WO2017162982A1 - Circuit optoelectronique comprenant des diodes electroluminescentes - Google Patents

Circuit optoelectronique comprenant des diodes electroluminescentes Download PDF

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WO2017162982A1
WO2017162982A1 PCT/FR2017/050664 FR2017050664W WO2017162982A1 WO 2017162982 A1 WO2017162982 A1 WO 2017162982A1 FR 2017050664 W FR2017050664 W FR 2017050664W WO 2017162982 A1 WO2017162982 A1 WO 2017162982A1
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optoelectronic circuit
voltage
circuit according
capacitor
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PCT/FR2017/050664
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Frédéric MERCIER
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Aledia
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    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B45/00—Circuit arrangements for operating light-emitting diodes [LED]
    • H05B45/40—Details of LED load circuits
    • H05B45/44—Details of LED load circuits with an active control inside an LED matrix
    • H05B45/48—Details of LED load circuits with an active control inside an LED matrix having LEDs organised in strings and incorporating parallel shunting devices
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B45/00—Circuit arrangements for operating light-emitting diodes [LED]
    • H05B45/30—Driver circuits
    • H05B45/357—Driver circuits specially adapted for retrofit LED light sources
    • H05B45/3574—Emulating the electrical or functional characteristics of incandescent lamps
    • H05B45/3575—Emulating the electrical or functional characteristics of incandescent lamps by means of dummy loads or bleeder circuits, e.g. for dimmers

Definitions

  • the present disclosure relates to a circuit ⁇ opto electronics, in particular an optoelectronic circuit comprising light emitting diodes.
  • An optoelectronic circuit used in particular for lighting, may be powered by a source of a variable voltage, for example the sinusoidal voltage of the sector.
  • switching power supply Buck type, double Buck, Flyback, Cuck, SEPIC, etc.
  • diode chain switched electroluminescent devices according to the supply voltage.
  • a disadvantage is that the dimmers have generally been designed to operate with incandescent lamp lighting circuits and may not function properly when connected to a light emitting diode optoelectronic circuit, as their power is often too low compared at the minimum power required by the dimmer.
  • An object of an embodiment is to overcome all or some of the disadvantages of optoelectronic circuits with light-emitting diodes previously described powered by an alternating voltage.
  • Another object of an embodiment is to allow proper operation of a dimmer placed between the source of the AC voltage and the optoelectronic circuit.
  • one embodiment provides an optoelectronic circuit for receiving, between a first terminal and a second terminal, a variable voltage containing an alternating increasing and decreasing stages, the circuit comprising opto ⁇ e:
  • a switching device adapted to allow or interrupt the flow of a current in each set;
  • the energy storage device comprises at least one capacitor.
  • the circuit opto ⁇ e comprises a first current source and, for each set, a first switch connecting the first current source to said assembly.
  • the first current source is adapted to supply a current whose intensity depends on a setpoint.
  • the impedance reduction device comprises a second current source and a second switch in series with the second current source.
  • the impedance reduction device comprises a control module of the second switch adapted to receive a signal representative of the current flowing through the first terminal or the current flowing in the energy storage device.
  • the sets of light-emitting diodes are mounted between a first node and a second node and the energy storage device is mounted between the first node and the second node.
  • the second current source and the second switch are mounted between the second node and a third node, the optoelectronic circuit further comprising at least one diode or one of the sets of light-emitting diodes between the third node and the first node.
  • the storage device comprises the capacitor and a resistor connected to the capacitor.
  • the capacitor and the resistor are connected in series between the first node and the second node.
  • the circuit opto ⁇ e further comprises a diode or a Schottky diode connected in parallel across the resistor.
  • the capacitor is mounted between the first node and the second node and the resistor is mounted between the second node and a fourth node.
  • the switching device is adapted to connect the sets of light-emitting diodes according to a plurality of connection configurations successively in a first order during each increasing phase of the variable voltage and a second order during each decreasing phase of the variable voltage.
  • FIG. 1 is an electrical diagram of an example of an optoelectronic circuit with light-emitting diodes comprising a switching device for the light-emitting diodes;
  • FIG. 2 is a timing diagram of signals of the optoelectronic circuit of FIG. 1;
  • FIG. 3 is an electrical diagram of an example of an optoelectronic circuit with light-emitting diodes comprising an energy storage device
  • FIG. 4 is an electrical diagram of an example of an optoelectronic circuit connected to a source of a sinusoidal voltage by a dimmer;
  • FIGS. 5 and 6 are timing diagrams of the voltage supplied by the dimmer of FIG. 4 respectively in the case of a delayed closing dimmer and a timed opening dimmer;
  • FIG. 7 is a circuit diagram of an example of an optoelectronic circuit with light-emitting diodes comprising an energy storage device and a device for varying the power supply current of the light-emitting diodes; and FIGS. 8 to 11 are electrical diagrams of embodiments of an optoelectronic light-emitting diode circuit, comprising an energy storage device and a light-emitting diode power supply dimming device, and which is suitable for use with a dimmer.
  • FIG. 1 represents a circuit diagram of an example of an optoelectronic circuit 10 comprising a switching device for light-emitting diodes.
  • the opto ⁇ electronic circuit 10 comprises a rectifier circuit 12, comprising for example a diode bridge 14, a receiving VJ supply voltage between terminals IN] _ and I3 ⁇ 4 and providing a rectified voltage V J between nodes A] _ and A2.
  • the circuit 10 can directly receive a rectified voltage, the rectifier circuit may then not be present.
  • the optoelectronic circuit 10 comprises N series sets of elementary light-emitting diodes, called global electroluminescent diodes Dj_ in the following description, where i is an integer ranging from 1 to N and where N is an integer between 2 and 200.
  • each global emitting diode D] ⁇ 3 ⁇ 4 comprises at least one elementary emitting diode and is preferably composed of the series connection and / or in parallel at least two elementary light emitting diodes.
  • N diodes electro ⁇ Dj_ overall luminescent are connected in series, the cathode of the overall Dj_ emitting diode being connected to the anode of the overall light-emitting diode D-j + 1 , for i ranging from 1 to Nl.
  • the anode of the overall light-emitting diode D] _ is connected to the node A] _.
  • the global light-emitting diodes Dj 1, i ranging from 1 to N, may comprise the same number of elementary light emitting diodes or different numbers of elementary light-emitting diodes.
