WO2015194586A1

WO2015194586A1 - 有機ｅｌ表示装置および有機ｅｌ表示装置の駆動方法

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Publication number: WO2015194586A1
Application number: PCT/JP2015/067438
Authority: WO
Inventors: 井上　智; 菊池　克浩; 内田　秀樹; 学二星; 良幸磯村; 優人塚本
Original assignee: シャープ株式会社
Priority date: 2014-06-19
Filing date: 2015-06-17
Publication date: 2015-12-23
Also published as: US20170132971A1; US10223966B2

Abstract

本発明は、温度変化に起因する表示品質の低下を抑制することが可能な有機ＥＬ表示装置を提供することを目的とする。第一の有機ＥＬ素子（１４０）と第二の有機ＥＬ素子（１５０）とを各々含む複数の副画素（１３０）と、複数の副画素の各々に含まれる第二の有機ＥＬ素子の電流電圧特性を測定し、その測定結果に基づいて、複数の副画素の各々に含まれる第二の有機ＥＬ素子の温度情報を検出する温度情報検出手段（１６０）と、複数の副画素の各々に含まれる第一の有機ＥＬ素子の駆動信号を、第一の有機ＥＬ素子が含まれる副画素と同じ副画素に含まれる第二の有機ＥＬ素子の温度情報に基づいて補正する補正手段（１７０）と、を含む有機ＥＬ表示装置（１００）。

Description

有機ＥＬ表示装置および有機ＥＬ表示装置の駆動方法

　本発明は、有機ＥＬ表示装置および有機ＥＬ表示装置の駆動方法に関する。
　本願は、２０１４年６月１９日に、日本に出願された特願２０１４－１２６４００号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。

　有機ＥＬ素子は、温度によって発光特性が変化する。そのため、特許文献１では、画像表示領域の中央部および周縁部に配置された画素部を温度検出用画素部とし、各温度検出用画素部で検出された温度情報に基づいて、画像表示領域内の温度分布を検出している。
温度検出用画素部には、温度検出用有機ＥＬ素子と画像表示用有機ＥＬ素子とが含まれる。温度検出用有機ＥＬ素子には駆動電圧が供給され、その際に温度検出用有機ＥＬ素子に流れた電流に基づいて、温度検出用有機ＥＬ素子の温度情報が検出される。各温度検出用画素部で検出された温度情報に基づいて画像表示領域内の温度分布が算出され、その温度分布の情報に基づいて、各画素部の画像表示用有機ＥＬ素子の駆動信号が補正される。

特開２００７－２４８７０２号公報

　温度検出用画素部には温度検出用有機ＥＬ素子が含まれるため、温度検出用画素部の画像表示用有機ＥＬ素子の発光面積は他の画素部の画像表示用有機ＥＬ素子に比べて小さい。そのため、温度検出用画素部と他の画素部との間で明るさムラが発生し、表示品質が低下する惧れがある。

　本発明のいくつかの態様の目的は、温度変化に起因する表示品質の低下を抑制することが可能な有機ＥＬ表示装置および有機ＥＬ表示装置の駆動方法を提供することにある。

　本発明の第一の態様に係る有機ＥＬ表示装置は、第一の有機ＥＬ素子と第二の有機ＥＬ素子とを各々含む複数の副画素と、前記複数の副画素の各々に含まれる前記第二の有機ＥＬ素子の電流電圧特性を測定し、その測定結果に基づいて、前記複数の副画素の各々に含まれる前記第二の有機ＥＬ素子の温度情報を検出する温度情報検出手段と、前記複数の副画素の各々に含まれる前記第一の有機ＥＬ素子の駆動信号を、前記第一の有機ＥＬ素子が含まれる前記副画素と同じ前記副画素に含まれる前記第二の有機ＥＬ素子の温度情報に基づいて補正する補正手段と、を含む。

　本発明の第一の態様に係る有機ＥＬ表示装置においては、前記温度情報検出手段は、互いに隣接して設けられた複数の走査線と、前記複数の走査線と交差するように互いに隣接して設けられた複数の測定線と、前記複数の走査線と前記複数の測定線との各交差部に対応して設けられ、前記複数の副画素の各々に含まれる前記第二の有機ＥＬ素子とそれぞれ電気的に接続された複数の薄膜トランジスタと、前記複数の走査線に順次ゲート信号を供給する走査線駆動回路と、前記複数の測定線に順次一定の大きさの電流を供給する測定線駆動回路と、前記電流が供給された前記測定線の電位と、前記測定線から前記電流が供給された前記第二の有機ＥＬ素子のコモン電位と、の間の電位差を前記複数の測定線について順次測定し、前記電位差を、前記測定線から前記電流が供給された前記第二の有機ＥＬ素子にかかる電圧として検出する電圧検出回路と、前記複数の副画素の各々に含まれる前記第二の有機ＥＬ素子の電流電圧特性の温度依存性に関するデータを記憶した記憶部と、前記データに基づいて、前記電圧検出回路によって検出された前記電圧から、前記測定線から前記電流が供給された前記第二の有機ＥＬ素子の温度情報を検出する検出部と、を含むものであってもよい。

　本発明の第一の態様に係る有機ＥＬ表示装置においては、前記複数の副画素の各々に含まれる前記第二の有機ＥＬ素子の電流電圧特性の温度依存性は、互いに等しいものであってもよい。

　本発明の第二の態様に係る有機ＥＬ表示装置は、複数の第一の有機ＥＬ素子と、第二の有機ＥＬ素子と、を各々含む複数の画素と、前記複数の画素の各々に含まれる前記第二の有機ＥＬ素子の電流電圧特性を測定し、その測定結果に基づいて、前記複数の画素の各々に含まれる前記第二の有機ＥＬ素子の温度情報を検出する温度情報検出手段と、前記複数の画素の各々に含まれる複数の前記第一の有機ＥＬ素子の駆動信号を、前記複数の前記第一の有機ＥＬ素子が含まれる前記画素と同じ前記画素に含まれる前記第二の有機ＥＬ素子の前記温度情報に基づいてそれぞれ補正する補正手段と、を含む。

　本発明の第二の態様に係る有機ＥＬ表示装置においては、前記温度情報検出手段は、互いに隣接して設けられた複数の走査線と、前記複数の走査線と交差するように互いに隣接して設けられた複数の測定線と、前記複数の走査線と前記複数の測定線との各交差部に対応して設けられ、前記複数の画素の各々に含まれる前記第二の有機ＥＬ素子とそれぞれ電気的に接続された複数の薄膜トランジスタと、前記複数の走査線に順次ゲート信号を供給する走査線駆動回路と、前記複数の測定線に順次一定の大きさの電流を供給する測定線駆動回路と、前記電流が供給された前記測定線の電位と、前記測定線から前記電流が供給された前記第二の有機ＥＬ素子のコモン電位と、の間の電位差を前記複数の測定線について順次測定し、前記電位差を、前記測定線から前記電流が供給された前記第二の有機ＥＬ素子にかかる電圧として検出する電圧検出回路と、前記複数の画素の各々に含まれる前記第二の有機ＥＬ素子の電流電圧特性の温度依存性に関するデータを記憶した記憶部と、前記データに基づいて、前記電圧検出回路によって検出された前記電圧から、前記測定線から前記電流が供給された前記第二の有機ＥＬ素子の温度情報を検出する検出部と、を含むものであってもよい。

　本発明の第二の態様に係る有機ＥＬ表示装置においては、前記複数の画素の各々に含まれる前記第二の有機ＥＬ素子の電流電圧特性の温度依存性は、互いに等しいものであってもよい。

　本発明の第二の態様に係る有機ＥＬ表示装置においては、前記画素は、第一の副画素と、第二の副画素と、第三の副画素と、を含み、前記第一の副画素は、前記第一の有機ＥＬ素子を含み、前記第一の副画素は、前記第一の副画素が含む前記第一の有機ＥＬ素子が駆動されることにより赤色の光を発光し、前記第二の副画素は、前記第一の有機ＥＬ素子と前記第二の有機ＥＬ素子を含み、前記第二の副画素は、前記第二の副画素が含む前記第一の有機ＥＬ素子が駆動されることにより緑色の光を発光し、前記第三の副画素は、前記第一の有機ＥＬ素子を含み、前記第三の副画素は、前記第三の副画素が含む前記第一の有機ＥＬ素子が駆動されることにより青色の光を発光するものであってもよい。

　本発明の第三の態様に係る有機ＥＬ表示装置は、第一の有機ＥＬ素子を各々含む複数の副画素と、一または複数の第二の有機ＥＬ素子と、前記一または複数の第二の有機ＥＬ素子の電流電圧特性を測定し、その測定結果に基づいて、前記一または複数の第二の有機ＥＬ素子の温度情報を検出する温度情報検出手段と、前記複数の副画素の各々に含まれる前記第一の有機ＥＬ素子の駆動信号を、前記一または複数の第二の有機ＥＬ素子の温度情報に基づいて補正する補正手段と、を含む。

　本発明の第三の態様に係る有機ＥＬ表示装置においては、前記第二の有機ＥＬ素子は複数設けられており、前記温度情報検出手段は、互いに隣接して設けられた複数の走査線と、前記複数の走査線と交差するように互いに隣接して設けられた複数の測定線と、前記複数の走査線と前記複数の測定線との各交差部に対応して設けられ、前記複数の第二の有機ＥＬ素子とそれぞれ電気的に接続された複数の薄膜トランジスタと、前記複数の走査線に順次ゲート信号を供給する走査線駆動回路と、前記複数の測定線に順次一定の大きさの電流を供給する測定線駆動回路と、前記電流が供給された前記測定線の電位と、前記測定線から前記電流が供給された前記第二の有機ＥＬ素子のコモン電位と、の間の電位差を前記複数の測定線について順次測定し、前記電位差を、前記測定線から前記電流が供給された前記第二の有機ＥＬ素子にかかる電圧として検出する電圧検出回路と、前記複数の第二の有機ＥＬ素子の電流電圧特性の温度依存性に関するデータを記憶した記憶部と、前記データに基づいて、前記電圧検出回路によって検出された前記電圧から、前記測定線から前記電流が供給された前記第二の有機ＥＬ素子の温度情報を検出する検出部と、を含むものであってもよい。

