WO2019016235A1 - Optical system, lithography machine, method for producing an optical system, and method for replacing a module - Google Patents

Optical system, lithography machine, method for producing an optical system, and method for replacing a module Download PDF

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WO2019016235A1
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WO
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module
optical system
beam path
μηι
structural element
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PCT/EP2018/069441
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Joachim Hartjes
Toralf Gruner
Steffen FITZSCHE
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Carl Zeiss Smt Gmbh
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Definitions

  • OPTICAL SYSTEM LITHOGRAPHIC SYSTEM, METHOD FOR PRODUCING AN OPTICAL SYSTEM AND METHOD FOR PROCESSING
  • the present invention relates to an optical system for a Lithographiean ⁇ location. Furthermore, the present invention relates to a lithography system with such an optical system. Moreover, the present invention relates to various embodiments of a method for producing a derar ⁇ term optical system. In addition, the present invention relates to a method for exchanging a module of such an optical system for a litho ⁇ graphiestrom.
  • Microlithography is used to fabricate microstructured devices, such as integrated circuits.
  • the microlithography phie farming is performed with a lithography system, which has a loading ⁇ lighting system and a projection system.
  • the image of an illuminated by the illumination system mask (reticle) is in this case projected by means of the Pro ⁇ jetechnischssystems was bonded to a photosensitive layer (photoresist) be ⁇ -coated and which is arranged in the image plane of the projection system substrate (e.g. a silicon wafer) for the mask structure to transfer to the light ⁇ sensitive coating of the substrate.
  • a photosensitive layer photoresist
  • EUV lithography tools ⁇ oped which light having a wavelength in the range of 0.1 to 30 nm (nanometer), in particular 13.5 nm, use.
  • EUV lithography systems must because of the high absorption of light of this wavelength of most materials reflective optics, ie mirror, instead of - as before - bre ⁇ sponding optics, ie lenses are used.
  • Projection objectives of a lithography system can have a modular structure. This is particularly advantageous when the projection lenses exceed a certain size. For example, modules of a projection lens can be brought to a location where the lithography system and only at a ⁇ be assembled or connected sentence location. The assembly derarti ⁇ ger modules has high accuracy requirements.
  • the positions of two modules to be connected can be detected by means of a coordinate measuring machine (CMM). From the detected Po ⁇ sitions a positional relationship between the modules can be determined.
  • the coordinate measuring machine references outer surfaces of the module when detecting the position of a module. This can limit the accessibility of the modules for assembly personnel. Therefore, a position of a module relative to another module based on the detected data only ⁇ SUC gene after the individual positions of the modules has been detected and determines the location ⁇ relationship. There are thus at least two Messiterationen he ⁇ conducive until a satisfactory positional relationship between the modules is set by the assembly personnel.
  • modules are re ⁇ feren meet each other with respect to an end stop.
  • modules for example have a mass greater than 100 kg or so ⁇ even more than 250 kg can therefore occur incorrect positions that exceed a required accuracy of eg 40 ⁇ . Such mispositioning can not be compensated, for example, due to limited actuator rank.
  • coordinate measuring machines must be adapted to a size of the Mo ⁇ modules, so that if large modules large coordinate measuring machines have to be provided and appropriate manufacturing technology Gren ⁇ zen can be achieved.
  • coordinate measuring machines are known which operate using inductive Sen ⁇ sors.
  • coordinate measuring machines are known that example by a mechanical probing, so contact, measure at ⁇ . As soon as a predetermined contact force of the probe is reached on the test object, the position is recorded as a data point. For example, so-called load cells are used to determine the contact pressure.
  • the determination of the position of the probe of the coordinate measuring machine for example, by means of sensors that use a structured glass scale, such as Git ⁇ tersensoren.
  • an optical system for a lithography system provided schla ⁇ gene, having a first module which is adapted to enclose a first portion of a beam path, a (with the first module, in particular di ⁇ rectly ie without the interposition of further modules, components, floors Foundations or elements), a connectable second module configured to enclose a second part of the beam path, and a sensor device provided on the first module and configured to position the second module relative to the first module, for example, independently and / or except ⁇ half of the beam path, to detect, to align the first module and the second module based on each detected by the sensor device measurements.
  • the first module and / or the second module has a mirror.
  • the position of the second module relative to the first module can be detected directly. This makes it possible to measure from the inside of the modules, so that, for example, an inner surface or an inner region of the second module for the sensor device can be used as measurement serves as a reference. Furthermore, there is the advantage that an alignment of the first module can be performed relative to the second Mo ⁇ dul same time as the He ⁇ take a position as eg notificat- accessibility of the two modules for assembly ⁇ personnel by a measuring procedure by means of the sensor means is restricted.
  • optical path of the geometrical course of light rays (working ⁇ light) is ver ⁇ stood towards a target object such as a wafer to be exposed.
  • work light is in the present light or a light beam are to be comparable, which for exposure in the optical system is used to transmit a Mas ⁇ ken Modell on a photosensitive coating of the substrate (in particular microstructured component).
  • Means Regardless of the Strah ⁇ beam path” means that no working light for the detection using the Sensorein ⁇ direction is used and / or that not measured by an operating light path.
  • Outside of the beam path means that there is spatially a distance between the beam path and the sensor device. Preference ⁇ as the sensing with the aid of the sensor device is independent of jegli ⁇ chen optical elements which are adapted to form the geometric profile of the beam path.
  • position means an orientation and / or position of the second module relative to the first module or vice versa.
  • An orientation means at ⁇ game as a positional relationship described by at least one rotational degree of free ⁇ standardized, in particular three rotational degrees of freedom.
  • a position means, for example, a positional relationship that is described by at least one translational degree of freedom, in particular three translational degrees of freedom.
  • the "detection" of a layer can, for example, also be referred to as measuring.
  • Enclosing the beam path means that the beam path passes through the first and second modules.
  • the first module comprises a first Mo ⁇ dulgereheatuse, in particular a first vacuum enclosure, and the second module second module housing, in particular a second vacuum housing, wherein the ers ⁇ te module housing is flanged to the second module housing or vice versa.
  • the first and second vacuum housings are adapted to maintain a (high) vacuum (as required for the use of EUV light) in their interior in an interconnected state.
  • the sensor device is arranged inside or outside the first vacuum housing and / or the second vacuum housing and / or the vacuum.
  • the module housing are formed for example of a solid material. In this case, the first module housing can be connected to the second module housing such that an alignment with one another is adjustable.
  • tung a Einstellvorrich- in particular a printing mechanism, seen at at least one of the modules before ⁇ order relative to the second module or vice versa, to adjust a position of the first module.
  • the pressure mechanism may include adjustment screws and / or micrometer screws.
  • a SET ⁇ development of the modules to each other ie, the change in position from each other, for example, by shifting one of the two modules on a common interface ⁇ position resp interface surface enforceable.
  • Introducing an adjustment force required for this can be done with a tool or with ⁇ means of the printing mechanism, for example by means of knocking. For example, this process can take place at a certain weight ⁇ relief, so that the adjustment force is reduced for a reduction of friction or frictional forces.
  • the first and second modules are particularly adapted to be connected to each other.
  • the second module is only rigidly connectable to the first module, so that in particular no actuated movements between the entire first module relative to the entire second module are possible.
  • the first and / or the second module comprises at least one optical element, in particular a lens or a mirror, which at least partially defines or geometrically shapes the beam path.
  • a module may comprise actuators for, in particular, each optical element which optimizes are assigned element and are adapted to set or change a position of the optical element.
  • the actuators can also be called Akto ⁇ ren or actuators.
  • a module may also comprise more than one optical element, eg two, three, four or five optical elements.
  • the first and / or second module comprises a light inlet opening, which is provided for an entry of the working light into the module, and a light exit opening, which is provided for a discharge of the working light from the Mo ⁇ module.
  • the sensor device may for example have one or more probes or be designed as a probe.
  • the first module encloses a first réellevo ⁇ lumen and the second module a second internal volume, said first interior volume and the second internal volume is connected to a total interior volume in the connected state of the first module with the second module, and wherein said sensor means within the total internal volume is arranged.
  • the provision of the sensor device within the modules has the advantage that the detection of the position of the second module can take place in an interior of the modules and thus a smaller space requirement for the detection is necessary.
  • the second module an internal surface or for indoor comprises ⁇ rich serving as a measurement reference for the sensor device.
  • ⁇ rich serving as a measurement reference for the sensor device.
  • the first module and / or the second module has a weight of greater than 100 kg or greater than 250 kg.
  • the first module and / or the second module has a weight of 100 kg to 250 kg or 250 kg to 500 kg.
  • the sensor device comprises a capacitive sensor and / or an inductive sensor and / or a confocal sensor and / or a triangulation sensor and / or a position-sensitive sensor and / or an encoder and / or an interferometer.
  • a capacitive sensor has the advantage that distance measurements can be measured with nanometer accuracy.
  • the sensor device may comprise a plurality of sensors.
  • the sensor device comprises a distance sensor, a displacement sensor and / or an angle sensor.
  • the Enco ⁇ is, for example, an optical encoder.
  • the sensor device may comprise an optical sensor. It is understood that a plurality of capacitive, inductive or optical sensors may be provided.
  • the sensor device comprises only capacitive, inductive or optical sensors.
  • the interferometer is in particular a miniature interferometer.
  • the sensor device comprises a measuring bridge circuit, in particular a capacitance measuring bridge or inductance measuring bridge.
  • the optical system comprises a struc ⁇ Rdevice to which the sensor device is mounted, wherein the struc ⁇ Rdevice is connectable to the first module and removable from vorgese ⁇ hen.
  • the structure element is, for example, a measuring gauge, which can be connected to the first Mo ⁇ dul to detect the position of the second module relative to the ers ⁇ th module.
  • the sensor device is connected indirectly or indirectly to the first module. This has the advantage that the structural can be removed from the first module turelement including sensor means after one another orientation of the ers ⁇ th module to the second module, so that an alternative use for other modules is possible. Preference ⁇ wise, the structural element is aligned relative to the first module or jus ⁇ tierbar.
  • the sensor device can be connected to an Ab ⁇ section of the first module housing directly or directly.
  • the structural element extends in a state connected to the first module through the first internal volume.
  • a projection lens for a lithography system with an optical system as described above proposed, wherein the projection objective has a modular structure particularly for transportability and / or Manageable ⁇ ness.
  • a lithography system is proposed as described before ⁇ standing with an optical system.
  • the lithography system may in particular be an EUV lithography system.
  • EUV stands for "extreme ultraviolet” (English: extreme ultra violet, EUV) and refers to a wavelength of working light between 0.1 and 30 nm.
  • DUV stands for "deep ultraviolet” (English: deep ultra violet, DUV) and denotes a wavelength of the working light between 30 and 250 nm.
  • a method for producing an optical system comprising the steps of: a) providing a first module which is designed to enclose a first part of a beam path, b) providing one with the first module connectable second module, which is designed to enclose a two ⁇ th part of the beam path, wherein, for example, the first module and / or the second module has a mirror, c) providing a provided on the first module sensor device, d) connect the first module with the second module, e) detecting a position of the second module relative to the first module by means of the sensor device, wherein the detection example ⁇ independent and / or outside of the beam path, and f) to ⁇ each other aligning the first Module and the second module based on the detected in step e) location.
  • the sensor device is provided with a
  • Structural element connected, which is temporarily connected to the first module.
  • the structural element together with the sensor device is removed from the first module after completion of step f). This has the advantage that unnecessary elements, such as the structural element, are removed for the lithography process.
  • step e) and step f) are carried out simultaneously.
  • the optical system comprises an interface, in particular ⁇ a display that outputs the data to the detected position in real time or displays.
  • the first module and the second module before the steps e) and f) by means of a coordinate measuring machine in particular individually ver ⁇ measure.
  • a desired change in position of the first module can be determined at the second module.
  • the Strukturele ⁇ element is connected to the first module from time to time for step c).
  • a probe of the sensor device is set to "zero" and / or a first measuring reference is determined by means of the probe and in particular so that executed step e).
  • step f) is subsequently executed, in particular iteratively, until the converted difference is determined, measured and / or displayed with the aid of the measuring probe, so that it can in particular be concluded that the desired change in position has been set.
  • the modules are subsequently fixed to one another or firmly connected to one another, for example by screwing.
  • step e) is then carried out again in order to control the position of the modules relative to one another.
  • the structural element of the first module to be disconnected or disassembled.
  • Such a method is particularly advantageous for Modulanordnun ⁇ gen that can not be measured by a coordinate measuring machine because of their overall size.
  • three, four, five or more modules can also be assembled using this method.
  • step e) and step f) are repeated until a deviation of an actual position from a desired position of the second module relative to the first module in at least one spatial direction, in particular in each of two spatial directions ( each extending perpendicular zueinan ⁇ ) or in each of three spatial directions (each perpendicular to ⁇ each other), between 0 and 40 ⁇ , preferably between 0 and 38 ⁇ , more preferably between 0 and 36 ⁇ , more preferably between 0 and 34 ⁇ , more preferably between 0 and 32 ⁇ , more preferably between 0 and 30 ⁇ , more preferably between 0 and 20 ⁇ , more preferably between 0 and 10 ⁇ amounts.
  • Actual position as used herein means a position which is detected by means of the sensor device.
  • Desired position means a position which is present in an ideal case, eg a calculated or predetermined position for which the modules are designed or which Li ⁇ thographiestrom is designed.
  • a method for exchanging a module of an optical Sys ⁇ tems comprising the steps of: a) providing an optical system with egg nem first module that is adapted to a first To enclose part of a beam path , and a second module connected to the first module, which is designed to close a second part of the beam path , b) providing a structural element and a sensor device connected thereto, c) connecting the structural element the first module, d) detecting a position of the second module relative to the first module by means of the sensor device, e) separating the first module from the second module, f) be ⁇ riding provide a replacement module for replacing the first module and connecting the structural member with the Replacement module, g) connecting the replacement module to the second module, h) aligning the Reasonmod and the second module based on the detected in step d) location.
  • step e) for example, the same structural element that is removed from the first module after step d) can be used for the replacement module.
  • another, in particular structurally identical, structural element for step f) can be provided.
  • a method of manufacturing an optical system, insbeson ⁇ particular as described above, proposed for a lithography system comprising the steps: enclosing a) providing a first module that is adapted to ei ⁇ NEN first part of an optical path, b) to enclose providing a connectable to the first module the second module, which is adapted to a second part of the beam path, c) providing a kapaziti ⁇ ven sensor, d) connecting the first module to the second module, e) detecting a position of the first Module and a position of the second module by means of the ka ⁇ pazitiven sensor, and f) each other aligning the first module and the second module based on the detected in step e) layers.
  • the positions of the first and second Mo ⁇ duls By be determined by means of a capacitive sensor, the positions of the first and second Mo ⁇ duls, a high accuracy of measurement can be achieved.
  • Distance measurements can be measured, for example, with nanometer accuracy.
  • a plurality of capacitive sensors can be provided. Before ⁇ preferably the sensor as the distance sensor, distance sensor or angle sensor is formed from ⁇ .
  • capacitive distance sensors and Win ⁇ kelsensoren example are provided. Further, for example, the positions are determined with the aid of a capaci ⁇ tuschsmess Hampshire.
  • the capacitive sensor is provided on a coordinate measuring machine, which is arranged for detecting the layers in step e) next to the first and / or second module.
  • a coordinate measuring machine which is arranged for detecting the layers in step e) next to the first and / or second module.
  • step e) and step f) are repeated until a deviation of an actual position from a desired position of the second module relative to the first module in at least one spatial direction, in particular in each of two spatial directions ( each extending perpendicular zueinan ⁇ ) or in each of three spatial directions (each perpendicular to ⁇ each other), between 0 and 40 ⁇ , preferably between 0 and 38 ⁇ , more preferably between 0 and 36 ⁇ , more preferably between 0 and 34 ⁇ , more preferably between 0 and 32 ⁇ , more preferably between 0 and 30 ⁇ , more preferably between 0 and 20 ⁇ , more preferably between 0 and 10 ⁇ amounts.
  • the embodiments and features described for the proposed optical system apply correspondingly to the proposed method and vice versa.
  • the beschrie ⁇ surrounded for the method for manufacturing the optical system embodiments and features apply to the proposed procedural ⁇ ren for replacing the module of the optical system corresponding to and vice versa.
  • the embodiments and features described for the first module apply correspondingly to the second module and vice versa.
  • FIG. 1A shows a view of an EUV lithography system
  • Fig. 1B is a view of a DUV lithography apparatus
  • FIG. 2 shows a schematic sectional view of an embodiment of an optical system for the lithography system according to FIG. 1A or 1B;
  • FIG. 3 shows a schematic sectional view of a further embodiment of an optical system for the lithography system according to FIG. 1A or 1B
  • FIG. 4 shows a schematic sectional view of a further embodiment of an optical system for the lithography system according to FIG. 1A or 1B;
  • FIG. 5 shows a schematic sectional view of a further embodiment of an optical system for the lithography system according to FIG. 1A or 1B;
  • Fig. 6 shows a block diagram of a method of manufacturing the optical system according to one of Figs. 2, 3 or 5;
  • FIG. 7 is a block diagram of a method of replacing a module of the optical system according to any one of Figs. 2-5; and FIG. 8 shows a block diagram of a method for manufacturing the optical system according to FIG. 4 or 5.
  • Fig. 1A is a schematic view of an EUV lithography apparatus 100A, which includes a beam shaping and illumination system 102 and a projection system 104 ⁇ .