  • the optoelectronic circuit 10 comprises a current source 22 supplying the current Icg, one terminal of which is connected to the node A2 and the other terminal of which is connected to a node A3.
  • the current source 22 may correspond to a resistor.
  • the opto-electronic circuit 10 comprises a device 24 for switching light emitting diodes adapted to gradually increase the number of diodes adviselumi ⁇ nescentes receiving the supply voltage V LIM during a growth phase of the supply voltage and to gradually decrease the number of electroluminescent diodes receiving the supply voltage V ⁇ LIM during a phase of decrease of the supply voltage.
  • the switching device 24 is generally adapted to short-circuit a larger or smaller number of global light-emitting diodes according to the evolution of the voltage ⁇ J - This makes it possible to reduce the duration of each phase of absence OFF of emission from light.
  • the device 24 comprises N controllable switches SW ] _ to Sl%.
  • Each switch SW-j, i ranging from 1 to N is mounted between the node A3 and the cathode of the global light emitting diode D-j.
  • Each switch SW-j, i ranging from 1 to N is controlled by a signal Sj_ provided by a control module 26.
  • the control module 26 may, in whole or in part, be realized by a dedicated circuit or may comprise a microprocessor or microcontroller adapted to execute a sequence of instructions stored in a memory.
  • the signal Sj_ is a binary signal and the switch SW-j_ is open when the signal Sj_ is in a first state, for example the low state, and the switch SW-j_ is closed when the signal Sj_ is in a second state, for example the high state.
  • the optoelectronic circuit 10 comprises one or more sensors connected to the control module 26. It can be a single sensor, for example a sensor adapted to measure the voltage V " ALIM OR the current flowing between the terminals IN ] _ and I3 ⁇ 4, or of several sensors, each sensor being able to be associated with an overall light-emitting diode D.sub.-By way of example, there is shown a single sensor 28 in FIG.
  • the control module 26 is adapted to control the closing or opening of the switches SW-1, i varying from 1 to N1, as a function of the value of the voltage V ⁇ JM according to a sequence from the measurement of a physical parameter, for example at least one current or a voltage.
  • the opening and closing of the switches SW-j can be controlled by the control module 26 from the signals supplied by the sensor or the sensors.
  • the opening and closing SW-j_ switches can be controlled from the measurement of the cathode voltage of each global LED Dj_.
  • the opening and closing of the SW-j switches can be controlled from the measurement of the voltage V OR of the voltage measurement at the cathode of each global light-emitting diode D 1.
  • the number of switches SW ] _ to Sl% may vary according to the opening and closing sequence implemented by the control module 26. For example, the switch Sl% may not be present .
  • the switching device 24 may have another structure than that shown in Figure 1.
  • the switching device 24 may have the structures described in the publication WO2016 / 001201 which is considered to be an integral part of the present application.
  • FIG. 2 represents evolution curves of the signals Sj_, i varying from 1 to N1 with N equal to 4 during a cycle of the voltage V ⁇ J in the case where the voltage VJN is a sinusoidal voltage for an example Switching method put implemented by the switching device 24.
  • the signals Sj_, i varying from 1 to Nl are initially at "1" so that the SW-j_ switches are on.
  • the switches SW1, SW2 and SW3 are successively open at times t1, t2 and t3 as the voltage V ⁇ JM is raised so that the global light emitting diodes D2, D3 and D4 are successively energized. while running.
  • the flicker ratio FR in English flicker ratio
  • the flicker rate is 100%. However, for some applications, it may be desirable to obtain a flicker rate strictly less than 100%.
  • FIG. 3 is a circuit diagram of an example of an optoelectronic circuit 40 comprising all the elements of the optoelectronic circuit 10 and further comprising a power storage device 42 which makes it possible to reduce flicker.
  • the device 42 comprises a capacitor C] _ connected in series with a resistor R] _ between the nodes A] _ and A2.
  • Resistance R] _ which may not be present, makes it possible to limit the maximum current that can be called by the capacitor C] _ and thus correct the power factor of the optoelectronic circuit 40 is called VC] _ voltage at the terminals of the measured capacitor C] _ of the node A] _ at the midpoint between the capacitor C ] _ and the resistor R ] _, we call IQ ] _ the current flowing through the capacitor C ] _ and is called VR ] _ the voltage across the resistor R ] _ measured the midpoint between the capacitor C ] _ and the resistor R] _ to the node A2.
  • the voltage V ⁇ J is equal to the voltage VJM and the diode bridge 14 is conducting.
  • the VJM voltage is applied to overall light-emitting diodes D] _ to DM and provides further charging of the capacitor C] _.
  • the voltage V ⁇ LIM is imposed by the capacitor C which feeds the global light emitting diodes D to DM and the diode bridge 14 is blocked.
  • the capacitor C ensures that the voltage V JM power electro luminescent diodes ⁇ overall remains above a minimum voltage strictly positive.
  • FIG. 4 shows, very schematically, an electronic system 50 comprising a source 52 of alternating voltage VgQURCE 'P ar example a sinusoidal voltage, a dimmer 54 receiving the alternative ⁇ SOURCE voltage and providing the supply voltage between VJM the terminals IN and I 2 of the optoelectronic circuit 10.
  • VgQURCE may be a sinusoidal voltage whose frequency is, for example, between 10 Hz and 1 MHz.
  • the voltage Vg Q CER corresponds, for example, to the mains voltage.
  • the dimmer 54 may be a phase-cut dimmer comprising an electronic switch whose conduction time is limited to a fraction of the period T of the voltage v SOURCE ⁇
  • FIG. 5 represents an example of evolution curve of the voltage VNN when the source voltage gQURCE is sinusoidal of period T and when the dimmer 54 is a leading edge dimmer.
  • the voltage VJN follows the signal g Q CERCE except for a duration T 'at the beginning of each positive and negative sine wave arc during which the voltage V j is substantially zero. Timed closing dimmers can be made with triacs.
  • FIG. 6 represents an example of evolution curve of the voltage VJN when the source voltage gQURCE is sinusoidal of period T and when the dimmer 54 is a trailing edge dimmer.
  • the voltage VJN follows the signal Vg Q URcj? with the exception of a duration T "at the end of each positive and negative sinusoidal arc during which the voltage V i is substantially zero.
