THERMOELEKTRISCHE VORRICHTUNG
Die Erfindung betrifft eine thermoelektrische Einrichtung mit mehreren unterschiedlich dotierten und elektrisch leitfähig miteinander verbundenen Halbleitern, zumindest einem Trägersubstrat, welches auf einer ersten Seite der Halbleiter angeordnet ist, und zumindest einem Trägersubstrat, welches auf einer zweiten, der ersten Seite gegenüberliegenden Seite der Halbleiter angeordnet ist.
Die Erfindung betrifft außerdem einen Getränkehalter für ein Fahrzeug, mit einer Aufnahmeeinrichtung, welche zur Aufnahme eines Trinkgefäßes eingerichtet ist und einen Temperierraum für das Trinkgefäß bereitstellt, und einer oder mehreren thermoelektrischen Einrichtungen, welche wärmeübertragend mit dem Temperierraum gekoppelt sind.
Darüber hinaus betrifft die Erfindung eine Temperier-Vorrichtung für Sitze, insbesondere Fahrzeugsitze, mit einer Fördereinrichtung, welche dazu eingerichtet ist, ein Fluid, insbesondere Luft, zu einem Temperierbereich zu fördern, und einer Temperier-Einrichtung, welche eine oder mehrere thermoelektrische Einrichtungen aufweist und dazu eingerichtet ist, das zu dem Temperierbereich zu fördernde Fluid zu temperieren.
Ferner betrifft die Erfindung ein Verfahren zum Herstellen einer oben bezeichneten thermoelektrischen Einrichtung, mit den Schritten: stoffschlüssiges Verbinden der mehreren unterschiedlich dotierten Halbleiter mit mehreren auf einem ersten Trägersubstrat angeordneten elektrisch leitfähigen Verbindern und stoffschlüssiges Verbinden der mehreren unterschiedlich dotierten Halbleiter mit mehreren auf einem zweiten Trägersubstrat angeordneten elektrisch leitfähigen Verbindern.
Erzeugt man bei einer gattungsgemäßen thermoelektrischen Einrichtung eine Potentialdifferenz zwischen zwei Kontaktpolen, so wird Wärme von einer ersten Seite zu einer zweiten Seite der thermoelektrischen Einrichtung transportiert. In der Folge weisen die beiden Seiten der thermoelektrischen Einrichtung daher unterschiedliche Temperaturen auf. Die thermoelektrische Einrichtung erzeugt also aus der angelegten elektrischen Spannung ein Temperaturgefälle. Die thermoelektrische Einrichtung arbeitet in diesem Fall als Peltier-Element.
Erzeugt man bei einer gattungsgemäßen thermoelektrischen Einrichtung eine Temperaturdifferenz zwischen der ersten Seite und der zweiten Seite der thermoelektrischen Einrichtung, so wird elektrische Ladung von dem ersten elektrischen Kontaktpol zu dem zweiten elektrischen Kontaktpol der thermoelektrischen Einrichtung transportiert. In der Folge weisen die zwei elektrischen Kontaktpole daher unterschiedliche elektrische Potentiale auf. Die thermo-
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elektrische Einrichtung erzeugt also aus dem angelegten Temperaturgefälle eine elektrische Spannung. Die thermoelektrische Einrichtung arbeitet in diesem Fall als Seebeck-Element.
Thermoelektrische Einrichtungen sind regelmäßig an Objekten zu befestigen, mit welchen ein Wärmeaustausch stattfinden soll. Bekannte thermoelektrische Einrichtungen sind ausreichend klein, damit eine Befestigung an den Außenkanten ausreicht, um einen zufriedenstellenden Wärmeaustausch über die gesamte Kontaktfläche der thermoelektrischen Einrichtung und dem Objekt zu gewährleisten. Bekannt sind beispielsweise Systeme, bei welchen die Außenkanten der thermoelektrischen Einrichtung mit dem Objekt verklemmt werden.
Es werden jedoch zunehmend Anwendungen bekannt, welche den Einsatz von großflächigen thermoelektrischen Einrichtungen erfordern. Eine Befestigung an den Außenkanten ist bei großflächigen thermoelektrischen Einrichtungen jedoch nicht geeignet, um einen zufriedenstellenden Wärmeaustausch über die gesamte Kontaktfläche der thermoelektrischen Einrichtung und dem Objekt zu gewährleisten.
Die der Erfindung zugrunde liegende Aufgabe besteht somit darin, eine Möglichkeit zu schaffen, großflächige thermoelektrische Einrichtungen an Objekten befestigen zu können, ohne dass es zu einer übermäßigen Beeinträchtigung des Wärmeaustausches zwischen der thermoelektrischen Einrichtung und dem Objekt kommt.
Die Aufgabe wird gelöst durch eine thermoelektrische Einrichtung der eingangs genannten Art, wobei zumindest ein auf der ersten Seite oder der zweiten Seite der Halbleiter angeordnetes Trägersubstrat zumindest eine sich durch das Trägersubstrat erstreckende und rundum von Substratmaterial umgebene Ausnehmung aufweist, welche zur Aufnahme eines Befestigungsmittels ausgebildet ist.
Die Erfindung macht sich die Erkenntnis zunutze, dass durch die sich durch das Trägersubstrat erstreckende und rundum von Substratmaterial umgebene Ausnehmung eine Befestigung der thermoelektrischen Einrichtung an einem Objekts mittels eines Befestigungsmittels an einer Position erfolgen kann, welche inmitten der thermoelektrischen Einrichtung liegt. Die Notwendigkeit der Befestigung an den Seitenkanten der thermoelektrischen Einrichtung wird somit überwunden. Auf diese Weise kann eine ausreichend homogene Druckverteilung über die gesamte Fläche der thermoelektrischen Einrichtung erreicht werden, um einen zufriedenstellenden Wärmeaustausch über die gesamte Kontaktfläche der thermoelektrischen Einrichtung und dem Objekt zu gewährleisten. Durch eine solche Befestigung der thermoelektrischen Einrichtung kann diese auch großflächig ausgeführt werden, ohne dass es zu einer übermäßigen Beeinträchtigung des Wärmeaustausches zwischen der thermoelektrischen Einrichtung und dem Objekt kommt. Das Befestigungsmittel kann beispielsweise eine Schraube, ein Bolzen, ein Stift oder eine Klemme sein.
Die thermoelektrische Einrichtung ist vorzugsweise als Peltier-Element und/oder als Seebeck-Element ausgebildet. Ein Peltier-Element ist ein flaches Halbleiter-Element, welches sich bei Anlegen einer elektrischen Spannung auf einer Seite erwärmt und auf einer gegenüberliegenden Seite abkühlt. Ein Seebeck-Element ist ein flaches Halbleiter-Element, welches eine elektrische Spannung erzeugt, wenn eine seiner Seiten erwärmt und eine gegenüberliegende Seite abkühlt wird.
