WO2020071716A1 - 시편 검사 장치 및 시편 검사 방법 - Google Patents

시편 검사 장치 및 시편 검사 방법

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WO2020071716A1
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    • G01N21/95684—Patterns showing highly reflecting parts, e.g. metallic elements

Definitions

  • the embodiment relates to a specimen inspection apparatus using terahertz waves.
  • An embodiment relates to a method for inspecting a specimen using terahertz waves.
  • the terahertz wave has excellent permeability to non-conductive materials other than metal, and has the property of being harmless to the human body with energy lower than that of X-ray. According to the above characteristics of terahertz waves, terahertz waves are applicable to non-destructive inspection technology.
  • the embodiment provides a specimen inspection apparatus and a specimen inspection method using terahertz waves.
  • the embodiment provides a specimen inspection apparatus and a specimen inspection method for detecting whether a specimen is defective using a terahertz wave.
  • An embodiment provides a specimen inspection apparatus and a specimen inspection method to form a plurality of irradiation regions on a specimen by converting a path of a terahertz wave, and to determine whether the specimen is defective by receiving a terahertz wave reflected from the region do.
  • the specimen inspection apparatus may be configured of an emission unit, a reflection unit, a focus adjustment unit, a reception unit, and a control unit.
  • the specimen inspection device includes an emitter for irradiating terahertz waves; A reflector converting a path of the terahertz wave irradiated from the emitting unit; Focus adjustment unit to form a first region on the specimen along the path of the terahertz wave-The distance between the reflection unit and the focus adjustment unit is spaced apart by a first distance, and the first area is a second area and a third area And, the second region and the third region are spaced apart by a second distance; A receiver configured to receive the terahertz waves reflected from the specimen by the terahertz waves irradiated to the first region; And a control unit controlling at least one of the first distance and the second distance, and detecting whether the specimen is defective according to a difference in reflectivity of the terahertz wave, wherein the first distance is
  • the specimen inspection method comprises the steps of irradiating a terahertz wave at the emission unit; Converting a path of the terahertz wave irradiated from the emitting part through a reflecting part; The terahertz wave forming a first region in a specimen through a focus adjustment unit.
  • the distance between the reflection unit and the focus adjustment unit is spaced apart by a first distance, and the first area is divided into a second area and a third area.
  • the second area and the third area are spaced apart by a second distance; Receiving through the receiver a terahertz wave reflected from the specimen by the terahertz wave irradiated to the first region; And a control unit controlling at least one of the first distance and the second distance, and detecting whether the specimen is defective according to a difference in reflectance of the terahertz wave, and wherein the first distance is 57 mm to In the case of 61 mm, the second region may have a diameter of 64 mm to 67 mm, and the third region may have an appropriate diameter-the appropriate diameter means a diameter capable of detecting whether the specimen is defective.
  • the solving means of the subject matter of the present invention is not limited to the above-described solving means, and the solving means not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the present specification and the accompanying drawings. Will be able to.
  • the specimen inspection apparatus and the specimen inspection method according to the embodiment may irradiate a terahertz wave to the specimen and detect whether the specimen is defective through the terahertz wave reflected from the specimen, thereby forming a defect on the specimen It has the effect of detecting the area.
  • the specimen inspection apparatus and the specimen inspection method according to the embodiment may convert a path of a terahertz wave through a reflector, and the terahertz wave having a path converted may form a plurality of regions in the specimen, and the region may be the It may have an appropriate diameter with a resolution capable of detecting whether the specimen is defective, and through this, it is possible to detect whether the specimen is defective with high resolution for the specimen.
  • the specimen inspection apparatus and the specimen inspection method may convert a path of a terahertz wave through a reflector, and the terahertz wave having a path converted may form a focus on the same plane in the specimen through a focus adjustment unit
  • the terahertz wave may form a plurality of regions on the same plane of the specimen, and the regions may be titrated based on at least one of a distance between the reflector and the focus adjustment unit and a distance between the plurality of regions. Since the diameter can be determined, there is an effect capable of detecting whether the specimen is defective with high resolution through a plurality of regions having an appropriate diameter according to the size of the specimen.
  • FIG. 1 is a view showing a specimen inspection system and a specimen inspection device according to an embodiment.
  • FIG. 2 is a block diagram showing a control unit for controlling a specimen inspection apparatus according to an embodiment.
  • FIG. 3 is a diagram illustrating a path in which terahertz waves emitted from an emission unit of a specimen inspection apparatus according to an embodiment are converted by a reflection unit.
  • FIG. 4 is a diagram illustrating that a terahertz wave whose path is converted by a reflector of a specimen inspection apparatus according to an embodiment forms focus on the same plane of a specimen by a focus adjustment unit.
  • FIG. 5 is a view showing a plurality of regions formed on a specimen by irradiating terahertz waves in a specimen inspection apparatus according to an embodiment.
  • 6 to 9 are views showing experimental values of sizes of a plurality of regions formed on the specimen in the specimen inspection apparatus according to an embodiment.
  • FIG. 10 is a flowchart illustrating a method for inspecting a specimen according to an embodiment.
  • 11 and 12 are views illustrating a method of detecting whether a transparent electrode is defective by a specimen inspection apparatus according to an embodiment.
  • FIG. 13 and 14 are diagrams illustrating a method of detecting whether a transparent electrode is defective by a specimen inspection apparatus according to an embodiment.
  • the emission unit for irradiating terahertz waves comprising: A reflector converting a path of the terahertz wave irradiated from the emitting unit; Focus adjustment unit to form a first region on the specimen along the path of the terahertz wave-The distance between the reflection unit and the focus adjustment unit is spaced apart by a first distance, and the first area is a second area and a third area And, the second region and the third region are spaced apart by a second distance;
  • a receiver configured to receive the terahertz waves reflected from the specimen by the terahertz waves irradiated to the first region; And a control unit controlling at least one of the first distance and the second distance, and detecting whether the specimen is defective according to a difference in reflectivity of the terahertz wave, and wherein the first distance is 57 mm to 61 mm
  • the second region may have a diameter of 64 mm to 67 mm
  • the third region may be provided with a specimen inspection
  • the appropriate diameter may be provided with a specimen inspection device having a deviation within 0.2% to 2% based on the minimum value.
  • a specimen inspection device having a suitable diameter of 67.5 mm to 68.5 mm in the third region may be provided.
  • a specimen inspection device having a suitable diameter of 67.5 mm to 68.5 or 75.4 mm to 75.8 mm in the third region may be provided.
  • the appropriate diameter of the third region may be provided with a specimen inspection device of 67.5 mm to 68.5 or 75.4 mm to 75.8 mm or 87 mm to 87.6 mm.
  • a specimen inspection device having a suitable diameter of 68 mm to 103 mm in the third region may be provided.
  • a specimen inspection device having a suitable diameter of 102.5 mm to 102.8 mm in the third region may be provided.
  • the terahertz wave light source may be provided with a continuous or pulsed specimen inspection device.
  • the wavelength of the terahertz wave 3mm to 30um may be provided with a specimen inspection device.
  • the second distance may be provided with a specimen inspection device that is determined based on the angle at which the reflector is rotated by the controller.
  • the specimen is an electronic device or a transparent electrode
  • the electronic device or transparent electrode may be provided with a specimen inspection device coated with a metal material on any one of a transparent polymer substrate, glass, and quartz.
  • the metal material may be provided with a specimen inspection device that is at least one of indium tin oxide, indium zinc oxide, fluorine-doped tin oxide, and metal nanowires.
  • the step of irradiating a terahertz wave in the emission unit Converting a path of the terahertz wave irradiated from the emitting part through a reflecting part;
  • the terahertz wave forming a first region in a specimen through a focus adjustment unit.
  • the distance between the reflection unit and the focus adjustment unit is spaced apart by a first distance, and the first area is divided into a second area and a third area.
  • the second area and the third area are spaced apart by a second distance; Receiving through the receiver a terahertz wave reflected from the specimen by the terahertz wave irradiated to the first region; And a control unit controlling at least one of the first distance and the second distance, and detecting whether the specimen is defective according to a difference in reflectivity of the terahertz wave, wherein the first distance is 57 mm to 61 mm.
  • the second region has a diameter of 64mm to 67mm
  • the third region is provided with a specimen inspection method each having an appropriate diameter-the appropriate diameter means a diameter capable of detecting whether the specimen is defective- Can be.
  • FIG. 1 is a view showing a specimen inspection system 1 and a specimen inspection device 10 according to an embodiment.
  • the specimen inspection system 1 may include a specimen inspection device 10 and a specimen 700.
  • the specimen inspection system 1 may inspect the specimen 700 through the specimen inspection device 10.
  • the specimen inspection system 1 may inspect whether the specimen 700 is defective through the specimen inspection device 10.
  • the specimen inspection system 1 may detect a defective area included in the specimen 700 through the specimen inspection device 10.
  • the specimen inspection device 1 may include a control unit 100, an emission unit 200, a reflection unit 300, a focus adjustment unit 400, a beam splitter 500, and a reception unit 600.
  • the control unit 100 may control the specimen inspection device 1.
  • the control unit 100 may control at least one of the emission unit 200, the reflection unit 300, the focus adjustment unit 400, the beam splitter 500, and the reception unit 600.
  • the control unit 100 may control the rotation angle of the reflection unit 300.
  • the control unit 100 may control the distance between the reflection unit 300 and the focus adjustment unit 400.
  • the control unit 100 is one of electronic components capable of processing input data according to a central processing unit (CPU), random access memory (RAM), graphic processing unit (GPU), one or more microprocessors, and other predetermined logic. It may include the above.
  • control unit 100 deploys a specimen inspection process that can be performed from a specimen inspection device to be described later on a RAM, and according to the deployed program, the emission unit 200, the reflection unit 300, the Various processes such as controlling at least one of the focus adjustment unit 400, the beam splitter 500, and the reception unit 600 may be performed.
  • the specimen inspection device 1 may be located spaced apart from the specimen 700.
  • the specimen inspection device 1 may be spaced apart in a direction corresponding to the specimen 700.
  • the specimen inspection device 1 may be positioned to be spaced apart so that the focus adjustment unit 400 and the specimen 700 correspond.
  • the discharge unit 200 may be located spaced apart from the specimen 700.
  • the discharge unit 200 may be positioned spaced apart in a vertical direction with respect to the specimen 700.
  • the reflector 300 may be positioned to be spaced apart from the specimen 700.
  • the reflector 300 may be positioned spaced apart from a direction corresponding to the specimen 700.
  • the reflection part 300 may be located between the emission part 200 and the specimen 700.
  • the emission part 200 and the specimen 700 based on the reflection part 300 may be positioned in a vertical relationship.
  • the reflector 300 may be located on a path through which the terahertz wave 210 emitted from the emission unit 200 is irradiated to the specimen 700.
  • the focus adjustment unit 400 may be positioned spaced apart from the specimen 700.
  • the focus adjustment unit 400 may be spaced apart in a direction corresponding to the specimen 700.
  • the focus adjustment unit 400 may be located on a path through which the terahertz wave 210 emitted from the emission unit 200 is irradiated to the specimen 700.
  • the focus adjustment part 400 may be located between the reflection part 300 and the specimen 700.
  • the focus adjustment unit 400 may be positioned to be spaced apart from the reflection unit 300 by a first distance d1.
  • the first distance d1 may be changed according to the size of the specimen.
  • the first distance d1 may be changed such that a plurality of irradiation regions formed on the specimen 700 have an appropriate diameter.
  • the beam splitter 500 may be positioned spaced apart from the specimen 700.
  • the beam splitter 500 may be located between the emission part 200 and the specimen 700.
  • the beam splitter 500 may be located on the path of the terahertz wave 210 emitted from the emission unit 200 to the specimen 700.
  • the beam splitter 500 may be located on the path of the terahertz wave 210 emitted from the emission unit 200 to the reflection unit 300.
  • the receiver 600 may be located spaced apart from the beam splitter 500.
  • the receiver 600 may be located on a path where the reflected terahertz wave 220 reflected from the specimen 700 is reflected through the beam splitter 500.
  • the specimen 700 may be located on a tray.
  • the specimen 700 may be located on a tray in a direction corresponding to the specimen inspection device 1.
  • the specimen 700 may be moved to a position corresponding to the specimen inspection device 1.
  • the emission unit 200 the reflection unit 300, the focus adjustment unit 400, the beam splitter 500, and the reception unit 600 will be described.
  • the emission unit 200 may emit terahertz waves.
  • the terahertz wave 210 emitted from the emission unit 200 may include a plurality of waves spaced apart at predetermined intervals.
  • the wavelength of the terahertz wave 210 emitted from the emission unit 200 may be 3 mm to 30 um.
  • the terahertz wave 210 may be continuous or pulsed.
  • the terahertz wave 210 may have one or more light sources.
  • the frequency of the terahertz wave 210 may be 0.1 THz to 10 THz.
  • the emission unit 200 emits terahertz waves within the frequency range, and may have a stronger transmittance than visible light or infrared light.
  • the terahertz wave 210 emitted from the emission unit 200 can be used even in the presence of external light, so it is possible to detect whether the specimen 700 is defective without a separate process of blocking external light. .
  • the reflector 300 may reflect the terahertz wave 210 emitted from the emitter 200.
  • the reflector 300 may reflect the terahertz wave 210 emitted from the emitter 200 so as to be irradiated to the focus adjuster 400.
  • the reflector 300 may rotate at a predetermined angle.
  • the reflector 300 may rotate at a predetermined angle to convert the path of the terahertz wave 210 emitted from the emitter 200.
  • the reflector 300 may convert the path of the terahertz wave 210 emitted from the emitting unit 200 so that the terahertz wave 210 is irradiated to different positions of the focus adjusting unit 400. have.
  • the reflective part 300 may be a plurality. When a plurality of the reflecting parts 300 are provided, the reflecting parts 300 may be spaced apart in directions corresponding to each other.
  • the plurality of reflectors 300 may be positioned on a path through which the terahertz wave 210 emitted from the emission unit 200 is irradiated to the specimen 700.
  • the reflector 300 may be a galvano mirror. At least one of the plurality of reflectors 300 may be a galvano mirror.
  • the reflection part 300 may convert a path of the terahertz wave 210 emitted from the emission part 200 to form a plurality of irradiation areas on the specimen 700.
  • the reflector 300 converts a path of the terahertz wave 210 emitted from the emission unit 200, and thus includes a plurality of irradiation areas having a predetermined resolution for the inspection area included in the specimen 700. It can be formed, thereby improving the accuracy of detecting whether the specimen 700 is defective.
  • the focus adjustment unit 400 may pass through the terahertz wave 210 reflected by the reflection unit 300.
  • the focus adjustment unit 400 may pass a terahertz wave 210 through which the path is converted and incident by the reflection unit 300.
  • the focus adjustment unit 400 may reflect or refract at least a portion of the terahertz wave 210 reflected by the reflection unit 300.
  • the focus adjustment unit 400 may cause the terahertz wave 210 reflected from the reflection unit 300 to be irradiated to the specimen 700.
  • the focus adjustment unit 400 may adjust the terahertz wave 210 whose path is converted by the reflection unit 300 to be irradiated perpendicularly to the specimen 700.
  • the focus adjustment unit 400 may adjust the focus of at least a portion of the terahertz wave 210 reflected by the reflection unit 300.
  • the focus adjustment unit 400 may adjust the focus of at least a portion of the terahertz wave 210 whose path is converted by the reflection unit 300.
  • the focus adjustment unit 400 may adjust the focus of at least a portion of the terahertz wave 210 whose path is converted by the reflection unit 300 to correspond to the specimen 700.
  • the focus adjustment unit 400 may adjust the focus of the terahertz wave 210 whose path is converted by the reflector 300 to be located on the same plane of the specimen 700.
  • the focus adjustment unit 400 may cause the terahertz wave 210 to be irradiated in the vertical direction to the specimen 700 regardless of the path of the terahertz wave 210 reflected by the reflector 300. .
  • the focus adjustment unit 400 may include a plurality of lenses.
  • the focus control unit 400 may be a telecentric-f-theta lens.
  • the focus adjustment unit 400 may include a plurality of lenses spaced apart at a predetermined distance.
  • the focus adjustment unit 400 may include four lenses, which are the same or different, spaced apart at a predetermined distance.
  • the focus adjustment unit 400 may be composed of two or more spherical lenses or one aspherical lens.
  • the beam splitter 500 may reflect or transmit a portion of the incident light.
  • the beam splitter 500 may transmit a portion of light emitted from the emission unit 200, the transmitted light is reflected by the specimen 700, and a portion of the reflected light is transmitted to the beam splitter 500 It can be reflected by the receiver 600.
  • the beam splitter 500 may allow the emitting part 200 and the receiving part 600 to be positioned on the specimen 700.
  • the receiver 600 may receive the reflected terahertz wave 220 from which the terahertz wave 210 emitted from the emitting unit 200 is reflected by the specimen 700.
  • the reflected terahertz wave 220 reflected from the defective area included in the specimen 700 may be received by the receiver 600.
  • the terahertz wave 210 emitted from the emission unit 200 may be irradiated toward the specimen 700.
  • the terahertz wave 210 emitted from the emission unit 200 may be irradiated with the beam splitter 500. At least a portion of the light irradiated from the emission unit 200 may pass through the beam splitter 500.
  • Light transmitted through the beam splitter 500 from the emission unit 200 may be irradiated to the reflection unit 300. At least a portion of the light transmitted through the beam splitter 500 from the emission unit 200 may be reflected by the reflection unit 300. At least a portion of the light transmitted from the emission unit 200 through the beam splitter 500 may be reflected by a path converted by the reflection unit 300.
  • At least a portion of the light reflected by the reflection unit 300 may be irradiated to the focus adjustment unit 400. At least a portion of the light reflected by the reflector 300 may pass through the focus adjustment unit 400. A path is converted by the reflector 300 and at least a portion of the reflected light may pass through the focus adjuster 400. At least a portion of the light reflected by the reflection unit 300 may be irradiated to the specimen 700 by adjusting the focus by the focus adjustment unit 400. At least a portion of the light that is adjusted and focused by the focus adjustment unit 400 may be irradiated on the same plane of the specimen 700.
  • At least a portion of light irradiated by adjusting the focus by the focus adjustment unit 400 may be irradiated perpendicularly to the specimen 700. At least a portion of the light irradiated to the specimen 700 may be reflected from the specimen 700. At least a portion of the light irradiated to the specimen 700 may be reflected from the surface of the specimen 700. At least a portion of the light reflected from the specimen 700 may pass through the focus adjustment unit 400. At least a portion of light passing through the focus adjustment unit 400 may be reflected by the reflection unit 300.
