WO2019012828A1 - Inkjet head, inkjet recording device and method for producing inkjet head - Google Patents

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洋平 佐藤
下村 明久
綾子 鈴木
江口 秀幸
山田 晃久
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コニカミノルタ株式会社
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Abstract

The present invention addresses the problem of preventing decrease in the liquid repellency of the ejection surface side of a nozzle substrate. An inkjet head of an inkjet recording device according to the present invention is provided with a nozzle substrate 40A. The nozzle substrate 40A comprises: a substrate part 41 that is provided with a nozzle 2411 from which an ink is ejected; a liquid repellent film base layer 42A that is formed on the ejection surface side of the substrate part 41 and has a silicon nitride film or a silicon oxynitride film at least on the surface; and a liquid repellent film 43 that is formed on the ejection surface side of the liquid repellent film base layer 42A.

Description

インクジェットヘッド、インクジェット記録装置及びインクジェットヘッドの製造方法Ink jet head, ink jet recording apparatus, and method of manufacturing ink jet head
 本発明は、インクジェットヘッド、インクジェット記録装置及びインクジェットヘッドの製造方法に関する。 The present invention relates to an inkjet head, an inkjet recording apparatus, and a method of manufacturing an inkjet head.
 従来、ノズルからインクを吐出させて画像などを形成するインクジェット記録装置が知られている。インクジェット記録装置のインクジェットヘッドは、複数のノズル穴があけられ、射出面側に撥液膜が形成されたノズル基板を有する。 2. Description of the Related Art Conventionally, an inkjet recording apparatus that ejects ink from nozzles to form an image or the like is known. The ink jet head of the ink jet recording apparatus has a nozzle substrate having a plurality of nozzle holes and a liquid repellent film formed on the exit surface side.
 上記ノズル基板として、ノズル穴の内壁及び複数層の耐インク保護膜を形成したノズル基板が知られている(特許文献1参照)。このノズル基板は、第1に被膜性の高いシリコン酸化膜を形成し、次いで、CVD(Chemical Vapor Deposition:化学気相蒸着)法で内壁、射出面(表面)及び流路側の面(裏面)に耐インク性を有する金属酸化物の保護膜を形成し、その後射出面側に撥水膜(撥液膜)を形成する構造となっている。この構造は、インクがノズル基板に接液している状態に対する耐久性向上を主眼に置いたものである。 As the nozzle substrate, there is known a nozzle substrate on which an inner wall of a nozzle hole and a plurality of ink resistant protective films are formed (see Patent Document 1). The nozzle substrate firstly forms a silicon oxide film having high filmability, and then on the inner wall, the injection surface (front surface) and the flow channel side surface (back surface) by the CVD (Chemical Vapor Deposition: chemical vapor deposition) method. A protective film of metal oxide having ink resistance is formed, and then a water repellent film (liquid repellent film) is formed on the ejection surface side. This structure is mainly intended to improve the durability to the state in which the ink is in contact with the nozzle substrate.
 また、流路側の面にシリコン窒化膜及びシリコン酸化膜を形成し、当該シリコン酸化膜を研削屑とともに除去したノズル基板が知られている(特許文献2参照)。 There is also known a nozzle substrate in which a silicon nitride film and a silicon oxide film are formed on the surface on the flow path side, and the silicon oxide film is removed together with grinding waste (see Patent Document 2).
特開2009-184176号公報JP, 2009-184176, A 特開2008-284825号公報JP 2008-284825 A
 一方で、ノズル基板の射出面側に形成される撥液膜に求められる特性として、耐摩耗性が挙げられるが、特許文献1のノズル基板のように、金属酸化物又はシリコン酸化膜ではメンテナンス時の拭き取りにより摩耗して撥液性が低下しやすい。特に色材を含むインクで射出面が濡れた状態でふき取りを行うと撥液性の低下と同時に、撥液膜下地層の金属酸化物又はシリコン酸化膜が膜減りする。 On the other hand, abrasion resistance can be mentioned as a property required for the liquid repellent film formed on the ejection surface side of the nozzle substrate, but like metal nozzle or silicon oxide film as in the nozzle substrate of Patent Document 1, maintenance time It is worn out by wiping off and the liquid repellency tends to be reduced. In particular, if wiping is performed with an ink containing a coloring material in a state where the ejection surface is wetted, the film thickness of the metal oxide or silicon oxide film of the liquid repellent film underlying layer decreases simultaneously with the decrease of the liquid repellency.
 また、特許文献2のノズル基板でも、射出面側に保護膜がなく、摩耗により撥液性が低下する。 Also in the nozzle substrate of Patent Document 2, there is no protective film on the exit surface side, and the liquid repellency is reduced due to abrasion.
 本発明の課題は、ノズル基板の射出面側の撥液性の低下を防ぐことである。 An object of the present invention is to prevent a decrease in liquid repellency of an ejection surface side of a nozzle substrate.
 上記課題を解決するため、請求項1に記載の発明のインクジェットヘッドは、
 インクを射出するノズルが形成された基板部と、
 前記基板部の射出面側に形成され、少なくとも表面にシリコン窒化膜又はシリコン酸窒化膜を有する撥液膜下地層と、
 前記撥液膜下地層の射出面側に形成された撥液膜と、を有するノズル基板を備える。
In order to solve the above-mentioned subject, the ink jet head of the invention according to claim 1 is
A substrate portion provided with a nozzle for ejecting ink;
A liquid repellent film base layer formed on the emission surface side of the substrate portion and having at least a surface a silicon nitride film or a silicon oxynitride film;
And a liquid repellent film formed on the side of the light emitting surface of the liquid repellent film base layer.
 請求項2に記載の発明は、請求項1に記載のインクジェットヘッドにおいて、
 前記インクは、顔料分子を含む。
The invention according to claim 2 is the inkjet head according to claim 1 in which
The ink contains pigment molecules.
 請求項3に記載の発明は、請求項1又は2に記載のインクジェットヘッドにおいて、
 前記インクは、アルカリ性である。
The invention according to claim 3 is the inkjet head according to claim 1 or 2, wherein
The ink is alkaline.
 請求項4に記載の発明は、請求項1から3のいずれか一項に記載のインクジェットヘッドにおいて、
 前記撥液膜下地層は、前記基板部の射出面側及び前記ノズルの流路内に形成されている。
The invention according to claim 4 is the ink jet head according to any one of claims 1 to 3.
The liquid repellent film base layer is formed in the injection surface side of the substrate portion and in the flow path of the nozzle.
 請求項5に記載の発明は、請求項1から4のいずれか一項に記載のインクジェットヘッドにおいて、
 前記基板部の前記ノズルの流路内に形成された流路保護膜を有する。
The invention according to claim 5 is the ink jet head according to any one of claims 1 to 4 in which
It has a flow path protective film formed in the flow path of the nozzle of the substrate portion.
 請求項6に記載の発明は、請求項1から5のいずれか一項に記載のインクジェットヘッドにおいて、
 前記撥液膜下地層は、シリコン窒化膜からなる。
The invention according to claim 6 is the inkjet head according to any one of claims 1 to 5,
The liquid repellent film underlayer is made of a silicon nitride film.
 請求項7に記載の発明は、請求項1から5のいずれか一項に記載のインクジェットヘッドにおいて、
 前記撥液膜下地層は、シリコン酸窒化膜からなる。
The invention according to claim 7 is the ink jet head according to any one of claims 1 to 5,
The liquid repellent film underlayer is made of a silicon oxynitride film.
 請求項8に記載の発明は、請求項1から5のいずれか一項に記載のインクジェットヘッドにおいて、
 前記撥液膜下地層は、前記基板部側のシリコン窒化膜と前記射出面側のシリコン酸窒化膜とを有する。
According to an eighth aspect of the present invention, in the inkjet head according to any one of the first to fifth aspects,
The liquid repellent film base layer has a silicon nitride film on the substrate portion side and a silicon oxynitride film on the emission surface side.
 請求項9に記載の発明は、請求項1から5のいずれか一項に記載のインクジェットヘッドにおいて、
 前記撥液膜下地層は、前記基板部側のシリコン酸化膜と前記射出面側のシリコン酸窒化膜とを有する。
The invention according to claim 9 is the ink jet head according to any one of claims 1 to 5,
The liquid repellent film base layer has a silicon oxide film on the substrate portion side and a silicon oxynitride film on the emission surface side.
 請求項10に記載の発明は、請求項1から5のいずれか一項に記載のインクジェットヘッドにおいて、
 前記撥液膜下地層は、前記基板部側のシリコン酸化膜と前記射出面側のシリコン酸窒化膜との間の窒素及び酸素の濃度勾配が調整されている。
The invention according to claim 10 is the inkjet head according to any one of claims 1 to 5,
In the liquid repellent film base layer, concentration gradients of nitrogen and oxygen between the silicon oxide film on the substrate portion side and the silicon oxynitride film on the emission surface side are adjusted.
 請求項11に記載の発明は、請求項1から10のいずれか一項に記載のインクジェットヘッドにおいて、
 前記基板部は、ケイ素、金属材料又は樹脂材料からなる。
The invention according to claim 11 is the inkjet head according to any one of claims 1 to 10, wherein
The substrate portion is made of silicon, a metal material or a resin material.
 請求項12に記載の発明のインクジェット記録装置は、
 請求項1から11のいずれか一項に記載のインクジェットヘッドと、
 前記撥液膜の射出面側のインクを拭き取るクリーニング部と、を備える。
The inkjet recording device of the invention according to claim 12 is
An inkjet head according to any one of claims 1 to 11;
And a cleaning unit that wipes the ink on the side of the ejection surface of the liquid repellent film.
 請求項13に記載の発明のインクジェットヘッドの製造方法は、
 インクを射出するノズルを有する基板部を生成する基板部生成工程と、
 前記基板部の射出面側に、少なくとも表面にシリコン窒化膜又はシリコン酸窒化膜を有する撥液膜下地層を形成する撥液膜下地層形成工程と、
 前記撥液膜下地層の射出面側に、撥液膜を形成してノズル基板を生成する撥液膜形成工程と、
 前記ノズル基板を備えるインクジェットヘッドを生成するインクジェットヘッド生成工程と、を含む。
The method for manufacturing an inkjet head according to the invention of claim 13 is
A substrate portion generating step of generating a substrate portion having a nozzle for ejecting ink;
A liquid repellent film base layer forming step of forming a liquid repellent film base layer having a silicon nitride film or a silicon oxynitride film on at least the surface on the emission surface side of the substrate portion;
A liquid repellent film forming step of forming a liquid repellent film on an emission surface side of the liquid repellent film base layer to generate a nozzle substrate;
An inkjet head generating step of generating an inkjet head including the nozzle substrate.
 請求項14に記載の発明は、請求項13に記載のインクジェットヘッドの製造方法において、
 前記撥液膜下地層形成工程において、前記基板部の射出面側に、シリコン窒化膜の撥液膜下地層を形成する。
The invention according to claim 14 is the method for manufacturing an ink jet head according to claim 13.
In the liquid repellent film base layer forming step, a liquid repellent film base layer of a silicon nitride film is formed on the emission surface side of the substrate portion.
 請求項15に記載の発明は、請求項13に記載のインクジェットヘッドの製造方法において、
 前記撥液膜下地層形成工程において、前記基板部の射出面側に、シリコン酸窒化膜の撥液膜下地層を形成する。
The invention according to claim 15 is the method for manufacturing an ink jet head according to claim 13.
In the liquid repellent film base layer forming step, a liquid repellent film base layer of a silicon oxynitride film is formed on the emission surface side of the substrate portion.
 請求項16に記載の発明は、請求項13に記載のインクジェットヘッドの製造方法において、
 前記撥液膜下地層形成工程において、前記基板部の射出面側に、シリコン窒化膜を形成し、当該シリコン窒化膜の表面に追酸化処理を行い前記撥液膜下地層を形成する。
The invention according to claim 16 is the method for manufacturing an ink jet head according to claim 13.
In the liquid repellent film base layer forming step, a silicon nitride film is formed on the emission surface side of the substrate portion, and the surface of the silicon nitride film is subjected to additional oxidation treatment to form the liquid repellent film base layer.
 請求項17に記載の発明は、請求項13に記載のインクジェットヘッドの製造方法において、
 前記撥液膜下地層形成工程において、前記基板部の射出面側に、シリコン酸化膜を形成し、当該シリコン酸化膜の表面に追窒化処理を行い前記撥液膜下地層を形成する。
The invention according to claim 17 is the method for manufacturing an ink jet head according to claim 13.
In the liquid repellent film base layer forming step, a silicon oxide film is formed on the emission surface side of the substrate portion, and the surface of the silicon oxide film is additionally nitrided to form the liquid repellent film base layer.
 請求項18に記載の発明は、請求項13に記載のインクジェットヘッドの製造方法において、
 前記撥液膜下地層形成工程において、窒素及び酸素の濃度勾配を制御して前記基板部側のシリコン酸化膜から前記射出面側のシリコン酸窒化膜まで変化する前記撥液膜下地層を形成する。
The invention according to claim 18 is the method for manufacturing an ink jet head according to claim 13.
In the liquid repellent film base layer forming step, the liquid repellent film base layer changing from a silicon oxide film on the substrate portion side to a silicon oxynitride film on the emission surface side is formed by controlling concentration gradients of nitrogen and oxygen. .
 請求項19に記載の発明は、請求項13から18のいずれか一項に記載のインクジェットヘッドの製造方法において、
 前記撥液膜下地層形成工程において、前記基板部の射出面側及び前記ノズルの流路内に、前記撥液膜下地層を形成する。
The invention according to claim 19 is the method for manufacturing an ink jet head according to any one of claims 13 to 18,
In the liquid repellent film base layer forming step, the liquid repellent film base layer is formed in the injection surface side of the substrate portion and in the flow path of the nozzle.
 請求項20に記載の発明は、請求項13から19のいずれか一項に記載のインクジェットヘッドの製造方法において、
 前記ノズルの流路内に、流路保護膜を形成する流路保護膜形成工程を含む。
The invention according to claim 20 is the method for manufacturing an ink jet head according to any one of claims 13 to 19,
The flow path protective film formation process of forming a flow path protective film in the flow path of the said nozzle is included.
 本発明によれば、ノズル基板の射出面側の撥液性の低下を防ぐことができる。 According to the present invention, it is possible to prevent a decrease in liquid repellency of the ejection surface side of the nozzle substrate.
