WO2018095908A1 - Bauteil mit einem optoelektronischen bauelement - Google Patents

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WO2018095908A1
WO2018095908A1 PCT/EP2017/079923 EP2017079923W WO2018095908A1 WO 2018095908 A1 WO2018095908 A1 WO 2018095908A1 EP 2017079923 W EP2017079923 W EP 2017079923W WO 2018095908 A1 WO2018095908 A1 WO 2018095908A1
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conversion
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Ivar Tangring
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Ams Osram International GmbH
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Osram Opto Semiconductors GmbH
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    • H10H20/855—Optical field-shaping means, e.g. lenses
    • H10H20/856—Reflecting means

Definitions

  • the invention relates to a component according to claim 1 and a method for producing a component according to claim 14.
  • the component is designed to generate an electromagnetic radiation.
  • the component has a conversion element on a radiation side.
  • the conversion element is designed to shift the radiation of the component in the wavelength.
  • the object of the invention is to provide an improved component.
  • An advantage of the described component is that with low radiation losses, a concentration of the electromagnetic radiation is achieved.
  • a component with an optoelectronic component wherein the component is designed to generate an electromagnetic radiation, wherein the compo ⁇ ment emits the radiation via an upper radiation side and mallli ⁇ che radiating sides, wherein above the upper Abstrahlsei te an upper conversion layer is provided, whereby Lateral next to the lateral Abstrahltre lateral conversion layers are provided, wherein the conversion layers are formed in order to move the radiation in the wavelengthSullivans ⁇ least partially, wherein side scatter layers are provided laterally next to the side borrowed conversion layers, wherein on the upper conversion view an upper scattering layer is provided, wherein the upper litter layer ei ⁇ ne emission has, wherein the emission opening is arranged above the upper emission side.
  • the emission opening may be completely or at least teilwei ⁇ se disposed over the top emission side. Depending on the selected embodiment, the emission opening can be arranged centrally to the upper emission side.
  • the device has a mirror surface, wherein the mirror surface is formed on a lower side of the construction ⁇ element to reflect incident radiation in Rich ⁇ tion on the emission side. As a result, the luminous efficacy is increased.
  • a lower litter layer is provided, wherein the lower litter layer covers an underside of the component. As a result, the light yield is further increased.
  • the component has a semiconductor chip, wherein the semiconductor chip has an active zone for generating the electromagnetic radiation.
  • the semiconductor chip may be formed as a light emitting diode.
  • the emission opening is smaller than the emission side.
  • a concentration of the electro ⁇ magnetic radiation is achieved.
  • the lateral conversion layers have a width in the direction of the side surfaces which is smaller than a height of the upper conversion layer, in particular less than 50% of the height of the upper conversion layer. Layer 14 are. This achieves sufficient conversion and high light output.
  • the diffusing layers comprise a matrix material and scattering particles, wherein the matrix material has a refractive index of less than 1.45 for the electromagnetic ⁇ specific radiation of the component and the converted Strah ⁇ lung, in particular, the scattering particles 60% to 80% Represent percent by weight of the litter layer.
  • the matrix material has a refractive index of less than 1.45 for the electromagnetic ⁇ specific radiation of the component and the converted Strah ⁇ lung, in particular, the scattering particles 60% to 80% Represent percent by weight of the litter layer.
  • a transparent plate is arranged in the emission opening. This allows the component to be better protected.
  • the conversion layers are integrally formed in one part. This allows the Konversi ⁇ on advertising regardless of the angle uniform designed to.
  • the lateral conversion layers are formed in the form of a peripheral frame, wherein the re obe ⁇ conversion layer is formed as a separate layer.
  • the emission opening is arranged in particular centrally above the emission side. As a result, a low-loss concentration of the radiation can be achieved.
  • the emission opening is smaller than 90% of the upper emission side, in particular smaller than 50% of the upper emission side.
  • a concentration of the radiation can be achieved.
  • a transparent support is provided, wherein the component is arranged on the carrier, and wherein the carrier has the upper emission side.
  • a method for manufacturing a component propose pre ⁇ , wherein an optoelectronic component will hold uncomfortablege ⁇ , wherein the device is adapted to generate electromagnetic radiation, said Bauele ⁇ element is adapted to the radiation over an upper waste emitting beam side and lateral Abstrahl behavior, wherein a subcarrier is hasslegehal ⁇ th with an upper conversion layer , wherein the device is placed with the upper radiating side on the upper conversion layer of the subcarrier, wherein in addition to the lateral Abstrahltru is formed, wherein the conversion ⁇ layers are formed to at least partially shift the radiation in wavelength, the Bauele ⁇ ment is solved with the conversion layers of the subcarrier, wherein the device with the conversion layers ge ⁇ rotates and with e iner underside is placed on a second auxiliary ⁇ carrier, wherein a transparent plate is placed on an upper side of the device, wherein the arrangement is laterally next to the lateral conversion layers covered with lateral litter layers,
  • Component is laterally next to the material plate covered with a obe ⁇ ren litter layer, wherein the material plate is an emission opening. Depending on the selected design, the plate can then be removed again.
  • FIG. 2 is a plan view of the component of FIG. 1
  • FIG. 3 is a plan view of an underside of the construction ⁇ part of FIG. 1
  • Fig. 4 shows a cross section through a further exporting ⁇ approximate shape of a component
  • FIG. 6 is a plan view of the component of FIG. 5
  • FIG. 7 is a cross section through a further exporting ⁇ approximate shape of a component
  • FIG. 8 shows a plan view of the component of FIG. 7
  • FIG. 9 shows a cross section through a further component
  • FIG. 10 is a plan view of the component of Fig. 9,
  • 11 to 19 show process steps for a method for producing a component.
  • Fig. 1 shows a schematic cross-section in a zx plane by a component 1, which has an optoelectronic Bauele ⁇ member 2.
  • the device 2 is designed to generate electromagnetic radiation.
  • the construction ⁇ element 2 may be formed in the form of a semiconductor chip having an active zone 8.
  • the active region 8 is beispiels-, by a pn-semiconductor layer structure shown, which is adapted to bear witness to electromagnetic radiation to he ⁇ .
  • the optoelectronic component can be designed to generate blue light.
  • the device 2 is arranged on an underside of a carrier 3.
  • the carrier 3 is formed from a material transparent to the radiation of the component 2.
  • the carrier 3 may be formed of sapphire. Depending on the embodiment chosen, materials other than sapphire may be used.
  • the carrier may be formed of a transparent semiconductor material.
  • the component 2 On a lower side 4, the component 2 has electrical contact surfaces 5, 6.
  • the electrical contact surfaces 5, 6 are formed for example in the form of solder pads.
  • the construction ⁇ element 2 has, for example, a square or rectangular ⁇ rectangular base.
  • the Trä ⁇ ger 3 has a square or rectangular base.
  • the carrier 3 and the component 2 may be the same size or have different sizes.
  • the contact surfaces 5, 6 also have a square or rectangular Grundflä ⁇ surface.
