WO2016032281A1 - Plastic substrate - Google Patents

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WO2016032281A1
WO2016032281A1 PCT/KR2015/009064 KR2015009064W WO2016032281A1 WO 2016032281 A1 WO2016032281 A1 WO 2016032281A1 KR 2015009064 W KR2015009064 W KR 2015009064W WO 2016032281 A1 WO2016032281 A1 WO 2016032281A1
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WO
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plastic substrate
layer
group
polymer binder
scattering component
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PCT/KR2015/009064
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French (fr)
Korean (ko)
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박상준
이연근
김용남
정혜원
신보라
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주식회사 엘지화학
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08JWORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J5/00Manufacture of articles or shaped materials containing macromolecular substances
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K7/00Use of ingredients characterised by shape
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08LCOMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L101/00Compositions of unspecified macromolecular compounds
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08LCOMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L79/00Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon only, not provided for in groups C08L61/00 - C08L77/00
    • C08L79/04Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain; Polyhydrazides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C08L79/08Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors

Definitions

  • the present application relates to a plastic substrate, a method of manufacturing the substrate, an organic electronic device, a light source and a lighting device.
  • An organic electronic device is, for example, a device including one or more layers of organic materials capable of conducting current, as disclosed in Patent Document 1 (Japanese Patent Laid-Open No. 1996-176293). to be.
  • the type of organic electronic device includes an organic light emitting diode (OLED), an organic solar cell, an organic photoconductor (OPC), or an organic transistor.
  • An organic light emitting device typically includes a substrate, a first electrode layer, an organic layer, and a second electrode layer sequentially.
  • the first electrode layer may be formed of a transparent electrode layer
  • the second electrode layer may be formed of a reflective electrode layer.
  • the first electrode layer may be formed of a reflective electrode layer
  • the present application provides a plastic substrate, a method of manufacturing the substrate, an organic electronic device, a light source, and a lighting device.
  • the present application relates to a plastic substrate.
  • Exemplary plastic substrates of the present application have a support layer comprising a polymeric binder and scattering components contained within the polymeric binder.
  • 1 exemplarily shows a plastic substrate 1 having a polymeric binder 1011 and a support layer 101 comprising a scattering component 1012 contained in the polymeric binder.
  • the plastic substrate may include the scattering component 1012 completely in the polymer binder 1011 so that the support layer 101 may have a flat surface.
  • the plastic substrate may have the scattering component 1012 exposed to the surface of the polymer binder 1011 so that the surface of the support layer 101 may have an uneven structure.
  • the term "scattering component” has a refractive index different from that of a surrounding material such as a polymer binder and the like, and has an appropriate size to form an area capable of scattering, refracting, or diffracting incident light. It can mean a substance.
  • the scattering component may be, for example, in the form of particles.
  • the content ratio of the scattering component in the polymer binder may be appropriately selected within a range that does not impair the purpose of the present application.
  • the scattering component may be included in the polymer binder in a proportion within the range of 0.05% to 3.75% by weight.
  • the content ratio of the scattering component in the polymer binder is A wt%
  • 100% by weight of the polymer binder may mean a weight ratio based on the weight of the polymer binder excluding the solvent.
  • the upper limit of the content ratio in the polymer binder of the scattering component is specifically 3.75 wt% or less, 3.5 wt% or less, 3.25 wt% or less, 3 wt% or less, 2.75 wt% or less, 2.5 wt% or less, 2.25 wt% or less, 2 wt% % Or less, 1.9% or less, 1.8% or less, or 1.7% or less, or 1.6% or less.
  • the lower limit of the content ratio in the polymer binder of the scattering component is specifically 0.05% by weight, 0.1% by weight, 0.15% by weight, 0.2% by weight, 0.25% by weight, 0.3% by weight, 0.35% by weight, 0.4% by weight. % Or more, 0.45% or more, or 0.5% or more.
  • the content ratio of the scattering component in the polymer binder is not necessarily limited to the above range, and may be adjusted to be below or above the above range in consideration of the haze characteristics of the support layer and / or the plastic substrate to be implemented.
  • the upper limit of the content ratio of the scattering component in the polymer binder may be about 10% by weight. have.
  • the filter may be clogged in the filtering step, and sufficient filtering is not performed, thus including the polymer binder precursor and the scattering component. Since the surface of the coating layer is rough after coating the layer of the composition to be disadvantageous when manufacturing the device.
  • the thickness of the support layer may be appropriately selected within a range that does not impair the purpose of the present application.
  • the thickness of the support layer may be in the range of about 10 ⁇ m to 130 ⁇ m.
  • the upper limit of the thickness of the support layer may be 130 ⁇ m or less, 120 ⁇ m or less, 110 ⁇ m or less, 100 ⁇ m or less, 90 ⁇ m or less, 80 ⁇ m or less, or 70 ⁇ m or less.
  • the lower limit of the thickness of the support layer may be 10 ⁇ m or more, 20 ⁇ m or more, 30 ⁇ m or more, 40 ⁇ m or more, 50 ⁇ m or more, or 60 ⁇ m or more.
  • the thickness of the support layer within the above range means that the support layer itself has a sufficient thickness to function as a substrate such as an organic electronic device. This results in a very thin thickness of the light extraction layer, for example, on a conventional plastic substrate (without light extraction capability) of sufficient thickness to function as a substrate in manufacturing a plastic substrate having conventional light extraction capability. It is different from the structure coated with a thickness of about 2 ⁇ m or less. According to the present application, the support layer is advantageous in terms of fabrication of the substrate since it can simultaneously perform the function of the substrate and the function of the light extraction layer.
  • the haze of the plastic substrate may be appropriately selected within a range that does not impair the purpose of the present application.
  • the haze of the plastic substrate can range from about 5% to 80%.
  • the upper limit of the haze of the plastic substrate is specifically 80% or less, 77.5% or less, 75% or less, 72.5% or less, 70% or less, 67.5% or less, 65% or less, 62.5% or less, 60% or less, 57.5% or less or 55 It may be less than or equal to%.
  • the lower limit of the haze of the plastic substrate is specifically 5% or more, 7.5% or more, 10% or more, 12.5% or more, 15% or more, 17.5% or more, 20% or more, 22.5% or more, 25% or more, 27.5% At least 30%, at least 32.5%, at least 35%, at least 37.%, at least 40%, at least 42.5%, at least 45%, at least 47.5%, at least 50% or at least 52.5%.
  • the haze of the plastic substrate is within the above range, it is possible to provide a plastic substrate having excellent light extraction performance.
  • the method of measuring the haze of the plastic substrate is not particularly limited, and haze may be measured by employing a haze measuring method known in the art.
  • the haze can be measured using a D65 light source with a hazemeter known in the art, for example, the HM-150 device from MURAKAMI.
  • the plastic substrate may exhibit the haze range even in a state in which no haze-inducing element is included in addition to the scattering component of the support layer.
  • the plastic substrate does not include a haze-inducing element other than the scattering component of the support layer
  • the only haze-inducing component in the plastic substrate is a scattering component
  • further includes a haze-inducing layer or a haze-inducing component in the polymerization of the polymer binder It may mean that no additional addition.
  • the plastic substrate of the present application may exhibit haze in the range of about 5% to 80% without including a haze causing element other than the scattering component of the support layer.
  • the upper limit of the haze of the plastic substrate is specifically 80% or less, 77.5% or less, 75% or less, 72.5% or less, 70% or less, 67.5% or less, 65% or less, 62.5% or less, 60% or less, 57.5% or less or 55 It may be less than or equal to%.
  • the lower limit of the haze of the plastic substrate is specifically 5% or more, 7.5% or more, 10% or more, 12.5% or more, 15% or more, 17.5% or more, 20% or more, 22.5% or more, 25% or more, 27.5% At least 30%, at least 32.5%, at least 35%, at least 37.%, at least 40%, at least 42.5%, at least 45%, at least 47.5%, at least 50% or at least 52.5%.
  • the plastic substrate is manufactured by superimposing the scattering components before the conversion from the polymer binder precursor to the polymer binder, it is possible to ensure stable dispersibility of the scattering components in the polymer binder, and thus a haze-inducing element in addition to the scattering components Even if it does not include the excellent haze characteristics as shown above.
  • the plastic substrate of the present application also has excellent surface roughness characteristics.
  • the excellent surface roughness characteristics of the substrate in the present specification may mean that the surface is flat because the surface roughness of the substrate is low.
  • the support layer including the polymer binder and the scattering component it is generally expected that the higher the content ratio of the scattering component, the thicker the support layer, the higher the haze.
  • the content ratio of the scattering component is relatively low and the thickness of the support layer is relatively high, even if it exhibits similar haze characteristics, compared with the case where the ratio of the scattering component is relatively high and the thickness of the support layer is relatively low, It can exhibit excellent surface roughness characteristics. This may be attributed to the relatively low content of the scattering component.
  • the plastic substrate of the present application is manufactured by superimposing the scattering component on the polymer binder precursor, in which case the dispersibility of the scattering component in the support layer can be stably secured, as compared to the method of post-adding. This is because scattering components at the surface can reduce aggregation. When scattering components are agglomerated on the surface of the plastic substrate, a short may occur, which is disadvantageous for device fabrication.
  • the plastic substrate of the present application is more advantageous in terms of the dispersion stability of the scattering components in the support layer, the uniformity of the scattering components and the surface roughness characteristics.
  • the support layer may have a surface roughness (Ra) in a range of about 0.1 nm to 30 nm measured in a region of 20 ⁇ m ⁇ 20 ⁇ m or more. More specifically, the upper limit of the surface roughness Ra may be 30 nm or less, 27.5 nm or less, 25 nm or less, 22.5 nm or less, 20 nm or less, 17.5 nm or less, 15 nm or less, or 12.5 nm or less.
  • the lower limit of the surface roughness Ra is more specifically 0.1 nm or more, 1 nm or more, 2 nm or more, 3 nm or more, 4 nm or more, 5 nm or more, 6 nm or more, 7 nm or more, 8 nm or more. Or 9 nm or more.
  • the plastic substrate may exhibit excellent surface roughness characteristics, and when the plastic substrate is applied to the substrate of the organic electronic device described later, it is advantageous in terms of device fabrication of the organic electronic device, and short Does not cause problems such as
  • the method of measuring the surface roughness is not particularly limited, and the surface roughness may be measured by employing a surface roughness measuring method known in the art.
  • the surface roughness is AFM (atomic force microscope) equipment known in the art, for example, NS4 D3100 DEN P-4 Rev.
  • a device can be used for non-contact (vibrating) measurements.
  • the plastic substrate of the present application also shows excellent light transmittance.
  • the plastic substrate has a transmittance of at least 80%, at least 82%, at least 84%, at least 86%, at least 88% for light of at least one wavelength in the visible region, for example, at a wavelength of 550 nm or at 638 nm. Or 90% or more.
  • Plastic substrate of the present application includes a relatively small amount of scattering components in order to exhibit the haze characteristics and / or light extraction performance to be implemented, and because of using a relatively thick thickness of the support layer, it can exhibit such excellent light transmittance have. Since the plastic substrate of the present application has excellent light transmittance as described above, the plastic substrate may be suitable as a substrate of an organic electronic device of a bottom emission type, but is not limited thereto.
  • the plastic substrate of the present application may exhibit excellent durability, peeling resistance and the like even in the process of forming an organic electronic device requiring high temperature.
  • the thermal expansion coefficient of the plastic substrate may be in the range of 10 ppm / ° C. to 50 ppm / ° C., but is not limited thereto.
  • the plastic substrate of the present application may exhibit high refractive index.
  • the plastic substrate may have a refractive index of at least about 1.5, at least about 1.6, at least about 1.65, or at least about 1.7 for light having a wavelength of 550 nm or 633 nm.
  • the upper limit of the refractive index is not particularly limited, but may be, for example, 1.9 or less, 1.85 or less, 1.80 or less, or 1.75 or less.
  • Such a refractive index range can be ensured by, for example, forming a plastic substrate from a polymer material having a high refractive index or by blending high refractive index particles with a material of the plastic substrate.
  • the refractive index of the plastic substrate satisfies the above range, the total reflection phenomenon may be solved or alleviated in the substrate, thereby realizing an organic electronic device having excellent light extraction performance.
  • the polymer binder may include polyimide, polyethylene naphthalate, polycarbonate, acrylic resin, polyethylene terephthalate, polysulfone, polyether sulfide, polypropylene, polyether ether ketone or polydimethylsilonic acid
  • polyimide may be selected and used as the polymer binder in terms of process temperature or light extraction performance.
  • Such a polyimide can be manufactured using the monomer which introduce
  • the polymer binder may include a polyimide compound including a repeating unit of Formula 1 below.
  • R 1 to R 20 are each independently a hydrogen, an alkyl group, an alkoxy group, an aryl group or a functional group containing a halogen atom, a sulfur atom or a phosphorus atom, and n is an integer of 1 or more.
  • R 1 to R 20 There is no substituent substituted on a carbon atom connecting two of the ring structure. For example, R 2 and R 5 are not present when the carbon atom to which R 2 is connected and the carbon atom to which R 8 is connected connect the benzene ring.
  • single bond may mean that no separate atom or atom group exists at the corresponding site.
  • benzene on both sides of -L- may be directly connected to form a biphenyl structure.
  • the alkyl group may be, for example, a straight or branched chain alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, 1 to 16 carbon atoms, 1 to 12 carbon atoms, 1 to 8 carbon atoms, or 1 to 4 carbon atoms, unless otherwise specified. .
  • the alkyl group may be optionally substituted with one or more substituents.
  • an alkoxy group may mean an alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms, 1 to 16 carbon atoms, 1 to 12 carbon atoms, 1 to 8 carbon atoms, or 1 to 4 carbon atoms.
  • the alkoxy group may be linear, branched or cyclic.
  • the alkoxy group may be optionally substituted by one or more substituents.
  • the aryl group or the arylene group herein includes, unless otherwise specified, an aromatic compound comprising a benzene or a structure containing two or more benzene condensed or bonded while sharing two or one carbon atom or It may mean a monovalent residue or a divalent residue derived from a derivative.
  • the aryl group or arylene group may be, for example, an aryl group or arylene group having 6 to 22 carbon atoms, 6 to 20 carbon atoms, 6 to 18 carbon atoms, 6 to 16 carbon atoms, 6 to 14 carbon atoms or 6 to 12 carbon atoms.
  • the aryl group or arylene group may be optionally substituted by one or more substituents.
  • the alkylene group or the alkylidene group may be, for example, an alkylene group having 1 to 20 carbon atoms, 1 to 16 carbon atoms, 1 to 12 carbon atoms, 1 to 8 carbon atoms, or 1 to 4 carbon atoms. It may mean a leaden group.
  • the alkylene group or alkylidene group may be, for example, linear, branched or cyclic. In addition, the alkylene group or alkylidene group may be optionally substituted by one or more substituents.
  • the alkenylene group or alkynyldene group includes, for example, an alkenylene group having 2 to 20 carbon atoms, 2 to 16 carbon atoms, 2 to 12 carbon atoms, 2 to 8 carbon atoms, or 2 to 4 carbon atoms. Or an alkynylidene group.
  • the alkenylene group or alkynylidene group may be, for example, linear, branched or cyclic.
  • the alkenylene group or alkynylidene group may be optionally substituted with one or more substituents.
  • the alkenyl group may be, for example, an alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms, 2 to 16 carbon atoms, 2 to 12 carbon atoms, 2 to 8 carbon atoms, or 2 to 4 carbon atoms.
  • the alkenyl group may be, for example, linear, branched or cyclic.
  • the alkenyl group may be optionally substituted with one or more substituents.
  • substituents that may be substituted with an alkyl group, an alkoxy group, an aryl group, an alkylene group, an alkylidene group, an alkenylene group, an alkynylene group, an arylene group, or the like include a halogen atom such as fluorine, chlorine, bromine or iodine, A functional group, a phenyl group, a benzyl group, a naphthyl group, or a thiophenyl group, including a sulfur atom or a phosphorus atom, etc. may be exemplified, but is not limited thereto.
  • the polymeric binder may be a homopolymer formed of only the repeating unit of Formula 1, or may be a block or random copolymer including other units other than the repeating unit of Formula 1.
  • both ends of the polymer may be independently a hydrogen, an alkyl group, an alkoxy group aryl group or a functional group including a halogen atom, a sulfur atom or a phosphorus atom.
  • the kind and ratio of another repeating unit can be suitably selected in the range which does not inhibit a desired refractive index, heat resistance, a light transmittance, etc., for example.
  • the polymer binder including the repeating unit of Chemical Formula 1 may be, for example, about 10,000 to 100,000 or about 10,000 to 50,000 in terms of weight average molecular weight in terms of standard polystyrene measured by gel permeation chromatography (GPC).
  • the polymeric binder having a repeating unit of formula (1) also has a light transmittance of 80% or more, 85% or more or 90% or more in the visible light region, and is excellent in heat resistance.
  • the average particle diameter of the scattering component may be in the range of 150 nm to 300 nm.
  • the lower limit of the average particle diameter of the scattering component may be 150 nm or more, 160 nm or more, 170 nm or more, 180 mm or more, 190 mm or 200 nm or more.
  • an upper limit of the average particle diameter of the scattering component may be specifically 300 nm or less, 290 nm or less, 280 nm or less, 270 nm or less, 260 nm or less, or 250 nm or less.
  • the scattering component may have a higher or lower refractive index than the surrounding material, for example, a polymeric binder.
  • the absolute value of the difference in refractive index for the light of the wavelength of 550 nm or 633 nm of the polymeric binder and the scattering component may be in the range of 0.5 to 1.2.
  • the lower limit of the absolute value of the difference in refractive index may be specifically 0.5 or more, 0.55 or more, 0.6 or more, 0.65 or more, or 0.7 or more.
  • an upper limit of the absolute value of the difference in refractive index may be specifically 1.2 or less, 1.15 or less, 1.1 or less, 1.05 or less, or 1 or less.
  • an organic electronic device having excellent light extraction performance can be provided by appropriately scattering, refracting, or diffracting light incident on the plastic substrate.
  • the shape of the scattering component may be appropriately selected within a range that does not impair the purpose of the present application.
  • the scattering component may have a shape such as spherical, oval, polyhedron or amorphous, but is not limited thereto.
  • the scattering component a material capable of forming a region capable of scattering, refracting, or diffracting light incident in a state contained in a polymer binder may be appropriately selected from known materials known in the art. Can be used.
  • the scattering component may include, for example, an organic material and / or an inorganic material.
  • the organic material include acrylic resins, styrene resins, olefin resins, nylon resins, melamine resins, formaldehyde resins, silicone resins, urethane resins, polyester resins, polycarbonate resins and derivatives thereof.
  • An organic material including one or more may be exemplified, but is not limited thereto.
  • the inorganic material may be a metal or an oxide of a metal, but is not limited thereto.
  • the inorganic substance include TiO 2 , HfO 2 , BaTiO 3 , SnO 2 , ZrO 2 , ZnO, Al 2 O 3, and SiO 2.
  • Minerals including one or more selected from the group consisting of may be exemplified, but are not limited thereto.
  • the scattering component may be formed of only one of the above materials or two or more of the above materials. For example, hollow particles such as hollow silica or particles having a core / cell structure may be used as the scattering component.
  • a barrier layer may be further formed on one or both surfaces of the support layer.
  • the term "barrier layer” may mean a layer having a function of preventing permeation of oxygen, moisture, nitrogen oxides, sulfur oxides, or ozone in the atmosphere.
  • the barrier layer is not particularly limited as long as it has the above function, and may be appropriately selected depending on the intended use.
  • the barrier layer may be formed on one side or both sides of the plastic substrate via a buffer layer. That is, the plastic substrate may further include a buffer layer formed between the barrier layer and the support layer.
  • the buffer layer may serve to improve adhesion between the barrier layer and the base layer.
  • the buffer layer may be formed by, for example, depositing an inorganic layer such as SiO 2 , SiONx or SiNx by a sputtering method or a known vacuum deposition method. If necessary, the buffer layer may be formed by a method of organic / inorganic coating.
  • the material of the barrier layer may be selected and used without limitation, a material having a function of preventing the substances that promote device degradation such as moisture and oxygen from entering the device.
  • the barrier layer may be formed of a metal such as In, Sn, Pb, Au, Cu, Ag, Al, Ti, and Ni; TiO, TiO 2 , Ti 3 O 3 , Al 2 O 3 , MgO, SiO, SiO 2 , GeO, NiO, CaO, BaO, Fe 2 O 3 , Y2O 3 , ZrO 2 , Nb 2 O 3 and CeO 2 and Metal oxides such as; Metal nitrides such as SiN; Metal oxynitrides such as SiON; Metal fluorides such as MgF 2 , LiF, AlF 3 and CaF 2 ; Polyethylene, polypropylene, polymethylmethacrylate, polyimide, polyurea, polytetrafluoroethylene, polychlorotrifluoroethylene, polydichlorodifluoroethylene, or chlorotrifluoroethylene and dichlorodifluoroethylene Copolymers; Copolymers obtained by copolymerizing a com
  • the material of the barrier layer may be a metal oxide.
  • the material of the barrier layer may be a high refractive index metal oxide.
  • the refractive index of the barrier layer may be, for example, about 1.45 or more, about 1.5 or more, about 1.6 or more, about 1.65 or more, or about 1.7 or more with respect to a wavelength of 633 nm.
  • the upper limit of the refractive index of the barrier layer can be appropriately adjusted according to the desired function, for example, the refractive index for the wavelength of 633 nm may be 2.6 or less, 2.3 or less, 2.0 or less or 1.8 or less.
  • the barrier layer may be a single layer structure or a multilayer structure.
  • the single layer structure may include, for example, a material of one kind of barrier layer, or may include a mixture of two or more types of barrier layers.
  • the multilayer structure may be, for example, a structure in which two or more layers of the single layer structure are stacked, and in one suitable example, the barrier layer may include a titanium oxide layer (eg, TiO 2 layer) and an aluminum oxide layer (eg, For example, the Al 2 O 3 layer) may be a multilayer structure sequentially stacked.
  • the thickness of the barrier layer is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the intended use. In one example, the thickness of the barrier layer can be 5 nm to 1000 nm, 7 nm to 750 nm or 10 nm to 500 nm.
  • the light transmittance of the barrier layer is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the intended use. In one example, the light transmittance of the barrier layer may be at least about 80%, at least 85%, or at least 90%.
  • the barrier layer can have a refractive index that is comparable to the adjacent layer.
  • the barrier layer may have a refractive index of 1.5 or more for light having a wavelength of 550 nm or 633 nm. Accordingly, since the total reflection phenomenon at the interface between the barrier layer and the electrode layer can be solved or alleviated, an organic electronic device having excellent light extraction performance can be realized.
  • the barrier layer may have a water vapor transmission rate (WVTR) of 10 ⁇ 4 g / m 2 ⁇ day or less.
  • the water vapor transmission rate may be, for example, a value measured at a temperature of 40 ° C. and a relative humidity of 90%.
  • the water vapor transmission rate can be measured using, for example, a water vapor transmission rate meter (manufactured by PERMATRAN-W3 / 31, manufactured by MOCON, Inc.).
  • a water vapor transmission rate meter manufactured by PERMATRAN-W3 / 31, manufactured by MOCON, Inc.
  • the barrier layer is, for example, ALD (Atomic Layer Deposition) method, vacuum deposition method, sputtering method, reactive sputtering method, MBE (molecular beam epitaxy) method, cluster ion beam method, ion plating method, plasma polymerization method (high frequency excitation ion plating method), It may be a layer formed by plasma CVD method, laser CVD method, thermal CVD method, gas source CVD method or coating method, and may be an atomic layer deposition layer formed by ALD method as one suitable example.
  • ALD Atomic Layer Deposition
  • the plastic substrate of the present application may further include a flat layer.
  • the flat layer may be formed on one or both surfaces of the support layer, for example.
  • the flat layer has such a concave-convex structure when the scattering component 1012 is exposed to the surface of the polymeric binder 1011 such that the surface of the support layer has a concave-convex structure, such as the plastic substrate illustrated in FIG. 2. It may be formed on the upper surface of the support layer.
  • 3 exemplarily illustrates a plastic substrate 1 having a structure in which a flat layer 301 is formed on an upper surface of a support layer 101 having an uneven structure.
  • the planarization layer can include high refractive particles, for example, with a binder.
  • the flat layer may be formed using a composition in which high refractive particles are mixed with a binder.
  • the flat layer may provide a surface on which an organic electronic device including an electrode layer and the like may be formed, and have light scattering properties to improve light extraction performance of the device.
  • the flat layer may have a refractive index that is equal to or greater than that of the adjacent electrode layer, and for example, the refractive index of light having a wavelength of 550 nm or 633 nm may be 1.5 or more.
  • the binder of the flat layer a known material can be used without particular limitation.
  • various organic binders, inorganic binders or organic-inorganic binders known in the art can be used.
  • the organic binder, the inorganic binder, or the organic / inorganic binder having excellent heat resistance and chemical resistance may be selected and used in consideration of excellent resistance to a high temperature process, a photo process or an etching process performed during the life of the device or the fabrication process.
  • the binder may, for example, have a refractive index of at least about 1.4, at least about 1.45, at least about 1.5, at least about 1.6, at least about 1.65, or at least about 1.7.
  • the upper limit of the refractive index of the binder may be selected in a range capable of satisfying the refractive index of the flat layer in consideration of the refractive index of the particles to be blended together.
  • the binder for example, epoxy resin, polysiloxane or polyimide can be exemplified.
  • a high refractive binder or a low refractive binder can be used, for example.
  • the term "high refractive index binder” means a binder having a refractive index of about 1.7 to 2.5 or about 1.7 to 2.0
  • the term "low refractive binder” may mean a binder having a refractive index of about 1.4 or more and less than about 1.7. have.
  • Such binders are variously known, and suitable binders may be selected and used among various kinds of binders described above or other known binders.
  • the flat layer may further comprise high refractive particles.
  • high refractive particles may mean, for example, particles having a refractive index of 1.8 or more, 2.0 or more, 2.2 or more, 2.5 or more, 2.6 or more, or 2.7 or more.
  • the upper limit of the refractive index of the high refractive particles may be selected in a range capable of satisfying the refractive index of the flat layer, for example, in consideration of the refractive index of the binder and the like blended together.
  • the high refractive particles may be, for example, about 1 nm to 100 nm, 10 nm to 90 nm, 10 nm to 80 nm, 10 nm to 70 nm, 10 nm to 60 nm, 10 nm to 50 nm or about 10 nm to 45 nm. It may have an average particle diameter of.