  • EUV stands for "extreme ultraviolet” (English: ext ⁇ reme ultraviolet, EUV).
  • EUV stands for "extreme ultraviolet” (English: ext ⁇ reme ultraviolet, EUV).
  • EUV stands for "extreme ultraviolet” (English: ext ⁇ reme ultraviolet, EUV).
  • EUV stands for "extreme ultraviolet” (English: ext ⁇ reme ultraviolet, EUV).
  • EUV extreme ultraviolet
  • EUV extreme ultraviolet
  • the radiation and illumination system 102 and the Pro ⁇ jedgingssystem 104 are each in seen a vacuum housing, not shown before ⁇ , wherein the vacuum housing is evacuated by means of a not shown Evakuie ⁇ reasoning apparatus.
  • the vacuum housing are surrounded by a non-illustrated machine room is provided in which driving devices for the mechanical procedure and adjusting the optical elements
  • the EUV lithography system 100A has an EUV light source 106A.
  • EUV light source 106A for example, a plasma source (or synchrotron) may be provided, which radiation 108A in the EUV range (extreme ultraviolet range), ie z. B. in the wavelength range of 5 to 20 nm emitted.
  • the EUV radiation is 108A gebün ⁇ delt filtered and the desired operating wavelength of the EUV radiation 108A manufacturer.
  • the EUV radiation 108A produced by the EUV light source 106A has a relatively low transmissivity by air, which is why the beam radiation management rooms in the radiation and illumination system 102 and inggii ⁇ onssystem 104 are evacuated.
  • the radiation and illumination system 102 illustrated in FIG. 1A has five mirrors 110, 112, 114, 116, 118.
  • the EUV radiation 108A is on a photomask (English: reticle) directed 120th
  • the photomask 120 is also formed as a reflective op ⁇ table element and may be provided outside of the systems 102, 104 may be angeord ⁇ net.
  • the EUV radiation 108A may be directed to the photomask 120 by means of a mirror 122.
  • the photomask 120 has a structure wel ⁇ surface by means of the projection system 104 reduces to a wafer 124 or the like is imaged.
  • the projection system 104 (also referred to as a projection objective) has six mirrors M1 to M6 for imaging the photomask 120 onto the wafer 124. Since ⁇ mirror Ml be arranged to M6 of the projection system 104 symmetrically with respect to an optical axis 126 of projection system 104 in a single can. It should be noted that the number of mirrors of the EUV lithography system 100A is not limited to the number shown. It can also be provided more or less mirror.
  • the projection system 104 may include ten mirrors.
  • the levels are usually at their pre ⁇ the side curved for beam shaping.
  • the projection system 104 may be embodied without an optical axis, wherein one or more mirrors M1 to M6 are designed as free-form surfaces.
  • Fig. 1B is a schematic view of the DUV lithography system 100B, che wel ⁇ a beam shaping and illumination system 102 and a projection system 104 includes.
  • DUV stands for "deep ultraviolet” (English: deep ultra violet, DUV) and denotes a working light wavelength between 30 and 250 nm.
  • the DUV lithography system 100B has a DUV light source 106B.
  • a DUV light source 106B for example, an ArF excimer laser can be provided, which radiation 108B in the DUV range, for example, 193 nm emit ⁇ advantage.
  • the Strahlungsformungs- and illumination system 102 shown in Fig. 1B forwards the DUV radiation 108B on a photomask 120.
  • the photomask 120 is formed as a transmissive optical element, and may be outside the Syste ⁇ me 102, 104 disposed to be.
  • the photomask 120 has a structure which is reduced by means of the projection system 104 onto a wafer 124 or the same ⁇ is imaged.
  • the projection system 104 has a plurality of lenses 128 and / or mirrors 130 for imaging the photomask 120 onto the wafer 124.
  • individual lenses 128 and / or mirrors 130 of the projection system 104 may be arranged symmetrically to egg ⁇ ner optical axis 126 of the projection system 104.
  • the number of lenses and mirrors of the DUV system 100B is not limited to the number shown. It is also possible to provide more or fewer lenses and / or mirrors. Furthermore, the mirrors are usually curved at their front for beam shaping.
  • An air gap between the last lens 128 and the wafer 124 may be replaced by a liquid medium 132, which has a refractive index greater than 1 on ⁇ .
  • the liquid medium may be, for example, high purity water.
  • a sol rather structure is referred to as immersion lithography and has he ⁇ creased photolithographic resolution on.
  • the optical system comprises a module 202 and a module 204.
  • the module 202 may be referred to as a first module and the module 204 may be referred to as a second module.
  • the module 202 comprises a module housing 206 (in particular a vacuum housing) which has an outer wall Formation of the module 202 forms.
  • the module housing 206 has a light entry opening ⁇ 208, may be incident through the work light 210 in the module housing 206th
  • the module housing 206 encloses an internal volume 230, through which the working light 210 can propagate.
  • the module housing 206 includes a light exit opening 209 through which the light is incident work 210 and the Mo ⁇ dul 202 leaves.
  • the module 202 may be connected to the light entrance opening 208 with another module (not shown in FIG. 2).
  • an optical element 212 in particular a mirror, is provided, on which the light falls work 210 and reflectors ⁇ advantage of this example.
  • the working light 210 follows a course in the optical system and thereby forms a beam path 214.
  • the module 202 is designed to ⁇ to enclose a first part of a beam path 214 by means of the module housing 206.
  • the module housing 206 includes a light exit opening, through which the working light 210 leaves the module 202 and drops directly into the module 204.
  • the optical element 212 is, for example, one of the Spie ⁇ gel Ml - M6, the mirror 110, 112, 114, 116, 118 (see Fig.
  • the module 204 includes a module housing 216 (specifically, a Vakuumgeophu ⁇ se) forming an outer wall of the module 204th
  • the module housing 216 has a light entry port 218, may be incident in the Mo ⁇ dulgephaseuse 216 by the work light 210th
  • the module housing 216 encloses a réellevo ⁇ lumen 232, through which the working light 210 can propagate.
  • the module 204 comprises a light exit opening 220, through which the working light 210 falls and leaves the module 204.
  • the module 204 may be connected to the light exit opening ⁇ 220 with another module (in Fig. 2 not shown).
  • an optical element 222 in particular a mirror, is provided in the module 204, onto which the working light 210 falls and is reflected by it eg in the direction of the light exit opening 220.
  • the module 204 is designed to enclose a second part of the beam path 214 by means of the module ⁇ housing 216.
  • the optical element 222 is, for example, one of the gel M1-M6, the mirror 110, 112, 114, 116, 118 (see FIG. 1A) or one of the lenses 128 (see FIG. 1B).
  • the module 202 and / or module 204 have a Ge ⁇ weight of greater than 100 kg, greater than 250 kg.
  • the module 202 is connectable to the module 204, and Darge ⁇ presented case with the module 204 is connected in the in Fig. 2 at a joining point 224th
  • the module may be attached ⁇ flanged to the module 204 by means of connecting means 226,202.
  • one of the connecting means 226 comprises screws ⁇ ben. The screws can be screwed for example by the module 202, in particular a transit hole of the module 202, and inserted into a thread (not shown) of Mo ⁇ duls 204th
  • the screws 204 can both modules 202, 204, in particular through-holes (not shown) of the two modules 202, Ge inserted and by means of nuts (not shown) are fixed, so that a Verbin ⁇ dung power between the modules 202, 204 prevails.
  • the modules 202, 204 include edges which are pressed together by a Klemmme ⁇ mechanism (not shown).
  • Klemmme ⁇ mechanism is, for example by means of screws, in particular adjusting screws, betätig- bar.
  • the light exit opening 209 faces the light entry opening 218, the light exit opening 209 and the light entry opening 218 at least partially overlapping, so that the work light 210 falls from the module 202 into the module 204.
  • the optical system 200 includes a sensor device 228 which is adapted to independently and / or outside of the beam path 214 to detect a position of the module 204 to the module 202, insbesonde ⁇ re relatively. It can further be provided that the sensor device ( ⁇ 6 mbar, for example. Pressure ⁇ 10) is located within 228 or au ⁇ ßer foi the high vacuum. In the exemplary embodiment shown here, the sensor device 228 is arranged within the high vacuum. Similarly, the sensor device 228 could be located outside the high vacuum, as shown for the embodiment of FIG.
  • the sensor device 228 is arranged within the total internal volume 234. When the two modules 202, 204 are joined, the module 202 is aligned with the module 204 based on measured values acquired by the sensor device 228.
  • the module housing 216 comprises an inner surface 236 or an inner region which is configured to be referenced by the sensor device 228 to capture the location of the module 204. It goes without saying that a plurality of inner surfaces or inner regions can also be set up to be referenced by the sensor device 228.
  • the sensor device 228 includes, for example, a capacitive or inductive Sen ⁇ sor.
  • the sensor device 228 may be a measuring bridge circuit, and in particular ⁇ sondere comprise a capacitance measuring bridge or Indukt foundedsmess Kunststoff.
  • Fig. 2 is in the modules 202, 204 each have an optical element 212, 222 ge ⁇ shows. It is understood that in each of the modules 202, 204, two, three or more optical elements may be provided. For example, no optical element can be provided in one or both modules 212, 222.
  • Fig. 3 shows in a schematic sectional view of a further embodiment of an optical system 200. In contrast to FIG.
  • 200 includes the optical Sys tem ⁇ a structural element 300, to which the sensor device 228 befes- is done.
  • the structural element 300 is connected to the module 202 and can be removed therefrom without destruction.
  • the struc ⁇ Rdevice 300 extends over an entire length L of the internal volume 230, wherein the structural element 300 for fastening to an outer side 302 of the Modulgetude- ses can project ⁇ from the internal volume 230 through the light entry port 208 out 206th
  • a fixing means 304 for fixing the structural member 300 to the outside 302 is provided.
  • the structural element 300 protrudes in into the interior volume 232, the Sensoreinrich ⁇ processing is provided in the internal volume 232 228th
  • an adjustment device 306 in particular a Druckmecha ⁇ mechanism provided on the module 202, the module 204 and / or in a Thomasstellenbe ⁇ rich 308 between the module 202 and the module 204 to the position of the module 202 relative to the module 204 or vice versa.
  • Fig. 4 shows another embodiment of an optical system 200.
  • the optical system 200 comprises any sensor device 228, and no structural element 300, which are ⁇ arranged within the total internal volume of 234.
  • the optical system 200 includes a capacitive sensor 400, which is provided at a Ko ⁇ ordinatenmessmaschme 402 and is adapted to detect a position of the module 202 and a position of the second module 204 relative to the coor ⁇ dinatenmessmaschme 402nd Based on the detected by the capacitive sensor 400 layers, the module 202 relative to the module 204 from ⁇ richtbar.
  • a capacitive sensor 400 which is provided at a Ko ⁇ ordinatenmessmaschme 402 and is adapted to detect a position of the module 202 and a position of the second module 204 relative to the coor ⁇ dinatenmessmaschme 402nd Based on the detected by the capacitive sensor 400 layers, the module 202 relative to the module 204 from ⁇ richtbar.
  • the coordinate measuring machine 402 is arranged next to the module 202 and / or the module 204.
  • the capacitive sensor 400 references an outer surface 404 of the module housing 206, which faces the capacitive sensor 400.
  • the capacitive sensor 400 references an outer surface 406 of the module housing 204, which faces the capacitive sensor 400. It is understood that may be a plurality of capacitive sensors 400 provided to grasp the position of the module 202 and the location of the second module 204 to he ⁇ . Furthermore, other types of sensors may be provided.
  • the coordinate measuring machine 402 may be additionally used also in the embodiment shown in Fig. 2 exporting ⁇ approximate shape to detect additional data.
  • Fig. 5 shows a schematic sectional view of another embodiment of an optical system 200.
  • Figure 5 shows, a development of Fig. 3.
  • the optical Sys ⁇ tem shown in Fig. 5 coordinate measuring machine 402.
  • a sensor device 228 and / or a capacitive sensor 400 that references the outer surfaces 404, 406th
  • a derarti ⁇ ge arrangement has the advantage that both from the outside, the position of the module 202 and the module 204 relative to the coordinate measuring machine 402 and from the inside a position of the module 204 relative to the module 202 can be detected.
  • the detection of the position by means of the sensor device 228 from the inside in real-time or online, and the detection of the documents by means of co ordinatenmessmaschine 404 is carried out iteratively after a completed alignment ⁇ step of module 202 relative to the module 204 by the assembly personnel.
  • FIG. 6 shows a block diagram of a method for producing the optical system 200 for the lithography system 100A, 100B according to one of FIGS. 2, 3 or 5.
  • the module 202 is provided.
  • the connectable to the module 202 module 204 is provided wherein at ⁇ game as the module 202 and / or the module 204, a mirror 212, 222 has ⁇ .
  • the sensor 202 provided on the module 202 ⁇ device 228 is provided.
  • the module 202 is connected to the module 204.
  • a position of the module 204 relative to the module 202 is detected by means of the sensor device 228, wherein the detection in particular independently and / or outside of the beam path 214 takes place.
  • the module 202 and the module 202 are aligned with each other based on the position detected in the step S5.
  • step S5 and step S6 are executed simultaneously.
  • FIG. 7 shows a block diagram of a method for exchanging a module of the optical system 200 according to one of FIGS. 2-5
  • Step S02 the optical system 200 is provided with the module 202 and the module 204 connected to the module 204.
  • a step S20 the structural element 300 and the sensor device 228 connected thereto are provided.
  • the structure element 300 is connected to the module 202.
  • a position of the module 204 is detected relative to the module 202 by means of the Sensorein ⁇ direction 228th
  • the module 202 is disconnected from the module 204.
  • a replacement module for replacing the Mo ⁇ duls 202 and connecting the structural element 300 with the replacement module is provided readiness.
  • the replacement module with the module 204 verbun ⁇ .
  • the replacement module and the module 204 are aligned with each other based on the position detected in step S40.
  • FIG. 8 shows a block diagram of a method for manufacturing the optical system 200 according to FIG. 4 or 5.
  • the module 202 is provided in a step S100.
  • the module 204 which can be connected to the module 202 is provided in a step S200.
  • the capacitive sensor 400 is provided in a step S300.
  • the module 202 to the module 204 is verbun ⁇ .
  • the position of the module 202 and the position of the Mo ⁇ duls 204 by means of the capacitive sensor 400 is detected.

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Abstract

An optical system (200) for a lithography machine (100A, 100B), comprising a first module (202) designed to surround a first part of a beam path (214), a second module (204) which can be connected to the first module (202) and is designed to surround a second part of a beam path (214), and a sensor device (228) provided on the first module (202) and configured to detect a position of the second module (204) relative to the first module (202) independently of and/or outside the beam path (214), so as to align the first module (202) and the second module (204) with each other on the basis of measurements obtained by the sensor device (228), wherein the first module (202) and/or the second module (204) has a mirror (212, 222).

Description

OPTISCHES SYSTEM, LITHOGRAPHIEANLAGE, VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES OPTISCHEN SYSTEMS SOWIE VERFAHREN ZUM OPTICAL SYSTEM, LITHOGRAPHIC SYSTEM, METHOD FOR PRODUCING AN OPTICAL SYSTEM AND METHOD FOR PROCESSING
AUSTAUSCHEN EINES MODULS Der Inhalt der deutschen Prioritätsanmeldung DE 10 2017 212 534.9 (Anmelde¬ tag: 21. Juli 2017) ist hiermit vollständig einbezogen. REPLACING A MODULE The content of the German priority application DE 10 2017 212 534.9 (application ¬ day: July 21, 2017) is hereby fully incorporated.
Die vorliegende Erfindung betrifft ein optisches System für eine Lithographiean¬ lage. Weiterhin betrifft die vorliegende Erfindung eine Lithographieanlage mit einem derartigen optischen System. Außerdem betrifft die vorliegende Erfindung verschiedene Ausführungsformen eines Verfahrens zum Herstellen eines derar¬ tigen optischen Systems. Zudem betrifft die vorliegende Erfindung ein Verfahren zum Austausch eines Moduls eines derartigen optischen Systems für eine Litho¬ graphieanlage. The present invention relates to an optical system for a Lithographiean ¬ location. Furthermore, the present invention relates to a lithography system with such an optical system. Moreover, the present invention relates to various embodiments of a method for producing a derar ¬ term optical system. In addition, the present invention relates to a method for exchanging a module of such an optical system for a litho ¬ graphieanlage.
Die Mikrolithographie wird zur Herstellung mikro strukturierter Bauelemente, wie beispielsweise integrierter Schaltkreise, angewandt. Der Mikrolithogra- phieprozess wird mit einer Lithographieanlage durchgeführt, welche ein Be¬ leuchtungssystem und ein Projektions System aufweist. Das Bild einer mittels des Beleuchtungssystems beleuchteten Maske (Retikel) wird hierbei mittels des Pro¬ jektionssystems auf ein mit einer lichtempfindlichen Schicht (Photoresist) be¬ schichtetes und in der Bildebene des Projektionssystems angeordnetes Substrat (zum Beispiel ein Silizium wafer) projiziert, um die Maskenstruktur auf die licht¬ empfindliche Beschichtung des Substrats zu übertragen. Microlithography is used to fabricate microstructured devices, such as integrated circuits. The microlithography phieprozess is performed with a lithography system, which has a loading ¬ lighting system and a projection system. The image of an illuminated by the illumination system mask (reticle) is in this case projected by means of the Pro ¬ jektionssystems was bonded to a photosensitive layer (photoresist) be ¬-coated and which is arranged in the image plane of the projection system substrate (e.g. a silicon wafer) for the mask structure to transfer to the light ¬ sensitive coating of the substrate.
