WO2020045850A1 - Flexible display and method for manufacturing same - Google Patents

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WO2020045850A1
WO2020045850A1 PCT/KR2019/009946 KR2019009946W WO2020045850A1 WO 2020045850 A1 WO2020045850 A1 WO 2020045850A1 KR 2019009946 W KR2019009946 W KR 2019009946W WO 2020045850 A1 WO2020045850 A1 WO 2020045850A1
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WO
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layer
inorganic layer
inorganic
forming
organic
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Application number
PCT/KR2019/009946
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French (fr)
Korean (ko)
Inventor
김상일
홍문표
윤정식
Original Assignee
고려대학교 세종산학협력단
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    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • H10K77/00Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10Substrates, e.g. flexible substrates
    • H10K77/111Flexible substrates
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/87Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/873Encapsulations
    • H10K59/8731Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301Details of OLEDs
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    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Definitions

  • the present invention relates to a flexible display and a method for manufacturing the same, and more particularly, to a flexible display and a method for manufacturing the same having high flexibility while ensuring performance of encapsulation.
  • a display is not only developed as a device for displaying information, but also has a form of flexibility.
  • Flexible displays are evolving into a bendable stage that can be bent and bent, a rollable stage that can be rolled like a roll, and a foldable stage that can be folded like a piece of paper.
  • Recent displays continue to evolve into stretchable stages that can be scaled up and down while scaling up and down to one or two axes.
  • an organic light emitting layer is used to emit light of the flexible display.
  • the organic light emitting layer provides high display characteristics, it is sensitive to penetration of moisture and air in terms of using organic materials. Therefore, a high level of water vapor transmission rate (WVTR) is required. Accordingly, studies to achieve the required WVTR characteristics through thin film encapsulation (TFE) have been continued.
  • WVTR water vapor transmission rate
  • the inkjet coating process of the organic film during the TFE process includes defining a region in which the organic film is formed as a dam having a predetermined thickness and applying the organic film to the region defined by the dam.
  • the dam is formed to be spaced a predetermined distance from the side of the OLED light emitting layer. This is to prevent moisture and / or air from penetrating in the lateral direction of the OLED light emitting layer.
  • the encapsulation organic film may be formed within the side separation distance between the dam and the OLED light emitting layer.
  • the OLED layer has a high thickness of the organic layer constituting the TFE, the thickness of the dam is high, and the dam is located at a predetermined distance away from the side of the OLED emitting layer. It is disadvantageous in terms of flexibility because a thick organic film is formed within the distance from the side surface of the dam to the dam. That is, since the display is thickened by the organic layer and / or the dam, a problem arises in that the flexibility characteristic is lowered.
  • the inventors have invented a flexible display and a method of manufacturing the same, which provide high encapsulation properties and further have high flexibility.
  • One technical problem to be solved by the present invention is to provide a flexible display having a high encapsulation property and a high flexibility characteristics and a method of manufacturing the same.
  • Another technical problem to be solved by the present invention is to provide a flexible display excellent in mass production suitability and its manufacturing method by utilizing the existing process.
  • the technical problem to be solved by the present invention is not limited to the above.
  • the flexible display may include a substrate partitioned into a peripheral area defined as a pixel area of M * N and an area between the pixel areas, the pixel electrodes of M * N, and a first electrode and a second electrode. It may include a light emitting part including an electrode and an organic light emitting layer disposed between the first and the second electrode and an encapsulation layer encapsulating the light emitting portion, and separately encapsulating the pixel region of the M * N. (M and N are positive integers)
  • the encapsulation layer may include a first inorganic layer, a second inorganic layer, and an organic layer disposed between the first and second inorganic layers, wherein the encapsulation layer includes the second inorganic layer. May cover one side of the organic layer.
  • one surface of the first inorganic layer and one surface of the second inorganic layer may directly contact each other on the peripheral region.
  • the organic layer may not be formed on the peripheral region.
  • a surface defined by the thickness of the second inorganic layer and one surface of the first inorganic layer may contact each other on the pixel area.
  • the organic layer may be completely surrounded by the first and second inorganic layers.
  • the width of the organic layer may be narrowed in the direction of the second inorganic layer from the first inorganic layer.
  • it may further include a third inorganic layer formed on the second inorganic layer.
  • the third inorganic layer may be covered to directly contact the other side of the organic layer.
  • one side of the second inorganic layer may be recessed in a center direction of the pixel area on a plane.
  • a flexible display manufacturing method includes: a first electrode, a second electrode, and the first and the second electrodes, for each pixel area, among peripheral areas defined as M * N pixel areas and areas between the pixel areas.
  • the method may include forming a light emitting part including an organic light emitting layer disposed between the second electrodes, and forming an encapsulation layer on the light emitting part to separately encapsulate the pixel area of M * N.
  • the forming of the encapsulation layer may include forming a first inorganic layer on the light emitting part, and forming a negative photoresist layer on the first inorganic layer. Patterning the negative photoresist layer into a plurality of sacrificial structures having an inverse taper shape, forming a net tapered organic layer between the sacrificial structures through an inkjet process, removing the sacrificial structures, and the organic layer. It may include the step of forming a second inorganic layer on the.
  • a mask having an opening corresponding to the peripheral region and a blocking portion corresponding to the pixel region may be formed.
  • the method may further include disposing on the negative photoresist layer.
  • the patterning of the negative photoresist layer into a plurality of sacrificial structures having an inverse taper shape may include removing the negative photoresist region unexposed by the blocking portion of the mask. have.
  • the method may further include removing at least one inorganic layer of the first and second inorganic layers on the peripheral area.
  • the forming of the encapsulation layer may include forming a first inorganic layer on the light emitting part, and forming a positive photoresist layer on the first inorganic layer. Patterning the positive photoresist layer into a plurality of sacrificial structures, forming a second inorganic layer on the plurality of sacrificial structures, and patterning the second inorganic layer to form one region of the plurality of sacrificial structures. Exposing to the outside, removing the plurality of sacrificial structures through the externally exposed region to form a tunnel, forming an organic layer inside the tunnel, and forming a third inorganic layer on the second inorganic layer. It may comprise the step of forming.
  • one layer of the tunnel may include the first inorganic layer, and the other layer of the tunnel may be a second inorganic layer spaced apart from the first inorganic layer.
  • the tunnel may be formed on the pixel area.
  • the organic layer in the forming of the organic layer, may be selectively formed in the pixel area among the pixel area and the peripheral area.
  • the first inorganic layer, the organic layer, the second inorganic layer, and the third inorganic layer may be stacked on the pixel area.
  • the patterning of the second inorganic layer to expose one region of the plurality of sacrificial structures to the outside may include a side surface of the second inorganic layer formed on a plane to a center direction of the pixel region. Patterning the second inorganic layer to be embedded.
  • the method may further include removing at least one inorganic layer of the first to third inorganic layers on the peripheral area.
  • the flexible display may include a substrate partitioned into a peripheral area defined as a pixel area of M * N and an area between the pixel areas, the pixel electrodes of M * N, and a first electrode and a second electrode. It may include a light emitting part including an electrode and an organic light emitting layer disposed between the first and the second electrode and an encapsulation layer encapsulating the light emitting portion, and separately encapsulating the pixel region of the M * N. (M and N are positive integers).
  • the organic layer for encapsulation on the peripheral region can be omitted, the thickness of the peripheral region can be reduced. As the thickness of the peripheral area becomes thinner, it can provide excellent flexibility properties.
  • the organic layer for encapsulation can be formed without a separate dam, it is possible to additionally secure the flexible characteristics limited by the space of the conventional dam.
  • a flexible display manufacturing method includes: a first electrode, a second electrode, and the first and the second electrodes, for each pixel area, among peripheral areas defined as M * N pixel areas and areas between the pixel areas.
  • the method may include forming a light emitting part including an organic light emitting layer disposed between the second electrodes, and forming an encapsulation layer on the light emitting part to separately encapsulate the pixel area of M * N.
  • the forming of the encapsulation layer may include forming a first inorganic layer on the light emitting part, forming a negative photoresist layer on the first inorganic layer, and the negative Patterning a photoresist layer of a plurality of sacrificial structures having an inverse taper shape, forming an organic layer having a net tapered shape through an inkjet process between the sacrificial structures, removing the sacrificial structures, and forming a film on the organic layer. It may include the step of forming an inorganic layer.
  • a net tapered organic layer can be formed between the sacrificial structures. Accordingly, since the second inorganic layer may be deposited on the side of the organic layer, it may provide excellent sealing characteristics.
  • the forming of the encapsulation layer may include forming a first inorganic layer on the light emitting part, forming a positive photoresist layer on the first inorganic layer, Patterning the positive photoresist layer into a plurality of sacrificial structures, forming a second inorganic layer on the plurality of sacrificial structures, patterning the second inorganic layer to externally cover one region of the plurality of sacrificial structures Exposing to a structure, removing the plurality of sacrificial structures through the externally exposed region to form a tunnel, forming an organic layer inside the tunnel, and forming a third inorganic layer on the second inorganic layer. It may include the step.
  • a positive tapered tunnel can be formed using a positive photoresist, and an organic ink can be injected into the tunnel to form a pure tapered organic layer.
  • an organic ink can be injected into the tunnel to form a pure tapered organic layer.
  • the inorganic layer on the peripheral region can be removed. This makes the thickness of the peripheral area thinner, so that a higher level of flexibility can be provided.
  • FIG. 1 illustrates a plane of a flexible display according to a first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a circuit diagram illustrating a pixel of a flexible display according to a first exemplary embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view (B-B ′ line of FIG. 1) of the flexible display according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 4 is a view for explaining a method of manufacturing a flexible display according to a first embodiment of the present invention.
  • FIG. 5 is a view for explaining a method of manufacturing an encapsulation layer according to a first embodiment of the present invention.
  • 6 to 14 are views for explaining in detail the manufacturing method of the encapsulation layer according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 15 is a cross-sectional view (B-B ′ line of FIG. 1) of the flexible display according to the second embodiment of the present invention.
  • 16 is a view for explaining a method of manufacturing an encapsulation layer according to a second embodiment of the present invention.
  • 17 to 22 are views for explaining in detail the manufacturing method of the encapsulation layer according to a second embodiment of the present invention.
  • 23 to 26 are views for explaining a method of manufacturing an encapsulation layer according to a modification of the second embodiment of the present invention.
  • first, second, and third are used to describe various components, but these components should not be limited by these terms. These terms are only used to distinguish one component from another. Thus, what is referred to as the first component in one embodiment may be referred to as the second component in other embodiments.
  • first component in one embodiment may be referred to as the second component in other embodiments.
  • second component in other embodiments.
  • Each embodiment described and illustrated herein also includes its complementary embodiment.
  • the term 'and / or' is used herein to include at least one of the components listed before and after.
  • connection is used herein to mean both indirectly connecting a plurality of components, and directly connecting.
  • the inverse taper shape means the shape of the lower narrow light
  • the forward taper shape may mean the lower light narrow shape
  • FIG. 1 is a plan view of a flexible display according to an embodiment of the present invention
  • FIG. 2 is a diagram for circuitry illustrating a pixel of the flexible display according to an embodiment of the present invention
  • FIG. 3 is a view of the present invention.
  • the cross section (B-B 'line of FIG. 1) of the flexible display which concerns on 1st Example is shown.
  • the flexible display according to the first embodiment of the present invention may include a flexible substrate 110.
  • the flexible substrate 110 may be divided into a peripheral area N defined as an area between the pixel area P of M (horizontal direction) * N (vertical direction) and the pixel area P.
  • the pixel area P may be defined as an area emitting a specific color such as R, G, and B
  • the peripheral area N may be defined as a spatial area between one pixel area and a pixel area adjacent thereto.
  • M and N may be a positive integer.
  • the flexible substrate 110 may be a substrate having flexibility.
  • the flexible substrate 110 may be formed of at least one material of polyethylene terephthalate (PET), polyethylenaphthalate (PEN), and polyimide (PI).
  • PET polyethylene terephthalate
  • PEN polyethylenaphthalate
  • PI polyimide
  • the material of the flexible substrate 110 is only one example, but is not limited thereto.
  • a barrier may be formed on one surface of the flexible substrate 110 to prevent penetration of moisture and air.
  • the pixel region P includes a light emitting part including an organic light emitting layer OL and a driving element for driving the organic light emitting layer OL.
  • the driving device may include a switch transistor ST, a data transistor DT, a capacitor C, and an anode electrode and a cathode electrode for providing holes and electrons to the organic light emitting layer OL.
  • the gate electrode of the switch transistor ST is electrically connected to the gate line GLine
  • the source electrode of the switch transistor ST is electrically connected to the data line DLine
  • the drain electrode may be electrically connected to the gate electrode of the data transistor DT and one electrode of the capacitor C.
  • the source electrode of the data transistor DT may be electrically connected to the EVDDLine
  • the drain electrode of the data transistor DT may be electrically connected to the other electrode of the capacitor C and the anode electrode AE (see FIG. 3). have.
  • the cathode electrode CE (see FIG. 3) may be electrically connected to the EVSSLine.
  • the pixel region P described with reference to FIG. 2 has been described assuming a 2T1C structure composed of two transistors and one capacitor, but the technical idea of the present invention is not limited to the 2T1C structure.
  • the flexible display according to an embodiment of the present invention may be applied to any type of top emission type and bottom emission type.
  • FIG. 3 shows a cross section of the line B-B 'of FIG. 1, ie the two pixel regions P and the peripheral region N therebetween.
  • the flexible substrate 110 may be divided into a pixel region P and a peripheral region N.
  • FIG. 3 the flexible substrate 110 may be divided into a pixel region P and a peripheral region N.
  • a transistor (the data transistor DT of FIG. 2 in FIG. 3), an anode AE, an organic light emitting layer OL, and a cathode electrode CE may be formed.
  • the data transistor DT is provided on the flexible substrate 110, and is formed on the active layer ACT, the first insulating layer I1 and the first insulating layer I1 provided on the active layer ACT.
  • the gate electrode GE is provided, the second insulating film I2 provided on the gate electrode GE, and the second insulating film I2 are provided on the gate electrode GE, and contact the active layer ACT through a contact hole. It may include a source electrode (SE) and a drain electrode (DE).
  • the data transistor DT may transfer a current of the EVDDLine connected to the source electrode SE to the anode AE through the drain electrode DE. That is, when an ON signal is applied to the gate electrode GE of the data transistor DT, the anode AE may receive a current.
  • the gate electrode GE is a metal or an alloy of at least one of Al, Pt, Pd, Ag, Mg, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca, Mo, Ti, W, Cu, or a single layer or It can be formed in multiple layers.
  • the active layer ACT may include a semiconductor material, and the semiconductor material may be made of crystalline silicon. This is just an example and the active layer ACT may be made of another material.
  • the source electrode SE and the drain electrode DE are any of Al, Pt, Pd, Ag, Mg, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca, Mo, Ti, W, Cu, for example. As one metal or alloy thereof, it may be formed in a single layer or in multiple layers.
  • An interlayer insulating layer ILD may be provided on the source electrode SE and the drain electrode DE.
  • the interlayer insulating layer ILD may be formed of an organic material.
  • the anode electrode AE is formed on the interlayer insulating film ILD, and the anode electrode AE is connected to the drain electrode DE through a contact hole formed in the interlayer insulating film ILD. .
  • the partition wall W may be formed to define a region in which the organic light emitting layer OL is formed.
  • the partition wall W includes at least one of an inorganic insulating material such as silicon nitride (SiNx) and silicon oxide (SiOx) or an organic insulating material such as benzocyclobutene or acrylic resin. Can be done.
  • An organic light emitting layer OL may be formed on the anode AE.
  • the organic light emitting layer OL may include a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, an electron injection layer.
  • the organic light emitting layer OL may be provided to emit light of different colors.
  • the cathode electrode CE may be provided on the organic light emitting layer OL.
  • the cathode electrode CE may provide electrons to the organic light emitting layer OL.
  • An encapsulation layer may be provided on the cathode electrode CE. It may block moisture and / or oxygen that may penetrate into the encapsulation layer.
  • the encapsulation layer may encapsulate the light emitting part, in particular the organic light emitting layer OL, and may be encapsulated independently by partitioning the pixel area of the M * N.
  • the encapsulation layer may include a first inorganic layer 120, an organic layer 130, and a second inorganic layer 140.
  • the organic layer 130 of the encapsulation layer may be formed in the pixel region P, but may not be formed in the peripheral region N. That is, the encapsulation layer may thus independently seal the pixel region illustrated on the left side of FIG. 3 and the pixel region illustrated on the right side of FIG. 3.
  • the second inorganic layer 140 may completely cover one side of the organic layer 130.
  • a surface defined by the thickness of the second inorganic layer 140 and one surface of the first inorganic layer 120 may contact each other (C1). That is, the organic layer 130 may be completely surrounded by the first and second inorganic layers 120 and 140. In this case, the width of the organic layer 130 may be narrowed from the first inorganic layer 120 to the second inorganic layer 140.
  • the organic layer 130 may not be formed on the peripheral area N.
  • the first inorganic layer 120 and the second inorganic layer 140 may be in direct contact with each other (C2) on the peripheral region (N).
  • the organic layer for encapsulation may be formed in the pixel region P of the flexible display according to the first exemplary embodiment of the present invention, but the organic layer for encapsulation may not be formed in the peripheral region N.
  • the height of the pixel area P may be higher than the height of the peripheral area N.
  • the low height of the peripheral area N means that the peripheral area N becomes thin. Therefore, when the display is folded or pulled in the surface direction, higher flexibility S can be provided.
  • the thickness of the peripheral region N becomes thick.
