WO2018100739A1 - 蒸着マスク、蒸着装置、蒸着マスクの製造方法、エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法 - Google Patents

蒸着マスク、蒸着装置、蒸着マスクの製造方法、エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法 Download PDF

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vapor deposition
opening
substrate
deposition mask
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PCT/JP2016/085943
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片岡　義晴
山渕　浩二
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シャープ株式会社
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays

Definitions

  • the present invention relates to an evaporation mask, an evaporation apparatus, an evaporation mask manufacturing method, and an electroluminescence display apparatus manufacturing method.
  • flat panel displays have been used in various products and fields, and further flat panel displays are required to have larger sizes, higher image quality, and lower power consumption.
  • an EL display device including an EL element using electroluminescence (hereinafter referred to as “EL”) of an organic material or an inorganic material is an all-solid-state type, driven at a low voltage, and has a high-speed response.
  • EL electroluminescence
  • the EL display device includes a light emitting layer that emits light of a desired color corresponding to a plurality of sub-pixels constituting a pixel in order to realize full color display.
  • a vacuum deposition method using a deposition mask called a shadow mask is used.
  • a metal mask having a predetermined pattern of openings produced by processing a mask substrate made of a metal plate is used as a vapor deposition mask.
  • the vapor deposition mask is generally used by being fixed to a mask frame.
  • the mass of the vapor deposition mask increases and the total mass including the support such as the mask frame also increases.
  • Patent Document 1 discloses a resin mask in which a plurality of openings are provided in a resin film provided with a magnetic layer containing a magnetic powder on one side as the above-described vapor deposition mask.
  • Resin can form a highly accurate opening by laser processing or the like, and can improve the deposited film pattern accuracy. Moreover, weight reduction of a vapor deposition mask can be achieved by using resin for the material of a vapor deposition mask.
  • the present invention has been made in view of the above problems, and its object is to provide a vapor deposition mask and a vapor deposition apparatus that are lightweight and can form a high-definition vapor deposition film pattern even when the thickness is reduced. Another object of the present invention is to provide a method for manufacturing a vapor deposition mask and a method for manufacturing an electroluminescence display device using such a vapor deposition mask.
  • a vapor deposition mask includes a first mask substrate, and vapor deposition particles for forming a vapor deposition film on the deposition target substrate on the first mask substrate.
  • a vapor deposition mask provided with an opening through which fiber microcellulose is contained in the base material of the first mask substrate.
  • a vapor deposition apparatus includes the vapor deposition mask according to one aspect of the present invention, and a vapor deposition source that injects the vapor deposition particles toward the vapor deposition mask. ing.
  • a method for manufacturing a vapor deposition mask includes a first mask substrate, and a vapor deposition film is formed on the deposition target substrate on the first mask substrate.
  • a method for manufacturing an electroluminescence display device includes an electro film forming a deposited film on a deposition target substrate using the deposition mask according to one embodiment of the present invention.
  • a vapor deposition mask, a vapor deposition apparatus, a method for producing a vapor deposition mask, and a method for forming a vapor deposition mask which are lightweight and can form a high-definition vapor deposition film pattern even when the thickness is reduced, and
  • the manufacturing method of the electroluminescent display apparatus using such a vapor deposition mask can be provided.
  • FIG. 1 It is a top view which expands and shows partially the schematic structure of the vapor deposition mask concerning Embodiment 1 of this invention. It is a figure which shows an example of schematic structure of the vapor deposition apparatus provided with the vapor deposition mask concerning Embodiment 1 of this invention.
  • (A) is a disassembled perspective view which shows an example of schematic structure of the vapor deposition mask provided with the mask frame concerning Embodiment 1 of this invention
  • (b) is a mask frame concerning Embodiment 1 of this invention.
  • FIG. (A) * (b) is sectional drawing which shows an example of the manufacturing process of the vapor deposition mask concerning Embodiment 1 of this invention in order of a process.
  • (A) is sectional drawing which shows typically schematic structure of the vapor deposition board
  • (b) is a mask board
  • (c) is sectional drawing which shows typically the schematic structure of the principal part of this
  • (c) is sectional drawing which shows typically the other example of schematic structure of the principal part of the mask substrate in area
  • (A) is a top view which shows schematic structure of the principal part of the vapor deposition mask concerning Embodiment 3 of this invention
  • (b) is the outline of the vapor deposition apparatus provided with the vapor deposition mask concerning Embodiment 3 of this invention. It is a figure which shows an example of a structure. It is a figure which shows an example of schematic structure of the vapor deposition apparatus provided with the vapor deposition mask concerning Embodiment 4 of this invention.
  • (A) is a top view which shows schematic structure of the principal part of the mask unit provided with the vapor deposition mask concerning Embodiment 5 of this invention
  • (b) shows schematic structure of the vapor deposition mask shown to (a). It is a top view
  • (c) is a cross-sectional view taken along line CC of the vapor deposition mask shown in (b)
  • (d) is a cross-sectional view taken along line DD of the vapor deposition mask shown in (b). It is.
  • Embodiment 1 An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS. 1 to 5 (a) to (c).
  • FIG. 1 is a partially enlarged plan view showing a schematic configuration of a vapor deposition mask 1 according to the present embodiment.
  • FIG. 2 is a figure which shows an example of schematic structure of the vapor deposition apparatus 50 provided with the vapor deposition mask 1 concerning this embodiment.
  • 3A is an exploded perspective view illustrating an example of a schematic configuration of the vapor deposition mask 1 including the mask frame 21 according to the present embodiment
  • FIG. 3B is a diagram according to the present embodiment. It is sectional drawing which shows another example of schematic structure of the vapor deposition mask 1 provided with the mask flame
  • FIG. 2 schematically shows a cross section corresponding to the cross section taken along line AA of the vapor deposition mask 1 shown in FIG.
  • the vapor deposition mask 1 shown in FIG. 3B schematically shows a cross section corresponding to the cross section taken along line BB of the vapor deposition mask 1 shown in FIG.
  • the vapor deposition mask 1 has, for example, a mask opening 12 on the main surface of a thin plate-like mask substrate 11 (mask substrate, first mask substrate) containing microcellulose 2 as a base material.
  • a through-hole through which the vapor deposition particles pass is provided.
  • the vapor deposition mask 1 is incorporated in the vapor deposition apparatus 50 and used for depositing a vapor deposition film 72 having a predetermined pattern on the film formation surface 61 of the film formation substrate 60. It is.
  • the mask opening 12 is the same (substantially the same) as the pattern of the vapor deposition film 72 formed on the film formation surface 61 of the film formation substrate 60 or at least one of the patterns of the vapor deposition film 72. It has a shape corresponding to the part.
  • FIG. 1 a case where a plurality of mask openings 12 in a square shape (square shape in the example shown in FIG. 1) are arranged in a two-dimensional shape (matrix shape) on the main surface of the vapor deposition mask 1 is shown. It is shown as an example.
  • the vapor deposition mask 1 is, for example, an organic material that forms an EL layer (an organic layer or an inorganic layer) such as a light emitting layer in an EL display device such as an organic EL display device or an inorganic EL display device on a deposition target substrate 60.
  • an organic material that forms an EL layer an organic layer or an inorganic layer
  • it is used to form a deposited film 72 using various materials such as an inorganic material, an electrode material, a dielectric material, and an insulating material.
  • the shape and arrangement of the mask opening 12 are not limited to this.
  • the shape and arrangement of the mask opening 12 may be appropriately set so that a desired pattern of the vapor deposition film 72 can be obtained according to the use or vapor deposition method according to the type of the vapor deposition film 72.
  • the shape of the mask opening 12 is not limited to the use of the vapor deposition film 72, for example, scan vapor deposition for performing vapor deposition by relatively moving the vapor deposition mask 1 and the deposition target substrate 60, or the vapor deposition mask 1.
  • step deposition is performed in which deposition is performed again by shifting the position of the deposition mask 1 relative to the deposition target substrate 60, or the deposition mask 1 and the deposition target substrate are performed. It changes also by performing fixed vapor deposition which fixes 60 in a contact state and performs vapor deposition.
  • the mask opening 12 is not limited to the above shape and arrangement, and may be, for example, a slot shape or a slit shape.
  • the vapor deposition mask 1 may be an open mask in which a region corresponding to the entire display region of the EL display device is opened, for example. Therefore, it is sufficient that at least one mask opening 12 is provided.
  • FIG. 1 shows an example in which a plurality of mask openings 12 are provided two-dimensionally. However, the mask openings 12 may be arranged only in a one-dimensional direction. Only one may be provided.
  • the EL display device is formed on the electrode substrate formed by forming one of an anode and a cathode on a semiconductor substrate such as a TFT substrate using a glass substrate or the like.
  • vapor-deposited particles 71 made of an organic material or an inorganic material are deposited to form a light-emitting layer, and the other electrode of the anode and the cathode is formed on the obtained vapor-deposited film 72 (that is, the light-emitting layer) It is manufactured by doing.
  • the mask openings 12 are provided corresponding to the sub-pixels in the film-forming substrate 60 so that the vapor deposition particles 71 do not adhere to regions other than the target sub-pixels in the film-forming substrate 60. Thereby, only the vapor deposition particles 71 that have passed through the mask opening 12 reach the film formation substrate 60, and a predetermined pattern of vapor deposition corresponding to the shape of the mask opening 12 corresponding to each sub-pixel is formed on the film formation substrate 60. A film 72 is formed.
  • the size (size in plan view) of the vapor deposition mask 1 may be appropriately set according to the vapor deposition method, the size of the film formation substrate 60, and the like, and is not particularly limited. Further, the size (size in plan view) and the shape of the mask opening 12 may be appropriately set so as to obtain a desired vapor deposition film pattern according to the use of the vapor deposition film, and are not particularly limited. These conditions can be designed, for example, in the same manner as a conventional vapor deposition mask.
  • FIG. 2 shows, as an example, a case where the vapor deposition mask 1 and the deposition target substrate 60 are fixed in contact with each other.
  • the deposition mask 1 is, for example, a flat surface so as to cover the entire deposition target region of the deposition target substrate 60. In view, it is formed in the same size as the deposition target substrate 60.
  • the plan view indicates a direction perpendicular to the main surface of the vapor deposition mask 1, that is, when viewed from the normal direction of the vapor deposition mask 1 and the deposition target substrate 60.
  • this embodiment is not limited to this.
  • the vapor deposition mask 1 and the film formation substrate 60 are arranged in a state of being separated from each other.
  • the vapor deposition mask 1 is smaller than the film formation substrate 60 (more strictly speaking, the relative movement direction than the length of the film formation substrate 60 in the relative movement direction between the vapor deposition mask 1 and the film formation substrate 60. Short).
  • the thickness of the vapor deposition mask 1 may be appropriately set according to the size (plan view size), weight, etc. of the vapor deposition mask 1. However, it is desirable that the thickness of the vapor deposition mask 1, specifically, the thickness of the mask substrate 11 is as thin as possible. By reducing the thickness of the mask substrate 11, the generation of shadows can be suppressed.
  • the mask substrate 11 is formed of a material containing microcellulose 2. For this reason, for example, it is preferably 18 ⁇ m or less, more preferably less than 10 ⁇ m, and sufficient strength can be maintained even if the mask substrate 11 is thinner than the conventional one.
  • the thickness of the mask substrate 11 is desirably as thin as possible. However, if the thickness of the mask substrate 11 is too thin, there is a possibility that bending may occur and handleability may be deteriorated. For this reason, the thickness of the mask substrate 11 is desirably thicker than 5 ⁇ m.
  • the mask substrate 11 provided with the mask opening 12 is fixed to a support portion such as a mask frame 21 formed separately from the mask substrate 11 and is a deposition mask. 1, and as shown in FIG. 3B, the mask substrate 11 and the mask frame 21 may be integrally formed of the same material.
  • the microcellulose 2 used as one of the materials of the mask substrate 11 is fibrous cellulose (fiber cellulose) having a width (thickness) of a micro-order or less.
  • a natural cellulose fiber is an aggregate of cellulose microfibrils (also referred to as fine fibers or nanocellulose) having a fiber width of about 1 nm to about 100 nm, consisting of bundles of several tens to several hundreds of cellulose molecules (cellulose chains). Each cellulose microfibril is firmly bonded by hydrogen bonding.
  • the microcellulose 2 is composed of cellulose or a derivative thereof, and is composed of cellulose microfibrils or aggregates of cellulose microfibrils having a fiber width of micro-order or less.
  • the microcellulose 2 is obtained by refining commercially available cellulose such as ⁇ -cellulose or cellulose acetate to a desired size having an average fiber width (for example, diameter) of less than 1 ⁇ m using a refining treatment apparatus. Or by defibrating pulp or the like to the above size.
  • the method of defibrating commercially available cellulose, pulp, etc. to the said size in order to manufacture the microcellulose 2 is not specifically limited, Conventionally well-known various methods are employable.
  • the above-mentioned fibrillation can be performed by mechanical processing using a homogenizer such as an ultrasonic homogenizer, a mill such as a ball mill or a sand mill, a high-speed rotating mixer, a grinder, or the like as the above-described miniaturization processing apparatus.
  • a homogenizer such as an ultrasonic homogenizer
  • a mill such as a ball mill or a sand mill
  • a high-speed rotating mixer such as a grinder, or the like
  • cellulose fibers oxidized (TEMPO oxidized) using an N-oxyl compound such as 2,2,6,6-tetramethylpiperidine-N-oxyl (TEMPO) as an oxidation catalyst are easily used in an aqueous medium.
  • TEMPO 2,2,6,6-tetramethylpipe
  • the raw material of the microcellulose 2 is not particularly limited as long as it contains cellulose, and various known cellulose raw materials such as various pulps and bacterial celluloses can be used. Various commercially available cellulose powders, microcrystalline cellulose powders, and the like may also be used.
  • microcellulose 2 the commercially available microcellulose may be used.
  • microcellulose 2 for example, cellulose microfibrils having a fiber width of about 1 nm to about 100 nm, which is called nanocellulose as described above, can be used.
  • so-called cellulose nanofibers having a relatively long fiber length with respect to the fiber width are more preferably used.
  • Cellulose nanofibers are fibrillated cellulose fibers up to nano-order fiber width, have high crystallinity, and are excellent in strength, heat resistance, and the like.
  • Cellulose nanofibers are, for example, fibrous cellulose having an average fiber width of about several nm to several tens of nm and an average fiber length of about 0.05 ⁇ m to several ⁇ m. Cellulose molecules are bound in a crystalline form.
  • the fiber length of the microcellulose 2 used in the present embodiment is not particularly limited as long as the vapor deposition mask 1 having a desired thickness can be obtained.
  • Microcellulose 2 has fine fibers and many fibers are bonded together. For example, it is 1/5 to 1/7 lighter than steel and has a strength 5 to 10 times that of steel (for example, tensile strength at break). Have.
  • the density of carbon fiber is 1.8 g / cm 2 and the density of glass fiber is 2.5 g / cm 2
  • the density of microcellulose 2 (for example, the density of cellulose nanofiber) is 1.6 g / cm. 2.
  • the mass per unit area is small as compared with carbon fiber and glass fiber. For this reason, the vapor deposition mask 1 can be reduced in weight by using the microcellulose 2 compared with the case where it replaces with the microcellulose 2 and uses carbon fiber or glass fiber.
  • the microcellulose 2 has higher heat resistance than, for example, glass fibers, and deformation (stretching) due to heat is extremely small, for example, about 1/50 of glass fibers.
  • the vapor deposition mask 1 by forming the vapor deposition mask 1 from a material containing microcellulose 2, it is possible to obtain the vapor deposition mask 1 that is more suitable for manufacturing a large film-formed substrate 60.
  • microcellulose 2 is a renewable biomass resource produced by plants through photosynthesis, and can be mass-produced and reduced in the future without worrying about depletion.
  • the cellulose nanofiber has a small diameter of nanometer level and is transparent, and it is possible to obtain the transparent vapor deposition mask 1 depending on the method of manufacturing the vapor deposition mask 1.
  • the vapor deposition mask 1 is transparent, easier and more accurate mechanical alignment and artificial alignment are possible.
  • the microcellulose 2 has magnetism and has an advantage that it can be oriented by applying a magnetic field.
  • the cellulose nanofiber is dispersed in an aqueous medium to prepare a nanofiber dispersion, and the nanofiber dispersion is applied onto a support such as a glass substrate and dried.
  • a support such as a glass substrate and dried.
  • the nanofiber dispersion is applied onto a support such as a glass substrate and dried.
