WO2016197500A1 - 一种oring控制电路和电源系统 - Google Patents

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WO2016197500A1
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triode
fet
transistor
control circuit
auxiliary power
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PCT/CN2015/092189
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王勇
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中兴通讯股份有限公司
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    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02JCIRCUIT ARRANGEMENTS OR SYSTEMS FOR SUPPLYING OR DISTRIBUTING ELECTRIC POWER; SYSTEMS FOR STORING ELECTRIC ENERGY
    • H02J9/00Circuit arrangements for emergency or stand-by power supply, e.g. for emergency lighting
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K19/00Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
    • H03K19/007Fail-safe circuits

Definitions

  • Embodiments of the present invention relate to, but are not limited to, the field of communications, and more particularly to an ORING control circuit and a power supply system.
  • the ORING control circuit is usually implemented by means of a field effect transistor and an operational amplifier (or comparator).
  • FIG. 2 it is an ORING control circuit implemented by a field effect transistor and an operational amplifier in the related art.
  • the input voltage Vin is connected to the source of the FET Q1
  • the output voltage Vout is connected to the drain of the FET Q1
  • the on-off of the FET is controlled by the operational amplifier F, thereby implementing the control function of the ORING control circuit.
  • the auxiliary power terminal is connected to the input voltage terminal through the triode VT102; the auxiliary power terminal is connected to the output combined voltage terminal through the triode VT104;
  • the ORING control circuit further includes a resistor R120, a resistor R114, and a resistor R116.
  • the collector of the transistor VT108 is connected to the auxiliary power supply terminal through a resistor R114;
  • the collector of the transistor VT110 is connected to the auxiliary power supply terminal via a resistor R116.
  • the switching circuit can be realized by a triode or by a field effect transistor. Therefore, the entire ORING control circuit is realized by the FET and the triode, and the cost is low. Under the premise of realizing the control function of the ORING control circuit, a low-cost ORING control circuit is provided.
  • FIG. 1 is a schematic structural diagram of a power supply system including an ORING control circuit in the related art
  • FIG. 2 is a schematic structural diagram of an ORING control circuit implemented by a field effect transistor and an operational amplifier in the related art
  • FIG. 4 is a circuit diagram of an ORING control circuit according to an embodiment of the present invention.
  • the switching circuit selectively connects the gate of the FET Q118 to one of the auxiliary power supply terminal or the ground terminal according to the turn-on and turn-off of the transistor VT102 and the transistor VT104.
  • the working characteristic of the PNP type triode is that when the voltage difference between the emitter voltage and the base voltage is greater than the saturation voltage Veb(sat) of the emitter-base of the triode, the emitter and the collector of the triode are turned on, when the emitter When the voltage difference between the voltage and the base voltage is less than the saturation voltage Veb(sat) of the emitter-base of the triode, the emitter and collector of the triode are disconnected.
  • the input voltage Vin is slightly larger than the output voltage Vout.
  • the emitter voltage of the triode VT102 is equal to the emitter voltage of the triode VT104, and the base voltage of the triode VT102 is greater than the base voltage of the triode VT104, so The transistor VT104 is placed in an on state, and the transistor VT102 is in an off state.
  • the auxiliary voltage Vap of the auxiliary power supply terminal is generally much higher than the input voltage Vin and the output voltage Vout, the auxiliary voltage Vap will form a loop through the emitter-base of the transistor VT104 and the output voltage Vout, so that the transistor VT104 is turned on.
  • the saturation voltage Veb(sat) of the emitter-base of the triode is described by taking 0.7 as an example.
  • the input voltage Vin is 11V
  • the output voltage Vout is 10V
  • the auxiliary voltage Vap of the auxiliary power supply terminal is 20V
  • the transistor VT104 will be in the on state
  • the base voltage of the triode VT104 is less than
  • the emitter voltage, the base voltage of the triode VT104 is 10V
  • the emitter voltage of the triode VT102 is also 10.7V
  • the base voltage of the triode VT102 is also 11V
  • the triode The voltage difference between the emitter voltage and the base voltage of VT102 is less than 0.7V
  • the transistor VT102 will be in the off state.
  • the input voltage Vin When the power supply circuit is abnormal, the input voltage Vin will be smaller than the output voltage Vout.
  • the output of the other circuit is normal, and for the abnormal power supply, the above Vin is less than Vout; when one of the two input voltages Vin The power supply is short-circuited, that is, one input voltage Vin is short-circuited, and the other input voltage is Vin. The output is normal. At this time, for this short-circuit power supply, Vin will be less than Vout.
