WO2018010770A1 - Source de dépôt par pulvérisation, appareil de dépôt par pulvérisation et procédé de fonctionnement d'une source de dépôt par pulvérisation - Google Patents

Source de dépôt par pulvérisation, appareil de dépôt par pulvérisation et procédé de fonctionnement d'une source de dépôt par pulvérisation Download PDF

Info

Publication number
WO2018010770A1
WO2018010770A1 PCT/EP2016/066551 EP2016066551W WO2018010770A1 WO 2018010770 A1 WO2018010770 A1 WO 2018010770A1 EP 2016066551 W EP2016066551 W EP 2016066551W WO 2018010770 A1 WO2018010770 A1 WO 2018010770A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
anode
deposition
plasma
cathode
substrate
Prior art date
Application number
PCT/EP2016/066551
Other languages
English (en)
Inventor
Ralph Lindenberg
Wolfgang Buschbeck
Andreas Lopp
Original Assignee
Applied Materials, Inc.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Applied Materials, Inc. filed Critical Applied Materials, Inc.
Priority to CN201680086705.7A priority Critical patent/CN109314035B/zh
Priority to KR1020197000993A priority patent/KR102140598B1/ko
Priority to PCT/EP2016/066551 priority patent/WO2018010770A1/fr
Priority to JP2019501727A priority patent/JP6946410B2/ja
Priority to TW106120913A priority patent/TWI665324B/zh
Publication of WO2018010770A1 publication Critical patent/WO2018010770A1/fr

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3411Constructional aspects of the reactor
    • H01J37/3414Targets
    • H01J37/3417Arrangements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3411Constructional aspects of the reactor
    • H01J37/3414Targets
    • H01J37/342Hollow targets
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3476Testing and control

Abstract

Selon un aspect de la présente invention, une source de dépôt par pulvérisation (100) avec au moins un assemblage électrode (120) configuré pour un dépôt par pulvérisation cathodique à deux côtés est fournie. L'assemblage électrode (120) comprend : une cathode (125) pour fournir un matériau cible à déposer, la cathode étant configurée pour générer un premier plasma (131) sur un premier côté de dépôt (10) et un second plasma (141) sur un second côté de dépôt (11) opposé au premier côté de dépôt (10); et un assemblage anode (130) avec au moins une première anode (132) disposée sur le premier côté de dépôt (10) pour influencer le premier plasma et au moins une deuxième anode (142) disposée sur le deuxième côté de dépôt (11) pour influencer le deuxième plasma. Selon un second aspect, l'invention concerne un appareil de dépôt doté d'une source de dépôt par pulvérisation (100). En outre, l'invention porte sur des procédés de fonctionnement d'une source de dépôt par pulvérisation.
PCT/EP2016/066551 2016-07-12 2016-07-12 Source de dépôt par pulvérisation, appareil de dépôt par pulvérisation et procédé de fonctionnement d'une source de dépôt par pulvérisation WO2018010770A1 (fr)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201680086705.7A CN109314035B (zh) 2016-07-12 2016-07-12 溅射沉积源、溅射沉积设备和操作溅射沉积源的方法
KR1020197000993A KR102140598B1 (ko) 2016-07-12 2016-07-12 스퍼터 증착 소스, 스퍼터 증착 장치 및 스퍼터 증착 소스를 동작시키는 방법
PCT/EP2016/066551 WO2018010770A1 (fr) 2016-07-12 2016-07-12 Source de dépôt par pulvérisation, appareil de dépôt par pulvérisation et procédé de fonctionnement d'une source de dépôt par pulvérisation
JP2019501727A JP6946410B2 (ja) 2016-07-12 2016-07-12 スパッタ堆積源、スパッタ堆積装置及びスパッタ堆積源を操作する方法
TW106120913A TWI665324B (zh) 2016-07-12 2017-06-22 濺射沉積源、濺射沉積設備及操作濺射沉積源之方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/EP2016/066551 WO2018010770A1 (fr) 2016-07-12 2016-07-12 Source de dépôt par pulvérisation, appareil de dépôt par pulvérisation et procédé de fonctionnement d'une source de dépôt par pulvérisation

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2018010770A1 true WO2018010770A1 (fr) 2018-01-18

Family

ID=56409101

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/EP2016/066551 WO2018010770A1 (fr) 2016-07-12 2016-07-12 Source de dépôt par pulvérisation, appareil de dépôt par pulvérisation et procédé de fonctionnement d'une source de dépôt par pulvérisation

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP6946410B2 (fr)
KR (1) KR102140598B1 (fr)
CN (1) CN109314035B (fr)
TW (1) TWI665324B (fr)
WO (1) WO2018010770A1 (fr)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112820619A (zh) * 2021-03-06 2021-05-18 东莞市峰谷纳米科技有限公司 一种等离子表面清洁装置

