WO2020090482A1 - 周波数選択板設計装置 - Google Patents

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    • G06F2119/14—Force analysis or force optimisation, e.g. static or dynamic forces

Definitions

  • the present invention relates to a frequency selection plate design device that supports the design of a frequency selection plate in which unit cells of a resonator are arranged on a plane.
  • the frequency selection plate has frequency dependence in the transmission characteristics / reflection characteristics of incident electromagnetic waves by periodically arranging resonators (unit cells) formed of a conductor pattern having a size equal to or less than the wavelength. It is a thing.
  • the frequency selection plate has a resonant structure with various frequency characteristics.
  • those having a band-stop filter characteristic of reflecting only a specific frequency are mainly those having a resonance structure in a conductor portion, such as a ring type, a dipole array type, a trihole type, a patch type, and a Jerusalem cross type.
  • Non-patent document 1 those having a band-stop filter characteristic of reflecting only a specific frequency are mainly those having a resonance structure in a conductor portion, such as a ring type, a dipole array type, a trihole type, a patch type, and a Jerusalem cross type.
  • the frequency selection board has a large number of structural parameters to be considered, and the parameters may be contradictory to the increase and decrease of the inductance component and the capacitance component.
  • the characteristics change depending on how the unit cells are arranged, which is theoretically complicated (Non-Patent Document 2).
  • the present invention has been made in view of this problem, and an object of the present invention is to provide a frequency selection plate designing device capable of accurately estimating the frequency characteristics from the structural parameters of the frequency selection plate.
  • a frequency selection plate designing apparatus is a frequency selection plate designing apparatus for supporting the design of a frequency selection plate in which unit cells of a resonator are arranged on a plane, and a structure showing a structure of the unit cell.
  • An LC generation unit that generates an inductance and a capacitance of the unit cell by using a parameter as input, and a correction circuit that inputs the externally input calculation count, the inductance, and the capacitance, and divides the inductance by the calculation count.
  • a transmission line in which a virtual capacitance is connected in parallel to each of the distributed inductances is modeled by a circuit terminated by the capacitance, and the virtual capacitance matches the phase difference generated in the unit cell and the phase difference generated in the transmission line.
  • the correction resonance frequency is calculated from the impedance of the correction circuit.
  • a resonance frequency before correction is calculated from the inductance and the capacitance, and the correction resonance frequency is divided by the resonance frequency before correction.
  • the gist is to provide a characteristic calculation unit that obtains a correction coefficient by calculating the reflection loss and the insertion loss before the correction and calculates the reflection loss and the insertion loss after the correction by multiplying the correction loss and the insertion loss, respectively.
  • the frequency characteristic can be accurately estimated from the structural parameter of the frequency selection plate.
  • the ratio p / lambda of the period p and the incident wavelength lambda of the unit cell is a diagram showing the relationship between the ratio fa / f th resonance frequency f a and the theoretical value f th determined by the electromagnetic field analysis.
  • 5 is a flowchart showing a processing procedure of the frequency selection board design device shown in FIG. 4. It is a figure which shows the example of the modeled correction circuit.
  • the manner of calculating the S 21 of the resonant frequency f C of the corrected by multiplying a correction coefficient f C / f th to S 21 of the pre-correction resonant frequency f th is a diagram schematically illustrating. It is a block diagram showing an example of functional composition of a frequency selection board design device concerning a 2nd embodiment of the present invention. 13 is a flowchart showing a processing procedure of the frequency selection board design device shown in FIG. 12.
  • unit cells of a resonator formed of a conductor pattern having a size equal to or smaller than the wavelength are arranged at a constant period p.
  • the unit cell structure includes ring type, dipole array type, tri-hole type, patch type, and Jerusalem cross type.
  • FIG. 1 is a diagram schematically showing a plan view of a Jerusalem cross type unit cell.
  • the Jerusalem cross type unit cell 11 is one in which a cross-shaped conductive pattern is formed on the dielectric substrate 10.
  • the unit cells 11 are arranged on the dielectric substrate 10 at a constant period p.
  • the thickness of the conductive pattern is t.
  • a horizontal pattern 12 having a width w and a length l and a vertical pattern 13 having the same size form a cross
  • a width h and a length b are provided at the respective ends of the horizontal pattern 12 and the vertical pattern 13.
  • 4 has a shape in which four electrode patterns 4 are formed. The end portion of the electrode pattern 4 in the width h direction faces the electrode pattern 4 of the adjacent unit cells 11 of the same shape with a gap of the inter-electrode distance d.
  • Each of the horizontal pattern 12 and the vertical pattern 13 forms an inductance L.
  • each of the four electrode patterns 4 forms a capacitance C between the electrode patterns 4 of the adjacent unit cells 11.
