WO2020106053A1 - Molding apparatus for manufacturing semiconductor package and semiconductor package manufactured therethrough - Google Patents

Molding apparatus for manufacturing semiconductor package and semiconductor package manufactured therethrough

Info

Publication number
WO2020106053A1
WO2020106053A1 PCT/KR2019/015916 KR2019015916W WO2020106053A1 WO 2020106053 A1 WO2020106053 A1 WO 2020106053A1 KR 2019015916 W KR2019015916 W KR 2019015916W WO 2020106053 A1 WO2020106053 A1 WO 2020106053A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
semiconductor package
manufacturing
filler
magnetic
molding
Prior art date
Application number
PCT/KR2019/015916
Other languages
French (fr)
Korean (ko)
Inventor
이인호
서영호
강일호
박일남
전병진
Original Assignee
주식회사 에스모소재기술연구원
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 에스모소재기술연구원 filed Critical 주식회사 에스모소재기술연구원
Publication of WO2020106053A1 publication Critical patent/WO2020106053A1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3135—Double encapsulation or coating and encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/315—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed the encapsulation having a cavity
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/552—Protection against radiation, e.g. light or electromagnetic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Definitions

  • the magnetic filler may have a core-shell structure.
  • the outside of the semiconductor package is formed of a polymer mold resin, so that the semiconductor package information can be directly formed by laser marking or the like, and the mark formed on the surface of the outer mold layer A semiconductor package capable of improving visibility can be provided.
  • the groove may be selectively formed in either the first molding part 110 or the second molding part 120.
  • a vacuum is formed in the cavity 140 during the molding process to suppress fumes that may occur in the electromagnetic wave shielding encapsulant raw material 240a.
  • the molding apparatus 100 for manufacturing a semiconductor package supplies an electromagnetic wave shielding encapsulant raw material 240a inside the cavity 140 and a first molding unit 110 and a second molding unit 120 ) May be a compression molding device that compresses the electromagnetic wave shielding encapsulant raw material 240a to form an electromagnetic wave shielding encapsulant 240.
  • the magnetic filler 230 is a ferrite-based material such as Fe 3 O 4 , Fe 2 O 3 , FeO, FeO 2 , Y 3 Fe 5 O 12 (YIG) or YFeO 3 , Nd-Fe-B, Rare earth-based materials such as Sm-Co or Gd 2 O 3 , and dilute TiO 2 , ZnO or SiO 2 doped with at least one selected from Mn, Cr, Fe, Co, V, and lanthanum (La) group elements Diluted magnetic semiconductor (DMS), or other ferromagnetic material may be included.
  • the core-shell structured magnetic filler 230 may be formed in a structure surrounding the surface of the magnetic filler core 230a with an insulating layer 230b. At this time, the core-shell structure is formed by using the insulating layer 230b surrounding the magnetic filler core 230a as a shell.

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)

Abstract

Disclosed are a molding apparatus for manufacturing a semiconductor package and a semiconductor package manufactured therethrough. According to an embodiment of the present invention, since electromagnetic wave shielding efficiency of a semiconductor package may be increased by only a molding process without an additional process, a molding apparatus for manufacturing a semiconductor package and a semiconductor package manufactured therethrough may be provided, the molding apparatus being capable of simplifying a manufacturing process.