  • the component 2 has a mirror layer 7 on the underside 4.
  • the mirror layer 7 is formed to reflect the generated from Bauele ⁇ ment 2 electromagnetic radiation towards the support 3 back.
  • the active zone 8 is arranged closer to the bottom 4 than to the carrier 3 in the component 2.
  • the contact surfaces 5, 6 By means of the contact surfaces 5, 6, an electrical contacting of the p- and n-layers of the semiconductor component can be achieved in order to supply the active zone 8 with the generation of electromagnetic radiation with electricity.
  • the material of the device 2 is also transparent to the radiation of the component 2.
  • the Spie ⁇ gel layer 7 may cover the entire underside, or at least partial areas of the underside of the component. 2
  • the mirror layer 7 may have a metal layer or semiconductor layers ⁇ .
  • the component 2 and the carrier 3 each have four side surfaces 9, 10, 11, 12. In the Darge ⁇ easily cross-section, the first side surface 9 and the third side surface 11 shown. Furthermore, the construction ⁇ element 2 with the carrier 3 an upper radiation side 13.
  • the side surfaces 9, 10, 11, 12 represent lateral Abstrahlfact.
  • the side surfaces 9, 10, 11, 12 are circumferentially covered with a lateral conversion layer 15.
  • the upper emission ⁇ side 13 is covered with an upper conversion layer 14.
  • the conversion layers 14, 15 comprise conversion material which is designed to shift the radiation of the component 2 in the wavelength.
  • the conversion layers 14, 15 may comprise a matrix material with a conversion material.
  • the matrix material may comprise, for example, silicone.
  • the conversion material may, for example, comprise a phosphor material.
  • a height 27 of the upper conversion layer 14 in the z-axis may be equal to a width of the lateral conversion layer 15 in the x-axis.
  • the lateral conversion layer 15 may have a smaller width 28 than the height 27 of the upper conversion layer 14.
  • the height of the upper conversion layer 14 is measured pa ⁇ rallel to the z-axis.
  • the width of the lateral conversion layer 15 is measured parallel to the x-axis.
  • the upper conversion layer 14 and the lateral Konversi ⁇ ons slaughter 15 form a conversion element, which the Bauele ⁇ element 2 on the upper surfaces 13 and to the emission side soflä- 9, 10, 11, surrounds 12th
  • the lateral conversion element 15 is covered on further side surfaces 16, 17, 18, 19 by a litter layer 20.
  • the scattering layer 20 also covers another upper side 21 of the upper conversion layer 14 in FIG a circumferential edge region 22.
  • the second edge region 22 extends, starting from the further side surfaces 16, 17, 18, 19, a predetermined distance in the direction of a central region of the further top side 21.
  • the scattering layer 20 has an emission opening 23, which extends above the upper emission side 13 of the component 2 is arranged.
  • the radiating aperture 23 may be free of material or filled with a transparent layer of material.
  • a further underside 25 of the lateral conversion layer 15 may also be covered with a further scattering layer 26.
  • the further scattering layer 26 may extend to the bottom 4 of the construction ⁇ element 2, in particular the entire bottom 4 of the device, which is not covered by the first or second contact layer 5, 6, cover.
  • the litter layer 20 is formed integrally with the further litter layer 26.
  • the diffusing layer 20 comprises a matrix material in which scattering particles are contained ⁇ .
  • the matrix material may comprise a Bre ⁇ deviation index which is less than 1.45.
  • scattering particles ⁇ example titanium oxide can be used.
  • the titanium oxide particles may be present having a packing density in the matrix material, which lies between 60 and 80 weight percent Ge ⁇ .
  • a height 27 of the upper conversion layer 14, which is arranged parallel to the z-axis, can lie between 30 and 150 ⁇ m.
  • a width 28 of the lateral conversion layers 15 can be as wide as the upper conversion layer 14 is high.
  • the width 28 of the lateral conversion ⁇ layer 15 may be smaller than the height 27 of the upper Konversi ⁇ ons slaughter 14.
  • the width 28 of the lateral conversion layer 15 may be in the range of half the height 27 of the upper conversion layer 14.
  • the mirror layer 7 may be made of silver, for example.
  • the mirror layer 7 may have a larger reflectance for electromagnetic radiation having a longer wavelength than for electromagnetic radiation having a shorter wavelength.
  • the mirror layer 7 can for green and red light reflectance aufwei ⁇ sen, which may be in the range 94-95%.
  • the reflectance of the mirror layer 7 may be in the range of 90%.
  • the component 2 can generate, for example, blue light.
  • the blue light of the component 2 is converted to red light and / or green light.
  • the scattering layer 20 ensures that the radiation which is radiated from the conversion layers 14, 15 in the scattering layer 20, is again scattered back in the convergence ⁇ sion layers 15, 14th
  • the radiation twice passes through the width 28 of the lateral conversion layer 15.
  • a high proportion of the radiation is shifted in wavelength. This is advantageous because the ak ⁇ tive zone 8 of the component having a higher degree of absorption for the wavelength of the emitted radiation than for the converted radiation.
  • the wavelength shifted light is less absorbed by the active zone.
  • the described arrangement is particularly advantageous in the case of components which constitute so-called volume emitters, in which a not inconsiderable proportion of the radiation is emitted via the side surfaces. Due to the arrangement of the litter layer 20 in the edge region 22 on the upper conversion layer 14, a limitation of the outwardly effective radiating surface to the emission opening 23 is achieved, which is smaller than the upper emission side 13. Depending on the size of the emission opening 23 thus the radiation generated by the device 2 can be concentrated on a desired klei ⁇ nere radiation opening 23rd Thus, from a component 2, which is formed in the form of a volume emitter, a component which emits electromagnetic radiation such as a surface emitter only via the emission opening 23.
  • Fig. 2 shows a schematic plan view of the component of Fig. 1, wherein no plate is provided.
  • the top view is shown in the x-y plane.
  • the contours of the carrier 3 and the component 2 are shown in dashed lines.
  • the contours of the lateral conversion layer 15 are shown with dashed lines.
  • the emission opening 23 essentially has the area of the upper emission side 13 of the component 2 and is arranged symmetrically with respect thereto. As already stated, the emission opening 23 can also have a larger or smaller area than the upper emission side 13 of the component 2.
  • FIG. 3 shows a schematic plan view of the underside of the component of FIG. 1.
  • Fig. 4 shows a cross section through a component 1, which is formed according to the embodiment of Fig. 1, but in the emission opening 23, a plate 24 is arranged made of a transparent material.
  • the plate 24 may e.g. made of glass or silicone.
  • the plate 24 is transparent to the radiation of the device 2 and the converted radiation.
  • FIG. 5 shows a cross section through a further component 1, in which the upper conversion layer 14 and the lateral conversion layer 15 are separated.
  • this execution form 15 has the lateral conversion layer to a height 29, which speaks ent ⁇ the height of the component 2 with the carrier.
  • a top 30 of the lateral Konversi ⁇ ons slaughter 15 is arranged at the same height as the upper Ab- Beam side 13.
