WO2015178228A1 - Ｘ線発生用ターゲット、検査システム、制御装置、制御方法及び制御プログラム - Google Patents

Ｘ線発生用ターゲット、検査システム、制御装置、制御方法及び制御プログラム Download PDF

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WO2015178228A1
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target
nanotarget
electron beam
irradiation
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康敏 梅原
一郎 波岡
克治 門沢
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Tokyo Electron Ltd
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Tokyo Electron Ltd
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    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
    • G01N23/02—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by transmitting the radiation through the material
    • G01N23/04—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by transmitting the radiation through the material and forming images of the material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J35/00—X-ray tubes
    • H01J35/02—Details
    • H01J35/04—Electrodes ; Mutual position thereof; Constructional adaptations therefor
    • H01J35/08—Anodes; Anti cathodes
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05G—X-RAY TECHNIQUE
    • H05G1/00—X-ray apparatus involving X-ray tubes; Circuits therefor

Definitions

  • Various aspects and embodiments of the present invention relate to an X-ray generation target, an inspection system, a control device, a control method, and a control program.
  • the X-ray inspection apparatus includes a filament part that emits electrons and an X-ray generation target that is irradiated with electrons emitted from the filament part.
  • the X-ray inspection apparatus irradiates X-rays to the outside by causing electrons emitted from the filament portion to collide with an X-ray generation target.
  • a nano target for X-ray generation including a substrate and a target portion embedded in the substrate can be considered.
  • a nano target for X-ray generation forms a bottomed hole in a substrate by irradiating the substrate with an ion beam using an ion beam (FIB) processing apparatus and performing sputtering.
  • the nano-target for X-ray generation is formed by depositing metal in the hole by irradiating the hole in the substrate with an ion beam while flowing the material gas of the target for X-ray generation near the hole in the substrate.
  • FIB ion beam
  • the disclosed target for X-ray generation includes a substrate, a plurality of first X-ray nanotargets having a first size provided on the substrate, and the first X-ray of the substrate.
  • a second X-ray nanotarget provided at a position specified by the nanotarget and having a second size smaller than the first size.
  • FIG. 1 is a block diagram illustrating an example of a configuration of an X-ray inspection system including a control device according to the first embodiment.
  • FIG. 2 is a diagram illustrating an example of the configuration of the X-ray inspection system according to the first embodiment.
  • FIG. 3 is a diagram illustrating an example of the configuration of the X-ray inspection system according to the first embodiment.
  • FIG. 4 is a conceptual diagram showing an example of the configuration of the X-ray tube in the first embodiment.
  • FIG. 5 is a diagram for explaining a cross-sectional configuration of the X-ray generation target according to the first embodiment.
  • FIG. 6 is an exploded perspective view of the target for X-ray generation in the first embodiment.
  • FIG. 1 is a block diagram illustrating an example of a configuration of an X-ray inspection system including a control device according to the first embodiment.
  • FIG. 2 is a diagram illustrating an example of the configuration of the X-ray inspection system according to the first embodiment.
  • FIG. 3 is
  • FIG. 7 is a diagram illustrating an example of information stored in the target position table according to the first embodiment.
  • FIG. 8 is a diagram illustrating a case where the X-ray nano target is included in the electron beam irradiation range and a case where the X-ray nano target is not included in the electron beam irradiation range in the first embodiment.
  • FIG. 9 is a diagram illustrating an example of processing performed by the specifying unit according to the first embodiment.
  • FIG. 10 is a diagram illustrating an example of processing performed by the specifying unit in the first embodiment.
  • FIG. 11 is a diagram illustrating the position of the nano target for X-ray generation specified by the position information in the first embodiment.
  • FIG. 12 is a flowchart illustrating an example of a flow of target position table creation processing by the control device according to the first embodiment.
  • FIG. 13 is a block diagram illustrating an example of a configuration of an X-ray inspection system including a control device according to the second embodiment.
  • FIG. 14 is a diagram illustrating an example of a relationship among an X generation nanotarget having an X-ray nanotarget, a sample stage, and a camera according to the second embodiment.
  • FIG. 15 is a diagram illustrating an example of a relationship among an X generation nanotarget having an X-ray nanotarget, a sample stage, and a camera according to the second embodiment.
  • FIG. 13 is a block diagram illustrating an example of a configuration of an X-ray inspection system including a control device according to the second embodiment.
  • FIG. 14 is a diagram illustrating an example of a relationship among an X generation nanotarget having an X-ray nanotarget, a sample stage, and a camera according to the second embodiment.
  • FIG. 16 is a diagram illustrating an example of the case where the X-ray nano target is positioned at the center of the range imaged by the camera according to the second embodiment.
  • FIG. 17 is a diagram illustrating an example of the case where the X-ray nano target is located in the periphery of the range imaged by the camera according to the second embodiment.
  • FIG. 18 is a diagram illustrating an example of information stored in the difference image table according to the second embodiment.
  • FIG. 19 is a diagram illustrating the tilt angle in the second embodiment.
  • FIG. 20 is a flowchart illustrating an example of a flow of processing for adjusting the irradiation position of the electron beam in the second embodiment.
  • FIG. 21 is a block diagram illustrating an example of a configuration of an X-ray inspection system including a control device according to the third embodiment.
  • FIG. 22 is a diagram illustrating an example of an X generation target according to the third embodiment.
  • FIG. 23 is a diagram illustrating an example of an X generation target according to the third embodiment.
  • FIG. 24 is a diagram illustrating an example of information stored in the target position table according to the third embodiment.
  • FIG. 25 is a flowchart illustrating an example of a flow of an X-ray nanotarget switching process in the third embodiment.
  • FIG. 26 is a diagram illustrating an example of an embodiment of an X-ray generation target.
  • FIG. 27 is a diagram illustrating an example of an embodiment of an X-ray generation target.
  • FIG. 22 is a diagram illustrating an example of an X generation target according to the third embodiment.
  • FIG. 23 is a diagram illustrating an example of an X generation target according to the third embodiment.
  • FIG. 24 is a
  • FIG. 28 is a diagram illustrating an example of identifying the second X-ray nanotarget using the first X-ray nanotarget.
  • FIG. 29 is a diagram illustrating an example of identifying a second X-ray nanotarget using the first X-ray nanotarget.
  • FIG. 30 is a diagram illustrating an example of identifying a second X-ray nanotarget using the first X-ray nanotarget.
  • FIG. 31 is a diagram illustrating an example of the switching order of the X-ray nanotargets.
  • the X-ray inspection system is provided on an X-ray inspection apparatus that generates X-rays from an X-ray nanotarget by irradiating an electron beam with an electron beam irradiation unit, and a substrate.
  • a target position storage unit that stores position information indicating the position of the X-ray nano target
  • an electron beam irradiation unit of the X-ray inspection apparatus irradiates an electron beam to the position stored in the target position storage unit
  • a control device having an irradiation control unit to control.
  • the X-ray inspection system is, for example, in one embodiment, the substrate is provided with a plurality of X-ray nano targets, and the target position storage unit includes a plurality of the X-ray nano targets. The position information is stored for each.
  • the control device controls the electron beam irradiation unit so as to scan the substrate with an electron beam.
  • the X-ray inspection system according to the first embodiment includes reflected electrons reflected from the substrate among the electrons included in the electron beam, X-rays generated from the X-ray nano target by irradiation of the electron beam, and electrons.
  • An acquisition unit is further provided for acquiring irradiation information that is at least one of target currents generated from the substrate by beam irradiation.
  • the X-ray inspection system further includes a specifying unit that specifies position information where the X-ray nano target is located on the substrate based on the irradiation information acquired by the acquiring unit.
  • the X-ray inspection system further includes a storage unit that stores the position information specified by the specifying unit in the target position storage unit.
  • the specifying unit creates image information of the substrate based on the irradiation information, and the image information
  • the position information is obtained. Identify.
  • the X-ray inspection system in 1st Embodiment is the electron used when the said target position storage part specified the said positional information for every said X-ray nano target in one Embodiment, for example.
  • the beam irradiation conditions are further stored.
  • the storage unit stores the position information and the irradiation condition in the target position storage unit.
  • the target position storage unit stores XY coordinates on the irradiation surface of the substrate irradiated with the electron beam as the position information. To do.
  • the control method reads the position information from the target position storage unit that stores position information indicating the position of the X-ray nano target provided on the substrate, An irradiation control step of controlling the electron beam irradiation unit of the X-ray inspection apparatus to irradiate the electron beam to the position indicated by the position information read by the reading step.
  • control program is a reading procedure for reading position information from a target position storage unit that stores position information indicating the position of an X-ray nano target provided on a substrate;
  • An irradiation control procedure for controlling the electron beam irradiation unit of the X-ray inspection apparatus to irradiate the electron beam to the position indicated by the position information read by the reading procedure and the computer are executed.
  • control device is stored in the target position storage unit that stores position information indicating the position of the X-ray nano target provided on the substrate, and the target position storage unit. And an irradiation control unit that controls the electron beam irradiation unit of the X-ray inspection apparatus to irradiate the electron beam with respect to the position.
  • FIG. 1 is a block diagram illustrating an example of a configuration of an X-ray inspection system including a control device according to the first embodiment.
  • the X-ray inspection system 10 includes an X-ray inspection apparatus 100 and a control apparatus 200.
  • FIGS. 2 and 3 are diagrams showing an example of the configuration of the X-ray inspection system according to the first embodiment.
  • X-rays are generated from the X-ray nano target 112b by the electron beam irradiation unit 111 irradiating the X-ray generation target 112 having the X-ray nano target 112b with an electron beam.
  • the X-ray inspection apparatus 100 is used for confirming whether a three-dimensional structure is appropriately formed by a three-dimensional high integration technique. To explain with a more detailed example, it is used to inspect the shape of TSV (Through Silicon Via, through silicon via) and the presence or absence of defects.
  • TSV Three Silicon Via, through silicon via
  • the present invention is not limited to this, and may be used to inspect an arbitrary object.
  • the inspection by the X-ray inspection apparatus 100 is a nondestructive inspection.
  • a case where the inspection target by the X-ray inspection apparatus 100 is a substrate will be described as an example.
  • the present invention is not limited to this, and any sample may be the inspection target.
  • the X-ray inspection apparatus 100 includes a load port 101 into which a substrate to be inspected is loaded from the outside, and a wafer robot 102 that places the substrate loaded into the load port 101 on a notch aligner 103.
  • the X-ray inspection apparatus 100 includes an X-ray tube 110 that includes an electron beam irradiation unit 111 and an X-ray generation target 112 and irradiates X-rays. Further, the X-ray inspection apparatus 100 includes a sample stage 106 on which a substrate carried from the wafer door 105 into the X-ray inspection chamber is placed. The X-ray inspection apparatus 100 generates reflected electrons reflected on the inner substrate of electrons contained in the electron beam, X-rays generated from the X-ray nano target 112b by the electron beam irradiation, and generated from the substrate by the electron beam irradiation. The detector 107 detects at least one of the target currents.
  • the X-ray inspection apparatus 100 includes an X-ray camera 108 that detects X-rays. For example, when the detector 107 detects an X-ray dose, the detector 107 is disposed within the X-ray generation radiation angle generated by the X-ray nano target 112 b below the sample stage 106. A metallic cylindrical cover for excluding extraneous X-rays coming from other than the X-ray nano target 112b may be further installed on the detector 107.
  • the extraneous X-rays are, for example, Compton scattering and X-rays derived from cosmic rays.
  • the X-ray inspection apparatus 100 further includes a camera stage 109 for moving the X-ray camera 108.
  • the X-ray inspection apparatus 100 when the X-ray tube 110 emits X-rays, the X-ray camera 108 detects X-rays that have passed through the substrate placed on the sample stage 106.
  • the configuration of the X-ray inspection apparatus 100 shown in FIG. 2 is merely an example, and the present invention is not limited to this.
  • the X-ray inspection apparatus 100 includes an optical microscope that acquires an optical image of a substrate placed on the X-ray examination room or the sample stage 106, and IR information on the substrate placed on the X-ray examination room or the sample stage 106.
  • FIG. 4 is a conceptual diagram showing an example of the configuration of the X-ray tube in the first embodiment.
  • the electron beam irradiation unit 111 of the X-ray tube 110 includes a filament 111a that generates heat and generates an electron beam by supplying power, an anode 111b, a scan coil 111c, a condenser lens 111d, and an aperture 111e.
  • the filament 111a is a cathode of a thermionic gun using thermionic emission.
  • the anode 111b is one of the electrodes of the electron gun.
  • the anode 111b applies a positive high voltage to the cathode and accelerates electrons.
  • the scan coil 111c is a coil for scanning the electron beam to a certain position of the nano target.
  • the condenser lens 111d is a lens placed between the electron gun and the objective lens.
  • the aperture 111e narrows the electron source image narrowed down by the condenser lens 111d to a certain constant.
  • the alignment coil 111f is a coil for changing the aperture width of the aperture 111e.
  • the objective lens 111g is a lens that adjusts the focal length with respect to the X-ray nano target.
  • the objective lens 111g is used for optimizing the X-ray irradiation conditions by changing the current passed through the coil forming the objective lens 111g and performing focusing with the nano target.
  • the aperture 111h objective lens stop
  • FIG. 5 is a diagram for explaining a cross-sectional configuration of the X-ray generation target in the first embodiment.
  • FIG. 6 is an exploded perspective view of the X-ray generation target according to the first embodiment.
  • the X-ray generation target 112 includes a substrate 112a and an X-ray nano target 112b.
  • the X-ray generation target 112 shown in FIGS. 5 and 6 is an example, and the present invention is not limited to this.
  • the substrate 112a is made of, for example, diamond and is formed into a disk shape.
  • the substrate 112a has one irradiation surface 112c on the plate surface and a back surface 112d on the opposite side of the plate surface.
  • the substrate 112a is not limited to a disc shape, and may be formed in other shapes, for example, a square plate shape.
  • the thickness of the substrate 112a is set to about 100 ⁇ m, for example.
  • the outer diameter of the substrate 112a is set to about 3 mm, for example.
  • a bottomed hole 112e is formed on the substrate 112a from the irradiation surface 112c side.
  • the hole 112e has an inner space formed by a bottom surface and a side wall surface.
  • the inner space of the hole 112e is formed in a cylindrical body shape, for example.
  • the inner space of the hole 112e is not limited to a cylindrical body shape, and may be an arbitrary shape such as a prismatic body shape.
  • the inner diameter of the hole 112e is set to about 100 nm, for example.
  • the depth of the hole 112e is set to about 1 ⁇ m, for example.
  • the hole 112e is formed so that the hole diameter is small and the aspect ratio of the hole is large.
  • the X-ray nano target 112b is disposed in the hole 112e formed in the substrate 112a.
  • the X-ray nano target 112b is made of metal and has a cylindrical shape corresponding to the inner space of the hole 112e. Examples of the metal constituting the X-ray nano target 112b include copper, tungsten, gold, and platinum.
  • the X-ray nano target 112b is formed corresponding to the shape of the inner space of the hole 112e.
  • the axial length of the columnar shape is, for example, about 1 ⁇ m.
  • the length of the cylindrical shape in the radial direction is, for example, about 100 nm.
  • the case where nine X-ray nano targets 112b are provided is shown as an example, but the present invention is not limited to this, and the number of X-ray nano targets 112b may be arbitrary.
  • control device 200 includes an input / output unit 201, a storage unit 210, and a control unit 220.
  • the control device 200 is connected to the X-ray inspection apparatus 100 and controls the X-ray inspection apparatus 100 as described in detail below.
  • the input / output unit 201 is connected to the control unit 220.
  • the input / output unit 201 includes, for example, a keyboard, a mouse, a microphone, and the like, receives information and instructions from the user, and inputs the received information and instructions to the control unit 220.
  • the input / output unit 201 includes an output device such as a display and a speaker, and outputs information to the user.
  • the input / output unit 201 transmits and receives information to and from the control device 200. The details of information and instructions input or output by the input / output unit 201 are not described here, and will be described together with description of each related unit.
  • the storage unit 210 is connected to the control unit 220.
  • the storage unit 210 stores data used for various processes performed by the control unit 220.
  • the storage unit 210 is, for example, a semiconductor memory device such as a RAM (Random Access Memory), a ROM (Read Only Memory), or a flash memory (Flash Memory), or a hard disk or an optical disk.
  • the storage unit 210 includes a target position table 211.
  • the target position table 211 stores position information indicating the position of the X-ray nano target 112b provided on the substrate 112a. Specifically, the target position table 211 stores position information for each of a plurality of X-ray nano targets 112b. For example, the target position table 211 stores XY coordinates on the irradiation surface 112c of the substrate 112a irradiated with the electron beam as position information. To explain with a more detailed example, the target position table 211 stores XY coordinates starting from a predetermined location on the substrate 112a as position information.
  • the target position table 211 further stores the electron beam irradiation conditions used when specifying the position information for each of the plurality of X-ray nano targets 112b.
  • the target position table 211 includes an alignment value, a focus value, a tube current / voltage value, an X as an irradiation condition used when the X-ray tube 110 irradiates an electron beam when acquiring position information as described later. Stores the radiation dose value and the cumulative irradiation time.
  • FIG. 7 is a diagram illustrating an example of information stored in the target position table according to the first embodiment.
  • the target position table 211 includes “target ID” which is identification information for uniquely identifying the X-ray generation target 112 and the substrate 112 a of the X-ray generation target 112 identified by the target ID.
  • “Nano target ID”, which is identification information for uniquely identifying each of the provided X-ray nano targets 112b, “position information”, and “irradiation conditions” are stored in association with each other.
  • “alignment value”, “focus value”, “tube current / voltage value”, “X-ray dose value”, and “irradiation cumulative time” are stored as irradiation conditions. The case of doing is shown as an example.
  • the target position table 211 stores, for example, the target ID “T001”, the nano target ID “NT01”, and the position information “2.5 ( ⁇ m), 2.5 ( ⁇ m)” in association with each other. Further, as irradiation conditions, alignment values “2.5 (V), 1.3 (V)”, focus value “10000 (au)”, tube current / voltage value “50 (kV), 60 (kV) ”, the X-ray dose value“ 1.1 (au) ”, and the cumulative irradiation time“ 122.5 (h) ”are stored in association with each other.
  • the target position table 211 indicates that the X-ray nano target 112b specified by the nano target ID “NT01” provided for the target ID “T001” has position information “2.5 ( ⁇ m), 2.5 ( ⁇ m)”. Is stored at the position specified by “”. Further, in the target position table 211, the position information “2.5 ( ⁇ m), 2.5 ( ⁇ m)” of the X-ray nano target 112b specified by the nano target ID “NT01” is the alignment value “2.5 ( V), 1.3 (V) ", a focus value" 10000 (au) ", a tube current / voltage value” 50 (kV), 60 (kV) ", and an X-ray dose value" 1.
  • the target position table 211 indicates that the position information “2.5 ( ⁇ m), 2.5 ( ⁇ m)” of the X-ray nano target 112b specified by the nano target ID “NT01” is irradiated with an electron beam X It is stored that the cumulative time of irradiation with the line is “122.5 (h)”.
  • the coordinate information on the substrate 112a of the X-ray generation target 112 is stored as the position information.
  • the present invention is not limited to this.
  • any information may be stored as long as the information can uniquely identify the position on the substrate 112a.
  • the control unit 220 is connected to the input / output unit 201.
  • the control unit 220 includes an internal memory that stores a program that defines various processing procedures and the like, and controls various processes.
  • the control unit 220 is, for example, an application specific integrated circuit (ASIC), a field programmable gate array (FPGA), a central processing unit (CPU), or a micro processing unit (MPU).
  • ASIC application specific integrated circuit
  • FPGA field programmable gate array
  • CPU central processing unit
  • MPU micro processing unit
  • the control unit 220 includes an acquisition unit 221, a specification unit 222, a storage unit 223, and an irradiation control unit 224.
  • the acquisition unit 221 controls the electron beam irradiation unit 111 so as to scan the substrate 112a with an electron beam, and the X-ray nano target is irradiated with the reflected electrons reflected on the inner substrate 112a of the electrons contained in the electron beam and the electron beam irradiation.
  • Irradiation information which is information about at least one of the X-rays generated from 112b and the target current generated from the substrate 112a by electron beam irradiation, is acquired.
  • the acquisition unit 221 acquires irradiation information by controlling the X-ray inspection apparatus 100. For example, the acquisition unit 221 acquires the reflected electrons and target current detected by the detector 107 from the detector 107 of the X-ray inspection apparatus 100. In other words, the acquisition unit 221 acquires irradiation information by acquiring the X-ray dose measured by the detector 107. Here, the acquisition unit 221 acquires the irradiation information associated with the position of the irradiation surface 112c for the entire irradiation surface 112c of the X-ray generation target 112.
  • the present invention is not limited to this, and when it is possible to limit the range where the inner X-ray nano target 112b of the irradiation surface 112c is provided, a part of the irradiation surface 112c is selectively irradiated. Information may be acquired.
  • the acquisition unit 221 transmits an irradiation condition that the electron beam irradiation unit 111 of the X-ray inspection apparatus 100 irradiates an electron beam to the X-ray inspection apparatus 100, and then the X-ray generation target 112 is sent to the X-ray inspection apparatus 100. After scanning the surface, irradiation information as a scanning result is acquired.
  • the specifying unit 222 specifies the position information where the X-ray nano target 112b is located on the substrate 112a based on the irradiation information acquired by the acquiring unit 221. That is, in the substrate 112a, the amount of electrons reflected from the X-ray nano target 112b is larger than the amount of electrons reflected from other portions. Further, X-rays generated by irradiation with an electron beam have a larger X-ray dose generated from the X-ray nano target 112b than an X-ray dose generated in other portions. Further, the target current generated by electron beam irradiation has a smaller target current value as the atomic number increases, and the target current value increases as the atomic number decreases.
  • the target current generated from the X-ray nano target 112b It becomes smaller than the target current generated. Based on this, there is a difference in irradiation information between when the X-ray nano target 112b is included in the electron beam irradiation range and when the X-ray nano target 112b is not included in the electron beam irradiation range. Become. Based on this, the specifying unit 222 specifies the position of the X-ray nano target 112b based on the detection result of the irradiation information.