Description

반도체 패키지 제조용 몰딩 장치 및 이를 통하여 제조된 반도체 패키지Molding device for manufacturing semiconductor package and semiconductor package manufactured through same
본 발명은 반도체 패키지 제조용 몰딩 장치 및 이를 통하여 제조된 반도체 패키지에 관한 것으로, 보다 상세하게는 반도체 패키지가 전자파 차폐 기능을 갖도록 하기 위한 반도체 패키지 제조용 몰딩 장치 및 이를 통하여 제조된 반도체 패키지에 관한 것이다.The present invention relates to a molding device for manufacturing a semiconductor package and a semiconductor package manufactured through the same, and more particularly, to a molding device for manufacturing a semiconductor package so that the semiconductor package has an electromagnetic wave shielding function and a semiconductor package manufactured through the same.
반도체 패키지가 탑재된 전자기기가 동작할 때, 필연적으로 전자기기로부터 전자파가 발생되며, 발생된 전자파는 방사 또는 전도를 통해 외부 기기에 전달된다.When an electronic device equipped with a semiconductor package is operated, electromagnetic waves are inevitably generated from the electronic device, and the generated electromagnetic waves are transmitted to external devices through radiation or conduction.
그리고 이러한 전자파에 의한 간섭, 즉, 전자기간섭(Electro-Magnetic Interference; 이하, 'EMI'라 칭함)이 외부 기기의 기능에 장애를 주게 된다.In addition, interference caused by such electromagnetic waves, that is, electromagnetic interference (hereinafter referred to as 'EMI'), impairs the function of an external device.
과거의 전자기기는 비교적 공간의 제약이 적어 기판상에서 반도체들이 서로 멀리 떨어진 상태로 배치가 가능했고, 동작 스피드도 느려서 EMI 관련 이슈에 대해 자유로울 수 있었다. In the past, electronic devices were relatively limited in space, so semiconductors on the substrate could be placed far away from each other, and the operation speed was also slow, so it was possible to free up EMI-related issues.
그러나 최근 들어서는 전자기기의 경박단소화 추세로 인해 반도체들간 배치 간격이 줄어들고, 동작 속도 또한 빨라짐으로써 EMI 관련 이슈가 많이 발생되고 있다.However, in recent years, due to the trend of lighter and smaller size of electronic devices, the spacing between semiconductors is reduced, and the operation speed is also increased, resulting in many EMI-related issues.
따라서, 내부에서 발생되는 전자파를 차폐하는 방안이 전자기기의 주요한 과제로 대두되고 있다.Therefore, a method for shielding electromagnetic waves generated from the inside has emerged as a major problem of electronic devices.
이러한 전파 방해를 일으킬 수 있는 전자파의 차폐를 위하여 현재 다양한 방법들이 사용되고 있으며, 그 종류로는 크게 쉴드 캔(shield can), 전자파 차폐용 필름(film) 및 전자파 흡수 시트(absorber sheet) 등이 사용되고 있다.Various methods are currently used for shielding electromagnetic waves that may cause such interference, and largely used are shield cans, films for shielding electromagnetic waves, and absorber sheets. .
그러나, 쉴드 캔(shield can), 전자파 차폐용 필름(film) 및 전자파 흡수 시트(absorber sheet)는 모두 추가적인 부재를 필요로 하며, 반도체 패키지 제조공정에서 추가적인 공정을 필연적으로 필요로 하는 문제점이 있다.However, shield cans, shielding films, and absorber sheets all require additional members, and inevitably require additional processes in the semiconductor package manufacturing process.
또한, 반도체 패키지의 크기가 소형화 될수록 쉴드 캔(shield can), 전자파 차폐용 필름(film) 및 전자파 흡수 시트(absorber sheet) 등을 반도체 패키지에 적용하는 공정 난이도가 더욱 증가하게 된다.In addition, as the size of the semiconductor package becomes smaller, the process difficulty of applying a shield can, an electromagnetic wave shielding film, and an electromagnetic wave absorber sheet to the semiconductor package increases.
본 발명은 반도체 패키지 제조용 몰딩 장치 및 이를 통하여 제조된 반도체 패키지에 관한 것으로, 보다 상세하게는 반도체 패키지가 전자파 차폐 기능을 갖도록 하기 위한 반도체 패키지 제조용 몰딩 장치 및 이를 통하여 제조된 반도체 패키지를 제공한다.The present invention relates to a molding device for manufacturing a semiconductor package and a semiconductor package manufactured through the same, and more particularly, to provide a molding device for manufacturing a semiconductor package for a semiconductor package to have an electromagnetic wave shielding function and a semiconductor package manufactured through the same.
본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 패키지 제조용 몰딩 장치는 제1 몰딩부; 상기 제1 몰딩부와 마주한 상태로 결합하여 캐비티(cavity)를 형성하는 제2 몰딩부; 및 상기 캐비티에 수용된 전자파 차폐 봉지재에 자기력을 가하는 자석부를 포함한다.A molding device for manufacturing a semiconductor package according to an embodiment of the present invention includes a first molding unit; A second molding part coupled to the first molding part to form a cavity; And a magnet unit that applies magnetic force to the electromagnetic wave shielding encapsulation material accommodated in the cavity.
본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 패키지 제조용 몰딩 장치에서, 상기 자석부는 영구자석 또는 전자석일 수 있다.In the molding device for manufacturing a semiconductor package according to an embodiment of the present invention, the magnet part may be a permanent magnet or an electromagnet.
본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 패키지 제조용 몰딩 장치에서, 상기 자석부의 크기는 몰딩될 반도체 단품 패키지 크기로부터 PCB전체 크기까지를 포함할 수 있다.In the molding device for manufacturing a semiconductor package according to an embodiment of the present invention, the size of the magnet part may include a size of a semiconductor unit package to be molded to a total PCB size.
본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 패키지 제조용 몰딩 장치에서, 상기 자석부는 상기 제1 몰딩부와의 간격 및 상기 제2 몰딩부와의 간격을 조절할 수 있다.In the molding device for manufacturing a semiconductor package according to an embodiment of the present invention, the magnet part may adjust a distance from the first molding part and a distance from the second molding part.
본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 패키지 제조용 몰딩 장치에서, 상기 전자석은 인가되는 전류의 크기에 비례하여 자기력의 크기를 조절할 수 있다.In the molding device for manufacturing a semiconductor package according to an embodiment of the present invention, the electromagnet may adjust the magnitude of the magnetic force in proportion to the magnitude of the applied current.
본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 패키지 제조용 몰딩 장치에서, 상기 전자파 차폐 봉지재는 자성체 필러(filler)를 포함할 수 있다.In the molding device for manufacturing a semiconductor package according to an embodiment of the present invention, the electromagnetic wave shielding encapsulant may include a magnetic material filler.
본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 패키지 제조용 몰딩 장치에서, 상기 자성체 필러는 상기 자석부의 자기력에 의하여, 상기 전자파 차폐 봉지재 중 상기 자석부와 가까운 영역에 선택적으로 배치될 수 있다.In the molding device for manufacturing a semiconductor package according to an embodiment of the present invention, the magnetic filler may be selectively disposed in a region close to the magnet portion of the electromagnetic shielding encapsulant by the magnetic force of the magnet portion.
본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 패키지 제조용 몰딩 장치에서, 상기 자성체 필러는 코어-쉘(core-shell) 구조를 가질 수 있다.In the molding device for manufacturing a semiconductor package according to an embodiment of the present invention, the magnetic filler may have a core-shell structure.
본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 패키지는, 기판; 상기 기판의 상면에 실장되는 적어도 하나의 반도체 칩; 상기 기판의 상면 및 반도체 칩을 덮도록 형성되는 전자파 차폐 봉지재를 포함하고, 상기 전자파 차폐 봉지재는 자성체 필러를 포함하며, 상기 자성체 필러는 상기 기판 및 상기 반도체 소자와 이격되어 형성된다.A semiconductor package according to another embodiment of the present invention, the substrate; At least one semiconductor chip mounted on an upper surface of the substrate; It includes an electromagnetic wave shielding encapsulant formed to cover the top surface of the substrate and a semiconductor chip, the electromagnetic wave shielding encapsulant includes a magnetic body filler, and the magnetic body filler is formed spaced apart from the substrate and the semiconductor device.
본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 패키지에서, 상기 전자파 차폐 봉지제는 상기 자성체 필러를 10 중량% 내지 80 중량%를 포함할 수 있다.In a semiconductor package according to another embodiment of the present invention, the electromagnetic wave shielding encapsulant may include 10 to 80% by weight of the magnetic filler.
본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 패키지에서, 상기 자성체 필러는 구, 로드(rod), 판상, 와이어(wire) 중 적어도 하나 이상의 형태를 가질 수 있다.In the semiconductor package according to another embodiment of the present invention, the magnetic filler may have a shape of at least one of a sphere, a rod, a plate, and a wire.
본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 패키지에서, 상기 자성체 필러는 코어-쉘(core-shell) 구조를 가질 수 있다.In a semiconductor package according to another embodiment of the present invention, the magnetic filler may have a core-shell structure.
