WO2015032810A1 - Optoelektronisches bauelement, optoelektronische bauelementevorrichtung und verfahren zum herstellen eines optoelektronischen bauelementes - Google Patents

Optoelektronisches bauelement, optoelektronische bauelementevorrichtung und verfahren zum herstellen eines optoelektronischen bauelementes Download PDF

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WO2015032810A1
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electrical
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optoelectronic component
forming
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Andrew Ingle
Kilian REGAU
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Osram Oled GmbH
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    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Definitions

  • OLED organic light emitting diode
  • Opto-electronic device such as an OLED, an anode and a cathode with an organic
  • the organic functional layer system has one or more emitter layers in which
  • Electromagnetic radiation generates wi d, one or more charge carrier pair generation layer structure (s) of two or more charge generating layer (CGL) for charge carrier pair generation, as well as one or more Elektronenblockade Anlagene (s), also called as a hole transport layer (HTL), and one or more hole block layers, also referred to as electron transport layer (ETL), to direct the flow of current.
  • CGL charge generating layer
  • ETL electron transport layer
  • a conventional electronic ballast for a light emitting diode are on the circuit board of the electronic ballast in addition to the contacts for energizing the
  • the electronic ballast verraißt the electrical resistance and provides according to a To echnungsforme1 a current with a correlated current at the output for the LED of the electronic ballast ready.
  • Organic light emitting diodes can be used in a variety of ways
  • Embodiments are formed, for example, with a variety of technologies, materials, sizes and shapes. This results in a large number of different rated currents for the multiplicity of organic light-emitting diodes.
  • organic light emitting diodes each
  • Light-emitting diodes may have individual configurations, for example in the LED technology unusual operating currents, for example, an operating current of 123 mA or the like.
  • the individually adjustable, electronic ballast of a conventional, inorganic light emitting diode is used.
  • Such electronic ballast provides a
  • electric current in a wide current range may allow any current value or at least finely graded current levels in this range.
  • An organic light-emitting diode should from the user's point of view
  • Optoelectronic device in a device require no special effort.
  • Resistors are supplied or fitted; and / or the resistor is contacted incorrectly. false
  • Resistance values can lead to an operation of the organic light emitting diode with a wrong current.
  • the Optoelectronic component comprising: a planar optically active structure and an electrical
  • Structure is formed for receiving and / or providing electromagnetic radiation; and wherein the electrical circuit structure is configured to provide an output value, wherein the output value is dependent on at least one operating parameter of the optically active structure.
  • Structure having a first electrode, a second electrode and an organic functional layer structure, wherein the organic functional layer structure is formed between the first electrode and the second electrode.
  • the optoelectronic component can be designed as an organic light-emitting diode, an organic solar cell and / or an organic photodetector.
  • the optoelectronic component can be designed as a surface component.
  • Luminance and / or a same color location Due to the different surface dimensions are for the
  • an operating parameter for example the required current intensity, can be dependent on the component-specific areal dimension of the optically active structure. Further operating parameters of an optoelectronic
  • Components can be dependent on process-related
  • Fluctuations for example, the layer thickness, a local substance concentrations, the defect density. This allows two optoelectronic components of a type and the same area dimension different electrical
  • Characteristics for example different capacitances, electrical resistances, inductances; and or
  • optical properties such as color locations and / or intensity absorbable and / or
  • emissive electromagnetic radiation exhibit.
  • the electrical connector in one embodiment, the electrical connector
  • Circuit structure have an electrical resistance, wherein the output value depending on the electrical
  • Resistance value of the electrical resistance is.
  • the electrical connector in one embodiment, the electrical connector
  • Circuit structure have a capacitor, wherein the
  • Output value is dependent on the capacitance of the capacitor.
  • the electrical connector in one embodiment, the electrical connector
  • Circuit structure having an inductance component, wherein the output value depends on the inductance of the
  • Inductance device is.
  • the electrical connector in one embodiment, the electrical connector
  • Circuit structure have a conductor pattern, wherein the
  • Conductor structure has a plurality of electrical lines such that the output value is dependent on the bit pattern of the plurality of electrical lines, in other words, the output value may be dependent on the combination of
  • the electrical connector in one embodiment, the electrical connector
  • Circuit structure having a first power connection and at least one second power connection, wherein the first
  • Power connector is electrically connected to the second power connector.
  • the first power connector can be used as the power input and the second power connector as
  • Circuit structure one current input and several
  • the bit pattern may be formed by having certain lines of the plurality of lines having interruptions between the current input and its current output.
  • the electrical connector in one embodiment, the electrical connector
  • the optoelectronic component may further comprise a cover, wherein the cover is formed on the electrical circuit structure; or wherein the electrical circuit structure on the cover
  • the cover may protect the electrical circuit structure and / or the optically active structure from harmful substances, for example with respect to water and / or oxygen, for example with regard to oxidation; and / or mechanical
  • the electrical connector in one embodiment, the electrical connector
  • the electrical connector in one embodiment, the electrical connector
  • Circuit structure have a further cover.
  • the further coverage may be isolated in terms of
  • Circuit structure and the optically active structure may, however, also have a common cover.
  • the electrical connection may, however, also have a common cover.
  • Circuit structure and the planar optically active structure have at least one common electrode.
  • the electrical connector in one embodiment, the electrical connector
  • Circuit structure with at least one of the electrodes of the optically active structure to be electrically connected.
  • the electrical connector in one embodiment, the electrical connector
  • Circuit structure having an electrical memory, wherein the output value is stored in the electrical memory electrically readable.
  • the electrical circuit structure having an electrical memory, wherein the output value is stored in the electrical memory electrically readable.
  • Circuit structure having an interface, wherein the interface has one or more terminals and wherein the interface for the electrical readout of the
  • the interface can be designed for wireless readout of the output value.
  • a method for producing an optoelectronic component for producing an optoelectronic component
  • the method comprising: forming a planar optically active structure, wherein the planar optically active structure for receiving or providing an electromagnetic radiation is formed;
  • the determined operating parameter such that the output value of the electrical circuit structure is a function of the determined operating parameter.
  • the formation of the optically active structure can form a first
  • Electrode forming an organic functional
  • Optoelectronic component as an organic light-emitting diode, an organic solar cell and / or an organic
  • Photodetector be formed.
  • the method the
  • the optoelectronic component can be formed as a surface component.
  • the at least one operating parameter may be dependent on the electrical
  • the at least one operating parameter can be dependent on the planar one
  • the at least one operating parameter may be dependent on the voltage
  • the formation of the electrical circuit structure can form a
  • the formation of the electrical circuit structure can form a
  • Capacitor wherein the output value is dependent on the capacitance of the capacitor.
  • the formation of the electrical circuit structure can form a
  • the formation of the electrical circuit structure can form a
  • forming the electrical circuit structure may include forming a first
  • the formation of the electrical circuit structure can form a
  • bit pattern can be formed by using certain
  • Lines of multiple lines interruptions are formed between the power input and its power output.
  • the electrical circuit structure can be formed on or above the optically active structure.
  • the formation of the optically active structure may further comprise forming a cover, wherein the cover on the electrical
  • Circuit structure is formed; or where the
  • the electrical circuit structure is formed on the cover.
  • the electrical circuit structure may be adjacent to the optically active structure
  • the formation of the electrical circuit structure may further include forming a further cover, wherein the further cover is formed over the electrical circuit structure.
  • the further cover can be formed isolated in terms of the coverage of the optically active structure.
  • structure can also be formed with a common cover.
  • the electrical circuit structure and the planar optically active structure can be formed such that they have at least one
  • the electrical circuit structure can be electrically connected to at least one of the electrodes of the optically active structure.
  • forming the optically active structure may include forming an electrical circuit pre-structure.
  • the formation of the electrical circuit structure may be a structuring of the
  • the formation of the electrical circuit structure can form a
  • the formation of the electrically insulating structure and / or the formation of the electrical bridging structure can be configured such that the capacitance of a capacitor is the resistance value of an electrical resistance; the inductance of an inductance component; and / or the bit pattern of a conductor pattern are formed with respect to
  • forming the electrically insulating structure may be laser ablation
  • the electrical circuit pre-structure can be formed with a first electrically conductive structure and at least one second electrically conductive structure, wherein the first electrically conductive structure is electrically insulated from the second
  • electrically conductive structure is formed.
  • the formation of the bridging structure can form an electrical
  • forming the electrical connection may include applying an electrically conductive substance between the first electrically conductive structure and the second electrically conductive structure.
  • the formation of the electrically insulating structure can form a
  • the electrical circuit pre-structure can be formed with a third electrically conductive structure.
  • forming the electrically insulating structure may include removing a part of the third electrically conductive structure such that a fourth electrically conductive structure and a fifth electrically conductive structure are formed.
  • the fourth electrically conductive structure can be electrically isolated from the fifth electrically conductive structure.
  • the formation of the electrical circuit structure can form a
  • the electrical memory has electrical memory, wherein the electrical memory is formed such that the output value in the electrical memory is stored electrically readable.
  • the formation of the electrical circuit structure can form a
  • Interface wherein the interface is formed with one or more terminals, and wherein the interface for electrically reading the output value is formed.
  • the interface can be designed for a wireless readout of the output value.
  • the optoelectronic component device comprising: an optoelectronic device according to the above
  • an electronic ballast configured to provide an electrical current to the planar optically active structure and / or to receive an electrical current from the optically active structure; wherein the electronic ballast comprises a first terminal, a second terminal and a detection device, wherein the detection device with the first terminal and the second Terminal is electrically coupled; wherein the planar optically active structure is electrically connected to the first terminal, and the electrical circuit structure is electrically connected to the second terminal;
  • the determination device can determine the determined output value of the electrical circuit structure.
  • the determination device can be the means of the functional
  • the predetermined operating parameter may be a specified for the planar optically active structure current and / or current density and / or voltage, for example, with respect to the areal dimension of the optically active structure.
  • Figures 1A, B are schematic views of a
  • Figures 2A, B are schematic representations of a
  • Figures 3A, B are schematic representations of a
  • Figures 4A, B are schematic representations of a
  • Figure 5 is a schematic representation of a
  • optoelectronic components are described, wherein an optoelectronic
  • the optically active region can absorb electromagnetic radiation and form a photocurrent therefrom or emit electromagnetic radiation by means of an applied voltage to the optically active region.
  • the electromagnetic radiation may have a wavelength range which comprises X-radiation, UV radiation (A-C), visible light and / or infrared radiation (A-C),
  • a planar optoelectronic component which has two flat, optically active sides, can be used in the
  • Connection direction of the optically active pages for example, be transparent or translucent, for example, as a transparent or translucent organic
  • a planar optoelectronic component can also be formed as a planar optoelectronic component, for example as a plane-parallel
  • the optically active region can also have a planar, optically active side and a planar, optically inactive one
  • the optically inactive side for example, an organic light-emitting diode, which is set up as a top emitter or bottom emitter.
  • the optically inactive side can be transparent or, for example be translucent, or be provided with a mirror structure and / or an opaque substance or mixture of substances,
  • the beam path of the optoelectronic component may be directed, for example, unilaterally.
  • emitting electromagnetic radiation can emit
  • providing electromagnetic radiation may be understood as emitting electromagnetic radiation by means of an applied voltage to an optically active region.
  • absorbing electromagnetic radiation may include absorbing
  • picking up electromagnetic radiation may be considered as absorbing electromagnetic radiation and forming a photocurrent from the absorbed one
  • an electromagnetic radiation emitting structure may be an electromagnetic radiation emitting semiconductor structure and / or as an electromagnetic radiation emitting diode, as a diode emitting organic electromagnetic radiation, as a transistor emitting electromagnetic radiation, or as an organic electromagnetic
  • the electromagnetic radiation emitting device may, for example, as a light-emitting diode ⁇ light emitting diode, LED) as an organic light-emitting diode (organic light emitting diode, OLED), as a light-emitting diode.
  • LED light-emitting diode
  • OLED organic light emitting diode
  • the electromagnetic radiation emitting device may be part of an integrated circuit in various embodiments. Furthermore, a Plurality of electromagnetic radiation emitters
  • Optoelectronic device as an organic light emitting diode (OLED), an organic
  • Organic field effect transistor organic field effect transistor OFET
  • organic electronics may be formed.
  • the organic field-effect transistor can be a so-called "all-OFET" in which all layers are organic
  • An optoelectronic component can have an organic functional layer system, which is also synonymously called an organic functional layer structure
  • Layer structure may include or be formed from an organic substance or an organic substance mixture, for example, to provide a
  • electromagnetic radiation is furnished from a provided electric current.
  • the optoelectronic component can be used as an organic light-emitting diode, an organic photodetector or a
  • An organic light emitting diode may be formed as a top emitter or a bottom emitter. In a bottom emitter, light is emitted from the optically active region through the carrier. In a top emitter, light is emitted from the top of the optically active region and not by the carrier.
  • a top emitter and / or bottom emitter may also be optically transparent or optically translucent, for example, any of those described below
  • FIG.1A, B show schematic views of a
  • the optoelectronic component 100 has an electrical circuit structure 130 and a planar optically active
  • the electrical circuit structure 130 and the planar optically active structure 150 may be monolithically integrated in the optoelectronic component 100, for example, be formed on or above a common carrier or substrate.
  • Opto-electronic device 100 will be described in more detail in Fig.lB. Embodiments of the electrical
  • Circuit structure 130 of the optoelectronic component 100 are described in more detail in FIGS. 2 to 6.
  • Fig. 1B shows a schematic cross-sectional view of the optoelectronic component according to various
  • the optoelectronic component 100 has a hermetically sealed substrate, an active region 106 and a
  • the hermetically sealed substrate may include a carrier 102 and a first barrier layer 104.
  • the active region 106 is an electrically active region 106 and / or an optically active region 106.
  • the active region 106 is, for example, the region of the optoelectronic component 100 in which electrical current flows for operation of the optoelectronic component 100 and / or in the electromagnetic radiation is generated and / or absorbed.
  • the electrically active region 106 may include a first electrode 110, an organic functional layer structure 112, and a second electrode 114.
  • the organic functional layer structure 106 may include one, two or more functional layered structure units and one, two or more interlayer structures between the layered structure units.
  • Functional layer structure 112 may include, for example, a first organic functional layer structure unit 116, an intermediate layer structure 118, and a second organic functional layer structure unit 120.
  • the encapsulation structure may include a second barrier layer 108, a cohesive connection layer 122 and a second barrier layer
  • the carrier 102 may be glass, quartz, and / or a
  • the carrier may comprise or be formed from a plastic film or a laminate with one or more plastic films.
  • the plastic may include or be formed from one or more polyolefins (eg, high or low density polyethylene or PE) or polypropylene (PP).
  • PE polyethylene
  • PP polypropylene
  • Polyvinyl chloride PVC
  • PS polystyrene
  • PC polycarbonate
  • PET polyethylene terephthalate
  • the carrier 102 may comprise or be formed of a metal, for example copper, silver, gold, platinum, iron, for example a metal compound, for example steel.
  • the carrier 102 may be opaque, translucent or even transparent.
  • the carrier 102 may be part of or form part of a mirror structure.
  • the carrier 102 may have a mechanically rigid region and / or a mechanically flexible region or be formed in such a way, for example as a foil.
  • the carrier 102 may be formed as a waveguide for electromagnetic radiation, for example, be transparent or translucent with respect to the emitted or
  • the first barrier layer 104 may comprise or be formed from one of the following materials:
  • Indium zinc oxide aluminum-doped zinc oxide, poly (p-phenylene terephthalamide), nylon 66, and mixtures and
  • the first barrier layer 104 may be by means of one of
  • Atomic layer deposition Atomic Layer Deposition (ALD)
  • ALD Atomic layer deposition
  • PEALD Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition
  • PALD Physical Light Deposition
  • PECVD Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition
  • a first barrier layer 104 the more
  • Sublayers all sublayers can be formed by means of a Atom fürabscheidevons.
  • a layer sequence comprising only ALD layers can also be referred to as "nanolaminate”.
  • Partial layers may have one or more
  • Atomic layer deposition processes are deposited
  • the first barrier layer 104 may have a layer thickness of about 0.1 nm (one atomic layer) to about 1000 nra
  • a layer thickness of about 10 nm to about 100 nm for example, a layer thickness of about 10 nm to about 100 nm according to an embodiment
  • the first barrier layer 104 may be one or more
  • one or more materials having a high refractive index for example, a refractive index of at least 2.
  • Barrier layer 104 can be omitted, for example, in the event that the carrier 102 hermetically sealed
  • the first electrode 104 may be formed as an anode or as a cathode.
  • the first electrode 110 may include or be formed from one of the following electrically conductive material: a metal; a conductive conductive oxide (TCO); a network of metallic Nanowires and particles, for example of Ag, which are combined, for example, with conductive polymers;
  • the first electrode 110 made of a metal or a metal may comprise or may be formed from one of the following materials: Ag, Pt, Au, Mg, Al, Ba, In, Ca, Sm or Li, as well as compounds, combinations or alloys of these materials ,
  • the first electrode 110 may be one of the following as a transparent conductive oxide
  • zinc oxide for example, zinc oxide, tin oxide, cadmium oxide, titanium oxide, indium oxide, or indium tin oxide (ITO).
  • binary oxide for example, zinc oxide, tin oxide, cadmium oxide, titanium oxide, indium oxide, or indium tin oxide (ITO).
  • binary oxide for example, zinc oxide, tin oxide, cadmium oxide, titanium oxide, indium oxide, or indium tin oxide (ITO).
  • binary oxide for example, zinc oxide, tin oxide, cadmium oxide, titanium oxide, indium oxide, or indium tin oxide (ITO).
  • Metal oxygen compounds such as ZnO, Sn2, or ⁇ 2 ⁇ 3 also include ternary metal oxygen compounds, for example AlZnO, Zn2SnO4, CdSnO3, ZnSnO3, Mgln 2 0 4 ,
  • GalnOß Z ⁇ In ⁇ Os or In 4 Sn30_2 or mixtures
  • Embodiments are used. Farther
  • the TCOs do not necessarily correspond to a stoichiometric composition and can furthermore be p-doped or n-doped, or hole-conducting (p-TCO) or electron-conducting (n-TCO).
  • the first electrode 110 may be a layer or a
  • the first electrode 110 may be formed by a stack of layers of a combination of a layer of a metal on a layer of a TCO, or vice versa.
  • An example is one
  • the first electrode 104 may, for example, have a layer thickness in a range of 10 nm to 500 nm,
  • nm for example, from less than 25 nm to 250 nm, for example from 50 nm to 100 nm.
  • the first electrode 110 may be a first electrical
  • the first electrical potential may be provided by a power source, such as a power source or a voltage source.
  • the first electrical potential can be applied to an electrically conductive carrier 102 and the first electrode 110 can be indirectly electrically supplied by the carrier 102.
  • the first electrical potential may be, for example, the ground potential or another predetermined reference potential.
  • Fig.lB is an optoelectronic device 100 having a first organic functional layer structure unit 116 and a second organic functional
  • Layer structure 112 but also more than two organic functional layer structures, for example, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, or even more, for example 15 or more, for example, 70th
  • Layer structures may be the same or different, for example the same or different
  • the second organic functional layered structure unit 120, or the other organic functional layered structure units may be one of those described below
  • the first organic functional layer structure unit 116 may include a hole injection layer, a
  • One or more of said layers may be provided to an organic functional layer structure unit 112, wherein identical layers may have physical contact, may only be electrically connected to one another, or may even be electrically insulated from one another, for example formed side by side. Individual layers of said layers may be optional.
  • a hole injection layer may be formed on or above the first electrode 110.
  • the Lochinj can edictions slaughter include one or more of the following materials or may be formed from: HAT-CN, Cu (I) FBZ, MoO x, W0 X, VO x, ReO x, F4-TCNQ, NDP-2, NDP-9, Bi (III) pFBz, F16CuPC; NPB ( ⁇ , ⁇ '- bis (naphthalen-1-yl) -N, N * -bis (phenyl) -benzidine); beta- PB ⁇ , ⁇ 'bis (naphthalen-2-yl) - ⁇ , ⁇ '-bis (phenyl) benzidine); TPD ⁇ N, N'-bis (3-methylphenyl) -N, '-bis (phenyl) -benzidine); Spiro TPD ( ⁇ , ⁇ '-bis (3-methylphenyl) - ⁇ , ⁇ '-bis (phenyl) benz
  • the hole injection layer may have a layer thickness in a range of about 10 nm to about 1000 nm, for example in a range of about 30 nm to about 300 nm, for example in a range of about 50 nm to about 200 nm.
