WO2020044982A1 - 銅粒子の製造方法、接合用ペーストおよび半導体装置並びに電気・電子部品 - Google Patents
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Definitions
- the present disclosure relates to a method for producing copper particles, a joining paste, a semiconductor device manufactured using the joining paste, and an electric / electronic component.
- the semiconductor element may be bonded to an organic substrate having a heat dissipation mechanism such as a thermal via.
- the material for bonding the semiconductor element needs to have high thermal conductivity.
- white light emitting LEDs they have been widely used for lighting devices such as backlighting, ceiling lights, and downlights of full color liquid crystal screens.
- the adhesive bonding the light emitting element and the substrate may be discolored by heat, light, or the like, or the electric resistance value may change with time.
- the bonding material may lose its adhesive strength at the solder melting temperature at the time of soldering the electronic component, and may be peeled off.
- the white light emitting LED causes an increase in the amount of heat generated by the light emitting element chip, and accordingly, the structure of the LED and members used therein are required to have improved heat radiation.
- a metal filler such as silver powder and copper powder and a ceramic filler such as aluminum nitride and boron nitride are used as fillers at a high content in an organic binder. It is necessary to disperse (for example, see Patent Document 2).
- Patent Document 3 a bonding method using silver nanoparticles that enables bonding at a lower temperature than silver in a bulk body has been attracting attention.
- silver particles are excellent in conductivity, but in consideration of high price and migration resistance, substitution with other metals is being studied. Therefore, attention is now focused on copper particles that are inexpensive and have migration resistance as compared with silver particles.
- the bonding with copper nanoparticles requires a high temperature of 300 ° C. for the development of conductivity, and further, the handling and processing may be troublesome due to the small particle size and easy oxidation. Further, sintering of copper particles requires sintering in a reducing atmosphere from the viewpoint of removing a surface oxide film.
- the present disclosure has been made in view of such circumstances, and has a uniform sintering speed and degree of sintering between the inside of a joining layer and a fillet portion, and a method for producing copper particles having good joining characteristics.
- a bonding paste containing copper particles obtained by the method and a semiconductor device and an electric / electronic component having excellent reliability by using the bonding paste.
- the present inventors have conducted intensive studies to solve the above-mentioned problems, and as a result, have found that the following disclosure can solve the problems.
- [4] The method for producing copper particles according to the above [3], wherein the (D) carboxylic acid having 1 to 12 carbon atoms is a monocarboxylic acid.
- [5] The method for producing copper particles according to any one of the above [1] to [4], further comprising (E) an alkylamine having 1 to 12 carbon atoms.
- [6] A bonding paste containing copper particles obtained by the production method according to any one of [1] to [5].
- [7] A semiconductor device joined using the joining paste according to the above [6].
- [8] An electric / electronic component joined using the joining paste according to the above [6].
- a method for producing copper particles having a uniform sintering speed and degree of sintering between the inside of a joining layer and a fillet portion and good joining characteristics, and a joining paste containing copper particles obtained by the producing method in addition, by using the bonding paste, a semiconductor device and an electric / electronic component having excellent reliability can be provided.
- a copper compound (A) is reduced by a reducing compound (C) in the presence of an amine salt of a carboxylic acid (B).
- the copper compound (A) used in the present embodiment is not particularly limited as long as it contains a copper atom.
- the copper compound include copper carboxylate, copper oxide, copper hydroxide, and copper nitride.
- the copper compound may be copper carboxylate from the viewpoint of uniformity during the reaction. These may be used alone or in combination of two or more.
- Copper carboxylate includes copper formate (I), copper acetate (I), copper (I) propionate, copper (I) butyrate, copper (I) valerate, copper (I) caproate, copper (I) caprylate (I) ), Copper (I) caprate, copper (II) formate, copper (II) acetate, copper (II) propionate, copper (II) butyrate, copper (II) valerate, copper (II) caproate, caprylic acid Copper carboxylate anhydrides or hydrates such as copper (II), copper (II) caprate, copper (II) citrate and the like can be mentioned. Copper carboxylate may be copper acetate (II) monohydrate from the viewpoint of productivity and availability. These may be used alone or in combination of two or more.
- copper carboxylate may be used, or copper carboxylate obtained by synthesis may be used.
- ⁇ Synthesis of copper carboxylate can be carried out by a known method, for example, it can be obtained by mixing and heating copper (II) hydroxide and a carboxylic acid compound.
- Examples of copper oxide include copper (II) oxide and copper (I) oxide, and copper (I) oxide may be used from the viewpoint of productivity.
- Examples of copper hydroxide include copper (II) hydroxide and copper (I) hydroxide. These may be used alone or in combination of two or more.
- the copper particles obtained by the synthesis method using the carboxylic acid amine salt (B) used in the present embodiment are more calcined than copper particles obtained by the synthesis method comprising only the amine compound and the carboxylic acid compound. Good bondability.
- the bonding paste containing the copper particles makes the sintering speed and the degree of sintering uniform between the inside of the bonding layer and the fillet portion, thereby improving the bonding characteristics.
- Carboxylic acid amine salt can be obtained from a carboxylic acid compound and an amine compound.
- the carboxylic acid amine salt a commercially available product may be used, or a product obtained in advance by synthesis may be used.
- the carboxylic acid amine salt may be formed in-situ by separately charging the carboxylic acid compound and the amine compound into the reaction vessel during the copper particle production process.
- the carboxylic acid amine salt is obtained by blending a carboxylic acid compound and an amine compound in an organic solvent in equivalent amounts of functional groups, and mixing them at a relatively mild temperature condition of room temperature (25 ° C.) to about 100 ° C. Generated by The amine carboxylate may be removed from the reaction solution containing the product by a distillation method, a recrystallization method, or the like.
- the carboxylic acid compound constituting the carboxylic acid amine salt (B) is not particularly limited as long as it has a carboxy group, and examples thereof include a monocarboxylic acid, a dicarboxylic acid, an aromatic carboxylic acid, and a hydroxy acid. These may be used alone or in combination of two or more.
- the carboxylic acid compound may be a monocarboxylic acid or a dicarboxylic acid from the viewpoint of reducing the difference in the sintering speed between the inside of the bonding layer and the fillet portion.
- the carboxylic acid compound constituting the carboxylic acid amine salt may have a thermal decomposition temperature of 200 ° C. or lower, or 190 ° C. or lower. Or 180 ° C. or lower.
- those having a boiling point in a region lower than the thermal decomposition temperature may have a boiling point of 280 ° C or lower, or may have a boiling point of 260 ° C or lower, It may be 240 ° C. or lower.
- the boiling point of the carboxylic acid compound is in this range, the difference in the sintering speed between the inside of the bonding layer and the fillet portion becomes small.
- monocarboxylic acids include formic acid, acetic acid, propionic acid, butyric acid, valeric acid, caproic acid, caprylic acid, octylic acid, nonanoic acid, capric acid, oleic acid Acid, stearic acid, isostearic acid and the like. These may be used alone or in combination of two or more.
- the monocarboxylic acid is formic acid, acetic acid, propionic acid, butyric acid, valeric acid, caproic acid, caprylic acid, octylic acid, nonanoic acid, capric acid, from the viewpoint of reducing the difference in sintering speed between the inside of the bonding layer and the fillet portion.
- the acid may be used, and valeric acid, caproic acid, caprylic acid, nonanoic acid, and octylic acid may be used.
- dicarboxylic acids include oxalic acid, malonic acid, succinic acid, glutaric acid, adipic acid, pimelic acid, suberic acid, azelaic acid, sebacic acid, diglycol Acids and the like. These may be used alone or in combination of two or more.
- the dicarboxylic acid may be oxalic acid, malonic acid, succinic acid, glutaric acid, adipic acid, diglycolic acid, or oxalic acid from the viewpoint of reducing the difference in sintering speed between the inside of the bonding layer and the fillet portion. , Malonic acid, succinic acid, diglycolic acid.
- examples of the aromatic carboxylic acid include benzoic acid, phthalic acid, isophthalic acid, terephthalic acid, salicylic acid, and gallic acid. These may be used alone or in combination of two or more.
- the aromatic carboxylic acid may be benzoic acid from the viewpoint of reducing the difference in sintering speed between the inside of the bonding layer and the fillet portion.
- examples of the hydroxy acid include glycolic acid, lactic acid, tartronic acid, malic acid, glyceric acid, hydroxybutyric acid, tartaric acid, citric acid, and isocitric acid. These may be used alone or in combination of two or more.
- the hydroxy acid may be glycolic acid, lactic acid, or malic acid from the viewpoint of reducing the difference in sintering speed between the inside of the bonding layer and the fillet portion.
- the amine compound constituting the carboxylic acid amine salt (B) is not particularly limited as long as it has a carboxy group, and examples thereof include an alkyl monoamine, an alkyl diamine, and an alkanolamine. These may be used alone or in combination of two or more.
- the amine compound may be an alkyl monoamine or an alkanolamine from the viewpoint of sinterability.
- examples of the alkyl monoamine include methylamine, ethylamine, propylamine, butylamine, hexylamine, octylamine, decylamine, dodecylamine and the like. These may be used alone or in combination of two or more.
- the alkyl monoamine may be hexylamine, octylamine, or decylamine from the viewpoint of sinterability.
- alkyldiamines include 1,1-methanediamine, 1,2-ethanediamine, 1,3-propanediamine, 1,4-butanediamine, Examples thereof include 6-hexanediamine and 1,8-octanediamine. These may be used alone or in combination of two or more.
- the alkyldiamine may be 1,4-butanediamine or 1,6-hexanediamine from the viewpoint of sinterability.
- alkanolamines include monoethanolamine, monopropanolamine, monobutanolamine, 2- (2-aminoethylamino) ethanol, and 2- (2-aminoethoxy).
- the alkanolamine may be monoethanolamine, monopropanolamine, monobutanolamine, 1-amino-2-propanol, or 2-amino-1-propanol from the viewpoint of sinterability.
- the boiling point of the carboxylic acid amine salt may be from 70 ° C to 280 ° C, from 100 ° C to 260 ° C, or from 120 ° C to 240 ° C. (B) If the boiling point of the carboxylic acid amine salt is within the above range, the obtained copper particles show good sinterability. (B) If the boiling point of the carboxylic acid amine salt is 70 ° C. or higher, volatilization of the carboxylic acid amine salt in the heating step can be controlled. If the boiling point of the carboxylic acid amine salt is 280 ° C.
- the carboxylic acid amine salt is easily removed from the system at the time of sintering the copper particles, so that low-temperature sinterability is exhibited.
- the boiling point of the (B) carboxylic acid amine salt may be higher than the heating temperature in the heating step or lower than the sintering temperature in use.
- the (C) reducing compound used in the present embodiment is not particularly limited as long as it has a reducing power for reducing the (A) copper compound and releasing metallic copper. Further, the (C) reducing compound may have a boiling point of 70 ° C. or higher, or a heating temperature of the heating step or higher. Furthermore, (C) the reducing compound may be a compound that is dissolved in an organic solvent described below, which is composed of carbon, hydrogen, and oxygen.
- a reducing compound (C) examples include a hydrazine derivative.
- the hydrazine derivative include hydrazine monohydrate, methylhydrazine, ethylhydrazine, n-propylhydrazine, i-propylhydrazine, n-butylhydrazine, i-butylhydrazine, sec-butylhydrazine, t-butylhydrazine, n -Pentylhydrazine, i-pentylhydrazine, neo-pentylhydrazine, t-pentylhydrazine, n-hexylhydrazine, i-hexylhydrazine, n-heptylhydrazine, n-octylhydrazine, n-nonylhydrazine, n-decylhydrazine, n
- the production of the copper particles of the present embodiment may further include (D) a carboxylic acid having 1 to 12 carbon atoms.
- the carboxylic acid having 1 to 12 carbon atoms is used for controlling the particle size of the obtained copper particles.
- the carboxylic acid is not particularly limited as long as it has a carboxyl group.
- monocarboxylic acids such as formic acid, acetic acid, propionic acid, butyric acid, valeric acid, caproic acid, caprylic acid, octylic acid, nonanoic acid, capric acid, oleic acid, stearic acid, and isostearic acid; oxalic acid, malonic acid, and succinic acid Dicarboxylic acids such as acid, glutaric acid, adipic acid, pimelic acid, suberic acid, azelaic acid, sebacic acid, and diglycolic acid; aromatic carboxylic acids such as benzoic acid, phthalic acid, isophthalic acid, terephthalic acid, salicylic acid, and gallic acid A hydroxy acid such as glycolic acid, lactic acid, tartronic acid, malic acid, glyceric acid, hydroxybutyric acid, tartaric acid, citric acid, and isocitric acid; (D) The carboxylic acid having 1 to 12 carbon
- carboxylic acids having 1 to 12 carbon atoms include formic acid, acetic acid, propionic acid, butyric acid, valeric acid, caproic acid, caprylic acid, octylic acid, nonanoic acid, and capric acid.
- the method for producing copper particles of the present embodiment may further include (E) an alkylamine having 1 to 12 carbon atoms.
- (E) An alkylamine having 1 to 12 carbon atoms is used for controlling the particle size of the obtained copper particles.
- the alkylamine is not particularly limited as long as it has an amino group.
- the above alkylamines are methylamine, ethylamine, propylamine, butylamine, hexylamine, octylamine, decylamine, dodecylamine, monoethanolamine, monopropanolamine, monobutanolamine, 2-butanolamine, (2-aminoethylamino) ethanol, 2- (2-aminoethoxy) ethanol, 1-amino-2-propanol, 2-amino-1-propanol, and 3-amino-1,2-propanediol may be used.
- hexylamine, octylamine, monoethanolamine, monopropanolamine, monobutanolamine, 1-amino-2-propanol, and 2-amino-1-propanol may be used.
- the (A) copper compound, (B) carboxylic acid amine salt, and (C) reducing compound may be mixed in an organic solvent.
- the organic solvent can be used without any particular limitation as long as it can be used as a reaction solvent that does not inhibit the properties of a complex or the like formed from a mixture obtained by mixing the above-described raw materials.