본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 패키지에서, 상기 코어-쉘 구조에서 쉘의 두께는 1 nm 내지 10 ㎛일 수 있다.In a semiconductor package according to another embodiment of the present invention, the thickness of the shell in the core-shell structure may be 1 nm to 10 μm.
본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 패키지에서, 상기 자성체 필러는 철(Fe), 코발트(Co), 니켈(Ni), 크롬(Cr), 망간(Mn), 바나듐(V) 및 란타넘(La)족 원소 중에서 선택되는 적어도 어느 한 성분을 포함할 수 있다.In a semiconductor package according to another embodiment of the present invention, the magnetic filler is iron (Fe), cobalt (Co), nickel (Ni), chromium (Cr), manganese (Mn), vanadium (V) and lanthanum (La) ) May include at least one component selected from group elements.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 추가 공정 없이 몰딩 공정만으로 반도체 패키지의 전자파 차폐 효율을 증대시킬 수 있어, 제조 공정을 단순화 할 수 있는 반도체 패키지 제조용 몰딩 장치를 제공할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, it is possible to increase the electromagnetic wave shielding efficiency of the semiconductor package only by a molding process without an additional process, thereby providing a molding device for manufacturing a semiconductor package that can simplify the manufacturing process.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 쉴드 캔(shield can), 전자파 차폐용 필름(film) 및 전자파 흡수 시트(absorber sheet) 등의 추가 부재를 이용하지 않고, 전자파 차폐 효율을 증대시킬 수 있어 높은 생산성과 가격 경쟁력을 갖는 반도체 패키지를 제공할 수 있다.According to another embodiment of the present invention, without using additional members such as a shield can, a film for shielding electromagnetic waves, and an absorber sheet, it is possible to increase the efficiency of shielding electromagnetic waves, thereby increasing productivity. It is possible to provide a semiconductor package having a competitive price.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 전자파 차폐 기능을 보유하면서도 반도체 패키지의 외부가 고분자 몰드 수지로 형성되어 반도체 패키지 정보를 레이저 마킹 등에 의해 직접적으로 형성할 수 있어, 외부 몰드층 표면에 형성되는 마크의 시인성을 향상시킬 수 있는 반도체 패키지를 제공할 수 있다.According to another embodiment of the present invention, while retaining the electromagnetic shielding function, the outside of the semiconductor package is formed of a polymer mold resin, so that the semiconductor package information can be directly formed by laser marking or the like, and the mark formed on the surface of the outer mold layer A semiconductor package capable of improving visibility can be provided.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 몰드를 이용한 전자파 차폐 기능을 보유하는 반도체 패키지에서, 몰드 내부에 전자파 차폐용 자성체 필러가 기판 및 반도체 칩과 선택적으로 이격되어 배치됨으로써 자성체 필러와 기판 및 반도체 칩과의 쇼트(short)에 의한 반도체 패키지의 오동작을 방지할 수 있는 반도체 패키지를 제공할 수 있다.According to another embodiment of the present invention, in a semiconductor package having an electromagnetic wave shielding function using a mold, a magnetic body filler for electromagnetic wave shielding is selectively spaced apart from the substrate and the semiconductor chip inside the mold, thereby allowing the magnetic body filler and the substrate and the semiconductor chip to It is possible to provide a semiconductor package that can prevent a malfunction of the semiconductor package due to short.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 패키지 제조용 몰딩 장치를 도시한 것이다.1 shows a molding device for manufacturing a semiconductor package according to an embodiment of the present invention.
도 2 내지 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 패키지 제조용 몰딩 장치를 이용하여 반도체 패키지를 제조하는 단계를 순서대로 도시한 것이다.2 to 5 show the steps of manufacturing a semiconductor package in order using a molding device for manufacturing a semiconductor package according to an embodiment of the present invention.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 패키지 중 구형의 자성체 필러를 갖는 반도체 패키지를 도시한 것이다.6 illustrates a semiconductor package having a spherical magnetic material filler among semiconductor packages according to another embodiment of the present invention.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 패키지 중 판상의 자성체 필러를 갖는 반도체 패키지를 도시한 것이다.7 illustrates a semiconductor package having a plate-shaped magnetic material filler among semiconductor packages according to another embodiment of the present invention.
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 패키지 내부의 자성체 필러 중 코어-쉘 구조를 갖는 자성체 필러를 상세하게 도시한 것이다.8 is a detailed view showing a magnetic filler having a core-shell structure among magnetic fillers inside a semiconductor package according to another embodiment of the present invention.
이하 첨부 도면들 및 첨부 도면들에 기재된 내용들을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세하게 설명하지만, 본 발명이 실시예에 의해 제한되거나 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings and the contents described in the accompanying drawings, but the present invention is not limited or limited by the embodiments.
본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다(comprises)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.The terminology used herein is for describing the embodiments and is not intended to limit the present invention. In the present specification, the singular form also includes the plural form unless otherwise specified in the phrase. As used herein, "comprises" and / or "comprising" refers to the components, steps, operations and / or elements mentioned above, the presence of one or more other components, steps, operations and / or elements. Or do not exclude additions.
본 명세서에서 사용되는 "실시예", "예", "측면", "예시" 등은 기술된 임의의 양상(aspect) 또는 설계가 다른 양상 또는 설계들보다 양호하다거나, 이점이 있는 것으로 해석되어야 하는 것은 아니다.As used herein, "example", "example", "side", "example", etc. should be construed as any aspect or design described being better or more advantageous than another aspect or designs. It is not done.
또한, '또는' 이라는 용어는 배타적 논리합 'exclusive or'이기보다는 포함적인 논리합 'inclusive or'를 의미한다. 즉, 달리 언급되지 않는 한 또는 문맥으로부터 명확하지 않는 한, 'x가 a 또는 b를 이용한다'라는 표현은 포함적인 자연 순열들(natural inclusive permutations) 중 어느 하나를 의미한다.Also, the term 'or' refers to the inclusive 'inclusive or' rather than the exclusive 'exclusive or'. That is, unless stated otherwise or unclear from the context, the expression 'x uses a or b' means any of the natural inclusive permutations.
또한, 본 명세서 및 청구항들에서 사용되는 단수 표현("a" 또는 "an")은, 달리 언급하지 않는 한 또는 단수 형태에 관한 것이라고 문맥으로부터 명확하지 않는 한, 일반적으로 "하나 이상"을 의미하는 것으로 해석되어야 한다.Also, the singular expression (“a” or “an”) used in the specification and claims generally means “one or more” unless the context clearly indicates that it is of the singular form or unless otherwise stated. It should be interpreted as.
아래 설명에서 사용되는 용어는, 연관되는 기술 분야에서 일반적이고 보편적인 것으로 선택되었으나, 기술의 발달 및/또는 변화, 관례, 기술자의 선호 등에 따라 다른 용어가 있을 수 있다. 따라서, 아래 설명에서 사용되는 용어는 기술적 사상을 한정하는 것으로 이해되어서는 안 되며, 실시예들을 설명하기 위한 예시적 용어로 이해되어야 한다.The terminology used in the description below has been selected to be general and universal in the related technical field, but may have other terms depending on technology development and / or changes, conventions, and technical preferences. Therefore, the terms used in the following description should not be understood as limiting the technical idea, but should be understood as exemplary terms for describing the embodiments.
또한, 특정한 경우는 출원인이 임의로 선정한 용어도 있으며, 이 경우 해당되는 설명 부분에서 상세한 그 의미를 기재할 것이다. 따라서 아래 설명에서 사용되는 용어는 단순한 용어의 명칭이 아닌 그 용어가 가지는 의미와 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 이해되어야 한다.Also, in certain cases, some terms are arbitrarily selected by the applicant, and in this case, detailed meanings will be described in the corresponding description. Therefore, the terms used in the description below should be understood based on the meaning of the term and the entire contents of the specification, not just the name of the term.
한편, 제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 구성 요소들은 용어들에 의하여 한정되지 않는다. 용어들은 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.Meanwhile, terms such as first and second may be used to describe various components, but the components are not limited by the terms. The terms are used only to distinguish one component from other components.
또한, 막, 층, 영역, 구성 요청 등의 부분이 다른 부분 "위에" 또는 "상에" 있다고 할 때, 다른 부분의 바로 위에 있는 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 층, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 있는 경우도 포함한다.In addition, when a part such as a film, layer, area, configuration request, etc. is said to be "above" or "on" another part, as well as immediately above the other part, another film, layer, area, component in the middle This includes cases where a back is interposed.