  • the lateral conversion layer 15 is formed as a circumferential frame which covers the side surfaces 9, 10, 11, 12 of the component 2 and the carrier 3.
  • the second litter layer 20 has an upper side 31, which is arranged at the same height as the further upper side 21 of the upper conversion layer 14.
  • the upper Kon ⁇ version layer 14 covers in this embodiment, the re obe ⁇ emission side 13 and thus fills the emission opening 23 from.
  • This embodiment has the advantage that the construction ⁇ height of the component 1 in relation to the embodiment of Fig. 1 is reduced. In addition, a reduction of the absorption of the electromagnetic radiation before leaving the emission opening 23 is achieved.
  • the emission opening 23 is filled in this embodiment of the upper conversion layer 14 ⁇ . Also in this embodiment, the emission opening 23 may be smaller than the upper emission side 13. In this embodiment, the upper conversion layer 14 is then smaller than the upper emission opening 13th
  • Fig. 6 shows a schematic plan view of the device 1 of Fig. 5, wherein the contours of the lateral ⁇ conversion layer 15 and for the component 2 and the carrier 3 are shown gestri ⁇ smiles.
  • FIG. 7 shows, in a schematic cross section, a component 1 which is essentially constructed in accordance with the component 1 of FIG. 1.
  • the emission opening 23 in this embodiment on a smaller area than the top emission side 13 of the Bauelemen ⁇ tes. 2
  • the peripheral edge portion 22 of the litter ⁇ layer 20 which is net angeord ⁇ on the upper conversion layer 14, designed wider than in the component 1 of FIG. 1.
  • a transparent material in particular a transparent plate arranged
  • FIG. 8 shows a schematic plan view of the component 1 of Fig. 7, wherein the materials are shown transparent.
  • FIG. 9 shows a schematic cross section through a component 1, which is formed substantially in accordance with the component 1 of FIG. 6. In this embodiment, however, the upper conversion layer 14 has a smaller area than the upper emission side 13 of the component 2.
  • Fig. 10 shows a schematic plan view of the component of FIG. 9, wherein the contours for the component 2, the Trä ⁇ ger 3 and for the lateral conversion layer 15 are shown in dashed lines.
  • FIGS. 11 to 17 show various method steps for a method of manufacturing a component according to the previously described embodiments.
  • Fig. 11 shows a cross section through an auxiliary carrier 32, on which a connecting layer 33 is applied.
  • an upper conversion layer 14 is arranged on the connecting layer 33.
  • Bau ⁇ elements 2 are placed with a top.
  • the components 2 may also have a carrier 3, wherein the carrier 3 is placed on the upper conversion layer 14.
  • the components 2, or the carrier 3 of the Bauele ⁇ elements 2 are connected, for example by using an adhesive layer having the upper conversion layer fourteenth
  • the component 2 and / or the carrier 3 are formed, for example, according to the pre ⁇ written embodiments.
  • a following process step which represents in Fig. 12 ones shown, is that spaces between the Bauelemen ⁇ th 2 are filled with partial conversion material 15.
  • the upper conversion material 14 and / or the lateral Kon ⁇ version material 15 may for example have a matrix material with a conversion material.
  • the lateral conversion material 15 and the upper conversion material 14 are circumscribed around the components 2 by means of a circumferential trench 35.
  • the trench 35 may, for example, by dicing in the lateral ⁇ conversion layer 15 and the upper conversion layer are introduced fourteenth This process status is shown in FIG. 13.
  • Fig. 14 shows a partial section of the arrangement of FIG. 13 from above, wherein the components 2 with the carriers 3 and the contact surfaces 5, 6 are visible.
  • Fig. 15 shows a subsequent step in which dissolved the components 2 with the upper conversion layers 14 and the side conversion layers 15 by the bonding layer 33 of the auxiliary carrier 32 and placed with the contact surfaces 5, 6 on a second tie layer 36 of a second Hilfsträ ⁇ gers 37 become. Subsequently, a plate 24 made of a transparent material is placed on the upper conversion layers 14 of the components 2, as shown in FIG. 16.
  • the scattering layer 20 adjoins laterally on the lateral conversion layers 15 of the components 2.
  • the scattering layer 20 covers an edge portion 22 an upper surface 21 of the upper conversion layers 14.
  • the scattering layer is filled 20 only up to an upper surface 38 of the plate 24th
  • second trenches 39 are introduced around the components 2 at a predetermined lateral distance from the lateral conversion layers 15, as shown in FIG. subse- zd the components 1 are released from the second connection layer 36 of the second subcarrier 37.
  • Fig. 19 shows a detail of a plan view of the arrangement of Fig. 18. In this way, components 1 he ⁇ hold, which are formed according to the component 1 of FIG.
  • the method described may also be used to make the other embodiments of the components.

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Abstract

Es wird ein Bauteil mit einem optoelektronischen Bauelement vorgeschlagen, wobei das Bauelement ausgebildet ist, um eine elektromagnetische Strahlung zu erzeugen, wobei das Bauelement die Strahlung über eine obere Abstrahlseite und seitliche Abstrahlseiten abgibt, wobei über der oberen Abstrahlseite eine obere Konversionsschicht vorgesehen ist, wobei seitlich neben den seitlichen Abstrahlseiten seitliche Konversionsschichten vorgesehen sind, wobei die Konversionsschichten ausgebildet sind, um die Strahlung in der Wellenlänge wenigstens teilweise zu verschieben, wobei seitlich neben den seitlichen Konversionsschichten seitliche Streuschichten vorgesehen sind, wobei über der oberen Konversionssicht eine obere Streuschicht vorgesehen ist, wobei die obere Streuschicht eine Abstrahlöffnung aufweist, wobei die Abstrahlöffnung über der oberen Abstrahlseite angeordnet ist.

Description

BAUTEIL MIT EINEM OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENT
BESCHREIBUNG
Die Erfindung betrifft ein Bauteil gemäß Patentanspruch 1 un ein Verfahren zum Herstellen eines Bauteiles gemäß Patentanspruch 14.
Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutsche Patentanmeldung DE 10 2016 122 472.3, deren Offenbarungsge¬ halt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird.
Im Stand der Technik sind Bauteile mit einem optoelektronischen Bauelement bekannt, wobei das Bauelement ausgebildet ist, um eine elektromagnetische Strahlung zu erzeugen. Zudem weist das Bauteil auf einer Abstrahlseite ein Konversionsele¬ ment auf. Das Konversionselement ist ausgebildet, um die Strahlung des Bauteiles in der Wellenlänge zu verschieben.
Die Aufgabe der Erfindung besteht darin, ein verbessertes Bauteil bereitzustellen.
Die Aufgabe der Erfindung wird mit den unabhängigen Patentan Sprüchen erreicht.
In den abhängigen Ansprüchen sind Weiterbildungen der Erfindung angegeben.
Ein Vorteil des beschriebenen Bauteils besteht darin, dass mit geringen Strahlungsverlusten eine Konzentration der elektromagnetischen Strahlung erreicht wird .
