WO2020045808A1 - 실버 나노와이어 박막 패터닝 방법 - Google Patents

실버 나노와이어 박막 패터닝 방법 Download PDF

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conductive polymer
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박종장
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Definitions

  • the present invention relates to a simple patterning method for silver nanowires.
  • the patterning method for the silver nanowire thin film includes photolithography, laser ablation, solution coating using a shadow mask, and the like.
  • Prior Art 1 US Pat. No. 8,094,247
  • Prior Art 2 Prior Art 2
  • Prior Art 3 Paper S. Park et al., Journal of Materials Chemistry A , 1, 14286-14293, 2013
  • prior art 1 discloses a photolithography method for patterning the formed electrode
  • prior art 2 discloses a laser ablation method for patterning the formed electrode
  • prior art 3 designes in advance for patterning the formed electrode A method of placing a shadow mask on a substrate and spray coating on the substrate is disclosed.
  • the present invention provides a silver nanowire thin film patterning method that is not complicated in the process of equipment installation and process, which can reduce the cost.
  • the present invention provides a silver nanowire thin film patterning method that can ensure the degree of freedom of the pattern.
  • the present invention provides a silver nanowire thin film patterning method that can be used as a flexible or stretchable electrode depending on the characteristics of the substrate forming the electrode.
  • the present invention provides a patterning method for silver nanowires, the method comprising: patterning an adhesive conductive polymer thin film on a substrate, manufacturing a PDMS (polydimethylsiloxane) stamp coated with the silver nanowire thin film, and patterning the conductive polymer thin film Bonding the substrate and the PDMS stamp to which the silver nanowire thin film is applied, and then separating the bonded two substrates.
  • a PDMS polydimethylsiloxane
  • the present invention it is possible to pattern silver nanowires with high degree of freedom in a simple and inexpensive process compared to the previously reported method. That is, the silver nanowire thin film having a desired shape on various substrates can be freely and easily manufactured.
  • the range of application is various to electronic devices such as organic light emitting diode (OLED), organic solar cell (OSC), and touch panel based on flexibility or elasticity.
  • OLED organic light emitting diode
  • OSC organic solar cell
  • FIG. 1 is a view showing a step of patterning an adhesive conductive thin film on a substrate according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a diagram illustrating a step of manufacturing a PDMS stamp coated with a silver nanowire thin film according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is a view illustrating a step of bonding a substrate on which a conductive polymer thin film is patterned and a PDMS stamp coated with a silver nanowire thin film, and then separating the two bonded substrates according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 4 is a diagram illustrating an example of a substrate patterned with a conductive polymer thin film produced according to the present invention and a PDMS stamp coated with a silver nanowire thin film.
  • FIG. 5 is a diagram illustrating an example of a patterned silver nanowire thin film after the silver nanowires are transferred according to the present invention.
  • the present invention proposes a technique for simply manufacturing a highly conductive and transparent thin film in various forms by applying a method of freely patterning a conductive polymer having adhesion to a substrate in a desired form and transferring silver nanowires on the manufactured conductive polymer. .
  • FIG. 1 to 3 are perspective views illustrating a silver nanowire patterning method according to an embodiment of the present invention in the order of processing.
  • the silver nanowire patterning method comprises the steps of (A) patterning a conductive polymer thin film having a large adhesion to the substrate, and (B) silver nanowire thin film Manufacturing the coated PDMS (polydimethylsiloxane) stamp; and (C) bonding the substrate coated with the conductive polymer thin film and the PDMS stamp coated with the silver nanowire thin film, and then separating the two bonded substrates.
  • A patterning a conductive polymer thin film having a large adhesion to the substrate
  • B silver nanowire thin film Manufacturing the coated PDMS (polydimethylsiloxane) stamp
  • C bonding the substrate coated with the conductive polymer thin film and the PDMS stamp coated with the silver nanowire thin film
  • FIG. 1 is a view illustrating a step of patterning an adhesive conductive thin film on a substrate according to an embodiment of the present invention.
