WO2019148792A1 - 智能型存储器装置中固件自我修复方法 - Google Patents

智能型存储器装置中固件自我修复方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2019148792A1
WO2019148792A1 PCT/CN2018/099739 CN2018099739W WO2019148792A1 WO 2019148792 A1 WO2019148792 A1 WO 2019148792A1 CN 2018099739 W CN2018099739 W CN 2018099739W WO 2019148792 A1 WO2019148792 A1 WO 2019148792A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
firmware
data
self
memory device
process proceeds
Prior art date
Application number
PCT/CN2018/099739
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
许豪江
李庭育
黄中柱
魏智汎
Original Assignee
江苏华存电子科技有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 江苏华存电子科技有限公司 filed Critical 江苏华存电子科技有限公司
Publication of WO2019148792A1 publication Critical patent/WO2019148792A1/zh

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/04—Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
    • G11C29/08—Functional testing, e.g. testing during refresh, power-on self testing [POST] or distributed testing
    • G11C29/12—Built-in arrangements for testing, e.g. built-in self testing [BIST] or interconnection details
    • G11C29/44—Indication or identification of errors, e.g. for repair
    • G11C29/4401—Indication or identification of errors, e.g. for repair for self repair

Definitions

  • the present invention relates to the field of firmware repair in memory.
  • the firmware is a piece of software designed to manipulate a wide variety of functions in the master chip of a smart memory device (mainly flash memory).
  • the first loaded firmware after the power is turned on will affect whether the entire device can operate normally. Since the memory device can only read the memory device, the official firmware is placed in the flash memory, so the reliability of the data stored in the flash memory is very important. However, as the manufacturing process increases, the more advanced the process, the flash memory will generate the wrong bits, resulting in data errors.
  • the flash memory is composed of a plurality of blocks, each block is composed of a plurality of pages, and each page is composed of a plurality of sectors.
  • a firmware self-repair method in an intelligent memory device which writes firmware into two different blocks in a smart memory device, remembers each other's location information, and when one of the data is damaged, repairs the data error with the correct firmware of the data.
  • Firmware
  • the method comprises:
  • Step S1 searching and checking the first firmware; if the data is incorrect or not found, the process proceeds to step S2, and when the data is correct, the process proceeds to step S3;
  • Step S2 searching for and checking the second firmware, if the data is incorrect or not found, the startup fails, and when the data is correct, the process proceeds to step S4;
  • Step S3 checking the second firmware, if the data is wrong, the process proceeds to step S4, and the data is normal when the data is correct;
  • Step S4 when the data of the first firmware is incorrect or not found, the storage location of the first firmware is erased by the location information of the first firmware in the second firmware, and the data information of the second firmware is deleted. Stored in the first firmware block and then run normally;
  • the storage location of the second firmware is erased by the location information of the second firmware in the first firmware, and the data information of the first firmware is stored in the second firmware.
  • the memory block is then running normally.
  • the smart memory device is a flash memory.
  • the invention has the beneficial effects that the present invention increases the life of the product by writing the firmware into two different blocks, and when one of the data is damaged, the correct firmware is used to repair the data error firmware. Compared with the traditional method, only a small amount of firmware data needs to be backed up to achieve firmware protection and toughness.
  • Figure 1 is a structural diagram of a flash memory
  • FIG. 2 is a flow chart of a firmware self-repair method of the present invention.

Landscapes

  • Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)

Abstract

本发明公开了一种智能型存储器装置中固件自我修复方法，将固件写入智能型存储器装置中两个不同的块内，互相记住对方的位置信息，当其中一方数据损坏，利用数据正确的固件修复数据错误的固件。可以修正错误的固件，使其恢复正常的数据。