  • the thickness of the cellulose nanofiber film is adjusted, or a plurality of cellulose nanofiber films are laminated directly or by using an adhesive, so that the mask substrate 11 is made of cellulose nanofiber and is lightweight, thin, and high in strength. Can be formed.
  • the nanofiber dispersion is prepared by adding an aqueous medium to a cellulose nanofiber precursor such as oxidized cellulose obtained by TEMPO oxidation treatment to prepare an aqueous liquid, and adjusting the pH as necessary to perform a fibrillation treatment.
  • a cellulose nanofiber precursor such as oxidized cellulose obtained by TEMPO oxidation treatment
  • aqueous medium examples include water or a mixed solvent of water and an organic solvent miscible with water.
  • organic solvent examples include alcohols, ethers, and ketones.
  • the vapor deposition mask 1 may contain a substance (material) other than the microcellulose 2 in its base material, for example, the base material of the mask substrate 11 or the base material of the mask substrate 11 and the mask frame 21.
  • FIG. 1 shows an example in which the microcellulose 2 is mixed in the resin 3.
  • a resin (plastic material) similar to the resin used for the material of a conventionally known resin vapor deposition mask can be used.
  • the resin 3 a curable resin such as a thermosetting resin or a photo-curable resin (for example, an ultraviolet curable resin) is preferable. Therefore, the resin 3 is not limited to a curable resin, and the vaporization temperature of the vapor deposition material (evaporation temperature when the vapor deposition material is liquid, sublimation temperature when the vapor deposition material is solid) is low.
  • the resin 3 has a softening point (thermal deformation temperature) higher than the vapor deposition temperature (for example, the vaporization temperature), or the vapor deposition mask 1 and other components that are in contact with the vapor deposition mask 1 (for example, When the use temperature of the vapor deposition mask 1 is low, for example, at least one of the film formation substrate 60 and the holding member is provided with a cooling member, a thermoplastic resin may be used.
  • the curable resin examples include polyimide resin, epoxy resin, and acrylic resin.
  • polyimide has a high glass transition point of 400 ° C. or higher, is rigid and strong, has high heat resistance, and is suitable as a material for the vapor deposition mask 1.
  • the plastic resin include thermoplastic polyimide resin, polyamide resin, polyethylene resin, polypropylene resin, polycarbonate resin, and polystyrene resin.
  • the content rate of the microcellulose 2 in the vapor deposition mask 1 is not specifically limited,
  • the vapor deposition mask 1 should just contain the microcellulose 2 in the material, In order to acquire the sufficient reinforcement effect by the microcellulose 2.
  • the vapor deposition mask 1 may be, for example, a fiber reinforced composite type vapor deposition mask (in other words, a fiber reinforced composite resin mask) containing microcellulose 2 and using the resin 3 as a base material (matrix resin). In this case, the microcellulose 2 is blended with the resin 3 at a ratio of 50% by weight or less.
  • a fiber reinforced composite type vapor deposition mask in other words, a fiber reinforced composite resin mask
  • the microcellulose 2 is blended with the resin 3 at a ratio of 50% by weight or less.
  • the microcellulose 2 may be chemically modified or hydrophobized in order to increase the affinity with the resin 3.
  • the material of the vapor deposition mask 1 may further contain additives, such as a chemical modifier.
  • 5A and 5B are cross-sectional views showing an example of the manufacturing process of the vapor deposition mask 1 according to the present embodiment in the order of steps.
  • the manufacturing process of the vapor deposition mask 1 includes, for example, a mask substrate forming process and an opening forming process.
  • microcellulose 2 and a resin raw material that is a raw material for resin 3 are mixed to prepare a mixed liquid in which microcellulose 2 is dispersed in the resin raw material. Thereafter, as shown in FIG. 5A, the mixed solution is applied to a support 91 such as a glass substrate in a thin plate shape, and applied to the support 91 to form a mask plate 11 constituting the mask substrate 11.
  • the resin 3 is cured by, for example, heating or light irradiation (for example, ultraviolet irradiation). Thereby, the mask substrate 11 is formed.
  • the mask substrate 12 formed in the mask substrate forming step is irradiated with laser light to form a mask opening 12 in the mask substrate 11. To do. Thereafter, for example, as shown in FIG. 3A, the mask substrate 11 is fixed to a mask frame 21 as necessary, whereby the vapor deposition mask 1 according to the present embodiment is manufactured.
  • the resin raw material mixed with the microcellulose 2 may be a liquid curable resin, a liquid resin precursor, or a melted thermoplastic resin.
  • the resin raw material is a solution or dispersion medium obtained by dissolving the resin 3 or a resin precursor serving as a precursor of the resin 3 in a solvent such as an organic solvent in order to make the resin raw material liquid or to adjust the viscosity. It may be a dispersion liquid dispersed in the composition.
  • the resin precursor and the microcellulose 2 are mixed, and then the resin precursor is polymerized when processed (molded) into a thin plate shape, whereby the microcellulose 2 is bonded to the resin 3. Can be combined.
  • polyimide especially aromatic polyimide, as described above, is rigid and strong, has high heat resistance, and is suitable as a material for the vapor deposition mask 1, but is insoluble and infusible.
  • a polyamide substrate which is a polyimide precursor and microcellulose 2 are mixed to prepare a mask substrate 11, and a dehydration and cyclization (imidization) reaction is performed. What is necessary is just to convert an acid into a polyimide.
  • Polyamic acid can be converted into polyimide by, for example, thermal imidization by heating, chemical imidization using an imidization catalyst, or a combination of both.
  • the imidation catalyst is not particularly limited, and is a nitrogen-containing heterocyclic compound, an N-oxide compound of the nitrogen-containing heterocyclic compound, an amino acid compound, an aromatic hydrocarbon compound having a hydroxyl group, or an aromatic heterocyclic ring.
  • a known imidation catalyst such as a compound can be used.
  • a carboxylic acid anhydride or the like may be used as a dehydrating agent.
  • the resin raw material may contain a solvent, a catalyst, a dehydrating agent, or the like, or may contain a curing agent or the like, depending on the type of the resin 3.
  • the microcellulose 2 may be mixed directly into the resin raw material, or may be dispersed in a dispersion medium and mixed with the resin raw material.
  • the solvent is not particularly limited as long as it can dissolve the resin 3 or the resin precursor serving as the precursor of the resin 3.
  • the dispersion medium is not particularly limited as long as at least the resin 3 or a resin precursor serving as a precursor of the resin 3 can be dispersed.
  • Resin raw material and microcellulose 2 can be mixed by stirring the materials.
  • the mixer used for mixing the resin raw material and the microcellulose 2 is not particularly limited, and for example, various commercially available mixers such as the above-described miniaturization apparatus can be used.
  • the molding conditions (film forming conditions) for the mask substrate 11 can be the same as the molding conditions for the resin 3, for example. That is, the mask substrate 11 can be manufactured under the same conditions as the molding conditions of the resin 3 in a state where the microcellulose 2 is not included.
  • the mask substrate 11 when the mask substrate 11 is formed by thinly applying a mixed liquid in which the microcellulose 2 is dispersed in the resin raw material to a support 91 such as a glass substrate and curing the mixture.
  • a support 91 such as a glass substrate
  • the method of forming the mask substrate 11 is not limited to the method shown in FIGS. 5A and 5B.
  • Various molding methods can be employed depending on the type of the resin 3 and the like.
  • the molding temperature for example, polymerization temperature, curing temperature, etc.
  • the molding time for example, polymerization time, curing time
  • the cellulose nanofiber is dispersed in an aqueous medium to prepare a nanofiber dispersion, and the nanofiber dispersion is supported on a glass substrate or the like.
  • the mask substrate 11 can also be manufactured by forming a cellulose nanofiber film by applying and drying on a body. The drying conditions in this case are not particularly limited as long as a cellulose nanofiber film can be formed.
  • a plurality of cellulose nanofiber films oriented in one direction in the in-plane direction of the mask substrate 11 along the mask surface of the vapor deposition mask 1, so that the orientation directions of the cellulose nanofibers are the same direction.
  • alternately laminating so that the orientation directions of cellulose nanofibers intersect for example, orthogonal
  • pressurizing and heating as necessary, or adhering with an adhesive, etc.
  • the mask substrate 11 may be manufactured.
  • FIG. 4 is a plan view showing a schematic configuration of a main part of another vapor deposition mask 1 according to the present embodiment, in which the microcellulose 2 is oriented in one direction (uniaxial orientation).
  • the vapor deposition mask 1 is an example of a fiber-reinforced composite type vapor deposition mask containing microcellulose 2 and using the resin 3 as a base material (matrix resin). Shown with illustrations.
  • FIG. 4 corresponds to a partially enlarged portion of a region R1 indicated by a frame in FIG. 1 in the vapor deposition mask 1 in which the microcellulose 2 is uniaxially oriented.
  • the microcellulose 2 is oriented in the in-plane direction (in-plane direction) along the surface (mask surface) of the vapor deposition mask 1.
  • the mask 1 is preferably oriented substantially parallel to the mask surface, preferably parallel to the mask surface, for example, more preferably uniaxially oriented.
  • the film thickness of the vapor deposition mask 1 is obtained by orienting the microcellulose 2 along the mask surface of the vapor deposition mask 1 (that is, orienting in parallel to the mask surface of the vapor deposition mask 1).
  • the film thickness of the mask substrate 11 can be easily adjusted to a desired film thickness. Further, the rising of the surface of the vapor deposition mask 1 can be suppressed or prevented, and the fibers can be prevented from protruding from the surface of the vapor deposition mask 1, so that the vapor deposition mask 1 that is easy to use can be obtained.
  • the vapor deposition mask 1 has a rectangular outer shape in plan view, the larger the vapor deposition mask 1 is, the easier it is to bend in the longitudinal direction due to its own weight. Therefore, when the vapor deposition mask 1 is a rectangular vapor deposition mask in this way, the micro cellulose 2 is oriented along the longitudinal direction of the vapor deposition mask 1 to thereby cause the longitudinal deflection (self-weight deflection) of the vapor deposition mask 1. Can be suppressed.
  • the orientation of the microcellulose 2 along the forming direction of the slit-shaped mask opening 12 facilitates the formation of the mask opening 12. Further, it is possible to suppress the rising of the microcellulose 2 in the mask opening 12.
  • the mask substrate 11 is manufactured by alternately laminating thin films containing microcellulose 2 such as a cellulose nanofiber film so that the orientation directions of the microcellulose 2 are orthogonal, for example.
  • the strength of the substrate 11 can be further increased.
  • the cellulose molecules have high strength, when the microcellulose 2 is uniaxially oriented, not only the strength is improved, but the microcellulose 2 is aligned in parallel and they are hydrogen bonded, so The gap between the celluloses 2 is further reduced, and the denseness is increased. As a result, the hydrogen bond between the adjacent microcelluloses 2 becomes stronger and the strength is further improved.
  • microcellulose 2 does not have to be aligned in the in-plane direction and the same direction, and the alignment direction may be shifted, but it is desirable that the alignment directions be as uniform as possible.
  • the orientation method of the microcellulose 2 is not particularly limited as long as the microcellulose 2 can be uniaxially oriented.
  • the microcellulose 2 can be uniaxially oriented.
  • a wet coating film containing microcellulose 2 is compressed and shear-deformed in the thickness direction of the coating film, as in a coating film made of cellulose nanofiber dispersion, so that the micro The hydrogen bonding between the celluloses 2 improves the degree of plane orientation, and the microcellulose 2 can be oriented along the coating film surface.
  • the interaction such as hydrogen bonding between the fibers of the microcellulose 2 can be relaxed and the microcellulose 2 can be uniaxially oriented.
  • uniaxial stretching may be performed before drying of a coating film and may be performed after drying, it is desirable to perform before drying.
  • the microcellulose 2 can also be uniaxially oriented by rubbing (rubbing) the surface of the support or the surface of the coating used for forming the coating in a certain direction.
  • the microcellulose 2 can be uniaxially oriented.
  • the microcellulose 2 since the microcellulose 2 has magnetism as described above, by applying a magnetic field to the microcellulose 2, the microcellulose 2 can be easily oriented regardless of the thickness of the coating film and the presence or absence of the resin 3. it can.
  • the fiber axis of the microcellulose 2 is uniaxially oriented parallel to the rotating axis.
  • the vapor deposition apparatus 50 includes a vapor deposition mask 1, a vapor deposition source 30, a vapor deposition source moving device (not shown), a substrate moving device (not shown), and a substrate holder (not shown). ing.
  • the substrate holder is a holding member that holds the vapor deposition mask 1 and the deposition target substrate 60.
  • the vapor deposition mask 1 is held by the substrate holder together with the film formation substrate 60 while being in contact with the film formation substrate 60.
  • the vapor deposition source 30 is disposed opposite to the deposition target substrate 60 so as to face the vapor deposition mask 1.
  • the vapor deposition source 30 is, for example, a container that stores a vapor deposition material therein.
  • the vapor deposition source 30 may be a container that directly stores the vapor deposition material inside the container, may have a load-lock type pipe, and may be formed so that the vapor deposition material is supplied from the outside.
  • the vapor deposition source 30 is formed in a rectangular shape, for example.
  • the vapor deposition source 30 has a plurality of injection ports 31 (vapor deposition source openings, nozzles) on the upper surface side thereof (that is, the surface facing the vapor deposition mask 1) for injecting the vapor deposition material as vapor deposition particles 71.
  • These injection ports 31 are, for example, one-dimensional (line) or two-dimensional (plane (tile)) at a constant pitch (that is, the distance between the centers of adjacent injection ports 31 is equal to each other). )
  • emission port 31 is mentioned as an example and illustrated, at least 1 injection port 31 should just be provided.
  • the vapor deposition source 30 generates gaseous vapor deposition particles by heating and vaporizing the vapor deposition material (evaporation when the vapor deposition material is a liquid material and sublimation when the vapor deposition material is a solid material).
  • the vapor deposition source 30 injects the vapor deposition material made in this way as vapor deposition particles 71 from the injection port 31 toward the vapor deposition mask 1.
  • the vapor deposition mask 1 (for example, the mask substrate 11) includes the microcellulose 2 in the base material, so that it is lighter than the metal vapor deposition mask, and the resin. Unlike a vapor deposition mask made of metal, the strength is high even when the thickness is reduced, and a high-definition pattern of the vapor deposition film 72 can be formed.
  • a method of manufacturing the vapor deposition mask 1 by irradiating the mask substrate 11 containing the microcellulose 2 with laser light to form the mask opening 12 in the mask substrate 11 has been described as an example.
  • the manufacturing method of the vapor deposition mask 1 is not limited to the said method.
  • FIG. 6A is a cross-sectional view schematically showing a schematic configuration of the mask substrate 11 in one manufacturing process of the vapor deposition mask 1 according to the present embodiment
  • FIG. 6B is a cross-sectional view of FIG.
  • FIG. 6C is a cross-sectional view schematically showing the schematic configuration of the main part of the mask substrate 11 in the region R2 shown in FIG. 6A
  • FIG. 6C is a main part of the mask substrate 11 in the region R2 shown in FIG. It is sectional drawing which shows the other example of schematic structure of this typically.
  • the vapor deposition mask 1 shown in FIGS. 6A to 6C schematically shows a cross section corresponding to the cross section taken along line BB of the vapor deposition mask 1 shown in FIG.
  • the case where the microcellulose 2 is mixed with the resin 3 is shown as an example.
  • the vapor deposition mask 1 is As long as the base material contains microcellulose 2, the base material does not necessarily need to contain resin 3.
  • the mask substrate 11 is formed by using the forming die 92 having the projections 93 for forming the mask openings 12 in the mask substrate 11.
  • the mask opening 12 can be formed at the same time as the forming of the mask 11. Therefore, according to this embodiment, the mask substrate 11 in which the mask opening 12 is formed can be manufactured by removing the mask substrate 11 from the mold 92.
  • the molding conditions of the mask substrate 11 according to the present embodiment can be the same as the molding conditions of the resin 3, for example, as in the first embodiment. That is, also in this embodiment, the mask substrate 11 can be manufactured under the same conditions as the molding conditions of the resin 3 in a state where the microcellulose 2 is not included.
  • the microcellulose 2 can be oriented parallel to the main surface of the mask substrate 11 as shown in FIGS. 6A to 6C by the method described in the first embodiment.
  • the microcellulose 2 can be oriented in a uniaxial direction.
  • the convex portion 93 is preferably formed of a removable material, for example, a soluble material.
