WO2016113243A1 - Optoelektronisches bauelement - Google Patents

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WO2016113243A1
WO2016113243A1 PCT/EP2016/050440 EP2016050440W WO2016113243A1 WO 2016113243 A1 WO2016113243 A1 WO 2016113243A1 EP 2016050440 W EP2016050440 W EP 2016050440W WO 2016113243 A1 WO2016113243 A1 WO 2016113243A1
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reflector
optoelectronic component
optoelectronic
semiconductor chip
longitudinal end
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Michael Hirmer
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Osram Opto Semiconductors GmbH
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Definitions

  • Optoelectronic component The present invention relates to an optoelectronic component according to claim 1.
  • Optoelectronic components for example light-emitting diode components
  • Optoelectronic components are known from the prior art. It is known to equip optoelectronic components with optical elements which are intended to shape the spatial distribution of the light emitted by the optoelectronic component. For example, it is known to equip optoelectronic components with converging lenses which focus the light emitted by the optoelectronic component into a spatial region.
  • An object of the present invention is to provide an optoelectronic device. This object is achieved by an optoelectronic component having the features of claim 1. In the dependent claims various developments are given.
  • An optoelectronic component comprises an optoelectronic ⁇ African semiconductor chip having a radiation emission surface.
  • the optoelectronic component additionally comprises a reflector for bundling light emitted by the optoelectronic semiconductor chip.
  • the reflector comprises a first partial reflector having a first main emission direction and a second partial reflector having a second main emission direction.
  • the first main emission direction and the second main emission direction each extend from a first longitudinal end of the reflector to a second longitudinal emission direction. end of the reflector.
  • the first main emission direction and the second main emission direction are arranged at an angle to one another.
  • this optoelectronic ⁇ construction element allows simultaneous lighting of two mutually abstandeter loading space or area regions.
  • one of the room or area regions is illuminated by steered by the first partial reflector of the optoelectronic component in the first Hauptab- beam direction of light while the other room or area be ⁇ is lit by steered by the second partial reflector in the second main emission direction of light.
  • both the light guided in the first main emission direction and also in the second main emission direction originates from the optoelectronic semiconductor chip of the optoelectronic component. This ensures that the first space or area, and the second room or area to be illuminated with a fixed and substantially constant intensity ratio at ⁇ play, with about the same intensity.
  • the ratio of the intensity with which the first space or surface area is illuminated, the intensity with which the second space or surface area is illuminated, changes thereby vorteilhaf ⁇ ingly also the intensity of the opto ⁇ electronic semiconductor chip of the optoelectronic on change Component emitted light not.
  • a space or area area located between the first space or surface area and the second space or area area can be illuminated by the optoelectronic component with a lower intensity than the first space or area area and the second area or area area. This has the optoelectronic component before ⁇ geous enough, a high efficiency when only one lighting of the first space or surface area and the second room or area region is required.
  • the comprehensive the first partial reflector and the second partial reflector reflector this optoelectronic component simultaneously causes a division of the light emitted by the optoelectronic semiconductor chip of the optoelectronic component light into two light beams, and a beam ⁇ modeling of the two light beams.
  • This dual function of the reflector of the optoelectronic component will he ⁇ enables to form the optoelectronic component with only a small number of individual components, whereby the optoelectronic component have a low complexity and ei ⁇ NEN small footprint and be produced in a simple and inexpensive manner can.
  • the reflector widens from the first longitudinal end to the second longitudinal end.
  • the reflector can thereby effect a bundling of light emitted by the optoelectronic semiconductor chip.
  • the first subreflector and the second subreflector respectively from the first longitudinal end of the reflector on the two wide ⁇ th longitudinal end of the reflector.
  • the two partial reflectors can thereby each cause a bundling of a partial beam generated from the light emitted by the optoelectronic semiconductor chip.
  • a first subvolume enclosed by the first subreflector and a second subvolume enclosed by the second subreflector are connected continuously between the first longitudinal end of the reflector and the second longitudinal end of the reflector.
  • the reflector of the optoelectronic component is thereby particularly easy to produce.
  • the radiation-emitting surface of the optoelectronic semiconductor chip is orien advantage ⁇ to the second longitudinal end of the reflector. This makes it possible, for example, to design the optoelectronic component as a toplooker component.
  • the radiation emission surface of the optoelectronic semiconductor chip is oriented to form a reflective wall of the reflector. This makes it possible to design the optoelectronic component as a sidelooker component.
  • the first main emission direction and the second main emission direction are oriented parallel to the radiation emission surface of the optoelectronic semiconductor chip.
  • the optoelectron ⁇ ronic component can be formed, for example, as Sidelooker- device. Reflecting walls of the first partial reflector and of the second partial reflector are each formed by parts of rotational paraboloids. As a result, the first reflector and the second partial reflector of the reflector of the opto ⁇ electronic component advantageously each allow a generation of light bundles whose partial beams are oriented substantially parallel.
  • Partial reflector and spaced from a focal point of the second sectionre ⁇ reflector are spaced from a focal point of the second Operare ⁇ reflector.
  • the first partial reflector and the second partial reflector of the reflector of the optoelectronic component thereby cause particularly effective beam shaping.
  • the reflector is designed as a concave mirror.
  • ⁇ this allows a simple production of the reflector ⁇ sector.
  • the reflector designed as a concave mirror can have a high reflectivity, resulting in a high efficiency of the optoelectronic component.
  • the reflector is formed as a cavity in a housing of the optoelectronic component.
  • the reflector is formed as a cavity in a housing of the optoelectronic component.
  • the housing is designed as an injection-molded circuit carrier. This advantageously allows a simple and cost-effective manufacture of the optoelectronic component and allows for the housing of the optoelectronic Bauele ⁇ ments with complex geometry.
  • the reflector is designed as a total reflection lens. Before ⁇ geous enough, the reflector thereby has a particularly high reflectivity, whereby the optoelectronic component can have a high efficiency.
  • a mounting surface of the optoelectronic component is not oriented parallel to the radiation emission surface of the optoelectronic semiconductor chip.
  • the first main emission direction of the first partial reflector and the second main emission direction of the second partial reflector may be arranged in a plane which is neither alet paral lel ⁇ perpendicular nor to the mounting surface of the optoelectronic component ori.
  • the optoelectronic component is then designed to emit light in an oblique direction relative to the mounting surface.
  • FIG. 1 shows a perspective view of a first embodiment of a reflector
  • FIG. 2 is a perspective view of a first opto ⁇ electronic device
  • FIG. 3 shows an irradiation intensity diagram
  • Figure 4 is a perspective view of a second opto ⁇ electronic device
  • Figure 5 is a perspective view of a second Austre ⁇ tion form of a reflector
  • Figure 6 is a plan view of a third optoelectronic
  • Figure 7 is a perspective view of a third Ausry ⁇ tion form of a reflector.
  • FIG. 8 shows a perspective view of a fourth optoelectronic component.
  • FIG. 1 shows a schematic perspective view of a reflector 100.
  • Figure 2 shows a schematic representation of a first-perspective per ⁇ optoelectronic construction elements 10 having the reflector 100th
  • the first opto ⁇ electronic component 10 is adapted to electromagnetic radiation ⁇ , for example, visible light or ⁇ rich to emit light with a wavelength in the infrared areas of the spectrum.
  • the first optoelectronic Bauele ⁇ ment 10 can be for example a light-emitting device (LED) device.
  • the first optoelectronic component 10 is designed to illuminate two spaced apart spatial or surface areas.
  • the first optoelectronic component 10 has a Ge ⁇ housing 500th
  • the housing 500 may comprise, for example, a synthetic material, for example an epoxy resin.
  • the housing 500 may be formed, for example, by a molding process
  • Mold in particular for example by transfer molding (transfer molding) or by injection molding (injection molding).
  • the housing 500 of the first optoelectronic component 10 has an upper side 501 and a lower side 502 opposite the upper side 501.
  • the bottom 502 of the Ge ⁇ koruses 500 forms a mounting surface 530 of the first opto-electronic device 10.
  • the mounting surface 530 can be disposed at ⁇ game instance on a printed circuit board or other scarf ⁇ tung carrier.
  • electrical contact surfaces of the first optoelectronic component 10 may be arranged.
  • the first opto electro ⁇ African component 10 can be provided for example as an SMD for surface mounting, for example, for surface mounting by reflow soldering (reflow soldering).
  • the housing 500 of the first optoelectronic component 10 has a cavity 510.
  • the cavity 510 forms a depression, which he stretches ⁇ at the upper side 501 of the housing 500 into the housing 500 into it.
  • a reflective wall 130 of the cavity 510 bil ⁇ det the reflector 100.
  • the reflector 100 is so formed as a concave mirror 520th
  • the reflective wall 130 of the Cavity 510 may have an optically highly reflective coating, for example a metallic coating. Al ternatively ⁇ also the material of the housing 500 may have sufficient reflectivity itself.
  • the reflector 100 has a first longitudinal end 101 and a second longitudinal end 102.
  • the first longitudinal end 101 is formed by the bottom portion of the cavity 510 of the housing 500.
  • the second longitudinal end 102 of the reflector 100 is formed by the opening of the cavity 510 on the top 501 of the housing 500.
  • the reflector 100 expands from its first longitudinal end 101 to its second longitudinal end 102.
  • the reflector 100 comprises a first partial reflector 200 and a second partial reflector 300.
  • the first partial reflector 200 has a first main emission direction 210.
  • the second partial reflector 300 has a second main emission direction 310.
  • Main emission 310 each extend from the first longitudinal end 101 of the reflector 100 to the second longitudinal end 102 of the reflector 100.
