に接続される。
　なお、主排気口８０は、真空容器１０の上面１４に複数形成されてもよい。これにより、スパッタリング装置１のサイズが大きい場合、つまり、真空容器１０のサイズが大きい場合であっても、成膜室１１内のガスを十分に排気することができる。また、成膜室１１内のガスを均一に排気することができるため、成膜室１１内においてターゲット３０に対して供給するガスの圧力を均一にすることができる。副排気口９０も、真空容器１０の底面１３に複数形成されてもよい。
　ここで、複数のガス排気口５１は、それぞれ、ガスの排気速度が等しくなるように、その数や大きさや配置が適宜決定されて、排気プレート５０に形成されてもよい。例えば、主排気口８０からの距離が大きい程、ガス排気口５１の数を多くしたり、ガス排気口５１を大きくしたりしてもよい。また、主排気口８０からの距離が小さい程、ガス排気口５１の数を少なくしたり、ガス排気口５１を小さくしたりしてもよい。図２において、ガス排気口５１の数と大きさと配置とが均一である構成は一例である。
　また、複数のガス導入口４１は、それぞれ、各ガス導入口４１から成膜室１１へ等しい流量のガスが導入されるように、その数や大きさや配置が適宜決定されて、ガス導入管４０に形成されてもよい。例えば、ガス供給機構１１０からの距離が大きい程、ガス導入口４１の数を多くしたり、ガス導入口４１を大きくしたりしてもよい。また、ガス供給機構１１０からの距離が小さい程、ガス導入口４１の数を少なくしたり、ガス導入口４１を小さくしたりしてもよい。図２において、ガス導入口４１の数と大きさと配置とが均一である構成は一例である。
　〔実施形態２〕
　図３は、本発明の実施形態２に係るスパッタリング装置２の構成を示す断面図である。図４は、図３に示すスパッタリング装置２の内部の平面図である。具体的には、図４は、図３において基板Ｗからアンテナ２０に向かう方向から見た場合のスパッタリング装置２の内部の平面図である。また、図４において、アンテナ２０、基板保持部７０および真空排気装置８１，９１を省略している。
　なお、説明の便宜上、前記実施形態にて説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を繰り返さない。スパッタリング装置２は、図３に示すように、スパッタリング装置１と比べて、ガス導入管４０がガス導入管４０ａに変更されている点および防着板１２０を備えている点が異なる。
　ガス導入管４０ａは、アンテナ２０の延伸方向と同一の方向に延伸し、アンテナ２０と対向する側が開放された断面凹形状を有する。具体的には、ガス導入管４０ａの凹面４２ａが、アンテナ２０と対向する。ガス導入管４０ａの断面凹形状としては、例えば、コの字型の形状、凹面４２ａが曲面となるような形状またはＶ字型の形状であってもよい。
　防着板１２０は、ガス導入管４０ａの開放側に対して設けられるとともに、複数のガス導入口１２１が形成され、ターゲット３０から放出されたスパッタ粒子がガス導入管４０ａに付着することを防止するためのものである。前記構成によれば、ガス導入管４０ａに対して防着板１２０が設けられているため、ターゲット３０から放出されたスパッタ粒子が付着した防着板１２０を交換してメンテナンスを容易に行うことができる。
　また、防着板１２０は、図４に示すように、基板Ｗからアンテナ２０に向かう方向から見て、ガス導入管４０ａを覆っている。防着板１２０は、隣り合う２枚のターゲット３０の間に配置されている。つまり、防着板１２０は、前述した第１空間Ｓ１内に配置されている。排気プレート５０は、ガス導入管４０ａの開放側とは反対側に設けられ、複数のガス排気口５１が形成されている。防着板１２０には、成膜室１１内のガスを複数のガス排気口５１へ排気するための複数の第２ガス排気口１２２が形成されている。
　前記構成によれば、ガス排気口５１に加えて第２ガス排気口１２２が形成されるため、ガス排気口５１と第２ガス排気口１２２との２段階でガスの排気量を調整することができる。よって、ガスを均一に排気するための構造を容易に実現することができる。
　複数の第２ガス排気口１２２は、防着板１２０の延伸方向に沿った両端に形成されている。複数の防着板１２０は、アンテナ２０の延伸方向Ｄ１と同一の方向に延伸する。複数の第２ガス排気口１２２のうち一部の第２ガス排気口１２２は、ガス導入口１２１とターゲット３０との間に形成されている。
