WO2016193385A1 - Lichtemittierendes halbleiterbauelement, lichtemittierendes halbleiterbauteil und verfahren zur herstellung eines lichtemittierenden halbleiterbauelements - Google Patents

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    • H10H20/8511—Wavelength conversion means characterised by their material, e.g. binder
    • H10H20/8512—Wavelength conversion materials

Definitions

  • a light-emitting semiconductor component, a light-emitting semiconductor component and a method for producing a light-emitting semiconductor component are specified.
  • An object to be solved is to provide an improved light emitter with directional, narrow-band emission for the generation of white light or of
  • Another object to be achieved is to provide a semiconductor light emitting device having such a light emitter. Another object to be solved is to provide a method with which such a light emitter can be produced particularly inexpensively.
  • the light-emitting semiconductor component is, for example, a light-emitting diode chip, a
  • Laser diode chip or a super luminescence diode chip During operation of the light-emitting semiconductor component, in the light-emitting semiconductor component electromagnetic radiation in the spectral range between UV radiation and
  • Infrared radiation in particular visible light generated.
  • the semiconductor component comprises a first mirror.
  • the first mirror is designed to be in Operation in the light-emitting semiconductor device to reflect light generated with a certain reflectivity.
  • the reflectivity of the first mirror is at least 50%, preferably at least 75%, in particular at least 90%.
  • the semiconductor component comprises a first conductive layer.
  • the first conductive layer is, for example, a semiconductor layer which may be n- or p-doped.
  • the first conductive layer may in particular also be a sequence of several
  • Layers act which are arranged directly above one another in a growth direction and the same
  • the semiconductor component comprises a light-emitting layer sequence.
  • the light-emitting layer sequence is the active region of the light-emitting semiconductor component in which, during operation of the light-emitting semiconductor component, that of the
  • the light-emitting layer sequence comprises at least one layer, preferably a plurality of
  • the light-emitting layer sequence can be any light-emitting layer sequence.
  • a pn junction for example as a pn junction, as a double heterostructure, as a single quantum well structure or in particular as
  • Light-emitting layer sequence is arranged on a side facing away from the first mirror side of the first conductive layer.
  • the semiconductor component comprises a second conductive layer on a side of the light-emitting layer sequence which is remote from the first conductive layer.
  • the second conductive layer is a p- or n-doped layer.
  • the second conductive layer has the same as the first conductive layer
  • the second conductive layer may include a plurality of layers that are directly stacked in a growth direction and that all have the same conductivity type.
  • the first conductive layer is n-doped and the second conductive layer is p-doped.
  • the first mirror, the first conductive layer, the light-emitting layer sequence and the second conductive layer are based on a III-nitride
  • Compound semiconductor material that is, in addition to the conductive layers and the light-emitting layer sequence and the first mirror is formed with a semiconductor material in the same material system, such as said layers.
  • the first mirror is electrically conductive. That is, over the first mirror can a
  • the first mirror already has a electrical conductivity, which is particularly suitable and designed to energize the light-emitting layer sequence for the intended use of the
  • the first mirror is a periodic sequence of homoepitaxial materials
  • the first mirror has a plurality of mirror layers, which differ from one another by their refractive index.
  • the mirror layers are formed as a periodic sequence of homoepitaxial materials.
  • the mirror layers of the first mirror thus do not differ with respect to the III-nitride compound semiconductor material used, but they are grown homoepitaxially one above the other. In other words, that is different
  • a light-emitting semiconductor component In accordance with at least one embodiment of the light-emitting semiconductor component, a light-emitting
  • the first mirror is electrically conductive
  • the first mirror is a periodic sequence
  • the light-emitting layer sequence and the second conductive layer are arranged one above the other along a stacking direction.
  • the layers follow one another directly in the stated order and are arranged adjacent to one another.
  • Light emitters based on group III nitrides serve as
  • White light is nowadays usually from a blue LED and a phosphor.
  • white light can also be provided by a suitable combination of three or more LEDs with narrowband emission in the blue, green and red
  • Nitride-based light emitters only highly lossy possible.
  • the phosphors used to produce white or longer-wave light usually have only one
  • White light sources which use narrow-band light sources as the primary excitation source, whose emission spectrum exactly on this
  • Excitation wavelengths are tuned, thus inherently have a higher efficiency. It is therefore desirable to produce such narrow-band primary light sources as simply and reliably as possible.
  • Light-emitting nitride layers such as indium gallium nitride, but now possess due to their
  • Layer pairs are generated, wherein the layers
  • Such mirrors are commonly referred to as Bragg mirrors. They are preferred in the vertical production
  • GaN / AlInN layers are used for mirror fabrication, but this system requires long growth times because of many extreme temperature changes and slow growth rates
  • the present case makes use of the consideration that such an effect can also be achieved by high doping with an im Crystal can reach very well soluble foreign atom.
  • the electron density in the conduction band of the semiconductor can be permanently increased.
  • the so-called Burstein-Moss shift of the band gap can lead to larger energies. This has an immediate effect on the refractive index, which is reduced in the doped material compared to the same but undoped or only slightly doped material. This refractive index difference is typically lower than for heterogeneous materials. Subsequently
  • Light-emitting diodes in the visible spectral range of nitride semiconductors achieve significantly higher luminous efficiencies than laser diodes, which are also significantly more complicated in their design
  • the lasers used are so-called Edge emitters, in which the light extraction takes place via laterally produced facets in the semiconductor material. This has the disadvantage that the light beam has a high asymmetry and in a direction with increasing distance quickly
  • Such surface emitters can be made radially symmetric, such surface emitters have an ideal beam profile and do not require corrective optics.
  • such lasers require highly reflective mirrors to achieve lasing, preferably crystallographically from Bragg mirrors
  • the mirror makes it possible to produce light-emitting semiconductor components such as light-emitting diodes, super-luminescent diodes or laser diodes, the light of high beam quality by a
  • the first mirror is a periodic sequence of high-index mirror layers and low-index mirror layers, with the high-index mirror layers
  • the low-refractive and the high-refractive mirror layers preferably alternate in a regular manner and are arranged directly on top of each other.
  • the high-index Mirror layers and the low-refractive mirror layers on the same dopant are, for example, the
  • the difference in refractive index between the low-index mirror layers and the high-index mirror layers may amount to at least 1%, in particular at least 2%. Due to the sequence of the low-refractive and the high-refractive mirror layers, which each have the dopant, an electrically conductive Bragg mirror is formed.
  • the high refractive mirror layers are nominally undoped and the dopant becomes only the low refractive index during mirror fabrication
  • Mirror layers can then be a diffusion of the dopant in the adjacent high refractive mirror layers.
  • the dopant is in the
  • high refractive mirror layers and the low refractive mirror layers tin or germanium.
  • the mirror layers of the first mirror can be based in particular on the III-nitride compound semiconductor materials GaN or AlInGaN.
  • the dopants tin and germanium are donors for the specified material system and lead to an n-doping of the Mirror layers, so that the first mirror is formed in total n-type.
  • Germanium in particular, has proved to be a particularly suitable dopant for the formation of mirror layers
  • the dopant silicon can be achieved with the dopant germanium in a production of the light-emitting semiconductor device in a MOVPE reactor, a high dopant concentration of greater 10 19 per cubic centimeter, without causing undesirable roughening of the doped layers.
  • doping with the n-type dopant may increase silicon during MOVPE growth
  • Mirror layers have a dopant concentration of at least
  • the high-index reflector layers have a dopant concentration of less than 1x1019 cm-3.
  • Mirror layers have a dopant concentration of at least
  • OEX 10 19 cm J and the high-index reflector layers have a dopant concentration of not more than 5x10 ⁇ - cm ⁇ 3.
  • germanium when using germanium as a dopant, it has also surprisingly advantageous when the dopant concentration for the high refractive mirror layers is at least 10 cm -3.
  • a certain concentration of the dopant is also advantageous for the high-index mirror layers. This ensures, on the one hand, that the first mirror has a certain concentration of the dopant.
  • Germanium the refractive index in the range of one
  • a further dopant which differs from the dopant, is introduced at an interface between a low-refractive mirror layer and a high-index mirror layer.
  • Dopant for example, tin or germanium, it may be in the further dopant in particular silicon.
  • the further dopant is, for example, at the interface between a low refractive mirror layer and a high refractive mirror layer in the
  • the further dopant may be introduced low refractive mirror layer.
  • the further dopant may be introduced in such a way that at most one monolayer of the further dopant is present between the low-refractive layer and the high-refractive index layer.
  • the further dopant can be introduced in such a way that at most one monolayer of the further dopant is present between the low-refractive layer and the high-refractive index layer.
  • the growth of the mirror in the production is interrupted in order to apply at most one monolayer, in particular at most half a monolayer, of the dopant.
  • silicon especially when using silicon as another
  • the light-emitting semiconductor component Refine refractive index particularly accurate and in particular to impede subsequent diffusion processes during manufacture or operation.
  • the second mirror on a side facing away from the light-emitting layer sequence side of the second conductive layer.
  • the second mirror can be formed with one of the following materials: semiconductor, insulator, metal.
  • the second mirror together with the first mirror, may have a resonator for that in the light-emitting
  • the light-emitting semiconductor component may then in particular be a laser or a laser Superluminescence diode act.
  • the light-emitting semiconductor component can then be an electrically pumped vertical-emitting laser.
  • the second mirror may be formed, for example, as a metal mirror. In this case, a decoupling of the light which is generated in the light-emitting semiconductor component during operation, by the first mirror .. Furthermore, it may be at the second mirror to a dielectric
  • the second mirror as the first mirror is formed by a semiconductor material.
  • the second mirror may in particular also be an n-type semiconductor mirror, which, except for possibly the number of mirror layers, may be identical to the first mirror.
  • a tunnel contact may be present between the second mirror and the second conductive layer, which makes it possible, via the n-conducting second mirror, the p-side of the
  • a highly doped and thus low-refractive mirror layer can be the highly n-doped layer of the
  • the second mirror is designed to be similar to the first mirror, the second mirror having a second mirror includes less number of mirror layers than the first mirror and the reflectivity of the second mirror is less than the reflectivity of the first mirror.
  • Mirror in their composition correspond to the mirror layers of the first mirror.
  • a decoupling takes place through the second mirror, for which purpose it has a lower reflectivity than the first mirror.
  • the lower reflectivity of the second mirror can, for example, by a
  • a Group III nitride based light emitting device is provided by a resonator in which the refractive index difference of the group III nitride layers is realized by changing the doping and thereby a doping over 2xl0 19 cm J , preferably over 8x 10 19 cm J , and a lower doping below lxlO 19 cm preferably below 5x101 cm ⁇ , for each having different refractive layers.
  • Another embodiment provides a group III nitride based light emitting device characterized by additional highly reflective surface mirroring of the group III nitride layers having a spectral bandwidth greater than the emission bandwidth of the Group III nitride light emitting device.
  • a highly reflective mirroring is a
  • Mirroring preferably a Bragg mirror with a
  • the spectral bandwidth is the wavelength interval or energy interval that sweeps over a measurement signal at half the maximum intensity.
  • the emission bandwidth is analogous to the wavelength interval or energy interval that sweeps over a measurement signal of the emission of the light emitter at half maximum intensity.