다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않는 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다.Unless otherwise defined, all terms (including technical and scientific terms) used in the present specification may be used as meanings commonly understood by those skilled in the art to which the present invention pertains. In addition, terms defined in the commonly used dictionary are not ideally or excessively interpreted unless specifically defined.
한편, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는, 그 상세한 설명을 생략할 것이다. 그리고, 본 명세서에서 사용되는 용어(terminology)들은 본 발명의 실시예를 적절히 표현하기 위해 사용된 용어들로서, 이는 사용자, 운용자의 의도 또는 본 발명이 속하는 분야의 관례 등에 따라 달라질 수 있다. 따라서, 본 용어들에 대한 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다.On the other hand, in the description of the present invention, when it is determined that a detailed description of related known functions or configurations may unnecessarily obscure the subject matter of the present invention, the detailed description will be omitted. In addition, terms used in the present specification (terminology) are terms used to properly represent an embodiment of the present invention, which may vary according to a user, an operator's intention, or a custom in a field to which the present invention pertains. Therefore, definitions of these terms should be made based on the contents throughout the specification.
이하, 본 발명의 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 패키지 제조용 몰딩 장치를 도시한 것이다.1 shows a molding device for manufacturing a semiconductor package according to an embodiment of the present invention.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 패키지 제조용 몰딩 장치(100)는 제1 몰딩부(110), 제1 몰딩부와 마주한 상태로 결합하여 캐비티(140)를 형성하는 제2 몰딩부(120) 및 캐비티에 수용된 전자파 차폐 봉지재(240)에 자기력을 가하는 자석부(130)을 포함한다.Referring to FIG. 1, a molding apparatus 100 for manufacturing a semiconductor package according to an embodiment of the present invention includes a first molding unit 110 and a second molding unit coupled to the first molding unit to form a cavity 140 It includes a molding unit 120 and a magnet unit 130 for applying a magnetic force to the electromagnetic wave shielding encapsulation material 240 accommodated in the cavity.
본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 패키지 제조용 몰딩 장치(100)에서, 제1 몰딩부(110)와 제2 몰딩부(120)는 서로 마주하며 배치되며, 제1 몰딩부(110)와 제2 몰딩부(120)가 서로 접촉하고 있는 상태에서 내부에 캐비티(140)가 형성된다.In the molding device 100 for manufacturing a semiconductor package according to an embodiment of the present invention, the first molding part 110 and the second molding part 120 are disposed to face each other, and the first molding part 110 and the second The cavity 140 is formed in the state where the molding parts 120 are in contact with each other.
보다 상세하게, 캐비티(140)는 제1 몰딩부(110)와 제2 몰딩부(120)가 서로 접촉하고 있는 상태에서 제1 몰딩부(110)에 형성된 홈과 제2 몰딩부(120)에 형성된 홈이 통합되어 형성될 수 있다.In more detail, the cavity 140 is provided in the groove formed in the first molding part 110 and the second molding part 120 in a state where the first molding part 110 and the second molding part 120 are in contact with each other. The formed groove may be formed by being integrated.
또한, 상기 홈은 제1 몰딩부(110) 또는 제2 몰딩부(120)중 어느 하나에 선택적으로 형성될 수 있다.In addition, the groove may be selectively formed in either the first molding part 110 or the second molding part 120.
이때, 홈의 구조는 특별히 한정되지 않고 제작되는 최종 패키지의 구조에 따라 홈의 구조 또한 용이하게 변경이 가능하며, 예를 들면 비대칭구조의 패키지 또는 곡면형태 구조의 패키지를 필요로 하는 경우에는 홈의 구조를 비대칭구조 또는 곡면형태의 구조로 형성할 수 있다.At this time, the structure of the groove is not particularly limited, and the structure of the groove can be easily changed depending on the structure of the final package to be manufactured. For example, if an asymmetric structure package or a curved structure package is required, the groove structure The structure may be formed as an asymmetric structure or a curved surface structure.
상기 캐비티(140)는 반도체 칩이 실장된 기판을 위치시켜 몰딩 수지를 이용하여 반도체 패키지 몰딩 공정이 수행되는 공간이다.The cavity 140 is a space in which a semiconductor package molding process is performed using a molding resin by positioning a substrate on which a semiconductor chip is mounted.
본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 패키지 제조용 몰딩 장치(100)의 자석부(130)는 영구자석 또는 전자석일 수 있다.The magnet unit 130 of the molding device 100 for manufacturing a semiconductor package according to an embodiment of the present invention may be a permanent magnet or an electromagnet.
자석부(130)는 반도체 패키지 몰딩 공정 간에 후술할 자성체 필러를 자기력에 의하여 끌어당겨, 상기 자성체 필러의 위치를 조절할 수 있는 역할을 수행한다.The magnet unit 130 serves to control the position of the magnetic filler by pulling a magnetic filler, which will be described later, between semiconductor package molding processes by a magnetic force.
또한, 자석부(130)는 고정된 구조일 수 있고, 또는 제1 몰딩부(110)의 측면 및 하면으로부터 위치 이동이 가능하여 몰딩부에 인가되는 자기력을 조절 가능한 구조일 수 있다.In addition, the magnet unit 130 may be a fixed structure, or may be a structure capable of adjusting the magnetic force applied to the molding unit by moving the position from the side and bottom surfaces of the first molding unit 110.
도 2 내지 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 패키지 제조용 몰딩 장치를 이용하여 반도체 패키지를 제조하는 단계를 순서대로 도시한 것이다.2 to 5 show the steps of manufacturing a semiconductor package in order using a molding device for manufacturing a semiconductor package according to an embodiment of the present invention.
도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 패키지 제조용 몰딩 장치(100)의 제2 몰딩부(120)는 제1 몰딩부(110)와 서로 분리될 수 있다.Referring to FIG. 2, the second molding part 120 of the molding apparatus 100 for manufacturing a semiconductor package according to an embodiment of the present invention may be separated from the first molding part 110 from each other.
이때, 제2 몰딩부(120)의 표면에 반도체 칩이 실장된 기판이 부착될 수 있게 된다.At this time, a substrate on which a semiconductor chip is mounted may be attached to the surface of the second molding unit 120.
도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 패키지 제조용 몰딩 장치(100)에서 제2 몰딩부(120)의 표면에 반도체 칩(220)이 실장된 기판(210)이 부착된다.Referring to FIG. 3, in the molding apparatus 100 for manufacturing a semiconductor package according to an embodiment of the present invention, the substrate 210 on which the semiconductor chip 220 is mounted is attached to the surface of the second molding unit 120.
기판(210)은 인쇄 회로 기판(printed circuit board, PCB) 또는 반도체 기판을 포함할 수 있다.The substrate 210 may include a printed circuit board (PCB) or a semiconductor substrate.
반도체 칩(220)은 상기 기판(210) 상에 와이어 본딩 또는 솔더 범프를 통한 플립칩 연결 방식으로 전기적으로 연결될 수 있으며, 도 2에서는 반도체 칩(220)이 플립칩 연결 방식을 통해 기판(210)과 연결되는 것으로 도시하였으나 이에 한정되는 것은 아니다.The semiconductor chip 220 may be electrically connected to the substrate 210 by wire bonding or a flip chip connection method through solder bumps. In FIG. 2, the semiconductor chip 220 may be connected to the substrate 210 through a flip chip connection method. It is shown as being connected to, but is not limited to.
반도체 칩(220)은 로직 칩, 주문형 반도체(ASIC), 메모리 칩, 능동 소자(트랜지스터), 및 수동 소자(저항 및 커패시터 및 인덕터) 중 적어도 하나일 수 있거나 이를 포함할 수 있다.The semiconductor chip 220 may be or include at least one of a logic chip, an on-demand semiconductor (ASIC), a memory chip, an active element (transistor), and a passive element (resistor and capacitor and inductor).
도 4를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 패키지 제조용 몰딩 장치(100) 제1 몰딩부(110)의 홈 내부에 자성체 필러(230)를 포함하는 전자파 차폐 봉지재 원재료(240a)가 인입된다.Referring to FIG. 4, an electromagnetic wave shielding encapsulant raw material 240a including a magnetic material filler 230 inside a groove of the first molding part 110 of the molding apparatus 100 for manufacturing a semiconductor package according to an embodiment of the present invention Incoming.
이때, 자성체 필러(230)를 포함하는 전자파 차폐 봉지재 원재료(240a)의 인입 전 상기 제1 몰딩부(110)의 홈 표면에 이형 필름(250)을 먼저 부착한다. At this time, the release film 250 is first attached to the groove surface of the first molding part 110 before the introduction of the electromagnetic wave shielding encapsulant raw material 240a including the magnetic material filler 230.
이형필름은 몰딩 공정 완료 후 제1 몰딩부에서 완성된 반도체 패키지를 분리 시 분리를 용이하게 할 수 있다.The release film can facilitate separation when separating the completed semiconductor package in the first molding part after the molding process is completed.