  • the input voltage Vin is 0.5V
  • the output voltage Vout is 10V
  • the auxiliary voltage Vap of the auxiliary power supply terminal is 20V
  • the triode VT102 will be in the on state
  • the base of the triode VT108 is connected to the collector of the triode VT104, the emitter of the triode VT108 is grounded; the collector of the triode VT108 is connected to the auxiliary power supply terminal;
  • the base of the triode VT110 is connected to the collector of the triode VT108, the emitter of the triode VT110 is grounded, and the collector of the triode VT110 is connected to the auxiliary supply terminal.
  • the auxiliary power terminal is connected to the emitter of the transistor VT102 through a resistor R112, and the auxiliary power terminal is connected to the emitter of the transistor VT104 through a resistor R112.
  • the base of the transistor VT102 is connected to the input voltage terminal through the resistor R122; the base of the transistor VT104 is connected to the output combined voltage terminal through the resistor R126; the base of the transistor VT102 is grounded through the capacitor C124; the base of the transistor VT104 is grounded through the capacitor C128;
  • the base of the transistor VT106 is grounded via a resistor R120; the collector of the transistor VT108 is connected to the auxiliary power supply terminal via a resistor R114; the collector of the transistor VT110 is connected to the auxiliary power supply terminal via a resistor R116.
  • FIG. 5 a circuit diagram of an ORING control circuit including another switching circuit according to an embodiment of the present invention is provided. Wherein, the switching circuit is implemented by a FET, wherein, as shown in FIG. 5,
  • the switching circuit includes a field effect transistor Q106, a field effect transistor Q108, and a field effect transistor Q110;
  • the triode VT102 when the triode VT102 is turned off and the triode VT104 is turned on, since the triode VT102 is turned off, the triode VT106 is not turned on; when the triode VT104 is turned on, the auxiliary power is transmitted through the resistor R112 and the triode VT104.
  • the pole-collector drives the FET Q108 to turn on the FET Q108.
