WO2019127752A1 - 制造液晶显示面板的方法 - Google Patents

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liquid crystal
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Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
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    • G02F1/133357—Planarisation layers

Definitions

  • the present invention relates to the field of display technology, and more particularly to a method of manufacturing a liquid crystal display panel.
  • TFT-LCD thin film transistor liquid crystal display device
  • Liquid crystal display technologies in which electrodes are disposed differently depending on the orientation of the liquid crystal include high vertical alignment (HVA) technology, planar conversion (IPS) technology, and polymer stable vertical alignment (PSVA).
  • HVA high vertical alignment
  • IPS planar conversion
  • PSVA polymer stable vertical alignment
  • Fig. 1 schematically shows an exploded view of a prior art liquid crystal display panel.
  • a liquid crystal display panel 100 may include a color filter substrate 10, an array substrate 20, and a liquid crystal layer 30 between the color filter substrate 10 and the array substrate 20.
  • the color filter substrate 10 since there is a gate line at a position of 1 and a data line at a position of 2, a convex structure exists at the 1 position and the 2 position.
  • the corresponding position of the color filter film also has a convex structure, which causes a difference in position between the 1 position and the 2 position having the convex structure and the position where the edge is not convex, so that the liquid crystal 30 will have a difference in orientation at these two positions, which in turn causes problems such as light leakage, color shift, and the like at the edge position of the bump.
  • the thickness of the blue color filter film is higher than that of the red color filter film and the green color filter
  • the thickness of the film which also causes a difference in layer between the different color filter films.
  • FIG. 2 shows a color filter substrate having a planarization layer thereon in accordance with the prior art.
  • the color filter substrate 10 on which the planarization layer 40 is disposed as shown in FIG. 2 can improve the alignment effect of the liquid crystal 30 and ultimately reduce light leakage caused by the abnormal deflection of the liquid crystal 30, the process of the liquid crystal display panel is increased.
  • a preparation process of the planarization layer 40 is produced, thereby increasing the cost burden and is not conducive to large-scale production.
  • Exemplary embodiments of the inventive concept provide a method of manufacturing a liquid crystal display panel to overcome the deficiencies of the prior art described in the background art.
  • a method of manufacturing a liquid crystal display panel includes the steps of: providing a color filter substrate; disposing a planarization layer including a photoresist material and a conductive material on the color filter substrate, and making the conductive material Depositing in a photoresist material; patterning a planarization layer on which a conductive material has been deposited to form a planarization layer having a support pattern; providing an alignment layer on the planarization layer; providing a liquid crystal layer on the alignment layer;
  • the array substrate is disposed to form a liquid crystal display panel, wherein the conductive material comprises at least one of carbon nanotubes, graphene, conductive polymer, nano-scale conductive metal wires, and conductive metal particles.
  • the conductive material may have a size of 1 nm to 100 nm.
  • the step of disposing the planarization layer may include: mixing a conductive material in the photoresist material, the conductive material accounting for 0.05%-20% of the photoresist material by mass percentage; making the conductive material Dispersed in the photoresist material.
  • the step of disposing the planarization layer may further include promoting dispersion of the conductive material in the photoresist material by a method of stirring and/or ultrasonic.
  • the step of disposing the planarization layer may further include: modifying the conductive material before the conductive material is mixed into the photoresist material, thereby facilitating the conductive material in the photoresist material Dispersed.
  • the conductive material may include carbon nanotubes, wherein modifying the conductive material may include modifying a surface of the carbon nanotube so that the carbon nanotube may be promoted in the photoresist material a dispersed group.
  • the planarization layer in the step of providing a planarization layer, may have a thickness of 0.5 ⁇ m to 5 ⁇ m.
  • a method of disposing the planarization layer may include one of spin coating, inkjet printing, and hanging coating.
  • the step of patterning the planarization layer may include: providing a photomask on the deposited planarization layer, and exposing and developing the planarization layer covered with the photomask.
  • the photomask may include a halftone mask or a gray tone mask.
  • a planarization layer and a conductive electrode can be prepared at one time by adding a conductive material to a photoresist material used as a planarization layer, thereby simultaneously achieving planarization of the substrate and a total of Preparation of the electrode.
  • Figure 1 is a schematic exploded view of a prior art liquid crystal display panel
  • FIG. 2 is a schematic view showing a prior art color filter substrate on which a planarization layer is disposed;
  • FIG. 8 is a cross-sectional view taken along line A-A' of FIG.