  • the high refractive particles for example, alumina, aluminosilicate, titanium oxide or zirconium oxide and the like can be exemplified.
  • rutile titanium oxide can be used, for example, as particles having a refractive index of 2.5 or more.
  • Titanium oxide of the rutile type has a high refractive index compared to other particles, and therefore can be adjusted to the desired refractive index in a relatively small proportion.
  • the refractive index of the high refractive particles may be a refractive index measured for light of 550 nm wavelength or 633 nm.
  • the flat layer may include high refractive particles having a refractive index of 1.8 or more and an average particle diameter of 50 nm or less for light having a wavelength of 633 nm.
  • the ratio of the high refractive particles in the flat layer is not particularly limited and may be adjusted within a range in which the refractive index of the flat layer described above can be secured.
  • the high refractive particles are 300 parts by weight or less, 250 parts by weight or less, 200 parts by weight or less relative to 100 parts by weight of the binder. It may be included in the flat layer in a ratio of 150 parts by weight or less or 120 parts by weight or less.
  • the ratio of the high refractive particles may be, for example, 40 parts by weight or more, 60 parts by weight or more, 80 parts by weight or more, or 100 parts by weight or more.
  • unit weight part means the ratio of weight between components, unless otherwise specified.
  • the flat layer may be, for example, a wet coating method using a coating liquid containing a binder and high refractive particles, a deposition method such as a sol-gel method, a chemical vapor deposition (CVD) or a physical vapor deposition (PVD) method, or a micro It can be formed through an embossing method, but is not limited thereto.
  • a wet coating method using a coating liquid containing a binder and high refractive particles a deposition method such as a sol-gel method, a chemical vapor deposition (CVD) or a physical vapor deposition (PVD) method, or a micro It can be formed through an embossing method, but is not limited thereto.
  • the flat layer may be formed using a material in which a compound such as alkoxide or acylate of a metal such as zirconium, titanium or cerium is combined with a binder having a polar group such as a carboxyl group or a hydroxy group.
  • a compound such as alkoxides or acylates may be condensed with the polar groups in the binder, and the high refractive index may be realized by including the metal in the binder.
  • the alkoxide or acylate compound include titanium alkoxides such as tetra-n-butoxy titanium, tetraisopropoxy titanium, tetra-n-propoxy titanium or tetraethoxy titanium, titanium stearate and the like.
  • Zirconium such as zirconium alkoxides such as titanium acylate, titanium chelates, tetra-n-butoxy zirconium, tetra-n-propoxy zirconium, tetraisopropoxy zirconium or tetraethoxy zirconium and zirconium tributoxy stearate Acylate, zirconium chelates, etc. can be illustrated.
  • the flat layer may also be formed by a sol-gel coating method in which a metal alkoxide, such as titanium alkoxide or zirconium alkoxide, and a solvent such as alcohol or water are prepared to prepare a coating liquid, and after the coating is applied, the coating solution is baked at an appropriate temperature.
  • the plastic substrate of the present application may further include a carrier substrate attached to one surface of the support layer.
  • a carrier substrate attached to one surface of the support layer.
  • the carrier substrate may use a glass substrate or a rigid substrate, for example.
  • a glass substrate an appropriate material can be used without particular limitation, and for example, a base layer such as soda lime glass, barium / strontium-containing glass, lead glass, aluminosilicate glass, borosilicate glass, barium borosilicate glass, or quartz can be used. It may be illustrated, but is not limited thereto.
  • the carrier substrate may be formed to be detachable from the plastic substrate.
  • the present application also relates to a method of manufacturing the plastic substrate.
  • Exemplary plastic substrate manufacturing methods of the present application include forming a layer of a composition comprising a polymeric binder precursor and a scattering component, and converting the polymeric binder precursor into a polymeric binder in the layer.
  • the composition including the polymer binder precursor and the scattering component may include the scattering component in a ratio within the range of about 0.05% to 3.75% by weight based on 100% by weight of the polymer binder precursor.
  • “100 wt% polymer binder precursor” may refer to a weight ratio based on the weight of the polymer binder precursor except for the solvent. Specific matters regarding the content ratio of the scattering component may be equally applicable to the content ratio of the scattering component in the polymer binder described in the item of the plastic substrate.
  • the layer of the composition may be formed to a thickness within the range of about 10 ⁇ m to 130 ⁇ m.
  • the layer of the composition may be the support layer described in the section of the plastic substrate by converting the polymeric binder precursor to a polymeric binder. Therefore, the details regarding the thickness of the layer of the composition may be equally applicable to the contents of the thickness of the support layer described in the item of the plastic substrate.
  • the manufacturing method relates to a manufacturing method of the plastic substrate
  • the contents described in the items of the plastic substrate are equally applied to matters other than the content ratio of the scattering component and the thickness of the layer of the composition. Can be. Therefore, when manufacturing a plastic substrate by the said manufacturing method, the plastic substrate which exhibits the haze characteristic described in the item of the said plastic substrate can be manufactured.
  • the manufacturing method produces a plastic substrate by sintering the scattering component.
  • the term “addition” means that in the method of manufacturing a plastic substrate having a support layer comprising a polymer binder and a scattering component, the step of adding the scattering component is performed before the polymer binder precursor is converted into the polymer binder. can do. That is, the term “addition” in the present specification may mean that the scattering component is added to the polymer binder precursor in the manufacturing method of the plastic substrate.
  • the term “post-addition” may mean that in the method of manufacturing the plastic substrate, the step of adding the scattering component is performed after the polymer binder precursor is converted into the polymer binder. That is, in the present specification, the term “post-addition” may mean that the scattering component is added to the polymer binder in the method of manufacturing the plastic substrate.
  • polymer binder precursor may refer to a material that is a material required to form a polymer binder or a material of a previous stage of the polymer binder in a series of reactions forming the polymer binder.
  • the high molecular weight binder precursor may be appropriately selected depending on the type of the polymeric binder.
  • the polymer binder is polyimide
  • the polymer binder precursor may mean a polyamic acid or a monomer compound for synthesizing the polyamic acid.
  • the production method may be said to be heavy when the scattering component is blended with the polyamic acid or the monomer compound for synthesizing the polyamic acid.
  • the plastic substrate when the plastic substrate is manufactured by squeezing the scattering component, it is possible to secure stable dispersibility of the scattering component in the polymer binder precursor and / or the polymer binder, and thus exhibit a haze suitable for light extraction performance.
  • the plastic substrate which is excellent in a roughness characteristic can be manufactured.
  • the plastic substrate when the plastic substrate is manufactured by post-scattering the scattering component, it is impossible to secure the dispersibility of the scattering component in the polymer binder. Therefore, aggregation of the scattering component may occur inside the polymer binder or on the surface of the layer of the composition. It is difficult to represent a haze suitable for the light extraction performance and the surface roughness characteristics are also lowered there is a disadvantage in manufacturing the device.
  • the composition may be prepared by dissolving the polymer binder precursor and the scattering component in a suitable solvent.
  • a solvent well-known organic solvents, such as toluene, xylene, cyclopentanone, or cyclohexanone, can be used.
  • the composition may further include additives such as a polymerization initiator, a surfactant, and the like.
  • the layer of the composition can be formed by applying a composition comprising a polymeric binder precursor and a scattering component onto a suitable substrate.
  • the substrate may use the carrier substrate described in the section of the plastic substrate.
  • the coating method is not particularly limited and a known coating method can be applied.
  • a roll coating, a printing method, an inkjet coating, a slit nozzle method, a bar coating, a comma coating, a spin coating or a gravure coating may be exemplified.
  • the polymeric binder precursor may be polyamic acid.
  • a polyamic acid the well-known polyamic acid which can form a polyimide can be used.
  • a polyamic acid including a repeating unit represented by the following Formula 2 may be used as the polyamic acid.
  • R 1 to R 20 do not have a substituent substituted on a carbon atom connecting two ring structures to each other. For example if, when R 2 is attached is a carbon atom and a carbon atom connected to R 8 is connected, R 2 and R 8 is absent, -NH- group and R 14 is a carbon atom connected to R 14 is coupled from the formula (2) Does not exist.
  • the step of converting the polymer binder precursor to the polymer binder in the layer of the composition may be performed by a step of imidizing the polyamic acid.
  • the condition or method of the imidation reaction is not particularly limited, and conditions or methods of the imidation reaction for converting a polyamic acid known in the art to polyimide may be applied.
  • the present application also relates to the use of the plastic substrate.
  • the present application relates to an organic electronic device including the plastic substrate.
  • the organic electronic device includes a polymer binder; And a scattering component contained in the binder at a ratio within the range of 0.05% to 3.75% by weight, the support layer having a thickness in the range of 10 ⁇ m to 130 ⁇ m, and having a haze in the range of 5% to 80%.
  • Board A first electrode layer formed on the substrate; It may include an organic layer formed on the first electrode layer and a second electrode layer formed on the organic layer.
  • the contents described in the items of the plastic substrate may be applied in the same manner.
  • the organic layer may include at least a light emitting layer.
  • a light emitting layer For example, when the first electrode layer is transparently implemented and the second electrode layer is a reflective electrode layer, a lower light emitting device in which light generated in the light emitting layer of the organic layer is emitted to the base layer side through the optical functional layer may be implemented.
  • the organic electronic device may be an organic light emitting device.
  • the organic electronic device may have a structure in which an organic layer including at least the light emitting layer is interposed between the hole injection electrode layer and the electron injection electrode layer.
  • the first electrode layer formed on the plastic substrate may be a hole injection electrode layer
  • the second electrode layer formed on the organic layer may be an electron injection electrode layer.
  • the first electrode layer may be a transparent electrode layer.
  • the organic layer existing between the electron and the hole injection electrode layer may include at least one light emitting layer.
  • the organic layer may include a plurality of light emitting layers of two or more layers. When two or more light emitting layers are included, the light emitting layers may have a structure divided by an intermediate electrode layer or a charge generating layer (CGL) having charge generation characteristics.
  • CGL charge generating layer
  • the light emitting layer can be formed using, for example, various fluorescent or phosphorescent organic materials known in the art.
  • Examples of the material of the light emitting layer include tris (4-methyl-8-quinolinolate) aluminum (III) (tris (4-methyl-8-quinolinolate) aluminum (III)) (Alg3), 4-MAlq3 or Gaq3.
  • the light emitting layer includes the material as a host, and further includes perylene, distyrylbiphenyl, DPT, quinacridone, rubrene, BTX, ABTX, or DCJTB. It may have a host-dopant system including a dopant.
  • the light emitting layer can be formed by appropriately adopting a kind showing light emission characteristics among the electron-accepting organic compound or electron donating organic compound described later.
  • the organic layer may be formed in various structures further including other various functional layers known in the art, as long as it includes a light emitting layer.
  • Examples of the layer that may be included in the organic layer may include an electron injection layer, a hole blocking layer, an electron transport layer, a hole transport layer, a hole injection layer, and the like.
  • the electron injection layer or the electron transport layer can be formed using, for example, an electron accepting organic compound.
  • an electron accepting organic compound any compound known without particular limitation may be used.
  • organic compounds include polycyclic compounds such as p-terphenyl or quaterphenyl or derivatives thereof, naphthalene, tetratracene, pyrene, coronene, and coronene.
  • Polycyclic hydrocarbon compounds or derivatives thereof such as chrysene, anthracene, diphenylanthracene, naphthacene or phenanthrene, phenanthroline, vasophenanthrol Heterocyclic compounds or derivatives thereof, such as lean (bathophenanthroline), phenanthridine, acridine (acridine), quinoline (quinoline), quinoxaline or phenazine (phenazine) and the like.
  • fluoroceine perylene, phthaloperylene, naphthaloperylene, naphthaloperylene, perynone, phthaloperinone, naphtharoferinone, diphenylbutadiene ( diphenylbutadiene, tetraphenylbutadiene, oxadiazole, ardazine, bisbenzoxazoline, bisstyryl, pyrazine, cyclopentadiene , Oxine, aminoquinoline, imine, diphenylethylene, vinylanthracene, diaminocarbazole, pyrane, thiopyrane, polymethine, mero Cyanine (merocyanine), quinacridone or rubrene, or derivatives thereof, JP-A-1988-295695, JP-A-1996-22557, JP-A-1996-81472, Japanese Patent Laid-Open Publication No.
  • Fluorescent brighteners such as a benzooxazole compound, a benzothiazole compound or a benzoimidazole compound; 1,4-bis (2-methylstyryl) benzene, 1,4-bis (3-methylstyryl) benzene, 1,4-bis (4-methylstyryl) benzene, distyrylbenzene, 1,4- Bis (2-ethylstyryl) benzyl, 1,4-bis (3-ethylstyryl) benzene, 1,4-bis (2-methylstyryl) -2-methylbenzene or 1,4-bis (2- Distyrylbenzene compounds such as methylstyryl) -2-ethylbenzene and the like; 2,5-bis (4-methylstyryl) pyrazine, 2,5-bis (4-ethylstyryl) pyrazine, 2,5-bis [2- (1-naphthyl) vinyl
  • Namin (silanamine) derivative disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 194-279322 or Japanese Patent Laid-Open No. 194-279323 Polyfunctional styryl compound, an oxadiazole derivative disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 194-107648 or Japanese Patent Application Laid-Open No. 194-092947, an anthracene compound disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 194-206865, Japanese Patent Oxynate derivative disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 194-145146, tetraphenylbutadiene compound disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 1992-96990, organic trifunctional compound disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No.
  • the electron injection layer may be formed using, for example, a material such as LiF or CsF.
  • the hole blocking layer is a layer capable of preventing the injected holes from entering the electron injection electrode layer through the light emitting layer to improve the life and efficiency of the device, and if necessary, using a known material, the light emitting layer and the electron injection electrode layer It can be formed in a suitable portion in between.
  • the hole injection layer or hole transport layer may comprise, for example, an electron donating organic compound.
  • the electron donating organic compound include N, N ', N'-tetraphenyl-4,4'-diaminophenyl, N, N'-diphenyl-N, N'-di (3-methylphenyl) -4, 4'-diaminobiphenyl, 2,2-bis (4-di-p-tolylaminophenyl) propane, N, N, N ', N'-tetra-p-tolyl-4,4'-diamino ratio Phenyl, bis (4-di-p-tolylaminophenyl) phenylmethane, N, N'-diphenyl-N, N'-di (4-methoxyphenyl) -4,4'-diaminobiphenyl, N , N, N ', N'-tetraphenyl-4,4'-diaminodiphenylether
  • the hole injection layer or the hole transport layer may be formed by dispersing an organic compound in a polymer or using a polymer derived from the organic compound. Also, such as polyparaphenylene vinylene and derivatives thereof, so-called ⁇ -conjugated polymers, hole-transporting non-conjugated polymers such as poly (N-vinylcarbazole), or ⁇ -conjugated polymers of polysilane may also be used. Can be.
  • the hole injection layer is formed by using electrically conductive polymers such as metal phthalocyanine such as copper phthalocyanine, non-metal phthalocyanine, carbon film and polyaniline, or by reacting the aryl amine compound with Lewis acid as an oxidizing agent. You may.
  • electrically conductive polymers such as metal phthalocyanine such as copper phthalocyanine, non-metal phthalocyanine, carbon film and polyaniline, or by reacting the aryl amine compound with Lewis acid as an oxidizing agent. You may.
  • the organic light emitting device may include: (1) a hole injection electrode layer / organic light emitting layer / electron injection electrode layer formed sequentially; (2) the form of a hole injection electrode layer / hole injection layer / organic light emitting layer / electron injection electrode layer; (3) the form of a hole injection electrode layer / organic light emitting layer / electron injection layer / electron injection electrode layer; (4) the form of a hole injection electrode layer / hole injection layer / organic light emitting layer / electron injection layer / electron injection electrode layer; (5) the form of a hole injection electrode layer / organic semiconductor layer / organic light emitting layer / electron injection electrode layer; (6) the form of a hole injection electrode layer / organic semiconductor layer / electron barrier layer / organic light emitting layer / electron injection electrode layer; (7) the form of a hole injection electrode layer / organic semiconductor layer / organic light emitting layer / adhesion improvement layer / electron injection electrode layer; (8) the form of a hole injection electrode layer / hole injection layer / hole transport layer;
  • the organic electronic device may further include an encapsulation structure.
  • the encapsulation structure may be a protective structure to prevent foreign substances such as moisture or oxygen from flowing into the organic layer of the organic electronic device.
  • the encapsulation structure may be, for example, a can such as a glass can or a metal can, or a film covering the entire surface of the organic layer.
  • FIG. 4 shows that the first electrode layer 401, the organic layer 402, and the second electrode layer 403 sequentially formed on the plastic substrate 1 are encapsulated in a can structure such as a glass can or a metal can. Illustrate the protected form.
  • the encapsulation structure 404 may be attached to the plastic substrate 1 by, for example, an adhesive. In this way it is possible to maximize the protective effect through the encapsulation structure.
  • the encapsulation structure may be, for example, a film covering the entire surface of the first electrode layer, the organic layer, and the second electrode layer.
  • 5 exemplarily illustrates an encapsulation structure 501 in the form of a film covering the entire surface of the first electrode layer 401, the organic layer 402, and the second electrode layer 403.
  • the encapsulation structure 501 in the form of a film covers the entire surface of the first electrode layer 401, the organic layer 402, and the second electrode layer 403, as shown in FIG.
  • the two substrates 502 may be bonded to each other.
  • the second substrate for example, a glass substrate, a metal substrate, a polymer film or a barrier layer may be exemplified.
  • the encapsulation structure in the form of a film is formed by applying, curing, and curing a liquid material that is cured by heat or ultraviolet (UV) irradiation or the like, for example, an epoxy resin, or by using the epoxy resin or the like beforehand It can be formed by laminating the substrate and the upper substrate using an adhesive sheet prepared in the form.
  • a liquid material that is cured by heat or ultraviolet (UV) irradiation or the like, for example, an epoxy resin, or by using the epoxy resin or the like beforehand
  • UV ultraviolet
  • the encapsulation structure may include a metal oxide such as calcium oxide, beryllium oxide, a metal halide such as calcium chloride, or a water adsorbent such as phosphorus pentoxide, or a getter material.
  • the moisture adsorbent or getter material may be included, for example, inside the encapsulation structure in the form of a film, or may be present at a predetermined position of the encapsulation structure in the can structure.
  • the encapsulation structure may further include a barrier film, a conductive film, or the like.
  • the present application also relates to the use of such organic electronic devices, for example organic light emitting devices.
  • the present application relates to a light source for a display including the organic electronic device.
  • the present application relates to a lighting device including the organic electronic device.
  • the light source for the display may be a backlight of a liquid crystal display (LCD), a light source, a light source of various sensors, a printer, a copier, a vehicle instrument light source, a signal lamp, an indicator light, a display device, a light source of an area light emitting body, a display, A decoration or various lights etc. can be illustrated.
  • LCD liquid crystal display
  • the organic electronic device when the organic electronic device is applied to the light source for the display, the lighting device, or other uses, other components constituting the light source for the display or the lighting device, or a configuration method thereof are not particularly limited, and the organic electronic device is applied. As far as possible, any material or method known in the art may be employed.
  • Plastic substrate of the present application is excellent in light extraction performance and surface roughness characteristics.
  • the method of manufacturing a plastic substrate of the present application may produce the plastic substrate through a process of adding a scattering component.
  • the plastic substrate of the present application may be used as a substrate of the organic electronic device, the organic electronic device may be used as a light source and a lighting device for a display.
  • 1-3 show exemplary plastic substrates.
  • FIG. 6 shows an SEM cross-sectional image of the plastic substrate of Example 1.
  • Example 7 shows an optical microscope surface image of a dark field mode of the plastic substrates of Example 4 and Comparative Examples 5 and 6 (scale bar: 20 ⁇ m).
  • FIG. 8 shows SEM surface images of the plastic substrates of Example 4 and Comparative Examples 5 and 6.
  • FIG. 9 is a graph showing the transmittance of the visible light region of the plastic substrate and the absolute quantum efficiency of the organic light emitting device.
  • the transmittance of the plastic substrate was measured using an integrating sphere. More specifically, the brightness of the integrating sphere is set to L 0 while the self-absorption correction lamp in the integrating sphere is turned on.
  • the brightness of the integrating sphere when the sample to be measured in the integrating sphere is centered is referred to as Ls.
  • L D the brightness of the plastic substrate transmittance
  • Substrate transmittance (%) (Ls-L D ) / (L 0 -L D ) x 100
  • the haze of a plastic substrate was measured using the D65 light source with the HM-150 apparatus of MURAKAMI.
  • the surface roughness of the plastic substrate is AFM (atomic force microscope) equipment, for example, Digital Instrument's NS4 D3100 DEN P-4 Rev. A-device was used for non-contact (vibrating) measurement.
  • AFM atomic force microscope
  • Absolute quantum efficiency of the organic light emitting device was measured using an integrated hemisphere device of OTSUKA Corporation.
  • the glass substrate was used as a carrier substrate, and the plastic substrate which has a support layer was produced.
  • TiO 2 reffractive index: 2.7
  • for light having a wavelength of 633 nm was mixed in an amount such that the content ratio of the scattering component to 100% by weight of polyimide in the finally prepared support layer may be about 0.1% by weight.
  • Polyamic acid: scattering component 100: 0.1 weight
  • the coating solution was coated on the glass substrate in a range such that the thickness of the supporting layer finally prepared was about 30 ⁇ m, followed by imidization, and the refractive index of the light having a wavelength of 633 nm was about 1.6.
  • distributed in the polyimide was manufactured.
  • the prepared plastic substrate had a transmittance of about 88% and a haze of about 5%.
  • a hole injection electrode layer including ITO Indium Tin Oxide
  • ITO Indium Tin Oxide
  • the prepared plastic substrate had a transmittance of about 84% and a haze of about 26%.
  • the prepared plastic substrate had a transmittance of about 81% and a haze of about 32%.
  • the haze of the prepared plastic substrate was about 33%.
  • 7 (a) and 8 (a) show optical microscope surface images (dark field mode) and SEM surface images of the prepared plastic substrate, respectively.
  • the plastic substrate and the organic electronic device were manufactured in the same manner as in Example 1 except that the polyamic acid polymerization liquid was changed so as not to include scattering particles.
  • the prepared plastic substrate had a transmittance of about 94% and a haze of about 1%.
  • the prepared plastic substrate had a transmittance of about 78% and a haze of about 65%.
  • the prepared plastic substrate had a transmittance of about 72% and a haze of about 84%.
  • the content ratio of the scattering component to 100% by weight of the polyimide will be about 2% by weight in the support layer finally prepared in the polyimide subjected to the imidization reaction without adding the scattering particles to the polyamic acid polymerization liquid.
  • Comparative Example 4 has a higher content of the scattering component compared to Example 3, but is prepared by adding the scattering component after the completion of the polymerization of the polyamic acid, which ensures stable dispersibility in the polyimide by agglomeration of the scattering component Not so, local high haze was expressed. As a result of the haze measurement, the comparative example 4 did not show the haze characteristic of the grade suitable for the light extraction performance, and was confirmed to show the haze about 50% or more locally.
  • the haze of the prepared plastic substrate was about 3%.
  • 7 (b) and 8 (b) show optical microscope surface images (dark field mode) and SEM surface images of the prepared plastic substrate, respectively.
  • a plastic substrate and an organic electronic device were manufactured by the same method as Comparative Example 4, except that the coating solution was coated on the glass substrate in a range in which the thickness of the supporting layer finally prepared was about 2 ⁇ m. It was.
  • the haze of the prepared plastic substrate was about 51%.
  • 7 (c) and 8 (c) show optical microscope surface images (dark field mode) and SEM surface images of the prepared plastic substrate, respectively.

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Abstract

The present application relates to a plastic substrate, a method for producing same, an organic electronic device, and display light source and lighting apparatus. The plastic substrate according to the present application has superb light extraction efficiency and exhibits an excellent surface roughness characteristic. Furthermore, the method for producing the plastic substrate according to the present application can produce the plastic substrate by means of a process in which scattering components are added secondarily. Moreover, the plastic substrate according to the present application can be utilized as a substrate for an organic electronic device, and the organic electronic device can be utilized as display light source and lighting apparatus.

Description

플라스틱 기판Plastic substrate
관련 출원들과의 상호 인용  Cross Citation with Related Applications
본 출원은 2014년 08월 28일자 한국 특허 출원 제10-2014-0112911호 및 2015년 8월 28일자 한국 특허 출원 제10-2015-0121560호에 기초한 우선권의 이익을 주장하며, 해당 한국 특허 출원들의 문헌에 개시된 모든 내용은 본 명세서의 일부로서 포함된다. This application claims the benefit of priority based on Korean Patent Application No. 10-2014-0112911 dated August 28, 2014 and Korean Patent Application No. 10-2015-0121560 dated August 28, 2015. All content disclosed in the literature is included as part of this specification.
기술분야Technical Field
본 출원은 플라스틱 기판, 상기 기판의 제조방법, 유기전자장치, 광원 및 조명 기기에 관한 것이다. The present application relates to a plastic substrate, a method of manufacturing the substrate, an organic electronic device, a light source and a lighting device.
유기전자장치(OED; Organic Electronic Device)는, 예를 들면, 특허문헌 1(일본 공개특허공보 제1996-176293호)에 개시된 바와 같이 전류를 전도할 수 있는 유기 재료의 층을 하나 이상 포함하는 소자이다. 유기전자장치의 종류에는 유기발광소자(OLED), 유기태양전지, 유기감광체(OPC) 또는 유기 트랜지스터 등이 포함된다.An organic electronic device (OED) is, for example, a device including one or more layers of organic materials capable of conducting current, as disclosed in Patent Document 1 (Japanese Patent Laid-Open No. 1996-176293). to be. The type of organic electronic device includes an organic light emitting diode (OLED), an organic solar cell, an organic photoconductor (OPC), or an organic transistor.