  • the shape of the unit cell 11 includes the period p of the unit cell 11, the width w of the horizontal pattern 12 and the vertical pattern 13, the length l of the horizontal pattern 12 and the vertical pattern 13, the width h of the electrode pattern 4, and the electrode pattern 4.
  • the conductive pattern the thickness t of each conductive pattern, and the inter-electrode distance d.
  • each structural parameter should be as follows. Since the inductance L is determined by the period p, the value of l / p may be set to about 0.7 to 0.9, for example. In the approximation of the inductance L, t ⁇ w is assumed, so t ⁇ 0.1w is preferable. Further, it is preferable that w ⁇ h ⁇ 0.1 to 0.3p, d / p ⁇ 0.01, and w ⁇ h, h / p> 0.3.
  • FIG. 2 is a diagram showing the theoretical value f th of the resonance frequency calculated by the equation (3) and the resonance frequency obtained by the electromagnetic field analysis.
  • Resonant frequency is indicated by the frequency characteristics of the insertion loss S 21.
  • the solid line indicates the result of electromagnetic field analysis
  • the broken line indicates the theoretical value f th .
  • the parameter is the ratio p / ⁇ of the period p of the unit cell 11 and the incident wavelength ⁇ .
  • FIG. 3 is a diagram showing the relationship between the ratio p / ⁇ of the period p of the unit cell 11 and the incident wavelength ⁇ , and the ratio fa / f th of the resonance frequency f a and the theoretical value f th obtained by electromagnetic field analysis. ..
  • the resonance frequency f a obtained by the electromagnetic field analysis becomes about 70% of the theoretical value f th . That is, when the unit cell 11 is reduced, the deviation from the theoretical value f th increases.
  • the frequency selection board design device 100 aims to reduce this deviation.
  • FIG. 4 is a block diagram showing a functional configuration example of the frequency selection board designing device according to the first embodiment of the present invention.
  • the frequency selection plate design device 100 shown in FIG. 4 includes an LC generation unit 20, a corrected resonance point calculation unit 30, and a characteristic calculation unit 40.
  • the frequency selection board design device 100 is realized by, for example, a computer including a ROM, a RAM, a CPU, and the like.
  • a computer including a ROM, a RAM, a CPU, and the like.
  • the processing content of the function that each functional component should have is described by a program.
  • FIG. 5 is a flowchart showing a processing procedure of the frequency selection board design device 100. The operation will be described with reference to FIG.
  • the LC generation unit 20 receives as an input a structural parameter representing the structure of the unit cell 11 (step S1).
  • the structural parameters are the period p of the unit cell 11, the width w of the horizontal pattern 12 and the vertical pattern 13, the length l of the horizontal pattern 12 and the vertical pattern 13, the width h of the electrode pattern 4, and the length b of the electrode pattern 4.
  • Structural parameters are entered by the user.
  • Each structural parameter has a preferable range as described above.
  • the LC generation unit 20 generates the inductance L and the capacitor C based on the input structural parameters and the above equations (1) and (2) (step S2).
  • the generated inductance L and capacitor C are output to the corrected resonance point calculator 30 and the characteristic calculator 40.
  • the correction resonance point calculation unit 30 inputs the correction circuit to the number of calculations n input from the outside, the inductance L and the capacitance C generated by the LC generation unit 20 as inputs, and the distributed inductance L divided by the number of calculations n.
  • a transmission line in which a virtual capacitance C V is connected in parallel to each of / n is modeled by a circuit terminated with a capacitance C.
  • the modeled correction circuit is shown in FIG.
  • the virtual capacitor C V is connected in parallel to the distributed inductance L / n obtained by dividing the inductance L by n to form a transmission line, and the output of the transmission line is terminated by the capacitance C. Composed.
  • phase difference ⁇ 'generated in the correction circuit is determined by the following equation from the telegraph equation.
  • FIG. 7 is a plan view schematically showing a plane of a Jerusalem cross type unit cell. As shown in FIG. 7, the electrode pattern 4 of the unit cell 11 is coupled with the electrode pattern 4 of the unit cell adjacent vertically and horizontally by the capacitance C.
  • the unit cell 11 has the same vertical and horizontal cycle p, the same phase difference occurs in both the TM mode and the TE mode, and therefore the same can be applied. Since the number of divisions n represents the number of divisions of the correction circuit, if the number of divisions is increased, the amount of calculation increases, but the accuracy can be improved accordingly. In the above phase matching condition derivation, a sufficiently large number of divisions n is assumed.
  • the correction circuit can be represented by the transmission line shown in FIG.
  • the impedance Z ′ of the transmission line shown in FIG. 8 can be expressed by the following equation.
  • Zr is the impedance of the capacitance C.
  • FIG. 9 plots the resonance frequency obtained by electromagnetic field analysis of the unit cell 11 having the structural parameters shown in Table 1, and shows the correction coefficient of the equation (10) with a solid line.
  • the horizontal axis of FIG. 9 is the ratio p / ⁇ of the period p of the unit cell 11 to the resonance wavelength, and the vertical axis is the correction coefficient f C / f th .
  • the characteristic calculation unit 40 receives the inductance L and the capacitance C generated by the LC generation unit 20 and the corrected resonance frequency f C calculated by the corrected resonance point calculation unit 30 as input, and calculates the resonance frequency before correction from the inductance L and the capacitance C.