  • FIG. 8 is a diagram illustrating a case where an X-ray nano target is included in the electron beam irradiation range and a case where an X-ray nano target is not included in the electron beam irradiation range in the first embodiment.
  • the acquisition unit 221 acquires irradiation information when the electron beam is irradiated to the X-ray nano target 112b. become.
  • the X-ray nano target 112b is provided at an interval of 40 ⁇ m, and the diameter of the irradiation range of the electron beam is 10 ⁇ m.
  • the region 301 is centered on the X-ray nano target 112b.
  • the present invention is not limited to this.
  • the specifying unit 222 creates image information of the substrate 112a based on the irradiation information. Then, the specifying unit 222 identifies an X-ray nano target range indicating an irradiation position where the X-ray nano target 112b in the region scanned on the substrate 112a is irradiated with an electron beam in the image information. And the specific
  • FIG. 9 to 10 are diagrams illustrating an example of processing performed by the specifying unit according to the first embodiment.
  • the specifying unit 222 creates image information based on the irradiation information acquired from the detector 107, for example.
  • FIG. 9 is an example of an EB absorption electron image image using the target current created by the specifying unit 222 in the first embodiment.
  • the density of each region of image information differs depending on the magnitude of the value obtained as the irradiation information.
  • specification part 222 detects the area
  • FIG. 10 is a diagram illustrating an example of identification processing of the center coordinates by the specifying unit according to the first embodiment.
  • the specifying unit 222 specifies position information by identifying the center coordinates 302 in the region 301.
  • the specifying unit 222 detects the plurality of regions 301 and identifies the center coordinates for each detected region.
  • the specifying unit 222 specifies position information for each of the plurality of X-ray nano targets 112b.
  • the specifying unit 222 identifies the center coordinates after performing image processing for correcting the distortion. Further, the electron density in the electron beam irradiation range is lower in the peripheral part than in the central part. As a result, there is a difference in the value obtained as irradiation information between the case where the X-ray nano target 112b is located at the center of the electron beam and the case where the X-ray nano target 112b is located at the periphery.
  • the specifying unit 222 increases the contrast in the region 301 and then determines the irradiation information in the region 301.
  • the position information of the X-ray nano target 112b may be detected using the size.
  • the storage unit 223 stores the position information specified by the specifying unit 222 in the target position table 211. Specifically, the storage unit 223 stores position information and irradiation conditions in the target position table 211. For example, the storage unit 223 stores the irradiation information transmitted to the X-ray inspection apparatus 100 by the acquisition unit 221 in association with the center coordinates identified by the specifying unit 222 in the target position table 211. In this case, the storage unit 223 associates arbitrary identification information for specifying the X-ray generation target 112 with arbitrary identification information for identifying the detected X-ray nano target 112b, and stores positional information. Store with.
  • the storage unit 223 includes a target ID “T001”, a nano target ID “NT01”, and position information “2.5 ( ⁇ m), 2.5 ( ⁇ m)”. Further, the alignment values “2.5 (V), 1.3 (V)”, the focus value “10000 (au)”, the tube current / voltage are stored as the irradiation conditions. The values “50 (kV), 60 (kV)”, the X-ray dose value “1.1 (a.u.)”, and the cumulative irradiation time “122.5 (h)” are stored in association with each other.
  • the acquisition unit 221 transmits the irradiation condition to the X-ray inspection apparatus 100 has been described as an example.
  • the present invention is not limited to this, and the arbitrary irradiation condition in the X-ray inspection apparatus 100 is described.
  • the acquisition unit 221 may acquire the irradiation conditions used by the X-ray inspection apparatus 100. Details of the processing performed by the acquisition unit 221, the specifying unit 222, and the storage unit 223 will be described later with reference to flowcharts, and thus the description thereof is omitted here.
  • the irradiation control unit 224 controls the electron beam irradiation unit 111 of the X-ray inspection apparatus 100 to irradiate the electron beam to the position stored in the target position table 211. Specifically, when irradiating X-rays, the irradiation control unit 224 selects one nanotarget ID associated with the identification information of the X-ray generation target 112 set in the X-ray tube, The position information associated with the selected nano target ID is acquired. Then, the electron beam is irradiated from the electron beam irradiation unit 111 of the X-ray tube 110 so that the acquired position information becomes a focus, and X-rays are generated toward the sample stage 106 from the X-ray nano target 112b.
  • FIG. 11 is a diagram showing the position of the target for X-ray generation specified by the position information in the first embodiment.
  • the image information created by the specifying unit 222 and the position specified by the position information are shown superimposed.
  • the position of each X-ray nano target 112b is specified by each of a plurality of pieces of position information. For example, in the example shown in FIG. 11, nano target IDs “NT11” to “NT14” are shown.
  • the irradiation control unit 224 controls the electron beam irradiation unit 111 to irradiate the electron beam to the position stored in the target position table 211, so that the X-ray nano target 112b is irradiated with the electron beam, and the X-ray X-rays are generated from the nano target 112b.
  • control device 200 may be any information processing device such as a known personal computer, workstation, smartphone, or tablet terminal. Specifically, it may be realized by mounting the functions of the control unit 220 and the storage unit 210 of FIG. The control device 200 may be integrated with the X-ray inspection apparatus 100. Further, a part of the configuration of the control device 200 may be connected as a separate device via an arbitrary network.
  • the position information is detected and stored in the target position table 211, and then the position alignment is performed using the stored position information.
  • the position information may be stored in the target position table 211 in advance.
  • the acquisition unit 221, the specification unit 222, and the storage unit 223 may not be included in the configuration described above.
  • FIG. 12 is a flowchart illustrating an example of a flow of target position table creation processing by the control device according to the first embodiment.
  • the acquisition unit 221 transmits irradiation conditions for the electron beam irradiation unit 111 to irradiate an electron beam to the X-ray inspection apparatus 100 (Step S102). . Thereafter, the acquisition unit 221 acquires irradiation information from the X-ray inspection apparatus 100 (step S103). For example, the acquisition unit 221 acquires the reflected electrons and the target current detected by the detector 107 for the entire irradiation surface 112 c of the X-ray generation target 112.
  • specification part 222 specifies position information based on the irradiation information acquired by the acquisition part 221 (step S104). For example, the specifying unit 222 creates image information having different densities based on the magnitude of the value obtained as the irradiation information, based on the irradiation information acquired from the detector 107. And the specific
  • the storage unit 223 stores the position information specified by the specifying unit 222 in the target position table 211 (step S105).
  • the storage unit 223 stores a target ID “T001”, a nano target ID “NT01”, and positional information “2.5 ( ⁇ m), 2.5 ( ⁇ m)” in association with each other, and further performs irradiation.
  • alignment values “2.5 (V), 1.3 (V)”, focus value “10000 (au)”, tube current / voltage values “50 (kV), 60 (kV)” ”, The X-ray dose value“ 1.1 (a.u.) ”, and the cumulative irradiation time“ 122.5 (h) ” are stored in association with each other.
  • the acquisition unit 221 has exemplified the case where the irradiation condition is transmitted to the X-ray inspection apparatus 100, but is not limited thereto, and without transmitting the irradiation condition, Irradiation conditions set in advance or determined each time in the X-ray inspection apparatus 100 may be used.
  • the control apparatus 200 also acquires the irradiation conditions from the X-ray inspection apparatus 100 at an arbitrary time.
  • Position information may be acquired. Further, for example, after identifying the center coordinates of the detected area 301, the specifying unit 222 enlarges and displays an area in an arbitrary range around the center coordinates, and positions based on the difference in irradiation information in the enlarged display area. Information may be specified, or the coordinates of the center may be specified as position information.
  • the high resolution is achieved by accelerating electrons with a high voltage (for example, about 50 to 150 keV) and, for example, a fine focus on an X-ray nano target in which a metal is provided on the entire surface of the substrate. You can get it by focusing on.
  • X-rays so-called bremsstrahlung X-rays, are generated when electrons lose energy in the target.
  • the focal spot size is substantially determined by the size of the irradiated electron beam.
  • the electron beam may be converged to a small spot.
  • the amount of electrons may be increased.
  • the spot size of the electron beam and the amount of current are in a contradictory relationship, and a large current cannot flow through a small spot. If a large current is passed through a small spot, the X-ray nano target may be easily consumed due to heat generation.
  • the electron beam is irradiated with a high acceleration voltage (for example, about 50 to 150 keV), and near the X-ray nano target 112b.
  • a high acceleration voltage for example, about 50 to 150 keV
  • the X-ray focal diameter does not expand, and degradation of resolution can be suppressed.
  • a resolution uniquely determined by the size of the X-ray nano target 112b can be obtained.
  • the X-ray generation target 112 includes the substrate 112a made of diamond and the X-ray nano target 112b, the X-ray generation target 112 is extremely excellent in heat dissipation. The consumption of the target 112 can be prevented.
  • the control device 200 includes the target position table 211 that stores position information indicating the position of the X-ray nano target 112b provided on the substrate 112a, and the position stored in the target position table 211.
  • the electron beam irradiation unit 111 of the X-ray inspection apparatus 100 has an irradiation control unit 224 that controls the electron beam irradiation. As a result, the X-ray inspection can be performed by quickly and easily irradiating the electron beam onto the X-ray nano target 112b provided on the substrate 112a.
  • the diameter of the X-ray nano target 112b is smaller than the electron beam irradiation range.
  • the electron density of the electron beam may be higher in the central part than in the peripheral part in the electron beam irradiation range.
  • the positional information of the X-ray nano target 112b is stored, and the X-ray nano target 112b is placed at the center of the irradiation range of the electron beam by irradiating the stored position with the electron beam.
  • X-rays can be irradiated, the amount of X-ray generation can be maximized, and X-ray inspection can be performed quickly and easily.
  • the substrate 112a is provided with a plurality of X-ray nano targets 112b, and the target position table 211 stores position information for each of the plurality of X-ray nano targets 112b.
  • the X-ray inspection can be performed by irradiating the substrate 112a with a plurality of X-ray nano targets 112b quickly and easily, and can be easily switched to another X-ray nano target 112b. It becomes possible.
  • 112 a includes a specifying unit 222 that specifies position information where the X-ray nano target 112 b is located, and a storage unit 223 that stores the position information specified by the specifying unit 222 in the target position table 211.
  • the specifying unit 222 creates image information of the substrate 112a based on the irradiation information, and an electron beam is applied to the X-ray nano target 112b in the region scanned on the substrate 112a in the image information.
  • the position information is specified by identifying the X-ray nano target range indicating the irradiation position irradiated with and identifying the center position of the X-ray nano target range.
  • the target position table 211 further stores the electron beam irradiation conditions used when specifying the position information for each of the plurality of X-ray nanotargets 112b. Position information and irradiation conditions are stored in the target position table 211. As a result, when performing the X-ray inspection, it is possible to select and use an appropriate X-ray nano target 112b according to the inspection purpose.
  • the X-ray inspection system includes an X-ray inspection apparatus that generates X-rays from an X-ray nano target when an electron beam irradiation unit irradiates an electron beam. Further, the X-ray inspection system in the second embodiment is photographed by the electron beam irradiation unit of the X-ray inspection apparatus irradiating the X-ray nano target with the electron beam and irradiating the X-ray nano target with the X-ray.
  • the difference calculation unit calculates the difference between the position information indicating the center in the X-ray image and the position information indicating the position where the X-ray nano target is located in the vertical direction in the X-ray image; And a control device having a position adjusting unit that adjusts the X-ray inspection apparatus in a direction to eliminate the difference.
  • the difference calculation unit stores an X-ray image or a simulation image obtained in a situation where there is the difference for each of the plurality of differences.
  • the difference is calculated by referring to the unit and matching the photographed X-ray image with the X-ray image or simulation image stored in the storage unit.
  • the X-ray inspection system according to the second embodiment further includes a creation unit that creates the simulation image for each difference.
  • the difference calculation unit calculates a difference by performing matching with each of the simulation images created by the creation unit.
  • the X-ray inspection system includes, for example, in one embodiment, the X-ray inspection apparatus includes an X-ray camera as a detection unit that detects X-rays irradiated from the X-ray nanotarget.
  • the position adjusting unit adjusts the X-ray inspection apparatus by controlling to change at least one of the position of the X-ray camera and the tilt angle of the X-ray camera.
  • the difference calculation unit uses coordinates in the X-ray image as the position information.
  • control method in the second embodiment is that, in one embodiment, the electron beam irradiation unit of the X-ray inspection apparatus irradiates the X-ray nano target with an electron beam and irradiates the X-ray nano target with X-rays.
  • a difference calculating step for calculating a difference between position information indicating a center in the photographed X-ray image and position information indicating a position where the X-ray nano target is located in the vertical direction in the X-ray image; and the difference calculating step.
  • control program in the second embodiment is such that an electron beam irradiation unit of an X-ray inspection apparatus irradiates an X-ray nano target with an electron beam and irradiates the X-ray nano target with X-rays.
  • a position adjustment procedure for adjusting the X-ray inspection apparatus in a direction to eliminate the calculated difference is executed by the computer.
  • control device is such that an electron beam irradiation unit of an X-ray inspection apparatus irradiates an X-ray nanotarget with an electron beam and irradiates the X-ray nanotarget with X-rays.
  • a difference calculating unit that calculates a difference between position information indicating a center in the photographed X-ray image and position information indicating a position where the X-ray nano target is located in a vertical direction in the X-ray image; and the difference calculating unit
  • a position adjustment unit that adjusts the X-ray inspection apparatus in a direction to eliminate the calculated difference.
  • FIG. 13 is a block diagram illustrating an example of a configuration of an X-ray inspection system including a control device according to the second embodiment.
  • the storage unit 210 further includes a difference image table 212
  • the control unit 220 includes a simulation image creation unit 225 and a difference calculation.
  • the part 226 and the position adjustment part 227 were further provided was shown as an example, it is not limited to this.
  • some or all of the units included in the storage unit 210 and the control unit 220 in the first embodiment may not be included in a range where no contradiction occurs.
  • the control device 200 has a difference image table 212 in the storage unit 210.
  • the difference image table 212 stores an X-ray image or a simulation image obtained in a situation where there is a difference for each of a plurality of differences.
  • the difference is an X-ray image captured by the electron beam irradiation unit 111 of the X-ray inspection apparatus 100 irradiating the X-ray nano target 112b with an electron beam and irradiating the X-ray nano target 112b with X-rays.
  • the difference between the position information indicating the center of the X-ray and the position information indicating the position where the X-ray nano target 112b is in the vertical direction in the X-ray image is shown.
  • FIG. 14 and FIG. 15 are diagrams illustrating an example of a relationship among an X generation target having an X-ray nano target, a sample stage, and a camera according to the second embodiment.
  • FIG. 14 the case where the X-ray nano target 112b is located at the center of the range imaged by the X-ray camera 108 is shown.
  • FIG. 14 The case where the X-ray nano target 112b is located in FIG. That is, in the example illustrated in FIG.
  • the X-ray nano target 112 b is positioned on the position corresponding to the center of the range 402 of the X-ray image captured by the X-ray camera 108 and on the vertical line of the substrate 401.
  • the X-ray nano target 112 b is positioned on a position corresponding to the periphery of the range 403 of the X-ray image captured by the X-ray camera 108 and on the vertical line of the substrate 401.
  • the substrate 401 is described as being provided with a plurality of holes in the vertical direction.
  • FIG. 16 is a diagram illustrating an example of the case where the X-ray nano target 112b is positioned at the center of the range captured by the camera according to the second embodiment.
  • the X-ray nano target 112 b is positioned on the position corresponding to the center of the range 402 of the X-ray image captured by the X-ray camera 108 and the vertical line of the substrate 401, the center of the X-ray image is displayed.
  • the X-rays enter the substrate 401 from the X-ray nano target 112b in the vertical direction.
  • the X-rays are incident on the substrate 401 with a deviation from the vertical direction, that is, with an angle.
  • the direction in which the hole is provided coincides with the incident direction of the X-ray.
  • An image corresponding to a hole in the surface is obtained.
  • the direction in which the hole is provided does not match the incident direction of the X-ray, and the angle is perpendicular to the vertical direction, that is, in an oblique direction.
  • an image corresponding to the wall surface or bottom of the hole is shown off the hole on the irradiation surface of the substrate 401.
  • FIG. 17 is a diagram illustrating an example of the case where the X-ray nano target is located in the periphery of the range imaged by the camera according to the second embodiment.
  • FIG. 17 when there is a position corresponding to the X-ray nano target 112b in the peripheral part, an image corresponding to the hole in the irradiation surface of the substrate 401 is obtained for the hole 405 of the substrate 401 in the peripheral part.
  • the other holes deviate from the image corresponding to the holes on the irradiation surface of the substrate 401, and an image corresponding to the wall surface and bottom of the holes is displayed.
  • FIG. 18 is a diagram illustrating an example of information stored in the difference image table according to the second embodiment.
  • the difference image table 212 stores images in association with differences.
  • “difference” indicating a difference type and “difference value” indicating a difference value are stored as differences.
  • it is blank, but it is assumed that image data is stored in association with the difference.
  • the difference image table 212 stores a type “coordinate difference”, a difference “1 ⁇ m, 0 ⁇ m”, and an image in association with each other. That is, the difference image table 212 is an X-ray image obtained when there is a position corresponding to the X-ray nano target 112b at a position shifted by 1 ⁇ m on the x-axis and 0 ⁇ m on the y-axis from the center coordinates of the X-ray image.
  • the simulation image is stored in association with the type “coordinate difference” and the difference “1 ⁇ m, 0 ⁇ m”.
  • the difference image table 212 stores a type “tilt angle difference”, a difference “1 degree, 0 degree”, and an image in association with each other. That is, the difference image table 212 indicates that the type of “tilt angle difference” is used for an X-ray image or a simulation image obtained when the tilt angle is shifted by 1 degree on the x axis and 0 degree on the y axis with respect to the vertical direction. And the difference “1 degree, 0 degree”.
  • an image may be stored in association with a combination of a coordinate difference and a tilt angle difference, and one of the coordinate difference and the tilt angle difference may not be used.
  • the difference value any value may be used as long as the difference can be uniquely specified.
  • FIG. 19 is a diagram illustrating the tilt angle in the second embodiment.
  • the X-ray camera 108 is provided so that the tilt angle can be changed.
  • the tilt angle difference indicates, for example, a shift on the basis of the vertical direction, and is indicated as an angle on the X axis and the Y axis that are arbitrarily set.
  • the control unit 220 further includes a simulation image creation unit 225, a difference calculation unit 226, and a position adjustment unit 227.
  • the simulation image creation unit 225 creates a simulation image for each difference.
  • the simulation image may be created by any method. In the following, a case where the control unit 220 includes the simulation image creation unit 225 will be described as an example. However, the present invention is not limited to this, and the simulation image creation unit 225 may not be provided.
  • the difference calculation unit 226 is a center in an X-ray image captured by the electron beam irradiation unit of the X-ray inspection apparatus 100 irradiating the X-ray nano target 112b with an electron beam and irradiating the X-ray nano target 112b with X-rays. And the position information indicating the position where the X-ray nano target 112b is present in the vertical direction in the X-ray image is calculated.
  • the difference calculation unit 226 stores an X-ray image or a simulation image obtained in a situation where there is a difference for each of a plurality of differences. , The difference is calculated by matching the photographed X-ray image with the X-ray image or simulation image stored in the difference image table 212.
  • the difference calculation unit 226 refers to the difference image table 212 to select one image that is closest to the captured X-ray image, and sets the difference associated with the selected image as the difference image table. By obtaining from 212, the difference is calculated.
  • the difference calculation unit 226 calculates a value indicating the degree of matching between the captured image and the matched image, and plots the value in association with the difference associated with the matched image. You may do it.
  • the difference calculation unit 226 may identify the point having the highest score after plotting each image stored in the difference image table 212 and calculate the difference corresponding to the identified point. . Further, the difference calculation unit 226 may use part or all of the images stored in the difference image table 212.
  • the difference image table 212 includes a difference associated with an image read out from the difference image table 212 and an image to be read out next. The accuracy of the difference to be calculated may be adjusted by increasing or decreasing the difference from the associated difference.
  • the position adjustment unit 227 adjusts the X-ray inspection apparatus 100 in a direction to eliminate the difference calculated by the difference calculation unit 226. Specifically, the position adjustment unit 227 controls to change at least one of the position of the X-ray camera 108 and the tilt angle of the X-ray camera 108. For example, the position adjustment unit 227 changes the position of the X-ray camera 108 and the camera tilt angle by the same amount as the difference acquired from the difference image table 212 by the difference calculation unit 226.
  • the position adjustment unit 227 moves the position of the X-ray camera 108 by “ ⁇ 1 ⁇ m, 0 ⁇ m”. The difference is eliminated by adjusting so as to. Further, for example, when the combination of the type “tilt angle difference” and the difference “1 degree, 0 degree” is calculated by the difference calculation unit 226, the position adjustment unit 227 sets the tilt angle of the X-ray camera 108 to “ The difference is eliminated by adjusting to move “-1 degree, 0 degree”.
  • the difference elimination method described above is an example, and the present invention is not limited to this.
  • the difference may be eliminated by moving the moving stage together or independently. Since an example of detailed processing by the difference calculation unit 226 and the position adjustment unit 227 described above will be described later, description thereof is omitted here.
  • FIG. 20 is a flowchart illustrating an example of a flow of processing for adjusting the irradiation position of the electron beam in the second embodiment.
  • the difference X image table 212 is referred to and stored in the acquired X-ray image and the difference image table 212.
  • Matching with the X-ray image or simulation image being performed is performed (step S202).
  • the difference calculation unit 226 performs matching with the captured X-ray image for each of the images stored in the difference image table 212. Then, the difference calculation unit 226 selects one image that is the most approximate, and acquires the difference associated with the selected image from the difference image table 212, thereby calculating the difference (step S203).
  • the position adjustment unit 227 adjusts the X-ray inspection apparatus 100 in a direction to eliminate the difference calculated by the difference calculation unit 226 (step S204). For example, when the combination of the type “coordinate difference” and the difference “1 ⁇ m, 0 ⁇ m” is calculated by the difference calculation unit 226, the position adjustment unit 227 moves the position of the X-ray camera 108 by “ ⁇ 1 ⁇ m, 0 ⁇ m”. The difference is eliminated by adjusting so as to.