대표적인 유기전자장치인 유기발광소자는, 통상적으로 기판, 제 1 전극층, 유기층 및 제 2 전극층을 순차로 포함한다. 소위 하부 발광형 소자(bottom emitting device)로 호칭되는 구조에서는, 제 1 전극층이 투명 전극층으로 형성되고, 제 2 전극층이 반사 전극층으로 형성될 수 있다. 또한, 소위 상부 발광형 소자(top emitting device)로 호칭되는 구조에서는 제 1 전극층이 반사 전극층으로 형성되고, 제 2 전극층이 투명 전극층으로 형성되기도 한다. 전극층에 의해서 주입된 전자(electron)와 정공(hole)이 유기층에 존재하는 발광층에서 재결합(recombination)되어 광이 생성될 수 있다. 광은 하부 발광형 소자에서는 기판측으로 상부 발광형 소자에서는 제 2 전극층측으로 방출될 수 있다. An organic light emitting device, which is a representative organic electronic device, typically includes a substrate, a first electrode layer, an organic layer, and a second electrode layer sequentially. In a structure called a bottom emitting device, the first electrode layer may be formed of a transparent electrode layer, and the second electrode layer may be formed of a reflective electrode layer. In addition, in a structure called a top emitting device, the first electrode layer may be formed of a reflective electrode layer, and the second electrode layer may be formed of a transparent electrode layer. Electrons and holes injected by the electrode layer may be recombined in the emission layer existing in the organic layer to generate light. Light may be emitted to the substrate side in the bottom light emitting device and to the second electrode layer side in the top light emitting device.
본 출원은 플라스틱 기판, 상기 기판의 제조방법, 유기전자장치, 광원 및 조명 기기를 제공한다.The present application provides a plastic substrate, a method of manufacturing the substrate, an organic electronic device, a light source, and a lighting device.
본 출원은 플라스틱 기판에 관한 것이다. 본 출원의 예시적인 플라스틱 기판은, 고분자 바인더 및 상기 고분자 바인더 내에 포함되어 있는 산란 성분을 포함하는 지지층을 가진다. 도 1 은 고분자 바인더(1011) 및 상기 고분자 바인더 내에 포함되어 있는 산란 성분(1012)을 포함하는 지지층(101)을 가지는 플라스틱 기판(1)을 예시적으로 나타낸다. The present application relates to a plastic substrate. Exemplary plastic substrates of the present application have a support layer comprising a polymeric binder and scattering components contained within the polymeric binder. 1 exemplarily shows a plastic substrate 1 having a polymeric binder 1011 and a support layer 101 comprising a scattering component 1012 contained in the polymeric binder.
하나의 예로, 상기 플라스틱 기판은 도 1에 나타낸 바와 같이 산란 성분(1012)이 고분자 바인더(1011) 내에 완전히 포함되어 지지층(101)이 평탄한 표면을 가질 수 있다. 다른 하나의 예로, 상기 플라스틱 기판은 도 2에 나타낸 바와 같이, 산란 성분(1012)이 고분자 바인더(1011)의 표면에 노출되어 지지층(101) 의 표면이 요철 구조를 가질 수도 있다. As an example, as shown in FIG. 1, the plastic substrate may include the scattering component 1012 completely in the polymer binder 1011 so that the support layer 101 may have a flat surface. As another example, as illustrated in FIG. 2, the plastic substrate may have the scattering component 1012 exposed to the surface of the polymer binder 1011 so that the surface of the support layer 101 may have an uneven structure.
본 명세서에서 용어 「산란 성분」은, 예를 들면, 고분자 바인더 등과 같은 주위 물질과는 다른 굴절률을 가지고, 또한 적절한 크기를 가져서 입사되는 광을 산란, 굴절 또는 회절시킬 수 있는 영역을 형성할 수 있는 물질을 의미할 수 있다. 상기 산란 성분은, 예를 들면, 입자의 형태일 수 있다.As used herein, the term "scattering component" has a refractive index different from that of a surrounding material such as a polymer binder and the like, and has an appropriate size to form an area capable of scattering, refracting, or diffracting incident light. It can mean a substance. The scattering component may be, for example, in the form of particles.
상기 고분자 바인더 내에 산란 성분의 함량 비율은 본 출원의 목적을 손상시키지 않는 범위 내에서 적절히 선택될 수 있다. 하나의 예시에서, 산란 성분은 고분자 바인더 내에 0.05 중량% 내지 3.75 중량%의 범위 내의 비율로 포함될 수 있다. 본 명세서에서 「고분자 바인더 내에 산란 성분의 함량 비율이 A 중량%」라는 것은 고분자 바인더 100 중량% 대비 산란 성분의 함량 비율이 A 중량%라는 것을 의미할 수 있다. 본 명세서에서 고분자 바인더 100 중량%는 용매를 제외한 고분자 바인더의 중량을 기초한 중량 비율을 의미할 수 있다. 산란 성분의 고분자 바인더 내의 함량 비율의 상한은 구체적으로 3.75 중량% 이하, 3.5 중량% 이하, 3.25 중량% 이하, 3 중량% 이하, 2.75 중량% 이하, 2.5 중량% 이하, 2.25 중량% 이하, 2 중량% 이하, 1.9 중량% 이하, 1.8 중량% 이하 또는 1.7 중량%, 1.6 중량% 이하로 포함될 수 있다. 산란 성분의 고분자 바인더 내의 함량 비율의 하한은 구체적으로 0.05 중량% 이상, 0.1 중량% 이상, 0.15 중량% 이상, 0.2 중량% 이상, 0.25 중량% 이상, 0.3 중량% 이상, 0.35 중량% 이상, 0.4 중량% 이상, 0.45 중량% 이상 또는 0.5 중량% 이상으로 포함될 수 있다. 고분자 바인더 내에 산란 성분의 함량 비율이 상기 범위 내인 경우 광추출 성능이 우수한 플리스틱 기판을 제공할 수 있다. The content ratio of the scattering component in the polymer binder may be appropriately selected within a range that does not impair the purpose of the present application. In one example, the scattering component may be included in the polymer binder in a proportion within the range of 0.05% to 3.75% by weight. In the present specification, "the content ratio of the scattering component in the polymer binder is A wt%" may mean that the content ratio of the scattering component is 100% by weight of the polymer binder. In the present specification, 100% by weight of the polymer binder may mean a weight ratio based on the weight of the polymer binder excluding the solvent. The upper limit of the content ratio in the polymer binder of the scattering component is specifically 3.75 wt% or less, 3.5 wt% or less, 3.25 wt% or less, 3 wt% or less, 2.75 wt% or less, 2.5 wt% or less, 2.25 wt% or less, 2 wt% % Or less, 1.9% or less, 1.8% or less, or 1.7% or less, or 1.6% or less. The lower limit of the content ratio in the polymer binder of the scattering component is specifically 0.05% by weight, 0.1% by weight, 0.15% by weight, 0.2% by weight, 0.25% by weight, 0.3% by weight, 0.35% by weight, 0.4% by weight. % Or more, 0.45% or more, or 0.5% or more. When the content ratio of the scattering component in the polymer binder is within the above range, it is possible to provide a plastic substrate having excellent light extraction performance.
상기 고분자 바인더 내에 산란 성분의 함량 비율은 반드시 상기 범위에 제한되는 것은 아니고 구현하고자 하는 지지층 및/또는 플라스틱 기판의 헤이즈 특성을 고려하여, 상기 범위 미만 또는 초과로도 조절될 수 있다. 다만, 후술하는 바와 같이, 본 출원의 플라스틱 기판은, 산란 성분을 고분자 바인더 전구 물질에 중첨하여 제조된다는 측면을 고려하면, 고분자 바인더 내의 산란 성분의 함량 비율의 상한은 약 10 중량%가 적적할 수 있다. 고분자 바인더 전구 물질 내의 산란 성분의 함량 비율이 약 10 중량%를 초과하는 경우 필터링(filtering) 단계에서 필터가 막히는 현상이 발생하여 충분한 필터링이 이루어지지 않고, 이에 따라 고분자 바인더 전구 물질 및 산란 성분을 포함하는 조성물의 층을 코팅한 후에 코팅층의 표면이 거칠어지므로 소자 제작 시 불리할 수 있다.The content ratio of the scattering component in the polymer binder is not necessarily limited to the above range, and may be adjusted to be below or above the above range in consideration of the haze characteristics of the support layer and / or the plastic substrate to be implemented. However, as will be described later, considering that the plastic substrate of the present application is manufactured by superimposing the scattering component on the polymer binder precursor, the upper limit of the content ratio of the scattering component in the polymer binder may be about 10% by weight. have. When the content ratio of the scattering component in the polymer binder precursor exceeds about 10% by weight, the filter may be clogged in the filtering step, and sufficient filtering is not performed, thus including the polymer binder precursor and the scattering component. Since the surface of the coating layer is rough after coating the layer of the composition to be disadvantageous when manufacturing the device.
상기 지지층의 두께는 본 출원의 목적을 손상시키지 않는 범위 내에서 적절히 선택될 수 있다. 하나의 예시에서, 지지층의 두께는 약 10㎛ 내지 130 ㎛ 범위 내일 수 있다. 지지층의 두께의 상한은 구체적으로 130㎛ 이하, 120 ㎛ 이하, 110㎛ 이하, 100㎛ 이하, 90㎛ 이하, 80㎛ 이하 또는 70㎛ 이하일 수 있다. 또한, 지지층의 두께의 하한은 구체적으로, 10㎛ 이상, 20㎛ 이상, 30㎛ 이상, 40㎛ 이상, 50㎛ 이상 또는 60㎛ 이상일 수 있다. 지지층의 두께가 상기 범위 내인 경우 광추출 성능이 우수한 플리스틱 기판을 제공할 수 있다. The thickness of the support layer may be appropriately selected within a range that does not impair the purpose of the present application. In one example, the thickness of the support layer may be in the range of about 10 μm to 130 μm. Specifically, the upper limit of the thickness of the support layer may be 130 μm or less, 120 μm or less, 110 μm or less, 100 μm or less, 90 μm or less, 80 μm or less, or 70 μm or less. In addition, the lower limit of the thickness of the support layer may be 10 µm or more, 20 µm or more, 30 µm or more, 40 µm or more, 50 µm or more, or 60 µm or more. When the thickness of the support layer is within the above range, it is possible to provide a plastic substrate having excellent light extraction performance.
또한, 지지층의 두께가 상기 범위 내라는 것은 지지층 자체가 유기전자장치 등의 기판으로서 기능을 수행할 수 있는데 충분한 두께를 가진다는 것을 의미한다. 이는 종래 광추출 성능을 가지는 플라스틱 기판을 제조함에 있어서, 기판으로 기능을 수행할 수 있는 충분한 두께의 일반적인 플라스틱 기판(광 추출 성능을 가지지 않음) 상에 광 추출층을 매우 얇은 두께, 예를 들어, 약 2㎛ 이하의 두께로 코팅하는 구조와는 상이하다. 본 출원에 따르면, 상기 지지층은 기판으로서의 기능과 광추출층의 기능을 동시에 수행할 수 있으므로 기판의 제작 측면에서 유리하다. In addition, the thickness of the support layer within the above range means that the support layer itself has a sufficient thickness to function as a substrate such as an organic electronic device. This results in a very thin thickness of the light extraction layer, for example, on a conventional plastic substrate (without light extraction capability) of sufficient thickness to function as a substrate in manufacturing a plastic substrate having conventional light extraction capability. It is different from the structure coated with a thickness of about 2 μm or less. According to the present application, the support layer is advantageous in terms of fabrication of the substrate since it can simultaneously perform the function of the substrate and the function of the light extraction layer.
상기 플라스틱 기판의 헤이즈는 본 출원의 목적을 손상시키지 않는 범위 내에서 적절히 선택될 수 있다. 하나의 예시에서, 상기 플라스틱 기판의 헤이즈는 약 5% 내지 80% 범위 내일 수 있다. 플라스틱 기판의 헤이즈의 상한은 구체적으로 80% 이하, 77.5% 이하, 75% 이하, 72.5% 이하, 70% 이하, 67.5% 이하, 65% 이하, 62.5% 이하, 60% 이하, 57.5% 이하 또는 55% 이하일 수 있다. 또한, 플라스틱 기판의 헤이즈의 하한은 구체적으로, 5% 이상, 7.5% 이상, 10% 이상, 12.5% 이상, 15% 이상, 17.5% 이상, 20% 이상, 22.5% 이상, 25% 이상, 27.5% 이상, 30% 이상, 32.5% 이상, 35% 이상, 37. % 이상, 40% 이상, 42.5% 이상, 45% 이상, 47.5% 이상, 50% 이상 또는 52.5% 이상일 수 있다. 플라스틱 기판의 헤이즈가 상기 범위 내인 경우 광추출 성능이 우수한 플리스틱 기판을 제공할 수 있다.The haze of the plastic substrate may be appropriately selected within a range that does not impair the purpose of the present application. In one example, the haze of the plastic substrate can range from about 5% to 80%. The upper limit of the haze of the plastic substrate is specifically 80% or less, 77.5% or less, 75% or less, 72.5% or less, 70% or less, 67.5% or less, 65% or less, 62.5% or less, 60% or less, 57.5% or less or 55 It may be less than or equal to%. Further, the lower limit of the haze of the plastic substrate is specifically 5% or more, 7.5% or more, 10% or more, 12.5% or more, 15% or more, 17.5% or more, 20% or more, 22.5% or more, 25% or more, 27.5% At least 30%, at least 32.5%, at least 35%, at least 37.%, at least 40%, at least 42.5%, at least 45%, at least 47.5%, at least 50% or at least 52.5%. When the haze of the plastic substrate is within the above range, it is possible to provide a plastic substrate having excellent light extraction performance.
본 명세서에서 플라스틱 기판의 헤이즈를 측정하는 방식은 특별히 제한되지 않으며 당업계에 공지된 헤이즈 측정 방식을 채용하여 헤이즈를 측정할 수 있다. 하나의 예시에서, 헤이즈는 당업계에 공지된 헤이즈 측정 기기(Hazemeter), 예를 들면, MURAKAMI사의 HM-150 장치로 D65 광원을 이용하여 측정할 수 있다. In the present specification, the method of measuring the haze of the plastic substrate is not particularly limited, and haze may be measured by employing a haze measuring method known in the art. In one example, the haze can be measured using a D65 light source with a hazemeter known in the art, for example, the HM-150 device from MURAKAMI.
상기 플라스틱 기판은 지지층의 산란 성분 외에 헤이즈 유발 요소를 포함하지 않은 상태에서도 상기 헤이즈 범위를 나타낼 수 있다. 본 명세서에서 플라스틱 기판이 지지층의 산란 성분 외에 헤이즈 유발 요소를 포함하지 않는다는 것은 플라스틱 기판에서 헤이즈를 유발하는 요소는 산란 성분뿐이고, 헤이즈 유발층을 추가로 포함하거나 또는 고분자 바인더의 중합 시 헤이즈 유발 성분을 추가로 첨가하지 않음을 의미할 수 있다. The plastic substrate may exhibit the haze range even in a state in which no haze-inducing element is included in addition to the scattering component of the support layer. In the present specification, that the plastic substrate does not include a haze-inducing element other than the scattering component of the support layer, the only haze-inducing component in the plastic substrate is a scattering component, and further includes a haze-inducing layer or a haze-inducing component in the polymerization of the polymer binder. It may mean that no additional addition.
예를 들어, 본 출원의 플라스틱 기판은 지지층의 산란 성분 외에 헤이즈 유발 요소를 포함하지 않은 상태에서 약 5% 내지 80% 범위 내의 헤이즈를 나타낼 수 있다. 플라스틱 기판의 헤이즈의 상한은 구체적으로 80% 이하, 77.5% 이하, 75% 이하, 72.5% 이하, 70% 이하, 67.5% 이하, 65% 이하, 62.5% 이하, 60% 이하, 57.5% 이하 또는 55% 이하일 수 있다. 또한, 플라스틱 기판의 헤이즈의 하한은 구체적으로, 5% 이상, 7.5% 이상, 10% 이상, 12.5% 이상, 15% 이상, 17.5% 이상, 20% 이상, 22.5% 이상, 25% 이상, 27.5% 이상, 30% 이상, 32.5% 이상, 35% 이상, 37. % 이상, 40% 이상, 42.5% 이상, 45% 이상, 47.5% 이상, 50% 이상 또는 52.5% 이상일 수 있다. 본 출원에 따르면, 고분자 바인더 전구 물질에서 고분자 바인더로 전환하기 전에 산란 성분을 중첨하여 플라스틱 기판을 제조하므로 고분자 바인더 내에서 산란 성분의 안정적인 분산성을 확보할 수 있으므로, 산란 성분 외에 별도의 헤이즈 유발 요소를 포함하지 않더라도 상기와 같은 우수한 헤이즈 특성을 나타낼 수 있다. For example, the plastic substrate of the present application may exhibit haze in the range of about 5% to 80% without including a haze causing element other than the scattering component of the support layer. The upper limit of the haze of the plastic substrate is specifically 80% or less, 77.5% or less, 75% or less, 72.5% or less, 70% or less, 67.5% or less, 65% or less, 62.5% or less, 60% or less, 57.5% or less or 55 It may be less than or equal to%. Further, the lower limit of the haze of the plastic substrate is specifically 5% or more, 7.5% or more, 10% or more, 12.5% or more, 15% or more, 17.5% or more, 20% or more, 22.5% or more, 25% or more, 27.5% At least 30%, at least 32.5%, at least 35%, at least 37.%, at least 40%, at least 42.5%, at least 45%, at least 47.5%, at least 50% or at least 52.5%. According to the present application, since the plastic substrate is manufactured by superimposing the scattering components before the conversion from the polymer binder precursor to the polymer binder, it is possible to ensure stable dispersibility of the scattering components in the polymer binder, and thus a haze-inducing element in addition to the scattering components Even if it does not include the excellent haze characteristics as shown above.
본 출원의 플라스틱 기판은 또한 표면 거칠기 특성이 우수하다. 본 명세서에서 기판의 표면 거칠기 특성이 우수하다는 것은 기판의 표면 거칠기가 낮아서 표면이 평탄하다는 것을 의미할 수 있다. 고분자 바인더 및 산란 성분을 포함하는 지지층에 있어서, 통상적으로 산란 성분의 함량 비율이 높을수록 지지층의 두께가 두꺼울수록 헤이즈를 높일 수 있다고 예상된다. 본 출원에 따르면 산란 성분의 함량 비율이 상대적으로 낮으며 지지층의 두께가 상대적으로 높은데, 산란 성분의 비율이 상대적으로 높고 지지층의 두께가 상대적으로 낮은 경우와 비교하여, 유사한 헤이즈 특성을 나타낸다 하더라도, 더욱 우수한 표면 거칠기 특성을 나타낼 수 있다. 이는 산란 성분의 함량을 상대적으로 낮게 한 것에 기인하는 것으로 볼 수 있다. 나아가, 후술하는 바와 같이, 본 출원의 플라스틱 기판은, 산란 성분을 고분자 바인더 전구 물질에 중첨하여 제조되는데, 이 경우 후첨하는 방식에 비하여 지지층 내의 산란 성분의 분산성을 안정적으로 확보할 수 있으므로, 지지층 표면에서의 산란 성분이 뭉치는 현상을 감소시킬 수 있기 때문이다. 플라스틱 기판의 표면에서 산란 성분이 뭉치는 현상이 발생하는 경우 쇼트(short)가 발생할 수 있어 소자 제작에 불리하다.The plastic substrate of the present application also has excellent surface roughness characteristics. The excellent surface roughness characteristics of the substrate in the present specification may mean that the surface is flat because the surface roughness of the substrate is low. In the support layer including the polymer binder and the scattering component, it is generally expected that the higher the content ratio of the scattering component, the thicker the support layer, the higher the haze. According to the present application, although the content ratio of the scattering component is relatively low and the thickness of the support layer is relatively high, even if it exhibits similar haze characteristics, compared with the case where the ratio of the scattering component is relatively high and the thickness of the support layer is relatively low, It can exhibit excellent surface roughness characteristics. This may be attributed to the relatively low content of the scattering component. Furthermore, as will be described later, the plastic substrate of the present application is manufactured by superimposing the scattering component on the polymer binder precursor, in which case the dispersibility of the scattering component in the support layer can be stably secured, as compared to the method of post-adding. This is because scattering components at the surface can reduce aggregation. When scattering components are agglomerated on the surface of the plastic substrate, a short may occur, which is disadvantageous for device fabrication.
따라서, 전술한 바와 같이, 광추출 성능을 가지는 플라스틱 기판을 제조함에 있어서, 기판으로 기능을 수행할 수 있는 충분한 두께의 일반적인 플라스틱 기판 상에 광추출층을 매우 얇은 두께로 코팅하는 종래 기술에 비하여, 본 출원의 플라스틱 기판은 지지층 내의 산란 성분의 분산 안정성, 산란 성분의 분포 균일도 및 표면 거칠기 특성의 측면에서 더욱 유리하다. Therefore, as described above, in manufacturing a plastic substrate having light extraction performance, compared to the prior art of coating a light extraction layer in a very thin thickness on a general plastic substrate of sufficient thickness to perform a function as a substrate, The plastic substrate of the present application is more advantageous in terms of the dispersion stability of the scattering components in the support layer, the uniformity of the scattering components and the surface roughness characteristics.
하나의 예시에서, 상기 지지층은 20㎛ x 20㎛ 이상의 영역에서 측정된 표면 거칠기 (Ra)가 약 0.1 nm 내지 30 nm 범위 내일 수 있다. 상기 표면 거칠기(Ra)의 상한은 보다 구체적으로, 30 nm 이하, 27.5 nm 이하, 25 nm 이하, 22.5 nm 이하, 20 nm 이하, 17.5 nm 이하, 15 nm 이하 또는 12.5 nm 이하일 수 있다. 또한, 상기 표면 거칠기(Ra)의 하한은 보다 구체적으로, 0.1 nm 이상, 1 nm 이상, 2 nm 이상, 3 nm 이상, 4 nm 이상, 5 nm 이상, 6 nm 이상, 7 nm 이상, 8 nm 이상 또는 9 nm 이상일 수 있다. 지지층의 표면 거칠기가 상기 범위 내인 경우 플라스틱 기판은 우수한 표면 거칠기 특성을 나타낼 수 있고, 상기 플라스틱 기판이 후술하는 유기전자장치의 기판으로 적용되는 경우 유기전자장치의 소자 제작 측면에서 유리하고, 쇼트(short) 등의 문제를 발생시키지 않는다.In one example, the support layer may have a surface roughness (Ra) in a range of about 0.1 nm to 30 nm measured in a region of 20 μm × 20 μm or more. More specifically, the upper limit of the surface roughness Ra may be 30 nm or less, 27.5 nm or less, 25 nm or less, 22.5 nm or less, 20 nm or less, 17.5 nm or less, 15 nm or less, or 12.5 nm or less. Further, the lower limit of the surface roughness Ra is more specifically 0.1 nm or more, 1 nm or more, 2 nm or more, 3 nm or more, 4 nm or more, 5 nm or more, 6 nm or more, 7 nm or more, 8 nm or more. Or 9 nm or more. When the surface roughness of the support layer is within the above range, the plastic substrate may exhibit excellent surface roughness characteristics, and when the plastic substrate is applied to the substrate of the organic electronic device described later, it is advantageous in terms of device fabrication of the organic electronic device, and short Does not cause problems such as
본 명세서에서 상기 표면 거칠기를 측정하는 방식은 특별히 제한되지 않으며 당업계에 공지된 표면 거칠기 측정 방식을 채용하여 표면 거칠기를 측정할 수 있다. 하나의 예시에서, 표면 거칠기는 당업계에 공지된 AFM (atomic force microscope) 장비, 예를 들면, Digital Instrument사의 NS4 D3100 DEN P-4 Rev. A 장비를 사용하여 Non-contact (vibrating) 방식으로 측정할 수 있다. In the present specification, the method of measuring the surface roughness is not particularly limited, and the surface roughness may be measured by employing a surface roughness measuring method known in the art. In one example, the surface roughness is AFM (atomic force microscope) equipment known in the art, for example, NS4 D3100 DEN P-4 Rev. A device can be used for non-contact (vibrating) measurements.
본 출원의 플라스틱 기판은 또한 우수한 투광성을 나타낸다. 예를 들면, 상기 플라스틱 기판은, 가시광 영역 내의 적어도 한 파장, 예를 들어 550 nm 파장 또는 638 nm의 광에 대한 투과율이 80% 이상, 82% 이상, 84% 이상, 86% 이상, 88% 이상 또는 90% 이상일 수 있다. 본 출원의 플라스틱 기판은 구현하고자 하는 헤이즈 특성 및/또는 광추출 성능을 나타내기 위하여 상대적으로 적은 함량의 산란 성분을 포함하며, 상대적으로 두꺼운 두께의 지지층을 이용하므로, 상기와 같은 우수한 투광성을 나타낼 수 있다. 본 출원의 플라스틱 기판은 상기와 같이 투광성이 우수하므로 하부 발광형의 유기전자장치의 기판으로 적합할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.The plastic substrate of the present application also shows excellent light transmittance. For example, the plastic substrate has a transmittance of at least 80%, at least 82%, at least 84%, at least 86%, at least 88% for light of at least one wavelength in the visible region, for example, at a wavelength of 550 nm or at 638 nm. Or 90% or more. Plastic substrate of the present application includes a relatively small amount of scattering components in order to exhibit the haze characteristics and / or light extraction performance to be implemented, and because of using a relatively thick thickness of the support layer, it can exhibit such excellent light transmittance have. Since the plastic substrate of the present application has excellent light transmittance as described above, the plastic substrate may be suitable as a substrate of an organic electronic device of a bottom emission type, but is not limited thereto.
본 출원의 플라스틱 기판은 고온이 요구되는 유기전자장치의 형성 공정에서도 우수한 내구성, 내박리성 등을 나타낼 수 있다. 예를 들면, 플라스틱 기판의 열팽창 계수는, 10 ppm/℃ 내지 50 ppm/℃의 범위 내에 있을 수 있으나, 이에 제한 되는 것은 아니다. The plastic substrate of the present application may exhibit excellent durability, peeling resistance and the like even in the process of forming an organic electronic device requiring high temperature. For example, the thermal expansion coefficient of the plastic substrate may be in the range of 10 ppm / ° C. to 50 ppm / ° C., but is not limited thereto.
본 출원의 플라스틱 기판은 높은 굴절률을 나타낼 수 있다. 하나의 예시에서, 상기 플라스틱 기판은 550 nm 또는 633 nm의 파장의 광에 대한 굴절률이 약 1.5 이상, 약 1.6 이상, 약 1.65 이상, 또는 약 1.7 이상일 수 있다. 이러한 굴절률의 상한은, 특별히 제한되지 않으나, 예를 들면, 1.9 이하, 1.85 이하, 1.80 이하, 1.75 이하일 수 있다. 이러한 굴절률 범위는, 예를 들면, 고굴절률을 가지는 고분자 재료로 플라스틱 기판을 형성하거나 또는 플라스틱 기판의 재료에 고굴절률 입자를 배합함으로써 확보할 수 있다. 플라스틱 기판의 굴절률이 상기 범위를 만족하는 경우 기판 내에서 전반사 현상 등을 해소 또는 완화시킬 수 있으므로 광추출 성능이 우수한 유기전자장치를 구현할 수 있다. The plastic substrate of the present application may exhibit high refractive index. In one example, the plastic substrate may have a refractive index of at least about 1.5, at least about 1.6, at least about 1.65, or at least about 1.7 for light having a wavelength of 550 nm or 633 nm. The upper limit of the refractive index is not particularly limited, but may be, for example, 1.9 or less, 1.85 or less, 1.80 or less, or 1.75 or less. Such a refractive index range can be ensured by, for example, forming a plastic substrate from a polymer material having a high refractive index or by blending high refractive index particles with a material of the plastic substrate. When the refractive index of the plastic substrate satisfies the above range, the total reflection phenomenon may be solved or alleviated in the substrate, thereby realizing an organic electronic device having excellent light extraction performance.