  • f th is calculated, the correction resonance frequency f C is divided by the pre-correction resonance frequency f th to obtain a correction coefficient, and the reflection loss and the insertion loss before correction are multiplied by the correction coefficient to obtain the reflection loss and the insertion loss after correction. Is calculated (step S4).
  • the frequency characteristics of S 11 and S 21 are calculated from the 4-terminal circuit of the impedance Z configured by the LC series resonance circuit including the inductance L and the capacitance C.
  • FIG. 10 is a diagram showing a 4-terminal circuit.
  • S 11 represents a reflection loss (return loss) of the terminal 1
  • S 21 represents an insertion loss (insertion loss) from the terminal 1 to the terminal 2.
  • Z 0 shown in FIG. 10 is a characteristic impedance in free space.
  • characteristic calculation unit 40 calculates the S 11 and S 21 of the resonant frequency f C of the corrected by multiplying a correction coefficient f C / f th the frequency axis of the S 11 and S 21 of the pre-correction resonant frequency f th To do. According to this method, the L / C value is kept constant and the contour of the curve is not changed.
  • Figure 11 is a diagram schematically showing how to calculate the S 21 of the resonant frequency f C of the corrected by multiplying a correction coefficient f C / f th to S 21 of the pre-correction resonant frequency f th.
  • the experimental result is shown by a solid line and the simulation result is shown by a broken line.
  • the frequency selection plate design device 100 is a frequency selection plate design device that supports the design of a frequency selection plate in which the unit cells 11 of the resonator are arranged on a plane.
  • the LC generation unit 20 that generates the inductance L and the capacitance C of the unit cell 11 by inputting the structural parameters representing the structure of the unit cell 11, and the number of calculations n, the inductance L, and the capacitance C that are input from the outside, and the correction circuit.
  • a characteristic calculation unit 40 that calculates the reflection loss S 11 and the insertion loss S 21 after correction is provided.
  • the frequency characteristics can be accurately estimated from the structural parameters of the frequency selection plate.
  • FIG. 12 is a block diagram showing a functional configuration example of a frequency selection board design device according to the second embodiment of the present invention.
  • the frequency selection plate design apparatus 200 shown in FIG. 12 is different from the frequency selection plate design apparatus 100 (FIG. 4) in that the structure parameter resetting unit 240 is provided.
  • FIG. 13 is a flowchart showing a processing procedure of the frequency selection board design device 200.
  • the processing procedure of the frequency selection board design device 200 is different in that the processing steps of step S5 and subsequent steps are added to the processing procedure of the frequency selection board design device 100.
  • the structural parameter resetting unit 250 calculates the difference between the corrected resonance frequency f C of the reflection loss S 11 and the insertion loss S 21 calculated by the characteristic calculation unit 40 and the desired resonance frequency f 0 input from the outside. Calculate (step S5).
  • the frequency selection board design device 200 ends the operation (NO in step S6). If the difference is larger than the predetermined amount, the structure parameter is reset so that the difference becomes smaller (step S7).
  • the resetting is performed by setting the width w of the horizontal pattern 12 and the vertical pattern 13, the length l of the horizontal pattern 12 and the vertical pattern 13, the width h of the electrode pattern 4, the length b of the electrode pattern 4, the thickness t of each conductive pattern, And one of the inter-electrode distances d is newly set.
  • the structural parameter that determines the capacitance C is reset.
  • the structural parameter that determines the inductance L is reset.
  • the changing method is to increase the length l of the horizontal pattern 12 and the vertical pattern 13 and decrease the inter-electrode distance d and increase the length b of the electrode pattern 4 to decrease the frequency. To increase the frequency, the opposite is done.
  • steps S3 to S7 are repeated until the difference becomes smaller than the predetermined amount.
  • an existing algorithm such as a genetic algorithm (GA) can be used.
  • the frequency selection plate design device 200 receives the corrected reflection loss and insertion loss calculated by the characteristic calculation unit 40, and the desired resonance frequency input from the outside, A structural parameter resetting unit 250 that finds the difference between the corrected resonant frequency f C and the desired resonant frequency f 0 and resets the structural parameter from the difference is provided. Repeat the setting of the structural parameters until it reaches the limit. Thereby, the accuracy of the frequency characteristics of the frequency selection plate can be improved.
  • the frequency selection plate designing apparatus 100, 200 can quantitatively estimate the frequency characteristics of the frequency selection plate.
  • the shape of the conductive pattern is described as an example of the Jerusalem cross type (FIG. 1), but the present invention is not limited to these examples.
  • the present invention can be applied if the inductance L and the capacitor C can be formulated by the structural parameters.
  • Terminal 10 Dielectric substrate 11: Unit cell 20: LC generation unit 30: Corrected resonance point calculation unit 40: Characteristic calculation unit 100, 200: Frequency selection plate design device 250: Structural parameter resetting unit