　本発明の第三の態様に係る有機ＥＬ表示装置においては、前記複数の第二の有機ＥＬ素子の電流電圧特性の温度依存性は、互いに等しいものであってもよい。

　本発明の第一から第三の態様に係る有機ＥＬ表示装置においては、前記第二の有機ＥＬ素子から視認側に放射された光を遮る遮光手段を含むものであってもよい。

　本発明の第一から第三の態様に係る有機ＥＬ表示装置においては、前記遮光手段は、前記第二の有機ＥＬ素子と対向配置された光吸収部材を含むものであってもよい。

　本発明の第一から第三の態様に係る有機ＥＬ表示装置においては、前記遮光手段は、前記第二の有機ＥＬ素子の陽極または陰極を、前記第二の有機ＥＬ素子から放射された光を反射する光反射性の電極とすることにより形成されているものであってもよい。

　本発明の第一の態様に係る有機ＥＬ表示装置の駆動方法は、第一の有機ＥＬ素子と第二の有機ＥＬ素子とを各々含む複数の副画素を含む有機ＥＬ表示装置の駆動方法であって、前記複数の副画素の各々に含まれる前記第二の有機ＥＬ素子の電流電圧特性を測定する電流電圧測定ステップと、前記電流電圧測定ステップで得られた測定結果に基づいて、前記複数の副画素の各々に含まれる前記第二の有機ＥＬ素子の温度情報を検出する温度情報検出ステップと、前記複数の副画素の各々に含まれる前記第一の有機ＥＬ素子の駆動信号を、前記第一の有機ＥＬ素子が含まれる前記副画素と同じ前記副画素に含まれる前記第二の有機ＥＬ素子の温度情報に基づいて補正する駆動信号補正ステップと、を含む。

　本発明の第二の態様に係る有機ＥＬ表示装置の駆動方法は、複数の第一の有機ＥＬ素子と第二の有機ＥＬ素子とを各々含む複数の画素を含む有機ＥＬ表示装置の駆動方法であって、前記複数の画素の各々に含まれる前記第二の有機ＥＬ素子の電流電圧特性を測定する電流電圧測定ステップと、前記電流電圧測定ステップで得られた測定結果に基づいて、前記複数の画素の各々に含まれる前記第二の有機ＥＬ素子の温度情報を検出する温度情報検出ステップと、前記複数の画素の各々に含まれる前記第一の有機ＥＬ素子の駆動信号を、前記第一の有機ＥＬ素子が含まれる前記画素と同じ前記画素に含まれる前記第二の有機ＥＬ素子の温度情報に基づいて補正する駆動信号補正ステップと、を含む。

　本発明の第三の態様に係る有機ＥＬ表示装置の駆動方法は、第一の有機ＥＬ素子を各々含む複数の副画素と、一または複数の第二の有機ＥＬ素子と、を含む有機ＥＬ表示装置の駆動方法であって、前記第二の有機ＥＬ素子の電流電圧特性を測定する電流電圧測定ステップと、前記電流電圧測定ステップで得られた測定結果に基づいて、前記複数の画素の各々に含まれる前記第二の有機ＥＬ素子の温度情報を検出する温度情報検出ステップと、前記複数の副画素の各々に含まれる前記第一の有機ＥＬ素子の駆動信号を、前記第一の有機ＥＬ素子が含まれる前記画素と同じ前記画素に含まれる前記第二の有機ＥＬ素子の温度情報に基づいて補正する駆動信号補正ステップと、を含む。

　本発明のいくつかの態様によれば、温度変化に起因する表示品質の低下を抑制することが可能な有機ＥＬ表示装置および有機ＥＬ表示装置の駆動方法を提供することができる。

第一の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の全体構成を示す模式図である。第一の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の回路構成を示す等価回路図である。有機ＥＬ素子の電圧を測定し温度を検出する方法を説明するための第一の図である。有機ＥＬ素子の電圧を測定し温度を検出する方法を説明するための第二の図である。有機ＥＬ表示装置１００の駆動方法を説明するためのフロー図である。第一の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の任意の副画素の平面構造を示す平面図である。第一の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の任意の副画素の断面構造を示す断面図である。第一の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の副画素の断面構造を示す断面図である。第一の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の副画素の断面構造を示す断面図である。第一の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の副画素の断面構造を示す断面図である。第一の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の画素の平面構造を示す断面図である。第一の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の副画素の断面構造を示す第一の断面図である。第一の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の副画素の断面構造を示す第二の断面図である。第一の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の副画素の断面構造を示す第三の断面図である。第一の実施形態の第一の変形例に係る有機ＥＬ表示装置の画素の平面構造を示す平面図である。第一の実施形態の第一の変形例に係る有機ＥＬ表示装置の画素の断面構造を示す第一の断面図である。第一の実施形態の第一の変形例に係る有機ＥＬ表示装置の画素の断面構造を示す第二の断面図である。第一の実施形態の第一の変形例に係る有機ＥＬ表示装置の画素の断面構造を示す第三の断面図である。第一の実施形態の第二の変形例に係る有機ＥＬ表示装置の画素の平面構造を示す平面図である。第一の実施形態の第二の変形例に係る有機ＥＬ表示装置の画素の断面構造を示す第一の断面図である。第一の実施形態の第二の変形例に係る有機ＥＬ表示装置の画素の断面構造を示す第二の断面図である。第一の実施形態の第二の変形例に係る有機ＥＬ表示装置の画素の断面構造を示す第三の断面図である。第二の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の画素の回路構成を示す等価回路図である。第二の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の画素の平面構造を示す平面図である。第二の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の副画素の断面構造を示す断面図である。第三の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の温度センサーの配置を示す等価回路図である。第一実施例の結果を示すグラフである。第二実施例の結果を示すグラフである。第三実施例の結果を示すグラフである。

［第一の実施形態］
　以下、図１から図１１Ｃを参照して、本発明の第一の実施形態について説明する。図１は、有機ＥＬ表示装置１００の全体構成を示す模式図である。図２は、有機ＥＬ表示装置１００の回路構成を示す等価回路図である。図３Ａ及び図３Ｂは、有機ＥＬ素子の電圧を測定し温度を検出する方法を説明するための図である。図４は、有機ＥＬ表示装置１００の駆動方法を説明するためのフロー図である。図５は、副画素１３０の平面構造を示す平面図である。図６から図９は、副画素１３０の断面構造を示す断面図である。図１０は、画素１２０の平面図である。図１１Ａ～図１１Ｃは、画素１２０が含む副画素１３０Ｒ，１３０Ｇ，１３０Ｂの断面構造を示す断面図である。

　図１に示すように、有機ＥＬ表示装置１００は、長方形の表示領域１１０と、温度情報検出手段１６０と、制御部１７０と、を含む。

（画像表示）
　有機ＥＬ表示装置１００は、複数の第一の走査線１１１と、複数のデータ線１１２と、複数の電源線１１３とを含む。複数の第一の走査線１１１は、所定の間隔をおいて互いに隣接して設けられている。複数のデータ線１１２は、複数の第一の走査線１１１と交差するように、所定の間隔をおいて互いに隣接して設けられている。複数の電源線１１３は、複数のデータ線１１２に対して概ね平行な方向に、所定の間隔をおいて互いに隣接して設けられている。

　有機ＥＬ表示装置１００は、複数の第一の走査線１１１が接続される走査線駆動回路（第一の走査線駆動回路）１８１と、複数のデータ線１１２が接続されるデータ線駆動回路１８２と、複数の電源線１１３が接続される電源１８６とを含む。走査線駆動回路１８１、データ線駆動回路１８２、および電源１８３は、表示領域１１０の周囲に配置される。
走査線駆動回路１８１は、表示領域１１０の第一の辺（例えば短辺）に対向するように、表示領域１１０から離間して配置される。データ線駆動回路１８２は、表示領域１１０の第一の辺と直交する第二の辺（例えば長辺）に対向するように、表示領域１１０から離間して配置される。

　図２に示すように、複数の第一の走査線１１１と複数のデータ線１１２とが交差する各交差部に対応して、複数の副画素１３０が設けられている。複数の副画素１３０は、複数の第一の走査線１１１の並ぶ方向を行方向とし、複数のデータ線１１２が並ぶ方向を列方向として、行列状に配置されている。行列状に配列した複数の副画素１３０によって表示領域１１０が形成されている。

　複数の副画素１３０は、各々が表示する色に応じて分類される。複数の副画素１３０は、例えば、３種類の副画素１３０Ｒ，１３０Ｇ，１３０Ｂに分類される。副画素１３０Ｒは、例えば赤（Ｒ）を表示する副画素であり、副画素１３０Ｇは、例えば緑（Ｇ）を表示する副画素であり、副画素１３０Ｂは、例えば青（Ｂ）を表示する副画素である。副画素１３０Ｒ，１３０Ｇ，１３０Ｂは、列方向にこの順に周期的に配置される。列方向に隣接して並んだ３つの副画素１３０Ｒ，１３０Ｇ，１３０Ｂは、一つの画素１２０を構成する。表示領域１１０は、行列状に配列した複数の画素１２０を含む。

　複数の副画素１３０は、第一の有機ＥＬ素子１４０とカラーフィルターとを各々含む。
本実施形態の場合、複数の第一の有機ＥＬ素子１４０は、いずれも白色を発光する白色発光素子である。第一の有機ＥＬ素子１４０で発光した白色光がカラーフィルターで色変換されることによって、カラー表示が行われる。

　各々の副画素１３０において、第一の薄膜トランジスタ１３１のゲートは第一の走査線１１１に、ソースはデータ線１１２に、ドレインは第二の薄膜トランジスタ１３２のゲートにそれぞれ接続されている。第二の薄膜トランジスタ１３２のゲートと電源線１１３との間には、容量素子１３３が接続されている。第二の薄膜トランジスタ１３２のソースは電源線１１３に接続されている。第二の薄膜トランジスタ１３２のドレインは第一の有機ＥＬ素子１４０の陽極に接続されている。複数の第一の有機ＥＬ素子１４０のすべての陰極は、図示略のコモン配線に接続されており、複数の第一の有機ＥＬ素子１４０のすべての陰極の電位はコモン電位Ｖ_ＣＯＭに設定されている。