  • an element (such as a layer, a region, or a substrate) is described as “on” another element, “connected to” another element, or “coupled to” another element. Another element “on”, “connected to” another element, or “coupled to” another element, or may have one or more other elements between them. In contrast, when an element is referred to as “directly on,” “directly connected to,” or “ .
  • first,” “second,” and “third” may be used herein to describe various components, components, regions, layers or portions, these components, components, regions, layers or portions are not Terminology restrictions. Rather, the terms are only used to distinguish one component, component, region, layer or section from another component, component, region, layer or section. Thus, a first component, component, region, layer or portion may be referred to as a second component, component, region, layer or section, in the example described herein.
  • spatially relative terms such as “above”, “above”, “below” and “below” may be used herein to describe one element and another as shown in the drawings. The relationship of components. Such spatially relative terms are intended to encompass different orientations of the device in use or operation in addition to the orientation depicted in the drawings. For example, elements that are described as “above” or “above” relative to another element will be “below” or “below” relative to the other element. Thus, the term “above” includes both “over” and “under” depending on the spatial orientation of the device.
  • the device may also be positioned in other ways (eg, rotated 90 degrees or at other orientations) and the spatially relative terms used herein interpreted accordingly.
  • 3 - 9 schematically illustrate a method of fabricating a liquid crystal display panel, according to an exemplary embodiment of the inventive concept.
  • the color filter substrate 10 may include a plurality of sub-pixel regions including sub-pixels displaying different colors in each of the sub-pixel regions.
  • the sub-pixel region may include an R sub-pixel region, a G sub-pixel region, and a B sub-pixel region that respectively display red, green, and blue.
  • a drive transistor and a switching transistor may be disposed in each of the sub-pixel regions.
  • the driving transistor and the switching transistor may include a gate electrode disposed on the base substrate, a source electrode and a drain electrode disposed on the gate insulating layer.
  • the inventive concept is not limited to the color filter substrate 10 having the above configuration. That is, the color filter substrate 10 of the exemplary embodiment of the inventive concept may further include a black matrix, that is, the color filter substrate 10 according to the inventive concept may include a configuration of the color filter substrate 10 known in the art. Therefore, the structure and manufacturing method of the color filter substrate 10 will not be redundantly described herein.
  • a color filter substrate 10 of a liquid crystal display panel can be provided by those skilled in the art based on the prior art.
  • a planarization layer 40' is provided on the color filter substrate 10.
  • the planarization layer 40' is disposed on the color filter substrate 10 formed thereon, and includes a photoresist material 41 and a conductive material 42.
  • the photoresist material 41 may include a material of a layer known in the art for planarizing the color filter substrate 10, including a PS photoresist material, a PFA photoresist material, a W photoresist material, and the like, without being limited thereto.
  • the photoresist material 41 may include a photoresist, and thus, in the case where the conductive material 42 is placed in the photoresist material 41 such as a photoresist, light having a conductive effect may be formed. Engraved.
  • the photoresist material 41 includes a photoresist
  • the type of the photoresist is not limited, and may be a positive photoresist or a negative photoresist.
  • a negative photoresist may be used as the photoresist material 41.
  • the conductive material 42 may include one or more of materials such as carbon nanotubes, graphene, conductive polymers, nano-scale conductive metal wires, conductive metal particles, and the like.
  • the conductive material 42 may have a size of 1 nm to 100 nm, and may be added to the planarization layer 41 in a ratio of 0.05% to 20% by mass of the planarization layer.
  • a homogenization means such as stirring, ultrasonication or the like may be used to uniformly distribute the conductive material 42 to the photoresist material 41. in.
  • the conductive material 42 may be chemically modified to increase its dispersibility in the photoresist material 41.
  • the surface of the carbon nanotube may be treated and modified such that the carbon nanotube may have a base that promotes dispersion thereof in the photoresist material 41. group.
  • the conductive material 42 includes graphene and other conductive materials, the conductive materials 42 may also be modified. The specific treatment of the modification of the conductive material 42 of the present invention is not limited to the above specific examples.
  • the photoresist material 41 including the conductive material 42 may be disposed on the color filter substrate 10 to form a planarization layer 40'.