In einer bevorzugten Ausführungsform der erfindungsgemäßen thermoelektrischen Einrichtung weist zumindest ein auf der ersten Seite der Halbleiter angeordnetes Trägersubstrat und zumindest ein auf der zweiten Seite der Halbleiter angeordnetes Trägersubstrat jeweils zumindest eine sich durch das Trägersubstrat erstreckende und rundum von Substratmaterial umgebene Ausnehmung auf, welche zur Aufnahme eines Befestigungsmittels ausgebildet ist. Dadurch, dass sowohl zumindest ein auf der ersten Seite der Halbleiter angeordnetes Trägersubstrat als auch zumindest ein auf der zweiten Seite der Halbleiter angeordnetes Trägersubstrat jeweils eine Ausnehmung aufweisen, können die Trägersubstrate beispielsweise jeweils direkt mit einem Befestigungsmittel, welches sich durch die jeweilige Ausnehmung erstreckt, an dem Objekt befestigt werden.
In einer weiteren Ausführungsform der erfindungsgemäßen thermoelektrischen Einrichtung sind die zumindest eine Ausnehmung des zumindest einen auf der ersten Seite der Halbleiter angeordneten Trägersubstrats und die zumindest eine Ausnehmung des zumindest einen auf der zweiten Seite der Halbleiter angeordneten Trägersubstrats fluchtend zueinander angeordnet. Durch die fluchtende Anordnung der Ausnehmungen kann sich ein Befestigungsmittel durch die Trägersubstrate auf beiden Seiten der Halbleiter erstrecken. Die Befestigung der thermoelektrischen Einrichtung an dem Objekt wird somit erheblich vereinfacht.
Die erfindungsgemäße thermoelektrische Einrichtung wird ferner dadurch vorteilhaft weitergebildet, dass auf der ersten Seite der Halbleiter und/oder auf der zweiten Seite der Halbleiter nur ein Trägersubstrat angeordnet ist. Vorzugsweise weist das nur eine Trägersubstrat eine rechteckige oder quadratische Grundform auf und erstreckt sich im Wesentlichen über die gesamte Breite und/oder über die gesamte Länge der thermoelektrischen Einrichtung.
In einer anderen Ausführungsform der erfindungsgemäßen thermoelektrischen Einrichtung sind auf der ersten Seite der Halbleiter und/oder auf der zweiten Seite der Halbleiter mehrere Trägersubstrate angeordnet. Vorzugsweise weisen die mehreren auf einer Seite angeordneten Trägersubstrate jeweils die gleiche Größe auf. Vorzugsweise ist die Summe der Flächen der mehreren auf einer Seite der Halbleiter angeordneten Trägersubstrate kleiner als die Gesamtfläche der thermoelektrischen Einrichtung. Insbesondere sind mehrere oder sämtliche der mehreren auf einer Seite der Halbleiter angeordneten Trägersubstrate jeweils in einer Ecke und/oder an einer Kante der thermoelektrischen Einrichtung angeordnet oder
bilden zumindest einen Teil einer Ecke oder einer Kante der thermoelektrischen Einrichtung aus. Vorzugsweise sind die mehreren auf einer Seite der Halbleiter angeordneten Trägersubstrate beabstandet voneinander angeordnet.
Außerdem ist eine erfindungsgemäße thermoelektrische Einrichtung bevorzugt, bei welcher die Anzahl der auf der ersten Seite der Halbleiter angeordneten Trägersubstrate kleiner ist als die Anzahl der auf der zweiten Seite der Halbleiter angeordneten Trägersubstrate. Beispielsweise ist auf der ersten Seite der Halbleiter nur ein Trägersubstrat angeordnet und auf der zweiten Seite der Halbleiter sind zwei, drei, vier, fünf, sechs, sieben, acht, neun, zehn oder mehr als zehn Trägersubstrate angeordnet.
In einer bevorzugten Weiterbildung der erfindungsgemäßen thermoelektrischen Einrichtung ist die Anzahl der Ausnehmungen des zumindest einen auf der ersten Seite der Halbleiter angeordneten Trägersubstrats und die Anzahl der Ausnehmungen der mehreren auf der zweiten Seite der Halbleiter angeordneten Trägersubstrate identisch. Vorzugsweise sind die Ausnehmungen des zumindest einen auf der ersten Seite der Halbleiter angeordneten Trägersubstrats und die Ausnehmungen der mehreren auf der zweiten Seite der Halbeiter angeordneten Trägersubstrate fluchtend ausgebildet, sodass sich ein Befestigungsmittels jeweils durch ein Trägersubstrat auf der ersten Seite der Halbleiter und ein Trägersubstrat auf der zweiten Seite der Halbleiter erstrecken kann.
Darüber hinaus ist eine erfindungsgemäße thermoelektrische Einrichtung vorteilhaft, bei welcher die mehreren auf der zweiten Seite der Halbleiter angeordneten Trägersubstrate jeweils nur eine Ausnehmung aufweisen und die Ausnehmungen der mehreren auf der zweiten Seite der Halbleiter angeordneten Trägersubstrate im Wesentlichen mittig von dem jeweiligen Trägersubstrat angeordnet sind. Durch die mittige Anordnung der Ausnehmungen kommt es zu einer verbesserten Druckverteilung über die Trägersubstratfläche. Auf diese Weise werden übermäßige mechanische Beanspruchungen vermieden und das Beschädigungsrisiko, insbesondere beim Montageprozess, wird erheblich verringert.
Ferner ist eine erfindungsgemäße thermoelektrische Einrichtung bevorzugt, bei welcher die mehreren auf der zweiten Seite der Halbleiter angeordneten Trägersubstrate beabstandet voneinander angeordnet sind. Vorzugsweise stimmt die Summe aus den aus der Beabstan- dung resultierenden Freiflächen und den Flächen der mehreren auf der zweiten Seite der Halbleiter angeordneten Trägersubstrate im Wesentlichen mit der Gesamtfläche des zumindest einen auf der ersten Seite der Halbleiter angeordneten Trägersubstrats überein.
In einer bevorzugten Ausführungsform der erfindungsgemäßen thermoelektrischen Einrichtung erstrecken sich die mehreren auf der zweiten Seite der Halbleiter angeordneten Trägersubstrate jeweils über eine Halbleitergruppe. Die Halbleitergruppe weist einen Teil der
gesamten Halbleiteranzahl der thermoelektrischen Einrichtung auf, wobei die Halbleitergruppen von einem auf der zweiten Seite der Halbleiter angeordneten Trägersubstrate überdeckt werden. Vorzugsweise sind die Halbleiter einer Halbleitergruppe äquidistant voneinander beabstandet angeordnet.
In einer Weiterbildung der erfindungsgemäßen thermoelektrischen Einrichtung erstrecken sich mehrere oder sämtliche Halbleitergruppen jeweils über eine gleichgroße Fläche und/oder weisen eine identische Anzahl von Halbleitern auf. Auf diese Weise können die gleichen Befestigungsmittel und die gleichen Montageparameter, wie beispielsweise übereinstimmende Anzugsmomente der als Schrauben ausgebildeten Befestigungsmittel, verwendet werden. Die Montage ist somit vereinfacht und die Herstellungskosten werden verringert.