　防着板１２０に形成される第２ガス排気口１２２の数は、図４に示すように、防着板１２０に形成されるガス導入口１２１の数よりも多い。これに加えて、複数のガス排気口５１の総開口面積が複数のガス導入口１２１の総開口面積よりも大きいことにより、成膜室１１内へのガスの導入よりも、成膜室１１から外部へのガスの排気を優先して行うことができる。このため、成膜室１１内の圧力と排気室１５内の圧力との差圧を確保し、成膜室１１内の圧力を適切に維持することができる。
　＜変形例＞
　次に、スパッタリング装置２の変形例について、図５に基づいて説明する。図５は、図４に示すスパッタリング装置２の変形例に係る内部の平面図である。スパッタリング装置２の変形例をスパッタリング装置２ａと称する。スパッタリング装置２ａは、図５に示すように、スパッタリング装置２と比べて、中間配管１００およびガス供給機構１１０が、それぞれ、２つ設けられている点が異なる。
　スパッタリング装置２ａでは、真空容器１０の両側に対して、中間配管１００およびガス供給機構１１０が、それぞれ、２つ設けられている。真空容器１０の両側において、２つの中間配管１００は、それぞれ、接続配管１０１を介して複数のガス導入管４０ａに接続されている。２つの中間配管１００には、それぞれ、ガス供給機構１１０が接続されている。また、中間配管１００およびガス供給機構１１０は、それぞれ、真空容器１０に対して３つ以上設けられてもよい。この場合、複数の中間配管１００は、それぞれ、接続配管１０１を介して複数のガス導入管４０ａに接続される。
　これにより、スパッタリング装置２ａのサイズが大きい場合、つまり、真空容器１０のサイズが大きい場合であっても、成膜室１１内へガスを十分に導入することができる。よって、成膜室１１内へガスが十分に導入されるため、基板Ｗに薄膜を適切に形成することができる。
　＜まとめ＞
　本発明の一態様に係るスパッタリング装置は、基板が収容される成膜室が内部に形成された真空容器と、前記基板と対向するように設けられ、プラズマを発生させる複数のアンテナと、前記複数のアンテナに対して前記基板側とは反対側に設けられ、スパッタリングの対象である複数のターゲットと、を備え、前記成膜室には、前記成膜室内にガスを導入するための複数のガス導入口と、前記成膜室内のガスを排気するための複数のガス排気口と、が形成され、前記複数のターゲットのうち、隣り合う２枚のターゲットのいずれにおいても、前記２枚のターゲットの間に形成される第１空間に対して、前記アンテナが所定の第１位置関係で配置されているとともに、前記第１空間内に配置される前記ガス導入口および前記ガス排気口に対して前記アンテナが所定の第２位置関係で配置されている。
　前記構成によれば、隣り合う２枚のターゲットのいずれにおいても、アンテナとターゲットとガス導入口とガス排気口との位置関係が一定であるため、成膜室内においてターゲットに対して供給するガスの圧力を均一にすることができる。これにより、基板に形成される薄膜の均一性を向上させることができる。
　前記第１位置関係は、前記アンテナと、前記複数のターゲットのうち隣り合う２枚のターゲットのそれぞれと、の距離が同一となる位置関係であり、前記第２位置関係は、前記アンテナが前記ガス導入口および前記ガス排気口と対向する位置関係であってもよい。前記構成によれば、アンテナと隣り合う２枚のターゲットのそれぞれとの距離が同一となり、かつ、アンテナがガス導入口およびガス排気口と対向するため、隣り合う２枚のターゲットのそれぞれに対して供給するガスの圧力を均一にすることができる。
　ガス導入管と、前記ターゲットおよびターゲット保持部との間に形成される第２空間を経由してガスが排気されるよう、前記ガス排気口が前記第２空間における前記成膜室と連通する側とは反対側に形成されてもよい。前記構成によれば、ガス導入口から導入されたガスが、ガス導入管とターゲットおよびターゲット保持部との間に形成される第２空間を経由して排気されるため、成膜室内にガスが均一に行き渡る。これにより、成膜室内において、基板に形成される薄膜の均一性を向上させることができる。
　前記スパッタリング装置は、前記アンテナの延伸方向と同一の方向に延伸し、前記アンテナと対向する側が開放された断面凹形状を有するガス導入管と、前記ガス導入管の開放側に対して設けられるとともに、前記複数のガス導入口が形成され、前記ターゲットから放出されたスパッタ粒子が前記ガス導入管に付着することを防止するための防着板と、をさらに備えてもよい。前記構成によれば、ガス導入管に対して防着板が設けられているため、ターゲットから放出されたスパッタ粒子が付着した防着板を交換してメンテナンスを容易に行うことができる。