  • the thickness of the peripheral area N becomes thick, deformation of the display may be limited even when the display is folded or pulled in the plane direction.
  • the thickness since the thickness is much thicker than the inorganic layer, it may be a factor that inhibits the flexibility characteristics.
  • the encapsulation organic layer 130 is selectively formed in the pixel region P among the pixel region P and the peripheral region N, so that the peripheral region N is more smoothly folded. Can be pulled out. That is, flexibility characteristics can be improved.
  • excellent WVTR characteristics may be provided.
  • the flexible display according to the first embodiment of the present invention has been described above with reference to FIGS. 1 to 3.
  • a method of manufacturing a flexible display according to a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 4 to 13.
  • FIG. 4 is a view for explaining a method of manufacturing a flexible display according to a first embodiment of the present invention.
  • a method of manufacturing a flexible display according to a first exemplary embodiment of the present invention may include a first electrode and a first electrode for each pixel region, among peripheral regions defined as M * N pixel regions and regions between the pixel regions.
  • Forming a layer may be included (S120).
  • step S110 the light emitting unit may be formed.
  • a sacrificial substrate may be prepared, and the flexible substrate 110 may be formed on the sacrificial substrate. Thereafter, the light emitting part including the driving device and the organic light emitting layer OL may be formed on the flexible substrate 110. In this case, the light emitting part may be formed in the pixel area P.
  • the sacrificial substrate may be removed after the encapsulation layer forming step according to step S120.
  • step S110 the encapsulation layer forming step according to step 120 may be performed.
  • a detailed description of step S120 will be made with reference to FIG. 5.
  • FIG. 5 is a view for explaining a method of manufacturing an encapsulation layer according to a first embodiment of the present invention.
  • step S120 in the method of manufacturing an encapsulation layer according to the first embodiment of the present invention (step S120), forming a first inorganic layer on the light emitting part (S122) and a negative sound on the first inorganic layer Forming a negative photoresist layer (S124), and disposing a mask having an opening corresponding to the peripheral area and a blocking part corresponding to the pixel area on the negative photoresist (S126). ), Patterning the negative photoresist layer into a plurality of sacrificial structures having an inverse taper shape (S128), and forming a plurality of organic layers having a forward taper shape between the sacrificial structures through an inkjet process (S130). It may include at least one of removing the sacrificial structure (S132) and forming a second inorganic layer on the organic layer (S134).
  • each step will be described in detail with reference to FIGS. 6 to 14.
  • the first inorganic layer 120 may be formed on the light emitting part. Referring to FIG. 6, the first inorganic layer 120 may be formed over the pixel area P and the peripheral area N by step S122.
  • the first inorganic layer may be made of SiNx.
  • a negative photoresist layer 150 may be formed on the first inorganic layer 120.
  • the negative photoresist means a resist in which the exposed portion does not dissolve in the developer.
  • positive photoresist means a resist in which an exposed part is soluble in development.
  • components under the first inorganic layer 120 are omitted.
  • a mask 160 having an opening corresponding to the peripheral region N and a blocking portion corresponding to the pixel region may be disposed on the negative photoresist layer 150.
  • the negative photoresist layer 150 may be exposed. Light may be applied to the peripheral area N by the mask 160. Accordingly, as shown in FIG. 10, the lighted area may be patterned into the sacrificial structure 152. On the other hand, it can be removed without receiving light.
  • the sacrificial structure 152 may have an inverse taper shape. That is, it may have a shape in which the width in the height direction at the interface of the first inorganic layer 120 widens.
  • a net tapered organic layer 130 may be formed between the sacrificial structures 152 through an inkjet process.
  • the sacrificial structure 152 may function as a mold defining the shape of the organic layer 130.
  • An organic ink for example, a photocurable organic ink, may be applied into a mold provided by the sacrificial structure 152. After the organic ink is applied, light may be irradiated to cure the organic ink. The cured organic ink may be the organic layer 130 of the encapsulation layer.
  • the organic layer 130 may have a forward taper formation on the contrary.
  • the sacrificial structure 152 may be removed.
  • the sacrificial structure 152 may be removed and the organic layer 130 may remain.
  • the organic layer 130 having a net tapered shape may be formed on the pixel region P.
  • a second inorganic layer 140 may be formed on the organic layer 130.
  • the second inorganic layer 140 may be made of SiNx.
  • the second inorganic layer 140 may be deposited by a CVD process. Since the organic layer 130 has a forward taper shape, the second inorganic layer 140 may have a side surface as well as an upper surface of the organic layer 130. Even can be deposited smoothly. Accordingly, the organic layer 130 is surrounded by the second inorganic layer 140.
  • an encapsulation layer in which the first inorganic layer 120, the organic layer 130, and the second inorganic layer 140 are sequentially formed is provided on the pixel region P by the deposition of the second inorganic layer 140.
  • the organic layer 130 since the organic layer 130 is completely sealed by the first and second inorganic layers 120 and 140, it may provide excellent encapsulation characteristics.
  • the first inorganic layer 120 and the second inorganic layer 140 may be sequentially formed. That is, since the formation of the organic layer 130 is omitted in consideration of the fact that the light emitting part is not formed on the peripheral area N, the height may be lower than that of the pixel area P. FIG. Accordingly, the peripheral region N may provide excellent flexibility characteristics.
  • a process of removing the inorganic layer of the peripheral region N may be performed.
  • the first inorganic layer 120 and the second inorganic layer 140 in the peripheral region N illustrated in FIG. 13 may be removed. More specifically, only the second inorganic layer 140 may be removed, and both the first and second inorganic layers 120 and 140 may be removed.
  • the inorganic layers 120 and 140 may have a larger area than the organic layer 130 so as to surround the side of the organic layer 130. have.
  • the thickness of the peripheral area N may be reduced. Accordingly, the flexibility of the peripheral area N may be further improved.
  • the flexible display according to the first embodiment of the present invention described with reference to FIGS. 1 to 3 may be manufactured by the flexible display manufacturing method according to the first embodiment of the present invention described with reference to FIGS. 4 to 13. have.
  • a negative photoresist layer 150
  • the negative photoresist layer 150 is patterned into the sacrificial structure 152 on the peripheral region N, but has a reverse tapered shape.
  • the light intensity decreases toward the flexible substrate 110 in the mask 160.
  • it is naturally patterned into a sacrificial structure 152 having a reverse taper shape without a separate subsequent process.
  • a naturally tapered organic layer 130 may be formed. Thereafter, in the deposition of the second inorganic layer 140, since the organic layer 130 has a forward tapered shape, the second inorganic layer 140 may be smoothly formed on the side surface of the organic layer 130.
  • the positive photoresist PPR is formed on the first inorganic layer 120 (FIG. 14A)
  • the positive photoresist is removed because the exposed region is removed.
  • a sacrificial structure PPR 'of a pure tapered shape may be formed.
  • the region removed by the developer has an inverse taper shape, and the remaining sacrificial structure PPR 'has a forward taper shape.
  • the reverse tapered organic layer 130 ' is formed by the forward tapered sacrificial structure PPR' (FIG. 14B).
  • the second inorganic layer 140 ′ may be formed on the organic layer 130 ′. However, it cannot be formed on the side of the organic layer 130 '(see DIP, FIG. 14 (c)). Accordingly, since the organic layer cannot be completely surrounded by the first and second inorganic layers, encapsulation cannot be performed.
  • heat treatment may be performed (thermal reflow).
  • heat treatment requires high temperature heat of about 200 degrees or more, there is a concern that the light emitting part including the organic material may be damaged. Accordingly, there is a difficulty in applying additional heat treatment.
  • the side of the organic layer is smoothly sealed by using a negative photoresist to form the organic layer in a simple tapered manner. Accordingly, it is possible to partition and encapsulate the pixel area of M * N independently.
  • the flexible display according to the first embodiment of the present invention and a manufacturing method thereof have been described.
  • a flexible display and a method of manufacturing the same according to the second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 15 to 22.
  • a portion corresponding to the above-described first embodiment will be omitted.
  • FIG. 15 is a cross-sectional view (B-B ′ line of FIG. 1) of the flexible display according to the second embodiment of the present invention.
  • the third inorganic layer 170 may be further included on the second inorganic layer 140. That is, the third inorganic layer 170 may have a structure covering the entire second inorganic layer 140. In this case, on the pixel region P, the first inorganic layer 120, the organic layer 130, the second inorganic layer 140, and the third inorganic layer 170 may be stacked while sequentially directly contacting each other.
  • the third inorganic layer 170 may directly contact the second inorganic layer 140 (C3). Accordingly, the first inorganic layer 120, the second inorganic layer 130, and the third inorganic layer 170 may be sequentially stacked while directly contacting the peripheral region N.
  • FIG. 1 A block diagram illustrating an exemplary computing environment in accordance with the present disclosure.
  • the third inorganic layer 170 may directly contact the first inorganic layer 120 according to the peripheral region N.
  • FIG. there may be a region in which the second inorganic layer 140 is also omitted in the peripheral region N.
  • the third inorganic layer 170 is in direct contact with the first inorganic layer 120. It can be stacked while.
  • the thickness of the peripheral region N may be thinner than the thickness of the pixel region P. FIG. Accordingly, flexibility characteristics can be improved.
  • FIG. 16 is a view for explaining the manufacturing method of the encapsulation layer according to the second embodiment of the present invention
  • Figures 17 to 22 are for explaining in detail the manufacturing method of the encapsulation layer according to the second embodiment of the present invention.
  • step S110 (see FIG. 4) of the method of manufacturing the encapsulation layer according to the first embodiment of the present invention.
  • Step S120 will be described.
  • a method of manufacturing an encapsulation layer according to a second embodiment of the present invention may include forming a first inorganic layer on the light emitting part (S150), and forming the encapsulation layer on the first inorganic layer. Forming a positive photoresist layer (S152), patterning the positive photoresist layer into a plurality of sacrificial structures (S154), and forming a second inorganic layer on the plurality of sacrificial structures. In operation S156, the second inorganic layer is patterned to expose one region of the plurality of sacrificial structures to the outside, and the tunnel is formed by removing the plurality of sacrificial structures through the externally exposed region.
  • It may include at least one of the step (S160), the step of forming an organic layer in the tunnel (S162), the step of forming a third inorganic layer on the second inorganic layer (S164).
  • each step will be described in detail with reference to FIGS. 17 to 22.
  • the first inorganic layer 120 may be formed on the light emitting part. Since step S152 corresponds to step S122 (see FIG. 5) of the first embodiment, a detailed description thereof will be omitted.
  • a positive photoresist layer may be formed on the first inorganic layer 120.
  • a negative photoresist is utilized in the first embodiment, but the difference is that a positive photoresist is utilized in step S152.
  • the positive photoresist layer may be patterned into a plurality of sacrificial structures 153.
  • a mask may be utilized.
  • the mask may have a light blocking portion corresponding to the pixel region P, and may have a light opening corresponding to the peripheral region N.
  • FIG. 18 the sacrificial structure 153 may be patterned in a line shape. In this case, the sacrificial structure 153 may have a forward taper shape.
  • the second inorganic layer 140 may be formed on the plurality of sacrificial structures 153. Since the sacrificial structure 153 has a forward tapered shape, the second inorganic layer 140 may also be deposited in a forward tapered shape.
  • the formed second inorganic layer 140 may be patterned. In this case, as illustrated in FIG. 18, a portion of the sacrificial structures 152 may be patterned to expose the outside.
  • the plurality of sacrificial structures 153 may be removed through an area exposed to the outside by the second inorganic layer 140. Accordingly, as shown in FIG. 19, the tunnel 160 may be formed in the second inorganic layer 140. That is, as the sacrificial structure 153 is removed, the tunnel 160 may be formed by the space occupied by the sacrificial structure 153.
  • One layer of the tunnel 160 may include the first inorganic layer 120, and the other layer of the tunnel 160 may include the second inorganic layer 140.
  • the tunnel 160 also has a forward tapered shape.
  • the organic layer 130 may be formed in the tunnel 160.
  • an organic ink for example, a photocurable organic ink
  • the organic ink may be introduced into the tunnel 160 by capillary force. Thereafter, the organic ink outside the tunnel 160 may be removed through a cleaning process. In this case, the organic ink inside the tunnel 160 is not removed by the capillary force and may be held. Thereafter, the organic layer 130 may be formed on the pixel region P by photocuring the organic ink inside the tunnel 160 through a front surface photocuring process.
  • the organic layer 130 may be formed by curing light of the organic ink by selectively irradiating light only to the tunnel 160 using a mask. The uncured organic ink can then be removed through a cleaning process.
  • the organic layer 130 may be formed in the tunnel 60. That is, the organic layer 130 may be formed between the first inorganic layer 120 and the second inorganic layer 130. In addition, one side of the organic layer 130 may be surrounded by the first inorganic layer 120 and the second inorganic layer 140.
  • the third inorganic layer 170 may be formed after step S162.
  • the third inorganic layer 170 may be formed on the entire surface. As shown in FIG. 22, the third inorganic layer 170 may serve to cover the entrance of the tunnel 160.
  • the second inorganic layer 140 has a forward tapered shape, the third inorganic layer 170 may be easily deposited along the shape of the second inorganic layer 140. That is, the third inorganic layer 170 may effectively seal the side surface of the second inorganic layer 140.
  • the third inorganic layer 170 may also be made of SiNx.
  • the first inorganic layer 120, the organic layer 130, the second inorganic layer 140, and the third inorganic layer 170 may be sequentially stacked on the DD ′ line of FIG. 22, that is, the pixel region P.
  • FIG. have. A cross section taken along the line D-D 'of FIG. 22 may be shown as shown in FIG. 15.
  • first inorganic layer 120 and the third inorganic layer 170 may be sequentially stacked on the line E-E 'of FIG. 22.
  • the organic layer 130 and the second inorganic layer 140 may be omitted on the E-E 'line.
  • step S164 a process of removing the inorganic layer of the peripheral region N may be performed.
  • the first inorganic layer 120, the second inorganic layer 140, and the third inorganic layer 170 of the peripheral area N positioned on the line D-D ′ illustrated in FIG. 22 may be removed.
  • the third inorganic layer 170 may be removed, the second and third inorganic layers 140 and 170 may be removed, and the first to third inorganic layers 120, 140, 170 can all be removed.
  • the first inorganic layer 120 and the third inorganic layer 170 of the peripheral area N positioned on the line E-E ′ shown in FIG. 22 may be removed.
  • only the third inorganic layer 170 may be removed, and both the first and third inorganic layers 120 and 170 may be removed.
  • the thickness of the peripheral area N may be reduced. Accordingly, the flexibility of the peripheral area N may be further improved.
  • the method of manufacturing the encapsulation layer according to the modification of the second embodiment of the present invention may be made of the method of manufacturing the encapsulation layer according to the second embodiment described above with reference to FIG. 16. However, there is a difference in each step, it will be described focusing on the difference.
  • Steps S150 to S154 are the same as the modified example of the second embodiment and the above-described second embodiment, and thus description thereof will be omitted.
  • the second inorganic layer 140 is patterned to expose one region of the plurality of sacrificial structures 152 to the outside.
  • One side may be patterned to merge in the direction of the center of the pixel area on a plane.
  • step S158 of the second exemplary embodiment of the present invention the second inorganic layer 140 is patterned as shown in FIG. 18, but in step S158 of the modified example of the second exemplary embodiment of the present invention, the BT line (the second inorganic layer 140 of FIG.
  • the second inorganic layer 140 may be patterned so as to be embedded in the T direction.
  • the sacrificial structure 153 may be removed through an area exposed to the outside by the second inorganic layer 140. Accordingly, as shown in FIG. 24, the inlet and / or outlet of the tunnel 160 defined by the second inorganic layer 140 may also have a forward taper shape.
  • the organic layer 130 may be formed in the tunnel 160.
  • the organic layer 130 may have a net taper shape on all four sides.
  • the third inorganic layer 170 may be formed.
  • the third inorganic layer 170 may be deposited to have a better film quality.
  • the inlet and / or outlet portions of the tunnel 160 also have a forward tapered shape, the third inorganic layer 170 may be more smoothly deposited.
  • the flexible display according to the modified example of the second embodiment of the present invention can be manufactured.
  • the organic layer 130 is formed in the forward taper shape at the tunnel entrance defined by the second inorganic layer 140.
  • the third inorganic layer 170 may be smoothly deposited on the side of the second inorganic layer 140 having the forward tapered shape and the side of the organic layer 130 having the forward tapered shape.
  • the organic ink for thin film encapsulation is filled in the tunnel 160 because the organic ink for thin film encapsulation is naturally sucked by capillary force to fill the tunnel. There is no need for a high difficulty process of dispensing to be internal, and the remaining liquid can be removed by cleaning, thus providing ease of processing.
  • an independent encapsulation may be performed for each pixel without a separate dam structure for forming an organic layer for encapsulation.
  • the side surface of the organic light emitting layer and the dam have to be separated by a predetermined distance. That is, only when the organic light emitting layer and the distance between the dam, the organic layer could be formed within the distance. Therefore, in the prior art, the distance between pixels was inevitably farther apart.
  • the dam structure by omitting the dam structure, the maximum area of the peripheral area between the pixel area and the pixel area is secured, and the thickness of the peripheral area is minimized by omitting the organic layer for encapsulation in the peripheral area. In this way, improved flexibility characteristics can be provided.

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Abstract

A flexible display according to one embodiment of the present invention may comprise: a substrate divided into M*N pixel regions and peripheral regions defined as regions between the pixel regions; a light emitting unit disposed in each of the M*N pixel regions and including a first electrode, a second electrode, and an organic light emitting layer disposed between the first and second electrodes; and an encapsulation layer which encapsulates the light emitting unit, and divides and independently encapsulates the M*N pixel regions.