  • the path through which the light passing through the focus adjustment unit 400 is irradiated to the reflection unit 300 may be identical to the path through which the light reflected from the reflection unit 300 is irradiated to the focus adjustment unit 400.
  • the light reflected from the reflector 300 may be irradiated to the receiver 600 by the beam splitter 500.
  • the receiver 600 may receive at least a portion of light reflected from the specimen 700.
  • the specimen 700 may be one or a plurality of specimens 700.
  • the specimen 700 may be a transparent electrode or an electronic device.
  • the specimen 700 may be coated with a metallic material on the surface.
  • the metal material is Indium Tin Oxide (ITO), Indium Zinc Oxide (IZO), Fluorine-doped Tin Oxide, Metal (Silver, Copper, Nickel, etc.) nanowires, etc. It may include.
  • the specimen 700 may be a transparent electrode or an electronic device coated with a transparent polymer substrate, glass, or quartz with the metal material.
  • control unit 100 may include a driving unit 110, a reception control unit 130, a detection unit 150, a data storage unit 170, and a data output unit 190.
  • the control unit 100 is one of electronic components capable of processing input data according to a central processing unit (CPU), random access memory (RAM), graphic processing unit (GPU), one or more microprocessors, and other predetermined logic. It may include the above.
  • control unit 100 controls at least one of the driving unit 110, the reception control unit 130, the detection unit 150, the data storage unit 170, and the data output unit 190 By performing various treatments such as, it is possible to deploy a specimen inspection process or the like that can be performed from the specimen inspection device 10 on the RAM.
  • control unit 100 Referring to FIGS. 1 and 2, the control unit 100 will be described.
  • the driving unit 110 may drive the specimen inspection system 1.
  • the driving unit 110 may drive the specimen inspection device 10.
  • the driving unit 110 may include a first driving unit 111, a second driving unit 113, and a third driving unit 115.
  • the first driving unit 111 may control the emitting unit 200 to emit terahertz waves.
  • the first driving unit 111 may allow the emission unit 200 to emit the terahertz wave 210 when the terahertz wave 210 emitted from the emission unit 200 corresponds to the specimen 700. Can be controlled.
  • the second driving unit 113 may control the angle at which the reflection unit 300 is rotated.
  • the second driving unit 113 may control the angle at which the reflector 300 is rotated according to the size of the specimen 700.
  • the second driving unit 113 may control the reflection unit 300 to rotate at a predetermined angle.
  • the second driving unit 113 may control the reflection unit 300 to rotate at an angle with a predetermined interval.
  • the second driving unit 113 may control the reflection unit 300 to rotate at a continuous angle.
  • the second driving unit 113 may control the reflector 300 to be rotated based on a direction in which the reflector 300 and the specimen are corresponding.
  • the second driving unit 113 may control the reflector 300 to be rotated based on a direction in which the reflector 300 and the specimen correspond, thereby forming a plurality of irradiation regions on the specimen 700. have.
  • the reflector 300 is rotated based on a direction in which the reflector 300 and the specimen correspond, so that a plurality of irradiation regions are formed at different positions on the specimen 700 It can be controlled as much as possible.
  • the second driving unit 113 may control the reflector 300 to rotate within a range of 1 to 20 degrees based on a direction in which the reflector 300 and the specimen correspond.
  • the second driving unit 113 may control the reflector 300 to rotate preferably 1 to 4 and 20 degrees based on the direction in which the reflector 300 and the specimen correspond.
  • the third driving unit 115 may control the distance between the reflection unit 300 and the focus adjustment unit 400.
  • the third driving unit 115 may control a first distance d1 that is a distance between the reflection unit 300 and the focus adjustment unit 400 according to the size of the specimen 700.
  • the third driving unit 115 may control the first distance d1 according to the size of a plurality of irradiation areas formed on the specimen 700.
  • the third driving unit 115 may control the first distance d1 to adjust the size of a plurality of irradiation areas formed on the specimen 700.
  • the third driving unit 115 may control the first distance d1 from 57 mm to 61 mm.
  • the reception control unit 130 may control the reception unit 600 to receive terahertz waves emitted from the emission unit 200.
  • the reception control unit 130 may control the reception unit 600 to receive the terahertz wave 210 emitted from the emission unit 200 and the reflected terahertz wave 220 reflected from the specimen 700. have.
  • the reception control unit 130 controls the reception unit 600 to receive the reflected terahertz wave 220 reflected from the surface of the specimen 700 between the terahertz waves 210 emitted from the emission unit 200. can do.
  • the reception control unit 130 may detect the intensity of the terahertz wave based on the terahertz wave received by the reception unit 600.
  • the reception control unit 130 may detect a change in intensity of the terahertz wave based on the terahertz wave received by the reception unit 600.
  • the reception control unit 130 may detect a change in the intensity of the terahertz waves for each region of the specimen based on the terahertz waves received by the reception unit 600.
  • the reception control unit 130 may detect a coordinate of an area in which the intensity change of the terahertz wave appears in the area of the specimen.
  • the data storage unit 170 may store data on the intensity of the terahertz wave.
  • the data storage unit 170 may store data on changes in the intensity of the terahertz wave.
  • the data storage unit 170 may store data on changes in the intensity of the terahertz wave for each region of the specimen.
  • the data storage unit 170 may store data on coordinates of a region in which the intensity of the terahertz wave has appeared in the region of the specimen.
  • the data output unit 190 may output data stored in the data storage unit 170.
  • the data output unit 190 may output data on whether the specimen stored in the data storage unit 170 is defective.
  • the data output unit 190 may output data on coordinates of a defective area of the specimen stored in the data storage unit 170.
  • FIG. 3 is a diagram illustrating a path in which the terahertz wave 210 emitted from the emission unit 200 of the specimen inspection apparatus 10 according to an embodiment is converted by the reflection unit 300.
  • the reflection part 300 of the specimen inspection apparatus 10 converts a path of the terahertz wave 210 emitted from the emission part 200, and according to the converted path It will be described that the terahertz wave 210 forms a plurality of irradiation regions on the specimen 700.
  • the plurality of irradiation areas may be spaced apart by a second distance d2.
  • the second distance d2 may be 2 mm to 10 mm.
  • the second distance d2 may be preferably 2.3 mm to 9.5 mm.
  • the reflector 210 may rotate at a predetermined angle.
  • the reflector 210 may rotate in different directions according to a predetermined angle.
  • the reflector 210 may rotate in at least one of left and right directions according to a predetermined angle.
  • the reflector 210 may rotate based on a perpendicular path of the terahertz wave 210 emitted from the emitting unit 200 to the specimen 700.
  • the reflector 210 may rotate in different directions according to a predetermined angle based on a vertical path of the terahertz wave 210 emitted from the emission unit 200 to the specimen 700. have.
  • the terahertz wave 210 emitted from the emitting unit 200 may be irradiated in the direction of the first terahertz wave 230 with respect to the specimen.
  • the terahertz wave 210 emitted from the emitting unit 200 may be irradiated in the direction of the second terahertz wave 250 with respect to the specimen.
  • At least one of the first terahertz wave 230 and the second terahertz wave 250 may be in a direction perpendicular to the specimen.
  • the first terahertz wave 230 and the second terahertz wave 250 may be spaced apart from each other.
  • the first terahertz wave 230 and the second terahertz wave 250 may be spaced apart by the second distance d2.
  • the first terahertz wave 230 may be irradiated on the specimen 700 to form a first region 240.
  • the second terahertz wave 250 may be irradiated on the specimen 700 to form a second region 260.
  • the first region 240 and the second region 260 may be spaced apart.
  • the first region 240 and the second region 260 may be located spaced apart by the second distance d2. At least a portion of the first region 240 and the second region 260 These can overlap each other.
  • a terahertz wave 210 emitted from the emission unit 200 is converted by a path by the reflection unit 300, and thus a terahertz wave emitted from the emission unit 200 ( Although the irradiation direction of 210) is fixed, a plurality of irradiation areas may be formed on the specimen 700.
  • the specimen inspection apparatus 10 forms the terahertz wave 210 of various paths by the reflector 300 even if the emitting unit 200 does not irradiate the terahertz wave 210 having a plurality of irradiation directions. It is possible to inspect the entire area of the specimen 700 at a time.
  • the specimen inspection apparatus 10 may maintain the intensity of the terahertz wave 210 emitted from the emission unit 200 similarly for various irradiation areas by the reflection unit 300, so that the specimen ( The entire area of 700) can be inspected with a relatively uniform intensity.
  • FIG. 4 is a diagram illustrating that a terahertz wave whose path is converted by a reflector of a specimen inspection apparatus according to an embodiment forms focus on the same plane of a specimen by a focus adjustment unit.
  • the focus adjustment unit 400 can adjust the focus of terahertz waves incident on different paths by the reflection unit 300 in the emission unit 200. .
  • the focus adjustment unit 400 may include a plurality of lenses.
  • the focus adjustment unit 400 includes at least one of the first lens 410, the second lens 420, the third lens 430, and the fourth lens 440, which are spaced apart at a predetermined distance. can do.
  • the focus adjustment unit 400 is the same or different first lens 410, the second lens 420, the third lens 430, and the fourth lens 440 are spaced apart at a predetermined distance. It may include at least any one of.
  • At least one of the first lens 410, the second lens 420, the third lens 430, and the fourth lens 440 may be a telecentric-f-theta lens.
  • the terahertz wave 210 emitted from the emitter 200 is converted by a path by the reflector 300, so that the first terahertz waves 230 and the second terahertz waves having different directions from each other 250, and a third terahertz wave 270.
  • the second terahertz wave 250 and the third terahertz wave 270 may be spaced apart from each other by a predetermined distance based on the first terahertz wave 230.
  • the second terahertz wave 260 and the third terahertz wave 270 are spaced apart by the second distance d2 and the third distance d3 based on the first terahertz wave 230. Can be located.
  • the center line of the second terahertz wave 260 and the center line of the third terahertz wave 270 based on the center line of the first terahertz wave 230 are the second distance d2 and the third distance ( d3) may be spaced apart from each other.
  • the focus adjustment unit 400 may adjust the focus of at least one of the first terahertz wave 230, the second terahertz wave 250, and the third terahertz wave 270.
  • the focus adjustment unit 400 focuses at least one of the first terahertz wave 230, the second terahertz wave 250, and the third terahertz wave 270 to the specimen 700. Can be adjusted to irradiate vertically.
  • the focus adjustment unit 400 focuses at least one of the first terahertz wave 230, the second terahertz wave 250, and the third terahertz wave 270 to the specimen 700. It can be adjusted to correspond.
  • the focus adjustment unit 400 focuses at least one of the first terahertz wave 230, the second terahertz wave 250, and the third terahertz wave 270 of the specimen 700. It can be adjusted to correspond on the same plane.
  • Areas to which the first terahertz wave 230, the second terahertz wave 250, and the third terahertz wave 270 are irradiated are the first area 240 and the second area 260. , And the third region 280. Areas in which the focal points of the first terahertz wave 230, the second terahertz wave 250, and the third terahertz wave 270 are formed are the first region 240 and the second region, respectively. 260, and the third region 280.
  • the first region 240, the second region 260, and the third region 280 may be located on the specimen 700.
  • the first region 240, the second region 260, and the third region 280 may be spaced apart from the specimen 700.
  • the first area 240, the second area 260, and the third area 280 are the second distance d2 and the third distance d3 based on the first area 240. As long as each can be spaced apart.
  • the first region 240, the second region 260, and the third region 280 are the first terahertz wave 230, the second terahertz wave 250, and the third tera
  • the focal point of the Hertz wave 270 may be formed, and the first region 240, the second region 260, and the third region 280 may be based on the first region 240.
  • the second distance d2 and the third distance d3 may be spaced apart from each other. At least some of the first region 240, the second region 260, and the third region 280 may overlap.
  • the terahertz wave 210 emitted from the emission unit 200 may include a plurality of waves spaced apart at predetermined intervals. At least one of the first terahertz wave 230, the second terahertz wave 250, and the third terahertz wave 270 may include a plurality of waves spaced apart at predetermined intervals. .
  • the plurality of waves spaced apart at the predetermined interval may be adjusted in focus by the focus adjustment unit 400.
  • the plurality of waves spaced apart at the predetermined interval may be adjusted to converge to a single focus by the focus adjustment unit 400.
  • the plurality of waves spaced apart at the predetermined interval may be converged to a single focus by the focus adjustment unit 400 to form an irradiation area on the specimen 700.
  • the focus adjustment unit 400 adjusts the focus of the terahertz wave 210, so that the terahertz wave having the greatest intensity can be irradiated to the irradiation area formed in the specimen 700. have.
  • the specimen inspection device 10 may allow the focus adjustment unit 400 to match the focal region formed in the specimen 700 to check whether the specimen 700 is defective with high resolution.
  • the specimen inspection apparatus 10 may improve the accuracy of determining whether the specimen 700 is defective, as the focus adjustment unit 400 inspects whether the specimen 700 is defective with high resolution.
  • FIG. 5 is a view showing a plurality of regions formed on a specimen by irradiating terahertz waves in a specimen inspection apparatus according to an embodiment.
  • the first terahertz wave 230 and the second terahertz wave 250 may include the first region 240 and the second region 260 in the specimen 700. To form each, and to describe the appropriate diameter of the irradiation area.
  • the first region 240 and the second region 260 may have a first diameter s1 and a second diameter s2, respectively.
  • the first region 240 and the second region 260 may be located spaced apart from the second distance d2.
  • the second region 260 may be a plurality of regions spaced apart from the second distance d2 around the first region 240.
  • the plurality of second regions 260 may be positioned to be spaced apart by the second distance d2 from the first region 240 at predetermined intervals.
  • the plurality of second regions 260 may be continuously spaced apart from the first region 240 by the second distance d2.
  • the first diameter s1 and the second diameter s2 may be changed as at least one of the first distance d1 and the second distance d2 is changed.
  • the first diameter s1 and the second diameter s2 may be appropriate diameters.
  • the appropriate diameter may be a diameter that can detect whether the specimen 700 is defective.
  • the appropriate diameter may be a diameter having a resolution for detecting whether the specimen 700 is defective.
  • the resolution for detecting whether the specimen 700 is defective may be a case where at least one of the first diameter (.s1) and the second diameter (s2) has a minimum value.
  • the appropriate diameter may be a diameter having a deviation within 0.2% to 2% based on the minimum value of the diameter.
  • At least a portion of the first region 240 having the first diameter d1 and at least a portion of the second region 260 having the second diameter d2 may overlap each other.
  • a region capable of detecting whether the specimen 700 is defective may include both the first region 240 and the second region 260.
  • the specimen inspection apparatus 10 irradiates the first region 240 and the second region 260 having appropriate diameters to the specimen 700, thereby inspecting the specimen 700 with high resolution. Can be done. In the specimen inspection apparatus 10, at least some regions of the first region 240 and the second region 260 having appropriate diameters are overlapped with each other, thereby increasing whether the entire region of the specimen 700 is defective. It can be detected at a time with resolution.
  • 6 to 9 are views showing experimental values of sizes of a plurality of regions formed on the specimen in the specimen inspection apparatus according to an embodiment.
  • FIG. 6 shows the first area 240, the second area 260, and the third area when the second distance d2 is spaced from 2 mm to 2.5 mm based on the first area 240. It is a figure showing the diameter of 280. 6 illustrates that the first region 240, the second region 260, and the third region 280 when the reflector 300 is rotated by 1 and 20 degrees based on the direction in which the specimen is corresponding. It is a diagram showing the diameter of. Table 1 shows the diameters of the first region 240, the second region 260, and the third region 280 according to the first distance d1 shown in FIG. 6.
  • FIG. 7 illustrates that the first area 240, the second area 260, and the third area when the second distance d2 is spaced from 4.5 mm to 5 mm based on the first area 240. It is a figure showing the diameter of 280. 7 illustrates that the first region 240, the second region 260, and the third region 280 when the reflector 300 rotates 2 degrees and 20 degrees based on the direction in which the specimen is corresponding. It is a diagram showing the diameter of. Table 2 shows the diameters of the first region 240, the second region 260, and the third region 280 according to the first distance d1 shown in FIG. 6.
  • FIG. 8 illustrates that when the second distance d2 is spaced from 7 mm to 7.5 mm based on the first region 240, the first region 240, the second region 260, and the third region It is a figure showing the diameter of 280.
  • FIG. 8 shows that the first region 240, the second region 260, and the third region 280 when the reflector 300 rotates 3 degrees and 20 degrees based on the direction in which the specimen is corresponding. It is a diagram showing the diameter of.
  • Table 3 shows the diameters of the first region 240, the second region 260, and the third region 280 according to the first distance d1 shown in FIG. 6.
  • 9 illustrates that when the second distance d2 is spaced from 9 mm to 9.5 mm based on the first region 240, the first region 240, the second region 260, and the third region It is a figure showing the diameter of 280.
  • 9 illustrates that the first region 240, the second region 260, and the third region 280 when the reflector 300 is rotated by 4 and 20 degrees based on the direction in which the specimen is corresponding. It is a diagram showing the diameter of.
  • Table 4 shows the diameters of the first region 240, the second region 260, and the third region 280 according to the first distance d1 shown in FIG. 6.
  • the first area 240, the second area 260, and the third area 280 change the first distance d1. Regardless of this, the diameter of the first region 240, the second region 260, and the third region 280 may have a tendency to gradually increase.
  • the specimen inspection device 10 may include the specimen ( Whether it has an appropriate diameter in detecting the defect of 700) may be determined by placing a higher specific gravity on the first region 240 and the second region 260.
  • the first distance d1 when the first distance d1 is the same, it can be confirmed that the first area 240 and the third area 260 each have the same diameter regardless of the change in the second distance d2. . In addition, even if the first distance d1 is the same, it can be seen that the second region 260 has a different diameter as the second distance d2 is changed.
  • Tables 5 and 6 show the first area 240 according to the first distance d1 regardless of the change in the second distance d2. And the diameters of the third regions 280, respectively.
  • the first region 240 has a diameter in which the first distance d1 gradually decreases from 56 mm to 58 mm, but a diameter in which the first distance d1 gradually increases from 58 mm to 62 mm. You can confirm that. Therefore, it can be confirmed that the first region 240 has a U-shaped curve with a diameter value obtained as the first distance d1 is changed from 56 mm to 62 mm.
  • the third region 280 has a diameter that gradually increases as the first distance d1 increases.
