WO2016146642A1 - Verfahren zum herstellen eines organischen bauelements - Google Patents

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WO2016146642A1
WO2016146642A1 PCT/EP2016/055604 EP2016055604W WO2016146642A1 WO 2016146642 A1 WO2016146642 A1 WO 2016146642A1 EP 2016055604 W EP2016055604 W EP 2016055604W WO 2016146642 A1 WO2016146642 A1 WO 2016146642A1
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electrically conductive
conductive layer
organic
electrode
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PCT/EP2016/055604
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English (en)
French (fr)
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Heiko Heppner
Egbert HÖFLING
Dieter Musa
Simon SCHICKTANZ
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Osram Oled GmbH
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Osram Oled GmbH
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Definitions

  • the invention relates to a method for producing an organic component.
  • An organic device may be an optoelectronic
  • the organic component is for example an organic compound
  • OLED Light-emitting diode
  • photodetector or a solar cell
  • Organic devices usually consist of active layers in the range of less than 1 ⁇ m thickness and are therefore particularly sensitive to manufacture
  • the production (which has, for example, a processing) is usually carried out in a particle-reduced environment,
  • a carrier substrate hereinafter also referred to as a substrate, and a cover substrate are usually provided.
  • a substrate for example, referred to as a substrate
  • cover substrate for example, referred to as a substrate
  • Capglas is listed in the embodiments, it is to be noted that other materials may be provided as a cover substrate, such as a plastic film.
  • the carrier substrate and the cover substrate are usually transported so that the particle-sensitive side faces down. With these measures, however, a contamination with particles can not be completely avoided.
  • a certain resistance of a layer to be formed to damage by small particles can be achieved at a higher cost by providing a thicker so-called buffer layer, for example an organic buffer layer.
  • buffer layer for example an organic buffer layer.
  • Component has defects caused by particles, wherein the organic component is then optionally sorted out.
  • the object of the invention is to provide a simple and
  • the organic component as few as possible, caused by particles defects
  • the object is achieved according to one aspect of the invention by a method for producing an organic compound
  • a device comprising providing a carrier substrate. Furthermore, the method comprises forming an electrically conductive layer on or above the
  • the method comprises forming at least one organic functional layer for forming the organic component on or above the electrically conductive layer at least partially during the application of the electrical potential to the electrically conductive layer.
  • An organic device produced in this way may have a smaller number of defects caused by particles.
  • the electrically conductive layer may have a larger size have electrical conductivity as the carrier substrate ⁇ or its material), eg more than twice as large, for example more than three times as large, for example more than five times as large, for example more than ten times as large.
  • the carrier substrate ⁇ or its material eg more than twice as large, for example more than three times as large, for example more than five times as large, for example more than ten times as large.
  • the electrically conductive layer to be more electrically conductive than the carrier substrate.
  • the electrically conductive layer (or its material) has a greater electrical conductivity than the organic,
  • the electrically conductive layer may have a lower electrical resistance ⁇ e.g. along and / or transverse to the lateral extent of the layer and / or the
  • Carrier substrate as the carrier substrate, e.g.
  • conductive layer can be an electrostatic potential (fixed in time).
  • the electrically conductive layer may be metallic, e.g. a metallic material (e.g., an organic metal, an inorganic metal, an alloy, e.g., an intermetallic
  • metal e.g., based on a body, material, or region, layer, e.g., electrical
  • conductive layer can be understood as having metallic properties, e.g. a metallic bond, mobile ⁇ delocalized ⁇ electrons in the metal lattice, electrical conductivity, metallic luster and / or
  • a semiconductor eg, a semiconductor material
  • electrically semiconductive eg, with respect to a body, a layer, a material, etc.
  • a region may be understood as having a mediocre electrical conductivity, eg, an electrical conductivity (eg, measured at room temperature and constant electric field) in a range of approximately
  • electrical conductor or electrically conductive (eg, with respect to a body, a layer, a material or a region) can be understood as a good electrical Conductivity having, for example, an electrical conductivity (eg at room temperature and constant electric field
  • electrically insulating e.g., with respect to a body, layer, material, or region
  • electrical conductivity may be understood as having poor electrical conductivity
  • an electrical conductivity e.g., at room temperature and constant electric field
  • the carrier substrate may be electrically insulating ⁇ e.g. dielectric).
  • the carrier substrate may be an electrical
  • insulating e.g., dielectric
  • an electrical insulator or formed therefrom.
  • the electrical potential on the electrically conductive layer can be regulated and / or controlled (e.g.
  • the electrical potential at the electrically conductive layer may be provided by means of a charge storage device (eg by means of an electrical grounding and / or by means of a potential generator), which eg has a larger charge storage capability (eg capacitance) than the electrically conductive layer ,
  • a charge storage device eg by means of an electrical grounding and / or by means of a potential generator
  • the electrically conductive layer to be electrically conductively connected to the charge storage or, for example, before and / or during the formation of the at least one
  • application of the electrical potential to the electrically conductive layer may effect equipotential bonding (e.g.
  • Reference potential e.g. electrical earth
  • electrical charges can flow away from or flow towards the electrically conductive layer, i. an electric current flow is caused ⁇ e.g. a current pulse).
  • Equipotential bonding can provide the electroconductive layer with an electrostatic potential (i.e., the equipotential bonding is time limited, e.g., to a potential equalization pulse).
  • a (e.g., dielectric) material and / or (e.g., dielectric) particles (e.g., dust) are removed from the electrically conductive layer.
  • a (e.g., dielectric) material and / or (e.g., dielectric) particles are removed from the electrically conductive layer.
  • Material and / or the particles (such as dust) can be reduced.
  • application of the electrical potential to the electrically conductive layer may reduce (e.g., null) an electric field intensity at the organic device (e.g., at the electrically conductive layer and / or at the carrier substrate).
  • an electric field intensity at the organic device e.g., at the electrically conductive layer and / or at the carrier substrate.
  • the application of the electrical potential to the electrically conductive layer cause a substantially field-free environment (of the organic device).
  • the electrically conductive layer may be electrically contacted, e.g. by means of electrical contacts (for example by means of earthing contacts).
  • the electrical contacts may also be referred to as contacting device) may be incorporated in a tool which forms the carrier substrate during the formation of at least one organic,
  • the at least one organic, functional layer may be formed by means of a
  • Liquid phase processing may be applied or, i. as or out of solution.
  • the formation of the at least one organic, functional layer may take place while the electrical potential to the electrical
  • an apparatus for forming the at least one organic functional layer may be applied to the electrical potential (e.g., so as to create a fumeless space therebetween).
  • the material of a layer e.g. the organic,
  • the formation of the layer may comprise the liquid phase of the layer by means of liquid phase deposition (also known as wet-chemical or wet-chemical)
  • the layer may be formed from the liquid phase of the layer.
  • a liquid phase deposition can be carried out, for example, by means of a spray coating (also referred to as spray coating), a curtain coating (also referred to as curtain
  • slot die coating an ink jet printing coating (also referred to as ink jet printing) or a screen printing coating (also referred to as screen printing).
  • the electrically conductive layer grounded.
  • the potential difference between the at least one organic functional layer and the particles from the environment can be minimized in a simple manner.
  • the method further comprises forming a first electrode and forming a second electrode, wherein the at least one organic, functional layer is formed between the first electrode and the second electrode.
  • the electrically conductive layer forms the first and / or the second electrode or the electrically conductive layer is formed as part of the first and / or second electrode.
  • the method is efficient because only a single layer is formed is formed, which serves as a first electrode and as an electrically conductive layer, and / or a single layer is formed as the second electrode as well as electrically
  • the first electrode and / or the second electrode is / are formed transparent or translucent.
  • the method further comprises forming an encapsulation on or above the second
  • the encapsulation is formed from a metal or the encapsulation is so
  • a metallic encapsulation has a high electrical conductivity. Therefore, during the formation of the encapsulation, an electric potential may be applied to those under the encapsulation
  • arranged layer for example, to the second electrode, are applied to reduce the contamination of the encapsulation by particles from the environment.
  • an electrical potential is applied to the electrically conductive layer at least partially during the formation of the first electrode, the second electrode and / or the encapsulation.
  • an electrical potential is applied to the electrically conductive layer at least partially during the formation of the first electrode, the second electrode and / or the encapsulation.
  • the method further comprises providing a cover substrate. Furthermore, the method comprises forming a further electrically conductive layer on the cover substrate. Furthermore, the method comprises forming a further electrically conductive layer on the cover substrate. Furthermore, the
  • Method applying an electrical potential to the further electrically conductive layer includes forming an adhesive layer the cover substrate at least partially during the application of the electrical potential to the other electrically
  • the method includes
  • Bonding the carrier substrate to the ⁇ bdecksubstrat means of the adhesive layer on.
  • Adhesive layer it is possible to minimize a potential difference between the adhesive layer and particles from the environment. Thus, there may be a reduction in the electrostatic attraction of the particles from the environment through the adhesive layer.
  • Carrier substrate with the cover substrate a cohesive bonding of the adhesive layer with the encapsulation.
  • Adhesive layer on an incorporation of an electrically conductive material in the adhesive layer.
  • Adhesive layer the electrical conductivity of the adhesive layer can be increased.
  • an electrical potential is applied to the further electrically conductive layer in order to reduce the contamination of the adhesive layer by particles from the environment.
  • At least one further organic component is formed on the carrier substrate and next to the organic component.
  • the organic component and the at least one further organic component are electrically conductive by means of the electrically conductive layer
  • the method further comprises separating the organic component from the at least one further organic component by severing the carrier substrate between the organic component and the at least one further organic component.
  • FIG. 1 shows a flow diagram of a method for producing an organic component
  • Figure 2a is a cross-sectional view of an organic compound
  • FIG. 2b shows a plan view of an organic component in a method for producing an organic component
  • Figure 2c is a cross-sectional view of an organic compound
  • Figure 3 is a cross-sectional view of an organic compound
  • Figure 4 is a cross-sectional view of an organic compound
  • Figure 5 is a cross-sectional view of an organic
  • FIG. 6 shows a plan view of an organic component in a method for producing an organic component
  • Figure 7 is a plan view of an organic device in
  • Figure 8 is a cross-sectional view of an organic
  • Figure 9 is a plan view of an organic device in a process for producing an organic
  • Figure 10 is a schematic representation of an apparatus for
  • translucent or “translucent layer” can be understood in various embodiments that a layer or a material is permeable to light, for example for that of the
  • Wavelength range of visible light for example, at least in one
  • the term “translucent layer” in various exemplary embodiments is to be understood as meaning that essentially the entire amount of light coupled into a structure ⁇ for example a layer) is also coupled out of the structure (for example layer), whereby part of the light can be scattered in this case
  • the term “transparent” or “transparent layer” may in various embodiments be understood to mean that a layer is transparent to light
  • Wavelength range from 380 nm to 780 nm), in which a structure (for example, a layer) coupled light without scattering or light conversion is also coupled out of the structure (for example, layer).
  • the method for producing an organic component comprises providing 101 a carrier substrate 202, For example, in Fig.2a, on. Furthermore, the method has a formation 102 of an electrically conductive layer 203, for example shown in FIG. 2a, on or above the carrier substrate 202 and an application 103 of an electrical potential to the electrically conductive layer 203. Furthermore, the method has a formation 104
  • At least one organic, functional layer 210 for example, shown in Fig.2c, for forming the
  • the electrically conductive layer 203 at least partially during application of the electrical potential. the electrically conductive layer 203.
  • the organic device may be used as an opto-electronic device that emits or absorbs light
  • the organic device may be formed as an organic light emitting diode (OLED), a photodetector or a solar cell.
  • the organic component may have, for example, one, two or more light-emitting diode elements.
  • the light-emitting diode elements for example, organic light-emitting diodes or parts or segments of
  • the carrier substrate 202 is provided.
  • Carrier substrate 202 may be translucent or transparent
  • the carrier substrate 202 serves as
  • the carrier substrate 202 may include, for example, plastic, metal, glass, quartz and / or a semiconductor material or be formed therefrom. Furthermore, the carrier substrate 202 may be a
  • the carrier substrate 202 may be formed mechanically rigid or mechanically flexible.
  • a first barrier layer for example a first barrier layer Barrier thin film, formed on the carrier substrate 202.
  • the first barrier layer serves to protect elements formed on the carrier substrate 202 from harmful external influences such as oxygen and / or moisture,
  • the electrically conductive layer 203 is formed on or above the carrier substrate 202.
  • the electrically conductive layer 203 becomes such
  • the electrically conductive layer 203 may be formed so as to form a layer stack of a combination of a layer of a metal on one
  • the electrically conductive layer may alternatively or additionally be formed in such a way that the electrically conductive layer comprises at least one of the following materials: networks of metallic nanowires and particles, for example of silver, of networks
  • Carbon nanotubes and / or graphene particles and layers Carbon nanotubes and / or graphene particles and layers.
  • conductive layer 203 is formed on a surface, such as a main processing surface, of the support substrate 202, for example, over the entire surface
  • the electrically conductive layer 203 may be used as a continuous layer
  • the electrically conductive layer 203 can be formed on or above the carrier substrate 202 by means of physical vapor deposition, for example by means of sputtering, by means of thermal evaporation and / or electron beam evaporation.
  • conductive layer 203 may be provided by means of a
  • Spray coating (or spray coating) and / or a
  • Curtain coating (Curtain-Coating) are formed on or above the carrier substrate.
  • the electric potential is applied to the electrically conductive layer 203.
  • the electrical potential is a suitable reference potential, for example the
  • Ground potential for example 0V.
  • the electrically conductive layer 203 is grounded.
  • the at least one organic functional layer 210 for forming the organic device is formed on or above the electrically conductive layer 203, wherein the organic functional layer 210 at least partially during the application 103 of the electrical
  • the at least one organic, functional layer 210 the electrical
  • the at least one organic functional layer 210 is formed such that it comprises at least one organic substance, for example an organic semiconductor and / or an organic conductor.
  • the at least one organic functional layer 210 may be one
  • Emitter layer an electron transport layer and / or an electron injection layer are formed.
  • the electron transport layer serves to transport the electrons.
  • Electron transport layer The organic, functional
  • Layer can be made translucent or transparent.
  • the at least one organic functional layer 210 is included as part,
  • the organic, functional layer structure can be formed in such a way that the organic functional layer structure has one, two or more functional layer structure units, wherein the functional layer structure units in each case include the sub-layers mentioned and / or further
  • An organic device may have multiple layers, wherein the layers in the production of the organic
  • Component can be formed, for example, one above the other.
  • the layers are electrically isolated from the ground potential, which may entail electrostatic charging. This can remove particles from the
  • organic, functional layer 210 can be reduced.
  • An organic component produced in this way can have a
  • the grounding of the electrically conductive layer 203 makes it possible in a simple manner to reduce, for example, to minimize the potential difference between the at least one organic functional layer 210 and the particles from the environment.
  • organic device such as the OLED
  • Particles can be less strong or no longer attracted.
  • the particle load is reduced and the yield of the organic components or the quality of the organic components increases.
  • FIG. 2a shows a cross-sectional view and FIG. 2b shows a plan view of an organic component in a method for producing an organic component.
  • 2a shows a carrier substrate 202 with a on the
  • Carrier substrate 202 formed electrically conductive
  • the electrically conductive layer 203 may be formed such that it has a plurality of partial regions, for example by means of an optical lithography or by means of a shadow mask.
  • the electrically conductive layer 203 may be formed such that it has a device surface 204, wherein on the Component surface, the organic component is to be formed.
  • the electrically conductive layer 203 may be formed to have at least one
  • the following also referred to as at least one connecting line 208 connects the at least one contact surface 206 with the component surface 204, the contact surface 206 can, as shown in Figure 2b, in an edge region of
  • Carrier substrate 202 are formed.
  • the contact surface 206 may be in the form of a frame.