  • a removable material such as a resist material
  • only the material constituting the convex portion 93 can be removed after the mask substrate 11 is formed, such as a resist remover.
  • the convex part 93 can be removed using a solvent.
  • the mask substrate 11 may be removed from the molding die 92 provided with the projections 93 without removing the projections 93 by using a release agent or the like.
  • the shape of the mask opening 12 in the mask substrate 11, for example, the mask opening 12 is changed by changing the shape of the wall surface of the convex portion 93 in the mold 92.
  • the taper angle can be changed.
  • the convex part 93 may be formed in, for example, a prismatic shape as shown in FIG. 6B, and the convex part 93 in the mold 92 and the wall surface of the convex part 93 as shown in FIG.
  • the angle formed by the installation surface (in other words, the inner wall of the mold 92) may be formed in a forward tapered shape having a larger angle than 90 °.
  • the convex portion 93 has a forward tapered shape is illustrated as an example.
  • the convex portion 93 includes the wall surface of the convex portion 93 and the convex portion in the mold 92.
  • the angle formed by the installation surface of 93 may be formed in a reverse taper shape smaller than 90 °.
  • the mask opening 12 of the mask substrate 11 can have the same tapered shape as the convex portion 93.
  • the opening wall of the mask opening 12 of the mask substrate 11 is tapered so that the opening wall is inclined, and the evaporation mask 1 and the deposition target substrate 60 are formed so that the opening diameter of the mask opening 12 of the mask substrate 11 is the same.
  • the mask substrate 11 having the mask opening 12 can be formed by forming the mask substrate 11 using the forming die 92 without performing laser irradiation or the like separately. Can do.
  • the microcellulose 2 and the resin 3 are not disposed in the formation region of the mask opening 12 by forming the mask opening 12 by die cutting instead of laser irradiation. For this reason, waste of the microcellulose 2 and the resin 3 can be omitted, and the vapor deposition mask 1 can be manufactured at low cost.
  • the convex portion 93 is provided in the formation region of the mask opening 12 in the mold 92, the microcellulose 2 does not jump out of the mask opening 12.
  • the microcellulose 2 is not cut by the wall surface of the mask opening 12 when the mask opening 12 is formed, the end surface of the microcellulose 2 cut by the wall surface of the mask opening 12 does not stand up. .
  • FIG. 7A is a plan view showing a schematic configuration of a main part of the vapor deposition mask 1 according to the present embodiment
  • FIG. 7B is a vapor deposition apparatus provided with the vapor deposition mask 1 according to the present embodiment. It is a figure which shows an example of 50 schematic structure.
  • 7A corresponds to a partially enlarged portion of the region R1 in the vapor deposition mask 1 shown by a frame in FIG.
  • the vapor deposition mask 1 shown in FIG. 7B schematically shows a cross section corresponding to the cross section taken along the line AA of the vapor deposition mask 1 shown in FIG.
  • the vapor deposition mask 1 according to the present embodiment is related to the first and second embodiments except that the magnetic particles 4 are further mixed in the base material.
  • the vapor deposition mask 1 shown to (a) * (b) of FIG. 7 has illustrated and illustrated the case where the magnetic particle 4 was mixed in the resin 3 with the microcellulose.
  • the vapor deposition mask 1 uses the resin raw material including the microcellulose 2 and the magnetic particles 4 instead of the resin raw material including the microcellulose 2 in the first and second embodiments. 2 can be produced by the same method.
  • the magnetic particles 4 may be formed of a magnetic metal material having magnetism, such as iron, nickel, invar (iron-nickel alloy), SUS430, or the like, Fe 2 O 3 particles, Fe 3 O 4 particles, or Further, it may be formed of a magnetic ceramic material such as ferrite containing these iron oxide particles. Further, the magnetic particle 4 may be a particle formed by coating the surface of a mother particle (core particle) with the magnetic material.
  • a magnetic metal material having magnetism such as iron, nickel, invar (iron-nickel alloy), SUS430, or the like, Fe 2 O 3 particles, Fe 3 O 4 particles, or Further, it may be formed of a magnetic ceramic material such as ferrite containing these iron oxide particles. Further, the magnetic particle 4 may be a particle formed by coating the surface of a mother particle (core particle) with the magnetic material.
  • the particle size of the magnetic particles 4 is not particularly limited, but for example, the average particle size (weight average particle size) is preferably less than 1 ⁇ m.
  • the deposition mask 1 further includes the magnetic particles 4
  • the deposition mask 1 can be further provided with rigidity, and the strength of the deposition mask 1 can be further increased.
  • the vapor deposition mask 1 further includes the magnetic particles 4, as shown in FIG. 7B, the vapor deposition mask is generated by a magnetic force using a magnetic force source 52 such as a magnet such as a magnet plate or an electromagnet at the time of vapor deposition. 1 can be adsorbed and held.
  • a magnetic force source 52 such as a magnet such as a magnet plate or an electromagnet
  • the content of the magnetic particles 4 in the vapor deposition mask 1 can be arbitrarily adjusted so as to obtain a desired function according to the materials used and combinations thereof, and is not particularly limited. Absent. By adjusting the type and particle size of the magnetic particles 4, the content of the magnetic particles 4 contained in the vapor deposition mask 1, etc., physical properties such as magnetic strength can be adjusted.
  • ⁇ Vapor deposition apparatus 50> The vapor deposition apparatus 50 according to the present embodiment, as shown in FIG. 7B, except that a magnetic force generation source 52 is provided on the side opposite to the vapor deposition mask 1 through the film formation substrate 60. This is the same as the vapor deposition apparatus 50 shown in FIG.
  • the vapor deposition mask 1 further includes the magnetic particles 4, and the magnetic force generation source 52 is provided on the opposite side of the vapor deposition mask 1 through the deposition target substrate 60, thereby mixing with the base material.
  • the magnetic particles 4 and the microcellulose 2 are attracted to the magnetic force generation source 52 side by a magnetic force.
  • the vapor deposition mask 1 together with the deposition target substrate 60 can be adsorbed to the magnetic force generation source 52.
  • the deposition target substrate 60 and the vapor deposition mask 1 can be fixed in close contact with each other.
  • FIGS. 7A and 7B the case where the vapor deposition mask 1 includes magnetic particles 4 that are particulate magnetic materials is illustrated as an example.
  • the shape of the magnetic material is not limited to a particle shape, and may be another shape.
  • the resin 3 can be omitted as in the first and second embodiments.
  • FIG. 8 is a diagram illustrating an example of a schematic configuration of a vapor deposition apparatus 50 including the vapor deposition mask 1 according to the present embodiment.
  • the vapor deposition mask 1 shown in FIG. 8 schematically shows a cross section corresponding to the cross section taken along the line AA of the vapor deposition mask 1 shown in FIG.
  • the deposition mask 1 is a deposition mask made of a microcellulose film such as a cellulose nanofiber film, or a fiber reinforced composite made of a fiber reinforced composite resin material using the resin 3 as a base material (matrix resin).
  • a mold deposition mask fiber reinforced composite resin mask
  • the structure of the vapor deposition mask 1 is not limited to this.
  • a vapor deposition mask 1 includes a mask substrate 11 that is a fiber-reinforced composite resin mask including a resin 3 and microcellulose 2 as a base material, and a mask opening (hereinafter referred to as a mask opening 12). And a metal mask substrate (hereinafter referred to as a “metal mask substrate 13” for distinction from the mask substrate 11). It may be a vapor deposition mask formed by lamination.
  • the vapor deposition mask 1 Since the vapor deposition mask 1 has a laminated structure of the mask substrate 11 (first mask substrate) and the metal mask substrate 13 (second mask substrate), the strength of the vapor deposition mask 1 can be further increased.
  • the metal mask opening 14 (second opening) is formed larger than the mask opening 12 (first opening).
  • the metal mask opening 14 and the mask opening 12 may be provided in one-to-one correspondence, and a through-hole penetrating the vapor deposition mask 1 is formed in the vapor deposition mask 1 (in other words, in plan view). If the mask opening 12 is provided in the metal mask opening 14 in a plan view so that the mask opening 12 and the metal mask opening 14 overlap each other, one mask opening 12 exists in one metal mask opening 14. May be provided, or a plurality of mask openings 12 may be provided.
  • the vapor deposition mask 1 is provided with a communication port including the metal mask opening 14 and the mask opening 12 as the through-hole.
  • the metal mask substrate 13 is formed, for example, in the same size (plan view size) as the mask substrate 11 in plan view.
  • the present embodiment is not limited to this, and the metal mask substrate 13 and the mask can be used as long as the mask opening 12 of the mask substrate 11 is formed so as to overlap the metal mask opening 14 of the metal mask substrate 13.
  • the substrate 11 may not have the same size.
  • the mask substrate 11 and the metal mask substrate 13 may be laminated via an adhesive or the like, but it is desirable that they are integrated with each other without using an adhesive.
  • the vapor deposition mask 1 uses, for example, a metal mask substrate 13 (metal plate) before the metal mask opening 14 is formed instead of the support 91 shown in FIG.
  • Photoresist is applied to the surface of the metal mask substrate 13 where the mask substrate 11 is not provided, and a metal mask opening 14 is formed in the metal mask substrate 13 by photolithography, and then the mask substrate 11 is viewed in plan view. It can be manufactured by forming the mask opening 12 in the mask substrate 11 by irradiating the portion located in the metal mask opening 14 with laser light from the mask substrate 11 side or the metal mask substrate 13 side.
  • the vapor deposition apparatus 50 according to the present embodiment is the same as the vapor deposition apparatus according to the third embodiment except that the vapor deposition mask 1 has a laminated structure of a mask substrate 11 and a metal mask substrate 13 as shown in FIG. 50.
  • the vapor deposition mask 1 further includes the metal mask substrate 13, and the magnetic force generation source 52 is provided on the opposite side of the vapor deposition mask 1 through the deposition target substrate 60, thereby the metal mask.
  • the substrate 13 and the microcellulose 2 in the mask substrate 11 are attracted to the magnetic force generation source 52 side by a magnetic force.
  • the vapor deposition mask 1 together with the deposition target substrate 60 can be adsorbed to the magnetic force generation source 52.
  • the deposition target substrate 60 and the vapor deposition mask 1 can be fixed in close contact.
  • the vapor deposition mask 1 is disposed so that the mask substrate 11 is positioned closer to the deposition target substrate 60 than the metal mask substrate 13.
  • the vapor deposition film 72 is formed on the deposition target substrate 60 by the vapor deposition particles 71 that are emitted from the injection port 31 of the vapor deposition source 30 and pass through the metal mask opening 14 and then pass through the mask opening 12.
  • FIG. 9A is a plan view showing a schematic configuration of the main part of the mask unit 10 including the vapor deposition mask 1 according to the present embodiment
  • FIG. 9B is a plan view of FIG.
  • FIG. 9C is a cross-sectional view taken along the line CC of the vapor deposition mask 1 shown in FIG. 9B, and is a plan view of the vapor deposition mask 1 shown in FIG. ) Is a cross-sectional view taken along line DD of the vapor deposition mask 1 shown in FIG.
  • the mask unit 10 includes a plurality of vapor deposition masks 1, a mask frame 21 (frame body) attached to a peripheral portion of the plurality of vapor deposition masks 1, and It has.
  • the vapor deposition mask 1 according to the present embodiment has a substantially rectangular (striped) outline in plan view, as shown in FIGS. 9 (a) and 9 (b).
  • the mask frame 21 holds the vapor deposition mask 1 in a stretched state so that the vapor deposition mask 1 does not bend.
  • the vapor deposition mask 1 and the mask frame 21 are fixed to each other by spot welding, for example.
  • the mask frame 21 includes a beam portion (not shown) that spans the mask frame 21 in, for example, a lattice shape and supports the vapor deposition mask 1. In plan view, the gap between the mask frame 21 and the vapor deposition mask 1 and between the vapor deposition masks 1 adjacent to each other is closed by the beam portion.
  • the vapor deposition mask 1 is located in the opening 21a of the mask frame 21, and has an effective area 41 in which a through-hole penetrating the vapor deposition mask 1 is formed, And a surrounding area 42 surrounding the effective area 41.
  • At least one effective region 41 is provided in the longitudinal direction of the vapor deposition mask 1 (a plurality of effective regions 41 are arranged in the example shown in FIGS. 9A and 9B).
  • the surrounding region 42 is provided so as to surround each effective region 41.
  • each effective area 41 corresponds to, for example, a display area of one EL display panel in the EL display device.
  • the metal mask openings 14 and the mask openings 12 are each formed in, for example, a rectangular shape, and are arranged in a matrix in the lateral direction and the longitudinal direction of the vapor deposition mask 1. Is formed. However, this embodiment is not limited to this.
  • Each of the metal mask opening 14 and the mask opening 12 may be formed in a slit shape, or may be formed in a stripe shape in the lateral direction of the vapor deposition mask 1.
  • the metal mask opening 14 is formed larger than the mask opening 12.
  • FIG. 9C shows an example in which the metal mask openings 14 and the mask openings 12 are provided at the same pitch in the lateral direction of the vapor deposition mask 1 in a one-to-one correspondence. Shown with illustrations.
  • the fact that the metal mask openings 14 and the mask openings 12 are provided at the same pitch means that the distance between the centers of the adjacent metal mask openings 14 and the distance between the centers of the adjacent mask openings 12. Are equal.
  • the present embodiment is not limited to this, and the mask opening 12 is formed in the metal mask opening 14 in a plan view so that a through-hole penetrating the vapor deposition mask 1 is formed in the vapor deposition mask 1. If provided, a plurality of mask openings 12 may be provided in one metal mask opening 14.
  • the surrounding area 42 is an area for supporting the effective area 41.
  • the surrounding area 42 overlaps with a non-display area (frame area) surrounding the display area on the deposition target substrate 60.
  • the vapor deposition mask 1 includes two side end portions G1 and G2 that are pulled out to the outside of the mask frame 21 and can be gripped.
  • Each of the side end portions G1 and G2 has a shape in which a central portion is cut out.
  • the vapor deposition mask 1 sandwiches the portions located on both sides of the notch of the side end G1 between the two corresponding grippers (not shown), while the portions located on both sides of the notch of the side end G2, respectively.
  • Positioning with respect to the mask frame 21 is performed by sandwiching between two grippers (not shown) and applying tension to the deposition mask 1 with the four grippers and adjusting each gripper independently.
  • the gripper is released after the deposition mask 1 is welded to the mask frame 21 after the alignment of the deposition mask 1 is completed.
  • the alignment of the vapor deposition mask 1 with respect to the mask frame 21 is performed so that the position of the through hole in the effective region 41 matches the pixel region (light emitting region) of the deposition target substrate 60. At this time, if the deformation of the effective area 41 is large, the alignment becomes difficult.
  • the mask substrate 11 (first mask substrate) in the peripheral region 42 is provided with a mask opening 15 (third opening) penetrating only the mask substrate 11.
  • the metal mask substrate 13 (second mask substrate) in the peripheral region 42 is provided with a metal mask opening 16 (fourth opening) penetrating only the metal mask substrate 13.
  • illustration of the mask opening 15 and the metal mask opening 16 is omitted.
  • the mask opening 15 and the metal mask opening 16 are provided at different positions so as not to overlap each other in plan view. If the mask openings 15 and the metal mask openings 16 are formed so as not to overlap each other in plan view, the pitch of the mask openings 15 (the distance between the centers of the adjacent mask openings 15) and the metal mask openings 16 The pitch (the distance between the centers of adjacent metal mask openings 16) may be the same or different.
  • At least one of the pitch of the mask openings 15 and the pitch of the metal mask openings 16 is equal to the pitch of the mask openings 12 (the distance between the centers of the adjacent mask openings 12) and the pitch of the metal mask openings 14 (adjacent.
  • the pitch of the mask openings 15 and the pitch of the metal mask openings 16 may be the same or different as long as they are formed different from the distance between the centers of the metal mask openings 14.
  • the mask opening 12 and the mask opening 15 can be easily formed by, for example, the same method, for example, simultaneously or using the same laser light irradiation apparatus. Further, the metal mask opening 14 and the metal mask opening 16 can be easily formed, for example, simultaneously by the same method, for example.
  • the mask opening 15 forming step (third opening forming step) may be performed simultaneously with the mask opening 12 forming step (first opening forming step), or the metal mask opening 16 forming step (fourth step). The opening forming step may be performed at the same time as the metal mask opening 14 forming step (second opening forming step).
