WO2015087396A1 - 高周波電源用整流回路 - Google Patents

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酒井　清秀
俊裕 江副
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    • H02M7/02—Conversion of AC power input into DC power output without possibility of reversal
    • H02M7/04—Conversion of AC power input into DC power output without possibility of reversal by static converters
    • H02M7/06—Conversion of AC power input into DC power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes without control electrode or semiconductor devices without control electrode

Definitions

  • the present invention relates to a rectifier circuit for a high frequency power source that rectifies an AC power source at a high frequency.
  • FIG. 13 shows a class E rectifier circuit for rectification in the kHz band according to the prior art.
  • this class E rectifier circuit an input 200 kHz AC voltage Vin is rectified, converted into a DC voltage, and output (for example, see Non-Patent Document 1).
  • the conventional configuration has a problem that the power conversion efficiency is not good when applied to rectification at a high frequency of the MHz band or higher.
  • a circuit with high frequency characteristics is connected to the output impedance, such as a resonant receiving antenna, on the input side, it will affect the operation of its own class E rectifier circuit and maintain its original high-efficiency power conversion operation. I can't.
  • the power loss of the circuit that occurs during the rectification operation becomes thermal energy, which leads to a temperature rise of the circuit board. This raises the operating environment temperature of the circuit board and shortens the life of the components used. Therefore, it is necessary to take measures such as providing an exhaust heat device, which causes an increase in cost, an increase in size, and an increase in mass.
  • the present invention has been made to solve the above-described problems, and provides a rectifier circuit for a high-frequency power supply capable of obtaining high power conversion efficiency characteristics in rectification of an AC voltage at a high frequency of 2 MHz or higher. It is aimed.
  • a rectifier circuit for a high frequency power supply is a rectifier circuit for a high frequency power supply that rectifies an AC voltage at a high frequency of 2 MHz or higher, and a class E rectifier circuit that rectifies an AC voltage input from a power transmission receiving antenna;
  • a matching function having a function of adjusting a resonance condition between a resonance circuit that resonates a switching operation at the time of rectification of the class E rectifier circuit and a receiving antenna for power transmission and a function of adjusting a resonance condition between the resonance circuit
  • a circuit and a smoothing function circuit that smoothes the voltage rectified by the class E rectifier circuit into a DC voltage.
  • FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a rectifier circuit for a high frequency power supply according to Embodiment 1 of the present invention.
  • the rectifier circuit for high-frequency power supply rectifies the AC voltage Vin at a high frequency of 2 MHz or higher.
  • the rectifier circuit for a high frequency power source includes a diode D1, capacitors C1 and C2, an inductor L21, a capacitor C21, an inductor L11, and a capacitor C11.
  • the resonant receiving antenna (power transmitting receiving antenna) 10 is a power transmitting resonant antenna having LC resonance characteristics (not limited to a non-contact type).
  • the resonance receiving antenna 10 may be any of a magnetic field resonance type, an electric field resonance type, and an electromagnetic induction type.
  • the diode D1 is a rectifying element that constitutes a class E rectifier circuit for converting the alternating voltage Vin at a high frequency of 2 MHz or higher input from the resonant receiving antenna 10 into a direct current voltage.
  • the diode D1 is not limited to a radio frequency (RF) diode, and for example, an element such as a Si-type, SiC-type, or GaN-type diode or a Schottky barrier diode can be used.
  • RF radio frequency
  • the capacitors C1 and C2 and the inductor L21 constitute a resonance circuit for class E rectification operation in the diode D1 by a composite function. By this resonance circuit, the switching operation at the time of rectification of the diode D1 is resonantly switched.
  • the capacitor C1 is a constant configured by a parasitic capacitance of the diode D1 or a composite capacitance with a discrete element.
  • a ceramic capacitor or a film capacitor can be used.
  • an air core coil, a magnetic body coil, etc. can be used.