  • the delayed-opening dimmers can be realized with MOS transistors.
  • a closing or delayed opening dimmer may comprise a variable resistor which makes it possible to modify the opening angle a.
  • FIG. 7 is an electrical diagram of an example of an optoelectronic circuit 60 comprising all the elements of the optoelectronic circuit 40 represented in FIG. 3 and in which the current source 22 is a current source adapted to provide a current Icg whose intensity depends on a setpoint Vc.
  • the setpoint Vc may correspond to a voltage proportional to the voltage V ⁇ LJJ ⁇ , for example a voltage supplied by a voltage divider bridge comprising two resistors] 3 ⁇ 4 and R3 connected in series between the nodes A] _ and A2, a terminal of the resistor R3 being connected to the node A2.
  • a capacitor C2 can be connected in parallel across the resistor R3.
  • the voltage Vc corresponds to the voltage at the terminals of the capacitor C2 and the intensity of the current Icg decreases when the voltage Vc decreases.
  • the setpoint Vc can be provided by a circuit external to the optoelectronic circuit 60.
  • the optoelectronic circuit 60 when used in the circuit of FIG. 4 in place of the optoelectronic circuit 10, it may cause the dimmer 50 to malfunction. Indeed, most of the commercially available dimmers 50 function only properly. if the equivalent impedance of the optoelectronic circuit they feed is sufficiently low. However, when the intensity of the current I g provided by the current source 22 of the optoelectronic circuit 60 decreases due to a decrease in the set point
  • FIG. 8 is an electrical diagram of an embodiment of an optoelectronic circuit 70.
  • the optoelectronic circuit 70 comprises all the elements of the optoelectronic circuit 40 represented in FIG. 3 and further comprises a device 71 for reducing the impedance seen between the terminals IN] _ and I 2.
  • the device 71 comprises a diode D interposed between the rectifier circuit 12 and the node A] _.
  • the cathode of the diode D is connected, preferably connected, to the node A] _ and the anode of the diode D is connected, preferably connected, to a node A4 connected to the rectifier circuit 12.
  • a terminal of the resistor R2 is connected to the node A4.
  • the device 71 furthermore comprises a switch SW and therefore a terminal is connected to the node A4, preferably connected to the node A4, and whose other terminal is connected to a terminal of an additional power source 72, the other of which terminal is connected to the node A2, preferably connected to the node A2.
  • the switch SW may comprise at least one MOS transistor.
  • the current source 72 may be adapted, when activated, to provide a constant current.
  • the device 71 furthermore comprises a module 74 for supplying a control signal S of the switch SW and, optionally, an activation signal Act of the additional current source 72.
  • the module 74 receives a signal representative of the current Ici- According to one embodiment, the module 74 receives the voltage V ] _ across the resistor R] _. According to another embodiment, the module 74 can receive a voltage proportional to the voltage for example provided by a voltage divider bridge. According to another embodiment, the module 74 receives the voltage across the resistor R3. In this case, it is preferable that the capacitor C2 is not present.
  • the module 74 may, in whole or in part, be realized by a dedicated circuit or may comprise a microprocessor or a microcontroller adapted to execute a sequence of instructions stored in a memory.
  • the switch SW is closed and the current source 72 is activated when the impedance seen by the dimmer 50 connected to the terminals IN ] _ and I3 ⁇ 4 is too high.
  • the current drawn by the current source 72 when one 'switch SW is closed results in a decrease of 1 impedance seen by the dimmer 50 connected to terminals IN] _ and I3 ⁇ 4 which can then function properly.
  • the control of the switch SW by the module 74 is made from a signal representative of the operating mode of the energy storage device 42, for example the voltage VR] _.
  • the voltage V ⁇ j when the absolute value of the voltage V ⁇ j is greater than the voltage Vc] _, the voltage V J is equal to the virtual jet voltage and the voltage VR] _ is strictly positive.
  • the capacitor C] _ that feeds the overall light emitting diodes. The voltage VR] _ is then negative.
  • the module 74 is adapted to detect that the voltage V ] _ decreases below a threshold to control the closing of the switch SW and the activation of the current source 72.
  • the diode D prevents current flow from the node A ] _ to the node A4, and thus the discharge of the capacitor C ] _.
  • FIG 9 is an electrical diagram of one embodiment of an optoelectronic circuit 80.
  • the optoelectronic circuit 80 includes all the elements of the optoelectronic circuit 70 shown in Figure 8 except that the capacitor C] _ is connected between the nodes A ] _ and A2 and the resistor R] _ is connected between the node A2 and a node A5 connected to the rectifier circuit 12, preferably connected to the rectifier circuit 12.
  • a terminal of the resistor R3 is connected to the node A5.
  • the voltage V ] _ then corresponds to the voltage between the node A5 and the node A2.
  • a voltage divider bridge can be mounted in parallel with the resistor R] _, the module 74 then being connected to the midpoint of this divider bridge.
  • the voltage V] _ is negative or zero regardless of whether the supply of overall light-emitting diodes is made by the capacitor C ] _ or by the rectifier circuit 12.
  • resistor R] _ is traversed by the current through the diode bridge 14, i.e. the current drawn on the sector.
  • resistor R] _ is traversed by the current through the diode bridge 14, i.e. the current drawn on the sector.
  • the user can have a direct image of this current by measuring the voltage VR1. It can therefore choose the threshold from which the impedance decreasing device will be activated, and whether the capacitance Cl is present or not.
  • FIG. 10 is an electrical diagram of an embodiment of an optoelectronic circuit 90.
  • the optoelectronic circuit 90 comprises all the elements of the optoelectronic circuit 70 shown in FIG. 8 and furthermore comprises a diode D 'or a Schottky diode connected in parallel across the resistor R ] _.
  • the anode of the diode D ' is connected to the node A2.
  • the capacitor C] _ feeds emitting diodes ⁇ overall luminescent diode D 'bypasses resistor R] _ and makes it possible, advantageously, to reduce ohmic losses.
  • FIG. 11 is an electrical diagram of an embodiment of an optoelectronic circuit 100.