Außerdem ist eine erfindungsgemäße thermoelektrische Einrichtung bevorzugt, bei welcher die Halbleitergruppen elektrisch leitfähig miteinander verbunden sind. Vorzugsweise sind die Halbleitergruppen in Reihe geschaltet. Insbesondere weist die thermoelektrische Einrichtung hierzu mehrere elektrisch leitfähige Gruppenverbindungsbrücken auf. Vorzugsweise weist eine erste Halbleitergruppe und eine letzte Halbleitergruppe jeweils einen als Anschluss dienenden elektrischen Kontaktpol auf, welcher dazu eingerichtet ist, um mit einem elektrischen Leiter verbunden zu werden. Bezogen auf eine Reihenschaltung können zwischen der ersten Halbleitergruppe und der letzten Halbleitergruppe eine oder mehrere weitere Halbleitergruppen angeordnet sein, wobei die elektrisch leitfähige Verbindung zwischen den in Reihe geschalteten Halbleitergruppen über die Gruppenverbindungsbrücken umgesetzt wird. Auf diese Weise wird auch die Notwendigkeit von internen elektrischen Leitungen überwunden, wodurch das Beschädigungsrisiko verringert und die Fertigung der thermoelektrischen Einrichtung beschleunigt wird.
In einer anderen bevorzugten Ausführungsform der erfindungsgemäßen thermoelektrischen Einrichtung sind mehrere oder sämtliche Halbleitergruppen umlaufend mit einem Abdichtmaterial abgedichtet, welches den Feuchtigkeitstransport zu den Halbleitern verringert der verhindert. Feuchtigkeit kann zu einer Korrosion der metallischen Verbinder der Halbleiterelemente führen, wodurch die Funktion der thermoelektrischen Einrichtung beeinträchtigt werden kann. Starke Korrosion kann sogar zu einem Funktionsausfall der thermoelektrischen Einrichtung führen. Durch das Abdichtmaterial wird der Korrosionsprozess erheblich verlangsamt oder sogar vermieden.
Außerdem ist eine erfindungsgemäße thermoelektrische Einrichtung vorteilhaft, bei welcher zwischen benachbarten Halbleitergruppen Abdichtmaterial angeordnet ist, welches den Feuchtigkeitstransport zu den Halbleitern verringert der verhindert. Das Abdichtmaterial zwischen benachbarten Halbleitergruppen führt auch zu einer höheren Stabilität und somit zu
einer höheren mechanischen Belastbarkeit der thermoelektrischen Einrichtung. Außerdem kann das Abdichtmaterial zwischen benachbarten Halbleitergruppen durch eine geeignete Materialauswahl die Steifigkeit der thermoelektrischen Einrichtung erhöhen, wenn dieses für den beabsichtigen Einsatzzweck erwünscht ist.
In einer weiteren Ausführungsform der erfindungsgemäßen thermoelektrischen Einrichtung ist das Abdichtmaterial als Silikon ausgebildet oder umfasst Silikon. Silikon eignet sich besonders als Abdichtmaterial, weil es einerseits einen effektiven Schutz vor Feuchtigkeitsdurchtritt bietet und andererseits in einem fließfähigen Zustand in die thermoelektrische Einrichtung eingebracht werden kann. Durch die Einbringung des Silikons in dem fließfähigen Zustand kann dieser sich an die abzudichtenden Geometrien anpassen, bevor eine Aushärtung beziehungsweise Trocknung des Silikons stattfindet.
In einer anderen bevorzugten Ausführungsform der erfindungsgemäßen thermoelektrischen Einrichtung weisen eine Ausnehmung, mehrere Ausnehmungen oder sämtliche Ausnehmungen jeweils eine Dichtung auf, welche den Feuchtigkeitstransport zu den Halbleitern verringert der verhindert. Wenn zwei Ausnehmungen unterschiedlicher Trägersubstrate fluchtend zueinander angeordnet sind, erstreckt sich die Dichtung vorzugsweise über die fluchtend angeordneten Ausnehmungen. Die Ausnehmungen würden ohne eine entsprechende Dichtung einen Feuchtigkeitseintritt in die thermoelektrische Einrichtung und somit zu den Halbleitern und den Metallbrücken, welche die Halbleiter miteinander verbinden, erlauben. Zur Reduzierung des damit einhergehenden Korrosionsrisikos, erlauben die in den Ausnehmungen angeordneten Dichtungen eine effektive Verringerung oder sogar eine Vermeidung eines Feuchtigkeitseintritts.
Außerdem wird die erfindungsgemäße thermoelektrische Einrichtung dadurch vorteilhaft weitergebildet, dass die eine oder die mehreren Dichtungen ringförmig ausgebildet sind. Vorzugsweise weisen die eine oder die mehreren Dichtungen zumindest einen Abschnitt auf, dessen Außendurchmesser im Wesentlichen dem Durchmesser der Ausnehmung entspricht. Ringförmige Dichtungen erlauben das Abdichten einer runden Ausnehmungen und gleichzeitig die Aufnahme eines sich durch die Abdichtung erstreckenden runden Befestigungsmittels, wie etwa einer Schraube, einem Stift, einem Bolzen oder einer runden Klemme.
In einer vorteilhaften Weiterbildung der erfindungsgemäßen thermoelektrischen Einrichtung stützen die eine oder die mehreren Dichtungen jeweils ein auf der ersten Seite der Halbleiter angeordnetes Trägersubstrat und ein auf der zweiten Seite der Halbleiter angeordnetes Trägersubstrat gegeneinander ab. Vorzugsweise erstrecken sich die eine oder mehreren Dichtungen hierzu auch abschnittsweise zwischen zwei gegenüberliegenden Trägersubstraten, sodass sich eine Auflagefläche für die Trägersubstrate ausbildet. Die eine oder die mehreren Dichtungen wirken somit als Stützelemente. Die Stützelemente können ab-
schnittsweise auch Poren aufweisen. Dadurch, dass die eine oder die mehreren Dichtungen jeweils ein auf der ersten Seite der Halbleiter angeordnetes Trägersubstrat und ein auf der zweiten Seite der Halbleiter angeordnetes Trägersubstrat gegeneinander abstützen, werden die Stabilität und die mechanische Belastbarkeit der thermoelektrischen Einrichtung weiter erhöht.