  • the first Hauptabstrahlrich ⁇ tung 210 and the second main emission direction 310 are not parallel-oriented, but enclose an angle 110 which is greater than 0 ° is.
  • the first partial reflector 200 widens from the first longitudinal end 101 of the reflector 100 to the second longitudinal end 102 of the reflector ⁇ sector 100.
  • the second partial reflector 300 also widens from the first longitudinal end 101 of the reflector 100 in the direction of the second longitudinal end 102 of the reflector 100.
  • the first partial reflector 200 has a reflecting Wan ⁇ extension 230, which is formed by a first part of the reflecting wall of the reflector 130 100th
  • the second partial reflector 300 has a reflective wall 330, which is formed by a second part of the reflective wall 130 of the reflector 100.
  • the reflector 100 has an enclosed volume 120 which is bounded by the reflective wall 130 of the reflector 100 and extends from the first longitudinal end 101 of the reflectors ⁇ gate 100 to the second longitudinal end 102 of the reflector 100 ER- stretched.
  • the enclosed volume 120 of the reflector 100 includes a first subvolume 220 enclosed by the first subreflector 200 and a second subvolume 320 enclosed by the second subreflector 300. In this case, the first partial volume 220 and the second partial volume 320 of the enclosed volume 120 between the first longitudinal end 101 and the second longitudinal end 102 of the reflector 100 are continuous.
  • the reflective wall 230 of the first subreflector 200 forms part of a first paraboloid of revolution.
  • the Sym ⁇ metrieachse of the first paraboloid of revolution forming the first main emission direction 210 of the first partial reflector 200.
  • the reflective wall 330 of the second part of the reflector 300 forms a part of a second paraboloid of revolution.
  • the axis of symmetry of the second paraboloid of revolution forms the second main emission direction 310 of the second subreflector 300.
  • the two paraboloidal parabolas are arranged such that they partially overlap each other and their axes of symmetry enclose the angle 110.
  • the switch closed by the reflector 100 volumes 120 forms the union of the area enclosed by the two paraboloids of revolution Volu ⁇ mina.
  • the reflective wall 130 of the reflector 100 is formed by the lateral surface of this union. It is also possible, however, the reflective Wan ⁇ extension 230 of the first part of the reflector 200 and / or the reflectors ⁇ animal end wall 330 of the second partial reflector 300 with walls ⁇ rer form than the form of portions of paraboloids of revolution.
  • the reflective walls 230, 330 of the partial reflectors 200, 300 of the reflector 100 may be spherical, conical or any desired free-form surfaces.
  • the first optoelectronic component 10 has an opto ⁇ electronic semiconductor chip 400.
  • the optoelectronic semiconductor chip 400 is designed to emit electromagnetic radiation, for example visible light or light having a wavelength from the infrared spectral range.
  • the optoelectronic semiconductor chip 400 may, for example, be a light-emitting diode chip (LED chip).
  • the optoelectronic semiconductor chip 400 has a Strahlungsemissi ⁇ ons Design 410th During operation of the optoelectronic semiconductor chip 400, electromagnetic radiation is applied to the
  • Radiation emission surface 410 of the optoelectronic half ⁇ conductor chip 400 emits.
  • the optoelectronic semiconductor chip 400 is ty in the Kavi- 510 of the housing 500 of the first optoelectronic ⁇ construction elements 10 are arranged.
  • the Strahlungsemissionsflä ⁇ surface 410 of the optoelectronic semiconductor chip 400 is ten to two ⁇ longitudinal end 102 of the reflector 100 oriented.
  • the reflector 100 of the first optoelectronic component 10 is intended to bundle the light emitted by the optoelectronic semiconductor chip 400 and to divide it into two sub-beams.
  • the optoelectronic semiconductor chip 400 is arranged in the cavity 510 of the housing 500, that a focal point 240 of the first Operareflek ⁇ gate 200 and a focal point 340 of the second Operareflek ⁇ gate 300 of the first optoelectronic component 10 mög ⁇ as near to the radiation emitting surface 410 of the opto ⁇ electronic semiconductor chip 400 are.
  • the optoelectronic semiconductor chip 400 may be arranged in the cavity 510 of the housing 500 such that a
  • Point 411 of the radiation emission surface 410 of the optoelectronic ⁇ African semiconductor chip 400 by less than the edge length of the radiation emission surface 410 from the focal point 240 of the first subreflector 200 and from the focal point 340 of the second subreflector 300 is spaced.
  • light emitted from the optoelectronic semiconductor chip 400 becomes light divided by the first partial reflector 200 and the second partial reflector 300 of the reflector 100 of the first optoelectronic component 10 into two light beams which are emitted in the first main emission direction 210 and in the second main emission direction 310.
  • the presence of only one optoelectronic semiconductor chip 400 in the first optoelectronic component 10 and the division of the light emitted by the only one optoelectronic semiconductor chip 400 into two subbeams by the reflector 100 offers the advantage that the two subbeams can have a high degree of homogeneity. Between the two sub-beams, a darker area can form, which can result in a high contrast.
  • FIG. 3 shows a schematic representation of an irradiation intensity diagram 700, which indicates an irradiation intensity in a plane illuminated by the first optoelectronic component 10, which is oriented parallel to the mounting surface 530 of the housing 500 of the first optoelectronic component 10 and in the direction of the first main emission direction 210 and the second main radiation direction 310 is arranged above the upper side 501 of the housing 500 of the first optoelectronic component 10.
  • a first spatial direction 701 of the BL LEVEL ⁇ therefrom by the first opto-electronic device 10 plane is oriented parallel to a plane in which the first main emission direction 210 and the second beam direction are disposed Hauptab ⁇ 310th
  • a second spatial processing Rich ⁇ 702 of the illuminated by the first opto-electronic device 10 plane is oriented perpendicular to the first direction in space 701.
  • the irradiation intensity diagram 700 shows a first intensity maximum 710 and a second intensity maximum 720, which is at a distance from the first intensity maximum 710 and which is shifted in the first spatial direction 701 against the first intensity maximum 710.
  • the first intensity maximum 710 is caused by the light beam generated by the first partial reflector 200 of the first optoelectronic component 10.
  • the second intensity maximum 720 is generated by the light beam which is emitted by the second partial reflector 300 of the first optoelectronic component 10.
  • the mounting surface 530 is oriented at the bottom 502 of the housing 500 paral lel ⁇ to the radiation emitting surface 410 of the optoelectronic semiconductor chip 400th
  • a plane in which the first main radiation direction 210 of the first partial reflector 200 and the second main radiation direction 310 of the second partial reflector 300 are arranged is oriented perpendicular to the mounting surface 530.
  • the first intensity peak 710 and the second intensity peak 720 in the Bestrahlungsintensi- are tuschsdiagramm 700 centered about a point 530 perpendicular direction to a center of the opening of the cavity 510 at the top 501 of the Genzou ⁇ ses 500 can be projected in to the mounting surface ,
  • the first optoelectronic component 10 thus forms a top-looker component.
  • the mounting surface 530 on the underside 502 of the housing 500 of the first optoelectronic component 10 it is possible to arrange the mounting surface 530 on the underside 502 of the housing 500 of the first optoelectronic component 10 differently than parallel to the radiation emission surface 410 of the optoelectronic semiconductor chip 400 and / or other than perpendicular to the plane comprising the first main emission direction 210 and the second main emission direction 310. Can thereby be achieved that the first Intensi ⁇ tuschsmaximum 710 and the second maximum intensity are shifted 720 in the irradiation intensity graph 700 in the first direction in space 701 and / or in the second spatial direction 702 towards the center.
  • FIG. 4 shows a schematic perspective view of a second optoelectronic component 20.
  • the second optoelectronic component 20 has great correspondences with the first optoelectronic component 10.
  • Corresponding components are in the representation of the first Optoelectronic component 10 in Figure 2 and in the representation of the second optoelectronic component 20 in Figure 4 provided with the same reference numerals. In the following, only the differences between the second optoelectronic component 20 and the first optoelectronic component 10 will be described.
  • the housing 500 of the second optoelectronic component 20 is designed as an injection-molded circuit carrier (Molded Interconnect Device; MID).
  • the housing 500 comprises a plastic material and on surfaces of the housing 500 is arranged ⁇ metallizations.
  • a first metallization extends over the reflective wall 130 and the Bo ⁇ den Scheme the cavity 510 and forms a first card contacts 540.
  • a first electrical contact surface of which is arranged at the bottom ⁇ region of the cavity 510 optoelectronic semiconductor chip 400 is electrically connected to the first Contact area 540 forming metallization connected.
  • a distance from the first contact region 540 and electrically insulated against the first contact portion 540 further metallization on the surface of the housing 500 forms a second contact portion 550.
  • a second electrical contact ⁇ surface of the optoelectronic semiconductor chip 400 is electrically connected to the second Kon by means of a bonding wire 560 - connected to the 550 clock range.
  • the metallization forming the first contact region 540 can also serve to increase the reflectivity of the reflecting wall 130 in the region of the reflective wall 130 of the cavity 510.
  • the ERS ⁇ th contact region 540 and the second contact region 550 forming metallizations can form electrical solder contact pads of the second optoelectronic component 20th
  • housing 500 of the second optoelectronic component 20 a substantially cuboid basic shape.
  • housing 500 can be formed with two to ei ⁇ Nander opposite sides of the housing 500 auskragen- the webs carrying electrical LötWalletflä ⁇ surfaces of the second optoelectronic component 20th
  • the cantilevered webs may serve to secure the second opto ⁇ electronic component 20 in partially sunk arrangement in an opening of a printed circuit board.
  • the mounting surface 530 on another than the underside 502 of the housing 500.
  • the mounting surface 530 could be excluded in a direction perpendicular to the Un ⁇ underside 502 side surface of the housing 500 may be formed.
