WO2020184768A1 - Wafer lapping apparatus - Google Patents

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WO2020184768A1
WO2020184768A1 PCT/KR2019/003418 KR2019003418W WO2020184768A1 WO 2020184768 A1 WO2020184768 A1 WO 2020184768A1 KR 2019003418 W KR2019003418 W KR 2019003418W WO 2020184768 A1 WO2020184768 A1 WO 2020184768A1
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supply pipe
float
wrapping apparatus
wafer
slurry
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PCT/KR2019/003418
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김진영
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에스케이실트론 주식회사
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    • H01L21/67207Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process

Definitions

  • the present invention relates to a wafer manufacturing apparatus, and more particularly, to a wafer wrapping apparatus for improving the flatness of the wafer.
  • Single crystal silicon ingots are generally grown and manufactured according to the Czochralski method.
  • polycrystal is melted in a crucible in a chamber, a single crystal seed crystal is immersed in the molten silicon, and then grown into a single crystal silicon ingot (hereinafter, referred to as an ingot) of a desired diameter while gradually increasing it. That's the way.
  • the manufacturing process of a single silicon wafer includes a single crystal growing process for making an ingot using the above-described method, a slicing process for obtaining a thin disk-shaped wafer by slicing the ingot, and , Edge grinding process to process the outer periphery of the wafer obtained by the slicing process to prevent cracking and distortion, and improve the flatness of the wafer by removing damage caused by mechanical processing remaining on the wafer. It consists of a lapping process for making the wafer, a polishing process for mirroring the wafer, and a cleaning process for removing abrasives or foreign substances attached to the polished wafer.
  • lapping is performed as a primary polishing process to improve the flatness of the wafer.
  • the lapping process is performed through a wafer wrapping device, and after a wafer placed in the wafer wrapping device is brought into contact with a polishing surface, a chemical polishing agent, Slurry, is supplied to the wafer to perform mechanical friction.
  • the wafer wrapping apparatus includes a platen made of an upper platen and a lower platen.
  • a wafer carrier is disposed between the upper platen and the lower platen, and a plurality of wafers are mounted on the wafer carrier.
  • the wafer carrier is meshed with a sun gear disposed on a rotation axis, which is a central region of the upper and lower base, and an internal gear formed in the inner direction of the circumference.
  • a plurality of through holes are formed through the upper plate in a vertical direction, and the plurality of through holes may be combined with a plurality of supply pipes.
  • the supply pipe may be composed of a slurry supply pipe or an air supply pipe. Appropriate pressure is provided between the upper platen and the lower platen through an air supply pipe, and a slurry in which abrasive particles, dispersant, and diluent are mixed may be supplied to the wafer under the upper platen through the slurry supply pipe.
  • the slurry remaining inside the platen may flow back into the slurry supply pipe and the air supply pipe.
  • the backwashed slurry causes contamination of the slurry supply pipe and air supply pipe, such as solidification and discoloration, and the contaminated slurry supply pipe and air supply pipe supply the contaminated slurry and air to the platen, causing a problem that adversely affects the wafer wrapping process.
  • the present invention provides a wafer wrapping apparatus capable of improving the quality of a wafer wrapping process by preventing the slurry remaining inside the platen from flowing back to the supply pipe (slurry supply pipe or air supply pipe).
  • the present invention is the upper half; A plurality of through holes formed through the upper plate; A plurality of supply pipes respectively coupled to the plurality of through holes to supply slurry or air under the upper plate; And a backflow prevention part provided in the supply pipe to prevent the slurry under the upper plate from flowing backward. It provides a wafer wrapping apparatus comprising a.
  • the upper plate may further include a fitting tube protruding above the plurality of through holes to allow the plurality of supply tubes to be fitted.
  • the plurality of supply pipes may include a slurry supply pipe and an air supply pipe.
  • An upper stopper having a through hole and coupled to the inside of the supply pipe;
  • a lower stopper coupled to an upper portion of the fitting pipe to form a discharge hole;
  • a float installed movably between the upper stopper and the lower stopper.
  • the float may have a cylindrical shape.
  • a plurality of flow path grooves may be formed on the outer peripheral surface of the float.
  • the flow path groove may be vertically depressed in a lengthwise direction of the float.
  • the plurality of flow path grooves may be arranged so as to have equal intervals on the outer circumferential surface of the float.
  • the flow path groove may have a rectangular horizontal cross section with one side open.
  • the float may include polyvinylidene difluoride (PVDF).
  • PVDF polyvinylidene difluoride
  • a diameter of the float may be larger than a diameter of the through hole and smaller than a diameter of the fitting tube.
  • the upper portion of the float may have a flat shape such that a part of the float is inserted into the through hole of the upper stopper.
  • the upper portion of the float may have a hemispherical shape.
  • the through hole may be located in the central region of the supply pipe.
  • the lower stopper may have a cross (+) shape.
  • the present invention is the upper half; A plurality of through holes formed through the upper plate; A plurality of fitting pipes protruding above the plurality of through holes so that the plurality of supply pipes are fitted; A slurry supply pipe coupled to at least one of the plurality of fitting pipes; An air supply pipe coupled to at least one of the plurality of fitting pipes; And a backflow prevention part provided in at least one of the slurry supply pipe and the air supply pipe to prevent the slurry under the upper plate from flowing backward. It provides a wafer wrapping apparatus comprising a.
  • An upper stopper having a through hole and coupled to the inside of the supply pipe;
  • a lower stopper coupled to an upper portion of the fitting pipe to form a discharge hole;
  • a float installed movably between the upper stopper and the lower stopper.
  • the quality of the wafer wrapping process can be improved by preventing reverse flow, solidification, discoloration, etc. of the slurry remaining inside the platen by installing a backflow prevention part in the supply pipe (slurry supply pipe or air supply pipe).
  • FIG. 1 is a partially cut-away perspective view of a wafer wrapping apparatus according to an embodiment.
  • FIG. 2 is an enlarged side cross-sectional view of area “A” of FIG. 1.
  • FIG. 3 is a perspective view according to the first embodiment of the backflow prevention part of FIG. 2.
  • FIG. 4 is a side cross-sectional view of FIG. 3.
  • 5 and 6 are operational diagrams of FIG. 4.
  • FIG. 7 and 8 are side cross-sectional views of an enlarged area "A" of FIG. 1 according to a comparative example.
  • FIG. 9 is a perspective view and a bottom plan view of a backflow prevention part of the second embodiment.
  • FIG. 10 is a perspective view and a top plan view of a backflow prevention part of the third embodiment.
  • each layer (film), region, pattern, or structure is “on” or “under” of the substrate, each layer (film), region, pad or patterns.
  • “on” and “under” include both “directly” or “indirectly” formed do.
  • the standards for the top/top or bottom/bottom of each layer will be described based on the drawings.
  • FIG. 1 is a partially cut-away perspective view of a wafer wrapping apparatus according to an embodiment.
  • the wafer wrapping apparatus 1 of the embodiment includes an upper plate 10, a lower plate 20, a sun gear 30, an internal gear 40, an internal gear, and a wafer carrier. (50, Wafer Carrier), may be configured to include a supply pipe (60).
  • the upper plate 10 may polish the wafer W while in contact with the upper surface of the wafer W to be polished.
  • the upper plate 10 may rotate around the rotation shaft 15 in which the sun gear 30 is located, and may be in a fixed position without rotating.
  • the upper platen 10 is disposed on the upper side of the lower platen 20, and may be moved up and down so as to approach or move away from the lower platen 20.
  • the lower platen 20 is disposed under the upper platen 10 and may polish the wafer W while in contact with the lower surface of the wafer W to be polished.
  • the lower platen 20 may be rotatably mounted about the rotation shaft 15. For example, the lower platen 20 can rotate in the opposite direction to the upper platen 10 when the upper platen 10 rotates, and if the upper platen 10 does not rotate, it can rotate in one direction or in a forward/reverse direction. have.
  • the upper platen 10 and the lower platen 20 may be generally made of graphite cast iron.
  • a plurality of slurry grooves having a lattice shape may be formed in the upper plate 10 and the lower plate 20, respectively.
  • the slurry supplied to the supply pipe 60 which will be described later, moves to and fills the slurry groove, and the upper platen 10 and the lower platen 20 use the supplied slurry particles to separate the wafer W. It can be polished efficiently.
  • the sun gear 30 may be disposed in the center of the lower platen 20 to rotate around the rotation shaft 15.
  • the sun gear 30 may be engaged with the wafer carrier 50 so as to guide the rotational motion of the wafer carrier 50 together with the internal gear 40.