- the organic solvent may be an alcohol that is compatible with the (C) reducing compound.
- the organic solvent may be an organic solvent that does not volatilize during the reduction reaction.
- the volatilization of the organic solvent can be controlled, generation of copper ions by decomposition of the copper compound-amine complex and precipitation of metallic copper by reduction of the generated copper ions can be controlled, so that the particle size of the generated copper particles is stabilized.
- the organic solvent may have a boiling point of 70 ° C. or higher.
- the organic solvent may be composed of carbon, hydrogen and oxygen.
- Examples of the alcohol used as the organic solvent include 1-propanol, 2-propanol, butanol, pentanol, hexanol, heptanol, octanol, ethylene glycol, 1,3-propanediol, 1,2-propanediol, butyl carbitol, Butyl carbitol acetate, ethyl carbitol, ethyl carbitol acetate, diethylene glycol diethyl ether, butyl cellosolve and the like. These may be used alone or in combination of two or more.
- Copper particles can be produced as described below using the alkylamines of 1 to 12 and an organic solvent.
- an organic solvent is contained in a reaction vessel, and in the organic solvent, (A) a copper compound, (B) a carboxylic acid amine salt, (C) a reducing compound, Further, (D) a carboxylic acid having 1 to 12 carbon atoms and (E) an alkylamine having 1 to 12 carbon atoms, which are added as necessary, are mixed.
- the order of mixing these compounds is not particularly limited, and the above compounds may be mixed in any order.
- the (A) copper compound and the (B) carboxylic acid amine salt are first mixed to form After mixing at 110 ° C. for about 5 to 30 minutes, (C) a reducing compound, (D) a carboxylic acid having 1 to 12 carbon atoms, and (E) an alkylamine having 1 to 12 carbon atoms are added and mixed. You may.
- the amount of the copper compound (A), the amine salt of the carboxylic acid (B) and the reducing compound (C) used is 0.1 to 10 mol of the amine salt of the carboxylic acid (B) per 1 mol of the copper compound (A).
- the reducing compound may be 0.5 to 5 mol
- the carboxylic acid amine salt may be 1 to 5 mol
- the reducing compound may be 0.5 to 3 mol.
- the amount of (D) the carboxylic acid having 1 to 12 carbon atoms used may be 0.5 to 5 mol or 0.5 to 3 mol with respect to 1 mol of the copper compound (A).
- the amount of the (E) alkylamine having 1 to 12 carbon atoms to be used may be 0.5 to 5 mol or 0.5 to 3 mol per 1 mol of the (A) copper compound.
- the organic solvent may be used in such an amount that each of the above components can sufficiently react, and for example, about 50 to 2000 mL may be used.
- the mixture obtained by mixing as described above is sufficiently heated to allow the (A) reduction reaction of the copper compound to proceed.
- the unreacted (A) copper compound can be eliminated, and metallic copper can be favorably deposited and grown to form copper particles.
- the carboxylic acid amine salt (B) adheres to the surface of the copper particles and has an action of controlling the growth to prevent the particles from becoming coarse.
- the heating temperature in heating the mixture is a temperature at which (A) the copper compound is thermally decomposed and reduced to form copper particles, and may be, for example, 70 to 150 ° C. or 80 to 120 ° C. Good. Further, the heating temperature may be lower than the boiling points of the components (A) to (E) and the organic solvent.
- the heating temperature is in the above range, copper particles can be efficiently produced, and when carboxylic acid and / or alkylamine is used in addition to (B) the carboxylic acid amine salt, volatilization of these is controlled.
- the solids precipitated here may be separated from excess (B) carboxylic acid amine salt by centrifugation or the like, then washed with an organic solvent and dried under reduced pressure. By such an operation, copper particles can be obtained.
- (A) a copper compound is reduced by (C) a reducing compound in a (B) amine carboxylate, and the eluted copper atoms are aggregated to form a nucleus. It is presumed that copper particles are formed and nucleus-grown to form (B) copper particles coated with a carboxylic acid amine salt. Therefore, by appropriately selecting the type of the (A) copper compound, the (B) carboxylic acid amine salt, the (C) reducing compound and the reaction temperature to be used, the supply rate of the copper atom or (B) the carboxylic acid amine salt , The copper particles having an arbitrary shape and size can be obtained.
- the copper particles obtained by the method for producing copper particles of the present embodiment can be fired at a low temperature of less than 300 ° C.
- the bonding paste using the copper particles has no difference in the sintering speed and the degree of sintering between the inside of the bonding layer and the fillet portion, so that a bonding layer having high bonding reliability can be obtained.
- the average particle diameter of the copper particles may be 1 to 1000 nm, 20 to 800 nm, or 30 to 500 nm from the viewpoint of the denseness of the bonding layer.
- the average particle diameter of the copper particles was determined based on an observation image of a scanning electron microscope (for example, trade name: JSM-7600F; SEM, manufactured by JEOL Ltd.). Calculated as the average value of 10). Note that the average value is an arithmetic average value, and 10 or more copper particles may be used in the calculation.
- the bonding paste of the present embodiment contains copper particles obtained by the above-described method for producing copper particles. Therefore, the joining paste of the present embodiment can be joined without pressure and has excellent adhesiveness. Further, the sintering speed and the degree of sintering between the inside of the joining layer and the fillet portion are uniform, and a cured product having good joining characteristics can be obtained. For this reason, the bonding paste of this embodiment can be used as a die attach paste for bonding elements or a material for bonding heat dissipation members.
- the joining paste of the present embodiment may use two or more copper particles having different average particle diameters in combination.
- the average particle diameter of the second copper particles having a larger average particle diameter than the first copper particles may be about 2 to 10 times the average particle diameter of the first copper particles.
- the amount of the second copper particles may be about 1.5 to 10 times the amount of the first copper particles.
- the bonding paste of the present embodiment may contain, in addition to the above-described copper particles, large-diameter copper particles having a larger particle size than the above-described copper particles, a thermosetting resin, an organic solvent, and other additives. Thereby, the influence of the sintering shrinkage of the copper particles can be reduced, and a more reliable bonding layer can be formed.
- the large-diameter copper particles may have an average particle diameter of more than 1 ⁇ m and 30 ⁇ m or less, or 2 to 20 ⁇ m.
- the shape is not particularly limited, and spheres, plates, flakes, scales, dendrites, rods, wires, and the like can be used.
- the average particle diameter of the large-diameter copper particles can be measured using a laser diffraction / scattering particle size distribution analyzer or the like.
- the large-sized copper particles may be treated with a lubricant and a rust preventive.
- a typical example of such a treatment is a treatment with a carboxylic acid compound.
- Carboxylic acid compounds include, for example, formic acid, acetic acid, propionic acid, butyric acid, valeric acid, caproic acid, caprylic acid, octylic acid, nonanoic acid, capric acid, palmitic acid, oleic acid, stearic acid, isostearic acid, oxalic acid, malonic acid Acid, succinic acid, glutaric acid, adipic acid, pimelic acid, suberic acid, azelaic acid, sebacic acid, diglycolic acid, benzoic acid, phthalic acid, isophthalic acid, terephthalic acid, salicylic acid, gallic acid, glycolic acid, lactic acid, taltron Acids, malic acid, glyceric acid, hydroxybutyric
- carboxylic acid compounds include formic acid, acetic acid, propionic acid, butyric acid, valeric acid, caproic acid, caprylic acid, octylic acid, nonanoic acid, capric acid, palmitic acid, oleic acid, and stearic acid. It may be an acid, isostearic acid, oxalic acid, malonic acid, succinic acid, glutaric acid.
- the carboxylic acid compound may be caproic acid, caprylic acid, octylic acid, nonanoic acid, capric acid, malonic acid, succinic acid, or glutaric acid from the viewpoint of the dispersibility and oxidation resistance of the copper particles.
- thermosetting resin can be used without particular limitation as long as it is a thermosetting resin generally used as an adhesive.
- the thermosetting resin may be a liquid resin or a resin that is liquid at room temperature (25 ° C.).
- examples of the thermosetting resin include a cyanate resin, an epoxy resin, a radically polymerizable acrylic resin, and a maleimide resin. These may be used alone or in combination of two or more.
- an adhesive material (paste) having an appropriate viscosity can be obtained.
- the joining paste of the present embodiment contains a thermosetting resin, the temperature of the joining paste rises due to the reaction heat at the time of curing, thereby promoting the sinterability of the copper particles.
- Cyanate resin is a compound having a —NCO group in a molecule, and is a resin that forms a three-dimensional network structure and is cured by a reaction of the —NCO group by heating.
- Cyanate resins include 1,3-dicyanatobenzene, 1,4-dicyanatobenzene, 1,3,5-tricyanatobenzene, 1,3-dicyanatonaphthalene, 1,4-dicyanatonaphthalene, and 1,6-dicyanatobenzene.
- cyanate resin a prepolymer having a triazine ring formed by trimerizing the cyanate group of these polyfunctional cyanate resins can also be used.
- the prepolymer is obtained by polymerizing the above polyfunctional cyanate resin monomer with, for example, a mineral acid, an acid such as a Lewis acid, a base such as sodium alcoholate, a tertiary amine, or a salt such as sodium carbonate as a catalyst. can get.
- curing accelerator for the cyanate resin generally known curing accelerators can be used.
- organometallic complexes such as zinc octylate, tin octylate, cobalt naphthenate, zinc naphthenate, and iron acetylacetone; metal salts such as aluminum chloride, tin chloride and zinc chloride; and amines such as triethylamine and dimethylbenzylamine.
- organometallic complexes such as zinc octylate, tin octylate, cobalt naphthenate, zinc naphthenate, and iron acetylacetone
- metal salts such as aluminum chloride, tin chloride and zinc chloride
- amines such as triethylamine and dimethylbenzylamine.
- curing accelerators can be used alone or in combination of two or more.
- Epoxy resin is a compound having one or more glycidyl groups in a molecule, and is a resin that forms a three-dimensional network structure by being reacted with glycidyl groups by heating, and is cured. Two or more glycidyl groups may be contained in one molecule. This is because the glycidyl group cannot exhibit sufficient cured product characteristics even when reacted with only one compound.
- a compound containing two or more glycidyl groups in one molecule can be obtained by epoxidizing a compound having two or more hydroxyl groups.
- Such compounds include bisphenol compounds such as bisphenol A, bisphenol F, and biphenol or derivatives thereof, and alicyclic rings such as hydrogenated bisphenol A, hydrogenated bisphenol F, hydrogenated biphenol, cyclohexanediol, cyclohexanedimethanol, and cyclohexanediethanol.
- the epoxy resin is a paste at room temperature (25 ° C.) as a bonding paste, it may be liquid alone or at room temperature (25 ° C.) as a mixture. It is also possible to use reactive diluents as usual. Examples of the reactive diluent include monofunctional aromatic glycidyl ethers such as phenyl glycidyl ether and cresyl glycidyl ether, and aliphatic glycidyl ethers.
- a curing agent is used to cure the epoxy resin.
- the curing agent for the epoxy resin include an aliphatic amine, an aromatic amine, dicyandiamide, a dihydrazide compound, an acid anhydride, and a phenol resin.
- dihydrazide compound examples include carboxylic acid dihydrazides such as adipic dihydrazide, dodecanoic dihydrazide, isophthalic dihydrazide, and p-oxybenzoic dihydrazide.
- the acid anhydrides include phthalic anhydride, tetrahydrophthalic anhydride, Examples include phthalic anhydride, endomethylenetetrahydrophthalic anhydride, dodecenylsuccinic anhydride, a reaction product of maleic anhydride and polybutadiene, and a copolymer of maleic anhydride and styrene.
- a curing accelerator can be blended to promote curing.
- curing accelerators for epoxy resins include imidazoles, triphenylphosphine or tetraphenylphosphine and salts thereof, amine compounds such as diazabicycloundecene, and the like. And salts thereof.
- Curing accelerators include 2-methylimidazole, 2-ethylimidazole, 2-phenylimidazole, 2-phenyl-4-methylimidazole, 2-phenyl-4-methyl-5-hydroxymethylimidazole, 2-phenyl-4,5 Imidazole compounds such as -dihydroxymethylimidazole, 2-C 11 H 23 -imidazole, and adducts of 2-methylimidazole with 2,4-diamino-6-vinyltriazine may be used.
- the curing accelerator may be an imidazole compound having a melting point of 180 ° C. or higher.
- the radically polymerizable acrylic resin is a compound having a (meth) acryloyl group in a molecule, and is a resin which forms a three-dimensional network structure by the reaction of the (meth) acryloyl group and is cured.
- One or more (meth) acryloyl groups may be contained in the molecule.
- acrylic resin for example, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 3-hydroxypropyl (meth) acrylate, 2-hydroxybutyl (meth) acrylate, 3-hydroxybutyl (Meth) acrylate, 4-hydroxybutyl (meth) acrylate, 1,2-cyclohexanediol mono (meth) acrylate, 1,3-cyclohexanediol mono (meth) acrylate, 1,4-cyclohexanediol mono (meth) acrylate, 1,2-cyclohexanedimethanol mono (meth) acrylate, 1,3-cyclohexanedimethanol mono (meth) acrylate, 1,4-cyclohexanedimethanol mono (meth) acrylate, 1,2-cyclohexane Ethanol mono (meth) acrylate, 1,3-cyclohexanediethanol mono (meth)
- dicarboxylic acids that can be used here include oxalic acid, malonic acid, succinic acid, glutaric acid, adipic acid, pimelic acid, suberic acid, azelaic acid, sebacic acid, maleic acid, fumaric acid, phthalic acid, and tetrahydrophthalic acid. , Hexahydrophthalic acid and derivatives thereof.
- acrylic resin examples include polyethers, polyesters, polycarbonates having a molecular weight of 100 to 10,000, compounds having a (meth) acryl group as poly (meth) acrylate, (meth) acrylate having a hydroxyl group, and (meth) acrylate having a hydroxyl group (meth). ) Acrylamide and the like.
- Maleimide resin is a compound containing one or more maleimide groups in one molecule, and is a resin that forms a three-dimensional network structure and reacts when the maleimide groups react by heating.
