WO2020196528A1 - 回路基体およびこれを備える放熱基体または電子装置 - Google Patents

回路基体およびこれを備える放熱基体または電子装置 Download PDF

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metal layer
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阿部　裕一
猛 宗石
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京セラ株式会社
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    • H01L23/14—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the material or its electrical properties
    • H01L23/15—Ceramic or glass substrates

Definitions

  • the present disclosure relates to a circuit substrate and a heat dissipation substrate or an electronic device including the circuit substrate.
  • the circuit substrate used in such an application includes a substrate and a metal layer made of copper having excellent heat dissipation, which is located on the substrate.
  • ceramics having excellent insulating properties and mechanical strength are used for the substrate.
  • a brazing material containing silver and copper as main components is used (see, for example, Patent Document 1).
  • the circuit substrate of the present disclosure includes a substrate made of ceramics, a bonding layer located on the substrate, and a metal layer located on the bonding layer.
  • the metal layer also contains copper.
  • the bonding layer also contains aluminum, silicon and oxygen.
  • the circuit substrate of the present disclosure can withstand long-term use, in which cracks are unlikely to occur in the bonding layer even when heating and cooling are repeated.
  • the circuit substrate 10 of the first embodiment of the present disclosure includes a substrate 1, a bonding layer 2 located on the substrate 1, and a metal layer 3 located on the bonding layer 2. ..
  • the substrate 1 is made of ceramics.
  • ceramics containing aluminum or silicon such as silicon carbide ceramics, aluminum oxide ceramics, zirconium oxide-containing aluminum oxide ceramics, silicon nitride ceramics or aluminum nitride ceramics can be used.
  • the thermal conductivity is high, so that the heat dissipation of the circuit substrate 10 of the first embodiment is improved.
  • the silicon nitride ceramics are those in which silicon nitride accounts for 70% by mass or more of 100% by mass of all the components constituting the silicon nitride ceramics.
  • the aluminum oxide ceramics are those in which aluminum oxide accounts for 70% by mass among all the components constituting the aluminum oxide ceramics.
  • the aluminum nitride ceramics are those in which aluminum nitride accounts for 70% by mass or more of all the components constituting the aluminum nitride ceramics.
  • the material of the substrate 1 can be confirmed by the following method.
  • the constituent components of the target substrate are identified by measuring with an X-ray diffractometer (XRD) and identifying the obtained 2 ⁇ (2 ⁇ is a diffraction angle) value with a JCPDS card.
  • XRD X-ray diffractometer
  • a quantitative analysis of the target substrate is performed using an ICP (Inductively Coupled Plasma) emission spectroscopic analyzer (ICP).
  • ICP Inductively Coupled Plasma
  • the constituent component identified by XRD is silicon nitride and the value converted from the silicon (Si) content measured by ICP into silicon nitride (Si 3 N 4 ) is 70% by mass or more, nitriding is performed. Silicone ceramics. The same applies to other ceramics.
  • the metal layer 3 in the circuit substrate 10 of the first embodiment of the present disclosure contains copper. Since the metal layer 3 contains copper having a high thermal conductivity, the circuit substrate 10 of the first embodiment of the present disclosure has excellent heat dissipation. Further, the metal layer 3 may contain 90% by mass or more of copper out of 100% by mass of all the constituent components, for example. Since most of the metal layer 3 is made of copper having high thermal conductivity, the circuit substrate 10 of the first embodiment of the present disclosure is excellent in heat dissipation.
  • the average thickness of the metal layer 3 may be, for example, 100 ⁇ m or more and 3000 ⁇ m or less.
  • the bonding layer 2 in the circuit substrate 10 of the first embodiment of the present disclosure contains aluminum, silicon and oxygen. Further, in the bonding layer 2, for example, the total of aluminum, silicon and oxygen may be 95% by mass or more in 100% by mass of all the constituent components.
  • aluminum is 70% by mass or more and 85% by mass or less
  • silicon is 4% by mass or more and 15% by mass or less
  • oxygen is contained in 100% by mass of all the components constituting the bonding layer 2. It may be 5% by mass or more and 15% by mass or less.
  • the substrate 1 made of ceramics and the metal layer 3 containing copper can be firmly bonded via the bonding layer 2.
  • the bonding layer 2 in the circuit substrate 10 of the second embodiment of the present disclosure may have a first region 2a and a second region 2b as shown in FIG.
  • the first region 2a is mainly in contact with the metal layer 3, and the second region 2b is in contact with the substrate 1.
  • the first region 2a has aluminum or an aluminum alloy.
  • the aluminum alloy has silicon.
  • the second region 2b may have aluminum silicide.
  • Aluminum silicide has a high affinity with aluminum or an aluminum alloy. Therefore, the first region 2a and the second region 2b are likely to be firmly joined.
  • the second region 2b may have a sialon.
  • Sialon has a high affinity for aluminum or aluminum alloys. Therefore, the first region 2a and the second region 2b are likely to be firmly joined.
  • the affinity of the substrate 1 with aluminum or silicon is high. Therefore, the second region and the substrate are likely to be firmly bonded. Therefore, the substrate 1 and the bonding layer 2 are easily bonded firmly.
  • the second region 2b is aluminum silicide
  • the affinity with the substrate 1 made of aluminum oxide ceramics is high. Therefore, the second region and the substrate are likely to be firmly bonded. Therefore, the substrate 1 and the bonding layer 2 are easily bonded firmly.