  • the planarization layer 40 may be fabricated using a spin, inkjet printing (IJP), slit, or the like, so that it may be formed on the color filter substrate 10 A planarization layer 40' having a thickness of 0.5 um to 5 um.
  • the conductive material 42 is deposited in the photoresist material 41 to form a planarization layer 40" having a layered structure.
  • a deposition process is used to deposit conductive material 42 on the lower portion of photoresist material 41 such that photoresist material 41 can include a lower portion having a greater concentration of conductive material 42 and an upper portion having less or less conductive material 42.
  • the lower portion of the planarization layer 40" may include a larger concentration of the conductive material 42, so that a conductive layer having a planarized surface may be formed as a common electrode, and thus the step of forming a common electrode may be omitted.
  • the upper portion of the planarization layer 40' including less conductive material 42 or not including conductive material 42
  • support for accommodating the cavity of liquid crystal 30 (as shown in Figure 1) can be formed.
  • the pattern PS (as shown in Fig. 7). Therefore, the planarization layer 40 including the conductive material 42 can be utilized to simultaneously achieve the effects of the common electrode layer, the planarization layer, and the support layer, thereby improving production efficiency and reducing process cost. .
  • the conductive material 42 may be deposited in the photoresist material 40' in any suitable manner.
  • the deposition of conductive material 42 can be performed for a sufficient amount of time.
  • an accelerator for promoting the deposition of the conductive material 42 may be added to the mixed material of the photoresist material 41 and the conductive material 42 without affecting the display quality to accelerate the deposition time and increase the deposition effect.
  • exemplary embodiments of the inventive concept are not limited thereto.
  • FIG. 5 shows that the conductive material 42 is completely deposited on the bottom of the planarization layer 40" (ie, the conductive material 42 is completely deposited on the lower portion of the planarization layer 40), the upper portion of the planarization layer 40" is resisted.
  • the inventive concept is not limited to the specific example shown in FIG. 5, that is, the upper portion of the planarization layer 40" may also have a small amount of conductive material 42 due to factors such as deposition time and the like. .
  • a mask M is disposed on the planarization layer 40" on which the conductive material 42 has been deposited, and then, the planarization layer 40" is patterned using the mask M as will be described later.
  • the patterning process may include a photolithography process, and thus, the planarization layer 40 ′′ may be patterned using a photomask.
  • the step of setting the mask M is for patterning the planarization layer 40" to form the support pattern PS (as shown in FIG. 7), and thus, in order to form the support pattern PS
  • the planarization layer 40" can be patterned using various patterning processes known in the art, and the patterning process of the inventive concept is not limited to photolithography.
  • the photolithography process will be exemplarily described, but the inventive concept is not limited thereto. That is to say, other patterning processes may also be used to form the support pattern PS.
  • the planarization layer 40" may be etched using a mask having a different etch rate, and when the patterning process is employed, the following The description of the process of supporting the layer PS should also be changed accordingly, and is not limited to the specific description below.
  • the photomask M when the photomask M is used, the photomask M may include a halftone mask or a gray tone mask. Therefore, the planarization layer 40" on which the lower conductive material 42' is deposited may be exposed using a photomask M such as a halftone mask or a gray tone mask.
  • the photomask M may include different Two portions of light transmittance, wherein the first portion A (corresponding to the support pattern PS) having 100% transmittance and the second portion B (corresponding to the final planarization layer 40"') having less than 100%.
  • planarization layer 40" on which the conductive material 41' has been deposited in the lower portion is patterned (exposure and development) (to form a planarization layer 40 having a support pattern PS on the upper portion).
  • "' as shown in Figure 8.
  • Those skilled in the art can control the amount of etching of the planarization layer 40" according to the process and product parameters, thereby adjusting the thickness of the final conductive planarization layer 40"' used as a common electrode.
  • the developed portion may be baked after development.
  • the baking temperature can be set to 200 ° C - 250 ° C, and the baking time can be greater than 20 min.
  • an alignment layer may be disposed on the planarization layer 40"', a liquid crystal layer 30 is disposed on the alignment layer, and a liquid crystal layer 30 is disposed on the liquid crystal layer.
  • the array substrate 20 is then subjected to a module process to form a liquid crystal display panel 200.
  • the method of manufacturing the liquid crystal display panel 200 of the exemplary embodiment of the inventive concept is described in detail above with reference to the accompanying drawings.
