WO2018147279A1 - Reflective polarizing layer, wavelength conversion layer, and liquid crystal display device - Google Patents

Reflective polarizing layer, wavelength conversion layer, and liquid crystal display device Download PDF

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Abstract

A reflective polarizing layer according to an embodiment of the present invention has a width less than the shortest wavelength of the incident light that passes therethrough and a plurality of stripes. The stripes are separated from each other and arrayed in a direction parallel to the extending direction of the stripes. A first dielectric is filled between the stripes with the upper surface and the lower surface of the stripes in contact with a second dielectric and a third dielectric respectively. The reflectance of p-polarized light with a blue wavelength is relatively higher than the reflectance of the red wavelength and the reflectance of the green wavelength. The transmittance of p-polarized light with a blue wavelength is relatively lower than the transmittance of the red wavelength and the transmittance of the green wavelength.

Description

反射偏光層、波長変換層及び液晶表示装置Reflective polarizing layer, wavelength conversion layer, and liquid crystal display device
 本発明は、反射偏光層、波長変換層及び液晶表示装置に関する。 The present invention relates to a reflective polarizing layer, a wavelength conversion layer, and a liquid crystal display device.
 近年、液晶表示装置の色再現性向上と高精細化の要求は高い。高精細な液晶表示装置は、画素のサイズが小さくなるため、光の利用効率を向上させることが課題となっている。色再現性と光の利用効率を向上させる方法の一つに、偏光板と蛍光材料を用いる方法が提案されている。 In recent years, there is a high demand for improvement in color reproducibility and high definition of liquid crystal display devices. A high-definition liquid crystal display device has a problem of improving the light use efficiency because the pixel size is small. As a method for improving color reproducibility and light utilization efficiency, a method using a polarizing plate and a fluorescent material has been proposed.
 例えば、特許文献1は、白色光源と、カラーフィルタと、量子ドットを用いた波長変換層により、白色変換層が発する青色光を量子ドットを用いた波長変換層で赤色または緑色に変換し、変換された赤色光、緑色光、変換されない青色光をそれぞれの色のカラーフィルタに通すことで、色再現性と光の利用効率を向上させる方法が開示されている。 For example, Patent Document 1 converts a blue light emitted from a white conversion layer into red or green by a wavelength conversion layer using a quantum dot by a white light source, a color filter, and a wavelength conversion layer using a quantum dot, and converts the light. A method for improving color reproducibility and light utilization efficiency by passing the red light, green light, and unconverted blue light through the color filters of the respective colors is disclosed.
特開2016-70949号公報JP 2016-70949 A
 色再現性と光の利用効率を更に向上させることが要求されている。 It is required to further improve color reproducibility and light utilization efficiency.
 このような課題に鑑み、本発明の一実施形態は、色再現性と光の利用効率を向上出来る反射偏光層及び波長変換層を提供することを目的の一つとする。色再現性と光の利用効率を向上出来る反射偏光層及び波長変換層を含む液晶表示装置を提供することを目的の1つとする。 In view of such a problem, an embodiment of the present invention has an object to provide a reflective polarizing layer and a wavelength conversion layer that can improve color reproducibility and light utilization efficiency. An object is to provide a liquid crystal display device including a reflective polarizing layer and a wavelength conversion layer that can improve color reproducibility and light utilization efficiency.
 本発明の一実施形態に係る反射偏光層は、入射する透過光の最も短い波長以下の幅を有し、線状部を有する反射偏光層であって、線状部は線状部が伸延する方向と平行に離れて複数配列され、線状部の間は第1誘電体が設けられ、線状部の上面は第2誘電体に接し、線状部の下面は第3誘電体に接する。 A reflective polarizing layer according to an embodiment of the present invention is a reflective polarizing layer having a width equal to or shorter than the shortest wavelength of incident transmitted light and having a linear portion, and the linear portion extends from the linear portion. The first dielectric is provided between the linear portions, and the upper surface of the linear portion is in contact with the second dielectric, and the lower surface of the linear portion is in contact with the third dielectric.
 本発明の一実施形態に係る反射偏光層は、青色の波長のp偏光の反射率が赤色の波長の反射率及び緑色の波長の反射率よりも相対的に高く、青色の波長のp偏光の透過率が赤色の波長の透過率及び緑色の波長の透過率よりも相対的に低くしてもよい。 In the reflective polarizing layer according to the embodiment of the present invention, the reflectance of the p-polarized light having the blue wavelength is relatively higher than the reflectance of the red wavelength and the reflectance of the green wavelength. The transmittance may be relatively lower than the transmittance of the red wavelength and the transmittance of the green wavelength.
 本発明の一実施形態に係る反射偏光層は、青色の波長の光を吸収し、赤色の波長の光を発する波長変換材料と、青色の波長の光を吸収し、緑色の波長の光を発する波長変換材料と、を含む波長変換層と接するようにしてもよい。 The reflective polarizing layer according to an embodiment of the present invention absorbs light having a blue wavelength and emits light having a red wavelength, absorbs light having a blue wavelength, and emits light having a green wavelength. You may make it contact the wavelength conversion layer containing a wavelength conversion material.
 本発明の一実施形態に係る波長変換層と接する反射偏光層は、波長変換層に含まれる赤色の波長の光を発する波長変換材料と緑色の波長の光を発する波長変換材料とが同一平面上に設けられるようにしてもよい。 In the reflective polarizing layer in contact with the wavelength conversion layer according to an embodiment of the present invention, the wavelength conversion material that emits red wavelength light and the wavelength conversion material that emits green wavelength light included in the wavelength conversion layer are on the same plane. May be provided.
 本発明の一実施形態に係る反射偏光層における波長変換層は第3誘電体または第2誘電体と接するようにしてもよい。 The wavelength conversion layer in the reflective polarizing layer according to an embodiment of the present invention may be in contact with the third dielectric or the second dielectric.
 本発明の一実施形態に係る波長変換層と接する反射偏光層は、波長変換層に含まれる赤色の波長の光を発する波長変換材料と、緑色の波長の光を発する波長変換材料とは、遮光層で仕切られているようにしてもよい。 The reflective polarizing layer in contact with the wavelength conversion layer according to an embodiment of the present invention includes a wavelength conversion material that emits red wavelength light and a wavelength conversion material that emits green wavelength light included in the wavelength conversion layer. You may make it partition with the layer.
 本発明の一実施形態に係る波長変換層と接する反射偏光層は、赤色の波長の光を発する波長変換材料は赤色のカラーフィルタと接し、緑色の波長の光を発する波長変換材料は緑色のカラーフィルタと接するようにしてもよい。 In the reflective polarizing layer in contact with the wavelength conversion layer according to an embodiment of the present invention, the wavelength conversion material that emits red wavelength light is in contact with the red color filter, and the wavelength conversion material that emits green wavelength light is a green color. You may make it contact | connect with a filter.
 本発明の一実施形態に係る表示装置は、第1基板と、TFTアレイと、波長変換層と、反射偏光層と、透光性導電膜と、第1配向膜と、液晶層と、第2配向膜と、第2基板と、偏光板とを含み、TFTアレイと、波長変換層と、反射偏光層と、透光性導電膜と、第1配向膜と、液晶層と、第2配向膜とは、第1基板と、第2基板との間に配置される。 A display device according to an embodiment of the present invention includes a first substrate, a TFT array, a wavelength conversion layer, a reflective polarizing layer, a translucent conductive film, a first alignment film, a liquid crystal layer, and a second layer. An alignment film, a second substrate, a polarizing plate, a TFT array, a wavelength conversion layer, a reflective polarizing layer, a translucent conductive film, a first alignment film, a liquid crystal layer, and a second alignment film Is arranged between the first substrate and the second substrate.
 本発明の一実施形態に係る表示装置に含まれる反射偏光層は、入射する透過光の最も短い波長以下の幅を有し、導電性を有する線状部と、第1誘電体と、第2誘電体と、第3誘電体とを含み、線状部は前記線状部が伸延する方向と平行に離れて複数配列され線状部の間は前記第1誘電体が設けられ、線状部の上面は前記第2誘電体に接し、
 前記線状部の下面は前記第3誘電体に接するようにしてもよい。
A reflective polarizing layer included in a display device according to an embodiment of the present invention has a width equal to or shorter than the shortest wavelength of incident transmitted light, has a conductive linear portion, a first dielectric, and a second A plurality of linear portions arranged in parallel with a direction in which the linear portions extend; the first dielectric is provided between the linear portions; and the linear portions The upper surface of the contact with the second dielectric,
The lower surface of the linear portion may be in contact with the third dielectric.
 本発明の一実施形態に係る表示装置に含まれる波長変換層は、青色の波長の光を吸収し赤色の波長の光を発する波長変換材料と、青色の波長の光を吸収し緑色の波長の光を発する波長変換材料とを含み、赤色の波長の光を発する波長変換材料と、前記緑色の波長の光を発する波長変換材料と、は同一平面上に設けられるようにしてもよい。 The wavelength conversion layer included in the display device according to an embodiment of the present invention includes a wavelength conversion material that absorbs blue wavelength light and emits red wavelength light, absorbs blue wavelength light, and emits green wavelength light. The wavelength conversion material that emits light having a red wavelength and the wavelength conversion material that emits light having a green wavelength may be provided on the same plane.
 本発明の一実施形態に係る表示装置に含まれる反射変換層と、波長変換層との間に、カラーフィルタ層が含まれ、カラーフィルタ層は赤色のカラーフィルタと、緑色のカラーフィルタとを含み、赤色のカラーフィルタは赤色の波長の光を発する波長変換材料と接し、緑色のカラーフィルタは緑色の波長の光を発する波長変換材料と接するようにしてもよい。 A color filter layer is included between the reflection conversion layer and the wavelength conversion layer included in the display device according to the embodiment of the present invention, and the color filter layer includes a red color filter and a green color filter. The red color filter may be in contact with a wavelength conversion material that emits light with a red wavelength, and the green color filter may be in contact with a wavelength conversion material that emits light with a green wavelength.
 本発明の一実施形態に係る表示装置に含まれる波長変換層は、開口部を有し、透光性導電膜は第3誘電体に接し、開口部に配置されるようにしてもよい。 The wavelength conversion layer included in the display device according to an embodiment of the present invention may have an opening, and the translucent conductive film may be in contact with the third dielectric and disposed in the opening.
 本発明の一実施形態に係るほかの表示装置は、保護膜と、波長変換層と、反射偏光層と、第1基板と、TFTアレイと、透光性導電膜と、第1配向膜と、液晶層と、第2配向膜と、第2基板と、偏光板とを含み、TFTアレイと、透光性導電膜と、第1配向膜と、液晶層と、第2配向膜とは、第1基板と、第2基板との間に配置され、波長変換層と、反射偏光層とは、保護膜と前記第1基板との間に配置される。 Another display device according to an embodiment of the present invention includes a protective film, a wavelength conversion layer, a reflective polarizing layer, a first substrate, a TFT array, a translucent conductive film, a first alignment film, Including a liquid crystal layer, a second alignment film, a second substrate, and a polarizing plate; a TFT array, a translucent conductive film, a first alignment film, a liquid crystal layer, and a second alignment film; The first substrate and the second substrate are disposed, and the wavelength conversion layer and the reflective polarizing layer are disposed between the protective film and the first substrate.
 本発明の一実施形態に係るほかの表示装置に含まれる反射偏光層は、入射する透過光の最も短い波長以下の幅を有し、導電性を有する線状部と、第1誘電体と、第2誘電体と、第3誘電体とを含み、線状部は、線状部が伸延する方向と平行に離れて複数配列され、線状部の間は第1誘電体が設けられ、線状部の上面は第2誘電体に接し、線状部の下面は第3誘電体に接するようにしてもよい。 A reflective polarizing layer included in another display device according to an embodiment of the present invention has a width equal to or shorter than the shortest wavelength of incident transmitted light, a linear portion having conductivity, a first dielectric, A plurality of linear portions including a second dielectric material and a third dielectric material are arranged in parallel with a direction in which the linear portions extend, and a first dielectric material is provided between the linear portions. The upper surface of the linear portion may be in contact with the second dielectric, and the lower surface of the linear portion may be in contact with the third dielectric.
 本発明の一実施形態に係るほかの表示装置に含まれる波長変換層は、青色の波長の光を吸収し赤色の波長の光を発する波長変換材料と、青色の波長の光を吸収し緑色の波長の光を発する波長変換材料とを含み、赤色の波長の光を発する波長変換材料と、緑色の波長の光を発する波長変換材料とは同一平面上に設けられるようにしてもよい。 The wavelength conversion layer included in another display device according to an embodiment of the present invention includes a wavelength conversion material that absorbs blue wavelength light and emits red wavelength light, and absorbs blue wavelength light and green light. A wavelength conversion material that emits light of a wavelength and a wavelength conversion material that emits light of a red wavelength and a wavelength conversion material that emits light of a green wavelength may be provided on the same plane.
 本発明の一実施形態に係るほかの表示装置に含まれる反射変換層と、波長変換層との間に、カラーフィルタ層が含まれ、カラーフィルタ層は赤色のカラーフィルタと、緑色のカラーフィルタとを含み、赤色のカラーフィルタは赤色の波長の光を発する波長変換材料と接し、緑色のカラーフィルタは緑色の波長の光を発する波長変換材料と接するようにしてもよい。 A color filter layer is included between a reflection conversion layer and a wavelength conversion layer included in another display device according to an embodiment of the present invention, and the color filter layer includes a red color filter, a green color filter, The red color filter may be in contact with a wavelength conversion material that emits light of a red wavelength, and the green color filter may be in contact with a wavelength conversion material that emits light of a green wavelength.
 本発明の一実施形態に係る表示装置に含まれる透光性導電膜は櫛状または板状のようにしてもよい。 The translucent conductive film included in the display device according to the embodiment of the present invention may be comb-shaped or plate-shaped.
 本発明の一実施形態に係る表示装置に含まれる波長変換層は保護膜に接するようにしてもよい。 The wavelength conversion layer included in the display device according to the embodiment of the present invention may be in contact with the protective film.
 本発明の一実施形態に係る表示装置に含まれる反射偏光層は第1基板に接するようにしてもよい。 The reflective polarizing layer included in the display device according to the embodiment of the present invention may be in contact with the first substrate.
 本発明の一実施形態に係る組成物は、表示装置に含まれる波長変換層を構成する。 The composition according to an embodiment of the present invention constitutes a wavelength conversion layer included in a display device.
本発明の一実施形態に係る反射偏光層の構成を示す模式的な断面図である。It is typical sectional drawing which shows the structure of the reflective polarizing layer which concerns on one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態に係る反射偏光層と波長変換層の構成を示す模式的な断面図である。It is typical sectional drawing which shows the structure of the reflective polarizing layer and wavelength conversion layer which concern on one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態に係る液晶表示装置の構成を示す模式的な平面図である。1 is a schematic plan view showing a configuration of a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention. 本発明の一実施形態に係る反射偏光層と波長変換層を含む液晶表示装置の構成を示す模式的な断面図である。It is typical sectional drawing which shows the structure of the liquid crystal display device containing the reflective polarizing layer and wavelength conversion layer which concern on one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態に係る液晶表示装置が含む画素を示す模式的な平面図である。It is a typical top view showing a pixel which a liquid crystal display concerning one embodiment of the present invention contains. 本発明の一実施形態に係る液晶表示装置が含む画素を示す模式的な平面図である。It is a typical top view showing a pixel which a liquid crystal display concerning one embodiment of the present invention contains. 本発明の一実施形態に係る液晶表示装置が含む画素の反射偏光層を示す模式的な平面図である。It is a typical top view which shows the reflective polarizing layer of the pixel which the liquid crystal display device which concerns on one Embodiment of this invention contains. 本発明の一実施形態に係る反射偏光層と波長変換層を含む液晶表示装置の製造方法を示す模式的な断面図である。It is typical sectional drawing which shows the manufacturing method of the liquid crystal display device containing the reflective polarizing layer and wavelength conversion layer which concern on one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態に係る反射偏光層と波長変換層を含む液晶表示装置の製造方法を示す模式的な断面図である。It is typical sectional drawing which shows the manufacturing method of the liquid crystal display device containing the reflective polarizing layer and wavelength conversion layer which concern on one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態に係る反射偏光層と波長変換層を含む液晶表示装置の製造方法を示す模式的な断面図である。It is typical sectional drawing which shows the manufacturing method of the liquid crystal display device containing the reflective polarizing layer and wavelength conversion layer which concern on one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態に係る反射偏光層と波長変換層を含む液晶表示装置の製造方法を示す模式的な断面図である。It is typical sectional drawing which shows the manufacturing method of the liquid crystal display device containing the reflective polarizing layer and wavelength conversion layer which concern on one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態に係る反射偏光層と波長変換層を含む液晶表示装置の製造方法を示す模式的な断面図である。It is typical sectional drawing which shows the manufacturing method of the liquid crystal display device containing the reflective polarizing layer and wavelength conversion layer which concern on one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態に係る反射偏光層と波長変換層を含む液晶表示装置の製造方法を示す模式的な断面図である。It is typical sectional drawing which shows the manufacturing method of the liquid crystal display device containing the reflective polarizing layer and wavelength conversion layer which concern on one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態に係る反射偏光層と波長変換層を含む液晶表示装置の構成を示す模式的な断面図である。It is typical sectional drawing which shows the structure of the liquid crystal display device containing the reflective polarizing layer and wavelength conversion layer which concern on one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態に係る反射偏光層と波長変換層を含む液晶表示装置の製造方法を示す模式的な断面図である。It is typical sectional drawing which shows the manufacturing method of the liquid crystal display device containing the reflective polarizing layer and wavelength conversion layer which concern on one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態に係る反射偏光層と波長変換層を含む液晶表示装置の製造方法を示す模式的な断面図である。It is typical sectional drawing which shows the manufacturing method of the liquid crystal display device containing the reflective polarizing layer and wavelength conversion layer which concern on one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態に係る反射偏光層と波長変換層を含む液晶表示装置の構成を示す模式的な断面図である。It is typical sectional drawing which shows the structure of the liquid crystal display device containing the reflective polarizing layer and wavelength conversion layer which concern on one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態に係る反射偏光層と波長変換層を含む液晶表示装置の製造方法を示す模式的な断面図である。It is typical sectional drawing which shows the manufacturing method of the liquid crystal display device containing the reflective polarizing layer and wavelength conversion layer which concern on one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態に係る反射偏光層と波長変換層を含む液晶表示装置の製造方法を示す模式的な断面図である。It is typical sectional drawing which shows the manufacturing method of the liquid crystal display device containing the reflective polarizing layer and wavelength conversion layer which concern on one Embodiment of this invention.