  • the gate of the FET Q110 is connected to the ground. Therefore, the FET Q110 is turned off, so the field
  • the drain of the effect transistor Q110 outputs a high level, driving the FET Q118, causing the FET Q118 to be turned on, and the current is input from the input.
  • the voltage Vin flows to the combined bus Vout.
  • the switching circuit can be implemented by a triode or by a field effect transistor. Therefore, the entire ORING control circuit is realized by the FET and the triode, and the cost is low. Under the premise of realizing the control function of the ORING control circuit, a low-cost ORING control circuit is provided.

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Abstract

一种ORING控制电路和电源系统,该ORING控制电路包括场效应管Q118、三极管VT102、三极管VT104和切换电路;其中,场效应管Q118的源极连接至输入电压端;场效应管Q118的漏极连接至输出合路电压端;场效应管Q118的栅极通过切换电路连接至辅助电源端;辅助电源端通过三极管VT102连接至输入电压端;辅助电源端通过三极管VT104连接至输出合路电压端;三极管VT102连接至切换电路的第一输入端;三极管VT104连接至切换电路的第二输入端;切换电路根据三极管VT102和三极管VT104的导通和关断,选择性地将场效应管Q118的栅极连接至辅助电源端或接地端中的一个。整个ORING控制电路通过场效应管和三极管实现,在实现ORING控制电路的控制功能的前提下,提供了一种低成本的ORING控制电路。

Description

一种ORING控制电路和电源系统 技术领域
本实用新型实施例涉及但不限于通信领域,尤指一种ORING控制电路和电源系统。
背景技术
随着通信设备不断发展,对电源系统供电的可靠性和成本要求越来越高,供电电源都会采用冗余备份设计,以此提高产品的供电可靠性。通信设备单板上一般有双路电源输入,经过ORING(或运算)控制电路之后分别连接至母线电压,从而形成一路母线电压,并将母线电压供给后级电路使用,例如,一种包含ORING控制电路的电源系统的结构示意图如图1所示,其中,电源系统包括两路电源,分别为电源1和电源2,每一路电源的输入电压Vin均通过对应的ORING控制电路进行控制,并经过对应的ORING控制电路分别连接至母线电压。这样做的目的是为了防止因为某路电源发生故障时,另一台电源能够不受故障电源的影响,能够继续给后级负载供电,从而保证整个通信设备的正常工作。
目前,ORING控制电路通常是采用场效应管和运放(或比较器)的方式实现,参照图2,为相关技术中通过场效应管和运放实现的ORING控制电路。输入电压Vin连接至场效应管Q1的源极,输出电压Vout连接至场效应管Q1的漏极,通过运放F对场效应管的通断进行控制,从而实现ORING控制电路的控制功能。
另外一种是通过集成ORING控制芯片实现。参照图3,为相关技术中通过集成ORING控制芯片实现的ORING控制电路。输入电压Vin连接至场效应管Q2的源极,输出电压Vout连接至场效应管Q2的漏极,通过相关技术中的集成芯片,例如ORING控制芯片对场效应管Q2的通断进行控制,从而实现ORING控制电路的控制功能。
电源系统包括多路输入电压Vin,每一路输入电压Vin均通过对应的 ORING控制电路进行控制。图2和图3中示出的为一路输入电压Vin对应的ORING控制电路。
在图2和图3中,根据ORING控制电路的控制原理,当输入电压Vin正常供电时,场效应管的源极和漏极之间导通,因此输入电压Vin可以通过场效应管提供输出电压Vout;当输入电源异常时,场效应管的源极和漏极之间断开,因此输入电压端的输入电压Vin不能通过场效应管提供给输出合路电压端,通过ORING控制电路中对场效应管的导通和关断的控制,在输入电源异常时通过场效应管断开输入电源和母线间的连接,使得异常的输入电源不能连接至母线,有效地隔离了异常的输入电压Vin。
对于图2和图3提供的ORING控制电路,这两种方案的缺点是成本较高,难以适用于低成本的应用需求中。
实用新型内容