  • the second region 2b is Sialon, it has a high affinity with the substrate 1 made of silicon nitride ceramics or aluminum nitride ceramics. Therefore, the second region and the substrate are likely to be firmly bonded. Therefore, the substrate 1 and the bonding layer 2 are easily bonded firmly.
  • the circuit substrate 10 of the second embodiment of the present disclosure can withstand use for a long period of time.
  • the second region 2b of the bonding layer 2 may be in a layered shape sandwiched between the second region 2a and the base 1 as shown in the circuit base 10 of FIG. 3 as the third embodiment.
  • the average thickness of the bonding layer 2 may be, for example, 5 ⁇ m or more and 40 ⁇ m or less.
  • the components constituting the bonding layer 2 and the metal layer 3 and their contents may be confirmed by the following methods.
  • the circuit substrate 10 of the second or third embodiment of the present disclosure is cut and polished using a cross section polisher (CP) so as to have a cross-sectional shape as shown in FIG. 2 or 3.
  • CP cross section polisher
  • EDS energy dispersive X-ray analyzer
  • SEM scanning electron microscope
  • the bonding layer 2 and the metal layer 3 may be scraped off, respectively, and the components constituting the bonding layer 2 and the metal layer 3 and their contents may be measured using an ICP or a fluorescent X-ray analyzer (XRF).
  • ICP cross section polisher
  • XRF fluorescent X-ray analyzer
  • the second region 2b of the bonding layer 2 is sialone or aluminum silicide
  • aluminum silicide is provided.
  • silicon, aluminum, oxygen, and nitrogen are present in the same state, it is considered to have silaron.
  • the circuit substrate 10 of the fourth embodiment of the present disclosure includes an intermediate layer 4 between the bonding layer 2 and the metal layer 3, and the intermediate layer 4 is made of titanium, tungsten, or the like. It may contain molybdenum.
  • the intermediate layer 4 easily suppresses the diffusion of aluminum in the first region 2a of the bonding layer 2 to the metal layer 3. Moreover, the strength of the bonding layer 2 can be maintained. Further, the affinity between the aluminum alloy in the first region 2a of the bonding layer 2 and the intermediate layer 4 enables the substrate 1 and the metal layer 3 to be bonded more firmly. Therefore, even if heating and cooling are repeated, cracks are unlikely to occur in the bonding layer 2.
  • the total of titanium, tungsten and molybdenum may be 50% by mass or more in 100% by mass of all the constituent components.
  • the average thickness of the intermediate layer 4 may be, for example, 0.5 ⁇ m or more and 5 ⁇ m or less.
  • the intermediate layer 4 surface analysis is performed using an electron probe microanalyzer (EPMA) with the above-mentioned polished surface as the observation surface, and in the color mapping of the surface analysis, the titanium, tungsten, or molybdenum layer is found. It may be judged whether or not it exists. Further, the content of the components constituting the intermediate layer 4 may be measured by using the EDS attached to the SEM with the above-mentioned polished surface as an observation surface.
  • EPMA electron probe microanalyzer
  • the titanium contained in the intermediate layer 4 in the circuit substrate 10 of the fourth embodiment of the present disclosure may exist as a hydride, an oxide, a nitride, a carbide, or a carbonitride. If such a configuration is satisfied, even if heating and cooling are repeated, the aluminum in the first region 2a of the bonding layer 2 can be further suppressed from diffusing into the metal layer 3, and the bonding layer 2 can be further suppressed. The strength can be maintained more. Further, the affinity between the aluminum alloy in the first region 2a of the bonding layer 2 and the intermediate layer 4 allows the substrate 1 and the metal layer 3 to be bonded more firmly, so that the bonding layer can be bonded even if heating and cooling are repeated. Cracks are less likely to occur in 2.
  • titanium may be 50% by mass or more out of 100% by mass of all the constituent components.
  • hydride, oxide, nitride, carbide or carbonitride is present in the titanium contained in the intermediate layer 4 may be confirmed by the following method.
  • a surface analysis is performed using EPMA with the above-mentioned polished surface as an observation surface. Then, when a place where titanium and oxygen are present at the same time is confirmed in the color mapping of the surface analysis, it is considered that the oxide is present. In addition, when a place where titanium and nitrogen are present at the same time is confirmed in the color mapping of the surface analysis, it is considered that the nitride is present. In addition, when it is confirmed that titanium and carbon are present at the same time in the color mapping of the surface analysis, it is considered that carbides are present.
  • the presence of the hydride may be confirmed by cutting out the intermediate layer and using secondary ion mass spectrometry (SIMS).
  • fins 5 may be provided on the base 1 as shown in FIG.
  • the fin 5 may be provided on the substrate 1 on the side opposite to the bonding layer 2.
  • the fin 5 may be made of, for example, aluminum. As described above, since the fin 5 is made of aluminum having high thermal conductivity, the heat dissipation can be further improved by providing the fin 5.
  • the bonding layer 2 may be located between the substrate 1 and the fins 5.
  • the bonding layer 2 of the circuit substrate 10 of the present disclosure may have a first region 2a and a second region 2b as shown in FIG. 2 or FIG.
  • the substrate 1 in the circuit substrate 10 of the present disclosure may be provided with a flow path inside. If such a configuration is satisfied, the electronic components on the metal layer 3 can be effectively cooled by flowing a cooling fluid (hereinafter, referred to as a refrigerant) in the flow path.
  • a cooling fluid hereinafter, referred to as a refrigerant
  • the flow path may have any shape and size.
  • the heat dissipation base 20 of the present disclosure constitutes a flow path 7 by the circuit base 10 and the member 6.