하나의 예시에서, 상기 고분자 바인더는 폴리이미드, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리카보네이트, 아크릴 수지, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리술폰, 폴리에테르술피드, 폴리프로필렌, 폴리에테르에테르 케톤 또는 폴리디메틸실론산을 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 하나의 구체적인 예시에서, 공정온도 또는 광추출 성능의 측면에서 상기 고분자 바인더로 폴리이미드를 선택하여 사용할 수 있다. 이러한 폴리이미드는, 예를 들면, 할로겐 원자, 황 원자 또는 인 원자 등이 도입된 단량체를 사용하여 제조할 수 있다.In one example, the polymer binder may include polyimide, polyethylene naphthalate, polycarbonate, acrylic resin, polyethylene terephthalate, polysulfone, polyether sulfide, polypropylene, polyether ether ketone or polydimethylsilonic acid However, it is not limited thereto. In one specific example, polyimide may be selected and used as the polymer binder in terms of process temperature or light extraction performance. Such a polyimide can be manufactured using the monomer which introduce | transduced a halogen atom, a sulfur atom, a phosphorus atom, etc., for example.
하나의 예시에서, 고분자 바인더는 하기 화학식 1의 반복 단위를 포함하는 폴리이미드 화합물을 포함할 수 있다. In one example, the polymer binder may include a polyimide compound including a repeating unit of Formula 1 below.
[화학식 1][Formula 1]
Figure PCTKR2015009064-appb-I000001
Figure PCTKR2015009064-appb-I000001
화학식 1에서, L은 단일결합, 알킬렌기, 알킬리덴기, 알키닐렌기, 아릴렌기, 알케닐렌기, -S-, -S(=O)-, -S(=O)2- 또는 -S-S-이고, R1 내지 R20는 각각 독립적으로 수소, 알킬기, 알콕시기 아릴기 또는 할로겐 원자, 황 원자 또는 인 원자를 포함하는 관능기이며, n은 1 이상의 정수이다. 또한, R1 내지 R20 중 2개의 고리 구조를 서로 연결시키는 탄소원자에 치환된 치환기는 존재하지 않는다. 예를 들면, R2가 연결된 탄소 원자와 R8가 연결된 탄소 원자가 벤젠 고리를 연결하는 경우 R2 및 R5는 존재하지 않는다. In Formula 1, L is a single bond, an alkylene group, an alkylidene group, an alkynylene group, an arylene group, an alkenylene group, -S-, -S (= O)-, -S (= O) 2- or -SS And R 1 to R 20 are each independently a hydrogen, an alkyl group, an alkoxy group, an aryl group or a functional group containing a halogen atom, a sulfur atom or a phosphorus atom, and n is an integer of 1 or more. In addition, R 1 to R 20 There is no substituent substituted on a carbon atom connecting two of the ring structure. For example, R 2 and R 5 are not present when the carbon atom to which R 2 is connected and the carbon atom to which R 8 is connected connect the benzene ring.
본 명세서에서 용어 「단일 결합」은, 해당 부위에 별도의 원자 또는 원자단이 존재하지 않는 것을 의미할 수 있다. 예를 들어, 화학식 1에서 -L-이 단일 결합인 경우, -L-의 양측의 벤젠이 직접 연결되어 비페닐(biphenyl) 구조를 형성할 수 있다.As used herein, the term "single bond" may mean that no separate atom or atom group exists at the corresponding site. For example, in Formula 1, when -L- is a single bond, benzene on both sides of -L- may be directly connected to form a biphenyl structure.
본 명세서에서 알킬기는, 특별히 달리 규정하지 않는 한, 예를 들면, 탄소수 1 내지 20, 탄소수 1 내지 16, 탄소수 1 내지 12, 탄소수 1 내지 8 또는 탄소수 1 내지 4의 직쇄 또는 분지쇄 알킬기일 수 있다. 상기 알킬기는 임의적으로 하나 이상의 치환기에 의해 치환되어 있을 수 있다.In the present specification, the alkyl group may be, for example, a straight or branched chain alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, 1 to 16 carbon atoms, 1 to 12 carbon atoms, 1 to 8 carbon atoms, or 1 to 4 carbon atoms, unless otherwise specified. . The alkyl group may be optionally substituted with one or more substituents.
본 명세서에서 알콕시기는, 특별히 달리 규정하지 않는 한, 예를 들면, 탄소수 1 내지 20, 탄소수 1 내지 16, 탄소수 1 내지 12, 탄소수 1 내지 8 또는 탄소수 1 내지 4의 알콕시기를 의미할 수 있다. 상기 알콕시기는, 직쇄, 분지쇄 또는 고리형일 수 있다. 상기 알콕시기는 임의적으로 하나 이상의 치환기에 의해 치환되어 있을 수 있다.In the present specification, unless otherwise specified, for example, an alkoxy group may mean an alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms, 1 to 16 carbon atoms, 1 to 12 carbon atoms, 1 to 8 carbon atoms, or 1 to 4 carbon atoms. The alkoxy group may be linear, branched or cyclic. The alkoxy group may be optionally substituted by one or more substituents.
본 명세서에서 아릴기 또는 아릴렌기는, 특별히 달리 규정하지 않는 한, 벤젠을 포함하거나 또는 2개 이상의 벤젠이 2개 또는 1개의 탄소 원자를 공유하면서 축합되거나 결합되어 있는 구조를 포함하는 방향족 화합물 또는 그 유도체로부터 유래하는 1가 잔기 또는 2가 잔기를 의미할 수 있다. 상기 아릴기 또는 아릴렌기는, 예를 들면, 탄소수 6 내지 22, 탄소수 6 내지 20, 탄소수 6 내지 18, 탄소수 6 내지 16, 탄소수 6 내지 14 또는 탄소수 6 내지 12의 아릴기 또는 아릴렌기일 수 있으며, 상기 아릴기 또는 아릴렌기는 임의적으로 하나 이상의 치환기에 의해 치환되어 있을 수 있다.The aryl group or the arylene group herein includes, unless otherwise specified, an aromatic compound comprising a benzene or a structure containing two or more benzene condensed or bonded while sharing two or one carbon atom or It may mean a monovalent residue or a divalent residue derived from a derivative. The aryl group or arylene group may be, for example, an aryl group or arylene group having 6 to 22 carbon atoms, 6 to 20 carbon atoms, 6 to 18 carbon atoms, 6 to 16 carbon atoms, 6 to 14 carbon atoms or 6 to 12 carbon atoms. , The aryl group or arylene group may be optionally substituted by one or more substituents.
본 명세서에서 알킬렌기 또는 알킬리덴기는, 특별히 달리 규정하지 않는 한, 예를 들면, 탄소수 1 내지 20, 탄소수 1 내지 16, 탄소수 1 내지 12, 탄소수 1 내지 8 또는 탄소수 1 내지 4의 알킬렌기 또는 알킬리덴기를 의미할 수 있다. 상기 알킬렌기 또는 알킬리덴기는, 예를 들면, 직쇄, 분지쇄 또는 고리형일 수 있다. 또한, 상기 알킬렌기 또는 알킬리덴기는 임의적으로 하나 이상의 치환기에 의해 치환되어 있을 수 있다.In this specification, unless otherwise specified, the alkylene group or the alkylidene group may be, for example, an alkylene group having 1 to 20 carbon atoms, 1 to 16 carbon atoms, 1 to 12 carbon atoms, 1 to 8 carbon atoms, or 1 to 4 carbon atoms. It may mean a leaden group. The alkylene group or alkylidene group may be, for example, linear, branched or cyclic. In addition, the alkylene group or alkylidene group may be optionally substituted by one or more substituents.
본 명세서에서 알케닐렌기 또는 알키닐덴기는, 특별히 달리 규정하지 않는 한, 예를 들면, 탄소수 2 내지 20, 탄소수 2 내지 16, 탄소수 2 내지 12, 탄소수 2 내지 8 또는 탄소수 2 내지 4의 알케닐렌기 또는 알키닐리덴기를 의미할 수 있다. 상기 알케닐렌기 또는 알키닐리덴기는, 예를 들면, 직쇄, 분지쇄 또는 고리형일 수 있다. 또한, 상기 알케닐렌기 또는 알키닐리덴기는 임의적으로 하나 이상의 치환기에 의해 치환되어 있을 수 있다.In the present specification, unless otherwise specified, the alkenylene group or alkynyldene group includes, for example, an alkenylene group having 2 to 20 carbon atoms, 2 to 16 carbon atoms, 2 to 12 carbon atoms, 2 to 8 carbon atoms, or 2 to 4 carbon atoms. Or an alkynylidene group. The alkenylene group or alkynylidene group may be, for example, linear, branched or cyclic. In addition, the alkenylene group or alkynylidene group may be optionally substituted with one or more substituents.
본 명세서에서 알케닐기는, 특별히 달리 규정하지 않는 한, 예를 들면, 탄소수 2 내지 20, 탄소수 2 내지 16, 탄소수 2 내지 12, 탄소수 2 내지 8 또는 탄소수 2 내지 4의 알케닐기일 수 있다. 상기 알케닐기는, 예를 들면, 직쇄, 분지쇄 또는 고리형일 수 있다. 또한, 상기 알케닐기는 임의적으로 하나 이상의 치환기에 의해 치환되어 있을 수 있다.In the present specification, unless otherwise specified, the alkenyl group may be, for example, an alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms, 2 to 16 carbon atoms, 2 to 12 carbon atoms, 2 to 8 carbon atoms, or 2 to 4 carbon atoms. The alkenyl group may be, for example, linear, branched or cyclic. In addition, the alkenyl group may be optionally substituted with one or more substituents.
본 명세서에서 알킬기, 알콕시기, 아릴기, 알킬렌기, 알킬리덴기, 알케닐렌기, 알키닐렌기 또는 아릴렌기 등에 치환되어 있을 수 있는 치환기로는, 불소, 염소, 브롬 또는 요오드 등과 같은 할로겐 원자, 황 원자 또는 인 원자 등을 포함하는 관능기, 페닐기, 벤질기, 나프틸기 또는 티오페닐기 등이 예시될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. In the present specification, substituents that may be substituted with an alkyl group, an alkoxy group, an aryl group, an alkylene group, an alkylidene group, an alkenylene group, an alkynylene group, an arylene group, or the like include a halogen atom such as fluorine, chlorine, bromine or iodine, A functional group, a phenyl group, a benzyl group, a naphthyl group, or a thiophenyl group, including a sulfur atom or a phosphorus atom, etc. may be exemplified, but is not limited thereto.
고분자 바인더는, 상기 화학식 1의 반복 단위만으로 형성되는 단독 중합체이거나, 화학식 1의 반복 단위 외의 다른 단위를 함께 포함하는 블록 또는 랜덤 공중합체일 수 있다. 또한, 중합체의 양 말단은 각각 독립적으로 수소, 알킬기, 알콕시기 아릴기 또는 할로겐 원자, 황 원자 또는 인 원자를 포함하는 관능기일 수 있다. 공중합체의 경우에 다른 반복 단위의 종류나 비율은 예를 들면, 목적하는 굴절률, 내열성이나 투광율 등을 저해하지 않는 범위에서 적절하게 선택될 수 있다. The polymeric binder may be a homopolymer formed of only the repeating unit of Formula 1, or may be a block or random copolymer including other units other than the repeating unit of Formula 1. In addition, both ends of the polymer may be independently a hydrogen, an alkyl group, an alkoxy group aryl group or a functional group including a halogen atom, a sulfur atom or a phosphorus atom. In the case of a copolymer, the kind and ratio of another repeating unit can be suitably selected in the range which does not inhibit a desired refractive index, heat resistance, a light transmittance, etc., for example.
상기 화학식 1의 반복 단위를 포함하는 고분자 바인더는 예를 들면, GPC(Gel Permeation Chromatograph)로 측정한 표준 폴리스티렌 환산 중량평균분자량이 10,000 내지 100,000 또는 약 10,000 내지 50,000 정도일 수 있다. 화학식 1의 반복 단위를 가지는 고분자 바인더는 또한, 가시 광선 영역에서의 광 투과율이 80% 이상, 85% 이상 또는 90% 이상이며, 내열성이 우수하다.The polymer binder including the repeating unit of Chemical Formula 1 may be, for example, about 10,000 to 100,000 or about 10,000 to 50,000 in terms of weight average molecular weight in terms of standard polystyrene measured by gel permeation chromatography (GPC). The polymeric binder having a repeating unit of formula (1) also has a light transmittance of 80% or more, 85% or more or 90% or more in the visible light region, and is excellent in heat resistance.
본 출원의 플라스틱 기판에서, 상기 산란 성분의 평균 입경은 150 nm 내지 300 nm 범위 내일 수 있다. 상기 산란 성분의 평균 입경의 하한은 구체적으로 150 nm 이상, 160 nm 이상, 170 nm 이상, 180 mm 이상, 190 mm 또는 200 nm 이상일 수 있다. 또한, 상기 산란 성분의 평균 입경의 상한은 구체적으로 300 nm 이하, 290 nm 이하, 280 nm 이하, 270 nm 이하, 260 nm 이하 또는 250 nm 이하일 수 있다. 산란 성분의 평균 입경이 상기 범위를 만족하는 경우, 광추출 성능이 우수한 플라스틱 기판을 제공할 수 있다.In the plastic substrate of the present application, the average particle diameter of the scattering component may be in the range of 150 nm to 300 nm. The lower limit of the average particle diameter of the scattering component may be 150 nm or more, 160 nm or more, 170 nm or more, 180 mm or more, 190 mm or 200 nm or more. In addition, an upper limit of the average particle diameter of the scattering component may be specifically 300 nm or less, 290 nm or less, 280 nm or less, 270 nm or less, 260 nm or less, or 250 nm or less. When the average particle diameter of the scattering component satisfies the above range, it is possible to provide a plastic substrate having excellent light extraction performance.
본 출원의 플라스틱 기판에서, 상기 산란 성분은 주위 물질, 예를 들면, 고분자 바인더에 비하여 높거나 낮은 굴절률을 가질 수 있다. 예를 들면, 고분자 바인더와 산란 성분의 550 nm 또는 633 nm의 파장의 광에 대한 굴절률의 차이의 절대값은 0.5 내지 1.2 범위 내일 수 있다. 상기 굴절률의 차이의 절대값의 하한은 구체적으로 0.5 이상, 0.55 이상, 0.6 이상, 0.65 이상 또는 0.7 이상일 수 있다. 또한, 상기 굴절률의 차이의 절대값의 상한은 구체적으로 1.2 이하, 1.15 이하, 1.1 이하, 1.05 이하, 또는 1 이하일 수 있다. 고분자 바인더와 산란 성분의 바인더의 굴절률 차이의 절대값이 상기 범위를 만족하는 경우, 플라스틱 기판으로 입사되는 광을 적절히 산란, 굴절 또는 회절시킴으로써 광추출 성능이 우수한 유기전자장치를 제공할 수 있다.In the plastic substrate of the present application, the scattering component may have a higher or lower refractive index than the surrounding material, for example, a polymeric binder. For example, the absolute value of the difference in refractive index for the light of the wavelength of 550 nm or 633 nm of the polymeric binder and the scattering component may be in the range of 0.5 to 1.2. The lower limit of the absolute value of the difference in refractive index may be specifically 0.5 or more, 0.55 or more, 0.6 or more, 0.65 or more, or 0.7 or more. In addition, an upper limit of the absolute value of the difference in refractive index may be specifically 1.2 or less, 1.15 or less, 1.1 or less, 1.05 or less, or 1 or less. When the absolute value of the refractive index difference between the polymer binder and the binder of the scattering component satisfies the above range, an organic electronic device having excellent light extraction performance can be provided by appropriately scattering, refracting, or diffracting light incident on the plastic substrate.
본 출원의 플라스틱 기판에서, 상기 산란 성분의 형상은 본 출원의 목적을 손상시키지 않는 범위 내에서 적절히 선택될 수 있다. 하나의 예시에서, 상기 산란 성분은 구형, 타원형, 다면체 또는 무정형과 같은 형상을 가질 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. In the plastic substrate of the present application, the shape of the scattering component may be appropriately selected within a range that does not impair the purpose of the present application. In one example, the scattering component may have a shape such as spherical, oval, polyhedron or amorphous, but is not limited thereto.
본 출원의 플라스틱 기판에서, 상기 산란 성분으로는, 고분자 바인더 내에 포함된 상태로 입사되는 광을 산란, 굴절 또는 회절시킬 수 있는 영역을 형성할 수 있는 물질로 당 업계에 알려진 공지의 물질을 적절히 선택하여 사용할 수 있다. 상기 산란 성분은 예를 들어, 유기물 및/또는 무기물을 포함할 수 있다. 상기 유기물로는 예를 들어, 아크릴 수지, 스티렌 수지, 올레핀 수지, 나일론 수지, 멜라민 수지, 포름알데하이드 수지, 실리콘 수지, 우레탄 수지, 폴리에스테르 수지, 폴리카보네이트 수지 및 이들의 유도체로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상을 포함하는 유기물이 예시될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 상기 무기물로는 금속 또는 금속의 산화물이 예시될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 상기 무기물로는, 예를 들어, TiO2, HfO2, BaTiO3, SnO2, ZrO2, ZnO, Al2O3 및 SiO2 로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상을 포함하는 무기물이 예시될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 산란 성분은, 상기 재료 중에 어느 하나의 재료만을 포함하거나, 상기 중 2종 이상의 재료를 포함하여 형성될 수 있다. 예를 들면, 산란 성분으로 중공 실리카(hollow silica) 등과 같은 중공 입자 또는 코어/셀 구조의 입자도 사용할 수 있다.In the plastic substrate of the present application, as the scattering component, a material capable of forming a region capable of scattering, refracting, or diffracting light incident in a state contained in a polymer binder may be appropriately selected from known materials known in the art. Can be used. The scattering component may include, for example, an organic material and / or an inorganic material. Examples of the organic material include acrylic resins, styrene resins, olefin resins, nylon resins, melamine resins, formaldehyde resins, silicone resins, urethane resins, polyester resins, polycarbonate resins and derivatives thereof. An organic material including one or more may be exemplified, but is not limited thereto. The inorganic material may be a metal or an oxide of a metal, but is not limited thereto. Examples of the inorganic substance include TiO 2 , HfO 2 , BaTiO 3 , SnO 2 , ZrO 2 , ZnO, Al 2 O 3, and SiO 2. Minerals including one or more selected from the group consisting of may be exemplified, but are not limited thereto. The scattering component may be formed of only one of the above materials or two or more of the above materials. For example, hollow particles such as hollow silica or particles having a core / cell structure may be used as the scattering component.
본 출원의 예시적인 플라스틱 기판은 상기 지지층의 일면 또는 양면에 배리어층이 추가로 형성되어 있을 수 있다. 본 명세서서 용어 「배리어층」은 대기 중의 산소, 수분, 질소 산화물, 황 산화물 또는 오존의 투과를 방지하는 기능을 갖는 층을 의미할 수 있다. 배리어층은 상기 기능을 갖는 한, 특별히 한정되지 않으며 의도된 용도에 따라서 적합하게 선택될 수 있다. In the exemplary plastic substrate of the present application, a barrier layer may be further formed on one or both surfaces of the support layer. As used herein, the term "barrier layer" may mean a layer having a function of preventing permeation of oxygen, moisture, nitrogen oxides, sulfur oxides, or ozone in the atmosphere. The barrier layer is not particularly limited as long as it has the above function, and may be appropriately selected depending on the intended use.
하나의 예시에서, 상기 배리어층은 버퍼층을 매개로 플라스틱 기판의 일면 또는 양면에 형성되어 있을 수 있다. 즉, 상기 플라스틱 기판은 배리어층과 지지층의 사이에 형성된 버퍼층을 추가로 포함할 수 있다. 상기 버퍼층은 배리어층과 기재층과의 밀착성을 향상시키기 역할을 할 수 있다. 버퍼층은, 예를 들면, SiO2, SiONx 또는 SiNx 등의 무기층을 스퍼터 방식 또는 공지의 진공증착 방식으로 증착하여 형성할 수 있다. 필요한 경우에 버퍼층은 유기물/무기물 코팅에 의한 방법으로 형성할 수 있다. In one example, the barrier layer may be formed on one side or both sides of the plastic substrate via a buffer layer. That is, the plastic substrate may further include a buffer layer formed between the barrier layer and the support layer. The buffer layer may serve to improve adhesion between the barrier layer and the base layer. The buffer layer may be formed by, for example, depositing an inorganic layer such as SiO 2 , SiONx or SiNx by a sputtering method or a known vacuum deposition method. If necessary, the buffer layer may be formed by a method of organic / inorganic coating.
상기 배리어층의 재료는 수분 및 산소 등의 소자 열화를 촉진하는 물질들이 소자로 들어가는 것을 방지하는 기능을 갖는 재료를 제한없이 선택하여 사용할 수 있다.The material of the barrier layer may be selected and used without limitation, a material having a function of preventing the substances that promote device degradation such as moisture and oxygen from entering the device.
하나의 예시에서, 상기 배리어층은 In, Sn, Pb, Au, Cu, Ag, Al, Ti 및 Ni 등의 금속; TiO, TiO2, Ti3O3 , Al2O3, MgO, SiO, SiO2, GeO, NiO, CaO, BaO, Fe2O3, Y2O3, ZrO2, Nb2O3 및, CeO2및 등의 금속 산화물; SiN 등의 금속 질화물; SiON 등의 금속 산질화물; MgF2, LiF, AlF3 및 CaF2 등의 금속 불화물; 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리이미드, 폴리우레아, 폴리테트라플루오로에틸렌, 폴리클로로트리플루오로에틸렌, 폴리디클로로디플루오로에틸렌, 또는 클로로트리플루오로에틸렌과 디클로로디플루오로에틸렌의 공중합체; 적어도 1종의 코모노머를 포함한 코모노머 혼합물과 테트라플루오로에틸렌의 공중합에 의해 획득된 공중합체; 공중합 주쇄에 환상 구조를 갖는 함불소 공중합체; 흡수율 1% 이상인 흡수성 재료; 및 흡수 계수 0.1% 이하인 방습성 재료를 포함할 수 있다.In one example, the barrier layer may be formed of a metal such as In, Sn, Pb, Au, Cu, Ag, Al, Ti, and Ni; TiO, TiO 2 , Ti 3 O 3 , Al 2 O 3 , MgO, SiO, SiO 2 , GeO, NiO, CaO, BaO, Fe 2 O 3 , Y2O 3 , ZrO 2 , Nb 2 O 3 and CeO 2 and Metal oxides such as; Metal nitrides such as SiN; Metal oxynitrides such as SiON; Metal fluorides such as MgF 2 , LiF, AlF 3 and CaF 2 ; Polyethylene, polypropylene, polymethylmethacrylate, polyimide, polyurea, polytetrafluoroethylene, polychlorotrifluoroethylene, polydichlorodifluoroethylene, or chlorotrifluoroethylene and dichlorodifluoroethylene Copolymers; Copolymers obtained by copolymerizing a comonomer mixture comprising at least one comonomer with tetrafluoroethylene; Fluorine-containing copolymer which has a cyclic structure in a copolymer main chain; An absorbent material having an absorption rate of 1% or more; And moisture proof materials having an absorption coefficient of 0.1% or less.
다른 하나의 예시에서, 상기 배리어층의 재료는 금속 산화물일 수 있다. 예를 들어, 상기 배리어층의 재료는 고굴절률의 금속 산화물일 수 있다. 이에 따라 배리어층의 굴절률은, 예를 들면, 633 nm의 파장에 대하여, 1.45 이상, 약 1.5 이상, 약 1.6 이상, 약 1.65 이상 또는 약 1.7 이상 정도 일 수 있다. 또한, 배리어층의 굴절률의 상한은 목적하는 기능에 따라 적절히 조절할 수 있고, 예를 들면, 633 nm의 파장에 대한 굴절률이 2.6 이하, 2.3 이하, 2.0 이하 또는 1.8 이하일 수 있다. 배리어층의 굴절률이 상기 범위를 만족하는 경우, 전반사 현상을 해소 또는 완화시킬 수 있으므로 광추출 성능이 우수한 유기전자장치를 구현할 수 있다.In another example, the material of the barrier layer may be a metal oxide. For example, the material of the barrier layer may be a high refractive index metal oxide. Accordingly, the refractive index of the barrier layer may be, for example, about 1.45 or more, about 1.5 or more, about 1.6 or more, about 1.65 or more, or about 1.7 or more with respect to a wavelength of 633 nm. In addition, the upper limit of the refractive index of the barrier layer can be appropriately adjusted according to the desired function, for example, the refractive index for the wavelength of 633 nm may be 2.6 or less, 2.3 or less, 2.0 or less or 1.8 or less. When the refractive index of the barrier layer satisfies the above range, the total reflection phenomenon may be solved or alleviated, so that an organic electronic device having excellent light extraction performance may be implemented.
하나의 예시에서, 배리어층은 단층 구조이거나 또는 복층 구조일 수 있다. 단층 구조는, 예를 들면, 1 종류의 배리어층의 재료를 포함할 수 있고, 또는 2 종류 이상의 배리어층의 재료를 혼합하여 포함할 수도 있다. 복층 구조는, 예를 들면, 상기 단층 구조가 2층 이상 적층된 구조일 수 있고, 하나의 적절한 예시에서, 배리어층은 산화 티타늄층(예를 들면, TiO2층)과 산화 알루미늄층(예를 들면, Al2O3층)이 순차적으로 적층된 복층 구조일 수 있다. In one example, the barrier layer may be a single layer structure or a multilayer structure. The single layer structure may include, for example, a material of one kind of barrier layer, or may include a mixture of two or more types of barrier layers. The multilayer structure may be, for example, a structure in which two or more layers of the single layer structure are stacked, and in one suitable example, the barrier layer may include a titanium oxide layer (eg, TiO 2 layer) and an aluminum oxide layer (eg, For example, the Al 2 O 3 layer) may be a multilayer structure sequentially stacked.