 以下、本発明の実施形態を、図面等を参照しながら説明する。但し、本発明は、発明の要旨を逸脱しない範囲において、多くの異なる態様で実施することが可能である。すなわち、以下に例示する実施形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合がある。しかしながら、模式的な図面はあくまでも一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. However, the present invention can be implemented in many different modes without departing from the scope of the invention. That is, the present invention is not construed as being limited to the description of the embodiments exemplified below. In addition, in order to clarify the description, the drawings may be schematically represented with respect to the width, thickness, shape, and the like of each part as compared to the actual mode. However, the schematic drawings are merely examples, and do not limit the interpretation of the present invention.
 本明細書と各図において、既出の図において説明した内容と同様の要素には、同一の符号(又は数字の後にa、bなどを付した符号)を付して、説明を適宜省略することがある。なお、各要素に付記される「第1」、「第2」の文字は、各要素を区別するために用いられる便宜的な標識であり、特段の説明がない限りそれ以上の意味を有さない。 In the present specification and each drawing, the same elements as those described in the previous drawings are denoted by the same reference numerals (or numerals followed by a, b, etc.), and the description will be omitted as appropriate. There is. The letters “first” and “second” attached to each element are convenient signs used to distinguish each element, and have more meanings unless otherwise specified. Absent.
 本明細書において、「上」とは、ある物体又は領域の上に直に接するように配置される場合だけでなく、他の物体又は領域を間に挟んで配置される場合をも含む。「下」という用語についても同様である。また、「上」、「下」といった用語は、物体又は領域間の相対的な上下関係を示すものであり、絶対的な上下関係を意味するものではない。具体的には、基板の主面(素子等が形成される面)を基準にして、基板の主面側からを「上」と定義し、基板の主面の反対側を「下」と定義する。 In this specification, “upper” includes not only the case of being placed directly on a certain object or region, but also the case of being placed with another object or region in between. The same applies to the term “below”. In addition, terms such as “upper” and “lower” indicate a relative vertical relationship between objects or regions, and do not mean an absolute vertical relationship. Specifically, with respect to the main surface of the substrate (the surface on which elements are formed), the upper side is defined as “up” and the opposite side of the main surface of the substrate is defined as “lower”. To do.
 ある一つの膜を加工して複数のパターンを形成した場合、これらの複数のパターンは、各々が異なる機能及び又は役割を有する場合がある。しかしながら、これらの複数のパターンは同一の工程において同一の層として形成された膜に由来する。すなわち、これらの複数のパターンは同一の層構造を有し、同一の材料を含む。したがって、本明細書においては、これらの複数のパターンは、同一の層に存在しているものと定義する。 When a single film is processed to form a plurality of patterns, each of the plurality of patterns may have a different function and / or role. However, these plural patterns are derived from films formed as the same layer in the same process. That is, these plural patterns have the same layer structure and include the same material. Therefore, in this specification, it is defined that these plural patterns exist in the same layer.
 本発明の反射偏光層及び波長変換層を説明する。反射偏光層は、ワイヤーグリッド(以下の説明ではWG(Wire Grid)と記載することもある)と樹脂を含み、青色のp偏光は透過又は反射又は吸収される。ここで、ワイヤーグリッドは、ワイヤーグリッド偏光子、ワイヤーグリッド偏光板、ワイヤグリッド偏光板、ワイヤーグリッドフィルムなどと呼ばれることもある。ワイヤーグリッドは、微細な線状の部材(線状部、ワイヤーともいう)を複数並べて格子状または網状にした線状領域(ワイヤーグリッド)を有する光学素子である。また、ワイヤーグリッド偏光子は、複数の当該光学素子を有していてもよい。ワイヤーグリッド偏光子は、光源の光から特定の方向に振動している光を取出すとともに、前記特定方向では無い光を光源側に反射する。波長変換層は、青色(使用する最も短い波長)の光を吸収し、赤色(使用する最も長い波長)の光を発する波長変換材料と、青色(使用する最も短い波長)の光を吸収し、緑色の光を発する波長変換材料を含む。WGと樹脂を含んだ反射偏光層と、青色光を赤色光に変換する波長変換材料と、青色光を緑色光に変換する波長変換材料とを含む波長変換層を用いることで、反射された青色光を効率よく赤色光および緑色光に変換することができ、光の利用効率を向上することができること、を説明する。 The reflective polarizing layer and wavelength conversion layer of the present invention will be described. The reflective polarizing layer includes a wire grid (which may be described as WG (Wire Grid) in the following description) and a resin, and blue p-polarized light is transmitted, reflected, or absorbed. Here, the wire grid is sometimes called a wire grid polarizer, a wire grid polarizer, a wire grid polarizer, a wire grid film, or the like. A wire grid is an optical element having a linear region (wire grid) in which a plurality of fine linear members (also referred to as linear portions or wires) are arranged in a lattice shape or a net shape. Moreover, the wire grid polarizer may have a plurality of the optical elements. The wire grid polarizer extracts light oscillating in a specific direction from the light of the light source, and reflects light that is not in the specific direction to the light source side. The wavelength conversion layer absorbs light of blue (shortest wavelength to use), absorbs light of red (longest wavelength to use), and absorbs light of blue (shortest wavelength to use), A wavelength conversion material that emits green light is included. Reflected blue light by using a wavelength conversion layer that includes a reflective polarizing layer containing WG and resin, a wavelength conversion material that converts blue light into red light, and a wavelength conversion material that converts blue light into green light. It will be described that light can be efficiently converted into red light and green light, and the utilization efficiency of light can be improved.
 (第1実施形態)
 本実施形態では、本発明の一実施形態に係る反射偏光層及び波長変換層の構成と製造方法とを説明する。
(First embodiment)
In the present embodiment, a configuration and a manufacturing method of a reflective polarizing layer and a wavelength conversion layer according to an embodiment of the present invention will be described.
 <構成>
 図1は、第1実施形態におけるWG反射偏光層60の構成を示す模式的な断面図である。
<Configuration>
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing the configuration of the WG reflective polarizing layer 60 in the first embodiment.
 図1に示すWG反射偏光層と光学系200は、WG反射偏光層60、導光板10、拡散板11、光源12、反射板13、を示す。WG反射偏光層60は、線状部61と、第2誘電体62と、第3誘電体63とを含む。 The WG reflective polarizing layer and optical system 200 shown in FIG. 1 show a WG reflective polarizing layer 60, a light guide plate 10, a diffuser plate 11, a light source 12, and a reflective plate 13. The WG reflective polarizing layer 60 includes a linear portion 61, a second dielectric 62, and a third dielectric 63.
 光源12は、例えば、青色光を発する光源を用いることができる。具体的には、青色発光ダイオード(Light Emitting Diode(LED))を用いることができる。導光板10は、光源12からの光を上方に導く役割を有する。拡散板11は、導光板からの光を拡散する役割を有する。反射板13は、光源からの光や、WG反射偏光層60からの反射光65を反射する役割を有する。図1においては、導光板と光源を用いた、所謂、エッジライト方式と呼ばれるバックライトを用いる例を示したが、この例に限定されない。例えば、拡散板と光源を用いた、所謂、ダイレクトライト方式と呼ばれるバックライトを用いてもよい。 The light source 12 may be a light source that emits blue light, for example. Specifically, a blue light emitting diode (LED) can be used. The light guide plate 10 has a role of guiding light from the light source 12 upward. The diffusion plate 11 has a role of diffusing light from the light guide plate. The reflection plate 13 has a role of reflecting light from the light source and reflected light 65 from the WG reflective polarizing layer 60. Although FIG. 1 shows an example using a so-called edge light type backlight using a light guide plate and a light source, the present invention is not limited to this example. For example, a so-called direct light type backlight using a diffusion plate and a light source may be used.
 図2は、第1実施形態におけるWG反射偏光層60と波長変換層の構成を示す模式的な断面図である。 FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing the configuration of the WG reflective polarizing layer 60 and the wavelength conversion layer in the first embodiment.
 図2に示すWG反射偏光層と波長変換層と光学系210は、図1の構成に加えて、遮光層40、赤色変換層41、緑色変換層42、青色カラーフィルタ層43又は第4誘電体を含む。図2においては、光源12は、例えば、白色光を発する光源を用いてもよいし、青色光を発する光源を用いてもよい。具体的には、白色発光ダイオード(Light Emitting Diode(LED))や、青色発光ダイオード(Light Emitting Diode(LED))を用いてもよい。また、図2においては、導光板と光源を用いた、所謂、エッジライト方式と呼ばれるバックライトを用いる例を示したが、この例に限定されない。例えば、拡散板と光源を用いた、所謂、ダイレクトライト方式と呼ばれるバックライトを用いてもよい。 The WG reflective polarizing layer, the wavelength conversion layer, and the optical system 210 shown in FIG. 2 include the light shielding layer 40, the red conversion layer 41, the green conversion layer 42, the blue color filter layer 43, or the fourth dielectric in addition to the configuration shown in FIG. including. In FIG. 2, for example, the light source 12 may be a light source that emits white light or a light source that emits blue light. Specifically, a white light emitting diode (Light Emitting Diode (LED)) or a blue light emitting diode (Light Emitting Diode (LED)) may be used. FIG. 2 shows an example using a so-called edge light type backlight using a light guide plate and a light source, but the present invention is not limited to this example. For example, a so-called direct light type backlight using a diffusion plate and a light source may be used.
 遮光層40は、可視光を遮る機能を有しており、隣接する赤色変換層41と、緑色変換層42と、青色カラーフィルタ層43又は第4誘電体とを仕切り、各波長変換層及び青色カラーフィルタ層43などを透過または反射する光が混ざり合うことを抑制することができる。赤色変換層41は、青色入射光64を、赤色に変換する役割を有する。緑色変換層42は、青色入射光64を、緑色に変換する役割を有する。青色入射光64が、各変換層とWG反射偏光層60を通り、赤色透過光(P波)67、緑色透過光(P波)68、青色透過光(P波)69が透過される。WG反射偏光層で反射されたS波(青色、緑色、赤色を含む)は、反射板13で反射され、41、42、43にすすみ(戻り)、前述の振る舞いを繰り返すことでリサイクル(光の利用効率を向上)される。 The light blocking layer 40 has a function of blocking visible light, partitions the adjacent red conversion layer 41, green conversion layer 42, blue color filter layer 43 or fourth dielectric, and converts each wavelength conversion layer and blue color. Mixing of light transmitted or reflected through the color filter layer 43 or the like can be suppressed. The red conversion layer 41 has a role of converting the blue incident light 64 into red. The green conversion layer 42 has a role of converting the blue incident light 64 into green. Blue incident light 64 passes through each conversion layer and WG reflective polarizing layer 60, and red transmitted light (P wave) 67, green transmitted light (P wave) 68, and blue transmitted light (P wave) 69 are transmitted. S-waves (including blue, green, and red) reflected by the WG reflective polarizing layer are reflected by the reflector 13 and proceed (return) to 41, 42, and 43, and are recycled by repeating the above-described behavior (light Use efficiency).
 例えば、青色入射光64は、赤色変換層41で赤色に波長変換されて、赤色変換層41で吸収しきれなかった青色とともにWG反射偏光層60に入射する。WG反射偏光層60では、P波は赤色透過光(P波)67として放出されるが、S波は反射して光源側に戻る。WG反射偏光層60での透過率と反射率は波長依存性があっても良く、青は緑及び赤に対して透過率が低く反射率が高いことが好ましい。WG反射偏光層60で反射された青は赤色変換層41で赤色に変換される。WG反射偏光層60で反射され赤色変換層41を通過した光は拡散板11、導光板10、反射板13、導光板10、拡散板11を経て波長変換層及びWG反射偏光層60に戻るという振る舞い繰り返すことでリサイクル(光の利用効率を向上)される。 For example, the blue incident light 64 is wavelength-converted to red by the red conversion layer 41 and enters the WG reflective polarizing layer 60 together with the blue color that cannot be absorbed by the red conversion layer 41. In the WG reflective polarizing layer 60, the P wave is emitted as red transmitted light (P wave) 67, but the S wave is reflected and returns to the light source side. The transmittance and reflectance of the WG reflective polarizing layer 60 may be wavelength-dependent, and blue preferably has a low transmittance and a high reflectance with respect to green and red. Blue reflected by the WG reflective polarizing layer 60 is converted to red by the red conversion layer 41. The light reflected by the WG reflective polarizing layer 60 and passing through the red color conversion layer 41 returns to the wavelength conversion layer and the WG reflective polarizing layer 60 through the diffusion plate 11, the light guide plate 10, the reflection plate 13, the light guide plate 10, and the diffusion plate 11. Recycling (improves light use efficiency) by repeating behavior.
 例えば、青色入射光64は、緑色変換層42で緑色に波長変換されて、緑色変換層42で吸収しきれなかった青色とともにWG反射偏光層60に入射する。WG反射偏光層60では、P波は緑色透過光(P波)68として放出されるが、S波は反射して光源側に戻る。WG反射偏光層60での透過率と反射率は波長依存性があっても良く、青は緑及び赤に対して透過率が低く反射率が高いことが好ましい。WG反射偏光層60で反射された青は緑色変換層42で緑色に変換される。WG反射偏光層60で反射され緑色変換層42を通過した光は拡散板11、導光板10、反射板13、導光板10、拡散板11を経て波長変換層及びWG反射偏光層60に戻るという振る舞い繰り返すことでリサイクル(光の利用効率を向上)される。 For example, the blue incident light 64 is wavelength-converted to green by the green conversion layer 42 and enters the WG reflection polarizing layer 60 together with the blue color that cannot be absorbed by the green conversion layer 42. In the WG reflective polarizing layer 60, the P wave is emitted as green transmitted light (P wave) 68, while the S wave is reflected and returns to the light source side. The transmittance and reflectance of the WG reflective polarizing layer 60 may be wavelength-dependent, and blue preferably has a low transmittance and a high reflectance with respect to green and red. Blue reflected by the WG reflective polarizing layer 60 is converted to green by the green conversion layer 42. The light reflected by the WG reflective polarizing layer 60 and passing through the green conversion layer 42 returns to the wavelength conversion layer and the WG reflective polarizing layer 60 through the diffusion plate 11, the light guide plate 10, the reflection plate 13, the light guide plate 10, and the diffusion plate 11. Recycling (improves light use efficiency) by repeating behavior.
