WO2020111282A1 - ガラス板の製造方法、ガラス板の面取り方法、および磁気ディスクの製造方法 - Google Patents

ガラス板の製造方法、ガラス板の面取り方法、および磁気ディスクの製造方法 Download PDF

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Definitions

  • the present invention relates to a method for manufacturing a glass plate, which processes the end surface of a disk-shaped glass plate, a method for chamfering a glass plate, which forms a chamfered surface on the end surface of the disk-shaped glass plate by irradiation with laser light, and a method for manufacturing a glass plate.
  • the present invention relates to a magnetic disk manufacturing method using a method or a chamfering method.
  • a magnetic disk in which a magnetic layer is provided on a disk-shaped non-magnetic glass substrate for a magnetic disk is used as a hard disk device for data recording.
  • the end surface of the disk-shaped glass base plate which is the final product of the glass substrate for a magnetic disk, has fine particles adhering to the main surface, which adversely affects the performance of the magnetic disk.
  • Patent Document 1 a method of chamfering the edge of the glass plate using laser light is known (Patent Document 1). Specifically, an ultrashort pulse laser is used to cut an edge into a desired chamfered shape, followed by irradiation with a CO 2 laser after treatment with the ultrashort pulse laser.
  • the member to be removed is separated by irradiating the CO 2 laser after cutting the edge with the ultrashort pulse laser.
  • edge cutting by the ultrashort pulse laser it was not possible to process the end face of the target shape, and the shape of the end face became the target shape suitable for gripping by the jig when forming the magnetic film described above. It was difficult to become, and there were cases where there were variations. Further, since the end face shape processing is performed by using both the ultrashort laser and the CO 2 laser, the shape processing operation is complicated.
  • the glass plate of the magnetic disk tends to be thinned to increase the number of magnetic disks incorporated in the HDD device in order to increase the capacity of a hard disk drive device (hereinafter referred to as HDD device).
  • HDD device a hard disk drive device
  • a glass material that enhances the rigidity of the glass plate is used in order to suppress the vibration of the glass plate that is likely to occur when the glass substrate becomes thin. Since a glass material having high rigidity generally has a high softening point, it is difficult to shape the laser light.
  • the laser light irradiation condition is conventionally set. It is necessary to make detailed settings compared to.
  • An object of the present invention is to provide a method for manufacturing a glass plate and a method for manufacturing a magnetic disk, which can be manufactured.
  • One aspect of the present invention is a method for manufacturing a glass plate, which includes shaping an end surface of a disk-shaped glass plate.
  • the disk-shaped glass plate has a main surface and an end face perpendicular to the main surface.
  • the manufacturing method is Irradiating the end face with a laser beam, while moving the laser beam relative to the end face in the circumferential direction of the disk-shaped glass plate, the step of processing the end face into a target shape,
  • the cross-sectional intensity distribution of the laser light with which the end face is irradiated is a single mode, and the width of the light flux of the laser light at the irradiation position on the end face in the thickness direction of the glass plate is W1 [mm], and the glass is When the thickness of the plate is Th [mm] and the power density of the laser light is Pd, W1>Th, and Pd ⁇ Th is 0.8 to 3.5 [W/mm].
  • Another aspect of the present invention is a method for manufacturing a glass plate, which includes processing the end surface of a disk-shaped glass plate.
  • the disk-shaped glass plate has a main surface and an end face perpendicular to the main surface.
  • the manufacturing method is Irradiating the end face with a laser beam, while moving the laser beam relative to the end face in the circumferential direction of the disk-shaped glass plate, a chamfered surface is formed on the end face to form a target shape.
  • the cross-sectional intensity distribution of the laser light with which the end face is irradiated is a single mode, and the width of the light flux of the laser light at the irradiation position on the end face in the thickness direction of the glass plate is W1 [mm], and the glass is When the thickness of the plate is Th [mm] and the power density of the laser light is Pd, W1>Th, Pd ⁇ Th is x, and the moving speed of the laser light moving along the end face is When y is set, the value of Pd ⁇ Th and the value of the moving speed are adjusted so that y falls within the range of 11.2 ⁇ x ⁇ 4.7 or less.
  • the laser light is applied to the end surface of the glass plate from a direction normal to the end surface.
  • the irradiation condition of the laser light is set so as to form
  • the irradiation conditions are set such that a ratio (C/Th) of the length C of the chamfered surface along the main surface to the thickness Th is 0.1 to 0.7. preferable.
  • the surface roughness Rz of the end face formed by the laser beam is preferably 0.3 ⁇ m or less, and the arithmetic average roughness Ra is preferably 0.03 ⁇ m or less.
  • the light flux of the laser light with which the end face is irradiated has an elliptical shape, and the ratio of the length W2 of the light flux of the laser light with which the end face is irradiated in the circumferential direction to the diameter D of the glass plate (W2/ D) is preferably 0.03 to 0.3.
  • the power density Pd is set so that the diameter of the glass plate formed by the irradiation of the laser light is larger than the diameter of the glass plate before the irradiation of the laser light.
  • the moving speed of the laser light that moves along the end face is preferably 0.7 to 100 [mm/sec].
  • the Young's modulus of the glass plate is preferably 70 [GPa] or more.
  • the glass plate has a linear expansion coefficient of 100 ⁇ 10 ⁇ 7 [1/K] or less.
  • the thickness Th is preferably 0.7 mm or less.
  • the method for manufacturing the glass plate includes a step of grinding or polishing the main surface of the glass plate that has been subjected to the shape processing, After the shaping, before the main surface is ground or polished, the end face is not polished, or even if the end face is polished, the removal amount by polishing the end face is 5 ⁇ m or less. Is preferred.
  • Another embodiment of the present invention is a glass plate chamfering method in which a chamfered surface is formed on an end surface of a disk-shaped glass plate by irradiation with laser light.
  • the end surface of the glass plate before the formation of the chamfer has a surface perpendicular to the main surface at least at the center of the glass plate in the thickness direction.
  • the chamfering method is By softening and/or melting the edge portion of the end surface of the glass plate by irradiating the end surface of the glass plate with a laser beam, the edge part is chamfered into a rounded shape, and the chamfered surface of the chamfered surface.
  • the thickness of the glass plate is set to Th [mm]
  • the power density of the laser beam is set to Pd
  • the laser beam is set to Pd so that a surface perpendicular to the main surface of the glass plate is formed also on the end face after formation.
  • Yet another aspect of the present invention is a method for manufacturing a glass plate, which is characterized in that the chamfering method is used to chamfer the end face of a disk-shaped glass plate.
  • Yet another aspect of the present invention is a method for producing a magnetic disk, which comprises forming a magnetic film on the main surface of the glass sheet produced by the method for producing a glass sheet.
  • Another aspect of the present invention is a method for producing a magnetic disk, which comprises forming a magnetic film on the main surface of the glass sheet produced by the method for producing a glass sheet.
  • the end surface of a disk-shaped glass plate is processed by using a laser beam, the end surface does not vary from the target shape, and the end surface can be easily processed by a simple operation. Shape processing can be performed.
  • FIG. 1 is a diagram for explaining the irradiation of laser light in the method for manufacturing a glass plate according to one embodiment.
  • FIG. 2 is a diagram illustrating an example of the shape of a light beam (spot) at the laser light irradiation position.
  • FIG. 3 is a diagram for explaining the luminous flux and the light intensity distribution at the irradiation position of the laser light.
  • FIG. 4 is a diagram for explaining the shape of the end face after the shape processing by the laser light.
  • the glass plate to be shape-processed by the method for manufacturing a glass plate of the present embodiment is a disc shape, and a circular hole is formed at the center position of the disc shape so that an outer peripheral end and a concentric inner peripheral end are formed. It has a curved shape. From this glass plate, in order to produce a glass plate whose end face is aligned with a target shape, or so that the connecting portion between the end face of the glass plate and the main surface does not form an angular edge portion, the glass plate is Shape processing for forming a chamfer is applied to the connection portion between the main surface and the end surface.
  • the shape of the end surface of the disk-shaped glass plate which is the base of the glass substrate for a magnetic disk that is the final product, makes the magnetic disk an accurate HDD device. It is desirable to make the target shape uniform in order to be incorporated in the above, and moreover, in order to surely hold the end surface of the glass substrate with a jig when forming the magnetic film on the main surface of the glass substrate. Further, in order to prevent fine particles from adhering to the main surface and adversely affecting the performance of the magnetic disk, it is desirable to smooth the surface of the end face where particles are likely to occur. For this reason, in the present embodiment, laser light is used to perform shape processing for chamfering.
  • a disk-shaped glass plate 10 having a circular hole 16 has a main surface 12 and an end surface 14.
  • the end surface 14 is an end surface perpendicular to the main surface 12.
  • the outer peripheral end surface is the end surface 14 that is shaped by the laser light, but the inner peripheral end surface along the circular hole 16 can also be the target for shape processing by the laser light.
  • the end face 14 is irradiated with laser light, and the end face 14 is processed into a target shape while moving the laser light L in the circumferential direction of the disk-shaped glass plate 10 relative to the end face 14.
  • the laser light L is expanded after the laser light L emitted from a laser light source 20 described later is made into parallel light through an optical system 22 including a collimator and the like, and then the laser light L is focused through a focusing lens 24.
  • the end face 14 is irradiated with the laser light L.
  • the glass plate 10 is rotated at a constant speed with the center position of the glass plate 10 as the center of rotation. In this way, the laser light L and the end surface 14 are moved relative to each other in the circumferential direction of the disk-shaped glass plate 10, while the laser light L irradiates the entire circumference of the end surface 14 of the glass plate 10.
  • Irradiation of the end face 14 with the laser beam L includes not only the complete normal direction (inclination angle of 0 degree) but also the range of an inclination angle within 10 degrees with respect to the normal direction as an allowable range.
  • the cross-sectional intensity distribution of the laser light L with which the end face 14 is irradiated is a single mode. That is, the cross-sectional intensity distribution of the laser light L is a Gaussian distribution.
  • the width in the thickness direction of the glass plate 10 of the light flux of the laser light L on the irradiation position on the end face 14 is W1 [mm] as shown in FIG. 2, and the thickness of the glass plate 10 is Th [mm].
  • the power density of the laser light L is Pd [W/mm 2 ]
  • Pd ⁇ Th is 0.8 to 3.5 [W/ mm] is used.
  • the light flux of the laser light L is applied so as to protrude to both sides of the glass plate 10 in the thickness direction as shown in FIG. Further, by making the widths protruding to both sides of the end face equal, chamfering can be performed uniformly on both sides of the glass plate 10 in the thickness direction, and the shapes of the two chamfered faces 14c can be made equal.
  • the power density Pd is a value obtained by dividing the total power P[W] of the laser light L by the area of the light flux in the portion irradiated with the laser light L.
  • the power density Pd is 4 ⁇ P/W1/W2/ It is defined as ⁇ [W/mm 2 ] ( ⁇ is the circular constant).
  • CO 2 laser light is used as an example of the laser light L, but it is not limited to CO 2 laser light as long as it has an oscillation wavelength that is absorbed by glass.
  • a CO laser oscillation wavelength of about 5 ⁇ m or 10.6 ⁇ m
  • an Er—YAG laser oscillation wavelength of about 2.94 ⁇ m
  • the wavelength is preferably 3 ⁇ m or more.
  • the wavelength is shorter than 3 ⁇ m, it becomes difficult for the glass to absorb the laser light, and the end face 14 of the glass plate 10 may not be sufficiently heated.
  • the oscillation mode of the laser light source 20 is not particularly limited, and may be continuous wave light (CW light), pulsed light, or modulated light of continuous wave light.
  • CW light continuous wave light
  • the modulated light of the pulsed light and the continuous wave light when the relative moving speed of the laser light L is high, the chamfered surface 14c may have uneven shape in the moving direction.
  • the frequency of oscillation and modulation is preferably 1 kHz or higher, more preferably 5 kHz or higher, and further preferably 10 kHz or higher.
  • the width W1 of the light flux and the length W2 to be described later can be set by adjusting the irradiation position of the laser light L on the glass plate 10 using, for example, two cylindrical lenses.
  • the width W1 can be obtained from the beam profiler, and the length W2 can be obtained from the beam shape obtained by the beam profiler and the diameter D of the glass plate.
  • the side end of the end face 14 on the main surface 12 side can be sufficiently irradiated with the laser light L, and the glass plate 10 is heated.
  • a chamfered surface can be formed by softening and/or melting a part of 10. If the ratio Th/W1 of the width W1 of the laser light L to the thickness of the glass plate 10 is made too large (that is, Th/W1 is too close to 1), the influence of the steep range of the laser intensity distribution is affected. As a result, the heating of the edge portion of the glass plate 10 becomes weaker, and the heating of the central portion of the end face of the glass plate in the thickness direction becomes stronger.
  • Th/W1 is preferably in the range of 0.3 to 0.9.
  • the power density Pd of the laser light L is excessively low, the end surface 14 is not sufficiently heated and the chamfered surface is not formed.
  • the shape of the end surface 14 of the glass plate 10 can be made uniform without deviation from the target shape, and a chamfered surface can be formed. Moreover, the surface of the end face 14 can be made smooth.
  • the chamfered surface 14c can be formed by limiting the range of the value of Pd ⁇ Th, but the end surface 14 is irradiated with the laser beam L by controlling the value of Pd ⁇ Th and the value of the moving speed. By doing so, the chamfered surface 14c can be efficiently formed on the end surface 14 of the glass plate 10. Further, by controlling the value of Pd ⁇ Th and the value of the moving speed in more detail, not only the chamfered surface 14c but also the surface perpendicular to the main surface 12 of the glass plate 10, that is, the side wall surface 14t can be formed. .. As a result, the shape of the end surface 14 can be made uniform with respect to the target shape.
  • the surface of the end face 14 can be made smooth.
  • the end surface 14 of the glass plate 10 before the chamfered surface 14c is formed has a surface perpendicular to the main surface 12 at least in the central portion in the thickness direction of the glass plate 10.
  • the edge portion of the end face 14 is chamfered into a rounded shape, and the chamfered end face 14 is sandwiched between the chamfered faces 14c on both sides in the thickness direction of the glass plate 10.
  • a surface (side wall surface 14t) perpendicular to the surface 12 can be formed.
  • the end surface 14 preferably includes a surface perpendicular to the main surface 12 and having a length equal to or greater than 1/10 of the thickness Th, and a chamfered surface 14c.
  • the length T (see FIG. 4) of the vertical surface (side wall surface 14t) is more preferably 1 ⁇ 5 or more of the thickness Th.