  • the control device 200 causes the electron beam irradiation unit of the X-ray inspection apparatus 100 to irradiate the X-ray nano target 112b with an electron beam, and the X-ray nano target 112b.
  • a difference calculation unit 226 that calculates a difference between position information indicating a center in an X-ray image captured by irradiating X-rays and position information indicating a position where the X-ray nano target 112b is present in the vertical direction in the X-ray image.
  • a position adjustment unit 227 that adjusts the X-ray inspection apparatus 100 in a direction to eliminate the difference calculated by the difference calculation unit 226.
  • control can be performed so that X-rays are emitted from the center of the X-ray image.
  • the difference calculation unit 226 refers to the difference image table 212 that stores an X-ray image or a simulation image obtained in a situation where there is a difference for each of a plurality of differences. Then, the difference is calculated by matching the photographed X-ray image with the X-ray image or simulation image stored in the storage unit. As a result, the difference can be reliably calculated.
  • the simulation image creating unit 225 that creates a simulation image for each difference is further provided, and the difference calculating unit 226 is a pre-simulation created by the simulation image creating unit 225.
  • the difference is calculated by matching with each image. As a result, the difference can be reliably calculated.
  • the X-ray inspection apparatus 100 includes the X-ray camera, and the position adjustment unit 227 calculates the position of the X-ray camera and the tilt angle of the X-ray camera.
  • the X-ray inspection apparatus 100 is adjusted by controlling to change at least one of them. As a result, the adjustment can be performed easily and with high accuracy.
  • an X-ray generation target 112 includes a substrate 112a, a plurality of first X-ray nanotargets 112f having a first size provided on the substrate 112a, and a first X-ray among the substrates 112a.
  • a second X-ray nanotarget 112g provided at a position specified by the line nanotarget 112f and having a second size smaller than the first size is provided.
  • the X-ray nano targets 112f-1, 112f-2, 112f-1a to 1d, 112f-2a, and 112f-2b are collectively referred to as an X-ray nano target 112f.
  • the target 112 for X-ray generation is specified by a plurality of first X-ray nano targets 112f and a plurality of first X-ray nano targets 112f on the substrate 112a.
  • a plurality of X-ray nanotarget groups 112h including the first X-ray nanotarget 112g are provided.
  • a plurality of X-ray nanotarget groups are arranged on the substrate 112a. Further, the first X-ray nanotargets 112f are shared by the adjacent X-ray nanotarget groups 112h between the first X-ray nanotargets 112g included in the adjacent X-ray nanotarget groups 112h. Provided in the form.
  • a plurality of X-ray nanotarget groups 112h are arranged in a lattice pattern on the substrate 112a.
  • the first X-ray nanotarget 112f has a plurality of sizes, and the first X-ray nanotarget 112f having a different size is provided for each arrangement direction of the X-ray nanotarget group 112h.
  • the substrate 112a is provided with identification information for identifying the X-ray nano target group 112h.
  • the X-ray inspection apparatus 100 that generates X-rays from the X-ray nanotarget by the electron beam irradiation unit 111 irradiating the electron beam, and the control apparatus 200 that controls the X-ray inspection apparatus 100. And have.
  • the control device 200 is specified by the substrate 112a, a plurality of first X-ray nanotargets 112f having a first size provided on the substrate 112a, and the first X-ray nanotarget 112f among the substrates 112a.
  • the irradiation control unit acquires X-ray images of the same sample before and after switching when the X-ray nano target switching unit switches the X-ray nano target.
  • control device 200 compares the X-ray images acquired by the irradiation control unit, and the irradiation condition of the electron beam by the irradiation control unit based on the comparison result by the comparison unit. And an adjusting unit for adjusting.
  • the comparison part was image
  • the difference between the position information indicating the center in the X-ray image and the position information indicating the position of the X-ray nano target in the vertical direction in the X-ray image is calculated, and the adjustment unit eliminates the difference calculated by the comparison unit
  • the X-ray inspection apparatus 100 is adjusted in the direction.
  • the control device 200 includes the substrate 112a, a plurality of first X-ray nano targets 112f having a first size provided on the substrate 112a, and the first X-ray of the substrate 112a.
  • the irradiation control unit that controls the electron beam irradiation unit 111 of the apparatus to irradiate the electron beam and the X-ray nano target irradiated with the electron beam by the irradiation control unit, the X for the same sample before and after switching
  • An X-ray image acquisition unit that acquires a line image.
  • the control method includes the substrate 112a, the first X-ray nano target 112f having a first size provided on the substrate 112a, and the first X-ray nano of the substrate 112a.
  • the control program includes a substrate 112a, a plurality of first X-ray nano targets 112f having a first size provided on the substrate 112a, and a first X-ray nano of the substrate 112a.
  • the computer executes an X-ray image acquisition procedure for acquiring an image.
  • FIG. 21 is a block diagram illustrating an example of a configuration of an X-ray inspection system including a control device according to the third embodiment.
  • the control unit 220 further includes an irradiation control unit 224 a, a comparison unit 228, and an adjustment unit 229.
  • the irradiation control unit 224a is also referred to as an X-ray nano target switching unit or an X-ray image acquisition unit.
  • the X-ray generation target 112 in the third embodiment will be further described.
  • FIG. 22 is a diagram illustrating an example of an X generation target according to the third embodiment.
  • the target 112 for X-ray generation includes a first X-ray nano target 112f having a first size provided on the substrate 112a, and a first of the substrates 112a.
  • a second X-ray nano target 112g provided at a position specified by the X-ray nano target 112f and having a second size smaller than the first size.
  • the case where the X-ray generation target 112 has two different sizes as the first X-ray nanotarget 112f is shown as an example. That is, the X-ray generation target 112 includes two first X-ray nanotargets 112f-1 and two first X-ray nanotargets 112f- smaller in size than the first X-ray nanotarget 112f-1. 2 is shown as an example. However, the X-ray generation target 112 is not limited to this, and a plurality of X-ray nano targets 112f may be all the same size. Further, in the case where the X-ray nano targets 112f have different sizes, the number for each size may be an arbitrary number.
  • the second X-ray nanotarget 112g is provided between the two first X-ray nanotargets 112f-1 or between the two first X-ray nanotargets 112f-2.
  • the interval at which the X-ray nanotargets are provided may be any distance, and the number of the second X-ray nanotargets 112g provided may also be arbitrary.
  • FIG. 23 is a diagram illustrating an example of an X generation target according to the third embodiment.
  • the target 112 for X-ray generation includes a plurality of first X-ray nano targets 112f and second X-rays specified by a plurality of first X-ray nano targets 112f on a substrate 112a.
  • a plurality of X-ray nanotarget groups 112h including the nanotarget 112g may be provided.
  • the distance between the X-ray nano targets described in FIG. 23 is an example, and is not limited to this, and may be an arbitrary value.
  • the substrate 112a may be provided with identification information 112i for identifying the X-ray nanotarget group 112h.
  • the identification information 112i may be arbitrary information, for example, an alphabet, a number, an arbitrary symbol, or the like.
  • the first X-ray nanotarget 112f is the second X-ray nanotarget 112g included in each of the adjacent X-ray nanotarget groups 112h. Between each, you may provide in the form shared by each adjacent X-ray nano target group 112h.
  • the case where a plurality of X-ray nanotarget groups 112h are arranged on the substrate 112a is shown as an example, but the present invention is not limited to this.
  • the first X-ray nanotarget 112f has a plurality of sizes, and the first X-ray nanotarget 112f having a different size is arranged for each arrangement direction of the X-ray nanotarget group 112h.
  • the present invention is not limited to this.
  • sequence state shown in FIG. 23 is an example, Comprising: It is not limited to this, Arbitrary arrangement
  • FIG. 24 is a diagram illustrating an example of information stored in the target position table according to the third embodiment.
  • the target position table 211 a includes “usage state” indicating the use state of the X-ray nano target 112 and irradiation used when an X-ray image is captured in addition to the various types of information illustrated in FIG. 7.
  • An “irradiation condition” indicating a condition and an “image information” indicating an X-ray image photographed using the associated X-ray nano target are stored.
  • FIG. 21 an example in which irradiation conditions and image information are stored for “before switching” and “after switching” is shown as an example.
  • the target position table 211 a associates the usage state “completed”, the irradiation condition “...”, And the image information “image A” with the target ID “T001”.
  • the target position table 211a has been used for the target ID “T001”, and “image” is captured as an image taken with the X-ray nano target with the target ID “T001” using the irradiation condition “... A "is stored.
  • the irradiation control unit 224a includes a substrate 112a, a plurality of first X-ray nanotargets 112f having a first size provided on the substrate 112a, and the first of the substrates 112a.
  • the electron beam irradiation unit 111 of the X-ray inspection apparatus 100 is controlled to emit an electron beam.
  • the irradiation control unit 224a switches the X-ray nano target based on the positional relationship between the first X-ray nano target 112f and / or the second X-ray nano target 112g. For example, when irradiating X-rays, the irradiation controller 224a selects one nanotarget ID associated with the identification information of the X-ray generation target 112 set in the X-ray tube, and selects the selected nano The position information associated with the target ID is acquired.
  • the irradiation control unit 224a can identify the first X-ray nano target 112f identified by using an enlargement magnification capable of identifying the first X-ray nano target 112f, and can identify the second X-ray nano target 112g.
  • the second X-ray nano target 112g provided at the position specified by the position of the identified first X-ray nano target 112f is moved to the position of the identified first X-ray nano target 112f using a large magnification. Identify based on.
  • the irradiation control unit 224a directs the X-rays from the X-ray nano target 112b to the sample stage 106 so that the second X-ray nano target 112g identified at the position corresponding to the target position table 211 is in focus. To generate.
  • the irradiation control unit 224a acquires X-ray images of the same sample before and after switching.
  • An arbitrary method may be used as the method for acquiring the X-ray image, and the description thereof is omitted.
  • the irradiation control unit 224a stores irradiation information and image information regarding the corresponding X-ray nano target in the target position table 211a before and after switching.
  • the comparison unit 228 compares the X-ray images acquired by the irradiation control unit 224a. For example, like the difference calculation unit 226, the comparison unit 228 allows the electron beam irradiation unit 111 of the X-ray inspection apparatus 100 to irradiate the X-ray nano target with an electron beam and irradiate the X-ray nano target with X-rays. A difference between position information indicating the center in the captured X-ray image and position information indicating a position where the X-ray nano target is located in the vertical direction in the X-ray image is calculated.
  • the adjustment unit 229 adjusts the irradiation condition of the electron beam by the irradiation control unit 224 based on the comparison result by the comparison unit 228. For example, the adjustment unit 229 adjusts the X-ray inspection apparatus 100 in a direction in which the difference calculated by the comparison unit 228 is eliminated, similarly to the position adjustment unit 227.
  • FIG. 25 is a flowchart illustrating an example of a flow of an X-ray nanotarget switching process in the third embodiment.
  • the irradiation control unit 224a acquires the current X-ray irradiation condition, stores it in the target position table 211a (Step S302), and captures an X-ray image.
  • the use state is updated to “completed” (step S304).
  • the irradiation control unit 224a uses the current X-ray nano target information as a switching source of the target ID “T001” as the current information.
  • the irradiation conditions used are stored, the photographed X-ray image is stored, and the use state is updated to “completed”.
  • the irradiation control unit 224a selects the next target ID and switches to the X-ray nano target identified by the target ID (step S305). For example, the irradiation control unit 224a uses the positional information stored in the target position table 211a and the positional relationship between the first X-ray nano target 112f and the second X-ray nano target 112g to switch the X-ray nano after switching. Switch target.
  • the irradiation control unit 224a switches based on the position information stored in the target position table 211a, and then, based on the positional relationship between the first X-ray nano target 112f and the second X-ray nano target 112g, By using different absorption current images with different magnifications, it is possible to check whether the focus is on or to adjust the irradiation conditions.
  • the irradiation control part 224a acquires the X-ray image about the same sample before and behind switching (step S306). For example, when the switching is completed, the irradiation control unit 224a captures an X-ray image of the same sample as before the switching after the switching. For example, in the control unit 28, the irradiation control unit 224a acquires the current X-ray irradiation condition and stores it in the target position table 211a (step S307), captures an X-ray image, and stores it in the target position table 211a. (Step S308), the use state is updated to “in use” (Step S309).
  • the irradiation control unit 224a when switching to the X-ray nano target 112 identified by the target ID “T002”, the irradiation control unit 224a currently uses the information as the X-ray nano target that is the switching destination of the target ID “T002”. Current irradiation conditions are stored, the photographed X-ray image is stored, and the use state is updated to “in use”.
  • the comparison unit 228 compares the X-ray images acquired by the irradiation control unit 224a (step S310), and the adjustment unit 229 performs irradiation of the electron beam by the irradiation control unit 224 based on the comparison result by the comparison unit 228.
  • the conditions are adjusted (step S311). For example, like the difference calculation unit 226 and the position adjustment unit 227 of the second embodiment, the comparison unit 228 calculates the difference, and the adjustment unit 229 adjusts the position.
  • the X-ray generation target 112 includes the substrate 112a, a plurality of first X-ray nanotargets 112f having a first size provided on the substrate 112a, and the substrate 112a. And a second X-ray nano target 112g provided at a position specified by the first X-ray nano target 112f and having a second size smaller than the first size. As a result, it is possible to easily align with the X-ray nano target.
  • the X-ray nano target has a lifetime and needs to be replaced every certain time. For example, assuming that the lifetime of the X-ray nano target is 300 hours, when performing a continuous inspection, the X-ray nano target irradiated with the electron beam is replaced every 12 days.
  • the second X-ray nano target 112g is provided at a position specified by the first X-ray nano target 112f, so that the first X-ray nano target 112f can be identified. First, the first X-ray nano target 112f is identified, and then the smaller second X-ray nano target 112g is identified based on the position of the identified first X-ray nano target 112f. It becomes possible.
  • the second X-ray nanotarget 112g can be identified quickly, and further, the position of the second X-ray nanotarget 112g can be specified with high accuracy.
  • the switching process when the switching process is performed manually, for example, it is considered that the electron beam is gradually brought closer to a fine part while viewing the absorption current image, and the skill level is required of the operator.
  • the switching process when it is performed manually, not only the time cost and labor cost are incurred, but also there is a possibility that it becomes an obstacle to realizing high reproducibility of the apparatus.
  • the switching process can be easily automated, and the switching process is performed. Highly accurate and reliable execution is possible.
  • a plurality of X-ray nanotarget groups 112h are provided on the substrate 112a.
  • the substrate provided with the X-ray nano target can be used for a long time.
  • other X-ray nano target groups 112h may be formed by the same method. And the X-ray nano target can be efficiently formed and identified.
  • a plurality of X-ray nanotarget groups are arranged on the substrate 112a, and the first X-ray nanotarget 112f is included in each of the adjacent X-ray nanotarget groups 112h.
  • the two X-ray nanotargets 112g are provided so as to be shared by the adjacent X-ray nanotarget groups 112h.
  • the second X-ray nanotarget 112g is larger in size than the first X-ray nanotarget 112f, and the second X-ray nanotarget 112g is used when acquiring a high-resolution image.
  • the one X-ray nano target 112f is used as a marker for specifying the second X-ray nano target 112g.
  • the first X-ray nanotarget 112f is shared by a plurality of different X-ray nanotarget groups 112h, thereby reducing the number of the first X-ray nanotargets 112f while reducing the number of the first X-ray nanotargets 112f.
  • the X-ray nano target 112g can be easily specified. Further, since the first X-ray nano target 112f is itself an X-ray nano target, it can also be used to obtain an X-ray image.
  • the second X-ray nanotarget 112g when acquiring a high-resolution / high-resolution X-ray image, the second X-ray nanotarget 112g is used, and when acquiring a low-resolution X-ray image, the first X-ray nanotarget 112f is used. Can be used.
  • a plurality of X-ray nanotarget groups 112h are arranged on the substrate 112a, and the first X-ray nanotarget 112f has a plurality of sizes, and the X-ray nanotarget group A first X-ray nano target 112f having a different size is provided for each arrangement direction of 112h.
  • the substrate 112a it is possible to easily align the substrate 112a while disposing many nano targets.
  • the substrate 112a is provided with identification information 112i for identifying the X-ray nanotarget group 112h.
  • identification information 112i for identifying the X-ray nanotarget group 112h.
  • the X-ray inspection apparatus 100 that generates X-rays from the X-ray nanotarget by the electron beam irradiation unit 111 irradiating the electron beam, and the control for controlling the X-ray inspection apparatus 100.
  • the control device 200 is specified by the substrate 112a, the first X-ray nano target 112f having a first size provided on the substrate 112a, and the first X-ray nano target 112f of the substrate 112a. Electron beam irradiation of the X-ray inspection apparatus 100 to an X-ray generation target 112 having a second X-ray nano target 112g having a second size smaller than the first size.
  • the unit 111 is controlled to emit an electron beam.
  • the control device 200 switches the X-ray nano target based on the positional relationship between the first X-ray nano target 112f and / or the second X-ray nano target 112g. As a result, the X-ray nano target can be automatically switched.
  • the control device 200 acquires X-ray images of the same sample before and after switching. As a result, quality before and after switching can be ensured.
  • the state of X-rays irradiated from the X-ray nano target may change before and after switching by changing the irradiation position of the electron beam or moving the substrate. There is. Based on this, by capturing X-ray images of the same sample before and after switching, adjustment can be performed so that the same X-ray image can be captured before and after switching.
  • control device 200 compares the X-ray images acquired by the X-ray image acquisition unit and adjusts the irradiation condition of the electron beam by the irradiation control unit 224 based on the comparison result. To do. As a result, quality before and after switching can be ensured.
  • the comparison unit 228 causes the electron beam irradiation unit 111 of the X-ray inspection apparatus 100 to irradiate the X-ray nano target with an electron beam and irradiate the X-ray nano target with X-rays.
  • the difference between the position information indicating the center in the X-ray image photographed in step 1 and the position information indicating the position of the X-ray nano target in the vertical direction in the X-ray image is calculated.
  • the adjustment unit 229 adjusts the X-ray inspection apparatus 100 in a direction to eliminate the difference calculated by the difference calculation unit 226.
  • the X-ray generation target, the inspection system, the control device, the control method, and the control program according to the first to third embodiments have been described.
  • the present invention is not limited thereto, and various In the embodiment, an X-ray generation target, an inspection system, a control device, a control method, and a control program may be realized.
  • the embodiments may be appropriately combined as long as the processing contents do not contradict each other, and the embodiments may be executed independently.
  • the X-ray generation target 112 having the X-ray nano target 112b has been described as an example.
  • the present invention is not limited to this.
  • a target may be used.
  • the diameter of the target provided on the X-ray generation target 112 may be larger than the diameter of the electron beam, or a metal may be provided on the entire surface of the X-ray generation target 112 and used as the target.
  • the X-ray nanotarget is not limited to the embodiment mentioned in the above-described embodiment, and any X-ray nanotarget may be used.
  • the X-ray generation target may be provided with an arbitrary number of X-ray nanotargets, and the arrangement of the X-ray nanotargets may be arbitrary.
  • FIG. 26 is a diagram illustrating an example of an embodiment of an X-ray generation target.
  • the X-ray generation target 112 may be provided with an X-ray nano target only in a partial region of the substrate 112a.
  • one or a plurality of X-ray nano targets may be provided only in the region 112j including the center in the substrate 112a.
  • the region 112j of the substrate 112a is provided with, for example, the X-ray nanotarget shown in FIGS. 6, 22 and 23, and the region other than the region 112j is provided with the X-ray nanotarget. Absent.
  • FIG. 27 is a diagram illustrating an example of an embodiment of an X-ray generation target.
  • the X-ray generation target 112 may be an X-ray nano target as shown in FIG.
  • the X-ray generation target 112 shown in FIG. 27 includes a first X-ray nanotarget 112f-1, a first X-ray nanotarget 112f-2, a second X-ray nanotarget 112g, Have
  • the second X-ray nanotarget 112g is provided at a position identified by the first X-ray nanotarget 112f-1 or the first X-ray nanotarget 112f-2.
  • FIG. 27 is a diagram illustrating an example of an embodiment of an X-ray generation target.
  • the X-ray generation target 112 may be an X-ray nano target as shown in FIG.
  • the X-ray generation target 112 shown in FIG. 27 includes a first X-ray nanotarget 112f-1, a first X-ray nanotarget 112f-2, a second X
  • the second X-ray nanotarget 112g includes a straight line connecting the first X-ray nanotarget 112f-1a and the first X-ray nanotarget 112f-1c,
  • the first X-ray nano target 112f-1b and the first X-ray nano target 112f-1d are located at the intersection of the straight line connecting the first X-ray nano target 112f-1b and the first X-ray nano target 112f-1d.
  • 112f-2b is located on a straight line.
  • an example of the distance between each X-ray nano target is described, but this is only an example and the present invention is not limited to this.
  • FIG. 28 to FIG. 30 are diagrams showing an example of identifying the second X-ray nanotarget using the first X-ray nanotarget. For example, first, as shown in FIG. 28, by looking at the X-ray generation target 112 shown in FIG. 27 using a low magnification within a range in which the first X-ray nanotarget 112f-1 can be identified, One X-ray nano target 112f-1 is identified. Then, for example, as shown in FIG.
  • the control device 200 the first X-ray nano target 112f-1a and the straight line connecting the first X-ray nano target 112f-1c and the first X-ray nano target 112f
  • the position of the second X-ray nanotarget 112g is limited. Thereafter, as shown in FIG.
  • the control device 200 increases the magnification to a magnification at which the first X-ray nanotarget 112f-2 can be identified, and then the first X-ray nanotarget 112f-2a and b, a straight line connecting the first X-ray nano target 112f-1a and the first X-ray nano target 112f-1c, and the first X-ray nano target 112f-1b and the first X-ray nano target
  • the position of the X-ray nano target 112g is further limited, and the position of the second X-ray nano target 112g is specified.
  • first X-ray nanotargets 112f-1a to 112d are special.
  • any method may be used.
  • a pattern of the first X-ray nano target 112f-1 is held in advance, and patterns corresponding to the first X-ray nano targets 112f-1a to d are identified by pattern matching, whereby the first X-ray nano target 112f-1 is identified.
