WO2019025685A1 - Filtre de lumiere fonctionnalise pour detecteur swir ou vis-swir, et utilisations - Google Patents

Filtre de lumiere fonctionnalise pour detecteur swir ou vis-swir, et utilisations Download PDF

Info

Publication number
WO2019025685A1
WO2019025685A1 PCT/FR2018/051743 FR2018051743W WO2019025685A1 WO 2019025685 A1 WO2019025685 A1 WO 2019025685A1 FR 2018051743 W FR2018051743 W FR 2018051743W WO 2019025685 A1 WO2019025685 A1 WO 2019025685A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
functionalized
layer
detectors
detection
detector
Prior art date
Application number
PCT/FR2018/051743
Other languages
English (en)
Inventor
Thierry Robin
Benoît D'HUMIERES
Original Assignee
Tematys
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tematys filed Critical Tematys
Publication of WO2019025685A1 publication Critical patent/WO2019025685A1/fr

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00Optical elements other than lenses
    • G02B5/20Filters
    • G02B5/28Interference filters
    • G02B5/281Interference filters designed for the infrared light
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J5/00Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
    • G01J5/02Constructional details
    • G01J5/08Optical arrangements
    • G01J5/0816Optical arrangements using attenuators
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J5/00Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
    • G01J5/02Constructional details
    • G01J5/08Optical arrangements
    • G01J5/0818Waveguides
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J5/00Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
    • G01J5/59Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using polarisation; Details thereof
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B27/00Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
    • G02B27/10Beam splitting or combining systems
    • G02B27/1006Beam splitting or combining systems for splitting or combining different wavelengths
    • G02B27/1013Beam splitting or combining systems for splitting or combining different wavelengths for colour or multispectral image sensors, e.g. splitting an image into monochromatic image components on respective sensors
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B27/00Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
    • G02B27/10Beam splitting or combining systems
    • G02B27/14Beam splitting or combining systems operating by reflection only
    • G02B27/142Coating structures, e.g. thin films multilayers
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B27/00Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
    • G02B27/28Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00 for polarising
    • G02B27/283Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00 for polarising used for beam splitting or combining
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00Optical elements other than lenses
    • G02B5/20Filters
    • G02B5/201Filters in the form of arrays
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J5/00Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
    • G01J2005/0077Imaging
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J5/00Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
    • G01J5/10Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors
    • G01J2005/106Arrays