本発明の実施の形態のインクジェット記録装置の構成を正面から見た模式図である。FIG. 1 is a schematic front view of a configuration of an ink jet recording apparatus according to an embodiment of the present invention. ヘッドユニットを画像形成ドラムの搬送面上方で記録媒体の搬送方向上流側から見た場合の概略構成図である。FIG. 6 is a schematic configuration diagram of the head unit as viewed from the upstream side of the conveyance direction of the recording medium above the conveyance surface of the image forming drum. ヘッドユニットを画像形成ドラムの搬送面側から見た底面図である。FIG. 6 is a bottom view of the head unit as viewed from the conveyance surface side of the image forming drum. 画像形成ドラムを斜視した図である。FIG. 2 is a perspective view of an image forming drum. 図1と同一の正面側から画像形成ドラムを透過して後ろ側を見た場合の図である。FIG. 6 is a view of the image forming drum as seen from the same front side as FIG. 1 as viewed from the rear side. インクジェットヘッドの断面形状を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the cross-sectional shape of an inkjet head. 実施の形態の第1のノズル基板の模式的な断面図である。It is a typical sectional view of the 1st nozzle substrate of an embodiment. 第1のノズル基板製造処理を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows a 1st nozzle board | substrate manufacture process. ノズル穴加工がされた基板部を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically the board | substrate part in which the nozzle hole process was carried out. 撥液膜下地層が形成された基板部を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically the board | substrate part in which the liquid repelling film base layer was formed. 撥液膜が形成された基板部を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically the board | substrate part in which the liquid repelling film was formed. 撥液膜保護層が形成された基板部を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically the board | substrate part in which the liquid repelling film protective layer was formed. 撥液膜除去処理が施された基板部を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically the board | substrate part to which the liquid repelling film removal process was performed. 実施の形態の第1のノズル基板の膜深さ方向の座標に対するケイ素、酸素及び窒素の組成比を示す図である。It is a figure which shows the composition ratio of silicon, oxygen, and nitrogen with respect to the coordinate of the film depth direction of the 1st nozzle board | substrate of embodiment. 第2のノズル基板の模式的な断面図である。It is a typical sectional view of the 2nd nozzle board. 第2のノズル基板製造処理を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows a 2nd nozzle board | substrate manufacture process. ノズル穴加工がされた基板部を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically the board | substrate part in which the nozzle hole process was carried out. 撥液膜下地層が形成された基板部を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically the board | substrate part in which the liquid repelling film base layer was formed. 撥液膜が形成された基板部を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically the board | substrate part in which the liquid repelling film was formed. 撥液膜保護層が形成された基板部を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically the board | substrate part in which the liquid repelling film protective layer was formed. 撥液膜除去処理が施された基板部を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically the board | substrate part to which the liquid repelling film removal process was performed. 第3のノズル基板の模式的な断面図である。It is a typical sectional view of the 3rd nozzle board. 第3のノズル基板製造処理を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows a 3rd nozzle board | substrate manufacture process. ノズル穴加工がされた基板部を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically the board | substrate part in which the nozzle hole process was carried out. 流路保護膜が形成された基板部を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically the board | substrate part in which the flow-path protective film was formed. 撥液膜下地層が形成された基板部を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically the board | substrate part in which the liquid repelling film base layer was formed. 撥液膜が形成された基板部を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically the board | substrate part in which the liquid repelling film was formed. 撥液膜保護層が形成された基板部を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically the board | substrate part in which the liquid repelling film protective layer was formed. 撥液膜除去処理が施された基板部を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically the board | substrate part to which the liquid repelling film removal process was performed. 第4のノズル基板の模式的な断面図である。It is a typical sectional view of the 4th nozzle board. 第4のノズル基板製造処理を示すフローチャートである。It is a flow chart which shows the 4th nozzle board manufacture processing. ノズル穴加工がされた基板部を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically the board | substrate part in which the nozzle hole process was carried out. 流路保護膜が形成された基板部を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically the board | substrate part in which the flow-path protective film was formed. 撥液膜下地層が形成された基板部を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically the board | substrate part in which the liquid repelling film base layer was formed. 撥液膜が形成された基板部を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically the board | substrate part in which the liquid repelling film was formed. 撥液膜保護層が形成された基板部を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically the board | substrate part in which the liquid repelling film protective layer was formed. 撥液膜除去処理が施された基板部を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically the board | substrate part to which the liquid repelling film removal process was performed. 第5のノズル基板製造処理を示すフローチャートである。It is a flow chart which shows the 5th nozzle board manufacture processing. 第4の変形例の第1のノズル基板の膜深さ方向の座標に対するケイ素、酸素及び窒素の組成比を示す図である。It is a figure which shows the composition ratio of silicon, oxygen, and nitrogen with respect to the coordinate of the film depth direction of the 1st nozzle substrate of a 4th modification. 第6のノズル基板製造処理を示すフローチャートである。It is a flow chart which shows the 6th nozzle board manufacture processing. 第5の変形例の第1のノズル基板の膜深さ方向の座標に対するケイ素、酸素及び窒素の組成比を示す図である。It is a figure which shows the composition ratio of silicon, oxygen, and nitrogen with respect to the coordinate of the film depth direction of the 1st nozzle substrate of a 5th modification. 第7のノズル基板製造処理を示すフローチャートである。It is a flow chart which shows the 7th nozzle board manufacture processing. 第6の変形例の第1のノズル基板の膜深さ方向の座標に対するケイ素、酸素及び窒素の組成比を示す図である。It is a figure which shows the composition ratio of silicon, oxygen, and nitrogen with respect to the coordinate of the film depth direction of the 1st nozzle substrate of a 6th modification. 第8のノズル基板製造処理を示すフローチャートである。It is a flow chart which shows the 8th nozzle board manufacture processing. 第7の変形例の第1のノズル基板の膜深さ方向の座標に対するケイ素、酸素及び窒素の組成比を示す図である。It is a figure which shows the composition ratio of silicon, oxygen, and nitrogen with respect to the coordinate of the film depth direction of the 1st nozzle substrate of a 7th modification.
 添付図面を参照して本発明に係る実施の形態及び第1~第7の変形例を順に詳細に説明する。なお、本発明は、図示例に限定されるものではない。なお、以下の説明において、同一の機能及び構成を有するものについては、同一の符号を付し、その説明を省略する。 Embodiments and first to seventh modifications according to the present invention will be sequentially described in detail with reference to the accompanying drawings. The present invention is not limited to the illustrated example. In the following description, components having the same function and configuration are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is omitted.
 (実施の形態)
 図1~図8を参照して、本発明に係る実施の形態を説明する。先ず、図1~図3Bを参照して、本実施の形態のインクジェット記録装置1の装置構成を説明する。図1は、本実施の形態のインクジェット記録装置1の構成を正面から見た模式図である。
Embodiment
An embodiment according to the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 8. First, the apparatus configuration of the inkjet recording apparatus 1 according to the present embodiment will be described with reference to FIGS. 1 to 3B. FIG. 1 is a schematic view of the configuration of an inkjet recording apparatus 1 according to the present embodiment as viewed from the front.
 インクジェット記録装置1は、媒体供給部10、画像形成部20、媒体排出部30、制御部(図示略)などを備えている。インクジェット記録装置1では、制御部による制御動作に基づいて、媒体供給部10に格納された記録媒体Rが画像形成部20に搬送され、画像が形成された後に媒体排出部30に排出される。 The inkjet recording apparatus 1 includes a medium supply unit 10, an image forming unit 20, a medium discharge unit 30, a control unit (not shown), and the like. In the inkjet recording apparatus 1, the recording medium R stored in the medium supply unit 10 is conveyed to the image forming unit 20 based on the control operation of the control unit, and is discharged to the medium discharge unit 30 after an image is formed.
 媒体供給部10は、媒体供給トレー11、搬送部12などを有する。媒体供給トレー11は、記録媒体Rを一又は複数載置可能に設けられた板状部材である。媒体供給トレー11は、載置された記録媒体Rの量に応じて上下動し、記録媒体Rのうち一番上のものが搬送部12による搬送開始位置に保持される。記録媒体Rとしては、種々の厚さの印刷用紙、セル、フィルムや布帛など、画像形成ドラム21の外周面上に湾曲して担持され得る種々のものが用いられる。 The medium supply unit 10 includes a medium supply tray 11, a transport unit 12, and the like. The medium supply tray 11 is a plate-like member provided so as to be capable of mounting one or more recording media R. The medium supply tray 11 moves up and down according to the amount of the recording medium R placed thereon, and the top one of the recording medium R is held at the conveyance start position by the conveyance unit 12. As the recording medium R, various kinds of media which can be curved and carried on the outer peripheral surface of the image forming drum 21 such as printing paper of various thicknesses, cells, films and fabrics are used.
 搬送部12は、複数(例えば、2本)のローラー121、122と、内側面でローラー121、122により支持された輪状のベルト123と、媒体供給トレー11上に載置された記録媒体Rのうち一番上のものをベルト123に受け渡す供給部(図示略)と、を有する。搬送部12は、ローラー121、122の回転によるベルト123の周回移動に従って供給部によりベルト123上に受け渡された記録媒体Rを搬送して画像形成部20へ送る。 The transport unit 12 includes a plurality of (for example, two) rollers 121 and 122, an annular belt 123 supported by the rollers 121 and 122 on the inner side, and the recording medium R mounted on the medium supply tray 11. And a supply unit (not shown) for delivering the top one to the belt 123. The conveyance unit 12 conveys the recording medium R delivered on the belt 123 by the supply unit in accordance with the circumferential movement of the belt 123 by the rotation of the rollers 121 and 122 and sends the recording medium R to the image forming unit 20.
 画像形成部20は、画像形成ドラム21、受け渡しユニット22、温度計測部23、ヘッドユニット24、加熱部25、デリバリー部26、クリーニング部27(図3A、図3B参照)などを備える。 The image forming unit 20 includes an image forming drum 21, a delivery unit 22, a temperature measuring unit 23, a head unit 24, a heating unit 25, a delivery unit 26, a cleaning unit 27 (see FIGS. 3A and 3B) and the like.
 画像形成ドラム21は、円筒状の外周形状を有し、当該外周面(搬送面)上に記録媒体Rを担持して、その回転動作に応じた搬送経路で記録媒体Rを搬送する。この画像形成ドラム21の内面側には、ヒーターが設けられ、搬送面上に載置された記録媒体Rが所定の設定温度になるように搬送面を加熱し得る。 The image forming drum 21 has a cylindrical outer peripheral shape, carries the recording medium R on the outer peripheral surface (conveying surface), and conveys the recording medium R along a conveyance path according to the rotation operation. A heater is provided on the inner surface side of the image forming drum 21 and can heat the conveyance surface so that the recording medium R placed on the conveyance surface has a predetermined set temperature.
 受け渡しユニット22は、搬送部12から受け渡された記録媒体Rを画像形成ドラム21に受け渡す。受け渡しユニット22は、媒体供給部10の搬送部12と画像形成ドラム21との間の位置に設けられている。受け渡しユニット22は、搬送部12により送られてきた記録媒体Rの一端を把持する爪部221、爪部221に把持された記録媒体Rを誘導する円筒状の受け渡しドラム222などを有する。爪部221により搬送部12から取得された記録媒体Rは、受け渡しドラム222に送られると回転する受け渡しドラム222の外周面に沿って移動し、そのまま画像形成ドラム21の外周面に誘導されて受け渡される。 The delivery unit 22 delivers the recording medium R delivered from the transport unit 12 to the image forming drum 21. The delivery unit 22 is provided at a position between the conveyance unit 12 of the medium supply unit 10 and the image forming drum 21. The delivery unit 22 has a claw portion 221 which holds one end of the recording medium R sent by the conveyance portion 12, a cylindrical delivery drum 222 which guides the recording medium R held by the claw portion 221, and the like. The recording medium R acquired from the transport unit 12 by the claws 221 moves along the outer peripheral surface of the delivery drum 222 which rotates when sent to the delivery drum 222, and is guided to the outer peripheral surface of the image forming drum 21 as it is Passed
 温度計測部23は、記録媒体Rが画像形成ドラム21の搬送面上に載置されてから最初のヘッドユニット24のインク射出面(吐出面)と対向する位置に搬送されるまでの間の位置に設けられて、搬送される記録媒体Rの表面温度(搬送面に接する面とは反対面の温度)を計測する。この温度計測部23の温度センサーとしては、例えば、放射温度計が用いられ、赤外線の強度分布を計測することで温度計測部23(放射温度計)と接しない記録媒体Rの表面温度を計測する。温度計測部23には、画像形成部20において記録媒体Rが搬送される経路に沿った方向(搬送方向)に直交する幅方向(図1の面に垂直な方向)に沿って複数点の温度が計測可能に複数のセンサーが配列されており、計測データは、予め設定された適切なタイミングで各々制御部に出力されて制御される。 The temperature measuring unit 23 is positioned between the recording medium R being placed on the conveyance surface of the image forming drum 21 and the position at which the recording medium R faces the ink ejection surface (ejection surface) of the first head unit 24. The surface temperature of the recording medium R to be conveyed (the temperature of the surface opposite to the surface in contact with the conveyance surface) is measured. For example, a radiation thermometer is used as the temperature sensor of the temperature measurement unit 23, and the surface temperature of the recording medium R not in contact with the temperature measurement unit 23 (radiation thermometer) is measured by measuring the intensity distribution of infrared rays. . In the temperature measurement unit 23, temperatures at a plurality of points along a width direction (direction perpendicular to the surface of FIG. 1) orthogonal to the direction (conveyance direction) along the path along which the recording medium R is conveyed in the image forming unit 20. A plurality of sensors are arrayed so as to be able to measure, and measurement data is output to each control unit at an appropriate timing set in advance and controlled.
 ヘッドユニット24は、記録媒体Rが担持された画像形成ドラム21の回転に応じ、記録媒体Rと対向するインク射出面に設けられた複数のノズル開口部(ノズル穴)から記録媒体Rの各所にインクの液滴を射出(吐出)していくことで画像を形成する。本実施形態のインクジェット記録装置1では、ヘッドユニット24は、画像形成ドラム21の外周面から予め設定された距離だけ離隔されて、所定の間隔で4つ配置されている。4つのヘッドユニット24は、C(シアン)M(マゼンタ)Y(イエロー)K(ブラック)4色のインクをそれぞれ出力する。ここでは、記録媒体Rの搬送方向について上流側から順番にC、M、Y、Kの各色インクがそれぞれ射出される。インクとしては、任意のものが用いられ得るが、ここでは、通常の液体インクが用いられ、加熱部25の動作により水分が蒸発、乾燥されることでインクが記録媒体Rに定着する。ヘッドユニット24の各々は、ここでは、画像形成ドラム21の回転との組み合わせにより記録媒体R上の画像形成幅に亘って画像を形成可能なラインヘッドである。 The head unit 24 is disposed at each position of the recording medium R from a plurality of nozzle openings (nozzle holes) provided on the ink ejection surface facing the recording medium R in accordance with the rotation of the image forming drum 21 carrying the recording medium R. An image is formed by ejecting (discharging) ink droplets. In the inkjet recording apparatus 1 according to the present embodiment, four head units 24 are spaced apart from the outer peripheral surface of the image forming drum 21 by a preset distance, and are arranged at predetermined intervals. The four head units 24 respectively output C (cyan) M (magenta) Y (yellow) K (black) inks of four colors. Here, C, M, Y, and K color inks are respectively ejected in order from the upstream side in the transport direction of the recording medium R. Any ink may be used as the ink, but a normal liquid ink is used here, and the ink is fixed to the recording medium R by the evaporation and drying of the water by the operation of the heating unit 25. Here, each of the head units 24 is a line head capable of forming an image over the image forming width on the recording medium R by combination with the rotation of the image forming drum 21.
 加熱部25は、搬送される記録媒体Rの表面を加熱する。加熱部25は、例えば、電熱線などを有して通電に応じて発熱して空気を加熱し、また赤外線を照射することで記録媒体Rを加熱する。加熱部25は、画像形成ドラム21の外周面の近傍であって、画像形成ドラム21の回転により搬送される記録媒体R上にヘッドユニット24からインクの射出がなされた後、記録媒体Rが画像形成ドラム21からデリバリー部26に渡る前で記録媒体Rを加熱可能に配置されている。加熱部25の動作により、ヘッドユニット24のノズルから射出されたインクを乾燥させてインクを記録媒体Rに定着させる。 The heating unit 25 heats the surface of the recording medium R to be conveyed. The heating unit 25 has, for example, a heating wire or the like, generates heat in response to energization, heats air, and heats the recording medium R by irradiating infrared rays. The heating unit 25 is in the vicinity of the outer peripheral surface of the image forming drum 21 and after the ink is ejected from the head unit 24 onto the recording medium R conveyed by the rotation of the image forming drum 21, the recording medium R is an image. The recording medium R is disposed so as to be able to be heated before it passes from the forming drum 21 to the delivery unit 26. By the operation of the heating unit 25, the ink ejected from the nozzle of the head unit 24 is dried to fix the ink on the recording medium R.