 例えば、青色入射光64は、青色カラーフィルタ層43を経てWG反射偏光層60に入射する。WG反射偏光層60では、P波は青色透過光(P波)69として放出されるが、S波は反射して光源側に戻る。WG反射偏光層60での透過率と反射率は波長依存性があっても良く、青は緑及び赤に対して透過率が低く反射率が高いことが好ましい。WG反射偏光層60で反射された青は青色カラーフィルタ層43、拡散板11、導光板10、反射板13、導光板10、拡散板11を経て波長変換層及びWG反射偏光層60に戻るという振る舞い繰り返すことでリサイクル(光の利用効率を向上)される。 For example, the blue incident light 64 enters the WG reflective polarizing layer 60 through the blue color filter layer 43. In the WG reflective polarizing layer 60, the P wave is emitted as blue transmitted light (P wave) 69, while the S wave is reflected and returns to the light source side. The transmittance and reflectance of the WG reflective polarizing layer 60 may be wavelength-dependent, and blue preferably has a low transmittance and a high reflectance with respect to green and red. Blue reflected by the WG reflective polarizing layer 60 returns to the wavelength conversion layer and the WG reflective polarizing layer 60 through the blue color filter layer 43, the diffuser plate 11, the light guide plate 10, the reflective plate 13, the light guide plate 10, and the diffuser plate 11. Recycling (improves light use efficiency) by repeating behavior.
 本発明の反射偏光層及び波長変換層を用いることで、光の利用効率を向上させることができる。なお、ここでは、カラーフィルタを用いる例を示したが、この例に限定されず、カラーフィルタを用いなくてもよい。カラーフィルタを用いない場合、カラーフィルタが光を吸収する分をなくすことができるため、光の利用効率はさらに向上する。また、例えば、量子ドットなどの蛍光体を含む波長変換層を用いた場合、波長変換層での光の吸収効率が向上することから、光の吸収率が低いカラーフィルタを使用してもよい。 The use efficiency of light can be improved by using the reflective polarizing layer and the wavelength conversion layer of the present invention. Although an example using a color filter is shown here, the present invention is not limited to this example, and a color filter may not be used. When the color filter is not used, the amount of light absorbed by the color filter can be eliminated, so that the light use efficiency is further improved. For example, when a wavelength conversion layer including a phosphor such as a quantum dot is used, a light filter with a low light absorption rate may be used because the light absorption efficiency in the wavelength conversion layer is improved.
 線状部61は、使用する透過光の最も短い波長以下の線幅を有する細線である。線状部61は伸延する方向と平行に離れて複数配列され、透明基板の上に導電性材料を用いて形成される。線状部61が配列される間隔は周期的であることが好ましい。なお、線状部61が配列される間隔は非周期的であってもよい。例えば、遮光層が複数の線状部61と同一平面上に形成される場合、細線と遮光層の線幅は異なる可能性があるため、非周期的となる。 The linear part 61 is a thin line having a line width equal to or shorter than the shortest wavelength of transmitted light to be used. A plurality of linear portions 61 are arranged in parallel with the extending direction, and are formed on the transparent substrate using a conductive material. It is preferable that the intervals at which the linear portions 61 are arranged are periodic. The intervals at which the linear portions 61 are arranged may be aperiodic. For example, when the light shielding layer is formed on the same plane as the plurality of linear portions 61, the line widths of the thin line and the light shielding layer may be different, and thus become aperiodic.
 WGの性能は、WGの間隔、入射光の波長、入射光の角度(入射角)、基板の屈折率の関係で表されることがよく知られている。線状部61が配列される間隔が、使用される透過光の最も短い波長以下であれば、WG反射偏光層60は、p偏光を透過し、s偏光を反射することができる。具体的には、使用される透過光の範囲が可視光の波長400nm~700nmの場合、使用される透過光の最も短い波長は400nmであるから、例えば、間隔は360nm以下、線幅は180nm以下とすればよい。なお、線幅は間隔の1/2以下が好ましい。線幅は間隔の約1/2以下の場合、WG反射偏光層60は、入射光に対して、線状部61に平行に振動する電場の成分はほとんど反射され、垂直に振動する電場の成分はほとんど透過される。したがって、WG反射偏光層に含まれる線状部61の線幅と間隔を調整することで、特定の波長の光を選択的に取り出すWG反射偏光層を提供することができる。また、s偏光とp偏光のいずれか一つを取り出すWG反射偏光層を提供することができる。なお、p偏光は電場が入射面内で垂直に振動する光の成分であり、s偏光は電場が入射面に並行に振動する光の成分であるとする。 It is well known that the performance of WG is expressed by the relationship between the WG interval, the wavelength of incident light, the angle of incident light (incident angle), and the refractive index of the substrate. If the interval at which the linear portions 61 are arranged is equal to or shorter than the shortest wavelength of transmitted light to be used, the WG reflective polarizing layer 60 can transmit p-polarized light and reflect s-polarized light. Specifically, when the range of transmitted light used is a visible light wavelength of 400 nm to 700 nm, the shortest wavelength of transmitted light used is 400 nm. For example, the interval is 360 nm or less and the line width is 180 nm or less. And it is sufficient. The line width is preferably 1/2 or less of the interval. When the line width is about ½ or less of the interval, the WG reflective polarizing layer 60 reflects almost all the electric field components that oscillate parallel to the linear portion 61 with respect to the incident light, and oscillates vertically. Is almost transparent. Therefore, by adjusting the line width and interval of the linear portion 61 included in the WG reflective polarizing layer, it is possible to provide a WG reflective polarizing layer that selectively extracts light of a specific wavelength. In addition, it is possible to provide a WG reflective polarizing layer that extracts either s-polarized light or p-polarized light. It is assumed that p-polarized light is a component of light whose electric field oscillates vertically in the incident plane, and s-polarized light is a component of light whose electric field oscillates in parallel with the incident plane.
 また、WGの性能は、WGの膜厚とも関係がある。例えば、WGの膜厚は光の透過率が1%以下となるようにすればよい。例えば、WGの膜厚は30nm以上が好ましい。具体的には、線状部61が使用される透過光の範囲が可視光の波長400nm~700nmの場合、使用される透過光の最も短い波長は400nmであるから、例えば、WGの間隔は360nm、WGの膜厚も360nmとすればよい。WGの膜厚が薄すぎると、透過光が無視できなくなり、特定の波長の光を選択的に取り出すことができなくなる。一方、WGの膜厚が厚すぎると、光の利用効率が低下する可能性があるため、透過光が無視できなくなるため、線幅同様に、膜厚も間隔の1/2以下が好ましい。また、WGの性能は、WGのグリッド間の屈折率とも関係がある。グリッド間に樹脂等の透明誘電体を充填することにより、透過率と反射率の波長依存性(例えば、青は緑及び赤に対して透過率が低く反射率が高い特性)を付与することが出来る。透明誘電体は透明樹脂であることが好ましく、前記線状部の間と前記線状部の上面は、透明樹脂で充填される。第1誘電体及び第2誘電体は同一の透明樹脂で形成されてもよく、異なる透明樹脂で形成されてもよい。 WG performance is also related to WG film thickness. For example, the film thickness of WG may be such that the light transmittance is 1% or less. For example, the film thickness of WG is preferably 30 nm or more. Specifically, when the range of transmitted light in which the linear portion 61 is used is a visible light wavelength of 400 nm to 700 nm, the shortest wavelength of transmitted light to be used is 400 nm, and for example, the WG interval is 360 nm. The film thickness of WG may be 360 nm. If the thickness of the WG is too thin, the transmitted light cannot be ignored, and light with a specific wavelength cannot be selectively extracted. On the other hand, if the film thickness of the WG is too thick, the light use efficiency may be reduced, so that the transmitted light cannot be ignored. Therefore, as with the line width, the film thickness is preferably ½ or less of the interval. The performance of the WG is also related to the refractive index between the WG grids. By filling a transparent dielectric such as resin between the grids, the wavelength dependence of transmittance and reflectance (for example, blue has a low transmittance and a high reflectance with respect to green and red) can be imparted. I can do it. The transparent dielectric is preferably a transparent resin, and the space between the linear portions and the upper surface of the linear portion are filled with the transparent resin. The first dielectric and the second dielectric may be formed of the same transparent resin or may be formed of different transparent resins.
 線状部61を形成する材料は、導電性金属であることが好ましい。また、線状部61を形成する材料の特性は、使用される透過光に対する反射率が高いこと、第2誘電体62、及び第3誘電体63との密着性が高いことが好ましい。例えば、アルミニウム、銀、白金等、又はそれらの合金等の導電性金属材料があげられるが、これらに限定されない。 The material forming the linear part 61 is preferably a conductive metal. In addition, it is preferable that the material forming the linear portion 61 has a high reflectance with respect to the transmitted light to be used and a high adhesion to the second dielectric 62 and the third dielectric 63. Examples thereof include, but are not limited to, conductive metal materials such as aluminum, silver, platinum, etc., or alloys thereof.
 図1及び図2では、線状部61の断面形状は、長方形であるが、長方形に限定されるものではない。線状部61の断面形状は、正方形であってもよいし、台形であってもよいし、三角形であってもよいし、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、様々な形状を採用することができる。 1 and 2, the cross-sectional shape of the linear portion 61 is a rectangle, but is not limited to a rectangle. The cross-sectional shape of the linear portion 61 may be a square, a trapezoid, a triangle, or various shapes within the scope of the present invention. Can do.
 第3誘電体63を形成する材料は、基材となりうる材料であることが好ましい。基材は、ガラスや樹脂等の可視光領域で透明性が高い材料であること、耐熱性が高い材料であること、線状部61との密着性が高いこと、第2誘電体62との密着性が高いことが好ましいが、これらに限定されるものではない。例えば、ポリカーボネート、ポリスチレン(PS)、シクロオレフィンポリマー(COP)、ポリ塩化ビニル等の非晶質熱可塑性樹脂、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレン、ポリプロピレン等の結晶性熱可塑性樹脂、アクリル系、エポキシ系、ウレタン系、ポリイミド系などの紫外線硬化性樹脂や熱硬化性樹脂が挙げられる。また、紫外線硬化性樹脂や熱硬化性樹脂と、ガラス等の無機基板、上記熱可塑性樹脂等とを組み合せた構成としてもよい。なお、第3誘電体63は、後述する第2誘電体を形成する材料を用いてもよい。 The material forming the third dielectric 63 is preferably a material that can be a base material. The base material is a material having high transparency in the visible light region such as glass and resin, a material having high heat resistance, high adhesion to the linear portion 61, and the second dielectric 62. Although it is preferable that adhesiveness is high, it is not limited to these. For example, polycarbonate, polystyrene (PS), cycloolefin polymer (COP), amorphous thermoplastic resin such as polyvinyl chloride, crystalline thermoplastic resin such as polyethylene terephthalate (PET), polyethylene, polypropylene, acrylic, epoxy , Urethane-based, polyimide-based and other ultraviolet curable resins and thermosetting resins. Moreover, it is good also as a structure which combined ultraviolet curable resin or thermosetting resin, inorganic board | substrates, such as glass, the said thermoplastic resin, etc. The third dielectric 63 may be made of a material for forming a second dielectric described later.
 第2誘電体62を形成する材料は、樹脂等であることが好ましい。また、第2誘電体62を形成する材料の特性は、可視光領域で透明性が高い材料であること、耐熱性が高い材料であること、線状部61との密着性が高いこと、第3誘電体63との密着性が高いことが好ましいが、これらに限定されるものではない。例えば、ポリカーボネート、ポリスチレン(PS)、シクロオレフィンポリマー(COP)、ポリ塩化ビニル等の非晶質熱可塑性樹脂、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレン、ポリプロピレン等の結晶性熱可塑性樹脂、アクリル系、エポキシ系、ウレタン系、ポリイミド系などの紫外線硬化性樹脂や熱硬化性樹脂が挙げられる。また、紫外線硬化性樹脂や熱硬化性樹脂と、上記熱可塑性樹脂等とを組み合せた構成としてもよい。また、第2誘電体は、2層構造としてもよい。例えば、複数の線状部61の間を充填する誘電体と、複数の線状部61の上面と複数の線状部61の間を充填する誘電体の上面と接する誘電体と、2層構造としてもよい。2層構造のそれぞれの樹脂の材料は、上述した第2誘電体62と同様の材料を用いればよい。なお、2層構造とした場合、複数の線状部61の間を充填する誘電体は、固体誘電体材料を用いた層であってもよい。例えば、酸化ケイ素や窒化酸化ケイ素、酸化窒化ケイ素、窒化ケイ素などの無機化合物、或いは、それらの積層構造で形成することができるが、これらに限定されるものではない。
 第1誘電体及び第2誘電体は同一の透明樹脂で形成されてもよく、異なる透明樹脂で形成されてもよく、これの誘電体を形成する透明樹脂材料としては、特開2013-062489号公報、特開2012-224845号公報、特開2013―089761号公報、WO2014/196381号公報等を使用することができうる。
The material forming the second dielectric 62 is preferably a resin or the like. Further, the characteristics of the material forming the second dielectric 62 are a material having high transparency in the visible light region, a material having high heat resistance, high adhesion to the linear portion 61, It is preferable that the adhesiveness with the three dielectrics 63 is high, but is not limited thereto. For example, polycarbonate, polystyrene (PS), cycloolefin polymer (COP), amorphous thermoplastic resin such as polyvinyl chloride, crystalline thermoplastic resin such as polyethylene terephthalate (PET), polyethylene, polypropylene, acrylic, epoxy , Urethane-based, polyimide-based and other ultraviolet curable resins and thermosetting resins. Moreover, it is good also as a structure which combined the ultraviolet curable resin and the thermosetting resin, and the said thermoplastic resin. The second dielectric may have a two-layer structure. For example, a dielectric filling between the plurality of linear portions 61, a dielectric contacting the top surface of the plurality of linear portions 61 and the top surface of the dielectric filling between the plurality of linear portions 61, and a two-layer structure It is good. The material of each resin of the two-layer structure may be the same material as the second dielectric 62 described above. In the case of a two-layer structure, the dielectric filling between the plurality of linear portions 61 may be a layer using a solid dielectric material. For example, it can be formed of an inorganic compound such as silicon oxide, silicon nitride oxide, silicon oxynitride, or silicon nitride, or a laminated structure thereof, but is not limited thereto.
The first dielectric and the second dielectric may be formed of the same transparent resin, or may be formed of different transparent resins. As a transparent resin material for forming the dielectric, JP-A-2013-062489 JP, 2012-224845, JP 2013-097661, WO 2014/196281, etc. can be used.
 波長変換層は、無機系蛍光体、蛍光性有機色素、量子ドットなどが用いられる。例えば、赤色変換層41は、Y23:Eu3+、Y22S:Eu3+等、緑色変換層42は、Ca2SiO4:Eu2+、ZnSiO3:Mn等、青色変換層は、ZnS:AgやZnSなどを用いてもよい。しかし、これらに限定されるものではない。 For the wavelength conversion layer, an inorganic phosphor, a fluorescent organic dye, a quantum dot, or the like is used. For example, the red color conversion layer 41 is Y 2 O 3 : Eu 3+ , Y 2 O 2 S: Eu 3+, etc., and the green color conversion layer 42 is blue, such as Ca 2 SiO 4 : Eu 2+ , ZnSiO 3 : Mn. For the conversion layer, ZnS: Ag, ZnS, or the like may be used. However, it is not limited to these.
 遮光層は、光の透過率が5%以下となるようにすればよい。また、導電性金属であることが好ましい。さらに、使用される透過光に対する反射率が高いこと、第3誘電体63及び波長変換層との密着性が高いこと、が好ましい。例えば、アルミニウム、クロム、チタン、又はそれらの合金等の導電性金属材料、或いはカーボンブラックなどの炭素の粒子などを用いてもよい。しかし、これらに限定されるものではない。 The light shielding layer may have a light transmittance of 5% or less. Moreover, it is preferable that it is an electroconductive metal. Furthermore, it is preferable that the reflectance with respect to the transmitted light to be used is high and the adhesion between the third dielectric 63 and the wavelength conversion layer is high. For example, a conductive metal material such as aluminum, chromium, titanium, or an alloy thereof, or carbon particles such as carbon black may be used. However, it is not limited to these.
 <作製工程>
 WG反射偏光層60及び波長変換層の作製工程を簡単に説明する。なお、作製方法は、この方法に限定されるものではなく、本発明の技術分野で通常使用される方法を採用することができる。
<Production process>
A process for manufacturing the WG reflective polarizing layer 60 and the wavelength conversion layer will be briefly described. Note that the manufacturing method is not limited to this method, and a method usually used in the technical field of the present invention can be adopted.
 例えば、電子線描画装置やフォトリソグラフィーを用いて、WG反射偏光層60及び波長変換層を作製する方法を説明する。なお、第2誘電体が2層である場合を説明する。 For example, a method of producing the WG reflective polarizing layer 60 and the wavelength conversion layer using an electron beam drawing apparatus or photolithography will be described. A case where the second dielectric has two layers will be described.