  • the second optoelectronic ⁇ cal component 20 constitutes a sidelooker device.
  • FIG. 5 shows a schematic perspective illustration of a reflector 1100 according to a second embodiment.
  • FIG. 6 shows a schematic view of a third opto ⁇ electronic component 30, which encompasses the reflector 1100.
  • the reflector 1100 has large matches with the reflector 100 of FIG.
  • the third optoelectronic component 30 has great similarities with the first optoelectronic component 10 of FIG.
  • Corresponding components are provided in Figures 5 and 6 with the same reference numerals as in the preceding figures. In the following, only the differing properties of the reflector 1100 and of the third optoelectronic component 30 will be described.
  • the cavity 510 is not open to the upper ⁇ side 501, but to a front 503, which extends between the top 501 and the bottom 502 of the housing 500.
  • the cavity 510 extends from the front 503 of the housing 500 into the housing 500 toward a ⁇ .
  • the extension direction of the cavity 510 within the Housing 500 is rotated at the reflector 1100 relative to the reflector 100 by 90 °.
  • the reflective wall 130 of the cavity 510 forms the reflector 1100.
  • the second longitudinal ⁇ end 102 of the reflector 1100 is formed at the opening of the cavity 510 to the front 503 of the housing 500th
  • the reflector 1100 includes a first partial reflector 1200 and a second partial reflector 1300.
  • the first main emission direction 210 of the first part of the reflector 1200 and the second main emission direction 310 of the second part of the reflector 1300 each extend from the first longitudinal end 101 of the reflector 1100 for the second longitudinal end 102 of the reflectors ⁇ tors 1100
  • the first main emission direction 210 and the second main emission direction 220 again include the angle 110.
  • the cavity 510 of the housing 500 of the third optoelectronic ⁇ rule component 30 is additionally opened to the bottom 502 of the housing 500th
  • the volume 120 enclosed by the reflector 1100 thereby has a shape which can be formed by cutting the volume 120 enclosed by the reflector 100 of the first optoelectronic component 10 at a plane which is parallel to a plane which the first main radiation direction 210 and the second main radiation direction 310 of the reflector 100 of the first optoelectronic component 10.
  • This sectional plane forms the underside 502 in the housing 500 of the third opto ⁇ electronic component 30.
  • the optoelectronic semiconductor chip 400 of the third opto ⁇ electronic component 30 is arranged so that the radiation emission surface 410 of the optoelectronic semiconductor ⁇ chip 400 to the reflective wall 130 of the Re ⁇ reflector 1100 oriented.
  • the first main radiation direction 210 of the first partial reflector 1200 and the second main radiation direction 220 of the second partial reflector 1300 of the reflector 1100 of the third optoelectronic are Device 30 oriented parallel to the radiation emission surface 410 of the optoelectronic semiconductor chip 400.
  • ordered so arrival 400 causes the focal point 240 of the first Operareflek ⁇ gate 1200 and the focal point 340 of the second Operareflek ⁇ gate 1300 as close as possible to the radiation emitting surface 410 of the optoelectronic semiconductor chip 400 of the optoelectronic semiconductor chip.
  • 400 may be arranged, for example of the optoelectronic semiconductor chip that a point 411 of the Strahlungsemissi ⁇ ons Structure 410 of the optoelectronic semiconductor chip 400 by less than the edge length of the radiation emission surface 410 of the focal point 240 of the first part of the reflector 1200 and from the focal point 340 of the second part of the reflector 1300 beab - is standing.
  • the reflector 1100 of the third optoelectronic component 30 serves to bundle electromagnetic radiation emitted by the optoelectronic semiconductor chip 400 and to split it into two sub-beams. This is done at least in part by reflection of the electromagnetic radiation emitted by the optoelectronic semiconductor chip 400 on the reflective wall 230 of the first partial reflector 1200 and on the reflective wall 330 of the second partial reflector 1300.
  • the electromagnetic radiation produced by the reflector 1100 of the third optoelectronic component 30 and into the first The main emission direction 210 and partial beams emitted into the second main emission direction 310 generate two spaced-apart intensity maxima in a spatial area illuminated by the third optoelectronic component 30.
  • the mounting surface 530 of the third optoelectronic component 30 formed on the underside 502 of the housing 500 of the third opto ⁇ electronic component 30 is parallel to the Strahlungsemissionsflä ⁇ surface 410 of the optoelectronic semiconductor chip 400 and paral ⁇ lel to one the first main radiation 210 and the second main emission direction 310 comprehensive level.
  • the third optoelectronic component 30 forms a sidelooker component.
  • FIG. 7 shows a schematic perspective view of a reflector 2100 according to a third embodiment.
  • FIG. 8 shows a schematic perspective illustration of a fourth optoelectronic component 40, which comprises the reflector 2100.
  • the fourth optoelectronic Bauele ⁇ ment 40 has great structural and functional About once ⁇ immunogen with the first optoelectronic component tenth
  • Corresponding components are designated in Figures 7 and 8 with the ⁇ same reference numerals as in Figures 1 and 2.
  • the reflector 2100 is not formed as a concave mirror, but as To ⁇ talreflexionslinse 600.
  • the formed as a total reflection lens 600 ⁇ reflector 2100 has a solid body with a geometry corresponding to the geometry of the by the reflecting wall 130 of the reflector 100 Lucas- closed volume 120 of the reflector 100th
  • the total reflection lens 600 designed as reflectors ⁇ gate 2100 to an optically transparent material, ⁇ example, a glass or an optically transparent plastic.
  • the reflective wall 130 is formed by an externa ⁇ ßere lateral surface of the solid body.
  • current electromagnetic radiation ⁇ ment can be totally reflected on the reflective wall 130 of the reflector 2100.
  • electromagnetic radiation can emerge from the reflector 2100.
  • the reflector 2100 comprises a first partial reflector 2200 and a second partial reflector 2300.
  • the first partial reflector 2200 is formed like the first partial volume 220 of the first partial reflector 200 of the first optoelectronic component 10.
  • the second partial reflector 2300 is formed like the second partial volume 320 of the second partial reflector 300 the first optoelectronic component 10.
  • the reflector 2100 is used to concentrate electromagnetic radiation emitted by the optoelectronic semiconductor chip 400 of the fourth optoelectronic component 40, and divided into two sub-beams, which in the first Hauptab ⁇ beam direction 210 of the first part of the reflector 2200 and are radiated to the second main radiation direction 310 of the second partial reflector 2300 of the reflector 2100 of the fourth optoelectronic component 40.
  • the formed as a total reflection lens 600 reflector 2100 is disposed in the fourth optoelectronic component 40 so the radiation emitting surface 410 of the optoelectronic semiconductor chip 400, that the radiation emission ⁇ surface 410 of the optoelectronic semiconductor chip 400 is oriented towards the second longitudinal end 102 of the reflector 2100th
  • 400 arranged as close as possible to the combustion ⁇ points 240, 340 of the first part of the reflector 2200 and the two ⁇ th partial reflector 2300, the radiation-emitting surface 410 of the optoelekt ⁇ tronic semiconductor chips.
  • a point 411 of the radiation emission surface 410 of the optoelectronic semiconductor chip 400 can be spaced less than the edge length of the radiation emission surface 410 from the focal points 240, 340 of the partial reflectors 2200, 2300 of the fourth optoelectronic component 40.
  • the mounting surface 530 of the fourth optoelectronic Bauele ⁇ element 40 is parallel to the radiation emitting surface 410 of the optoelectronic semiconductor chip 400 and perpendicular to the plane in which the first main emission direction 210 of the first part of the reflector 2200 and the second Kleinabstrahl ⁇ direction 310 of the second partial reflector are arranged 2300th
  • the fourth optoelectronic component 40 forms a toplooker component.
  • the mounting surface 530 of the fourth opto ⁇ electronic component 40 with respect to the Strahlungsemissi- ons Chemistry 410 of the optoelectronic semiconductor chip 400 and / or with respect to the plane in which the first Kleinabstrahlraum 210 and the second Schoabstrahlraum 310 of the partial reflectors 2200, 2300 of the reflector 2100th are arranged to tilt in order to laterally displace the positions of the intensity maxima generated by the fourth optoelectronic component 40.
  • this is designed as a total reflection lens whose solid body has the shape of the volume 120 enclosed by the reflector 1100.
  • This reflector can be found in a constructed as sidelooker device optoelectrochemical ⁇ African device use, wherein the radiation ⁇ emitting surface 410 of the optoelectronic semiconductor chips 400 is oriented to the reflective wall 130 of the reflector.

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Abstract

Ein optoelektronisches Bauelement (10) umfasst einen optoelektronischen Halbleiterchip (400), der eine Strahlungsemissionsfläche (410) aufweist, und einen Reflektor (100) zur Bündelung von durch den optoelektronischen Halbleiterchip (400) emittiertem Licht. Der Reflektor (100) umfasst einen ersten Teilreflektor (200) mit einer ersten Hauptabstrahlrichtung (210) und einen zweiten Teilreflektor (300) mit einer zweiten Hauptabstrahlrichtung (310). Die erste Hauptabstrahlrichtung (210) und die zweite Hauptabstrahlrichtung (310) erstrecken sich jeweils von einem ersten Längsende (101) des Reflektors zu einem zweiten Längsende (102) des Reflektors. Dabei sind die erste Hauptabstrahlrichtung (210) und die zweite Hauptabstrahlrichtung (310) unter einem Winkel (110) zueinander angeordnet.

Description

Beschreibung
Optoelektronisches Bauelement Die vorliegende Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauelement gemäß Patentanspruch 1.
Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung DE 10 2015 100 328.7, deren Offenbarungsge- halt hiermit durch Bezugnahme aufgenommen wird.
Optoelektronische Bauelemente, beispielsweise Leuchtdioden- Bauelemente, sind aus dem Stand der Technik bekannt. Es ist bekannt, optoelektronische Bauelemente mit optischen Elemen- ten auszustatten, die dazu vorgesehen sind, die räumliche Verteilung des von dem optoelektronischen Bauelement abgestrahlten Lichts zu formen. Beispielsweise ist es bekannt, optoelektronische Bauelemente mit Sammellinsen auszustatten, die das von dem optoelektronischen Bauelement abgestrahlte Licht in einen Raumbereich fokussieren.
Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein optoelektronisches Bauelement bereitzustellen. Diese Aufgabe wird durch ein optoelektronisches Bauelement mit den Merkma- len des Anspruchs 1 gelöst. In den abhängigen Ansprüchen sind verschiedene Weiterbildungen angegeben.
Ein optoelektronisches Bauelement umfasst einen optoelektro¬ nischen Halbleiterchip, der eine Strahlungsemissionsfläche aufweist. Das optoelektronische Bauelement umfasst außerdem einen Reflektor zur Bündelung von durch den optoelektronischen Halbleiterchip emittiertem Licht. Der Reflektor umfasst einen ersten Teilreflektor mit einer ersten Hauptabstrahlrichtung und einen zweiten Teilreflektor mit einer zweiten Hauptabstrahlrichtung. Die erste Hauptabstrahlrichtung und die zweite Hauptabstrahlrichtung erstrecken sich jeweils von einem ersten Längsende des Reflektors zu einem zweiten Längs- ende des Reflektors. Dabei sind die erste Hauptabstrahlrich¬ tung und die zweite Hauptabstrahlrichtung unter einem Winkel zueinander angeordnet. Vorteilhafterweise ermöglicht dieses optoelektronische Bau¬ element eine gleichzeitige Beleuchtung zweier voneinander be- abstandeter Raum- oder Flächenbereiche. Dabei wird einer der Raum- oder Flächenbereiche durch durch den ersten Teilreflektor des optoelektronischen Bauelements in die erste Hauptab- Strahlrichtung gelenktes Licht beleuchtet, während der andere Raum- oder Flächenbereich durch durch den zweiten Teilreflektor in die zweite Hauptabstrahlrichtung gelenktes Licht be¬ leuchtet wird. Dabei stammt sowohl das in die erste Hauptabstrahlrichtung als auch das in die zweite Hauptabstrahlrichtung gelenkte Licht von dem optoelektronischen Halbleiterchip des optoelektronischen Bauelements. Hierdurch ist sichergestellt, dass der erste Raum- oder Flächenbereich und der zweite Raum- oder Flächenbereich mit einem festen und im Wesentlichen unveränderlichen Intensitätsverhältnis beleuchtet werden, bei¬ spielsweise mit etwa gleicher Intensität. Das Verhältnis der Intensität, mit der der erste Raum- oder Flächenbereich beleuchtet wird, zur Intensität, mit der der zweite Raum- oder Flächenbereich beleuchtet wird, ändert sich dabei vorteilhaf¬ terweise auch bei Änderung der Intensität des durch den opto¬ elektronischen Halbleiterchip des optoelektronischen Bauelements emittierten Lichts nicht. Ein zwischen dem ersten Raum- oder Flächenbereich und dem zweiten Raum- oder Flächenbereich befindlicher Raum- oder Flächenbereich kann durch das optoelektronische Bauelement mit geringerer Intensität beleuchtet werden als der erste Raum- oder Flächenbereich und der zweite Raum- oder Flächen- bereich. Dadurch weist das optoelektronische Bauelement vor¬ teilhafterweise eine hohe Effizienz auf, wenn lediglich eine Beleuchtung des ersten Raum- oder Flächenbereichs und des zweiten Raum- oder Flächenbereichs erforderlich ist. Der den ersten Teilreflektor und den zweiten Teilreflektor umfassende Reflektor dieses optoelektronischen Bauelements bewirkt gleichzeitig eine Aufteilung des durch den optoelekt- ronischen Halbleiterchip des optoelektronischen Bauelements emittierten Lichts in zwei Lichtbündel, als auch eine Strahl¬ formung der beiden Lichtbündel. Durch diese Doppelfunktion des Reflektors des optoelektronischen Bauelements wird es er¬ möglicht, das optoelektronische Bauelement mit einer nur ge- ringen Zahl einzelner Komponenten auszubilden, wodurch das optoelektronische Bauelement eine geringe Komplexität und ei¬ nen geringen Platzbedarf aufweisen und auf einfache und kostengünstige Weise herstellbar sein kann. In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements weitet sich der Reflektor vom ersten Längsende zum zweiten Längsende auf. Vorteilhafterweise kann der Reflektor dadurch eine Bündelung von durch den optoelektronischen Halbleiterchip emittiertem Licht bewirken.
In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements weiten sich der erste Teilreflektor und der zweite Teilreflektor jeweils vom ersten Längsende des Reflektors zum zwei¬ ten Längsende des Reflektors auf. Vorteilhafterweise können die beiden Teilreflektoren dadurch jeweils eine Bündelung eines aus dem durch den optoelektronischen Halbleiterchip emittiertem Licht erzeugten Teilstrahls bewirken.
In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements sind ein von dem ersten Teilreflektor eingeschlossenes erstes Teilvolumen und ein von dem zweiten Teilreflektor eingeschlossenes zweites Teilvolumen zwischen dem ersten Längsende des Reflektors und dem zweiten Längsende des Reflektors durchgängig verbunden. Vorteilhafterweise ist der Reflektor des optoelektronischen Bauelements dadurch besonders einfach herstellbar . In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements ist die Strahlungsemissionsfläche des optoelektronischen Halbleiterchips zum zweiten Längsende des Reflektors orien¬ tiert. Dies ermöglicht es beispielsweise, das optoelektroni- sehe Bauelement als Toplooker-Bauelement auszubilden.
In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements ist die Strahlungsemissionsfläche des optoelektronischen Halbleiterchips zu einer reflektierenden Wandung des Reflek- tors orientiert. Dies ermöglicht es, das optoelektronische Bauelement als Sidelooker-Bauelement auszubilden.
In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements sind die erste Hauptabstrahlrichtung und die zweite Hauptab- Strahlrichtung parallel zur Strahlungsemissionsfläche des optoelektronischen Halbleiterchips orientiert. Das optoelekt¬ ronische Bauelement kann dabei beispielsweise als Sidelooker- Bauelement ausgebildet sein. Reflektierende Wandungen des ersten Teilreflektors und des zweiten Teilreflektors sind jeweils durch Teile von Rotati- onsparaboloiden gebildet. Dadurch ermöglichen der erste Reflektor und der zweite Teilreflektor des Reflektors des opto¬ elektronischen Bauelements vorteilhafterweise jeweils eine Erzeugung von Lichtbündeln, deren Teilstrahlen im Wesentlichen parallel orientiert sind.
Ein Punkt der Strahlungsemissionsfläche des optoelektroni¬ schen Halbleiterchips ist um weniger als die Kantenlänge der Strahlungsemissionsfläche von einem Brennpunkt des ersten
Teilreflektors und von einem Brennpunkt des zweiten Teilre¬ flektors beabstandet. Vorteilhafterweise können der erste Teilreflektor und der zweite Teilreflektor des Reflektors des optoelektronischen Bauelements dadurch besonders effektive Strahlformungen bewirken. In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements ist der Reflektor als Hohlspiegel ausgebildet. Vorteilhafter¬ weise ermöglicht dies eine einfache Herstellung des Reflek¬ tors. Außerdem kann der als Hohlspiegel ausgebildete Reflek- tor eine hohe Reflektivität aufweisen, woraus sich eine hohe Effizienz des optoelektronischen Bauelements ergibt.
In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements ist der Reflektor als Kavität in einem Gehäuse des optoelekt- ronischen Bauelements ausgebildet. Vorteilhafterweise ermög¬ licht dies eine besonders kompakte und kostengünstige Ausfüh¬ rung des optoelektronischen Bauelements.
In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements ist das Gehäuse als spritzgegossener Schaltungsträger ausgebildet. Dies ermöglicht vorteilhafterweise eine einfache und kostengünstige Herstellung des optoelektronischen Bauelements und erlaubt es, das Gehäuse des optoelektronischen Bauele¬ ments mit komplexer Geometrie auszubilden.
In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements ist der Reflektor als Totalreflexionslinse ausgebildet. Vor¬ teilhafterweise weist der Reflektor dadurch eine besonders hohe Reflektivität auf, wodurch das optoelektronische Bauele- ment eine hohe Effizienz aufweisen kann.
In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements ist eine Montagefläche des optoelektronischen Bauelements nicht parallel zur Strahlungsemissionsfläche des optoelektro- nischen Halbleiterchips orientiert. Dadurch können die erste Hauptabstrahlrichtung des ersten Teilreflektors und die zweite Hauptabstrahlrichtung des zweiten Teilreflektors in einer Ebene angeordnet sein, die weder senkrecht noch paral¬ lel zur Montagefläche des optoelektronischen Bauelements ori- entiert ist. Das optoelektronische Bauelement ist dann dazu ausgebildet, Licht in eine bezüglich der Montagefläche schräge Richtung abzustrahlen. Die oben beschriebenen Eigenschaften, Merkmale und Vorteile dieser Erfindung sowie die Art und Weise, wie diese erreicht werden, werden klarer und deutlicher verständlich im Zusammenhang mit der folgenden Beschreibung der Ausführungsbei- spiele, die im Zusammenhang mit den Zeichnungen näher erläutert werden. Dabei zeigen in jeweils schematisierter Darstellung
Figur 1 eine perspektivische Ansicht einer ersten Ausfüh- rungsform eines Reflektors;
Figur 2 eine perspektivische Ansicht eines ersten opto¬ elektronischen Bauelements; Figur 3 ein Bestrahlungsintensitätsdiagramm;
Figur 4 eine perspektivische Ansicht eines zweiten opto¬ elektronischen Bauelements; Figur 5 eine perspektivische Ansicht einer zweiten Ausfüh¬ rungsform eines Reflektors;
Figur 6 eine Aufsicht auf ein drittes optoelektronisches
Bauelement ;
Figur 7 eine perspektivische Ansicht einer dritten Ausfüh¬ rungsform eines Reflektors; und
Figur 8 eine perspektivische Ansicht eines vierten opto- elektronischen Bauelements.