　複数の第一の走査線１１１は、走査線駆動回路１８１（図１参照）によって駆動される。走査線駆動回路１８１は、制御部１７０（図１参照）に制御されて、所定の周期で、複数の第一の走査線１１１に順次ゲート信号（第一のゲート信号）を供給する。これにより、複数の第一の走査線１１１が順次選択される。

　複数のデータ線１１２は、データ線駆動回路１８２（図１参照）によって駆動される。
データ線駆動回路１８２は、制御部１７０（図１参照）に制御されて、所定の周期で、複数のデータ線１１２に順次駆動信号を供給する。駆動信号は、第一の有機ＥＬ素子１４０の発光量の大きさを指定する。

　駆動信号は、ゲート信号によってＯＮ状態となった第一の薄膜トランジスタ１３１を介して容量素子１３３に保持される。駆動信号が容量素子１３３によって保持される間、第二の薄膜トランジスタ１３２はＯＮ状態となる。ＯＮ状態となった第二の薄膜トランジスタ１３２を介して、電源線１１３から第一の有機ＥＬ素子１４０に電流が流れ、第一の有機ＥＬ素子１４０が発光する。第一の有機ＥＬ素子１４０に流れる電流の大きさは、駆動信号の大きさによって決まり、この電流の大きさによって、第一の有機ＥＬ素子１４０の発光量が変化する。

（温度情報検出）
　以下、図１から図３Ｂを参照して、温度情報検出手段１６０について説明する。図１に示すように、温度情報検出手段１６０は、複数の第二の走査線１１４と、複数の測定線１１５と、走査線駆動回路（第二の走査線駆動回路）１８４と、測定線駆動回路１８５と、電圧検出回路１８７と、記憶部１８８と、検出部１８９と、を含む。

　複数の第二の走査線１１４は、所定の間隔をおいて互いに隣接して設けられている。複数の測定線１１５は、複数の第二の走査線１１４と交差するように所定の間隔をおいて互いに隣接して設けられている。

　複数の第二の走査線１１４は、走査線駆動回路１８４に接続される。走査線駆動回路１８４は、制御部１７０に制御されて、複数の第二の走査線１１４に順次ゲート信号（第二のゲート信号）を供給する。複数の測定線１１５は、測定線駆動回路１８５および電源１８６に接続される。測定線駆動回路１８５は、制御部１７０に制御されて、複数の測定線１１５に順次一定の大きさの電流Ｉを電源１８６から供給する。

　図２に示すように、副画素１３０は、第二の有機ＥＬ素子１５０と、第三の薄膜トランジスタ１３４とを含む。第三の薄膜トランジスタ１３４は、温度情報検出手段１６０に含まれる。

　本実施形態では、副画素１３０Ｒは、各々第二の有機ＥＬ素子１５０と、第三の薄膜トランジスタ１３４とを含む。副画素１３０Ｇは、各々第二の有機ＥＬ素子１５０と、第三の薄膜トランジスタ１３４とを含む。副画素１３０Ｂは、各々第二の有機ＥＬ素子１５０と、第三の薄膜トランジスタ１３４とを含む。

　複数の第二の走査線１１４と複数の測定線１１５との各交差部に対応して、第三の薄膜トランジスタ１３４が設けられている。各々の副画素１３０において、第三の薄膜トランジスタ１３４は、第二の有機ＥＬ素子１５０とそれぞれ電気的に接続されている。第三の薄膜トランジスタ１３４のゲートは、第二の走査線１１４に接続されている。第三の薄膜トランジスタ１３４のソースは、測定線１１５に接続されている。第三の薄膜トランジスタ１３４のドレインは、第二の有機ＥＬ素子１５０の陽極に接続されている。第二の有機ＥＬ素子１５０のすべての陰極は、図示略のコモン配線に接続されており、第二の有機ＥＬ素子１５０のすべての陰極の電位は、コモン電位Ｖ_ＣＯＭに設定されている。

　走査線駆動回路１８４が複数の第二の走査線１１４に順次ゲート信号を供給することにより、複数の第三の薄膜トランジスタ１３４のゲートは順次ＯＮの状態になる。測定線駆動回路１８５が複数の測定線１１５に順次電流Ｉを供給することにより、ゲートがＯＮの状態になった第三の薄膜トランジスタ１３４を介して接続された第二の有機ＥＬ素子１５０に電流Ｉが流れる。

　図１に戻って、電圧検出回路１８７は、電流Ｉが供給された測定線１１５の電位Ｖ_Ｍと、測定線１１５から電流Ｉが供給された第二の有機ＥＬ素子１５０のコモン電位Ｖ_ＣＯＭとの間の電位差ΔＶ（＝Ｖ_Ｍ－Ｖ_ＣＯＭ）を複数の測定線１１５について順次測定する。
電圧検出回路１８７は、電位差ΔＶを、測定線１１５から電流Ｉが供給された第二の有機ＥＬ素子１５０にかかる電圧Ｖ_Ｔとして検出する。第三の薄膜トランジスタ１３４のゲートソース間のＯＮ抵抗や、測定線駆動回路１８５のＯＮ抵抗は小さいので無視できる。

　電圧検出回路１８７は、例えば、図３Ａに示すようなオペアンプ回路を測定線１１５ごとに有する。電圧検出回路１８７は、オペアンプ１８７１，１８７２、抵抗１８７３，１８７４，１８７５，およびＡＤコンバータ１８７６を含む。オペアンプ１８７１の非反転入力端子（＋）は測定線１１５に、反転入力端子（－）はコモン電位Ｖ_ＣＯＭにそれぞれ接続される。オペアンプ１８７１の出力端子からは差動入力電圧である電位差ΔＶに比例した信号が得られるが、この信号をさらに、オペアンプ１８７２および抵抗１８７３，１８７４，１８７５で構成される反転増幅回路で増幅する。反転増幅回路においては、オペアンプ１８７１の出力端子は、抵抗１８７３の一端に接続される。抵抗１８７３の他端は、オペアンプ１８７２の非反転入力端子（＋）および抵抗１８７４の一端に接続される。オペアンプ１８７２の反転入力端子（－）は、抵抗１８７５を介して、コモン電位Ｖ_ＣＯＭに接続される。オペアンプ１８７２の出力端子は、抵抗１８７４の他端およびＡＤコンバータ１８７６の入力端子に接続される。抵抗１８７３の大きさＲ_１８７３と，１８７４の大きさＲ_１８７４を、Ｒ_１８７３＜Ｒ_１８７４となるよう設定する。オペアンプ１８７１から出力された信号の大きさは、反転増幅回路で（Ｒ_１８７４／Ｒ_１８７３）倍に増幅される。反転増幅回路で増幅された信号は、ＡＤコンバータ１８７６によってデジタル化され、ＡＤコンバータ１８７６の出力端子から検出部１８９へ送信される。

　図１に戻って、記憶部１８８は、第二の有機ＥＬ素子１５０（図２参照）の電流電圧特性の温度依存性に関するデータを記憶している。図３Ｂに示すように、与えられた一定の電流値（図ではＩ_{ＣＯＮＳＴ}）の下では、第二の有機ＥＬ素子１５０にかかる電圧Ｖ_Ｔは、温度変化とともに変化する。

　検出部１８９は、測定線１１５から電流Ｉが供給された第二の有機ＥＬ素子１５０の温度情報を検出する。第二の有機ＥＬ素子１５０の温度情報の検出は、第二の有機ＥＬ素子１５０の電流電圧特性の温度依存性に関するデータに基づいて行う。検出部１８９は、電圧検出回路１８７によって検出された電圧Ｖ_Ｔの値を、電圧検出回路１８７から受信する。検出部１８９は、第二の有機ＥＬ素子１５０の電流電圧特性の温度依存性に関するデータを参照して、対応する温度Ｔの値を探し出す。

　同じ副画素１３０内に配置される第一の有機ＥＬ素子１４０と第二の有機ＥＬ素子１５０とは互いに近接しているため、第二の有機ＥＬ素子１５０の温度情報は、同じ副画素１３０内に配置される第一の有機ＥＬ素子１４０の温度情報と近似することができる。この近似により、検出部１８９は、探し出した温度Ｔの値を、第二の有機ＥＬ素子１５０の温度情報として検出する。

　温度情報の検出は、一般には、まず有機ＥＬ素子１５０の印加電流と測定電圧のデータ（Ｉ，Ｖ_Ｔ）を取得し、次にデータ（Ｉ，Ｖ_Ｔ）に対応する温度を探し出す（図３Ｂ上で、点（Ｉ，Ｖ_Ｔ）を通過するようなグラフを与える温度を探し出す）。このやり方では、温度情報の検出の際に、電流、電圧、温度の３種類のデータ（Ｉ，Ｖ_Ｔ，Ｔ）を参照する必要がある。

　本実施形態では、温度測定に用いる第二の有機ＥＬ素子１５０を、画像表示に用いる第一の有機ＥＬ素子１４０と独立に駆動する。第二の有機ＥＬ素子１５０は、個々の第一の有機ＥＬ素子１４０に送られる駆動信号とは無関係に、常に一定の電流Ｉで駆動される。
したがって、温度情報の検出の際は、ある特定の電流値Ｉの下での、電圧と温度の２種類のデータ（Ｖ_Ｔ，Ｔ）を参照すれば足りる。

　温度情報の検出に用いるデータは、電流、電圧、温度の３種類のデータではなく、一定の電流Ｉの下での電圧と温度の２種類のデータで足りる。したがって、参照すべきデータの大きさを小さくすることができ、温度情報の検出を容易かつ迅速に行える。

　また、本実施形態では、副画素１３０の各々に含まれる第二の有機ＥＬ素子１５０の電流電圧特性の温度依存性は、互いに等しい。これにより、第二の有機ＥＬ素子１５０の電流電圧特性の温度依存性に関するデータを全ての第二の有機ＥＬ素子１５０において共通化することができる。よって、データの記憶容量を小さくすることができる。