  • an inkjet printing technique is used to form a patterned conductive polymer thin film which is a medium for silver nanowire patterning.
  • inkjet printing is a technique of forming a pattern by spraying microdroplets of functional inks onto a deposition target through a nozzle.
  • Inkjet printing is a kind of additive method. Unlike the substractive method, inkjet printing has a simple process, does not require a special environment such as vacuum, and does not generate waste liquid during the process.
  • inkjet printing is a process of forming a thin film by printing ink of various materials on a substrate in a drop-on-demand (DOD) manner.
  • DOD drop-on-demand
  • the process can be performed without a mask for patterning at room temperature / atmospheric pressure based on a solution process, it is cheaper and simpler to form various patterns than the conventional vacuum deposition method.
  • the surface state of the substrate to be formed, the properties of the solution in which the material is dissolved, and the reactivity with the substrate should be considered.
  • Inkjet printing technology is developing around flexible and flexible devices that require low temperature processes.
  • the use of inkjet printing is only an embodiment, and the present invention is not limited thereto. In other words, various methods are possible for bonding the conductive polymer thin film to the substrate in a predetermined form.
  • a conductive polymer thin film 110 is printed on one surface of a substrate 100 using an inkjet printer.
  • the solution used by the inkjet printer cartridge 10 is a conductive polymer ink to which an adhesive material is added, and is printed with the conductive polymer ink on the substrate 100 according to a pattern input to the inkjet printer.
  • the printed pattern may be a pattern that may be used as a flexible or stretchable electrode according to the characteristics of the substrate forming the electrode.
  • the substrate 100 on which the conductive polymer thin film 110 has been printed by the inkjet printer 10 is finally printed on the substrate through thermal annealing.
  • the conductive polymer thin film 110 is obtained.
  • FIG. 2 is a diagram illustrating a step of manufacturing a PDMS stamp coated with a silver nanowire thin film according to an embodiment of the present invention.
  • the transfer technology is a kind of dry process, which is a process of first manufacturing a thin film to be formed on a stamp and then transferring the thin film to a target substrate using a difference in adhesion between the thin film and the substrates. Therefore, it is being actively studied as a method to compensate for the phenomenon that the lower layer is damaged or deformed by the solvent in the general solution process. In order for the transfer to occur effectively, not only the adhesion between the thin film to be formed and the target substrate but also the characteristics of the thin film being separated from the stamp should be considered. Transfer technology is developing around the field of manufacturing high-efficiency solution process-based devices by minimizing the effects that can occur during the solution process through the application of the drying process.
  • a silver nanowire solution 210 is coated on one surface of a polydimethylsiloxane stamp 200.
  • the PDMS (polydimethylsiloxane) stamp 200 is a plasma-treated substrate.
  • the silver nanowire solution (AgNW Solution) 210 may be applied in a manner that is injected into the PDMS stamp (polydimethylsiloxane stamp) 200 from the container (injector) form.
  • spin coating is a process of coating a liquid on an object by rotating the object so that the liquid placed on the object is pushed out by centrifugal force, making a thin film.
  • the spin coating is easy to control the thickness of the film because of the fast coating speed and excellent reproducibility, and it is possible to laminate thin films in general coating equipment without additional equipment, the surface of the thin film is uniform, and the thickness, Hydrophilicity, absorbance, refractive index, etc. can be easily adjusted.
  • the PDMS substrate 200 having the silver nanowires 210 coated thereon is placed at room temperature, and when the solvent is evaporated, salt treatment is performed. Finally, a silver nanowire thin film having improved conductivity is obtained.
  • FIG. 4 is a diagram illustrating an example of a substrate patterned with a conductive polymer thin film produced according to the present invention and a PDMS stamp coated with a silver nanowire thin film.