 デリバリー部26は、インクが射出、定着された記録媒体Rを画像形成ドラム21から媒体排出部30に搬送する。デリバリー部26は、複数(例えば、2本)のローラー261、262、内側面でローラー261、262に支持された輪状のベルト263、円筒状の受け渡しローラー264などを有する。デリバリー部26は、受け渡しローラー264により画像形成ドラム21上の記録媒体Rをベルト263上に誘導し、受け渡された記録媒体Rをローラー261、262の回転に伴い周回移動するベルト263と共に移動させることで搬送して媒体排出部30に送り出す。 The delivery unit 26 conveys the recording medium R having the ejected and fixed ink from the image forming drum 21 to the medium discharge unit 30. The delivery unit 26 includes a plurality of (for example, two) rollers 261 and 262, an annular belt 263 supported by the rollers 261 and 262 on the inner side, a cylindrical delivery roller 264, and the like. The delivery unit 26 guides the recording medium R on the image forming drum 21 onto the belt 263 by the delivery roller 264, and moves the delivered recording medium R together with the belt 263 that circulates along with the rotation of the rollers 261 and 262. And transport to the medium discharge unit 30.
 クリーニング部27は、ヘッドユニット24のインク射出面のクリーニング動作を行う。クリーニング部27は、画像形成ドラム21に対して幅方向について隣り合って配置されている。ヘッドユニット24が幅方向に移動されることで、ヘッドユニット24のインク射出面がクリーニング部27によるクリーニング位置にセットされる。 The cleaning unit 27 cleans the ink ejection surface of the head unit 24. The cleaning unit 27 is disposed adjacent to the image forming drum 21 in the width direction. By moving the head unit 24 in the width direction, the ink ejection surface of the head unit 24 is set at the cleaning position by the cleaning unit 27.
 媒体排出部30は、画像形成部20から送り出された画像形成後の記録媒体Rをユーザーにより取り出されるまで格納する。媒体排出部30は、デリバリー部26により搬送された記録媒体Rが載置される板状の媒体排出トレー31などを有する。 The medium discharge unit 30 stores the recording medium R after image formation sent from the image forming unit 20 until it is taken out by the user. The medium discharge unit 30 has a plate-like medium discharge tray 31 or the like on which the recording medium R conveyed by the delivery unit 26 is placed.
 図2A、図2Bは、ヘッドユニット24の構成を示す図である。図2Aは、ヘッドユニット24を画像形成ドラム21の搬送面上方で記録媒体Rの搬送方向上流側から見た場合の概略構成図である。図2Bは、ヘッドユニット24を画像形成ドラム21の搬送面側から見た底面図である。 2A and 2B are diagrams showing the configuration of the head unit 24. FIG. FIG. 2A is a schematic view of the head unit 24 as viewed from the upstream side of the conveyance direction of the recording medium R above the conveyance surface of the image forming drum 21. As shown in FIG. FIG. 2B is a bottom view of the head unit 24 as viewed from the conveyance surface side of the image forming drum 21.
 ヘッドユニット24は、複数のインクジェットヘッド241を有する。ここでは、一つのヘッドユニット24に16個のインクジェットヘッド241が設けられているが、これに限られない。16個のインクジェットヘッド241は、それぞれ2個ずつ一組で8個のインクジェットモジュール242に含まれる。インクジェットモジュール242は、固定部材245によりここでは千鳥格子状に適切な相対位置で調整、固定されている。 The head unit 24 has a plurality of inkjet heads 241. Here, although 16 inkjet heads 241 are provided in one head unit 24, it is not limited to this. The sixteen inkjet heads 241 are included in the eight inkjet modules 242 in sets of two each. The ink jet module 242 is adjusted and fixed at an appropriate relative position by a fixing member 245 here in a zigzag form.
 固定部材245は、キャリッジ246により支持されて保持されている。キャリッジ246には、第1サブタンク243及び第2サブタンク244が併せて保持されており、これらの第1サブタンク243及び第2サブタンク244から各インクジェットヘッド241に対してインクが供給される。キャリッジ246は、4つのヘッドユニット24について、各々別個に画像形成ドラム21上で幅方向に移動可能とされている。 The fixing member 245 is supported and held by the carriage 246. The carriage 246 holds the first sub tank 243 and the second sub tank 244 together, and the ink is supplied from the first sub tank 243 and the second sub tank 244 to the respective inkjet heads 241. The carriage 246 is movable in the width direction on the image forming drum 21 separately for each of the four head units 24.
 図2Bに示すように、インクジェットヘッド241は、それぞれ複数のノズル2411を有する。インクジェットヘッド241は、各々の底面(ノズル開口面241a)に設けられた複数のノズル2411の開口部(ノズル穴)からインク(液滴)を射出し、画像形成ドラム21の搬送面上に担持された記録媒体Rに対してインク液滴を着弾させる。ここでは、インクジェットヘッド241として、それぞれ搬送方向について2列に開口部が配列された二次元配列パターンを有するものが示されているが、これに限られない。適宜な一次元又は二次元配列パターンで開口部が配列されていて良い。これら開口部の配列範囲は、16個のインクジェットヘッド241全体で、幅方向について搬送面に担持される記録媒体Rの記録可能幅をカバーし、ヘッドユニット24を固定したままワンパス方式での画像形成が可能とされる。16個のインクジェットヘッド241のノズル開口面241aは、撥液膜(撥インク膜)43(図4参照)により被覆されている。 As shown in FIG. 2B, the inkjet heads 241 each have a plurality of nozzles 2411. The inkjet head 241 ejects ink (droplets) from the openings (nozzle holes) of the plurality of nozzles 2411 provided on each bottom surface (nozzle opening surface 241 a), and is carried on the conveyance surface of the image forming drum 21. The ink droplets are landed on the recording medium R. Although the inkjet head 241 has a two-dimensional array pattern in which the openings are arranged in two lines in the transport direction, the inkjet head 241 is not limited thereto. The openings may be arranged in any suitable one-dimensional or two-dimensional array pattern. The arrangement range of these openings covers the recordable width of the recording medium R carried on the transport surface in the width direction with the entire 16 inkjet heads 241, and image formation in a one-pass method while the head unit 24 is fixed. Is made possible. The nozzle opening surfaces 241a of the sixteen inkjet heads 241 are covered with a liquid repellent film (ink repellent film) 43 (see FIG. 4).
 図3A、図3Bは、クリーニング部27の構成について説明する図である。図3Aは、画像形成ドラム21を斜視した図である。図3Bは、図1と同一の正面側から画像形成ドラム21を透過して後ろ側を見た場合の図である。 FIGS. 3A and 3B are diagrams for explaining the configuration of the cleaning unit 27. FIG. FIG. 3A is a perspective view of the image forming drum 21. FIG. FIG. 3B is a view when the image forming drum 21 is transmitted from the same front side as FIG. 1 and viewed from the rear side.
 クリーニング部27は、画像形成に係るインク射出後やメンテナンス後にインクジェットヘッド241のノズル開口面241aに付着しているインクやその他の夾雑物(まとめて異物)を払拭、除去する。図3Aに示すように、クリーニング部27は、画像形成ドラム21に対して幅方向に配列され、ヘッドユニット24が当該幅方向に移動した場合にインク射出面がクリーニング可能なように配置されている。 The cleaning unit 27 wipes and removes ink and other contaminants (collectively, foreign substances) adhering to the nozzle opening surface 241 a of the inkjet head 241 after ink ejection and maintenance relating to image formation. As shown in FIG. 3A, the cleaning unit 27 is arranged in the width direction with respect to the image forming drum 21 and is arranged so that the ink ejection surface can be cleaned when the head unit 24 moves in the width direction. .
 図3Bに示すように、クリーニング部27は、払拭部材271、弾性部材272、巻き出しローラー273、巻き取りローラー274などを備える。これらの構成は、複数のヘッドユニット24に対して各々別個に設けられているが、クリーニング部27を搬送方向に移動可能として複数のヘッドユニット24に対して共通に設けられていてもよい。 As shown in FIG. 3B, the cleaning unit 27 includes a wiping member 271, an elastic member 272, an unwinding roller 273, a winding roller 274, and the like. These configurations are separately provided for the plurality of head units 24, but may be provided commonly for the plurality of head units 24 so that the cleaning unit 27 can be moved in the transport direction.
 払拭部材271は、長尺状の布状シート部材であって、その幅方向の長さ(幅)は、インク射出面(少なくとも複数のノズル開口面241aの全体)をカバー可能とされている。払拭部材271としては、インクの水分を吸収しやすくかつ少なくともインク射出面の材質よりも硬度が低いものであり、また、撥液膜を傷つけにくいものが好ましい。このような部材としては、例えば、ポリエステル、アクリル、ポリアミド、ポリウレタンなどが挙げられる。これらの部材は、織布又は不織布を形成し得る。特に、水分の吸収性の高いものであって当接時の押圧力が低くても液体が吸収されやすいものの方がより好ましい。あるいは、払拭部材271は、ブレード状の構造を有していてもよい。 The wiping member 271 is a long cloth-like sheet member, and the length (width) in the width direction of the wiping member 271 can cover the ink ejection surface (the whole of at least a plurality of nozzle opening surfaces 241 a). As the wiping member 271, a member which can easily absorb the moisture of the ink and has a hardness lower than at least the material of the ink ejection surface is preferable, and a member which does not easily damage the liquid repellent film is preferable. As such a member, polyester, an acryl, a polyamide, a polyurethane etc. are mentioned, for example. These members may form a woven or non-woven fabric. In particular, it is more preferable to have a high water absorbability and to which the liquid is easily absorbed even when the pressing force at the time of contact is low. Alternatively, the wiping member 271 may have a blade-like structure.
 弾性部材272は、払拭部材271を挟んでインク射出面と対向し、インク射出面と対向する面(押圧面)のサイズは、当該インク射出面全体をカバー可能に形成されている。弾性部材272は、インク射出面に対して略垂直に移動可能となっている。弾性部材272の材質としては、例えばスポンジ(発泡樹脂)やゴムなど、ノズル開口面241aに押し付けられてもノズルを破損させないものが用いられる。この弾性部材272をノズル開口面241a(インク射出面)に対して近づける方向に移動させることで、払拭部材271を全体としてノズル開口面241aに対して略平行な状態で当接させる。 The elastic member 272 is opposed to the ink ejection surface with the wiping member 271 interposed therebetween, and the size of the surface (pressing surface) opposed to the ink ejection surface is formed so as to cover the entire ink ejection surface. The elastic member 272 is movable substantially perpendicular to the ink ejection surface. As a material of the elastic member 272, for example, a material such as sponge (foamed resin) or rubber which does not damage the nozzle even when pressed against the nozzle opening surface 241a is used. The wiping member 271 is brought into contact with the nozzle opening surface 241a as a whole in a substantially parallel state by moving the elastic member 272 in a direction approaching the nozzle opening surface 241a (ink ejection surface).
 払拭部材271をノズル開口面241aに当接させている場合の弾性部材272とインク射出面との相対位置(距離)は、ここでは固定され、これに応じて払拭部材271のインク射出面に対する押圧力は、ノズル開口面241aの表面の撥液膜の剥離の影響の範囲内で毎回一定とされる。このときの押圧力がインク射出面におけるインクの払拭に適切な大きさとなるように相対位置が定められる。あるいは、この押圧力は、可変とされても良く、この場合には、後述するように、ノズル開口面241aの表面形状と払拭部材271との関係に応じて最大値が定められる。 When the wiping member 271 is in contact with the nozzle opening surface 241a, the relative position (distance) between the elastic member 272 and the ink ejection surface is fixed here, and accordingly, the pressing of the wiping member 271 against the ink ejection surface is performed. The pressure is kept constant each time within the range of the influence of the separation of the liquid repellent film on the surface of the nozzle opening surface 241a. The relative position is determined so that the pressing force at this time has an appropriate size for wiping the ink on the ink ejection surface. Alternatively, the pressing force may be variable, and in this case, the maximum value is determined according to the relationship between the surface shape of the nozzle opening surface 241 a and the wiping member 271 as described later.
 払拭部材271は、巻き取りローラー274により巻き取り動作が行われることで、巻き出しローラー273から巻き出されて巻き取りローラー274により巻き取られる。この間に、弾性部材272が払拭部材271をインク射出面に略均等に押し付けることで、当該インク射出面に当接した新たな(インクが付着していない)払拭部材271がノズル開口面241a(インク射出面)に付着したインクなどを払拭する。巻き出しローラー273から全ての払拭部材271が巻き出された場合には、払拭部材271は、容易に交換可能となっている。 The wiping member 271 is unwound from the unwinding roller 273 and taken up by the winding roller 274 as the winding operation is performed by the winding roller 274. During this time, the elastic member 272 presses the wiping member 271 substantially equally against the ink ejection surface, whereby the new (no ink attached) wiping member 271 in contact with the ink ejection surface is the nozzle opening surface 241a (ink Wipe off the ink etc. adhering to the ejection surface. When all the wiping members 271 are unwound from the unwinding roller 273, the wiping members 271 can be easily replaced.
 次に、本実施形態のヘッドユニット24のインク射出面に設けられたノズル基板40Aについて詳しく説明する。図4は、インクジェットヘッド241の断面形状を模式的に示す図である。 Next, the nozzle substrate 40A provided on the ink ejection surface of the head unit 24 of the present embodiment will be described in detail. FIG. 4 is a view schematically showing the cross-sectional shape of the inkjet head 241. As shown in FIG.
 各インクジェットヘッド241は、特には限られないが、図4に示すように、複数のプレート(基板)が積層されて形成されているベンドモード式のインクジェットヘッドとする。具体的には、各インクジェットヘッド241は、ノズル開口面241a(インク射出面、下方)側から上方へ順に、ノズル基板40A、圧力室基板50、振動板60、スペーサー基板70、配線基板80が積層されている。 Each ink jet head 241 is a bend mode ink jet head formed by laminating a plurality of plates (substrates) as shown in FIG. 4, although not particularly limited. Specifically, in each inkjet head 241, the nozzle substrate 40A, the pressure chamber substrate 50, the diaphragm 60, the spacer substrate 70, and the wiring substrate 80 are stacked in order from the nozzle opening surface 241a (ink ejection surface, downward) side upwards It is done.
 第1サブタンク243及び第2サブタンク244から供給されたインクは、配線基板80、スペーサー基板70、振動板60に連通されたインク流路を介して圧力室基板50の圧力室51に流入される。圧力室51は、振動板60を介してスペーサー基板70の圧電素子部71に当接され、またノズル2411に導通されている。インクジェット記録装置1の制御部からの制御信号が配線基板80の配線を介して圧電素子部71に入力され、圧電素子部71が物理的に振動することにより、配線基板80などのインク流路から圧力室51内へのインクの流入と、圧力室51内からノズル基板40Aのノズル2411へのインクの流出と、がなされる。そして、ノズル2411内のインクが、ノズル開口面241a(射出面)側の開口部(ノズル穴)からインクの液滴として射出され、当該インクの液滴が記録媒体R上に着弾される。 The ink supplied from the first sub tank 243 and the second sub tank 244 flows into the pressure chamber 51 of the pressure chamber substrate 50 through the ink flow path communicated with the wiring substrate 80, the spacer substrate 70, and the diaphragm 60. The pressure chamber 51 is in contact with the piezoelectric element portion 71 of the spacer substrate 70 via the diaphragm 60 and is conducted to the nozzle 2411. A control signal from the control unit of the inkjet recording apparatus 1 is input to the piezoelectric element unit 71 via the wiring of the wiring substrate 80, and the piezoelectric element unit 71 physically vibrates, whereby an ink flow path such as the wiring substrate 80 is obtained. The inflow of the ink into the pressure chamber 51 and the outflow of the ink from the inside of the pressure chamber 51 to the nozzle 2411 of the nozzle substrate 40A are performed. Then, the ink in the nozzle 2411 is ejected as an ink droplet from the opening (nozzle hole) on the nozzle opening surface 241 a (emission surface) side, and the ink droplet is landed on the recording medium R.
 なお、ノズル基板40Aと圧力室基板50との間に、圧力室51からノズル2411へ導通する流路を有する中間基板(中間層)を設ける構成としてもよい。 Note that an intermediate substrate (intermediate layer) having a flow path that leads from the pressure chamber 51 to the nozzle 2411 may be provided between the nozzle substrate 40A and the pressure chamber substrate 50.