  • the perpendicular surface formed together with the chamfered surface 14c by the irradiation of the laser beam L is perpendicular to the main surface 12 of the end surface 14 before the chamfered surface 14c is formed by the irradiation of the laser beam L.
  • the surface is a newly formed surface, and the surface roughness Rz and the arithmetic average roughness Ra are reduced by the irradiation of the laser light L. Further, the radial distance from the central position of the disk-shaped glass plate 10 to the vertical surface becomes large.
  • the surface perpendicular to the main surface 12 is a surface having an allowable range of 90° ⁇ 2° with respect to the main surface 12.
  • forming the surface (side wall surface 14t) perpendicular to the vertical main surface 12 in addition to the chamfered surface 14c on the end surface 14 means that the outer diameter (diameter) or the inner diameter of the glass plate 10 on which the chamfered surface 14c is formed.
  • the (diameter of the circular hole 16) is preferable because it can suppress variation within one glass plate 10 or between the glass plates 10. For example, if the outer diameter varies, when a plurality of glass plates 10 are incorporated into an HDD device as substrates for magnetic disks and rotated, the air flow is likely to be disturbed, which may increase troubles such as head crash.
  • the shape of the chamfered surface 14c can be variously changed by controlling the value of Pd ⁇ Th and the value of the moving speed. That is, when the laser light L is emitted when at least the central portion in the thickness direction of the end face 14 of the glass plate 10 before the laser light L is irradiated is a face (side wall face 14t) perpendicular to the main surface 12. It was found that the chamfered surface 14c was formed and the surface (side wall surface 14t) perpendicular to the main surface 12 was formed by adjusting the condition of. Although this mechanism is not always clear, between the condition that the chamfering of the end face 14 does not proceed (see FIG.
  • the end face 14 It is assumed that there is a condition that a vertical surface of is formed, and this condition can be selected by appropriately adjusting Pd ⁇ Th and the moving speed. That is, for example, when the value of the moving speed is kept constant and the value of Pd ⁇ Th is increased, the formation of the chamfered surface 14c starts from the edge portion, gradually progresses to the center in the thickness direction, and finally reaches the center. It is assumed that the rounding of the end surface 14 progresses in the order that the entire end surface 14 becomes round.
  • the length T in the thickness direction of the vertical surface (side wall surface 14t) of the end surface 14 gradually decreases as the rounding progresses.
  • a method for manufacturing a glass plate including such shape processing of the glass plate 10 will be described below using a method for manufacturing a glass substrate for a magnetic disk.
  • the magnetic disk glass substrate is also a disk-shaped thin glass substrate provided with circular holes, like the glass plate 10 shown in FIG.
  • the size of the glass substrate for a magnetic disk is not limited, but the glass substrate for a magnetic disk is, for example, the size of a glass substrate for a magnetic disk having a nominal diameter of 2.5 inches or 3.5 inches. In the case of a glass substrate for a magnetic disk having a nominal diameter of 3.5 inches, for example, the outer diameter (nominal value) is 95 mm to 97 mm. In the case of a glass substrate for a magnetic disk having a nominal diameter of 2.5 inches, the outer diameter (nominal value) is, for example, 65 mm to 67 mm.
  • the glass substrate for a magnetic disk has a thickness of, for example, 0.20 mm to 0.65 mm, preferably 0.30 mm to 0.53 mm. A magnetic layer is formed on the main surface of this glass substrate to form a magnetic disk.
  • the glass substrate has a pair of main surfaces 12 and 12, side wall surfaces 14t formed on the end surface 14 of the outer peripheral end, the side wall surface 14t and the main surfaces 12 and 12, similarly to the outer peripheral end portion of the glass plate 10 shown in FIG.
  • the chamfered surfaces 14c, 14c interposed between the inner peripheral end portions and the end surfaces of the inner peripheral end portions, as well as the end surface 14 of the outer peripheral end portions, between the side wall surfaces not shown and between the side wall surfaces and the main surfaces 12, 12. And an intervening chamfer (not shown).
  • the side wall surface 14t is a surface extending in a direction substantially orthogonal to the main surface 12.
  • substantially orthogonal means that the inclination angle of the sidewall surface 14t with respect to the main surface 12 is in the range of 88 degrees to 92 degrees.
  • the length of the side wall surface 14t shown in FIG. 4 along the thickness direction is T [mm].
  • the chamfered surface 14c is smoothly connected to the main surface 14 and extends toward the side wall surface 14t.
  • the chamfered surface 14c has a curved shape convex toward the outside and is smoothly connected to the side wall surface 14t. Therefore, the length C [mm] of the chamfered surface 14c shown in FIG. 4 along the main surface 12 is the length of a portion inclined with respect to the main surface 12 within a range of an inclination angle of more than 2 degrees and less than 88 degrees.
  • the distance in the main surface 12 direction from the thickest position to the extreme end in the thickness direction of the glass plate 10 is The length C of the chamfered surface 14c was set.
  • a glass blank slightly larger than the size of the glass plate 10 can be cut out from a large glass plate prepared in advance by using laser light.
  • the large sheet glass before cutting out the glass blank is, for example, a glass plate having a constant plate thickness produced by the floating method or the downdraw method.
  • it may be a glass plate obtained by press-molding a lump of glass using a mold.
  • the plate thickness of the glass plate is thicker than the target plate thickness when the final product is the glass substrate for the magnetic disk by the amount of machining allowance for grinding and polishing, for example, about several ⁇ m to several hundred ⁇ m.
  • a notch line is formed on a glass plate using a scriber as in the conventional method, and cracks are generated along the notch line by heating etc. You may use the method.
  • the glass blank may be cut out by wet etching using an etching solution such as hydrofluoric acid.
  • the wavelength of the laser light is, for example, in the range of 1030 nm to 1070 nm.
  • the laser light is, for example, a pulse laser and has a pulse width of 10 ⁇ 10 ⁇ 12 seconds or less (10 picoseconds or less).
  • the light energy of the laser light can be appropriately adjusted according to the pulse width and the repetition frequency of the pulse width.
  • the outer portion of the outer portion and the inner portion of the defective glass plate with the boundary line as a boundary, as compared with the inner portion, or by heating the outer portion. , Separate the outer and inner parts of the glass plate.
  • another kind of laser light may be irradiated along the boundary line so that the defects formed discretely along the boundary line to be cut are linearly continuous by the irradiation with the laser light.
  • a CO 2 laser can be used as another type of laser light. With this laser light, linear defects can be formed so as to connect the defects formed intermittently.
  • the glass plate Separate the outer and inner parts of the. In this way, a disk-shaped glass blank can be cut out from the sheet glass.
  • the surface roughness Rz of the end face of the disk-shaped glass blank thus formed is, for example, 1 to 10 ⁇ m, and the arithmetic mean roughness Ra is, for example, 0.1 to 1 ⁇ m.
  • a circular hole is formed by irradiation with laser light, using a scriber, or by etching.
  • a glass blank having a circular hole serves as a glass base plate for producing a glass substrate for a magnetic disk.
  • the end surface 14 of the glass plate 10 (glass base plate) is irradiated with the laser light L, preferably from the normal direction of the end surface 14, and the end surface 14 and the laser light L are combined.
  • the shape of the end face 14 is processed into a target shape while relatively moving in the circumferential direction of the disk-shaped glass plate 10.
  • the laser light L is a laser light having a single-mode cross-sectional intensity distribution, and the irradiation conditions of the laser light L are width W1>thickness Th and Pd ⁇ Th is 0.8 to 3.5 [W /Mm].
  • the shape of the end surface 14 of the glass plate 10 can be made uniform with respect to the target shape, and the chamfered surface 14c can be formed. Further, by irradiating the end face 14 of the glass plate 10 before chamfering, which has a face perpendicular to the main surface 12 at least in the center in the thickness direction, with the laser light L, the edge portion of the end face 14 of the glass plate 10 is removed.
  • the chamfered end surface 14 In order to chamfer the edge portion of the end surface 14 by softening and/or melting so as to have a rounded shape, further chamfering, and the chamfered end surface 14 also has a main surface of the glass plate 10.
  • the value of Pd ⁇ Th and the value of moving speed are controlled, and the end surface 14 is irradiated with laser light.
  • the shape of the end surface 14 of the glass plate 10 can be made uniform without varying with respect to the target shape, and the surface perpendicular to the main surface 12 and the chamfered surface 14c can be formed.
  • W1>Th Pd ⁇ Th is x
  • the moving speed of the laser light L moving along the end face 14 is y.
  • the value of Pd ⁇ Th and the value of the moving speed are adjusted so that y falls within the range of 11.2 ⁇ x ⁇ 4.7 or less.
  • W1>Th in order for the end surface 14 to have the side wall surface 14t that is a surface perpendicular to the main surface 12 in addition to the chamfered surface 14c.
  • Pd ⁇ Th is x and the moving speed of the laser beam L moving along the end face 14 is y
  • y is 11.2 ⁇ x ⁇ 4.7 or less and 5.4 ⁇ x ⁇ 4.
  • the value of Pd ⁇ Th and the value of the moving speed are adjusted to be within the range of 0.5 or more.
  • FIGS. 5A to 5C are views for explaining the difference in the shape of the end face 14 due to the difference in the irradiation condition of the laser light L. 5A to 5C, among the irradiation conditions, the thickness Th is 0.7 mm, the width W1 is 1.0 mm, the ratio Th/W1 is fixed at 0.7, and the length W2 is 10 mm.
  • An example of the shape of the end face 14 when the moving speed at the position is fixed to 2 mm/sec and the power density Pd is changed to change Pd ⁇ Th is shown.
  • As the glass base plate before processing one having a glass transition temperature Tg of 500° C., a diameter of 95 mm, and an end face perpendicular to the main surface was used.
  • the surface roughness Rz of the end face 14 was 5 ⁇ m, and the arithmetic average roughness Ra was 0.5 ⁇ m.
  • the laser light L was applied to the outer peripheral end surface of the glass base plate.
  • the chamfered surface 14c is formed longer than (the length between the main surfaces), it is a shape that is not preferable as a glass substrate having a constant thickness.
  • the irradiation condition by the laser light L is that, in the end face 14, the sidewall surface 14t orthogonal to the main surface 12, the chamfered surface 14c connecting the ends on both sides of the sidewall surface 14t, and the end of the main surface 12,
  • the irradiation conditions are preferably set so as to form
  • the range of the power density Pd is preferably set to 1.2 [W/mm 2 ] to 3.0 [W/mm 2 ].
  • the irradiation condition Pd ⁇ is set so that the ratio (C/Th) of the length C along the main surface 14 of the chamfered surface 14c to the thickness Th is 0.1 to 0.7. It is preferable that Th and moving speed are set. By setting the ratio (C/Th) to 0.1 to 0.7, the function of the chamfered surface 14c having no corner at the connection portion between the end surface 14 and the main surface 12 can be exerted. Further, when the ratio (C/Th) is less than 0.1, the chamfered surface 14c is not sufficiently formed, and edges may be easily formed in a later film forming step or the like. If the ratio (C/Th) exceeds 0.7, the data recording area on the main surface 14 may be reduced.
  • the ratio (C/Th) can be adjusted by adjusting the value of Th and the value of moving speed.
  • the ratio (C/Th) is more preferably 0.25 to 0.5.
  • irradiation is performed so that the ratio (T/Th) of the length T [mm] of the side wall surface 14t along the thickness direction to the thickness Th is 0.1 to 0.8. It is preferable to set the conditions. If the ratio (T/Th) is less than 0.1, the formation of the side wall surface 14t becomes insufficient, and it becomes difficult to measure the outer diameter or the inner diameter of the glass plate 10.
  • the surface roughness Rz (JIS B0601:2001) of the end surface 14 (chamfered surface 14c, side wall surface 14t) formed by the laser beam L is preferably 0.3 ⁇ m or less, and more preferably. Is 0.2 ⁇ m or less, and the arithmetic average roughness Ra (JIS B0601:2001) is preferably 0.03 ⁇ m or less, and more preferably 0.02 ⁇ m or less.
  • the surface roughness Rz and the arithmetic mean roughness Ra can be measured by, for example, a laser type optical microscope.
  • the chamfered surface 14c and the side wall surface 14t can be made smooth.
  • the direction of the disk-shaped circumferential direction of the glass plate 10 is changed.
  • the length W2 see FIG. 2
  • the temperature of the end face 14 due to heating by the laser light L is gradually increased, and the laser light L is used so that the temperature becomes the maximum at the circumferential center point of the irradiation position. It is preferable to effectively heat the end surface 14. By doing so, the moving speed at the irradiation position of the laser light L can be increased, so that the processing time can be shortened.
  • the light flux of the laser light L with which the end face 14 is irradiated has an elliptical shape as shown in FIG.
  • the ratio (W2/D) of the luminous flux of the laser light L with which the end face 14 is irradiated to the diameter D of the glass plate 10 in the circumferential direction W2 of the disk shape of the glass plate 10 is 0.03 to 0. It is preferably 0.3.
  • the ratio (W2/D) is less than 0.03, the length W2 becomes relatively short, so that the temperature of the end surface 14 cannot be sufficiently increased and it is difficult to shorten the processing time.
  • the length W2 becomes relatively long with respect to the circumferential length of the glass plate 10 in the circumferential direction.
  • the irradiation position (the position in the irradiation direction of the laser light L) that irradiates the end face 14 largely changes due to the curvature of the glass plate 10, and as a result, the light flux spreads, which makes it difficult to perform efficient heating in the circumferential direction. Further, by irradiating the end face 14 of the glass plate 10 with laser light, the edge part of the end face 14 of the glass plate 10 is softened and/or melted, and the edge part of the end face 14 is chamfered into a rounded shape.
  • the value of Pd ⁇ Th and the value of the moving speed are controlled to the end surface 14.
  • the ratio (W2/D) is preferably 0.03 to 0.3 for the above reason.
  • the diameter D of the glass plate 10 increases by several tens ⁇ m to several hundreds ⁇ m due to the rounded shape of the end face 14, and the power is further increased.
  • the density Pd is increased, the rounding range is expanded and the length in the thickness direction is expanded to form a spherical shape, which reduces the diameter D of the glass plate 10. That is, the diameter D of the glass plate 10 after the shape processing changes depending on the magnitude of the power density Pd.
  • the power density Pd becomes excessively large and the end face 14 is excessively heated to have a spherical shape, so that the diameter of the glass plate 10 is shortened.
  • the glass plate 10 as shown in FIG. 5C is not preferable because the outer diameter is smaller than the target diameter of the glass plate 10.