Getrieben durch das Streben nach immer kleineren Strukturen bei der Herstel¬ lung integrierter Schaltungen werden derzeit EUV- Lithographieanlagen entwi¬ ckelt, welche Licht mit einer Wellenlänge im Bereich von 0,1 bis 30 nm (Nanome- ter), insbesondere 13,5 nm, verwenden. Bei solchen EUV-Lithographieanlagen müssen wegen der hohen Absorption von Licht dieser Wellenlänge der meisten Materialien reflektierende Optiken, d. h. Spiegel, anstelle von - wie bisher - bre¬ chenden Optiken, d. h. Linsen, eingesetzt werden. Projektionsobjektive einer Lithographieanlage können modular aufgebaut sein. Dies ist besonders vorteilhaft, wenn die Projektionsobjektive eine bestimmte Größe überschreiten. Beispielsweise können Module eines Projektionsobjektivs zu einem Einsatzort der Lithographieanlage gebracht werden und erst am Ein¬ satzort zusammengesetzt bzw. verbunden werden. Das Zusammensetzen derarti¬ ger Module hat hohe Genauigkeitsanforderungen. Driven by the desire for ever smaller structures in the herstel ¬ development of integrated circuits are currently escape EUV lithography tools ¬ oped which light having a wavelength in the range of 0.1 to 30 nm (nanometer), in particular 13.5 nm, use. In such EUV lithography systems must because of the high absorption of light of this wavelength of most materials reflective optics, ie mirror, instead of - as before - bre ¬ sponding optics, ie lenses are used. Projection objectives of a lithography system can have a modular structure. This is particularly advantageous when the projection lenses exceed a certain size. For example, modules of a projection lens can be brought to a location where the lithography system and only at a ¬ be assembled or connected sentence location. The assembly derarti ¬ ger modules has high accuracy requirements.
Beispielsweise können die Positionen von zwei zu verbindenden Modulen mit Hil- fe einer Koordinatenmessmaschine (KMG) erfasst werden. Aus den erfassten Po¬ sitionen kann eine Lagebeziehung zwischen den Modulen ermittelt werden. Die Koordinatenmessmaschine referenziert beim Erfassen der Lage eines Moduls Außenflächen des Moduls. Dadurch kann eine Zugänglichkeit der Module für Montagepersonal eingeschränkt werden. Daher kann eine Ausrichtung eines Moduls relativ zu einem anderen Modul anhand der erfassten Daten erst erfol¬ gen, nachdem die einzelnen Positionen der Module erfasst und daraus die Lage¬ beziehung ermittelt wurde. Es sind somit mindestens zwei Messiterationen er¬ forderlich, bis eine zufriedenstellende Lagebeziehung zwischen den Modulen von dem Montagepersonal eingestellt wird. For example, the positions of two modules to be connected can be detected by means of a coordinate measuring machine (CMM). From the detected Po ¬ sitions a positional relationship between the modules can be determined. The coordinate measuring machine references outer surfaces of the module when detecting the position of a module. This can limit the accessibility of the modules for assembly personnel. Therefore, a position of a module relative to another module based on the detected data only ¬ SUC gene after the individual positions of the modules has been detected and determines the location ¬ relationship. There are thus at least two Messiterationen he ¬ conducive until a satisfactory positional relationship between the modules is set by the assembly personnel.
Außerdem werden somit Module in Bezug auf einen Endanschlag zueinander re¬ ferenziert. Bei Modulen, die beispielsweise eine Masse von über 100 kg oder so¬ gar über 250 kg aufweisen, können daher Fehlpositionierungen auftreten, die eine geforderte Genauigkeit von z.B. 40 μηι übersteigen. Derartige Fehlpositio- nierungen können beispielsweise aufgrund begrenzter Aktuator-Ranges nicht kompensiert werden. In addition, the modules are re ¬ ferenziert each other with respect to an end stop. For modules for example have a mass greater than 100 kg or so ¬ even more than 250 kg can therefore occur incorrect positions that exceed a required accuracy of eg 40 μηι. Such mispositioning can not be compensated, for example, due to limited actuator rank.
Weiterhin müssen derartige Koordinatenmessmaschinen an eine Größe der Mo¬ dule angepasst sein, sodass bei großen Modulen große Koordinatenmessmaschi- nen bereitgestellt werden müssen und entsprechende fertigungstechnische Gren¬ zen erreicht werden können. Ferner sind Koordinatenmessmaschinen bekannt, die mit Hilfe induktiver Sen¬ soren arbeiten. Weiterhin sind Koordinatenmessmaschinen bekannt, die bei¬ spielsweise durch eine mechanische Antastung, also Berührung, messen. Sobald eine vorgegebene Anpresskraft des Tasters an den Prüfling erreicht wird, wird die Position als Datenpunkt aufgenommen. Zur Ermittlung der Anpresskraft werden beispielsweise sogenannte Kraftmessdosen verwendet. Die Bestimmung der Position des Tastkopfes der Koordinatenmessmaschine erfolgt beispielsweise mittels Sensoren, die einen strukturierten Glasmaßstab verwenden, wie z.B. Git¬ tersensoren. Furthermore, such coordinate measuring machines must be adapted to a size of the Mo ¬ modules, so that if large modules large coordinate measuring machines have to be provided and appropriate manufacturing technology Gren ¬ zen can be achieved. Furthermore, coordinate measuring machines are known which operate using inductive Sen ¬ sors. Furthermore, coordinate measuring machines are known that example by a mechanical probing, so contact, measure at ¬. As soon as a predetermined contact force of the probe is reached on the test object, the position is recorded as a data point. For example, so-called load cells are used to determine the contact pressure. The determination of the position of the probe of the coordinate measuring machine, for example, by means of sensors that use a structured glass scale, such as Git ¬ tersensoren.
Vor diesem Hintergrund besteht eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung darin, ein verbessertes optisches System, eine verbesserte Lithographieanlage, ein ver¬ bessertes Verfahren zum Herstellen eines optischen Systems sowie ein verbes¬ sertes Verfahren zum Austausch eines Moduls bereitzustellen. Against this background, it is an object of the present invention to provide an improved optical system, an improved lithography apparatus, a ver ¬ improved method of manufacturing an optical system and a verbes ¬ Sertes method for replacing a module.
Demgemäß wird ein optisches System für eine Lithographieanlage vorgeschla¬ gen, mit einem ersten Modul, das dazu ausgebildet ist, einen ersten Teil eines Strahlengangs zu umschließen, einem mit dem ersten Modul, insbesondere di¬ rekt (d.h. ohne Zwischenschaltung weiterer Module, Bauteile, Böden, Fundamen- te oder Elemente), verbindbaren zweiten Modul, das dazu ausgebildet ist, einen zweiten Teil des Strahlengangs zu umschließen, und einer an dem ersten Modul vorgesehenen Sensoreinrichtung, die dazu eingerichtet ist, eine Lage des zweiten Moduls relativ zu dem ersten Modul, zum Beispiel unabhängig und/oder außer¬ halb von dem Strahlengang, zu erfassen, um das erste Modul und das zweite Mo- dul basierend auf von der Sensoreinrichtung erfassten Messwerten zueinander auszurichten. Beispielsweise weist das erste Modul und/oder das zweite Modul einen Spiegel auf. Accordingly, an optical system for a lithography system provided schla ¬ gene, having a first module which is adapted to enclose a first portion of a beam path, a (with the first module, in particular di ¬ rectly ie without the interposition of further modules, components, floors Foundations or elements), a connectable second module configured to enclose a second part of the beam path, and a sensor device provided on the first module and configured to position the second module relative to the first module, for example, independently and / or except ¬ half of the beam path, to detect, to align the first module and the second module based on each detected by the sensor device measurements. For example, the first module and / or the second module has a mirror.
Indem die Sensoreinrichtung am ersten Modul vorgesehen ist, kann die Lage des zweiten Moduls relativ zum ersten Modul direkt erfasst werden. Dadurch ist es möglich, aus dem Inneren der Module zu messen, sodass z.B. eine Innenfläche oder ein Innenbereich des zweiten Moduls für die Sensoreinrichtung als Messre- ferenz dient. Weiterhin ergibt sich der Vorteil, dass dadurch zeitgleich zum Er¬ fassen der Lage eine Ausrichtung des ersten Moduls relativ zu dem zweiten Mo¬ dul erfolgen kann, da z.B. eine Zugänglichkeit der beiden Module für Montage¬ personal durch einen Messvorgang mittels der Sensoreinrichtung nicht einge- schränkt wird. By providing the sensor device on the first module, the position of the second module relative to the first module can be detected directly. This makes it possible to measure from the inside of the modules, so that, for example, an inner surface or an inner region of the second module for the sensor device can be used as measurement serves as a reference. Furthermore, there is the advantage that an alignment of the first module can be performed relative to the second Mo ¬ dul same time as the He ¬ take a position as eg not einge- accessibility of the two modules for assembly ¬ personnel by a measuring procedure by means of the sensor means is restricted.
Unter„Strahlengang" wird der geometrische Verlauf von Lichtstrahlen (Arbeits¬ licht) hin zu einem Zielobjekt, beispielsweise einem zu belichtenden Wafer, ver¬ standen. Unter„Arbeitslicht" ist vorliegend Licht bzw. ein Lichtbündel zu ver- stehen, das zur Belichtung in dem optischen System genutzt wird, um eine Mas¬ kenstruktur auf eine lichtempfindliche Beschichtung des Substrats (insbesondere mikro strukturiertes Bauelement) zu übertragen. "Unabhängig von dem Strah¬ lengang" meint, dass kein Arbeitslicht für das Erfassen mit Hilfe der Sensorein¬ richtung verwendet wird und/oder dass nicht an einem Betriebsstrahlengang gemessen wird. "Außerhalb von dem Strahlengang" meint, dass räumlich ein Ab¬ stand zwischen dem Strahlengang und der Sensoreinrichtung vorliegt. Vorzugs¬ weise erfolgt das Erfassen mit Hilfe der Sensoreinrichtung unabhängig von jegli¬ chen optischen Elementen, die dazu eingerichtet sind, den geometrischen Verlauf des Strahlengangs zu formen. The term "optical path" of the geometrical course of light rays (working ¬ light) is ver ¬ stood towards a target object such as a wafer to be exposed. By "work light" is in the present light or a light beam are to be comparable, which for exposure in the optical system is used to transmit a Mas ¬ kenstruktur on a photosensitive coating of the substrate (in particular microstructured component). Means "Regardless of the Strah ¬ beam path" means that no working light for the detection using the Sensorein ¬ direction is used and / or that not measured by an operating light path. "Outside of the beam path" means that there is spatially a distance between the beam path and the sensor device. Preference ¬ as the sensing with the aid of the sensor device is independent of jegli ¬ chen optical elements which are adapted to form the geometric profile of the beam path.
Beispielsweise meint "Lage" eine Orientierung und/oder Position des zweiten Moduls relativ zum ersten Modul oder umgekehrt. Eine Orientierung meint bei¬ spielsweise eine Lagebeziehung, die durch zumindest einen rotatorischen Frei¬ heitsgrad, insbesondere drei rotatorische Freiheitsgrade, beschrieben ist. Eine Position meint beispielsweise eine Lagebeziehung, die durch zumindest einen translatorischen Freiheitsgrad, insbesondere drei translatorische Freiheitsgrade, beschrieben ist. Das„Erfassen" einer Lage kann beispielsweise auch als Messen bezeichnet werden. „Umschließen des Strahlengangs" meint, dass der Strahlengang durch das erste und zweite Modul verläuft. Vorzugsweise umfasst das erste Modul ein erstes Mo¬ dulgehäuse, insbesondere ein erstes Vakuumgehäuse, und das zweite Modul ein zweites Modulgehäuse, insbesondere ein zweites Vakuumgehäuse, wobei das ers¬ te Modulgehäuse an das zweite Modulgehäuse anflanschbar ist oder umgekehrt. Das erste und zweite Vakuumgehäuse sind dazu eingerichtet, in miteinander verbundenem Zustand ein (Hoch-)Vakuum (wie es für die Verwendung von EUV- Licht erforderlich ist) in ihrem Inneren aufrechtzuerhalten. Vorzugsweise ist die Sensoreinrichtung innerhalb oder außerhalb des ersten Vakuumgehäuses und/oder des zweiten Vakuumgehäuses und/oder des Vakuums angeordnet. Die Modulgehäuse sind beispielsweise aus einem Vollmaterial gebildet. Dabei ist das erste Modulgehäuse derart mit dem zweiten Modulgehäuse verbindbar, dass eine Ausrichtung zueinander einstellbar ist. Vorzugsweise ist eine Einstellvorrich- tung, insbesondere ein Druckmechanismus, an zumindest einem der Module vor¬ gesehen, um eine Lage des ersten Moduls relativ zu dem zweiten Modul oder umgekehrt, einzustellen. Der Druckmechanismus kann Einstellschrauben und/oder Mikrometerschrauben umfassen. Mit anderen Worten ist eine Einstel¬ lung der Module zueinander, d.h. die Lageänderung zueinander, beispielsweise durch ein Verschieben eines der beiden Module auf einer gemeinsamen Schnitt¬ stellen- bzw. Interfacefläche vollziehbar. Ein Einbringen einer dazu benötigten Einstellkraft kann beispielsweise mittels Klopfens mit einem Werkzeug oder mit¬ tels des Druckmechanismus erfolgen. Beispielsweise kann für eine Reduzierung einer Reibung bzw. von Reibkräften dieser Prozess bei einer gewissen Gewichts¬ entlastung erfolgen, sodass auch die Einstellkraft verringert ist. For example, "position" means an orientation and / or position of the second module relative to the first module or vice versa. An orientation means at ¬ game as a positional relationship described by at least one rotational degree of free ¬ standardized, in particular three rotational degrees of freedom. A position means, for example, a positional relationship that is described by at least one translational degree of freedom, in particular three translational degrees of freedom. The "detection" of a layer can, for example, also be referred to as measuring. "Enclosing the beam path" means that the beam path passes through the first and second modules. Preferably, the first module comprises a first Mo ¬ dulgehäuse, in particular a first vacuum enclosure, and the second module second module housing, in particular a second vacuum housing, wherein the ers ¬ te module housing is flanged to the second module housing or vice versa. The first and second vacuum housings are adapted to maintain a (high) vacuum (as required for the use of EUV light) in their interior in an interconnected state. Preferably, the sensor device is arranged inside or outside the first vacuum housing and / or the second vacuum housing and / or the vacuum. The module housing are formed for example of a solid material. In this case, the first module housing can be connected to the second module housing such that an alignment with one another is adjustable. Preferably, tung a Einstellvorrich-, in particular a printing mechanism, seen at at least one of the modules before ¬ order relative to the second module or vice versa, to adjust a position of the first module. The pressure mechanism may include adjustment screws and / or micrometer screws. In other words, a SET ¬ development of the modules to each other, ie, the change in position from each other, for example, by shifting one of the two modules on a common interface ¬ position resp interface surface enforceable. Introducing an adjustment force required for this can be done with a tool or with ¬ means of the printing mechanism, for example by means of knocking. For example, this process can take place at a certain weight ¬ relief, so that the adjustment force is reduced for a reduction of friction or frictional forces.
Das erste und zweite Modul sind insbesondere dazu eingerichtet, miteinander verbunden zu werden. Vorzugsweise ist das zweite Modul lediglich starr mit dem ersten Modul verbindbar, sodass insbesondere keine aktuierten Bewegungen zwischen dem gesamten ersten Modul relativ zu dem gesamten zweiten Modul möglich sind. The first and second modules are particularly adapted to be connected to each other. Preferably, the second module is only rigidly connectable to the first module, so that in particular no actuated movements between the entire first module relative to the entire second module are possible.
Beispielsweise umfasst das erste und/oder das zweite Modul zumindest ein opti- sches Element, insbesondere eine Linse oder einen Spiegel, das den Strahlengang zumindest teilweise definiert bzw. geometrisch formt. Weiterhin kann ein Modul Aktuatoren für insbesondere jedes optische Element umfassen, die einem opti- sehen Element zugeordnet und dazu eingerichtet sind, eine Lage des optischen Elements einzustellen oder zu verändern. Die Aktuatoren können auch als Akto¬ ren oder Stellelemente bezeichnet werden. Es versteht sich, dass ein Modul auch mehr als ein optisches Element umfassen kann, z.B. zwei, drei, vier oder fünf op- tische Elemente. Vorzugsweise umfasst das erste und/oder zweite Modul eine Lichteintrittsöffnung, die für einen Eintritt des Arbeitslichts in das Modul, und eine Lichtaustrittsöffnung, die für einen Austritt des Arbeitslichts aus dem Mo¬ dul vorgesehen ist. Die Sensoreinrichtung kann beispielsweise ein oder mehrere Messtaster aufweisen oder als Messtaster ausgebildet sein. For example, the first and / or the second module comprises at least one optical element, in particular a lens or a mirror, which at least partially defines or geometrically shapes the beam path. Furthermore, a module may comprise actuators for, in particular, each optical element which optimizes are assigned element and are adapted to set or change a position of the optical element. The actuators can also be called Akto ¬ ren or actuators. It is understood that a module may also comprise more than one optical element, eg two, three, four or five optical elements. Preferably, the first and / or second module comprises a light inlet opening, which is provided for an entry of the working light into the module, and a light exit opening, which is provided for a discharge of the working light from the Mo ¬ module. The sensor device may for example have one or more probes or be designed as a probe.