  • a frame-shaped contact surface 206 may also be referred to below as a contact frame 206.
  • the contact surface 206 may be formed on the carrier substrate 202 and circumferentially around the entire edge region of the carrier substrate 202.
  • the contact surface 206 is formed to include a plurality of contact pads instead of or in addition to the circumferential contact frame 206.
  • the carrier substrate 202 may have an electrically conductive layer 203, hereinafter also referred to as an electrically conductive coating 203, and at least one
  • Connecting line 208 hereinafter also referred to as at least one electrical connection line 208 to be executed to one or more contact surfaces, wherein the one or several contact surfaces during storage, transport and / or the production of the organic device are grounded.
  • Fig. 2c shows a cross-sectional view of an organic
  • the at least one organic functional layer 210 is formed on the device area 204 of the electrically conductive layer 203.
  • the organic functional layer 210 may be formed on the device surface 204 such that that portion of the carrier substrate 202 which is free of the
  • the method further comprises forming a first electrode 312 and forming a second electrode 314, wherein the at least one
  • Electrode 312 and the second electrode 314 is formed.
  • the first electrode 312 is formed on or above the support substrate 202.
  • the first electrode 312 may be formed as an anode or as a cathode.
  • the first electrode 312 is formed translucent or transparent.
  • the first electrode 312 may be formed such that it comprises an electrically conductive material, for example a metal and / or a conductive material
  • electrode 312 may be formed to form a stack of layers of a combination of
  • the first electrode 312 may be formed such that the first electrode 312 alternatively or in addition to the materials mentioned; Networks of metallic nanowires and - particles, such as silver, networks
  • Electrode 312, a first contact portion 313 is formed.
  • the first contact portion 313 is formed to be in direct (physical) contact with the first
  • Electrode 312 is.
  • the first contact portion 313 serves to electrically contact the first electrode 312.
  • the first contact portion 313 may be formed simultaneously with the first electrode 312.
  • the first contact portion may be formed of the same materials as the first electrode 312.
  • the first contact portion 313 may in
  • the contact pad 313 of the first electrode Also referred to below as the contact pad 313 of the first electrode.
  • the first electrode 312 is formed on or above the electrically conductive layer 203 (not shown in FIG. 3). According to one embodiment, the first electrode 312 on the device area 204 of the electrically conductive
  • the first electrode 312 may be formed on the device surface 204 such that Area of the carrier substrate 202, which is free from the device surface 204, is also free from the first
  • Electrode 312 According to one embodiment, at least partially during the formation of the first electrode 312, the
  • the electric potential is applied to the electrically conductive layer 203. According to one embodiment, the electric
  • Electrode 312 may have no or only a few particle-induced defects.
  • the electrical circuit is configured to:
  • Conductive layer 203, the first electrode 312 or the electrically conductive layer 203 is formed as part of the first electrode 312. This makes the method even more efficient since both the first electrode 312 and the electrically conductive layer 203 can be formed together in only one " process step.
  • the at least one organic functional layer 316 on the first electrode 312 becomes
  • the at least one organic, functional layer is an electrically and / or optically active region.
  • the active region is, for example, that region of the organic device in which electrical current is used to operate the organic component flows and / or in the
  • Electromagnetic radiation is generated or absorbed.
  • a getter structure (not shown) can be arranged on or above the active region.
  • the getter layer can be made translucent, transparent or opaque.
  • the getter layer may be formed to include a material that absorbs and binds materials that are detrimental to the active region.
  • the second electrode 314 will be as described above
  • Embodiment of the first electrode 312 described, wherein the first electrode 312 and the second electrode 314 may be formed the same or different.
  • the first electrode 312 serves, for example, as the anode or cathode of the optoelectronic layer structure.
  • the second electrode 314 serves as the cathode or anode of the first electrode 314
  • the second electrode 314 is formed transparent or translucent.
  • the second electrode 314 is formed so as to be in direct contact with the second contact portion 315.
  • Contact section 315 serves to electrically contact the second electrode 314.
  • the second contact section 315 may be formed simultaneously with the first electrode 312.
  • the second contact portion may be the same
  • the second contact section 315 may also be referred to below as
  • the first electrode 312 is electrically insulated from the second contact portion 315 by means of an electrical insulation barrier 317.
  • the second electrode 314 may be formed on the device surface 204 such that that portion of the carrier substrate 202 which is free of the device surface 204 is also free of the second
  • Electrode 314. In one embodiment, at least partially during formation of the second electrode 314, the
  • the electric potential is applied to the electrically conductive layer 203. According to one embodiment, the electric
  • conductive layer 203 is grounded during the formation of the second electrode 314 over the electrically conductive layer 203.
  • Such a formed second electrode 314 may have no or only a few particle-induced defects.
  • the method further comprises forming an encapsulation 318 on or over the second electrode 314.
  • the encapsulation 318 On or above the second electrode 314 and partially over the first contact section 313 and partially over the second contact section 315, the encapsulation 318, also referred to as encapsulation layer 318, is formed.
  • the encapsulant 318 encapsulates the at least one organic functional layer.
  • the encapsulation layer 318 may serve as a second barrier layer, for example as a second barrier layer
  • Encapsulation layer 318 may also be referred to as
  • Thin film encapsulation 318 may be referred to.
  • Encapsulation layer 318 faces a barrier chemical contaminants or atmospheric substances, in particular to water (moisture) and oxygen.
  • the encapsulation layer 318 may be formed as a single layer, a layer stack, or a layered structure.
  • the encapsulant layer 318 may be formed to include or be formed from the following: alumina, zinc oxide,
  • Silicon oxynitride indium tin oxide, indium zinc oxide, aluminum doped zinc oxide, a carbide, for example silicon carbide or other carbide compounds, poly (p-phenylene terephthalamide), nylon 66, and mixtures and
  • Contact area is used for electrically contacting the first contact portion 313 and the second contact area is used for electrically contacting the second contact portion 315th
  • the encapsulant 318 is formed from a metal, or the encapsulant 318 is formed to include a metal.
  • a metallic encapsulant 318 has a high electrical conductivity. Therefore, during the formation of the encapsulant 318, an electrical potential may be applied to the encapsulation layer, such as the second electrode 312, to reduce the contamination of the encapsulation 318 by particles from the environment.
  • the electrical potential is applied to the electrically conductive layer 203 at least partially during the formation of the encapsulation 318.
  • Encapsulation 318 grounded over the electrically conductive layer 203. Thus, it is possible to encapsulate 318 with a reduced number of particles from the environment
  • An encapsulation 318 formed in this way can not cause any or only a few particles
  • the organic component for example the OLED, should as far as possible be constructed from electrically conductive layers.
  • the encapsulant 318 may be formed of a thick metal layer, rather than a thin layer, with thin encapsulant layers typically formed by CVD and silicon nitride,
  • Silicon carbide Silica or similar materials, or non-conductive adhesive materials.
  • FIG. 12 shows a cross-sectional view of a cover substrate 420 with an adhesive layer 422 in a method of manufacturing an organic device. According to a development, the method further
  • the method comprises forming a further electrically conductive layer 834 (not illustrated) on the cover substrate 420.
  • the further electrically conductive layer 834 is shown for example in FIG. Furthermore, the
  • Method of applying an electrical potential to the further electrically conductive layer 834 comprises forming an adhesive layer 422 or over the cap substrate at least partially during application of the electrical potential to the other
  • the adhesive layer 422 is formed to be an adhesive
  • an adhesive for example a
  • the adhesive layer 422 may be formed to include particles that scatter electromagnetic radiation, for example, light scattering particles.
  • the adhesive layer 422 may be formed to include a laminating adhesive.
  • a laminating adhesive an electrically conductive adhesive may be used, for example a silver conductive adhesive,
  • the laminating adhesive can be mixed with conductive particles, such as carbon black.
  • the adhesive layer 422 is on or above the
  • Cover substrate 420 is formed.
  • the adhesive layer 422 serves to attach the cover body 420 to the
  • the cover substrate 420 may be formed to include a plastic, a glass and / or a metal. For example, that can
  • Cover substrate 420 are formed substantially of glass and a thin metal layer, such as a
  • Metal foil, and / or a graphite layer, for example a graphite laminate, have on the glass body.
  • Cover substrate 420 serves to protect the organic
  • Component for example, before mechanical
  • the cover substrate 420 may be for distributing and / or removing heat generated in the organic device.
  • the glass of the cover substrate 420 may be protected from external
  • Actions serve and the metal layer of ⁇ bdecksubstrats 420 can serve for distributing and / or dissipating the heat generated during operation of the organic device.
  • the cap substrate 420 is formed like the carrier substrate 202 described above.
  • Adhesive layer 422 is an admixture of an electrical
  • Potential can be applied to the further electrically conductive layer 834 to reduce the contamination of the adhesive layer 422 by particles from the environment.
  • the electrical potential is applied to the further electrically conductive layer during the entire period of the formation of the adhesive layer 422.
  • Adhesive layer 422 grounded on or above the further electrically conductive layer 203. According to one embodiment, connecting the
  • Carrier substrate with the Abdecksubstrat a cohesive bonding of the adhesive layer 422 with the encapsulation 318 on.
  • the method has the
  • the electrically conductive layer 203 (not shown) is formed.
  • the device surface 204 of the electrically conductive layer 203 is a first
  • the first layer 524a may be formed like one of the layers described above, for example, the first layer may be like the first layer
  • the electrically conductive layer 203 may be grounded prior to or during the formation of the first layer 524a.
  • the grounding of the electrically conductive layer 203 may be throughout the period of time required to form the first layer 524a.
  • the first layer 524a may be electrically grounded by the ground
  • conductive layer 203 are grounded. Furthermore, a second layer 524b on the first. Layer 524a are formed.
  • the second layer 524b may be formed like one of the layers described above, for example, the second layer 524b may be the same as the at least one
  • organic, functional layer 210 may be formed.
  • the electrically conductive layer 203 may be grounded prior to or during the formation of the second layer 524b.
  • Grounding of the electrically conductive layer 203 may be throughout the period of time required to form the second layer 524b.
  • the second layer 524b may be grounded by means of grounding the electrically conductive layer 203. In the case that the electric
  • the first electrically conductive intermediate layer 526a may include those electrically conductive substances listed above in connection with the first electrode 312, or the materials of the hole injection layer or the electron injection layer.
  • a third layer 524c may be formed on the second layer 524b.
  • the third layer 524c may be like one of the above
  • the third layer may be like the second electrode 314
  • the electrically conductive layer 203 may be grounded prior to or during the formation of the third layer 524c.
  • the grounding of the electrically conductive layer 203 may be during the period of time required to form the second layer 524b.
  • the third layer 524c may be electrically grounded by the ground
  • a second electrically conductive intermediate layer 526b may be formed between the second layer 524b and the third layer 524c.
  • the second electrically conductive intermediate layer 526b may be formed like the first electrically conductive intermediate layer 526b.
  • Interlayer which, like the first electrically conductive intermediate layer 526a described above or the like second electrically conductive intermediate layer 526b is formed, optionally can also be formed between other layers.
  • a third electrically conductive intermediate layer (not shown) may be formed between the third layer 524c and a fourth layer (not shown) formed over the third layer 524c.
  • the electrically conductive intermediate layer may optionally be applied to each of the above-described organic layers
  • Component be formed.
  • an electrical potential can be applied to the electrically conductive layer 203.
  • FIG. 5 also shows a grounding contact 528, which according to an exemplary embodiment is formed next to the first layer 524a.
  • the ground contact 528 may be formed as part of the electrically conductive layer 203 or electrically conductive with the electrically conductive
  • Layer 203 are connected.
  • the electrical potential, the ground potential or the ground potential can be applied to the ground contact 528.
  • the first isolation barrier 530a becomes
  • the first layer 524a has two major surfaces and at least one side surface connecting the two major surfaces.
  • the first layer 524a may have approximately the shape of a cuboid.
  • the first layer 524a has two major surfaces and four side surfaces disposed perpendicular thereto.
  • the surface normals of the two major surfaces of the first layer 524a are parallel to the surface normals of the major surface of the carrier substrate 202 thin layers, the size of the side surfaces can be negligibly small.
  • Fig.5 represents a
  • the first electrically conductive intermediate layer 526 a is partially formed on the ground contact 528 such that a
  • Intermediate layer 526b is partially formed on the first electrically conductive intermediate layer 526a such that electrical contact between the first and second electrical layers 526b is electrically conductive
  • Isolation barrier 53 If arranged.
  • Isolation barrier 530b is adjacent to a first one
  • the third layer 524c is designed.
  • the first layer 524a, the second layer 524b and the third layer 524c are formed on top of each other so as to form a layer stack.
  • the third layer 524c becomes an optional third
  • Isolation barrier 530c arranged.
  • Isolation barrier 530c is adjacent to a first one
  • Isolation barrier if provided, are arranged approximately congruent one above the other.
  • the encapsulation 318 is further arranged on the second electrically conductive intermediate layer 526b such that an electrical contact between the second electrically
  • conductive intermediate layer 526b and the encapsulation 318 is formed.
  • the encapsulation may also be partially formed on the carrier substrate 202. Although not shown in Fig.5, are in different
  • Embodiments include a first electrode (eg, anode) and a second electrode (cathode) in the
  • the first electrically conductive intermediate layer 526a is formed up to the second edge of the first layer 524a such that the second edge surface of the first layer 524a is free of the first electrically conductive intermediate layer 526a and an edge of the first electrically conductive intermediate layer 526a adjacent to the second edge of the first layer 524a.
  • the second electrically conductive intermediate layer 526b also becomes a second edge of the second layer 524b
  • an optional fourth isolation barrier 532 is formed.
  • the optional fourth isolation barrier 532 is formed to laterally separate the encapsulant 318 from the first layer 424a, the second layer 424b, the third layer 424c, the first electrically conductive intermediate layer 426a, and the second electrically conductive intermediate layer 426b.
  • a portion of the carrier substrate 202 is formed on or above which the ground contact 528 is formed . , can also as
  • Isolation barrier 530a, the second isolation barrier 530b, and the third isolation barrier 530c may also be referred to as an isolation region.
  • Grounding area is formed next to the insulation area.
  • Component area are called. According to one
  • the ground contact region is separated from the device region by cutting the carrier substrate 202 in the isolation region (in FIG. 5)
  • the layers lying on or above the carrier substrate are severed as well.
  • a slightly electrically conductive layer such as, for example, an organic, functional layer, hereinafter also referred to as organics, or one
  • TFE Thin film encapsulation
  • FIG. 6 shows a plan view of an organic component in a method for producing an organic component.
  • At least one further organic component is formed on the carrier substrate 202 and next to the organic component.
  • FIG. 6 shows, for example, that four organic components are formed on the carrier substrate 202.
  • Components are formed under the same electrostatic conditions.
  • the electrical isolation barrier 317 (not shown) may be arranged. Furthermore, the electrically conductive layer 203 may be formed with a further first contact surface 613 b, which according to a
  • the first contact surface 313 and the further first contact surface 613b may be disposed on opposite sides of the device surface 204. Furthermore, the electrically conductive layer 203 can be formed with a further second contact surface 615 b, which according to a
  • Embodiment with the second contact surface 615 b is formed.
  • the second contact surface 315 and the further second contact surface 615 b can be formed.
  • Contact surface 315 and the other second contact surface 615b may be referred to as a device unit. As shown in Figure 6, for example, four device units, a first device unit 617a, a second one
  • Device unit 617b, a third device unit 617c and a fourth device unit 617d are arranged in a matrix form on the carrier substrate 202. According to one
  • the first contact surface 313 of the first component unit 617a is connected to the contact frame 206 by means of the at least one connecting line 208.
  • Component unit 617a is connected by means of the at least one connecting line 208 to the first contact surface 313 of the second component unit 617b.
  • the further first contact surface 613b of the second component unit 617b is connected to the further first contact surface 613b of the third by means of the at least one connecting line 208
  • Component unit 617c connected.