- the maleimide resin may be a compound obtained by reacting a dimer acid diamine with maleic anhydride, or a compound obtained by reacting a maleimidated amino acid such as maleimide acetic acid or maleimidocaproic acid with a polyol.
- a maleimidated amino acid is obtained by reacting maleic anhydride with aminoacetic acid or aminocaproic acid.
- the polyol may be a polyether polyol, a polyester polyol, a polycarbonate polyol, a poly (meth) acrylate polyol, or may not contain an aromatic ring.
- thermosetting resin when blended, it is blended so as to be 1 to 20 parts by mass when the total amount of the copper particles and the large-diameter copper particles is 100 parts by mass.
- amount of the thermosetting resin is 1 part by mass or more, sufficient adhesiveness by the thermosetting resin can be obtained.
- high heat conductivity can be sufficiently ensured, and heat dissipation can be improved.
- the organic component is not excessively increased, and deterioration due to light and heat is suppressed. As a result, the life of the light emitting device can be increased.
- the content By setting the content within such a range, the contact between the copper particles and / or the large-diameter copper particles is reduced by utilizing the adhesive performance of the thermosetting resin, and the mechanical strength of the entire adhesive layer is maintained. Can be easily done.
- Organic solvent a known solvent can be used as long as it functions as a reducing agent.
- the organic solvent may be an alcohol, such as an aliphatic polyhydric alcohol.
- examples of the aliphatic polyhydric alcohol include glycols such as ethylene glycol, diethylene glycol, propylene glycol, diprovylene glycol, 1,4-butanediol, glycerin, and polyethylene glycol. These organic solvents may be used alone or in combination of two or more.
- Alcohol becomes high temperature by heat treatment at the time of paste curing (sintering) and increases reducing power. Further, the copper oxide partially present in the copper particles and the metal oxide (eg, copper oxide) on the metal substrate are reduced by the alcohol to become a pure metal. As a result, the bonding paste forms a cured film that is denser, has higher conductivity, and has higher adhesion to the substrate. Further, since the paste is sandwiched between the semiconductor element and the metal substrate, the alcohol is partially refluxed during the heat treatment during paste curing (paste curing temperature higher than the boiling point), and the metal oxide is reduced more efficiently.
- paste curing paste curing
- the boiling point of the organic solvent may be 100 to 300 ° C. or 150 to 290 ° C.
- the volatility does not become too high even at room temperature, and a reduction in the reducing ability due to the volatilization of the dispersion medium can be controlled, so that stable adhesive strength can be obtained.
- the boiling point is 300 ° C. or less, sintering of the cured film (conductive film) is likely to occur, and a film having excellent denseness can be formed.
- the compounding amount may be 7 to 20 parts by mass when the total amount of the copper particles and the large-diameter copper particles is 100 parts by mass.
- the amount is 7 parts by mass or more, the viscosity does not become too high, and the workability can be improved.
- the amount is 20 parts by mass or less, the decrease in viscosity is controlled, the sedimentation of copper in the paste is controlled, and the reliability is increased. be able to.
- a curing accelerator in addition to the above components, a curing accelerator, a rubber, a low-stressing agent such as silicone, a coupling agent, a defoaming agent, which are generally blended with this type of composition, Surfactants, colorants (pigments, dyes), various polymerization inhibitors, antioxidants, solvents, and other various additives can be added as necessary. Each of these additives may be used alone or in combination of two or more.
- the bonding paste of the present embodiment is obtained by sufficiently mixing the above-described copper particles, and, if necessary, additives such as large-diameter copper particles, a thermosetting resin, an organic solvent, and a coupling agent. Further, it can be prepared by performing a kneading treatment with a disperser, a kneader, a three-roll mill or the like, and then defoaming.
- the viscosity of the bonding paste of the present embodiment may be, for example, 20 to 300 Pa ⁇ s or 40 to 200 Pa ⁇ s.
- the bonding strength of the bonding paste of the present embodiment may be 25 MPa or more, or may be 30 MPa or more. The viscosity and the bonding strength can be measured by the methods described in Examples.
- the bonding paste of the present embodiment obtained in this manner is excellent in high thermal conductivity and heat dissipation. Therefore, when used as a bonding material for the element or the heat dissipating member to the substrate or the like, the heat dissipation inside the device to the outside is improved, and the product characteristics can be stabilized.
- the semiconductor device of the present embodiment is one in which a semiconductor element is adhered to a substrate serving as an element supporting member using the above-mentioned bonding paste. That is, the bonding paste is used here as a die attach paste, and the semiconductor element and the substrate are bonded and fixed via the paste.
- the semiconductor element may be any known semiconductor element, and examples include a transistor and a diode. Furthermore, as this semiconductor element, a light emitting element such as an LED is cited.
- the type of the light-emitting element is not particularly limited, and examples thereof include a light-emitting element in which a nitride semiconductor such as InN, AlN, GaN, InGaN, AlGaN, or InGaAlN is formed as a light-emitting layer on a substrate by MOBVC or the like.
- the element supporting member include a supporting member formed of a material such as copper, copper-plated copper, PPF (pre-plating lead frame), glass epoxy, and ceramics.
- the joining paste of the present embodiment can join a base material that has not been subjected to metal plating.
- the thus obtained semiconductor device has improved connection reliability with respect to the temperature cycle after mounting as compared with the conventional product. Further, since the electric resistance value is sufficiently small and the change with time is small, there is an advantage that the output does not decrease with time even when driven for a long time and the life is long.
- the electric / electronic component of the present embodiment is obtained by bonding a heat radiating member to a heat generating member using the above-mentioned bonding paste. That is, the bonding paste is used as a material for bonding the heat radiating member, and the heat radiating member and the heat generating member are bonded and fixed via the bonding paste.
- the heat generating member may be the above-described semiconductor element or a member having the semiconductor element, or may be another heat generating member.
- Examples of the heat generating member other than the semiconductor element include an optical pickup and a power transistor.
- examples of the heat radiating member include a heat sink and a heat spreader.
- the heat generated by the heat generating member can be efficiently released from the heat radiating member to the outside, and the temperature rise of the heat generating member is suppressed. be able to.