Description

智能型存储器装置中固件自我修复方法 技术领域
本发明涉及存储器中固件修复领域。
背景技术
固件为一个软件，目的是操控智能型存储器装置(主要为闪存)主控芯片中的各式各样功能。当电源起动后第一个加载的固件，会影响到整个装置是否能正常运作。由于闪存芯片内都是只能读取存储器装置，所以正式的固件会放在闪存内，因此闪存保存数据的可靠性非常重要。但是随者制造工艺提升，越先进的工艺，闪存运作时会产生错误的比特，导致数据错误。如图1所示闪存由多个块组成，每个块由多个页组合而成，每个页由多个扇形组合而成。当固件被写入闪存页后，频繁的被读取，导致闪存内的数据损坏。
以往为了保护固件，会在闪存内写入多个固件，以防止固件数据损坏。当写入过多的固件备份时，会影响到闪存使用量，而且这些固件都损坏时，整个装置会无法启动。
发明内容
本发明的目的在于提供一种智能型存储器装置中固件自我修复方法，可以修正错误的固件，使其恢复正常的数据。
实现上述目的的技术方案是：
一种智能型存储器装置中固件自我修复方法，将固件写入智能型存储器装置中两个不同的块内，互相记住对方的位置信息，当其中一方数据损坏，利用数据正确的固件修复数据错误的固件。
优选的，包括：
步骤S1，搜寻并检查第一份固件，数据错误或未搜寻到时进入步骤S2，数据正确时进入步骤S3；
步骤S2，搜寻并检查第二份固件，数据错误或未搜寻到时启动失败，数据正确时进入步骤S4；
步骤S3，检查第二份固件，数据错误时进入步骤S4，数据正确时正常运营；
步骤S4，当第一份固件的数据错误或未搜寻到时，通过第二份固件中第一份固件的位置信息，抹除存放第一份固件的存储块，将第二份固件的数据信息存入第一份固件的存储块中，然后正常运行；
当第二份固件的数据错误时，通过第一份固件中第二份固件的位置信息，抹除存放第二份固件的存储块，将第一份固件的数据信息存入第二份固件的存储块中，然后正常运行。
优选的，智能型存储器装置为闪存。
本发明的有益效果是：本发明通过将固件写入两个不同的块内，当其中一方数据损坏，利用数据正确的固件修复数据错误的固件，藉此增加产品的寿命。和传统方式相比，只需要备份少量的固件数据即可达成固件的保护和强韧性。
附图说明
图1是闪存的结构图；
图2是本发明的固件自我修复方法的流程图。
具体实施方式
下面将结合附图对本发明作进一步说明。
本发明的智能型存储器装置中固件自我修复方法，将固件写入智能型存储器装置中两个不同的块内，互相记住对方的位置信息，当其中一方数据损坏，利用数据正确的固件修复数据错误的固件。智能型存储器装置优选为闪存。
具体地，请参阅图2，固件自我修复方法包括下列步骤：
步骤S1，搜寻并检查第一份固件，数据错误或未搜寻到时进入步骤S2，数据正确时进入步骤S3。
步骤S2，搜寻并检查第二份固件，数据错误或未搜寻到时启动失败，数据正确时进入步骤S4。
步骤S3，检查第二份固件，数据错误时进入步骤S4，数据正确时正常运营。
步骤S4，当第一份固件的数据错误或未搜寻到时，通过第二份固件中第一份固件的位置信息，抹除存放第一份固件的存储块，将第二份固件的数据信息存入第一份固件的存储块中，然后正常运行。
当第二份固件的数据错误时，通过第一份固件中第二份固件的位置信息，抹除存放第二份固件的存储块，将第一份固件的数据信息存入第二份固件的存储块中，然后正常运行。
经过修复后，下一次电源开启时，就可以找到第一份的固件数据。利用此方法两个固件数据自我修复，藉此增加产品的寿命。
以上实施例仅供说明本发明之用，而非对本发明的限制，有关技术领域的技术人员，在不脱离本发明的精神和范围的情况下，还可以作出各种变换或变型，因此所有等同的技术方案也应该属于本发明的范畴，应由各权利要求所限定。

Claims (3)

  1. 一种智能型存储器装置中固件自我修复方法，其特征在于，将固件写入智能型存储器装置中两个不同的块内，互相记住对方的位置信息，当其中一方数据损坏，利用数据正确的固件修复数据错误的固件。
  2. 根据权利要求1所述的智能型存储器装置中固件自我修复方法，其特征在于，包括：
    步骤S1，搜寻并检查第一份固件，数据错误或未搜寻到时进入步骤S2，数据正确时进入步骤S3；
    步骤S2，搜寻并检查第二份固件，数据错误或未搜寻到时启动失败，数据正确时进入步骤S4；
    步骤S3，检查第二份固件，数据错误时进入步骤S4，数据正确时正常运营；
    步骤S4，当第一份固件的数据错误或未搜寻到时，通过第二份固件中第一份固件的位置信息，抹除存放第一份固件的存储块，将第二份固件的数据信息存入第一份固件的存储块中，然后正常运行；
    当第二份固件的数据错误时，通过第一份固件中第二份固件的位置信息，抹除存放第二份固件的存储块，将第一份固件的数据信息存入第二份固件的存储块中，然后正常运行。
  3. 根据权利要求1或2所述的智能型存储器装置中固件自我修复方法，其特征在于，智能型存储器装置为闪存。
PCT/CN2018/099739 2018-01-30 2018-08-09 智能型存储器装置中固件自我修复方法 WO2019148792A1 (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810088576.6A CN108053861A (zh) 2018-01-30 2018-01-30 智能型存储器装置中固件自我修复方法
CN201810088576.6 2018-01-30