  • the first contact surface 313 of the second device unit 617b is formed by means of
  • Component unit 617c is connected by means of the at least one
  • Connecting line 208 connected to the other first contact surface 613 b of the fourth component unit 617 d.
  • the first contact surface 313 of the fourth device unit 617d is connected to the first contact surface 313 of the first device unit 617a and to the contact frame 206.
  • the contact surface 206 is formed such that it has a plurality of contact pads instead of a circumferential contact frame,
  • the at least one connecting line 208 can also be referred to below as printed circuit 208.
  • Contact surface 613b may be referred to as anode or cathode contacts.
  • the second contact surface 315 and the further second contact surface 615b may be referred to as cathode or anode contacts.
  • Cathode contacts of the individual components can be used. These interconnects can be guided to defined contact points on the edge of the carrier substrate 202, so that a uniform contact during the process and during storage is possible.
  • the device surface 204 shown in Fig. 6 becomes such
  • the device surface may also have any other shape, such as a
  • the method further comprises separating the organic device from the at least one further organic device by severing the carrier substrate 202 between the organic device and the at least one further organic device.
  • the severing of the carrier substrate 202 is shown in FIG. 6 by the dashed line.
  • the carrier substrate 202 may be along the dashed line
  • the carrier substrate 202 is severed in such a way that only those regions remain which have the component surface 204, the first contact surface 313, the further first contact surface 613b, the second contact surface 315 and the further second contact surface 615b.
  • FIG. 7 shows a top view of an organic component in a method for producing an organic component.
  • FIG. 7 shows a carrier substrate 202 on which four organic components are to be formed.
  • the component surface 204 of FIG. 7 is approximately rectangular.
  • the Bauelemen surface 204 is formed so that it has two short sides and two long sides, wherein the first contact pool 313, the second
  • Contact surface 315 and the further second contact surface 615 b are arranged on one of the short sides.
  • the first contact surfaces 313 of the four component units are in each case connected to one another as well as to the other by means of the further electrically conductive layer
  • Contact miming 206 connected. 8 shows a cross-sectional view of a cover substrate 420 with an adhesive layer 422 in a method for producing an organic component.
  • the adhesive layer 422 is disposed on the second electrically conductive layer 834.
  • the adhesive layer 422 (not shown) is formed to include a first adhesive region 836 and at least a second adhesive region 838.
  • the first adhesive region 836 and the second adhesive region 838 may be formed side by side.
  • bonding the carrier substrate 202 to the cap substrate 420 includes
  • the encapsulation 318 is formed such that the organic component and that at least one further organic component the
  • FIG. 9 shows a top view of a cover substrate 420 with an adhesive layer 422 in a method for producing an organic component.
  • conductive layer 834 formed of aluminum or ITO.
  • the further electrically conductive layer 834 may be formed such that it has a contact surface 906, wherein the contact surface 906 is formed according to an embodiment of the contact frame 206 described above. Furthermore, the further electrically conductive layer 834 may comprise what is known as a printed conductor network 940. As shown in FIG. 9, the trace network 940 may be such
  • the trace network 940 may be approximately in the form of a grid.
  • the electrically conductive layer 834 may be formed on a main surface of the cap substrate 420.
  • the electrically conductive layer 834 may be formed on the cap substrate 420 such that the electrically conductive layer 834 has at least one surface,
  • the main surface, the cover substrate 420 completely covered.
  • the further electrically conductive layer 834 may be formed according to an embodiment of the electrically conductive layer 203.
  • the further electrically conductive layer 834 may be formed like the electrically conductive layer 203.
  • the further electrically conductive layer 834 may be formed such that it has a device area, a contact area or a plurality of contact pads and at least one
  • Adhesive layer 422 is to be formed.
  • the cover substrate 420 such as glass, such as cap glass 420 or laminating glass 420, or one or more plastic films or other suitable cover substrate is provided in various embodiments.
  • the further electrically conductive layer 834 may also be referred to below as the electrically conductive coating 834.
  • the contact surface or the plurality of contact pads of the further electrically conductive layer 834 may be grounded during storage, transport and / or fabrication of the organic device. An electrostatic charge of the cap substrate 420 may occur during the
  • the organic device such as the OLED
  • Particles can be less strong or no longer attracted.
  • the particle load can be reduced and the yield of organic
  • Components or the quality of the organic components can be increased.
  • FIG. 10 shows a schematic representation of an apparatus for temporarily storing 1042 a cover substrate 420 or a carrier substrate 202 in a method for producing an organic component.
  • the interleaving apparatus 1042 is also referred to as a horde 1042 or transport cassette 1042.
  • the carrier substrate 202 on which the electrically conductive layer 203 is already formed, is arranged in the device for intermediate storage 1042, for example the carrier substrate 202 is pushed into the tray 1042.
  • the intermediate storage of the carrier substrate 202 has an electrical contacting of the electrically conductive layer 203. The contacting of the electrically conductive layer 203 can take place, for example, with a contacting device 1044.
  • the contacting device 1044 can be set up in such a way that when the carrier substrate 202 is pushed into the rack 1042, an electrical contact is made with the contact surface 206 of the electrically conductive layer 203.
  • the contacting of the cover substrate 420 may be done in an analogous manner.
  • the cover substrate 420 and / or the carrier substrate 202 are grounded during the intermediate storage by means of the contacting device 1044.
  • Transport cassettes for example for transport between cassette and process plant

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Abstract

In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird ein Verfahren zum Herstellen eines organischen Bauelements bereitgestellt. Das Verfahren zum Herstellen des organischen Bauelements weist ein Bereitstellen (101) eines Trägersubstrats (202 ) auf. Ferner weist das Verfahren ein Ausbilden (102 ) einer elektrisch leitfähigen Schicht (203) auf oder über dem Trägersubstrat (202} und ein Anlegen (103 ) eines elektrischen Potenzials an die elektrisch leitfähige Schicht (203 ) auf. Ferner weist das Verfahren ein Ausbilden ( 104 ) wenigstens einer organisch funktionellen Schicht (210) zum Bilden des organischen Bauelements auf oder über der elektrisch leitfähigen Schicht (203) zumindest teilweise während des Anlegens eines elektrischen Potenzials an die elektrisch leitfähige Schicht (203) auf.

Description

Beschreibung
Verfahren zum Herstellen eines organischen Bauelements Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines organischen Bauelements.
Ein organisches Bauelement kann ein optoelektronisches
Bauelement sein, welches Licht emittiert oder absorbiert. Das organische Bauelement ist beispielsweise eine organische
Leuchtdiode (OLED) , ein Photodetektor oder eine Solarzelle,
Organische Bauelemente bestehen üblicherweise aus aktiven Schichten im Bereich von weniger als 1 μτη Dicke und sind deshalb bei der Herstellung besonders empfindlich auf
Verschmutzung durch Partikel vergleichbarer Größenordnungen, Typische Ausfälle durch Partikel sind Kurzschlüsse oder
Dünnfilmverkapselungsfehler, wodurch es zu einem Totalausfall des organischen Bauelements kommen kann. Die Herstellung, (die beispielsweise eine Prozessierung aufweist) , erfolgt üblicherweise in einer partikelreduzierten Umgebung,
beispielsweise in einem Reinraum oder in einem Vakuum. Ein Trägersubstrat, im Folgenden auch als Substrat bezeichnet, und ein Abdecksubstrat sind üblicherweise vorgesehen. Auch wenn im Folgenden Glas, beispielsweise bezeichnet als
Capglas , in den Ausführungsbeispielen aufgeführt ist, so ist darauf hinzuweisen, dass auch andere Materialien als ein Abdecksubstrat vorgesehen sein können, beispielsweise eine Kunststofffolie . Das Trägersubstrat und das Abdecksubstrat werden üblicherweise so transportiert, dass die gegenüber Partikeln empfindliche Seite nach unten zeigt. Mit diesen Maßnahmen lässt sich jedoch eine Kontamination mit Partikeln nicht vollständig vermeiden. Eine gewisse Resistenz einer zu bildenden Schicht gegenüber einer Schädigung durch kleine Partikel kann unter Inkaufnahme höherer Kosten durch Vorsehen einer dickeren so genannten Pufferschicht, beispielsweise einer organischen Pufferschicht, erzielt werden. üblicherweise wird nach dem Herstellen eines organischen Bauelements messtechnisch erfasst , ob das organische
Bauelement durch Partikel verursachte Defekte aufweist, wobei das organische Bauelement danach gegebenenfalls aussortiert wird.
Die Aufgabe der Erfindung ist es, ein einfaches und
effizientes Verfahren zum Herstellen eines organischen
Bauelements bereitzustellen, wobei das organische Bauelement möglichst wenige, durch Partikel verursachte Defekte
aufweist .
Die Aufgabe wird gemäß einem Aspekt der Erfindung gelöst durch ein Verfahren zum Herstellen eines organischen
Bauelements, das ein Bereitstellen eines Trägersubstrats aufweist. Ferner weist das Verfahren ein Ausbilden einer elektrisch leitfähigen Schicht auf oder über dem
Trägersubstrat und ein Anlegen eines elektrischen Potenzials an die elektrisch leitfähige Schicht auf. Ferner weist das Verfahren ein Ausbilden wenigstens einer organischen, f nktionellen Schicht zum Bilden des organischen Bauelements auf oder über der elektrisch leitfähigen Schicht zumindest teilweise während des Anlegens des elektrischen Potenzials an die elektrisch leitfähige Schicht auf. Durch das Anlegen eines elektrischen Potenzials während des Ausbildens der wenigstens einen organischen, funktionellen Schicht ist es möglich, eine Potenziaidifferenz zwischen der wenigstens einen organischen, funktionellen Schicht und Partikeln aus der Umgebung zu minimieren. Somit kann es zu einer
Verringerung einer elektrostatischen Anziehung von Partikeln aus der Umgebung durch die wenigstens eine organische, funktionelle Schicht kommen. Ein derart hergestelltes organisches Bauelement kann eine geringere Anzahl von durch Partikel verursachten Defekten aufweisen.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die elektrisch leitfähige Schicht (bzw. deren Material} eine größere elektrische Leitfähigkeit aufweisen als das Trägersubstrat {bzw. dessen Material), z.B. mehr als doppelt so groß, z.B. mehr als dreimal so groß, z.B. mehr als fünfmal so groß, z.B. mehr als zehnmal so groß. Mit anderen Worten kann die
elektrisch leitfähige Schicht elektrisch leitfähiger sein als das Trägersubstrat. Alternativ oder zusätzlich kann die elektrisch leitfähige Schicht (bzw. deren Material) eine größere elektrische Leitfähigkeit als die organische,
funktionelle Schicht), z.B. mehr als doppelt so groß, z.B. mehr als dreimal so groß, z.B. mehr als fünfmal so groß, z.B. mehr als zehnmal so groß.
Beispielsweise kann die elektrisch leitfähige Schicht einen geringeren elektrischen Widerstand {z.B. entlang der und/oder quer zur lateralen Ausdehnung der Schicht und/oder des
Trägersubstrats) als das Trägersubstrat aufweisen, z.B.
weniger als halb so groß, z.B. weniger als 10% so groß, z.B. weniger als 1% so groß. Das angelegte elektrische Potenzial an der elektrisch
leitfähigen Schicht kann ein elektrostatisches Potenzial (zeitlich unveränderlich) sein.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die elektrisch leitfähige Schicht metallisch sein, z.B. ein metallisches Material (z.B. ein organisches Metall, ein anorganisches Metall, eine Legierung, z.B. eine intermetallische
Verbindung) aufweisend oder daraus gebildet. Der Begriff "metallisch" (z.B. bezogen auf einen Körper, ein Material oder einen Bereich, eine Schicht, z.B. die elektrisch
leitfähige Schicht) kann verstanden werden, als metallische Eigenschaften aufweisend, z.B. eine metallische Bindung, bewegliche {delokalisierten) Elektronen im Metallgitter, elektrische Leitfähigkeit, metallischer Glanz und/oder
Duktilität.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Halbleiter (z.B. ein Halbleitermaterial) oder "elektrisch halbleitend" (z.B. bezogen auf einen Körper, eine Schicht, ein Material oder einen Bereich) verstanden werden als eine mittelmäßige elektrische Leitfähigkeit aufweisend, z.B. eine elektrische Leitfähigkeit (z.B. bei Raumtemperatur und gleichbleibendem elektrischen Feld gemessen) in einem Bereich von ungefähr
10"9 Siemens/m (S/m) bis ungefähr 104 S/m. Ein elektrischer Leiter oder "elektrisch leitfähig" (z.B. bezogen auf einen Körper, eine Schicht, ein Material oder einen Bereich) kann verstanden werden als eine gute elektrische Leitfähigkeit aufweisend, z.B. eine elektrische Leitfähigkeit (z.B. bei Raumtemperatur und gleichbleibendem elektrischen Feld
gemessen) von mehr als ungefähr 104 S/m, z.B. mehr als ungefähr IQ5 S/m, z.B. mehr als ungefähr 10s S/m, z.B. mehr als ungefähr 10"' S/m . Ein elektrischer Isolator oder
"elektrisch isolierend" (z.B. bezogen auf einen Körper, eine Schicht, ein Material oder einen Bereich) kann verstanden werden als eine schlechte elektrische Leitfähigkeit
aufweisend, z.B. eine elektrische Leitfähigkeit (z.B. bei Raumtemperatur und gleichbleibendem elektrischen Feld
gemessen) von weniger als ungefähr 10~9 S/m, z.B. weniger als ungefähr 10~12 S/m.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Trägersubstrat elektrisch isolierend sein {z.B. dielektrisch) .
Beispielsweise kann das Trägersubstrat ein elektrisch
isolierendes (z.B.. dielektrisches) Material {mit anderen Worten einen elektrischen Isolator) aufweisen oder daraus gebildet sein.
Gemäß verschiedenen Ausführung formen kann das elektrische Potenzial an der elektrisch leitfähigen Schicht geregelt und/oder gesteuert werden (z.B. mittels eines
Potentialgenerators) . Alternativ oder zusätzlich kann das elektrische Potenzial an der elektrisch leitfähigen Schicht mittels eines Ladung Speichers bereitgestellt sein oder werden (z.B. mittels einer elektrischen Erdung und/oder mittels eines Potentialgenerators), welcher z.B. eine größere Ladungsspeicherfähigkeit (z.B. Kapazität) aufweist, als die elektrisch leitfähige Schicht. Beispielsweise kann die elektrisch leitfähige Schicht mit dem Ladungsspeicher elektrisch leitend verbunden sein oder werden, z.B. vor dem und/oder während des Ausbildens der wenigstens einen
organischen, funktionellen Schicht.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Anlegen des elektrischen Potenzials an die elektrisch leitf hige Schicht einen Potentialausgleich bewirken (z.B. mit einem
Referenzpotential , z.B. elektrischer Erde). Dabei können elektrische Ladungen von der elektrisch leitfähigen Schicht abfließen oder zu dieser hin fließen, d.h. ein elektrischer Stromfluss bewirkt werden {z.B. ein Strompuls). Der
Potentialausgleich kann der elektrisch leitfähigen Schicht ein elektrostatisches Potential bereitstellen (d.h. dass der Potentialausgleich zeitlich begrenzt ist , z.B. auf einen Potentialausgleich-Puls) .
Gemäß verschiedenen Ausführungs ormen kann mittels des
Anlegens des elektrischen Potenzials an die elektrisch leitfähige Schicht ein (z.B. dielektrisches) Material und/oder (z.B. dielektrische) Partikel (z.B. Staub) von der elektrisch leitfähigen Schicht entfernt werden. Alternativ oder zusätzlich kann mittels des Anlegens des elektrischen Potenzials an die elektrisch leitfähige Schicht ein
Beschichten der elektrisch leitfähigen Schicht mit dem
Material und/oder den Partikeln (z.B. Staub) reduziert werden .