Description

유연 디스플레이 및 그 제조방법Flexible display and manufacturing method
본 발명은 유연 디스플레이 및 그 제조방법에 관련된 것으로, 보다 구체적으로는, 인캡슐레이션(encapsulation)을 성능을 확보하면서도 고 유연성을 가지는 유연 디스플레이 및 그 제조방법에 관련된 것이다.The present invention relates to a flexible display and a method for manufacturing the same, and more particularly, to a flexible display and a method for manufacturing the same having high flexibility while ensuring performance of encapsulation.
전통적인 디스플레이는 단순히 전기신호를 시각적인 형태로 출력하는 장치를 의미하였다. 그러나, 최근 디스플레이는 단순히 정보를 표시하는 장치로서만 발전하는 것이 아니라, 유연성 특성까지 보유하는 형태로 발전하고 있다. Traditional displays simply meant devices that output electrical signals in visual form. Recently, however, a display is not only developed as a device for displaying information, but also has a form of flexibility.
유연 디스플레이는, 소정 휘어지고 구부러질 수 있는 벤더블 단계(bendable stage), 두루마리처럼 말 수 있는 롤러블 단계(rollable stage), 마치 종이처럼 접을 수 있는 폴더블 단계(Foldable stage)로 진화하고 있다. 또한 최근의 디스플레이는 1축 또는 2축으로 늘렸다 줄였다 하면서 크기를 바꿀 수 있는 신축성 단계(stretchable stage)로 진화를 계속하고 있다.Flexible displays are evolving into a bendable stage that can be bent and bent, a rollable stage that can be rolled like a roll, and a foldable stage that can be folded like a piece of paper. Recent displays continue to evolve into stretchable stages that can be scaled up and down while scaling up and down to one or two axes.
이와 관련하여 유연 디스플레이의 발광의 위해서는 유기 발광층이 사용되고 있다. 유기 발광층은 고 사양의 디스플레이 특성을 제공하기는 하지만, 유기물을 사용한다는 측면에서 수분 및 공기의 침투에 민감하다. 이에 높은 수준의 WVTR(Water Vapor Transmission Rate)이 요구되고 있다. 이에 따라 박막 봉지 기술 (Thin film encapsulation; TFE)을 통하여 요구되는 WVTR 특성을 달성하고자 하는 연구가 지속되고 있다. In this regard, an organic light emitting layer is used to emit light of the flexible display. Although the organic light emitting layer provides high display characteristics, it is sensitive to penetration of moisture and air in terms of using organic materials. Therefore, a high level of water vapor transmission rate (WVTR) is required. Accordingly, studies to achieve the required WVTR characteristics through thin film encapsulation (TFE) have been continued.
TFE 기술은 무기막, 유기막을 교차 적층하는 형태로 이루어진다. 또한 TFE 공정 중 유기막의 잉크젯 도포 공정은, 유기막이 형성되는 영역을 소정의 두께를 가지는 댐(dam)으로 정의하고, 댐으로 정의된 영역에 유기막을 도포하는 단계로 이루어진다. 특히 댐은 OLED 발광층의 측면으로부터 소정 거리 이격되도록 형성된다. 이는 OLED 발광층의 측면 방향으로 수분 및/또는 공기가 침투하지 못하도록 하기 위함이다. 이로써, 댐과 OLED 발광층의 측면 이격 거리 내에도 봉지 유기막을 형성할 수 있는 것이다.TFE technology consists of cross-lamination of inorganic and organic films. In addition, the inkjet coating process of the organic film during the TFE process includes defining a region in which the organic film is formed as a dam having a predetermined thickness and applying the organic film to the region defined by the dam. In particular, the dam is formed to be spaced a predetermined distance from the side of the OLED light emitting layer. This is to prevent moisture and / or air from penetrating in the lateral direction of the OLED light emitting layer. As a result, the encapsulation organic film may be formed within the side separation distance between the dam and the OLED light emitting layer.
이에 따라, TFE 기술은 비록 WVTR 특성을 제공하기는 하나, TFE를 구성하는 유기층의 두께가 높다는 점, 댐의 두께가 높다는 점, OLED 발광층의 측면 방향으로 소정 거리 이격하여 댐이 위치하기 때문에 OLED 발광층의 측면으로부터 댐까지 거리 내에도 두꺼운 유기막이 형성된다는 점에 의하여 유연성 관점에서는 불리하다. 즉, 디스플레이가 유기층 및/또는 댐에 의하여 두꺼워지기 때문에 유연성 특성이 저하되는 문제가 발생하는 것이다.Accordingly, although the TFE technology provides the WVTR characteristics, the OLED layer has a high thickness of the organic layer constituting the TFE, the thickness of the dam is high, and the dam is located at a predetermined distance away from the side of the OLED emitting layer. It is disadvantageous in terms of flexibility because a thick organic film is formed within the distance from the side surface of the dam to the dam. That is, since the display is thickened by the organic layer and / or the dam, a problem arises in that the flexibility characteristic is lowered.
이에 본 발명자들은 높은 봉지 특성을 제공하면서도 나아가 높은 유연성 특성까지도 가지는 유연 디스플레이 및 그 제조방법을 발명하게 되었다.Accordingly, the inventors have invented a flexible display and a method of manufacturing the same, which provide high encapsulation properties and further have high flexibility.
본 발명이 해결하고자 하는 일 기술적 과제는, 높은 봉지 특성과 높은 유연성 특성을 가지는 유연 디스플레이 및 그 제조방법을 제공하는 데 있다.One technical problem to be solved by the present invention is to provide a flexible display having a high encapsulation property and a high flexibility characteristics and a method of manufacturing the same.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 기술적 과제는, 기존의 공정을 활용함으로써, 양산 적합성이 우수한 유연 디스플레이 및 그 제조방법을 제공하는 데 있다.Another technical problem to be solved by the present invention is to provide a flexible display excellent in mass production suitability and its manufacturing method by utilizing the existing process.
본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제는 상술된 것에 제한되지 않는다.The technical problem to be solved by the present invention is not limited to the above.
본 발명의 일 실시 예에 따른 유연 디스플레이는 M*N의 픽셀 영역과 상기 픽셀 영역 사이 영역으로 정의되는 주변 영역으로 구획된 기판, 상기 M*N의 픽셀 영역 마다 배치되며, 제1 전극, 제2 전극 및 상기 제1 및 상기 제2 전극 사이에 배치되는 유기발광층을 포함하는 발광부 및 상기 발광부를 봉지하되, 상기 M*N의 픽셀 영역을 구획하여 독립적으로 봉지하는 봉지층을 포함하여 이루어질 수 있다(M, N은 양의 정수)The flexible display according to an exemplary embodiment of the present invention may include a substrate partitioned into a peripheral area defined as a pixel area of M * N and an area between the pixel areas, the pixel electrodes of M * N, and a first electrode and a second electrode. It may include a light emitting part including an electrode and an organic light emitting layer disposed between the first and the second electrode and an encapsulation layer encapsulating the light emitting portion, and separately encapsulating the pixel region of the M * N. (M and N are positive integers)
일 실시 예에 있어서, 상기 픽셀 영역 상에, 상기 봉지층은, 제1 무기층, 제2 무기층 및 상기 제1 및 상기 제2 무기층 사이에 배치되는 유기층을 포함하되, 상기 제2 무기층은 상기 유기층의 일 측면을 덮을 수 있다.In an embodiment, the encapsulation layer may include a first inorganic layer, a second inorganic layer, and an organic layer disposed between the first and second inorganic layers, wherein the encapsulation layer includes the second inorganic layer. May cover one side of the organic layer.
일 실시 예에 있어서, 상기 주변 영역 상에서, 상기 제1 무기층의 일 면과 상기 제2 무기층의 일 면이 서로 직접 접촉할 수 있다.In one embodiment, one surface of the first inorganic layer and one surface of the second inorganic layer may directly contact each other on the peripheral region.
일 실시 예에 있어서, 상기 주변 영역 상에는, 상기 유기층이 형성되지 않을 수 있다.In one embodiment, the organic layer may not be formed on the peripheral region.
일 실시 예에 있어서, 상기 픽셀 영역 상에, 상기 제2 무기층의 두께에 의하여 정의하는 면과 상기 제1 무기층의 일 면이 서로 접촉할 수 있다.In an embodiment, a surface defined by the thickness of the second inorganic layer and one surface of the first inorganic layer may contact each other on the pixel area.
일 실시 예에 있어서, 상기 유기층은, 상기 제1 및 상기 제2 무기층에 의하여 완전히 둘러싸일 수 있다.In an embodiment, the organic layer may be completely surrounded by the first and second inorganic layers.
일 실시 예에 있어서, 상기 유기층의 너비는, 상기 제1 무기층에서 상기 제2 무기층 방향으로 좁아질 수 있다.In an embodiment, the width of the organic layer may be narrowed in the direction of the second inorganic layer from the first inorganic layer.
일 실시 예에 있어서, 상기 제2 무기층 상에 형성되는 제3 무기층을 더 포함할 수 있다.In one embodiment, it may further include a third inorganic layer formed on the second inorganic layer.
일 실시 예에 있어서, 상기 제3 무기층은 상기 유기층의 타 측면을 직접 접촉하도록 덮을 수 있다.In one embodiment, the third inorganic layer may be covered to directly contact the other side of the organic layer.
일 실시 예에 있어서, 상기 제2 무기층의 일 측면은, 평면 상에서, 상기 픽셀 영역의 중심 방향으로 함입될 수 있다.In an embodiment, one side of the second inorganic layer may be recessed in a center direction of the pixel area on a plane.
본 발명의 일 실시 예에 따른 유연 디스플레이 제조방법은, M*N의 픽셀 영역과 상기 픽셀 영역 사이 영역으로 정의되는 주변 영역 중에서, 픽셀 영역 마다, 제1 전극, 제2 전극 및 상기 제1 및 상기 제2 전극 사이에 배치되는 유기발광층을 포함하는 발광부를 형성하는 단계 및 상기 발광부 상에, 상기 M*N의 픽셀 영역을 구획하여 독립적으로 봉지하는 봉지층을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.According to one or more exemplary embodiments, a flexible display manufacturing method includes: a first electrode, a second electrode, and the first and the second electrodes, for each pixel area, among peripheral areas defined as M * N pixel areas and areas between the pixel areas. The method may include forming a light emitting part including an organic light emitting layer disposed between the second electrodes, and forming an encapsulation layer on the light emitting part to separately encapsulate the pixel area of M * N.
일 실시 예에 있어서, 상기 봉지층을 형성하는 단계는, 상기 발광부 상에 제1 무기층을 형성하는 단계, 상기 제1 무기층 상에 음의 포토레지스트(negative photo resist)층을 형성하는 단계, 상기 음의 포토레지스트층을 역 테이퍼 형상의 복수의 희생 구조물로 패터닝하는 단계, 상기 희생 구조물 사이에 잉크젯 공정을 통하여 순 테이퍼 형상의 유기층을 형성하는 단계, 상기 희생 구조물을 제거하는 단계 및 상기 유기층 상에 제2 무기층을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.The forming of the encapsulation layer may include forming a first inorganic layer on the light emitting part, and forming a negative photoresist layer on the first inorganic layer. Patterning the negative photoresist layer into a plurality of sacrificial structures having an inverse taper shape, forming a net tapered organic layer between the sacrificial structures through an inkjet process, removing the sacrificial structures, and the organic layer. It may include the step of forming a second inorganic layer on the.
일 실시 예에 있어서, 상기 제1 무기층 상에 음의 포토레지스트(negative photo resist)층을 형성하는 단계 이후에, 상기 주변 영역에 대응하는 개구부를 가지고 상기 픽셀 영역에 대응하는 차단부를 가지는 마스크를, 상기 음의 포토레지스트층 상에 배치하는 단계를 더 포함할 수 있다.In example embodiments, after forming a negative photoresist layer on the first inorganic layer, a mask having an opening corresponding to the peripheral region and a blocking portion corresponding to the pixel region may be formed. The method may further include disposing on the negative photoresist layer.
일 실시 예에 있어서, 상기 음의 포토레지스트층을 역 테이퍼 형상의 복수의 희생 구조물로 패터닝하는 단계는, 상기 마스크의 차단부에 의하여 비 노광된 음의 포토레지스트 영역을 제거하는 단계를 포함할 수 있다.In an embodiment, the patterning of the negative photoresist layer into a plurality of sacrificial structures having an inverse taper shape may include removing the negative photoresist region unexposed by the blocking portion of the mask. have.
일 실시 예에 있어서, 상기 제2 무기층을 형성하는 단계 이후에, 상기 주변 영역 상의 제1 및 제2 무기층 중 적어도 하나의 무기층을 제거하는 단계를 더 포함할 수 있다.In an embodiment, after the forming of the second inorganic layer, the method may further include removing at least one inorganic layer of the first and second inorganic layers on the peripheral area.
일 실시 예에 있어서, 상기 봉지층을 형성하는 단계는, 상기 발광부 상에 제1 무기층을 형성하는 단계, 상기 제1 무기층 상에 양의 포토레지스트(positive photo resist) 층을 형성하는 단계, 상기 양의 포토레지스트층을 복수의 희생 구조물로 패터닝하는 단계, 상기 복수의 희생 구조물 상에 제2 무기층을 형성하는 단계, 상기 제2 무기층을 패터닝하여 상기 복수의 희생 구조물의 일 영역을 외부로 노출시키는 단계, 상기 외부로 노출된 영역을 통하여 상기 복수의 희생 구조물을 제거하여 터널을 형성하는 단계, 상기 터널 내부에 유기층을 형성하는 단계 및 상기 제2 무기층 상에 제3 무기층을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.The forming of the encapsulation layer may include forming a first inorganic layer on the light emitting part, and forming a positive photoresist layer on the first inorganic layer. Patterning the positive photoresist layer into a plurality of sacrificial structures, forming a second inorganic layer on the plurality of sacrificial structures, and patterning the second inorganic layer to form one region of the plurality of sacrificial structures. Exposing to the outside, removing the plurality of sacrificial structures through the externally exposed region to form a tunnel, forming an organic layer inside the tunnel, and forming a third inorganic layer on the second inorganic layer. It may comprise the step of forming.
일 실시 예에 있어서, 상기 터널을 형성하는 단계에서, 상기 터널의 일 층은, 상기 제1 무기층으로 이루어지고, 상기 터널의 타 층은, 상기 제1 무기층과 이격하는 제2 무기층으로 이루어지며, 상기 터널은 상기 픽셀 영역 상에 형성될 수 있다.In an embodiment, in the forming of the tunnel, one layer of the tunnel may include the first inorganic layer, and the other layer of the tunnel may be a second inorganic layer spaced apart from the first inorganic layer. The tunnel may be formed on the pixel area.
일 실시 예에 있어서, 상기 유기층을 형성하는 단계에서, 상기 유기층은, 상기 픽셀 영역과 상기 주변 영역 중 상기 픽셀 영역에 선택적으로 형성될 수 있다.In an embodiment, in the forming of the organic layer, the organic layer may be selectively formed in the pixel area among the pixel area and the peripheral area.
일 실시 예에 있어서, 상기 픽셀 영역 상에서, 상기 제1 무기층, 상기 유기층, 상기 제2 무기층, 상기 제3 무기층 순서로 적층될 수 있다.In example embodiments, the first inorganic layer, the organic layer, the second inorganic layer, and the third inorganic layer may be stacked on the pixel area.
일 실시 예에 있어서, 상기 제2 무기층을 패터닝하여 상기 복수의 희생 구조물의 일 영역을 외부로 노출시키는 단계는, 상기 제2 무기층의 일 측면이, 평면 상에서, 상기 픽셀 영역의 중심 방향으로 함입되도록 상기 제2 무기층을 패터닝하는 단계를 포함할 수 있다.In example embodiments, the patterning of the second inorganic layer to expose one region of the plurality of sacrificial structures to the outside may include a side surface of the second inorganic layer formed on a plane to a center direction of the pixel region. Patterning the second inorganic layer to be embedded.
일 실시 예에 있어서, 상기 제3 무기층을 형성하는 단계 이후에, 상기 주변 영역 상의 제1 내지 제3 무기층 중 적어도 하나의 무기층을 제거하는 단계가 더 포함될 수 있다.In an embodiment, after the forming of the third inorganic layer, the method may further include removing at least one inorganic layer of the first to third inorganic layers on the peripheral area.
본 발명의 일 실시 예에 따른 유연 디스플레이는 M*N의 픽셀 영역과 상기 픽셀 영역 사이 영역으로 정의되는 주변 영역으로 구획된 기판, 상기 M*N의 픽셀 영역 마다 배치되며, 제1 전극, 제2 전극 및 상기 제1 및 상기 제2 전극 사이에 배치되는 유기발광층을 포함하는 발광부 및 상기 발광부를 봉지하되, 상기 M*N의 픽셀 영역을 구획하여 독립적으로 봉지하는 봉지층을 포함하여 이루어질 수 있다(M, N은 양의 정수). The flexible display according to an exemplary embodiment of the present invention may include a substrate partitioned into a peripheral area defined as a pixel area of M * N and an area between the pixel areas, the pixel electrodes of M * N, and a first electrode and a second electrode. It may include a light emitting part including an electrode and an organic light emitting layer disposed between the first and the second electrode and an encapsulation layer encapsulating the light emitting portion, and separately encapsulating the pixel region of the M * N. (M and N are positive integers).
이에 따라, 주변 영역 상의 봉지를 위한 유기층을 생략할 수 있으므로, 주변 영역의 두께를 얇게 할 수 있다. 주변 영역의 두께가 얇아짐에 따라 우수한 유연성 특성을 제공할 수 있다.As a result, since the organic layer for encapsulation on the peripheral region can be omitted, the thickness of the peripheral region can be reduced. As the thickness of the peripheral area becomes thinner, it can provide excellent flexibility properties.