 次いで、図5を参照して、ノズル基板40Aの構成を説明する。図5は、ノズル基板40Aの模式的な断面図である。図5のノズル基板40Aにおいて、図の下方を(インク)射出面側(ヘッド外部側)とし、同じく上方を流路側(ヘッド内部側、圧力室側)と表現し、他のノズル基板及びその製造工程の断面図でも同様とする。 Next, the configuration of the nozzle substrate 40A will be described with reference to FIG. FIG. 5 is a schematic cross-sectional view of the nozzle substrate 40A. In the nozzle substrate 40A of FIG. 5, the lower side of the drawing is the (ink) ejection surface side (head outer side), and the upper side is similarly expressed as the flow path side (head inner side, pressure chamber side). The same shall apply to cross-sectional views of processes.
 図5に示すように、ノズル基板40Aは、基板部41と、撥液膜下地層42Aと、撥液膜43と、を有する。基板部41は、ケイ素(シリコン)製の基板部である。ノズル2411は、基板部41に形成されたインクのノズルであり、インクの流路と射出面側のノズル穴とを含む。撥液膜下地層42Aは、基板部41の射出面側に設けられ、撥液膜43の流路(基板部41)側の下地層である。本実施の形態では、撥液膜下地層42Aは、窒化ケイ素(シリコン窒化膜)SiNであるものとする。撥液膜43は、撥液膜下地層42Aの射出面側に設けられ、例えば、パーフルオロポリエーテル(PFPE)の表面にフッ素鎖が形成された構成を有し、撥液性(撥インク性)を有する。 As shown in FIG. 5, the nozzle substrate 40A has a substrate portion 41, a liquid repellent film base layer 42A, and a liquid repellent film 43. The substrate unit 41 is a substrate unit made of silicon. The nozzle 2411 is an ink nozzle formed on the substrate portion 41, and includes an ink flow path and a nozzle hole on the ejection surface side. The liquid repellent film base layer 42A is provided on the emission surface side of the substrate portion 41, and is a base layer on the flow path (substrate portion 41) side of the liquid repellent film 43. In the present embodiment, the liquid repellent film base layer 42A is silicon nitride (silicon nitride film) SiN. The liquid repellent film 43 is provided on the ejection surface side of the liquid repellent film base layer 42A, and has, for example, a configuration in which a fluorine chain is formed on the surface of perfluoropolyether (PFPE). ).
 撥液膜下地層42Aが、シリコン窒化膜からなるので、クリーニング部27のふき取りによる膜減りに対する耐久性と、撥液膜43との結合性(シロキサン結合が形成可能)と、を両立できている。この膜減りは、化学機械研磨(CMP:Chemical Mechanical Polishing)によるものだと推測される。 Since the liquid repellent film base layer 42A is made of a silicon nitride film, the durability against film loss due to wiping of the cleaning portion 27 and the bonding property with the liquid repellent film 43 (a siloxane bond can be formed) can be compatible. . It is estimated that this film loss is due to chemical mechanical polishing (CMP).
 近年、テキスタイル分野にインクジェットプリントを用いることが進んでいる。旧来の捺染法と比較して、インクジェットプリントでは版を作る必要が無く、少数ロットの対応が可能であり、インク廃液の量も少ないというメリットがある。記録媒体Rとして、ポリエステルや合成繊維を用いる場合、分散染料インクや昇華性インクなどの水系インクが用いられるが、分散剤などの添加剤がアルカリ性を示す。顔料分子を含むインクでは、インクのpHによって顔料分子の分散が制御されている。アルカリ性環境では、撥液膜の加水分解が促進されるため、従来のシランカップリングにより形成した撥液膜は信頼性が低かった。また、捺染用インクそのものが中性や弱アルカリ性であっても、発色性改善のアルカリ性前処理剤を塗布した生地を用いることがあり、捺染用インクジェットプリンタでは、起毛処理などにより布地表面のアルカリ性前処理剤が後続のインクジェットヘッド表面の撥液性の信頼性に影響を与えることがある。 In recent years, the use of inkjet printing in the textile field has advanced. Compared to the conventional printing method, there is no need to make a plate in ink jet printing, it is possible to cope with a small number of lots, and there is an advantage that the amount of ink waste liquid is small. When polyester or synthetic fiber is used as the recording medium R, an aqueous ink such as a disperse dye ink or a sublimation ink is used, but an additive such as a dispersant exhibits alkalinity. In the ink containing pigment molecules, the dispersion of the pigment molecules is controlled by the pH of the ink. In an alkaline environment, the hydrolysis of the liquid repellent film is promoted, so that the liquid repellent film formed by the conventional silane coupling has low reliability. Moreover, even if the printing ink itself is neutral or weakly alkaline, a cloth coated with an alkaline pretreatment agent for improving color development may be used. In the case of an inkjet printer for printing, the surface of the fabric is made alkaline by raising the surface. The treatment agent may affect the reliability of the liquid repellency of the subsequent inkjet head surface.
 これに対し、シリコン窒化膜は、化学安定性が高い。このため、インクや前処理剤がアルカリ性の領域において、窒化ケイ素の撥液膜下地層42Aでは、ふきとりに対する膜減りの耐久性が高い。特にpH=9より大きいアルカリの領域において、従来技術のシリコン酸化膜の溶解が顕著になるが、シリコン窒化膜の撥液膜下地層42Aでは、SiOよりも格段に耐久性の向上が期待できる。特に、カーボンブラックなどの顔料分子を含むインクでは、顔料分子が一種の砂粒(研磨粒子)のような役割を有するので、撥液膜下地層42Aの耐久性の効果も高い。 On the other hand, the silicon nitride film has high chemical stability. Therefore, in the region in which the ink and the pretreatment agent are alkaline, the liquid repellent film foundation layer 42A of silicon nitride has high durability to film reduction against wiping. In particular, the region of pH = 9 greater than the alkali, but the dissolution of the silicon oxide film of the prior art becomes significant, the liquid-repellent film underlayer 42A of the silicon nitride film, can be expected remarkably improved durability than SiO 2 . In particular, in the ink containing a pigment molecule such as carbon black, the pigment molecule plays a role like a kind of sand particles (abrasive particles), so that the durability effect of the liquid repellent film foundation layer 42A is also high.
 次いで、図6~図8を参照して、本実施の形態のノズル基板40Aの製造方法を説明する。図6は、第1のノズル基板製造処理を示すフローチャートである。図7Aは、ノズル穴加工がされた基板部41を模式的に示す断面図である。図7Bは、撥液膜下地層42Aが形成された基板部41を模式的に示す断面図である。図7Cは、撥液膜43aが形成された基板部41を模式的に示す断面図である。図7Dは、撥液膜保護層45が形成された基板部41を模式的に示す断面図である。図7Eは、撥液膜除去処理が施された基板部41を模式的に示す断面図である。図8は、本実施の形態のノズル基板40Aの膜深さ方向の座標に対するケイ素、酸素及び窒素の組成比を示す図である。 Next, with reference to FIGS. 6 to 8, a method of manufacturing the nozzle substrate 40A of the present embodiment will be described. FIG. 6 is a flowchart showing the first nozzle substrate manufacturing process. FIG. 7A is a cross-sectional view schematically showing the substrate portion 41 subjected to the nozzle hole processing. FIG. 7B is a cross-sectional view schematically showing the substrate portion 41 on which the liquid repellent film foundation layer 42A is formed. FIG. 7C is a cross-sectional view schematically showing the substrate portion 41 on which the liquid repellent film 43a is formed. FIG. 7D is a cross-sectional view schematically showing the substrate portion 41 on which the liquid repellent film protective layer 45 is formed. FIG. 7E is a cross-sectional view schematically showing the substrate part 41 subjected to the liquid repellent film removal process. FIG. 8 is a view showing the composition ratio of silicon, oxygen and nitrogen with respect to the coordinate in the film depth direction of the nozzle substrate 40A of the present embodiment.
 図6を参照して、ノズル基板40Aを製造する第1のノズル基板製造処理を説明する。先ず、図7Aに示すように、製造者は、ベース部材となるシリコンの基板の流路側の表面に対し、インク流路を含むノズル2411が形成される位置に応じたマスクを用いてレジストパターンを設け、エッチングによりノズル穴及びノズル流路を加工してノズル2411を形成した基板部41を形成する(ステップS11)。ステップS11のエッチングの方法としては、例えば、深掘りの容易なボッシュ法による反応性イオンエッチング(RIE)が用いられる。あるいは、インク流路やノズルの形成には、レーザー穿孔やブラスト加工などが用いられ(併用され)てもよい。 A first nozzle substrate manufacturing process for manufacturing the nozzle substrate 40A will be described with reference to FIG. First, as shown in FIG. 7A, the manufacturer applies a resist pattern to the surface on the flow path side of the silicon substrate serving as the base member using a mask according to the position where the nozzle 2411 including the ink flow path is formed. The substrate portion 41 provided with the nozzles 2411 is formed by processing the nozzle hole and the nozzle flow path by etching. As a method of etching in step S11, for example, reactive ion etching (RIE) according to the easy digging Bosch method is used. Alternatively, laser perforation or blasting may be used (used in combination) to form the ink flow path or the nozzle.
 そして、図7Bに示すように、製造者は、CVD、スパッタ法などにより、基板部41の射出面側に窒化ケイ素(シリコン窒化膜)の撥液膜下地層42Aを形成する(ステップS12)。ステップS12の後に、基板部41が洗浄され異物が除去されるのが好ましい。ここでは、基板部41がシリコンベースであるので、RCA洗浄が好適に用いられるが、基板部41の材質に応じて他の洗浄方法が用いられてもよい。 Then, as shown in FIG. 7B, the manufacturer forms a liquid repellent film base layer 42A of silicon nitride (silicon nitride film) on the emission surface side of the substrate portion 41 by CVD, sputtering or the like (step S12). After step S12, the substrate portion 41 is preferably cleaned to remove foreign matter. Here, since the substrate unit 41 is silicon-based, RCA cleaning is preferably used, but other cleaning methods may be used depending on the material of the substrate unit 41.
 そして、図7Cに示すように、製造者は、ディップ処理などにより、基板部41の射出面側及びノズル2411の流路内に撥液膜43aを形成する(ステップS13)。ステップS13では、より詳細には、まず、基板部41の表面の濡れ性を向上させる処理が行われる。例えば、酸素ガス中でプラズマ処理を行うことで、SiO膜の表面にOH基を形成させることにより濡れ性を向上させる。そして、濡れ性が向上した基材2410に撥液剤が塗布される。ここでは、基板部41を撥液剤中に浸す(ディップコーティング)ことで、全面に撥液剤が塗布される。撥液剤としては、ここでは、例えば、所定のパーフルオロポリエーテル(PFPE)をフッ素系溶媒で希釈した液を用いる。この撥液剤には、更に、溶媒として水を含み、また、界面活性剤などが含有されていてもよい。塗布の方法としては、他に、CVD、スプレーコーティング、スピンコーティング、ワイヤーバーコーティング(シロキサングラフト型ポリマーが用いられる場合など)などを用いることができる。 Then, as shown in FIG. 7C, the manufacturer forms the liquid repellent film 43a in the injection surface side of the substrate portion 41 and in the flow path of the nozzle 2411 by dipping or the like (step S13). In step S13, more specifically, first, a process of improving the wettability of the surface of the substrate unit 41 is performed. For example, the wettability is improved by forming an OH group on the surface of the SiO 2 film by performing plasma treatment in oxygen gas. Then, a liquid repellent agent is applied to the base material 2410 having improved wettability. Here, the liquid repellent agent is applied to the entire surface by immersing the substrate portion 41 in the liquid repellent agent (dip coating). Here, for example, a liquid obtained by diluting a predetermined perfluoropolyether (PFPE) with a fluorine-based solvent is used as the liquid repellent. The liquid repellent agent further contains water as a solvent, and may contain a surfactant or the like. As the method of application, other than that, CVD, spray coating, spin coating, wire bar coating (if siloxane graft type polymer is used, etc.) can be used.
 そして、PFPEが付着した基板部41が適宜な条件(温度湿度)で静置され撥液膜43aが形成される。PFPEと基板部41(撥液膜下地層42Aの窒化ケイ素)との間には、上述のプラズマ処理とシランカップリング剤を用いた加水分解とに基づいて化学結合(シロキサン結合)が生じて、基板部41の表面にフッ素鎖の撥液膜43aが形成される。適宜な条件は、撥液剤の種別などに応じて定められ、常温又は必要に応じて高温状態(例えば、300~400℃)とされて、熱処理が行われる。そして、基板部41の表面全体に撥液膜43aが形成された後、撥液膜43aが形成された基板部41のフッ素系溶媒(ハイドロフルオロエーテルなど)による洗浄(リンス)が行われる。このとき、超音波洗浄を行うことで、化学結合を生じていない残りのPFPEが除去される。超音波の周波数としては、MHz帯が好ましく用いられる。これにより、基板部41の表面に化学結合により形成された撥液膜43aは、基板部41の形状に沿って形成される単分子膜となる。 Then, the substrate portion 41 to which PFPE is attached is allowed to stand under appropriate conditions (temperature and humidity), and the liquid repellent film 43a is formed. A chemical bond (siloxane bond) is generated between the PFPE and the substrate portion 41 (silicon nitride of the liquid repellent film underlayer 42A) based on the above-described plasma treatment and hydrolysis using a silane coupling agent, A liquid repellent film 43 a of fluorine chain is formed on the surface of the substrate portion 41. Appropriate conditions are determined according to the type of the liquid repellent agent, etc., and heat treatment is performed at normal temperature or high temperature state (eg, 300 to 400 ° C.) as needed. Then, after the liquid repellent film 43a is formed on the entire surface of the substrate portion 41, the substrate portion 41 on which the liquid repellent film 43a is formed is washed (rinsed) with a fluorine-based solvent (hydrofluoroether or the like). At this time, ultrasonic cleaning is performed to remove the remaining PFPE which has not generated a chemical bond. As a frequency of ultrasonic waves, a MHz band is preferably used. Thus, the liquid repellent film 43 a formed on the surface of the substrate unit 41 by chemical bonding becomes a monomolecular film formed along the shape of the substrate unit 41.
 そして、図7Dに示すように、製造者は、基板部41の射出面側に、マスキングテープやレジストなどの撥液膜保護層45を形成する(ステップS14)。そして、図7Eに示すように、製造者は、酸素プラズマ処理などにより、撥液膜保護層45が形成されていない基板部41の流路内の撥液膜43aを除去し、撥液膜43を残す(ステップS15)。そして、製造者は、撥液膜保護層45を除去して、ノズル基板40Aを形成し(ステップS16)、第1のノズル基板製造処理を終了する。 Then, as shown in FIG. 7D, the manufacturer forms a liquid repellent film protection layer 45 such as a masking tape or a resist on the emission surface side of the substrate unit 41 (step S14). Then, as shown in FIG. 7E, the manufacturer removes the liquid repellent film 43a in the flow path of the substrate portion 41 where the liquid repellent film protective layer 45 is not formed by oxygen plasma treatment or the like. Leave (step S15). Then, the manufacturer removes the liquid repellent film protection layer 45, forms the nozzle substrate 40A (step S16), and ends the first nozzle substrate manufacturing process.
 そして、製造者により第1のノズル基板製造処理により形成されたノズル基板40Aが、圧力室基板50(又は中間基板)に接着されて、ノズル基板40A、圧力室基板50、振動板60、スペーサー基板70、配線基板80が積層された基板が生成され、また、当該基板に駆動回路及びインクの供給路などが接続されて、インクジェットヘッド241が生成され、インクジェット記録装置1の一部として利用される。 Then, the nozzle substrate 40A formed by the first nozzle substrate manufacturing process by the manufacturer is adhered to the pressure chamber substrate 50 (or the intermediate substrate), and the nozzle substrate 40A, the pressure chamber substrate 50, the diaphragm 60, the spacer substrate 70, a substrate on which the wiring substrate 80 is stacked is generated, and a driving circuit and an ink supply path are connected to the substrate to generate the inkjet head 241, which is used as a part of the inkjet recording apparatus 1 .