　制御部１７０は、検出部１８９が検出した温度情報をもとに、駆動信号の補正計算を行う。個々の副画素１３０に対し、駆動信号を補正した結果をデータ線駆動回路１８２に送信する。制御部１７０は、複数の副画素１３０の各々に含まれる第一の有機ＥＬ素子１４０の駆動信号を、第一の有機ＥＬ素子１４０が含まれる副画素１３０と同じ副画素１３０に含まれる第二の有機ＥＬ素子１５０の温度情報に基づいて補正する補正手段として機能する。これにより、個々の副画素１３０に対して、温度に応じた適切な駆動信号を供給することができる。

（駆動方法）
　以下、図４を参照して、有機ＥＬ表示装置１００の駆動方法について説明する。

　まず、電圧検出回路１８７を用いて、複数の副画素１３０の各々に含まれる第二の有機ＥＬ素子１５０の電流電圧特性を測定する（電流電圧測定ステップＳ１）。電流電圧測定ステップＳ１では、第二の走査線１１４から順次ゲート信号を供給し、測定線１１５から順次一定の大きさの電流Ｉが供給する。電流Ｉが供給された測定線１１５の電位Ｖ_Ｍと、測定線１１５から電流Ｉが供給された第二の有機ＥＬ素子１５０のコモン電位Ｖ_ＣＯＭと、の間の電位差ΔＶを、複数の測定線１１５について順次測定する。電位差ΔＶを、測定線から電流Ｉが供給された第二の有機ＥＬ素子１５０にかかる電圧として検出する。

　次に、電流電圧測定ステップＳ１で得られた測定結果に基づいて、複数の副画素１３０の各々に含まれる第二の有機ＥＬ素子１５０の温度情報を検出する（温度情報検出ステップＳ２）。温度情報検出ステップＳ２では、記憶部１８８から、複数の副画素１３０の各々に含まれる第二の有機ＥＬ素子１５０の電流電圧特性の温度依存性に関するデータを取得する。前記データに基づいて、電圧検出回路１８７によって検出された電位差ΔＶから、測定線１１５から電流Ｉが供給された第二の有機ＥＬ素子１５０の温度情報を検出する。

　次に、複数の副画素１３０の各々に含まれる第一の有機ＥＬ素子１４０の駆動信号を、第一の有機ＥＬ素子１４０が含まれる副画素１３０と同じ副画素１３０に含まれる第二の有機ＥＬ素子１５０の温度情報に基づいて補正する（駆動信号補正ステップＳ３）。

　以上のステップを、副画素１３０毎に順次行うことにより、温度情報に基づいて第一の有機ＥＬ素子１４０の輝度を補正することが可能となる。

（具体的な構造）
　有機ＥＬ表示装置１００の具体的な構造について、図５から図１１Ｃを参照して説明する。

　図５に任意の副画素１３０の平面構造を示す。データ線１１２から分岐した分岐部Ｓ１は、上下パターン接続部ＶＩ１を介して半導体領域ＳＣ１に接触し、第一の薄膜トランジスタ１３１のソース電極を形成する。第一の走査線１１１から分岐した分岐部Ｇ１は、半導体領域ＳＣ１と電気的に絶縁されて設けられ、第一の薄膜トランジスタ１３１のゲート電極を形成する。中間配線ＧＴの一方の末端部Ｄ１は、上下パターン接続部ＶＩ２を介して半導体領域ＳＣ１に接触し、第一の薄膜トランジスタ１３１のドレイン電極を形成する。半導体領域ＳＣ１は、例えばＮ型ポリシリコンで形成される。

　電源線１１３から分岐した分岐部Ｓ２は、上下パターン接続部ＶＩ２を介して半導体領域ＳＣ２に接触し、第二の薄膜トランジスタ１３２のソース電極を形成する。中間配線ＧＴの他方の末端部Ｇ２は、半導体領域ＳＣ１と電気的に絶縁されて設けられ、第二の薄膜トランジスタ１３２のゲート電極を形成する。中間配線ＤＲ１の一方の末端部Ｄ２は、上下パターン接続部ＶＩ４を介して半導体領域ＳＣ２に接触し、第二の薄膜トランジスタ１３２のドレイン電極を形成する。半導体領域ＳＣ２は、例えばＰ型ポリシリコンで形成される。

　電極ＥＬ１は、上下パターン接続部ＶＩ５を介して中間配線ＤＲ１の他方の末端部と接触し、第一の有機ＥＬ素子１４０の陽極を形成する。第一の有機ＥＬ素子１４０の陰極は、図示略のコモン配線に接続される。

　測定線１１５から分岐した分岐部Ｓ３は、上下パターン接続部ＶＩ６を介して半導体領域ＳＣ３に接触し、第三の薄膜トランジスタ１３４のソース電極を形成する。第二の走査線１１４から分岐した分岐部Ｇ３は、半導体領域ＳＣ３と電気的に絶縁されて設けられ、第三の薄膜トランジスタ１３４のゲート電極を形成する。中間配線ＤＲ２の一方の末端部Ｄ３は、上下パターン接続部ＶＩ７を介して半導体領域ＳＣ３に接触し、第三の薄膜トランジスタ１３４のドレイン電極を形成する。半導体領域ＳＣ３は、例えばＮ型ポリシリコンで形成される。

　電極ＥＬ２は、上下パターン接続部ＶＩ８を介して中間配線の他方の端部ＤＲ２と接触し、第二の有機ＥＬ素子１５０の陽極を形成する。第二の有機ＥＬ素子１５０の陰極は、図示略のコモン配線に接続される。

　本実施形態では、第一の有機ＥＬ素子１４０を形成する有機層ＯＲＧ１（図７参照）と，第二の有機ＥＬ素子１５０を形成するＯＲＧ２（図９参照）は、同じ有機材料ＯＲＧＷで形成される。すなわち、副画素１３０Ｒ，１３０Ｇ，１３０Ｂが含む第一の有機ＥＬ素子１４０は、すべて白の発光材料ＯＲＧＷで形成される。また、副画素１３０Ｒ，１３０Ｇ，１３０Ｂが含む第二の有機ＥＬ素子１５０は、すべて白の発光材料ＯＲＧＷで形成される。有機層ＯＲＧ１，ＯＲＧ２は、有機材料ＯＲＧＷの薄膜の一部分である。

　図６は、図５のＣ－Ｃ′断面における断面構造を示す。図５で、ＣとＣ′を結ぶ線は、上下パターン接続部ＶＩ１，ＶＩ２，ＶＩ３，ＶＩ４，ＶＩ５を、この順に通過する。

　図６および図７に示すように、有機ＥＬ表示装置１００は、基板ＳＢ１と、基板ＳＢ１上に順に形成された下地層Ｌ１、ゲート絶縁膜Ｌ２、層間膜Ｌ３、平坦化膜Ｌ４、機能層Ｌ５、対向電極ＥＬＣ、封止層ＳＢ２、アンマッチフィルターＡＭＦおよびカラーフィルターＣＦを含む。

　基板ＳＢ１は、例えばガラス基板で形成される。下地層Ｌ１は、基板ＳＢ１の上に積層されて形成される。

　半導体領域ＳＣ１，ＳＣ２は、下地層Ｌ１の上に形成される。ゲート絶縁膜Ｌ２は、下地層Ｌ１の上に積層されて形成される。ゲート絶縁膜Ｌ２は、半導体領域ＳＣ１，ＳＣ２を覆う。分岐部Ｇ１は、ゲート絶縁膜Ｌ２を隔てて、半導体領域ＳＣ１の上に形成される。ゲート絶縁膜Ｌ２により、分岐部Ｇ１は半導体領域ＳＣ１と電気的に絶縁される。これにより、分岐部Ｇ１は、第一の薄膜トランジスタ１３１（図２参照）においてゲート電極として機能することができる。中間配線ＧＴの一方の端部は、ゲート絶縁膜Ｌ２を隔てて、半導体領域ＳＣ２の上に形成される。ゲート絶縁膜Ｌ２により、中間配線ＧＴは半導体領域ＳＣ２と電気的に絶縁される。なお、第一の走査線１１１は、図ではダブルゲートの形状を有しているが、この形状に限られるものではない。

　半導体領域ＳＣ１と中間配線ＧＴとの間の上下パターン接続部ＶＩ２には、微細な孔であるビアが、ゲート絶縁膜Ｌ２の厚さ方向に設けられる。上下パターン接続部ＶＩ２を介して、中間配線ＧＴは半導体領域ＳＣ１と接触する。

　層間膜Ｌ３は、ゲート絶縁膜Ｌ２の上に積層されて形成される。層間膜Ｌ３は、第一の走査線１１１とゲート配線ＧＴとを覆う。データ線１１２、電源線１１３、中間配線ＤＲ１は、層間膜Ｌ３の上に形成される。半導体領域ＳＣ１とデータ線１１２との間の上下パターン接続部ＶＩ１には、ビアが層間膜Ｌ３およびゲート絶縁膜Ｌ２の厚さ方向に設けられる。上下パターン接続部ＶＩ１を介して、データ線１１２は半導体領域ＳＣ１と接触する。

　半導体領域ＳＣ２と電源線１１３との間の上下パターン接続部ＶＩ３には、ビアが層間膜Ｌ３およびゲート絶縁膜Ｌ２の厚さ方向に設けられる。上下パターン接続部ＶＩ１を介して、電源線１１３は半導体領域ＳＣ２と接触する。

　半導体領域ＳＣ２と中間配線ＤＲ１との間の上下パターン接続部ＶＩ４には、ビアが層間膜Ｌ３およびゲート絶縁膜Ｌ２の厚さ方向に設けられる。上下パターン接続部ＶＩ４を介して、中間配線ＤＲ１は半導体領域ＳＣ２と接触する。