  • Hole transport layer be formed.
  • Hole transport layer may comprise or be formed from one or more of the following materials: NPB (N, N'-bis (naphthalen-1-yl) - ⁇ , ⁇ '-bis (phenyl) -benzidine); beta-NPB N, 1 -bis (naphthalen-2-yl) -N, N '-bis (phenyl) -benzidine); TPD ( ⁇ , ⁇ '-bis (3-methylphenyl) - ⁇ , ⁇ '-bis (phenyl) benzidine); Spiro TPD ( ⁇ , ⁇ '-bis (3-methylphenyl) - ⁇ , ⁇ '-bis (phenyl) benzidine);
  • Spiro-NPB N, N 1 -bis (naphthalen-1-yl) - ⁇ , ⁇ '-bis (phenyl) -spiro
  • DMFL-TPD ⁇ , ⁇ '-bis (3-methylphenyl) - ⁇ , ⁇ '-bis (phenyl) -9,9-dimethyl-fluorene
  • DMFL-NPB ⁇ , ⁇ '-bis (naphthalen-1-yl) - ⁇ , ⁇ '-bis (phenyl) -9,9-dimethyl-fluorene
  • DPFL-TPD ⁇ , ⁇ '-bis (3-methylphenyl) -N, N'-bis (phenyl) -9,9-diphenyl-fluorene
  • DPFL-TPD ⁇ , ⁇ '-bis (3-methylphenyl) -N, N'-bis (phenyl) -9,9-diphenyl-fluorene
  • DPFL-TPD
  • NPB ( ⁇ , ⁇ '-bis (naphthalen-1-yl) - ⁇ , ⁇ '-bis (phenyl) -9, 9-diphenyl-fluorene); Spiro-TAD (2,2 ', 7,7'-tetrakis (n, -diphenylamino) -9,9'-spirobifluorene); 9,9-bis [4- (N, N-bis-biphenyl-4-yl-amino) -phenyl] -9H-fluorene; 9,9-bis [4- (N, N-bis -naphthalene-2-ylamino) phenyl] -9H-fluorene; 9, 9 -bis [4 - (N, N'-bis-naphthalen-2-yl-N, '-bis -phenyl-amino) -phenyl] -9H-fluoro;
  • the hole transport layer may have a layer thickness in a range of about 5 nm to about 50 nm,
  • nm for example in a range of about 10 nm to about 30 nm, for example about 20 nm.
  • Functional layer structure units 116, 120 may in each case one or more emitter layers on iron, for example with fluorescent and / or
  • An emitter layer may include or be formed from organic polymers, organic oligomers, organic monomers, organic small, non-polymeric molecules ("small molecules”), or a combination of these materials.
  • the optoelectronic component 100 can in a
  • Emitter layer comprise or be formed from one or more of the following materials: organic or
  • organometallic compounds such as derivatives of polyfluorene, polythiophene and polyphenylene (for example 2- or 2,5-substituted poly-p-phenylenevinylene) and metal complexes, for example iridium complexes such as blue-phosphorescent FIrPic (bis ⁇ 3,5-difluoro-2 - ( 2-pyridyl) phenyl - (2-carboxypyridyl) iridium III), green phosphorescent
  • fluorescent DCM2 (4-dicyanomethylene) -2-methyl-6-glolidolidyl-9-enyl-4H-pyran) as a non-polymeric emitter.
  • non-polymeric emitters can be deposited by means of thermal evaporation, for example. Furthermore, can
  • Polymer emitter are used, which can be deposited, for example by means of a wet chemical process, such as a spin-on process (also referred to as spin coating).
  • a wet chemical process such as a spin-on process (also referred to as spin coating).
  • the emitter materials may be suitably embedded in a matrix material, for example one
  • Emitter layer have a layer thickness in a range of about 5 nm to about 50 nm, for example in a range of about 10 nm to about 30 nm, for example about 20 nm.
  • the emitter layer may be monochrome or different colors (for example blue and yellow or blue, green and red) emitting emitter materials.
  • the emitter layer may be monochrome or different colors (for example blue and yellow or blue, green and red) emitting emitter materials.
  • the emitter layer may be monochrome or different colors (for example blue and yellow or blue, green and red) emitting emitter materials.
  • the emitter layer may be monochrome or different colors (for example blue and yellow or blue, green and red) emitting emitter materials.
  • the emitter layer may be monochrome or different colors (for example blue and yellow or blue, green and red) emitting emitter materials.
  • the emitter layer may be monochrome or different colors (for example blue and yellow or blue, green and red) emitting emitter materials.
  • Emitter layer have multiple sub-layers that emit light of different colors. By mixing the different colors, the emission of light can result in a white color impression.
  • it can also be provided to arrange a converter material in the beam path of the primary emission generated by these layers, which at least partially absorbs the primary radiation and emits secondary radiation of a different wavelength, so that from a (not yet white) primary radiation by the combination of primary radiation and secondary Radiation produces a white color impression.
  • the organic functional layer structure unit 116 may include one or more emitter layers configured as a hole transport layer. Furthermore, the organic functional layer structure unit 116 may include one or more emitter layers configured as an electron transport layer. On or above the emitter layer, a
  • Be formed electron transport layer for example, be deposited.
  • the electron transport layer may include or be formed from one or more of the following materials: NET- 18; 2,2 ', 2 "- (1,3,5-benzinetriyl) tris (1-phenyl-1H-benzimidazole); 2- (4-biphenylyl) -5- ⁇ 4-tert-butylphenyl) -1,3 , 4-oxadiazoles, 2, 9-dimethyl-4,7-diphenyl-l, 10-phenanthrolines (BCP), 8-hydroxyquinolinolato-lithium, 4- (naphthalen-1-yl) -3, 5-diphenyl-4H- 1,2,4-triazoles; 1,3-bis [2- (2,2'-bipyridine-6-yl) -1,3,4-oxadiazo-5-yl] benzene; 4,7-diphenyl-1 , 10-phenanthrolines (BPhen); 3- (4-biphenylyl) -4-phenyl-5-tert-butylpheny
  • the electron transport layer may have a layer thickness
  • the electron transport splitter can a
  • Electron injection layer may be formed.
  • Electron injection layer may include or may be formed of one or more of the following materials: NDN-26, MgAg, Cs 2 C0 3 , CS 3 PO 4, Na, Ca, K, Mg, Cs, Li, LiF;
  • the electron injection layer may have a layer thickness in a range of about 5 nm to about 200 nm, for example, in a range of about 20 nm to about 50 nm, for example about 30 nm.
  • the second organic functional layer structure unit 120 may be above or adjacent to the first one functional layer structure units 116 may be formed. Electrically between the organic functional
  • Layer structure units 116, 120 may be a
  • Interlayer structure 118 may be formed.
  • Interlayer structure 118 may be formed as an intermediate electrode 118, for example according to one of
  • Intermediate electrode 118 may be electrically connected to an external voltage source.
  • the external voltage source may provide, for example, a third electrical potential at the intermediate electrode 118.
  • the intermediate electrode 118 may also have no external electrical connection, for example by the intermediate electrode having a floating electrical potential.
  • Interlayer structure 118 may be formed as a charge carrier generation layer structure 118 (charge generation layer CGL).
  • a charge carrier pair generation layer structure 118 may be one or more
  • the charge carrier pair generation layer (s) and the hole-conducting charge carrier pair generation layer (s) may each be formed of an intrinsic conductive substance or a dopant in a matrix.
  • the carrier pair generation layer structure 118 should be formed with respect to the energy levels of the electron-conducting carrier generation layer (s) and the hole-conducting carrier generation layer (s) such that at the interface of an electron-conducting carrier generation pair with a hole-conducting Charge pair generation layer can be a separation of electron and hole.
  • the charge carrier pair generation layers structure 118 may further comprise a diffusion barrier between adjacent layers.
  • Each organic functional layer structure unit 116, 120 may, for example, have a layer thickness of at most approximately 3 ⁇ , for example a layer thickness of at most approximately 1 ⁇ , for example a layer thickness of approximately approximately 300 nm.
  • the optoelectronic component 100 may optionally have further organic functional layers, for example, arranged on or above the one or more
  • the further organic functional layers can be, for example, internal or external coupling / decoupling structures, which are the
  • the second electrode 114 may be formed.
  • the second electrode 114 may be formed according to any one of the configurations of the first electrode 110, wherein the first electrode 110 and the second electrode 114 may be the same or different.
  • the second electrode 114 may be formed as an anode, that is, as a hole-injecting electrode or as a cathode, that is as a
  • the second electrode 114 may have a second electrical connection to which a second electrical connection
  • the second electrical potential can be applied.
  • the second electrical potential may be from the same or another source of energy
  • the second electrical potential may be provided as the first electrical potential and / or the optional third electrical potential.
  • the second electrical potential may be different from the first electrical potential and / or the optionally third electrical potential.
  • the second electrical potential may, for example, have a value such that the
  • Difference from the first electrical potential has a value in a range of about 1.5 V to about 20 V, for example, a value in a range of about 2.5 V to about 15 V, for example, a value in a range of about 3 V. up to about 12V,
  • the second barrier layer 108 may be formed on the second electrode 114.
  • the second barrier layer 108 may also be referred to as
  • TFE Thin film encapsulation
  • the second barrier layer 108 may be formed according to one of the embodiments of the first barrier layer 104.
  • Barrier layer 108 can be dispensed with.
  • the optoelectronic component 100 may, for example, have a further encapsulation structure, as a result of which a second barrier layer 108 may become optional, for example a cover 124, for example one
  • Cavity glass encapsulation or metallic encapsulation Furthermore, in various embodiments
  • one or more input / output coupling layers may be formed in the optoelectronic component 100, for example an external outcoupling film on or above the carrier 102 ⁇ not shown) or an internal one
  • Decoupling layer (not shown) in the layer cross section of the optoelectronic component 100.
  • the input / output coupling layer can be a matrix and distributed therein
  • Antireflection layers for example, combined with the second barrier layer 108) in the optoelectronic
  • Component 100 may be provided.
  • a conclusive one may be on or above the second barrier layer 108
  • Connection chiebt 122 may be provided, for example, an adhesive or a paint.
  • a cover 124 on the second barrier layer 108 can be connected conclusively, for example, be glued.
  • transparent material can be particles
  • the coherent bonding layer 122 can act as a scattering layer and improve the colorangle distortion and the
  • Metal oxide for example silicon oxide (SiC ⁇ ), zinc oxide
  • the coherent bonding layer 122 may have a layer thickness of greater than 1 / im, for example one
  • the interlocking tie layer 122 may include or be a lamination adhesive.
  • the coherent connection layer 122 may be so
  • Such an adhesive may be, for example, a low-refractive adhesive such as an acrylate having a refractive index of about 1.3.
  • the adhesive may also be a high refractive adhesive, for example
  • a plurality of different adhesives may be provided which form an adhesive layer sequence.
  • an electrically insulating layer (not limited to
  • SiN for example, having a layer thickness in a range of about 300 nm to about 1.5 ⁇ , for example having a layer thickness in a range of about 500 nm to about 1 ⁇ , to electrically unstable materials protect, for example, during a wet chemical
  • a cohesive interconnect layer 122 may be optional, for example, if the cover 124 is directly on the second barrier layer 108 is formed, for example, a cover 124 made of glass, which is formed by means of plasma spraying.
  • the electrically active region 106 may also be a so-called getter layer or getter structure,
  • a laterally structured getter layer may be arranged (not shown).
  • the getter layer may include or be formed of a material that absorbs and binds substances that are detrimental to the electrically active region 106.
  • a getter layer may include or be formed from a zeolite derivative. The getter layer can
  • the getter layer may have a layer thickness of greater than about 1 ⁇ , for example, a layer thickness of several ⁇ ,
  • the getter layer may include a lamination adhesive or may be embedded in the interlocking tie layer 122.
  • a cover 124 may be formed on or above the coherent connection layer 122.
  • the cover 124 can be connected to the electrically active region 106 by means of the coherent connection layer 122 and protect it from harmful substances.
  • the cover 124 may include, for example, a glass cover 124, a
  • the glass cover 124 can be produced, for example, by means of a frit bonding / glass soldering / seal glass bonding using a conventional glass solder in the geometric edge regions of the organic optoelectronic component 100 are connected to the second barrier layer 108 and the electrically active region 106 conclusively.
  • the cover 124 and / or the integral interconnect layer 122 may have a refractive index (eg, at a wavelength of 633 nm) of 1.55.
  • FIGS. 2A, B show schematic representations of a
  • Embodiment of an optoelectronic component Embodiment of an optoelectronic component.
  • An optoelectronic component device 200 may be an optoelectronic component 100, according to one of the
  • the electrical circuit structure 130 and the planar optically active structure 150 may be monolithically integrated in the optoelectronic component 100. In Fig. 2A the monolithic integration is illustrated by the dashed contour of the opto-electronic
  • the electrical connector in one embodiment, the electrical connector
  • Structure 150 have a common carrier 102.
  • the electrical connector in one embodiment, the electrical connector
  • Circuit structure 130 are glued to or over the carrier 102 and / or on, above or next to the sheet-like optically active structure 150, for example, be laminated.
  • the first electrode 110 and the second electrode 114 of the optically active structure 150 illustrated in FIG. 1B may be connected to a first terminal 204A and a second terminal 204B of an electronic ballast 214, respectively.
  • Ballast 214 With the electronic ballast 214, furthermore, the electrical circuit structure 130 is electrically connected by means of the terminals 206A, 206B, for example, with a signal input of the electronic ballast 214.
  • the terminals 206A, 206B may be part of or form an interface.
  • the terminals 206A, 206B may be electrically connected to an electrical memory (not shown), wherein in the electrical memory of the
  • the interface may be designed for wireless readout of the output value, for example comprising an inductance component.
  • the inductance component can be designed, for example, for radio frequency identification (RFID).
  • RFID radio frequency identification
  • the electrical circuit structure 130 may include a
  • the resistance of the electrical resistance 202 is a function
  • the resistance 210 may be a function 212 of the operating current 208 of the optically active region (illustrated in FIG. 2B).
  • the maximum operating flow (illustrated as plateau 216 in Fig. 2B) may be limited by the type of electronic ballast 214, for example, because it can not provide higher operating currents
  • operating current 208 may have a linear or non-linear course, for example a
  • the functional relationship 212 may be dependent on the physical and / or structural configuration of the optically active structure 150. Furthermore, the functional relationship 212 may depend on the geometric dimension of the optically active structure 150, for example, the amount of the surface of the optically active side of the optically active structure 150.
  • Output voltage of the ballast of, for example, the measurable electrical resistance of the electrical
  • Circuitry may include a resistance value 202 in the functional relationship 212.
  • a point on the illustrated curve 212 becomes
  • the operating current 208 can be supplied to the planar optically active structure 150 by means of the terminals 204A, 204B, the operating current 208 of the planar optically active structure 150 being determined by the planar optically active structure
  • Structure 150 flows, with the electrical circuit structure
  • Structure 150 is provided. In other words, during operation of the planar optically active structure, the operating current 208 does not flow through the electrical
  • planar optically active structure 150 can be operated independently of the electrical circuit structure 130. Furthermore, the output value can be read out before the startup of the planar optically active structure 150 and the operating current 208 or the operating voltage in accordance with the output value to the planar optically active
  • Structure 150 can be provided.
  • 3A, B show schematic representations of a
  • the electrical circuit structure 130 of the optoelectronic component device 300 may include a capacitor 302 (illustrated in FIG. 3A) and / or an inductance
  • a coil can be a coil.
  • a coil can be a coil.
  • a capacitor 302 has a dielectric between two electrically conductive structures (see also FIG. 6).
  • Ballast 214 may be a function of the capacitance of the capacitor or a function of the inductance of the
  • FIG. 3B analogous to FIG. 2B, the functional relationship 306 of the electronic ballast 214 is shown
  • Relationship 306 may be formed according to any of the embodiments of the description of FIG. 2B.
  • an electrical circuit structure may include several of those described above
  • the plurality of electrical components may be used to adjust the
  • Output value to the terminals 206A, 206B a plurality of electrically connected in series and / or series electrical
  • Ballast output current and / or the output voltage are / is dependent on the output value of the electrical circuit structure.
  • the electrical circuit structure is designed such that the electronic ballast gets transmitted, which current and / or which voltage to be provided to the optically active structure.
  • Circuit structure may be dependent on the configuration of the electronic ballast of the optoelectronic component, for example, whether the electronic
  • Ballast can read a bit pattern. Furthermore, the specific embodiment may depend on how the
  • Operating current of the optically active structure 150 is functionally dependent on the output value of the electronic ballast, for example, to different functional
  • Ballast be formed.
  • 4A, B show schematic representations of a
  • the electric circuit structure 130 of the optoelectronic device device 400 may have an electrical conductor structure (illustrated in FIG. 4A).
  • the electronic ballast 214 may have a plurality of terminals for reading the output value of the electric circuit structure 130 having a line structure (in FIG. 4A).
  • FIG. 4A illustrates as ports 402A, 402B, 402C, 402D).
  • the plurality of terminals may be provided as separate inputs in the electronic ballast.
  • the electronic ballast a cable input for reading the different
  • Has lines such as a pin socket.
  • the conductor pattern may be formed such that the output value is a function of the electrically conductive lines 408A-D, ie, be dependent on the bit pattern 410 of the different lines 408A-D.
  • FIG. B illustrates an exemplary embodiment of a functional relationship (analogous to the description of FIGS. 2B and 3B) of the operating current of the optically active structure 150 for different bit patterns 410 of the conductor structure.
  • the bit pattern is determined by means of a
  • Bridging 406 and / or interruption 610 receives the electronic ballast 214 at a
  • Terminals 204A, 204B of the optically active structure 150 to provide an operating current of 100 mA (in Fig. 4B
  • the bridging can be formed in the example in that the lines 408A, 408B of the conductor structure in the region of the terminals 404A, 404B of the electrical circuit structure in / on the
  • Ballast further operating parameters of the optically active structure 150 are transmitted. These can be from the
  • Terminals 204A, 204B of the optically active structure 150th to be provided can be, for example, larger or smaller operating currents;
  • the entries of the bit-pattern matrix illustrated in FIG. 4B are signals derived from the electronic
  • Ballast 214 are processed as information, arrangements and / or prompts.
  • At least one output value of the electrical circuit structure can signal the electronic ballast 214, for example, which sampling ratio, which pulse widths, which pulse amplitudes and / or which pulse frequencies the current should have at the terminals 206 of the optically active structure 150.
  • a first light-emitting unit can be powered by a second light-emitting unit independently when the optoelectronic component is designed and
  • electrically controllable is that in a first
  • Operating mode emitted electromagnetic radiation can be adjusted.
  • an electrical resistance may be formed in at least part of the plurality of electrical lines of the conductor pattern become.
  • the bit pattern can thereby thepalsab ll on the respective lines for the transmission of further information or request to the electronic
  • Ballast can be used.
  • one or more lines of the conductor structure may have a capacitance and / or
  • FIG. 5 shows a schematic representation of a method for forming an optoelectronic component according to various exemplary embodiments.
  • the method 500 for producing an optoelectronic component comprises forming 502 an optically active structure.
  • planar optically active structure can according to one of
  • the method 500 may comprise determining 504 at least one operating parameter of the optically active structure of the optically active structure of the optoelectronic component. However, there may be two or more
  • Operating parameters are determined simultaneously or sequentially.
  • An operating parameter can be one of the following variables
  • the current strength of the operating current the current strength of the operating current
  • Components such as organic light-emitting diodes, become darker with increasing operating time. This decrease in intensity can be compensated with additional current.
  • the electronic ballast be designed such that the electronic
  • Ballast - after having been told how long the organic light-emitting diode is already operating - calculate by means of the transmitted coefficient that soft current is to be set after x hours of operation.
  • Determining 504 at least one operating parameter may include measuring a voltage drop, an impedance, a capacitance, a current, the optically active structure
  • the determining 504 may include determining and / or absorbing the color locus and / or the intensity of the in / of the optically active structure
  • electromagnetic radiation can / can from the
  • Terminals of the optically active structures may be formed once or several times.
