WO2018182011A1 - 温度検知センサおよび温度検知装置 - Google Patents

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WO2018182011A1
WO2018182011A1 PCT/JP2018/013968 JP2018013968W WO2018182011A1 WO 2018182011 A1 WO2018182011 A1 WO 2018182011A1 JP 2018013968 W JP2018013968 W JP 2018013968W WO 2018182011 A1 WO2018182011 A1 WO 2018182011A1
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WO
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thermistor
temperature detection
detection sensor
conductive path
temperature
Prior art date
Application number
PCT/JP2018/013968
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English (en)
French (fr)
Inventor
芳賀　岳夫
孝昌 窪木
光 植垣
Original Assignee
株式会社村田製作所
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Publication date
Application filed by 株式会社村田製作所 filed Critical 株式会社村田製作所
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    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01K7/00—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
    • G01K7/16—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements
    • G01K7/22—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements the element being a non-linear resistance, e.g. thermistor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01C—RESISTORS
    • H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
    • H01C7/04—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having negative temperature coefficient

Definitions

  • the present invention relates to a temperature detection sensor, and more particularly, to a temperature detection sensor including two thermistors, a first thermistor and a second thermistor.
  • the present invention also relates to a temperature detection device using the temperature detection sensor of the present invention.
  • a temperature detection sensor using a thermistor is widely used as a temperature sensor with high accuracy while being simple.
  • Each thermistor has a unique temperature-resistance characteristic, and the resistance value changes when its own temperature changes.
  • the resistance value of the negative characteristic thermistor decreases as the temperature increases, and the resistance value of the positive characteristic thermistor increases as the temperature increases.
  • a resistor divider and a thermistor are connected in series to form a resistor divider circuit.
  • a predetermined voltage is applied to the resistor divider circuit, and the voltage at the junction point between the resistor resistor and the thermistor is measured with a microcomputer. Then, the temperature of the thermistor can be detected. That is, when the temperature of the thermistor changes, the resistance value of the thermistor changes, and when the resistance value of the thermistor changes, the voltage at the connection point between the fixed resistor of the resistance voltage dividing circuit and the thermistor changes. The temperature of the thermistor can be detected by measuring the voltage at the connection point of the with a microcomputer or the like.
  • a temperature detection sensor using a thermistor has a problem that the thermal response is not high.
  • Thermal responsiveness refers to the speed with which a thermistor at a certain temperature is suddenly placed in another temperature and the resistance value corresponding to the other temperature is reached.
  • a temperature detection sensor using a thermistor does not have a high thermal response compared to a temperature detection sensor using a thermocouple.
  • the thermal time constant means that when the thermistor held at a certain arbitrary temperature T 0 is suddenly placed in the temperature T 1 , the thermistor is heated to the temperature T 0 and the temperature T 1. The time to reach 63.2% of the temperature difference. The smaller the thermal time constant, the higher the thermal response, and the larger the thermal time constant, the lower the thermal response.
  • a temperature detection sensor using a thermistor does not have high thermal responsiveness, but various techniques for supplementing it have been researched and developed.
  • Non-Patent Document 1 Journal of the Opportunities Society of Japan, Vol. 69, No. 69, 678 (2003-2) “Response compensation of general-purpose temperature sensor”)
  • two thermistors with different thermal time constants thermo responsiveness
  • a technique for improving the thermal response by measuring the temperature simultaneously with two thermistors is disclosed.
  • the resistance values of the two thermistors are different immediately after starting the measurement.
  • the resistance value of the two thermistes shows the same value as time passes.
  • the temperature is measured with two thermistors, the first thermistor and the second thermistor having different thermal time constants, and the measurement result is put into a predetermined calculation formula and calculated.
  • Thermal response better than the thermal response of the 1 thermistor and the thermal response of the second thermistor, the temperature to be measured after the temperature change (in the gas or liquid in which the first and second thermistors are placed) Temperature) is detected (response compensation).
  • Non-Patent Document 1 As the first thermistor and the second thermistor, respectively, negative characteristic thermistors with lead wires (both JT thermistor and AT thermistor manufactured by SEMITEC) are used. A probe is configured in combination with the second thermistor. That is, in the temperature detection sensor disclosed in Non-Patent Document 1, one probe is produced by combining two thermistors each having a coating and different shapes.
  • Patent Document 1 Japanese Patent Laid-Open No. 10-332496
  • the temperature is measured by two thermistors of a first thermistor and a second thermistor having different thermal time constants (thermal responsiveness), and the heat of the first thermistor is measured.
  • a temperature detection sensor that detects a change in temperature with a thermal response superior to the response and the thermal response of the second thermistor is disclosed.
  • the temperature detection sensor disclosed in Patent Document 1 houses a first thermistor and a second thermistor in one case.
  • FIG. 14 shows a temperature detection sensor 1000 disclosed in Patent Document 1.
  • the temperature detection sensor 1000 includes a first thermistor 101 and a second thermistor 102, the first thermistor 101 is connected between the conductive path A and the conductive path C, and the first thermistor 101 is connected between the conductive path B and the conductive path C. Two thermistors 102 are connected. The first thermistor 101 and the second thermistor 102 are accommodated in the case 103. A heat conductive substance 104 is filled in the case 103 that houses the first thermistor 101 and the second thermistor 102.
  • the temperature detection sensor 1000 transmits the heat received by the case 103 to the first thermistor 101 and the second thermistor 102 via the thermal conductive material 104 and detects the temperature.
  • a thermal heat insulating material 105 is provided around the second thermistor 102, It is described that the thermal response speed should be slowed down.
  • Non-Patent Document 1 is a probe in which two thermistors with different shapes and different shapes are combined afterward to produce one probe, the reproducibility of characteristics is high. There was a problem of being bad. That is, when two thermistors are combined, there is a possibility that the respective thermal time constants may be shifted depending on the combination, and the thermal time constant of the first thermistor and the thermal time constant of the second thermistor are as designed. There is a problem that it is difficult to obtain the difference between the two with good reproducibility.
  • Non-Patent Document 1 is a combination of two thermistors coated with an element portion later, which is easily increased in size, requires a combination work, and is complicated to manufacture. was there.
  • the temperature detection sensor 1000 disclosed in Patent Document 1 has a problem that the first thermistor 101 and the second thermistor 102 are accommodated in the case 103, which is large, heavy, and complicated to manufacture. there were.
  • the temperature detection sensor 1000 disclosed in Patent Document 1 has the first thermistor 101 and the second thermistor 102 accommodated in the case 103, and therefore has thermal responsiveness due to the accommodation in the case 103. There was a problem that it worsened (the thermal time constant increased).
  • a temperature detection sensor includes a first conductive path, a second conductive path, and a second conductive path arranged side by side.
  • a first thermistor connected between the third conductive path, the first conductive path and the second conductive path, a second thermistor connected between the second conductive path and the third conductive path, It is assumed that the first thermistor and the second thermistor are sealed together or sealed separately.
  • a temperature detection sensor includes three or more conductive paths arranged side by side, a first thermistor connected between the two conductive paths, and the two conductive paths. And a second thermistor connected to the first thermistor and the first thermistor and the second thermistor, or a sealing resin that seals them separately, and is connected to the first thermistor. At least one of the conductive paths connected to the second thermistor has a plurality of conductive paths, and the first and second thermistors have different positions in the direction in which the plurality of conductive paths extend.
  • the first thermistor is mounted on the tip side of the second thermistor, the first thermistor and the second thermistor have the same characteristics, and the heat of the second thermistor after sealing with the sealing resin Time constant is first And smaller than the thermal time constant of the thermistor.
  • the first thermistor mounted on the leading end side of the conductive path transmits heat only from the conductive path on the root side
  • the second thermistor mounted on the root side of the conductive path is on the leading end side and the root side. Since heat is transferred from both conductive paths, the first thermistor and the second thermistor have the same characteristics when removed from the conductive path, but the thermal time constant of the second thermistor is the heat of the first thermistor. It is smaller than the time constant.
  • the plurality of conductive paths include a first conductive path, a second conductive path, and a third conductive path, the first thermistor is connected between the first conductive path and the second conductive path, and the second A thermistor may be connected between the second conductive path and the third conductive path.
  • the plurality of conductive paths includes a first conductive path, a second conductive path, a third conductive path, and a fourth conductive path
  • the first thermistor includes the first conductive path and the second conductive path.
  • the second thermistor may be connected between the third conductive path and the fourth conductive path.
  • the thickness of the sealing resin is different between the portion sealing the first thermistor and the portion sealing the second thermistor, and the thickness of the sealing resin in the portion sealing the first thermistor is The thickness of the sealing resin in the portion sealing the second thermistor can be larger. In this case, the difference between the thermal time constant of the first thermistor and the thermal time constant of the second thermistor can be further increased. In addition, the thickness of the sealing resin shall measure and compare the thickness of the part which shows the smallest value in the distance from the outer surface of the thermistor to the outer surface of the sealing resin.
  • the first thermistor and the second thermistor are sealed with separate sealing resins, respectively, and the sealing resin sealing the first thermistor is provided on the back side of the portion of the conductive path where the first thermistor is mounted.
  • the sealing resin that seals the second thermistor may not be provided on the back side of the portion of the conductive path where the second thermistor is mounted. That is, the first thermistor is provided with the sealing resin up to the back side of the portion of the conductive path where the first thermistor is mounted, and the follow-up to the external temperature is delayed.
  • the second thermistor is not provided with sealing resin on the back side of the portion where the second thermistor of the conductive path is mounted, and can absorb external heat at the back portion of the conductive path, And since the absorbed heat can be immediately transmitted to the second thermistor, it follows the external temperature very quickly. Therefore, with the above structure, the difference between the thermal time constant of the first thermistor and the thermal time constant of the second thermistor can be further increased.
  • the first thermistor and the second thermistor are negative characteristic thermistors.
  • the negative characteristic thermistor is more suitable for use in the temperature detection sensor of the present invention because the variation in temperature-resistance characteristic is smaller than the positive characteristic thermistor.
  • each of the plurality of conductive paths is mainly composed of Cu—Ni or Ni—Cr.
  • the material of these conductive paths is arbitrary.
  • Cu can be the main component.
  • the thermal conductivity is too high, and these conductive paths pass through these conductive paths. Heat may escape.
  • Cu—Ni or Ni—Cr is the main component, the thermal conductivity is lower than when Cu is the main component, and heat escapes through these conductive paths. It is because it can suppress.
  • sealing resin for example, an epoxy resin or a silicon resin can be used.
  • the core wire of the coated lead wire can be used as each of the plurality of conductive paths.
  • a temperature detection sensor that is easy to manufacture, easy to handle, and inexpensive can be provided.
  • a coating containing at least one resin selected from polyvinyl formal, polyurethane, polyamideimide, polyester, and nylon as a main component can be used for the covering of the coated lead wire. Since these resins can easily conduct heat, the core wire of the coated lead wire can absorb external heat with high efficiency via the coating.
  • the coating thickness of the coated lead wire is 100 ⁇ m or less.
  • the thickness of the coating increases, it becomes difficult for heat to be transferred from the outside of the coating to the inside of the coating, and the core wire of the coated lead wire hardly absorbs external heat via the coating, but the thickness of the coating is 100 ⁇ m or less.
  • the core wire of the coated lead wire can absorb external heat with high efficiency via the coating.
  • the plurality of coated lead wires are arranged side by side and joined to each other at least at a portion where the first thermistor and the second thermistor are connected.
  • the plurality of coated lead wires joined together constitute a coated lead wire group.
  • the first thermistor and the second thermistor are connected to the same side surface of the plurality of coated lead wires joined to each other. In this case, the temperature detection sensor can be easily manufactured.
  • the length of the two conductive paths connecting the first thermistor is longer than the length of at least one of the two conductive paths connecting the second thermistor. In this case, heat is transmitted to the first thermistor only through two conductive paths from the root side, whereas heat is transmitted to the second thermistor from three or four conductive paths from the root side. The difference between the thermal time constant of the thermistor and the thermal time constant of the second thermistor can be further increased.
  • a plurality of conductive paths can be formed on one strip-shaped resin substrate. Even in this case, a temperature detection sensor that is easy to manufacture, easy to handle, and inexpensive can be provided.
  • the resin base material has flexibility.
  • a temperature detection sensor of the present invention a first fixed resistor, a second fixed resistor, and a microcomputer are provided, and a first thermistor and a first fixed resistor are connected in series to form a first resistance voltage dividing circuit.
  • the second thermistor and the second fixed resistor are connected in series to form a second resistance voltage dividing circuit, and the connection point between the first thermistor and the first fixed resistance of the first resistance voltage dividing circuit is connected to the microcomputer.