  • the internal gear 40 is disposed in a shape surrounding the outer circumferential surface of the lower platen 20 and may be disposed under the upper platen 10.
  • the wafer carrier 50 is engaged with the inner circumferential surface of the internal gear 40 to guide the rotational motion of the wafer carrier 50.
  • the internal gear 40 may be configured to be independently rotated together with the sun gear 30. For example, as shown by an arrow in FIG. 1, the internal gear 40 may rotate in the same direction as the lower platen 20, and the sun gear 30 may rotate in the opposite direction.
  • the wafer carrier 50 can accommodate the wafer W to be polished while being installed in the interior space of the platen.
  • a wafer mounting hole capable of accommodating at least one wafer W may be formed in the wafer carrier 50. In the embodiment, it is illustrated that four wafers W are mounted on one wafer carrier 50, but the number, size, installation position, etc. can be modified.
  • a gear is formed on the outer circumferential surface of the wafer carrier 50 so that it can rotate between the lower platen 20 and the upper platen 10 during the lapping process while being meshed with the sun gear 30 and the internal gear 40 described above.
  • the wafer W accommodated in the wafer carrier 50 and rotated between the upper platen 10 and the lower platen 20 contacts the lower surface of the upper platen 10 and the upper surface of the lower platen 20 while Polishing can be done simultaneously.
  • the wafer W is accommodated in the wafer carrier 50 and can be polished while rotating inside the upper plate 10 and the lower plate 20.
  • the supply pipe 60 may be coupled to the upper plate 10 to supply slurry or air toward the wafer W to be polished during the lapping process.
  • FIG. 2 is an enlarged side cross-sectional view of area “A” of FIG. 1.
  • a plurality of through holes 13 are formed in the upper plate 10, and a plurality of supply pipes 60 may be respectively coupled to the plurality of through holes 13.
  • a plurality of through holes 13 may be evenly disposed in various areas of the upper plate 10, and the upper plate 10 protrudes above the plurality of through holes 13 so that a plurality of supply pipes 60 are inserted. It may further include a fitting pipe (11).
  • the fitting pipe 11 may protrude to surround the through hole 13 from the upper surface of the upper plate 10 by a certain height at which the supply pipe 60 can be fitted. The outer periphery of the fitting pipe 11 may be in close contact with the inside of the supply pipe 60 being inserted.
  • the plurality of supply pipes 60 may include a slurry supply pipe 61 or an air supply pipe 62.
  • the slurry supply pipe 61 may receive a slurry from a slurry powder ring (not shown) and supply it under the upper plate 10. That is, the slurry supply pipe 61 is coupled through the fitting pipe 11 of a plurality of through-holes 13 evenly distributed in various areas of the upper plate 10, so that the slurry is placed under the upper plate 10. It can supply evenly.
  • the air supply pipe 62 may receive air or nitrogen (N2) gas from a compressor (not shown) and supply it under the upper plate 10. That is, the air supply pipe 62 is coupled through the fitting pipe 11 of the plurality of through holes 13 at appropriate positions distributed on the upper table 10, and air under the upper table 10 when necessary. By supplying (hydraulic pressure), the upper plate 10 and the wafer W or the upper plate 10 and the lower plate 20 can be easily separated.
  • N2 nitrogen
  • the wafer wrapping apparatus 1 of the embodiment is provided in the above-described supply pipe 60 (at least one of the slurry supply pipe 61 or the air supply pipe 62), and the slurry remaining under the upper plate 10 It may further include a backflow prevention unit (100, 100a, 100b) for preventing the reverse flow.
  • a backflow prevention unit 100, 100a, 100b
  • FIG. 3 is a perspective view according to the first embodiment of the backflow prevention unit of FIG. 2
  • FIG. 4 is a side cross-sectional view of FIG. 3
  • FIGS. 5 and 6 are operation diagrams of FIG. 4.
  • the backflow prevention unit 100 of the first embodiment includes an upper stopper 110, a lower stopper 120, and a float 130.
  • Can include.
  • the upper stopper 110 has a through hole 111 and may be coupled to the inside of the supply pipe 60.
  • the upper stopper 110 serves to limit the upper movement of the float 130 in the supply pipe 60.
  • the float 130 may be in close contact with the upper stopper 110 and the upper and lower portions of the supply pipe 60 may be isolated or sealed.
  • the through hole 111 may be located in the central region of the supply pipe 60.
  • the upper stopper 110 may have a donut shape in which a hollow through hole 111 is formed. Slurry or air may flow through the through hole 111. Although one through hole 111 is circularly penetrated in the central region, the shape, position, number, etc. may be modified.
  • the lower stopper 120 may be coupled to the upper part of the fitting pipe 11 to form the discharge hole 121.
  • the lower stopper 120 may limit the lower movement of the float 130 within the supply pipe 60.
  • the lower stopper 120 may have a cross (+) shape.
  • the lower stopper may form four discharge holes 121.
  • the lower stopper 120 is not limited to the above-described shape, and may have various shapes such as one (-) letter, a well positive (#) letter, and the like, and the shape and number of the discharge holes 121 may be modified. .
  • the float 130 is in close contact with the lower stopper 120, but through the discharge hole 121, from the upper portion of the supply pipe 60 toward the through hole 13, a slurry or Air can move.
  • the float 130 may be installed to be movable between the upper stopper 110 and the lower stopper 120.
  • the float 130 may flow up and down in the supply pipe 60 according to the flow of the slurry. That is, a flow space 131 having a certain height H may exist inside the supply pipe 60 between the upper stopper 110 and the lower stopper 120.
  • the float 130 may have a cylindrical shape. That is, the float 130 may have a circular top and a bottom surface. The upper surface of the float 130 may contact the upper stopper 110, and the lower surface of the float 130 may contact the lower stopper 120.
  • the float 130 may be a lightweight material that can be freely moved by a flow of slurry or air.
  • the float 130 may be made of a plastic resin material such as polyvinylidene difluoride (PVDF).
  • PVDF polyvinylidene difluoride
  • the diameter of the float 130 may be larger than the diameter of the through hole 111 of the upper stopper 110 and smaller than the diameter of the fitting tube 11.
  • the slurry remaining under the top plate 10 increases or the pressure inside the platen changes, the slurry remaining inside the platen is transferred to the slurry supply pipe ( 61) and the air supply pipe 62 can flow back.
  • the slurry flowing back as shown by the arrow in FIG. 6 may raise the float 130 to be in close contact with the upper stopper 110 inside the supply pipe 60.
  • the diameter of the float 130 is the diameter of the upper stopper 110 is larger than the diameter of the through hole 111, so that the through hole 111 is closed, and a slurry is supplied inside the supply located at the top of the upper stopper 110. Becomes unable to flow.
  • FIG. 7 and 8 are side cross-sectional views of an enlarged area "A" of FIG. 1 according to a comparative example.
  • the wafer wrapping apparatus of the embodiment is used to reverse flow and solidify the slurry remaining inside the platen. , Discoloration, etc. can be prevented to improve the quality of the wafer wrapping process.
  • FIG. 9 is a perspective view and a bottom plan view of a backflow prevention part of the second embodiment.
  • the reverse flow prevention part 100a of the second embodiment differs in that a plurality of flow path grooves 140 are formed on the outer circumferential surface of the float 130a.
  • the flow path groove 140 may be vertically depressed along the length direction of the float 130a.
  • the flow path groove 140 may have a rectangular horizontal cross section with one side open.
  • the flow path groove 140 may be formed in a square shape with one side open when viewed from the top.
  • the plurality of flow path grooves 140 may be arranged to have equal intervals on the outer circumferential surface of the float 130a.
  • the plurality of flow path grooves 140 provide a path for fluid (Slurry or Air) to improve the flow of slurry or air flowing inside the supply pipe 60. I can. That is, the plurality of flow path grooves 140 may improve the flow of slurry to the outside of the float 130.
  • FIG. 10 is a perspective view and a top plan view of a backflow prevention part of the third embodiment.
  • the backflow prevention part 100b of the second embodiment has a vertical shape so that a part of the upper part 150 of the float 130b is fitted into the through hole 111 of the upper stopper 110. It differs from the above-described embodiments in that.
  • the upper portion 150 of the float 130b may have a hemispherical shape.
  • the above-described shape of the float 130b improves adhesion to the upper stopper 110 and further seals the gap with the through hole 111, thereby further preventing the slurry from flowing backward.
  • the shape of the float 130 described above in the backflow prevention unit 100b of the present embodiment may be modified.