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2019148792A1 true WO2019148792A1 (zh) 2019-08-08

Family

ID=62125121

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/CN2018/099739 WO2019148792A1 (zh) 2018-01-30 2018-08-09 智能型存储器装置中固件自我修复方法

Country Status (2)

Country Link
CN (1) CN108053861A (zh)
WO (1) WO2019148792A1 (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108053861A (zh) * 2018-01-30 2018-05-18 江苏华存电子科技有限公司 智能型存储器装置中固件自我修复方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103425549A (zh) * 2012-05-22 2013-12-04 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 嵌入式控制器的固件管理方法及系统
US20150067421A1 (en) * 2013-08-29 2015-03-05 Cleversafe, Inc. Dispersed storage with variable slice length and methods for use therewith
CN105550064A (zh) * 2015-12-04 2016-05-04 广州中海达定位技术有限公司 基于gnss接收机的存储器固件双重备份方法及装置
CN106021003A (zh) * 2016-05-05 2016-10-12 捷开通讯(深圳)有限公司 智能终端的修复方法、智能终端以及服务器
CN108053861A (zh) * 2018-01-30 2018-05-18 江苏华存电子科技有限公司 智能型存储器装置中固件自我修复方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1728102A (zh) * 2004-07-26 2006-02-01 明基电通股份有限公司 固件管理系统及方法
CN102298545B (zh) * 2011-08-23 2014-03-19 晨星软件研发(深圳)有限公司 一种系统启动引导处理方法及装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103425549A (zh) * 2012-05-22 2013-12-04 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 嵌入式控制器的固件管理方法及系统
US20150067421A1 (en) * 2013-08-29 2015-03-05 Cleversafe, Inc. Dispersed storage with variable slice length and methods for use therewith
CN105550064A (zh) * 2015-12-04 2016-05-04 广州中海达定位技术有限公司 基于gnss接收机的存储器固件双重备份方法及装置
CN106021003A (zh) * 2016-05-05 2016-10-12 捷开通讯(深圳)有限公司 智能终端的修复方法、智能终端以及服务器
CN108053861A (zh) * 2018-01-30 2018-05-18 江苏华存电子科技有限公司 智能型存储器装置中固件自我修复方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN108053861A (zh) 2018-05-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5675954B2 (ja) メタデータタグを介した不規則なパリティ分布の検出
TWI564715B (zh) 用於非揮發性記憶體系統之交錯序列計數器
US8892981B2 (en) Data recovery using outer codewords stored in volatile memory
TWI490876B (zh) 系統啟動引導處理方法及裝置
US9817725B2 (en) Flash memory controller, data storage device, and flash memory control method with volatile storage restoration
US8645776B2 (en) Run-time testing of memory locations in a non-volatile memory
US10546649B2 (en) Post package repair for mapping to a memory failure pattern
US8560925B2 (en) System and method for handling bad bit errors
US10468118B2 (en) DRAM row sparing
US20110239064A1 (en) Management of a non-volatile memory based on test quality
TWI512742B (zh) 非揮發性快閃記憶體擦除異常存儲塊修復方法和裝置
CN101427323A (zh) 读取非易失性计算机存储器的系统和方法
WO2017008501A1 (zh) 一种nand闪存出现ecc无法纠错时的数据恢复方法
CN101000569A (zh) 一种对多重扇区进行错误修正编码的方法
TWI486957B (zh) Ｎａｎｄ快閃記憶體燒錄資料的處理、使用方法及裝置、運行系統
US9754682B2 (en) Implementing enhanced performance with read before write to phase change memory
WO2019148792A1 (zh) 智能型存储器装置中固件自我修复方法
CN101187879B (zh) 电子系统及其数据处理方法
US20190391874A1 (en) Memory storage apparatus with dynamic data repair mechanism and method of dynamic data repair thereof
CN104598330A (zh) 基于双备份的数据保存和校验方法
WO2008022568A1 (fr) Structure de stockage à grande fiabilité de secteur de gestion de triage
US20190171534A1 (en) Method of error correction in a flash memory
US20220254435A1 (en) Semiconductor storage device and error processing method for defective memory cell in the device
CN113254260A (zh) 一种纠正闪存写入错误的快速处理方法
US20070271485A1 (en) Method and Device for Error Detection for a Cache Memory and Corresponding Cache Memory

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 18903820

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 18903820

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1