  • excessive heating of the end surface 14 also tends to cause variations in the spherical shape, and the diameters of the glass plate 10 cannot be made uniform, which is not preferable. Therefore, it is preferable that the power density Pd is set such that the diameter of the glass plate 10 formed by the irradiation of the laser light L is larger than the diameter of the glass plate 10 before the irradiation of the laser light L.
  • the moving speed of the laser light L moving along the end surface 14 is preferably 0.7 to 100 [mm/sec].
  • the moving speed is a moving speed relative to the end surface 14. From the viewpoint of processing efficiency, it is preferable that the shape processing with the laser light L is completed when the laser light L rotates around the glass plate 10 once.
  • the moving speed exceeds 100 [mm/sec]
  • it is difficult to complete the processing at a timing and it may be difficult to match the processing start point and the processing end point.
  • the moving speed is lower than 0.7 [mm/sec]
  • the shape of the end face changes due to a slight change in Pd ⁇ Th, and it becomes difficult to control the end face shape.
  • the moving speed is preferably 0.7 to 100 [mm/sec].
  • the moving speed is more preferably 20 to 100 [mm/sec].
  • the moving speed is 20 [mm/sec] or more, the change in the shape of the end face 14 with respect to the change in Pd ⁇ Th becomes relatively gentle, and the productivity is improved by shortening the processing time. Therefore, the moving speed is more preferably 20 to 100 [mm/sec].
  • the temperature of the glass plate 10 in order to promote the formation of the chamfer by the laser light L, it is preferable to set the temperature of the glass plate 10 to a temperature higher than room temperature during the shape processing of the chamfer by the laser light L. At this time, it is preferably Tg ⁇ 50° C. (Tg is the glass transition temperature of the glass plate 10) or less. Further, it is more preferable that the temperature of the glass plate 10 when the chamfering is performed be in the range of 150 to 400°C. If the temperature of the glass plate 10 is lower than 150° C., the chamfered surface 14c may not be sufficiently formed.
  • the glass plate 10 When the temperature of the glass plate 10 is higher than 400° C., the glass plate 10 may be deformed and it may be difficult to irradiate the end face 14 with the laser light L.
  • the glass plate 10 As a method of heating the glass plate 10, for example, the glass plate 10 may be heated before performing the chamfering process, or the glass plate 10 may be heated while performing the chamfering process.
  • the glass plate 100 when the glass plate 100 is heated while the chamfering process is performed, temperature control becomes difficult due to the synergistic effect with the heating by the laser light L, and thus the variation in the shape of the end surface 14 may increase. Therefore, when heating the glass plate 10, it is preferable to heat the glass plate 10 before chamfering. In this case, it is preferable that the glass plate 10 is appropriately kept warm during the chamfering process.
  • the end surface of the inner peripheral end portion is also shaped by the laser light L, and then the glass plate 10 is subjected to various treatments so as to have characteristics suitable for the final product. Is done.
  • the end surface polishing processing is performed on the end surface 14 that has been shaped.
  • the surface roughness Rz of the chamfered surface 14c and the side wall surface 14t can be set to 0.3 ⁇ m or less. Therefore, the removal amount in the end surface polishing process is the same as that of the conventional chamfered surface 14c using a grindstone. It can be reduced as compared with the case of processing, and production cost and production efficiency can be improved. In one embodiment, no edge polishing treatment may be performed.
  • the main surface 12 of the glass plate 10 is ground by using the glass plate 10 as an intermediate glass plate before becoming the glass substrate for a magnetic disk.
  • a polishing process is performed.
  • the glass plate 10 is ground and then polished.
  • the main surface 12 of the glass plate 10 is ground using a double-side grinding machine equipped with a planetary gear mechanism. Specifically, the main surfaces on both sides of the glass plate 10 are ground while the glass plate 10 is held in the holding holes provided in the holding member of the double-sided grinding device.
  • the double-sided grinding device has a pair of upper and lower surface plates (upper surface plate and lower surface plate), and the glass plate 10 is sandwiched between the upper surface plate and the lower surface plate. Then, either or both of the upper surface plate and the lower surface plate are moved and operated, and the glass plate 10 and each surface plate are relatively moved while supplying the coolant, so that both main surfaces of the glass plate 10 are moved. Can be ground. For example, it is possible to carry out a grinding treatment by mounting a grinding member in which fixed abrasive grains, in which diamond is fixed with a resin, formed into a sheet shape, on a surface plate.
  • the main surface of the glass plate 10 after grinding is subjected to first polishing. Specifically, the main surfaces on both sides of the glass plate 10 are polished while holding the glass plate 10 in the holding holes provided in the polishing carrier of the double-sided polishing apparatus.
  • the purpose of the first polishing is to remove the scratches and strains remaining on the main surface after the grinding treatment, or to adjust the fine surface irregularities (micro waviness, roughness).
  • the glass plate 10 is polished while applying polishing slurry by using a double-sided polishing device having the same configuration as the double-sided polishing device used for the above-described grinding process with fixed abrasive grains.
  • a polishing slurry containing loose abrasive grains is used.
  • the loose abrasive grains used for the first polishing for example, abrasive grains such as cerium oxide or zirconia are used.
  • the double-sided polishing device as in the double-sided polishing device, the glass plate 10 is sandwiched between the pair of upper and lower surface plates.
  • a ring-shaped flat plate polishing pad (for example, a resin polisher) is attached to the upper surface of the lower surface plate and the bottom surface of the upper surface plate as a whole. Then, by moving either or both of the upper surface plate and the lower surface plate, the glass plate 10 and each surface plate are relatively moved to polish both main surfaces of the glass plate 10. ..
  • the size of the abrasive grains is preferably in the range of 0.5 to 3 ⁇ m in terms of average particle size (d50).
  • the glass plate 10 may be chemically strengthened.
  • a mixed melt of potassium nitrate and sodium nitrate is used as the chemical strengthening liquid, and the glass plate 10 is immersed in the chemical strengthening liquid.
  • a compressive stress layer can be formed on the surface of the glass plate 10 by ion exchange.
  • the second polishing treatment aims at mirror polishing of the main surface.
  • a double-sided polishing apparatus having the same configuration as the double-sided polishing apparatus used in the first polishing is used. Specifically, while holding the glass plate 10 in the holding holes provided in the polishing carrier of the double-sided polishing device, the main surfaces on both sides of the glass plate 10 are polished.
  • the second polishing process differs from the first polishing process in the type and particle size of the loose abrasive grains and the hardness of the resin polisher.
  • the hardness of the resin polisher is preferably smaller than that during the first polishing process.
  • a polishing liquid containing colloidal silica as free abrasive grains is supplied between the polishing pad of the double-side polishing machine and the main surface of the glass plate 10 to polish the main surface of the glass plate 10.
  • the size of the abrasive grains used for the second polishing is preferably in the range of 5 to 50 nm in terms of average particle size (d50).
  • the necessity of the chemical strengthening treatment may be appropriately selected in consideration of the glass composition and the necessity.
  • another polishing process may be added, and the two main surfaces may be polished by one polishing process. Further, the order of the above processes may be appropriately changed.
  • the main surface of the glass plate 10 can be polished to obtain a magnetic disk glass substrate that satisfies the conditions required for the magnetic disk glass plate 10. After that, at least a magnetic layer is formed on the glass plate 10 produced by polishing the main surface to produce a magnetic disk.
  • the main surface 12 of the glass plate 10 that has undergone the shape processing is ground or polished.
  • the end face 14 is not polished, or even if the end face 14 is polished, the removal amount by polishing the end face 14 is 5 ⁇ m. It can be: Therefore, the change in the outer diameter of the glass plate 10 can be 10 ⁇ m or less. This is because the chamfered surface 14c and the sidewall surface 14t with small surface irregularities can be formed by the laser light L.
  • the magnetic disks often come into contact with the adjacent magnetic disks, and the magnetic disk located at the top of the plurality of magnetic disks arranged at regular intervals is the hard disk. In some cases, it may come into contact with the ceiling surface of the magnetic disk storage container of the drive device. In such contact, a part of the magnetic disk may be chipped to generate particles. Therefore, it is not preferable that the glass substrate for a magnetic disk has low rigidity.
  • the Young's modulus of the glass plate 10 is preferably 70 [GPa] or more, more preferably 80 [GPa] or more, and more preferably 90 [GPa] or more. It is even more preferred to be present.
  • the thickness Th of the glass plate 10 is preferably 0.7 mm or less, and more preferably 0.6 mm or less. As a result, the number of magnetic disks mounted in the hard disk drive device can be increased by one or two.
  • composition of such a glass plate 10 is not limited, but the following composition is preferable.
  • Glass 1 SiO 2 56-80 mol %, Li 2 O 1-10 mol %, B 2 O 3 0-4 mol%, Total content of MgO and CaO (MgO+CaO) 9-40 mol%, Is. Glass 1 has a specific gravity of 2.75 g/cm 3 or less and a glass transition temperature Tg of 650° C. or more.
  • Glass 2 SiO 2 56-80 mol %, Li 2 O 1-10 mol %, B 2 O 3 0-4 mol%, Total content of MgO and CaO (MgO+CaO) 4-40 mol%, And
  • the molar ratio of the total content of SiO 2 and ZrO 2 to the Al 2 O 3 content ((SiO 2 +ZrO 2 )/Al 2 O 3 ) is 2 to 13, Is.
  • the specific gravity of the glass 2 is 2.50 g/cm 3 or less, the glass transition temperature Tg is 500° C. or more, and the specific elastic modulus at 20° C. is 30 GPa ⁇ cm 3 /g or more.
  • the molar ratio of the total content of MgO and CaO to the total content of MgO, CaO, SrO and BaO ((MgO+CaO)/(MgO+CaO+SrO+BaO)) is 0.7 to 1, with respect to the total content of MgO, CaO, SrO and BaO.
  • the molar ratio of BaO content (BaO/(MgO+CaO+SrO+BaO)) is 0.1 or less, The molar ratio of the P 2 O 5 content to the total content of B 2 O 3 , SiO 2 , Al 2 O 3 and P 2 O 5 (P 2 O 5 /(B 2 O 3 +SiO 2 +Al 2 O 3 +P 2 O 5 )) is 0.005 or less, And A glass transition temperature of 670° C. or higher and a Young's modulus of 90 GPa or higher, Specific gravity is 2.75 or less, It is an amorphous oxide glass having an average linear expansion coefficient in the range of 40 ⁇ 10 ⁇ 7 to 70 ⁇ 10 ⁇ 7 /° C. at 100 to 300° C.
  • the glass plate 10 is preferably made of glass having a glass transition point temperature Tg of 500° C. or higher, and more preferably the glass transition point temperature Tg is 650° C. or higher.
  • Tg glass transition point temperature
  • the glass transition temperature Tg is preferably 500° C. or higher, more preferably 650° C. or higher, in consideration of the heat treatment for forming the magnetic film of the magnetic disk on the substrate 1.
  • the glass plate 10 is preferably made of a material having a linear expansion coefficient of 100 ⁇ 10 ⁇ 7 [1/K] or less, and a material of 95 ⁇ 10 ⁇ 7 [1/K] or less. Is more preferable, and it is even more preferable that the material is 70 ⁇ 10 ⁇ 7 [1/K] or less, and particularly preferably, the linear expansion coefficient is 60 ⁇ 10 ⁇ 7 [1/K]. It is below.
  • the lower limit of the linear expansion coefficient of the glass plate 10 is, for example, 40 ⁇ 10 ⁇ 7 [1/K].
  • the linear expansion coefficient here is a linear expansion coefficient obtained by a difference in thermal expansion between 100°C and 300°C.
  • the linear expansion coefficient is, for example, 242 ⁇ 10 ⁇ 7 [1/K] in the conventional aluminum alloy substrate, whereas the linear expansion coefficient in the glass plate 10 of the embodiment is 51 ⁇ 10 ⁇ 7 [1]. /K].
  • the end face 14 is processed under the irradiation condition of the laser beam L, specifically, the condition where Pd ⁇ Th [W/mm] is variously changed, and the end face 14 is processed.
  • the shape of was investigated.
  • the moving speed [mm/sec] of the laser beam L moving along the end face 14 was also adjusted.
  • the entire glass plate 10 was heated to 350° C., and then the end face of the outer peripheral end of the glass plate 10 was irradiated with the laser light L while maintaining the temperature of the glass plate 10. ..
  • the irradiation of the laser light L was performed on the end surface 14 from the normal direction.
  • the end face 14 includes a surface (side wall surface 14t) perpendicular to the main surface 12 and a chamfered surface 14c, and the length T (see FIG. 4) in the thickness direction of the perpendicular surface is 10 of the thickness Th. It is more than one-third.
  • Evaluation B The end surface 14 does not include a surface perpendicular to the main surface 12 but includes only the chamfered surface 14c. Is the length in the thickness direction of the chamfered portion equal to the thickness Th of the original glass plate?
  • Evaluation C The end face 14 has a spherical shape as shown in FIG. 5C, and the length of the chamfered portion in the thickness direction is longer than the original thickness of the glass plate. Evaluation D: The end surface 14 does not have the chamfered surface 14c as shown in FIG. It is a rejected product.
  • the glass plate 10 used was a glass plate having a diameter of 95 mm and a thickness of 0.7 mm.
  • the above glass 1 was used as the glass composition of the glass plate.
  • the width W1 in the thickness direction is 1 mm
  • the length W2 in the circumferential direction is 10 mm, so that the light flux is evenly projected to both sides of the end face 14 of the glass plate 10.
  • the glass plate used in Table 2 below is a glass plate having a diameter of 95 mm and a thickness of 0.7 mm, a glass plate having a diameter of 97 mm and a thickness of 0.7 mm, a glass plate having a diameter of 65 mm and a thickness of 0.7 mm, a diameter of 95 mm and a thickness.
  • a glass plate having a thickness of 0.6 mm, a diameter of 95 mm, and a thickness of 0.55 mm was used.
  • the above glass 1 was used as the glass composition of the glass plate.
  • the width W1 in the thickness direction is set to 1 mm and the length W2 in the circumferential direction is changed to an elliptical shape, and the power density Pd of the laser light L is changed variously.
  • the moving speed [mm/sec] of the laser beam L moving along the end face 14 was fixed at 70 [m/sec].
  • the shape of the end surface 14 was evaluated in the four grades of Evaluations A to D as in Table 1.
  • FIG. 6 is a diagram showing the evaluation results shown in Table 1.
  • a plot display of conditions 1 to 40 is displayed.
  • the conditions under which the chamfered surface 14c can be formed are that at least the moving speed V is 0.7 [mm/sec] or more, in order to obtain the evaluations A to C for forming the chamfered surface 14c, at least Pd ⁇ Th is 0.8 [W/mm] or more.