Definitions

  • the invention relates to the detection and analysis of light signals emitted at least in the field of the Near Infrared or "short-wave infrared” (whose generally accepted acronym is “ SWIR “for” Short-Wave Infrared "), the associated optical devices and their manufacture.
  • Near-infrared is generally defined as the light spectrum in the wavelength range 0.9 - 1, 7 m, but can be extended in the usual range to 0.7 - 2.5 ⁇ .
  • Conventional silicon detectors have a high operating limit of about 1.0 ⁇ , so SWIR-based imaging requires different optical sensors capable of operating over this spectral range.
  • the indium-gallium arsenide (InGaAs) detectors were among the first sensors used in SWIR imaging, thus covering the typical SWIR spectral band from 0.9 to 1, 7 ⁇ , but which may extend below 0.7 ⁇ and up to 2.5 ⁇ approx.
  • Other SWIR detectors can be mentioned, such as certain sensors based on quantum dots (quantum dots).
  • Some detectors can cover, in addition to the SWIR range, the visible band (0.4 - 0.7 ⁇ ), thus covering an enlarged band: VIS-SWIR.
  • the “medium wavelength” infrared (MWIR) and “long wave” infrared (LWIR) ranges are largely emitted by the object itself.
  • Near-infrared (SWIR) photons can be emitted by objects (especially at high temperatures) but also, similarly to visible light, can be transmitted, reflected or absorbed by an object, providing the necessary contrast to full-band imaging as well as variations as a function of the wavelength required for spectroscopy and multispectral or hyperspectral imaging.
  • the ambient light emitted by the sun and the radiation due to artificial lighting (halogen lamps in particular) are emitters of the SWIR that provide excellent lighting outdoors or indoors.
  • SWIR near-infrared imaging
  • SWIR imaging is used in a multitude of applications, including inspection of electronic components, solar cells, production, identification and sorting, surveillance, counterfeiting, quality control, and much more. Moreover.
  • imagery will be:
  • - Full-band imaging that is, using the entire wavelength band detected by the sensor.
  • the whole SWIR band from 0.9 ⁇ to 1, 7 ⁇ .
  • the lenses and other SWIR components such as the wavelength band separation filters of an incident light spectrum or the polarization filters, used in addition to a detector SWIR, are specifically designed and processed for at least the spectrum of SWIR.
  • CMOS complementary metal-oxide-semiconductor
  • CCD complementary metal-oxide-semiconductor
  • various functionalized optical filters are used to polarize the incident light or to separate it into different spectral bands thus making it possible to obtain multispectral or hyperspectral imaging.
  • US Pat. No. 9,304,039 mentions a filter whose functionalization is obtained by a variable thickness of its constituent material over its width (so-called "staircase" cross-sectional structure).
  • This structure is obtained through the use of masks to protect a rectilinear portion of the material of an etching process that will maintain a given thickness and filter in function, the incident light in a spectral band different than does a portion adjacent to the filter which will have been exposed to etching and will have for this reason a lesser thickness of material providing a filtering function for a wavelength band different from the portion of initial thickness.
  • European Patent EP 2,275,790 describes a polarization filter for an integrated polarization sensor designed to detect a circularly polarized electromagnetic radiation.
  • This polarization filter is functionalized thanks to the superimposition of alternating metallic layers, respectively presenting a meander structure and a grid line structure and capable of integrating each of the geometric patterns formed by orifices of various geometries made in the thickness of the layer. metal involved.
  • the incident light passing through the filter encounters different successions of metal orifices / material, which can polarize the incident light differently.
  • US Pat. No. 5,615,008 illustrates a transparent waveguide along which a diffraction grating is inscribed.
  • the grating diffracts incident light traveling through the waveguide separating the wavelengths to a linear matrix CCD detector. This detects the different wavelengths of light in the visible band.
  • the realization of the diffraction gratings is carried out by exposing photosensitive material to an interference pattern formed by a grating, an interferometer or by photolithography means.
  • filters or waveguides functionalized by variable thickness, etching, photosensitive printing are relatively economical manufacturing given the volume of filters of this type manufactured for the large volume of sensors or visible light waveguides.
  • the invention relates to an optical device comprising at least one detection layer comprising at least two detectors capable of detecting light signals located at least in the short-wave infrared, and a light-transparent material.
  • the functionalized material being provided with at least one zone functionalized by nanostructures and a remaining area of the functionalized material, the nanostructures being located in the volume of the functionalized material, said at least one functionalized zone and said remaining zone being respectively located in correspondence with the at least two detectors of the optical device.
  • the invention may furthermore exhibit one or both of the following features:
  • the detection layer is composed of an array of detectors and the associated electronics (reading circuit: ROIC)
  • the functionalized transparent material may be in the form of a layer (plate) or a waveguide (for example, an optical fiber) and comprises different zones functionalized by nanostructures, zones arranged opposite a or multiple detectors in the matrix
  • the zones functionalized by nanostructures may be areas with an optical index change for example by changing the local density of the transparent material, for example by defining porous structures whose gas or vacuum bubbles will locally lower the density of the material with respect to a remaining zone devoid of these porous nanostructures or for example by introduction or precipitation of metallic or non-metallic nanoparticles
  • the functionalized material comprises a plurality of functionalized areas which are distributed in the width of the functionalized material, for respectively filtering bands of wavelengths distinct from the incident light and / or for filtering different states of polarization of the incident light and the matrix detector comprises a plurality of detectors located respectively in correspondence with the plurality of functionalized zones of the functionalized material
  • each functionalized zone is formed by a plurality of distribution planes distributed in the thickness of the functionalization material with a constant or variable spacing pitch, two distinct functionalized zones having different spacing pitches the distribution planes of the functionalized zones are parallel to, perpendicular to or inclined with respect to a main axis of the functionalized material
  • the functionalized material and the detection matrix are in the form of two layers superimposed on each other by their large opposite faces, the thickness of the functionalized layer is between 50 and 1000 microns, and the functionalized zones of this material are located at a minimum distance of 10 to 50 microns from the large free face of the functionalized layer and at a distance of at least 10 to 50 microns from the large face of the functionalized layer located opposite the detection matrix
  • the functionalized layer comprises a blank portion of any functionalized area serving as a reference
  • the functionalized layer and the detection layer form one and the same piece
  • the functionalized layer and the detection layer are contiguous to one another by their large facing surfaces and form a single piece according to another variant embodiment, one or more additional layer (s) forming for example a polarizer, is (are) interposed (s) between the functionalized layer and the detection layer, or is present above the functionalized layer, or the additional layer (s) forming with the functionalized layer and the detection layer, a single piece whose large faces of the facing layers are contiguous to each other
  • the functionalized layer and the detection layer are two distinct parts of each other juxtaposed without joining one another by their large surfaces facing each other
  • the functionalized material is in the form of a waveguide defining a main axis along which the different functionalized zones are distributed
  • the detection layer is in the form of one (or more) matrix of detectors linear or not, the detectors being respectively arranged opposite the different functionalized areas of the functionalized material, each functionalized zone of the waveguide being formed by a plurality of parallel planes inclined with respect to the main axis of the waveguide towards the detector, the spacings of the planes of the different functionalized portions being different from each other so that each functionalized zone is able to filter a particular spectral band of an incident signal and to redirect it to the corresponding detector of the matrix of detectors placed opposite.
  • the detection material comprises an InGaAs layer and / or a nanostructure of quantum box type semiconductors.
  • the invention also relates to a method for functionalizing at least one detector of light signals located in at least the short-wave infrared, formed by a detection material able to detect light signals located at least in the infrared at short wavelengths.
  • the method consists in exposing a material initially not functionalized and transparent for the light detected by the detection material, intended to be juxtaposed with the detection material, a femtosecond laser spot so as to create nanostructures defining in the initially non-functionalized material, optical index variations or the birefringence within the transparent material in order to functionalize it in the portion of the transparent material intended to be located opposite the detector.
  • the method according to the invention may have one and / or the other of the following characteristics:
  • the detector consists of a detection layer including the detection material, and a transparent protection layer for the light detected by the detection material, forming a single piece, the process of functionalizing the detection layer; protection by exposing this layer to the femtosecond laser spot so as to create said nanostructures
  • the detector consists of a detection layer including the detection material, and a transparent protection layer for the light detected by the detection material, contiguous to the detection layer, the method consisting in functionalizing a reported plate of transparent material, independent of the detector, by exposing this plate to the femtosecond laser spot so as to create said nanostructures, and consisting of juxtaposing on the protective layer during the use of the detector, the functionalized plate facing the detector
