WO2018164522A1 - 전자장치 제조방법 및 이를 이용한 불순물 제거방법 - Google Patents

전자장치 제조방법 및 이를 이용한 불순물 제거방법 Download PDF

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    • H10P95/402—Treatments of semiconductor bodies to modify their internal properties, e.g. to produce internal imperfections of silicon bodies

Definitions

  • the present invention relates to a method for manufacturing an electronic device and a method for removing impurities using the same, and more particularly, to an electronic device manufacturing method and an impurity removing method using the same, which can utilize a material efficiently.
  • a specific film is formed.
  • a film may be formed directly on a substrate to be a component of an electronic device.
  • the film may be transferred onto a substrate after forming a film on another support.
  • the present invention has been made to solve various problems including the above problems, and an object of the present invention is to provide an electronic device manufacturing method and an impurity removing method using the same which can efficiently utilize materials.
  • these problems are exemplary, and the scope of the present invention is not limited thereby.
  • the step of positioning the transfer film on a plurality of functional layers located on the source substrate to be spaced apart from each other, the portion of the transfer film corresponding to the first transfer object of the plurality of functional layers using a probe Applying pressure to the first transfer object to bring the first transfer object into close contact with the lower surface of the transfer film, and the first transfer object to come in close contact with the transfer film from the source substrate, and the first transfer object adhered to the bottom face
  • Positioning the transfer film on the target substrate in a state placing the first transfer object on the target substrate by applying pressure to a portion of the transfer film corresponding to the first transfer object, and placing the first transfer object on the target substrate.
  • an electronic device manufacturing method comprising the step of separating the transfer film from the target substrate.
  • Contacting the lower surface of the transfer film separating the transfer film from the source substrate while the first transfer object and the second transfer object are in close contact with the lower surface, and the first transfer object and the second transfer object are in close contact with the lower surface.
  • the plurality of functional layers may include a one-dimensional micro material layer or a one-dimensional nano material layer including a tube, a wire, or a rod, or graphene, a transition metal dichalcogenide, a hexagonal boron, or black phosphorus. It may include a two-dimensional micro material layer or a two-dimensional nano material layer.
  • the transfer film may be made of polydimethylsiloxane (PDMS; polydimethylsiloxane), cytope, polymethylmethacrylate (PMMA), ethyl lactate, polycarbonate (PC; polycarbonate), polypropylene carbonate (PPC); poly propylene carbonate, polyimide (PI), para-aramid fibrid, polyethylene terephthalate (PET), polyvinyl chloride (PVC), polyvinylacetate (PVAc; poly (vinyl acetate)), silica gel (silica-gel) or polyurethane acrylate (PUA; polyurethane acrylate).
  • PDMS polydimethylsiloxane
  • PC polycarbonate
  • PPC polypropylene carbonate
  • PI polyimide
  • PTT polyethylene terephthalate
  • PVC polyvinyl chloride
  • PVAc polyvinylacetate
  • silica gel sica-gel
  • PUA polyurethane acrylate
  • the first temperature of the surrounding environment when the first transfer object is in close contact with the bottom surface of the transfer film is performed
  • the second temperature of the surrounding environment when the step of placing the first transfer object on the target substrate is performed It may differ from the temperature.
  • the first temperature may be higher than the second temperature.
  • the first temperature may be 50 ° C. or more and 130 ° C. or less
  • the second temperature may be 10 ° C. or more and 30 ° C. or less.
  • repositioning the transfer film on the remaining functional layers on the source substrate and applying a pressure to a portion of the transfer film corresponding to the second transfer object in the remaining functional layers using a probe to transfer the second transfer object to the transfer film contacting the lower surface of the substrate; and separating the transfer film from the source substrate while the second transfer object is in close contact with the lower surface; and placing the transfer film on the target substrate with the second transfer object in close contact with the lower surface. And placing a second transfer object on the target substrate by applying pressure to a portion of the transfer film corresponding to the second transfer object, and separating the transfer film from the target substrate while the second transfer object is positioned on the target substrate. It may further comprise a step.
  • forming a functional layer on the substrate positioning the transfer film on the first impurity on the substrate, using a probe to press the portion of the transfer film corresponding to the first impurity Applying a first impurity to the lower surface of the transfer film and applying a first impurity to the lower surface of the transfer film, and separating the transfer film from the substrate while the first impurity is in close contact with the substrate.
  • the step of repositioning the transfer film on the second impurity on the substrate, applying a pressure to the portion of the transfer film corresponding to the second impurity using a probe to adhere the second impurity to the lower surface of the transfer film may further include separating the transfer film from the substrate in a state in which the second impurity is in close contact with the substrate.
  • the transfer film may be made of polydimethylsiloxane (PDMS; polydimethylsiloxane), cytope, polymethylmethacrylate (PMMA), ethyl lactate, polycarbonate (PC; polycarbonate), polypropylene carbonate (PPC); poly propylene carbonate, polyimide (PI), para-aramid fibrid, polyethylene terephthalate (PET), polyvinyl chloride (PVC), polyvinylacetate (PVAc; poly (vinyl acetate)), silica gel (silica-gel) or polyurethane acrylate (PUA; polyurethane acrylate).
  • PDMS polydimethylsiloxane
  • PC polycarbonate
  • PPC polypropylene carbonate
  • PI polyimide
  • PTT polyethylene terephthalate
  • PVC polyvinyl chloride
  • PVAc polyvinylacetate
  • silica gel sica-gel
  • PUA polyurethane acrylate
  • the first temperature of the surrounding environment when the first impurity is in close contact with the lower surface of the transfer film is performed, and the first temperature of the surrounding environment when the step of placing the first impurity on the removing substrate is performed.
  • the first temperature may be higher than the second temperature.
  • the first temperature may be 50 ° C or more and 130 ° C or less
  • the second temperature may be 10 ° C or more and 30 ° C or less.
  • FIG. 1 to 7 are perspective views schematically showing processes of an electronic device manufacturing method according to an embodiment of the present invention.
  • FIGS. 8 to 13 are perspective views schematically illustrating processes of an electronic device manufacturing method according to another exemplary embodiment of the present disclosure.
  • 20 to 24 are photographs of processes of manufacturing an electronic device using the electronic device manufacturing method according to another embodiment of the present invention.
  • 25 is a perspective view schematically showing one step of a method for removing impurities according to another embodiment of the present invention.
  • the x-axis, y-axis and z-axis are not limited to three axes on the Cartesian coordinate system, but may be interpreted in a broad sense including the same.
  • the x-axis, y-axis, and z-axis may be orthogonal to each other, but may refer to different directions that are not orthogonal to each other.
  • FIG. 1 to 7 are perspective views schematically showing processes of an electronic device manufacturing method according to an embodiment of the present invention.
  • the first film 20 is prepared.
  • the first film 20 may be prepared on the source substrate 10 such as silicon oxide or a wafer.
  • the first layer 20 may be prepared in an unpatterned state and then processed into a predetermined form as needed.
  • the first layer 20 may be graphene.
  • the first layer 20 may be graphene.
  • Functional layers 21 and 22 may be formed.
  • the source substrate 10 and the plurality of functional layers 21 and 22 need to be not large in bonding strength. Therefore, after the first film 20 is formed or a plurality of functional layers 21 and 22 are formed as necessary, a process of mechanically peeling them from the source substrate 10 may be performed.
  • the plurality of functional layers 21 and 22 are not limited to graphene, and the plurality of functional layers 21 and 22 include organic semiconductor materials, carbon nanotubes, or transition metal dichalcogenides. You may.
  • the plurality of functional layers 21 and 22 may include a one-dimensional micro material layer including a tube, a wire, or a rod, or a one-dimensional nano material layer including a tube, a wire, or a rod.
  • the plurality of functional layers 21 and 22 may be two-dimensional micro material layers including graphene, transition metal dichalcogenide, nitrogen boron or black phosphorus, or graphene or transition metal chalcogenide compound. It may include a two-dimensional nanomaterial layer including transition metal dichalcogenide, nitrogen hexagon boride or black phosphorus. The same is true in the following embodiments and modifications thereof.
  • the transfer film 30 is positioned on the source substrate 10. Specifically, the transfer film 30 is positioned on the plurality of functional layers 21 and 22 disposed to be spaced apart from each other.
  • the transfer film 30 may be made of polydimethylsiloxane (PDMS), cytope, polymethylmethacrylate (PMMA), ethyl lactate, polycarbonate (PC), polypropylene Poly propylene carbonate (PPC), polyimide (PI), para-aramid fibrid, polyethylene terephthalate (PET), polyvinyl chloride (PVC), polyvinyl It may include acetate (PVAc; poly (vinyl acetate)), silica gel (silica-gel) or polyurethane acrylate (PUA; polyurethane acrylate).
  • the transfer film 30 may be formed by forming the transfer film 30 on a separate support by spin coating or the like, and then separating the transfer film 30 from the support.
  • the transfer film 30 is coupled to at least one of the plurality of functional layers 21 and 22 to transfer the transfer of the one coupled to the transfer film 30 of the plurality of functional layers 21 and 22. Can be used.
  • the transfer film 30 is positioned on the plurality of functional layers 21 and 22 spaced apart from each other as illustrated in FIG. 2, the source substrate 10 as well as the plurality of functional layers 21 and 22 may be formed.
  • the transfer film 30 is in contact with each other but is not in close contact with each other. Therefore, even if the transfer film 30 is separated from the source substrate 10 in this state, the plurality of functional layers 21 and 22 remain on the source substrate 10. Therefore, it is necessary to make the functional layer, which is a transfer target, of the plurality of functional layers 21 and 22 in close contact with the transfer film 30.
  • pressure is applied to a portion of the transfer film 30 corresponding to the first transfer object 21 among the plurality of functional layers 21 and 22 using the probe 40.