  • the moving speed V is less than 0.7 [mm/sec]
  • the range of Pd ⁇ Th to be evaluated A and B becomes extremely narrow, so even if a shape having a vertical surface and a chamfered surface 14c is obtained.
  • the moving speed V is preferably 0.7 [mm/sec] or more.
  • the end surface 14 has a surface perpendicular to the main surface 12 (a surface whose length is 1/10 or more of the thickness Th) and a chamfered surface. 14c.
  • the end surface 14 does not include a surface perpendicular to the main surface 12 but includes only the chamfered surface 14c, and the length in the thickness direction of the chamfer forming portion is the same as the original.
  • a glass plate 10 having a thickness equal to or shorter than the thickness of the glass plate see FIG. 5C
  • the present invention is not limited to the above-described embodiments and experimental examples, and the gist of the present invention is not limited. Of course, various improvements and changes may be made without departing from the scope.
  • glass plate 12 main surface 14 end surface 14c chamfered surface 14t side wall surface 16 circular hole 20 laser light source 22 optical system 24 focusing lens

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Abstract

円盤形状のガラス板の端面の形状加工を行うガラス板の製造方法において、円盤形状の前記ガラス板は、主表面と、前記主表面に垂直な端面とを有する。前記端面にレーザー光を照射し、前記端面に対して前記レーザー光を前記円盤形状の前記ガラス板の周方向に相対的に移動しながら、前記端面を目標とする形状に加工するステップを含を含む。前記端面に照射する前記レーザー光の断面強度分布はシングルモードであって、前記端面における照射位置上の前記レーザー光の光束の前記ガラス板の厚さ方向の幅をＷ１［ｍｍ］とし、前記ガラス板の厚さをＴｈ［ｍｍ］とし、前記レーザー光のパワー密度をＰｄとしたとき、Ｗ１＞Ｔｈであって、Ｐｄ×Ｔｈは、０．８～３．５［Ｗ／ｍｍ］である。

Description

ガラス板の製造方法、ガラス板の面取り方法、および磁気ディスクの製造方法
　本発明は、円盤形状のガラス板の端面の形状加工を行うガラス板の製造方法、レーザー光の照射により円盤形状のガラス板の端面に面取り面を形成するガラス板の面取り方法、ガラス板の製造方法あるいは面取り方法を用いた磁気ディスクの製造方法に関する。
　データ記録のためのハードディスク装置には、円盤形状の非磁性体の磁気ディスク用ガラス基板に磁性層が設けられた磁気ディスクが用いられる。
　磁気ディスク用ガラス基板を製造するとき、最終製品である磁気ディスク用ガラス基板の素となる円盤形状のガラス素板の端面は、微細なパーティクルが主表面に付着して磁気ディスクの性能に悪影響を与えないためにも、パーティクルの発生しやすい端面の表面を滑らかにすることが好ましい。また、磁気ディスクを精度よくＨＤＤ装置に組み込む点から、さらには、ガラス基板の主表面に磁性膜を形成する際にガラス基板の外周端面を把持する治具の把持に適するように、ガラス板の端面を目標形状に揃えることが好ましい。
　ガラス板の端面を目標形状にするための方法として、ガラス板のエッジを、レーザー光を用いて面取り加工する方法が知られている（特許文献１）。具体的には、超短パルスレーザーを使用して、所望の面取り形状にエッジを切削し、超短パルスレーザーによる処理に続いて、ＣＯ２レーザーを照射する。
特表２０１７－５１１７７７号公報
　上記方法による、ガラス板の端面に側壁面と面取り面を形成する端面の形状加工では、超短パルスレーザーによるエッジの切削の後にＣＯ２レーザーを照射することにより除去する部材を分離する。しかし、超短パルスレーザーによるエッジの切削の精度に起因して目標形状の端面に加工することができず、端面の形状が、上述した磁性膜形成時の治具による把持に適した目標形状になり難く、ばらつく場合があった。また、超短レーザーとＣＯ２レーザーを併用して端面の形状加工を行うので、形状加工の操作が煩雑であった。
　近年、磁気ディスク用ガラス基板では、ハードディスクドライブ装置（以降、ＨＤＤ装置という）の大容量化のために、磁気ディスクのガラス板を薄くして、ＨＤＤ装置に組み込む磁気ディスクの枚数を増加させる傾向にある。この場合、ガラス基板が薄くなることで発生し易くなるガラス板の振動を抑制するために、ガラス板の剛性を高める硝材が用いられる。剛性の高い硝材は、概して軟化点が高いため、レーザー光の形状加工はし難い。このため、厚さが薄く、軟化点の高いガラス板の端面をレーザー光により目標形状に加工し、しかも、端面の形状の目標形状からのばらつきを抑えるためには、レーザー光の照射条件を従来に比べて細かく設定することが必要となっている。
　そこで、本発明は、円盤形状のガラス板の端面の形状加工を、レーザー光を用いて行う際、端面の形状が目標形状に対してばらつくことなく、簡単な操作により端面の形状加工を行うことができるガラス板の製造方法および磁気ディスクの製造方法を提供することを目的とする。
　本発明の一態様は、円盤形状のガラス板の端面の形状加工を行うガラス板の製造方法である。円盤形状の前記ガラス板は、主表面と、前記主表面に垂直な端面とを有する。当該製造方法は、
　前記端面にレーザー光を照射し、前記端面に対して前記レーザー光を前記円盤形状の前記ガラス板の周方向に相対的に移動しながら、前記端面を目標とする形状に加工するステップを含み、
　前記端面に照射する前記レーザー光の断面強度分布はシングルモードであって、前記端面における照射位置上の前記レーザー光の光束の前記ガラス板の厚さ方向の幅をＷ１［ｍｍ］とし、前記ガラス板の厚さをＴｈ［ｍｍ］とし、前記レーザー光のパワー密度をＰｄとしたとき、Ｗ１＞Ｔｈであって、Ｐｄ×Ｔｈは、０．８～３．５［Ｗ／ｍｍ］である。
　本発明の他の一態様は、円盤形状のガラス板の端面の形状加工を行うガラス板の製造方法である。円盤形状の前記ガラス板は、主表面と、前記主表面に垂直な端面とを有する。
　当該製造方法は、
　前記端面にレーザー光を照射し、前記端面に対して前記レーザー光を前記円盤形状の前記ガラス板の周方向に相対的に移動しながら、前記端面に面取り面を形成して目標とする形状に加工するステップを含み、
　前記端面に照射する前記レーザー光の断面強度分布はシングルモードであって、前記端面における照射位置上の前記レーザー光の光束の前記ガラス板の厚さ方向の幅をＷ１［ｍｍ］とし、前記ガラス板の厚さをＴｈ［ｍｍ］とし、前記レーザー光のパワー密度をＰｄとしたとき、Ｗ１＞Ｔｈであって、Ｐｄ×Ｔｈをｘ、前記レーザー光の前記端面に沿って移動する移動速度をｙとしたとき、ｙは、１１．２・ｘ－４．７以下の範囲内となるように前記Ｐｄ×Ｔｈの値と前記移動速度の値を調節する。
　前記レーザー光は、前記ガラス板の前記端面に、前記端面の法線方向から照射される、ことが好ましい。
　前記形状加工では、前記端面に、前記ガラス板の対向する２つの主表面に対して直交する側壁面と、前記側壁面の両側の端と、前記主表面の端とを接続する面取り面と、を形成するように、前記レーザー光の照射条件は設定される、ことが好ましい。
　前記面取り面の前記主表面に沿った長さＣの、前記厚さＴｈに対する比（Ｃ／Ｔｈ）が、０．１～０．７となるように、前記照射条件が設定される、ことが好ましい。
　前記レーザー光により形成された前記端面の表面粗さＲｚは、０．３μｍ以下であり、算術平均粗さＲａは０．０３μｍ以下である、ことが好ましい。
　前記端面に照射する前記レーザー光の光束は、楕円形状をしており、前記端面に照射される前記レーザー光の光束の前記周方向の長さＷ２の前記ガラス板の直径Ｄに対する比（Ｗ２／Ｄ）は、０．０３～０．３である、ことが好ましい。
　前記レーザー光の照射により形成された前記ガラス板の直径は、前記レーザー光の照射前の前記ガラス板の直径に比べて増大するように前記パワー密度Ｐｄは設定される、ことが好ましい。
　前記レーザー光の前記端面に沿って移動する移動速度は、０．７～１００［ｍｍ／秒］である、ことが好ましい。
　前記ガラス板のヤング率は、７０［ＧＰａ］以上である、ことが好ましい。
　前記ガラス板は、線膨張係数が１００×１０－７［１／Ｋ〕以下である、ことが好ましい。
　前記厚さＴｈは、０．７ｍｍ以下である、ことが好ましい。
　前記ガラス板の製造方法は、前記形状加工を行った前記ガラス板の前記主表面を研削あるいは研磨するステップを含み、
　前記形状加工後、前記主表面の研削あるいは研磨の前に、前記端面の研磨を行わない、あるいは、前記端面の研磨を行っても、前記端面の研磨による取り代量は５μｍ以下である、ことが好ましい。
　本発明の他の一態様は、レーザー光の照射により円盤形状のガラス板の端面に面取り面を形成するガラス板の面取り方法である。前記面取り面の形成前の前記ガラス板の前記端面は、少なくとも前記ガラス板の厚さ方向の中心部において主表面に対して垂直な面を有する。当該面取り方法は、
　前記ガラス板の前記端面へのレーザー光の照射によって前記ガラス板の前記端面のエッジ部を軟化及び／又は溶融させて、前記エッジ部を、丸みを帯びた形状に面取りするとともに、前記面取り面の形成後の前記端面においても前記ガラス板の主表面に垂直な面が形成されるように、前記ガラス板の厚さをＴｈ［ｍｍ］とし、前記レーザー光のパワー密度をＰｄとし、前記レーザー光の前記端面に沿って移動する移動速度をＶとしたとき、Ｐｄ×Ｔｈと移動速度Ｖとを制御する。
　前記Ｐｄ×Ｔｈをｘ、前記移動速度Ｖをｙとしたとき、
　ｙは、１１．２・ｘ－４．７以下、かつ、５．４・ｘ－４．５以上、の範囲内となるように前記Ｐｄ×Ｔｈの値と前記移動速度Ｖの値を調節する、ことが好ましい。
　本発明のさらに他の一態様は、前記面取り方法を用いて、円盤形状のガラス板の前記端面の面取り加工を行う、ことを特徴とするガラス板の製造方法である。
　本発明のさらに他の一態様は、前記ガラス板の製造方法により製造されたガラス板の主表面に磁性膜を形成する、ことを特徴とする磁気ディスクの製造方法である。
　本発明の他の一態様は、前記ガラス板の製造方法により製造されたガラス板の主表面に磁性膜を形成する、ことを特徴とする磁気ディスクの製造方法である。
　上述の磁気ディスクの製造方法によれば、円盤形状のガラス板の端面の形状加工を、レーザー光を用いて行う際、端面の形状が目標形状に対してばらつくことなく、簡単な操作により端面の形状加工を行うことができる。
一実施形態であるガラス板の製造方法におけるレーザー光の照射を説明する図である。 レーザー光の照射位置における光束の形状の一例を説明する図である。 レーザー光の照射位置における光束と光強度分布を説明する図である。 レーザー光による形状加工後の端面の形状を説明する図である。 （ａ）～（ｃ）は、レーザー光の照射条件の相違による端面の形状の相違を説明する図である。 実験例の評価結果を示す図である。
　図１は、一実施形態であるガラス板の製造方法におけるレーザー光の照射を説明する図である。図２は、レーザー光の照射位置における光束（スポット）の形状の一例を説明する図である。図３は、レーザー光の照射位置における光束と光強度分布を説明する図である。図４は、レーザー光による形状加工後の端面の形状を説明する図である。
　本実施形態のガラス板の製造方法で形状加工するガラス板は、円盤形状であって、円盤形状の中心位置に、外周端と同心円状の内周端が形成されるように円孔があけられた形状を成している。
　このガラス板から、端面を目標形状に揃えたガラス板を作製するために、あるいは、ガラス板の端面と主表面の接続部分が角張ったエッジ部とならないように、ガラス板には、ガラス板の主表面と端面の接続部分に面取りを形成する形状加工が施される。