  • the member 6 is made of aluminum or an aluminum alloy. Since the heat radiating member 20 of the present disclosure satisfies such a configuration, it is lighter in weight and excellent in heat radiating property as compared with the case where the member is made of ceramics or the like. The electronic components on the metal layer 3 can be effectively cooled.
  • the bonding layer 2 may be located between the substrate 1 of the circuit substrate 10 and the member 5. If such a configuration is satisfied, the substrate 1 made of ceramics and the member 5 made of aluminum or an aluminum alloy are firmly bonded to each other, and the heat dissipation substrate 20 of the present disclosure is suitable for long-term use.
  • the electronic device of the present disclosure includes an electronic component located on the metal layer 3 in the circuit base 10.
  • it includes an electronic component located on the metal layer 3 in the circuit substrate 10 of the heat dissipation substrate 20.
  • examples of the electronic component include a light emitting diode (LED) element, a laser diode (LD) element, an insulated gate bipolar transistor (IGBT) element, an intelligent power module (IPM) element, and a metal oxide film type electric field.
  • LED light emitting diode
  • LD laser diode
  • IPM intelligent power module
  • MOSFET Effect Transistor
  • FWD freewheeling diode
  • GTR giant transistor
  • SBD Schottky barrier diode
  • HEMT high electron mobile transistor
  • a semiconductor element such as CMOS
  • a heat generating element for a sublimation type thermal printer head or a thermal inkjet printer head a Pelche element, or the like can be used.
  • a substrate made of ceramics is prepared by a known method.
  • a substrate can be produced by producing a molded body by extruding a ceramic raw material into clay or laminating it in the form of a tape and firing it.
  • the substrate may have a flow path inside.
  • a metal layer containing 90% by mass or more of copper prepare a metal layer containing 90% by mass or more of copper.
  • an alkoxide-based or chelate-based solvent containing a compound of titanium, molybdenum or tungsten is used.
  • An intermediate layer is formed in advance on the metal layer by applying it to the metal layer by screen printing, brush coating, inkjet coating, bar coater or spray, and heat-treating at a temperature of 150 ° C. or higher and 650 ° C. or lower for 15 minutes or longer. ..
  • screen printing it becomes easy to make the intermediate layer an arbitrary thickness.
  • a solvent containing a compound of titanium, molybdenum or tungsten which is an alkoxide type or a chelate type, it is possible to form a film quality uniformly and quickly even if the area of the intermediate layer is large. is there.
  • it may be formed by sputtering, vapor deposition, ion plating, plating, film formation or the like.
  • the following method can be used to include titanium hydride, titanium oxide, titanium nitride, titanium carbide, or titanium carbonitride in the intermediate layer.
  • the temperature is 550 ° C or lower in a hydrogen gas atmosphere. Perform heat treatment.
  • a titanium-containing layer is formed by printing a solvent containing titanium, and then heat treatment is performed at 500 ° C. or higher and 650 ° C. or lower in an inert gas atmosphere.
  • the temperature is 500 ° C. or higher and 650 ° C. or higher in a nitrogen atmosphere. Perform heat treatment below ° C.
  • titanium carbonitride after forming a titanium-containing layer by printing a solvent containing titanium, heat treatment is performed at 500 ° C. or higher and 650 ° C. or lower in a nitrogen atmosphere.
  • titanium carbide after forming a titanium-containing layer by printing a solvent containing titanium, heat treatment at 500 ° C. or higher and 650 ° C. or lower is performed in either an inert gas atmosphere or a nitrogen atmosphere. Good.
  • solvent containing titanium an alkoxide-based solvent, a chelate-based solvent, or the like can be used.
  • the blending ratio of siloxane and aluminum should be such that the total of aluminum, silicon and oxygen out of 100% by mass of all the components constituting the bonding layer is 95% by mass or more after the heat treatment at the time of bonding described later. Just do it.
  • aluminum may be a fragment-like powder.
  • aluminum spreads over a wide range, so that a bonding layer can be efficiently formed. In particular, it becomes easy to form the second region 2b.
  • the thickness of the fragment-shaped aluminum may be, for example, 1 ⁇ m or more and 5 ⁇ m or less.
  • the outer diameter of the fragment-shaped aluminum may be, for example, 10 ⁇ m or more and 20 ⁇ m or less.
  • the bonding layer is applied to one of the bonding surfaces of the substrate or the metal layer (intermediate layer if the metal layer has an intermediate layer). Apply the paste that becomes.
  • screen printing it becomes easy to make the bonding layer an arbitrary thickness.
  • heat treatment is performed in a vacuum of 1 ⁇ 10 -1 Pa or less at a temperature of 560 ° C. or higher and 700 ° C. or lower for 15 minutes or longer.
  • the Si—O—Si group in the siloxane reacts with aluminum to form an aluminum alloy.
  • the surface side of the substrate is decomposed to form a compound such as aluminum silicide or sialon.
  • the substrate is aluminum oxide ceramics
  • aluminum silicide is formed.
  • sialon is formed.
  • a bonding layer having VDD or Sialon is formed.
  • Silicide or Sialon has a high affinity for aluminum and silicon contained in the substrate. Therefore, the bonding layer can firmly bond the substrate and the metal layer. As a result, the circuit substrate of the present disclosure is obtained.
  • the intermediate layer has titanium nitride
  • the Si—O—Si group in the siloxane reacts with aluminum by the heat treatment, and the formed melt containing the aluminum alloy and the titanium nitride become wettable. Therefore, no vacancies are generated, and the joint can be made more firmly.
  • the intermediate layer may have titanium, tungsten, molybdenum, titanium hydride, titanium oxide, and titanium carbide.
  • the electronic device of the present disclosure is obtained.
  • Base 2 Bonding layer 2a: First region 2b: Second region 3: Metal layer 4: Intermediate layer 5: Fins 6: Member 7: Flow path 10: Circuit base 20: Heat dissipation base