  • the mask opening 15 is covered with the metal mask substrate 13 and the metal mask opening 16 is covered with the mask substrate 11, no through-hole is formed in the peripheral region 42 in the vapor deposition mask 1, and the mask A recess made of a mask opening 15 is formed on the substrate 11 side, and a recess made of a metal mask opening 16 is formed on the metal mask substrate 13 side. Therefore, the vapor deposition particles 71 emitted from the vapor deposition source 30 and reaching the surrounding area 42 are blocked by the surrounding area 42, do not reach the non-display area, and reach the effective area 41. Only the vapor deposition particles 71 that have passed through the metal mask opening 14 and the mask opening 12 reach the pixel region (light emitting region).
  • the vapor deposition mask 1 has a mask opening 12 and a metal mask opening 14, and an effective region 41 having a low rigidity and a concave portion made up of the mask opening 15 and the metal mask opening 16 as described above are not formed.
  • an effective region 41 having a low rigidity and a concave portion made up of the mask opening 15 and the metal mask opening 16 as described above are not formed.
  • the peripheral region 42 is formed with the concave portion formed of the mask opening 15 and the concave portion formed of the metal mask opening 16 as the stress relaxation portion.
  • the rigidity of 42 is reduced. For this reason, when stretching the vapor deposition mask 1, the stress in the surrounding area 42 can be relaxed, and the stress applied to the effective area 41 and the surrounding area 42 of the vapor deposition mask 1 can be kept uniform. (In particular, deformation of the effective area 41) can be suppressed.
  • the mask substrate 11 in the peripheral region 42 is provided with a mask opening 15 covered with the metal mask substrate 13 (in other words, the mask opening 15 closed with the metal mask substrate 13).
  • the metal mask substrate 13 in the peripheral region 42 is provided with a metal mask opening 16 covered with the mask substrate 11 (in other words, the mask opening 16 closed with the mask substrate 11). And illustrated.
  • the present embodiment is not limited to this, and the vapor deposition mask 1 has a configuration in which only one of the mask opening 15 and the metal mask opening 16 is provided in the peripheral region 42. You may have.
  • the vapor deposition mask 1 includes a first mask substrate (mask substrate 11), and vapor deposition particles 71 for forming a vapor deposition film 72 on the deposition target substrate 60 on the first mask substrate.
  • a vapor deposition mask provided with a first opening (mask opening 12) through which the fibrous microcellulose 2 is contained in the base material of the first mask substrate.
  • the microcellulose 2 in the first aspect may be a cellulose nanofiber.
  • the microcellulose 2 may be in-plane oriented along the surface of the first mask substrate.
  • the microcellulose 2 may be oriented in one direction in any of the aspects 1 to 3.
  • the vapor deposition mask 1 concerning aspect 5 of this invention has the rectangular external shape in planar view in the said aspect 3 or 4, and the said micro cellulose 2 is orientating along the longitudinal direction of the said vapor deposition mask 1. Also good.
  • the microcellulose 2 may be mixed in the resin 3 in any one of the first to fifth aspects.
  • a magnetic material for example, magnetic particles 4 may be further mixed in the base material.
  • the vapor deposition mask 1 according to Aspect 8 of the present invention is the metal second mask substrate provided with the second opening (metal mask opening 14) through which the vapor deposition particles 71 are passed in any one of Aspects 1 to 7.
  • Metal mask substrate 13 may be further provided, and the first mask substrate and the second mask substrate may be laminated such that the first opening and the second opening overlap in plan view.
  • the vapor deposition mask 1 according to aspect 9 of the present invention includes the effective region 41 in which the first opening and the second opening are formed in the aspect 8, and a surrounding region 42 surrounding the effective region 41,
  • the first mask substrate in the surrounding region 42 may be provided with a third opening (mask opening 15) closed by the second mask substrate.
  • the vapor deposition mask 1 according to aspect 10 of the present invention is the vapor deposition mask 1 according to aspect 9, wherein the second mask substrate in the peripheral region 42 has a fourth opening (metal mask opening 16) closed by the first mask substrate. May be provided.
  • the vapor deposition mask 1 according to the aspect 10 of the present invention includes the effective region 41 in which the first opening and the second opening are formed in the aspect 8, and the surrounding region 42 surrounding the effective region 41,
  • the second mask substrate in the surrounding region 42 may be provided with a fourth opening (metal mask opening 16) closed by the first mask substrate.
  • the vapor deposition apparatus 50 includes the vapor deposition mask 1 according to any one of the first to eleventh aspects, and the vapor deposition source 30 that injects the vapor deposition particles 71 toward the vapor deposition mask 1. .
  • the manufacturing method of the vapor deposition mask 1 concerning the aspect 13 of this invention is equipped with the 1st mask board
  • the first mask substrate containing the microcellulose 2 is formed on a base material using a material containing the cellulose 2.
  • the microcellulose 2 may be aligned in the molding step in the thirteenth aspect.
  • the alignment process may be performed by forming the first mask substrate while applying a magnetic field in the aspect 14.
  • the method of manufacturing the vapor deposition mask 1 according to the sixteenth aspect of the present invention is the method of manufacturing the vapor deposition mask 1 according to any one of the thirteenth to fifteenth aspects, wherein the first mask substrate formed by the forming step is irradiated with laser light. May further include an opening forming step of forming the first opening.
  • the method for manufacturing the vapor deposition mask 1 according to the aspect 17 of the present invention is characterized in that, in the forming step, a convex portion corresponding to the formation region of the first opening of the first mask substrate.
  • the first mask substrate may be molded using a molding die 92 provided with 93.
  • the protrusion 93 is provided so as to be removable, and the protrusion may be removed after the molding of the first mask substrate. .
  • the method for manufacturing the vapor deposition mask 1 according to the aspect 19 of the present invention includes forming the first mask substrate on a metal second mask substrate and forming the first mask substrate in the forming step.
  • Part forming step, and in the first opening forming step and the second opening forming step, the first opening and the second opening are the first opening and the above in plan view. You may form so that a 2nd opening part may overlap.
  • the vapor deposition mask according to the aspect 19 includes the effective area 41 in which the first opening and the second opening are formed, and the effective area 41.
  • the material may be a mixture of the microcellulose in the resin.
  • the magnetic material may be further mixed in the material in the aspect 21.
  • a method for manufacturing an electroluminescent display device is a method for manufacturing an electroluminescent display device in which a vapor deposition film 72 is formed on a film formation substrate 60 using the vapor deposition mask 1 according to any of the above aspects 1 to 11.
  • the deposited film 72 is a light emitting layer of an electroluminescence display device
  • the deposition target substrate 60 is an electrode substrate of the electroluminescence display device
  • the light emitting layer is formed on the electrode substrate.

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Abstract

蒸着マスク（１）は、マスク開口（１２）が設けられたマスク基板（１１）を備え、マスク基板（１１）の基材に繊維状のマイクロセルロース（２）が含まれている。

Description

