WO2017150932A1 - 열전 소자 및 이의 제조방법 - Google Patents

열전 소자 및 이의 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
WO2017150932A1
WO2017150932A1 PCT/KR2017/002312 KR2017002312W WO2017150932A1 WO 2017150932 A1 WO2017150932 A1 WO 2017150932A1 KR 2017002312 W KR2017002312 W KR 2017002312W WO 2017150932 A1 WO2017150932 A1 WO 2017150932A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
thermoelectric material
type thermoelectric
lower electrode
disposed
support layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/KR2017/002312
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
김태희
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
LG Innotek Co Ltd
Original Assignee
LG Innotek Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by LG Innotek Co Ltd filed Critical LG Innotek Co Ltd
Priority to US16/078,459 priority Critical patent/US11611028B2/en
Priority to CN201790000651.8U priority patent/CN209389066U/zh
Publication of WO2017150932A1 publication Critical patent/WO2017150932A1/ko
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
    • H10N10/01—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
    • H10N10/10—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects operating with only the Peltier or Seebeck effects
    • H10N10/17—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects operating with only the Peltier or Seebeck effects characterised by the structure or configuration of the cell or thermocouple forming the device

Definitions

  • the present invention relates to a thermoelectric device and a method for manufacturing the same, and more particularly to a flexible thermoelectric device and a method for manufacturing the same.
  • Thermoelectric conversion refers to the conversion of energy between thermal and electrical energy.
  • the temperature gradient between the two ends is called the Peltier effect.
  • the electric power is generated when there is a temperature difference between the two ends of the thermoelectric material. Is called.
  • Cooling system using the Peltier effect can be usefully applied to solve the heat problem that is difficult to solve with conventional cooling system (passive cooling system, refrigerant gas compression system).
  • thermoelectric cooling is an eco-friendly cooling technology that does not use refrigerant gas that causes environmental problems. If thermoelectric cooling efficiency is improved through the development of high-efficiency thermoelectric cooling materials, the scope of application is expanded to general-purpose cooling fields such as refrigerators and air conditioners. can do.
  • thermoelectric power generation using the Seebeck effect may be used as a renewable energy source. Recently, as interest in new energy development, waste energy recovery, environmental protection, and the like has increased, interest in thermoelectric devices is also increasing.
  • thermoelectric devices As large-area thermoelectric devices or wearable thermoelectric devices.
  • the polymer thermoelectric material and the flexible thermoelectric material have advantages such as non-toxicity, low cost, and easy to implement a large area thermoelectric device, compared to thermoelectric inorganic materials, but often have low thermoelectric conversion efficiency.
  • the flexible device to which the bulk type thermoelectric material is applied has a problem of high integration and low reliability due to bending.
  • the thermoelectric conversion efficiency is low and the flexibility is lost in the module.
  • An object of the present invention is to provide a flexible thermoelectric device having a high thermoelectric conversion efficiency and a method of manufacturing the same.
  • thermoelectric device is an N-type thermoelectric material which is alternately arranged between the plurality of upper electrodes and the plurality of lower electrodes and the upper electrode and the lower electrode, is disposed obliquely on the lower electrode, and electrically connected thereto. And P-type thermoelectric materials.
  • the angle formed by the N-type thermoelectric material and the P-type thermoelectric material with the lower electrode may be 45 degrees or more.
  • the N-type thermoelectric material and the P-type thermoelectric material may be disposed to have different inclinations with respect to the lower electrode.
  • the N-type thermoelectric material and the P-type thermoelectric material may be symmetrical with respect to the vertical direction of the upper electrode and the lower electrode.
  • It may further include a; support layer disposed between the N-type thermoelectric material and the P-type thermoelectric material.
  • the support layer may include polyimide.
  • the insulating layer may be formed on the support layer and disposed between the plurality of upper electrodes.
  • the insulating layer connects the upper electrode and may be flexible.
  • thermoelectric device In the method of manufacturing a thermoelectric device according to an embodiment of the present invention, forming a sacrificial layer on a substrate, forming a lower electrode on the sacrificial layer, and N-type thermoelectrics arranged alternately and inclined on the lower electrode. Forming a support layer for supporting the N-type thermoelectric material and the P-type thermoelectric material such that a material and a P-type thermoelectric material are formed on the lower electrode, and depositing an N-type thermoelectric material and a P-type thermoelectric material on the support layer. And removing the substrate and bonding the upper electrode to electrically connect the N-type thermoelectric material and the P-type thermoelectric material.
  • the forming of the support layer may include disposing a mold having the support layer shape on the lower electrode; And injecting polyimide into the mold.
  • the step of depositing the thermoelectric material may be any one of a shadow mask and a lithography process.
  • the conductivity of the carrier in the thermoelectric material and the grain boundary can be horizontally increased.
  • the distance between the electrodes may be increased to increase the heat transfer path, and the increase in the heat transfer path may offset the increase in thermal conductivity, thereby increasing the temperature difference between the electrodes of the thermoelectric element.
  • thermoelectric device having an improved thermoelectric performance index (ZT).
  • the flexible support layer and the flexible electrode for supporting the thermoelectric material can overcome the reliability problem of the flexibility of the thermoelectric element.