 図8に、形成されたノズル基板40Aの膜深さ方向(射出面側→流路側)の座標に応じたケイ素Si、酸素O、窒素Nの組成比[%]を示す。なお、撥液膜43については省略されている。撥液膜下地層42Aは、窒化ケイ素SiNで構成されている。基板部41は、ケイ素Siで構成されている。 FIG. 8 shows the composition ratio [%] of silicon Si, oxygen O, and nitrogen N according to the coordinates in the film depth direction (the injection surface side → the flow path side) of the formed nozzle substrate 40A. The liquid repellent film 43 is omitted. The liquid repellent film base layer 42A is made of silicon nitride SiN. The substrate portion 41 is made of silicon Si.
 以上、本実施の形態によれば、インクジェットヘッド241は、インクを射出するノズル2411が形成された基板部41と、基板部41の射出面側に形成され、少なくとも表面にシリコン窒化膜を有する撥液膜下地層42Aと、撥液膜下地層42Aの射出面側に形成された撥液膜43と、を有するノズル基板40Aを備える。撥液膜下地層42Aは、シリコン窒化膜からなる。また、基板部41は、ケイ素からなる。このため、撥液膜下地層42Aにより、インク拭き取り時の撥液膜43の膜減りを防ぐので、ノズル基板40Aの射出面側の撥液性の低下を防ぐことができる。 As described above, according to the present embodiment, the inkjet head 241 is formed on the substrate portion 41 on which the nozzle 2411 for ejecting ink is formed, and on the ejection surface side of the substrate portion 41, and has a silicon nitride film at least on the surface. The nozzle substrate 40A is provided with a liquid film base layer 42A and a liquid repellent film 43 formed on the ejection surface side of the liquid repellent film base layer 42A. The liquid repellent film base layer 42A is made of a silicon nitride film. The substrate portion 41 is made of silicon. For this reason, since the film reduction of the liquid repellent film 43 at the time of ink wiping is prevented by the liquid repellent film base layer 42A, it is possible to prevent the liquid repellency of the ejection surface side of the nozzle substrate 40A from being lowered.
 また、インクは、カーボンブラックなどの顔料分子を含む。このため、顔料分子が研磨粒子のように振る舞うインク拭き取り時の大きな化学機械研磨の効果を抑制でき、ノズル基板40Aの射出面側の撥液性の低下をより防ぐことができる。 The ink also contains pigment molecules such as carbon black. For this reason, the effect of the large chemical mechanical polishing at the time of ink wiping in which the pigment molecules behave like abrasive particles can be suppressed, and the decrease in liquid repellency on the ejection surface side of the nozzle substrate 40A can be further prevented.
 また、インクは、アルカリ性である。特に、インクのpH>9の場合の領域では、シリコン酸化膜SiOが溶解する。このため、従来のシリコン酸化膜SiOを撥液膜下地層に用いる構成に比べて、撥液膜下地層42Aの表面のシリコン窒化膜が溶解することなく、ノズル基板40Aの射出面側の撥液性の低下をより防ぐことができる。 Also, the ink is alkaline. In particular, the silicon oxide film SiO 2 dissolves in the region of pH> 9 of the ink. Therefore, as compared with the conventional structure using the silicon oxide film SiO 2 as the liquid repellent film base layer, the silicon nitride film on the surface of the liquid repellent film base layer 42 A is not dissolved, and the repellent side of the nozzle substrate 40 A is repellent It is possible to prevent the deterioration of the liquid.
 また、撥液膜43は、シロキサン結合により撥液膜下地層42Aに担持されている。このため、撥液膜43と撥液膜下地層42Aの結合を強くし、ノズル基板40Aの射出面側の撥液性の低下をより防ぐことができる。 The liquid repellent film 43 is supported on the liquid repellent film base layer 42A by siloxane bonding. For this reason, the bond between the liquid repellent film 43 and the liquid repellent film base layer 42A can be strengthened, and the decrease in the liquid repellency of the ejection surface side of the nozzle substrate 40A can be further prevented.
 また、インクジェット記録装置1は、インクジェットヘッド241と、撥液膜43の射出面側のインクを拭き取るクリーニング部27と、を備える。このため、クリーニング部27のインク拭き取りによる化学機械研磨の効果を抑制でき、ノズル基板40Aの射出面側の撥液性の低下を防ぐインクジェット記録装置1を実現できる。 The inkjet recording apparatus 1 further includes an inkjet head 241 and a cleaning unit 27 that wipes off the ink on the ejection surface side of the liquid repellent film 43. Therefore, the effect of chemical mechanical polishing by the ink wiping of the cleaning unit 27 can be suppressed, and the ink jet recording apparatus 1 can be realized which prevents the decrease in the liquid repellency of the ejection surface side of the nozzle substrate 40A.
 また、インクジェットヘッド241の製造において、インクを射出するノズル2411を有する基板部41を生成し、基板部41の射出面側に、少なくとも表面にシリコン窒化膜を有する撥液膜下地層42Aを形成し、撥液膜下地層42Aの射出面側に、撥液膜43を形成してノズル基板40Aを生成し、ノズル基板40Aを備えるインクジェットヘッド241を生成する。このため、撥液膜下地層42Aにより、インク拭き取り時の撥液膜43の膜減りを防ぐので、ノズル基板40Aの射出面側の撥液性の低下を防ぐことができる。 Further, in the manufacture of the inkjet head 241, a substrate portion 41 having a nozzle 2411 for ejecting ink is generated, and a liquid repellent film foundation layer 42A having a silicon nitride film at least on the surface is formed on the ejection surface side of the substrate portion 41. A liquid repellent film 43 is formed on the ejection surface side of the liquid repellent film base layer 42A to generate a nozzle substrate 40A, and an inkjet head 241 including the nozzle substrate 40A is generated. For this reason, since the film reduction of the liquid repellent film 43 at the time of ink wiping is prevented by the liquid repellent film base layer 42A, it is possible to prevent the liquid repellency of the ejection surface side of the nozzle substrate 40A from being lowered.
 また、基板部41の射出面側に、シリコン窒化膜の撥液膜下地層42Aを形成する。このため、追加処理などを行うことなく、容易に撥液膜下地層を形成できる。 Further, on the exit surface side of the substrate portion 41, a liquid repellent film base layer 42A of a silicon nitride film is formed. Therefore, the liquid repellent film underlayer can be easily formed without performing additional processing and the like.
 また、基板部41は、シリコン(ケイ素)からなる。このため、ノズル2411の加工に半導体プロセスを用いることができる。この半導体プロセスを用いることで、高精度なノズル2411の加工が可能となり、射出角バラツキが非常に少なく、良好な描画品質を有するインクジェットヘッド241を作製することができる。 Further, the substrate portion 41 is made of silicon (silicon). Therefore, a semiconductor process can be used to process the nozzle 2411. By using this semiconductor process, it is possible to process the nozzle 2411 with high accuracy, and it is possible to manufacture the inkjet head 241 having excellent drawing quality with very small variation in the ejection angle.
 (第1の変形例)
 図9~図11Eを参照して、上記実施の形態の第1の変形例を説明する。本変形例の装置構成は、上記実施の形態のインクジェット記録装置1と同様であるが、ノズル基板40Aをノズル基板40Bに代えた構成とする。このため、上記実施の形態と同様の部分については説明を省略し、主として異なる部分を説明する。
(First modification)
A first modification of the above embodiment will be described with reference to FIGS. 9 to 11E. The device configuration of this modification is the same as that of the inkjet recording device 1 of the above embodiment, but the nozzle substrate 40A is replaced with a nozzle substrate 40B. Therefore, the description of the same parts as those in the above embodiment will be omitted, and mainly different parts will be described.
 図9を参照して、ノズル基板40Bの構成を説明する。図9は、ノズル基板40Bの模式的な断面図である。図9に示すように、ノズル基板40Bは、基板部41と、撥液膜下地層42Bと、撥液膜43と、を有する。撥液膜下地層42Bは、基板部41の射出面側及びノズル2411の流路内に設けられ、一部が撥液膜43の基板部41側の下地層となる層である。本変形例では、撥液膜下地層42Bは、窒化ケイ素SiNからなるシリコン窒化膜であるものとする。 The configuration of the nozzle substrate 40B will be described with reference to FIG. FIG. 9 is a schematic cross-sectional view of the nozzle substrate 40B. As shown in FIG. 9, the nozzle substrate 40B has a substrate portion 41, a liquid repellent film base layer 42B, and a liquid repellent film 43. The liquid repellent film base layer 42 B is a layer which is provided in the exit surface side of the substrate portion 41 and in the flow path of the nozzle 24 11 and a part thereof becomes the base layer on the substrate portion 41 side of the liquid repellent film 43. In the present modification, the liquid repellent film base layer 42B is a silicon nitride film made of silicon nitride SiN.
 次いで、図10~図11Eを参照して、ノズル基板40Bの製造方法を説明する。図10は、第2のノズル基板製造処理を示すフローチャートである。図11Aは、ノズル穴加工がされた基板部41を模式的に示す断面図である。図11Bは、撥液膜下地層42Bが形成された基板部41を模式的に示す断面図である。図11Cは、撥液膜43aが形成された基板部41を模式的に示す断面図である。図11Dは、撥液膜保護層45が形成された基板部41を模式的に示す断面図である。図11Eは、撥液膜除去処理が施された基板部41を模式的に示す断面図である。 Next, a method of manufacturing the nozzle substrate 40B will be described with reference to FIGS. 10 to 11E. FIG. 10 is a flowchart showing the second nozzle substrate manufacturing process. FIG. 11A is a cross-sectional view schematically showing the substrate portion 41 subjected to the nozzle hole processing. FIG. 11B is a cross-sectional view schematically showing the substrate portion 41 on which the liquid repellent film base layer 42B is formed. FIG. 11C is a cross-sectional view schematically showing the substrate portion 41 on which the liquid repellent film 43a is formed. FIG. 11D is a cross-sectional view schematically showing the substrate portion 41 on which the liquid repellent film protective layer 45 is formed. FIG. 11E is a cross-sectional view schematically showing the substrate part 41 subjected to the liquid repellent film removal process.
 図10を参照して、ノズル基板40Bを製造する第2のノズル基板製造処理を説明する。先ず、図11Aに対応するステップS21は、図6の第1のノズル基板製造処理のステップS11と同様である。そして、図11Bに示すように、図6のステップS12と同様に、製造者は、CVD、スパッタ法などにより、基板部41の射出面側及びノズル2411の流路内に窒化ケイ素(シリコン窒化膜)の撥液膜下地層42Bを形成する(ステップS22)。そして、図11C、図11D、図11Eにそれぞれ対応するステップS23~S25とステップS26とは、図6のステップS13~S16と同様である。 A second nozzle substrate manufacturing process for manufacturing the nozzle substrate 40B will be described with reference to FIG. First, step S21 corresponding to FIG. 11A is the same as step S11 of the first nozzle substrate manufacturing process of FIG. Then, as shown in FIG. 11B, as in step S12 of FIG. 6, the manufacturer uses silicon nitride (silicon nitride film) in the injection surface side of the substrate portion 41 and the flow path of the nozzle 2411 by CVD, sputtering or the like. The liquid repellent film base layer 42B is formed (step S22). Steps S23 to S25 and step S26 respectively corresponding to FIGS. 11C, 11D, and 11E are the same as steps S13 to S16 in FIG.
 以上、本変形例によれば、撥液膜下地層42Bは、基板部41の射出面側及びノズル2411の流路内に形成されている。また、インクジェットヘッド241の製造において、基板部41の射出面側及びノズル2411の流路内に、撥液膜下地層42Bを形成する。このため、基板部41の射出面側のみに撥液膜下地層42Aを形成する構成に比べて、撥液膜下地層42Bを容易に形成できる。また、撥液膜下地層42Bによりノズル2411の流路内のインクによる基板部41の劣化を防ぐことができる。 As described above, according to the present modification, the liquid repellent film foundation layer 42B is formed in the exit surface side of the substrate portion 41 and in the flow path of the nozzle 2411. Further, in the manufacture of the ink jet head 241, the liquid repellent film base layer 42B is formed in the injection surface side of the substrate portion 41 and in the flow path of the nozzle 2411. Therefore, compared to the configuration in which the liquid repellent film base layer 42A is formed only on the emission surface side of the substrate portion 41, the liquid repellent film base layer 42B can be easily formed. Further, the liquid repellent film base layer 42B can prevent the deterioration of the substrate portion 41 due to the ink in the flow path of the nozzle 2411.
 (第2の変形例)
 図12~図14Fを参照して、上記実施の形態の第2の変形例を説明する。本変形例の装置構成は、上記実施の形態のインクジェット記録装置1と同様であるが、ノズル基板40Aをノズル基板40Cに代えた構成とする。このため、上記実施の形態と同様の部分については説明を省略し、主として異なる部分を説明する。
(Second modification)
A second modification of the above embodiment will be described with reference to FIGS. 12 to 14F. The device configuration of this modification is the same as that of the inkjet recording device 1 of the above embodiment, but the nozzle substrate 40A is replaced with the nozzle substrate 40C. Therefore, the description of the same parts as those in the above embodiment will be omitted, and mainly different parts will be described.
 図12を参照して、ノズル基板40Cの構成を説明する。図12は、ノズル基板40Cの模式的な断面図である。図12に示すように、ノズル基板40Cは、基板部41と、流路保護膜44と、撥液膜下地層42Aと、撥液膜43と、を有する。流路保護膜44は、基板部41の射出面側及びノズル2411の流路内に設けられ、一部が撥液膜下地層42Aの基板部41側の下地層となる膜である。流路保護膜44は、耐インク性を有する保護膜である。流路保護膜44の材料は、チタン、ジルコニウム、クロム、ハフニウム、ニッケル、タンタル、シリコンなどの酸化物などとする。当該酸化物の構成としては、これらのうち1つの元素のみを含む場合と、耐久性および流路内濡れ性改善を目的として2つ以上の材料を含んでもよい。一例としては、ハフニア及びシリコンを含んだハフニウムシリケートや、タンタル及びシリコンを含んだタンタルシリケートがある。 The configuration of the nozzle substrate 40C will be described with reference to FIG. FIG. 12 is a schematic cross-sectional view of the nozzle substrate 40C. As shown in FIG. 12, the nozzle substrate 40 </ b> C has a substrate portion 41, a flow path protective film 44, a liquid repellent film base layer 42 </ b> A, and a liquid repellent film 43. The flow path protective film 44 is a film which is provided in the injection surface side of the substrate portion 41 and in the flow path of the nozzle 2411 and a part thereof becomes an underlayer on the substrate portion 41 side of the liquid repellent film foundation layer 42A. The flow path protective film 44 is a protective film having ink resistance. The material of the flow path protective film 44 is an oxide of titanium, zirconium, chromium, hafnium, nickel, tantalum, silicon or the like. The composition of the oxide may include two or more materials in the case where only one of these elements is contained or in order to improve the durability and the in-channel wettability. One example is hafnium silicate containing hafnia and silicon, and tantalum silicate containing tantalum and silicon.
 次いで、図13~図14Fを参照して、ノズル基板40Cの製造方法を説明する。図13は、第3のノズル基板製造処理を示すフローチャートである。図14Aは、ノズル穴加工がされた基板部41を模式的に示す断面図である。図14Bは、流路保護膜44が形成された基板部41を模式的に示す断面図である。図14Cは、撥液膜下地層42Aが形成された基板部41を模式的に示す断面図である。図14Dは、撥液膜43aが形成された基板部41を模式的に示す断面図である。図14Eは、撥液膜保護層45が形成された基板部41を模式的に示す断面図である。図14Fは、撥液膜除去処理が施された基板部41を模式的に示す断面図である。 Next, a method of manufacturing the nozzle substrate 40C will be described with reference to FIGS. 13 to 14F. FIG. 13 is a flowchart showing the third nozzle substrate manufacturing process. FIG. 14A is a cross-sectional view schematically showing the substrate portion 41 subjected to the nozzle hole processing. FIG. 14B is a cross-sectional view schematically showing the substrate portion 41 on which the flow path protective film 44 is formed. FIG. 14C is a cross-sectional view schematically showing the substrate portion 41 on which the liquid repellent film base layer 42A is formed. FIG. 14D is a cross-sectional view schematically showing the substrate portion 41 on which the liquid repellent film 43a is formed. FIG. 14E is a cross-sectional view schematically showing the substrate portion 41 on which the liquid repellent film protective layer 45 is formed. FIG. 14F is a cross-sectional view schematically showing the substrate unit 41 subjected to the liquid repellent film removal process.