또한, 별도의 댐 없이도 봉지를 위한 유기층을 형성할 수 있으므로, 종래 댐이 가지는 공간에 의하여 제한되던 유연 특성을 추가적으로 확보할 수 있다.In addition, since the organic layer for encapsulation can be formed without a separate dam, it is possible to additionally secure the flexible characteristics limited by the space of the conventional dam.
본 발명의 일 실시 예에 따른 유연 디스플레이 제조방법은, M*N의 픽셀 영역과 상기 픽셀 영역 사이 영역으로 정의되는 주변 영역 중에서, 픽셀 영역 마다, 제1 전극, 제2 전극 및 상기 제1 및 상기 제2 전극 사이에 배치되는 유기발광층을 포함하는 발광부를 형성하는 단계 및 상기 발광부 상에, 상기 M*N의 픽셀 영역을 구획하여 독립적으로 봉지하는 봉지층을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.According to one or more exemplary embodiments, a flexible display manufacturing method includes: a first electrode, a second electrode, and the first and the second electrodes, for each pixel area, among peripheral areas defined as M * N pixel areas and areas between the pixel areas. The method may include forming a light emitting part including an organic light emitting layer disposed between the second electrodes, and forming an encapsulation layer on the light emitting part to separately encapsulate the pixel area of M * N.
이 때, 상기 봉지층을 형성하는 단계는, 상기 발광부 상에 제1 무기층을 형성하는 단계, 상기 제1 무기층 상에 음의 포토레지스트(negative photo resist)층을 형성하는 단계, 상기 음의 포토레지스트층을 역 테이퍼 형상의 복수의 희생 구조물로 패터닝하는 단계, 상기 희생 구조물 사이에 잉크젯 공정을 통하여 순 테이퍼 형상의 유기층을 형성하는 단계, 상기 희생 구조물을 제거하는 단계 및 상기 유기층 상에 제2 무기층을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.In this case, the forming of the encapsulation layer may include forming a first inorganic layer on the light emitting part, forming a negative photoresist layer on the first inorganic layer, and the negative Patterning a photoresist layer of a plurality of sacrificial structures having an inverse taper shape, forming an organic layer having a net tapered shape through an inkjet process between the sacrificial structures, removing the sacrificial structures, and forming a film on the organic layer. It may include the step of forming an inorganic layer.
음의 포토레지스트를 이용하여 역 테이퍼 형상의 희생 구조물을 형성함으로써, 희생 구조물 사이에 순 테이퍼 형상의 유기층이 형성될 수 있다. 이에 따라 제2 무기층이 유기층의 측면에도 증착될 수 있으므로, 우수한 봉지 특성을 제공할 수 있다.By forming the inverse tapered sacrificial structure using the negative photoresist, a net tapered organic layer can be formed between the sacrificial structures. Accordingly, since the second inorganic layer may be deposited on the side of the organic layer, it may provide excellent sealing characteristics.
다른 예를 들어, 상기 봉지층을 형성하는 단계는, 상기 발광부 상에 제1 무기층을 형성하는 단계, 상기 제1 무기층 상에 양의 포토레지스트(positive photo resist) 층을 형성하는 단계, 상기 양의 포토레지스트층을 복수의 희생 구조물로 패터닝하는 단계, 상기 복수의 희생 구조물 상에 제2 무기층을 형성하는 단계, 상기 제2 무기층을 패터닝하여 상기 복수의 희생 구조물의 일 영역을 외부로 노출시키는 단계, 상기 외부로 노출된 영역을 통하여 상기 복수의 희생 구조물을 제거하여 터널을 형성하는 단계, 상기 터널 내부에 유기층을 형성하는 단계 및 상기 제2 무기층 상에 제3 무기층을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.In another example, the forming of the encapsulation layer may include forming a first inorganic layer on the light emitting part, forming a positive photoresist layer on the first inorganic layer, Patterning the positive photoresist layer into a plurality of sacrificial structures, forming a second inorganic layer on the plurality of sacrificial structures, patterning the second inorganic layer to externally cover one region of the plurality of sacrificial structures Exposing to a structure, removing the plurality of sacrificial structures through the externally exposed region to form a tunnel, forming an organic layer inside the tunnel, and forming a third inorganic layer on the second inorganic layer. It may include the step.
양의 포토레지스트를 이용하여 순 테이퍼 형상의 터널을 형성하고, 터널 내부에 유기 잉크를 주입하여 순 테이퍼 형상의 유기층을 형성할 수 있다. 이 단계에서 유기 잉크가 모세관력으로 터널 내부로 자동 주입되는 현상을 활용하면, 초정밀 디스펜싱 공정이 필요 없어 공정상 편의성이 제공될 수 있다.A positive tapered tunnel can be formed using a positive photoresist, and an organic ink can be injected into the tunnel to form a pure tapered organic layer. In this step, by utilizing the phenomenon that the organic ink is automatically injected into the tunnel by capillary force, a high precision dispensing process is not required, and process convenience may be provided.
나아가, 순 테이퍼 형상의 유기층이 형성된 후, 주변 영역 상의 무기층은 제거될 수 있다. 이에 따라 주변 영역의 두께가 보다 얇아지므로, 보다 높은 수준의 유연성이 제공될 수 있다.Furthermore, after the net tapered organic layer is formed, the inorganic layer on the peripheral region can be removed. This makes the thickness of the peripheral area thinner, so that a higher level of flexibility can be provided.
도 1은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 유연 디스플레이의 평면을 도시한다.1 illustrates a plane of a flexible display according to a first embodiment of the present invention.
도 2는 본 발명의 제1 실시 예에 따른 유연 디스플레이의 픽셀을 회로적으로 설명하기 위한 도면이다.FIG. 2 is a circuit diagram illustrating a pixel of a flexible display according to a first exemplary embodiment of the present invention.
도 3은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 유연 디스플레이의 단면(도 1의 B-B'라인)을 도시한다.3 is a cross-sectional view (B-B ′ line of FIG. 1) of the flexible display according to the first embodiment of the present invention.
도 4는 본 발명의 제1 실시 예에 따른 유연 디스플레이의 제조방법을 설명하기 위한 도면이다.4 is a view for explaining a method of manufacturing a flexible display according to a first embodiment of the present invention.
도 5는 본 발명의 제1 실시 예에 따른 봉지층의 제조방법을 설명하기 위한 도면이다.5 is a view for explaining a method of manufacturing an encapsulation layer according to a first embodiment of the present invention.
도 6 내지 도 14는 본 발명의 제1 실시 예에 따른 봉지층의 제조방법을 상세하게 설명하기 위한 도면이다.6 to 14 are views for explaining in detail the manufacturing method of the encapsulation layer according to the first embodiment of the present invention.
도 15는 본 발명의 제2 실시 예에 따른 유연 디스플레이의 단면(도 1의 B-B'라인)을 도시한다.15 is a cross-sectional view (B-B ′ line of FIG. 1) of the flexible display according to the second embodiment of the present invention.
도 16은 본 발명의 제2 실시 예에 따른 봉지층의 제조방법을 설명하기 위한 도면이다.16 is a view for explaining a method of manufacturing an encapsulation layer according to a second embodiment of the present invention.
도 17 내지 도 22는 본 발명의 제2 실시 예에 따른 봉지층의 제조방법을 상세하게 설명하기 위한 도면이다.17 to 22 are views for explaining in detail the manufacturing method of the encapsulation layer according to a second embodiment of the present invention.
도 23 내지 도 26은 본 발명의 제2 실시 예의 변형 예에 따른 봉지층의 제조방법을 설명하기 위한 도면이다.23 to 26 are views for explaining a method of manufacturing an encapsulation layer according to a modification of the second embodiment of the present invention.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 상세히 설명할 것이다. 그러나 본 발명의 기술적 사상은 여기서 설명되는 실시 예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화 될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시 예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the technical idea of the present invention is not limited to the exemplary embodiments described herein and may be embodied in other forms. Rather, the embodiments introduced herein are provided to ensure that the disclosed contents are thorough and complete, and that the spirit of the present invention to those skilled in the art can fully convey.
본 명세서에서, 어떤 구성요소가 다른 구성요소 상에 있다고 언급되는 경우에 그것은 다른 구성요소 상에 직접 형성될 수 있거나 또는 그들 사이에 제 3의 구성요소가 개재될 수도 있다는 것을 의미한다. 또한, 도면들에 있어서, 막 및 영역들의 두께는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다. In the present specification, when a component is mentioned as being on another component, it means that it may be formed directly on the other component or a third component may be interposed therebetween. In addition, in the drawings, the thicknesses of films and regions are exaggerated for effective explanation of technical contents.
또한, 본 명세서의 다양한 실시 예 들에서 제1, 제2, 제3 등의 용어가 다양한 구성요소들을 기술하기 위해서 사용되었지만, 이들 구성요소들이 이 같은 용어들에 의해서 한정되어서는 안 된다. 이들 용어들은 단지 어느 구성요소를 다른 구성요소와 구별시키기 위해서 사용되었을 뿐이다. 따라서, 어느 한 실시 예에 제 1 구성요소로 언급된 것이 다른 실시 예에서는 제 2 구성요소로 언급될 수도 있다. 여기에 설명되고 예시되는 각 실시 예는 그것의 상보적인 실시 예도 포함한다. 또한, 본 명세서에서 '및/또는'은 전후에 나열한 구성요소들 중 적어도 하나를 포함하는 의미로 사용되었다.In addition, in various embodiments of the present specification, terms such as first, second, and third are used to describe various components, but these components should not be limited by these terms. These terms are only used to distinguish one component from another. Thus, what is referred to as the first component in one embodiment may be referred to as the second component in other embodiments. Each embodiment described and illustrated herein also includes its complementary embodiment. In addition, the term 'and / or' is used herein to include at least one of the components listed before and after.
명세서에서 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한 복수의 표현을 포함한다. 또한, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 구성요소 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징이나 숫자, 단계, 구성요소 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 배제하는 것으로 이해되어서는 안 된다. 또한, 본 명세서에서 "연결"은 복수의 구성 요소를 간접적으로 연결하는 것, 및 직접적으로 연결하는 것을 모두 포함하는 의미로 사용된다. In the specification, the singular encompasses the plural unless the context clearly indicates otherwise. In addition, the terms "comprise" or "have" are intended to indicate that there is a feature, number, step, element, or combination thereof described in the specification, and one or more other features, numbers, steps, configurations. It should not be understood to exclude the possibility of the presence or the addition of elements or combinations thereof. In addition, the term "connection" is used herein to mean both indirectly connecting a plurality of components, and directly connecting.
본 명세서에서 역 테이퍼 형상이라 함은, 하협상광의 형상을 의미하며, 순 테이퍼 형상이라 함은, 하광상협 형상을 의미할 수 있다.In the present specification, the inverse taper shape means the shape of the lower narrow light, and the forward taper shape may mean the lower light narrow shape.
또한, 하기에서 본 발명을 설명함에 있어 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략할 것이다.In addition, in the following description of the present invention, if it is determined that a detailed description of a related known function or configuration may unnecessarily obscure the subject matter of the present invention, the detailed description thereof will be omitted.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 유연 디스플레이의 평면을 도시하고, 도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 유연 디스플레이의 픽셀을 회로적으로 설명하기 위한 도면이고, 도 3은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 유연 디스플레이의 단면(도 1의 B-B'라인)을 도시한다.1 is a plan view of a flexible display according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a diagram for circuitry illustrating a pixel of the flexible display according to an embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a view of the present invention. The cross section (B-B 'line of FIG. 1) of the flexible display which concerns on 1st Example is shown.
도 1을 참조하면, 본 발명의 제1 실시 예에 따른 유연 디스플레이는 유연 기판(110)을 포함할 수 있다. Referring to FIG. 1, the flexible display according to the first embodiment of the present invention may include a flexible substrate 110.
상기 유연 기판(110)은 M(가로 방향)*N(세로 방향)의 픽셀 영역(P)과 상기 픽셀 영역(P) 사이 영역으로 정의되는 주변 영역(N)으로 구획될 수 있다. 상기 픽셀 영역(P)은 R, G, B와 같은 특정 색상을 발광하는 영역으로 정의될 수 있고, 주변 영역(N)은 일 픽셀 영역과 이에 인접하는 픽셀 영역 사이의 공간 영역으로 정의될 수 있다. 이 때, M 및 N은 양의 정수일 수 있다.The flexible substrate 110 may be divided into a peripheral area N defined as an area between the pixel area P of M (horizontal direction) * N (vertical direction) and the pixel area P. The pixel area P may be defined as an area emitting a specific color such as R, G, and B, and the peripheral area N may be defined as a spatial area between one pixel area and a pixel area adjacent thereto. . At this time, M and N may be a positive integer.
일 예에 따르면 상기 유연 기판(110)은 유연성을 가지는 기판일 수 있다. 예를 들어, 상기 유연 기판(110)은 PET(polyethylene terephthalate), PEN(polyethylenaphthalate), PI(polyimide) 중 적어도 하나의 물질로 이루어질 수 있다. 상기 유연 기판(110)의 소재는 일 예일 뿐, 이에 한정되는 것은 아니다.According to an example, the flexible substrate 110 may be a substrate having flexibility. For example, the flexible substrate 110 may be formed of at least one material of polyethylene terephthalate (PET), polyethylenaphthalate (PEN), and polyimide (PI). The material of the flexible substrate 110 is only one example, but is not limited thereto.
일 예에 따르면, 유연 기판(110)의 일 면에는 수분 및 공기의 침투를 방지하기 위한 배리어(barrier)가 형성될 수 있다.According to an example, a barrier may be formed on one surface of the flexible substrate 110 to prevent penetration of moisture and air.
도 1의 픽셀 영역(P)을 회로적으로 도시하는 도 2를 참조하면, 픽셀 영역(P)에는 유기발광층(OL) 및 유기발광층(OL)을 구동하기 위한 구동소자를 포함하는 발광부가 마련될 수 있다. 이 때, 구동소자는, 스위치 트랜지스터(ST), 데이터 트랜지스터(DT), 커패시터(C), 유기발광층(OL)에 정공과 전자를 제공하는 애노드 전극 및 캐소드 전극을 포함할 수 있다. Referring to FIG. 2, which schematically illustrates the pixel region P of FIG. 1, the pixel region P includes a light emitting part including an organic light emitting layer OL and a driving element for driving the organic light emitting layer OL. Can be. In this case, the driving device may include a switch transistor ST, a data transistor DT, a capacitor C, and an anode electrode and a cathode electrode for providing holes and electrons to the organic light emitting layer OL.
보다 구체적으로, 상기 스위치 트랜지스터(ST)의 게이트 전극은 게이트 라인(GLine)과 전기적으로 연결되고, 스위치 트랜지스터(ST)의 소스 전극은 데이터 라인(DLine)과 전기적으로 연결되고, 스위치 트랜지스터(ST)의 드레인 전극은 데이터 트랜지스터(DT)의 게이트 전극 및 커패시터(C)의 일 전극과 전기적으로 연결될 수 있다. 또한 상기 데이터 트랜지스터(DT)의 소스 전극은 EVDDLine과 전기적으로 연결되고, 상기 데이터 트랜지스터(DT)의 드레인 전극은 커패시터(C)의 타 전극 및 애노드 전극(AE, 도 3 참조)에 전기적으로 연결될 수 있다. 또한 캐소드 전극(CE, 도 3 참조)은 EVSSLine에 전기적으로 연결될 수 있다.More specifically, the gate electrode of the switch transistor ST is electrically connected to the gate line GLine, the source electrode of the switch transistor ST is electrically connected to the data line DLine, and the switch transistor ST The drain electrode may be electrically connected to the gate electrode of the data transistor DT and one electrode of the capacitor C. In addition, the source electrode of the data transistor DT may be electrically connected to the EVDDLine, and the drain electrode of the data transistor DT may be electrically connected to the other electrode of the capacitor C and the anode electrode AE (see FIG. 3). have. In addition, the cathode electrode CE (see FIG. 3) may be electrically connected to the EVSSLine.
도 2를 참조하여 설명한 픽셀 영역(P)는, 2개의 트랜지스터와 1개의 커패시터로 이루어진 2T1C 구조를 상정하여 설명한 것이나, 본 발명의 기술적 사상이 2T1C 구조에 한정되는 것은 아니다.The pixel region P described with reference to FIG. 2 has been described assuming a 2T1C structure composed of two transistors and one capacitor, but the technical idea of the present invention is not limited to the 2T1C structure.
또한, 본 발명의 일 실시 예에 따른 유연 디스플레이는 상부 발광 타입(Top emission type) 및 하부 발광 타입(Bottom emission type) 중 어느 타입에도 적용될 수 있다. In addition, the flexible display according to an embodiment of the present invention may be applied to any type of top emission type and bottom emission type.
도 3은, 도 1의 B-B'라인 즉, 2개의 픽셀 영역(P)과 그 사이의 주변 영역(N)의 단면을 도시한다.FIG. 3 shows a cross section of the line B-B 'of FIG. 1, ie the two pixel regions P and the peripheral region N therebetween.
도 3을 참조하면, 상기 유연 기판(110)은 픽셀 영역(P)과 주변 영역(N)으로 구획될 수 있다.Referring to FIG. 3, the flexible substrate 110 may be divided into a pixel region P and a peripheral region N. FIG.
상기 픽셀 영역(P)에는 트랜지스터(도 3에서는 도 2의 데이터 트랜지스터(DT)), 애노드 전극(AE), 유기발광층(OL), 캐소드 전극(CE)이 형성될 수 있다.In the pixel region P, a transistor (the data transistor DT of FIG. 2 in FIG. 3), an anode AE, an organic light emitting layer OL, and a cathode electrode CE may be formed.