以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
本实用新型实施例提出了一种ORING控制电路和电源系统,能够提供一种成本较低的可靠的ORING控制电路。
本实用新型实施例提出了一种ORING控制电路,所述ORING控制电路包括场效应管Q118、三极管VT102、三极管VT104、和切换电路;其中,
场效应管Q118的源极连接至输入电压端;场效应管Q118的漏极连接至输出合路电压端;场效应管Q118的栅极通过切换电路连接至辅助电源端;
辅助电源端通过三极管VT102连接至输入电压端;辅助电源端通过三极管VT104连接至输出合路电压端;
三极管VT102连接至切换电路的第一输入端;三极管VT104连接至切换电路的第二输入端;
切换电路根据三极管VT102和三极管VT104的导通和关断,选择性地将场效应管Q118的栅极连接至辅助电源端或接地端中的一个。
可选地,其中,辅助电源端连接至三极管VT102的发射极,三极管VT102 的基极连接至输入电压端;
辅助电源端连接至三极管VT104的发射极,三极管VT104的基极连接至输出合路电压端。
可选地,其中,所述三极管VT102和三极管VT104为PNP型三极管。
可选地,其中,所述切换电路根据三极管VT102和三极管VT104的导通和关断,选择性地将场效应管Q118的栅极连接至辅助电源端或接地端中的一个包括:
当三极管VT102关断、且三极管VT104导通时,切换电路将场效应管Q118的栅极连接至辅助电源端;当三极管VT102导通、且三极管VT104关断时,切换电路将场效应管Q118的栅极连接至接地端。
可选地,所述切换电路包括三极管VT106、三极管VT108和三极管VT110;
三极管VT106的基极连接至三极管VT102的集电极,三极管VT106的发射极接地;三极管VT106的集电极连接至三极管VT104的集电极;
三极管VT108的基极连接至三极管VT104的集电极,三极管VT108的发射极接地;三极管VT108的集电极连接至辅助电源端;
三极管VT110的基极连接至三极管VT108的集电极,三极管VT110的发射极接地;三极管VT110的集电极连接至辅助电源端。
可选地,所述ORING控制电路还包括电阻R112,辅助电源端通过电阻R112连接至三极管VT102的发射极,辅助电源端通过电阻R112连接至三极管VT104的发射极。
可选地,所述ORING控制电路还包括电阻R120、电阻R114、电阻R116,
三极管VT106的基极通过电阻R120接地;
三极管VT108的集电极通过电阻R114连接至辅助电源端;
三极管VT110的集电极通过电阻R116连接至辅助电源端。
可选地,其中,所述切换电路包括场效应管Q106、场效应管Q108和场效应管Q110;
场效应管Q106的栅极连接至三极管VT102的集电极,场效应管Q106的源极接地;场效应管Q106的漏极连接至三极管VT104的集电极;
场效应管Q108的栅极连接至三极管VT104的集电极,场效应管Q108的源极接地;场效应管Q108的漏极连接至辅助电源端;
场效应管Q110的栅极连接至场效应管Q108的漏极,场效应管Q110的源极接地;场效应管Q110的漏极连接至辅助电源端。
可选地,所述ORING控制电路还包括电阻R120、电阻R114、电阻R116,场效应管Q106的栅极通过电阻R120接地;场效应管Q108的漏极通过电阻R114连接至辅助电源端;场效应管Q110的漏极通过电阻R116连接至辅助电源端。
本实用新型实施例还提出了一种电源系统,所述电源系统包括上述任一种ORING控制电路。
与相关技术相比,本实用新型实施例提供的技术方案包括:所述ORING控制电路包括场效应管Q118、三极管VT102、三极管VT104、和切换电路;其中,场效应管Q118的源极连接至输入电压端;场效应管Q118的漏极连接至输出合路电压端;场效应管的栅极通过切换电路连接至辅助电源端;辅助电源端通过三极管VT102连接至输入电压端;辅助电源端通过三极管VT104连接至输出合路电压端;三极管VT102连接至切换电路的第一输入端;三极管VT104连接至切换电路的第二输入端;切换电路根据三极管VT102和三极管VT104的导通和关断,选择性地将场效应管的栅极连接至辅助电源端或接地端中的一个。其中,切换电路可以通过三极管实现,也可以通过场效应管实现。因此,整个ORING控制电路通过场效应管和三极管实现,成本较低,在实现ORING控制电路的控制功能的前提下,提供了一种低成本的ORING控制电路。
在阅读并理解了附图和详细描述后,可以明白其他方面。
附图概述
图1为相关技术中包括ORING控制电路的电源系统的结构示意图;
图2为相关技术中通过场效应管和运放实现的ORING控制电路的结构示意图;
图3为相关技术中通过集成ORING控制芯片实现的ORING控制电路的结构示意图;
图4为本实用新型实施例提出的一种ORING控制电路的电路图;
图5为本实用新型实施例提出的包含另一种切换电路的ORING控制电路的电路图。
本实用新型的实施方式
下面结合附图对本实用新型实施例进行详细描述,并不能用来限制本实用新型的保护范围。需要说明的是,在不冲突的情况下,本申请中的实施例及实施例中的各种方式可以相互组合。