蒸着マスク、蒸着装置、蒸着マスクの製造方法、エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法
　本発明は、蒸着マスク、蒸着装置、蒸着マスクの製造方法、およびエレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法に関する。
　近年、様々な商品や分野でフラットパネルディスプレイが活用されており、フラットパネルディスプレイのさらなる大型化、高画質化、低消費電力化が求められている。
　そのような状況下、有機材料または無機材料の電界発光（Electro luminescence；以下、「ＥＬ」と記す）を利用したＥＬ素子を備えたＥＬ表示装置は、全固体型で、低電圧駆動、高速応答性、自発光性等の点で優れたフラットパネルディスプレイとして、高い注目を浴びている。
　ＥＬ表示装置は、フルカラー表示を実現するために、画素を構成する複数のサブ画素に対応して、所望の色の光を出射する発光層を備えている。
　発光層のパターン形成には、例えば、シャドウマスクと称される蒸着マスクを用いた真空蒸着法が用いられている。
　高精細なＥＬ表示装置を実現するためには、被成膜基板上に、蒸着粒子を高精度で蒸着させる必要があり、蒸着マスクには、高精度な開口部を形成することが要求される。
　従来、蒸着マスクには、一般的に、金属板からなるマスク基板を加工することで作製された、所定パターンの開口部を有する金属マスクが使用されている。蒸着マスクは、一般的に、マスクフレームに固定して使用される。
　しかしながら、現在の金属加工技術では、金属板に開口部を精度良く形成することは難しい。また、蒸着マスクに金属マスクを使用した場合、金属板の熱膨張による位置ずれや反り等の影響で、高精細な蒸着膜パターンを形成することは難しい。
　特に、近年、ＥＬ表示装置の分野においても、液晶表示装置の分野と同様に、更なる高画質化を実現するため、表示装置のインチ当りのピクセル数（ｐｐｉ：pixel per inch）の増加が求められている。しかしながら、金属マスクによる塗分け蒸着方法を用いる場合、金属マスクそのものの開口位置精度と、開口パターン精度、すなわち、金属マスクの加工精度の限界とから、基板上に３００ｐｐｉ以上に対応する高精細な蒸着膜を形成するのは困難である。
　また、蒸着マスクに、金属のみからなる蒸着マスクを使用すると、蒸着マスクの大型化に伴い、その質量が増大し、マスクフレーム等の支持体を含めた総質量も増大することから、取り扱いに支障をきたす。
　そこで、近年、軽量化や開口精度の向上を目的として、蒸着マスクの材料に樹脂を用いた蒸着マスクが提案されている。
　例えば、特許文献１には、上記蒸着マスクとして、一面に磁性体粉末を含む磁性層が設けられた樹脂製のフィルムに複数の開口部が設けられた樹脂マスクが開示されている。
　樹脂は、レーザ加工等によって高精度な開口部を形成することが可能であり、蒸着膜パターン精度を向上させることができる。また、蒸着マスクの材料に樹脂を用いることで蒸着マスクの軽量化を図ることができる。
日本国公開特許公報「特開２０１４－２０１８１９号（２０１４年１０月２７日公開）」
　しかしながら、特許文献１のように、蒸着マスクを樹脂で形成すると、蒸着マスクの強度が低下する。このため、蒸着マスクの強度を十分な強度に保つためには、蒸着マスクの厚みを厚くする必要がある。
　しかしながら、蒸着マスクの厚みを厚くすると、目的とする蒸着膜厚よりも薄い膜厚となる未蒸着部分が生じる、いわゆるシャドウが発生する。このため、高精細な蒸着膜パターンを形成することが困難となる。
　本発明は、上記問題点に鑑みなされたものであり、その目的は、軽量でかつ厚みを薄くしても強度が高く、高精細な蒸着膜パターンを形成することができる、蒸着マスク、蒸着装置、蒸着マスクの製造方法、並びに、そのような蒸着マスクを用いたエレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法を提供することにある。
　上記の課題を解決するために、本発明の一態様にかかる蒸着マスクは、第１マスク基板を備え、上記第１マスク基板に、被成膜基板上に蒸着膜を成膜するための蒸着粒子を通過させる開口部が設けられた蒸着マスクであって、上記第１マスク基板の基材に繊維状のマイクロセルロースが含まれている。
　上記の課題を解決するために、本発明の一態様にかかる蒸着装置は、本発明の一態様にかかる上記蒸着マスクと、上記蒸着マスクに向かって上記蒸着粒子を射出する蒸着源と、を備えている。
　上記の課題を解決するために、本発明の一態様にかかる蒸着マスクの製造方法は、第１マスク基板を備え、上記第１マスク基板に、被成膜基板上に蒸着膜を成膜するための蒸着粒子を通過させる開口部が設けられた蒸着マスクの製造方法であって、上記第１マスク基板を成形する成形工程を含み、上記成形工程では、繊維状のマイクロセルロースを含む材料を用いて、基材に上記マイクロセルロースを含む上記第１マスク基板を成形する。
　上記の課題を解決するために、本発明の一態様にかかるエレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法は、本発明の一態様にかかる上記蒸着マスクを用いて被成膜基板に蒸着膜を成膜するエレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法であって、上記蒸着膜がエレクトロルミネッセンス表示装置の発光層であり、上記被成膜基板が上記エレクトロルミネッセンス表示装置の電極基板であり、上記電極基板に上記発光層を成膜する。
　本発明の一態様によれば、軽量でかつ厚みを薄くしても強度が高く、高精細な蒸着膜パターンを形成することができる、蒸着マスク、蒸着装置、蒸着マスクの製造方法、並びに、そのような蒸着マスクを用いたエレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法を提供することができる。
本発明の実施形態１にかかる蒸着マスクの概略構成を部分的に拡大して示す平面図である。 本発明の実施形態１にかかる蒸着マスクを備えた蒸着装置の概略構成の一例を示す図である。 （ａ）は、本発明の実施形態１にかかる、マスクフレームを備えた蒸着マスクの概略構成の一例を示す分解斜視図であり、（ｂ）は、本発明の実施形態１にかかる、マスクフレームを備えた蒸着マスクの概略構成の他の一例を示す断面図である。 マイクロセルロース２を一軸配向させてなる、本発明の実施形態１にかかる他の蒸着マスクの要部の概略構成を示す平面図である。 （ａ）・（ｂ）は、本発明の実施形態１にかかる蒸着マスクの製造工程の一例を、工程順に示す断面図である。 （ａ）は、本発明の実施形態２にかかる蒸着マスクの一製造工程における蒸着基板の概略構成を模式的に示す断面図であり、（ｂ）は、（ａ）に示す領域Ｒ２におけるマスク基板の要部の概略構成を模式的に示す断面図であり、（ｃ）は、（ａ）に示す領域Ｒ２におけるマスク基板の要部の概略構成の他の例を模式的に示す断面図である。 （ａ）は、本発明の実施形態３にかかる蒸着マスクの要部の概略構成を示す平面図であり、（ｂ）は、本発明の実施形態３にかかる蒸着マスクを備えた蒸着装置の概略構成の一例を示す図である。 本発明の実施形態４にかかる蒸着マスクを備えた蒸着装置の概略構成の一例を示す図である。 （ａ）は、本発明の実施形態５にかかる蒸着マスクを備えたマスクユニットの要部の概略構成を示す平面図であり、（ｂ）は、（ａ）に示す蒸着マスクの概略構成を示す平面図であり、（ｃ）は、（ｂ）に示す蒸着マスクのＣ－Ｃ線矢視断面図であり、（ｄ）は、（ｂ）に示す蒸着マスクのＤ－Ｄ線矢視断面図である。
　以下、本発明の実施形態について、詳細に説明する。
　〔実施形態１〕
　本発明の一実施形態について、図１ないし図５の（ａ）～（ｃ）に基づいて説明すれば、以下の通りである。
　＜蒸着マスク１の概略構成＞
　図１は、本実施形態にかかる蒸着マスク１の概略構成を部分的に拡大して示す平面図である。また、図２は、本実施形態にかかる蒸着マスク１を備えた蒸着装置５０の概略構成の一例を示す図である。図３の（ａ）は、本実施形態にかかる、マスクフレーム２１を備えた蒸着マスク１の概略構成の一例を示す分解斜視図であり、図３の（ｂ）は、本実施形態にかかる、マスクフレーム２１を備えた蒸着マスク１の概略構成の他の一例を示す断面図である。なお、図２に示す蒸着マスク１は、図１に示す蒸着マスク１のＡ－Ａ線矢視断面に相当する断面を模式的に示している。また、図３の（ｂ）に示す蒸着マスク１は、図１に示す蒸着マスク１のＢ－Ｂ線矢視断面に相当する断面を模式的に示している。
　本実施形態にかかる蒸着マスク１は、図１に示すように、基材にマイクロセルロース２を含む例えば薄板状のマスク基板１１（マスク用基板、第１マスク基板）の主面に、マスク開口１２（第１開口部）として、蒸着粒子を通過させる貫通口が設けられた構成を有している。
　図２に示すように、蒸着マスク１は、蒸着装置５０に組み込まれ、被成膜基板６０における被成膜面６１に所定パターンの蒸着膜７２を成膜するために使用される蒸着用のマスクである。
　図２に示すように、マスク開口１２は、被成膜基板６０の被成膜面６１に形成される蒸着膜７２のパターンと同一（実質的に同一）もしくは上記蒸着膜７２のパターンの少なくとも一部に対応した形状を有している。
　なお、図１では、一例として、蒸着マスク１の主面に、四角形状（図１に示す例では正方形状）の複数のマスク開口１２が二次元状（マトリクス状）に配列されている場合を例に挙げて図示している。
　しかしながら、蒸着マスク１は、例えば、被成膜基板６０上に、有機ＥＬ表示装置または無機ＥＬ表示装置等のＥＬ表示装置における発光層等のＥＬ層（有機層または無機層）を構成する有機材料または無機材料、電極材料、誘電材料、絶縁材料等の各種材料を用いた蒸着膜７２を形成するために使用される。このため、マスク開口１２の形状および配置は、これに限定されるものではない。
　マスク開口１２の形状および配置は、蒸着膜７２の種類に応じた用途や蒸着方法等に応じて、所望の蒸着膜７２のパターンが得られるように、適宜設定すればよい。
　すなわち、マスク開口１２の形状は、蒸着膜７２の用途のみならず、例えば、蒸着マスク１と被成膜基板６０とを相対的に移動させて蒸着を行うスキャン蒸着を行うか、蒸着マスク１と被成膜基板６０とを位置合わせして一旦蒸着を行った後、被成膜基板６０に対する蒸着マスク１の位置をずらして再度蒸着を行うステップ蒸着を行うか、蒸着マスク１と被成膜基板６０とを接触状態で固定して蒸着を行う固定蒸着を行うか、によっても変更される。
　したがって、マスク開口１２は、上記形状および配置に限定されず、例えばスロット状あるいはスリット状等であってもよい。また、蒸着マスク１は、例えば、ＥＬ表示装置の表示領域全域に対応する領域が開口されたオープンマスクであってもよい。したがって、マスク開口１２は、少なくとも１つ設けられていればよい。上述したように、図１では、マスク開口１２が二次元状に複数設けられている場合を例に挙げて図示しているが、マスク開口１２は、一次元方向にのみ配列されていてもよく、１つのみ設けられていてもよい。
　ＥＬ表示装置は、例えば、ガラス基板等を用いたＴＦＴ基板等の半導体基板上に、陽極および陰極のうち一方の電極を形成してなる電極基板上に、図２に示すように、上記蒸着マスク１を介して、発光層を形成する、有機材料または無機材料からなる蒸着粒子７１を蒸着させ、得られた蒸着膜７２（すなわち、発光層）上に、陽極および陰極のうち他方の電極を形成することで、製造される。
　この場合、マスク開口１２は、被成膜基板６０における、目的とするサブ画素以外の領域に蒸着粒子７１が付着しないように、上記被成膜基板６０におけるサブ画素に対応して設けられる。これにより、マスク開口１２を通過した蒸着粒子７１のみが被成膜基板６０に到達し、被成膜基板６０に、各サブ画素に対応して、マスク開口１２の形状に応じた所定パターンの蒸着膜７２が形成される。
　なお、上記蒸着マスク１の大きさ（平面視サイズ）は、蒸着方法や被成膜基板６０の大きさ等に応じて適宜設定すればよく、特に限定されるものではない。また、マスク開口１２の大きさ（平面視サイズ）や形状も、蒸着膜の用途等に応じて、所望の蒸着膜パターンが得られるように適宜設定すればよく、特に限定されるものではない。これらの条件は、例えば、従来の蒸着マスクと同様に設計が可能である。
　図２では、一例として、蒸着マスク１と被成膜基板６０とが接触した状態で固定されている場合を例に挙げて示している。このように蒸着マスク１と被成膜基板６０とを接触状態で固定して固定蒸着を行う場合、蒸着マスク１は、被成膜基板６０の被成膜領域全体を覆うように、例えば、平面視で、被成膜基板６０と同じ大きさに形成される。なお、本実施形態において平面視とは、蒸着マスク１の主面に垂直な方向、つまり、蒸着マスク１および被成膜基板６０の法線方向から見たときを示す。
　但し、本実施形態はこれに限定されるものではない。例えば、被成膜基板６０を走査しながら蒸着を行うスキャン蒸着を行う場合、蒸着マスク１と被成膜基板６０とは、互いに離間した状態で配置される。この場合、蒸着マスク１は、被成膜基板６０よりも小さく（より厳密には、蒸着マスク１と被成膜基板６０との相対移動方向における被成膜基板６０の長さよりも上記相対移動方向の長さが短く）形成される。
　また、蒸着マスク１の厚みも、蒸着マスク１の大きさ（平面視サイズ）や重量等に応じて適宜設定すればよい。但し、蒸着マスク１の厚み、具体的には、マスク基板１１の厚みは、できるだけ薄いことが望ましい。マスク基板１１の厚みを薄くすることによって、シャドウの発生を抑制することができる。
　本実施形態では、マスク基板１１が、マイクロセルロース２を含む材料で形成されている。このため、例えば好適には１８μｍ以下、より好適には１０μｍ未満と、従来よりもマスク基板１１の厚みを薄くしても、十分な強度を保つことができる。
　なお、マスク基板１１の厚みは、上述したように、できるだけ薄いことが望ましいが、マスク基板１１の厚みが薄くなりすぎると、撓みが生じるおそれがあり、取り扱い性が低下するおそれがある。このため、マスク基板１１の厚みは、５μｍよりも厚いことが望ましい。
　なお、マスク開口１２が設けられたマスク基板１１は、図３の（ａ）に示すように、マスク基板１１とは別体で形成されたマスクフレーム２１等の支持体部に固定して蒸着マスク１として使用してもよく、図３の（ｂ）に示すように、マスク基板１１とマスクフレーム２１とが、同じ材料で一体成形されていてもよい。
　本実施形態においてマスク基板１１の材料の一つとして用いられるマイクロセルロース２は、マイクロオーダ以下の幅（太さ）を有する繊維状のセルロース（ファイバセルロース）である。
　天然のセルロース繊維は、数十本～数百本のセルロース分子（セルロース鎖）の束からなる、繊維幅約１ｎｍ～約１００ｎｍのセルロースミクロフィブリル（微細繊維、ナノセルロースとも称される）の集合体であり、各セルロースミクロフィブリルが、水素結合により強固に結合している。
　マイクロセルロース２は、セルロースまたはその誘導体からなり、マイクロオーダ以下の繊維幅を有する、セルロースミクロフィブリルまたはセルロースミクロフィブリルの集合体から構成される。
　一例として、マイクロセルロース２は、例えばα－セルロースや酢酸セルロース等の市販のセルロースを、微細化処理装置を用いて、平均の繊維幅（例えば直径）が１μｍ未満の所望のサイズになるまで微細化したり、パルプ等を上記サイズまで解繊したりすることで得ることができる。
　なお、マイクロセルロース２を製造するために市販のセルロースやパルプ等を上記サイズまで解繊する方法は、特に限定されず、従来公知の各種方法を採用することができる。例えば、上記微細化処理装置として、超音波ホモジナイザ等のホモジナイザ、ボールミルやサンドミル等のミル、高速回転ミキサ、グラインダ等を用いた機械的処理により上記解繊が可能である。特に、酸化触媒として、２，２，６，６－テトラメチルピペリジン－Ｎ－オキシル（ＴＥＭＰＯ）等のＮ－オキシル化合物を用いて酸化処理（ＴＥＭＰＯ酸化処理）したセルロース繊維は、水性媒体中で簡単な機械的処理を行うことで、容易に解繊させることができる。
　マイクロセルロース２の原料としては、セルロースを含むものであれば特に限定されるものではなく、例えば、各種パルプやバクテリアセルロース等、公知の各種セルロース原料を使用することができる。また、市販の各種セルロース粉末や微結晶セルロース粉末等を使用してもよい。
　また、上記マイクロセルロース２として、市販のマイクロセルロースを使用してもよい。
　上記マイクロセルロース２としては、例えば、上述したようにナノセルロースと称される、繊維幅約１ｎｍ～約１００ｎｍのセルロースミクロフィブリルを使用することができる。そのなかでも、繊維幅に対して繊維長が比較的長い、いわゆるセルロースナノファイバがより好適に使用される。
　セルロースナノファイバは、セルロース繊維を、ナノオーダの繊維幅まで解繊したものであり、結晶性が高く、強度、耐熱性等に優れている。
　セルロースナノファイバは、例えば、平均の繊維幅が数ｎｍ～数十ｎｍ程度、平均の繊維長が０．０５μｍ～数μｍ程度のサイズの繊維状のセルロースであり、数本～数十本程度のセルロース分子が結晶状に結合している。
　なお、本実施形態で用いられるマイクロセルロース２の繊維長は、所望の厚みの蒸着マスク１を得ることができれば、特に限定されるものではない。
　マイクロセルロース２は、繊維が細かく、繊維同士が多数結合することから、例えば、鉄鋼の１／５～１／７の軽さで、鋼鉄の５倍～１０倍の強度（例えば引張破断強度）を有している。
　また、炭素繊維の密度は１．８ｇ／ｃｍ２、ガラス繊維の密度は２．５ｇ／ｃｍ２であるのに対し、マイクロセルロース２の密度（例えばセルロースナノファイバの密度）は１．６ｇ／ｃｍ２と低く、炭素繊維やガラス繊維と比べて、単位面積当たりの質量が小さい。このため、マイクロセルロース２を用いることで、マイクロセルロース２に代えて炭素繊維やガラス繊維を用いる場合と比較して、蒸着マスク１をより軽量化することができる。
　しかも、マイクロセルロース２は、例えばガラス繊維よりも耐熱性が高く、熱による変形（伸縮）が、例えばガラス繊維の１／５０程度と極めて小さい。
　このため、蒸着マスク１を、マイクロセルロース２を含む材料で形成することで、大型の被成膜基板６０の製造により適した蒸着マスク１を得ることができる。
　また、マイクロセルロース２は、炭素繊維やガラス繊維とは異なり、植物が光合成により作り出す再生可能なバイオマス資源であり、枯渇の心配もなく、将来的に大量生産や低コスト化が可能である。
　また、例えばセルロースナノファイバは、直径がナノレベルと小さく、透明であり、蒸着マスク１の製造方法にもよるが、透明の蒸着マスク１を得ることも可能である。蒸着マスク１が透明である場合、より容易かつ正確な機械的アライメント並びに人為的アライメントが可能となる。
　また、マイクロセルロース２は、炭素繊維等の非磁性体とは異なり、磁性を有しており、磁場を印加することで配向させることができるといった利点を有している。