  • the planarization of the color filter substrate can be achieved, and the process of the common electrode is omitted, so that the effect of reducing the process cost can be achieved.
  • the method of the present inventive concept also reduces the separate preparation process of the support pattern, thereby reducing cost and preparation process time.

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Abstract

一种制造液晶显示面板的方法，方法包括以下步骤：提供滤色器基底（10）；在滤色器基底（10）上设置包括光阻材料（41）和导电材料（42）的平坦化层（40'），并使导电材料（42）在光阻材料（41）中沉积；对导电材料（42）已沉积的平坦化层（40'）进行蚀刻，以形成具有支撑图案（PS）的平坦化层（40'）；在平坦化层（40'）上设置取向层；在取向层上设置液晶层（30）；在液晶层（30）上设置阵列基底（20），从而形成液晶显示面板（200），其中，导电材料（41）包括碳纳米管、石墨烯、导电高分子、纳米级导电金属线、导电金属颗粒中的至少一种。

Description

制造液晶显示面板的方法 技术领域
本发明涉及显示技术领域，更具体地，一种制造液晶显示面板的方法。
背景技术
目前随着薄膜晶体管液晶显示装置(TFT－LCD)技术越趋成熟，显示效果有了明显大幅度提高，因此能够呈现出较高的视觉效果。
根据液晶的取向而不同地设置电极的液晶显示技术包括高垂直取向(HVA)技术、平面转换(IPS)技术和聚合物稳定的垂直排列(PSVA)等。对于上述技术，液晶所处的层的平坦化程度对液晶影响较大，因此会影响取向过程，进而影响液晶显示装置的最终显示效果。因此，急需开发新材料以及新技术解决这一难题。
图1示意性地示出了现有技术的液晶显示面板的分解视图。如图1中所示，根据现有技术的液晶显示面板100可以包括滤色器基底10、阵列基底20以及位于滤色器基底10和阵列基底20之间的液晶层30。在滤色器基底10中，由于在1位置处存在栅极线且在2位置处存在数据线，因此，在1位置和2位置处存在凸起结构。此外，在形成滤色器膜之后，滤色器膜的相应位置也存在凸起的结构，这会导致具有凸起结构的1位置和2位置与边缘无凸起的位置存在层差，使得液晶30将在这两个位置处存在取向的差异，进而引起凸起的边缘位置漏光、色偏等问题。同时，由于滤色器膜的透光率不同，为提高色域，需要提供具有不同厚度的滤色器膜(例如，蓝色滤色器膜的厚度高于红色滤色器膜和绿色滤色器膜的厚度，而这样也会导致不同的滤色器膜之间存在层差。以上两者对液晶取向影响较大，进而对显示装置的光学表现影响较大。
现有技术中，为解决上述技术问题，普遍采用在滤色器基底10上设置平坦化层的手段。图2示出了根据现有技术的其上具有平坦化层滤色器基底。虽然图2中示出的其上设置有平坦化层40的滤色器基底10能够提高液晶30的 取向效果，并最终降低因液晶30偏转异常而造成的漏光，但液晶显示面板的制程上多出了一道平坦化层40的制备工艺，因而增加了成本负担，不利于规模化生产。
发明内容
本发明构思的示例性实施例提供了一种制造液晶显示面板的方法以克服背景技术中描述的现有技术的不足。
在本发明构思的示例性实施例中，制造液晶显示面板的方法包括以下步骤：提供滤色器基底；在滤色器基底上设置包括光阻材料和导电材料的平坦化层，并使导电材料在光阻材料中沉积；对导电材料已沉积的平坦化层进行图案化，以形成具有支撑图案的平坦化层；在平坦化层上设置取向层；在取向层上设置液晶层；在液晶层上设置阵列基底，从而形成液晶显示面板，其中，所述导电材料包括碳纳米管、石墨烯、导电高分子、纳米级导电金属线、导电金属颗粒中的至少一种。