  • the capacitor C21 is an element constituting a smoothing function circuit for smoothing the ripple voltage rectified by the diode D1 into a DC voltage.
  • an element such as a ceramic capacitor, a tantalum capacitor, or a film capacitor can be used.
  • the inductor L11 and the capacitor C11 have a function of matching impedance with the resonance receiving antenna 10 on the input side (matching a resonance condition with the resonance receiving antenna 10), and a resonance circuit including the capacitors C1 and C2 and the inductor L21.
  • This element constitutes a matching function circuit having a function of matching the impedance of (matching the resonance condition with the resonance circuit).
  • the inductor L11 an air-core coil, a magnetic coil, or the like can be used.
  • the capacitor C11 a ceramic capacitor, a tantalum capacitor, a film capacitor, or the like can be used.
  • the inductor L11 and the capacitor C11 can achieve the resonant switching operation of the diode D1.
  • the rectifier circuit for high-frequency power supply has three functions (matching function, class E rectification function, smoothing function) in one circuit configuration, and is not realized by a circuit design in which each is separated. It has become.
  • the combined function of the inductor L11 and the capacitor C11 has a function of matching with the output impedance of the resonant receiving antenna 10 and matching with the impedance of the resonant circuit by the capacitors C1 and C2 and the inductor L21.
  • the diode D1 has a function of resonantly switching the switching operation at the time of rectification. Thereby, the switching loss of the diode D1 is reduced.
  • the switching operation by the diode D1 becomes a resonance switching operation by the combined function of the capacitors C1 and C2 and the inductor L21, and becomes a ZVS (zero voltage switching) state.
  • This state is the class E rectification operation, and an operation with little switching loss is achieved.
  • the rectified ripple voltage is smoothed to a DC voltage by the capacitor C21 and output.
  • impedance matching is performed with a circuit having a high frequency characteristic in the output impedance such as the resonant receiving antenna 10 and the operation is performed as a part of the resonance operation of its own class E rectifier circuit. Therefore, the loss during the rectification operation at a high frequency of the MHz band or higher can be greatly improved, and a high power conversion efficiency (efficiency of 90% or more) can be achieved. In addition, since the power loss of the circuit generated during the rectifying operation is small, the generated heat energy is small and the temperature rise of the circuit board can be suppressed low, so that the influence of the operating environment temperature on the life of the components used can be reduced. Therefore, measures such as providing a conventional heat exhaust device are not required, and cost reduction, size reduction, weight reduction, and low power consumption can be achieved.
  • FIG. 1 shows the case where a rectifier circuit for a high frequency power supply is configured using the diode D1, the capacitors C1 and C2, the inductor L21, the capacitor C21, the inductor L11, and the capacitor C11.
  • the present invention is not limited to this.
  • the rectifier circuit for high-frequency power supply is shown in FIGS. 1 to 9 according to the configuration (output impedance) of the resonant receiving antenna 10 and the input impedance of the device connected to the output (DCoutput) side of the rectifier circuit for high-frequency power supply.
  • the optimum configuration is selected.
  • the constants of the inductor L11 and the capacitor C11 constituting the matching function circuit are fixed and the resonance condition is fixed.
  • the resonance condition variable LC circuit 1 that makes the resonance condition variable may be used.
  • FIG. 10 shows the configuration in which the resonance condition variable LC circuit 1 is applied to the configuration of FIG. 8 having the largest number of components among the configurations shown in FIGS. 1 to 9, and the resonance condition variable range becomes the widest.
  • the variable resonance condition LC circuit 1 makes the constants of the inductors L11, L12, and L13 and the capacitors C2, C11, and C12 variable.
  • the resonance condition variable LC circuit 1 can be applied to FIGS.
  • FIG. FIG. 11 is a diagram showing the configuration of a rectifier circuit for high frequency power supply according to Embodiment 2 of the present invention.
  • the high frequency power supply rectifier circuit according to the second embodiment shown in FIG. 11 is obtained by changing the diode D1 of the high frequency power supply rectifier circuit according to the first embodiment shown in FIG. 1 to a power element Q1.