  • FIG. 4 an example of the substrate 100 on which the conductive polymer thin film 110 is formed and the PDMS stamp 200 on which the silver nanowire thin film is formed is illustrated. It is shown that the conductive polymer thin film (Conductive Polymer with adhesive) 110 is printed in a pattern of '2018' on the substrate 100 on which the conductive polymer thin film is formed.
  • the conductive polymer thin film (Conductive Polymer with adhesive) 110 is printed in a pattern of '2018' on the substrate 100 on which the conductive polymer thin film is formed.
  • FIG. 3 is a view illustrating a step of bonding a substrate on which a conductive polymer thin film is patterned and a PDMS stamp coated with a silver nanowire thin film, and then separating the two bonded substrates according to an embodiment of the present invention.
  • the substrate 100 on which the conductive polymer thin film formed by FIGS. 1 and 2 is formed and the PDMS stamp 200 on which the silver nanowire thin film are formed are bonded to each other. Then, heat is heated to the bonded substrate 100 and the PDMS stamp 200 for a predetermined time, and then cooled.
  • the two substrates 100 and 200 are separated. Looking at the separated substrate 100 and the PDMS stamp 200, the silver nanowires 210 applied to the PDMS stamp 200 are dropped from the pattern position 220 where the conductive polymer thin film of the substrate 100 is printed. The silver nanowires 210 removed from the PDMS stamp 200 are attached to the substrate 100 on a pattern on which the conductive polymer thin film is printed. Thus, a silver nanowire thin film patterned into a desired shape is obtained.
  • FIG. 5 is a diagram illustrating an example of a patterned silver nanowire thin film after the silver nanowires are transferred according to the present invention.
  • the silver nanowires 220 removed from the PDMS stamp 200 are adhered to a conductive polymer thin film pattern having an adhesive force of '2018' of the substrate 100 illustrated in FIG. Is shown.
  • the inherent advantages of inkjet printing allow for the free patterning of conductive polymers and the processability of silver nanowire patterning and freedom due to the fact that the silver nanowire transfer occurs only on the conductive polymer thin film with adhesion. To increase.

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Abstract

본 발명은 실버 나노와이어에 대한 패터닝 방법으로, 접착력이 있는 전도성 폴리머 박막을 기판에 패터닝하는 단계와, 실버 나노와이어 박막이 도포된 PDMS(polydimethylsiloxane) 스탬프를 제작하는 단계와, 전도성 폴리머 박막이 패터닝된 기판과 실버 나노와이어 박막이 도포된 PDMS 스탬프를 접합시킨 뒤, 접합된 두 기판을 분리하는 단계를 포함한다.

Description

실버 나노와이어 박막 패터닝 방법
본 발명은 실버 나노와이어에 대한 간단한 패터닝 방법에 관한 것이다.
종래에는 실버 나노와이어 박막에 대한 패터닝 방법은 포토리소그래피(photolithography), 레이저 어블레이션(laser ablation), 쉐도우 마스크(shadow mask)를 이용한 용액 도포 등의 방법이 이용된다.
선행 문헌 1(미국 공개 특허 US8,094,247), 선행 문헌 2(미국 공개 특허 US 8,094,247) 및 선행 문헌 3(논문 S. Park et al., Journal of Materials Chemistry A, 1, 14286-14293, 2013)는 모두 기계적 특성이 약한 ITO 투명 전극을 대체하기 위해, 투명하고 전도성이 높으면서 기계적 특성 또한 우수한 실버 나노와이어 전극을 형성하는 기술을 개시하고 있다. 이 중, 선행 문헌 1은 형성된 전극의 패터닝을 위해 포토리소그래피 방법이 개시하고, 선행 문헌 2는 형성된 전극의 패터닝을 위해 레이저 어블레이션 방법을 개시하고, 선행 문헌 3은 형성된 전극의 패터닝을 위해 미리 디자인 된 쉐도우 마스크를 기판 위에 올려놓고 그 위에 스프레이 코팅을 진행하는 방법을 개시한다.