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Abstract

周波数選択板の構造パラメータからその周波数特性を精度良く推定する。構造パラメータを入力として単位セルのインダクタンスＬとキャパシタンスＣを生成するＬＣ生成部２０と、外部から入力される計算回数ｎ、インダクタンスＬ、及びキャパシタンスＣを入力として、補正回路を、インダクタンスＬを計算回数ｎで分割した分布インダクタンスのそれぞれに仮想キャパシタンスが並列に接続された伝送線路がキャパシタンスＣで終端される回路でモデル化し、補正回路のインピーダンスから補正共振周波数ｆＣを計算する補正共振点計算部３０と、インダクタンスＬ、キャパシタンスＣ、及び補正共振周波数ｆＣを入力とし、インダクタンスＬとキャパシタンスＣから補正前共振周波数を計算し、補正共振周波数ｆＣを補正前共振周波数で除して補正係数を求め、補正後の反射損失と挿入損失を計算する特性計算部４０とを備える。

Description

周波数選択板設計装置
　本発明は、共振器の単位セルを平面上に配列した周波数選択板の設計を支援する周波数選択板設計装置に関する。
　情報通信機器の小型化、高機能化が進み、無線ＬＡＮやＬＴＥ等の回線を使った無線通信サービスが急速に普及している。これに伴い、無線通信端末からの電波の送受信が広域かつ頻繁に行われるようになり、周囲の他の電子機器への影響が懸念されている。
　懸念される影響としては、無線環境の劣化、通信障害、及びセキュリティへの脅威などが考えられる。これらの影響を抑制する技術が求められている。
　電波環境及び電磁環境を制御する目的で周波数選択板（ＦＳＳ：Frequency Selective Surfaces）を用いることができる。周波数選択板は、波長と同程度以下の寸法の導体パターンで形成された共振器（単位セル）を周期的に配列することで、入射する電磁波の透過特性／反射特性に周波数依存性を持たせたものである。
　周波数選択板には、様々な周波数特性を持つ共振構造が存在する。例えば、特定の周波数のみを反射するバンドストップフィルタ特性を持つものは、導体部を共振構造としたものが主であり、リング型、ダイポールアレイ型、トライホール型、パッチ型、及びエルサレムクロス型などがある（非特許文献１）。
　周波数選択板は、考慮すべき構造パラメータの数が多く、パラメータがインダクタンス成分とキャパシタンス成分の増減に相反して関係する場合もある。また、単位セルの配列の仕方によってもその特性は変化し、理論として複雑である（非特許文献２）。
牧野　滋、「[チュートリアル講演]周波数選択板の基礎と応用」、信学技法、A・P 2015-5, Apl. 2015. BEN A. MUNK,"Frequency Selective Surfaces Theory and Design",2000.
　周波数選択板の構造パラメータから、既存の理論式に基づいてその周波数特性を推定することは可能である。しかし、実特性とのずれが大きく、それを改善する方法ない。つまり、周波数選択板の周波数特性を、その構造パラメータから物理原則に基づいて精度良く推定する方法がない。したがって、周波数選択板の設計は、コスト、労力を要するという課題がある。
　本発明は、この課題に鑑みてなされたものであり、周波数選択板の構造パラメータからその周波数特性を精度良く推定することができる周波数選択板設計装置を提供することを目的とする。
　本発明の一態様に係る周波数選択板設計装置は、共振器の単位セルを平面上に配列した周波数選択板の設計を支援する周波数選択板設計装置であって、前記単位セルの構造を表す構造パラメータを入力として該単位セルのインダクタンスとキャパシタンスを生成するＬＣ生成部と、外部から入力される計算回数、前記インダクタンス、及び前記キャパシタンスを入力として、補正回路を、前記インダクタンスを前記計算回数で分割した分布インダクタンスのそれぞれに仮想キャパシタンスが並列に接続された伝送線路が前記キャパシタンスで終端される回路でモデル化し、前記仮想キャパシタンスは前記単位セルで生じる位相差と前記伝送線路で生じる位相差を整合させるものである前記補正回路のインピーダンスから補正共振周波数を計算する補正共振点計算部と、前記インダクタンス、前記キャパシタンス、及び前記補正共振周波数を入力とし、前記インダクタンスと前記キャパシタンスから補正前共振周波数を計算し、前記補正共振周波数を前記補正前共振周波数で除して補正係数を求め、補正前の反射損失と挿入損失にそれぞれ前記補正係数を乗じて補正後の反射損失と挿入損失を計算する特性計算部とを備えることを要旨とする。
　本発明によれば、周波数選択板の構造パラメータからその周波数特性を精度良く推定することが出来る。
エルサレムクロス型の単位セルの平面図を模式的に示す図である。 共振周波数の理論値ｆｔｈと電磁界解析で求めた共振周波数を示す図である。 単位セルの周期ｐと入射波長λの比ｐ/λと、電磁界解析で求めた共振周波数ｆａと理論値ｆｔｈの比ｆａ/ｆｔｈとの関係を示す図である。 本発明の第１実施形態に係る周波数選択板設計装置の機能構成例を示すブロック図である。 図４に示す周波数選択板設計装置の処理手順を示すフローチャートである。 モデル化した補正回路の例を示す図である。 エルサレムクロス型の単位セルの平面を模式的に示す平面図である。 補正回路を伝送路で示す図である。 電磁界解析して求めた共振周波数と補正係数を示す図である。 ４端子回路を示す図である。 補正前共振周波数ｆｔｈのＳ２１に補正係数ｆＣ/ｆｔｈを乗じて補正後の共振周波数ｆＣのＳ２１を計算する様子を模式的に示す図である。 本発明の第２実施形態に係る周波数選択板設計装置の機能構成例を示すブロック図である。 図１２に示す周波数選択板設計装置の処理手順を示すフローチャートである。
　本発明の実施形態を説明する前に、本発明に係る共振器の単位セル、及びその構造パラメータついて図面を用いて説明する。
　（単位セル）
　周波数選択板は、波長と同程度以下の寸法の導体パターンで形成された共振器の単位セルが一定の周期ｐで配列される。単位セルの構造には、リング型、ダイポールアレイ型、トライホール型、パッチ型、及びエルサレムクロス型などがある。
　この中で、共振周波数の定式化が比較的に容易なモデルは、エルサレムクロス型である。図１は、エルサレムクロス型の単位セルの平面図を模式的に示す図である。
　図１に示すようにエルサレムクロス型の単位セル１１は、誘電体基板１０の上に十字状の導電パターンを形成したものである。単位セル１１は一定の周期ｐで誘電体基板１０の上に配置される。導電パターンの厚さはｔである。
　導電パターンの形状は、幅ｗ、長さｌの横パターン１２と、同寸法の縦パターン１３が十字を形成し、横パターン１２と縦パターン１３のそれぞれの端部には幅ｈ、長さｂの電極パターン４が4つ形成される形状である。電極パターン４の幅ｈ方向の端部は、隣接する同形状の単位セル１１の電極パターン４と電極間距離ｄの間隔を空けて対向する。
　横パターン１２と縦パターン１３のそれぞれはインダクタンスＬを形成する。また、4つの電極パターン４のそれぞれは、隣接する単位セル１１の電極パターン４との間でキャパシタンスＣを形成する。
　このように単位セル１１の形状は、単位セル１１の周期ｐ、横パターン１２と縦パターン１３の幅ｗ、横パターン１２と縦パターン１３の長さｌ、電極パターン４の幅ｈ、電極パターン４の長さｂ、各導電パターンの厚さｔ、及び電極間距離ｄによって特定される。
　以降、単位セル１１の形状を特定するこれらのパラメータを構造パラメータと称する。この構造パラメータによって、単位セル１１のインダクタンスＬとキャパシタンスＣは、次式で表せる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000001
  
