WO2019025454A1 - Method for producing an optoelectronic component - Google Patents

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WO2019025454A1
WO2019025454A1 PCT/EP2018/070762 EP2018070762W WO2019025454A1 WO 2019025454 A1 WO2019025454 A1 WO 2019025454A1 EP 2018070762 W EP2018070762 W EP 2018070762W WO 2019025454 A1 WO2019025454 A1 WO 2019025454A1
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potting
potting material
vergussoberfläche
carrier
optoelectronic
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PCT/EP2018/070762
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Daniel Leisen
Herbert Brunner
Emilia Dinu
Jens Eberhard
Christina Keith
Thomas Reeswinkel
Daniel Richter
Markus Pindl
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Osram Opto Semiconductors Gmbh
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Definitions

  • the present invention relates to a method for herstel ⁇ len an optoelectronic component according to independent claim.
  • Optoelectronic components with optoelectronic semiconductor chips embedded in a potting material are known from the prior art. Furthermore, optoelectronic components are known from the prior art, the potting ⁇ material has a roughened potting surface.
  • An object of the present invention is to provide a method for producing an optoelectronic component.
  • a method for producing an optoelectronic component comprises the following method steps.
  • a carrier with a top is provided.
  • An optoelectronic semiconductor chip is arranged above the upper side of the carrier.
  • a potting material is disposed over the top of the carrier, wherein the optoelectronic semiconductor chip ⁇ is embedded in the potting material.
  • the Ver ⁇ cast material forms a Vergussober Assembly.
  • the potting material is reshaped on the surface, wherein a topography is produced on the potting surface ⁇ .
  • the topography which is produced by the forming of the potting material on the potting ⁇ surface, offers the advantage that from the outside incident electromagnetic radiation can be scattered diffusely on the Ver ⁇ casting surface.
  • the Vergussober II can be suppressed at the Vergussober II a speku ⁇ lare reflection of the electromagnetic radiation. In this way it can be possible to reduce or eliminate a gloss of the potting surface.
  • This may be important for display screens , for example, which may have a plurality of optoelectronic components and are set up in a bright environment.
  • suppressed specular reflection on the potting surface makes it possible, in particular, for dark or black elements to be represented without luster effects.
  • the method of manufacturing the optoelectronic component offers the advantage that such a topography of the Vergussober Formation can be produced in a simple manner, namely, by the forming of the molding material at the Ver ⁇ Vergussober Design.
  • the forming of the potting material on the potting surface is carried out by curing the potting surface. With the hardening of Vergussober Design a convolution of the casting surface ⁇ goes along.
  • the curing of the potting surface is carried out by a thermal treatment.
  • curing of the potting surface is accomplished by UV irradiation.
  • UV radiation can be treated currency ⁇ rend the rest of the molding material is not irradiated, so that a preferred curing the Vergussober Design occurs.
  • the potting material is subjected to vibration during curing of the potting surface. Before ⁇ geous advantageous support vibrations during the curing of a potting surface a folding of the potting surface.
  • a partial cure is performed prior to forming the potting material at the potting surface. th of the potting material.
  • the potting material that can be deformed at the Vergussober
  • a curing of the molding material Ver ⁇ takes place after the forming of the potting material at the Vergussober configuration.
  • the topography created by the shaping of the molding material at the Vergussober configuration is chromatography on the Vergussober phenomenon by the hardening of the cast material Ver ⁇ transferred to a stable state.
  • the potting material onShbet ⁇ preparing particles may be provided to diffuse incident electromagnetic radiation in the potting material. This can suppress a gloss on other components of the optoelectronic component.
  • the particles may further be provided to a gloss to a lead frame to prevent countries, wherein the optoelectronic semiconductor chip on the Lei ⁇ terrahmen may be disposed.
  • the particles can be provided to adapt a thermal expansion coefficient of the potting material. For example, it is possible that the carrier and the potting material having such a different thermal expansion coefficient that a thermal stress, for example during operation of the optoelectronic component, would lead to a Bebending ⁇ suffered by the optoelectronic component.
  • the wavelength-converting phosphor is to keptbil ⁇ det, one wavelength of electromagnetic radiation from the optoelectronic semiconductor chip can be emitted to modify, by the wavelength-converting phosphor ⁇ material absorbs the light emitted by the optoelectronic semiconductor chip electromagnetic radiation and thereafter elekt ⁇ romagnetician radiation having a different wavelength emit ⁇ advantage.
  • the optoelectronic semiconductor chip it is conceivable for the optoelectronic semiconductor chip to be configured to emit blue light, while the wavelength-converting phosphor embedded in the encapsulation material is designed to absorb the blue light and to emit yellow light, for example.
  • the optoelectronic component could radiate in this case in the sum of light with a white color impression.
  • FIG. 2 embossing of a potting surface by means of a
  • FIG. 5 shows a side view of an optoelectronic Bauele ⁇ management.
  • 1 to 4 each show a schematic side view of variants of a method for producing an opto ⁇ electronic device 10.
  • a carrier 20 with a top 21 is provided.
  • the carrier 20 is designed as a housing body. Trained as a housing body support 20 has a cavity 23 which is laterally enclosed by a wall 24 ⁇ . However, this is not absolutely necessary.
  • the carrier 20 may also be a flat substrate, so that the cavity 23 and the wall 24 may be omitted.
  • Fig. 1 to Fig. 5 only the variant of Trä ⁇ gers 20 is exemplified, in which the carrier 20 is formed as a housing body.
  • the carrier 20 may comprise a plastic, for example a polyphthalamide (PPA).
  • PPA polyphthalamide
  • the carrier 20 can be produced, for example, by a molding process (molding process), for example an injection molding process.
  • the carrier 20 is a flat substrate, the carrier 20 may be, for example, a metal substrate, a semiconductor substrate, a Halbleiteroxidsubstrat, a ceramic substrate, a Glassub ⁇ strat or a printed circuit board (engl .: printed CIR cuit board PCB).
  • an optoelectronic semiconductor chip 30 is arranged over the top side 21 of the carrier 20, over an optoelectronic semiconductor chip 30 is arranged.
  • the optoelectronic semiconductor chip 30 has an upper side 31 and an underside 32 lying opposite the upper side 31.
  • the optoelekt ⁇ tronic semiconductor chip 30 is arranged with its bottom 32 above the upper surface 21 of the carrier twentieth
  • the optoelectronic semiconductor chip 30 may for example be adapted to emit at its top 31 electromagnetic ⁇ specific radiation. However, the optoelectronic half ⁇ conductor chip 30 may also be adapted to, on the top 31 impinging electromagnetic radiation detect. Thus, the optoelectronic semiconductor chip 30 may be, for example, a light-emitting diode chip or a photodiode chip.
  • the carrier 20 For supplying the optoelectronic semiconductor chip 30 with electrical energy for operation, the carrier 20 has laterally outstanding electrical connections 22.
  • the electrical connections 22 may be part of a metallic lead frame, for example, which may be embedded in the carrier 20, which is designed as a housing body.
  • Ty ⁇ pisch enough has a first and a second lead frame portion to a Leite frame, said Porterrahmenab ⁇ sections are exposed on the upper side 21 of the carrier 20 (not shown in Fig. 1).
  • the optoelectronic semiconductor chip 30 can be arranged on the first section of the leadframe, wherein the optoelectronic semiconductor chip 30 can be connected by means of a bonding wire to the second section of the leadframe.
  • the optoelectronic semiconductor chip 30 has a contact surface on its upper side 31 and a further contact surface on its underside 32.
  • an optoelectronic semiconductor chip 30 is arranged above the upper side 21 of the carrier 20.
  • a plurality of optoelectronic semiconductor chips 30 may also be arranged above the upper side 21 of the carrier 20.
  • three optoelectronic semiconductor chips 30 may be arranged above the upper side 21 of the carrier 20.