Bevorzugt ist außerdem eine erfindungsgemäße thermoelektrische Einrichtung, bei welcher die eine oder die mehreren Dichtungen teilweise oder vollständig aus Kunststoff ausgebildet sind und vorzugweise ein Epoxid-Material umfassen. Kunststoffdichtungen sind kostengünstig herstellbar und in großen Stückzahlen und verschiedenen Ausführungen verfügbar. Epoxid-Material, wie beispielsweise Epoxidharz, bietet einen zuverlässigen Schutz gegen den Eintritt von Feuchtigkeit. Außerdem lassen sich entsprechende Dichtungen auch durch das Einspritzen von fließfähigem Kunststoff und einem anschließenden Trocknungsprozess erzeugen, wodurch auch komplexe Geometrien ohne hohen Aufwand abgedichtet werden können. Darüber hinaus ist eine erfindungsgemäße thermoelektrischen Einrichtung vorteilhaft, bei welcher ein Trägersubstrat, mehrere oder sämtliche Trägersubstrate elastisch verformbar ausgebildet sind. Vorzugsweise sind ein Trägersubstrat, mehrere oder sämtliche Trägersubstrate flexibel ausgebildet. Alternativ oder zusätzlich können ein Trägersubstrat, mehrere oder sämtliche Trägersubstrate zerstörungsfrei plastisch verformbar sein. Insbesondere ist bevorzugt, dass ein Trägersubstrat, mehrere oder sämtliche Trägersubstrate biegbar ausgebildet sind. Dies erlaubt die Integration entsprechender thermoelektrischer Einrichtungen auch im Bereich gebogener Flächen. Insbesondere sind ein Trägersubstrat, mehrere oder sämtliche Trägersubstrate zumindest abschnittsweise aus einem elastisch verformbaren Kunststoff ausgebildet. Alternativ oder zusätzlich können ein Trägersubstrat, mehrere oder sämtliche Trägersubstrate zumindest abschnittsweise aus einem elektrisch leitenden und zerstörungsfrei verformbaren Material, wie etwa ein Metall oder einer Metalllegierung, ausgebildet sein und zusätzlich eine dielektrische und verformbare Isolationsschicht aufweisen. Beispielsweise kann ein Trägersubstrat, mehrere oder sämtliche Trägersubstrate zumindest teilweise aus Kupfer oder einer Kupferlegierung ausgebildet sein. Außerdem ist eine Ausführungsform der erfindungsgemäßen thermoelektrischen Einrichtung bevorzugt, bei welcher ein Trägersubstrat, mehrere oder sämtliche Trägersubstrate im Wesentlichen frei von Keramikmaterial sind. Die Verwendung von Keramikmaterial führt zu einer hohen Sprödigkeit des entsprechenden Trägersubstrats, sodass das Risiko eines Spröd- bruchs beim Verformen der thermoelektrischen Einrichtung erhöht ist. Dadurch, dass ein Trägersubstrat, mehrere oder sämtliche Trägersubstrate im Wesentlichen frei von Keramikmaterial sind, wird dieses Risiko erheblich verringert.
Eine andere Ausführungsform der erfindungsgemäßen thermoelektrischen Einrichtung weist ein oder mehrere Befestigungsmittel auf, welche sich jeweils durch fluchtend zueinander angeordnete Ausnehmungen eines auf der ersten Seite der Halbleiter angeordneten Trägersubstrats und eines auf der zweiten Seite der Halbleiter angeordneten Trägersubstrats erstrecken. Das eine oder die mehreren Befestigungsmittel können beispielsweise als Schrauben, Stifte, Bolzen oder Klemmen ausgebildet sein.
In einer vorteilhaften Weiterbildung der erfindungsgemäßen thermoelektrischen Einrichtung weist die thermoelektrische Einrichtung ausschließlich rundum von Substratmaterial umgebene Befestigungsmittel auf. Eine Befestigung der thermoelektrischen Einrichtung durch Befestigungsmittel, welche an den Kanten der thermoelektrischen Einrichtung angeordnet sind, wird somit vermieden. Auf diese Weise wird eine homogene Spannungsverteilung über die einzelnen Trägersubstrate der thermoelektrischen Einrichtung erreicht, wodurch der Wärmeaustausch verbessert und das Beschädigungsrisiko wegen lokaler Spannungsspitzen verringert wird.
In einer anderen bevorzugten Ausführungsform der erfindungsgemäßen thermoelektrischen Einrichtung sind zwischen dem zumindest einen auf der ersten Seite der Halbleiter angeordneten Trägersubstrat und dem zumindest einen auf der zweiten Seite der Halbleiter angeordneten Trägersubstrat keine zusätzlichen Stabilisierungsstifte oder Stabilisierungsstege angeordnet. Auf diese Weise wird der Materialeinsatz verringert und die Fertigungskosten reduziert. Zusätzliche Stabilisierungsstifte oder Stabilisierungsstege führen außerdem zu einer gesteigerten Bauteilkomplexität, welche durch den Verzicht auf diese Elemente überwunden wird.
In einer Weiterbildung der erfindungsgemäßen thermoelektrischen Einrichtung ist auf einer den Halbleitern gegenüberliegenden Seite des auf der ersten Seite der Halbleiter angeordneten Trägersubstrats und/oder auf einer den Halbleitern gegenüberliegenden Seite des einen oder der mehreren auf der zweiten Seite der Halbleiter angeordneten Trägersubstrate jeweils zumindest eine Wärmeübertragungseinrichtung angeordnet. Die eine oder die mehreren Wärmeübertragungseinrichtungen sind vorzugsweise dazu eingerichtet, Wärme von dem jeweiligen Trägersubstrat, an welchem diese angeordnet sind, aufzunehmen und/oder Wärme an das jeweilige Trägersubstrat, an welchem diese angeordnet sind, abzugeben. Insbesondere ist die eine oder sind die mehreren Wärmeübertragungseinrichtungen jeweils aus einem wärmeleitenden Material, wie beispielsweise einem Metall oder einer Metalllegierung, ausgebildet. Außerdem ist es bevorzugt, dass die eine oder die mehreren Wärmeübertragungseinrichtungen jeweils als flache Platten ausgebildet sind und/oder die gleiche Grundfläche wie das jeweilige Trägersubstrat, an welchem diese angeordnet sind, aufweisen. Zwischen der einen oder den mehreren Wärmeübertragungseinrichtungen und dem jeweili-
gen Trägersubstrat kann ein Wärmeleitmedium, wie etwa eine Wärmeleitpaste oder ein Wärmeleitpad, angeordnet sein.
In einer anderen bevorzugten Ausführungsform der erfindungsgemäßen thermoelektrischen Einrichtung weist eine oder weisen einzelne oder sämtliche Wärmeübertragungseinrichtungen jeweils zumindest eine Ausnehmung auf, welche zur Aufnahme eines Befestigungsmittels ausgebildet ist. Die eine oder die mehreren Ausnehmungen sind vorzugsweise als Durchgangslöcher oder Sacklöcher ausgebildet. Durch die eine oder die mehreren Ausnehmungen kann die eine oder können die mehreren Wärmeübertragungseinrichtungen an den Trägersubstraten und den Halbleitern befestigt werden. Dadurch, dass die eine oder die mehreren Ausnehmungen als Durchgangslöcher ausgebildet sind, wird die Notwendigkeit einer am seitlichen Rand beziehungsweise an den Kanten der einen oder der mehreren Wärmeübertragungseinrichtungen angeordneten Befestigung überwunden, sodass das Risiko einer Beschädigung im Randbereich der einen oder der mehreren Wärmeübertragungseinrichtungen wesentlich verringert wird. Ferner kann die eine oder können die mehreren Wärmeübertragungseinrichtungen auch als Wärmetauscher ausgebildet sein.
Darüber hinaus ist eine erfindungsgemäße thermoelektrische Einrichtung vorteilhaft, bei welcher die zumindest eine Ausnehmung des zumindest einen auf der ersten Seite der Halbleiter angeordneten Trägersubstrats, die zumindest eine Ausnehmung des zumindest einen auf der zweiten Seite der Halbleiter angeordneten Trägersubstrats und die zumindest eine Ausnehmung der jeweiligen Wärmeübertragungseinrichtungen fluchtend zueinander angeordnet sind. Durch die fluchtende Ausrichtung der Ausnehmungen können sich Befestigungsmittel, wie etwa Schrauben, durch die fluchtenden Ausnehmungen erstrecken, sodass eine stabile und robuste Befestigung der Trägersubstrate und der Wärmeübertragungseinrichtungen aneinander erfolgen kann.