  • the first region 240 may have an appropriate diameter to detect the specimen 700, and the appropriate diameter may be included in a range having an error range of 1.7% based on a minimum value. have.
  • the error range may take into account that the size of the first region 240 has a size of 60 mm to 70 mm and that a diameter value changed according to the first distance d1 draws a U-shaped curve.
  • the first region 240 may be included in a range of 64.786mm to 65.887mm with a 1.7% error range based on the minimum value of 64.786mm.
  • the first region 240 may have an appropriate diameter, and the appropriate diameter may be 64.786mm to 65.887mm.
  • the first distance d1 may be 57 mm to 60 mm so that the first region 240 has an appropriate diameter.
  • the first distance d1 may be 57 mm to 60 mm so that the first region 240 may have a diameter of 64.786 mm to 65.887 mm.
  • the first region 240 may not have a resolution capable of determining whether the specimen is defective when the error range is significantly different from the minimum value.
  • the first region 240 may determine whether the specimen is defective only when it has a diameter corresponding to a predetermined error range from a minimum value.
  • the appropriate diameter of the first region 240 may be a diameter corresponding to an error range within 2% from the minimum value, and preferably a diameter corresponding to an error range of 1.7% from the minimum value.
  • the intensity of the terahertz wave per unit area of the first region 240 may be smaller, so that the first region The accuracy of whether or not the specimen detected at 240 may be deteriorated.
  • Table 7 shows the second area 260 according to the first distance d1 and the second distance d2.
  • the second region 260 has a U-curve with a diameter value obtained according to the first distance d1 from 56 mm to 62 mm and the second distance d2 from 2 mm to 9.5 mm. Can be confirmed. In addition, it can be seen that the second region 260 has a larger diameter value according to the first distance d1 as the second distance d2 increases.
  • the first distance d1 which is 1 mm smaller than the first distance having the minimum value, greatly increases the diameter value compared to the minimum value
  • the specimen inspection device 10 is based on the diameter value of the first distance (d1) 1mm smaller than the first distance (d1) having the minimum value of the second region (260) You can determine the scope of.
  • the appropriate diameter may be smaller than the diameter value of the first distance d1, which is 1 mm smaller than the first distance d1 having the minimum value of the second region 260.
  • the appropriate diameter may have a deviation within 0.2% to 2% based on the minimum value.
  • the minimum value of the appropriate diameter may be changed according to the second distance, and when the minimum value of the appropriate diameter is increased, the deviation of the appropriate diameter may be set smaller. This is because the minimum value of the appropriate diameter increases with the second distance, and the resolution of the appropriate diameter decreases as the minimum value of the appropriate diameter increases.
  • the intensity of the terahertz wave irradiated to the second region is the same, the intensity of the terahertz wave irradiated per unit area is less than the minimum value of the proper diameter of the second region, the terahertz wave irradiated per unit area This is because the minimum value is greater than the intensity. Therefore, the minimum value of the appropriate diameter is considered to increase from 64 mm to 102 mm as the second distance is spaced from 2 mm to 9.5 mm, and the deviation of the appropriate diameter may be considered to be small from 2% to 0.2%.
  • the diameter has a diameter substantially similar to the diameter value appearing in the first region 240.
  • the second region 260 may have an appropriate diameter, and the appropriate diameter is d1 (56 mm), which is 1 mm smaller than d1 (57 mm) having a minimum value. Branches can be smaller than 68.9 mm.
  • the first distance d1 may be 57 mm to 60 mm so that the second region 260 has an appropriate diameter.
  • the appropriate diameter may be included in a range having an error range of 1.4% based on the minimum value.
  • the error range may take into account that the size of the first region 240 has a size of 60 mm to 70 mm and that a diameter value changed according to the first distance d1 draws a U-shaped curve.
  • the second region 260 may be included in a range of 67.946mm to 68.897mm with a 1.4% error range based on the minimum value of 67.946mm.
  • the second region 260 may have an appropriate diameter, and the appropriate diameter may be 67.946 mm to 68.897 mm.
  • the first distance d1 may be 57 mm to 60 mm so that the second region 260 has an appropriate diameter.
  • the first distance d1 may be 57 mm to 60 mm so that the second region 260 can be 67.946 mm to 68.897 mm.
  • the second region 260 may not have a resolution capable of determining whether the specimen is defective when the error range is significantly different from the minimum value.
  • the second region 260 may determine whether the specimen is defective only when it has a diameter corresponding to a predetermined error range from a minimum value.
  • the appropriate diameter of the second region 260 may be a diameter corresponding to an error range within 2% from the minimum value, and preferably when the second distance d2 is 2mm to 2.5mm, an error of 1.4% from the minimum value It may be a diameter corresponding to the range.
  • the second distance d2 is 2 mm to 2.5 mm
  • the diameter of the second region 260 has a diameter larger than an error range of 1.4% from the minimum value
  • tera per unit area of the second region 260 Since the strength of the Hertz wave may be smaller, accuracy of whether or not the specimen detected in the second region 260 is defective may be deteriorated.
  • the second region 260 may have an appropriate diameter, and the appropriate diameter is d1 (57 mm), which is 1 mm smaller than d1 (58 mm) having a minimum value.
  • the branch can be smaller than 75.964mm.
  • the first distance d1 may be 58 mm to 60 mm so that the second region 260 has an appropriate diameter.
  • the second region 260 has a diameter of 70 mm to 80 mm.
  • the appropriate diameter is an error of 0.7% based on the minimum value. It can be included in a range having a range.
  • the second region 260 may be included in a range of 75.426 mm to 75.954 mm with a 0.7% error range based on the minimum value of 75.426 mm.
  • the second region 260 may have an appropriate diameter, and the appropriate diameter may be 75.426 mm to 75.954 mm.
  • the first distance d1 may be 58 mm to 60 mm so that the second region 260 has an appropriate diameter.
  • the first distance d1 may be 58 mm to 60 mm so that the second region 260 may be 75.426 mm to 75.954 mm.
  • the second region 260 may not have a resolution capable of determining whether the specimen is defective when the error range is significantly different from the minimum value.
  • the second region 260 may determine whether the specimen is defective only when it has a diameter corresponding to a predetermined error range from a minimum value.
  • the appropriate diameter of the second region 260 may be a diameter corresponding to an error range within 2% from the minimum value, and preferably when the second distance d2 is 4.5 mm to 5 mm, an error of 0.7% from the minimum value It may be a diameter corresponding to the range.
  • the second distance d2 is 4.5 mm to 5 mm
  • the diameter of the second region 260 has a diameter larger than the error range of 0.7% from the minimum value, tera per unit area of the second region 260 Since the strength of the Hertz wave may be smaller, the accuracy of whether or not the specimen detected in the second region 260 is defective may be deteriorated.
  • the second region 260 may have an appropriate diameter, and the appropriate diameter is d1 (58 mm), which is 1 mm smaller than d1 (59 mm) having a minimum value. Branches can be smaller than 87.694 mm.
  • the first distance d1 may be 59 mm to 60 mm so that the second region 260 has an appropriate diameter.
  • the second region 260 has a diameter of 80 mm to 90 mm.
  • the appropriate diameter is an error of 0.3% based on the minimum value. It can be included in a range having a range.
  • the second region 260 may be included in a range of 87.35 mm to 87.612 mm with a 0.3% error range based on the minimum value of 87.35 mm.
  • the second region 260 may have an appropriate diameter, and the appropriate diameter may be 87.35 mm to 87.612 mm.
  • the first distance d1 may be 59 mm to 60 mm so that the second region 260 has an appropriate diameter.
  • the first distance d1 may be 59 mm to 60 mm so that the second region 260 can be 87.35 mm to 87.612 mm.
  • the second region 260 may not have a resolution capable of determining whether the specimen is defective when the error range is significantly different from the minimum value.
  • the second region 260 may determine whether the specimen is defective only when it has a diameter corresponding to a predetermined error range from a minimum value.
  • the appropriate diameter of the second region 260 may be a diameter corresponding to an error range within 2% from the minimum value, and preferably when the second distance d2 is 7 mm to 7.5 mm, an error of 0.3% from the minimum value It may be a diameter corresponding to the range.
  • the second distance d2 is 7 mm to 7.5 mm
  • the diameter of the second region 260 has a diameter greater than an error range of 0.3% from the minimum value, tera per unit area of the second region 260 Since the strength of the Hertz wave may be smaller, the accuracy of whether or not the specimen detected in the second region 260 is defective may be deteriorated.
  • the second region 260 has a diameter of 100 mm to 110 mm.
  • the appropriate diameter is an error of 0.1% based on the minimum value. It can be included in a range having a range.
  • the second region 260 may be included in a range of 102.632 mm to 102.735 mm with a 0.1% error range based on the minimum value of 102.632 mm.
  • the second region 260 may have an appropriate diameter, and the appropriate diameter may be 102.632 mm to 102.735 mm.
  • the first distance d1 may be 60 mm to 61 mm so that the second region 260 has an appropriate diameter.
  • the first distance d1 may be 60 mm to 61 mm so that the second region 260 can be 102.632 mm to 102.735 mm.
  • the second region 260 may not have a resolution capable of determining whether the specimen is defective when the error range is significantly different from the minimum value.
  • the second region 260 may determine whether the specimen is defective only when it has a diameter corresponding to a predetermined error range from a minimum value.
  • the appropriate diameter of the second region 260 may be a diameter corresponding to an error range within 2% from the minimum value, and preferably when the second distance d2 is 9 mm to 9.5 mm, an error of 0.1% from the minimum value It may be a diameter corresponding to the range.
  • the second distance d2 is 9 mm to 9.5 mm
  • the diameter of the second region 260 has a diameter larger than the error range of 0.1% from the minimum value, tera per unit area of the second region 260 Since the strength of the Hertz wave may be smaller, the accuracy of whether or not the specimen detected in the second region 260 is defective may be deteriorated.
  • the first distance d1 may be 57 mm to 60 mm so that the second region 260 has an appropriate diameter.
  • the first distance d1 may be 58 mm to 60 mm so that the second region 260 has an appropriate diameter.
  • the first distance d1 may be 59 mm to 60 mm so that the second region 260 has an appropriate diameter.
  • the first distance d1 may be 60 mm to 61 mm so that the second region 260 has an appropriate diameter.
  • a case of 60 mm among the first distances d1 may be the most optimal first distance d1.
  • the specimen inspection device 10 may change at least one of the first distance d1 and the second distance d2 according to the size of the specimen 700.
  • the specimen inspection device 10 may change the second distance d2 according to the size of the specimen 700.
  • a region capable of detecting a defective region of the specimen may increase.
  • the specimen inspection device 10 has a plurality of irradiation areas having a proper diameter to detect a defective area of the specimen based on at least one of the first distance d1 and the second distance d2. You can.
  • the specimen inspection device 10 has a plurality of irradiation areas having a proper diameter to detect a defective area of the specimen based on at least one of the first distance d1 and the second distance d2. You can.
  • the inspection area of the specimen inspection device 10 may include a plurality of irradiation areas having an appropriate diameter to detect a defective area of the specimen.
  • the specimen inspection method includes a specimen placement step (S110), a terahertz wave irradiation step (S120), a terahertz wave path conversion step (S130), and terahertz It may include a step of forming an irradiation region of a wave (S140), a step of receiving a reflected terahertz wave (S150), a step of detecting whether a specimen is defective (S160), a data storage step (S170), and a data output step (S180).
  • S110 specimen placement step
  • S120 a terahertz wave irradiation step
  • S130 a terahertz wave path conversion step
  • S180 terahertz It may include a step of forming an irradiation region of a wave (S140), a step of receiving a reflected terahertz wave (S150), a step of detecting whether a specimen is defective (S160), a data storage step (S170), and a data
  • the specimen placement step (S110) may place the specimen 700 on a tray.
  • the specimen 700 may be disposed on a tray at a position corresponding to the specimen inspection device 10.
  • the specimen may be a plurality.
  • the emission unit 200 may irradiate the terahertz wave to the specimen 700.
  • the emission unit 200 may irradiate the terahertz wave to the reflector 300.
  • a path of the terahertz wave 210 emitted from the emission unit 200 may be converted by the reflection unit 300.
  • a path is converted by the reflector 300 in which the terahertz wave 210 emitted from the emission unit 200 rotates at a predetermined angle, so that the specimen 700 is converted.
  • a path is converted by the reflector 300 in which the terahertz wave 210 emitted from the emission unit 200 rotates at a predetermined angle, and the focus adjustment unit 400).
  • the step of forming an irradiation area of the terahertz wave is performed by adjusting the focus of the terahertz wave that is irradiated by changing the path by the reflector 300 by the focus adjusting unit 400 and then on the specimen 700.
  • An irradiation area can be formed.
  • the step of forming an irradiation area of the terahertz wave (S140) is performed by adjusting the focus of the terahertz wave that is irradiated by changing the path by the reflector 300 by the focus adjusting unit 400 and then on the specimen 700.
  • a plurality of irradiation regions irradiated in the vertical direction can be formed.
  • the reflected terahertz wave formed by reflecting the terahertz wave irradiated to the specimen 700 may be received by the receiver 600.
  • the intensity of the reflected terahertz wave formed by the reflection of the terahertz wave irradiated on the specimen 700 may be received by the receiver 600.
  • the controller 100 may detect whether the specimen is defective, based on the reflected terahertz wave received by the receiver 600. In the step of detecting whether the specimen is defective (S160), the controller 100 may detect whether the specimen is defective based on a change in intensity of the reflected terahertz wave received by the receiver 600. In the step of detecting whether the specimen is defective (S160), the control unit 100 may detect a defective area included in the specimen, based on a change in intensity of the reflected terahertz wave received by the receiver 600.
  • data on whether the specimen 700 is defective or not determined by the control unit 100 may be stored.
  • the data storage step (S170) may store data on a defective area included in the specimen 700 determined by the control unit 100.
  • coordinate data for a defective area included in the specimen 700 determined by the control unit 100 may be stored.
  • data on whether the specimen 700 is defective may be output.
  • data on a defective area included in the specimen 700 may be output.
  • coordinate data for a defective area included in the specimen 700 may be output.
  • 11 and 12 is a view showing a method for detecting whether the specimen inspection apparatus 10 according to an embodiment is defective in the transparent electrode.
  • 13 and 14 are views showing a method of detecting whether the specimen inspection apparatus 10 according to an embodiment is defective in a transparent electrode.
  • the specimen 700 when the specimen 700 is a transparent electrode, the specimen 700 may include a substrate 710 and a metal material 720.
  • the specimen inspection device 10 may inspect the metal material 720 formed on the surface of the substrate 710.
  • the specimen inspection device 10 may inspect the pattern and quality of the metal material 720 formed on the surface of the substrate 710.
  • FIG. 12 shows the change in the intensity of the terahertz wave for the specimen 700 shown in FIG. 11, and FIG. 14 shows the terahertz wave for the specimen 700 shown in FIG. Indicates the intensity change.
  • the specimen 700 is a transparent electrode, it may be determined whether the specimen 700 is defective by comparing the strength of the terahertz wave between the substrate 710 and the metal material 720.
  • the substrate 710 may be a transparent polymer substrate.
  • the substrate 710 may be glass or quartz.
  • the metal material 720 includes Indium Tin Oxide (ITO), Indium Zinc Oxide (IZO), Fluorine-doped Tin Oxide, and metal (silver, copper, nickel, etc.) ) It may be at least any one of nanowires.
  • the specimen 700 may be an electronic device or a transparent electrode coated with the metal material 720 on the substrate 710.
  • the specimen 700 may include the substrate 710 and the metal material 720, and the reflectivity of the metal material 720 may be higher than that of the substrate 710.
  • the reflectivity of the metallic material 720 is higher than that of the substrate 710, so that the intensity of the terahertz wave between the substrate 710 and the metallic material 720 can be compared.
  • the strength of the terahertz wave in the substrate 710 (Reference) and the strength of the terahertz wave in the metal material 720 (Point 1 or Point 2) may be compared.
  • the specimen inspection apparatus 10 has the strength of the terahertz wave in the metallic material 720 compared to the strength of the terahertz wave in the substrate 710 (Point 1).
  • the point 2) may detect whether the specimen 700 is defective or a defective region of the specimen through a large one.
  • the specimen inspection apparatus 10 performs imaging of the specimen 700 by comparing the intensity of the reflected terahertz waves in the substrate 710 and the intensity of the reflected terahertz waves in the metal material 720. can do. In addition, the specimen inspection apparatus 10 compares the intensity of reflected terahertz waves in the substrate 710 and the intensity of reflected terahertz waves in the metal material 720 based on a plurality of irradiation regions having the appropriate diameter. Through it, it is possible to check whether the specimen 700 is defective with a higher resolution.
  • the specimen inspection apparatus 10 changes the first distance d1 and the second distance d2 to have the appropriate diameter, and thus the substrate obtained based on a plurality of irradiation regions having the appropriate diameter

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Abstract

시편 검사 장치에 대한 일 실시 예에 따르면, 상기 시편 검사 장치는 방출부, 반사부, 초점 조정부, 수신부, 및 제어부로 구성될 수 있다. 상기 시편 검사 장치는 테라헤르츠 파를 조사하는 방출부; 상기 방출부에서 조사된 테라헤르츠 파의 경로를 변환시키는 반사부; 상기 테라헤르츠 파의 경로에 따라 시편에 조사 영역을 형성하게 하는 초점 조정부; 상기 제1 영역에 조사된 상기 테라헤르츠 파가 상기 시편에서 각각 반사된 테라헤르츠 파를 수신하는 수신부; 및 상기 복수의 구성 중 적어도 두 개의 구성 사이의 거리를 제어하고, 상기 테라헤르츠 파의 반사도 차이에 따른 상기 시편의 불량 여부를 검출하는 제어부로 구성될 수 있다.

Description

시편 검사 장치 및 시편 검사 방법
실시 예는 테라헤르츠 파를 이용한 시편 검사 장치에 관한 것이다.
실시 예는 테라헤르츠 파를 이용한 시편 검사 방법에 관한 것이다.
현재 반도체 산업 분야와 같은 최첨단 산업이 발전함에 따라 고밀도화 및 소형화 기술이 각광받고 있어, 비파괴 검사 기술에 대한 발전 역시 요구되고 있다.
테라헤르츠 파는 금속을 제외한 비전도성 물질에 대해서 우수한 투과성이 있고, X-ray보다 낮은 에너지로 인체에 무해하다는 특성을 가진다. 테라헤르츠 파의 상기 특성들에 따라, 테라헤르츠 파는 비파괴 검사 기술에 대한 응용이 가능하다.