根据本发明构思的示例性实施例，所述导电材料可以具有1nm-100nm的尺寸。
根据本发明构思的示例性实施例，设置平坦化层的步骤可以包括：在光阻材料中混入导电材料，所述导电材料按质量百分比计占光阻材料的0.05％－20％；使导电材料分散在光阻材料中。
根据本发明构思的示例性实施例，设置平坦化层的步骤还可以包括：采用搅拌和/或超声的方法促进导电材料在光阻材料中的分散。
根据本发明构思的示例性实施例，设置平坦化层的步骤还可以包括：在将导电材料混入到光阻材料中之前，可以对导电材料进行改性，从而可以促进导电材料在光阻材料中的分散。
根据本发明构思的示例性实施例，导电材料可以包括碳纳米管，其中，对导电材料进行改性可以包括对碳纳米管的表面进行改性，从而可以使碳纳米管具有促进在光阻材料中分散的基团。
根据本发明构思的示例性实施例，在设置平坦化层的步骤中，所述平坦化层可以具有0.5μm-5μm的厚度。
根据本发明构思的示例性实施例，设置所述平坦化层的方法可以包括旋转涂覆、喷墨打印和挂涂中的一种。
根据本发明构思的示例性实施例，对平坦化层进行图案化的步骤可以包括：在已沉积的平坦化层上设置光掩模，对覆盖有光掩模的平坦化层进行曝光和显影。
根据本发明构思的示例性实施例，光掩模可以包括半色调掩模或灰色调掩模。
通过上面对本发明构思的部分描述，本发明构思通过在用作平坦化层的光阻材料中加入导电材料，从而可以一次性制备平坦化层及导电电极，因此可以同时实现基底的平坦化及共电极的制备。
附图说明
图1示意性地示出了现有技术的液晶显示面板的分解视图；
图2示意性地示出了现有技术的其上设置有平坦化层的滤色器基底的示意图；
图3-图9示意性地示出了根据本发明构思的示例性实施例的制造液晶显示面板的方法，其中，图8是沿图7的线A-A’截取的剖视图。
具体实施方式
提供以下具体实施方式，以帮助读者获得对在此描述的方法、设备和/或系统的全面理解。然而，在理解了本申请的公开内容后，在此所描述的方法、设备和/或系统的各种改变、变型及等同物将是显而易见的。例如，在此描述的操作顺序仅仅是示例，且不限于在此所阐述的示例，而是除了必须按照特定顺序发生的操作外，可在理解了本申请的公开内容后做出将是显而易见的改变。此外，为了增加清楚性和简洁性，可省略本领域中已知的特征的描述。
在此描述的特征可按照不同的形式实施，并且将不被解释为局限于在此描述的示例。更确切地说，已经提供在此描述的示例，仅仅为了示出在理解了本申请的公开内容后将是显而易见的实现在此描述的方法、设备和/或系统的许多可行方式中的一些可行方式。
在整个说明书中，当元件(诸如层、区域或基底)被描述为“在”另一元件“上”、“连接到”另一元件或“结合到”另一元件时，其可直接“在”另一元件“上”、“连接到”另一元件或“结合到”另一元件，或者可存在介于他们之间的一个或更多个其他元件。相比之下，当元件被描述为“直接在”另一元件“上”、“直接连接到”另一元件或“直接结合到”另一元件时，可不存在介于他们之间的其他元件。
如在此使用的术语“和/或”包括相关所列项中的任意一个和任意两个或更多个的任意组合。
虽然诸如“第一”、“第二”和“第三”的术语可在此用于描述各种构件、组件、区域、层或部分，但是这些构件、组件、区域、层或部分不受这些术语限制。更确切地说，这些术语仅用于将一个构件、组件、区域、层或部分与另一构件、组件、区域、层或部分区分开。因此，在不脱离示例的教导的情况下，在此描述的示例中涉及到的第一构件、组件、区域、层或部分还可被称为第二构件、组件、区域、层或部分。
为了方便描述，在此可使用诸如“在……之上”、“上方”、“在……之下”以及“下方”的空间相对术语来描述如附图中所示的一个元件与另一元件的关系。这样的空间相对术语意在除了包含附图中描绘的方位之外还包含装置在使用或操作中的不同方位。例如，如果附图中的装置被翻转，则被描述为相对于另一元件位于“之上”或“上方”的元件随后将相对于另一元件位于“之下”或“下方”。因此，术语“在……之上”根据装置的空间方位包括“在……之上”和“在……之下”两种方位。装置还可以以其他的方式被定位(例如，旋转90度或处于其他方位)，并将对在此使用的空间相对术语做出相应的解释。