  • thermoelectric device 1 is a cross-sectional view of a thermoelectric device according to an embodiment of the present invention.
  • thermoelectric device 2 is a view of a thermoelectric device according to an embodiment of the present invention viewed from above.
  • thermoelectric device 3 is a bottom view of the thermoelectric device according to the exemplary embodiment of the present invention viewed from below.
  • thermoelectric devices 4 to 10 are cross-sectional views of thermoelectric devices illustrating a sequential method of manufacturing a thermoelectric device according to an embodiment of the present invention.
  • ordinal numbers such as second and first
  • first and second components may be used to describe various components, but the components are not limited by the terms. The terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another.
  • second component may be referred to as the first component, and similarly, the first component may also be referred to as the second component.
  • thermoelectric device 1 to 3 are cross-sectional views, a view from above, and a view from below, respectively, of a thermoelectric device according to an embodiment of the present invention.
  • thermoelectric device includes a lower electrode 10, a support layer 11, an N-type thermoelectric material 12, a P-type thermoelectric material 13, an upper electrode 14, and Insulation layer 15 is included.
  • thermoelectric element When a current is applied to the thermoelectric element, electrons (e-) and holes (h +), which are carriers, are generated at one electrode, and electrons flow through the N-type thermoelectric material and holes flow through the P-type thermoelectric material. And these carriers recombine at opposite electrodes. Active cooling occurs in the electrode where the carrier is formed and the substrate adjacent thereto, and heat rejection occurs in the electrode where the carrier is recombined and the substrate adjacent thereto, and the cold side and the hot side are respectively ), And constitutes both sides of the thermoelectric element.
  • thermoelectric performance index (ZT) of the thermoelectric element is defined as shown in Equation 1 below.
  • Equation 1 In order to increase the thermoelectric performance index (ZT), it is necessary to increase the Seebeck coefficient ( ⁇ ) and the electrical conductivity ( ⁇ ) and to lower the thermal conductivity (K).
  • the lower electrode 10 may be disposed under the thermoelectric element and may be electrically connected to the N-type thermoelectric material 12 and the P-type thermoelectric material 13.
  • the lower electrodes 10 may be alternately arranged in plural numbers.
  • the lower electrodes 10 may be arranged at regular intervals.
  • the support layer 11 may be disposed between the N-type thermoelectric material 12 and the P-type thermoelectric material 13 bonded to the upper electrode 14 to support the N-type thermoelectric material 12 and the P-type thermoelectric material 13. have.
  • the N-type thermoelectric material 12 and the P-type thermoelectric material 13 coupled to the lower electrode 10 may be disposed between the lower electrode 10 and the insulating layer 15.
  • the support layer 11 may be disposed between the lower electrode 10 and the insulating layer 15 of the thermoelectric element or between the N-type thermoelectric material 12 and the P-type thermoelectric material 13.
  • the support layer 11 may be disposed between the plurality of lower electrodes 10 arranged alternately to connect each lower electrode 10, and may be made of a polyimide-based polymer to have flexibility.
  • thermoelectric device As a result, reliability of bending of the flexible thermoelectric device may be improved.
  • the support layer 11 may be inclined such that the N-type thermoelectric material 12 and the P-type thermoelectric material 13 disposed on the support layer 11 are inclined.
  • the support layer 11 is disposed below the N-type thermoelectric material 12 and the P-type thermoelectric material 13, and the N-type thermoelectric in the vertical direction of the lower electrode 10 and the upper electrode 14.
  • the material 12 and the P-type thermoelectric material 13 can be supported.
  • the N-type thermoelectric material 12 and the P-type thermoelectric material 13 are alternately disposed between the upper electrode 14 and the lower electrode 10 and electrically connected to form a P-N junction.
  • the materials used for the N-type thermoelectric material 12 and the P-type thermoelectric material 13 are silicon (Si), bismuth (Bi), nickel (Ni), cobalt (Co), palladium (Pd), platinum (Pt), Copper (Cu), manganese (Mg), titanium (Ti), mercury (Hg), lead (Pb), tin (Sn), molybdenum (Mo), iridium (Ir), gold (Au), silver (Ag) Metal compounds or ceramics using aluminum (Al), zinc (Zn), tungsten (W), cadmium (Cd), iron (Fe), arsenic (As), tellurium (Te), germanium (Ge), etc.
  • the conductive polymer may include various types of conductive polymers, and the N-type thermoelectric material 12 and the P-type thermoelectric material 13 may include any one of them, and may be a thin film type.
  • the width D of the N-type thermoelectric material 12 and the P-type thermoelectric material 13 may be 75 ⁇ m.
  • the thickness of the N-type thermoelectric material 12 and the P-type thermoelectric material 13 may be 20 ⁇ m or more.
  • the present invention is not limited thereto.
  • thermoelectric material Since the thermoelectric material has a thickness of several hundred micrometers or less, the entire thermoelectric element is very thin. In addition, since the thermoelectric material is thin, it is highly flexible and easy to fabricate as a thermoelectric element, and has low internal resistance and high power density for easy integration.
  • the N-type thermoelectric material 12 and the P-type thermoelectric material 13 may be disposed on the support layer 11 to be inclined, and may be electrically connected to the lower electrode 10 and the upper electrode 14. .
  • the N-type thermoelectric material 12 and the P-type thermoelectric material 13 may form a predetermined angle with the lower electrode 10 and the upper electrode 14, and the predetermined angle may be 45 degrees or more.
  • the N-type thermoelectric material 12 and the P-type thermoelectric material 13 may be symmetrically disposed with respect to the vertical direction of the upper electrode 14 and the lower electrode 10.
  • the angle ( ⁇ 1 ) formed by the N-type thermoelectric material 12 and the lower electrode 10 may be 45 degrees or more, and the angle ( ⁇ 1 ) formed by the N-type thermoelectric material 12 and the lower electrode 10 may be N. It may be equal to the angle ( ⁇ 2 ) formed between the type thermoelectric material 12 and the upper electrode 14.
