WO2020104514A1 - Lichtemittereinheit mit wenigstens einem vcsel-chip - Google Patents

Lichtemittereinheit mit wenigstens einem vcsel-chip

Info

Publication number
WO2020104514A1
WO2020104514A1 PCT/EP2019/081905 EP2019081905W WO2020104514A1 WO 2020104514 A1 WO2020104514 A1 WO 2020104514A1 EP 2019081905 W EP2019081905 W EP 2019081905W WO 2020104514 A1 WO2020104514 A1 WO 2020104514A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
vcsel chip
chip
vcsel
light
light emitter
Prior art date
Application number
PCT/EP2019/081905
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Zeljko Pajkic
Florian NUETZEL
Fabian Knorr
Michael Mueller
Original Assignee
Osram Opto Semiconductors Gmbh
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Osram Opto Semiconductors Gmbh filed Critical Osram Opto Semiconductors Gmbh
Priority to DE112019005839.8T priority Critical patent/DE112019005839A5/de
Priority to CN201980077075.0A priority patent/CN113169512A/zh
Priority to US17/295,819 priority patent/US20220029386A1/en
Publication of WO2020104514A1 publication Critical patent/WO2020104514A1/de

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/10Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/18Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
    • H01S5/183Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022Mountings; Housings
    • H01S5/02218Material of the housings; Filling of the housings
    • H01S5/02234Resin-filled housings; the housings being made of resin
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022Mountings; Housings
    • H01S5/023Mount members, e.g. sub-mount members
    • H01S5/02325Mechanically integrated components on mount members or optical micro-benches
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022Mountings; Housings
    • H01S5/0233Mounting configuration of laser chips
    • H01S5/0234Up-side down mountings, e.g. Flip-chip, epi-side down mountings or junction down mountings
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S2301/00Functional characteristics
    • H01S2301/17Semiconductor lasers comprising special layers
    • H01S2301/176Specific passivation layers on surfaces other than the emission facet
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022Mountings; Housings
    • H01S5/02208Mountings; Housings characterised by the shape of the housings
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022Mountings; Housings
    • H01S5/0225Out-coupling of light
    • H01S5/02253Out-coupling of light using lenses
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022Mountings; Housings
    • H01S5/0225Out-coupling of light
    • H01S5/02257Out-coupling of light using windows, e.g. specially adapted for back-reflecting light to a detector inside the housing
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/10Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/18Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
    • H01S5/183Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
    • H01S5/18305Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL] with emission through the substrate, i.e. bottom emission
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/40Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/42Arrays of surface emitting lasers
    • H01S5/423Arrays of surface emitting lasers having a vertical cavity