그런데, 전술한 선행 문헌들에 개시된 방법들은 방법들은 모두 장비 설비 구축 및 공정 과정에서 복잡하고 고가의 비용이 요구되며 패터닝의 자유도도 크게 제약된다.
본 발명은 장비 설비 구축 및 공정 과정에서 복잡하지 않아, 비용을 절감할 수 있는 실버 나노와이어 박막 패터닝 방법을 제공한다.
본 발명은 패턴의 자유도도 보장할 수 있는 실버 나노와이어 박막 패터닝 방법을 제공한다.
본 발명은 전극을 형성하는 기판의 특성에 따라서 유연성 또는 신축성 전극으로 사용될 수 있는 실버 나노와이어 박막 패터닝 방법을 제공한다.
본 발명은 실버 나노와이어에 대한 패터닝 방법으로, 접착력이 있는 전도성 폴리머 박막을 기판에 패터닝하는 단계와, 실버 나노와이어 박막이 도포된 PDMS(polydimethylsiloxane) 스탬프를 제작하는 단계와, 전도성 폴리머 박막이 패터닝된 기판과 실버 나노와이어 박막이 도포된 PDMS 스탬프를 접합시킨 뒤, 접합된 두 기판을 분리하는 단계를 포함한다.
따라서, 본 발명에 따라, 기존에 보고된 방법 대비 간단하며 저가의 공정으로 자유도가 높은 실버 나노와이어 패터닝이 가능하게 된다. 즉, 다양한 기판 상에 원하는 형태를 가지는 실버 나노와이어 박막을 자유롭고 용이하게 제작할 수 있다.
또한, 필요한 목적에 따라, 스탬프 상 코팅 되는 나노와이어 농도 조절을 통해 박막의 투명도 및 전도성을 자유자재로 조절이 가능하여, 다양한 스펙을 가지는 전극을 제작할 수 있다. 또한 전극이 적용될 분야에 따라 유연성 혹은 신축성 기판 위에 제작할 수 있으며, 기존에 투명 전극으로 널리 사용되고 있는 ITO 대비 전기적, 광학적 특성은 유사하나 기계적 특성이 우수하므로, 유연성 혹은 신축성 소자에 적용이 가능한 차세대 투명 전극으로 사용할 수 있을 것으로 기대된다. 예컨대, 그 적용 범위는 유연성 혹은 신축성 기반의 OLED(Organic light emitting diode), OSC(Organic Solar Cell), Touch panel 등 전자 소자로 다양하다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 접착력이 있는 전도성 폴리머 박막을 기판에 패터닝하는 단계를 도시한 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 실버 나노와이어 박막이 도포된 PDMS 스탬프를 제작하는 단계를 도시한 도면이다.
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따라 전도성 폴리머 박막이 패터닝된 기판과 실버 나노와이어 박막이 도포된 PDMS 스탬프를 접합시킨 뒤, 접합된 두 기판을 분리하는 단계를 도시한 도면이다.
도 4는 본 발명에 따라 생성된 전도성 폴리머 박막이 패터닝된 기판과 실버 나노와이어 박막이 도포된 PDMS 스탬프의 일 예를 도시한 도면이다.
도 5는 본 발명에 따라 실버 나노와이어가 트랜스퍼된 후, 패터닝 된 실버 나노와이어 박막의 일 예를 도시한 도면이다.
이하, 본 발명의 실시예를 첨부된 도면들을 참조하여 상세하게 설명한다. 본 명세서에서 사용되는 용어 및 단어들은 실시예에서의 기능을 고려하여 선택된 용어들로서, 그 용어의 의미는 발명의 의도 또는 관례 등에 따라 달라질 수 있다. 따라서 후술하는 실시예에서 사용된 용어는, 본 명세서에 구체적으로 정의된 경우에는 그 정의에 따르며, 구체적인 정의가 없는 경우는 당업자들이 일반적으로 인식하는 의미로 해석되어야 할 것이다.