  • the three optoelectronic semiconductor chips 30 can be designed, for example, to emit electromagnetic radiation of different wavelengths.
  • the three optoelectronic semiconductor chips 30 can form an RGB pixel. In this case, the optoelectronic semiconductor chips 30 emit red, green and blue light.
  • a potting material 40 is arranged over the top 21 of the carrier 20, a potting material 40 is arranged.
  • the Potting material 40 disposed in the cavity 23. Since the Trä ⁇ ger 20 need not necessarily be designed as a housing body, and the potting material 40 need not notwendi ⁇ gate in a cavity 23 disposed to be. If the carrier 20 is designed, for example, as a flat substrate, then the potting material 40 can be arranged above the upper side 21 of the carrier 20 such that the potting material 40 forms a lens in ⁇ example. In both cases, the potting material 40 forms a potting surface 41.
  • the potting material 40 may comprise a plastic, for example an epoxy or a silicone.
  • the potting material 40 can be arranged for example by a dosing over the top 21 of the carrier 20.
  • the potting material 40 has been arranged in each case up to an upper edge 25 of the wall 24 in the cavity 23. This is also not zwin ⁇ quietly required.
  • the carrier 20 is formed as a housing body, a plurality of potting materials 40 in the cavity 23 may be arranged in layers. This is exemplified in Fig. 1, where a white ⁇ teres material 42 is disposed above the potting material 40th
  • the further material 42 also has a plastic, for example an epoxide or a silicone.
  • the further Ma ⁇ TERIAL 42 may also have been arranged by means of a metering process on the Vergussober Designs 41st
  • the further material 42 can also be omitted. That the further mate rial ⁇ 42 can be arranged above the Vergussober Structure 41, has been exemplified with reference to FIG. 1.
  • the single ⁇ for convenience 42 is not considered further the further material in the following description.
  • the particles 80 are embedded.
  • the particles 80 may comprise , for example, silicon dioxide or titanium dioxide.
  • the particles 80 may have a spherical shape corresponding to the illustration of FIG. 1. However, this is not mandatory.
  • the particles 80 can also have a different shape, for example a flake-like shape.
  • An average diameter of the particles 80 may be, for example, between lym and 30ym. Deviations from the specified average diameter are possible.
  • the particles 80 may be provided for example to scatter incident electromagnetic radiation within the Ver ⁇ molding material 40 diffuse. In this way, it can succeed, for example, that a gloss on a lead frame is prevented. Furthermore, the particles 80 can also bring about an adaptation of the thermal expansion coefficient of the potting material 40. But the particles 80 can also be omitted.
  • the optoelectronic component 10 may have a wavelength-converting phosphor 100 embedded in the potting material 40.
  • the wavelength-converting phosphor 100 is designed to convert a wavelength from the optoelectronic semiconductor chip 30 emitted electromagnetic radiation.
  • the wavelength-converting phosphor 100 may be in the form of particles, for example. In question are particles that emit electromagnetic radiation from another spectral range as a result of absorption of electromagnetic radiation from a first spectral range.
  • the wavelength-converting phosphor 100 may comprise a doped sel ⁇ requested earth garnet phosphor, such as cerium ion doped yttrium aluminum garnet (Ce: YAG), up point, which is typically adapted to generate a longer wavelength by fluorescence.
  • the wavelength-converting phosphor 100 can also be omitted.
  • the potting material 40 is formed on the potting ⁇ surface 41.
  • a topography is produced on the casting surface 41.
  • the topography created by the forming of the Ver ⁇ casting surface 41 on the Vergussoberflä- surface 41 is designed to diffuse incident electromagnetic radiation so that specular reflection of incident electromagnetic radiation is suppressed.
  • One way to transform the molding material 40 at the Vergussober ⁇ surface 41 is to shape the Vergussober Solutions 41st
  • An embossing of the potting surface 41 can be done in various ways. This is shown schematically in Figures 1 to 3. 1 shows the stamping of the potting surface 41 by means of a punch 50.
  • the punch 50 has structures 54 which are to be transferred to the potting surface 41.
  • the punch 50 is arranged on the casting surface 41 and pressed into the casting surface 41.
  • Fig. 2 shows a variant of the embossing, wherein instead of a punch 50, a roller 51 is used.
  • the roller 51 also has structures 54 which are to be transferred to the potting surface 41. For this purpose, the roller 51 is rolled over the potting surface 41.
  • FIG. 41 Another method for embossing the potting surface 41 is shown in FIG.
  • a film 52 which also has structures 54 which are to be transferred to the potting surface 41, is arranged on the potting surface 41.
  • the structures 54 of the film 52 can be transferred to the Ver ⁇ casting surface 41, the carrier 20 is arranged in a pressure chamber 53rd If the pressure in the pressure chamber 53 is increased, the film 52 can nestle against the casting surface 41. In this way, the structures 54 are transferred to the potting surface 41.
  • the stamp 50, the roller 51 and the film 52 which are used for embossing, for example, an elastomer aufwei ⁇ sen, for example, cured polydimethylsiloxane (PDMS).
  • the tools that are used for embossing the potting ⁇ surface 41 soft. This may be of advantage if, for example, a cavity 23 has been not completely filled to the top edge 25 of the wall 24 with the casting material Ver ⁇ 40th Then, a stamp 50, a roller 51 or a film 52 can be partially pressed into the cavity 23 due to their softness, so that un ⁇ evennesses 90 can be transferred to a Vergussober Structure 41, which is formed below the upper edge 25 of the wall 24.
  • Fig. 4 shows a further variation for forming the potting material 40 on the Vergussober Structure 41, wherein curing of the Vergussober ⁇ surface 41 takes place.
  • the hardening of the potting surface 41 is accompanied by a folding of the potting surface 41.
  • the hardening of the potting surface 41 can take place, for example, thermally or by UV irradiation.
  • the potting material 40 can be exposed to vibrations 61.
  • the vibrations 61 can be generated for example by an ultrasonic bath or by vibra ⁇ nen 61 of a piezo element.
  • the potting material 40 is cured so that the folding of the Vergus ⁇ sober Structure 41 can be maintained.
  • 5 shows the optoelectronic component 10 in a schematic side view.
  • the potting surface 41 has unevenness 90, which has been produced by one of the methods shown in FIGS. 1 to 4.
  • the unevennesses 90 of the potting surface 41 are designed to diffuse incident electromagnetic radiation at the potting surface 41 dif ⁇ fus, whereby a specular reflection of incident electromagnetic radiation is suppressed at the potting 41.
  • the topography generated at the Vergussober Structure 41 also there ⁇ to serve to increase an extraction efficiency of the optoelectronic component 10.
  • the unevennesses 90 generated on the potting surface 41 can suppress a total reflection of the electromagnetic radiation emitted by the optoelectronic semiconductor chip 30 on an inner side of the potting surface 41. As a result, a larger proportion of the electromagnetic radiation emitted by the optoelectronic semiconductor chip 30 can emerge from the optoelectronic component 10 at the casting surface 41.
  • the method for producing an optoelectronic component 10 is not limited to individual optoelectronic elements Bauele ⁇ 10th
  • a saudimen ⁇ dimensional composite may consist of a plurality of optoelectronic components 10, such as an LED array may be provided with bumps 90 which has been created simultaneously on a plurality of Vergussober moral 41.
  • Individual opto ⁇ electronic components 10 may also be prepared by a louze ⁇ ment of the composite. This would mean that the not be created on each individual optoelectronic device 10 level 90.

Abstract

The invention relates to a method for producing an optoelectronic component, comprising the following method steps: A support having a top side is provided. An optoelectronic semiconductor chip is arranged above the top side of the support. Furthermore, a potting material is arranged above the top side of the support, the optoelectronic semiconductor chip being embedded into the potting material. The potting material forms a potting surface. The potting material is deformed on the potting surface, wherein a topography is generated at the potting surface. The deformation of the potting material at the potting surface is carried out by a curing of the potting surface. The curing of the potting surface is accompanied by a convolution of the potting surface.