  • the wafer wrapping apparatus of the present invention by providing a backflow prevention unit in the supply pipe, it is possible to improve the quality of the wafer wrapping process by preventing backflow, solidification, discoloration, etc. of the slurry remaining inside the platen.
  • the present invention can be applied to an apparatus for manufacturing a semiconductor substrate such as a silicon wafer.

Abstract

The present invention provides a wafer lapping apparatus comprising: a top lap; a plurality of through holes perforated in the top lap; a plurality of supply tubes respectively coupled to the plurality of through holes, to supply slurry or air to under the top lap; and a backflow prevention unit provided in the supply tubes, to prevent the slurry under the top lap from backflowing.

Description

웨이퍼 랩핑 장치Wafer wrapping device
본 발명은 웨이퍼 제조 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 웨이퍼의 평탄도를 향상시키는 웨이퍼 랩핑 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a wafer manufacturing apparatus, and more particularly, to a wafer wrapping apparatus for improving the flatness of the wafer.
단결정 실리콘 잉곳(Single Crystal Silicon Ingot)은 일반적으로 초크랄스키법(Czochralski method)에 따라 성장되어 제조된다. 이 방법은 챔버 내의 도가니에서 다결정 실리콘(Polycrystal)을 용융시키고, 용융된 실리콘에 단결정인 종자 결정(seed crystal)을 담근 후, 이를 서서히 상승시키면서 원하는 지름의 단결정 실리콘 잉곳(이하, 잉곳)으로 성장시키는 방법이다.Single crystal silicon ingots are generally grown and manufactured according to the Czochralski method. In this method, polycrystal is melted in a crucible in a chamber, a single crystal seed crystal is immersed in the molten silicon, and then grown into a single crystal silicon ingot (hereinafter, referred to as an ingot) of a desired diameter while gradually increasing it. That's the way.
단결정 실리콘 웨이퍼(Single Silicon Wafer)의 제조 공정은 상술한 방법을 이용하여 잉곳을 만들기 위한 단결정 성장(Growing) 공정과, 잉곳을 슬라이싱(Slicing)하여 얇은 원판 모양의 웨이퍼를 얻는 슬라이싱(Slicing) 공정과, 슬라이싱 공정에 의해 얻어진 웨이퍼의 깨짐, 일그러짐을 방지하기 위해 그 외주부를 가공하는 외주 그라인딩(Edge Grinding) 공정과, 웨이퍼에 잔존하는 기계적 가공에 의한 손상(Damage)을 제거하여 웨이퍼의 평탄도를 향상시키기 위한 랩핑(Lapping) 공정과, 웨이퍼를 경면화하는 연마(Polishing) 공정과, 연마된 웨이퍼에 부착된 연마제나 이물질을 제거하는 세정(Cleaning) 공정으로 이루어진다.The manufacturing process of a single silicon wafer includes a single crystal growing process for making an ingot using the above-described method, a slicing process for obtaining a thin disk-shaped wafer by slicing the ingot, and , Edge grinding process to process the outer periphery of the wafer obtained by the slicing process to prevent cracking and distortion, and improve the flatness of the wafer by removing damage caused by mechanical processing remaining on the wafer. It consists of a lapping process for making the wafer, a polishing process for mirroring the wafer, and a cleaning process for removing abrasives or foreign substances attached to the polished wafer.
여기서, 웨이퍼의 평탄도를 향상시키기 위한 1차적인 연마 공정으로서의 랩핑을 수행하고 있다. 랩핑 공정은 웨이퍼 랩핑 장치를 통해 이루어지며, 웨이퍼 랩핑 장치 내에 위치한 웨이퍼를 연마면에 접촉시킨 후, 화학적 연마제인 슬러리(Slurry)를 웨이퍼에 공급하여 기계적인 마찰을 수행한다.Here, lapping is performed as a primary polishing process to improve the flatness of the wafer. The lapping process is performed through a wafer wrapping device, and after a wafer placed in the wafer wrapping device is brought into contact with a polishing surface, a chemical polishing agent, Slurry, is supplied to the wafer to perform mechanical friction.
보다 상세하게는, 웨이퍼 랩핑 장치는 상정반과 하정반으로 이루어지는 정반을 구비한다. 상정반과 하정반 사이에는 웨이퍼 캐리어가 배치되며, 웨이퍼 캐리어에는 다수의 웨이퍼가 장착된다. 웨이퍼 캐리어는 상정반과 하정반의 중심 영역인 회전축 상에 배치되는 선 기어와 원주의 내측 방향에 형성된 인터널 기어에 맞물려 있다.More specifically, the wafer wrapping apparatus includes a platen made of an upper platen and a lower platen. A wafer carrier is disposed between the upper platen and the lower platen, and a plurality of wafers are mounted on the wafer carrier. The wafer carrier is meshed with a sun gear disposed on a rotation axis, which is a central region of the upper and lower base, and an internal gear formed in the inner direction of the circumference.
상정반에는 다수의 통공이 수직 방향으로 관통 형성되며, 다수의 통공은 다수의 공급관과 결합될 수 있다. 여기서 공급관은 슬러리 공급관 또는 공기 공급관으로 구성될 수 있다. 공기 공급관을 통해서 적절한 압력이 상정반과 하정반 사이로 제공되며, 슬러리 공급관을 통해 연마용 입자와 분산제, 희석제 등이 혼합된 슬러리(Slurry)가 상정반 아래의 웨이퍼로 공급될 수 있다.A plurality of through holes are formed through the upper plate in a vertical direction, and the plurality of through holes may be combined with a plurality of supply pipes. Here, the supply pipe may be composed of a slurry supply pipe or an air supply pipe. Appropriate pressure is provided between the upper platen and the lower platen through an air supply pipe, and a slurry in which abrasive particles, dispersant, and diluent are mixed may be supplied to the wafer under the upper platen through the slurry supply pipe.
그런데, 상정반 아래에 잔류한 슬러리의 양이 많게 되거나 정반 내부의 압력이 변화하게 되면, 정반 내부에 잔존하는 슬러리가 슬러리 공급관과 공기 공급관으로 역류할 수 있다. 역류한 슬러리는 고형화, 변색 등 슬러리 공급관과 공기 공급관의 오염을 유발하고, 오염된 슬러리 공급관과 공기 공급관은 정반에 오염된 슬러리와 공기를 공급하여 웨이퍼 랩핑 공정에 악영향을 끼치는 문제를 야기한다.However, when the amount of the slurry remaining under the upper plate increases or the pressure inside the platen changes, the slurry remaining inside the platen may flow back into the slurry supply pipe and the air supply pipe. The backwashed slurry causes contamination of the slurry supply pipe and air supply pipe, such as solidification and discoloration, and the contaminated slurry supply pipe and air supply pipe supply the contaminated slurry and air to the platen, causing a problem that adversely affects the wafer wrapping process.
본 발명은 정반 내부에 잔존하는 슬러리가 공급관(슬러리 공급관 또는 공기 공급관)으로 역류하는 것을 방지하여 웨이퍼 랩핑 공정의 품질을 향상시킬 수 있는 웨이퍼 랩핑 장치를 제공하는 것이다.The present invention provides a wafer wrapping apparatus capable of improving the quality of a wafer wrapping process by preventing the slurry remaining inside the platen from flowing back to the supply pipe (slurry supply pipe or air supply pipe).
본 발명은 상정반; 상기 상정반에 관통 형성된 다수의 관통홀; 상기 다수의 관통홀에 각각 결합되어 슬러리 또는 공기를 상기 상정반 아래로 공급하는 다수의 공급관; 및 상기 공급관에 구비되어 상기 상정반 아래의 슬러리가 역류하는 것을 방지하는 역류방지부; 를 포함하는 웨이퍼 랩핑 장치를 제공한다.The present invention is the upper half; A plurality of through holes formed through the upper plate; A plurality of supply pipes respectively coupled to the plurality of through holes to supply slurry or air under the upper plate; And a backflow prevention part provided in the supply pipe to prevent the slurry under the upper plate from flowing backward. It provides a wafer wrapping apparatus comprising a.
상기 상정반은 상기 다수의 관통홀의 상부에 돌출되어 상기 다수의 공급관이 끼워지도록 하는 끼움관을 더 포함할 수 있다.The upper plate may further include a fitting tube protruding above the plurality of through holes to allow the plurality of supply tubes to be fitted.
상기 다수의 공급관은 슬러리 공급관 및 공기 공급관을 포함할 수 있다.The plurality of supply pipes may include a slurry supply pipe and an air supply pipe.