　層間膜Ｌ３の一部は、中間配線ＧＴと電源線１１３とで挟まれて、容量素子１３３を形成する。容量素子１３３によって第一の有機ＥＬ素子１４０の駆動信号が十分長い時間保持されるようにするために、容量素子１３３のキャパシタンスを高くすることが好ましい。すなわち、層間膜Ｌ３を形成する材料は、誘電率が高いことが好ましい。また、中間配線ＧＴと電源線１１３との間の距離は、絶縁破壊が生じない範囲で、可能な限り短くすることが好ましい。また、平面図（図５参照）で見たとき、中間配線ＧＴと電源線１１３とは可能な限り広い重なりを有することが好ましい。

　平坦化膜Ｌ４は、層間膜Ｌ３の上に積層されて形成される。平坦化膜Ｌ４は、データ線１１２、電源線１１３、測定線１１５、中間配線ＤＲ１を覆う。電極ＥＬ１は、平坦化膜Ｌ４の上に形成される。中間配線ＤＲ１と電極ＥＬ１との間の上下パターン接続部ＶＩ５には、ビアが平坦化膜Ｌ４の厚さ方向に設けられる。上下パターン接続部ＶＩ４を介して、電極ＥＬ１は中間配線ＤＲ１と接触する。

　機能層Ｌ５は、平坦化膜Ｌ４の上に設けられる。図６に示すＣ－Ｃ′断面には表れないが、機能層Ｌ５は、有機ＥＬ素子を形成する有機薄膜、電極の縁をカバーする絶縁カバー、隣接する副画素を隔てる隔壁を含む。

　対向電極ＥＬＣは、機能層Ｌ５の上に設けられる。対向電極ＥＬＣは図示略のコモン配線に接続され、すべての第一の有機ＥＬ素子１４０の陰極の電位をコモン電位Ｖ_ＣＯＭに設定する。対向電極ＥＬＣは、例えば、表示領域１１０（図２参照）の全面を覆って形成される１つの電極である。対向電極ＥＬＣの上には、封止層ＳＢ２が積層されて形成される。封止層ＳＢ２の上には、カラーフィルターＣＦやアンマッチフィルターＡＭＦが、図示略の接着剤層またはガスバリア層を介して設けられる。

　図７は、図５のＤ－Ｄ′断面における断面構造を示す。図５で、ＤとＤ′を結ぶ線は、第一の有機ＥＬ素子１４０を形成する有機薄膜ＯＲＧ１を通過する。

　図７に示すように、電極ＥＬ１の縁部には、絶縁体で形成される絶縁カバーＩＮが設けられる。有機薄膜ＯＲＧ１は、電極ＥＬ１および絶縁カバーＩＮの上に積層されて形成される。有機薄膜ＯＲＧ１は、電極ＥＬ１と対向電極ＥＬＣとで挟まれる。

　図８は、図５のＥ－Ｅ′断面における断面構造を示す。図５で、ＥとＥ′を結ぶ線は、上下パターン接続部ＶＩ６，ＶＩ７，ＶＩ８を、この順に通過する。

　図８に示すように、半導体領域ＳＣ３は、下地層Ｌ１の上に形成される。ゲート絶縁膜Ｌ２は、半導体領域ＳＣ３を覆う。分岐部Ｇ３は、ゲート絶縁膜Ｌ２を隔てて、半導体領域ＳＣ３の上に形成される。ゲート絶縁膜Ｌ２により、分岐部Ｇ３は半導体領域ＳＣ３と電気的に絶縁される。なお、分岐部Ｇ３は、図ではダブルゲートの形状を有しているが、この形状に限られるものではない。

　測定線１１５は、層間膜Ｌ３の上に形成される。半導体領域ＳＣ３と測定線１１５との間の上下パターン接続部ＶＩ６には、ビアが層間膜Ｌ３およびゲート絶縁膜Ｌ２の厚さ方向に設けられる。上下パターン接続部ＶＩ６を介して、中間配線１４は半導体領域ＳＣ３と接触する。

　中間配線ＤＲ２は、層間膜Ｌ３の上に形成される。半導体領域ＳＣ３と中間配線ＤＲ２との間の上下パターン接続部ＶＩ７には、ビアが層間膜Ｌ３およびゲート絶縁膜Ｌ２の厚さ方向に設けられる。上下パターン接続部ＶＩ７を介して、中間配線ＤＲ２は半導体領域ＳＣ３と接触する。

　電極ＥＬ２は、平坦化膜Ｌ４の上に形成される。中間配線ＤＲ２と電極ＥＬ２との間の上下パターン接続部ＶＩ８には、ビアが平坦化膜Ｌ４の厚さ方向に設けられる。上下パターン接続部ＶＩ８を介して、電極ＥＬ２は中間配線ＤＲ２と接触する。

　図９は、図４のＦ－Ｆ′断面における断面構造を示す。図５で、ＦとＦ′を結ぶ線は、第二の有機ＥＬ素子１５０を形成する有機薄膜ＯＲＧ２を通過する。

　図９に示すように、電極ＥＬ２の縁部には、絶縁体で形成される絶縁カバーＩＮが設けられる。有機薄膜ＯＲＧ２は、電極ＥＬ２および絶縁カバーＩＮの上に積層されて形成される。有機薄膜ＯＲＧ２は、電極ＥＬ２と対向電極ＥＬＣとで挟まれる。

　図１０は、本実施形態に係る画素１２０の平面図である。図１１Ａ，図１１Ｂ，図１１Ｃは、それぞれ副画素１３０Ｒ，１３０Ｇ，１３０Ｂの、Ａ－Ａ′断面（図４参照）における断面図である。図４で、ＡとＡ′を結ぶ線は、上下パターン接続部ＶＩ２，ＶＩ３，ＶＩ５，ＶＩ７，ＶＩ８を、この順に通過する。

　本実施形態では、有機ＥＬ表示装置１００はトップエミッション型である。本実施形態では、すべての副画素１３０Ｒ，１３０Ｇ，１３０Ｂにおいて、第一の有機ＥＬ素子１４０および第二の有機ＥＬ素子１５０（図２参照）は、共通の有機薄膜ＯＲＧＷを有する。
有機薄膜ＯＲＧＷは、白色の発光材料で形成される。ここで白色とは、すべての波長の可視光を等しい割合で含む光に限られず、赤，緑，青の光を適当な割合で含み、人間の目が白色に視認するような光であればよい。

　図１０に示すように、副画素１３０Ｒ，１３０Ｇ，１３０Ｂには、第一の有機ＥＬ素子と対向する位置に選択的にカラーフィルターＣＦが設けられる。具体的には、副画素１３０Ｒ，１３０Ｇ，１３０Ｂの各々が表示する色に対応して、赤色のカラーフィルターＲＦ，緑色のカラーフィルターＧＦ，青色のカラーフィルターＢＦが設けられる。図１１Ａ，図１１Ｂ，図１１Ｃに示すように、カラーフィルターＲＦ，ＧＦ，ＢＦは、各副画素１３０Ｒ，１３０Ｇ，１３０Ｂが含む電極ＥＬ１を覆うように設けられる。これにより、副画素１３０Ｒ，１３０Ｇ，１３０Ｂは、それぞれ赤，緑，青を発色する。

　図１０、および、図１１Ａ～図１１Ｃに示すように、画素１２０を覆う面内の、カラーフィルターＣＦが設けられていない領域には、アンマッチフィルターＡＭＦが設けられる。アンマッチフィルターＡＭＦは、上述の白色光の補色フィルターである。アンマッチフィルターＡＭＦは、第二の有機ＥＬ素子１５０（図２参照）と対向配置された光吸収部材であり、遮光手段として機能する。アンマッチフィルターＡＭＦにより、温度センサーとして用いる第二の有機ＥＬ素子１５０から光が外部に漏れることを抑制できる。その結果、有機ＥＬ表示装置１００の表示品質を低下させることなく、温度センサーを機能させることができる。

　以上、本発明の第一の実施形態について説明した。この構成によれば、温度情報検出手段１６０によって、複数の副画素１３０の各々に含まれる第二の有機ＥＬ素子１５０の温度情報が検出される。同じ副画素１３０内に配置される第一の有機ＥＬ素子１４０と第二の有機ＥＬ素子１５０とは互いに近接しているため、第二の有機ＥＬ素子１５０の温度情報は、同じ副画素１３０内に配置される第一の有機ＥＬ素子１４０の温度情報と近似することができる。よって、第二の有機ＥＬ素子１５０の温度情報に基づいて同じ副画素１３０内に配置される第一の有機ＥＬ素子１４０の駆動信号を補正すれば、副画素１３０ごとに、温度変化を考慮した適切な駆動信号の補正が可能となる。よって、表示品質の高い有機ＥＬ表示装置１００が提供される。

［第一の変形例］
　なお、本実施形態では、同じ副画素１３０に含まれる第一の有機ＥＬ素子１４０と第二の有機ＥＬ素子１５０（図２参照）とが、それぞれ異なる有機薄膜を有することもできる。

　図１２は、第一の変形例における画素の平面図である。副画素１３０Ｒが含む第一の有機ＥＬ素子１４０は、赤の発光材料ＯＲＧＲで形成される。副画素１３０Ｇが含む第一の有機ＥＬ素子１４０は、緑の発光材料ＯＲＧＧで形成される。副画素１３０Ｂが含む第一の有機ＥＬ素子１４０は、青の発光材料ＯＲＧＢで形成される。第二の有機ＥＬ素子１５０は、すべての副画素１３０で同じ発光材料、例えば、青の発光材料ＯＲＧＢで形成される。これにより、複数の副画素１３０が含む第二の有機ＥＬ素子１５０の電流電圧特性の温度依存性は、互いに等しくなる。副画素１３０Ｒ，１３０Ｇ，副画素１３０Ｂの、第一の有機ＥＬ素子１４０が形成される位置に、有機材料ＯＲＧＲ，ＯＲＧＧ，ＯＲＧＢを、それぞれパターン蒸着する。すべての副画素１３０の第二の有機ＥＬ素子１５０が形成される位置に、有機材料ＯＲＧＢをパターン蒸着する。

　図１３Ａ，図１３Ｂ，図１３Ｃは、副画素１３０Ｒ，１３０Ｇ，１３０Ｂの、Ａ－Ａ′断面（図５参照）における断面図である。副画素１３０の表示部分である電極ＥＬ１の直上には、カラーフィルターＣＦを設けなくてよい。また、温度センサー部分は共通の有機薄膜ＯＲＧＢで形成されるので、青色光の補色を持つ１種類のアンマッチフィルターＡＭＦ（ＲＦ）を用いればよい。