  • the detection layer comprises a plurality of detectors organized in a matrix of detectors, the laser spot being adjusted to form in the transparent protection layer, and facing the different detectors of the matrix, respectively zones functionalized differently from each other
  • the invention also relates to the use of the optical device previously described for filtering and / or polarizing a light signal located at least in the infrared at short wavelengths.
  • the optical device As well as using the optical device as a waveguide and associated detector array to form a spectrometer for analyzing different spectral bands of a light signal located at least in the short wavelength infrared.
  • FIG. 1 schematically represents a perspective view of a device according to the invention provided with a matrix of SWIR detectors and with a layer of functionalized material filtering the polarization of the incident light by means of different distributed internal functionalized zones; on the width of the layer,
  • FIG. 2 shows a schematic sectional view of an alternative embodiment of the functionalized layer in which each functionalized zone is formed by parallel planes spaced a constant pitch, the steps of the different areas being distinct from each other,
  • FIG. 3 is a diagrammatic sectional view of a variant embodiment of the functionalized layer according to which each functionalized zone is formed by parallel planes spaced apart by a variable pitch, the variable steps of the different zones being distinct from one another,
  • FIG. 4 schematically represents a view from above of an alternative embodiment of a functionalized layer to allow three types of polarization filter of the light (three types of hatching) and the definition of a reference (portion without hatching),
  • FIG. 5 schematically illustrates a side view of a waveguide provided with functionalized zones according to the invention, and of a SWIR or VIS-SWIR detector,
  • FIG. 6 shows, by a schematic view from above, an example of periodic nanostructures constituting a particular internal functionalized zone of the functionalized layer of FIG. 1, in which the nanostructures constitute holes (almost empty of material) or zones. of lower index than the surrounding material made in the thickness of the constituent material of the functionalized layer, distributed in the form of parallel nano-planes, for example in the form of discs, each of a size of about 1 micron, of a thickness of about 50 nm, separated in pairs from about 250 nm,
  • FIG. 7 represents a schematic view from above of an example of a particular internal functionalized zone of the functionalized layer of FIG. 2, in which the nanostructures constitute zones of optical index different from the rest of the functionalized layer, are realized in the thickness of the constituent material of the functionalized layer, and are distributed in the form of parallel nano-planes, for example in the form of parallelepipedal lamellae, each of a size of about 10 microns, with a thickness of about 500 nm, and separated two by two by about 1 micron.
  • the invention as represented in FIG. 1 relates to an optical device 1 integrating at least two SWIR or VIS-SWIR detectors and a transparent material at least for the wavelengths detected by the detector, and which is functionalized to filter and / or polarize the incident light L singularly.
  • This functionalization is also carried out by a femtosecond laser with the necessary precision without exorbitant cost given the relatively small volume of SWIR or VIS-SWIR detectors meeting the needs of the current market.
  • the nanostructures introduced into a transparent material of the mineral or organic glass type by a femtosecond laser formed functionalization zones that are suitable for filtering and / or polarizing a SWIR or VIS-SWIR light.
  • the femtosecond laser will be set to form in the transparent material, which will be for example silica glass, but could also be made of organic glass or photosensitive material transparent to the detection light of the associated matrix detector, functionalized areas provided with nanostructures composition and / or different arrangements.
  • the transparent material which will be for example silica glass, but could also be made of organic glass or photosensitive material transparent to the detection light of the associated matrix detector, functionalized areas provided with nanostructures composition and / or different arrangements.
  • nanostructures will be formed to allow a change of optical index (for example by introducing a change in material density for example by introducing gas bubbles by being of porous structure) or zones with periodic or quasi-periodic nanostructures with birefringent effect, as explained at the end of the description.
  • the optical device is formed by a matrix of SWIR or VIS-SWIR detectors which is functionalized, either intrinsically or by means of a reported filter.
  • a SWIR sensor typically has the format of the detector array 320 lines x 256 columns at a pitch of 30 microns with an image rate of 400 Hz, for example, or 640 lines x 512 columns at step 15 microns with an image rate of 300 Hz, which correspond to the current state of the art. Larger formats can be considered.
  • the matrix of detectors integrates its reading and multiplexing circuit known as ROIC (acronym for the English expression "Read Out Integrated Circuit").
  • the intrinsic filter 1 1 to the matrix detector constitutes a physical protection barrier for the material of the matrix detector, this material being for example constituted by InGaAs or structures based on quantum boxes. It consists of a transparent material at the detection wavelengths of the matrix detector, ideally made of mineral glass (silica).
  • the invention provides for functionalizing the intrinsic filter 11 of the matrix detector, or a transparent layer that is transparent to the detector. detection wavelengths of the matrix detector, ideally made of mineral glass (silica) (layer 4 of FIG. 1).
  • FIGS. 1 to 3 illustrates the functionalization of a layer of transparent material attached to a matrix detector, knowing that this functionalization could equally be performed on the intrinsic protection filter of this detector.
  • FIG. 1 is represented a matrix of detectors SWIR or VIS-SWIR 3, three of which are visible 2i, 2 2 , 2 3 surmounted by a layer 4 of transparent material for the wavelengths detected by the detectors, each zone 4i, 42, 43, 4 4 facing a detector 2i, 22, 23 of the matrix, is functionalized to filter or polarize the light arriving at the detection material.
  • the thickness of the functionalized layer is between 50 and 1000 microns, and the functionalized zones of this material are located at a minimum distance of 10 to 50 microns from the large free face of the functionalized layer and at a minimum distance of 10 to 50 microns from the big face of the functionalized layer located opposite the detection layer.
  • each zone is functionalized by carrying out, in a same plane (parallel to the plane P), parallel lines of periodic or quasi-periodic nanostructures with a birefringent effect or parallel lines of optical index change. , obtained by means of a femtosecond laser adjusted for this purpose.
  • Two adjacent functionalised zones 4i, 42, 43, 4 4 have differently oriented lines and / or with a pitch of different width.
  • each zone 7i, 72, 73 is functionalized by producing, in the thickness of the functionalized layer, identical patterns in parallel planes.
  • Each pattern may represent viewed from above a single line, a plurality of lines, or a surface of periodic or quasi-periodic nanostructures with a birefringent effect or an optical index change 6.
  • FIG. 4 is a plan view of a functionalized layer with square patterns of three different types by way of example (hatches inclined in two orientations 9i and 92, horizontal hatching 93, no pattern 9 4 ), completed by a fourth blank square any functionalized area serving as reference, each group of three different patterns and the associated reference being repeated in the width and in the length of the functionalized layer seen from above.
  • the matrix of detectors associated with this functionalized layer will of course be provided with detectors organized in correspondence of each pattern.
  • a polarizer that may be suitable for this use is, for example, the polarizer Linear Near IR sold by Edmund Optics®. consisting of a polarization polymer film between two optical quality glass plates, having a range of wavelengths for example between 750-850nm or between 1000-2000nm, and for example a 50dB extinction ratio for Wavelengths 1310nm and 1550nm.
  • the pattern distribution planes of the same area can be separated by a constant step (Figure 2) or a variable step ( Figure 3).
  • the patterns of two distinct functionalized zones have different steps either in nature (constant or variable) or in spacing.
  • An area of the functionalized layer may be provided blank without any pattern (zone 7 4 of Figure 2 or 83 of Figure 3) to serve as a reference or "remaining area of the functionalized material.”
  • the optical device according to the invention is formed by a matrix of detectors SWIR or VIS-SWIR which is not functionalized 13, and which is associated with a waveguide consisting of a transparent material for the light detected by the matrix 13, and which is functionalized by the realization of zones by femtosecond laser.
  • the waveguide is in the form of a material consisting for example of an optical fiber or a lamella and extending along a main axis (which could be linear or curvilinear) and the matrix detector is configured to follow the main axis of the waveguide in order to have detectors along that axis.
  • the waveguide is provided with three functionalized zones 14i, 142, 143 each formed by a plurality of patterns distributed along inclined parallel planes in order to direct an incident light traveling through the waveguide towards the detector. associated with this functionalized area.
  • the spacing of the planes of a functionalized zone differs with respect to the other functionalized zones of the waveguide, so that this zone filters a band of wavelengths B1, B2, B3 specific to the spectrum of incident light.
  • This optical device can thus constitute a spectrometer formed of a waveguide and a matrix detector SWIR or VIS-SWIR.
  • the femtosecond laser at the wavelength of 800 nm (150 fs pulses at a rate of 100 kHz) is set at a relatively low energy (around 150 nJ for numerical aperture ("Numerical Aperture": NA) of 0 6.
  • the femtosecond laser at the wavelength of 800 nm (pulsed at 150 fs at a rate of 100 kHz) is set to average energy (around 300- 500 nJ for a numerical aperture ("Numerical Aperture" (NA)) of 0.65.
  • NA numerical aperture
  • Roberto Osellame from Femtoseond Laser Micromachining Photonic and Microfluidic Devices in Transparent Materials.