  • the connection point between the second thermistor and the second fixed resistor of the second resistance voltage dividing circuit can be connected to a microcomputer to constitute a temperature detection device.
  • the temperature detection sensor of the present invention is formed by connecting the first thermistor and the second thermistor to the conductive paths arranged side by side, and sealing the first thermistor and the second thermistor with a sealing resin, Miniaturization is easy, weight reduction is easy, and manufacture is easy. Further, the temperature detection sensor of the present invention can easily set an accurate difference between the thermal time constant of the first thermistor and the thermal time constant of the second thermistor.
  • the temperature detection sensor of the present invention does not contain the first thermistor and the second thermistor in the case, the thermal responsiveness of the first thermistor and the second thermistor resulting from the accommodation in the case (when hot) There is no decrease in the constant).
  • FIG. 1A is a front view of the temperature detection sensor 100 according to the first embodiment.
  • 1B and 1C are exploded front views of the temperature detection sensor 100, respectively.
  • 4 is a graph showing temperature-resistance characteristic of the first thermistor 5 and the second thermistor 6 used in the temperature detection sensor 100.
  • 4 is a graph showing temperature changes of a first thermistor 5 and a second thermistor 6. And also it shows the thermal time constant X 2 of the thermal time constant X 1 and the second thermistor 6 of the first thermistor 5.
  • FIG. 5A is a graph showing temporal changes in the measured temperature.
  • FIG. 5B is a graph showing temporal changes in resistance values of the first thermistor 5 and the second thermistor 6.
  • FIG. 5C is a graph showing temporal changes in the divided voltages of the first voltage dividing circuit 10 and the second voltage dividing circuit 11.
  • FIG. 6A is a front view of the temperature detection sensor 300 according to the second embodiment. 6B and 6C are exploded front views of the temperature detection sensor 300, respectively.
  • FIG. 7A is a front view of a temperature detection sensor 400 according to the third embodiment. 7B and 7C are exploded front views of the temperature detection sensor 400, respectively.
  • FIG. 7D is a rear view of the temperature detection sensor 400.
  • FIG. 8A is a front view of a temperature detection sensor 500 according to the fourth embodiment.
  • FIG. 8B and 8C are exploded front views of the temperature detection sensor 500, respectively.
  • FIG. 9A is a front view of a temperature detection sensor 600 according to the fifth embodiment.
  • 9B and 9C are exploded front views of the temperature detection sensor 600, respectively. It is the graph explaining the thermal time constant.
  • FIG. 11A is a perspective view of a temperature detection sensor 700 according to the sixth embodiment.
  • FIG. 11B is an exploded perspective view of the temperature detection sensor 700.
  • FIG. 11C is a perspective view of the temperature detection sensor 700.
  • FIG. 11D is an exploded perspective view of the temperature detection sensor 700.
  • FIG. 7D is a rear view of the temperature detection sensor 700.
  • FIG. 12A is a perspective view of a temperature detection sensor 800 according to the seventh embodiment.
  • FIG. 12B is an exploded perspective view of the temperature detection sensor 800. It is a disassembled front view of the temperature detection sensor 900 concerning 8th Embodiment. It is sectional drawing which shows the temperature detection sensor 1000 disclosed
  • each embodiment shows an embodiment of the present invention by way of example, and the present invention is not limited to the content of the embodiment. Moreover, it is also possible to implement combining the content described in different embodiment, and the implementation content in that case is also included in this invention.
  • the drawings are for helping the understanding of the specification, and may be schematically drawn, and the drawn components or the ratio of dimensions between the components are described in the specification. There are cases where the ratio of these dimensions does not match.
  • the constituent elements described in the specification may be omitted in the drawings or may be drawn with the number omitted.
  • FIG. 1A to 1C show a temperature detection sensor 100 according to the first embodiment.
  • FIG. 1A is a front view of the temperature detection sensor 100.
  • FIG. 1B is an exploded front view of the temperature detection sensor 100 and shows a state in which the sealing resin 7 is omitted.
  • FIG. 1C is also an exploded front view of the temperature detection sensor 100, and shows a state in which the sealing resin 7, the first thermistor 5, and the second thermistor 6 are omitted.
  • the temperature detection sensor 100 includes a covered lead wire group 4 in which the first covered lead wire 1, the second covered lead wire 2, and the third covered lead wire 3 are joined.
  • the first covered lead wire 1 is made of a core wire 1a having a cover 1b.
  • the second coated lead wire 2 is formed by coating the core wire 2a with the coating 2b
  • the third coated lead wire 3 is formed by coating the core wire 3a with the coating 3b.
  • Core wires 1a to 3a each have Cu-Ni as a main component.
  • the material of the core wires 1a to 3a is arbitrary, and for example, Cu can be the main component. However, when Cu is the main component, the thermal conductivity is too high, and the core wires 1a to 3a pass through the core wires 1a to 3a. Heat may escape. Therefore, it is preferable that Cu—Ni or Ni—Cr, which has a lower thermal conductivity than Cu and has an appropriate thermal conductivity, be the main component of the core wires 1a to 3a.
  • the diameter of the cross section of the core wires 1a to 3a is preferably 0.1 mm or more. When the diameter of the cross section of the core wires 1a to 3a is reduced, the thermal conductivity is lowered. However, if the diameter of the cross section is 0.1 mm or more, sufficiently high thermal conductivity can be maintained.
  • the coverings 1b to 3b are made of enamel, for example.
  • the coatings 1b to 3b are mainly composed of at least one resin selected from, for example, polyvinyl formal, polyurethane, polyamideimide, polyester, and nylon. Since these resins can easily conduct heat, the core wires 1a to 3a can absorb external heat with high efficiency via the coatings 1b to 3b.
  • the coatings 1b to 3b preferably have a thickness of 100 ⁇ m or less.
  • the thickness of the coating increases, it becomes difficult for heat to be transferred from the outside of the coating to the inside of the coating, and the core wires 1a to 3a do not easily absorb external heat via the coatings 1b to 3b, but the thickness of the coating is 100 ⁇ m or less. This is because the core wires 1a to 3a can absorb external heat with high efficiency via the coatings 1b to 3b.
  • the covering 1b of the first covered lead wire 1 is peeled to expose the core wire 1a, and the covering 2b of the second covered lead wire 2 is exposed. Is peeled off to expose the core wire 2a. Further, at a portion slightly away from the tip of the covered lead wire group 4, the covering 2b of the second covered lead wire 2 is peeled off to expose the core wire 2a, and the covering 3b of the third covered lead wire 3 is peeled off. The core wire 3a is exposed.
  • the first thermistor 5 is mounted between the exposed core wire 1a and the core wire 2a
  • the second thermistor 6 is mounted between the exposed core wire 2a and the core wire 3a.
  • the first thermistor 5 is formed with electrodes at both ends, and these electrodes are respectively joined to the core wire 1a and the core wire 2a by a joining material made of solder, conductive adhesive or the like.
  • the second thermistor 6 has electrodes formed at both ends, and these electrodes are bonded to the core wire 2a and the core wire 3a by a bonding material made of solder, conductive adhesive, or the like.
  • the first thermistor 5 and the second thermistor 6 are arranged obliquely with respect to the direction in which the coated lead wire group 4 extends in order to effectively use the space.
  • the first thermistor 5 and the second thermistor 6 are both negative characteristic thermistors.
  • the first thermistor 5 and the second thermistor have the same resistance value of 10 k ⁇ at the reference temperature (25 ° C.), have the same B constant (25/50) 3380K, and have the same temperature-resistance characteristic. ing.
  • FIG. 2 shows the temperature-resistance value characteristics of the first thermistor 5 and the second thermistor 6.
  • the first thermistor 5 and the second thermistor 6 exhibit the same 10 k ⁇ at the reference temperature (25 ° C.), the resistance value decreases as the temperature increases, and the resistance value increases as the temperature decreases. .
  • the first thermistor and the second thermistor have equivalent characteristics that the resistance of the first thermistor at 25 ° C. measured with the sealing resin removed and removed from the conductive path.
  • the difference between the value and the resistance value of the second thermistor is within ⁇ 1.0%
  • the difference between the B constant of the first thermistor and the B constant of the second thermistor measured at 25 ° C. and 50 ° C. is ⁇ 1. It shall be the case where it is within 0%.
  • the first thermistor 5 and the second thermistor 6 mounted on the covered lead wire group 4 are sealed with a sealing resin 7.
  • the sealing resin 7 has a large thickness at a portion where the first thermistor 5 is sealed and a small thickness at a portion where the second thermistor 6 is sealed.
  • a thermosetting epoxy resin is used for the sealing resin 7.
  • the material of the sealing resin 7 is arbitrary, and silicon resin or the like may be used.
  • the first thermistor 5 and the second thermistor 6 after sealing with the sealing resin 7 have different thermal responsiveness. Specifically, the thermal time constant X 1 of the first thermistor 5 is about 3.5 seconds, the thermal time constant X 2 of the second thermistor 6 is about 3.0 seconds, the direction of the second thermistor 6 It has better thermal response than the first thermistor 5.
  • FIG. 3 shows the first thermistor 5 and the second thermistor 6 when the first thermistor 5 and the second thermistor 6 held at an arbitrary temperature T 0 are suddenly put in the temperature T 1. The temperature change of is shown. Further, in FIG. 3, it is shown together with the thermal time constant X 1 of the first thermistor 5, and a thermal time constant X 2 of the second thermistor 6.
  • the thermistor having the same characteristics is used, the following two reasons can be given as the reason why the second thermistor 6 is more excellent in thermal response than the first thermistor 5.
  • the first thermistor 5 and the second thermistor 6 may be mounted at different positions in the direction in which the covered lead wire group 4 extends. Specifically, the first thermistor 5 is mounted in the vicinity of the distal end (front end side) of the coated lead wire group 4, whereas the second thermistor 6 is a part slightly away from the distal end of the coated lead wire group 4. It is implemented on the root side.
  • the external temperature is not only transmitted to the first thermistor 5 and the second thermistor 6 via the sealing resin 7, but also the core wire 1a of the first coated lead wire 1, the core wire 2a of the second coated lead wire 2, and the third coating.
  • the second thermistor 6 has a portion P (see FIGS. 1A to 1C) in which the covered lead wire group 4 is led out from the sealing resin 7 more than the first thermistor 5. Since the second thermistor 6 is mounted nearby, the second thermistor 6 can receive heat transmitted from the outside via the core wire 1 a, the core wire 2 a, and the core wire 3 a earlier than the first thermistor 5. This is also considered to be a factor that the second thermistor 6 is more excellent in thermal response than the first thermistor 5.
  • the first thermistor 5 mounted on the distal end side of the covered lead wire group 4 can only transmit heat from the covered lead wire group 4 on the base side, whereas the first thermistor 5 of the covered lead wire group 4
  • the second thermistor 6 mounted on the base side receives heat from both the leading end side and the base side covered lead wire group 4, so that the second thermistor 6 receives more heat than the first thermistor 5. it can. This is also considered to be a factor that the second thermistor 6 is more excellent in thermal response than the first thermistor 5.
  • the second reason is that the thickness of the sealing resin 7 is large at the portion where the first thermistor 5 is sealed and small at the portion where the second thermistor 6 is sealed. Since the thickness of the sealing resin 7 is large at the portion where the first thermistor 5 is sealed, the first thermistor 5 is considered to be inferior in thermal responsiveness due to a delay in following the external temperature. On the other hand, since the thickness of the sealing resin 7 is small at the portion where the second thermistor 6 is sealed, the second thermistor 6 can quickly follow the external temperature and has excellent responsiveness. Conceivable.
  • the first thermistor 5 and the second thermistor 6 have different thermal responsiveness (thermal time constant).
  • the temperature detection sensor 100 is compact, easy to handle, and highly practical due to the adoption of the above structure.
  • the temperature detection sensor 100 connects the first thermistor 5 and the second thermistor 6 to the conductive paths (covered lead wire group 4) arranged side by side, and the first thermistor and the second thermistor are sealed with resin. Since it is sealed at 7, no cover or complicated wiring structure is required.
  • the temperature detection sensor 100 can be manufactured, for example, by the following method.
  • a coated lead wire group 4 is prepared.
  • the coating 1b of the first coated lead wire 1 is peeled to expose the core wire 1a
  • the coating 2b of the second coated lead wire 2 is peeled to expose the core wire 2a.
  • the coating 2b of the second coated lead wire 2 is peeled to expose the core wire 2a
  • the coating 3b of the third coated lead wire 3 is peeled to peel off the core wire. Expose 3a.
  • the first thermistor 5 is joined to the exposed core wires 1a and 2a, and the second thermistor 6 is joined to the exposed core wires 2a and 3a.