  • Central wavelength is the unweighted average value, which results from half the maximum intensity of the bandwidth.
  • the light-emitting layer of the semiconductor structure is at a distance from the lower, first
  • Mirror which corresponds approximately to the odd multiple of a quarter of the wavelength of light to be emitted.
  • the layer thicknesses ideally, but not necessarily, have an optical layer thickness which corresponds to the quarter of the intended light wavelength of the component in the semiconductor material. These are in the group III nitride system thicknesses in each case 30-80 nm. That is, according to at least one embodiment, the thickness of a
  • Mirror layer of the first and / or second mirror preferably at least 30 nm and at most 80 nm.
  • For simple Light emitter is important only that the layers always have a constant thickness as possible and the total thickness of two adjacent layers of half of
  • Wavelength of light corresponds.
  • the most accurate possible adherence to the layer thicknesses of one fourth of the intended wavelength of light is advantageous.
  • Defect density can be reduced efficiently over the layer thickness. As a result, such lasers can thus achieve an increased lifetime even on less expensive substrates.
  • Possible substrates are sapphire, silicon, SiC or group III-nitride pseudo-substrates, in particular also with a relatively high dislocation density and therefore relatively low price.
  • silicon additional Al-containing layers are to be introduced for voltage management, which is why the n-contact ideally lies above the last stress-regulating layer.
  • Component will be an improved efficiency of
  • Reflectors are eliminated and the design of a lamp is simplified. In addition, use in projectors with higher efficiency is possible.
  • the light-emitting component comprises at least one
  • the light-emitting component comprises a converter, which is the at least one light-emitting
  • the converter can contain a luminescence conversion material or consist of a luminescence conversion material.
  • converter layers or materials in addition to phosphors, such as are already used in LED applications today, for example, also optically pumped group III nitride layers such as multi-quantum wells (MQWs) or
  • the luminescence conversion material can be a luminescence conversion material that can be combined with a luminescence conversion material
  • the converter may be, for example, particles of a ceramic
  • Lumineszenzkonversionsmaterials act in a
  • the converter consists of a ceramic luminescence conversion material. In addition, it is possible that the converter as
  • the converter can then also be grown epitaxially
  • the light-emitting component is between the at least light-emitting Semiconductor device and the converter a distance available.
  • the distance may, for example, be designed as a cavity that is filled with a gas, such as air. Furthermore, it is possible that the distance is formed with a plastic material such as silicone or epoxy resin.
  • the converter in this embodiment as the so-called "remote phosphor" element the light-emitting
  • the converter can be used for full conversion of the
  • the converter may be provided light-emitting component generated light.
  • the vast majority, in particular at least 90% of the emitted light is converted by the converter into light of a different wavelength.
  • the converter it is possible for the converter to generate
  • Semiconductor device is provided primarily generated light.
  • the semiconductor part can then emit, for example, white mixed light during operation.
  • a light-emitting component described here can be produced. That is, all features disclosed for the light-emitting device are also disclosed for the method and vice versa.
  • the low-refractive portion the low-refractive
  • Material composition of the mirror layers apart from a doping is not different from each other, so that the first mirror and / or the second mirror through
  • the low refractive mirror layers and the high refractive mirror layers can then be used, for example, during growth with the dopant to adjust the
  • Refractive index of the mirror layers are doped.
  • the dopant is germanium, it will be in the form of german for example
  • the germanium is provided as 10% german in hydrogen.
  • a doping with germanium can then under
  • the doping takes place at a relatively high temperature of at least 1050 ° C. It is based on the actual temperature of the surface
  • the temperature is preferably at least 1050 ° C and preferably at most 1060 ° C. Surprisingly, it has been found that such a relatively high
  • Growth temperature is optimal to a sufficiently high doping, especially in the low-refractive index
  • an addition of the dopant takes place only during the growth the low refractive mirror layers. That is, to
  • Mirror layers a dopant concentration of at least lO-L ⁇ cm ⁇ 3 a, which is adjacent with respect to a particularly large difference in refractive index between
  • FIG. 1 schematically shows a first exemplary embodiment of a light-emitting device described here
  • Figure 2 schematically shows a second embodiment of a light-emitting described here
  • Semiconductor device namely an improved vertical LED or a vertical laser, schematically a fourth embodiment of a light-emitting described here
  • FIG. 5A schematically shows a fifth embodiment of a light-emitting described here
  • FIG. 5B schematically shows a sixth exemplary embodiment of a light-emitting device described here
  • FIG. 6 is a graphical representation for explaining a
  • FIG. 1 shows a first exemplary embodiment of a light-emitting semiconductor component described here or of a light-emitting semiconductor component described here, namely a simple LED structure with a lower, first mirror 102.
  • Buffer layers 102 which is a Bragg mirror with x-double layers (x: integer or integer ⁇ 0.5) of low- and high-refractive index material, 103 a mostly n-conducting first conductive layer around the light-emitting layer sequence 104 , here exemplified three layers, ideally placed in a maximum of the electric field strength of the optical wave.
  • the double layers need not necessarily be integer, depending on the beginning or end of the
  • the Double layers can also be a half-integer value.
  • the Double layers each comprise a high refractive mirror layer 102a and a low refractive mirror layer 102b.
  • the substrate 100 may be a growth substrate for the subsequent layers to which they are epitaxially deposited. Further, it is possible that the substrate 100 is a carrier that does not correspond to the original growth substrate. In this case, the growth substrate may be peeled off and the
  • the substrate 100 may be formed in this case, in particular electrically conductive.
  • the light-emitting layer sequence 104 is a group III nitride semiconductor which ideally is a
  • band gaps for example InGaN in a GaN matrix, but also InGaN in InGaN matrix with a lower In content.
  • the band gap of the material should be in the visible or ultraviolet spectral range. The number depends on the design of the LED, as one to ten such layers are considered advantageous, usually between 2 - 5 nm thick and separated from a
  • Barrier layer which typically has a thickness between 5 nm and 15 nm.
  • an electron barrier can be introduced above the light-emitting layers.
  • an Mg-doped AlGaN layer of 5 to 25 nm in thickness and an Al content of 5 to 30%, which prevents electron injection into the succeeding layer 105.
  • 105 is typically a p-doped second conductive layer for hole injection into the layers 104.
  • the luminescence converter 106 can then be mounted, which has the structure shown in FIG.
  • FIG. 2 shows a second exemplary embodiment of a light-emitting semiconductor component or a light-emitting semiconductor component described here, namely a modified LED as shown in FIG. 1, but with an upper tunnel contact 208 through a highly n-doped layer 207 Contacting and better current distribution of the upper contact possible.
  • the other designations follow Figure 1, but begin with a 2 instead of a 1.
  • an MQW structure deposited on layer 207 may serve as a converter 206 for converting a portion of the electrically generated light into longer wavelength light.
  • FIG. 3 shows a third exemplary embodiment of a light-emitting semiconductor component described here or of a light-emitting semiconductor component described here, namely an improved vertical LED or a vertical laser.
  • second mirror 309 with y mirror pairs, where y ⁇ x and y: integer or integer ⁇ 0.5, and the cavity 303 - 305 having an optical thickness which corresponds to an integer multiple of half the wavelength, and active layers, that is, the light-emitting layer sequence
  • the second mirror 309 is ideally also made of the same material or a material of the same material class (AlInGaN) as the lower, first mirror 302.
  • a tunnel contact 308 can be realized, analogous to that shown in FIG. The others
  • the upper, second mirror 309 can also be realized with other materials, including nonconducting materials, which is then achieved by the larger ones that are usually available
  • Refractive index jump requires only a few mirror pairs.
  • the upper, second mirror 309 is at emission upwards, ie in the direction of arrow, usually less reflective as the lower, the photon current towards the
  • Luminescence conversion layer the converter 306, to maximize and not unused in the other direction
  • the doping sequence is reversible in all the examples shown and thus also the contacting, that is to say the n-p junction can also be a p-n junction.
  • all examples can be made so that the emission is in the direction of the substrate. This can in principle also be removed or changed after growth by repacking to another carrier. Then the mirror reflectivity is the other
  • FIG. 4 shows a fourth exemplary embodiment of a light-emitting semiconductor component described here or of a light-emitting semiconductor component described here, namely a structure as in FIG. 3, but with a converter 406, in particular as a layer, not directly on the structure or the upper one
  • Material such as a transparent silicone or a polymer can be defined. This can heat from the converter
  • FIG. 5A shows a fifth exemplary embodiment of a light-emitting semiconductor component described here or of a light-emitting semiconductor component described here, namely the contacting of a structure as in FIG. 2 after the processing.
  • Metallizations 511 and 513 which may be identical when using an upper tunnel junction, are made with a wire 510 and 512 and a power supplier, not shown, a circuit that brings the device or layers 504 in Figure 2 for electroluminescence. This is then converted completely or partially into a different wavelength in the converter 506.
  • FIG. 5B shows a sixth exemplary embodiment of a light-emitting semiconductor component or a light-emitting semiconductor component described here, namely a structure with additional upper, second mirror 509 and a contact with the mirrors, which ideally is a pn tunnel junction, as in FIGS. 3 and 4 shown and as 308 and 408
  • metal can also be used instead of metal
  • conductive material such as indium tin oxide.
  • the graph of FIG. 6 shows the Borstein-Moss shift of the bandgap energy E to larger energies as a function of the dopant concentration n
  • Dopant is thereby germanium in GaN layers to
  • the refractive index of the doped layers is reciprocal to the energy of the bandgap, that is, the greater the energy of the bandgap, the lower the Refractive index. From Figure 6 it can be seen that, contrary to the intuition, the band gap is not smallest in the undoped case, but in the range of
  • the invention is not limited by the description based on the embodiments of these.

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Abstract

Es wird unter anderem ein lichtemittierendes Halbleiterbauelement angegeben, mit - einem ersten Spiegel (102, 202, 302, 402, 502), - einer ersten leitenden Schicht (103, 203, 303, 403, 503), - einer lichtemittierenden Schichtenfolge (104, 204, 304, 404, 504) an einer dem ersten Spiegel abgewandten Seite der ersten leitenden Schicht, und - einer zweiten leitenden Schicht (105, 205, 305, 405, 505) an einer der ersten leitenden Schicht abgewandten Seite der lichtemittierenden Schichtenfolge, wobei - der erste Spiegel, die erste leitende Schicht, die lichtemittierende Schichtenfolge und die zweite leitende Schicht auf einem III-Nitrid-Verbindungshalbleitermaterial basieren, - der erste Spiegel elektrisch leitfähig ist, und - der erste Spiegel eine periodische Abfolge homoepitaktischer Materialien mit sich unterscheidendem Brechungsindex ist.

Description

Beschreibung
Lichtemittierendes Halbleiterbauelement, lichtemittierendes Halbleiterbauteil und Verfahren zur Herstellung eines lichtemittierenden Halbleiterbauelements
Es werden ein lichtemittierendes Halbleiterbauelement, ein lichtemittierendes Halbleiterbauteil sowie ein Verfahren zur Herstellung eines lichtemittierenden Halbleiterbauelements angegeben .