본 발명은 접착력을 가지는 전도성 폴리머를 원하는 형태로 기판에 자유롭게 패터닝하고, 제작된 전도성 폴리머 위에 실버 나노와이어를 트랜스퍼 하는 방식을 적용해 전도성이 높고 투명한 박막을 다양한 형태로 간단하게 제작하는 기술을 제안한다.
도 1 내지 도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 실버 나노 와이어 패터닝 방법을 공정 순서대로 도시한 사시도이다.
도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시 예에 따른 실버 나노 와이어 패터닝 방법은 크게 (A) 접착력이 있는 전도성 폴리머 박막을 기판에 패터닝하는 단계와, (B) 실버 나노와이어 박막이 도포된 PDMS(polydimethylsiloxane) 스탬프를 제작하는 단계와, (C) 전도성 폴리머 박막이 패터닝된 기판과 실버 나노와이어 박막이 도포된 PDMS 스탬프를 접합시킨 뒤, 접합된 두 기판을 분리하는 단계를 포함한다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 접착력이 있는 전도성 폴리머 박막을 기판에 패터닝하는 단계를 도시한 도면이다.
우선, 도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따라, 실버 나노와이어 패터닝을 위한 매개체인 패터닝된 전도성 폴리머 박막의 형성을 위해 잉크젯 프린팅 기술을 이용한다. 구체적으로, 잉크젯 프린팅은 노즐을 통하여 기능성 잉크들의 미세액적을 피착대상에 분사하여 패턴을 형성하는 기술이다. 잉크젯 프린팅은 애디티브(Additive) 방법의 일종으로서, 서브스트랙티브(Substractive) 방법과 달리 공정이 단순하고, 진공과 같은 특수한 환경도 필요하지 않으며, 공정 중 폐액이 발생하지 않는 장점이 있다. 또한, 잉크젯 프린팅은 다양한 재료의 잉크를 드롭-온-디멘드(drop-on-demand : DOD) 방식으로 기판 위에 인쇄하여 박막을 형성하는 공정이다. 특히 용액 공정 기반으로 상온/상압에서 패터닝을 위한 마스크 없이 공정이 가능하기 때문에, 기존의 진공 증착 방식 대비 싸고 간단하게 다양한 패턴을 형성할 수 있어 각광받고 있는 기술이다. 원하는 형태를 가지는 양질의 박막을 얻기 위해 형성하고자 하는 기판의 표면 상태, 물질이 녹아 있는 용액의 특성 및 기판과의 반응성 등을 고려해야 한다. 잉크젯 프린팅 기술은 저온 공정이 필요한 유연성 및 신축성 소자 분야를 중심으로 발전하고 있다. 그런데, 잉크젯 프린팅을 이용하는 것은 일 실시 예일 뿐, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 즉, 접착력이 있는 전도성 폴리머 박막을 기판에 소정 형태로 접착시키기 위해 가능한 다양한 방법이 사용 가능하다.
도 1의 (a)에 도시된 바와 같이, 잉크젯 프린터를 이용해 기판(substrate)(100)의 일면에 전도성 폴리머 박막(Conductive Polymer with adhesive)(110)을 인쇄한다. 여기서, 잉크젯 프린터 카트리지(Inkjet Printer Cartrige)(10)에 의해 사용되는 용액은 접착력이 있는 물질이 첨가된 전도성 폴리머 잉크로, 잉크젯 프린터에 입력된 패턴에 따라 기판(100)에 전도성 폴리머 잉크로 프린팅된다. 이때, 프린팅되는 패턴은 전극을 형성하는 기판의 특성에 따라서 유연성 또는 신축성 전극으로 사용될 수 있는 패턴일 수 있다.