- the heat-generating member and the heat-dissipating member may be directly bonded via a bonding paste, or may be indirectly bonded with another member having high thermal conductivity interposed therebetween.
- hydrazine monohydrate manufactured by FUJIFILM Wako Pure Chemical Industries, Ltd., trade name: hydrazine-1
- C 1-propanol
- Table 1 shows the components used in Synthesis Examples 1 to 6. In addition, in Table 1, the blank column represents no formulation.
- Example 1 to 4 and Comparative Examples 1 and 2 The components of the kind and the amount shown in Table 2 were mixed and kneaded with a roll to obtain a bonding paste. In addition, in Table 2, the blank column shows no compounding.
- the joining paste was applied to a glass substrate (1 mm in thickness) by screen printing so as to have a thickness of 25 ⁇ m, and was cured at 200 ° C. for 60 minutes.
- the electrical resistance of the obtained sintered film was measured by a four-point needle method using Loresta GP (trade name, manufactured by Mitsubishi Chemical Analytic). 1.0 ⁇ 10 -4 ⁇ ⁇ m or less A, those of more than 1.0 ⁇ 10 -4 ⁇ ⁇ m was C.
- a silicon chip provided with a gold vapor deposition layer on a bonding surface of 2 mm ⁇ 2 mm was mounted on a solid copper frame and a PPF (Ni-Pd / Au-plated copper frame) using a bonding paste, and nitrogen (3% hydrogen) was used.
- the composition was cured at 200 ° C. for 60 minutes in an atmosphere. After the curing and after the moisture absorption treatment (85 ° C., relative humidity 85%, 72 hours), the die shear strength at room temperature (25 ° C.) was measured for each using DAGE 4000Plus (product name, manufactured by Nordson Corporation).
- a silicon chip having a bonding surface of 2 mm ⁇ 2 mm provided with a gold vapor deposition layer was mounted on a copper frame and a PPF using a bonding paste and cured at 200 ° C. for 60 minutes in a nitrogen (3% hydrogen) atmosphere.
- an epoxy sealing material (trade name: KE-G3000D) manufactured by Kyocera Corporation, a package molded under the following conditions was subjected to a moisture absorption treatment at 85 ° C. and a relative humidity of 85% for 168 hours, and then an IR reflow treatment ( 260 ° C., 10 seconds) and a cooling / heating cycle treatment (the operation of raising the temperature from ⁇ 55 ° C. to 150 ° C.
- the bonding paste containing copper particles obtained by the production method of reducing in the presence of a carboxylic acid amine salt according to the present disclosure has high sinterability in both the coating state and the bonding state.
- the carboxylic acid amine salt was not contained, high sinterability was exhibited in the state of the coated film, but poor in the sinterability in the joined state.
- the joining paste containing copper particles obtained by the method for producing copper particles of the present disclosure has high joining reliability. Therefore, by using the bonding paste, a semiconductor device and an electric / electronic device having excellent reliability can be obtained.
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Abstract
(A)銅化合物を、(B)カルボン酸アミン塩存在下、(C)還元性化合物によって還元することを特徴とする接合用銅粒子の製造方法。
Description
本開示は、銅粒子の製造方法、接合用ペーストおよび該接合用ペーストを使用して製造した半導体装置並びに電気・電子部品に関する。
半導体製品の大容量、高速処理化及び微細配線化に伴い、半導体製品作動中に発生する熱の処理が注目されてきている。特に、半導体製品から熱を逃がす、いわゆるサーマルマネージメントが要求されている。このため半導体製品にヒートスプレッダー、ヒートシンクなどの放熱部材を取り付ける方法などが一般的に採用されている。また、半導体製品に放熱部材を接着する材料自体の熱伝導率はより高いものが望まれてきている。
また、半導体製品の形態によっては、サーマルマネージメントをより効率的なものとするため、半導体素子そのもの又は半導体素子を接着したリードフレームのダイパッド部にヒートスプレッダーを接着する方法、またはダイパッド部をパッケージ表面に露出させることにより放熱板としての機能を持たせる方法(例えば、特許文献1参照)などが採用されている。
また、半導体製品の形態によっては、サーマルマネージメントをより効率的なものとするため、半導体素子そのもの又は半導体素子を接着したリードフレームのダイパッド部にヒートスプレッダーを接着する方法、またはダイパッド部をパッケージ表面に露出させることにより放熱板としての機能を持たせる方法(例えば、特許文献1参照)などが採用されている。
また、さらには半導体素子をサーマルビアなどの放熱機構を有する有機基板などに接着する場合もある。この場合も半導体素子を接着する材料に高熱伝導性が要求される。また、近年の白色発光LEDの高輝度化により、フルカラー液晶画面のバックライト照明、シーリングライト、ダウンライト等の照明装置にも広く用いられるようになっている。ところで、発光素子の高出力化による高電流投入により、発光素子と基板とを接着する接着剤が熱及び光等で変色したり、電気抵抗値の経時変化が発生したりするおそれがあった。とりわけ発光素子と基板との接合を接着剤の接着力に完全に頼る方法では、電子部品のはんだ実装時に接合材料がはんだ溶融温度下に接着力を失うことで剥離するおそれがあり、不灯に至る懸念があった。また、白色発光LEDの高性能化は、発光素子チップの発熱量の増大を招くこととなり、これに伴いLEDの構造及びそれに使用する部材にも放熱性の向上が求められている。
特に、近年、電力損失の少ない炭化ケイ素(SiC)、窒化ガリウムのようなワイドバンドギャップ半導体を使用するパワー半導体装置の開発が盛んとなり、素子自身の耐熱性が高く、大電流による250℃以上の高温動作が可能となっている。しかし、その特性を発揮するためには、動作発熱を効率的に放熱する必要があり、導電性及び伝熱性に加え、長期高温耐熱性に優れた接合材料が求められている。
このように半導体装置及び電気・電子部品の各部材の接着に用いられる材料(ダイアタッチペースト及び放熱部材接着用材料等)に高い熱伝導性が要求されている。また、これらの材料は、同時に製品の基板搭載時のリフロー処理に耐える必要もあり、さらには大面積の接着が要求される場合も多く、構成部材間の熱膨張係数の違いによる反りなどの発生率を小さくするための低応力性も併せ持つ必要がある。
ここで、通常、高熱伝導性を有する接着剤を得るには、銀粉、銅粉などの金属フィラー及び窒化アルミニウム、窒化ボロンなどのセラミック系フィラーなどを充填剤として有機系のバインダーに高い含有率で分散させる必要がある(例えば、特許文献2参照)。
ところが、昨今、そうした要求に耐えうる接合方法の候補として、バルク体の銀よりも低温の条件下で接合を可能とする、銀ナノ粒子による接合方法が着目されるようになってきた(例えば、特許文献3参照)。
ところで、銀粒子は導電性に優れているが、価格が高いこと及び耐マイグレーション性を考慮して、他の金属への代替が検討されている。そこで、現在、銀粒子と比較して安価で、マイグレーション耐性のある銅粒子に注目が集まっている。
ところで、銀粒子は導電性に優れているが、価格が高いこと及び耐マイグレーション性を考慮して、他の金属への代替が検討されている。そこで、現在、銀粒子と比較して安価で、マイグレーション耐性のある銅粒子に注目が集まっている。
しかしながら、銅ナノ粒子による接合は、導電性の発現に、300℃という高温が必要なこと、さらには粒子径が小さく、酸化し易いこと、などから取扱い及び処理に手間がかかる場合がある。さらに、銅粒子の焼結には表面酸化膜の除去の観点から、還元雰囲気での焼結を必要としていた。
また、特に研究開発が進んでいる配線用銅ナノ粒子は比較的低温焼結が可能であるものの、接合用に使用した場合、接合層内部とフィレット部とに焼結速度および焼結度に差が発生し、信頼性の高い接合体を得ることが難しかった。
本開示は、このような実情に鑑みてなされたものであり、接合層内部とフィレット部との焼結速度および焼結度が均一であり、接合特性が良好な銅粒子の製造方法、該製造方法によって得られる銅粒子を含む接合用ペースト並びに該接合用ペーストを使用することで信頼性に優れた半導体装置及び電気・電子部品を提供する。
本発明者らは、上記の課題を解決するべく鋭意検討した結果、下記の開示により該課題を解決できることを見出した。
すなわち、本願開示は、以下に関する。
[1](A)銅化合物を、(B)カルボン酸アミン塩存在下、(C)還元性化合物によって還元する銅粒子の製造方法。
[2]前記(B)カルボン酸アミン塩を構成するカルボン酸化合物の熱分解温度が200℃以下である上記[1]に記載の銅粒子の製造方法。
[3]さらに、(D)炭素数1~12のカルボン酸を含む上記[1]または[2]に記載の銅粒子の製造方法。
[4]前記(D)炭素数1~12のカルボン酸がモノカルボン酸である上記[3]に記載の銅粒子の製造方法。
[5]さらに、(E)炭素数1~12のアルキルアミンを含む上記[1]~[4]のいずれかに記載の銅粒子の製造方法。
[6]上記[1]~[5]のいずれかに記載の製造方法によって得られる銅粒子を含む接合用ペースト。
[7]上記[6]に記載の接合用ペーストを用いて接合されてなる半導体装置。
[8]上記[6]に記載の接合用ペーストを用いて接合されてなる電気・電子部品。
[1](A)銅化合物を、(B)カルボン酸アミン塩存在下、(C)還元性化合物によって還元する銅粒子の製造方法。
[2]前記(B)カルボン酸アミン塩を構成するカルボン酸化合物の熱分解温度が200℃以下である上記[1]に記載の銅粒子の製造方法。
[3]さらに、(D)炭素数1~12のカルボン酸を含む上記[1]または[2]に記載の銅粒子の製造方法。
[4]前記(D)炭素数1~12のカルボン酸がモノカルボン酸である上記[3]に記載の銅粒子の製造方法。
[5]さらに、(E)炭素数1~12のアルキルアミンを含む上記[1]~[4]のいずれかに記載の銅粒子の製造方法。
[6]上記[1]~[5]のいずれかに記載の製造方法によって得られる銅粒子を含む接合用ペースト。
[7]上記[6]に記載の接合用ペーストを用いて接合されてなる半導体装置。
[8]上記[6]に記載の接合用ペーストを用いて接合されてなる電気・電子部品。
本開示によれば、接合層内部とフィレット部との焼結速度および焼結度が均一であり、接合特性が良好な銅粒子の製造方法、該製造方法によって得られる銅粒子を含む接合用ペースト並びに該接合用ペーストを使用することで信頼性に優れた半導体装置及び電気・電子部品を提供することができる。
<銅粒子の製造方法>
本開示の銅粒子の製造方法は、(A)銅化合物を、(B)カルボン酸アミン塩存在下、(C)還元性化合物によって還元する。
本開示の銅粒子の製造方法は、(A)銅化合物を、(B)カルボン酸アミン塩存在下、(C)還元性化合物によって還元する。
以下、本開示について、一実施形態を参照しながら詳細に説明する。
((A)銅化合物)
本実施形態で用いられる(A)銅化合物は、銅原子を含むものであれば特に限定されるものではない。銅化合物としては、例えば、カルボン酸銅、酸化銅、水酸化銅、窒化銅等が挙げられる。銅化合物は、反応時の均一性の観点からカルボン酸銅であってもよい。これらは単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
本実施形態で用いられる(A)銅化合物は、銅原子を含むものであれば特に限定されるものではない。銅化合物としては、例えば、カルボン酸銅、酸化銅、水酸化銅、窒化銅等が挙げられる。銅化合物は、反応時の均一性の観点からカルボン酸銅であってもよい。これらは単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
カルボン酸銅としては、ギ酸銅(I)、酢酸銅(I)、プロピオン酸銅(I)、酪酸銅(I)、吉草酸銅(I)、カプロン酸銅(I)、カプリル酸銅(I)、カプリン酸銅(I)、ギ酸銅(II)、酢酸銅(II)、プロピオン酸銅(II)、酪酸銅(II)、吉草酸銅(II)、カプロン酸銅(II)、カプリル酸銅(II)、カプリン酸銅(II)、クエン酸銅(II)等のカルボン酸銅無水物または水和物が挙げられる。カルボン酸銅は、生産性および入手容易性の観点から酢酸銅(II)一水和物であってもよい。また、これらは単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
また、カルボン酸銅は、市販のものを使用してもよいし、合成によって得られたものを使用してもよい。
カルボン酸銅の合成は、公知の方法で行うことができ、例えば、水酸化銅(II)とカルボン酸化合物とを混合・加熱によって得ることができる。
酸化銅としては、酸化銅(II)、酸化銅(I)が挙げられ、生産性の観点から酸化銅(I)であってもよい。また、水酸化銅としては、水酸化銅(II)、水酸化銅(I)が挙げられる。