参见图4,本实用新型实施例提出了一种ORING控制电路,该ORING控制电路包括场效应管Q118、三极管VT102、三极管VT104和切换电路;其中,场效应管Q118的源极连接至输入电压端;场效应管Q118的漏极连接至输出合路电压端;场效应管Q118的栅极通过切换电路连接至辅助电源端;辅助电源端通过三极管VT102连接至输入电压端;辅助电源端通过三极管VT104连接至输出合路电压端;三极管VT102连接至切换电路的第一输入端;三极管VT104连接至切换电路的第二输入端;
所述切换电路根据三极管VT102和三极管VT104的到导通和关断,选择性地将场效应管Q118的栅极连接至辅助电源端或接地端中的一个。
其中,场效应管Q118的工作特性为当栅极电压和源极电压之间压差大于场效应管的开通门槛电压Vgs(th)时,场效应管Q118的源极和漏极之间导通,输入电压端的输入电压Vin通过场效应管Q118提供给输出合路电压端,场效应管Q118的工作特性为当栅极电压和源极电压之间压差小于场效应管的开通门槛电压Vgs(th)时,场效应管Q118的源极和漏极之间断开,输入电压端的输入电压Vin无法提供给输出合路电压端。
其中,本实用新型实施例中,辅助电源端连接至三极管VT102的发射极, 三极管VT102的基极连接至输入电压端;辅助电源端连接至三极管VT104的发射极,三极管VT104的基极连接至输出合路电压端。其中,三极管VT102和三极管VT104为PNP型三极管。PNP型三极管的工作特性为当发射极电压和基极电压之间压差大于三极管发射极-基极的饱和电压Veb(sat)时,三极管的发射极和集电极之间导通,当发射极电压和基极电压之间压差小于三极管发射极-基极的饱和电压Veb(sat)时,三极管的发射极和集电极之间断开。
下面对上述电路的工作原理进行介绍。当电源电路正常工作时,输入电压Vin稍大于输出电压Vout,此时,三极管VT102的发射极电压等于三极管VT104的发射极电压,而三极管VT102的基极电压大于三极管VT104的基极电压,因此将使得三极管VT104处于导通状态,三极管VT102处于关断状态。
其中,由于辅助电源端的辅助电压Vap通常远高于输入电压Vin和输出电压Vout,辅助电压Vap将经过三极管VT104的发射极-基极、以及输出电压Vout形成回路,使得三极管VT104导通。
对于三极管VT102来说,其基极电压Vb_102=Vin,其发射极电压Ve_102=Vout+Veb(sat),而Vin大于Vout,因此,三极管VT102的发射极电压Ve_102和基极电压Vb_102压差小于Veb(sat),因此,三极管VT102将处于关断状态。本实施例中,三极管发射极-基极的饱和电压Veb(sat)以0.7为例进行说明。
下面结合一个示例进行说明,当电源电路正常工作时,输入电压Vin为11V,输出电压Vout为10V,辅助电源端的辅助电压Vap为20V,三极管VT104将处于导通状态,三极管VT104的基极电压小于发射极电压,三极管VT104的基极电压为10V,三极管VT104的发射极电压为10+0.7=10.7V;三极管VT102的发射极电压也为10.7V,而三极管VT102的基极电压也为11V,三极管VT102的发射极电压和基极电压之间压差小于0.7V,三极管VT102将处于关断状态。
当电源电路异常时,输入电压Vin将会小于输出电压Vout。其中,当其中两个输入电压Vin中的一路电源输出过压,另一路电路输出正常,对于异常的这一路电源来说,会出现上述Vin小于Vout的情况;当两个输入电压Vin中的一路电源短路,即一路输入电压Vin短路,另外一路输入电压Vin 输出正常,此时对于短路的这一路电源来说,也会出现Vin小于Vout的情况。
在上述电源电路异常,三极管VT102的发射极电压等于三极管VT104的发射极电压,而三极管VT102的基极电压小于三极管VT104的基极电压,因此将使得三极管VT102处于导通状态,三极管VT104处于关断状态。
其中,由于辅助电压Vap通常远高于输入电压Vin和输出电压Vout,辅助电压Vap将经过三极管VT102的发射极-基级、以及输入电压Vin形成回路,使得三极管VT102导通。
下面结合一个示例进行说明,当电源电路工作异常时,输入电压Vin为0.5V,输出电压Vout为10V,辅助电源端的辅助电压Vap为20V,三极管VT102将处于导通状态,三极管VT104的基极电压小于发射极电压,三极管VT102的基极电压为0.5V,而三极管VT102的发射极电压为0.5+0.7=1.2V;三极管VT104的发射极电压为1.2V,三极管VT104的基极电压为10V,三极管VT104的基极电压大于发射极电压,三极管VT104将处于关断状态。
下面对切换电路的工作原理进行说明。
本实用新型实施例中,切换电路根据三极管VT102和三极管VT104的到导通和关断,选择性地将场效应管Q118的栅极连接至辅助电源端或接地端中的一个包括:
当三极管VT102关断、且三极管VT104导通时,切换电路将场效应管Q118的栅极连接至辅助电源端;当三极管VT102导通、且三极管VT104关断时,切换电路将场效应管Q118的栅极连接至接地端。
辅助电压Vap通过切换电路连接至场效应管Q118的栅极,在三极管VT102关断、三极管VT104导通的情况下,切换电路将场效应管Q118的栅极连接至辅助电源端,辅助电压Vap能够将电压加到场效应管Q118的栅极上,场效应管Q118的栅极电压大于源极电压,场效应管Q118的源极和漏极之间导通,因此输入电压端的输入电压Vin通过场效应管Q118提供给输出合路电压端。
辅助电压Vap通过切换电路连接至场效应管Q118的栅极,在三极管VT102导通、三极管VT104关断的情况下,辅助电压Vap将电压加到场效应 管Q118的栅极上,场效应管Q118的栅极电压小于源极电压,场效应管Q118的源极和漏极之间断开,因此输入电压端的输入电压Vin不能通过场效应管Q118提供给输出合路电压端。
下面对切换电路的结构进行介绍。
在本实用新型的一个实施例中,通过三极管来实现切换电路,其中,所述切换电路包括三极管VT106、三极管VT108和三极管VT110;
三极管VT106的基极连接至三极管VT102的集电极,三极管VT106的发射极接地;三极管VT106的集电极连接至三极管VT104的集电极;
三极管VT108的基极连接至三极管VT104的集电极,三极管VT108的发射极接地;三极管VT108的集电极连接至辅助电源端;
三极管VT110的基极连接至三极管VT108的集电极,三极管VT110的发射极接地;三极管VT110的集电极连接至辅助电源端。
其中,辅助电源端通过电阻R112连接至三极管VT102的发射极,辅助电源端通过电阻R112连接至三极管VT104的发射极。三极管VT102的基极通过电阻R122连接至输入电压端;三极管VT104的基极通过电阻R126连接至输出合路电压端;三极管VT102的基极通过电容C124接地;三极管VT104的基极通过电容C128接地;三极管VT106的基极通过电阻R120接地;三极管VT108的集电极通过电阻R114连接至辅助电源端;三极管VT110的集电极通过电阻R116连接至辅助电源端。
对于上述切换电路,在三极管VT102关断、三极管VT104导通的情况下,由于三极管VT102关断,因此,三极管VT106也不导通;三极管VT104导通时,辅助电源经电阻R112、三极管VT104的发射极-集电极,驱动三极管VT108,使三极管VT108导通,三极管VT108导通时,三极管VT110的基极连接至接地端,因此,三极管VT110关断,因此三极管VT110的集电极输出高电平,驱动场效应管Q118,使得场效应管Q118导通,电流从输入电压Vin流向合路母线Vout。
对于上述切换电路,在三极管VT102导通、三极管VT104关断的情况下,此时辅助电源经电阻R112、三极管VT102的发射极-集电极,驱动三极管 VT106,使三极管VT106导通,三极管VT106的集电极为低电平,即三极管VT108的基极为低电平,三极管VT108也不导通,辅助电源经过电阻R114,驱动三极管VT110,三极管VT110导通,最终VT110的集电极输出低电平,即切换电路将场效应管的栅极连接至接地端,从而场效应管Q118断开,也使得输入电压Vin和合路之后的母线电压Vout及时断开。
本实用新型实施例还提供另一种切换电路,参见图5,为本实用新型实施例提出的包含另一种切换电路的ORING控制电路的电路图。其中,通过场效应管来实现切换电路,其中,结合图5所示,
所述切换电路包括场效应管Q106、场效应管Q108和场效应管Q110;
场效应管Q106的栅极连接至三极管VT102的集电极,场效应管Q106的源极接地;场效应管Q106的漏极连接至三极管VT104的集电极;
场效应管Q108的栅极连接至三极管VT104的集电极,场效应管Q108的源极接地;场效应管Q108的漏极连接至辅助电源端;
场效应管Q110的栅极连接至场效应管Q108的漏极,场效应管Q110的源极接地;场效应管Q110的漏极连接至辅助电源端。
其中,辅助电源端通过电阻R112连接至三极管VT102的发射极,辅助电源端通过电阻R112连接至三极管VT104的发射极。三极管VT102的基极通过电阻R122连接至输入电压端;三极管VT104的基极通过电阻R126连接至输出合路电压端;三极管VT102的基极通过电容C124接地;三极管VT104的基极通过电容C128接地;场效应管Q106的栅极通过电阻R120接地;场效应管Q108的漏极通过电阻R114连接至辅助电源端;场效应管Q110的漏极通过电阻R116连接至辅助电源端。
对于上述切换电路,在三极管VT102关断、三极管VT104导通的情况下,由于三极管VT102关断,因此,三极管VT106也不导通;三极管VT104导通时,辅助电源经电阻R112、三极管VT104的发射极-集电极,驱动场效应管Q108,使场效应管Q108导通,场效应管Q108导通时,场效应管Q110的栅极连接至接地端,因此,场效应管Q110关断,因此场效应管Q110的漏极输出高电平,驱动场效应管Q118,使得场效应管Q118导通,电流从输入 电压Vin流向合路母线Vout。