 ガラス基板に、第2誘電体62となるポリイミド系やアクリル系の樹脂を塗布する。或いは、酸化ケイ素や窒化酸化ケイ素、酸化窒化ケイ素、窒化ケイ素などの無機化合物を成膜する。塗布する方法はスピンコーティング法やディッピング法などを用いればよい。また、成膜はCVD装置などを用いて化学的に形成してもよいし、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、スクリーン印刷法などを用いて物理的に形成してもよい。 A polyimide or acrylic resin to be the second dielectric 62 is applied to the glass substrate. Alternatively, an inorganic compound such as silicon oxide, silicon nitride oxide, silicon oxynitride, or silicon nitride is formed. The coating method may be a spin coating method or a dipping method. Further, the film formation may be chemically formed using a CVD apparatus or the like, or may be physically formed using a vacuum deposition method, a sputtering method, an ion plating method, a screen printing method, or the like.
 次に、線状部61を形成するための導電性金属を成膜する。例えば、アルミニウムをスパッタ装置を用いて成膜する。さらに、フォトレジストを塗布し、ArF露光装置、KrF露光装置、電子線描画装置等により、線状部61のパターン以外の部分を描画し、現像する。フォトレジストは線状部61のパターン上に残っているので、フォトレジストをマスクにして、エッチングを行い、フォトレジストを除去することで、線状部61を形成することができる。 Next, a conductive metal for forming the linear portion 61 is formed. For example, aluminum is formed using a sputtering apparatus. Further, a photoresist is applied, and portions other than the pattern of the linear portion 61 are drawn and developed by an ArF exposure device, a KrF exposure device, an electron beam drawing device or the like. Since the photoresist remains on the pattern of the linear portion 61, the linear portion 61 can be formed by performing etching using the photoresist as a mask and removing the photoresist.
 続いて、第2誘電体62の2層目となるポリイミド系やアクリル系の樹脂を塗布する。或いは、酸化ケイ素や窒化酸化ケイ素、酸化窒化ケイ素、窒化ケイ素などの無機化合物を成膜する。塗布する方法は、インクジェット法、スピンコーティング法やディッピング法などを用いればよい。また、成膜はCVD装置などを用いて化学的に形成してもよいし、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法などを用いて物理的に形成してもよい。このようにして、複数の線状部61の間を樹脂や無機化合物で充填することができる。 Subsequently, a polyimide or acrylic resin that is the second layer of the second dielectric 62 is applied. Alternatively, an inorganic compound such as silicon oxide, silicon nitride oxide, silicon oxynitride, or silicon nitride is formed. As an application method, an inkjet method, a spin coating method, a dipping method, or the like may be used. The film may be formed chemically using a CVD apparatus or the like, or physically formed using a vacuum deposition method, a sputtering method, an ion plating method, or the like. In this way, the space between the plurality of linear portions 61 can be filled with the resin or the inorganic compound.
 さらに、化学機械研磨装置(Chemical Mechanical Polisher、CMP)を用いて、樹脂又は無機化合物を平坦化する。この時、線状部61が表面に露出する程度に研磨してもよい。 Further, the resin or the inorganic compound is planarized using a chemical mechanical polishing apparatus (Chemical Mechanical Polisher, CMP). At this time, polishing may be performed to such an extent that the linear portion 61 is exposed on the surface.
 続いて、第3誘電体63となるポリイミド系やアクリル系の樹脂を塗布する。或いは、酸化ケイ素や窒化酸化ケイ素、酸化窒化ケイ素、窒化ケイ素などの無機化合物を成膜する。塗布する方法はスピンコーティング法やディッピング法などを用いればよい。また、成膜はCVD装置などを用いて化学的に形成してもよいし、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法などを用いて物理的に形成してもよい。 Subsequently, a polyimide or acrylic resin to be the third dielectric 63 is applied. Alternatively, an inorganic compound such as silicon oxide, silicon nitride oxide, silicon oxynitride, or silicon nitride is formed. The coating method may be a spin coating method or a dipping method. The film may be formed chemically using a CVD apparatus or the like, or physically formed using a vacuum deposition method, a sputtering method, an ion plating method, or the like.
 さらに、遮光層40を形成する。例えば、導電性金属、クロムをスパッタ装置を用いて成膜する。さらに、フォトレジストを塗布し、フォトマスクを用いたフォトリソグラフィー技術により、遮光層40のパターンを形成し、現像する。フォトレジストは遮光層40のパターン上に残っているので、フォトレジストをマスクにして、エッチングを行い、フォトレジストを除去することで、遮光層40を形成することができる。 Further, a light shielding layer 40 is formed. For example, a conductive metal or chromium film is formed using a sputtering apparatus. Further, a photoresist is applied, and the pattern of the light shielding layer 40 is formed and developed by a photolithography technique using a photomask. Since the photoresist remains on the pattern of the light shielding layer 40, the light shielding layer 40 can be formed by performing etching using the photoresist as a mask and removing the photoresist.
 次に、波長変換層を形成する。波長変換層を形成する順番は適宜選択すればよい。例えば、赤色の蛍光性有機色素を塗布し、赤色変換層41を形成し、緑色の蛍光性有機色素を塗布し、緑色変換層42を形成すればよい。これらの波長変換層は同一平面上に形成される。同一平面上に形成することで、それぞれを別の層で形成するよりも製造工程を少なくすることができる。使用する材料は、無機系蛍光体或いは量子ドットでもよい。青色は青色カラーフィルタ層43を塗布してもよいし、第2誘電体、第3誘電体で用いた材料を塗布してもよい。このようにして、波長変換層を形成することができる。なお、図2において図示してはいないが、波長変換層を形成した後に保護膜を形成してもよい。保護膜は、第2誘電体、第3誘電体で用いた材料を用いてもよいし、接着剤を用いてプラスチックフィルムなどのフィルム層を接着してもよい。 Next, a wavelength conversion layer is formed. What is necessary is just to select the order which forms a wavelength conversion layer suitably. For example, a red fluorescent organic dye may be applied to form the red conversion layer 41, and a green fluorescent organic dye may be applied to form the green conversion layer 42. These wavelength conversion layers are formed on the same plane. By forming them on the same plane, it is possible to reduce the number of manufacturing steps as compared to forming each of them with different layers. The material used may be an inorganic phosphor or quantum dots. For blue, a blue color filter layer 43 may be applied, or a material used for the second dielectric and the third dielectric may be applied. In this way, a wavelength conversion layer can be formed. Although not shown in FIG. 2, a protective film may be formed after the wavelength conversion layer is formed. For the protective film, the material used for the second dielectric and the third dielectric may be used, or a film layer such as a plastic film may be bonded using an adhesive.
 こうして、WG反射偏光層60及び波長変換層を作製することができる。なお、ガラス基板上に作製されたWG反射偏光層60及び波長変換層は、そのまま用いてもよい。また、ガラス基板から機械的に剥離し、フレキシブルな状態で使用してもよい。 In this way, the WG reflective polarizing layer 60 and the wavelength conversion layer can be produced. In addition, you may use the WG reflective polarizing layer 60 and the wavelength conversion layer produced on the glass substrate as it is. Alternatively, it may be peeled mechanically from the glass substrate and used in a flexible state.
 以上のようにして構成され、作製されたWG反射偏光層60及び波長変換層は、光の利用効率を向上させることができる。また、WG反射偏光層60及び波長変換層は、特別な製造工程や製造装置を用いることなく、本発明の技術分野で通常使用される装置や方法を用いて作製することができるので、製造コストを抑えたWG反射偏光層60及び波長変換層を提供することができる。 The WG reflective polarizing layer 60 and the wavelength conversion layer constructed and manufactured as described above can improve the light utilization efficiency. In addition, the WG reflective polarizing layer 60 and the wavelength conversion layer can be manufactured using an apparatus and a method that are usually used in the technical field of the present invention without using a special manufacturing process or manufacturing apparatus. It is possible to provide the WG reflection polarizing layer 60 and the wavelength conversion layer that suppresses the above.
 (第2実施形態)
 本実施形態では、本発明の一実施形態に係る反射偏光層及び波長変換層を用いた液晶表示装置を説明する。なお、第1実施形態と同様の構成に関しては説明を省略することがある。
(Second Embodiment)
In the present embodiment, a liquid crystal display device using a reflective polarizing layer and a wavelength conversion layer according to an embodiment of the present invention will be described. In addition, description may be abbreviate | omitted regarding the structure similar to 1st Embodiment.
 図3は、本発明の一実施形態に係る液晶表示装置160の構成を示す模式的な平面図である。 FIG. 3 is a schematic plan view showing the configuration of the liquid crystal display device 160 according to an embodiment of the present invention.
 液晶表示装置160は、第1ガラス基板20、画素領域104、ゲート側駆動回路108及び109、ソース側駆動回路112、コネクタ114及び集積回路(IC)116を含む。 The liquid crystal display device 160 includes a first glass substrate 20, a pixel region 104, gate side driving circuits 108 and 109, a source side driving circuit 112, a connector 114, and an integrated circuit (IC) 116.
 第1ガラス基板20上に、画素領域104、ゲート側駆動回路108及び109、ソース側駆動回路112が形成される。コネクタ114は第1ガラス基板20に接続される。集積回路(IC)116はコネクタ114上に設けられる。 On the first glass substrate 20, the pixel region 104, the gate side drive circuits 108 and 109, and the source side drive circuit 112 are formed. The connector 114 is connected to the first glass substrate 20. An integrated circuit (IC) 116 is provided on the connector 114.
 画素領域104は、複数の画素106を含んでいる。複数の画素106は、一方向及び一方向に交差する方向に沿って、配置される。複数の画素106の配列数は任意である。例えば、X方向にm個、Y方向にn個の画素106が配列される。mとnはそれぞれ独立に、1よりも大きい自然数である。画素領域104が、表示領域となる。画素106の各々は、表示素子を有し、表示素子は液晶素子を含む。 The pixel area 104 includes a plurality of pixels 106. The plurality of pixels 106 are arranged along one direction and a direction intersecting with one direction. The number of arrangement of the plurality of pixels 106 is arbitrary. For example, m pixels 106 in the X direction and n pixels 106 in the Y direction are arranged. m and n are each independently a natural number greater than 1. The pixel area 104 becomes a display area. Each of the pixels 106 includes a display element, and the display element includes a liquid crystal element.
 例えば、赤色(R)、緑色(G)、及び青色(B)の三原色に対応する表示素子を三つの画素の各々に設けることができる。各画素に256段階の電圧あるいは電流を供給することで、フルカラーの液晶表示装置を提供することができる。また、複数の画素106の配列に制限はない。例えば、ストライプ配列やデルタ配列などを採用してもよい。なお、本発明の一実施形態に係る液晶表示装置160では、ストライプ配列である例を説明する。 For example, display elements corresponding to the three primary colors of red (R), green (G), and blue (B) can be provided in each of the three pixels. A full-color liquid crystal display device can be provided by supplying 256 steps of voltage or current to each pixel. Further, there is no limitation on the arrangement of the plurality of pixels 106. For example, a stripe arrangement or a delta arrangement may be adopted. In the liquid crystal display device 160 according to an embodiment of the present invention, an example of a stripe arrangement will be described.
 コネクタ114は、映像信号、回路の動作を制御するタイミング信号、電源などを、ゲート側駆動回路108及び109、ソース側駆動回路112に供給する役割を有する。コネクタ114は、フレキシブルプリント回路(FPC)を用いてもよい。映像信号、回路の動作を制御するタイミング信号、電源などが、外部回路からコネクタ114を介して、ゲート側駆動回路108及び109、ソース側駆動回路112に供給される。 The connector 114 has a role of supplying a video signal, a timing signal for controlling the operation of the circuit, a power source, and the like to the gate side driving circuits 108 and 109 and the source side driving circuit 112. The connector 114 may use a flexible printed circuit (FPC). A video signal, a timing signal for controlling the operation of the circuit, a power source, and the like are supplied from an external circuit to the gate side driving circuits 108 and 109 and the source side driving circuit 112 via the connector 114.
 ゲート側駆動回路108及び109、ソース側駆動回路112は、供給された映像信号、回路の動作を制御するタイミング信号、電源などを用いて、各画素106を駆動し、画素領域104に映像を表示する役割を有する。 The gate side driver circuits 108 and 109 and the source side driver circuit 112 drive each pixel 106 using the supplied video signal, a timing signal for controlling the operation of the circuit, a power source, and the like, and display an image in the pixel region 104. Have a role to play.
 ゲート側駆動回路108及び109、ソース側駆動回路112のすべてが、第1ガラス基板20上に形成されなくてもよい。例えば、ゲート側駆動回路、ソース側駆動回路の一部又はすべての機能を含む集積回路(IC)が、第1ガラス基板20上、或いはコネクタ114上に配置されてもよい。なお、図3の、集積回路(IC)116は、ゲート側駆動回路、ソース側駆動回路の一部の機能を有している。 All of the gate side drive circuits 108 and 109 and the source side drive circuit 112 may not be formed on the first glass substrate 20. For example, an integrated circuit (IC) including part or all of the functions of the gate side driver circuit and the source side driver circuit may be disposed on the first glass substrate 20 or the connector 114. Note that the integrated circuit (IC) 116 in FIG. 3 has some functions of a gate-side driver circuit and a source-side driver circuit.
 図4は、本発明の一実施形態に係るWG反射偏光層60と波長変換層を含む液晶表示装置310又は液晶表示装置320と光学系300の構成を示す模式的な断面図である。光学系300は、図2の構成に加え、第1ガラス基板20、TFTアレイ30、第1透光性導電層70、第1配向膜80、液晶層90、第2配向膜100、第2透光性導電層110、第2ガラス基板120、偏光板130を含む。 FIG. 4 is a schematic cross-sectional view showing the configuration of the liquid crystal display device 310 or the liquid crystal display device 320 including the WG reflective polarizing layer 60 and the wavelength conversion layer according to an embodiment of the present invention, and the optical system 300. In addition to the configuration of FIG. 2, the optical system 300 includes a first glass substrate 20, a TFT array 30, a first light-transmissive conductive layer 70, a first alignment film 80, a liquid crystal layer 90, a second alignment film 100, and a second light-transmitting film. A photoconductive layer 110, a second glass substrate 120, and a polarizing plate 130 are included.
 TFTアレイ30は、複数の薄膜トランジスタ、容量素子、抵抗素子、各種配線などにより、画素領域104、ゲート側駆動回路108及び109、ソース側駆動回路112が形成された層である。TFTアレイ30は、液晶表示装置310又は320を駆動する役割を有する。第1透光性導電層70と第2透光性導電層110は、各々に電圧が印加され、液晶層90に含まれる液晶素子を制御する役割を有する。第1配向膜80及び第2配向膜100は、第1透光性導電層70と第2透光性導電層110の各々に電圧が印加された際に、液晶層90に含まれる液晶素子を配向させる役割を有する。液晶表示装置310または320は、これらの構成要素が、第1ガラス基板20、第2ガラス基板120に挟持されることで、実現することができる。なお、偏光板130は、ランダムな偏光を特定方向の偏光にそろえて、透過させる役割を有する。なお、第2透光性導電層110を用いず、後述するコモン電位線197を用いてもよい。また、図4においては、赤色カラーフィルタ層50、緑色カラーフィルタ層51、青色カラーフィルタ層43又は第4誘電体を用いる例を示しているが、カラーフィルタはなくてもよい。 The TFT array 30 is a layer in which a pixel region 104, gate side driving circuits 108 and 109, and a source side driving circuit 112 are formed by a plurality of thin film transistors, capacitor elements, resistance elements, various wirings, and the like. The TFT array 30 has a role of driving the liquid crystal display device 310 or 320. The first light-transmitting conductive layer 70 and the second light-transmitting conductive layer 110 have a role of controlling a liquid crystal element included in the liquid crystal layer 90 by applying a voltage to each. The first alignment film 80 and the second alignment film 100 are liquid crystal elements included in the liquid crystal layer 90 when a voltage is applied to each of the first light transmitting conductive layer 70 and the second light transmitting conductive layer 110. Has the role of orientation. The liquid crystal display device 310 or 320 can be realized by sandwiching these components between the first glass substrate 20 and the second glass substrate 120. Note that the polarizing plate 130 has a role of aligning and transmitting random polarized light to polarized light in a specific direction. Note that a common potential line 197 described later may be used without using the second light-transmitting conductive layer 110. 4 shows an example in which the red color filter layer 50, the green color filter layer 51, the blue color filter layer 43, or the fourth dielectric is used, the color filter may not be provided.