Figur 1 zeigt eine schematische perspektivische Darstellung eines Reflektors 100. Figur 2 zeigt eine schematische per¬ spektivische Darstellung eines ersten optoelektronischen Bau- elements 10, das den Reflektor 100 aufweist. Das erste opto¬ elektronische Bauelement 10 ist dazu ausgebildet, elektromag¬ netische Strahlung, beispielsweise sichtbares Licht oder Licht mit einer Wellenlänge aus dem infraroten Spektralbe¬ reich, zu emittieren. Das erste optoelektronische Bauele¬ ment 10 kann beispielsweise ein Leuchtdioden-Bauelement (LED- Bauelement) sein. Das erste optoelektronische Bauelement 10 ist dazu ausgebildet, zwei voneinander beabstandete Raum- o- der Flächenbereiche zu beleuchten.
Das erste optoelektronische Bauelement 10 weist ein Ge¬ häuse 500 auf. Das Gehäuse 500 kann beispielsweise ein Kunst- Stoffmaterial aufweisen, beispielsweise ein Epoxidharz. Das Gehäuse 500 kann beispielsweise durch ein Formverfahren
(Moldverfahren) hergestellt sein, insbesondere beispielsweise durch Spritzpressen (Transfer Molding) oder durch Spritzgießen (Injection Molding) .
Das Gehäuse 500 des ersten optoelektronischen Bauelements 10 weist eine Oberseite 501 und eine der Oberseite 501 gegen¬ überliegende Unterseite 502 auf. Die Unterseite 502 des Ge¬ häuses 500 bildet eine Montagefläche 530 des ersten opto- elektronischen Bauelements 10. Zur Montage des ersten opto¬ elektronischen Bauelements 10 kann die Montagefläche 530 bei¬ spielsweise auf einer Leiterplatte oder einem anderen Schal¬ tungsträger angeordnet werden. An der Montagefläche 530 des Gehäuses 500 des ersten optoelektronischen Bauelements 10 können elektrische Kontaktflächen des ersten optoelektronischen Bauelements 10 angeordnet sein. Das erste optoelektro¬ nische Bauelement 10 kann beispielsweise als SMT-Bauelement für eine Oberflächenmontage vorgesehen sein, beispielsweise für eine Oberflächenmontage durch Wiederaufschmelzlöten (Re- flow-Löten) .
An seiner Oberseite 501 weist das Gehäuse 500 des ersten optoelektronischen Bauelements 10 eine Kavität 510 auf. Die Kavität 510 bildet eine Vertiefung, die sich an der Ober- seite 501 des Gehäuses 500 in das Gehäuse 500 hinein er¬ streckt. Eine reflektierende Wandung 130 der Kavität 510 bil¬ det den Reflektor 100. Der Reflektor 100 ist damit als Hohlspiegel 520 ausgebildet. Die reflektierende Wandung 130 der Kavität 510 kann eine optisch gut reflektierende Beschichtung aufweisen, beispielsweise eine metallische Beschichtung. Al¬ ternativ kann auch das Material des Gehäuses 500 selbst eine ausreichende Reflektivität aufweisen.
Der Reflektor 100 weist ein erstes Längsende 101 und ein zweites Längsende 102 auf. Das erste Längsende 101 wird durch den Bodenbereich der Kavität 510 des Gehäuses 500 gebildet. Das zweite Längsende 102 des Reflektors 100 wird durch die Öffnung der Kavität 510 an der Oberseite 501 des Gehäuses 500 gebildet. Der Reflektor 100 weitet sich von seinem ersten Längsende 101 zu seinem zweiten Längsende 102 auf.
Der Reflektor 100 umfasst einen ersten Teilreflektor 200 und einen zweiten Teilreflektor 300. Der erste Teilreflektor 200 weist eine erste Hauptabstrahlrichtung 210 auf. Der zweite Teilreflektor 300 weist eine zweite Hauptabstrahlrichtung 310 auf. Die erste Hauptabstrahlrichtung 210 und die zweite
Hauptabstrahlrichtung 310 erstrecken sich jeweils vom ersten Längsende 101 des Reflektors 100 zum zweiten Längsende 102 des Reflektors 100. Dabei sind die erste Hauptabstrahlrich¬ tung 210 und die zweite Hauptabstrahlrichtung 310 allerdings nicht parallel zueinander orientiert, sondern schließen einen Winkel 110 ein, der größer als 0° ist.
Der erste Teilreflektor 200 weitet sich vom ersten Längsende 101 des Reflektors 100 zum zweiten Längsende 102 des Reflek¬ tors 100 auf. Auch der zweite Teilreflektor 300 weitet sich vom ersten Längsende 101 des Reflektors 100 in Richtung zum zweiten Längsende 102 des Reflektors 100 auf.
Der erste Teilreflektor 200 weist eine reflektierende Wan¬ dung 230 auf, die durch einen ersten Teil der reflektierenden Wandung 130 des Reflektors 100 gebildet wird. Der zweite Teilreflektor 300 weist eine reflektierende Wandung 330 auf, die durch einen zweiten Teil der reflektierenden Wandung 130 des Reflektors 100 gebildet wird. Der Reflektor 100 weist ein eingeschlossenes Volumen 120 auf, das durch die reflektierende Wandung 130 des Reflektors 100 umgrenzt ist und sich vom ersten Längsende 101 des Reflek¬ tors 100 bis zum zweiten Längsende 102 des Reflektors 100 er- streckt. Das eingeschlossene Volumen 120 des Reflektors 100 umfasst ein erstes Teilvolumen 220, das durch den ersten Teilreflektor 200 eingeschlossen ist, und ein zweites Teilvolumen 320, das durch den zweiten Teilreflektor 300 eingeschlossen ist. Dabei hängen das erste Teilvolumen 220 und das zweite Teilvolumen 320 des eingeschlossenen Volumens 120 zwischen dem ersten Längsende 101 und dem zweiten Längsende 102 des Reflektors 100 durchgehend zusammen.
Die reflektierende Wandung 230 des ersten Teilreflektors 200 bildet einen Teil eines ersten Rotationsparaboloids. Die Sym¬ metrieachse des ersten Rotationsparaboloids bildet die erste Hauptabstrahlrichtung 210 des ersten Teilreflektors 200. Die reflektierende Wandung 330 des zweiten Teilreflektors 300 bildet einen Teil eines zweiten Rotationsparaboloids. Die Symmetrieachse des zweiten Rotationsparaboloids bildet die zweite Hauptabstrahlrichtung 310 des zweiten Teilreflektors 300. Die zwei Rotationsparaboloide sind so angeordnet, dass sie einander teilweise überlappen und ihre Symmetrieachsen den Winkel 110 einschließen. Das durch den Reflektor 100 ein- geschlossene Volumen 120 bildet die Vereinigungsmenge der durch die zwei Rotationsparaboloide eingeschlossenen Volu¬ mina. Die reflektierende Wandung 130 des Reflektors 100 wird durch die Mantelfläche dieser Vereinigungsmenge gebildet. Es ist allerdings ebenfalls möglich, die reflektierende Wan¬ dung 230 des ersten Teilreflektors 200 und/oder die reflek¬ tierende Wandung 330 des zweiten Teilreflektors 300 mit ande¬ rer Form als der von Teilen von Rotationsparaboloiden auszubilden. Beispielsweise können die reflektierenden Wandungen 230, 330 der Teilreflektoren 200, 300 des Reflektors 100 sphärisch, kegelförmig oder als beliebige Freiformflächen ausgebildet sein. Das erste optoelektronische Bauelement 10 weist einen opto¬ elektronischen Halbleiterchip 400 auf. Der optoelektronische Halbleiterchip 400 ist dazu ausgebildet, elektromagnetische Strahlung, beispielsweise sichtbares Licht oder Licht mit ei- ner Wellenlänge aus dem infraroten Spektralbereich, zu emittieren. Der optoelektronische Halbleiterchip 400 kann beispielsweise ein Leuchtdioden-Chip (LED-Chip) sein. Der optoelektronische Halbleiterchip 400 weist eine Strahlungsemissi¬ onsfläche 410 auf. Im Betrieb des optoelektronischen Halb- leiterchips 400 wird elektromagnetische Strahlung an der
Strahlungsemissionsfläche 410 des optoelektronischen Halb¬ leiterchips 400 emittiert.