 図13を参照して、ノズル基板40Cを製造する第3のノズル基板製造処理を説明する。先ず、図14Aに対応するステップS31は、図6の第1のノズル基板製造処理のステップS11と同様である。そして、図14Bに示すように、製造者は、CVD、ALD(Atomic Layer Deposition:原子層堆積)などにより、基板部41の射出面側及びノズル2411の流路内に流路保護膜44を形成する(ステップS32)。そして、図14C、図14D、図14E、図14Fにそれぞれ対応するステップS33~S36とステップS37とは、図6のステップS12~S16と同様である。 A third nozzle substrate manufacturing process for manufacturing the nozzle substrate 40C will be described with reference to FIG. First, step S31 corresponding to FIG. 14A is the same as step S11 of the first nozzle substrate manufacturing process of FIG. Then, as shown in FIG. 14B, the manufacturer forms the flow path protective film 44 in the injection surface side of the substrate portion 41 and in the flow path of the nozzle 2411 by CVD, ALD (Atomic Layer Deposition: atomic layer deposition) or the like. (Step S32). Steps S33 to S36 and step S37 respectively corresponding to FIGS. 14C, 14D, 14E and 14F are the same as steps S12 to S16 in FIG.
 以上、本変形例によれば、インクジェットヘッド241は、基板部41の射出面側及び基板部41のノズル2411の流路内に形成された流路保護膜44を有する。また、インクジェットヘッド241の製造において、基板部41の射出面側及びノズル2411の流路内に、流路保護膜44を形成する。このため、流路保護膜44によりノズル2411の流路内のインクによる基板部41の劣化を防ぐことができる。 As described above, according to the present modification, the ink jet head 241 has the flow path protective film 44 formed in the injection surface side of the substrate portion 41 and in the flow path of the nozzle 2411 of the substrate portion 41. Further, in the manufacture of the inkjet head 241, the flow path protective film 44 is formed in the injection surface side of the substrate portion 41 and in the flow path of the nozzle 2411. For this reason, the flow path protective film 44 can prevent the deterioration of the substrate portion 41 due to the ink in the flow path of the nozzle 2411.
 (第3の変形例)
 図15~図17Fを参照して、上記実施の形態の第3の変形例を説明する。本変形例の装置構成は、上記実施の形態のインクジェット記録装置1と同様であるが、ノズル基板40Aをノズル基板40Dに代えた構成とする。このため、上記実施の形態と同様の部分については説明を省略し、主として異なる部分を説明する。
(Third modification)
A third modification of the above embodiment will be described with reference to FIGS. 15 to 17F. The device configuration of this modification is the same as that of the inkjet recording device 1 of the above embodiment, but the nozzle substrate 40A is replaced with a nozzle substrate 40D. Therefore, the description of the same parts as those in the above embodiment will be omitted, and mainly different parts will be described.
 図15を参照して、ノズル基板40Dの構成を説明する。図15は、ノズル基板40Dの模式的な断面図である。図15に示すように、ノズル基板40Dは、基板部41と、流路保護膜44と、撥液膜下地層42Bと、撥液膜43と、を有する。 The configuration of the nozzle substrate 40D will be described with reference to FIG. FIG. 15 is a schematic cross-sectional view of the nozzle substrate 40D. As shown in FIG. 15, the nozzle substrate 40D includes a substrate portion 41, a flow path protective film 44, a liquid repellent film base layer 42B, and a liquid repellent film 43.
 次いで、図16~図17Fを参照して、ノズル基板40Dの製造方法を説明する。図16は、第4のノズル基板製造処理を示すフローチャートである。図17Aは、ノズル穴加工がされた基板部41を模式的に示す断面図である。図17Bは、流路保護膜44が形成された基板部41を模式的に示す断面図である。図17Cは、撥液膜下地層42Bが形成された基板部41を模式的に示す断面図である。図17Dは、撥液膜43aが形成された基板部41を模式的に示す断面図である。図17Eは、撥液膜保護層45が形成された基板部41を模式的に示す断面図である。図17Fは、撥液膜除去処理が施された基板部41を模式的に示す断面図である。 Next, a method of manufacturing the nozzle substrate 40D will be described with reference to FIGS. 16 to 17F. FIG. 16 is a flowchart showing the fourth nozzle substrate manufacturing process. FIG. 17A is a cross-sectional view schematically showing the substrate portion 41 subjected to the nozzle hole processing. FIG. 17B is a cross-sectional view schematically showing the substrate portion 41 on which the flow path protective film 44 is formed. FIG. 17C is a cross-sectional view schematically showing the substrate portion 41 on which the liquid repellent film base layer 42B is formed. FIG. 17D is a cross-sectional view schematically showing the substrate portion 41 on which the liquid repellent film 43a is formed. FIG. 17E is a cross-sectional view schematically showing the substrate portion 41 on which the liquid repellent film protective layer 45 is formed. FIG. 17F is a cross-sectional view schematically showing the substrate part 41 subjected to the liquid repellent film removal process.
 図16を参照して、ノズル基板40Dを製造する第4のノズル基板製造処理を説明する。先ず、図17Aに対応するステップS41は、図6の第1のノズル基板製造処理のステップS11と同様である。そして、図17Bに対応するステップS42は、図13の第3のノズル基板製造処理のステップS32と同様である。そして、図17C、図17D、図17E、図17Fにそれぞれ対応するステップS43~S46とステップS47とは、図10のステップS22~S26と同様である。 A fourth nozzle substrate manufacturing process for manufacturing the nozzle substrate 40D will be described with reference to FIG. First, step S41 corresponding to FIG. 17A is the same as step S11 of the first nozzle substrate manufacturing process of FIG. Step S42 corresponding to FIG. 17B is the same as step S32 in the third nozzle substrate manufacturing process of FIG. Steps S43 to S46 and step S47 respectively corresponding to FIGS. 17C, 17D, 17E and 17F are the same as steps S22 to S26 in FIG.
 以上、本変形例によれば、ノズル基板40Dにより、第1の変形例及び第2の変形例と同様の効果が得られる。 As described above, according to the present modification, the same effects as those of the first and second modifications can be obtained by the nozzle substrate 40D.
 (第4の変形例)
 図18及び図19を参照して、上記実施の形態の第4の変形例を説明する。本変形例の装置構成は、上記実施の形態のインクジェット記録装置1と同様であるが、ノズル基板40Aの窒化ケイ素(シリコン窒化膜)SiNの撥液膜下地層42Aを、窒化酸シリコン(シリコン酸窒化膜)SiONの撥液膜下地層42Aに代えた構成とする。このため、上記実施の形態と同様の部分については説明を省略し、主として異なる部分を説明する。
(The 4th modification)
A fourth modified example of the above embodiment will be described with reference to FIGS. 18 and 19. The device configuration of this modification is the same as that of the inkjet recording device 1 of the above embodiment, but the liquid repellent film underlying layer 42A of silicon nitride (silicon nitride film) SiN of the nozzle substrate 40A is made of silicon nitride oxide (silicon oxide). Nitride film) The liquid repellent film base layer 42A of SiON is replaced with a structure. Therefore, the description of the same parts as those in the above embodiment will be omitted, and mainly different parts will be described.
 図18及び図19を参照して、本変形例のノズル基板40Aの製造方法を説明する。図18は、第5のノズル基板製造処理を示すフローチャートである。図19は、本変形例のノズル基板40Aの膜深さ方向の座標に対するケイ素、酸素及び窒素の組成比を示す図である。 A method of manufacturing the nozzle substrate 40A of the present modification will be described with reference to FIGS. 18 and 19. FIG. 18 is a flowchart showing the fifth nozzle substrate manufacturing process. FIG. 19 is a diagram showing the composition ratio of silicon, oxygen and nitrogen with respect to the coordinate in the film depth direction of the nozzle substrate 40A of this modification.
 図18を参照して、本変形例のノズル基板40Aを製造する第5のノズル基板製造処理を説明する。先ず、ステップS51は、図6の第1のノズル基板製造処理のステップS11と同様である。そして、図7Bに示すように、製造者は、CVD、スパッタ法などにより、基板部41の射出面側に窒化酸シリコン(シリコン酸窒化膜)SiONの撥液膜下地層42Aを形成する(ステップS52)。ステップS52では、例えば、CVDにおいて、窒化ケイ素の材料となるガスに酸素Oが添加され、撥液膜下地層42Aが製膜される。ステップS53~S56は、図6のステップS13~S16と同様である。 A fifth nozzle substrate manufacturing process for manufacturing the nozzle substrate 40A of the present modification will be described with reference to FIG. First, step S51 is the same as step S11 of the first nozzle substrate manufacturing process of FIG. Then, as shown in FIG. 7B, the manufacturer forms a liquid repellent film base layer 42A of silicon nitride oxide (silicon oxynitride film) SiON on the emission surface side of the substrate portion 41 by CVD, sputtering or the like (Step S52). In step S52, for example, in the CVD, oxygen O 2 is added to the gas to be the material of silicon nitride, and the liquid repellent film foundation layer 42A is formed. Steps S53 to S56 are the same as steps S13 to S16 in FIG.
 撥液膜下地層42Aをシリコン酸窒化膜にすることで化学機械研磨耐久性に対する耐久性を維持しつつ、かつシリコン窒化膜よりも表面のシロキサン結合サイトを増加させることで、表面の撥液膜43をより高密度に形成できる効果がある。さらに、シリコン窒化膜は膜応力が大きいためシリコンチップとしての基板部41(ノズル基板40A)の反りが大きくなるが、撥液膜下地層42Aをシリコン酸窒化膜とすることで応力が緩和されて反りも抑制される。 The liquid repellent film on the surface is formed by making the liquid repellent film base layer 42A a silicon oxynitride film while maintaining the durability against the chemical mechanical polishing durability and increasing the number of siloxane bonding sites on the surface compared with the silicon nitride film. There is an effect that 43 can be formed in higher density. Furthermore, since the silicon nitride film has a large film stress, the warpage of the substrate portion 41 (nozzle substrate 40A) as a silicon chip becomes large, but the stress is relaxed by using the liquid repellent film foundation layer 42A as a silicon oxynitride film. Warpage is also suppressed.
 図19に、形成されたノズル基板40Aの膜深さ方向(射出面側→流路側)の座標に応じたケイ素Si、酸素O、窒素Nの組成比[%]を示す。なお、撥液膜43については省略されている。撥液膜下地層42Aは、シリコン酸窒化膜SiONで構成されている。基板部41は、シリコンSiで構成されている。 FIG. 19 shows the composition ratio [%] of silicon Si, oxygen O, and nitrogen N according to the coordinates in the film depth direction (the injection surface side → the flow path side) of the formed nozzle substrate 40A. The liquid repellent film 43 is omitted. The liquid repellent film base layer 42A is made of a silicon oxynitride film SiON. The substrate unit 41 is made of silicon Si.
 以上、本変形例によれば、撥液膜下地層42Aは、シリコン酸窒化膜からなる。また、インクジェットヘッド241の製造において、基板部41の射出面側に、シリコン酸窒化膜の撥液膜下地層42Aを形成する。このため、撥液膜下地層42Aにより、インク拭き取り時の撥液膜43の膜減りを防ぐので、ノズル基板40Aの射出面側の撥液性の低下を防ぐことができ、また表面の撥液膜43の密着性向上及び高密度形成を実現できるとともに、窒化酸シリコン(シリコン酸窒化膜)SiONとすることで応力が緩和されてノズル基板40Aの反りも抑制できる。さらに、追加処理を行うことなく、撥液膜下地層42Aを容易に形成できる。 As described above, according to this modification, the liquid-repellent film foundation layer 42A is made of a silicon oxynitride film. Further, in the manufacture of the ink jet head 241, a liquid repellent film base layer 42A of a silicon oxynitride film is formed on the emission surface side of the substrate portion 41. Therefore, the liquid repellent film base layer 42A prevents the film loss of the liquid repellent film 43 at the time of ink wiping, so that the liquid repellency of the ejection surface side of the nozzle substrate 40A can be prevented from lowering and the liquid repellency of the surface The adhesion improvement and the high density formation of the film 43 can be realized, and the stress can be relaxed and the warpage of the nozzle substrate 40A can be suppressed by using silicon nitride oxide (silicon oxynitride film) SiON. Furthermore, the liquid repellent film base layer 42A can be easily formed without performing additional processing.
 (第5の変形例)
 図20及び図21を参照して、上記実施の形態の第5の変形例を説明する。本変形例の装置構成は、上記実施の形態のインクジェット記録装置1と同様であるが、ノズル基板40Aの窒化ケイ素(シリコン窒化膜)SiNの撥液膜下地層42Aを、表面が窒化酸シリコン(シリコン酸窒化膜)SiONであるシリコン窒化膜の撥液膜下地層42Aに代えた構成とする。このため、上記実施の形態と同様の部分については説明を省略し、主として異なる部分を説明する。
(Fifth modification)
A fifth modification of the above embodiment will be described with reference to FIGS. 20 and 21. FIG. The apparatus configuration of this modification is the same as that of the inkjet recording apparatus 1 of the above embodiment, but the liquid repellent film foundation layer 42A of silicon nitride (silicon nitride film) SiN of the nozzle substrate 40A Silicon oxinitride film) It is set as the composition replaced with liquid repelling film foundation layer 42A of the silicon nitride film which is SiON. Therefore, the description of the same parts as those in the above embodiment will be omitted, and mainly different parts will be described.
 図20及び図21を参照して、本変形例のノズル基板40Aの製造方法を説明する。図20は、第6のノズル基板製造処理を示すフローチャートである。図21は、本変形例のノズル基板40Aの膜深さ方向の座標に対するケイ素、酸素及び窒素の組成比を示す図である。 A method of manufacturing the nozzle substrate 40A of the present modification will be described with reference to FIGS. 20 and 21. FIG. 20 is a flowchart showing the sixth nozzle substrate manufacturing process. FIG. 21 is a view showing the composition ratio of silicon, oxygen and nitrogen with respect to the coordinate in the film depth direction of the nozzle substrate 40A of this modification.
 図20を参照して、本変形例のノズル基板40Aを製造する第6のノズル基板製造処理を説明する。先ず、ステップS61は、図6の第1のノズル基板製造処理のステップS11と同様である。そして、製造者は、CVD、スパッタ法などにより、基板部41の射出面側に窒化ケイ素(シリコン窒化膜)SiNの撥液膜下地層42Aを形成する(ステップS62)。 A sixth nozzle substrate manufacturing process for manufacturing the nozzle substrate 40A of the present modification will be described with reference to FIG. First, step S61 is the same as step S11 of the first nozzle substrate manufacturing process of FIG. Then, the manufacturer forms a liquid repellent film base layer 42A of silicon nitride (silicon nitride film) SiN on the emission surface side of the substrate portion 41 by CVD, sputtering or the like (step S62).
 そして、製造者は、酸素プラズマ処理などにより、ステップS62で形成されたシリコン窒化膜の撥液膜下地層42Aに追酸化処理を行い、表面を窒化酸シリコン(シリコン酸窒化膜)SiONとしたシリコン窒化膜の撥液膜下地層42Aを形成する(ステップS63)。ステップS64~S67は、図6のステップS13~S16と同様である。 Then, the manufacturer performs additional oxidation processing on the liquid repellent film base layer 42A of the silicon nitride film formed in step S62 by oxygen plasma processing or the like to form silicon nitride silicon nitride (silicon oxynitride film) SiON. A liquid repellent film base layer 42A of a nitride film is formed (step S63). Steps S64 to S67 are similar to steps S13 to S16 of FIG.