  • the optoelectronic circuit 100 comprises all the elements of the optoelectronic circuit 70 represented in FIG. 8 with the difference that the diode D is not present. that the switch SW is connected to the cathode of the global light-emitting diode D ] _, that the switch SW ] _ is not present, a diode D "is inserted between the global light-emitting diode D ] _ and the diode electro ⁇ overall phosphor D2, the anode of the diode D "is connected to the cathode of the overall light-emitting diode D] _ and the cathode of the diode D" is connected to the anode of the overall light emitting diode D2, and an electrode of the conden ⁇ sateur C] _ is connected to the anode of the overall light-emitting diode D2.
  • the diode D may

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  • Circuit Arrangement For Electric Light Sources In General (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

L'invention concerne un circuit optoélectronique (70) destiné à recevoir, entre une première borne (IN1) et une deuxième borne (IN2), une tension variable (VIN) contenant une alternance de phases croissantes et décroissantes, le circuit optoélectronique comprenant des ensembles (Di) de diodes électroluminescentes, un dispositif de commutation (24) adapté à permettre ou interrompre la circulation d'un courant (ICS) dans chaque ensemble, un dispositif de stockage d'énergie (42) et un dispositif (71) de réduction d'impédance entre la première borne et la deuxième borne.

Description

CIRCUIT OPTOELECTRONIQUE COMPRENANT DES DIODES
ELECTROLUMINESCENTES
La présente demande de brevet revendique la priorité de la demande de brevet français FRl 6/52578 qui sera considérée comme faisant partie intégrante de la présente description.
Domaine
La présente description concerne un circuit opto¬ électronique, notamment un circuit optoélectronique comprenant des diodes électroluminescentes.
Exposé de 1 ' art antérieur
Un circuit optoélectronique, utilisé notamment pour réaliser un éclairage, peut être alimenté par une source d'une tension variable, par exemple la tension sinusoïdale du secteur.
Pour réduire les phases d'absence d'émission de lumière par le circuit optoélectronique au cours de l'évolution de la tension d'alimentation du circuit optoélectronique, il est connu de prévoir un dispositif de stockage d'énergie qui alimente les diodes électroluminescentes lorsque la tension d'alimentation est trop faible.
Ce principe reste vrai quelles que soient les architectures utilisées : alimentation à découpage (de type Buck, double Buck, Flyback, Cuck, SEPIC, etc.) ou bien chaîne de diodes électroluminescentes commutées en fonction de la tension d ' alimentation .
Pour modifier la puissance lumineuse fournie par le circuit d'éclairage, il est connu de placer un gradateur entre la source de la tension sinusoïdale et le circuit optoélectronique. Il existe plusieurs types de gradateurs, dont notamment les gradateurs à fermeture temporisée et les gradateurs à ouverture temporisée .
Il peut être souhaitable d'utiliser un circuit d'éclairage à diodes électroluminescentes. Un inconvénient est que les gradateurs ont généralement été conçus pour fonctionner avec des circuits d'éclairage à lampe à incandescence et peuvent ne pas fonctionner correctement lorsqu'ils sont connectés à un circuit optoélectronique à diodes électroluminescentes, car leur puissance est souvent trop faible par rapport à la puissance minimale requise par le gradateur.
Résumé
Un objet d'un mode de réalisation est de palier tout ou partie des inconvénients des circuits optoélectroniques à diodes électroluminescentes décrits précédemment alimentés par une tension alternative.
Un autre objet d'un mode de réalisation est de permettre un fonctionnement convenable d'un gradateur placé entre la source de la tension alternative et le circuit optoélectronique.
Ainsi, un mode de réalisation prévoit un circuit optoélectronique destiné à recevoir, entre une première borne et une deuxième borne, une tension variable contenant une alternance de phases croissantes et décroissantes, le circuit opto¬ électronique comprenant :
des ensembles de diodes électroluminescentes ; un dispositif de commutation adapté à permettre ou interrompre la circulation d'un courant dans chaque ensemble ;
un dispositif de stockage d'énergie ; et
un dispositif de réduction d'impédance entre la première borne et la deuxième borne. Selon un mode de réalisation, le dispositif de stockage d'énergie comprend au moins un condensateur.
Selon un mode de réalisation, le circuit opto¬ électronique comprend une première source de courant et, pour chaque ensemble, un premier interrupteur reliant la première source de courant audit ensemble.
Selon un mode de réalisation, la première source de courant est adaptée à fournir un courant dont 1 ' intensité dépend d'une consigne.
Selon un mode de réalisation, le dispositif de réduction d'impédance comprend une deuxième source de courant et un deuxième interrupteur en série avec la deuxième source de courant.
Selon un mode de réalisation, le dispositif de réduction d'impédance comprend un module de commande du deuxième interrupteur adapté à recevoir un signal représentatif du courant circulant par la première borne ou du courant circulant dans le dispositif de stockage d'énergie.
Selon un mode de réalisation, les ensembles de diodes électroluminescentes sont montés entre un premier noeud et un deuxième noeud et le dispositif de stockage d'énergie est monté entre le premier noeud et le deuxième noeud.
Selon un mode de réalisation, la deuxième source de courant et le deuxième interrupteur sont montés entre le deuxième noeud et un troisième noeud, le circuit optoélectronique comprenant, en outre, au moins une diode ou l'un des ensembles de diodes électroluminescentes, entre le troisième noeud et le premier noeud.
Selon un mode de réalisation, le dispositif de stockage comprend le condensateur et une résistance connectée au condensateur.
Selon un mode de réalisation, le condensateur et la résistance sont montés en série entre le premier noeud et le deuxième noeud. Selon un mode de réalisation, le circuit opto¬ électronique comprend, en outre, une diode ou une diode Schottky montée en parallèle aux bornes de la résistance.
Selon un mode de réalisation, le condensateur est monté entre le premier noeud et le deuxième noeud et la résistance est montée entre le deuxième noeud et un quatrième noeud.
Selon un mode de réalisation, le dispositif de commutation est adapté à connecter les ensembles de diodes électroluminescentes selon plusieurs configurations de connexion successivement selon un premier ordre au cours de chaque phase croissante de la tension variable et un deuxième ordre au cours de chaque phase décroissante de la tension variable.