对于上述切换电路,在三极管VT102导通、三极管VT104关断的情况下,此时辅助电源经电阻R112、三极管VT102的发射极-集电极,驱动场效应管Q106,使场效应管Q106导通,场效应管Q106的漏极为低电平,即场效应管Q108的栅极为低电平,场效应管Q108也不导通,辅助电源经过电阻R114,驱动场效应管Q110,场效应管Q110导通,场效应管最终Q110的漏极输出低电平,即切换电路将场效应管的栅极连接至接地端,从而场效应管Q118断开,也使得输入电压Vin和合路之后的母线电压Vout及时断开。
需要说明的是,以上所述的实施例仅是为了便于本领域的技术人员理解而已,并不用于限制本实用新型的保护范围。
工业实用性
本实用新型实施例提供的技术方案中,切换电路可以通过三极管实现,也可以通过场效应管实现。因此,整个ORING控制电路通过场效应管和三极管实现,成本较低,在实现ORING控制电路的控制功能的前提下,提供了一种低成本的ORING控制电路。

Claims (10)

  1. 一种ORING控制电路,所述ORING控制电路包括场效应管Q118、三极管VT102、三极管VT104和切换电路;其中,
    场效应管Q118的源极连接至输入电压端;场效应管Q118的漏极连接至输出合路电压端;场效应管Q118的栅极通过切换电路连接至辅助电源端;
    辅助电源端通过三极管VT102连接至输入电压端;辅助电源端通过三极管VT104连接至输出合路电压端;
    三极管VT102连接至切换电路的第一输入端;三极管VT104连接至切换电路的第二输入端;
    切换电路根据三极管VT102和三极管VT104的导通和关断,选择性地将场效应管Q118的栅极连接至辅助电源端或接地端中的一个。
  2. 根据权利要求1所述的ORING控制电路,其中,
    辅助电源端连接至三极管VT102的发射极,三极管VT102的基极连接至输入电压端;
    辅助电源端连接至三极管VT104的发射极,三极管VT104的基极连接至输出合路电压端。
  3. 根据权利要求2所述的ORING控制电路,其中,所述三极管VT102和三极管VT104为PNP型三极管。
  4. 根据权利要求2所述的ORING控制电路,其中,所述切换电路根据三极管VT102和三极管VT104的导通和关断,选择性地将场效应管Q118的栅极连接至辅助电源端或接地端中的一个包括:
    当三极管VT102关断、且三极管VT104导通时,切换电路将场效应管Q118的栅极连接至辅助电源端;当三极管VT102导通、且三极管VT104关断时,切换电路将场效应管Q118的栅极连接至接地端。
  5. 根据权利要求4所述的ORING控制电路,其中,所述切换电路包括三极管VT106、三极管VT108和三极管VT110;
    三极管VT106的基极连接至三极管VT102的集电极,三极管VT106的 发射极接地;三极管VT106的集电极连接至三极管VT104的集电极;
    三极管VT108的基极连接至三极管VT104的集电极,三极管VT108的发射极接地;三极管VT108的集电极连接至辅助电源端;
    三极管VT110的基极连接至三极管VT108的集电极,三极管VT110的发射极接地;三极管VT110的集电极连接至辅助电源端。
  6. 根据权利要求2所述的ORING控制电路,所述ORING控制电路还包括电阻R112,辅助电源端通过电阻R112连接至三极管VT102的发射极,辅助电源端通过电阻R112连接至三极管VT104的发射极。
  7. 根据权利要求5或6所述的ORING控制电路,所述ORING控制电路还包括电阻R120、电阻R114、电阻R116,
    三极管VT106的基极通过电阻R120接地;
    三极管VT108的集电极通过电阻R114连接至辅助电源端;
    三极管VT110的集电极通过电阻R116连接至辅助电源端。
  8. 根据权利要求4所述的ORING控制电路,其中,所述切换电路包括场效应管Q106、场效应管Q108和场效应管Q110;
    场效应管Q106的栅极连接至三极管VT102的集电极,场效应管Q106的源极接地;场效应管Q106的漏极连接至三极管VT104的集电极;
    场效应管Q108的栅极连接至三极管VT104的集电极,场效应管Q108的源极接地;场效应管Q108的漏极连接至辅助电源端;
    场效应管Q110的栅极连接至场效应管Q108的漏极,场效应管Q110的源极接地;场效应管Q110的漏极连接至辅助电源端。
  9. 根据权利要求8所述的ORING控制电路,所述ORING控制电路还包括电阻R120、电阻R114、电阻R116,场效应管Q106的栅极通过电阻R120接地;场效应管Q108的漏极通过电阻R114连接至辅助电源端;场效应管Q110的漏极通过电阻R116连接至辅助电源端。
  10. 一种电源系统,所述电源系统包括如权利要求1~9中任一项所述的ORING控制电路。
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