Definitions

  • the present invention takes the priority of German application 102018129575.8 dated November 23, 2018, the content of which is hereby incorporated by reference.
  • the present invention relates to a light emitter unit with a VCSEL chip, on the one hand a light exit surface via which light generated by the VCSEL chip and emitted perpendicularly to the chip plane is emitted into an environment, and on the other hand contacts for supplying the light for generating the light electrical energy required by the VCSEL chip.
  • VCSEL vertical cavity surface emitting laser
  • VCSELs are semiconductor lasers with a light emission perpendicular to the semiconductor surface.
  • VCSEL are characterized above all by their very good beam properties.
  • VCSEL which are available as a chip and also in different housing versions, can be used in a variety of ways.
  • a typical area of application is in fiber optic data transmission, both in sensor technology and in measurement technology.
  • VCSELs are used in data transmission, in memory networks, barcode and laser scanners, laser printers, optical encoders, position sensors, systems for distance measurement, as a digital video interface and in medical technology, especially in systems for blood analysis.
  • VCSELs work with light modulation, are characterized by a highly focused laser beam, support a high data rate and require a relatively low driver current. VCSELs are therefore especially developed for high-speed transmission and typically emit light with a wavelength of 665 nm. However, they are also available for optical windows at 850 nm, 1310 nm and 1550 nm and can be used at data rates between 1 Gbit / s and 50 Gbit / s can be used. VCSELs are also characterized by extremely low beam divergence compared to edge-emitting lasers (EEL) and enable simple fiber coupling, in which the laser beam does not fill the entire core glass of the optical waveguide.
  • EEL edge-emitting lasers
  • a corresponding VCSEL is known from DE 100 48 443 A1.
  • This document describes a VCSEL with a semiconductor body and a first and a second main surface, a first contact surface being formed on the first main surface and a second contact surface being formed on the second main surface.
  • an active layer is provided, which is arranged between a first mirror and a second mirror. The radiation generated is coupled out through the second mirror and the second main surface, the second contact surface formed thereon being arranged downstream of the second mirror and being transparent or at least semi-transparent to the radiation generated.
  • DE 100 53 569 A1 discloses a device for coupling the optical energy from a head piece with an arranged and ready-to-use VCSEL into a waveguide which is arranged within a fiber-optic sleeve, a housing or a receptacle.
  • the technical solution described is characterized in that the coupling ring has a central opening in which a spherical lens is held.
  • a cylindrical side wall is designed so that the coupling ring fits over a window cover of a typical head piece to place the lens exactly on the optical axis of the VCSEL.
  • a method for producing a VCSEL is also known from DE 10 2005 007 668 A1.
  • the described manufacturing process is intended in particular to provide an improved semiconductor structure using etched oxide side walls.
  • the VCSELs that are usually used in very different devices due to the different areas of application are assembled into relatively large packages, which ultimately limits the technical design of the devices in which the VCSEL is installed.
  • the comparatively large design of the known VCSEL is due to the fact that VCSELs are arranged on a substrate, for example PCB or a ceramic, and are assembled with a fixed housing and, depending on the intended use, with one or more optical elements.
  • the contacts are on the underside, which in turn has an influence on the design of the end products.
  • the invention is based on the object to provide a corresponding Lichtemit territt that allows simple, fast and inexpensive manufacture on the one hand and on the other hand comparatively small Dimensions.
  • the technical solution to be specified should also make it possible to make use of generally known manufacturing processes for the production of the novel light emitter with VCSEL chip.
  • a light emitter unit which has at least one VCSEL chip should be designed such that it can be flexibly adapted to different designs of products into which the device is to be installed.
  • the invention relates to a light emitter unit with at least one VCSEL chip, on the one hand a light exit surface via which light generated by the VCSEL chip and emitted perpendicular to the chip plane is emitted into an environment, and on the other hand contacts for supplying the light for generating the light electrical energy required by the VCSEL chip.
  • this device has been further developed such that at least one side surface of the VCSEL chip, which is arranged perpendicular to the chip plane, is touched and covered at least in sections by a cover element.
  • the cover element is essentially planar with the light exit surface.
  • the light emitter unit can have one or a plurality of VCSEL chips, preferably arranged in an array, it also generally conceivable that a plurality of VCSELs are arranged on a semiconductor wafer, preferably in the form of an array are. Otherwise, it is also conceivable that a plurality of light emitter units designed according to the invention are arranged in the form of an array.
  • At least the at least one VCSEL chip is at least partially directly surrounded by a cover element, so that the cover element touches the outer edge of the VCSEL chip.
  • a particularly suitable connection between the at least one side surface of the VCSEL chip and the cover can be produced if the cover element is at least temporarily liquid or at least pasty during the manufacture of the light emitter unit. Due to the cover element provided according to the invention adjacent to the edge of the VCSEL chip, preferably at the edge of the light emitter unit, a particularly space-saving design of an edge-encapsulated VCSEL chip and / or a light emitter unit with such a chip is made possible.
  • the cover element preferably being made of an at least to a certain extent flexible material.
  • the cover element provided according to the invention was produced by casting a suitable material and / or by an injection molding process, for example film-assisted transfer molding (FAM), compression molding or transfer molding.
  • FAM film-assisted transfer molding
  • the invention is based on the essential idea of using the chip-sized packaging processes (CSP) known from the manufacture of LEDs also for the manufacture of light emitter units with a VCSEL chip.
  • CSP chip-sized packaging processes
  • a miniaturization of a light emitter unit with a VCSEL chip is thus achieved on the basis of the invention, so that both technical advantages and additional flexibility are achieved with regard to the possible use.
  • cost savings which are not inconsiderable compared to the known solutions can also be realized.
  • the cover element has at least one material from a group of materials that has silicone, epoxy resin and a composite material.
  • the material used for the cover element has at least one filler which leads to improvement of at least one property of the material.
  • a filler can be, for example, silicon dioxide (SiCk).
  • SiCk silicon dioxide
  • Si02 silicon dioxide
  • the VCSEL chip of the light emitter unit is arranged on an integrated circuit (IC).
  • the integrated circuit preferably contains the control electronics for controlling the VCSEL.
  • the driver or the driver logic for the VCSEL chip are also advantageously integrated into the integrated control. Such an arrangement keeps the switching times when controlling the VCSEL chip particularly short.
  • parasitic lead inductances are minimized, in particular if more than one VCSEL chip is activated.
  • the light exit surface of the light emitter unit is part of the VCSEL chip, which in this case emits the light generated directly into the surroundings.
  • at least one optical element is provided which at least partially forms the light exit surface.
  • the optical element is a simple protective element which is transparent to the light emitted by the VCSEL chip and / or in particular is a suitable, appropriately designed window.
  • an optical element is selected that is suitable for beam guidance.
  • the optical element has at least one diffractive optical element, a meta-optic and / or a lens, preferably a microlens. It is particularly advantageous if the optical element is selected such that the light emitter unit with VCSEL is designed as a Lambertian emitter. A light emitter unit designed in this way is distinguished by the fact that the radiance is constant over the light exit surface and thus there is a circular distribution of the radiant intensity.
  • an optical spacer is arranged between the VCSEL chip of the light emitter unit and the light exit surface.
  • This spacer has the function of coupling the light emitted by the VCSEL chip with as little loss as possible and taking into account the refraction occurring at surface boundaries.
  • the optical spacer is located between the VCSEL chip and an optical element which has the light exit surface, so that the optical spacer couples the light emitted by the VCSEL chip into the optical element.
  • the optical spacer preferably has a coupling medium that suitably compensates for the differences in the refractive indices between the VCSEL chip and the optical element.
  • the VCSEL chip has at least one integrated circuit.
  • the provision of an integrated circuit in the VCSEL chip initially has the advantage of further space saving, in particular in the case of a planar version of the VCSEL chip with an integrated circuit.
  • the at least one integrated circuit of the VCSEL chip preferably has the controller and the driver for controlling the VCSEL chip.
  • Integrated controls which are arranged close to or in the VCSEL chip, not only offer the advantage of short switching times, but also the reduction of parasitic lead inductances. Furthermore, compact circuits simplify the layout of a light emitting unit designed according to the invention and the heat loss can be optimally carried out.
  • At least one sensor and / or detector is integrated in the VCSEL chip.
  • at least one light-sensitive detector is integrated in the VCSEL chip of the light emitter unit, which receives radiation that has arisen from reflection of the light emitted by the device on at least one object.
  • distance measurements or measurements relating to the shape of an object can be carried out with the aid of a suitable evaluation unit.
  • a light emitter unit with a VCSEL chip can carry out such measurements particularly advantageously, provided an array of VCSEL chips and / or a plurality of light-sensitive detectors are provided.
  • a large number of the light emitter unit with VCSEL chip described above is interconnected in an array.
  • a light emitter unit has a plurality of VCSEL chips, which can also be arranged on a common semiconductor wafer.
  • Such a plurality of VCSEL chips can be used in an advantageous manner for distance measurement and / or for detecting the shape and / or shape of objects.
  • the VCSEL chips emit light of a suitable wavelength, which is reflected by objects in the vicinity.
  • the reflected radiation is finally recorded using suitable detectors and evaluated in such a way that, depending on the requirements, information about the distance of the object and / or the shape and shape of the object can be provided.
  • a light emitter unit with a VCSEL chip does not have a solid substrate and a rigid housing, but that the VCSEL chip and, if necessary, also further components of the light emitter unit have at least one edge area with a suitable one Material, for example epoxy resin provided with a filler, potted or overmolded.
  • a suitable one Material for example epoxy resin provided with a filler, potted or overmolded.
  • a light emitter unit with a VCSEL chip can be provided whose optical components, namely the VCSEL chip with or without further optical components or circuits, are suitably surrounded by a hardened potting material.
  • the encapsulation of a device designed according to the invention is realized in such a way that the beam propagation of the light generated by the VCSEL chip perpendicular to the chip level, that is to say to the level of the semiconductor wafer with VCSEL, is not impeded.
  • Fig. 1 Light emitter unit with a VCSEL chip on an integrated circuit with an optical spacer and optical element;
  • Fig. 2 Method for producing a light emitter unit with an EL chip on an integrated circuit with an optical spacer and optical element
  • Fig. 5 Light emitter unit with a bottom-emitting VCSEL chip package with metallized contacts as well
  • Fig. 6 Method for producing a light emitter unit with a bottom-emitting VCSEL chip with metallized contacts.
  • FIG. 1 shows a sectional view of a light emitter unit 10 with a VCSEL chip 11.
  • An essential feature of the device 10 shown is that the VCSEL chip 11 is not arranged on a solid substrate and is not a correspondingly solid one Housing is provided. Rather, a VCSEL chip 11 surrounding cover element 12 is provided, which has been produced by means of film-assisted transfer molding (FMA). In principle, it is conceivable to use other methods, in particular compression molding, to produce a corresponding cover element 12.
  • FMA film-assisted transfer molding
  • the cover element 12 has an epoxy resin that is filled with silicon dioxide (SiCk).
  • the VCSEL chip 11 is located on an integrated circuit (IC) 19, on the underside of which electrical contacts 17 for contacting and supplying the VCSEL chip and the integrated circuit 19, in which the control of the VCSEL chip 11 is implemented, are provided with the electrical energy required for light generation.
  • the control electronics for controlling the VCSEL chip 11 and the driver control are located in the integrated circuit 19. With such an arrangement of the integrated circuit 19 in the immediate vicinity of the VCSEL chip 11, particularly short switching times can be achieved and parasitic lead inductances can be advantageously reduced.
  • the light emitter unit 1 also has an optical element 13, which in this case is designed such that the light emitter unit 10 is designed as a Lambertian emitter.
  • the optical element 13 in such a way that the radiation emitted into the environment 16 is particularly homogeneous along its direction of propagation.
  • an optical spacer 14 is provided between the VCSEL chip 11 and the optical element 13, which has no optical function, in particular no beam steering. Rather, the optical spacer 14 serves to couple the light generated by the VCSEL chip 11 into the optical element 13, negative effects due to refraction effects at the transition between individual elements being at least minimized.
  • the package shown Since the light emitter unit 10 shown in FIG. 1 is preferably cast or cast using the film-assisted transfer molding (FAM) has been encapsulated, the package shown has a comparatively small design compared to the known conventional solutions with VCSEL chips. Above all, the height of the light emitter unit shown is significantly lower compared to the known technical solutions.
  • FAM film-assisted transfer molding
  • Fig. 2 shows a method for producing a light emitter unit with VCSEL chip on an integrated circuit with opti cal spacer and optical element. With the method shown in FIG. 2, a device as shown in FIG. 1 is manufactured.
  • a temporary carrier 20 is first equipped with chips which have integrated circuits 19.
  • the VCSEL chip is then applied on the side opposite the chips with the integrated circuits 19 to the temporary carrier 20 by way of die bonding, preferably by micro-welding. This is followed by wire bonding of the chips provided on the underside of the temporary carrier 20 with integrated circuits 19.
  • a connection between the integrated circuits 19, that is to say the IC chips, and the VCSEL chip 11 is established by first producing the VCSEL chip 11 and then the integrated ones Circuits 19 are applied together with the driver logic to the VCSEL chip 11 with a growth process.
  • the optical spacer 13 is finally applied to the VCSEL chip 11 in two successive process steps and then the optical element 14 is applied to the optical spacer 13.
  • the film-assisted transfer molding takes place, as a result of which the components arranged on the temporary carrier 20 are surrounded on their side faces 18 by a filled epoxy resin. This process takes place in such a way that the light exit surface 15 of the light emitter unit 10 does not is encapsulated and light generated by the VCSEL chip 11 can be radiated unhindered by the optical spacer 14 and the optical element 13 via the light exit surface 15 into the environment 16.
  • a cover element 12 is produced almost without pressure in the edge region of the light emitter unit 10 with the aid of an epoxy-containing molding compound, which brings about a suitable encapsulation of the light emitter 10 shown.
  • the molding compound has a height such that it closes with the light exit surface 15.
  • the light exit surface 15 and the upper side of the cover 12 form a substantially planar surface. The light emitted by the VCSEL chip does not have to pass through the cover element.
  • FAM film-assisted transfer molding
  • PTFE foils are guided along both sides of the device to be encapsulated, which are adapted to the shape of the tool using a vacuum.
  • An epoxy resin material EMC - Epoxy Molding Compound
  • heating elements are provided which heat the device to a temperature of 170 to 185 ° C.
  • the light emitter units 10 After completion of the film-assisted transfer molding, the light emitter units 10, which are encapsulated together on their side surfaces 18 with a cover element 12, are first separated or separated from one another.
  • FIG. 3 shows a light emitter unit with a VCSEL chip without a substrate with an optical element, the VCSEL chip being contacted by means of a flip-chip assembly.
  • the light emitter unit shown in Fig. 3 has a VCSEL chip on which there is an optical element 13 for beam guidance.
  • the electrical contacts 17 of the light emitter unit are located opposite the optical element 13 on the underside of the VCSEL chip.
  • the height of the device 10 is significantly lower compared to the known technical solutions.
  • the VCSEL chip has been contacted using the flip-chip assembly.
  • An essential feature of the flip-chip assembly is that the chip, here the VCSEL chip, is mounted with the active contact side down without additional connecting wires. This technology in turn enables comparatively small dimensions and short conductor lengths.
  • Fig. 4 now shows the individual process steps in the manufacture of the light emitter unit 10 shown in Fig. 3 with VCSEL chip 11 and optical element 13.
  • a temporary carrier 20 is equipped with a VCSEL chip 11, this with its contact surface 21 is applied downward on the temporary carrier 20.
  • the optical element 13, which is used for guiding the radiation generated and emitted by the VCSEL chip 11, is applied to the VCSEL chip 11 on the VCSEL chip 11.
  • the unit or a plurality of units consisting of temporary carrier 20, VCSEL chip 11, contacts 17 and optical element 13 is then provided on its side surfaces 18 by casting with a cover element 12.
  • the temporary carrier 20 is then removed, preferably by a chemical process or laser ablation, and finally the individual light emitter units 10 provided with a cover element on the side surfaces 12 are separated by a VCSEL chip 11.
  • silicone, epoxy resin and composite materials can be used as casting materials.
  • the properties of the individual cast materials can also be adjusted as required by adding specially selected fillers.
  • FIG. 5 shows a light emitter unit 10 with a bottom-emitting VCSEL chip 11 package with metallized electrical contacts 17.
  • the light emitter unit 10 shown in FIG. 3 essentially has a VCSEL chip 11, on the underside of which the contacts provided for supplying the VCSEL chip 11 with the electrical energy required are arranged.
  • the light is emitted into the surroundings 16 upwards in the exemplary embodiment shown in FIG. 3.
  • the designation bottom-emitting VCSEL chip 11 is due to the manufacturing process explained in more detail below, in which the VCSEL chip 11 is first manufactured and contacted in the reverse position and is only rotated after the manufacturing process and separation has been completed.
  • the electrical contacts 17 of the figure in FIG. 3 light emitter unit 10 are produced by applying a metallization that extends the electrodes 22 of the VCSEL chip onto the outer surface.
  • Fig. 6 shows the method for producing a light emitter unit with a bottom-emitting VCSEL chip 11 package with metallized electrical contacts 17.
  • a VCSEL chip 11 is applied to a temporary carrier 20, the light-emitting surface after is directed below, ie comes to rest on the temporary support 20.
  • the contacts 22 of the VCSEL chip are located on the top and thus exposed.
  • a polymer film or ceramic is preferably used as the temporary carrier 20.
  • An essential property of the material used for the temporary carrier 20 is that it can be separated from the light emitter unit easily and without damaging the light emitter 10 after completion of the manufacture of the light emitter unit 10.
  • the VCSEL chip which is reversed on the temporary carrier 20, is cast with a potting material, for example silicone, epoxy resin, composite materials, in particular silicone with filler, and a cover element 12, which surrounds the side faces 18, is thus produced.
  • a potting material for example silicone, epoxy resin, composite materials, in particular silicone with filler
  • cover element 12 which surrounds the side faces 18, is thus produced. It is important here that the side surfaces of the VCSEL chip 11 are tightly encapsulated and that creeping of the potting material is prevented during the operation of the VCSEL chip 11, in particular due to the increased operating temperature.
  • the generation of the cover element 12 also provided according to this embodiment can, as previously described, be carried out using a potting material.
  • the cover member 12 is manufactured according to this embodiment, for example, by compression molding.
  • epoxy resin in tablet form epoxy Molding Compound - EMC
  • the epoxy resin is heated to temperatures between 120 and 175 ° C, the light emitter unit with the VCSEL chip is pressed into the cavity and then pressed under an internal mold pressure of approximately 20 bar. Air pockets can be avoided by working in a vacuum. With the help of compression molding, comparatively large areas can be encapsulated.
  • the contacts 22 of the VCSEL chip 11 are expanded to the outer surface.
  • Metallization is preferably applied for this, so that sufficiently large contacts 17 are provided on the outside, here on the surface, of the VCSEL chip 11.
  • the temporary carrier 20 is removed, this preferably being done using chemical methods or by laser ablation.
  • the now encapsulated Lichtemit teratti 10 which has a VCSEL chip 11 and a contact 17, is isolated and turned over.
  • the light exit surface 15 provided for the light emission is now in this position again on the top, while the contacts 17 are on the bottom.
  • optical elements 13 for example a diffractive optical element or a microlens
  • a light emitter unit 10 is provided with a VCSEL chip 11, which has a cover element 12, which is produced by casting or with a suitable injection molding method, such as, for example, film-assisted transfer molding or compression molding has been.
  • the light emitter units 10 shown with VCSEL chip have a relatively small size compared to the known technical solutions, in particular the height of the components is particularly low. For this reason, the light emitter units shown can advantageously be integrated on their own or in the form of arrays into corresponding devices, for example for distance measurement or for object detection.