これらは単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
これらは単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
((B)カルボン酸アミン塩)
本実施形態で用いられる(B)カルボン酸アミン塩を用いた合成方法で得られた銅粒子は、アミン化合物、カルボン酸化合物のみで構成される合成方法で得られる銅粒子と比較して、焼結性が良好となる。該銅粒子を含む接合ペーストは、接合層内部とフィレット部との焼結速度および焼結度を均一化し、接合特性が良好となる。この理由は、正確に判明しているわけではないが、筆者らはカルボン酸アミン塩の構造が、カルボン酸-銅およびアミン化合物-銅の強力な吸着作用を相互に緩和し、銅への吸着力が低下するために、カルボン酸及びアミンが脱離しやすくなるものと推定している。その結果、接合ペースト中の銅粒子は、接合層内部のような閉鎖された空間においても良好な脱離挙動を示すためであると考えている。
本実施形態で用いられる(B)カルボン酸アミン塩を用いた合成方法で得られた銅粒子は、アミン化合物、カルボン酸化合物のみで構成される合成方法で得られる銅粒子と比較して、焼結性が良好となる。該銅粒子を含む接合ペーストは、接合層内部とフィレット部との焼結速度および焼結度を均一化し、接合特性が良好となる。この理由は、正確に判明しているわけではないが、筆者らはカルボン酸アミン塩の構造が、カルボン酸-銅およびアミン化合物-銅の強力な吸着作用を相互に緩和し、銅への吸着力が低下するために、カルボン酸及びアミンが脱離しやすくなるものと推定している。その結果、接合ペースト中の銅粒子は、接合層内部のような閉鎖された空間においても良好な脱離挙動を示すためであると考えている。
(B)カルボン酸アミン塩はカルボン酸化合物とアミン化合物とから得ることができる。カルボン酸アミン塩は、市販のものを使用してもよいし、または予め合成によって得られたものを使用してもよい。カルボン酸アミン塩は、銅粒子の製造工程中で反応容器内にカルボン酸化合物とアミン化合物とをそれぞれ別々に投入し、in-situで生成させてもよい。
(B)カルボン酸アミン塩は、有機溶媒中でカルボン酸化合物とアミン化合物とを官能基等量で配合し、室温(25℃)乃至は100℃程度の比較的温和な温度条件で混合することで生成する。カルボン酸アミン塩は、生成物を含む上記反応液より、蒸留法または再結晶法などで取り出してもよい。
(B)カルボン酸アミン塩を構成するカルボン酸化合物としては、カルボキシ基を有する化合物であれば特に限定されず、例えば、モノカルボン酸、ジカルボン酸、芳香族カルボン酸、ヒドロキシ酸などが挙げられる。これらは単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。上記カルボン酸化合物は、接合層内部とフィレット部との焼結速度の差を小さくする観点から、モノカルボン酸、ジカルボン酸であってもよい。
(B)カルボン酸アミン塩を構成するカルボン酸化合物は、接合層内部とフィレット部との焼結速度の差を小さくする観点から、熱分解温度が200℃以下であってもよく、190℃以下であってもよく、180℃以下であってもよい。
(B)カルボン酸アミン塩を構成するカルボン酸化合物のうち、熱分解温度より低温領域に沸点を有する化合物に関しては、沸点が280℃以下であってもよく、260℃以下であってもよく、240℃以下であってもよい。
カルボン酸化合物の沸点がこの範囲にあると接合層内部とフィレット部との焼結速度の差が小さくなる。
カルボン酸化合物の沸点がこの範囲にあると接合層内部とフィレット部との焼結速度の差が小さくなる。
(B)カルボン酸アミン塩を構成するカルボン酸化合物のうち、モノカルボン酸としては、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、カプロン酸、カプリル酸、オクチル酸、ノナン酸、カプリン酸、オレイン酸、ステアリン酸、イソステアリン酸などが挙げられる。これらは単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。上記モノカルボン酸は、接合層内部とフィレット部との焼結速度の差を小さくする観点から、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、カプロン酸、カプリル酸、オクチル酸、ノナン酸、カプリン酸であってもよく、吉草酸、カプロン酸、カプリル酸、ノナン酸、オクチル酸であってもよい。
(B)カルボン酸アミン塩を構成するカルボン酸化合物のうち、ジカルボン酸としては、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸、スベリン酸、アゼライン酸、セバシン酸、ジグリコール酸などが挙げられる。これらは単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。上記ジカルボン酸は、接合層内部とフィレット部との焼結速度の差を小さくする観点から、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、ジグリコール酸であってもよく、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、ジグリコール酸であってもよい。
(B)カルボン酸アミン塩を構成するカルボン酸化合物のうち、芳香族カルボン酸としては、安息香酸、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、サリチル酸、没食子酸などが挙げられる。これらは単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。上記芳香族カルボン酸は、接合層内部とフィレット部との焼結速度の差を小さくする観点から、安息香酸であってもよい。
(B)カルボン酸アミン塩を構成するカルボン酸化合物のうち、ヒドロキシ酸としては、グリコール酸、乳酸、タルトロン酸、リンゴ酸、グリセリン酸、ヒドロキシ酪酸、酒石酸、クエン酸、イソクエン酸などが挙げられる。これらは単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。上記ヒドロキシ酸は、接合層内部とフィレット部との焼結速度の差を小さくする観点から、グリコール酸、乳酸、リンゴ酸であってもよい。
(B)カルボン酸アミン塩を構成するアミン化合物としては、カルボキシ基を有する化合物であれば特に限定されず、例えば、アルキルモノアミン、アルキルジアミン、アルカノールアミンなどが挙げられる。これらは単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。上記アミン化合物は、焼結性の観点から、アルキルモノアミン、アルカノールアミンであってもよい。
(B)カルボン酸アミン塩を構成するアミン化合物のうち、アルキルモノアミンとしては、メチルアミン、エチルアミン、プロピルアミン、ブチルアミン、ヘキシルアミン、オクチルアミン、デシルアミン、ドデシルアミンなどが挙げられる。これらは単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。上記アルキルモノアミンは、焼結性の観点から、ヘキシルアミン、オクチルアミン、デシルアミンであってもよい。
(B)カルボン酸アミン塩を構成するアミン化合物のうち、アルキルジアミンとしては、1,1-メタンジアミン、1,2-エタンジアミン、1,3-プロパンジアミン、1,4-ブタンジアミン、1,6-ヘキサンジアミン、1,8-オクタンジアミンなどが挙げられる。これらは単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。上記アルキルジアミンは、焼結性の観点から、1,4-ブタンジアミン、1,6-ヘキサンジアミンであってもよい。
(B)カルボン酸アミン塩を構成するアミン化合物のうち、アルカノールアミンとしては、モノエタノールアミン、モノプロパノールアミン、モノブタノールアミン、2-(2-アミノエチルアミノ)エタノール、2-(2-アミノエトキシ)エタノール、1-アミノ-2-プロパノール、2-アミノ-1-プロパノール、3-アミノ-1,2-プロパンジオールなどが挙げられる。これらは単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。上記アルカノールアミンは、焼結性の観点から、モノエタノールアミン、モノプロパノールアミン、モノブタノールアミン、1-アミノ-2-プロパノール、2-アミノ-1-プロパノールであってもよい。
(B)カルボン酸アミン塩の沸点は、70℃以上280℃以下であってもよく、100℃以上260℃以下であってもよく、120℃以上240℃以下でであってもよい。
(B)カルボン酸アミン塩の沸点が上記範囲にあれば得られた銅粒子は良好な焼結性を示す。(B)カルボン酸アミン塩の沸点が70℃以上であれば、カルボン酸アミン塩は加熱工程での揮発を制御できる。カルボン酸アミン塩の沸点が280℃以下であれば、カルボン酸アミン塩は銅粒子の焼結時に系外に除去され易くなるため、低温焼結性が発現する。
さらに、(B)カルボン酸アミン塩の沸点は、加熱工程における加熱温度以上であってもよく、使用時における焼結温度以下であってもよい。
(B)カルボン酸アミン塩の沸点が上記範囲にあれば得られた銅粒子は良好な焼結性を示す。(B)カルボン酸アミン塩の沸点が70℃以上であれば、カルボン酸アミン塩は加熱工程での揮発を制御できる。カルボン酸アミン塩の沸点が280℃以下であれば、カルボン酸アミン塩は銅粒子の焼結時に系外に除去され易くなるため、低温焼結性が発現する。
さらに、(B)カルボン酸アミン塩の沸点は、加熱工程における加熱温度以上であってもよく、使用時における焼結温度以下であってもよい。
((C)還元性化合物)
本実施形態で用いられる(C)還元性化合物は、(A)銅化合物を還元し、金属銅を遊離させる還元力を有するものであれば、特に限定されない。さらに、(C)還元性化合物は、その沸点が70℃以上であってもよく、加熱工程における加熱温度以上であってもよい。さらに、(C)還元性化合物は、炭素、水素及び酸素から構成される後述する有機溶剤に溶解する化合物であってもよい。
本実施形態で用いられる(C)還元性化合物は、(A)銅化合物を還元し、金属銅を遊離させる還元力を有するものであれば、特に限定されない。さらに、(C)還元性化合物は、その沸点が70℃以上であってもよく、加熱工程における加熱温度以上であってもよい。さらに、(C)還元性化合物は、炭素、水素及び酸素から構成される後述する有機溶剤に溶解する化合物であってもよい。
このような(C)還元性化合物としては、典型的には、ヒドラジン誘導体が挙げられる。ヒドラジン誘導体としては、例えば、ヒドラジン一水和物、メチルヒドラジン、エチルヒドラジン、n-プロピルヒドラジン、i-プロピルヒドラジン、n-ブチルヒドラジン、i-ブチルヒドラジン、sec-ブチルヒドラジン、t-ブチルヒドラジン、n-ペンチルヒドラジン、i-ペンチルヒドラジン、neo-ペンチルヒドラジン、t-ペンチルヒドラジン、n-ヘキシルヒドラジン、i-ヘキシルヒドラジン、n-ヘプチルヒドラジン、n-オクチルヒドラジン、n-ノニルヒドラジン、n-デシルヒドラジン、n-ウンデシルヒドラジン、n-ドデシルヒドラジン、シクロヘキシルヒドラジン、フェニルヒドラジン、4-メチルフェニルヒドラジン、ベンジルヒドラジン、2-フェニルエチルヒドラジン、2-ヒドラジノエタノール、アセトヒドラジン等が挙げられる。これらは単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
((D)炭素数1~12のカルボン酸)
本実施形態の銅粒子の製造は、さらに(D)炭素数1~12のカルボン酸を含んでもよい。(D)炭素数1~12のカルボン酸は、得られる銅粒子の粒子径を制御するために使用される。カルボン酸はカルボキシル基を有するものであれば特に限定されない。例えば、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、カプロン酸、カプリル酸、オクチル酸、ノナン酸、カプリン酸、オレイン酸、ステアリン酸、イソステアリン酸等のモノカルボン酸;シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸、スベリン酸、アゼライン酸、セバシン酸、ジグリコール酸等のジカルボン酸;安息香酸、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、サリチル酸、没食子酸等の芳香族カルボン酸;グリコール酸、乳酸、タルトロン酸、リンゴ酸、グリセリン酸、ヒドロキシ酪酸、酒石酸、クエン酸、イソクエン酸等のヒドロキシ酸などが挙げられる。(D)炭素数1~12のカルボン酸は、接合層内部とフィレット部との焼結速度の差を小さくする観点から、炭素数1~12のモノカルボン酸であってもよい。また、粒径制御の容易性の観点から、(D)炭素数1~12のカルボン酸は、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、カプロン酸、カプリル酸、オクチル酸、ノナン酸、カプリン酸、オレイン酸、ステアリン酸、イソステアリン酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸、スベリン酸、アゼライン酸、セバシン酸、ジグリコール酸であってもよく、焼結性の観点から、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、カプロン酸、カプリル酸、オクチル酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸であってもよく、カプロン酸、カプリル酸、オクチル酸、シュウ酸、マロン酸であってもよい。
本実施形態の銅粒子の製造は、さらに(D)炭素数1~12のカルボン酸を含んでもよい。(D)炭素数1~12のカルボン酸は、得られる銅粒子の粒子径を制御するために使用される。カルボン酸はカルボキシル基を有するものであれば特に限定されない。例えば、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、カプロン酸、カプリル酸、オクチル酸、ノナン酸、カプリン酸、オレイン酸、ステアリン酸、イソステアリン酸等のモノカルボン酸;シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸、スベリン酸、アゼライン酸、セバシン酸、ジグリコール酸等のジカルボン酸;安息香酸、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、サリチル酸、没食子酸等の芳香族カルボン酸;グリコール酸、乳酸、タルトロン酸、リンゴ酸、グリセリン酸、ヒドロキシ酪酸、酒石酸、クエン酸、イソクエン酸等のヒドロキシ酸などが挙げられる。(D)炭素数1~12のカルボン酸は、接合層内部とフィレット部との焼結速度の差を小さくする観点から、炭素数1~12のモノカルボン酸であってもよい。また、粒径制御の容易性の観点から、(D)炭素数1~12のカルボン酸は、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、カプロン酸、カプリル酸、オクチル酸、ノナン酸、カプリン酸、オレイン酸、ステアリン酸、イソステアリン酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸、スベリン酸、アゼライン酸、セバシン酸、ジグリコール酸であってもよく、焼結性の観点から、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、カプロン酸、カプリル酸、オクチル酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸であってもよく、カプロン酸、カプリル酸、オクチル酸、シュウ酸、マロン酸であってもよい。
((E)炭素数1~12のアルキルアミン)
本実施形態の銅粒子の製造方法は、さらに(E)炭素数1~12のアルキルアミンを含んでもよい。
(E)炭素数1~12のアルキルアミンは、得られる銅粒子の粒子径を制御するために使用される。アルキルアミンはアミノ基を有するものであれば特に限定されない。例えば、メチルアミン、エチルアミン、プロピルアミン、ブチルアミン、ヘキシルアミン、オクチルアミン、デシルアミン、ドデシルアミン、1,1-メタンジアミン、1,2-エタンジアミン、1,3-プロパンジアミン、1,4-ブタンジアミン、1,6-ヘキサンジアミン、1,8-オクタンジアミン、モノエタノールアミン、モノプロパノールアミン、モノブタノールアミン、2-(2-アミノエチルアミノ)エタノール、2-(2-アミノエトキシ)エタノール、1-アミノ-2-プロパノール、2-アミノ-1-プロパノール、3-アミノ-1,2-プロパンジオール等が挙げられる。粒径制御の容易性の観点から、上記アルキルアミンは、メチルアミン、エチルアミン、プロピルアミン、ブチルアミン、ヘキシルアミン、オクチルアミン、デシルアミン、ドデシルアミン、モノエタノールアミン、モノプロパノールアミン、モノブタノールアミン、2-(2-アミノエチルアミノ)エタノール、2-(2-アミノエトキシ)エタノール、1-アミノ-2-プロパノール、2-アミノ-1-プロパノール、3-アミノ-1,2-プロパンジオールであってもよく、焼結性の観点から、ヘキシルアミン、オクチルアミン、モノエタノールアミン、モノプロパノールアミン、モノブタノールアミン、1-アミノ-2-プロパノール、2-アミノ-1-プロパノールであってもよい。