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Abstract

本開示の回路基体は、セラミックスからなる基体と、該基体上に位置する接合層と、該接合層上に位置する金属層と、を備える。また、金属層は、銅を含む。また、接合層は、アルミニウム、珪素および酸素を含む。

Description

回路基体およびこれを備える放熱基体または電子装置
　本開示は、回路基体およびこれを備える放熱基体または電子装置に関する。
　回路基体上に金属層を備え、この金属層上に半導体素子、発熱素子、ペルチェ素子等の各種電子部品が搭載された電子装置が知られている。このような用途において使用される回路基体は、基体と、基体上に位置する、放熱性に優れた銅からなる金属層と、を備えている。
　ここで、基体には、優れた絶縁性および機械的強度を兼ね備えるセラミックスが用いられている。そして、基体と金属層と繋ぐ接合層としては、例えば、主成分として銀および銅を含むろう材が用いられている（例えば、特許文献１を参照）。
特開２０１２－１１５８４６号公報
　本開示の回路基体は、セラミックスからなる基体と、該基体上に位置する接合層と、該接合層上に位置する金属層と、を備える。また、金属層は、銅を含む。また、接合層は、アルミニウム、珪素および酸素を含む。
　本開示の回路基体は、加熱および冷却が繰り返されても、接合層に亀裂が発生しにくい、長期間に亘っての使用に耐えうる。
本開示の第１の実施形態の回路基体を模式的に示す断面図である。 本開示の第２の実施形態の回路基体を模式的に示す断面図である。 本開示の第３の実施形態の回路基体を模式的に示す断面図である。 本開示の第４の実施形態の回路基体を模式的に示す断面図である。 本開示の第５の実施形態の回路基体を模式的に示す断面図である。 本開示の放熱基体を模式的に示す断面図である。
　以下、本開示の回路基体について、図面を参照しながら詳細に説明する。
　本開示の第１の実施形態の回路基体１０は、図１に示すように、基体１と、基体１上に位置する接合層２と、接合層２上に位置する金属層３と、を備える。
　ここで、基体１は、セラミックスからなる。セラミックスとしては、例えば、炭化珪素質セラミックス、酸化アルミニウム質セラミックス、酸化ジルコニウム含有酸化アルミニウム質セラミックス、窒化珪素質セラミックスまたは窒化アルミニウム質セラミックス等のアルミニウムまたは珪素を含んだセラミックスを用いることができる。
　基体１が、窒化珪素質セラミックス等の窒化物系セラミックス、酸化アルミニウム質セラミックス、または窒化アルミニウム質セラミックスからなるときには、熱伝導率は高いことから、第１の実施形態の回路基体１０の放熱性を向上させることができる。なお、窒化珪素質セラミックスとは、窒化珪素質セラミックスを構成する全成分１００質量％のうち、窒化珪素が７０質量％以上を占めるものである。また、酸化アルミニウム質セラミックスとは、酸化アルミニウム質セラミックスを構成する全成分のうち、酸化アルミニウムが７０質量％を占めるものである。また、窒化アルミニウム質セラミックスとは、窒化アルミニウム質セラミックスを構成する全成分のうち、窒化アルミニウムが７０質量％以上を占めるものである。
　そして、基体１の材質は、以下の方法により確認することができる。まず、Ｘ線回折装置（ＸＲＤ）を用いて測定し、得られた２θ（２θは、回折角度である。）の値をＪＣＰＤＳカードで同定することで、対象基体の構成成分を同定する。次に、ＩＣＰ（Inductively Coupled Plasma）発光分光分析装置（ＩＣＰ）を用いて、対象基体の定量分析を行なう。このとき、ＸＲＤで同定された構成成分が窒化珪素であり、ＩＣＰで測定した珪素（Ｓｉ）の含有量から窒化珪素（Ｓｉ３Ｎ４）に換算した値が７０質量％以上であれば、窒化珪素質セラミックスである。なお、他のセラミックスについても同様である。
　そして、本開示の第１の実施形態の回路基体１０における金属層３は、銅を含んでいる。金属層３は、熱伝導率が高い銅を含むため、本開示の第１の実施形態の回路基体１０は放熱性に優れる。また、金属層３は、例えば構成する全成分１００質量％のうち、銅を９０質量％以上含んでもよい。金属層３の大部分が熱伝導率の高い銅で構成されていることから、本開示の第１の実施形態の回路基体１０は放熱性に優れる。
　なお、金属層３の平均厚みは、例えば、１００μｍ以上３０００μｍ以下であってもよい。
　また、本開示の第１の実施形態の回路基体１０における接合層２は、アルミニウム、珪素および酸素を含んでいる。また、接合層２は、例えば構成する全成分１００質量％のうち、アルミニウム、珪素および酸素の合計が９５質量％以上であってもよい。
　また、接合層２は、具体的には、接合層２を構成する全成分１００質量％のうち、アルミニウムが７０質量％以上８５質量％以下、珪素が４質量％以上１５質量％以下、酸素が５質量％以上１５質量％以下であってもよい。
　このような構成を満足していることで、接合層２を介して、セラミックスからなる基体１と銅を含む金属層３とを強固に接合できる。