Brève description des dessins
Ces caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres, seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles :
la figure 1 est un schéma électrique d'un exemple d'un circuit optoélectronique à diodes électroluminescentes comprenant un dispositif de commutation des diodes électroluminescentes ;
la figure 2 est un chronogramme de signaux du circuit optoélectronique de la figure 1 ;
la figure 3 est un schéma électrique d'un exemple d'un circuit optoélectronique à diodes électroluminescentes comprenant un dispositif de stockage d'énergie ;
la figure 4 est un schéma électrique d'un exemple d'un circuit optoélectronique relié à une source d'une tension sinusoïdale par un gradateur ;
les figures 5 et 6 sont des chronogrammes de la tension fournie par le gradateur de la figure 4 respectivement dans le cas d'un gradateur à fermeture temporisée et d'un gradateur à ouverture temporisée ;
la figure 7 est un schéma électrique d'un exemple d'un circuit optoélectronique à diodes électroluminescentes comprenant un dispositif de stockage d'énergie et un dispositif de variation du courant d'alimentation des diodes électroluminescentes ; et les figures 8 à 11 sont des schémas électriques de modes de réalisation d'un circuit optoélectronique à diodes électro- luminescentes, comprenant un dispositif de stockage d'énergie et un dispositif de variation du courant d'alimentation des diodes électroluminescentes, et qui est adapté à être utilisé avec un gradateur .
Description détaillée
Par souci de clarté, de mêmes éléments ont été désignés par de mêmes références aux différentes figures et, de plus, les diverses figures ne sont pas tracées à l'échelle. Dans la suite de la description, sauf indication contraire, les termes "sensiblement", "environ" et "de l'ordre de" signifient à 10 % près, de préférence à 5 % près.
La figure 1 représente un schéma électrique d'un exemple de circuit optoélectronique 10 comprenant un dispositif de commutation de diodes électroluminescentes. Le circuit opto¬ électronique 10 comprend un circuit redresseur 12, comportant par exemple un pont de diodes 14, recevant une tension d'alimentation VJ entre des bornes IN]_ et I¾ et fournissant une tension V^J redressée entre des noeuds A]_ et A2. A titre de variante, le circuit 10 peut recevoir directement une tension redressée, le circuit redresseur pouvant alors ne pas être présent.
Le circuit optoélectronique 10 comprend N ensembles en série de diodes électroluminescentes élémentaires, appelés diodes électroluminescentes globales Dj_ dans la suite de la description, où i est un nombre entier variant de 1 à N et où N est un nombre entier compris entre 2 et 200. Chaque diode électroluminescente globale D]^ à ¾ comprend au moins une diode électroluminescente élémentaire et est, de préférence, composée de la mise en série et/ou en parallèle d'au moins deux diodes électroluminescentes élémentaires. Dans le présent exemple, les N diodes électro¬ luminescentes globales Dj_ sont connectées en série, la cathode de la diode électroluminescente globale Dj_ étant reliée à l'anode de la diode électroluminescente globale D-j_+]_, pour i variant de 1 à N-l. L'anode de la diode électroluminescente globale D]_ est reliée au noeud A]_ . Les diodes électroluminescentes globales Dj_, i variant de 1 à N, peuvent comprendre le même nombre de diodes électroluminescentes élémentaires ou des nombres différents de diodes électroluminescentes élémentaires.
Le circuit optoélectronique 10 comprend une source de courant 22 fournissant le courant Içg dont une borne est reliée au noeud A2 et dont l'autre borne est reliée à un noeud A3 . La source de courant 22 peut correspondre à une résistance.
Le circuit optoélectronique 10 comprend un dispositif 24 de commutation des diodes électroluminescentes adapté à augmenter progressivement le nombre de diodes électrolumi¬ nescentes recevant la tension d'alimentation V^LIM lors d'une phase de croissance de la tension d'alimentation et à diminuer progressivement le nombre de diodes électroluminescentes recevant la tension d'alimentation V^LIM lors d'une phase de décroissance de la tension d'alimentation. Le dispositif de commutation 24 est généralement adapté à court-circuiter un nombre plus ou moins important de diodes électroluminescentes globales en fonction de l'évolution de la tension ^J - Ceci permet de réduire la durée de chaque phase d'absence OFF d'émission de lumière.
A titre d'exemple, le dispositif 24 comprend N interrupteurs commandables SW]_ à Sl%. Chaque interrupteur SW-j_, i variant de 1 à N, est monté entre le noeud A3 et la cathode de la diode électroluminescente globale D-j_. Chaque interrupteur SW-j_, i variant de 1 à N, est commandé par un signal Sj_ fourni par un module de commande 26. Le module de commande 26 peut, en totalité ou en partie, être réalisé par un circuit dédié ou peut comprendre un microprocesseur ou un microcontrôleur adapté à exécuter une suite d'instructions stockées dans une mémoire. A titre d'exemple, le signal Sj_ est un signal binaire et l'interrupteur SW-j_ est ouvert lorsque le signal Sj_ est dans un premier état, par exemple l'état bas, et l'interrupteur SW-j_ est fermé lorsque le signal Sj_ est dans un deuxième état, par exemple l'état haut. Le circuit optoélectronique 10 comprend un ou plusieurs capteurs reliés au module de commande 26. Il peut s'agir d'un capteur unique, par exemple un capteur adapté à mesurer la tension V"ALIM OU le courant circulant entre les bornes IN]_ et I¾, ou de plusieurs capteurs, chaque capteur pouvant être associé à une diode électroluminescente globale Dj_. A titre d'exemple, on a représenté un seul capteur 28 en figure 1.
Selon un mode de réalisation, le module de commande 26 est adapté à commander la fermeture ou 1 ' ouverture des interrupteurs SW-j_, i variant de 1 à N-l, en fonction de la valeur de la tension V^JM selon une séquence à partir de la mesure d'un paramètre physique, par exemple au moins un courant ou une tension. A titre d'exemple, l'ouverture et la fermeture des interrupteurs SW-j_ peuvent être commandées par le module de commande 26 à partir des signaux fournis par le capteur ou les capteurs 28. A titre de variante, l'ouverture et la fermeture des interrupteurs SW-j_ peuvent être commandées à partir de la mesure de la tension à la cathode de chaque diode électroluminescente globale Dj_ . A titre de variante, l'ouverture et la fermeture des interrupteurs SW-j_ peuvent être commandées à partir de la mesure de la tension V^J OU de la mesure de la tension à la cathode de chaque diode électroluminescente globale D-j_. Le nombre d'interrupteurs SW]_ à Sl% peut varier en fonction de la séquence d'ouverture et de fermeture mise en oeuvre par le module de commande 26. A titre d'exemple, l'interrupteur Sl% peut ne pas être présent.