상기 역류방지부는 통공을 가지며 상기 공급관 내측에 결합되는 상부 스토퍼; 배출공을 형성하도록 상기 끼움관 상부에 결합되는 하부 스토퍼; 및 상기 상부 스토퍼와 상기 하부 스토퍼 사이에 이동가능하게 설치되는 플로트를 포함할 수 있다.An upper stopper having a through hole and coupled to the inside of the supply pipe; A lower stopper coupled to an upper portion of the fitting pipe to form a discharge hole; And a float installed movably between the upper stopper and the lower stopper.
상기 플로트는 원기둥 형상을 가질 수 있다.The float may have a cylindrical shape.
상기 플로트의 외주면에는 다수의 유로홈이 형성될 수 있다.A plurality of flow path grooves may be formed on the outer peripheral surface of the float.
상기 유로홈은 상기 플로트의 길이 방향을 따라 수직으로 길게 함몰 형성될 수 있다.The flow path groove may be vertically depressed in a lengthwise direction of the float.
상기 다수의 유로홈은 상기 플로트의 외주면을 등간격을 갖도록 배치될 수 있다.The plurality of flow path grooves may be arranged so as to have equal intervals on the outer circumferential surface of the float.
상기 유로홈은 일측이 개방된 사각형상의 수평 단면을 가질 수 있다.The flow path groove may have a rectangular horizontal cross section with one side open.
상기 플로트는 폴리비닐리덴 디플루오 라이드(polyvinylidene difluoride, PVDF)를 포함할 수 있다.The float may include polyvinylidene difluoride (PVDF).
상기 플로트의 지름은 상기 통공의 지름보다 크고 상기 끼움관의 지름보다 작은 크기를 가질 수 있다.A diameter of the float may be larger than a diameter of the through hole and smaller than a diameter of the fitting tube.
상기 플로트의 상부는 일부가 상기 상부 스토퍼의 통공에 끼워지도록 위로 뽀죡한 형상을 가질 수 있다.The upper portion of the float may have a flat shape such that a part of the float is inserted into the through hole of the upper stopper.
상기 플로트의 상부는 반구형상을 가질 수 있다.The upper portion of the float may have a hemispherical shape.
상기 통공은 상기 공급관의 중심 영역에 위치할 수 있다.The through hole may be located in the central region of the supply pipe.
상기 하부 스토퍼는 십(+)자 형상을 가질 수 있다.The lower stopper may have a cross (+) shape.
한편, 본 발명은 상정반; 상기 상정반에 관통 형성된 다수의 관통홀; 상기 다수의 관통홀의 상부에 돌출되어 상기 다수의 공급관이 끼워지도록 하는 다수의 끼움관; 상기 다수의 끼움관 중 적어도 어느 하나에 결합되는 슬러리 공급관; 상기 다수의 끼움관 중 적어도 어느 하나에 결합되는 공기 공급관; 및 상기 슬러리 공급관 또는 상기 공기 공급관 중 적어도 어느 하나에 구비되어 상기 상정반 아래의 슬러리가 상기 역류하는 것을 방지하는 역류방지부; 를 포함하는 웨이퍼 랩핑 장치를 제공한다.On the other hand, the present invention is the upper half; A plurality of through holes formed through the upper plate; A plurality of fitting pipes protruding above the plurality of through holes so that the plurality of supply pipes are fitted; A slurry supply pipe coupled to at least one of the plurality of fitting pipes; An air supply pipe coupled to at least one of the plurality of fitting pipes; And a backflow prevention part provided in at least one of the slurry supply pipe and the air supply pipe to prevent the slurry under the upper plate from flowing backward. It provides a wafer wrapping apparatus comprising a.
상기 역류방지부는 통공을 가지며 상기 공급관 내측에 결합되는 상부 스토퍼; 배출공을 형성하도록 상기 끼움관 상부에 결합되는 하부 스토퍼; 및 상기 상부 스토퍼와 상기 하부 스토퍼 사이에 이동가능하게 설치되는 플로트를 포함할 수 있다.An upper stopper having a through hole and coupled to the inside of the supply pipe; A lower stopper coupled to an upper portion of the fitting pipe to form a discharge hole; And a float installed movably between the upper stopper and the lower stopper.
본 발명의 웨이퍼 랩핑 장치에 따르면, 공급관(슬러리 공급관 또는 공기 공급관)에 역류방지부를 설치함으로써 정반 내부에 잔존하는 슬러리의 역류, 고형화, 변색 등을 방지하여 웨이퍼 랩핑 공정의 품질을 향상시킬 수 있다.According to the wafer wrapping apparatus of the present invention, the quality of the wafer wrapping process can be improved by preventing reverse flow, solidification, discoloration, etc. of the slurry remaining inside the platen by installing a backflow prevention part in the supply pipe (slurry supply pipe or air supply pipe).
도 1은 실시 예의 웨이퍼 랩핑 장치의 부분 절개 사시도이다.1 is a partially cut-away perspective view of a wafer wrapping apparatus according to an embodiment.
도 2는 도 1의 "A" 영역을 확대한 측단면도이다.FIG. 2 is an enlarged side cross-sectional view of area “A” of FIG. 1.
도 3은 도 2의 역류방지부의 제1 실시예에 따른 사시도이다.3 is a perspective view according to the first embodiment of the backflow prevention part of FIG. 2.
도 4는 도 3의 측단면도이다.4 is a side cross-sectional view of FIG. 3.
도 5 및 도 6은 도 4의 동작도들이다.5 and 6 are operational diagrams of FIG. 4.
도 7 및 도 8은 비교예에 따른 도 1의 "A" 영역을 확대한 측단면도들이다.7 and 8 are side cross-sectional views of an enlarged area "A" of FIG. 1 according to a comparative example.
도 9는 제2 실시예의 역류방지부의 사시도 및 하부 평면도이다.9 is a perspective view and a bottom plan view of a backflow prevention part of the second embodiment.
도 10은 제3 실시예의 역류방지부에 사시도 및 상부 평면도이다.10 is a perspective view and a top plan view of a backflow prevention part of the third embodiment.
이하, 실시 예들은 첨부된 도면 및 실시 예들에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다. 실시 예의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on)"에 또는 "하/아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on)"와 "하/아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 상/위 또는 하/아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.Hereinafter, embodiments will be clearly revealed through the accompanying drawings and descriptions of the embodiments. In the description of the embodiment, each layer (film), region, pattern, or structure is "on" or "under" of the substrate, each layer (film), region, pad or patterns. In the case of being described as being formed in, "on" and "under" include both "directly" or "indirectly" formed do. In addition, the standards for the top/top or bottom/bottom of each layer will be described based on the drawings.
도면에서 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다. 또한 동일한 참조번호는 도면의 설명을 통하여 동일한 요소를 나타낸다. 이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시 예를 설명한다.In the drawings, the sizes are exaggerated, omitted, or schematically illustrated for convenience and clarity of description. Also, the size of each component does not fully reflect the actual size. Also, the same reference numerals denote the same elements throughout the description of the drawings. Hereinafter, embodiments will be described with reference to the accompanying drawings.
도 1은 실시 예의 웨이퍼 랩핑 장치의 부분 절개 사시도이다.1 is a partially cut-away perspective view of a wafer wrapping apparatus according to an embodiment.
도 1에 도시된 바와 같이, 실시예의 웨이퍼 랩핑 장치(1)는 상정반(10), 하정반(20), 선 기어(30, Sun Gear), 인터널 기어(40, Internal Gear), 웨이퍼 캐리어(50, Wafer Carrier), 공급관(60)을 포함하여 구성될 수 있다.As shown in Fig. 1, the wafer wrapping apparatus 1 of the embodiment includes an upper plate 10, a lower plate 20, a sun gear 30, an internal gear 40, an internal gear, and a wafer carrier. (50, Wafer Carrier), may be configured to include a supply pipe (60).
상정반(10)은 연마 대상의 웨이퍼(W)의 상부면과 접촉되면서 웨이퍼(W)를 연마할 수 있다. 상정반(10)은 선 기어(30)가 위치한 회전축(15)을 중심으로 회전할 수 있으며, 회전하지 않고 정위치에 있을 수도 있다. 상정반(10)은 하정반(20)의 상측에 배치되며, 하정반(20)을 향해 접근하거나 멀어지도록 상하 방향으로 승강할 수 있다.The upper plate 10 may polish the wafer W while in contact with the upper surface of the wafer W to be polished. The upper plate 10 may rotate around the rotation shaft 15 in which the sun gear 30 is located, and may be in a fixed position without rotating. The upper platen 10 is disposed on the upper side of the lower platen 20, and may be moved up and down so as to approach or move away from the lower platen 20.