Es wird ein Bauteil mit einem optoelektronischen Bauelement vorgeschlagen, wobei das Bauelement ausgebildet ist, um eine elektromagnetische Strahlung zu erzeugen, wobei das Bauele¬ ment die Strahlung über eine obere Abstrahlseite und seitli¬ che Abstrahlseiten abgibt, wobei über der oberen Abstrahlsei te eine obere Konversionsschicht vorgesehen ist, wobei seit- lieh neben den seitlichen Abstrahlseiten seitliche Konversionsschichten vorgesehen sind, wobei die Konversionsschichten ausgebildet sind, um die Strahlung in der Wellenlänge wenigs¬ tens teilweise zu verschieben, wobei seitlich neben den seit- liehen Konversionsschichten seitliche Streuschichten vorgesehen sind, wobei über der oberen Konversionssicht eine obere Streuschicht vorgesehen ist, wobei die obere Streuschicht ei¬ ne Abstrahlöffnung aufweist, wobei die Abstrahlöffnung über der oberen Abstrahlseite angeordnet ist.
Die Abstrahlöffnung kann vollständig oder wenigstens teilwei¬ se über der oberen Abstrahlseite angeordnet sein. Abhängig von der gewählten Ausführung kann die Abstrahlöffnung mittig zur oberen Abstrahlseite angeordnet sein.
In einer Ausführung weist das Bauelement eine Spiegelfläche auf, wobei die Spiegelfläche auf einer unteren Seite des Bau¬ elementes ausgebildet ist, um auftreffende Strahlung in Rich¬ tung auf die Abstrahlseite zu reflektieren. Dadurch wird die Lichtausbeute erhöht.
In einer Ausführung eine untere Streuschicht vorgesehen, wobei die untere Streuschicht eine Unterseite des Bauelementes bedeckt. Dadurch wird die Leichtausbeute weiter erhöht.
In einer Ausführung weist das Bauelement einen Halbleiterchip auf, wobei der Halbleiterchip eine aktive Zone zum Erzeugen der elektromagnetischen Strahlung aufweist. Der Halbleiterchip kann als Leuchtdiode ausgebildet sein.
In einer Ausführung ist die Abstrahlöffnung kleiner als die Abstrahlseite. Dadurch wird eine Konzentration der elektro¬ magnetischen Strahlung erreicht. In einer Ausführung weisen die seitlichen Konversionsschichten eine Breite in Richtung auf die Seitenflächen auf, die kleiner ist als eine Höhe der oberen Konversionsschicht, ins¬ besondere kleiner als 50 % der Höhe der oberen Konversions- Schicht 14 sind. Dadurch wird eine ausreichenden Konversion und eine hohe Lichtausbeute erreicht.
In einer Ausführung weisen die Streuschichten ein Matrixmate- rial und Streupartikel auf, wobei das Matrixmaterial einen Brechungsindex von kleiner als 1,45 für die elektromagneti¬ sche Strahlung des Bauelementes und die konvertierte Strah¬ lung aufweist, wobei insbesondere die Streupartikel 60 % bis 80 % Gewichtsprozent der Streuschicht darstellen. Dadurch wird eine gute Rückstreuung und Konzentration der elektromag¬ netischen Strahlung auf die Ausstrahlöffnung erreicht.
In einer Ausführung ist in der Abstrahlöffnung eine transparente Platte angeordnet. Dadurch kann das Bauteil besser ge- schützt werden.
In einer Ausführung sind die Konversionsschichten zusammenhängend in einem Teil ausgebildet. Dadurch kann die Konversi¬ on unabhängig vom Abstrahlwinkel gleichmäßiger gestaltet wer- den.
In einer Ausführung sind die seitlichen Konversionsschichten in Form eines umlaufenden Rahmens ausgebildet, wobei die obe¬ re Konversionsschicht als separate Schicht ausgebildet ist. Dadurch kann eine Verbesserung der Abstrahleigenschaften erreicht werden.
In einer Ausführung ist die Abstrahlöffnung insbesondere mittig über der Abstrahlseite angeordnet. Dadurch kann eine verlustarme Konzentration der Strahlung erreicht werden.
In einer Ausführung ist die Abstrahlöffnung kleiner als 90 % der oberen Abstrahlseite, insbesondere kleiner als 50% der oberen Abstrahlseite ist. Dadurch kann eine Konzentration der Strahlung erreicht werden. In einer Ausführung ist ein transparenter Träger vorgesehen, wobei das Bauelement auf dem Träger angeordnet ist, und wobei der Träger die obere Abstrahlseite aufweist. Es wird ein Verfahren zum Herstellen eines Bauteils vorge¬ schlagen, wobei ein optoelektronisches Bauelement bereitge¬ halten wird, wobei das Bauelement ausgebildet ist, um eine elektromagnetische Strahlung zu erzeugen, wobei das Bauele¬ ment ausgebildet ist, um die Strahlung über eine obere Ab- strahlseite und seitliche Abstrahlseiten abzugeben, wobei ein Hilfsträger mit einer oberen Konversionsschicht bereitgehal¬ ten wird, wobei das Bauelement mit der oberen Abstrahlseite auf die obere Konversionsschicht des Hilfsträgers aufgelegt wird, wobei neben den seitlichen Abstrahlseiten des Bauele- mentes eine seitliche Konversionsschicht auf der oberen Kon¬ versionsschicht ausgebildet wird, wobei die Konversions¬ schichten ausgebildet sind, um die Strahlung in der Wellenlänge wenigstens teilweise zu verschieben, wobei das Bauele¬ ment mit den Konversionsschichten von dem Hilfsträger gelöst wird, wobei das Bauelement mit den Konversionsschichten ge¬ dreht wird und mit einer Unterseite auf einen zweiten Hilfs¬ träger gelegt wird, wobei auf eine Oberseite des Bauelementes eine transparente Platte aufgelegt wird, wobei die Anordnung seitlich neben den seitlichen Konversionsschichten mit seit- liehen Streuschichten bedeckt wird, wobei die Oberseite des
Bauelementes seitlich neben der Materialplatte mit einer obe¬ ren Streuschicht bedeckt wird, wobei die Materialplatte eine Abstrahlöffnung darstellt. Abhängig von der gewählten Ausführung kann die Platte anschließend wieder entfernt werden.