Eine zu lösende Aufgabe besteht darin, einen verbesserten Lichtemitter mit gerichteter, schmalbandiger Emission für die Erzeugung von weißem Licht beziehungsweise von
schmalbandigem, sichtbarem Licht zu realisieren. Eine weitere zu lösende Aufgabe besteht darin, ein lichtemittierendes Halbleiterbauteil mit einem solchen Lichtemitter anzugeben. Eine weitere zu lösende Aufgabe besteht darin, ein Verfahren anzugeben, mit dem ein solcher Lichtemitter besonders kostengünstig herstellbar ist.
Bei dem lichtemittierenden Halbleiterbauelement handelt es sich beispielsweise um einen Leuchtdiodenchip, einen
Laserdiodenchip oder einen Superlumineszenzdiodenchip . Im Betrieb des lichtemittierenden Halbleiterbauelements wird im lichtemittierenden Halbleiterbauelement elektromagnetische Strahlung im Spektralbereich zwischen UV-Strahlung und
Infrarotstrahlung, insbesondere sichtbares Licht erzeugt.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des lichtemittierenden Halbleiterbauelements umfasst das Halbleiterbauelement einen ersten Spiegel. Der erste Spiegel ist dazu ausgebildet, im Betrieb im lichtemittierenden Halbleiterbauelement erzeugtes Licht mit einer bestimmten Reflektivität zu reflektieren. Beispielsweise beträgt die Reflektivität des ersten Spiegels wenigstens 50 %, vorzugsweise wenigstens 75 %, insbesondere wenigstens 90 %.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des lichtemittierenden Halbleiterbauelements umfasst das Halbleiterbauelement eine erste leitende Schicht. Bei der ersten leitenden Schicht handelt es sich beispielsweise um eine Halbleiterschicht, die n- oder p-dotiert sein kann. Bei der ersten leitenden Schicht kann es sich insbesondere auch um eine Abfolge mehrerer
Schichten handeln, welche in einer Wachstumsrichtung direkt übereinander angeordnet sind und den gleichen
Leitfähigkeitstyp aufweisen.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des lichtemittierenden Halbleiterbauelements umfasst das Halbleiterbauelement eine lichtemittierende Schichtenfolge. Bei der lichtemittierenden Schichtenfolge handelt es sich um den aktiven Bereich des lichtemittierenden Halbleiterbauelements, in dem im Betrieb des lichtemittierenden Halbleiterbauelements das vom
Halbleiterbauelement abgestrahlte Licht erzeugt wird.
Beispielsweise umfasst die lichtemittierende Schichtenfolge wenigstens eine Schicht, vorzugsweise eine Vielzahl von
Schichten. Die lichtemittierende Schichtenfolge kann
beispielsweise als pn-Übergang, als Doppelheterostruktur, als Einfachquantentopfstruktur oder insbesondere als
Mehrfachquantentopfstruktur ausgebildet sein. Die
lichtemittierende Schichtenfolge ist dabei an einer dem ersten Spiegel abgewandten Seite der ersten leitenden Schicht angeordnet . Gemäß zumindest einer Ausführungsform des lichtemittierenden Halbleiterbauelements umfasst das Halbleiterbauelement eine zweite leitende Schicht an einer der ersten leitenden Schicht abgewandten Seite der lichtemittierenden Schichtenfolge. Bei der zweiten leitenden Schicht handelt es sich um eine p- oder n-dotierte Schicht. Die zweite leitende Schicht weist dabei den zur ersten leitenden Schicht ungleichnamigen
Leitfähigkeitstyp auf. Auch die zweite leitende Schicht kann mehrere Schichten umfasst, die in einer Wachstumsrichtung direkt übereinander angeordnet sind und die alle den gleichen Leitfähigkeitstyp aufweisen.
Beispielsweise ist die erste leitende Schicht n-dotiert und die zweite leitende Schicht ist p-dotiert.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des lichtemittierenden Halbleiterbauelements basieren der erste Spiegel, die erste leitende Schicht, die lichtemittierende Schichtenfolge und die zweite leitende Schicht auf einem III-Nitrid-
Verbindungshalbleitermaterial . Das heißt, neben den leitenden Schichten und der lichtemittierenden Schichtenfolge ist auch der erste Spiegel mit einem Halbleitermaterial gebildet und zwar im gleichen Materialsystem, wie die genannten Schichten.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des lichtemittierenden Halbleiterbauelements ist der erste Spiegel elektrisch leitfähig. Das heißt, über den ersten Spiegel kann eine
Stromeinprägung insbesondere in die lichtemittierende
Schichtenfolge erfolgen. Mit anderen Worten sind keine
Durchkontaktierungen durch den ersten Spiegel notwendig, sondern der erste Spiegel weist an sich schon eine elektrische Leitfähigkeit auf, die insbesondere dazu geeignet und ausgebildet ist, eine Bestromung der lichtemittierenden Schichtenfolge zum bestimmungsgemäßen Gebrauch des
lichtemittierenden Halbleiterbauelements zu ermöglichen.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des lichtemittierenden Halbleiterbauelements ist der erste Spiegel eine periodische Abfolge homoepitaktischer Materialien mit sich
unterscheidendem Brechungsindex. Das heißt, der erste Spiegel weist mehrere Spiegelschichten auf, die sich durch ihren Brechungsindex voneinander unterscheiden. Dabei sind die Spiegelschichten als periodische Abfolge homoepitaktischer Materialien ausgebildet. Die Spiegelschichten des ersten Spiegels unterscheiden sich also nicht hinsichtlich des verwendeten III-Nitrid-Verbindungshalbleitermaterials, sondern sie sind homoepitaktisch übereinander aufgewachsen. Mit anderen Worten unterscheidet sich die
Materialzusammensetzung der Spiegelschichten des ersten
Spiegels abgesehen von einer Dotierung nicht.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des lichtemittierenden Halbleiterbauelements wird ein lichtemittierendes
Halbleiterbauelement angegeben mit
- einem ersten Spiegel,
- einer ersten leitenden Schicht,
- einer lichtemittierenden Schichtenfolge an einer dem ersten Spiegel abgewandten Seite der ersten leitenden Schicht, und
- einer zweiten leitenden Schicht an einer der ersten
leitenden Schicht abgewandten Seite der lichtemittierenden Schichtenfolge, wobei
- der erste Spiegel, die erste leitende Schicht, die
lichtemittierende Schichtenfolge und die zweite leitende Schicht auf einem III-Nitrid-Verbindungshalbleitermaterial basieren,
- der erste Spiegel elektrisch leitfähig ist, und
- der erste Spiegel eine periodische Abfolge
homoepitaktischer Materialien mit sich unterscheidendem
Brechungsindex ist.
Der erste Spiegel, die erste leitende Schicht, die
lichtemittierende Schichtenfolge und die zweite leitende Schicht sind dabei entlang einer Stapelrichtung übereinander angeordnet. Insbesondere ist es möglich, dass die Schichten in der angegebenen Reihenfolge direkt aufeinanderfolgen und aneinander angrenzend angeordnet sind. Lichtemitter auf Basis von Gruppe-III-Nitriden dienen als
Basis von LED Leuchtmitteln, Scheinwerfern und als blaue bis grüne Laser unter anderem für Blu-Ray Abspielgeräte und
Laser-basierte Projektion. Insbesondere bei der Erzeugung von weißem Licht geht man heutzutage meist von einer blauen LED und einem Leuchtstoff aus. Alternativ kann man weißes Licht auch durch eine geeignete Kombination von drei oder mehr LEDs mit schmalbandiger Emission im blauen, grünen und roten
Wellenlängenbereich erzeugen. Jedoch lässt sich mit letzterer Methode für Beleuchtungszecke nur wenig geeignetes Licht erzeugen. Daher wird das quasikontinuierliche Spektrum, das mit Hilfe von Leuchtstoffen erzeugt werden kann, bevorzugt.
Neben der Erzeugung von weißem Licht ist prinzipiell auch die Erzeugung von preiswerten, schmalbandigen Lichtquellen bei anderen Wellenlängen des sichtbaren und ultravioletten
Spektralbereichs interessant. Dies ist zum Beispiel für
Anwendungen in der biologischen und chemischen Analytik und Diagnostik wichtig, wo der Einsatz aufwendiger und daher teurer Laser häufig limitierend auf die Verbreitung
modernster Technologien wirkt. Weiterhin sind
Projektionstechniken denkbar, bei denen eine leistungsfähige grüne Lichtquelle durch effiziente Farbkonversion von blau nach grün erreicht werden könnte. Dies ist bislang mit
Nitrid-basierten Lichtemittern nur stark verlustbehaftet möglich . Die zur Erzeugung von weißem oder längerwelligem Licht eingesetzten Leuchtstoffe besitzen meist nur in einem
schmalen Wellenlängenbereich des anregenden Lichts einen hohen Wirkungsgrad der Konversion. Weißlichtquellen, welche schmalbandige Lichtquellen als primäre Anregungsquelle nutzen, deren Emissionsspektrum exakt auf diese
Anregungswellenlängen abgestimmt ist, besitzen somit inhärent eine höhere Effizienz. Es ist daher erstrebenswert, solche schmalbandigen Primärlichtquellen möglichst einfach und zuverlässig herzustellen.
Lichtemittierende Nitrid-Schichten, zum Beispiel Indium- Gallium-Nitrid, besitzen nun aber aufgrund ihrer
Materialeigenschaften nur sehr breitbandige
Emissionsspektren. Dementsprechend ist die Emission von entsprechenden Leuchtdioden (LED) viel breiter als das
Anregungsspektrum der Leuchtstoffe für die Konversion in weißes Licht. Zusätzlich verschiebt aus Gründen besonderer Materialeigenschaften der Nitride die Emission der LED stark mit der elektrischen Stromdichte. Durch Einbettung der LED- Struktur in einen Resonator aus zwei Spiegeln kann
prinzipiell eine schmalbandige und gerichtete Emission erreicht werden. In der Halbleitertechnologie können solche Spiegel durch Aufbringung einer periodischen Folge von
Schichtpaaren erzeugt werden, wobei die Schichten
unterschiedliche Brechungsindizes und eine an den jeweiligen Brechungsindex angepasste Schichtdicke aufweisen müssen.
Solche Spiegel werden allgemein als Bragg-Spiegel bezeichnet. Sie werden bevorzugt bei der Herstellung vertikal
emittierender Laser- und Leuchtdioden eingesetzt, die
besonders kleine Abmessungen und daher kompakte Bauformen ermöglichen. Wichtige Kriterien für die Wahl der Materialien für die Bragg-Spiegel bei Halbleiterbauelementen sind die Stromleitfähigkeit und die Gitteranpassung zu umliegenden Schichten und insbesondere zum Substrat. Derzeit liegen die Hauptprobleme von Nitrid-basierten Bragg-Spiegeln sowohl in der Verspannung des Systems, welches zu einer Verbiegung des Substrats oder sogar einem Reißen der gewachsenen Schichten führen kann, als auch in der Stromleitfähigkeit solcher
Spiegel . Es existiert zwar die Möglichkeit, gitterangepasste
GaN/AlInN-Schichten für die Spiegelherstellung zu verwenden, aber dieses System erfordert lange Wachstumszeiten, da viele extreme Temperaturwechsel und langsame Wachstumsraten
essentiell für gute Schichteigenschaften des AlInN notwendig sind. Auch in diesem System sind inhärent hohe elektronische Barrieren an den Grenzflächen vorhanden, die zu einer
reduzierten Stromleitfähigkeit führen.