  • the line nanotargets 112f-1a-d may be identified.
  • the X-ray images acquired before and after switching may be stored in the database in association with the identification information of the X-ray nanotargets before and after switching.
  • the control device 200 may keep the X-ray image for later adjustment.
  • the X-ray nano target switching process may be executed at an arbitrary timing.
  • the total time during which the electron beam is irradiated after the start of use may be measured, and may be exchanged when an arbitrary time is reached or by an instruction from the user.
  • the irradiation control unit 224a compares an X-ray nano target that can be irradiated with an irradiation condition with a small electron beam deflection angle with an X-ray nano target that can be irradiated with an irradiation condition with a large electron beam deflection angle. Then, the selection may be preferentially performed, and the selected X-ray nano target may be switched. As a result, measurement can be resumed more quickly than when switching to an X-ray nanotarget that can be irradiated under irradiation conditions with a large deflection angle of the electron beam.
  • FIG. 31 is a diagram showing an example of the switching order of the X-ray nano targets.
  • the X-ray nanotargets are switched in the order of the X-ray nanotarget group 501 to the X-ray nanotarget group 504 among the plurality of X-ray nanotarget groups. That is, the X-ray nano target is switched so as to spread in the radial direction from the center. In this way, the change angle and the amount of movement of the electron beam before and after switching can be reduced.
  • a plurality of X-ray nanotarget groups are provided and the X-ray nanotargets are switched for each X-ray nanotarget group.
  • the present invention is not limited to this. is not.
  • the electron beam is not applied to the X-ray nano target group 112h but to each X-ray nano target.
  • X-ray nanotargets that can be irradiated under irradiation conditions with a small deflection angle may be switched with priority.
  • the image quality adjustment of the X-ray image may be performed after the X-ray nano target is switched.
  • the X-ray inspection apparatus 100 or the control apparatus 200 may perform image quality adjustment processing for reducing the noise amount of the X-ray image after switching.
  • the X-ray inspection apparatus 100 and the control apparatus 200 perform image quality adjustment processing for reducing the amount of noise included in the X-ray image based on the X-ray image obtained after the switching.
  • the image quality adjustment process itself for reducing the amount of noise may provide a known method, for example, may be executed by adjusting one or both of the tube current and the tube voltage, You may perform by adjusting arbitrary parameters.
  • the X-ray inspection apparatus 100 and the control apparatus 200 store a threshold value for the noise amount of the image in advance, determine whether the noise amount of the X-ray image captured after switching exceeds the threshold value, and determine that it exceeds the threshold value. In such a case, image quality adjustment processing may be performed. Further, the X-ray inspection apparatus 100 and the control apparatus 200 are not limited to the case where the noise amount of the image is used as the threshold value, and arbitrary information may be used. For example, the X-ray inspection apparatus 100 or the control apparatus 200 may hold and use one or a plurality of combinations among the mode value, minimum value, maximum value, and average value in the histogram of the X-ray image as the threshold value. good.
  • the image quality adjustment described above may be executed in combination with any of the above-described embodiments, or may be executed alone.
  • the X-ray image quality adjustment processing after switching may be executed in conjunction with acquiring X-ray images of the same sample before and after switching.
  • the X-ray nano target 112 has individual differences, and there is a possibility that quality variations of X-ray images due to individual differences of the X-ray nano target before and after switching. Based on this, after switching, for example, by adjusting one or both of the tube current and tube voltage, the quality of the image quality is adjusted based on the X-ray image. In addition, X-ray images of the same quality can be taken. Further, for example, the X-ray inspection apparatus 100 or the control apparatus 200 automatically executes image quality adjustment processing, so that manual adjustment can be omitted, inspection quality can be maintained constant, and maintenance costs and running costs are reduced. Can also be realized.
  • the target position table 211a further stores “irradiation conditions” and “image information” is shown as an example.
  • the present invention is not limited to this.
  • a table provided separately from the target position table 211a may store “irradiation conditions” and “image information”.
  • the target position table 211a further stores “irradiation conditions” and “image information” is shown as an example.
  • image information may be stored without storing “irradiation conditions”.
  • each component of each illustrated apparatus is functionally conceptual and does not necessarily need to be physically configured as illustrated. That is, the specific form of distribution / integration of each device is not limited to the one shown in the figure, and all or a part of the distribution / integration may be functionally or physically distributed in arbitrary units according to various loads or usage conditions. Can be integrated and configured.
  • some or all of the tables stored in the storage unit of the control device 200 may be stored in a database provided separately from the control device 200.
  • the control device 200 reads and writes information by accessing the database via an arbitrary network, for example.
  • the difference calculation unit 226 and the comparison unit 228 may be integrated, or the position adjustment unit 227 and the adjustment unit 229 may be integrated.

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Abstract

　Ｘ線発生用ターゲット（１１２）は、実施形態の一例において、基板を備える。また、Ｘ線発生用ターゲットは、実施形態の一例において、基板に複数設けられる第１の大きさを有する第１のＸ線ナノターゲット（１１２ｆ）を備える。また、Ｘ線発生用ターゲットは、実施形態の一例において、基板の内第１のＸ線ナノターゲット（１１２ｆ）により特定される位置に設けられ、第１の大きさよりも小さい第２の大きさを有する第２のＸ線ナノターゲット（１１２ｇ）とを備える。

Description

Ｘ線発生用ターゲット、検査システム、制御装置、制御方法及び制御プログラム
　本発明の種々の側面及び実施形態は、Ｘ線発生用ターゲット、検査システム、制御装置、制御方法及び制御プログラムに関する。
　Ｘ線検査装置は、Ｘ線非破壊検査など様々な分野で用いられている。Ｘ線検査装置は、電子を出射するフィラメント部と、フィラメント部から出射された電子が照射されるＸ線発生用ターゲットとを備える。Ｘ線検査装置は、フィラメント部から出射された電子をＸ線発生用ターゲットに衝突させることで、Ｘ線を外部に照射する。
　ここで、基板と、基板に埋設されたターゲット部とを備えるＸ線発生用ナノターゲットが考えられる。例えば、Ｘ線発生用ナノターゲットは、イオンビーム（Ｆｏｃｕｓｅｄ　Ｉｏｎ　Ｂｅａｍ：ＦＩＢ）加工装置を用いてイオンビームを基板に照射してスパッタすることで、基板に有底状の穴を形成される。そして、Ｘ線発生用ナノターゲットは、基板の穴付近にＸ線発生用ターゲットの材料ガスを流しながら基板の穴にイオンビームを照射することで、穴に金属を堆積させてターゲット部を形成される。
特開2011-77027号公報
　しかしながら、Ｘ線発生用ナノターゲットを用いて高分解能非破壊透過像による検査を行うＸ線検査装置は、未だ実用されていない。
　開示するＸ線発生用ターゲットは、１つの実施形態において、基板と、前記基板に複数設けられる第１の大きさを有する第１のＸ線ナノターゲットと、前記基板の内前記第１のＸ線ナノターゲットにより特定される位置に設けられ、前記第１の大きさよりも小さい第２の大きさを有する第２のＸ線ナノターゲットとを備える。
　開示するＸ線検査システムの１つの態様によれば、検査対象物のＸ線像を適切に取得することが可能となる。
図１は、第１の実施形態に係る制御装置を含むＸ線検査システムの構成の一例を示すブロック図である。 図２は、第１の実施形態におけるＸ線検査システムの構成の一例を示す図である。 図３は、第１の実施形態におけるＸ線検査システムの構成の一例を示す図である。 図４は、第１の実施形態におけるＸ線管の構成の一例を示す概念図である。 図５は、第１の実施形態に係るＸ線発生用ターゲットの断面構成を説明するための図である。 図６は、第１の実施形態におけるＸ線発生用ターゲットの分解斜視図である。 図７は、第１の実施形態におけるターゲット位置テーブルに記憶された情報の一例を示す図である。 図８は、第１の実施形態における電子ビームの照射範囲にＸ線ナノターゲットが含まれる場合と、電子ビームの照射範囲にＸ線ナノターゲットが含まれない場合とを示す図である。 図９は、第１の実施形態における特定部による処理の一例を示す図である。 図１０は、第１の実施形態における特定部による処理の一例を示す図である。 図１１は、第１の実施形態における位置情報により特定されるＸ線発生用ナノターゲットの位置を示す図である。 図１２は、第１の実施形態に係る制御装置によるターゲット位置テーブル作成処理の流れの一例を示すフローチャートである。 図１３は、第２の実施形態に係る制御装置を含むＸ線検査システムの構成の一例を示すブロック図である。 図１４は、第２の実施形態におけるＸ線ナノターゲットを有するＸ発生用ナノターゲットと、サンプルステージと、カメラとの関係の一例を示す図である。 図１５は、第２の実施形態におけるＸ線ナノターゲットを有するＸ発生用ナノターゲットと、サンプルステージと、カメラとの関係の一例を示す図である。 図１６は、第２の実施形態におけるカメラにより撮影される範囲の中心にＸ線ナノターゲットが位置する場合の一例を示す図である。 図１７は、第２の実施形態におけるカメラにより撮影される範囲の周辺部にＸ線ナノターゲットが位置する場合の一例を示す図である。 図１８は、第２の実施形態における差分用画像テーブルに記憶される情報の一例を示す図である。 図１９は、第２の実施形態におけるあおり角について示す図である。 図２０は、第２の実施形態における電子ビームの照射位置を調整する処理の流れの一例を示すフローチャートである。 図２１は、第３の実施形態に係る制御装置を含むＸ線検査システムの構成の一例を示すブロック図である。 図２２は、第３の実施形態におけるＸ発生用ターゲットの一例を示す図である。 図２３は、第３の実施形態におけるＸ発生用ターゲットの一例を示す図である。 図２４は、第３の実施形態におけるターゲット位置テーブルに記憶される情報の一例を示す図である。 図２５は、第３の実施形態におけるＸ線ナノターゲット切り替え処理の流れの一例を示すフローチャートである。 図２６は、Ｘ線発生用ターゲットの実施形態の一例を示す図である。 図２７は、Ｘ線発生用ターゲットの実施形態の一例を示す図である。 図２８は、第１のＸ線ナノターゲットを用いて第２のＸ線ナノターゲットを識別する場合の一例について示す図である。 図２９は、第１のＸ線ナノターゲットを用いて第２のＸ線ナノターゲットを識別する場合の一例について示す図である。 図３０は、第１のＸ線ナノターゲットを用いて第２のＸ線ナノターゲットを識別する場合の一例について示す図である。 図３１は、Ｘ線ナノターゲットの切り替え順序の一例を示す図である。
　以下に、開示するＸ線発生用ターゲット、検査システム、制御装置、制御方法及び制御プログラムの実施形態について、図面に基づいて詳細に説明する。なお、本実施形態により開示する発明が限定されるものではない。各実施形態は、処理内容を矛盾させない範囲で適宜組み合わせることが可能である。
（第１の実施形態）
　第１の実施形態におけるＸ線検査システムは、１つの実施形態において、電子ビーム照射部が電子ビームを照射することでＸ線ナノターゲットからＸ線を発生するＸ線検査装置と、基板に設けられたＸ線ナノターゲットの位置を示す位置情報を記憶するターゲット位置記憶部と、前記ターゲット位置記憶部に記憶された位置に対してＸ線検査装置の電子ビーム照射部が電子ビームを照射するように制御する照射制御部とを有する制御装置とを備える。
　また、第１の実施形態におけるＸ線検査システムは、例えば、１つの実施形態において、前記基板には複数のＸ線ナノターゲットが設けられ、前記ターゲット位置記憶部は、複数ある前記Ｘ線ナノターゲット各々について前記位置情報を記憶する。
　また、第１の実施形態におけるＸ線検査システムは、例えば、１つの実施形態において、前記制御装置は、前記基板を電子ビームで走査するように前記電子ビーム照射部を制御する。また、第１の実施形態におけるＸ線検査システムは、前記電子ビームに含まれる電子の内前記基板において反射した反射電子と、電子ビームの照射により前記Ｘ線ナノターゲットから発生したＸ線と、電子ビームの照射により前記基板から発生したターゲット電流との内、少なくとも１つである照射情報を取得する取得部を更に備える。また、第１の実施形態におけるＸ線検査システムは、前記取得部により取得された照射情報に基づいて、前記基板において前記Ｘ線ナノターゲットが位置する位置情報を特定する特定部を更に備える。また、第１の実施形態におけるＸ線検査システムは、前記特定部により特定された位置情報を前記ターゲット位置記憶部に格納する格納部を更に備える。
　また、第１の実施形態におけるＸ線検査システムは、例えば、１つの実施形態において、前記特定部は、前記照射情報に基づいて前記基板の画像情報を作成し、該画像情報において、前記基板において走査された領域の内前記Ｘ線ナノターゲットに電子ビームが照射された照射位置を示すＸ線ナノターゲット範囲を識別し、該Ｘ線ナノターゲット範囲の中心位置を識別することで、前記位置情報を特定する。
　また、第１の実施形態におけるＸ線検査システムは、例えば、１つの実施形態において、前記ターゲット位置記憶部は、複数ある前記Ｘ線ナノターゲットごとに、前記位置情報を特定する際に用いた電子ビームの照射条件を更に記憶する。また、第１の実施形態におけるＸ線検査システムでは、前記格納部は、前記位置情報と前記照射条件とを前記ターゲット位置記憶部に格納する。
　また、第１の実施形態におけるＸ線検査システムは、例えば、１つの実施形態において、前記ターゲット位置記憶部は、前記電子ビームが照射される前記基板の照射面におけるＸＹ座標を前記位置情報として記憶する。