　特に、円孔のあいた円盤形状の磁気ディスク用ガラス基板を製造するとき、最終製品である磁気ディスク用ガラス基板の素となる円盤形状のガラス板の端面の形状は、磁気ディスクを精度よくＨＤＤ装置に組み込むために、さらには、ガラス基板の主表面に磁性膜を形成する際にガラス基板の端面を治具によって確実に把持するためにも、目標形状に揃えることが望ましい。さらに、微細なパーティクルが主表面に付着して磁気ディスクの性能に悪影響を与えないために、パーティクルの発生しやすい端面の表面を滑らかにすることが望ましい。このために、本実施形態では、面取りのための形状加工を行うために、レーザー光を用いる。
　具体的には、図１に示すように、円孔１６のあいた円盤形状のガラス板１０は、主表面１２と端面１４とを有する。端面１４は、主表面１２に垂直な端面である。図１に示す例では、外周端面をレーザー光による形状加工の端面１４としているが、円孔１６に沿った内周端面もレーザー光による形状加工の対象とすることができる。
　本実施形態では、端面１４にレーザー光を照射し、レーザー光Ｌを、円盤形状のガラス板１０の周方向に端面１４に対して相対的に移動しながら、端面１４を目標形状に加工する。レーザー光Ｌは、後述するレーザー光源２０から出射したレーザー光Ｌを、コリーメータ等を含む光学系２２を通して平行光とした後、集束レンズ２４を介してレーザー光Ｌを集束させた後、拡張するレーザー光Ｌを端面１４に照射する。
　一方、ガラス板１０は、ガラス板１０の中心位置を回転中心として一定速度で回転させる。こうして、レーザー光Ｌと端面１４とを、円盤形状のガラス板１０の周方向にお互いに相対的に移動させながら、レーザー光Ｌはガラス板１０の端面１４の全周を照射する。
　ここで、レーザー光Ｌの端面１４への照射は、照射する端面１４の法線方向から行うことが好ましい。レーザー光Ｌの端面１４への照射は、完全な法線方向（傾斜角度０度）の他に、法線方向に対する傾斜角度が１０度以内の範囲内も許容範囲として含まれる。
　端面１４に照射するレーザー光Ｌの断面強度分布はシングルモードである。すなわち、レーザー光Ｌの断面強度分布は、ガウス分布である。このようなレーザー光Ｌの、端面１４における照射位置上の光束のガラス板１０の厚さ方向の幅を、図２に示すようにＷ１［ｍｍ］とし、ガラス板１０の厚さをＴｈ［ｍｍ］とし、レーザー光Ｌのパワー密度をＰｄ［Ｗ／ｍｍ２］としたとき、レーザー光Ｌの照射では、Ｗ１＞Ｔｈであって、Ｐｄ×Ｔｈは、０．８～３．５［Ｗ／ｍｍ］である照射条件を用いる。ここで、レーザー光Ｌの光束は、図２に示すようにガラス板１０の厚さ方向の両側にはみ出すように照射される。また、端面の両側にはみ出す幅を同等とすることで、ガラス板１０の厚さ方向の両側において面取りを均等に行うことができ、２つの面取り面１４ｃの形状を同等にすることができる。パワー密度Ｐｄは、レーザー光Ｌの全パワーＰ［Ｗ］を、レーザー光Ｌの照射する部分における光束の面積で割った値である。レーザー光Ｌの光束が、短軸半径がＷ１／２、長軸半径がＷ２／２である楕円形状（図２参照）を成している場合、パワー密度Ｐｄは４×Ｐ／Ｗ１／Ｗ２／π［Ｗ／ｍｍ２］（πは円周率）と規定される。
　ここで、レーザー光Ｌの一例として、ＣＯ２レーザー光を用いるが、ガラスに対し吸収がある発振波長であればよく、ＣＯ２レーザー光に制限されない。例えば、ＣＯレーザー（発振波長約５μｍや１０．６μｍ）、Ｅｒ－ＹＡＧレーザー（発振波長約２．９４μｍ）等が挙げられる。ＣＯ２レーザー光を用いる場合、波長は３μｍ以上とすることが好ましい。さらに、波長を１１μｍ以下とするとより好ましい。波長が３μｍよりも短いと、ガラスがレーザー光を吸収しにくくなり、ガラス板１０の端面１４を十分に加熱できない場合がある。また、波長が１１μｍより長いと、レーザー装置の入手が困難である場合がある。なお、レーザー光源２０の発振形態は特に限定されず、連続発振光（ＣＷ光）、パルス発振光、連続発振光の変調光のいずれであってもよい。但し、パルス発振光および連続発振光の変調光の場合、レーザー光Ｌの相対的な移動速度が速い場合に移動方向に面取り面１４ｃの形状のムラを生じる虞がある。その場合、発振および変調の周波数は１ｋＨｚ以上が好ましく、より好ましくは５ｋＨｚ以上、さらに好ましくは１０ｋＨｚ以上である。
　光束の幅Ｗ１及び後述する長さＷ２は、レーザー光Ｌのガラス板１０への照射位置を、例えば２枚のシリンドリカルレンズを用いて調整することで設定することができる。また、幅Ｗ１はビームプロファイラから求めることができ、長さＷ２は、ビームプロファイラによるビーム形状とガラス板の直径Ｄから求めることができる。
　レーザー光Ｌの幅Ｗ１を、ガラス板１０の厚さをＴｈより大きくすることにより、端面１４の主表面１２側の側端にもレーザー光Ｌを十分に照射させることができ、熱によってガラス板１０の一部を軟化及び／又は溶融させることにより、面取り面を形成することができる。
　レーザー光Ｌの幅Ｗ１の、ガラス板１０の厚さに対する比率Ｔｈ／Ｗ１を大きくし過ぎる（すなわち、Ｔｈ／Ｗ１が１に近づき過ぎる）と、レーザーの強度分布の勾配が急峻な範囲の影響を受け、ガラス板１０のエッジ部分の加熱が弱くなるとともに、ガラス板端面の厚さ方向の中心部分の加熱は強くなる。そのため、後述の球面形状の端面になりやすく好ましくない。また、レーザー光Ｌの幅Ｗ１の、ガラス板１０の厚さに対する比率Ｔｈ／Ｗ１を小さくし過ぎると、端面１４へのレーザー光Ｌによる加熱が小さくなり過ぎて面取り面の形成が困難になる場合がある。上記観点より、Ｔｈ／Ｗ１は０．３～０．９の範囲内であることが好ましい。
　一方、レーザー光Ｌのパワー密度Ｐｄが過度に低い場合、端面１４の加熱が十分でなく面取り面が形成されない。一方、パワー密度Ｐｄが過度に高い場合、端面１４全体が熱によって球形状に丸まり、球形状の厚さ方向の厚さが、ガラス板１０の厚さＴｈよりも大きくなる。
　このため、照射条件として、Ｗ１＞Ｔｈとし、Ｐｄ×Ｔｈ＝０．８～３．５［Ｗ／ｍｍ］とする。Ｐｄ×Ｔｈは、３．０［Ｗ／ｍｍ］以下であることが好ましく、より好ましくは１．０～２．８［Ｗ／ｍｍ］であり、よりいっそう好ましくは１．２～２．３［Ｗ／ｍｍ］である。
　Ｐｄ×Ｔｈ＝０．８～３．５［Ｗ／ｍｍ］とするので、ガラス板１０の厚さＴｈが薄くなり、照射条件がＰｄ×Ｔｈ＝０．８～３．５［Ｗ／ｍｍ］からはずれる場合、パワー密度Ｐｄを高めることを意味する。パワー密度Ｐｄを高めることで、レーザー光Ｌによるガラス板１０の照射面積が小さくなった分をパワー密度Ｐｄで補うことができ、面取り面を形成することができる。
　このような照射条件を用いることにより、ガラス板１０の端面１４の形状を目標形状からばらつくことなく揃えることができ、面取り面を形成することができる。しかも、端面１４の表面を滑らかにすることができる。
　上記実施形態では、Ｐｄ×Ｔｈの値の範囲を制限して面取り面１４ｃを形成することができるが、Ｐｄ×Ｔｈの値と移動速度の値とを制御して端面１４にレーザー光Ｌを照射することにより、ガラス板１０の端面１４に、面取り面１４ｃを効率よく形成することができる。また、Ｐｄ×Ｔｈの値と移動速度の値とをさらに詳細に制御することにより面取り面１４ｃのみならず、ガラス板１０の主表面１２に垂直な面、すなわち側壁面１４ｔを形成することができる。これにより、端面１４の形状を、目標形状に対してばらつくことなく揃えることができる。しかも、端面１４の表面を滑らかにすることができる。この場合、面取り面１４ｃ形成前のガラス板１０の端面１４は、ガラス板１０の厚さ方向の少なくとも中心部において主表面１２に対して垂直な面を有する。ガラス板１０の端面１４へのレーザー光Ｌの照射によってガラス板１０の端面１４の厚さ方向の両側のエッジ部（主表面１２と端面１４との境界部分）、例えば直角に曲がった角部を軟化及び／又は溶融させて、端面１４のエッジ部を、丸みを帯びた形状に面取りするとともに、面取り後の端面１４に、ガラス板１０の厚さ方向の両側の面取り面１４ｃに挟まれた主表面１２に垂直な面（側壁面１４ｔ）を形成することができる。特に、端面１４は、主表面１２に垂直な、長さが厚さＴｈの１０分の１以上の面と、面取り面１４ｃとを備えることが好ましい。上記垂直な面（側壁面１４ｔ）の長さＴ（図４参照）は、厚さＴｈの５分の１以上であることがより好ましい。
　レーザー光Ｌの照射により面取り面１４ｃとともに形成される上記垂直な面は、一実施形態によれば、レーザー光Ｌの照射により面取り面１４ｃが形成される前の端面１４の主表面１２に垂直な面と異なり、新たに形成される面であり、表面粗さＲｚおよび算術平均粗さＲａは、レーザー光Ｌの照射により低減する。また、円盤形状のガラス板１０の中心位置から垂直な面までの半径方向の距離は大きくなる。
　なお、主表面１２に垂直な面とは、主表面１２に対して９０度±２度の範囲を許容範囲とする面である。
　このように端面１４に面取り面１４ｃの他に、垂直な主表面１２に垂直な面（側壁面１４ｔ）を形成することは、面取り面１４ｃを形成したガラス板１０の外径（直径）または内径（円孔１６の直径）が、１つのガラス板１０内で、あるいはガラス板１０の間で、ばらつくことを抑制することができることから好ましい。例えば外径がばらつくと、ガラス板１０を磁気ディスクの基板としてＨＤＤ装置に複数枚組み込んで回転させた時に空気の流れを乱しやすくなりヘッドクラッシュ等のトラブルを増やす恐れがある。また、スパッタ装置等の成膜装置を用いて磁性膜を形成する際に、ガラス板１０の端面１４の把持に失敗してガラス板１０が落下する等のトラブルを誘発する恐れがある。また、ガラス板１０の内径がばらつくと、ＨＤＤ装置に組み込む際にスピンドルに通らない場合があり、また、ガラス板１０とスピンドルの間の隙間が過度に大きくなり回転バランスを崩す恐れがある。
　上述したＰｄ×Ｔｈの値と移動速度の値とを制御することで、面取り面１４ｃの形状を種々変化させることができるのは、以下の考えに基づく。
　すなわち、レーザー光Ｌの照射前のガラス板１０の端面１４の少なくとも厚さ方向の中心部が、主表面１２に対して垂直な面（側壁面１４ｔ）である場合、レーザー光Ｌの照射するときの条件を調節することで、面取り面１４ｃを形成しつつ、主表面１２に対して垂直な面（側壁面１４ｔ）を形成することがわかった。このメカニズムは必ずしも明確ではないが、端面１４の面取りが進行しない（図５(ａ)参照）条件と、端面１４の全体が丸くなる（図５（ｂ）参照）条件との間に、端面１４の垂直な面が形成されている条件が存在しており、この条件は、Ｐｄ×Ｔｈと移動速度とを適宜調整させることによって選択することができると想定される。すなわち、例えば、移動速度の値を一定にしてＰｄ×Ｔｈの値を大きくしていく場合、面取り面１４ｃの形成は、エッジ部から始まり、徐々に厚さ方向の中心に進展し、最終的に端面１４の全体が丸くなる、という順序で端面１４の丸まりが進展すると想定される。ここで、丸まりの進展に伴い、端面１４の垂直な面（側壁面１４ｔ）の厚さ方向の長さＴは徐々に減少する。
　このようなガラス板１０の形状加工を含むガラス板の製造方法について、以下、磁気ディスク用ガラス基板の製造方法を用いて説明する。
　磁気ディスク用ガラス基板も、図１（ａ）に示すガラス板１０と同様に、円孔が設けられた円盤形状の薄板のガラス基板である。磁気ディスク用ガラス基板のサイズは問わないが、磁気ディスク用ガラス基板は、例えば、公称直径２．５インチや３．５インチの磁気ディスク用ガラス基板のサイズである。公称直径３．５インチの磁気ディスク用ガラス基板の場合、例えば、外径（公称値）は、９５ｍｍ～９７ｍｍである。公称直径２．５インチの磁気ディスク用ガラス基板の場合、例えば、外径（公称値）は、６５ｍｍ～６７ｍｍである。磁気ディスク用ガラス基板の厚さは、例えば０．２０ｍｍ～０．６５ｍｍであり、好ましくは、０．３０ｍｍ～０．５３ｍｍである。このガラス基板の主表面上に磁性層が形成されて磁気ディスクが作られる。
　ガラス基板は、図４に示すガラス板１０の外周端部と同様に、一対の主表面１２，１２、外周端部の端面１４に形成された側壁面１４ｔ、側壁面１４ｔと主表面１２，１２の間に介在する面取面１４ｃ，１４ｃ、内周端部の端面にも、外周端部の端面１４と同様に、図示されない側壁面、及び、この側壁面と主表面１２，１２の間に介在する図示されない面取り面とを備える。
　側壁面１４ｔは、主表面１２に対して略直交する方向に延びる面である。略直交とは、主表面１２に対する側壁面１４ｔの傾斜角度が、８８度～９２度の範囲にあることをいう。図４に示す側壁面１４ｔの厚さ方向に沿った長さをＴ［ｍｍ］とする。面取り面１４ｃは、主表面１４と滑らかに接続されて、側壁面１４ｔに向かって延びている。面取り面１４ｃは、外側に向かって凸の湾曲形状を成して側壁面１４ｔに滑らかに接続している。したがって、図４に示す面取り面１４ｃの、主表面１２に沿った長さＣ［ｍｍ］は、主表面１２に対して傾斜角度２度超８８度未満の範囲で傾斜した部分の長さである。なお、後述する図５（ｃ）に示すように端面１４の形状が球面形状である場合については、ガラス板１０の厚さ方向に最も厚い位置から最末端までの主表面１２方向の距離を、面取り面１４ｃの長さＣとした。
　このようなガラス基板は、例えば、予め作製された大きなガラス板からレーザー光を用いて、ガラス板１０のサイズに比べてやや大きめのガラスブランクを切り出すことができる。