하정반(20)은 상정반(10)의 하부에 배치되며 연마 대상의 웨이퍼(W)의 하부면과 접촉되면서 웨이퍼(W)를 연마할 수 있다. 하정반(20)은 회전축(15)을 중심으로 회전가능하게 장착될 수 있다. 예를 들어 하정반(20)은 상정반(10)이 회전할 경우 상정반(10)과 반대 방향으로 회전할 수 있으며, 상정반(10)이 회전하지 않으면 일 방향 또는 정역 방향으로 회전할 수 있다.The lower platen 20 is disposed under the upper platen 10 and may polish the wafer W while in contact with the lower surface of the wafer W to be polished. The lower platen 20 may be rotatably mounted about the rotation shaft 15. For example, the lower platen 20 can rotate in the opposite direction to the upper platen 10 when the upper platen 10 rotates, and if the upper platen 10 does not rotate, it can rotate in one direction or in a forward/reverse direction. have.
상정반(10)과 하정반(20)은 일반적으로 흑연 주철로 이루어질 수 있다.The upper platen 10 and the lower platen 20 may be generally made of graphite cast iron.
그리고 상정반(10)과 하정반(20) 내에는 격자 형상을 갖는 복수 개의 슬러리 홈(Groove)이 각각 형성될 수 있다. 웨이퍼(W) 연마시에는 후술할 공급관(60)으로 공급된 슬러리가 슬러리 홈으로 이동하여 채워지며, 공급되는 슬러리 입자를 이용하여 상정반(10)과 하정반(20)은 웨이퍼(W)를 효율적으로 연마할 수 있다.In addition, a plurality of slurry grooves having a lattice shape may be formed in the upper plate 10 and the lower plate 20, respectively. When the wafer (W) is polished, the slurry supplied to the supply pipe 60, which will be described later, moves to and fills the slurry groove, and the upper platen 10 and the lower platen 20 use the supplied slurry particles to separate the wafer W. It can be polished efficiently.
선 기어(30)는 하정반(20)의 중심부에 배치되어 회전축(15)을 중심으로 회전할 수 있다. 선 기어(30)는 인터널 기어(40)와 함께 웨이퍼 캐리어(50)의 회전 동작을 안내할 수 있도록 웨이퍼 캐리어(50)와 맞물려 질 수 있다.The sun gear 30 may be disposed in the center of the lower platen 20 to rotate around the rotation shaft 15. The sun gear 30 may be engaged with the wafer carrier 50 so as to guide the rotational motion of the wafer carrier 50 together with the internal gear 40.
인터널 기어(40)는 하정반(20)의 외주면을 감싸는 형상으로 배치되며, 상정반(10)의 아래에 배치될 수 있다. 인터널 기어(40)의 내주면에는 웨이퍼 캐리어(50)가 맞물려지면서 웨이퍼 캐리어(50)의 회전 운동을 안내할 수 있다. 인터널 기어(40)는 선 기어(30)와 함께 독립 회전이 가능하게 구성될 수 있다. 예를 들어 도 1에 화살표로 도시된 바와 같이 인터널 기어(40)는 하정반(20)의 회전 방향과 같은 방향으로 회전하고, 선 기어(30)는 반대 방향으로 회전할 수 있다.The internal gear 40 is disposed in a shape surrounding the outer circumferential surface of the lower platen 20 and may be disposed under the upper platen 10. The wafer carrier 50 is engaged with the inner circumferential surface of the internal gear 40 to guide the rotational motion of the wafer carrier 50. The internal gear 40 may be configured to be independently rotated together with the sun gear 30. For example, as shown by an arrow in FIG. 1, the internal gear 40 may rotate in the same direction as the lower platen 20, and the sun gear 30 may rotate in the opposite direction.
웨이퍼 캐리어(50)는 정반 내부 공간에 설치되면서, 연마 대상의 웨이퍼(W)를 수용할 수 있다. 웨이퍼 캐리어(50)에는 적어도 하나의 웨이퍼(W)를 수용할 수 있는 웨이퍼 장착홀이 형성될 수 있다. 실시예에서는 하나의 웨이퍼 캐리어(50)에 4개의 웨이퍼(W)가 장착되는 것을 도시하였으나 그 개수와 크기, 설치 위치 등은 변형가능하다.The wafer carrier 50 can accommodate the wafer W to be polished while being installed in the interior space of the platen. A wafer mounting hole capable of accommodating at least one wafer W may be formed in the wafer carrier 50. In the embodiment, it is illustrated that four wafers W are mounted on one wafer carrier 50, but the number, size, installation position, etc. can be modified.
웨이퍼 캐리어(50)의 외주면에는 기어가 형성되어 상술한 선 기어(30) 및 인터널 기어(40)와 맞물리면서 랩핑 공정시 하정반(20)과 상정반(10) 사이에서 회전할 수 있다. 웨이퍼 캐리어(50)에 수용되어 상정반(10)과 하정반(20) 사이에서 회전하게 되는 웨이퍼(W)는 상정반(10)의 하면과 하정반(20)의 상면과 접촉하면서 양측 표면의 연마가 동시에 이루어질 수 있다.A gear is formed on the outer circumferential surface of the wafer carrier 50 so that it can rotate between the lower platen 20 and the upper platen 10 during the lapping process while being meshed with the sun gear 30 and the internal gear 40 described above. The wafer W accommodated in the wafer carrier 50 and rotated between the upper platen 10 and the lower platen 20 contacts the lower surface of the upper platen 10 and the upper surface of the lower platen 20 while Polishing can be done simultaneously.
상술한 구성을 통해서 랩핑 공정 동안, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 캐리어(50)에 수용되어 상정반(10)과 하정반(20) 내측에서 회전하면서 연마될 수 있다.During the lapping process through the above-described configuration, the wafer W is accommodated in the wafer carrier 50 and can be polished while rotating inside the upper plate 10 and the lower plate 20.
한편, 공급관(60)은 상정반(10)에 결합되어, 랩핑 공정 동안, 연마 대상의 웨이퍼(W)를 향해 슬러리(Slurry) 또는 공기(Air)를 공급할 수 있다.Meanwhile, the supply pipe 60 may be coupled to the upper plate 10 to supply slurry or air toward the wafer W to be polished during the lapping process.
도 2는 도 1의 "A" 영역을 확대한 측단면도이다.FIG. 2 is an enlarged side cross-sectional view of area “A” of FIG. 1.
도 2에 도시된 바와 같이, 상정반(10)에는 다수의 관통홀(13)이 형성되고, 다수의 관통홀(13)에는 다수의 공급관(60)이 각각 결합될 수 있다.As shown in FIG. 2, a plurality of through holes 13 are formed in the upper plate 10, and a plurality of supply pipes 60 may be respectively coupled to the plurality of through holes 13.
다수의 관통홀(13)은 상정반(10)의 여러 영역에 고르게 배치될 수 있으며, 상정반(10)은 다수의 관통홀(13)의 상부에 돌출되어 다수의 공급관(60)이 끼워지도록 하는 끼움관(11)을 더 포함할 수 있다. 끼움관(11)은 공급관(60)이 끼워질 수 있는 일정한 높이만큼 상정반(10)의 상면으로부터 관통홀(13)을 감싸도록 돌출될 수 있다. 끼움관(11)의 외주에는 공급관(60)의 내측이 삽입되면서 밀착될 수 있다.A plurality of through holes 13 may be evenly disposed in various areas of the upper plate 10, and the upper plate 10 protrudes above the plurality of through holes 13 so that a plurality of supply pipes 60 are inserted. It may further include a fitting pipe (11). The fitting pipe 11 may protrude to surround the through hole 13 from the upper surface of the upper plate 10 by a certain height at which the supply pipe 60 can be fitted. The outer periphery of the fitting pipe 11 may be in close contact with the inside of the supply pipe 60 being inserted.
다수의 공급관(60)은 슬러리 공급관(61) 또는 공기 공급관(62)을 포함할 수 있다.The plurality of supply pipes 60 may include a slurry supply pipe 61 or an air supply pipe 62.