배리어층의 두께는 특별히 한정되지 않으며, 의도된 용도에 따라서 적합하게 선택될 수 있다. 하나의 예시에서, 배리어층의 두께는 5 nm 내지 1000 nm, 7 nm 내지 750 nm 또는 10 nm 내지 500 nm 일 수 있다. The thickness of the barrier layer is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the intended use. In one example, the thickness of the barrier layer can be 5 nm to 1000 nm, 7 nm to 750 nm or 10 nm to 500 nm.
배리어층의 광 투과율은, 특별히 제한되지 않으며, 의도된 용도에 따라서 적합하게 선택될 수 있다. 하나의 예시에서, 배리어층의 광 투과율은, 약 80% 이상, 85%이상 또는 90%이상일 수 있다. The light transmittance of the barrier layer is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the intended use. In one example, the light transmittance of the barrier layer may be at least about 80%, at least 85%, or at least 90%.
하나의 예시에서, 배리어층은 인접하는 층과 대등한 굴절률을 가질 수 있다. 예를 들면, 배리어층에 전극층이 인접하는 경우, 배리어층은 550 nm 또는 633 nm의 파장의 광에 대한 굴절률이 1.5 이상일 수 있다. 이에 따라, 배리어층과 전극층 계면에서의 전반사 현상을 해소 또는 완화시킬 수 있으므로 광추출 성능이 유수한 유기전자장치를 구현할 수 있다. In one example, the barrier layer can have a refractive index that is comparable to the adjacent layer. For example, when the electrode layer is adjacent to the barrier layer, the barrier layer may have a refractive index of 1.5 or more for light having a wavelength of 550 nm or 633 nm. Accordingly, since the total reflection phenomenon at the interface between the barrier layer and the electrode layer can be solved or alleviated, an organic electronic device having excellent light extraction performance can be realized.
하나의 예시에서, 배리어층은 수증기 투과율(water vapor transmission rate, WVTR)이 10-4 g/m2·day 이하일 수 있다. 상기 수증기 투과율은, 예를 들면, 온도가 40℃ 및 상대 습도가 90%인 조건에서 측정된 값일 수 있다. 상기 수증기 투과율은, 예를 들면, 수증기 투과율 측정기(PERMATRAN-W3/31, MOCON, Inc. 에 의해 제조)를 사용하여 측정될 수 있다. 배리어층이 상기 수치 범위를 만족하는 경우, 고열, 고습 환경에서도, 수분이나 산소 등의 외래 물질의 침투에 의하여 컬(curl) 현상 등이 발생하지 않기 때문에, 내구성이 우수하고 이로 인해 성능이 우수한 유기전자소자를 구현할 수 있다.In one example, the barrier layer may have a water vapor transmission rate (WVTR) of 10 −4 g / m 2 · day or less. The water vapor transmission rate may be, for example, a value measured at a temperature of 40 ° C. and a relative humidity of 90%. The water vapor transmission rate can be measured using, for example, a water vapor transmission rate meter (manufactured by PERMATRAN-W3 / 31, manufactured by MOCON, Inc.). When the barrier layer satisfies the numerical range, curl does not occur due to the penetration of foreign substances such as moisture or oxygen even in a high temperature and high humidity environment. An electronic device can be implemented.
배리어층은, 예를 들면 ALD(Atomic Layer Deposition) 법, 진공 증착법, 스퍼터링법, 반응성 스퍼터링법, MBE (분자선 에피택시) 법, 클러스터 이온빔법, 이온도금법, 플라즈마 중합법 (고주파 여기 이온 도금법), 플라즈마 CVD 법, 레이저 CVD 법, 열 CVD 법, 가스 소스 CVD 법 또는 코팅법에 의해 형성된 층일 수 있고, 하나의 적절한 예시로서 ALD법에 의해 형성된 원자층 증착층일 수 있다.The barrier layer is, for example, ALD (Atomic Layer Deposition) method, vacuum deposition method, sputtering method, reactive sputtering method, MBE (molecular beam epitaxy) method, cluster ion beam method, ion plating method, plasma polymerization method (high frequency excitation ion plating method), It may be a layer formed by plasma CVD method, laser CVD method, thermal CVD method, gas source CVD method or coating method, and may be an atomic layer deposition layer formed by ALD method as one suitable example.
본 출원의 플라스틱 기판은 평탄층을 추가로 포함할 수 있다. 평탄층은, 예를 들면, 지지층의 일면 또는 양면에 형성되어 있을 수 있다. 하나의 예시에서, 평탄층은 도 2에 예시적으로 나타낸 플라스틱 기판과 같이 산란 성분(1012)이 고분자 바인더(1011)의 표면에 노츨되어 지지층의 표면이 요철 구조를 가지게 되는 경우 이러한 요철 구조를 가지는 지지층 표면의 상부에 형성되어 있을 수 있다. 도 3은 표면이 요철 구조를 가지는 지지층(101)의 상부에 평탄층(301)이 형성된 구조의 플라스틱 기판(1)을 예시적으로 나타낸다. The plastic substrate of the present application may further include a flat layer. The flat layer may be formed on one or both surfaces of the support layer, for example. In one example, the flat layer has such a concave-convex structure when the scattering component 1012 is exposed to the surface of the polymeric binder 1011 such that the surface of the support layer has a concave-convex structure, such as the plastic substrate illustrated in FIG. 2. It may be formed on the upper surface of the support layer. 3 exemplarily illustrates a plastic substrate 1 having a structure in which a flat layer 301 is formed on an upper surface of a support layer 101 having an uneven structure.
평탄층은, 예를 들면, 바인더와 함께 고굴절 입자를 포함할 수 있다. 상기 평탄층은 고굴절 입자를 바인더와 혼합한 조성물을 사용하여 형성할 수 있다. 상기 평탄층은 전극층 등을 포함한 유기전자소자가 형성될 수 있는 표면을 제공하고, 광산란성을 가져서 소자의 광추출 성능을 개선할 수 있다. 평탄층은 인접하는 전극층과 동등하거나 그 이상인 굴절률을 가질 수 있고, 예를 들면, 550 nm 또는 633 nm의 파장의 광에 대한 굴절률이 1.5이상일 수 있다. The planarization layer can include high refractive particles, for example, with a binder. The flat layer may be formed using a composition in which high refractive particles are mixed with a binder. The flat layer may provide a surface on which an organic electronic device including an electrode layer and the like may be formed, and have light scattering properties to improve light extraction performance of the device. The flat layer may have a refractive index that is equal to or greater than that of the adjacent electrode layer, and for example, the refractive index of light having a wavelength of 550 nm or 633 nm may be 1.5 or more.
평탄층의 바인더로는, 특별한 제한 없이 공지의 소재가 사용될 수 있다. 바인더로는, 예를 들면, 이 분야에서 공지된 다양한 유기 바인더, 무기 바인더 또는 유무기 바인더를 사용할 수 있다. 소자의 수명이나 제작 과정에서 수행하는 고온 공정, 포토 공정이나 식각 공정에 대한 저항성이 우수하다는 점을 고려하여 내열성과 내화학성이 우수한 유기 바인더, 무기 바인더 또는 유무기 바인더를 선택하여 사용할 수 있다. 바인더는, 예를 들면, 약 1.4 이상, 약 1.45 이상, 약 1.5 이상, 약 1.6 이상, 약 1.65 이상 또는 약 1.7 이상의 굴절률을 가질 수 있다. 바인더의 굴절률의 상한은, 함께 배합되는 입자의 굴절률 등을 고려하여 상기 평탄층의 굴절률을 만족시킬 수 있는 범위에서 선택될 수 있다. 바인더로는, 예를 들면, 에폭시 수지, 폴리실록산 또는 폴리이미드가 예시될 수 있다. As the binder of the flat layer, a known material can be used without particular limitation. As the binder, for example, various organic binders, inorganic binders or organic-inorganic binders known in the art can be used. The organic binder, the inorganic binder, or the organic / inorganic binder having excellent heat resistance and chemical resistance may be selected and used in consideration of excellent resistance to a high temperature process, a photo process or an etching process performed during the life of the device or the fabrication process. The binder may, for example, have a refractive index of at least about 1.4, at least about 1.45, at least about 1.5, at least about 1.6, at least about 1.65, or at least about 1.7. The upper limit of the refractive index of the binder may be selected in a range capable of satisfying the refractive index of the flat layer in consideration of the refractive index of the particles to be blended together. As the binder, for example, epoxy resin, polysiloxane or polyimide can be exemplified.
평탄층의 바인더로는, 예를 들면, 고굴절 바인더 또는 저굴절 바인더를 사용할 수 있다. 본 명세서에서 용어 「고굴절 바인더」는, 굴절률이 약 1.7 내지 2.5 정도 또는 약 1.7 내지 2.0 정도인 바인더를 의미하고, 용어 「저굴절 바인더」는 굴절률이 약 1.4 이상이면서 약 1.7 미만인 바인더를 의미할 수 있다. 이러한 바인더들은 다양하게 공지되어 있으며, 상기 기술한 다양한 종류의 바인더 또는 그 외에도 공지된 바인더 중에서 적합한 바인더를 선택 및 사용할 수 있다. As a binder of a flat layer, a high refractive binder or a low refractive binder can be used, for example. As used herein, the term "high refractive index binder" means a binder having a refractive index of about 1.7 to 2.5 or about 1.7 to 2.0, and the term "low refractive binder" may mean a binder having a refractive index of about 1.4 or more and less than about 1.7. have. Such binders are variously known, and suitable binders may be selected and used among various kinds of binders described above or other known binders.
평탄층은 고굴절 입자를 추가로 포함할 수 있다. 평탄층에서 용어 「고굴절 입자」는, 예를 들면, 굴절률이 1.8 이상, 2.0 이상, 2.2 이상, 2.5 이상, 2.6 이상 또는 2.7 이상인 입자를 의미할 수 있다. 고굴절 입자의 굴절률의 상한은, 예를 들면, 함께 배합되는 바인더 등의 굴절률 등을 고려하여 상기 평탄층의 굴절률을 만족시킬 수 있는 범위에서 선택될 수 있다. 고굴절 입자는, 예를 들면, 1 nm 내지 100 nm, 10 nm 내지 90 nm, 10 nm 내지 80 nm, 10 nm 내지 70 nm, 10 nm 내지 60 nm, 10 nm 내지 50 nm 또는 10 nm 내지 45 nm 정도의 평균 입경을 가질 수 있다. 고굴절 입자로는, 예를 들면, 알루미나, 알루미노 실리케이트, 산화 티탄 또는 산화 지르코늄 등이 예시될 수 있다. 고굴절 입자로는, 예를 들면, 굴절률이 2.5 이상인 입자로서, 루틸형 산화 티탄을 사용할 수 있다. 루틸형의 산화 티탄은 여타의 입자에 비하여 높은 굴절률을 가지고, 따라서 상대적으로 적은 비율로도 목적하는 굴절률로의 조절이 가능할 수 있다. 상기 고굴절 입자의 굴절률은 550 nm 파장 또는 633 nm의 광에 대하여 측정한 굴절률일 수 있다. 하나의 예시에서, 평탄층은 633nm 파장의 광에 대한 굴절률이 1.8 이상이고 평균 입경이 50 nm 이하인 고굴절 입자를 포함할 수 있다. The flat layer may further comprise high refractive particles. In the flat layer, the term "high refractive particles" may mean, for example, particles having a refractive index of 1.8 or more, 2.0 or more, 2.2 or more, 2.5 or more, 2.6 or more, or 2.7 or more. The upper limit of the refractive index of the high refractive particles may be selected in a range capable of satisfying the refractive index of the flat layer, for example, in consideration of the refractive index of the binder and the like blended together. The high refractive particles may be, for example, about 1 nm to 100 nm, 10 nm to 90 nm, 10 nm to 80 nm, 10 nm to 70 nm, 10 nm to 60 nm, 10 nm to 50 nm or about 10 nm to 45 nm. It may have an average particle diameter of. As the high refractive particles, for example, alumina, aluminosilicate, titanium oxide or zirconium oxide and the like can be exemplified. As the high refractive particles, rutile titanium oxide can be used, for example, as particles having a refractive index of 2.5 or more. Titanium oxide of the rutile type has a high refractive index compared to other particles, and therefore can be adjusted to the desired refractive index in a relatively small proportion. The refractive index of the high refractive particles may be a refractive index measured for light of 550 nm wavelength or 633 nm. In one example, the flat layer may include high refractive particles having a refractive index of 1.8 or more and an average particle diameter of 50 nm or less for light having a wavelength of 633 nm.
평탄층 내에서의 고굴절 입자의 비율은, 특별히 제한되지 않으며, 전술한 평탄층의 굴절률이 확보될 수 있는 범위 내에서 조절될 수 있다. 평탄층의 물성, 예를 들면, 평탄층의 수분 또는 습기 투과성이나 아웃개싱(outgassing) 등을 감안하여, 고굴절 입자는, 바인더 100 중량부 대비 300 중량부 이하, 250 중량부 이하, 200 중량부 이하, 150 중량부 이하 또는 120 중량부 이하의 비율로 평탄층에 포함될 수 있다. 또한, 고굴절 입자의 비율은, 예를 들면, 40 중량부 이상, 60 중량부 이상, 80 중량부 이상, 또는 100 중량부 이상일 수 있다. 본 명세서에서「단위 중량부」는 특별히 달리 규정하지 않는 한, 성분간의 중량의 비율을 의미한다. 바인더와 고굴절 입자의 비율을 상기와 같이 유지하여, 예를 들면 유기전자소자를 형성하는 경우에 외부 양자 효율을 높이고, 외부로부터의 가스나 수분의 침투를 방지하며, 아웃개싱(outgasing)을 감소시켜서 성능과 신뢰성이 우수한 소자를 제공할 수 있다. The ratio of the high refractive particles in the flat layer is not particularly limited and may be adjusted within a range in which the refractive index of the flat layer described above can be secured. In consideration of the physical properties of the flat layer, for example, moisture or moisture permeability of the flat layer, outgassing, etc., the high refractive particles are 300 parts by weight or less, 250 parts by weight or less, 200 parts by weight or less relative to 100 parts by weight of the binder. It may be included in the flat layer in a ratio of 150 parts by weight or less or 120 parts by weight or less. In addition, the ratio of the high refractive particles may be, for example, 40 parts by weight or more, 60 parts by weight or more, 80 parts by weight or more, or 100 parts by weight or more. In the present specification, "unit weight part" means the ratio of weight between components, unless otherwise specified. By maintaining the ratio of the binder and the high refractive particles as described above, for example, to form an organic electronic device to increase the external quantum efficiency, to prevent the ingress of gas or water from the outside, and to reduce the outgasing A device having excellent performance and reliability can be provided.
평탄층은, 예를 들면, 바인더 및 고굴절 입자를 포함하는 코팅액을 사용한 습식 코팅(wet coating) 방식이나, 졸겔 방식 또는 CVD(Chemical Vapor Deposition) 또는 PVD(Physical Vapor Deposition) 방식 등과 같은 증착 방식 또는 마이크로엠보싱 방식 등을 통하여 형성할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.The flat layer may be, for example, a wet coating method using a coating liquid containing a binder and high refractive particles, a deposition method such as a sol-gel method, a chemical vapor deposition (CVD) or a physical vapor deposition (PVD) method, or a micro It can be formed through an embossing method, but is not limited thereto.
다른 예시에서 평탄층은, 지르코늄, 티탄 또는 세륨 등의 금속의 알콕시드 또는 아실레이트(acylate) 등의 화합물을 카복실기 또는 히드록시기 등의 극성기를 가지는 바인더와 배합한 소재를 사용하여 형성할 수도 있다. 상기 알콕시드 또는 아실레이트 등의 화합물은 바인더에 있는 극성기와 축합 반응하고, 바인더의 골격 내에 상기 금속을 포함시켜 고굴절률을 구현할 수 있다. 상기 알콕시드 또는 아실레이트 화합물의 예로는, 테트라-n-부톡시 티탄, 테트라이소프로폭시 티탄, 테트라-n-프로폭시 티탄 또는 테트라에톡시 티탄 등의 티탄 알콕시드, 티탄 스테아레이트(stearate) 등의 티탄 아실레이트, 티탄 킬레이트류, 테트라-n-부톡시지르코늄, 테트라-n-프로폭시 지르코늄, 테트라이소프로폭시 지르코늄 또는 테트라에톡시 지르코늄 등의 지르코늄 알콕시드, 지르코늄 트리부톡시스테아레이트 등의 지르코늄 아실레이트, 지르코늄 킬레이트류 등이 예시될 수 있다. 평탄층은, 또한 티탄 알콕시드 또는 지르코늄 알콕시드 등의 금속 알콕시드 및 알코올 또는 물 등의 용매를 배합하여 코팅액을 제조하고, 이를 도포한 후에 적정한 온도에서 소성하는 졸겔 코팅 방식으로 형성할 수도 있다.In another example, the flat layer may be formed using a material in which a compound such as alkoxide or acylate of a metal such as zirconium, titanium or cerium is combined with a binder having a polar group such as a carboxyl group or a hydroxy group. Compounds such as alkoxides or acylates may be condensed with the polar groups in the binder, and the high refractive index may be realized by including the metal in the binder. Examples of the alkoxide or acylate compound include titanium alkoxides such as tetra-n-butoxy titanium, tetraisopropoxy titanium, tetra-n-propoxy titanium or tetraethoxy titanium, titanium stearate and the like. Zirconium such as zirconium alkoxides such as titanium acylate, titanium chelates, tetra-n-butoxy zirconium, tetra-n-propoxy zirconium, tetraisopropoxy zirconium or tetraethoxy zirconium and zirconium tributoxy stearate Acylate, zirconium chelates, etc. can be illustrated. The flat layer may also be formed by a sol-gel coating method in which a metal alkoxide, such as titanium alkoxide or zirconium alkoxide, and a solvent such as alcohol or water are prepared to prepare a coating liquid, and after the coating is applied, the coating solution is baked at an appropriate temperature.
본 출원의 플라스틱 기판은 지지층의 일면에 부착되어 있는 캐리어 기판을 추가로 포함할 수 있다. 하나의 예시에서, 플라스틱 기판에 상기 배리어층 또는 평탄층이 추가로 형성된 경우에 상기 배리어층 또는 평탄층과는 반대측 면이 상기 캐리어 기판과 접촉하고 있을 수 있다. The plastic substrate of the present application may further include a carrier substrate attached to one surface of the support layer. In one example, when the barrier layer or the flat layer is further formed on a plastic substrate, a surface opposite to the barrier layer or the flat layer may be in contact with the carrier substrate.
하나의 예시에서, 캐리어 기판은, 예를 들면 유리 기판 또는 강성 기판을 사용할 수 있다. 유리 기판으로는, 특별한 제한 없이 적절한 소재가 사용될 수 있고, 예를 들면, 소다석회 유리, 바륨/스트론튬 함유 유리, 납 유리, 알루미노 규산 유리, 붕규산 유리, 바륨 붕규산 유리 또는 석영 등의 기재층이 예시될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 하나의 예시에서, 캐리어 기판은, 플라스틱 기판과 탈부착이 가능하도록 형성되어 포함될 수 있다. In one example, the carrier substrate may use a glass substrate or a rigid substrate, for example. As the glass substrate, an appropriate material can be used without particular limitation, and for example, a base layer such as soda lime glass, barium / strontium-containing glass, lead glass, aluminosilicate glass, borosilicate glass, barium borosilicate glass, or quartz can be used. It may be illustrated, but is not limited thereto. In one example, the carrier substrate may be formed to be detachable from the plastic substrate.
본 출원은 또한 상기 플라스틱 기판의 제조방법에 관한 것이다. 본 출원의 예시적인 플라스틱 기판의 제조방법은, 고분자 바인더 전구 물질 및 산란 성분을 포함하는 조성물의 층을 형성하고, 상기 층 내에서 상기 고분자 바인더 전구 물질을 고분자 바인더로 전환시키는 것을 포함한다. The present application also relates to a method of manufacturing the plastic substrate. Exemplary plastic substrate manufacturing methods of the present application include forming a layer of a composition comprising a polymeric binder precursor and a scattering component, and converting the polymeric binder precursor into a polymeric binder in the layer.
상기 제조 방법에 있어서 고분자 바인더 전구 물질 및 산란 성분을 포함하는 조성물은 고분자 바인더 전구 물질 100 중량% 대비 산란 성분을 약 0.05 중량% 내지 3.75 중량% 범위 내의 비율로 포함할 수 있다. 본 명세서에서 「고분자 바인더 전구 물질 100 중량%」는 용매를 제외한 고분자 바인더 전구 물질의 중량을 기초한 중량 비율을 의미할 수 있다. 상기 산란 성분의 함량 비율에 관한 구체적인 사항은 상기 플라스틱 기판의 항목에서 기술한 고분자 바인더 내의 산란 성분의 함량 비율에 관한 내용이 동일하게 적용될 수 있다.In the manufacturing method, the composition including the polymer binder precursor and the scattering component may include the scattering component in a ratio within the range of about 0.05% to 3.75% by weight based on 100% by weight of the polymer binder precursor. In the present specification, "100 wt% polymer binder precursor" may refer to a weight ratio based on the weight of the polymer binder precursor except for the solvent. Specific matters regarding the content ratio of the scattering component may be equally applicable to the content ratio of the scattering component in the polymer binder described in the item of the plastic substrate.
상기 제조 방법에 있어서 조성물의 층은 약 10㎛ 내지 130㎛ 범위 내의 두께로 형성될 수 있다. 상기 조성물의 층은 고분자 바인더 전구 물질을 고분자 바인더로 전환됨으로써 상기 플라스틱 기판의 항목에서 기술한 지지층이 될 수 있다. 따라서, 상기 조성물의 층의 두께에 관한 구체적인 사항은 상기 플라스틱 기판의 항목에서 기술한 지지층의 두께에 관한 내용이 동일하게 적용될 수 있다. In the above production method, the layer of the composition may be formed to a thickness within the range of about 10 μm to 130 μm. The layer of the composition may be the support layer described in the section of the plastic substrate by converting the polymeric binder precursor to a polymeric binder. Therefore, the details regarding the thickness of the layer of the composition may be equally applicable to the contents of the thickness of the support layer described in the item of the plastic substrate.
상기 제조방법은 상기 플라스틱 기판의 제조 방법에 관한 것이므로, 상기 제조 방법에 있어서, 산란 성분의 함량 비율과 조성물의 층의 두께 이외의 사항에 대해서도, 상기 플라스틱 기판의 항목에서 기술한 내용이 동일하게 적용될 수 있다. 따라서, 상기 제조 방법으로 플라스틱 기판을 제조하는 경우 상기 플라스틱 기판의 항목에서 기술한 헤이즈를 특성을 나타내는 플라스틱 기판을 제조할 수 있다. Since the manufacturing method relates to a manufacturing method of the plastic substrate, in the manufacturing method, the contents described in the items of the plastic substrate are equally applied to matters other than the content ratio of the scattering component and the thickness of the layer of the composition. Can be. Therefore, when manufacturing a plastic substrate by the said manufacturing method, the plastic substrate which exhibits the haze characteristic described in the item of the said plastic substrate can be manufactured.
상기 제조 방법은 산란 성분을 중첨함으로써 플라스틱 기판을 제조한다. 본 명세서에서 용어 「중첨」이란 고분자 바인더 및 산란 성분을 포함하는 지지층을 가지는 플라스틱 기판을 제조하는 방법에 있어서, 산란 성분을 첨가하는 공정이 고분자 바인더 전구 물질이 고분자 바인더로 전환되기 전에 수행되는 것을 의미할 수 있다. 즉, 본 명세서에서 용어 「중첨」이란, 상기 플라스틱 기판의 제조 방법에 있어서, 산란 성분이 고분자 바인더 전구 물질에 첨가되는 것을 의미할 수 있다. 이와 달리, 본 명세서에서 용어 「후첨」은 상기 플라스틱 기판을 제조하는 방법에 있어서, 산란 성분을 첨가하는 공정이 고분자 바인더 전구 물질이 고분자 바인더로 전환된 후에 수행되는 것을 의미할 수 있다. 즉, 본 명세서에서 용어 「후첨」이란 상기 플라스틱 기판의 제조 방법에 있어서, 산란 성분이 고분자 바인더에 첨가되는 것을 의미할 수 있다.The manufacturing method produces a plastic substrate by sintering the scattering component. As used herein, the term "addition" means that in the method of manufacturing a plastic substrate having a support layer comprising a polymer binder and a scattering component, the step of adding the scattering component is performed before the polymer binder precursor is converted into the polymer binder. can do. That is, the term "addition" in the present specification may mean that the scattering component is added to the polymer binder precursor in the manufacturing method of the plastic substrate. On the contrary, in the present specification, the term “post-addition” may mean that in the method of manufacturing the plastic substrate, the step of adding the scattering component is performed after the polymer binder precursor is converted into the polymer binder. That is, in the present specification, the term "post-addition" may mean that the scattering component is added to the polymer binder in the method of manufacturing the plastic substrate.
본 명세서에서 용어 「고분자 바인더 전구 물질」은 고분자 바인더를 형성하는데 필요한 재료가 되는 물질 또는 고분자 바인더를 형성하는 일련의 반응에 있어서 고분자 바인더의 전 단계의 물질을 의미할 수 있다. As used herein, the term "polymer binder precursor" may refer to a material that is a material required to form a polymer binder or a material of a previous stage of the polymer binder in a series of reactions forming the polymer binder.
고분바 바인더 전구 물질은 고분자 바인더의 종류에 따라 적절히 선택될 수 있다. 예를 들어, 고분자 바인더가 폴리이미드인 경우, 고분자 바인더 전구 물질은 폴리아믹산 또는 폴리아믹산을 합성하기 위한 단량체 화합물을 의미할 수 있다. 이러한 경우에, 상기 제조 방법은 산란 성분이 상기 폴리아믹산 또는 폴리아믹산을 합성하기 위한 단량체 화합물에 배합되는 경우 중첨되었다고 할 수 있다.The high molecular weight binder precursor may be appropriately selected depending on the type of the polymeric binder. For example, when the polymer binder is polyimide, the polymer binder precursor may mean a polyamic acid or a monomer compound for synthesizing the polyamic acid. In such a case, the production method may be said to be heavy when the scattering component is blended with the polyamic acid or the monomer compound for synthesizing the polyamic acid.