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
  • Spectrometry And Color Measurement (AREA)

Abstract

L'invention concerne un dispositif optique comprenant au moins une couche de détection comprenant au moins deux détecteurs (21, 22, 23 ) aptes à détecter des signaux lumineux situés au moins dans l'infrarouge à courtes longueurs d'onde, et un matériau transparent (4) pour la lumière détectée par les détecteurs et fonctionnalisé pour filtrer la lumière ou modifier l'état de polarisation de la lumière parvenant au matériau de détection, le matériau fonctionnalisé étant pourvu d'au moins une zone fonctionnalisée par des nanostructures (41, 42, 43, 44 ) et une zone restante du matériau fonctionnalisé, les nanostructures étant situées dans le volume du matériau fonctionnalisé, ladite au moins une zone fonctionnalisée et ladite zone restante étant situées en correspondance respectivement avec les au moins deux détecteurs du matériau de détection.

Description

FILTRE DE LUMIERE FONCTIONNALISE POUR DETECTEUR SWIR OU VIS-SWIR, ET UTILISATIONS
DOMAINE TECHNIQUE DE L'INVENTION L'invention concerne la détection et l'analyse de signaux lumineux émis au moins dans le domaine de l'Infrarouge Proche ou « infrarouge à courtes longueurs d'onde » (dont l'acronyme anglais généralement utilisé est « SWIR » pour « Short-Wave Infrared »), les dispositifs optiques associés et leur fabrication. L'infrarouge proche (SWIR) est généralement défini comme le spectre lumineux se situant dans la gamme de longueur d'onde 0,9 - 1 ,7 m mais pouvant être étendu de manière courante à la gamme 0,7 - 2,5 μιτι. Les détecteurs classiques en silicium possèdent une limite haute de fonctionnement située à environ 1 ,0 μιτι, ainsi, l'imagerie basée sur le SWIR exige des capteurs optiques différents, capables de fonctionner sur cette gamme spectrale. Les détecteurs en indium-arséniure de gallium (InGaAs) ont été parmi les premiers capteurs utilisés dans l'imagerie SWIR, couvrant ainsi la bande spectrale typique du SWIR de 0,9 à 1 ,7 μιτι, mais pouvant s'étendre en deçà de 0,7 μιτι et jusqu'à 2,5 μιτι environ. On peut citer d'autres détecteurs SWIR tels que certains capteurs basés sur les boîtes quantiques (« quantum dots »). Certains détecteurs peuvent couvrir, en plus de la gamme SWIR, la bande du visible (0,4 - 0,7 μιτι), couvrant ainsi une bande élargie : VIS-SWIR.
Les gammes de l'infrarouge à « moyennes longueurs d'onde » (MWIR) et de l'infrarouge à « grandes longueurs d'onde » (LWIR) sont en grande partie émises par l'objet lui-même. Les photons dans l'infrarouge proche (SWIR) peuvent être émis par les objets (notamment à forte température) mais aussi, de manière similaire à la lumière du visible, peuvent être transmis, réfléchis ou absorbés par un objet, apportant ainsi le contraste nécessaire à l'imagerie en pleine bande ainsi que les variations en fonction de la longueur d'onde nécessaire à la spectroscopie et à l'imagerie multispectrale ou hyperspectrale. La lumière ambiante émise par le soleil et le rayonnement dû à l'éclairage artificiel (les lampes à halogène notamment), sont des émetteurs du SWIR qui fournissent un excellent éclairage en extérieur ou en intérieur.
Un grand nombre d'applications, difficiles ou impossibles à réaliser avec la lumière du visible, sont rendues possibles en utilisant l'imagerie à infrarouge proche (SWIR). C'est le cas pour les applications de surveillance en temps de brume ou avec de la fumée ou de la pollution. C'est aussi le cas pour les applications de contrôle non destructif de pièces ou de composants réalisés avec des matériaux tels que le silicium qui sont transparents dans le SWIR mais pas dans le visible. Par ailleurs, des matériaux qui apparaissent presque identiques dans le visible peuvent être facilement différenciés en utilisant le SWIR.
L'imagerie SWIR est utilisée dans une multitude d'applications, notamment dans l'inspection de composants électroniques, de cellules solaires, dans la production, l'identification et le tri, la surveillance, la contrefaçon, le contrôle de qualité, et bien plus encore.
Selon les applications, l'imagerie sera :
- De l'imagerie en pleine bande, c'est-à-dire utilisant l'ensemble de la bande de longueur d'onde détectée par le capteur. Ici, par exemple l'ensemble de la bande SWIR de 0,9 μιτι à 1 ,7 μιτι.
- De l'imagerie en bande restreinte, c'est-à-dire dans une bande unique correspondant à la bande de transmission d'un filtre de 1 ,30 μιτι à 1 ,35 μιτι par exemple.
- De l'imagerie de polarisation, où l'image est obtenue par un ou plusieurs filtres polarisants.
- De l'imagerie multispectrale ou hyperspectrale où l'image est obtenue dans au moins deux bandes de longueurs d'onde différentes.
Il est nécessaire que les lentilles et autres composants SWIR tels que les filtres de séparation en bandes de longueurs d'onde d'un spectre de lumière incidente ou les filtres de polarisation, utilisés en complément d'un détecteur SWIR, soient spécifiquement conçus et traités au moins pour le spectre du SWIR.
ETAT DE LA TECHNIQUE ET SES INCONVENIENTS
Dans le domaine des capteurs de lumière visible (0,4 à 0,7 microns), ou du très proche infrarouge (0,7 à 1 ,0 microns) tels que des capteurs CMOS, CCD ou autres, différents filtres optiques fonctionnalisés sont utilisés pour polariser la lumière incidente ou la séparer en différentes bandes spectrales permettant ainsi d'obtenir une imagerie multispectrale ou hyperspectrale.
Ainsi, le brevet américain US 9 304 039 cite un filtre dont la fonctionnalisation est obtenue par une épaisseur variable de son matériau constitutif sur sa largeur (structure en section transversale dite « en marche d'escalier »). Cette structure est obtenue grâce à l'utilisation de masques permettant de protéger une portion rectiligne du matériau d'un processus de gravure qui conservera une épaisseur donnée et filtrera en fonction, la lumière incidente dans une bande spectrale différente que ne l'effectue une portion adjacente du filtre qui aura été au contraire exposée à la gravure et présentera pour ce motif une moindre épaisseur de matériau assurant une fonction de filtrage pour une bande de longueur d'onde différente de la portion d'épaisseur initiale.
D'autre part, le brevet européen EP 2 275 790 décrit un filtre de polarisation pour un capteur de polarisation intégré conçu pour détecter un rayonnement électromagnétique polarisé circulairement. Ce filtre de polarisation est fonctionnalisé grâce à la superposition de couches métalliques alternées, présentant respectivement une structure en méandres et une structure à ligne de grille et pouvant intégrer chacune des motifs géométriques formés par des orifices de géométries diverses réalisés dans l'épaisseur de la couche métallique concernée. A différents points de la surface du filtre, la lumière incidente qui traverse le filtre rencontre des successions d'orifices/matériau métallique différentes, susceptibles de polariser différemment la lumière incidente. Le brevet américain US 5 615 008 illustre un guide d'onde transparent le long duquel est inscrit un réseau de diffraction. Le réseau diffracte une lumière incidente parcourant le guide d'onde séparant les longueurs d'onde vers un détecteur CCD matriciel linéaire. Celui-ci détecte les différentes longueurs d'onde de la lumière dans la bande visible. Dans ce document, la réalisation des réseaux de diffraction est effectuée par exposition de matériau photosensible à un motif d'interférence formé par un réseau, un interféromètre ou par des moyens de photolithographie.
Ces filtres ou guides d'onde fonctionnalisés par épaisseur variable, gravure, impression photosensible, sont relativement économiques de fabrication compte tenu du volume de filtres de ce type fabriqué pour le volume important de capteurs ou guides d'ondes de lumière visible.
Etant donné cependant que le développement de détecteurs SWIR ou VIS- SWIR n'est pas à un stade de déploiement aussi avancé que les détecteurs du visible, les économies d'échelle réalisées lors de la fabrication de filtres fonctionnalisés pour des détecteurs du visible ne peuvent être rencontrées lors de la fabrication de filtres fonctionnalisés spécifiquement pour des détecteurs SWIR ou VIS-SWIR.
OBJET DE L'INVENTION
Il existe donc un besoin de conception de filtres et guides d'onde fonctionnalisés spécifiquement pour détecteur SWIR ou VIS-SWIR qui permettent, sinon de réaliser des économies d'échelle équivalentes à celles obtenues pour des détecteurs du visible, de proposer des procédés de fabrication relativement compétitifs pour cette niche économique, et susceptibles de rester compétitifs lorsque le marché des détecteurs SWIR ou VIS-SWIR se sera déployé plus largement. A cet effet, l'invention concerne un dispositif optique comprenant au moins une couche de détection comprenant au moins deux détecteurs aptes à détecter des signaux lumineux situés au moins dans l'infrarouge à courtes longueurs d'onde, et un matériau transparent pour la lumière détectée par les détecteurs et fonctionnalisé pour filtrer ou polariser la lumière parvenant aux détecteurs, le matériau fonctionnalisé étant pourvu d'au moins une zone fonctionnalisée par des nanostructures et une zone restante du matériau fonctionnalisé, les nanostructures étant situées dans le volume du matériau fonctionnalisé, ladite au moins une zone fonctionnalisée et ladite zone restante étant situées en correspondance respectivement avec les au moins deux détecteurs du dispositif optique.
L'invention peut par ailleurs présenter l'une et/ou l'autre des caractéristiques suivantes :
- la couche de détection est composée d'une matrice de détecteurs et de l'électronique associée (circuit de lecture : ROIC)
- le matériau transparent fonctionnalisé peut se présenter sous la forme d'une couche (plaque) ou d'un guide d'onde (par exemple, une fibre optique) et comprend différentes zones fonctionnalisées par des nanostructures, zones disposées en regard d'un ou plusieurs détecteurs de la matrice