  • Other configurations are the same, and only the different parts are described with the same reference numerals.
  • the power element Q1 is a rectifying element that constitutes a class E rectifier circuit for converting an alternating voltage Vin at a high frequency of 2 MHz or more input from the resonant receiving antenna 10 into a direct voltage.
  • the power element Q1 is not limited to a field effect transistor (FET) for high frequency, and for example, an element such as Si-MOSFET, SiC-MOSFET, or GaN-FET can be used.
  • Capacitor C1 is configured by a parasitic capacitance of power element Q1 or a composite capacitance with a discrete element. As described above, even when the high-frequency power supply rectifier circuit is configured by using the power element Q1 instead of the diode D1, the same effect as that of the first embodiment can be obtained.
  • FIG. 11 shows a configuration in which the diode D1 in FIG. 1 is replaced with a power element Q1.
  • the present invention is not limited to this.
  • the diode D1 in FIGS. 2 to 9 may be replaced with the power element Q1.
  • the rectifier circuit for high-frequency power supply is shown in FIGS. 1 to 9 according to the configuration (output impedance) of the resonant receiving antenna 10 and the input impedance of the device connected to the output (DCoutput) side of the rectifier circuit for high-frequency power supply.
  • the optimum configuration is selected from the configurations in which the diode D1 is replaced with the power element Q1.
  • the constants of the inductor L11 and the capacitor C11 constituting the matching function circuit are fixed and the resonance condition is fixed.
  • the condition variable LC circuit 1 may be used.
  • the variable resonance condition LC circuit 1 can be applied to the configuration in which the diode D1 in FIGS. 2 to 9 is replaced with the power element Q1.
  • the diode D1 is used as the rectifying element
  • the power element Q1 is used as the rectifying element.
  • both the diode D1 and the power element Q1 may be used as the rectifying element. 12 is obtained by replacing the rectifying element shown in FIG. 1 with a rectifying element using the diode D1 and the power element Q1, but the present invention is not limited to this.
  • the rectifying element shown in FIGS. A rectifying element using D1 and the power element Q1 may be replaced.
  • the resonance condition variable LC circuit 1 may be applied to these configurations.
  • the invention of the present application can be freely combined with each embodiment, modified with any component in each embodiment, or omitted with any component in each embodiment. .
  • the rectifier circuit for a high frequency power source can obtain high power conversion efficiency characteristics in rectifying an AC voltage at a high frequency of 2 MHz or higher, and is used for a rectifier circuit for a high frequency power source that rectifies an AC power source at a high frequency. Suitable for
  • Resonance condition variable LC circuit 1 Resonance condition variable LC circuit, 10 Resonant receiving antenna (power transmission receiving antenna).