전자파 차폐 봉지재 원재료(240a)는 에폭시 몰딩 컴파운드(EMC)일 수 있으나 이에 한정되지 않는다.The electromagnetic shielding encapsulant raw material 240a may be an epoxy molding compound (EMC), but is not limited thereto.
또한, 전자파 차폐 봉지재 원재료(240a)는 분말 형태의 몰딩 수지일 수 있다.In addition, the electromagnetic wave shielding encapsulant raw material 240a may be a molding resin in powder form.
본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 패키지 제조용 몰딩 장치(100) 제1 몰딩부(110)의 홈 내부에 자성체 필러(230)를 포함하는 전자파 차폐 봉지재 원재료(240a)가 인입된 상태일 때, 상기 자성체 필러(230)는 전자파 차폐 봉지재 원재료(240a)에 고르게 분산되어 분포된 상태를 갖는다.When the electromagnetic wave shielding encapsulant raw material 240a including the magnetic material filler 230 is inserted into the groove of the first molding part 110 of the molding apparatus 100 for manufacturing a semiconductor package according to an embodiment of the present invention, The magnetic filler 230 is distributed evenly distributed in the electromagnetic wave shielding encapsulant raw material 240a.
또한, 전자파 차폐 봉지재 원재료(240a)에 포함된 자성체 필러(230)는 10 중량% 내지 80 중량%의 함량을 가질 수 있다.In addition, the magnetic filler 230 included in the electromagnetic wave shielding encapsulant raw material 240a may have a content of 10% by weight to 80% by weight.
도 5를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 패키지 제조용 몰딩 장치(100)의 제1 몰딩부(110) 및 제2 몰딩부(120)가 접촉된 상태로 몰딩 공정이 수행된다.Referring to FIG. 5, a molding process is performed in a state where the first molding part 110 and the second molding part 120 of the molding device 100 for manufacturing a semiconductor package according to an embodiment of the present invention are in contact.
보다 상세하게는, 전자파 차폐 봉지재 원재료(240a)가 멜팅(melting)되어 낮은 점도를 유지할 때까지 기다린 후 제1 몰딩부(110)가 제2 몰딩부(120)를 향해 이동하여 제2 몰딩부(120)에 부착된 기판(210) 및 반도체 칩(220)을 함침시킨 후 압력을 가하여 전자파 차폐 봉지재 원재료(240a)를 충분히 경화시킨다.In more detail, after waiting until the electromagnetic wave shielding encapsulant raw material 240a is melted to maintain a low viscosity, the first molding part 110 moves toward the second molding part 120 and then the second molding part After impregnating the substrate 210 and the semiconductor chip 220 attached to the 120, the electromagnetic wave shielding encapsulant raw material 240a is sufficiently cured by applying pressure.
경화 시, 제1 몰딩부(110) 및 제2 몰딩부(120)는 전자파 차폐 봉지재가 충분히 경화될 수 있도록 150 ℃ 내지 200 ℃의 온도로 가열한 후 경화 공정을 수행할 수 있으며, 성형 속도의 향상을 위하여 보다 바람직하게는 170 ℃ 내지 190 ℃의 온도로 제1 몰딩부(110) 및 제2 몰딩부(120)를 가열한 후 경화 공정을 수행할 수 있다.Upon curing, the first molding unit 110 and the second molding unit 120 may perform a curing process after heating to a temperature of 150 ° C to 200 ° C so that the electromagnetic wave shielding encapsulant can be sufficiently cured. For improvement, a curing process may be performed after heating the first molding part 110 and the second molding part 120 to a temperature of 170 ° C to 190 ° C.
또한, 성형된 봉지재의 외관 품질을 향상시키기 위하여 성형 압력을 높여 봉지재 내부에 존재할 수 있는 기공을 없앨 수 있으며, 이때의 압력은 13 Ton 내지 22 Ton의 압력을 인가할 수 있다.In addition, in order to improve the appearance quality of the molded encapsulant, the forming pressure may be increased to remove pores that may exist inside the encapsulant, and the pressure at this time may be a pressure of 13 Ton to 22 Ton.
더하여, 성형 공정 시 캐비티(140) 내에는 진공이 형성되어 전자파 차폐 봉지재 원재료(240a)에서 발생할 수 있는 흄(fume)을 억제할 수 있다.In addition, a vacuum is formed in the cavity 140 during the molding process to suppress fumes that may occur in the electromagnetic wave shielding encapsulant raw material 240a.
본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 패키지 제조용 몰딩 장치(100)의 제1 몰딩부(110) 및 제2 몰딩부(120)가 접촉된 상태에서 캐비티(140)가 정의되며, 상기 캐비티(140) 내부에서 전자파 차폐 봉지재 원재료(240a)가 전자파 차폐 봉지재(240)의 형태로 경화된다.A cavity 140 is defined in a state in which the first molding part 110 and the second molding part 120 of the molding apparatus 100 for manufacturing a semiconductor package according to an embodiment of the present invention are in contact, and the cavity 140 Inside, the electromagnetic shielding encapsulant raw material 240a is cured in the form of an electromagnetic shielding encapsulant 240.
즉, 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 패키지 제조용 몰딩 장치(100)는 캐비티(140) 내부에 전자파 차폐 봉지재 원재료(240a)를 공급하고 제1 몰딩부(110)와 제2 몰딩부(120) 사이에서 상기 전자파 차폐 봉지재 원재료(240a)를 압축 성형하여 전자파 차폐 봉지재(240)를 형성하는 컴프레션 몰딩 장치일 수 있다.That is, the molding apparatus 100 for manufacturing a semiconductor package according to an embodiment of the present invention supplies an electromagnetic wave shielding encapsulant raw material 240a inside the cavity 140 and a first molding unit 110 and a second molding unit 120 ) May be a compression molding device that compresses the electromagnetic wave shielding encapsulant raw material 240a to form an electromagnetic wave shielding encapsulant 240.
전자파 차폐 봉지재 원재료(240a)가 전자파 차폐 봉지재(240)의 형태로 경화되는 몰딩 공정에서 전자파 차폐 봉지재 원재료(240a)가 용융되고, 이때 용융된 전자파 차폐 봉지재 원재료(240a) 내의 자성체 필러(230)는 자석부(130)의 자기력에 의하여 자석부(130) 쪽으로 이동하게 된다.In the molding process in which the electromagnetic wave shielding encapsulant raw material 240a is cured in the form of an electromagnetic wave shielding encapsulant 240, the electromagnetic wave shielding encapsulant raw material 240a is melted, and at this time, the magnetic material filler in the molten electromagnetic wave encapsulating encapsulant raw material 240a The 230 is moved toward the magnet unit 130 by the magnetic force of the magnet unit 130.
이때 자성체 필러(230)의 이동을 원활하게 하기 위하여, 자석부(130)가 영구자석인 경우 자기력의 조절을 위하여 제1 몰딩부(110)와 자석부(130) 간의 거리를 조절할 수 있으며, 자석부(130)가 전자석인 경우에는 자석부(130)에 인가되는 전류를 조절하여 자기력을 조절할 수 있다.At this time, in order to facilitate the movement of the magnetic filler 230, if the magnet 130 is a permanent magnet, the distance between the first molding unit 110 and the magnet unit 130 can be adjusted to control the magnetic force. When the unit 130 is an electromagnet, the magnetic force may be controlled by controlling the current applied to the magnet unit 130.
결과적으로, 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 패키지 제조용 몰딩 장치(100)의 자석부(130)에 의하여 기판(210) 및 반도체 칩(220)과 이격된 구조로 자성체 필러(230)가 형성된 반도체 패키지를 제조할 수 있다.As a result, a semiconductor in which the magnetic material filler 230 is formed in a structure spaced apart from the substrate 210 and the semiconductor chip 220 by the magnet unit 130 of the molding device 100 for manufacturing a semiconductor package according to an embodiment of the present invention Packages can be produced.
따라서, 자성체 필러(230)는 자석부(130)의 자기력에 의한 인력을 통해 패키지의 선택적으로 배치됨으로써 기판(210) 및 반도체 칩(220)과 이격될 수 있는데, 이로 인하여 자성체 필러(230)와 기판(210) 및 반도체 칩(220)과의 쇼트(short)에 의한 반도체 패키지의 오동작을 방지할 수 있다.Therefore, the magnetic body filler 230 may be spaced apart from the substrate 210 and the semiconductor chip 220 by being selectively disposed of the package through the attraction force generated by the magnetic force of the magnet unit 130, and thereby the magnetic body filler 230 and A malfunction of the semiconductor package due to a short between the substrate 210 and the semiconductor chip 220 may be prevented.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 패키지 중 구형의 자성체 필러를 갖는 반도체 패키지를 도시한 것이다.6 illustrates a semiconductor package having a spherical magnetic material filler among semiconductor packages according to another embodiment of the present invention.
도 6을 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 패키지(200)는 기판(210), 기판(210)의 상면에 실장되는 적어도 하나의 반도체 칩(220), 기판(210)의 상면 및 반도체 칩(220)을 덮도록 형성되는 전자파 차폐 봉지재(240)로 구성된다.Referring to FIG. 6, a semiconductor package 200 according to another embodiment of the present invention includes a substrate 210, at least one semiconductor chip 220 mounted on an upper surface of the substrate 210, and an upper surface of the substrate 210 and It is composed of an electromagnetic wave shielding encapsulant 240 formed to cover the semiconductor chip 220.
본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 패키지(200)의 전자파 차폐 봉지재(240)는 자성체 필러(230)를 포함하며, 자성체 필러(230)는 기판(210) 및 반도체 소자(220)와 이격되어 형성된다.The electromagnetic wave shielding encapsulant 240 of the semiconductor package 200 according to another embodiment of the present invention includes a magnetic material filler 230, and the magnetic material filler 230 is spaced apart from the substrate 210 and the semiconductor device 220 Is formed.