  • the one-time success of the above-mentioned method can be before and / or during the connection of the optically active structure with the electronic
  • the repeated successes of at least one of said methods during the operation of the optoelectronic component may include, for example, repeated.
  • aging-related changes in optical and / or electrical properties of the optically active structure can thereby be compensated for by means of a modification of at least one operating parameter.
  • the method may include forming 506 a
  • the electrical circuit structure taking into account the determined operating parameter.
  • the electrical circuit structure is formed such that the
  • Output value of the electrical circuit structure is a function of the determined operating parameter.
  • the output value of the electric circuit structure may be an electric resistance value, a capacitance, as described above
  • forming the optically active structure 502 may include forming an electrical circuit pre-structure. Forming the
  • Circuit pre-structure may include, for example, forming a metallization layer and / or forming one or more electrical leads and / or one or more electrical structures.
  • the circuit pre-structure may be on and / or adjacent to the optically active structure
  • a cover is formed on or above the electrical circuit structure such that a contact region of the electrical circuit structure is exposed.
  • the electrical circuit pre-structure and / or the electrical circuit structure may be or may be formed electrically isolated from the optically active structure.
  • Forming 506 the electrical circuit structure may include patterning the electrical circuit pre-structure.
  • the electrical circuit pre-structure can by means of
  • the patterning may include applying or removing a substance or fabric from the electrical
  • the formation 506 of the electrical circuit structure 130 may, for example, form an electrical
  • structuring may also involve converting part of the electrical circuit pre-structure
  • the current path in the electrical circuit structure can be formed according to a predetermined current path.
  • the formation of the electrically insulating structure and / or the formation of the electrical Bridging structure may be formed such that the capacitance of a capacitor; the resistance of an electrical resistor; the inductance of a
  • Inductance component and / or the bit pattern of a
  • Ladder structure are formed with respect to a
  • the formation of the electrically insulating structure may have a ballistic exposure
  • a laser ablation for example, a laser ablation.
  • a ballistic exposure of the areas to be exposed can be achieved, for example, by bombardment of the free area with particles, molecules, atoms, ions, electrons and / or photons.
  • a bombardment with photons can, for example, as
  • Laser ablation with a wavelength in a range of about 200 nm to about 1700 nm be formed, for example, focused, for example, with a
  • Focusing diameter in a range of about 10 ⁇ to about 2000 ⁇ for example, pulsed, for example, with a pulse duration in a range of about 100 fs to about 0, 5 ms, for example with a power of about 50 mW to about 1000 mW, for example with a
  • this can be a part of an electric
  • the electrical circuit pre-structure may be formed with a first electrically conductive structure 612A and at least one second electrically conductive structure 612B, wherein the first electrically conductive structure 612A is formed electrically insulated from the second electrically conductive structure 612B. Furthermore, the first can be electrically
  • Component be formed electrically connected to the second electrically conductive structure 612B. Further embodiments for forming an electrical
  • Circuitry structure are illustrated in Fig. 6 and related description.
  • Figures 6A-E show schematic representations of electrical
  • Metallization layer is removed (illustrated in
  • the removed portion of a metallization layer is indicated by the arrows at 602.
  • the portion electrically isolated from the metallization level by the removed portion 602 (indicated by the arrow with the reference numeral 604), an electric
  • the electrically isolated region 604 for example an electrical conductor, may for example have a width in a range of approximately 500 .mu.m to approximately 5 mm, for example in a range of approximately 1 mm
  • the electrical connections 206A, 206B may be electrically connected to the electronic ballast by means of an adhesive bond (anisotropic conductive film bonding - ACF bonding) to a flexible printed circuit board (FlexPCB).
  • An electrical resistor 202 may be formed as described above and below.
  • the electrically isolated region may have a taper in the current path, so that the electrical resistance of the electrical circuit structure 130 and thus the voltage drop across the electrical circuit structure 130 is increased.
  • FIG. 6A illustrates an electrical resistance 202 made of a thin metal, wherein the metallization 604 is surrounded by laser ablation lines 602
  • Metallization 618 is electrically isolated.
  • the electrical resistance from the first terminal 206A to the second terminal 206B identifies the optoelectronic component for the electronic ballast. This may then automatically adjust the electrical power supply with respect to the optically active structure and provide a proper current to electrically connect and operate the opto-electronic device. Every optoelectronic
  • Component can, for example, an electrical
  • Metallization layer a conductor pattern with a plurality of electrical lines 408 are formed
  • a lead may include a first terminal 606 and a second terminal 608.
  • the electrical leads 408 are electrically isolated from each other. By applying an electrical voltage across the first terminal 606 and the second terminal 608, an electrical current can flow through the electrical leads 408.
  • the electrical connection from the first lead 606 to the second lead 608 may be electrically cut off.
  • electrically insulated lines 408 may be electrically connected together.
  • bit pattern (see description of FIG. B) can be formed as an output value of the electric circuit structure 130.
  • the bit pattern (see description of FIG. B) can be formed as an output value of the electric circuit structure 130.
  • Lines 408 of the conductor structure have a common first terminal 606. Thereby, the formation of the bit pattern can be simplified.
  • An interruption of an electrical line can be any interruption of an electrical line.
  • an interruption can also be formed by electrically isolating between two contacts
  • Fabric is formed, instead of an electrically conductive material.
  • An electrical circuit pre-structure may comprise a first electrically conductive structure 612A and a second electrically conductive structure 612B.
  • the first electrically conductive structure 612A and the second electrically conductive structure 612B may be used as electrical connections (206A, 206B). be formed of the electrical circuit structure 130 or have this (illustrated in Figure 6C and Figure 6D).
  • Forming the electrical circuit structure 130 may include forming an electrical circuit pre-structure 620.
  • Circuit structure can be formed, carried out with the formation of the optically active structure, for example in parallel.
  • This can be formed, for example, in which a part 610 of a metallization layer is removed.
  • the removal of the portion 610 of the metallization layer may be a step in forming the electrical circuit pre-structure and / or in forming the electrical circuit structure.
  • Circuit Vor Quilt 620 a general circuit structure 130 are formed, which are suitable for a variety
  • Optoelectronic components and / or optically active structures are / is suitable. After determining at least one operating parameter of the optically active structure, the output value of the electrical circuit structure can be finely adjusted, for example by the magnitude of an electrical resistance, of a capacitor, a
  • Inductance and / or the bit pattern is set.
  • the capacitance of the capacitor can be finely adjusted (illustrated in FIG. 6C).
  • Structure 612C and a fourth electrically conductive structure 612D be formed.
  • electrically conductive structures 612 can be electrically connected to each other by means of a bridging structure.
  • a bridging structure As a result, different electrical resistances, capacitors, conductor structures and / or inductances can be formed in a flexible manner (illustrated in FIG. 6D).
  • Forming the bridging structure 616 may include
  • the bridging structure 616 may be formed such that the output value of the electric circuit structure can be formed by the bridging structure
  • the formation of the electrically conductive connection may comprise an electrically conductive material between the first electrically conductive structure 612A and the second electrically conductive structure 612B such that an electrical connection is formed between the first electrically conductive structure 612A and the second electrically conductive structure 612B is illustrated (illustrated in Fig. 6D).
  • the formation of the electrical circuit structure may include
  • an electrically insulating structure 610 between the first electrically conductive structure 612A and the second electrically conductive structure 612B.
  • the training an electrically insulating structure 610, 614 may
  • an electrically insulating material for example, applying an electrically insulating material, exposing an electrically insulating material (illustrated in Figure 6B-E) and / or converting an electrically conductive material in an electrically conductive material, for example, a doping, oxidation, nitriding.
  • Forming the electrically insulating structure 610, 614 may include removing a portion 614, 610 of the third
  • electrically conductive structure is formed.
  • the third electrically conductive structure can be formed in two electrically isolated from each other electrically isolated areas.
  • the fourth electrically conductive structure can be electrically isolated from the fifth electrically conductive structure.
  • the current path can be changed by the electrical circuit structure 130
  • organic, optoelectronic component As a result, the user of organic, optoelectronic components, several searches,
  • the user can by means of a simple connection of the electrical circuit structure, for example of coding pins of the electrical circuit structure with a terminal of the electronic ballast, the system optoelectronic component and electronic
  • the electronic circuit structure can be formed inexpensively, for example, be formed without costly and expensive photolithographic process.
  • the optoelectronic component can be self-identifying with regard to the electronic ballast. As a result, no further method steps are necessary when connecting the optoelectronic component to the electronic ballast, for example, no conventional connection / connection of an electrical

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Abstract

In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird ein optoelektronisches Bauelement (100) bereitgestellt, das optoelektronische Bauelement (100) aufweisend : eine flächige optisch aktive Struktur (150) und eine elektrische Schaltungsstruktur (130), wobei die flächige optisch aktive Struktur (150) zu einem Aufnehmen und/oder Bereitstellen einer elektromagnetischen Strahlung ausgebildet ist; und wobei die elektrische Schaltungsstruktur (130) derart ausgebildet ist, dass sie einen Ausgabewert bereitstellt, wobei der Ausgabewert abhängig ist von wenigstens einem Betriebsparameter der optisch aktiven Struktur (150) ist.

Description

Beschreibung
Optoelektronisches Bauelement, optoelektronische
Bauelementevorrichtung und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes
In verschiedenen Ausführungsformen werden ein
optoelektronisches Bauelement, eine optoelektronische
Bauelementevorrichtung und ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes bereitgestellt .
Optoelektronische Bauelemente auf organischer Basis,
beispielsweise eine organische Leuchtdiode (organic light emitting diode - OLED) , finden zunehmend verbreitete
Anwendung in der Allgemeinbeleuchtung, beispielsweise als Flächenlichtquelle . Ein herkömmliches organisches
optoelektronisches Bauelement, beispielsweise eine OLED, kann eine Anode und eine Kathode mit einem organischen
funktionellen Schichtensystem dazwischen aufweisen . Das organische funktionelle Schichtensystem weist eine oder mehrere Emitterschicht (en) auf , in der/denen
elektromagnetische Strahlung erzeugt wi d, eine oder mehrere Ladungsträgerpaar-Erzeugung- Schichtenstruktur (en) aus jeweils zwei oder mehr Ladungsträgerpaar- Erzeugung-Schichten („Charge generating layer" , CGL) zur Ladungsträgerpaarerzeugung, sowie einer oder mehreren Elektronenblockadeschichte (n) , auch bezeichnet als Lochtransportschicht (en) („hole transport layer" - HTL) , und einer oder mehrerer Lochblockadeschichten, auch bezeichnet als Elekt onentransportschien { en) („electron transport layer" - ETL) , um den Stromfluss zu richten .
Bei einem herkömmlichen elektronischen Vorschaltgerät für eine Leuchtdiode sind auf der Leiterplatte des elektronischen Vorschaltgerätes neben den Kontakten zum Beströmen der
Leuchtdiode zwei zusätzliche Kontakte vorgesehen, an welche bereits bei der LED- und Elektronik-Bestückung der für ein ermitteltes Universalvorschaltgerat berechnete elektrische Widerstand angeschlossen wird. Somit braucht der Benutzer für den Betrieb der Leuchtdiode diese nur noch an das
Vorschaltgerät anschließen . Das elektronische Vorschaltgerät verraisst den elektrischen Widerstand und stellt entsprechend einer Um echnungsforme1 einen Strom mit einer korrelierten Stromstärke am Ausgang für die Leuchtdiode des elektronischen Vorschaltgerätes bereit .
Organische Leuchtdioden können in einer Vielzahl von
Ausgestaltungen ausgebildet werden, beispielswiese mit unterschiedlichsten Technologien, Materialien, Größen und Formen . Daraus resultiert eine Vielzahl an verschiedenen Nennströmen für die Vielzahl an organischen Leuchtdioden . Von der Vielzahl an organischen Leuchtdioden kann jede
Ausgestaltung mit einem anderen Nennstrom betrieben werden . Aufgrund der Vielzahl an Ausgestaltungen von organischen
Leuchtdioden können einzelne Ausgestaltungen beispielsweise in der LED-Technologie unübliche Betriebsströme aufweisen, beispielsweise einen Betriebsstrom von 123 mA oder ähnliches . Damit der Nennstrom bei der Vielzahl an organischen
Leuchtdioden ungefähr gleich ist, werden elektronische
Vorschaltgerate benötigt mit einstellbarer
AusgangsStromstärke bzw. Ausgangsspannung .
Zum Betreiben einer organischen Leuchtdiode wird herkömmlich das individuell einstellbare , elektronische Vorschaltgerät einer herkömmlichen, anorganischen Leuchtdiode verwendet . Ein solches elektronisches Vorschaltgerät stellt einen
elektrischen Strom in einem breiten Stromstärkebereich bereit und kann j eden beliebigen Stromstärkewert oder zumindest fein abgestufte Stromstärkewerte in diesem Bereich zulassen.
Eine organische Leuchtdiode sollte aus Anwendersicht
möglichst einfach und ohne tiefere technische Vorkenntnisse in einer Vorrichtung oder einem Bauelement verbaut werden können . Weiterhin sollte die Integration des
optoelektronischen Bauelementes in eine Vorrichtung keinen besonderen Aufwand erfordern. In einem herkömmlichen Verfahren ist es für den Benutzer von organischen Leuchtdioden erforderlich die notwendige
Nennstromstärke der organischen Leuchtdiode aus dem
Datenblatt zu entnehmen . Der Benutzer hat dann die
Nennstromstärke mittels Formel oder Tabelle in einen
Widerstandswert umzurechnen. Anschließend hat der Benutzer den WiderStandswert an Werte herkömmlich verfügbarer
Widerstände anzunähern . Zum Schluss hat der Benutzer den Widerstand an die Schnittstelle des elektronischen
Vorschaltgerätes korrekt anzuschließen . Viele Benutzer organischer Leuchtdioden möchten/können sich nicht mit dieser Vielzahl an technischen Entscheidungen auseinandersetzten bzw. möchten den erforderlichen technischen Aufwand nicht betreiben, sondern bevorzugen technisch einfache Lösungen, beispielsweise Einstecken und Betreiben (Plug & Play) . Auch wenn der Benutzer diese Entscheidungen treffen kann und diesen Aufwand betreibt, können potenziell Fehler auftreten. Beispielsweise können Berechnungen fehlerhaft sein, falsche Widerstände verwendet werden, beispielsweise falsche
Widerstände geliefert oder bestückt werden; und/oder der Widerstand falsch Kontaktiert werden. Falsche
Widerstandswerte können zu einem Betreiben der organischen Leuchtdiode mit einem falschen Strom führen . In der Regel wird der Ausgangstrom des Vorschaltgerätes nach dem
Einstellen der Stromstärke nicht nachgemessen . Dadurch kann ein falsch eingestellter Strom nicht gleich erkannt werden, wodurch die organische Leuchtdiode beschädigt werden kann.
In verschiedenen Ausführungsformen werden ein
optoelektronisches Bauelement , eine optoelektronische
Bauelementevorrichtung und ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes bereitgestellt , mit denen es möglich ist , ein technisch einfacher zu betreibendes
organisches , optoelektronisches Bauelement auszubilden bzw. zu betreiben.
In verschiedenen Ausführungsformen wird ein
optoelektronisches Bauelement bereitgestellt , das optoelektronische Bauelement aufweisend: eine flächige optisch aktive Struktur und eine elektrische
Schaltungsstruktur, wobei die flächige optisch aktive
Struktur zu einem Aufnehmen und/oder Bereitstellen einer elektromagnetischen Strahlung ausgebildet ist; und wobei die elektrische Schaltungsstruktur derart ausgebildet ist, das s sie einen Ausgabewert bereitstellt, wobei der Ausgabewert abhängig ist von wenigstens einem Betriebsparameter der optisch aktiven Struktur ist.
In einer Ausgestaltung kann die flächige optisch aktive
Struktur eine erste Elektrode, eine zweite Elektrode und eine organische funktionelle Schichtenstruktur aufweisen, wobei die organische funktionelle Schichtenstruktur zwischen der ersten Elektrode und der zweiten Elektrode ausgebildet ist.
In einer Ausgestaltung kann das optoelektronische Bauelement als eine organische Leuchtdiode, eine organische Solarzelle und/oder ein organischer Fotodetektor ausgebildet sein.
In einer Ausgestaltung kann das optoelektronische Bauelement als ein Flächenbauelement ausgebildet sein.
In einer Ausgestaltung kann der wenigstens eine
Betriebsparameter abhängig sein von der elektrischen
Stromstärke und/oder Stromdichte des Betriebsstromes und/oder der Betriebsspannung der optisch aktiven Struktur.
In einer Ausgestaltung kann der wenigstens eine
Betriebsparameter abhängig sein von der flächigen Abmessung der optisch aktiven Struktur.
In einer Ausgestaltung kann der wenigstens eine
Betriebsparameter abhängig sein von der Spannung und/oder der Lichtfarbe.
Flächige optoelektronische Bauelemente der gleichen Bauart aber mit unterschiedlicher flächiger Abmessung sollten mit einer gleichen Stromdichte betrieben werden. Dadurch kann eine gleiche Alterung und Lebenszeit der optoelektronischen Bauelemente unterschiedlicher flächiger Abmessungen
ausgebildet werden, beispielsweise mit einem gleichen
Helligkeitseindruck aufgrund der gleichbleibenden
Leuchtdichte und/oder einem gleichen Farbort . Aufgrund der unterschiedlichen flächigen Abmessungen werden für das
Bereitstellen einer gleichen Stromdichte für die
unterschiedlichen optoelektronischen Bauelemente elektrische Ströme mit unterschiedlichen Stromstärken benötigt. Somit kann ein Betriebsparameter, beispielsweise die benötigte Stromstärke, abhängig sein von der bauelementeindividuellen flächigen Abmessung der optisch aktiven Struktur . Weitere Betriebsparameter eines optoelektronischen
Bauelementes können abhängig sein von prozessbedingten
Schwankungen, beispielsweise der Schichtdicke, einer lokalen Stoffkonzentrationen, der Defektdichte . Dadurch können zwei optoelektronische Bauelemente einer Bauart und gleicher flächiger Abmessung unterschiedliche elektrische
Eigenschaften, beispielsweise unterschiedliche Kapazitäten, elektrische Widerstände, Induktivitäten; und/oder
unterschiedliche optische Eigenschaften, beispielsweise Farborte und/oder Intensität absorbierbarer und/oder
emittierbarer elektromagnetischer Strahlung; aufweisen.
In einer Ausgestaltung kann die elektrische
Schaltungsstruktur einen elektrischen Widerstand aufweisen, wobei der Ausgabewert abhängig von dem elektrischen
Widerstandswert des elektrischen Widerstandes ist .
In einer Ausgestaltung kann die elektrische
Schaltungsstruktur einen Kondensator aufweisen, wobei der
Ausgabewert abhängig von der Kapazität des Kondensators ist.
In einer Ausgestaltung kann die elektrische
Schaltungsstruktur ein Induktivität-Bauelement aufweisen, wobei der Ausgabewert abhängig von der Induktivität des
Induktivität-Bauelementes ist.
In einer Ausgestaltung kann die elektrische
Schaltungsstruktur eine Leiterstruktur aufweisen, wobei die
Leiterstruktur mehrere elektrische Leitungen aufweist derart, dass der Ausgabewert abhängig ist von dem Bit-Muster der mehreren elektrischen Leitungen, Mit anderen Worten: der Ausgabewert kann abhängig sein von der Kombination von
Verbindungen bzw. Überbrückungen und Unterbrechungen zwischen den mehreren elektrischen Leitungen .
In einer Ausgestaltung kann die elektrische
Schaltungsstruktur einen ersten Stromanschluss und wenigstens einen zweiten Stromanschluss aufweisen, wobei der erste
Stromanschluss mit dem zweiten Stromanschluss elektrisch verbunden ist . Beispielsweise kann der erste Stromanschluss als Stromeingang und der zweite Stromanschluss als
Stromausgang ausgebildet sein.