在此使用的术语仅是为了描述各种示例，而不被用来限制本公开。除非上下文另外清楚地指明，否则单数形式也意在包含复数形式。术语“包含”、“包括”以及“具有”列举存在所陈述的特征、数量、操作、构件、元件和/或他们的组合，但不排除存在或添加一个或更多个其他特征、数量、操作、构件、元件和/或他们的组合。
由于制造技术和/或公差，可发生附图中所示出的形状的变化。因此，在此描述的示例并不限于附图中示出的特定的形状，而是包括制造期间发生的形状上的变化。
以下，将结合附图来详细描述本发明构思的示例性实施例。
图3-图9示意性地示出了根据本发明构思的示例性实施例的制造液晶显示面板的方法。
如图3所示，提供滤色器基底10。根据本发明构思的示例性实施例，滤色器基底10可以包括多个子像素区域，在每个子像素区域中包括显示不同颜色的子像素。例如，子像素区域可以包括分别显示红色、绿色和蓝色的R子像素区域、G子像素区域和B子像素区域。在每个子像素区域中可以设置有驱动晶体管和开关晶体管。这里，驱动晶体管和开关晶体管可以包括设置在基体基底上的栅电极、设置在栅极绝缘层上的源电极和漏电极。
以上仅简要地描述了本发明构思的示例性实施例的滤色器基底10的构造，然而，本发明构思不限于具有上述构造的滤色器基底10。也就是说，本发明构思的示例性实施例的滤色器基底10还可以包括黑矩阵，即，根据本发明构思的滤色器基底10可以包括本领域已知的滤色器基底10的构造，因此，这里对滤色器基底10的结构和制造方法不做冗余的描述。本领域技术人员可以基于现有技术来提供液晶显示面板的滤色器基底10。
如图4所示，在滤色器基底10上设置平坦化层40’。根据本发明构思的示例性实施例，平坦化层40’设置在其上形成有滤色器基底10上，并且包括光阻材料41和导电材料42。光阻材料41可以包括本领域已知的用于使滤色器基底10平坦化的层的材料，包括PS光阻材料、PFA光阻材料、W光阻材料等，且不限于此。
例如，在根据本发明构思的一个具体示例中，光阻材料41可以包括光刻胶，因此，在将导电材料42置于诸如光刻胶的光阻材料41中，可以形成具有导电效果的光刻胶。这里，当光阻材料41包括光刻胶时，光刻胶的类型不受限制，且可以为正性光刻胶或负性光刻胶。在本发明构思的一个具体示例中，可以使用负性光刻胶作为光阻材料41。
导电材料42可以包括诸如碳纳米管、石墨烯、导电高分子、纳米级导电金属线、导电金属颗粒等材料中的一种或多种。
根据本发明构思的示例性实施例，导电材料42可以具有1nm-100nm的尺寸，并且可以以占平坦化层的0.05％－20％(按质量百分比计)的比例加入到 平坦化层41中。在将导电材料42加入到光阻材料41中后，为促进导电材料42在光阻材料41中的分散，可以采用搅拌、超声等均化手段来使导电材料42均匀地分布在光阻材料41中。
此外，为进一步地增大导电材料42在光阻材料41中的分散性，可对导电材料42进行化学改性，以增大其在光阻材料41中的分散性。根据本发明构思的示例性实施例，当导电材料42包括碳纳米管时，可以对碳纳米管的表面进行处理和改性，使得碳纳米管可以具有促进其在光阻材料41中分散的基团。类似地，当导电材料42包括石墨烯及其它导电材料时，亦可对这些导电材料42进行改性处理，本发明构思的对导电材料42的改性的具体处理方式不限于以上的具体示例。
在将导电材料42加入到光阻材料41中后，可以将包括导电材料42的光阻材料41设置在滤色器基底10上，以形成平坦化层40’。根据本发明构思的示例性实施例，可以采用旋涂(spin)、喷墨打印(IJP)、刮涂(slit)等工艺来制造平坦化层40，从而可以在滤色器基底10上形成具有0.5um-5um厚度的平坦化层40’。
如图5所示，在设置平坦化层40’之后，使导电材料42在光阻材料41中沉积，以形成具有分层结构的平坦化层40”。根据本发明构思的示例性实施例，沉积工艺用于使导电材料42沉积在光阻材料41的下部，从而光阻材料41可以包括具有较大浓度的导电材料42的下部以及具有较少导电材料42或不具有导电材料42的上部。