- les zones fonctionnalisées par des nanostructures peuvent être des zones à changement d'indice optique par exemple par changement de la densité locale du matériau transparent par exemple grâce à la définition de structures poreuses dont les bulles de gaz ou de vide viendront abaisser localement la densité de la matière vis à vis d'une zone restante dépourvue de ces nanostructures poreuses ou par exemple par introduction ou précipitation de nanoparticules métalliques ou non métalliques
- les zones fonctionnalisées peuvent être des zones à nanostructures périodiques ou quasi périodiques à effet biréfringent
- les zones fonctionnalisées peuvent être des combinaisons de zones à changement d'indice optique et à effet biréfringent les détecteurs sont constitués de matériaux de détection identiques ou différents
le matériau fonctionnalisé comprend une pluralité de zones fonctionnalisées qui sont réparties dans la largeur du matériau fonctionnalisé, pour filtrer respectivement des bandes de longueurs d'onde distinctes de la lumière incidente et/ou pour filtrer différents états de polarisation de la lumière incidente et la matrice de détection comprend une pluralité de détecteurs situées en correspondance respectivement avec la pluralité de zones fonctionnalisées du matériau fonctionnalisé
chaque zone fonctionnalisée est formée par une pluralité de plans de répartition répartis dans l'épaisseur du matériau de fonctionnalisation avec un pas d'écartement constant ou variable, deux zones fonctionnalisées distinctes présentant des pas d'écartement différents les plans de répartition des zones fonctionnalisées sont parallèles à, perpendiculaires à ou inclinés vis à vis d'un axe principal du matériau fonctionnalisé
le matériau fonctionnalisé et la matrice de détection se présentent sous la forme de deux couches superposées l'une à l'autre par leurs grandes faces en regard, l'épaisseur de la couche fonctionnalisée est comprise entre 50 et 1000 microns, et les zones fonctionnalisées de ce matériau sont situées à une distance minimale de 10 à 50 microns de la grande face libre de la couche fonctionnalisée et à une distance minimale de 10 à 50 microns de la grande face de la couche fonctionnalisée située en regard de la matrice de détection
la couche fonctionnalisée comprend une portion vierge de toute zone fonctionnalisée servant de référence
la couche fonctionnalisée et la couche de détection forment une seule et même pièce
la couche fonctionnalisée et la couche de détection sont accolées l'une à l'autre par leurs grandes surfaces en regard et forment une seule et même pièce - selon une autre variante de réalisation, une ou plusieurs couche(s) supplémentaire(s) formant par exemple un polariseur, est (sont) interposée(s) entre la couche fonctionnalisée et la couche de détection, ou est présente au-dessus de la couche fonctionnalisée, la ou les couche(s) supplémentaire(s) formant avec la couche fonctionnalisée et la couche de détection, une seule et même pièce dont les grandes faces des couches en regard sont accolées l'une à l'autre
- la couche fonctionnalisée et la couche de détection sont deux pièces distinctes l'une de l'autre juxtaposées sans jointure l'une à l'autre par leurs grandes surfaces en regard
- le matériau fonctionnalisé se présente sous la forme d'un guide d'onde définissant un axe principal le long duquel sont répartis les différentes zones fonctionnalisées, et la couche de détection se présente sous la forme d'une (ou plusieurs) matrice de détecteurs linéaire ou non, les détecteurs étant disposés respectivement en regard des différentes zones fonctionnalisées du matériau fonctionnalisé, chaque zone fonctionnalisée du guide d'onde étant formée par une pluralité de plans parallèles inclinés vis à vis de l'axe principal du guide d'onde vers le détecteur, les écartements des plans des différentes portions fonctionnalisées étant différents les uns des autres de façon à ce que chaque zone fonctionnalisée soit apte à filtrer une bande spectrale particulière d'un signal incident et à la rediriger vers le détecteur correspondant de la matrice de détecteurs placé en regard.
- le matériau de détection comprend une couche d'InGaAs et/ou une nanostructure de semi-conducteurs de type boîte quantique.
L'invention concerne également un procédé de fonctionnalisation d'au moins un détecteur de signaux lumineux situés au moins dans l'infrarouge à courtes longueurs d'onde, formé par un matériau de détection apte à détecter des signaux lumineux situés au moins dans l'infrarouge à courtes longueurs d'onde.
Selon l'invention, le procédé consiste à exposer un matériau initialement non fonctionnalisé et transparent pour la lumière détectée par le matériau de détection, destiné à être juxtaposé au matériau de détection, à un spot de laser femtoseconde de façon à créer des nanostructures définissant dans le matériau initialement non fonctionnalisé, des variations d'indice optique ou de la biréfringence au sein du matériau transparent afin de le fonctionnaliser dans la portion du matériau transparent destinée à être située en regard du détecteur.
Avantageusement, le procédé selon l'invention peut présenter l'une et/ou l'autre des caractéristiques suivantes :
- le détecteur est constitué d'une couche de détection incluant le matériau de détection, et d'une couche de protection transparente pour la lumière détectée par le matériau de détection, formant une seule et même pièce, le procédé consistant à fonctionnaliser la couche de protection en exposant cette couche au spot de laser femtoseconde de façon à créer lesdites nanostructures
- le détecteur est constitué d'une couche de détection incluant le matériau de détection, et d'une couche de protection transparente pour la lumière détectée par le matériau de détection, accolée à la couche de détection, le procédé consistant à fonctionnaliser une plaque rapportée de matériau transparent, indépendante du détecteur, en exposant cette plaque au spot de laser femtoseconde de façon à créer lesdites nanostructures, et consistant à juxtaposer sur la couche de protection lors de l'utilisation du détecteur, la plaque rapportée fonctionnalisée en regard du détecteur
- la couche de détection comprend une pluralité de détecteurs organisée en une matrice de détecteurs, le spot laser étant réglé pour former dans la couche de protection transparente, et en regard des différents détecteurs de la matrice, respectivement des zones fonctionnalisées différemment les unes des autres
L'invention concerne aussi l'utilisation du dispositif optique précédemment décrit pour filtrer et/ou polariser un signal lumineux situé au moins dans l'infrarouge à courtes longueurs d'onde.
Ainsi que l'utilisation du dispositif optique comme guide d'onde et matrice de détecteurs associée afin de former un spectromètre pour analyser différentes bandes spectrales d'un signal lumineux situées au moins dans l'infrarouge à courtes longueurs d'onde.
BREVE DESCRIPTION DES FIGURES
D'autres objets et avantages de l'invention apparaîtront au cours de la description qui suit, faite en référence aux figures annexées parmi lesquelles :
- la figure 1 représente schématiquement par une vue en perspective un dispositif selon l'invention doté d'une matrice de détecteurs SWIR et d'une couche d'un matériau fonctionnalisé filtrant la polarisation de la lumière incidente au moyen de différentes zones fonctionnalisées internes réparties sur la largeur de la couche,
- la figure 2 représente par une vue schématique en coupe une variante de réalisation de la couche fonctionnalisée selon laquelle chaque zone fonctionnalisée est formée par des plans parallèles écartés d'un pas constant, les pas des différentes zones étant distincts les uns des autres,
- la figure 3 illustre par une vue schématique en coupe une variante de réalisation de la couche fonctionnalisée selon laquelle chaque zone fonctionnalisée est formée par des plans parallèles écartés d'un pas variable, les pas variables des différentes zones étant distincts les uns des autres,
- la figure 4 représente schématiquement une vue de dessus d'une variante de réalisation d'une couche fonctionnalisée pour permettre trois types de filtre de polarisation de la lumière (trois types de hachures) et la définition d'une référence (portion sans hachure),
- la figure 5 illustre schématiquement une vue de côté d'un guide d'onde pourvu de zones fonctionnalisées selon l'invention, et d'un détecteur SWIR ou VIS-SWIR,
- la figure 6 montre par une vue schématique de dessus un exemple de nanostructures périodiques, constituant une zone fonctionnalisée interne particulière de la couche fonctionnalisée de la figure 1 , au sein de laquelle les nanostructures constituent des trous (quasiment vides de matière) ou des zones d'indice plus faible que la matière environnante réalisés dans l'épaisseur de la matière constitutive de la couche fonctionnalisée, répartis sous la forme de nano-plans parallèles, par exemple sous la forme de disques, chacun d'une taille d'environ 1 micron, d'une épaisseur d'environ 50 nm, séparés deux à deux d'environ 250 nm,
- la figure 7 représente par une vue schématique de dessus un exemple de zone fonctionnalisée interne particulière de la couche fonctionnalisée de la figure 2, au sein de laquelle les nanostructures constituent des zones d'indice optique différent du reste de la couche fonctionnalisée, sont réalisées dans l'épaisseur de la matière constitutive de la couche fonctionnalisée, et sont réparties sous la forme de nano-plans parallèles, par exemple sous la forme de lamelles parallélépipédiques, chacune d'une taille d'environ 10 micron, d'une épaisseur d'environ 500 nm, et séparées deux à deux d'environ 1 micron.
DESCRIPTION DETAILLEE DES FIGURES