　ガラスブランクを切り出す前の大きなシートガラスは、例えば、フローティング法あるいはダウンドロー法を用いて作製された一定の板厚のガラス板である。あるいは、ガラスの塊を、金型を用いてプレス成形したガラス板であってもよい。ガラス板の板厚は、最終製品である磁気ディスク用ガラス基板になる時の目標板厚に対して、研削及び研磨の取り代量の分だけ厚く、例えば、数μｍ～数１００μｍ程度厚い。
　なお、レーザー光を用いてガラスブランクを切り出す方法の他に、従来のように、スクライバを用いてガラス板に切り欠き線を形成し、加熱等によって切り欠き線に沿ってクラックを発生させて割断させる方法を用いてもよい。また、フッ酸等のエッチング液を用いたウェットエッチングによりガラスブランクを切り出してもよい。
　大きなシートガラスからガラスブランクを切り出す処理をレーザー光で行う場合、レーザー光として、例えば、ＹＡＧレーザー、あるいは、Ｎｄ：ＹＡＧレーザー等の固体レーザーが用いられる。したがって、レーザー光の波長は、例えば、１０３０ｎｍ～１０７０ｎｍの範囲にある。この場合、レーザー光は、例えばパルスレーザーであり、パルス幅を１０×１０－１２秒以下（１０ピコ秒以下）とする。レーザー光の光エネルギは、パルス幅及びパルス幅の繰り返し周波数に応じて適宜調整することができる。このレーザー光の照射によって、切断しようとする境界線上に沿った離散的な位置に欠陥を断続的に形成することができる。
　この後、欠陥を形成したガラス板の、上記境界線を境にして外側部分と内側部分のうち、外側部分の加熱を、内側部分に比べて高めることにより、あるいは、外側部分を加熱することにより、ガラス板の外側部分と内側部分を分離する。
　あるいは、レーザー光の照射によって、切断しようとする境界線上に沿って離散的に形成した欠陥が線状に連続するように、別種のレーザー光を上記境界線に沿って照射してもよい。例えば、別種のレーザー光として、ＣＯ２レーザーを用いることができる。このレーザー光によって、断続的に形成された欠陥をつなぐように線状の欠陥を形成することができる。この場合、必要に応じて、上記境界線を境にして外側部分と内側部分のうち、外側部分の加熱を、内側部分に比べて高めることにより、あるいは、外側部分を加熱することにより、ガラス板の外側部分と内側部分を分離する。こうして、シートガラスから円板形状のガラスブランクを切り出すことができる。このように形成した円板形状のガラスブランクの端面の表面粗さＲｚは、例えば１～１０μｍであり、算術平均粗さＲａは、例えば０．１～１μｍである。
　さらに、切り出した円板状のガラスブランクに、同心円の円孔をあけるために、上述した方法と同様に、レーザー光の照射により、スクライバを用いて、あるいはエッチングにより円孔をあける。円孔をあけたガラスブランクが、磁気ディスク用ガラス基板を作製する場合のガラス素板となる。
　こうして得られた図１に示すような円盤形状のガラス板１０の端面１４（外周端部の端面及び内周端部の端面）に面取り面１４ｃを形成するために、レーザー光Ｌによる形状加工を行う。レーザー光Ｌによる形状加工では、上述したように、ガラス板１０（ガラス素板）の端面１４に、好ましくは端面１４の法線方向からレーザー光Ｌを照射し、端面１４とレーザー光Ｌとを円盤形状のガラス板１０の周方向に相対的に移動させながら、端面１４の形状を目標形状に加工する。レーザー光Ｌはシングルモードの断面強度分布を有するレーザー光であって、レーザー光Ｌの照射条件として、幅Ｗ１＞厚さＴｈであって、Ｐｄ×Ｔｈを、０．８～３．５［Ｗ／ｍｍ］とする。これにより、ガラス板１０の端面１４の形状を目標形状に対してばらつくことなく揃えることができ、面取り面１４ｃを形成することができる。
　また、少なくとも厚さ方向の中心部において主表面１２に対して垂直な面を有する面取り前のガラス板１０の端面１４に、レーザー光Ｌを照射することによってガラス板１０の端面１４のエッジ部を軟化及び／又は溶融させて、端面１４のエッジ部を、丸みを帯びた形状になるように面取りするために、さらに、面取りをするとともに、面取り後の端面１４においてもガラス板１０の主表面に垂直な面（側壁面１４ｔ）を形成するために、Ｐｄ×Ｔｈの値と移動速度の値とを制御して端面１４にレーザー光を照射する。これにより、ガラス板１０の端面１４の形状を目標形状に対してばらつくことなく揃えることができ、主表面１２に対して垂直な面及び面取り面１４ｃを形成することができる。
　端面１４に、面取り面１４ｃを形成するには、一実施形態によれば、Ｗ１＞Ｔｈであって、Ｐｄ×Ｔｈをｘ、レーザー光Ｌの端面１４に沿って移動する移動速度をｙとしたとき、ｙは、１１．２・ｘ－４．７以下の範囲内となるようにＰｄ×Ｔｈの値と移動速度の値を調節する。
　さらに、図４に示すように、端面１４が、面取り面１４ｃの他に、主表面１２に垂直な面である側壁面１４ｔを備えるためには、一実施形態によれば、Ｗ１＞Ｔｈであって、Ｐｄ×Ｔｈをｘ、レーザー光Ｌの端面１４に沿って移動する移動速度をｙとしたとき、ｙは、１１．２・ｘ－４．７以下、かつ、５．４・ｘ－４．５以上、の範囲内となるようにＰｄ×Ｔｈの値と移動速度の値を調節する。
　図５（ａ）～（ｃ）は、レーザー光Ｌの照射条件の相違による端面１４の形状の相違を説明する図である。図５（ａ）～（ｃ）では、照射条件のうち、厚さＴｈを０．７ｍｍ、幅Ｗ１を１．０ｍｍ、比率Ｔｈ／Ｗ１を０．７に固定、さらに長さＷ２を１０ｍｍ、照射位置における移動速度を２ｍｍ／秒に固定して、パワー密度Ｐｄを変更してＰｄ×Ｔｈを変更した場合の端面１４の形状の例を示している。なお、加工前のガラス素板として、ガラス転移点温度Ｔｇが５００℃、直径は９５ｍｍ、端面が主表面に垂直であるものを使用した。端面１４の表面粗さＲｚは５μｍ、算術平均粗さＲａは０．５μｍであった。レーザー光Ｌはガラス素板の外周端面に照射した。
　図５（ａ）は、レーザー光Ｌの照射がない状態、すなわち、Ｐｄ＝０［Ｗ／ｍｍ２］である例を示している。図５（ｂ）は、Ｐｄ＝１．９［Ｗ／ｍｍ２］（Ｐｄ×Ｔｈは１．３３［Ｗ／ｍｍ］）の照射条件、図５（ｃ）は、Ｐｄ＝４．０［Ｗ／ｍｍ２］（Ｐｄ×Ｔｈは２．８［Ｗ／ｍｍ］）の照射条件における端面１４の形状を示している。
　図５（ｃ）に示す端面１４の部分は、球面形状となって、ガラス板１０の外径が小さくなり、その分、ガラス板１０の厚さ方向の長さが、ガラス板１０の厚さ（主表面間の長さ）に比べて長くなり、面取り面１４ｃは形成されるものの、一定の厚さを有するガラス基板として好ましくない形状である。
　したがって、レーザー光Ｌによる照射条件は、端面１４において、主表面１２に対して直交する側壁面１４ｔと、側壁面１４ｔの両側の端と、主表面１２の端とを接続する面取り面１４ｃと、を形成するように、照射条件は設定される、ことが好ましい。ガラス板１０の外径が小さくなり、あるいは、上記球面形状の厚さ方向の長さがガラス板１０の厚さ（主表面間の長さ）に比べて長くなることがないように、例えば、パワー密度Ｐｄの範囲は、１．２［Ｗ／ｍｍ２］～３．０［Ｗ／ｍｍ２］に設定されることが好ましい。
　一実施形態によれば、面取り面１４ｃの主表面１４に沿った長さＣの、厚さＴｈに対する比（Ｃ／Ｔｈ）が、０．１～０．７となるように、照射条件Ｐｄ×Ｔｈと移動速度とが設定される、ことが好ましい。比（Ｃ／Ｔｈ）を０．１～０．７とすることにより、端面１４と主表面１２との接続部分に角部のない面取り面１４ｃの機能を発揮させることができる。また、比（Ｃ／Ｔｈ）が０．１未満の場合、面取り面１４ｃの形成が不十分となり、後の成膜工程等においてエッジがかけやすくなる恐れがある。また、比（Ｃ／Ｔｈ）が０．７超の場合、主表面１４上のデータ記録領域が少なくなってしまう恐れがある。したがって、Ｐｄ×Ｔｈを０．８～３．５［Ｗ／ｍｍ］の範囲内で、好ましくは１．２～２．３［Ｗ／ｍｍ］の範囲内で調整することにより、あるいは、Ｐｄ×Ｔｈの値と移動速度の値を調整することにより、比（Ｃ／Ｔｈ）を調整することができる。比（Ｃ／Ｔｈ）は０．２５～０．５とすることがより好ましい。
　一実施形態によれば、側壁面１４ｔの厚さ方向に沿った長さＴ［ｍｍ］の、厚さＴｈに対する比（Ｔ／Ｔｈ）が、０．１～０．８となるように、照射条件を設定することが好ましい。比（Ｔ／Ｔｈ）が、０．１未満の場合、側壁面１４ｔの形成が不十分となり、ガラス板１０の外径または内径の測定が難しくなるため、測定バラツキが発生して生産管理が困難になる恐れがある。また、比（Ｃ／Ｔｈ）が０．８超の場合、面取り面１４ｃの形成が不十分となり、後の成膜工程等においてエッジがかけやすくなる恐れがある。
　一実施形態によれば、レーザー光Ｌにより形成された端面１４（面取り面１４ｃ、側壁面１４ｔ）の表面粗さＲｚ（ＪＩＳ　Ｂ０６０１：２００１）は、０．３μｍ以下であることが好ましく、より好ましくは０．２μｍ以下であり、算術平均粗さＲａ（ＪＩＳ　Ｂ０６０１：２００１）は、０．０３μｍ以下であることが好ましく、より好ましくは０．０２μｍ以下である。表面粗さＲｚ及び算術平均粗さＲａは、例えばレーザー式の光学顕微鏡で測定することができる。上記照射条件のレーザー光Ｌによる端面１４の照射によって、面取り面１４ｃ及び側壁面１４ｔを滑らかにすることができる。
　また、図１に示すように、レーザー光Ｌの照射位置を円盤形状のガラス板１０の周方向に沿って相対的に移動させて形状加工を行う際、ガラス板１０の円盤形状の周方向の長さＷ２（図２参照）をある程度長くして、レーザー光Ｌによる加熱による端面１４の温度を徐々に高め、照射位置の周方向の中心点で最大の温度となるように、レーザー光Ｌによる端面１４の加熱を効果的に行うことが好ましい。こうすることで、レーザー光Ｌの照射位置における移動速度を大きくできるため、加工時間を短縮することができる。一実施形態によれば、端面１４に照射するレーザー光Ｌの光束は、図２に示すように、楕円形状をしている。この場合、端面１４に照射されるレーザー光Ｌの光束の、ガラス板１０の円盤形状の周方向の長さＷ２のガラス板１０の直径Ｄに対する比（Ｗ２／Ｄ）は、０．０３～０．３である、ことが好ましい。比（Ｗ２／Ｄ）が０．０３未満の場合、長さＷ２が相対的に短くなるため、端面１４の温度を徐々に高めることが十分にできず、加工時間を短縮しにくい。比（Ｗ２／Ｄ）が０．３超の場合、長さＷ２がガラス板１０の周方向に沿った周長に対して相対的に長くなるため、この場合、レーザー光Ｌがガラス板１０の端面１４へ照射する照射位置（レーザー光Ｌの照射方向における位置）が、ガラス板１０の曲率によって大きく変化し、その結果光束が広がって、周方向において効率良く加熱を行うことが困難になる。
　また、ガラス板１０の端面１４に、レーザー光を照射することによってガラス板１０の端面１４のエッジ部を軟化及び／又は溶融させて、端面１４のエッジ部を、丸みを帯びた形状に面取りするために、さらに、面取りするとともに、面取り後の端面１４においてもガラス板１０の主表面に垂直な面を形成するために、Ｐｄ×Ｔｈの値と移動速度の値とを制御して端面１４にレーザー光を照射する場合においても、上記理由により比（Ｗ２／Ｄ）は、０．０３～０．３である、ことが好ましい。
　なお、レーザー光Ｌの照射により端面１４は、パワー密度Ｐｄを徐々に大きくしていくと、ガラス板１０の直径Ｄが、端面１４の形状が丸まることにより数１０μｍ～数１００μｍ増加し、さらにパワー密度Ｐｄを増大させると、丸まる範囲が広がって厚さ方向の長さが広がり球面形状となり、これによりガラス板１０の直径Ｄが減少する。すなわち、形状加工後のガラス板１０の直径Ｄは、パワー密度Ｐｄの大きさによって変化する。図５（ｃ）に示す例は、パワー密度Ｐｄが過度に大きくなって、端面１４の過度な加熱により球面形状となって、ガラス板１０の直径が短くなる例である。図５（ｃ）に示すようなガラス板１０は、外径が目標とするガラス板１０の直径に比べて小さくなり好ましくない。また、端面１４の過度な加熱により球面形状もばらつき易くなり、ガラス板１０の直径を一定に揃えることができず、好ましくない。このため、レーザー光Ｌの照射により形成されたガラス板１０の直径は、レーザー光Ｌの照射前のガラス板１０の直径に比べて増大するようにパワー密度Ｐｄは設定される、ことが好ましい。
　レーザー光Ｌの端面１４に沿って移動する移動速度は、０．７～１００［ｍｍ／秒］である、ことが好ましい。ここで、移動速度とは端面１４に対する相対的な移動速度である。レーザー光Ｌによる形状加工は、加工効率の点から、ガラス板１０の周りをレーザー光Ｌが１周回転した時、形状加工が完了することが好ましい。ここで、移動速度が１００［ｍｍ／秒］を超える場合、加工を完了するタイミングが取りづらくなり、加工の開始点と終点とを一致させることが困難になる恐れがある。また、移動速度が０．７［ｍｍ／秒］より低いと、僅かなＰｄ×Ｔｈの変化によって端面の形状が変わるため、端面形状の制御が難しくなる。例えば、図４に示す側壁面１４ｔと面取り面１４ｃとがある形状が得られたとしても、Ｐｄ×Ｔｈを少し増加させただけで、端面１４が過度に熱されて図５（ｃ）に示すような形状になりやすいため、安定した生産が行いにくい。これらの点から、上記移動速度は、０．７～１００［ｍｍ／秒］であることが好ましい。
　なお、移動速度は２０～１００［ｍｍ／秒］であるとより好ましい。移動速度が２０［ｍｍ／秒］以上であると、Ｐｄ×Ｔｈの変化に対する端面１４の形状の変化が比較的穏やかになる上、加工時間短縮により生産性が向上する。このため、移動速度は２０～１００［ｍｍ／秒］であるとより好ましい。