［第二の変形例］
　また、本実施形態では、カラーフィルターＣＦを用いずに、第二の有機ＥＬ素子１５０の含む電極に、電極ＥＬＸを重畳して設けることによっても、第二の有機ＥＬ素子１５０Ｒ，１５０Ｇ，１５０Ｂから表示領域１１０（図２参照）に光が漏れることを抑制できる。図１４は、第二の変形例における画素の平面図である。図１５Ａは、副画素１３０のＡ－Ａ′断面（図４参照）における断面図である。有機ＥＬ表示装置はトップエミッション型である。なお、図１５Ａ～図１５Ｃでは、副画素１３０を１３０Ｒで代表させている。

　電極ＥＬ２の対向電極ＥＬＣに、電極ＥＬＸを重畳して設ける。これにより、第二の有機ＥＬ素子１５０の上部の電極の厚さは厚くなり、光の透過率が低下する。したがって、温度センサーとして用いる第二の有機ＥＬ素子１５０（図２参照）から外部に光が漏れることを抑制できる。

　ボトムエミッション型の場合は、図１５Ｂに示すように、電極ＥＬ２に重畳して電極ＥＬＸ１を設ける。これにより、第二の有機ＥＬ素子１５０Ｒ，１５０Ｇ，１５０Ｂの下部の電極の厚さは厚くなり、光の透過率が低下する。したがって、温度センサーとして用いる第二の有機ＥＬ素子１５０（図２参照）から外部に光が漏れることを抑制できる。

　ダブルエミッション型の場合は、図１５Ｃに示すように、対向電極ＥＬＣに電極ＥＬＸ２、電極ＥＬ２に電極ＥＬＸ１を設ける。これにより、第二の有機ＥＬ素子１５０Ｒ，１５０Ｇ，１５０Ｂの下部の電極の厚さは厚くなり、光の透過率が低下する。したがって、温度センサーとして用いる第二の有機ＥＬ素子１５０（図２参照）から外部に光が漏れることを抑制できる。

［第二の実施形態］
　以下、図１６から図１８を参照して、本発明の第二の実施形態について説明する。図１６は、本実施形態に係る画素１２０の回路構成を示す回路図である。図１７は、画素１２０の平面構造を示す平面図である。図１８は、副画素１３０Ｇの断面構造を示す断面図である。以下、図１から図１５Ｃまでと同じ構成要素には同じ符号を付し、説明を省略する。

　図１６に示すように、本実施形態では、３種類の副画素１３０Ｒ，１３０Ｇ，１３０Ｂのうち、副画素１３０Ｇのみが第二の有機ＥＬ素子１５０を含む。この点において、第一の実施形態と大きく異なる。

　すなわち、複数の画素１２０は、複数の第一の有機ＥＬ素子１４０と、第二の有機ＥＬ素子１５０と、を各々含む。温度情報検出手段１６０（図１参照）は、複数の画素１２０の各々に含まれる第二の有機ＥＬ素子１５０の電流電圧特性を測定し、その測定結果に基づいて、複数の画素１２０の各々に含まれる第二の有機ＥＬ素子１５０の温度情報を検出する。制御部１７０（図１参照）は、複数の画素１２０の各々に含まれる複数の第一の有機ＥＬ素子１４０の駆動信号を、複数の第一の有機ＥＬ素子１４０が含まれる画素１２０と同じ画素１２０に含まれる第二の有機ＥＬ素子１５０の前記温度情報に基づいてそれぞれ補正する。

　温度情報検出手段１６０（図１参照）は、互いに隣接して設けられた複数の第二の走査線１１４と、複数の第二の走査線１１４と交差するように互いに隣接して設けられた複数の測定線１１５と、複数の第二の走査線１１４と複数の測定線１１５との各交差部に対応して設けられ、複数の画素１２０の各々に含まれる第二の有機ＥＬ素子１５０とそれぞれ電気的に接続された複数の第三の薄膜トランジスタ１３４と、複数の第二の走査線１１４に順次ゲート信号を供給する走査線駆動回路１８４と、複数の測定線１１５に順次一定の大きさの電流を供給する測定線駆動回路１８５と、前記電流が供給された測定線１１５の電位と、測定線１１５から前記電流が供給された第二の有機ＥＬ素子１５０のコモン電位と、の間の電位差を複数の測定線１１５について順次測定し、前記電位差を、測定線１１５から前記電流が供給された第二の有機ＥＬ素子１５０にかかる電圧として検出する電圧検出回路１８７と、複数の画素１２０の各々に含まれる第二の有機ＥＬ素子１５０の電流電圧特性の温度依存性に関するデータを記憶した記憶部１８８と、前記データに基づいて、電圧検出回路１８７によって検出された前記電圧から、測定線１１５から前記電流が供給された第二の有機ＥＬ素子１５０の温度情報を検出する検出部１８９と、を含む。

　画素１２０は、第一の副画素１３０Ｒと、第二の副画素１３０Ｇと、第三の副画素１３０Ｂと、を含む。第一の副画素１３０Ｒは、第一の有機ＥＬ素子１４０を含む。第一の副画素１３０Ｒは、第一の副画素１３０Ｒが含む第一の有機ＥＬ素子１４０が駆動されることにより赤色の光を発光する。第二の副画素１３０Ｇは、第一の有機ＥＬ素子１４０と第二の有機ＥＬ素子１５０を含む。第二の副画素１３０Ｇは、第二の副画素１３０Ｇが含む第一の有機ＥＬ素子１４０が駆動されることにより緑色の光を発光する。第三の副画素１３０Ｂは、第一の有機ＥＬ素子１４０を含む。第三の副画素１３０Ｂは、第三の副画素１３０Ｂが含む第一の有機ＥＬ素子１４０が駆動されることにより青色の光を発光する。

　また、本実施態様に係る有機ＥＬ表示装置の駆動方法は、複数の第一の有機ＥＬ素子１４０と第二の有機ＥＬ素子１５０とを各々含む複数の画素１２０を含む有機ＥＬ表示装置の駆動方法であって、複数の画素１２０の各々に含まれる第二の有機ＥＬ素子１５０の電流電圧特性を測定する電流電圧測定ステップと、前記電流電圧測定ステップで得られた測定結果に基づいて、複数の画素１２０の各々に含まれる第二の有機ＥＬ素子１５０の温度情報を検出する温度情報検出ステップと、複数の画素１２０の各々に含まれる第一の有機ＥＬ素子１４０の駆動信号を、第一の有機ＥＬ素子１４０が含まれる画素１２０と同じ画素１２０に含まれる第二の有機ＥＬ素子１５０の温度情報に基づいて補正する駆動信号補正ステップと、を含む。

　本実施形態では、副画素１３０Ｒ，１３０Ｂには、第一の有機ＥＬ素子１４０しか含まれていない。このため、図１７に示すように、副画素１３０Ｒ，１３０Ｂにおいて第一の有機ＥＬ素子１４０を形成する有機薄膜ＯＲＧＲ，ＯＲＧＢは、副画素１３０Ｒ，１３０Ｂ各々において広い面積にわたって形成することができる。

　副画素１３０Ｇにおいては、第二の有機ＥＬ素子１５０Ｇのための面積が必要となるため、第一の有機ＥＬ素子１４０を形成する有機薄膜ＯＲＧＧの占める面積は、ＯＲＧＲ，ＯＲＧＢに比べて狭くなる。第二の有機ＥＬ素子１５０は、第二の有機ＥＬ素子１５０と同じく、有機薄膜ＯＲＧＧで形成される。したがって、複数の画素１２０の各々に含まれる第二の有機ＥＬ素子１５０の電流電圧特性の温度依存性は、互いに等しい。第二の有機ＥＬ素子１５０からの発光を遮るために、図１８に示すように、副画素１３０Ｇの電極ＥＬ２の直上の部分のみに、緑色の補色のアンマッチフィルターＡＭＦ（ＢＦ）を設ける。

　この構成によれば、温度情報検出手段１６０によって、複数の画素１２０の各々に含まれる第二の有機ＥＬ素子１５０の温度情報が検出される。同じ画素１２０内に配置される複数の第一の有機ＥＬ素子１４０と第二の有機ＥＬ素子１５０とは互いに近接しているため、第二の有機ＥＬ素子１５０の温度情報は、同じ画素１２０内に配置される複数の第一の有機ＥＬ素子１４０の温度情報と近似することができる。よって、第二の有機ＥＬ素子１５０の温度情報に基づいて同じ画素１２０内に配置される複数の第一の有機ＥＬ素子１４０の駆動信号を補正すれば、画素１２０ごとに、温度変化を考慮した適切な駆動信号の補正が可能となる。よって、表示品質の高い有機ＥＬ表示装置が提供される。

　また、この構成によれば、緑色の光を発光する副画素１３０Ｇの発光領域を小さくして温度センサーを形成する。緑色は人間の視感度が高いため、輝度や寿命の点で他の発光色（赤、青）よりも余力がある。このため、緑色の光を発光する副画素１３０Ｇの一部に温度センサーを設けても、輝度低下や寿命悪化等のパネル性能の低下を抑制することができる。

［第三の実施形態］
　以下、図１９を参照して、本発明の第三の実施形態について説明する。図１９は、本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の温度センサーの配置を示す回路図である。なお、図１９において、第一の有機ＥＬ素子については表示を省略している。本実施形態では、表示領域１１０の何点かの代表点、例えば中央点と４隅の点に限って、温度センサーを配置する。この点において、第一および第二の実施形態と大きく異なる。

　すなわち、有機ＥＬ表示装置は、第一の有機ＥＬ素子を各々含む複数の副画素１３０と、一または複数の第二の有機ＥＬ素子１５０と、一または複数の第二の有機ＥＬ素子１５０の電流電圧特性を測定し、その測定結果に基づいて、一または複数の第二の有機ＥＬ素子１５０の温度情報を検出する温度情報検出手段と、複数の副画素１３０の各々に含まれる第一の有機ＥＬ素子の駆動信号を、一または複数の第二の有機ＥＬ素子１５０の温度情報に基づいて補正する補正手段と、を含む。