　また、本開示の第２の実施形態の回路基体１０における接合層２は、図２に示すように、第１領域２ａと第２領域２ｂとを有していてもよい。
　第１領域２ａは、主に金属層３と接しており、第２領域２ｂは、基体１と接していている。
　第１領域２ａは、アルミニウムまたはアルミニウム合金を有している。アルミニウム合金は、珪素を有する。
　第２領域２ｂは、アルミニウムシリサイドを有していてもよい。アルミニウムシリサイドは、アルミニウムまたはアルミニウム合金と親和性が高い。そのため、第１領域２ａおよび第２領域２ｂは強固に接合されやすい。
　第２領域２ｂは、サイアロンを有していてもよい。サイアロンは、アルミニウムまたはアルミニウム合金と親和性が高い。そのため、第１領域２ａおよび第２領域２ｂは強固に接合されやすい。
　また、第２領域２ｂがアルミニウムシリサイドまたはサイアロンを有している場合は、基体１が有するアルミニウムまたは珪素との親和性が高い。したがって、第２領域および基体が強固に接合されやすい。そのため、基体１および接合層２は強固に接合されやすい。
　また、第２領域２ｂがアルミニウムシリサイドの場合は、酸化アルミニウム質セラミックスで構成された基体１との親和性が高い。したがって、第２領域および基体が強固に接合されやすい。そのため、基体１および接合層２は強固に接合されやすい。
　また、第２領域２ｂがサイアロンの場合は、窒化珪素質セラミックスまたは窒化アルミニウム質セラミックスで構成された基体１との親和性が高い。したがって、第２領域および基体が強固に接合されやすい。そのため、基体１および接合層２は強固に接合されやすい。
　基体１が接合層２と強固に接合されるため、基体１は金属層３と強固に接合される。したがって、加熱および冷却が繰り返されても、接合層２に亀裂が発生しにくい。よって、本開示の第２の実施形態の回路基体１０は、長期間に亘っての使用に耐えうる。
　また、接合層２の第２領域２ｂは、第３の実施形態として図３の回路基体１０に示すように、第２領域２ａと基体１の間に挟まれた層状であっても良い。
　なお、接合層２の平均厚みは、例えば、５μｍ以上４０μｍ以下であってもよい。
　ここで、接合層２および金属層３をそれぞれ構成する成分とその含有量は、以下の方法で確認すればよい。まず、図２または図３に示すような断面形状となるように、本開示の第２の実施形態または第３の実施形態の回路基体１０を切断し、クロスセクションポリッシャー（ＣＰ）を用いて研磨することで研磨面を得る。次に、この研磨面を観察面として、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）付設のエネルギー分散型Ｘ線分析装置（ＥＤＳ）用いて、接合層２および金属層３をそれぞれ構成する成分とその含有量を測定すればよい。または、接合層２および金属層３をそれぞれ削り取り、ＩＣＰや蛍光Ｘ線分析装置（ＸＲＦ）を用いて、接合層２および金属層３をそれぞれ構成する成分とその含有量を測定してもよい。
　また、接合層２の第２領域２ｂが、サイアロンまたはアルミニウムシリサイドであることを確認する方法としては、元素分析を行った際に、アルミニウムと珪素が同一に存在するときには、アルミニウムシリサイドを有しているとみなし、珪素とアルミニウムと酸素と窒素が同一に存在するときには、サイアロンを有しているとみなす。
　また、本開示の第４の実施形態の回路基体１０は、図４に示すように、接合層２と金属層３との間に中間層４を備え、この中間層４は、チタン、タングステンまたはモリブデンを含んでいてもよい。
　中間層４は、接合層２の第１領域２ａ中のアルミニウムが金属層３へ拡散することを抑制しやすい。また、接合層２の強度を維持できる。さらに、接合層２の第１領域２ａ中のアルミニウム合金と中間層４との親和性により、基体１と金属層３とをさらに強固に接合できる。したがって、加熱および冷却が繰り返されても、接合層２に亀裂が発生しにくい。
　また中間層４は、例えば、構成する全成分１００質量％のうち、チタン、タングステンおよびモリブデンの合計が５０質量％以上であってもよい。
　また、中間層４の平均厚みは、例えば、０．５μｍ以上５μｍ以下であってもよい。
　なお、中間層４の存在の確認は、上述した研磨面を観察面として、電子線マイクロアナライザー（ＥＰＭＡ）を用いて面分析を行ない、面分析のカラーマッピングにおいて、チタン、タングステンまたはモリブデンの層が存在するか否かで判断すればよい。また、中間層４を構成する成分の含有量は、上述した研磨面を観察面として、ＳＥＭ付設のＥＤＳ用いて測定すればよい。
　また、本開示の第４の実施形態の回路基体１０における中間層４に含まれるチタンは、水素化物、酸化物、窒化物、炭化物、または炭窒化物として存在していてもよい。このような構成を満足するならば、加熱および冷却が繰り返されても、接合層２の第１領域２ａ中のアルミニウムが金属層３へ拡散することをさらに抑制することができ、接合層２の強度をより維持できる。さらに、接合層２の第１領域２ａ中のアルミニウム合金と中間層４との親和性により、基体１と金属層３とをさらに強固に接合できることから、加熱および冷却が繰り返されても、接合層２に亀裂が発生しにくいものとなる。