Der optoelektronische Halbleiterchip 400 ist in der Kavi- tät 510 des Gehäuses 500 des ersten optoelektronischen Bau¬ elements 10 angeordnet. Dabei ist die Strahlungsemissionsflä¬ che 410 des optoelektronischen Halbleiterchips 400 zum zwei¬ ten Längsende 102 des Reflektors 100 orientiert. Der Reflektor 100 des ersten optoelektronischen Bauelements 10 ist dazu vorgesehen, das durch den optoelektronischen Halbleiterchip 400 emittierte Licht zu bündeln und in zwei Teilbündel aufzuteilen. Hierzu ist der optoelektronische Halbleiterchip 400 derart in der Kavität 510 des Gehäuses 500 angeordnet, dass ein Brennpunkt 240 des ersten Teilreflek¬ tors 200 und ein Brennpunkt 340 des zweiten Teilreflek¬ tors 300 des ersten optoelektronischen Bauelements 10 mög¬ lichst nahe an der Strahlungsemissionsfläche 410 des opto¬ elektronischen Halbleiterchips 400 liegen. Beispielsweise kann der optoelektronische Halbleiterchip 400 derart in der Kavität 510 des Gehäuses 500 angeordnet sein, dass ein
Punkt 411 der Strahlungsemissionsfläche 410 des optoelektro¬ nischen Halbleiterchips 400 um weniger als die Kantenlänge der Strahlungsemissionsfläche 410 von dem Brennpunkt 240 des ersten Teilreflektors 200 und von dem Brennpunkt 340 des zweiten Teilreflektors 300 beabstandet ist. Dadurch wird von dem optoelektronischen Halbleiterchip 400 emittiertes Licht durch den ersten Teilreflektor 200 und den zweiten Teilreflektor 300 des Reflektors 100 des ersten optoelektronischen Bauelements 10 in zwei Lichtbündel aufgeteilt, die in die erste Hauptabstrahlrichtung 210 und in die zweite Hauptab- Strahlrichtung 310 abgestrahlt werden.
Das Vorhandensein nur eines optoelektronischen Halbleiterchips 400 bei dem ersten optoelektronischen Bauelement 10 und die Aufteilung des durch den nur einen optoelektronischen Halbleiterchip 400 emittierten Lichts in zwei Teilbündel durch den Reflektor 100 bietet den Vorteil, dass die beiden Teilbündel eine hohe Homogenität aufweisen können. Zwischen den beiden Teilbündeln kann sich ein dunklerer Bereich ausbilden, wodurch sich ein hoher Kontrast ergeben kann.
Figur 3 zeigt eine schematische Darstellung eines Bestrah- lungsintensitätsdiagramms 700, das eine Bestrahlungsintensi- tät in einer durch das erste optoelektronische Bauelement 10 beleuchteten Ebene angibt, die parallel zur Montagefläche 530 des Gehäuses 500 des ersten optoelektronischen Bauelements 10 orientiert ist und in Richtung der ersten Hauptabstrahlrichtung 210 und der zweiten Hauptabstrahlrichtung 310 über der Oberseite 501 des Gehäuses 500 des ersten optoelektronischen Bauelements 10 angeordnet ist. Eine erste Raumrichtung 701 der durch das erste optoelektronische Bauelement 10 beleuch¬ teten Ebene ist parallel zu einer Ebene orientiert, in der die erste Hauptabstrahlrichtung 210 und die zweite Hauptab¬ strahlrichtung 310 angeordnet sind. Eine zweite Raumrich¬ tung 702 der durch das erste optoelektronische Bauelement 10 beleuchteten Ebene ist senkrecht zur ersten Raumrichtung 701 orientiert .
Das Bestrahlungsintensitätsdiagramm 700 zeigt ein erstes Intensitätsmaximum 710 und ein von dem ersten Intensitätsmaxi- mum 710 beabstandetes zweites Intensitätsmaximum 720, das in die erste Raumrichtung 701 gegen das erste Intensitätsmaxi¬ mum 710 verschoben ist. Das erste Intensitätsmaximum 710 wird durch das durch den ersten Teilreflektor 200 des ersten optoelektronischen Bauelements 10 erzeugte Lichtbündel bewirkt. Das zweite Intensitätsmaximum 720 wird durch das Lichtbündel erzeugt, das durch den zweiten Teilreflektor 300 des ersten optoelektronischen Bauelements 10 abgestrahlt wird.
Bei dem ersten optoelektronischen Bauelement 10 ist die Montagefläche 530 an der Unterseite 502 des Gehäuses 500 paral¬ lel zur Strahlungsemissionsfläche 410 des optoelektronischen Halbleiterchips 400 orientiert. Eine Ebene, in der die erste Hauptabstrahlrichtung 210 des ersten Teilreflektors 200 und die zweite Hauptabstrahlrichtung 310 des zweiten Teilreflektors 300 angeordnet sind, ist senkrecht zur Montagefläche 530 orientiert. Dadurch sind das erste Intensitätsmaximum 710 und das zweite Intensitätsmaximum 720 in dem Bestrahlungsintensi- tätsdiagramm 700 mittig um einen Punkt angeordnet, der in zur Montagefläche 530 senkrechte Richtung auf einen Mittelpunkt der Öffnung der Kavität 510 an der Oberseite 501 des Gehäu¬ ses 500 projiziert werden kann. Das erste optoelektronische Bauelement 10 bildet damit ein Toplooker-Bauelement .
Es ist möglich, die Montagefläche 530 an der Unterseite 502 des Gehäuses 500 des ersten optoelektronischen Bauelements 10 anders als parallel zur Strahlungsemissionsfläche 410 des optoelektronischen Halbleiterchips 400 und/oder anders als senkrecht zu der die erste Hauptabstrahlrichtung 210 und die zweite Hauptabstrahlrichtung 310 umfassenden Ebene anzuordnen. Dadurch kann erreicht werden, dass das erste Intensi¬ tätsmaximum 710 und das zweite Intensitätsmaximum 720 in dem Bestrahlungsintensitätsdiagramm 700 in die erste Raumrichtung 701 und/oder in die zweite Raumrichtung 702 gegen den Mittelpunkt verschoben werden.
Figur 4 zeigt eine schematische perspektivische Darstellung eines zweiten optoelektronischen Bauelements 20. Das zweite optoelektronische Bauelement 20 weist große Übereinstimmungen mit den ersten optoelektronischen Bauelement 10 auf. Einander entsprechende Komponenten sind in der Darstellung des ersten optoelektronischen Bauelements 10 in Figur 2 und in der Darstellung des zweiten optoelektronischen Bauelements 20 in Figur 4 mit denselben Bezugszeichen versehen. Nachfolgend werden nur die Unterschiede zwischen dem zweiten optoelektroni- sehen Bauelement 20 und dem ersten optoelektronischen Bauelement 10 beschrieben.
Das Gehäuse 500 des zweiten optoelektronischen Bauelements 20 ist als spritzgegossener Schaltungsträger (Molded Inter- connect Device; MID) ausgebildet. Das Gehäuse 500 weist ein Kunststoffmaterial und an Oberflächen des Gehäuses 500 ange¬ ordnete Metallisierungen auf. Eine erste Metallisierung erstreckt sich über die reflektierende Wandung 130 und den Bo¬ denbereich der Kavität 510 und bildet einen ersten Kontaktbe- reich 540. Eine erste elektrische Kontaktfläche des am Boden¬ bereich der Kavität 510 angeordneten optoelektronischen Halbleiterchips 400 ist elektrisch leitend mit der den ersten Kontaktbereich 540 bildenden Metallisierung verbunden. Eine von dem ersten Kontaktbereich 540 beabstandete und elektrisch gegen den ersten Kontaktbereich 540 isolierte weitere Metallisierung an der Oberfläche des Gehäuses 500 bildet einen zweiten Kontaktbereich 550. Eine zweite elektrische Kontakt¬ fläche des optoelektronischen Halbleiterchips 400 ist mittels eines Bonddrahts 560 elektrisch leitend mit dem zweiten Kon- taktbereich 550 verbunden.
Die den ersten Kontaktbereich 540 bildende Metallisierung kann im Bereich der reflektierenden Wandung 130 der Kavität 510 auch dazu dienen, die Reflektivität der reflektieren- den Wandung 130 zu erhöhen.
An der Montagefläche 530 des Gehäuses 500 können die den ers¬ ten Kontaktbereich 540 und den zweiten Kontaktbereich 550 bildenden Metallisierungen elektrische Lötkontaktflächen des zweiten optoelektronischen Bauelements 20 bilden.
Im in Figur 4 schematisch dargestellten Beispiel weist das Gehäuse 500 des zweiten optoelektronischen Bauelements 20 eine im Wesentlichen quaderförmige Grundform auf. Es ist aber ebenfalls möglich, das Gehäuse 500 mit anderer Geometrie aus¬ zubilden. Beispielsweise kann das Gehäuse 500 mit zwei an ei¬ nander gegenüberliegenden Seiten des Gehäuses 500 auskragen- den Stegen ausgebildet werden, die elektrische Lötkontaktflä¬ chen des zweiten optoelektronischen Bauelements 20 tragen. Die auskragenden Stege können dazu dienen, das zweite opto¬ elektronische Bauelement 20 in teilweise versenkter Anordnung in einer Öffnung einer Leiterplatte zu befestigen.
Es ist auch möglich, die Montagefläche 530 an einer anderen als der Unterseite 502 des Gehäuses 500 auszubilden. Bei¬ spielsweise könnte die Montagefläche 530 an einer zu der Un¬ terseite 502 senkrechten Seitenfläche des Gehäuses 500 ausge- bildet sein. In diesem Fall bildet das zweite optoelektroni¬ sche Bauelement 20 ein Sidelooker-Bauelement .
Figur 5 zeigt eine schematische perspektivische Darstellung eines Reflektors 1100 gemäß einer zweiten Ausführungsform. Figur 6 zeigt eine schematische Ansicht eines dritten opto¬ elektronischen Bauelements 30, das den Reflektor 1100 um- fasst. Der Reflektor 1100 weist große Übereinstimmungen mit dem Reflektor 100 der Figur 1 auf. Das dritte optoelektronische Bauelement 30 weist große Übereinstimmungen mit den ers- ten optoelektronischen Bauelement 10 der Figur 2 auf. Entsprechende Komponenten sind in Figuren 5 und 6 mit denselben Bezugszeichen versehen wie in den vorhergehenden Figuren. Nachfolgend werden lediglich die abweichenden Eigenschaften des Reflektors 1100 und des dritten optoelektronischen Bau- elements 30 beschrieben.