In einer anderen Ausführungsform der erfindungsgemäßen thermoelektrischen Einrichtung weist die zumindest eine Ausnehmung der jeweiligen Wärmeübertragungseinrichtungen eine Senkung zur Aufnahme eines Kopfes eines Befestigungsmittels oder ein Gewinde zum Eindrehen eines korrespondierenden Gewindes eines Befestigungsmittels auf. In der Senkung kann der Kopf eines Befestigungsmittels versenkt werden, sodass auf die nach außen gerichtete Oberfläche der jeweiligen Wärmeübertragungseinrichtung ein flächiges Objekt aufgesetzt werden kann, beispielsweise ein ein Temperierfluid führender Wärmetauscher. Durch das Gewinde wird die Notwendigkeit der Anordnung einer Mutter auf der nach außen gerichteten Oberfläche der jeweiligen Wärmeübertragungseinrichtung überwunden. Dies erlaubt ebenfalls die Bereitstellung einer planen Außenfläche der jeweiligen Wärmeübertragungseinrichtung, welche das Aufsetzen eines flächigen Objekts, wie etwa eines ein Temperierfluid führenden Wärmetauschers, erlaubt.
In einer vorteilhaften Ausgestaltung der erfindungsgemäßen thermoelektrischen Einrichtung ist im Bereich der Ausnehmungen der auf der ersten und zweiten Seite der Halbleiter angeordneten Trägersubstrate eine Stützeinrichtung angeordnet, welche die Trägersubstrate und/oder die Wärmeübertragungseinrichtungen gegeneinander abstützt. Ohne eine entspre- chende Stützeinrichtung würde die Klemmkraft eines Befestigungsmittels größtenteils oder ausschließlich über die Halbleiter übertragen werden. Die zur Übertragung der Last notwendige Krafteinleitung erfolgt aufgrund der Nachgiebigkeit der Trägersubstrate überwiegend in die im Bereich der Ausnehmungen angeordneten Halbleiter. Experimentelle und simulative Ergebnisse haben gezeigt, dass die Verteilung der Kräfte über die Halbleiter hauptsächlich von der Steifigkeit der Wärmeübertragungseinrichtungen, der Steifigkeit der Trägersubstrate, der Elastizität der Halbleiter, der Verteilung der Halbleiter und deren Abstand zur Krafteinleitestelle und der Elastizität der Wärmeleitmedien abhängt. Eine mechanische Überlastung der Halbleiter kann zu einer Beschädigung oder einem Ausfall eines Halbleiters führen. Insbesondere im Falle einer Reihenschaltung der Halbleiter kommt es somit zu einer erheblichen Funktionsbeeinträchtigung oder einem Funktionsausfall der thermoelektrischen Einrichtung. Die Stützeinrichtung führt zu einer Reduzierung der Last auf die Halbleiter, sodass das Beschädigungsrisiko und das Risiko eines Funktionsausfalls bei hohen Klemmkräften erheblich verringert werden.
Die Steifigkeit der Wärmeübertragungseinrichtungen und der Trägersubstrate kann durch deren Dicke beziehungsweise Materialstärke und/oder deren Materialelastizität beeinflusst werden. Die Elastizität der Halbleiter beschreibt die Nachgiebigkeit der Halbleiter unter Last. Sind die Halbleiter weich, geben die Halbleiter unmittelbar zur Krafteinleitungsstelle nach. Dadurch übernehmen benachbarte Halbleiter einen Anteil der Last. Sind die Halbleiter steif, so übernehmen nur die Halbleiter unmittelbar zur Krafteinleitungsstelle die Last. Die Steifig- keit der Halbleiter wird durch deren Materialzusammensetzung bestimmt, die vorrangig auf eine Erhöhung des Seebeck-Koeffizienten abzielt. Die Verteilung der Halbleiter und deren Abstand zur Krafteinleitungsstelle haben ebenfalls einen Einfluss. Je mehr Halbleiter um die Krafteinleitungsstelle positioniert werden, umso geringer die Last auf jeden einzelnen Halbleiter. Je dichter die Halbleiter an der Krafteinleitungsstelle sind, umso geringer ist auch das Moment, das auf die Halbleiterkanten wirkt. Dementsprechend wirken sich als Durchgangslöcher ausgebildete Ausnehmungen mit einem vergleichsweise kleinen Radius positiv auf die Lastverteilung aus. Die Elastizität der Wärmeleitmedien hilft bei der Verteilung der Lasten, indem die Wärmeleitmedien lokal nachgeben und die Kraft auf diese Weise vom Lasteinleitungsort weg übertragen. Hier wirkt sich ein weiches Wärmeleitmedium positiv aus. In einer anderen bevorzugten Ausführungsform der erfindungsgemäßen thermoelektrischen Einrichtung ist das eine oder sind die mehreren Stützeinrichtungen jeweils ringförmig ausgebildet und/oder dazu eingerichtet, ein Befestigungsmittel zu umgeben. Ringförmige Stützein-
richtungen erlauben einen besonders homogenen Kraftfluss, sodass Spannungsspitzen verringert oder vermieden werden. Das eine oder die mehreren ringförmigen Stützeinrichtungen können beispielsweise eine runde oder mehreckige Innenfläche und/oder eine runde oder mehreckige Außenfläche aufweisen. Vorzugsweise weist die eine oder weisen die mehreren Stützeinrichtungen zumindest die Höhe der Halbleiter auf.
Alternativ kann die eine oder können die mehreren Stützeinrichtungen auch alternative Formen aufweisen, beispielsweise eine Quader- oder Würfelform. Ferner können die eine oder die mehreren Stützeinrichtungen auch lediglich einzelne Ringsegmente umfassen. Die eine oder die mehreren Stützeinrichtungen können eine höhere oder eine geringere Steifigkeit und/oder Elastizität als die Halbleiter aufweisen. Alternativ kann die Steifigkeit und/oder Elastizität der einen oder der mehreren Stützeinrichtungen im Wesentlichen der Steifigkeit und/oder Elastizität der Halbleiter entsprechen.
In einer anderen Weiterbildung der erfindungsgemäßen thermoelektrischen Einrichtung ist die eine oder sind die mehreren Stützeinrichtungen jeweils als integraler Bestandteil des auf der ersten Seite der Halbleiter angeordneten Trägersubstrats und/oder des auf der zweiten Seite der Halbleiter angeordneten Trägersubstrats ausgebildet. Alternativ kann die eine oder können die mehreren Stützeinrichtungen auch separat von dem auf der ersten Seite der Halbleiter angeordneten Trägersubstrat und/oder von dem auf der zweiten Seite der Halbleiter angeordneten Trägersubstrat ausgebildet sein.
Die der Erfindung zugrundeliegende Aufgabe wird ferner durch einen Getränkehalter für ein Fahrzeug der eingangs genannten Art gelöst, wobei zumindest eine thermoelektrische Einrichtung nach einer der vorstehend beschriebenen Ausführungsformen ausgebildet ist. Hinsichtlich der Vorteile und Modifikationen des erfindungsgemäßen Getränkehalters wird auf die Vorteile und Modifikationen der erfindungsgemäßen thermoelektrischen Einrichtung verwiesen.