  • the portion of the covered lead wire group 4 where the first thermistor 5 and the second thermistor 6 are mounted is dipped in a liquid epoxy resin in a resin tank and pulled up, so that the first thermistor 5 and the second thermistor 5 A sealing resin 7 is attached around 6.
  • the adhered epoxy resin hangs down naturally, and the sealing resin 7 increases in thickness at the portion where the first thermistor 5 is sealed, and decreases in thickness at the portion where the second thermistor 6 is sealed.
  • the first thermistor 5 is mounted. It is also possible to immerse the first thermistor 5 and the second thermistor 6 in the epoxy resin again after first immersing only the portion that is in the epoxy resin.
  • FIG. 4 is an equivalent circuit diagram of the temperature detection device 200.
  • the temperature detection device 200 includes the temperature detection sensor 100 according to the first embodiment including the first thermistor 5 and the second thermistor 6.
  • the temperature detection device 200 includes a first fixed resistor 8 and a second fixed resistor 9.
  • the resistance values of the first fixed resistor 8 and the second fixed resistor 9 were both 10 k ⁇ .
  • the first fixed resistor 8 and the first thermistor 5 are connected in series to constitute the first voltage dividing circuit 10.
  • the second fixed resistor 9 and the second thermistor 6 are connected in series to constitute a second voltage dividing circuit 11.
  • the temperature detection device 200 includes a power supply 12.
  • the power supply 12 supplies DC 3V to the first voltage dividing circuit 10 and the second voltage dividing circuit 11, respectively.
  • the first thermistor 5 exhibits a resistance value of 10 k ⁇ at the reference temperature of 25 ° C. Further, as described above, the resistance value of the first fixed resistor 8 is 10 k ⁇ . Therefore, the divided voltage of the first voltage dividing circuit 10 shows 1.5 V when the temperature of the first thermistor 5 is 25 ° C. And if the temperature of the 1st thermistor 5 rises from 25 degreeC and the resistance value of the 1st thermistor 5 falls, the divided voltage of the 1st voltage dividing circuit 10 will fall. Conversely, when the temperature of the first thermistor 5 falls from 25 ° C. and the resistance value of the first thermistor 5 rises, the divided voltage of the first voltage dividing circuit 10 rises.
  • the second thermistor 6 exhibits a resistance value of 10 k ⁇ at a reference temperature of 25 ° C.
  • the resistance value of the second fixed resistor 9 is 10 k ⁇ . Therefore, the divided voltage of the second voltage dividing circuit 11 shows 1.5 V when the temperature of the second thermistor 6 is 25 ° C. And if the temperature of the 2nd thermistor 6 rises from 25 degreeC and the resistance value of the 2nd thermistor 6 falls, the divided voltage of the 2nd voltage dividing circuit 11 will fall. Conversely, when the temperature of the second thermistor 6 falls from 25 ° C. and the resistance value of the second thermistor 6 rises, the divided voltage of the second voltage dividing circuit 11 rises.
  • the temperature detection device 200 includes a microcomputer 50.
  • a connection point between the first fixed resistor 8 of the first voltage dividing circuit 10 and the first thermistor 5 is connected to the microcomputer 50. Further, a connection point between the second fixed resistor 9 of the second voltage dividing circuit 11 and the second thermistor 6 is connected to the microcomputer 50.
  • the microcomputer 50 measures the divided voltage of the first voltage dividing circuit 10 constantly or at regular time intervals, detects the resistance value of the first thermistor 5 from the divided voltage, and further detects the resistance of the first thermistor 5. The temperature of the first thermistor 5 is detected from the resistance value. Similarly, the microcomputer 50 measures the divided voltage of the second voltage dividing circuit 11 constantly or at regular time intervals, detects the resistance value of the second thermistor 6 from the divided voltage, and further detects the second resistance value. The temperature of the second thermistor 6 is detected from the resistance value of the thermistor 6.
  • the microcomputer 50 processes the obtained information about the first thermistor 5 and the second thermistor 6, and has a thermal response superior to the thermal response of the first thermistor 5 and the thermal response of the second thermistor 6,
  • the temperature to be measured (temperature in the gas or liquid in which the sealing resin 7 portion of the temperature detection sensor 100 is disposed) is detected (response compensation).
  • FIG. 5A is a graph showing temporal changes in the measured temperature (temperature in the gas or liquid in which the sealing resin 7 portion of the temperature detection sensor 100 is disposed).
  • FIG. 5B is a graph showing temporal changes in resistance values of the first thermistor 5 and the second thermistor 6.
  • FIG. 5C is a graph showing temporal changes in the divided voltages of the first voltage dividing circuit 10 and the second voltage dividing circuit 11.
  • FIG. 5B also shows a temporal change in the correction resistance value derived by the information processing of the microcomputer 50.
  • FIG. 5C also shows temporal changes in the voltage difference between the divided voltage of the first voltage dividing circuit 10 and the divided voltage of the second voltage dividing circuit 11.
  • Sealing resin 7 parts of the temperature detection sensor 100 is placed in the measurement temperature of the temperature t a, after a certain period of time, temperature and the temperature of the second thermistor 6 of the first thermistor 5 is approximate to the temperature t a And stabilize. As a result, the resistance value of the first thermistor 5 and the resistance value of the second thermistor 6 are stabilized, and the divided voltage of the first voltage dividing circuit 10 and the divided voltage of the second voltage dividing circuit 11 are stabilized.
  • the temperature of the first thermistor 5 and the temperature of the second thermistor 6 increase following the measured temperature t b , respectively.
  • the second thermistor 6 is superior in thermal response (thermal time constant) to the first thermistor 5, the temperature of the second thermistor 6 rises faster than the first thermistor 5.
  • the divided voltage of the first voltage dividing circuit 10 and the divided voltage of the second voltage dividing circuit 11 are A voltage difference shown in FIG.
  • the microcomputer 50 calculates the correction resistance value shown in FIG. 5B from the voltage difference shown in FIG.
  • the microcomputer 50 From the temporal change in the correction resistance value shown in FIG. 5B, the microcomputer 50 has a thermal response that is superior to the thermal response of the first thermistor 5 and the thermal response of the second thermistor 6, and the measured temperature t. b is detected (response compensation).
  • the thermal time constant X 1 of the first thermistor 5 is about 3.5 seconds
  • the thermal time constant X 2 of the second thermistor 6 is about 3.0 seconds
  • the time constant X 200 is about 0.5 seconds
  • the temperature detection device 200 has an excellent thermal response.
  • the temperature detection device 200 according to the first embodiment having excellent thermal responsiveness can be manufactured.
  • FIG. 6A to 6C show a temperature detection sensor 300 according to the second embodiment.
  • FIG. 6A is a front view of the temperature detection sensor 300.
  • FIG. 6B is an exploded front view of the temperature detection sensor 300, and shows a state where the sealing resin 7 is omitted.
  • FIG. 6C is also an exploded front view of the temperature detection sensor 300, and shows a state in which the sealing resin 7, the first thermistor 5, and the second thermistor 6 are omitted.
  • the temperature detection sensor 300 a part of the configuration of the temperature detection sensor 100 according to the first embodiment is changed. Specifically, in the temperature detection sensor 100, the lengths of the first covered lead wire 1, the second covered lead wire 2, and the third covered lead wire 3 constituting the covered lead wire group 4 were all the same. In the temperature detection sensor 300, the length of the third covered lead wire 13 constituting the covered lead wire group 14 is shorter than the length of the first covered lead wire 1 and the length of the second covered lead wire 2. Other configurations of the temperature detection sensor 300 are the same as those of the temperature detection sensor 100.
  • the temperature detection sensor 300 does not conduct heat from the outside to the first thermistor 5 via the core wire 13a of the third coated lead wire 13, the first thermistor 5 and the second thermistor 6 than the temperature detection sensor 100.
  • the difference in thermal responsiveness (thermal time constant) is large.
  • FIG. 7A to 7C show a temperature detection sensor 400 according to the third embodiment.
  • FIG. 7A is a front view of the temperature detection sensor 400.
  • FIG. 7B is an exploded front view of the temperature detection sensor 400, and shows a state in which the sealing resins 27a and 27b are omitted.
  • FIG. 7C is also an exploded front view of the temperature detection sensor 400, and shows a state in which the sealing resins 27a and 27b, the first thermistor 5 and the second thermistor 6 are omitted.
  • FIG. 7D is a rear view of the temperature detection sensor 400.
  • the temperature detection sensor 400 according to the third embodiment also changes a part of the configuration of the temperature detection sensor 100 according to the first embodiment. Specifically, in the temperature detection sensor 100, both the first thermistor 5 and the second thermistor 6 are collectively sealed by the sealing resin 7, but in the temperature detection sensor 400, the sealing resin 27a is used. The first thermistor 5 was sealed, and the second thermistor 6 was sealed with a sealing resin 27b. In addition, the thickness of the sealing resin 27a was made larger than the thickness of the sealing resin 27b. Other configurations of the temperature detection sensor 400 are the same as those of the temperature detection sensor 100.
  • the sealing resin 27a and the sealing resin 27b are also formed on the back side.
  • first thermistor 5 and the second thermistor 6 are sealed together with one sealing resin, and the first thermistor 5 and the second thermistor 6 are sealed with the two sealing resins 27a and 27b. And may be sealed separately.
  • the second thermistor 6 includes a conductive path (covered lead wire group 4) closer to the base than the sealing resin 27b and a conductive path between the sealing resin 27a and the sealing resin 27b. Can absorb heat from both.
  • the first thermistor 5 can absorb heat only from the conductive path between the sealing resin 27a and the sealing resin 27b.
  • the difference between the thermal time constant of the first thermistor 5 and the thermal time constant of the second thermistor 6 is also large due to this difference.
  • FIGS. 8A to 8C show a temperature detection sensor 500 according to the fourth embodiment.
  • FIG. 8A is a front view of the temperature detection sensor 500.
  • FIG. 8B is an exploded front view of the temperature detection sensor 500 and shows a state in which the sealing resin 7 is omitted.
  • FIG. 8C is also an exploded front view of the temperature detection sensor 500, and shows a state in which the sealing resin 7, the first thermistor 5, and the second thermistor 6 are omitted.
  • the temperature detection sensor 500 according to the fourth embodiment is also changed in part of the configuration of the temperature detection sensor 100 according to the first embodiment. Specifically, in the temperature detection sensor 100, the first thermistor 5 and the second thermistor 6 are respectively arranged obliquely with respect to the direction in which the coated lead wire group 4 extends. The small first thermistor 35 and the second thermistor 36 were used, and the first thermistor 35 and the second thermistor 36 were respectively arranged in the direction perpendicular to the extending direction of the covered lead wire group 4. Other configurations of the temperature detection sensor 500 are the same as those of the temperature detection sensor 100.
  • FIG. 9A to 9C show a temperature detection sensor 600 according to the fifth embodiment.
  • FIG. 9A is a front view of the temperature detection sensor 600.
  • FIG. 9B is an exploded front view of the temperature detection sensor 600 and shows a state in which the sealing resin 7 is omitted.
  • FIG. 9C is also an exploded front view of the temperature detection sensor 600, and shows a state in which the sealing resin 7, the first thermistor 45, and the second thermistor 46 are omitted.
  • a part of the configuration of the temperature detection sensor 100 according to the first embodiment is changed. Specifically, in the temperature detection sensor 100, the covered lead wire group 4 in which the first covered lead wire 1, the second covered lead wire 2, and the third covered lead wire 3 are joined is used. Instead, a strip-shaped lower resin base material 41a and a strip-shaped upper resin base material 41b were used.
  • a first conductive path 51a, a second conductive path 52a, and a third conductive path 53a are formed on the upper main surface of the lower resin base material 41a.
  • the first conductive path 51a, the second conductive path 52a, and the third conductive path 53a are partially exposed on the upper main surface of the lower resin base 41a, and the upper resin base 41b is adhered. Yes.
  • Both the lower resin base material 41a and the upper resin base material 41b have flexibility.
  • the small 1st thermistor 45 is connected between the 1st conductive path 51a and the 2nd conductive path 52a exposed from the upper side resin base material 41b. Further, a small second thermistor 46 is connected between the second conductive path 52a and the third conductive path 53a exposed from the upper resin base material 41b.
  • Other configurations of the temperature detection sensor 600 are the same as those of the temperature detection sensor 100.
  • the flexible lower resin base 41a and the upper side A resin base material 41b can also be used.
  • FIGS. 11A to 11E show a temperature detection sensor 700 according to the sixth embodiment.
  • FIG. 11A is a perspective view of the temperature detection sensor 700 as viewed from above.
  • FIG. 11B is an exploded perspective view of the temperature detection sensor 700 as viewed from above, and shows a state in which the sealing resins 77a and 77b are omitted.