본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 패키지(200)의 자성체 필러(230)는 구, 로드(rod), 판상, 와이어(wire) 중 적어도 하나 이상의 형태를 갖고, 형태에 관계 없이 코어-쉘(core-shell) 구조를 가질 수 있다.The magnetic filler 230 of the semiconductor package 200 according to another embodiment of the present invention has a shape of at least one of a sphere, a rod, a plate, and a wire, and regardless of the shape, a core-shell (core) -shell) structure.
본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 패키지(200)의 자성체 필러(230)는 철(Fe), 코발트(Co), 니켈(Ni), 크롬(Cr), 망간(Mn), 바나듐(V) 및 란타넘(La)족 원소 중에서 선택되는 적어도 어느 한 성분을 포함할 수 있다.The magnetic filler 230 of the semiconductor package 200 according to another embodiment of the present invention is iron (Fe), cobalt (Co), nickel (Ni), chromium (Cr), manganese (Mn), vanadium (V) and It may include at least one component selected from lanthanum (La) group elements.
예를 들어, 상기 자성체 필러(230)는 Fe3O4, Fe2O3, FeO, FeO2, Y3Fe5O12(YIG) 또는 YFeO3 등의 페라이트계 물질, Nd-Fe-B, Sm-Co 또는 Gd2O3 등의 희토류계 물질, Mn, Cr, Fe, Co, V 및 란타넘(La)족 원소 중에서 선택되는 적어도 어느 하나가 도핑된 TiO2, ZnO 또는 SiO2 등의 묽은 자성 반도체(diluted magnetic semiconductor; DMS), 또는 그 밖의 강자성 물질을 포함할 수 있다.For example, the magnetic filler 230 is a ferrite-based material such as Fe 3 O 4 , Fe 2 O 3 , FeO, FeO 2 , Y 3 Fe 5 O 12 (YIG) or YFeO 3 , Nd-Fe-B, Rare earth-based materials such as Sm-Co or Gd 2 O 3 , and dilute TiO 2 , ZnO or SiO 2 doped with at least one selected from Mn, Cr, Fe, Co, V, and lanthanum (La) group elements Diluted magnetic semiconductor (DMS), or other ferromagnetic material may be included.
본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 패키지는 기판(210) 및 반도체 소자(220)와 이격되어 형성되는 자성체 필러(230)를 포함하는 전자파 차폐 봉지재(240)를 통하여 몰딩되어, 전자파 차폐 효율이 증대되고, 쉴드 캔(shield can), 전자파 차폐용 필름(film) 및 전자파 흡수 시트(absorber sheet) 등을 이용하지 않아 공정이 단순화 되며, 반도체 패키지의 표면이 고분자 재료인 몰드 수지로 형성되므로 반도체 패키지 정보를 레이저 마킹 등에 의해 직접적으로 형성할 수 있어, 외부 몰드층 표면에 형성되는 마크의 시인성이 향상된다는 이점이 제공된다.The semiconductor package according to another embodiment of the present invention is molded through an electromagnetic wave shielding encapsulant 240 including a magnetic filler 210 formed spaced apart from the substrate 210 and the semiconductor device 220, thereby shielding electromagnetic wave efficiency. It is increased, and the process is simplified by not using a shield can, a film for electromagnetic wave shielding, and an electromagnetic wave absorber sheet. The semiconductor package is formed because the surface of the semiconductor package is made of a polymer material, a mold resin. Since information can be directly formed by laser marking or the like, the advantage of improving the visibility of marks formed on the surface of the outer mold layer is provided.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 패키지 중 판상의 자성체 필러를 갖는 반도체 패키지를 도시한 것이다.7 illustrates a semiconductor package having a plate-shaped magnetic material filler among semiconductor packages according to another embodiment of the present invention.
도 7을 참조하면, 자성체 필러(250)가 판상의 형태를 갖는 것을 확인할 수 있는데, 판상의 자성체 필러를 이용 시 구형의 자성체 필러를 이용할 때 보다 더 높은 전자파 차폐 효율을 갖는다.Referring to FIG. 7, it can be seen that the magnetic body filler 250 has a plate-like shape, and when using the plate-shaped magnetic body filler, has a higher electromagnetic shielding efficiency than when using a spherical magnetic body filler.
이는 판상의 자성체 필러(250)는 전자파 차폐 봉지재(240)내부에 기판(210)과 수평으로 배열 시 상대적으로 넓은 면적을 덮는 효과를 낼 수 있음에 기인한다.This is because the plate-shaped magnetic material filler 250 can have an effect of covering a relatively large area when arranged horizontally with the substrate 210 inside the electromagnetic wave shielding encapsulant 240.
본 발명의 일 실시예에 따른 자성체 필러(230)는 구형의 자성체 필러(230) 및 판상의 자성체 필러(250)가 혼합되어 사용될 수 있고, 또는 구형의 자성체 필러(230) 및 판상의 자성체 필러(250)가 각각 단독 형태로 사용될 수도 있다.A magnetic material filler 230 according to an embodiment of the present invention may be a mixture of a spherical magnetic material filler 230 and a plate-shaped magnetic material filler 250, or a spherical magnetic material filler 230 and a plate-shaped magnetic material filler ( 250) may be used alone, respectively.
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 패키지 내부의 자성체 필러 중 코어-쉘 구조를 갖는 자성체 필러를 상세하게 도시한 것이다.8 is a detailed view showing a magnetic filler having a core-shell structure among magnetic fillers inside a semiconductor package according to another embodiment of the present invention.
도 8을 참조하면, 상기 코어-쉘 구조의 자성체 필러(230)는 자성체 필러 코어(230a)의 표면을 절연층(230b)으로 둘러싼 구조로 형성될 수 있다. 이때, 자성체 필러 코어(230a)를 둘러싸는 절연층(230b)을 쉘로 하여 코어-쉘 구조를 형성하게 된다.Referring to FIG. 8, the core-shell structured magnetic filler 230 may be formed in a structure surrounding the surface of the magnetic filler core 230a with an insulating layer 230b. At this time, the core-shell structure is formed by using the insulating layer 230b surrounding the magnetic filler core 230a as a shell.
본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 패키지 제조용 몰딩 장치(100)를 통해 제조된 반도체 패키지에서, 자성체 필러 코어(230a)를 절연층(230b)으로 둘러싼 코어-쉘 구조로 형성하게 되면, 반도체 패키지 제조용 몰딩 장치(100)를 통하여 반도체 패키지를 제조 시, 자성체 필러 코어(230a)가 기판(210)또는 반도체 칩(220)과 접촉하게 되어도 전기적 쇼트(short) 현상이 발생하지 않아 패키지의 오동작을 방지할 수 있게 된다.In the semiconductor package manufactured through the molding apparatus 100 for manufacturing a semiconductor package according to an embodiment of the present invention, when the magnetic filler core 230a is formed into a core-shell structure surrounding the insulating layer 230b, the semiconductor package is manufactured When manufacturing a semiconductor package through the molding device 100, even if the magnetic filler core 230a contacts the substrate 210 or the semiconductor chip 220, an electrical short phenomenon does not occur to prevent malfunction of the package. It becomes possible.
절연층(230b)은 자성체 필러 코어(230a)를 산화 또는 질화 처리 하여 자성체 필러 코어(230a)의 산화물 또는 질화물로 형성할 수 있고, 또한 자성체 필러 코어(230a)의 표면을 유기 수지로 코팅하여 형성할 수 있으며 특별히 한정되지는 않는다.The insulating layer 230b may be formed of an oxide or nitride of the magnetic filler core 230a by oxidizing or nitriding the magnetic filler core 230a, and also formed by coating the surface of the magnetic filler core 230a with an organic resin. It can be and is not particularly limited.
자성체 필러(230)가 코어-쉘 형태를 가질 때, 절연층(230b)은 1 nm 내지 10 ㎛의 두께를 가질 수 있으며, 보다 바람직하게는 1 nm 내지 100 nm의 두께를 가질 수 있다.When the magnetic filler 230 has a core-shell shape, the insulating layer 230b may have a thickness of 1 nm to 10 μm, and more preferably 1 nm to 100 nm.
절연층(230b)의 두께가 10 ㎛를 초과할 경우, 자석부(130)의 자력에 의한 자성체 필러(230)의 이동이 원활하지 않을 수 있으며, 절연층(230b)의 두께가 1 nm 미만일 경우 전자파 차폐 봉지재(240) 고유의 전기적 절연성이 저하되는 현상이 발생되어 쇼트(short) 현상을 일으킬 수 있다.When the thickness of the insulating layer 230b exceeds 10 μm, the movement of the magnetic filler 230 due to the magnetic force of the magnet unit 130 may not be smooth, and when the thickness of the insulating layer 230b is less than 1 nm A phenomenon in which the electrical insulating property inherent in the electromagnetic wave shielding encapsulation material 240 is deteriorated may cause a short phenomenon.
결론적으로, 본 발명의 실시예에 따른 반도체 패키지 제조용 몰딩 장치 및 반도체 패키지는 자석부의 자기력을 통하여 자성체 필러를 봉지부에 선택적으로 배치시켜 전자파 차폐 효율이 증대되고, 쉴드 캔(shield can), 전자파 차폐용 필름(film) 및 전자파 흡수 시트(absorber sheet) 등을 이용하지 않아 공정이 단순화 되는 이점이 있다.In conclusion, the molding device and the semiconductor package for manufacturing a semiconductor package according to an embodiment of the present invention selectively increase the electromagnetic shielding efficiency by selectively arranging the magnetic filler through the magnetic force of the magnetic portion, shield can, shield electromagnetic wave There is an advantage in that the process is simplified by not using a film and an absorber sheet.
한편, 본 명세서와 도면에 개시된 본 발명의 실시 예들은 이해를 돕기 위해 특정 예를 제시한 것에 지나지 않으며, 본 발명의 범위를 한정하고자 하는 것은 아니다. 여기에 개시된 실시 예들 이외에도 본 발명의 기술적 사상에 바탕을 둔 다른 변형 예들이 실시 가능하다는 것은, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명한 것이다.On the other hand, the embodiments of the present invention disclosed in the specification and drawings are merely presented as specific examples for ease of understanding, and are not intended to limit the scope of the present invention. It is apparent to those skilled in the art to which the present invention pertains that other modified examples based on the technical idea of the present invention can be implemented in addition to the embodiments disclosed herein.