Die oben beschriebenen Eigenschaften, Merkmale und Vorteile dieser Erfindung sowie die Art und Weise, wie diese erreicht werden, werden klarer und deutlicher verständlich im Zusammenhang mit der folgenden Beschreibung der Ausführungsbeispiele, die im Zusammenhang mit den Zeichnungen näher erläutert werden, wobei Fig. 1 einen Querschnitt durch ein Bauteil,
Fig. 2 eine Draufsicht auf das Bauteil der Fig. 1, Fig. 3 eine Draufsicht auf eine Unterseite des Bau¬ teils der Fig. 1,
Fig. 4 einen Querschnitt durch eine weitere Ausfüh¬ rungsform eines Bauteils,
Fig. 5 einen Querschnitt durch ein weiteres Bauteil,
Fig. 6 eine Draufsicht auf das Bauteil der Fig. 5, Fig. 7 einen Querschnitt durch eine weitere Ausfüh¬ rungsform eines Bauteils,
Fig. 8 eine Draufsicht auf das Bauteil der Fig. 7, Fig. 9 einen Querschnitt durch ein weiteres Bauteil,
Fig. 10 eine Draufsicht auf das Bauteil der Fig. 9,
Fig. 11 bis 19 Verfahrensschritte für ein Verfahren zum Her- stellen eines Bauteils zeigt .
Fig. 1 zeigt einen schematischen Querschnitt in einer z-x- Ebene durch ein Bauteil 1, das ein optoelektronisches Bauele¬ ment 2 aufweist. Das Bauelement 2 ist ausgebildet, um eine elektromagnetische Strahlung zu erzeugen. Dazu kann das Bau¬ element 2 in Form eines Halbleiterchips ausgebildet sein, der eine aktive Zone 8 aufweist. Die aktive Zone 8 ist beispiels- weise durch eine p-n-Halbleiterschichtstruktur dargestellt, die ausgebildet ist, um elektromagnetische Strahlung zu er¬ zeugen. Beispielsweise kann das optoelektronische Bauelement ausgebildet sein, um blaues Licht zu erzeugen. In dem darge- stellten Ausführungsbeispiel ist das Bauelement 2 auf einer Unterseite eines Trägers 3 angeordnet. Der Träger 3 ist aus einem für die Strahlung des Bauelementes 2 transparenten Material gebildet. Beispielsweise kann der Träger 3 aus Saphir gebildet sein. Abhängig von der gewählten Ausführungsform können auch andere Materialien als Saphir verwendet werden. Beispielsweise kann der Träger aus einem transparenten Halbleitermaterial gebildet sein.
Auf einer Unterseite 4 weist das Bauelement 2 elektrische Kontaktflächen 5,6 auf. Die elektrischen Kontaktflächen 5, 6 sind beispielsweise in Form von Lotpads ausgebildet. Das Bau¬ element 2 weist beispielsweise eine quadratische oder recht¬ eckige Grundfläche auf. In der gleichen Weise weist der Trä¬ ger 3 eine quadratische oder rechteckige Grundfläche auf. Der Träger 3 und das Bauelement 2 können gleich groß sein oder unterschiedliche Größen aufweisen. Die Kontaktflächen 5, 6 weisen ebenfalls eine quadratische oder rechteckige Grundflä¬ che auf. Das Bauelement 2 weist abhängig von der gewählten Ausführungsform auf der Unterseite 4 eine Spiegelschicht 7 auf. Die Spiegelschicht 7 ist ausgebildet, um die vom Bauele¬ ment 2 erzeugte elektromagnetische Strahlung in Richtung auf den Träger 3 zurück zu spiegeln. Bei der dargestellten Ausbildung des Bauelementes 2 ist die aktive Zone 8 näher an der Unterseite 4 als am Träger 3 im Bauelement 2 angeordnet. Mithilfe der Kontaktflächen 5, 6 kann eine elektrische Kontaktierung der p- und n-Schichten des Halbleiterbauelements erreicht werden, um die aktive Zone 8 zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung mit Strom zu versorgen. Das Material des Bauelementes 2 ist ebenfalls transparent für die Strahlung des Bauelementes 2. Die Spie¬ gelschicht 7 kann die gesamte Unterseite oder wenigstens Teilbereiche der Unterseite des Bauelementes 2 bedecken. Die Spiegelschicht 7 kann eine Metallschicht oder Halbleiter¬ schichten aufweisen. Das Bauelement 2 und der Träger 3 weisen jeweils vier Seitenflächen 9, 10, 11, 12 auf. In dem darge¬ stellten Querschnitt sind die erste Seitenfläche 9 und die dritte Seitenfläche 11 dargestellt. Weiterhin weist das Bau¬ element 2 mit dem Träger 3 eine obere Abstrahlseite 13 auf. Die Seitenflächen 9, 10, 11, 12 stellen seitliche Abstrahlseiten dar.
Die Seitenflächen 9, 10, 11, 12 sind umlaufend mit einer seitlichen Konversionsschicht 15 bedeckt. Die obere Abstrahl¬ seite 13 ist mit einer oberen Konversionsschicht 14 bedeckt. Die Konversionsschichten 14, 15 weisen Konversionsmaterial auf, das ausgebildet ist, um die Strahlung des Bauelementes 2 in der Wellenlänge zu verschieben. Die Konversionsschichten 14, 15 können ein Matrixmaterial mit einem Konversionsmaterial aufweisen. Das Matrixmaterial kann beispielsweise Silikon aufweisen. Das Konversionsmaterial kann beispielsweise ein Phosphormaterial aufweisen. Somit wird jede Strahlung, die über die Seitenflächen 9, 10, 11 12 oder über die obere Abstrahlseite 13 vom Bauelement 2 abgegeben wird, durch die Konversionsschicht geführt. Die obere Konversionsschicht 14 und die seitliche Konversionsschicht 15 sind in dem Beispiel einteilig ausgebildet.
Abhängig von der gewählten Ausführungsform kann eine Höhe 27 der oberen Konversionsschicht 14 in der z-Achse gleich groß sein wie eine Breite der seitlichen Konversionsschicht 15 in der x-Achse. Zudem kann abhängig von der gewählten Ausführungsform die seitliche Konversionsschicht 15 eine geringere Breite 28 als die Höhe 27 der oberen Konversionsschicht 14 aufweisen. Die Höhe der oberen Konversionsschicht 14 wird pa¬ rallel zur z-Achse gemessen. Die Breite der seitlichen Kon- versionsschicht 15 wird parallel zur x-Achse gemessen.
Die obere Konversionsschicht 14 und die seitliche Konversi¬ onsschicht 15 bilden ein Konversionselement, das das Bauele¬ ment 2 auf der oberen Abstrahlseite 13 und an den Seitenflä- chen 9, 10, 11, 12 umgibt. Das seitliche Konversionselement 15 ist an weiteren Seitenflächen 16, 17, 18, 19 von einer Streuschicht 20 bedeckt. Die Streuschicht 20 bedeckt zudem eine weitere Oberseite 21 der oberen Konversionsschicht 14 in einem umlaufenden Randbereich 22. Der zweite Randbereich 22 erstreckt sich ausgehend von den weiteren Seitenflächen 16, 17, 18, 19 eine vorgegebene Strecke in Richtung auf einen Mittenbereich der weiteren Oberseite 21. Die Streuschicht 20 weist eine Abstrahlöffnung 23 auf, die über der oberen Abstrahlseite 13 des Bauelementes 2 angeordnet ist. Abhängig von der gewählten Ausführungsform kann die Abstrahlöffnung 23 frei von Material sein oder mit einer transparenten Materialschicht gefüllt sein.