현재 테라헤르츠 파를 이용한 영상화 기법에 관한 연구가 활발히 진행 중에 있으나, 현재 개발된 기술을 실제 산업에 적용하기에는 분해능 및 영상화 속도에서 한계를 가진다.
실시 예는 테라헤르츠 파를 이용한 시편 검사 장치 및 시편 검사 방법을 제공한다.
실시 예는 테라헤르츠 파를 이용하여 시편의 불량 여부를 검출하는 시편 검사 장치 및 시편 검사 방법을 제공한다.
실시 예는 테라헤르츠 파의 경로를 변환하여 시편 상에 복수의 조사 영역을 형성하고, 상기 영역에서 반사되는 테라헤르츠 파를 수신하여 상기 시편의 불량 여부를 판단하는 시편 검사 장치 및 시편 검사 방법을 제공한다.
본 발명이 해결하고자 과제가 상술한 과제로 제한되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 과제들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
시편 검사 장치에 대한 일 실시 예에 따르면, 상기 시편 검사 장치는 방출부, 반사부, 초점 조정부, 수신부, 및 제어부로 구성될 수 있다. 상기 시편 검사 장치는 테라헤르츠 파를 조사하는 방출부; 상기 방출부에서 조사된 테라헤르츠 파의 경로를 변환시키는 반사부; 상기 테라헤르츠 파의 경로에 따라 시편에 제1 영역을 형성하게 하는 초점 조정부 -상기 반사부와 상기 초점 조정부 사이의 거리는 제1 거리로 이격되어 있고, 상기 제1 영역은 제2 영역 및 제3 영역을 포함하고, 상기 제2 영역 및 상기 제3 영역은 제2 거리로 이격되어 있음-; 상기 제1 영역에 조사된 상기 테라헤르츠 파가 상기 시편에서 각각 반사된 테라헤르츠 파를 수신하는 수신부; 및 상기 제1 거리 및 상기 제2 거리 중 적어도 하나를 제어하고, 상기 테라헤르츠 파의 반사도 차이에 따른 상기 시편의 불량 여부를 검출하는 제어부로 구성될 수 있고, 상기 제1 거리가 57mm 내지 61mm 인 경우 상기 제2 영역은 64mm 내지 67mm의 직경을 가지고, 상기 제3 영역은 적정 직경 -상기 적정 직경은 상기 시편의 불량 여부를 검출할 수 있는 직경을 의미함- 을 각각 가질 수 있다.
시편 검사 방법에 대한 일 실시 예에 따르면, 상기 시편 검사 방법은 방출부에서 테라헤르츠 파를 조사하는 단계; 상기 방출부에서 조사된 테라헤르츠 파의 경로를 반사부를 통해 변환시키는 단계; 상기 테라헤르츠 파가 초점 조정부를 통해 시편에 제1 영역을 형성하는 단계 -상기 반사부와 상기 초점 조정부 사이의 거리는 제1 거리로 이격되어 있고, 상기 제1 영역은 제2 영역 및 제3 영역을 포함하고, 상기 제2 영역 및 상기 제3 영역은 제2 거리로 이격되어 있음-; 상기 제1 영역에 조사된 상기 테라헤르츠 파가 상기 시편에서 각각 반사된 테라헤르츠 파를 수신부를 통해 수신하는 단계; 및 제어부가 상기 제1 거리 및 상기 제2 거리 중 적어도 하나를 제어하고, 상기 테라헤르츠 파의 반사도 차이에 따른 상기 시편의 불량 여부를 검출하는 단계로 구성될 수 있고, 상기 제1 거리가 57mm 내지 61mm 인 경우 상기 제2 영역은 64mm 내지 67mm의 직경을 가지고, 상기 제3 영역은 적정 직경 -상기 적정 직경은 상기 시편의 불량 여부를 검출할 수 있는 직경을 의미함- 을 각각 가질 수 있다.
본 발명의 과제의 해결 수단이 상술한 해결 수단들로 제한되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 해결 수단들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
실시 예에 따른 시편 검사 장치 및 시편 검사 방법은 테라헤르츠 파를 시편에 조사할 수 있고, 상기 시편에서 반사된 테라헤르츠 파를 통해 상기 시편의 불량 여부를 검출할 수 있어, 상기 시편 상에 형성된 불량 영역을 검출할 수 있는 효과가 있다.
실시 예에 따른 시편 검사 장치 및 시편 검사 방법은 반사부를 통해 테라헤르츠 파의 경로를 변환할 수 있고, 경로가 변환된 상기 테라헤르츠 파는 상기 시편에서 복수의 영역을 형성할 수 있고, 상기 영역은 상기 시편의 불량 여부를 검출할 수 있는 분해능을 가진 적정 직경을 가질 수 있으며, 이를 통해 상기 시편에 대해 고분해능으로 상기 시편의 불량 여부를 검출할 수 있는 효과가 있다.
실시 예에 따른 시편 검사 장치 및 시편 검사 방법은 반사부를 통해 테라헤르츠 파의 경로를 변환할 수 있고, 경로가 변환된 상기 테라헤르츠 파는 초점 조정부를 통해 상기 시편에서 동일 평면 상에 초점을 형성할 수 있고, 상기 테라헤르츠 파는 상기 시편의 동일 평면 상에서 복수의 영역을 형성할 수 있고, 상기 영역은 상기 반사부와 상기 초점 조정부 사이의 거리 및 상기 복수의 영역 사이의 거리 중 적어도 어느 하나에 기초하여 적정 직경이 결정될 수 있어, 상기 시편의 사이즈에 따라 적정 직경을 가지는 복수의 영역을 통해 고분해능으로 상기 시편의 불량 여부를 검출할 수 있는 효과가 있다.
본 발명의 효과가 상술한 효과들로 제한되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 일 실시 예에 따른 시편 검사 시스템 및 시편 검사 장치를 나타내는 도면이다.
도 2는 일 실시 예에 따른 시편 검사 장치를 제어하는 제어부를 나타내는 블록도이다.
도 3은 일 실시 예에 따른 시편 검사 장치의 방출부에서 방출된 테라헤르츠 파가 반사부에 의해 변환된 경로를 나타내는 도면이다.
도 4는 일 실시 예에 따른 시편 검사 장치의 반사부에 의해 경로가 변환된 테라헤르츠 파가 초점 조정부에 의해 시편의 동일 평면 상에서 초점을 형성하는 것을 나타내는 도면이다.
도 5는 일 실시 예에 따른 시편 검사 장치에서 테라헤르츠 파가 조사되어 시편에 형성한 복수의 영역들을 나타내는 도면이다.
도 6 내지 도 9는 일 실시 예에 따른 시편 검사 장치에서 상기 시편에 형성되는 복수의 영역들의 크기에 대한 실험값을 나타내는 도면이다.
도 10은 일 실시 예에 따른 시편 검사 방법을 나타내는 순서도이다.
도 11 및 도 12는 일 실시 예에 따른 시편 검사 장치가 투명 전극의 불량 여부를 검출하는 방법을 나타내는 도면이다.
도 13 및 도 14는 일 실시 예에 따른 시편 검사 장치가 투명 전극의 불량 여부를 검출하는 방법을 나타내는 도면이다.
이하에서는 도면을 참조하여 본 발명의 구체적인 실시 예를 상세하게 설명한다. 다만, 본 발명의 사상은 제시되는 실시 예에 제한되지 아니하고, 본 발명의 사상을 이해하는 당업자는 동일한 사상의 범위 내에서 다른 구성요소를 추가, 변경, 삭제 등을 통하여, 퇴보적인 다른 발명이나 본 발명 사상의 범위 내에 포함되는 다른 실시 예를 용이하게 제안할 수 있을 것이나, 이 또한 본원 발명 사상 범위 내에 포함된다고 할 것이다.
또한, 각 실시 예의 도면에 나타나는 동일한 사상의 범위 내의 기능이 동일한 구성요소는 동일한 참조 부호를 사용하여 설명한다.
본 출원의 일 실시 예에 따르면, 테라헤르츠 파를 조사하는 방출부; 상기 방출부에서 조사된 테라헤르츠 파의 경로를 변환시키는 반사부; 상기 테라헤르츠 파의 경로에 따라 시편에 제1 영역을 형성하게 하는 초점 조정부 -상기 반사부와 상기 초점 조정부 사이의 거리는 제1 거리로 이격되어 있고, 상기 제1 영역은 제2 영역 및 제3 영역을 포함하고, 상기 제2 영역 및 상기 제3 영역은 제2 거리로 이격되어 있음-; 상기 제1 영역에 조사된 상기 테라헤르츠 파가 상기 시편에서 각각 반사된 테라헤르츠 파를 수신하는 수신부; 및 상기 제1 거리 및 상기 제2 거리 중 적어도 하나를 제어하고, 상기 테라헤르츠 파의 반사도 차이에 따른 상기 시편의 불량 여부를 검출하는 제어부로 구성되고, 상기 제1 거리가 57mm 내지 61mm 인 경우, 상기 제2 영역은 64mm 내지 67mm의 직경을 가지고, 상기 제3 영역은 적정 직경 -상기 적정 직경은 상기 시편의 불량 여부를 검출할 수 있는 직경을 의미함- 을 각각 가지는 시편 검사 장치가 제공될 수 있다.
또한, 상기 적정 직경은 최소값을 기준으로 0.2% 내지 2% 이내의 편차를 가지는 시편 검사 장치가 제공될 수 있다.
또한, 상기 제3 영역의 상기 적정 직경은 67.5mm 내지 68.5mm인 시편 검사 장치가 제공될 수 있다.
또한, 상기 제1 거리가 58mm 내지 60mm인 경우, 상기 제3 영역의 상기 적정 직경은 67.5mm 내지 68.5 또는 75.4mm 내지 75.8mm인 시편 검사 장치가 제공될 수 있다.
또한, 상기 제1 거리는 59mm 내지 60mm인 경우, 상기 제3 영역의 상기 적정 직경은 67.5mm 내지 68.5 또는 75.4mm 내지 75.8mm 또는 87mm 내지 87.6mm인 시편 검사 장치가 제공될 수 있다.
또한, 상기 제1 거리는 60mm인 경우, 상기 제3 영역의 상기 적정 직경은 68mm 내지 103mm인 시편 검사 장치가 제공될 수 있다.
또한, 상기 제1 거리는 60mm 내지 61mm인 경우, 상기 제3 영역의 상기 적정 직경은 102.5mm 내지 102.8mm인 시편 검사 장치가 제공될 수 있다.
또한, 상기 테라헤르츠 파의 광원은 연속형 또는 펄스형인 시편 검사 장치가 제공될 수 있다.
또한, 상기 테라헤르츠 파의 파장은 3mm 내지 30um인 시편 검사 장치가 제공될 수 있다.
또한, 상기 제2 거리는 상기 반사부가 상기 제어부에 의해 회전되는 각도에 기초하여 결정되는 시편 검사 장치가 제공될 수 있다.
또한, 상기 시편은 전자 소자 또는 투명 전극이고, 상기 전자 소자 또는 투명 전극은 투명 폴리머 기판, 유리, 및 석영 중 어느 하나에 금속 물질로 코팅된 시편 검사 장치가 제공될 수 있다.
또한, 상기 금속 물질은 인듐 주석 산화물, 인듐 아연 산화물, 불소 도핑 주석 산화물, 및 금속 나노 와이어 중 적어도 어느 하나인 시편 검사 장치가 제공될 수 있다.
본 출원의 일 실시 예에 따르면, 방출부에서 테라헤르츠 파를 조사하는 단계; 상기 방출부에서 조사된 테라헤르츠 파의 경로를 반사부를 통해 변환시키는 단계; 상기 테라헤르츠 파가 초점 조정부를 통해 시편에 제1 영역을 형성하는 단계 -상기 반사부와 상기 초점 조정부 사이의 거리는 제1 거리로 이격되어 있고, 상기 제1 영역은 제2 영역 및 제3 영역을 포함하고, 상기 제2 영역 및 상기 제3 영역은 제2 거리로 이격되어 있음-; 상기 제1 영역에 조사된 상기 테라헤르츠 파가 상기 시편에서 각각 반사된 테라헤르츠 파를 수신부를 통해 수신하는 단계; 및 제어부가 상기 제1 거리 및 상기 제2 거리 중 적어도 하나를 제어하고, 상기 테라헤르츠 파의 반사도 차이에 따른 상기 시편의 불량 여부를 검출하는 단계로 구성되고, 상기 제1 거리가 57mm 내지 61mm 인 경우, 상기 제2 영역은 64mm 내지 67mm의 직경을 가지고, 상기 제3 영역은 적정 직경 -상기 적정 직경은 상기 시편의 불량 여부를 검출할 수 있는 직경을 의미함- 을 각각 가지는 시편 검사 방법이 제공될 수 있다.
이하에서는 본 출원의 일 실시 예에 따른 시편 검사 장치 및 시편 검사 방법에 대해 설명한다.
도 1은 일 실시 예에 따른 시편 검사 시스템(1) 및 시편 검사 장치(10)를 나타내는 도면이다.
상기 시편 검사 시스템(1)은 시편 검사 장치(10) 및 시편(700)을 포함할 수 있다.
상기 시편 검사 시스템(1)은 상기 시편 검사 장치(10)를 통해 상기 시편(700)을 검사할 수 있다. 상기 시편 검사 시스템(1)은 상기 시편 검사 장치(10)를 통해 상기 시편(700)의 불량 여부를 검사할 수 있다. 상기 시편 검사 시스템(1)은 상기 시편 검사 장치(10)를 통해 상기 시편(700)에 포함된 불량 영역을 검출할 수 있다.
상기 시편 검사 장치(1)는 제어부(100), 방출부(200), 반사부(300), 초점 조정부(400), 빔 스플리터(500), 및 수신부(600)를 포함할 수 있다.
상기 제어부(100)는 상기 시편 검사 장치(1)를 제어할 수 있다. 상기 제어부(100)는 상기 방출부(200), 상기 반사부(300), 상기 초점 조정부(400), 상기 빔 스플리터(500), 및 상기 수신부(600) 중 적어도 어느 하나를 제어할 수 있다. 상기 제어부(100)는 상기 반사부(300)의 회전 각도를 제어할 수 있다. 상기 제어부(100)는 상기 반사부(300)와 상기 초점 조정부(400) 사이의 거리를 제어할 수 있다. 상기 제어부(100)는 CPU(Central Processing Unit), RAM(Random Access Memory), GPU(Graphic Processing Unit), 하나 이상의 마이크로 프로세서 및 기타 미리 정해진 논리에 따라 입력된 데이터를 처리할 수 있는 전자 부품 중 하나 이상을 포함할 수 있다. 일 예로, 상기 제어부(100)는 후술하는 시편 검사 장치로부터 수행될 수 있는 시편 검사 프로세스 등을 RAM 상에 전개하고, 전개된 프로그램에 따라 상기 방출부(200), 상기 반사부(300), 상기 초점 조정부(400), 상기 빔 스플리터(500), 및 상기 수신부(600) 중 적어도 어느 하나를 제어하는 등과 같은 각종 처리를 수행할 수 있다.
상기 시편 검사 장치(1)는 상기 시편(700)과 이격되어 위치할 수 있다. 상기 시편 검사 장치(1)는 상기 시편(700)과 대응되는 방향으로 이격되어 위치할 수 있다. 상기 시편 검사 장치(1)는 상기 초점 조정부(400)와 상기 시편(700)이 대응되도록 이격되어 위치할 수 있다.
상기 방출부(200)는 상기 시편(700)과 이격되어 위치할 수 있다. 상기 방출부(200)는 상기 시편(700)에 대해 수직 방향으로 이격되어 위치할 수 있다.
상기 반사부(300)는 상기 시편(700)과 이격되어 위치할 수 있다. 상기 반사부(300)는 상기 시편(700)과 대응되는 방향을 이격되어 위치할 수 있다. 상기 반사부(300)는 상기 방출부(200)와 상기 시편(700) 사이에 위치할 수 있다. 상기 반사부(300)를 기준으로 상기 방출부(200)와 상기 시편(700)은 수직 관계로 위치할 수 있다. 상기 반사부(300)는 상기 방출부(200)에서 방출되는 테라헤르츠 파(210)가 상기 시편(700)에 조사되는 경로 상에 위치할 수 있다.
상기 초점 조정부(400)는 상기 시편(700)과 이격되어 위치할 수 있다. 상기 초점 조정부(400)는 상기 시편(700)과 대응되는 방향으로 이격되어 위치할 수 있다. 상기 초점 조정부(400)는 상기 방출부(200)에서 방출되는 테라헤르츠 파(210)가 상기 시편(700)에 조사되는 경로 상에 위치할 수 있다.
상기 초점 조정부(400)는 상기 반사부(300)와 상기 시편(700) 사이에 위치할 수 있다. 상기 초점 조정부(400)는 상기 반사부(300)와 제1 거리(d1)만큼 이격되어 위치할 수 있다. 상기 제1 거리(d1)는 상기 시편의 크기에 따라 변경될 수 있다. 상기 제1 거리(d1)는 상기 시편(700) 상에 형성되는 복수의 조사 영역이 적정 직경을 가지도록 변경될 수 있다.
상기 빔 스플리터(500)는 상기 시편(700)과 이격되어 위치할 수 있다. 상기 빔 스플리터(500)는 상기 방출부(200)와 상기 시편(700) 사이에 위치할 수 있다. 상기 빔 스플리터(500)는 상기 방출부(200)에서 상기 시편(700)으로 방출되는 테라헤르츠 파(210)의 경로 상에 위치할 수 있다. 상기 빔 스플리터(500)는 상기 방출부(200)에서 상기 반사부(300)로 방출되는 테라헤르츠 파(210)의 경로 상에 위치할 수 있다.
상기 수신부(600)는 상기 빔 스플리터(500)에 이격되어 위치할 수 있다. 상기 수신부(600)는 상기 시편(700)에서 반사된 반사 테라헤르츠 파(220)가 상기 빔 스플리터(500)를 통해 반사되는 경로 상에 위치할 수 있다.
상기 시편(700)은 트레이 상에 위치할 수 있다. 상기 시편(700)은 상기 시편 검사 장치(1)와 대응되는 방향으로 트레이 상에 위치할 수 있다. 상기 시편(700)은 상기 시편 검사 장치(1)와 대응되는 위치로 이동될 수 있다.
이하 각 구성에 대하여 설명하기로 한다.