그런 후, 도 1의 (b)에 도시된 바와 같이 잉크젯 프린터(10)에 의해 전도성 폴리머 박막(110)이 인쇄된 기판(100)을 열에 의한 어닐링(Thermal Anealing)을 통해 최종적으로 기판 위에 인쇄된 전도성 폴리머 박막(110)을 얻는다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 실버 나노와이어 박막이 도포된 PDMS 스탬프를 제작하는 단계를 도시한 도면이다.
다음으로, 도 2를 참조하면, 본 발명에서는 접착력을 가지는 전도성 폴리머 박막 위에 실버 나노와이어 박막을 트랜스퍼하는 기술을 이용한다. 구체적으로, 트랜스퍼 기술이란 건조 공정(dry process)의 일종으로 먼저 형성하고자 하는 박막을 스탬프에 제작한 뒤, 박막과 기판들 사이의 접착력 차이를 이용해 이를 타겟 기판(target substrate) 위로 옮기는 공정이다. 따라서 일반적인 용액 공정 시 용매에 의해 아래층이 손상을 입거나 변형을 일으키는 현상을 보완하는 방법으로써 활발히 연구되고 있다. 트랜스퍼가 효과적으로 일어나기 위해서는 형성하고자 하는 박막과 타겟 기판과의 접착력 뿐만 아니라 박막이 스탬프에서 잘 분리되는 특성도 고려되어야 한다. 트랜스퍼 기술은 건조 공정의 적용을 통해 용액 공정 시 발생할 수 있는 영향을 최소화시켜 고효율의 용액 공정 기반 소자를 제작하는 분야를 중심으로 발전하고 있다.
도 2의 (a)에 도시된 바와 같이, PDMS 스탬프(polydimethylsiloxane stamp)(200)의 일면에 실버 나노와이어 용액(AgNW Solution)(210)를 도포한다. 여기서, PDMS(polydimethylsiloxane) 스탬프(200)는 플라즈마(plasma) 처리된 기판이다. 그리고, 실버 나노와이어 용액(AgNW Solution)(210)은 주사기(injector) 형태의 용기로부터 PDMS 스탬프(polydimethylsiloxane stamp)(200)에 주입되는 방식으로 도포될 수 있다.
PDMS 스탬프(polydimethylsiloxane stamp)(200)의 일면에 실버 나노와이어 용액(AgNW Solution)(210)를 도포되면, 스핀 코팅(Spin Coating)을 진행한다. 여기서, 스핀 코팅이란 물체를 회전 시켜서 물체 위에 올려진 액체를 원심력을 이용하여 밀려나게 하여 물체에 임의의 액체를 코팅하는 방법으로, 박막(thin film)을 만드는 과정이다. 이러한 스핀코팅은 코팅 속도가 빠르고 재현성이 뛰어나기 때문에 필름의 두께 조절이 용이하고, 별도의 설비없이 일반적인 코팅장비에서 박막의 적층이 가능하고 박막의 표면이 고르고, 폴리머의 합성 및 기술에 따라 두께, 친수도, 흡광도, 굴절률 등을 쉽게 조절할 수 있다.
그리고, 도 2의 (b)에 도시된 바와 같이, 실버 나노와이어(210)가 전면에 도포된 PDMS 기판(200)을 상온에 두어, 용매를 증발(Solvent evaporation)되면 염처리(Salt Treatment)를 통해 최종적으로 전도성이 향상된 실버 나노 와이어 박막이 획득된다.
도 4는 본 발명에 따라 생성된 전도성 폴리머 박막이 패터닝된 기판과 실버 나노와이어 박막이 도포된 PDMS 스탬프의 일 예를 도시한 도면이다.
도 4를 참조하면, 전도성 폴리머 박막(110)이 형성된 기판(100)과 실버 나노와이어 박막이 형성된 PDMS 스탬프(200)의 일 예가 도시되어 있다. 전도성 폴리머 박막이 형성된 기판(100)에 미세하게 전도성 폴리머 박막(Conductive Polymer with adhesive)(110)이 '2018'이라는 패턴으로 인쇄되어 있는 것이 보여진다.