　また、第１の実施形態における制御方法は、１つの実施形態において、基板に設けられたＸ線ナノターゲットの位置を示す位置情報を記憶するターゲット位置記憶部から位置情報を読み出す読出工程と、前記読出工程によって読み出された位置情報により示される位置に対して、Ｘ線検査装置の電子ビーム照射部が電子ビームを照射するように制御する照射制御工程とを含む。
　また、第１の実施形態における制御プログラムは、１つの実施形態において、基板に設けられたＸ線ナノターゲットの位置を示す位置情報を記憶するターゲット位置記憶部から位置情報を読み出す読出手順と、前記読出手順によって読み出された位置情報により示される位置に対して、Ｘ線検査装置の電子ビーム照射部が電子ビームを照射するように制御する照射制御手順とコンピュータに実行させる。
　また、第１の実施形態における制御装置は、１つの実施形態において、基板に設けられたＸ線ナノターゲットの位置を示す位置情報を記憶するターゲット位置記憶部と、前記ターゲット位置記憶部に記憶された位置に対してＸ線検査装置の電子ビーム照射部が電子ビームを照射するように制御する照射制御部とを備える。
（第１の実施形態に係るＸ線検査システム）
　図１は、第１の実施形態に係る制御装置を含むＸ線検査システムの構成の一例を示すブロック図である。図１に示すように、Ｘ線検査システム１０は、Ｘ線検査装置１００と、制御装置２００とを有する。
　図２及び図３は、第１の実施形態におけるＸ線検査システムの構成の一例を示す図である。Ｘ線検査装置１００では、電子ビーム照射部１１１がＸ線ナノターゲット１１２ｂを有するＸ線発生用ターゲット１１２に電子ビームを照射することでＸ線ナノターゲット１１２ｂからＸ線が発生する。例えば、Ｘ線検査装置１００は、３次元高集積化技術により適切に３次元構造が形成されたかを確認するために用いられる。より詳細な一例をあげて説明すると、ＴＳＶ（Through　Silicon　Via、シリコン貫通ビア）の形状や欠陥の有無を検査する際に用いられる。ただし、これに限定されるものではなく、任意の対象物を検査するのに用いて良い。なお、Ｘ線検査装置１００による検査は、非破壊検査である。以下では、Ｘ線検査装置１００による検査対象が基板である場合を例に説明するが、これに限定されるものではなく、任意のサンプルが検査対象であって良い。
　図２に示す例では、Ｘ線検査装置１００は、外部から検査対象となる基板が搬入されるロードポート１０１と、ロードポート１０１に搬入された基板をノッチアライナー１０３に載置するウエハロボット１０２と、ウエハロボット１０２によって載置されたウエハの位置合わせを行うノッチアライナー１０３と、ノッチアライナー１０３によって位置合わせが終了した基板を鉛隔壁１０４によって囲まれているＸ線検査室内に搬入するためのウエハドア１０５とを有する。
　Ｘ線検査装置１００は、電子ビーム照射部１１１とＸ線発生用ターゲット１１２とを有してＸ線を照射するＸ線管１１０を有する。また、Ｘ線検査装置１００は、ウエハドア１０５からＸ線検査室内へと搬入された基板が載置されるサンプルステージ１０６を有する。また、Ｘ線検査装置１００は、電子ビームに含まれる電子の内基板において反射した反射電子と、電子ビームの照射によりＸ線ナノターゲット１１２ｂから発生したＸ線と、電子ビームの照射により基板から発生したターゲット電流との内少なくとも１つを検出する検出器１０７を有する。また、Ｘ線検査装置１００は、Ｘ線を検出するＸ線カメラ１０８を有する。例えば、検出器１０７がＸ線の線量を検出する場合、サンプルステージ１０６の下部において、Ｘ線ナノターゲット１１２ｂにより発生するＸ線の発生放射角度以内に配置する。検出器１０７に対して、Ｘ線ナノターゲット１１２ｂ以外からやってくる外来のＸ線を排除するための金属製の筒状のカバーを更に設置しても良い。外来のＸ線とは、例えば、コンプトン散乱や、宇宙線起因のＸ線などである。
　図３に示すように、Ｘ線検査装置１００は、Ｘ線カメラ１０８を移動させるためのカメラステージ１０９を更に備える。Ｘ線検査装置１００では、Ｘ線管１１０がＸ線を照射すると、Ｘ線カメラ１０８が、サンプルステージ１０６に載置される基板を通過したＸ線を検出する。
　なお、図２に示すＸ線検査装置１００の構成は、あくまで一例であり、これに限定されるものではない。例えば、Ｘ線検査装置１００は、Ｘ線検査室内やサンプルステージ１０６に載置された基板の光学映像を取得する光学顕微鏡と、Ｘ線検査室内やサンプルステージ１０６に載置された基板のＩＲ情報を取得するＩＲ（Infrared　Spectroscopy）センサとの内一方又は両方を有しても良い。
　図４は、第１の実施形態におけるＸ線管の構成の一例を示す概念図である。図４に示すように、Ｘ線管１１０の電子ビーム照射部１１１は、電力供給により発熱して電子ビームを発生するフィラメント１１１ａと、アノード１１１ｂと、スキャンコイル１１１ｃと、コンデンサレンズ１１１ｄと、アパーチャ１１１ｅと、アライメントコイル１１１ｆと、対物レンズ１１１ｇと、アパーチャ１１１ｈとを有する。
　ここで、フィラメント１１１ａは、熱電子放出を利用した熱電子銃の陰極である。フィラメント１１１ａを熱電子銃の陰極として用いることで、ショットキー電子銃を用いる場合と比較してコストの低下や電流安定化をはかることが可能となる。アノード１１１ｂは、電子銃の電極の１つである。アノード１１１ｂは、陰極に対してプラスの高電圧を印加させ、電子を加速させる。スキャンコイル１１１ｃは、電子線をナノターゲットのある位置へ走査させるためのコイルである。コンデンサレンズ１１１ｄは、電子銃と対物レンズの間に置かれたレンズである。アパーチャ１１１ｅは、コンデンサレンズ１１１ｄで絞られた電子源像をある一定に絞り込む。アライメントコイル１１１ｆは、アパーチャ１１１ｅの絞り幅を変更するためのコイルである。対物レンズ１１１ｇは、Ｘ線ナノターゲットに対する焦点距離を調節するレンズである。対物レンズ１１１ｇは、対物レンズ１１１ｇを形成するコイルに流される電流が変化させられてナノターゲットとのピント合わせが行われることで、Ｘ線照射条件の最適化に用いられる。アパーチャ１１１ｈ（対物レンズ絞り）は、対物レンズ１１１ｇに入射する電子線の内、光軸近傍の電子線のみを通過させて、それ以外を遮蔽するための絞りである。
　図５は、第１の実施形態におけるＸ線発生用ターゲットの断面構成を説明するための図である。図６は、第１の実施形態に係るＸ線発生用ターゲットの分解斜視図である。図５及び図６に示す例では、Ｘ線発生用ターゲット１１２は、基板１１２ａと、Ｘ線ナノターゲット１１２ｂとを有する。なお、図５及び図６に示すＸ線発生用ターゲット１１２は一例であり、これに限定されるものではない。
　基板１１２ａは、例えば、ダイヤモンドで形成され、円板形状に形成される。基板１１２ａは、板面の一方の照射面１１２ｃと、板面の反対側の裏面１１２ｄを有する。基板１１２ａは、円板形状に限られず、他の形状、例えば角板形状に形成されていても良い。基板１１２ａの厚みは、例えば、１００μｍ程度に設定される。基板１１２ａの外径は、例えば、３ｍｍ程度に設定される。
　このように、穴１１２ｅがダイヤモンドに形成されることで、Ｘ線発生時に生じる熱を効率良く拡散することが可能となり、大きな電流をかけることが可能となる。
　図５及び図６に示す例では、基板１１２ａには、照射面１１２ｃ側から有底状の穴１１２ｅが形成される。穴１１２ｅは、底面と側壁面とで形成される内側空間を有する。穴１１２ｅの内側空間は、例えば、円柱体形状に形成される。ただし、穴１１２ｅの内側空間は円柱体形状に限定されるものではなく、角柱体形状など任意の形状であっても良い。穴１１２ｅの内径は、例えば、１００ｎｍ程度に設定される。穴１１２ｅの深さは、例えば、１μｍ程度に設定される。このように、穴１１２ｅは、穴径が小さく形成されるとともに、穴のアスペクト比が大きくなるように形成される。
　Ｘ線ナノターゲット１１２ｂは、基板１１２ａに形成されている穴１１２ｅ内に配置される。Ｘ線ナノターゲット１１２ｂは、金属で形成され、穴１１２ｅの内側空間に対応した円柱体形状に形成される。Ｘ線ナノターゲット１１２ｂを構成する金属としては、例えば、銅、タングステン、金、白金等である。
　Ｘ線ナノターゲット１１２ｂは、穴１１２ｅの内側空間の形状に対応して形成される。円柱形状の軸方向の長さは、例えば、１μｍ程度となる。円柱形状の径方向の長さは、例えば、１００ｎｍ程度となる。なお、図６に示す例では、Ｘ線ナノターゲット１１２ｂが９つ設けられる場合を例に示したが、これに限定されるものではなく、Ｘ線ナノターゲット１１２ｂの数は任意であって良い。
　図１の説明に戻り、制御装置２００について説明する。図１に示すように、制御装置２００は、入出力部２０１と、記憶部２１０と、制御部２２０とを有する。制御装置２００は、以下に詳細に説明するように、Ｘ線検査装置１００と接続され、Ｘ線検査装置１００を制御する。
　入出力部２０１は、制御部２２０と接続される。入出力部２０１は、例えば、キーボードやマウス、マイクなどを有し、情報や指示を利用者から受け付け、受け付けた情報や指示を制御部２２０に入力する。また、入出力部２０１は、ディスプレイやスピーカ等の出力装置を有し、情報を利用者に出力する。また、入出力部２０１は、制御装置２００と情報を送受信する。なお、入出力部２０１によって入力されたり出力されたりする情報や指示の詳細については、ここでは説明を省略し、関係する各部について説明する際に併せて説明する。
　記憶部２１０は、制御部２２０と接続される。記憶部２１０は、制御部２２０による各種処理に用いるデータを記憶する。記憶部２１０は、例えば、ＲＡＭ（Random　Access　Memory）やＲＯＭ（Read　Only　Memory）、フラッシュメモリ（Flash　Memory）などの半導体メモリ素子、又は、ハードディスクや光ディスクなどである。図１に示す例では、記憶部２１０は、ターゲット位置テーブル２１１を有する。
　ターゲット位置テーブル２１１は、基板１１２ａに設けられたＸ線ナノターゲット１１２ｂの位置を示す位置情報を記憶する。具体的には、ターゲット位置テーブル２１１は、複数あるＸ線ナノターゲット１１２ｂ各々について、位置情報を記憶する。例えば、ターゲット位置テーブル２１１は、電子ビームが照射される基板１１２ａの照射面１１２ｃにおけるＸＹ座標を位置情報として記憶する。より詳細な一例をあげて説明すると、ターゲット位置テーブル２１１は、基板１１２ａの所定の箇所を起点とするＸＹ座標を位置情報として記憶する。
　また、ターゲット位置テーブル２１１は、複数あるＸ線ナノターゲット１１２ｂごとに、位置情報を特定する際に用いた電子ビームの照射条件を更に記憶する。例えば、ターゲット位置テーブル２１１は、後述するように位置情報を取得する際にＸ線管１１０が電子ビームを照射する際に用いた照射条件として、アライメント値、フォーカス値、管電流・電圧値、Ｘ線線量値、照射累計時間を記憶する。
　図７は、第１の実施形態におけるターゲット位置テーブルに記憶された情報の一例を示す図である。図７に示す例では、ターゲット位置テーブル２１１は、Ｘ線発生用ターゲット１１２を一意に識別する識別情報である「ターゲットＩＤ」と、ターゲットＩＤにより識別されるＸ線発生用ターゲット１１２の基板１１２ａに設けられたＸ線ナノターゲット１１２ｂ各々を一意に識別する識別情報である「ナノターゲットＩＤ」と、「位置情報」と、「照射条件」とを対応付けて記憶する。また、図７に示す例では、照射条件として、「アライメント値」と、「フォーカス値」と、「管電流・電圧値」と、「Ｘ線線量値」と、「照射累計時間」とを記憶する場合を例に示した。
　この場合、ターゲット位置テーブル２１１は、例えば、ターゲットＩＤ「Ｔ００１」と、ナノターゲットＩＤ「ＮＴ０１」と、位置情報「２．５（μｍ）、２．５（μｍ）」とを対応付けて記憶し、更に、照射条件として、アライメント値「２．５（Ｖ）、１．３（Ｖ）」と、フォーカス値「１００００（ａ．ｕ．）」と、管電流・電圧値「５０（ｋＶ）、６０（ｋＶ）」と、Ｘ線線量値「１．１（ａ．ｕ．）」と、照射累計時間「１２２．５（ｈ）」とを対応付けて記憶する。
　すなわち、ターゲット位置テーブル２１１は、ターゲットＩＤ「Ｔ００１」に設けられたナノターゲットＩＤ「ＮＴ０１」により特定されるＸ線ナノターゲット１１２ｂが、位置情報「２．５（μｍ）、２．５（μｍ）」により特定される位置にあることを記憶する。また、ターゲット位置テーブル２１１は、ナノターゲットＩＤ「ＮＴ０１」により特定されるＸ線ナノターゲット１１２ｂの位置情報「２．５（μｍ）、２．５（μｍ）」が、アライメント値「２．５（Ｖ）、１．３（Ｖ）」と、フォーカス値「１００００（ａ．ｕ．）」と、管電流・電圧値「５０（ｋＶ）、６０（ｋＶ）」と、Ｘ線線量値「１．１（ａ．ｕ．）」とが用いられて電子ビームが照射された際に取得されたことを記憶する。また、ターゲット位置テーブル２１１は、ナノターゲットＩＤ「ＮＴ０１」により特定されるＸ線ナノターゲット１１２ｂの位置情報「２．５（μｍ）、２．５（μｍ）」について、電子ビームが照射されたＸ線を照射した累計時間が「１２２．５（ｈ）」であることを記憶する。
　なお、上述した例では、位置情報として、Ｘ線発生用ターゲット１１２の基板１１２ａにおける座標情報を記憶する場合を例に示したが、これに限定されるものではない。例えば、基板１１２ａにおける位置を一意に特定できる情報であれば、任意の情報を記憶して良い。
　制御部２２０は、入出力部２０１と接続される。制御部２２０は、各種の処理手順などを規定したプログラムを記憶する内部メモリを有し、種々の処理を制御する。制御部２２０は、例えば、ＡＳＩＣ（Application　Specific　Integrated　Circuit）、ＦＰＧＡ（Field　Programmable　Gate　Array）、ＣＰＵ（Central　Processing　Unit）、ＭＰＵ（Micro　Processing　Unit）などである。図１に示す例では、制御部２２０は、取得部２２１と、特定部２２２と、格納部２２３と、照射制御部２２４とを有する。
　取得部２２１は、基板１１２ａを電子ビームで走査するように電子ビーム照射部１１１を制御し、電子ビームに含まれる電子の内基板１１２ａにおいて反射した反射電子と、電子ビームの照射によりＸ線ナノターゲット１１２ｂから発生したＸ線と、電子ビームの照射により基板１１２ａから発生したターゲット電流との内、少なくとも１つについての情報である照射情報を取得する。
　具体的には、取得部２２１は、Ｘ線検査装置１００を制御することで、照射情報を取得する。例えば、取得部２２１は、検出器１０７により検出された反射電子やターゲット電流をＸ線検査装置１００の検出器１０７から取得する。言い換えると、取得部２２１は、検出器１０７により計測されたＸ線の線量を取得することで、照射情報を取得する。ここで、取得部２２１は、Ｘ線発生用ターゲット１１２の照射面１１２ｃの全面について、照射面１１２ｃの位置に紐付けられる照射情報それぞれを取得する。ただし、これに限定されるものではなく、照射面１１２ｃの内Ｘ線ナノターゲット１１２ｂが設けられている範囲を限定することが可能な場合には、照射面１１２ｃの内一部について選択的に照射情報を取得するようにしても良い。
　例えば、取得部２２１は、Ｘ線検査装置１００の電子ビーム照射部１１１が電子ビームを照射する照射条件をＸ線検査装置１００に送信し、その後、Ｘ線検査装置１００にＸ線発生用ターゲット１１２の表面を走査させた上で、走査結果となる照射情報を取得する。
　特定部２２２は、取得部２２１により取得された照射情報に基づいて、基板１１２ａにおいてＸ線ナノターゲット１１２ｂが位置する位置情報を特定する。すなわち、基板１１２ａにおいて、Ｘ線ナノターゲット１１２ｂにおいて反射する電子は、他の部分において反射する電子と比較して量が多い。また、電子ビームの照射により発生するＸ線は、Ｘ線ナノターゲット１１２ｂから発生したＸ線量は、他の部分において発生するＸ線量と比較して大きい。また、電子ビームの照射により発生するターゲット電流は、原子番号が大きくなるほどターゲット電流値は小さく、原子番号が小さいほどターゲット電流値は大きくなる。この結果、基板１１２ａとしてダイヤモンドを用い、Ｘ線ナノターゲット１１２ｂとしてダイヤモンド、すなわち、炭素よりも原子量の大きくなるタングステンを用いる場合には、Ｘ線ナノターゲット１１２ｂから発生したターゲット電流は、他の部分において発生するターゲット電流と比較して小さくなる。このことを踏まえ、電子ビームの照射範囲にＸ線ナノターゲット１１２ｂが含まれる場合と、電子ビームの照射範囲にＸ線ナノターゲット１１２ｂが含まれない場合とでは、照射情報に差が発生することになる。このことを踏まえ、特定部２２２は、照射情報の検出結果に基づいて、Ｘ線ナノターゲット１１２ｂの位置を特定する。
　図８は、第１の実施形態における電子ビームの照射範囲にＸ線ナノターゲットが含まれる場合と、電子ビームの照射範囲にＸ線ナノターゲットが含まれない場合とを示す図である。図８に示すように、Ｘ線ナノターゲット１１２ｂが電子ビームの照射範囲に含まれる領域３０１では、取得部２２１は、電子ビームがＸ線ナノターゲット１１２ｂに照射された場合における照射情報を取得することになる。なお、図８に示す例では、Ｘ線ナノターゲット１１２ｂが４０μｍの間隔を置いて設けられ、電子ビームの照射範囲の直径が１０μｍであり、この結果、領域３０１は、Ｘ線ナノターゲット１１２ｂを中心として半径が１０μｍの領域となる場合を用いて説明したが、これに限定されるものではない。
　例えば、特定部２２２は、照射情報に基づいて基板１１２ａの画像情報を作成する。そして、特定部２２２は、画像情報において、基板１１２ａにおいて走査された領域の内Ｘ線ナノターゲット１１２ｂに電子ビームが照射された照射位置を示すＸ線ナノターゲット範囲を識別する。そして、特定部２２２は、識別したＸ線ナノターゲット範囲の中心位置を識別することで、位置情報を特定する。
　図９～図１０は、第１の実施形態における特定部による処理の一例を示す図である。図９に示すように、特定部２２２は、例えば、検出器１０７から取得した照射情報に基づいて画像情報を作成する。図９は、第１の実施形態における特定部２２２により作成されるターゲット電流を用いたＥＢ吸収電子像画像の一例である。図９に示す例では、画像情報の領域各々は、照射情報として得られた値の大小に応じて濃度が異なっている。そして、特定部２２２は、ＥＢ吸収電子像画像におけるエッジを検出することで、電子ビームの照射範囲にＸ線ナノターゲット１１２ｂが含まれている領域３０１を検出する。そして、特定部２２２は、検出した領域３０１の中心座標を識別する。図１０は、第１の実施形態における特定部による中心座標の識別処理の一例を示す図である。図１０に示す例では、特定部２２２は、領域３０１において、中心座標３０２を識別することで、位置情報を特定する。ここで、Ｘ線ナノターゲット１１２ｂが複数ある場合には、特定部２２２は、複数の領域３０１を検出し、検出した領域ごとに中心座標を識別する。言い換えると、特定部２２２は、複数あるＸ線ナノターゲット１１２ｂごとに位置情報を特定する。
　また、ここで、特定部２２２は、検出した領域３０１の形状が円形ではなく歪んでいる場合には、歪みを直す画像処理を行った上で、中心座標を識別する。また、電子ビームの照射範囲における電子密度は、中心部の密度と比較して周辺部の密度が低い。この結果、電子ビームの中心にＸ線ナノターゲット１１２ｂが位置する場合と、周辺部にＸ線ナノターゲット１１２ｂが位置する場合とでは、照射情報として得られる値に差が生じる。このことを踏まえ、特定部２２２は、複数の領域３０１を検出した場合には、領域ごとに中心座標を識別する際には、領域３０１におけるコントラストを増加させた上で、領域３０１における照射情報の大小を用いて、Ｘ線ナノターゲット１１２ｂの位置情報を検出しても良い。
　格納部２２３は、特定部２２２により特定された位置情報をターゲット位置テーブル２１１に格納する。具体的には、格納部２２３は、位置情報と照射条件とをターゲット位置テーブル２１１に格納する。例えば、格納部２２３は、取得部２２１によってＸ線検査装置１００に送信された照射情報と、特定部２２２により識別された中心座標とを対応付けて、ターゲット位置テーブル２１１に格納する。また、その際には、格納部２２３は、Ｘ線発生用ターゲット１１２を特定する任意の識別情報と、検出されたＸ線ナノターゲット１１２ｂを識別する任意の識別情報とを対応付けて、位置情報とともに格納する。
　例えば、図７に示す例を用いて説明すると、格納部２２３は、ターゲットＩＤ「Ｔ００１」と、ナノターゲットＩＤ「ＮＴ０１」と、位置情報「２．５（μｍ）、２．５（μｍ）」とを対応付けて記憶し、更に、照射条件として、アライメント値「２．５（Ｖ）、１．３（Ｖ）」と、フォーカス値「１００００（ａ．ｕ．）」と、管電流・電圧値「５０（ｋＶ）、６０（ｋＶ）」と、Ｘ線線量値「１．１（a．u．）」と、照射累計時間「１２２．５（ｈ）」とを対応付けて記憶する。
　なお、上述した説明では、取得部２２１が、照射条件をＸ線検査装置１００に送信する場合を例に説明したが、これに限定されるものではなく、Ｘ線検査装置１００において任意の照射条件が設定された上で、取得部２２１が、Ｘ線検査装置１００により用いられた照射条件を取得しても良い。取得部２２１と、特定部２２２と、格納部２２３による処理の詳細については、フローチャートを用いて後述するため、ここでは説明を省略する。
　照射制御部２２４は、ターゲット位置テーブル２１１に記憶された位置に対してＸ線検査装置１００の電子ビーム照射部１１１が電子ビームを照射するように制御する。具体的には、照射制御部２２４は、Ｘ線を照射する場合には、Ｘ線管にセットされたＸ線発生用ターゲット１１２の識別情報に対応付けられたナノターゲットＩＤを１つ選択し、選択したナノターゲットＩＤに紐付けられた位置情報を取得する。そして、取得した位置情報が焦点になるように、Ｘ線管１１０の電子ビーム照射部１１１から電子ビームを照射してＸ線ナノターゲット１１２ｂからＸ線をサンプルステージ１０６に向けて発生させる。
　図１１は、第１の実施形態における位置情報により特定されるＸ線発生用ターゲットの位置を示す図である。図１１に示す例では、説明の便宜上、特定部２２２により作成される画像情報と、位置情報により特定される位置とを重ねて示した。図１１に示すように、ターゲット位置テーブル２１１は、複数ある位置情報各々により、Ｘ線ナノターゲット１１２ｂそれぞれの位置が特定される。例えば、図１１に示す例では、ナノターゲットＩＤ「ＮＴ１１」～「ＮＴ１４」を示した。照射制御部２２４は、ターゲット位置テーブル２１１に格納された位置に対して電子ビーム照射部１１１が電子ビームを照射するように制御することで、Ｘ線ナノターゲット１１２ｂに電子ビームが照射され、Ｘ線ナノターゲット１１２ｂからＸ線が発生することになる。