　前記スパッタリング装置は、前記ガス導入管の開放側とは反対側に設けられ、前記複数のガス排気口が形成された排気プレートをさらに備え、前記防着板には、前記成膜室内のガスを前記複数のガス排気口へ排気するための複数の第２ガス排気口が形成されてもよい。前記構成によれば、ガス排気口に加えて第２ガス排気口が形成されるため、ガス排気口と第２ガス排気口との２段階でガスの排気量を調整することができる。よって、ガスを均一に排気するための構造を容易に実現することができる。
　前記複数のガス導入口が並ぶ方向と前記複数のアンテナの延伸方向とが同一であってもよい。前記構成によれば、成膜室内に導入されたガスがアンテナに均一に供給される。よって、アンテナにより生成されたプラズマがターゲットの表面に均一に拡散されるため、成膜室内において、基板に形成される薄膜の均一性を向上させることができる。
　本発明は前述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。
　１、２、２ａ　スパッタリング装置
　１０　真空容器
　１１　成膜室
　２０　アンテナ
　３０　ターゲット
　３１　ターゲット保持部
　４０、４０ａ　ガス導入管
　４１、１２１　ガス導入口
　５０　排気プレート
　５１　ガス排気口
　１２０　防着板
　１２２　第２ガス排気口
　Ｄ１　アンテナの延伸方向
　Ｓ１　第１空間
　Ｓ２　第２空間

Claims (6)

  1. 　基板が収容される成膜室が内部に形成された真空容器と、
    　前記基板と対向するように設けられ、プラズマを発生させる複数のアンテナと、
    　前記複数のアンテナに対して前記基板側とは反対側に設けられ、スパッタリングの対象である複数のターゲットと、を備え、
    　前記成膜室には、前記成膜室内にガスを導入するための複数のガス導入口と、前記成膜室内のガスを排気するための複数のガス排気口と、が形成され、
    　前記複数のターゲットのうち、隣り合う２枚のターゲットのいずれにおいても、前記２枚のターゲットの間に形成される第１空間に対して、前記アンテナが所定の第１位置関係で配置されているとともに、前記第１空間内に配置される前記ガス導入口および前記ガス排気口に対して前記アンテナが所定の第２位置関係で配置されていることを特徴とするスパッタリング装置。
  2. 　前記第１位置関係は、前記アンテナと、前記複数のターゲットのうち隣り合う２枚のターゲットのそれぞれと、の距離が同一となる位置関係であり、
    　前記第２位置関係は、前記アンテナが前記ガス導入口および前記ガス排気口と対向する位置関係であることを特徴とする請求項１に記載のスパッタリング装置。
  3. 　ガス導入管と、前記ターゲットおよびターゲット保持部との間に形成される第２空間を経由してガスが排気されるよう、前記ガス排気口が前記第２空間における前記成膜室と連通する側とは反対側に形成されることを特徴とする請求項１または２に記載のスパッタリング装置。
  4. 　前記アンテナの延伸方向と同一の方向に延伸し、前記アンテナと対向する側が開放された断面凹形状を有するガス導入管と、
    　前記ガス導入管の開放側に対して設けられるとともに、前記複数のガス導入口が形成され、前記ターゲットから放出されたスパッタ粒子が前記ガス導入管に付着することを防止するための防着板と、をさらに備えることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載のスパッタリング装置。
  5. 　前記ガス導入管の開放側とは反対側に設けられ、前記複数のガス排気口が形成された排気プレートをさらに備え、
    　前記防着板には、前記成膜室内のガスを前記複数のガス排気口へ排気するための複数の第２ガス排気口が形成されることを特徴とする請求項４に記載のスパッタリング装置。
  6. 　前記複数のガス導入口が並ぶ方向と前記複数のアンテナの延伸方向とが同一であることを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載のスパッタリング装置。
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