 化学機械研磨耐性を上げるためのシリコン酸窒化膜は少なくとも表層付近に形成されていればよい。このため、本変形例では、シリコン酸窒化膜形成後に、酸素プラズマなどで追加酸化することによって撥液膜下地層42Aを形成している。 The silicon oxynitride film may be formed at least in the vicinity of the surface layer to increase the resistance to chemical mechanical polishing. Therefore, in the present modification, after the formation of the silicon oxynitride film, the liquid repellent film foundation layer 42A is formed by additional oxidation with oxygen plasma or the like.
 図21に、形成されたノズル基板40Aの膜深さ方向(射出面側→流路側)の座標に応じたケイ素Si、酸素O、窒素Nの組成比[%]を示す。なお、撥液膜43については省略されている。撥液膜下地層42Aは、表面がシリコン酸窒化膜SiONで構成され、表面以外がシリコン窒化膜SiNで構成されている。基板部41は、シリコンSiで構成されている。 FIG. 21 shows the composition ratio [%] of silicon Si, oxygen O, and nitrogen N according to the coordinates in the film depth direction (the injection surface side → the flow path side) of the formed nozzle substrate 40A. The liquid repellent film 43 is omitted. The liquid repellent film base layer 42A has a surface made of a silicon oxynitride film SiON, and the other than the surface is made of a silicon nitride film SiN. The substrate unit 41 is made of silicon Si.
 以上、本変形例によれば、撥液膜下地層42Aは、基板部41側のシリコン窒化膜と射出面側のシリコン酸窒化膜とを有する。また、インクジェットヘッド241の製造において、基板部41の射出面側に、シリコン窒化膜を形成し、当該シリコン窒化膜の表面に追酸化処理を行い撥液膜下地層42Aを形成する。このため、撥液膜下地層42Aにより、インク拭き取り時の撥液膜43の膜減りを防ぐので、ノズル基板40Aの射出面側の撥液性の低下を防ぐことができ、撥液膜下地層42Aのシリコン酸窒化膜により、表面の撥液膜43の密着性向上及び高密度形成をできるとともに、応力が緩和されてノズル基板40Aの反りも抑制できる。 As described above, according to the present modification, the liquid repellent film foundation layer 42A includes the silicon nitride film on the substrate portion 41 side and the silicon oxynitride film on the emission surface side. Further, in the manufacture of the inkjet head 241, a silicon nitride film is formed on the emission surface side of the substrate portion 41, and the surface of the silicon nitride film is subjected to additional oxidation treatment to form a liquid repellent film foundation layer 42A. For this reason, since the reduction of the film thickness of the liquid repellent film 43 at the time of ink wiping is prevented by the liquid repellent film base layer 42A, it is possible to prevent the liquid repellency of the ejection surface side of the nozzle substrate 40A from lowering. By the silicon oxynitride film 42A, adhesion improvement and high density formation of the liquid repellent film 43 on the surface can be performed, and stress can be relaxed, and warpage of the nozzle substrate 40A can also be suppressed.
 (第6の変形例)
 図22及び図23を参照して、上記実施の形態の第6の変形例を説明する。本変形例の装置構成は、上記実施の形態のインクジェット記録装置1と同様であるが、ノズル基板40Aの窒化ケイ素SiNの撥液膜下地層42Aを、表面が窒化酸シリコン(シリコン酸窒化膜)SiONである二酸化ケイ素(シリコン酸化膜)SiOの撥液膜下地層42Aに代えた構成とする。このため、上記実施の形態と同様の部分については説明を省略し、主として異なる部分を説明する。
(Sixth modification)
A sixth modification of the above embodiment will be described with reference to FIGS. 22 and 23. The device configuration of this modification is the same as that of the inkjet recording device 1 of the above embodiment, but the liquid repellent film base layer 42A of silicon nitride SiN of the nozzle substrate 40A has a surface of silicon nitride oxide (silicon oxynitride film). A liquid repellent film base layer 42A of silicon dioxide (silicon oxide film) SiO 2 which is SiON is replaced. Therefore, the description of the same parts as those in the above embodiment will be omitted, and mainly different parts will be described.
 図22及び図23を参照して、本変形例のノズル基板40Aの製造方法を説明する。図22は、第7のノズル基板製造処理を示すフローチャートである。図23は、本変形例のノズル基板40Aの膜深さ方向の座標に対するケイ素、酸素及び窒素の組成比を示す図である。 The method of manufacturing the nozzle substrate 40A of the present modification will be described with reference to FIGS. FIG. 22 is a flowchart showing the seventh nozzle substrate manufacturing process. FIG. 23 is a view showing the composition ratio of silicon, oxygen and nitrogen with respect to the coordinate in the film depth direction of the nozzle substrate 40A of this modification.
 図22を参照して、本変形例のノズル基板40Aを製造する第7のノズル基板製造処理を説明する。先ず、ステップS71は、図6の第1のノズル基板製造処理のステップS11と同様である。そして、製造者は、CVD、スパッタ法、熱酸化処理などにより、基板部41の射出面側に二酸化ケイ素(シリコン酸化膜)SiOの撥液膜下地層42Aを形成する(ステップS73)。 A seventh nozzle substrate manufacturing process for manufacturing the nozzle substrate 40A of the present modification will be described with reference to FIG. First, step S71 is the same as step S11 of the first nozzle substrate manufacturing process of FIG. Then, the manufacturer forms a liquid repellent film base layer 42A of silicon dioxide (silicon oxide film) SiO 2 on the emission surface side of the substrate portion 41 by CVD, sputtering, thermal oxidation treatment or the like (step S73).
 そして、製造者は、プラズマ窒化、ガス窒化などにより、ステップS62で形成されたシリコン酸化膜の撥液膜下地層42Aに追窒化処理を行い、表面が窒化酸シリコン(シリコン酸窒化膜)となったシリコン酸化膜の撥液膜下地層42Aを形成する(ステップS73)。プラズマ窒化は、窒素N+酸素O又はアンモニアNHを真空中でプラズマ状態として対象物の表面を窒化する方法である。ガス窒化は、アンモニアNHをチャンバー中に投入して加熱処理することで対象物の表面を窒化する方法である。ステップS74~S77は、図6のステップS13~S16と同様である。 Then, the manufacturer performs additional nitriding processing on the liquid repellent film base layer 42A of the silicon oxide film formed in step S62 by plasma nitriding, gas nitriding, etc., and the surface becomes silicon nitride oxide (silicon oxynitride film). The liquid repellent film base layer 42A of the silicon oxide film is formed (step S73). Plasma nitriding is a method of nitriding the surface of an object by using nitrogen N 2 + oxygen O 2 or ammonia NH 3 as a plasma state in vacuum. Gas nitriding is a method of nitriding the surface of an object by introducing ammonia NH 3 into a chamber and performing heat treatment. Steps S74 to S77 are the same as steps S13 to S16 in FIG.
 化学機械研磨耐性を上げるためのシリコン酸窒化膜は少なくとも表層付近に形成されていればよい。このため、本変形例では、シリコン酸化膜形成後に追加で窒化処理を行って表面をSiON化している。撥液膜下地層42Aをシリコン酸化膜ベースとすることで、膜応力の緩和によるシリコンの基板部41の反り抑制と、シリコン窒化膜の撥液膜下地層42Aよりも基板部41との密着性向上と、の効果が得られる。 The silicon oxynitride film may be formed at least in the vicinity of the surface layer to increase the resistance to chemical mechanical polishing. For this reason, in the present modification, after the silicon oxide film is formed, an additional nitriding process is performed to convert the surface into SiON. By using the liquid repellent film base layer 42A as a silicon oxide film base, warpage suppression of the silicon substrate portion 41 by relaxation of the film stress and adhesion with the substrate portion 41 rather than the liquid repellent film base layer 42A of the silicon nitride film The effects of improvement and can be obtained.
 図23に、形成されたノズル基板40Aの膜深さ方向(射出面側→流路側)の座標に応じたケイ素Si、酸素O、窒素Nの組成比[%]を示す。なお、撥液膜43については省略されている。撥液膜下地層42Aは、表面がシリコン酸窒化膜SiONで構成され、表面以外がシリコン酸化膜SiOで構成されている。基板部41は、シリコンSiで構成されている。 FIG. 23 shows the composition ratio [%] of silicon Si, oxygen O, and nitrogen N according to the coordinates in the film depth direction (the injection surface side → the flow path side) of the formed nozzle substrate 40A. The liquid repellent film 43 is omitted. Liquid repellent film underlayer 42A, the surface is constituted by a silicon oxynitride film SiON, other than the surface is composed of silicon oxide film SiO 2. The substrate unit 41 is made of silicon Si.
 以上、本変形例によれば、撥液膜下地層42Aは、基板部41側のシリコン酸化膜と射出面側のシリコン酸窒化膜とを有する。また、インクジェットヘッド241の製造において、基板部41の射出面側に、シリコン酸化膜を形成し、当該シリコン酸化膜の表面に追窒化処理を行い撥液膜下地層42Aを形成する。このため、撥液膜下地層42Aのシリコン酸窒化膜により、インク拭き取り時の撥液膜43の膜減りを防ぐので、ノズル基板40Aの射出面側の撥液性の低下を防ぐことができ、また表面の撥液膜43の密着性向上及び高密度形成を実現できるとともに、応力が緩和されてノズル基板40Aの反りも抑制でき、撥液膜下地層42Aのシリコン酸化膜により、基板部41との密着性を向上できる。 As described above, according to the present modification, the liquid repellent film base layer 42A includes the silicon oxide film on the substrate portion 41 side and the silicon oxynitride film on the emission surface side. Further, in the manufacture of the ink jet head 241, a silicon oxide film is formed on the emission surface side of the substrate portion 41, and the surface of the silicon oxide film is additionally nitrided to form a liquid repellent film foundation layer 42A. For this reason, the silicon oxynitride film of the liquid repellent film base layer 42A prevents the film loss of the liquid repellent film 43 at the time of ink wiping, so that it is possible to prevent the liquid repellency on the ejection surface side of the nozzle substrate 40A from being lowered. Further, adhesion improvement and high density formation of the liquid repellent film 43 on the surface can be realized, and stress can be relieved, and warpage of the nozzle substrate 40A can be suppressed, and the silicon oxide film of the liquid repellent film underlying layer 42A The adhesion of the
 (第7の変形例)
 図24及び図25を参照して、上記実施の形態の第7の変形例を説明する。本変形例の装置構成は、上記実施の形態のインクジェット記録装置1と同様であるが、ノズル基板40Aの窒化ケイ素(シリコン窒化膜)SiNの撥液膜下地層42Aを、表面が窒化酸シリコン(シリコン酸窒化膜)SiONであり基板部41側に徐々に二酸化ケイ素(シリコン酸化膜)SiOとなる撥液膜下地層42Aに代えた構成とする。このため、上記実施の形態と同様の部分については説明を省略し、主として異なる部分を説明する。
(Seventh modified example)
A seventh modification of the above embodiment will be described with reference to FIGS. 24 and 25. FIG. The apparatus configuration of this modification is the same as that of the inkjet recording apparatus 1 of the above embodiment, but the liquid repellent film foundation layer 42A of silicon nitride (silicon nitride film) SiN of the nozzle substrate 40A The liquid repellent film base layer 42A which is a silicon oxynitride film) SiON and gradually becomes silicon dioxide (silicon oxide film) SiO 2 on the side of the substrate portion 41 is replaced. Therefore, the description of the same parts as those in the above embodiment will be omitted, and mainly different parts will be described.
 図24及び図25を参照して、本変形例のノズル基板40Aの製造方法を説明する。図24は、第8のノズル基板製造処理を示すフローチャートである。図25は、本変形例のノズル基板40Aの膜深さ方向の座標に対するケイ素、酸素及び窒素の組成比を示す図である。 A method of manufacturing the nozzle substrate 40A of the present modification will be described with reference to FIGS. 24 and 25. FIG. 24 is a flowchart showing an eighth nozzle substrate manufacturing process. FIG. 25 is a diagram showing the composition ratio of silicon, oxygen and nitrogen with respect to the coordinate in the film depth direction of the nozzle substrate 40A of this modification.
 図24を参照して、本変形例のノズル基板40Aを製造する第8のノズル基板製造処理を説明する。先ず、ステップS81は、図6の第1のノズル基板製造処理のステップS11と同様である。そして、製造者は、CVD、スパッタ法、熱酸化処理などにより、基板部41の射出面側にシリコン酸化膜中の窒素及び酸素の濃度勾配を調整した撥液膜下地層42Aを形成する(ステップS83)。ステップS83では、例えば、シリコン酸化膜生成用のガスを用いて、CVDによりシリコン酸化膜の撥液膜下地層が形成開始され、当該シリコン酸化膜生成用のガス中の、窒素ソースガス(窒素又はアンモニア)及び酸素ソースガスの濃度を制御し、時間経過とともに窒素濃度を高め、酸素濃度を低くして撥液膜下地層42Aを成膜していく。すると、ステップS83で形成された撥液膜下地層42Aは、表面がシリコン酸窒化膜として機能し、基板部41側がシリコン酸化膜として機能する。ステップS83~S86は、図6のステップS13~S16と同様である。 An eighth nozzle substrate manufacturing process for manufacturing the nozzle substrate 40A of the present modification will be described with reference to FIG. First, step S81 is the same as step S11 of the first nozzle substrate manufacturing process of FIG. Then, the manufacturer forms the liquid repellent film base layer 42A, in which the concentration gradient of nitrogen and oxygen in the silicon oxide film is adjusted on the emission surface side of the substrate portion 41 by CVD, sputtering, thermal oxidation treatment, etc. (Step S83). In step S83, for example, using a gas for forming a silicon oxide film, formation of a liquid repellent film underlayer of a silicon oxide film is started by CVD, and nitrogen source gas (nitrogen or nitrogen) in the gas for forming a silicon oxide film is generated. The concentrations of the ammonia source gas and the oxygen source gas are controlled, the nitrogen concentration is increased with time, and the oxygen concentration is decreased to form the liquid repellent film underlayer 42A. Then, the surface of the liquid-repellent film foundation layer 42A formed in step S83 functions as a silicon oxynitride film, and the substrate portion 41 side functions as a silicon oxide film. Steps S83 to S86 are the same as steps S13 to S16 in FIG.
 図25に、形成されたノズル基板40Aの膜深さ方向(射出面側→流路側)の座標に応じたケイ素Si、酸素O、窒素Nの組成比[%]を示す。なお、撥液膜43については省略されている。撥液膜下地層42Aは、膜深さ方向に沿って、表面がシリコン酸窒化膜SiONで構成され、表面以外が基板部41側にシリコン酸化膜に変化するように構成されている。基板部41は、シリコンSiで構成されている。 FIG. 25 shows the composition ratio [%] of silicon Si, oxygen O, and nitrogen N according to the coordinates in the film depth direction (the injection surface side → the flow path side) of the formed nozzle substrate 40A. The liquid repellent film 43 is omitted. The liquid repellent film base layer 42A is configured such that the surface is made of a silicon oxynitride film SiON along the film depth direction, and the surface other than the surface is changed to a silicon oxide film on the substrate portion 41 side. The substrate unit 41 is made of silicon Si.
 このように、成膜プロセスにおいて窒素ソースガス及び酸素ソースガスの添加量(比率)を制御して、表面(撥液膜43形成表面)の窒素濃度を高く、膜中に行くにつれて低い組成とすることで、追加処理すること無く応力の低いシリコン酸窒化膜を形成することが可能となる。 As described above, the nitrogen concentration of the surface (the surface on which the liquid repellent film 43 is formed) is made high by controlling the addition amount (ratio) of the nitrogen source gas and the oxygen source gas in the film forming process and decreasing the composition as going into the film. This makes it possible to form a low stress silicon oxynitride film without additional processing.