Abstract

Beschrieben wird eine Lichtemittereinheit (10) mit wenigstens einem VCSEL-Chip (11), die eine Lichtaustrittsfläche (15), über die vom VCSEL-Chip (11) erzeugtes und senkrecht zur Chipebene abgestrahltes Licht in eine Umgebung (16) emittiert wird, und die Kontakte (17) zur Zuführung der für die Erzeugung des Lichts durch den VCSEL-Chip (11) benötigten elektrischen Energie aufweist. Die beschriebene technische Lösung zeichnet sich dadurch aus, dass zumindest eine senkrecht zur Chipebene angeordnete Seitenfläche (18) des VCSEL-Chips (11) wenigstens abschnittsweise von einem Abdeckelement (12) berührt und überdeckt wird.

Description

Lichtemittereinheit mit wenigstens einem VCSEL-Chip
Die vorliegende Erfindung nimmt die Priorität der deutschen An meldung 102018129575.8 vom 23.11.2018 in Anspruch, deren Inhalt hiermit durch Referenz aufgenommen wird.
Die vorliegende Erfindung betrifft eine Lichtemittereinheit mit einem VCSEL-Chip, die einerseits eine Lichtaustrittsfläche, über die vom VCSEL-Chip erzeugtes und senkrecht zur Chipebene abge strahltes Licht in eine Umgebung emittiert wird, und die anderer seits Kontakte zur Zuführung der für die Erzeugung des Lichts durch den VCSEL-Chip benötigten elektrischen Energie aufweist.
Oberflächenemittierende Laser mit senkrecht stehendem Resonator, sogenannte VCSEL (vertical cavity surface emitting laser) , sind beispielsweise aus IEEE Communications Magazine, May 1997, pp. 164-170 bekannt. VCSEL sind Halbleiterlaser mit einer Lichtemis sion senkrecht zur Halbleiteroberfläche. Neben der extrem kleinen Bauform und der hohen Effizienz zeichnen sich VCSEL vor allem durch ihre sehr guten Strahleigenschaften aus. VCSEL, die als Chip und auch in unterschiedlichen Gehäuseversionen erhältlich sind, können vielfältig eingesetzt werden. Sowohl in der Sensorik als auch in der Messtechnik ist ein typisches Anwendungsgebiet die faseroptische Datenübertragung. Generell kommen VCSEL in der Da tenübertragung, in Speichernetzen, Barcode- und Laserscannern, Laserdruckern, optischen Encodern, Positionssensoren, Systemen zur Abstandsmessung, als digitale Videoschnittstelle und in der Medizintechnik, insbesondere in Systeme zur Blutanalyse, zum Ein satz .
In der Regel arbeiten VCSEL mit Lichtmodulation, zeichnen sich durch einen stark gebündelten Laserstrahl aus, unterstützen eine hohe Datenrate und benötigen einen relativ niedrigen Treiberstrom . VCSEL werden daher insbesondere für die Hi-Speed-Übertragung ent wickelt und emittieren typischerweise Licht mit einer Wellenlänge von 665 nm. Sie sind allerdings auch für optische Fenster bei 850 nm, 1310 nm und 1550 nm erhältlich und können bei Datenraten zwischen 1 Gbit/s und 50 Gbit/s eingesetzt werden. Ferner zeichnen sich VCSEL durch eine äußerst geringe Strahldivergenz gegenüber kantenemittierenden Lasern (EEL) aus und ermöglichen eine einfache Fasereinkopplung, bei der der Laserstrahl nicht das gesamte Kern glas des Lichtwellenleiters ausfüllt.
Ein entsprechendes VCSEL ist aus der DE 100 48 443 Al bekannt. Dieses Dokument beschreibt einen VCSEL mit einem Halbleiterkörper und einer ersten und einer zweiten Hauptfläche, wobei auf der ersten Hauptfläche eine erste Kontaktfläche und auf der zweiten Hauptfläche eine zweite Kontaktfläche ausgebildet sind. Im Weite ren ist eine aktive Schicht vorgesehen, die zwischen einem ersten Spiegel und einem zweiten Spiegel angeordnet ist. Die erzeugte Strahlung wird durch den zweiten Spiegel und die zweite Hauptflä che ausgekoppelt, wobei die darauf gebildete zweite Kontaktfläche dem zweiten Spiegel nachgeordnet und für die erzeugte Strahlung transparent oder zumindest semitransparent ist.
Ferner ist aus der DE 100 53 569 Al eine Vorrichtung zur Einkopp lung der optischen Energie aus einem Kopfstück mit angeordnetem und betriebsfertigem VCSEL in einen Wellenleiter, der innerhalb einer faseroptischen Hülse, einem Gehäuse oder einer Aufnahme angeordnet ist, bekannt. Die beschriebene technische Lösung zeich net sich dadurch aus, dass der Koppelring eine Mittelöffnung auf weist, in der eine Kugellinse gehalten wird. Außerdem ist eine zylindrische Seitenwand so gestaltet, dass der Kopplungsring über eine Fensterabdeckung eines typischen Kopfstückes passt, um die Linse genau auf der optischen Achse des VCSELs anzuordnen.
Im Weiteren ist aus der DE 10 2005 007 668 Al ein Verfahren zur Herstellung eines VCSELs bekannt. Durch das beschriebene Herstel lungsverfahren soll insbesondere eine verbesserte Halb leiterstruktur mithilfe geätzter Oxidseitenwände bereitgestellt werden .
Die üblicherweise aufgrund der verschiedenen Einsatzgebiete in ganz verschiedenen Geräten zum Einsatz kommenden VCSEL sind zu verhältnismäßig großen Packages zusammengebaut, was letztendlich das technische Design der Geräte, in die die VCSEL eingebaut wer den, beschränkt. Die vergleichsweise große Bauform der bekannten VCSEL ist darin begründet, dass VCSEL auf einem Substrat, bei spielsweise PCB, oder einer Keramik, angeordnet sind und mit einem festen Gehäuse sowie je nach Einsatzzweck mit einem oder mehreren optischen Elementen zusammengebaut werden. Des Weiteren befinden sich bei den bekannten VCSEL-Chips die Kontakte auf der Unter seite, was wiederum Einfluss auf das Design der Endprodukte hat.
Ausgehend von den aus dem Stand der Technik bekannten Lichtemit tern mit VCSEL-Chips und den zuvor geschilderten Problemen liegt der Erfindung die Aufgabe zu Grunde, ein entsprechende Lichtemit tereinheit anzugeben, die einerseits eine einfache, schnelle und kostengünstige Herstellung ermöglicht und andererseits über ver gleichsweise kleine Abmaße verfügt. Die anzugebende technische Lösung sollte es ferner ermöglichen, dass für die Produktion des neuartigen Lichtemitters mit VCSEL-Chip auf generell bekannte Her stellungsverfahren zurückgegriffen werden kann. Außerdem sollte eine Lichtemittereinheit, die wenigstens einen VCSEL-Chip auf weist, derart ausgeführt sein, dass diese flexibel an unterschied liche Designs von Produkten, in die die Vorrichtung eingebaut werden soll, angepasst werden kann. Es sollte somit insbesondere möglich sein, eine Lichtemittereinheit mit einem VCSEL-Chip fle xibel an unterschiedliche Anforderungen anzupassen, sodass eine vergleichsweise einfache Integration in Geräte mit unterschiedli chem Design und zur Verfügung stehendem Einbauraum möglich ist.
Die vorgenannte Aufgabe wird mit einer Lichtemittereinheit mit wenigstens einem VCSEL-Chip gemäß Anspruch 1 gelöst. Vorteilhafte Ausführungsformen der Erfindung sind Gegenstand der abhängigen Ansprüche und werden in der folgenden Beschreibung unter teilwei ser Bezugnahme auf die Figuren näher erläutert.
Die Erfindung betrifft eine Lichtemittereinheit mit wenigstens einem VCSEL-Chip, die einerseits eine Lichtaustrittsfläche, über die vom VCSEL-Chip erzeugtes und senkrecht zur Chipebene abge strahltes Licht in eine Umgebung emittiert wird, und die anderer seits Kontakte zur Zuführung der für die Erzeugung des Lichts durch den VCSEL-Chip benötigte elektrischen Energie aufweist. Er findungsgemäß ist diese Vorrichtung derart weitergebildet worden, dass zumindest eine senkrecht zur Chipebene angeordnete Seiten fläche des VCSEL-Chips wenigstens abschnittsweise von einem Abde ckelement berührt und überdeckt wird. Das Abdeckelement schließt dabei im wesentlichen planar mit der Lichtaustrittsfläche ab. Ausdrücklich wird darauf hingewiesen, dass die Lichtemitterein heit einen oder eine Mehrzahl, bevorzugt in einem Array angeord nete VCSEL-Chips aufweisen kann, wobei es generell ebenfalls denk bar ist, dass eine Mehrzahl von VCSEL auf einem Halbleiterwafer, bevorzugt in Form eines Arrays, angeordnet sind. Im Übrigen ist es genauso denkbar, dass eine Mehrzahl von erfindungsgemäß ausge führten Lichtemittereinheiten in Form eines Arrays angeordnet ist.
Erfindungswesentlich ist, dass zumindest der wenigstens eine VCSEL-Chip zumindest bereichsweise unmittelbar von einem Abde ckelement umgeben ist, sodass das Abdeckelement den äußeren Rand des VCSEL-Chips berührt. Eine besonders geeignete Verbindung zwi schen der wenigstens einen Seitenfläche des VCSEL-Chips und der Abdeckung ist herstellbar, wenn das Abdeckelement während der Herstellung der Lichtemittereinheit wenigstens zeitweise flüssig oder zumindest pastös ist. Aufgrund des erfindungsgemäß vorgese henen Abdeckelements angrenzend an den Rand des VCSEL-Chips, be vorzugt an den Rand der Lichtemittereinheit, wird ein besonders platzsparendes Design eines randseitig verkapselten VCSEL-Chips und/oder einer Lichtemittereinheit mit einem derartigen Chip er möglicht .