슬러리 공급관(61)은 슬러리 파우더링(Slurry Powder Ring, 미도시)으로부터 슬러리를 분배받아 상정반(10) 아래로 공급할 수 있다. 즉, 슬러리 공급관(61)은 상정반(10)의 여러 영역에 고르게 분포된 다수의 관통홀(13)의 끼움관(11)을 통해 결합되어, 상정반(10) 아래로 슬러리(Slurry)를 고르게 공급할 수 있다.The slurry supply pipe 61 may receive a slurry from a slurry powder ring (not shown) and supply it under the upper plate 10. That is, the slurry supply pipe 61 is coupled through the fitting pipe 11 of a plurality of through-holes 13 evenly distributed in various areas of the upper plate 10, so that the slurry is placed under the upper plate 10. It can supply evenly.
공기 공급관(62)은 컴프레서(Compressor, 미도시)로부터 공기(Air) 또는 질소(N2) 가스를 공급받아 상정반(10) 아래로 공급할 수 있다. 즉, 공기 공급관(62)은 상정반(10)에 분포된 적절한 위치의 다수의 관통홀(13)의 끼움관(11)을 통해 결합되어, 필요시 상정반(10) 아래로 공기(Air)(유압)를 공급하여 상정반(10)과 웨이퍼(W) 또는 상정반(10)과 하정반(20)의 분리를 쉽게 할 수 있다.The air supply pipe 62 may receive air or nitrogen (N2) gas from a compressor (not shown) and supply it under the upper plate 10. That is, the air supply pipe 62 is coupled through the fitting pipe 11 of the plurality of through holes 13 at appropriate positions distributed on the upper table 10, and air under the upper table 10 when necessary. By supplying (hydraulic pressure), the upper plate 10 and the wafer W or the upper plate 10 and the lower plate 20 can be easily separated.
한편, 실시예의 웨이퍼 랩핑 장치(1)는 상술한 공급관(60){슬러리 공급관(61) 또는 공기 공급관(62) 중 적어도 어느 하나}에 구비되어 상정반(10) 아래에 잔류한 슬러리(Slurry)가 역류하는 것을 방지하는 역류방지부(100, 100a, 100b)를 더 포함할 수 있다.On the other hand, the wafer wrapping apparatus 1 of the embodiment is provided in the above-described supply pipe 60 (at least one of the slurry supply pipe 61 or the air supply pipe 62), and the slurry remaining under the upper plate 10 It may further include a backflow prevention unit (100, 100a, 100b) for preventing the reverse flow.
도 3은 도 2의 역류방지부의 제1 실시예에 따른 사시도이고, 도 4는 도 3의 측단면도이며, 도 5 및 도 6은 도 4의 동작도들이다.3 is a perspective view according to the first embodiment of the backflow prevention unit of FIG. 2, FIG. 4 is a side cross-sectional view of FIG. 3, and FIGS. 5 and 6 are operation diagrams of FIG. 4.
도 3 내지 도 6에 도시된 바와 같이, 제1 실시예의 역류방지부(100)는 상부 스토퍼(110)(upper stopper), 하부 스토퍼(120)(lower stopper) 및 플로트(130)(float)를 포함할 수 있다.3 to 6, the backflow prevention unit 100 of the first embodiment includes an upper stopper 110, a lower stopper 120, and a float 130. Can include.
상부 스토퍼(110)는 통공(111)을 가지며 공급관(60) 내측에 결합될 수 있다. 상부 스토퍼(110)는 공급관(60) 내부에서 플로트(130)의 상부 이동을 제한하는 역할을 한다. 플로트(130)는 상부 스토퍼(110)에 밀착되면서 공급관(60)의 상부와 하부는 격리 또는 밀폐될 수 있다.The upper stopper 110 has a through hole 111 and may be coupled to the inside of the supply pipe 60. The upper stopper 110 serves to limit the upper movement of the float 130 in the supply pipe 60. The float 130 may be in close contact with the upper stopper 110 and the upper and lower portions of the supply pipe 60 may be isolated or sealed.
여기서 통공(111)은 공급관(60)의 중심 영역에 위치할 수 있다. 예를 들어 상부 스토퍼(110)는 중공의 통공(111)이 형성된 도우넛 형상을 가질 수 있다. 통공(111)을 통해 슬러리(Slurry) 또는 공기(Air)가 유동할 수 있다. 통공(111)은 중심 영역에 하나가 원형으로 관통된 형상을 도시하였으나 형상, 위치, 개수 등은 변형실시될 수 있다.Here, the through hole 111 may be located in the central region of the supply pipe 60. For example, the upper stopper 110 may have a donut shape in which a hollow through hole 111 is formed. Slurry or air may flow through the through hole 111. Although one through hole 111 is circularly penetrated in the central region, the shape, position, number, etc. may be modified.
하부 스토퍼(120)는 배출공(121)을 형성하도록 끼움관(11) 상부에 결합될 수 있다. 하부 스토퍼(120)는 공급관(60) 내부에서 플로트(130)의 하부 이동을 제한할 수 있다. The lower stopper 120 may be coupled to the upper part of the fitting pipe 11 to form the discharge hole 121. The lower stopper 120 may limit the lower movement of the float 130 within the supply pipe 60.
예를 들어 하부 스토퍼(120)는 십(+)자 형상을 가질 수 있다. 여기서 하부 스토퍼는 4개의 배출공(121)을 형성할 수 있다. 물론, 하부 스토퍼(120)는 상술한 형태에 제한되지 않고 일(-)자, 우물 정(#)자 등 다양한 형상을 가질 수 있고, 배출공(121)의 형상과 개수도 변형실시될 수 있다.For example, the lower stopper 120 may have a cross (+) shape. Here, the lower stopper may form four discharge holes 121. Of course, the lower stopper 120 is not limited to the above-described shape, and may have various shapes such as one (-) letter, a well positive (#) letter, and the like, and the shape and number of the discharge holes 121 may be modified. .
상술한 하부 스토퍼(120)의 구조로 인해, 플로트(130)는 하부 스토퍼(120)에 밀착되더라도 배출공(121)을 통해 공급관(60) 상부에서 관통홀(13)을 향해 슬러리(Slurry) 또는 공기(Air)가 이동할 수 있다.Due to the structure of the lower stopper 120 described above, the float 130 is in close contact with the lower stopper 120, but through the discharge hole 121, from the upper portion of the supply pipe 60 toward the through hole 13, a slurry or Air can move.
플로트(130)는 상부 스토퍼(110)와 하부 스토퍼(120) 사이에 이동가능하게 설치될 수 있다. 플로트(130)는 슬러리(Slurry)의 유동에 따라 공급관(60) 내부에서 상하로 유동할 수 있다. 즉, 상부 스토퍼(110)와 하부 스토퍼(120)의 사이의 공급관(60) 내측에 일정한 높이(H) 만큼의 유동공간(131)이 존재할 수 있다.The float 130 may be installed to be movable between the upper stopper 110 and the lower stopper 120. The float 130 may flow up and down in the supply pipe 60 according to the flow of the slurry. That is, a flow space 131 having a certain height H may exist inside the supply pipe 60 between the upper stopper 110 and the lower stopper 120.
예를 들어 플로트(130)는 원기둥 형상을 가질 수 있다. 즉, 플로트(130)는 상면과 하면이 원형으로 이루어질 수 있다. 플로트(130)의 상면은 상부 스토퍼(110)와 접촉하고, 플로트(130)의 하면은 하부 스토퍼(120)와 접촉할 수 있다.For example, the float 130 may have a cylindrical shape. That is, the float 130 may have a circular top and a bottom surface. The upper surface of the float 130 may contact the upper stopper 110, and the lower surface of the float 130 may contact the lower stopper 120.
플로트(130)는 슬러리(Slurry) 또는 공기(Air)의 흐름에 의해서 자유롭게 이동할 수 있는 가벼운 재질일 수 있다. 예를 들어 플로트(130)는 폴리비닐리덴 디플루오 라이드(polyvinylidene difluoride, PVDF) 등 플라스틱 수지 재질일 수 있다.The float 130 may be a lightweight material that can be freely moved by a flow of slurry or air. For example, the float 130 may be made of a plastic resin material such as polyvinylidene difluoride (PVDF).
한편, 플로트(130)의 지름은 상부 스토퍼(110)의 통공(111)의 지름보다 크고, 끼움관(11)의 지름보다 작은 크기를 가질 수 있다.Meanwhile, the diameter of the float 130 may be larger than the diameter of the through hole 111 of the upper stopper 110 and smaller than the diameter of the fitting tube 11.
따라서 도 4에 도시된 바와 같이, 플로트(130)가 끼움관(11)에 결합된 하부 스토퍼(120)에 안착될 경우, 공급관(60)의 상부로부터 통공(111), 유동공간(131), 배출공(121), 관통홀(13)은 서로 연통될 수 있다.Therefore, as shown in Figure 4, when the float 130 is seated on the lower stopper 120 coupled to the fitting pipe 11, the through hole 111, the flow space 131, from the upper portion of the supply pipe 60, The discharge hole 121 and the through hole 13 may communicate with each other.