L'invention telle que représentée sur la figure 1 , concerne un dispositif optique 1 intégrant au moins deux détecteurs SWIR ou VIS-SWIR et un matériau transparent au moins pour les longueurs d'onde détectées par le détecteur, et qui est fonctionnalisé pour filtrer et/ou polariser la lumière incidente L de façon singulière.
Cette fonctionnalisation s'effectue en outre par un laser femtoseconde avec la précision nécessaire sans coût exorbitant compte tenu du volume relativement restreint de détecteurs SWIR ou VIS-SWIR répondant aux besoins du marché actuel.
Il a été effectivement trouvé de façon surprenante que les nanostructures introduites dans un matériau transparent de type verre minéral ou organique par un laser femtoseconde formaient des zones de fonctionnalisation propices à filtrer et/ou polariser une lumière SWIR ou VIS-SWIR.
Le laser femtoseconde sera réglé pour former dans le matériau transparent, qui sera par exemple du verre de silice, mais pourrait également être constitué de verre organique ou de matériau photosensible transparent à la lumière de détection du détecteur matriciel associé, des zones fonctionnalisées dotées de nanostructures de composition et/ou d'agencements différents.
Ces nanostructures seront formées pour permettre un changement d'indice optique (par exemple en introduisant un changement de densité de matériau par exemple en introduisant des bulles de gaz en étant de structure poreuse) ou des zones à nanostructures périodiques ou quasi périodiques à effet biréfringent, comme explicité en fin de description.
Selon une première variante de réalisation du dispositif optique selon l'invention, représentée sur les figures 1 à 4, le dispositif optique est formé par une matrice de détecteurs SWIR ou VIS-SWIR qui est fonctionnalisée, soit intrinsèquement, soit au moyen d'un filtre rapporté.
Un capteur SWIR par exemple réalisé à base d'InGaAs a typiquement comme format de la matrice de détecteurs 320 lignes x 256 colonnes au pas de 30 microns avec une cadence image de 400 Hz, par exemple, ou 640 lignes x 512 colonnes au pas de 15 microns avec une cadence image de 300 Hz, qui correspondent à l'état de l'art actuel. Des formats plus grands peuvent être envisagés. La matrice de détecteurs intègre son circuit de lecture et de multiplexage dit ROIC (acronyme de l'expression anglo-saxonne « Read Out Integrated Circuit »).
Le filtre intrinsèque 1 1 au détecteur matriciel constitue une barrière de protection physique pour le matériau du détecteur matriciel, ce matériau étant par exemple, constitué d'InGaAs ou de structures à base de boites quantiques. Il est constitué d'un matériau transparent aux longueurs d'onde de détection du détecteur matriciel, idéalement en verre minéral (silice).
Pour former une association entre le détecteur matriciel et une couche transparente fonctionnalisée filtrant ou polarisant la lumière incidente avant que celle-ci ne parvienne au détecteur, l'invention prévoit de fonctionnaliser le filtre intrinsèque 1 1 du détecteur matriciel, ou une couche rapportée transparente aux longueurs d'onde de détection du détecteur matriciel, idéalement en verre minéral (silice) (couche 4 de la figure 1 ).
L'exemple des figures 1 à 3 illustre la fonctionnalisation d'une couche de matériau transparent rapporté à un détecteur matriciel, sachant que cette fonctionnalisation pourrait tout autant être effectuée sur le filtre intrinsèque de protection de ce détecteur.
Plus précisément, sur la figure 1 est représentée une matrice de détecteurs SWIR ou VIS-SWIR 3 dont trois sont visibles 2i, 22, 23 surmontée d'une couche 4 de matériau transparent pour les longueurs d'onde détectées par les détecteurs, dont chaque zone 4i , 42, 43, 44 en regard d'un détecteur 2i, 22, 23 de la matrice, est fonctionnalisée pour filtrer ou polariser la lumière parvenant au matériau de détection.
Idéalement, l'épaisseur de la couche fonctionnalisée est comprise entre 50 et 1000 microns, et les zones fonctionnalisées de ce matériau sont situées à une distance minimale de 10 à 50 microns de la grande face libre de la couche fonctionnalisée et à une distance minimale de 10 à 50 microns de la grande face de la couche fonctionnalisée située en regard de la couche de détection.
Dans l'exemple de la figure 1 , chaque zone est fonctionnalisée par la réalisation suivant un même plan (parallèle au plan P), de lignes parallèles de nanostructures périodiques ou quasi périodique à effet biréfringent ou de lignes parallèles de changement d'indice optique 6, obtenues au moyen d'un laser femtoseconde réglé à cet effet.
Deux zones fonctionnalisées adjacentes 4i, 42, 43, 44 présentent des lignes orientées différemment et/ou avec un pas d'écartement différent.
Dans l'exemple de la figure 2, chaque zone 7i, 72, 73, est fonctionnalisée par la réalisation dans l'épaisseur de la couche fonctionnalisée de motifs identiques suivant des plans parallèles. Chaque motif peut représenter vu de dessus une ligne unique, une pluralité de ligne, ou une surface de nanostructures périodiques ou quasi périodique à effet biréfringent ou de changement d'indice optique 6.
La figure 4 illustre vue de dessus une couche fonctionnalisée avec des motifs carrés de trois types différents à titre d'exemple (hachures inclinées selon deux orientations 9i et 92, hachures horizontales 93, absence de motif 94), complétés par un quatrième carré vierge de toute zone fonctionnalisée servant de référence, chaque groupement de trois motifs différents et la référence associée étant répété dans la largeur et dans la longueur de la couche fonctionnalisée vus de dessus. La matrice de détecteurs associée à cette couche fonctionnalisée sera bien entendu pourvue de détecteurs organisés en correspondance de chaque motif.
Idéalement, si les nanostructures utilisées sont de type biréfringent, on accolera au-dessus ou en dessous de la couche fonctionnalisée (et ainsi dans ce dernier cas entre la couche fonctionnalisée et la couche de détection), une couche supplémentaire formant un polariseur, couvrant l'ensemble des zones fonctionnalisées et qui permettra de différencier les différentes zones. Un polariseur pouvant convenir à cette utilisation est par exemple le Polariseur Linéaire Proche IR commercialisé par la société Edmund Optics®. constitué d'un film polymère de polarisation compris entre deux plaques de verre de qualité optique, présentant une gamme de longueurs d'onde par exemple comprise entre 750-850nm ou entre 1000-2000nm, et par exemple un rapport d'Extinction de 50dB pour les Longueurs d'Onde 1310nm et 1550nm.
Vus de côté, les plans de répartition des motifs d'une même zone peuvent être séparés d'un pas constant (figure 2) ou d'un pas variable (figure 3). Les motifs de deux zones fonctionnalisées distinctes présentent des pas différents soit en nature (constant ou variable) soit en écartement.
Une zone de la couche fonctionnalisée pourra être prévue vierge de tout motif (zone 74 de la figure 2 ou 83 de la figure 3) afin de servir de référence ou de « zone restante du matériau fonctionnalisé ».
Selon la variante de réalisation représentée sur la figure 5, le dispositif optique selon l'invention est formé par une matrice de détecteurs SWIR ou VIS-SWIR qui n'est pas fonctionnalisée 13, et qui est associée à un guide d'onde constitué d'un matériau transparent pour la lumière détectée par la matrice 13, et qui est fonctionnalisé par la réalisation de zones par laser femtoseconde.
Plus précisément, le guide d'onde se présente sous la forme d'un matériau constitué par exemple d'une fibre optique ou d'une lamelle et s'étendant selon un axe principal (qui pourrait être linéaire ou curviligne) et le détecteur matriciel est configuré pour suivre l'axe principal du guide d'onde afin de disposer de détecteurs le long de cet axe.
Le guide d'onde est pourvu dans l'exemple représenté de trois zones fonctionnalisées 14i, 142, 143 formées chacune par une pluralité de motifs répartis suivant des plans parallèles inclinés afin de diriger une lumière incidente parcourant le guide d'onde, vers le détecteur associé à cette zone fonctionnalisée. L'écartement des plans d'une zone fonctionnalisée diffère vis à vis des autres zones fonctionnalisées du guide d'onde, afin que cette zone filtre une bande de longueurs d'onde B1 , B2, B3 spécifique du spectre de lumière incidente. Ce dispositif optique peut ainsi constituer un spectromètre formé d'un guide d'onde et d'un détecteur matriciel SWIR ou VIS-SWIR.
Exemples de réglage d'un laser femtoseconde pour réaliser les zones fonctionnalisées selon l'invention sur du verre minéral (silice) :
• Formation de zones à changement d'indice optique :
Le laser femtoseconde à la longueur d'onde de 800 nm (puise de 150 fs à une cadence de 100 kHz) est réglé à une relativement faible énergie (autour de 150 nJ pour une ouverture numérique (« Numerical Aperture » : NA) de 0,6.
• Formation de zones à nanostructures périodiques ou quasi périodique à effet biréfringent :
Le laser femtoseconde à la longueur d'onde de 800 nm (puise de 150 fs à une cadence de 100 kHz) est réglé à une énergie moyenne (autour de 300- 500 nJ pour une ouverture numérique (« Numerical Aperture » : NA) de 0,65.
D'autres réglages du laser femtoseconde pourront être déterminés par l'homme du métier en fonction des nanostructures à réaliser à l'aide des éléments ci-dessus, de ses connaissances générales et/ou de documents ou d'articles scientifiques décrivant ce type de réglage pour la formation de nanostructures dans des matériaux transparents qui s'avèrent d'après les connaissances générales de l'homme du métier, également être transparent pour le SWIR (type verre de silice), même si les documents et articles en question ne concernent pas spécifiquement le SWIR. Par exemple le chapitre « 1 « Fundamentals of Femtosecond Laser Modification of Bulk Dielectrics » Shane M. Eaton, Giulio Cerullo, et
Roberto Osellame, de l'ouvrage « Femtoseond Laser Micromachining Photonic and Microfluidic Devices in Transparent Materials ».