도 1을 참조하여, 상기 방출부(200), 상기 반사부(300), 상기 초점 조정부(400), 상기 빔 스플리터(500), 및 상기 수신부(600)에 대해 설명하고자 한다.
상기 방출부(200)는 테라헤르츠 파를 방출할 수 있다. 상기 방출부(200)에서 방출되는 테라헤르츠 파(210)는 소정의 간격으로 이격되어 있는 복수의 파들을 포함할 수 있다. 상기 방출부(200)에서 방출되는 테라헤르츠 파(210)의 파장은 3mm 내지 30um일 수 있다. 상기 테라헤라츠 파(210)는 연속형 또는 펄스형일 수 있다. 상기 테라헤르츠 파(210)의 광원은 1개 또는 복수일 수 있다. 상기 테라헤르츠 파(210)의 주파수는 0.1 THz 내지 10THz일 수 있다. 상기 방출부(200)는 상기 주파수 범위 내의 테라헤르츠 파를 방출하여, 가시 광선 또는 적외선 보다 강한 투과력을 가질 수 있다. 또한, 상기 방출부(200)에서 방출되는 테라헤르츠 파(210)는 외부 빛이 존재하는 곳에서도 이용할 수 있어, 외부 빛을 차단하는 별도의 공정 없이도 시편(700)의 불량 여부를 검출할 수 있다.
상기 반사부(300)는 상기 방출부(200)에서 방출된 테라헤르츠 파(210)를 반사할 수 있다. 상기 반사부(300)는 상기 방출부(200)에서 방출된 테라헤르츠 파(210)를 반사시켜, 상기 초점 조정부(400)에 조사되도록 할 수 있다. 상기 반사부(300)는 소정의 각도로 회전할 수 있다. 상기 반사부(300)는 소정의 각도로 회전하여, 상기 방출부(200)에서 방출된 테라헤르츠 파(210)의 경로를 변환할 수 있다. 상기 반사부(300)는 상기 방출부(200)에서 방출된 테라헤르츠 파(210)의 경로를 변환시켜, 상기 초점 조정부(400)의 서로 상이한 위치에 테라헤르츠 파(210)가 조사되도록 할 수 있다.
상기 반사부(300)는 복수 개일 수 있다. 상기 반사부(300)가 복수 개인 경우, 상기 반사부(300)는 서로 대응되는 방향으로 이격되어 위치할 수 있다. 상기 복수의 반사부(300)는 상기 방출부(200)에서 방출되는 테라헤르츠 파(210)가 상기 시편(700)에 조사되는 경로 상에 위치할 수 있다. 상기 반사부(300)는 갈바노 미러일 수 있다. 상기 복수의 반사부(300)들 중 적어도 어느 하나는 갈바노 미러일 수 있다.
상기 반사부(300)는 상기 방출부(200)에서 방출되는 테라헤르츠 파(210)의 경로를 변환시켜, 상기 시편(700)에 복수의 조사 영역을 형성할 수 있다. 상기 반사부(300)는 상기 방출부(200)에서 방출되는 테라헤르츠 파(210)의 경로를 변환시켜, 상기 시편(700)에 포함되는 검사 영역에 대해 소정의 분해능을 가지는 복수의 조사 영역을 형성할 수 있고, 이로 인해 상기 시편(700)의 불량 여부 검출의 정확도가 향상될 수 있다.
상기 초점 조정부(400)는 상기 반사부(300)에서 반사된 테라헤르츠 파(210)를 통과시킬 수 있다. 상기 초점 조정부(400)는 상기 반사부(300)에 의해 경로가 변환되어 입사되는 테라헤르츠 파(210)를 통과시킬 수 있다. 상기 초점 조정부(400)는 상기 반사부(300)에서 반사된 테라헤르츠 파(210)의 적어도 일부를 반사 또는 굴절시킬 수 있다. 상기 초점 조정부(400)는 상기 반사부(300)에서 반사된 테라헤르츠 파(210)가 상기 시편(700)에 조사되게 할 수 있다. 상기 초점 조정부(400)는 상기 반사부(300)에 의해 경로가 변환된 테라헤르츠 파(210)를 상기 시편(700)에 수직으로 조사되도록 조정할 수 있다. 상기 초점 조정부(400)는 상기 반사부(300)에서 반사된 테라헤르츠 파(210)의 적어도 일부의 초점을 조정할 수 있다. 상기 초점 조정부(400)는 상기 반사부(300)에 의해 경로가 변환된 테라헤르츠 파(210)의 적어도 일부의 초점을 조정할 수 있다. 상기 초점 조정부(400)는 상기 반사부(300)에 의해 경로가 변환된 테라헤르츠 파(210)의 적어도 일부의 초점을 상기 시편(700)과 대응되도록 조정할 수 있다. 상기 초점 조정부(400)는 상기 반사부(300)에 의해 경로가 변환된 테라헤르츠 파(210)의 초점을 상기 시편(700)의 동일 평면 상에 위치하도록 조정할 수 있다. 상기 초점 조정부(400)는 상기 반사부(300)에서 반사된 테라헤르츠 파(210)의 진행 경로와 상관 없이 상기 테라헤르츠 파(210)가 상기 시편(700)에 수직 방향으로 조사되게 할 수 있다.
상기 초점 조정부(400)는 복수의 렌즈를 포함할 수 있다. 상기 초점 조절부(400)는 telecentric-f-theta 렌즈일 수 있다. 상기 초점 조절부(400)는 소정의 거리로 이격되어 위치하는 복수의 렌즈를 포함할 수 있다. 상기 초점 조정부(400)는 소정의 거리로 이격되어 위치하는 동일하거나 상이한 4개의 렌즈를 포함할 수 있다. 상기 초점 조정부(400)는 2개 이상의 구면 렌즈 또는 1개의 비구면 렌즈로 구성될 수 있다.
상기 빔 스플리터(500)는 입사되는 광의 일부를 반사 또는 투과할 수 있다. 상기 빔 스플리터(500)는 상기 방출부(200)에서 조사되는 광의 일부를 투과시킬 수 있고, 투과된 광이 상기 시편(700)에 의해 반사되며, 반사된 광의 일부가 상기 빔 스플리터(500)에 의해 반사되어 상기 수신부(600)에 수신될 수 있다. 상기 빔 스플리터(500)는 상기 방출부(200)와 상기 수신부(600)가 시편(700) 상에 위치하게 할 수 있다.
상기 수신부(600)는 상기 방출부(200)에서 방출된 테라헤르츠 파(210)가 상기 시편(700)에 의해 반사된 반사 테라헤르츠 파(220)를 수신할 수 있다. 상기 시편(700)에 포함된 불량 영역에서 반사된 반사 테라헤르츠 파(220)는 상기 수신부(600)에서 수신될 수 있다.
상기 방출부(200)에서 방출되는 테라헤르츠 파(210)는 상기 시편(700)을 향해 조사될 수 있다. 상기 방출부(200)에서 방출되는 테라헤르츠 파(210)는 상기 빔 스플리터(500)로 조사될 수 있다. 상기 방출부(200)에서 조사된 광의 적어도 일부는 상기 빔 스플리터(500)를 투과할 수 있다. 상기 방출부(200)로부터 상기 빔 스플리터(500)를 투과한 광은 상기 반사부(300)에 조사될 수 있다. 상기 방출부(200)로부터 상기 빔 스플리터(500)를 투과한 광의 적어도 일부는 상기 반사부(300)에 의해 반사될 수 있다. 상기 방출부(200)로부터 상기 빔 스플리터(500)를 투과한 광의 적어도 일부는 상기 반사부(300)에 의해 경로가 변환되어 반사될 수 있다. 상기 반사부(300)에 의해 반사된 광의 적어도 일부는 상기 초점 조정부(400)에 조사될 수 있다. 상기 반사부(300)에 의해 반사된 광의 적어도 일부는 상기 초점 조정부(400)를 투과할 수 있다. 상기 반사부(300)에 의해 경로가 변환되어 반사된 광의 적어도 일부는 상기 초점 조정부(400)를 투과할 수 있다. 상기 반사부(300)에 의해 반사된 광의 적어도 일부는 상기 초점 조정부(400)에 의해 초점이 조정되어 상기 시편(700)에 조사될 수 있다. 상기 초점 조정부(400)에 의해 초점이 조정되어 조사된 광의 적어도 일부는 상기 시편(700)의 동일 평면 상에 조사될 수 있다. 상기 초점 조정부(400)에 의해 초점이 조정되어 조사된 광의 적어도 일부는 상기 시편(700)에 수직하게 조사될 수 있다. 상기 시편(700)에 조사된 광의 적어도 일부는 상기 시편(700)에서 반사될 수 있다. 상기 시편(700)에 조사된 광의 적어도 일부는 상기 시편(700)의 표면에서 반사될 수 잇다. 상기 시편(700)에서 반사된 광의 적어도 일부는 상기 초점 조정부(400)를 통과할 수 있다. 상기 초점 조정부(400)를 통과한 광의 적어도 일부는 상기 반사부(300)에 의해 반사될 수 있다. 상기 초점 조정부(400)를 통과한 광이 상기 반사부(300)에 조사되는 경로는 상기 반사부(300)에서 반사된 광이 상기 초점 조정부(400)로 조사되는 경로와 일치할 수 있다. 상기 반사부(300)에서 반사된 광은 상기 빔 스플리터(500)에 의해 상기 수신부(600)로 조사될 수 있다. 상기 수신부(600)는 상기 시편(700)에서 반사된 광의 적어도 일부를 수신할 수 있다.
상기 시편(700)은 하나 또는 복수의 시편(700)일 수 있다. 상기 시편(700)은 투명 전극 또는 전자 소자일 수 있다. 상기 시편(700)은 표면에 금속 물질이 코팅될 수 있다. 상기 금속 물질은 인듐 주석 산화물(Indium Tin Oxide, ITO), 인듐 아연 산화물(Indium Zinc Oxide, IZO), 불소도핑 주석 산화물(Fluorine-doped Tin Oxide), 금속(은, 구리, 니켈 등) 나노 와이어 등을 포함할 수 있다. 상기 시편(700)은 투명 폴리머 기판, 유리, 또는 석영을 상기 금속 물질로 코팅 시킨 투명 전극 또는 전자 소자일 수 있다.
도 2는 일 실시 예에 따른 시편 검사 장치(10)를 제어하는 제어부(100)를 나타내는 블록도이다. 도 2를 참조하면, 상기 제어부(100)는 구동부(110), 수신 제어부(130), 검출부(150), 데이터 저장부(170), 및 데이터 출력부(190)를 포함할 수 있다. 상기 제어부(100)는 CPU(Central Processing Unit), RAM(Random Access Memory), GPU(Graphic Processing Unit), 하나 이상의 마이크로 프로세서 및 기타 미리 정해진 논리에 따라 입력된 데이터를 처리할 수 있는 전자 부품 중 하나 이상을 포함할 수 있다. 일 예로, 상기 제어부(100)는 상기 구동부(110), 상기 수신 제어부(130), 상기 검출부(150), 상기 데이터 저장부(170), 및 상기 데이터 출력부(190) 중 적어도 어느 하나를 제어하는 등과 같은 각종 처리를 수행하여, 상기 시편 검사 장치(10)로부터 수행될 수 있는 시편 검사 프로세스 등을 RAM 상에 전개할 수 있다.
도 1 및 도 2를 참조하여, 상기 제어부(100)에 대해 설명하고자 한다.
상기 구동부(110)는 상기 시편 검사 시스템(1)을 구동시킬 수 있다. 상기 구동부(110)는 상기 시편 검사 장치(10)를 구동시킬 수 있다. 상기 구동부(110)는 제1 구동부(111), 제2 구동부(113), 및 제3 구동부(115)를 포함할 수 있다.
상기 제1 구동부(111)는 상기 방출부(200)가 테라헤르츠 파를 방출하도록 제어할 수 있다. 상기 제1 구동부(111)는 상기 방출부(200)에서 방출된 테라헤르츠 파(210)가 상기 시편(700)에 대응되는 경우에 상기 방출부(200)가 테라헤르츠 파(210)를 방출하도록 제어할 수 있다.
상기 제2 구동부(113)는 상기 반사부(300)가 회전되는 각도를 제어할 수 있다. 상기 제2 구동부(113)는 상기 시편(700)의 크기에 따라 상기 반사부(300)가 회전되는 각도를 제어할 수 있다. 상기 제2 구동부(113)는 상기 반사부(300)가 소정의 각도로 회전되도록 제어할 수 있다. 상기 제2 구동부(113)는 상기 반사부(300)가 소정의 간격을 가진 각도로 회전되도록 제어할 수 있다. 상기 제2 구동부(113)는 상기 반사부(300)가 연속적인 각도로 회전되도록 제어할 수 있다. 상기 제2 구동부(113)는 상기 반사부(300)가 상기 반사부(300)와 상기 시편이 대응되는 방향을 기준으로 회전되도록 제어할 수 있다. 상기 제2 구동부(113)는 상기 반사부(300)가 상기 반사부(300)와 상기 시편이 대응되는 방향을 기준으로 회전되어, 상기 시편(700)에 복수의 조사 영역이 형성되도록 제어할 수 있다. 상기 제2 구동부(113)는 상기 반사부(300)가 상기 반사부(300)와 상기 시편이 대응되는 방향을 기준으로 회전되어, 상기 시편(700)에 서로 상이한 위치에서 복수의 조사 영역이 형성되도록 제어할 수 있다. 상기 제2 구동부(113)는 상기 반사부(300)가 상기 반사부(300)와 상기 시편이 대응되는 방향을 기준으로 1도 내지 20도의 범위 내에서 회전되도록 제어할 수 있다. 상기 제2 구동부(113)는 상기 반사부(300)가 상기 반사부(300)와 상기 시편이 대응되는 방향을 기준으로 바람직하게는 1도 내지 4도 및 20도로 회전되도록 제어할 수 있다.
상기 제3 구동부(115)는 상기 반사부(300)와 상기 초점 조정부(400) 사이의 거리를 제어할 수 있다. 상기 제3 구동부(115)는 상기 시편(700)의 크기에 따라 상기 반사부(300)와 상기 초점 조정부(400) 사이의 거리인 제1 거리(d1)를 제어할 수 있다. 상기 제3 구동부(115)는 상기 시편(700)에 형성되는 복수의 조사 영역의 크기에 따라 상기 제1 거리(d1)를 제어할 수 있다. 상기 제3 구동부(115)는 상기 시편(700)에 형성되는 복수의 조사 영역의 크기를 조정하기 위해 상기 제1 거리(d1)를 제어할 수 있다. 상기 제3 구동부(115)는 상기 제1 거리(d1)를 57mm 내지 61mm로 제어될 수 있다.
상기 수신 제어부(130)는 상기 수신부(600)가 상기 방출부(200)에서 방출된 테라헤르츠 파를 수신하도록 제어할 수 있다. 상기 수신 제어부(130)는 상기 수신부(600)가 상기 방출부(200)에서 방출된 테라헤르츠 파(210)가 상기 시편(700)에서 반사된 반사 테라헤르츠 파(220)를 수신하도록 제어할 수 있다. 상기 수신 제어부(130)는 상기 수신부(600)가 상기 방출부(200)에서 방출된 테라헤르츠 파(210)가 사이 시편(700)의 표면에서 반사된 반사 테라헤르츠 파(220)를 수신하도록 제어할 수 있다. 상기 수신 제어부(130)는 상기 수신부(600)가 수신한 테라헤르츠 파를 기초로 하여 상기 테라헤르츠 파의 세기를 검출할 수 있다. 상기 수신 제어부(130)는 상기 수신부(600)가 수신한 테라헤르츠 파를 기초로 하여 상기 테라헤르츠 파의 세기 변화를 검출할 수 있다. 상기 수신 제어부(130)는 상기 수신부(600)가 수신한 테라헤르츠 파를 기초로 하여 상기 시편의 영역 마다 상기 테라헤르츠 파의 세기 변화를 검출할 수 있다. 상기 수신 제어부(130)는 상기 시편의 영역 중 상기 테라헤르츠 파의 세기 변화가 나타난 영역의 좌표를 검출할 수 있다.
상기 데이터 저장부(170)는 상기 테라헤르츠 파의 세기에 대한 데이터를 저장할 수 있다. 상기 데이터 저장부(170)는 상기 테라헤르츠 파의 세기 변화에 대한 데이터를 저장할 수 있다. 상기 데이터 저장부(170)는 상기 시편의 영역마다 상기 테라헤르츠 파의 세기 변화에 대한 데이터를 저장할 수 있다. 상기 데이터 저장부(170)는 상기 시편의 영역 중 상기 테라헤르츠 파의 세기 변화가 나타난 영역의 좌표에 대한 데이터를 저장할 수 있다.
상기 데이터 출력부(190)는 상기 데이터 저장부(170)에 저장된 데이터를 출력할 수 있다. 상기 데이터 출력부(190)는 상기 데이터 저장부(170)에 저장된 상기 시편의 불량 여부에 대한 데이터를 출력할 수 있다. 상기 데이터 출력부(190)는 상기 데이터 저장부(170)에 저장된 상기 시편의 불량 영역의 좌표에 대한 데이터를 출력할 수 있다.
도 3은 일 실시 예에 따른 시편 검사 장치(10)의 방출부(200)에서 방출된 테라헤르츠 파(210)가 반사부(300)에 의해 변환된 경로를 나타내는 도면이다.
도 1 내지 도 3을 참조하여, 상기 시편 검사 장치(10)의 상기 반사부(300)가 상기 방출부(200)에서 방출된 테라헤르츠 파(210)의 경로를 변환하고, 변환된 경로에 따라 상기 테라헤르츠 파(210)이 상기 시편(700) 상에서 복수의 조사 영역을 형성하는 것을 설명하고자 한다. 상기 복수의 조사 영역은 제2 거리(d2)만큼 이격되어 위치할 수 있다. 상기 제2 거리(d2)는 2mm 내지 10mm일 수 있다. 상기 제2 거리(d2)는 바람직하게는 2.3mm 내지 9.5mm일 수 있다.
상기 반사부(210)는 소정의 각도로 회전할 수 있다. 상기 반사부(210)는 소정의 각도에 따라 서로 상이한 방향으로 회전할 수 있다. 상기 반사부(210)는 소정의 각도에 따라 좌우 중 적어도 어느 하나의 방향으로 회전할 수 있다. 상기 반사부(210)는 상기 방출부(200)에서 방출된 테라헤르츠 파(210)가 상기 시편(700)에 입사되는 경로가 수직인 것을 기준으로 회전할 수 있다. 상기 반사부(210)는 상기 방출부(200)에서 방출된 테라헤르츠 파(210)가 상기 시편(700)에 입사되는 경로가 수직인 것을 기준으로 소정의 각도에 따라 서로 상이한 방향으로 회전할 수 있다.