　ここで周期ｐは、ｐ=ｌ+ｄ+2ｈで表せる。
　なお、構造パラメータのそれぞれの値は、次のようにすると良い。インダクタンスＬは、周期ｐによって決定されるので、l/pの値は例えば0.7～0.9程度にすると良い。またインダクタンスＬの近似では、ｔ≪ｗを仮定しているのでｔ＜0.1wとすると良い。また、ｗ≪ｈ≦0.1～0.3p程度、ｄ／ｐ≧0.01程度、ｗ≪ｈ，ｈ／ｐ＞0.3程度にすると良い。
　共振周波数の理論値ｆｔｈは次式で表せる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000002
  
　図２は、式（３）で計算した共振周波数の理論値ｆｔｈと、電磁界解析で求めた共振周波数を示す図である。共振周波数は、挿入損失Ｓ２１の周波数特性で示す。図２において、実線は電磁界解析の結果、破線は理論値ｆｔｈである。また、パラメータは、単位セル１１の周期ｐと入射波長λの比ｐ/λとした。
　図２に示すように、電磁界解析の結果と理論値ｆｔｈとの間に乖離が見られる。その乖離は、パラメータのｐ/λが大きくなるほど増加する。
　図３は、単位セル１１の周期ｐと入射波長λの比ｐ/λと、電磁界解析で求めた共振周波数ｆａと理論値ｆｔｈの比ｆａ/ｆｔｈとの関係を示す図である。図３に示すようにｐ/λ=0.1付近から、共振周波数の理論値ｆｔｈからの乖離が増え始め、単位セル１１の周期ｐが理論値ｆｔｈの波長の1/4倍（0.25）になると、電磁界解析で求めた共振周波数ｆａは理論値ｆｔｈの70%程度になる。つまり、単位セル１１を小さくすると理論値ｆｔｈとの乖離が大きくなる。
　本実施形態に係る周波数選択板設計装置１００は、この乖離を小さくすることを目的とする。
　以下、本発明の実施形態について図面を用いて説明する。複数の図面中同一のものには同じ参照符号を付し、説明は繰り返さない。
　〔第１実施形態〕
　図４は、本発明の第１実施形態に係る周波数選択板設計装置の機能構成例を示すブロック図である。図４に示す周波数選択板設計装置１００は、ＬＣ生成部２０、補正共振点計算部３０、及び特性計算部４０を備える。
　周波数選択板設計装置１００は、例えば、ＲＯＭ、ＲＡＭ、ＣＰＵ等からなるコンピュータで実現される。各機能構成部をコンピュータによって実現する場合、各機能構成部が有すべき機能の処理内容はプログラムによって記述される。
　図５は、周波数選択板設計装置１００の処理手順を示すフローチャートである。図５も参照してその動作を説明する。
　ＬＣ生成部２０は、単位セル１１の構造を表す構造パラメータを入力とする（ステップＳ１）。構造パラメータは、上記の単位セル１１の周期ｐ、横パターン１２と縦パターン１３の幅ｗ、横パターン１２と縦パターン１３の長さｌ、電極パターン４の幅ｈ、電極パターン４の長さｂ、各導電パターンの厚さｔ、及び電極間距離ｄである。構造パラメータは、利用者によって入力される。各構造パラメータには、上記のように好ましい範囲がある。
　次に、ＬＣ生成部２０は、入力された構造パラメータに基づいて、上記の式（１）と式（２）に基づいてインダクタンスＬとキャパシタＣを生成する（ステップＳ２）。生成されたインダクタンスＬとキャパシタＣは、補正共振点計算部３０と特性計算部４０に出力される。
　補正共振点計算部３０は、補正回路を、外部から入力される計算回数ｎ、ＬＣ生成部２０で生成されたインダクタンスＬとキャパシタンスＣを入力として、インダクタンスＬを計算回数ｎで分割した分布インダクタンスＬ/ｎのそれぞれに仮想キャパシタンスＣＶが並列に接続された伝送線路が、キャパシンタンスＣで終端される回路でモデル化する。モデル化した補正回路を図６に示す。
　図６に示すように、補正回路は、インダクタンスＬをｎ分割した分布インダクタンスＬ/ｎに仮想キャパシタＣＶが並列に接続されて伝送路化され、その伝送路の出力がキャパシタンスＣで終端されて構成される。
　補正回路で生じる位相差Δφ′は、電信方程式から次式によって定まる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000003
  