  • the van der Waals force between the first transfer object 21 and the transfer film 30 under the transfer film 30 increases, and the first transfer object 21 is moved. It adheres to the lower surface of the transfer film 30. Accordingly, when the transfer film 30 is spaced apart from the source substrate 10, the first transfer object 21 is brought into close contact with the bottom surface (-z direction) of the transfer film 30 as shown in FIG. 4. The desert 30 is spaced apart from the source substrate 10.
  • the transfer film 30 includes polydimethylsiloxane or other materials, if the thickness thereof is very thin, the transfer film 30 itself has a transparent or translucent state. Accordingly, even when the transfer film 30 is positioned on the plurality of functional layers 21 and 22 spaced apart from each other, as shown in FIG. 2, the plurality of functional layers 21 and 22 under the transfer film 30 are disposed. ) Can be confirmed through the transfer film 30. Accordingly, as shown in FIG. 3, pressure may be accurately applied to a portion of the transfer film 30 corresponding to the first transfer object 21 among the plurality of functional layers 21 and 22 by using the probe 40. Can be.
  • the transfer film 30 is spaced apart from the source substrate 10 while the first transfer object 21 is in close contact with the bottom surface, the first transfer object 21 is in close contact with the bottom surface as shown in FIG. 5.
  • the transfer film 30 is positioned on the target substrate 50 such as silicon oxide or a wafer.
  • an electrode pattern 60 may be formed in advance on the target substrate 50 as necessary.
  • the relative position of the first transfer object 21 and the transfer film 30 with respect to the target substrate 50 may be adjusted so that the first transfer object 21 corresponds to a predetermined portion on the target substrate 50. have.
  • a pressure is applied to a portion of the transfer film 30 corresponding to the first transfer object 21 so that the first transfer object 21 is preset on the target substrate 50. Position on. In this case, pressure may be selectively applied to a required portion of the transfer film 30 using the probe 40.
  • the Van der Waals force between the first transfer object 21 and the target substrate 50 under the transfer film 30 increases, and the first transfer object 21 is targeted. It is in close contact with the substrate 50. Accordingly, when the transfer film 30 is spaced apart from the target substrate 50, the transfer film 30 is targeted while the first transfer object 21 is in close contact with the target substrate 50 as shown in FIG. 7. Spaced apart from the substrate 50.
  • FIG. 7 illustrates that the first transfer object 21 transferred for convenience of illustration is spaced apart from the electrode pattern 60 on the target substrate 50. However, this is merely illustrated as such for convenience of illustration and in reality.
  • the first transfer object 21 may be electrically connected to any one electrode pattern 60.
  • the transfer film 30 includes polydimethylsiloxane or other materials, if the thickness thereof is very thin, the transfer film 30 itself has a transparent or translucent state. Accordingly, as shown in FIG. 5, when the first transfer object 21 aligns the transfer film 30 in close contact with the bottom surface of the target substrate 50 on which the electrode patterns 60 and the like are formed, the target substrate ( The position of the first transfer object 21 with respect to the electrode pattern 60 or the like on the 50 may be aligned while checking through the transfer film 30. In addition, even after such alignment, the position of the first transfer object 21 in close contact with the lower surface of the transfer film 30 may be confirmed through the transfer film 30. Accordingly, as shown in FIG. 6, the pressure may be accurately applied to the portion of the transfer film 30 corresponding to the first transfer object 21 using the probe 40.
  • the term “other membrane” may be formed of the same material as the "specific membrane", which is a transfer object, and may be present together on the source substrate while being spaced apart from the "specific membrane”.
  • the "specific film” may refer to at least one of the plurality of functional layers 21 and 22 existing on the source substrate 10 other than the first transfer object 21 as shown in FIG. 1. Can be.
  • “another film” may mean impurities present on the source substrate together with a "specific film” which is a transfer object.
  • the manufacturing efficiency of the electronic device can be dramatically increased.
  • a plurality of functional layers 21 and 22 spaced apart from each other on the source substrate 10 are simultaneously formed, and among these, at least one target substrate 50 is selectively and / or sequentially formed.
  • the target substrate 50 is a target substrate 50 and the surrounding environment conditions when the first transfer object 21 in close contact with the lower surface of the transfer film 30 and the first transfer object 21 in close contact with the lower surface of the transfer film 30.
  • the environmental conditions at the time of placing in a phase can be made to mutually differ. This allows the first transfer object 21 to be in close contact with the transfer film 30 in some cases in the same and / or similar situations where pressure is applied to the transfer film 30 using the probe 40, and in other cases, 1 is to easily control the transfer object 21 to be in close contact with the target substrate (50).
  • the temperature of the surrounding environment when the step of bringing the first transfer object 21 into close contact with the bottom surface of the transfer film 30 is called a first temperature, and the first transfer object adhered to the bottom surface of the transfer film 30.
  • the first temperature and the second temperature may be different.
  • the first temperature may be 50 ° C or more and 130 ° C or less
  • the second temperature may be 10 ° C or more and 30 ° C or less.
  • the first temperature is higher than the second temperature so that the first transfer object 21 on the source substrate 10 comes into close contact with the bottom surface of the transfer film 30 when pressurized under the first temperature.
  • the first transfer object 21 in close contact with the lower surface of the transfer film 30 may be in close contact with the target substrate 50. This is because the van der Waals force, which can be referred to as the adhesion between the first transfer object 21 and the adhesion object, can be adjusted differently according to the temperature.
  • FIGS. 8 to 13 are perspective views schematically illustrating processes of an electronic device manufacturing method according to another exemplary embodiment of the present invention, and illustrate processes that may be performed following the processes described above with reference to FIGS. 1 to 7. .
  • the first transfer object 21 on the source substrate 10 is transferred onto the target substrate 50, the first transfer object is no longer on the source substrate 10 as shown in FIG. 8. does not exist. However, there may still be various residual functional layers other than the first transfer object on the source substrate 10, so that some of these residual functional layers may be selectively transferred onto a substrate other than the source substrate 10 as necessary. have.
  • the transfer film 30 may be repositioned on the remaining functional layers on the source substrate 10. The transfer film 30 at this time may be to reuse the transfer film 30 used when transferring the first transfer object 21, or may be a new transfer film 30 instead of the transfer film 30. have.
  • the transfer film 30 Even if the transfer film 30 is positioned on the remaining functional layers spaced apart from each other as shown in FIG. 9, the source substrate 10 as well as the remaining functional layers are in contact with the transfer film 30 but are in close contact with each other ( Not in a bonded state. Therefore, even if the transfer film 30 is separated from the source substrate 10 in this state, the remaining functional layers remain on the source substrate 10. Therefore, it is necessary to make the functional layer, which is a transfer target, among the remaining functional layers to be in close contact with the transfer film 30.
  • pressure is applied to a portion of the transfer film 30 corresponding to the second transfer object 22 among the remaining functional layers by using the probe 40.
  • the van der Waals force between the second transfer object 22 and the transfer film 30 under the transfer film 30 increases, and the second transfer object 22 is formed. It adheres to the lower surface of the transfer film 30. Accordingly, when the transfer film 30 is separated from the source substrate 10, the second transfer object 22 is brought into close contact with the bottom surface (-z direction) of the transfer film 30 as shown in FIG. 10. The desert 30 is spaced apart from the source substrate 10.
  • the transfer film 30 is spaced apart from the source substrate 10 while the second transfer object 22 is in close contact with the lower surface, the second transfer object 22 is in close contact with the bottom surface as shown in FIG. 11. In this state, the transfer film 30 is positioned on the target substrate 50 such as silicon oxide or a wafer.
  • the target substrate 50 such as silicon oxide or a wafer.
  • the transfer film 30 and the target substrate 50 are aligned so that the second transfer object 22 is positioned on the first transfer object 21 already transferred onto the target substrate 50.
  • the transfer film 30 may be aligned with respect to a separate target substrate instead of the target substrate 50 on which the first transfer object 21 already transferred.
  • the size of the transfer film 30 is the same as or similar to the size of the source substrate 10 and / or the target substrate 50 in FIG. 11, the present invention is not limited thereto.
  • the area of the transfer film 30 is sufficiently wider than that of the target substrate 50 so that the second transfer object 22 is positioned on the first transfer object 21.
  • a pressure is applied to a portion of the transfer film 30 corresponding to the second transfer object 22 so that the second transfer object 22 is preset on the target substrate 50. Position on. In this case, pressure may be selectively applied to a required portion of the transfer film 30 using the probe 40.
  • the pressure is applied to the transfer film 30 as described above, the first transfer object 21 already transferred onto the second transfer object 22 and the target substrate 50 or the target substrate 50 under the transfer film 30.
  • the van der Waals force between () increases, the second transfer object 22 is in close contact with the target substrate 50. Accordingly, when the transfer film 30 is spaced apart from the target substrate 50, the transfer film 30 is targeted while the second transfer object 22 is in close contact with the target substrate 50 as shown in FIG. 13. Spaced apart from the substrate 50. Accordingly, as shown in FIG. 13, it is possible to manufacture an electronic device in which the second transfer object 22 is positioned at a predetermined place.
  • the manufacturing efficiency of the electronic device can be dramatically increased. In manufacturing one electronic device or several electronic devices, electronic devices can be manufactured efficiently while reducing the total amount of materials used.
  • the environmental conditions when the second transfer object 22 is in close contact with the bottom surface of the transfer film 30 and the second transfer object 22 in close contact with the bottom surface of the transfer film 30 are on the target substrate 50.
  • the environmental conditions at the time of placing them in can be different from each other.
  • the environmental conditions when the first transfer object 21 is brought into close contact with the bottom surface of the transfer film 30, and the first transfer object 21 adhered to the bottom surface of the transfer film 30 are the target substrate 50. Since the above descriptions may be applied to the surrounding environment conditions when placed on the image, description thereof will be omitted.