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Anlegen des elektrischen Potenzials an die elektrisch leitfähige Schicht eine elektrische Feldstärke an dem organischen Bauelement (z.B. an der elektrisch leitfähigen Schicht und/oder an dem Trägersubstrat ) reduzieren (z.B. auf null bringen) . Mit anderen Worten kann mittels des Anlegens des elektrischen Potenzials an die elektrisch leitfähige Schicht eine
elektrische Feldstärke an dem organischen Bauelement
reduziert werden . Beispielsweise kann das Anlegen des elektrischen Potenzials an die elektrisch leitfähige Schicht eine im Wesentlichen feldfreie Umgebung (des organischen Bauelements) bewirken.
Zum Anlegen des elektrischen Potenzials an die elektrisch leitfähige Schicht kann die elektrisch leitfähige Schicht elektrisch kontaktiert werden, z.B. mittels elektrischer Kontakte (z.B. mittels Erdungskontakten). Die elektrischen Kontakte (kann auch als Kontaktiervorrichtung bezeichnet sein) können in ein Werkzeug, welches das Trägersubstrats während des Ausbilden wenigstens einer organischen,
funktionellen Schicht hält, installiert sein.
Gemäß verschiedenen Äusfuhrungsformen kann das Ausbilden der wenigstens einen organischen, funktionellen Schicht
potentialfrei und/oder aus einer Lösung (z.B. unter
Verflüchtigung eines Lösungsmitteis) erfolgen. Gemäß
verschiedenen Äusfuhrungsformen kann die wenigstens eine organische, funktionelle Schicht mittels einer
Flüssigphasenprozessierung aufgebracht sein oder werden, d.h. als oder aus einer Lösung.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Ausbilden der wenigstens einen organischen, funktionellen Schicht erfolgen, während das elektrische Potential an die elektrisch
leitfähige Schicht angelegt ist. Beispielsweise kann eine Vorrichtung zum Ausbilden der wenigstens einen organischen, funktionellen Schicht an das elektrische Potential angelegt sein (z.B., so dass dazwischen ein feidfreier Raum erzeugt wird) .
Bei einer Flüssigphasenprozessierung kann das Material einer Schicht (Schichtmaterial) , z.B. der organischen,
funktionellen Schicht, in einem Lösungsmittel gelöst werden, um eine Flüssigphase der Schicht (auch als Lösung bezeichnet) zu bilden. Ferner kann das Ausbilden der Schicht aufweisen, die Flüssigphase der Schicht mittels Flüssigphasendeposition (auch als nasschemisches Verfahren oder nasschemisches
Beschichten bezeichnet) auf eine zu beschichtende Fläche (z.B. auf das Trägersubstrat oder auf eine andere Schicht des organischen Bauelements) aufzutragen. Ferner kann das
Ausbilden der Schicht aufweisen, die aufgetragene
Flüssigphase der Schicht zu trocknen, indem das Lösungsmittel aus der Flüssigphase der Schicht hergebracht wird, so dass die Flüssigphase der Schicht aushärtet und in eine feste Schicht umgewandelt wird. Dabei kann das Schichtmaterial zurückbleiben, welches die feste Schicht bildet. Mit anderen Worten kann aus der Flüssigphase der Schicht die Schicht gebildet sein oder werden.
Eine Flüssigphasendeposition kann beispielsweise mittels einer Sprühbeschichtung (auch bezeichnet als Spray Coating) , einer VorhangbeSchichtung (auch bezeichnet als Curtain
Coating) , einer Breitschlitzdüsen-Beschichtung (auch
bezeichnet als Slot-Die-Coating) , einer Tintenstrahldruck- Beschichtung (auch bezeichnet als Ink-Jet-Printing) oder einer Siebdruck-Beschichtung (auch bezeichnet als Screen- Printing) erfolgen.
Gemäß einer Weiterbildung wird bei dem Anlegen des
elektrischen Potenzials die elektrisch leitfähige Schicht geerdet. Mittels des Erdens der elektrisch leitfähigen
Schicht kann die Potenzialdifferenz zwischen der wenigstens einen organisch funktionellen Schicht und den Partikeln aus der Umgebung auf einfache Weise minimiert werden.
Gemäß einer Weiterbildung weist das Verfahren ferner ein Ausbilden einer ersten Elektrode und ein Ausbilden einer zweiten Elektrode auf, wobei die wenigstens eine organische, funktionelle Schicht zwischen der ersten Elektrode und der zweiten Elektrode ausgebildet wird.
Gemäß einer Weiterbildung bildet die elektrisch leitfähige Schicht die erste und/oder die zweite Elektrode oder wird die elektrisch leitfähige Schicht als Teil der ersten und/oder zweiten Elektrode ausgebildet. Dadurch ist das Verfahren effizient, da lediglich eine einzige Schicht ausgebildet wird, die als erste Elektrode sowie als elektrisch leitfähige Schicht dient, und/oder eine einzige Schicht ausgebildet wird, die als zweite Elektrode sowie als elektrisch
leitfähige Schicht dient.
Gemäß einer Weiterbildung werden/wird die erste Elektrode und/oder die zweite Elektrode transparent oder transluzent ausgebildet . Gemäß einer Weiterbildung weist das Verfahren ferner ein Ausbilden einer Verkapselung auf oder über der zweiten
Elektrode auf ,
Gemäß einer Weiterbildung wird die Verkapselung aus einem Metall gebildet oder die Verkapselung wird derart
ausgebildet, dass sie ein Metall aufweist. Eine metallische Verkapselung weist eine hohe elektrische Leitfähigkeit auf. Daher kann während des Ausbildens der Verkapselung ein elektrisches Potenzial an die unter der Verkapselung
angeordnete Schicht, beispielsweise an die zweite Elektrode, angelegt werden um die Verunreinigung der Verkapselung durch Partikel aus der Umgebung zu verringern.
Gemäß einer Weiterbildung wird wenigstens teilweise während des Ausbildens der ersten Elektrode , der zweiten Elektrode und/oder der Verkapselung ein elektrisches Potenzial an die elektrisch leitfähige Schicht angelegt . Somit ist es möglich eine erste Elektrode , eine zweite Elektrode und/oder eine Verkapselung mit einer geringen Anzahl an durch Partikel verursachte Defekte auszubilden.
Gemäß einer Weiterbildung weist das Verfahren ferner ein Bereitstellen eines Abdecksubstrats auf . Ferner weist das Verfahren ein Ausbilden einer weiteren elektrisch leitfähigen Schicht auf dem Abdecksubstrat auf . Ferner weist das
Verfahren ein Anlegen eines elektrischen Potenzials an die weitere elektrisch leitfähige Schicht auf. Ferner weist das Verfahren ein Ausbilden einer Haftmittelschicht auf oder über dem Abdecksubstrat zumindest teilweise während des Anlegens des elektrischen Potenzials an die weitere elektrisch
leitfähige Schicht auf. Ferner weist das Verfahren ein
Verbinden des Trägersubstrats mit dem Äbdecksubstrat mittels der Haftmittelschicht auf. Durch das Anlegen eines
elektrischen Potenzials während des Ausbildens der
Haftmittelschicht ist es möglich, eine Potenzialdifferenz zwischen der Haftmittelschicht und Partikeln aus der Umgebung zu minimieren. Somit kann es zu einer Verringerung der elektrostatischen Anziehung der Partikel aus der Umgebung durch die Haftmittelschicht kommen.
Gemäß einer Weiterbildung weist das Verbinden des
Trägersubstrats mit dem Abdecksubstrat ein Stoffschlüssiges Verbinden der Haftmittelschicht mit der Verkapselung auf.
Gemäß einer Weiterbildung weist das Ausbilden der
Haftmittelschicht ein Beimengen eines elektrisch leitfähigen Materials in die Haftmittelschicht auf. Durch das Beimengen eines elektrisch leitfähigen Materials in die
Haftmittelschicht kann die elektrische Leitfähigkeit der Haftmittelschicht erhöht werden. Somit kann während des
Ausbildens der Haftmittelschicht ein elektrisches Potenzial an die weitere elektrisch leitfähige Schicht angelegt werden um die Verunreinigung der Haftmittelschicht durch Partikel aus der Umgebung zu verringern.
Gemäß einer Weiterbildung wird auf dem Trägersubstrat und neben dem organischen Bauelement wenigstens ein weiteres organisches Bauelement ausgebildet.
Gemäß einer Weiterbildung werden das organische Bauelement und das wenigstens eine weitere organische Bauelement mittels der elektrisch leitfähigen Schicht elektrisch leitend
miteinander verbunden. Durch das Verbinden des organischen Bauelements mit dem wenigstens einem weiteren organischen Bauelement mittels der elektrisch leitfähigen Schicht ist es möglich, auf einfache Weise dasselbe elektrische Potenzial an alle auf dem Trägersubstrat angeordneten organischen
Bauelemente anzulegen.
Gemäß einer Weiterbildung weist das Verfahren ferner ein Separieren des organischen Bauelements von dem wenigstens einen weiteren organischen Bauelement mittels Durchtrennens des Trägersubstrats zwischen dem organischen Bauelement und dem wenigstens einen weiteren organischen Bauelement auf .
Es zeigen;
Figur 1 ein Ablaufdiagramm eines Verfahrens zum Herstellen eines organischen Bauelements ,-
Figur 2a eine Querschnittsansicht eines organischen
Bauelements in einem Verfahren zum Herstellen eines organischen Bauelements ;
Figur 2b eine Draufsicht eines organischen Bauelements in einem Verfahren zum Herstellen eines organischen Bauelements ;
Figur 2c eine Querschnittsansicht eines organischen
Bauelements in einem Verfahren zum Herstellen eines organischen Bauelements ;
Figur 3 eine Querschnittsansicht eines organischen
Bauelements in einem Verfahren zum Herstellen des organischen Bauelements ;
Figur 4 eine Querschnittsansicht eines organischen
Bauelements in einem Verfahren zum Herstellen des organischen Bauelements ; Figur 5 eine Querschnittsansicht eines organischen
Bauelements in einem. Verfahren zum Herstellen des organischen Bauelements ; Figur 6 eine Draufsicht eines organischen Bauelements in einem Verfahren zum Herstellen eines organischen Bauelements ;
Figur 7 eine Draufsicht eines organischen Bauelements in
einem Verfahren zum Herstellen eines organischen Bauelements ; Figur 8 eine Querschnittsansicht eines organischen
Bauelements in einem Verfahren zum Herstellen eines organischen Bauelements
Figur 9 eine Draufsicht eines organischen Bauelements in einem Verfahren zum Herstellen eines organischen
Bauelements; und
Figur 10 eine schematische Darstellung einer Vorrichtung zum
Zwischenlagern in einem Verfahren zum Herstellen eines organischen Bauelements .
In der folgenden ausführlichen Beschreibung wird auf die beigefügten Zeichnungen Bezug genommen, die Teil dieser Beschreibung bilden und in denen zur Veranschaulichung spezifische Ausführungsbeispiele gezeigt sind, in denen die
Erfindung ausgeübt werden kann . Es versteht sich, dass andere Ausführungsbeispiele benutzt und strukturelle oder logische Änderungen vorgenommen werden können, ohne von dem
Schutzumfang der vorliegenden Erfindung abzuweichen. Es versteht sich, dass die Merkmale der hierin beschriebenen verschiedenen Ausführungsbeispiele miteinander kombiniert werden können, sofern nicht spezifisch anders angegeben. Die folgende ausführliche Beschreibung ist deshalb nicht in einschränkendem Sinne aufzufassen, und der Schutzumfang der vorliegenden Erfindung wird durch die angefügten Ansprüche definiert , Im Rahmen dieser Beschreibung werden die Begriffe
"verbunden", "angeschlossen" sowie "gekoppelt" verwendet zum Beschreiben sowohl einer direkten als auch einer indirekten Verbindung, eines direkten oder indirekten Anschlusses sowie einer direkten oder indirekten Kopplung. In den Figuren werden identische oder ähnliche Elemente mit identischen Bezugszeichen versehen, soweit dies zweckmäßig ist.
Unter dem Begriff „ transluzent" bzw. „ transluzente Schicht" kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen verstanden werden, dass eine Schicht oder ein Material für Licht durchlässig ist, beispielsweise für das von der
elektromagnetischen Strahlungsquelle erzeugte Licht,
beispielsweise einer oder mehrerer Wellenlängenbereiche, beispielsweise für Licht in einem. Wellenlängenbereich des sichtbaren Lichts (beispielsweise zumindest in einem
Teilbereich des Wellenlängenbereichs von 380 nm bis 780 nm) . Beispielsweise ist unter dem Begriff „transluzente Schicht" in verschiedenen Ausführungsbeispielen zu verstehen, dass im Wesentlichen die gesamte in eine Struktur {beispielsweise eine Schicht) eingekoppelte Lichtmenge auch aus der Struktur (beispielsweise Schicht) ausgekoppelt wird, wobei ein Teil des Lichts hierbei gestreut werden kann. Unter dem Begriff „transparent" oder „transparente Schicht" kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen verstanden werden, dass eine Schicht für Licht durchlässig ist
(beispielsweise zumindest in einem Teilbereich des
Wellenlängenbereichs von 380 nm bis 780 nm) , wobei in eine Struktur (beispielsweise eine Schicht) eingekoppeltes Licht ohne Streuung oder Lichtkonversion auch aus der Struktur (beispielsweise Schicht) ausgekoppelt wird.
Fig.1 zeigt ein Ablaufdiagramm eines Verfahrens zum
Herstellen eines organischen Bauelements.
Das Verfahren zum Herstellen eines organischen Bauelements weist ein Bereitstellen 101 eines Trägersubstrats 202, beispielsweise in Fig.2a dargestellt, auf. Ferner weist das Verfahren ein Ausbilden 102 einer elektrisch leitfähigen Schicht 203, beispielsweise in Fig.2a dargestellt, auf oder über dem Trägersubstrat 202 und ein Anlegen 103 eines elektrischen Potenzials an die elektrisch leitfähige Schicht 203 auf. Ferner weist das Verfahren ein Ausbilden 104
wenigstens einer organischen, funktionellen Schicht 210, beispielsweise in Fig.2c dargestellt, zum Bilden des
organischen Bauelements auf oder über der elektrisch
leitfähigen Schicht 203 zumindest teilweise während des Anlegens des elektrischen Potenzials an. die elektrisch leitfähige Schicht 203 auf.
Das organische Bauelement kann als ein optoelektronisches Bauelement, welches Licht emittiert oder absorbiert,
ausgebildet werden. Das organische Bauelement kann als eine organische Leuchtdiode (OLED) , ein Photodetektor oder eine Solarzelle ausgebildet werden. Das organische Bauelement kann beispielsweise ein, zwei oder mehr Leuchtdiodenelemente aufweisen. Die Leuchtdiodenelemente können beispielsweise organische Leuchtdioden oder Teile oder Segmente von
organischen Leuchtdioden sei .
In 101 wird das Trägersubstrat 202 bereitgestellt. Das
Trägersubstrat 202 kann transluzent oder transparent
ausgebildet sein. Das Trägersubstrat 202 dient als
Trägerelement für elektronische Elemente oder Schichten, beispielsweise lichtemittierende Elemente, Das Trägersubstrat 202 kann beispielsweise Kunststoff, Metall, Glas, Quarz und/oder ein Halbleitermaterial aufweisen oder daraus gebildet sein. Ferner kann das Trägersubstrat 202 eine
Kunststofffolie oder ein Laminat mit einer oder mit mehreren Kunststoff folien aufweisen oder daraus gebildet sein, Das Trägersubstrat 202 kann mechanisch rigide oder mechanisch flexibel ausgebildet sein.