Description

VEFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS  METHODS FOR MANUFACTURING AN OPTOELECTRONIC COMPONENT
BESCHREIBUNG Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstel¬ len eines optoelektronischen Bauelements gemäß dem unabhängigen Anspruch. DESCRIPTION The present invention relates to a method for herstel ¬ len an optoelectronic component according to independent claim.
Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung DE 10 2017 117 441.9, deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Bezugnahme aufgenommen wird. This patent application claims the priority of German Patent Application DE 10 2017 117 441.9, the disclosure of which is hereby incorporated by reference.
Aus dem Stand der Technik sind optoelektronische Bauelemente mit in ein Vergussmaterial eingebetteten optoelektronischen Halbleiterchips bekannt. Weiterhin sind aus dem Stand der Technik optoelektronische Bauelemente bekannt, deren Verguss¬ material eine aufgeraute Vergussoberfläche aufweist. Optoelectronic components with optoelectronic semiconductor chips embedded in a potting material are known from the prior art. Furthermore, optoelectronic components are known from the prior art, the potting ¬ material has a roughened potting surface.
Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements anzugeben . An object of the present invention is to provide a method for producing an optoelectronic component.
Diese Aufgabe wird durch ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements mit den Merkmalen des unabhän- gigen Anspruchs gelöst. This object is achieved by a method for producing an optoelectronic component having the features of the independent claim.
Ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements weist die folgenden Verfahrensschritte auf. Ein Träger mit einer Oberseite wird bereitgestellt. Über der Oberseite des Trägers wird ein optoelektronischer Halbleiterchip angeordnet. Weiterhin wird über der Oberseite des Trägers ein Vergussmaterial angeordnet, wobei der optoelektronische Halb¬ leiterchip in das Vergussmaterial eingebettet wird. Das Ver¬ gussmaterial bildet eine Vergussoberfläche. Das Vergussmate- rial wird an der Oberfläche umgeformt, wobei an der Verguss¬ oberfläche eine Topographie erzeugt wird. Die Topographie, die durch das Umformen des Vergussmaterials an der Verguss¬ oberfläche erzeugt wird, bietet den Vorteil, dass von außen einfallende elektromagnetische Strahlung diffus an der Ver¬ gussoberfläche gestreut werden kann. Dadurch kann eine speku¬ lare Reflexion der elektromagnetischen Strahlung an der Vergussoberfläche unterdrückt werden. Auf diese Weise kann es gelingen, einen Glanz der Vergussoberfläche zu reduzieren o- der zu eliminieren. Dies kann beispielsweise für Anzeigebild¬ schirme, die eine Mehrzahl optoelektronischer Bauelemente aufweisen können und in einer hellen Umgebung aufgestellt sind, von Bedeutung sein. Beispielsweise ermöglicht eine un- terdrückte spekulare Reflexion an der Vergussoberfläche, dass insbesondere dunkel oder schwarz darzustellende Elemente ohne Glanzeffekte dargestellt werden können. Das Verfahren zum Herstellen des optoelektronischen Bauelements bietet den Vorteil, dass eine solche Topographie der Vergussoberfläche auf einfache Art und Weise, nämlich durch das Umformen des Ver¬ gussmaterials an der Vergussoberfläche, erzeugt werden kann. A method for producing an optoelectronic component comprises the following method steps. A carrier with a top is provided. An optoelectronic semiconductor chip is arranged above the upper side of the carrier. Furthermore, a potting material is disposed over the top of the carrier, wherein the optoelectronic semiconductor chip ¬ is embedded in the potting material. The Ver ¬ cast material forms a Vergussoberfläche. The potting material is reshaped on the surface, wherein a topography is produced on the potting surface ¬ . The topography, which is produced by the forming of the potting material on the potting ¬ surface, offers the advantage that from the outside incident electromagnetic radiation can be scattered diffusely on the Ver ¬ casting surface. Thereby can be suppressed at the Vergussoberfläche a speku ¬ lare reflection of the electromagnetic radiation. In this way it can be possible to reduce or eliminate a gloss of the potting surface. This may be important for display screens , for example, which may have a plurality of optoelectronic components and are set up in a bright environment. For example, suppressed specular reflection on the potting surface makes it possible, in particular, for dark or black elements to be represented without luster effects. The method of manufacturing the optoelectronic component offers the advantage that such a topography of the Vergussoberfläche can be produced in a simple manner, namely, by the forming of the molding material at the Ver ¬ Vergussoberfläche.
Das Umformen des Vergussmaterials an der Vergussoberfläche erfolgt durch eine Härtung der Vergussoberfläche. Mit der Härtung der Vergussoberfläche geht eine Faltung der Verguss¬ oberfläche einher. The forming of the potting material on the potting surface is carried out by curing the potting surface. With the hardening of Vergussoberfläche a convolution of the casting surface ¬ goes along.
In einer Ausführungsform erfolgt die Härtung der Vergussoberfläche durch eine thermische Behandlung. In one embodiment, the curing of the potting surface is carried out by a thermal treatment.
In einer Ausführungsform erfolgt das Härten der Vergussoberfläche durch eine UV-Bestrahlung. Vorteilhafterweise kann nur die Vergussoberfläche mit UV-Strahlung behandelt werden, wäh¬ rend das übrige Vergussmaterial nicht bestrahlt wird, sodass eine bevorzugte Härtung der Vergussoberfläche erfolgt. In one embodiment, curing of the potting surface is accomplished by UV irradiation. Advantageously, only the Vergussoberfläche with UV radiation can be treated currency ¬ rend the rest of the molding material is not irradiated, so that a preferred curing the Vergussoberfläche occurs.
In einer Ausführungsform wird das Vergussmaterial während der Härtung der Vergussoberfläche Vibrationen ausgesetzt. Vor¬ teilhafterweise unterstützen Vibrationen während der Härtung einer Vergussoberfläche eine Faltung der Vergussoberfläche. In one embodiment, the potting material is subjected to vibration during curing of the potting surface. Before ¬ geous advantageous support vibrations during the curing of a potting surface a folding of the potting surface.
In einer Ausführungsform erfolgt vor dem Umformen des Vergussmaterials an der Vergussoberfläche ein teilweises Aushär- ten des Vergussmaterials. Vorteilhafterweise erlaubt ein zu¬ mindest teilweises Aushärten des Vergussmaterials, dass das Vergussmaterial an der Vergussoberfläche umgeformt werden kann . In one embodiment, prior to forming the potting material at the potting surface, a partial cure is performed. th of the potting material. Advantageously, to allow a ¬ least partial curing of the potting material, the potting material that can be deformed at the Vergussoberfläche.
In einer Ausführungsform erfolgt nach dem Umformen des Vergussmaterials an der Vergussoberfläche ein Aushärten des Ver¬ gussmaterials. Vorteilhafterweise wird die durch das Umformen des Vergussmaterials an der Vergussoberfläche erzeugte Topo- graphie an der Vergussoberfläche durch das Aushärten des Ver¬ gussmaterials in einen stabilen Zustand überführt. In one embodiment, a curing of the molding material Ver ¬ takes place after the forming of the potting material at the Vergussoberfläche. Advantageously, the topography created by the shaping of the molding material at the Vergussoberfläche is chromatography on the Vergussoberfläche by the hardening of the cast material Ver ¬ transferred to a stable state.