  • each ( ⁇ 4), the upper electrode 14, the P-type thermoelectric material 14 and the angle ( ⁇ 3) and the lower electrode 10 and the P-type thermoelectric material 14, forming may be the same with each other, It may be at least 45 degrees.
  • the first distance L1 which is the distance from the portion where the lower electrode 10 and the N-type thermoelectric material 12 are connected to the portion where the adjacent lower electrode 10 and the P-type thermoelectric material 13 are connected, may be 75 ⁇ m. have.
  • the thermoelectric element may have a distance L2 between the lower electrode 10 and the upper electrode 14 of 37.5 ⁇ m or more.
  • thermoelectric material 12 and the P-type thermoelectric material 13 are 75 x 75 ⁇ m at high integration (patterning density)
  • the distance between the upper electrode 14 and the lower electrode 10 of the thermoelectric element By increasing the temperature difference of the thermoelectric element and ultimately improve the thermoelectric performance index.
  • the N-type thermoelectric material 12 and the P-type thermoelectric material 13 are vertically arranged between the upper electrode 14 and the lower electrode 10 with respect to the lower electrode 10 and the upper electrode 14. Since the movement paths of the carriers in the N-type thermoelectric material 12 and the P-type thermoelectric material 13 are directions perpendicular to the grain boundaries, the flow of the carrier may be interrupted. Accordingly, the N-type thermoelectric material 12 and the P-type thermoelectric material 13 form an inclination with the lower electrode 10 and the upper electrode 14, so that the movement path of the carrier is parallel to the grain boundary. This facilitates the flow of carriers and increases the electrical conductivity ⁇ .
  • thermoelectric performance index (ZT) thermoelectric performance index
  • thermoelectric element may increase, and thus the power generation and cooling performance of the thermoelectric element may increase.
  • the N-type thermoelectric material 12 and the P-type thermoelectric material 13 may be disposed in parallel in the same direction between the lower electrode 10 and the upper electrode 14.
  • the gap between the lower electrode 10 and the upper electrode 14 may be adjusted to improve the thermal performance index while canceling the increase in thermal conductivity caused by the improvement of the electrical conductivity.
  • the N-type thermoelectric material 12 and the P-type thermoelectric material 13 may be disposed to form different inclinations with the lower electrode 10 and the upper electrode 14, and the lower electrode 10 as described above.
  • the distance between the and the upper electrode 14 can be adjusted to improve the thermal performance index.
  • the upper electrode 14 may be disposed on the thermoelectric element and may be electrically connected to the N-type thermoelectric material 12 and the P-type thermoelectric material 13.
  • the upper electrodes 14 may be provided in plural and alternately arranged like the lower electrodes 10.
  • the upper electrodes 14 may be arranged at regular intervals.
  • the lower electrode 10 and the upper electrode 14 may be flexible electrodes.
  • the lower electrode 10 and the upper electrode 14 may include copper (Cu), silver (Ag), tin (Sn), aluminum (Al), nickel (Ni), iron (Fe), gold (Au), and platinum ( Pt), chromium (Cr), titanium (Ti), tantalum (Ta), tungsten (W) may include a metal having a composition containing any one or two or more.
  • the insulating layer 15 may be disposed between the upper electrodes 14 spaced apart from each other to connect the upper electrodes 14. It may be made of a material having flexibility and insulation.
  • the insulating layer 15 may include polymer-based polymethylmethacrylate (PMMA), polydimethylsiloxane (polydimethylsiloxan, PDMA), or the like.
  • PMMA polymer-based polymethylmethacrylate
  • PDMA polydimethylsiloxane
  • the insulating layer 15 may be formed by coating parylene. 2, the insulating layer 15 may be a transparent material.
  • the flexible support layer 11 and the insulating layer 15 may have a very high reliability in the flexibility of the thermoelectric element.
  • thermoelectric element illustrated in FIG. 1 may be a thin film flexible thermoelectric element.
  • thermoelectric devices 4 to 10 are cross-sectional views of thermoelectric devices illustrating a sequential method of manufacturing a thermoelectric device according to an embodiment of the present invention.
  • the sacrificial layer 17 may be formed on the substrate 16, and the lower electrode 10 may be formed on the sacrificial layer 17.
  • Substrate 16 may be a rigid substrate.
  • the N-type thermoelectric material 12 and the P-type thermoelectric material 13 electrically connecting the lower electrode 10 and the upper electrode 14 may be inclined on the lower electrode 10.
  • the N-type thermoelectric material 12 and the P-type thermoelectric material 13 may form a predetermined angle with the lower electrode 10 and the upper electrode 14.
  • the support layer 11 may be formed by injecting polyimide into the mold 18 in the direction of the arrow.
  • the N-type thermoelectric material 12 and the P-type thermoelectric material 13 may be sequentially deposited on the support layer 11 using the shadow mask 19.
  • the N-type thermoelectric material 12 and the P-type thermoelectric material 13 may be deposited on the inclined surface of the support layer 11 formed through the mold 18.
  • the order of deposition of the N-type thermoelectric material 12 and the P-type thermoelectric material 13 may be changed.
  • the N-type thermoelectric material 12 and the P-type thermoelectric material 13 may be deposited on the inclined surface of the support layer 11 by a lithography process.
  • the shape of the support layer 11 formed according to the structure of the mold 18 makes a predetermined angle between the N-type thermoelectric material 12 and the P-type thermoelectric material 13 and the lower electrode 10, the angle of which same.
  • the sacrificial layer 17 may be removed to separate the substrate 16.
  • the upper electrode 14 is connected to the N-type thermoelectric material 12 and the P-type thermoelectric material 13, and an insulating layer 15 is formed between the upper electrodes 14 spaced apart from each other to form the upper electrode 14. Can be connected.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)
  • Electromechanical Clocks (AREA)