Gemäß einer speziellen Weiterbildung sind sämtliche vier Seiten flächen des wenigstens einen VCSEL-Chips von dem Abdeckelement umgeben, wobei das Abdeckelement bevorzugt aus einem zumindest in gewissen Grenzen flexiblem Werkstoff hergestellt ist. In diesem Zusammenhang ist es denkbar, dass das erfindungsgemäß vorgesehene Abdeckelement durch Vergießen eines geeigneten Werkstoffes und/o der durch ein Spritzgießverfahren, beispielsweise Film-Assisted Transfer Molding (FAM) , Compression Molding oder Transfer Molding hergestellt worden ist. Der Erfindung liegt hierbei der wesentliche Gedanke zu Grunde, die von der Herstellung von LEDs bekannten Chip Sized Packaging- Verfahren (CSP) auch für die Herstellung von Lichtemittereinheiten mit VCSEL-Chip zu verwenden. Mithilfe der bekannten CSP-Verfahren ist es unter Berücksichtigung der technischen Besonderheiten eines VCSELS somit möglich, kompakte und leistungsfähige Lichtemitter mit VCSEL-Chip bereitzustellen, die sich vergleichsweise einfach, flexibel und vorteilhaft in die jeweiligen Endprodukte integrieren lassen. Durch den Verzicht auf eine starre Struktur, die bei den bekannten technischen Lösungen durch ein Substrat und ein festes Gehäuse gebildet wird, wird einerseits der Platzbedarf für die Integration einer Lichtemittereinheit mit VCSEL-Chip verringert und andererseits können derartige Lichtemitter vergleichsweise einfach in Endprodukten mit sehr unterschiedlichem Design genutzt oder zumindest unter Berücksichtigung der jeweiligen Anforderun gen adaptiert werden.
Auf der Grundlage der Erfindung wird somit eine Miniaturisierung einer Lichtemittereinheit mit VCSEL-Chip erreicht, sodass in Bezug auf den möglichen Einsatz sowohl technische Vorteile als auch eine zusätzliche Flexibilität erreicht wird. Da im Übrigen für die Herstellung einer erfindungsgemäß ausgeführten Lichtemitterein heit mit VCSEL-Chip eine geringere Materialmenge und weniger Pro zessschritte benötigt werden, sind darüber hinaus im Vergleich zu den bekannten Lösungen nicht unerhebliche Kosteneinsparungen re alisierbar .
Aufgrund der Möglichkeit eines der zuvor bereits erwähnten Her stellungsverfahren einzusetzen, sieht eine spezielle Ausführungs form der Erfindung vor, dass das Abdeckelement wenigstens über einen Werkstoff aus einer Werkstoffgruppe verfügt, die Silikon, Epoxidharz und einen Verbundwerkstoff aufweist. Im Übrigen ist es denkbar, dass der für das Abdeckelement verwendete Werkstoff zu mindest einen Füllstoff, der zur Verbesserung wenigstens einer Eigenschaft des Werkstoffes führt, aufweist. Bei einem derartigen Füllstoff kann es sich beispielsweise um Siliciumdioxid (SiCk) handeln. In diesem Zusammenhang eignet sich ganz besonders als Werkstoff für die Herstellung eines Abdeckelementes ein Epoxid harz, dem Siliziumdioxid (Si02) zugesetzt ist.
In einer speziellen Weiterbildung ist vorgesehen, dass der VCSEL- Chip der Lichtemittereinheit auf einem integrierten Schaltkreis (IC) angeordnet ist. Auf bevorzugte Weise enthält der integrierte Schaltkreis hierbei die Steuerelektronik für die Ansteuerung des VCSELs. Auf vorteilhafte Weise sind ferner der Treiber bzw. die Treiberlogik für den VCSEL-Chip in die integrierte Steuerung in tegriert. Durch eine derartige Anordnung die Schaltzeiten bei der Ansteuerung des VCSEL-Chips besonders kurzgehalten werden. Außer dem werden so, insbesondere wenn mehr als ein VCSEL-Chip ange steuert werden, parasitäre Zuleitungsinduktivitäten minimiert werden .
In einer speziellen Ausführungsform ist die Lichtaustrittsfläche der Lichtemittereinheit Teil des VCSEL-Chips, der in diesem Fall das erzeugte Licht direkt in die Umgebung abstrahlt. Gemäß einer alternativen Ausführungsform der erfindungsgemäßen Lichtemit tereinheit ist zumindest ein optisches Element vorgesehen, das wenigstens teilweise die Lichtaustrittsfläche bildet. Generell ist es denkbar, dass es sich bei dem optischen Element um ein einfaches, für das von dem VCSEL-Chip emittierte Licht transpa rentes Schutzelement und/oder insbesondere um ein geeignetes, ent sprechend ausgeführtes Fenster handelt.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist vorgesehen, dass ein Optikelement gewählt wird, dass zur Strahlführung geeignet ist. Denkbar ist in diesem Zusammenhang, dass das optische Element wenigstens ein diffraktives optisches Element, eine Metaoptik und/oder eine Linse, vorzugsweise eine Mikrolinse, aufweist. Von besonderem Vorteil ist, wenn das optische Element derart gewählt wird, dass die Lichtemittereinheit mit VCSEL als ein Lambertscher Strahler ausgeführt ist. Eine derart ausgeführte Lichtemitterein heit zeichnet sich dadurch aus, dass die Strahldichte über die Lichtaustrittsfläche konstant ist und sich somit eine kreisförmige Verteilung der Strahlstärke ergibt. In einer weiteren Ausführungsform ist zwischen dem VCSEL-Chip der Lichtemittereinheit und der Lichtaustrittsfläche ein optischer Abstandhalter angeordnet. Dieser Abstandhalter hat die Funktion, dass von dem VCSEL-Chip emittierte Licht möglichst verlustfrei und unter Berücksichtigung der an Flächengrenzen auftretenden der Brechung die Lichtaustrittsfläche einzukoppeln. Gemäß einer ganz speziellen Ausführungsform befindet sich der optische Abstandhal ter zwischen dem VCSEL-Chip und einem optischen Element, das die Lichtaustrittsfläche aufweist, sodass der optische Abstandhalter das vom VCSEL-Chip emittierte Licht in das optische Element ein koppelt. Bevorzugt weist der optische Abstandhalter ein Koppelme dium auf, dass die Unterschiede der Brechungsindices zwischen dem VCSEL-Chip und dem optischen Element auf geeignete Weise aus gleicht .
Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist vorgesehen, dass der VCSEL-Chip über wenigstens einen integrierten Schaltkreis ver fügt. Das Vorsehen eines integrierten Schaltkreises im VCSEL-Chip hat zunächst den Vorteil einer weiteren Platzersparnis, insbeson dere bei einer planaren Ausführung des VCSEL-Chips mit integrier tem Schaltkreis.
Vorzugsweise weist der wenigstens eine integrierte Schaltkreis des VCSEL-Chips die Steuerung und den Treiber zur Ansteuerung des VCSEL-Chips auf. Im Weiteren bieten integrierte Steuerungen, die dicht am oder im VCSEL-Chip angeordnet sind, nicht nur den Vorteil kurzer Schaltzeiten, sondern auch der Verringerung von parasitären Zuleitungsinduktivitäten. Weiterhin vereinfachen kompakte Schal tungen das Layout einer erfindungsgemäß ausgeführten Lichtemit tereinheit und die Verlustwärme lässt sich optimal ausführen.
Gemäß einer anderen speziellen Weiterbildung der Erfindung ist vorgesehen, dass in den VCSEL-Chip zumindest ein Sensor und/oder Detektor integriert ist. In diesem Zusammenhang ist es beispiels weise denkbar, dass in den VCSEL-Chip der Lichtemittereinheit zumindest ein lichtempfindlicher Detektor integriert ist, der Strahlung, durch Reflexion des von der Vorrichtung emittierten Lichts an wenigstens einem Gegenstand entstanden ist, empfängt. Auf der Grundlage der Detektion der empfangenen, insbesondere an einem Objekt reflektierten Strahlung, können mit Hilfe einer ge eigneten Auswerteeinheit beispielsweise Abstandsmessungen oder Messungen in Bezug auf die Form eines Objektes durchgeführt wer den. Besonders vorteilhaft kann eine Lichtemittereinheit mit einem VCSEL-Chip derartige Messungen vornehmen, sofern ein Array von VCSEL-Chips und/oder eine Mehrzahl von lichtempfindlichen Detek toren vorgesehen sind.
In einer besonderen Ausführungsform der Erfindung ist eine Viel zahl der zuvor beschriebenen Lichtemittereinheit mit VCSEL-Chip in einem Array zusammengeschaltet. Ebenso ist es denkbar, dass eine Lichtemittereinheit über eine Mehrzahl von VCSEL-Chips, die auch auf einem gemeinsamen Halbleiterwafer angeordnet sein können, verfügt. Eine derartige Mehrzahl von VCSEL-Chips sind auf vor teilhafte Weise für die Abstandsmessung und/oder zur Erfassung der Form und/oder Gestalt von Objekten einsetzbar. In diesem Fall emittieren die VCSEL-Chips Licht einer geeigneten Wellenlänge, das von in der Umgebung befindlichen Objekten reflektiert wird. Die reflektierte Strahlung wird schließlich mithilfe geeigneter Detektoren aufgenommen und derart ausgewertet, das je nach Anfor derung Informationen über den Abstand des Objektes und/oder die Form und Gestalt des Objektes bereitstellbar sind.