In einer Ausführungsform weist das Vergussmaterial eingebet¬ tete Partikel auf. Vorteilhafterweise können die Partikel da- zu vorgesehen sein, einfallende elektromagnetische Strahlung im Vergussmaterial diffus zu streuen. Dies kann einen Glanz an anderen Komponenten des optoelektronischen Bauelements unterdrücken. Beispielsweise können die weiteren Partikel dazu vorgesehen sein, einen Glanz an einem Leiterrahmen zu verhin- dern, wobei der optoelektronische Halbleiterchip an dem Lei¬ terrahmen angeordnet sein kann. Weiterhin können die Partikel dazu vorgesehen sein, einen thermischen Ausdehnungskoeffizienten des Vergussmaterials anzupassen. Beispielsweise ist es möglich, dass der Träger und das Vergussmaterial derart verschiedene thermische Ausdehnungskoeffizienten aufweisen, dass eine thermische Belastung, beispielsweise während des Betriebs des optoelektronischen Bauelements, zu einer Beschä¬ digung des optoelektronischen Bauelements führen würde. Beispielsweise könnte eine thermische Belastung eine Delaminati- on des Vergussmaterials von dem Träger bewirken, wodurch beispielsweise Feuchtigkeit in das optoelektronische Bauelement eindringen könnte. Die Partikel können dazu ausgebildet sein, solche Effekte zu verhindern. In einer Ausführungsform weist das Vergussmaterial einen wel¬ lenlängenkonvertierenden Leuchtstoff auf. Vorteilhafterweise ist der wellenlängenkonvertierende Leuchtstoff dazu ausgebil¬ det, eine Wellenlänge elektromagnetischer Strahlung, die vom optoelektronischen Halbleiterchip emittiert werden kann, zu modifizieren, indem der wellenlängenkonvertierende Leucht¬ stoff die vom optoelektronischen Halbleiterchip emittierte elektromagnetische Strahlung absorbiert und daraufhin elekt¬ romagnetische Strahlung mit einer anderen Wellenlänge emit¬ tiert. Beispielsweise ist es denkbar, dass der optoelektroni¬ sche Halbleiterchip dazu ausgebildet ist, blaues Licht zu emittieren, während der in das Vergussmaterial eingebettete wellenlängenkonvertierende Leuchtstoff dazu ausgebildet ist, das blaue Licht zu absorbieren und beispielsweise gelbes Licht zu emittieren. Das optoelektronische Bauelement könnte in diesem Fall in der Summe Licht mit einem weißen Farbeindruck abstrahlen. In one embodiment, the potting material on eingebet ¬ preparing particles. Advantageously, the particles may be provided to diffuse incident electromagnetic radiation in the potting material. This can suppress a gloss on other components of the optoelectronic component. For example, the particles may further be provided to a gloss to a lead frame to prevent countries, wherein the optoelectronic semiconductor chip on the Lei ¬ terrahmen may be disposed. Furthermore, the particles can be provided to adapt a thermal expansion coefficient of the potting material. For example, it is possible that the carrier and the potting material having such a different thermal expansion coefficient that a thermal stress, for example during operation of the optoelectronic component, would lead to a Beschä ¬ suffered by the optoelectronic component. For example, a thermal stress could cause delamination of the potting material from the carrier, which could, for example, cause moisture to penetrate into the optoelectronic device. The particles may be designed to prevent such effects. In one embodiment, the potting material on a wel ¬ lenlängenkonvertierenden phosphor. Advantageously, the wavelength-converting phosphor is to ausgebil ¬ det, one wavelength of electromagnetic radiation from the optoelectronic semiconductor chip can be emitted to modify, by the wavelength-converting phosphor ¬ material absorbs the light emitted by the optoelectronic semiconductor chip electromagnetic radiation and thereafter elekt ¬ romagnetische radiation having a different wavelength emit ¬ advantage. For example, it is conceivable for the optoelectronic semiconductor chip to be configured to emit blue light, while the wavelength-converting phosphor embedded in the encapsulation material is designed to absorb the blue light and to emit yellow light, for example. The optoelectronic component could radiate in this case in the sum of light with a white color impression.
Die oben beschriebenen Eigenschaften, Merkmale und Vorteile dieser Erfindung sowie die Art und Weise, wie diese erreicht werden, sind klarer und deutlicher verständlich im Zusammenhang mit der folgenden Beschreibung der Ausführungsbeispiele, die im Zusammenhang mit den Zeichnungen näher erläutert werden. Dabei zeigen in jeweils schematischer Darstellung: The above-described characteristics, features, and advantages of this invention, as well as the manner in which they are achieved, will be clearer and more clearly understood in connection with the following description of the embodiments, which will be described in connection with the drawings. Shown schematically in each case:
Fig. 1: ein Prägen einer Vergussoberfläche mittels eines 1: embossing of a potting surface by means of a
Stempels ;  Stamps;
Fig. 2: ein Prägen einer Vergussoberfläche mittels einer FIG. 2: embossing of a potting surface by means of a
Walze;  Roller;
Fig. 3: ein Prägen einer Vergussoberfläche mittels einer 3: embossing of a potting surface by means of a
Folie;  Foil;
Fig. 4: eine Härtung einer Vergussoberfläche mit einer einhergehenden Faltung der Vergussoberfläche; und 4 shows a hardening of a potting surface with a concomitant folding of the potting surface; and
Fig. 5: eine Seitenansicht eines optoelektronischen Bauele¬ ments . Fig. 1 bis 4 zeigen jeweils in einer schematischen Seitenansicht Varianten eines Verfahrens zum Herstellen eines opto¬ elektronischen Bauelements 10. Ein Träger 20 mit einer Oberseite 21 wird bereitgestellt. Im in Fig. 1 gezeigten Beispiel ist der Träger 20 als Gehäusekörper ausgebildet. Der als Gehäusekörper ausgebildete Träger 20 weist eine Kavität 23 auf, die von einer Wandung 24 late¬ ral umschlossen wird. Dies ist jedoch nicht zwingend erfor- derlich. Der Träger 20 kann auch ein flaches Substrat sein, sodass die Kavität 23 und die Wandung 24 entfallen können. In Fig. 1 bis Fig. 5 wird beispielhaft nur die Variante des Trä¬ gers 20 dargestellt, in der der Träger 20 als Gehäusekörper ausgebildet ist. FIG. 5 shows a side view of an optoelectronic Bauele ¬ management. 1 to 4 each show a schematic side view of variants of a method for producing an opto ¬ electronic device 10. A carrier 20 with a top 21 is provided. In the example shown in FIG. 1, the carrier 20 is designed as a housing body. Trained as a housing body support 20 has a cavity 23 which is laterally enclosed by a wall 24 ¬ . However, this is not absolutely necessary. The carrier 20 may also be a flat substrate, so that the cavity 23 and the wall 24 may be omitted. In Fig. 1 to Fig. 5, only the variant of Trä ¬ gers 20 is exemplified, in which the carrier 20 is formed as a housing body.
Ist der Träger 20 als Gehäusekörper ausgebildet, so kann er einen Kunststoff, beispielsweise ein Polyphthalamid (PPA) aufweisen. Der Träger 20 kann beispielsweise durch ein Formverfahren (Moldverfahren) , beispielsweise ein Spritzgussver- fahren (engl.: injection molding) , hergestellt werden. Ist der Träger 20 ein flaches Substrat, so kann der Träger 20 beispielsweise ein Metallsubstrat, ein Halbleitersubstrat, ein Halbleiteroxidsubstrat, ein Keramiksubstrat, ein Glassub¬ strat oder eine gedruckte Leiterplatte (engl.: printed cir- cuit board, PCB) sein. If the carrier 20 is designed as a housing body, then it may comprise a plastic, for example a polyphthalamide (PPA). The carrier 20 can be produced, for example, by a molding process (molding process), for example an injection molding process. If the carrier 20 is a flat substrate, the carrier 20 may be, for example, a metal substrate, a semiconductor substrate, a Halbleiteroxidsubstrat, a ceramic substrate, a Glassub ¬ strat or a printed circuit board (engl .: printed CIR cuit board PCB).