상기 반사부(210)가 회전한 각도가 0인 경우, 상기 방출부(200)에서 방출된 테라헤르츠 파(210)는 상기 시편에 대해 제1 테라헤르츠 파(230)의 방향으로 조사될 수 있다. 상기 반사부(210)가 회전한 각도가 소정의 각도인 경우, 상기 방출부(200)에서 방출된 테라헤르츠 파(210)는 상기 시편에 대해 제2 테라헤르츠 파(250)의 방향으로 조사될 수 있다. 상기 제1 테라헤르츠 파(230) 및 상기 제2 테라헤르츠 파(250) 중 적어도 어느 하나는 상기 시편에 대해 수직인 방향일 수 있다. 상기 제1 테라헤르츠 파(230)와 상기 제2 테라헤르츠 파(250)는 서로 이격되어 위치할 수 있다. 상기 제1 테라헤르츠 파(230)와 상기 제2 테라헤르츠 파(250)는 상기 제2 거리(d2)만큼 이격되어 위치할 수 있다.
상기 제1 테라헤르츠 파(230)는 상기 시편(700) 상에 조사되어 제1 영역(240)을 형성할 수 있다. 상기 제2 테라헤르츠 파 (250)는 상기 시편(700) 상에 조사되어 제2 영역(260)을 형성할 수 있다. 상기 제1 영역(240) 및 상기 제2 영역(260)은 이격되어 위치할 수 있다. 상기 제1 영역(240) 및 상기 제2 영역(260)은 상기 제2 거리(d2)만큼 이격되어 위치할 수 있다.상기 제1 영역(240) 및 상기 제2 영역(260) 중 적어도 일부 영역이 서로 중첩될 수 있다.
상기 시편 검사 장치(10)는 상기 방출부(200)에서 방출된 테라헤르츠 파(210)가 상기 반사부(300)에 의해 경로가 변환되어, 상기 방출부(200)에서 방출된 테라헤르츠 파(210)의 조사 방향이 고정되어 있어도 상기 시편(700) 상에는 복수의 조사 영역이 형성될 수 있다. 상기 시편 검사 장치(10)는 상기 방출부(200)가 복수의 조사 방향을 가지는 테라헤르츠 파(210)를 조사하지 않더라도 상기 반사부(300)에 의해 다양한 경로의 테라헤르츠 파(210)를 형성할 수 있어, 상기 시편(700)의 전체 영역을 일시에 검사할 수 있다. 또한, 상기 시편 검사 장치(10)는 상기 방출부(200)에서 방출되는 테라헤르츠 파(210)의 세기가 상기 반사부(300)에 의해 다양한 조사 영역에 대해 비슷하게 유지될 수 있어, 상기 시편(700)의 전체 영역을 비교적 균일한 세기로 검사할 수 있다.
도 4는 일 실시 예에 따른 시편 검사 장치의 반사부에 의해 경로가 변환된 테라헤르츠 파가 초점 조정부에 의해 시편의 동일 평면 상에서 초점을 형성하는 것을 나타내는 도면이다.
도 1 내지 도 4를 참조하여, 상기 초점 조정부(400)가 상기 방출부(200)에서 상기 반사부(300)에 의해 서로 다른 경로로 입사되는 테라헤르츠 파의 초점을 조정할 수 있는 것을 설명하고자 한다.
상기 초점 조정부(400)는 복수의 렌즈를 포함할 수 있다. 상기 초점 조절부(400)는 소정의 거리로 이격되어 위치하는 제1 렌즈(410), 제2 렌즈(420), 제3 렌즈(430), 및 제4 렌즈(440) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 상기 초점 조정부(400)는 소정의 거리로 이격되어 위치하는 동일하거나 상이한 상기 제1 렌즈(410), 상기 제2 렌즈(420), 상기 제3 렌즈(430), 및 상기 제4 렌즈(440) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 상기 제1 렌즈(410), 상기 제2 렌즈(420), 상기 제3 렌즈(430), 및 상기 제4 렌즈(440) 중 적어도 어느 하나는 telecentric-f-theta 렌즈일 수 있다.
상기 방출부(200)에서 방출되는 테라헤르츠 파(210)는 상기 반사부(300)에 의해 경로가 변환되어, 서로 상이한 방향을 가지는 상기 제1 테라헤르츠 파(230), 상기 제2 테라헤르츠 파(250), 및 제3 테라헤르츠 파(270)를 형성할 수 있다. 상기 제1 테라헤르츠 파(230)를 기준으로 상기 제2 테라헤르츠 파(250) 및 상기 제3 테라헤르츠 파(270)는 소정의 거리만큼 각각 이격되어 위치할 수 있다. 상기 제1 테라헤르츠 파(230)를 기준으로 상기 제2 테라헤르츠 파(260) 및 상기 제3 테라헤르츠 파(270)는 상기 제2 거리(d2) 및 제3 거리(d3)만큼 각각 이격되어 위치할 수 있다. 상기 제1 테라헤르츠 파(230)의 중심선을 기준으로 상기 제2 테라헤르츠 파(260)의 중심선 및 상기 제3 테라헤르츠 파(270)의 중심선은 상기 제2 거리(d2) 및 제3 거리(d3)만큼 각각 이격되어 위치할 수 있다.
상기 초점 조정부(400)는 상기 1 테라헤르츠 파(230), 상기 제2 테라헤르츠 파(250), 및 상기 제3 테라헤르츠 파(270) 중 적어도 어느 하나의 초점을 조정할 수 있다. 상기 초점 조정부(400)는 상기 제1 테라헤르츠 파(230), 상기 제2 테라헤르츠 파(250), 및 상기 제3 테라헤르츠 파(270) 중 적어도 어느 하나의 초점을 상기 시편(700)에 대해 수직 방향으로 조사하도록 조정할 수 있다. 상기 초점 조정부(400)는 상기 제1 테라헤르츠 파(230), 상기 제2 테라헤르츠 파(250), 및 상기 제3 테라헤르츠 파(270)의 적어도 어느 하나의 초점을 상기 시편(700)에 대응되도록 조정할 수 있다. 상기 초점 조정부(400)는 상기 제1 테라헤르츠 파(230), 상기 제2 테라헤르츠 파(250), 및 상기 제3 테라헤르츠 파(270)의 적어도 어느 하나의 초점을 상기 시편(700)의 동일 평면 상에 대응되도록 조정할 수 있다.
상기 제1 테라헤르츠 파(230), 상기 제2 테라헤르츠 파(250), 및 상기 제3 테라헤르츠 파(270)가 조사되는 영역은 상기 제1 영역(240), 상기 제2 영역(260), 및 상기 제3 영역(280)일 수 있다. 상기 제1 테라헤르츠 파(230), 상기 제2 테라헤르츠 파(250), 및 상기 제3 테라헤르츠 파(270)의 초점이 형성되는 영역은 각각 상기 제1 영역(240), 상기 제2 영역(260), 및 상기 제3 영역(280)일 수 있다. 상기 제1 영역(240), 상기 제2 영역(260), 및 상기 제3 영역(280)은 상기 시편(700)에 위치할 수 있다. 상기 제1 영역(240), 상기 제2 영역(260), 및 상기 제3 영역(280)은 상기 시편(700) 상에 이격되어 위치할 수 있다. 상기 제1 영역(240), 상기 제2 영역(260), 및 상기 제3 영역(280)은 상기 제1 영역(240)을 기준으로 상기 제2 거리(d2) 및 상기 제3 거리(d3)만큼 각각 이격되어 위치할 수 있다. 상기 제1 영역(240), 상기 제2 영역(260), 및 상기 제3 영역(280)은 상기 제1 테라헤르츠 파(230), 상기 제2 테라헤르츠 파(250), 및 상기 제3 테라헤르츠 파(270)의 초점이 형성되는 영역일 수 있고, 상기 제1 영역(240), 상기 제2 영역(260), 및 상기 제3 영역(280)은 상기 제1 영역(240)을 기준으로 상기 제2 거리(d2) 및 상기 제3 거리(d3)만큼 각각 이격되어 위치할 수 있다. 상기 제1 영역(240), 상기 제2 영역(260), 및 상기 제3 영역(280) 중 적어도 일부 영역은 중첩될 수 있다.
상기 방출부(200)에서 방출되는 테라헤르츠 파(210)는 소정의 간격으로 이격되어 있는 복수의 파들을 포함할 수 있다. 상기 제1 테라헤르츠 파(230), 상기 제2 테라헤르츠 파(250), 및 상기 제3 테라헤르츠 파(270) 중 적어도 어느 하나는 소정의 간격으로 이격되어 있는 복수의 파들을 포함할 수 있다. 상기 소정의 간격으로 이격되어 있는 복수의 파들은 상기 초점 조정부(400)에 의해 초점이 조정될 수 있다. 상기 소정의 간격으로 이격되어 있는 복수의 파들은 상기 초점 조정부(400)에 의해 단일 초점으로 수렴하도록 조정될 수 있다. 상기 소정의 간격으로 이격되어 있는 복수의 파들은 상기 초점 조정부(400)에 의해 단일 초점으로 수렴되어, 상기 시편(700)에 조사 영역을 형성할 수 있다.
상기 시편 검사 장치(10)는 상기 초점 조정부(400)가 상기 테라헤르츠 파(210)의 초점을 조정하여, 상기 시편(700)에 형성되는 조사 영역에 가장 세기가 큰 테라헤르츠 파가 조사될 수 있다. 상기 시편 검사 장치(10)는 상기 초점 조정부(400)가 상기 시편(700)에 형성되는 조사 영역이 초점과 일치되도록 하여, 상기 시편(700)의 불량 여부를 높은 분해능으로 검사할 수 있다. 상기 시편 검사 장치(10)는 상기 초점 조정부(400)가 상기 시편(700)의 불량 여부를 높은 분해능으로 검사함에 따라, 상기 시편(700)에 대한 불량 여부 판단의 정확도가 향상될 수 있다.
도 5는 일 실시 예에 따른 시편 검사 장치에서 테라헤르츠 파가 조사되어 시편에 형성한 복수의 영역들을 나타내는 도면이다.
도 1 내지 도 5를 참조하여, 상기 제1 테라헤르츠 파(230) 및 상기 제2 테라헤르츠 파(250)가 상기 시편(700)에 상기 제1 영역(240) 및 상기 제2 영역(260)을 각각 형성하고, 상기 조사 영역의 적정 직경에 대해 설명하고자 한다.
상기 제1 영역(240) 및 상기 제2 영역(260)은 제1 직경(s1) 및 제2 직경(s2)을 각각 가질 수 있다. 상기 제1 영역(240)과 상기 제2 영역(260)은 상기 제2 거리(d2)로 이격되어 위치할 수 있다. 상기 제2 영역(260)은 상기 제1 영역(240)을 중심으로 상기 제2 거리(d2)로 이격되어 있는 복수의 영역들일 수 있다. 복수의 상기 제2 영역(260)들은 소정의 간격으로 상기 제1 영역(240)으로부터 상기 제2 거리(d2)만큼 이격되어 위치할 수 있다. 복수의 상기 제2 영역(260)들은 연속적으로 상기 제1 영역(240)으로부터 상기 제2 거리(d2)만큼 이격되어 위치할 수 있다.
상기 제1 직경(s1) 및 상기 제2 직경(s2)은 상기 제1 거리(d1) 및 상기 제2 거리(d2) 중 적어도 어느 하나가 변경됨에 따라 달라질 수 있다. 상기 제1 직경(s1) 및 상기 제2 직경(s2)은 적정 직경일 수 있다. 상기 적정 직경은 상기 시편(700)의 불량 여부를 검출할 수 있는 직경일 수 있다. 상기 적정 직경은 상기 시편(700)의 불량 여부를 검출하기 위한 분해능을 가지는 직경일 수 있다. 상기 시편(700)의 불량 여부를 검출하기 위한 분해능은 상기 제1 직경(.s1) 및 상기 제2 직경(s2) 중 적어도 어느 하나의 직경이 최소값을 가지는 경우일 수 있다. 상기 적정 직경은 직경의 최소값을 기준으로 0.2% 내지 2% 이내의 편차를 가지는 직경일 수 있다.
상기 제1 직경(d1)을 가지는 상기 제1 영역(240)의 적어도 일부 영역과 상기 제2 직경(d2)을 가지는 상기 제2 영역(260)의 적어도 일부 영역은 서로 중첩될 수 있다. 상기 시편(700)의 불량 여부를 검출할 수 있는 영역은 상기 제1 영역(240) 및 상기 제2 영역(260)을 모두 포함할 수 있다.
상기 시편 검사 장치(10)는 적정 직경을 가지는 상기 제1 영역(240) 및 상기 제2 영역(260)을 상기 시편(700)에 대해 조사하여, 상기 시편(700)에 대해 높은 분해능으로 검사를 수행할 수 있다. 상기 시편 검사 장치(10)는 적정 직경을 가지는 상기 제1 영역(240) 및 상기 제2 영역(260)의 적어도 일부 영역이 서로 중첩되어, 상기 시편(700)에 대한 전 영역의 불량 여부를 높은 분해능으로 일시에 검출할 수 있다.
도 6 내지 도 9는 일 실시 예에 따른 시편 검사 장치에서 상기 시편에 형성되는 복수의 영역들의 크기에 대한 실험값을 나타내는 도면이다.
도 1 내지 도 9를 참조하여, 상기 제1 영역(240), 상기 제2 영역(260), 상기 제3 영역(280)의 적정 직경에 대해 설명하고자 한다.
도 6은 상기 제2 거리(d2)가 상기 제1 영역(240)을 기준으로 2mm 내지 2.5mm로 이격되어 있는 경우 상기 제1 영역(240), 상기 제2 영역(260), 상기 제3 영역(280)의 직경을 나타내는 도면이다. 도 6은 상기 반사부(300)가 상기 시편이 대응되는 방향을 기준으로 1도 및 20도로 회전하는 경우 상기 제1 영역(240), 상기 제2 영역(260), 상기 제3 영역(280)의 직경을 나타내는 도면이다. 표 1은 도 6에서 나타난 상기 제1 거리(d1)에 따른 상기 제1 영역(240), 상기 제2 영역(260), 상기 제3 영역(280)의 직경을 도시한 것이다.
RMS radius(mm) 제1 영역 제2 영역 제3 영역
d1=56 mm 66.087 68.9 929.907
d1=57 mm 65.146 67.946 953.511
d1=60 mm 65.831 68.384 1039.53
d1= 61 mm 67.213 69.623 1073.19
도 7은 상기 제2 거리(d2)가 상기 제1 영역(240)을 기준으로 4.5mm 내지 5mm로 이격되어 있는 경우 상기 제1 영역(240), 상기 제2 영역(260), 상기 제3 영역(280)의 직경을 나타내는 도면이다. 도 7은 상기 반사부(300)가 상기 시편이 대응되는 방향을 기준으로 2도 및 20도로 회전하는 경우 상기 제1 영역(240), 상기 제2 영역(260), 상기 제3 영역(280)의 직경을 나타내는 도면이다. 표 2는 도 6에서 나타난 상기 제1 거리(d1)에 따른 상기 제1 영역(240), 상기 제2 영역(260), 상기 제3 영역(280)의 직경을 도시한 것이다.
RMS radius(mm) 제1 영역 제2 영역 제3 영역
d1=57 mm 65.146 75.964 953.51
d1=58 mm 64.786 75.426 979.667
d1=60 mm 65.831 75.764 1039.53
d1= 61 mm 67.213 76.636 1073.19
도 8은 상기 제2 거리(d2)가 상기 제1 영역(240)을 기준으로 7mm 내지 7.5mm로 이격되어 있는 경우 상기 제1 영역(240), 상기 제2 영역(260), 상기 제3 영역(280)의 직경을 나타내는 도면이다. 도 8은 상기 반사부(300)가 상기 시편이 대응되는 방향을 기준으로 3도 및 20도로 회전하는 경우 상기 제1 영역(240), 상기 제2 영역(260), 상기 제3 영역(280)의 직경을 나타내는 도면이다. 표 3은 도 6에서 나타난 상기 제1 거리(d1)에 따른 상기 제1 영역(240), 상기 제2 영역(260), 상기 제3 영역(280)의 직경을 도시한 것이다.
RMS radius(mm) 제1 영역 제2 영역 제3 영역
d1=58 mm 64.786 87.694 979.667
d1=59 mm 65.016 87.35 1008.35
d1=60 mm 65.831 87.378 1039.53
d1= 61 mm 67.213 87.779 1073.19
도 9은 상기 제2 거리(d2)가 상기 제1 영역(240)을 기준으로 9mm 내지 9.5mm로 이격되어 있는 경우 상기 제1 영역(240), 상기 제2 영역(260), 상기 제3 영역(280)의 직경을 나타내는 도면이다. 도 9은 상기 반사부(300)가 상기 시편이 대응되는 방향을 기준으로 4도 및 20도로 회전하는 경우 상기 제1 영역(240), 상기 제2 영역(260), 상기 제3 영역(280)의 직경을 나타내는 도면이다. 표 4는 도 6에서 나타난 상기 제1 거리(d1)에 따른 상기 제1 영역(240), 상기 제2 영역(260), 상기 제3 영역(280)의 직경을 도시한 것이다.
RMS radius(mm) 제1 영역 제2 영역 제3 영역
d1=59 mm 65.016 103.058 1008.35
d1=60 mm 65.831 102.706 1039.53
d1=61 mm 67.213 102.632 1073.19
d1= 62 mm 69.126 102.84 1109.29
도 6 내지 도 9, 및 표 1 내지 표 4를 고려할 때, 상기 제1 영역(240), 상기 제2 영역(260), 및 상기 제3 영역(280)은 상기 제1 거리(d1)의 변경과 관계없이, 상기 제1 영역(240), 상기 제2 영역(260), 및 상기 제3 영역(280) 순으로 직경의 크기가 점차 커지는 경향을 가질 수 있다. 또한, 상기 제3 영역(280)은 상기 제1 영역(240) 및 상기 제2 영역(260)의 직경에 비하여 매우 큰 직경을 가지는 점을 고려할 때, 상기 시편 검사 장치(10)는 상기 시편(700)의 불량 여부를 검출함에 있어서 적정 직경을 가지는지 여부는 상기 제1 영역(240) 및 상기 제2 영역(260)에 보다 높은 비중을 두고 판단할 수 있다. 또한, 상기 제1 거리(d1)가 동일한 경우, 상기 제1 영역(240) 및 상기 제3 영역(260)은 상기 제2 거리(d2)의 변경과 관계없이 동일한 직경을 각각 가지는 것을 확인할 수 있다. 또한, 상기 제1 거리(d1)가 동일한 경우라 하더라도, 상기 제2 영역(260)은 상기 제2 거리(d2)가 변경됨에 따라 상이한 직경을 가지는 것을 확인할 수 있다.