　第二の有機ＥＬ素子１５０は複数設けられており、前記温度情報検出手段は、互いに隣接して設けられた複数の第二の走査線１１４と、複数の第二の走査線１１４と交差するように互いに隣接して設けられた複数の測定線１１５と、複数の第二の走査線１１４と複数の測定線１１５との各交差部に対応して設けられ、複数の第二の有機ＥＬ素子１５０とそれぞれ電気的に接続された複数の第三の薄膜トランジスタ１３４と、複数の第二の走査線１１４に順次ゲート信号を供給する走査線駆動回路１８４と、複数の測定線１１５に順次一定の大きさの電流を供給する測定線駆動回路１８５と、前記電流が供給された測定線１１５の電位と、測定線１１５から前記電流が供給された第二の有機ＥＬ素子１５０のコモン電位と、の間の電位差を複数の測定線１１５について順次測定し、前記電位差を、測定線１１５から前記電流が供給された第二の有機ＥＬ素子１５０にかかる電圧として検出する電圧検出回路と、前記複数の第二の有機ＥＬ素子の電流電圧特性の温度依存性に関するデータを記憶した記憶部と、前記データに基づいて、前記電圧検出回路によって検出された前記電圧から、測定線１１５から前記電流が供給された第二の有機ＥＬ素子１５０の温度情報を検出する検出部と、を含む。

　また、複数の第二の有機ＥＬ素子１５０の電流電圧特性の温度依存性は、互いに等しい。

　また、本実施態様に係る有機ＥＬ表示装置の駆動方法は、第一の有機ＥＬ素子を各々含む複数の副画素と、一または複数の第二の有機ＥＬ素子１５０と、を含む有機ＥＬ表示装置の駆動方法であって、前記一または複数の第二の有機ＥＬ素子１５０の電流電圧特性を測定する電流電圧測定ステップと、前記電流電圧測定ステップで得られた測定結果に基づいて、前記一または複数の第二の有機ＥＬ素子１５０の温度情報を検出する温度情報検出ステップと、前記複数の副画素の各々に含まれる前記第一の有機ＥＬ素子の駆動信号を、前記一または複数の第二の有機ＥＬ素子１５０の温度情報に基づいて補正する駆動信号補正ステップと、を含む。

　この構成によれば、一または複数の第二の有機ＥＬ素子１５０の温度情報に基づいて、有機ＥＬ表示装置の温度情報を間接的に検出することができる。よって、この温度情報に基づいて、複数の副画素の各々に含まれる第一の有機ＥＬ素子の駆動信号を補正すれば、温度変化を考慮した適切な駆動信号の補正が可能となる。よって、表示品質の高い有機ＥＬ表示装置が提供される。

　以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施の形態例について説明したが、本発明はかかる例に限定されないことは言うまでもない。上述した例において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。

［第一実施例］
　以下、本発明の第一実施例について、図１０，図１１Ａ～図１１Ｃ，図２０を参照して説明する。

　図１０、および、図１１Ａ～図１１Ｃに示される素子構造を、以下の方法で作製した。まず、ガラス基板上に公知の方法により薄膜トランジスタや配線、層間膜、下部電極、エッジカバーを公知の方法で形成した。

　次に、公知の方法で白色有機ＥＬ素子を少なくとも表示領域全面を含むように形成した。下部電極は反射電極を公知の方法で形成し、上部電極を極薄の金属膜で形成した。これにより、上部電極が透光性を有するようにした。下部電極はAl:100nmを公知の手法で画素パターンに形成し、その上に10nmのITO膜を公知の手法で形成して下部電極とした。上部電極は、有機ＥＬ層形成後、AgにMgを（１０：１）の割合でドープし、20nmの厚みで蒸着法により形成した。

　最後に、別に公知の手法で形成したカラーフィルター基板を画素部と温度センサー部に対応して貼り合わせた。カラーフィルターと上部電極の間は15μmとなるように貼り合わせた。また、カラーフィルター基板を貼り合わせない素子を、比較対象として作製した。

　カラーフィルター基板を貼り合わせた素子と、カラーフィルター基板を貼り合わせない素子とで、緑色発光をさせて、各々の発光スペクトルを測定した。結果を図２０に示す。
カラーフィルター基板を貼り合わせた素子は“w/ filter”、カラーフィルター基板を貼り合わせない素子は“w/o filter”で示す。

　緑色発光をさせたときに、カラーフィルター基板がないと、温度センサー部の発光色（本実施例は白色）がパネル表示色に混色し、表示品位の低下を起こした。カラーフィルターを用いた結果、温度センサー部の発光はカットされ、表示面に出てこないので、緑色のみの発光スペクトルが得ることができた。

［第二実施例］
　以下、本発明の第二実施例について、図１２，図１３Ａ～図１３Ｃ，図２１を参照して説明する。

　図１２、および、図１３Ａ～図１３Ｃに示される素子構造を、以下の方法で作製した。まず、公知の方法にてガラス基板上に薄膜トランジスタと各種配線、層間膜を形成した。

　下部電極は公知の手法にて反射電極として形成する。エッジカバーは、アクリル樹脂、ノボラック樹脂、フェノール樹脂を主成分とする市販の感光性材料で公知のフォトエッチ剥離プロセスで形成した。

　有機ＥＬ層は、発光層以外はベタパターンで公知の真空蒸着法で少なくとも表示領域と少なくとも温度センサー部を含む領域にベタパターンで形成した。発光層は、副画素単位で形成された蒸着マスクを用いて真空蒸着法で形成した。

　温度センサー部は、本実施例では青色発光層を形成する際のみ成膜し、他の色の発光層を成膜している際はこの部分が成膜されないようにした。すなわち、青色発光層の蒸着時は、蒸着マスクに温度センサー部のパターンを形成するが、赤色と緑色発光層を成膜する際は温度センサー部のパターン開口が無い蒸着マスクを用いた。

　上部電極は、極薄金属層で形成することにより、光透過性の電極とした。本実施例では、AgにMgを10%の割合でドープし、20nmの厚みで蒸着法により形成した。その後、別に公知の手法で形成したアンマッチパターン形成基板を画素部と温度センサー部に対応して貼り合わせた。前記基板と上部電極の間（ギャップ）は15μm前後となるように貼り合わせた。

　カラーフィルター基板を貼り合わせた素子と、カラーフィルター基板を貼り合わせない素子とで、緑色発光をさせて、各々の発光スペクトルを測定した。結果を図２１に示す。
カラーフィルター基板を貼り合わせた素子は“w/ filter”、カラーフィルター基板を貼り合わせない素子は“w/o filter”で示す。

　カラーフィルター基板を貼り合わせない場合は、温度センサー部の青色発光成分が表示領域に出てしまうために、発光スペクトルでも青色成分が出る。このため、パネル表示品位が低下する。カラーフィルター基板を貼り合わせた場合は、温度センサー部の青色発光成分がなくなるため、表示品位が高い有機ＥＬパネルを提供することが可能となる。

［第三実施例］
　以下、本発明の第三実施例について、図１７，図１８，図２２を参照して説明する。

　図１７および図１８に示される素子構造を、以下の方法で作製した。まず、ガラス基板上に公知の方法により薄膜トランジスタや配線、層間膜、下部電極、エッジカバーを公知の方法で形成した。

　次に、公知の方法で有機ＥＬ素子を少なくとも表示領域全面を含むように形成した。下部電極は反射電極を公知の方法で形成し、上部電極を極薄の金属膜で形成することにより、上部電極を透光性とした。本実施例では、下部電極はAl:100nmを公知の手法で画素パターンに形成し、その上に10nmのITO膜を公知の手法で形成して下部電極とした。上部電極は、有機ＥＬ層形成後、AgにMgを（１０：１）の割合でドープし、20nmの厚みで蒸着法により形成した。その後、別に公知の手法で形成したカラーフィルター基板を画素部と温度センサー部に対応して貼り合わせた。カラーフィルターと上部電極の間は15μmとなるように貼り合わせた。

　有機ＥＬ素子を形成したパネルの表示面で、青色発光をさせたときの発光スペクトルを図２１に示す。青色発光をさせたときに、フィルターがないときは温度センサー部の発光色（本実施例は緑色）がパネル表示色に混色し、表示品位の低下を起こした。フィルターを用いた結果、温度センサー部の発光はアンマッチとなるカラーフィルター（本実施例では青色）でカットされ、表示面に出てこないので、青色のみの発光スペクトルが得られた。

　以上のとおり、本発明により、表示品質を低下させずに、温度センサーを用いて発光強度を補正することが可能な有機ＥＬ表示装置を提供することができる。

　本発明のいくつかの態様は、温度変化に起因する表示品質の低下を抑制することが必要な有機ＥＬ表示装置および有機ＥＬ表示装置の駆動方法などに適用することができる。

１００…有機ＥＬ表示装置、１１０…画像表示領域、１２０…画素、１３０…副画素、１４０…第一の有機ＥＬ素子、１５０…第二の有機ＥＬ素子、１６０…温度情報検出手段、１７０…制御部（補正手段）、ＣＦ…カラーフィルター（光吸収部材）、ＥＣ１，ＥＬ２…陽極、ＥＬＣ…陰極、１１４…第二の走査線（走査線）、１１５…測定線、１３４…第三の薄膜トランジスタ（薄膜トランジスタ）、１８４…走査線駆動回路、１８５…測定線駆動回路、１８７…電圧検出回路、１８８…記憶部、１８９…検出部、１３０Ｒ…第一の副画素、１３０Ｇ…第二の副画素、１３０Ｂ…第三の副画素、Ｓ１…電流電圧測定ステップ、Ｓ２…温度情報検出ステップ、Ｓ３…駆動信号補正ステップ