  • FIG. 11C is a perspective view of the temperature detection sensor 700 as viewed from below.
  • FIG. 11D is an exploded perspective view of the temperature detection sensor 700 viewed from below, and shows a state in which the sealing resins 77a and 77b are omitted.
  • FIG. 11E is a rear view of the temperature detection sensor 700.
  • the sealing resin 27b for sealing the second thermistor 6 is provided up to the back side of the portion where the second thermistor 6 of the coated lead wire group 4 is mounted. In the temperature detection sensor 700, this is changed, and as can be seen from FIGS. 11C to 11E, the sealing resin 77b for sealing the second thermistor 6 is replaced by the second thermistor 6 of the covered lead wire group 4. It was not provided on the back side of the mounted part.
  • the sealing resin 77 b is not provided on the back side of the portion where the second thermistor 6 of the coated lead wire group 4 is mounted, and the coated lead wire group 4 is externally heated at the back portion. Can be absorbed, and the absorbed heat can be immediately transmitted to the second thermistor 6, so that the second thermistor 6 can follow the external temperature more quickly.
  • the sealing resin 77 a that seals the first thermistor 5 is a portion on which the first thermistor 5 of the covered lead wire group 4 is mounted, like the sealing resin 27 a of the temperature detection sensor 400. It is also provided on the back side.
  • the thermal time constant of the second thermistor 6 after being coated with the sealing resin 77b is further reduced, and the thermal time constant of the first thermistor and the thermal time constant of the second thermistor are reduced. The difference is even greater.
  • FIGS. 12A and 12B show a temperature detection sensor 800 according to the seventh embodiment.
  • FIG. 12A is a perspective view of the temperature detection sensor 800 as viewed from above.
  • FIG. 12B is an exploded perspective view of the temperature detection sensor 800 as viewed from above, and shows a state in which the sealing resins 87a and 87b are omitted.
  • the temperature detection sensor 800 according to the seventh embodiment is further modified from the temperature detection sensor 700 according to the sixth embodiment. Specifically, in the temperature detection sensor 700, the first covered lead wire 1, the second covered lead wire 2, and the third covered lead wire 3 constituting the covered lead wire group 4 have the same length. The detection sensor 800 changes this so that the length of the third covered lead wire 83 constituting the covered lead wire group 84 is shorter than that of the first covered lead wire 1 and the second covered lead wire 2. Further, the first thermistor 85 and the second thermistor 86 of the temperature detection sensor 800 are smaller than the first thermistor 5 and the second thermistor 6 of the temperature detection sensor 700, respectively.
  • the sealing resin 87b for sealing the second thermistor 86 is not provided on the back side of the portion of the covered lead wire group 84 where the second thermistor 86 is mounted. Also in the temperature detection sensor 800, the sealing resin 87 a that seals the first thermistor 85 is also provided on the back side of the portion of the covered lead wire group 84 where the first thermistor 85 is mounted.
  • the sealing resin 87 b for sealing the second thermistor 86 is replaced with the temperature detection sensor 700. It was made smaller than the sealing resin 77b.
  • the sealing resin 87a that seals the first thermistor 85 is the same size as the sealing resin 77a of the temperature detection sensor 700, and is not made small.
  • the temperature detection sensor 800 reduces the amount of heat received by the first thermistor 85 compared to the temperature detection sensor 700 by shortening the length of the third covered lead wires 83 that constitute the covered lead wire group 84.
  • the thermal time constant of the first thermistor 85 is increased. That is, since heat is transmitted only to the first thermistor 85 by the two first covered lead wires 1 and the second covered lead wire 2, it is difficult for the first thermistor 85 to transfer heat.
  • the temperature detection sensor 800 has a smaller thermal time constant of the second thermistor 86 than the temperature detection sensor 700 due to the smaller sealing resin 87b. That is, a large amount of heat is transmitted to the second thermistor 86 via the sealing resin 87b. Therefore, the temperature detection sensor 800 has a larger difference between the thermal time constant of the first thermistor and the thermal time constant of the second thermistor than the temperature detection sensor 700.
  • FIG. 12 shows a temperature detection sensor 900 according to the eighth embodiment.
  • FIG. 12 is an exploded front view of the temperature detection sensor 900 and shows a state in which the sealing resin 7 is omitted.
  • the temperature detection sensor 900 according to the eighth embodiment is a part of the configuration of the temperature detection sensor 100 according to the first embodiment.
  • the covered lead wire group 4 is composed of three wires, a first covered lead wire 1, a second covered lead wire 2, and a third covered lead wire 3.
  • the temperature detection sensor 900 changes this, and the covered lead wire group 95 is composed of four wires of the first covered lead wire 1, the second covered lead wire 2, the third covered lead wire 3, and the fourth covered lead wire 94. did.
  • the first thermistor 5 was connected to the first covered lead wire 1 and the second covered lead wire 2
  • the second thermistor 6 was connected to the third covered lead wire 3 and the fourth covered lead wire 94.
  • the number of conductive paths of the temperature detection sensor of the present invention is arbitrary, and may be three, four, or even more.
  • the temperature detection sensor 100 according to the first embodiment, the temperature detection device 200 according to the first embodiment, the temperature detection sensors 300, 400, 500, 600, 700, 800 according to the second to eighth embodiments. 900 has been described.