本実施形態の銅粒子の製造方法は、さらに(E)炭素数1~12のアルキルアミンを含んでもよい。
(E)炭素数1~12のアルキルアミンは、得られる銅粒子の粒子径を制御するために使用される。アルキルアミンはアミノ基を有するものであれば特に限定されない。例えば、メチルアミン、エチルアミン、プロピルアミン、ブチルアミン、ヘキシルアミン、オクチルアミン、デシルアミン、ドデシルアミン、1,1-メタンジアミン、1,2-エタンジアミン、1,3-プロパンジアミン、1,4-ブタンジアミン、1,6-ヘキサンジアミン、1,8-オクタンジアミン、モノエタノールアミン、モノプロパノールアミン、モノブタノールアミン、2-(2-アミノエチルアミノ)エタノール、2-(2-アミノエトキシ)エタノール、1-アミノ-2-プロパノール、2-アミノ-1-プロパノール、3-アミノ-1,2-プロパンジオール等が挙げられる。粒径制御の容易性の観点から、上記アルキルアミンは、メチルアミン、エチルアミン、プロピルアミン、ブチルアミン、ヘキシルアミン、オクチルアミン、デシルアミン、ドデシルアミン、モノエタノールアミン、モノプロパノールアミン、モノブタノールアミン、2-(2-アミノエチルアミノ)エタノール、2-(2-アミノエトキシ)エタノール、1-アミノ-2-プロパノール、2-アミノ-1-プロパノール、3-アミノ-1,2-プロパンジオールであってもよく、焼結性の観点から、ヘキシルアミン、オクチルアミン、モノエタノールアミン、モノプロパノールアミン、モノブタノールアミン、1-アミノ-2-プロパノール、2-アミノ-1-プロパノールであってもよい。
(有機溶剤)
本実施形態の銅粒子の製造方法は、上記(A)銅化合物と、(B)カルボン酸アミン塩と、(C)還元性化合物と、を有機溶剤中で混合してもよい。
有機溶剤は、上述の各原料を混合して得られる混合物から生成する錯体等の性質を阻害しない反応溶媒として用いることができるものであれば、特に限定されずに使用できる。有機溶剤は、上記(C)還元性化合物に対して相溶性を示すアルコールあってもよい。
本実施形態の銅粒子の製造方法は、上記(A)銅化合物と、(B)カルボン酸アミン塩と、(C)還元性化合物と、を有機溶剤中で混合してもよい。
有機溶剤は、上述の各原料を混合して得られる混合物から生成する錯体等の性質を阻害しない反応溶媒として用いることができるものであれば、特に限定されずに使用できる。有機溶剤は、上記(C)還元性化合物に対して相溶性を示すアルコールあってもよい。
また、(C)還元性化合物による銅イオンの還元反応は発熱反応である。したがって、有機溶剤は還元反応中に揮発しない有機溶剤であってもよい。有機溶剤の揮発を制御できると、銅化合物-アミン錯体の分解による銅イオンの生成及び生成した銅イオンの還元による金属銅の析出を制御できることから、生成した銅粒子の粒径が安定する。このため、有機溶剤はその沸点が70℃以上であってもよい。さらに、有機溶剤は炭素、水素及び酸素から構成されていてもよい。
有機溶剤として用いられる上記アルコールとしては、1-プロパノール、2-プロパノール、ブタノール、ペンタノール、ヘキサノール、ヘプタノール、オクタノール、エチレングリコール、1,3-プロパンジオール、1,2-プロパンジオール、ブチルカルビトール、ブチルカルビトールアセテート、エチルカルビトール、エチルカルビトールアセテート、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ブチルセロソルブなどが挙げられる。これらは単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
上記説明した(A)銅化合物、(B)カルボン酸アミン塩、(C)還元性化合物、さらに必要に応じて添加される(D)炭素数1~12のカルボン酸、(E)炭素数1~12のアルキルアミン、及び有機溶剤を用いて、以下のように銅粒子を製造することができる。
(混合物の形成)
本実施形態の銅粒子の製造方法は、まず、反応容器中に有機溶剤を収容し、該有機溶剤中において、(A)銅化合物、(B)カルボン酸アミン塩、(C)還元性化合物、さらに必要に応じて添加される(D)炭素数1~12のカルボン酸、(E)炭素数1~12のアルキルアミンを混合する。これらの化合物の混合の順番は特に限定されず、上記化合物をどのような順番で混合しても構わない。
本実施形態の銅粒子の製造方法は、まず、反応容器中に有機溶剤を収容し、該有機溶剤中において、(A)銅化合物、(B)カルボン酸アミン塩、(C)還元性化合物、さらに必要に応じて添加される(D)炭素数1~12のカルボン酸、(E)炭素数1~12のアルキルアミンを混合する。これらの化合物の混合の順番は特に限定されず、上記化合物をどのような順番で混合しても構わない。
なお、(A)銅化合物と(B)カルボン酸アミン塩との錯体を効率的に形成させる場合は、先に(A)銅化合物と(B)カルボン酸アミン塩とを混合して、0~110℃で5~30分程度混合しておき、さらに、(C)還元性化合物、(D)炭素数1~12のカルボン酸、(E)炭素数1~12のアルキルアミンを添加、混合してもよい。
上記混合にあたって、(A)銅化合物、(B)カルボン酸アミン塩、(C)還元性化合物の使用量は、(A)銅化合物1molに対し、(B)カルボン酸アミン塩0.1~10mol、(C)還元性化合物0.5~5molであってもよく、(B)カルボン酸アミン塩1~5mol、(C)還元性化合物0.5~3molであってもよい。
また、(D)炭素数1~12のカルボン酸の使用量は、(A)銅化合物1molに対し、0.5~5molであってもよく、0.5~3molであってもよい。(E)炭素数1~12のアルキルアミンの使用量は、(A)銅化合物1molに対し、0.5~5molであってもよく、0.5~3molであってもよい。
有機溶剤は上記各成分が十分に反応を行うことができる量であればよく、例えば、50~2000mL程度用いるようにすればよい。
また、(D)炭素数1~12のカルボン酸の使用量は、(A)銅化合物1molに対し、0.5~5molであってもよく、0.5~3molであってもよい。(E)炭素数1~12のアルキルアミンの使用量は、(A)銅化合物1molに対し、0.5~5molであってもよく、0.5~3molであってもよい。
有機溶剤は上記各成分が十分に反応を行うことができる量であればよく、例えば、50~2000mL程度用いるようにすればよい。
(混合物の加熱)
次に、本実施形態の銅粒子の製造方法は、上記で混合して得られた混合物を十分に加熱して(A)銅化合物の還元反応を進行させる。この加熱により、未反応の(A)銅化合物をなくすことができ、良好に金属銅を析出、成長させ、銅粒子を形成することができる。
次に、本実施形態の銅粒子の製造方法は、上記で混合して得られた混合物を十分に加熱して(A)銅化合物の還元反応を進行させる。この加熱により、未反応の(A)銅化合物をなくすことができ、良好に金属銅を析出、成長させ、銅粒子を形成することができる。
このとき、(B)カルボン酸アミン塩は、銅粒子の表面に付着し、成長を制御することで粒子が粗大化するのを防ぐ作用を有している。
上記混合物の加熱における加熱温度は、(A)銅化合物が熱分解及び還元され、銅粒子が生成できる温度であり、例えば、70~150℃であってもよく、80~120℃であってもよい。さらに、加熱温度は上記(A)~(E)成分及び有機溶剤の沸点よりも低くてもよい。加熱温度が上記範囲にあると、銅粒子を効率的に生成できるとともに、(B)カルボン酸アミン塩の他にカルボン酸および/またはアルキルアミンを併用する場合にはこれらの揮発が制御される。
加熱温度を70℃以上にすることで、銅化合物の熱分解が進行する。加熱温度を150℃以下にすることで、アミン化合物の揮発が制御されることから、系中の均一性が保たれる。
ここで析出した固形物は、遠心分離等により過剰な(B)カルボン酸アミン塩と分離した後、有機溶剤で洗浄し、減圧乾燥すればよい。このような操作によって、銅粒子を得ることができる。
(銅粒子の形状、サイズ)
本実施形態の銅粒子の製造方法により得られる銅粒子は、(A)銅化合物が(B)カルボン酸アミン塩中で(C)還元性化合物により還元され、溶出した銅原子が凝集し、核形成、核成長し、(B)カルボン酸アミン塩で被覆された銅粒子が形成されると推察される。したがって、使用する(A)銅化合物、(B)カルボン酸アミン塩、(C)還元性化合物の種類、反応温度を適宜選択することによって、銅原子の供給速度、あるいは(B)カルボン酸アミン塩による吸着能を変化させ、任意の形状及びサイズの銅粒子を得ることができる。
本実施形態の銅粒子の製造方法により得られる銅粒子は、(A)銅化合物が(B)カルボン酸アミン塩中で(C)還元性化合物により還元され、溶出した銅原子が凝集し、核形成、核成長し、(B)カルボン酸アミン塩で被覆された銅粒子が形成されると推察される。したがって、使用する(A)銅化合物、(B)カルボン酸アミン塩、(C)還元性化合物の種類、反応温度を適宜選択することによって、銅原子の供給速度、あるいは(B)カルボン酸アミン塩による吸着能を変化させ、任意の形状及びサイズの銅粒子を得ることができる。
本実施形態の銅粒子の製造方法により得られる銅粒子は、300℃未満の低温焼成が可能である。この銅粒子を用いた接合用ペーストは、接合層内部とフィレット部との焼結速度および焼結度に差がなく、接合信頼性の高い接合層を得ることができる。
上記銅粒子の平均粒子径は、接合層の緻密性の観点から、1~1000nmであってもよく、20~800nmであってもよく、30~500nmであってもよい。
なお、上記銅粒子の平均粒子径は、走査電子顕微鏡(例えば、日本電子(株)製、商品名:JSM-7600F;SEM)の観察画像に基づく任意に選択した10個の銅粒子(n=10)の平均値として算出する。なお、平均値は算術平均値であり、その算出にあたっては10個以上の銅粒子を用いてもよい。
なお、上記銅粒子の平均粒子径は、走査電子顕微鏡(例えば、日本電子(株)製、商品名:JSM-7600F;SEM)の観察画像に基づく任意に選択した10個の銅粒子(n=10)の平均値として算出する。なお、平均値は算術平均値であり、その算出にあたっては10個以上の銅粒子を用いてもよい。
<接合用ペースト>
本実施形態の接合用ペーストは、上述の銅粒子の製造方法によって得られる銅粒子を含む。したがって、本実施形態の接合用ペーストは、無加圧での接合が可能であり接着性に優れている。また、接合層内部とフィレット部との焼結速度および焼結度が均一であり、接合特性が良好な硬化物を得ることができる。このため、本実施形態の接合用ペーストは、素子接着用ダイアタッチペースト又は放熱部材接着用材料として使用できる。
本実施形態の接合用ペーストは、上述の銅粒子の製造方法によって得られる銅粒子を含む。したがって、本実施形態の接合用ペーストは、無加圧での接合が可能であり接着性に優れている。また、接合層内部とフィレット部との焼結速度および焼結度が均一であり、接合特性が良好な硬化物を得ることができる。このため、本実施形態の接合用ペーストは、素子接着用ダイアタッチペースト又は放熱部材接着用材料として使用できる。
本実施形態の接合用ペーストは、2つ以上の異なる平均粒子径の銅粒子を併用してもよい。例えば、第一の銅粒子の平均粒子径に対して、該第一の銅粒子よりも大きい平均粒子径を有する第二の銅粒子の平均粒子径は2~10倍程度であってもよい。また、第一の銅粒子の配合量に対して、第二の銅粒子の配合量は1.5~10倍程度であってもよい。
本実施形態の接合用ペーストは上述の銅粒子以外に、上述の銅粒子よりも粒径の大きい大粒径銅粒子、熱硬化性樹脂、有機溶剤、その他添加剤を含んでもよい。これにより、銅粒子の焼結収縮の影響を緩和し、さらに信頼性の高い接合層を形成することが可能
となる。
となる。
(大粒径銅粒子)
大粒径銅粒子は、平均粒子径が1μmよりも大きく30μm以下であってもよく、2~20μmであってもよい。また、形状は特に限定されず、球状、プレート型、フレーク状、鱗片状、樹枝状、ロッド状、ワイヤ状等が使用できる。
なお、上記大粒径銅粒子の平均粒子径は、レーザー回折散乱式粒度分布測定装置等を用いて測定することができる。
大粒径銅粒子は、平均粒子径が1μmよりも大きく30μm以下であってもよく、2~20μmであってもよい。また、形状は特に限定されず、球状、プレート型、フレーク状、鱗片状、樹枝状、ロッド状、ワイヤ状等が使用できる。
なお、上記大粒径銅粒子の平均粒子径は、レーザー回折散乱式粒度分布測定装置等を用いて測定することができる。
上記大粒径銅粒子は、滑材、防錆剤で処理されているものを使用してもよい。このような処理として典型的なものは、カルボン酸化合物による処理である。カルボン酸化合物は、例えば、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、カプロン酸、カプリル酸、オクチル酸、ノナン酸、カプリン酸、パルミチン酸、オレイン酸、ステアリン酸、イソステアリン酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸、スベリン酸、アゼライン酸、セバシン酸、ジグリコール酸、安息香酸、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、サリチル酸、没食子酸、グリコール酸、乳酸、タルトロン酸、リンゴ酸、グリセリン酸、ヒドロキシ酪酸、酒石酸、クエン酸、イソクエン酸などが挙げられる。カルボン酸化合物は、銅粒子との焼結性の観点から、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、カプロン酸、カプリル酸、オクチル酸、ノナン酸、カプリン酸、パルミチン酸、オレイン酸、ステアリン酸、イソステアリン酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸であってもよい。また、カルボン酸化合物は、銅粒子の分散性および耐酸化性の観点から、カプロン酸、カプリル酸、オクチル酸、ノナン酸、カプリン酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸であってもよい。
(熱硬化性樹脂)
熱硬化性樹脂は、一般に接着剤用途として使用される熱硬化性樹脂であれば特に限定されずに使用できる。熱硬化性樹脂は、液状樹脂でであってもよく、室温(25℃)で液状である樹脂であってもよい。上記熱硬化性樹脂としては、例えば、シアネート樹脂、エポキシ樹脂、ラジカル重合性のアクリル樹脂、マレイミド樹脂などが挙げられる。これらは単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
本実施形態の接合用ペーストが熱硬化性樹脂を含むことで、適度な粘度を有する接着材料(ペースト)とすることができる。また、本実施形態の接合用ペーストが熱硬化性樹脂を含むと、その硬化時の反応熱によって接合用ペーストの温度が上昇し、銅粒子の焼結性を促進させる。
熱硬化性樹脂は、一般に接着剤用途として使用される熱硬化性樹脂であれば特に限定されずに使用できる。熱硬化性樹脂は、液状樹脂でであってもよく、室温(25℃)で液状である樹脂であってもよい。上記熱硬化性樹脂としては、例えば、シアネート樹脂、エポキシ樹脂、ラジカル重合性のアクリル樹脂、マレイミド樹脂などが挙げられる。これらは単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
本実施形態の接合用ペーストが熱硬化性樹脂を含むことで、適度な粘度を有する接着材料(ペースト)とすることができる。また、本実施形態の接合用ペーストが熱硬化性樹脂を含むと、その硬化時の反応熱によって接合用ペーストの温度が上昇し、銅粒子の焼結性を促進させる。