　ここで実際の位相差を、エルサレムクロス型の単位セルで考える。
　図７は、エルサレムクロス型の単位セルの平面を模式的に示す平面図である。図７に示すように、単位セル１１の電極パターン４は、縦横に隣接する単位セルの電極パターン４との間でキャパシタンスＣで結合する。
　図７において、単位セル１１の中心に対して片方の半分の面をｎ分割したときに発生する位相差は式（５）で表せる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000004
  
　なお、従来この位相差（式（５））は考慮されていなかった。そのために、単位セル１１を小さくすると理論値ｆｔｈとの乖離が大きくなる（図３）。
　したがって、補正回路で生じる単位位相差Δφ′と、実際の単位位相差Δφを等しくする（式（６））ようにすれば、適切な共振周波数を計算することが可能になる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000005
  
　式（６）から仮想キャパシタンスＣＶを求めると式（７）で表せる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000006
  
　自由空間の電磁波の分散関係ｋｃ０＝ωで伝搬する入射電磁波と結合することを踏まえると、次式（８）が得られる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000007
  
　ここでｃ０は真空中の光速である。つまり、周期ｐとインダクタンスＬと分割数ｎが決定すれば、実特性を模擬した適切な周波数設計が可能になる。例えば、周期ｐ＝10mm、ｎ＝50、Ｌ＝6.4×109Hとすると、仮想キャパシタンスＣＶ≒0.0036pfとなる。
　また、単位セル１１の縦横の周期ｐが同じ場合、ＴＭモード、ＴＥモードのどちらでも同じ位相差が発生するため同様に適用可能である。分割数ｎは、補正回路の分割数を表すため、大きくすると計算量は多くなるが、その分、精度を上げることができる。上記の位相整合条件導出には、十分に大きな数の分割数ｎを仮定している。
　補正回路におけるインピーダンスを考えたとき、分割数ｎが十分大きいと仮定し、ｋΔｘ＝ｋと見る。そうすると、補正回路は、図８に示す伝送路で表すことができる。図８に示す伝送線路のインピーダンスＺ′は次式で表せる。Ｚｒは、キャパシタンスＣのインピーダンスである。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000008
  
　共振条件Ｚ′＝0より、補正共振周波数ｆＣと、式（３）で計算した補正前共振周波数ｆｔｈとの関係は、単位セル１１の周期ｐと共振波長の比ｐ/λを用いて式（１０）で表せる。式（１０）は補正係数を意味する。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000009
  
　単位セル１１の構造パラメータを変化させて電磁界解析で求めた共振周波数と、式（１０）で求めた補正共振周波数ｆＣの比較を行った。表１に、電磁界解析を行った単位セル１１の構造パラメータを示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000010
  