Bei dem Reflektor 1100 ist die Kavität 510 nicht zur Ober¬ seite 501, sondern zu einer Vorderseite 503 geöffnet, die sich zwischen der Oberseite 501 und der Unterseite 502 des Gehäuses 500 erstreckt. Die Kavität 510 erstreckt sich von der Vorderseite 503 des Gehäuses 500 in das Gehäuse 500 hin¬ ein. Die Erstreckungsrichtung der Kavität 510 innerhalb des Gehäuses 500 ist bei dem Reflektor 1100 gegenüber dem Reflektor 100 um 90° gedreht. Die reflektierende Wandung 130 der Kavität 510 bildet den Reflektor 1100. Das zweite Längs¬ ende 102 des Reflektors 1100 ist an der Öffnung der Kavi- tät 510 an der Vorderseite 503 des Gehäuses 500 gebildet.
Der Reflektor 1100 umfasst einen ersten Teilreflektor 1200 und einen zweiten Teilreflektor 1300. Die erste Hauptabstrahlrichtung 210 des ersten Teilreflektors 1200 und die zweite Hauptabstrahlrichtung 310 des zweiten Teilreflektors 1300 erstrecken sich jeweils vom ersten Längsende 101 des Reflektors 1100 zum zweiten Längsende 102 des Reflek¬ tors 1100. Die erste Hauptabstrahlrichtung 210 und die zweite Hauptabstrahlrichtung 220 schließen wiederum den Winkel 110 ein.
Die Kavität 510 des Gehäuses 500 des dritten optoelektroni¬ schen Bauelements 30 ist zusätzlich zur Unterseite 502 des Gehäuses 500 geöffnet. Das von dem Reflektor 1100 einge- schlossene Volumen 120 weist dadurch eine Form auf, die dadurch gebildet werden kann, dass das von dem Reflektor 100 des ersten optoelektronischen Bauelements 10 eingeschlossene Volumen 120 an einer Ebene geschnitten wird, die zu einer Ebene parallel ist, die die erste Hauptabstrahlrichtung 210 und die zweite Hauptabstrahlrichtung 310 des Reflektors 100 des ersten optoelektronischen Bauelements 10 umfasst. Diese Schnittebene bildet bei dem Gehäuse 500 des dritten opto¬ elektronischen Bauelements 30 die Unterseite 502. Der optoelektronische Halbleiterchip 400 des dritten opto¬ elektronischen Bauelements 30 ist so angeordnet, dass die Strahlungsemissionsfläche 410 des optoelektronischen Halb¬ leiterchips 400 zu der reflektierenden Wandung 130 des Re¬ flektors 1100 orientiert ist. Dadurch sind die erste Hauptab- Strahlrichtung 210 des ersten Teilreflektors 1200 und die zweite Hauptabstrahlrichtung 220 des zweiten Teilreflektors 1300 des Reflektors 1100 des dritten optoelektronischen Bauelements 30 parallel zur Strahlungsemissionsfläche 410 des optoelektronischen Halbleiterchips 400 orientiert.
Wiederum ist der optoelektronische Halbleiterchip 400 so an- geordnet, dass der Brennpunkt 240 des ersten Teilreflek¬ tors 1200 und der Brennpunkt 340 des zweiten Teilreflek¬ tors 1300 möglichst nahe an der Strahlungsemissionsfläche 410 des optoelektronischen Halbleiterchips 400 liegen. Wiederum kann der optoelektronische Halbleiterchip 400 beispielsweise so angeordnet sein, dass ein Punkt 411 der Strahlungsemissi¬ onsfläche 410 des optoelektronischen Halbleiterchips 400 um weniger als die Kantenlänge der Strahlungsemissionsfläche 410 von dem Brennpunkt 240 des ersten Teilreflektors 1200 und von dem Brennpunkt 340 des zweiten Teilreflektors 1300 beab- standet ist.
Der Reflektor 1100 des dritten optoelektronischen Bauelements 30 dient dazu, von dem optoelektronischen Halbleiterchip 400 emittierte elektromagnetische Strahlung zu bündeln und in zwei Teilbündel aufzuspalten. Dies erfolgt zumindest teilweise durch Reflexion der durch den optoelektronischen Halbleiterchip 400 emittierten elektromagnetischen Strahlung an der reflektierenden Wandung 230 des ersten Teilreflektors 1200 und an der reflektierenden Wandung 330 des zweiten Teilreflektors 1300. Die durch den Reflektor 1100 des dritten optoelektronischen Bauelements 30 erzeugten und in die erste Hauptabstrahlrichtung 210 und in die zweite Hauptabstrahlrichtung 310 abgestrahlten Teilbündel erzeugen in einem von dem dritten optoelektronischen Bauelement 30 beleuchteten Raum- oder Flächenbereich zwei voneinander beabstandete Intensitätsmaxima .
Die an der Unterseite 502 des Gehäuses 500 des dritten opto¬ elektronischen Bauelements 30 gebildete Montagefläche 530 des dritten optoelektronischen Bauelements 30 ist in dem in Figur 6 gezeigten Beispiel parallel zur Strahlungsemissionsflä¬ che 410 des optoelektronischen Halbleiterchips 400 und paral¬ lel zu einer die erste Hauptabstrahlrichtung 210 und die zweite Hauptabstrahlrichtung 310 umfassenden Ebene orientiert. Dadurch bildet das dritte optoelektronische Bauelement 30 ein Sidelooker-Bauelement . Wiederum ist es aber möglich, die Montagefläche 530 des Gehäuses 500 des dritten optoelekt- ronischen Bauelements 30 gegen die Strahlungsemissionsfläche 410 des optoelektronischen Halbleiterchips 400 und/oder gegen die die Hauptabstrahlrichtungen 210, 310 einschließende Ebene zu neigen, um die von dem dritten optoelektronischen Bauelement 30 erzeugten Intensitätsmaxima seitlich zu verschieben.
Figur 7 zeigt eine schematische perspektivische Darstellung eines Reflektors 2100 gemäß einer dritten Ausführungsform. Figur 8 zeigt eine schematische perspektivische Darstellung eines vierten optoelektronischen Bauelements 40, das den Re- flektor 2100 umfasst. Das vierte optoelektronische Bauele¬ ment 40 weist große strukturelle und funktionelle Übereinst¬ immungen mit dem ersten optoelektronischen Bauelement 10 auf. Übereinstimmende Komponenten sind in Figuren 7 und 8 mit den¬ selben Bezugszeichen versehen wie in den Figuren 1 und 2. Nachfolgend werden lediglich die Abweichungen des vierten optoelektronischen Bauelements 40 und des Reflektors 2100 von dem ersten optoelektronischen Bauelement 10 und dem Reflektor 100 beschrieben. Der Reflektor 2100 ist nicht als Hohlspiegel, sondern als To¬ talreflexionslinse 600 ausgebildet. Der als Totalreflexions¬ linse 600 ausgebildete Reflektor 2100 weist einen massiven Körper mit einer Geometrie auf, die der Geometrie des durch die reflektierende Wandung 130 des Reflektors 100 einge- schlossenen Volumens 120 des Reflektors 100 entspricht. Dabei weist der als Totalreflexionslinse 600 ausgebildete Reflek¬ tor 2100 ein optisch transparentes Material auf, beispiels¬ weise ein Glas oder einen optisch transparenten Kunststoff. Bei dem als Totalreflexionslinse 600 ausgebildeten Reflek¬ tor 2100 wird die reflektierende Wandung 130 durch eine äu¬ ßere Mantelfläche des massiven Körpers gebildet. Im Inneren des massiven Körpers des als Totalreflexionslinse 600 ausge¬ bildeten Reflektors 2100 laufende elektromagnetische Strah¬ lung kann an der reflektierenden Wandung 130 des Reflektors 2100 totalreflektiert werden. Am zweiten Längsende 102 des Reflektors 2100 kann elektromagnetische Strahlung aus dem Reflektor 2100 austreten.
Der Reflektor 2100 umfasst einen ersten Teilreflektor 2200 und einen zweiten Teilreflektor 2300. Der erste Teilreflektor 2200 ist ausgebildet wie das erste Teilvolumen 220 des ersten Teilreflektors 200 des ersten optoelektronischen Bauelements 10. Der zweite Teilreflektor 2300 ist ausgebildet wie das zweite Teilvolumen 320 des zweiten Teilreflektors 300 des ersten optoelektronischen Bauelements 10. Der Reflektor 2100 dient dazu, elektromagnetische Strahlung, die durch den optoelektronischen Halbleiterchip 400 des vierten optoelektronischen Bauelements 40 emittiert wird, zu bündeln und in zwei Teilbündel aufzuteilen, die in die erste Hauptab¬ strahlrichtung 210 des ersten Teilreflektors 2200 und in die zweite Hauptabstrahlrichtung 310 des zweiten Teilreflektors 2300 des Reflektors 2100 des vierten optoelektronischen Bauelements 40 abgestrahlt werden.