Die der Erfindung zugrundeliegende Aufgabe wird ferner durch eine Temperier-Vorrichtung für Sitze, insbesondere Fahrzeugsitze, der eingangs genannten Art gelöst, wobei zumindest eine thermoelektrische Einrichtung nach einer der vorstehend beschriebenen Ausführungsformen ausgebildet ist. Hinsichtlich der Vorteile und Modifikationen der erfindungsgemäßen Temperier-Vorrichtung wird auf die Vorteile und Modifikationen der erfindungsgemäßen thermoelektrischen Einrichtung verwiesen.
Die der Erfindung zugrundeliegende Aufgabe wird ferner durch ein Verfahren zum Herstellen einer thermoelektrischen Einrichtung der eingangs genannten Art gelöst, wobei die herzustellende thermoelektrische Einrichtung gemäß einer der vorstehend beschriebenen Ausführungsformen ausgeführt ist und vor dem stoffschlüssigen Verbinden der mehreren unter-
schiedlich dotierten Halbleiter mit den mehreren auf dem ersten Trägersubstrat und/oder dem zweiten Trägersubstrat angeordneten elektrisch leitfähigen Verbindern ein Formteil in die eine oder die mehreren Ausnehmungen eingesetzt wird.
Grundsätzlich könnten die elektrisch leitfähigen Verbinder auch durch additive Verfahren, wie etwa Abscheiden, Beschichten und/oder Drucken, oder Fügeprozesse, wie etwa Kleben und/oder Loten, auf einem Trägersubstrat oder aber auch auf einem zu temperierenden Bauteil oder Wärmetauscher aufgebracht werden. Ferner können die elektrisch leitfähigen Verbinder auch einzeln oder als zusammenhangende Folie auf die Halbleiter gefügt werden, beispielsweise durch Löten, wobei das Trägersubstrat dann später ergänzt werden kann.
Durch das eingesetzte Formteil wird die thermoelektrische Einrichtung während des stoffschlüssigen Verbindens abgestützt, sodass das Risiko einer Beschädigung durch eine während des stoffschlüssigen Verbindens erzeugten Druckbelastung erheblich verringert wird. Dies gilt insbesondere für die Abschnitte in dem Bereich der einen oder der mehreren Ausnehmungen. Das stoffschlüssige Verbinden kann insbesondere das Löten, vorzugsweise das Weichlöten, umfassen.
In einer vorteilhaften Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens ist das Formteil aus Gummi, Kunststoff und/oder Keramik ausgebildet ist. Insbesondere ist das Formteil hitzebeständig ausgebildet, sodass dieses während des stoffschlüssigen Verbindens nicht von der erzeugten Wärme beschädigt wird.
In einer anderen Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens wird nach dem stoffschlüssigen Verbinden der mehreren unterschiedlich dotierten Halbleiter mit den mehreren auf dem ersten Trägersubstrat und/oder dem zweiten Trägersubstrat angeordneten elektrisch leitfähigen Verbindern Kunststoff, insbesondere Epoxid-Material, zwischen das erste Trägersubstrat und das zweite Trägersubstrat, insbesondere in dem Bereich der Ausnehmungen, eingespritzt. Durch das Einspritzen von fließfähigem Kunststoff kann dieser sich der abzudichtenden Form anpassen und gewährleistet somit nach dem Trocknen einen effektiven Schutz gegen Feuchtigkeitseintritt.
Nachfolgend werden bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung unter Bezugnahme auf die beiliegenden Zeichnungen näher erläutert und beschrieben. Dabei zeigen:
Fig. 1 ein Ausführungsbeispiel der erfindungsgemäßen thermoelektrischen Einrichtung in einer perspektivischen Darstellung;
Fig. 2 die thermoelektrische Einrichtung aus Fig. 1 in einer weiteren perspektivischen
Darstellung;
Fig. 3 Teile der thermoelektrischen Einrichtung aus Fig. 1 und Fig. 2 in einer perspektivischen Darstellung;
Fig. 4 ein Ausführungsbeispiel der erfindungsgemäßen thermoelektrischen Einrichtung in einer Schnittdarstellung;
Fig. 5 eine Anordnung von Halbleitern einer erfindungsgemäßen thermoelektrischen
Einrichtung in einer perspektivischen Darstellung;
Fig. 6 Teile einer erfindungsgemäßen thermoelektrischen Einrichtung in einer Schnittdarstellung;
Fig. 7a die Lastverteilung in einer erfindungsgemäßen thermoelektrischen Einrichtung in einer Schnittdarstellung;
Fig. 7b die Lastverteilung in einer weiteren erfindungsgemäßen thermoelektrischen
Einrichtung in einer Schnittdarstellung; und
Fig. 8 eine weitere Ausführungsform der erfindungsgemäßen thermoelektrischen Einrichtung.
Fig. 1 zeigt eine thermoelektrische Einrichtung 10 mit mehreren unterschiedlich dotierten und elektrisch leitfähig miteinander verbundenen Halbleitern (verdeckt), einem Trägersubstrat 14, welches auf einer ersten Seite der Halbleiter 12 angeordnet ist, und insgesamt vier Trägersubstraten 16a-16d, welche auf einer zweiten, der ersten Seite gegenüberliegenden Seite der Halbleiter 12 angeordnet sind. Folglich ist die Anzahl der auf der ersten Seite der Halbleiter 12 angeordneten Trägersubstrate 14 kleiner ist als die Anzahl der auf der zweiten Seite der Halbleiter 12 angeordneten Trägersubstrate 16a-16d. Sämtliche Trägersubstrate 14, 16a-16d sind elastisch verformbar ausgebildet und im Wesentlichen frei von Keramikmaterial.
Das auf der ersten Seite der Halbleiter 12 angeordnete Trägersubstrat 14 weist insgesamt vier sich durch das Trägersubstrat 14 erstreckende und rundum von Substratmaterial umgebene Ausnehmungen 18a-18d auf. Durch die Ausnehmungen 18a-18d erstreckt sich jeweils ein Befestigungsmittel 22a-22d, wobei die Befestigungsmittel 22a-22d als Schrauben ausgebildet und dazu eingerichtet sind, mit einem Objekt verschraubt zu werden. Die thermoelektrische Einrichtung 10 weist somit ausschließlich rundum von Substratmaterial umgebene Befestigungsmittel 22a-22d auf.
Sämtliche Ausnehmungen 18a-18d weisen jeweils eine Dichtung 36a-36d auf, welche den Feuchtigkeitstransport zu den Halbleitern 12 im Wesentlichen verhindert. Die Dichtungen 36a-36d sind ringförmig ausgebildet und stützen jeweils ein auf der ersten Seite der
Halbleiter 12 angeordnetes Trägersubstrat 14 und ein auf der zweiten Seite der Halbleiter 12 angeordnetes Trägersubstrat 16a-16d gegeneinander ab. Ferner sind die Dichtungen 36a- 36d vollständig aus Kunststoff ausgebildet, wobei der Kunststoff ein Epoxid-Material umfasst.
Die mehreren unterschiedlich dotierten und elektrisch leitfähig miteinander verbundenen Halbleiter 12 sind elektrisch leitfähig mit den elektrischen Leitern 30a, 30b verbunden. Über die elektrischen Leiter 30a, 30b kann beispielsweise eine Spannung angelegt oder abgegriffen werden.