In einer Ausgestal ung kann die elektrische
Schaltungsstruktur einen Stromeingang und mehrere
Stromausgänge aufweisen, wobei die mehreren Stromausgange mit dem einen Stromeingang vor dem Ausbilden des Bit -Muster elektrisch verbunden sind. Dadurch kann beispielsweise eine elektrische Schaltungsstruktur mit einem Bit-Muster mit lediglich einem Stromeingang realisiert werden. Das Bit- Muster kann ausgebildet sein, indem bestimmte Leitungen der mehreren Leitungen Unterbrechungen zwischen dem Stromeingang und ihrem Stromausgang aufweisen. Dadurch sind die
Stromausgänge dieser Leitungen nicht mit dem Stromeingang verbunden .
In einer Ausgestaltung kann die elektrische
Schal ungsstruktur auf oder über der optisch aktiven Struktur ausgebildet sein. In einer Ausgestaltung kann das optoelektronische Bauelement ferner eine Abdeckung aufweisen, wobei die Abdeckung auf der elektrischen Schaltungsstruktur ausgebildet ist; oder wobei die elektrische Schaltungsstruktur auf der Abdeckung
ausgebildet ist . In der Ausgestaltung mit der Abdeckung auf der elektrischen Schaltungsstruktur kann die Abdeckung die elektrische Schaltungsstruktur und/oder die optische aktive Struktur vor schädlichen Stoffen schützen, beispielsweise hinsichtlich Wasser und/oder Sauerstoff , beispielsweise hinsichtlich einer Oxidation; und/oder vor mechanischen
Beschädigungen, beispielsweise Verkratzungen.
In einer Ausgestaltung kann die elektrische
Schaltungsstruktur neben der optisch aktiven Struktur
ausgebildet sein, beispielsweise im optisch inaktiven
Bereich .
In einer Ausgestaltung kann die elektrische
Schaltungsstruktur eine weitere Abdeckung aufweisen. Die weitere Abdeckung kann vereinzelt sein hinsichtlich der
Abdeckung der optisch aktiven Struktur. Die elektrische
Schaltungsstruktur und die optisch aktive Struktur können j edoch auch eine gemeinsame Abdeckung aufweisen . In einer Ausgestaltung kann die elektrische
Schaltungsstruktur und die flächige optisch aktive Struktur wenigstens eine gemeinsame Elektrode aufweisen .
In einer Ausgestaltung kann die elektrische
Schaltungsstruktur mit wenigstens einer der Elektroden der optisch aktiven Struktur elektrisch verbunden sein.
In einer Ausgestaltung kann die elektrische
Schaltungsstruktur einen elektrischen Speicher aufweisen, wobei der Ausgabewert in dem elektrischen Speicher elektrisch auslesbar gespeichert ist . In einer Ausgestaltung kann die elektrische
Schaltungsstruktur eine Schnittstelle aufweisen, wobei die Schnittstelle einen oder mehrere Anschlüsse aufweist und wobei die Schnittstelle zum elektrischen Auslesen des
Ausgabewertes eingerichtet ist.
In einer Ausgestaltung kann die Schnittstelle zu einem drahtlosen Auslesen des Ausgabewertes ausgebildet sein. In verschiedenen Ausführungsformen wird ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes
bereitgestellt, das Verfahren aufweisend: Ausbilden einer flächigen optisch aktiven Struktur, wobei die flächige optisch aktive Struktur zum Aufnehmen oder Bereitstellen einer elektromagnetischen Strahlung ausgebildet wird;
Ermitteln wenigstens eines Betriebsparameters der optisch aktiven Struktur des optoelektronischen Bauelementes; und Ausbilden einer elektrischen Schaltungsstruktur unter
Berücksichtigung des ermittelten Betriebsparameters derart, dass der Ausgabewert der elektrischen Schaltungsstruktur eine Funktion des ermittelten Betriebsparameters ist.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das Ausbilden der optisch aktiven Struktur ein Ausbilden einer ersten
Elektrode, ein Ausbilden einer organischen funktionellen
Schichtenstruktur auf der ersten Elektrode, und ein Ausbilden einer zweiten Elektrode auf der organischen funktionellen Schichtenstruktur aufweisen. In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das
optoelektronische Bauelement als eine organische Leuchtdiode, eine organische Solarzelle und/oder ein organischer
Fotodetektor ausgebildet werden. In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das
optoelektronische Bauelement als ein Flächenbauelement ausgebildet werden. In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der wenigstens eine Betriebsparameter abhängig sein von der elektrischen
Stromstärke des Betriebsstromes der optisch aktiven Struktur . In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der wenigstens eine Betriebsparameter abhängig sein von der flächigen
Abmessung der optisch aktiven Struktur .
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der wenigstens eine Betriebsparameter abhängig sein von der Spannung
und/oder der Lichtfarbe .
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das Ausbilden der elektrischen Schaltungsstruktur ein Ausbilden eines
elektrischen Widerstandes aufweisen, wobei der Ausgabewert abhängig von dem elektrischen Widerstandswert des
elektrischen Widerstandes ist .
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das Ausbilden der elektrischen Schaltungsstruktur ein Ausbilden eines
Kondensators aufweisen, wobei der Ausgabewert abhängig von der Kapazität des Kondensators ist .
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das Ausbilden der elektrischen Schaltungsstruktur ein Ausbilden eines
Induktivität-Bauelementes aufweisen, wobei der Ausgabewert abhängig von der Induktivität des Induktivität -Bauelementes ist . In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das Ausbilden der elektrischen Schaltungsstruktur ein Ausbilden einer
Leiterstruktur aufweisen, wobei die Leiterstruktur mit mehrerer elektrischen Leitungen ausgebildet wird derart , dass der Ausgabewert abhängig ist von dem Bit-Muster der mehreren elektrischen Leitungen . Mit anderen Worten: der Ausgäbewert kann abhängig sein von der Kombination von Verbindungen bzw. Überbrückungen und Unterbrechungen zwischen den mehreren elektrischen Leitungen. In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das Ausbilden der elektrischen Schaltungsstruktur ein Ausbilden eines ersten
Stromanschlusses und wenigstens eines zweiten
Stromanschlusses aufweisen, wobei der erste Stromanschluss mit dem zweiten Stromanschluss elektrisch verbunden wird .
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das Ausbilden der elektrischen Schaltungsstruktur ein Ausbilden eines
Stromeingangs und mehrerer Stromausgänge aufweisen, wobei die mehreren Stromausgänge vor dem Ausbilden des Bit-Muster mit dem einen Stromeingang elektrisch verbunden werden . Das Bit- Muster kann ausgebildet werden, indem bei bestimmten
Leitungen der mehreren Leitungen Unterbrechungen zwischen dem Stromeingang und ihrem Stromausgang ausgebildet werden.
Dadurch sind die Stromausgänge dieser Leitungen nicht mit dem Stromeingang verbunden .
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die elektrische Schaltungsstruktur auf oder über der optisch aktiven Struktur ausgebildet werden.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das Ausbilden der optisch aktiven Struktur ferner ein Ausbilden einer Abdeckung aufweisen, wobei die Abdeckung auf der elektrischen
Schaltungsstruktur ausgebildet wird; oder wobei die
elektrische Schaltungsstruktur auf der Abdeckung ausgebildet wird . In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die elektrische Schaltungsstruktur neben der optisch aktiven Struktur
ausgebildet werden .
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das Ausbilden der elektrischen Schaltungsstruktur ferner ein Ausbilden einer weiteren Abdeckung aufweisen, wobei die weitere Abdeckung über der elektrischen Schaltungsstruktur ausgebildet wird. Die weitere Abdeckung kann vereinzelt ausgebildet hinsichtlich der Abdeckung der optisch aktiven Struktur . Die elektrische Schaltungsstruktur und die optisch aktive
Struktur können jedoch auch mit einer gemeinsamen Abdeckung ausgebildet werden.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die elektrische Schaltungsstruktur und die flächige optisch aktive Struktur derart ausgebildet werden, dass sie wenigstens eine
gemeinsame Elektrode aufweisen.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die elektrische Scha1tungsstruktur mit wenigstens einer der Elektroden der optisch aktiven Struktur elektrisch verbunden werden. In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das Ausbilden der optisch aktiven Struktur ein Ausbilden einer elektrischen Schaltungsvorstruktur aufweisen.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das Ausbilden der elektrischen Schaltungsstruktur ein Strukturieren der
elektrischen Schaltungsvorstruktur aufweisen.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das Ausbilden der elektrischen Schaltungsstruktur ein Ausbilden einer
elektrisch isolierenden Struktur und/oder ein Ausbilden einer elektrischen Überbrückungsstruktur in der elektrischen
Schaltungsvorstruktur auf eisen .
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das Ausbilden der elektrisch isolierenden Struktur und/oder das Ausbilden der elektrischen Überbrückungss ruktur derart ausgebildet sein, dass die Kapazität eines Kondensators der Widerstandswert eines elektrischen Widerstandes ; die Induktivität eines Induktivität -Bauelementes ; und/oder das Bit-Muster einer Leiterstruktur ausgebildet werden hinsichtlich des
ermittelten Betriebsparameters . In einer Ausges altung des Verfahrens kann das Ausbilden der elektrisch isolierenden Struktur eine Laserablation
aufweisen. In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die elektrische Schaltungsvorstruktur mit einer ersten elektrisch leitenden Struktur und wenigstens einer zweiten elektrisch leitenden Struktur ausgebildet werden, wobei die erste elektrisch leitende Struktur elektrisch isoliert von der zweiten
elektrisch leitenden Struktur ausgebildet wird.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das Ausbilden der Überbrückungsstruktur ein Ausbilden einer elektrischen
Verbindung zwischen der ersten elektrisch leitenden Struktur und der zweiten elektrisch leitenden Struktur aufweisen .
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das Ausbilden der elektrischen Verbindung ein Aufbringen eines elektrisch leitenden Stoffs zwischen der ersten elektrisch leitenden Struktur und der zweiten elektrisch leitenden Struktur aufweisen .
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das Ausbilden der elektrisch isolierenden Struktur ein Ausbilden eines
elektrisch isolierenden Stoffs zwischen der ersten elektrisch leitenden Struktur und der zweiten elektrisch leitenden
Struktur aufweisen.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die elektrische Schaltungsvorstruktur mit einer dritten elektrisch leitenden Struktur ausgebildet werden .
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das Ausbilden der elektrisch isolierenden Struktur ein Entfernen eines Teils der dritten elektrischen leitenden Struktur aufweisen derart, dass eine vierte elektrisch leitende Struktur und eine fünfte elektrisch leitende Struktur ausgebildet werden . In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die vierte elektrisch leitende Struktur elektrisch von der fünften elektrisch leitenden Struktur isoliert werden. In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann mittels des
Entfernens des Teils der dritten elektrisch leitenden
Struktur der Strompfad durch die elektrische
Schaltungsstruktur verändert werden. In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das Ausbilden der elektrischen Schaltungsstruktur ein Ausbilden eines
elektrischen Speichers aufweisen, wobei der elektrische Speicher derart ausgebildet wird, dass der Ausgabewert in dem elektrischen Speicher elektrisch auslesbar speicherbar ist .
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das Ausbilden der elektrischen Schaltungsstruktur ein Ausbilden einer
Schnittstelle aufweisen, wobei die Schnittstelle mit einem oder mehreren Anschlüssen ausgebildet wird, und wobei die Schnittstelle zum elektrischen Auslesen des Ausgabewertes ausgebildet wird.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die Schnittstelle zu einem drahtlosen Auslesen des Ausgabewertes ausgebildet werden.
In verschiedenen Ausführungsformen wird eine
optoelektronische Bauelementevorrichtung bereitgestellt , die optoelektronische Bauelementevorrichtung aufweisend: ein optoelektronisches Bauelement gemäß oben dargestellter
Ausgestaltungen; ein elektronisches Vorschaltgerät , das zu einem Bereitstellen eines elektrischen Stromes an die flächige optisch aktive Struktur und/oder zu einem Aufnehmen eines elektrischen Stroms aus der optisch aktiven Struktur eingerichtet ist ; wobei das elektronische Vorschaltgerät einen ersten Anschluss , einen zweiten Anschluss und eine Ermittlungs -Vorrichtung aufweist, wobei die Ermittlungs- Vorrichtung mit dem ersten Anschluss und dem zweiten Anschluss elektrisch gekoppelt ist; wobei die flächige optisch aktive Struktur mit dem ersten Anschluss elektrisch verbunden ist, und die elektrische Schaltungsstruktur mit dem zweiten Anschluss elektrisch verbunden ist; wobei die
Ermittlungs-Vorrichtung zum Ermitteln des Ausgabewertes der elektrischen Schaltungsstruktur eingerichtet ist und mittels des ermittelten Ausgabewertes wenigstens einen
Betriebsparameter der optisch aktiven Struktur hinsichtlich eines vorgegebenen Betriebsparameters verändert.
Mittels der elektrischen Kopplung der Ermittlungs-Vorrichtung mit dem ersten Anschluss und dem zweiten Anschluss kann die Ermittlungs-Vorrichtung den ermittelten Ausgabewert der elektrischen Schaltungsstruktur ermitteln. Dadurch kann die Ermittlungs-Vorrichtung die mittels des funktionalen
Zusammenhangs ermittelte Information über einen auszugebenden wenigstens einen Betriebsparameter an den zweiten Anschluss weiterleiten . In einer Ausgestaltung der optoelektronischen
Bauelementevorrichtung kann der vorgegebene Betriebsparameter eine für die flächige optisch aktive Struktur spezifizierte Stromstärke und/oder Stromdichte und/oder Spannung sein, beispielsweise hinsichtlich der flächigen Abmessung der optisch aktiven Struktur.
Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Figuren dargestellt und werden im Folgenden näher erläutert. Es zeigen
Figuren 1A, B schematische Ansichten eines
optoelektronischen Bauelementes gemäß
verschiedenen Ausführungsbeispielen;
Figuren 2A, B schematische Darstellungen eines
Ausführungsbeispiels eines optoelektronischen Bauelementes ; Figuren 3A, B schematische Darstellungen eines
Ausführungsbeispiels eines optoelektronischen Bauelementes ;
Figuren 4A, B schematische Darstellungen eines
Ausführungsbeispiels eines optoelektronischen Bauelementes ; Figur 5 eine schematische Darstellung zu einem
Verfahren zum Ausbilden eines
optoelektronisches Bauelementes gemäß
verschiedenen Ausführungsbeispielen; und Figuren 6A-E schematische Darstellungen elektrischer
Schaltungsstrukturen gemäß verschiedenen
Ausführungsbeispiele .
In der folgenden ausführlichen Beschreibung wird auf die beigefügten Zeichnungen Bezug genommen, die Teil dieser bilden und in denen zur Veranschaulichung spezifische
Ausführungsformen gezeigt sind, in denen die Erfindung ausgeübt werden kann. In dieser Hinsicht wird
Richtungsterminologie wie etwa „oben" , „unten" , „vorne" , „hinten" , „vorderes" , „hinteres" , usw. mit Bezug auf die
Orientierung der beschriebenen Figur (en) verwendet . Da
Komponenten von Ausführungsformen in einer Anzahl
verschiedener Orientierungen positioniert werden können, dient die Richtungsterminologie zur Veranschaulichung und ist auf keinerlei Weise einschränkend . Es versteht sich, dass andere Ausführungsformen benutzt und strukturelle oder logische Änderungen vorgenommen werden können, ohne von dem Schutzumfang der vorliegenden Erfindung abzuweichen. Es versteht sich, dass die Merkmale der hierin beschriebenen verschiedenen beispielhaften Ausführungsformen miteinander kombiniert werden können, sofern nicht spezifisch anders angegeben . Die folgende ausführliche Beschreibung ist deshalb nicht in einschränkendem Sinne aufzufassen, und der Schutzumfang der vorliegenden Erfindung wird durch die angefügten Ansprüche definiert.
Im Rahmen dieser Beschreibung werden die Begriffe
"verbunden", "angeschlossen" sowie "gekoppelt" verwendet zum Beschreiben sowohl einer direkten als auch einer indirekten Verbindung, eines direkten oder indirekten Anschlusses sowie einer direkten oder indirekten Kopplung. In den Figuren werden identische oder ähnliche Elemente mit identischen Bezugszeichen versehen, soweit dies zweckmäßig ist.
In verschiedenen Ausführungsformen werden optoelektronische Bauelemente beschrieben, wobei ein optoelektronisches
Bauelement einen optisch aktiven Bereich aufweist. Der optisch aktive Bereich kann elektromagnetische Strahlung absorbieren und daraus einen Fotostrom ausbilden oder mittels einer angelegten Spannung an den optisch aktiven Bereich elektromagnetische Strahlung emittieren. In verschiedenen Ausführungsformen kann die elektromagnetische Strahlung einen Wellenlängenbereich aufweisen, der Röntgenstrahlung, UV- Strahlung (Ä-C) , sichtbares Licht und/oder Infrarot-Strahlung (A-C) aufweist,
Ein flächiges optoelektronisches Bauelement, welches zwei flächige, optisch aktive Seiten aufweist, kann in der
Verbindungsrichtung der optisch aktiven Seiten beispielsweise transparent oder transluzent ausgebildet sein, beispielsweise als eine transparente oder transluzente organische
Leuchtdiode. Ein flächiges optoelektronisches Bauelement kann auch als ein planes optoelektronisches Bauelement ausgebildet werden, beispielsweise als ein planparalles
optoelektronisches Bauelement .
Der optisch aktive Bereich kann jedoch auch eine flächige, optisch aktive Seite und eine flächige, optisch inaktiven
Seite aufweisen, beispielsweise eine organische Leuchtdiode, die als Top-Emitter oder Bottom-Emitter eingerichtet ist. Die optisch inaktive Seite kann beispielsweise transparent oder transluzent sein, oder mit einer Spiegelstruktur und/oder einem opaken Stoff oder Stoffgemisch versehen sein,
beispielsweise zur Wärraeverteilung, Der Strahlengang des optoelektronischen Bauelementes kann beispielsweise einseitig gerichtet sein.
Im Rahmen dieser Beschreibung kann unter einem Bereitstellen von elektromagnetischer Strahlung ein Emittieren von
elektromagnetischer Strahlung verstanden werden. Mit anderen Worten: ein Bereitstellen von elektromagnetischer Strahlung kann als ein Emittieren von elektromagnetischer Strahlung mittels einer angelegten Spannung an einen optisch aktiven Bereich verstanden werden. Im Rahmen dieser Beschreibung kann unter einem Aufnehmen von elektromagnetischer Strahlung ein Absorbieren von
elektromagnetischer Strahlung verstanden werden. Mit anderen Worten: ein Aufnehmen von elektromagnetischer Strahlung kann als ein Absorbieren von elektromagnetischer Strahlung und Ausbilden eines Fotostromes aus der absorbierten
elektromagnetischen Strahlung verstanden werden.
Ein elektromagnetische Strahlung emittierende Struktur kann in verschiedenen Ausgestaltungen eine elektromagnetische Strahlung emittierende Halbleiter-Struktur sein und/oder als eine elektromagnetische Strahlung emittierende Diode, als eine organische elektromagnetische Strahlung emittierende Diode, als ein elektromagnetische Strahlung emittierender Transistor oder als ein organischer elektromagnetische
Strahlung emittierender Transistor ausgebildet sein. Das elektromagnetische Strahlung emittierende Bauelement kann beispielsweise als Licht emittierende Diode { light emitting diode , LED) als organische Licht emittierende Diode (organic light emitting diode, OLED) , als Licht emittierender
Transistor oder als organischer Licht emittierender
Transistor ausgebildet sein. Das elektromagnetische Strahlung emittierende Bauelement kann in verschiedenen Ausgestaltungen Teil einer integrierten Schaltung sein. Weiterhin kann eine Mehrzahl von elektromagnetische Strahlung emittierenden
Bauelementen vorgesehen sein, beispielsweise untergebracht in einem gemeinsamen Gehäuse, In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann ein
optoelektronisches Bauelement als eine organische Leuchtdiode {organic light emitting diode - OLED) , ein organischer
Feldeffekttransistor (organic field effect transistor OFET) und/oder eine organische Elektronik ausgebildet sein. Bei dem organischen Feldeffekttransistor kann es sich um einen sogenannten „all-OFET" handeln, bei dem alle Schichten organisch sind. Ein optoelektronisches Bauelement kann ein organisches funktionelles Schichtensystem aufweisen, welches synonym auch als organische funktionelle Schichtenstruktur bezeichnet wird. Die organische funktionelle
Schichtenstruktur kann einen organischen Stoff oder ein organisches Stoffgemisch aufweisen oder daraus gebildet sein, der/das beispielsweise zum Bereitstellen einer
elektromagnetischer Strahlung aus einem bereitgestellten elektrischen Strom eingerichtet ist.