 図5は、本発明の一実施形態に係る液晶表示装置160が含む画素106を示す模式的な平面図である。図5で示した画素は、第1ガラス基板20に垂直な方向に電圧を印加し液晶素子を制御するVA(Vertical Alignment)方式やTN(Twisted Nematic)方式に適用できる。 FIG. 5 is a schematic plan view showing the pixel 106 included in the liquid crystal display device 160 according to the embodiment of the present invention. The pixel shown in FIG. 5 can be applied to a VA (Vertical Alignment) method or a TN (Twisted Nematic) method in which a voltage is applied in a direction perpendicular to the first glass substrate 20 to control a liquid crystal element.
 図5に示す画素106は、薄膜トランジスタ190、容量素子196、ソース配線191、ゲート配線192、容量電位線193、第1透光性導電層70、を含む。薄膜トランジスタ190は、半導体層32、ゲート電極34、ソースドレイン電極36及び38、第1開口部39a及び39bを含む。ソースドレイン電極36及び38は、第1開口部39a及び39bを介して、半導体層32と電気的に接続されている。第1透光性導電層70は、第2開口部194、第3開口部195を介して、ソースドレイン電極38と電気的に接続されている。ソースドレイン電極38と、後述するゲート絶縁膜33と、容量電位線193とにより、容量素子196が形成される。ソースドレイン電極36とソース配線191とは電気的に接続されている。ゲート電極34とゲート配線192とは電気的に接続されている。第1透光性導電層70と、後述する第2透光性導電層110の、それぞれに電圧を印加することで、第1ガラス基板20と垂直な方向に電界が生じ、液晶層90に含まれる液晶素子が制御され、液晶表示装置は映像を表示することができる。 5 includes a thin film transistor 190, a capacitor 196, a source wiring 191, a gate wiring 192, a capacitor potential line 193, and a first light-transmitting conductive layer 70. The pixel 106 illustrated in FIG. The thin film transistor 190 includes a semiconductor layer 32, a gate electrode 34, source / drain electrodes 36 and 38, and first openings 39a and 39b. The source / drain electrodes 36 and 38 are electrically connected to the semiconductor layer 32 through the first openings 39a and 39b. The first translucent conductive layer 70 is electrically connected to the source / drain electrode 38 via the second opening 194 and the third opening 195. A capacitor element 196 is formed by the source / drain electrode 38, the gate insulating film 33 described later, and the capacitor potential line 193. The source / drain electrodes 36 and the source wiring 191 are electrically connected. The gate electrode 34 and the gate wiring 192 are electrically connected. By applying a voltage to each of the first light transmissive conductive layer 70 and the second light transmissive conductive layer 110 described later, an electric field is generated in a direction perpendicular to the first glass substrate 20 and is included in the liquid crystal layer 90. The liquid crystal element to be controlled is controlled, and the liquid crystal display device can display an image.
 図6は、本発明の一実施形態に係る液晶表示装置160が含む画素106のほかの例を示す模式的な平面図である。図6で示した画素は、第1ガラス基板20に水平な方向に電圧を印加し液晶素子を制御するIPS(In Plane Switching)方式に適用できる。 FIG. 6 is a schematic plan view showing another example of the pixel 106 included in the liquid crystal display device 160 according to the embodiment of the present invention. The pixel shown in FIG. 6 can be applied to an IPS (In Plane Switching) system in which a voltage is applied to the first glass substrate 20 in a horizontal direction to control a liquid crystal element.
 図6に示す画素106は、薄膜トランジスタ190、容量素子196、ソース配線191、ゲート配線192、容量電位線193、第1透光性導電層70、コモン電位線197を含む。薄膜トランジスタ190は、半導体層32、ゲート電極34、ソースドレイン電極36及び38、第1開口部39a及び39bを含む。ソースドレイン電極36及び38は、第1開口部39a及び39bを介して、半導体層32と電気的に接続されている。第1透光性導電層70は、第2開口部194、第3開口部195を介して、ソースドレイン電極38と電気的に接続されている。ソースドレイン電極38と、後述するゲート絶縁膜33と、容量電位線193とにより、容量素子196が形成される。ソースドレイン電極36とソース配線191とは電気的に接続されている。ゲート電極34とゲート配線192とは電気的に接続されている。コモン電位線197は画素領域104に含まれるすべての画素106にコモン電位を供給する役割を有する。コモン電位線197は画素領域104に含まれるすべての画素106で共有されていてもよいし、X方向の画素ごとに供給されてもよいし、Y方向の画素ごとに共有されてもよい。第1透光性導電層70と、コモン電位線197の、それぞれに電圧を印加することで、第1ガラス基板20と水平な方向に電界が生じ、液晶層90に含まれる液晶素子が制御され、液晶表示装置は映像を表示することができる。 6 includes a thin film transistor 190, a capacitor element 196, a source wiring 191, a gate wiring 192, a capacitive potential line 193, a first light-transmitting conductive layer 70, and a common potential line 197. The thin film transistor 190 includes a semiconductor layer 32, a gate electrode 34, source / drain electrodes 36 and 38, and first openings 39a and 39b. The source / drain electrodes 36 and 38 are electrically connected to the semiconductor layer 32 through the first openings 39a and 39b. The first translucent conductive layer 70 is electrically connected to the source / drain electrode 38 via the second opening 194 and the third opening 195. A capacitor element 196 is formed by the source / drain electrode 38, the gate insulating film 33 described later, and the capacitor potential line 193. The source / drain electrodes 36 and the source wiring 191 are electrically connected. The gate electrode 34 and the gate wiring 192 are electrically connected. The common potential line 197 has a role of supplying a common potential to all the pixels 106 included in the pixel region 104. The common potential line 197 may be shared by all the pixels 106 included in the pixel region 104, may be supplied for each pixel in the X direction, or may be shared for each pixel in the Y direction. By applying a voltage to each of the first translucent conductive layer 70 and the common potential line 197, an electric field is generated in a direction parallel to the first glass substrate 20, and the liquid crystal elements included in the liquid crystal layer 90 are controlled. The liquid crystal display device can display an image.
 図7は、本発明の一実施形態に係る液晶表示装置160が含む画素106のWG反射偏光層60の線状部61を示す模式的な平面図である。図5及び図6の紙面に向かって上面に、図7が重ねられる。図面を見やすくするために、図5及び図6と図7とを分けた。線状部61の線幅と、線状部61の間隔は、わかりやすくするため、大きさを図面で認識できる大きさにしているが、この大きさに限られない。 FIG. 7 is a schematic plan view showing the linear portion 61 of the WG reflective polarizing layer 60 of the pixel 106 included in the liquid crystal display device 160 according to the embodiment of the present invention. FIG. 7 is superimposed on the upper surface of FIG. 5 and FIG. In order to make the drawing easy to see, FIG. 5 and FIG. 6 are separated from FIG. Although the line width of the linear part 61 and the space | interval of the linear part 61 are made into the magnitude | size which can be recognized with drawing in order to make it intelligible, it is not restricted to this magnitude | size.
 以上のような構成とすることで、WG反射偏光層及び波長変換層は、光の利用効率を向上させることができる。WG反射偏光層及び波長変換層を用いた液晶表示装置は、光の利用効率を向上させることができ、色再現性が良く、明るく鮮明な表示を実現することができる。
 (第3実施形態)
 本実施形態では、本発明の一実施形態に係る液晶表示装置の作製方法を説明する。なお、第1実施形態及び第2実施形態と同様の構成に関しては説明を省略することがある。
With the above configuration, the WG reflection polarizing layer and the wavelength conversion layer can improve the light use efficiency. A liquid crystal display device using a WG reflective polarizing layer and a wavelength conversion layer can improve the light utilization efficiency, and can realize a bright and clear display with good color reproducibility.
(Third embodiment)
In this embodiment, a method for manufacturing a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention will be described. In addition, description may be abbreviate | omitted regarding the structure similar to 1st Embodiment and 2nd Embodiment.
 図8又は図9、並びに図10から図13を用いて、液晶表示装置310の製造方法を説明する。なお、本発明の液晶表示装置の製造方法は、特に説明の無い限りは、液晶表示装置の製造において一般的に用いられるフォトリソグラフィー技術を利用することを例に説明される。液晶表示装置の製造方法であれば、フォトリソグラフィー技術に限らず、本発明の技術分野で通常使用される方法であれば採用することができる。 A method for manufacturing the liquid crystal display device 310 will be described with reference to FIG. 8 or FIG. 9 and FIG. 10 to FIG. The method for manufacturing a liquid crystal display device according to the present invention will be described by taking an example of using a photolithography technique generally used in manufacturing a liquid crystal display device unless otherwise specified. As long as it is a manufacturing method of a liquid crystal display device, not only a photolithography technique but the method normally used in the technical field of this invention can be employ | adopted.
 図8は、図5の画素の構成を適用した場合の、ワイヤーグリッド反射偏光層と波長変換層を含む液晶表示装置310の製造方法を示す模式的な断面図である。液晶表示装置に含まれる3画素分を拡大した模式的な断面図である。 FIG. 8 is a schematic cross-sectional view showing a manufacturing method of the liquid crystal display device 310 including the wire grid reflective polarizing layer and the wavelength conversion layer when the pixel configuration of FIG. 5 is applied. It is typical sectional drawing which expanded 3 pixels contained in a liquid crystal display device.
 図9は、図6の画素の構成を適用した場合の、ワイヤーグリッド反射偏光層と波長変換層を含む液晶表示装置320の製造方法を示す模式的な断面図である。液晶表示装置に含まれる3画素分を拡大した模式的な断面図である。 FIG. 9 is a schematic cross-sectional view showing a manufacturing method of the liquid crystal display device 320 including a wire grid reflective polarizing layer and a wavelength conversion layer when the pixel configuration of FIG. 6 is applied. It is typical sectional drawing which expanded 3 pixels contained in a liquid crystal display device.
 はじめに、図10(A)に示すように、TFTアレイ30が、第1ガラス基板20の上に形成される。TFTアレイ30は、下地膜31、半導体層32、ゲート絶縁膜33、ゲート電極34、層間膜35、ソースドレイン電極36及び38、第1開口部39a及び39b、容量電位線193、及び第1誘電体37を含む。TFTアレイ30に、薄膜トランジスタ190、容量素子196が形成されている。 First, as shown in FIG. 10A, the TFT array 30 is formed on the first glass substrate 20. The TFT array 30 includes a base film 31, a semiconductor layer 32, a gate insulating film 33, a gate electrode 34, an interlayer film 35, source / drain electrodes 36 and 38, first openings 39a and 39b, a capacitance potential line 193, and a first dielectric. Including a body 37; A thin film transistor 190 and a capacitor element 196 are formed in the TFT array 30.
 第1誘電体37は、第1誘電体37よりも下の層の膜、配線、トランジスタなどを形成した際の凹凸を緩和する役割を有する。よって、第1誘電体以降に形成される膜やパターンは平坦な面の上に形成することができる。第1誘電体37を形成する材料の特性は、可視光領域で透明性が高い材料であること、耐熱性が高い材料であること、波長変換層との密着性が高いことが好ましい。 The first dielectric 37 has a role of relaxing unevenness when a film, a wiring, a transistor, or the like in a layer below the first dielectric 37 is formed. Therefore, the film and pattern formed after the first dielectric can be formed on a flat surface. The characteristics of the material forming the first dielectric 37 are preferably a material having high transparency in the visible light region, a material having high heat resistance, and high adhesion to the wavelength conversion layer.
 TFTアレイ30の形成方法、薄膜トランジスタ190及び容量素子196の構造、それぞれの膜、層、及び各部分の材料は、公知のものを採用することができる。すなわち、本発明の技術分野で通常使用される方法、ものを採用することができる。 The formation method of the TFT array 30, the structures of the thin film transistor 190 and the capacitor 196, the respective films, layers, and materials of each part may be known materials. That is, a method and a method usually used in the technical field of the present invention can be adopted.
 次に、図10(B)に示すように、波長変換層が形成される。はじめに、波長変換層に含まれる遮光層40を形成する。例えば、カーボンブラック等の黒色粒子を含む誘電体を基板上全面に印刷し、さらに、フォトレジストを塗布し、フォトマスクを用いたフォトリソグラフィー技術により、遮光層40のパターンを形成し、現像する。フォトレジストを遮光層40のパターン上に残すことで、フォトレジストをマスクにして、エッチングを行い、フォトレジストを除去することで、遮光層40を形成することができる。遮光層40を波長変換層に形成することで、各色の波長変換層を明確に区切ることができるため、透過光の混色を抑制することができる。 Next, as shown in FIG. 10B, a wavelength conversion layer is formed. First, the light shielding layer 40 included in the wavelength conversion layer is formed. For example, a dielectric material containing black particles such as carbon black is printed on the entire surface of the substrate, a photoresist is applied, a pattern of the light shielding layer 40 is formed and developed by a photolithography technique using a photomask. By leaving the photoresist on the pattern of the light shielding layer 40, the light shielding layer 40 can be formed by performing etching using the photoresist as a mask and removing the photoresist. By forming the light-shielding layer 40 in the wavelength conversion layer, the wavelength conversion layers of the respective colors can be clearly separated, so that the color mixture of transmitted light can be suppressed.
 続いて、波長変換層、すなわち、赤色変換層41、緑色変換層42を形成する。なお、赤色変換層41、緑色変換層42を形成する順番は適宜選択すればよい。例えば、青色カラーフィルタ層43を形成し、赤色の蛍光性無機顔料や蛍光性有機色素を含む波長変換膜形成用組成物を塗布し、赤色変換層41を形成し、緑色の蛍光性無機顔料や蛍光性有機色素を含む波長変換用組成物を塗布し、緑色変換層42を形成してもよい。 Subsequently, a wavelength conversion layer, that is, a red conversion layer 41 and a green conversion layer 42 are formed. Note that the order of forming the red color conversion layer 41 and the green color conversion layer 42 may be appropriately selected. For example, a blue color filter layer 43 is formed, a wavelength conversion film forming composition containing a red fluorescent inorganic pigment or a fluorescent organic dye is applied, a red conversion layer 41 is formed, and a green fluorescent inorganic pigment or The green conversion layer 42 may be formed by applying a wavelength conversion composition containing a fluorescent organic dye.
 前記赤色の蛍光性無機顔料や蛍光性有機色素を含む波長変換膜形成用組成物、緑色の蛍光性無機顔料や蛍光性有機色素を含む波長変換用組成物における蛍光性無機顔料としては、酸窒化物蛍光体、窒化物蛍光体、YAG蛍光体等が挙げられる。蛍光性有機色素としてはアントラセン系、アントラキノン系、アリールメチン系、アゾ系、アゾメチン系、ビマン系、クマリン系、1,5―ジアザビシクロ[3.3.0]オクタジエン系、ジケトピロール系、ナフタレノールイミン系、ナフタルイミド系、ペリレン系、フェノールフタレイン系、ピロールメチン系、パイラン系、パイレン系、ポルフィセン系、ポルフィリン系、キナクリドン系、ローダミン系、ルブリン系、スチルベン系の蛍光色素が挙げられ、これらの蛍光性無機顔料、蛍光性有機色素を含む波長変換用組成物の具体例としては、特開2016-90998号公報、WO2016・063930号公報、WO2013/118334号公報、特開2016-39228号公報等が挙げられる。 As the fluorescent inorganic pigment in the wavelength conversion film forming composition containing the red fluorescent inorganic pigment and the fluorescent organic dye, and the wavelength converting composition containing the green fluorescent inorganic pigment and the fluorescent organic dye, Product phosphor, nitride phosphor, YAG phosphor and the like. Fluorescent organic dyes include anthracene, anthraquinone, arylmethine, azo, azomethine, biman, coumarin, 1,5-diazabicyclo [3.3.0] octadiene, diketopyrrole, naphthalenol imine, Naphthalimide, perylene, phenolphthalein, pyrrolemethine, pyran, pyrene, porphycene, porphyrin, quinacridone, rhodamine, rubulin, and stilbene fluorescent dyes, and these fluorescent inorganics Specific examples of the wavelength conversion composition containing a pigment and a fluorescent organic dye include JP2016-90998A, WO2016 / 063930, WO2013 / 118334, JP2016-39228, and the like. .