　マイクロセルロース２がセルロースナノファイバである場合、該セルロースナノファイバを水性媒体中に分散させてナノファイバ分散液を調製し、該ナノファイバ分散液を、ガラス基板等の支持体上に塗布して乾燥させることにより、セルロースナノファイバ膜を形成することが可能である。この場合、セルロースナノファイバ膜の膜厚調整、あるいは、セルロースナノファイバ膜を、直接もしくは接着剤を用いて複数積層することで、セルロースナノファイバからなる、軽量で薄く、強度が高い、マスク基板１１を形成することが可能である。
　ナノファイバ分散液は、例えば、ＴＥＭＰＯ酸化処理により得られた酸化セルロース等のセルロースナノファイバ前駆体に水性媒体を加えて水性液を調製し、必要に応じてｐＨ調節を行い、解繊処理することにより調製できる。
　水性媒体としては、例えば、水、または水と水に混和する有機溶剤との混合溶剤等が挙げられる。上記有機溶剤としては、例えば、アルコール類、エーテル類、ケトン類等が挙げられる。
　また、蒸着マスク１は、その基材、例えばマスク基板１１の基材、あるいは、マスク基板１１およびマスクフレーム２１の基材に、マイクロセルロース２以外の物質（材料）を含んでいてもよい。
　図１では、マイクロセルロース２が、樹脂３に混在されている場合を例に挙げて図示している。
　マイクロセルロース２と複合化する樹脂３には、従来公知の樹脂製の蒸着マスクの材料に使用されている樹脂と同様の樹脂（プラスチック材料）を使用することができる。
　樹脂３としては、熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂（例えば紫外線硬化性樹脂）等の硬化性樹脂が好適であるが、蒸着膜７２の成膜時における蒸着温度において塑性変形しなければよい。したがって、樹脂３としては、硬化性樹脂に限定されるものではなく、蒸着材料の気化温度（蒸着材料が液体である場合には蒸発温度、蒸着材料が固体である場合には昇華温度）が低く、樹脂３が上記蒸着温度（例えば上記気化温度）よりも高い軟化点（熱変形温度）を有しているか、あるいは、蒸着マスク１および該蒸着マスク１に接触する他の構成要素（例えば、被成膜基板６０、保持部材等）のうち少なくとも一つに冷却部材が設けられている等、蒸着マスク１の使用温度が低い場合には、熱可塑性樹脂であっても構わない。
　上記硬化性樹脂としては、例えば、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂等が挙げられる。例えば、ポリイミドは、ガラス転移点が４００℃以上と高く、剛直で強固、高耐熱性を有し、蒸着マスク１の材料として好適である。また、可塑性樹脂としては、例えば、熱可塑性ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリスチレン樹脂等が挙げられる。
　蒸着マスク１におけるマイクロセルロース２の含有率は、特に限定されるものではなく、蒸着マスク１が、その材料にマイクロセルロース２を含んでいればよいが、マイクロセルロース２による十分な補強効果を得るために、樹脂３に対し、マイクロセルロース２が１０重量％以上混合されていることが望ましい。
　また、蒸着マスク１は、例えば、マイクロセルロース２を含み、樹脂３を母材（マトリクス樹脂）とする繊維強化複合型の蒸着マスク（言い換えれば、繊維強化複合樹脂マスク）であってもよく、この場合、マイクロセルロース２は、樹脂３に対し、５０重量％以下の割合で配合される。
　なお、上述したように、蒸着マスク１が樹脂３を含む場合、マイクロセルロース２は、樹脂３との親和性を高めるために、化学修飾あるいは疎水化されていてもよい。このため、蒸着マスク１の材料は、化学修飾剤等の添加剤をさらに含んでいてもよい。
　＜蒸着マスク１の製造方法＞
　図５の（ａ）・（ｂ）は、本実施形態にかかる蒸着マスク１の製造工程の一例を、工程順に示す断面図である。
　蒸着マスク１の製造工程は、例えば、マスク基板成形工程と、開口部形成工程とを備えている。
　マスク基板成形工程では、例えば、まず、マイクロセルロース２と、樹脂３の原料となる樹脂原料とを混合することにより、マイクロセルロース２が樹脂原料に分散された混合液を調製する。その後、上記混合液を、図５の（ａ）に示すように、ガラス基板等の支持体９１に薄板状に塗布し、この支持体９１上に塗布された、マスク基板１１を構成する薄板状の塗膜に、例えば加熱あるいは光照射（例えば紫外線照射）等を行って、樹脂３を硬化させる。これにより、マスク基板１１を成形する。
　開口部形成工程では、例えば、図５の（ｂ）に示すように、上記マスク基板形成工程で成形されたマスク基板１１にレーザ光を照射することで、上記マスク基板１１にマスク開口１２を形成する。その後、例えば図３の（ａ）に示すように、上記マスク基板１１を、必要に応じてマスクフレーム２１に固定することで、本実施形態にかかる蒸着マスク１が製造される。
　なお、マイクロセルロース２と混合される樹脂原料は、液状の硬化性樹脂、あるいは、液状の樹脂前駆体であってもよく、熱可塑性樹脂を熔融させたものであってもよい。
　また、上記樹脂原料は、液状とするため、あるいは、粘度の調整のために、樹脂３もしくは樹脂３の前駆体となる樹脂前駆体を、有機溶媒等の溶媒に溶解させてなる溶液もしくは分散媒に分散させてなる分散液であってもよい。
　樹脂原料として樹脂前駆体を使用した場合、樹脂前駆体とマイクロセルロース２とを混合後、薄板状に加工（成形）するときに上記樹脂前駆体を重合させることで、マイクロセルロース２同士を樹脂３によって結合することができる。
　例えば、ポリイミド、特に芳香族ポリイミドは、上述したように剛直で強固、高耐熱性を有し、蒸着マスク１の材料として適しているが、不溶不融である。このため、樹脂３として例えばポリイミドを使用する場合、ポリイミド前駆体であるポリアミド酸とマイクロセルロース２とを混合してマスク基板１１を作製し、脱水・環化（イミド化）反応を行って、ポリアミド酸をポリイミドに転化させればよい。
　ポリアミド酸は、例えば、加熱により熱イミドするか、イミド化触媒を用いて化学イミド化するか、その両方を併用することで、ポリイミドに転化させることができる。なお、イミド化触媒としては特に限定されるものではなく、含窒素複素環化合物、該含窒素複素環化合物のＮ－オキシド化合物、アミノ酸化合物、ヒドロキシル基を有する芳香族炭化水素化合物または芳香族複素環状化合物等の公知のイミド化触媒を用いることができる。また、イミド化反応において、脱水剤としてカルボン酸無水物等を使用してもよい。
　したがって、上記樹脂原料は、樹脂３の種類によって、溶媒や触媒、脱水剤等を含んでいてもよく、硬化剤等を含んでいてもよい。マイクロセルロース２は、樹脂原料に直接混入してもよく、分散媒に分散させて樹脂原料と混合してもよい。
　なお、上記溶媒としては、樹脂３あるいは樹脂３の前駆体となる樹脂前駆体を溶解させることができれば、特に限定されるものではない。また、上記分散媒としては、少なくとも、樹脂３あるいは樹脂３の前駆体となる樹脂前駆体を分散させることができれば、特に限定されるものではない。
　樹脂原料とマイクロセルロース２とは、材料同士を撹拌することで混合することができる。樹脂原料とマイクロセルロース２との混合に使用する混合機は、特に限定されるものではなく、例えば、前述した微細化処理装置等、市販の各種混合機を使用することができる。
　また、マスク基板１１の成形条件（成膜条件）としては、例えば、樹脂３の成形条件と同一の条件とすることができる。つまり、マイクロセルロース２が含まれていない状態での樹脂３の成形条件と同一の条件によりマスク基板１１を製造することができる。
　なお、図５の（ａ）・（ｂ）では、マイクロセルロース２が樹脂原料に分散された混合液をガラス基板等の支持体９１に薄く塗布して硬化させることによりマスク基板１１を成形する場合を例に挙げて図示した。しかしながら、上記マスク基板１１の成形方法は、図５の（ａ）・（ｂ）に示す方法に限定されるものではなく、例えば、注型、溶液流延法、真空・圧空成形、塑性加工等、樹脂３の種類等に応じて各種成形方法を採用することができる。
　また、上記成形工程における成形温度（例えば重合温度、硬化温度等）や成形時間（例えば重合時間、硬化時間）等は、樹脂３の種類に応じて適宜設定すればよい。
　なお、前述したように、マイクロセルロース２がセルロースナノファイバである場合、該セルロースナノファイバを水性媒体中に分散させてナノファイバ分散液を調製し、該ナノファイバ分散液を、ガラス基板等の支持体上に塗布して乾燥させることによりセルロースナノファイバ膜を形成することで、マスク基板１１を製造することもできる。なお、この場合の乾燥条件は、セルロースナノファイバ膜を成膜することができれば、特に限定されない。
　この場合、例えば、蒸着マスク１のマスク面に沿って、マスク基板１１の面内方向における一方向に配向されたセルロースナノファイバ膜を、複数層、セルロースナノファイバの配向方向が同一方向となるように積層するか、もしくは、セルロースナノファイバの配向方向が交差（例えば直交）するように交互に積層し、必要に応じて加圧および加熱するか、もしくは、接着剤で接着等することにより、上記マスク基板１１を製造してもよい。
　また、図４は、マイクロセルロース２を一方向に配向（一軸配向）させてなる、本実施形態にかかる他の蒸着マスク１の要部の概略構成を示す平面図である。
　なお、図４では、図１に示す蒸着マスク１同様、蒸着マスク１が、マイクロセルロース２を含み、樹脂３を母材（マトリクス樹脂）とする繊維強化複合型の蒸着マスクである場合を例に挙げて図示している。図４は、マイクロセルロース２を一軸配向させた蒸着マスク１における、図１に枠囲みで示す領域Ｒ１の部分拡大部に相当する。
　図４に示すように、蒸着マスク１が樹脂３を含む場合でも、マイクロセルロース２は、蒸着マスク１の表面（マスク面）に沿って面内方向に配向（面内方向）しており、蒸着マスク１のマスク面にほぼ平行、好適には平行に配向していることが望ましく、例えば一軸配向していることがより望ましい。
　このようにマスク基板１１の成形工程において、マイクロセルロース２を、蒸着マスク１のマスク面に沿って配向（つまり、蒸着マスク１のマスク面に平行に配向）させることで、蒸着マスク１の膜厚を薄くすることができ、マスク基板１１の膜厚を所望の膜厚に容易に調整することができる。また、蒸着マスク１の表面の毳立ちを抑制あるいは防止することができ、蒸着マスク１の表面から繊維が突出することがなく、使い勝手のよい蒸着マスク１を得ることができる。
　また、蒸着マスク１が、平面視で矩形状の外形を有する場合、蒸着マスク１が大型化すればするほど、その自重により長手方向に撓みやすくなる。そこで、このように蒸着マスク１が矩形状の蒸着マスクである場合、マイクロセルロース２を、蒸着マスク１の長手方向に沿って配向させることで、蒸着マスク１の長手方向の撓み（自重撓み）を抑制することができる。
　また、蒸着マスク１がスリット状のマスク開口１２を備えている場合、該スリット状のマスク開口１２の形成方向に沿ってマイクロセルロース２を配向させることで、マスク開口１２の形成が容易になるとともに、マスク開口１２におけるマイクロセルロース２の毳立ちを抑制することができる。
　あるいは、上述したように、例えばセルロースナノファイバ膜のようにマイクロセルロース２を含む薄膜を、マイクロセルロース２の配向方向が例えば直交するように交互に積層してマスク基板１１を製造することで、マスク基板１１の強度をより一層高くすることができる。
　特に、セルロース分子は高い強度を有していることから、マイクロセルロース２を一軸配向させると強度が向上するだけでなく、マイクロセルロース２が平行に並び、それらが水素結合することで、隣り合うマイクロセルロース２の間の隙間がさらに小さくなり、緻密性が高くなる。この結果、隣り合うマイクロセルロース２間の水素結合がより強固になり、強度もより向上する。
　なお、マイクロセルロース２は、全て面内方向かつ同一方向に配向している必要はなく、配向方向がずれているものがあっても構わないが、できるだけ配向方向が揃っていることが望ましい。
　（配向処理）
　マイクロセルロース２の配向方法は、マイクロセルロース２を一軸配向させることができれば、特に限定されるものではない。
　例えば、（１）上記支持体９１上に塗布された、マスク基板１１を構成する、水性媒体が残っているウェット状態の塗膜に対して一方向から熱風をあてることで、該方向に沿って塗膜中の水性媒体が流動し、マイクロセルロース２が流動することで、マイクロセルロース２を一軸配向させることができる。
　また、（２）セルロースナノファイバ分散液からなる塗膜のように、マイクロセルロース２を含む、ウェット状態の塗膜を、塗膜の厚み方向に圧縮およびずり変形させることで、塗膜中のマイクロセルロース２間の水素結合により、面配向度が向上し、マイクロセルロース２を、塗膜表面に沿って配向させることができる。
　また、（３）塗膜を一軸延伸することで、マイクロセルロース２の繊維間の水素結合等の相互作用を緩めてマイクロセルロース２を一軸配向させることもできる。なお、一軸延伸は、塗膜の乾燥前に行ってもよく、乾燥後に行ってもよいが、乾燥前に行うことが望ましい。
　また、（４）塗膜の形成に使用する支持体の表面または塗膜の表面を一定方向に擦る（ラビング処理する）ことによって、マイクロセルロース２を一軸配向させることもできる。
　また、（５）高速（リバース）グラビア法により塗膜を形成したり、（６）電場を印加しながら塗膜を形成したり、（７）磁場を印加しながら塗膜を形成したりすることで、マイクロセルロース２を一軸配向させることもできる。
　特に、前述したようにマイクロセルロース２は磁性を有することから、マイクロセルロース２に磁場を印加することで、塗膜の厚みや樹脂３の有無に拘らず、マイクロセルロース２を容易に配向させることができる。
　例えば、マイクロセルロース２に、回転磁場を印加すると、マイクロセルロース２の繊維軸が回転軸に平行に一軸配向する。これを利用して、磁場を印加しながら、上述したように、マイクロセルロース２、あるいは、マイクロセルロース２および樹脂３を含むマスク基板１１（もしくはマスクフレーム付きのマスク基板１１）を成形することで、マイクロセルロース２が一軸配向されたマスク基板１１を形成することができる。
　＜蒸着装置５０＞
　次に、上記蒸着マスク１を用いた蒸着装置５０の概略構成の一例について、図２を参照して以下に説明する。
　本実施形態にかかる蒸着装置５０は、図２に示すように、蒸着マスク１と、蒸着源３０と、図示しない蒸着源移動装置と、図示しない基板移動装置と、図示しない基板ホルダと、を備えている。
　基板ホルダは、上記蒸着マスク１および被成膜基板６０を保持する保持部材である。蒸着マスク１は、被成膜基板６０と接触した状態で、被成膜基板６０ごと基板ホルダによって保持される。
　蒸着源３０は、被成膜基板６０とは反対側に、蒸着マスク１と対向して配置されている。蒸着源３０は、例えば、内部に蒸着材料を収容する容器である。なお、蒸着源３０は、容器内部に蒸着材料を直接収容する容器であってもよく、ロードロック式の配管を有し、外部から蒸着材料が供給されるように形成されていてもよい。
　蒸着源３０は、例えば矩形状に形成されている。蒸着源３０は、その上面（すなわち、上記蒸着マスク１との対向面）側に、蒸着材料を蒸着粒子７１として射出させる、複数の射出口３１（蒸着源開口、ノズル）を有している。これら射出口３１は、例えば一次元状（ライン状）もしくは二次元状（面状（タイル状））に、一定ピッチで（つまり、隣り合う射出口３１の中心間の距離がそれぞれ等しくなるように）配されている。なお、図２では、蒸着源３０が複数の射出口３１を有している場合を例に挙げて図示しているが、射出口３１は、少なくとも１つ設けられていればよい。
　蒸着源３０は、蒸着材料を加熱して気化（蒸着材料が液体材料である場合には蒸発、蒸着材料が固体材料である場合には昇華）させることで気体状の蒸着粒子を発生させる。蒸着源３０は、このように気体にした蒸着材料を、蒸着粒子７１として、射出口３１から蒸着マスク１に向かって射出する。
　本実施形態によれば、上述したよう、蒸着マスク１（例えば上記マスク基板１１）が、基材にマイクロセルロース２を含むことで、金属製の蒸着マスクと比較して軽量であり、かつ、樹脂製の蒸着マスクとは異なり、厚みを薄くしても強度が高く、しかも、高精細な蒸着膜７２のパターンを形成することができる。
　〔実施形態２〕
　本発明の他の実施形態について、図６の（ａ）～（ｃ）に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお、本実施形態では、実施形態１との相違点について説明するものとし、実施形態１で説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を省略する。
　＜蒸着マスク１の製造方法＞
　実施形態１では、例えばマイクロセルロース２を含むマスク基板１１にレーザ光を照射して上記マスク基板１１にマスク開口１２を形成することで蒸着マスク１を製造する方法を例に挙げて説明した。しかしながら、蒸着マスク１の製造方法は、上記方法に限定されるものではない。
　図６の（ａ）は、本実施形態にかかる蒸着マスク１の一製造工程におけるマスク基板１１の概略構成を模式的に示す断面図であり、図６の（ｂ）は、図６の（ａ）に示す領域Ｒ２におけるマスク基板１１の要部の概略構成を模式的に示す断面図であり、図６の（ｃ）は、図６の（ａ）に示す領域Ｒ２におけるマスク基板１１の要部の概略構成の他の例を模式的に示す断面図である。なお、図６の（ａ）～（ｃ）に示す蒸着マスク１は、図１に示す蒸着マスク１のＢ－Ｂ線矢視断面に相当する断面を模式的に示している。
　なお、図６の（ａ）～（ｃ）では、樹脂３にマイクロセルロース２が混合されている場合を例に挙げて図示しているが、実施形態１で説明したように、蒸着マスク１は、その基材にマイクロセルロース２を含んでいればよく、基材に樹脂３が含まれている必要は必ずしもない。
　本実施形態では、図６の（ａ）に示すように、マスク基板１１にマスク開口１２を形成するための凸部９３を有する成形型９２を用いてマスク基板１１を成形することで、マスク基板１１の成形と同時にマスク開口１２を形成することができる。したがって、本実施形態によれば、成形型９２からマスク基板１１を取り外すことで、マスク開口１２が形成されたマスク基板１１を製造することができる。
　なお、本実施形態にかかるマスク基板１１の成形条件は、実施形態１と同じく、例えば、樹脂３の成形条件と同一の条件とすることができる。つまり、本実施形態でも、マイクロセルロース２が含まれていない状態での樹脂３の成形条件と同一の条件によりマスク基板１１を製造することができる。
　また、本実施形態でも、実施形態１に記載の方法により、図６の（ａ）～（ｃ）に示すように、マイクロセルロース２をマスク基板１１の主面に平行に配向させることができるとともに、マイクロセルロース２を一軸方向に配向させることができる。