Das optoelektronische Bauelement kann als eine organische Leuchtdiode, ein organischer Fotodetektor oder eine
organische Solarzelle ausgebildet sein.
Eine organische Leuchtdiode kann als ein Top-Emitter oder ein Bottom-Emitter ausgebildet sein. Bei einem Bottom-Emitter wird Licht aus dem optisch aktiven Bereich durch den Träger emittiert. Bei einem Top-Emitter wird Licht aus der Oberseite des optisch aktiven Bereiches emittiert und nicht durch den Träger .
Ein Top-Emitter und/oder Bottom-Emitter kann auch optisch transparent oder optisch transluzent ausgebildet sein, beispielsweise kann jede der nachfolgend beschriebenen
Schichten oder Strukturen transparent oder transluzent ausgebildet sein. Fig.1A, B zeigen schematische Ansichten eines
optoelektronischen Bauelementes gemäß verschiedenen
Ausführungsbeispielen. Das optoelektronische Bauelement 100 weist eine elektrische Schaltungsstruktur 130 und eine flächige optisch aktive
Struktur 150 auf. Die elektrische Schaltungsstruktur 130 und die flächige optisch aktive Struktur 150 können monolithisch in dem optoelektronischen Bauelement 100 integriert sein, beispielsweise auf oder über einem gemeinsamen Träger oder Substrat ausgebildet sein.
Ausgestaltungen der optisch aktiven Struktur 150 des
optoelektronischen Bauelementes 100 werden ausführlicher in Fig.lB beschrieben. Ausgestaltungen der elektrischen
Schaltungsstruktur 130 des optoelektronischen Bauelementes 100 werden ausführlicher in Fig.2 bis Fig.6 beschrieben.
Fig.lB zeigt eine schematische Querschnittsansicht des optoelektronischen Bauelementes gemäß verschiedenen
Ausführungsbeispielen entlang der in Fig.lA veranschaulichten Schnittebene A-A.
Das optoelektronische Bauelement 100 weist ein hermetisch dichtes Substrat, einen aktiven Bereich 106 und eine
Verkapselungsstruktur auf.
Das hermetisch dichte Substrat kann einen Träger 102 und eine erste Barriereschicht 104 aufweisen.
Der aktive Bereich 106 ist ein elektrisch aktiver Bereich 106 und/oder ein optisch aktiver Bereich 106. Der aktive Bereich 106 ist beispielsweise der Bereich des optoelektronischen Bauelements 100, in dem elektrischer Strom zum Betrieb des optoelektronischen Bauelements 100 fließt und/oder in dem elektromagnetische Strahlung erzeugt und/oder absorbiert wird. Der elektrisch aktive Bereich 106 kann eine erste Elektrode 110, eine organische funktionelle Schichtenstruktur 112 und eine zweiten Elektrode 114 aufweisen. Die organische funktionelle Schichtenstruktur 106 kann ein, zwei oder mehr funktionelle Schichtenstruktur-Einheiten und eine, zwei oder mehr Zwischenschichtstruktur (en) zwischen den Schichtenstruktur-Einheiten aufweisen. Die organische
funktionelle Schichtenstruktur 112 kann beispielsweise eine erste organische funktionelle Schichtenstruktur-Einheit 116, eine Zwischenschichtstruktur 118 und eine zweite organische funktionelle Schichtenstruktur-Einheit 120 aufweisen.
Die Verkapselungsstruktur kann eine zweite Barriereschicht 108, eine schlüssige VerbindungsSchicht 122 und eine
Abdeckung 124 aufweisen.
Der Träger 102 kann Glas, Quarz, und/oder ein
Halbleitermaterial aufweisen oder daraus gebildet sein.
Ferner kann der Träger eine Kunststofffolie oder ein Laminat mit einer oder mit mehreren Kunststofffolien aufweisen oder daraus gebildet sein. Der Kunststoff kann ein oder mehrere Polyolefine (beispielsweise Polyethylen (PE) mit hoher oder niedriger Dichte oder Polypropylen (PP) ) aufweisen oder daraus gebildet sein. Ferner kann der Kunststoff
Polyvinylchlorid (PVC) , Polystyrol (PS) , Polyester und/oder Polycarbonat (PC) , Polyethylenterephthalat (PET) ,
Polyethersulfon (PES) und/oder Polyethylennaphthalat { PEN) aufweisen oder daraus gebildet sei .
Der Träger 102 kann ein Metall aufweisen oder daraus gebildet sein, beispielsweise Kupfer, Silber, Gold, Platin, Eisen, beispielsweise eine Metallverbindung , beispielsweise Stahl . Der Träger 102 kann opak, transluzent oder sogar transparent ausgeführt sein. Der Träger 102 kann ein Teil einer Spiegelstruktur sein oder diese bilden.
Der Träger 102 kann einen mechanisch rigiden Bereich und/oder einen mechanisch flexiblen Bereich aufweisen oder derart ausgebildet sein, beispielsweise als eine Folie.
Der Träger 102 kann als Wellenleiter für elektromagnetische Strahlung ausgebildet sein, beispielsweise transparent oder transluzent sein hinsichtlich der emittierten oder
absorbierten elektromagnetischen S rahlung des
optoelektronischen Bauelementes 100.
Die erste Barriereschicht 104 kann eines der nachfolgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein:
Aluminiumoxid, Zinkoxid, Zirkoniumoxid, Titanoxid,
Hafniumoxid, Tantaloxid Lanthaniumoxid, Siliziumoxid,
Siliziumnitrid, Siliziumoxinitrid, Indiumzinnoxid,
Indiumzinkoxid, Aluminium-dotiertes Zinkoxid, Poly (p- phenylenterephthalamid) , Nylon 66, sowie Mischungen und
Legierungen derselben.
Die erste Barriereschicht 104 kann mittels eines der
folgenden Verfahren ausgebildet werden : ein
Atomlagenabscheideverfahrens (Atomic Layer Deposition (ALD) ) , beispielsweise eines plasmaunterstützten
Atomlagenabscheideverfahrens (Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition (PEALD) ) oder ein plasmaloses
Atomlageabscheideverfahren (Plasma-less Atomic Layer
Deposition ( PLALD) ) ; ein chemisches
Gasphasenabscheideverfahren (Chemical Vapor Deposition
(CVD) ) , beispielsweise ein plasmaunterstütztes
Gasphasenabscheideverfahren (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) ) oder ein plasmaloses
Gasphasenabscheideverfahren {Plasma- less Chemical Vapor
Deposition (PLCVD) ) ; oder alternativ mittels anderer
geeigneter Abscheideverfahren . Bei einer ersten Barriereschicht 104, die mehrere
Teilschichten aufweist, können alle Teilschichten mittels eines Atomlagenabscheideverfahrens gebildet werden. Eine Schichtenfolge, die nur ALD- Schichten aufweist, kann auch als „Nanolaminat" bezeichnet werden.
Bei einer ersten Barriereschicht 104, die mehrere
Teilschichten aufweist, können eine oder mehrere
Teilschichten der ersten Barriereschicht 104 mittels eines anderen Abscheideverfahrens als einem
Atomlagenabscheideverfahren abgeschieden werden,
beispielsweise mittels eines Gasphasenabscheideverfahrens .
Die erste Barriereschicht 104 kann eine Schichtdicke von ungefähr 0,1 nm (eine Atomlage) bis ungefähr 1000 nra
aufweisen, beispielsweise eine Schichtdicke von ungefähr 10 nm bis ungefähr 100 nm gemäß einer Ausgestaltung,
beispielsweise ungefähr 40 nm gemäß einer Ausgestaltung. Die erste Barriereschicht 104 kann ein oder mehrere
hochbrechende Materialien aufweisen, beispielsweise ein oder mehrere Material (ien) mit einem hohen Brechungsindex, beispielsweise mit einem Brechungsindex von mindestens 2. Ferner ist darauf hinzuweisen, dass in verschiedenen
Ausführungsbeispielen auch ganz auf eine erste
Barriereschicht 104 verzichtet werden kann, beispielsweise für den Fall, dass der Träger 102 hermetisch dicht
ausgebildet ist, beispielsweise Glas, Metall, Metalloxid aufweist oder daraus gebildet ist.
Die erste Elektrode 104 kann als Anode oder als Kathode ausgebildet sein. Die erste Elektrode 110 kann eines der folgenden elektrisch leitfähigen Material aufweisen oder daraus gebildet werden: ein Metall; ein leitfähiges transparentes Oxid (transparent conductive oxide, TCO) ; ein Netzwerk aus metallischen Nanodrähten und -teilchen, beispielsweise aus Ag, die beispielsweise mit leitfähigen Polymeren kombiniert sind;
ein Netzwerk aus Kohlenstoff-Nanoröhren, die
beispielsweise mit leitfähigen Polymeren kombiniert sind; Graphen-Teilchen und -Schichten; ein Netzwerk aus
halbleitenden Nanodrähten; ein elektrisch leitfähiges
Polymer; ein Übergangsmetalloxid; und/oder deren
Komposite . Die erste Elektrode 110 aus einem Metall oder ein Metall aufweisend kann eines der folgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein: Ag, Pt, Au, Mg, AI, Ba, In, Ca, Sm oder Li , sowie Verbindungen, Kombinationen oder Legierungen dieser Materialien. Die erste Elektrode 110 kann als transparentes leitfähiges Oxid eines der folgenden
Materialien aufweisen: beispielsweise Metalloxide :
beispielsweise Zinkoxid, Zinnoxid, Cadmiumoxid, Titanoxid, Indiumoxid, oder Indium-Zinn-Oxid (ITO) . Neben binären
MetallsauerstoffVerbindungen, wie beispielsweise ZnO, SnÜ2 , oder Ιη2©3 gehören auch ternäre MetallsauerstoffVerbindungen, beispielsweise AlZnO, Zn2Sn04 , CdSn03 , ZnSn03 , Mgln204 ,
GalnOß , Z^In^Os oder In4Sn30_2 oder Mischungen
unterschiedlicher transparenter leitfähiger Oxide zu der Gruppe der TCOs und können in verschiedenen
Ausführungsbeispielen eingesetzt werden. Weiterhin
entsprechen die TCOs nicht zwingend einer stöchiometrischen Zusammensetzung und können ferner p-dotiert oder n-dotiert sein, bzw. lochleitend (p-TCO) oder elektronenleitend (n-TCO) sein.
Die erste Elektrode 110 kann eine Schicht oder einen
Schichtenstapel mehrerer Schichten desselben Materials oder unterschiedlicher Materialien aufweisen. Die erste Elektrode 110 kann gebildet werden von einem Schichtenstapel einer Kombination einer Schicht eines Metalls auf einer Schicht eines TCOs , oder umgekehrt . Ein Beispiel ist eine
Silberschicht, die auf einer Indium- Zinn-Oxid-Schicht (ITO) aufgebracht ist (Ag auf ITO) oder ITO-Ag- ITO Multischichten . Die erste Elektrode 104 kann beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von 10 nm bis 500 nm,
beispielsweise von kleiner 25 nm bis 250 nm, beispielsweise von 50 nm bis 100 nm.
Die erste Elektrode 110 kann einen ersten elektrischen
Anschluss aufweisen, an den ein erstes elektrisches Potential anlegbar ist . Das erste elektrische Potential kann von einer Energiequelle bereitgestellt werden, beispielsweise einer Stromquelle oder einer Spannungsquelle . Alternativ kann das erste elektrische Potential an einen elektrisch leitfähigen Träger 102 angelegt sein und die erste Elektrode 110 durch den Träger 102 mittelbar elektrisch zugeführt sein. Das erste elektrische Potential kann beispielsweise das Massepotential oder ein anderes vorgegebenes Bezugspotential sein.
In Fig.lB ist ein optoelektronisches Bauelement 100 mit einer ersten organischen funktionellen Schichtenstruktur-Einheit 116 und einer zweite organischen funktionellen
Schichtenstruktur-Einheit 120 dargestellt . In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die organische funktionelle
Schichtenstruktur 112 aber auch mehr als zwei organische funktionelle Schichtenstrukturen aufweisen, beispielsweise 3 , 4 , 5, 6, 7 , 8 , 9, 10 , oder sogar mehr, beispielsweise 15 oder mehr, beispielsweise 70.
Die erste organische funktionelle Schichtenstruktur-Einheit 116 und die optional weiteren organischen funktionellen
Schichtenstrukturen können gleich oder unterschiedlich ausgebildet sein, beispielsweise ein gleiches oder
unterschiedliches Emittermaterial aufweisen . Die zweite organische funktionelle Schichtenstruktur-Einheit 120 , oder die weiteren organischen funktionellen Schichtenstruktur- Einheiten können wie eine der nachfolgend beschriebenen
Ausgestaltungen der ersten organischen funktionellen
Schichtenstruktur-Einheit 116 ausgebildet sein. Die erste organische funktionelle Schichtenstruktur-Einheit 116 kann eine Lochinj ektionsschicht , eine
Lochtransportschicht, eine Emitterschicht, eine
ElektronentransportSchicht und eine
Elektroneninj ektionsschicht aufweisen.
I einer organischen funktionellen Schichtenstruktur-Einheit 112 kann eine oder mehrere der genannten Schichten vorgesehen sein, wobei gleiche Schichten einen körperlichen Kontakt aufweisen können, nur elektrisch miteinander verbunden sein können oder sogar elektrisch voneinander isoliert ausgebildet sein können, beispielsweise nebeneinander ausgebildet sein können. Einzelne Schichten der genannten Schichten können optional sein .
Eine Lochinj ektionsschicht kann auf oder über der ersten Elektrode 110 ausgebildet sein. Die Lochinj ektionsschicht kann eines oder mehrere der folgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein: HAT-CN, Cu (I) FBz , MoOx, W0X, VOx, ReOx, F4-TCNQ, NDP-2 , NDP-9, Bi (III)pFBz, F16CuPC; NPB (Ν,Ν' - Bis (naphthalen-1 -yl ) -N,N* -bis (phenyl) -benzidin) ; beta- PB Ν,Ν' -Bis (naphthalen-2-yl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -benzidin) ; TPD {N, N ' -Bis (3 -methylphenyl) -N, ' -bis (phenyl) -benzidin) ; Spiro TPD (Ν,Ν' -Bis (3 -methylphenyl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -benzidin) ; Spiro-NPB (Ν,Ν' -Bis (naphthalen- 1 -yl ) -N,N* -bis (phenyl) -spiro) DMFL-TPD N, 1 -Bis ( 3 -methylphenyl ) - , N ' -bis (phenyl) -9,9- dimethyl-fluoren) ; DMFL-NPB (Ν,Ν' -Bis (naphthalen- 1-yl) -Ν,Ν' - bis (phenyl) -9, 9 -dimethyl- fluoren) ; DPFL-TPD (N, ' -Bis (3- methylphenyl) -N, N 1 -bis (phenyl) -9, 9 -diphenyl-fluoren) ; DPFL- NPB (Ν,Ν' -Bis (naphthalen-1-yl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -9, 9-diphenyl- fluoren) ; Spiro-TAD (2 , 2 ' , 7 , 7 ' -Tetrakis (n, n-diphenylamino) - 9,9 ' -spirobifluoren) 9, 9-Bis [4- (N, N-bis-biphenyl-4-yl- amino) phenyl] - 9H-fluoren; 9 , 9-Bis [4 - (N, N-bis-naphthalen-2-yl- amino) phenyl] - 9H- fluoren; 9 , 9-Bis [4 - (Ν,Ν' -bis-naphthalen-2 - yl-N,N' -bis -phenyl -amino) -phenyl] - 9H-fluor;
N, ' -bis (phenanthren-9-yl) -N, N 1 -bis (phenyl) -benzidin;
2 , 7-Bis [N,N-bis (9, 9-spiro-bifluorene-2-yl) -amino] -9, 9 -spiro- bifluoren; 2,2' -Bis [N, -bis (biphenyl-4-yl) amino] 9, 9-spiro- bifluoren; 2,2' -Bis (N, N-di-phenyl-amino) 9, 9 -spiro-bifluoren; Di- [4- {N, N-ditolyl -amino) -phenyl] cyclohexan;
2,2' ,7,7' -tetra (N, N-di-tolyl) amino- spiro-bifluoren; und/oder N, Ν,Ν' ,Ν' -tetra-naphthalen-2-yl-benzidin.
Die Lochinj ektionsschicht kann eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 1000 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 30 nm bis ungefähr 300 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 50 nm bis ungefähr 200 nm.
Auf oder über der Lochinj ektionsschicht kann eine
LochtransportSchicht ausgebildet sein . Die
LochtransportSchicht kann eines oder mehrere der folgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein: NPB (N, N ' - Bis (naphthalen- 1-yl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -benzidin) ; beta-NPB N, 1 -Bis (naphthalen-2 -yl) -N, N ' -bis (phenyl) -benzidin) ; TPD (Ν,Ν' -Bis (3-methylphenyl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -benzidin) ; Spiro TPD (Ν,Ν' -Bis (3-methylphenyl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -benzidin) ;
Spiro-NPB (N, N 1 -Bis (naphthalen- 1 -yl ) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -spiro) ; DMFL-TPD Ν,Ν' -Bis (3-methylphenyl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -9, 9- dimethyl-fluoren) ; DMFL-NPB (Ν,Ν' -Bis (naphthalen- 1-yl) -Ν,Ν' - bis (phenyl) - 9 , 9 -dimethyl- f luoren) ; DPFL-TPD (Ν,Ν' -Bis (3- methylphenyl) -N, N ' -bis (phenyl) - 9 , 9-diphenyl- fluoren) ; DPFL-
NPB (Ν,Ν' -Bis (naphthalen- 1-yl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -9 , 9-diphenyl- fluoren) ; Spiro-TAD (2,2' ,7,7' -Tetrakis (n, -diphenylamino) - 9, 9 ' -spirobifluoren) ; 9, 9 -Bis [4- (N,N-bis-biphenyl-4-yl- amino) phenyl] -9H-fluoren; 9 , 9-Bis [4- (N, N-bis -naphthalen- 2 -yl- amino) phenyl] - 9H- fluoren; 9 , 9 -Bis [4 - (N, N ' -bis-naphthalen- 2 - yl-N, ' -bis -phenyl -amino) -phenyl] -9H-fluor;
N, 1 -bis (phenanthren-9-yl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -benzidin; 2,7- Bis [N, -bis { 9 , 9-spiro-bifluorene-2-yl) -amino] -9, 9-spiro- bifluoren; 2,2' -Bis [N, N-bis (biphenyl-4 -yl) amino] 9 , 9-spiro- bifluoren; 2,2' -Bis (N, -di -phenyl-amino) 9 , 9-spiro-bifluoren ; Di- [4- (N, N-ditolyl-amino) -phenyl] cyclohexan; 2 , 2 ' , 7 , 71 - tetra (N, N-di-tolyl) amino- spiro-bifluoren; und N,
Ν,Ν' ,Ν' -tetra-naphthalen-2-yl-benzidin, ein tertiäres Amin, ein Carbazolderivat , ein leitendes Polyanilin und/oder
Polyethylendioxythiophen .
Die Lochtransportschicht kann eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 5 nm bis ungefähr 50 nm,
beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 30 nm, beispielsweise ungefähr 20 nm.
Auf oder über der Lochtransportschicht kann eine
Emitterschicht ausgebildet sein. Jede der organischen
funktionellen Schichtenstruktur-Einheiten 116 , 120 kann j eweils eine oder mehrere Emitterschichten auf eisen, beispielsweise mit fluoreszierenden und/oder
phosphoreszierenden Emittern .
Eine Emitterschicht kann organische Polymere , organische Oligomere, organische Monomere, organische kleine, nicht- polymere Moleküle („small molecules") oder eine Kombination dieser Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein .
Das optoelektronische Bauelement 100 kann in einer
Emitterschicht eines oder mehrere der folgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein: organische oder
organometallische Verbindungen, wie Derivate von Polyfluoren, Polythiophen und Polyphenylen (beispielsweise 2- oder 2,5- substituiertes Poly-p-phenylenvinylen) sowie Metallkomplexe, beispielsweise Iridium-Komplexe wie blau phosphoreszierendes FIrPic (Bis {3, 5-difluoro-2 - ( 2 -pyridyl ) phenyl - (2- carboxypyridyl ) -iridium III) , grün phosphoreszierendes
Ir (ppy) 3 (Tris (2-phenylpyridin) iridium III) , rot
phosphoreszierendes Ru (dtb-bpy) 3*2 (PFg ) (Tris [ , 4 ' -di-tert- butyl- (2,2' ) -bipyridin] ruthenium (III) komplex) sowie blau fluoreszierendes DPAVBi (4 , 4-Bis [4- (di-p- tolylamino) styryl] biphenyl) , grün fluoreszierendes TTPA
(9 , 10-Bis [Ν,Ν-di- (p-tolyl) -amino] anthracen) und rot
fluoreszierendes DCM2 (4 -Dicyanomethylen) -2-methyl-6- julolidyl-9-enyl-4H-pyran) als nichtpolymere Emitter . Solche nichtpolymeren Emitter sind beispielsweise mittels thermischen Verdampfens abscheidbar. Ferner können
Polymeremitter eingesetzt werden, welche beispielsweise mittels eines nasschemischen Verfahrens abscheidbar sind, wie beispielsweise einem Aufschleuderverfahren (auch bezeichnet als Spin Coating) .
Die Emittermaterialien können in geeigneter Weise in einem Matrixmaterial eingebettet sein, beispielsweise einer
technischen Keramik oder einem Polymer, beispielsweise einem Epoxid; oder einem Silikon .
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die
Emitterschicht eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 5 nm bis ungefähr 50 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungef hr 30 nm, beispielsweise ungefähr 20 nm. Die Emitterschicht kann einfarbig oder verschiedenfarbig (zum Beispiel blau und gelb oder blau, grün und rot) emittierende Emittermaterialien aufweisen. Alternativ kann die
Emitterschicht mehrere Teilschichten aufweisen, die Licht unterschiedlicher Farbe emittieren. Mittels eines Mischens der verschiedenen Farben kann die Emission von Licht mit einem weißen Farbeindruck resultieren. Alternativ kann auch vorgesehen sein, im Strahlengang der durch diese Schichten erzeugten Primäremission ein Konvertermaterial anzuordnen, das die Primärstrahlung zumindest teilweise absorbiert und eine Sekundärstrahlung anderer Wellenlänge emittiert, so dass sich aus einer (noch nicht weißen) Primärstrahlung durch die Kombination von primärer Strahlung und sekundärer Strahlung ein weißer Farbeindruck ergibt . Die organische funktionelle Schichtenstruktur-Einheit 116 kann eine oder mehrere Emitterschichten aufweisen, die als Lochtransportschicht ausgeführt ist/ sind . Weiterhin kann die organische funktionelle Schichtenstruktur- Einheit 116 eine oder mehrere Emitterschichten aufweisen, die als Elektronentransportschicht ausgeführt ist/sind. Auf oder über der Emitterschicht kann eine
Elektronentransportschicht ausgebildet sein, beispielsweise abgeschieden sein .
Die Elektronentransportschicht kann eines oder mehrere der folgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein: NET- 18 ; 2,2' ,2" - ( 1 , 3 , 5 -Benzinetriyl ) -tris (1-phenyl-l-H- benzimidazole) ; 2 - (4-Biphenylyl) -5- { 4 - tert-butyIphenyl ) - 1, 3 , 4 -oxadiazole, 2 , 9-Dimethyl-4 , 7-diphenyl-l, 10- phenanthroline (BCP) ; 8-Hydroxyquinolinolato-lithium, 4- (Naphthalen- 1-yl ) -3 , 5-diphenyl-4H-l, 2 , 4 -triazole ; 1, 3-Bis [2- (2,2' -bipyridine- 6 -yl ) -1,3,4 -oxadiazo- 5 -yl] benzene ; 4,7- Diphenyl- 1 , 10-phenanthroline (BPhen) ; 3- (4-Biphenylyl) -4- phenyl-5-tert-butylphenyl-l , 2 , 4 -triazole ; Bis (2-methyl-8- quinolinolate) -4 - (phenylphenolato) aluminium; 6,6' -Bis [5- (biphenyl-4-yl) -1,3 , 4-oxadiazo-2-yl] -2,2' -bipyridyl ; 2- phenyl-9, 10-di (naphthalen-2 -y1 ) -anthracene ; 2 , 7-Bis [2- (2 , 2 ' - bipyridine - 6 -yl ) -1,3, -oxadiazo-5 -yl] -9, -dimethylfluorene ; 1 , 3-Bis [2 - (4 -tert-butyIphenyl) -1,3, 4 -oxadiazo- 5 -yl] benzene ; 2- (naphthalen- 2 -yl ) -4 , 7-diphenyl-l, 10-phenanthroline; 2,9- Bis {naphthalen- 2 -yl) -4, 7-diphenyl-l, 10-phenanthroline;
Tris (2,4, 6-trimethyl-3 - (pyridin-3-yl) phenyl) borane; 1-methyl- 2 - (4- (naphthalen-2-yl) henyl) -lH-imidazo [4,5- f] [1, 10] henanthrolin; Phenyl-dipyrenylphosphine oxide ;
Naphtahlintetracarbonsäuredianhydrid bzw. dessen Imide;
Perylentetracarbonsäuredianhydrid bzw. dessen Imide ; und Stoffen basierend auf Silolen mit einer
Silacyclopentadieneinheit .
Die Elektronentransportschicht kann eine Schichtdicke
aufweisen in einem Bereich von ungefähr 5 nm bis ungefähr
50 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 30 nm, beispielsweise ungef hr 20 nm. Auf oder über der Elektronentransportschient kann eine
Elektroneninjektionsschicht ausgebildet sein. Die
Elektroneninjektionsschicht kann eines oder mehrere der folgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein: NDN-26, MgAg, Cs2C03 , CS3PO4 , Na, Ca, K, Mg, Cs , Li, LiF;
2,2' ,2» -(1,3, 5-Benzinetriyl} -tris (1 -phenyl -1-H- benzimidazole) ; 2- (4 -Biphenylyl } -5- (4 - tert -butylphenyl ) - 1 , 3, 4-oxadiazole, 2 , 9-Dimethyl-4 , 7-diphenyl-l , 10- phenanthroline (BCP) ; 8 -Hydroxyquinolinolato-lithium, 4 - (Naphthalen-1 -yl ) -3 , 5 -diphenyl-4H-l , 2 , 4 - triazole ; 1,3-Bis [2- (2,2' -bipyridine-6-yl) -1,3 , 4 -oxadiazo-5-yl] benzene 4,7- Diphenyl-1, 10-phenanthroline (BPhen) ; 3- (4 -Biphenylyl) -4- phenyl-5-tert-butylphenyl-l, 2 , 4-triazole,- Bis (2-methyl-8- quinolinolate) -4 - (phenylphenolato) aluminium; 6,6' -Bis [5- (biphenyl-4-yl) -1, 3 , 4-oxadiazo-2-yl] -2,2■ -bipyridyl; 2- phenyl-9, 10 -di (naphthalen-2 -yl ) -anthracene; 2 , 7-Bis [2- (2 , 2 ' - bipyridine- 6 -y1) -1,3 , -oxadiazo- 5 -yl] -9 , 9-dimethylfluorene; 1, 3-Bis [2- ( 4 -tert-butylphenyl ) -1,3 , 4 -oxadiazo-5 -yl] benzene; 2- (naphthalen- 2 -yl ) -4, 7-diphenyl-l , 10-phenanthroline ; 2 , 9- Bis (naphthalen- 2 -yl) -4 , 7-diphenyl-l , 10-phenanthroline ;
Tris (2,4, 6- trimethyl-3- (pyridin- 3 -yl ) phenyl ) borane ; 1-methyl- 2- (4- (naphthalen- 2 -yl) phenyl) -lH-imidazo [4, 5- f] [1, 10] phenanthroline; Phenyl -dipyrenylphosphine o ide ;
Naphtahlintetracarbonsäuredianhydrid bzw. dessen Imide ;
Perylentetracarbonsäuredianhydrid bzw. dessen Imide; und Stoffen basierend auf Silolen mit einer
Silacyclopentadieneinheit .
Die Elektroneninj ektionsschicht kann eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 5 nm bis ungefähr 200 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 20 nm bis ungefähr 50 nm, beispielsweise ungefähr 30 nm.
Bei einer organischen funktionellen Schichtenstruktur 112 mit zwei oder mehr organischen funktionellen Schichtenstruktur- Einheiten 116 , 120 , kann die zweite organische funktionelle Schichtenstruktur-Einheit 120 über oder neben der ersten funktionellen Schichtenstruktur-Einheiten 116 ausgebildet sein. Elektrisch zwischen den organischen funktionellen
Schichtenstruktur-Einheiten 116, 120 kann eine
Zwischenschichtstruktur 118 ausgebildet sein.
In verschiedenen Au führungsbeispielen kann die
Zwischenschichtstruktur 118 als eine Zwischenelektrode 118 ausgebildet sein, beispielsweise gemäß einer der
Ausgestaltungen der ersten Elektrode 110. Eine
Zwischenelektrode 118 kann mit einer externen Spannungsquelle elektrisch verbunden sein. Die externe Spannungsquelle kann an der Zwischenelektrode 118 beispielsweise ein drittes elektrisches Potential bereitstellen. Die Zwischenelektrode 118 kann jedoch auch keinen externen elektrischen Anschluss aufweisen, beispielsweise indem die Zwischenelektrode ein schwebendes elektrisches Potential aufweist.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die
Zwischenschichtstruktur 118 als eine Ladungsträgerpaar- Erzeugung-Schichtenstruktur 118 {Charge generation layer CGL ) ausgebildet sein. Eine Ladungsträgerpaar-Erzeugung- Schichtenstruktur 118 kann eine oder mehrere
elektronenleitende Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht (en) und eine oder mehrere lochleitende Ladungsträgerpaar- Erzeugung- Schicht (en) aufweisen. Die elektronenleitende
Ladungsträgerpaar-Erzeugung- Schicht (en) und die lochleitende Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht (en) können jeweils aus einem intrinsisch leitenden Stoff oder einem Dotierstoff in einer Matrix gebildet sein. Die Ladungsträgerpaar-Erzeugung- Schichtenstruktur 118 sollte hinsichtlich der Energieniveaus der elektronenleitenden Ladungsträgerpaar-Erzeugung- Schicht (en) und der lochleitenden Ladungsträgerpaar- Erzeugung-Schicht (en) derart ausgebildet sein, dass an der Grenzfläche einer elektronenleitenden Ladungsträgerpaar- Erzeugung-Schicht mit einer lochleitenden Ladungsträgerpaar- Erzeugung-Schicht ein Trennung von Elektron und Loch erfolgen kann. Die Ladungsträgerpaar- Erzeugung-Schichten truktur 118 kann ferner zwischen benachbarten Schichten eine Diffusionsbarriere aufweisen.
Jede organische funktionelle Schichtenstruktur-Einheit 116, 120 kann beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen von maximal ungefähr 3 μχα, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 1 μν , beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 300 nm. Das optoelektronische Bauelement 100 kann optional weitere organische funktionalen Schichten aufweisen, beispielsweise angeordnet auf oder über der einen oder mehreren
Emitterschichten oder auf oder über der oder den
Elektronentransportschicht (en) . Die weiteren organischen funktionalen Schichten können beispielsweise interne oder extern Einkoppel- /Auskoppelstrukturen sein, die die
Funktionalität und damit die Effizienz des optoelektronischen Bauelements 100 weiter verbessern. Auf oder über der organischen funktionellen Schichtenstruktur 112 oder gegebenenfalls auf oder über der einen oder den mehreren weiteren der organischen funktionellen
Schichtenstruktur und/oder organisch funktionalen Schichten kann die zweite Elektrode 114 ausgebildet sein.
Die zweite Elektrode 114 kann gemäß einer der Ausgestaltungen der ersten Elektrode 110 ausgebildet sein, wobei die erste Elektrode 110 und die zweite Elektrode 114 gleich oder unterschiedlich ausgebildet sein können. Die zweite Elektrode 114 kann als Anode, also als löcherinjizierende Elektrode ausgebildet sein oder als Kathode, also als eine
elektroneninj izierende Elektrode .
Die zweite Elektrode 114 kann einen zweiten elektrischen Anschluss aufweisen, an den ein zweites elektrisches
Potential anlegbar ist. Das zweite elektrische Potential kann von der gleichen oder einer anderen Energiequelle
bereitgestellt werden wie das erste elektrische Potential und/oder das optionale dritte elektrische Potential. Das zweite elektrische Potential kann unterschiedlich zu dem ersten elektrischen Potential und/oder dem optional dritten elektrischen Potential sein. Das zweite elektrische Potential kann beispielsweise einen Wert aufweisen derart, dass die
Differenz zu dem ersten elektrischen Potential einen Wert in einem Bereich von ungefähr 1,5 V bis ungefähr 20 V aufweist, beispielsweise einen Wert in einem Bereich von ungefähr 2,5 V bis ungefähr 15 V, beispielsweise einen Wert in einem Bereich von ungefähr 3 V bis ungefähr 12 V,
Auf der zweiten Elektrode 114 kann die zweite Barriereschicht 108 ausgebildet sein. Die zweite Barriereschicht 108 kann auch als
Dünnschicht erkapselung (thin film encapsulation TFE )
bezeichnet werden. Die zweite Barriereschicht 108 kann gemäß einer der Ausgestaltungen der ersten Barriereschicht 104 ausgebildet sein.
Ferner ist darauf hinzuweisen, dass in verschiedenen
Ausführungsbeispielen auch ganz auf eine zweite
Barriereschicht 108 verzichtet werden kann. In solch einer Ausgestaltung kann das optoelektronische Bauelement 100 beispielsweise eine weitere Verkapselungsstruktur aufweisen, wodurch eine zweite Barriereschicht 108 optional werden kann, beispielsweise eine Abdeckung 124, beispielsweise eine
Kavitätsglasverkapselung oder metallische Verkapselung. Ferner können in verschiedenen Ausf hrungsbeispielen
zusätzlich noch eine oder mehrere Ein-/Auskoppelschichten in dem optoelektronischen Bauelementes 100 ausgebildet sein, beispielsweise eine externe Auskoppelfolie auf oder über dem Träger 102 {nicht dargestellt) oder eine interne
Auskoppelschicht (nicht dargestellt) im Schichtenquerschnitt des optoelektronischen Bauelementes 100. Die Ein- /Auskoppelschicht kann eine Matrix und darin verteilt
Streuzentren aufweisen, wobei der mittlere Brechungsindex der Ein- /Auskoppelschicht größer ist als der mittlere Brechungsindex der Schicht, aus der die elektromagnetische Strahlung bereitgestellt wird. Ferner können in verschiedenen Ausführungsbeispielen zusätzlich eine oder mehrere
Entspiegelungsschichten (beispielsweise kombiniert mit der zweiten Barriereschicht 108) in dem optoelektronischen
Bauelement 100 vorgesehen sein.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann auf oder über der zweiten Barriereschicht 108 eine schlüssige
Verbindungs chiebt 122 vorgesehen sein, beispielsweise aus einem Klebstoff oder einem Lack. Mitteis der schlüssigen Verbindungsschiebt 122 kann eine Abdeckung 124 auf der zweiten Barriereschicht 108 schlüssig verbunden werden, beispielsweise aufgeklebt sein.
Eine schlüssige Verbindungsschicht 122 aus einem
transparenten Material kann beispielsweise Partikel
aufweisen, die elektromagnetische Strahlung streuen,
beispielsweise lichtstreuende Partikel. Dadurch kann die schlüssige Verbindungsschicht 122 als Streuschicht wirken und zu einer Verbesserung des Farbwinkelverzugs und der
Auskoppeleffizienz führen. Als lichtstreuende Partikel können dielektrische
Streupartikel vorgesehen sein, beispielsweise aus einem
Metalloxid, beispielsweise Siliziumoxid (SiC^) , Zinkoxid
(ZnO) , Zirkoniumoxid (Zr02 ) , Indium- Zinn-Oxid (ITO) oder Indium- Zink-Oxid { IZO) , Galliumoxid (G 20x) Aluminiumoxid, oder Titanoxid. Auch andere Partikel können geeignet sein, sofern sie einen Brechungsindex haben, der von dem effektiven Brechungsindex der Matrix der schlüssigen Verbindungsschicht 122 verschieden ist, beispielsweise Luftblasen, Acrylat, oder Glashohlkugeln. Ferner können beispielsweise metallische Nanopartikel , Metalle wie Gold, Silber, Eisen-Nanopartikel , oder dergleichen als lichtstreuende Partikel vorgesehen sein. Die schlüssige Verbindungsschicht 122 kann eine Schichtdicke von größer als 1 /im aufweisen, beispielsweise eine
Schichtdicke von mehreren μτη. In verschiedenen
Ausführungsbeispielen kann die schlüssige VerbindungsSchicht 122 einen Laminations-Klebstoff aufweisen oder ein solcher sein.
Die schlüssige VerbindungsSchicht 122 kann derart
eingerichtet sein, dass sie einen Klebstoff mit einem
Brechungsindex aufweist, der kleiner ist als der
Brechungsindex der Abdeckung 12 . Ein solcher Klebstoff kann beispielsweise ein niedrigbrechender Klebstoff sein wie beispielsweise ein Acrylat , der einen Brechungsindex von ungefähr 1 , 3 aufweist . Der Klebstoff kann jedoch auch ein hochbrechender Klebstoff sein der beispielsweise
hochbrechende , nichtstreuende Partikel aufweist und einen schichtdickengemittelten Brechungsindex aufweist , der
ungefähr dem mittleren Brechungsindex der organisch
funktionellen Schichtenstruktur 112 entspricht,
beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 1 , 7 bis ungefähr 2,0. Weiterhin können mehrere unterschiedliche Klebstoffe vorgesehen sein, die eine Kleberschichtenfolge bilden.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann zwischen der zweiten Elektrode 114 und der schlüssigen VerbindungsSchicht 122 noch eine elektrisch isolierende Schicht (nicht
dargestellt) aufgebracht werden oder sein, beispielsweise SiN, beispielsweise mit einer Schichtdicke in einem Bereich von ungef hr 300 nm bis ungefähr 1 , 5 μν , beispielsweise mit einer Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 500 nm bis ungefähr 1 μτη, um elektrisch instabile Materialien zu schützen, beispielsweise während eines nasschemischen
Prozesses . In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann eine schlüssige Verbindungsschicht 122 optional sein, beispielsweise falls die Abdeckung 124 direkt auf der zweiten Barriereschicht 108 ausgebildet wird, beispielsweise eine Abdeckung 124 aus Glas, die mittels Plasmaspritzens ausgebildet wird.
Auf oder über dem elektrisch aktiven Bereich 106 kann ferner eine sogenannte Getter- Schicht oder Getter- Struktur,
beispielsweise eine lateral strukturierte Getter-Schicht , angeordnet sein (nicht dargestellt) .
Die Getter-Schicht kann ein Material aufweisen oder daraus gebildet sein, dass Stoffe, die schädlich für den elektrisch aktiven Bereich 106 sind, absorbiert und bindet. Eine Getter- Schicht kann beispielsweise ein Zeolith-Derivat aufweisen oder daraus gebildet sein. Die Getter-Schicht kann
transluzent, transparent oder opak und/oder undurchlässig hinsichtlich der elektromagnetischen Strahlung, die in dem optisch aktiven Bereich emittiert und/oder absorbiert wird, ausgebildet sein.
Die Getter-Schicht kann eine Schichtdicke von größer als ungefähr 1 μτη aufweisen, beispielsweise eine Schichtdicke von mehreren μν ,
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die Getter- Schicht einen Laminations- Klebstoff aufweisen oder in der schlüssigen Verbindungsschicht 122 eingebettet sein.
Auf oder über der schlüssigen Verbindungsschicht 122 kann eine Abdeckung 124 ausgebildet sein. Die Abdeckung 124 kann mittels der schlüssigen Verbindungsschicht 122 mit dem elektrisch aktiven Bereich 106 schlüssig verbunden sein und diesen vor schädlichen Stoffen schützen. Die Abdeckung 124 kann beispielsweise eine Glasabdeckung 124, eine
Metallfolienabdeckung 124 oder eine abgedichtete
Kunststofffolien-Abdeckung 124 sein. Die Glasabdeckung 124 kann beispielsweise mittels einer Fritten-Verbindung (engl . glass frit bonding/glass soldering/seal glass bonding) mittels eines herkömml ichen Glaslotes in den geometrischen Randbereichen des organischen optoelektronischen Bauelementes 100 mit der zweite Barriereschicht 108 bzw. dem elektrisch aktiven Bereich 106 schlüssig verbunden werden.