Wesentlich für die erfindungsgemäße technische Lösung ist, dass eine Lichtemittereinheit mit einem VCSEL-Chip nicht über ein fes tes Substrat sowie ein starres Gehäuse verfügt, sondern dass der VCSEL-Chip und bei Bedarf auch weitere Komponenten der Lichtemit tereinheit zumindest in einem Randbereich mit einem geeigneten Material, beispielsweise mit einem Füllstoff versehenes Epoxid harz, vergossen oder umspritzt werden. Um eine derartige, gehäu selose Verkapselung des VCSEL-Chips zu erreichen, wobei gegebe nenfalls auch weitere optische Komponenten einer Lichtemitterein heit mit VCSEL-Chip zumindest im Randbereich verkapselt werden, sind unterschiedliche Verfahren bekannt. Zu den in Frage kommenden Verfahren gehören beispielsweise das Transfer Molding, das Com- pression Molding sowie das Film-Assisted Transfer Molding. Gene rell ist es auch denkbar, den VCSEL-Chip und bei Bedarf auch die übrigen elektronischen und/oder optischen Elemente der Lichtemit tereinheit mit einem geeigneten Vergussmaterial, etwa Silikon, Epoxidharz oder ein Verbundstoff, jeweils mit oder ohne spezielle Füllstoffe, zu vergießen. Mithilfe der zuvor genannten Verfahren kann eine Lichtemittereinheit mit VCSEL-Chip bereitgestellt wer den, deren optische Komponenten, nämlich der VCSEL-Chip mit oder ohne weitere optische Komponenten oder Schaltungen auf geeignete Weise mit einem ausgehärten Vergussmaterial umgeben ist. Hierbei wird die Kapselung einer erfindungsgemäß ausgeführten Vorrichtung derart realisiert, dass die Strahlausbreitung des vom VCSEL-Chip erzeugten Lichts senkrecht zur Chipebene, also zur Ebene des Halb leiterwafers mit VCSEL, nicht behindert wird.
Im Folgenden wird die Erfindung ohne Beschränkung des allgemeinen Erfindungsgedankens anhand spezieller Ausführungsbeispiele und unter Bezugnahme auf die Figuren näher erläutert. Dabei zeigen:
Fig. 1: Lichtemittereinheit mit einem VCSEL-Chip auf einem in tegrierten Schaltkreis mit optischem Abstandhalter und optischem Element;
Fig. 2: Verfahren zur Herstellung einer Lichtemittereinheit mit EL-Chip auf einem integrierten Schaltkreis mit op tischem Abstandhalter und optischem Element;
Fig. 3: Lichtemittereinheit mit substratlosem VCSEL-Chip und optischem Element;
Fig. 4: Verfahren zur Herstellung einer Lichtemittereinheit mit substratlosem VCSEL-Chip und optischem Element;
Fig . 5 : Lichtemittereinheit mit einem Bottom-Emitting VCSEL- Chip Package mit metallisierten Kontakten sowie
Fig. 6: Verfahren zur Herstellung einer Lichtemittereinheit mit einem Bottom-Emitting VCSEL-Chip mit metallisier ten Kontakten.
Fig. 1 zeigt in einer Schnittansicht eine Lichtemittereinheit 10 mit einem VCSEL-Chip 11. Wesentliches Merkmal der dargestellten Vorrichtung 10 ist es, dass der VCSEL-Chip 11 nicht auf einem festen Substrat angeordnet ist und auch kein entsprechend massives Gehäuse vorgesehen ist. Vielmehr ist ein den VCSEL-Chip 11 umge bende Abdeckelement 12 vorgesehen, das im Wege des Film-Assisted Transfer Molding (FMA) , hergestellt worden ist. Grundsätzlich ist es denkbar, zur Herstellung eines entsprechenden Abdeckelementes 12 auch andere Verfahren, insbesondere das Compression Molding zu verwenden. Das Abdeckelement 12 weist hierbei ein Epoxidharz auf, das mit Siliziumdioxid (SiCk) gefüllt ist.
Der VCSEL-Chip 11 befindet sich auf einem integrierten Schaltkreis (IC) 19, an dessen Unterseite elektrische Kontakte 17 zur Kontak tierung und Versorgung des VCSEL-Chips und des integrierten Schaltkreises 19, in den die Steuerung des VCSEL-Chips 11 imple mentiert ist, mit der für die Lichterzeugung benötigten elektri schen Energie vorgesehen sind. In dem integrierten Schaltkreis 19 befindet sich die Steuerelektronik zur Ansteuerung des VCSEL-Chips 11 sowie die Treibersteuerung. Durch eine derartige Anordnung der integrierten Schaltung 19 in unmittelbarer Nähe des VCSEL-Chips 11 können besonders geringe Schaltzeiten erreicht und parasitäre Zuleitungsinduktivitäten auf vorteilhafte Weise vermindert wer den .
Gemäß der Figur 1 gezeigten Ausführungsform verfügt die Lichtemit tereinheit 1 ferner über ein optisches Element 13, das in diesem Fall derart ausgebildet ist, dass die Lichtemittereinheit 10 als Lambertscher Strahler ausgeführt ist. Alternativ ist es denkbar, das optische Element 13 derart auszuführen, dass die in die Umge bung 16 emittierte Strahlung entlang ihrer Ausbreitungsrichtung besonders homogen ist. Zwischen dem VCSEL-Chip 11 und dem opti schen Element 13 ist des Weiteren ein optischer Abstandshalter 14 vorgesehen, der keine optische Funktion, also insbesondere keine Strahllenkung, übernimmt. Vielmehr dient der optische Abstandhal ter 14 zur Einkopplung des von dem VCSEL-Chip 11 erzeugten Lichts in das optische Element 13, wobei negative Auswirkungen aufgrund von Brechungseffekten am Übergang zwischen einzelnen Elementen zumindest minimiert werden.
Da die in Fig. 1 gezeigte Lichtemittereinheit 10 bevorzugt mit hilfe des Film-Assisted Transfer Molding (FAM) vergossen bzw. verkapselt worden ist, verfügt das dargestellte Package über eine vergleichsweise kleine Bauform im Vergleich zu den bekannten kon ventionellen Lösungen mit VCSEL-Chips . Vor allem die Höhe der dargestellten Lichtemittereinheit ist im Vergleich zu den bekann ten technischen Lösungen wesentlich geringer.
Fig. 2 zeigt ein Verfahren zur Herstellung einer Lichtemitterein heit mit VCSEL-Chip auf einem integrierten Schaltkreis mit opti schem Abstandhalter und optischem Element. Mit dem in Fig. 2 ge zeigten Verfahren wird eine Vorrichtung, wie sie in Fig. 1 gezeigt ist, hergestellt.
Zur Herstellung der in Fig. 1 gezeigten Vorrichtung wird zunächst ein temporärer Träger 20 mit Chips, die integrierte Schaltungen 19 aufweisen, bestückt. Anschließend wird der VCSEL-Chip auf der den Chips mit den integrierten Schaltungen 19 gegenüberliegenden Seite auf den temporären Träger 20 im Wege des Die-Bondings , be vorzugt durch Mikroschweißen, aufgebracht. Anschließend erfolgt das Drahtbonden der auf der Unterseite des temporären Trägers 20 vorgesehenen Chips mit integrierten Schaltungen 19.
In einer alternativen Ausführungsform ist es in diesem Zusammen hang denkbar, dass eine Verbindung zwischen den integrierten Schaltkreisen 19, also den IC-Chips, und dem VCSEL-Chip 11 herge stellt wird, indem zunächst der VCSEL-Chip 11 hergestellt wird und anschließend die integrierten Schaltkreise 19 gemeinsam mit der Treiberlogik auf den VCSEL-Chip 11 mit einem Aufwachsvorgang aufgebracht werden.
Nach Abschluss des Draht-Bondings werden schließlich in zwei auf einanderfolgenden Prozessschritten zunächst der optische Ab standshalter 13 auf den VCSEL-Chip 11 und anschließend das opti sche Element 14 auf den optischen Abstandhalter 13 aufgebracht. Nach Fertigstellung dieser Baugruppe erfolgt das Film-Assisted Transfer Molding (FAM) , wodurch die auf dem temporären Träger 20 angeordneten Komponenten an ihren Seitenflächen 18 von einem ge füllten Epoxidharz umgeben werden. Dieser Vorgang erfolgt derart, dass die Lichtaustrittsfläche 15 der Lichtemittereinheit 10 nicht eingekapselt wird und vom VCSEL-Chip 11 erzeugtes Licht ungehin dert durch den optischen Abstandhalter 14 und das optische Element 13 über die Lichtaustrittsfläche 15 in die Umgebung 16 abgestrahlt werden kann.
Beim Film-Assisted Transfer Molding (FAM) erfolgt eine nahezu drucklose Erzeugung eines Abdeckelements 12 im Randbereich der Lichtemittereinheit 10 mit Hilfe einer epoxidhaltigen Formmasse, die eine geeignete Verkapselung des gezeigten Lichtemitters 10 bewirkt. Wie in der Figur dargestellt, weißt die Formmasse eine Höhe derart auf, das sich mit der Lichtaustrittsfläche 15 ab schließt. Dadurch bilden die Lichtaustrittsfläche 15 und die Ober seite des Abdeckelements 12 eine im wesentlichen planare Oberflä che. Das vom VCSEL Chip emittierte Licht muss so nicht durch das Abdeckelement hindurch.
Im Gegensatz zum Transfer Molding werden beim Film-Assisted Trans fer Molding (FAM) beide Werkzeugteile jeweils mit einer dünnen ETFE-Folie abgedeckt, um den direkten Kontakt zwischen Thermoplast und der Form zu verhindern. Die Vorteile des Verfahrens erlauben einen vereinfachten und kostengünstigeren Formenbau.
Beim Film-Assisted Transfer Molding werden beidseitig der zu ver kapselnden Vorrichtung PTFE-Folien entlanggeführt, die mithilfe eines Vakuums an die Form des Werkzeugs angepasst werden. In die Hohlräume zwischen den Folien und dem zu verkapselnden Bauelement wird ein Epoxidharz-Material (EMC - Epoxy Molding Compound) ein gebracht. Gleichzeitig sind Heizelemente vorgesehen, die die Vor richtung auf eine Temperatur von 170 bis 185 °C erwärmen.