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따라 전도성 폴리머 박막이 패터닝된 기판과 실버 나노와이어 박막이 도포된 PDMS 스탬프를 접합시킨 뒤, 접합된 두 기판을 분리하는 단계를 도시한 도면이다.
도 3의 (a)를 참조하면, 도 1 및 도 2에 의해 생성된 전도성 폴리머 박막이 형성된 기판(100)과 실버 나노와이어 박막이 형성된 PDMS 스탬프(200)를 접합시킨다. 그런 후, 접합된 기판(100)과 PDMS 스탬프(200)에 일정 시간 동안 열(Heat)을 가열한 후, 식힌다.
도 3의 (b)를 참조하면, 접합된 기판(100)과 PDMS 스탬프(200)의 온도가 상온으로 되면, 두 기판(100, 200)을 분리시킨다. 분리된 기판(100)과 PDMS 스탬프(200)를 살펴보면, PDMS 스탬프(200)에 도포된 실버 나노와이어(210)는 기판(100)의 전도성 폴리머 박막이 인쇄된 패턴 위치(220)에서 탈락된다. 기판(100)에는 PDMS 스탬프(200)에서 탈락된 실버 나노와이어(210)가 전도성 폴리머 박막이 인쇄된 패턴 상에 접착(120)된다. 따라서, 원하는 형태로 패터닝된 실버 나노와이어 박막이 얻어지게 된다.
도 5는 본 발명에 따라 실버 나노와이어가 트랜스퍼된 후, 패터닝 된 실버 나노와이어 박막의 일 예를 도시한 도면이다.
도 5를 참조하면, 도 4에 도시된 기판(100)의 '2018'이라는 접착력을 가지는 전도성 폴리머 박막 패턴 위에 PDMS 스탬프(200)에서 탈락된 실버 나노와이어(220)가 접착되어, 선명해진 패턴이 도시되어 있다.
이와 같이, 잉크젯 프린팅 고유의 장점에 의해 전도성 폴리머의 자유로운 패터닝이 가능하다는 점과 실버 나노와이어 트랜스퍼가 접착력을 가지는 전도성 폴리머 박막 위에서만 일어난다는 점에 의해 실버 나노와이어 패터닝의 공정적 단순함을 부여하고 자유도를 증가시킨다.

Claims (6)

  1. 접착력이 있는 전도성 폴리머 박막을 기판에 패터닝하는 단계와,
    실버 나노와이어 박막이 도포된 PDMS(polydimethylsiloxane) 스탬프를 제작하는 단계와,
    전도성 폴리머 박막이 패터닝된 기판과 실버 나노와이어 박막이 도포된 PDMS 스탬프를 접합시킨 뒤, 접합된 두 기판을 분리하는 단계를 포함하는 실버 나노와이어에 대한 패터닝 방법.
  2. 제1 항에 있어서, 패터닝하는 단계는
    유연성 또는 신축성 전극으로 사용될 패턴이 기판에 형성되는 실버 나노와이어에 대한 패터닝 방법.
  3. 제1 항에 있어서, 패터닝하는 단계는
    잉크젯 프린터를 이용해 접착력이 있는 전도성 폴리머 박막을 기판에 프린팅하는 실버 나노와이어에 대한 패터닝 방법.
  4. 제1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 있어서, 패터닝하는 단계는
    전도성 폴리머 박막이 기판에 프린팅된 후, 열에 의한 어닐링을 수행하는 단계를 더 포함하는 실버 나노와이어에 대한 패터닝 방법.
  5. 제1항에 있어서, 제작하는 단계는
    플라즈마로 처리된 PDMS 기판 위에 실버 나노와이어를 도포하는 단계와,
    스핀 코팅하는 단계와,
    상온에서 용매를 증발시킨 뒤 염처리를 수행하는 단계를 포함하는 실버 나노와이어에 대한 패터닝 방법.