Le dispositif de commutation 24 peut avoir une autre structure que celle représentée en figure 1. A titre de variante, le dispositif de commutation 24 peut avoir les structures décrites dans la publication WO2016/001201 qui est considérée comme faisant partie intégrante de la présente demande.
La figure 2 représente des courbes d'évolution des signaux Sj_, i variant de 1 à N-l avec N égal à 4 au cours d'un cycle de la tension V^J dans le cas où la tension VJN est une tension sinusoïdale pour un exemple de procédé de commutation mis en oeuvre par le dispositif de commutation 24. A titre d'exemple, au début d'une phase ascendante de la tension V^LIM, les signaux Sj_, i variant de 1 à N-l, sont initialement à "1" de sorte que les interrupteurs SW-j_ sont passants. Les interrupteurs SW]_, SW2 et SW3 sont ouverts successivement aux instants t]_, t2 et t3 au fur et à mesure de l'élévation de la tension V^JM pour que les diodes électroluminescentes globales D2, D3 et D4 soient successivement alimentées en courant. Lors d'une phase descendante de la tension V^LIM' interrupteurs SW3, SW2 et SW]_ sont fermés successivement aux instants t'3, t'2 et t ' ]_ pour court-circuiter successivement les diodes électroluminescentes globales D4, D3 et D2.
Parmi les critères utilisés pour caractériser la puissance lumineuse émise par le circuit optoélectronique 10, on peut utiliser le taux de scintillement FR (en anglais flicker ratio). En appelant MAX la valeur maximale de l'intensité lumineuse émise et MIN la valeur minimale de l'intensité lumineuse émise, le taux de scintillement FR est défini par la relation (1) suivante :
FR = (MAX - MIN) / MAX (1)
Lorsque la tension Vj^ est sinusoïdale, le taux de scintillement est égal à 100 %. Toutefois, pour certaines applications, il peut être souhaitable d'obtenir un taux de scintillement strictement inférieur à 100 %.
La figure 3 est un schéma électrique d'un exemple d'un circuit optoélectronique 40 comprenant l'ensemble des éléments du circuit optoélectronique 10 et comprenant, en outre, un dispositif de stockage d'énergie 42 qui permet de réduire le scintillement. A titre d'exemple, le dispositif 42 comprend un condensateur C]_ monté en série avec une résistance R]_ entre les noeuds A]_ et A2.
La résistance R]_, qui peut ne pas être présente, permet de limiter l'intensité maximale du courant pouvant être appelé par le condensateur C]_ et corriger ainsi le facteur de puissance du circuit optoélectronique 40. On appelle Vç]_ la tension aux bornes du condensateur C]_ mesurée du noeud A]_ au point milieu entre le condensateur C]_ et la résistance R]_, on appelle IQ]_ le courant traversant le condensateur C]_ et on appelle VR]_ la tension aux bornes de la résistance R]_ mesurée du point milieu entre le condensateur C]_ et la résistance R]_ au noeud A2 .
En fonctionnement, lorsque la valeur absolue de la tension VJM est supérieure à la tension Vç]_, la tension V^J est égale à la tension VJM et le pont de diodes 14 est passant. La tension VJM est donc appliquée aux diodes électroluminescentes globales D]_ à DM et assure, en outre, la charge du condensateur C]_ . Lorsque la valeur absolue de la tension VJM est inférieure à la tension Vç , la tension V^LIM est imposée par le condensateur C qui alimente les diodes électroluminescentes globales D à DM et le pont de diodes 14 est bloqué.
De façon générale, un fois chargé, le condensateur C assure que la tension V^JM d'alimentation des diodes électro¬ luminescentes globales reste au-dessus d'une tension minimale strictement positive.
Pour modifier la puissance lumineuse fournie par le circuit optoélectronique, il est connu de placer un gradateur entre la source de la tension alternative et le circuit optoélectronique 10.
La figure 4 représente, de façon très schématique, un système électronique 50 comprenant une source 52 d'une tension alternative VgQURCE' Par exemple une tension sinusoïdale, un gradateur 54 recevant la tension alternative ^SOURCE et fournissant la tension d'alimentation VJM entre les bornes IN et I 2 du circuit optoélectronique 10. A titre d'exemple, la tension d'entrée gQURCE peut être une tension sinusoïdale dont la fréquence est, par exemple, comprise entre 10 Hz et 1 MHz. La tension VgQURCE correspond, par exemple, à la tension du secteur.
Le gradateur 54 peut être un gradateur à coupure de phase comprenant un interrupteur électronique dont le temps de conduction est limité à une fraction de la période T de la tension vSOURCE · La figure 5 représente un exemple de courbe d'évolution de la tension VJN lorsque la tension de source gQURCE est sinusoïdale de période T et lorsque le gradateur 54 est un gradateur à fermeture temporisée (en anglais leading edge dimmer) . La tension VJN suit le signal gQURCE à l'exception d'une durée T' au début de chaque arc de sinusoïde positif et négatif pendant laquelle la tension Vj^ est sensiblement nulle. Les gradateurs à fermeture temporisée peuvent être réalisés avec des triacs.
La figure 6 représente un exemple de courbe d'évolution de la tension VJN lorsque la tension de source gQURCE est sinusoïdale de période T et lorsque le gradateur 54 est un gradateur à ouverture temporisée (en anglais trailing edge dimmer) . La tension VJN suit le signal VgQURçj? à l'exception d'une durée T" à la fin de chaque arc de sinusoïde positif et négatif pendant laquelle la tension Vj^ est sensiblement nulle. Les gradateurs à ouverture temporisée peuvent être réalisés avec des transistors MOS.
Le rapport a entre la durée ' ou T" et la demi-période T/2 du signal sinusoïdal VgQURçj? est appelé angle d'ouverture du gradateur 54. Un gradateur à fermeture ou ouverture temporisée peut comprendre une résistance variable qui permet de modifier l'angle d'ouverture a.
Lorsque, en figure 4, le circuit optoélectronique 10 est remplacé par le circuit optoélectronique 40 de la figure 3, on peut observer une décharge complète du condensateur C]_ lorsque l'angle d'ouverture du gradateur 54 est élevé. Le dispositif 42 ne joue plus alors son rôle de réduction du scintillement.