RMS radius(mm) d1=56 mm d1=57 mm d1=58 mm d1=59 mm d1=60 mm d1=61 mm d1=62 mm
제1 영역 66.087 65.146 64.786 65.016 65.831 67.213 69.126
RMS radius(mm) d1=56 mm d1=57 mm d1=58 mm d1=59 mm d1=60 mm d1=61 mm d1=62 mm
제3 영역 929.907 953.511 979.667 1008.35 1039.53 1073.19 1109.29
도 6 내지 도 9, 및 표 1 내지 표 4를 고려할 때, 표 5 및 표 6은 상기 제2 거리(d2)의 변경과 관계없이 상기 제1 거리(d1)에 따른 상기 제1 영역(240) 및 상기 제3 영역(280)의 직경을 각각 나타낸 것이다. 표 5를 고려할 때, 상기 제1 영역(240)은 상기 제1 거리(d1)가 56mm 내지 58mm까지는 점차 작아지는 직경을 가지나, 상기 제1 거리(d1)가 58mm 내지 62mm까지는 점차 커지는 직경을 가지는 것을 확인할 수 있다. 따라서, 상기 제1 영역(240)은 상기 제1 거리(d1)가 56mm 내지 62mm로 변경됨에 따라 얻어지는 직경 값이 U자형 곡선을 가지는 것을 확인할 수 있다. 또한, 표 6을 고려할 때, 상기 제3 영역(280)은 상기 제1 거리(d1)이 커짐에 따라 점차 커지는 직경을 가지는 것을 확인할 수 있다.
표 5를 고려할 때, 상기 제1 영역(240)은 상기 시편(700)을 검출할 수 있는 적정 직경을 가질 수 있고, 상기 적정 직경은 최소값을 기준으로 1.7%의 오차 범위를 가지는 범위에 포함될 수 있다. 상기 오차 범위는 상기 제1 영역(240)의 크기가 60mm 내지 70mm를 가지는 점 및 상기 제1 거리(d1)에 따라 변경되는 직경 값이 U자형 곡선을 그리는 점을 고려할 수 있다. 상기 제1 영역(240)은 최소값인 64.786mm를 기준으로 1.7% 오차범위를 가지는 64.786mm 내지 65.887mm인 범위에 포함될 수 있다. 상기 제1 영역(240)은 적정 직경을 가질 수 있고, 상기 적정 직경은 64.786mm 내지 65.887mm일 수 있다. 상기 제1 거리(d1)은 상기 제1 영역(240)이 적정 직경을 가질 수 있도록 57mm 내지 60mm일 수 있다. 상기 제1 거리(d1)은 상기 제1 영역(240)이 64.786mm 내지 65.887mm의 직경을 가질 수 있도록 57mm 내지 60mm일 수 있다.
상기 제1 영역(240)은 최소값으로부터 오차범위가 크게 차이가 나는 경우에는 상기 시편의 불량 여부를 판단할 수 있는 분해능을 가지지 못할 수 있다. 상기 제1 영역(240)은 최소값으로부터 소정의 오차 범위 내에 해당되는 직경을 가지는 경우에만 상기 시편의 불량 여부를 판단할 수 있다. 상기 제1 영역(240)의 적정 직경은 최소값으로부터 2% 이내의 오차 범위에 해당되는 직경일 수 있고, 바람직하게는 최소값으로부터 1.7%의 오차 범위에 해당되는 직경일 수 있다. 상기 제1 영역(240)의 직경이 최소값으로부터 1.7%의 오차 범위보다 큰 직경을 가지는 경우, 상기 제1 영역(240)의 단위 면적당 테라헤르츠 파의 세기가 보다 작아질 수 있어, 상기 제1 영역(240)에서 검출되는 시편의 불량 여부의 정확도가 떨어질 수 있다.
도 6 내지 도 9, 및 표 1 내지 표 4를 고려할 때, 표 7은 상기 제1 거리(d1) 및 상기 제2 거리(d2)에 따른 상기 제2 영역(260)을 나타낸 것이다.
RMS radius( mm) d1=56 mm d1=57 mm d1=58 mm d1=59 mm d1=60 mm d1=61 mm d1=62 mm
d2=2mm 68.9 67.946 - - 68.384 69.623 -
d2=5mm - 75.964 75.426 - 75.764 76.636 -
d2=7mm - - 87.694 87.35 87.378 87.779 -
d2=9.5mm - - - 103.058 102.706 102.632 102.84
표 7을 고려할 때, 상기 제2 영역(260)은 56mm 내지 62mm인 상기 제1 거리(d1) 및 2mm 내지 9.5mm인 상기 제2 거리(d2)에 따라 얻어지는 직경 값이 U자형 곡선을 가지는 것을 확인할 수 있다. 또한, 상기 제2 영역(260)은 상기 제2 거리(d2)가 커질수록, 상기 제1 거리(d1)에 따른 직경 값이 커지는 것을 확인할 수 있다.
상기 제2 영역(260)의 최소값을 기준으로 형성되는 직경 값의 U자형 곡선의 경우, 최소값을 가지는 상기 제1 거리에 비해 1mm 작은 상기 제1 거리(d1)는 최소값에 비해 직경 값이 크게 증가하고, 최소값을 가지는 상기 제1 거리(d1)에 비해 1mm 내지 4mm 큰 상기 제1 거리(d1)는 최소값에 비해 직경 값이 점차적으로 증가하는 것을 확인할 수 있다. 이를 고려하여, 상기 시편 검사 장치(10)는 상기 제2 영역(260)의 최소값을 가지는 상기 제1 거리(d1)보다 1mm가 작은 상기 제1 거리(d1)의 직경 값을 기초로 상기 적정 직경의 범위를 결정할 수 있다. 상기 적정 직경은 상기 제2 영역(260)의 최소값을 가지는 상기 제1 거리(d1)보다 1mm가 작은 상기 제1 거리(d1)의 직경 값보다 작을 수 있다.
또한, 상기 적정 직경은 최소값을 기준으로 0.2% 내지 2% 이내의 편차를 가질 수 있다. 상기 적정 직경은 상기 제2 거리에 따라 최소값이 변경될 수 있고, 상기 적정 직경의 최소값이 커지는 경우 상기 적정 직경의 편차는 보다 작게 설정될 수 있다. 이는 상기 제2 거리에 따라 상기 적정 직경의 최소값이 커지게 되고, 상기 적정 직경의 최소값이 커짐에 따라 상기 적정 직경의 분해능이 보다 떨어지기 때문이다. 이는 상기 제2 영역에 조사되는 테라헤르츠 파의 세기는 동일함에도 불구하고, 단위 면적당 조사되는 테라헤르츠 파의 세기는 상기 제2 영역의 적정 직경의 최소값이 적은 경우가 단위 면적당 조사되는 테라헤르츠 파의 세기보다 최소값이 큰 경우보다 크기 때문이다. 따라서, 상기 적정 직경의 최소값은 제2 거리가 2mm로부터 9.5mm로 이격됨에 따라 64mm로부터 102mm로 커지는 것을 고려하여, 상기 적정 직경의 편차는 2%에서 0.2%로 작아지도록 고려될 수 있다.
상기 제2 거리(d2)가 2mm 내지 2.5mm인 경우, 상기 제1 영역(240)에서 나타나는 직경 값과 거의 비슷한 직경을 가지는 점을 고려할 수 있다. 상기 제2 거리(d2)가 2mm 내지 2.5mm인 경우, 상기 제2 영역(260)은 적정 직경을 가질 수 있고, 상기 적정 직경은 최소값을 가지는 d1(57mm) 보다 1mm가 작은 d1(56mm)가 가지는 68.9mm보다 작을 수 있다. 상기 제2 거리(d2)가 2mm 내지 2.5mm인 경우, 상기 제1 거리(d1)은 상기 제2 영역(260)이 적정 직경을 가질 수 있도록 57mm 내지 60mm일 수 있다.
상기 제2 거리(d2)가 2mm 내지 2.5mm인 경우, 상기 적정 직경은 최소값을 기준으로 1.4%의 오차 범위를 가지는 범위에 포함될 수 있다. 상기 오차 범위는 상기 제1 영역(240)의 크기가 60mm 내지 70mm를 가지는 점 및 상기 제1 거리(d1)에 따라 변경되는 직경 값이 U자형 곡선을 그리는 점을 고려할 수 있다. 상기 제2 영역(260)은 최소값인 67.946mm를 기준으로 1.4% 오차범위를 가지는 67.946mm 내지 68.897mm인 범위에 포함될 수 있다. 상기 제2 거리(d2)가 2mm 내지 2.5mm인 경우, 상기 제2 영역(260)은 적정 직경을 가질 수 있고, 상기 적정 직경은 67.946mm 내지 68.897mm일 수 있다. 상기 제2 거리(d2)가 2mm 내지 2.5mm인 경우, 상기 제1 거리(d1)은 상기 제2 영역(260)이 적정 직경을 가질 수 있도록 57mm 내지 60mm일 수 있다. 상기 제2 거리(d2)가 2mm 내지 2.5mm인 경우, 상기 제1 거리(d1)은 상기 제2 영역(260)이 67.946mm 내지 68.897mm일 수 있도록 57mm 내지 60mm일 수 있다.
상기 제2 영역(260)은 최소값으로부터 오차범위가 크게 차이가 나는 경우에는 상기 시편의 불량 여부를 판단할 수 있는 분해능을 가지지 못할 수 있다. 상기 제2 영역(260)은 최소값으로부터 소정의 오차 범위 내에 해당되는 직경을 가지는 경우에만 상기 시편의 불량 여부를 판단할 수 있다. 상기 제2 영역(260)의 적정 직경은 최소값으로부터 2% 이내의 오차 범위에 해당되는 직경일 수 있고, 상기 제2 거리(d2)가 2mm 내지 2.5mm인 경우 바람직하게는 최소값으로부터 1.4%의 오차 범위에 해당되는 직경일 수 있다. 상기 제2 거리(d2)가 2mm 내지 2.5mm일 때, 상기 제2 영역(260)의 직경이 최소값으로부터 1.4%의 오차 범위보다 큰 직경을 가지는 경우, 상기 제2 영역(260)의 단위 면적당 테라헤르츠 파의 세기가 보다 작아질 수 있어, 상기 제2 영역(260)에서 검출되는 시편의 불량 여부의 정확도가 떨어질 수 있다.
상기 제2 거리(d2)가 4.5mm 내지 5mm인 경우, 상기 제2 영역(260)은 적정 직경을 가질 수 있고, 상기 적정 직경은 최소값을 가지는 d1(58mm) 보다 1mm가 작은 d1(57mm)가 가지는 75.964mm보다 작을 수 있다. 상기 제2 거리(d2)가 4.5mm 내지 5mm인 경우, 상기 제1 거리(d1)은 상기 제2 영역(260)이 적정 직경을 가질 수 있도록 58mm 내지 60mm일 수 있다.
상기 제2 거리(d2)가 4.5mm 내지 5mm인 경우, 상기 제2 영역(260)은 70mm 내지 80mm의 직경을 가지는 것을 확인할 수 있다. 상기 제2 거리(d2)가 4.5mm 내지 5mm인 경우, 직경이 커질수록 분해능이 떨어지는 점 및 상기 제2 영역(260)의 직경 범위를 고려하여, 상기 적정 직경은 최소값을 기준으로 0.7%의 오차 범위를 가지는 범위에 포함될 수 있다. 상기 제2 거리(d2)가 4.5mm 내지 5mm인 경우, 상기 제2 영역(260)은 최소값인 75.426mm를 기준으로 0.7% 오차범위를 가지는 75.426mm 내지 75.954mm인 범위에 포함될 수 있다. 상기 제2 거리(d2)가 4.5mm 내지 5mm인 경우, 상기 제2 영역(260)은 적정 직경을 가질 수 있고, 상기 적정 직경은 75.426mm 내지 75.954mm일 수 있다. 상기 제2 거리(d2)가 4.5mm 내지 5mm인 경우, 상기 제1 거리(d1)은 상기 제2 영역(260)이 적정 직경을 가질 수 있도록 58mm 내지 60mm일 수 있다. 상기 제2 거리(d2)가 4.5mm 내지 5mm인 경우, 상기 제1 거리(d1)은 상기 제2 영역(260)이 75.426mm 내지 75.954mm일 수 있도록 58mm 내지 60mm일 수 있다.
상기 제2 영역(260)은 최소값으로부터 오차범위가 크게 차이가 나는 경우에는 상기 시편의 불량 여부를 판단할 수 있는 분해능을 가지지 못할 수 있다. 상기 제2 영역(260)은 최소값으로부터 소정의 오차 범위 내에 해당되는 직경을 가지는 경우에만 상기 시편의 불량 여부를 판단할 수 있다. 상기 제2 영역(260)의 적정 직경은 최소값으로부터 2% 이내의 오차 범위에 해당되는 직경일 수 있고, 상기 제2 거리(d2)가 4.5mm 내지 5mm인 경우 바람직하게는 최소값으로부터 0.7%의 오차 범위에 해당되는 직경일 수 있다. 상기 제2 거리(d2)가 4.5mm 내지 5mm일 때, 상기 제2 영역(260)의 직경이 최소값으로부터 0.7%의 오차 범위보다 큰 직경을 가지는 경우, 상기 제2 영역(260)의 단위 면적당 테라헤르츠 파의 세기가 보다 작아질 수 있어, 상기 제2 영역(260)에서 검출되는 시편의 불량 여부의 정확도가 떨어질 수 있다.
상기 제2 거리(d2)가 7mm 내지 7.5mm인 경우, 상기 제2 영역(260)은 적정 직경을 가질 수 있고, 상기 적정 직경은 최소값을 가지는 d1(59mm) 보다 1mm가 작은 d1(58mm)가 가지는 87.694mm보다 작을 수 있다. 상기 제2 거리(d2)가 7mm 내지 7.5mm인 경우, 상기 제1 거리(d1)은 상기 제2 영역(260)이 적정 직경을 가질 수 있도록 59mm 내지 60mm일 수 있다.
상기 제2 거리(d2)가 7mm 내지 7.5mm인 경우, 상기 제2 영역(260)은 80mm 내지 90mm의 직경을 가지는 것을 확인할 수 있다. 상기 제2 거리(d2)가 7mm 내지 7.5mm인 경우, 직경이 커질수록 분해능이 떨어지는 점 및 상기 제2 영역(260)의 직경 범위를 고려하여, 상기 적정 직경은 최소값을 기준으로 0.3%의 오차 범위를 가지는 범위에 포함될 수 있다. 상기 제2 거리(d2)가 7mm 내지 7.5mm인 경우, 상기 제2 영역(260)은 최소값인 87.35mm를 기준으로 0.3% 오차범위를 가지는 87.35mm 내지 87.612mm인 범위에 포함될 수 있다. 상기 제2 거리(d2)가 7mm 내지 7.5mm인 경우, 상기 제2 영역(260)은 적정 직경을 가질 수 있고, 상기 적정 직경은 87.35mm 내지 87.612mm일 수 있다. 상기 제2 거리(d2)가 7mm 내지 7.5mm인 경우, 상기 제1 거리(d1)은 상기 제2 영역(260)이 적정 직경을 가질 수 있도록 59mm 내지 60mm일 수 있다. 상기 제2 거리(d2)가 7mm 내지 7.5mm인 경우, 상기 제1 거리(d1)은 상기 제2 영역(260)이 87.35mm 내지 87.612mm일 수 있도록 59mm 내지 60mm일 수 있다.
상기 제2 영역(260)은 최소값으로부터 오차범위가 크게 차이가 나는 경우에는 상기 시편의 불량 여부를 판단할 수 있는 분해능을 가지지 못할 수 있다. 상기 제2 영역(260)은 최소값으로부터 소정의 오차 범위 내에 해당되는 직경을 가지는 경우에만 상기 시편의 불량 여부를 판단할 수 있다. 상기 제2 영역(260)의 적정 직경은 최소값으로부터 2% 이내의 오차 범위에 해당되는 직경일 수 있고, 상기 제2 거리(d2)가 7mm 내지 7.5mm인 경우 바람직하게는 최소값으로부터 0.3%의 오차 범위에 해당되는 직경일 수 있다. 상기 제2 거리(d2)가 7mm 내지 7.5mm일 때, 상기 제2 영역(260)의 직경이 최소값으로부터 0.3%의 오차 범위보다 큰 직경을 가지는 경우, 상기 제2 영역(260)의 단위 면적당 테라헤르츠 파의 세기가 보다 작아질 수 있어, 상기 제2 영역(260)에서 검출되는 시편의 불량 여부의 정확도가 떨어질 수 있다.
상기 제2 거리(d2)가 9mm 내지 9.5mm인 경우, 상기 제2 영역(260)은 100mm 내지 110mm의 직경을 가지는 것을 확인할 수 있다. 상기 제2 거리(d2)가 9mm 내지 9.5mm인 경우, 직경이 커질수록 분해능이 떨어지는 점 및 상기 제2 영역(260)의 직경 범위를 고려하여, 상기 적정 직경은 최소값을 기준으로 0.1%의 오차 범위를 가지는 범위에 포함될 수 있다. 상기 제2 거리(d2)가 9mm 내지 9.5mm인 경우, 상기 제2 영역(260)은 최소값인 102.632mm를 기준으로 0.1% 오차범위를 가지는 102.632mm 내지 102.735mm인 범위에 포함될 수 있다. 상기 제2 거리(d2)가 9mm 내지 9.5mm인 경우, 상기 제2 영역(260)은 적정 직경을 가질 수 있고, 상기 적정 직경은 102.632mm 내지 102.735mm일 수 있다. 상기 제2 거리(d2)가 9mm 내지 9.5mm인 경우, 상기 제1 거리(d1)은 상기 제2 영역(260)이 적정 직경을 가질 수 있도록 60mm 내지 61mm일 수 있다. 상기 제2 거리(d2)가 9mm 내지 9.5mm인 경우, 상기 제1 거리(d1)은 상기 제2 영역(260)이 102.632mm 내지 102.735mm일 수 있도록 60mm 내지 61mm일 수 있다.