  6. 제1항에 있어서, 접합된 두 기판을 분리시키는 단계는
    전도성 폴리머 박막이 패터닝된 기판과 실버 나노와이어 박막이 도포된 PDMS 스탬프를 접합시킨 뒤, 일정 시간 동안 열을 가하고 식히는 단계를 더 포함하는 실버 나노와이어에 대한 패터닝 방법.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111916260A (zh) * 2020-08-12 2020-11-10 南京大学 一种柔性电极及其制备方法

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114885509B (zh) * 2022-04-15 2023-07-18 武汉大学 一种飞秒、纳秒激光制备图案化柔性传感器及其制备方法
KR20230174007A (ko) 2022-06-20 2023-12-27 연세대학교 산학협력단 이온 열전 탄성체 및 이를 포함하는 열전소자
KR102691766B1 (ko) * 2022-10-25 2024-08-05 서울대학교산학협력단 나노와이어 함유 패턴의 제조방법 및 이를 이용하여 제조된 투명 전극
CN120711991A (zh) * 2025-06-20 2025-09-26 西安电子科技大学 一种耐擦拭的半嵌入式可拉伸银纳米线电极及其制备方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010517809A (ja) * 2007-01-31 2010-05-27 インペリアル イノベーションズ リミテッド 有機層堆積
KR20130067181A (ko) * 2011-12-13 2013-06-21 한국과학기술원 소프트 몰드를 이용한 나노스케일 실버 전극 패턴의 제조 방법
KR101375657B1 (ko) * 2012-03-15 2014-03-18 한국과학기술원 복수의 터치 패널의 접합을 통한 대면적 터치 패널의 제조방법 및 대면적 터치 패널
KR20140124239A (ko) * 2013-04-16 2014-10-24 광주과학기술원 투명 전극 제조방법
KR20160098643A (ko) * 2015-02-10 2016-08-19 인하대학교 산학협력단 센서용 전극의 제조방법 및 이에 따라 제조되는 센서

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008507114A (ja) * 2004-04-27 2008-03-06 ザ ボード オブ トラスティーズ オブ ザ ユニヴァーシティー オブ イリノイ ソフトリソグラフィ用複合パターニングデバイス
KR101265321B1 (ko) * 2005-11-14 2013-05-20 엘지디스플레이 주식회사 스탬프 제조 방법, 그를 이용한 박막트랜지스터 및액정표시장치의 제조 방법
WO2008127313A2 (en) * 2006-11-17 2008-10-23 The Regents Of The University Of California Electrically conducting and optically transparent nanowire networks
EP3739598B1 (en) * 2011-08-24 2023-12-06 Tpk Holding Co., Ltd Patterned transparent conductors and related manufacturing methods
US11353338B2 (en) * 2017-08-21 2022-06-07 KSR IP Holdings, LLC Inductive sensor module assembly with a center signal processor

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010517809A (ja) * 2007-01-31 2010-05-27 インペリアル イノベーションズ リミテッド 有機層堆積
KR20130067181A (ko) * 2011-12-13 2013-06-21 한국과학기술원 소프트 몰드를 이용한 나노스케일 실버 전극 패턴의 제조 방법
KR101375657B1 (ko) * 2012-03-15 2014-03-18 한국과학기술원 복수의 터치 패널의 접합을 통한 대면적 터치 패널의 제조방법 및 대면적 터치 패널
KR20140124239A (ko) * 2013-04-16 2014-10-24 광주과학기술원 투명 전극 제조방법
KR20160098643A (ko) * 2015-02-10 2016-08-19 인하대학교 산학협력단 센서용 전극의 제조방법 및 이에 따라 제조되는 센서

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111916260A (zh) * 2020-08-12 2020-11-10 南京大学 一种柔性电极及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR102087835B1 (ko) 2020-03-11
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