Gemäß einer Ausführungsform umschließt das erste Modul ein erstes Innenvo¬ lumen und das zweite Modul ein zweites Innenvolumen, wobei in verbundenem Zustand des ersten Moduls mit dem zweiten Modul das erste Innenvolumen und das zweite Innenvolumen zu einem Gesamtinnenvolumen verbunden sind und wobei die Sensoreinrichtung innerhalb des Gesamtinnenvolumens angeordnet ist. According to one embodiment, the first module encloses a first Innenvo ¬ lumen and the second module a second internal volume, said first interior volume and the second internal volume is connected to a total interior volume in the connected state of the first module with the second module, and wherein said sensor means within the total internal volume is arranged.
Das Vorsehen der Sensoreinrichtung innerhalb der Module hat den Vorteil, dass das Erfassen der Lage des zweiten Moduls in einem Inneren der Module erfolgen kann und dadurch ein geringerer Platzbedarf für das Erfassen notwendig ist. Beispielsweise umfasst das zweite Modul eine Innenfläche oder einen Innenbe¬ reich, der als Messreferenz für die Sensoreinrichtung dient. Vorzugsweise ist in dem verbundenen Zustand der Module eine Lichteintrittsöffnung des zweiten Moduls einer Lichtaustrittsöffnung des ersten Moduls zugewandt, sodass das Arbeitslicht hindernisfrei von dem ersten Modul in das zweite Modul gelangen kann. The provision of the sensor device within the modules has the advantage that the detection of the position of the second module can take place in an interior of the modules and thus a smaller space requirement for the detection is necessary. For example, the second module an internal surface or for indoor comprises ¬ rich serving as a measurement reference for the sensor device. Preferably, in the connected state of the modules facing a light entrance opening of the second module of a light exit opening of the first module, so that the work light can pass without obstacle from the first module into the second module.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform weist das erste Modul und/oder das zweite Modul ein Gewicht von größer 100 kg oder größer 250 kg auf. According to a further embodiment, the first module and / or the second module has a weight of greater than 100 kg or greater than 250 kg.
„Gewicht" kann vorliegend auch als Masse bezeichnet werden. Ein derartiges di¬ rektes Erfassen der Lage des zweiten Moduls relativ zum ersten Modul ist für große und entsprechend schwere Module besonders vorteilhaft, da nicht zwangs¬ weise von außen gemessen werden muss. Dadurch kann eine Messanordnung bereitgestellt werden, die kostengünstig ist. Vorzugsweise weist das erste Modul und/oder das zweite Modul ein Gewicht von 100 kg bis 250 kg oder 250 kg bis 500 kg auf. May herein also be referred to as a mass "weight". Such di ¬ directly will often detecting the position of the second module to the first module is relatively to large and correspondingly heavy modules particularly advantageous, since not necessarily ¬ must be measured from the outside. Thereby, a measuring arrangement can be provided which is inexpensive. Preferably, the first module and / or the second module has a weight of 100 kg to 250 kg or 250 kg to 500 kg.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform umfasst die Sensoreinrichtung einen kapazitiven Sensor und/oder einen induktiven Sensor und/oder einen konfokalen Sensor und/oder einen Triangulationssensor und/oder einen positionssensitiven Sensor und/oder einen Encoder und/oder ein Interferometer. According to a further embodiment, the sensor device comprises a capacitive sensor and / or an inductive sensor and / or a confocal sensor and / or a triangulation sensor and / or a position-sensitive sensor and / or an encoder and / or an interferometer.
Ein kapazitiver Sensor hat den Vorteil, dass Abstandsmessungen mit Nanome- ter- Genauigkeit gemessen werden können. Die Sensoreinrichtung kann eine Vielzahl an Sensoren umfassen. Vorzugsweise umfasst die Sensoreinrichtung einen Abstandssensor, einen Wegsensor und/oder einen Winkelsensor. Der Enco¬ der ist beispielsweise ein optischer Encoder. Alternativ oder zusätzlich kann die Sensoreinrichtung einen optischen Sensor umfassen. Es versteht sich, dass eine Vielzahl von kapazitiven, induktiven oder optischen Sensoren vorgesehen sein kann. Beispielsweise umfasst die Sensoreinrichtung lediglich kapazitive, induk- tive oder optische Sensoren. Das Interferometer ist insbesondere ein Kleinstin- terferometer. A capacitive sensor has the advantage that distance measurements can be measured with nanometer accuracy. The sensor device may comprise a plurality of sensors. Preferably, the sensor device comprises a distance sensor, a displacement sensor and / or an angle sensor. The Enco ¬ is, for example, an optical encoder. Alternatively or additionally, the sensor device may comprise an optical sensor. It is understood that a plurality of capacitive, inductive or optical sensors may be provided. For example, the sensor device comprises only capacitive, inductive or optical sensors. The interferometer is in particular a miniature interferometer.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform umfasst die Sensoreinrichtung eine Messbrückenschaltung, insbesondere eine Kapazitätsmessbrücke oder Induktivi- tätsmessbrücke. According to a further embodiment, the sensor device comprises a measuring bridge circuit, in particular a capacitance measuring bridge or inductance measuring bridge.
Derartige Messbrückenschaltungen zeichnen sich durch eine hohe Empfindlich¬ keit aus. Außerdem werden an die Präzision der Einzelelemente nur moderate Ansprüche gestellt. Beispielsweise ist die Messbrückenschaltung als eine Wien- Brücke oder Wien-Maxwell- Brücke ausgebildet. Gemäß einer weiteren Ausführungsform weist das optische System ein Struktu¬ relement auf, an welchem die Sensoreinrichtung befestigt ist, wobei das Struktu¬ relement mit dem ersten Modul verbindbar und von diesem entfernbar vorgese¬ hen ist. Such measuring bridge circuits are characterized by a high sensitive ¬ ness. In addition, only moderate demands are placed on the precision of the individual elements. For example, the measuring bridge circuit is designed as a Wien bridge or Wien-Maxwell bridge. According to a further embodiment, the optical system comprises a struc ¬ Rdevice to which the sensor device is mounted, wherein the struc ¬ Rdevice is connectable to the first module and removable from vorgese ¬ hen.
Das Strukturelement ist beispielsweise eine Mess-Lehre, die mit dem ersten Mo¬ dul verbunden werden kann, um die Lage des zweiten Moduls relativ zu dem ers¬ ten Modul zu erfassen. In diesem Fall wird die Sensoreinrichtung mittelbar oder indirekt mit dem ersten Modul verbunden. Dies hat den Vorteil, dass das Struk- turelement samt Sensoreinrichtung nach einer zueinander Ausrichtung des ers¬ ten Moduls zum zweiten Modul von dem ersten Modul entfernt werden kann, sodass eine anderweitige Verwendung für weitere Module möglich ist. Vorzugs¬ weise ist das Strukturelement relativ zu dem ersten Modul ausrichtbar oder jus¬ tierbar. The structure element is, for example, a measuring gauge, which can be connected to the first Mo ¬ dul to detect the position of the second module relative to the ers ¬ th module. In this case, the sensor device is connected indirectly or indirectly to the first module. This has the advantage that the structural can be removed from the first module turelement including sensor means after one another orientation of the ers ¬ th module to the second module, so that an alternative use for other modules is possible. Preference ¬ wise, the structural element is aligned relative to the first module or jus ¬ tierbar.
Alternativ kann die Sensoreinrichtung unmittelbar oder direkt mit einem Ab¬ schnitt des ersten Modulgehäuses verbunden sein. Alternatively, the sensor device can be connected to an Ab ¬ section of the first module housing directly or directly.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform erstreckt sich das Strukturelement in mit dem ersten Modul verbundenem Zustand durch das erste Innenvolumen. According to a further embodiment, the structural element extends in a state connected to the first module through the first internal volume.
Beispielsweise ist das Strukturelement mit einer Innenseite des ersten Modulge¬ häuses verbindbar oder dazu eingerichtet, mit der Innenseite des ersten Modul¬ gehäuses verbunden zu werden. Dies hat den Vorteil, dass außerhalb des Modul- gehäuses im Wesentlichen kein Platz für das Strukturelement bereitgestellt werden muss. For example, the structural element of the to be connected or adapted to be connected to the inside of the first module housing ¬ first Modulge ¬ häuses with an inner side. This has the advantage that essentially no space has to be provided for the structural element outside the module housing.
Weiterhin wird ein Projektionsobjektiv für eine Lithographieanlage mit einem optischen System, wie vorstehend beschrieben, vorgeschlagen, wobei das Projek- tionsobjektiv insbesondere für eine Transportierbarkeit und/oder Handhabbar¬ keit modular aufgebaut ist. Außerdem wird eine Lithographieanlage mit einem optischen System, wie vor¬ stehend beschrieben, vorgeschlagen. Further, a projection lens for a lithography system with an optical system as described above, proposed, wherein the projection objective has a modular structure particularly for transportability and / or Manageable ¬ ness. In addition, a lithography system is proposed as described before ¬ standing with an optical system.
Bei der Lithographieanlage kann es sich insbesondere um eine EUV- Lithographieanlage handeln. Dabei steht EUV für "extremes Ultraviolett" (Engl.: extreme ultra violet, EUV) und bezeichnet eine Wellenlänge des Arbeitslichts zwischen 0,1 und 30 nm. DUV steht für "tiefes Ultraviolett" (Engl.: deep ultra violet, DUV) und bezeichnet eine Wellenlänge des Arbeitslichts zwischen 30 und 250 nm. The lithography system may in particular be an EUV lithography system. EUV stands for "extreme ultraviolet" (English: extreme ultra violet, EUV) and refers to a wavelength of working light between 0.1 and 30 nm. DUV stands for "deep ultraviolet" (English: deep ultra violet, DUV) and denotes a wavelength of the working light between 30 and 250 nm.
Zudem wird ein Verfahren zum Herstellen eines optischen Systems, insbesondere wie vorstehend beschrieben, für eine Lithographieanlage vorgeschlagen, mit den Schritten: a) Bereitstellen eines ersten Moduls, das dazu ausgebildet ist, einen ersten Teil eines Strahlengangs zu umschließen, b) Bereitstellen eines mit dem ersten Modul verbindbaren zweiten Moduls, das dazu ausgebildet ist, einen zwei¬ ten Teil des Strahlengangs zu umschließen, wobei beispielsweise das erste Modul und/oder das zweite Modul einen Spiegel aufweist, c) Bereitstellen einer an dem ersten Modul vorgesehenen Sensoreinrichtung, d) Verbinden des ersten Moduls mit dem zweiten Modul, e) Erfassen einer Lage des zweiten Moduls relativ zu dem ersten Modul mittels der Sensoreinrichtung, wobei das Erfassen beispiels¬ weise unabhängig und/oder außerhalb von dem Strahlengang erfolgt, und f) zu¬ einander Ausrichten des ersten Moduls und des zweiten Moduls basierend auf der in Schritt e) erfassten Lage. Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist die Sensoreinrichtung mit einemIn addition, a method for producing an optical system, in particular as described above, for a lithography system is proposed, comprising the steps of: a) providing a first module which is designed to enclose a first part of a beam path, b) providing one with the first module connectable second module, which is designed to enclose a two ¬ th part of the beam path, wherein, for example, the first module and / or the second module has a mirror, c) providing a provided on the first module sensor device, d) connect the first module with the second module, e) detecting a position of the second module relative to the first module by means of the sensor device, wherein the detection example ¬ independent and / or outside of the beam path, and f) to ¬ each other aligning the first Module and the second module based on the detected in step e) location. According to a further embodiment, the sensor device is provided with a
Strukturelement verbunden, welches mit dem ersten Modul zeitweise verbunden wird. Structural element connected, which is temporarily connected to the first module.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform wird das Strukturelement samt Sen- soreinrichtung nach Beendigung des Schritts f) von dem ersten Modul entfernt. Dies hat den Vorteil, dass für den Lithographieprozess unnötige Elemente, wie z.B. das Strukturelement, entfernt werden. According to a further embodiment, the structural element together with the sensor device is removed from the first module after completion of step f). This has the advantage that unnecessary elements, such as the structural element, are removed for the lithography process.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform werden der Schritt e) und der Schritt f) zeitgleich ausgeführt. According to another embodiment, step e) and step f) are carried out simultaneously.
Dies hat den Vorteil, dass dem Montagepersonal, beispielsweise während der Vornahme der Ausrichtung der Module zueinander, die Daten zu der erfassten Lage zur Verfügung stehen. Damit kann eine Ausrichtung zeiteffizient durchge- führt werden. Vorzugsweise umfasst das optische System eine Schnittstelle, ins¬ besondere ein Display, die in Echtzeit die Daten zu der erfassten Lage ausgibt bzw. anzeigt. This has the advantage that the assembly personnel, for example, while making the alignment of the modules to each other, the data on the detected position are available. This allows an alignment to be carried out in a time-efficient manner. Preferably, the optical system comprises an interface, in particular ¬ a display that outputs the data to the detected position in real time or displays.
Beispielsweise können das erste Modul und das zweite Modul vor den Schritten e) und f) mit Hilfe einer Koordinatenmessmaschine, insbesondere einzeln, ver¬ messen werden. Insbesondere kann anhand der Messwerte der Koordinaten¬ messmaschine eine gewünschte Lageänderung des ersten Moduls zu dem zweiten Modul ermittelt werden. Beispielsweise wird für den Schritt c) das Strukturele¬ ment mit dem ersten Modul zeitweise verbunden. In einem weiteren Schritt wird ein Messtaster der Sensoreinrichtung auf„Null" gesetzt und/oder wird eine erste Messreferenz mit Hilfe des Messtasters ermittelt und insbesondere damit Schritt e) ausgeführt. Insbesondere wird in einem weiteren Schritt die gewünschte La¬ geänderung des ersten Moduls zu dem zweiten Modul oder umgekehrt in Diffe¬ renzen von Tastermesswerten umgerechnet. For example, the first module and the second module before the steps e) and f) by means of a coordinate measuring machine , in particular individually ver ¬ measure. In particular, based on the measurement values of the coordinate measuring machine ¬ a desired change in position of the first module can be determined at the second module. For example, the Strukturele ¬ element is connected to the first module from time to time for step c). In a further step, a probe of the sensor device is set to "zero" and / or a first measuring reference is determined by means of the probe and in particular so that executed step e). In particular, in a further step, the desired La ¬ geänderung of the first module to the second module or vice versa in Diffe ¬ limits of probe measured values converted.
Vorzugsweise wird im Anschluss Schritt f), insbesondere iterativ, ausgeführt bis mit Hilfe des Messtasters die umgerechnete Differenz ermittelt, gemessen und/oder angezeigt wird, sodass insbesondere darauf geschlossen werden kann, dass die gewünschte Lageänderung eingestellt ist. Beispielsweise werden im An- schluss die Module miteinander fixiert bzw. fest miteinander verbunden, z.B. verschraubt. Vorzugsweise wird im Anschluss erneut Schritt e) ausgeführt, um die Lage der Module zueinander zu kontrollieren. Weiterhin kann z.B. in einem nachgelagerten Schritt das Strukturelement von dem ersten Modul getrennt bzw. demontiert werden. Ein derartiges Verfahren ist besonders für Modulanordnun¬ gen vorteilhaft, die aufgrund ihrer Gesamtgröße nicht von einer Koordinaten- messmaschine vermessen werden können. Vorzugsweise können mit Hilfe dieses Verfahrens auch drei, vier, fünf oder mehr Module zusammengebaut werden. Preferably, step f) is subsequently executed, in particular iteratively, until the converted difference is determined, measured and / or displayed with the aid of the measuring probe, so that it can in particular be concluded that the desired change in position has been set. By way of example, the modules are subsequently fixed to one another or firmly connected to one another, for example by screwing. Preferably, step e) is then carried out again in order to control the position of the modules relative to one another. Furthermore, for example, in a downstream step, the structural element of the first module to be disconnected or disassembled. Such a method is particularly advantageous for Modulanordnun ¬ gen that can not be measured by a coordinate measuring machine because of their overall size. Preferably, three, four, five or more modules can also be assembled using this method.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform, werden der Schritt e) und der Schritt f) solange wiederholt, bis eine Abweichung einer Ist- Lage von einer Soll-Lage des zweiten Moduls relativ zu dem ersten Modul in mindestens einer Raumrichtung, insbesondere in jeder von zwei Raumrichtungen (die jeweils senkrecht zueinan¬ der verlaufen) oder in jeder von drei Raumrichtungen (die jeweils senkrecht zu¬ einander verlaufen), zwischen 0 und 40 μηι, bevorzugt zwischen 0 und 38 μηι, weiter bevorzugt zwischen 0 und 36 μηι, weiter bevorzugt zwischen 0 und 34 μηι, weiter bevorzugt zwischen 0 und 32 μηι, weiter bevorzugt zwischen 0 und 30 μηι, weiter bevorzugt zwischen 0 und 20 μηι, weiter bevorzugt zwischen 0 und 10 μηι, beträgt. According to a further embodiment, step e) and step f) are repeated until a deviation of an actual position from a desired position of the second module relative to the first module in at least one spatial direction, in particular in each of two spatial directions ( each extending perpendicular zueinan ¬ ) or in each of three spatial directions (each perpendicular to ¬ each other), between 0 and 40 μηι, preferably between 0 and 38 μηι, more preferably between 0 and 36 μηι, more preferably between 0 and 34 μηι, more preferably between 0 and 32 μηι, more preferably between 0 and 30 μηι, more preferably between 0 and 20 μηι, more preferably between 0 and 10 μηι amounts.