Claims

REVENDICATIONS
Dispositif optique comprenant au moins une couche de détection (3) comprenant au moins deux détecteurs (2i , 22, 23) aptes à détecter des signaux lumineux situés au moins dans l'infrarouge à courtes longueurs d'onde, et un matériau (4) initialement transparent pour la lumière détectée par les détecteurs et fonctionnalisé pour filtrer la lumière et/ou modifier l'état de polarisation de la lumière parvenant aux détecteurs, le matériau fonctionnalisé étant pourvu d'au moins une zone fonctionnalisée (4i , 42, 43, 44) par des nanostructures et une zone restante du matériau fonctionnalisé, les nanostructures étant situées dans le volume du matériau fonctionnalisé, ladite au moins une zone fonctionnalisée et ladite zone restante étant situées en correspondance respectivement avec les au moins deux détecteurs de la couche de détection.
Dispositif selon la revendication 1 , dans lequel le matériau fonctionnalisé comprend une pluralité de zones fonctionnalisées (4i , 42, 43, 44) qui sont réparties dans la largeur du matériau fonctionnalisé, pour filtrer respectivement des bandes (B1 , B2, B3) distinctes de longueurs d'onde de la lumière incidente et/ou modifier des états de polarisation de la lumière incidente et la couche de détection comprend une pluralité de détecteurs (2i , 22, 23) situés en correspondance respectivement avec la pluralité de zones fonctionnalisées du matériau fonctionnalisé.
Dispositif selon la revendication 2, dans lequel chaque zone fonctionnalisée est formée par une pluralité de plans de répartition des nanostructures répartis dans l'épaisseur du matériau de fonctionnalisation avec un pas d'écartement constant ou variable, deux zones fonctionnalisées distinctes présentant des pas d'écartement différents.
Dispositif selon la revendication 3, dans lequel les plans de répartition des nanostructures sont parallèles à, perpendiculaires à ou inclinés vis à vis d'un axe ou d'un plan principal du matériau fonctionnalisé.
Dispositif selon l'une des revendications précédentes, dans lequel le matériau fonctionnalisé et la couche de détection se présentent sous la forme de deux couches superposées l'une à l'autre par leurs grandes faces en regard, l'épaisseur de la couche fonctionnalisée est comprise entre 50 et 1000 microns, et les zones fonctionnalisées de ce matériau sont situées à une distance minimale de 10 à 50 microns de la grande face libre de la couche fonctionnalisée et à une distance minimale de 10 à 50 microns de la grande face de la couche fonctionnalisée située en regard de la couche de détection.
6. Dispositif selon la revendication 5, dans lequel la couche fonctionnalisée (4) comprend une portion vierge de toute zone fonctionnalisée servant de référence.
7. Dispositif selon la revendication 5 ou 6, dans lequel la couche fonctionnalisée (4) et la couche de détection (3) forment une seule et même pièce.
8. Dispositif selon la revendication 5 ou 6, dans lequel la couche fonctionnalisée (4) et la couche de détection (3) sont deux pièces distinctes l'une de l'autre.
9. Dispositif selon l'une des revendications 1 à 4, dans lequel le matériau fonctionnalisé se présente sous la forme d'un guide d'onde (13) définissant un axe principal (A) le long duquel sont répartis les différentes zones fonctionnalisées, et la couche de détection se présente sous la forme d'une matrice de détecteurs, linéaire ou non, les détecteurs étant disposés respectivement en regard des différentes zones fonctionnalisées du matériau fonctionnalisé, chaque zone fonctionnalisée du guide d'onde étant formée par une pluralité de nanostructures réparties selon des plans parallèles ou non inclinés vis à vis de l'axe principal du guide d'onde vers le détecteur, les écartements des plans des différentes portions fonctionnalisées étant différents les uns des autres de façon à ce que chaque zone fonctionnalisée soit apte à filtrer une bande spectrale particulière d'un signal incident et à la rediriger vers le détecteur correspondant de la matrice de détecteurs placé en regard.
10. Dispositif selon l'une des revendications précédentes, dans lequel la zone est fonctionnalisée par des nanostructures à effet de changement d'indice optique par densification locale du matériau transparent ou par la présence de nanostructures poreuses ou par la présence de nanoparticules métalliques ou non métalliques, ou par des nanostructures périodiques ou quasi périodiques à effet biréfringent.
1 1 . Procédé de fonctionnalisation d'au moins un détecteur de signaux lumineux situés au moins dans l'infrarouge à courtes longueurs d'onde, formé par un matériau de détection apte à détecter des signaux lumineux situés au moins dans l'infrarouge à courtes longueurs d'onde, consistant à exposer un matériau initialement non fonctionnalisé et transparent pour la lumière détectée par le matériau de détection, destiné à être juxtaposé au matériau de détection, à un spot de laser femtoseconde de façon à réaliser des nanostructures créant dans le matériau initialement non fonctionnalisé, des variations d'indice optique ou de la biréfringence au sein du matériau transparent afin de le fonctionnaliser dans la portion du matériau transparent destinée à être située en regard du détecteur.
12. Procédé selon la revendication 1 1 , dans lequel le détecteur est constitué d'une couche de détection incluant le matériau de détection, et d'une couche de protection transparente pour la lumière détectée par le matériau de détection formant une seule et même pièce, le procédé consistant à fonctionnaliser la couche de protection en exposant cette couche au spot de laser femtoseconde de façon à créer lesdites nanostructures.
13. Procédé selon la revendication 1 1 , dans lequel le détecteur est constitué d'une couche de détection incluant le matériau de détection, le procédé consistant à fonctionnaliser une plaque rapportée de matériau transparent, indépendante du détecteur, en exposant cette plaque au spot de laser femtoseconde de façon à créer lesdites nanostructures, et consistant à juxtaposer sur la couche de détection lors de l'utilisation du détecteur, la plaque rapportée fonctionnalisée en regard du détecteur.
14. Procédé selon l'une des revendications 1 1 à 13, dans lequel la couche de détection comprend une pluralité de détecteurs organisée en une matrice de détecteurs linéaire ou non, le spot laser étant réglé pour former dans la couche de matériau transparente, et en regard des différents détecteurs de la matrice, respectivement des zones fonctionnalisées différemment les unes des autres, conformément aux zones fonctionnalisées du matériau fonctionnalisé du dispositif selon l'une quelconque des revendications 2 à 5.
15. Utilisation du dispositif optique selon l'une des revendications 1 à 10 pour filtrer et/ou modifier l'état de polarisation d'un signal lumineux situé au moins dans l'infrarouge à courtes longueurs d'onde. 16. Utilisation du dispositif optique selon la revendication 10 comme guide d'onde et matrice de détecteurs associés afin de former un spectromètre pour analyser différentes bandes spectrales d'un signal lumineux situées au moins dans l'infrarouge à courtes longueurs d'onde.
PCT/FR2018/051743 2017-08-04 2018-07-11 Filtre de lumiere fonctionnalise pour detecteur swir ou vis-swir, et utilisations WO2019025685A1 (fr)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR17/57506 2017-08-04
FR1757506A FR3069923B1 (fr) 2017-08-04 2017-08-04 Filtre de lumiere fonctionnalise pour detecteur swir ou vis-swir, et utilisations