Über der Oberseite 21 des Trägers 20 ist ein optoelektronischer Halbleiterchip 30 angeordnet. Der optoelektronische Halbleiterchip 30 weist eine Oberseite 31 und eine der Ober- seite 31 gegenüberliegende Unterseite 32 auf. Der optoelekt¬ ronische Halbleiterchip 30 ist mit seiner Unterseite 32 über der Oberseite 21 des Trägers 20 angeordnet. Over the top side 21 of the carrier 20, an optoelectronic semiconductor chip 30 is arranged. The optoelectronic semiconductor chip 30 has an upper side 31 and an underside 32 lying opposite the upper side 31. The optoelekt ¬ tronic semiconductor chip 30 is arranged with its bottom 32 above the upper surface 21 of the carrier twentieth
Der optoelektronische Halbleiterchip 30 kann beispielsweise dazu ausgebildet sein, an seiner Oberseite 31 elektromagneti¬ sche Strahlung zu emittieren. Der optoelektronische Halb¬ leiterchip 30 kann allerdings auch dazu ausgebildet sein, auf die Oberseite 31 auftreffende elektromagnetische Strahlung zu detektieren. Somit kann der optoelektronische Halbleiterchip 30 beispielsweise ein Leuchtdiodenchip oder ein Photodiodenchip sein. Zur Versorgung des optoelektronischen Halbleiterchips 30 mit elektrischer Energie für den Betrieb weist der Träger 20 seitlich herausragende elektrische Anschlüsse 22 auf. Die elektrischen Anschlüsse 22 können beispielsweise Teil eines metallischen Leiterrahmens sein, der in den Träger 20, der als Gehäusekörper ausgebildet ist, eingebettet sein kann. Ty¬ pischerweise weist ein Leiterahmen einen ersten und einen zweiten Leiterrahmenabschnitt auf, wobei die Leiterrahmenab¬ schnitte an der Oberseite 21 des Trägers 20 freiliegen (in Fig. 1 nicht dargestellt). Der optoelektronische Halbleiter- chip 30 kann am ersten Abschnitt des Leiterrahmens angeordnet sein, wobei der optoelektronische Halbleiterchip 30 mittels eines Bonddrahts mit dem zweiten Abschnitt des Leiterrahmens verbunden sein kann. In diesem Fall weist der optoelektronische Halbleiterchip 30 eine Kontaktfläche an seiner Oberseite 31 und eine weitere Kontaktfläche an seiner Unterseite 32 auf . The optoelectronic semiconductor chip 30 may for example be adapted to emit at its top 31 electromagnetic ¬ specific radiation. However, the optoelectronic half ¬ conductor chip 30 may also be adapted to, on the top 31 impinging electromagnetic radiation detect. Thus, the optoelectronic semiconductor chip 30 may be, for example, a light-emitting diode chip or a photodiode chip. For supplying the optoelectronic semiconductor chip 30 with electrical energy for operation, the carrier 20 has laterally outstanding electrical connections 22. The electrical connections 22 may be part of a metallic lead frame, for example, which may be embedded in the carrier 20, which is designed as a housing body. Ty ¬ pisch enough, has a first and a second lead frame portion to a Leite frame, said Leiterrahmenab ¬ sections are exposed on the upper side 21 of the carrier 20 (not shown in Fig. 1). The optoelectronic semiconductor chip 30 can be arranged on the first section of the leadframe, wherein the optoelectronic semiconductor chip 30 can be connected by means of a bonding wire to the second section of the leadframe. In this case, the optoelectronic semiconductor chip 30 has a contact surface on its upper side 31 and a further contact surface on its underside 32.
In den Darstellungen der Fig. 1 bis 5 ist jeweils ein optoelektronischer Halbleiterchip 30 über der Oberseite 21 des Trägers 20 angeordnet. Es kann aber auch eine Mehrzahl von optoelektronischen Halbleiterchips 30 über der Oberseite 21 des Trägers 20 angeordnet sein. Beispielsweise können drei optoelektronische Halbleiterchips 30 über der Oberseite 21 des Trägers 20 angeordnet sein. Die drei optoelektronischen Halbleiterchips 30 können beispielsweise dazu ausgebildet sein, elektromagnetische Strahlung verschiedener Wellenlängen zu emittieren. Beispielsweise können die drei optoelektronischen Halbleiterchips 30 ein RGB-Pixel bilden. In diesem Fall emittieren die optoelektronischen Halbleiterchips 30 rotes, grünes und blaues Licht. In the illustrations of FIGS. 1 to 5, an optoelectronic semiconductor chip 30 is arranged above the upper side 21 of the carrier 20. However, a plurality of optoelectronic semiconductor chips 30 may also be arranged above the upper side 21 of the carrier 20. By way of example, three optoelectronic semiconductor chips 30 may be arranged above the upper side 21 of the carrier 20. The three optoelectronic semiconductor chips 30 can be designed, for example, to emit electromagnetic radiation of different wavelengths. By way of example, the three optoelectronic semiconductor chips 30 can form an RGB pixel. In this case, the optoelectronic semiconductor chips 30 emit red, green and blue light.
Über der Oberseite 21 des Trägers 20 ist ein Vergussmaterial 40 angeordnet. Im dargestellten Beispiel der Fig. 1 ist das Vergussmaterial 40 in der Kavität 23 angeordnet. Da der Trä¬ ger 20 nicht notwendigerweise als Gehäusekörper ausgebildet sein muss, muss auch das Vergussmaterial 40 nicht notwendi¬ gerweise in einer Kavität 23 angeordnet werden. Ist der Trä- ger 20 beispielsweise als flaches Substrat ausgebildet, so kann das Vergussmaterial 40 über der Oberseite 21 des Trägers 20 derart angeordnet werden, dass das Vergussmaterial 40 bei¬ spielsweise eine Linse bildet. In beiden Fällen bildet das Vergussmaterial 40 eine Vergussoberfläche 41. Over the top 21 of the carrier 20, a potting material 40 is arranged. In the example shown in FIG. 1 is the Potting material 40 disposed in the cavity 23. Since the Trä ¬ ger 20 need not necessarily be designed as a housing body, and the potting material 40 need not notwendi ¬ gerweise in a cavity 23 disposed to be. If the carrier 20 is designed, for example, as a flat substrate, then the potting material 40 can be arranged above the upper side 21 of the carrier 20 such that the potting material 40 forms a lens in ¬ example. In both cases, the potting material 40 forms a potting surface 41.
Das Vergussmaterial 40 kann einen Kunststoff, beispielsweise ein Epoxid oder ein Silikon, aufweisen. Das Vergussmaterial 40 kann beispielsweise durch ein Dosierverfahren über der Oberseite 21 des Trägers 20 angeordnet werden. The potting material 40 may comprise a plastic, for example an epoxy or a silicone. The potting material 40 can be arranged for example by a dosing over the top 21 of the carrier 20.
In den Darstellungen der Fig. 1 bis 5 ist das Vergussmaterial 40 jeweils bis zu einer Oberkante 25 der Wandung 24 in der Kavität 23 angeordnet worden. Dies ist ebenfalls nicht zwin¬ gend erforderlich. Für den Fall, dass der Träger 20 als Ge- häusekörper ausgebildet ist, kann auch eine Mehrzahl von Vergussmaterialien 40 in der Kavität 23 schichtweise angeordnet werden. Dies ist beispielhaft in Fig. 1 gezeigt, wo ein wei¬ teres Material 42 über dem Vergussmaterial 40 angeordnet ist. Auch das weitere Material 42 weist einen Kunststoff, bei- spielsweise ein Epoxid oder ein Silikon, auf. Das weitere Ma¬ terial 42 kann ebenfalls mittels eines Dosierverfahrens über der Vergussoberfläche 41 angeordnet worden sein. Das weitere Material 42 kann aber auch entfallen. Dass das weitere Mate¬ rial 42 über der Vergussoberfläche 41 angeordnet sein kann, wurde anhand der Fig. 1 beispielhaft erläutert. Der Einfach¬ heit halber wird in der nachfolgenden Beschreibung das weitere Material 42 nicht weiter berücksichtigt. In the illustrations of FIGS. 1 to 5, the potting material 40 has been arranged in each case up to an upper edge 25 of the wall 24 in the cavity 23. This is also not zwin ¬ quietly required. In the event that the carrier 20 is formed as a housing body, a plurality of potting materials 40 in the cavity 23 may be arranged in layers. This is exemplified in Fig. 1, where a white ¬ teres material 42 is disposed above the potting material 40th The further material 42 also has a plastic, for example an epoxide or a silicone. The further Ma ¬ TERIAL 42 may also have been arranged by means of a metering process on the Vergussoberfläche 41st The further material 42 can also be omitted. That the further mate rial ¬ 42 can be arranged above the Vergussoberfläche 41, has been exemplified with reference to FIG. 1. The single ¬ for convenience 42 is not considered further the further material in the following description.