„Ist- Lage" meint dabei eine Lage, die mittels der Sensorreinrichtung erfasst wird. „Soll-Lage" meint dabei eine Lage, die in einem Idealfall vorliegt, z.B. eine er- rechnete oder vorbestimmte Lage, für die die Module ausgelegt sind oder die Li¬ thographieanlage ausgelegt ist. "Actual position" as used herein means a position which is detected by means of the sensor device. "Desired position" means a position which is present in an ideal case, eg a calculated or predetermined position for which the modules are designed or which Li ¬ thographieanlage is designed.
Dies hat den Vorteil, dass Fehlpositionierungen (Abweichung der Ist- Lage zur Soll-Lage) der Module zueinander derart klein sind, dass Aktuator-Ranges, von Aktuatoren, die dazu eingerichtet sind, eine Lage eines optischen Elementes der Module zu verstellen, ausreichen, um die Fehlpositionierung zu kompensieren und die gewünschte Funktion der Module oder der Lithographieanlage zu ge¬ währleisten. Es versteht sich, dass das Verfahren auch angewendet werden kann, wenn das erste oder zweite Modul bereits mit einem anderen Modul verbunden ist, das da¬ zu ausgebildet ist, einen weiteren Teil des Strahlengangs zu umschließen. Ferner wird ein Verfahren zum Austauschen eines Moduls eines optischen Sys¬ tems, insbesondere wie vorstehend beschrieben, für eine Lithographieanlage vor¬ geschlagen, mit den Schritten: a) Bereitstellen eines optischen Systems mit ei- nem ersten Modul, das dazu ausgebildet ist, einen ersten Teil eines Strahlen¬ gangs zu umschließen, und einem mit dem ersten Modul verbundenem zweiten Modul, das dazu ausgebildet ist, einen zweiten Teil des Strahlengangs zu um¬ schließen, b) Bereitstellen eines Strukturelements und einer damit verbundenen Sensoreinrichtung, c) Verbinden des Strukturelements mit dem ersten Modul, d) Erfassen einer Lage des zweiten Moduls relativ zu dem ersten Modul mittels der Sensoreinrichtung, e) Trennen des ersten Moduls von dem zweiten Modul, f) Be¬ reitstellen eines Ersatzmoduls zum Ersetzen des ersten Moduls und Verbinden des Strukturelements mit dem Ersatzmodul, g) Verbinden des Ersatzmoduls mit dem zweiten Modul, h) zueinander Ausrichten des Ersatzmoduls und des zweiten Moduls basierend auf der in Schritt d) erfassten Lage. This has the advantage that incorrect positioning (deviation of the actual position from the desired position) of the modules relative to each other is so small that actuator ranges, of actuators which are set up to adjust a position of an optical element of the modules, suffice. to compensate for the incorrect positioning and the desired function of the modules or the lithography tool to ge ¬ währleisten. It is understood that the method can also be applied when the first or second module is already connected to another module, which is to be formed as ¬ to surround a further part of the beam path. Further, a method for exchanging a module of an optical Sys ¬ tems, especially as described above, beaten for a lithographic system before ¬, comprising the steps of: a) providing an optical system with egg nem first module that is adapted to a first To enclose part of a beam path , and a second module connected to the first module, which is designed to close a second part of the beam path , b) providing a structural element and a sensor device connected thereto, c) connecting the structural element the first module, d) detecting a position of the second module relative to the first module by means of the sensor device, e) separating the first module from the second module, f) be ¬ riding provide a replacement module for replacing the first module and connecting the structural member with the Replacement module, g) connecting the replacement module to the second module, h) aligning the Ersatzmod and the second module based on the detected in step d) location.
Mit Hilfe eines derartigen Verfahrens ist es möglich, zeiteffizient und mit hoher Präzision ein beispielsweise beschädigtes oder wartungsbedürftiges Modul aus¬ zutauschen. With the aid of such a method it is possible to time-efficient and zutauschen with high precision, for example, a damaged or in need of maintenance module ¬.
Gemäß einer Ausführungsform, wird der Schritt h) solange ausgeführt oder wi¬ derholt, bis eine Abweichung einer Ist- Lage von einer Soll- Lage des zweiten Mo¬ duls relativ zu dem Ersatzmodul in mindestens einer Raumrichtung, insbesonde¬ re in jeder von zwei Raumrichtungen (die jeweils senkrecht zueinander verlau- fen) oder in jeder von drei Raumrichtungen (die jeweils senkrecht zueinander verlaufen), zwischen 0 und 40 μηι, bevorzugt zwischen 0 und 38 μηι, weiter be¬ vorzugt zwischen 0 und 36 μηι, weiter bevorzugt zwischen 0 und 34 μηι, weiter bevorzugt zwischen 0 und 32 μηι, weiter bevorzugt zwischen 0 und 30 μηι, weiter bevorzugt zwischen 0 und 20 μηι, weiter bevorzugt zwischen 0 und 10 μηι, be- trägt. In Schritt e) kann beispielsweise das gleiche Strukturelement, das nach Schritt d) aus dem ersten Modul entfernt wird, für das Ersatzmodul verwendet werden. Alternativ kann auch ein anderes, insbesondere baugleiches, Strukturelement für den Schritt f) bereitgestellt werden. According to one embodiment, the step h) while running or wi ¬ derholt until a deviation of an actual location of a target position of the second Mo ¬ duls relative to the replacement module in at least one spatial direction, insbesonde ¬ re in each of two directions in space (which each run perpendicular to each other) or in each of three spatial directions (each perpendicular to each other), between 0 and 40 μηι, preferably between 0 and 38 μηι further ¬ preferably between 0 and 36 μηι, more preferably between 0 and 34 μηι, more preferably between 0 and 32 μηι, more preferably between 0 and 30 μηι, more preferably between 0 and 20 μηι, more preferably between 0 and 10 μηι, be. In step e), for example, the same structural element that is removed from the first module after step d) can be used for the replacement module. Alternatively, another, in particular structurally identical, structural element for step f) can be provided.
Daneben wird ein Verfahren zum Herstellen eines optischen Systems, insbeson¬ dere wie vorstehend beschrieben, für eine Lithographieanlage vorgeschlagen, mit den Schritten: a) Bereitstellen eines ersten Moduls, das dazu ausgebildet ist, ei¬ nen ersten Teil eines Strahlengangs zu umschließen, b) Bereitstellen eines mit dem ersten Modul verbindbaren zweiten Moduls, das dazu ausgebildet ist, einen zweiten Teil des Strahlengangs zu umschließen, c) Bereitstellen eines kapaziti¬ ven Sensors, d) Verbinden des ersten Moduls mit dem zweiten Modul, e) Erfassen einer Lage des ersten Moduls und einer Lage des zweiten Moduls mittels des ka¬ pazitiven Sensors, und f) zueinander Ausrichten des ersten Moduls und des zwei- ten Moduls basierend auf der in Schritt e) erfassten Lagen. In addition, a method of manufacturing an optical system, insbeson ¬ particular as described above, proposed for a lithography system, comprising the steps: enclosing a) providing a first module that is adapted to ei ¬ NEN first part of an optical path, b) to enclose providing a connectable to the first module the second module, which is adapted to a second part of the beam path, c) providing a kapaziti ¬ ven sensor, d) connecting the first module to the second module, e) detecting a position of the first Module and a position of the second module by means of the ka ¬ pazitiven sensor, and f) each other aligning the first module and the second module based on the detected in step e) layers.
Indem mit Hilfe eines kapazitiven Sensors die Lagen des ersten und zweiten Mo¬ duls ermittelt werden, kann eine hohe Genauigkeit der Messung erreicht werden. Abstandsmessungen können z.B. mit Nanometer- Genauigkeit gemessen werden. Weiterhin kann eine Vielzahl an kapazitiven Sensoren vorgesehen sein. Vor¬ zugsweise ist der Sensor als Abstandssensor, Wegsensor oder Winkelsensor aus¬ gebildet. Weiterhin sind beispielsweise kapazitive Abstandssensoren und Win¬ kelsensoren vorgesehen. Ferner werden z.B. die Lagen mit Hilfe einer Kapazi¬ tätsmessbrücke ermittelt. By be determined by means of a capacitive sensor, the positions of the first and second Mo ¬ duls, a high accuracy of measurement can be achieved. Distance measurements can be measured, for example, with nanometer accuracy. Furthermore, a plurality of capacitive sensors can be provided. Before ¬ preferably the sensor as the distance sensor, distance sensor or angle sensor is formed from ¬. Furthermore, capacitive distance sensors and Win ¬ kelsensoren example, are provided. Further, for example, the positions are determined with the aid of a capaci ¬ tätsmessbrücke.
Gemäß einer Ausführungsform ist der kapazitive Sensor an einer Koordinaten- messmaschine vorgesehen, die zum Erfassen der Lagen in Schritt e) neben dem ersten und/oder zweiten Modul angeordnet wird. Dies hat den Vorteil, dass eine Messung von einer Außenseite der Module durch¬ geführt werden kann. Alternativ oder zusätzlich kann eine Messung mit Hilfe eines Strukturelements, auf dem der kapazitive Sensor angeordnet ist, von innen durchgeführt werden. According to one embodiment, the capacitive sensor is provided on a coordinate measuring machine, which is arranged for detecting the layers in step e) next to the first and / or second module. This has the advantage that a measurement of an outside of the modules can be passed through ¬. Alternatively or additionally, a measurement with help a structural element, on which the capacitive sensor is arranged, are performed from the inside.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform, werden der Schritt e) und der Schritt f) solange wiederholt, bis eine Abweichung einer Ist- Lage von einer Soll-Lage des zweiten Moduls relativ zu dem ersten Modul in mindestens einer Raumrichtung, insbesondere in jeder von zwei Raumrichtungen (die jeweils senkrecht zueinan¬ der verlaufen) oder in jeder von drei Raumrichtungen (die jeweils senkrecht zu¬ einander verlaufen), zwischen 0 und 40 μηι, bevorzugt zwischen 0 und 38 μηι, weiter bevorzugt zwischen 0 und 36 μηι, weiter bevorzugt zwischen 0 und 34 μηι, weiter bevorzugt zwischen 0 und 32 μηι, weiter bevorzugt zwischen 0 und 30 μηι, weiter bevorzugt zwischen 0 und 20 μηι, weiter bevorzugt zwischen 0 und 10 μηι, beträgt. Die für das vorgeschlagene optische System beschriebenen Ausführungsformen und Merkmale gelten für die vorgeschlagenen Verfahren entsprechend und um¬ gekehrt. Die für die Verfahren zum Herstellen des optischen Systems beschrie¬ benen Ausführungsformen und Merkmale gelten für das vorgeschlagene Verfah¬ ren zum Austauschen des Moduls des optischen Systems entsprechend und um- gekehrt. Die für das erste Modul beschriebenen Ausführungsformen und Merk¬ male gelten für das zweite Modul entsprechend und umgekehrt. According to a further embodiment, step e) and step f) are repeated until a deviation of an actual position from a desired position of the second module relative to the first module in at least one spatial direction, in particular in each of two spatial directions ( each extending perpendicular zueinan ¬ ) or in each of three spatial directions (each perpendicular to ¬ each other), between 0 and 40 μηι, preferably between 0 and 38 μηι, more preferably between 0 and 36 μηι, more preferably between 0 and 34 μηι, more preferably between 0 and 32 μηι, more preferably between 0 and 30 μηι, more preferably between 0 and 20 μηι, more preferably between 0 and 10 μηι amounts. The embodiments and features described for the proposed optical system apply correspondingly to the proposed method and vice versa. The beschrie ¬ surrounded for the method for manufacturing the optical system embodiments and features apply to the proposed procedural ¬ ren for replacing the module of the optical system corresponding to and vice versa. The embodiments and features described for the first module apply correspondingly to the second module and vice versa.
"Ein" ist vorliegend nicht zwangsweise als beschränkend auf genau ein Element zu verstehen. Vielmehr können auch mehrere Elemente, wie beispielsweise zwei, drei oder mehr, vorgesehen sein. Auch jedes andere hier verwendete Zählwort ist nicht dahingehend zu verstehen, dass eine genaue Beschränkung auf genau die entsprechende Anzahl von Elementen verwirklicht sein muss. Vielmehr sind zah¬ lenmäßige Abweichungen nach oben und nach unten möglich. Weitere mögliche Implementierungen der Erfindung umfassen auch nicht expli¬ zit genannte Kombinationen von zuvor oder im Folgenden bezüglich der Ausfüh¬ rungsbeispiele beschriebenen Merkmalen oder Ausführungsformen. Dabei wird der Fachmann auch Einzelaspekte als Verbesserungen oder Ergänzungen zu der jeweiligen Grundform der Erfindung hinzufügen. In the present case, "a" is not necessarily to be understood as restricting to exactly one element. Rather, several elements, such as two, three or more, may be provided. Also, any other count word used herein is not to be understood as having an accurate restriction to just the corresponding number of elements. Rather tenacious ¬ lenmäßige deviations above and below are possible. Other possible implementations of the invention include non-expli ¬ zit Combinations of above or below with respect to the exporting approximately ¬ Examples features or embodiments described. It will the skilled person also add individual aspects as improvements or additions to the respective basic form of the invention.
Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen und Aspekte der Erfindung sind Gegen- stand der Unteransprüche sowie der im Folgenden beschriebenen Ausführungs¬ beispiele der Erfindung. Im Weiteren wird die Erfindung anhand von bevorzug¬ ten Ausführungsformen unter Bezugnahme auf die beigelegten Figuren näher erläutert. Fig. 1A zeigt eine Ansicht einer EUV- Lithographieanlage; Fig. 1B zeigt eine Ansicht einer DUV- Lithographieanlage; Further advantageous embodiments and aspects of the invention are the subject of the dependent claims as well as the execution ¬ embodiments of the invention described below. Furthermore, the invention by way of Favor ¬ th embodiments with reference will be explained in more detail to the accompanying figures. Fig. 1A shows a view of an EUV lithography system; Fig. 1B is a view of a DUV lithography apparatus;
Fig. 2 zeigt in einer schematischen Schnittansicht eine Ausführungsform eines optischen Systems für die Lithographieanlage gemäß Fig. 1A oder 1B; FIG. 2 shows a schematic sectional view of an embodiment of an optical system for the lithography system according to FIG. 1A or 1B; FIG.
Fig. 3 zeigt in einer schematischen Schnittansicht eine weitere Ausführungsform eines optischen Systems für die Lithographieanlage gemäß Fig. 1A oder 1B; Fig. 4 zeigt in einer schematischen Schnittansicht eine weitere Ausführungsform eines optischen Systems für die Lithographieanlage gemäß Fig. 1A oder 1B; FIG. 3 shows a schematic sectional view of a further embodiment of an optical system for the lithography system according to FIG. 1A or 1B; FIG. 4 shows a schematic sectional view of a further embodiment of an optical system for the lithography system according to FIG. 1A or 1B;
Fig. 5 zeigt in einer schematischen Schnittansicht eine weitere Ausführungsform eines optischen Systems für die Lithographieanlage gemäß Fig. 1A oder 1B; 5 shows a schematic sectional view of a further embodiment of an optical system for the lithography system according to FIG. 1A or 1B;
Fig. 6 zeigt ein Blockdiagramm eines Verfahrens zum Herstellen des optischen Systems gemäß einer der Fig. 2, 3 oder 5; Fig. 6 shows a block diagram of a method of manufacturing the optical system according to one of Figs. 2, 3 or 5;
Fig. 7 zeigt ein Blockdiagramm eines Verfahrens zum Austauschen eines Moduls des optischen Systems gemäß einer der Fig. 2 - 5; und Fig. 8 zeigt ein Blockdiagramm eines Verfahrens zum Herstellen des optischen Systems gemäß Fig. 4 oder 5. Fig. 7 is a block diagram of a method of replacing a module of the optical system according to any one of Figs. 2-5; and FIG. 8 shows a block diagram of a method for manufacturing the optical system according to FIG. 4 or 5.
In den Figuren sind gleiche oder funktions gleiche Elemente mit denselben Be_ zugszeichen versehen worden, soweit nichts Gegenteiliges angegeben ist. Soweit ein Bezugszeichen vorliegend mehrere Bezugslinien aufweist, heißt dies, dass das entsprechende Element mehrfach vorhanden ist. Ferner sollte beachtet wer¬ den, dass die Darstellungen in den Figuren nicht notwendigerweise maßstabsge¬ recht sind. In the figures, identical or like elements with the same function have been provided Be _ reference symbols, unless otherwise indicated. As far as a reference number has several reference lines in the present case, this means that the corresponding element is present multiple times. It should also observe the ¬ that the representations ¬ are quite in the figures are not necessarily dimensioning true to scale.