상기 데이터 트랜지스터(DT)는 상기 유연 기판(110) 상에 마련되며, 액티브층(ACT), 상기 액티브층(ACT) 상에 마련되는 제1 절연막(I1), 상기 제1 절연막(I1) 상에 마련되는 게이트 전극(GE), 상기 게이트 전극(GE) 상에 마련되는 제2 절연막(I2), 상기 제2 절연막(I2) 상에 마련되며, 콘택홀을 통해 상기 액티브층(ACT)에 접촉하는 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)을 포함하여 이루어질 수 있다. The data transistor DT is provided on the flexible substrate 110, and is formed on the active layer ACT, the first insulating layer I1 and the first insulating layer I1 provided on the active layer ACT. The gate electrode GE is provided, the second insulating film I2 provided on the gate electrode GE, and the second insulating film I2 are provided on the gate electrode GE, and contact the active layer ACT through a contact hole. It may include a source electrode (SE) and a drain electrode (DE).
상기 데이터 트랜지스터(DT)는 소스 전극(SE)에 연결된 EVDDLine의 전류를 드레인 전극(DE)을 통하여 애노드 전극(AE)으로 전달할 수 있다. 즉, 상기 데이터 트랜지스터(DT)의 게이트 전극(GE)에 온(ON) 신호가 인가된 경우, 상기 애노드 전극(AE)은 전류를 인가받을 수 있다.The data transistor DT may transfer a current of the EVDDLine connected to the source electrode SE to the anode AE through the drain electrode DE. That is, when an ON signal is applied to the gate electrode GE of the data transistor DT, the anode AE may receive a current.
상기 게이트 전극(GE)는 Al, Pt, Pd, Ag, Mg, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca, Mo, Ti, W, Cu 중 적어도 하나 이상의 금속 또는 합금으로, 단일층 또는 다수층으로 형성될 수 있다.The gate electrode GE is a metal or an alloy of at least one of Al, Pt, Pd, Ag, Mg, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca, Mo, Ti, W, Cu, or a single layer or It can be formed in multiple layers.
상기 액티브층(ACT)은, 반도체 물질을 포함할 수 있고, 상기 반도체 물질은, 결정질 실리콘(poly silicon)으로 이루어질 수 있다. 이는 일 예일 뿐이며 상기 액티브층(ACT)이 다른 물질로 이루어질 수 있음은 물론이다.The active layer ACT may include a semiconductor material, and the semiconductor material may be made of crystalline silicon. This is just an example and the active layer ACT may be made of another material.
상기 소스 전극(SE) 및 상기 드레인 전극(DE)는 예를 들어 Al, Pt, Pd, Ag, Mg, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca, Mo, Ti, W, Cu 중 어느 하나의 금속 또는 이들의 합금으로, 단일층 또는 다수층으로 형성될 수 있다.The source electrode SE and the drain electrode DE are any of Al, Pt, Pd, Ag, Mg, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca, Mo, Ti, W, Cu, for example. As one metal or alloy thereof, it may be formed in a single layer or in multiple layers.
상기 소스 전극(SE) 및 상기 드레인 전극(DE) 상에는 층간 절연막(ILD)가 마련될 수 있다. 상기 층간 절연막(ILD)은 유기물로 이루어질 수 있다.An interlayer insulating layer ILD may be provided on the source electrode SE and the drain electrode DE. The interlayer insulating layer ILD may be formed of an organic material.
상기 애노드 전극(AE)은, 상기 층간 절연막(ILD) 상에 형성되고, 상기 애노드 전극(AE)은, 상기 층간 절연막(ILD)에 형성된 콘택홀을 통하여, 상기 드레인 전극(DE)와 연결될 수 있다. The anode electrode AE is formed on the interlayer insulating film ILD, and the anode electrode AE is connected to the drain electrode DE through a contact hole formed in the interlayer insulating film ILD. .
한편, 유기발광층(OL)이 형성되는 영역을 정의하는 격벽(W)이 형성될 수 있다. 상기 격벽(W)은, 질화실리콘(SiNx), 산화실리콘(SiOx)과 같은 무기절연물질 또는 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene)이나 아크릴 수지(acrylic resin)와 같은 유기절연물질 중 적어도 하나의 물질을 포함하여 이루어질 수 있다.Meanwhile, the partition wall W may be formed to define a region in which the organic light emitting layer OL is formed. The partition wall W includes at least one of an inorganic insulating material such as silicon nitride (SiNx) and silicon oxide (SiOx) or an organic insulating material such as benzocyclobutene or acrylic resin. Can be done.
상기 애노드 전극(AE) 상에는 유기발광층(OL)이 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 유기발광층(OL)은 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층을 포함할 수 있다. 이 때, 픽셀 별로, 유기발광층(OL)이 서로 다른 색의 광을 출사할 수 있도록 마련될 수 있다. An organic light emitting layer OL may be formed on the anode AE. For example, the organic light emitting layer OL may include a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, an electron injection layer. At this time, for each pixel, the organic light emitting layer OL may be provided to emit light of different colors.
상기 캐소드 전극(CE)는 상기 유기발광층(OL) 상에 마련될 수 있다. 예를 들어, 상기 캐소드 전극(CE)은 상기 유기발광층(OL)으로 전자를 제공할 수 있다.The cathode electrode CE may be provided on the organic light emitting layer OL. For example, the cathode electrode CE may provide electrons to the organic light emitting layer OL.
상기 캐소드 전극(CE) 상에는 봉지층이 제공될 수 있다. 상기 봉지층 내부로 침투할 수 있는 수분 및/또는 산소를 차단할 수 있다.An encapsulation layer may be provided on the cathode electrode CE. It may block moisture and / or oxygen that may penetrate into the encapsulation layer.
일 실시 예에 따르면, 상기 봉지층은 발광부 특히 유기발광층(OL)을 봉지하되, 상기 M*N의 픽셀 영역을 구획하여 독립적으로 봉지할 수 있다. 상기 봉지층은 제1 무기층(120), 유기층(130), 제2 무기층(140)을 포함하여 이루어질 수 있다. 이 때, 상기 봉지층 중 유기층(130)이 픽셀 영역(P)에는 형성되고, 주변 영역(N)에는 형성되지 않을 수 있다. 즉, 이와 같이 봉지층은, 도 3의 좌측에 도시된 픽셀 영역과 도 3의 우측에 도시된 픽셀 영역을 독립적으로 봉지할 수 있다.According to an embodiment, the encapsulation layer may encapsulate the light emitting part, in particular the organic light emitting layer OL, and may be encapsulated independently by partitioning the pixel area of the M * N. The encapsulation layer may include a first inorganic layer 120, an organic layer 130, and a second inorganic layer 140. In this case, the organic layer 130 of the encapsulation layer may be formed in the pixel region P, but may not be formed in the peripheral region N. That is, the encapsulation layer may thus independently seal the pixel region illustrated on the left side of FIG. 3 and the pixel region illustrated on the right side of FIG. 3.
보다 구체적으로 도 3의 픽셀 영역(P)을 참조하면, 상기 제2 무기층(140)은 상기 유기층(130)의 일 측면을 완전히 덮을 수 있다. 또한, 상기 제2 무기층(140)의 두께에 의하여 정의되는 면과 상기 제1 무기층(120)의 일 면이 서로 접촉(C1)할 수 있다. 즉, 상기 유기층(130)은 상기 제1 및 제2 무기층(120, 140)에 의하여 완전히 둘러싸일 수 있는 것이다. 이 때, 상기 유기층(130)의 너비는 상기 제1 무기층(120)에서 상기 제2 무기층(140) 방향으로 좁아질 수 있다. More specifically, referring to the pixel region P of FIG. 3, the second inorganic layer 140 may completely cover one side of the organic layer 130. In addition, a surface defined by the thickness of the second inorganic layer 140 and one surface of the first inorganic layer 120 may contact each other (C1). That is, the organic layer 130 may be completely surrounded by the first and second inorganic layers 120 and 140. In this case, the width of the organic layer 130 may be narrowed from the first inorganic layer 120 to the second inorganic layer 140.
한편, 도 3의 주변 영역(N)을 참조하면, 상기 주변 영역(N) 상에는 유기층(130)이 형성되지 않을 수 있다. 이에 따라 상기 주변 영역(N) 상에서, 상기 제1 무기층(120)과 상기 제2 무기층(140)이 서로 직접 접촉(C2)할 수 있다.Meanwhile, referring to the peripheral area N of FIG. 3, the organic layer 130 may not be formed on the peripheral area N. FIG. Accordingly, the first inorganic layer 120 and the second inorganic layer 140 may be in direct contact with each other (C2) on the peripheral region (N).
즉, 본 발명의 제1 실시 예에 따른 유연 디스플레이의 픽셀 영역(P)에는 봉지를 위한 유기층이 형성되나, 주변 영역(N)에는 봉지를 위한 유기층이 형성되지 않을 수 있다. 이에 따라, 상기 픽셀 영역(P)의 높이가 상기 주변 영역(N)의 높이보다 높을 수 있다. 상기 주변 영역(N)의 높이가 낮다는 것은 상기 주변 영역(N)이 얇아짐을 의미한다. 따라서, 디스플레이가 접히거나, 면 방향으로 당겨지는 경우에 있어서, 보다 높은 유연성(S)을 제공할 수 있는 것이다. That is, the organic layer for encapsulation may be formed in the pixel region P of the flexible display according to the first exemplary embodiment of the present invention, but the organic layer for encapsulation may not be formed in the peripheral region N. FIG. Accordingly, the height of the pixel area P may be higher than the height of the peripheral area N. FIG. The low height of the peripheral area N means that the peripheral area N becomes thin. Therefore, when the display is folded or pulled in the surface direction, higher flexibility S can be provided.
이와 달리, 주변 영역(N)에도 봉지층의 유기층(130)이 형성되는 경우, 주변 영역(N)의 두께가 두꺼워지게 된다. 주변 영역(N)의 두께가 두꺼워지는 경우, 디스플레이를 접거나 면 방향으로 당기더라도 변형에 제한이 될 수 밖에 없다. 특히 유기층의 경우, 무기층 보다 그 두께가 월등히 두껍기 때문에 유연성 특성을 저해하는 요인이 될 수 있다.On the contrary, when the organic layer 130 of the encapsulation layer is formed in the peripheral region N, the thickness of the peripheral region N becomes thick. When the thickness of the peripheral area N becomes thick, deformation of the display may be limited even when the display is folded or pulled in the plane direction. In particular, in the case of the organic layer, since the thickness is much thicker than the inorganic layer, it may be a factor that inhibits the flexibility characteristics.
그러나, 본 발명의 제1 실시 예에 따르면, 픽셀 영역(P)과 주변 영역(N) 중 봉지 유기층(130)이 픽셀 영역(P)에 선택적으로 형성됨으로써, 주변 영역(N)이 보다 원활히 접히거나 당겨질 수 있다. 즉, 유연성 특성이 향상될 수 있다. 또한, 픽셀 영역(P)에는 유기층(130)이 형성됨으로써, 우수한 WVTR 특성이 제공될 수 있다.However, according to the first embodiment of the present invention, the encapsulation organic layer 130 is selectively formed in the pixel region P among the pixel region P and the peripheral region N, so that the peripheral region N is more smoothly folded. Can be pulled out. That is, flexibility characteristics can be improved. In addition, since the organic layer 130 is formed in the pixel region P, excellent WVTR characteristics may be provided.
이상 도 1 내지 도 3을 참조하여 본 발명의 제1 실시 예에 따른 유연 디스플레이를 설명하였다. 이하 도 4 내지 도 13을 참조하여 본 발명의 제1 실시 예에 따른 유연 디스플레이 제조방법을 설명하기로 한다.The flexible display according to the first embodiment of the present invention has been described above with reference to FIGS. 1 to 3. Hereinafter, a method of manufacturing a flexible display according to a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 4 to 13.
도 4는 본 발명의 제1 실시 예에 따른 유연 디스플레이의 제조방법을 설명하기 위한 도면이다.4 is a view for explaining a method of manufacturing a flexible display according to a first embodiment of the present invention.
도 4를 참조하면, 본 발명의 제1 실시 예에 따른 유연 디스플레이의 제조방법은, M*N의 픽셀 영역과 상기 픽셀 영역 사이 영역으로 정의되는 주변 영역 중에서, 픽셀 영역 마다, 제1 전극, 제2 전극 및 상기 제1 및 상기 제2 전극 사이에 배치되는 유기발광층을 포함하는 발광부를 형성하는 단계(S110) 및 상기 발광부 상에, 상기 M*N의 픽셀 영역을 구획하여 독립적으로 봉지하는 봉지층을 형성하는 단계(S120)를 포함하여 이루어질 수 있다.Referring to FIG. 4, a method of manufacturing a flexible display according to a first exemplary embodiment of the present invention may include a first electrode and a first electrode for each pixel region, among peripheral regions defined as M * N pixel regions and regions between the pixel regions. Forming a light emitting part including a second electrode and an organic light emitting layer disposed between the first and second electrodes (S110) and encapsulating the pixel area of the M * N on the light emitting part and encapsulating independently. Forming a layer may be included (S120).
상기 단계 S110에서, 발광부가 형성될 수 있다.In step S110, the light emitting unit may be formed.
이를 위하여, 희생 기판을 준비하고, 희생 기판 상에 유연 기판(110)을 형성할 수 있다. 이후, 유연 기판(110) 상에, 구동소자 및 유기발광층(OL)을 포함하는 발광부가 형성될 수 있다. 이 때, 상기 발광부는 픽셀 영역(P)에 형성될 수 있다. 상기 발광부를 형성하는 공정은 공지의 기술이므로 구체적인 설명을 생략하기로 한다.To this end, a sacrificial substrate may be prepared, and the flexible substrate 110 may be formed on the sacrificial substrate. Thereafter, the light emitting part including the driving device and the organic light emitting layer OL may be formed on the flexible substrate 110. In this case, the light emitting part may be formed in the pixel area P. FIG. Since the process of forming the light emitting unit is a known technique, a detailed description thereof will be omitted.
일 예에 따르면 상기 희생 기판은 단계 S120에 따른 봉지층 형성 단계 이후 제거될 수 있다.According to an example, the sacrificial substrate may be removed after the encapsulation layer forming step according to step S120.
단계 S110 이후에 단계 120에 따른 봉지층 형성 단계가 수행될 수 있다. 단계 S120의 구체적인 설명을 위하여 도 5를 참조하기로 한다. After step S110, the encapsulation layer forming step according to step 120 may be performed. A detailed description of step S120 will be made with reference to FIG. 5.
도 5는 본 발명의 제1 실시 예에 따른 봉지층의 제조방법을 설명하기 위한 도면이다.5 is a view for explaining a method of manufacturing an encapsulation layer according to a first embodiment of the present invention.
도 5를 참조하면, 본 발명의 제1 실시 예에 따른 봉지층의 제조방법(단계 S120)은 상기 발광부 상에 제1 무기층을 형성하는 단계(S122), 상기 제1 무기층 상에 음의 포토레지스트(negative photo resist)층을 형성하는 단계(S124), 상기 주변 영역에 대응하는 개구부를 가지고 상기 픽셀 영역에 대응하는 차단부를 가지는 마스크를, 상기 음의 포토레지스트 상에 배치하는 단계(S126), 상기 음의 포토레지스트층을 역 테이퍼 형상의 복수의 희생 구조물로 패터닝하는 단계(S128), 상기 희생 구조물 사이에 잉크젯 공정을 통하여 순 테이퍼 형상의 복수의 유기층을 형성하는 단계(S130), 상기 희생 구조물을 제거하는 단계(S132) 및 상기 유기층 상에 제2 무기층을 형성하는 단계(S134) 중 적어도 하나를 포함하여 이루어질 수 있다. 이하 각 단계에 대하여 도 6 내지 도 14를 참조하여 상세히 설명하기로 한다.Referring to FIG. 5, in the method of manufacturing an encapsulation layer according to the first embodiment of the present invention (step S120), forming a first inorganic layer on the light emitting part (S122) and a negative sound on the first inorganic layer Forming a negative photoresist layer (S124), and disposing a mask having an opening corresponding to the peripheral area and a blocking part corresponding to the pixel area on the negative photoresist (S126). ), Patterning the negative photoresist layer into a plurality of sacrificial structures having an inverse taper shape (S128), and forming a plurality of organic layers having a forward taper shape between the sacrificial structures through an inkjet process (S130). It may include at least one of removing the sacrificial structure (S132) and forming a second inorganic layer on the organic layer (S134). Hereinafter, each step will be described in detail with reference to FIGS. 6 to 14.
단계 S122Step S122
상기 발광부 상에 제1 무기층(120)이 형성될 수 있다. 도 6을 참조하면, 단계 S122에 의하여 픽셀 영역(P) 및 주변 영역(N)에 걸쳐서 제1 무기층(120)이 형성될 수 있다. 일 예를 들어, 상기 제1 무기층은 SiNx로 이루어질 수 있다.The first inorganic layer 120 may be formed on the light emitting part. Referring to FIG. 6, the first inorganic layer 120 may be formed over the pixel area P and the peripheral area N by step S122. For example, the first inorganic layer may be made of SiNx.