Abhängig von der gewählten Ausführungsform kann auch eine weitere Unterseite 25 der seitlichen Konversionsschicht 15 mit einer weiteren Streuschicht 26 bedeckt sein. Die weitere Streuschicht 26 kann sich bis auf die Unterseite 4 des Bau¬ elementes 2 erstrecken, insbesondere die gesamte Unterseite 4 des Bauelementes, die nicht von der ersten oder zweiten Kontaktschicht 5, 6 bedeckt ist, bedecken.
In der dargestellten Ausführungsform ist die Streuschicht 20 mit der weiteren Streuschicht 26 einteilig ausgebildet. Die Streuschicht 20 weist ein Matrixmaterial auf, in dem Streu¬ partikel enthalten sind. Das Matrixmaterial kann einen Bre¬ chungsindex aufweisen, der kleiner als 1,45 ist. Als Streu¬ partikel können beispielsweise Titanoxidpartikel verwendet werden. Die Titanoxidpartikel können mit einer Packungsdichte im Matrixmaterial enthalten sein, die zwischen 60 und 80 Ge¬ wichtsprozent liegt.
Eine Höhe 27 der oberen Konversionsschicht 14, die parallel zur z-Achse angeordnet ist, kann zwischen 30 und 150 ym lie- gen. Eine Breite 28 der seitlichen Konversionsschichten 15 kann so breit sein, wie die obere Konversionsschicht 14 hoch ist. Zudem kann die Breite 28 der seitlichen Konversions¬ schicht 15 kleiner sein als die Höhe 27 der oberen Konversi¬ onsschicht 14. Insbesondere kann die Breite 28 der seitlichen Konversionsschicht 15 im Bereich der Hälfte der Höhe 27 der oberen Konversionsschicht 14 liegen. Die Spiegelschicht 7 kann beispielsweise aus Silber bestehen. Die Spiegelschicht 7 kann einen größeren Reflexionsgrad für elektromagnetische Strahlung mit einer längeren Wellenlänge als für elektromagnetische Strahlung mit einer kürzeren Wel- lenlänge aufweisen. Zum Beispiel kann die Spiegelschicht 7 für grünes und für rotes Licht einen Reflexionsgrad aufwei¬ sen, der im Bereich zwischen 94 und 95 % liegen kann. Für kurzwelligeres Licht, wie zum Beispiel blaues Licht, kann der Reflexionsgrad der Spiegelschicht 7 im Bereich von 90 % lie- gen.
Das Bauelement 2 kann z.B. blaues Licht erzeugen. Durch die Anordnung der seitlichen Konversionsschicht 15 wird das blaue Licht des Bauelementes 2 zu rotem Licht und/oder grünem Licht konvertiert. Zudem sorgt die Streuschicht 20 dafür, dass Strahlung, die von den Konversionsschichten 14, 15 in die Streuschicht 20 gestrahlt wird, wieder zurück in die Konver¬ sionsschichten 15, 14 gestreut wird. Somit durchläuft die Strahlung zweimal die Breite 28 der seitlichen Konversions- schicht 15. Dadurch wird ein hoher Anteil der Strahlung in der Wellenlänge verschoben. Dies ist von Vorteil, da die ak¬ tive Zone 8 des Bauelementes einen höheren Absorptionsgrad für die Wellenlänge der emittierten Strahlung als für die konvertierte Strahlung aufweist. Somit wird das in der Wel- lenlänge verschobene Licht weniger stark von der aktiven Zone absorbiert. Durch das Vorsehen der seitlichen Konversions¬ schicht werden Absorptionsverluste innerhalb des Bauelementes 2 reduziert. Die beschriebene Anordnung ist insbesondere bei Bauelementen von Vorteil, die so genannte Volumenemitter darstellen, bei denen ein nicht unbeträchtlicher Anteil der Strahlung über die Seitenflächen abgestrahlt wird. Durch die Anordnung der Streuschicht 20 im Randbereich 22 auf der oberen Konversionsschicht 14 wird eine Begrenzung der nach außen wirksamen Abstrahlfläche auf die Abstrahlöffnung 23 erreicht, die kleiner ist als die obere Abstrahlseite 13. Abhängig von der Größe der Abstrahlöffnung 23 kann somit die vom Bauelement 2 erzeugte Strahlung auf eine gewünschte klei¬ nere Abstrahlöffnung 23 konzentriert werden. Somit wird aus einem Bauelement 2, das in Form eines Volumenemitters ausge- bildet ist, ein Bauteil, das elektromagnetische Strahlung wie ein Flächenemitter nur über die Abstrahlöffnung 23 abgibt.
Fig. 2 zeigt eine schematische Draufsicht auf das Bauteil der Fig. 1, wobei keine Platte vorgesehen ist. Die Draufsicht ist in der x-y-Ebene dargestellt. Die Konturen des Trägers 3 und des Bauelementes 2 sind mit gestrichelten Linien dargestellt. Zudem sind die Konturen der seitlichen Konversionsschicht 15 mit gestrichelten Linien dargestellt. Bei dieser Darstellung ist erkennbar, dass die Abstrahlöffnung 23 im Wesentlichen die Fläche der oberen Abstrahlseite 13 des Bauelementes 2 aufweist und symmetrisch dazu angeordnet ist. Wie bereits ausgeführt, kann die Abstrahlöffnung 23 auch eine größere o- der eine kleinere Fläche als die obere Abstrahlseite 13 des Bauelementes 2 aufweisen.
Fig. 3 zeigt eine schematische Draufsicht auf die Unterseite des Bauteils der Fig. 1.
Fig. 4 zeigt einen Querschnitt durch ein Bauteil 1, das gemäß der Ausführungsform der Fig. 1 ausgebildet ist, wobei jedoch in der Abstrahlöffnung 23 eine Platte 24 aus einem transparenten Material angeordnet ist. Die Platte 24 kann z.B. aus Glas oder Silikon bestehen. Die Platte 24 ist transparent für die Strahlung des Bauelementes 2 und die konvertierte Strah- lung.
Fig. 5 zeigt einen Querschnitt durch ein weiteres Bauteil 1, bei dem die obere Konversionsschicht 14 und die seitliche Konversionsschicht 15 getrennt sind. Bei dieser Ausführungs- form weist die seitliche Konversionsschicht 15 eine Höhe 29 auf, die der Höhe des Bauelementes 2 mit dem Träger 3 ent¬ spricht. Zudem ist eine Oberseite 30 der seitlichen Konversi¬ onsschicht 15 auf gleicher Höhe angeordnet wie die obere Ab- Strahlseite 13. Die seitliche Konversionsschicht 15 ist als umlaufender Rahmen ausgebildet, der die Seitenflächen 9, 10, 11, 12 des Bauelementes 2 und des Trägers 3 bedeckt. Weiterhin weist die zweite Streuschicht 20 eine Oberseite 31 auf, die auf gleicher Höhe wie die weitere Oberseite 21 der oberen Konversionsschicht 14 angeordnet ist. Die obere Kon¬ versionsschicht 14 bedeckt in dieser Ausführungsform die obe¬ re Abstrahlseite 13 und füllt damit die Abstrahlöffnung 23 aus. Diese Ausführungsform bietet den Vorteil, dass die Bau¬ höhe des Bauteils 1 gegenüber der Ausführungsform der Fig. 1 reduziert ist. Zudem wird eine Reduzierung der Absorption der elektromagnetischen Strahlung vor dem Verlassen der Abstrahlöffnung 23 erreicht. Die Abstrahlöffnung 23 wird in diesem Ausführungsbeispiel von der oberen Konversionsschicht 14 auf¬ gefüllt. Auch bei dieser Ausführungsform kann die Abstrahlöffnung 23 kleiner als die obere Abstrahlseite 13 sein. Bei dieser Ausführung ist die obere Konversionsschicht 14 dann auch kleiner als die obere Abstrahlöffnung 13.