Die Abdeckung 124 und/oder die schlüssige VerbindungsSchicht 122 können einen Brechungsindex (beispielsweise bei einer Wellenlänge von 633 nm) von 1,55 aufweisen.
Fig .2A, B zeigen schematische Darstellungen eines
Ausführungsbeispiels eines optoelektronischen Bauelementes.
Eine optoelektronische Bauelementevorrichtung 200 kann ein optoelektronisches Bauelement 100, gemäß einer der
Ausgestaltungen der Beschreibung der Fig.l, und eine
elektronisches Vorschaltgerät 124 aufweisen (veranschaulicht in Fig.2A) . Die elektrische Schaltungsstruktur 130 und die flächige optisch aktive Struktur 150 können monolithisch in dem optoelektronischen Bauelement 100 integriert sein. In Fig .2A ist die monolithische Integration veranschaulicht mittels der gestrichelten Kontur des optoelektronischen
Bauelementes der Fig.l.
In einer Ausgestaltung kann die elektrische
Schaltungsstruktur 130 und die flächige optisch aktive
Struktur 150 einen gemeinsamen Träger 102 aufweisen.
In einer Ausgestaltung kann die elektrische
Schaltungsstruktur 130 auf oder über den Träger 102 und/oder auf , über oder neben der flächigen optisch aktiven Struktur 150 aufgeklebt werden, beispielsweise auflaminiert werden.
Die in Fig .1B veranschaulichte erste Elektrode 110 und zweite Elektrode 114 der optisch aktiven Struktur 150 kann mit einem ersten Anschluss 204A bzw. einem zweiten Anschluss 204B eines elektronischen Vorschaltgerätes 214 verbunden sein,
beispielsweise mit einem Stromausgang des elektronischen
Vorschaltgerätes 214. Mit dem elektronischen Vorschaltgerät 214 ist weiterhin die elektrische Schaltungsstruktur 130 mittels der Anschlüsse 206A, 206B elektrisch verbunden, beispielsweise mit einem Signaleingang des elektronischen Vorschaltgerätes 214. Die Anschlüsse 206A, 206B können Teil einer Schnittstelle sein oder eine solche bilden.
In einer Ausgestaltung können die Anschlüsse 206A, 206B mit einem elektrischen Speicher (nicht dargestellt) elektrisch verbunden sein, wobei in dem elektrischen Speicher der
Ausgabewert der elektrischen Schaltungsstruktur 130
elektrisch auslesbar gespeichert ist .
In einer Ausgestaltung kann die Schnittstelle zu einem drahtlosen Auslesen des Ausgabewertes ausgebildet sein, beispielsweise ein Induktivität-Bauelement aufweisen. Das Induktivität-Bauelement kann beispielsweise zur Radio- Frequenz - Identifizierung (radio frequency Identification - RFID) ausgebildet sein.
Die elektrische Schaltungsstruktur 130 kann einen
elektrischen Widerstand 202 aufweisen. Der Widerstandswert des elektrischen Widerstandes 202 ist eine Funktion
wenigstens eines elektrischen Betriebsparameters der optisch aktiven Struktur 150. Beispielsweise kann der Widerstandswert 210 eine Funktion 212 des Betriebsstromes 208 des optisch aktiven Bereiches sein (veranschaulicht in Fig . 2B ) . Der maximale Betriebsström (in Fig .2B veranschaulicht als Plateau 216} kann von der Bauart des elektronischen Vorschaltgerätes 214 begrenzt sein, beispielsweise weil dieses keine höheren Betriebsströme bereitstellen kann. Der funktionale
Zusammenhang 212 des Widerstandswertes 210 von dem
anzulegenden Betriebstrom 208 kann einen linearen oder nichtlinearen Verlauf aufweisen, beispielsweise einen
exponentiellen, hyperbolischen, geometrischen und/oder logarithmischen Verlauf ; und/oder eine oder mehrere
Unstetigkeiten aufweisen. Der funktionale Zusammenhang 212 kann abhängig sein von der stofflichen und/oder strukturellen Ausgestaltung der optisch aktiven Struktur 150. Weiterhin kann der funktionale Zusammenhang 212 abhängig sein von der geometrischen Abmessung der optisch aktiven Struktur 150, beispielsweise dem Betrag der Oberfläche der optisch aktiven Seite der optisch aktiven Struktur 150. Mittels des
funktionalen Zusammenhangs 212 kann die Abhängigkeit des Ausgangsstroms, der Ausgangstromdichte und/oder der
AusgangsSpannung des Vorschaltgeräts von beispielsweise dem messbaren elektrischen Widerstand der elektrischen
Schaltungsstruktur beschreiben. Eine elektrische
Schaltungsstruktur kann einen Widerstandwert 202 in dem funktionalen Zusammenhang 212 aufweisen. Mit anderen Worten: mittels des Betriebsparameters der optisch aktiven Struktur, beispielsweise dem Arbeitspunkt der organischen Leuchtdiode, wird ein Punkt auf der veranschaulichten Kurve 212
festgelegt .
Der Betriebsstrom 208 kann an die flächige optisch aktive Struktur 150 mittels der Anschlüsse 204A, 204B bereitgestellt werden, wobei der Betriebsstrom 208 der flächigen optisch aktiven Struktur 150 durch die flächige optisch aktive
Struktur 150 fließt, wobei die elektrische Schaltungsstruktur
130 frei bleibt von dem Betriebsstrom 208, der zum Betreiben der optisch aktiven Struktur 150 zu der optisch aktiven
Struktur 150 bereitgestellt wird. Mit anderen Worten, im Betrieb der flächigen optisch aktiven Struktur fließt der Betriebsstrom 208 nicht durch die elektrische
Schaltungsstruktur 130. Dies hat beispielsweise zur Folge, dass die flächige optisch aktive Struktur 150 unabhängig von der elektrischen Schaltungsstruktur 130 betrieben werden kann. Ferner kann der Ausgabewert vor der Inbetriebnahme der flächigen optisch aktiven Struktur 150 ausgelesen werden und der Betriebsstrom 208 beziehungsweise die Betriebsspannung gemäß des Ausgabewertes an die flächige optisch aktive
Struktur 150 bereitgestellt werden. Fig.3A, B zeigen schematische Darstellungen eines
Ausführungsbeispie1s eines optoelektronischen Bauelementes. Weiterhin zu den oben beschrieben Ausgestaltungen kann die elektrische Schaltungsstruktur 130 der optoelektronischen Bauelementevorrichtung 300 einen Kondensator 302 aufweisen (veranschaulicht in Fig.3A) und/oder eine Induktivität
( Induktivität -Bauelement } , Eine Induktivität kann
beispielsweise eine Spule sein. Eine Spule kann
beispielsweise eine Leiterbahn sein, die in einer Ebene um eine Windungsachse ausgebildet ist (nicht veranschaulicht) . Ein Kondensator 302 weist ein Dielektrikum zwischen zwei elektrisch leitenden Strukturen auf (siehe auch Fig.6) .
Der Ausgabewert der elektrischen Schaltungsstruktur 130 an den Anschlüssen 206A. 206B des elektronischen
Vorschaltgerätes 214 kann eine Funktion der Kapazität des Kondensators bzw. eine Funktion der Induktivität des
Induktivität-Bauelementes sein.
In Fig.3B ist analog zu Fig .2B der funktionale Zusammenhang 306 des von dem elektronischen Vorschaltgerät 214
bereitgestellten Betriebsstromes 208 von der Kapazität 304 des Kondensators veranschaulicht. Der funktionale
Zusammenhang 306 kann gemäß einer der Ausgestaltungen der Beschreibung der Fig .2B ausgebildet sein. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann eine elektrische Schaltungsstruktur mehrere der oben beschriebenen
elektrischen Bauelemente aufweisen, beispielsweise einen elektrischen Widerstand, mehrere elektrische Widerstände und/oder einen oder mehrere Kondensator (en) . Die mehreren elektrischen Bauelemente können zum Einstellen des
Ausgabewertes an die Anschlüsse 206A, 206B mehrere elektrisch in Reihe und/oder in Serie geschaltete elektrische
Bauelemente aufweisen. Der vom elektronischen
Vorschaltgerätausgegebene Strom und/oder die ausgegebene Spannung sind/ist abhängig vom Ausgabewert der elektrischen Schaltungsstruktur . Die elektrische Schaltungsstruktur ist derart ausgebildet, dass das elektronische Vorschaltgerät übermittelt bekommt , welcher Strom und/oder welche Spannung an die optisch aktive Struktur bereitgestellt werden soll . Die konkrete Ausgestaltung der elektrischen
Schaltungsstruktur kann abhängig sein von der Ausgestaltung des elektronischen Vorschaltgerates des optoelektronischen Bauelementes, beispielsweise ob das elektronische
Vorschaltgerät ein Bit-Muster auslesen kann. Weiterhin kann die konkrete Ausgestaltung davon abhängig sein, wie der
Betriebsstrom der optisch aktiven Struktur 150 funktional von dem Ausgabewert des elektronischen Vorschaltgerates abhängig ist , beispielsweise um unterschiedliche funktionale
Zusammenhänge für unterschiedliche elektronische
Vorschaltgeräte bereitzustellen. Diese funktionale
Abhängigkeit kann beispielsweise mittels der Ausgestaltung einer elektrischen Schaltung in dem elektronischen
Vorschaltgerät ausgebildet sein.
Fig.4A, B zeigen schematische Darstellungen eines
Ausführungsbeispiels eines optoelektronischen Bauelementes . Weiterhin zu den oben beschrieben Ausgestaltungen kann die elektrische Schaltungsstruktur 130 der optoelektronischen Baue1ementevorrichtung 400 eine elektrische Leiterstruktur aufweisen (veranschaulicht in Fig .4A) . Das elektronische Vorschaltgerät 214 kann zum Auslesen des Ausgabewertes der elektrischen Schaltungsstruktur 130 mit einer Leitungsstruktur mehrere Anschlüsse aufweisen (in
Fig.4A veranschaulicht als Anschlüsse 402A, 402B, 402C, 402D) . Die mehreren Anschlüsse können als separate Eingänge in dem elektronischen Vorschaltgerät vorgesehen sein .
Weiterhin können die unterschiedlichen Anschlüsse als
Kontakte für unterschiedliche Leitungen eines Kabels
ausgebildet sein, wobei das elektronische Vorschaltgerät einen Kabeleingang zum Auslesen der unterschiedlichen
Leitungen aufweist , beispielsweise eine Pin-Buchse . Weiterhin kann die Leiterstruktur derart ausgebildet sein, dass der Ausgabewert eine Funktion der elektrisch leitenden Leitungen 408A-D ist, d.h. abhängig von dem Bit-Muster 410 der unterschiedlichen Leitungen 408A-D sein. In Abhängigkeit von dem Bit-Muster 410 der elektrischen Leitungen 408
(veranschaulicht in Fig .4A mittels der Anschlüsse 404A-D und Überbrückungsmöglichkeiten 406) kann das elektronische
Vorschaltgerät 214 unterschiedliche elektrische
Betriebsparameter an den Anschlüssen 204A, 204B der optisch aktiven Struktur 150 bereitstellen.
In Fig. B ist ein Ausführungsbeispiel eines funktionalen Zusammenhanges (analog zu der Beschreibung der Fig .2B und Fig .3B) des Betriebsstromes der optisch aktiven Struktur 150 für unterschiedliche Bit-Muster 410 der Leiterstruktur veranschaulicht. Das Bit-Muster wird mittels einer
Überbrückung 406 und/oder Unterbrechung 610 (siehe Fig.6} von elektrischen Leitungen 408A-D ausgebildet . Beispielsweise erhält das elektronische Vorschaltgerät 214 bei einer
Überbrückung eines ersten Anschlusses 402A mit dem zweiten Anschluss 402B die Information bzw. Aufforderung an die
Anschlüsse 204A, 204B der optisch aktiven Struktur 150 einen Betriebsstrom von 100 mA bereitzustellen (in Fig .4B
hervorgehoben mittels der Einrahmung 412 ) . Die Überbrückung kann in dem Beispiel ausgebildet werden, indem die Leitungen 408A, 408B der Leiterstruktur im Bereich der Anschlüsse 404A, 404B der elektrischen Schaltungsstruktur in/auf dem
optoelektronischen Bauelement elektrisch miteinander
verbunden werden oder eine bestehende elektrische Verbindung elektrisch aufgetrennt wird (siehe auch Beschreibung der
Fig.6) .
Mittels weiterer Überbrückungen 406 (schematisch
veranschaulicht in Fig.4A) können dem elektronischen
Vorschaltgerät weitere Betriebsparameter der optisch aktiven Struktur 150 übermittelt werden. Diese können von dem
elektronischen Vorschaltgerät 214 daraufhin an den
Anschlüssen 204A, 204B der optisch aktiven Struktur 150 bereitgestellt werden. Weitere Betriebsparameter könne beispielsweise größere oder kleiner Betriebsströme ;
unterschiedliche Betriebsspannungen 414 und/oder
unterschiedliche Wechselstromfrequenzen 416 aufweisen.
Die Einträge der in Fig.4 B veranschaulichten Bit-Muster- Matrix sind Signale, die von dem elektronischen
Vorschaltgerät 214 als Information, Anordnungen und/oder Aufforderungen weiterverarbeitet werden.
Bei einem optoelektronischen Bauelement 100 und/oder einer optisch aktiven Struktur 150 mit mehreren elektrisch
unabhängig voneinander bestrombare , lichtemittierenden
Einheiten, kann wenigstens ein Ausgabewert der elektrischen Schaltungsstruktur dem elektronischen Vorschaltgerät 214 beispielsweise signalisieren, welches Abtastverhältnis, welche Pulsweiten, welche Pulsamplituden und/oder welche Pulsfrequenzen der Strom an den Anschlüssen 206 der optisch aktiven Struktur 150 aufweisen sollen.
Eine erste lichtemittierende Einheit ist von einer zweiten lichtemittierenden Einheit unabhängig bestrombar wenn das optoelektronische Bauelement derart ausgebildet und
elektrisch ansteuerbar ist, dass in einem ersten
Betriebsmodus nur die erste lichtemittierende Einheit eine erste elektromagnetische Strahlung emittiert und in einem zweiten Betriebsmodus nur die zweite lichtemittierende
Einheit eine zweite elektromagnetische Strahlung emittiert. Dadurch kann beispielsweise der Farbort der innerhalb einer Äbtastzeit der im ersten Betriebsmodus und im zweiten
Betriebsmodus emittierten elektromagnetischen Strahlung eingestellt werden.
Weiterhin kann das Bit -Muster mit oben beschrieben
Ausgestaltungen der elektrischen Schaltungsstruktur
kombiniert sein und umgekehrt. Beispielsweise kann bei wenigstens einem Teil der mehreren elektrischen Leitungen der Leiterstruktur ein elektrischer Widerstand ausgebildet werden. Neben dem Bit-Muster kann dadurch der Spannungsab ll über die jeweiligen Leitungen zur Übermittlung einer weiteren Information bzw. Aufforderung an das elektronische
Vorschaltgerät verwendet werden. Zusätzlich oder anstatt dem elektrischen Widerstand kann eine Leitung oder können mehrere Leitungen der Leiterstruktur eine Kapazität und/oder
Induktivität aufweisen oder derart ausgebildet sein. Mit anderen Worten: mittels einer Leiterstruktur kann neben dem Bit-Muster über weitere Kanäle, beispielsweise eine Messung des Spannungsabfalls über eine Leitung, weitere Informationen von der elektrischen Schaltungsstruktur für das elektronische Vorschaltgerät bereitgestellt werden.
Fig.5 zeigt eine schematische Darstellung zu einem Verfahren zum Ausbilden eines optoelektronisches Bauelementes gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen weist das Verfahren 500 zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes ein Ausbilden 502 einer optisch aktiven Struktur auf. Die
flächige optisch aktive Struktur kann gemäß einer der
Ausgestaltungen der Beschreibung der Fig.l bis Fig.4
ausgebildet werden. Weiterhin kann das Verfahren 500 ein Ermitteln 504 wenigstens eines Betriebsparameters der optisch aktiven Struktur der optisch aktiven Struktur des optoelektronischen Bauelementes aufweisen. Es können jedoch auch zwei oder mehr
Betriebsparameter gleichzeitig oder nacheinander ermittelt werden.
Ein Betriebsparameter kann eine der folgenden Größen
hinsichtlich des Betriebs der optisch aktiven Struktur aufweisen: die Stromstärke des Betriebsstromes; die
Betriebsspannung, die Frequenz des Betriebsstromes bei einem Wechselbetriebsstrom der optisch aktiven Struktur; der elektrische Widerstand der optisch aktiven Struktur; eine maximal zulässige Stromstärke oder Spannung; der ursprünglich Farbort und/oder die ursprüngliche Intensität der
emittierbaren oder absorbierbaren elektromagnetischen
Strahlung; eine maximal zulässige Temperatur; eine maximale Betriebsdauer; ein Koeffizient mit dem eine Steigerung oder Abnahme des Betriebsstroms oder anderer genannter Parameter, über die Lebensdauer festgelegt wird. Optoelektronische
Bauelemente, beispielsweise organische Leuchtdioden, werden mit zunehmender Betriebsdauer dunkler. Diese Abnahme der Intensität kann man mit zusätzlichem Strom ausgeglichen werden. Beispielsweise kann das elektronische Vorschaltgerät derart ausgebildet sein, dass das elektronischen
Vorschaltgerät - nachdem ihm übermittelt wurde, wie lange die organische Leuchtdiode bereits betrieben wird - mittels des übermittelten Koeffizienten berechnen, weicher Strom nach x Stunden Betrieb einzustellen ist.
Das Ermitteln 504 wenigstens eines Betriebsparameters kann die Messung eines Spannungsabfalls, einer Impedanz, einer Kapazität, eines Stroms, der optisch aktiven Struktur
aufweisen. Weiterhin kann das Ermitteln 504 ein Ermitteln des Farbortes und/oder der Intensität der in/von der optisch aktiven Struktur emittierbaren und/oder absorbieren
elektromagnetischen Strahlung aufweisen. Der ursprünglich Farbort und/oder die ursprüngliche
Intensität der emittierbaren oder absorbierbaren
elektromagnetischen Strahlung können/kann von dem
elektronischen Vorsehaltgerät verwendet werden um eine alterungsbedingte Reduktion der Intensität und/oder eine alterungsbedingte Verschiebung des Farbortes der
emittierbaren und/oder absorbierbaren elektromagnetischen Strahlung auszugleichen. Dadurch kann die emittierte und/oder absorbierte elektromagnetische Strahlung während der
Lebenszeit des optoelektronischen Bauelementes einen
konstanten Farbort und/oder eine konstante Intensität aufweisen. Das Ermitteln 504 des Betriebsparameters, das Ausbilden 506 der elektrischen Schaltungsstruktur, das Auslesen des
Ausgabewertes in dem elektronischen Vorschaltgerät und/oder das Anpassen des Betriebsparameters des Stromes an den
Anschlüssen der optisch aktiven Strukturen kann einmalig oder mehrmalig ausgebildet sein. Das einmalige Erfolgen oben genannter Verfahren kann vor und/oder während des Verbindens der optisch aktiven Struktur mit dem elektronischen
Vorschaltgerät erfolgen. Abweichend dazu kann das mehrmalige Erfolgen wenigstens eines der genannten Verfahren während des Betriebs des optoelektronischen Bauelementes aufweisen, beispielsweise wiederholt. Beispielsweise kann dadurch alterungsbedingte Änderungen optischer und/oder elektrischer Eigenschaften der optisch aktiven Struktur mittels eines Veränderns wenigstens eines Betriebsparameters kompensiert werden.