상기 제2 영역(260)은 최소값으로부터 오차범위가 크게 차이가 나는 경우에는 상기 시편의 불량 여부를 판단할 수 있는 분해능을 가지지 못할 수 있다. 상기 제2 영역(260)은 최소값으로부터 소정의 오차 범위 내에 해당되는 직경을 가지는 경우에만 상기 시편의 불량 여부를 판단할 수 있다. 상기 제2 영역(260)의 적정 직경은 최소값으로부터 2% 이내의 오차 범위에 해당되는 직경일 수 있고, 상기 제2 거리(d2)가 9mm 내지 9.5mm인 경우 바람직하게는 최소값으로부터 0.1%의 오차 범위에 해당되는 직경일 수 있다. 상기 제2 거리(d2)가 9mm 내지 9.5mm일 때, 상기 제2 영역(260)의 직경이 최소값으로부터 0.1%의 오차 범위보다 큰 직경을 가지는 경우, 상기 제2 영역(260)의 단위 면적당 테라헤르츠 파의 세기가 보다 작아질 수 있어, 상기 제2 영역(260)에서 검출되는 시편의 불량 여부의 정확도가 떨어질 수 있다.
따라서, 상기 제2 거리(d2)가 2mm 내지 2.5mm인 경우, 상기 제1 거리(d1)은 상기 제2 영역(260)이 적정 직경을 가질 수 있도록 57mm 내지 60mm일 수 있다. 상기 제2 거리(d2)가 4.5mm 내지 5mm인 경우, 상기 제1 거리(d1)은 상기 제2 영역(260)이 적정 직경을 가질 수 있도록 58mm 내지 60mm일 수 있다. 상기 제2 거리(d2)가 7mm 내지 7.5mm인 경우, 상기 제1 거리(d1)은 상기 제2 영역(260)이 적정 직경을 가질 수 있도록 59mm 내지 60mm일 수 있다. 상기 제2 거리(d2)가 9mm 내지 9.5mm인 경우, 상기 제1 거리(d1)은 상기 제2 영역(260)이 적정 직경을 가질 수 있도록 60mm 내지 61mm일 수 있다. 상기 제2 거리(d2) 및 상기 제2 영역(260)의 직경을 고려할 때, 상기 제1 거리(d1) 중 60mm인 경우가 가장 최적의 상기 제1 거리(d1)일 수 있다.
상기 시편 검사 장치(10)는 상기 시편(700)의 크기에 따라 상기 제1 거리(d1) 및 상기 제2 거리(d2) 중 적어도 하나를 변경할 수 있다. 상기 시편 검사 장치(10)는 상기 시편(700)의 크기에 따라 상기 제2 거리(d2)를 변경할 수 있다. 상기 시편 검사 장치(10)는 상기 제2 거리(d2)가 커질수록 상기 시편의 불량 영역을 검출할 수 있는 영역이 커질 수 있다. 상기 시편 검사 장치(10)는 상기 제1 거리(d1) 및 상기 제2 거리(d2) 중 적어도 어느 하나에 기초하여 상기 시편의 불량 영역을 검출할 수 있는 적정 직경을 가지는 복수의 조사 영역을 가질 수 있다. 상기 시편 검사 장치(10)는 상기 제1 거리(d1) 및 상기 제2 거리(d2) 중 적어도 어느 하나에 기초하여 상기 시편의 불량 영역을 검출할 수 있는 적정 직경을 가지는 복수의 조사 영역을 가질 수 있다. 상기 시편 검사 장치(10)의 검사 영역은 상기 시편의 불량 영역을 검출할 수 있는 적정 직경을 가지는 복수의 조사 영역들을 포함할 수 있다.
이하, 본 출원의 일 실시 예에 따른 시편 검사 방법에 대해 설명하고자 한다. 도 10은 일 실시 예에 따른 시편 검사 방법을 나타내는 순서도이다. 도1 내지 도 10을 참조하면, 본 출원의 일 실시 예에 따른 시편 검사 방법은 시편 배치 단계(S110), 테라헤르츠 파 조사 단계(S120), 테라헤르츠 파의 경로 변환 단계(S130), 테라헤르츠 파의 조사 영역 형성 단계(S140), 반사 테라헤르츠 파의 수신 단계(S150), 시편 불량 여부 검출 단계(S160), 데이터 저장 단계(S170), 및 데이터 출력 단계(S180)를 포함할 수 있다.
상기 시편 배치 단계(S110)는 트레이 상에 상기 시편(700)을 배치할 수 있다. 상기 시편 배치 단계(S110)는 트레이 상에 상기 시편 검사 장치(10)와 대응되는 위치에 상기 시편(700)을 배치할 수 있다. 상기 시편은 복수 개일 수 있다.
상기 테라헤르츠 파 조사 단계(S120)는 상기 시편(700)에 대해 상기 방출부(200)가 테라헤르츠 파를 조사할 수 있다. 상기 테라헤르츠 파 조사 단계(S120)는 상기 방출부(200)가 테라헤르츠 파를 상기 반사부(300)에 조사할 수 있다.
상기 테라헤르츠 파의 경로 변환 단계(S130)는 상기 방출부(200)에서 방출된 테라헤르츠 파(210)가 상기 반사부(300)에 의해 경로가 변환될 수 있다. 상기 테라헤르츠 파의 경로 변환 단계(S130)는 상기 방출부(200)에서 방출된 테라헤르츠 파(210)가 소정의 각도로 회전하는 상기 반사부(300)에 의해 경로가 변환되어 상기 시편(700)에 조사될 수 있다. 상기 테라헤르츠 파의 경로 변환 단계(S130)는 상기 방출부(200)에서 방출된 테라헤르츠 파(210)가 소정의 각도로 회전하는 상기 반사부(300)에 의해 경로가 변환되어 상기 초점 조정부(400)에 조사될 수 있다.
상기 테라헤르츠 파의 조사 영역 형성 단계(S140)는 상기 반사부(300)에 의해 경로가 변환되어 조사되는 테라헤르츠 파의 초점을 상기 초점 조정부(400)에 의해 조정하여 상기 시편(700) 상에 조사 영역을 형성할 수 있다. 상기 테라헤르츠 파의 조사 영역 형성 단계(S140)는 상기 반사부(300)에 의해 경로가 변환되어 조사되는 테라헤르츠 파의 초점을 상기 초점 조정부(400)에 의해 조정하여 상기 시편(700) 상에 수직 방향으로 조사되는 복수의 조사 영역을 형성할 수 있다.
상기 반사 테라헤르츠 파의 수신 단계(S150)는 상기 시편(700)에 조사된 테라헤르츠 파가 반사되어 형성되는 반사 테라헤르츠 파를 상기 수신부(600)에 의해 수신할 수 있다. 상기 반사 테라헤르츠 파의 수신 단계(S150)는 상기 시편(700)에 조사된 테라헤르츠 파가 반사되어 형성되는 반사 테라헤르츠 파의 세기 변화를 상기 수신부(600)에 의해 수신할 수 있다.
상기 시편 불량 여부 검출 단계(S160)는 상기 수신부(600)가 수신한 반사 테라헤르츠 파에 기초하여, 상기 제어부(100)가 상기 시편의 불량 여부를 검출할 수 있다. 상기 시편 불량 여부 검출 단계(S160)는 상기 수신부(600)가 수신한 반사 테라헤르츠 파의 세기 변화에 기초하여, 상기 제어부(100)가 상기 시편의 불량 여부를 검출할 수 있다. 상기 시편 불량 여부 검출 단계(S160)는 상기 수신부(600)가 수신한 반사 테라헤르츠 파의 세기 변화에 기초하여, 상기 제어부(100)가 상기 시편에 포함된 불량 영역을 검출할 수 있다.
상기 데이터 저장 단계(S170)는 상기 제어부(100)에 의해 판단된 상기 시편(700)의 불량 여부에 대한 데이터를 저장할 수 있다. 상기 데이터 저장 단계(S170)는 상기 제어부(100)에 의해 판단된 상기 시편(700)에 포함된 불량 영역에 대한 데이터를 저장할 수 있다. 상기 데이터 저장 단계(S170)는 상기 제어부(100)에 의해 판단된 상기 시편(700)에 포함된 불량 영역에 대한 좌표 데이터를 저장할 수 있다.
상기 데이터 출력 단계(S180)는 상기 시편(700)의 불량 여부에 대한 데이터를 출력할 수 있다. 상기 데이터 출력 단계(S180)는 상기 시편(700)에 포함된 불량 영역에 대한 데이터를 출력할 수 있다. 상기 데이터 출력 단계(S180)는 상기 시편(700)에 포함된 불량 영역에 대한 좌표 데이터를 출력할 수 있다.
이하, 본 출원의 일 실시 예에 따른 시편 검사 장치(10)가 투명 전극의 불량 여부를 검출하는 시편 검사 방법을 설명하고자 한다. 도 11 및 도 12는 일 실시 예에 따른 시편 검사 장치(10)가 투명 전극의 불량 여부를 검출하는 방법을 나타내는 도면이다. 도 13 및 도 14는 일 실시 예에 따른 시편 검사 장치(10)가 투명 전극의 불량 여부를 검출하는 방법을 나타내는 도면이다.
도 11 및 도 13을 참조할 때, 상기 시편(700)이 투명 전극인 경우, 상기 시편(700)은 기판(710) 및 금속 물질(720)을 포함할 수 있다. 상기 시편 검사 장치(10)는 상기 기판(710)의 표면에 형성된 상기 금속 물질(720)을 검사할 수 있다. 상기 시편 검사 장치(10)는 상기 기판(710)의 표면에 형성된 상기 금속 물질(720)의 패턴 및 품질을 검사할 수 있다.
도 12 및 도 14을 참조할 때, 도 12는 도 11에 도시된 시편(700)에 대한 테라헤르츠 파의 세기 변화를 나타내고, 도 14는 도 13에 도시된 시편(700)에 대한 테라헤르츠 파의 세기 변화를 나타낸다. 상기 시편(700)이 투명 전극인 경우, 상기 기판(710)과 상기 금속 물질(720) 간의 테라헤르츠 파의 세기 비교를 통해 상기 시편(700)의 불량 여부를 판단할 수 있다.
상기 기판(710)은 투명 폴리머 기판일 수 있다. 상기 기판(710)은 유리 또는 석영일 수 있다. 상기 금속 물질(720)은 인듐 주석 산화물(Indium Tin Oxide, ITO), 인듐 아연 산화물(Indium Zinc Oxide, IZO), 불소 도핑 주석 산화물(Fluorine-doped Tin Oxide), 및 금속(은, 구리, 니켈 등) 나노 와이어 중 적어도 어느 하나일 수 있다. 상기 시편(700)은 상기 금속 물질(720)을 상기 기판(710)에 코팅시킨 전자 소자 또는 투명 전극일 수 있다.
상기 시편(700)은 상기 기판(710) 및 상기 금속 물질(720)을 포함할 수 있고, 상기 기판(710)에 비해 상기 금속 물질(720)의 반사도가 높을 수 있다. 상기 시편(700)이 투명 전극인 경우 상기 기판(710)에 비해 상기 금속 물질(720)의 반사도가 높아, 상기 기판(710)과 상기 금속 물질(720) 간의 테라헤르츠 파의 세기 비교를 할 수 있다. 도 11 내지 도 14를 참조하여, 상기 기판(710)에서의 테라헤르츠 파의 세기(Reference) 및 상기 금속 물질(720)에서의 테라헤르츠 파의 세기(Point 1 또는 Point 2)를 비교할 수 있다. 도 12 및 도 14를 고려할 때, 상기 시편 검사 장치(10)는 상기 기판(710)에서의 테라헤르츠 파의 세기(Reference)에 비해 상기 금속 물질(720)에서의 테라헤르츠 파의 세기(Point 1 또는 Point 2)가 큰 것을 통해 상기 시편(700)의 불량 여부 또는 상기 시편의 불량 영역을 검출할 수 있다.
이를 통해 상기 시편 검사 장치(10)는 상기 기판(710)에서의 반사 테라헤르츠 파의 세기 및 상기 금속 물질(720)에서의 반사 테라헤르츠 파의 세기 비교를 통해 상기 시편(700)에 대한 영상화를 할 수 있다. 또한, 상기 시편 검사 장치(10)는 상기 적정 직경을 가지는 복수의 조사 영역에 기초한 상기 기판(710)에서의 반사 테라헤르츠 파의 세기 및 상기 금속 물질(720)에서의 반사 테라헤르츠 파의 세기 비교를 통해 상기 시편(700)에 대한 불량 여부를 보다 높은 분해능으로 검사할 수 있다. 또한, 상기 시편 검사 장치(10)는 상기 적정 직경을 가지도록 상기 제1 거리(d1) 및 상기 제2 거리(d2)를 변경하여, 상기 적정 직경을 가지는 복수의 조사 영역에 기초하여 얻어진 상기 기판(710)에서의 반사 테라헤르츠 파의 세기 및 상기 금속 물질(720)에서의 반사 테라헤르츠 파의 세기 비교를 통해 상기 시편(700)에 대한 불량 여부를 보다 정확하게 검사할 수 있다.
이상과 같이 실시 예들이 비록 한정된 실시 예와 도면에 의해 설명되었으나, 해당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 상기의 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다. 예를 들어, 설명된 기술들이 설명된 방법과 다른 순서로 수행되거나, 및/또는 설명된 시스템, 구조, 장치, 회로 등의 구성요소들이 설명된 방법과 다른 형태로 결합 또는 조합되거나, 다른 구성요소 또는 균등물에 의하여 대치되거나 치환되더라도 적절한 결과가 달성될 수 있다.
그러므로, 다른 구현들, 다른 실시 예들 및 특허청구범위와 균등한 것들도 후술하는 특허청구범위의 범위에 속한다.

Claims (13)

  1. 테라헤르츠 파를 조사하는 방출부;
    상기 방출부에서 조사된 테라헤르츠 파의 경로를 변환시키는 반사부;
    상기 테라헤르츠 파의 경로에 따라 시편에 제1 영역을 형성하게 하는 초점 조정부 -상기 반사부와 상기 초점 조정부 사이의 거리는 제1 거리로 이격되어 있고, 상기 제1 영역은 제2 영역 및 제3 영역을 포함하고, 상기 제2 영역 및 상기 제3 영역은 제2 거리로 이격되어 있음-;
    상기 제1 영역에 조사된 상기 테라헤르츠 파가 상기 시편에서 각각 반사된 테라헤르츠 파를 수신하는 수신부; 및
    상기 제1 거리 및 상기 제2 거리 중 적어도 하나를 제어하고, 상기 테라헤르츠 파의 반사도 차이에 따른 상기 시편의 불량 여부를 검출하는 제어부로 구성되고,
    상기 제1 거리가 57mm 내지 61mm 인 경우,
    상기 제2 영역은 64mm 내지 67mm의 직경을 가지고,
    상기 제3 영역은 적정 직경 -상기 적정 직경은 상기 시편의 불량 여부를 검출할 수 있는 직경을 의미함- 을 각각 가지는 시편 검사 장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 적정 직경은 최소값을 기준으로 0.2% 내지 2% 이내의 편차를 가지는 시편 검사 장치.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 제3 영역의 상기 적정 직경은 67.5mm 내지 68.5mm인 시편 검사 장치.
  4. 상기 제2 항에 있어서,
    상기 제1 거리가 58mm 내지 60mm인 경우,
    상기 제3 영역의 상기 적정 직경은 67.5mm 내지 68.5 또는 75.4mm 내지 75.8mm인 시편 검사 장치.
  5. 제2 항에 있어서,
    상기 제1 거리는 59mm 내지 60mm인 경우,
    상기 제3 영역의 상기 적정 직경은 67.5mm 내지 68.5 또는 75.4mm 내지 75.8mm 또는 87mm 내지 87.6mm인 시편 검사 장치.
  6. 제2 항에 있어서,
    상기 제1 거리는 60mm인 경우,
    상기 제3 영역의 상기 적정 직경은 68mm 내지 103mm인 시편 검사 장치.
  7. 제2 항에 있어서,
    상기 제1 거리는 60mm 내지 61mm인 경우,
    상기 제3 영역의 상기 적정 직경은 102.5mm 내지 102.8mm인 시편 검사 장치.
  8. 제2 항에 있어서,
    상기 테라헤르츠 파의 광원은 연속형 또는 펄스형인 시편 검사 장치
  9. 제2 항에 있어서,
    상기 테라헤르츠 파의 파장은 3mm 내지 30um인 시편 검사 장치
  10. 제2 항에 있어서,
    상기 제2 거리는 상기 반사부가 상기 제어부에 의해 회전되는 각도에 기초하여 결정되는 시편 검사 장치.
  11. 제2 항에 있어서,
    상기 시편은 전자 소자 또는 투명 전극이고,
    상기 전자 소자 또는 투명 전극은 투명 폴리머 기판, 유리, 및 석영 중 어느 하나에 금속 물질로 코팅된 시편 검사 장치.
  12. 제11 항에 있어서,
    상기 금속 물질은 인듐 주석 산화물, 인듐 아연 산화물, 불소 도핑 주석 산화물, 및 금속 나노 와이어 중 적어도 어느 하나인 시편 검사 장치.
  13. 방출부에서 테라헤르츠 파를 조사하는 단계;
    상기 방출부에서 조사된 테라헤르츠 파의 경로를 반사부를 통해 변환시키는 단계;
    상기 테라헤르츠 파가 초점 조정부를 통해 시편에 제1 영역을 형성하는 단계 -상기 반사부와 상기 초점 조정부 사이의 거리는 제1 거리로 이격되어 있고, 상기 제1 영역은 제2 영역 및 제3 영역을 포함하고, 상기 제2 영역 및 상기 제3 영역은 제2 거리로 이격되어 있음-;
    상기 제1 영역에 조사된 상기 테라헤르츠 파가 상기 시편에서 각각 반사된 테라헤르츠 파를 수신부를 통해 수신하는 단계; 및
    제어부가 상기 제1 거리 및 상기 제2 거리 중 적어도 하나를 제어하고, 상기 테라헤르츠 파의 반사도 차이에 따른 상기 시편의 불량 여부를 검출하는 단계로 구성되고,
    상기 제1 거리가 57mm 내지 61mm 인 경우,
    상기 제2 영역은 64mm 내지 67mm의 직경을 가지고,
    상기 제3 영역은 적정 직경 -상기 적정 직경은 상기 시편의 불량 여부를 검출할 수 있는 직경을 의미함- 을 각각 가지는 시편 검사 방법.
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