  • the present invention is not limited to the contents described above, and various modifications can be made in accordance with the spirit of the invention.
  • the first thermistor 5, 35, 45, 85 and the second thermistor 6, 36, 46, 86 are used as the reference. Those having the same resistance value at temperature, having the same B constant, and having the same temperature-resistance value characteristics were used, but the first thermistor 5, 35, 45, 85 and the second thermistor 6 were used. , 36, 46, 86 may be different from each other.
  • the first thermistors 5, 35, 45, and 85 and the second thermistors 6, 36, 46, and 86 are negative.
  • a positive characteristic thermistor may be used instead.
  • the temperature detection sensors 100, 300, 400, 500, 600, 700, 800, and 900 include first thermistors 5, 35, 45, and 85 and second thermistors 6, 36, 46, and 86, respectively. However, in addition to these, a third thermistor or a larger number of thermistors may be provided.
  • first voltage dividing circuit 11 second Voltage divider circuit 12 ... Power source 41a ... Lower resin base material 41b ; Upper resin base material 50 ... Microcomputer 51a ... First conductive path 52a ... Second conductive path 53a ... Third conductive path 100, 300, 400, 500, 600, 700, 800, 900 ... temperature detection sensor 200 ... temperature detection device

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Abstract

２つのサーミスタを備えた、コンパクトで取扱いやすく、安価で、実用性の高い温度検知センサを提供する。　並んで配置された、芯線１ａ、芯線２ａ、芯線３ａと、芯線１ａと芯線２ａとの間に接続された第１サーミスタ５と、芯線２ａと芯線３ａとの間に接続された第２サーミスタ６と、第１サーミスタ５および第２サーミスタ６を一括して封止する封止樹脂７と、を備えたものとする。第１サーミスタ５と第２サーミスタ６とは、基準温度において同一の抵抗値を示し、同一の温度-抵抗値特性を備える。

Description

温度検知センサおよび温度検知装置
　本発明は、温度検知センサに関し、さらに詳しくは、第１サーミスタと第２サーミスタとの２つのサーミスタを備えた、温度検知センサに関する。
　また、本発明は、本発明の温度検知センサを使用した温度検知装置に関する。
　サーミスタを用いた温度検知センサが、簡易でありながら、精度の高い温度センサとして、広く使用されている。
　サーミスタは、それぞれ、固有の温度-抵抗値特性を有し、自身の温度が変化すると抵抗値が変化する。負特性サーミスタは温度が上昇すると抵抗値が減少し、正特性サーミスタは温度が上昇すると抵抗値が上昇する。
　たとえば、固定抵抗とサーミスタとを直列に接続して抵抗分圧回路を構成し、抵抗分圧回路に所定の電圧を印加したうえで、固定抵抗とサーミスタとの接続点の電圧をマイコンなどで測定すれば、サーミスタの温度を検知することができる。すなわち、サーミスタの温度が変化すると、サーミスタの抵抗値が変化し、サーミスタの抵抗値が変化すると、抵抗分圧回路の固定抵抗とサーミスタとの接続点の電圧が変化するため、固定抵抗とサーミスタとの接続点の電圧をマイコンなどで測定することにより、サーミスタの温度を検知することができる。
　しかしながら、サーミスタを用いた温度検知センサには、熱応答性が高くないという問題点がある。熱応答性とは、ある温度のサーミスタを、急に、別の温度の中に入れた時に、サーミスタが別の温度になり、別の温度に対応した抵抗値になるまでの早さをいう。サーミスタを用いた温度検知センサは、熱電対を用いた温度検知センサなどと比較すると、熱応答性は高くない。
　サーミスタの熱応答性を示す指標として、熱時定数がある。熱時定数とは、図１０に示すように、ある任意の温度Ｔ０に保持されているサーミスタを、急に、温度Ｔ１の中に入れた時に、サーミスタが、温度Ｔ０と温度Ｔ１の温度差の６３．２％に達するまでの時間をいう。熱時定数が小さいほど熱応答性は高く、熱時定数が大きいほど熱応答性は低い。
　上述したように、サーミスタを用いた温度検知センサは熱応答性が高くないが、それを補う技術が、種々、研究、開発されている。
　たとえば、非特許文献１（日本機会学会論文集69巻678号(2003-2)「汎用温度センサの応答補償」）には、熱時定数（熱応答性）の異なる２つのサーミスタを用意し、温度を２つのサーミスタで同時に測定することにより、熱応答性を向上させる技術が開示されている。
　熱時定数の異なる２つのサーミスタで被測定物の温度（２つのサーミスタが配置された気体中や液体中の温度）を測定した場合、測定を開始した直後は、２つのサーミスタの抵抗値は異なる値を示すが、時間の経過に伴って、２つのサーミスの抵抗値は同じ値を示すようになる。
　非特許文献１に開示された技術では、熱時定数の異なる第１サーミスタと第２サーミスタとの２つのサーミスタで温度を測定し、測定結果を所定の計算式に入れて計算することにより、第１サーミスタの熱応答性および第２サーミスタの熱応答性よりも優れた熱応答性で、温度が変化した後の被測定温度（第１サーミスタと第２サーミスタとが配置された気体中や液体中の温度）を検知（応答補償）するようにしている。
　非特許文献１に開示された技術では、第１サーミスタおよび第２サーミスタとして、それぞれ、リード線付の負特性サーミスタ（いずれもＳＥＭＩＴＥＣ社製のＪＴサーミスタとＡＴサーミスタ）を使用し、第１サーミスタと第２サーミスタとを組み合わせて、プローブを構成している。つまり、非特許文献１に開示された温度検知センサは、それぞれに被膜が施された、形状が異なる２つのサーミスタを組み合わせて１つのプローブを作製している。
　また、特許文献１（特開平１０-３３２４９６号公報）にも、熱時定数（熱応答性）の異なる第１サーミスタと第２サーミスタとの２つのサーミスタで温度を測定し、第１サーミスタの熱応答性および第２サーミスタの熱応答性よりも優れた熱応答性で温度の変化を検知する温度検知センサが開示されている。
　特許文献１に開示された温度検知センサは、第１サーミスタと第２サーミスタとを、１つのケースに収容している。図１４に、特許文献１に開示された温度検知センサ１０００を示す。
　温度検知センサ１０００は、第１サーミスタ１０１と第２サーミスタ１０２とを備え、導電路Ａと導電路Ｃとの間に第１サーミスタ１０１が接続され、導電路Ｂと導電路Ｃとの間に第２サーミスタ１０２が接続されている。第１サーミスタ１０１と第２サーミスタ１０２は、ケース１０３の内部に収容されている。そして、第１サーミスタ１０１と第２サーミスタ１０２を収容したケース１０３の内部に、熱導電性物質１０４が充填されている。
　温度検知センサ１０００は、ケース１０３で受けた熱を、熱導電性物質１０４を経由して、第１サーミスタ１０１と第２サーミスタ１０２とに伝え、温度を検知する
　なお、温度検知センサ１０００において、第１サーミスタ１０１と第２サーミスタ１０２との熱時定数を異ならせるためには、たとえば、第２サーミスタ１０２の周囲に熱断熱材１０５を設け、第２サーミスタ１０２の熱応答速度を遅くすればよい旨が記載されている。
特開平１０-３３２４９６号公報
日本機会学会論文集69巻678号(2003-2)「汎用温度センサの応答補償」（田川正人他）
　しかしながら、非特許文献１に開示された温度検知センサは、それぞれに被膜が施された、形状が異なる２つのサーミスタを後から組み合わせて１つのプローブを作製したものであるため、特性の再現性が悪いという問題があった。すなわち、２つのサーミスタを組み合わせるときに、その組み合わせ具合により、それぞれの熱時定数にずれが発生する虞があり、第１サーミスタの熱時定数と第２サーミスタの熱時定数とに、設計したとおりの差を再現性良く得ることが難しいという問題があった。
　また、非特許文献１に開示された温度検知センサは、素子部分が被膜された２つのサーミスタを後から組み合わせたものであり、大型化しやすく、組み合わせの作業が必要で製造が煩雑であるという問題があった。
　一方、特許文献１に開示された温度検知センサ１０００は、第１サーミスタ１０１と第２サーミスタ１０２とをケース１０３内に収容したものであるため、大きくて、重く、製造が煩雑であるという問題があった。また、特許文献１に開示された温度検知センサ１０００は、第１サーミスタ１０１と第２サーミスタ１０２とをケース１０３に収容しているため、ケース１０３に収容したことに起因して、熱応答性が悪くなる（熱時定数が大きくなる）という問題があった。
　本発明は、上述した従来の問題を解決するためになされたものであり、本発明の一実施態様にかかる温度検知センサは、並んで配置された、第１導電路と、第２導電路と、第３導電路と、第１導電路と第２導電路との間に接続された第１サーミスタと、第２導電路と第３導電路との間に接続された第２サーミスタと、第１サーミスタおよび第２サーミスタを、一括して封止する、または、別々に封止する、封止樹脂と、を備えたものとする。
　また、本発明の別の実施態様にかかる温度検知センサは、並んで配置された３本以上の導電路と、２つの導電路の間に接続された第１サーミスタと、２つの導電路の間に接続された第２サーミスタと、第１サーミスタおよび第２サーミスタを、一括して封止する、または、別々に封止する、封止樹脂と、を備え、第１サーミスタに接続される導電路のうち少なくとも１本は、第２サーミスタに接続される導電路とは異なり、複数の導電路は先端を有し、第１サーミスタと第２サーミスタとが、複数の導電路が伸びる方向において異なる位置に実装され、第１サーミスタが第２サーミスタよりも先端側に実装され、第１サーミスタと第２サーミスタとが同等の特性を有し、封止樹脂で封止した後における、第２サーミスタの熱時定数が第１サーミスタの熱時定数よりも小さいものとする。
　すなわち、導電路の先端側に実装された第１サーミスタは、根元側の導電路からしか熱が伝わらないのに対し、導電路の根元側に実装された第２サーミスタは先端側と根元側の両方の導電路から熱が伝わるため、第１サーミスタと第２サーミスタとは、導電路から取外した場合に特性が同じであるにもかかわらず、第２サーミスタの熱時定数が第１サーミスタの熱時定数よりも小さくなっている。
　複数の導電路が、第１導電路と、第２導電路と、第３導電路とで構成され、第１サーミスタが、第１導電路と第２導電路との間に接続され、第２サーミスタが、第２導電路と第３導電路との間に接続されたものとすることができる。
　あるいは、複数の導電路が、第１導電路と、第２導電路と、第３導電路、第４導電路とで構成され、第１サーミスタが、第１導電路と第２導電路との間に接続され、第２サーミスタが、第３導電路と第４導電路との間に接続されたものとすることができる。
　封止樹脂の厚みが、第１サーミスタを封止している部分と、第２サーミスタを封止している部分とで異なり、第１サーミスタを封止している部分の封止樹脂の厚みが、第２サーミスタを封止している部分の封止樹脂の厚みよりも大きいものとすることができる。この場合には、第１サーミスタの熱時定数と第２サーミスタの熱時定数との差を、さらに大きくすることができる。なお、封止樹脂の厚みは、サーミスタの外表面から、封止樹脂の外表面までの距離の中で、最も小さい値を示す部分の厚みを測定し、比較するものとする。
　第１サーミスタと第２サーミスタとが、それぞれ、別々の封止樹脂によって封止され、第１サーミスタを封止した封止樹脂が、導電路の第１サーミスタを実装した部分の背面側にまで設けられているのに対し、第２サーミスタを封止した封止樹脂が、導電路の第２サーミスタを実装した部分の背面側には設けられていないものとすることができる。すなわち、第１サーミスタは、導電路の第１サーミスタを実装した部分の背面側にまで封止樹脂が設けられており、外部温度に対する追随が遅れる。これに対し、第２サーミスタは、導電路の第２サーミスタを実装した部分の背面側に封止樹脂が設けられておらず、導電路の当該背面部分で外部の熱を吸熱することができ、かつ、その吸熱した熱を直ちに第２サーミスタに伝えることができるため、外部温度に極めて素早く追随する。したがって、上記の構造にすれば、第１サーミスタの熱時定数と第２サーミスタの熱時定数との差を、さらに大きくすることができる。
　第１サーミスタと第２サーミスタとが、負特性サーミスタであることが好ましい。一般に、正特性サーミスタよりも、負特性サーミスタの方が、温度-抵抗値特性のばらつきが小さいため、本発明の温度検知センサに使用するのに適しているからである。