Abstract

본 발명의 일실시예에 따른 열전 소자 및 이의 제조방법이 개시된다. 상기 열전 소자는 복수의 상부 전극과 복수의 하부 전극 및 상기 상부 전극과 상기 하부 전극 사이에 교대로 배열되고, 상기 하부 전극 상에 경사지게 배치되며 전기적으로 연결된 N형 열전소재와 P형 열전소재를 포함한다.

Description

열전 소자 및 이의 제조방법
본 발명은 열전 소자 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 유연한 열전 소자 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
열전변환(Thermoelectric conversion)이란 열에너지와 전기에너지 사이의 에너지 변환을 의미한다. 열전소재에 전류를 흘려주면 그 양단 사이에 온도 구배가 발생하는 효과를 펠티어 효과(Peltier effect)라 하고, 역으로 열전소재의 양단에 온도 차이가 있을 때 전기가 발생하는 효과를 제벡 효과(Seebeck effect)라 한다.
펠티어 효과(Peltier effect)를 이용하면, 냉매가 필요 없는 각종 냉각 시스템을 구현할 수 있다. 펠티어 효과(Peltier effect)를 이용한 냉각 시스템은 기존의 냉각 시스템(수동형 냉각 시스템, 냉매 가스 압축 방식의 시스템)으로는 해결하기 어려운 발열 문제를 해결하는데 유용하게 적용될 수 있다.
또한, 열전냉각은 환경 문제를 유발하는 냉매 가스를 사용하지 않는 친환경 냉각기술이며, 고효율의 열전냉각재료의 개발을 통해 열전냉각효율을 향상시키면 냉장고, 에어컨 등 범용 냉각 분야로까지 응용의 폭을 확대할 수 있다.
한편, 제벡 효과(Seebeck effect)를 이용하면, 컴퓨터나 자동차 엔진부, 산업용 공장 등에서 발생한 열을 전기에너지로 변환할 수 있다. 이러한 제벡 효과(Seebeck effect)를 이용한 열전발전은 신재생 에너지원으로 활용될 수 있다. 최근 신에너지 개발, 폐에너지 회수, 환경보호 등에 대한 관심이 고조되면서, 열전 소자에 대한 관심도 높아지고 있다.
뿐만 아니라, 최근에는 열전 소자를 대면적 열전 소자, 또는 웨어러블 열전 소자로 적용하기 위해 폴리머 열전 소재나 플렉서블 열전 소재에 대한 관심이 높아지고 있다.
이러한 폴리머 열전 소재, 플렉서블 열전 소재는 열전 무기물 대비 비독성, 저가, 대면적 열전 소자를 구현하기 용이한 점 등의 장점이 있으나, 열전 변환 효율이 낮은 경우가 많다.
또한, 벌크형 열전소재를 적용한 유연 소자는 고집적화가 어렵고 벤딩(bending)에 의한 신뢰성이 낮은 문제가 있다. 그리고 박막형 열전소재를 적용한 유연소자의 경우 열전 변환 효율이 낮으며, 모듈 시에 유연성을 잃어버리는 문제점이 존재한다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 열전 변환 효율이 높은 유연 열전 소자 및 이를 제조하는 방법을 제공하는 데 있다.
본 발명의 일실시예에 따른 열전 소자는 복수의 상부 전극과 복수의 하부 전극 및 상기 상부 전극과 상기 하부 전극 사이에 교대로 배열되고, 상기 하부 전극 상에 경사지게 배치되며 전기적으로 연결된 N형 열전소재와 P형 열전소재를 포함한다.
상기 N형 열전소재 및 상기 P형 열전소재가 상기 하부 전극과 이루는 각은 45도 이상일 수 있다.
상기 N형 열전소재와 상기 P형 열전소재는 상기 하부 전극에 대하여 서로 다른 경사를 가지도록 배치될 수 있다.
상기 상부 전극 및 상기 하부 전극의 수직방향을 기준으로 상기 N형 열전소재 및 상기 P형 열전소재는 대칭일 수 있다.
상기 N형 열전소재와 P형 열전소재 사이에 배치되는 지지층;을 더 포함할 수 있다.
상기 지지층은 폴리이미드를 포함할 수 있다.
상기 지지층의 상부에 형성되고, 상기 복수의 상부 전극 사이에 배치되는 절연층;을 더 포함할 수 있다.
상기 절연층은 상기 상부 전극을 연결하고 유연할 수 있다.
본 발명의 일실시예에 따른 열전 소자 제조방법은 기판 상에 희생층을 형성하는 단계, 상기 희생층 상에 하부 전극을 형성하는 단계, 교대로 배열되고 상기 하부 전극 상에 경사지게 배치되는 N형 열전소재와 P형 열전소재가 상기 하부 전극 상에 형성되도록 상기 N형 열전소재와 P형 열전소재를 지지하는 지지층을 형성하는 단계, 상기 지지층 상에 N형 열전소재와 P형 열전소재를 증착하는 단계, 상기 기판을 제거하는 단계 및 상기 N형 열전소재와 P형 열전소재가 전기적으로 연결되도록 상부 전극을 접합하는 단계를 포함한다.
상기 지지층을 형성하는 단계는, 상기 지지층 형상의 몰드를 상기 하부 전극 상에 배치하는 단계; 및 상기 몰드에 폴리이미드를 주입하는 단계;를 포함할 수 있다.
열전소재를 증착하는 단계는, 새도우 마스크 및 리소그래피 공정 중 어느 하나일 수 있다.
열전소재 내 캐리어의 경로와 그레인 바운더리(Grain Boundary)가 수평하여 전기전도도가 증가할 수 있다. 또한, 전극 간 거리를 증가하여 열전달 경로를 증가되고, 열전달 경로의 증가로 열전도도 증가를 상쇄하여 최종적으로 열전 소자의 전극 사이의 온도차를 증대할 수 있다.
이로써, 열전 성능 지수(ZT)가 향상된 열전 소자를 제공할 수 있다.
또한, 열전소재를 지지하는 유연한 지지층과 유연전극을 통해 열전 소자의 유연성에 대한 신뢰성 문제를 극복할 수 있다.
뿐만 아니라, 박막화 등으로 소재의 고집적화가 가능할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 열전 소자의 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 열전 소자를 위쪽에서 바라본 도면이다.
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 열전 소자를 아래쪽에서 바라본 저면도이다.
도 4 내지 도 10는 본 발명의 일실시예에 따른 열전 소자의 순차적인 제조방법을 나타내는 열전 소자의 단면도이다.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
제2, 제1 등과 같이 서수를 포함하는 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되지는 않는다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제2 구성요소는 제1 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제1 구성요소도 제2 구성요소로 명명될 수 있다. 및/또는 이라는 용어는 복수의 관련된 기재된 항목들의 조합 또는 복수의 관련된 기재된 항목들 중의 어느 항목을 포함한다.