Statt verschiedene Materialien miteinander zu kombinieren, um entsprechende Brechungsindex-Unterschiede zu erreichen, wird vorliegend von der Überlegung Gebrauch gemacht, dass man einen solchen Effekt auch durch hohe Dotierung mit einem im Kristall sehr gut löslichen Fremdatom erreichen kann. Durch Dotieren mit sogenannten Donatoren kann die Elektronendichte im Leitungsband des Halbleiters dauerhaft erhöht werden. Bei sehr hohen Dotierungen kann es zur sogenannten Burstein-Moss- Verschiebung der Bandlücke zu größeren Energien kommen. Dies wirkt sich unmittelbar auch auf den Brechungsindex aus, der im dotierten Material gegenüber demselben, aber undotierten beziehungsweise nur geringfügig dotierten Material verringert ist. Dieser Brechungsindexunterschied ist in der Regel geringer als für heterogene Materialien. In der Folge
entstehen durch eine periodische Abfolge hoch- und niedrigdotierter Schichten Bragg-Spiegel mit einer schmalbandig erhöhten Reflexion. Leuchtdioden im sichtbaren Spektralbereich aus Nitrid- Halbleitern erreichen deutlich höhere Lichtausbeuten als Laserdioden, die zudem deutlich komplizierter in ihrer
Herstellung sind. Während für allgemeine Beleuchtungszwecke eine räumlich isotrope Abstrahlcharakteristik vorteilhaft ist, ist für viele Anwendungen jedoch eine gerichtete
Lichtemission erwünscht.
Um zum Beispiel speziell auf großen Distanzen eine
Verbesserung der Beleuchtung zu erzielen, sind in
Kraftfahrzeugen inzwischen auch laserbasierte Lichtquellen für das Fernlicht im Einsatz. Hier wird mit einem blauen Laser ein Lumineszenzkonverter beleuchtet und dessen
Emission, zusammen mit der Laseremission, ergibt in der
Mischung eine punktförmige, weiße Lichtquelle, die mittels abbildender Optiken eine gerichtete Abstrahlcharakteristik aufweist und damit auf große Distanzen einen brillanten
Lichtfleck erzeugt. Die eingesetzten Laser sind sogenannte Kantenemitter, bei denen die Lichtauskopplung über seitlich erzeugte Facetten im Halbleitermaterial erfolgt. Dies hat den Nachteil, dass der Lichtstrahl eine hohe Asymmetrie aufweist und in einer Richtung mit zunehmendem Abstand schnell
aufweitet. Für die Abbildung auf einen möglichst kleinen, intensiven Leuchtfleck existiert somit ein Problem.
Dieses Problem kann zwar durch speziell angepasste
Linsensysteme behoben werden, führt aber zu erhöhten
Herstellungskosten und größerer Fehleranfälligkeit. Neben den bislang verwendeten Kantenemittern sind prinzipiell auch vertikale Laser denkbar, bei denen die Lichtauskopplung über die Oberfläche des Halbleitersubstrats erfolgt. Da die Fläche der Lichtauskopplung zum einen in einfachster Weise
radialsymmetrisch hergestellt werden kann, besitzen solche Oberflächenemitter ein ideales Strahlprofil und benötigen keine korrigierenden Optiken. Solche Laser benötigen aber hochreflektierende Spiegel, um Lasertätigkeit zu erreichen, die bevorzugt aus Bragg-Spiegeln kristallographisch
angepasster Materialien hergestellt werden. Da im Gruppe-III- Nitrid-System die Brechungsindexunterschiede gering und die Verspannungen groß sind, ist die Herstellung solcher
Oberflächenemitter besonders schwierig. Bislang gibt es nur optisch gepumpte oder gepulst elektrisch gepumpte vertikal emittierende Laser, typischerweise auf Basis von
gitterangepasstem AlInN und GaN, wobei die oben genannten Probleme des Wachstums und der Stromleitfähigkeit
fortbestehen [Cosendey et al . , Applied Physics Letters 101, 151113 (2012) ] .
Überraschend hat sich nun gezeigt, dass im Materialsystem der III-Nitrid-Verbindungshalbleitermaterialen ein Spiegel durch eine periodische Abfolge homoepitaktischer Materialien mit sich unterscheidendem Brechungsindex gebildet werden kann. Dieser Spiegel induziert mit Vorteil keine oder kaum
Verspannung in das lichtemittierende Halbleiterbauelement und kann elektrisch leitend ausgebildet werden. Mit dem Spiegel ist es möglich, lichtemittierende Halbleiterbauelemente wie Leuchtdioden, Superlumineszenzdioden oder Laserdioden zu erzeugen, die Licht hoher Strahlqualität durch eine
Hauptfläche abstrahlen.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des lichtemittierenden Halbleiterbauelements ist der erste Spiegel eine periodische Abfolge hochbrechender Spiegelschichten und niedrigbrechender Spiegelschichten, wobei sich die hochbrechenden
Spiegelschichten und die niedrigbrechenden Spiegelschichten durch die Konzentration eines Dotierstoffs voneinander unterscheiden. Insbesondere sind die hochbrechenden
Spiegelschichten und die niedrigbrechenden Spiegelschichten im gleichen Materialsystem gebildet und weisen abgesehen von der unterschiedlichen Konzentration des Dotierstoffs dieselbe Materialzusammensetzung auf. Der unterschiedliche
Brechungsindex der niedrigbrechenden Spiegelschichten und der hochbrechenden Spiegelschichten ist durch die
unterschiedliche Konzentration des Dotierstoffs in den
Schichten eingestellt.
Die niedrigbrechenden und die hochbrechenden Spiegelschichten wechseln sich dabei vorzugsweise in regelmäßiger Weise ab und sind direkt aufeinander angeordnet.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des lichtemittierenden Halbleiterbauelements weisen die hochbrechenden Spiegelschichten und die niedrigbrechenden Spiegelschichten denselben Dotierstoff auf. Dabei ist beispielsweise die
Dotierstoffkonzentration in den niedrigbrechenden
Spiegelschichten größer als in den hochbrechenden
Spiegelschichten. Durch den Unterschied in der
Dotierstoffkonzentration ist der Unterschied im
Brechungsindex zwischen den unterschiedlichen
Spiegelschichten begründet. Der Brechungsindexunterschied zwischen den niedrigbrechenden Spiegelschichten und den hochbrechenden Spiegelschichten kann dabei wenigstens 1 %, insbesondere wenigstens 2 % betragen. Durch die Abfolge der niedrigbrechenden und der hochbrechenden Spiegelschichten, die jeweils den Dotierstoff aufweisen, ist ein elektrisch leitfähiger Bragg-Spiegel gebildet.
Beispielsweise sind die hochbrechenden Spiegelschichten nominell undotiert und der Dotierstoff wird während der Herstellung des Spiegels nur in die niedrigbrechenden
Spiegelschichten eingebracht. Aus den niedrigbrechenden
Spiegelschichten kann dann eine Diffusion des Dotierstoffs in die angrenzenden hochbrechenden Spiegelschichten erfolgen.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des lichtemittierenden Halbleiterbauelements ist der Dotierstoff in den
hochbrechenden Spiegelschichten und den niedrigbrechenden Spiegelschichten Zinn oder Germanium.
Die Spiegelschichten des ersten Spiegels können dabei insbesondere auf den III-Nitrid- Verbindungshalbleitermaterialien GaN oder AlInGaN basieren. Die Dotierstoffe Zinn und Germanium sind für das angegebene Materialsystem Donatoren und führen zu einer n-Dotierung der Spiegelschichten, so dass der erste Spiegel insgesamt n- leitend ausgebildet ist.
Insbesondere Germanium hat sich als besonders gut geeigneter Dotierstoff zur Ausbildung von Spiegelschichten mit
unterschiedlichem optischem Brechungsindex herausgestellt. Im Unterschied beispielsweise zum Dotierstoff Silizium kann mit dem Dotierstoff Germanium auch bei einer Herstellung des lichtemittierenden Halbleiterbauelements in einem MOVPE- Reaktor eine hohe Dotierstoffkonzentration von größer 1019 pro Kubikzentimeter erreicht werden, ohne dass es zu einer unerwünschten Aufrauung der dotierten Schichten kommt. Im Unterschied dazu kann eine Dotierung mit dem n-Dotierstoff Silizium während des MOVPE-Wachstums bei hohen
Dotierstoffkonzentrationen zu einer ungewünschten Aufrauung der dotierten Schichten führen, was insbesondere die
Herstellung eines Spiegels mit klar voneinander abgegrenzten Schichten erschweren kann. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des lichtemittierenden Halbleiterbauelements weisen die niedrigbrechenden
Spiegelschichten eine Dotierstoffkonzentration von wenigstens
2xl019 cm J auf und die hochbrechenden Spiegelschichten weisen eine Dotierstoffkonzentration von weniger als 1x1019 cm~3 auf. Insbesondere weisen die niedrigbrechenden
Spiegelschichten eine Dotierstoffkonzentration von wenigstens
ÖX 1019 cm J und die hochbrechenden Spiegelschichten eine Dotierstoffkonzentration von höchstens 5x10^- cm~3 auf. Insbesondere bei der Verwendung von Germanium als Dotierstoff hat es sich zudem als überraschend vorteilhaft herausgestellt, wenn die Dotierstoffkonzentration für die hochbrechenden Spiegelschichten wenigstens 10-- cm-3 beträgt.
Das heißt, auch für die hochbrechenden Spiegelschichten ist eine gewisse Konzentration des Dotierstoffs vorteilhaft. Dies stellt zum einen sicher, dass der erste Spiegel eine
elektrische Leitfähigkeit aufweist, die groß genug ist, um die lichtemittierende Schichtenfolge durch den ersten Spiegel hindurch im Betrieb zu bestromen. Zum anderen hat sich herausgestellt, dass insbesondere für den Dotierstoff
Germanium, der Brechungsindex im Bereich von einer
Dotierstoffkonzentration von ΙΟ-^ cm~3 e n Maximum aufweist, so dass ein besonders hoher Brechungsindexunterschied
zwischen den Spiegelschichten des Spiegels erreicht werden kann.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des lichtemittierenden Halbleiterbauelements ist an einer Grenzfläche zwischen einer niedrigbrechenden Spiegelschicht und einer hochbrechenden Spiegelschicht ein weiterer Dotierstoff eingebracht, der sich vom Dotierstoff unterscheidet. Handelt es sich bei dem
Dotierstoff beispielsweise um Zinn oder Germanium, so kann es sich bei dem weiteren Dotierstoff insbesondere um Silizium handeln. Der weitere Dotierstoff ist beispielsweise an der Grenzfläche zwischen einer niedrigbrechenden Spiegelschicht und einer hochbrechenden Spiegelschicht in die
niedrigbrechende Spiegelschicht eingebracht.