Nach Abschluss des Film-Assisted Transfer Molding werden zunächst die gemeinsam an ihren Seitenflächen 18 mit einem Abdeckelement 12 verkapselten Lichtemittereinheiten 10 voneinander getrennt bzw. vereinzelt.
In Fig. 3 ist eine Lichtemittereinheit mit einem VCSEL-Chip ohne Substrat mit optischem Element dargestellt, wobei der VCSEL-Chip mit Hilfe einer Flip-Chip-Montage kontaktiert wurde. Die in Fig. 3 gezeigte Lichtemittereinheit verfügt über einen VCSEL-Chip, auf dem sich ein optisches Element 13 zur Strahlfüh rung befindet. Dem optischen Element 13 gegenüberliegend auf der Unterseite des VCSEL-Chips befinden sich die elektrischen Kontakte 17 der Lichtemittereinheit. An den Seitenflächen des VCSEL-Chips
11 und des optischen Elementes 13 ist wiederum ein Abdeckelement
12 vorgesehen, das in diesem Fall als ausgehärtetes Vergussmate rial ausgeführt ist.
Mithilfe des ausgehärteten Vergussmaterials wird somit wiederum eine Substrat- und gehäuselose Verkapselung der Lichtemitterein heit 10 mit VCSEL-Chip 11 bereitgestellt, die ein besonders platz sparendes Design der Vorrichtung 10 ermöglicht. Insbesondere die Höhe der Vorrichtung 10 ist im Vergleich zu den bekannten techni schen Lösungen deutlich geringer.
Im Folgenden noch näher erläutert werden wird, wie der VCSEL-Chip mit Hilfe der Flip- Chip-Montage kontaktiert worden ist. Wesent liches Merkmal der Flip-Chip-Montage ist es, dass der Chip, hier der VCSEL-Chip, ohne weitere Anschlussdrähte mit der aktiven Kon taktierungsseite nach unten montiert wird. Durch diese Technologie lassen sich wiederum vergleichsweise kleine Abmessungen und kurze Leiterlängen realisieren.
Fig. 4 zeigt nunmehr die einzelnen Prozessschritte bei der Her stellung der in Fig. 3 gezeigten Lichtemittereinheit 10 mit VCSEL- Chip 11 und optischem Element 13. In einem ersten Schritt wird ein temporärer Träger 20 mit einem VCSEL-Chip 11 bestückt, wobei dieser mit seiner Kontaktfläche 21 nach unten auf den temporären Träger 20 aufgebracht wird. In einem nächsten Schritt wird auf den VCSEL-Chip 11 das optische Element 13, das der Strahlführung der vom VCSEL-Chip 11 erzeugten und emittierten Strahlung dient, auf den VCSEL-Chip 11 aufgebracht. Anschließend wird die Bauein heit bzw. eine Mehrzahl von Baueinheiten bestehend aus temporärem Träger 20, VCSEL-Chip 11, Kontakten 17 und optischem Element 13 an seinen Seitenflächen 18 durch Vergießen mit einem Abdeckelement 12versehen . Daraufhin wird der temporäre Träger 20, bevorzugt durch ein che misches Verfahren oder Laserablation, entfernt und schließlich die einzelnen, an den Seitenflächen 12 mit einem Abdeckelement versehenen Lichtemittereinheiten 10 mit VCSEL-Chip 11 vereinzelt. Als Gussmaterialien kommen insbesondere Silikone, Epoxidharz und Verbundwerkstoffe infrage. Die Eigenschaften der einzelnen Guss werkstoffe können darüber hinaus durch Zusatz speziell ausgewähl ter Füllstoffe bedarfsgerecht angepasst werden.
In Fig. 5 ist eine Lichtemittereinheit 10 mit einem Bottom-Emit- ting VCSEL- Chip 11 Package mit metallisierten elektrischen Kon takten 17 dargestellt. Die in Fig. 3 gezeigte Lichtemittereinheit 10 verfügt im Wesentlichen über einen VCSEL-Chip 11, auf dessen Unterseite die für die Versorgung des VCSEL-Chips 11 mit der er forderlichen elektrischen Energie vorgesehenen Kontakte angeord net sind.
Die Abstrahlung von Licht in die Umgebung 16 erfolgt bei dem in Fig. 3 gezeigten Ausführungsbeispiel nach oben. Die Bezeichnung Bottom-Emitting VCSEL-Chip 11 ist durch den im Folgenden noch näher erläuterten Herstellungsprozess, bei dem der VCSEL-Chip 11 zunächst in umgekehrter Lage hergestellt und kontaktiert wird und erst nach Abschluss des Herstellungsprozesses und Vereinzelung gedreht wird.
Die elektrischen Kontakte 17 der Figur in Fig. 3 gezeigten Lichtemittereinheit 10 werden hergestellt, indem eine Metallisie rung aufgebracht wird, die die Elektroden 22 des VCSEL-Chips auf die Außenfläche erweitern.
Fig. 6 zeigt das Verfahren zur Herstellung einer Lichtemitterein heit mit einem Bottom-Emitting VCSEL-Chip 11 Package mit metalli sierten elektrischen Kontakten 17. In einem ersten Schritt wird auf einen temporären Träger 20 ein VCSEL-Chip 11 aufgebracht, wobei die lichtemittierende Fläche nach unten gerichtet ist, also auf dem temporären Träger 20 zum Liegen kommt. Auf der Oberseite und somit freiliegend befinden sich die Kontakte 22 des VCSEL-Chips . Als temporärer Träger 20 wird bevorzugt eine Polymerfolie oder eine Keramik verwendet. Wesentliche Eigenschaft des für den temporären Träger 20 verwendeten Materials ist es, dass sich dieses nach Abschluss der Herstellung der Lichtemit tereinheit 10 leicht und ohne Beschädigung des Lichtemitters 10 von der Lichtemittereinheit trennen lässt.
In einem nächsten Schritt wird der umgekehrt auf dem temporären Träger 20 liegende VCSEL-Chip mit einem Vergussmaterial, bei spielsweise Silikon, Epoxidharz, Verbundwerkstoffe, insbesondere Silikon mit Füllstoff, vergossen und so ein Abdeckelement 12, das den Seitenflächen 18 umschließt, hergestellt. Wichtig hierbei ist, dass die Seitenflächen des VCSEL-Chips 11 dicht umgossen sind und dass ein Kriechen des Vergussmaterials während des Betriebs des VCSEL-Chips 11, insbesondere aufgrund der erhöhten Betriebstempe ratur verhindert wird. Die Erzeugung des auch gemäß dieser Aus führungsform vorgesehenen Abdeckelementes 12 kann, wie zuvor be schrieben, mithilfe eines Vergussmaterials erfolgen.
Vorzugsweise wird das Abdeckelement 12 gemäß diesem Ausführungs beispiel durch Compression Molding hergestellt. In diesem Prozess wird Epoxidharz in Tablettenform (Epoxy Molding Compound - EMC) nicht über Kolben in eine Kavität transferiert, sondern als Paste oder Granulat direkt in die Kavität flächig dosiert, insbesondere gestreut. Das Epoxidharz wird auf Temperaturen zwischen 120 und 175 °C erhitzt, die Lichtemittereinheit mit dem VCSEL-Chip wird in die Kavität gedrückt und anschließend unter einem Forminnen- druck von etwa 20 bar verpresst. Durch zusätzliches Arbeiten im Vakuum lassen sich Lufteinschlüsse vermeiden. Mithilfe des Com pression Molding lassen sich vergleichsweise große Flächen ver kapseln.
Im nächsten Verfahrensschritt erfolgt die Erweiterung der Kontakte 22 des VCSEL-Chips 11 auf die Außenfläche. Bevorzugt wird hierfür eine Metallisierung aufgebracht, sodass ausreichend große Kon takte 17 auf der Außenseite, hier auf der Oberfläche, des VCSEL- Chips 11 zur Verfügung gestellt werden. In einem nächsten Schritt wird der temporäre Träger 20 entfernt, wobei dies bevorzugt mithilfe chemischer Verfahren oder durch Laserablation erfolgt.
Im letzten Verfahrensschritt wird die nun eingekapselte Lichtemit tereinheit 10, die einen VCSEL-Chip 11 sowie eine Kontaktierung 17 aufweist, vereinzelt und umgedreht. Die für die Lichtemission vorgesehene Lichtaustrittsfläche 15 befindet sich in dieser Dar stellung nunmehr wiederum auf der Oberseite, während sich die Kontakte 17 auf der Unterseite befinden.
Im Übrigen ist es auf vorteilhafte Weise mit dem dargestellten Lichtemitter 10 nunmehr mithilfe weiterer Prozessschritte be darfsgerecht zusätzliche Elemente aufzubringen. In diesem Zusam menhang ist es denkbar, auf die auf der Oberseite befindlichen Lichtaustrittsfläche 15 beispielsweise optische Elemente 13, etwa ein diffraktives optisches Element oder eine Mikrolinse, aufzu bringen .
Allen zuvor erläuterten Ausführungsbeispiele ist gemein, dass eine Lichtemittereinheit 10 mit einem VCSEL-Chip 11 bereitgestellt wird, die über ein Abdeckelement 12 verfügt, das durch Vergießen oder mit einem geeigneten Spritzgießverfahren, wie beispielsweise dem Film-Assisted Transfer Molding oder dem Compression Molding, hergestellt worden ist. Die dargestellten Lichtemittereinheiten 10 mit VCSEL-Chip verfügen im Vergleich zu den bekannten techni schen Lösungen über eine relativ kleine Baugröße, insbesondere die Höhe der Bauelemente ist besonders gering. Aus diesem Grund lassen sich die dargestellten Lichtemittereinheiten auf vorteil hafte Weise allein oder in Form von Arrays in entsprechende Ge räte, beispielsweise zur Abstandsmessung oder zur Objekterken nung, integrieren. Bezugszeichenliste
10 Lichtemittereinheit
11 VCSEL-Chip
12 Abdeckelement
13 optisches Element
14 optischer Abstandhalter
15 Lichtaustrittsfläche
16 Umgebung
17 Kontakte
18 Seitenfläche
19 integrierter Schaltkreis
20 temporärer Träger
21 Kontaktfläche
22 Kontakte des VCSEL-Chips