Gemäß einem Ausführungsbeispiel ist auf dem Trägersubstrat 202 eine erste Barrierenschicht, beispielsweise eine erste Barrierendünnschicht , ausgebildet. Die erste Barrierenschicht dient dazu, auf dem Trägersubstrat 202 ausgebildete Elemente vor schädlichen externen Einflüssen wie Sauerstoff und/oder Feuchtigkeit zu schützen,
In 102 wird die elektrisch leitfähige Schicht 203 auf oder über dem Trägersubstrat 202 ausgebildet.
Die elektrisch leitfähige Schicht 203 wird derart
ausgebildet, dass sie ein elektrisch leitfähiges Material aufweist, beispielsweise ein Metall und/oder ein leitfähiges transparentes Oxid (transparent conductive oxide, TCO) oder einen Schichtenstapel mehrerer Schichten, die Metalle oder TCOs aufweisen. Die elektrisch leitfähige Schicht 203 kann derart ausgebildet werden, dass sie einen Schichtenstapel einer Kombination einer Schicht eines Metalls auf einer
Schicht eines TCOs aufweist, oder umgekehrt. Ein Beispiel ist eine Silberschicht, die auf einer Indium-Zinn-Oxid-Schicht (ITO) aufgebracht wird (Ag auf ITO) oder ITO-Ag-ITO- Multischichten. Die elektrisch leitfähige Schicht kann alternativ oder zusätzlich zu den genannten Materialien derart ausgebildet werden, dass die elektrisch leitfähige Schicht wenigstens eines der folgenden Materialien aufweist: Netzwerke aus metallischen Nanodrähten und -teilchen, beispielsweise aus Silber, Netzwerke aus
Kohlenstoffnanoröhren und/oder Graphen-Teilchen und - Schichten.
Gemäß einem Ausführungsbeispiel wird die elektrisch
leitfähige Schicht 203 auf einer Oberfläche, beispielsweise einer Hauptprozessierungsoberfläche , des Trägersubstrats 202 ausgebildet, beispielsweise auf der gesamten
Hauptprozessierungsoberfläche . Die elektrisch leitfähige Schicht 203 kann als eine zusammenhängende Schicht
großflächig auf der gesamten Hauptprozessierungsoberfläche des Trägersubstrats 202 ausgebildet werden. Gemäß einem Ausführungsbeispiel wird die elektrisch
leitfähige Schicht 203 strukturiert auf dem Träge substrat 202 ausgebildet, beispielsweise mittels optischer
Lithographie und/oder unter Verwendung einer Schattenmaske.
Die elektrisch leitfähige Schicht 203 kann mittels einer physikalischen Gasphasenabscheidung, beispielsweise mittels eines Sputterns, mittels eines thermischen Verdampfens und/oder eines Elektronenstrahlverdampfens auf oder über dem Trägersubstrat 202 ausgebildet werden. Die elektrisch
leitfähige Schicht 203 kann mittels einer
RotationsbeSchichtung (engl. Spin-Coating) , einer
Tauchbeschichtung {engl. Dip-Coating) , einer
Sprühbeschichtung (engl. Spray-Coating) und/oder einer
VorhangbeSchichtung (engl. Curtain-Coating) auf oder über dem Trägersubstrat ausgebildet werden.
In 103 wird das elektrische Potenzial an die elektrisch leitfähige Schicht 203 angelegt.
Gemäß einem Ausführungsbeispiel ist das elektrische Potenzial ein geeignetes Bezugspotenzial, beispielsweise das
Massepotenzial, beispielsweise 0V. In anderen Worten wird bei dem Anlegen 103 des elektrischen Potenzials die elektrisch leitfähige Schicht 203 geerdet.
In 104 wird die wenigstens eine organische, funktionelle Schicht 210 zum Bilden des organischen Bauelements auf oder über der elektrisch leitfähigen Schicht 203 ausgebildet, wobei die organische, funktionelle Schicht 210 zumindest teilweise während des Anlegens 103 des elektrischen
Potenzials an die elektrisch leitfähige Schicht 203
ausgebildet wird.
Gemäß einem Ausführungsbeispiel wird während des gesamten Zeitraums des Ausbildens 104 der wenigstens einen organischen, funktionellen Schicht 210 das elektrische
Potenzial angelegt.
Die wenigstens eine organische, funktionelle Schicht 210 wird derart ausgebildet, dass sie wenigstens einen organischen Stoff, beispielsweise einen organischen Halbleiter und/oder einen organischen Leiter, aufweist.
Gemäß dem Fall , dass das organische Bauelement als organische Leuchtdiode ausgebildet wird, kann die wenigstens eine organische, funktionelle Schicht 210 als eine
Lochinj ektionsschicht , eine Lochtransportschicht , eine
Emitterschicht , eine Elektronentransportschicht und/oder eine Elektroneninj ektionsschicht ausgebildet werden . Die
Lochinj ektionsschicht dient zum Reduzieren der Bandlücke zwischen erster Elektrode und Lochtransportschicht . Bei der Lochtransportschicht ist die Lochleitfähigkeit größer als die Elektronenleitfähigkeit . Die Lochtransportschicht dient zum Transportieren der Löcher . Bei der Elektronentransportschicht ist die Elektronenleitfähigkeit größer als die
Lochleitfähigkeit . Die Elektronentransportschicht dient zum Transportieren der Elektronen. Die
Elektroneninj ektionsschicht dient zum Reduzieren der
Bandlücke zwischen zweiter Elektrode und
Elektronentransportschich . Die organische , funktionelle
Schicht kann transluzent oder transparent ausgebildet werden .
Gemäß einem Ausführungsbeispiel wird die wenigstens eine organische , funktionelle Schicht 210 als Teil ,
beziehungsweise als Teilschicht , einer organischen,
funktionellen Schichtenstruktur ausgebildet . Die organische, funktionelle Schichtenstruktur kann derart ausgebildet werden, dass die organische funktionelle Schichtenstruktur ein, zwei oder mehr funktionelle Schichtenstruktu -Einheiten aufweist , wobei die funktionelle Schichtenstruktu -Einheiten j eweils die genannten Teilschichten und/oder weitere
Zwischenschichten aufweisen . Ein organisches Bauelement kann mehrere Schichten aufweisen, wobei die Schichten bei dem Herstellen des organischen
Bauelements beispielsweise übereinander ausgebildet werden können. Herkömmlicherweise sind die Schichten während der Herstellung des organischen Bauelements elektrisch von dem Massepotenzial isoliert, was eine elektrostatische Aufladung nach sich ziehen kann. Dadurch können Partikel aus der
Umgebung verstärkt angezogen werden. Mittels des Anlegens 103 eines elektrischen Potenzials an die elektrisch leitfähige Schicht 203 während des Ausbildens 104 der wenigstens einen organischen, funktionellen Schicht 210, kann es ermöglicht werden, dass eine bestehende Potenzialdifferenz zwischen der wenigstens einen organischen, funktionellen Schicht 210 und den Partikeln aus der Umgebung, beispielsweise Staubpartikeln aus der Umgebung, reduziert, beispielsweise sogar minimiert wird. Somit kann eine elektrostatische Anziehung zwischen den Partikeln aus der Umgebung und der wenigstens einen
organischen, funktionellen Schicht 210 verringert werden. Ein derart hergestelltes organisches Bauelement kann eine
geringere Anzahl an durch Partikel verursachten Defekten aufweisen. Die Erdung der elektrisch leitfähigen Schicht 203 ermöglicht es auf einfache Weise die Potenzialdifferenz zwischen der wenigstens einen organischen, funktionellen Schicht 210 und den Partikeln aus der Umgebung zu reduzieren, beispielsweise zu minimieren. Eine elektrostatische Aufladung des Trägersubstrats 202 während der Herstellung des
organischen Bauelements, beispielsweise der OLED , kann vermieden werden. Partikel können weniger stark oder nicht mehr angezogen werden. Somit wird die Partikelbelastung verringert und die Ausbeute der organischen Bauelemente beziehungsweise die Qualität der organischen Bauelemente steigt ,
Fig.2a zeigt eine Querschnittsansicht und Fig.2b zeigt eine Draufsicht eines organischen Bauelements in einem Verfahren zum Herstellen eines organischen Bauelements. Fig.2a zeigt ein Trägersubstrat 202 mit einer auf dem
Trägersubstrat 202 ausgebildeten elektrisch leitfähigen
Schicht 203, Die elektrisch leitfähige Schicht 203 kann derart ausgebildet werden, dass sie mehrere Teilbereiche aufweist, beispielsweise mittels einer optischen Lithographie oder mittels einer Schattenmaske, Beispielsweise kann die elektrisch leitfähige Schicht 203 derart ausgebildet werden, dass sie eine Bauelementfläche 204 aufweist, wobei auf der Bauelementfläche das organische Bauelement ausgebildet werden soll. Ferner kann die elektrisch leitfähige Schicht 203 derart ausgebildet werden, dass sie wenigstens eine
Kontaktfläche 206 und wenigstens eine Verbindungsfläche 208 aufweist. Die wenigstens eine Verbindungsfläche 208, im
Folgenden auch als wenigstens eine Verbindungsleitung 208 bezeichnet, verbindet die wenigstens eine Kontakt läche 206 mit der Bauelementfläche 204, Die Kontaktfläche 206 kann, wie in Fig.2b dargestellt, in einem Randbereich des
Trägersubstrats 202 ausgebildet werden. Die Kontaktfläche 206 kann die Form eines Rahmens aufweisen. Eine rahmenförmig ausgebildete Kontaktfläche 206 kann im Folgenden auch als Kontaktrahmen 206 bezeichnet werden. Die Kontaktfläche 206 kann auf dem Trägersubstrat 202 und umlaufend um den gesamten Randbereich des Trägersubstrats 202 ausgebildet werden.
Mittels eines derart ausgebildeten Kontaktrahmens 206 wird ein elektrisches Kontaktieren vereinfacht, da das elektrische Kontaktieren auf dem gesamten Randbereich des Trägersubstrats 202 erfolgen kann.
Gemäß einem Ausführungsbeispiel wird die Kontaktfläche 206 derart ausgebildet, dass sie mehrere Kontaktpads anstatt oder zusätzlich zu dem umlaufenden Kontaktrahmen 206 aufweist.
Das Trägersubstrat 202 kann mit einer elektrisch leitfähigen Schicht 203, im Folgenden auch als elektrisch leitfähige Beschichtung 203 bezeichnet, und mit wenigstens einer
Verbindungsleitung 208, im Folgenden auch als wenigstens eine elektrische Verbindungsleitung 208 bezeichnet, zu einer oder mehreren Kontaktflächen ausgeführt sein, wobei die eine oder mehreren Kontaktflächen während der Lagerung, dem Transport und/oder der Herstellung des organischen Bauelements geerdet werden. Fig.2c zeigt eine Querschnittsansicht eines organischen
Bauelements in einem Verfahren zum Herstellen eines
organischen Bauelements.
Auf der elektrisch leitfähigen Schicht 203 wird die
wenigstens eine organische, funktionelle Schicht 210
ausgebildet ,
Gemäß einem Ausführungsbeispiel wird die wenigstens eine organische, funktionelle Schicht 210 auf der Bauelementfläche 204 der elektrisch leitfähigen Schicht 203 ausgebildet. Die organische, funktionelle Schicht 210 kann derart auf der Bauelementfläche 204 ausgebildet werden, dass jener Bereich des Trägersubstrats 202, welcher frei ist von der
Bauelementfläche 204, frei ist von der organischen,
funktionellen Schicht 210.
Gemäß einer Weiterbildung weist das Verfahren ferner ein Ausbilden einer ersten Elektrode 312 und ein Ausbilden einer zweiten Elektrode 314 auf, wobei die wenigstens eine
organische, funktionelle Schicht 316 zwischen der ersten
Elektrode 312 und der zweiten Elektrode 314 ausgebildet wird.
Fig.3 zeigt eine Querschnittsansicht eines organischen
Bauelements in einem Verfahren zum Herstellen eines
organischen Bauelements,
Wie in Fig.3 dargestellt, wird die erste Elektrode 312 auf oder über dem Trägersubstrat 202 ausgebildet. Die erste Elektrode 312 kann als Anode oder als Kathode ausgebildet werden. Gemäß einem Ausführungsbeispiel wird die erste Elektrode 312 transluzent oder transparent ausgebildet. Die erste Elektrode 312 kann derart ausgebildet werden, dass sie ein elektrisch leitfähiges Material aufweist, beispielsweise ein Metall und/oder ein leitfähiges
transparentes Oxid oder einen Schichtenstapel mehrerer
Schichten, die Metalle oder TCOs aufweisen. Die erste
Elektrode 312 kann beispielsweise derart ausgebildet werden, dass sie einen Schichtenstapel einer Kombination einer
Schicht eines Metalls auf einer Schicht eines TCOs aufweist, oder umgekehrt. Ein Beispiel ist eine Silberschicht, die auf einer Indium-Zinn-Oxid-Schicht (ITO) aufgebracht wird (Ag auf ITO) oder ITO-Ag-ITO Multischichte . Die erste Elektrode 312 kann derart ausgebildet werden, dass die erste Elektrode 312 alternativ oder zusätzlich zu den genannten Materialien aufweist ; Netzwerke aus metallischen Nanodrähten und - teilchen, beispielsweise aus Silber, Netzwerke aus
Kohlenstoff -Nanoröhren, Graphen-Teilchen und -Schichten und/oder Netzwerke aus halbleitenden Nanodrähten,
Gemäß einem Ausführungsbeispiel wird neben der ersten
Elektrode 312 ein erster Kontaktabschnitt 313 ausgebildet. Der erste Kontaktabschnitt 313 wird derart ausgebildet, dass er in direktem (körperlichem) Kontakt mit der ersten
Elektrode 312 steht. Der erste Kontaktabschnitt 313 dient zu einem elektrischen Kontaktieren der ersten Elektrode 312. Der erste Kontaktabschnitt 313 kann gleichzeitig mit der ersten Elektrode 312 ausgebildet werden. Der erste Kontaktabschnitt kann aus denselben Materialien wie die erste Elektrode 312 gebildet werden. Der erste Kontaktabschnitt 313 kann im
Folgenden auch als Kontaktpad 313 der ersten Elektrode bezeichnet werden.
Gemäß einem Ausführungsbeispiel wird die erste Elektrode 312 auf oder über der elektrisch leitfähigen Schicht 203 (nicht in Fig.3 dargestellt) ausgebildet. Gemäß einem Ausführungsbeispiel wird die erste Elektrode 312 auf der Bauelementfläche 204 der elektrisch leitfähigen
Schicht 203 ausgebildet. Die erste Elektrode 312 kann derart auf der Bauelementfläche 204 ausgebildet werden, dass jener Bereich des Trägersubstrats 202, welcher frei ist von der Bauelement fläche 204, ebenso frei ist von der ersten
Elektrode 312. Gemäß einem Ausführungsbeispiel wird wenigstens teilweise während des Ausbildens der ersten Elektrode 312 das
elektrische Potenzial an die elektrisch leitfähige Schicht 203 angelegt. Gemäß einem Ausführungsbeispiel wird die elektrisch
leitfähige Schicht 203 während des Ausbildens der ersten Elektrode 312 auf oder über der elektrisch leitfähigen
Schicht 203 geerdet. Somit ist es möglich die erste Elektrode 312 mit einer verringerten Anzahl an Partikeln aus der
Umgebung auszubilden. Eine derart ausgebildete erste
Elektrode 312 kann keine oder lediglich wenige durch Partikel verursachte Defekte aufweisen.
Gemäß einem Ausführungsbeispiel wird das elektrische
Potenzial während des gesamten Zeitraums des Ausbildens 104 der ersten Elektrode 312 angelegt.
Gemäß einem Ausführungsbeispiel bildet die elektrisch
leitfähige Schicht 203 die erste Elektrode 312 oder die elektrisch leitfähige Schicht 203 wird als Teil der ersten Elektrode 312 ausgebildet. Dadurch wird das Verfahren noch effizienter, da sowohl die erste Elektrode 312 als auch die elektrisch leitfähigen Schicht 203 gemeinsam in lediglich einem "Verfahrensschritt ausgebildet werden können.