Pour éviter une décharge trop rapide du condensateur C]_, une possibilité serait de réduire l'intensité du courant fourni par la source de courant 22 lorsque l'angle d'ouverture a du gradateur 50 augmente.
La figure 7 est un schéma électrique d'un exemple d'un circuit optoélectronique 60 comprenant l'ensemble des éléments du circuit optoélectronique 40 représenté en figure 3 et dans lequel la source de courant 22 est une source de courant adaptée à fournir un courant Içg dont l'intensité dépend d'une consigne Vç. La consigne Vç peut correspondre à une tension proportionnelle à la tension V^LJJ^, par exemple une tension fournie par un pont diviseur de tension comprenant deux résistances ]¾ et R3 montées en série entre les noeuds A]_ et A2, une borne de la résistance R3 étant connectée au noeud A2. Un condensateur C2 peut être monté en parallèle aux bornes de la résistance R3. A titre d'exemple, la tension Vç correspond à la tension aux bornes du condensateur C2 et l'intensité du courant Içg diminue lorsque la tension Vç diminue. A titre de variante, la consigne Vç peut être fournie par un circuit extérieur au circuit optoélectronique 60.
Toutefois, lorsque le circuit optoélectronique 60 est utilisé dans le circuit de la figure 4 à la place du circuit optoélectronique 10, il peut entraîner un mauvais fonctionnement du gradateur 50. En effet, la plupart des gradateurs 50 disponibles dans le commerce ne fonctionnement correctement que si l'impédance équivalente du circuit optoélectronique qu'ils alimentent est suffisamment faible. Toutefois, lorsque l'intensité du courant Içg fourni par la source de courant 22 du circuit optoélectronique 60 diminue suite à une diminution de la consigne
VC, l'impédance équivalente vue entre les bornes IN]_ et I¾ augmente, ce qui peut perturber le fonctionnement du gradateur 50.
La figure 8 est un schéma électrique d'un mode de réalisation d'un circuit optoélectronique 70. Le circuit optoélectronique 70 comprend l'ensemble des éléments du circuit optoélectronique 40 représenté en figure 3 et comprend, en outre, un dispositif 71 de réduction de l'impédance vue entre les bornes IN]_ et I 2. Le dispositif 71 comprend une diode D interposée entre le circuit redresseur 12 et le noeud A]_ . La cathode de la diode D est reliée, de préférence connectée, au noeud A]_ et l'anode de la diode D est reliée, de préférence connectée, à un noeud A4 relié au circuit redresseur 12. Une borne de la résistance R2 est connectée au noeud A4. Le dispositif 71 comprend, en outre, un interrupteur SW donc une borne est reliée au noeud A4 , de préférence connectée au noeud A4 , et dont l'autre borne est reliée à une borne d'une source de courant supplémentaire 72 dont l'autre borne est reliée au noeud A2 , de préférence connectée au noeud A2. L'interrupteur SW peut comprendre au moins un transistor MOS . La source de courant 72 peut être adaptée, lorsqu'elle est activée, à fournir un courant constant.
Le dispositif 71 comprend, en outre, un module 74 de fourniture d'un signal de commande S de l'interrupteur SW et, éventuellement, d'un signal d'activation Act de la source de courant supplémentaire 72. Le module 74 reçoit un signal représentatif du courant Ici- Selon un mode de réalisation, le module 74 reçoit la tension V ]_ aux bornes de la résistance R]_ . Selon un autre mode de réalisation, le module 74 peut recevoir une tension proportionnelle à la tension par exemple fournie par un pont diviseur de tension. Selon un autre mode de réalisation, le module 74 reçoit la tension aux bornes de la résistance R3 . Dans ce cas, il est préférable que le condensateur C2 ne soit pas présent.
Le module 74 peut, en totalité ou en partie, être réalisé par un circuit dédié ou peut comprendre un microprocesseur ou un microcontrôleur adapté à exécuter une suite d'instructions stockées dans une mémoire.
Selon un mode de réalisation, l'interrupteur SW est fermé et la source de courant 72 est activée lorsque l'impédance vue par le gradateur 50 connecté aux bornes IN]_ et I¾ est trop élevée. Le courant tiré par la source de courant 72 lorsque 1 ' interrupteur SW est fermé entraîne une diminution de 1 ' impédance vue par le gradateur 50 connecté aux bornes IN]_ et I¾ qui peut alors fonctionner correctement.
La commande de l'interrupteur SW par le module 74 est réalisée à partir d'un signal représentatif du mode de fonctionnement du dispositif de stockage d'énergie 42, par exemple la tension VR]_ . Dans le présent mode de réalisation, lorsque la valeur absolue de la tension Vj^ est supérieure à la tension Vç]_, la tension V^J est égale à la tension VJN et la tension VR]_ est strictement positive. Lorsque la valeur absolue de la tension Vj^ est inférieure à la tension Vç]_, c'est le condensateur C]_ qui alimente les diodes électroluminescentes globales. La tension VR]_ est alors négative.
Selon un mode de réalisation, le module 74 est adapté à détecter que la tension V ]_ diminue en dessous d'un seuil pour commander la fermeture de l'interrupteur SW et l' activation de la source de courant 72. Lorsque 1 ' interrupteur SW est fermé et que la source de courant 72 tire du courant, la diode D empêche la circulation de courant du noeud A]_ vers le noeud A4 , et donc la décharge du condensateur C]_ .
La figure 9 est un schéma électrique d'un mode de réalisation d'un circuit optoélectronique 80. Le circuit optoélectronique 80 comprend l'ensemble des éléments du circuit optoélectronique 70 représenté en figure 8 à la différence que le condensateur C]_ est monté entre les noeuds A]_ et A2 et que la résistance R]_ est montée entre le noeud A2 et un noeud A5 relié au circuit redresseur 12, de préférence connecté au circuit redresseur 12. Une borne de la résistance R3 est connectée au noeud A5 . La tension V ]_ correspond alors à la tension entre le noeud A5 et le noeud A2. A titre de variante, un pont diviseur de tension peut être monté en parallèle de la résistance R]_ , le module 74 étant alors relié au point milieu de ce pont diviseur.
Dans le présent mode de réalisation, de façon avantageuse, lorsque l'alimentation des diodes électrolumines¬ centes globales est réalisée par le condensateur C]_, le courant fourni par le condensateur C]_ ne circule pas dans la résistance
R]_ . Le rendement énergétique du circuit optoélectronique 80 est alors augmenté .