Fig. 6 zeigt eine schematische Draufsicht auf das Bauteil 1 der Fig. 5, wobei die Konturen für die seitliche Konversions¬ schicht 15 und für das Bauelement 2 und den Träger 3 gestri¬ chelt dargestellt sind.
Fig. 7 zeigt in einem schematischen Querschnitt ein Bauteil 1, das im Wesentlichen gemäß dem Bauteil 1 der Fig. 1 aufgebaut ist. Im Gegensatz zur Ausführungsform des Bauteils 1 der Fig. 1 weist die Abstrahlöffnung 23 in dieser Ausführung eine kleinere Fläche als die obere Abstrahlseite 13 des Bauelemen¬ tes 2 auf. Somit ist der umlaufende Randbereich 22 der Streu¬ schicht 20, die auf der oberen Konversionsschicht 14 angeord¬ net ist, breiter ausgeführt als bei dem Bauteil 1 der Fig. 1. Abhängig von der gewählten Ausführung kann in der Abstrahl- Öffnung der Streuschicht 20 auch ein transparentes Material, insbesondere eine transparente Platte angeordnet
sein . Fig. 8 zeigt eine schematische Draufsicht auf das Bauteil 1 der Fig. 7, wobei die Materialien transparent dargestellt sind . Fig. 9 zeigt einen schematischen Querschnitt durch ein Bauteil 1, das im Wesentlichen gemäß dem Bauteil 1 der Fig. 6 ausgebildet ist. Bei dieser Ausführungsform weist jedoch die obere Konversionsschicht 14 eine geringere Fläche als die obere Abstrahlseite 13 des Bauelementes 2 auf.
Fig. 10 zeigt eine schematische Draufsicht auf das Bauteil der Fig. 9, wobei die Konturen für das Bauelement 2, den Trä¬ ger 3 und für die seitliche Konversionsschicht 15 gestrichelt dargestellt sind.
Die Fig. 11 bis 17 zeigen verschiedene Verfahrensschritte für ein Verfahren zum Herstellen eines Bauteils gemäß den vorher beschriebenen Ausführungsformen. Fig. 11 zeigt einen Querschnitt durch einen Hilfsträger 32, auf dem eine Verbindungsschicht 33 aufgebracht ist. Auf der Verbindungsschicht 33 ist eine obere Konversionsschicht 14 angeordnet. Auf die obere Konversionsschicht 14 werden Bau¬ elemente 2 mit einer Oberseite aufgelegt. Die Bauelemente 2 können auch einen Träger 3 aufweisen, wobei der Träger 3 auf die obere Konversionsschicht 14 aufgelegt wird. Gegenüberlie¬ gend zur Oberseite sind die ersten und zweiten Kontakte 5, 6 angeordnet. Die Bauelemente 2 bzw. die Träger 3 der Bauele¬ mente 2 werden beispielsweise mithilfe einer Klebeschicht mit der oberen Konversionsschicht 14 verbunden. Das Bauelement 2 und/oder der Träger 3 sind beispielsweise gemäß den vorab be¬ schriebenen Ausführungsformen ausgebildet.
In einem folgenden Verfahrensschritt, der in Fig. 12 darge- stellt ist, werden die Zwischenräume zwischen den Bauelemen¬ ten 2 mit seitlichem Konversionsmaterial 15 aufgefüllt. Das obere Konversionsmaterial 14 und/oder das seitliche Kon¬ versionsmaterial 15 können beispielsweise ein Matrixmaterial mit einem Konversionsmaterial aufweisen. Nach dem Aushärten des seitlichen Konversionsmaterials 15 werden das seitliche Konversionsmaterial 15 und das obere Konversionsmaterial 14 umlaufend um die Bauelemente 2 mithilfe eines umlaufenden Grabens 35 durchtrennt. Der Graben 35 kann beispielsweise mithilfe eines Sägeverfahrens in die seitliche Konversions¬ schicht 15 und die obere Konversionsschicht 14 eingebracht werden. Dieser Verfahrensstand ist in Fig. 13 dargestellt.
Fig. 14 zeigt einen Teilausschnitt auf die Anordnung der Fig. 13 von oben, wobei die Bauelemente 2 mit den Trägern 3 und die Kontaktflächen 5, 6 sichtbar sind.
Fig. 15 zeigt einen folgenden Verfahrensschritt, bei dem die Bauelemente 2 mit den oberen Konversionsschichten 14 und den seitlichen Konversionsschichten 15 von der Verbindungsschicht 33 des Hilfsträgers 32 gelöst und mit den Kontaktflächen 5, 6 auf eine zweite Verbindungsschicht 36 eines zweiten Hilfsträ¬ gers 37 aufgelegt werden. Anschließend wird auf die oberen Konversionsschichten 14 der Bauelemente 2 jeweils eine Platte 24 aus einem transparenten Material aufgelegt, wie in Fig. 16 dargestellt ist.
Bei einem folgenden Verfahrensschritt werden die Zwischenräu¬ me zwischen den Bauelementen 2 mit einer Streuschicht 20 aufgefüllt, wie in Fig. 17 dargestellt ist. Die Streuschicht 20 grenzt dabei seitlich an die seitlichen Konversionsschichten 15 der Bauelemente 2 an. Zudem bedeckt die Streuschicht 20 einen Randbereich 22 einer Oberseite 21 der oberen Konversionsschichten 14. Weiterhin grenzt die Streuschicht 20 seit¬ lich an die Platten 24. In der dargestellten Ausführungsform ist die Streuschicht 20 nur bis zu einer Oberseite 38 der Platte 24 aufgefüllt. In einem folgenden Verfahrensschritt werden um die Bauelemente 2 in einem vorgegeben seitlichen Abstand zu den seitlichen Konversionsschichten 15 zweite Gräben 39 eingebracht, wie in Fig. 18 dargestellt ist. Anschlie- ßend werden die Bauteile 1 von der zweiten Verbindungsschicht 36 des zweiten Hilfsträgers 37 gelöst.