Der als Totalreflexionslinse 600 ausgebildete Reflektor 2100 ist bei dem vierten optoelektronischen Bauelement 40 derart über der Strahlungsemissionsfläche 410 des optoelektronischen Halbleiterchips 400 angeordnet, dass die Strahlungsemissions¬ fläche 410 des optoelektronischen Halbleiterchips 400 zum zweiten Längsende 102 des Reflektors 2100 orientiert ist. Wiederum ist die Strahlungsemissionsfläche 410 des optoelekt¬ ronischen Halbleiterchips 400 möglichst nahe an den Brenn¬ punkten 240, 340 des ersten Teilreflektors 2200 und des zwei¬ ten Teilreflektors 2300 angeordnet. Beispielsweise kann ein Punkt 411 der Strahlungsemissionsfläche 410 des optoelektro- nischen Halbleiterchips 400 um weniger als die Kantenlänge der Strahlungsemissionsfläche 410 von den Brennpunkten 240, 340 der Teilreflektoren 2200, 2300 des vierten optoelektronischen Bauelements 40 beabstandet sein. Die Montagefläche 530 des vierten optoelektronischen Bauele¬ ments 40 ist parallel zur Strahlungsemissionsfläche 410 des optoelektronischen Halbleiterchips 400 und senkrecht zu der Ebene angeordnet, in der die erste Hauptabstrahlrichtung 210 des ersten Teilreflektors 2200 und die zweite Hauptabstrahl¬ richtung 310 des zweiten Teilreflektors 2300 angeordnet sind. Dadurch bildet das vierte optoelektronische Bauelement 40 ein Toplooker-Bauelement . Von dem vierten optoelektronischen Bau- element 40 abgestrahltes Licht weist in einem von dem vierten optoelektronischen Bauelement 40 beleuchteten Raum- oder Flächenbereich zwei voneinander beabstandete Intensitätsmaxima auf. Es ist möglich, die Montagefläche 530 des vierten opto¬ elektronischen Bauelements 40 gegenüber der Strahlungsemissi- onsfläche 410 des optoelektronischen Halbleiterchips 400 und/oder gegenüber der Ebene, in der die erste Hauptabstrahlrichtung 210 und die zweite Hauptabstrahlrichtung 310 der Teilreflektoren 2200, 2300 des Reflektors 2100 angeordnet sind, zu verkippen, um die Positionen der durch das vierte optoelektronische Bauelement 40 erzeugten Intensitätsmaxima seitlich zu verschieben.
In einer nicht dargestellten weiteren Ausführungsform eines Reflektors ist dieser als Totalreflexionslinse ausgebildet, deren massiver Körper die Form des durch den Reflektor 1100 eingeschlossenen Volumens 120 aufweist. Dieser Reflektor kann in einem als Sidelooker-Bauelement ausgebildeten optoelektro¬ nischen Bauelement Verwendung finden, bei dem die Strahlungs¬ emissionsfläche 410 des optoelektronischen Halbleiter- chips 400 zu der reflektierenden Wandung 130 des Reflektors orientiert ist.
Die Erfindung wurde anhand der bevorzugten Ausführungsbei¬ spiele näher illustriert und beschrieben. Dennoch ist die Er- findung nicht auf die offenbarten Beispiele eingeschränkt.
Vielmehr können hieraus andere Variationen vom Fachmann abgeleitet werden, ohne den Schutzumfang der Erfindung zu verlassen . Bezugs zeichenliste
10 erstes optoelektronisches Bauelement
20 zweites optoelektronisches Bauelement 30 drittes optoelektronisches Bauelement
40 viertes optoelektronisches Bauelement
100 Reflektor
101 erstes Längsende
102 zweites Längsende
110 Winkel
120 eingeschlossenes Volumen
130 reflektierende Wandung 200 erster Teilreflektor
210 erste Hauptabstrahlrichtung
220 erstes Teilvolumen
230 reflektierende Wandung
240 Brennpunkt
300 zweiter Teilreflektor
310 zweite Hauptabstrahlrichtung
320 zweites Teilvolumen
330 reflektierende Wandung
340 Brennpunkt
400 optoelektronischer Halbleiterchip
410 Strahlungsemissionsfläche
411 Punkt der Strahlungsemissionsfläche
500 Gehäuse
501 Oberseite
502 Unterseite
503 Vorderseite
510 Kavität
520 Hohlspiegel
530 Montagefläche
540 erster Kontaktbereich 550 zweiter Kontaktbereich
560 Bonddraht
600 Totalreflexionslinse
700 Bestrahlungsintensitätsdiagramm
701 erste Raumrichtung
702 zweite Raumrichtung
710 erstes Intensitätsmaximum
720 zweites Intensitätsmaximum
1100 Reflektor
1200 erster Teilreflektor
1300 zweiter Teilreflektor
2100 Reflektor
2200 erster Teilreflektor
2300 zweiter Teilreflektor

Claims

Optoelektronisches Bauelement (10, 20, 30, 40)
mit einem optoelektronischen Halbleiterchip (400), der eine Strahlungsemissionsfläche (410) aufweist,
und mit einem Reflektor (100, 1100, 2100) zur Bündelung von durch den optoelektronischen Halbleiterchip (400) emittiertem Licht,
wobei der Reflektor (100, 1100, 2100) einen ersten Teil¬ reflektor (200, 1200, 2200) mit einer ersten Hauptab¬ strahlrichtung (210) und einen zweiten Teilreflektor
(300, 1300, 2300) mit einer zweiten Hauptabstrahlrichtung
(220) umfasst,
wobei sich die erste Hauptabstrahlrichtung (210) und die zweite Hauptabstrahlrichtung (220) jeweils von einem ersten Längsende (101) des Reflektors (100, 1100, 2100) zu einem zweiten Längsende (102) des Reflektors (100, 1100, 2100) erstrecken,
wobei die erste Hauptabstrahlrichtung (210) und die zweite Hauptabstrahlrichtung (220) unter einem Winkel (110) zueinander angeordnet sind,
wobei reflektierende Wandungen (230, 330) des ersten Teilreflektors (200, 1200, 2200) und des zweiten Teilre¬ flektors (300, 1300, 2300) jeweils durch Teile von Rota- tionsparaboloiden gebildet sind,
wobei ein Punkt (411) der Strahlungsemissionsfläche (410) des optoelektronischen Halbleiterchips (400) um weniger als die Kantenlänge der Strahlungsemissionsfläche (410) von einem Brennpunkt (240) des ersten Teilreflektors (200, 1200, 2200) und von einem Brennpunkt (340) des zweiten Teilreflektors (300, 1300, 2300) beabstandet ist.
Optoelektronisches Bauelement (10, 20, 30, 40) gemäß An¬ spruch 1,
wobei sich der Reflektor (100, 1100, 2100) vom ersten Längsende (101) zum zweiten Längsende (102) aufweitet. Optoelektronisches Bauelement (10, 20, 30, 40) gemäß An¬ spruch 2,
wobei sich der erste Teilreflektor (200, 1200, 2200) und der zweite Teilreflektor (300, 1300, 2300) jeweils vom ersten Längsende (101) des Reflektors (100, 1100, 2100) zum zweiten Längsende (102) des Reflektors (100, 1100, 2100) aufweiten.
Optoelektronisches Bauelement (10, 20, 30, 40) gemäß ei¬ nem der vorhergehenden Ansprüche,
wobei ein von dem ersten Teilreflektor (200, 1200, 2200) eingeschlossenes erstes Teilvolumen (220) und ein von dem zweiten Teilreflektor (300, 1300, 2300) eingeschlossenes zweites Teilvolumen (320) zwischen dem ersten Längsende
(101) des Reflektors (100, 1100, 2100) und dem zweiten Längsende (102) des Reflektors (100, 1100, 2100) durch¬ gängig verbunden sind.
Optoelektronisches Bauelement (10, 20, 40) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche,
wobei die Strahlungsemissionsfläche (410) des optoelekt¬ ronischen Halbleiterchips (400) zum zweiten Längsende
(102) des Reflektors (100, 2100) orientiert ist.
Optoelektronisches Bauelement (30) gemäß einem der An¬ sprüche 1 bis 4,
wobei die Strahlungsemissionsfläche (410) des optoelekt¬ ronischen Halbleiterchips (400) zu einer reflektierenden Wandung (130) des Reflektors (1100) orientiert ist.
Optoelektronisches Bauelement (30) gemäß Anspruch 6, wobei die erste Hauptabstrahlrichtung (210) und die zweite Hauptabstrahlrichtung (220) parallel zur Strahlungsemissionsfläche (410) des optoelektronischen Halb¬ leiterchips (400) orientiert sind.
Optoelektronisches Bauelement (10, 20, 30) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der Reflektor (100, 1100) als Hohlspiegel (520) ausgebildet ist.
9. Optoelektronisches Bauelement (10, 20) gemäß Anspruch 8, wobei der Reflektor (100) als Kavität (510) in einem Ge¬ häuse (500) des optoelektronischen Bauelements (10, 20) ausgebildet ist.
10. Optoelektronisches Bauelement (20) gemäß Anspruch 9,
wobei das Gehäuse (500) als spritzgegossener Schaltungs¬ träger ausgebildet ist.
11. Optoelektronisches Bauelement (40) gemäß einem der An¬ sprüche 1 bis 7,
wobei der Reflektor (2100) als Totalreflexionslinse (600) ausgebildet ist.
12. Optoelektronisches Bauelement (10, 20, 30, 40) gemäß ei nem der vorhergehenden Ansprüche,
wobei eine Montagefläche (530) des optoelektronischen Bauelements (10, 20, 30, 40) nicht parallel zur Strah¬ lungsemissionsfläche (410) des optoelektronischen Halb¬ leiterchips (400) orientiert ist.
13. Optoelektronisches Bauelement (10, 20, 30, 40) gemäß ei nem der vorhergehenden Ansprüche,
wobei das optoelektronische Bauelement (10, 20, 30, 40) nur genau einen optoelektronischen Halbleiterchip (400) aufweist .
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