  • FIG. 14 to 18 are photographs of processes of manufacturing an electronic device using the electronic device manufacturing method according to the embodiment described above with reference to FIGS. 1 to 7.
  • FIG. 14 is a photograph showing a transfer object A among various functional layers existing on the source substrate 10.
  • FIG. 15 is a photograph showing that the transfer film 30 is placed on the source substrate 10 and pressure is applied to the portion of the transfer film 30 corresponding to the transfer object A by using the probe 40. . In this way, if pressure is applied to a portion of the transfer film 30 corresponding to the transfer object A, and the transfer film 30 is separated from the source substrate 10, the transfer film as shown in the photograph of FIG. Only the transfer object A can be attached to the lower surface of the 30.
  • FIG. 19 is an enlarged photograph of a portion of the above-described photograph before the transfer (the photograph of FIG. 14) and the photograph after the transfer (the photograph of FIG. 18).
  • the transfer film 30 is positioned on the plurality of functional layers A, B, and C positioned to be spaced apart from each other on the source substrate. Then, a pressure is applied to a portion of the transfer film 30 corresponding to the first transfer object A among the plurality of functional layers by using a probe to apply the first transfer object A to the bottom surface of the transfer film 30. Close contact Then, using a probe, pressure is applied to a portion of the transfer film 30 corresponding to the second transfer object B among the plurality of functional layers, thereby lowering the second transfer object B on the bottom surface of the transfer film 30. In close contact. Of course, pressure may be applied to a portion of the transfer film 30 corresponding to the third transfer object C, so that the third transfer object C may also be in close contact with the bottom surface of the transfer film 30.
  • the source substrate is transferred to the first transfer object A, the second transfer object B, and, if necessary, the transfer film 30 in close contact with the lower surface of the transfer film 30.
  • Away from 20 is a photograph in such a state.
  • the transfer film 30 is aligned with respect to the target substrate in a state where the first transfer object A and the second transfer object B are in close contact with each other and the third transfer object C as necessary.
  • Position on This may be understood to allow the first transfer object A to be positioned at a point on the target substrate to which the first transfer object A is to be transferred.
  • the pressure is applied to the portion of the transfer film 30 corresponding to the first transfer object A by using the probe 40 to closely adhere the first transfer object A on the target substrate.
  • the first transfer object A is positioned on the target substrate, and the second transfer object B and the third transfer object C are in close contact with the bottom surface of the transfer film 30. Spaced apart from the substrate.
  • the transfer film 30 is again aligned with respect to the target substrate while the second transfer object B and the third transfer object C are brought into close contact with each other to be positioned on the target substrate.
  • This may be understood to allow the second transfer object B to be positioned at a point on the target substrate on which the second transfer object B is to be transferred.
  • pressure is applied to a portion of the transfer film 30 corresponding to the second transfer object B by using the probe 40 to position the second transfer object B on the target substrate. Let's do it.
  • the transfer film 30 may be placed in a state where the first transfer object A as well as the second transfer object B are positioned on the target substrate and the third transfer object C is in close contact with the bottom surface of the transfer film 30. Away from the target substrate.
  • the transfer film 30 is again aligned with respect to the target substrate in a state where the third transfer object C is in close contact with the lower surface and positioned on the target substrate. This may be understood to cause the third transfer object C to be positioned at a point on the target substrate on which the third transfer object C is to be transferred. As shown in the photograph of FIG. 23, the pressure is applied to the portion of the transfer film 30 corresponding to the third transfer object C using the probe 40 to position the third transfer object C on the target substrate. Let's do it. The transfer film 30 is spaced apart from the target substrate in a state where the first transfer object A to the third transfer object C are positioned on the target substrate.
  • FIG. 24 is a photograph showing that the first transfer object A to the third transfer object C are disposed on the target substrate 50 through the above process.
  • the relative positions of the first transfer object A to the third transfer object C on the source substrate are determined by the first transfer object A on the target substrate 50. It can be confirmed that it is different from the relative position of the third transfer object (C).
  • the present invention is not limited to the method of manufacturing the electronic device, and the method of removing impurities is also within the scope of the present invention.
  • the first impurity ( 71 may be located.
  • the transfer film is positioned on the first impurity 71 as described above, and a probe is used. Pressure may be applied to a portion of the transfer film corresponding to the first impurity 71 to bring the first impurity 71 into close contact with the bottom surface of the transfer film.
  • the second impurity 72 on the substrate 50 is removed after the first impurity 71 is removed.
  • Reposition the transfer film on the bottom surface and similarly apply pressure to a portion of the transfer film corresponding to the second impurity 72 using a probe to bring the second impurity 72 into close contact with the bottom surface of the transfer film, and then
  • the second impurity 72 can also be selectively removed by separating the transfer film from the substrate in a state where the impurity 72 is in close contact.
  • the second impurity 72 when the second impurity 72 is removed, the second impurity 72 may be removed while the first impurity 71 is in close contact with the bottom surface of the transfer film, and the first impurity 71 may be removed from the bottom surface of the transfer film. ) And then the second impurity 72 may be removed.
  • the transfer film is placed on the removal substrate with the first impurity 71 in close contact with the bottom surface, and a pressure is applied to a portion of the transfer film corresponding to the first impurity 71 so as to apply the first impurity 71.
  • the first impurity 71 can be removed from the lower surface of the transfer film by placing the film in close contact with the removal substrate and then separating the transfer film from the removal substrate with the first impurity 71 positioned on the removal substrate.
  • the transfer film used in the impurity removal process may be polydimethylsiloxane (PDMS), cytotop (CYTOP), polymethylmethacrylate (PMMA), ethyl lactate, polycarbonate (PC; polycarbonate).
  • PDMS polydimethylsiloxane
  • CYTOP cytotop
  • PMMA polymethylmethacrylate
  • PC polycarbonate
  • the first temperature of the surrounding environment when the step of bringing the first impurity 71 and / or the second impurity 72 into close contact with the lower surface of the transfer film is performed, wherein the first impurity 71 and / or the second impurity is Position 72 on the removal substrate can be different from the second temperature of the environment when the step is performed.
  • the first temperature may be higher than the second temperature.
  • the first temperature may be 50 ° C. or more and 130 ° C. or less
  • the second temperature may be 10 ° C. or more and 30 ° C. or less.
  • An electronic device manufacturing method and an impurity removal method using the same may be implemented.

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Abstract

본 발명은 효율적으로 물질을 활용할 수 있는 전자장치 제조방법 및 이를 이용한 불순물 제거방법을 위하여, 소스기판 상에 상호 이격되도록 위치한 복수개의 기능층들 상에 전사막을 위치시키는 단계와, 프로브를 이용해 복수개의 기능층들 중의 제1전사대상물에 대응하는 전사막의 부분에 압력을 인가하여 제1전사대상물을 전사막의 하면에 밀착시키는 단계와, 하면에 제1전사대상물이 밀착된 상태로 전사막을 소스기판으로부터 이격시키는 단계와, 하면에 제1전사대상물이 밀착된 상태로 전사막을 타겟기판 상에 위치시키는 단계와, 제1전사대상물에 대응하는 전사막의 부분에 압력을 인가하여 제1전사대상물을 타겟기판 상에 위치시키는 단계와, 제1전사대상물이 타겟기판 상에 위치한 상태로, 전사막을 타겟기판으로부터 이격시키는 단계를 포함하는, 전자장치 제조방법 및 이를 이용한 불순물 제거방법을 제공한다.

Description

전자장치 제조방법 및 이를 이용한 불순물 제거방법
본 발명은 전자장치 제조방법 및 이를 이용한 불순물 제거방법에 관한 것으로서, 더 상세하게는 효율적으로 물질을 활용할 수 있는 전자장치 제조방법 및 이를 이용한 불순물 제거방법에 관한 것이다.
일반적으로 전자장치를 제조함에 있어서 특정 막을 형성하게 된다. 이러한 막을 형성함에 있어서 전자장치의 일 구성요소가 될 기판 상에 직접 막을 형성할 수도 있지만, 필요에 따라서는 다른 지지체 상에 막을 형성한 후 이 막을 기판 상으로 전사하는 경우가 있다.
그러나 종래의 전자장치 제조방법의 경우, 막을 전사하는 과정에서 복수의 전자소자들에 있어서 동일한 구성요소들을 동시에 형성해야만 하는 등의 제약조건이 많다는 문제점이 있었다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 포함하여 여러 문제점들을 해결하기 위한 것으로서, 효율적으로 물질을 활용할 수 있는 전자장치 제조방법 및 이를 이용한 불순물 제거방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 그러나 이러한 과제는 예시적인 것으로, 이에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 일 관점에 따르면, 소스기판 상에 상호 이격되도록 위치한 복수개의 기능층들 상에 전사막을 위치시키는 단계와, 프로브를 이용해 복수개의 기능층들 중의 제1전사대상물에 대응하는 전사막의 부분에 압력을 인가하여 제1전사대상물을 전사막의 하면에 밀착시키는 단계와, 하면에 제1전사대상물이 밀착된 상태로 전사막을 소스기판으로부터 이격시키는 단계와, 하면에 제1전사대상물이 밀착된 상태로 전사막을 타겟기판 상에 위치시키는 단계와, 제1전사대상물에 대응하는 전사막의 부분에 압력을 인가하여 제1전사대상물을 타겟기판 상에 위치시키는 단계와, 제1전사대상물이 타겟기판 상에 위치한 상태로, 전사막을 타겟기판으로부터 이격시키는 단계를 포함하는, 전자장치 제조방법이 제공된다.