상기 제조 방법과 같이, 산란 성분을 중첨하여 플라스틱 기판을 제조하는 경우, 고분자 바인더 전구 물질 및/또는 고분자 바인더 내에서 산란 성분의 안정적인 분산성을 확보할 수 있으므로 광추출 성능에 적합한 헤이즈를 나타내면서도 표면 거칠기 특성이 우수한 플라스틱 기판을 제조할 수 있다. 이에 달리, 산란 성분을 후첨하여 플라스틱 기판을 제조하는 경우 고분자 바인더 내에서 산란 성분의 분산성을 확보할 수 없으므로 고분자 바인더 내부 또는 조성물의 층의 표면에서 산란 성분의 뭉침 현상이 발생할 수 있으며, 이에 따라 광추출 성능에 적합한 헤이즈를 나타내는 것이 어렵고 표면 거칠기 특성도 저하되어 소자 제작 시 불리한 단점이 있다.As in the manufacturing method, when the plastic substrate is manufactured by squeezing the scattering component, it is possible to secure stable dispersibility of the scattering component in the polymer binder precursor and / or the polymer binder, and thus exhibit a haze suitable for light extraction performance. The plastic substrate which is excellent in a roughness characteristic can be manufactured. On the contrary, when the plastic substrate is manufactured by post-scattering the scattering component, it is impossible to secure the dispersibility of the scattering component in the polymer binder. Therefore, aggregation of the scattering component may occur inside the polymer binder or on the surface of the layer of the composition. It is difficult to represent a haze suitable for the light extraction performance and the surface roughness characteristics are also lowered there is a disadvantage in manufacturing the device.
상기 제조 방법에 있어서, 상기 조성물은 적절한 용매에 고분자 바인더 전구 물질 및 산란 성분을 용해시켜 제조할 수 있다. 용매로는 톨루엔, 크실렌, 시클로펜타논 또는 시클로헥사논 등의 공지의 유기 용매의 사용이 가능하다. 상기 조성물은 필요한 경우에, 중합 개시제, 계면 활성제 등의 첨가제를 추가로 포함할 수 있다. In the above production method, the composition may be prepared by dissolving the polymer binder precursor and the scattering component in a suitable solvent. As a solvent, well-known organic solvents, such as toluene, xylene, cyclopentanone, or cyclohexanone, can be used. If necessary, the composition may further include additives such as a polymerization initiator, a surfactant, and the like.
상기 제조 방법에 있어서, 상기 조성물의 층은 고분자 바인더 전구 물질 및 산란 성분을 포함하는 조성물을 적절한 기판 상에 도포함으로써 형성할 수 있다. 상기 기판은 상기 플라스틱 기판의 항목에서 기술한 캐리어 기판을 사용할 수 있다. 상기 도포 방식은 특별히 제한되지 않고 공지의 코팅 방식을 적용할 수 있다. 상기 코팅 방식으로는, 예를 들면, 롤 코팅, 인쇄법, 잉크젯 코팅, 슬릿 노즐법, 바 코팅, 콤마 코팅, 스핀 코팅 또는 그라비어 코팅 등의 방식이 예시될 수 있다.In the above production method, the layer of the composition can be formed by applying a composition comprising a polymeric binder precursor and a scattering component onto a suitable substrate. The substrate may use the carrier substrate described in the section of the plastic substrate. The coating method is not particularly limited and a known coating method can be applied. As the coating method, for example, a roll coating, a printing method, an inkjet coating, a slit nozzle method, a bar coating, a comma coating, a spin coating or a gravure coating may be exemplified.
하나의 예시에서, 상기 고분자 바인더가 폴리이미드인 경우에, 상기 고분자 바인더 전구 물질은 폴리아믹산일 수 있다. 폴리아믹산으로는, 폴리이미드를 형성할 수 있는 공지의 폴리아믹산을 사용할 수 있다. 예를 들면, 폴리아믹산으로 하기 화학식 2로 표시되는 반복단위를 포함하는 폴리아믹산을 사용할 수 있다. In one example, when the polymeric binder is polyimide, the polymeric binder precursor may be polyamic acid. As a polyamic acid, the well-known polyamic acid which can form a polyimide can be used. For example, a polyamic acid including a repeating unit represented by the following Formula 2 may be used as the polyamic acid.
[화학식 2][Formula 2]
Figure PCTKR2015009064-appb-I000002
Figure PCTKR2015009064-appb-I000002
상기 화학식 2에서, L은 단일결합, 알킬렌기, 알킬리덴기, 알키닐렌기, 아릴렌기, 알케닐렌기, -S-, -S(=O)-, -S(=O)2- 또는 -S-S-이고, R1 내지 R20는 각각 독립적으로 수소, 알킬기, 알콕시기, 아릴기 또는 할로겐 원자, 황 원자 또는 인 원자를 포함하는 관능기이며, n은 1 이상의 정수이다. R1 내지 R20에 대한 구체적인 내용은 상기 플라스틱 기판의 화학식 1 항목에서 기술한 내용이 동일하게 적용될 수 있다. In Formula 2, L is a single bond, an alkylene group, an alkylidene group, an alkynylene group, an arylene group, an alkenylene group, -S-, -S (= O)-, -S (= O) 2 -or- SS is, and R 1 to R 20 are each independently a hydrogen, an alkyl group, an alkoxy group, an aryl group, or a functional group including a halogen atom, a sulfur atom, or a phosphorus atom, and n is an integer of 1 or more. Details of R 1 to R 20 may be the same as those described in Chemical Formula 1 of the plastic substrate.
또한, 상기 화학식 2에 있어서, R1 내지 R20는 2개의 고리 구조를 서로 연결시키는 탄소원자에 치환된 치환기는 존재하지 않는다. 예를 들면, 화학식 2에서 R2가 연결된 탄소 원자와 R8가 연결된 탄소 원자가 연결되는 경우에는 R2 및 R8는 존재하지 않고, -NH-기와 R14가 연결된 탄소 원자가 연결되는 경우에는 R14는 존재하지 않는다. In Formula 2, R 1 to R 20 do not have a substituent substituted on a carbon atom connecting two ring structures to each other. For example if, when R 2 is attached is a carbon atom and a carbon atom connected to R 8 is connected, R 2 and R 8 is absent, -NH- group and R 14 is a carbon atom connected to R 14 is coupled from the formula (2) Does not exist.
하나의 예시에서, 상기 고분자 바인더가 폴리이미드인 경우에, 상기 조성물의 층에서 고분자 바인더 전구 물질을 고분자 바인더로 전환시키는 공정은 상기 폴리아믹산을 이미드화 반응시키는 공정에 의하여 수행될 수 있다. 상기 이미드화 반응의 조건이나 방식은 특별히 제한되지 않고 당업계에 공지된 폴리아믹산을 폴리이미드로 전환시키는 이미드화 반응의 조건이나 방식이 적용될 수 있다.In one example, when the polymer binder is polyimide, the step of converting the polymer binder precursor to the polymer binder in the layer of the composition may be performed by a step of imidizing the polyamic acid. The condition or method of the imidation reaction is not particularly limited, and conditions or methods of the imidation reaction for converting a polyamic acid known in the art to polyimide may be applied.
본 출원은 또한 상기 플라스틱 기판의 용도에 관한 것이다. 예를 들어, 본 출원은 상기 플라스틱 기판을 포함하는 유기전자장치에 관한 것이다. 상기 유기전자장치는 고분자 바인더; 및 상기 바인더 내에 0.05 중량% 내지 3.75 중량%의 범위 내의 비율로 포함되어 있는 산란 성분을 포함하고, 두께가 10㎛ 내지 130 ㎛ 범위 내인 지지층을 가지고, 헤이즈가 5% 내지 80% 의 범위 내에 있는 플라스틱 기판; 상기 기판 상에 형성되어 있는 제1 전극층; 상기 제1 전극층상에 형성되어 있는 유기층 및 상기 유기층상에 형성되어 있는 제2 전극층을 포함할 수 있다. 상기 유기전자장치의 플라스틱 기판에 대해서는, 상기 플라스틱 기판의 항목에서 기술한 내용이 동일하게 적용될 수 있다. The present application also relates to the use of the plastic substrate. For example, the present application relates to an organic electronic device including the plastic substrate. The organic electronic device includes a polymer binder; And a scattering component contained in the binder at a ratio within the range of 0.05% to 3.75% by weight, the support layer having a thickness in the range of 10 μm to 130 μm, and having a haze in the range of 5% to 80%. Board; A first electrode layer formed on the substrate; It may include an organic layer formed on the first electrode layer and a second electrode layer formed on the organic layer. For the plastic substrate of the organic electronic device, the contents described in the items of the plastic substrate may be applied in the same manner.
상기 유기층은 적어도 발광층을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제 1 전극층을 투명하게 구현하고, 제 2 전극층을 반사성 전극층으로 하면 유기층의 발광층에서 발생한 광이 광학 기능성층을 거쳐서 기재층측으로 방사되는 하부 발광형 소자를 구현할 수 있다. The organic layer may include at least a light emitting layer. For example, when the first electrode layer is transparently implemented and the second electrode layer is a reflective electrode layer, a lower light emitting device in which light generated in the light emitting layer of the organic layer is emitted to the base layer side through the optical functional layer may be implemented.
상기 유기전자장치는 유기발광장치(Organic Light Emitting Device)일 수 있다. 이 경우 상기 유기전자장치는 상기 발광층을 적어도 포함하는 유기층이 정공 주입 전극층과 전자 주입 전극층의 사이에 개재된 구조를 가질 수 있다. 예를 들면, 상기 플라스틱 기판 상에 형성되는 제 1 전극층이 정공 주입 전극층이고, 상기 유기층 상에 형성되는 제 2 전극층이 전자 주입 전극층일 수 있다. 상기 제 1 전극층은 투명 전극층일 수 있다.The organic electronic device may be an organic light emitting device. In this case, the organic electronic device may have a structure in which an organic layer including at least the light emitting layer is interposed between the hole injection electrode layer and the electron injection electrode layer. For example, the first electrode layer formed on the plastic substrate may be a hole injection electrode layer, and the second electrode layer formed on the organic layer may be an electron injection electrode layer. The first electrode layer may be a transparent electrode layer.
전자 및 정공 주입성 전극층의 사이에 존재하는 유기층은, 적어도 1층 이상의 발광층을 포함할 수 있다. 유기층은 2층 이상의 복수의 발광층을 포함할 수도 있다. 2층 이상의 발광층을 포함되는 경우에는, 발광층들은 전하 발생 특성을 가지는 중간 전극층이나 전하 발생층(CGL; Charge Generating Layer) 등에 의해 분할되어 있는 구조를 가질 수도 있다.The organic layer existing between the electron and the hole injection electrode layer may include at least one light emitting layer. The organic layer may include a plurality of light emitting layers of two or more layers. When two or more light emitting layers are included, the light emitting layers may have a structure divided by an intermediate electrode layer or a charge generating layer (CGL) having charge generation characteristics.
발광층은, 예를 들면, 이 분야에 공지된 다양한 형광 또는 인광 유기 재료를 사용하여 형성할 수 있다. 발광층의 재료로는, 트리스(4-메틸-8-퀴놀리놀레이트)알루미늄(III)(tris(4-methyl-8-quinolinolate)aluminum(III))(Alg3), 4-MAlq3 또는 Gaq3 등의 Alq 계열의 재료, C-545T(C26H26N2O2S), DSA-아민, TBSA, BTP, PAP-NPA, 스피로-FPA, Ph3Si(PhTDAOXD), PPCP(1,2,3,4,5-pentaphenyl-1,3-cyclopentadiene) 등과 같은 시클로페나디엔(cyclopenadiene) 유도체, DPVBi(4,4'-bis(2,2'-diphenylyinyl)-1,1'-biphenyl), 디스티릴 벤젠 또는 그 유도체 또는 DCJTB(4-(Dicyanomethylene)-2-tert-butyl-6-(1,1,7,7,-tetramethyljulolidyl-9-enyl)-4H-pyran), DDP, AAAP, NPAMLI, ; 또는 Firpic, m-Firpic, N-Firpic, bon2Ir(acac), (C6)2Ir(acac), bt2Ir(acac), dp2Ir(acac), bzq2Ir(acac), bo2Ir(acac), F2Ir(bpy), F2Ir(acac), op2Ir(acac), ppy2Ir(acac), tpy2Ir(acac), FIrppy(fac-tris[2-(4,5?-difluorophenyl)pyridine-C'2,N] iridium(III)) 또는 Btp2Ir(acac)(bis(2-(2'-benzo[4,5-a]thienyl)pyridinato-N,C3')iridium(acetylactonate)) 등과 같은 인광 재료 등이 예시될 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다. 발광층은, 상기 재료를 호스트(host)로 포함하고, 또한 페릴렌(perylene), 디스티릴비페닐(distyrylbiphenyl), DPT, 퀴나크리돈(quinacridone), 루브렌(rubrene), BTX, ABTX 또는 DCJTB 등을 도펀트로 포함하는 호스트-도펀트 시스템(Host-Dopant system)을 가질 수도 있다.The light emitting layer can be formed using, for example, various fluorescent or phosphorescent organic materials known in the art. Examples of the material of the light emitting layer include tris (4-methyl-8-quinolinolate) aluminum (III) (tris (4-methyl-8-quinolinolate) aluminum (III)) (Alg3), 4-MAlq3 or Gaq3. Alq series materials, C-545T (C 26 H 26 N 2 O 2 S), DSA-amine, TBSA, BTP, PAP-NPA, Spiro-FPA, Ph 3 Si (PhTDAOXD), PPCP (1,2,3 Cyclopenadiene derivatives such as, 4,5-pentaphenyl-1,3-cyclopentadiene), DPVBi (4,4'-bis (2,2'-diphenylyinyl) -1,1'-biphenyl), distyryl Benzene or derivatives thereof or DCJTB (4- (Dicyanomethylene) -2-tert-butyl-6- (1,1,7,7, tetramethyljulolidyl-9-enyl) -4H-pyran), DDP, AAAP, NPAMLI,; Or Firpic, m-Firpic, N-Firpic, bon 2 Ir (acac), (C 6 ) 2 Ir (acac), bt 2 Ir (acac), dp 2 Ir (acac), bzq 2 Ir (acac), bo 2 Ir (acac), F 2 Ir (bpy), F 2 Ir (acac), op 2 Ir (acac), ppy 2 Ir (acac), tpy 2 Ir (acac), FIrppy (fac-tris [2- ( 4,5-difluorophenyl) pyridine-C'2, N] iridium (III)) or Btp 2 Ir (acac) (bis (2- (2'-benzo [4,5-a] thienyl) pyridinato-N, Phosphorescent materials such as C3 ') iridium (acetylactonate)) and the like can be exemplified, but is not limited thereto. The light emitting layer includes the material as a host, and further includes perylene, distyrylbiphenyl, DPT, quinacridone, rubrene, BTX, ABTX, or DCJTB. It may have a host-dopant system including a dopant.
발광층은 또한 후술하는 전자 수용성 유기 화합물 또는 전자 공여성 유기 화합물 중에서 발광 특성을 나타내는 종류를 적절히 채용하여 형성할 수 있다.The light emitting layer can be formed by appropriately adopting a kind showing light emission characteristics among the electron-accepting organic compound or electron donating organic compound described later.
유기층은, 발광층을 포함하는 한, 이 분야에 공지된 다른 다양한 기능성층을 추가로 포함하는 다양한 구조로 형성될 수 있다. 유기층에 포함될 수 있는 층으로는, 전자 주입층, 정공 저지층, 전자 수송층, 정공 수송층 및 정공 주입층 등이 예시될 수 있다.The organic layer may be formed in various structures further including other various functional layers known in the art, as long as it includes a light emitting layer. Examples of the layer that may be included in the organic layer may include an electron injection layer, a hole blocking layer, an electron transport layer, a hole transport layer, a hole injection layer, and the like.
전자 주입층 또는 전자 수송층은, 예를 들면, 전자 수용성 유기 화합물(electron accepting organic compound)을 사용하여 형성할 수 있다. 상기에서 전자 수용성 유기 화합물로는, 특별한 제한 없이 공지된 임의의 화합물이 사용될 수 있다. 이러한 유기 화합물로는, p-테르페닐(p-terphenyl) 또는 쿠아테르페닐(quaterphenyl) 등과 같은 다환 화합물 또는 그 유도체, 나프탈렌(naphthalene), 테트라센(tetracene), 피렌(pyrene), 코로넨(coronene), 크리센(chrysene), 안트라센(anthracene), 디페닐안트라센(diphenylanthracene), 나프타센(naphthacene) 또는 페난트렌(phenanthrene) 등과 같은 다환 탄화수소 화합물 또는 그 유도체, 페난트롤린(phenanthroline), 바소페난트롤린(bathophenanthroline), 페난트리딘(phenanthridine), 아크리딘(acridine), 퀴놀린(quinoline), 키노사린(quinoxaline) 또는 페나진(phenazine) 등의 복소환화합물 또는 그 유도체 등이 예시될 수 있다. 또한, 플루오르세인(fluoroceine), 페리렌(perylene), 프타로페리렌(phthaloperylene), 나프타로페리렌(naphthaloperylene), 페리논(perynone), 프타로페리논, 나프타로페리논, 디페닐부타디엔(diphenylbutadiene), 테트라페닐부타디엔(tetraphenylbutadiene), 옥사디아졸(oxadiazole), 아르다진(aldazine), 비스벤조옥사조린(bisbenzoxazoline), 비스스티릴(bisstyryl), 피라진(pyrazine), 사이크로펜타디엔(cyclopentadiene), 옥신(oxine), 아미노퀴놀린(aminoquinoline), 이민(imine), 디페닐에틸렌, 비닐안트라센, 디아미노카르바졸(diaminocarbazole), 피란(pyrane), 티오피란(thiopyrane), 폴리메틴(polymethine), 메로시아닌(merocyanine), 퀴나크리돈(quinacridone) 또는 루부렌(rubrene) 등이나 그 유도체, 일본특허공개 제1988-295695호, 일본특허공개 제1996-22557호, 일본특허공개 제1996-81472호, 일본특허공개 제1993-009470호 또는 일본특허공개 제1993-017764호 등의 공보에서 개시하는 금속 킬레이트 착체 화합물, 예를 들면, 금속 킬레이트화 옥사노이드화합물인 트리스(8-퀴놀리노라토)알루미늄[tris(8-quinolinolato)aluminium], 비스(8-퀴놀리노라토)마그네슘, 비스[벤조(에프)-8-퀴놀뤼노라토]아연{bis[benzo(f)-8-quinolinolato]zinc}, 비스(2-메틸-8-퀴놀리노라토)알루미늄, 트리스(8-퀴놀리노라토)인디엄[tris(8-quinolinolato)indium], 트리스(5-메틸-8-퀴놀리노라토)알루미늄, 8-퀴놀리노라토리튬, 트리스(5-클로로-8-퀴놀리노라토)갈륨, 비스(5-클로로-8-퀴놀리노라토)칼슘 등의 8-퀴놀리노라토 또는 그 유도체를 배립자로 하나 이상 가지는 금속 착체, 일본특허공개 제1993-202011호, 일본특허공개 제1995-179394호, 일본특허공개 제1995-278124호 또는 일본특허공개 제1995-228579호 등의 공보에 개시된 옥사디아졸(oxadiazole) 화합물, 일본특허공개 제1995-157473호 공보 등에 개시된 트리아진(triazine) 화합물, 일본특허공개 제1994-203963호 공보 등에 개시된 스틸벤(stilbene) 유도체나, 디스티릴아릴렌(distyrylarylene) 유도체, 일본특허공개 제1994-132080호 또는 일본특허공개 제1994-88072호 공보 등에 개시된 스티릴 유도체, 일본특허공개 제1994-100857호나 일본특허공개 제1994-207170호 공보 등에 개시된 디올레핀 유도체; 벤조옥사졸(benzooxazole) 화합물, 벤조티아졸(benzothiazole) 화합물 또는 벤조이미다졸(benzoimidazole) 화합물 등의 형광 증백제; 1,4-비스(2-메틸스티릴)벤젠, 1,4-비스(3-메틸스티릴)벤젠, 1,4-비스(4-메틸스티릴)벤젠, 디스티릴벤젠, 1,4-비스(2-에틸스티릴)벤질, 1,4-비스(3-에틸스티릴)벤젠, 1,4-비스(2-메틸스티릴)-2-메틸벤젠 또는 1,4-비스(2-메틸스티릴)-2-에틸벤젠 등과 같은 디스티릴벤젠(distyrylbenzene) 화합물; 2,5-비스(4-메틸스티릴)피라진, 2,5-비스(4-에틸스티릴)피라진, 2,5-비스[2-(1-나프틸)비닐]피라진, 2,5-비스(4-메톡시스티릴)피라진, 2,5-비스[2-(4-비페닐)비닐]피라진 또는 2,5-비스[2-(1-피레닐)비닐]피라진 등의 디스티릴피라진(distyrylpyrazine) 화합물, 1,4-페닐렌디메틸리딘, 4,4'-페닐렌디메틸리딘, 2,5-크실렌디메틸리딘, 2,6-나프틸렌디메틸리딘, 1,4-비페닐렌디메틸리딘, 1,4-파라-테레페닐렌디메텔리딘, 9,10-안트라센디일디메틸리딘(9,10-anthracenediyldimethylidine) 또는 4,4'-(2,2-디-티-부틸페닐비닐)비페닐, 4,4?-(2,2-디페닐비닐)비페닐 등과 같은 디메틸리딘(dimethylidine) 화합물 또는 그 유도체, 일본특허공개 제1994-49079호 또는 일본특허공개 제1994-293778호 공보 등에 개시된 실라나민(silanamine) 유도체, 일본특허공개 제1994-279322호 또는 일본특허공개 제1994-279323호 공보 등에 개시된 다관능 스티릴 화합물, 일본특허공개 제1994-107648호 또는 일본특허공개 제1994-092947호 공보 등에 개시되어 있는 옥사디아졸 유도체, 일본특허공개 제1994-206865호 공보 등에 개시된 안트라센 화합물, 일본특허공개 제1994-145146호 공보 등에 개시된 옥시네이트(oxynate) 유도체, 일본특허공개 제1992-96990호 공보 등에 개시된 테트라페닐부타디엔 화합물, 일본특허공개 제1991-296595호 공보 등에 개시된 유기 삼관능 화합물, 일본특허공개 제1990-191694호 공보 등에 개시된 쿠마린(coumarin)유도체, 일본특허공개 제1990-196885호 공보 등에 개시된 페리렌(perylene) 유도체, 일본특허공개 제1990-255789호 공보 등에 개시된 나프탈렌 유도체, 일본특허공개 제1990-289676호나 일본특허공개 제1990-88689호 공보 등에 개시된 프탈로페리논(phthaloperynone) 유도체 또는 일본특허공개 제1990-250292호 공보 등에 개시된 스티릴아민 유도체 등도 저굴절층에 포함되는 전자 수용성 유기 화합물로서 사용될 수 있다. 또한, 상기에서 전자 주입층은, 예를 들면, LiF 또는 CsF 등과 같은 재료를 사용하여 형성할 수도 있다. The electron injection layer or the electron transport layer can be formed using, for example, an electron accepting organic compound. As the electron-accepting organic compound in the above, any compound known without particular limitation may be used. Such organic compounds include polycyclic compounds such as p-terphenyl or quaterphenyl or derivatives thereof, naphthalene, tetratracene, pyrene, coronene, and coronene. ), Polycyclic hydrocarbon compounds or derivatives thereof, such as chrysene, anthracene, diphenylanthracene, naphthacene or phenanthrene, phenanthroline, vasophenanthrol Heterocyclic compounds or derivatives thereof, such as lean (bathophenanthroline), phenanthridine, acridine (acridine), quinoline (quinoline), quinoxaline or phenazine (phenazine) and the like. In addition, fluoroceine, perylene, phthaloperylene, naphthaloperylene, naphthaloperylene, perynone, phthaloperinone, naphtharoferinone, diphenylbutadiene ( diphenylbutadiene, tetraphenylbutadiene, oxadiazole, ardazine, bisbenzoxazoline, bisstyryl, pyrazine, cyclopentadiene , Oxine, aminoquinoline, imine, diphenylethylene, vinylanthracene, diaminocarbazole, pyrane, thiopyrane, polymethine, mero Cyanine (merocyanine), quinacridone or rubrene, or derivatives thereof, JP-A-1988-295695, JP-A-1996-22557, JP-A-1996-81472, Japanese Patent Laid-Open Publication No. 1993-009470 or Japanese Patent Laid-Open Publication Metal chelate complex compounds disclosed in Japanese Patent Application Publication No. 017764, for example, tris (8-quinolinolato) aluminium, which is a metal chelated oxanoid compound, and bis (8-quinolin) Norato) magnesium, bis [benzo (f) -8-quinolinolato] zinc {bis [benzo (f) -8-quinolinolato] zinc}, bis (2-methyl-8-quinolinolato) aluminum, Tris (8-quinolinolato) indium, tris (5-methyl-8-quinolinolato) aluminum, 8-quinolinolatorium, tris (5-chloro- Metal complex having one or more 8-quinolinolato or derivatives thereof, such as 8-quinolinolato) gallium, bis (5-chloro-8-quinolinolato) calcium, as derivatives, Japanese Patent Application Laid-Open No. 1993-202011 Oxadiazole compounds disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 195-179394, Japanese Patent Laid-Open Publication No. 195-278124, or Japanese Patent Publication No. 195-228579, and Japanese Patent Publication Triazine compounds disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open Nos. 195-157473, Stilbene Derivatives, Distyrylarylene Derivatives, and Japanese Patent Publication No. 194-132080 Styryl derivatives disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 1944-88072 and the like, diolefin derivatives disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 194-100857 and Japanese Patent Application Laid-Open No. 194-207170; Fluorescent brighteners such as a benzooxazole compound, a benzothiazole compound or a benzoimidazole compound; 1,4-bis (2-methylstyryl) benzene, 1,4-bis (3-methylstyryl) benzene, 1,4-bis (4-methylstyryl) benzene, distyrylbenzene, 1,4- Bis (2-ethylstyryl) benzyl, 1,4-bis (3-ethylstyryl) benzene, 1,4-bis (2-methylstyryl) -2-methylbenzene or 1,4-bis (2- Distyrylbenzene compounds such as methylstyryl) -2-ethylbenzene and the like; 2,5-bis (4-methylstyryl) pyrazine, 2,5-bis (4-ethylstyryl) pyrazine, 2,5-bis [2- (1-naphthyl) vinyl] pyrazine, 2,5- Distyryls such as bis (4-methoxystyryl) pyrazine, 2,5-bis [2- (4-biphenyl) vinyl] pyrazine or 2,5-bis [2- (1-pyrenyl) vinyl] pyrazine Pyrazine (distyrylpyrazine) compound, 1,4-phenylenedimethylidine, 4,4'-phenylenedimethylidine, 2,5-xylenedimethylidine, 2,6-naphthylenedimethylidine, 1,4-biphenylenedimethyl Lidine, 1,4-para-terphenylenedimethellidine, 9,10-anthracenediyldimethylidine or 4,4 '-(2,2-di-thi-butylphenylvinyl) biphenyl , Dimethylidine compounds or derivatives thereof, such as 4,4?-(2,2-diphenylvinyl) biphenyl, and the like described in JP-A-194-49079 or JP-A-1994-293778. Namin (silanamine) derivative, disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 194-279322 or Japanese Patent Laid-Open No. 194-279323 Polyfunctional styryl compound, an oxadiazole derivative disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 194-107648 or Japanese Patent Application Laid-Open No. 194-092947, an anthracene compound disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 194-206865, Japanese Patent Oxynate derivative disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 194-145146, tetraphenylbutadiene compound disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 1992-96990, organic trifunctional compound disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 1991-296595, Japanese Patent A coumarin derivative disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 1990-191694, a perylene derivative disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 1990-196885, a naphthalene derivative disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 1990-255789, and Japanese Patent Publication A phthaloperynone derivative disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 1990-289676 or Japanese Patent Application Laid-Open No. 1990-88689, or Japanese Patent Application Laid-Open No. 1990-25029 Styrylamine derivatives disclosed in Japanese Patent No. 2 and the like can also be used as the electron-accepting organic compound included in the low refractive layer. In addition, the electron injection layer may be formed using, for example, a material such as LiF or CsF.