　凸部９３は、除去可能な材質、例えば溶解可能な材質で形成されていることが好ましい。凸部９３を例えばレジスト材等のように除去可能な材質で形成することにより、マスク基板１１の成形後に、例えばレジスト除去剤のように、凸部９３を構成する材料のみを除去することができる溶剤を用いて、凸部９３を除去することができる。
　なお、勿論、離型剤等を用いて、凸部９３を除去することなく、凸部９３が設けられた成形型９２からマスク基板１１を取り外しても構わない。
　また、例えば図６の（ｂ）・（ｃ）に示すように、成形型９２における凸部９３の壁面の形状を変更することで、マスク基板１１におけるマスク開口１２の形状、例えばマスク開口１２のテーパ角を変更することができる。
　凸部９３は、図６の（ｂ）に示すように例えば角柱状に形成されていてもよく、図６の（ｃ）に示すように凸部９３の壁面と、成形型９２における凸部９３の設置面（言い換えれば、成形型９２の内壁）とがなす角度が９０°よりも大きい順テーパ状に形成されていてもよい。
　なお、図６の（ｃ）では、凸部９３が順テーパ状を有している場合を例に挙げて図示したが、凸部９３は、凸部９３の壁面と、成形型９２における凸部９３の設置面とがなす角度が９０°よりも小さい逆テーパ状に形成されていてもよい。
　凸部９３がテーパ状（逆テーパ状あるいは順テーパ状）に形成されていることで、マスク基板１１のマスク開口１２を、凸部９３と同じテーパ状とすることができる。
　このようにマスク基板１１のマスク開口１２の開口壁をテーパ状として該開口壁に傾斜を設け、蒸着マスク１と被成膜基板６０とを、マスク基板１１のマスク開口１２の開口径が被成膜基板６０に向かって小さくなるように配置して蒸着を行うことで、シャドウをより効果的に抑制することができる。
　以上のように、本実施形態によれば、上記成形型９２を用いてマスク基板１１を成形することで、別途レーザ照射等を行わなくても、マスク開口１２を有するマスク基板１１を成形することができる。
　また、本実施形態によれば、上述したようにマスク開口１２をレーザ照射ではなく型抜きにより形成することで、マイクロセルロース２および樹脂３がマスク開口１２の形成領域に配置されることがない。このため、マイクロセルロース２および樹脂３の無駄を省き、蒸着マスク１を安価に製造することができる。
　また、本実施形態によれば、成形型９２におけるマスク開口１２の形成領域には凸部９３が設けられていることで、マイクロセルロース２が、マスク開口１２から飛び出すことがない。また、マスク開口１２の形成時に、マイクロセルロース２が、マスク開口１２の壁面で切断されることがないので、マスク開口１２の壁面で切断されたマイクロセルロース２の端面が毳立ったりすることがない。このため、本実施形態によれば、高精度で使い勝手がよく、安価な蒸着マスク１を提供することができる。
　〔実施形態３〕
　本発明のさらに他の実施形態について、図７の（ａ）・（ｂ）に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお、本実施形態では、実施形態１、２との相違点について説明するものとし、実施形態１、２で説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を省略する。
　＜蒸着マスク１の概略構成＞
　図７の（ａ）は、本実施形態にかかる蒸着マスク１の要部の概略構成を示す平面図であり、図７の（ｂ）は、本実施形態にかかる蒸着マスク１を備えた蒸着装置５０の概略構成の一例を示す図である。なお、図７の（ａ）は、図１に枠囲みで示す、蒸着マスク１における領域Ｒ１の部分拡大部に相当する。また、図７の（ｂ）に示す蒸着マスク１は、図１に示す蒸着マスク１のＡ－Ａ線矢視断面に相当する断面を模式的に示している。
　本実施形態にかかる蒸着マスク１は、図７の（ａ）・（ｂ）に示すように、その基材に磁性粒子４がさらに混在されている点を除けば、実施形態１、２にかかる蒸着マスク１と同じである。図７の（ａ）・（ｂ）に示す蒸着マスク１は、磁性粒子４が、マイクロセルロースとともに樹脂３に混在されている場合を例に挙げて図示している。
　本実施形態にかかる蒸着マスク１は、例えば、実施形態１、２において、マイクロセルロース２を含む樹脂原料に代えて、マイクロセルロース２および磁性粒子４を含む樹脂原料を用いることで、実施形態１、２と同様の方法により製造することができる。
　上記磁性粒子４は、例えば、鉄、ニッケル、インバー（鉄－ニッケル合金）、ＳＵＳ４３０等、磁性を有する磁性金属材料で形成されていてもよく、Ｆｅ２Ｏ３粒子、Ｆｅ３Ｏ４粒子、あるいは、これら酸化鉄粒子を含むフェライト等の磁性セラミックス材料で形成されていてもよい。また、上記磁性粒子４は、磁性を有する上記材料で母粒子（コア粒子）の表面を被覆してなる粒子であってもよい。
　上記磁性粒子４の粒子径は、特に限定されるものではないが、例えば平均粒子径（重量平均粒子径）が１μｍ未満であることが好ましい。
　このように蒸着マスク１が磁性粒子４をさらに含むことで、蒸着マスク１にさらに剛性を付与することができ、蒸着マスク１の強度をさらに増加させることができる。
　また、蒸着マスク１が磁性粒子４をさらに含むことで、図７の（ｂ）に示すように、蒸着時に、マグネットプレート等の磁石や電磁石等の磁力発生源５２を用いて、磁力により蒸着マスク１を吸着して保持することができる。
　本実施形態において、蒸着マスク１における磁性粒子４の含有率は、使用する材料およびその組み合わせ等に応じて、所望の機能が得られるように任意に調整が可能であり、特に限定されるものではない。磁性粒子４の種類や粒径、蒸着マスク１中に含まれる磁性粒子４の含有率等を調整することで、例えば磁性の強さ等の物性を調整することができる。
　＜蒸着装置５０＞
　本実施形態にかかる蒸着装置５０は、図７の（ｂ）に示すように、被成膜基板６０を介して蒸着マスク１とは反対側に磁力発生源５２を備えている点を除けば、図２に示す蒸着装置５０と同じである。
　本実施形態によれば、蒸着マスク１が磁性粒子４をさらに含むとともに、被成膜基板６０を介して蒸着マスク１とは反対側に磁力発生源５２を設けることにより、上記基材に混合された磁性粒子４およびマイクロセルロース２が、磁力で磁力発生源５２側に引きつけられる。これにより、被成膜基板６０ごと蒸着マスク１を磁力発生源５２に吸着させることができる。このため、本実施形態によれば、被成膜基板６０と蒸着マスク１とを、密着した状態で固定することができる。
　＜変形例＞
　なお、図７の（ａ）・（ｂ）では、蒸着マスク１が、磁性体として、粒子状の磁性体である磁性粒子４を含んでいる場合を例に挙げて図示した。しかしながら、磁性体の形状は、粒子状に限定されるものではなく、他の形状であってもよい。また、本実施形態でも、実施形態１、２と同じく、樹脂３は、省くことができる。
　〔実施形態４〕
　本発明のさらに他の実施形態について、図８に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお、本実施形態では、実施形態１～３との相違点について説明するものとし、実施形態１～３で説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を省略する。
　＜蒸着マスク１の概略構成＞
　図８は、本実施形態にかかる蒸着マスク１を備えた蒸着装置５０の概略構成の一例を示す図である。なお、図８に示す蒸着マスク１は、図１に示す蒸着マスク１のＡ－Ａ線矢視断面に相当する断面を模式的に示している。
　実施形態１～３では、蒸着マスク１が、セルロースナノファイバ膜のようなマイクロセルロース膜からなる蒸着マスク、もしくは、樹脂３を母材（マトリクス樹脂）とする繊維強化複合樹脂材料からなる繊維強化複合型の蒸着マスク（繊維強化複合樹脂マスク）である場合を例に挙げて説明した。しかしながら、蒸着マスク１の構成は、これに限定されるものではない。
　本実施形態にかかる蒸着マスク１は、例えば、図８に示すように、基材に樹脂３およびマイクロセルロース２を含む繊維強化複合樹脂マスクであるマスク基板１１と、マスク開口（以下、マスク開口１２との区別のため「金属マスク開口１４」と称する）が設けられた金属マスクである、金属製のマスク基板（以下、マスク基板１１との区別のため「金属マスク基板１３」と称する）とが積層されてなる蒸着マスクであってもよい。
　蒸着マスク１がマスク基板１１（第１マスク基板）と金属マスク基板１３（第２マスク基板）との積層構造を有していることで、蒸着マスク１の強度をより高めることができる。
　金属マスク開口１４（第２開口部）は、マスク開口１２（第１開口部）よりも大きく形成されている。金属マスク開口１４とマスク開口１２とは、１対１に対応して設けられていてもよく、蒸着マスク１に、該蒸着マスク１を貫通する貫通口が形成される（言い換えれば、平面視で上記マスク開口１２と金属マスク開口１４とが重なる）ように、平面視で金属マスク開口１４内にマスク開口１２が設けられていれば、１つの金属マスク開口１４内に、マスク開口１２が１つのみ設けられていてもよく、複数のマスク開口１２が設けられていてもよい。このように、本実施形態では、蒸着マスク１に、上記貫通口として、金属マスク開口１４およびマスク開口１２からなる連通口が設けられている。
　金属マスク基板１３は、例えば、平面視で、マスク基板１１と同じ大きさ（平面視サイズ）に形成される。但し、本実施形態は、これに限定されるものではなく、金属マスク基板１３の金属マスク開口１４に重なるように、マスク基板１１のマスク開口１２が形成されていれば、金属マスク基板１３とマスク基板１１とは、同じ大きさを有していなくても構わない。
　＜蒸着マスク１の製造方法＞
　マスク基板１１と金属マスク基板１３とは、接着剤等を介して積層されていてもよいが、接着剤を介さずに、互いに接触して一体化されていることが望ましい。
　本実施形態にかかる蒸着マスク１は、例えば、図５の（ａ）に示す支持体９１に代えて、金属マスク開口１４が形成される前の金属マスク基板１３（金属板）を使用し、該金属マスク基板１３における、上記マスク基板１１が設けられていない面に、フォトレジストを塗布し、フォトリソグラフィにより、金属マスク基板１３に金属マスク開口１４を形成した後、マスク基板１１における、平面視で金属マスク開口１４内に位置する部分に、マスク基板１１側もしくは金属マスク基板１３側からレーザ光を照射することにより、マスク基板１１にマスク開口１２を形成することで製造することができる。
　＜蒸着装置５０＞
　本実施形態にかかる蒸着装置５０は、蒸着マスク１が、図８に示すようにマスク基板１１と金属マスク基板１３との積層構造を有している点を除けば、実施形態３にかかる蒸着装置５０と同じ構成を有している。
　本実施形態によれば、蒸着マスク１が金属マスク基板１３をさらに備えているとともに、被成膜基板６０を介して蒸着マスク１とは反対側に磁力発生源５２を設けることにより、上記金属マスク基板１３、並びに、マスク基板１１中のマイクロセルロース２が、磁力で磁力発生源５２側に引きつけられる。これにより、被成膜基板６０ごと蒸着マスク１を磁力発生源５２に吸着させることができる。このため、本実施形態でも、被成膜基板６０と蒸着マスク１とを、密着した状態で固定することができる。
　蒸着マスク１は、マスク基板１１が金属マスク基板１３よりも被成膜基板６０側に位置するように配置される。これにより、蒸着源３０の射出口３１から射出され、金属マスク開口１４を通過した後、マスク開口１２を通過した蒸着粒子７１により、被成膜基板６０に蒸着膜７２が成膜される。
　〔実施形態５〕
　本発明のさらに他の実施形態について、図９の（ａ）～（ｄ）に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお、本実施形態では、実施形態１～４との相違点について説明するものとし、実施形態１～３で説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を省略する。
　＜蒸着マスク１の概略構成＞
　図９の（ａ）は、本実施形態にかかる蒸着マスク１を備えたマスクユニット１０の要部の概略構成を示す平面図であり、図９の（ｂ）は、図９の（ａ）に示す蒸着マスク１の概略構成を示す平面図であり、図９の（ｃ）は、図９の（ｂ）に示す蒸着マスク１のＣ－Ｃ線矢視断面図であり、図９の（ｄ）は、図９の（ｂ）に示す蒸着マスク１のＤ－Ｄ線矢視断面図である。
　図９の（ａ）に示すように、本実施形態にかかるマスクユニット１０は、複数の蒸着マスク１と、上記複数の蒸着マスク１の周縁部に取り付けられたマスクフレーム２１（枠体）と、を備えている。
　本実施形態にかかる蒸着マスク１は、図９の（ａ）・（ｂ）に示すように、平面視で、略矩形状（短冊状）の輪郭を有している。
　マスクフレーム２１は、蒸着マスク１が撓まないように、蒸着マスク１を架張状態で保持する。蒸着マスク１とマスクフレーム２１とは、例えばスポット溶接により互いに固定されている。マスクフレーム２１は、該マスクフレーム２１に例えば格子状に架け渡され、蒸着マスク１を支持する図示しない梁部を備えている。平面視で、マスクフレーム２１と蒸着マスク１との間および互いに隣り合う蒸着マスク１間は、上記梁部で塞がれている。
　蒸着マスク１は、図９の（ａ）・（ｂ）に示すように、マスクフレーム２１の開口部２１ａ内に位置し、蒸着マスク１を貫通する貫通口が形成された有効領域４１と、該有効領域４１を取り囲む周囲領域４２とを含んでいる。有効領域４１は、蒸着マスク１の長手方向に、少なくとも１つ（図９の（ａ）・（ｂ）に示す例では複数並んで）設けられている。図９の（ａ）・（ｂ）に示すように、１つの蒸着マスク１に有効領域４１が複数設けられている場合、周囲領域４２は、各有効領域４１をそれぞれ取り囲むように設けられる。
　有効領域４１には、蒸着粒子７１を通過させることができるように、上記貫通口として、図９の（ｃ）に示すように、マスク開口１２（第１開口部）および金属マスク開口１４（第２開口部）からなる連通口が形成されている。なお、図９の（ａ）では、マスク開口１２および金属マスク開口１４の図示を省略している。また、図９の（ｂ）では、金属マスク開口１４の図示を省略するとともに、マスク開口１２の数を省略している。各有効領域４１は、例えば、ＥＬ表示装置におけるＥＬ表示パネル１枚の表示領域に相当する。
　図９の（ａ）・（ｂ）に示すように、金属マスク開口１４およびマスク開口１２は、例えば、それぞれ矩形状に形成されており、蒸着マスク１の短手方向および長手方向にマトリクス状に形成されている。但し、本実施形態は、これに限定されるものではない。金属マスク開口１４およびマスク開口１２は、それぞれ、スリット状に形成されていてもよく、蒸着マスク１の短手方向に、それぞれ、ストライプ状に並んで形成されていてもよい。
　実施形態４同様、本実施形態でも、金属マスク開口１４は、マスク開口１２よりも大きく形成されている。なお、図９の（ｃ）では、金属マスク開口１４とマスク開口１２とが、１対１に対応して、蒸着マスク１の短手方向に、互いに同一ピッチで設けられている場合を例に挙げて図示している。なお、ここで、金属マスク開口１４とマスク開口１２とが互いに同一ピッチで設けられているとは、隣り合う金属マスク開口１４の中心間の距離と、隣り合うマスク開口１２の中心間の距離とが等しいことを示す。但し、本実施形態は、これに限定されるものではなく、蒸着マスク１に、該蒸着マスク１を貫通する貫通口が形成されるように、平面視で金属マスク開口１４内にマスク開口１２が設けられていれば、１つの金属マスク開口１４内に、複数のマスク開口１２が設けられていてもよい。
　一方、周囲領域４２は、有効領域４１を支持するための領域である。周囲領域４２は、被成膜基板６０における上記表示領域を取り囲む非表示領域（額縁領域）と重畳している。
　また、蒸着マスク１は、マスクフレーム２１の外側に引き出された、グリップ可能な２つの側端部Ｇ１・Ｇ２を備えている。側端部Ｇ１・Ｇ２それぞれは、中央部が切り欠かれた形状を有している。
　蒸着マスク１は、側端部Ｇ１の切り欠きの両側に位置する部分を、それぞれ、対応する図示しない２つのグリッパに挟み込む一方、側端部Ｇ２の切り欠きの両側に位置する部分を、それぞれ、対応する図示しない２つのグリッパに挟み込み、４つのグリッパによって蒸着マスク１に張力をかけ、各グリッパをそれぞれ独立して調整することで、マスクフレーム２１に対する位置合わせが行われる。なお、グリッパは、蒸着マスク１の上記位置合わせ完了後に、蒸着マスク１をマスクフレーム２１に溶接した後、解除される。
　マスクフレーム２１に対する蒸着マスク１の位置合わせは、有効領域４１における貫通口の位置が被成膜基板６０の画素領域（発光領域）と合致するように行われる。このとき、有効領域４１の変形が大きければ、上記位置合わせが困難となる。
　図９の（ｄ）に示すように、上記周囲領域４２におけるマスク基板１１（第１マスク基板）には、該マスク基板１１のみを貫通するマスク開口１５（第３開口部）が設けられている。一方、上記周囲領域４２における金属マスク基板１３（第２マスク基板）には、該金属マスク基板１３のみを貫通する金属マスク開口１６（第４開口部）が設けられている。なお、図９の（ａ）・（ｂ）では、マスク開口１５および金属マスク開口１６の図示を省略している。
　図９の（ｄ）に示すように、マスク開口１５と金属マスク開口１６とは、平面視で、互いに重ならないように、互いに異なる位置に設けられている。なお、マスク開口１５と金属マスク開口１６とが平面視で互いに重ならないように形成されていれば、マスク開口１５のピッチ（隣り合うマスク開口１５の中心間の距離）と、金属マスク開口１６のピッチ（隣り合う金属マスク開口１６の中心間の距離）とは、同じであってもよく、異なっていても構わない。
　言い換えれば、マスク開口１５のピッチおよび金属マスク開口１６のピッチのうち少なくとも一方のピッチが、マスク開口１２のピッチ（隣り合うマスク開口１２の中心間の距離）および金属マスク開口１４のピッチ（隣り合う金属マスク開口１４の中心間の距離）と異なるように形成されていれば、マスク開口１５のピッチと、金属マスク開口１６のピッチとは、同じであってもよく、異なっていても構わない。
　マスク開口１２とマスク開口１５とは、例えば同じ方法により、例えば同時に、あるいは、同一のレーザ光照射装置を用いて、容易に形成することができる。また、金属マスク開口１４と金属マスク開口１６とは、例えば同じ方法により、例えば同時に、容易に形成することができる。例えば、マスク開口１５の形成工程（第３開口部形成工程）は、マスク開口１２の形成工程（第１開口部形成工程）と同時に行われてもよく、金属マスク開口１６の形成工程（第４開口部形成工程）は、金属マスク開口１４の形成工程（第２開口部形成工程）と同時に行われてもよい。