어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시예를 상세히 설명하되, 도면 부호에 관계없이 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 참조 번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
도 1 내지 도 3은 각각 본 발명의 일실시예에 따른 열전 소자에 대한 단면도, 위쪽에서 바라본 도면 그리고 아래쪽에서 바라본 도면이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일실시예에 따른 열전 소자는 하부 전극(10), 지지층(11), N형 열전소재(12), P형 열전소재(13), 상부 전극(14) 및 절연층(15)을 포함한다.
열전 소자에 전류를 인가하면 한편의 전극에서 캐리어(carrier)인 전자(e-)와 정공(h+)이 생성 되어 N형 열전소재로는 전자가, P형 열전소재로는 정공이 각각 흐르며 열을 전달하고 이들 캐리어는 반대편 전극에서 재결합된다. 캐리어가 생성되는 전극과 그와 인접한 기판에서는 흡열(Active cooling)이, 캐리어가 재결합 되는 전극과 그와 인접한 기판에서는 발열(Heat Rejection)이 일어나는데 이들 부위를 각각 저온부(cold side)와 고온부(hot side)로 칭할 수 있으며, 열전 소자의 양면을 구성한다.
그리고 열전 소자의 열전 성능 지수(ZT)는 하기의 수학식 1과 같이 정의 된다.
Figure PCTKR2017002312-appb-M000001
여기서, α는 제백 계수(Seebeck coefficient), σ는 전기 전도도, T는 절대온도, K는 열전도도이다. 수학식 1을 참조할 때, 열전 성능 지수(ZT)를 높이기 위해서는 Seebeck 계수(α)와 전기 전도도(σ)는 높이고, 열전도도(K)는 낮추는 것이 필요하다.
하부 전극(10)은 열전 소자의 하부에 배치되고, N형 열전소재(12) 및 P형 열전소재(13)와 전기적으로 연결될 수 있다. 그리고 하부 전극(10)은 복수 개로 교대로 배열될 수 있다. 또한, 하부 전극(10)은 일정 간격으로 배열될 수 있다.
지지층(11)은 상부 전극(14)에 결합한 N형 열전소재(12)와 P형 열전소재(13) 사이에 배치되어 N형 열전소재(12) 및 P형 열전소재(13)를 지지할 수 있다. 또한, 하부 전극(10)에 결합한 N형 열전소재(12) 및 P형 열전소재(13) 중 어느 하나를 지지하기 위해 하부 전극(10)과 절연층(15) 사이에 배치될 수 있다.
도 1을 참조하면, 지지층(11)은 열전 소자의 하부 전극(10)과 절연층(15) 사이 또는 N형 열전소재(12)와 P형 열전소재(13) 사이에 배치될 수 있다.
그리고 지지층(11)은 교대로 배열된 복수의 하부 전극(10) 사이에 배치되어 각 하부 전극(10)을 연결하며, 폴리이미드(Polyimide) 계열의 고분자로 이루어져 유연성을 가질 수 있다.
이로써, 플렉서블(Flexiable) 열전 소자의 벤딩(Bending)에 대한 신뢰성이 향상될 수 있다.
그리고 지지층(11)은 지지층(11) 상에 배치된 N형 열전소재(12) 및 P형 열전소재(13)가 경사지도록 기울어진 형태일 수 있다.
도 1을 참조하면, 지지층(11)은 N형 열전소재(12) 및 P형 열전소재(13)의 하부에 배치되었고, 하부 전극(10) 및 상부 전극(14)의 수직 방향으로 N형 열전소재(12) 및 P형 열전소재(13)를 지지할 수 있다.
N형 열전소재(12)와 P형 열전소재(13)는 상부 전극(14)과 하부 전극(10) 사이에 교대로 배치되고, 전기적으로 연결되어 P-N 접합을 형성한다.
N형 열전소재(12)와 P형 열전소재(13)로 사용되는 재질은 실리콘(Si), 비스무트(Bi), 니켈(Ni), 코발트(Co), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 구리(Cu), 망가니즈(Mg), 티타늄(Ti), 수은(Hg), 납(Pb), 주석(Sn), 몰리브덴(Mo), 이리듐(Ir), 금(Au), 은(Ag), 알루미늄(Al), 아연(Zn), 텅스텐(W), 카드뮴(Cd), 철(Fe), 비소(As), 텔루륨(Te), 저마늄(Ge) 등을 이용한 금속화합물 또는 세라믹, 그리고 전도성 폴리머 등 다양한 종류를 포함하며, N형 열전소재(12)와 P형 열전소재(13)는 이 중 어느 하나로 포함할 수 있으며, 박막형일 수 있다.
또한, 도 2를 참조하면 N형 열전소재(12) 및 P형 열전소재(13)의 폭(D)은 75㎛으로 이루어질 수 있다. 그리고 N형 열전소재(12)와 P형 열전소재(13)의 두께는 20㎛ 이상으로 이루어질 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니다.
열전소재가 수백마이크로미터 이하의 두께를 가지고 있기 때문에 전체 열전 소자의 두께는 매우 얇다. 또한, 열전소재는 얇기 때문에 유연한 열전 소자로써 제작 가능성 및 용이성이 높으며, 내부 저항이 낮고 전력밀도가 높아 집적화가 용이하다.
또한, N형 열전소재(12)와 P형 열전소재(13)는 지지층(11) 상에 배치되어, 경사지게 배치될 수 있으며, 하부 전극(10) 및 상부 전극(14)과 전기적으로 연결될 수 있다.
이에, N형 열전소재(12)와 P형 열전소재(13)는 하부 전극(10) 및 상부 전극(14)과 소정의 각도를 형성할 수 있으며, 소정의 각도는 45도 이상일 수 있다.
도 1을 참조하여 살펴보면, 상부 전극(14) 및 하부 전극(10)의 수직 방향을 기준으로 N형 열전 소재(12) 및 P형 열전소재(13)는 서로 대칭으로 배치될 수 있다.
그리고 N형 열전소재(12)와 하부 전극(10)이 이루는 각(θ1)이 45도 이상일 수 있으며, N형 열전소재(12)와 하부 전극(10)이 이루는 각(θ1)은 N형 열전소재(12)와 상부 전극(14)이 이루는 각 (θ2)과 동일할 수 있다.
마찬가지로, 상부 전극(14)이 P형 열전소재(14)와 이루는 각(θ3)과 하부 전극(10)과 P형 열전소재(14)가 이루는 각(θ4)은 서로 동일할 수 있으며, 45도 이상일 수 있다.
이로써, 하부 전극(10)과 상부 전극(14) 사이의 물리적 간격을 넓게 조절하면 N형 열전소재(12) 및 P형 열전소재(13)에서 열의 전도 현상을 최대한 지연할 수 있다.