　複数の導電路が、それぞれ、Ｃｕ-Ｎｉ、または、Ｎｉ-Ｃｒを主成分としていることが好ましい。これらの導電路の材質は任意であり、たとえばＣｕを主成分とすることも可能であるが、Ｃｕを主成分とした場合には、熱伝導率が高過ぎて、これらの導電路を経由して熱が逃げてしまう虞がある。これに対し、Ｃｕ-ＮｉやＮｉ-Ｃｒを主成分とした場合には、熱伝導率がＣｕを主成分とした場合よりも低くなり、これらの導電路を経由して熱が逃げてしまうことを抑制できるからである。
　封止樹脂としては、たとえば、エポキシ樹脂やシリコン樹脂を使用することができる。
　複数の導電路として、それぞれ、被覆リード線の芯線を使用することができる。この場合には、製造が容易で、取扱いやすく、安価な温度検知センサを提供することができる。
　なお、この場合において、被覆リード線の被覆には、ポリビニルホルマール、ポリウレタン、ポリアミドイミド、ポリエステル、ナイロンから選ばれる少なくとも１種の樹脂を主成分としたものを使用することができる。これらの樹脂であれば熱を通しやすいため、被覆リード線の芯線は被覆を経由して外部の熱を高効率で吸熱することができる。
　そして、被覆リード線の被覆の厚みは、１００μｍ以下であることが好ましい。被覆の厚みが大きくなると、被覆の外側から被覆の内側に熱が伝わりにくくなり、被覆リード線の芯線が被覆を経由して外部の熱を吸熱しにくくなるが、被覆の厚みが１００μｍ以下であれば、被覆リード線の芯線が被覆を経由して外部の熱を高効率で吸熱することができる。
　なお、この場合において、複数の被覆リード線が、並んで配置され、かつ、少なくとも第１サーミスタと第２サーミスタとが接続されている部分において相互に接合されることが好ましい。接合された複数の被覆リード線は、被覆リード線群を構成する。
　また、第１サーミスタおよび第２サーミスタが、相互に接合された複数の被覆リード線の同一側の面に接続されることが好ましい。この場合には、温度検知センサの製造が容易になる。
　また、第１サーミスタを接続した２つの導電路の長さが、第２サーミスタを接続した２つの導電路のうちの少なくとも一方の長さよりも長いことも好ましい。この場合には、第１サーミスタには根元側から２つの導電路でしか熱が伝わらないのに対し、第２サーミスタには根元側から３つまたは４つの導電路で熱が伝わるため、第１サーミスタの熱時定数と第２サーミスタの熱時定数との差を、さらに大きくすることができる。
　また、複数の導電路が、１つの短冊状の樹脂基材上に形成されたものとすることができる。この場合においても、製造が容易で、取扱いやすく、安価な温度検知センサを提供することができる。
　なお、この場合において、樹脂基材が、可撓性を有することが好ましい。
　本発明の温度検知センサと、第１固定抵抗と、第２固定抵抗と、マイコンと、を備え、第１サーミスタと第１固定抵抗とを直列に接続して第１抵抗分圧回路を構成し、第２サーミスタと第２固定抵抗とを直列に接続して第２抵抗分圧回路を構成し、第１抵抗分圧回路の第１サーミスタと第１固定抵抗との接続点をマイコンに接続し、第２抵抗分圧回路の第２サーミスタと第２固定抵抗との接続点をマイコンに接続し、温度検知装置を構成することができる。
　本発明の温度検知センサは、並んで配置された導電路に、第１サーミスタと第２サーミスタとを接続し、第１サーミスタと第２サーミスタとを封止樹脂で封止したものであるため、小型化が容易であり、軽量化が容易であり、製造が容易である。また、本発明の温度検知センサは、第１サーミスタの熱時定数と第２サーミスタの熱時定数とに、正確な差を容易に設定することが可能である。
　また、本発明の温度検知センサは、第１サーミスタと第２サーミスタとをケースに収容したものではないため、ケースに収容したことに起因する第１サーミスタおよび第２サーミスタの熱応答性（熱時定数）の低下がない。
図１（Ａ）は、第１実施形態にかかる温度検知センサ１００の正面図である。図１（Ｂ）、（Ｃ）は、それぞれ、温度検知センサ１００の分解正面図である。 温度検知センサ１００に使用した第１サーミスタ５、第２サーミスタ６の温度-抵抗値特性を示すグラフである。 第１サーミスタ５および第２サーミスタ６の温度変化を示すグラフである。第１サーミスタ５の熱時定数Ｘ１および第２サーミスタ６の熱時定数Ｘ２を併せて示している。 第１実施形態にかかる温度検知装置２００を示す等価回路図である。 図５（Ａ）は、被測定温度の時間的変化を示すグラフである。図５（Ｂ）は、第１サーミスタ５および第２サーミスタ６の抵抗値の時間的変化を示すグラフである。図５（Ｃ）は、第１分圧回路１０および第２分圧回路１１の分圧電圧の時間的変化を示すグラフである。 図６（Ａ）は、第２実施形態にかかる温度検知センサ３００の正面図である。図６（Ｂ）、（Ｃ）は、それぞれ、温度検知センサ３００の分解正面図である。 図７（Ａ）は、第３実施形態にかかる温度検知センサ４００の正面図である。図７（Ｂ）、（Ｃ）は、それぞれ、温度検知センサ４００の分解正面図である。図７（Ｄ）は、温度検知センサ４００の背面図である。 図８（Ａ）は、第４実施形態にかかる温度検知センサ５００の正面図である。図８（Ｂ）、（Ｃ）は、それぞれ、温度検知センサ５００の分解正面図である。 図９（Ａ）は、第５実施形態にかかる温度検知センサ６００の正面図である。図９（Ｂ）、（Ｃ）は、それぞれ、温度検知センサ６００の分解正面図である。 熱時定数について説明したグラフである。 図１１（Ａ）は、第６実施形態にかかる温度検知センサ７００の斜視図である。図１１（Ｂ）は、温度検知センサ７００の分解斜視図である。図１１（Ｃ）は、温度検知センサ７００の斜視図である。図１１（Ｄ）は、温度検知センサ７００の分解斜視図である。図７（Ｄ）は、温度検知センサ７００の背面図である。 図１２（Ａ）は、第７実施形態にかかる温度検知センサ８００の斜視図である。図１２（Ｂ）は、温度検知センサ８００の分解斜視図である。 第８実施形態にかかる温度検知センサ９００の分解正面図である。 特許文献１に開示された温度検知センサ１０００を示す断面図である。
　以下、図面とともに、本発明を実施するための形態について説明する。
　なお、各実施形態は、本発明の実施の形態を例示的に示したものであり、本発明が実施形態の内容に限定されることはない。また、異なる実施形態に記載された内容を組合せて実施することも可能であり、その場合の実施内容も本発明に含まれる。また、図面は、明細書の理解を助けるためのものであって、模式的に描画されている場合があり、描画された構成要素または構成要素間の寸法の比率が、明細書に記載されたそれらの寸法の比率と一致していない場合がある。また、明細書に記載されている構成要素が、図面において省略されている場合や、個数を省略して描画されている場合などがある。
　［第１実施形態］
　図１（Ａ）～（Ｃ）に、第１実施形態にかかる温度検知センサ１００を示す。ただし、図１（Ａ）は、温度検知センサ１００の正面図である。図１（Ｂ）は、温度検知センサ１００の分解正面図であり、封止樹脂７を省略した状態を示している。図１（Ｃ）も、温度検知センサ１００の分解正面図であり、封止樹脂７と第１サーミスタ５と第２サーミスタ６とを省略した状態を示している。
　温度検知センサ１００は、第１被覆リード線１、第２被覆リード線２、第３被覆リード線３が接合され、一体化された被覆リード線群４を備えている。第１被覆リード線１は、芯線１ａに被覆１ｂが施されたものからなる。同様に、第２被覆リード線２は芯線２ａに被覆２ｂが施されたものからなり、第３被覆リード線３は芯線３ａに被覆３ｂが施されたものからなる。
　芯線１ａ～３ａは、それぞれ、Ｃｕ-Ｎｉを主成分としている。なお、芯線１ａ～３ａの材質は任意であり、たとえばＣｕを主成分とすることもできるが、Ｃｕを主成分とした場合には、熱伝導率が高過ぎて、芯線１ａ～３ａを経由して熱が逃げてしまう虞がある。したがって、Ｃｕよりも熱伝導率が低く、適度な熱伝導率を有するＣｕ-ＮｉやＮｉ-Ｃｒを、芯線１ａ～３ａの主成分とすることが好ましい。
　なお、芯線１ａ～３ａの断面の直径は、０．１ｍｍ以上であることが好ましい。芯線１ａ～３ａの断面の直径が小さくなると、熱伝導性が低下してしまうが、断面の直径が０．１ｍｍ以上であれば、十分に高い熱伝導性を維持することができるからである。
　被覆１ｂ～３ｂは、たとえば、エナメルからなる。具体的には、被覆１ｂ～３ｂは、たとえば、ポリビニルホルマール、ポリウレタン、ポリアミドイミド、ポリエステル、ナイロンから選ばれる少なくとも１種の樹脂を主成分とする。これらの樹脂であれば熱を通しやすいため、芯線１ａ～３ａは被覆１ｂ～３ｂを経由して外部の熱を高効率で吸熱することができる。
　また、被覆１ｂ～３ｂは、厚みが１００μｍ以下であることが好ましい。被覆の厚みが大きくなると、被覆の外側から被覆の内側に熱が伝わりにくくなり、芯線１ａ～３ａが被覆１ｂ～３ｂを経由して外部の熱を吸熱しにくくなるが、被覆の厚みが１００μｍ以下であれば、芯線１ａ～３ａが被覆１ｂ～３ｂを経由して外部の熱を高効率で吸熱することができるからである。
　図１（Ｃ）に示すように、被覆リード線群４の先端近傍において、第１被覆リード線１の被覆１ｂが剥離されて芯線１ａが露出されるとともに、第２被覆リード線２の被覆２ｂが剥離されて芯線２ａが露出されている。また、被覆リード線群４の先端から少し離れた部分において、第２被覆リード線２の被覆２ｂが剥離されて芯線２ａが露出されるとともに、第３被覆リード線３の被覆３ｂが剥離されて芯線３ａが露出されている。
　そして、図１（Ｂ）に示すように、露出された芯線１ａと芯線２ａとの間に第１サーミスタ５が実装され、露出された芯線２ａと芯線３ａとの間に第２サーミスタ６が実装されている。具体的には、第１サーミスタ５は両端に電極が形成されており、それらの電極が、それぞれ、はんだや導電性接着剤などからなる接合材によって、芯線１ａと芯線２ａとに接合されている。同様に、第２サーミスタ６は両端に電極が形成されており、それらの電極が、それぞれ、はんだや導電性接着剤などからなる接合材によって、芯線２ａと芯線３ａとに接合されている。
　なお、第１サーミスタ５と第２サーミスタ６とは、スペースを有効に活用するために、被覆リード線群４が延びる方向に対して、斜め方向に配置されている。
　第１サーミスタ５と第２サーミスタ６とは、いずれも、負特性サーミスタである。第１サーミスタ５と第２サーミスタとは、基準温度（２５℃）において同一の抵抗値１０ｋΩを示し、かつ、同一のＢ定数（２５／５０）３３８０Ｋを備え、同一の温度-抵抗値特性を備えている。図２に、第１サーミスタ５および第２サーミスタ６の温度-抵抗値特性を示す。図２から分かるように、第１サーミスタ５および第２サーミスタ６は、基準温度（２５℃）において同一の１０ｋΩを示し、温度が上昇すると抵抗値が降下し、温度が降下すると抵抗値が上昇する。
　なお、本願出願書類において、第１サーミスタと第２サーミスタとが同等の特性を有するとは、封止樹脂を取り除き、かつ、導電路から取外した状態で測定した、２５℃における第１サーミスタの抵抗値と第２サーミスタの抵抗値との差が±１．０％以内であり、かつ、２５℃と５０℃とで測定した第１サーミスタのＢ定数と第２サーミスタのＢ定数と差が±１．０％以内である場合をいうものとする。
　図１（Ａ）に示すように、被覆リード線群４に実装された第１サーミスタ５および第２サーミスタ６が、封止樹脂７によって封止されている。封止樹脂７は、第１サーミスタ５を封止している部分で厚みが大きく、第２サーミスタ６を封止している部分で厚みが小さい。本実施形態においては、封止樹脂７に、熱硬化性のエポキシ樹脂を使用した。ただし、封止樹脂７の材質は任意であり、シリコン樹脂などを使用しても良い。
　封止樹脂７で封止した後の、第１サーミスタ５と第２サーミスタ６とは、熱応答性が異なっている。具体的には、第１サーミスタ５の熱時定数Ｘ１は約３．５秒であり、第２サーミスタ６の熱時定数Ｘ２は約３．０秒であり、第２サーミスタ６の方が第１サーミスタ５よりも熱応答性に優れている。図３に、任意の温度Ｔ０に保持されている第１サーミスタ５と第２サーミスタ６とを、急に、温度Ｔ１の中に入れた場合における、第１サーミスタ５と第２サーミスタ６との温度変化を示す。また、図３に、第１サーミスタ５の熱時定数Ｘ１と、第２サーミスタ６の熱時定数Ｘ２とを併せて示す。
　同じ特性のサーミスタを使用しているにもかかわらず、第２サーミスタ６が第１サーミスタ５よりも熱応答性に優れる理由として、次の２つの理由をあげることができる。
　まず、１つめの理由として、第１サーミスタ５と第２サーミスタ６とが、被覆リード線群４が延びる方向において、異なる位置に実装されていることがある。具体的には、第１サーミスタ５が、被覆リード線群４の先端近傍（先端側）に実装されているのに対し、第２サーミスタ６は、被覆リード線群４の先端から少し離れた部分（根元側）に実装されている。外部温度は、封止樹脂７を経由して第１サーミスタ５、第２サーミスタ６に伝わるだけではなく、第１被覆リード線１の芯線１ａ、第２被覆リード線２の芯線２ａ、第３被覆リード線３の芯線３ａをも経由して、第１サーミスタ５および第２サーミスタ６に伝わる。この点においては、第２サーミスタ６は、第１サーミスタ５よりも、被覆リード線群４が封止樹脂７から外部に導出されている部分Ｐ（図１（Ａ）～（Ｃ）参照）の近くに実装されているため、第２サーミスタ６は、第１サーミスタ５よりも、外部から芯線１ａ、芯線２ａ、芯線３ａを経由して伝わってきた熱を早く受けることができる。このことも、第２サーミスタ６が第１サーミスタ５よりも熱応答性に優れる要因になっているものと考えられる。
　さらに説明を補足するならば、被覆リード線群４の先端側に実装された第１サーミスタ５は、根元側の被覆リード線群４からしか熱が伝わらないのに対し、被覆リード線群４の根元側に実装された第２サーミスタ６は先端側と根元側の両方の被覆リード線群４から熱が伝わるため、第２サーミスタ６は、第１サーミスタ５よりも、多くの熱を受けることができる。このことも、第２サーミスタ６が第１サーミスタ５よりも熱応答性に優れる要因になっているものと考えられる。