단계 S124Step S124
도 7을 참조하면, 상기 제1 무기층(120) 상에 음의 포토레지스트(negative photo resist)층(150)이 형성될 수 있다. 이 때, 음의 포토레지스트라 함은 노광된 부위가 현상액에 녹지 않는 레지스트를 의미한다. 반대로 양의 포토레지스트라 함은 노광된 부위가 현상에 녹는 레지스트를 의미한다.Referring to FIG. 7, a negative photoresist layer 150 may be formed on the first inorganic layer 120. In this case, the negative photoresist means a resist in which the exposed portion does not dissolve in the developer. On the contrary, positive photoresist means a resist in which an exposed part is soluble in development.
참고로 도 7 및 그 이후 도면에서, 제1 무기층(120) 아래의 구성요소는 생략하였다.For reference, in FIG. 7 and subsequent drawings, components under the first inorganic layer 120 are omitted.
단계 S126Step S126
도 8을 참조하면, 상기 주변 영역(N)에 대응하는 개구부를 가지고 상기 픽셀 영역에 대응하는 차단부를 가지는 마스크(160)를, 상기 음의 포토레지스트층(150) 상에 배치할 수 있다.Referring to FIG. 8, a mask 160 having an opening corresponding to the peripheral region N and a blocking portion corresponding to the pixel region may be disposed on the negative photoresist layer 150.
단계 S128Step S128
도 9를 참조하면, 상기 음의 포토레지스트층(150)이 노광될 수 있다. 상기 마스크(160)에 의하여 주변 영역(N)에 빛이 가해질 수 있다. 이에 따라 도 10에 도시된 바와 같이, 빛을 받은 영역은 희생 구조물(152)로 패터닝될 수 있다. 반면 빛을 받지 않은 제거될 수 있다.Referring to FIG. 9, the negative photoresist layer 150 may be exposed. Light may be applied to the peripheral area N by the mask 160. Accordingly, as shown in FIG. 10, the lighted area may be patterned into the sacrificial structure 152. On the other hand, it can be removed without receiving light.
이 때, 희생 구조물(152)은 역 테이퍼 형상을 가질 수 있다. 즉, 제1 무기층(120)의 계면에서 높이 방향으로 너비가 넓어지는 형상을 가질 수 있다.In this case, the sacrificial structure 152 may have an inverse taper shape. That is, it may have a shape in which the width in the height direction at the interface of the first inorganic layer 120 widens.
단계 S130Step S130
도 11을 참조하면, 상기 희생 구조물(152) 사이에 잉크젯 공정을 통하여 순 테이퍼 형상의 유기층(130)이 형성될 수 있다. 이 때, 상기 희생 구조물(152)은 상기 유기층(130)의 형상을 정의하는 주형틀로서 기능할 수 있다. 상기 희생 구조물(152)이 제공하는 주형틀 내로 유기 잉크, 예를 들어, 광 경화성 유기 잉크가 도포될 수 있다. 유기 잉크가 도포된 후, 광을 조사하여 유기 잉크를 경화할 수 있다. 경화된 유기 잉크는 봉지층의 유기층(130)이 될 수 있다. Referring to FIG. 11, a net tapered organic layer 130 may be formed between the sacrificial structures 152 through an inkjet process. In this case, the sacrificial structure 152 may function as a mold defining the shape of the organic layer 130. An organic ink, for example, a photocurable organic ink, may be applied into a mold provided by the sacrificial structure 152. After the organic ink is applied, light may be irradiated to cure the organic ink. The cured organic ink may be the organic layer 130 of the encapsulation layer.
일 예에 따르면, 상기 희생 구조물(152)이 역 테이퍼 형상을 가지기 때문에 유기층(130)은 이와 반대로 순 테이퍼 형성을 가질 수 있다. According to an example, since the sacrificial structure 152 has an inverse taper shape, the organic layer 130 may have a forward taper formation on the contrary.
단계 S132Step S132
도 12에 도시된 바와 같이, 상기 희생 구조물(152)이 제거될 수 있다. 상기 희생 구조물(152)은 제거되고, 유기층(130)은 잔존할 수 있다.As shown in FIG. 12, the sacrificial structure 152 may be removed. The sacrificial structure 152 may be removed and the organic layer 130 may remain.
이에 따라 픽셀 영역(P) 상에 순 테이퍼 형상의 유기층(130)이 형성될 수 있다.Accordingly, the organic layer 130 having a net tapered shape may be formed on the pixel region P.
단계 S134Step S134
도 13에 도시된 바와 같이, 상기 유기층(130) 상에 제2 무기층(140)이 형성될 수 있다. 상기 제2 무기층(140)은 SiNx로 이루어질 수 있다.As shown in FIG. 13, a second inorganic layer 140 may be formed on the organic layer 130. The second inorganic layer 140 may be made of SiNx.
상기 제2 무기층(140)은 CVD 공정으로 증착될 수 있는데, 상기 유기층(130)이 순 테이퍼 형상을 가지기 때문에, 상기 제2 무기층(140)이 상기 유기층(130)의 상면 뿐 만 아니라 측면에도 원활히 증착될 수 있다. 이에 따라 상기 유기층(130)이 상기 제2 무기층(140)에 의하여 둘러싸이게 되는 것이다.The second inorganic layer 140 may be deposited by a CVD process. Since the organic layer 130 has a forward taper shape, the second inorganic layer 140 may have a side surface as well as an upper surface of the organic layer 130. Even can be deposited smoothly. Accordingly, the organic layer 130 is surrounded by the second inorganic layer 140.
다른 관점에서, 상기 제2 무기층(140)의 증착에 의하여 픽셀 영역(P) 상에는 제1 무기층(120), 유기층(130), 제2 무기층(140)이 순차적으로 형성된 봉지층이 마련될 수 있다. 이 때, 유기층(130)은 상기 제1 및 제2 무기층(120, 140)에 의하여 완전히 밀봉되기 때문에 우수한 인캡슐레이션 특성을 제공할 수 있다.In another aspect, an encapsulation layer in which the first inorganic layer 120, the organic layer 130, and the second inorganic layer 140 are sequentially formed is provided on the pixel region P by the deposition of the second inorganic layer 140. Can be. In this case, since the organic layer 130 is completely sealed by the first and second inorganic layers 120 and 140, it may provide excellent encapsulation characteristics.
한편, 상기 주변 영역(N) 상에는 유기층(130)이 증착되지 않는 바, 상기 제1 무기층(120)과 상기 제2 무기층(140)이 순차적으로 형성될 수 있다. 즉, 상기 주변 영역(N) 상에는 발광부가 형성되지 않는다는 점을 고려하여 유기층(130) 형성이 생략됨으로써, 상기 픽셀 영역(P) 대비 높이가 낮아질 수 있는 것이다. 이에 따라, 상기 주변 영역(N)은 우수한 유연성 특성을 제공할 수 있다.Meanwhile, since the organic layer 130 is not deposited on the peripheral region N, the first inorganic layer 120 and the second inorganic layer 140 may be sequentially formed. That is, since the formation of the organic layer 130 is omitted in consideration of the fact that the light emitting part is not formed on the peripheral area N, the height may be lower than that of the pixel area P. FIG. Accordingly, the peripheral region N may provide excellent flexibility characteristics.
한편, 일 실시 예에 따르면, 단계 S134 이후에, 주변 영역(N)의 무기층을 제거하는 공정이 수행될 수 있다. 예를 들어, 도 13에 도시된 주변 영역(N)의 제1 무기층(120) 및 제2 무기층(140)이 제거될 수 있다. 보다 구체적으로, 제2 무기층(140)만 제거될 수도 있고, 제1 및 제2 무기층(120, 140) 모두 제거될 수 있다.Meanwhile, according to an embodiment, after step S134, a process of removing the inorganic layer of the peripheral region N may be performed. For example, the first inorganic layer 120 and the second inorganic layer 140 in the peripheral region N illustrated in FIG. 13 may be removed. More specifically, only the second inorganic layer 140 may be removed, and both the first and second inorganic layers 120 and 140 may be removed.
주변 영역(N)의 무기층을 제거하는 공정 이후, 잔존하는 무기층은 유기층(130)의 측면을 둘러쌀 수 있도록 유기층(130) 보다 무기층(120, 140)이 좀 더 넓은 면적을 가질 수 있다.After the process of removing the inorganic layer in the peripheral region N, the inorganic layers 120 and 140 may have a larger area than the organic layer 130 so as to surround the side of the organic layer 130. have.
주변 영역(N)의 무기층이 제거됨에 따라, 주변 영역(N)의 두께가 얇아질 수 있다. 이에 따라 주변 영역(N)의 유연성은 보다 향상될 수 있다.As the inorganic layer of the peripheral area N is removed, the thickness of the peripheral area N may be reduced. Accordingly, the flexibility of the peripheral area N may be further improved.
이상, 도 4 내지 도 13을 참조하여 설명한 본 발명의 제1 실시 예에 따른 유연 디스플레이 제조방법에 의하여 도 1 내지 도 3을 참조하여 설명한 본 발명의 제1 실시 예에 따른 유연 디스플레이가 제조될 수 있다.The flexible display according to the first embodiment of the present invention described with reference to FIGS. 1 to 3 may be manufactured by the flexible display manufacturing method according to the first embodiment of the present invention described with reference to FIGS. 4 to 13. have.
상술한 본 발명의 제1 실시 예에 따른 유연 디스플레이 제조방법에 의하여, 픽셀 영역(P)과 주변 영역(N) 중 픽셀 영역(P)에 봉지를 위한 유기층을 형성하기 위하여, 음의 포토레지스트층(150)을 이용한다. 이 때, 음의 포토레지스트층(150)은 주변 영역(N) 상에서 희생 구조물(152)로 패터닝되되, 역 테이퍼 형상을 가진다. 일 예에 따르면, 마스크(160)를 통하여 유연 기판(110) 방향으로 음의 포토레지스트층(150)에 빛을 가하면, 상기 마스크(160)에서 유연 기판(110) 방향으로 갈수록 빛의 강도가 약해지기 때문에 별도의 후속 공정 없이도 자연스럽게 역 테이퍼 형상의 희생 구조물(152)로 패터닝되게 된다. 이에 따라 희생 구조물(152) 사이 공간으로 정의되는 영역에 유기 잉크를 도포하고, 도포된 유기 잉크를 경화함으로써, 자연스럽게 순 테이퍼 형상의 유기층(130)이 형성될 수 있는 것이다. 이 후, 제2 무기층(140)을 증착함에 있어서, 유기층(130)이 순 테이퍼 형상을 가지고 있기 때문에, 유기층(130)의 측면에도 원활히 제2 무기층(140)이 형성될 수 있는 것이다.In the flexible display manufacturing method according to the first embodiment of the present invention described above, in order to form an organic layer for encapsulation in the pixel region P among the pixel region P and the peripheral region N, a negative photoresist layer (150) is used. At this time, the negative photoresist layer 150 is patterned into the sacrificial structure 152 on the peripheral region N, but has a reverse tapered shape. According to an example, when the light is applied to the negative photoresist layer 150 in the direction of the flexible substrate 110 through the mask 160, the light intensity decreases toward the flexible substrate 110 in the mask 160. As a result, it is naturally patterned into a sacrificial structure 152 having a reverse taper shape without a separate subsequent process. Accordingly, by applying an organic ink to a region defined as a space between the sacrificial structures 152 and curing the applied organic ink, a naturally tapered organic layer 130 may be formed. Thereafter, in the deposition of the second inorganic layer 140, since the organic layer 130 has a forward tapered shape, the second inorganic layer 140 may be smoothly formed on the side surface of the organic layer 130.
이와 달리, 도 14에 도시된 바와 같이, 양의 포토레지스트(PPR)을 제1 무기층(120) 위에 형성하는 경우(도 14(a)), 양의 포토레지스트는 노광된 영역이 제거되므로, 순 테이퍼 형상의 희생 구조물(PPR')이 형성될 수 있다. 앞서 설명한 바와 같이, 노광 에너지가 마스크(160)에서 제1 무기층(120) 방향으로 가해지기 때문에, 노광 에너지는 마스크(160)에서 제1 무기층(120) 방향으로 갈수록 약해지게 된다. 이에 따라, 현상액에 의하여 제거되는 영역이 역 테이퍼 형상을 가지고, 잔존하는 희생 구조물(PPR')가 순 테이퍼 형상을 가지게 되는 것이다. 이에 따라 순 테이퍼 형상의 희생 구조물(PPR')에 의하여 역 테이퍼 형상의 유기층(130')이 형성되게 된다(도 14(b)). 이 후 희생 구조물(PPR')를 제거하고, 유기층(130') 상에 제2 무기층(140')을 증착하는 경우, 제2 무기층(140')은 유기층(130') 상에는 형성될 수 있으나, 유기층(130') 측면에는 형성될 수 가 없다(DIP, 도 14(c) 참조). 이에 따라, 유기층이 제1 및 제2 무기층에 의하여 완전히 둘러싸일 수 없으므로, 인캡슐레이션이 되지 못하는 것이다.On the other hand, as shown in FIG. 14, when the positive photoresist PPR is formed on the first inorganic layer 120 (FIG. 14A), the positive photoresist is removed because the exposed region is removed. A sacrificial structure PPR 'of a pure tapered shape may be formed. As described above, since the exposure energy is applied in the direction of the first inorganic layer 120 in the mask 160, the exposure energy is weakened toward the first inorganic layer 120 in the mask 160. Accordingly, the region removed by the developer has an inverse taper shape, and the remaining sacrificial structure PPR 'has a forward taper shape. Accordingly, the reverse tapered organic layer 130 'is formed by the forward tapered sacrificial structure PPR' (FIG. 14B). After removing the sacrificial structure PPR ′ and depositing the second inorganic layer 140 ′ on the organic layer 130 ′, the second inorganic layer 140 ′ may be formed on the organic layer 130 ′. However, it cannot be formed on the side of the organic layer 130 '(see DIP, FIG. 14 (c)). Accordingly, since the organic layer cannot be completely surrounded by the first and second inorganic layers, encapsulation cannot be performed.
만약 희생 구조물 없이 형성시킨 역 테이퍼 형상의 유기층의 형상을 순 테이퍼 형상으로 변경하고자 하는 경우, 열처리가 수행될 수 있다(thermal reflow). 그러나 열처리는 약 200도 이상의 고온의 열을 필요로 하기 때문에, 유기물을 포함하는 발광부가 손상을 가할 우려가 있다. 이에 따라 추가적인 열처리를 적용하는데도 어려움이 있다.If it is desired to change the shape of the reverse tapered organic layer formed without the sacrificial structure to the net tapered shape, heat treatment may be performed (thermal reflow). However, since heat treatment requires high temperature heat of about 200 degrees or more, there is a concern that the light emitting part including the organic material may be damaged. Accordingly, there is a difficulty in applying additional heat treatment.
그러나, 본 발명의 제1 실시 예에서는, 음의 포토레지스를 활용함으로써, 유기층을 순 테이퍼 형상으로 간단한 방법으로 형성함으로써, 유기층의 측면이 원활히 밀봉되도록 하였다. 이에 따라, M*N의 픽셀 영역을 구획하여 독립적으로 봉지하는 것이 가능케 된 것이다.However, in the first embodiment of the present invention, the side of the organic layer is smoothly sealed by using a negative photoresist to form the organic layer in a simple tapered manner. Accordingly, it is possible to partition and encapsulate the pixel area of M * N independently.
이상 도 1 내지 도 14를 참조하여 본 발명의 제1 실시 예에 따른 유연 디스플레이 및 그 제조방법을 설명하였다. 이하 도 15 내지 도 22를 참조하여 본 발명의 제2 실시 예에 따른 유연 디스플레이 및 그 제조방법을 설명하기로 한다. 본 발명의 제2 실시 예를 설명함에 있어서, 상술한 제1 실시 예와 대응하는 부분은 구체적인 설명을 생략하기로 한다.1 to 14, the flexible display according to the first embodiment of the present invention and a manufacturing method thereof have been described. Hereinafter, a flexible display and a method of manufacturing the same according to the second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 15 to 22. In the description of the second embodiment of the present invention, a portion corresponding to the above-described first embodiment will be omitted.
도 15는 본 발명의 제2 실시 예에 따른 유연 디스플레이의 단면(도 1의 B-B'라인)을 도시한다. 15 is a cross-sectional view (B-B ′ line of FIG. 1) of the flexible display according to the second embodiment of the present invention.
도 15를 참조하면, 본 발명의 제2 실시 예에 따른 유연 디스플레이와 달리, 제2 무기층(140) 상에 제3 무기층(170)을 더 포함할 수 있다. 즉, 상기 제3 무기층(170)이 제2 무기층(140)을 전반적으로 덮는 구조를 가질 수 있다. 이 경우, 픽셀 영역(P) 상에서는 제1 무기층(120), 유기층(130), 제2 무기층(140), 제3 무기층(170)이 순차적으로 직접 접촉하면서 적층될 수 있다. Referring to FIG. 15, unlike the flexible display according to the second embodiment of the present disclosure, the third inorganic layer 170 may be further included on the second inorganic layer 140. That is, the third inorganic layer 170 may have a structure covering the entire second inorganic layer 140. In this case, on the pixel region P, the first inorganic layer 120, the organic layer 130, the second inorganic layer 140, and the third inorganic layer 170 may be stacked while sequentially directly contacting each other.
또한, 주변 영역(N) 상에서는 제3 무기층(170)이 제2 무기층(140)에 직접 접촉(C3)할 수 있다. 이에 따라, 주변 영역(N) 상에서는 제1 무기층(120), 제2 무기층(130), 제3 무기층(170)이 순차적으로 직접 접촉하면서 적층될 수 있다. In addition, on the peripheral area N, the third inorganic layer 170 may directly contact the second inorganic layer 140 (C3). Accordingly, the first inorganic layer 120, the second inorganic layer 130, and the third inorganic layer 170 may be sequentially stacked while directly contacting the peripheral region N. FIG.