Wie in Fig.3 gezeigt, wird die wenigstens eine organische, funktionelle Schicht 316 auf der ersten Elektrode 312
ausgebildet . Die wenigstens eine organische, funktionelle Schicht ist ein elektrisch und/oder optisch aktiver Bereich. Der aktive Bereich ist beispielsweise jener Bereich des organischen Bauelements, in dem elektrischer Strom zum Betrieb des organischen Bauelements fließt und/oder in dem
elektromagnetische Strahlung erzeugt oder absorbiert wird, Auf oder über dem aktiven Bereich kann eine Getter-Struktur (nicht dargestellt) angeordnet werden. Die Getter-Schicht kann transluzent , transparent oder opak ausgebildet werden. Die Getter- Schicht kann derart ausgebildet werden, dass sie ein Material aufweist, das Stoffe., weiche schädlich für den aktiven Bereich sind, absorbiert und bindet, Die zweite Elektrode 314 wird gemäß einem weiter oben
beschriebenen Ausführungsbeispiel der ersten Elektrode 312 ausgebildet, wobei die erste Elektrode 312 und die zweite Elektrode 314 gleich oder unterschiedlich ausgebildet werden können. Die erste Elektrode 312 dient beispielsweise als Anode oder Kathode der optoelektronischen Schichtenstruktur, Die zweite Elektrode 314 dient korrespondierend zu der ersten Elektrode 314 als Kathode beziehungsweise Anode der
wenigstens einen optoelektronischen Schicht oder der
optoelektronischen Schichtenstruktur .
Gemäß einem Ausführungsbeispiel wird die zweite Elektrode 314 transparent oder transluzent ausgebildet.
Gemäß einem Ausführungsbeispiel und wie in Fig.3 dargestellt, wird neben der ersten Elektrode 312 ein zweiter
Kontaktabschnitt 315 ausgebildet. Die zweite Elektrode 314 wird derart ausgebildet, dass sie in direktem Kontakt mit dem zweiten Kontaktabschnitt 315 steht. Der zweite
Kontaktabschnitt 315 dient zu einem elektrischen Kontaktieren der zweiten Elektrode 314. Der zweite Kontaktabschnitt 315 kann gleichzeitig mit der ersten Elektrode 312 ausgebildet werden. Der zweite Kontaktabschnitt kann aus denselben
Materialien wie die erste Elektrode 312 gebildet werden. Der zweite Kontaktabschnitt 315 kann im Folgenden auch als
Kontaktpad 315 der zweiten Elektrode bezeichnet werden. Die erste Elektrode 312 wird von dem zweiten Kontaktabschnitt 315 mittels einer elektrischen Isolierungsbarriere 317 elektrisch isoliert . Gemäß einem Äusführungsbeispxel wird die zweite Elektrode 314 auf der Bauelementfläche 204 der elektrisch leitfähigen
Schicht 203 ausgebildet. Die zweite Elektrode 314 kann derart auf der Bauelementfläche 204 ausgebildet werden, dass jener Bereich des Trägersubstrats 202, welcher frei ist von der Bauelementfläche 204, ebenso frei ist von der zweiten
Elektrode 314. Gemäß einem Ausführungsbeispiel wird wenigstens teilweise während des Ausbildens der zweiten Elektrode 314 das
elektrische Potenzial an die elektrisch leitfähige Schicht 203 angelegt . Gemäß einem Ausführungsbeispiel wird die elektrisch
leitfähige Schicht 203 während des Ausbildens der zweiten Elektrode 314 über der elektrisch leitfähigen Schicht 203 geerdet. Somit ist es möglich die zweite Elektrode 314 mit einer verringerten Anzahl an Partikeln aus der Umgebung auszubilden. Eine derart ausgebildete zweite Elektrode 314 kann keine oder lediglich wenige durch Partikel verursachte Defekte aufweisen.
Gemäß einem Ausführungsbeispiel weist das Verfahren ferner ein Ausbilden einer Verkapselung 318 auf oder über der zweiten Elektrode 314 auf.
Auf oder über der zweiten Elektrode 314 und teilweise über dem ersten Kontaktabschnitt 313 und teilweise über dem zweiten Kontaktabschnitt 315 wird die Verkapselung 318, auch als Verkapselungsschicht 318 bezeichnet, ausgebildet. Die Verkapselung 318 verkapselt die wenigstens eine organische, funktionelle Schicht. Die Verkapselungsschicht 318 kann als zweite Barrierenschicht, beispielsweise als zweite
Barrierendünnschicht , ausgebildet werden. Die
Verkapselungsschicht 318 kann auch als
Dünnschichtverkapselung 318 bezeichnet werden. Die
Verkapselungsschicht 318 bildet eine Barriere gegenüber chemischen Verunreinigungen beziehungsweise atmosphärischen Stoffen, insbesondere gegenüber Wasser (Feuchtigkeit) und Sauerstoff. Die Verkapselungsschicht 318 kann als eine einzelne Schicht, ein Schichtstapel oder eine Schichtstruktur ausgebildet sein. Die Verkapselungsschicht 318 kann derart ausgebildet werden, dass sie die folgenden Stoffe aufweist oder daraus gebildet wird: Aluminiumoxid, Zinkoxid,
Zirkoniumoxid, Titanoxid, Hafniumoxid, Tantaloxid
Lanthaniumoxid , Siliziumoxid, Siliziumnitrid,
Siliziumoxinitrid, Indiumzinnoxid, Indiumzinkoxid, Aluminiumdotiertes Zinkoxid, ein Karbid, beispielsweise Siliziumkarbid oder andere Karbidverbindungen, Poly (p- phenylenterephthalamid) , Nylon 66, sowie Mischungen und
Legierungen derselben . Gegebenenfalls kann die erste
Barriereschicht auf dem Trägersubstrat 202 korrespondierend zu einer Ausgestaltung der Verkapselungsschicht 318
ausgebildet sein .
Gemäß einem Ausführungsbeispiel werden in der
Verkapselungsschicht 318 über dem ersten Kontaktabschnitt 313 eine erste Ausnehmung der Verkapselungsschicht 318 und über dem zweiten Kontaktabschnitt 315 eine zweite Ausnehmung der Verkapselungsschicht 318 ausgebildet . In der ersten
Ausnehmung der Verkapselungsschicht 318 wird ein erster
Kontaktbereich des ersten Kontaktabschnitts 313 freigelegt und in der zweiten Ausnehmung wird ein zweiter Kontaktbereich des zweiten Kontaktabschnitts 315 freigelegt . Der erste
Kontaktbereich dient zum elektrischen Kontaktieren des ersten Kontaktabschnitts 313 und der zweite Kontaktbereich dient zum elektrischen Kontaktieren des zweiten Kontaktabschnitts 315.
Gemäß einem Ausführungsbeispiel wird die Verkapselung 318 aus einem Metall gebildet oder die Verkapselung 318 wird derart ausgebildet , dass sie ein Metall aufweist . Eine metallische Verkapselung 318 weist eine hohe elektrische Leitfähigkeit auf . Daher kann während des Ausbildens der Verkapselung 318 ein elektrisches Potenzial an die unter der Verkapselung angeordnete Schicht , beispielsweise an die zweite Elektrode 312, angelegt werden um die Verunreinigung der Verkapselung 318 durch Partikel aus der Umgebung zu verringern.
Gemäß einem Ausführungsbeispiel wird wenigstens teilweise während des Ausbildens der Verkapselung 318 das elektrische Potenzial an die elektrisch leitfähige Schicht 203 angelegt.
Gemäß einem Ausführungsbeispiel wird die elektrisch
leitfähige Schicht 203 während des Ausbildens der
Verkapselung 318 über der elektrisch leitfähigen Schicht 203 geerdet. Somit ist es möglich die Verkapselung 318 mit einer verringerten Anzahl an Partikeln aus der Umgebung
auszubilden. Eine derart ausgebildete Verkapselung 318 kann keine oder lediglich wenige durch Partikel verursachte
Defekte aufweisen.
Das organische Bauelement, beispielsweise die OLED, sollte möglichst aus elektrisch leitfähigen Schichten aufgebaut werden. Beispielsweise kann die Verkapselung 318 aus einer dicken Metallschicht ausgebildet werden, anstatt einer dünnen Schicht, wobei dünne Verkapselungsschichten üblicherweise mitteis CVD ausgebildet werden und Siliziumnitrit,
Siliziumcarbit , Siliziumoxid oder ähnliche Materialien aufweisen, oder nichtleitenden Klebermaterialien.
Fig. zeigt eine Querschnittsansicht eines Abdecksubstrats 420 mit einer Haftmittelschicht 422 in einem Verfahren zum Herstellen eines organischen Bauelements. Gemäß einer Weiterbildung weist das Verfahren ferner ein
Bereitstellen eines Abdecksubstrats 420 auf. Ferner weist das Verfahren ein Ausbilden einer weiteren elektrisch leitfähigen Schicht 834 (nicht dargestellt) auf dem Abdecksubstrat 420 auf. Die weitere elektrisch leitfähige Schicht 834 ist beispielsweise in Fig.8 dargestellt. Ferner weist das
Verfahren ein Anlegen eines elektrischen Potenzials an die weitere elektrisch leitfähige Schicht 834 auf. Ferner weist das Verfahren ein Ausbilden einer Haftmittelschicht 422 auf oder über dem Abdecksubstrat zumindest teilweise während des Anlegens des elektrischen Potenzials an die weitere
elektrisch leitfähige Schicht 834 auf. Ferner weist das
Verfahren ein Verbinden des Trägersubstrats mit dem
Abdecksubstrat mittels der Haftmittelschicht auf.
Gemäß einem Ausführungsbeispiel ist das Anlegen des
elektrischen Potenzials an die weitere elektrisch leitfähige Schicht 834 ausgestaltet wie das Anlegen des elektrischen Potenzials an die elektrisch leitfähige Schicht 203, Durch das Anlegen des elektrischen Potenzials während des
Ausbildens der Haftmittelschicht 422 ist es möglich, eine Potenzialdifferenz zwischen der Haftmittelschicht 422 und Partikeln aus der Umgebung zu minimieren. Somit kann es zu einer Verringerung der elektrostatischen Anziehung von
Partikel aus der Umgebung durch die Haftmittelschicht 422 kommen.
Gemäß einem Ausführungsbeispiel wird die Haftmittelschicht 422 derart ausgebildet, dass sie ein Haftmittel,
beispielsweise einen Klebstoff, beispielsweise einen
Laminierklebstoff , einen Lack und/oder ein Harz aufweist. Ferner kann die Haftmittelschicht 422 derart ausgebildet werden, dass sie Partikel aufweist, die elektromagnetische Strahlung streuen, beispielsweise lichtstreuende Partikel.
Gemäß einem Ausführungsbeispiel kann die Haftmittelschicht 422 derart ausgebildet werden, dass sie einen Laminierkleber auf eist. Als Laminierkleber kann ein elektrisch leitfähiger Kleber verwendet werden, beispielsweise ein Silberleitkleber,
Alternativ kann der Laminierkleber mit leitfahigen Partikeln, beispielsweise Ruß, versetzt werden.
Die Haftmittelschicht 422 wird auf oder über dem
Abdecksubstrat 420 ausgebildet. Die Haftmittelschicht 422 dient zum Befestigen des Abdeckkörpers 420 an der
Verkapseiungsschicht 318. Das Abdecksubstrat 420 kann derart ausgebildet werden, dass es einen Kunststoff, ein Glas und/oder ein Metall aufweist. Beispielsweise kann das
Abdecksubstrat 420 im Wesentlichen aus Glas gebildet werden und eine dünne Metallschicht, beispielsweise eine
Metallfolie, und/oder eine GraphitSchicht , beispielsweise ein Graphitlaminat, auf dem Glaskörper aufweisen. Das
Abdecksubstrat 420 dient zum Schützen des organischen
Bauelements, beispielsweise vor mechanischen
Krafteinwirkungen von außen. Ferner kann das Abdecksubstrat 420 zum Verteilen und/oder Abführen von Hitze dienen, die in dem organischen Bauelement erzeugt wird. Beispielsweise kann das Glas des Abdecksubstrats 420 als Schutz vor äußeren
Einwirkungen dienen und die Metallschicht des Äbdecksubstrats 420 kann zum Verteilen und/oder Abführen der beim Betrieb des organischen Bauelements entstehenden Wärme dienen. Gemäß einem Ausführungsbeispiel wird das Abdecksubstrat 420 wie das weiter oben beschriebene Trägersubstrat 202 ausgebildet.
Gemäß einem Ausführungsbeispiel weist das Ausbilden der
Haftmittelschicht 422 ein Beimengen eines elektrisch
leitfähigen Materials in die Haftmittelschicht 422 auf. Durch das Beimengen eines elektrisch leitfähigen Materials in die Haftmittelschicht 422, kann die elektrische Leitfähigkeit der Haftmittelschicht 422 erhöht werden. Somit kann während des Ausbildens der Haftmittelschicht 422 ein elektrisches
Potenzial an die weitere elektrisch leitfähige Schicht 834 angelegt werden um die Verunreinigung der Haftmittelschicht 422 durch Partikel aus der Umgebung zu verringern.
Gemäß einem Ausführungsbeispiel wird während des gesamten Zeitraums des Ausbildens der Haftmittelschicht 422 das elektrische Potenzial an die weitere elektrisch leitfähige Schicht angelegt.
Gemäß einem Ausführungsbeispiel wird die weitere elektrisch leitfähige Schicht 203 während des Ausbildens der
Haftmittelschicht 422 auf oder über der weiteren elektrisch leitfähigen Schicht 203 geerdet. Gemäß einem Ausführungsbeispiel weist das Verbinden des
TrägerSubstrats mit dem AbdeckSubstrat ein Stoffschlüssiges Verbinden der Haftmittelschicht 422 mit der Verkapselung 318 auf .