　また中間層４は、例えば、構成する全成分１００質量％のうち、チタンが５０質量％以上であってもよい。
　なお、中間層４に含まれるチタンに水素化物、酸化物、窒化物、炭化物または炭窒化物が存在するか否かは、以下の方法で確認すればよい。まず、上述した研磨面を観察面として、ＥＰＭＡを用いて面分析を行なう。そして、面分析のカラーマッピングにおいて、チタンと酸素とが同時に存在する箇所が確認された場合、酸化物が存在しているとみなす。また、面分析のカラーマッピングにおいて、チタンと窒素とが同時に存在する箇所が確認された場合、窒化物が存在しているとみなす。また、面分析のカラーマッピングにおいて、チタンと炭素とが同時に存在する箇所が確認された場合、炭化物が存在しているとみなす。また、面分析のカラーマッピングにおいて、チタンと炭素と窒素が同時に存在する箇所が確認された場合、炭窒化物が存在しているとみなす。なお、水素化物の確認方法としては、中間層を切り出して二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ）を用いて、水素化物の存在を確認すればよい。
　また、本開示の回路基体１０は、図５に示すように、基体１にフィン５を設けてもよい。
　また、フィン５は、接合層２とは反対側の基体１に設けてもよい。
　また、フィン５は、例えばアルミニウムで構成されていてもよい。このように、フィン５が、熱伝導率の高いアルミニウムで構成されていることから、フィン５を設けることでより放熱性を高めることができる。
　また、本開示の回路基体１０は、図５に示すように、基体１とフィン５との間に接合層２が位置していてもよい。
　また、本開示の回路基体１０の接合層２は、図２または図３で示すように、第１領域２ａと第２領域２ｂとを有していてもよい。
　また、本開示の回路基体１０における基体１は、内部に流路を備えていてもよい。このような構成を満足するならば、流路に冷却用の流体（以下、冷媒と記載する）を流すことで、金属層３上の電子部品を効果的に冷却することができる。なお、流路は、どのような形状および大きさであっても構わない。
　また、本開示の放熱基体２０は、図６に示すように、上記回路基体１０と部材６とにより、流路７を構成している。ここで、部材６は、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる。このような構成を満足していることから、本開示の放熱部材２０は、部材がセラミックス等で構成される場合に比べて、軽量であるとともに、放熱性に優れることから、流路７に冷媒を流すことで、金属層３上の電子部品を効果的に冷却することができる。
　また、本開示の放熱基体２０は、図６に示すように、回路基体１０の基体１と部材５との間に接合層２が位置していてもよい。このような構成を満足するならば、セラミックスからなる基体１とアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる部材５とが強固に接合され、本開示の放熱基体２０は長期間の使用に適したものとなる。
　また、本開示の電子装置は、上記回路基体１０における金属層３上に位置する電子部品を備えるものである。または、上記放熱基体２０の回路基体１０における金属層３上に位置する電子部品を備えるものである。このような構成を満足していることで、本開示の電子装置は、長期間の使用が可能であり、信頼性に優れる。
　ここで、電子部品としては、例えば、発光ダイオード（ＬＥＤ）素子、レーザダイオード（ＬＤ）素子、絶縁ゲート・バイポーラ・トランジスタ（ＩＧＢＴ）素子、インテリジェント・パワー・モジュール（ＩＰＭ）素子、金属酸化膜型電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）素子、フリーホイーリングダイオード（ＦＷＤ）素子、ジャイアント・トランジスタ（ＧＴＲ）素子、ショットキー・バリア・ダイオード（ＳＢＤ）、高電子移動トランジスタ（ＨＥＭＴ）素子、相補型金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ）等の半導体素子、昇華型サーマルプリンタヘッドまたはサーマルインクジェットプリンタヘッド用の発熱素子、ペルチェ素子等を用いることができる。
　以下、本開示の回路基体の製造方法の一例について説明する。
　まず、公知の方法により、セラミックスからなる基体を準備する。具体的には、セラミックス原料を坏土にして押出すか、テープ状にして積層することによって成型体を作製し、焼成することで、基体を作製することができる。なお、基体は、内部に流路を備えていてよい。