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2019025685A1 true WO2019025685A1 (fr) 2019-02-07

Family

ID=60955120

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/FR2018/051743 WO2019025685A1 (fr) 2017-08-04 2018-07-11 Filtre de lumiere fonctionnalise pour detecteur swir ou vis-swir, et utilisations

Country Status (2)

Country Link
FR (1) FR3069923B1 (fr)
WO (1) WO2019025685A1 (fr)

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5615008A (en) 1994-12-21 1997-03-25 Beckman Instruments, Inc. Optical waveguide integrated spectrometer
WO2005040874A2 (fr) * 2003-10-11 2005-05-06 Aston University Inscription laser de structures optiques dans des cristaux
CN101631194A (zh) * 2008-06-18 2010-01-20 株式会社理光 摄像装置
EP2275790A2 (fr) 2008-03-14 2011-01-19 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der Angewandten Forschung e.V. Capteur de polarisation intégré
US8238026B1 (en) * 2009-02-03 2012-08-07 Sandia Corporation Polarization-sensitive infrared image sensor including a plurality of optical fibers
US9304039B2 (en) 2009-11-30 2016-04-05 Imec Integrated circuit for spectral imaging system

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5615008A (en) 1994-12-21 1997-03-25 Beckman Instruments, Inc. Optical waveguide integrated spectrometer
WO2005040874A2 (fr) * 2003-10-11 2005-05-06 Aston University Inscription laser de structures optiques dans des cristaux
EP2275790A2 (fr) 2008-03-14 2011-01-19 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der Angewandten Forschung e.V. Capteur de polarisation intégré
CN101631194A (zh) * 2008-06-18 2010-01-20 株式会社理光 摄像装置
US8238026B1 (en) * 2009-02-03 2012-08-07 Sandia Corporation Polarization-sensitive infrared image sensor including a plurality of optical fibers
US9304039B2 (en) 2009-11-30 2016-04-05 Imec Integrated circuit for spectral imaging system

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
R MARTINEZ-VAZQUEZ ET AL: "Fabrication of photonic devices in nanostructured glasses by femtosecond laser pulses", OPTICS EXPRESS, 1 October 2007 (2007-10-01), United States, pages 12628 - 2251, XP055479991, Retrieved from the Internet <URL:https://www.osapublishing.org/DirectPDFAccess/1073AA92-DBF9-6AEA-802ED7358C84CA2E_141872/oe-15-20-12628.pdf?da=1&id=141872&seq=0&mobile=no> DOI: 10.1364/OE.15.012628 *

Also Published As

Publication number Publication date
FR3069923B1 (fr) 2019-08-30
FR3069923A1 (fr) 2019-02-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP2616855B1 (fr) Filtre spectral passe bande à forte sélectivité et polarisation contrôlée
EP2613181B1 (fr) Détecteur infrarouge comportant un boîtier intégrant au moins un réseau de diffraction
US7772555B2 (en) Plasmon coupling apparatus and method
EP2132556B1 (fr) Dispositif pour trier et concentrer l&#39;énergie électromagnétique et appareil comprenant au moins un tel dispositif
JP2007501391A5 (fr)
FR3065132B1 (fr) Dispositif et procede d&#39;imagerie multispectrale dans l&#39;infrarouge
EP3276337B1 (fr) Dispositif optique à micro-résonateur en anneau segmenté
US11719575B2 (en) Transmission guided-mode resonant grating integrated spectroscopy device and method for manufacturing same
WO2006081567A1 (fr) Systeme modulaire integre et procede pour la spectroscopie raman amelioree
EP3153831A1 (fr) Bolomètre à forte sensibilité spectrale
EP3196615A1 (fr) Procede de fabrication d&#39;un detecteur de rayonnement electromagnetique a micro-encapsulation
EP2084503B1 (fr) Dispositif de detection d&#39;interferences monolithique integre
EP3155660A1 (fr) Capteur matriciel bispectral et son procédé de fabrication
CA2637223C (fr) Detecteur de rayonnement electromagnetique et procede de fabrication d&#39;un tel detecteur
FR3069923B1 (fr) Filtre de lumiere fonctionnalise pour detecteur swir ou vis-swir, et utilisations
EP2368099B1 (fr) Dispositif de spectroscopie optique comportant une pluralité de sources d&#39;émission
EP1154489A1 (fr) Détecteur optique bi-spectral
WO2012000928A1 (fr) Filtre spectral avec membrane structuree a l&#39;echelle sub-longueur d&#39;onde et methode de fabrication d&#39;un tel filtre
EP2991115A1 (fr) Capteur photosensible
EP3835756B1 (fr) Dispositif et méthode de détection de particules et procédé de fabrication
FR3118171A1 (fr) Detecteur spectroscopique a absorption infrarouge amplifiee par effet de surface
WO2019197754A1 (fr) Filtrage spectral de rayonnement électromagnétique
FR3009079A1 (fr) Spectrometre imageur a couverture spectrale etendue

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 18749857

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 18749857

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1