 以上、本変形例によれば、撥液膜下地層42Aは、基板部41側のシリコン酸化膜と射出面側のシリコン酸窒化膜との間の窒素及び酸素の濃度勾配が調整されている。インクジェットヘッドの製造において、窒素及び酸素の濃度勾配を制御して基板部41側のシリコン酸化膜から射出面側のシリコン酸窒化膜まで変化する撥液膜下地層42Aを形成する。このため、撥液膜下地層42Aのシリコン酸窒化膜により、インク拭き取り時の撥液膜43の膜減りを防ぐので、ノズル基板40Aの射出面側の撥液性の低下を防ぐことができ、また表面の撥液膜43の密着性向上及び高密度形成を実現できるとともに、応力が緩和されてノズル基板40Aの反りも抑制でき、基板部41側のシリコン酸化膜により、基板部41との密着性を向上できる。さらに、追加処理を行うことなく、撥液膜下地層42Aを容易に形成できる。 As described above, according to this modification, the concentration gradient of nitrogen and oxygen between the silicon oxide film on the substrate portion 41 side and the silicon oxynitride film on the emission surface side of the liquid repellent film base layer 42A is adjusted. In the manufacture of the ink jet head, a liquid repellent film base layer 42A is formed which changes from the silicon oxide film on the substrate 41 side to the silicon oxynitride film on the emission surface side by controlling the concentration gradient of nitrogen and oxygen. For this reason, the silicon oxynitride film of the liquid repellent film base layer 42A prevents the film loss of the liquid repellent film 43 at the time of ink wiping, so that it is possible to prevent the liquid repellency on the ejection surface side of the nozzle substrate 40A from being lowered. Further, the adhesion improvement and high density formation of the liquid repellent film 43 on the surface can be realized, and the stress is relieved, and the warp of the nozzle substrate 40A can be suppressed, and the adhesion with the substrate portion 41 is achieved by the silicon oxide film on the substrate portion 41 side. I can improve the nature. Furthermore, the liquid repellent film base layer 42A can be easily formed without performing additional processing.
 なお、上記実施の形態及び変形例における記述は、本発明に係る好適なインクジェットヘッド、インクジェット記録装置及びインクジェットヘッドの製造方法の一例であり、これに限定されるものではない。 The description in the above-described embodiment and modification is an example of a suitable inkjet head, an inkjet recording apparatus, and a method of manufacturing the inkjet head according to the present invention, and the present invention is not limited to this.
 例えば、上記実施の形態及び変形例の少なくとも2つを適宜組み合わせる構成としてもよい。 For example, at least two of the above-described embodiment and modifications may be combined as appropriate.
 また、上記実施の形態及び変形例においては、基板部41の材料が、ケイ素であるとして説明したが、これに限定されるものではない。例えば、基板部41の材料を、SUS(Steel Use Stainless)、ニッケルなどの金属材料や、ポリイミドなどの樹脂材料としてもよい。基板部41を樹脂材料としてのポリイミドにすることにより、耐熱性を高めることができ、撥液膜下地層形成後又は撥液膜形成後にアニール処理を高温で行うことができる。あるいは、基板部41を樹脂材料としてのPPS(Poly Phenylene Sulfide:ポリフェニレンサルファイド)にすることにより、寸法安定性を高めることができ、ノズル長バラツキを低減できる。また、基板部41を金属材料としてのSUSにすることにより、SUSフィルムへのポンチ加工、レーザー加工、あるいは電鋳により、ノズル2411を容易に形成できる。 Moreover, in the said embodiment and modification, although the material of the board | substrate part 41 demonstrated as silicon, it is not limited to this. For example, the material of the substrate portion 41 may be a metal material such as SUS (Steel Use Stainless) or nickel, or a resin material such as polyimide. By making the substrate portion 41 of polyimide as a resin material, the heat resistance can be enhanced, and the annealing treatment can be performed at a high temperature after the formation of the liquid repellent film underlayer or after the formation of the liquid repellent film. Alternatively, by making the substrate portion 41 of PPS (Poly Phenylene Sulfide: polyphenylene sulfide) as a resin material, dimensional stability can be enhanced, and nozzle length variation can be reduced. In addition, by using the substrate portion 41 as SUS as a metal material, the nozzle 2411 can be easily formed by punching on a SUS film, laser processing, or electroforming.
 また、上記実施の形態及び変形例においては、複数の基板を積層したベンドモードのインクジェットヘッドのノズル基板を説明したが、これに限定されるものではない。例えば、上記実施の形態及び変形例のノズル基板を、圧電素子の分極方向に直交する方向に電界を加えることにより屈曲変形を与え、チャネル内インクを加圧するシェアモードのインクジェットヘッドのノズル基板に適用する構成としてもよい。 Moreover, in the said embodiment and modification, although the nozzle board | substrate of the inkjet head of the bend mode which laminated | stacked the several board | substrate was demonstrated, it is not limited to this. For example, the nozzle substrate of the above embodiment and modification is applied to a nozzle substrate of a shear mode ink jet head which imparts bending deformation by applying an electric field in a direction perpendicular to the polarization direction of the piezoelectric element to pressurize ink in the channel. It may be configured to
 また、以上の実施の形態及び変形例におけるインクジェット記録装置1を構成する各部の細部構成及び細部動作に関して本発明の趣旨を逸脱することのない範囲で適宜変更可能である。 Further, the detailed configuration and the detailed operation of each part constituting the ink jet recording apparatus 1 in the above-described embodiment and modification can be appropriately changed without departing from the spirit of the present invention.
 以上のように、本発明のインクジェットヘッド、インクジェット記録装置及びインクジェットヘッドの製造方法は、インクを用いた記録に適用できる。 As described above, the inkjet head, the inkjet recording apparatus, and the method for manufacturing the inkjet head of the present invention can be applied to recording using ink.
1 インクジェット記録装置
10 媒体供給部
11 媒体供給トレー
12 搬送部
121,122 ローラー
123 ベルト
20 画像形成部
21 画像形成ドラム
221 爪部
222 ドラム
22 受け渡しユニット
23 温度計測部
24 ヘッドユニット
241 インクジェットヘッド
241a ノズル開口面
2411 ノズル
242 インクジェットモジュール
243 第1サブタンク
244 第2サブタンク
245 固定部材
246 キャリッジ
25 加熱部
26 デリバリー部
261,262,264 ローラー
263 ベルト
27 クリーニング部
271 払拭部材
272 弾性部材
273 巻き出しローラー
274 巻き取りローラー
30 媒体排出部
31 媒体排出トレー
40A,40B,40C,40D ノズル基板
41 基板部
42A,42B 撥液膜下地層
43,43a 撥液膜
44 流路保護膜
45 撥液膜保護層
50 圧力室基板
51 圧力室
60 振動板
70 スペーサー基板
71 圧電素子部
80 配線基板
R 記録媒体
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 inkjet recording apparatus 10 medium supply unit 11 medium supply tray 12 transport unit 121, 122 roller 123 belt 20 image forming unit 21 image forming drum 221 claw unit 222 drum 22 delivery unit 23 temperature measuring unit 24 head unit 241 inkjet head 241 a nozzle opening Surface 2411 Nozzle 242 Inkjet module 243 First sub tank 244 Second sub tank 245 Fixing member 246 Carriage 25 Heating section 26 Delivery section 261, 262, 264 Roller 263 Belt 27 Cleaning section 271 Wiping member 272 Elastic member 273 Unrolling roller 274 Winding roller 30 Medium Discharge Unit 31 Medium Discharge Trays 40A, 40B, 40C, 40D Nozzle Substrates 41 Substrates 42A, 42B Liquid Repellent Layer Base Layers 43, 43 Lyophobic film 44 flow channel protective film 45 liquid-repellent film-protecting layer 50 pressure chamber substrate 51 pressure chamber 60 diaphragm 70 spacer substrate 71 piezoelectric element 80 wiring substrate R recording medium

Claims (20)

  1.  インクを射出するノズルが形成された基板部と、
     前記基板部の射出面側に形成され、少なくとも表面にシリコン窒化膜又はシリコン酸窒化膜を有する撥液膜下地層と、
     前記撥液膜下地層の射出面側に形成された撥液膜と、を有するノズル基板を備えるインクジェットヘッド。
    A substrate portion provided with a nozzle for ejecting ink;
    A liquid repellent film base layer formed on the emission surface side of the substrate portion and having at least a surface a silicon nitride film or a silicon oxynitride film;
    An inkjet head comprising: a nozzle substrate having a liquid repellent film formed on an ejection surface side of the liquid repellent film base layer.
  2.  前記インクは、顔料分子を含む請求項1に記載のインクジェットヘッド。 The ink jet head according to claim 1, wherein the ink contains pigment molecules.
  3.  前記インクは、アルカリ性である請求項1又は2に記載のインクジェットヘッド。 The ink jet head according to claim 1, wherein the ink is alkaline.
  4.  前記撥液膜下地層は、前記基板部の射出面側及び前記ノズルの流路内に形成されている請求項1から3のいずれか一項に記載のインクジェットヘッド。 The ink jet head according to any one of claims 1 to 3, wherein the liquid repellent film base layer is formed on an emission surface side of the substrate portion and in a flow path of the nozzle.
  5.  前記基板部の前記ノズルの流路内に形成された流路保護膜を有する請求項1から4のいずれか一項に記載のインクジェットヘッド。 The ink jet head according to any one of claims 1 to 4, further comprising a flow path protective film formed in the flow path of the nozzle of the substrate portion.
  6.  前記撥液膜下地層は、シリコン窒化膜からなる請求項1から5のいずれか一項に記載のインクジェットヘッド。 The ink jet head according to any one of claims 1 to 5, wherein the liquid repellent film base layer is made of a silicon nitride film.
  7.  前記撥液膜下地層は、シリコン酸窒化膜からなる請求項1から5のいずれか一項に記載のインクジェットヘッド。 The ink jet head according to any one of claims 1 to 5, wherein the liquid repellent film underlayer is made of a silicon oxynitride film.
  8.  前記撥液膜下地層は、前記基板部側のシリコン窒化膜と前記射出面側のシリコン酸窒化膜とを有する請求項1から5のいずれか一項に記載のインクジェットヘッド。 The ink jet head according to any one of claims 1 to 5, wherein the liquid repellent film base layer has a silicon nitride film on the substrate portion side and a silicon oxynitride film on the emission surface side.
  9.  前記撥液膜下地層は、前記基板部側のシリコン酸化膜と前記射出面側のシリコン酸窒化膜とを有する請求項1から5のいずれか一項に記載のインクジェットヘッド。 The ink jet head according to any one of claims 1 to 5, wherein the liquid repellent film base layer has a silicon oxide film on the substrate portion side and a silicon oxynitride film on the emission surface side.
  10.  前記撥液膜下地層は、前記基板部側のシリコン酸化膜と前記射出面側のシリコン酸窒化膜との間の窒素及び酸素の濃度勾配が調整されている請求項1から5のいずれか一項に記載のインクジェットヘッド。 6. The liquid repellent film base layer according to claim 1, wherein a concentration gradient of nitrogen and oxygen between the silicon oxide film on the substrate portion side and the silicon oxynitride film on the emission surface side is adjusted. The inkjet head as described in a term.
  11.  前記基板部は、ケイ素、金属材料又は樹脂材料からなる請求項1から10のいずれか一項に記載のインクジェットヘッド。 The ink jet head according to any one of claims 1 to 10, wherein the substrate portion is made of silicon, a metal material or a resin material.
  12.  請求項1から11のいずれか一項に記載のインクジェットヘッドと、
     前記撥液膜の射出面側のインクを拭き取るクリーニング部と、を備えるインクジェット記録装置。
    An inkjet head according to any one of claims 1 to 11;
    An ink jet recording apparatus comprising: a cleaning unit that wipes the ink on the ejection surface side of the liquid repellent film;
  13.  インクを射出するノズルを有する基板部を生成する基板部生成工程と、
     前記基板部の射出面側に、少なくとも表面にシリコン窒化膜又はシリコン酸窒化膜を有する撥液膜下地層を形成する撥液膜下地層形成工程と、
     前記撥液膜下地層の射出面側に、撥液膜を形成してノズル基板を生成する撥液膜形成工程と、
     前記ノズル基板を備えるインクジェットヘッドを生成するインクジェットヘッド生成工程と、を含むインクジェットヘッドの製造方法。
    A substrate portion generating step of generating a substrate portion having a nozzle for ejecting ink;
    A liquid repellent film base layer forming step of forming a liquid repellent film base layer having a silicon nitride film or a silicon oxynitride film on at least the surface on the emission surface side of the substrate portion;
    A liquid repellent film forming step of forming a liquid repellent film on an emission surface side of the liquid repellent film base layer to generate a nozzle substrate;
    An inkjet head producing step of producing an inkjet head including the nozzle substrate.
  14.  前記撥液膜下地層形成工程において、前記基板部の射出面側に、シリコン窒化膜の撥液膜下地層を形成する請求項13に記載のインクジェットヘッドの製造方法。 The method for manufacturing an ink jet head according to claim 13, wherein a liquid repellent film base layer of a silicon nitride film is formed on the light emitting surface side of the substrate portion in the liquid repellent film base layer forming step.
  15.  前記撥液膜下地層形成工程において、前記基板部の射出面側に、シリコン酸窒化膜の撥液膜下地層を形成する請求項13に記載のインクジェットヘッドの製造方法。 The method of manufacturing an ink jet head according to claim 13, wherein in the liquid repellent film base layer forming step, a liquid repellent film base layer of a silicon oxynitride film is formed on the emission surface side of the substrate portion.
  16.  前記撥液膜下地層形成工程において、前記基板部の射出面側に、シリコン窒化膜を形成し、当該シリコン窒化膜の表面に追酸化処理を行い前記撥液膜下地層を形成する請求項13に記載のインクジェットヘッドの製造方法。 In the liquid repellent film base layer forming step, a silicon nitride film is formed on the emission surface side of the substrate portion, and the surface of the silicon nitride film is subjected to additional oxidation treatment to form the liquid repellent film base layer. The manufacturing method of the inkjet head as described in these.
  17.  前記撥液膜下地層形成工程において、前記基板部の射出面側に、シリコン酸化膜を形成し、当該シリコン酸化膜の表面に追窒化処理を行い前記撥液膜下地層を形成する請求項13に記載のインクジェットヘッドの製造方法。 In the liquid repellent film base layer forming step, a silicon oxide film is formed on the emission surface side of the substrate portion, and the surface of the silicon oxide film is additionally nitrided to form the liquid repellent film base layer. The manufacturing method of the inkjet head as described in these.
  18.  前記撥液膜下地層形成工程において、窒素及び酸素の濃度勾配を制御して前記基板部側のシリコン酸化膜から前記射出面側のシリコン酸窒化膜まで変化する前記撥液膜下地層を形成する請求項13に記載のインクジェットヘッドの製造方法。 In the liquid repellent film base layer forming step, the liquid repellent film base layer changing from a silicon oxide film on the substrate portion side to a silicon oxynitride film on the emission surface side is formed by controlling concentration gradients of nitrogen and oxygen. A method of manufacturing an ink jet head according to claim 13.
  19.  前記撥液膜下地層形成工程において、前記基板部の射出面側及び前記ノズルの流路内に、前記撥液膜下地層を形成する請求項13から18のいずれか一項に記載のインクジェットヘッドの製造方法。 The ink jet head according to any one of claims 13 to 18, wherein in the liquid repellent film base layer forming step, the liquid repellent film base layer is formed in the injection surface side of the substrate portion and in the flow path of the nozzle. Manufacturing method.
  20.  前記ノズルの流路内に、流路保護膜を形成する流路保護膜形成工程を含む請求項13から19のいずれか一項に記載のインクジェットヘッドの製造方法。 The method for manufacturing an ink jet head according to any one of claims 13 to 19, further comprising a flow path protection film forming step of forming a flow path protection film in the flow path of the nozzle.
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