그리고 하부 전극(10)과 N형 열전소재(12)가 연결된 부분에서 인접한 하부 전극(10)과 P형 열전 소재(13)가 연결된 부분까지의 거리인 제1 거리(L1)는 75㎛일 수 있다. 또한, 열전 소자는 하부 전극(10)과 상부 전극(14) 사이의 거리(L2)가 37.5 ㎛ 이상으로 이루어질 수 있다.
이에, N형 열전소재(12) 및 P형 열전소재(13)의 면적이 높은 집적화(패터닝 밀도)로 75 x75 ㎛인 경우, 열전 소자의 상부 전극(14)과 하부 전극(10) 사이의 간격을 넓혀 열전 소자의 온도차를 증가시키고 궁극적으로 열전 성능 지수를 향상시킬 수 있다.
그리고 N형 열전소재(12)와 P형 열전소재(13)가 상부 전극(14)과 하부 전극(10) 사이에서 하부 전극(10)과 상부 전극(14)을 기준으로 수직방향으로 배열된 경우, N형 열전소재(12)와 P형 열전소재(13) 내 캐리어의 이동경로는 그레인 바운더리(Grain Boundary)에 수직한 방향이므로 캐리어의 흐름은 방해받을 수 있다. 이에, N형 열전소재(12)와 P형 열전소재(13)가 하부 전극(10) 및 상부 전극(14)과 경사를 형성함으로써, 캐리어의 이동경로가 그레인 바운더리(Grain Boundary)와 수평한 방향이 되어 캐리어의 흐름을 원활히 하고 전기전도도(σ)를 상승할 수 있다.
또한, 비데만-프란츠(Wiedemann-Franz)의 법칙에 따라 전기전도도(σ)와 열전도도(K)는 함께 증가하며, 수학식 1을 참조할 때 전기전도도(σ)의 증가에 따른 열전 성능 지수(ZT)의 상승 효과가 열전도도(K)에 의해 상쇄될 수 있다.
이에, 상부 전극(14)과 하부 전극(10) 사이의 거리를 증가시킴으로써 N형 열전소재(12) 및 P형 열전소재(13)에서 열전달 경로를 증가시킬 수 있고, 최종적으로 상승된 열전도도(K)를 낮출 수 있다.
따라서 상부 전극(14)과 하부 전극(10) 사이의 거리를 증가시키고 전기전도도(σ)의 개선에 따른 열전도도(K)의 증가를 최대한 감쇄시켜, 전기전도도(σ) 향상에 따른 열전 소자의 열전 성능 지수(ZT)를 향상시킬 수 있다.
이에 따라, 열전 소자에서 흡열부와 발열부의 온도차이가 증가하여 열전 소자의 발전 및 냉각 성능 또한 증가할 수 있다.
또한, N형 열전소재(12)와 P형 열전소재(13)는 하부 전극(10)과 상부 전극(14) 사이에서 동일한 방향으로 평행하게 배치될 수 있다. 뿐만 아니라, 상기의 기재와 같이 전기전도도 향상에 따른 열전도도 증가를 상쇄하면서 열 성능 지수를 향상시키도록 하부 전극(10)과 상부 전극(14) 사이의 간격을 조절할 수 있다.
뿐만 아니라, N형 열전소재(12)와 P형 열전소재(13)는 하부 전극(10) 및 상부 전극(14)과 서로 다른 경사가 형성되도록 배치될 수 있고, 상기와 마찬가지로 하부 전극(10)과 상부 전극(14) 사이의 간격을 열 성능 지수 향상을 위해 조절할 수 있다.
상부 전극(14)은 열전 소자의 상부에 배치되고, N형 열전소재(12) 및 P형 열전소재(13)와 전기적으로 연결될 수 있다. 그리고 상부 전극(14)은 하부 전극(10)과 마찬가지로 복수 개이며, 교대로 배열될 수 있다. 또한, 상부 전극(14)은 일정 간격으로 배열될 수 있다.
또한, 하부 전극(10) 및 상부 전극(14)은 유연 전극일 수 있다.
그리고 하부 전극(10) 및 상부 전극(14)은 구리(Cu), 은(Ag), 주석(Sn), 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 철(Fe), 금(Au), 백금(Pt), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 텅스텐(W) 중에서 어느 하나 또는 둘 이상이 함유된 조성의 금속을 포함할 수 있다.
절연층(15)은 이격 배치된 상부 전극(14) 사이에 배치되어 상부 전극(14)을 연결할 수 있다. 유연성 및 절연성을 가진 소재로 이루어질 수 있다.
또한, 절연층(15)은 폴리머 계열인 폴리메틸메타크릴레이트 (PolymethylMethacrylate, PMMA), 폴리다이메틸실록세인(polydimethylsiloxan, PDMA) 등을 포함할 수 있다.
또한, 절연층(15)은 패럴린(Parylene)을 코팅하여 형성될 수도 있다. 그리고 도 2를 참조할 때, 절연층(15)은 투명한 재질일 수 있다.
이로써, 고집적화된 열전 소자로 높은 온도차 및 향상된 열전 성능 지수를 구현하면서. 유연한 지지층(11) 및 절연층(15)으로 이루어져 열전 소자의 유연성에 매우 높은 신뢰성을 가질 수 있다.
그리고 도 1에 도시된 열전 소자는 박막형 유연 열전 소자일 수 있다.
도 4 내지 도 10는 본 발명의 일실시예에 따른 열전 소자의 순차적인 제조방법을 나타내는 열전 소자의 단면도이다.
기판(16) 상에 희생층(17)을 형성하고, 희생층(17) 상에 하부 전극(10)을 형성할 수 있다. 기판(16)은 강성(rigid) 기판일 수 있다.
다음으로 하부 전극(10)과 상부 전극(14)을 전기적으로 연결하는 N형 열전소재(12)와 P형 열전소재(13)는 하부 전극(10) 상에 경사지게 배치될 수 있다.
또한, 경사로 인해 N형 열전소재(12)와 P형 열전소재(13)는 하부 전극(10) 및 상부 전극(14)과 소정의 각도를 형성할 수 있다.
일실시예로, 상기 몰드(18)에 화살표 방향으로 폴리이미드를 주입하여 지지층(11)을 형성할 수 있다. 이에, 도 7 및 도 8 과 같이 섀도우 마스크(19)를 이용하여 N형 열전소재(12) 및 P형 열전소재(13)를 순서대로 지지층(11)에 증착할 수 있다.
그리고 N형 열전소재(12) 및 P형 열전소재(13)는 몰드(18)를 통해 형성된 지지층(11)의 경사면에 증착할 수 잇다.
또한, N형 열전소재(12) 및 P형 열전소재(13)의 증착은 순서가 바뀌어도 무방하다.
또한, 리소그래피(Lithography) 공정에 의해 N형 열전소재(12) 및 P형 열전소재(13)를 지지층(11)의 경사면에 증착할 수 있다.
몰드(18)의 구조에 따라 형성된 지지층(11)의 형상에 의해 N형 열전소재(12) 및 P형 열전소재(13)와 하부 전극(10)간에 소정의 각도를 이루고, 각도는 상기 기재와 동일하다.
N형 열전소재(12) 및 P형 열전소재(13)를 증착한 후, 희생층(17)을 제거하여 기판(16)을 분리할 수 있다.
그리고 상부 전극(14)을 N형 열전소재(12)와 P형 열전소재(13)에 연결하고, 이격 배치된 상부 전극(14) 사이에 절연층(15)을 형성하여 상부 전극(14) 사이를 연결할 수 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims (10)