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1391842A (en) * 1971-08-04 1975-04-23 Elektromat Veb Apparatus for coating substrates by cathode sputtering and for cleaning by ion bombardment in the same vacuum vessel
JPS5562164A (en) * 1979-10-01 1980-05-10 Tokuda Seisakusho Ltd Sputtering unit
US5215638A (en) * 1991-08-08 1993-06-01 Leybold Aktiengesellschaft Rotating magnetron cathode and method for the use thereof
GB2331768A (en) * 1997-11-26 1999-06-02 Vapor Technologies Inc Apparatus for sputtering or arc evaporation including elongated rectangular target
RU2151439C1 (ru) * 1998-03-12 2000-06-20 Научно-исследовательский институт ядерной физики при Томском политехническом университете Магнетронная распылительная система
DE102013206210A1 (de) * 2013-04-09 2014-10-09 Von Ardenne Gmbh Vakuumbeschichtungsvorrichtung und Verfahren zur Mehrfachbeschichtung

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS51117933A (en) * 1975-04-10 1976-10-16 Tokuda Seisakusho Spattering apparatus
US5616225A (en) * 1994-03-23 1997-04-01 The Boc Group, Inc. Use of multiple anodes in a magnetron for improving the uniformity of its plasma
CN1134032A (zh) * 1995-03-23 1996-10-23 美国Boc氧气集团有限公司 为改善磁控管内等离子体均匀度的多个阳极的使用
TWI400996B (zh) * 2008-02-14 2013-07-01 Applied Materials Inc 基板處理裝置
KR100932694B1 (ko) * 2009-03-24 2009-12-21 한국진공주식회사 다층박막 코팅 장치 및 방법
KR101097329B1 (ko) * 2010-01-11 2011-12-23 삼성모바일디스플레이주식회사 스퍼터링 장치

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1391842A (en) * 1971-08-04 1975-04-23 Elektromat Veb Apparatus for coating substrates by cathode sputtering and for cleaning by ion bombardment in the same vacuum vessel
JPS5562164A (en) * 1979-10-01 1980-05-10 Tokuda Seisakusho Ltd Sputtering unit
US5215638A (en) * 1991-08-08 1993-06-01 Leybold Aktiengesellschaft Rotating magnetron cathode and method for the use thereof
GB2331768A (en) * 1997-11-26 1999-06-02 Vapor Technologies Inc Apparatus for sputtering or arc evaporation including elongated rectangular target
RU2151439C1 (ru) * 1998-03-12 2000-06-20 Научно-исследовательский институт ядерной физики при Томском политехническом университете Магнетронная распылительная система
DE102013206210A1 (de) * 2013-04-09 2014-10-09 Von Ardenne Gmbh Vakuumbeschichtungsvorrichtung und Verfahren zur Mehrfachbeschichtung

Also Published As

Publication number Publication date
KR20190016111A (ko) 2019-02-15
JP2019527301A (ja) 2019-09-26
TW201802276A (zh) 2018-01-16
KR102140598B1 (ko) 2020-08-03
JP6946410B2 (ja) 2021-10-06
TWI665324B (zh) 2019-07-11
CN109314035A (zh) 2019-02-05
CN109314035B (zh) 2021-09-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101709520B1 (ko) 기판 코팅 방법 및 코팅 장치
US20100181191A1 (en) Sputtering apparatus
US11624110B2 (en) Method of coating a substrate and coating apparatus for coating a substrate
KR102192566B1 (ko) 스퍼터 증착 소스, 스퍼터 증착 장치, 및 기판 상에 층을 증착하는 방법
KR102337787B1 (ko) 기판을 코팅하기 위한 방법들 및 코터
EP2811509A1 (fr) Configuration électronique pour des systèmes de dépôt pulvérisation magnétron
KR102140598B1 (ko) 스퍼터 증착 소스, 스퍼터 증착 장치 및 스퍼터 증착 소스를 동작시키는 방법
WO2018068833A1 (fr) Agencement d'aimants pour source de dépôt par pulvérisation et source de dépôt par pulvérisation magnétron
JP2018519427A (ja) スパッタ堆積プロセス中に少なくとも1つの基板を支持するためのキャリア、少なくとも1つの基板上にスパッタ堆積するための装置、および少なくとも1つの基板上にスパッタ堆積する方法
WO2022078592A1 (fr) Source de dépôt par pulvérisation cathodique, appareil de dépôt et procédé de revêtement d'un substrat

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 16738174

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20197000993

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2019501727

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 16738174

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1