 また、蛍光性無機材料の一種として半導体量子ドットを含む波長変換膜形成用組成物も使用することができ、半導体量子ドットの具体例としては、Inを構成元素として含む化合物からなる半導体量子ドットが好ましく、コアシェル構造型半導体量子ドットであるInP/ZnS、InP/ZnSe、CuInS2/ZnS及び(ZnS/AgInS2)固溶体/ZnS、並びに均質構造型半導体量子ドットであるAgInS2及びZnドープAgInS2がより好ましく、InP/ZnSがさらに好ましい。半導体量子ドットを含む波長変換膜形成用組成物としては、特開2017-32918号公報、特開2017-48355号公報、特開2015-46328号公報等に記載の組成物を用いることができる。 Moreover, the composition for wavelength conversion film formation containing a semiconductor quantum dot as a kind of fluorescent inorganic material can also be used, and the semiconductor quantum dot which consists of a compound which contains In as a constituent element as a specific example of a semiconductor quantum dot is Preferably, core-shell structure type semiconductor quantum dots InP / ZnS, InP / ZnSe, CuInS2 / ZnS and (ZnS / AgInS2) solid solution / ZnS, and homogeneous structure type semiconductor quantum dots AgInS2 and Zn-doped AgInS2 are more preferable. / ZnS is more preferable. As the composition for forming a wavelength conversion film containing semiconductor quantum dots, the compositions described in JP 2017-32918 A, JP 2017-48355 A, JP 2015-46328 A, and the like can be used.
 ここでは、青色は青色カラーフィルタ層43を塗布する例を示しているが、第4誘電体を塗布してもよい。青色カラーフィルタ層43を形成する領域に、第4誘電体を形成することで、青色カラーフィルタ層43による光の吸収や反射を抑制することができるため、青色光を効率よく透過させることができる。 Here, blue shows an example in which the blue color filter layer 43 is applied, but a fourth dielectric may be applied. By forming the fourth dielectric in the region where the blue color filter layer 43 is to be formed, light absorption and reflection by the blue color filter layer 43 can be suppressed, so that blue light can be transmitted efficiently. .
 第4誘電体の材料は、例えば、ポリイミド系やアクリル系の樹脂を用いることができる。これらの材料以外の材料を採用することもできる。第4誘電体は、遮光層40、及び第1誘電体37と密着性が高いこと、透明度が高いこと、熱に強いことが好ましい。 The material of the fourth dielectric can be, for example, a polyimide or acrylic resin. Materials other than these materials can also be adopted. The fourth dielectric preferably has high adhesion to the light shielding layer 40 and the first dielectric 37, high transparency, and resistance to heat.
 次に、図10(C)に示すように、カラーフィルタ層が形成される。カラーフィルタ層の形成の順番は適宜選択すればよい。たとえは、赤色カラーフィルタ層50形成し、緑色カラーフィルタ層51を形成し、青色カラーフィルタ層43を形成してもよい。カラーフィルタ層は塗布により全面に塗られた後に、フォトマスクを用いて、フォトリソグラフィー技術により、形成してもよい。なお、形成方法はこの方法に限定されない。 Next, as shown in FIG. 10C, a color filter layer is formed. What is necessary is just to select the order of formation of a color filter layer suitably. For example, the red color filter layer 50 may be formed, the green color filter layer 51 may be formed, and the blue color filter layer 43 may be formed. The color filter layer may be formed on the entire surface by coating and then formed by photolithography using a photomask. Note that the forming method is not limited to this method.
 続いて、図11(A)に示すように、第3誘電体63が形成される。第3誘電体63は、第3誘電体よりも下の膜、或いは配線パターンなどを形成した際の凹凸を緩和する役割を有する。また、波長変換層、カラーフィルタ層の保護をする役割も有する。さらに、この後形成される線状部61の基材の役割も有する。 Subsequently, as shown in FIG. 11A, a third dielectric 63 is formed. The third dielectric 63 has a role of relaxing unevenness when a film below the third dielectric or a wiring pattern is formed. It also has a role of protecting the wavelength conversion layer and the color filter layer. Further, it also serves as a base material for the linear portion 61 formed thereafter.
 第3誘電体は、第3誘電体よりも下の膜、或いは配線パターンなどを形成した際の凹凸を緩和する役割を有する。また、波長変換層、カラーフィルタ層の保護をする役割も有する。さらに、第3誘電体の上に形成される線状部61の基材の役割も有する。 The third dielectric has a role of relaxing unevenness when a film below the third dielectric or a wiring pattern is formed. It also has a role of protecting the wavelength conversion layer and the color filter layer. Furthermore, it also serves as a base material for the linear portion 61 formed on the third dielectric.
 第3誘電体63を形成する材料は、第4誘電体と同様の材料を採用することができる。例えば、ポリイミド系やアクリル系の樹脂、エポキシ系、ウレタン系の樹脂等を用いることができる。 The material forming the third dielectric 63 can be the same material as the fourth dielectric. For example, a polyimide resin, an acrylic resin, an epoxy resin, a urethane resin, or the like can be used.
 次に、図11(B)に示すように、線状部61が形成される。線状部61は、ナノインプリント法により形成することができる。ナノインプリント法は、公知技術であり、詳細な説明は省略する。例えば、石英ガラスなどに凹凸を形成した型を作成し、その型を用いて、パターンを形成する方法がある。例えば、ガラス基板などの透明な基材の上に、アルミニウムをスパッタ装置を用いて成膜する。さらに、レジストを塗布し、前述した型をレジストに押し当て、UV光を照射する。レジストをマスクにして、エッチングを行い、レジストを除去することで、線状部61を形成することができる。 Next, as shown in FIG. 11B, a linear portion 61 is formed. The linear portion 61 can be formed by a nanoimprint method. The nanoimprint method is a known technique and will not be described in detail. For example, there is a method of creating a pattern in which irregularities are formed on quartz glass or the like, and forming a pattern using the mold. For example, aluminum is formed into a film using a sputtering apparatus on a transparent base material such as a glass substrate. Further, a resist is applied, the above-described mold is pressed against the resist, and UV light is irradiated. The linear portion 61 can be formed by performing etching using the resist as a mask and removing the resist.
 図11(B)においては線状部61の線幅は、遮光する部分と、いわゆるWGの部分で変えている。すなわち、WGで遮光層を形成してもよい。WGで遮光層を形成することで、可視光を遮断することができる。なお、WGで遮光層を形成せずに、一定周期の線幅と間隔で、モールドを設計し、線状部61を形成してもよい。 In FIG. 11 (B), the line width of the linear portion 61 is changed between a light shielding portion and a so-called WG portion. That is, the light shielding layer may be formed by WG. Visible light can be blocked by forming a light blocking layer with WG. In addition, the linear part 61 may be formed by designing a mold with a line width and an interval of a fixed period without forming a light shielding layer with WG.
 次に、図12(A)に示すように、第1透光性導電層70と、ソースドレイン電極38とを電気的に接続するための、第2開口部194を形成する。第2開口部194は、第1誘電体37、赤色変換層41、緑色変換層42、青色カラーフィルタ層43または第4誘電体、赤色カラーフィルタ層50、及び緑色カラーフィルタ層51を開口する。 Next, as shown in FIG. 12A, a second opening 194 for electrically connecting the first light-transmitting conductive layer 70 and the source / drain electrode 38 is formed. The second opening 194 opens the first dielectric 37, the red conversion layer 41, the green conversion layer 42, the blue color filter layer 43 or the fourth dielectric, the red color filter layer 50, and the green color filter layer 51.
 続いて、図12(B)に示すように、第2誘電体62を塗布する。第2誘電体は、線状部61の凹凸を緩和する役割を有する。また、第2開口部194の側壁を覆い、赤色変換層41、緑色変換層42、青色カラーフィルタ層43または第4誘電体、赤色カラーフィルタ層50、及び緑色カラーフィルタ層51を保護する役割を有する。表示装置を形成する層の凹凸を緩和し、膜面を平坦にすることで、表示装置に入射する光、又は反射する光、並びに吸収される光を安定化することができる。 Subsequently, as shown in FIG. 12B, a second dielectric 62 is applied. The second dielectric has a role of relaxing the unevenness of the linear portion 61. Further, it covers the side wall of the second opening 194 and protects the red color conversion layer 41, the green color conversion layer 42, the blue color filter layer 43 or the fourth dielectric, the red color filter layer 50, and the green color filter layer 51. Have. By relaxing unevenness of a layer forming the display device and flattening a film surface, light incident on the display device, reflected light, and absorbed light can be stabilized.
 次に、図13(A)に示すように、第2誘電体62に、ソースドレイン電極まで達する第3開口部195を形成する。第3開口部195は、第1透光性導電層70と、ソースドレイン電極38とを電気的に接続するために形成される。 Next, as shown in FIG. 13A, a third opening 195 reaching the source / drain electrode is formed in the second dielectric 62. The third opening 195 is formed to electrically connect the first light-transmissive conductive layer 70 and the source / drain electrode 38.
 続いて、図13(B)に示すように、第1透光性導電層70を形成する。第1透光性導電層70は、画素のソースドレイン電極38と接続され、映像信号に相当する電圧が印加され、液晶層90が有する液晶素子を駆動する役割を有する。第1透光性導電層70を形成する材料は、例えば、ITO(Indium Tin Oxide)、IZO(Indium Zinc Oxide)などの、光を透過する材料を用いることができる。第1透光性導電層70の上には、第1配向膜80が形成される。第1配向膜80は、第1透光性導電層70と液晶層90と対向する側に形成される第2透光性導電層110とが導通しないように、すなわち、絶縁する役割を有する。第1配向膜80を形成する材料は、例えば、ポリイミド系などの樹脂が用いられる。図13においては、第1透光性導電層70の上に第1配向膜80を形成する例を示しているが、第1透光性導電層70と第1配向膜80の間に、遮光膜が形成された層があってもよいし、無機化合物層があってもよい。遮光膜層は可視光を遮断する役割を有し、無機化合物層は対向する面の導電層と絶縁する役割を有する。 Subsequently, as shown in FIG. 13B, a first light-transmissive conductive layer 70 is formed. The first light-transmissive conductive layer 70 is connected to the source / drain electrodes 38 of the pixel, and has a role of driving a liquid crystal element included in the liquid crystal layer 90 to which a voltage corresponding to a video signal is applied. As a material for forming the first light-transmissive conductive layer 70, for example, a material that transmits light, such as ITO (Indium Tin Oxide), IZO (Indium Zinc Oxide), or the like can be used. A first alignment film 80 is formed on the first translucent conductive layer 70. The first alignment film 80 has a role of insulating the first light-transmitting conductive layer 70 and the second light-transmitting conductive layer 110 formed on the side facing the liquid crystal layer 90 so as not to conduct. As a material for forming the first alignment film 80, for example, a polyimide resin or the like is used. Although FIG. 13 shows an example in which the first alignment film 80 is formed on the first light-transmissive conductive layer 70, light shielding is performed between the first light-transmissive conductive layer 70 and the first alignment film 80. There may be a layer in which a film is formed or an inorganic compound layer. The light-shielding film layer has a role of blocking visible light, and the inorganic compound layer has a role of insulating from the conductive layer on the opposite surface.
 最後に、図8を用いて、対向側の基板を説明する。対向側基板は、第2ガラス基板120、第2透光性導電層110、第2配向膜100を含む。第2ガラス基板120上に、第2透光性導電層110を成膜したのちに、第2配向膜100を塗布する。第2透光性導電層110は、第2透光性導電層110と第1透光性導電層70の間に配置される液晶層90に含まれる液晶素子に、垂直に電圧を印加し、液晶素子を制御する役割を有する。第2透光性導電層110を形成する材料は、例えば、ITO、IZOなどの、光を透過する材料を用いることができる。第2配向膜100は、第2透光性導電層110と液晶層90と対向する側に形成される第1透光性導電層70とが導通しないように、すなわち、絶縁する役割を有する。第2配向膜100を形成する材料は、例えば、ポリイミド系などの樹脂が用いられる。図8においては、第2透光性導電層110の下に第2配向膜100を形成する例を示しているが、第2透光性導電層110と第2配向膜100の間に、遮光膜が形成された層があってもよいし、無機化合物層があってもよい。遮光膜層は可視光を遮断する役割を有し、無機化合物層は対向する面の導電層と絶縁する役割を有する。例えば、こうして形成された対向側基板と、図13(B)まで形成された部分とをシール材などを用いて、液晶層90を間に挟んで、張り合わせる。さらに、偏光板130を第2ガラス基板120に貼り合わせることで、液晶表示装置310又は320を製造することができる。 Finally, the substrate on the opposite side will be described with reference to FIG. The counter substrate includes a second glass substrate 120, a second light transmissive conductive layer 110, and a second alignment film 100. After the second light-transmissive conductive layer 110 is formed on the second glass substrate 120, the second alignment film 100 is applied. The second light transmissive conductive layer 110 applies a voltage vertically to the liquid crystal element included in the liquid crystal layer 90 disposed between the second light transmissive conductive layer 110 and the first light transmissive conductive layer 70. It has a role to control the liquid crystal element. As a material for forming the second light-transmissive conductive layer 110, a material that transmits light, such as ITO or IZO, can be used. The second alignment film 100 has a role of insulating the second light-transmissive conductive layer 110 and the first light-transmissive conductive layer 70 formed on the side facing the liquid crystal layer 90 so as not to conduct. As a material for forming the second alignment film 100, for example, a polyimide resin or the like is used. FIG. 8 shows an example in which the second alignment film 100 is formed under the second light-transmissive conductive layer 110, but light shielding is performed between the second light-transmissive conductive layer 110 and the second alignment film 100. There may be a layer in which a film is formed or an inorganic compound layer. The light-shielding film layer has a role of blocking visible light, and the inorganic compound layer has a role of insulating from the conductive layer on the opposite surface. For example, the counter substrate thus formed and the portion formed up to FIG. 13B are attached to each other with a liquid crystal layer 90 interposed therebetween using a sealant or the like. Furthermore, the liquid crystal display device 310 or 320 can be manufactured by attaching the polarizing plate 130 to the second glass substrate 120.
 なお、図9に示した液晶表示装置320では、第1透光性導電層70を形成する工程において、コモン電位線197が、第1透光性導電層70と同じ層に形成される。また、第2透光性導電層110は形成しなくてもよい。 In the liquid crystal display device 320 shown in FIG. 9, the common potential line 197 is formed in the same layer as the first translucent conductive layer 70 in the step of forming the first translucent conductive layer 70. Further, the second light transmissive conductive layer 110 may not be formed.
 以上のような製造方法を用いて製造された、WG反射偏光層及び波長変換層を用いた液晶表示装置は、光の利用効率を向上させることができ、色再現性が良く、明るく鮮明な表示を実現することができる。さらに、特別な製造装置は必要なく、既存の製造設備を利用することができるため、製造コストを抑えることができる。 The liquid crystal display device using the WG reflective polarizing layer and the wavelength conversion layer manufactured using the manufacturing method as described above can improve the light use efficiency, has good color reproducibility, and is bright and clear. Can be realized. Furthermore, since no special manufacturing apparatus is required and existing manufacturing equipment can be used, manufacturing costs can be reduced.
 (第4実施形態)
 本実施形態では、本発明の一実施形態に係る液晶表示装置のほかの構成及び作製方法を説明する。なお、第1実施形態乃至第3実施形態と同様の構成に関しては説明を省略することがある。また、本発明の液晶表示装置の製造方法は、第2実施形態及び第3実施形態と同様に、特に説明の無い限りは、フォトリソグラフィー技術を利用することを例に説明されるが、本発明の技術分野で通常使用される方法であれば採用することができることはいうまでもない。
(Fourth embodiment)
In this embodiment, another structure and a manufacturing method of a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention will be described. In addition, description may be abbreviate | omitted regarding the structure similar to 1st Embodiment thru | or 3rd Embodiment. Further, the manufacturing method of the liquid crystal display device of the present invention will be described by using photolithography technology as an example unless otherwise specified, as in the second and third embodiments. Needless to say, any method usually used in the technical field can be adopted.
 図14は、本発明の一実施形態に係るWG反射偏光層60と波長変換層を含む液晶表示装置410又は液晶表示装置420と光学系400の構成を示す模式的な断面図である。光学系400は、図4と同様の構成を含み、液晶表示装置410又は420において、図8又は図9とは積層される順番が異なる。 FIG. 14 is a schematic cross-sectional view showing a configuration of the liquid crystal display device 410 or the liquid crystal display device 420 including the WG reflective polarizing layer 60 and the wavelength conversion layer according to an embodiment of the present invention, and the optical system 400. The optical system 400 includes the same configuration as that in FIG. 4, and the order in which the liquid crystal display device 410 or 420 is stacked differs from that in FIG. 8 or 9.
 積層される順番は、第1ガラス基板20の上に、TFTアレイ30、第1透光性導電層70、第1配向膜80、液晶層90、第2配向膜100、第2透光性導電層110、第2ガラス基板120、WG反射偏光層60、遮光層40と赤色変換層41と緑色変換層42と青色カラーフィルタ層43又は第4誘電体とから成る波長変換層、赤色カラーフィルタ層50と緑色カラーフィルタ層51と青色カラーフィルタ層43又は第4誘電体とから成るカラーフィルタ層、及び第2ガラス基板120である。なお、第1ガラス基板20の下に偏光板130が設けられる。 The order of stacking is on the first glass substrate 20, the TFT array 30, the first translucent conductive layer 70, the first alignment film 80, the liquid crystal layer 90, the second alignment film 100, and the second translucent conductive. A wavelength conversion layer comprising a layer 110, a second glass substrate 120, a WG reflection polarizing layer 60, a light shielding layer 40, a red conversion layer 41, a green conversion layer 42, a blue color filter layer 43 or a fourth dielectric, and a red color filter layer 50, a green color filter layer 51, a blue color filter layer 43, or a color filter layer made of a fourth dielectric, and the second glass substrate 120. A polarizing plate 130 is provided under the first glass substrate 20.