Fig. 2 zeigt, dass die vier auf der zweiten Seite der Halbleiter 12 angeordneten Trägersubstrate 16a-16d jeweils eine sich durch das Trägersubstrat 16a-16d erstreckende und rundum von Substratmaterial umgebene Ausnehmung 20a-20d aufweisen. Folglich ist die Anzahl der Ausnehmungen 18a-18d des auf der ersten Seite der Halbleiter 12 angeordneten Trägersubstrats 14 und die Anzahl der Ausnehmungen 20a-20d der auf der zweiten Seite der Halbleiter ^ angeordneten Trägersubstrate 16a-16d identisch. Die Ausnehmungen 20a-20d sind zur Aufnahme der in Fig. 1 gezeigten Befestigungsmittel 22a-22d ausgebildet.
Die vier Ausnehmungen 20a-20d der mehreren auf der zweiten Seite der Halbleiter 12 angeordneten Trägersubstrate 16a-16d sind im Wesentlichen mittig von dem jeweiligen Trägersubstrat 16a-16d angeordnet. Die vier Ausnehmungen 18a-18d des auf der ersten Seite der Halbleiter 12 angeordneten Trägersubstrats 14 und die vier Ausnehmungen 20a-20d der vier auf der zweiten Seite der Halbleiter 12 angeordneten Trägersubstrate 16a-16d sind fluchtend zueinander angeordnet.
Die vier auf der zweiten Seite der Halbleiter 12 angeordneten Trägersubstrate 16a-16d sind beabstandet voneinander und jeweils in einer Ecke der thermoelektrischen Einrichtung 10 angeordnet.
In Zusammenschau mit Fig. 3 wird deutlich, dass die vier auf der zweiten Seite der Halbleiter 12 angeordneten Trägersubstrate 16a-16d sich jeweils über eine Halbleitergruppe 24a- 24d erstrecken. Jede Halbleitergruppe 24a-24d umfasst ein Viertel der Halbleiter 12 der thermoelektrischen Einrichtung 10. Somit weisen die vier Halbleitergruppen 24a-24d eine identische Anzahl von Halbleitern 12 auf. Außerdem erstrecken sich die Halbleitergruppen 24a-24d jeweils über eine gleichgroße Fläche.
Die erste Halbleitergruppe 24a ist elektrisch leitfähig mit dem Anschluss 28a verbunden, wobei der Anschluss 28a über die Lötverbindung 32a elektrisch leitfähig mit dem elektrischen Leiter 30a verbunden ist. Ferner ist die erste Halbleitergruppe 24a über die Gruppenverbindungsbrücke 26a mit der zweiten Halbleitergruppe 24b elektrisch leitfähig verbunden. Die zweite Halbleitergruppe 24b ist über die Gruppenverbindungsbrücke 26b mit der dritten
Halbleitergruppe 24c elektrisch leitfähig verbunden. Die dritte Halbleitergruppe 24c ist über die Gruppenverbindungsbrücke 26c mit der vierten Halbleitergruppe 24d elektrisch leitfähig verbunden. Die vierte Halbleitergruppe 24d ist elektrisch leitfähig mit dem Anschluss 28b verbunden, wobei der Anschluss 28b über die Lötverbindung 32b elektrisch leitfähig mit dem elektrischen Leiter 30b verbunden ist.
Wie aus Fig. 2 hervorgeht, sind die Halbleitergruppen 24a-24d umlaufend mit einem Abdichtmaterial 34 abgedichtet, welches den Feuchtigkeitstransport zu den Halbleitern 12 im Wesentlichen verhindert. Außerdem ist zwischen benachbarten Halbleitergruppen 24a-24d Abdichtmaterial 34 angeordnet, welches ebenfalls den Feuchtigkeitstransport zu den Halbleitern 12 im Wesentlichen verhindert. Das Abdichtmaterial 34 ist als Silikon ausgebildet.
Fig. 3 zeigt außerdem, dass zwischen dem auf der ersten Seite der Halbleiter 12 angeordneten Trägersubstrat 14 und den auf der zweiten Seite der Halbleiter 12 angeordneten Trägersubstrate 16a-16d keine zusätzlichen Stabilisierungsstifte oder Stabilisierungsstege angeordnet sind.
Fig. 4 und Fig. 5 zeigen die Anordnung der Halbleiter 12 und die mit den Halbleitern 12 elektrisch leitfähig verbundenen metallischen Verbinder 38. Die Halbleiter einer Halbleitergruppe 24a-24d sind äquidistant voneinander beabstandet angeordnet. Die metallischen Verbinder 38 verbinden jeweils zwei Halbleiter 12 einer Halbleitergruppe 24a-24d elektrisch leitfähig miteinander, sodass ein Stromfluss durch sämtliche Halbleiter 12 einer Halbleitergruppe 24a-24d realisiert werden kann. Zusammen mit den Anschlüssen 28a, 28b und den Gruppenverbindungsbrücken 26a-26c kann ein Stromfluss durch sämtliche Halbleiter 12 der thermoelektrischen Vorrichtung umgesetzt werden.
Fig. 6 zeigt eine thermoelektrische Einrichtung 10 mit mehreren unterschiedlich dotierten und elektrisch leitfähig miteinander verbundenen Halbleitern 12. Auf einer ersten Seite der Halbleiter 12 ist ein Trägersubstrat 14 angeordnet. Auf einer zweiten Seite der Halbleiter 12 sind insgesamt vier Trägersubstrate angeordnet, von welchen das Trägersubstrat 16a dargestellt ist. Auf der den Halbleitern 12 gegenüberliegenden Seite des Trägersubstrats 14 und auf der den Halbleitern 12 gegenüberliegenden Seite des Trägersubstrats 16a ist jeweils eine Wärmeübertragungseinrichtung 40, 42 angeordnet. Die Wärmeübertragungseinrichtungen 40, 42 sind als flache Platten ausgebildet und dazu eingerichtet, Wärme von dem jeweiligen Trägersubstrat 14, 16a abzuführen oder dem jeweiligen Trägersubstrat 14, 16a Wärme zuzuführen.
Zwischen dem Trägersubstrat 14 und der Wärmeübertragungseinrichtung 40 ist ein Wärmeleitmedium 48 angeordnet, welches den Wärmeaustausch zwischen dem Trägersubstrat 14 und der Wärmeübertragungseinrichtung 40 fördert. Das Wärmeleitmedium 48 ist als Wärme-
leitpad ausgebildet. Die Wärmeübertragungseinrichtungen 40, 42 und die Trägersubstrate 14, 16a weisen miteinander fluchtende Ausnehmungen 44a, 46a, 18a, 20a auf, durch welche sich ein als Schraube ausgebildetes Befestigungsmittel 22a erstreckt. Die Ausnehmungen 18a, 20a der Trägersubstrate 14, 16a sind als Durchgangslöcher ausgebildet und weisen einen im Wesentlichen runden Querschnitt auf. Die Ausnehmung 44a der Wärmeübertragungseinrichtung 40 ist ebenfalls als Durchgangsloch ausgebildet, weist jedoch eine Senkung 50 auf. Die Senkung 50 dient zur Aufnahme des Kopfes des Befestigungsmittels 22a. Die Ausnehmung 46a der Wärmeübertragungseinrichtung 42 ist als Sackloch ausgebildet und weist ein Gewinde auf. In das Gewinde in der Ausnehmung 46a ist ein korrespondierendes Gewinde des Befestigungsmittels 22a eingedreht.