정공 저지층은, 주입된 정공이 발광층을 지나 전자 주입성 전극층으로 진입하는 것을 방지하여 소자의 수명과 효율을 향상시킬 수 있는 층이고, 필요한 경우에 공지의 재료를 사용하여 발광층과 전자 주입성 전극층의 사이에 적절한 부분에 형성될 수 있다.The hole blocking layer is a layer capable of preventing the injected holes from entering the electron injection electrode layer through the light emitting layer to improve the life and efficiency of the device, and if necessary, using a known material, the light emitting layer and the electron injection electrode layer It can be formed in a suitable portion in between.
정공 주입층 또는 정공 수송층은, 예를 들면, 전자 공여성 유기 화합물(electron donating organic compound)을 포함할 수 있다. 전자 공여성 유기 화합물로는, N,N',N'-테트라페닐-4,4'-디아미노페닐, N,N'-디페닐-N,N'-디(3-메틸페닐)-4,4'-디아미노비페닐, 2,2-비스(4-디-p-톨릴아미노페닐)프로판, N,N,N',N'-테트라-p-톨릴-4,4'-디아미노비페닐, 비스(4-디-p-톨릴아미노페닐)페닐메탄, N,N'-디페닐-N,N'-디(4-메톡시페닐)-4,4'-디아미노비페닐, N,N,N',N'-테트라페닐-4,4'-디아미노디페닐에테르, 4,4'-비스(디페닐아미노)쿠아드리페닐[4,4'-bis(diphenylamino)quadriphenyl], 4-N,N-디페닐아미노-(2-디페닐비닐)벤젠, 3-메톡시-4'-N,N-디페닐아미노스틸벤젠, N-페닐카르바졸, 1,1-비스(4-디-p-트리아미노페닐)시크로헥산, 1,1-비스(4-디-p-트리아미노페닐)-4-페닐시크로헥산, 비스(4-디메틸아미노-2-메틸페닐)페닐메탄, N,N,N-트리(p-톨릴)아민, 4-(디-p-톨릴아미노)-4'-[4-(디-p-톨릴아미노)스티릴]스틸벤, N,N,N',N'-테트라페닐-4,4'-디아미노비페닐 N-페닐카르바졸, 4,4'-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐-아미노]비페닐, 4,4'-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐아미노]p-테르페닐, 4,4'-비스[N-(2-나프틸)-N-페닐아미노]비페닐, 4,4'-비스[N-(3-아세나프테닐)-N-페닐아미노]비페닐, 1,5-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐아미노]나프탈렌, 4,4'-비스[N-(9-안트릴)-N-페닐아미노]비페닐페닐아미노]비페닐, 4,4'-비스[N-(1-안트릴)-N-페닐아미노]-p-테르페닐, 4,4'-비스[N-(2-페난트릴)-N-페닐아미노]비페닐, 4,4'-비스[N-(8-플루오란테닐)-N-페닐아미노]비페닐, 4,4'-비스[N-(2-피레닐)-N-페닐아미노]비페닐, 4,4'-비스[N-(2-페릴레닐)-N-페닐아미노]비페닐, 4,4'-비스[N-(1-코로네닐)-N-페닐아미노]비페닐(4,4'-bis[N-(1-coronenyl)-N-phenylamino]biphenyl), 2,6-비스(디-p-톨릴아미노)나프탈렌, 2,6-비스[디-(1-나프틸)아미노]나프탈렌, 2,6-비스[N-(1-나프틸)-N-(2-나프틸)아미노]나프탈렌, 4,4'-비스[N,N-디(2-나프틸)아미노]테르페닐, 4,4'-비스{N-페닐-N-[4-(1-나프틸)페닐]아미노}비페닐, 4,4'-비스[N-페닐-N-(2-피레닐)아미노]비페닐, 2,6-비스[N,N-디-(2-나프틸)아미노]플루오렌 또는 4,4'-비스(N,N-디-p-톨릴아미노)테르페닐, 및 비스(N-1-나프틸)(N-2-나프틸)아민 등과 같은 아릴 아민 화합물이 대표적으로 예시될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.The hole injection layer or hole transport layer may comprise, for example, an electron donating organic compound. Examples of the electron donating organic compound include N, N ', N'-tetraphenyl-4,4'-diaminophenyl, N, N'-diphenyl-N, N'-di (3-methylphenyl) -4, 4'-diaminobiphenyl, 2,2-bis (4-di-p-tolylaminophenyl) propane, N, N, N ', N'-tetra-p-tolyl-4,4'-diamino ratio Phenyl, bis (4-di-p-tolylaminophenyl) phenylmethane, N, N'-diphenyl-N, N'-di (4-methoxyphenyl) -4,4'-diaminobiphenyl, N , N, N ', N'-tetraphenyl-4,4'-diaminodiphenylether, 4,4'-bis (diphenylamino) quadriphenyl [4,4'-bis (diphenylamino) quadriphenyl], 4-N, N-diphenylamino- (2-diphenylvinyl) benzene, 3-methoxy-4'-N, N-diphenylaminosteelbenzene, N-phenylcarbazole, 1,1-bis (4 -Di-p-triaminophenyl) cyclohexane, 1,1-bis (4-di-p-triaminophenyl) -4-phenylcyclohexane, bis (4-dimethylamino-2-methylphenyl) phenylmethane , N, N, N-tri (p-tolyl) amine, 4- (di-p-tolylamino) -4 '-[4- (di-p-tolylamino) styryl] stilbene, N, N, N ', N'-tetraphenyl-4,4'-diamino ratio Nyl N-phenylcarbazole, 4,4'-bis [N- (1-naphthyl) -N-phenyl-amino] biphenyl, 4,4'-bis [N- (1-naphthyl) -N- Phenylamino] p-terphenyl, 4,4'-bis [N- (2-naphthyl) -N-phenylamino] biphenyl, 4,4'-bis [N- (3-acenaphthenyl) -N -Phenylamino] biphenyl, 1,5-bis [N- (1-naphthyl) -N-phenylamino] naphthalene, 4,4'-bis [N- (9-anthryl) -N-phenylamino] Biphenylphenylamino] biphenyl, 4,4'-bis [N- (1-antryl) -N-phenylamino] -p-terphenyl, 4,4'-bis [N- (2-phenanthryl) -N-phenylamino] biphenyl, 4,4'-bis [N- (8-fluoranthenyl) -N-phenylamino] biphenyl, 4,4'-bis [N- (2-pyrenyl)- N-phenylamino] biphenyl, 4,4'-bis [N- (2-perylenyl) -N-phenylamino] biphenyl, 4,4'-bis [N- (1-coroneyl)- N-phenylamino] biphenyl (4,4'-bis [N- (1-coronenyl) -N-phenylamino] biphenyl), 2,6-bis (di-p-tolylamino) naphthalene, 2,6-bis [Di- (1-naphthyl) amino] naphthalene, 2,6-bis [N- (1-naphthyl) -N- (2-naphthyl) amino] naphthalene, 4,4'-ratio S [N, N-di (2-naphthyl) amino] terphenyl, 4,4'-bis {N-phenyl-N- [4- (1-naphthyl) phenyl] amino} biphenyl, 4,4 '-Bis [N-phenyl-N- (2-pyrenyl) amino] biphenyl, 2,6-bis [N, N-di- (2-naphthyl) amino] fluorene or 4,4'-bis Aryl amine compounds such as (N, N-di-p-tolylamino) terphenyl, and bis (N-1-naphthyl) (N-2-naphthyl) amine may be representatively exemplified, but are not limited thereto. It is not.
정공 주입층이나 정공 수송층은, 유기화합물을 고분자 중에 분산시키거나, 상기 유기 화합물로부터 유래한 고분자를 사용하여 형성할 수도 있다. 또한, 폴리파라페닐렌비닐렌 및 그 유도체 등과 같이 소위 π-공역 고분자(π-conjugated polymers), 폴리(N-비닐카르바졸) 등의 정공 수송성 비공역 고분자 또는 폴리실란의 π-공역 고분자 등도 사용될 수 있다.The hole injection layer or the hole transport layer may be formed by dispersing an organic compound in a polymer or using a polymer derived from the organic compound. Also, such as polyparaphenylene vinylene and derivatives thereof, so-called π-conjugated polymers, hole-transporting non-conjugated polymers such as poly (N-vinylcarbazole), or π-conjugated polymers of polysilane may also be used. Can be.
정공 주입층은, 구리프탈로시아닌과 같은 금속 프탈로시아닌이나 비금속 프탈로시아닌, 카본막 및 폴리아닐린 등의 전기적으로 전도성인 고분자 들을 사용하여 형성하거나, 상기 아릴 아민 화합물을 산화제로 하여 루이스산(Lewis acid)과 반응시켜서 형성할 수도 있다. The hole injection layer is formed by using electrically conductive polymers such as metal phthalocyanine such as copper phthalocyanine, non-metal phthalocyanine, carbon film and polyaniline, or by reacting the aryl amine compound with Lewis acid as an oxidizing agent. You may.
예시적으로 유기발광소자는, 순차적으로 형성된 (1) 정공 주입 전극층/유기 발광층/전자 주입 전극층의 형태; (2) 정공 주입 전극층/정공 주입층/유기 발광층/전자 주입 전극층의 형태; (3) 정공 주입 전극층/유기 발광층/전자 주입층/전자 주입 전극층의 형태; (4) 정공 주입 전극층/정공 주입층/유기 발광층/전자 주입층/전자 주입 전극층의 형태; (5) 정공 주입 전극층/유기 반도체층/유기 발광층/전자 주입 전극층의 형태; (6) 정공 주입 전극층/유기 반도체층/전자장벽층/유기 발광층/전자 주입 전극층의 형태; (7) 정공 주입 전극층/유기 반도체층/유기 발광층/부착개선층/전자 주입 전극층의 형태; (8) 정공 주입 전극층/정공 주입층/정공 수송층/유기 발광층/전자 주입층/전자 주입 전극층의 형태; (9) 정공 주입 전극층/절연층/유기 발광층/절연층/전자 주입 전극층의 형태; (10) 정공 주입 전극층/무기 반도체층/절연층/유기 발광층/절연층/전자 주입 전극층의 형태; (11) 정공 주입 전극층/유기 반도체층/절연층/유기 발광층/절연층/전자 주입 전극층의 형태; (12) 정공 주입 전극층/절연층/정공 주입층/정공 수송층/유기 발광층/절연층/전자 주입 전극층의 형태 또는 (13) 정공 주입 전극층/절연층/정공 주입층/정공 수송층/유기 발광층/전자 주입층/전자 주입 전극층의 형태를 가질 수 있으며, 경우에 따라서는 정공 주입 전극층과 전자 주입 전극층의 사이에 적어도 2개의 발광층이 전하 발생 특성을 가지는 중간 전극층 또는 전하 발생층(CGL: Charge Generating Layer)에 의해 분할되어 있는 구조의 유기층을 포함하는 형태를 가질 수도 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.By way of example, the organic light emitting device may include: (1) a hole injection electrode layer / organic light emitting layer / electron injection electrode layer formed sequentially; (2) the form of a hole injection electrode layer / hole injection layer / organic light emitting layer / electron injection electrode layer; (3) the form of a hole injection electrode layer / organic light emitting layer / electron injection layer / electron injection electrode layer; (4) the form of a hole injection electrode layer / hole injection layer / organic light emitting layer / electron injection layer / electron injection electrode layer; (5) the form of a hole injection electrode layer / organic semiconductor layer / organic light emitting layer / electron injection electrode layer; (6) the form of a hole injection electrode layer / organic semiconductor layer / electron barrier layer / organic light emitting layer / electron injection electrode layer; (7) the form of a hole injection electrode layer / organic semiconductor layer / organic light emitting layer / adhesion improvement layer / electron injection electrode layer; (8) the form of a hole injection electrode layer / hole injection layer / hole transport layer / organic light emitting layer / electron injection layer / electron injection electrode layer; (9) the form of a hole injection electrode layer / insulation layer / organic light emitting layer / insulation layer / electron injection electrode layer; (10) the form of a hole injection electrode layer / inorganic semiconductor layer / insulation layer / organic light emitting layer / insulation layer / electron injection electrode layer; (11) the form of a hole injection electrode layer / organic semiconductor layer / insulation layer / organic light emitting layer / insulation layer / electron injection electrode layer; (12) hole injection electrode layer / insulation layer / hole injection layer / hole transport layer / organic light emitting layer / insulation layer / electron injection electrode layer or (13) hole injection electrode layer / insulation layer / hole injection layer / hole transport layer / organic light emitting layer / electron It may have a form of an injection layer / electron injection electrode layer, and in some cases, an intermediate electrode layer or a charge generation layer (CGL) having at least two light emitting layers having charge generation characteristics between the hole injection electrode layer and the electron injection electrode layer It may have a form including an organic layer having a structure divided by, but is not limited thereto.
이 분야에서는 정공 또는 전자 주입 전극층과 유기층, 예를 들면, 발광층, 전자 주입 또는 수송층, 정공 주입 또는 수송층을 형성하기 위한 다양한 소재 및 그 형성 방법이 공지되어 있으며, 상기 유기전자장치의 제조에는 상기와 같은 방식이 모두 적용될 수 있다.In this field, various materials for forming a hole or electron injection electrode layer and an organic layer, for example, a light emitting layer, an electron injection or transport layer, a hole injection or transport layer, and a method of forming the same are known. The same can all be applied.
유기전자장치는, 봉지 구조를 추가로 포함할 수 있다. 상기 봉지 구조는, 유기전자장치의 유기층으로 수분이나 산소 등과 같은 외래 물질이 유입되지 않도록 하는 보호 구조일 수 있다. 봉지 구조는, 예를 들면, 글라스캔 또는 금속캔 등과 같은 캔이거나, 상기 유기층의 전면을 덮고 있는 필름일 수 있다.The organic electronic device may further include an encapsulation structure. The encapsulation structure may be a protective structure to prevent foreign substances such as moisture or oxygen from flowing into the organic layer of the organic electronic device. The encapsulation structure may be, for example, a can such as a glass can or a metal can, or a film covering the entire surface of the organic layer.
도 4는, 플라스틱 기판(1) 상에 순차로 형성된 제1전극층(401), 유기층(402) 및 제 2 전극층(403)이 글라스캔 또는 금속캔 등과 같은 캔 구조의 봉지 구조(404)에 의해 보호되어 있는 형태를 예시적으로 보여준다. 도 4와 같이 봉지 구조(404)는, 예를 들면, 접착제에 의해서 플라스틱 기판(1)에 부착되어 있을 수 있다. 이러한 방식으로 봉지 구조를 통한 보호 효과를 극대화할 수 있다.FIG. 4 shows that the first electrode layer 401, the organic layer 402, and the second electrode layer 403 sequentially formed on the plastic substrate 1 are encapsulated in a can structure such as a glass can or a metal can. Illustrate the protected form. As shown in FIG. 4, the encapsulation structure 404 may be attached to the plastic substrate 1 by, for example, an adhesive. In this way it is possible to maximize the protective effect through the encapsulation structure.
봉지 구조는, 예를 들면, 제 1 전극층, 유기층 및 제 2 전극층의 전면을 피복하고 있는 필름일 수 있다. 도 5는 제 1 전극층(401), 유기층(402) 및 제 2 전극층(403)의 전면을 덮고 있는 필름 형태의 봉지 구조(501)를 예시적으로 나타내고 있다. 예를 들면, 필름 형태의 봉지 구조(501)는, 도 5와 같이 제 1 전극층(401), 유기층(402) 및 제 2 전극층(403)의 전면을 피복하면서, 상기 플라스틱 기판(1)과 제 2 기판(502)을 서로 접착시키고 있는 구조를 가질 수 있다. 상기에서 제 2 기판으로는, 예를 들면, 유리 기판, 금속 기판, 고분자 필름 또는 배리어층 등이 예시될 수 있다. 필름 형태의 봉지 구조는, 예를 들면, 에폭시 수지 등과 같이 열 또는 자외선(UV)의 조사 등에 의해 경화되는 액상의 재료를 도포하고, 경화시켜서 형성하고나, 혹은 상기 에폭시 수지 등을 사용하여 미리 필름 형태로 제조된 접착 시트 등을 사용하여 기판과 상부 기판을 라미네이트하는 방식으로 형성할 수 있다.The encapsulation structure may be, for example, a film covering the entire surface of the first electrode layer, the organic layer, and the second electrode layer. 5 exemplarily illustrates an encapsulation structure 501 in the form of a film covering the entire surface of the first electrode layer 401, the organic layer 402, and the second electrode layer 403. For example, the encapsulation structure 501 in the form of a film covers the entire surface of the first electrode layer 401, the organic layer 402, and the second electrode layer 403, as shown in FIG. The two substrates 502 may be bonded to each other. As the second substrate, for example, a glass substrate, a metal substrate, a polymer film or a barrier layer may be exemplified. The encapsulation structure in the form of a film is formed by applying, curing, and curing a liquid material that is cured by heat or ultraviolet (UV) irradiation or the like, for example, an epoxy resin, or by using the epoxy resin or the like beforehand It can be formed by laminating the substrate and the upper substrate using an adhesive sheet prepared in the form.
봉지 구조는, 필요한 경우, 산화 칼슘, 산화 베릴륨 등의 금속 산화물, 염화 칼슘 등과 같은 금속 할로겐화물 또는 오산화 인 등과 같은 수분 흡착제 또는 게터재 등을 포함할 수 있다. 수분 흡착제 또는 게터재는, 예를 들면, 필름 형태의 봉지 구조의 내부에 포함되어 있거나, 혹은 캔 구조의 봉지 구조의 소정 위치에 존재할 수 있다. 봉지 구조는 또한 배리어 필름이나 전도성 필름 등을 추가로 포함할 수 있다. The encapsulation structure, if necessary, may include a metal oxide such as calcium oxide, beryllium oxide, a metal halide such as calcium chloride, or a water adsorbent such as phosphorus pentoxide, or a getter material. The moisture adsorbent or getter material may be included, for example, inside the encapsulation structure in the form of a film, or may be present at a predetermined position of the encapsulation structure in the can structure. The encapsulation structure may further include a barrier film, a conductive film, or the like.
본 출원은 또한 상기 유기전자장치, 예를 들어, 유기발광장치의 용도에 관한 것이다. 하나의 예시에서, 본 출원은 상기 유기전자장치를 포함하는 디스플레이용 광원에 관한 것이다. 다른 하나의 예시에서, 본 출원은 상기 유기전자장치를 포함하는 조명 기기에 관한 것이다. 상기 디스플레이용 광원으로는 액정표시장치(LCD; Liquid Crystal Display)의 백라이트, 조명, 각종 센서, 프린터, 복사기 등의 광원, 차량용 계기 광원, 신호등, 표시등, 표시장치, 면상발광체의 광원, 디스플레이, 장식 또는 각종 라이트 등을 예시할 수 있다.The present application also relates to the use of such organic electronic devices, for example organic light emitting devices. In one example, the present application relates to a light source for a display including the organic electronic device. In another example, the present application relates to a lighting device including the organic electronic device. The light source for the display may be a backlight of a liquid crystal display (LCD), a light source, a light source of various sensors, a printer, a copier, a vehicle instrument light source, a signal lamp, an indicator light, a display device, a light source of an area light emitting body, a display, A decoration or various lights etc. can be illustrated.
또한, 상기 유기전자장치가 상기 디스플레이용 광원이나 조명 장치 또는 기타 다른 용도에 적용되는 경우 상기 디스플레이용 광원이나 조명 장치를 구성하는 다른 부품이나 그 구성 방식은 특별히 제한되지 않고, 상기 유기전자장치가 적용되는 한, 해당 분야에 공지되어 있는 임의의 재료나 방식이 모두 채용될 수 있다.In addition, when the organic electronic device is applied to the light source for the display, the lighting device, or other uses, other components constituting the light source for the display or the lighting device, or a configuration method thereof are not particularly limited, and the organic electronic device is applied. As far as possible, any material or method known in the art may be employed.
본 출원의 플라스틱 기판은 광추출 성능 및 표면 거칠기 특성이 우수하다. 또한, 본 출원의 플라스틱 기판의 제조 방법은 산란 성분을 중첨하는 공정을 통하여 상기 플라스틱 기판을 제조할 수 있다. 또한, 본 출원의 플라스틱 기판은 유기전자장치의 기판으로 사용될 수 있고, 상기 유기전자장치는 디스플레이용 광원 및 조명 기기로 사용될 수 있다. Plastic substrate of the present application is excellent in light extraction performance and surface roughness characteristics. In addition, the method of manufacturing a plastic substrate of the present application may produce the plastic substrate through a process of adding a scattering component. In addition, the plastic substrate of the present application may be used as a substrate of the organic electronic device, the organic electronic device may be used as a light source and a lighting device for a display.
도 1 내지 3은 예시적인 플라스틱 기판을 나타낸다.1-3 show exemplary plastic substrates.
도 4 및 5는 예시적인 유기전자장치를 나타내는 도면이다.4 and 5 illustrate exemplary organic electronic devices.
도 6는 실시예 1의 플라스틱 기판의 SEM 단면 이미지를 나타낸다.6 shows an SEM cross-sectional image of the plastic substrate of Example 1. FIG.
도 7은 실시예 4 및 비교예 5 및 6의 플라스틱 기판의 암 시야(Dark Field) 모드의 광학 현미경 표면 이미지를 나타낸다 (스케일 바: 20㎛).7 shows an optical microscope surface image of a dark field mode of the plastic substrates of Example 4 and Comparative Examples 5 and 6 (scale bar: 20 μm).
도 8은 실시예 4 및 비교예 5 및 6의 플라스틱 기판의 SEM 표면 이미지를 나타낸다.8 shows SEM surface images of the plastic substrates of Example 4 and Comparative Examples 5 and 6. FIG.
도 9은 플라스틱 기판의 가시광 영역의 투과율 및 유기발광장치의 절대양자효율을 나타내는 그래프이다.9 is a graph showing the transmittance of the visible light region of the plastic substrate and the absolute quantum efficiency of the organic light emitting device.
이하, 본 출원에 따른 실시예를 통하여 상기 기판을 보다 구체적으로 설명하지만, 본 출원의 범위가 하기 제시된 실시예에 의해 제한되는 것은 아니다.Hereinafter, the substrate will be described in more detail through examples according to the present application, but the scope of the present application is not limited to the examples given below.
1. 플라스틱 기판의 투과율 측정1. Measurement of transmittance of plastic substrate
플라스틱 기판의 투과율은 적분구를 이용하여 측정하였다. 보다 구체적으로, 적분구 안의 자기 흡수 보정 램프를 킨 상태에서 적분구 밝기를 L0라 하고, 적분구 안에 측정하고자 하는 샘플을 중앙에 위치시켰을 때의 적분구 밝기를 Ls라 하며, 적분구 안에 샘플과 동일 크기의 완전 흡수체를 중앙에 위치시켰을 때의 적분구의 밝기를 LD라 하면, 상기 플라스틱 기판 투과율을 하기 수학식 4로 계산할 수 있다.The transmittance of the plastic substrate was measured using an integrating sphere. More specifically, the brightness of the integrating sphere is set to L 0 while the self-absorption correction lamp in the integrating sphere is turned on. The brightness of the integrating sphere when the sample to be measured in the integrating sphere is centered is referred to as Ls. When the brightness of the integrating sphere when the complete absorber having the same size as is positioned at the center is L D , the plastic substrate transmittance can be calculated by Equation 4 below.
[수학식 4][Equation 4]
기판 투과율(%) = (Ls - LD)/(L0 - LD) x 100Substrate transmittance (%) = (Ls-L D ) / (L 0 -L D ) x 100
2. 플라스틱 기판의 2. of plastic substrate 헤이즈Haze 측정 Measure
플라스틱 기판의 헤이즈는 MURAKAMI사의 HM-150 장치로 D65 광원을 이용하여 측정하였다.The haze of a plastic substrate was measured using the D65 light source with the HM-150 apparatus of MURAKAMI.
3. 플라스틱 기판의 표면 거칠기 측정3. Measurement of surface roughness of plastic substrate
플라스틱 기판의 표면 거칠기는 AFM (atomic force microscope) 장비, 예를 들면, Digital Instrument사의 NS4 D3100 DEN P-4 Rev. A 장비를 사용하여 Non-contact (vibrating) 방식으로 측정하였다. The surface roughness of the plastic substrate is AFM (atomic force microscope) equipment, for example, Digital Instrument's NS4 D3100 DEN P-4 Rev. A-device was used for non-contact (vibrating) measurement.
4. 유기전자장치의 절대양자효율 측정4. Measurement of Absolute Quantum Efficiency of Organic Electronic Devices
유기발광장치의 절대양자효율은 OTSUKA사의 적분반구 장치를 이용하여 측정하였다.Absolute quantum efficiency of the organic light emitting device was measured using an integrated hemisphere device of OTSUKA Corporation.