　また、２つめの理由として、封止樹脂７の厚みが、第１サーミスタ５を封止している部分で大きく、第２サーミスタ６を封止している部分で小さいことがある。封止樹脂７の厚みが第１サーミスタ５を封止している部分で大きいことにより、第１サーミスタ５は、外部温度に対する追随が遅れ、熱応答性において劣っているものと考えられる。これに対し、封止樹脂７の厚みが第２サーミスタ６を封止している部分で小さいことにより、第２サーミスタ６は素早く外部温度に追随することができ、応答性において優れているものと考えられる。
　以上説明したように、温度検知センサ１００は、第１サーミスタ５と第２サーミスタ６とで、熱応答性（熱時定数）が異なっている。また、温度検知センサ１００は、上記構造を採用したことにより、コンパクトで取扱いやすく、実用性の高いものになっている。
　また、温度検知センサ１００は、並んで配置された導電路（被覆リード線群４）に、第１サーミスタ５と第２サーミスタ６とを接続し、第１サーミスタと第２サーミスタとを封止樹脂７で封止したものであるため、カバーや、複雑な配線構造を必要としない。
　温度検知センサ１００は、たとえば、次の方法で製造することができる。
　まず、被覆リード線群４を用意する。
　次に、被覆リード線群４の先端近傍において、第１被覆リード線１の被覆１ｂを剥離して芯線１ａを露出させ、第２被覆リード線２の被覆２ｂを剥離して芯線２ａを露出させる。同様に、被覆リード線群４の先端から少し離れた部分において、第２被覆リード線２の被覆２ｂを剥離して芯線２ａを露出させ、第３被覆リード線３の被覆３ｂを剥離して芯線３ａを露出させる。
　次に、たとえば、リフローはんだにより、露出した芯線１ａ、２ａに第１サーミスタ５を接合し、露出した芯線２ａ、芯線３ａに第２サーミスタ６を接合する。
　次に、被覆リード線群４の、第１サーミスタ５および第２サーミスタ６が実装された部分を、樹脂槽に入れた液状のエポキシ樹脂に浸漬し、引き上げて、第１サーミスタ５および第２サーミスタ６の周囲に封止樹脂７を付着させる。このとき、付着したエポキシ樹脂が自然に垂れ下がり、封止樹脂７は、第１サーミスタ５を封止している部分で厚みが大きくなり、第２サーミスタ６を封止している部分で厚みが小さくなる。なお、封止樹脂７の、第１サーミスタ５を封止している部分と、第２サーミスタ６を封止している部分との厚みの差を大きくしたい場合は、第１サーミスタ５が実装されている部分だけを、一度、先にエポキシ樹脂に浸漬したうえで、改めて、第１サーミスタ５と第２サーミスタ６とを、エポキシ樹脂に浸漬するようにしても良い。
　最後に全体を加熱して、封止樹脂７を硬化させて、温度検知センサ１００を完成させる。
　第１実施形態にかかる温度検知センサ１００を使用して、第１実施形態にかかる温度検知装置２００を作製した。温度検知装置２００を、図４に示す。ただし、図４は、温度検知装置２００の等価回路図である。
　温度検知装置２００は、第１サーミスタ５と第２サーミスタ６とを備えた、第１実施形態にかかる温度検知センサ１００を備えている。
　また、温度検知装置２００は、第１固定抵抗８と第２固定抵抗９とを備えている。第１固定抵抗８および第２固定抵抗９の抵抗値は、いずれも１０ｋΩとした。
　第１固定抵抗８と第１サーミスタ５とが直列に接続されて、第１分圧回路１０が構成されている。また、第２固定抵抗９と第２サーミスタ６とが直列に接続されて、第２分圧回路１１が構成されている。
　温度検知装置２００は、電源１２を備えている。電源１２は、第１分圧回路１０および第２分圧回路１１に、それぞれ、直流３Ｖを供給する。
　上述したとおり、第１サーミスタ５は、基準温度である２５℃において、１０ｋΩの抵抗値を示す。また、上述したとおり、第１固定抵抗８の抵抗値は１０ｋΩである。したがって、第１分圧回路１０の分圧電圧は、第１サーミスタ５の温度が２５℃のときに、１．５Ｖを示す。そして、第１サーミスタ５の温度が２５℃から上昇して、第１サーミスタ５の抵抗値が降下すると、第１分圧回路１０の分圧電圧は降下する。逆に、第１サーミスタ５の温度が２５℃から降下して、第１サーミスタ５の抵抗値が上昇すると、第１分圧回路１０の分圧電圧は上昇する。
　同様に、第２サーミスタ６は、基準温度である２５℃において、１０ｋΩの抵抗値を示す。また、第２固定抵抗９の抵抗値は１０ｋΩである。したがって、第２分圧回路１１の分圧電圧は、第２サーミスタ６の温度が２５℃のときに、１．５Ｖを示す。そして、第２サーミスタ６の温度が２５℃から上昇して、第２サーミスタ６の抵抗値が降下すると、第２分圧回路１１の分圧電圧は降下する。逆に、第２サーミスタ６の温度が２５℃から降下して、第２サーミスタ６の抵抗値が上昇すると、第２分圧回路１１の分圧電圧は上昇する。
　温度検知装置２００は、マイコン５０を備えている。マイコン５０には、第１分圧回路１０の第１固定抵抗８と第１サーミスタ５との接続点が接続されている。また、マイコン５０には、第２分圧回路１１の第２固定抵抗９と第２サーミスタ６との接続点が接続されている。
　マイコン５０は、常時、または、一定時間間隔で、第１分圧回路１０の分圧電圧を測定しており、分圧電圧から第１サーミスタ５の抵抗値を検知し、さらに第１サーミスタ５の抵抗値から第１サーミスタ５の温度を検知している。同様に、マイコン５０は、常時、または、一定時間間隔で、第２分圧回路１１の分圧電圧を測定しており、分圧電圧から第２サーミスタ６の抵抗値を検知し、さらに第２サーミスタ６の抵抗値から第２サーミスタ６の温度を検知している。
　さらに、マイコン５０は、入手した第１サーミスタ５および第２サーミスタ６に関する情報を処理して、第１サーミスタ５の熱応答性および第２サーミスタ６の熱応答性よりも優れた熱応答性で、被測定温度（温度検知センサ１００の封止樹脂７部分が配置された気体中や液体中の温度）を検知（応答補償）する。
　マイコン５０による情報の処理には、種々の方法を採用することができるが、以下に、図５（Ａ）～（Ｃ）を使って、１つの例を説明する。なお、図５（Ａ）は、被測定温度（温度検知センサ１００の封止樹脂７部分が配置された気体中や液体中の温度）の時間的変化を示すグラフである。図５（Ｂ）は、第１サーミスタ５および第２サーミスタ６の抵抗値の時間的変化を示すグラフである。図５（Ｃ）は、第１分圧回路１０および第２分圧回路１１の分圧電圧の時間的変化を示すグラフである。なお、図５（Ｂ）には、マイコン５０の情報処理により導き出された、補正抵抗値の時間的変化を併せて示している。また、図５（Ｃ）には、第１分圧回路１０の分圧電圧と第２分圧回路１１の分圧電圧との電圧差の時間的変化を合せて示している。
　温度検知センサ１００の封止樹脂７部分が、温度ｔａの被測定温度中に入れられ、一定時間が経過すると、第１サーミスタ５の温度および第２サーミスタ６の温度は、温度ｔａに近似して安定する。この結果、第１サーミスタ５の抵抗値および第２サーミスタ６の抵抗値が安定し、第１分圧回路１０の分圧電圧および第２分圧回路１１の分圧電圧が安定する。
　そのような状態において、図５（Ａ）に示すように、時間ＴＡにおいて、被測定温度がｔｂに上昇した（温度検知センサ１００の封止樹脂７部分が、温度ｔｂの被測定温度中に入れられた）と仮定する。
　被測定温度がｔｂに上昇したことにより、第１サーミスタ５の温度および第２サーミスタ６の温度が、それぞれ、被測定温度ｔｂを追随して上昇する。ただし、第１サーミスタ５よりも第２サーミスタ６の方が熱応答性（熱時定数）において優れているため、第１サーミスタ５よりも第２サーミスタ６の方が早く温度が上昇する。
　第１サーミスタ５の温度および第２サーミスタ６の温度が上昇すると、図５（Ｂ）に示すように、第１サーミスタ５の抵抗値および第２サーミスタ６の抵抗値が、それぞれ降下する。
　そして、第１サーミスタ５の抵抗値および第２サーミスタ６の抵抗値が降下すると、図５（Ｃ）に示すように、第１分圧回路１０の分圧電圧および第２分圧回路１１の分圧電圧が、それぞれ降下する。
　上述したように、第１サーミスタ５よりも第２サーミスタ６の方が早く温度が上昇するため、第１分圧回路１０の分圧電圧と第２分圧回路１１の分圧電圧とに、図５（Ｃ）に示す電圧差が発生する。
　マイコン５０は、図５（Ｃ）に示す電圧差から、図５（Ｂ）に示す補正抵抗値を算出する。
　マイコン５０は、図５（Ｂ）に示す補正抵抗値の時間的変化から、第１サーミスタ５の熱応答性および第２サーミスタ６の熱応答性よりも優れた熱応答性で、被測定温度ｔｂを検知（応答補償）する。
　上述したように、第１サーミスタ５の熱時定数Ｘ１が約３．５秒、第２サーミスタ６の熱時定数Ｘ２が約３．０秒であるのに対し、温度検知装置２００の熱時定数Ｘ２００は約０．５秒であり、温度検知装置２００は優れた熱応答性を備えている。
　このように、第１実施形態にかかる温度検知センサ１００を使用して、熱応答性に優れた、第１実施形態にかかる温度検知装置２００を作製することができる。
　［第２実施形態］
　図６（Ａ）～（Ｃ）に、第２実施形態にかかる温度検知センサ３００を示す。ただし、図６（Ａ）は、温度検知センサ３００の正面図である。図６（Ｂ）は、温度検知センサ３００の分解正面図であり、封止樹脂７を省略した状態を示している。図６（Ｃ）も、温度検知センサ３００の分解正面図であり、封止樹脂７と第１サーミスタ５と第２サーミスタ６とを省略した状態を示している。
　第２実施形態にかかる温度検知センサ３００は、第１実施形態にかかる温度検知センサ１００の構成の一部に変更を加えた。具体的には、温度検知センサ１００では、被覆リード線群４を構成する第１被覆リード線１、第２被覆リード線２、第３被覆リード線３の長さが全て同じであったが、温度検知センサ３００では、被覆リード線群１４を構成する第３被覆リード線１３の長さを、第１被覆リード線１の長さおよび第２被覆リード線２の長さよりも短くした。温度検知センサ３００の他の構成は、温度検知センサ１００と同じにした。
　温度検知センサ３００は、第３被覆リード線１３の芯線１３ａを経由した、外部から第１サーミスタ５への熱伝導がないため、温度検知センサ１００よりも、第１サーミスタ５と第２サーミスタ６との熱応答性（熱時定数）の差が大きくなっている。
　［第３実施形態］
　図７（Ａ）～（Ｃ）に、第３実施形態にかかる温度検知センサ４００を示す。ただし、図７（Ａ）は、温度検知センサ４００の正面図である。図７（Ｂ）は、温度検知センサ４００の分解正面図であり、封止樹脂２７ａ、２７ｂを省略した状態を示している。図７（Ｃ）も、温度検知センサ４００の分解正面図であり、封止樹脂２７ａ、２７ｂと第１サーミスタ５と第２サーミスタ６とを省略した状態を示している。図７（Ｄ）は、温度検知センサ４００の背面図である。
　第３実施形態にかかる温度検知センサ４００も、第１実施形態にかかる温度検知センサ１００の構成の一部に変更を加えた。具体的には、温度検知センサ１００では、封止樹脂７によって第１サーミスタ５と第２サーミスタ６との両方を一括して封止していたが、温度検知センサ４００では、封止樹脂２７ａで第１サーミスタ５を封止し、封止樹脂２７ｂで第２サーミスタ６を封止するようにした。なお、封止樹脂２７ａの厚みは、封止樹脂２７ｂの厚みよりも大きくした。温度検知センサ４００の他の構成は、温度検知センサ１００と同じにした。
　なお、温度検知センサ４００においては、図７（Ｄ）に示すように、背面側にも、封止樹脂２７ａと封止樹脂２７ｂとが、それぞれ形成されている。
　このように、１つの封止樹脂で第１サーミスタ５と第２サーミスタ６とを一括して封止する必要はなく、２つの封止樹脂２７ａ、２７ｂで、第１サーミスタ５と第２サーミスタ６とを別々に封止するようにしても良い。
　温度検知センサ４００においては、第２サーミスタ６は、封止樹脂２７ｂよりも根元側の導電路（被覆リード線群４）と、封止樹脂２７ａと封止樹脂２７ｂとの間の導電路との、両方から吸熱することができる。これに対し、第１サーミスタ５は、封止樹脂２７ａと封止樹脂２７ｂとの間の導電路からしか吸熱することができない。温度検知センサ４００においては、この違いによっても、第１サーミスタ５の熱時定数と第２サーミスタ６の熱時定数との差が大きくなっている。
　［第４実施形態］
　図８（Ａ）～（Ｃ）に、第４実施形態にかかる温度検知センサ５００を示す。ただし、図８（Ａ）は、温度検知センサ５００の正面図である。図８（Ｂ）は、温度検知センサ５００の分解正面図であり、封止樹脂７を省略した状態を示している。図８（Ｃ）も、温度検知センサ５００の分解正面図であり、封止樹脂７と第１サーミスタ５と第２サーミスタ６とを省略した状態を示している。
　第４実施形態にかかる温度検知センサ５００も、第１実施形態にかかる温度検知センサ１００の構成の一部に変更を加えた。具体的には、温度検知センサ１００では、第１サーミスタ５と第２サーミスタ６とを、それぞれ、被覆リード線群４の延びる方向に対して斜め方向に配置していたが、温度検知センサ１００では、小型の第１サーミスタ３５と第２サーミスタ３６とを使用し、第１サーミスタ３５と第２サーミスタ３６とを、それぞれ、被覆リード線群４の延びる方向に対して垂直方向に配置した。温度検知センサ５００の他の構成は、温度検知センサ１００と同じにした。
　［第５実施形態］
　図９（Ａ）～（Ｃ）に、第５実施形態にかかる温度検知センサ６００を示す。ただし、図９（Ａ）は、温度検知センサ６００の正面図である。図９（Ｂ）は、温度検知センサ６００の分解正面図であり、封止樹脂７を省略した状態を示している。図９（Ｃ）も、温度検知センサ６００の分解正面図であり、封止樹脂７と第１サーミスタ４５と第２サーミスタ４６とを省略した状態を示している。
　第５実施形態にかかる温度検知センサ６００も、第１実施形態にかかる温度検知センサ１００の構成の一部に変更を加えた。具体的には、温度検知センサ１００では、第１被覆リード線１、第２被覆リード線２、第３被覆リード線３が接合された被覆リード線群４を使用したが、温度検知センサ６００では、これに代えて、短冊状の下側樹脂基材４１ａと、同じく短冊状の上側樹脂基材４１ｂとを使用した。
　下側樹脂基材４１ａの上側主面には、第１導電路５１ａと、第２導電路５２ａと、第３導電路５３ａとが形成されている。下側樹脂基材４１ａの上側主面に、第１導電路５１ａと第２導電路５２ａと第３導電路５３ａとを、それぞれ部分的に露出させて、上側樹脂基材４１ｂが貼着されている。下側樹脂基材４１ａと、上側樹脂基材４１ｂとは、いずれも、可撓性を有している。