본 발명의 다른 일 관점에 따르면, 소스기판 상에 상호 이격되도록 위치한 복수개의 기능층들 상에 전사막을 위치시키는 단계와, 프로브를 이용해 복수개의 기능층들 중의 제1전사대상물에 대응하는 전사막의 부분에 압력을 인가하여 제1전사대상물을 전사막의 하면에 밀착시키는 단계와, 프로브를 이용해 복수개의 기능층들 중의 제2전사대상물에 대응하는 전사막의 부분에 압력을 인가하여 제2전사대상물을 전사막의 하면에 밀착시키는 단계와, 하면에 제1전사대상물과 제2전사대상물이 밀착된 상태로 전사막을 소스기판으로부터 이격시키는 단계와, 하면에 제1전사대상물과 제2전사대상물이 밀착된 상태로 전사막을 타겟기판에 대해 얼라인하여 타겟기판 상에 위치시키는 단계와, 제1전사대상물에 대응하는 전사막의 부분에 압력을 인가하여 제1전사대상물을 타겟기판 상에 위치시키는 단계와, 제1전사대상물이 타겟기판 상에 위치하고 제2전사대상물이 전사막의 하면에 밀착된 상태로 전사막을 타겟기판으로부터 이격시키는 단계와, 하면에 제2전사대상물이 밀착된 상태로 전사막을 타겟기판에 대해 얼라인하여 타겟기판 상에 위치시키는 단계와, 제2전사대상물에 대응하는 전사막의 부분에 압력을 인가하여 제2전사대상물을 타겟기판 상에 위치시키는 단계와, 제1전사대상물과 제2전사대상물이 타겟기판 상에 위치한 상태로 전사막을 타겟기판으로부터 이격시키는 단계를 포함하는, 전자장치 제조방법이 제공된다.
복수개의 기능층들은 튜브, 와이어 또는 막대 형태를 포함하는 1차원 마이크로 소재층 또는 1차원 나노 소재층, 또는 그래핀, 전이금속 칼코겐 화합물(transition metal dichalcogenide), 육각붕화질소 또는 흑린을 포함하는 2차원 마이크로 소재층 또는 2차원 나노 소재층을 포함할 수 있다.
전사막은 폴리디메틸실록산(PDMS; polydimethylsiloxane), 싸이토프(CYTOP), 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA; polymethylmethacrylate), 에틸락테이트(ethyl lactate), 폴리카보네이트(PC; polycarbonate), 폴리프로필렌카보네이트(PPC; poly propylene carbonate), 폴리이미드(PI; polyimide), 파라아라미드피브리드(para-aramid fibrid), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET; polyethylene terephthalate), 폴리염화비닐(PVC; polyvinyl chloride), 폴리비닐아세테이트(PVAc; poly(vinyl acetate)), 실리카겔(silica-gel) 또는 폴리우레탄아크릴레이트(PUA; polyurethane acrylate)를 포함할 수 있다.
상기 제1전사대상물을 전사막의 하면에 밀착시키는 단계가 수행될 시의 주변환경의 제1온도는, 상기 제1전사대상물을 타겟기판 상에 위치시키는 단계가 수행될 시의 주변환경의 제2온도와 상이할 수 있다. 이때, 제1온도가 제2온도보다 높을 수 있다. 구체적으로, 제1온도는 50℃도 이상 130℃ 이하이고, 제2온도는 10℃ 이상 30℃ 이하일 수 있다.
나아가, 소스기판 상의 잔여 기능층들 상에 전사막을 다시 위치시키는 단계와, 프로브를 이용해 잔여 기능층들 중의 제2전사대상물에 대응하는 전사막의 부분에 압력을 인가하여 제2전사대상물을 전사막의 하면에 밀착시키는 단계와, 하면에 제2전사대상물이 밀착된 상태로 전사막을 소스기판으로부터 이격시키는 단계와, 하면에 제2전사대상물이 밀착된 상태로 전사막을 타겟기판 상에 위치시키는 단계와, 제2전사대상물에 대응하는 전사막의 부분에 압력을 인가하여 제2전사대상물을 타겟기판 상에 위치시키는 단계와, 제2전사대상물이 타겟기판 상에 위치한 상태로 전사막을 타겟기판으로부터 이격시키는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 또 다른 일 관점에 따르면, 기판 상에 기능층을 형성하는 단계와, 기판 상의 제1불순물 상에 전사막을 위치시키는 단계와, 프로브를 이용해 제1불순물에 대응하는 전사막의 부분에 압력을 인가하여 제1불순물을 전사막의 하면에 밀착시키는 단계와, 하면에 제1불순물이 밀착된 상태로 전사막을 기판으로부터 이격시키는 단계를 포함하는, 불순물 제거방법이 제공된다.
나아가, 하면에 제1불순물이 밀착된 상태로 전사막을 제거기판 상에 위치시키는 단계와, 제1불순물에 대응하는 전사막의 부분에 압력을 인가하여, 제1불순물을 제거기판 상에 위치시키는 단계와, 제1불순물이 제거기판 상에 위치한 상태로 전사막을 제거기판으로부터 이격시키는 단계를 더 포함할 수 있다.
한편, 기판 상의 제2불순물 상에 전사막을 다시 위치시키는 단계와, 프로브를 이용해 제2불순물에 대응하는 전사막의 부분에 압력을 인가하여 제2불순물을 전사막의 하면에 밀착시키는 단계와, 하면에 제2불순물이 밀착된 상태로 전사막을 기판으로부터 이격시키는 단계를 더 포함할 수 있다.
전사막은 폴리디메틸실록산(PDMS; polydimethylsiloxane), 싸이토프(CYTOP), 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA; polymethylmethacrylate), 에틸락테이트(ethyl lactate), 폴리카보네이트(PC; polycarbonate), 폴리프로필렌카보네이트(PPC; poly propylene carbonate), 폴리이미드(PI; polyimide), 파라아라미드피브리드(para-aramid fibrid), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET; polyethylene terephthalate), 폴리염화비닐(PVC; polyvinyl chloride), 폴리비닐아세테이트(PVAc; poly(vinyl acetate)), 실리카겔(silica-gel) 또는 폴리우레탄아크릴레이트(PUA; polyurethane acrylate)를 포함할 수 있다.
상기 제1불순물을 전사막의 하면에 밀착시키는 단계가 수행될 시의 주변환경의 제1온도는, 상기 제1불순물을 제거기판 상에 위치시키는 단계가 수행될 시의 주변환경의 제2온도와 상이할 수 있다. 즉, 제1온도가 제2온도보다 높을 수 있다. 구체적으로, 제1온도는 50℃ 이상 130℃ 이하이고, 제2온도는 10℃ 이상 30℃ 이하일 수 있다.
전술한 것 외의 다른 측면, 특징, 이점은 이하의 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용, 청구범위 및 도면으로부터 명확해질 것이다.
상기한 바와 같이 이루어진 본 발명의 일 실시예에 따르면, 효율적으로 물질을 활용할 수 있는 전자장치 제조방법 및 이를 이용한 불순물 제거방법을 구현할 수 있다. 물론 이러한 효과에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
도 1 내지 도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 전자장치 제조방법의 공정들을 개략적으로 도시하는 사시도들이다.
도 8 내지 도 13은 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 전자장치 제조방법의 공정들을 개략적으로 도시하는 사시도들이다.
도 14 내지 도 18은 전술한 실시예에 따른 전자장치 제조방법을 이용해 전자장치를 제조하는 공정들의 사진들이다.
도 19는 전술한 사진들 중 전사 전과 전사 후의 사진들의 일부분의 확대사진이다.
도 20 내지 도 24는 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 전자장치 제조방법을 이용해 전자장치를 제조하는 공정들의 사진들이다.
도 25는 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 불순물 제거방법의 일 공정을 개략적으로 도시하는 사시도이다.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 본 발명의 효과 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 다양한 형태로 구현될 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 도면을 참조하여 설명할 때 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
이하의 실시예에서 층, 막, 영역, 판 등의 각종 구성요소가 다른 구성요소 "상에" 있다고 할 때, 이는 다른 구성요소 "바로 상에" 있는 경우뿐 아니라 그 사이에 다른 구성요소가 개재된 경우도 포함한다. 또한 설명의 편의를 위하여 도면에서는 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다. 예컨대, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.
이하의 실시예에서, x축, y축 및 z축은 직교 좌표계 상의 세 축으로 한정되지 않고, 이를 포함하는 넓은 의미로 해석될 수 있다. 예를 들어, x축, y축 및 z축은 서로 직교할 수도 있지만, 서로 직교하지 않는 서로 다른 방향을 지칭할 수도 있다.
도 1 내지 도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 전자장치 제조방법의 공정들을 개략적으로 도시하는 사시도들이다.
먼저 제1막(20)을 준비한다. 제1막(20)은 실리콘옥사이드 또는 웨이퍼 등과 같은 소스기판(10) 상에 준비될 수 있다. 제1막(20)은 패터닝되지 않은 상태로 준비된 후, 필요에 따라 사전설정된 형태로 가공될 수 있다.
예컨대 제1막(20)은 그래핀일 수 있다. 이 경우 소스기판(10) 상에 패터닝되지 않은 그래핀막을 형성하거나 위치시킨 후, 전자빔 리소그래피 및/또는 O2 플라즈마 공정 등을 통해 필요한 형상 및/또는 크기로 패터닝하여 도 1에 도시된 것과 같이 복수개의 기능층들(21, 22)을 형성할 수 있다. 소스기판(10)과 복수개의 기능층들(21, 22)은 추후 분리가 용이하도록 하기 위해, 상호간의 접합력이 크지 않도록 할 필요가 있다. 따라서 필요에 따라 제1막(20)을 형성한 후 또는 복수개의 기능층들(21, 22)을 형성한 후, 이를 소스기판(10)으로부터 기계적으로 박리하는 과정을 거칠 수 있다.