Dans le présent mode de réalisation, la tension V ]_ est négative ou nulle indépendamment du fait que l'alimentation des diodes électroluminescentes globales est réalisée par le condensateur C]_ ou par le circuit redresseur 12.
Dans le présent mode de réalisation, la résistance R]_ est traversée par le courant traversant le pont de diode 14, c'est à dire le courant tiré sur le secteur. Ainsi l'utilisateur peut avoir une image directe de ce courant en mesurant la tension VR1. Il peut donc choisir le seuil à partir duquel le dispositif de diminution de l'impédance sera activé, et ce que la capacité Cl soit présente ou non.
La figure 10 est un schéma électrique d'un mode de réalisation d'un circuit optoélectronique 90. Le circuit optoélectronique 90 comprend l'ensemble des éléments du circuit optoélectronique 70 représenté en figure 8 et comprend, en outre, une diode D' ou une diode Schottky montée en parallèle aux bornes de la résistance R]_ . L'anode de la diode D' est connectée au noeud A2. Lorsque le condensateur C]_ alimente les diodes électro¬ luminescentes globales, la diode D' court-circuite la résistance R]_ et permet, de façon avantageuse, de réduire les pertes ohmiques .
La figure 11 est un schéma électrique d'un mode de réalisation d'un circuit optoélectronique 100. Le circuit optoélectronique 100 comprend l'ensemble des éléments du circuit optoélectronique 70 représenté en figure 8 à la différence que la diode D n'est pas présente, que l'interrupteur SW est connecté à la cathode de la diode électroluminescente globale D]_, que l'interrupteur SW]_ n'est pas présent, qu'une diode D" est insérée entre la diode électroluminescente globale D]_ et la diode électro¬ luminescente globale D2, l'anode de la diode D" étant connectée à la cathode de la diode électroluminescente globale D]_ et la cathode de la diode D" étant connectée à l'anode de la diode électroluminescente globale D2, et qu'une électrode du conden¬ sateur C]_ est connectée à l'anode de la diode électroluminescente globale D2. A titre de variante, la diode D" peut être remplacée par une diode électroluminescente. Par rapport au mode de réalisation décrit précédemment en relation avec la figure 8, un avantage du présent mode de réalisation est qu'il comprend un interrupteur de moins.
Divers modes de réalisation avec diverses variantes ont été décrits ci-dessus. On notera que l'homme de l'art pourra combiner divers éléments de ces divers modes de réalisation et variantes sans faire preuve d'activité inventive.

Claims

REVENDICATIONS
1. Circuit optoélectronique (70 ; 80 ; 90 ; 100) destiné à recevoir, entre une première borne (IN]_) et une deuxième borne (I 2) , une tension variable ( j^) contenant une alternance de phases croissantes et décroissantes, le circuit opto- électronique comprenant :
des ensembles (Dj_) de diodes électroluminescentes ; un dispositif de commutation (24) adapté à permettre ou interrompre la circulation d'un courant (les) dans chaque ensemble ;
un dispositif de stockage d'énergie (42) ; et un dispositif (71) de réduction d'impédance entre la première borne et la deuxième borne .
2. Circuit optoélectronique selon la revendication 1, dans lequel le dispositif de stockage d'énergie (42) comprend au moins un condensateur (C]_) .
3. Circuit optoélectronique selon la revendication 1 ou 2, comprenant une première source de courant (22) et, pour chaque ensemble (D-j_) , un premier interrupteur (SW-j_) reliant la première source de courant audit ensemble.
4. Circuit optoélectronique selon la revendication 3, dans lequel la première source de courant (22) est adaptée à fournir un courant dont l'intensité dépend d'une consigne (Vç) .
5. Circuit optoélectronique selon la revendication 3 ou 4, dans lequel le dispositif (71) de réduction d'impédance comprend une deuxième source de courant (72) et un deuxième interrupteur (SW) en série avec la deuxième source de courant.
6. Circuit optoélectronique selon la revendication 5, dans lequel le dispositif (71) de réduction d'impédance comprend un module (74) de commande du deuxième interrupteur (SW) adapté à recevoir un signal représentatif du courant circulant par la première borne (IN]_) ou du courant circulant dans le dispositif de stockage d'énergie (42).
7. Circuit optoélectronique selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel les ensembles (D-j_) de diodes électroluminescentes sont montés entre un premier noeud (A]_) et un deuxième noeud (A2) et dans lequel le dispositif (42) de stockage d'énergie est monté entre le premier noeud et le deuxième noeud.
8. Circuit optoélectronique selon la revendication 7 dans son rattachement à la revendication 5, dans lequel la deuxième source de courant (72) et le deuxième interrupteur (SW) sont montés entre le deuxième noeud (A2) et un troisième noeud (A4) , le circuit optoélectronique comprenant, en outre, au moins une diode (D) ou l'un des ensembles de diodes électro¬ luminescentes, entre le troisième noeud et le premier noeud (A]_) .
9. Circuit optoélectronique selon la revendication 8 dans son rattachement à la revendication 2, dans lequel le dispositif (42) de stockage comprend le condensateur (C]_) et une résistance (R]_) connectée au condensateur.
10. Circuit optoélectronique selon la revendication 9 dans son rattachement à la revendication 7, dans lequel le condensateur (C]_) et la résistance (R]_) sont montés en série entre le premier noeud (A]_) et le deuxième noeud (A2) .
11. Circuit optoélectronique selon la revendication 10, comprenant, en outre, une diode (D') ou une diode Schottky montée en parallèle aux bornes de la résistance (R]_) .
12. Circuit optoélectronique selon la revendication 9, dans lequel le condensateur (C]_) est monté entre le premier noeud (A]_) et le deuxième noeud (A2) et la résistance (R]_) est montée entre le deuxième noeud et un quatrième noeud (A5) .
13. Circuit optoélectronique selon l'une quelconque des revendications 1 à 12, dans lequel le dispositif de commutation (24) est adapté à connecter les ensembles (Dj_) de diodes électroluminescentes selon plusieurs configurations de connexion successivement selon un premier ordre au cours de chaque phase croissante de la tension variable (Vj^) et un deuxième ordre au cours de chaque phase décroissante de la tension variable.
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