Insbesondere kann der weitere Dotierstoff in hoher
Konzentration, aber nur in einem kleinen Bereich der
niedrigbrechenden Spiegelschicht eingebracht sein. Insbesondere kann der weitere Dotierstoff derart eingebracht sein, dass höchstens eine Monolage des weiteren Dotierstoffs zwischen der niedrigbrechenden Schicht und der hochbrechenden Schicht vorhanden ist. Der weitere Dotierstoff kann
beispielsweise als sogenannte Delta-Dotierung eingebracht sein. Dazu wird das Wachstum des Spiegels bei der Herstellung unterbrochen, um höchstens eine Monolage, insbesondere höchstens eine halbe Monolage, des Dotierstoffs aufzubringen. Insbesondere bei der Verwendung von Silizium als weiteren
Dotierstoff kann dieser eine eventuell unerwünschte Diffusion des Dotierstoffs zwischen den unterschiedlichen
Spiegelschichten behindern oder verhindern. Auf diese Weise ist es möglich, die Dotierstoffkonzentration in den
Spiegelschichten mit unterschiedlichem optischem
Brechungsindex besonders genau einzustellen und insbesondere nachfolgende Diffusionsprozesse bei der Herstellung oder im Betrieb zu behindern. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des lichtemittierenden Halbleiterbauelements umfasst das lichtemittierende
Halbleiterbauelement einen zweiten Spiegel an einer der lichtemittierenden Schichtenfolge abgewandten Seite der zweiten leitenden Schicht. Der zweite Spiegel kann dabei mit einem der folgenden Materialien gebildet sein: Halbleiter, Isolator, Metall.
Der zweite Spiegel kann gemeinsam mit dem ersten Spiegel einen Resonator für das in der lichtemittierenden
Schichtenfolge erzeugte Licht ausbilden. Bei dem
lichtemittierenden Halbleiterbauelement kann es sich dann insbesondere um einen Laser oder um eine Superlumineszenzdiode handeln. Beispielsweise kann es sich bei dem lichtemittierenden Halbleiterbauelement dann um einen elektrisch gepumpten vertikalemittierenden Laser handeln. Der zweite Spiegel kann beispielsweise als Metallspiegel ausgebildet sein. In diesem Fall erfolgt eine Auskopplung des Lichts, das im lichtemittierenden Halbleiterbauelement im Betrieb erzeugt wird, durch den ersten Spiegel.. Ferner kann es sich bei dem zweiten Spiegel um einen dielektrischen
Spiegel handeln, der mit einem Isolator gebildet ist. Bei dem dielektrischen Spiegel handelt es sich dann beispielsweise um einen elektrisch isolierenden Bragg-Spiegel . Die Auskopplung des im Betrieb erzeugten Lichts kann dann durch den ersten oder den zweiten Spiegel erfolgen. Schließlich ist es
möglich, dass der zweite Spiegel wie der erste Spiegel durch ein Halbleitermaterial gebildet ist.
Beim zweiten Spiegel kann es sich insbesondere auch um einen n-leitenden Halbleiterspiegel handeln, der bis auf eventuell die Anzahl der Spiegelschichten identisch zum ersten Spiegel ausgebildet sein kann. Zum Anschluss des zweiten Spiegels kann zwischen dem zweiten Spiegel und der zweiten leitenden Schicht ein Tunnelkontakt vorhanden sein, der es ermöglicht, über den n-leitenden zweiten Spiegel die p-Seite des
lichtemittierenden Bauelements elektrisch leitend
anzuschließen. Eine hochdotierte und damit niedrigbrechende Spiegelschicht kann die hoch n-dotierte Schicht des
Tunnelkontakts bilden. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des lichtemittierenden Halbleiterbauelements ist der zweite Spiegel gleichartig zum ersten Spiegel ausgebildet, wobei der zweite Spiegel eine geringere Anzahl von Spiegelschichten als der erste Spiegel umfasst und die Reflektivität des zweiten Spiegels geringer ist als die Reflektivität des ersten Spiegels. In dieser Ausführungsform können die Spiegelschichten des zweiten
Spiegels in ihrer Zusammensetzung den Spiegelschichten des ersten Spiegels entsprechen. Eine Auskopplung erfolgt durch den zweiten Spiegel, wozu dieser eine geringere Reflektivität als der erste Spiegel aufweist. Die geringere Reflektivität des zweiten Spiegels kann beispielsweise durch eine
Reduzierung der Spiegelschichten erreicht sein. Sämtliche für den ersten Spiegel beschriebenen Merkmale sind ebenfalls für den zweiten Spiegel offenbart.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform wird ein
lichtemittierendes Gruppe-III-Nitrid-basiertes Bauelement angegeben, umfassend
a) einen Resonator mit mindestens einer Verspiegelung, erzeugt durch Epitaxie einer periodischen Abfolge
homoepitaktischer Materialien mit sich unterscheidendem
Brechungsindex,
b) eine lichtemittierende Gruppe-III-Nitrid-Schicht oder Schichtenfolge
c) mindestens eine die Lumineszenz der Gruppe-III-Nitrid- Schicht zumindest teilweise umwandelnde Substanz und/oder weitere Gruppe-III-Nitrid-Schicht.
Unter einer Abfolge niedrig- beziehungsweise hochbrechender homoepitaktischer Materialien wird beispielsweise ein
sogenannter Bragg-Spiegel oder Resonator verstanden.
In einer Ausführungsform ist ein lichtemittierendes Gruppe- III-Nitrid-basiertes Bauelement vorgesehen, gekennzeichnet durch einen Resonator, bei dem der Brechungsindexunterschied der Gruppe-III-Nitrid-Schichten durch Änderung der Dotierung realisiert wird und dabei eine Dotierung über 2xl019 cm J , vorzugsweise über 8x 1019 cm J, und eine niedrigere Dotierung unter lxlO19 cm vorzugsweise unter 5x101 cm ^ , für die jeweils unterschiedlich brechenden Schichten aufweist.
Damit lässt sich ein Brechungsindexunterschied erzielen, der zum Beispiel in GaN zirka 1 - 2 % beträgt.
Eine weitere Ausführungsform sieht ein lichtemittierendes Gruppe-III-Nitrid-basiertes Bauelement vor, gekennzeichnet durch eine zusätzliche hochreflektierende Verspiegelung auf der Oberfläche der Gruppe-III-Nitrid-Schichten, die eine spektrale Bandbreite größer als die Emissionsbandbreite der lichtemittierenden Gruppe-III-Nitrid-Schicht oder Gruppe-III- Nitrid-Schichtenfolge aufweist und deren Zentralwellenlänge der zu emittierenden Wellenlänge entspricht. Eine hochreflektierende Verspiegelung ist dabei eine
Verspiegelung, vorzugsweise ein Bragg-Spiegel mit einer
Reflektivität von mindestens 50 %, besser 75 % und ideal über
90 %. Die spektrale Bandbreite ist dabei das Wellenlängenintervall oder Energieintervall, das ein Messsignal bei der halben maximalen Intensität überstreicht. Die Emissionsbandbreite ist analog das Wellenlängenintervall oder Energieintervall, das ein Messsignal der Emission des Lichtemitters bei der halben maximalen Intensität überstreicht. Die
Zentralwellenlänge ist dabei der ungewichtete mittlere Wert, der sich aus der halben maximalen Intensität der Bandbreite ergibt .
Damit sind homoepitaktische, hochreflektierende Bragg-Spiegel möglich, die eine hohe Stromleitfähigkeit und minimale
Verspannungen aufweisen und zudem mit identischen oder nur geringfügig verschiedenen Wachstumsparametern hergestellt werden können. Idealerweise befindet sich die lichtemittierende Schicht der Halbleiterstruktur in einem Abstand zum unteren, ersten
Spiegel, der in etwa dem ungeradzahligen Vielfachen eines Viertels der zu emittierenden Lichtwellenlänge entspricht. Um eine gute vertikale Leitfähigkeit über den Spiegel und maximalen Brechungsindexunterschied zu gewährleisten, ist eine Dotierung von 5x10-^ cm~3 bis 2x10-'-^ Ladungsträger pro cm-3 als Wert für die niedrig-dotierte Spiegelschicht
vorteilhaft, da bei dieser Dotierhöhe der
Brechungsindexunterschied zwischen niedrig- und hoch¬ dotierter Spiegelschicht maximal ist und gleichzeitig eine ausreichende Leitfähigkeit in der niedrig-dotierten Schicht erreicht wird. Die Schichtdicken weisen dabei idealerweise, aber nicht notwendigerweise eine optische Schichtdicke auf, die dem Viertel der avisierten Lichtwellenlänge des Bauelements im Halbleitermaterial entspricht. Dies sind im Gruppe-III- Nitrid-System Dicken um jeweils 30 - 80 nm. Das heißt, gemäß zumindest einer Ausführungsform beträgt die Dicke einer
Spiegelschicht des ersten und/oder des zweiten Spiegels bevorzugt wenigstens 30 nm und höchstens 80 nm. Für einfache Lichtemitter ist dabei nur wichtig, dass die Schichten immer eine möglichst konstante Dicke aufweisen und die Gesamtdicke von zwei benachbarten Schichten der Hälfte der
Lichtwellenlänge entspricht. Für maximale Reflektivität eines Spiegels bei vorgegebener maximaler Dicke des Bragg-Spiegels ist eine möglichst akkurate Einhaltung der Schichtdicken von einem Viertel der avisierten Lichtwellenlänge vorteilhaft.
Für die Ausführung als vertikal emittierender Laser, die eine besonders schmalbandige, besonders stark gerichtete Emission ermöglicht, sind besonders hohe Spiegelreflektivitäten von nahe 100 % vorteilhaft. Die erforderliche große Anzahl von Schichten im Bragg-Spiegel ist bei heterogenen Schichten im Nitrid-Materialsystem ein Problem, da sowohl die Vielzahl von Grenzflächen, die Verspannung bei gitterfehlangepassten
Schichten als auch die unterschiedlichen Wachstumsparameter limitierend wirkt. Im Gegensatz dazu hebt die hier
beschriebene Ausführung des Bragg-Spiegels durch
alternierende Dotierhöhe diese Limitierungen auf.
Damit ergibt sich auch ein Vorteil für die Herstellung auf Fremdsubstraten, da die in der Regel dabei auftretende
Defektdichte effizient über die Schichtdicke abgebaut werden kann. In der Folge können somit solche Laser eine erhöhte Lebensdauer auch auf preiswerteren Substraten erreichen.
Mögliche Substrate sind Saphir, Silizium, SiC oder Gruppe- III-Nitrid-Pseudosubstrate, insbesondere auch mit relativ hoher Versetzungsdichte und daher relativ geringem Preis. Beim Einsatz von Silizium sind weitere Al-haltige Schichten zum Spannungsmanagement einzubringen, weshalb der n-Kontakt idealerweise oberhalb der letzten verspannungsregulierenden Schicht liegt. Gemäß zumindest einer Ausführungsform wird ein
lichtemittierendes Halbleiterbauelement angegeben, bei dem durch eine zusätzliche breitbandige Verspiegelung auf der Oberseite des Bauelements eine besonders schmalbandige
Emission der Lichtquelle erreicht wird, da die Emission nichtresonanter Lichtwellenlängen in Richtung der Oberfläche unterdrückt wird. Durch die Ausführung des Bragg-Spiegels in der beschriebenen Weise und der vertikal emittierenden Konfiguration des
Bauelements werden eine verbesserte Effizienz der
Lichterzeugung und eine verbesserte Richtcharakteristik erreicht. Dadurch sind viele Beleuchtungsanwendungen, bei denen ein gerichteter Lichtstrahl beziehungsweise -kegel erforderlich oder vorteilhaft ist, einfacher und
zuverlässiger und damit auch kostengünstiger zu realisieren. Durch die gerichtete Charakteristik können zusätzliche
Reflektoren entfallen und die Gestaltung einer Leuchte wird vereinfacht. Zudem ist ein Einsatz in Projektoren mit höherer Effizienz möglich.