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Abstract

　２ＭＨｚ以上の高周波における交流電圧の整流を行う高周波電源用整流回路であって、共振型受信アンテナ１０から入力された交流電圧を整流するＥ級整流回路と、Ｅ級整流回路の整流の際のスイッチング動作を共振スイッチングさせる共振回路と、共振型受信アンテナ１０との間で共振条件を合わせる機能及び前記共振回路との間で共振条件を合わせる機能を有する整合機能回路と、Ｅ級整流回路により整流された電圧を直流電圧に平滑する平滑機能回路とを備えた。

Description

高周波電源用整流回路
　この発明は、高周波における交流電源の整流を行う高周波電源用整流回路に関するものである。
　図１３に従来技術によるｋＨｚ帯の整流におけるＥ級整流回路を示す。このＥ級整流回路では、入力された２００ｋＨｚの交流電圧Ｖｉｎを整流し、直流電圧へ変換して出力している（例えば非特許文献１参照）。
２０１３年電子情報通信学会総合大会ＢＣＳ－１－１６
　しかしながら、従来構成では、ＭＨｚ帯以上の高周波における整流に適用した場合、電力変換効率が良くないという課題がある。特に入力側に共振型受信アンテナなどの出力インピーダンスに高周波特性をもつ回路が繋がる場合、自身のＥ級整流回路の動作へ影響を及ぼし、本来の目的とする高効率な電力変換動作を維持することができない。
　そして、整流動作時に発生する回路の電力損失は、熱エネルギーとなって回路基板の温度上昇に繋がる。これは、回路基板の動作環境温度を上げることになり、使用部品の寿命を短くすることになる。そのため、排熱装置を備えるなどの対策が必要となり、コスト増、大型化、質量増の原因にもなっている。
　この発明は、上記のような課題を解決するためになされたもので、２ＭＨｚ以上の高周波における交流電圧の整流において、高い電力変換効率特性を得ることができる高周波電源用整流回路を提供することを目的としている。
　この発明に係る高周波電源用整流回路は、２ＭＨｚ以上の高周波における交流電圧の整流を行う高周波電源用整流回路であって、電力伝送用受信アンテナから入力された交流電圧を整流するＥ級整流回路と、Ｅ級整流回路の整流の際のスイッチング動作を共振スイッチングさせる共振回路と、電力伝送用受信アンテナとの間で共振条件を合わせる機能及び共振回路との間で共振条件を合わせる機能を有する整合機能回路と、Ｅ級整流回路により整流された電圧を直流電圧に平滑する平滑機能回路とを備えたものである。
　この発明によれば、上記のように構成したので、２ＭＨｚ以上の高周波における交流電圧の整流において、高い電力変換効率特性を得ることができる。
この発明の実施の形態１に係る高周波電源用整流回路の構成を示す図である。 この発明の実施の形態１に係る高周波電源用整流回路の別の構成を示す図である。 この発明の実施の形態１に係る高周波電源用整流回路の別の構成を示す図である。 この発明の実施の形態１に係る高周波電源用整流回路の別の構成を示す図である。 この発明の実施の形態１に係る高周波電源用整流回路の別の構成を示す図である。 この発明の実施の形態１に係る高周波電源用整流回路の別の構成を示す図である。 この発明の実施の形態１に係る高周波電源用整流回路の別の構成を示す図である。 この発明の実施の形態１に係る高周波電源用整流回路の別の構成を示す図である。 この発明の実施の形態１に係る高周波電源用整流回路の別の構成を示す図である。 この発明の実施の形態１に係る高周波電源用整流回路の別の構成を示す図である（共振条件可変型ＬＣ回路を設けた場合）。 この発明の実施の形態２に係る高周波電源用整流回路の構成を示す図である（ダイオードに代えてＦＥＴを用いた場合）。 この発明の実施の形態２に係る高周波電源用整流回路の別の構成を示す図である（ダイオードとＦＥＴを用いた場合）。 従来の高周波電源用整流回路の構成を示す図である。
　以下、この発明の実施の形態について図面を参照しながら詳細に説明する。