Fig. 1A zeigt eine schematische Ansicht einer EUV- Lithographieanlage 100A, welche ein Strahlformungs- und Beleuchtungssystem 102 und ein Projektions¬ system 104 umfasst. Dabei steht EUV für„extremes Ultraviolett" (englisch: ext¬ reme ultra violet, EUV) und bezeichnet eine Wellenlänge des Arbeitslichts zwi- sehen 0,1 und 30 nm. Das Strahlungs- und Beleuchtungssystem 102 und das Pro¬ jektionssystem 104 sind jeweils in einem nicht gezeigten Vakuum- Gehäuse vor¬ gesehen, wobei das Vakuum- Gehäuse mithilfe einer nicht dargestellten Evakuie¬ rungsvorrichtung evakuiert wird. Die Vakuum- Gehäuse sind von einem nicht dargestellten Maschinenraum umgeben, in welchem Antriebsvorrichtungen zum mechanischen Verfahren bzw. Einstellen der optischen Elemente vorgesehen sind. Ferner können auch elektrische Steuerungen und dergleichen in diesem Maschinenraum vorgesehen sein. Fig. 1A is a schematic view of an EUV lithography apparatus 100A, which includes a beam shaping and illumination system 102 and a projection system 104 ¬. Here, EUV stands for "extreme ultraviolet" (English: ext ¬ reme ultraviolet, EUV). And denotes a wavelength of the working light be- see 0.1 and 30 nm, the radiation and illumination system 102 and the Pro ¬ jektionssystem 104 are each in seen a vacuum housing, not shown before ¬, wherein the vacuum housing is evacuated by means of a not shown Evakuie ¬ reasoning apparatus. the vacuum housing are surrounded by a non-illustrated machine room is provided in which driving devices for the mechanical procedure and adjusting the optical elements Furthermore, electrical controls and the like may also be provided in this machine room.
Die EUV- Lithographieanlage 100A weist eine EUV- Lichtquelle 106A auf. Als EUV- Lichtquelle 106A kann beispielsweise eine Plasmaquelle (oder Synchrotron) vorgesehen sein, welche Strahlung 108A im EUV- Bereich (extrem ultravioletter Bereich), also z. B. im Wellenlängenbereich von 5 bis 20 nm, aussendet. Im Strahlungs- und Beleuchtungssystem 102 wird die EUV-Strahlung 108A gebün¬ delt und die gewünschte Betriebswellenlänge aus der EUV-Strahlung 108A her- ausgefiltert. Die von der EUV- Lichtquelle 106A erzeugte EUV-Strahlung 108A weist eine relativ niedrige Transmissivität durch Luft auf, weshalb die Strahl- führungsräume im Strahlungs- und Beleuchtungssystem 102 und im Projekti¬ onssystem 104 evakuiert sind. The EUV lithography system 100A has an EUV light source 106A. As EUV light source 106A, for example, a plasma source (or synchrotron) may be provided, which radiation 108A in the EUV range (extreme ultraviolet range), ie z. B. in the wavelength range of 5 to 20 nm emitted. In radiation and illumination system 102, the EUV radiation is 108A gebün ¬ delt filtered and the desired operating wavelength of the EUV radiation 108A manufacturer. The EUV radiation 108A produced by the EUV light source 106A has a relatively low transmissivity by air, which is why the beam radiation management rooms in the radiation and illumination system 102 and in Projekti ¬ onssystem 104 are evacuated.
Das in Fig. 1A dargestellte Strahlungs- und Beleuchtungssystem 102 weist fünf Spiegel 110, 112, 114, 116, 118 auf. Nach dem Durchgang durch das Strahlungs¬ und Beleuchtungssystem 102 wird die EUV-Strahlung 108A auf eine Fotomaske (englisch: reticle) 120 geleitet. Die Fotomaske 120 ist ebenfalls als reflektives op¬ tisches Element ausgebildet und kann außerhalb der Systeme 102, 104 angeord¬ net sein. Weiter kann die EUV-Strahlung 108A mittels eines Spiegels 122 auf die Fotomaske 120 gelenkt werden. Die Fotomaske 120 weist eine Struktur auf, wel¬ che mittels des Projektionssystems 104 verkleinert auf einen Wafer 124 oder dergleichen abgebildet wird. The radiation and illumination system 102 illustrated in FIG. 1A has five mirrors 110, 112, 114, 116, 118. After the passage through the radiation ¬ and illumination system 102, the EUV radiation 108A is on a photomask (English: reticle) directed 120th The photomask 120 is also formed as a reflective op ¬ table element and may be provided outside of the systems 102, 104 may be angeord ¬ net. Further, the EUV radiation 108A may be directed to the photomask 120 by means of a mirror 122. The photomask 120 has a structure wel ¬ surface by means of the projection system 104 reduces to a wafer 124 or the like is imaged.
Das Projektionssystem 104 (auch als Projektionsobjektiv bezeichnet) weist sechs Spiegel Ml bis M6 zur Abbildung der Fotomaske 120 auf den Wafer 124 auf. Da¬ bei können einzelne Spiegel Ml bis M6 des Projektionssystems 104 symmetrisch zu einer optischen Achse 126 des Projektionssystems 104 angeordnet sein. Es sollte beachtet werden, dass die Anzahl der Spiegel der EUV- Lithographieanlage 100A nicht auf die dargestellte Anzahl beschränkt ist. Es können auch mehr oder weniger Spiegel vorgesehen sein. Beispielsweise kann das Projektionssystem 104 zehn Spiegel umfassen. Des Weiteren sind die Spiegel in der Regel an ihrer Vor¬ derseite zur Strahlformung gekrümmt. In einer anderen Ausführungsform kann das Projektionssystem 104 ohne optische Achse ausgeführt sein, wobei ein oder mehrere Spiegel Ml bis M6 als Freiformflächen ausgeführt sind. The projection system 104 (also referred to as a projection objective) has six mirrors M1 to M6 for imaging the photomask 120 onto the wafer 124. Since ¬ mirror Ml be arranged to M6 of the projection system 104 symmetrically with respect to an optical axis 126 of projection system 104 in a single can. It should be noted that the number of mirrors of the EUV lithography system 100A is not limited to the number shown. It can also be provided more or less mirror. For example, the projection system 104 may include ten mirrors. Furthermore, the levels are usually at their pre ¬ the side curved for beam shaping. In another embodiment, the projection system 104 may be embodied without an optical axis, wherein one or more mirrors M1 to M6 are designed as free-form surfaces.
Fig. 1B zeigt eine schematische Ansicht der DUV- Lithographieanlage 100B, wel¬ che ein Strahlformungs- und Beleuchtungssystem 102 und ein Projektionssystem 104 umfasst. Dabei steht DUV für„tiefes Ultraviolett" (englisch: deep ultra vio- let, DUV) und bezeichnet eine Wellenlänge des Arbeitslichts zwischen 30 und 250 nm. Die DUV- Lithographieanlage 100B weist eine DUV- Lichtquelle 106B auf. Als DUV- Lichtquelle 106B kann beispielsweise ein ArF-Excimerlaser vorgesehen sein, welcher Strahlung 108B im DUV- Bereich bei beispielsweise 193 nm emit¬ tiert. Fig. 1B is a schematic view of the DUV lithography system 100B, che wel ¬ a beam shaping and illumination system 102 and a projection system 104 includes. DUV stands for "deep ultraviolet" (English: deep ultra violet, DUV) and denotes a working light wavelength between 30 and 250 nm. The DUV lithography system 100B has a DUV light source 106B. As a DUV light source 106B, for example, an ArF excimer laser can be provided, which radiation 108B in the DUV range, for example, 193 nm emit ¬ advantage.
Das in Fig. 1B dargestellte Strahlungsformungs- und Beleuchtungssystem 102 leitet die DUV-Strahlung 108B auf eine Fotomaske 120. Die Fotomaske 120 ist als transmissives optisches Element ausgebildet und kann außerhalb der Syste¬ me 102, 104 angeordnet sein. Die Fotomaske 120 weist eine Struktur auf, welche mittels des Projektionssystems 104 verkleinert auf einem Wafer 124 oder der¬ gleichen abgebildet wird. The Strahlungsformungs- and illumination system 102 shown in Fig. 1B forwards the DUV radiation 108B on a photomask 120. The photomask 120 is formed as a transmissive optical element, and may be outside the Syste ¬ me 102, 104 disposed to be. The photomask 120 has a structure which is reduced by means of the projection system 104 onto a wafer 124 or the same ¬ is imaged.
Das Projektionssystem 104 weist mehrere Linsen 128 und/oder Spiegel 130 zur Abbildung der Fotomaske 120 auf den Wafer 124 auf. Dabei können einzelne Linsen 128 und/oder Spiegel 130 des Projektionssystems 104 symmetrisch zu ei¬ ner optischen Achse 126 des Projektionssystems 104 angeordnet sein. Es sollte beachtet werden, dass die Anzahl der Linsen und Spiegel der DUV- Anlage 100B nicht auf die dargestellte Anzahl beschränkt ist. Es können auch mehr oder we¬ niger Linsen und/oder Spiegel vorgesehen sein. Des Weiteren sind die Spiegel in der Regel an ihrer Vorderseite zur Strahlformung gekrümmt. The projection system 104 has a plurality of lenses 128 and / or mirrors 130 for imaging the photomask 120 onto the wafer 124. In this case, individual lenses 128 and / or mirrors 130 of the projection system 104 may be arranged symmetrically to egg ¬ ner optical axis 126 of the projection system 104. It should be noted that the number of lenses and mirrors of the DUV system 100B is not limited to the number shown. It is also possible to provide more or fewer lenses and / or mirrors. Furthermore, the mirrors are usually curved at their front for beam shaping.
Ein Luftspalt zwischen der letzten Linse 128 und dem Wafer 124 kann durch ein flüssiges Medium 132 ersetzt sein, welches einen Brechungsindex größer 1 auf¬ weist. Das flüssige Medium kann beispielsweise hochreines Wasser sein. Ein sol- eher Aufbau wird auch als Immersionslithografie bezeichnet und weist eine er¬ höhte fotolithografische Auflösung auf. An air gap between the last lens 128 and the wafer 124 may be replaced by a liquid medium 132, which has a refractive index greater than 1 on ¬ . The liquid medium may be, for example, high purity water. A sol rather structure is referred to as immersion lithography and has he ¬ creased photolithographic resolution on.
Fig. 2 zeigt in einer schematischen Schnittansicht ein optisches System 200 für die Lithographieanlage 100A, 100B. Das optische System umfasst ein Modul 202 und ein Modul 204. Das Modul 202 kann z.B. als erstes Modul und das Modul 204 kann z.B. als zweites Modul bezeichnet werden. Das Modul 202 umfasst ein Modulgehäuse 206 (insbesondere ein Vakuumgehäuse), das eine äußere Wan- dung des Moduls 202 ausbildet. Das Modulgehäuse 206 weist eine Lichteintritts¬ öffnung 208 auf, durch die Arbeitslicht 210 in das Modulgehäuse 206 einfallen kann. Das Modulgehäuse 206 umschließt ein Innenvolumen 230, durch welches sich das Arbeitslicht 210 ausbreiten kann. Ferner umfasst das Modulgehäuse 206 eine Lichtaustrittsöffnung 209, durch die das Arbeitslicht 210 fällt und das Mo¬ dul 202 verlässt. Das Modul 202 kann an der Lichteintrittsöffnung 208 mit einem weiteren Modul (in Fig. 2 nicht gezeigt) verbunden sein. 2 shows a schematic sectional view of an optical system 200 for the lithography system 100A, 100B. The optical system comprises a module 202 and a module 204. For example, the module 202 may be referred to as a first module and the module 204 may be referred to as a second module. The module 202 comprises a module housing 206 (in particular a vacuum housing) which has an outer wall Formation of the module 202 forms. The module housing 206 has a light entry opening ¬ 208, may be incident through the work light 210 in the module housing 206th The module housing 206 encloses an internal volume 230, through which the working light 210 can propagate. Further, the module housing 206 includes a light exit opening 209 through which the light is incident work 210 and the Mo ¬ dul 202 leaves. The module 202 may be connected to the light entrance opening 208 with another module (not shown in FIG. 2).
Weiterhin ist in dem Modul 202 ein optisches Element 212, insbesondere ein Spiegel, vorgesehen, auf das das Arbeitslicht 210 fällt und von diesem z.B. reflek¬ tiert wird. Das Arbeitslicht 210 folgt einem Verlauf in dem optischen System und bildet dadurch einen Strahlengang 214 aus. Dabei ist das Modul 202 dazu ausge¬ bildet, einen ersten Teil eines Strahlengangs 214 mittels des Modulgehäuses 206 zu umschließen. Ferner umfasst das Modulgehäuse 206 eine Lichtaustrittsöff- nung, durch die das Arbeitslicht 210 das Modul 202 verlässt und direkt im An- schluss in das Modul 204 fällt. Das optische Element 212 ist z.B. einer der Spie¬ gel Ml - M6, der Spiegel 110, 112, 114, 116, 118 (siehe Fig. 1A) oder eine der Lin¬ sen 128 (siehe Fig. 1B). Das Modul 204 umfasst ein Modulgehäuse 216 (insbesondere ein Vakuumgehäu¬ se), das eine äußere Wandung des Moduls 204 ausbildet. Das Modulgehäuse 216 weist eine Lichteintrittsöffnung 218 auf, durch die Arbeitslicht 210 in das Mo¬ dulgehäuse 216 einfallen kann. Das Modulgehäuse 216 umschließt ein Innenvo¬ lumen 232, durch welches sich das Arbeitslicht 210 ausbreiten kann. Weiterhin umfasst das Modul 204 eine Lichtaustrittsöffnung 220, durch die das Arbeitslicht 210 fällt und das Modul 204 verlässt. Das Modul 204 kann an der Lichtaustritts¬ öffnung 220 mit einem weiteren Modul (in Fig. 2 nicht gezeigt) verbunden sein. Weiterhin ist in dem Modul 204 ein optisches Element 222, insbesondere ein Spiegel, vorgesehen, auf das das Arbeitslicht 210 fällt und von diesem z.B. in Richtung der Lichtaustrittsöffnung 220 reflektiert wird. Dabei ist das Modul 204 dazu ausgebildet, einen zweiten Teil des Strahlengangs 214 mittels des Modul¬ gehäuses 216 zu umschließen. Das optische Element 222 ist z.B. einer der Spie- gel Ml - M6, der Spiegel 110, 112, 114, 116, 118 (siehe Fig. 1A) oder eine der Lin¬ sen 128 (siehe Fig. 1B). Das Modul 202 und/oder das Modul 204 weisen ein Ge¬ wicht von größer 100 kg oder größer 250 kg auf. Das Modul 202 ist mit dem Modul 204 verbindbar und in dem in Fig. 2 darge¬ stellten Fall mit dem Modul 204 an einer Fügestelle 224 verbunden. Dabei kann das Modul 202 an das Modul 204 mit Hilfe von Verbindungsmitteln 226 ange¬ flanscht sein. Beispielsweise umfasst eines der Verbindungsmittel 226 Schrau¬ ben. Die Schrauben können z.B. durch das Modul 202, insbesondere ein Durch- gangsloch des Moduls 202, gesteckt und in ein Gewinde (nicht gezeigt) des Mo¬ duls 204 geschraubt werden. In the module 202. Furthermore, an optical element 212, in particular a mirror, is provided, on which the light falls work 210 and reflectors ¬ advantage of this example. The working light 210 follows a course in the optical system and thereby forms a beam path 214. In this case, the module 202 is designed to ¬ to enclose a first part of a beam path 214 by means of the module housing 206. Furthermore, the module housing 206 includes a light exit opening, through which the working light 210 leaves the module 202 and drops directly into the module 204. The optical element 212 is, for example, one of the Spie ¬ gel Ml - M6, the mirror 110, 112, 114, 116, 118 (see Fig. 1A) or one of the Lin ¬ sen 128 (see Fig. 1B). The module 204 includes a module housing 216 (specifically, a Vakuumgehäu ¬ se) forming an outer wall of the module 204th The module housing 216 has a light entry port 218, may be incident in the Mo ¬ dulgehäuse 216 by the work light 210th The module housing 216 encloses a Innenvo ¬ lumen 232, through which the working light 210 can propagate. Furthermore, the module 204 comprises a light exit opening 220, through which the working light 210 falls and leaves the module 204. The module 204 may be connected to the light exit opening ¬ 220 with another module (in Fig. 2 not shown). Furthermore, an optical element 222, in particular a mirror, is provided in the module 204, onto which the working light 210 falls and is reflected by it eg in the direction of the light exit opening 220. In this case, the module 204 is designed to enclose a second part of the beam path 214 by means of the module ¬ housing 216. The optical element 222 is, for example, one of the gel M1-M6, the mirror 110, 112, 114, 116, 118 (see FIG. 1A) or one of the lenses 128 (see FIG. 1B). The module 202 and / or module 204 have a Ge ¬ weight of greater than 100 kg, greater than 250 kg. The module 202 is connectable to the module 204, and Darge ¬ presented case with the module 204 is connected in the in Fig. 2 at a joining point 224th The module may be attached ¬ flanged to the module 204 by means of connecting means 226,202. For example, one of the connecting means 226 comprises screws ¬ ben. The screws can be screwed for example by the module 202, in particular a transit hole of the module 202, and inserted into a thread (not shown) of Mo ¬ duls 204th
Alternativ oder zusätzlich können die Schrauben durch beide Module 202, 204, insbesondere Durchgangslöcher (nicht gezeigt) der beiden Module 202, 204, ge- steckt und mittels Muttern (nicht gezeigt) fixiert werden, sodass eine Verbin¬ dungskraft zwischen den Modulen 202, 204 vorherrscht. Alternativ oder zusätz¬ lich können die Module 202, 204 Ränder umfassen, die durch einen Klemmme¬ chanismus zusammengedrückt werden (nicht gezeigt). Ein derartiger Klemmme¬ chanismus ist z.B. mittels Schrauben, insbesondere Einstellschrauben, betätig- bar. Alternatively or additionally, the screws 204 can both modules 202, 204, in particular through-holes (not shown) of the two modules 202, Ge inserted and by means of nuts (not shown) are fixed, so that a Verbin ¬ dung power between the modules 202, 204 prevails. Alternatively or zusätz ¬ Lich, the modules 202, 204 include edges which are pressed together by a Klemmme ¬ mechanism (not shown). Such Klemmme ¬ mechanism is, for example by means of screws, in particular adjusting screws, betätig- bar.