  1. 복수의 상부 전극과 복수의 하부 전극; 및
    상기 상부 전극과 상기 하부 전극 사이에 교대로 배치되고, 전기적으로 연결된 N형 열전소재와 P형 열전소재;를 포함하고,
    상기 N형 열전소재 및 상기 P형 열전소재는,
    상기 하부 전극 상에 경사지게 배치되는 열전 소자.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 N형 열전소재 및 상기 P형 열전소재가 상기 하부 전극과 이루는 각은 45도 이상인 열전 소자.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 N형 열전소재와 상기 P형 열전소재는 상기 하부 전극에 대하여 서로 다른 경사를 가지도록 배치되는 열전 소자.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 상부 전극 및 상기 하부 전극의 수직방향을 기준으로 상기 N형 열전소재 및 상기 P형 열전소재는 대칭인 열전 소자.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 N형 열전소재와 상기 P형 열전소재 사이에 배치되는 지지층;을 더 포함하는 열전 소자.
  6. 제 5항에 있어서,
    상기 지지층은 폴리이미드를 포함하는 열전 소자.
  7. 제 5항에 있어서,
    상기 지지층의 상부에 배치되고, 상기 복수의 상부 전극 사이에 배치되는 절연층;을 더 포함하는 열전 소자.
  8. 기판 상에 희생층을 형성하는 단계;
    상기 희생층 상에 하부 전극을 형성하는 단계;
    상기 하부 전극 상에 경사지게 배치된 N형 열전소재와 P형 열전소재가 상기 하부 전극 상에 교대로 배치되도록 상기 N형 열전소재와 상기 P형 열전소재를 지지하는 지지층을 형성하는 단계;
    상기 지지층 상에 상기 N형 열전소재와 상기 P형 열전소재를 증착하는 단계;
    상기 기판을 제거하는 단계; 및
    상기 N형 열전소재와 상기 P형 열전소재가 전기적으로 연결되도록 상부 전극을 접합하는 단계;를 포함하는 열전 소자 제조방법.
  9. 제 8항에 있어서,
    상기 지지층을 형성하는 단계는,
    몰드를 상기 하부 전극 상에 배치하는 단계; 및
    상기 몰드에 폴리이미드를 주입하는 단계;를 포함하는 열전 소자 제조방법.
  10. 제 8항에 있어서,
    상기 N형 열전소재와 상기 P형 열전소재를 증착하는 단계는,
    새도우 마스크 및 리소그래피 공정 중 어느 하나인 열전 소자 제조방법.
PCT/KR2017/002312 2016-03-04 2017-03-03 열전 소자 및 이의 제조방법 Ceased WO2017150932A1 (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US16/078,459 US11611028B2 (en) 2016-03-04 2017-03-03 Thermoelectric device and manufacturing method therefor
CN201790000651.8U CN209389066U (zh) 2016-03-04 2017-03-03 热电装置