　なお、制御装置２００は、既知のパーソナルコンピュータ、ワークステーション、スマートフォン、タブレット端末などの任意の情報処理装置であって良い。具体的には、任意の情報処理端末に対して、図１の制御部２２０と記憶部２１０との各機能を搭載することで実現して良い。また、制御装置２００は、Ｘ線検査装置１００と統合されても良い。また、制御装置２００の一部の構成を別装置として任意のネットワークを介して接続されるようにしても良い。
　なお、上述の例では、位置情報を検出してターゲット位置テーブル２１１に格納した上で、格納された位置情報を用いて位置合わせを行う場合について示したが、これに限定されるものではない。例えば、位置情報がターゲット位置テーブル２１１に予め記憶されていても良い。言い換えると、上述した構成の内、取得部２２１、特定部２２２及び格納部２２３を有さなくても良い。
（ターゲット位置テーブル作成処理）
　図１２は、第１の実施形態に係る制御装置によるターゲット位置テーブル作成処理の流れの一例を示すフローチャートである。
　図１２に示すように、処理タイミングとなると（ステップＳ１０１肯定）、取得部２２１は、電子ビーム照射部１１１が電子ビームを照射するための照射条件をＸ線検査装置１００に送信する（ステップＳ１０２）。その後、取得部２２１は、Ｘ線検査装置１００から照射情報を取得する（ステップＳ１０３）。例えば、取得部２２１は、Ｘ線発生用ターゲット１１２の照射面１１２ｃの全面について、検出器１０７により検出された反射電子やターゲット電流を取得する。
　そして、特定部２２２は、取得部２２１により取得された照射情報に基づいて位置情報を特定する（ステップＳ１０４）。例えば、特定部２２２は、検出器１０７から取得した照射情報に基づいて、照射情報として得られた値の大小に応じて濃度が異なる画像情報を作成する。そして、特定部２２２は、画像情報においてエッジを検出することで、電子ビームの照射範囲にＸ線ナノターゲット１１２ｂが含まれている領域３０１を検出する。そして、特定部２２２は、検出した領域３０１の中心座標を識別することで、位置情報を特定する。
　そして、格納部２２３は、特定部２２２により特定された位置情報をターゲット位置テーブル２１１に格納する（ステップＳ１０５）。例えば、格納部２２３は、ターゲットＩＤ「Ｔ００１」と、ナノターゲットＩＤ「ＮＴ０１」と、位置情報「２．５（μｍ）、２．５（μｍ）」とを対応付けて記憶し、更に、照射条件として、アライメント値「２．５（Ｖ）、１．３（Ｖ）」と、フォーカス値「１００００（ａ．ｕ．）」と、管電流・電圧値「５０（ｋＶ）、６０（ｋＶ）」と、Ｘ線線量値「１．１（a．u．）」と、照射累計時間「１２２．５（ｈ）」とを対応付けて記憶する。
　なお、上記の処理手順は、上記の順番に限定されるものではなく、処理内容を矛盾させない範囲で適宜変更しても良い。例えば、上述の一連の処理では、取得部２２１が、照射条件をＸ線検査装置１００に送信する場合を例に示したが、これに限定されるものではなく、照射条件を送信することなく、Ｘ線検査装置１００において予め設定されていたりその都度決定されたりする照射条件が用いられても良い。この場合、制御装置２００は、Ｘ線検査装置１００から照射条件についても、任意の時点において取得する。また、例えば、上述した一連の処理では、検出した領域３０１の中心座標を識別することで、位置情報を特定する場合を例に示したが、これに限定されるものではなく、任意の手法にて位置情報を取得しても良い。また、例えば、特定部２２２は、検出した領域３０１の中心座標を識別した後、中心座標を中心として任意の範囲の領域を拡大表示し、拡大表示した領域において、照射情報の差に基づいて位置情報を特定したり、中心の座標を位置情報として特定したりしても良い。
（第１の実施形態による効果）
　上述した実施形態によれば、基板１１２ａに設けられたＸ線ナノターゲット１１２ｂを用いて、検査対象物のＸ線像を適切に取得することが可能となる。
　すなわち、従来のＸ線検査装置において、高い分解能は、電子を高い電圧（例えば、５０～１５０ｋｅＶ程度）で加速し、例えば、基板の全面に金属が設けられたＸ線ナノターゲット上で微小な焦点へフォーカスすることで、得ることができる。電子がターゲット中でエネルギーを失う際に、Ｘ線、いわゆる制動放射Ｘ線が発生する。この際、焦点サイズは、照射される電子ビームの大きさでほぼ決まることとなる。
　Ｘ線の微細な焦点サイズを得るためには、電子ビームを小さなスポットに収束させれば良い。一方、発生するＸ線の量を増やすためには、電子の量を増やせば良い。しかしながら、空間電荷効果により、電子ビームのスポットサイズと電流量は相反する関係にあり、小さなスポットに大電流を流すことはできない。そして、小さなスポットに大電流を流すと発熱によりＸ線ナノターゲットが消耗しやすくなるおそれが生じてしまう。
　ここで、上述した実施形態では、Ｘ線ナノターゲット１１２ｂをナノサイズにて形成することで、高い加速電圧（例えば、５０～１５０ｋｅＶ程度）で電子ビームを照射して、Ｘ線ナノターゲット１１２ｂ付近で電子ビームが拡がってしまった場合でも、言い換えると、電子ビームの照射径がＸ線ナノターゲット１１２ｂよりも大きかったとしても、Ｘ線焦点径が拡がるようなことはなく、分解能の劣化が抑制可能となる。すなわち、Ｘ線ナノターゲット１１２ｂのサイズで一意に決まる分解能を得ることが可能となる。この結果、Ｘ線ナノターゲット１１２ｂを用いたＸ線検査装置１００では、Ｘ線量を増やしつつ、ナノオーダー（数十～数百ｎｍ）での分解能、解像度を取得可能となる。
　また、Ｘ線発生用ターゲット１１２は、ダイヤモンドからなる基板１１２ａと、Ｘ線ナノターゲット１１２ｂとを備えていることから、放熱性に極めて優れており、上述した状況下においても、Ｘ線発生用ナノターゲット１１２の消耗を防ぐことができる。
　また、上述した実施形態によれば、制御装置２００は、基板１１２ａに設けられたＸ線ナノターゲット１１２ｂの位置を示す位置情報を記憶するターゲット位置テーブル２１１と、ターゲット位置テーブル２１１に記憶された位置に対してＸ線検査装置１００の電子ビーム照射部１１１が電子ビームを照射するように制御する照射制御部２２４とを有する。この結果、基板１１２ａに設けられたＸ線ナノターゲット１１２ｂに対して、迅速かつ簡単に電子ビームを照射してＸ線検査を行うことが可能となる。
　例えば、Ｘ線ナノターゲット１１２ｂの直径は、電子ビームの照射範囲よりも小さい径が用いられる。また、電子ビームにおける電子密度は、電子ビームの照射範囲において、中心部の密度が、周辺部の密度と比較して大きくなることがある。このことを踏まえ、Ｘ線ナノターゲット１１２ｂの位置情報を記憶しておき、記憶しておいた位置へと電子ビームを照射することで、Ｘ線ナノターゲット１１２ｂを電子ビームの照射範囲の中心に配置した上でＸ線を照射でき、Ｘ線の発生量を最大化できるとともに、迅速かつ簡単にＸ線検査を行うことが可能となる。
　また、上述した実施形態によれば、基板１１２ａには複数のＸ線ナノターゲット１１２ｂが設けられ、ターゲット位置テーブル２１１は、複数あるＸ線ナノターゲット１１２ｂ各々について位置情報を記憶する。この結果、基板１１２ａに複数のＸ線ナノターゲット１１２ｂに対して迅速かつ簡単に電子ビームを照射してＸ線検査を行うことが可能であり、更に、他のＸ線ナノターゲット１１２ｂに簡単に切り替えることが可能となる。
　また、上述した実施形態によれば、基板１１２ａを電子ビームで走査するように電子ビーム照射部１１１を制御して照射情報を検出する取得部２２１と、取得部２２１による検出結果に基づいて、基板１１２ａにおいてＸ線ナノターゲット１１２ｂが位置する位置情報を特定する特定部２２２と、特定部２２２により特定された位置情報をターゲット位置テーブル２１１に格納する格納部２２３を有する。この結果、基板１１２ａに設けられたＸ線ナノターゲット１１２ｂの位置情報を確実かつ迅速に取得して格納しておくことが可能となる。
　また、上述した実施形態によれば、特定部２２２は、照射情報に基づいて基板１１２ａの画像情報を作成し、画像情報において、基板１１２ａにおいて走査された領域の内Ｘ線ナノターゲット１１２ｂに電子ビームが照射された照射位置を示すＸ線ナノターゲット範囲を識別し、Ｘ線ナノターゲット範囲の中心位置を識別することで、位置情報を特定する。この結果、基板１１２ａに設けられたＸ線ナノターゲット１１２ｂの位置情報を簡単かつ迅速に特定可能となる。
　また、上述した実施形態によれば、ターゲット位置テーブル２１１は、複数あるＸ線ナノターゲット１１２ｂごとに、位置情報を特定する際に用いた電子ビームの照射条件を更に記憶し、格納部２２３は、位置情報と照射条件とをターゲット位置テーブル２１１に格納する。この結果、Ｘ線検査を行う際に、検査目的に応じて適切なＸ線ナノターゲット１１２ｂを選択して用いることが可能となる。
（第２の実施形態）
　以下では、Ｘ線検査装置１００において、サンプルのうち見たい部分がＸ線画像の中心に位置するように調整する場合について説明する。以下では、説明の便宜上、第１の実施形態と同様の点については説明を省略する。
　第２の実施形態におけるＸ線検査システムは、１つの実施形態において、電子ビーム照射部が電子ビームを照射することでＸ線ナノターゲットからＸ線を発生するＸ線検査装置を備える。また、第２の実施形態におけるＸ線検査システムは、Ｘ線検査装置の電子ビーム照射部がＸ線ナノターゲットに電子ビームを照射して前記Ｘ線ナノターゲットからＸ線を照射することで撮影されたＸ線画像における中心を示す位置情報と、前記Ｘ線画像において垂直方向に前記Ｘ線ナノターゲットがある位置を示す位置情報との差分を算出する差分算出部と、前記差分算出部により算出された差分を解消する方向にＸ線検査装置を調整する位置調整部とを有する制御装置とを備える。
　第２の実施形態におけるＸ線検査システムは、例えば、１つの実施形態において、前記差分算出部は、複数の前記差分ごとに該差分がある状況において得られるＸ線画像又はシミュレーション画像を記憶する記憶部を参照し、撮影されたＸ線画像と前記記憶部に記憶されているＸ線画像又はシミュレーション画像とのマッチングを行うことで、差分を算出する。
　第２の実施形態におけるＸ線検査システムは、例えば、１つの実施形態において、前記制御装置は、前記シミュレーション画像を差分ごとに作成する作成部を更に備える。また、第２の実施形態におけるＸ線検査システムでは、前記差分算出部は、前記作成部により作成された前記シミュレーション画像各々とのマッチングを行うことで差分を算出する。
　第２の実施形態におけるＸ線検査システムは、例えば、１つの実施形態において、Ｘ線検査装置は、前記Ｘ線ナノターゲットから照射されたＸ線を検出する検出部としてＸ線カメラを有し、前記位置調整部は、前記Ｘ線カメラの位置と、前記Ｘ線カメラのあおり角との内少なくとも一方を変更するように制御することで、前記Ｘ線検査装置を調整する。
　第２の実施形態におけるＸ線検査システムは、例えば、１つの実施形態において、前記差分算出部は、前記位置情報として、前記Ｘ線画像における座標を用いる。
　第２の実施形態における制御方法は、１つの実施形態において、Ｘ線検査装置の電子ビーム照射部がＸ線ナノターゲットに電子ビームを照射して前記Ｘ線ナノターゲットからＸ線を照射することで撮影されたＸ線画像における中心を示す位置情報と、前記Ｘ線画像において垂直方向に前記Ｘ線ナノターゲットがある位置を示す位置情報との差分を算出する差分算出工程と、前記差分算出工程により算出された差分を解消する方向にＸ線検査装置を調整する位置調整工程とを含む。
　第２の実施形態における制御プログラムは、１つの実施形態において、Ｘ線検査装置の電子ビーム照射部がＸ線ナノターゲットに電子ビームを照射して前記Ｘ線ナノターゲットからＸ線を照射することで撮影されたＸ線画像における中心を示す位置情報と、前記Ｘ線画像において垂直方向に前記Ｘ線ナノターゲットがある位置を示す位置情報との差分を算出する差分算出手順と、前記差分算出手順により算出された差分を解消する方向にＸ線検査装置を調整する位置調整手順とをコンピュータに実行させる。
　第２の実施形態における制御装置は、１つの実施形態において、Ｘ線検査装置の電子ビーム照射部がＸ線ナノターゲットに電子ビームを照射して前記Ｘ線ナノターゲットからＸ線を照射することで撮影されたＸ線画像における中心を示す位置情報と、前記Ｘ線画像において垂直方向に前記Ｘ線ナノターゲットがある位置を示す位置情報との差分を算出する差分算出部と、前記差分算出部により算出された差分を解消する方向にＸ線検査装置を調整する位置調整部とを備える。
（第２の実施形態に係るＸ線検査システム）
　図１３は、第２の実施形態に係る制御装置を含むＸ線検査システムの構成の一例を示すブロック図である。なお、図１３に示す例では、第１の実施形態において説明した各構成に加えて、記憶部２１０が差分用画像テーブル２１２を更に有し、制御部２２０がシミュレーション画像作成部２２５と、差分算出部２２６と、位置調整部２２７とを更に備える場合を例に示したが、これに限定されるものではない。例えば、第１の実施形態において記憶部２１０や制御部２２０が有する各部の内、一部又は全てについて、矛盾を起こさない範囲において有さなくても良い。
　制御装置２００は、記憶部２１０に、差分用画像テーブル２１２を有する。差分用画像テーブル２１２は、複数の差分ごとに差分がある状況において得られるＸ線画像又はシミュレーション画像を記憶する。
　ここで、差分とは、Ｘ線検査装置１００の電子ビーム照射部１１１がＸ線ナノターゲット１１２ｂに電子ビームを照射してＸ線ナノターゲット１１２ｂからＸ線を照射することで撮影されたＸ線画像における中心を示す位置情報と、Ｘ線画像において垂直方向にＸ線ナノターゲット１１２ｂがある位置を示す位置情報との差分を示す。
　図１４～図１７を用いて、第２の実施形態における差分について説明する。図１４及び図１５は、第２の実施形態におけるＸ線ナノターゲットを有するＸ発生用ターゲットと、サンプルステージと、カメラとの関係の一例を示す図である。図１４に示す例では、Ｘ線カメラ１０８により撮影される範囲の中心にＸ線ナノターゲット１１２ｂが位置する場合を示し、図１５に示す例では、Ｘ線カメラ１０８により撮影される範囲の周辺部にＸ線ナノターゲット１１２ｂが位置する場合を例に示した。すなわち、図１４に示す例では、Ｘ線カメラ１０８により撮影されるＸ線画像の範囲４０２の中心に相当する位置と基板４０１の垂直線上に、Ｘ線ナノターゲット１１２ｂが位置する。また、図１５に示す例では、Ｘ線カメラ１０８により撮影されるＸ線画像の範囲４０３の周辺部に相当する位置と基板４０１の垂直線上に、Ｘ線ナノターゲット１１２ｂが位置する。なお、基板４０１には、垂直方向に複数の穴が設けられているものとして説明する。
　図１６は、第２の実施形態におけるカメラにより撮影される範囲の中心にＸ線ナノターゲット１１２ｂが位置する場合の一例を示す図である。図１６に示すように、Ｘ線カメラ１０８により撮影されるＸ線画像の範囲４０２の中心に相当する位置と基板４０１の垂直線上に、Ｘ線ナノターゲット１１２ｂが位置する場合、Ｘ線画像の中心位置においては、Ｘ線ナノターゲット１１２ｂから基板４０１へと垂直方向にＸ線が入射することになる。一方、周辺部では、Ｘ線は、垂直方向からずれて、すなわち、角度を持って基板４０１へと入射することになる。この結果、図１６に示すように、Ｘ線画像の中心位置に対応する基板４０１の穴４０４については、穴が設けられた方向とＸ線の入射方向とが一致しており、基板４０１の照射面における穴に相当する画像が得られる。一方、Ｘ線画像の周辺部に対応する基板４０１の穴については、穴が設けられた方向とＸ線の入射方向とが一致しておらず、垂直方向から角度を持って、いわば斜め方向にＸ線が入射する結果、穴の壁面や底部に相当する映像が基板４０１の照射面における穴と外れて映ることになる。
　また、図１７は、第２の実施形態におけるカメラにより撮影される範囲の周辺部にＸ線ナノターゲットが位置する場合の一例を示す図である。図１７に示すように、周辺部にＸ線ナノターゲット１１２ｂに相当する位置がある場合には、周辺部にある基板４０１の穴４０５については、基板４０１の照射面における穴に相当する画像が得られる一方、他の穴については、基板４０１の照射面における穴に相当する画像と外れて、穴の壁面や底部に相当する映像が映ることになる。
　図１８は、第２の実施形態における差分用画像テーブルに記憶される情報の一例を示す図である。図１８に示すように、差分用画像テーブル２１２は、差分に対応付けて画像を記憶する。図１８に示す例では、差分として、差分の種類を示す「種類」と、差分の値を示す「差分値」とを記憶する。なお、図１８に示す例では、空欄になっているが、差分に対応付けて画像データを記憶しているものとする。
　また、図１８に示す例では、差分の種類として、画像における中心座標からの差分を示す「座標差分」、又は、垂直方向からのずれ角を示す「あおり角差分」とを記憶する場合を例に示した。例えば、差分用画像テーブル２１２は、種類「座標差分」と、差分「１μｍ、０μｍ」と、画像とを対応付けて記憶する。すなわち、差分用画像テーブル２１２は、Ｘ線画像の中心座標からｘ軸において１μｍずれ、ｙ軸において０μｍずれた位置に、Ｘ線ナノターゲット１１２ｂに対応する位置がある場合において得られるＸ線画像又はシミュレーション画像について、種類「座標差分」と差分「１μｍ、０μｍ」とに対応付けて記憶する。
　また、同様に、差分用画像テーブル２１２は、種類「あおり角差分」と差分「１度、０度」と、画像とを対応付けて記憶する。すなわち、差分用画像テーブル２１２は、あおり角が、垂直方向を基準としてｘ軸において１度ずれ、ｙ軸において０度ずれた場合に得られるＸ線画像又はシミュレーション画像について、種類「あおり角差分」と差分「１度、０度」とに対応付けて記憶する。
　なお、図１８に示す例は一例であり、これに限定されるものではない。例えば、差分として、座標差分とあおり角差分との組み合わせに対応付けて画像を記憶しても良く、座標差分とあおり角差分との内一方を用いなくても良い。また、差分値としては、差分が一意に特定できる情報であれば任意の値を用いて良い。
　図１９は、第２の実施形態におけるあおり角について示す図である。図１９に示すように、Ｘ線カメラ１０８は、あおり角を変更可能なように設けられる。ここで、あおり角差分とは、例えば、垂直方向を基準とした上でのずれを示し、任意に設定されるＸ軸及びＹ軸における角度として示される。
　制御部２２０は、シミュレーション画像作成部２２５と、差分算出部２２６と、位置調整部２２７とを更に備える。
　シミュレーション画像作成部２２５は、シミュレーション画像を差分ごとに作成する。シミュレーション画像は、任意の手法にて作成して良い。なお、以下では、制御部２２０が、シミュレーション画像作成部２２５を有する場合を例に説明するが、これに限定されるものではなく、シミュレーション画像作成部２２５を有さなくても良い。
　差分算出部２２６は、Ｘ線検査装置１００の電子ビーム照射部がＸ線ナノターゲット１１２ｂに電子ビームを照射してＸ線ナノターゲット１１２ｂからＸ線を照射することで撮影されたＸ線画像における中心を示す位置情報と、Ｘ線画像において垂直方向にＸ線ナノターゲット１１２ｂがある位置を示す位置情報との差分を算出する。
　具体的には、差分算出部２２６は、Ｘ線検査装置１００がＸ線画像を撮影すると、複数の差分ごとに差分がある状況において得られるＸ線画像又はシミュレーション画像を記憶する差分用画像テーブル２１２を参照し、撮影されたＸ線画像と差分用画像テーブル２１２に記憶されているＸ線画像又はシミュレーション画像とのマッチングを行うことで、差分を算出する。
　例えば、差分算出部２２６は、差分用画像テーブル２１２を参照することで、撮影されたＸ線画像に最も近似する画像を１つ選択し、選択した画像に対応付けられた差分を差分用画像テーブル２１２から取得することで、差分を算出する。
　なお、ここで、差分算出部２２６は、マッチングするごとに、撮影した画像とマッチングした画像とのマッチング具合を示す値を算出し、マッチングした画像に対応付けられた差分と紐付けてグラフにプロットしても良い。この場合、差分算出部２２６は、差分用画像テーブル２１２に記憶された画像各々についてプロットを行った後、最もスコアが高くなる点を識別し、識別した点に対応する差分を算出しても良い。また、差分算出部２２６は、差分用画像テーブル２１２に記憶された画像の内一部又は全てを用いても良い。また、差分用画像テーブル２１２は、差分用画像テーブル２１２に記憶された画像の内一部を用いる場合、差分用画像テーブル２１２から読み出して用いる画像に紐付けられた差分と、次に読み出す画像に対応付けられた差分との差を大きくしたり小さくしたりすることで、算出する差分の精度を調整しても良い。
　位置調整部２２７は、差分算出部２２６により算出された差分を解消する方向にＸ線検査装置１００を調整する。具体的には、位置調整部２２７は、Ｘ線カメラ１０８の位置と、Ｘ線カメラ１０８のあおり角との内少なくとも一方を変更するように制御する。例えば、位置調整部２２７は、差分算出部２２６により差分用画像テーブル２１２から取得された差分と同じ量、Ｘ線カメラ１０８の位置やカメラのあおり角を変更する。例えば、種類「座標差分」と差分「１μｍ、０μｍ」との組み合わせが差分算出部２２６により算出された場合には、位置調整部２２７は、Ｘ線カメラ１０８の位置を「－１μｍ、０μｍ」移動するように調整することで、差分を解消する。また、例えば、種類「あおり角差分」と差分「１度、０度」との組み合わせが差分算出部２２６により算出された場合には、位置調整部２２７は、Ｘ線カメラ１０８のあおり角を「－１度、０度」移動するように調整することで、差分を解消する。
　なお、上述した差分の解消方法は一例であり、これに限定されるものではない。例えば、サンプルステージ１０６を移動することが可能な場合には、移動ステージを併せて、又は、単独にて移動することで差分を解消しても良い。上述した差分算出部２２６と、位置調整部２２７とによる詳細な処理の一例については後述するためここでは説明を省略する。
（電子ビームの照射位置を調整する処理の流れ）
　図２０は、第２の実施形態における電子ビームの照射位置を調整する処理の流れの一例を示すフローチャートである。
　図２０に示すように、Ｘ線検査装置１００によってＸ線画像が撮影されると（ステップＳ２０１肯定）、差分用画像テーブル２１２を参照し、撮影されたＸ線画像と差分用画像テーブル２１２に記憶されているＸ線画像又はシミュレーション画像とのマッチングを行う（ステップＳ２０２）。例えば、差分算出部２２６は、差分用画像テーブル２１２に記憶された画像各々について、撮影したＸ線画像とマッチングを行う。そして、差分算出部２２６は、最も近似する画像を１つ選択し、選択した画像に対応付けられた差分を差分用画像テーブル２１２から取得することで、差分を算出する（ステップＳ２０３）。