물론 복수개의 기능층들(21, 22)은 그래핀에 한정되지 않으며, 복수개의 기능층들(21, 22)은 유기반도체물질, 탄소나노튜브 또는 전이금속 칼코겐화물(transition metal dichalcogenide)을 포함할 수도 있다. 예컨대, 복수개의 기능층들(21, 22)은 튜브, 와이어 또는 막대 형태를 포함하는 1차원 마이크로 소재층이나, 튜브, 와이어 또는 막대 형태를 포함하는 또는 1차원 나노 소재층을 포함할 수 있다. 물론 복수개의 기능층들(21, 22)은 그래핀, 전이금속 칼코겐 화합물(transition metal dichalcogenide), 육각붕화질소 또는 흑린을 포함하는 2차원 마이크로 소재층이나, 그래핀, 전이금속 칼코겐 화합물(transition metal dichalcogenide), 육각붕화질소 또는 흑린을 포함하는 2차원 나노 소재층을 포함할 수 있다. 이는 후술하는 실시예들 및 그 변형예들에 있어서도 마찬가지이다.
이후, 도 2에 도시된 것과 같이 소스기판(10) 상에 전사막(30)을 위치시킨다. 구체적으로, 상호 이격되도록 위치한 복수개의 기능층들(21, 22) 상에 전사막(30)을 위치시킨다. 전사막(30)은 폴리디메틸실록산(PDMS; polydimethylsiloxane), 싸이토프(CYTOP), 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA; polymethylmethacrylate), 에틸락테이트(ethyl lactate), 폴리카보네이트(PC; polycarbonate), 폴리프로필렌카보네이트(PPC; poly propylene carbonate), 폴리이미드(PI; polyimide), 파라아라미드피브리드(para-aramid fibrid), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET; polyethylene terephthalate), 폴리염화비닐(PVC; polyvinyl chloride), 폴리비닐아세테이트(PVAc; poly(vinyl acetate)), 실리카겔(silica-gel) 또는 폴리우레탄아크릴레이트(PUA; polyurethane acrylate)를 포함할 수 있다.
이러한 전사막(30)은 스핀코팅법 등으로 전사막(30)을 별도의 지지체 상에 형성한 후, 지지체로부터 전사막(30)을 분리함으로써 형성할 수 있다. 이러한 전사막(30)은 복수개의 기능층들(21, 22) 중 적어도 어느 하나와 결합되어, 복수개의 기능층들(21, 22) 중 전사막(30)에 결합된 것의 전사(transfer)에 이용될 수 있다.
도 2에 도시된 것과 같이 상호 이격되도록 위치한 복수개의 기능층들(21, 22) 상에 전사막(30)을 위치시켜도, 소스기판(10)은 물론 복수개의 기능층들(21, 22)은 전사막(30)에 컨택하고 있지만 상호 밀착된(접합된) 상태는 아니다. 따라서 이 상태에서 전사막(30)을 소스기판(10)으로부터 분리하더라도, 복수개의 기능층들(21, 22)은 소스기판(10) 상에 잔존하게 된다. 그러므로 복수개의 기능층들(21, 22) 중 전사대상인 기능층이 전사막(30)에 밀착되도록 할 필요가 있다.
이를 위해, 도 3에 도시된 것과 같이 프로브(40)를 이용해, 복수개의 기능층들(21, 22) 중의 제1전사대상물(21)에 대응하는 전사막(30)의 부분에 압력을 인가한다. 이와 같이 전사막(30)에 압력을 인가하게 되면, 전사막(30) 하부의 제1전사대상물(21)과 전사막(30) 사이의 반데르발스 힘이 커지면서 제1전사대상물(21)이 전사막(30) 하면에 밀착된다. 이에 따라 전사막(30)을 소스기판(10)으로부터 이격시키면, 도 4에 도시된 것과 같이 전사막(30)의 (-z 방향) 하면에 제1전사대상물(21)이 밀착된 상태로 전사막(30)이 소스기판(10)으로부터 이격된다.
참고로 전사막(30)이 폴리디메틸실록산을 포함하거나, 다른 물질을 포함한다 하더라도 그 두께가 매우 얇으면, 전사막(30) 자체는 투명하거나 반투명한 상태를 갖는다. 이에 따라 도 2에 도시된 것과 같이 상호 이격되도록 위치한 복수개의 기능층들(21, 22) 상에 전사막(30)을 위치시켜도, 전사막(30) 하부의 복수개의 기능층들(21, 22)의 위치를 전사막(30)을 통해 확인할 수 있다. 이에 따라 도 3에 도시된 것과 같이 프로브(40)를 이용해, 복수개의 기능층들(21, 22) 중의 제1전사대상물(21)에 대응하는 전사막(30)의 부분에 정확하게 압력을 인가할 수 있다.
이와 같이 하면에 제1전사대상물(21)이 밀착된 채로 전사막(30)을 소스기판(10)으로부터 이격시킨 후, 도 5에 도시된 것과 같이 하면에 제1전사대상물(21)이 밀착된 상태로 전사막(30)을 실리콘옥사이드 또는 웨이퍼 등과 같은 타겟기판(50) 상에 위치시킨다. 타겟기판(50) 상에는 도 5에 도시된 것과 같이 필요에 따라 사전에 전극패턴(60) 등이 형성되어 있을 수 있다. 이때, 제1전사대상물(21)이 타겟기판(50) 상의 사전설정된 부분 상에 대응하도록, 제1전사대상물(21) 및 전사막(30)의 타겟기판(50)에 대한 상대적인 위치를 조절할 수 있다.
이후, 도 6에 도시된 것과 같이, 제1전사대상물(21)에 대응하는 전사막(30)의 부분에 압력을 인가하여, 제1전사대상물(21)을 타겟기판(50) 상의 사전설정된 부분 상에 위치시킨다. 이 때에도 프로브(40)를 이용해 전사막(30)의 필요한 부분에 선택적으로 압력을 인가할 수 있다. 이처럼 전사막(30)에 압력을 인가하게 되면, 전사막(30) 하부의 제1전사대상물(21)과 타겟기판(50) 사이의 반데르발스 힘이 커지면서 제1전사대상물(21)이 타겟기판(50) 상에 밀착된다. 이에 따라 전사막(30)을 타겟기판(50)으로부터 이격시키면, 도 7에 도시된 것과 같이 타겟기판(50) 상에 제1전사대상물(21)이 밀착된 상태로 전사막(30)이 타겟기판(50)으로부터 이격된다. 이에 따라 도 7에 도시된 것과 같이, 사전설정된 곳에 제1전사대상물(21)이 위치하는 전자장치를 제조할 수 있게 된다. 물론 도 7에서는 도시의 편의상 전사된 제1전사대상물(21)이 타겟기판(50) 상의 전극패턴(60) 등과 이격된 것으로 도시하고 있으나, 이는 도시의 편의상 그와 같이 도시한 것일 뿐이며, 실제로는 제1전사대상물(21)이 어느 일 전극패턴(60)과 전기적으로 연결될 수 있다.
참고로 전술한 것과 같이 전사막(30)이 폴리디메틸실록산을 포함하거나, 다른 물질을 포함한다 하더라도 그 두께가 매우 얇으면, 전사막(30) 자체는 투명하거나 반투명한 상태를 갖는다. 이에 따라 도 5에 도시된 것과 같이 전극패턴(60) 등이 형성된 타겟기판(50) 상에 제1전사대상물(21)이 하면에 밀착된 전사막(30)을 얼라인할 시, 타겟기판(50) 상의 전극패턴(60) 등에 대한 제1전사대상물(21)의 위치를 전사막(30)을 통해 확인하면서 얼라인할 수 있다. 또한 그와 같이 얼라인이 이루어진 후에도 전사막(30)의 하면에 밀착된 제1전사대상물(21)의 위치를 전사막(30)을 통해 확인할 수 있다. 이에 따라 도 6에 도시된 것과 같이 프로브(40)를 이용해, 제1전사대상물(21)에 대응하는 전사막(30)의 부분에 정확하게 압력을 인가할 수 있다.
종래의 전자장치 제조방법의 경우, 특정 막을 타겟기판 상에 전사할 시, 소스기판 상에 해당 특정 막만이 존재해야 하며, 소스기판 상에 그 특정 막 외의 다른 막도 존재할 경우 해당 특정 막 외에 그러한 다른 막까지 함께 전사된다는 문제점이 있었다. 여기서 "다른 막"이라 함은 전사대상물인 "특정 막"과 동일 물질로 형성되되 "특정 막"으로부터 이격되어 소스기판 상에 함께 존재하는 것을 의미할 수 있다. 예컨대 "특정 막"은 도 1에 도시된 것과 같이 소스기판(10) 상에 존재하는 복수개의 기능층들(21, 22) 중 제1전사대상물(21) 외의 다른 것들 중 적어도 어느 하나를 의미할 수 있다. 또는, "다른 막"이라 함은 전사대상물인 "특정 막"과 함께 소스기판 상에 함께 존재하는 불순물을 의미할 수도 있다.
하지만 본 실시예에 따른 전자장치 제조방법의 경우, 소스기판(10) 상에 상호 이격되어 존재하는 다양한 구성요소들 중 제1전사대상물(21)만을 정확하게 선택적으로 타겟기판(50) 상으로 전사할 수 있다. 따라서 전자장치 제조 효율성을 획기적으로 높일 수 있다. 예컨대 도 1에 도시된 것과 같이 소스기판(10) 상에 상호 이격된 복수개의 기능층들(21, 22)을 동시에 형성하고, 이들 중 필요한 것들을 선택적 및/또는 순차적으로 적어도 하나의 타겟기판(50) 상으로 선택적으로 전사함으로써, 여러 개의 전자장치들을 제조함에 있어서 사용하는 물질의 총량을 줄이면서도 효율적으로 전자장치들을 제조할 수 있다. 또한 소스기판(10) 상에 전사대상물 외에 불순물 등이 함께 존재할 경우에도, 불순물을 제외하고 전사대상물만을 선택적으로 픽업하여 타겟기판(50) 상에 전사함으로써, 제조과정에서의 불량 발생률을 획기적으로 낮출 수 있다.