그러므로 도 5에 도시된 바와 같이, 공급관(60)의 상부로부터 슬러리(Slurry) 또는 공기(Air)가 공급되면, 플로트(130)는 유동 공간에서 유동을 하기도 하지만 통공(111), 유동공간(131), 배출공(121), 관통홀(13)을 통해 계속적인 흐름이 이어질 수 있다.Therefore, as shown in Figure 5, when the slurry (Slurry) or air (Air) is supplied from the top of the supply pipe 60, the float 130 may flow in the flow space, but the through hole 111, the flow space 131 ), the discharge hole 121, and through the through hole 13, a continuous flow may be continued.
만약, 도 6에 도시된 바와 같이, 상정반(10) 아래에 잔류한 슬러리(Slurry)의 양이 많게 되거나 정반 내부의 압력이 변화하게 되면, 정반 내부에 잔존하는 슬러리(Slurry)가 슬러리 공급관(61)과 공기 공급관(62)으로 역류할 수 있다. If, as shown in FIG. 6, the amount of slurry remaining under the top plate 10 increases or the pressure inside the platen changes, the slurry remaining inside the platen is transferred to the slurry supply pipe ( 61) and the air supply pipe 62 can flow back.
이 경우, 도 6의 화살표처럼 역류하는 슬러리(Slurry)는 플로트(130)를 상승시켜 공급관(60) 내부의 상부 스토퍼(110)와 밀착시킬 수 있다. 플로트(130)의 지름은 상부 스토퍼(110)의 지름이 통공(111)의 지름보다 크기 때문에 통공(111)을 폐쇄하게 되고, 상부 스토퍼(110)의 상부에 위치한 공급 내부로는 슬러리(Slurry)가 유동할 수 없게 된다.In this case, the slurry flowing back as shown by the arrow in FIG. 6 may raise the float 130 to be in close contact with the upper stopper 110 inside the supply pipe 60. The diameter of the float 130 is the diameter of the upper stopper 110 is larger than the diameter of the through hole 111, so that the through hole 111 is closed, and a slurry is supplied inside the supply located at the top of the upper stopper 110. Becomes unable to flow.
도 7 및 도 8은 비교예에 따른 도 1의 "A" 영역을 확대한 측단면도들이다.7 and 8 are side cross-sectional views of an enlarged area "A" of FIG. 1 according to a comparative example.
만약, 상술한 제1 실시예의 역류방지부(100)가 없다면, 도 7 및 도 8에 도시된 바와 같이 슬러리(Slurry)는 공급관(60) 상부로 역류하면서 슬러리(Slurry)의 지속적인 역류, 고형화, 변색 등을 일으킬 수 있음을 알 수 있다.If there is no backflow prevention part 100 of the first embodiment described above, as shown in FIGS. 7 and 8, the slurry flows back to the top of the supply pipe 60 while the slurry continues to reverse flow, solidify, It can be seen that it can cause discoloration.
이와 같이, 공급관(60){슬러리 공급관(61) 또는 공기 공급관(62)}에 제1 실시예의 역류방지부(100)를 설치함으로써 실시예의 웨이퍼 랩핑 장치는 정반 내부에 잔존하는 슬러리의 역류, 고형화, 변색 등을 방지하여 웨이퍼 랩핑 공정의 품질을 향상시킬 수 있다.In this way, by installing the backflow prevention unit 100 of the first embodiment in the supply pipe 60 (the slurry supply pipe 61 or the air supply pipe 62), the wafer wrapping apparatus of the embodiment is used to reverse flow and solidify the slurry remaining inside the platen. , Discoloration, etc. can be prevented to improve the quality of the wafer wrapping process.
도 9는 제2 실시예의 역류방지부의 사시도 및 하부 평면도이다.9 is a perspective view and a bottom plan view of a backflow prevention part of the second embodiment.
본 실시예에서는 중복된 설명을 피하기 위해서 전술한 실시예와 다른 부분을 위주로 설명하기로 한다.In the present embodiment, in order to avoid redundant descriptions, parts different from the above-described embodiment will be mainly described.
도 9에 도시된 바와 같이, 제2 실시예의 역류방지부(100a)는 플로트(130a)의 외주면에는 다수의 유로홈(140)이 형성된 점에서 차이가 있다. As shown in FIG. 9, the reverse flow prevention part 100a of the second embodiment differs in that a plurality of flow path grooves 140 are formed on the outer circumferential surface of the float 130a.
유로홈(140)은 플로트(130a)의 길이 방향을 따라 수직으로 길게 함몰 형성될 수 있다. The flow path groove 140 may be vertically depressed along the length direction of the float 130a.
상기 유로홈(140)은 일측이 개방된 사각형상의 수평 단면을 가질 수 있다. 예를 들어 유로홈(140)은 평면에서 보았을 때 일측이 개방된 사각형상으로 이루어질 수 있다. 다수의 유로홈(140)은 플로트(130a)의 외주면을 등간격을 갖도록 배치될 수 있다.The flow path groove 140 may have a rectangular horizontal cross section with one side open. For example, the flow path groove 140 may be formed in a square shape with one side open when viewed from the top. The plurality of flow path grooves 140 may be arranged to have equal intervals on the outer circumferential surface of the float 130a.
다수의 유로홈(140)은 유체{슬러리(Slurry) 또는 공기(Air)}의 이동로를 제공함으로써 공급관(60) 내부에서 유동하는 슬러리(Slurry) 또는 공기(Air)의 유동의 흐름을 개선할 수 있다. 즉, 다수의 유로홈(140)은 플로트(130)의 외곽으로 슬러리(Slurry)의 흐름을 향상시킬 수 있다. The plurality of flow path grooves 140 provide a path for fluid (Slurry or Air) to improve the flow of slurry or air flowing inside the supply pipe 60. I can. That is, the plurality of flow path grooves 140 may improve the flow of slurry to the outside of the float 130.
또한, 도 9에 사각형상 부분을 평면도 상으로 도시된 바와 같이, 플로트(130)가 하부 스토퍼(120)에 접촉되어 있는 경우, 배출공(121)의 면적을 상대적으로 넓혀서 관통홀(13)을 통해 슬러리(Slurry) 또는 공기(Air)가 원활하게 유동하도록 할 수 있다.In addition, as shown in the plan view of the square portion in FIG. 9, when the float 130 is in contact with the lower stopper 120, the area of the discharge hole 121 is relatively widened, thereby forming the through hole 13 Through it, it is possible to smoothly flow the slurry or air.
물론, 본 실시예의 역류방지부(100)에서 상술한 유로홈(140)의 위치, 개수, 형상 등은 변형실시 가능할 것이다.Of course, the position, number, shape, etc. of the flow path groove 140 described above in the backflow prevention unit 100 of the present embodiment may be modified.
도 10은 제3 실시예의 역류방지부에 사시도 및 상부 평면도이다.10 is a perspective view and a top plan view of a backflow prevention part of the third embodiment.
본 실시예에서는 중복된 설명을 피하기 위해서 전술한 실시예와 다른 부분을 위주로 설명하기로 한다.In the present embodiment, in order to avoid redundant descriptions, parts different from the above-described embodiment will be mainly described.
도 10에 도시된 바와 같이, 제2 실시예의 역류방지부(100b)는 플로트(130b)의 상부(150)는 일부가 상부 스토퍼(110)의 통공(111)에 끼워지도록 위로 뽀죡한 형상을 갖는 점에서 전술한 실시예들과 다르다. 예를 들어, 플로트(130b)의 상부(150)는 반구형상을 가질 수 있다. As shown in FIG. 10, the backflow prevention part 100b of the second embodiment has a vertical shape so that a part of the upper part 150 of the float 130b is fitted into the through hole 111 of the upper stopper 110. It differs from the above-described embodiments in that. For example, the upper portion 150 of the float 130b may have a hemispherical shape.
상술한 형태의 플로트(130b) 형상은 상부 스토퍼(110)와의 밀착력을 향상시켜, 통공(111)과의 틈새를 더욱 밀폐시킴으로써 슬러리(Slurry)가 역류하는 것을 더욱 방지할 수 있다.The above-described shape of the float 130b improves adhesion to the upper stopper 110 and further seals the gap with the through hole 111, thereby further preventing the slurry from flowing backward.