　そして、位置調整部２２７は、差分算出部２２６により算出された差分を解消する方向にＸ線検査装置１００を調整する（ステップＳ２０４）。例えば、種類「座標差分」と差分「１μｍ、０μｍ」との組み合わせが差分算出部２２６により算出された場合には、位置調整部２２７は、Ｘ線カメラ１０８の位置を「－１μｍ、０μｍ」移動するように調整することで、差分を解消する。
　なお、上記の処理手順は、上記の順番に限定されるものではなく、処理内容を矛盾させない範囲で適宜変更しても良い。
（第２の実施形態の効果）
　上述した実施形態によれば、基板１１２ａに設けられたＸ線ナノターゲット１１２ｂを用いて、検査対象物のＸ線像を適切に取得することが可能となる。
　また、上述したように、第２の実施形態によれば、制御装置２００は、Ｘ線検査装置１００の電子ビーム照射部がＸ線ナノターゲット１１２ｂに電子ビームを照射してＸ線ナノターゲット１１２ｂからＸ線を照射することで撮影されたＸ線画像における中心を示す位置情報と、Ｘ線画像において垂直方向にＸ線ナノターゲット１１２ｂがある位置を示す位置情報との差分を算出する差分算出部２２６と、差分算出部２２６により算出された差分を解消する方向にＸ線検査装置１００を調整する位置調整部２２７とを有する。この結果、サンプルのうち見たい部分がＸ線画像の中心に位置するようにすることが可能となる。
　例えば、測定時には測定対象物を中心に合わせて測定するが、これがずれると、Ｘ線画像の中心からＸ線が照射されていないことになり、奥行きが斜め方向に撮像されることになる。これに対して、上述した実施形態によれば、Ｘ線画像の中心からＸ線が照射されるように制御可能となる。
　また、上述したように、第２の実施形態によれば、差分算出部２２６は、複数の差分ごとに差分がある状況において得られるＸ線画像又はシミュレーション画像を記憶する差分用画像テーブル２１２を参照し、撮影されたＸ線画像と記憶部に記憶されているＸ線画像又はシミュレーション画像とのマッチングを行うことで、差分を算出する。この結果、差分を確実に算出可能となる。
　また、上述したように、第２の実施形態によれば、シミュレーション画像を差分ごとに作成するシミュレーション画像作成部２２５を更に備え、差分算出部２２６は、シミュレーション画像作成部２２５により作成された前シミュレーション画像各々とのマッチングを行うことで差分を算出する。この結果、差分を確実に算出可能となる。
　また、上述したように、第２の実施形態によれば、Ｘ線検査装置１００はＸ線カメラを有し、位置調整部２２７は、Ｘ線カメラの位置と、Ｘ線カメラのあおり角との内少なくとも一方を変更するように制御することで、Ｘ線検査装置１００を調整する。この結果、簡単かつ高精度に調整可能となる。
（第３の実施形態）
　第３の実施形態では、Ｘ線発生用ターゲット１１２が、基板１１２ａと、基板１１２ａに複数設けられる第１の大きさを有する第１のＸ線ナノターゲット１１２ｆと、基板１１２ａの内第１のＸ線ナノターゲット１１２ｆにより特定される位置に設けられ、第１の大きさよりも小さい第２の大きさを有する第２のＸ線ナノターゲット１１２ｇとを備える場合について説明する。以下では、説明の便宜上、第２の実施形態と同様の点については説明を省略する。なお、Ｘ線ナノターゲット１１２ｆ－１，１１２ｆ－２，１１２ｆ－１ａ～１ｄ，１１２ｆ－２ａ，１１２ｆ－２ｂをまとめてＸ線ナノターゲット１１２ｆと称する。
　また、第３の実施形態では、例えば、Ｘ線発生用ターゲット１１２は、基板１１２ａには、複数ある第１のＸ線ナノターゲット１１２ｆと、複数ある第１のＸ線ナノターゲット１１２ｆにより特定される第１のＸ線ナノターゲット１１２ｇとを含むＸ線ナノターゲット群１１２ｈが、複数設けられる。
　また、第３の実施形態では、例えば、Ｘ線発生用ターゲット１１２では、複数あるＸ線ナノターゲット群は、基板１１２ａ上に配列される。また、第１のＸ線ナノターゲット１１２ｆは、隣接するＸ線ナノターゲット群１１２ｈ各々に含まれる第１のＸ線ナノターゲット１１２ｇ各々の間に、隣接するＸ線ナノターゲット群１１２ｈ各々に共有される形にて設けられる。
　また、第３の実施形態では、例えば、Ｘ線発生用ターゲット１１２では、複数あるＸ線ナノターゲット群１１２ｈは、基板１１２ａ上に格子状に配列される。また、第１のＸ線ナノターゲット１１２ｆには、複数のサイズがあり、Ｘ線ナノターゲット群１１２ｈ各々の配列方向ごとに、異なるサイズの第１のＸ線ナノターゲット１１２ｆが設けられる。
　また、第３の実施形態では、例えば、Ｘ線発生用ターゲット１１２では、基板１１２ａには、Ｘ線ナノターゲット群１１２ｈを識別する識別情報が設けられる。
　また、第３の実施形態では、電子ビーム照射部１１１が電子ビームを照射することでＸ線ナノターゲットからＸ線を発生するＸ線検査装置１００と、Ｘ線検査装置１００を制御する制御装置２００とを有する。また、制御装置２００は、基板１１２ａと、基板１１２ａに複数設けられる第１の大きさを有する第１のＸ線ナノターゲット１１２ｆと、基板１１２ａの内第１のＸ線ナノターゲット１１２ｆにより特定される位置に設けられ、第１の大きさよりも小さい第２の大きさを有する第１のＸ線ナノターゲット１１２ｇとを有するＸ線発生用ターゲット１１２に対して、Ｘ線検査装置１００の電子ビーム照射部１１１が電子ビームを照射するように制御する照射制御部と、第１のＸ線ナノターゲット１１２ｆ及び／又は第１のＸ線ナノターゲット１１２ｇの位置関係に基づいて、Ｘ線ナノターゲットを切り替えるＸ線ナノターゲット切替部とを有する。
　また、第３の実施形態では、照射制御部は、Ｘ線ナノターゲット切替部によりＸ線ナノターゲットが切り替えられる際に、切り替え前後において同一のサンプルについてのＸ線画像を取得する。
　また、第３の実施形態では、制御装置２００は、照射制御部により取得されたＸ線画像各々を比較する比較部と、比較部による比較結果に基づいて照射制御部による電子ビームの照射条件を調整する調整部とを更に有する。
　また、第３の実施形態では、比較部は、Ｘ線検査装置の電子ビーム照射部１１１がＸ線ナノターゲットに電子ビームを照射してＸ線ナノターゲットからＸ線を照射することで撮影されたＸ線画像における中心を示す位置情報と、Ｘ線画像において垂直方向にＸ線ナノターゲットがある位置を示す位置情報との差分を算出し、調整部は、比較部により算出された差分を解消する方向にＸ線検査装置１００を調整する。
　また、第３の実施形態では、制御装置２００は、基板１１２ａと、基板１１２ａに複数設けられる第１の大きさを有する第１のＸ線ナノターゲット１１２ｆと、基板１１２ａの内第１のＸ線ナノターゲット１１２ｆにより特定される位置に設けられ、第１の大きさよりも小さい第２の大きさを有する第１のＸ線ナノターゲット１１２ｇとを有するＸ線発生用ターゲット１１２に対して、Ｘ線検査装置の電子ビーム照射部１１１が電子ビームを照射するように制御する照射制御部と、照射制御部により電子ビームが照射されるＸ線ナノターゲットを切り替える際に、切り替え前後において同一のサンプルについてのＸ線画像を取得するＸ線画像取得部とを有する。
　また、第３の実施形態では、制御方法は、基板１１２ａと、基板１１２ａに複数設けられる第１の大きさを有する第１のＸ線ナノターゲット１１２ｆと、基板１１２ａの内第１のＸ線ナノターゲット１１２ｆにより特定される位置に設けられ、第１の大きさよりも小さい第２の大きさを有する第１のＸ線ナノターゲット１１２ｇとを有するＸ線発生用ターゲット１１２に対して、Ｘ線検査装置の電子ビーム照射部１１１が電子ビームを照射するように制御する照射制御工程と、照射制御工程により電子ビームが照射されるＸ線ナノターゲットを切り替える際に、切り替え前後において同一のサンプルについてのＸ線画像を取得するＸ線画像取得工程とを含む。
　また、第３の実施形態では、制御プログラムは、基板１１２ａと、基板１１２ａに複数設けられる第１の大きさを有する第１のＸ線ナノターゲット１１２ｆと、基板１１２ａの内第１のＸ線ナノターゲット１１２ｆにより特定される位置に設けられ、第１の大きさよりも小さい第２の大きさを有する第１のＸ線ナノターゲット１１２ｇとを有するＸ線発生用ターゲット１１２に対して、Ｘ線検査装置の電子ビーム照射部１１１が電子ビームを照射するように制御する照射制御手順と、照射制御部により電子ビームが照射されるＸ線ナノターゲットを切り替える際に、切り替え前後において同一のサンプルについてのＸ線画像を取得するＸ線画像取得手順とをコンピュータに実行させる。
　図２１は、第３の実施形態に係る制御装置を含むＸ線検査システムの構成の一例を示すブロック図である。なお、図２１に示す例では、第２の実施形態において説明した各構成に加えて、制御部２２０が、照射制御部２２４ａと、比較部２２８と、調整部２２９とを更に有する場合を例に示したが、これに限定されるものではない。例えば、第１の実施形態又は第２の実施形態において記憶部２１０や制御部２２０が有する各部の内、一部又は全てについて、矛盾を起こさない範囲において有さなくても良い。なお、照射制御部２２４ａは、Ｘ線ナノターゲット切替部、Ｘ線画像取得部とも称する。
　ここで、第３の実施形態に係る制御装置を含むＸ線検査システムの各部について説明する前に、第３の実施形態におけるＸ線発生用ターゲット１１２について更に説明する。
　図２２は、第３の実施形態におけるＸ発生用ターゲットの一例を示す図である。図２２に示すように、Ｘ線発生用ターゲット１１２は、基板１１２ａ上に、基板１１２ａに複数設けられる第１の大きさを有する第１のＸ線ナノターゲット１１２ｆと、基板１１２ａの内第１のＸ線ナノターゲット１１２ｆにより特定される位置に設けられ、第１の大きさよりも小さい第２の大きさを有する第２のＸ線ナノターゲット１１２ｇとを有する。
　例えば、図２２に示す例では、Ｘ線発生用ターゲット１１２が、第１のＸ線ナノターゲット１１２ｆとして、２つの異なる大きさを有する場合を例に示した。すなわち、Ｘ線発生用ターゲット１１２が、２つの第１のＸ線ナノターゲット１１２ｆ－１と、第１のＸ線ナノターゲット１１２ｆ－１よりもサイズの小さい２つの第１のＸ線ナノターゲット１１２ｆ－２とを有する場合を例に示した。ただし、Ｘ線発生用ターゲット１１２は、これに限定されるものではなく、複数設けられるＸ線ナノターゲット１１２ｆは、全て同一の大きさであっても良い。また、Ｘ線ナノターゲット１１２ｆは、異なる大きさである場合には、大きさごとの数は任意の数であって良い。
　また、図２２に示す例では、２つの第１のＸ線ナノターゲット１１２ｆ－１の間、又は、２つの第１のＸ線ナノターゲット１１２ｆ－２の間に、第２のＸ線ナノターゲット１１２ｇが１５μｍ間隔にて、３つ、設けられる場合を例に示したが、これに限定されるものではない。Ｘ線ナノターゲットが設けられる間隔は任意の距離で良く、設けられる第２のＸ線ナノターゲット１１２ｇの数も任意であって良い。
　図２３は、第３の実施形態におけるＸ発生用ターゲットの一例を示す図である。図２３に示すように、Ｘ線発生用ターゲット１１２は、基板１１２ａに、複数ある第１のＸ線ナノターゲット１１２ｆと、複数ある第１のＸ線ナノターゲット１１２ｆにより特定される第２のＸ線ナノターゲット１１２ｇとを含むＸ線ナノターゲット群１１２ｈが、複数設けられても良い。なお、図２３に記載したＸ線ナノターゲット間の距離は一例であり、これに限定されるものではなく、任意の値であって良い。
　また、図２２や図２３に示すように、基板１１２ａには、Ｘ線ナノターゲット群１１２ｈを識別する識別情報１１２ｉが設けられても良い。ここで、識別情報１１２ｉは、任意の情報であって良く、例えば、アルファベットや数字、任意の記号などであって良い。
　また、複数あるＸ線ナノターゲット群が基板１１２ａ上に配列される場合に、第１のＸ線ナノターゲット１１２ｆは、隣接するＸ線ナノターゲット群１１２ｈ各々に含まれる第２のＸ線ナノターゲット１１２ｇ各々の間に、隣接するＸ線ナノターゲット群１１２ｈ各々に共有される形にて設けられても良い。
　図２３に示す例では、複数あるＸ線ナノターゲット群１１２ｈが、基板１１２ａ上に配列される場合を例に示したがこれに限定されるものではない。また、図２４に示す例では、第１のＸ線ナノターゲット１１２ｆには、複数のサイズがあり、Ｘ線ナノターゲット群１１２ｈ各々の配列方向ごとに、異なるサイズの第１のＸ線ナノターゲット１１２ｆが設けられる場合を例に示したが、これに限定されるものではない。また、図２３に示す配列状態は一例であって、これに限定されるものではなく、任意の配列状態であって良い。
　図２１の説明に戻る。図２４は、第３の実施形態におけるターゲット位置テーブルに記憶される情報の一例を示す図である。図２４に示す例では、ターゲット位置テーブル２１１ａは、図７に示す各種情報に加えて、Ｘ線ナノターゲット１１２の使用状態を示す「使用状態」と、Ｘ線画像を撮影する際に用いられる照射条件を示す「照射条件」と、対応づけられたＸ線ナノターゲットを用いて撮影されたＸ線画像を示す「画像情報」とを記憶する。また、図２１に示す例では、詳細については後述するように、「切り替え前」「切り替え後」とについて、それぞれ、照射条件と画像情報とを記憶する場合を例に示した。
　例えば、図２４に示す例では、ターゲット位置テーブル２１１ａは、ターゲットＩＤ「Ｔ００１」に対応づけて、使用状態「済み」と、照射条件「…」と、画像情報「画像Ａ」とを対応付けて記憶する。すなわち、ターゲット位置テーブル２１１ａは、ターゲットＩＤ「Ｔ００１」について、使用済みであり、切り替え前の照射条件「…」を用いて、ターゲットＩＤ「Ｔ００１」のＸ線ナノターゲットで撮影された画像として「画像Ａ」を記憶する。
　なお、図２４に示す例では、記載の便宜上、使用状態や画像情報と対応づけて記憶される照射条件の詳細については記載していないが、任意の情報であって良く、例えば、図７に示すターゲット位置テーブル２１１に記憶される各項目を用いても良い。
　第３の実施形態に係る制御装置２００では、照射制御部２２４ａが、基板１１２ａと、基板１１２ａに複数設けられる第１の大きさを有する第１のＸ線ナノターゲット１１２ｆと、基板１１２ａの内第１のＸ線ナノターゲット１１２ｆにより特定される位置に設けられ、第１の大きさよりも小さい第２の大きさを有する第２のＸ線ナノターゲット１１２ｇとを有するＸ線発生用ターゲット１１２に対して、Ｘ線検査装置１００の電子ビーム照射部１１１が電子ビームを照射するように制御する。
　また、照射制御部２２４ａは、第１のＸ線ナノターゲット１１２ｆ及び／又は第２のＸ線ナノターゲット１１２ｇの位置関係に基づいて、Ｘ線ナノターゲットを切り替える。例えば、照射制御部２２４ａは、Ｘ線を照射する場合には、Ｘ線管にセットされたＸ線発生用ターゲット１１２の識別情報に対応付けられたナノターゲットＩＤを１つ選択し、選択したナノターゲットＩＤに紐付けられた位置情報を取得する。そして、照射制御部２２４ａは、第１のＸ線ナノターゲット１１２ｆを識別可能な拡大倍率を用いて識別した第１のＸ線ナノターゲット１１２ｆを識別し、第２のＸ線ナノターゲット１１２ｇを識別可能な拡大倍率を用いて、識別した第１のＸ線ナノターゲット１１２ｆの位置により特定される位置に設けられる第２のＸ線ナノターゲット１１２ｇを、識別した第１のＸ線ナノターゲット１１２ｆの位置に基づいて識別する。そして、照射制御部２２４ａは、ターゲット位置テーブル２１１に対応する位置にあって識別した第２のＸ線ナノターゲット１１２ｇに焦点があうように、Ｘ線ナノターゲット１１２ｂからＸ線をサンプルステージ１０６に向けて発生させる。
　また、照射制御部２２４ａは、Ｘ線ナノターゲットが切り替えられる際、切り替え前後において同一のサンプルについてのＸ線画像を取得する。Ｘ線画像を取得する手法自体については、任意の手法を用いて良く、説明を省略する。この際、照射制御部２２４ａは、切り替え前後において、対応するＸ線ナノターゲットに関する照射情報と画像情報とをターゲット位置テーブル２１１ａに格納する。
　なお、照射制御部２２４ａによる詳細な処理の一例については、後述するフローチャートを用いて説明する。
　比較部２２８は、照射制御部２２４ａにより取得されたＸ線画像各々を比較する。例えば、比較部２２８は、差分算出部２２６と同様に、Ｘ線検査装置１００の電子ビーム照射部１１１がＸ線ナノターゲットに電子ビームを照射してＸ線ナノターゲットからＸ線を照射することで撮影されたＸ線画像における中心を示す位置情報と、Ｘ線画像において垂直方向にＸ線ナノターゲットがある位置を示す位置情報との差分を算出する。
　調整部２２９は、比較部２２８による比較結果に基づいて照射制御部２２４による電子ビームの照射条件を調整する。例えば、調整部２２９は、位置調整部２２７と同様に、比較部２２８により算出された差分を解消する方向にＸ線検査装置１００を調整する。
　なお、上述した説明では、比較部２２８と調整部２２９とが、それぞれ、差分算出部２２６と位置調整部２２７と同様の処理を行う場合を例について説明したが、これに限定されるものではない。
（第３の実施形態による処理の流れ）
　図２５は、第３の実施形態におけるＸ線ナノターゲット切り替え処理の流れの一例を示すフローチャートである。制御装置２００では、切り替えタイミングとなると（ステップＳ３０１肯定）、照射制御部２２４ａは、現在のＸ線の照射条件を取得してターゲット位置テーブル２１１ａに格納し（ステップＳ３０２）、Ｘ線画像を撮影してターゲット位置テーブル２１１ａに格納し（ステップＳ３０３）、使用状態を「済み」に更新する（ステップＳ３０４）。
　例えば、ターゲットＩＤ「Ｔ００１」により識別されるＸ線ナノターゲット１１２の使用が終了した場合には、照射制御部２２４ａは、ターゲットＩＤ「Ｔ００１」の切り替え元となるＸ線ナノターゲットの情報として、現在用いている照射条件を格納し、撮影したＸ線画像を格納し、使用状態を「済み」に更新する。
　そして、照射制御部２２４ａは、次のターゲットＩＤを選択し、ターゲットＩＤにより識別されるＸ線ナノターゲットに切り替える（ステップＳ３０５）。例えば、照射制御部２２４ａは、ターゲット位置テーブル２１１ａに記憶された位置情報や、第１のＸ線ナノターゲット１１２ｆと第２のＸ線ナノターゲット１１２ｇの位置関係に基づいて、切り替え後のＸ線ナノターゲットを切り替える。
　例えば、照射制御部２２４ａは、ターゲット位置テーブル２１１ａに記憶された位置情報に基づいて切り替えた上で、第１のＸ線ナノターゲット１１２ｆと第２のＸ線ナノターゲット１１２ｇの位置関係に基づいて、異なる倍率の吸収電流像を使い分けることで、焦点があっているかを確認したり照射条件を調整したりする。
　そして、照射制御部２２４ａは、切り替え前後において同一のサンプルについてのＸ線画像を取得する（ステップＳ３０６）。例えば、照射制御部２２４ａは、切り替えが終了すると、切り替え後において、切り替え前と同一のサンプルについてのＸ線画像を撮影する。例えば、制御部２８は、照射制御部２２４ａは、現在のＸ線の照射条件を取得してターゲット位置テーブル２１１ａに格納し（ステップＳ３０７）、Ｘ線画像を撮影してターゲット位置テーブル２１１ａに格納し（ステップＳ３０８）、使用状態を「使用中」に更新する（ステップＳ３０９）。
　例えば、ターゲットＩＤ「Ｔ００２」により識別されるＸ線ナノターゲット１１２に切り替えた場合には、照射制御部２２４ａは、ターゲットＩＤ「Ｔ００２」の切り替え先となるＸ線ナノターゲットの情報として、現在用いている照射条件を格納し、撮影したＸ線画像を格納し、使用状態を「使用中」に更新する。
　そして、比較部２２８は、照射制御部２２４ａにより取得されたＸ線画像各々を比較し（ステップＳ３１０）、調整部２２９が、比較部２２８による比較結果に基づいて照射制御部２２４による電子ビームの照射条件を調整する（ステップＳ３１１）。例えば、第２の実施形態の差分算出部２２６や位置調整部２２７と同様に、比較部２２８が差分を算出して、調整部２２９が位置を調整する。
　なお、上記の処理手順は、上記の順番に限定されるものではなく、処理内容を矛盾させない範囲で適宜変更しても良い。例えば、上記のステップＳ３０２～Ｓ３０４、Ｓ３０７～Ｓ３０９について、任意の順番に入れ替えても良い。
（第３の実施形態による効果）
　上述したように、第３の実施形態では、Ｘ線発生用ターゲット１１２が、基板１１２ａと、基板１１２ａに複数設けられる第１の大きさを有する第１のＸ線ナノターゲット１１２ｆと、基板１１２ａの内第１のＸ線ナノターゲット１１２ｆにより特定される位置に設けられ、第１の大きさよりも小さい第２の大きさを有する第２のＸ線ナノターゲット１１２ｇとを備える。この結果、Ｘ線ナノターゲットに簡単に位置合わせ可能となる。
　すなわち、Ｘ線ナノターゲットには寿命があり、一定の時間ごとに交換する必要がある。例えば、Ｘ線ナノターゲットの寿命を３００時間とすると、連続検査を行う場合には、１２日ごとに電子ビームが照射されるＸ線ナノターゲットを交換することになる。ここで、上述したように、第２のＸ線ナノターゲット１１２ｇが、第１のＸ線ナノターゲット１１２ｆにより特定される位置に設けられることで、第１のＸ線ナノターゲット１１２ｆが識別可能な解像度を用いて、まずは第１のＸ線ナノターゲット１１２ｆを識別し、その上で、より小さい第２のＸ線ナノターゲット１１２ｇを、識別した第１のＸ線ナノターゲット１１２ｆの位置に基づいて識別することが可能となる。この結果、第２のＸ線ナノターゲットｇを識別可能な解像度とする場合、電子ビームの照射範囲が小さくなり、一度に捜査できる範囲が小さくなることが考えられるので、いきなり第２のＸ線ナノターゲット１１２ｇを識別しようとする手法と比較して、迅速に第２のＸ線ナノターゲット１１２ｇを識別可能となり、更には、第２のＸ線ナノターゲット１１２ｇの位置を高精度に特定可能となる。
　また、一般的に、切り替え処理を手動で行う場合には、例えば、電子ビームを微細な部位へ吸収電流像を見ながら少しずつ近づけていることになると考えられ、作業者に習熟度が要求される。この結果、手動で行う場合には、時間コストや人件費コストがかかるだけでなく、高度な装置の再現性を実現する上で障害になる可能性がある。ここで、上述した実施形態によれば、第２のＸ線ナノターゲット１１２ｇが第１のＸ線ナノターゲット１１２ｆによって特定されるように設けることで、切り替え処理を簡単に自動化可能となり、切り替え処理を高精度かつ確実に実行可能となる。
　また、例えば、第３の実施形態では、基板１１２ａには、Ｘ線ナノターゲット群１１２ｈが、複数設けられる。この結果、Ｘ線ナノターゲットが設けられた基板を長期間使用可能となる。また、Ｘ線ナノターゲット群１１２ｈが複数設けられることで、１つのＸ線ナノターゲット群を形成したり、識別したりすると、同様の手法にて他のＸ線ナノターゲット群１１２ｈについても形成したり識別したりすることが可能となり、Ｘ線ナノターゲットを効率的に形成したり識別したりすることが可能となる。