通过沉积工艺，平坦化层40”的下部可以包括较大浓度的导电材料42，从而可以形成具有平坦化的表面的导电层作为共电极，因此可以省略形成共电极的步骤。此外，如下面将要描述的，通过对平坦化层40’的上部(包括较少导电材料42或不包括导电材料42)进行图案化，从而可以形成用于容纳液晶30(如图1中所示)的腔的支撑图案PS(如图7中所示)。因此，可以利用包括导电材料42的平坦化层40来同时实现共电极层、平坦化层和支撑层的作用，从而可以提高生产效率并可以降低工艺成本。
根据本发明构思的示例性实施例，可以采用任何适合的方式来使导电材料42在光阻材料40’中沉积。例如，可以静止足够长的时间来进行导电材料42的沉积。此外，为了提高沉积效率，在不影响显示质量的前提下，可以在光阻 材料41和导电材料42的混合材料中加入促进导电材料42沉积的促进剂，以加快沉积时间并增大沉积效果。然而，本发明构思的示例性实施例不限于此。
此外，虽然图5中示出了导电材料42完全沉积在平坦化层40”的底部(即，导电材料42完全沉积在平坦化层40”的下部，而平坦化层40”的上部被光阻材料41完全占据)的示例，然而，本发明构思不限于图5中示出的具体示例，也就是说，平坦化层40”的上部也可以由于诸如沉积时间等因素而具有少量的导电材料42。
如图6中所示，在导电材料42已沉积的平坦化层40”上设置掩模M，然后，如下面将要描述的，利用掩模M对平坦化层40”进行图案化。根据本发明构思的示例性实施例，图案化工艺可以包括光刻工艺，因此，可以采用光掩模来对平坦化层40”进行图案化。然而，本发明构思的示例性实施例不限于此，也就是说，如下面将要描述的，设置掩模M的步骤是用于对平坦化层40”进行图案化以形成支撑图案PS(如图7中所示)，因此，为了形成支撑图案PS，可以采用本领域已知的各种图案化工艺来对平坦化层40”进行图案化，且本发明构思的图案化工艺不限于光刻。
为了便于描述，在下面参照图7和图8描述的形成支撑图案PS和最终的平坦化层40’”的工艺中，将示例性地描述光刻工艺，然而本发明构思不限于此。也即是说，也可以采用其它图案化工艺来形成支撑图案PS，例如，可以使用具有不同蚀刻速率的掩模来对平坦化层40”进行蚀刻，且采用该种图案化工艺时，下面的关于形成支撑层PS的工艺的描述也应以相应地做出更改，而不被限制于下面的具体描述。
根据本发明构思的具体示例，当使用光掩模M时，光掩模M可以包括半色调掩模或灰色调掩模。因此，可以利用诸如半色调掩模或灰色调掩模的光掩模M对下部沉积有导电材料42’的平坦化层40”进行曝光。在这种情况下，光掩模M可以包括具有不同透光率的两部分，其中具有100％的透光率的第一部分A(对应于支撑图案PS)以及具有小于100％的第二部分B(对应于最终的平坦化层40”’)。
如图7中所示，(利用光掩模M)对导电材料41’已沉积在下部的平坦化层40”进行图案化(曝光和显影)，以形成上部具有支撑图案PS的平坦化层40”’，如图8中所示。本领域技术人员可以根据工艺及产品参数来控制平坦化层40” 的蚀刻量，从而调节最终的用作共电极的导电的平坦化层40”’的厚度。
这里，当采用光刻工艺形成最终的具有支撑图案PS的平坦化层时，在显影之后，可以对显影部分进行烘烤。这里，可以将烘烤温度设置为200℃-250℃，烘烤时间可以大于20min。
如图9中所示，在上部形成具有支撑图案PS的平坦化层40”’之后，可以在平坦化层40”’上设置取向层、在取向层上设置液晶层30并在液晶层上设置阵列基底20，然后进行模组制程，从而形成液晶显示面板200。
这里，对滤色器基底10和阵列基底20的结合工艺不做过多叙述。
以上结合附图详细描述了本发明构思的示例性实施例的制造液晶显示面板200的方法。通过该方法，可以实现滤色器基底的平坦化作用，同时省略了共电极的制程，因此能够达到降低工艺成本的效果。此外，本发明构思的方法还减少了支撑图案的单独制备工艺，从而降低了成本消耗及制备工艺时间。