In verbundenem Zustand des Moduls 202 mit dem Modul 204 sind das Innenvo¬ lumen 230 und das Innenvolumen 232 zu einem Gesamtinnenvolumen 234 ver¬ bunden. Dabei ist die Lichtaustrittsöffnung 209 der Lichteintrittsöffnung 218 zugewandt, wobei sich die Lichtaustrittsöffnung 209 und die Lichteintrittsöff- nung 218 zumindest teilweise überdecken, sodass das Arbeitslicht 210 von dem Modul 202 in das Modul 204 fällt. In the connected state of the module 202 to the module 204, the Innenvo ¬ lumen 230 and the internal volume 232 to be a total internal volume of 234 ver ¬ prevented. In this case, the light exit opening 209 faces the light entry opening 218, the light exit opening 209 and the light entry opening 218 at least partially overlapping, so that the work light 210 falls from the module 202 into the module 204.
Im Betrieb des optischen Systems 200 herrscht für den Fall, dass das Arbeitslicht 210 EUV- Licht ist, ein Hochvakuum in dem Gesamtinnenvolumen 234. Die Mo¬ dulgehäuse 206, 216 können entsprechend dichtend ausgebildet sein. Ferner weist das optische System 200 eine Sensoreinrichtung 228 auf, die dazu eingerichtet ist, eine Lage des Moduls 204 relativ zu dem Modul 202, insbesonde¬ re unabhängig und/oder außerhalb von dem Strahlengang 214, zu erfassen. Es kann weiter vorgesehen sein, dass die Sensoreinrichtung 228 innerhalb oder au¬ ßerhalb des Hochvakuums (bspw. Druck < 10~6 mbar) angeordnet ist. In dem hier gezeigten Ausführungsbeispiel ist die Sensoreinrichtung 228 innerhalb des Hochvakuums angeordnet. Genauso könnte die Sensoreinrichtung 228 außerhalb des Hochvakuums angeordnet sein, wie für das Ausführungsbeispiel gemäß Fig. 4 gezeigt. In the operation of the optical system 200 prevails in the event that the working light 210 is EUV light, a high vacuum in the total internal volume 234. The Mo ¬ dulgehäuse 206, 216 may be formed correspondingly sealing. Further, the optical system 200 includes a sensor device 228 which is adapted to independently and / or outside of the beam path 214 to detect a position of the module 204 to the module 202, insbesonde ¬ re relatively. It can further be provided that the sensor device (~ 6 mbar, for example. Pressure <10) is located within 228 or au ¬ ßerhalb the high vacuum. In the exemplary embodiment shown here, the sensor device 228 is arranged within the high vacuum. Similarly, the sensor device 228 could be located outside the high vacuum, as shown for the embodiment of FIG.
Die Sensoreinrichtung 228 ist innerhalb des Gesamtinnenvolumens 234 ange¬ ordnet. Bei einem Fügen der beiden Module 202, 204 erfolgt basierend auf von der Sensorreinrichtung 228 erfassten Messwerten ein Ausrichten des Moduls 202 zu Modul 204. Das Modulgehäuse 216 umfasst eine Innenfläche 236 oder einen Innenbereich, die dazu eingerichtet ist, von der Sensoreinrichtung 228 referen- ziert zu werden, um die Lage des Moduls 204 zu erfassen. Es versteht sich, dass auch mehrere Innenflächen oder Innenbereiche dazu eingerichtet sein können, von der Sensoreinrichtung 228 referenziert zu werden. The sensor device 228 is arranged within the total internal volume 234. When the two modules 202, 204 are joined, the module 202 is aligned with the module 204 based on measured values acquired by the sensor device 228. The module housing 216 comprises an inner surface 236 or an inner region which is configured to be referenced by the sensor device 228 to capture the location of the module 204. It goes without saying that a plurality of inner surfaces or inner regions can also be set up to be referenced by the sensor device 228.
Die Sensoreinrichtung 228 umfasst z.B. einen kapazitiven oder induktiven Sen¬ sor. Dabei kann die Sensoreinrichtung 228 eine Messbrückenschaltung, insbe¬ sondere eine Kapazitätsmessbrücke oder Induktivitätsmessbrücke umfassen. In Fig. 2 ist in den Modulen 202, 204 jeweils ein optisches Element 212, 222 ge¬ zeigt. Es versteht sich, dass in jedem der Module 202, 204, zwei, drei oder mehr optische Elemente vorgesehen sein können. Beispielsweise kann in einem oder beiden Module 212, 222 auch kein optisches Element vorgesehen sein. Fig. 3 zeigt in einer schematischen Schnittansicht eine weitere Ausführungsform eines optischen Systems 200. Im Unterschied zu Fig. 2 umfasst das optische Sys¬ tem 200 ein Strukturelement 300, an welchem die Sensoreinrichtung 228 befes- tigt ist. Das Strukturelement 300 ist mit dem Modul 202 verbunden und kann von diesem zerstörungsfrei entfernt werden. Dabei erstreckt sich das Struktu¬ relement 300 über eine gesamte Länge L des Innenvolumens 230, wobei das Strukturelement 300 zum Befestigen an einer Außenseite 302 des Modulgehäu- ses 206 aus dem Innenvolumen 230 durch die Lichteintrittsöffnung 208 heraus¬ ragen kann. Beispielsweise ist ein Befestigungsmittel 304 zum Befestigen des Strukturelements 300 an der Außenseite 302 vorgesehen. Weiterhin ragt das Strukturelement 300 in das Innenvolumen 232 herein, wobei die Sensoreinrich¬ tung 228 in dem Innenvolumen 232 vorgesehen ist. The sensor device 228 includes, for example, a capacitive or inductive Sen ¬ sor. The sensor device 228 may be a measuring bridge circuit, and in particular ¬ sondere comprise a capacitance measuring bridge or Induktivitätsmessbrücke. In Fig. 2 is in the modules 202, 204 each have an optical element 212, 222 ge ¬ shows. It is understood that in each of the modules 202, 204, two, three or more optical elements may be provided. For example, no optical element can be provided in one or both modules 212, 222. Fig. 3 shows in a schematic sectional view of a further embodiment of an optical system 200. In contrast to FIG. 2, 200 includes the optical Sys tem ¬ a structural element 300, to which the sensor device 228 befes- is done. The structural element 300 is connected to the module 202 and can be removed therefrom without destruction. In this case, the struc ¬ Rdevice 300 extends over an entire length L of the internal volume 230, wherein the structural element 300 for fastening to an outer side 302 of the Modulgehäu- ses can project ¬ from the internal volume 230 through the light entry port 208 out 206th For example, a fixing means 304 for fixing the structural member 300 to the outside 302 is provided. Furthermore, the structural element 300 protrudes in into the interior volume 232, the Sensoreinrich ¬ processing is provided in the internal volume 232 228th
Vorzugsweise ist eine Einstellvorrichtung 306, insbesondere ein Druckmecha¬ nismus, an dem Modul 202, dem Modul 204 und/oder in einem Schnittstellenbe¬ reich 308 zwischen dem Modul 202 und dem Modul 204 vorgesehen, um die Lage des Moduls 202 relativ zu dem Modul 204 oder umgekehrt, einzustellen. Preferably, an adjustment device 306, in particular a Druckmecha ¬ mechanism provided on the module 202, the module 204 and / or in a Schnittstellenbe ¬ rich 308 between the module 202 and the module 204 to the position of the module 202 relative to the module 204 or vice versa.
Fig. 4 zeigt eine weitere Ausführungsform eines optischen Systems 200. Im Un¬ terschied zu Fig. 3 umfasst das optische System 200 keine Sensoreinrichtung 228 und kein Strukturelement 300, die innerhalb des Gesamtinnenvolumens 234 an¬ geordnet sind. Fig. 4 shows another embodiment of an optical system 200. In the Un ¬ terschied to FIG. 3, the optical system 200 comprises any sensor device 228, and no structural element 300, which are ¬ arranged within the total internal volume of 234.
Das optische System 200 umfasst einen kapazitiven Sensor 400, der an einer Ko¬ ordinatenmessmaschme 402 vorgesehen ist und der dazu eingerichtet ist, eine Lage des Moduls 202 und eine Lage des zweiten Moduls 204 relativ zu der Koor¬ dinatenmessmaschme 402 zu erfassen. Basierend auf den von dem kapazitiven Sensor 400 erfassten Lagen ist das Modul 202 relativ zu dem Modul 204 aus¬ richtbar. The optical system 200 includes a capacitive sensor 400, which is provided at a Ko ¬ ordinatenmessmaschme 402 and is adapted to detect a position of the module 202 and a position of the second module 204 relative to the coor ¬ dinatenmessmaschme 402nd Based on the detected by the capacitive sensor 400 layers, the module 202 relative to the module 204 from ¬ richtbar.
Die Koordinatenmessmaschine 402 ist dabei neben dem Modul 202 und/oder dem Modul 204 angeordnet. Dabei referenziert der kapazitive Sensor 400 eine Außen- fläche 404 des Modulgehäuses 206, die dem kapazitiven Sensor 400 zugewandt ist. Weiterhin referenziert der kapazitive Sensor 400 eine Außenfläche 406 des Modulgehäuses 204, die dem kapazitiven Sensor 400 zugewandt ist. Es versteht sich, dass eine Vielzahl an kapazitiven Sensoren 400 vorgesehen sein kann, um die Lage des Moduls 202 und die Lage des zweiten Moduls 204 zu er¬ fassen. Weiterhin können auch andere Arten von Sensoren vorgesehen sein. Die Koordinatenmessmaschine 402 kann auch in der in Fig. 2 gezeigten Ausfüh¬ rungsform zusätzlich verwendet werden, um ergänzende Messdaten zu erfassen. The coordinate measuring machine 402 is arranged next to the module 202 and / or the module 204. In this case, the capacitive sensor 400 references an outer surface 404 of the module housing 206, which faces the capacitive sensor 400. Furthermore, the capacitive sensor 400 references an outer surface 406 of the module housing 204, which faces the capacitive sensor 400. It is understood that may be a plurality of capacitive sensors 400 provided to grasp the position of the module 202 and the location of the second module 204 to he ¬. Furthermore, other types of sensors may be provided. The coordinate measuring machine 402 may be additionally used also in the embodiment shown in Fig. 2 exporting ¬ approximate shape to detect additional data.
Fig. 5 zeigt eine schematische Schnittansicht einer weiteren Ausführungsform eines optischen Systems 200. Dabei zeigt die Fig. 5 eine Weiterbildung der Fig. 3. Zusätzlich zu der in Fig. 3 gezeigten Ausführungsform umfasst das optische Sys¬ tem 200 die in Fig. 5 gezeigte Koordinatenmessmaschine 402. An der Koordina¬ tenmessmaschine 402 ist eine Sensoreinrichtung 228 und/oder ein kapazitiver Sensor 400 vorgesehen, die die Außenflächen 404, 406 referenziert. Eine derarti¬ ge Anordnung hat den Vorteil, dass sowohl von außen die Lage des Moduls 202 und des Moduls 204 relativ zu der Koordinatenmessmaschine 402 als auch von innen eine Lage des Moduls 204 relativ zu dem Modul 202 erfasst werden kann. Fig. 5 shows a schematic sectional view of another embodiment of an optical system 200. In this case, Figure 5 shows, a development of Fig. 3. In addition to the embodiment shown in FIG. 3, 200, the optical Sys ¬ tem shown in Fig. 5 coordinate measuring machine 402. At the coordina ¬ tenmessmaschine 402 is provided a sensor device 228 and / or a capacitive sensor 400 that references the outer surfaces 404, 406th A derarti ¬ ge arrangement has the advantage that both from the outside, the position of the module 202 and the module 204 relative to the coordinate measuring machine 402 and from the inside a position of the module 204 relative to the module 202 can be detected.
Beispielsweise erfolgt das Erfassen der Lage mittels der Sensoreinrichtung 228 von innen in Echtzeit oder online und das Erfassen der Lagen mit Hilfe der Ko- ordinatenmessmaschine 404 iterativ nach einem abgeschlossenen Ausrichtungs¬ schritt des Moduls 202 relativ zu dem Modul 204 durch das Montagepersonal. For example, the detection of the position by means of the sensor device 228 from the inside in real-time or online, and the detection of the documents by means of co ordinatenmessmaschine 404 is carried out iteratively after a completed alignment ¬ step of module 202 relative to the module 204 by the assembly personnel.
Fig. 6 zeigt ein Blockdiagramm eines Verfahrens zum Herstellen des optischen Systems 200 für die Lithographieanlage 100A, 100B gemäß einer der Fig. 2, 3 oder 5. In einem Schritt Sl wird das Modul 202 bereitgestellt. In einem Schritt S2 wird das mit dem Modul 202 verbindbare Modul 204 bereitgestellt, wobei bei¬ spielsweise das Modul 202 und/oder das Modul 204 einen Spiegel 212, 222 auf¬ weist. In einem Schritt S3 wird die an dem Modul 202 vorgesehene Sensorein¬ richtung 228 bereitgestellt. In einem Schritt S4 wird das Modul 202 mit dem Mo- dul 204 verbunden. In einem weiteren Schritt S5 wird eine Lage des Moduls 204 relativ zu dem Modul 202 mittels der Sensoreinrichtung 228 erfasst, wobei das Erfassen insbesondere unabhängig und/oder außerhalb von dem Strahlengang 214 erfolgt. Außerdem werden in einem Schritt S6 das Modul 202 und das Modul 202 basierend auf der in dem Schritt S5 erfassten Lage zueinander ausgerichtet. 6 shows a block diagram of a method for producing the optical system 200 for the lithography system 100A, 100B according to one of FIGS. 2, 3 or 5. In a step S1, the module 202 is provided. In a step S2, the connectable to the module 202 module 204 is provided wherein at ¬ game as the module 202 and / or the module 204, a mirror 212, 222 has ¬. In a step S3, the sensor 202 provided on the module 202 ¬ device 228 is provided. In a step S4, the module 202 is connected to the module 204. In a further step S5, a position of the module 204 relative to the module 202 is detected by means of the sensor device 228, wherein the detection in particular independently and / or outside of the beam path 214 takes place. In addition, in a step S6, the module 202 and the module 202 are aligned with each other based on the position detected in the step S5.
Das Strukturelement 300 wird samt Sensoreinrichtung 228 nach Beendigung des Schritts S6 von dem Modul 202 entfernt bzw. getrennt. Vorzugsweise werden der Schritt S5 und der Schritt S6 zeitgleich ausgeführt. The structural element 300, together with the sensor device 228, is removed from the module 202 after the end of step S6. Preferably, step S5 and step S6 are executed simultaneously.
Fig. 7 zeigt ein Blockdiagramm eines Verfahrens zum Austauschen eines Moduls des optischen Systems 200 gemäß einer der Fig. 2 - 5. Dabei wird in einem 7 shows a block diagram of a method for exchanging a module of the optical system 200 according to one of FIGS. 2-5
Schritt SlO das optische System 200 mit dem Modul 202 und dem mit dem Modul 202 verbundenen Modul 204 bereitgestellt. Step S02, the optical system 200 is provided with the module 202 and the module 204 connected to the module 204.
In einem Schritt S20 wird das Strukturelement 300 und die damit verbundene Sensoreinrichtung 228 bereitgestellt. In einem Schritt S30 wird das Struktu- relement 300 mit dem Modul 202 verbunden. Weiterhin wird in einem Schritt S40 eine Lage des Moduls 204 relativ zu dem Modul 202 mittels der Sensorein¬ richtung 228 erfasst. In einem Schritt S50 wird das Modul 202 von dem Modul 204 getrennt. In einem Schritt S60 wird ein Ersatzmodul zum Ersetzen des Mo¬ duls 202 und Verbinden des Strukturelements 300 mit dem Ersatzmodul bereit- gestellt. In einem Schritt S70 wird das Ersatzmodul mit dem Modul 204 verbun¬ den. Außerdem werden in einem Schritt S80 das Ersatzmodul und das Modul 204 basierend auf der in Schritt S40 erfassten Lage zueinander ausgerichtet. In a step S20, the structural element 300 and the sensor device 228 connected thereto are provided. In a step S30, the structure element 300 is connected to the module 202. Further, in a step S40, a position of the module 204 is detected relative to the module 202 by means of the Sensorein ¬ direction 228th In a step S50, the module 202 is disconnected from the module 204. In a step S60, a replacement module for replacing the Mo ¬ duls 202 and connecting the structural element 300 with the replacement module is provided readiness. In a step S70, the replacement module with the module 204 verbun ¬. In addition, in a step S80, the replacement module and the module 204 are aligned with each other based on the position detected in step S40.