In das Vergussmaterial 40 sind Partikel 80 eingebettet. Die Partikel 80 können beispielsweise Siliziumdioxid oder Titan¬ dioxid aufweisen. Die Partikel 80 können eine der Darstellung der Fig. 1 entsprechende sphärische Form aufweisen. Dies ist jedoch nicht zwingend erforderlich. Die Partikel 80 können auch eine andere Form, beispielsweise eine flockenartige Form, aufweisen. Ein durchschnittlicher Durchmesser der Partikel 80 kann beispielsweise zwischen lym und 30ym betragen. Abweichungen von dem angegebenen durchschnittlichen Durchmes- ser sind möglich. In the potting material 40 particles 80 are embedded. The particles 80 may comprise , for example, silicon dioxide or titanium dioxide. The particles 80 may have a spherical shape corresponding to the illustration of FIG. 1. However, this is not mandatory. The particles 80 can also have a different shape, for example a flake-like shape. An average diameter of the particles 80 may be, for example, between lym and 30ym. Deviations from the specified average diameter are possible.
Die Partikel 80 können beispielsweise dazu vorgesehen sein, einfallende elektromagnetische Strahlung innerhalb des Ver¬ gussmaterials 40 diffus zu streuen. Auf diese Weise kann es beispielsweise gelingen, dass ein Glanz an einem Leiterrahmen verhindert wird. Weiterhin können die Partikel 80 auch eine Anpassung des thermischen Ausdehnungskoeffizienten des Vergussmaterials 40 bewirken. Die Partikel 80 können aber auch entfallen . The particles 80 may be provided for example to scatter incident electromagnetic radiation within the Ver ¬ molding material 40 diffuse. In this way, it can succeed, for example, that a gloss on a lead frame is prevented. Furthermore, the particles 80 can also bring about an adaptation of the thermal expansion coefficient of the potting material 40. But the particles 80 can also be omitted.
Das optoelektronische Bauelement 10 kann darüber hinaus einen in das Vergussmaterial 40 eingebetteten wellenlängenkonvertierenden Leuchtstoff 100 aufweisen. Der wellenlängenkonvertierende Leuchtstoff 100 ist dazu ausgebildet, eine Wellen- länge vom optoelektronischen Halbleiterchip 30 emittierter elektromagnetischer Strahlung zu konvertieren. Der wellenlängenkonvertierende Leuchtstoff 100 kann beispielsweise in Form von Partikeln vorliegen. In Frage kommen Partikel, die infolge einer Absorption elektromagnetischer Strahlung aus einem ersten Spektralbereich, elektromagnetische Strahlung aus einem anderen Spektralbereich emittieren. Beispielsweise kann der wellenlängenkonvertierende Leuchtstoff 100 einen mit sel¬ tenen Erden dotierten Granatleuchtstoff, beispielsweise mit Cer-Ionen dotiertes Yttrium-Aluminium-Granat (Ce:YAG), auf- weisen, der typischerweise dazu ausgebildet ist, eine größere Wellenlänge durch Fluoreszenz zu erzeugen. Der wellenlängenkonvertierende Leuchtstoff 100 kann aber auch entfallen. In addition, the optoelectronic component 10 may have a wavelength-converting phosphor 100 embedded in the potting material 40. The wavelength-converting phosphor 100 is designed to convert a wavelength from the optoelectronic semiconductor chip 30 emitted electromagnetic radiation. The wavelength-converting phosphor 100 may be in the form of particles, for example. In question are particles that emit electromagnetic radiation from another spectral range as a result of absorption of electromagnetic radiation from a first spectral range. For example, the wavelength-converting phosphor 100 may comprise a doped sel ¬ requested earth garnet phosphor, such as cerium ion doped yttrium aluminum garnet (Ce: YAG), up point, which is typically adapted to generate a longer wavelength by fluorescence. However, the wavelength-converting phosphor 100 can also be omitted.
Nach dem Anordnen des Vergussmaterial 40 über der Oberseite 21 des Trägers 20 wird das Vergussmaterial 40 an der Verguss¬ oberfläche 41 umgeformt. Dabei wird an der Vergussoberfläche 41 eine Topographie erzeugt. Die durch das Umformen der Ver¬ gussoberfläche 41 erzeugte Topographie an der Vergussoberflä- che 41 ist dazu ausgebildet, einfallende elektromagnetische Strahlung diffus zu streuen, sodass eine spekulare Reflexion einfallender elektromagnetischer Strahlung unterdrückt wird. Eine Möglichkeit, das Vergussmaterial 40 an der Vergussober¬ fläche 41 umzuformen, besteht darin, die Vergussoberfläche 41 zu prägen. Eine Prägung der Vergussoberfläche 41 kann auf verschiedene Art und Weisen erfolgen. Dies ist in den Figuren 1 bis 3 schematisch dargestellt. Fig. 1 zeigt das Prägen der Vergussoberfläche 41 mittels eines Stempels 50. Der Stempel 50 weist Strukturen 54 auf, die auf die Vergussoberfläche 41 übertragen werden sollen. Dazu wird der Stempel 50 an der Vergussoberfläche 41 angeordnet und in die Vergussoberfläche 41 hineingedrückt. After placing the potting material 40 over the top 21 of the carrier 20, the potting material 40 is formed on the potting ¬ surface 41. In this case, a topography is produced on the casting surface 41. The topography created by the forming of the Ver ¬ casting surface 41 on the Vergussoberflä- surface 41 is designed to diffuse incident electromagnetic radiation so that specular reflection of incident electromagnetic radiation is suppressed. One way to transform the molding material 40 at the Vergussober ¬ surface 41 is to shape the Vergussoberfläche 41st An embossing of the potting surface 41 can be done in various ways. This is shown schematically in Figures 1 to 3. 1 shows the stamping of the potting surface 41 by means of a punch 50. The punch 50 has structures 54 which are to be transferred to the potting surface 41. For this purpose, the punch 50 is arranged on the casting surface 41 and pressed into the casting surface 41.
Fig. 2 zeigt eine Variante des Prägens, wobei statt eines Stempels 50 eine Walze 51 verwendet wird. Auch die Walze 51 weist Strukturen 54 auf, die auf die Vergussoberfläche 41 übertragen werden sollen. Dazu wird die Walze 51 über die Vergussoberfläche 41 gerollt. Fig. 2 shows a variant of the embossing, wherein instead of a punch 50, a roller 51 is used. The roller 51 also has structures 54 which are to be transferred to the potting surface 41. For this purpose, the roller 51 is rolled over the potting surface 41.