Claims (13)

  1. 제1 몰딩부;A first molding part;
    상기 제1 몰딩부와 마주한 상태로 결합하여 캐비티(cavity)를 형성하는 제2 몰딩부; 및A second molding part coupled to the first molding part to form a cavity; And
    상기 캐비티에 수용된 전자파 차폐 봉지재에 자기력을 가하는 자석부Magnet unit that applies magnetic force to the electromagnetic wave shielding encapsulation material accommodated in the cavity
    를 포함하는 반도체 패키지 제조용 몰딩 장치.Molding device for manufacturing a semiconductor package comprising a.
  2. 제1항에 있어서,According to claim 1,
    상기 자석부는 영구자석 또는 전자석인 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 제조용 몰딩 장치.The magnet portion is a permanent magnet or electromagnet molding device for manufacturing a semiconductor package, characterized in that.
  3. 제1항에 있어서,According to claim 1,
    상기 자석부는, 상기 자석부와 상기 제1 몰딩부와의 간격을 조절할 수 있는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 제조용 몰딩 장치.The magnet portion, the molding device for manufacturing a semiconductor package, characterized in that to adjust the distance between the magnet portion and the first molding portion.
  4. 제2항에 있어서,According to claim 2,
    상기 자석부는 전자석이고, 상기 전자석은 인가되는 전류의 크기에 비례하여 자기력의 크기를 조절할 수 있는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 제조용 몰딩 장치.The magnet portion is an electromagnet, and the electromagnet is a molding device for manufacturing a semiconductor package, characterized in that the magnitude of the magnetic force can be adjusted in proportion to the magnitude of the applied current.
  5. 제1항에 있어서,According to claim 1,
    상기 전자파 차폐 봉지재는 자성체 필러(filler)를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 제조용 몰딩 장치.The electromagnetic shielding encapsulant is a molding device for manufacturing a semiconductor package, characterized in that it comprises a magnetic filler (filler).
  6. 제5항에 있어서,The method of claim 5,
    상기 자성체 필러는 상기 자석부의 자기력에 의하여, 상기 전자파 차폐 봉지재 중 상기 자석부와 가까운 영역에 선택적으로 배치되는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 제조용 몰딩 장치.The magnetic filler is a molding device for manufacturing a semiconductor package, characterized in that it is selectively disposed in a region close to the magnet portion of the electromagnetic shielding encapsulation material by the magnetic force of the magnet portion.
  7. 제5항에 있어서,The method of claim 5,
    상기 자성체 필러는 코어-쉘(core-shell) 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 제조용 몰딩 장치.The magnetic filler has a core-shell (core-shell) molding device for manufacturing a semiconductor package characterized in that it has a structure.
  8. 기판;Board;
    상기 기판의 상면에 실장되는 적어도 하나의 반도체 칩;At least one semiconductor chip mounted on an upper surface of the substrate;
    상기 기판의 상면 및 반도체 칩을 덮도록 형성되는 전자파 차폐 봉지재An electromagnetic wave shielding encapsulant formed to cover the upper surface of the substrate and the semiconductor chip
    를 포함하고,Including,
    상기 전자파 차폐 봉지재는 자성체 필러를 포함하며, The electromagnetic wave shielding encapsulant includes a magnetic material filler,
    상기 자성체 필러는 상기 기판 및 상기 반도체 소자와 이격되어 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 패키지.The magnetic body filler is a semiconductor package, characterized in that formed to be spaced apart from the substrate and the semiconductor element.
  9. 제8항에 있어서,The method of claim 8,
    상기 전자파 차폐 봉지제 중 상기 자성체 필러는 10 중량부 내지 80 중량부를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지.The semiconductor package of the electromagnetic wave shielding encapsulant, characterized in that the magnetic filler comprises 10 parts by weight to 80 parts by weight.
  10. 제8항에 있어서,The method of claim 8,
    상기 자성체 필러는 구, 로드(rod), 판상, 와이어(wire) 중 적어도 하나 이상의 형태를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지.The magnetic filler has a semiconductor package, characterized in that it has at least one form of a sphere, rod (rod), plate shape, wire (wire).
  11. 제8항에 있어서,The method of claim 8,
    상기 자성체 필러는 코어-쉘(core-shell) 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지.The magnetic filler has a core-shell (core-shell) structure, characterized in that the semiconductor package.
  12. 제11항에 있어서,The method of claim 11,
    상기 코어-쉘 구조에서 쉘의 두께는 1 nm 내지 100 nm인 것을 특징으로 하는 반도체 패키지.In the core-shell structure, the thickness of the shell is 1 nm to 100 nm, characterized in that the semiconductor package.
  13. 제8항에 있어서,The method of claim 8,
    상기 자성체 필러는 철(Fe), 코발트(Co), 니켈(Ni), 크롬(Cr), 망간(Mn), 바나듐(V) 및 란타넘(La)족 원소 중에서 선택되는 적어도 어느 한 성분을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지.The magnetic filler includes at least one component selected from iron (Fe), cobalt (Co), nickel (Ni), chromium (Cr), manganese (Mn), vanadium (V), and lanthanum (La) group elements. A semiconductor package, characterized in that.
PCT/KR2019/015916 2018-11-20 2019-11-20 Molding apparatus for manufacturing semiconductor package and semiconductor package manufactured therethrough WO2020106053A1 (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180143138A KR102187350B1 (en) 2018-11-20 2018-11-20 Apparatus for molding semiconductor package and semiconductor package manufactured by the same
KR10-2018-0143138 2018-11-20