Claims

Patentansprüche
1. Lichtemittereinheit (10) mit wenigstens einem VCSEL-Chip (11), die eine Lichtaustrittsfläche (15), über die vom VCSEL- Chip (11) erzeugtes und senkrecht zur Chipebene abgestrahltes Licht in eine Umgebung (16) emittiert wird, und die Kontakte (17) zur Zuführung der für die Erzeugung des Lichts durch den VCSEL-Chip (11) benötigten elektrischen Energie aufweist, dadurch gekennzeichnet, dass zumindest eine senkrecht zur Chipebene angeordnete Seitenfläche (18) des VCSEL-Chips (11) wenigstens abschnittsweise von einem Abdeckelement (12) be rührt und überdeckt wird, wobei das Abdeckelement (12) im wesentlichen planar mit der Lichtaustrittsfläche (15) ab schließt .
2. Vorrichtung nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, dass das Abdeckelement (12) wenigs tens über einen Werkstoff aus einer Werkstoffgruppe, die Si likon, Epoxidharz und Verbundwerkstoff aufweist, verfügt.
3. Vorrichtung nach Anspruch 2,
dadurch gekennzeichnet, dass der Werkstoff zumindest einen Füllstoff aufweist.
4. Vorrichtung nach Anspruch 3,
dadurch gekennzeichnet, dass der Füllstoff Siliciumdioxid (SiCk) aufweist.
5. Vorrichtung nach einem der vorangehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, dass der VCSEL-Chip (11) auf einem integrierten Schaltkreis (19) angeordnet ist.
6. Vorrichtung nach einem der vorangehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, dass die Lichtaustrittsfläche (15) Teil des VCSEL-Chips (11) ist.
7. Vorrichtung nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Lichtaustrittsfläche (15) zumindest teilweise von einem optischen Element (13) gebildet wird .
8. Vorrichtung nach Anspruch 7,
dadurch gekennzeichnet, dass das optische Element (13) we nigstens ein diffraktives optisches Element, eine Metaoptik und/oder eine Linse aufweist.
9. Vorrichtung nach Anspruch 7 oder 8,
dadurch gekennzeichnet, dass das optische Element (13) ein transparentes Fenster aufweist.
10. Vorrichtung nach einem der vorangehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, dass zwischen dem VCSEL-Chip (11) und der Lichtaustrittsfläche (15) ein optischer Abstandhalter (14) angeordnet ist.
11. Vorrichtung nach einem der vorangehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, dass wenigstens ein Detektor und/oder Sensor vorgesehen ist.
12. Vorrichtung nach einem der vorangehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, dass der VCSEL-Chip (11) wenigstens einen integrierten Schaltkreis (19) aufweist.
13. Vorrichtung nach einem der vorangehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, dass das Abdeckelement (12) durch Film-Assisted Transfer Molding (FAM) , Compression Molding und/oder Transfer Molding hergestellt ist.
14. Vorrichtung nach einem der vorangehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, dass das Abdeckelement (12) eine aus gehärtete Vergussmasse aufweist.
15. Vorrichtung nach einem der vorangehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, dass der VCSEL-Chip (11) im Wege einer Flip-Chip-Montage mit den Kontakten (17) verbunden wurde.
PCT/EP2019/081905 2018-11-23 2019-11-20 Lichtemittereinheit mit wenigstens einem vcsel-chip WO2020104514A1 (de)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE112019005839.8T DE112019005839A5 (de) 2018-11-23 2019-11-20 Lichtemittereinheit mit wenigstens einem VCSEL-Chip
CN201980077075.0A CN113169512A (zh) 2018-11-23 2019-11-20 具有至少一个vcsel芯片的光发射单元
US17/295,819 US20220029386A1 (en) 2018-11-23 2019-11-20 Light emitter unit having at least one vcsel chip