　次に、銅を９０質量％以上含む金属層を準備する。ここで、後述する接合層と金属層との間に、チタン、タングステンまたはモリブデンを含む中間層を介在させるには、アルコキシド系やキレート系である、チタン、モリブデンまたはタングステンの化合物を含んだ溶剤を金属層にスクリーン印刷、刷毛塗り、インクジェット塗布、バーコーターまたはスプレー等により塗布し、１５０℃以上６５０℃以下の温度で１５分以上熱処理することによって、事前に金属層に中間層を形成しておく。ここで、スクリーン印刷を用いる場合は、中間層を任意の厚みにする事が容易となる。また、このようなアルコキシド系やキレート系である、チタン、モリブデンまたはタングステンの化合物を含んだ溶剤を用いることで、中間層の面積が大きくとも、膜質を均一に、かつ早く形成することが可能である。また、中間層を介在させる別の手法として、スパッタリング、蒸着、イオンプレーティング、めっき、成膜等で形成してもよい。
　なお、中間層にチタン水素化物、チタン酸化物、チタン窒化物、チタン炭化物、またはチタン炭窒化物を含ませるには、以下の方法を用いることができる。
　チタン水素化物の場合には、スパッタリング、蒸着、イオンプレーティング、めっき、成膜、またはチタンを含んだ溶剤を印刷することでチタン含有層を形成した後に、水素ガス雰囲気にて５５０℃以下での熱処理を行う。
　また、チタン酸化物の場合には、チタンを含んだ溶剤を印刷することでチタン含有層を形成した後に、不活性ガス雰囲気にて５００℃以上６５０℃以下での熱処理を行う。
　また、チタン窒化物の場合には、スパッタリング、蒸着、イオンプレーティング、めっき、成膜、またはチタンを含んだ溶剤を印刷することでチタン含有層を形成した後に、窒素雰囲気にて５００℃以上６５０℃以下の熱処理を行う。
　また、チタン炭窒化物の場合には、チタンを含んだ溶剤を印刷することでチタン含有層を形成した後に、窒素雰囲気にて５００℃以上６５０℃以下の熱処理を行う。
　また、チタン炭化物の場合には、チタンを含んだ溶剤を印刷することでチタン含有層を形成した後に、不活性ガス雰囲気または窒素雰囲気のいずれかにて５００℃以上６５０℃以下の熱処理を行なえばよい。
　上記の「チタンを含んだ溶剤」の溶剤としては、アルコキシド系またはキレート系等の溶剤を用いることができる。
　次に、接合層となる、シロキサンとアルミニウムとを含んだペーストを作製する。ここで、シロキサンとアルミニウムとの配合比は、後述する接合時の熱処理後に、接合層を構成する全成分１００質量％のうち、アルミニウム、珪素および酸素の合計が９５質量％以上となるようにすればよい。
　また、アルミニウムは麟片状の粉末を用いても良い。このような粉末を用いることによって、アルミニウムが広範囲に広がることから、接合層を効率よく形成することができる。特に、第２領域２ｂを形成しやすくなる。
　また、麟片状のアルミニウムの厚みは、例えば、１μｍ以上５μｍ以下であってもよい。
　また、麟片状のアルミニウムの外径は、例えば、１０μｍ以上２０μｍ以下であってもよい。
　次に、基体または金属層（金属層が中間層を有している場合は中間層）の一方の接合する面にスクリーン印刷、刷毛塗り、インクジェット塗布、バーコーターまたはスプレー等を用いて、接合層となるペーストを塗布する。ここで、スクリーン印刷を用いる場合は、接合層を任意の厚みにする事が容易となる。
　次に、１×１０-1Ｐａ以下の真空中にて５６０℃以上７００℃以下の温度で１５分以上熱処理を行なう。この熱処理により、シロキサン中のＳｉ－Ｏ－Ｓｉ基とアルミニウムとが反応し、アルミニウム合金が形成される。また、シロキサン中のＳｉ－Ｏ－Ｓｉ基とアルミニウムとが反応するときに、基体の表面側が分解されてアルミニウムシリサイドやサイアロンなどの化合物が形成される。例えば基体が酸化アルミニウム質セラミックスの場合はアルミニウムシリサイドが形成される。基体が窒化アルミニウム質セラミックス、または窒化珪素質セラミックス等の窒化物系セラミックスの場合はサイアロンが形成される。このようにして、シリサイドまたはサイアロンを有する接合層が形成される。シリサイドまたはサイアロンは、基体が有するアルミニウムや珪素と親和性が高い。したがって、接合層は、基体と金属層とを強固に接合することができる。これにより、本開示の回路基体を得る。
　なお、中間層がチタン窒化物を有するならば、熱処理により、シロキサン中のＳｉ－Ｏ－Ｓｉ基とアルミニウムとが反応し、形成されたアルミニウム合金を含む溶解物とチタン窒化物とは濡れ性がよいため、空孔の発生が無く、より強固に接合することができる。
　また、中間層がチタン、タングステン、モリブデン、チタン水素化物、チタン酸化物、チタン炭化物を有していても良い。
　また、凹部を備えたアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる部材を準備し、上述した接合層となるペーストを熱処理する前に、基体と部材とにより流路を構成するように、基体と部材との間に接合層となるペーストを配置した後に、上述した条件で熱処理を行なえば、本開示の放熱基体を得る。
　そして、回路基体または放熱基体の金属層上に電子部品を載置することで、本開示の電子装置を得る。
　１：基体
　２：接合層
　２ａ：第１領域
　２ｂ：第２領域
　３：金属層
　４：中間層
　５：フィン
　６：部材
　７：流路
　１０：回路基体
　２０：放熱基体