Eine weitere Methode zum Prägen der Vergussoberfläche 41 ist in Fig. 3 dargestellt. In diesem Fall wird eine Folie 52, die ebenfalls Strukturen 54 aufweist, die auf die Vergussoberflä- che 41 übertragen werden sollen, an der Vergussoberfläche 41 angeordnet. Damit die Strukturen 54 der Folie 52 auf die Ver¬ gussoberfläche 41 übertragen werden können, ist der Träger 20 in einer Druckkammer 53 angeordnet. Wird der Druck in der Druckkammer 53 erhöht, so kann sich die Folie 52 an die Ver- gussoberfläche 41 schmiegen. Auf diese Weise werden die Strukturen 54 auf die Vergussoberfläche 41 übertragen. Another method for embossing the potting surface 41 is shown in FIG. In this case, a film 52, which also has structures 54 which are to be transferred to the potting surface 41, is arranged on the potting surface 41. Thus, the structures 54 of the film 52 can be transferred to the Ver ¬ casting surface 41, the carrier 20 is arranged in a pressure chamber 53rd If the pressure in the pressure chamber 53 is increased, the film 52 can nestle against the casting surface 41. In this way, the structures 54 are transferred to the potting surface 41.
Bei allen Varianten, die in den Figuren 1 bis 3 dargestellt sind, ist es zweckmäßig, das Vergussmaterial 40 nach dem Prä- gen auszuhärten. Auf diese Weise bleiben die Strukturen 54, die auf die Vergussoberfläche 41 übertragen wurden, an der Vergussoberfläche 41 erhalten. Damit die Strukturen 54 auf die Vergussoberfläche 41 übertragen werden können, kann das Vergussmaterial 40 zuvor teilweise ausgehärtet worden sein. Alternativ kann das Vergussmaterial 40 zuvor auch vollständig ausgehärtet worden sein. In diesem Fall ist es zweckmäßig, dass vor oder während des Prägens der Vergussoberfläche 41 das Vergussmaterial 40 geheizt wird. So geht das Vergussmate¬ rial 40 in einem weichen Zustand über, wodurch die Strukturen 54 auf die Vergussoberfläche 41 übertragen werden können. Wird das Vergussmaterial 40 vor dem Prägen geheizt, so sollte das Prägen im Anschluss an das Heizen erfolgen, so lange das Vergussmaterial 40 noch in einem weichen Zustand ist. In all variants, which are shown in Figures 1 to 3, it is expedient to cure the potting material 40 after the embossing. In this way, the structures 54 transferred to the potting surface 41 at the potting surface 41 are maintained. So that the structures 54 can be transferred to the potting surface 41, the Potting material 40 previously been partially cured. Alternatively, the potting material 40 may have previously been completely cured. In this case, it is expedient for the potting material 40 to be heated before or during the stamping of the potting surface 41. Thus, the Vergussmate ¬ rial 40 passes in a soft state, whereby the structures 54 can be transferred to the Vergussoberfläche 41. If the potting material 40 is heated prior to embossing, the embossing should be carried out subsequent to the heating, as long as the potting material 40 is still in a soft state.
Der Stempel 50, die Walze 51 und die Folie 52, die zum Prägen verwendet werden können beispielsweise ein Elastomer aufwei¬ sen, beispielsweise gehärtetes Polydimethylsiloxan (PDMS) . In diesem Fall sind die Werkzeuge, die zum Prägen der Verguss¬ oberfläche 41 verwendet werden, weich ausgebildet. Dies kann von Vorteil sein, wenn beispielsweise eine Kavität 23 nicht vollständig bis zur Oberkante 25 der Wandung 24 mit dem Ver¬ gussmaterial 40 befüllt worden ist. Dann können ein Stempel 50, eine Walze 51 oder eine Folie 52 aufgrund ihrer Weichheit partiell in die Kavität 23 hineingedrückt werden, sodass Un¬ ebenheiten 90 auch auf eine Vergussoberfläche 41 übertragen werden können, die unterhalb der Oberkante 25 der Wandung 24 ausgebildet ist. The stamp 50, the roller 51 and the film 52, which are used for embossing, for example, an elastomer aufwei ¬ sen, for example, cured polydimethylsiloxane (PDMS). In this case, the tools that are used for embossing the potting ¬ surface 41, soft. This may be of advantage if, for example, a cavity 23 has been not completely filled to the top edge 25 of the wall 24 with the casting material Ver ¬ 40th Then, a stamp 50, a roller 51 or a film 52 can be partially pressed into the cavity 23 due to their softness, so that un ¬ evennesses 90 can be transferred to a Vergussoberfläche 41, which is formed below the upper edge 25 of the wall 24.
Neben einem Prägen des Vergussmaterials 40 an der Verguss¬ oberfläche 41, kann das Umformen des Vergussmaterials 40 an der Vergussoberfläche 41 auch anders erfolgen. Fig. 4 zeigt eine weitere Variante zum Umformen des Vergussmaterials 40 an der Vergussoberfläche 41, wobei eine Härtung der Vergussober¬ fläche 41 erfolgt. Mit der Härtung der Vergussoberfläche 41 geht eine Faltung der Vergussoberfläche 41 einher. Das Härten der Vergussoberfläche 41 kann beispielsweise thermisch oder durch UV-Bestrahlung erfolgen. Um eine Faltung der Verguss- Oberfläche 41 zu unterstützen, kann das Vergussmaterial 40 Vibrationen 61 ausgesetzt werden. Die Vibrationen 61 können beispielsweise durch ein Ultraschallbad oder durch Vibratio¬ nen 61 eines Piezoelements erzeugt werden. Nach dem Umformen des Vergussmaterial 40 an der Vergussoberfläche 41 wird das Vergussmaterial 40 ausgehärtet, damit die Faltung der Vergus¬ soberfläche 41 erhalten bleiben kann. Fig. 5 zeigt das optoelektronische Bauelement 10 in einer schematischen Seitenansicht. Die Vergussoberfläche 41 weist Unebenheiten 90 auf, die durch eine der in Fig. 1 bis 4 gezeigten Methoden hergestellt worden sind. Die Unebenheiten 90 der Vergussoberfläche 41 sind dazu ausgebildet, einfallende elektromagnetische Strahlung an der Vergussoberfläche 41 dif¬ fus zu streuen, wodurch eine spekulare Reflexion einfallender elektromagnetischer Strahlung an der Vergussoberfläche 41 unterdrückt wird. In addition to embossing the potting material 40 on the potting ¬ surface 41, the forming of the potting material 40 on the Vergussoberfläche 41 can also be done differently. Fig. 4 shows a further variation for forming the potting material 40 on the Vergussoberfläche 41, wherein curing of the Vergussober ¬ surface 41 takes place. The hardening of the potting surface 41 is accompanied by a folding of the potting surface 41. The hardening of the potting surface 41 can take place, for example, thermally or by UV irradiation. In order to support a folding of the potting surface 41, the potting material 40 can be exposed to vibrations 61. The vibrations 61 can be generated for example by an ultrasonic bath or by vibra ¬ nen 61 of a piezo element. After forming the potting material 40 on the potting 41, the potting material 40 is cured so that the folding of the Vergus ¬ soberfläche 41 can be maintained. 5 shows the optoelectronic component 10 in a schematic side view. The potting surface 41 has unevenness 90, which has been produced by one of the methods shown in FIGS. 1 to 4. The unevennesses 90 of the potting surface 41 are designed to diffuse incident electromagnetic radiation at the potting surface 41 dif ¬ fus, whereby a specular reflection of incident electromagnetic radiation is suppressed at the potting 41.