シアネート樹脂は、分子内に-NCO基を有する化合物であり、加熱により-NCO基が反応することで3次元的網目構造を形成し、硬化する樹脂である。シアネート樹脂は、1,3-ジシアナトベンゼン、1,4-ジシアナトベンゼン、1,3,5-トリシアナトベンゼン、1,3-ジシアナトナフタレン、1,4-ジシアナトナフタレン、1,6-ジシアナトナフタレン、1,8-ジシアナトナフタレン、2,6-ジシアナトナフタレン、2,7-ジシアナトナフタレン、1,3,6-トリシアナトナフタレン、4,4’-ジシアナトビフェニル、ビス(4-シアナトフェニル)メタン、ビス(3,5-ジメチル-4-シアナトフェニル)メタン、2,2-ビス(4-シアナトフェニル)プロパン、2,2-ビス(3,5-ジブロモ-4-シアナトフェニル)プロパン、ビス(4-シアナトフェニル)エーテル、ビス(4-シアナトフェニル)チオエーテル、ビス(4-シアナトフェニル)スルホン、トリス(4-シアナトフェニル)ホスファイト、トリス(4-シアナトフェニル)ホスフェート、及びノボラック樹脂とハロゲン化シアンとの反応により得られるシアネート類などが挙げられる。また、シアネート樹脂は、これらの多官能シアネート樹脂のシアネート基を三量化することによって形成されるトリアジン環を有するプレポリマーも使用できる。該プレポリマーは、上記の多官能シアネート樹脂モノマーを、例えば、鉱酸、ルイス酸などの酸、ナトリウムアルコラート、第三級アミン類などの塩基、炭酸ナトリウムなどの塩類、を触媒として重合させることにより得られる。
シアネート樹脂の硬化促進剤としては、一般に公知のものが使用できる。例えば、オクチル酸亜鉛、オクチル酸錫、ナフテン酸コバルト、ナフテン酸亜鉛、アセチルアセトン鉄などの有機金属錯体、塩化アルミニウム、塩化錫、塩化亜鉛などの金属塩、トリエチルアミン、ジメチルベンジルアミンなどのアミン類が挙げられるが、これらに限定されるものではない。これらの硬化促進剤は1種又は2種以上混合して用いることができる。
エポキシ樹脂は、グリシジル基を分子内に1つ以上有する化合物であり、加熱によりグリシジル基が反応することで3次元的網目構造を形成し、硬化する樹脂である。グリシジル基は1分子に2つ以上含まれていてもよい。これはグリシジル基が1つの化合物のみでは反応させても十分な硬化物特性を示すことができないからである。グリシジル基を1分子に2つ以上含む化合物は、2つ以上の水酸基を有する化合物をエポキシ化して得ることができる。このような化合物としては、ビスフェノールA、ビスフェノールF、ビフェノールなどのビスフェノール化合物又はこれらの誘導体、水素添加ビスフェノールA、水素添加ビスフェノールF、水素添加ビフェノール、シクロヘキサンジオール、シクロヘキサンジメタノール、シクロヘキサンジエタノールなどの脂環構造を有するジオール又はこれらの誘導体、ブタンジオール、ヘキサンジオール、オクタンジオール、ノナンジオール、デカンジオールなどの脂肪族ジオール又はこれらの誘導体などをエポキシ化した2官能のもの、トリヒドロキシフェニルメタン骨格、アミノフェノール骨格を有する化合物などをエポキシ化した3官能のもの、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、ビフェニルアラルキル樹脂、ナフトールアラルキル樹脂などをエポキシ化した多官能のものなどが挙げられるが、これらに限定されるわけではない。また、上記エポキシ樹脂は、接合用ペーストとして室温(25℃)でペースト状とするため、単独で又は混合物として室温(25℃)で液状のものでもよい。通常行われるように反応性希釈剤を使用することも可能である。反応性希釈剤としては、フェニルグリシジルエーテル、クレジルグリシジルエーテルなどの1官能の芳香族グリシジルエーテル類、脂肪族グリシジルエーテル類などが挙げられる。
このとき、エポキシ樹脂を硬化させるために硬化剤を使用するが、エポキシ樹脂の硬化剤としては、例えば、脂肪族アミン、芳香族アミン、ジシアンジアミド、ジヒドラジド化合物、酸無水物、フェノール樹脂などが挙げられる。ジヒドラジド化合物としては、アジピン酸ジヒドラジド、ドデカン酸ジヒドラジド、イソフタル酸ジヒドラジド、p-オキシ安息香酸ジヒドラジドなどのカルボン酸ジヒドラジドなどが挙げられ、酸無水物としては、フタル酸無水物、テトラヒドロ無水フタル酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、エンドメチレンテトラヒドロフタル酸無水物、ドデセニルコハク酸無水物、無水マレイン酸とポリブタジエンの反応物、無水マレイン酸とスチレンの共重合体などが挙げられる。
さらに、硬化を促進するために硬化促進剤を配合でき、エポキシ樹脂の硬化促進剤としては、イミダゾール類、トリフェニルホスフィン又はテトラフェニルホスフィン及びそれらの塩類、ジアザビシクロウンデセンなどのアミン系化合物及びその塩類などが挙げられる。硬化促進剤は、2-メチルイミダゾール、2-エチルイミダゾール、2-フェニルイミダゾール、2-フェニル-4-メチルイミダゾール、2-フェニル-4-メチル-5-ヒドロキシメチルイミダゾール、2-フェニル-4,5-ジヒドロキシメチルイミダゾール、2-C11H23-イミダゾール、2-メチルイミダゾールと2,4-ジアミノ-6-ビニルトリアジンとの付加物などのイミダゾール化合物を用いてもよい。硬化促進剤の融点が180℃以上のイミダゾール化合物であってもよい。
ラジカル重合性のアクリル樹脂とは、分子内に(メタ)アクリロイル基を有する化合物であり、(メタ)アクリロイル基が反応することで3次元的網目構造を形成し、硬化する
樹脂である。(メタ)アクリロイル基は分子内に1つ以上含まれていてもよい。
樹脂である。(メタ)アクリロイル基は分子内に1つ以上含まれていてもよい。
ここで、アクリル樹脂としては、例えば、2-ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、2-ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレート、3-ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレート、2-ヒドロキシブチル(メタ)アクリレート、3-ヒドロキシブチル(メタ)アクリレート、4-ヒドロキシブチル(メタ)アクリレート、1,2-シクロヘキサンジオールモノ(メタ)アクリレート、1,3-シクロヘキサンジオールモノ(メタ)アクリレート、1,4-シクロヘキサンジオールモノ(メタ)アクリレート、1,2-シクロヘキサンジメタノールモノ(メタ)アクリレート、1,3-シクロヘキサンジメタノールモノ(メタ)アクリレート、1,4-シクロヘキサンジメタノールモノ(メタ)アクリレート、1,2-シクロヘキサンジエタノールモノ(メタ)アクリレート、1,3-シクロヘキサンジエタノールモノ(メタ)アクリレート、1,4-シクロヘキサンジエタノールモノ(メタ)アクリレート、グリセリンモノ(メタ)アクリレート、グリセリンジ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパンモノ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパンジ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールモノ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールジ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、ネオペンチルグリコールモノ(メタ)アクリレートなどの水酸基を有する(メタ)アクリレート及びこれら水酸基を有する(メタ)アクリレートとジカルボン酸又はその誘導体とを反応させて得られるカルボキシル基を有する(メタ)アクリレートなどが挙げられる。ここで使用可能なジカルボン酸としては、例えばシュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸、スベリン酸、アゼライン酸、セバシン酸、マレイン酸、フマル酸、フタル酸、テトラヒドロフタル酸、ヘキサヒドロフタル酸及びこれらの誘導体等が挙げられる。
また、アクリル樹脂としては、分子量が100~10000のポリエーテル、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリ(メタ)アクリレートで(メタ)アクリル基を有する化合物、ヒドロキシル基を有する(メタ)アクリレート、ヒドロキシル基を有する(メタ)アクリルアミド、等であってもよい。
マレイミド樹脂は、1分子内にマレイミド基を1つ以上含む化合物であり、加熱によりマレイミド基が反応することで3次元的網目構造を形成し、硬化する樹脂である。例えば、N,N’-(4,4’-ジフェニルメタン)ビスマレイミド、ビス(3-エチル-5-メチル-4-マレイミドフェニル)メタン、2,2-ビス[4-(4-マレイミドフェノキシ)フェニル]プロパンなどのビスマレイミド樹脂が挙げられる。マレイミド樹脂は、ダイマー酸ジアミンと無水マレイン酸の反応により得られる化合物、マレイミド酢酸、マレイミドカプロン酸といったマレイミド化アミノ酸とポリオールの反応により得られる化合物であってもよい。マレイミド化アミノ酸は、無水マレイン酸とアミノ酢酸又はアミノカプロン酸とを反応させることで得られる。ポリオールとしては、ポリエーテルポリオール、ポリエステルポリオール、ポリカーボネートポリオール、ポリ(メタ)アクリレートポリオールであってもよく、芳香族環を含まないものであってもよい。
ここで、熱硬化性樹脂を配合する場合は、上記銅粒子および大粒径銅粒子の総量を100質量部としたとき、1~20質量部となるように配合される。熱硬化性樹脂が1質量部以上であると熱硬化性樹脂による接着性を十分に得ることができ、熱硬化性樹脂が20質量部以下であると銅成分の割合が低下するのを制御し、高熱伝導性を十分に確保することができ、熱放散性を向上させることができる。また、有機成分が多くなり過ぎず、光及び熱による劣化を抑え、その結果、発光装置の寿命を高めることができる。このような配合範囲とすることで、熱硬化性樹脂の接着性能を利用して、銅粒子及び/又は大粒径銅粒子相互の接触を低減し、かつ、接着層全体の機械的強度を保持することが容易にできる。
(有機溶剤)
有機溶剤は、還元剤として機能する溶剤であれば公知の溶剤を用いることができる。
上記有機溶剤としては、アルコールであってもよく、例えば、脂肪族多価アルコールを挙げることができる。脂肪族多価アルコールとしては、例えば、エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロビレングリコール、1,4-ブタンジオール、グリセリン、ポリエチレングリコールなどのグリコール類などを挙げることができる。これらの有機溶剤は、単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
有機溶剤は、還元剤として機能する溶剤であれば公知の溶剤を用いることができる。
上記有機溶剤としては、アルコールであってもよく、例えば、脂肪族多価アルコールを挙げることができる。脂肪族多価アルコールとしては、例えば、エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロビレングリコール、1,4-ブタンジオール、グリセリン、ポリエチレングリコールなどのグリコール類などを挙げることができる。これらの有機溶剤は、単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
アルコールは、ペースト硬化(焼結)時の熱処理によって高温となり、還元力を増大させる。さらに、銅粒子中に一部存在している酸化銅及び金属基板上の酸化金属(例えば、酸化銅)がアルコールによって還元され、純粋な金属となる。その結果、接合用ペーストは、より緻密で導電性が高く、基板との密着性の高い硬化膜を形成する。また、半導体素子と金属基板に挟まれていることで、ペースト硬化時の熱処理中(沸点以上のペースト硬化温度)にアルコールが一部還流状態となり、より効率的に酸化金属が還元される。
有機溶剤の沸点は、具体的には、100~300℃であってもよく、150~290℃であってもよい。沸点が100℃以上であると、常温であっても揮発性が高くなり過ぎず、分散媒の揮発による還元能力の低下を制御することができ、安定した接着強度を得ることができる。また、沸点が300℃以下であると、硬化膜(導電膜)の焼結が生じやすく、緻密性に優れた膜を形成することができる。また、有機溶剤が揮発せず膜中に残存するのを制御することができる。
有機溶剤を配合する場合、その配合量は、上記銅粒子および大粒径銅粒子の総量を100質量部としたとき、7~20質量部であってもよい。7質量部以上であると粘度が高くなり過ぎず、作業性を向上させることができ、20質量部以下であると粘度低下が制御され、ペースト中の銅の沈下を制御し、信頼性を高めることができる。
本実施形態の接合用ペーストには、以上の各成分の他、この種の組成物に一般に配合される、硬化促進剤、ゴム、シリコーン等の低応力化剤、カップリング剤、消泡剤、界面活性剤、着色剤(顔料、染料)、各種重合禁止剤、酸化防止剤、溶剤、その他の各種添加剤を、必要に応じて配合することができる。これらの各添加剤はいずれも1種を使用してもよく、2種以上を混合して使用してもよい。
本実施形態の接合用ペーストは、上述した銅粒子、及び必要に応じて配合される大粒径銅粒子、熱硬化性樹脂、有機溶剤、カップリング剤等の添加剤等を十分に混合した後、さらにディスパース、ニーダー、3本ロールミル等により混練処理を行い、次いで、脱泡することにより、調製することができる。
本実施形態の接合用ペーストの粘度は、例えば、20~300Pa・sであってもよく、40~200Pa・sであってもよい。
また、本実施形態の接合用ペーストの接合強度は、25MPa以上であってもよく、30MPa以上であってもよい。
なお、上記粘度及び接合強度は、実施例に記載の方法により測定することができる。
また、本実施形態の接合用ペーストの接合強度は、25MPa以上であってもよく、30MPa以上であってもよい。
なお、上記粘度及び接合強度は、実施例に記載の方法により測定することができる。
このようにして得られる本実施形態の接合用ペーストは、高熱伝導性、熱放散性に優れる。そのため、素子または放熱部材の基板等への接合材料として使用すると、装置内部の熱の外部への放散性が改善され、製品特性を安定させることができる。
<半導体装置および電気・電子部品>
本実施形態の半導体装置および電気・電子部品は、上述の接合用ペーストを用いて接合されてなることから、信頼性に優れる。
本実施形態の半導体装置および電気・電子部品は、上述の接合用ペーストを用いて接合されてなることから、信頼性に優れる。
本実施形態の半導体装置は、上述の接合用ペーストを用いて、半導体素子を素子支持部材となる基板上に接着してなるものである。すなわち、ここで接合用ペーストはダイアタッチペーストとして使用され、このペーストを介して半導体素子と基板とが接着し、固定される。
ここで、半導体素子は、公知の半導体素子であればよく、例えば、トランジスタ、ダイオード等が挙げられる。さらに、この半導体素子としては、LED等の発光素子が挙げられる。また、発光素子の種類は特に制限されるものではなく、例えば、MOBVC法等によって基板上にInN、AlN、GaN、InGaN、AlGaN、InGaAlN等の窒化物半導体を発光層として形成させたものも挙げられる。
また、素子支持部材としては、銅、銅メッキ銅、PPF(プリプレーティングリードフレーム)、ガラスエポキシ、セラミックス等の材料で形成された支持部材が挙げられる。
また、素子支持部材としては、銅、銅メッキ銅、PPF(プリプレーティングリードフレーム)、ガラスエポキシ、セラミックス等の材料で形成された支持部材が挙げられる。
本実施形態の接合用ペーストは、金属メッキ処理されていない基材をも接合できる。このようにして得られた半導体装置は、実装後の温度サイクルに対する接続信頼性が従来品に比べて向上したものとなる。また、電気抵抗値が十分小さく経時変化が少ないため、長時間の駆動でも出力の経時的減少が少なく長寿命であるという利点がある。
また、本実施形態の電気・電子部品は、上記接合用ペーストを用いて、発熱部材に放熱部材を接着してなるものである。すなわち、ここで接合用ペーストは放熱部材接着用材料として使用され、該接合用ペーストを介して放熱部材と発熱部材とが接着し、固定される。
発熱部材としては、上記半導体素子又は該半導体素子を有する部材でもよいし、それ以外の発熱部材でもよい。半導体素子以外の発熱部材としては、光ピックアップ、パワートランジスタ等が挙げられる。また、放熱部材としては、ヒートシンク、ヒートスプレッダー等が挙げられる。
このように、発熱部材に上記接合用ペーストを用いて放熱部材を接着することで、発熱部材で発生した熱を放熱部材から効率良く外部へ放出することが可能となり、発熱部材の温度上昇を抑えることができる。なお、発熱部材と放熱部材とは、接合用ペーストを介して直接接着してもよいし、他の熱伝導率の高い部材を間に挟んで間接的に接着してもよい。
次に実施例により、本開示を具体的に説明するが、本開示は、これらの例によってなんら限定されるものではない。
(カルボン酸アミン塩の調製)
[調製例1]
ノナン酸(東京化成工業(株)製、商品名:ノナン酸)40mmolと、ヘキシルアミン(東京化成工業(株)製、商品名:ヘキシルアミン)40mmolを、50mLのサンプルビンに入れ、アルミブロック式加熱撹拌機中、撹拌・混合すると、60℃まで発熱した。続けて60℃で15分間撹拌・混合し、室温(25℃)まで冷却することで、ノナン酸ヘキシルアミン塩(収量10.3g、収率99.2%)を得た。