In dem Bereich der Ausnehmungen 18a, 20a der auf der ersten und zweiten Seite der Halbleiter 12 angeordneten Trägersubstrate 14, 16a ist eine Stützeinrichtung 52a angeordnet. Die Stützeinrichtungen 52a ist ringförmig ausgebildet und umgibt das Befestigungsmittel 22a. Die Stützeinrichtung 52a dient zum gegenseitigen Abstützen der Trägersubstrate 14, 16a und der Wärmeübertragungseinrichtungen 40, 42 und ist als integraler Bestandteil des Trägersubstrats 14 und des Trägersubstrats 16a ausgebildet.
Fig. 7a und Fig. 7b zeigen den Einfluss einer Stützeinrichtung 52a auf die Lastverteilung L in dem Bereich der Ausnehmungen 44a, 46a, 18a, 20a.
Die in der Fig. 7a dargestellte thermoelektrische Einrichtung 10 weist keine Stützeinrichtung auf. Die Klemmkraft F des Befestigungsmittels 22a wird in diesem Fall ausschließlich von den Halbleitern 12 aufgenommen. Dabei wirken auf die unmittelbar an dem Bef estig ungs mittel 22a angeordneten Halbleiter 12 vergleichsweise große Stützkräfte S2, S3. Geringere Stützkräfte S1 , S4 wirken auf die Halbleiter 12, welche in zweiter Reihe hinter dem Befestigungsmittel 22a angeordnet sind. Die unmittelbar an dem Befestigungsmittel 22a angeordneten Halbleiter 12, auf weiche die Stützkräfte S2, S3 wirken, sind einer hohen mechanischen Belastung ausgesetzt. Aufgrund der hohen mechanischen Belastung besteht gegenüber der in der Fig. 7b dargestellten Ausführungsform ein erhöhtes Beschädigungs- und Ausfallrisiko.
Die in der Fig. 7b dargestellte thermoelektrische Einrichtung 10 weist eine ringförmige und das Befestigungsmittel 22a umgebende Stützeinrichtung 52a auf. Die Klemmkraft F des Befestigungsmittels 22a wird in diesem Fall größtenteils durch die Stützeinrichtung 52a aufgenommen. Dabei wirken auf die Stützeinrichtung 52a vergleichsweise große Stützkräfte S2, S3. Lediglich geringere Stützkräfte S1 , S4 wirken auf die Halbleiter 12, welche hinter der Stützeinrichtung 52a angeordnet sind. Da die Klemmkraft F größtenteils von der Stützeinrichtung 52a aufgenommen wird, sind die Halbleiter 12 lediglich einer geringen mechanischen Belastung ausgesetzt, wodurch das Beschädigungs- und Ausfallrisiko erheblich gesenkt wird. Eine besonders bevorzugte Anordnung für Halbleitergruppen 24a-24d ist in Fig. 8
gezeigt. Danach ist ein Trägersubstrat 16 ist mit einer Vielzahl von Halbleitern 12 in bereits beschriebener Weise bestückt. Die Halbleiter 20 sind dabei in mehreren Halbleitergruppen 24a-24d angeordnet. Die Halbleitergruppen 24a-24d sind vorzugsweise in gleichbleibender Länge und Breite nebeneinander angeordnet. Sie sind jeweils durch ein streifenförmiges abdeckendes Trägersubstrat 16a-16d abgedeckt.
Je zwei Halbleitergruppen 24a-24d sind jeweils durch eine dazwischen liegende Abstandszone 25a-25c voneinander beabstandet und durch eine Gruppenverbindungsbrücke 26a-26c miteinander verbunden. Dabei kann vorgesehen sein, dass zwei Halbleitergruppen 24a-24d auch über mehrere Gruppenverbindungsbrücken 26a-c miteinander verbunden sind oder dass mindestens eine Halbleitergruppe 24a-24d auch mit mehreren anderen Halbleitergruppen 24a-24d verbunden ist. Vorzugsweise erfolgt die Verschaltung so, dass eine geschlossene Leiterschleife gebildet ist. Dadurch sind vorzugsweise alle Halbleiter 12 der thermo- elektrischen Einrichtung 10 mit nur zwei Anschlüssen 28 a, b elektrisch kontaktiert ist. Bei dieser Anordnung sind die abdeckenden Trägersubstrate 16a-16d im Wesentlichen parallel zueinander angeordnet und jeweils durch einen Abstand voneinander getrennt.
Die Befestigung der thermoelektrischen Einrichtung erfolgt, indem an einer Vielzahl von Ausnehmungen 20a-20i Befestigungsstifte (z.B. Schrauben) das Trägersubstrat 14 durchdringen und halten.
Mindestens eine Ausnehmungen 20a-20i ist in mindestens einer Abstandszone 25a-25c vorgesehen. Vorzugsweise ist in mindestens zwei oder mehr Abstandszonen 25a-25c mindestens eine Ausnehmung 20a-20i vorgesehen. Vorzugsweise sind in mindestens einer Abstandszone 25a-25c mindestens zwei oder mehr Ausnehmungen 20a-20i vorgesehen.
Vorzugsweise sind in mindestens zwei oder mehr Abstandszonen 25a-25c mindestens zwei oder mehr Ausnehmungen 20a-20i vorgesehen.
Im Unterschied dazu ist im Bereich mindestens einer Halbleitergruppe keine Ausnehmung 20a-i vorgesehen. Vorzugsweise sind die vorhandenen Halbleitergruppen 24 a-c alle frei von Ausnehmungen 20a-20i. Denn ein Durchdringen im Bereich der Halbleitergruppen oder der abdeckenden Trägersubstrate 16a-16d ist nicht nötig, um das Trägersubstrat 14 zu halten und seine Belastung gleichmäßig zu verteilen.
Da die Befestigungsstifte und die Vielzahl von Ausnehmungen 20a-20i bei dieser Ausführungsform nur das Trägersubstrat 14 durchdringen, kann eine Abdichtung der Ausnehmungen 20a-20i und deren Abstützung entfallen. Das vereinfacht die Fertigung und erhöht die Belastbarkeit der thermoelektrischen Einrichtung.
Das Halten erfolgt zweckmäßigerweise, indem die thermoelektrische Einrichtung zwischen zwei Metall-Platten (z.B. Wärmetauscher-Platten) eingespannt ist. Dadurch ergibt sich eine gleichmäßige kraftschlüssige Einspannung und eine formschlüssige Fixierung relativ zur Ebene des Trägersubstrats.
Bezugszeichen
10 thermoelektrische Einrichtung
12 Halbleiter
14 Trägersubstrat
16a-16d Trägersubstrate
18a-18d Ausnehmungen
20a-20i Ausnehmungen
22a-22d Befestigungsmittel
24a-24d Halbleitergruppe
25a-25c Abstandszone
26a-26c Gruppenverbindungsbrücken
28a, 28b Anschlüsse
30a, 30b elektrischer Leiter
32a, 32b Lötverbindung
34 Abdichtmaterial
36a-36d Dichtungen
38 Verbinder
40 Wärmeübertragungseinrichtung
42 Wärmeübertragungseinrichtung
44a Ausnehmung
46a Ausnehmung
48 Wärmeleitmedium
50 Senkung
52a Stützeinrichtung
L Lastverteilung
F Klemmkraft
S1-S4 Stützkräfte