한편, 제1전사대상물(21)을 전사막(30)의 하면에 밀착시킬 시의 주변환경 조건과, 전사막(30)의 하면에 밀착된 제1전사대상물(21)을 타겟기판(50) 상에 위치시킬 시의 주변환경 조건이, 서로 상이하도록 할 수 있다. 이는 프로브(40)를 이용하여 전사막(30)에 압력을 인가하는 동일 및/또는 유사한 상황에서, 어떤 경우에는 제1전사대상물(21)이 전사막(30)에 밀착되도록 하고 다른 경우에는 제1전사대상물(21)이 타겟기판(50) 상에 밀착되도록 하는 것을 용이하게 컨트롤하기 위함이다.
예컨대, 제1전사대상물(21)을 전사막(30)의 하면에 밀착시키는 단계가 수행될 시의 주변환경의 온도를 제1온도라 하고, 전사막(30) 하면에 밀착된 제1전사대상물(21)을 타겟기판(50) 상에 위치시키는 단계가 수행될 시의 주변환경의 온도를 제2온도라 하면, 제1온도와 제2온도가 상이하도록 할 수 있다. 구체적으로, 제1온도는 50℃ 이상 130℃ 이하이고, 제2온도는 10℃ 이상 30℃ 이하가 되도록 할 수 있다. 이처럼 제1온도가 제2온도보다 높도록 함으로써, 제1온도 하에서 이루어지는 가압 시에는 소스기판(10) 상의 제1전사대상물(21)이 전사막(30)의 하면에 밀착되도록 하고, 제2온도 하에서 이루어지는 가압 시에는 전사막(30) 하면에 밀착된 제1전사대상물(21)이 타겟기판(50)에 밀착되도록 할 수 있다. 이는 제1전사대상물(21)과 밀착대상체 사이의 밀착력이라 할 수 있는 반데르발스 힘이 온도에 따라 상이하게 조절될 수 있기 때문이다.
도 8 내지 도 13은 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 전자장치 제조방법의 공정들을 개략적으로 도시하는 사시도들로서, 도 1 내지 도 7을 참조하여 전술한 공정들에 이어 진행될 수 있는 공정들을 도시한다.
전술한 것과 같이 소스기판(10) 상의 제1전사대상물(21)은 타겟기판(50) 상에 전사된 상태이기에, 도 8에 도시된 것과 같이 소스기판(10) 상에는 더 이상 제1전사대상물이 존재하지 않는다. 하지만 소스기판(10) 상에 제1전사대상물 외의 다양한 잔여 기능층들이 여전히 존재할 수 있는바, 필요에 따라 그러한 잔여 기능층들 중 일부를 선택적으로 소스기판(10) 외의 다른 기판 상으로 전사할 수 있다. 이를 위해 도 8에 도시된 것과 같이, 소스기판(10) 상의 잔여 기능층들 상에 전사막(30)을 다시 위치시킬 수 있다. 이 때의 전사막(30)은 제1전사대상물(21)을 전사할 때 사용된 전사막(30)을 재사용하는 것일 수도 있고, 그 전사막(30)이 아닌 새로운 전사막(30)일 수도 있다.
도 9에 도시된 것과 같이 상호 이격되도록 위치한 잔여 기능층들 상에 전사막(30)을 위치시켜도, 소스기판(10)은 물론 잔여 기능층들은 전사막(30)에 컨택하고 있지만 상호 밀착된(접합된) 상태는 아니다. 따라서 이 상태에서 전사막(30)을 소스기판(10)으로부터 분리하더라도, 잔여 기능층들은 소스기판(10) 상에 잔존하게 된다. 그러므로 잔여 기능층들 중 전사대상인 기능층이 전사막(30)에 밀착되도록 할 필요가 있다.
이를 위해, 도 9에 도시된 것과 같이 프로브(40)를 이용해, 잔여 기능층들 중의 제2전사대상물(22)에 대응하는 전사막(30)의 부분에 압력을 인가한다. 이와 같이 전사막(30)에 압력을 인가하게 되면, 전사막(30) 하부의 제2전사대상물(22)과 전사막(30) 사이의 반데르발스 힘이 커지면서 제2전사대상물(22)이 전사막(30) 하면에 밀착된다. 이에 따라 전사막(30)을 소스기판(10)으로부터 이격시키면, 도 10에 도시된 것과 같이 전사막(30)의 (-z 방향) 하면에 제2전사대상물(22)이 밀착된 상태로 전사막(30)이 소스기판(10)으로부터 이격된다.
이와 같이 하면에 제2전사대상물(22)이 밀착된 채로 전사막(30)을 소스기판(10)으로부터 이격시킨 후, 도 11에 도시된 것과 같이 하면에 제2전사대상물(22)이 밀착된 상태로 전사막(30)을 실리콘옥사이드 또는 웨이퍼 등과 같은 타겟기판(50) 상에 위치시킨다.
도 11에서는 타겟기판(50) 상에 이미 전사된 제1전사대상물(21) 상에 제2전사대상물(22)이 위치하도록 전사막(30)과 타겟기판(50)을 정렬하는 것으로 도시하고 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대 이미 전사된 제1전사대상물(21)이 존재하는 타겟기판(50)이 아닌 별도의 타겟기판에 대해 전사막(30)을 정렬할 수도 있다. 또한 도 11에서는 전사막(30)의 크기가 소스기판(10) 및/또는 타겟기판(50)의 크기와 동일/유사한 것으로 도시하고 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대 전사막(30)의 면적이 타겟기판(50)의 면적보다 충분히 넓어, 제2전사대상물(22)이 제1전사대상물(21) 상에 위치하도록 전사막(30)의 타겟기판(50)에 대한 상대적 위치를 조절한다 하더라도, 타겟기판(50)의 모든 가장자리들이 전사막(30)에 덮이도록 할 수 있다. 이하에서는 편의상 제1전사대상물(21)이 전사된 타겟기판(50) 상에 제2전사대상물(22)을 전사하는 경우에 대해 설명한다.
이후, 도 12에 도시된 것과 같이, 제2전사대상물(22)에 대응하는 전사막(30)의 부분에 압력을 인가하여, 제2전사대상물(22)을 타겟기판(50) 상의 사전설정된 부분 상에 위치시킨다. 이 때에도 프로브(40)를 이용해 전사막(30)의 필요한 부분에 선택적으로 압력을 인가할 수 있다. 이처럼 전사막(30)에 압력을 인가하게 되면, 전사막(30) 하부의 제2전사대상물(22)과 타겟기판(50) 또는 타겟기판(50) 상에 이미 전사된 제1전사대상물(21) 사이의 반데르발스 힘이 커지면서 제2전사대상물(22)이 타겟기판(50) 상에 밀착된다. 이에 따라 전사막(30)을 타겟기판(50)으로부터 이격시키면, 도 13에 도시된 것과 같이 타겟기판(50) 상에 제2전사대상물(22)이 밀착된 상태로 전사막(30)이 타겟기판(50)으로부터 이격된다. 이에 따라 도 13에 도시된 것과 같이, 사전설정된 곳에 제2전사대상물(22)이 위치하는 전자장치를 제조할 수 있게 된다.
이와 같은 본 실시예에 따른 전자장치 제조방법의 경우, 소스기판(10) 상에 상호 이격되어 존재하는 다양한 구성요소들 중 제1전사대상물(21)만을 정확하게 선택적으로 타겟기판(50) 상으로 전사하고, 이후 소스기판(10) 상의 잔여 구성요소들 중 제2전사대상물(22)만을 다시 정확하게 선택적으로 타겟기판(50) 상으로 전사할 수 있다. 따라서 전자장치 제조 효율성을 획기적으로 높일 수 있다. 한 개의 전자장치 또는 여러 개의 전자장치들을 제조함에 있어서 사용하는 물질의 총량을 줄이면서도 효율적으로 전자장치들을 제조할 수 있다.
물론 제2전사대상물(22)을 전사막(30)의 하면에 밀착시킬 시의 주변환경 조건과, 전사막(30)의 하면에 밀착된 제2전사대상물(22)을 타겟기판(50) 상에 위치시킬 시의 주변환경 조건이, 서로 상이하도록 할 수 있다. 이에 대해서는 제1전사대상물(21)을 전사막(30)의 하면에 밀착시킬 시의 주변환경 조건과, 전사막(30)의 하면에 밀착된 제1전사대상물(21)을 타겟기판(50) 상에 위치시킬 시의 주변환경 조건에 대해 전술한 내용이 적용될 수 있으므로, 이에 대한 설명은 생략한다.
도 14 내지 도 18은 도 1 내지 도 7을 참조하여 전술한 실시예에 따른 전자장치 제조방법을 이용해 전자장치를 제조하는 공정들의 사진들이다. 도 14는 소스기판(10) 상에 존재하는 여러 기능층들 중 전사대상물(A)을 표시한 사진이다. 도 15는 소스기판(10) 상에 전사막(30)을 위치시키고, 전사막(30)의 전사대상물(A)에 대응하는 부분에 프로브(40)를 이용하여 압력을 인가하는 것을 보여주는 사진이다. 이와 같이 전사막(30)의 전사대상물(A)에 대응하는 부분에 압력을 인가한 후 전사막(30)을 소스기판(10)으로부터 분리하면, 도 16의 사진에서 볼 수 있는 것과 같이 전사막(30)의 하면에 전사대상물(A)만이 부착되도록 할 수 있다.