実施の形態１．
　図１はこの発明の実施の形態１に係る高周波電源用整流回路の構成を示す図である。
　高周波電源用整流回路は、２ＭＨｚ以上の高周波における交流電圧Ｖｉｎの整流を行うものである。この高周波電源用整流回路は、図１に示すように、ダイオードＤ１、コンデンサＣ１，Ｃ２、インダクタＬ２１、コンデンサＣ２１、インダクタＬ１１及びコンデンサＣ１１から構成されている。
　なお、共振型受信アンテナ（電力伝送用受信アンテナ）１０は、ＬＣ共振特性を持つ電力伝送用の共振型アンテナである（非接触型のみに限定されない）。この共振型受信アンテナ１０は、磁界共鳴型、電界共鳴型、電磁誘導型のいずれであってもよい。
　ダイオードＤ１は、共振型受信アンテナ１０から入力された２ＭＨｚ以上の高周波における交流電圧Ｖｉｎを直流電圧に変換するためのＥ級整流回路を構成する整流素子である。このダイオードＤ１としては、高周波（ＲＦ；Ｒａｄｉｏ　Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）用のダイオードに限らず、例えばＳｉ型やＳｉＣ型、ＧａＮ型などのダイオード又はショットキーバリアダイオードなどの素子を用いることが可能である。
　コンデンサＣ１，Ｃ２及びインダクタＬ２１は、複合機能によりダイオードＤ１におけるＥ級整流動作のための共振回路を構成するものである。この共振回路により、ダイオードＤ１の整流の際のスイッチング動作を共振スイッチングさせる。コンデンサＣ１は、ダイオードＤ１の寄生容量又はディスクリート素子との複合容量により構成された定数である。また、コンデンサＣ２としては、セラミックコンデンサやフィルムコンデンサなどを用いることが可能である。また、インダクタＬ２１としては、空芯コイルや磁性体コイルなどを用いることが可能である。
　コンデンサＣ２１は、ダイオードＤ１により整流されたリップル電圧を直流電圧に平滑するための平滑機能回路を構成する素子である。このコンデンサＣ２１としては、セラミックコンデンサやタンタルコンデンサ、フィルムコンデンサなどの素子を用いることが可能である。
　インダクタＬ１１及びコンデンサＣ１１は、入力側の共振型受信アンテナ１０とのインピーダンス整合を取る（共振型受信アンテナ１０との間で共振条件を合わせる）機能、及びコンデンサＣ１，Ｃ２及びインダクタＬ２１による共振回路とのインピーダンス整合を取る（共振回路との間で共振条件を合わせる）機能を有する整合機能回路を構成する素子である。このインダクタＬ１１としては、空芯コイルや磁性体コイルなどを用いることが可能である。また、コンデンサＣ１１としては、セラミックコンデンサやタンタルコンデンサ、フィルムコンデンサなどを用いることが可能である。このインダクタＬ１１及びコンデンサＣ１１によりダイオードＤ１の共振スイッチング動作を図ることができる。
　このように、本発明の高周波電源用整流回路では、３つの機能（整合機能、Ｅ級整流機能、平滑機能）を１つの回路構成の中に有し、それぞれを切り分けた回路設計では成立しない構成となっている。そして、インダクタＬ１１とコンデンサＣ１１による複合機能により、共振型受信アンテナ１０の出力インピーダンスとの整合及びコンデンサＣ１，Ｃ２とインダクタＬ２１による共振回路のインピーダンスとの整合を取る働きを持ち、また、共振回路により、ダイオードＤ１の整流の際のスイッチング動作を共振スイッチングさせる機能を合わせ持つ。これにより、ダイオードＤ１のスイッチング損失を低減する。
　次に、上記のように構成された高周波電源用整流回路の動作について説明する。
　まず、共振型受信アンテナ１０から２ＭＨｚ以上の高周波の交流電圧Ｖｉｎが入力されると、インダクタＬ１１とコンデンサＣ１１による複合機能により、共振型受信アンテナ１０の出力インピーダンスとの整合と、コンデンサＣ１，Ｃ２とインダクタＬ２１による共振回路とのインピーダンス整合が図られる。そして、その整合状態を維持しながら、コンデンサＣ２とダイオードＤ１により、入力された交流電圧Ｖｉｎが片側電位（正電位）のリップル電圧に整流される。このとき、ダイオードＤ１によるスイッチング動作は、コンデンサＣ１，Ｃ２とインダクタＬ２１による複合機能により共振スイッチング動作となり、ＺＶＳ（ゼロボルテージスイッチング）状態となる。この状態がＥ級整流動作であり、スイッチング損失の少ない動作が図られる。そして、整流されたリップル電圧は、コンデンサＣ２１により直流電圧へ平滑され出力される。