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2016-0026593 2016-03-04
KR1020160026593A KR102429795B1 (ko) 2016-03-04 2016-03-04 열전소자 및 이의 제조방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2017150932A1 true WO2017150932A1 (ko) 2017-09-08

Family

ID=59744212

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/KR2017/002312 Ceased WO2017150932A1 (ko) 2016-03-04 2017-03-03 열전 소자 및 이의 제조방법

Country Status (4)

Country Link
US (1) US11611028B2 (ko)
KR (1) KR102429795B1 (ko)
CN (1) CN209389066U (ko)
WO (1) WO2017150932A1 (ko)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102795368B1 (ko) * 2019-12-24 2025-04-16 엘지이노텍 주식회사 열전소자
WO2021167203A1 (ko) * 2020-02-18 2021-08-26 주식회사 리빙케어 균일 발전 성능을 갖는 열전발전장치
CN111579105B (zh) * 2020-03-30 2022-10-11 中国电力科学研究院有限公司 自供能的电缆测温装置
KR102866611B1 (ko) * 2023-08-07 2025-09-30 삼성중공업 주식회사 열전 발전 모듈

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100658699B1 (ko) * 2006-01-18 2006-12-19 인하대학교 산학협력단 유연성을 갖는 열전 모듈
JP2009289860A (ja) * 2008-05-28 2009-12-10 Murata Mfg Co Ltd 熱電変換モジュールおよび熱電変換モジュールの製造方法
KR20110083372A (ko) * 2010-01-14 2011-07-20 삼성전자주식회사 열전 소자 및 열전 소자 어레이
KR101460880B1 (ko) * 2013-03-07 2014-11-12 홍익대학교 산학협력단 비아 홀이 구비된 몰드를 이용한 열전박막 모듈의 제조방법 및 이에 의해 제조된 열전박막 모듈
KR101460432B1 (ko) * 2013-03-07 2014-11-12 홍익대학교 산학협력단 접착제 플립칩 본딩과 솔더 리플로우 플립칩 본딩을 동시에 적용하여 이루어지는 열전박막 모듈의 제조방법 및 이에 의해 제조된 열전박막 모듈

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007036178A (ja) * 2005-06-24 2007-02-08 Denso Corp 熱電変換装置および冷暖装置
JP4953841B2 (ja) * 2006-03-31 2012-06-13 京セラ株式会社 熱電モジュール
US9748466B2 (en) * 2013-01-08 2017-08-29 Analog Devices, Inc. Wafer scale thermoelectric energy harvester

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100658699B1 (ko) * 2006-01-18 2006-12-19 인하대학교 산학협력단 유연성을 갖는 열전 모듈
JP2009289860A (ja) * 2008-05-28 2009-12-10 Murata Mfg Co Ltd 熱電変換モジュールおよび熱電変換モジュールの製造方法
KR20110083372A (ko) * 2010-01-14 2011-07-20 삼성전자주식회사 열전 소자 및 열전 소자 어레이
KR101460880B1 (ko) * 2013-03-07 2014-11-12 홍익대학교 산학협력단 비아 홀이 구비된 몰드를 이용한 열전박막 모듈의 제조방법 및 이에 의해 제조된 열전박막 모듈
KR101460432B1 (ko) * 2013-03-07 2014-11-12 홍익대학교 산학협력단 접착제 플립칩 본딩과 솔더 리플로우 플립칩 본딩을 동시에 적용하여 이루어지는 열전박막 모듈의 제조방법 및 이에 의해 제조된 열전박막 모듈

Also Published As

Publication number Publication date
KR20170103544A (ko) 2017-09-13
US20190097113A1 (en) 2019-03-28
CN209389066U (zh) 2019-09-13
KR102429795B1 (ko) 2022-08-05
US11611028B2 (en) 2023-03-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2017150932A1 (ko) 열전 소자 및 이의 제조방법
WO2019112288A1 (ko) 열변환장치
WO2020116803A1 (ko) 냉각 및 가열이 가능한 신축성 유연 웨어러블 열전소자
WO2020218753A1 (ko) 열변환장치
WO2018226046A1 (ko) 열변환장치
JP2016187008A (ja) 熱電変換デバイス
WO2016159591A1 (ko) 열전소자, 열전모듈 및 이를 포함하는 열전환장치
Gobpant et al. High-performance flexible thermoelectric generator based on silicone rubber and cover with graphite sheet
WO2020013526A1 (ko) 열변환장치
WO2017119549A1 (ko) 전기화학공정을 이용한 유기-무기 복합 반도체 소자 및 이의 제조방법
EP3062358A1 (en) Thermoelectric conversion device having thermoelectric conversion element connected thereto via wiring pattern, and method for manufacturing thermoelectric conversion device having thermoelectric conversion element connected thereto via wiring pattern
WO2021145621A1 (ko) 발전장치
US20180090660A1 (en) Flexible thin-film based thermoelectric device with sputter deposited layer of n-type and p-type thermoelectric legs
WO2021029590A1 (ko) 열전장치
WO2016182210A1 (ko) 전기화학공정을 이용한 전자소재 및 이의 제조방법
JP2022186538A (ja) 熱電発電デバイス、熱電発電デバイス部品及びその製造方法
WO2020246749A1 (ko) 열전소자
WO2015034294A1 (ko) 열전모듈 및 이를 포함하는 냉각장치
US20200203592A1 (en) Electric power generation from a thin-film based thermoelectric module placed between each hot plate and cold plate of a number of hot plates and cold plates
WO2022270912A1 (ko) 열전장치
US20180287038A1 (en) Thermoelectric conversion device
US11024789B2 (en) Flexible encapsulation of a flexible thin-film based thermoelectric device with sputter deposited layer of N-type and P-type thermoelectric legs
US20210249579A1 (en) Flexible encapsulation of a flexible thin-film based thermoelectric device with sputter deposited layer of n-type and p-type thermoelectric legs
WO2021101267A1 (ko) 열전소자
WO2021141302A1 (ko) 열전소자

Legal Events

Date Code Title Description
NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 17760336

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 17760336

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1