물론, 본 실시예의 역류방지부(100b)에서 상술한 플로트(130)의 형상 등은 변형실시 가능할 것이다.Of course, the shape of the float 130 described above in the backflow prevention unit 100b of the present embodiment may be modified.
이와 같이 본 발명의 웨이퍼 랩핑 장치에 따르면, 공급관에 역류방지부를 설치함으로써 정반 내부에 잔존하는 슬러리의 역류, 고형화, 변색 등을 방지하여 웨이퍼 랩핑 공정의 품질을 향상시킬 수 있다.As described above, according to the wafer wrapping apparatus of the present invention, by providing a backflow prevention unit in the supply pipe, it is possible to improve the quality of the wafer wrapping process by preventing backflow, solidification, discoloration, etc. of the slurry remaining inside the platen.
이상에서 실시 예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시 예에 포함되며, 반드시 하나의 실시 예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시 예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시 예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시 예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Features, structures, effects, and the like described in the embodiments above are included in at least one embodiment of the present invention, and are not necessarily limited to only one embodiment. Furthermore, the features, structures, effects, etc. illustrated in each embodiment may be combined or modified for other embodiments by a person having ordinary knowledge in the field to which the embodiments belong. Accordingly, contents related to such combinations and modifications should be interpreted as being included in the scope of the present invention.
본 발명은 실리콘 웨이퍼 등 반도체 기판의 제조장치에 적용될 수 있다.The present invention can be applied to an apparatus for manufacturing a semiconductor substrate such as a silicon wafer.

Claims (17)

  1. 상정반;Upper half;
    상기 상정반에 관통 형성된 다수의 관통홀;A plurality of through holes formed through the upper plate;
    상기 다수의 관통홀에 각각 결합되어 슬러리 또는 공기를 상기 상정반 아래로 공급하는 다수의 공급관; 및A plurality of supply pipes respectively coupled to the plurality of through holes to supply slurry or air under the upper plate; And
    상기 공급관에 구비되어 상기 상정반 아래의 슬러리가 역류하는 것을 방지하는 역류방지부; 를 포함하는 웨이퍼 랩핑 장치.A backflow prevention part provided in the supply pipe to prevent the slurry under the upper plate from flowing backward; Wafer wrapping apparatus comprising a.
  2. 제1항에 있어서,The method of claim 1,
    상기 상정반은 상기 다수의 관통홀의 상부에 돌출되어 상기 다수의 공급관이 끼워지도록 하는 끼움관을 더 포함하는 웨이퍼 랩핑 장치.The upper plate is a wafer wrapping apparatus further comprising a fitting tube protruding from the top of the plurality of through-holes to fit the plurality of supply pipes.
  3. 제2항에 있어서,The method of claim 2,
    상기 다수의 공급관은 슬러리 공급관 및 공기 공급관을 포함하는 웨이퍼 랩핑 장치.The plurality of supply pipes wafer wrapping apparatus including a slurry supply pipe and an air supply pipe.
  4. 제2항에 있어서,The method of claim 2,
    상기 역류방지부는The backflow prevention part
    통공을 가지며 상기 공급관 내측에 결합되는 상부 스토퍼;An upper stopper having a through hole and coupled to the inside of the supply pipe;
    배출공을 형성하도록 상기 끼움관 상부에 결합되는 하부 스토퍼; 및A lower stopper coupled to an upper portion of the fitting pipe to form a discharge hole; And
    상기 상부 스토퍼와 상기 하부 스토퍼 사이에 이동가능하게 설치되는 플로트를 포함하는 웨이퍼 랩핑 장치.Wafer wrapping apparatus comprising a float installed movably between the upper stopper and the lower stopper.
  5. 제4항에 있어서,The method of claim 4,
    상기 플로트는 원기둥 형상을 갖는 웨이퍼 랩핑 장치.The float is a wafer wrapping apparatus having a cylindrical shape.
  6. 제4항에 있어서,The method of claim 4,
    상기 플로트의 외주면에는 다수의 유로홈이 형성된 웨이퍼 랩핑 장치.A wafer wrapping apparatus in which a plurality of flow path grooves are formed on the outer peripheral surface of the float.
  7. 제6항에 있어서,The method of claim 6,
    상기 유로홈은 상기 플로트의 길이 방향을 따라 수직으로 길게 함몰 형성된 웨이퍼 랩핑 장치.The flow path groove is a wafer wrapping apparatus that is formed vertically depressed along the length direction of the float.
  8. 제7항에 있어서,The method of claim 7,
    상기 다수의 유로홈은 상기 플로트의 외주면을 등간격을 갖도록 배치되는 웨이퍼 랩핑 장치.A wafer wrapping apparatus in which the plurality of flow path grooves are disposed so as to have equal intervals on the outer peripheral surface of the float.
  9. 제8항에 있어서,The method of claim 8,
    상기 유로홈은 일측이 개방된 사각형상의 수평 단면을 갖는 웨이퍼 랩핑 장치.The flow path groove is a wafer wrapping apparatus having a horizontal cross section of a square shape with one side open.
  10. 제5항에 있어서,The method of claim 5,
    상기 플로트는 폴리비닐리덴 디플루오 라이드(polyvinylidene difluoride, PVDF)를 포함하는 웨이퍼 랩핑 장치.The float is a wafer wrapping apparatus containing polyvinylidene difluoride (PVDF).
  11. 제5항에 있어서,The method of claim 5,
    상기 플로트의 지름은 상기 통공의 지름보다 크고 상기 끼움관의 지름보다 작은 크기를 갖는 웨이퍼 랩핑 장치.Wafer wrapping apparatus having a diameter of the float is larger than the diameter of the through hole and smaller than the diameter of the fitting tube.
  12. 제5항에 있어서,The method of claim 5,
    상기 플로트의 상부는 일부가 상기 상부 스토퍼의 통공에 끼워지도록 위로 뽀죡한 형상을 갖는 웨이퍼 랩핑 장치.A wafer wrapping apparatus having an upper portion of the float having a flat shape so that a part of the float is inserted into the through hole of the upper stopper.
  13. 제12항에 있어서,The method of claim 12,
    상기 플로트의 상부는 반구형상을 갖는 웨이퍼 랩핑 장치.Wafer wrapping apparatus having a hemispherical shape on the top of the float.
  14. 제4항에 있어서,The method of claim 4,
    상기 통공은 상기 공급관의 중심 영역에 위치하는 웨이퍼 랩핑 장치.The through hole is a wafer wrapping apparatus located in the central region of the supply pipe.
  15. 제4항에 있어서,The method of claim 4,
    상기 하부 스토퍼는 십(+)자 형상을 갖는 웨이퍼 랩핑 장치.The lower stopper is a wafer wrapping apparatus having a cross (+) shape.
  16. 상정반;Upper half;
    상기 상정반에 관통 형성된 다수의 관통홀;A plurality of through holes formed through the upper plate;
    상기 다수의 관통홀의 상부에 돌출되어 상기 다수의 공급관이 끼워지도록 하는 다수의 끼움관;A plurality of fitting pipes protruding above the plurality of through holes so that the plurality of supply pipes are fitted;
    상기 다수의 끼움관 중 적어도 어느 하나에 결합되는 슬러리 공급관;A slurry supply pipe coupled to at least one of the plurality of fitting pipes;
    상기 다수의 끼움관 중 적어도 어느 하나에 결합되는 공기 공급관; 및An air supply pipe coupled to at least one of the plurality of fitting pipes; And
    상기 슬러리 공급관 또는 상기 공기 공급관 중 적어도 어느 하나에 구비되어 상기 상정반 아래의 슬러리가 상기 역류하는 것을 방지하는 역류방지부; 를 포함하는 웨이퍼 랩핑 장치.A backflow prevention unit provided in at least one of the slurry supply pipe and the air supply pipe to prevent the slurry under the upper plate from flowing back; Wafer wrapping apparatus comprising a.
  17. 제16항에 있어서,The method of claim 16,
    상기 역류방지부는The backflow prevention part
    통공을 가지며 상기 공급관 내측에 결합되는 상부 스토퍼;An upper stopper having a through hole and coupled to the inside of the supply pipe;
    배출공을 형성하도록 상기 끼움관 상부에 결합되는 하부 스토퍼; 및A lower stopper coupled to an upper portion of the fitting pipe to form a discharge hole; And
    상기 상부 스토퍼와 상기 하부 스토퍼 사이에 이동가능하게 설치되는 플로트를 포함하는 웨이퍼 랩핑 장치.Wafer wrapping apparatus comprising a float installed movably between the upper stopper and the lower stopper.
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