　以上の一連の動作により、入力された高周波の交流電圧Ｖｉｎを高い電力変換効率（９０％以上）で直流電圧へ整流し出力することが可能である。
　以上のように、この実施の形態１によれば、共振型受信アンテナ１０などの出力インピーダンスに高周波特性をもつ回路とのインピーダンス整合を図り、自身のＥ級整流回路の共振動作の一部として動作する機能を設けるように構成したので、ＭＨｚ帯以上の高周波における整流動作時の損失を大幅に改善することができ、高い電力変換効率（効率９０％以上）を達成することができる。
　また、整流動作時に発生する回路の電力損失が少ないため、発生する熱エネルギーも少なく回路基板の温度上昇を低く抑えられることから、動作環境温度が使用部品の寿命に与える影響を少なくできる。そのため、従来の排熱装置を備えるなどの対策が不要となり、コストの削減、小型、軽量化及び低消費電力化を図ることができる。
　なお図１では、ダイオードＤ１、コンデンサＣ１，Ｃ２、インダクタＬ２１、コンデンサＣ２１、インダクタＬ１１及びコンデンサＣ１１を用いて高周波電源用整流回路を構成した場合について示した。しかしながら、これに限るものではなく、例えば図２～９に示すような構成としてもよい。ここで、高周波電源用整流回路は、共振型受信アンテナ１０の構成（出力インピーダンス）と、高周波電源用整流回路の出力（ＤＣｏｕｔｐｕｔ）側に繋がる装置の入力インピーダンスとに応じて、図１～９の構成のうち最適なものが選定される。
　また図１では、整合機能回路を構成するインダクタＬ１１とコンデンサＣ１１の定数が固定であり、共振条件が固定であるとして説明を行ったが、これに限るものではなく、例えば図１０に示すように、共振条件を可変とする共振条件可変型ＬＣ回路１を用いてもよい。なお図１０は、図１～９に示す構成のうち部品点数が最も多い図８の構成に対して共振条件可変型ＬＣ回路１を適用したものであり、共振条件可変範囲が最も広くなる。図１０の例では、共振条件可変型ＬＣ回路１は、インダクタＬ１１，Ｌ１２，Ｌ１３及びコンデンサＣ２，Ｃ１１，Ｃ１２の定数を可変としている。
　図１～７，９についても同様に共振条件可変型ＬＣ回路１を適用可能である。
実施の形態２．
　図１１はこの発明の実施の形態２に係る高周波電源用整流回路の構成を示す図である。図１１に示す実施の形態２に係る高周波電源用整流回路は、図１に示す実施の形態１に係る高周波電源用整流回路のダイオードＤ１をパワー素子Ｑ１に変更したものである。その他の構成は同様であり、同一の符号を付して異なる部分についてのみ説明を行う。
　パワー素子Ｑ１は、共振型受信アンテナ１０から入力された２ＭＨｚ以上の高周波における交流電圧Ｖｉｎを直流電圧に変換するためのＥ級整流回路を構成する整流素子である。このパワー素子Ｑ１としては、高周波用の電界効果トランジスタ（ＦＥＴ；Ｆｉｅｌｄ　Ｅｆｆｅｃｔ　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）に限らず、例えばＳｉ－ＭＯＳＦＥＴやＳｉＣ－ＭＯＳＦＥＴ、ＧａＮ－ＦＥＴなどの素子を用いることが可能である。なお、コンデンサＣ１は、パワー素子Ｑ１の寄生容量又はディスクリート素子との複合容量により構成される。
　このように、ダイオードＤ１に代えてパワー素子Ｑ１を用いて高周波電源用整流回路を構成するようにしても、実施の形態１と同様の効果を得ることができる。