Fig.5 zeigt eine Querschnittsansicht eines organischen
Bauelements in einem Verfahren zum Herstellen eines
organischen Bauelements . Gemäß einem Ausführungsbeispiel weist das Verfahren das
Bereitstellen des Trägersubstrats 202 auf. Auf oder über dem Trägersubstrat 202 wird die elektrisch leitfähige Schicht 203 (nicht dargestellt) ausgebildet. Auf der Bauelementfläche 204 der elektrisch leitfähigen Schicht 203 wird eine erste
Schicht 524a ausgebildet. Die erste Schicht 524a kann wie eine der weiter oben beschriebenen Schichten ausgebildet werden, beispielsweise kann die erste Schicht wie die
wenigstens eine organische, funktionelle Schicht 210
ausgebildet werden. Die elektrisch leitfähige Schicht 203 kann vor oder während des Ausbildens der ersten Schicht 524a geerdet werden» Die Erdung der elektrisch leitfähigen Schicht 203 kann während des gesamten Zeitraums, der zum Ausbilden der ersten Schicht 524a benötig wird, bestehen. Die erste Schicht 524a kann mittels des Erdens der elektrisch
leitfähigen Schicht 203 geerdet werden. Ferner kann eine zweite Schicht 524b auf der ersten. Schicht 524a ausgebildet werden. Die zweite Schicht 524b kann wie eine der weiter oben beschriebenen Schichten ausgebildet werden, beispielsweise kann die zweite Schicht 524b wie die wenigstens eine
organische, funktionelle Schicht 210 ausgebildet werden. Die elektrisch leitfähige Schicht 203 kann vor oder während des Ausbildens der zweiten Schicht 524b geerdet werden. Die
Erdung der elektrisch leitfähigen Schicht 203 kann während des gesamten Zeitraums, der zum Ausbilden der zweiten Schicht 524b benötig wird, bestehen. Die zweite Schicht 524b kann mittels des Erdens der elektrisch leitfähigen Schicht 203 geerdet werden. In dem Fall, dass der elektrische
Ableitwiderstand der ersten Schicht 524a zu hoch (beispielsweise wenn der Ableitwiders and größer oder gleich 1 GOhm ist, beispielsweise größer oder gleich lMOhm ist, beispielsweise größer oder gleich 1 kOhm ist) ist, als dass die zweite Schicht 524b mittels der Erdung der elektrisch ieitfähigen Schicht 203 ebenfalls geerdet wird, kann zwischen der ersten Schicht 524a und der zweiten Schicht 524b eine erste elektrisch leitfähig Zwischenschicht 526a ausgebildet werden. Die erste elektrisch leitfähige Zwischenschicht 526a kann jene elektrisch leitfähigen Stoffe aufweisen, die weiter oben in Zusammenhang mit der ersten Elektrode 312 aufgelistet sind, oder die Materialien der Lochin ektionsschicht oder der Elektroneninjektionsschicht. Ferner kann eine dritte Schicht 524c auf der zweiten Schicht 524b ausgebildet werden. Die dritte Schicht 524c kann wie eine der weiter oben
beschriebenen Schichten ausgebildet werden, beispielsweise kann die dritte Schicht wie die zweite Elektrode 314
ausgebildet werden. Die elektrisch leitfähige Schicht 203 kann vor oder während des Ausbildens der dritten Schicht 524c geerdet werden. Die Erdung der elektrisch leitfähigen Schicht 203 kann während des gesaraten Zeitraums, der zum Ausbilden der zweiten Schicht 524b benötig wird, bestehen. Die dritte Schicht 524c kann mittels des Erdens der elektrisch
leitfähigen Schicht 203 geerdet werden. In dem Fall, dass der elektrische Ableitwiderstand der zweiten Schicht 524b zu hoch (beispielsweise wenn der Ableitwiderstand größer oder gleich 1 GOhm ist, beispielsweise größer oder gleich lMOhm ist, beispielsweise größer oder gleich 1 kOhm ist) ist, als dass die dritte Schicht 524c mittels des Erdung der elektrisch leitfähigen Schicht 203 ebenfalls geerdet wird, kann zwischen der zweiten Schicht 524b und der dritten Schicht 524c eine zweite elektrisch leitfähig Zwischenschicht 526b ausgebildet werden. Die zweite elektrisch leitfähige Zwischenschicht 526b kann wie die erste elektrisch leitfähige Zwischenschicht 526b ausgebildet werden.
Es ist anzumerken, dass eine elektrisch leitfähige
Zwischenschicht, die wie die im Vorhergehenden beschriebene erste elektrisch leitfähige Zwischenschicht 526a oder wie die zweite elektrisch leitfähige Zwischenschicht 526b ausgebildet wird, optional auch zwischen anderen Schichten ausgebildet werden kann. Beispielsweise kann eine dritte elektrisch leitfähige Zwischenschicht (nicht dargestellt) zwischen der dritten Schicht 524c und einer über der dritten Schicht 524c ausgebildeten vierten Schicht (nicht dargestellt) ausgebildet werden. Gemäß einem Ausführungsbeispiel kann die elektrisch leitfähige Zwischenschicht optional auf jeweils jeder der weiter oben beschriebenen Schichten des organischen
Bauelements ausgebildet werden.
Alternativ zu der oben beschriebenen Erdung der elektrisch leitfähigen Schicht 203 kann ein elektrisches Potenzial an die elektrisch leitfähige Schicht 203 angelegt werden.
In Fig.5 ist ferner ein Erdungskontakt 528 dargestellt, welcher gemäß einem Ausführungsbeispiel neben der ersten Schicht 524a ausgebildet wird. Der Erdungskontakt 528 kann als Teil der elektrisch leitfähigen Schicht 203 ausgebildet werden oder elektrisch leitend mit der elektrisch leitfähigen
Schicht 203 verbunden werden. An den Erdungskontakt 528 kann beispielsweise das elektrische Potenzial, das Massepotenzial oder das Erdungspotenzial angelegt werden. Zwischen dem Erdungskontakt 528 und der ersten Schicht 524a wird eine optionale erste Isolierungsbarriere 530a
angeordnet. Die erste Isolierungsbarriere 530a wird
angrenzend an eine erste Seitenfläche der ersten Schicht 524a ausgebildet .
Die erste Schicht 524a weist zwei Hauptflächen und wenigstens eine die beiden Hauptflächen verbindende Seitfläche auf.
Beispielsweise kann die erste Schicht 524a näherungsweise die Form eines Quaders aufweisen. In diesem Fall hat die erste Schicht 524a zwei Hauptflächen und vier senkrecht dazu angeordnete Seitenflächen. Die Flächennormalen der beiden Hauptflächen der ersten Schicht 524a sind parallel zu den Flächennormalen der Hauptfläche des Trägersubstrats 202. Bei dünnen Schichten kann die Größe der Seitenflächen vernachlässigbar klein sein. In Fig.5 stellt eine
Querschnittsansicht einer näherungsweise quaderförmigen ersten Schicht dar. Fig.5 zeigt eine erste Schicht mit einem ersten Rand, der die erste Randfläche aufweist, und einem zweiten Rand, der eine zweite Randfläche aufweist. Die erste elektrisch leitfähige Zwischenschicht 526a wird teilweise auf dem Erdungskontakt 528 ausgebildet derart , dass ein
elektrischer Kontakt zwischen der ersten elektrisch
leitfähigen Zwischenschicht 526a und dem Erdungskontakt 528 ausgebildet wird . Die zweite elektrisch leitfähige
Zwischenschicht 526b wird teilweise auf der ersten elektrisch leitfähigen Zwischenschicht 526a ausgebildet derart , dass ein elektrischer Kontakt zwischen der ersten elektrisch
leitfähigen Zwischenschicht 526a und der zweiten elektrisch leitfähigen Zwischenschicht 526a ausgebildet wird. Neben der zweiten Schicht 524b wird eine optionale zweite
Isolierungsbarriere 53 Ob angeordnet . Die zweite
Isolierungsbarriere 530b wird angrenzend an eine erste
Seitenfläche der zweiten Schicht 524b ausgebildet, wobei die zweite Schicht geometrisch wie die erste Schicht 524a
ausgestaltet wird. Auf der zweiten elektrisch leitfähigen Zwischenschicht 526b wird die dritte Schicht 524c
ausgebilde . Die erste Schicht 524a, die zweite Schicht 524b und die dritte Schicht 524c werden übereinander ausgebildet derart , dass sie einen Schichtenstapel bilden. Neben der dritten Schicht 524c wird eine optionale dritte
Isolierungsbarriere 530c angeordnet . Die dritte
Isolierungsbarriere 530c wird angrenzend an eine erste
Seitenfläche der dritten Schicht 524c ausgebildet, wobei die dritte Schicht geometrisch wie die erste Schicht 524a ausgestaltet wird . Die erste Isolierungsbarriere 530a, die zweite Isolierungsbarriere 530b und die dritte
Isolierungsbarriere , wenn sie vorgesehen sind, werden n herungsweise kongruent übereinander angeordnet .
Gemäß dem in Fig.5 gezeigten Ausführungsbeispiel wird die Verkapselung 318 auf der dritten Schicht 524c und auf der optionalen dritten Isolierungsbarriere 530c ausgebildet. Die Verkapselung 318 wird ferner auf der zweiten elektrisch leitfähigen Zwischenschicht 526b angeordnet derart, dass ein elektrischer Kontakt zwischen der zweiten elektrisch
leitfähigen Zwischenschicht 526b und der Verkapselung 318 ausgebildet wird. Die Verkapselung kann ferner teilweise auf dem Trägersubstrat 202 ausgebildet werden. Auch wenn in Fig.5 nicht dargestellt, sind in verschiedenen
Ausführungsbeis ielen eine erste Elektrode {beispielsweise Anode) und eine zweite Elektrode (Kathode) in dem
Schichtenstapel vorgesehen, wobei die zweite Elektrode auf der dritten Schicht 524c angeordnet ist und die Verkapselung in diesem Fall auf der zweiten Elektrode angeordnet ist. Wie in Fig.5 dargestellt wird gemäß einem Ausführungsbeispiel die erste elektrisch leitende Zwischenschicht 526a bis zu dem zweiten Rand der ersten Schicht 524a ausgebildet derart, dass die zweite Randfläche der ersten Schicht 524a frei ist von der ersten elektrisch leitfähigen Zwischenschicht 526a und ein Rand der ersten elektrisch leitenden Zwischenschicht 526a an den zweiten Rand der ersten Schicht 524a angrenzt. Ferner wird auch die zweite elektrisch leitende Zwischenschicht 526b bis zu einem zweiten Rand der zweiten Schicht 524b
ausgebildet derart, dass eine zweite Randfläche der zweiten Schicht 524b frei ist von der zweiten elektrisch leitfähigen Zwischenschicht und ein Rand der zweiten elektrisch leitenden Zwischenschicht 526b an den zweiten Rand der zweiten Schicht 524b angrenzt. Neben dem zweiten Rand der ersten Schicht 524a, der zweiten Schicht 524b und der dritten Schicht 524c und neben dem Rand der ersten elektrisch leitenden
Zwischenschicht 526a und neben dem Rand der zweiten
elektrisch leitenden Zwischenschicht 526b wird eine optionale vierte Isolierungsbarriere 532 ausgebildet. Die optionale vierte Isolierungsbarriere 532 wird derart ausgebildet, dass sie lateral die Verkapselung 318 von der ersten Schicht 424a, der zweiten Schicht 424b, der dritten Schicht 424c, der ersten elektrisch leitfähigen Zwischenschicht 426a und der zweiten elektrisch leitfähigen Zwischenschicht 426b trennt. Ein Bereich des Trägersubstrats 202 auf oder über welchem der Erdungskontakt 528 ausgebildet wird., kann auch als
Erdungsbereich bezeichnet werden. Ein Bereich des
Trägersubstrats 202 auf oder über welchem die erste
Isolierungsbarriere 530a, die zweite Isolierungsbarriere 530b und die dritte Isolierungsbarriere 530c ausgebildet werden, kann auch als Isolierungsbereich bezeichnet werden. Der
Erdungsbereich wird neben dem Isolierungsbereich ausgebildet. Ein Bereich des Trägersubstrats 202, auf oder über welchem die Bauelementfläche 204 der elektrisch leifähigen Schicht 203, die erste Schicht 424a, die zweite Schicht 424b und die dritte Schicht 424c ausgebildet werden, kann als
Bauelementbereich bezeichnet werden. Gemäß einem
Ausführungsbeispiel wird der Erdungskontaktbereich von dem Bauelementbereich separiert mittels eines Durchtrennens des Trägersubstrats 202 in dem Isolierungsbereich (in Fig .5
mitteis der gestrichelten Linie dargestellt) . Ferner werden mit dem Durchtrennen des Trägersubstrats 202 auch die auf oder über dem Trägersubstrat liegenden Schichten durchtrennt.
Gemäß einem Ausführungsbeispiel wird unmittelbar nach dem Ausbilden einer geringfügig elektrisch leitfähigen Schicht wie beispielsweise einer organischen, funktionellen Schicht, im Folgenden auch als Organik bezeichnet, oder einer
Dünnfilmverkapselung (engl, thin film encapsulation, TFE) eine elektrisch leitfähige Zwischenschicht, beispielsweise ein Metall, auf der geringfügig elektrisch leitfähigen
Schicht ausgebildet.
Fig.6 zeigt eine Draufsicht eines organischen Bauelements in einem Verfahren zum Herstellen eines organischen Bauelements.
Gemäß einem Ausführungsbeispiel wird auf dem Trägersubstrat 202 und neben dem organischen Bauelement wenigstens ein weiteres organisches Bauelement ausgebildet. In Fig.6 ist beispielsweise dargestellt, dass vier organische Bauelemente auf dem Trägersubstrat 202 ausgebildet werden. Gemäß einem Ausführungsbeispiel werden das organische
Bauelement und das wenigstens eine weitere organische
Bauelement mittels der elektrisch leitfähigen Schicht 203 miteinander verbunden. Durch das Verbinden des organischen Bauelements mit dem wenigstens einem weiteren organischen
Bauelement mittels der elektrisch leitfähigen Schicht 203 ist es möglich, dasselbe elektrisch Potenzial an alle auf dem Trägersubstrat angeordneten organischen Bauelemente
anzulegen. So können beispielsweise mehrere organische
Bauelemente unter denselben elektrostatischen Bedingungen ausgebildet werden.
In Fig.6 ist dargestellt, dass die elektrisch leitfähige Schicht 203 mit der Kontaktfläche 206, der Bauelementfläche 204, der wenigstens einen Verbindungsleitung 208, der ersten Kontaktfläche 313 und der zweiten Kontaktfläche 315
ausgebildet wird. Zwischen der zweiten Kontaktfläche 315 und der Bauelementfläche kann die elektrische Isolierungsbarriere 317 {nicht dargestellt) angeordnet werden. Ferner kann die elektrisch leitfähige Schicht 203 mit einer weiteren ersten Kontaktfläche 613b ausgebildet werden, die gemäß einem
Ausführungsbeispiel mit der ersten Kontaktfläche 313
ausgebildet wird. Die erste Kontaktfläche 313 und die weitere erste Kontaktfläche 613b können an gegenüberliegenden Seiten der Bauelementfläche 204 angeordnet werden. Ferner kann die elektrisch leitfähige Schicht 203 mit einer weiteren zweiten Kontaktfläche 615b ausgebildet werden, die gemäß einem
Ausführungsbeispiel mit der zweiten Kontaktfläche 615b ausgebildet wird. Die zweite Kontaktfläche 315 und die weitere zweite Kontaktfläche 615b können an
gegenüberliegenden Seiten der Bauelementfläche 204 angeordnet werden .
Die Bauelementfläche 204 mit der ersten Kontaktfläche 313, der weiteren ersten Kontaktfläche 613b, der zweiten
Kontaktfläche 315 und der weiteren zweiten Kontaktfläche 615b kann als Bauelementeinheit bezeichnet werden. Wie in Fig.6 dargestellt, können beispielsweise -vier Bauelementeinheiten, eine erste Bauelementeinheit 617a , eine zweite
Bauelementeinheit 617b, eine dritte Bauelementeinheit 617c und eine vierte Bauelementeinheit 617d, in einer Matrixform auf dem Trägersubstrat 202 angeordnet werden. Gemäß einem
Ausführungsbeispiel wird die erste Kontaktfläche 313 der ersten Bauelementeinheit 617a mittels der wenigstens einen Verbindungsleitung 208 mit dem Kontaktrahmen 206 verbunden. Die weitere erste Kontaktfläche 613b der ersten
Bauelementeinheit 617a wird mittels der wenigstens einen Verbindungsleitung 208 mit der ersten Kontaktfläche 313 der zweiten Bauelementeinheit 617b verbunden. Die weitere erste Kontaktfläche 613b der zweiten Bauelementeinheit 617b wird mittels der wenigstens einen Verbindungsleitung 208 mit der weiteren ersten Kontaktfläche 613b der dritten
Bauelementeinheit 617c verbunden. Die erste Kontaktfläche 313 der zweiten Bauelementeinheit 617b wird mittels der
wenigstens einen Verbindungsl itung 208 mit der ersten
Kontaktfläche 313 der dritten Bauelementeinheit 617c
verbunden. Die erste Kontaktfläche 313 der dritten
Bauelementeinheit 617c wird mittels der wenigstens einen
Verbindungsleitung 208 mit der weiteren ersten Kontaktfläche 613b der vierten Bauelementeinheit 617d verbunden. Die erste Kontaktfläche 313 der vierten Bauelementeinheit 617d wird mit der ersten Kontaktfläche 313 der ersten Bauelementeinheit 617a und mit dem Kontaktrahmen 206 verbunden.