虽然本公开包括特定的示例，但在理解了本申请的公开内容之后将显而易见的是，在不脱离权利要求及他们的等同物的精神和范围的情况下，可在这些示例中做出形式上和细节上的各种变化。在此描述的示例将仅被认为描述性含义，而非出于限制的目的。每个示例中的特征或方面的描述将被认为是可适用于其他示例中的类似特征或方面。如果以不同的顺序执行描述的技术，和/或如果以不同的方式组合描述的系统、架构、装置或者电路中的组件和/或用其他组件或者他们的等同物进行替换或者补充描述的系统、架构、装置或者电路中的组件，则可获得适当的结果。因此，本公开的范围不由具体实施方式限定，而是由权利要求及他们的等同物限定，并且在权利要求及他们的等同物的范围内的所有变化将被解释为包括在本公开中。

Claims (18)

  1. 一种制造液晶显示面板的方法，所述方法包括以下步骤：
    提供滤色器基底；
    在滤色器基底上设置包括光阻材料和导电材料的平坦化层，并使导电材料在光阻材料中沉积；
    对导电材料已沉积的平坦化层进行图案化，以形成具有支撑图案的平坦化层；
    在平坦化层上设置取向层；
    在取向层上设置液晶层；
    在液晶层上设置阵列基底，从而形成液晶显示面板，
    其中，所述导电材料包括碳纳米管、石墨烯、导电高分子、纳米级导电金属线、导电金属颗粒中的至少一种。
  2. 如权利要求1所述的方法，其中，所述导电材料具有1nm-100nm的尺寸。
  3. 如权利要求1所述的方法，其中，设置平坦化层的步骤包括：
    在光阻材料中混入导电材料，所述导电材料按质量百分比计占光阻材料的0.05％－20％；
    使导电材料分散在光阻材料中。
  4. 如权利要求2所述的方法，其中，设置平坦化层的步骤包括：
    在光阻材料中混入导电材料，所述导电材料按质量百分比计占光阻材料的0.05％－20％；
    使导电材料分散在光阻材料中。
  5. 如权利要求3所述的方法，其中，设置平坦化层的步骤还包括：采用搅拌和/或超声的方法促进导电材料在光阻材料中的分散。
  6. 如权利要求4所述的方法，其中，设置平坦化层的步骤还包括：采用搅拌和/或超声的方法促进导电材料在光阻材料中的分散。
  7. 如权利要求3所述的方法，其中，设置平坦化层的步骤还包括：在将导电材料混入光阻材料中之前，对导电材料进行改性，以促进导电材料在光阻材料中的分散。
  8. 如权利要求4所述的方法，其中，设置平坦化层的步骤还包括：在将导电材料混入光阻材料中之前，对导电材料进行改性，以促进导电材料在光阻材料中的分散。
  9. 如权利要求7所述的方法，其中，导电材料包括碳纳米管，
    其中，对导电材料进行改性包括对碳纳米管的表面进行改性，以使碳纳米管包括促进其在光阻中分散的基团。
  10. 如权利要求8所述的方法，其中，导电材料包括碳纳米管，
    其中，对导电材料进行改性包括对碳纳米管的表面进行改性，以使碳纳米管包括促进其在光阻中分散的基团。
  11. 如权利要求1所述的方法，其中，在设置平坦化层的步骤中，所述平坦化层具有0.5μm-5μm的厚度。
  12. 如权利要求2所述的方法，其中，在设置平坦化层的步骤中，所述平坦化层具有0.5μm-5μm的厚度。
  13. 如权利要求11所述的方法，其中，设置平坦化层的方法包括旋涂、喷墨打印和刮涂中的至少一种。
  14. 如权利要求12所述的方法，其中，设置平坦化层的方法包括旋涂、喷墨打印和刮涂中的至少一种。
  15. 如权利要求1所述的方法，其中，对平坦化层进行图案化的步骤包括：
    在已导电材料沉积的平坦化层上设置光掩模，
    对覆盖有光掩模的平坦化层进行曝光和显影。
  16. 如权利要求2所述的方法，其中，对平坦化层进行图案化的步骤包括：
    在已导电材料沉积的平坦化层上设置光掩模，
    对覆盖有光掩模的平坦化层进行曝光和显影。
  17. 如权利要求15所述的方法，其中，光掩模包括半色调掩模或灰色调掩模。
  18. 如权利要求16所述的方法，其中，光掩模包括半色调掩模或灰色调掩模。
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