도시하지는 않았으나, 주변 영역(N)에 따라서는 제1 무기층(120)에 제3 무기층(170)이 직접 접촉할 수 있다. 다시 말해, 주변 영역(N) 중에 제2 무기층(140)도 생략된 영역이 있을 수 있으며, 이 경우, 제1 무기층(120) 상에 제3 무기층(170)이 순착적으로 직접 접촉하면서 적층될 수 있다.Although not shown, the third inorganic layer 170 may directly contact the first inorganic layer 120 according to the peripheral region N. FIG. In other words, there may be a region in which the second inorganic layer 140 is also omitted in the peripheral region N. In this case, the third inorganic layer 170 is in direct contact with the first inorganic layer 120. It can be stacked while.
따라서, 제2 실시 예에서도 주변 영역(N) 상에는 봉지를 위한 유기층(130)이 생략되므로, 주변 영역(N)의 두께가 픽셀 영역(P)의 두께보다 얇아질 수 있다. 이에 따라, 유연성 특성이 향상될 수 있다. Therefore, in the second embodiment, since the organic layer 130 for encapsulation is omitted on the peripheral region N, the thickness of the peripheral region N may be thinner than the thickness of the pixel region P. FIG. Accordingly, flexibility characteristics can be improved.
도 16은 본 발명의 제2 실시 예에 따른 봉지층의 제조방법을 설명하기 위한 도면이고, 도 17 내지 도 22는 본 발명의 제2 실시 예에 따른 봉지층의 제조방법을 상세하게 설명하기 위한 도면이다.16 is a view for explaining the manufacturing method of the encapsulation layer according to the second embodiment of the present invention, Figures 17 to 22 are for explaining in detail the manufacturing method of the encapsulation layer according to the second embodiment of the present invention. Drawing.
본 발명의 제2 실시 예에 따른 봉지층의 제조방법은 앞서 설명한 본 발명의 제1 실시 예에 따른 봉지층의 제조방법 단계 S110 (도 4 참조)는 동일하며, 단계 S120에서 차이가 있는 바, 단계 S120에 대해서 설명하기로 한다.The method of manufacturing the encapsulation layer according to the second embodiment of the present invention is the same as in step S110 (see FIG. 4) of the method of manufacturing the encapsulation layer according to the first embodiment of the present invention. Step S120 will be described.
도 16을 참조하면, 본 발명의 제2 실시 예에 따른 봉지층의 제조방법(단계 S120)은 상기 발광부 상에 제1 무기층을 형성하는 단계(S150), 상기 제1 무기층 상에 양의 포토레지스트(positive photo resist) 층을 형성하는 단계(S152), 상기 양의 포토레지스트층을 복수의 희생 구조물로 패터닝하는 단계(S154), 상기 복수의 희생 구조물 상에 제2 무기층을 형성하는 단계(S156), 상기 제2 무기층을 패터닝하여 상기 복수의 희생 구조물의 일 영역을 외부로 노출시키는 단계(S158), 상기 외부로 노출된 영역을 통하여 상기 복수의 희생 구조물을 제거하여 터널을 형성하는 단계(S160), 상기 터널 내부에 유기층을 형성하는 단계(S162), 상기 제2 무기층 상에 제3 무기층을 형성하는 단계(S164) 중 적어도 하나의 단계를 포함하여 이루어질 수 있다. 이하 각 단계에 대하여 도 17 내지 도 22를 참조하여 상세히 설명하기로 한다.Referring to FIG. 16, a method of manufacturing an encapsulation layer according to a second embodiment of the present invention (step S120) may include forming a first inorganic layer on the light emitting part (S150), and forming the encapsulation layer on the first inorganic layer. Forming a positive photoresist layer (S152), patterning the positive photoresist layer into a plurality of sacrificial structures (S154), and forming a second inorganic layer on the plurality of sacrificial structures. In operation S156, the second inorganic layer is patterned to expose one region of the plurality of sacrificial structures to the outside, and the tunnel is formed by removing the plurality of sacrificial structures through the externally exposed region. It may include at least one of the step (S160), the step of forming an organic layer in the tunnel (S162), the step of forming a third inorganic layer on the second inorganic layer (S164). Hereinafter, each step will be described in detail with reference to FIGS. 17 to 22.
단계 S150Step S150
상기 발광부 상에 제1 무기층(120)이 형성될 수 있다. 단계 S152는 앞서 제1 실시 예의 단계 S122(도 5 참조)에 대응하므로 구체적인 설명을 생략하기로 한다.The first inorganic layer 120 may be formed on the light emitting part. Since step S152 corresponds to step S122 (see FIG. 5) of the first embodiment, a detailed description thereof will be omitted.
단계 S152Step S152
상기 제1 무기층(120) 상에 양의 포토레지스트(positive photo resist) 층이 형성될 수 있다. 제1 실시 예에서는 음의 포토레지스트가 활용되었으나, 단계 S152에서는 양의 포토레지스트가 활용된다는 점에서 차이가 있다. A positive photoresist layer may be formed on the first inorganic layer 120. A negative photoresist is utilized in the first embodiment, but the difference is that a positive photoresist is utilized in step S152.
단계 S154Step S154
도 17을 참조하면, 상기 양의 포토레지스트층은 복수의 희생 구조물(153)로 패터닝될 수 있다. 이를 위하여 도시하지는 않았으나, 마스크가 활용될 수 있다. 이 때 마스크는 픽셀 영역(P)에 대응하여 광 차단부를 가지고, 주변 영역(N)에 대응하여 광 개구부를 가질 수 있다. 이에 따라, 도 18에 도시된 바와 같이, 희생 구조물(153)이 라인 형상으로 패터닝될 수 있다. 이 때, 상기 희생 구조물(153)은 순 테이퍼 형상을 가질 수 있다. Referring to FIG. 17, the positive photoresist layer may be patterned into a plurality of sacrificial structures 153. Although not shown for this purpose, a mask may be utilized. In this case, the mask may have a light blocking portion corresponding to the pixel region P, and may have a light opening corresponding to the peripheral region N. FIG. Accordingly, as shown in FIG. 18, the sacrificial structure 153 may be patterned in a line shape. In this case, the sacrificial structure 153 may have a forward taper shape.
단계 S156Step S156
상기 복수의 희생 구조물(153) 상에 제2 무기층(140)이 형성될 수 있다. 상기 희생 구조물(153)이 순 테이퍼 형상을 가지므로 제2 무기층(140)도 순 테이퍼 형상으로 증착될 수 있다. The second inorganic layer 140 may be formed on the plurality of sacrificial structures 153. Since the sacrificial structure 153 has a forward tapered shape, the second inorganic layer 140 may also be deposited in a forward tapered shape.
단계 S158Step S158
상기 형성된 제2 무기층(140)은 패터닝될 수 있다. 이 때, 도 18에 도시된 바와 같이, 상기 복수의 희생 구조물(152)의 일 영역을 외부로 노출시키도록 패터닝될 수 있다.The formed second inorganic layer 140 may be patterned. In this case, as illustrated in FIG. 18, a portion of the sacrificial structures 152 may be patterned to expose the outside.
단계 S160Step S160
상기 제2 무기층(140)에 의하여 외부로 노출된 영역을 통하여 상기 복수의 희생 구조물(153)이 제거될 수 있다. 이에 따라, 도 19에 도시된 바와 같이, 제2 무기층(140) 내부에 터널(160)이 형성될 수 있다. 즉, 상기 희생 구조물(153)이 제거됨에 따라, 상기 희생 구조물(153)이 차지하는 공간에 의하여 터널(160)이 형성될 수 있는 것이다.The plurality of sacrificial structures 153 may be removed through an area exposed to the outside by the second inorganic layer 140. Accordingly, as shown in FIG. 19, the tunnel 160 may be formed in the second inorganic layer 140. That is, as the sacrificial structure 153 is removed, the tunnel 160 may be formed by the space occupied by the sacrificial structure 153.
상기 터널(160)의 일 층은, 상기 제1 무기층(120)으로 이루어지고, 상기 터널(160)의 타 층은, 제2 무기층(140)으로 이루어질 수 있다.One layer of the tunnel 160 may include the first inorganic layer 120, and the other layer of the tunnel 160 may include the second inorganic layer 140.
상기 희생 구조물(153)이 순 테이퍼 형상을 가졌기 때문에, 터널(160)도 순 테이퍼 형상을 가지게 된다. Since the sacrificial structure 153 has a forward tapered shape, the tunnel 160 also has a forward tapered shape.
단계 S162Step S162
상기 터널(160) 내부에 유기층(130)이 형성될 수 있다. 이를 위하여, 도 20에 도시된 바와 같이 유기 잉크, 예를 들어, 광 경화성 유기 잉크가 제공되면, 유기 잉크는 모세관력에 의하여 상기 터널(160) 내부로 유입될 수 있다. 이후 세정 공정을 통하여 터널(160) 외부의 유기 잉크를 제거할 수 있다. 이 경우, 터널(160) 내부의 유기 잉크는 모세관력에 의하여 제거되지 않고, 잡혀있을 수 있다. 그 이후에 전면 광경화 공정을 통하여 터널(160) 내부의 유기 잉크를 광 경화시킴으로써, 픽셀 영역(P) 상에 유기층(130)이 형성될 수 있다. The organic layer 130 may be formed in the tunnel 160. To this end, when an organic ink, for example, a photocurable organic ink, is provided as shown in FIG. 20, the organic ink may be introduced into the tunnel 160 by capillary force. Thereafter, the organic ink outside the tunnel 160 may be removed through a cleaning process. In this case, the organic ink inside the tunnel 160 is not removed by the capillary force and may be held. Thereafter, the organic layer 130 may be formed on the pixel region P by photocuring the organic ink inside the tunnel 160 through a front surface photocuring process.
이와 달리, 상기 유기 잉크를 상기 터널(160)에 주입한 이후에, 마스크를 이용하여 터널(160)에만 선택적으로 광을 조사하여 유기 잉크를 경화시켜 유기층(130)을 형성할 수 있다. 이후 경화되지 않은 유기 잉크는 세정 공정을 통하여 제거될 수 있다.Alternatively, after the organic ink is injected into the tunnel 160, the organic layer 130 may be formed by curing light of the organic ink by selectively irradiating light only to the tunnel 160 using a mask. The uncured organic ink can then be removed through a cleaning process.
이로써 도 21에 도시된 바와 같이, 터널(60) 내부에 유기층(130)이 형성될 수 있는 것이다. 즉, 제1 무기층(120)과 제2 무기층(130) 사이에 유기층(130)이 형성될 수 있다. 또한, 유기층(130)은 제1 무기층(120)과 제2 무기층(140)에 의하여 일 측면이 둘러싸일 수 있다.As a result, as shown in FIG. 21, the organic layer 130 may be formed in the tunnel 60. That is, the organic layer 130 may be formed between the first inorganic layer 120 and the second inorganic layer 130. In addition, one side of the organic layer 130 may be surrounded by the first inorganic layer 120 and the second inorganic layer 140.
단계 S164Step S164
단계 S162 이후에 제3 무기층(170)이 형성될 수 있다. 상기 제3 무기층(170)은 전면에 형성될 수 있다. 도 22에 도시된 바와 같이, 상기 제3 무기층(170)은 터널(160)의 입구를 덮는 역할을 수행할 수 있다. 또한 상기 제2 무기층(140)이 순 테이퍼 형상을 가지기 때문에 제3 무기층(170)이 상기 제2 무기층(140)의 형상을 따라 용이하게 증착될 수 있다. 즉, 상기 제3 무기층(170)이 상기 제2 무기층(140)의 측면을 효과적으로 봉지할 수 있는 것이다. The third inorganic layer 170 may be formed after step S162. The third inorganic layer 170 may be formed on the entire surface. As shown in FIG. 22, the third inorganic layer 170 may serve to cover the entrance of the tunnel 160. In addition, since the second inorganic layer 140 has a forward tapered shape, the third inorganic layer 170 may be easily deposited along the shape of the second inorganic layer 140. That is, the third inorganic layer 170 may effectively seal the side surface of the second inorganic layer 140.
일 예를 들어, 상기 제3 무기층(170)도 SiNx로 이루어질 수 있다.For example, the third inorganic layer 170 may also be made of SiNx.
이로써, 도 22의 D-D' 라인 즉, 픽셀 영역(P) 상에는 제1 무기층(120), 유기층(130), 제2 무기층(140), 제3 무기층(170)이 순서대로 적층될 수 있다. 도 22의 D-D' 라인 단면은 도 15에 도시된 바와 같이 도시될 수 있다.Accordingly, the first inorganic layer 120, the organic layer 130, the second inorganic layer 140, and the third inorganic layer 170 may be sequentially stacked on the DD ′ line of FIG. 22, that is, the pixel region P. FIG. have. A cross section taken along the line D-D 'of FIG. 22 may be shown as shown in FIG. 15.
또한, 도 22의 E-E' 라인 상에는 제1 무기층(120), 제3 무기층(170)이 순서대로 적층될 수 있다. 다시 말해 E-E' 라인 상에는 유기층(130) 및 제2 무기층(140)이 생략될 수 있다.In addition, the first inorganic layer 120 and the third inorganic layer 170 may be sequentially stacked on the line E-E 'of FIG. 22. In other words, the organic layer 130 and the second inorganic layer 140 may be omitted on the E-E 'line.
한편 일 실시 예에 따르면, 단계 S164 이후에, 주변 영역(N)의 무기층을 제거하는 공정이 수행될 수 있다. According to an embodiment of the present disclosure, after step S164, a process of removing the inorganic layer of the peripheral region N may be performed.
예를 들어, 도 22에 도시된 D-D' 라인에 위치하는 주변 영역(N)의 제1 무기층(120), 제2 무기층(140), 제3 무기층(170)이 제거될 수 있다. 이 때, 제3 무기층(170)만 제거될 수 도 있고, 제2 및 제3 무기층(140, 170)이 제거될 수 도 있고, 이와 달리 제1 내지 제3 무기층(120, 140, 170)이 모두 제거될 수 있다. For example, the first inorganic layer 120, the second inorganic layer 140, and the third inorganic layer 170 of the peripheral area N positioned on the line D-D ′ illustrated in FIG. 22 may be removed. In this case, only the third inorganic layer 170 may be removed, the second and third inorganic layers 140 and 170 may be removed, and the first to third inorganic layers 120, 140, 170 can all be removed.
다른 예를 들어, 도 22에 도시된 E-E' 라인에 위치하는 주변 영역(N)의 제1 무기층(120), 제3 무기층(170)이 제거될 수 있다. 이 때, 제3 무기층(170)만 제거될 수 도 있고, 제1 및 제3 무기층(120, 170)이 모두 제거될 수 있다.As another example, the first inorganic layer 120 and the third inorganic layer 170 of the peripheral area N positioned on the line E-E ′ shown in FIG. 22 may be removed. In this case, only the third inorganic layer 170 may be removed, and both the first and third inorganic layers 120 and 170 may be removed.
주변 영역(N)의 무기층이 제거됨에 따라, 주변 영역(N)의 두께가 얇아질 수 있다. 이에 따라 주변 영역(N)의 유연성은 보다 향상될 수 있다.As the inorganic layer of the peripheral area N is removed, the thickness of the peripheral area N may be reduced. Accordingly, the flexibility of the peripheral area N may be further improved.
이상 도 15 내지 도 22를 참조하여, 본 발명의 제2 실시 예에 따른 유연 디스플레이 및 그 제조방법을 설명하였다. 이하에서는 도 23 내지 도 26을 참조하여, 본 발명의 제2 실시 예의 변형 예에 따른 유연 디스플레이 및 그 제조방법을 설명하기로 한다. 본 발명의 제2 실시 예의 변형 예를 설명함에 있어서, 앞서 설명한 제2 실시 예와 중복되는 부분은 설명을 생략하기로 한다. The flexible display and the manufacturing method thereof according to the second exemplary embodiment of the present invention have been described above with reference to FIGS. 15 to 22. Hereinafter, a flexible display and a method of manufacturing the same according to a modified example of the second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 23 to 26. In describing the modified example of the second embodiment of the present invention, portions overlapping with the above-described second embodiment will be omitted.
본 발명의 제2 실시 예의 변형 예에 따른 봉지층의 제조방법은 앞서 도 16을 참조하여 설명한 제 2 실시 예에 따른 봉지층의 제조방법으로 이루어질 수 있다. 다만 각 단계에 있어서 차이가 있는 바, 차이점을 중심으로 설명하기로 한다.The method of manufacturing the encapsulation layer according to the modification of the second embodiment of the present invention may be made of the method of manufacturing the encapsulation layer according to the second embodiment described above with reference to FIG. 16. However, there is a difference in each step, it will be described focusing on the difference.
단계 S150 내지 단계 S154는 제2 실시 예의 변형 예와 상술한 제2 실시 예와 동일하므로 설명을 생략하기로 한다.Steps S150 to S154 are the same as the modified example of the second embodiment and the above-described second embodiment, and thus description thereof will be omitted.
본 발명의 제2 실시 예의 변형 예에 따르면 단계 S158에서, 제2 무기층(140)이 패터닝되어, 복수의 희생 구조물(152)의 일 영역이 외부로 노출되되, 제2 무기층(140)의 일 측면이 평면 상에서, 픽셀 영역의 중심 방향으로 합입되도록 패터닝될 수 있다.According to a modification of the second exemplary embodiment of the present invention, in operation S158, the second inorganic layer 140 is patterned to expose one region of the plurality of sacrificial structures 152 to the outside. One side may be patterned to merge in the direction of the center of the pixel area on a plane.