Fig. 19 zeigt einen Ausschnitt auf eine Draufsicht auf die Anordnung der Fig. 18. Auf diese Weise werden Bauteile 1 er¬ halten, die gemäß dem Bauteil 1 der Fig. 4 ausgebildet sind.
Abhängig von der gewählten Ausführungsform kann das beschriebene Verfahren auch verwendet werden, um die anderen Ausführungsformen der Bauteile herzustellen.
BEZUGSZEICHENLISTE
1 Bauteil
2 Bauelement
3 Träger
4 Unterseite Bauelement
5 erste Kontaktfläche
6 zweite Kontaktfläche
7 Spiegelschicht
8 aktive Zone
9 erste Seitenfläche
10 zweite Seitenfläche
11 dritte Seitenfläche
12 vierte Seitenfläche
13 obere Abstrahlseite
14 obere Konversionsschicht
15 seitliche Konversionsschicht
16 erste weitere Seitenfläche
17 zweite weitere Seitenfläche
18 dritte weitere Seitenfläche
19 vierte weitere Seitenfläche
20 Streuschicht
21 weitere Oberseite
22 Randbereich
23 Abstrahlöffnung
24 Platte
25 weitere Unterseite Konversionsschicht
26 weitere Streuschicht
27 Höhe obere Konversionsschicht 14
28 Breite seitliche Konversionsschicht 15
29 Höhe seitliche Konversionsschicht
30 Oberseite seitliche Konversionsschicht
31 Oberseite zweite Streuschicht
32 Hilfsträger
33 Verbindungsschicht
35 Graben
36 zweite Verbindungsschicht
37 zweiter Hilfsträger Oberseite Platte zweiter Graben

Claims

PATENTA S PRÜCHE
Bauteil (1) mit einem optoelektronischen Bauelement (2), wobei das Bauelement (2) ausgebildet ist, um eine elekt¬ romagnetische Strahlung zu erzeugen, wobei das Bauelement (2) die Strahlung über eine obere Abstrahlseite (13) und seitliche Abstrahlseiten (9, 10, 11, 12) abgibt, wobei über der oberen Abstrahlseite (13) eine obere Konversi¬ onsschicht (14) vorgesehen ist, wobei seitlich neben den seitlichen Abstrahlseiten (9, 10, 11, 12) eine seitliche Konversionsschicht (15) vorgesehen ist, wobei die Konver¬ sionsschichten (14, 15) ausgebildet sind, um die Strahlung in der Wellenlänge wenigstens teilweise zu verschie¬ ben, wobei seitlich neben der seitlichen Konversionsschicht (15) eine seitliche Streuschichten (20) vorgese¬ hen ist, wobei über der oberen Konversionssicht (14) eine obere Streuschicht (20) vorgesehen ist, wobei die obere Streuschicht (20) eine Abstrahlöffnung (23) aufweist, wo¬ bei die Abstrahlöffnung (23) über der oberen Abstrahlseite (13) angeordnet ist.
Bauteil (1) nach Anspruch 1, wobei das Bauelement (2) ei¬ ne Spiegelfläche (7) aufweist, wobei die Spiegelfläche (7) auf einer unteren Seite (4) des Bauelementes (2) aus¬ gebildet ist, um Strahlung in Richtung auf die Abstrahlseite (13) zu reflektieren.
Bauteil (1) nach Anspruch 1 oder 2, wobei eine untere Streuschicht (26) vorgesehen ist, wobei die untere Streu¬ schicht (26) eine Unterseite (4) des Bauelementes (2) be¬ deckt .
Bauteil (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das Bauelement (2) einen Halbleiterchip aufweist, wo¬ bei der Halbleiterchip eine aktive Zone (8) zum Erzeugen der elektromagnetischen Strahlung aufweist.
5. Bauteil (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Abstrahlöffnung (23) kleiner als die Abstrahlsei¬ te (13) ist.
Bauteil (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die seitlichen Konversionsschichten (15) eine Breite (28) in Richtung auf die Seitenflächen (16, 17, 18, 19) aufweisen, die kleiner ist als eine Höhe (27) der oberen Konversionsschicht (14), insbesondere kleiner als 50 % der Höhe (27) der oberen Konversionsschicht (14) .
7. Bauteil (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Streuschichten (20, 26) ein Matrixmaterial und Streupartikel aufweisen, wobei das Matrixmaterial einen Brechungsindex von kleiner als 1,45 für die Strahlung aufweist, wobei insbesondere die Streupartikel 60 % bis 80 % Gewichtsprozent der Streuschicht (20, 26) darstel¬ len . 8. Bauteil (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wo¬ bei in der Abstrahlöffnung (23) eine transparente Platte (24) angeordnet ist.
9. Bauteil (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wo- bei die Konversionsschichten (14, 15) zusammenhängend in einem Teil ausgebildet sind.
10. Bauteil (1) nach einem der Ansprüche 1 bis 8, wobei die seitlichen Konversionsschichten (15) in Form eines umlau fenden Rahmens ausgebildet sind, wobei die obere Konver¬ sionsschicht (14) als separate Schicht ausgebildet ist.
11. Bauteil (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wo¬ bei die Abstrahlöffnung (23) mittig über der Abstrahlsei¬ te (13) angeordnet ist.
12. Bauteil (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wo¬ bei die Abstrahlöffnung (23) kleiner als 90 % der Abstrahlseite (13) ist.
Bauteil (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wo bei ein transparenter Träger (3) vorgesehen ist, wobe das Bauelement (2) auf dem Träger (3) angeordnet ist.
14. Verfahren zum Herstellen eines Bauteils, wobei ein opto- elektronisches Bauelement bereitgehalten wird, wobei das
Bauelement ausgebildet ist, um eine elektromagnetische Strahlung zu erzeugen, wobei das Bauelement ausgebildet ist, um die Strahlung über eine obere Abstrahlseite und seitliche Abstrahlseiten abzugeben, wobei ein Hilfsträger mit einer oberen Konversionsschicht bereitgehalten wird, wobei das Bauelement mit der oberen Abstrahlseite auf die obere Konversionsschicht des Hilfsträgers aufgelegt wird, wobei neben den seitlichen Abstrahlseiten des Bauelementes eine seitliche Konversionsschicht auf der oberen Kon- versionsschicht ausgebildet wird, wobei die Konversions¬ schichten ausgebildet sind, um die Strahlung in der Wellenlänge wenigstens teilweise zu verschieben, wobei das Bauelement mit den Konversionsschichten von dem Hilfsträger gelöst wird, wobei das Bauelement mit den Konversi- onsschichten gedreht wird und mit einer Unterseite auf einen zweiten Hilfsträger gelegt wird, wobei auf eine Oberseite des Bauelementes eine transparente Material¬ platte (24) aufgelegt wird, wobei die Anordnung seitlich neben den seitlichen Konversionsschichten mit seitlichen Streuschichten bedeckt wird, wobei die Oberseite des Bau¬ elementes seitlich neben der Materialplatte (24) mit ei¬ ner oberen Streuschicht bedeckt wird, wobei die Material¬ platte eine Abstrahlöffnung darstellt.
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