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2020106053A1 true WO2020106053A1 (en) 2020-05-28

Family

ID=70773545

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/KR2019/015916 WO2020106053A1 (en) 2018-11-20 2019-11-20 Molding apparatus for manufacturing semiconductor package and semiconductor package manufactured therethrough

Country Status (2)

Country Link
KR (1) KR102187350B1 (en)
WO (1) WO2020106053A1 (en)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI819354B (en) 2020-08-19 2023-10-21 南韓商Ｌｇ化學股份有限公司 Adhesive resin composition, adhesive film for semiconductor and dicing die-bonding film

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005079139A (en) * 2003-08-28 2005-03-24 Sony Corp Electronic component module and its manufacturing process
KR20140081548A (en) * 2012-12-21 2014-07-01 에스케이하이닉스 주식회사 Semiconductor package and manufacturing method for the same
KR20150052591A (en) * 2013-11-06 2015-05-14 동현전자 주식회사 Composition for complex sheet, complex sheet comprising the same, and preparation method of the complex sheet
KR20170016026A (en) * 2012-06-08 2017-02-10 히타치가세이가부시끼가이샤 Method for manufacturing semiconductor device
KR20180051932A (en) * 2016-11-09 2018-05-17 엔트리움 주식회사 Electronic component package for electromagnetic interference shielding and method for manufacturing the same

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101829392B1 (en) 2011-08-23 2018-02-20 삼성전자주식회사 Semiconductor package and method of forming the same
CN107112311B (en) 2014-12-22 2020-10-02 德国艾托特克公司 Method for electromagnetic shielding and thermal management of active components
KR102634389B1 (en) 2016-09-07 2024-02-06 삼성전자주식회사 Semiconductor package and method of fabricating the same

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005079139A (en) * 2003-08-28 2005-03-24 Sony Corp Electronic component module and its manufacturing process
KR20170016026A (en) * 2012-06-08 2017-02-10 히타치가세이가부시끼가이샤 Method for manufacturing semiconductor device
KR20140081548A (en) * 2012-12-21 2014-07-01 에스케이하이닉스 주식회사 Semiconductor package and manufacturing method for the same
KR20150052591A (en) * 2013-11-06 2015-05-14 동현전자 주식회사 Composition for complex sheet, complex sheet comprising the same, and preparation method of the complex sheet
KR20180051932A (en) * 2016-11-09 2018-05-17 엔트리움 주식회사 Electronic component package for electromagnetic interference shielding and method for manufacturing the same

Also Published As

Publication number Publication date
KR102187350B1 (en) 2020-12-07
KR20200058704A (en) 2020-05-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2017014430A1 (en) Wireless power transmission module
WO2017014493A1 (en) Magnetic field shielding unit
WO2016190649A1 (en) Wireless power reception module
WO2018097409A1 (en) Semiconductor package produced using insulation frame, and method for producing same
US20210249336A1 (en) Cantilevered Leadframe Support Structure for Magnetic Wireless Transfer between Integrated Circuit Dies
WO2018012668A1 (en) Composite substrate for antenna module formation, and method for manufacturing same
WO2017023080A1 (en) Wireless power transfer module for vehicles
WO2014204153A2 (en) Receiving antenna and wireless power receiving apparatus comprising same
WO2018062825A1 (en) Power inductor
WO2013095036A1 (en) Magnetic field shielding sheet for a wireless charger, method for manufacturing same, and receiving apparatus for a wireless charger using the sheet
WO2017082553A1 (en) Composite ferrite magnetic field shielding sheet, method for manufacturing same, and antenna module using same
WO2014092500A1 (en) Magnetic field shielding sheet, method for manufacturing magnetic field shielding sheet, and portable terminal using same
CN105047634A (en) Isolation between semiconductor components
WO2017176020A1 (en) Semiconductor package and manufacturing method therefor
WO2020106053A1 (en) Molding apparatus for manufacturing semiconductor package and semiconductor package manufactured therethrough
WO2020262976A2 (en) Magnetic shielding sheet for charging cradle, wireless power reception module for charging cradle, comprising same, and charging cradle for wireless earphones
WO2018016821A1 (en) Power inductor
WO2019172595A1 (en) Wireless power transmission apparatus
WO2019231142A1 (en) Magnetic sheet and wireless power module comprising same
WO2019054777A1 (en) Magnetic shielding sheet and wireless power transfer module comprising same
WO2015050369A1 (en) Magnetic member and wireless power transmission device comprising same
JP3767296B2 (en) Power converter
WO2018182327A1 (en) Semiconductor package test socket and method for manufacturing same
KR20130033850A (en) Internal antenna for manufacturing method thereof
WO2021040225A1 (en) Method for producing antenna package

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 19886651

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 19886651

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1