　また、例えば、第３の実施形態では、複数あるＸ線ナノターゲット群は、基板１１２ａ上に配列され、第１のＸ線ナノターゲット１１２ｆは、隣接するＸ線ナノターゲット群１１２ｈ各々に含まれる第２のＸ線ナノターゲット１１２ｇ各々の間に、隣接するＸ線ナノターゲット群１１２ｈ各々に共有される形にて設けられる。第２のＸ線ナノターゲット１１２ｇは、第１のＸ線ナノターゲット１１２ｆと比較してサイズが大きく、高解像度の画像を取得する場合には、第２のＸ線ナノターゲット１１２ｇが用いられ、第１のＸ線ナノターゲット１１２ｆは、第２のＸ線ナノターゲット１１２ｇを特定するためのマーカとして用いられる。このことを踏まえ、第１のＸ線ナノターゲット１１２ｆについて、複数の異なるＸ線ナノターゲット群１１２ｈに共有される形とすることで、第１のＸ線ナノターゲット１１２ｆの数を抑えつつ、第２のＸ線ナノターゲット１１２ｇを簡単に特定可能となる。また、第１のＸ線ナノターゲット１１２ｆは、それ自身がＸ線ナノターゲットであるため、Ｘ線画像を得るために利用することもできる。つまり、高分解能・高解像度のＸ線画像を取得する場合には、第２のＸ線ナノターゲット１１２ｇを用い、低解像度のＸ線画像を取得する場合には、第１のＸ線ナノターゲット１１２ｆを用いることができる。
　また、例えば、第３の実施形態では、複数あるＸ線ナノターゲット群１１２ｈは、基板１１２ａ上に配列され、第１のＸ線ナノターゲット１１２ｆには、複数のサイズがあり、Ｘ線ナノターゲット群１１２ｈ各々の配列方向ごとに、異なるサイズの第１のＸ線ナノターゲット１１２ｆが設けられる。この結果、基板１１２ａに多くのナノターゲットを配置しつつ、簡単に位置合わせ可能となる。
　また、例えば、第３の実施形態では、基板１１２ａには、Ｘ線ナノターゲット群１１２ｈを識別する識別情報１１２ｉが設けられる。この結果、複数あるＸ線ナノターゲット群１１２ｈ各々を確実に区別可能となり、Ｘ線ナノターゲットの管理が容易となる。
　また、例えば、第３の実施形態では、電子ビーム照射部１１１が電子ビームを照射することでＸ線ナノターゲットからＸ線を発生するＸ線検査装置１００と、Ｘ線検査装置１００を制御する制御装置２００とを有する。ここで、制御装置２００は、基板１１２ａと、基板１１２ａに複数設けられる第１の大きさを有する第１のＸ線ナノターゲット１１２ｆと、基板１１２ａの内第１のＸ線ナノターゲット１１２ｆにより特定される位置に設けられ、第１の大きさよりも小さい第２の大きさを有する第２のＸ線ナノターゲット１１２ｇとを有するＸ線発生用ターゲット１１２に対して、Ｘ線検査装置１００の電子ビーム照射部１１１が電子ビームを照射するように制御する。また、制御装置２００は、第１のＸ線ナノターゲット１１２ｆ及び／又は第２のＸ線ナノターゲット１１２ｇの位置関係に基づいて、Ｘ線ナノターゲットを切り替える。この結果、Ｘ線ナノターゲットを自動的に切り替え可能となる。
　また、例えば、第３の実施形態では、制御装置２００は、照射制御部２２４ａによりＸ線ナノターゲットが切り替えられる際に、切り替え前後において同一のサンプルについてのＸ線画像を取得する。この結果、切り替え前後における品質を担保可能となる。
　すなわち、Ｘ線ナノターゲットには個体差があり、電子ビームの照射位置を変更したり、基板を動かしたりすることで、Ｘ線ナノターゲットから照射されるＸ線の状態が切り替え前後において変わる可能性がある。このことを踏まえ、切り替え前後において、同一のサンプルのＸ線画像を撮影しておくことで、切り替え前後において同一のＸ線画像が撮影可能となるように調整可能となる。
　また、例えば、第３の実施形態では、制御装置２００は、Ｘ線画像取得部により取得されたＸ線画像各々を比較し、比較結果に基づいて照射制御部２２４による電子ビームの照射条件を調整する。この結果、切り替え前後における品質を担保可能となる。
　また、例えば、第３の実施形態では、比較部２２８は、Ｘ線検査装置１００の電子ビーム照射部１１１がＸ線ナノターゲットに電子ビームを照射してＸ線ナノターゲットからＸ線を照射することで撮影されたＸ線画像における中心を示す位置情報と、Ｘ線画像において垂直方向にＸ線ナノターゲットがある位置を示す位置情報との差分を算出する。そして、調整部２２９は、差分算出部２２６により算出された差分を解消する方向にＸ線検査装置１００を調整する。
（他の実施形態）
　上述したように、第１の実施形態～第３の実施形態に係るＸ線発生用ターゲット、検査システム、制御装置、制御方法及び制御プログラムについて説明したが、これに限定されるものではなく、種々の実施形態にてＸ線発生用ターゲット、検査システム、制御装置、制御方法及び制御プログラムを実現して良い。例えば、上述したように、各実施形態は、処理内容を矛盾させない範囲で適宜組み合わせても良く、各実施形態を単独で実行しても良い。
　また、上述した実施形態では、Ｘ線ナノターゲット１１２ｂを有するＸ線発生用ターゲット１１２を用いる場合を例に説明したが、これに限定されるものではなく、矛盾させない範囲で、任意のＸ線発生用ターゲットを用いても良い。例えば、Ｘ線発生用ターゲット１１２に設けられるターゲットの径が電子ビームの径よりも大きくても良く、Ｘ線発生用ターゲット１１２の全面に金属が設けられてターゲットとして用いられても良い。
（Ｘ線ナノターゲット）
　また、例えば、Ｘ線ナノターゲットは、上述した実施形態において言及した実施形態に限定されるものではなく、任意のＸ線ナノターゲットを用いて良い。例えば、Ｘ線発生用ターゲットに任意の数のＸ線ナノターゲットが設けられて良く、Ｘ線ナノターゲットの配置も任意であって良い。
　図２６は、Ｘ線発生用ターゲットの実施形態の一例を示す図である。図２６に示すように、Ｘ線発生用ターゲット１１２は、基板１１２ａの内、一部の領域にのみ、Ｘ線ナノターゲットが設けられても良い。例えば、図２６に示す例では、基板１１２ａの内、中心を含む領域１１２ｊにのみ、１つ又は複数のＸ線ナノターゲットが設けられても良い。言い換えると、図２６では、基板１１２ａの領域１１２ｊに、例えば、図６や図２２、図２３に示されるＸ線ナノターゲットが設けられ、領域１１２ｊ以外の領域については、Ｘ線ナノターゲットは設けられない。
　図２７は、Ｘ線発生用ターゲットの実施形態の一例を示す図である。例えば、Ｘ線発生用ターゲット１１２は、図２７に示すように、Ｘ線ナノターゲットを配置しても良い。具体的には、図２７に示すＸ線発生用ターゲット１１２は、第１のＸ線ナノターゲット１１２ｆ－１と、第１のＸ線ナノターゲット１１２ｆ－２と、第２のＸ線ナノターゲット１１２ｇとを有する。ここで、図２７に示す例では、第１のＸ線ナノターゲット１１２ｆ－１や第１のＸ線ナノターゲット１１２ｆ－２によって識別される位置に、第２のＸ線ナノターゲット１１２ｇが設けられる。具体的には，図２７に示す例では第２のＸ線ナノターゲット１１２ｇは、第１のＸ線ナノターゲット１１２ｆ－１ａと第１のＸ線ナノターゲット１１２ｆ－１ｃとを結んだ直線と、第１のＸ線ナノターゲット１１２ｆ－１ｂと第１のＸ線ナノターゲット１１２ｆ－１ｄとを結んだ直線との交点に位置し、第１のＸ線ナノターゲット１１２ｆ－２ａと第１のＸ線ナノターゲット１１２ｆ－２ｂとを結んだ直線上に位置する。また、図２７に示す例では、各Ｘ線ナノターゲット間の距離の一例を記載したが、あくまでも一例であり、これに限定されるものではない。
　図２８～図３０は、第１のＸ線ナノターゲットを用いて第２のＸ線ナノターゲットを識別する場合の一例について示す図である。例えば、まず、図２８に示すように、第１のＸ線ナノターゲット１１２ｆ－１が識別可能な範囲内において、低い倍率を用いて図２７に示すＸ線発生用ターゲット１１２を見ることで、第１のＸ線ナノターゲット１１２ｆ－１を識別する。そして、例えば、制御装置２００は、図２９に示すように、第１のＸ線ナノターゲット１１２ｆ－１ａと第１のＸ線ナノターゲット１１２ｆ－１ｃとを結んだ直線と、第１のＸ線ナノターゲット１１２ｆ－１ｂと第１のＸ線ナノターゲット１１２ｆ－１ｄとを結んだ直線との交点を識別することで、第２のＸ線ナノターゲット１１２ｇの位置を限定する。その後、制御装置２００は、図３０に示すように、第１のＸ線ナノターゲット１１２ｆ－２を識別可能となる倍率にまで拡大倍率を上げた上で第１のＸ線ナノターゲット１１２ｆ－２ａ及びｂを識別し、第１のＸ線ナノターゲット１１２ｆ－１ａと第１のＸ線ナノターゲット１１２ｆ－１ｃとを結んだ直線と第１のＸ線ナノターゲット１１２ｆ－１ｂと第１のＸ線ナノターゲット１１２ｆ－１ｄとを結んだ直線との交点と、第１のＸ線ナノターゲット１１２ｆ－２ａと第１のＸ線ナノターゲット１１２ｆ－２ｂとを結んだ直線との交点を識別することで、第２のＸ線ナノターゲット１１２ｇの位置を更に限定し、第２のＸ線ナノターゲット１１２ｇの位置を特定する。
　なお、図２８～図３０に関する上述した説明では、第１のＸ線ナノターゲット１１２ｆ－１ａ～ｄを如何にして他の第１のＸ線ナノターゲット１１２ｆ－１と区別して識別するかについては特段言及していないが、任意の手法を用いて良い。例えば、予め第１のＸ線ナノターゲット１１２ｆ－１のパターンを保持しておき、第１のＸ線ナノターゲット１１２ｆ－１ａ～ｄに相当するパターンをパターンマッチングにより識別することで、第１のＸ線ナノターゲット１１２ｆ－１ａ～ｄを識別しても良い。
（切り替え処理）
　また、例えば、上述した実施形態では、Ｘ線ナノターゲット切り替え前後においてＸ線画像を取得し、位置を調整する場合を例に示したが、これに限定されるものではない。例えば、切り替え前後において取得したＸ線画像をデータベースに切り替え前後のＸ線ナノターゲットの識別情報と対応づけて記憶するに留めておいても良い。言い換えると、制御装置２００は、後日の調整用として、Ｘ線画像を保存するに留めておいても良い。
　また、例えば、Ｘ線ナノターゲットの切り替え処理は、任意のタイミングにて実行して良い。例えば、使用開始してから電子ビームが照射されている合計時間を計測しておき、任意の時間に達したことを契機としたり、ユーザによる指示によって交換しても良い。
　また、例えば、照射制御部２２４ａは、電子ビームの偏向角度が小さい照射条件により照射可能となるＸ線ナノターゲットについて、電子ビームの偏向角度が大きい照射条件により照射可能となるＸ線ナノターゲットと比較して優先して選択し、選択したＸ線ナノターゲットに切り替えるようにしても良い。この結果、電子ビームの偏向角度が大きい照射条件により照射可能となるＸ線ナノターゲットに切り替える場合と比較して、迅速に測定を再開可能となる。すなわち、電子ビームの変更角度などの照射条件を変更すると、変更後に電子ビームが安定するまでに時間を要する場合がある。このことを踏まえ、例えば、電子ビームの変更角度が大きく動かさないようにすることで、Ｘ線ナノターゲットの切り替え後に安定するまでの時間を押さえることが可能となる。
　図３１は、Ｘ線ナノターゲットの切り替え順序の一例を示す図である。図３１に示す例では、例えば、複数あるＸ線ナノターゲット群の内、Ｘ線ナノターゲット群５０1～Ｘ線ナノターゲット群５０４の順に、Ｘ線ナノターゲットを切り替えていく。つまり、中心から半径方向に広がるように、Ｘ線ナノターゲットを切り替えていく。このようにすると、切り替え前後における、電子ビームの変更角度および移動量を小さくすることが出来る。
　なお、図３１に示す例では、Ｘ線ナノターゲット群が複数設けられ、複数あるＸ線ナノターゲット群ごとにＸ線ナノターゲットを切り替えていく場合を例に示したが、これに限定されるものではない。例えば、Ｘ線発生用ターゲット１１２において、Ｘ線ナノターゲットがＸ線ナノターゲット群１１２ｈ単位では設けられていない場合には、Ｘ線ナノターゲット群１１２ｈごとではなく、Ｘ線ナノターゲットごとに、電子ビームの偏向角度が小さい照射条件により照射可能となるＸ線ナノターゲットを優先して切り替えても良い。
（画質調整）
　また、例えば、Ｘ線ナノターゲット切り替え後に、Ｘ線画像の画質調整を行っても良い。例えば、Ｘ線検査装置１００や制御装置２００は、Ｘ線ナノターゲットを切り替えた場合に、切り替え後のＸ線画像のノイズ量を低くするための画質調整処理を行っても良い。
　例えば、Ｘ線検査装置１００や制御装置２００は、Ｘ線ナノターゲットの切り替え後に、切り替え後に得られるＸ線画像に基づいて、Ｘ線画像に含まれるノイズ量を低くするための画質調整処理を行う。ここで、ノイズ量を低くするための画質調整処理自体は、公知の手法を提供して良く、例えば、管電流と管電圧とのうち一つ又は両方を調整することで実行しても良く、任意のパラメータを調整することで実行して良い。
　また、Ｘ線検査装置１００や制御装置２００は、画像のノイズ量についての閾値を予め記憶しておき、切り替え後に撮影されたＸ線画像のノイズ量が閾値を超えるかを判定し、超えると判定した場合に画質調整処理を行っても良い。また、Ｘ線検査装置１００や制御装置２００は、閾値として、画像のノイズ量を用いる場合に限定されるものではなく、任意の情報を用いて良い。例えば、Ｘ線検査装置１００や制御装置２００は、閾値として、Ｘ線画像のヒストグラムにおける最頻値、最小値、最大値、平均値のうち、一つ又は複数の組み合わせを保持して用いても良い。
　なお、上述の画質調整は、上述した任意の実施形態と組み合わせて実行しても良く、又は、単独にて実行しても良い。例えば、第３の実施形態にて説明したように、切り替え前後において同一のサンプルについてのＸ線画像を取得するのと併せて、切り替え後のＸ線画像の品質調整処理を実行しても良い。
　Ｘ線ナノターゲット１１２には、個体差があり、切り替え前後においてＸ線ナノターゲットの個体差によるＸ線画像の品質ばらつきが発生する可能性がある。このことを踏まえ、切り替え後に、例えば、管電流と管電圧とのうち一つ又は両方を調整することで、Ｘ線画像に基づいて画質の品質調整を行う結果、Ｘ線ナノターゲットを切り替えたとしても、同品質のＸ線画像を撮影可能となる。また、例えば、Ｘ線検査装置１００や制御装置２００が画質調整処理を自動で実行することで、手動による調整を省略でき、検査品質を一定に維持可能となり、メンテナンスコストの削減やランニングコストの低減をも実現可能となる。
（システム構成）
　また、本実施形態において説明した各処理の内、自動的に行われるものとして説明した処理の全部又は一部を手動的に行うこともでき、あるいは、手動的に行われるものとして説明した処理の全部又は一部を公知の方法で自動的に行うこともできる。例えば、画像をユーザが手動にて撮影しても良い。この他、上述文書中や図面中で示した処理手順、制御手順、具体的名称、各種のデータやパラメータを含む情報については（例えば、図７、８、１２、１８、２０、２２－３０など）、特記する場合を除いて任意に変更することができる。
　例えば、第３の実施形態では、ターゲット位置テーブル２１１ａが、「照射条件」と「画像情報」とを更に記憶する場合を例に示したが、これに限定されるものではない。例えば、ターゲット位置テーブル２１１ａとは別に設けられたテーブルが、「照射条件」と「画像情報」とを記憶しても良い。
　例えば、第３の実施形態では、ターゲット位置テーブル２１１ａが、「照射条件」と「画像情報」とを更に記憶する場合を例に示したが、これに限定されるものではない。また、その際には、「照射条件」については記憶することなく、「画像情報」を記憶するようにしても良い。
　また、図示した各装置の各構成要素は機能概念的なものであり、必ずしも物理的に図示の如く構成されていることを要しない。すなわち、各装置の分散・統合の具体的形態は図示のものに限られず、その全部又は一部を、各種の負荷や使用状況などに応じて、任意の単位で機能的又は物理的に分散・統合して構成することができる。
　例えば、制御装置２００の記憶部に記憶されたテーブルの一部又は全てについて、制御装置２００とは別に設けられたデータベースに記憶させても良い。この場合、制御装置２００は、例えば、データベースと任意のネットワーク経由にてアクセスすることで情報の読み書きを行う。また、例えば、図２１において、差分算出部２２６と比較部２２８とを統合しても良く、位置調整部２２７と調整部２２９とを統合しても良い。
１０　　　　Ｘ線検査システム
１００　　　Ｘ線検査装置
１０６　　　サンプルステージ
１０７　　　検出器
１０８　　　Ｘ線カメラ
１０９　　　カメラステージ
１１０　　　Ｘ線管
１１０ａ　　フィラメント
１１１　　　電子ビーム照射部
１１２　　　Ｘ線発生用ターゲット
１１２ｂ　　Ｘ線ナノターゲット
１１２ｃ　　照射面
２００　　　制御装置
２１０　　　記憶部
２１１　　　ターゲット位置テーブル
２１２　　　差分用画像テーブル
２１３　　　画像テーブル
２１４　　　変換関数テーブル
２２０　　　制御部
２２１　　　取得部
２２２　　　特定部
２２３　　　格納部
２２４　　　照射制御部
２２４ａ　　照射制御部
２２５　　　シミュレーション画像作成部
２２６　　　差分算出部
２２７　　　位置調整部
２２８　　　比較部
２２９　　　調整部

Claims (13)

  1. 　基板と、
    　前記基板に複数設けられる第１の大きさを有する第１のＸ線ナノターゲットと、
    　前記基板の内前記第１のＸ線ナノターゲットにより特定される位置に設けられ、前記第１の大きさよりも小さい第２の大きさを有する第２のＸ線ナノターゲットと
    　を備えたことを特徴とするＸ線発生用ターゲット。
  2. 　前記基板には、複数ある前記第１のＸ線ナノターゲットと、複数ある前記第１のＸ線ナノターゲットにより特定される前記第２のＸ線ナノターゲットとを含むＸ線ナノターゲット群が、複数設けられることを特徴とする請求項１に記載のＸ線発生用ターゲット。
  3. 　複数ある前記Ｘ線ナノターゲット群は、前記基板上に配列され、
    　前記第１のＸ線ナノターゲットは、隣接する前記Ｘ線ナノターゲット群各々に含まれる前記第２のＸ線ナノターゲット各々の間に、隣接する前記Ｘ線ナノターゲット群各々に共有される形にて設けられることを特徴とする請求項２に記載のＸ線発生用ターゲット。
  4. 　複数ある前記Ｘ線ナノターゲット群は、前記基板上に格子状に配列され、
    　前記第１のＸ線ナノターゲットには、複数のサイズがあり、前記Ｘ線ナノターゲット群各々の配列方向ごとに、異なるサイズの前記第１のＸ線ナノターゲットが設けられることを特徴とする請求項２又は３に記載のＸ線発生用ターゲット。
  5. 　前記基板には、前記Ｘ線ナノターゲット群を識別する識別情報が設けられることを特徴とする請求項２～４のいずれか１項に記載のＸ線発生用ターゲット。
  6. 　電子ビーム照射部が電子ビームを照射することでＸ線ナノターゲットからＸ線を発生するＸ線検査装置と、
    　前記Ｘ線検査装置を制御する制御装置とを有し、
    　前記制御装置は、
    　基板と、前記基板に複数設けられる第１の大きさを有する第１のＸ線ナノターゲットと、前記基板の内前記第１のＸ線ナノターゲットにより特定される位置に設けられ、前記第１の大きさよりも小さい第２の大きさを有する第２のＸ線ナノターゲットとを有するＸ線発生用ターゲットに対して、前記Ｘ線検査装置の前記電子ビーム照射部が電子ビームを照射するように制御する照射制御部と、
    　前記第１のＸ線ナノターゲット及び／又は前記第２のＸ線ナノターゲットの位置関係に基づいて、Ｘ線ナノターゲットを切り替えるＸ線ナノターゲット切替部と
    　を備えることを特徴とする検査システム。
  7. 　前記照射制御部は、Ｘ線ナノターゲット切替部によりＸ線ナノターゲットが切り替えられる際に、切り替え前後において同一のサンプルについてのＸ線画像を取得することを特徴とする請求項６に記載の検査システム。
  8. 　前記制御装置は、
    　前記照射制御部により取得されたＸ線画像各々を比較する比較部と、
    　前記比較部による比較結果に基づいて前記照射制御部による電子ビームの照射条件を調整する調整部と
    　を更に有することを特徴とする請求項７に記載の検査システム。
  9. 　前記比較部は、Ｘ線検査装置の電子ビーム照射部がＸ線ナノターゲットに電子ビームを照射して前記Ｘ線ナノターゲットからＸ線を照射することで撮影されたＸ線画像における中心を示す位置情報と、前記Ｘ線画像において垂直方向に前記Ｘ線ナノターゲットがある位置を示す位置情報との差分を算出し、
    　前記調整部は、前記比較部により算出された差分を解消する方向にＸ線検査装置を調整することを特徴とする請求項８に記載の検査システム。
  10. 　前記Ｘ線ナノターゲット切替部は、前記照射制御部による電子ビームの偏向角度が小さい照射条件により照射可能となるＸ線ナノターゲットについて、前記照射制御部による電子ビームの偏向角度が大きい照射条件により照射可能となるＸ線ナノターゲットと比較して優先して選択し、選択したＸ線ナノターゲットに切り替えることを特徴とする請求項６～９のいずれか１項に記載の検査システム。
  11. 　基板と、前記基板に複数設けられる第１の大きさを有する第１のＸ線ナノターゲットと、前記基板の内前記第１のＸ線ナノターゲットにより特定される位置に設けられ、前記第１の大きさよりも小さい第２の大きさを有する第２のＸ線ナノターゲットとを有するＸ線発生用ターゲットに対して、Ｘ線検査装置の電子ビーム照射部が電子ビームを照射するように制御する照射制御部と、
    　前記照射制御部により電子ビームが照射されるＸ線ナノターゲットを切り替える際に、切り替え前後において同一のサンプルについてのＸ線画像を取得するＸ線画像取得部と
    　を備えたことを特徴とする制御装置。
  12. 　基板と、前記基板に複数設けられる第１の大きさを有する第１のＸ線ナノターゲットと、前記基板の内前記第１のＸ線ナノターゲットにより特定される位置に設けられ、前記第１の大きさよりも小さい第２の大きさを有する第２のＸ線ナノターゲットとを有するＸ線発生用ターゲットに対して、Ｘ線検査装置の電子ビーム照射部が電子ビームを照射するように制御する照射制御工程と、
    　前記照射制御工程により電子ビームが照射されるＸ線ナノターゲットを切り替える際に、切り替え前後において同一のサンプルについてのＸ線画像を取得するＸ線画像取得工程と
    　を含んだことを特徴とする制御方法。
  13. 　基板と、前記基板に複数設けられる第１の大きさを有する第１のＸ線ナノターゲットと、前記基板の内前記第１のＸ線ナノターゲットにより特定される位置に設けられ、前記第１の大きさよりも小さい第２の大きさを有する第２のＸ線ナノターゲットとを有するＸ線発生用ターゲットに対して、Ｘ線検査装置の電子ビーム照射部が電子ビームを照射するように制御する照射制御手順と、
    　前記照射制御部により電子ビームが照射されるＸ線ナノターゲットを切り替える際に、切り替え前後において同一のサンプルについてのＸ線画像を取得するＸ線画像取得手順と
    　をコンピュータに実行させることを特徴とする制御プログラム。
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