　図９は、表１に示す構造パラメータの単位セル１１を電磁界解析して求めた共振周波数をプロットし、式（１０）の補正係数を実線で示す。図９の横軸は単位セル１１の周期ｐと共振波長の比ｐ/λ、縦軸は補正係数ｆＣ/ｆｔｈである。
　図９に示すように、理論曲線（式（１０））と、電磁界解析して求めた共振周波数は良く一致する。このように補正係数は、補正前共振周波数ｆｔｈと補正共振周波数ｆＣを良く一致させる。
　特性計算部４０は、ＬＣ生成部２０で生成されたインダクタンスＬとキャパシタンスＣ、及び補正共振点計算部３０で計算された補正共振周波数ｆＣを入力として、インダクタンスＬとキャパシタンスＣから補正前共振周波数ｆｔｈを計算し、補正共振周波数ｆＣを補正前共振周波数ｆｔｈで除して補正係数を求め、補正前の反射損失と挿入損失にそれぞれ補正係数を乗じて補正後の反射損失と挿入損失を計算する（ステップＳ４）。
　補正前共振周波数ｆｔｈは、インダクタンスＬとキャパシタンスＣからなるＬＣ直列共振回路で構成されるインピーダンスＺの４端子回路からＳ１１とＳ２１の周波数特性を算出する。図１０は、４端子回路を示す図である。
　Ｓ１１は端子１の反射損失（リターンロス）、Ｓ２１は端子１から端子２への挿入損失（インサーションロス）を表す。図１０に示すＺ０は、自由空間の特性インピーダンスである。
　次に、特性計算部４０は、補正前共振周波数ｆｔｈのＳ１１とＳ２１の周波数軸に補正係数ｆＣ/ｆｔｈを乗じて補正後の共振周波数ｆＣのＳ１１とＳ２１を計算する。この方法によれば、Ｌ/Ｃの値を一定に保ち曲線の外形を変化させない。
　図１１は、補正前共振周波数ｆｔｈのＳ２１に補正係数ｆＣ/ｆｔｈを乗じて補正後の共振周波数ｆＣのＳ２１を計算する様子を模式的に示す図である。実験結果を実線、シミュレーション結果を破線で示す。
　図１１に示すように、補正後の共振周波数は、実験結果の周波数（実線）に近づいていることが分かる。
　以上説明したように、本実施形態に係る周波数選択板設計装置１００は、共振器の単位セル１１を平面上に配列した周波数選択板の設計を支援する周波数選択板設計装置であって、単位セル１１の構造を表す構造パラメータを入力として該単位セル１１のインダクタンスＬとキャパシタンスＣを生成するＬＣ生成部２０と、外部から入力される計算回数ｎ、インダクタンスＬ、及びキャパシタンスＣを入力として、補正回路を、インダクタンスＬを計算回数ｎで分割した分布インダクタンスのそれぞれに仮想キャパシタンスＣＶが並列に接続された伝送線路がキャパシタンスＣで終端される回路でモデル化し、仮想キャパシタンスＣＶは単位セル１１で生じる位相差と伝送線路で生じる位相差を整合させるものである補正回路のインピーダンスから補正共振周波数ｆＣを計算する補正共振点計算部３０と、インダクタンスＬ、キャパシタンスＣ、及び補正共振周波数ｆＣを入力とし、インダクタンスＬとキャパシタンスＣから補正前共振周波数ｆｔｈを計算し、補正共振周波数ｆＣを補正前共振周波数ｆｔｈで除して補正係数ｆＣ/ｆｔｈを求め、補正前の反射損失Ｓ１１と挿入損失Ｓ２１にそれぞれ補正係数ｆＣ/ｆｔｈを乗じて補正後の反射損失Ｓ１１と挿入損失Ｓ２１を計算する特性計算部４０とを備える。
　これにより、周波数選択板の構造パラメータからその周波数特性を精度良く推定することが出来る。
　〔第２実施形態〕
　図１２は、本発明の第２実施形態に係る周波数選択板設計装置の機能構成例を示すブロック図である。図１２に示す周波数選択板設計装置２００は、構造パラメータ再設定部２４０を備える点で周波数選択板設計装置１００（図４）と異なる。
　図１３は、周波数選択板設計装置２００の処理手順を示すフローチャートである。周波数選択板設計装置２００の処理手順は、周波数選択板設計装置１００の処理手順に対してステップＳ５以降の手順が追加される点で異なる。
　構造パラメータ再設定部２５０は、特性計算部４０で計算された補正後の反射損失Ｓ１１及び挿入損失Ｓ２１の共振周波数ｆＣと、外部から入力される所望の共振周波数ｆ０との差分を計算する（ステップＳ５）。
　構造パラメータ再設定部２５０で計算された差分が、所定量よりも小さければ、周波数選択板設計装置２００は動作を終了する（ステップＳ６のＮＯ）。また、差分が所定量よりも大きければ差分が小さくなるように構造パラメータを再設定する（ステップＳ７）。
　再設定は、横パターン１２と縦パターン１３の幅ｗ、横パターン１２と縦パターン１３の長さｌ、電極パターン４の幅ｈ、電極パターン４の長さｂ、各導電パターンの厚さｔ、及び電極間距離ｄの何れかを新たに設定する。差分が大きい場合は、キャパシタンスＣを決める構造パラメータを再設定する。差分を微調整する場合は、インダクタンスＬを決める構造パラメータを再設定する。
　差分が大きい場合は、電極間距離ｄを変更する。また、差分が小さい場合は、横パターン１２と縦パターン１３の長さｌ又は電極パターン４の長さｂを変更する。
　変更方法は、周波数を低くする場合は、横パターン１２と縦パターン１３の長さｌを大きく、電極間距離ｄを小さく、電極パターン４の長さｂを大きくの何れか又はその全部を行う。周波数を高くする場合は、その逆を行う。
　構造パラメータが再設定された後は、差分が所定量よりも小さくなるまでステップＳ３～Ｓ７を繰り返す。この差分を最適化するアルゴリズムには、例えば遺伝アルゴリズム（ＧＡ）等の既存のアルゴリズムを用いることができる。
　以上述べたように、本実施形態に係る周波数選択板設計装置２００は、特性計算部４０で計算された補正後の反射損失と挿入損失、及び外部から入力される所望の共振周波数を入力とし、補正後の共振周波数ｆＣと所望の共振周波数ｆ０の差を求め、該差から構造パラメータを再設定する構造パラメータ再設定部２５０を備え、構造パラメータ再設定部２５０は、差が所定の大きさになるまで構造パラメータの再設定を繰り返す。これにより、周波数選択板の周波数特性の精度を高めることができる。
　以上説明したように本実施形態に係る周波数選択板設計装置１００，２００によれば、周波数選択板の周波数特性を定量的に推定することができる。なお、上記の実施形態の説明において、導電パターンの形状は、エルサレムクロス型（図１）の例で説明したが、本発明はこれらの例に限定されない。構造パラメータによってインダクタンスＬ及びキャパシタＣが定式化できれば、本発明を適用することができる。
　このように、本発明はここでは記載していない様々な実施形態等を含むことは勿論である。したがって、本発明の技術的範囲は上記の説明から妥当な特許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ定められるものである。
１、２：端子
１０：誘電体基板
１１：単位セル
２０：ＬＣ生成部
３０：補正共振点計算部
４０：特性計算部
１００、２００：周波数選択板設計装置
２５０：構造パラメータ再設定部

Claims (5)