　なお図１１では、図１のダイオードＤ１をパワー素子Ｑ１で置き換えた構成について示した。しかしながら、これに限るものではなく、例えば図２～９のダイオードＤ１をパワー素子Ｑ１で置き換えた構成としてもよい。ここで、高周波電源用整流回路は、共振型受信アンテナ１０の構成（出力インピーダンス）と、高周波電源用整流回路の出力（ＤＣｏｕｔｐｕｔ）側に繋がる装置の入力インピーダンスとに応じて、図１～９のダイオードＤ１をパワー素子Ｑ１で置き換えた構成のうち最適なものが選定される。
　また図１１では、整合機能回路を構成するインダクタＬ１１とコンデンサＣ１１の定数が固定であり、共振条件が固定であるとして説明を行ったが、これに限るものではなく、共振条件を可変とする共振条件可変型ＬＣ回路１を用いてもよい。また、図２～９のダイオードＤ１をパワー素子Ｑ１で置き換えた構成についても同様に、共振条件可変型ＬＣ回路１を適用可能である。
　また、実施の形態１では整流素子としてダイオードＤ１を用い、実施の形態２では整流素子としてパワー素子Ｑ１を用いた場合について示した。それに対して、図１２に示すように、整流素子としてダイオードＤ１及びパワー素子Ｑ１を両方用いるようにしてもよい。なお図１２は、図１に示す整流素子を、ダイオードＤ１及びパワー素子Ｑ１を用いた整流素子に置き換えたものであるが、これに限るものではなく、例えば図２～９の整流素子を、ダイオードＤ１及びパワー素子Ｑ１を用いた整流素子に置き換えてもよい。さらに、これらの構成に共振条件可変型ＬＣ回路１を適用してもよい。
　また、本願発明はその発明の範囲内において、各実施の形態の自由な組み合わせ、あるいは各実施の形態の任意の構成要素の変形、もしくは各実施の形態において任意の構成要素の省略が可能である。
　この発明に係る高周波電源用整流回路は、２ＭＨｚ以上の高周波における交流電圧の整流において、高い電力変換効率特性を得ることができ、高周波における交流電源の整流を行う高周波電源用整流回路等に用いるのに適している。
　１　共振条件可変型ＬＣ回路、１０　共振型受信アンテナ（電力伝送用受信アンテナ）。

Claims (9)

  1. 　２ＭＨｚ以上の高周波における交流電圧の整流を行う高周波電源用整流回路であって、
    　電力伝送用受信アンテナから入力された前記交流電圧を整流するＥ級整流回路と、
    　前記Ｅ級整流回路の整流の際のスイッチング動作を共振スイッチングさせる共振回路と、
    　前記電力伝送用受信アンテナとの間で共振条件を合わせる機能及び前記共振回路との間で共振条件を合わせる機能を有する整合機能回路と、
    　前記Ｅ級整流回路により整流された電圧を直流電圧に平滑する平滑機能回路とを備えた
    　ことを特徴とする高周波電源用整流回路。
  2. 　前記Ｅ級整流回路は、ダイオードを用いて構成された
    　ことを特徴とする請求項１記載の高周波電源用整流回路。
  3. 　前記ダイオードは、高周波用のダイオード以外のダイオードである
    　ことを特徴とする請求項２記載の高周波電源用整流回路。
  4. 　前記Ｅ級整流回路は、電界効果トランジスタを用いて構成された
    　ことを特徴とする請求項１記載の高周波電源用整流回路。
  5. 　前記Ｅ級整流回路は、ダイオード及び電界効果トランジスタを用いて構成された
    　ことを特徴とする請求項１記載の高周波電源用整流回路。
  6. 　前記整合機能回路は、磁界共鳴による前記電力伝送用受信アンテナとの間で共振条件を合わせる
    　ことを特徴とする請求項１記載の高周波電源用整流回路。
  7. 　前記整合機能回路は、電界共鳴による前記電力伝送用受信アンテナとの間で共振条件を合わせる
    　ことを特徴とする請求項１記載の高周波電源用整流回路。
  8. 　前記整合機能回路は、電磁誘導による前記電力伝送用受信アンテナとの間で共振条件を合わせる
    　ことを特徴とする請求項１記載の高周波電源用整流回路。
  9. 　前記整合機能回路は共振条件を可変とする
    　ことを特徴とする請求項１記載の高周波電源用整流回路。
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