이후 전사막(30)을 타겟기판에 대해 정렬한 후 도 17의 사진에서와 같이 프로브(40)를 이용하여 전사막(30)의 전사대상물(A)이 부착된 부분에 압력을 인가한다. 참고로 프로브(40)를 이용하여 전사막(30)에 인가되는 압력에 의해 전사대상물(A)이나 그 하부의 타겟기판(50) 상의 구성요소가 손상되는 것을 방지하기 위해, 프로브(40)를 이용해 전사막(30)에 압력을 인가하는 부분은 도 17의 사진에서와 같이 전사막(30)과 전사대상물(A)이 정확하게 중첩하는 부분이 아닌, 그 인접 부분이 되도록 할 수 있다. 이 경우에도 간접적인 압력에 의해 전사대상물(A)이 타겟기판에 밀착되도록 할 수 있어, 전사막(30)을 제거하면 도 18의 사진에서와 같이 전사대상물(A)이 타겟기판 상에 위치하도록 할 수 있다. 참고로 도 19는 전술한 사진들 중 전사 전의 사진(도 14의 사진)과 전사 후의 사진(도 18의 사진)의 일부분의 확대사진이다.
도 20 내지 도 24는 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 전자장치 제조방법을 이용해 전자장치를 제조하는 공정들의 사진들이다. 먼저 소스기판 상에 상호 이격되도록 위치한 복수개의 기능층들(A, B, C) 상에 전사막(30)을 위치시킨다. 그리고 프로브를 이용해, 복수개의 기능층들 중의 제1전사대상물(A)에 대응하는 전사막(30)의 부분에 압력을 인가하여, 제1전사대상물(A)을 전사막(30)의 하면에 밀착시킨다. 이어 마찬가지로 프로브를 이용해, 복수개의 기능층들 중의 제2전사대상물(B)에 대응하는 전사막(30)의 부분에 압력을 인가하여, 제2전사대상물(B)을 전사막(30)의 하면에 밀착시킨다. 물론 제3전사대상물(C)에 대응하는 전사막(30)의 부분에도 압력을 인가하여, 제3전사대상물(C)도 전사막(30)의 하면에 밀착시킬 수 있다.
이와 같이 전사막(30)의 하면에 제1전사대상물(A)과 제2전사대상물(B), 그리고 필요에 따라 제3전사대상물(C)까지 밀착된 상태로 전사막(30)을 소스기판으로부터 이격시킨다. 도 20은 그와 같은 상태에서의 사진이다.
이후, 하면에 제1전사대상물(A)과 제2전사대상물(B), 그리고 필요에 따라 제3전사대상물(C)까지 밀착된 상태로 전사막(30)을 타겟기판에 대해 얼라인하여 타겟기판 상에 위치시킨다. 이는 제1전사대상물(A)이 전사될 타겟기판 상의 지점에 제1전사대상물(A)이 위치하도록 하는 것으로 이해될 수 있다. 그리고 도 21의 사진에서와 같이 프로브(40)를 이용해 제1전사대상물(A)에 대응하는 전사막(30)의 부분에 압력을 인가하여, 제1전사대상물(A)을 타겟기판 상에 밀착하여 위치시킨다. 그리고 제1전사대상물(A)이 타겟기판 상에 위치하고 제2전사대상물(B)과 제3전사대상물(C)이 전사막(30)의 하면에 밀착된 상태에서, 전사막(30)을 타겟기판으로부터 이격시킨다.
이어, 하면에 제2전사대상물(B)과 제3전사대상물(C)이 밀착된 상태로 전사막(30)을 타겟기판에 대해 다시 얼라인하여 타겟기판 상에 위치시킨다. 이는 제2전사대상물(B)이 전사될 타겟기판 상의 지점에 제2전사대상물(B)이 위치하도록 하는 것으로 이해될 수 있다. 그리고 도 22의 사진에서와 같이 프로브(40)를 이용해 제2전사대상물(B)에 대응하는 전사막(30)의 부분에 압력을 인가하여, 제2전사대상물(B)을 타겟기판 상에 위치시킨다. 그리고 제1전사대상물(A)은 물론 제2전사대상물(B)도 타겟기판 상에 위치하고 제3전사대상물(C)이 전사막(30)의 하면에 밀착된 상태에서, 전사막(30)을 타겟기판으로부터 이격시킨다.
그리고 필요에 따라, 하면에 제3전사대상물(C)이 밀착된 상태로 전사막(30)을 타겟기판에 대해 다시 얼라인하여 타겟기판 상에 위치시킨다. 이는 제3전사대상물(C)이 전사될 타겟기판 상의 지점에 제3전사대상물(C)이 위치하도록 하는 것으로 이해될 수 있다. 그리고 도 23의 사진에서와 같이 프로브(40)를 이용해 제3전사대상물(C)에 대응하는 전사막(30)의 부분에 압력을 인가하여, 제3전사대상물(C)을 타겟기판 상에 위치시킨다. 그리고 제1전사대상물(A) 내지 제3전사대상물(C)이 타겟기판 상에 위치한 상태에서, 전사막(30)을 타겟기판으로부터 이격시킨다.
도 24는 이와 같은 과정을 통해 제1전사대상물(A) 내지 제3전사대상물(C)이 타겟기판(50) 상에 배치된 것을 보여주는 사진이다. 도 20의 사진과 도 24의 사진을 비교해보면, 소스기판 상의 제1전사대상물(A) 내지 제3전사대상물(C)의 상대적인 위치가, 타겟기판(50) 상에서의 제1전사대상물(A) 내지 제3전사대상물(C)의 상대적인 위치와 상이한 것을 확인할 수 있다.
종래의 전자장치 제조방법의 경우, 소스기판 상의 기능층들을 타겟기판 상으로 전사할 시 기능층들을 동시에 전사하는 것만이 가능했다. 이에 따라 소스기판 상의 기능층들의 상대적 위치와 상이한 상대적 위치를 갖도록 타겟기판 상으로 전사하는 것이 불가능하다는 문제점이 있었다. 하지만 본 실시예에 따른 전자장치 제조방법의 경우, 소스기판 상의 기능층들의 상대적 위치와 상이한 상대적 위치를 갖도록 타겟기판 상으로 전사하는 것이 가능함에 따라, 전자장치 제조의 효율성 및 자율성을 획기적으로 높일 수 있다.
물론 도 20 내지 도 24를 참조하여 전술한 과정에서의 소스기판으로부터 전사막으로의 기능층의 전사 시의 환경 조건이나 전사막으로부터 타겟기판으로의 기능층의 전사 시의 환경 조건 등은, 도 1 내지 도 7을 참조하여 전술한 실시예에 따른 전자장치 제조방법에서의 환경 조건 등이 적용될 수 있기에, 이에 대한 자세한 설명은 생략한다.
한편, 본 발명이 전자장치 제조방법에 한정되는 것은 아니며, 불순물 제거방법 역시 본 발명의 범위에 속한다. 예컨대 도 25에 도시된 것과 같이 전자장치를 제조하는 과정에서 기판(50) 상에 기능층(21) 등을 직접 또는 전사 등의 과정을 거쳐 형성하였을 시, 기판(50) 상에 제1불순물(71)이 위치할 수 있다. 기판(50) 상의 기능층(21) 등이 손상되지 않도록 하면서 이러한 제1불순물(71)을 선택적으로 제거하기 위해, 전술한 것과 같이 전사막을 제1불순물(71) 상에 위치시키고, 프로브를 이용해 제1불순물(71)에 대응하는 전사막의 부분에 압력을 인가하여, 제1불순물(71)을 전사막의 하면에 밀착시킬 수 있다. 이어 하면에 제1불순물(71)이 밀착된 상태로 전사막을 기판(50)으로부터 이격시킴으로써, 제1불순물(71)만을 선택적으로 효과적으로 제거할 수 있다. 물론 이러한 불순물 제거방법은 전자장치 제조방법의 일부일 수 있다.
물론 도 25에 도시된 것과 같이 기판(50) 상에 제1불순물(71) 외에 제2불순물(72)도 존재했다면, 제1불순물(71)을 제거한 후 기판(50) 상의 제2불순물(72) 상에 전사막을 다시 위치시키고, 마찬가지로 프로브를 이용해 제2불순물(72)에 대응하는 전사막의 부분에 압력을 인가하여 제2불순물(72)을 전사막의 하면에 밀착시킨 후, 하면에 제2불순물(72)이 밀착된 상태로 전사막을 기판으로부터 이격시킴으로써, 제2불순물(72) 역시 선택적으로 제거할 수 있다.
물론 제2불순물(72)을 제거할 시, 전사막의 하면에 제1불순물(71)이 밀착된 상태에서 제2불순물(72)을 제거할 수도 있고, 전사막의 하면으로부터 제1불순물(71)을 제거한 후 제2불순물(72)을 제거할 수도 있다. 후자의 경우, 하면에 제1불순물(71)이 밀착된 상태로 전사막을 제거기판 상에 위치시키고, 제1불순물(71)에 대응하는 전사막의 부분에 압력을 인가하여 제1불순물(71)을 제거기판 상에 밀착시켜 위치시킨 후, 제1불순물(71)이 제거기판 상에 위치한 상태로 전사막을 제거기판으로부터 이격시킴으로써, 제1불순물(71)을 전사막의 하면으로부터 제거할 수 있다.