Claims

　第一の有機ＥＬ素子と第二の有機ＥＬ素子とを各々含む複数の副画素と、
　前記複数の副画素の各々に含まれる前記第二の有機ＥＬ素子の電流電圧特性を測定し、その測定結果に基づいて、前記複数の副画素の各々に含まれる前記第二の有機ＥＬ素子の温度情報を検出する温度情報検出手段と、
　前記複数の副画素の各々に含まれる前記第一の有機ＥＬ素子の駆動信号を、前記第一の有機ＥＬ素子が含まれる前記副画素と同じ前記副画素に含まれる前記第二の有機ＥＬ素子の温度情報に基づいて補正する補正手段と、
　を含む有機ＥＬ表示装置。
　前記温度情報検出手段は、
　互いに隣接して設けられた複数の走査線と、
　前記複数の走査線と交差するように互いに隣接して設けられた複数の測定線と、
　前記複数の走査線と前記複数の測定線との各交差部に対応して設けられ、前記複数の副画素の各々に含まれる前記第二の有機ＥＬ素子とそれぞれ電気的に接続された複数の薄膜トランジスタと、
　前記複数の走査線に順次ゲート信号を供給する走査線駆動回路と、
　前記複数の測定線に順次一定の大きさの電流を供給する測定線駆動回路と、
　前記電流が供給された前記測定線の電位と、前記測定線から前記電流が供給された前記第二の有機ＥＬ素子のコモン電位と、の間の電位差を前記複数の測定線について順次測定し、前記電位差を、前記測定線から前記電流が供給された前記第二の有機ＥＬ素子にかかる電圧として検出する電圧検出回路と、
　前記複数の副画素の各々に含まれる前記第二の有機ＥＬ素子の電流電圧特性の温度依存性に関するデータを記憶した記憶部と、
　前記データに基づいて、前記電圧検出回路によって検出された前記電圧から、前記測定線から前記電流が供給された前記第二の有機ＥＬ素子の温度情報を検出する検出部と、
　を含む
　請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
　前記複数の副画素の各々に含まれる前記第二の有機ＥＬ素子の電流電圧特性の温度依存性は、互いに等しい
　請求項１または２に記載の有機ＥＬ表示装置。
　複数の第一の有機ＥＬ素子と、第二の有機ＥＬ素子と、を各々含む複数の画素と、
　前記複数の画素の各々に含まれる前記第二の有機ＥＬ素子の電流電圧特性を測定し、その測定結果に基づいて、前記複数の画素の各々に含まれる前記第二の有機ＥＬ素子の温度情報を検出する温度情報検出手段と、
　前記複数の画素の各々に含まれる複数の前記第一の有機ＥＬ素子の駆動信号を、前記複数の前記第一の有機ＥＬ素子が含まれる前記画素と同じ前記画素に含まれる前記第二の有機ＥＬ素子の前記温度情報に基づいてそれぞれ補正する補正手段と、
　を含む有機ＥＬ表示装置。
　前記温度情報検出手段は、
　互いに隣接して設けられた複数の走査線と、
　前記複数の走査線と交差するように互いに隣接して設けられた複数の測定線と、
　前記複数の走査線と前記複数の測定線との各交差部に対応して設けられ、前記複数の画素の各々に含まれる前記第二の有機ＥＬ素子とそれぞれ電気的に接続された複数の薄膜トランジスタと、
　前記複数の走査線に順次ゲート信号を供給する走査線駆動回路と、
　前記複数の測定線に順次一定の大きさの電流を供給する測定線駆動回路と、
　前記電流が供給された前記測定線の電位と、前記測定線から前記電流が供給された前記第二の有機ＥＬ素子のコモン電位と、の間の電位差を前記複数の測定線について順次測定し、前記電位差を、前記測定線から前記電流が供給された前記第二の有機ＥＬ素子にかかる電圧として検出する電圧検出回路と、
　前記複数の画素の各々に含まれる前記第二の有機ＥＬ素子の電流電圧特性の温度依存性に関するデータを記憶した記憶部と、
　前記データに基づいて、前記電圧検出回路によって検出された前記電圧から、前記測定線から前記電流が供給された前記第二の有機ＥＬ素子の温度情報を検出する検出部と、
　を含む
　請求項４に記載の有機ＥＬ表示装置。
　前記複数の画素の各々に含まれる前記第二の有機ＥＬ素子の電流電圧特性の温度依存性は、互いに等しい
　請求項４または５に記載の有機ＥＬ表示装置。
　前記画素は、第一の副画素と、第二の副画素と、第三の副画素と、を含み、
　前記第一の副画素は、前記第一の有機ＥＬ素子を含み、前記第一の副画素は、前記第一の副画素が含む前記第一の有機ＥＬ素子が駆動されることにより赤色の光を発光し、
　前記第二の副画素は、前記第一の有機ＥＬ素子と前記第二の有機ＥＬ素子を含み、前記第二の副画素は、前記第二の副画素が含む前記第一の有機ＥＬ素子が駆動されることにより緑色の光を発光し、
　前記第三の副画素は、前記第一の有機ＥＬ素子を含み、前記第三の副画素は、前記第三の副画素が含む前記第一の有機ＥＬ素子が駆動されることにより青色の光を発光する
　請求項４から６のいずれか１項に記載の有機ＥＬ表示装置。
　第一の有機ＥＬ素子を各々含む複数の副画素と、
　一または複数の第二の有機ＥＬ素子と、
　前記一または複数の第二の有機ＥＬ素子の電流電圧特性を測定し、その測定結果に基づいて、前記一または複数の第二の有機ＥＬ素子の温度情報を検出する温度情報検出手段と、
　前記複数の副画素の各々に含まれる前記第一の有機ＥＬ素子の駆動信号を、前記一または複数の第二の有機ＥＬ素子の温度情報に基づいて補正する補正手段と、
　を含む有機ＥＬ表示装置。
　前記第二の有機ＥＬ素子は複数設けられており、
　前記温度情報検出手段は、
　互いに隣接して設けられた複数の走査線と、
　前記複数の走査線と交差するように互いに隣接して設けられた複数の測定線と、
　前記複数の走査線と前記複数の測定線との各交差部に対応して設けられ、前記複数の第二の有機ＥＬ素子とそれぞれ電気的に接続された複数の薄膜トランジスタと、
　前記複数の走査線に順次ゲート信号を供給する走査線駆動回路と、
　前記複数の測定線に順次一定の大きさの電流を供給する測定線駆動回路と、
　前記電流が供給された前記測定線の電位と、前記測定線から前記電流が供給された前記第二の有機ＥＬ素子のコモン電位と、の間の電位差を前記複数の測定線について順次測定し、前記電位差を、前記測定線から前記電流が供給された前記第二の有機ＥＬ素子にかかる電圧として検出する電圧検出回路と、
　前記複数の第二の有機ＥＬ素子の電流電圧特性の温度依存性に関するデータを記憶した記憶部と、
　前記データに基づいて、前記電圧検出回路によって検出された前記電圧から、前記測定線から前記電流が供給された前記第二の有機ＥＬ素子の温度情報を検出する検出部と、
　を含む請求項８に記載の有機ＥＬ表示装置。
　前記複数の第二の有機ＥＬ素子の電流電圧特性の温度依存性は、互いに等しい
　請求項９に記載の有機ＥＬ表示装置。
　前記第二の有機ＥＬ素子から視認側に放射された光を遮る遮光手段を含む
　請求項１から１０のいずれか１項に記載の有機ＥＬ表示装置。
　前記遮光手段は、前記第二の有機ＥＬ素子と対向配置された光吸収部材を含む
　請求項１１に記載の有機ＥＬ表示装置。
　前記遮光手段は、前記第二の有機ＥＬ素子の陽極または陰極を、前記第二の有機ＥＬ素子から放射された光を反射する光反射性の電極とすることにより形成されている
　請求項１１または１２に記載の有機ＥＬ表示装置。
　第一の有機ＥＬ素子と第二の有機ＥＬ素子とを各々含む複数の副画素を含む有機ＥＬ表示装置の駆動方法であって、
　前記複数の副画素の各々に含まれる前記第二の有機ＥＬ素子の電流電圧特性を測定する電流電圧測定ステップと、
　前記電流電圧測定ステップで得られた測定結果に基づいて、前記複数の副画素の各々に含まれる前記第二の有機ＥＬ素子の温度情報を検出する温度情報検出ステップと、
　前記複数の副画素の各々に含まれる前記第一の有機ＥＬ素子の駆動信号を、前記第一の有機ＥＬ素子が含まれる前記副画素と同じ前記副画素に含まれる前記第二の有機ＥＬ素子の温度情報に基づいて補正する駆動信号補正ステップと、
を含む有機ＥＬ表示装置の駆動方法。
　複数の第一の有機ＥＬ素子と第二の有機ＥＬ素子とを各々含む複数の画素を含む有機ＥＬ表示装置の駆動方法であって、
　前記複数の画素の各々に含まれる前記第二の有機ＥＬ素子の電流電圧特性を測定する電流電圧測定ステップと、
　前記電流電圧測定ステップで得られた測定結果に基づいて、前記複数の画素の各々に含まれる前記第二の有機ＥＬ素子の温度情報を検出する温度情報検出ステップと、
　前記複数の画素の各々に含まれる前記第一の有機ＥＬ素子の駆動信号を、前記第一の有機ＥＬ素子が含まれる前記画素と同じ前記画素に含まれる前記第二の有機ＥＬ素子の温度情報に基づいて補正する駆動信号補正ステップと、
を含む有機ＥＬ表示装置の駆動方法。
　第一の有機ＥＬ素子を各々含む複数の副画素と、一または複数の第二の有機ＥＬ素子と、を含む有機ＥＬ表示装置の駆動方法であって、
　前記一または複数の第二の有機ＥＬ素子の電流電圧特性を測定する電流電圧測定ステップと、
　前記電流電圧測定ステップで得られた測定結果に基づいて、前記一または複数の第二の有機ＥＬ素子の温度情報を検出する温度情報検出ステップと、
　前記複数の副画素の各々に含まれる前記第一の有機ＥＬ素子の駆動信号を、前記一または複数の第二の有機ＥＬ素子の温度情報に基づいて補正する駆動信号補正ステップと、を含む有機ＥＬ表示装置の駆動方法。