 図15は、図5の画素の構成を適用した場合の、WG反射偏光層60と波長変換層を含む液晶表示装置410の製造方法を示す模式的な断面図である。液晶表示装置に含まれる3画素分を拡大した模式的な断面図である。なお、図5に示す第3開口部195は形成しなくてもよい。 FIG. 15 is a schematic cross-sectional view showing a manufacturing method of the liquid crystal display device 410 including the WG reflective polarizing layer 60 and the wavelength conversion layer when the pixel configuration of FIG. 5 is applied. It is typical sectional drawing which expanded 3 pixels contained in a liquid crystal display device. Note that the third opening 195 illustrated in FIG. 5 may not be formed.
 図16は、図6の画素の構成を適用した場合の、WG反射偏光層60と波長変換層を含む液晶表示装置420の製造方法を示す模式的な断面図である。液晶表示装置に含まれる3画素分を拡大した模式的な断面図である。なお、図6に示す第3開口部195は形成しなくてもよい。 FIG. 16 is a schematic cross-sectional view showing a manufacturing method of the liquid crystal display device 420 including the WG reflective polarizing layer 60 and the wavelength conversion layer when the pixel configuration of FIG. 6 is applied. It is typical sectional drawing which expanded 3 pixels contained in a liquid crystal display device. Note that the third opening 195 illustrated in FIG. 6 may not be formed.
 図15、及び図16を用いて、液晶表示装置410及び420の製造方法を説明する。第1ガラス基板20の上にTFTアレイ30を形成する工程は、図3と同様であり、省略する。 A method for manufacturing the liquid crystal display devices 410 and 420 will be described with reference to FIGS. 15 and 16. The process of forming the TFT array 30 on the first glass substrate 20 is the same as that in FIG.
 TFTアレイ30の第1誘電体37を形成した後に、第2開口部194を形成し、第1透光性導電層70を形成する。図16に示す液晶表示装置420の製造においては、コモン電位線197が、第1透光性導電層70と同じ層に形成される。第1透光性導電層70の上には、第1配向膜80が形成される。なお、第1透光性導電層70と第1配向膜80の間に、遮光膜が形成された層があってもよいし、無機化合物層があってもよい。遮光膜層は可視光を遮断する役割を有し、無機化合物層は対向する面の導電層と絶縁する役割を有する。ここでは、第1ガラス基板上に第1配向膜80まで形成した基板を、TFT側基板と記すことにする。 After the first dielectric 37 of the TFT array 30 is formed, the second opening 194 is formed, and the first light-transmissive conductive layer 70 is formed. In the manufacture of the liquid crystal display device 420 shown in FIG. 16, the common potential line 197 is formed in the same layer as the first translucent conductive layer 70. A first alignment film 80 is formed on the first translucent conductive layer 70. There may be a layer in which a light shielding film is formed or an inorganic compound layer between the first translucent conductive layer 70 and the first alignment film 80. The light-shielding film layer has a role of blocking visible light, and the inorganic compound layer has a role of insulating from the conductive layer on the opposite surface. Here, the substrate formed up to the first alignment film 80 on the first glass substrate is referred to as a TFT side substrate.
 続いて、液晶層90を挟んで、TFT側基板と対向する側の基板の形成を説明する。ここでは、TFT側基板と対向する側の基板を、対向側基板と記すことにする。 Subsequently, formation of the substrate on the side facing the TFT side substrate with the liquid crystal layer 90 interposed therebetween will be described. Here, the substrate on the side facing the TFT side substrate is referred to as a counter side substrate.
 第2ガラス基板120上に、赤色カラーフィルタ層50と緑色カラーフィルタ層51と青色カラーフィルタ層43又は第4誘電体とから成るカラーフィルタ層を形成する。さらに、遮光層40と赤色変換層41と緑色変換層42と青色カラーフィルタ層43又は第4誘電体とから成る波長変換層を形成する。続いて、第3誘電体63と、線状部61、第2誘電体を含むWG反射偏光層60が形成される。引き続き、第2透光性導電層110を成膜したのちに、第2配向膜100を塗布する。なお、第2透光性導電層110と第2配向膜100の間に、遮光膜が形成された層があってもよいし、無機化合物層があってもよい。遮光膜層は可視光を遮断する役割を有し、無機化合物層は対向する面の導電層と絶縁する役割を有する。例えば、こうして形成された対向側基板と、TFT側基板とをシール材などを用いて、液晶層90を間に挟んで、張り合わせる。さらに、偏光板130を第1ガラス基板20に貼り合わせることで、液晶表示装置410又は420を製造することができる。 On the second glass substrate 120, a color filter layer composed of the red color filter layer 50, the green color filter layer 51, the blue color filter layer 43, or the fourth dielectric is formed. Further, a wavelength conversion layer including the light shielding layer 40, the red conversion layer 41, the green conversion layer 42, the blue color filter layer 43, or the fourth dielectric is formed. Subsequently, the WG reflection polarizing layer 60 including the third dielectric 63, the linear portion 61, and the second dielectric is formed. Subsequently, after forming the second light-transmissive conductive layer 110, the second alignment film 100 is applied. There may be a layer in which a light shielding film is formed or an inorganic compound layer between the second translucent conductive layer 110 and the second alignment film 100. The light-shielding film layer has a role of blocking visible light, and the inorganic compound layer has a role of insulating from the conductive layer on the opposite surface. For example, the counter substrate thus formed and the TFT substrate are bonded together with a liquid crystal layer 90 interposed therebetween using a sealant or the like. Furthermore, the liquid crystal display device 410 or 420 can be manufactured by bonding the polarizing plate 130 to the first glass substrate 20.
 以上のような製造方法を用いて製造された、WG反射偏光層及び波長変換層を用いた液晶表示装置は、光の利用効率を向上させることができ、色再現性が良く、明るく鮮明な表示を実現することができる。また、第3開口部195を形成する必要がないため、さらに、製造コストを抑えることができる。 The liquid crystal display device using the WG reflective polarizing layer and the wavelength conversion layer manufactured using the manufacturing method as described above can improve the light use efficiency, has good color reproducibility, and is bright and clear. Can be realized. Further, since it is not necessary to form the third opening 195, the manufacturing cost can be further reduced.
 (第5実施形態)
 本実施形態では、本発明の一実施形態に係る液晶表示装置のほかの構成及び作製方法を説明する。なお、第1実施形態乃至第4実施形態と同様の構成に関しては説明を省略することがある。また、本発明の液晶表示装置の製造方法は、第2実施形態及乃至第4実施形態と同様に、特に説明の無い限りは、フォトリソグラフィー技術を利用することを例に説明される。しかし、本発明の技術分野で通常使用される方法を用いて製造することができることはいうまでもない。
(Fifth embodiment)
In this embodiment, another structure and a manufacturing method of a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention will be described. In addition, description may be abbreviate | omitted regarding the structure similar to 1st Embodiment thru | or 4th Embodiment. Further, the manufacturing method of the liquid crystal display device of the present invention will be described by taking photolithography technique as an example unless otherwise specified, as in the second and fourth embodiments. However, it goes without saying that it can be produced by using a method usually used in the technical field of the present invention.
 図17は、本発明の一実施形態に係るWG反射偏光層60と波長変換層を含む液晶表示装置510又は液晶表示装置520と光学系500の構成を示す模式的な断面図である。光学系500は、図4又は図14図と同様の構成を含み、液晶表示装置510又は520において、図15又は図16とは積層される順番が異なる。 FIG. 17 is a schematic cross-sectional view showing the configuration of the liquid crystal display device 510 or the liquid crystal display device 520 and the optical system 500 including the WG reflective polarizing layer 60 and the wavelength conversion layer according to an embodiment of the present invention. The optical system 500 includes the same configuration as that in FIG. 4 or FIG. 14, and the stacking order of the liquid crystal display device 510 or 520 is different from that in FIG. 15 or FIG.
 積層される順番は、保護膜140、遮光層40と赤色変換層41と緑色変換層42と青色カラーフィルタ層43又は第4誘電体とから成る波長変換層、赤色カラーフィルタ層50と緑色カラーフィルタ層51と青色カラーフィルタ層43又は第4誘電体とから成るカラーフィルタ層、WG反射偏光層60、第1ガラス基板20、TFTアレイ30、第1透光性導電層70、第1配向膜80、液晶層90、第2配向膜100、第2透光性導電層110、第2ガラス基板120である。なお、第2ガラス基板120の上に偏光板130が設けられる。 The order of lamination is as follows: protective film 140, light shielding layer 40, red conversion layer 41, green conversion layer 42, blue color filter layer 43, or wavelength conversion layer comprising a fourth dielectric, red color filter layer 50, and green color filter. Color filter layer composed of the layer 51 and the blue color filter layer 43 or the fourth dielectric, the WG reflective polarizing layer 60, the first glass substrate 20, the TFT array 30, the first light-transmissive conductive layer 70, the first alignment film 80 , Liquid crystal layer 90, second alignment film 100, second light-transmissive conductive layer 110, and second glass substrate 120. A polarizing plate 130 is provided on the second glass substrate 120.
 第1ガラス基板20上に第1配向膜80までを形成した基板を、ここでは、TFT側基板と呼ぶことにする。TFT側基板の製造工程は第4実施形態と同様であり、省略する。第2配向膜100、第2透光性導電層110、第2ガラス基板120までを形成した基板を、ここでは、対向側基板と呼ぶことにする。対向側基板の製造工程は第3実施形態と同様であり、省略する。 A substrate in which up to the first alignment film 80 is formed on the first glass substrate 20 is referred to as a TFT side substrate here. The manufacturing process of the TFT side substrate is the same as that of the fourth embodiment, and will be omitted. The substrate on which the second alignment film 100, the second translucent conductive layer 110, and the second glass substrate 120 are formed is referred to as a counter-side substrate here. The manufacturing process of the counter substrate is the same as that in the third embodiment, and is omitted.
 ここでは、保護膜140、遮光層40と赤色変換層41と緑色変換層42と青色カラーフィルタ層43又は第4誘電体とから成る波長変換層、赤色カラーフィルタ層50と緑色カラーフィルタ層51と青色カラーフィルタ層43又は第4誘電体とから成るカラーフィルタ層、WG反射偏光層60を形成する方法を説明する。なお、ここで形成された部分は、WG基板と呼ぶことにする。 Here, the protective film 140, the light shielding layer 40, the red color conversion layer 41, the green color conversion layer 42, the blue color filter layer 43, or the wavelength conversion layer made of the fourth dielectric, the red color filter layer 50, the green color filter layer 51, A method of forming the color filter layer made of the blue color filter layer 43 or the fourth dielectric and the WG reflective polarizing layer 60 will be described. The portion formed here is called a WG substrate.
 はじめに、図示していないが、第3ガラス基板121上に、保護膜140を塗布、或いは成膜する。例えば、保護膜140の材料がポリイミド系やアクリル系などの樹脂を用いる場合は塗布し、保護膜140の材料が酸化ケイ素や窒化酸化ケイ素、酸化窒化ケイ素、窒化ケイ素などの無機化合物を用いる場合は成膜をする。又は、樹脂と無機化合物の積層膜としてもよい。保護膜140は、保護膜140よりも上に形成される層、膜、パターンが、表示装置外部からの衝撃などによる損傷、劣化を抑制する役割を有する。積層膜とした場合は、さらに、水分などが液晶表示装置内に侵入し、表示装置の劣化を防ぐ役割をすることができる。なお、塗布する方法はスピンコーティング法やディッピング法などを利用することができる。また、成膜はCVD装置などを用いて化学的に行ってもよいし、スパッタリング法などを用いて物理的に行ってもよい。 First, although not shown, a protective film 140 is applied or formed on the third glass substrate 121. For example, when the material of the protective film 140 uses a resin such as polyimide or acrylic, it is applied, and when the material of the protective film 140 uses an inorganic compound such as silicon oxide, silicon nitride oxide, silicon oxynitride, or silicon nitride. Form a film. Or it is good also as a laminated film of resin and an inorganic compound. The protective film 140 has a role in which layers, films, and patterns formed above the protective film 140 suppress damage and deterioration due to an impact from the outside of the display device. In the case of the laminated film, moisture or the like can further enter the liquid crystal display device and prevent the display device from being deteriorated. As a method for applying, a spin coating method, a dipping method, or the like can be used. The film formation may be performed chemically using a CVD apparatus or the like, or physically performed using a sputtering method or the like.
 次に、遮光層40と赤色変換層41と緑色変換層42と青色カラーフィルタ層43又は第4誘電体とから成る波長変換層が形成される。さらに、赤色カラーフィルタ層50と緑色カラーフィルタ層51と青色カラーフィルタ層43又は第4誘電体とから成るカラーフィルタ層を形成する。続いて、第3誘電体63と、線状部61、第2誘電体を含むWG反射偏光層60が形成される。波長変換層と、カラーフィルタ層と、WG反射偏光層60の作製方法は、第2実施形態乃至第4実施形態で説明した方法が利用できるため、ここでは省略する。このようにして、WG基板を作製することができる。 Next, a wavelength conversion layer comprising the light shielding layer 40, the red conversion layer 41, the green conversion layer 42, the blue color filter layer 43, or the fourth dielectric is formed. Further, a color filter layer including the red color filter layer 50, the green color filter layer 51, the blue color filter layer 43, or the fourth dielectric is formed. Subsequently, the WG reflection polarizing layer 60 including the third dielectric 63, the linear portion 61, and the second dielectric is formed. A method for manufacturing the wavelength conversion layer, the color filter layer, and the WG reflective polarizing layer 60 is omitted here because the methods described in the second to fourth embodiments can be used. In this way, a WG substrate can be manufactured.
 最後に、TFT側基板、対向側基板及びWG基板を張り合わせる工程を説明する。例えば、TFT側基板と対向側基板とをシール材などを用いて、液晶層90を間に挟んで、張り合わせる。さらに、TFT基板側の第1ガラス基板20の対向基板が張り付けられた面と反対の面に、WG基板のWG反射偏光層60の面を張り合わせる。さらに、偏光板130を第2ガラス基板120に貼り合わせることで、液晶表示装置510又は520を製造することができる。 Finally, the process of bonding the TFT side substrate, the opposite side substrate, and the WG substrate will be described. For example, the TFT side substrate and the opposite side substrate are attached to each other with a liquid crystal layer 90 interposed therebetween using a sealant or the like. Further, the surface of the WG reflective polarizing layer 60 of the WG substrate is bonded to the surface opposite to the surface on which the counter substrate of the first glass substrate 20 on the TFT substrate side is bonded. Furthermore, the liquid crystal display device 510 or 520 can be manufactured by attaching the polarizing plate 130 to the second glass substrate 120.
 以上のような製造方法を用いて製造された、WG反射偏光層及び波長変換層を用いた液晶表示装置は、光の利用効率を向上させることができ、色再現性が良く、明るく鮮明な表示を実現することができる。また、第3開口部195を形成する必要がないこと、TFT基板と対向基板を張り合わせた一般的な液晶表示をそのまま利用できることから、製造コストをさらに抑えることができる。 The liquid crystal display device using the WG reflective polarizing layer and the wavelength conversion layer manufactured using the manufacturing method as described above can improve the light use efficiency, has good color reproducibility, and is bright and clear. Can be realized. Further, since it is not necessary to form the third opening 195 and a general liquid crystal display in which the TFT substrate and the counter substrate are bonded can be used as they are, the manufacturing cost can be further reduced.
 上述した本発明の各実施形態は、相互に矛盾しない範囲において、適宜組み合わせることができる。また、各実施形態を基に、当業者が構成要素の追加、削除、或いは設計変更を行ったもの、又は、工程の追加、省略、或いは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。 The embodiments of the present invention described above can be combined as appropriate within a range that does not contradict each other. In addition, those in which a person skilled in the art has added, deleted, or changed a design based on each embodiment, or those in which a process has been added, omitted, or changed in conditions also include the gist of the present invention. As long as it falls within the scope of the present invention.