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102018129575.8A DE102018129575A1 (de) 2018-11-23 2018-11-23 Lichtemittereinheit mit wenigstens einem VCSEL-Chip
DE102018129575.8 2018-11-23

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2020104514A1 true WO2020104514A1 (de) 2020-05-28

Family

ID=68654468

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/EP2019/081905 WO2020104514A1 (de) 2018-11-23 2019-11-20 Lichtemittereinheit mit wenigstens einem vcsel-chip

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20220029386A1 (de)
CN (1) CN113169512A (de)
DE (2) DE102018129575A1 (de)
WO (1) WO2020104514A1 (de)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102021118354A1 (de) 2021-07-15 2023-01-19 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verkapselung von seitenemittierenden laserpackages mittels vacuum injection molding

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5939773A (en) * 1996-08-05 1999-08-17 Motorola, Inc. Semiconductor laser package including a lead frame and plastic resin housing
US5974066A (en) * 1997-05-09 1999-10-26 Motorola, Inc. Low cost, efficient vertical cavity surface emitting laser package, method, bar code scanner and optical storage unit
DE10053569A1 (de) 1999-11-11 2001-05-17 Mitel Semiconductor Ab Jaerfae Kopplungsring
DE10048443A1 (de) 2000-09-29 2002-04-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiter-Laser mit erhöhter Strahlungsausbeute
US20030160258A1 (en) * 2001-12-03 2003-08-28 Sony Corporation Electronic part and method of producing the same
DE102005007668A1 (de) 2004-03-15 2005-11-03 Emcore Corp. Verfahren zur Verarbeitung von Oxid-eingeschränkten VCSEL-Halbleitervorrichtungen
US20130092850A1 (en) * 2011-10-12 2013-04-18 Sony Corporation Semiconductor laser device, photoelectric converter, and optical information processing unit
US20130330090A1 (en) * 2011-02-25 2013-12-12 Rohm Co., Ltd. Communication module and portable electronic device
US20140269804A1 (en) * 2013-03-12 2014-09-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Package Structure and Methods of Forming Same

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE69428578T2 (de) * 1993-12-16 2002-06-27 Sharp Kk Herstellungsverfahren für lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen
US6051848A (en) * 1998-03-02 2000-04-18 Motorola, Inc. Optical device packages containing an optical transmitter die
US6670599B2 (en) * 2000-03-27 2003-12-30 Aegis Semiconductor, Inc. Semitransparent optical detector on a flexible substrate and method of making
DE10153259A1 (de) * 2001-10-31 2003-05-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
US6658041B2 (en) * 2002-03-20 2003-12-02 Agilent Technologies, Inc. Wafer bonded vertical cavity surface emitting laser systems
JP3941713B2 (ja) * 2003-03-11 2007-07-04 セイコーエプソン株式会社 面発光レーザを備えた半導体集積回路、半導体集積回路の製造方法および電子機器
TWI242270B (en) * 2004-04-12 2005-10-21 Advanced Semiconductor Eng Chip package
US7200295B2 (en) * 2004-12-07 2007-04-03 Reflex Photonics, Inc. Optically enabled hybrid semiconductor package
WO2008075441A1 (ja) * 2006-12-18 2008-06-26 Seiko Epson Corporation 光チップおよび光モジュール
RU2010152355A (ru) * 2008-05-22 2012-06-27 Коннектор Оптикс (Ru) Способ для прикрепления оптических компонентов на интегральные схемы на основе кремния
US9190810B2 (en) * 2008-07-28 2015-11-17 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Three-terminal vertical cavity surface emitting laser (VCSEL) and a method for operating a three-terminal VCSEL
DE102010024862A1 (de) * 2010-06-24 2011-12-29 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauelement
EP2500623A1 (de) * 2011-03-18 2012-09-19 Koninklijke Philips Electronics N.V. Verfahren zur Bereitstellung einer reflektierenden Beschichtung auf einem Substrat für eine lichtemittierende Vorrichtung
JP5659903B2 (ja) * 2011-03-29 2015-01-28 ソニー株式会社 発光素子・受光素子組立体及びその製造方法
JP5848976B2 (ja) * 2012-01-25 2016-01-27 新光電気工業株式会社 配線基板、発光装置及び配線基板の製造方法
DE102014101818A1 (de) * 2013-02-20 2014-08-21 Maxim Integrated Products, Inc. Optische Vorrichtung als Mehrchip-Wafer-Level-Package (WLP)
US8976833B2 (en) * 2013-03-12 2015-03-10 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Light coupling device and methods of forming same
US9368435B2 (en) * 2014-09-23 2016-06-14 Infineon Technologies Ag Electronic component
US11128100B2 (en) * 2017-02-08 2021-09-21 Princeton Optronics, Inc. VCSEL illuminator package including an optical structure integrated in the encapsulant

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5939773A (en) * 1996-08-05 1999-08-17 Motorola, Inc. Semiconductor laser package including a lead frame and plastic resin housing
US5974066A (en) * 1997-05-09 1999-10-26 Motorola, Inc. Low cost, efficient vertical cavity surface emitting laser package, method, bar code scanner and optical storage unit
DE10053569A1 (de) 1999-11-11 2001-05-17 Mitel Semiconductor Ab Jaerfae Kopplungsring
DE10048443A1 (de) 2000-09-29 2002-04-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiter-Laser mit erhöhter Strahlungsausbeute
US20030160258A1 (en) * 2001-12-03 2003-08-28 Sony Corporation Electronic part and method of producing the same
DE102005007668A1 (de) 2004-03-15 2005-11-03 Emcore Corp. Verfahren zur Verarbeitung von Oxid-eingeschränkten VCSEL-Halbleitervorrichtungen
US20130330090A1 (en) * 2011-02-25 2013-12-12 Rohm Co., Ltd. Communication module and portable electronic device
US20130092850A1 (en) * 2011-10-12 2013-04-18 Sony Corporation Semiconductor laser device, photoelectric converter, and optical information processing unit
US20140269804A1 (en) * 2013-03-12 2014-09-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Package Structure and Methods of Forming Same

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
IEEE COMMUNICATIONS MAGAZINE, May 1997 (1997-05-01), pages 164 - 170

Also Published As

Publication number Publication date
DE112019005839A5 (de) 2021-09-30
DE102018129575A1 (de) 2020-05-28
CN113169512A (zh) 2021-07-23
US20220029386A1 (en) 2022-01-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP2047526B1 (de) Beleuchtungsanordnung
EP2532034B1 (de) Optoelektronisches bauelement und verfahren zum herstellen eines optoelektronischen bauelements
DE102013112549B4 (de) Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauelementen und optoelektronisches Halbleiterbauelement
DE102004025775A1 (de) Oberflächenemissionslasergehäuse, das ein integriertes optisches Element und einen integrierten Ausrichtungspfosten aufweist
WO2003019617A2 (de) Verfahren zur herstellung von elektronischen bauelementen
DE102018102961A9 (de) Bauteilanordnung, Package und Package-Anordnung sowie Verfahren zum Herstellen
WO2014019861A1 (de) Optoelektronisches halbleiterbauteil mit saphir-flip-chip
EP1914814A1 (de) Optoelektronisches Bauelement mit einer drahtlosen Kontaktierung
WO2020169524A1 (de) Optoelektronisches halbleiterbauteil und herstellungsverfahren für optoelektronische halbleiterbauteile
DE102014108368A1 (de) Oberflächenmontierbares Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
DE19935496C1 (de) Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung
DE19616969A1 (de) Optische Baugruppe zur Ankopplung eines Lichtwellenleiters und Verfahren zur Herstellung derselben
WO2019076890A1 (de) Licht emittierendes bauelement
WO2016202917A1 (de) Verfahren zum herstellen eines optoelektronischen bauelements und optoelektronisches bauelement
WO2018078025A1 (de) Laserbauelement und verfahren zum herstellen eines laserbauelements
WO2018220062A2 (de) Laserdiode und verfahren zum herstellen einer laserdiode
WO2014180772A1 (de) Lichtemittierendes halbleiterbauelement und verfahren zur herstellung von lichtemittierenden halbleiterbauelementen
EP1630913B1 (de) Verfahren zum Herstellen eines mit einem Kunststoffgehäuse versehenen optischen oder elektronischen Moduls das eine optische oder elektronische Komponente enthält, sowie optisches oder elektronisches Modul
WO2020104514A1 (de) Lichtemittereinheit mit wenigstens einem vcsel-chip
WO2004107511A2 (de) Verfahren zum herstellen eines laserdiodenbauelements, gehäuse für ein laserdiodenbauelement und laserdiodenbauelement
WO2017134244A1 (de) Verfahren zum herstellen einer optoelektronischen leuchtvorrichtung und optoelektronische leuchtvorrichtung
WO2021239872A1 (de) Optoelektronisches halbleiterbauelement und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterbauelements
WO2015078857A1 (de) Verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterbauteils sowie optoelektronisches halbleiterbauteil und optoelektronische anordnung
WO2020244964A1 (de) Halbleiterlaservorrichtung und optoelektronisches strahlumlenkelement für eine halbleiterlaservorrichtung
DE102008049069B4 (de) Optoelektronisches Modul mit einem Trägersubstrat, zumindest einem strahlungsemittierenden Halbleiterbauelement und mindestens einem elektrischen Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 19808745

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

REG Reference to national code

Ref country code: DE

Ref legal event code: R225

Ref document number: 112019005839

Country of ref document: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 19808745

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1