Im Folgenden erfolgt eine Beschreibung der Erfindung anhand von Figuren und von Ausführungsbeispielen. Diese können auch kombiniert angewendet werden.
Es wird weiter ein lichtemittierendes Bauteil angegeben. Das lichtemittierende Bauteil umfasst zumindest ein
lichtemittierendes Halbleiterbauelement wie es hier
beschrieben ist. Das heißt, sämtliche für das
lichtemittierende Halbleiterbauelement offenbarten Merkmale sind auch für das lichtemittierende Bauteil offenbart und umgekehrt. Ferner umfasst das lichtemittierende Bauteil einen Konverter, der dem zumindest einen lichtemittierenden
Halbleiterbauelement nachgeordnet ist. Der Konverter kann dazu beispielsweise ein Lumineszenzkonversionsmaterial enthalten oder aus einem Lumineszenzkonversionsmaterial bestehen .
Als Konverterschichten beziehungsweise -materialien kommen neben Leuchtstoffen, wie sie zum Beispiel schon heute in LED- Anwendungen eingesetzt werden, auch optisch gepumpte Gruppe- III-Nitrid-Schichten wie Muli-Quanten-Wells (MQWs) oder
Materialien zur Frequenzvervielfachung in Frage.
Bei dem Lumineszenzkonversionsmaterial kann es sich um ein Lumineszenzkonversionsmaterial handeln, das mit einem
keramischen Material oder einem halbleitenden Material gebildet ist. Das heißt, bei dem Konverter kann es sich beispielsweise um Partikel eines keramischen
Lumineszenzkonversionsmaterials handeln, die in ein
Matrixmaterial wie beispielsweise Silikon oder Epoxidharz eingebracht sind. Ferner ist es möglich, dass der Konverter aus einem keramischen Lumineszenzkonversionsmaterial besteht. Darüber hinaus ist es möglich, dass der Konverter als
Halbleiterschicht oder Halbleiterschichtenfolge, die
beispielsweise ebenfalls auf einem III-Nitrid- Verbindungshalbleitermaterial basieren kann, gebildet ist. Der Konverter kann dann auch als epitaktisch gewachsene
Schicht in den Schichtenstapel des lichtemittierenden
Halbleiterbauelements integriert sein.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des lichtemittierenden Bauteils ist zwischen dem zumindest lichtemittierenden Halbleiterbauelement und dem Konverter ein Abstand vorhanden. Der Abstand kann beispielsweise als Hohlraum ausgeführt sein, der mit einem Gas wie beispielsweise Luft gefüllt ist. Ferner ist es möglich, dass der Abstand mit einem Kunststoffmaterial wie Silikon oder Epoxidharz gebildet ist. Mit anderen Worten kann der Konverter in dieser Ausführungsform als sogenanntes "remote phosphor"-Element dem lichtemittierenden
Halbleiterbauelement nachgeordnet sein. Der Konverter kann zur Vollkonversion von im
lichtemittierenden Bauteil erzeugten Licht vorgesehen sein. In diesem Fall wird der überwiegende Großteil, insbesondere wenigstens 90 % des emittierten Lichts, vom Konverter in Licht einer anderen Wellenlänge umgewandelt. Darüber hinaus ist es möglich, dass der Konverter zur Erzeugung von
Mischlicht zwischen konvertiertem Licht und vom
Halbleiterbauelement primär erzeugtem Licht vorgesehen ist. Das Halbleiterteil kann dann im Betrieb beispielsweise weißes Mischlicht abstrahlen.
Es wird ferner ein Verfahren zur Herstellung eines
lichtemittierenden Bauelements angegeben. Mit dem Verfahren kann insbesondere ein hier beschriebenes lichtemittierendes Bauelement hergestellt werden. Das heißt, sämtliche für das lichtemittierende Bauelement offenbarten Merkmale sind auch für das Verfahren offenbart und umgekehrt.
Gemäß dem Verfahren werden die niedrigbrechenden
Spiegelschichten und die hochbrechenden Spiegelschichten des ersten Spiegels und/oder des zweiten Spiegels durch
homoepitaktisches Wachstum erzeugt. Das heißt, beispielsweise in einer MOVPE-Anlage werden die Spiegelschichten epitaktisch übereinander gewachsen, wobei sich die
Materialzusammensetzung der Spiegelschichten abgesehen von einer Dotierung nicht voneinander unterscheidet, so dass der erste Spiegel und/oder der zweite Spiegel durch
homoepitaktisches Wachstum hergestellt werden können. Die niedrigbrechenden Spiegelschichten und die hochbrechenden Spiegelschichten können dann beispielsweise während des Wachstums mit dem Dotierstoff zur Einstellung des
Brechungsindex der Spiegelschichten dotiert werden.
Handelt es sich bei dem Dotierstoff um Germanium, so wird dieses beispielsweise in Form von German in einer
Wasserstofflösung zur Verfügung gestellt. Beispielsweise wird das Germanium als 10%iges German im Wasserstoff zur Verfügung gestellt. Eine Dotierung mit dem Germanium kann dann unter
Ammoniakatmosphäre erfolgen. Die Dotierung erfolgt dabei bei einer relativ hohen Temperatur von wenigstens 1050 °C. Dabei wird von der tatsächlichen Temperatur der Oberfläche
ausgegangen, auf welche die Spiegelschichten epitaktisch abgeschieden werden. Das heißt, es handelt sich bei der angegebenen Temperatur nicht um eine mittlere Temperatur, die sich in der Epitaxiekammer einstellt, sondern um die
Temperatur, die auf der Wachstumsoberfläche gemessen wird. Die Temperatur beträgt dabei vorzugsweise wenigstens 1050 °C und vorzugsweise höchstens 1060 °C. Überraschenderweise hat sich herausgestellt, dass eine solche relativ hohe
Wachstumstemperatur optimal ist, um eine ausreichend hohe Dotierung insbesondere in den niedrigbrechenden
Spiegelschichten zu erreichen.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens erfolgt eine Zugabe des Dotierstoffs lediglich während des Wachstums der niedrigbrechenden Spiegelschichten. Das heißt, zur
Einstellung des niedrigen Brechungsindex wird lediglich bei der Herstellung der niedrigbrechenden Spiegelschichten der Dotierstoff gezielt von außen zugegeben. Beim Wachstum der hochbrechenden Spiegelschichten kann dann auf eine Zugabe des Dotierstoffes verzichtet werden. In diesem Fall stellt sich aufgrund von Diffusionsprozessen in den hochbrechenden
Spiegelschichten eine Dotierstoffkonzentration von wenigstens lO-L^ cm~3 ein, was sich hinsichtlich eines besonders großen Brechungsindexunterschieds zwischen angrenzenden
hochbrechenden und niedrigbrechenden Spiegelschichten als optimal erweist.
Im Folgenden erfolgt eine Beschreibung der Erfindung anhand von Figuren und von Ausführungsbeispielen. Diese können auch kombiniert angewendet werden.
Es zeigen: Figur 1 schematisch ein erstes Ausführungsbeispiel eines hier beschriebenen lichtemittierenden
Halbleiterbauelements beziehungsweise eines hier beschriebenen lichtemittierenden
Halbleiterbauteils, nämlich eine LED Struktur mit einem unteren, ersten Spiegel,
Figur 2 schematisch ein zweites Ausführungsbeispiel eines hier beschriebenen lichtemittierenden
Halbleiterbauelements beziehungsweise eines hier beschriebenen lichtemittierenden
Halbleiterbauteils, nämlich eine modifizierte LED gemäß Figur 1, jedoch mit einem oberen Tunnelkontakt , schematisch ein drittes Ausführungsbeispiel eines hier beschriebenen lichtemittierenden
Halbleiterbauelements beziehungsweise eines hier beschriebenen lichtemittierenden
Halbleiterbauteils, nämlich eine verbesserte vertikale LED beziehungsweise ein vertikaler Laser, schematisch ein viertes Ausführungsbeispiel eines hier beschriebenen lichtemittierenden
Halbleiterbauelements beziehungsweise eines hier beschriebenen lichtemittierenden
Halbleiterbauteils, nämlich eine Struktur wie in Figur 3, aber mit einer Konverterschicht in einem Abstand zur LED beziehungsweise dem vertikalen Laser, Figur 5A schematisch ein fünftes Ausführungsbeispiel eines hier beschriebenen lichtemittierenden
Halbleiterbauelements beziehungsweise eines hier beschriebenen lichtemittierenden
Halbleiterbauteils, nämlich eine Kontaktierung einer Struktur wie in Figur 2 nach einer
Prozessierung und
Figur 5B schematisch ein sechstes Ausführungsbeispiel eines hier beschriebenen lichtemittierenden
Halbleiterbauelements beziehungsweise eines hier beschriebenen lichtemittierenden
Halbleiterbauteils, nämlich eine Struktur mit zusätzlichem oberem Spiegel und einer Kontaktierung durch die Spiegel,
Figur 6 eine grafische Auftragung zur Erläuterung eines
Aspekts von Ausführungsbeispielen eines hier beschriebenen lichtemittierenden
Halbleiterbauelements .
Gleiche, gleichartige oder gleich wirkende Elemente sind in den Figuren mit den gleichen Bezugszeichen versehen. Die Figuren und die Größenverhältnisse der in den Figuren
dargestellten Elemente untereinander sind nicht als
maßstäblich zu betrachten. Vielmehr können einzelne Elemente zur besseren Darstellbarkeit und/oder für eine bessere
Verständlichkeit übertrieben groß dargestellt sein.
Figur 1 zeigt ein erstes Ausführungsbeispiel eines hier beschriebenen lichtemittierenden Halbleiterbauelements beziehungsweise eines hier beschriebenen lichtemittierenden Halbleiterbauteils, nämlich eine einfache LED-Struktur mit einem unteren, ersten Spiegel 102.