Claims (9)

  1. 　セラミックスからなる基体と、
    　該基体上に位置する接合層と、
    　該接合層上に位置する金属層と、を備え、
    　該金属層は、銅を含み、
    　前記接合層は、アルミニウム、珪素および酸素を含む、回路基体。
  2. 　前記接合層は、第１領域と第２領域を備え、
    　該第１領域は、アルミニウムまたはアルミニウム合金の少なくとも一方を有し、該第２領域は、サイアロンまたはアルミニウムシリサイドである、請求項１に記載の回路基体。
  3. 　前記接合層と前記金属層との間に中間層を備え、
    　該中間層は、チタン、タングステンまたはモリブデンを含む、請求項１または請求項２に記載の回路基体。
  4. 　前記チタンが、水素化物、酸化物、窒化物、炭化物、または炭窒化物として存在している、請求項１乃至３のいずれかに記載の回路基体。
  5. 　前記基体は、内部に流路を備える、請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の回路基体。
  6. 　請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の回路基体と、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる部材とにより、流路を構成する放熱基体。
  7. 　請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の回路基体の基体と前記部材との間に前記接合層が位置する、請求項６に記載の放熱基体。
  8. 　請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の回路基体における前記金属層上に位置する電子部品を備える、電子装置。
  9. 　請求項６または請求項７に記載の放熱基体の前記回路基体における前記金属層上に位置する電子部品を備える、電子装置。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022181566A1 (ja) * 2021-02-26 2022-09-01 京セラ株式会社 熱デバイス

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11154719A (ja) * 1997-03-14 1999-06-08 Toshiba Corp 窒化珪素回路基板、半導体装置及び窒化珪素回路基板の製造方法
JP2010016349A (ja) * 2008-06-06 2010-01-21 Mitsubishi Materials Corp パワーモジュール用基板、パワーモジュール及びパワーモジュール用基板の製造方法
JP2017135197A (ja) * 2016-01-26 2017-08-03 京セラ株式会社 回路基板

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6107638A (en) * 1997-03-14 2000-08-22 Kabushiki Kaisha Toshiba Silicon nitride circuit substrate and semiconductor device containing same
US6528123B1 (en) * 2000-06-28 2003-03-04 Sandia Corporation Coating system to permit direct brazing of ceramics
KR101400699B1 (ko) * 2007-05-18 2014-05-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 기판 및 반도체 장치 및 그 제조 방법
KR101675727B1 (ko) * 2010-03-09 2016-11-14 주식회사 케이씨씨 금속접합 세라믹기판
JP5191527B2 (ja) * 2010-11-19 2013-05-08 日本発條株式会社 積層体および積層体の製造方法
CN102593009B (zh) * 2011-01-11 2016-02-17 三菱综合材料株式会社 电源模块用基板的制造方法、电源模块用基板和电源模块
JP5548167B2 (ja) * 2011-07-11 2014-07-16 日本発條株式会社 積層体及び積層体の製造方法
KR102078891B1 (ko) * 2012-02-01 2020-02-18 미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤 파워 모듈용 기판, 히트 싱크가 부착된 파워 모듈용 기판, 파워 모듈, 파워 모듈용 기판의 제조 방법, 및 동 부재 접합용 페이스트
JP6044097B2 (ja) * 2012-03-30 2016-12-14 三菱マテリアル株式会社 ヒートシンク付パワーモジュール用基板、冷却器付パワーモジュール用基板及びパワーモジュール
JP6085968B2 (ja) * 2012-12-27 2017-03-01 三菱マテリアル株式会社 金属部材付パワーモジュール用基板、金属部材付パワーモジュール、及び金属部材付パワーモジュール用基板の製造方法
KR102130868B1 (ko) * 2013-03-14 2020-07-08 미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤 접합체, 파워 모듈용 기판, 및 히트 싱크가 부착된 파워 모듈용 기판
JP6432466B2 (ja) * 2014-08-26 2018-12-05 三菱マテリアル株式会社 接合体、ヒートシンク付パワーモジュール用基板、ヒートシンク、接合体の製造方法、ヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法、及び、ヒートシンクの製造方法
JP6048558B2 (ja) * 2014-10-16 2016-12-21 三菱マテリアル株式会社 冷却器付パワーモジュール用基板及びその製造方法
JP6729224B2 (ja) * 2015-11-26 2020-07-22 三菱マテリアル株式会社 セラミックス／アルミニウム接合体、絶縁回路基板、パワーモジュール、ｌｅｄモジュール、熱電モジュール
JP6904088B2 (ja) * 2016-06-30 2021-07-14 三菱マテリアル株式会社 銅／セラミックス接合体、及び、絶縁回路基板
CN108682659B (zh) * 2018-05-16 2019-09-13 江苏芯澄半导体有限公司 一种用于新能源汽车的宽禁带半导体碳化硅功率器件封装结构

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11154719A (ja) * 1997-03-14 1999-06-08 Toshiba Corp 窒化珪素回路基板、半導体装置及び窒化珪素回路基板の製造方法
JP2010016349A (ja) * 2008-06-06 2010-01-21 Mitsubishi Materials Corp パワーモジュール用基板、パワーモジュール及びパワーモジュール用基板の製造方法
JP2017135197A (ja) * 2016-01-26 2017-08-03 京セラ株式会社 回路基板

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022181566A1 (ja) * 2021-02-26 2022-09-01 京セラ株式会社 熱デバイス

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