즉 본 발명의 제2 실시 예의 단계 S158에서는 도 18과 같이 제2 무기층(140)이 패터닝되었으나, 본 발명의 제2 실시 예의 변형 예의 단계 S158에서는 BT 라인(도 18의 제2 무기층(140)의 패터닝 라인)에서 T 방향으로 함입되도록 제2 무기층(140)이 패터닝될 수 있다.That is, in step S158 of the second exemplary embodiment of the present invention, the second inorganic layer 140 is patterned as shown in FIG. 18, but in step S158 of the modified example of the second exemplary embodiment of the present invention, the BT line (the second inorganic layer 140 of FIG. The second inorganic layer 140 may be patterned so as to be embedded in the T direction.
이어서, 본 발명의 제2 실시 예의 변형 예의 단계 S160에서도, 상기 제2 무기층(140)에 의하여 외부로 노출된 영역을 통하여 상기 희생 구조물(153)이 제거될 수 있다. 이에 따라 도 24에 도시된 바와 같이 제2 무기층(140)에 의하여 정의되는 터널(160)의 입구 및/또는 출구도 순 테이퍼 형상을 가질 수 있다.Subsequently, even in step S160 of the modified example of the second embodiment of the present invention, the sacrificial structure 153 may be removed through an area exposed to the outside by the second inorganic layer 140. Accordingly, as shown in FIG. 24, the inlet and / or outlet of the tunnel 160 defined by the second inorganic layer 140 may also have a forward taper shape.
이후, 본 발명의 제2 실시 예의 변형 예의 단계 S162에서, 상기 터널(160) 내부에 유기층(130)이 형성될 수 있다. 이 경우, 도 25에 도시된 바와 같이, 유기층(130)은 4개의 측면 모두 순 테이퍼 형상을 가질 수 있다.Thereafter, in step S162 of the modified example of the second embodiment of the present invention, the organic layer 130 may be formed in the tunnel 160. In this case, as shown in FIG. 25, the organic layer 130 may have a net taper shape on all four sides.
이어서, 본 발명의 제2 실시 예의 변형 예의 단계 S164에서, 제3 무기층(170)이 형성될 수 있다. 이 때, 도 26에 도시된 바와 같이, 상기 유기층(130)의 4 측면이 모두 순 테이퍼 형상을 가지므로, 상기 제3 무기층(170)이 보다 우수한 막질로 증착될 수 있다. 다시 말해, 터널(160)의 입구 및/또는 출구 부분도 순 테이퍼 형상을 가지므로, 상기 제3 무기층(170)이 보다 원활히 증착될 수 있다.Subsequently, in step S164 of the modified example of the second embodiment of the present invention, the third inorganic layer 170 may be formed. In this case, as shown in FIG. 26, since all four side surfaces of the organic layer 130 have a forward tapered shape, the third inorganic layer 170 may be deposited to have a better film quality. In other words, since the inlet and / or outlet portions of the tunnel 160 also have a forward tapered shape, the third inorganic layer 170 may be more smoothly deposited.
이로써, 본 발명의 제2 실시 예의 변형 예에 따른 유연 디스플레이가 제조될 수 있다. 본 변형 예에 따르면, 제2 무기층(140)이 픽셀 영역 중심 방향으로 함입된 구조로 패터닝되기 때문에, 제2 무기층(140)이 정의하는 터널 입구에도 유기층(130)이 순 테이퍼 형상으로 형성될 수 있다. 이에 따라, 상기 제3 무기층(170)은 순 테이퍼 형상의 제2 무기층(140) 측면 및 순 테이퍼 형상의 유기층(130) 측면에 원활히 증착될 수 있다. As a result, the flexible display according to the modified example of the second embodiment of the present invention can be manufactured. According to the present modified example, since the second inorganic layer 140 is patterned into the structure embedded in the center direction of the pixel region, the organic layer 130 is formed in the forward taper shape at the tunnel entrance defined by the second inorganic layer 140. Can be. Accordingly, the third inorganic layer 170 may be smoothly deposited on the side of the second inorganic layer 140 having the forward tapered shape and the side of the organic layer 130 having the forward tapered shape.
이상 설명한 본 발명의 제2 실시 예 및 그 변형 예에 따르면, 터널(160) 내부로 박막 봉지용 유기 잉크가 모세관력에 의해서 자연스럽게 빨려 들어가 터널을 채우는 방식이기 때문에 정량의 박막 봉지용 유기 잉크가 터널 내부에 위치하도록 디스펜싱하는 고 난이도 공정이 필요 없으며, 남은 액체는 세정을 통해서 제거가 가능하다는 점에서 공정 용이성을 제공할 수 있다.According to the second embodiment of the present invention and its modified example, the organic ink for thin film encapsulation is filled in the tunnel 160 because the organic ink for thin film encapsulation is naturally sucked by capillary force to fill the tunnel. There is no need for a high difficulty process of dispensing to be internal, and the remaining liquid can be removed by cleaning, thus providing ease of processing.
상술한 본 발명의 실시 예들에 따르면, 봉지를 위한 유기층을 형성하기 위한 별도의 댐 구조 없이도 픽셀 별로 독립적인 봉지가 가능케 될 수 있다. According to the embodiments of the present invention described above, an independent encapsulation may be performed for each pixel without a separate dam structure for forming an organic layer for encapsulation.
이에 반해 종래에는 유기발광층 측면을 봉지하기 위해서 유기발광층의 측면과 댐은 소정 거리 이격 될 수 밖에 없었다. 즉, 유기발광층과 댐의 이격 거리가 있어야, 이격 거리 내부에 유기층을 형성할 수 있었다. 따라서, 종래 기술에서는 픽셀 간의 간격이 어쩔 수 없이 멀어질 수 밖에 없었다. On the contrary, in order to encapsulate the organic light emitting layer side surface, the side surface of the organic light emitting layer and the dam have to be separated by a predetermined distance. That is, only when the organic light emitting layer and the distance between the dam, the organic layer could be formed within the distance. Therefore, in the prior art, the distance between pixels was inevitably farther apart.
본 발명에서는 댐 구조를 생략함으로써, 픽셀 영역과 픽셀 영역 사이의 주변 영역의 면적을 최대로 확보하고, 주변 영역에는 봉지를 위한 유기층을 생략함으로써, 주변 영역의 두께를 최소화하였다. 이로써, 향상된 유연성 특성이 제공될 수 있다.In the present invention, by omitting the dam structure, the maximum area of the peripheral area between the pixel area and the pixel area is secured, and the thickness of the peripheral area is minimized by omitting the organic layer for encapsulation in the peripheral area. In this way, improved flexibility characteristics can be provided.
이상, 본 발명을 바람직한 실시 예를 사용하여 상세히 설명하였으나, 본 발명의 범위는 특정 실시 예에 한정되는 것은 아니며, 첨부된 특허청구범위에 의하여 해석되어야 할 것이다. 또한, 이 기술분야에서 통상의 지식을 습득한 자라면, 본 발명의 범위에서 벗어나지 않으면서도 많은 수정과 변형이 가능함을 이해하여야 할 것이다.As mentioned above, although this invention was demonstrated in detail using the preferable embodiment, the scope of the present invention is not limited to a specific embodiment and should be interpreted by the attached Claim. In addition, those of ordinary skill in the art should understand that many modifications and variations are possible without departing from the scope of the present invention.

Claims (20)

  1. M*N의 픽셀 영역과 상기 픽셀 영역 사이 영역으로 정의되는 주변 영역으로 구획된 기판;A substrate partitioned into a peripheral region defined by a pixel region of M * N and an region between the pixel regions;
    상기 M*N의 픽셀 영역 마다 배치되며, 제1 전극, 제2 전극 및 상기 제1 및 상기 제2 전극 사이에 배치되는 유기발광층을 포함하는 발광부; 및A light emitting unit disposed in each pixel area of the M * N and including a first electrode, a second electrode, and an organic light emitting layer disposed between the first and second electrodes; And
    상기 발광부를 봉지하되, 상기 M*N의 픽셀 영역을 구획하여 독립적으로 봉지하는 봉지층을 포함하는 유연 디스플레이. And a sealing layer encapsulating the light emitting part and separately encapsulating the pixel area of the M * N.
    (M, N은 양의 정수)(M and N are positive integers)
  2. 제1 항에 있어서,According to claim 1,
    상기 픽셀 영역 상에, 상기 봉지층은, 제1 무기층, 제2 무기층 및 상기 제1 및 상기 제2 무기층 사이에 배치되는 유기층을 포함하되,On the pixel area, the encapsulation layer includes a first inorganic layer, a second inorganic layer, and an organic layer disposed between the first and second inorganic layers,
    상기 제2 무기층은 상기 유기층의 일 측면을 덮는, 유연 디스플레이.And the second inorganic layer covers one side of the organic layer.
  3. 제2 항에 있어서,The method of claim 2,
    상기 주변 영역 상에서, 상기 제1 무기층의 일 면과 상기 제2 무기층의 일 면이 서로 직접 접촉하는, 유연 디스플레이.On the peripheral area, one side of the first inorganic layer and one side of the second inorganic layer are in direct contact with each other.
  4. 제3 항에 있어서,The method of claim 3, wherein
    상기 주변 영역 상에는, 상기 유기층이 형성되지 않는, 유연 디스플레이.The flexible display, wherein the organic layer is not formed on the peripheral region.
  5. 제2 항에 있어서,The method of claim 2,
    상기 픽셀 영역 상에, 상기 제2 무기층의 두께에 의하여 정의하는 면과 상기 제1 무기층의 일 면이 서로 접촉하는, 유연 디스플레이.And a surface defined by the thickness of the second inorganic layer and one surface of the first inorganic layer are in contact with each other on the pixel area.
  6. 제2 항에 있어서,The method of claim 2,
    상기 유기층은, 상기 제1 및 상기 제2 무기층에 의하여 완전히 둘러싸이는, 유연 디스플레이.And said organic layer is completely surrounded by said first and said second inorganic layers.
  7. 제2 항에 있어서,The method of claim 2,
    상기 유기층의 너비는, 상기 제1 무기층에서 상기 제2 무기층 방향으로 좁아지는, 유연 디스플레이.The width | variety of the said organic layer becomes narrow in the direction from the said 1st inorganic layer to the said 2nd inorganic layer.
  8. 제2 항에 있어서,The method of claim 2,
    상기 제2 무기층 상에 형성되는 제3 무기층을 더 포함하는, 유연 디스플레이.And a third inorganic layer formed on the second inorganic layer.
  9. 제8 항에 있어서,The method of claim 8,
    상기 제3 무기층은 상기 유기층의 타 측면을 직접 접촉하도록 덮는, 유연 디스플레이.And the third inorganic layer covers the other side of the organic layer to make direct contact.
  10. 제8 항에 있어서,The method of claim 8,
    상기 제2 무기층의 일 측면은, 평면 상에서, 상기 픽셀 영역의 중심 방향으로 함입된, 유연 디스플레이.One side surface of the second inorganic layer is embedded in the plane in the direction of the center of the pixel area, flexible display.
  11. M*N의 픽셀 영역과 상기 픽셀 영역 사이 영역으로 정의되는 주변 영역 중에서, 픽셀 영역 마다, 제1 전극, 제2 전극 및 상기 제1 및 상기 제2 전극 사이에 배치되는 유기발광층을 포함하는 발광부를 형성하는 단계; 및A light emitting part including a first electrode, a second electrode, and an organic light emitting layer disposed between the first and second electrodes, for each pixel area, among the peripheral areas defined as the pixel area of M * N and the area between the pixel areas. Forming; And
    상기 발광부 상에, 상기 M*N의 픽셀 영역을 구획하여 독립적으로 봉지하는 봉지층을 형성하는 단계를 포함하는, 유연 디스플레이 제조방법.And forming an encapsulation layer on the light emitting part to separately encapsulate the pixel area of M * N.
  12. 제11 항에 있어서,The method of claim 11, wherein
    상기 봉지층을 형성하는 단계는,Forming the encapsulation layer,
    상기 발광부 상에 제1 무기층을 형성하는 단계;Forming a first inorganic layer on the light emitting part;
    상기 제1 무기층 상에 음의 포토레지스트(negative photo resist)층을 형성하는 단계;Forming a negative photoresist layer on the first inorganic layer;
    상기 음의 포토레지스트층을 역 테이퍼 형상의 복수의 희생 구조물로 패터닝하는 단계;Patterning the negative photoresist layer into a plurality of sacrificial structures of inverse taper shape;
    상기 희생 구조물 사이에 잉크젯 공정을 통하여 순 테이퍼 형상의 유기층을 형성하는 단계; Forming a net tapered organic layer between the sacrificial structures through an inkjet process;
    상기 희생 구조물을 제거하는 단계; 및Removing the sacrificial structure; And
    상기 유기층 상에 제2 무기층을 형성하는 단계를 포함하는, 유연 디스플레이 제조방법.Forming a second inorganic layer on the organic layer.
  13. 제12 항에 있어서,The method of claim 12,
    상기 제1 무기층 상에 음의 포토레지스트(negative photo resist)층을 형성하는 단계 이후에,After forming a negative photoresist layer on the first inorganic layer,
    상기 주변 영역에 대응하는 개구부를 가지고 상기 픽셀 영역에 대응하는 차단부를 가지는 마스크를, 상기 음의 포토레지스트층 상에 배치하는 단계;를 더 포함하는, 유연 디스플레이 제조방법.And disposing a mask having an opening corresponding to the peripheral area and a blocking part corresponding to the pixel area on the negative photoresist layer.
  14. 제13 항에 있어서,The method of claim 13,
    상기 음의 포토레지스트층을 역 테이퍼 형상의 복수의 희생 구조물로 패터닝하는 단계는,Patterning the negative photoresist layer into a plurality of sacrificial structures of inverse taper shape,
    상기 마스크의 차단부에 의하여 비 노광된 음의 포토레지스트 영역을 제거하는 단계를 포함하는, 유연 디스플레이 제조방법.Removing the negative photoresist area unexposed by the blocking portion of the mask.
  15. 제12 항에 있어서,The method of claim 12,
    상기 제2 무기층을 형성하는 단계 이후에, After forming the second inorganic layer,
    상기 주변 영역 상의 제1 및 제2 무기층 중 적어도 하나의 무기층을 제거하는 단계를 더 포함하는, 유연 디스플레이 제조방법.Removing at least one inorganic layer of the first and second inorganic layers on the peripheral region.
  16. 제11 항에 있어서,The method of claim 11, wherein
    상기 봉지층을 형성하는 단계는,Forming the encapsulation layer,
    상기 발광부 상에 제1 무기층을 형성하는 단계;Forming a first inorganic layer on the light emitting part;
    상기 제1 무기층 상에 양의 포토레지스트(positive photo resist) 층을 형성하는 단계;Forming a positive photoresist layer on the first inorganic layer;
    상기 양의 포토레지스트층을 복수의 희생 구조물로 패터닝하는 단계;Patterning the positive photoresist layer into a plurality of sacrificial structures;
    상기 복수의 희생 구조물 상에 제2 무기층을 형성하는 단계;Forming a second inorganic layer on the plurality of sacrificial structures;
    상기 제2 무기층을 패터닝하여 상기 복수의 희생 구조물의 일 영역을 외부로 노출시키는 단계;Patterning the second inorganic layer to expose one region of the plurality of sacrificial structures to the outside;
    상기 외부로 노출된 영역을 통하여 상기 복수의 희생 구조물을 제거하여 터널을 형성하는 단계;Forming a tunnel by removing the plurality of sacrificial structures through the externally exposed region;
    상기 터널 내부에 유기층을 형성하는 단계; 및Forming an organic layer in the tunnel; And
    상기 제2 무기층 상에 제3 무기층을 형성하는 단계를 포함하는, 유연 디스플레이 제조방법.Forming a third inorganic layer on the second inorganic layer.
  17. 제16 항에 있어서,The method of claim 16,
    상기 터널을 형성하는 단계에서, In the step of forming the tunnel,
    상기 터널의 일 층은, 상기 제1 무기층으로 이루어지고, 상기 터널의 타 층은, 상기 제1 무기층과 이격하는 제2 무기층으로 이루어지며, One layer of the tunnel is made of the first inorganic layer, and the other layer of the tunnel is made of a second inorganic layer spaced apart from the first inorganic layer,
    상기 터널은 상기 픽셀 영역 상에 형성되는,The tunnel is formed on the pixel region;
    유연 디스플레이 제조방법.Flexible display manufacturing method.
  18. 제17 항에 있어서,The method of claim 17,
    상기 유기층을 형성하는 단계에서, In the step of forming the organic layer,
    상기 유기층은, 상기 픽셀 영역과 상기 주변 영역 중 상기 픽셀 영역에 선택적으로 형성되는, 유연 디스플레이 제조방법.And the organic layer is selectively formed in the pixel region of the pixel region and the peripheral region.
  19. 제18 항에 있어서,The method of claim 18,
    상기 픽셀 영역 상에서, 상기 제1 무기층, 상기 유기층, 상기 제2 무기층, 상기 제3 무기층 순서로 적층되는, 유연 디스플레이 제조방법.And stacking the first inorganic layer, the organic layer, the second inorganic layer, and the third inorganic layer on the pixel region.
  20. 제16 항에 있어서,The method of claim 16,
    상기 제2 무기층을 패터닝하여 상기 복수의 희생 구조물의 일 영역을 외부로 노출시키는 단계는,Patterning the second inorganic layer to expose one region of the plurality of sacrificial structures to the outside;
    상기 제2 무기층의 일 측면이, 평면 상에서, 상기 픽셀 영역의 중심 방향으로 함입되도록 상기 제2 무기층을 패터닝하는 단계를 포함하는, 유연 디스플레이 제조방법.And patterning the second inorganic layer such that one side of the second inorganic layer is embedded in a plane in the direction of the center of the pixel area.
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