　そして、上側樹脂基材４１ｂから露出した、第１導電路５１ａと第２導電路５２ａとの間に、小型の第１サーミスタ４５が接続されている。また、上側樹脂基材４１ｂから露出した、第２導電路５２ａと第３導電路５３ａとの間に、小型の第２サーミスタ４６が接続されている。温度検知センサ６００の他の構成は、温度検知センサ１００と同じにした。
　このように、第１被覆リード線１、第２被覆リード線２、第３被覆リード線３が接合された被覆リード線群４に代えて、可撓性を有する下側樹脂基材４１ａと上側樹脂基材４１ｂとを使用することもできる。
　［第６実施形態］
　図１１（Ａ）～（Ｅ）に、第６実施形態にかかる温度検知センサ７００を示す。ただし、図１１（Ａ）は、温度検知センサ７００を上側から見た斜視図である。図１１（Ｂ）は、温度検知センサ７００を上側から見た分解斜視図であり、封止樹脂７７ａ、７７ｂを省略した状態を示している。図１１（Ｃ）は、温度検知センサ７００を下側から見た斜視図である。図１１（Ｄ）は、温度検知センサ７００を下側から見た分解斜視図であり、封止樹脂７７ａ、７７ｂを省略した状態を示している。図１１（Ｅ）は、温度検知センサ７００の背面図である。
　第６実施形態にかかる温度検知センサ７００は、第３実施形態にかかる温度検知センサ４００の構成の一部に変更を加えた。具体的には、温度検知センサ４００では、第２サーミスタ６を封止する封止樹脂２７ｂが、被覆リード線群４の第２サーミスタ６が実装された部分の背面側にまで設けられていた。温度検知センサ７００では、これを変更し、図１１（Ｃ）～（Ｅ）から分かるように、第２サーミスタ６を封止する封止樹脂７７ｂを、被覆リード線群４の第２サーミスタ６が実装された部分の背面側には設けないようにした。
　温度検知センサ７００においては、被覆リード線群４の第２サーミスタ６が実装された部分の背面側に封止樹脂７７ｂが設けられておらず、被覆リード線群４が当該背面部分で外部の熱を吸熱することができ、かつ、その吸熱した熱を直ちに第２サーミスタ６に伝えることができるため、第２サーミスタ６の外部温度に対する追随がさらに早くなっている。
　なお、温度検知センサ７００において、第１サーミスタ５を封止する封止樹脂７７ａは、温度検知センサ４００の封止樹脂２７ａと同様に、被覆リード線群４の第１サーミスタ５が実装された部分の背面側にも設けられている。
　この結果、温度検知センサ７００では、封止樹脂７７ｂで被覆した後の第２サーミスタ６の熱時定数がさらに小さくなっており、第１サーミスタの熱時定数と第２サーミスタの熱時定数との差がさらに大きくなっている。　
　［第７実施形態］
　図１２（Ａ）、（Ｂ）に、第７実施形態にかかる温度検知センサ８００を示す。ただし、図１２（Ａ）は、温度検知センサ８００を上側から見た斜視図である。図１２（Ｂ）は、温度検知センサ８００を上側から見た分解斜視図であり、封止樹脂８７ａ、８７ｂを省略した状態を示している。
　第７実施形態にかかる温度検知センサ８００は、第６実施形態にかかる温度検知センサ７００に、さらに変更を加えた。具体的には、温度検知センサ７００では、被覆リード線群４を構成する第１被覆リード線１、第２被覆リード線２、第３被覆リード線３の長さが同じであったが、温度検知センサ８００はこれを変更し、被覆リード線群８４を構成する第３被覆リード線８３の長さを、第１被覆リード線１、第２被覆リード線２よりも短くした。また、温度検知センサ８００の第１サーミスタ８５と第２サーミスタ８６に、それぞれ、温度検知センサ７００の第１サーミスタ５と第２サーミスタ６よりも小さなものを使用した。
　なお、温度検知センサ８００においても、第２サーミスタ８６を封止する封止樹脂８７ｂは、被覆リード線群８４の第２サーミスタ８６が実装された部分の背面側には設けられていない。そして、温度検知センサ８００においても、第１サーミスタ８５を封止する封止樹脂８７ａは、被覆リード線群８４の第１サーミスタ８５が実装された部分の背面側にも設けられている。
　また、温度検知センサ８００においては、第２サーミスタ８６を温度検知センサ７００の第２サーミスタ６よりも小さくしたことにともない、第２サーミスタ８６を封止する封止樹脂８７ｂを、温度検知センサ７００の封止樹脂７７ｂよりも小さくした。ただし、第１サーミスタ８５を封止する封止樹脂８７ａについては、温度検知センサ７００の封止樹脂７７ａと同じ大きさとし、小さくはしなかった。
　この結果、温度検知センサ８００は、被覆リード線群８４を構成する第３被覆リード線８３の長さを短くしたことにより、温度検知センサ７００に比べて、第１サーミスタ８５の受ける熱の量が減っており、第１サーミスタ８５の熱時定数が大きくなっている。すなわち、第１サーミスタ８５には、２本の第１被覆リード線１、第２被覆リード線２でしか熱が伝わらないため、第１サーミスタ８５に熱が伝わりにくくなっている。また、温度検知センサ８００は、封止樹脂８７ｂを小さくしたことによって、温度検知センサ７００に比べて、第２サーミスタ８６の熱時定数が小さくなっている。すなわち、封止樹脂８７ｂを経由して、第２サーミスタ８６により多くの熱が伝わるようになっている。したがって、温度検知センサ８００は、温度検知センサ７００に比べて、第１サーミスタの熱時定数と第２サーミスタの熱時定数との差がさらに大きくなっている。
　［第８実施形態］
　図１２に、第８実施形態にかかる温度検知センサ９００を示す。ただし、図１２は、温度検知センサ９００の分解正面図であり、封止樹脂７を省略した状態を示している。
　第８実施形態にかかる温度検知センサ９００は、第１実施形態にかかる温度検知センサ１００の構成の一部に変更を加えた。具体的には、温度検知センサ１００では、被覆リード線群４が、第１被覆リード線１、第２被覆リード線２、第３被覆リード線３の３本で構成されていた。温度検知センサ９００は、これを変更し、被覆リード線群９５を、第１被覆リード線１、第２被覆リード線２、第３被覆リード線３、第４被覆リード線９４の４本で構成した。そして、第１被覆リード線１と第２被覆リード線２に第１サーミスタ５を接続し、第３被覆リード線３と第４被覆リード線９４に第２サーミスタ６を接続した。
　このように、本発明の温度検知センサの導電路の数は任意であり、３本であっても良く、４本であっても良く、さらに多くても良い。
　以上、第１実施形態にかかる温度検知センサ１００、第１実施形態にかかる温度検知装置２００、第２実施形態～第８実施形態にかかる温度検知センサ３００、４００、５００、６００、７００、８００、９００について説明した。しかしながら、本発明が上述した内容に限定されることはなく、発明の趣旨に沿って、種々の変更をなすことができる。
　たとえば、温度検知センサ１００、３００、４００、５００、６００、７００、８００、９００では、それぞれ、第１サーミスタ５、３５、４５、８５と、第２サーミスタ６、３６、４６、８６とに、基準温度において同一の抵抗値を示し、かつ、同一のＢ定数を備え、同一の温度-抵抗値特性を備えたものを使用したが、第１サーミスタ５、３５、４５、８５と、第２サーミスタ６、３６、４６、８６とで、これらが異なるものを使用しても良い。
　また、温度検知センサ１００、３００、４００、５００、６００、７００、８００、９００では、それぞれ、第１サーミスタ５、３５、４５、８５と、第２サーミスタ６、３６、４６、８６とに、負特性サーミスタを使用したが、これに代えて、正特性サーミスタを使用しても良い。
　また、温度検知センサ１００、３００、４００、５００、６００、７００、８００、９００は、それぞれ、第１サーミスタ５、３５、４５、８５と、第２サーミスタ６、３６、４６、８６とを備えているが、これらに加えて、第３サーミスタ、あるいは、それ以上の数のサーミスタを備えるようにしても良い。
１・・・第１被覆リード線
１ａ・・・芯線
１ｂ・・・被覆
２・・・第２被覆リード線
２ａ・・・芯線
２ｂ・・・被覆
３、１３、８３・・・第３被覆リード線
３ａ、１３ａ・・・芯線
３ｂ、１３ｂ・・・被覆
９４・・・第４被覆リード線
４、１４、８４、９５・・・被覆リード線群
５、３５、４５、８５・・・第１サーミスタ（負特性サーミスタ）
６、３６、４６、８６・・・第２サーミスタ（負特性サーミスタ）
７、２７ａ、２７ｂ、７７ａ、７７ｂ、８７ａ、８７ｂ・・・封止樹脂
８・・・第１固定抵抗
９・・・第２固定抵抗
１０・・・第１分圧回路
１１・・・第２分圧回路
１２・・・電源
４１ａ・・・下側樹脂基材
４１ｂ・・・上側樹脂基材
５０・・・マイコン
５１ａ・・・第１導電路
５２ａ・・・第２導電路
５３ａ・・・第３導電路
１００、３００、４００、５００、６００、７００、８００、９００・・・温度検知センサ
２００・・・温度検知装置

Claims (18)

  1. 　並んで配置された、第１導電路と、第２導電路と、第３導電路と、
    　前記第１導電路と前記第２導電路との間に接続された第１サーミスタと、
    　前記第２導電路と前記第３導電路との間に接続された第２サーミスタと、
    　前記第１サーミスタおよび前記第２サーミスタを、一括して封止する、または、別々に封止する、封止樹脂と、を備えた温度検知センサ。
  2. 　並んで配置された３本以上の導電路と、
    　２つの前記導電路の間に接続された第１サーミスタと、
    　２つの前記導電路の間に接続された第２サーミスタと、
    　前記第１サーミスタおよび前記第２サーミスタを、一括して封止する、または、別々に封止する、封止樹脂と、を備え、
    　前記第１サーミスタに接続される前記導電路のうち少なくとも１本は、第２サーミスタに接続される前記導電路とは異なり、
    　複数の前記導電路は先端を有し、
    　前記第１サーミスタと前記第２サーミスタとが、複数の前記導電路が伸びる方向において異なる位置に実装され、前記第１サーミスタが前記第２サーミスタよりも前記先端側に実装され、
    　前記第１サーミスタと前記第２サーミスタとが同等の特性を有し、
    　前記封止樹脂で封止した後における、前記第２サーミスタの前記熱時定数が前記第１サーミスタの熱時定数よりも小さい、温度検知センサ。
  3. 　複数の前記導電路が、第１導電路と、第２導電路と、第３導電路とで構成され、
    　第１サーミスタが、前記第１導電路と前記第２導電路との間に接続され、
    　第２サーミスタが、前記第２導電路と前記第３導電路との間に接続された、請求項２に記載された温度検知センサ。
  4. 　複数の前記導電路が、第１導電路と、第２導電路と、第３導電路、第４導電路とで構成され、
    　第１サーミスタが、前記第１導電路と前記第２導電路との間に接続され、
    　第２サーミスタが、前記第３導電路と前記第４導電路との間に接続された、請求項２に記載された温度検知センサ。
  5. 　前記封止樹脂の厚みが、前記第１サーミスタを封止している部分と、前記第２サーミスタを封止している部分とで異なり、
    　前記第１サーミスタを封止している部分の前記封止樹脂の厚みが、前記第２サーミスタを封止している部分の前記封止樹脂の厚みよりも大きい、請求項１ないし４のいずれか１項に記載された温度検知センサ。
  6. 　前記第１サーミスタと前記第２サーミスタとが、それぞれ、別々の前記封止樹脂によって封止され、
    　前記第１サーミスタを封止した前記封止樹脂が、前記導電路の前記第１サーミスタを実装した部分の背面側にまで設けられているのに対し、
    　前記第２サーミスタを封止した前記封止樹脂が、前記導電路の前記第２サーミスタを実装した部分の背面側には設けられていない、請求項１ないし５のいずれか１項に記載された温度検知センサ。
  7. 　前記第１サーミスタと前記第２サーミスタとが、それぞれ、負特性サーミスタである、請求項１ないし６のいずれか１項に記載された温度検知センサ。
  8. 　複数の前記導電路が、それぞれ、Ｃｕ-Ｎｉ、または、Ｎｉ-Ｃｒを主成分としている、請求項１ないし７のいずれか１項に記載された温度検知センサ。
  9. 　前記封止樹脂が、エポキシ樹脂またはシリコン樹脂である、請求項１ないし８のいずれか１項に記載された温度検知センサ。
  10. 　複数の前記導電路が、それぞれ、被覆リード線の芯線である、請求項１ないし９のいずれか１項に記載された温度検知センサ。
  11. 　前記被覆リード線の被覆が、ポリビニルホルマール、ポリウレタン、ポリアミドイミド、ポリエステル、ナイロンから選ばれる少なくとも１種の樹脂を主成分とする、請求項１０に記載された温度検知センサ。
  12. 　前記被覆リード線の被覆の厚みが、１００μｍ以下である、請求項１０または１１に記載された温度検知センサ。
  13. 　複数の前記被覆リード線が、並んで配置され、かつ、少なくとも前記第１サーミスタと前記第２サーミスタとが接続されている部分において相互に接合された、請求項１０ないし１２のいずれか１項に記載された温度検知センサ。
  14. 　前記第１サーミスタおよび前記第２サーミスタが、相互に接合された複数の前記被覆リード線の同一側の面に接続された、請求項１０ないし１３のいずれか１項に記載された温度検知センサ。
  15. 　前記第１サーミスタを接続した２つの前記導電路の長さが、前記第２サーミスタを接続した２つの前記導電路のうちの少なくとも一方の長さよりも長い、請求項１０ないし１４のいずれか１項に記載された温度検知センサ。
  16. 　複数の前記導電路が、１つの短冊状の樹脂基材上に形成された、請求項１ないし９のいずれか１項に記載された温度検知センサ。
  17. 　前記樹脂基材が可撓性を有する、請求項１６に記載された温度検知センサ。
  18. 　請求項１ないし１７のいずれか１項に記載された温度検知センサと、
    　第１固定抵抗と、
    　第２固定抵抗と、
    　マイコンと、を備え、
    　前記第１サーミスタと前記第１固定抵抗とが直列に接続されて第１抵抗分圧回路が構成され、
    　前記第２サーミスタと前記第２固定抵抗とが直列に接続されて第２抵抗分圧回路が構成され
    　前記第１抵抗分圧回路の前記第１サーミスタと前記第１固定抵抗との接続点が、前記マイコンに接続され、
    　前記第２抵抗分圧回路の前記第２サーミスタと前記第２固定抵抗との接続点が、前記マイコンに接続された、温度検知装置。
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