　なお、レーザー光Ｌによる面取りの形成を促すために、当該レーザー光Ｌによる面取りの形状加工の際にガラス板１０の温度を室温より高い温度にすることが好ましい。このとき、Ｔｇ－５０℃（Ｔｇはガラス板１０のガラス転移点温度）以下であることが好ましい。さらに、面取りの形状加工を行う時のガラス板１０の温度は、１５０～４００℃の範囲にすることがより好ましい。ガラス板１０の温度が１５０℃未満であると、面取り面１４ｃの形成が十分に得られない場合がある。ガラス板１０の温度が４００℃より高いと、ガラス板１０が変形し端面１４にレーザー光Ｌを照射することが困難になる場合がある。ガラス板１０を加熱する方法としては、例えば、当該面取り加工を実施する前にガラス板１０を加熱し、また、当該面取り加工を行いながらガラス板１０を加熱することができる。ただし、面取り加工を行いながらガラス板１００の加熱を行う場合、レーザー光Ｌによる加熱との相乗効果によって温度制御が難しくなるため、端面１４の形状のバラツキが大きくなる場合がある。したがって、ガラス板１０を加熱する場合、面取り加工に先立ってガラス板１０の加熱を行うことが好ましい。この場合、面取り加工の際にガラス板１０を適宜保温することが好ましい。
　このようにして端面１４の形状加工されたガラス板１０は、内周端部の端面もレーザー光Ｌにより形状加工された後、ガラス板１０は、最終製品に適した特性を有するように各種処理が行われる。
　例えば、形状加工された端面１４に対して、端面研磨処理が行われる。端面研磨処理では、面取り面１４ｃ及び側壁面１４ｔの表面粗さＲｚを０．３μｍ以下とすることができるので、端面研磨処理における取代量を、従来のように総型砥石を用いた面取り面１４ｃの加工の場合に比べて少なくすることができ、生産コスト及び生産効率を向上させることができる。一実施形態では、端面研磨処理を全くしなくてもよい。
　ガラス板１０から磁気ディスク用ガラス基板を作製する場合、上記端面研磨処理後、ガラス板１０を磁気ディスク用ガラス基板となる前の中間体のガラス板として、ガラス板１０の主表面１２の研削・研磨処理が行われる。
　研削・研磨処理では、ガラス板１０の研削後、研磨が行われる。
　研削処理では、遊星歯車機構を備えた両面研削装置を用いて、ガラス板１０の主表面１２に対して研削加工を行う。具体的には、ガラス板１０を、両面研削装置の保持部材に設けられた保持孔内に保持しながらガラス板１０の両側の主表面の研削を行う。両面研削装置は、上下一対の定盤（上定盤および下定盤）を有しており、上定盤および下定盤の間にガラス板１０が狭持される。そして、上定盤または下定盤のいずれか一方、または、双方を移動操作させ、クーラントを供給しながらガラス板１０と各定盤とを相対的に移動させることにより、ガラス板１０の両主表面を研削することができる。例えば、ダイヤモンドを樹脂で固定した固定砥粒をシート状に形成した研削部材を定盤に装着して研削処理をすることができる。
　次に、研削後のガラス板１０の主表面に第１研磨が施される。具体的には、ガラス板１０を、両面研磨装置の研磨用キャリアに設けられた保持孔内に保持しながらガラス板１０の両側の主表面の研磨が行われる。第１研磨は、研削処理後の主表面に残留したキズや歪みの除去、あるいは微小な表面凹凸（マイクロウェービネス、粗さ）の調整を目的とする。
　第１研磨処理では、固定砥粒による上述の研削処理に用いる両面研削装置と同様の構成を備えた両面研磨装置を用いて、研磨スラリを与えながらガラス板１０が研磨される。第１研磨処理では、遊離砥粒を含んだ研磨スラリが用いられる。第１研磨に用いる遊離砥粒として、例えば、酸化セリウム、あるいはジルコニア等の砥粒が用いられる。両面研磨装置も、両面研削装置と同様に、上下一対の定盤の間にガラス板１０が狭持される。下定盤の上面及び上定盤の底面には、全体として円環形状の平板の研磨パッド（例えば、樹脂ポリッシャ）が取り付けられている。そして、上定盤または下定盤のいずれか一方、または、双方を移動操作させることで、ガラス板１０と各定盤とを相対的に移動させることにより、ガラス板１０の両主表面を研磨する。研磨砥粒の大きさは、平均粒径（ｄ５０）で０．５～３μｍの範囲内であることが好ましい。
　第１研磨後、ガラス板１０を化学強化してもよい。この場合、化学強化液として、例えば硝酸カリウムと硝酸ナトリウムの混合熔融液等を用い、ガラス板１０を化学強化液中に浸漬する。これにより、イオン交換によってガラス板１０の表面に圧縮応力層を形成することができる。
　次に、ガラス板１０に第２研磨が施される。第２研磨処理は、主表面の鏡面研磨を目的とする。第２研磨においても、第１研磨に用いる両面研磨装置と同様の構成を有する両面研磨装置が用いられる。具体的には、ガラス板１０を、両面研磨装置の研磨用キャリアに設けられた保持孔内に保持させながら、ガラス板１０の両側の主表面の研磨が行われる。第２研磨処理では、第１研磨処理に対して、遊離砥粒の種類及び粒子サイズが異なることと、樹脂ポリッシャの硬度が異なる。樹脂ポリッシャの硬度は第１研磨処理時よりも小さいことが好ましい。例えばコロイダルシリカを遊離砥粒として含む研磨液が両面研磨装置の研磨パッドとガラス板１０の主表面との間に供給され、ガラス板１０の主表面が研磨される。第２研磨に用いる研磨砥粒の大きさは、平均粒径（ｄ５０）で５～５０ｎｍの範囲内であることが好ましい。
　なお、化学強化処理の要否については、ガラス組成や必要性を考慮して適宜選択すればよい。第１研磨処理及び第２研磨処理の他にさらに別の研磨処理を加えてもよく、２つの主表面の研磨処理を１つの研磨処理で済ませてもよい。また、上記各処理の順番は、適宜変更してもよい。
　こうして、ガラス板１０の主表面を研磨して、磁気ディスク用ガラス板１０に要求される条件を満足した磁気ディスク用ガラス基板を得ることができる。
　この後、主表面が研磨されて作製されたガラス板１０に、少なくとも磁性層を形成して磁気ディスクが作製される。
　このように、ガラス板１０の製造方法では、形状加工を行ったガラス板１０の主表面１２を研削あるいは研磨する。この場合、端面１４の形状加工後、主表面１２の研削あるいは研磨の前に、端面１４の研磨を行わない、あるいは、端面１４の研磨を行っても、端面１４の研磨による取り代量は５μｍ以下とすることができる。したがって、ガラス板１０の外径の変化は、１０μｍ以下とすることができる。これは、レーザー光Ｌにより、表面凹凸が小さい面取り面１４ｃ及び側壁面１４ｔを形成することができるからである。
　近年、ビックデータ解析などのため、ハードディスクドライブ装置に対する記憶容量の増大化の要求はますます激しくなっている。そのため、ハードディスクドライブ装置１台に搭載される磁気ディスクの枚数を増やすことが検討されている。ハードディスクドライブ装置に組み込む磁気ディスクの枚数を増大することで記憶容量の増大化を図る場合、磁気ディスクドライブ装置内の限られた空間内で磁気ディスクの厚さのうち大部分を占める磁気ディスク用ガラス基板の板厚を薄くする必要がある。
　ここで、磁気ディスク用ガラス基板の板厚を薄くすると、ガラス基板の剛性が低下して、大きな振動が発生しやすくなるとともに、その振動が収まり難い。ガラス基板の振動の振幅が大きいと、隣りに並ぶ磁気ディスクと接触する場合が多くなり、また、一定の間隔をあけて配置された複数枚の磁気ディスクの最上部に位置する磁気ディスクは、ハードディスクドライブ装置の磁気ディスク収納容器の天井面と接触する場合もある。このような接触において、磁気ディスクの一部が欠けてパーティクルを発生させる場合もある。
　このため、磁気ディスク用ガラス基板の剛性が低いことは好ましくない。この点から、一実施形態によれば、ガラス板１０のヤング率は、７０［ＧＰａ］以上である、ことが好ましく、８０［ＧＰａ］以上である、ことがより好ましく、９０［ＧＰａ］以上であることがより一層好ましい。
　ガラス板１０の厚さＴｈは、０．７ｍｍ以下である、ことが好ましく、０．６ｍｍ以下であることがより好ましい。これにより、ハードディスクドライブ装置内に搭載される磁気ディスクの枚数を１枚あるいは２枚増やすことができる。
　このようなガラス板１０の組成については、限定するものではないが、以下の組成であることが好ましい。
（ガラス１）
ＳｉＯ2　５６～８０モル％、
Ｌｉ2Ｏ　１～１０モル％、
Ｂ2Ｏ3　０～４モル％、
ＭｇＯとＣａＯの合計含有量（ＭｇＯ＋ＣａＯ）　９～４０モル％、
である。
　ガラス１の比重は２．７５ｇ／ｃｍ3以下、ガラス転移点温度Ｔｇは６５０℃以上である。
（ガラス２）
ＳｉＯ2　５６～８０モル％、
Ｌｉ2Ｏ　１～１０モル％、
Ｂ2Ｏ３　０～４モル％、
ＭｇＯとＣａＯの合計含有量（ＭｇＯ＋ＣａＯ）　４～４０モル％、
であり、
Ａｌ2Ｏ３含有量に対するＳｉＯ2とＺｒＯ2の合計含有量のモル比（（ＳｉＯ2＋ＺｒＯ2）／Ａｌ2Ｏ３）が２～１３、
である。
　ガラス２の比重は２．５０ｇ／ｃｍ３以下、ガラス転移点温度Ｔｇは５００℃以上、２０℃における比弾性率は３０ＧＰａ・ｃｍ３／ｇ以上である。
（ガラス３）
モル％表示にて、
ＳｉＯ２　５６～６５％、
Ａｌ２Ｏ３　５～２０％、
Ｂ２Ｏ３　０～４％、
ＭｇＯ　３～２８％、
Ｌｉ２Ｏ　１～１０％、
を含有し、
ＳｉＯ２とＡｌ２Ｏ３　の合計含有量（ＳｉＯ２＋Ａｌ２Ｏ３）　６５～８０％、
ＭｇＯとＣａＯの合計含有量（ＭｇＯ＋ＣａＯ）　１１～３０％、
ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯおよびＢａＯの合計含有量（ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ）　１２～３０％、
ＭｇＯ含有量、０．７×ＣａＯ含有量、Ｌｉ２Ｏ含有量、ＴｉＯ２含有量およびＺｒＯ２含有量の和（ＭｇＯ＋０．７ＣａＯ＋Ｌｉ２Ｏ＋ＴｉＯ２＋ＺｒＯ２）　１６％以上、
５×Ｌｉ２Ｏ含有量、３×Ｎａ２Ｏ含有量、３×Ｋ２Ｏ含有量、２×Ｂ２Ｏ３含有量、ＭｇＯ含有量、２×ＣａＯ含有量、３×ＳｒＯ含有量およびＢａＯ含有量の和（５Ｌｉ２Ｏ＋３Ｎａ２Ｏ＋３Ｋ２Ｏ＋２Ｂ２Ｏ３＋ＭｇＯ＋２ＣａＯ＋３ＳｒＯ＋ＢａＯ）　３２～５８％、
ＳｉＯ２含有量、Ａｌ２Ｏ３含有量、Ｂ２Ｏ３含有量、Ｐ２Ｏ５含有量、１．５×Ｎａ２Ｏ含有量、１．５×Ｋ２Ｏ含有量、２×ＳｒＯ含有量、３×ＢａＯ含有量およびＺｎＯ含有量の和（ＳｉＯ２＋Ａｌ２Ｏ３＋Ｂ２Ｏ３＋Ｐ２Ｏ５＋１．５Ｎａ２Ｏ＋１．５Ｋ２Ｏ＋２ＳｒＯ＋３ＢａＯ＋ＺｎＯ）　８６％以下、及び
ＳｉＯ２含有量、Ａｌ２Ｏ３含有量、Ｂ２Ｏ３含有量、Ｐ２Ｏ５含有量、Ｎａ２Ｏ含有量、Ｋ２Ｏ含有量、ＣａＯ含有量、２×ＳｒＯ含有量および３×ＢａＯ含有量の和（ＳｉＯ２＋Ａｌ２Ｏ３＋Ｂ２Ｏ３＋Ｐ２Ｏ５＋Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏ＋ＣａＯ＋２ＳｒＯ＋３ＢａＯ）　９２％以下、
を含有し、
ＭｇＯ含有量に対するＣａＯ含有量のモル比（ＣａＯ／ＭｇＯ）が２．５以下、
Ｌｉ２Ｏ含有量に対するＮａ２Ｏ含有量のモル比（Ｎａ２Ｏ／Ｌｉ２Ｏ）が５以下、
ＭｇＯとＣａＯの合計含有量に対するＬｉ２Ｏ含有量のモル比（Ｌｉ２Ｏ／（ＭｇＯ＋ＣａＯ））が０．０３～０．４、
Ｌｉ２Ｏ、Ｎａ２ＯおよびＫ２Ｏの合計含有量に対するＳｉＯ２含有量のモル比（ＳｉＯ２／（Ｌｉ２Ｏ＋Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏ））が４～２２、
Ａｌ２Ｏ３　に対するＳｉＯ２とＺｒＯ２の合計含有量のモル比（（ＳｉＯ２＋ＺｒＯ２）／Ａｌ２Ｏ３　）が２～１０、
ＭｇＯとＣａＯの合計含有量に対するＴｉＯ２とＡｌ２Ｏ３の合計含有量のモル比（（ＴｉＯ２＋Ａｌ２Ｏ３）／（ＭｇＯ＋ＣａＯ））が０．３５～２、
ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯおよびＢａＯの合計含有量に対するＭｇＯとＣａＯの合計含有量のモル比（（ＭｇＯ＋ＣａＯ）／（ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ））が０．７～１、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯおよびＢａＯの合計含有量に対するＢａＯ含有量のモル比（ＢａＯ／（ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ））が０．１以下、
Ｂ２Ｏ３、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３およびＰ２Ｏ５の合計含有量に対するＰ２Ｏ５含有量のモル比（Ｐ２Ｏ５／（Ｂ２Ｏ３＋ＳｉＯ２＋Ａｌ２Ｏ３＋Ｐ２Ｏ５））が０．００５以下、
であり、
ガラス転移温度が６７０℃以上かつヤング率が９０ＧＰａ以上、
比重が２．７５以下、
１００～３００℃における平均線膨張係数が４０×１０－７～７０×１０－７／℃の範囲の非晶質の酸化物ガラス、である。
　一実施形態によれば、ガラス板１０は、ガラス転移点温度Ｔｇが５００℃以上のガラスで構成されていることが好ましく、より好ましくは、ガラス転移点温度Ｔｇは６５０℃以上である。ガラス転移点温度Ｔｇが高い程、ガラス板１０を熱処理したときの熱収縮と熱収縮に起因して発生する変形を抑制することができる。したがって、磁気ディスクの磁性膜等を基板１に形成する際の熱処理を考慮して、ガラス転移点温度Ｔｇを５００℃以上とすることが好ましく、６５０℃以上とすることがより好ましい。