[調製例1]
ノナン酸(東京化成工業(株)製、商品名:ノナン酸)40mmolと、ヘキシルアミン(東京化成工業(株)製、商品名:ヘキシルアミン)40mmolを、50mLのサンプルビンに入れ、アルミブロック式加熱撹拌機中、撹拌・混合すると、60℃まで発熱した。続けて60℃で15分間撹拌・混合し、室温(25℃)まで冷却することで、ノナン酸ヘキシルアミン塩(収量10.3g、収率99.2%)を得た。
[調製例2]
コハク酸(東京化成工業(株)製、商品名:コハク酸)20mmolと、DL-1-アミノ-2-プロパノール(東京化成工業(株)製、商品名:DL-1-アミノ-2-プロパノール)40mmolを、50mLのサンプルビンに入れ、アルミブロック式加熱撹拌機中、撹拌・混合すると、70℃まで発熱した。続けて70℃で15分間撹拌・混合し、室温(25℃)まで冷却することで、コハク酸アミノプロパノール塩(収量5.0g、収率99.9%)を得た。
コハク酸(東京化成工業(株)製、商品名:コハク酸)20mmolと、DL-1-アミノ-2-プロパノール(東京化成工業(株)製、商品名:DL-1-アミノ-2-プロパノール)40mmolを、50mLのサンプルビンに入れ、アルミブロック式加熱撹拌機中、撹拌・混合すると、70℃まで発熱した。続けて70℃で15分間撹拌・混合し、室温(25℃)まで冷却することで、コハク酸アミノプロパノール塩(収量5.0g、収率99.9%)を得た。
(銅粒子の製造)
[合成例1]
(A)銅化合物として酢酸銅(II)一水和物(東京化成工業(株)製、商品名:酢酸銅(II)一水和物)20mmolと、(B)カルボン酸アミン塩として調製例1で得たノナン酸ヘキシルアミン塩40mmolと、有機溶剤としてブチルセロソルブ(東京化成工業(株)製)3mLとを50mLのサンプルビンに入れ、アルミブロック式加熱撹拌機中、90℃で5分間混合し、銅前駆体溶液とした。該銅前駆体溶液を室温(25℃)まで冷却した後、1-プロパノール3mLに、(C)還元性化合物としてヒドラジン一水和物(富士フイルム和光純薬(株)製、商品名:ヒドラジン一水和物)20mmolを溶解させた溶液を、サンプルビンの銅前駆体溶液に加え、5分間撹拌した。
[合成例1]
(A)銅化合物として酢酸銅(II)一水和物(東京化成工業(株)製、商品名:酢酸銅(II)一水和物)20mmolと、(B)カルボン酸アミン塩として調製例1で得たノナン酸ヘキシルアミン塩40mmolと、有機溶剤としてブチルセロソルブ(東京化成工業(株)製)3mLとを50mLのサンプルビンに入れ、アルミブロック式加熱撹拌機中、90℃で5分間混合し、銅前駆体溶液とした。該銅前駆体溶液を室温(25℃)まで冷却した後、1-プロパノール3mLに、(C)還元性化合物としてヒドラジン一水和物(富士フイルム和光純薬(株)製、商品名:ヒドラジン一水和物)20mmolを溶解させた溶液を、サンプルビンの銅前駆体溶液に加え、5分間撹拌した。
再び90℃のアルミブロック式加熱撹拌機で2時間加熱撹拌した。5分後エタノール(関東化学(株)製、特級)2mLを加え、遠心分離(4000rpm(1分間))により、固体物を得た。その遠心分離した固体物を減圧乾燥し、銅光沢をもつ粉体状の銅粒子1(平均粒子径50nm、収量0.31g、収率97.8%)を得た。
[合成例2]
酢酸銅(II)一水和物を亜酸化銅(古河ケミカルズ(株)製、商品名:FRC-10A)に、ノナン酸ヘキシルアミン塩を調製例2で得たコハク酸アミノプロパノール塩に代えた以外は合成例1と同様に合成を行い、銅光沢をもつ粉体状の銅粒子2(平均粒子径300nm、収量0.2g、収率97.6%)を得た。
酢酸銅(II)一水和物を亜酸化銅(古河ケミカルズ(株)製、商品名:FRC-10A)に、ノナン酸ヘキシルアミン塩を調製例2で得たコハク酸アミノプロパノール塩に代えた以外は合成例1と同様に合成を行い、銅光沢をもつ粉体状の銅粒子2(平均粒子径300nm、収量0.2g、収率97.6%)を得た。
[合成例3]
(A)銅化合物として酢酸銅(II)一水和物(東京化成工業(株)製、商品名:酢酸銅(II)一水和物)20mmolと、(B)カルボン酸アミン塩として調製例1で得たノナン酸ヘキシルアミン塩40mmolと、有機溶剤としてブチルセロソルブ(東京化成工業(株)製)3mLとを50mLのサンプルビンに入れ、アルミブロック式加熱撹拌機中、90℃で5分間混合し、その後、(D)炭素数1~12のカルボン酸としてカプロン酸(東京化成工業(株)製、商品名:ヘキサン酸)20mmolを加え、さらに90℃で5分混合し、銅前駆体溶液とした。該銅前駆体溶液を室温(25℃)まで冷却した後、1-プロパノール3mLに、(C)還元性化合物としてヒドラジン一水和物(富士フイルム和光純薬(株)製、商品名:ヒドラジン一水和物)20mmolを溶解させた溶液を、サンプルビンの銅前駆体溶液に加え、5分間撹拌した。
(A)銅化合物として酢酸銅(II)一水和物(東京化成工業(株)製、商品名:酢酸銅(II)一水和物)20mmolと、(B)カルボン酸アミン塩として調製例1で得たノナン酸ヘキシルアミン塩40mmolと、有機溶剤としてブチルセロソルブ(東京化成工業(株)製)3mLとを50mLのサンプルビンに入れ、アルミブロック式加熱撹拌機中、90℃で5分間混合し、その後、(D)炭素数1~12のカルボン酸としてカプロン酸(東京化成工業(株)製、商品名:ヘキサン酸)20mmolを加え、さらに90℃で5分混合し、銅前駆体溶液とした。該銅前駆体溶液を室温(25℃)まで冷却した後、1-プロパノール3mLに、(C)還元性化合物としてヒドラジン一水和物(富士フイルム和光純薬(株)製、商品名:ヒドラジン一水和物)20mmolを溶解させた溶液を、サンプルビンの銅前駆体溶液に加え、5分間撹拌した。
再び90℃のアルミブロック式加熱撹拌機で2時間加熱撹拌した。5分後エタノール(関東化学(株)製、特級)2mLを加え、遠心分離(4000rpm(1分間))により、固体物を得た。その遠心分離した固体物を減圧乾燥し、銅光沢をもつ粉体状の銅粒子3(平均粒子径40nm、収量0.30g、収率94.3%)を得た。
[合成例4]
カプロン酸の代わりに(E)炭素数1~12のアルキルアミンとしてオクチルアミン(東京化成工業(株)製、商品名:n-オクチルアミン)20mmolを用いた以外は合成例3と同様に合成を行い、銅光沢をもつ粉体状の銅粒子4(平均粒子径100nm、収量0.29g、収率91.2%)を得た。
カプロン酸の代わりに(E)炭素数1~12のアルキルアミンとしてオクチルアミン(東京化成工業(株)製、商品名:n-オクチルアミン)20mmolを用いた以外は合成例3と同様に合成を行い、銅光沢をもつ粉体状の銅粒子4(平均粒子径100nm、収量0.29g、収率91.2%)を得た。
[合成例5]
ノナン酸ヘキシルアミン塩を使用しない以外は合成例3と同様に合成を行い、銅光沢をもつ粉体状の銅粒子5(平均粒子径150nm、収量0.30g、収率94.3%)を得た。
ノナン酸ヘキシルアミン塩を使用しない以外は合成例3と同様に合成を行い、銅光沢をもつ粉体状の銅粒子5(平均粒子径150nm、収量0.30g、収率94.3%)を得た。
[合成例6]
ノナン酸ヘキシルアミン塩を使用しない以外は合成例4と同様に合成を行い、銅光沢をもつ粉体状の銅粒子6(平均粒子径180nm、収量0.29g、収率91.2%)を得た。
ノナン酸ヘキシルアミン塩を使用しない以外は合成例4と同様に合成を行い、銅光沢をもつ粉体状の銅粒子6(平均粒子径180nm、収量0.29g、収率91.2%)を得た。
なお、各合成例で得られた銅粒子の平均粒子径は、走査電子顕微鏡(日本電子(株)製、商品名:JSM-7600F;SEM)の観察画像に基づく任意に選択した10個の銅粒子(n=10)の平均値として算出した。
前記合成例1~6で用いた各成分について表1に示す。なお、表1中、空欄は配合なしを表す。
(実施例1~4及び比較例1、2)
表2に記載の種類及び配合量の各成分を混合し、ロールで混練し、接合用ペーストを得た。なお、表2中、空欄は配合なしを表す。
表2に記載の種類及び配合量の各成分を混合し、ロールで混練し、接合用ペーストを得た。なお、表2中、空欄は配合なしを表す。
接合用ペーストの調製に使用した表2に記載の各成分の詳細は以下のとおりである。
(銅粒子)
・銅粒子1:合成例1で得られた銅粒子
・銅粒子2:合成例2で得られた銅粒子
・銅粒子3:合成例3で得られた銅粒子
・銅粒子4:合成例4で得られた銅粒子
・銅粒子5:合成例5で得られた銅粒子
・銅粒子6:合成例6で得られた銅粒子
(有機溶剤)
・ジエチレングリコール:東京化成工業(株)製
(銅粒子)
・銅粒子1:合成例1で得られた銅粒子
・銅粒子2:合成例2で得られた銅粒子
・銅粒子3:合成例3で得られた銅粒子
・銅粒子4:合成例4で得られた銅粒子
・銅粒子5:合成例5で得られた銅粒子
・銅粒子6:合成例6で得られた銅粒子
(有機溶剤)
・ジエチレングリコール:東京化成工業(株)製
各実施例及び比較例で得られた接合用ペーストを用いて以下の方法で評価した。その結果を表2に示す。
<接合用ペーストの評価方法>
[粘度]
E型粘度計(東機産業(株)製、製品名:VISCOMETER-TV22、適用コーンプレート型ロータ:3°×R17.65)を用いて、25℃、5rpmでの値を測定した。
<接合用ペーストの評価方法>
[粘度]
E型粘度計(東機産業(株)製、製品名:VISCOMETER-TV22、適用コーンプレート型ロータ:3°×R17.65)を用いて、25℃、5rpmでの値を測定した。
[ポットライフ]
25℃の恒温槽内に接合用ペーストを放置した時の粘度が初期粘度の0.7倍以上増粘するまでの日数を測定した。
25℃の恒温槽内に接合用ペーストを放置した時の粘度が初期粘度の0.7倍以上増粘するまでの日数を測定した。
[焼結性(塗膜)]
接合用ペーストを、ガラス基板(厚み1mm)にスクリーン印刷法により厚み25μmとなるように塗布し、200℃、60分間で硬化した。得られた焼結膜をロレスタGP(商品名、(株)三菱ケミカルアナリティック製)を用い四端針法にて電気抵抗を測定した。
1.0×10-4Ω・m以下をA、1.0×10-4Ω・mを超えるものをCとした。
接合用ペーストを、ガラス基板(厚み1mm)にスクリーン印刷法により厚み25μmとなるように塗布し、200℃、60分間で硬化した。得られた焼結膜をロレスタGP(商品名、(株)三菱ケミカルアナリティック製)を用い四端針法にて電気抵抗を測定した。
1.0×10-4Ω・m以下をA、1.0×10-4Ω・mを超えるものをCとした。
<半導体装置の評価方法>
[接合強度]
2mm×2mmの接合面に金蒸着層を設けたシリコンチップを、接合用ペーストを用いて無垢の銅フレーム及びPPF(Ni-Pd/Auめっきした銅フレーム)にマウントし、窒素(3%水素)雰囲気下、200℃、60分間で硬化した。硬化後及び吸湿処理(85℃、相対湿度85%、72時間)後、それぞれについてDAGE 4000Plus(製品名、ノードソン(株)製)を用い、室温(25℃)におけるダイシェア強度を測定した。
[接合強度]
2mm×2mmの接合面に金蒸着層を設けたシリコンチップを、接合用ペーストを用いて無垢の銅フレーム及びPPF(Ni-Pd/Auめっきした銅フレーム)にマウントし、窒素(3%水素)雰囲気下、200℃、60分間で硬化した。硬化後及び吸湿処理(85℃、相対湿度85%、72時間)後、それぞれについてDAGE 4000Plus(製品名、ノードソン(株)製)を用い、室温(25℃)におけるダイシェア強度を測定した。
[耐冷熱衝撃性]
2mm×2mmの接合面に金蒸着層を設けたシリコンチップを、接合用ペーストを用いて銅フレーム及びPPFにマウントし、窒素(3%水素)雰囲気下、200℃、60分間で硬化した。これを京セラ(株)製、エポキシ封止材(商品名:KE-G3000D)を用い、下記の条件で成形したパッケージを85℃、相対湿度85%、168時間吸湿処理した後、IRリフロー処理(260℃、10秒)及び冷熱サイクル処理(-55℃から150℃まで昇温し、また-55℃に冷却する操作を1サイクルとし、これを1000サイクル)を行い、各処理後それぞれのパッケージの内部クラックの発生数を超音波顕微鏡((株)日立パワーソリューション製、商品名:FineSAT)で観察した。
なお、表2に5個のサンプルについてクラックの発生したサンプル数を示す。
2mm×2mmの接合面に金蒸着層を設けたシリコンチップを、接合用ペーストを用いて銅フレーム及びPPFにマウントし、窒素(3%水素)雰囲気下、200℃、60分間で硬化した。これを京セラ(株)製、エポキシ封止材(商品名:KE-G3000D)を用い、下記の条件で成形したパッケージを85℃、相対湿度85%、168時間吸湿処理した後、IRリフロー処理(260℃、10秒)及び冷熱サイクル処理(-55℃から150℃まで昇温し、また-55℃に冷却する操作を1サイクルとし、これを1000サイクル)を行い、各処理後それぞれのパッケージの内部クラックの発生数を超音波顕微鏡((株)日立パワーソリューション製、商品名:FineSAT)で観察した。
なお、表2に5個のサンプルについてクラックの発生したサンプル数を示す。
(成形条件)
パッケージ:80pQFP(14mm×20mm×2mm厚さ)
チップ:裏面金メッキシリコンチップ
リードフレーム:PPF及び銅
封止材の成形:175℃、2分間
ポストモールドキュアー:175℃、8時間
パッケージ:80pQFP(14mm×20mm×2mm厚さ)
チップ:裏面金メッキシリコンチップ
リードフレーム:PPF及び銅
封止材の成形:175℃、2分間
ポストモールドキュアー:175℃、8時間
以上の結果より、本開示の、カルボン酸アミン塩存在下で還元する製造方法で得られる銅粒子を含む接合用ペーストは、塗膜状態、接合状態ともに高い焼結性が得られている。
一方、比較例で示すように、カルボン酸アミン塩を含まない場合は、塗膜状態においては高い焼結性を示すものの、接合状態においては焼結性に乏しいことがわかった。
また、本開示の銅粒子の製造方法によって得られる銅粒子を含む接合用ペーストは、高い接合信頼性が得られることがわかった。したがって、該接合用ペーストを用いることにより信頼性に優れた半導体装置及び電気電子機器を得ることができる。
一方、比較例で示すように、カルボン酸アミン塩を含まない場合は、塗膜状態においては高い焼結性を示すものの、接合状態においては焼結性に乏しいことがわかった。
また、本開示の銅粒子の製造方法によって得られる銅粒子を含む接合用ペーストは、高い接合信頼性が得られることがわかった。したがって、該接合用ペーストを用いることにより信頼性に優れた半導体装置及び電気電子機器を得ることができる。
Claims (8)
- (A)銅化合物を、(B)カルボン酸アミン塩存在下、(C)還元性化合物によって還元する銅粒子の製造方法。
- 前記(B)カルボン酸アミン塩を構成するカルボン酸化合物の熱分解温度が200℃以下である請求項1に記載の銅粒子の製造方法。
- さらに、(D)炭素数1~12のカルボン酸を含む請求項1または2に記載の銅粒子の製造方法。
- 前記(D)炭素数1~12のカルボン酸がモノカルボン酸である請求項3に記載の銅粒子の製造方法。
- さらに、(E)炭素数1~12のアルキルアミンを含む請求項1~4のいずれかに記載の銅粒子の製造方法。
- 請求項1~5のいずれかに記載の製造方法によって得られる銅粒子を含む接合用ペースト。
- 請求項6に記載の接合用ペーストを用いて接合されてなる半導体装置。
- 請求項6に記載の接合用ペーストを用いて接合されてなる電気・電子部品。
Applications Claiming Priority (2)
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JP2018163616A JP7129043B2 (ja) | 2018-08-31 | 2018-08-31 | 接合用銅粒子の製造方法、接合用ペーストおよび半導体装置並びに電気・電子部品 |
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JP2016003343A (ja) * | 2014-06-13 | 2016-01-12 | Jsr株式会社 | 銀膜形成用組成物、銀膜、配線基板、電子機器および銀粒子の製造方法 |
JP2016033260A (ja) * | 2015-09-18 | 2016-03-10 | 国立大学法人山形大学 | 複合化合物、及び懸濁液 |
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- 2019-08-06 WO PCT/JP2019/030831 patent/WO2020044982A1/ja active Application Filing
- 2019-08-12 TW TW108128561A patent/TW202014259A/zh unknown
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