 また、上述した本発明の各実施形態の態様によりもたらされる作用効果とは異なる作用効果であっても、本明細書の記載から明らかなもの、又は、当業者において容易に予測し得るものについては、本発明によりもたらされるものと解釈される。 In addition, even if the operational effects are different from the operational effects provided by the aspects of the embodiments of the present invention described above, those that are apparent from the description of the present specification or that can be easily predicted by those skilled in the art. , To be construed as provided by the present invention.
 10…導光板、11…拡散板、12…光源、13…反射板、20…第1ガラス基板、30…TFTアレイ、31…下地膜、32…半導体層、33…ゲート絶縁膜、34…ゲート電極、35…層間膜、36、38…ソースドレイン電極、37…第1誘電体、39a、39b…第1開口部、40…遮光層、41…赤色変換層、42…緑色変換層、43…青色カラーフィルタ層、50…赤色カラーフィルタ層、51…緑色カラーフィルタ層、60…WG反射偏光層、61…線状部、62…第2誘電体、63…第3誘電体、64…青色入射光、65…反射光、66…青色p偏光の反射、67…赤色透過光(P波)、68…緑色透過光(P波)、69…青色透過光(P波)、70…第1透光性導電層、80…第1配向膜、90…液晶層、100…第2配向膜、104…画素領域、106…画素、108、109…ゲート側駆動回路、110…第2透光性導電層、112…ソース側駆動回路、114…コネクタ、116…集積回路(IC)、120…第2ガラス基板、121…第3ガラス基板、130…偏光板、140…保護膜、150、151…対向基板、160、310、320、410、420、510、520…液晶表示装置、190…薄膜トランジスタ、191…ソース配線、192…ゲート配線、193…容量電位線、194…第2開口部、195…第3開口部、196…容量素子、197…コモン電位線、200…ワイヤーグリッド反射偏光層と光学系、210…ワイヤーグリッド反射偏光層と波長変換層と光学系、300、400、500…液晶表示装置と光学系 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Light guide plate, 11 ... Diffusing plate, 12 ... Light source, 13 ... Reflecting plate, 20 ... 1st glass substrate, 30 ... TFT array, 31 ... Base film, 32 ... Semiconductor layer, 33 ... Gate insulating film, 34 ... Gate Electrode 35 ... Interlayer film 36, 38 ... Source / drain electrode 37 ... First dielectric 39a, 39b ... First opening 40 ... Light shielding layer 41 ... Red conversion layer 42 ... Green conversion layer 43 ... Blue color filter layer, 50 ... red color filter layer, 51 ... green color filter layer, 60 ... WG reflective polarizing layer, 61 ... linear portion, 62 ... second dielectric, 63 ... third dielectric, 64 ... blue incident Light, 65 ... reflected light, 66 ... reflection of blue p-polarized light, 67 ... red transmitted light (P wave), 68 ... green transmitted light (P wave), 69 ... blue transmitted light (P wave), 70 ... first transmitted light Photoconductive layer, 80 ... first alignment film, 90 ... liquid crystal layer, 100 ... second Directional film, 104 ... Pixel region, 106 ... Pixel, 108, 109 ... Gate side driving circuit, 110 ... Second light transmitting conductive layer, 112 ... Source side driving circuit, 114 ... Connector, 116 ... Integrated circuit (IC), DESCRIPTION OF SYMBOLS 120 ... 2nd glass substrate, 121 ... 3rd glass substrate, 130 ... Polarizing plate, 140 ... Protective film, 150, 151 ... Opposite substrate, 160, 310, 320, 410, 420, 510, 520 ... Liquid crystal display device, 190 Thin film transistor, 191 ... Source wiring, 192 ... Gate wiring, 193 ... Capacitance potential line, 194 ... Second opening, 195 ... Third opening, 196 ... Capacitance element, 197 ... Common potential line, 200 ... Wire grid reflection polarization Layer and optical system, 210 ... wire grid reflective polarizing layer and wavelength conversion layer and optical system, 300, 400, 500 ... liquid crystal display device and optical system

Claims (21)

  1.  入射する透過光の最も短い波長以下の幅を有し、線状部を有する反射偏光層であって、
     前記線状部は、前記線状部が伸延する方向と平行に離れて複数配列され、
     前記線状部の間は第1誘電体が設けられ、
     前記線状部の上面は第2誘電体に接し、
     前記線状部の下面は第3誘電体に接する
     ことを特徴とする反射偏光層。
    A reflective polarizing layer having a width equal to or shorter than the shortest wavelength of incident transmitted light and having a linear portion,
    A plurality of the linear portions are arranged in parallel with a direction in which the linear portions extend,
    A first dielectric is provided between the linear portions,
    The upper surface of the linear portion is in contact with the second dielectric,
    The reflective polarizing layer, wherein a lower surface of the linear portion is in contact with a third dielectric.
  2.  青色の波長のp偏光の反射率が、赤色の波長の反射率及び緑色の波長の反射率よりも相対的に高く、
     青色の波長のp偏光の透過率が、赤色の波長の透過率及び緑色の波長の透過率よりも相対的に低い、
     ことを特徴とする請求項1に記載の反射偏光層。
    The reflectance of the p-polarized light of the blue wavelength is relatively higher than the reflectance of the red wavelength and the reflectance of the green wavelength,
    The transmittance of the p-polarized light of the blue wavelength is relatively lower than the transmittance of the red wavelength and the transmittance of the green wavelength.
    The reflective polarizing layer according to claim 1.
  3.  前記青色の波長の光を吸収し、赤色の波長の光を発する波長変換材料と、
     前記青色の波長の光を吸収し、緑色の波長の光を発する波長変換材料と、を含む波長変換層と、
     接することを特徴とする請求項1または請求項2に記載の反射偏光層。
    A wavelength converting material that absorbs light of the blue wavelength and emits light of the red wavelength;
    A wavelength conversion layer that absorbs light of the blue wavelength and emits light of the green wavelength, and a wavelength conversion layer comprising:
    The reflective polarizing layer according to claim 1, wherein the reflective polarizing layer is in contact with the reflective polarizing layer.
  4.  前記波長変換層に含まれる、
     前記赤色の波長の光を発する波長変換材料と、
     前記緑色の波長の光を発する波長変換材料と、
     は同一平面上に設けられることを特徴とする請求項3に記載の反射偏光層。
    Included in the wavelength conversion layer,
    A wavelength converting material that emits light of the red wavelength;
    A wavelength converting material that emits light of the green wavelength;
    The reflective polarizing layer according to claim 3, wherein the two are provided on the same plane.
  5.  前記波長変換層は、前記第3誘電体または前記第2誘電体と、
     接することを特徴とする請求項3または請求項4に記載の反射偏光層。
    The wavelength conversion layer includes the third dielectric or the second dielectric,
    The reflective polarizing layer according to claim 3, wherein the reflective polarizing layer is in contact with the reflective polarizing layer.
  6.  前記波長変換層に含まれる、
     前記赤色の波長の光を発する波長変換材料と、
     前記緑色の波長の光を発する波長変換材料と、は、遮光層で仕切られている
     ことを特徴とする請求項3乃至請求項5のいずれか1項に記載の反射偏光層。
    Included in the wavelength conversion layer,
    A wavelength converting material that emits light of the red wavelength;
    The reflective polarizing layer according to any one of claims 3 to 5, wherein the wavelength conversion material that emits light having a green wavelength is partitioned by a light shielding layer.
  7.  前記赤色の波長の光を発する波長変換材料は赤色のカラーフィルタと接し、
     前記緑色の波長の光を発する波長変換材料は緑色のカラーフィルタと、
     接することを特徴とする請求項3乃至請求項6のいずれか1項に記載の反射偏光層。
    The wavelength conversion material that emits light of the red wavelength is in contact with the red color filter,
    The wavelength conversion material that emits light of the green wavelength is a green color filter,
    The reflective polarizing layer according to claim 3, wherein the reflective polarizing layer is in contact with the reflective polarizing layer.
  8.  第1基板と、TFTアレイと、波長変換層と、反射偏光層と、透光性導電膜と、第1配向膜と、液晶層と、第2配向膜と、第2基板と、偏光板と、
    を含み、
     前記TFTアレイと、前記波長変換層と、前記反射偏光層と、前記透光性導電膜と、前記第1配向膜と、前記液晶層と、前記第2配向膜と、は、
     前記第1基板と、前記第2基板との間に配置されることを特徴とする表示装置。
    A first substrate, a TFT array, a wavelength conversion layer, a reflective polarizing layer, a translucent conductive film, a first alignment film, a liquid crystal layer, a second alignment film, a second substrate, and a polarizing plate; ,
    Including
    The TFT array, the wavelength conversion layer, the reflective polarizing layer, the translucent conductive film, the first alignment film, the liquid crystal layer, and the second alignment film are:
    A display device, wherein the display device is disposed between the first substrate and the second substrate.
  9.  前記反射偏光層は、
     入射する透過光の最も短い波長以下の幅を有し、線状部と、第1誘電体と、第2誘電体と、第3誘電体と、を含み、
     前記線状部は、前記線状部が伸延する方向と平行に離れて複数配列され、
     前記線状部の間は前記第1誘電体が設けられ、
     前記線状部の上面は前記第2誘電体に接し、
     前記線状部の下面は前記第3誘電体に接する
     ことを特徴とする請求項8に記載の表示装置。
    The reflective polarizing layer is
    And having a width equal to or shorter than the shortest wavelength of incident transmitted light, and includes a linear portion, a first dielectric, a second dielectric, and a third dielectric,
    A plurality of the linear portions are arranged in parallel with a direction in which the linear portions extend,
    The first dielectric is provided between the linear portions,
    The upper surface of the linear portion is in contact with the second dielectric,
    The display device according to claim 8, wherein a lower surface of the linear portion is in contact with the third dielectric.
  10.  前記波長変換層は、
     青色の波長の光を吸収し、赤色の波長の光を発する波長変換材料と、
     青色の波長の光を吸収し、緑色の波長の光を発する波長変換材料と、を含み、
     前記赤色の波長の光を発する波長変換材料と、前記緑色の波長の光を発する波長変換材料と、は同一平面上に設けられる
     ことを特徴とする請求項9に記載の表示装置。
    The wavelength conversion layer is
    A wavelength converting material that absorbs blue wavelength light and emits red wavelength light;
    A wavelength converting material that absorbs light of a blue wavelength and emits light of a green wavelength, and
    The display device according to claim 9, wherein the wavelength conversion material that emits light of the red wavelength and the wavelength conversion material that emits light of the green wavelength are provided on the same plane.
  11.  前記反射偏光層と、前記波長変換層との間に、カラーフィルタ層が含まれ、
     前記カラーフィルタ層は、赤色のカラーフィルタと、緑色のカラーフィルタと、を含み、
     前記赤色のカラーフィルタは、前記赤色の波長の光を発する波長変換材料と接し、
     前記緑色のカラーフィルタは、前記緑色の波長の光を発する波長変換材料と接する
     ことを特徴とする請求項9または請求項10に記載の表示装置。
    A color filter layer is included between the reflective polarizing layer and the wavelength conversion layer,
    The color filter layer includes a red color filter and a green color filter,
    The red color filter is in contact with a wavelength conversion material that emits light of the red wavelength,
    The display device according to claim 9 or 10, wherein the green color filter is in contact with a wavelength conversion material that emits light of the green wavelength.
  12.  前記波長変換層は、開口部を有し、
     前記透光性導電膜は前記第3誘電体に接し、前記開口部に配置される
     ことを特徴とする請求項9乃至請求項11のいずれか1項に記載の表示装置。
    The wavelength conversion layer has an opening,
    The display device according to claim 9, wherein the translucent conductive film is in contact with the third dielectric and disposed in the opening.
  13.  前記透光性導電膜は櫛状または板状であることを特徴とする請求項8乃至請求項12のいずれか1項に記載の表示装置。 The display device according to claim 8, wherein the light-transmitting conductive film has a comb shape or a plate shape.
  14.  保護膜と、波長変換層と、反射偏光層と、第1基板と、TFTアレイと、透光性導電膜と、第1配向膜と、液晶層と、第2配向膜と、第2基板と、偏光板と、
     を含み、
     前記TFTアレイと、前記透光性導電膜と、前記第1配向膜と、前記液晶層と、前記第2配向膜と、は、
     前記第1基板と、前記第2基板との間に配置され、
     前記波長変換層と、前記反射偏光層と、は、前記保護膜と前記第1基板との間に配置されることを特徴とする表示装置。
    A protective film, a wavelength conversion layer, a reflective polarizing layer, a first substrate, a TFT array, a translucent conductive film, a first alignment film, a liquid crystal layer, a second alignment film, and a second substrate; , Polarizing plate,
    Including
    The TFT array, the translucent conductive film, the first alignment film, the liquid crystal layer, and the second alignment film are:
    Disposed between the first substrate and the second substrate;
    The display device, wherein the wavelength conversion layer and the reflective polarizing layer are disposed between the protective film and the first substrate.
  15.  前記反射偏光層は、
     入射する透過光の最も短い波長以下の幅を有し、線状部と、第1誘電体と、第2誘電体と、第3誘電体と、を含み、
     前記線状部は、前記線状部が伸延する方向と平行に離れて複数配列され、
     前記線状部の間は前記第1誘電体が設けられ、
     前記線状部の上面は前記第2誘電体に接し、
     前記線状部の下面は前記第3誘電体に接する
     ことを特徴とする請求項14に記載の表示装置。
    The reflective polarizing layer is
    And having a width equal to or shorter than the shortest wavelength of incident transmitted light, and includes a linear portion, a first dielectric, a second dielectric, and a third dielectric,
    A plurality of the linear portions are arranged in parallel with a direction in which the linear portions extend,
    The first dielectric is provided between the linear portions,
    The upper surface of the linear portion is in contact with the second dielectric,
    The display device according to claim 14, wherein a lower surface of the linear portion is in contact with the third dielectric.
  16.  前記波長変換層は、
     青色の波長の光を吸収し、赤色の波長の光を発する波長変換材料と、
     青色の波長の光を吸収し、緑色の波長の光を発する波長変換材料と、を含み、
     前記赤色の波長の光を発する波長変換材料と、前記緑色の波長の光を発する波長変換材料と、は同一平面上に設けられる
     ことを特徴とする請求項14または請求項15に記載の表示装置。
    The wavelength conversion layer is
    A wavelength converting material that absorbs blue wavelength light and emits red wavelength light;
    A wavelength converting material that absorbs light of a blue wavelength and emits light of a green wavelength, and
    The display device according to claim 14, wherein the wavelength conversion material that emits light of the red wavelength and the wavelength conversion material that emits light of the green wavelength are provided on the same plane. .
  17.  前記反射偏光層と、前記波長変換層との間に、カラーフィルタ層が含まれ、
     前記カラーフィルタ層は、赤色のカラーフィルタと、緑色のカラーフィルタと、を含み、
     前記赤色のカラーフィルタは、前記赤色の波長の光を発する波長変換材料と接し、
     前記緑色のカラーフィルタは、前記緑色の波長の光を発する波長変換材料と接する
     ことを特徴とする請求項14乃至請求項16のいずれか1項に記載の表示装置。
    A color filter layer is included between the reflective polarizing layer and the wavelength conversion layer,
    The color filter layer includes a red color filter and a green color filter,
    The red color filter is in contact with a wavelength conversion material that emits light of the red wavelength,
    The display device according to claim 14, wherein the green color filter is in contact with a wavelength conversion material that emits light of the green wavelength.
  18.  前記透光性導電膜は櫛状または板状であることを特徴とする請求項14乃至請求項17のいずれか1項に記載の表示装置。 The display device according to claim 14, wherein the light-transmitting conductive film has a comb shape or a plate shape.
  19.  前記波長変換層は、前記保護膜に接している
     ことを特徴とする請求項14乃至請求項17のいずれか1項に記載の表示装置。
    The display device according to claim 14, wherein the wavelength conversion layer is in contact with the protective film.
  20.  前記反射偏光層は、前記第1基板に接している
     ことを特徴とする請求項14乃至請求項17のいずれか1項に記載の表示装置。
    The display device according to claim 14, wherein the reflective polarizing layer is in contact with the first substrate.
  21.  青色の波長の光を吸収し、赤色の波長の光を発する波長変換材料と、
     青色の波長の光を吸収し、緑色の波長の光を発する波長変換材料と、を含み、
     前記赤色の波長の光を発する波長変換材料と、前記緑色の波長の光を発する波長変換材料と、は同一平面上に設けられる波長変換層を構成する組成物。
    A wavelength converting material that absorbs blue wavelength light and emits red wavelength light;
    A wavelength converting material that absorbs light of a blue wavelength and emits light of a green wavelength, and
    The wavelength conversion material that emits light of the red wavelength and the wavelength conversion material that emits light of the green wavelength constitute a wavelength conversion layer provided on the same plane.
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