　マスク開口１５が金属マスク基板１３で覆われており、金属マスク開口１６がマスク基板１１に覆われていることで、蒸着マスク１における周囲領域４２には、貫通口は形成されておらず、マスク基板１１側に、マスク開口１５からなる凹部が形成されているとともに、金属マスク基板１３側に、金属マスク開口１６からなる凹部が形成されている。このため、蒸着源３０から射出され、上記周囲領域４２に到達した蒸着粒子７１は、該周囲領域４２で遮断され、上記非表示領域には到達せず、有効領域４１に到達した蒸着粒子７１のうち金属マスク開口１４およびマスク開口１２を通過した蒸着粒子７１のみが、上記画素領域（発光領域）に到達する。
　蒸着マスク１が、マスク開口１２および金属マスク開口１４を有し、低剛性である有効領域４１と、上述したようにマスク開口１５および金属マスク開口１６からなる凹部が形成されておらず、高剛性である周囲領域４２とで形成されている場合、該蒸着マスク１をマスクフレーム２１に架張すると、有効領域４１と周囲領域４２との剛性の差が大きいことから、蒸着マスク１が変形してしまう。
　しかしながら、本実施形態では、図９の（ｄ）に示すように周囲領域４２に、応力緩和部として、上記マスク開口１５からなる凹部および金属マスク開口１６からなる凹部を形成することで、周囲領域４２の剛性を低下させている。このため、蒸着マスク１の架張時に、周囲領域４２の応力を緩和し、該蒸着マスク１の有効領域４１および周囲領域４２にかかる応力を均等に保つことができ、架張時の蒸着マスク１の変形（特に、有効領域４１の変形）を抑制することができる。
　また、図９の（ｄ）に示す蒸着マスク１は、周囲領域４２に、上記応力緩和部としての凹部と、平面視で、マスク開口１５および金属マスク開口１６が何れも形成されておらず、マスク基板１１の厚みと金属マスク基板１３の厚みとの合計の厚みを有する高剛性領域（つまり、蒸着マスク１の最大厚みを有する領域）と、の両方を有していることで、有効領域の変形をより効果的に抑制することができる。
　＜変形例＞
　なお、図９の（ｄ）では、周囲領域４２におけるマスク基板１１に、金属マスク基板１３で覆われたマスク開口１５（言い換えれば、金属マスク基板１３で塞がれたマスク開口１５）が設けられているとともに、上記周囲領域４２における金属マスク基板１３に、マスク基板１１で覆われた金属マスク開口１６（言い換えれば、マスク基板１１で塞がれたマスク開口１６）が設けられている場合を例に挙げて図示した。
　しかしながら、本実施形態は、これに限定されるものではなく、上記蒸着マスク１は、上記周辺領域４２に、上記マスク開口１５および金属マスク開口１６のうち何れか一方のみが設けられている構成を有していてもよい。
　〔まとめ〕
　本発明の態様１にかかる蒸着マスク１は、第１マスク基板（マスク基板１１）を備え、上記第１マスク基板に、被成膜基板６０上に蒸着膜７２を成膜するための蒸着粒子７１を通過させる第１開口部（マスク開口１２）が設けられた蒸着マスクであって、上記第１マスク基板の基材に繊維状のマイクロセルロース２が含まれている。
　本発明の態様２にかかる蒸着マスク１は、上記態様１において、上記マイクロセルロース２がセルロースナノファイバであってもよい。
　本発明の態様３にかかる蒸着マスク１は、上記態様１または２において、上記マイクロセルロース２が上記第１マスク基板の表面に沿って面内配向していてもよい。
　本発明の態様４にかかる蒸着マスク１は、上記態様１～３の何れかにおいて、上記マイクロセルロース２が一方向に配向していてもよい。
　本発明の態様５にかかる蒸着マスク１は、上記態様３または４において、平面視で矩形状の外形を有し、上記マイクロセルロース２が、当該蒸着マスク１の長手方向に沿って配向していてもよい。
　本発明の態様６にかかる蒸着マスク１は、上記態様１～５の何れかにおいて、上記マイクロセルロース２は樹脂３に混在されていてもよい。
　本発明の態様７にかかる蒸着マスク１は、上記態様６において、上記基材に、磁性体（例えば磁性粒子４）がさらに混在されていてもよい。
　本発明の態様８にかかる蒸着マスク１は、上記態様１～７の何れかにおいて、上記蒸着粒子７１を通過させる第２開口部（金属マスク開口１４）が設けられた金属製の第２マスク基板（金属マスク基板１３）をさらに備え、上記第１マスク基板と上記第２マスク基板とが、平面視で上記第１開口部と上記第２開口部とが重なるように積層されていてもよい。
　本発明の態様９にかかる蒸着マスク１は、上記態様８において、上記第１開口部および上記第２開口部が形成された有効領域４１と、該有効領域４１を取り囲む周囲領域４２とを備え、上記周囲領域４２における上記第１マスク基板には、上記第２マスク基板で塞がれた第３開口部（マスク開口１５）が設けられていてもよい。
　本発明の態様１０にかかる蒸着マスク１は、上記態様９において、上記周囲領域４２における上記第２マスク基板には、上記第１マスク基板で塞がれた第４開口部（金属マスク開口１６）が設けられていてもよい。
　本発明の態様１０にかかる蒸着マスク１は、上記態様８において、上記第１開口部および上記第２開口部が形成された有効領域４１と、該有効領域４１を取り囲む周囲領域４２とを備え、上記周囲領域４２における上記第２マスク基板には、上記第１マスク基板で塞がれた第４開口部（金属マスク開口１６）が設けられていてもよい。
　本発明の態様１２にかかる蒸着装置５０は、上記態様１～１１の何れかにかかる蒸着マスク１と、上記蒸着マスク１に向かって上記蒸着粒子７１を射出する蒸着源３０と、を備えている。
　本発明の態様１３にかかる蒸着マスク１の製造方法は、第１マスク基板（マスク基板１１）を備え、上記第１マスク基板に、被成膜基板６０上に蒸着膜７２を成膜するための蒸着粒子７１を通過させる第１開口部（マスク開口１２）が設けられた蒸着マスクの製造方法であって、上記第１マスク基板を成形する成形工程を含み、上記成形工程では、繊維状のマイクロセルロース２を含む材料を用いて、基材に上記マイクロセルロース２を含む上記第１マスク基板を成形する。
　本発明の態様１４にかかる蒸着マスク１の製造方法は、上記態様１３において、上記成形工程で上記マイクロセルロース２の配向処理を行ってもよい。
　本発明の態様１５にかかる蒸着マスク１の製造方法は、上記態様１４において、磁場を印加しながら上記第１マスク基板を成形することで上記配向処理が行われてもよい。
　本発明の態様１６にかかる蒸着マスク１の製造方法は、上記態様１３～１５の何れかにおいて、上記成形工程で成形した上記第１マスク基板にレーザ光を照射することにより、上記第１マスク基板に上記第１開口部を形成する開口部形成工程をさらに含んでいてもよい。
　本発明の態様１７にかかる蒸着マスク１の製造方法は、上記態様１３～１５の何れかにおいて、上記成形工程では、上記第１マスク基板の上記第１開口部の形成領域に対応して凸部９３が設けられた成形型９２を使用して上記第１マスク基板の成形を行ってもよい。
　本発明の態様１８にかかる蒸着マスク１の製造方法は、上記態様１７において、上記凸部９３は除去可能に設けられており、上記第１マスク基板の成形後に上記凸部を除去してもよい。
　本発明の態様１９にかかる蒸着マスク１の製造方法は、上記態様１３～１５の何れかにおいて、上記成形工程では、金属製の第２マスク基板上に上記第１マスク基板を成形するとともに、上記第１マスク基板に上記第１開口部を形成する第１開口部形成工程と、上記第２マスク基板に、上記蒸着粒子を通過させる第２開口部（金属マスク開口１４）を形成する第２開口部形成工程と、をさらに備え、上記第１開口部形成工程および上記第２開口部形成工程において、上記第１開口部と上記第２開口部とは、平面視で上記第１開口部と上記第２開口部とが重なるように形成されてもよい。
　本発明の態様２０にかかる蒸着マスク１の製造方法は、上記態様１９において、上記蒸着マスクは、上記第１開口部および上記第２開口部が形成された有効領域４１と、該有効領域４１を取り囲む周囲領域４２とを備え、上記周囲領域４２における上記第１マスク基板に、上記第２マスク基板で塞がれた第３開口部（マスク開口１５）を形成する第３開口部形成工程と、上記周囲領域４２における上記第２マスク基板に、上記第１マスク基板で塞がれた第４開口部（金属マスク開口１６）を形成する第４開口部形成工程と、をさらに備えていてもよい。
　本発明の態様２１にかかる蒸着マスク１の製造方法は、上記態様１３～２０の何れかにおいて、上記材料は、樹脂に上記マイクロセルロースが混在されていてもよい。
　本発明の態様２２にかかる蒸着マスク１の製造方法は、上記態様２１において、上記材料に磁性体がさらに混在されていてもよい。
　本発明の態様２３にかかるエレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法は上記態様１～１１の何れかにかかる蒸着マスク１を用いて被成膜基板６０に蒸着膜７２を成膜するエレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法であって、上記蒸着膜７２がエレクトロルミネッセンス表示装置の発光層であり、上記被成膜基板６０が上記エレクトロルミネッセンス表示装置の電極基板であり、上記電極基板に上記発光層を成膜する。
　本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。さらに、各実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を組み合わせることにより、新しい技術的特徴を形成することができる。
　　１　　蒸着マスク
　　２　　マイクロセルロース
　　３　　樹脂
　　４　　磁性粒子（磁性体）
　１１　　マスク基板（第１マスク基板）
　１２　　マスク開口（第１開口部）
　１３　　金属マスク基板（第２マスク基板）
　１４　　金属マスク開口（第２開口部）
　１５　　マスク開口（第３開口部）
　１６　　金属マスク開口（第４開口部）
　２１　　マスクフレーム
　３０　　蒸着源
　３１　　射出口
　４１　　有効領域
　４２　　周囲領域
　５０　　蒸着装置
　５２　　磁力発生源
　６０　　被成膜基板
　６１　　被成膜面
　７１　　蒸着粒子
　７２　　蒸着膜
　９１　　支持体
　９２　　成形型
　９３　　凸部

Claims (23)

  1. 　第１マスク基板を備え、上記第１マスク基板に、被成膜基板上に蒸着膜を成膜するための蒸着粒子を通過させる第１開口部が設けられた蒸着マスクであって、
    　上記第１マスク基板の基材に繊維状のマイクロセルロースが含まれていることを特徴とする蒸着マスク。
  2. 　上記マイクロセルロースがセルロースナノファイバであることを特徴とする請求項１に記載の蒸着マスク。
  3. 　上記マイクロセルロースが上記第１マスク基板の表面に沿って面内配向していることを特徴とする請求項１または２に記載の蒸着マスク。
  4. 　上記マイクロセルロースが一方向に配向していることを特徴とする請求項１～３の何れか１項に記載の蒸着マスク。
  5. 　平面視で矩形状の外形を有し、上記マイクロセルロースが、当該蒸着マスクの長手方向に沿って配向していることを特徴とする請求項３または４に記載の蒸着マスク。
  6. 　上記マイクロセルロースは樹脂に混在されていることを特徴とする請求項１～５の何れか１項に記載の蒸着マスク。
  7. 　上記基材に、磁性体がさらに混在されていることを特徴とする請求項６に記載の蒸着マスク。
  8. 　上記蒸着粒子を通過させる第２開口部が設けられた金属製の第２マスク基板をさらに備え、上記第１マスク基板と上記第２マスク基板とが、平面視で上記第１開口部と上記第２開口部とが重なるように積層されていることを特徴とする請求項１～７の何れか１項に記載の蒸着マスク。
  9. 　上記第１開口部および上記第２開口部が形成された有効領域と、該有効領域を取り囲む周囲領域とを備え、
    　上記周囲領域における上記第１マスク基板には、上記第２マスク基板で塞がれた第３開口部が設けられていることを特徴とする請求項８に記載の蒸着マスク。
  10. 　上記周囲領域における上記第２マスク基板には、上記第１マスク基板で塞がれた第４開口部が設けられていることを特徴とする請求項９に記載の蒸着マスク。
  11. 　上記第１開口部および上記第２開口部が形成された有効領域と、該有効領域を取り囲む周囲領域とを備え、
    　上記周囲領域における上記第２マスク基板には、上記第１マスク基板で塞がれた第４開口部が設けられていることを特徴とする請求項８に記載の蒸着マスク。
  12. 　請求項１～１１の何れか１項に記載の蒸着マスクと、
    　上記蒸着マスクに向かって上記蒸着粒子を射出する蒸着源と、を備えていることを特徴とする蒸着装置。
  13. 　第１マスク基板を備え、上記第１マスク基板に、被成膜基板上に蒸着膜を成膜するための蒸着粒子を通過させる第１開口部が設けられた蒸着マスクの製造方法であって、
    　上記第１マスク基板を成形する成形工程を含み、
    　上記成形工程では、繊維状のマイクロセルロースを含む材料を用いて、基材に上記マイクロセルロースを含む上記第１マスク基板を成形することを特徴とする蒸着マスクの製造方法。
  14. 　上記成形工程で上記マイクロセルロースの配向処理を行うことを特徴とする請求項１３に記載の蒸着マスクの製造方法。
  15. 　磁場を印加しながら上記第１マスク基板を成形することで上記配向処理が行われることを特徴とする請求項１４に記載の蒸着マスクの製造方法。
  16. 　上記成形工程で成形した上記第１マスク基板にレーザ光を照射することにより、上記第１マスク基板に上記第１開口部を形成する開口部形成工程をさらに含んでいることを特徴とする請求項１３～１５の何れか１項に記載の蒸着マスクの製造方法。
  17. 　上記成形工程では、上記第１マスク基板の上記第１開口部の形成領域に対応して凸部が設けられた成形型を使用して上記第１マスク基板の成形を行うことを特徴とする請求項１３～１５の何れか１項に記載の蒸着マスクの製造方法。
  18. 　上記凸部は除去可能に設けられており、上記第１マスク基板の成形後に上記凸部を除去することを特徴とする請求項１７に記載の蒸着マスクの製造方法。
  19. 　上記成形工程では、金属製の第２マスク基板上に上記第１マスク基板を成形するとともに、
    　上記第１マスク基板に上記第１開口部を形成する第１開口部形成工程と、
    　上記第２マスク基板に、上記蒸着粒子を通過させる第２開口部を形成する第２開口部形成工程と、をさらに備え、
    　上記第１開口部形成工程および上記第２開口部形成工程において、上記第１開口部と上記第２開口部とは、平面視で上記第１開口部と上記第２開口部とが重なるように形成されることを特徴とする請求項１３～１５の何れか１項に記載の蒸着マスクの製造方法。
  20. 　上記蒸着マスクは、上記第１開口部および上記第２開口部が形成された有効領域と、該有効領域を取り囲む周囲領域とを備え、
    　上記周囲領域における上記第１マスク基板に、上記第２マスク基板で塞がれた第３開口部を形成する第３開口部形成工程と、上記周囲領域における上記第２マスク基板に、上記第１マスク基板で塞がれた第４開口部を形成する第４開口部形成工程と、をさらに備えていることを特徴とする請求項１９に記載の蒸着マスクの製造方法。
  21. 　上記材料は、樹脂に上記マイクロセルロースが混在されていることを特徴とする請求項１３～２０の何れか１項に記載の蒸着マスクの製造方法。
  22. 　上記材料に磁性体がさらに混在されていることを特徴とする請求項２１に記載の蒸着マスクの製造方法。
  23. 　請求項１～１１の何れか１項に記載の蒸着マスクを用いて被成膜基板に蒸着膜を成膜するエレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法であって、
    　上記蒸着膜がエレクトロルミネッセンス表示装置の発光層であり、上記被成膜基板が上記エレクトロルミネッセンス表示装置の電極基板であり、上記電極基板に上記発光層を成膜することを特徴とするエレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7220030B2 (ja) * 2018-07-25 2023-02-09 株式会社ジャパンディスプレイ マスクユニットの製造装置
US11659759B2 (en) * 2021-01-06 2023-05-23 Applied Materials, Inc. Method of making high resolution OLED fabricated with overlapped masks
KR20230020035A (ko) * 2021-08-02 2023-02-10 삼성디스플레이 주식회사 증착용 마스크

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004043898A (ja) * 2002-07-12 2004-02-12 Canon Electronics Inc 蒸着用マスク、および有機エレクトロルミネセンス表示装置
JP2012077328A (ja) * 2010-09-30 2012-04-19 Mitsubishi Plastics Inc 蒸着用マスク、その製造方法及び蒸着方法
JP2016006131A (ja) * 2014-06-20 2016-01-14 学校法人同志社 プリプレグ積層体

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5268225A (en) * 1990-08-16 1993-12-07 The University Of Akron Self reinforced thermoplastic composite laminate
US6897164B2 (en) * 2002-02-14 2005-05-24 3M Innovative Properties Company Aperture masks for circuit fabrication
US20050130422A1 (en) * 2003-12-12 2005-06-16 3M Innovative Properties Company Method for patterning films
KR20120105292A (ko) * 2011-03-15 2012-09-25 삼성디스플레이 주식회사 증착 마스크 및 증착 마스크 제조 방법

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004043898A (ja) * 2002-07-12 2004-02-12 Canon Electronics Inc 蒸着用マスク、および有機エレクトロルミネセンス表示装置
JP2012077328A (ja) * 2010-09-30 2012-04-19 Mitsubishi Plastics Inc 蒸着用マスク、その製造方法及び蒸着方法
JP2016006131A (ja) * 2014-06-20 2016-01-14 学校法人同志社 プリプレグ積層体

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