　一実施形態によれば、ガラス板１０は、線膨張係数が１００×１０－７［１／Ｋ〕以下の材料で構成されることが好ましく、９５×１０－７［１／Ｋ〕以下の材料で構成されることがより好ましく、７０×１０－７［１／Ｋ〕以下の材料で構成されることがより一層好ましく、特に好ましくは、線膨張係数は６０×１０－７［１／Ｋ〕以下である。ガラス板１０の線膨張係数の下限は、例えば４０×１０－７［１／Ｋ〕である。ここでいう、線膨張係数は、１００℃と３００℃の間の熱膨張差によって求められる線膨張係数である。このような線膨張係数を用いることで、磁性膜等を形成する際の加熱処理において、熱膨張を抑えることができ、外周端部の端面を成膜装置の把持部材がガラス板１０を固定して把持する際に、把持部分周りのガラス板１０の熱歪みを抑えることができる。線膨張係数は、例えば、従来のアルミニウム合金製基板では、２４２×１０－７［１／Ｋ〕であるのに対し、一実施形態のガラス板１０における線膨張係数は５１×１０－７［１／Ｋ〕である。
［実験例］
　上記ガラス板１０の製造方法の効果を確認するために、レーザー光Ｌの照射条件、具体的には、Ｐｄ×Ｔｈ［Ｗ／ｍｍ］を種々変更した条件で端面１４を加工して、端面１４の形状を調べた。その際、レーザー光Ｌの端面１４に沿って移動する移動速度［ｍｍ／秒］も調節した。
　レーザー光Ｌの照射の前にガラス板１０全体が３５０℃になるように加熱した後、ガラス板１０の温度を維持した状態で、ガラス板１０の外周端部の端面にレーザー光Ｌを照射した。レーザー光Ｌの照射は、端面１４に対して法線方向から行った。
　一方、レーザー光Ｌの照射によってできた端面１４の形状を顕微鏡によって得られる拡大写真から目視により、形状の評価をＡ～Ｄの４段階で評価した。
　評価Ａ：端面１４は、主表面１２に垂直な面（側壁面１４ｔ）と面取り面１４ｃを備え、上記垂直な面の厚さ方向の長さＴ（図４参照）は、厚さＴｈの１０分の１以上である。
　評価Ｂ：端面１４は、主表面１２に垂直な面を備えず、面取り面１４ｃだけを備え、面取りが形成された部分の厚さ方向の長さは元のガラス板の厚さＴｈと同等かそれよりより短い（長さＴは、厚さＴｈの１０分の１未満）。
　評価Ｃ：端面１４は、図５（ｃ）に示すように球形状であり、面取りが形成された部分の厚さ方向の長さは元のガラス板の厚さより長い。
　評価Ｄ：端面１４は、図５（ａ）に示すように面取り面１４ｃを備えない。不合格品である。
　下記表１では、使用したガラス板１０は、直径９５ｍｍ、厚さ０．７ｍｍのガラス板を用いた。ガラス板のガラス組成として、上記ガラス１を用いた。端面１４上のレーザー光Ｌの光束に関して、厚さ方向の幅Ｗ１を１ｍｍとし、周方向の長さＷ２を１０ｍｍとする楕円形状とし、光束がガラス板１０の端面１４の両側に均等にはみ出るようにした。レーザー光Ｌのパワー密度Ｐｄと移動速度Ｖとを種々変更した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　下記表２で使用したガラス板は、直径９５ｍｍ、厚さ０．７ｍｍのガラス板、直径９７ｍｍ、厚さ０．７ｍｍのガラス板、直径６５ｍｍ、厚さ０．７ｍｍのガラス板、直径９５ｍｍ、厚さ０．６ｍｍのガラス板、直径９５ｍｍ、厚さ０．５５ｍｍのガラス板を用いた。ガラス板のガラス組成として、上記ガラス１を用いた。端面１４上のレーザー光Ｌの光束に関して、厚さ方向の幅Ｗ１を１ｍｍとし、周方向の長さＷ２を変更した楕円形状とし、レーザー光Ｌのパワー密度Ｐｄを種々変更した。レーザー光Ｌの端面１４に沿って移動する移動速度［ｍｍ／秒］は７０［ｍ／秒］に固定した。
　端面１４の形状は、表１と同様に評価Ａ～Ｄの４段階で評価した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
　図６は、表１に示す評価結果を示す図である。図６では、条件１～４０のプロット表示をしている。
　図６より、面取り面１４ｃを形成することができる条件は、移動速度Ｖが０．７［ｍｍ／秒］以上の場合、面取り面１４ｃを形成する評価Ａ～Ｃを得るには、少なくともＰｄ×Ｔｈは、０．８［Ｗ／ｍｍ］以上である。移動速度Ｖが０．７［ｍｍ／秒］未満になると、評価Ａ，ＢとなるＰｄ×Ｔｈの範囲は極めて狭くなるので、垂直な面と面取り面１４ｃとがある形状が得られたとしても、Ｐｄ×Ｔｈを少し増加させただけで、端面１４が過度に熱されて図５（ｃ）に示すような形状になり易く、安定した生産が行いにくい。この点で、移動速度Ｖは０．７［ｍｍ／秒］以上であることが好ましい。
　一方、図６に示すように、移動速度Ｖを変更する場合、Ｐｄ×Ｔｈの値を調整することが好ましい。この場合、Ｐｄ×Ｔｈ［ｍｍ／秒］をｘとし、移動速度Ｖ［ｍｍ／秒］をｙとしたとき、ｙを、１１．２・ｘ－４．７以下とすることで、面取り面１４ｃを形成することができる。図６に示す直線Ｌ１が、ｙ＝１１．２・ｘ－４．７の直線を示す。この場合、評価Ａを得るために、すなわち、端面が、主表面に垂直な、長さが厚さＴｈの１０分の１以上の面と、面取り面１４ｃとを備えるために、ｙを１１．２・ｘ－４．７以下、かつ、５．４・ｘ－４．５以上とすることが好ましい。図６に示す直線Ｌ２が、ｙ＝５．４・ｘ－４．５の直線を示す。したがって、Ｐｄ×Ｔｈをｘとし、移動速度Ｖをｙとしたとき、ｙは、１１．２・ｘ－４．７以下、かつ、５．４・ｘ－４．５以上、の範囲内となるようにＰｄ×Ｔｈの値と移動速度Ｖの値を調節することにより、端面１４は、主表面１２に垂直な面（長さが厚さＴｈの１０分の１以上の面）と、面取り面１４ｃとを備える。これにより、上述したように、ガラス板１０の外径（直径）または内径（円孔１６の直径）が、１つのガラス板１０内で、あるいはガラス板１０の間で、ばらつくことを抑制することができる。
　また、評価Ｃを避け、評価Ｂを得るために、すなわち、端面１４は、主表面１２に垂直な面を備えず、面取り面１４ｃだけを備え、面取り形成部の厚さ方向の長さは元のガラス板の厚さと同等かそれよりより短いガラス板１０（図５（ｃ）参照）を得るために、Ｐｄ×Ｔｈをｘとし、移動速度Ｖをｙとしたとき、５．４・ｘ－４．５未満、かつ、３．８・ｘ－５．６以上の範囲内となるようにＰｄ×Ｔｈの値と移動速度Ｖの値を調節することが好ましい。図６に示す直線Ｌ３が、ｙ＝３．８・ｘ－５．６の直線を示す。
　また、表２の結果より、ガラス板１０の直径、厚さＴｈ、幅Ｗ１、長さＷ２を変更しても、Ｐｄ×Ｔｈの値及び移動速度Ｖの値を図６に示す評価Ａ～Ｃの範囲に設定すれば、評価結果は変化しない、ことがわかる。
　なお、表１，２における評価Ａ，Ｂとなった条件では、いずれも比（Ｃ／Ｔｈ）が、０．１～０．７の範囲内であった。また、評価Ａ～Ｃとなった条件で、全て表面粗さＲｚは０．３μｍ以下、算術平均粗さＲａは０．０３μｍ以下であった。
　以上より、本実施形態のガラス板の製造方法の効果は明らかである。
　以上、本発明のガラス板の製造方法、ガラス板の面取り方法、および磁気ディスクの製造方法について詳細に説明したが、本発明は上記実施形態及び上記実験例に限定されず、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々の改良や変更をしてもよいのはもちろんである。
１０　ガラス板
１２　主表面
１４　端面
１４ｃ　面取り面
１４ｔ　側壁面
１６　円孔
２０　レーザー光源
２２　光学系
２４　集束レンズ

Claims (17)

  1. 　円盤形状のガラス板の端面の形状加工を行うガラス板の製造方法であって、
    　円盤形状の前記ガラス板は、主表面と、前記主表面に垂直な端面とを有し、
    　前記端面にレーザー光を照射し、前記端面に対して前記レーザー光を前記円盤形状の前記ガラス板の周方向に相対的に移動しながら、前記端面を目標とする形状に加工するステップを含み、
    　前記端面に照射する前記レーザー光の断面強度分布はシングルモードであって、前記端面における照射位置上の前記レーザー光の光束の前記ガラス板の厚さ方向の幅をＷ１［ｍｍ］とし、前記ガラス板の厚さをＴｈ［ｍｍ］とし、前記レーザー光のパワー密度をＰｄとしたとき、Ｗ１＞Ｔｈであって、Ｐｄ×Ｔｈは、０．８～３．５［Ｗ／ｍｍ］である、ことを特徴とするガラス板の製造方法。
  2. 　円盤形状のガラス板の端面の形状加工を行うガラス板の製造方法であって、
    　円盤形状の前記ガラス板は、主表面と、前記主表面に垂直な端面とを有し、
    　前記端面にレーザー光を照射し、前記端面に対して前記レーザー光を前記円盤形状の前記ガラス板の周方向に相対的に移動しながら、前記端面に面取り面を形成して目標とする形状に加工するステップを含み、
    　前記端面に照射する前記レーザー光の断面強度分布はシングルモードであって、前記端面における照射位置上の前記レーザー光の光束の前記ガラス板の厚さ方向の幅をＷ１［ｍｍ］とし、前記ガラス板の厚さをＴｈ［ｍｍ］とし、前記レーザー光のパワー密度をＰｄとしたとき、Ｗ１＞Ｔｈであって、Ｐｄ×Ｔｈをｘ、前記レーザー光の前記端面に沿って移動する移動速度をｙとしたとき、ｙは、１１．２・ｘ－４．７以下の範囲内となるように前記Ｐｄ×Ｔｈの値と前記移動速度の値を調節する、ことを特徴とするガラス板の製造方法。
  3. 　前記レーザー光は、前記ガラス板の前記端面に、前記端面の法線方向から照射される、請求項１または２に記載のガラス板の製造方法。
  4. 　前記形状加工では、前記端面に、前記ガラス板の対向する２つの主表面に対して直交する側壁面と、前記側壁面の両側の端と、前記主表面の端とを接続する面取り面と、を形成するように、前記レーザー光の照射条件は設定される、請求項１～３のいずれか１項に記載のガラス板の製造方法。
  5. 　前記面取り面の前記主表面に沿った長さＣの、前記厚さＴｈに対する比（Ｃ／Ｔｈ）が、０．１～０．７となるように、前記照射条件が設定される、請求項４に記載のガラス板の製造方法。
  6. 　前記レーザー光により形成された前記端面の表面粗さＲｚは、０．３μｍ以下であり、算術平均粗さＲａは０．０３μｍ以下である、請求項１～５のいずれか１項に記載のガラス板の製造方法。
  7. 　前記端面に照射する前記レーザー光の光束は、楕円形状をしており、前記端面に照射される前記レーザー光の光束の前記周方向の長さＷ２の前記ガラス板の直径Ｄに対する比（Ｗ２／Ｄ）は、０．０３～０．３である、請求項１～６のいずれか１項に記載のガラス板の製造方法。
  8. 　前記レーザー光の照射により形成された前記ガラス板の直径は、前記レーザー光の照射前の前記ガラス板の直径に比べて増大するように前記パワー密度Ｐｄは設定される、請求項１～７のいずれか１項に記載のガラス板の製造方法。
  9. 　前記レーザー光の前記端面に沿って移動する移動速度は、０．７～１００［ｍｍ／秒］である、請求項１～８のいずれか１項に記載のガラス板の製造方法。
  10. 　前記ガラス板のヤング率は、７０［ＧＰａ］以上である、請求項１～９のいずれか１項に記載のガラス板の製造方法。
  11. 　前記ガラス板は、線膨張係数が１００×１０－７［１／Ｋ〕以下である、請求項１～１０のいずれか１項に記載のガラス板の製造方法。
  12. 　前記厚さＴｈは、０．７ｍｍ以下である、請求項１～１１のいずれか１項に記載のガラス板の製造方法。
  13. 　前記ガラス板の製造方法は、前記形状加工を行った前記ガラス板の前記主表面を研削あるいは研磨するステップを含み、
    　前記形状加工後、前記主表面の研削あるいは研磨の前に、前記端面の研磨を行わない、あるいは、前記端面の研磨を行っても、前記端面の研磨による取り代量は５μｍ以下である、請求項１～１２のいずれか１項に記載のガラス板の製造方法。
  14. レーザー光の照射により円盤形状のガラス板の端面に面取り面を形成するガラス板の面取り方法であって、
    前記面取り面の形成前の前記ガラス板の前記端面は、少なくとも前記ガラス板の厚さ方向の中心部において主表面に対して垂直な面を有し、
    前記ガラス板の前記端面へのレーザー光の照射によって前記ガラス板の前記端面のエッジ部を軟化及び／又は溶融させて、前記エッジ部を、丸みを帯びた形状に面取りするとともに、前記面取り面の形成後の前記端面においても前記ガラス板の主表面に垂直な面が形成されるように、前記ガラス板の厚さをＴｈ［ｍｍ］とし、前記レーザー光のパワー密度をＰｄとし、前記レーザー光の前記端面に沿って移動する移動速度をＶとしたとき、Ｐｄ×Ｔｈと移動速度Ｖとを制御する、
    　ことを特徴とするガラス板の面取り方法。
  15. 　前記Ｐｄ×Ｔｈをｘ、前記移動速度をｙとしたとき、
    　ｙは、１１．２・ｘ－４．７以下、かつ、５．４・ｘ－４．５以上、の範囲内となるように前記Ｐｄ×Ｔｈの値と前記移動速度の値を調節する、請求項１４に記載のガラス板の面取り方法。
  16. 請求項１４または１５に記載のガラス板の面取り方法を用いて、円盤形状のガラス板の前記端面の面取り加工を行う、ことを特徴とするガラス板の製造方法。
  17. 　請求項１～１３及び請求項１６のいずれか１項に記載のガラス板の製造方法により製造されたガラス板の前記主表面に磁性膜を形成する、ことを特徴とする磁気ディスクの製造方法。
     
     
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