Gemäß einem Ausführungsbeispiel wird die Kontaktfläche 206 derart ausgebildet, dass sie mehrere Kontaktpads anstatt eines umlaufenden Kontaktrahmens aufweist,
Die wenigstens eine Verbindungsleitung 208 kann im Folgenden auch als Leiterbahn 208 bezeichnet werden.
Die erste Kontaktfläche 313 und die weitere erste
Kontaktfläche 613b können als Anoden- oder Kathodenkontakte bezeichnet werden. Korrespondierend dazu können die zweite Kontaktfläche 315 und die weitere zweite Kontaktfläche 615b als Kathoden- oder Anodenkontakte bezeichnet werden. Leiterbahnen oder die elektrisch leitfähige Schicht, weiche mehrere elektrisch leitende Schichten aufweisen kann,
verbinden/verbindet die Einzelbauteile auf dem Trägersubstrat 202 mit einem, oder mehreren Kontaktpads oder einem
umlaufenden Kontaktrahmen. Die Anoden- beziehungsweise
Kathodenkontakte der Einzelbauteile können genutzt werden. Diese Leiterbahnen können auf definierte Kontaktpunkte am Rand des Trägersubstrats 202 geführt werden, so dass eine einheitliche Kontaktierung während des Prozesses und während der Lagerung möglich ist.
Die in Fig.6 gezeigt Bauelementfläche 204 wird derart
ausgebildet, dass sie einen näherungsweise kreisförmige Form aufweist, Alternativ kann die Bauelementfläche auch eine andere beliebige Form aufweisen, beispielsweise eine
näherungsweise rechteckige Form wie sie in Fig.7 gezeigt ist.
Gemäß einem Ausführungsbeispiel weist das Verfahren ferner ein Separieren des organischen Bauelements von dem wenigstens einen weiteren organischen Bauelement mittels Durchtrennens des Trägersubstrats 202 zwischen dem organischen Bauelement und dem wenigstens einen weiteren organischen Bauelement auf. Das Durchtrennen des Trägersubstrats 202 ist in Fig .6 mittels der gestrichelten Linie dargestellt. Beispielsweise kann das Trägersubstrat 202 entlang der gestrichelten Linie
durchtrennt werden, beispielsweise mittels einer
Sägevorrichtung, beispielsweise mittels einer
Schneidevorrichtung. Das Trägersubstrat 202 wird derart durchtrennt, dass lediglich jene Bereiche verbleiben, welche die Bauelementfläche 204, die erste Kontaktfläche 313, die weitere erste Kontaktfläche 613b, die zweite Kontaktfläche 315 sowie die weitere zweite Kontaktfläche 615b aufweisen.
Fig.7 zeigt eine Draufsicht eines organischen Bauelements in einem Verfahren zum Herstellen eines organischen Bauelements. Wie in Fig.6, zeigt Fig.7 ein Trägersubstrat 202, auf dem vier organische Bauelemente ausgebildet werden sollen. Im Unterschied zu dem in Fig .6 dargestellten Ausführungsbeispiel wird die Bauelementfläche 204 der Fig.7 näherungsweise rechteckig ausgebildet . Die Bauelemen fläche 204 wird derart ausgebildet , dass sie zwei kurze Seiten und zwei lange Seiten aufweist , wobei die erste Kontakt f lache 313 , die zweite
Kontaktfläche 315 und die weitere zweite Kontaktfläche 615b an einer der kurzen Seiten angeordnet werden . Gemäß einem Ausfuhrungsbeispiel werden die ersten Kontaktflächen 313 der vier Bauelementeinheiten mittels der weiteren elektrisch leitf higen Schicht j eweils miteinander sowie mit dem
Kontakt ahmen 206 verbunden . Fig .8 zeigt eine Que schnittsansicht eines Abdecksubstrats 420 mit einer Haftmittelschicht 422 in einem Verfahren zum Herstellen eines organischen Bauelements .
Auf dem Abdecksubstrat 420 wird die weitere elektrisch leitfähige Schicht 834 angeordnet. Die Haftmittelschicht 422 wird auf der v/eiteren elektrisch leitfähigen Schicht 834 angeordnet . Die Haftmittelschicht 422 (nicht gezeigt) wird derart ausgebildet, dass sie einen ersten Haftmittelbereich 836 und wenigstens einen zweiten Haftmittelbereich 838 aufweist . Der erste Haftmittelbereich 836 und der zweite Haftmittelbereich 838 können nebeneinander ausgebildet werden .
Gemäß einem Ausfuhrungsbeispiel weist das Verbinden des Trägersubstrats 202 mit dem Abdecksubstrat 420 ein
stoffschlüssiges Verbinden des ersten Haftmittelbereichs 836 mit der Verkapselung 318 des organischen Bauelements und ein stoffschlüssiges Verbinden des wenigstens einen zweiten Haftmittelbereichs 838 mit der Verkapselung 318 des
wenigstens einen weiteren organischen Bauelements auf .
Gemäß einem Ausführungsbeispiel wird die Verkapselung 318 derart ausgebildet, dass das sich das organische Bauelement und das wenigstens eine weitere organische Bauelement die
Verkapselung 318 teilen.
Fig.9 zeigt eine Draufsicht eines Abdecksubstrats 420 mit einer Haftmittelschicht 422 in einem Verfahren zum Herstellen eines organischen Bauelements.
Gemäß einem Ausführungsbeispiel wird die elektrisch
leitfähige Schicht 834 aus Aluminium oder ITO ausgebildet.
Die weitere elektrisch leitfähige Schicht 834 kann derart ausgebildet werden, dass sie eine Kontaktfläche 906 aufweist, wobei die Kontaktfläche 906 gemäß einem Ausführungsbeispiel des weiter oben beschriebenen Kontaktrahmens 206 ausgebildet wird. Ferner kann die weitere elektrisch leitfähige Schicht 834 ein sogenanntes Leiterbahnnetz 940 aufweisen. Wie in Fig.9 dargestellt, kann das Leiterbahnnetz 940 derart
ausgebildet werden, dass es horizontale und vertikale Linien auf dem Abdecksubstrat 420 aufweist. Das Leiterbahnnetz 940 kann näherungsweise die Form eines Gitters aufweisen.
Gemäß einem Ausführungsbeispiel wird die elektrisch
leitfähige Schicht 834 als eine durchgängige,
zusammenhängende Schicht großflächig auf dem Abdecksubstrat 420 ausgebildet. Die elektrisch leitfähige Schicht 834 kann auf einer Hauptoberfläche des Abdecksubstrats 420 ausgebildet werden. Die elektrisch ieitfähige Schicht 834 kann derart dem Abdecksubstrat 420 ausgebildet werden, dass die elektrisch leitfähige Schicht 834 wenigstens eine Oberfläche,
beispielsweise die Hauptoberfläche, des Abdecksubstrats 420 vollständig bedeckt. Somit kann mittels der weiteren
elektrisch leitfähigen Schicht 834 ein elektrischer Kontakt zwischen dem ersten Haftmittelbereich 836 und dem wenigstens einen zweiten Haftmittelbereich 838 hergestellt werden und an den ersten Haftmittelbereich 836 sowie an den wenigstens einen zweite Haftmittelbereich 838 kann ein gemeinsames elektrisches Potenzial angelegt werden. Die weitere elektrisch leitfähige Schicht 834 kann gemäß einem Ausführungsbeispiel der elektrisch leitfähigen Schicht 203 ausgebildet werden. Beispielsweise kann die weitere elektrisch leitende Schicht 834 wie die elektrisch leitende Schicht 203 ausgebildet werden . Beispielsweise kann die weitere elektrisch leitende Schicht 834 derart ausgebildet werden, dass sie eine Bauelementfläche , eine Kontaktfläche oder mehrere Kontaktpads und wenigstens eine
Verbindungsfläche aufweist , wobei auf der Bauelementfläche der weiteren elektrisch leitfähigen Schicht 834 die
Haftmittelschicht 422 ausgebildet werden soll .
Das Abdecksubstrat 420 , beispielsweise Glas , beispielsweise Capglas 420 oder Laminiergias 420 , oder eine oder mehrere Kunststofffolien oder ein anderes geeignetes Abdecksubstrat ist in verschiedenen Ausführungsbeispielen vorgesehen . Die weitere elektrisch leitfähige Schicht 834 kann im Folgenden auch als elektrisch leitfähige Beschichtung 834 bezeichnet werden. Die Kontaktfläche oder die mehreren Kontaktpads der weiteren elektrisch leitfähigen Schicht 834 können während der Lagerung, dem Transport und/oder der Herstellung des organischen Bauelements geerdet werden. Eine elektrostatische Aufladung des Abdecksubstrats 420 kann während der
Herstellung des organischen Bauelements , beispielsweise der OLED, vermieden werden . Partikel können weniger stark oder nicht mehr angezogen werden . Somit kann die Partikelbelastung verringert werden und die Ausbeute der organischen
Bauelemente beziehungsweise die Qualität der organischen Bauelemente kann erhöht werden .
Fig.10 zeigt eine schematische Darstellung einer Vorrichtung zum Zwischenlagern 1042 eines Abdecksubstrats 420 oder eines TrägerSubstrats 202 in einem Verfahren zum Herstellen eines organischen Bauelements .
Gemäß einem Ausführungsbeispiel weist das Verfahren zum
Herstellen des organischen Bauelements ein Zwischenlagern des Abdecksubstrats 420 und/oder des TrägerSubstrats 202 auf . Die Vorrichtung zum Zwischenlagern 1042 wird ferner auch als Horde 1042 oder Transportkassette 1042 bezeichnet. Gemäß einem Ausführungsbeispiel wird das Trägersubstrat 202, auf welchem bereits die elektrisch leitfähige Schicht 203 ausgebildet ist, in der Vorrichtung zum Zwischenlagern 1042 angeordnet, beispielsweise wird das Trägersubstrat 202 in die Horde 1042 geschoben. Ferner weist das Zwischenlagern des Trägersubstrats 202 ein elektrisches Kontaktieren der elektrisch leitfähigen Schicht 203 auf. Das Kontaktieren der elektrisch leitfähigen Schicht 203 kann beispielsweise mit einer Kontaktiervorrichtung 1044 erfolgen. Beispielsweise kann die Kontaktiervorrichtung 1044 derart eingerichtet werden, dass bei einem Schieben des Trägersubstrats 202 in die Horde 1042 ein elektrischer Kontakt zu der Kontaktfläche 206 der elektrisch leitfähigen Schicht 203 ausgebildet wird. Das Kontaktieren des Abdecksubstrats 420 kann auf analoge Weise erfolgen. Gemäß einem Ausführungsbeispiel wird das Abdecksubstrat 420 und/oder das Trägersubstrat 202 während des Zwischenlagerns mittels der Kontaktiervorrichtung 1044 geerdet .
Um das Trägersubstrat 202 und/oder das Abdecksubstrat 420 während der gesamten Herstellung, Zwischenlagerung und
Lagerung erden zu können, kann die Installation von
Kontaktiervorrichtungen 1044 in Werkzeugen und Hilfsmitteln nötig sein. Hilfsmittel sind beispielsweise
Transportkassetten, Transportwagen, Handler (beispielsweise für einen Transport zwischen Kassette und Prozessanlage) ,
Roboter und Ausheizöfen.
Die Erfindung ist nicht auf die angegebenen
Ausführungsbeispi le beschränkt. Beispielsweise können die in den Figuren 2a, 2b, 2c, 3, 4, 5, 6 , 7, 8 und 9 gezeigten Ausführungsbeispiele miteinander kombiniert sein.

Claims

Patentansprüche
1, Verfahren zum Herstellen eines organischen Bauelements, das Verfahren aufweisend;
· Bereitstellen eines Trägersubstrats (202 ) ;
• Ausbilden einer elektrisch leitfähigen Schicht (203 } auf oder über dem TrägerSubstrat (202) ;
• Anlegen eines elektrischen Potenzials an die
elektrisch leitfähige Schicht (203) ; und
· Ausbilden wenigstens einer organischen, funktionellen
Schicht (210) zum Bilden des organischen Bauelements auf oder über der elektrisch leitfähigen Schicht (203) zumindest teilweise während des Anlegens des elektrischen Potenzials an die elektrisch leitfähige Schicht (203) .
2. Verfahren gemäß Anspruch 1,
wobei bei dem Anlegen des elektrischen Potenzials , die elektrisch leitfähige Schicht (203) geerdet wird .
3, Verfahren gemäß Anspruch 1 oder 2, ferner aufweisend :
Ausbilden einer ersten Elektrode (312) und
Ausbilden einer zweiten Elektrode (314) ;
wobei die wenigstens eine organische, funktionelle Schicht (210) zwischen der ersten Elektrode (312 ) und der zweiten Elektrode (314) ausgebildet wird.
4. Verfahren gemäß Anspruch 3 ,
wobei die elektrisch leitfähige Schicht (203) als Teil der ersten Elektrode (312) ausgebildet wird oder die erste Elektrode (312) bildet oder als Teil der zweiten Elektrode (312 ) ausgebildet wird oder die zweite
Elektrode (312) bildet. 5. Verfahren gemäß Anspruch 3 oder 4, wobei die erste Elektrode (312 ) und/oder die zweite
Elektrode (314) transparent oder transluzent ausgebildet werden/wird .
Verfahren gemäß einem der Ansprüche 3 bis 5, ferner aufweisend:
Ausbilden einer Verkapselung (318) auf oder über der zweiten Elektrode (314) ,
Verfahren gemäß Anspruch 6, ferner aufweisend:
wobei die Verkapselung (318) aus einem Metall gebildet wird oder die Verkapselung (318) derart ausgebildet wird, dass sie ein Metall aufweist.
Verfahren gemäß Anspruch 6 oder 7 ,
wobei wenigstens teilweise während des Ausbildens der ersten Elektrode (312 ) , der zweiten Elektrode (314 ) und/oder der Verkapselung (318) ein elektrisches
Potenzial an die elektrisch leitfähige Schicht (203) angelegt wird.
Verfahren gemäß einem der Ansprüche 6 bis 8 , ferner aufweisend:
• Bereitstellen eines Abdecksubstrats (420) ;
• Ausbilden einer weiteren elektrisch leitfähigen
Schicht auf dem Abdecksubstrat (420) ;
• Anlegen eines elektrischen Potenzials an die weitere elektrisch leitf hige Schicht ;
• Ausbilden einer Haftmittelschicht (422 ) auf oder über dem Abdecksubstrat (420 ) zumindest teilweise während des Anlegens des elektrischen Potenzials an die weitere elektrisch leitf hige Schicht ; und
• Verbinden des Trägersubstrats (202) mit dem
Abdecksubstrat (420 ) mittels der Haftmittelschicht (422) .
10. Verfahren gemäß Anspruch 9, wobei das Verbinden des Trägersubstrats (202) mit dem Abdecksubstrat (420) ein Stoffschlüssiges Verbinden der Haftmittelschicht (422) mit der Verkapselung (318) aufweist ,
11. Verfahren gemäß Anspruch 9 oder 10,
wobei das Ausbilden der Haftmittelschicht (422) ein Beimengen eines elektrisch leitfähigen Materials in die Haftmittelschicht (422) aufweist.
12. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 11,
wobei auf dem Trägersubstrat (202) und neben dem
organischen Bauelement wenigstens ein weiteres
organisches Bauelement ausgebildet wird,
13. Verfahren gemäß Anspruch 12,
wobei das organische Bauelement und das wenigstens eine weitere organische Bauelement mittels der elektrisch leitfähigen Schicht (203) elektrisch leitend miteinander verbunden werden.
14. Verfahren gemäß Anspruch 12 oder 13, ferner aufweisend:
Separieren des organischen Bauelements von dem
wenigstens einen weiteren organischen Bauelement mittels Durchtrennens des Trägersubstrats (202) zwischen dem organischen Bauelement und dem wenigstens einen weiteren organischen Bauelement.
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