이와 같은 불순물 제거 과정에서도 도 1 내지 도 7을 참조하여 전술한 실시예에 따른 전자장치 제조방법에서의 설명이 적용될 수 있다. 즉, 불순물 제거 과정에서 사용되는 전사막은 폴리디메틸실록산(PDMS; polydimethylsiloxane), 싸이토프(CYTOP), 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA; polymethylmethacrylate), 에틸락테이트(ethyl lactate), 폴리카보네이트(PC; polycarbonate), 폴리프로필렌카보네이트(PPC; poly propylene carbonate), 폴리이미드(PI; polyimide), 파라아라미드피브리드(para-aramid fibrid), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET; polyethylene terephthalate), 폴리염화비닐(PVC; polyvinyl chloride), 폴리비닐아세테이트(PVAc; poly(vinyl acetate)), 실리카겔(silica-gel) 또는 폴리우레탄아크릴레이트(PUA; polyurethane acrylate)를 포함할 수 있다. 그리고 제1불순물(71) 및/또는 제2불순물(72)을 전사막의 하면에 밀착시키는 단계가 수행될 시의 주변환경의 제1온도가, 제1불순물(71) 및/또는 제2불순물(72)을 제거기판 상에 위치시키는 단계가 수행될 시의 주변환경의 제2온도와 상이하도록 할 수 있다. 구체적으로 제1온도가 제2온도보다 높도록 할 수 있는데, 예컨대 제1온도는 50℃ 이상 130℃ 이하이고, 제2온도는 10℃ 이상 30℃ 이하가 되도록 할 수 있다.
이러한 방법을 통해, 단일층 구조 또는 다층 구조의 박막트랜지스터 등을 비롯한 다양한 전자장치를 제조할 수 있다.
이와 같이 본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
효율적으로 물질을 활용할 수 있는 전자장치 제조방법 및 이를 이용한 불순물 제거방법을 구현할 수 있다.

Claims (15)

  1. 소스기판 상에 상호 이격되도록 위치한 복수개의 기능층들 상에 전사막을 위치시키는 단계;
    프로브를 이용해, 복수개의 기능층들 중의 제1전사대상물에 대응하는 전사막의 부분에 압력을 인가하여, 제1전사대상물을 전사막의 하면에 밀착시키는 단계;
    하면에 제1전사대상물이 밀착된 상태로 전사막을 소스기판으로부터 이격시키는 단계;
    하면에 제1전사대상물이 밀착된 상태로 전사막을 타겟기판 상에 위치시키는 단계;
    제1전사대상물에 대응하는 전사막의 부분에 압력을 인가하여, 제1전사대상물을 타겟기판 상에 위치시키는 단계; 및
    제1전사대상물이 타겟기판 상에 위치한 상태로, 전사막을 타겟기판으로부터 이격시키는 단계;
    를 포함하는, 전자장치 제조방법.
  2. 소스기판 상에 상호 이격되도록 위치한 복수개의 기능층들 상에 전사막을 위치시키는 단계;
    프로브를 이용해, 복수개의 기능층들 중의 제1전사대상물에 대응하는 전사막의 부분에 압력을 인가하여, 제1전사대상물을 전사막의 하면에 밀착시키는 단계;
    프로브를 이용해, 복수개의 기능층들 중의 제2전사대상물에 대응하는 전사막의 부분에 압력을 인가하여, 제2전사대상물을 전사막의 하면에 밀착시키는 단계;
    하면에 제1전사대상물과 제2전사대상물이 밀착된 상태로 전사막을 소스기판으로부터 이격시키는 단계;
    하면에 제1전사대상물과 제2전사대상물이 밀착된 상태로 전사막을 타겟기판에 대해 얼라인하여 타겟기판 상에 위치시키는 단계;
    제1전사대상물에 대응하는 전사막의 부분에 압력을 인가하여, 제1전사대상물을 타겟기판 상에 위치시키는 단계;
    제1전사대상물이 타겟기판 상에 위치하고 제2전사대상물이 전사막의 하면에 밀착된 상태로, 전사막을 타겟기판으로부터 이격시키는 단계;
    하면에 제2전사대상물이 밀착된 상태로 전사막을 타겟기판에 대해 얼라인하여 타겟기판 상에 위치시키는 단계;
    제2전사대상물에 대응하는 전사막의 부분에 압력을 인가하여, 제2전사대상물을 타겟기판 상에 위치시키는 단계; 및
    제1전사대상물과 제2전사대상물이 타겟기판 상에 위치한 상태로, 전사막을 타겟기판으로부터 이격시키는 단계;
    를 포함하는, 전자장치 제조방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    복수개의 기능층들은,
    튜브, 와이어 또는 막대 형태를 포함하는, 1차원 마이크로 소재층 또는 1차원 나노 소재층; 또는
    그래핀, 전이금속 칼코겐 화합물(transition metal dichalcogenide), 육각붕화질소 또는 흑린을 포함하는, 2차원 마이크로 소재층 또는 2차원 나노 소재층;
    을 포함하는, 전자장치 제조방법.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    전사막은 폴리디메틸실록산(PDMS; polydimethylsiloxane), 싸이토프(CYTOP), 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA; polymethylmethacrylate), 에틸락테이트(ethyl lactate), 폴리카보네이트(PC; polycarbonate), 폴리프로필렌카보네이트(PPC; poly propylene carbonate), 폴리이미드(PI; polyimide), 파라아라미드피브리드(para-aramid fibrid), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET; polyethylene terephthalate), 폴리염화비닐(PVC; polyvinyl chloride), 폴리비닐아세테이트(PVAc; poly(vinyl acetate)), 실리카겔(silica-gel) 또는 폴리우레탄아크릴레이트(PUA; polyurethane acrylate)를 포함하는, 전자장치 제조방법.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 제1전사대상물을 전사막의 하면에 밀착시키는 단계가 수행될 시의 주변환경의 제1온도는, 상기 제1전사대상물을 타겟기판 상에 위치시키는 단계가 수행될 시의 주변환경의 제2온도와 상이한, 전자장치 제조방법.
  6. 제5항에 있어서,
    제1온도가 제2온도보다 높은, 전자장치 제조방법.
  7. 제5항에 있어서,
    제1온도는 50℃ 이상 130℃ 이하이고, 제2온도는 10℃ 이상 30℃ 이하인, 전자장치 제조방법.
  8. 제1항에 있어서,
    소스기판 상의 잔여 기능층들 상에 전사막을 다시 위치시키는 단계;
    프로브를 이용해, 잔여 기능층들 중의 제2전사대상물에 대응하는 전사막의 부분에 압력을 인가하여, 제2전사대상물을 전사막의 하면에 밀착시키는 단계;
    하면에 제2전사대상물이 밀착된 상태로 전사막을 소스기판으로부터 이격시키는 단계;
    하면에 제2전사대상물이 밀착된 상태로 전사막을 타겟기판 상에 위치시키는 단계;
    제2전사대상물에 대응하는 전사막의 부분에 압력을 인가하여, 제2전사대상물을 타겟기판 상에 위치시키는 단계; 및
    제2전사대상물이 타겟기판 상에 위치한 상태로, 전사막을 타겟기판으로부터 이격시키는 단계;
    를 더 포함하는, 전자장치 제조방법.
  9. 기판 상에 기능층을 형성하는 단계;
    기판 상의 제1불순물 상에 전사막을 위치시키는 단계;
    프로브를 이용해, 제1불순물에 대응하는 전사막의 부분에 압력을 인가하여, 제1불순물을 전사막의 하면에 밀착시키는 단계; 및
    하면에 제1불순물이 밀착된 상태로 전사막을 기판으로부터 이격시키는 단계;
    를 포함하는, 불순물 제거방법.
  10. 제9항에 있어서,
    하면에 제1불순물이 밀착된 상태로 전사막을 제거기판 상에 위치시키는 단계;
    제1불순물에 대응하는 전사막의 부분에 압력을 인가하여, 제1불순물을 제거기판 상에 위치시키는 단계; 및
    제1불순물이 제거기판 상에 위치한 상태로, 전사막을 제거기판으로부터 이격시키는 단계;
    를 더 포함하는, 불순물 제거방법.
  11. 제9항 또는 제10항에 있어서,
    기판 상의 제2불순물 상에 전사막을 다시 위치시키는 단계;
    프로브를 이용해, 제2불순물에 대응하는 전사막의 부분에 압력을 인가하여, 제2불순물을 전사막의 하면에 밀착시키는 단계; 및
    하면에 제2불순물이 밀착된 상태로 전사막을 기판으로부터 이격시키는 단계;
    를 더 포함하는, 불순물 제거방법.
  12. 제9항 또는 제10항에 있어서,
    전사막은 폴리디메틸실록산(PDMS; polydimethylsiloxane), 싸이토프(CYTOP), 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA; polymethylmethacrylate), 에틸락테이트(ethyl lactate), 폴리카보네이트(PC; polycarbonate), 폴리프로필렌카보네이트(PPC; poly propylene carbonate), 폴리이미드(PI; polyimide), 파라아라미드피브리드(para-aramid fibrid), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET; polyethylene terephthalate), 폴리염화비닐(PVC; polyvinyl chloride), 폴리비닐아세테이트(PVAc; poly(vinyl acetate)), 실리카겔(silica-gel) 또는 폴리우레탄아크릴레이트(PUA; polyurethane acrylate)를 포함하는, 불순물 제거방법.
  13. 제10항에 있어서,
    상기 제1불순물을 전사막의 하면에 밀착시키는 단계가 수행될 시의 주변환경의 제1온도는, 상기 제1불순물을 제거기판 상에 위치시키는 단계가 수행될 시의 주변환경의 제2온도와 상이한, 불순물 제거방법.
  14. 제13항에 있어서,
    제1온도가 제2온도보다 높은, 불순물 제거방법.
  15. 제13항에 있어서,
    제1온도는 50℃ 이상 130℃ 이하이고, 제2온도는 10℃ 이상 30℃ 이하인, 불순물 제거방법.
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