실시예Example 1 One
플라스틱 기판의 제조Manufacture of Plastic Substrates
캐리어 기판으로 유리 기판을 사용하여 지지층을 가지는 플라스틱 기판을 제조하였다. 구체적으로, 3,3’,4,4’-비페닐테트라카복실산 디앤하이라이드(3,3’,4,4’-biphenyl tetracarboxylic acid dianhydride) 및 2,2’-비스(트리플루오로메틸)-4,4’-디아미노비페닐(2,2’-bis(trifluoromethyl)-4,4’-diaminobiphenyl)을 모노머로 하여 공지의 방식으로 합성한 폴리아믹산 중합액(폴리이미드 전구 물질)에 산란 성분으로서 TiO2 (633 nm 파장의 광에 대한 굴절률: 2.7)를 최종적으로 제조되는 지지층에서 폴리이미드 100 중량% 대비 산란 성분의 함량 비율이 약 0.1 중량%가 될 수 있는 양으로 혼합하여 코팅액을 제조하였다(폴리아믹산:산란성분=100:0.1 중량비율). The glass substrate was used as a carrier substrate, and the plastic substrate which has a support layer was produced. Specifically, 3,3 ', 4,4'-biphenyltetracarboxylic acid di & hydride (3,3', 4,4'-biphenyl tetracarboxylic acid dianhydride) and 2,2'-bis (trifluoromethyl)- Scattering component in a polyamic acid polymer solution (polyimide precursor) synthesized in a known manner using 4,4'-diaminobiphenyl (2,2'-bis (trifluoromethyl) -4,4'-diaminobiphenyl) as a monomer As a coating liquid, TiO 2 (refractive index: 2.7) for light having a wavelength of 633 nm was mixed in an amount such that the content ratio of the scattering component to 100% by weight of polyimide in the finally prepared support layer may be about 0.1% by weight. (Polyamic acid: scattering component = 100: 0.1 weight ratio).
이어서 상기 코팅액을 유리 기판에 최종적으로 제조되는 지지층의 두께가 약 30 ㎛ 정도가 될 수 있는 범위로 코팅한 후에 이미드화 반응(imidization)을 진행시켜서, 633 nm 파장의 광에 대한 굴절률이 약 1.6인 폴리이미드 내에 상기 산란 성분이 분산되어 있는 지지층을 가지는 플라스틱 기판을 제조하였다. Subsequently, the coating solution was coated on the glass substrate in a range such that the thickness of the supporting layer finally prepared was about 30 μm, followed by imidization, and the refractive index of the light having a wavelength of 633 nm was about 1.6. The plastic substrate which has the support layer in which the said scattering component is disperse | distributed in the polyimide was manufactured.
상기 제조된 플라스틱 기판의 투과율은 약 88% 정도이고, 헤이즈는 약 5% 정도였다. The prepared plastic substrate had a transmittance of about 88% and a haze of about 5%.
유기전자장치의 제조Manufacture of Organic Electronic Devices
상기 제조된 플라스틱 기판 상에 공지의 스퍼터링 방식으로 ITO(Indium Tin Oxide)를 포함하는 정공 주입성 전극층을 형성하였다. 계속하여, 공지의 소재 및 방식을 사용하여 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층 및 전자 주입성 전극층을 형성하였다. 그 후 글라스캔으로 상기 구조를 봉지하여 유기전자장치 제작하였다. A hole injection electrode layer including ITO (Indium Tin Oxide) was formed on the manufactured plastic substrate by a known sputtering method. Subsequently, a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, an electron injection layer, and an electron injection electrode layer were formed using a known material and method. Thereafter, the structure was sealed with a glass can to manufacture an organic electronic device.
실시예Example 2.  2.
플라스틱 기판의 제조에 있어서, 최종적으로 제조되는 지지층에서 폴리이미드 100 중량% 대비 산란 성분의 함량 비율이 약 0.5 중량%가 될 수 있는 양으로 혼합하여 코팅액을 제조(폴리아믹산:산란성분=100:0.5 중량비율)한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법을 수행하여 플라스틱 기판 및 유기전자장치를 제조하였다.In the preparation of the plastic substrate, the coating solution is prepared by mixing in an amount such that the content ratio of the scattering component to 100 wt% of the polyimide may be about 0.5 wt% in the finally prepared support layer (polyamic acid: scattering component = 100: 0.5 Except for the weight ratio), a plastic substrate and an organic electronic device were manufactured in the same manner as in Example 1.
상기 제조된 플라스틱 기판의 투과율은 약 84% 정도이고, 헤이즈는 약 26% 정도였다.The prepared plastic substrate had a transmittance of about 84% and a haze of about 26%.
실시예Example 3.  3.
플라스틱 기판의 제조에 있어서, 최종적으로 제조되는 지지층에서 폴리이미드 100 중량% 대비 산란 성분의 함량 비율이 약 1 중량%가 될 수 있는 양으로 혼합하여 코팅액을 제조(폴리아믹산:산란성분=:100:1 중량비율)한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법을 수행하여 플라스틱 기판 및 유기전자장치를 제조하였다.In the preparation of the plastic substrate, the coating solution is prepared by mixing in an amount such that the content ratio of the scattering component to 100 wt% of the polyimide may be about 1 wt% in the finally prepared support layer (polyamic acid: scattering component =: 100: A plastic substrate and an organic electronic device were manufactured in the same manner as in Example 1, except that 1 weight ratio) was used.
상기 제조된 플라스틱 기판의 투과율은 약 81% 정도이고, 헤이즈는 약 32% 정도였다.The prepared plastic substrate had a transmittance of about 81% and a haze of about 32%.
실시예Example 4.  4.
플라스틱 기판의 제조에 있어서, 최종적으로 제조되는 지지층에서 폴리이미드 100 중량% 대비 산란 성분의 함량 비율이 약 0.5 중량%가 될 수 있는 양으로 혼합하여 코팅액을 제조하고(폴리아믹산:산란성분=100:0.5 중량비율), 상기 코팅액을 유리 기판에 최종적으로 제조되는 지지층의 두께가 약 14 ㎛ 정도가 될 수 있는 범위로 코팅한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법을 수행하여 플라스틱 기판 및 유기전자장치를 제조하였다.In the preparation of the plastic substrate, the coating solution is prepared by mixing in an amount such that the content ratio of the scattering component to 100 wt% of the polyimide may be about 0.5 wt% in the finally prepared support layer (polyamic acid: scattering component = 100: 0.5 weight ratio), and the plastic substrate and the organic electronic device by the same method as in Example 1 except that the coating solution was coated in a range that the thickness of the support layer finally produced on the glass substrate can be about 14 ㎛ Was prepared.
상기 제조된 플라스틱 기판의 헤이즈는 약 33% 였다. 도 7 (a) 및 도 8 (a)는 각각 상기 제조된 플라스틱 기판의 광학 현미경 표면 이미지 (암 시야(Dark Field) 모드) 및 SEM 표면 이미지를 나타낸다.The haze of the prepared plastic substrate was about 33%. 7 (a) and 8 (a) show optical microscope surface images (dark field mode) and SEM surface images of the prepared plastic substrate, respectively.
비교예Comparative example 1 One
플라스틱 기판의 제조에 있어서, 폴리아믹산 중합액에 산란 입자를 포함하지 않도록 변경한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법을 수행하여 플라스틱 기판 및 유기전자장치를 제조하였다.In the manufacture of the plastic substrate, the plastic substrate and the organic electronic device were manufactured in the same manner as in Example 1 except that the polyamic acid polymerization liquid was changed so as not to include scattering particles.
상기 제조된 플라스틱 기판의 투과율은 약 94% 정도이고, 헤이즈는 약 1% 정도였다.The prepared plastic substrate had a transmittance of about 94% and a haze of about 1%.
비교예Comparative example 2. 2.
플라스틱 기판의 제조에 있어서, 최종적으로 제조되는 지지층에서 폴리이미드 100 중량% 대비 산란 성분의 함량 비율이 약 5 중량%가 될 수 있는 양으로 혼합하여 코팅액을 제조(폴리아믹산:산란성분=100:5 중량비율)한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법을 수행하여 플라스틱 기판 및 유기전자장치를 제조하였다.In the preparation of the plastic substrate, the coating solution is prepared by mixing in an amount such that the content ratio of the scattering component to 100 wt% of the polyimide may be about 5 wt% in the finally prepared support layer (polyamic acid: scattering component = 100: 5 Except for the weight ratio), a plastic substrate and an organic electronic device were manufactured in the same manner as in Example 1.
상기 제조된 플라스틱 기판의 투과율은 약 78% 정도이고, 헤이즈는 약 65% 정도였다.The prepared plastic substrate had a transmittance of about 78% and a haze of about 65%.
비교예Comparative example 3. 3.
플라스틱 기판의 제조에 있어서, 최종적으로 제조되는 지지층에서 폴리이미드 100 중량% 대비 산란 성분의 함량 비율이 약 10 중량%가 될 수 있는 양으로 혼합하여 코팅액을 제조(폴리아믹산:산란성분=100:10 중량비율)한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법을 수행하여 플라스틱 기판 및 유기전자장치를 제조하였다.In the preparation of the plastic substrate, the coating solution is prepared by mixing the content ratio of the scattering component to about 10 weight percent of the polyimide in the finally prepared support layer (polyamic acid: scattering component = 100: 10). Except for the weight ratio), a plastic substrate and an organic electronic device were manufactured in the same manner as in Example 1.
상기 제조된 플라스틱 기판의 투과율은 약 72% 정도이고, 헤이즈는 약 84% 정도였다.The prepared plastic substrate had a transmittance of about 72% and a haze of about 84%.
비교예Comparative example 4 4
플라스틱 기판의 제조에 있어서, 폴리아믹산 중합액에 산란 입자를 첨가하지 않고 이미드화 반응이 진행된 폴리이미드에 최종적으로 제조되는 지지층에서 폴리이미드 100 중량% 대비 산란 성분의 함량 비율이 약 2 중량%가 될 수 있는 양으로 혼합하여 코팅액을 제조(폴리이미드:산란성분=100:2 중량 비율)한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법을 수행하여 플라스틱 기판 및 유기전자장치를 제조하였다.In the production of the plastic substrate, the content ratio of the scattering component to 100% by weight of the polyimide will be about 2% by weight in the support layer finally prepared in the polyimide subjected to the imidization reaction without adding the scattering particles to the polyamic acid polymerization liquid. A plastic substrate and an organic electronic device were manufactured in the same manner as in Example 1, except that the coating solution was prepared by mixing in an amount that can be used (polyimide: scattering component = 100: 2 weight ratio).
비교예 4는 실시예 3과 비교하여 산란 성분의 함량은 더 높으나, 폴리아믹산의 중합 완료 후 산란 성분을 후첨하는 방식으로 제조되는데, 산란 성분의 뭉침 현상에 의하여 폴리이미드 내에서 안정적인 분산성이 확보되지 않아, 국부적으로 높은 헤이즈가 발현되었다. 헤이즈 측정 결과, 비교예 4는 광추출 성능에 적합한 정도의 헤이즈 특성을 나타내지 못하였고 국부적으로 약 50% 이상의 헤이즈를 나타내는 것으로 확인되었다. Comparative Example 4 has a higher content of the scattering component compared to Example 3, but is prepared by adding the scattering component after the completion of the polymerization of the polyamic acid, which ensures stable dispersibility in the polyimide by agglomeration of the scattering component Not so, local high haze was expressed. As a result of the haze measurement, the comparative example 4 did not show the haze characteristic of the grade suitable for the light extraction performance, and was confirmed to show the haze about 50% or more locally.
비교예Comparative example 5.  5.
플라스틱 기판의 제조에 있어서, 최종적으로 제조되는 지지층에서 폴리이미드 100 중량% 대비 산란 성분의 함량 비율이 약 0.5 중량%가 될 수 있는 양으로 혼합하여 코팅액을 제조하고(폴리이미드:산란성분=100:0.5 중량비율), 상기 코팅액을 유리 기판에 최종적으로 제조되는 지지층의 두께가 약 10 ㎛ 정도가 될 수 있는 범위로 코팅한 것을 제외하고는 비교예 4과 동일한 방법을 수행하여 플라스틱 기판 및 유기전자장치를 제조하였다.In the preparation of the plastic substrate, the coating solution is prepared by mixing in an amount such that the content ratio of the scattering component to 100 wt% of the polyimide may be about 0.5 wt% in the finally prepared support layer (polyimide: scattering component = 100: 0.5 weight ratio), the plastic substrate and the organic electronic device by the same method as in Comparative Example 4 except that the coating liquid was coated in a range that the thickness of the support layer finally produced on the glass substrate can be about 10 ㎛ Was prepared.
상기 제조된 플라스틱 기판의 헤이즈는 약 3% 였다. 도 7 (b) 및 도 8 (b)는 각각 상기 제조된 플라스틱 기판의 광학 현미경 표면 이미지 (암 시야(Dark Field) 모드) 및 SEM 표면 이지미를 나타낸다.The haze of the prepared plastic substrate was about 3%. 7 (b) and 8 (b) show optical microscope surface images (dark field mode) and SEM surface images of the prepared plastic substrate, respectively.
비교예Comparative example 6.  6.
플라스틱 기판의 제조에 있어서, 최종적으로 제조되는 지지층에서 폴리이미드 100 중량% 대비 산란 성분의 함량 비율이 약 20 중량%가 될 수 있는 양으로 혼합하여 코팅액을 제조하고(폴리이미드:산란성분=100:20), 상기 코팅액을 유리 기판에 최종적으로 제조되는 지지층의 두께가 약 2 ㎛ 정도가 될 수 있는 범위로 코팅한 것을 제외하고는 비교예 4과 동일한 방법을 수행하여 플라스틱 기판 및 유기전자장치를 제조하였다.In the preparation of the plastic substrate, the coating solution is prepared by mixing in an amount such that the content ratio of the scattering component to 100 wt% of the polyimide may be about 20 wt% in the finally prepared support layer (polyimide: scattering component = 100: 20) A plastic substrate and an organic electronic device were manufactured by the same method as Comparative Example 4, except that the coating solution was coated on the glass substrate in a range in which the thickness of the supporting layer finally prepared was about 2 μm. It was.
상기 제조된 플라스틱 기판의 헤이즈는 약 51% 였다. 도 7 (c) 및 도 8 (c)는 각각 상기 제조된 플라스틱 기판의 광학 현미경 표면 이미지 (암 시야(Dark Field) 모드) 및 SEM 표면 이지미를 나타낸다.The haze of the prepared plastic substrate was about 51%. 7 (c) and 8 (c) show optical microscope surface images (dark field mode) and SEM surface images of the prepared plastic substrate, respectively.
실시예Example 1 내지 3 및  1 to 3 and 비교예Comparative example 1 내지 3 특성 비교 1 to 3 characteristics comparison
실시예 1 내지 3 및 비교예 1 내지 3의 플라스틱 기판의 산란 성분의 함량, 헤이즈 및 투과도를 하기 표 1에 정리하였고, 실시예 1 내지 3 및 비교예 1 내지 3의 유기전자장치의 절대 양자 효율을 측정하여 하기 표 1과 도 9에 나타내었다. The content, haze, and transmittance of the scattering components of the plastic substrates of Examples 1 to 3 and Comparative Examples 1 to 3 are summarized in Table 1 below, and the absolute quantum efficiencies of the organic electronic devices of Examples 1 to 3 and Comparative Examples 1 to 3 Was measured and shown in Table 1 and FIG.
비교예 1Comparative Example 1 실시예 1Example 1 실시예 2Example 2 실시예 3Example 3 비교예 2Comparative Example 2 비교예 3Comparative Example 3
산란입자함량(중량%)Scattering Particle Content (wt%) 00 0.10.1 0.50.5 1One 55 1010
헤이즈(%)Haze (%) 1One 55 2626 3232 6565 8484
투과도 (%)Permeability (%) 9494 8888 8484 8181 7878 7272
절대양자효율(%)Absolute Quantum Efficiency (%) 4444 5151 5454 5353 4242 3838
[부호의 설명][Description of the code]
1: 플라스틱 기판1: plastic substrate
101: 지지층101: support layer
1011: 고분자 바인더1011: polymer binder
1012: 산란 성분1012 scattering component
301: 평탄층301: flat layer
401: 투명전극층401: transparent electrode layer
402: 유기층402: an organic layer
403: 제2 전극층403: second electrode layer
404: 캔 형태의 봉지구조404: can-shaped bag structure
501: 필름 형태의 봉지구조501: film type encapsulation structure
502: 제2 기판502: second substrate

Claims (22)

  1. 고분자 바인더; 및 상기 고분자 바인더 내에 0.05 중량% 내지 3.75 중량%의 범위 내의 비율로 포함되어 있는 산란 성분을 포함하고, 두께가 10㎛ 내지 130 ㎛ 범위 내인 지지층을 가지며, 헤이즈가 5% 내지 80%의 범위 내에 있는 플라스틱 기판.Polymeric binders; And a scattering component contained in the polymer binder at a ratio within the range of 0.05% to 3.75% by weight, having a support layer having a thickness in the range of 10 μm to 130 μm, and having a haze in the range of 5% to 80%. Plastic substrate.
  2. 제 1 항에 있어서, 가시광 영역 내의 적어도 한 파장의 광에 대한 투과율이 80% 이상인 플라스틱 기판.The plastic substrate according to claim 1, wherein the transmittance for light of at least one wavelength in the visible light region is 80% or more.
  3. 제 1 항에 있어서, 열팽창 계수가 10 ppm/℃ 내지 50 ppm/℃의 범위 내에 있는 플라스틱 기판.The plastic substrate of claim 1, wherein the coefficient of thermal expansion is in the range of 10 ppm / ° C. to 50 ppm / ° C. 7.
  4. 제 1 항에 있어서, 550 nm 또는 633 nm의 파장의 광에 대한 굴절률이 1.5 이상인 플라스틱 기판.The plastic substrate according to claim 1, wherein the refractive index of the light having a wavelength of 550 nm or 633 nm is 1.5 or more.
  5. 제 1 항에 있어서, 고분자 바인더는 폴리이미드, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리카보네이트, 아크릴 수지, 폴리에틸렌테테프탈레이트, 폴리술폰, 폴리에테르술피드, 폴리프로필렌, 폴리에테르에테르 케톤 또는 폴리디메틸실론산인 플라스틱 기판. The plastic substrate according to claim 1, wherein the polymer binder is polyimide, polyethylene naphthalate, polycarbonate, acrylic resin, polyethylenetetephthalate, polysulfone, polyethersulfide, polypropylene, polyetherether ketone or polydimethylsilonic acid.
  6. 제 1 항에 있어서, 고분자 바인더는 하기 화학식 1의 반복 단위를 포함하는 플라스틱 기판:The plastic substrate of claim 1, wherein the polymer binder comprises a repeating unit represented by Formula 1 below:
    [화학식 1][Formula 1]
    Figure PCTKR2015009064-appb-I000003
    Figure PCTKR2015009064-appb-I000003
    화학식 1에서, L은 단일결합, 알킬렌기, 알킬리덴기, 알키닐렌기, 아릴렌기, 알케닐렌기, -S-, -S(=O)-, -S(=O)2- 또는 -S-S-이고, R1 내지 R20는 각각 독립적으로 수소, 알킬기, 알콕시기, 아릴기 또는 할로겐 원자, 황 원자 또는 인 원자를 포함하는 관능기이며, n은 1 이상의 정수이고, R1 내지 R20 중 2개의 고리 구조를 서로 연결시키는 탄소원자에 치환된 치환기는 존재하지 않는다. In Formula 1, L is a single bond, an alkylene group, an alkylidene group, an alkynylene group, an arylene group, an alkenylene group, -S-, -S (= O)-, -S (= O) 2 -or -SS R 1 to R 20 are each independently hydrogen, an alkyl group, an alkoxy group, an aryl group or a functional group including a halogen atom, a sulfur atom or a phosphorus atom, n is an integer of 1 or more, and 2 of R 1 to R 20 There are no substituents substituted on the carbon atoms connecting the two ring structures to each other.
  7. 제 1 항에 있어서, 산란 성분은 평균 입경이 150 nm 내지 300 nm의 범위 내인 산란 입자인 플라스틱 기판.The plastic substrate of claim 1, wherein the scattering component is scattering particles having an average particle diameter in a range of 150 nm to 300 nm.
  8. 제 1 항에 있어서, 고분자 바인더와 산란 성분의 굴절률의 차이의 절대값이 0.5 내지 1.2의 범위 내인 플라스틱 기판. The plastic substrate according to claim 1, wherein the absolute value of the difference in refractive index between the polymer binder and the scattering component is in the range of 0.5 to 1.2.
  9. 제 1 항에 있어서, 산란 성분은 TiO2, HfO2, BaTiO3, SnO2, ZrO2, ZnO, Al2O3 및 SiO2로 이루어지는 군으로부터 선택되는 하나 이상을 포함하는 플라스틱 기판.The plastic substrate of claim 1, wherein the scattering component comprises at least one selected from the group consisting of TiO 2 , HfO 2 , BaTiO 3 , SnO 2 , ZrO 2 , ZnO, Al 2 O 3, and SiO 2 .
  10. 제 1 항에 있어서, 지지층의 산란 성분 외에 헤이즈 유발 요소를 포함하지 않는 상태에서 5% 내지 80% 범위 내의 헤이즈를 나타내는 플라스틱 기판.The plastic substrate of claim 1, wherein the plastic substrate exhibits haze in a range of 5% to 80% without including a haze-inducing element in addition to the scattering component of the support layer.
  11. 제 1 항에 있어서, 지지층은 20 ㎛ x 20 ㎛ 이상의 영역에서 측정된 표면 거칠기 (Ra)가 0.1 nm 내지 30 nm 범위 내인 플라스틱 기판.The plastic substrate of claim 1, wherein the support layer has a surface roughness Ra measured in a region of 20 μm × 20 μm or more in a range of 0.1 nm to 30 nm.
  12. 제 1 항에 있어서, 지지층의 일면 또는 양면에 550 nm 또는 633 nm의 파장의 광에 대한 굴절률이 1.5 이상인 배리어층이 추가로 형성되어 있는 플라스틱 기판.The plastic substrate according to claim 1, wherein a barrier layer having a refractive index of 1.5 or more for light having a wavelength of 550 nm or 633 nm is further formed on one or both surfaces of the support layer.
  13. 제 12 항에 있어서, 배리어층과 지지층의 사이에 형성된 버퍼층을 추가로 포함하는 플라스틱 기판.13. The plastic substrate of claim 12, further comprising a buffer layer formed between the barrier layer and the support layer.
  14. 제 1 항에 있어서, 550 nm 또는 633 nm의 파장의 광에 대한 굴절률이 1.5 이상인 평탄층을 추가로 포함하는 플라스틱 기판.The plastic substrate of claim 1, further comprising a flat layer having a refractive index of at least 1.5 for light at a wavelength of 550 nm or 633 nm.
  15. 제 1 항에 있어서, 지지층의 일면 또는 양면에 부착되어 있는 캐리어 기판을 추가로 포함하는 플라스틱 기판.The plastic substrate of claim 1, further comprising a carrier substrate attached to one or both sides of the support layer.
  16. 고분자 바인더 전구 물질 및 상기 고분자 바인더 전구 물질 100 중량% 대비 0.05 중량% 내지 3.75 중량% 범위 내의 비율로 산란 성분을 포함하는 조성물을 사용하여 두께가 10㎛ 내지 130㎛ 범위 내인 층을 형성하고, 상기 층 내에서 상기 고분자 바인더 전구 물질을 고분자 바인더로 전환 시키는 것을 포함하는 제 1 항의 플라스틱 기판의 제조 방법.A layer having a thickness in the range of 10 μm to 130 μm is formed by using a composition comprising a scattering component at a ratio within the range of 0.05 wt% to 3.75 wt% relative to 100 wt% of the polymer binder precursor and 100 wt% of the polymer binder precursor, wherein the layer The method of manufacturing the plastic substrate of claim 1, comprising converting the polymer binder precursor into a polymer binder therein.
  17. 제 16 항에 있어서, 고분자 바인더 전구 물질은, 폴리아믹산인 플라스틱 기판의 제조 방법. The method of claim 16, wherein the polymeric binder precursor is a polyamic acid.
  18. 제 16 항에 있어서, 고분자 바인더 전구 물질은, 하기 화학식 2의 반복단위를 포함하는 플라스틱 기판의 제조 방법:The method of claim 16, wherein the polymer binder precursor comprises a repeating unit represented by Formula 2 below:
    [화학식 2][Formula 2]
    Figure PCTKR2015009064-appb-I000004
    Figure PCTKR2015009064-appb-I000004
    화학식 2에서, L은 단일결합, 알킬렌기, 알킬리덴기, 알키닐렌기, 아릴렌기, 알케닐렌기, -S-, -S(=O)-, -S(=O)2- 또는 -S-S-이고, R1 내지 R20는 각각 독립적으로 수소, 알킬기, 알콕시기, 아릴기 또는 할로겐 원자, 황 원자 또는 인 원자를 포함하는 관능기이며, n은 1 이상의 정수이고, R1 내지 R20 중 2개의 고리 구조를 서로 연결시키는 탄소원자에 치환된 치환기는 존재하지 않는다. In Formula 2, L is a single bond, alkylene group, alkylidene group, alkynylene group, arylene group, alkenylene group, -S-, -S (= O)-, -S (= O) 2 -or -SS R 1 to R 20 are each independently hydrogen, an alkyl group, an alkoxy group, an aryl group or a functional group including a halogen atom, a sulfur atom or a phosphorus atom, n is an integer of 1 or more, and 2 of R 1 to R 20 There are no substituents substituted on the carbon atoms connecting the two ring structures to each other.
  19. 제 1 항의 플라스틱 기판; 상기 기판 상에 형성되어 있는 제 1 전극층; 상기 제 1 전극층 상에 형성되어 있는 유기층 및 상기 유기층 상에 형성되어 있는 제 2 전극층을 포함하는 유기전자장치.Claim 1 plastic substrate; A first electrode layer formed on the substrate; An organic electronic device comprising an organic layer formed on the first electrode layer and a second electrode layer formed on the organic layer.
  20. 제 19 항에 있어서, 유기층은 발광층을 포함하는 유기전자장치.The organic electronic device of claim 19, wherein the organic layer comprises a light emitting layer.
  21. 제 19 항의 유기전자장치를 포함하는 디스플레이용 광원.20. A display light source comprising the organic electronic device of claim 19.
  22. 제 19 항의 유기전자장치를 포함하는 조명 기기.20. A lighting device comprising the organic electronic device of claim 19.
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