  1. 　共振器の単位セルを平面上に配列した周波数選択板の設計を支援する周波数選択板設計装置であって、
    　前記単位セルの構造を表す構造パラメータを入力として該単位セルのインダクタンスとキャパシタンスを生成するＬＣ生成部と、
    　外部から入力される計算回数、前記インダクタンス、及び前記キャパシタンスを入力として、補正回路を、前記インダクタンスを前記計算回数で分割した分布インダクタンスのそれぞれに仮想キャパシタンスが並列に接続された伝送線路が前記キャパシタンスで終端される回路でモデル化し、前記仮想キャパシタンスは前記単位セルで生じる位相差と前記伝送線路で生じる位相差を整合させるものである前記補正回路のインピーダンスから補正共振周波数を計算する補正共振点計算部と、
    　前記インダクタンス、前記キャパシタンス、及び前記補正共振周波数を入力とし、前記インダクタンスと前記キャパシタンスから補正前共振周波数を計算し、前記補正共振周波数を前記補正前共振周波数で除して補正係数を求め、補正前の反射損失と挿入損失にそれぞれ前記補正係数を乗じて補正後の反射損失と挿入損失を計算する特性計算部と
    　を備えることを特徴とする周波数選択板設計装置。
  2. 　前記単位セルは、
    　誘電体基板の上に十字状の導電パターンを形成したものであって、十字を形成する横パターンと縦パターンは、それぞれの方向に所定の長さ延長され、その所定の長さ延長された先は直交する誘電体基板上の両方向に、前記横パターン及び前記縦パターンの幅よりも太い幅の導電パターンが所定の長さ延長された導電パターンを備え、
    　前記構造パラメータは、当該導電パターンの形状を特定するものである
    　ことを特徴とする請求項１に記載の周波数選択板設計装置。
  3. 　前記分布インダクタンスは、前記インダクタンスを前記計算回数のｎで等分割した値であり、
    　前記仮想キャパシタンスは、前記単位セルの中心に対して片方の半分の表面を前記ｎで分割した場合に発生する位相差と、前記伝送線路の単位位相差とを等しくする位相整合条件から求めた値であり、
    　前記補正共振周波数は、計算された複数の共振周波数の中で最も低い共振周波数である
    　ことを特徴とする請求項１又は２に記載の周波数選択板設計装置。
  4. 　前記補正前共振周波数は、
    　前記インダクタンスと前記キャパシタンスを直列に接続させたＬＣ直列共振回路の共振周波数である
    　ことを特徴とする請求項１乃至３の何れかに記載の周波数選択板設計装置。
  5. 　前記特性計算部で計算された補正後の反射損失と挿入損失、及び外部から入力される所望の共振周波数を入力とし、補正後の共振周波数と前記所望の共振周波数の差を求め、該差から前記構造パラメータを再設定する構造パラメータ再設定部を
    　備え、
    　前記構造パラメータ再設定部は、
    　前記差が所定の大きさになるまで前記構造パラメータの再設定を繰り返す
    　ことを特徴とする請求項１乃至４の何れかに記載の周波数選択板設計装置。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102363140B1 (ko) * 2020-05-13 2022-02-15 한국표준과학연구원 주파수 선택 표면 필터 설계 방법과 컴퓨터 프로그램을 저장하는 저장 매체
KR102754714B1 (ko) * 2023-07-13 2025-01-21 한국표준과학연구원 다중공진 필터 설계 방법과 컴퓨터 프로그램을 저장하는 저장 매체

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080062059A1 (en) * 2006-07-07 2008-03-13 Angelo Freni Antenna, method of manufacturing an antenna and apparatus for manufacturing an antenna
JP2014155102A (ja) * 2013-02-12 2014-08-25 Yokohama Rubber Co Ltd:The 曲面への周波数選択素子の配列決定方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8207907B2 (en) * 2006-02-16 2012-06-26 The Invention Science Fund I Llc Variable metamaterial apparatus
KR101086743B1 (ko) * 2006-08-25 2011-11-25 레이스팬 코포레이션 메타물질 구조물에 기초된 안테나
JP6052388B2 (ja) * 2013-02-22 2016-12-27 株式会社村田製作所 センサタグ、センサタグの製造方法
US10014570B2 (en) * 2013-05-13 2018-07-03 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Single transducer for data and power in wirelessly powered devices
FR3023401B1 (fr) * 2014-07-07 2017-10-13 Commissariat Energie Atomique Accord en frequence d'une etiquette electronique
TR201412400A1 (tr) * 2014-10-22 2016-05-23 Aselsan Elektronik Sanayi Ve Ticaret As Geniş bantlı ve çok katmanlı radar soğurucular için hızlı ve doğru tasarım yöntemi.
KR102127364B1 (ko) * 2019-07-19 2020-06-26 재단법인 파동에너지 극한제어 연구단 스텔스 구조체의 설계방법 및 이에 의해 설계되는 스텔스 구조체
CN112733397B (zh) * 2020-12-28 2023-03-24 桂林电子科技大学 针对三种方形螺旋结构电磁超材料单元的设计方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080062059A1 (en) * 2006-07-07 2008-03-13 Angelo Freni Antenna, method of manufacturing an antenna and apparatus for manufacturing an antenna
JP2014155102A (ja) * 2013-02-12 2014-08-25 Yokohama Rubber Co Ltd:The 曲面への周波数選択素子の配列決定方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
CHEN ET AL.: "Fast Design of Jerusalem-Cross Parameters by Equivalent circuit Model and Least-Square Curve Fitting Technique", ACES JOURNAL, vol. 30, no. 7, July 2015 (2015-07-01), pages 717 - 730, XP055702882 *

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