Hier sind 100 das Substrat, 101 eine optionale
Pufferschichten, 102 der erste Spiegel, der als Bragg-Spiegel mit x-Doppelschichten (x: ganze Zahl oder ganze Zahl ±0,5) aus niedrig- und hochbrechendem Material, 103 eine meist n- leitende erste leitende Schicht um die lichtemittierende Schichtenfolge 104, mit hier beispielhaft drei Schichten, ideal in einem Maximum der elektrischen Feldstärke der optischen Welle platziert. Die Doppelschichten müssen nicht zwingend ganzzahlig sein, je nach Beginn oder Ende der
Schichtenfolge kann es auch ein halbzahliger Wert sein. Die Doppelschichten umfassen dabei jeweils eine hochbrechende Spiegelschicht 102a und eine niedrigbrechende Spiegelschicht 102b. Bei dem Substrat 100 kann es sich um ein Aufwachssubstrat für die nachfolgenden Schichten handeln, auf welches diese epitaktisch abgeschieden sind. Ferner ist es möglich, dass es sich bei dem Substrat 100 einen Träger handelt, der nicht dem ursprünglichen Aufwachssubstrat entspricht. In diesem Fall kann das Aufwachssubstrat abgelöst sein und die
verbleibenden, epitaktisch abgeschiedenen Schichten sind am Substrat 100 befestigt. Das Substrat 100 kann in diesem Fall insbesondere elektrisch leitend ausgebildet sein. Bei der lichtemittierenden Schichtenfolge 104 handelt es sich um Gruppe-III-Nitrid-Halbleiter die idealerweise eine
kleinere Bandlücke als das umgebende Material haben, also zum Beispiel InGaN in einer GaN-Matrix, aber auch InGaN in InGaN- Matrix mit niedrigerem In-Gehalt. Die Bandlücke des Materials soll im sichtbaren oder ultravioletten Spektralbereich liegen. Die Anzahl hängt dabei vom Design der LED ab, als vorteilhaft werden ein bis zehn solcher Schichten angesehen, meist zwischen 2 - 5 nm dick und getrennt von einer
Barrierenschicht, die typischerweise eine Dicke zwischen 5 nm und 15 nm hat.
Die Barrieren können jedoch auch dicker sein, um jede
lichtemittierende Schicht im Maximum der elektrischen
Feldamplitude der optischen Welle zu platzieren. Für optimale Strominjektion in die lichtemittierenden Schichten wird die Platzierung von möglichst vielen solcher Schichten innerhalb eines einzelnen Amplitudenmaximums angesehen. Oberhalb der lichtemittierenden Schichten kann eine, hier nicht gezeigte, Elektronenbarriere eingebracht sein. Zum Beispiel bei einer GaN-basierten LED, eine Mg-dotierte AlGaN- Schicht mit 5 - 25 nm Dicke und einem Al-Gehalt zwischen 5 - 30 %, die die Elektroneninjektion in die nachfolgende Schicht 105 verhindert. 105 ist typisch eine p-dotierte zweite leitende Schicht zur Löcherinjektion in die Schichten 104. Oberhalb dieser Schicht oder einer hier nicht gezeigten teil- oder völlig transparenten Kontaktierungsschicht kann dann der Lumineszenzkonverter 106 angebracht, der das in der
lichtemittierenden Schichtenfolge 104 entstandene Licht ganz oder teilweise in zum Beispiel längerwelliges Licht
konvertiert. Bei hohen Strahlintensitäten ist auch eine
Konversion zu kürzeren Wellenlängen zum Beispiel mit einem Material zur Frequenzvervielfachung möglich. Die
Lichtemission erfolgt in diesem Beispiel bevorzugt in
Richtung des angezeigten Pfeils oberhalb der Struktur. In Figur 2 ist ein zweites Ausführungsbeispiel eines hier beschriebenen lichtemittierenden Halbleiterbauelements beziehungsweise eines hier beschriebenen lichtemittierenden Halbleiterbauteils, nämlich eine modifizierte LED wie in der Figur 1 dargestellt, aber mit einem oberen Tunnelkontakt 208 durch eine hoch-n-dotierte Schicht 207. Dadurch ist eine einfachere Kontaktierung und bessere Stromverteilung des oberen Kontakts möglich. Die anderen Bezeichnungen folgen der Figur 1, beginnen aber statt mit einer 1 mit einer 2. Hier kann auch eine auf der Schicht 207 abgeschiedene MQW-Struktur als Konverter 206 zur Umwandlung eines Teils des elektrisch erzeugten Lichts in längerwelliges Licht dienen. In Figur 3 ist ein drittes Ausführungsbeispiel eines hier beschriebenen lichtemittierenden Halbleiterbauelements beziehungsweise eines hier beschriebenen lichtemittierenden Halbleiterbauteils, nämlich eine verbesserte vertikale LED beziehungsweise ein vertikaler Laser dargestellt. Durch einen oberen, zweiten Spiegel 309 mit y Spiegelpaaren, wobei y < x ist und y: ganze Zahl oder ganze Zahl ±0,5, und die Kavität 303 - 305 mit einer optischen Dicke, die einem ganzzahligen Vielfachen der halben Wellenlänge entspricht, und aktiven Schichten, das heißt die lichtemittierende Schichtenfolge
304, darin, entsteht ein schmaleres Emissionsspektrum und es besteht damit bei entsprechend hohen Strömen auch die
Möglichkeit einen VCSEL (von englisch vertical-cavity
surface-emitting laser) , zu realisieren. Hier ist der zweite Spiegel 309 idealerweise auch aus demselben Material oder einem Material aus derselben Materialklasse (AlInGaN) wie der untere, erste Spiegel 302.
Dann lässt sich mit einer hoch-n-dotierten Schicht 307 als unterer niedrigbrechender Spiegelschicht 309a auf der p- dotierten Schicht 305 ein Tunnelkontakt 308 realisieren, analog zu dem in der Figur 2 dargestellten. Die anderen
Bezeichnungen folgen wieder den vorhergehenden Zeichnungen. Prinzipiell lässt sich der obere, zweite Spiegel 309 auch mit anderen, auch nichtleitenden Materialien realisieren, was durch den dann meist verfügbaren größeren
Brechungsindexsprung nur wenige Spiegelpaare erfordert.
Insbesondere dann ist ein Tunnelkontakt für die obere
Kontaktschicht analog zu dem in Figur 2 vorteilhaft.
Der obere, zweite Spiegel 309 ist bei Emission nach oben, also in Pfeilrichtung, in der Regel geringer reflektierend als der untere, um den Photonenstrom in Richtung der
Lumineszenz umwandelnden Schicht, den Konverter 306, zu maximieren und nicht ungenutzt in die andere Richtung
abzustrahlen. Grundsätzlich ist zudem die Dotierfolge bei allen gezeigten Beispielen und damit auch die Kontaktierung umkehrbar, das heißt der n-p-Übergang kann auch ein p-n- Übergang sein. Auch können alle Beispiele so hergestellt werden, dass die Emission in Richtung des Substrats erfolgt. Dieses kann prinzipiell auch entfernt oder nach dem Wachstum durch Umbonden auf einen anderen Träger gewechselt werden. Dann ist die Spiegelreflektivität der anderen
Emissionsrichtung anzupassen.
Figur 4 zeigt ein viertes Ausführungsbeispiel eines hier beschriebenen lichtemittierenden Halbleiterbauelements beziehungsweise eines hier beschriebenen lichtemittierenden Halbleiterbauteils, nämlich eine Struktur wie in Figur 3, aber mit einem Konverter 406, insbesondere als Schicht, nicht direkt auf der Struktur beziehungsweise der oberen
Kontaktierungsschicht , sondern in einem gewissen Abstand 410, der zum Beispiel durch einen Hohlraum oder ein weiteres
Material wie ein transparentes Silikon oder ein Polymer definiert sein kann. Dadurch kann Hitze vom Konverter
ferngehalten werden und es besteht, je nach Ausführung, auch die Möglichkeit, Konverterschichten zu wechseln oder auf diese zu verzichten.
Figur 5A zeigt ein fünftes Ausführungsbeispiel eines hier beschriebenen lichtemittierenden Halbleiterbauelements beziehungsweise eines hier beschriebenen lichtemittierenden Halbleiterbauteils, nämlich die Kontaktierung einer Struktur wie in der Figur 2 nach der Prozessierung. Hier wird über Metallisierungen 511 und 513, die bei Verwendung eines oberen Tunnelkontakts identisch sein können, mit einem Draht 510 und 512 und einem nicht gezeigten Stromversorger ein Stromkreis hergestellt, der das Bauelement beziehungsweise die Schichten 504 in der Figur 2 zur Elektrolumineszenz bringt. Diese wird im Konverter 506 dann ganz oder teilweise in eine andere Wellenlänge gewandelt.
In Figur 5B ist ein sechstes Ausführungsbeispiel eines hier beschriebenen lichtemittierenden Halbleiterbauelements beziehungsweise eines hier beschriebenen lichtemittierenden Halbleiterbauteils, nämlich eine Struktur mit zusätzlichem oberem, zweiten Spiegel 509 und einer Kontaktierung durch die Spiegel, was idealerweise einen p-n-Tunnelkontakt , wie in den Figuren 3 und 4 dargestellt und als 308 und 408
gekennzeichnet, beinhaltet. Hier ist 523 das obere
Kontaktmetall und 522 der obere Verbindungsdraht zu einer Stromquelle. Die Kontaktierung des Rückkontakts erfolgt in diesem Bespiel, ein leitfähiges Substrat vorausgesetzt, über eine rückwärtige Metallisierung 521 und einen Draht 520.
Prinzipiell lässt sich anstelle von Metall auch ein
leitfähiges Oxid beziehungsweise ein transparentes
leitfähiges Material wie zum Beispiel Indium-Zinn-Oxid einsetzen .
Die grafische Auftragung der Figur 6 zeigt die Borstein-Moss- Verschiebung der Bandlückenenergie E zu größeren Energien in Abhängigkeit von der Dotierstoffkonzentration n. Als
Dotierstoff kommt dabei Germanium in GaN-Schichten zum
Einsatz. Der Brechungsindex der dotierten Schichten verhält sich reziprok zur Energie der Bandlücke, das heißt, je größer die Energie der Bandlücke ist, desto geringer ist der Brechungsindex. Aus der Figur 6 ist ersichtlich, dass entgegen der Intuition die Bandlücke nicht im undotierten Fall am geringsten ist, sondern im Bereich einer
Dotierstoffkonzentration von ΙΟ-^ cm~3 e n Minimum aufweist. Der Brechungsindex ist daher im Bereich einer
Dotierstoffkonzentration von ΙΟ-^ cm~3 maximal, so dass sich mit einer Dotierstoffkonzentration von ΙΟ-^ cm~3 j_n der hochdotierten Schicht ein Maximum des
Brechungsindexunterschieds zwischen niedrigbrechender und hochbrechender Spiegelschicht erreichen lässt.
Die hier gezeigten Beispiele beziehungsweise Teilaspekte davon lassen sich beliebig miteinander kombinieren.
Insbesondere ist die Erfindung nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele auf diese beschränkt.
Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist .
Bezugs zeichenliste
100, 200, 300, 400, 500 Substrat
101, 201, 301, 401, 501 Pufferschicht
102, 202, 302, 402, 502 erster Spiegel
102a, 202a, 302a, 402a, 502a hochbrechende Spiegelschichten 102b, 202b, 302b, 402b, 502b niedrigbrechende
Spiegelschichten
103, 203, 303, 403, 503 erste leitende Schicht
104, 204, 304, 404, 504 Iichtemittierende
Schichtenfolge
105, 205, 305, 405, 505 zweite leitende Schicht
106, 206, 306, 406, 506 Konverter
207, 307, 407, 507 hoch-n-dotierte Schicht
208, 308, 408, 508 Tunnelkontakt
309, 409 zweiter Spiegel
309a, 409a hochbrechende Spiegelschichten 309b, 409b niedrigbrechende
Spiegelschichten
410 Abstand
510 Draht
511 Metallisierung
512 Draht
513 Metallisierung
520 Draht
521 Metallisierung
522 Kontaktmetall
523 Kontaktmetall

Claims

Patentansprüche
1. Lichtemittierendes Halbleiterbauelement mit
- einem ersten Spiegel (102, 202, 302, 402, 502),
- einer ersten leitenden Schicht (103, 203, 303, 403, 503),
- einer lichtemittierenden Schichtenfolge (104, 204, 304, 404, 504) an einer dem ersten Spiegel abgewandten Seite der ersten leitenden Schicht, und
- einer zweiten leitenden Schicht (105, 205, 305, 405, 505) an einer der ersten leitenden Schicht abgewandten Seite der lichtemittierenden Schichtenfolge, wobei
- der erste Spiegel, die erste leitende Schicht, die lichtemittierende Schichtenfolge und die zweite leitende Schicht auf einem III-Nitrid-Verbindungshalbleitermaterial basieren,
- der erste Spiegel elektrisch leitfähig ist, und
- der erste Spiegel eine periodische Abfolge
homoepitaktischer Materialien mit sich unterscheidendem Brechungsindex ist.
2. Lichtemittierendes Halbleiterbauelement nach dem vorherigen Anspruch,
bei dem der erste Spiegel eine periodische Abfolge
hochbrechender Spiegelschichten (102a, 202a, 302a, 402a, 502a) und niedrigbrechender Spiegelschichten (102b, 202b, 302b, 402b, 502b) umfasst, wobei sich die hochbrechenden Spiegelschichten und die niedrigbrechenden Spiegelschichten durch die Konzentration eines Dotierstoffs voneinander unterscheiden .
3. Lichtemittierendes Halbleiterbauelement nach dem vorherigen Anspruch, bei dem die hochbrechenden Spiegelschichten und die
niedrigbrechenden Spiegelschichten denselben Dotierstoff aufweisen .
4. Lichtemittierendes Halbleiterbauelement nach dem
vorherigen Anspruch,
bei dem der Dotierstoff Zinn oder Germanium ist.
5. Lichtemittierendes Halbleiterbauelement nach einem der drei vorherigen Ansprüche,
bei dem die niedrigbrechenden Spiegelschichten eine
Dotierstoffkonzentration von wenigstens 2xl019 cm J aufweisen und die hochbrechenden Spiegelschichten eine
Dotierstoffkonzentration von weniger als 1x1019 cm~3
aufweisen.
6. Lichtemittierendes Halbleiterbauelement nach einem der drei vorherigen Ansprüche,
bei dem an einer Grenzfläche zwischen einer niedrigbrechenden Spiegelschicht und einer hochbrechenden Spiegelschicht ein weiterer Dotierstoff eingebracht ist, der sich vom
Dotierstoff unterscheidet.
7. Lichtemittierendes Halbleiterbauelement nach dem
vorherigen Anspruch,
bei dem der weitere Dotierstoff Silizium ist und höchstens eine Monolage des weiteren Dotierstoffs eingebracht ist.
8. Lichtemittierendes Halbleiterbauelement nach einem der vorherigen Ansprüche
mit einem zweiten Spiegel (309, 409) an einer der
lichtemittierenden Schichtenfolge abgewandten Seite der zweiten leitenden Schicht, wobei der zweite Spiegel mit zumindest einem der folgenden Materialien gebildet ist:
Halbleiter, Isolator, Metall.
9. Lichtemittierendes Halbleiterbauelement nach dem
vorherigen Anspruch,
bei dem der zweite Spiegel gleichartig zum ersten Spiegel ausgebildet ist, wobei der zweite Spiegel eine geringere Anzahl von Spiegelschichten (309a, 309b, 409a, 409b) als der erste Spiegel umfasst und die Reflektivität des zweiten
Spiegels geringer ist als die Reflektivität des ersten
Spiegels .
10. Lichtemittierendes Bauelement,
gekennzeichnet durch
a) einen Resonator mit mindestens einer Verspiegelung (102, 202, 302, 402, 502), erzeugt durch Epitaxie einer
periodischen Abfolge homoepitaktischer Materialien mit sich unterscheidendem Brechungsindex,
b) eine lichtemittierende Gruppe-III-Nitrid-Schicht oder Schichtenfolge (104, 204, 304, 404, 504),
c) mindestens eine die Lumineszenz der Gruppe-III-Nitrid- Schicht zumindest teilweise umwandelnde Substanz (106, 206, 306, 406, 506) und/oder weitere Gruppe-III-Nitrid-Schicht (105, 205, 305, 405, 505), wobei das lichtemittierende
Bauelement auf einem III-Nitrid-Verbindungshalbleitermaterial basiert .
11. Lichtemittierendes Bauelement nach Anspruch 10,
bei dem der Brechungsindexunterschied der Gruppe-III-Nitrid- Schichten im Resonator durch Änderung der Dotierung
realisiert wird.
12. Lichtemittierendes Bauelement nach Anspruch 11,
wobei der Resonator eine Dotierung über 2xl019 cm J ,
vorzugsweise über 8x 1019 cm J, und eine niedrigere Dotierung unter lxlO19 cm vorzugsweise unter 5x101 cm ^ , für die jeweils unterschiedlich brechenden Schichten aufweist.
13. Lichtemittierendes Bauelement nach einem der Ansprüche 10 bis 12,
gekennzeichnet durch
eine zusätzliche hochreflektierende Verspiegelung (309, 409) auf der Oberfläche der Gruppe-III-Nitrid-Schichten, die eine spektrale Bandbreite größer als die Emissionsbandbreite der lichtemittierenden Gruppe-III-Nitrid-Schicht oder Gruppe-III- Nitrid-Schichtenfolge aufweist und deren Zentralwellenlänge der zu emittierenden Wellenlänge entspricht.
14. Lichtemittierendes Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche,
bei dem das Halbleiterbauelement einer der folgenden
Halbleiterchips ist: Leuchtdiodenchip, Laserdiodenchip, Superlumineszenzdiodenchip .
15. Lichtemittierendes Bauteil mit
- zumindest einem lichtemittierenden Halbleiterbauelement nach einem der vorherigen Ansprüche, und
- einem Konverter (106, 206, 306, 406, 506), der dem
zumindest einen lichtemittierenden Halbleiterbauelement nachgeordnet ist.
16. Lichtemittierendes Bauteil gemäß dem vorherigen
Anspruch, bei dem zwischen dem zumindest einen lichtemittierenden
Halbleiterbauelement und dem Konverter ein Abstand (410) vorhanden ist.
17. Verfahren zur Herstellung eines lichtemittierenden
Bauelements nach einem der Ansprüche 1 bis 15,
wobei die niedrigbrechenden Spiegelschichten und die
hochbrechenden Spiegelschichten des ersten Spiegels und/oder des zweiten Spiegels durch homoepitaktisches Wachstum erzeugt werden.
18. Verfahren gemäß dem vorherigen Anspruch,
wobei eine Zugabe des Dotierstoffs lediglich während des
Wachstums der niedrigbrechenden Spiegelschichten erfolgt.
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10186676B2 (en) * 2017-03-13 2019-01-22 Intel Corporation Emissive devices for displays
DE102018105208B4 (de) * 2018-03-07 2022-05-19 Otto-Von-Guericke-Universität Magdeburg Halbleiterschichtenfolge und ein darauf basierendes Halbleiterbauelement
DE102019115351A1 (de) * 2019-06-06 2020-12-10 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Halbleiterbauelement mit Strahlungskonversionselement und Verfahren zum Herstellen von Strahlungskonversionselementen
GB2592062B (en) * 2020-02-14 2022-07-27 Plessey Semiconductors Ltd Enhanced colour conversion
US11804693B2 (en) 2020-03-18 2023-10-31 Northrop Grumman Systems Corporation Method and device for ultraviolet to long wave infrared multiband semiconducting single emitter
WO2025025071A1 (en) * 2023-07-31 2025-02-06 Jade Bird Display (shanghai) Limited Micro led and micro led display panel

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5757837A (en) * 1996-10-16 1998-05-26 The Regents Of The University Of California Intracavity quantum well photodetector integrated within a vertical-cavity surface-emitting laser and method of operating same
US20020030198A1 (en) * 1999-02-05 2002-03-14 Carrie Carter Coman Methods for fabricating light emitting devices having aluminum gallium indium nitride structures and mirror stacks
WO2014065259A1 (ja) * 2012-10-23 2014-05-01 昭和電工株式会社 発光ダイオードおよびその製造方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100413792B1 (ko) 1997-07-24 2004-02-14 삼성전자주식회사 질화갈륨 층과 공기층이 반복 적층된 분산브래그 반사기를구비한 단파장 면발광 반도체 레이저장치 및 그 제조 방법
JP4622335B2 (ja) 2003-08-04 2011-02-02 日亜化学工業株式会社 半導体レーザ素子
US20060215720A1 (en) 2005-03-24 2006-09-28 Corzine Scott W Quantum cascade laser with grating formed by a periodic variation in doping
US20110116520A1 (en) 2008-07-07 2011-05-19 Koninklijke Philips Electronics N.V. Eye-safe laser-based lighting
KR101351484B1 (ko) 2012-03-22 2014-01-15 삼성전자주식회사 질화물계 반도체 전방향 리플렉터를 구비한 발광소자
WO2013175773A1 (ja) * 2012-05-22 2013-11-28 パナソニック株式会社 波長変換素子およびその製造方法ならびに波長変換素子を用いたｌｅｄ素子および半導体レーザ発光装置
WO2014004261A1 (en) 2012-06-28 2014-01-03 Yale University Lateral electrochemical etching of iii-nitride materials for microfabrication
EP2878046B1 (de) * 2012-07-27 2022-03-09 Thorlabs, Inc. Einstellbarer laser mit kurzem resonator für einen quantenschacht
US11095096B2 (en) * 2014-04-16 2021-08-17 Yale University Method for a GaN vertical microcavity surface emitting laser (VCSEL)
EP3201952B1 (de) * 2014-09-30 2023-03-29 Yale University Verfahren für gan-basierten vertikalen mikrokavitätsoberflächenemittierenden laser

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5757837A (en) * 1996-10-16 1998-05-26 The Regents Of The University Of California Intracavity quantum well photodetector integrated within a vertical-cavity surface-emitting laser and method of operating same
US20020030198A1 (en) * 1999-02-05 2002-03-14 Carrie Carter Coman Methods for fabricating light emitting devices having aluminum gallium indium nitride structures and mirror stacks
WO2014065259A1 (ja) * 2012-10-23 2014-05-01 昭和電工株式会社 発光ダイオードおよびその製造方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
CARLIN J F ET AL: "High-efficiency top-emitting microcavity LEDs on GaAs and GaAs/Si substrates", JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, ELSEVIER, AMSTERDAM, NL, vol. 201-202, 1 May 1999 (1999-05-01), pages 994 - 998, XP004175284, ISSN: 0022-0248, DOI: 10.1016/S0022-0248(98)01512-7 *

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