Abgesehen davon, dass das Umformen des Vergussmaterials 40 an der Vergussoberfläche 41 eine Topographie an der Vergussober¬ fläche 41 erzeugt, die dazu ausgebildet ist, von außen ein¬ fallende elektromagnetische Strahlung diffus zu streuen, kann die an der Vergussoberfläche 41 erzeugte Topographie auch da¬ zu dienen, eine Extraktionseffizienz des optoelektronischen Bauelements 10 zu erhöhen. Die auf der Vergussoberfläche 41 erzeugten Unebenheiten 90 können nämlich eine Totalreflexion der vom optoelektronischen Halbleiterchip 30 emittierten elektromagnetischen Strahlung an einer Innenseite der Vergussoberfläche 41 unterdrücken. Dadurch kann ein größerer Anteil der vom optoelektronischen Halbleiterchip 30 emittierten elektromagnetischen Strahlung an der Vergussoberfläche 41 aus dem optoelektronischen Bauelement 10 heraustreten. Das Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements 10 ist nicht auf individuelle optoelektronische Bauele¬ mente 10 beschränkt. Beispielsweise kann auch ein zweidimen¬ sionaler Verbund aus einer Mehrzahl optoelektronischer Bauelemente 10, beispielsweise ein LED-Array, mit Unebenheiten 90, die simultan auf einer Mehrzahl von Vergussoberflächen 41 erzeugt wurden, bereitgestellt werden. Individuelle opto¬ elektronische Bauelemente 10 können auch durch eine Vereinze¬ lung des Verbunds hergestellt werden. Dadurch müssten die Un- ebenheiten 90 nicht auf jedem einzelnen optoelektronischen Bauelement 10 erzeugt werden. Apart from the fact that the forming of the potting material 40 on the Vergussoberfläche 41 generates a topography on the Vergussober ¬ surface 41, which is designed to diffuse ¬ falling electromagnetic radiation from the outside, the topography generated at the Vergussoberfläche 41 also there ¬ to serve to increase an extraction efficiency of the optoelectronic component 10. The unevennesses 90 generated on the potting surface 41 can suppress a total reflection of the electromagnetic radiation emitted by the optoelectronic semiconductor chip 30 on an inner side of the potting surface 41. As a result, a larger proportion of the electromagnetic radiation emitted by the optoelectronic semiconductor chip 30 can emerge from the optoelectronic component 10 at the casting surface 41. The method for producing an optoelectronic component 10 is not limited to individual optoelectronic elements Bauele ¬ 10th For example, a zweidimen ¬ dimensional composite may consist of a plurality of optoelectronic components 10, such as an LED array may be provided with bumps 90 which has been created simultaneously on a plurality of Vergussoberflächen 41. Individual opto ¬ electronic components 10 may also be prepared by a Vereinze ¬ ment of the composite. This would mean that the not be created on each individual optoelectronic device 10 level 90.
Die vorliegende Erfindung wurde anhand der bevorzugten Aus¬ führungsbeispiele näher illustriert und beschrieben. Dennoch ist die Erfindung nicht auf die offenbarten Beispiele be¬ schränkt. Vielmehr können hieraus andere Variationen vom Fachmann abgeleitet werden, ohne den Schutzumfang der Erfindung zu verlassen. The present invention has been further illustrated and described with reference to the preferred exemplary embodiments. However, the invention is not be limited ¬ to the disclosed examples. Rather, other variations may be deduced therefrom by those skilled in the art without departing from the scope of the invention.
BEZUGSZEICHENLISTE LIST OF REFERENCE NUMBERS
10 optoelektronisches Bauelement 20 Träger 10 optoelectronic component 20 carrier
21 Oberseite des Trägers  21 top of the carrier
22 elektrische Anschlüsse für einen optoelektronischen Halbleiterchip  22 electrical connections for an optoelectronic semiconductor chip
23 Kavität  23 cavity
24 Wandung 24 wall
25 Oberkante der Wandung  25 top of the wall
30 optoelektronischer Halbleiterchip 30 optoelectronic semiconductor chip
31 Oberseite des optoelektronischen Halbleiterchips 32 Unterseite des optoelektronischen Halbleiterchips  31 top of the optoelectronic semiconductor chip 32 underside of the optoelectronic semiconductor chip
40 Vergussmaterial 40 potting material
41 Vergussoberfläche  41 potting surface
42 weiteres Material  42 more material
50 Stempel 50 stamps
51 Walze  51 roller
52 Folie  52 foil
53 Druckkammer  53 pressure chamber
54 Strukturen 54 structures
60 UV-Strahlen 60 UV rays
61 Vibrationen 80 Partikel  61 vibrations 80 particles
90 Unebenheiten 90 bumps
100 wellenlängenkonvertierender Leuchtstoff 100 wavelength-converting phosphor

Claims

PATENTA S PRÜCHE  PATENTA'S TEST
Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements (10) mit den folgenden Verfahrensschritten: Method for producing an optoelectronic component (10) with the following method steps:
- Bereitstellen eines Trägers (20) mit einer Oberseite (21) ;  - Providing a carrier (20) having a top (21);
- Anordnen eines optoelektronischen Halbleiterchips (30) über der Oberseite (21) des Trägers (20);  - placing an optoelectronic semiconductor chip (30) over the top side (21) of the carrier (20);
- Anordnen eines Vergussmaterials (40) über der Oberseite (21) des Trägers (20), wobei der optoelektronische Halb¬ leiterchip (30) in das Vergussmaterial (40) eingebettet wird, wobei das Vergussmaterial (40) eine Vergussoberflä¬ che bildet (41) ; - disposing a potting material (40) over the top (21) of the carrier (20), said optoelectronic half ¬ conductor chip (30) is embedded in the casting material (40), wherein the potting material (40) has a Vergussoberflä ¬ che forms (41 );
- Umformen des Vergussmaterials (40) an der Vergussoberfläche (41), wobei an der Vergussoberfläche (41) eine To¬ pographie erzeugt wird, wobei das Umformen des Vergussma¬ terials (40) an der Vergussoberfläche (41) durch eine Härtung der Vergussoberfläche (41) erfolgt, wobei mit der Härtung der Vergussoberfläche (41) eine Faltung der Vergussoberfläche (41) einhergeht. - Forming of the molding material (40) on the Vergussoberfläche (41), wherein a to ¬ pographie is generated at the Vergussoberfläche (41), wherein the forming of the Vergussma ¬ terials (40) on the Vergussoberfläche (41) (by curing of the Vergussoberfläche 41), with the hardening of the casting surface (41) being accompanied by a folding of the casting surface (41).
Verfahren gemäß Anspruch 1, Method according to claim 1,
wobei die Härtung der Vergussoberfläche (41) durch eine thermische Behandlung erfolgt. wherein the hardening of the potting surface (41) is effected by a thermal treatment.
Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 und 2, Method according to one of claims 1 and 2,
wobei die Härtung der Vergussoberfläche (41) durch UV- Bestrahlung erfolgt. wherein the hardening of the potting surface (41) is effected by UV irradiation.
Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3, Method according to one of claims 1 to 3,
wobei das Vergussmaterial (40) während der Härtung derwherein the potting material (40) during curing of the
Vergussoberfläche (41) Vibrationen (61) ausgesetzt wird. Potting surface (41) vibration (61) is exposed.
Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei vor dem Umformen des Vergussmaterials (40) an der Vergussoberfläche (41) ein teilweises Aushärten des Ver¬ gussmaterials (40) erfolgt. A method according to any one of the preceding claims, wherein before forming the potting material (40) on the Vergussoberfläche (41) is carried out a partial curing of the molding material Ver ¬ (40).
6. Verfahren gemäß Anspruch einem der vorhergehenden Ansprüche, 6. The method according to claim one of the preceding claims,
wobei nach dem Umformen des Vergussmaterials (40) an der Vergussoberfläche (41) ein Aushärten des Vergussmaterials (40) erfolgt.  wherein after the forming of the potting material (40) on the casting surface (41) curing of the potting material (40).
7. Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, 7. Method according to one of the preceding claims,
wobei das Vergussmaterial (40) eingebettete Partikel (80) aufweist .  wherein the potting material (40) comprises embedded particles (80).
8. Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, 8. Method according to one of the preceding claims,
wobei das Vergussmaterial (40) einen wellenlängenkonver¬ tierenden Leuchtstoff (100) aufweist. wherein the potting material (40) has a wellenlängenkonver ¬ animal forming phosphor (100).
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