Fig. 8 zeigt ein Blockdiagramm eines Verfahrens zum Herstellen des optischen Systems 200 gemäß Fig. 4 oder 5. Dabei wird in einem Schritt S100 das Modul 202 bereitgestellt. FIG. 8 shows a block diagram of a method for manufacturing the optical system 200 according to FIG. 4 or 5. In this case, the module 202 is provided in a step S100.
Weiterhin wird in einem Schritt S200 das mit dem Modul 202 verbindbare Modul 204 bereitgestellt. In einem Schritt S300 wird der kapazitive Sensor 400 bereit- gestellt. In einem Schritt S400 wird das Modul 202 mit dem Modul 204 verbun¬ den. In einem Schritt S500 wird die Lage des Moduls 202 und die Lage des Mo¬ duls 204 mittels des kapazitiven Sensors 400 erfasst. Weiterhin werden in einem Schritt S600 das Modul 202 und das Modul 204 basierend auf den in Schritt S500 erfassten Lagen zueinander ausgerichtet. Furthermore, the module 204 which can be connected to the module 202 is provided in a step S200. In step S300, the capacitive sensor 400 is provided. In a step S400, the module 202 to the module 204 is verbun ¬. In a step S500, the position of the module 202 and the position of the Mo ¬ duls 204 by means of the capacitive sensor 400 is detected. Continue to be in one Step S600, the module 202 and the module 204 aligned based on the detected in step S500 layers.
Obwohl die vorliegende Erfindung anhand von Ausführungsbeispielen beschrie- ben wurde, ist sie vielfältig modifizierbar. Although the present invention has been described with reference to exemplary embodiments, it can be modified in many ways.
BEZUGSZEICHENLISTE LIST OF REFERENCE NUMBERS
100A EUV- Lithographieanlage 100A EUV lithography system
100B DUV- Lithographieanlage  100B DUV lithography system
102 Strahlungs- und Beleuchtungssystem 102 radiation and lighting system
104 Projektionssystem, Projektionsobjektiv104 projection system, projection lens
106a EUV-Lichtquelle 106a EUV light source
106b DUV-Lichtquelle  106b DUV light source
108a EUV- Strahlung  108a EUV radiation
108b DUV- Strahlung  108b DUV radiation
110 - 118 Spiegel  110 - 118 mirrors
120 Photomaske, Retikel  120 photomask, reticle
122 Spiegel, Grazing-Incidence-Spiegel 122 mirrors, grazing incidence mirrors
124 Wafer 124 wafers
126 optische Achse  126 optical axis
128 Linse  128 lens
130 Spiegel  130 mirrors
132 Immersionsflüssigkeit  132 immersion liquid
200 optisches System  200 optical system
202 Modul  202 module
204 Modul  204 module
206 Modulgehäuse  206 module housing
208 Lichteintrittsöffnung  208 light entry opening
209 Lichtaustrittsöffnung  209 light exit opening
210 Arbeitslicht  210 work light
212 optisches Element  212 optical element
214 Strahlengang  214 beam path
216 Modulgehäuse  216 module housing
218 Lichteintrittsöffnung  218 light entry opening
220 Lichtaustrittsöffnung  220 light exit opening
222 optisches Element  222 optical element
224 Fügestelle 226 Verbindungsmittel 224 joint 226 connecting means
228 Sensoreinrichtung  228 sensor device
230 Innenvolumen  230 internal volume
232 Innenvolumen  232 internal volume
234 Gesamtinnenvolumen234 total internal volume
236 Innenfläche 236 inner surface
300 Strukturelement  300 structural element
302 Außenseite  302 outside
304 Befestigungsmittel 306 Einsteilvorrichtung 304 fastener 306 adjustment device
308 Schnittstellenbereich308 interface area
400 Sensor 400 sensor
402 Koordinatenmessmaschme 402 coordinate measuring machine
404 Außenfläche 404 outer surface
406 Außenfläche 406 outer surface
L Länge L length
Ml - M6 Spiegel Ml - M6 mirror
Sl Schritt  Sl step
S2 Schritt S2 step
53 Schritt  53 step
54 Schritt  54 step
55 Schritt  55 step
56 Schritt  56 step
S10 Schritt S10 step
S20 Schritt  S20 step
S30 Schritt  S30 step
S40 Schritt  S40 step
S50 Schritt  S50 step
S60 Schritt S60 step
S70 Schritt  S70 step
S80 Schritt S100 Schritt S200 Schritt S300 Schritt S400 Schritt S500 Schritt S600 Schritt S80 step S100 Step S200 Step S300 Step S400 Step S500 Step S600 Step

Claims

PATENTANSPRÜCHE
1. Optisches System (200) für eine Lithographieanlage (100A, 100B), mit 1. Optical system (200) for a lithography system (100A, 100B), with
einem ersten Modul (202), das dazu ausgebildet ist, einen ersten Teil eines Strahlengangs (214) zu umschließen,  a first module (202) adapted to enclose a first part of a beam path (214),
einem mit dem ersten Modul (202) verbindbaren zweiten Modul (204), das da¬ zu ausgebildet ist, einen zweiten Teil des Strahlengangs (214) zu umschließen, und to enclose a with the first module (202) connectable to the second module (204) which is formed as ¬ to a second portion of the beam path (214), and
einer an dem ersten Modul (202) vorgesehenen Sensoreinrichtung (228), die dazu eingerichtet ist, eine Lage des zweiten Moduls (204) relativ zu dem ersten Modul (202) unabhängig und/oder außerhalb von dem Strahlengang (214) zu er¬ fassen, um das erste Modul (202) und das zweite Modul (204) basierend auf von der Sensoreinrichtung (228) erfassten Messwerten zueinander auszurichten, wobei das erste Modul (202) und/oder das zweite Modul (204) einen Spiegel (212, 222) aufweist. take a on the first module (202) provided sensor means (228) which is adapted to a position of the second module (204) relative to the first module (202), independently and / or outside of the beam path (214) to he ¬ for aligning the first module (202) and the second module (204) to one another based on measured values acquired by the sensor device (228), wherein the first module (202) and / or the second module (204) comprises a mirror (212, 222 ) having.
2. Optisches System nach Anspruch 1, wobei das erste Modul (202) ein erstes Innenvolumen (230) und das zweite Modul (204) ein zweites Innenvolumen (232) umschließen, wobei in verbundenem Zustand des ersten Moduls (202) mit dem zweiten Modul (204) das erste Innenvolumen (230) und das zweite Innenvolumen (232) zu einem Gesamtinnenvolumen (234) verbunden sind und wobei die Sen¬ soreinrichtung (228) innerhalb des Gesamtinnenvolumens (234) angeordnet ist. The optical system of claim 1, wherein the first module (202) encloses a first interior volume (230) and the second module (204) encloses a second interior volume (232), wherein when the first module (202) is connected to the second module (204) are connected to the first internal volume (230) and the second inner volume (232) to a total internal volume (234) and said Sen ¬ soreinrichtung (228) is disposed within the total internal volume (234).
3. Optisches System nach Anspruch 1 oder 2, wobei das erste Modul (202) und/oder das zweite Modul (204) ein Gewicht von größer 100 kg oder größer 250 kg aufweist. 3. An optical system according to claim 1 or 2, wherein the first module (202) and / or the second module (204) has a weight of greater than 100 kg or greater 250 kg.
4. Optisches System nach einem der Ansprüche 1 - 3, wobei die Sensoreinrich¬ tung (228) einen kapazitiven oder induktiven Sensor und/oder einen Encoder um- fasst. 4. Optical system according to one of claims 1 - 3, wherein the Sensoreinrich ¬ device (228) comprises a capacitive or inductive sensor and / or an encoder.
5. Optisches System nach einem der Ansprüche 1 - 4, wobei die Sensoreinrich¬ tung (228) eine Messbrückenschaltung, insbesondere eine Kapazitätsmessbrücke oder Induktivitätsmessbrücke, umfasst. 5. Optical system according to one of claims 1 - 4, wherein the Sensoreinrich ¬ device (228) comprises a measuring bridge circuit, in particular a capacitance measuring bridge or inductance measuring bridge.
6. Optisches System nach einem der Ansprüche 1 - 5, ferner aufweisend ein Strukturelement (300), an welchem die Sensoreinrichtung (228) befestigt ist, wo¬ bei das Strukturelement (300) mit dem ersten Modul (202) verbindbar und von diesem entfernbar vorgesehen ist. 6. An optical system according to any one of claims 1-5, further comprising a structural element (300) to which the sensor device (228) is attached, where ¬ in the structural element (300) with the first module (202) connectable and removable from this is provided.
7. Optisches System nach Anspruch 2 und 6, wobei sich das Strukturelement (300) in mit dem ersten Modul (202) verbundenem Zustand durch das erste In¬ nenvolumen (230) erstreckt. 7. An optical system according to claim 2 and 6, wherein the structural element (300) in connected to the first module (202) state by the first In ¬ nenvolumen (230).
8. Lithographieanlage (100A, 100B) mit einem optischen System (200) nach ei- nem der Ansprüche 1 - 7. 8. lithography system (100A, 100B) with an optical system (200) according to one of claims 1-7.
9. Verfahren zum Herstellen eines optischen Systems (200) für eine Lithogra¬ phieanlage (100A, 100B), mit den Schritten: 9. A method of manufacturing an optical system (200) for a Lithography ¬ phieanlage (100A, 100B), comprising the steps of:
a) Bereitstellen (Sl) eines ersten Moduls (202), das dazu ausgebildet ist, einen ersten Teil eines Strahlengangs (214) zu umschließen,  a) providing (S1) a first module (202) which is designed to enclose a first part of a beam path (214),
b) Bereitstellen (S2) eines mit dem ersten Modul (202) verbindbaren zweiten Moduls (204), das dazu ausgebildet ist, einen zweiten Teil des Strahlengangs (214) zu umschließen, wobei das erste Modul (202) und/oder das zweite Modul (204) einen Spiegel (212, 222) aufweist,  b) providing (S2) a second module (204) which can be connected to the first module (202) and which is designed to enclose a second part of the beam path (214), wherein the first module (202) and / or the second module (204) has a mirror (212, 222),
c) Bereitstellen (S3) einer an dem ersten Modul (202) vorgesehenen Sensorein¬ richtung (228), c) providing (S3) a (on the first module 202) provided Sensorein ¬ direction (228)
d) Verbinden (S4) des ersten Moduls (202) mit dem zweiten Modul (204), e) Erfassen (S5) einer Lage des zweiten Moduls (204) relativ zu dem ersten Modul (202) mittels der Sensoreinrichtung (228), wobei das Erfassen (S5) unab- hängig und/oder außerhalb von dem Strahlengang (214) erfolgt, und  d) connecting (S4) the first module (202) to the second module (204), e) detecting (S5) a position of the second module (204) relative to the first module (202) by means of the sensor device (228) the detection (S5) takes place independently of and / or outside the beam path (214), and
f) zueinander Ausrichten (S6) des ersten Moduls (202) und des zweiten Moduls (204) basierend auf der in Schritt e) erfassten Lage. f) aligning (S6) the first module (202) and the second module (204) based on the position detected in step e).
10. Verfahren nach Anspruch 9, wobei die Sensoreinrichtung (228) mit einem Strukturelement (300) verbunden ist, welches mit dem ersten Modul (202) zeit¬ weise verbunden wird. 10. The method of claim 9, wherein the sensor device (228) having a structural element (300) which is connected ¬ time as with the first module (202) is connected.
11. Verfahren nach Anspruch 10, wobei das Strukturelement (300) samt Sen¬ soreinrichtung (228) nach Beendigung des Schritts f) von dem ersten Modul (202) entfernt wird. 11. The method of claim 10, wherein the structural element (300) together with Sen ¬ soreinrichtung (228) after completion of step f) of the first module (202) is removed.
12. Verfahren nach einem der Ansprüche 9 - 11, wobei der Schritt e) und der Schritt f) zeitgleich ausgeführt werden. 12. The method according to any one of claims 9 - 11, wherein the step e) and the step f) are carried out simultaneously.
13. Verfahren nach einem der Ansprüche 9 - 12, wobei der Schritt e) und der Schritt f) solange wiederholt werden, bis eine Abweichung einer Ist-Lage von ei- ner Soll-Lage des zweiten Moduls (204) relativ zu dem ersten Modul (202) in mindestens einer Raumrichtung zwischen 0 und 40 μηι, bevorzugt zwischen 0 und 38 μηι, weiter bevorzugt zwischen 0 und 36 μηι, weiter bevorzugt 0 und 34 μηι, 0 und 32 μηι, weiter bevorzugt 0 und 30 μηι, weiter bevorzugt 0 und 20 μηι, weiter bevorzugt 0 und 10 μηι, beträgt. 13. The method of claim 9, wherein the step e) and the step f) are repeated until a deviation of an actual position from a desired position of the second module (204) relative to the first module (202) in at least one spatial direction between 0 and 40 μηι, preferably between 0 and 38 μηι, more preferably between 0 and 36 μηι, more preferably 0 and 34 μηι, 0 and 32 μηι, more preferably 0 and 30 μηι, more preferably 0 and 20 μηι, more preferably 0 and 10 μηι, is.
14. Verfahren zum Austauschen eines Moduls (202) eines optischen Systems (200) für eine Lithographieanlage (100A, 100B), mit den Schritten: 14. A method of replacing a module (202) of an optical system (200) for a lithography system (100A, 100B), comprising the steps of:
a) Bereitstellen (S10) eines optischen Systems (200) mit einem ersten Modul (202), das dazu ausgebildet ist, einen ersten Teil eines Strahlengangs (214) zu umschließen, und eines mit dem ersten Modul (202) verbundenem zweiten Mo¬ duls (204), das dazu ausgebildet ist, einen zweiten Teil des Strahlengangs (214) zu umschließen, a) providing (S10) for enclosing an optical system (200) having a first module (202) is adapted to a first portion of a beam path (214), and one (with the first module 202) Associated second Mo ¬ duls (204) adapted to enclose a second part of the beam path (214),
b) Bereitstellen (S20) eines Strukturelements (300) und einer damit verbunde¬ nen Sensoreinrichtung (228), b) providing (S20) of a structural element (300) and a ¬ NEN sensor means so that laminates (228)
c) Verbinden (S30) des Strukturelements (300) mit dem ersten Modul (202), d) Erfassen (S40) einer Lage des zweiten Moduls (204) relativ zu dem ersten Modul (202) mittels der Sensoreinrichtung (228), e) Trennen (S50) des ersten Moduls (202) von dem zweiten Modul (204), f) Bereitstellen (S60) eines Ersatzmoduls zum Ersetzen des ersten Moduls (202) und Verbinden des Strukturelements (300) mit dem Ersatzmodul, c) connecting (S30) the structural element (300) to the first module (202), d) detecting (S40) a position of the second module (204) relative to the first module (202) by means of the sensor device (228), e) disconnecting (S50) the first module (202) from the second module (204), f) providing (S60) a replacement module for replacing the first module (202) and connecting the structural element (300) to the replacement module,
g) Verbinden (S70) des Ersatzmoduls mit dem zweiten Modul (204),  g) connecting (S70) the replacement module to the second module (204),
h) zueinander Ausrichten (S80) des Ersatzmoduls und des zweiten Moduls (204) basierend auf der in Schritt d) erfassten Lage.  h) aligning (S80) the replacement module and the second module (204) based on the position detected in step d).
15. Verfahren zum Herstellen eines optischen Systems (200) für eine Lithogra¬ phieanlage (100A, 100B), mit den Schritten: 15. A method for manufacturing an optical system (200) for a Lithography ¬ phieanlage (100A, 100B), comprising the steps of:
a) Bereitstellen (S100) eines ersten Moduls (202), das dazu ausgebildet ist, ei¬ nen ersten Teil eines Strahlengangs (214) zu umschließen, a) providing (S100) to enclose a first module (202) which is adapted ei ¬ NEN first part of a beam path (214)
b) Bereitstellen (S200) eines mit dem ersten Modul (202) verbindbaren zweiten Moduls (204), das dazu ausgebildet ist, einen zweiten Teil des Strahlengangs (214) zu umschließen,  b) providing (S200) a second module (204) which can be connected to the first module (202) and which is designed to enclose a second part of the beam path (214),
c) Bereitstellen (S300) eines kapazitiven Sensors (400),  c) providing (S300) a capacitive sensor (400),
d) Verbinden (S400) des ersten Moduls (202) mit dem zweiten Modul (204), e) Erfassen (S500) einer Lage des ersten Moduls (202) und einer Lage des zweiten Moduls (204) mittels des kapazitiven Sensors (400), und  d) connecting (S400) the first module (202) to the second module (204), e) detecting (S500) a position of the first module (202) and a position of the second module (204) by means of the capacitive sensor (400) , and
f) zueinander Ausrichten (S600) des ersten Moduls (202) und des zweiten Mo¬ duls (204) basierend auf der in Schritt e) erfassten Lagen. f) aligning with each other (S600) of the first module (202) and the second Mo ¬ duls (204) based on the detected in step e), layers.
16. Verfahren nach Anspruch 15, wobei der kapazitive Sensor (400) an einer Ko- ordinatenmessmaschine (402) vorgesehen ist, die zum Erfassen der Lagen in Schritt e) neben dem ersten und/oder zweiten Modul (202, 204) angeordnet wird. 16. The method of claim 15, wherein the capacitive sensor (400) is provided on a coordinate measuring machine (402) arranged adjacent to the first and / or second module (202, 204) for detecting the layers in step e).
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