Weiterhin kann das Verfahren ein Ausbilden 506 einer
elektrischen Schaltungsstruktur unter Berücksichtigung des ermittelten Betriebsparameters aufweisen. Die elektrische Schaltungsstruktur wird derart ausgebildet, dass der
Ausgabewert der elektrischen Schaltungsstruktur eine Funktion des ermittelten Betriebsparameters ist. Der Ausgabewert der elektrischen Schaltungsstruktur kann wie oben beschrieben ein elektrischer Widerstandswert, eine Kapazität, eine
Induktivität und/oder ein Bit-Muster aufweisen oder sein.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann das Ausbilden 502 der optisch aktiven Struktur ein Ausbilden einer elektrischen Schaltungsvorstruktur aufweisen. Das Ausbilden der
Schaltungsvorstruktur kann beispielsweise ein Ausbilden einer Metallisierungsschicht und/oder ein Ausbilden von einer oder mehreren elektrischen Leitungen und/oder einer oder mehreren elektrischen Strukturen aufweisen. Die Schaltungsvorstruktur kann auf und/oder neben der optisch aktiven Struktur
ausgebildet werden, beispielsweise auf oder über einem optisch inaktiven Bereich oder einer optisch inaktiven Seite eines optisch aktiven Bereiches. Beispielsweise kann die Schaltungsvorstruktur auf der Abdeckung der optisch aktiven Struktur und/oder auf einer Kontaktleiste der optisch aktiven Struktur ausgebildet werden, In einer Ausgestaltung wird eine Abdeckung auf oder über der elektrischen Schaltungsstruktur ausgebildet derart, dass ein Kontaktbereich der elektrischen Schaltungsstruktur frei liegt.
Die elektrische Schaltungsvorstruktur und/oder die elektrisch Schaltungsstruktur können/kann elektrisch isoliert von der optisch aktiven Struktur ausgebildet sein oder werden.
Das Ausbilden 506 der elektrischen Schaltungsstruktur kann ein Strukturieren der elektrischen Schaltungsvorstruktur aufweisen.
Die elektrische Schaltungsvorstruktur kann mittels des
Strukturierens zur elektrischen Schaltungsstruktur werden. Das Strukturieren kann ein Aufbringen oder Entfernen eines Stoffs oder Stoffgeraisches von der elektrischen
Schaltungsvorstruktur aufweisen.
Das Ausbilden 506 der elektrischen Schaltungsstruktur 130 kann beispielsweise ein Ausbilden einer elektrisch
isolierenden Struktur und/oder ein Ausbilden einer
elektrischen Überbrückungsstruktur in der elektrischen
Schaltungsvorstruktur aufweisen.
Das Strukturieren kann jedoch auch ein Umwandeln eines Teils der elektrischen Schaltungsvorstruktur aufweisen,
beispielsweise ein Dotieren. Dadurch kann die elektrische
Leitfähigkeit und/oder Magnetisierbarkeit des dotierten Teils der elektrischen Schaltungsvorstruktur verändert werden.
Dadurch kann beispielsweise der Strompfad in der elektrischen Schaltungsstruktur gemäß eines vorgegeben Strompfades ausgebildet werden.
Weiterhin können das Ausbilden der elektrisch isolierenden Struktur und/oder das Ausbilden der elektrischen Überbrückungsstruktur können derart ausgebildet sein, dass die Kapazität eines Kondensators; der Widerstandswert eines elektrischen Widerstandes; die Induktivität eines
Induktivität-Bauelementes; und/oder das Bit-Muster einer
Leiterstruktur ausgebildet werden hinsichtlich eines
ermittelten Betriebsparameters .
Weiterhin kann das Ausbilden der elektrisch isolierenden Struktur ein ballistisches Freilegen aufweisen,
beispielsweise eine Laserablation .
Ein ballistisches Freilegen der freizulegenden Bereiche kann beispielsweise mittels Beschuss des frei zulegenden Bereiches mit Partikeln, Molekülen, Atomen, Ionen, Elektronen und/oder Photonen realisiert werden.
Ein Beschuss mit Photonen kann beispielsweise als
Laserablation mit einer Wellenlänge in einem Bereich von ungefähr 200 nm bis ungefähr 1700 nm ausgebildet sein, beispielsweise fokussiert , beispielsweise mit einem
Fokusdurchmesser in einem Bereich von ungefähr 10 μπι bis ungefähr 2000 μπι, beispielsweise gepulst , beispielsweise mit einer Pulsdauer in einem Bereich von ungefähr 100 fs bis ungefähr 0 , 5 ms, beispielsweise mit einer Leistung von ungefähr 50 mW bis ungefähr 1000 mW, beispielsweise mit einer
2
Leistungsdichte von ungefähr 100 kW/cm bis ungefähr 10
2
GW/cm und beispielsweise mit einer Repititionsrate in einem Bereich von ungefähr 100 Hz bis ungefähr 1000 Hz ausgebildet werden.
Beispielsweise kann dadurch ein Teil eines elektrisch
leitenden Stoffs von der elektrischen Schaltungsvorstruktur entfernt werden . Dadurch kann beispielsweise ein elektrisch isolierender Stoff freigelegt werden. Dadurch kann beispielsweise der Strompfad umgelenkt werden . Weiterhin kann dadurch beispielsweise der elektrische Widerstand ausgebildet werden, beispielsweise indem der Strompfad eingeengt wird . Weiterhin kann dadurch die Kapazität eines Kondensators ausgebildet werden. Die elektrische Schaltungsvorstruktur kann mit einer ersten elektrisch leitenden Struktur 612A und wenigstens einer zweiten elektrisch leitenden Struktur 612B ausgebildet sein, wobei die erste elektrisch leitende Struktur 612A elektrisch isoliert von der zweiten elektrisch leitenden S ruktur 612B ausgebildet wird. Weiterhin kann die erste elektrisch
leitende Struktur 612A mittels eines elektrischen
Bauelementes elektrisch mit der zweiten elektrisch leitenden Struktur 612B verbunden ausgebildet werden . Weitere Ausgestaltungen zum Ausbilden einer elektrischen
Schaltungsstruktur sind in Fig.6 und zugehöriger Beschreibung veranschaulicht .
Fig.6A-E zeigen schematische Darstellungen elektrischer
Schaltungsstrukturen gemäß verschiedenen
Ausführungsbeispielen.
Abweichend oder ergänzend zu oben beschriebenen Ausgestaltung sind in Fig .6A-E Ausgestaltungen von elektrischen
Schaltungsstrukturen veranschaulicht und beschrieben.
Die elektrische Scha11ungsstruktur 130 kann dadurch
ausgebildet werden, dass ein Teil einer
Metallisierungsschicht entfernt wird (veranschaulicht in
Fig .6A und Fig.6B) , beispielsweise mittels einer
Laserabiation (siehe Beschreibung der Fig .5 } . In Fig .6A und Fig.6B ist der entfernte Teil einer Metallisierungsschicht mit den Pfeilen mit den Bezugszeichen 602 gekennzeichnet . Der mittels des entfernten Teils 602 von der Metallisierungsebene elektrisch vereinzelte Bereich (gekennzeichnet mit de Pfeil mit dem Bezugszeichen 604 ) kann eine elektrische
Schaltungsstruktur oder elektrische Schaltungsvorstruktur ausbilden. Der elektrisch vereinzelte Bereich 604, beispielsweise eine elektrische Leitung, kann beispielsweise eine Breite in einem Bereich von ungefähr 500 ß bis ungefähr 5 mm aufweisen, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 1 mm bis
ungefähr 2 mm.
Die elektrischen Anschlüsse 206A, 206B können beispielsweise mittels einer Klebeverbindung mit elektrisch leitfähigem Klebstoff (anisotropic conductive film bonding - ACF-bonding) mit einer flexiblen Leiterplatte (flexible printed circuit board - FlexPCB) mit dem elektronischen Vorschaltgerät elektrisch verbunden werden . Es kann, gemäß der Beschreibung oben und nachfolgend, ein elektrischer Widerstand 202 ausgebildet werden.
Beispielsweise kann der elektrisch vereinzelte Bereich eine Verjüngung im Strompfad aufweisen, sodass der elektrische Widerstand der elektrischen Schaltungsstruktur 130 und somit der Spannungsabfall über die elektrische Schaltungsstruktur 130 erhöht wird.
In Fig.6A ist ein elektrischer Widerstand 202 aus einem dünnen Metall veranschaulicht , wobei die Metallisation 604 mittels Laserabiationslinien 602 von der umgebenden
Metallisierung 618 elektrisch isoliert ist . Der elektrische Widerstand vom ersten Anschluss 206A zum zweiten Anschluss 206B identifiziert das optoelektronische Bauelement für das elektronische Vorschaltgerät . Dieses kann daraufhin die elektrische Stromversorgung automatisch hinsichtlich der optisch aktiven Struktur einstellen und einen richtigen Strom bereitstellen, um das optoelektronische Bauelement elektrisch zu verbinden und zu betreiben. Jedes optoelektronische
Bauelement kann beispielsweise eine elektrische
Schaltungsstruktur mit einem bauelementeindividuellen elektrischen Widerstand aufweisen. Weiterhin kann mittels eines Entfernens einer
Metallisierungsschicht eine Leiterstruktur mit mehreren elektrischen Leitungen 408 ausgebildet werden
(veranschaulicht in Fig . 6B) . Eine Leitung kann einen ersten Anschluss 606 und einen zweiten Anschluss 608 aufweisen. Die elektrischen Leitungen 408 sind elektrisch voneinander isoliert . Mittels eines Anlegens einer elektrischen Spannung über den ersten Anschluss 606 und den zweiten Anschluss 608 kann ein elektrischer Strom durch die elektrischen Leitungen 408 fließen.
Mittels eines Entfernens eines Teils einer Leitung 408 ( in Fig . 6B veranschaulicht mittels des Bezugszeichen 610 ) kann die elektrische Verbindung von dem ersten Anschluss 606 zu zweitem Anschluss 608 elektrisch unterbrochen werden .
Weiterhin kann mittels eines Ausbildens einer elektrischen Überbrückung 616 können elektrisch voneinander isolierte Leitungen 408 elektrisch miteinander verbunden werden .
Dadurch kann ein Bit-Muster (siehe Beschreibung der Fig . B) als Ausgabewert der elektrischen Schaltungsstruktur 130 ausgebildet werden. In einer Ausgestaltung können die
Leitungen 408 der Leiterstruktur einen gemeinsamen ersten Anschluss 606 aufweisen . Dadurch kann das Ausbilden des Bit- Musters vereinfacht werden.
Eine Unterbrechung einer elektrischen Leitung kann
ausgebildet werden, indem ein Teil der elektrischen Leitung im Strompfad entfernt wird, sodass kein Stromfluss erfolgen kann. Eine Unterbrechung kann j edoch auch ausgebildet werden, indem zwischen zwei Kontakten ein elektrisch isolierender
Stoff ausgebildet wird, anstelle eines elektrisch leitenden Stoffs.
Eine elektrische Schal ungsvorstruktur kann eine erste elektrisch leitende Struktur 612A und eine zweite elektrisch leitende Struktur 612B aufweisen . Die erste elektrisch leitende Struktur 612A und die zweite elektrisch leitende Struktur 612B können als elektrische Anschlüsse (206A, 206B) der elektrischen Schaltungsstruktur 130 ausgebildet sein oder diese aufweisen (veranschaulicht in Fig.6C und Fig.6D) .
Elektrisch zwischen der ersten elektrisch leitenden Struktur 612A und der zweiten elektrisch leitenden Struktur 612B können weitere elektrisch leitende und/oder elektrisch isolierende Strukturen ausgebildet sein.
Das Ausbilden der elektrischen Schaltungsstruktur 130 kann ein Ausbilden einer elektrischen Schaltungsvorstruktur 620 aufweisen .
Das Ausbilden einer MetallisierungsSchicht , aus bzw. auf der die elektrischen Bauelemente der elektrischen
Schaltungsstruktur ausgebildet werden, kann mit dem Ausbilden der optisch aktiven Struktur erfolgen, beispielsweise parallel .
Diese kann beispielsweise ausgebildet werden in dem ein Teil 610 einer Metallisierungsschicht entfernt wird. Das Entfernen des Teils 610 der Metallisierungsschicht kann ein Schritt im Ausbilden der elektrischen Schaltungsvorstruktur und/oder im Ausbilden der elektrischen Schaltungsstruktur sein.
Beispielsweise kann das Entfernen des Teils 610 der
Metallisierungsschicht beim Ausbilden der elektrischen
Schaltungsvorstruktur 620 eine allgemeine Schaltungsstruktur 130 ausgebildet werden, die für eine Vielzahl
optoelektronischer Bauelemente und/oder optisch aktiver Strukturen geeignet sind/ist . Nach dem Ermitteln wenigstens eines Betriebsparameters der optisch aktiven Struktur kann der Ausgabewert der elektrischen Schaltungsstruktur fein eingestellt werden, beispielsweise indem die Größe eines elektrischen Widerstandes , eines Kondensators, einer
Induktivität und/oder das Bit-Muster eingestellt wird. Beispielsweise kann bei einem Kondensator 302 mittels eines elektrisch isolierenden Auftrennens 614 wenigstens einer der leitenden Strukturen die Kapazität des Kondensators fein eingestellt v/erden {veranschaulicht in Fig .6C) . Elektrisch zwischen der ersten elektrisch leitenden Struktur 612A und der zweiten elektrisch leitenden Struktur 612B können beispielsweise eine dritte elektrisch leitende
Struktur 612C und eine vierte elektrisch leitende Struktur 612D ausgebildet sein. Die mehreren in der elektrischen
Schaltungsstruktur elektrisch voneinander isolierten
elektrisch leitenden Strukturen 612 können mittels einer Überbrückungsstruktur elektrisch miteinander verbunden werden. Dadurch können auf flexible Weise unterschiedliche elektrische Widerstände, Kondensatoren , Leiterstrukturen und/oder Induktivitäten ausgebildet werden (veranschaulicht in Fig.6D) . Das Ausbilden der Überbrückungsstrukt r 616 kann ein
Ausbilden einer elektrischen Verbindung zwischen der ersten elektrisch leitenden Struktur 612A und der zweiten elektrisch leitenden Struktur 612B aufweisen . Elektrisch zwischen der ersten elektrisch leitenden Struktur 612A und der zweiten elektrisch leitenden Struktur 612B kann j edoch wenigstens ein oben beschriebenes elektrisches Bauelement ausgebildet sein. Die Überbrückungsstruktur 616 kann beispielsweise derart ausgebildet werden, dass mittels der Überbrückungsstruktur der Ausgabewert der elektrischen Schaltungsstruktur
eingestellt wird .
Das Ausbilden der elektrisch leitenden Verbindung kann ein Auf ringen eines elektrisch leitenden Stoffs zwischen der ersten elektrisch leitenden Struktur 612A und der zweiten elektrisch leitenden Struktur 612B aufweisen derart, dass eine elektrische Verbindung zwischen der ersten elektrisch leitenden Struktur 612A und der zweiten elektrisch leitenden Struktur 612B ausgebildet wird (veranschaulicht in Fig.6D) . Das Ausbilden der elektrischen Scha11ungsstruktur kann ein
Ausbilden einer elektrisch isolierenden Struktur 610 zwischen der ersten elektrisch leitenden Struktur 612A und der zweiten elektrisch leitenden Struktur 612B aufweisen. Das Ausbilden einer elektrisch isolierenden Struktur 610, 614 kann
beispielsweise ein Aufbringen eines elektrisch isolierenden Stoffs, ein Freilegen eines elektrisch isolierenden Stoffs (veranschaulicht in Fig.6B-E) und/oder ein Umwandeln eines elektrisch leitenden Stoffs in einen elektrisch leitenden Stoff aufweisen, beispielsweise ein Dotieren, Oxidieren, Nitrieren.
Das Ausbilden der elektrisch isolierenden Struktur 610, 614 kann ein Entfernen eines Teils 614 , 610 der dritten
elektrischen leitenden Struktur aufweisen derart , dass eine vierte elektrisch leitende Struktur und eine fünfte
elektrisch leitende Struktur ausgebildet werde .
Beispielsweise kann die dritte elektrisch leitende Struktur in zwei elektrisch voneinander isolierte Bereiche elektrisch vereinzelt ausgebildet werden . Mit anderen Worten : Die vierte elektrisch leitende Struktur kann elektrisch von der fünften elektrisch leitenden Struktur isoliert v/erden . Mittels des Entfernens des Teils 614 , 610 der dritten
elektrisch leitenden Struktur kann der Strompfad durch die elektrische Schaltungsstruktur 130 verändert werden
(veranschaulicht in Fig.6E) , wodurch der Ausgabewert der elektrischen Schaltungsstruktur eingestellt werden kann.
In verschiedenen Ausführungsformen werden ein
optoelektronisches Bauelement , eine optoelektronische
Bauelementevorrichtung und ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes bereitgestellt , mit denen es möglich ist, ein technisch einfacher zu betreibendes
organisches , optoelektronisches Bauelement auszubilden bzw. zu betreiben. Dadurch werden dem Benutzer von organischen, optoelektronischen Bauelementen mehrere Recherchen,
Berechnungen, technische Entscheidungen und Einkäufe erspart . Der Benutzer kann mittels eines einfachen Verbindens der elektrischen Schaltungsstruktur, beispielsweise von Kodier- Pins der elektrischen Schaltungsstruktur mit einem Anschluss des elektronischen Vorschaltgerätes , das System aus optoelektronischen Bauelement und elektronischem
Vorschaltgerat korrekt einstellen bzw. konfigurieren .
Weiterhin können Fehleinstellungen hinsichtlich der maximalen Stromstärke reduziert werden, wodurch Reklamationsanfragen, beispielswiese wie bei einer erhöhten Alterung der OLED oder bei einem früheren Ausfall der OLED wegen Überbestromung reduziert werden. In verschiedenen Ausgestaltungen kann die elektronische Schaltungsstruktur kostengünstig ausgebildet werden, beispielsweise ohne aufwendige und kostenintensive fotolithografische Verfahren ausgebildet werden. Weiterhin kann das optoelektronische Bauelement selbstidentifizierend hinsichtlich des elektronischen Vorschaltgerätes ausgebildet werden. Dadurch sind keine weiteren Verfahrensschritte beim Verbinden des optoelektronischen Bauelementes mit dem elektronischen Vorschaltgerat notwendig, beispielsweise kein herkömmliches Anschließen/Anklemmen eines elektrischen
Widerstandes an zwei Klemmen an dem elektronischen
Vorschaltgerat .

Claims

Optoelektronisches Bauelement (100) , aufweisend:
eine flächige optisch aktive Struktur (150) und eine elektrische Schaltungsstruktur (130) ,
• wobei die flächige optisch aktive Struktur (150) zu einem Aufnehmen und/oder Bereitstellen einer
elektromagnetischen Strahlung ausgebildet ist;
• wobei die elektrische Schaltungsstruktur (130)
derart ausgebildet ist, dass sie einen Ausgabewert bereitstellt, wobei der Ausgabewert abhängig ist von wenigstens einem Betriebsparameter der optisch aktiven Struktur (150) ; und
• wobei das optoelektronische Bauelement (100 ) zu
einem Bereitstellen eines Betriebsstroms (208 ) an die flächige optisch aktive Struktur (150) einen ersten Anschluss (204A) und einen zweiten Anschluss (204B) aufweist ; wobei der Betriebsstrom (208) der flächigen optisch aktiven Struktur (150) durch die flächige optisch aktive Struktur (150) fließt , wobei die elektrische Schaltungsstruktur (130) frei bleibt von dem Betriebsström (208) , der zum Betreiben der optisch aktiven Struktur ( 150 ) zu der optisch aktiven Struktur (150) bereitgestellt wird.
Optoelektronisches Bauelement ( 100 ) gemäß Anspruch 1, wobei die flächige optisch aktive Struktur (150) eine erste Elektrode (110) , eine zweite Elektrode ( 114 ) und eine organische funktionelle Schichtenstruktur (112) aufweist , wobei die organische funktionelle
Schichtenstruktur (112) zwischen der ersten Elektrode (110 ) und der zweiten Elektrode (114) ausgebildet ist .
Optoelektronisches Bauelement (100) gemäß einem der Ansprüche 1 oder 2 ,
wobei das optoelektronische Bauelement (100) als eine organische Leuchtdiode , eine organische Solarzelle und/oder ein organischer Fotodetektor ausgebildet ist . Optoelektronisches Bauelement (100) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3 ,
wobei das optoelektronische Bauelement (100) als ein Flächenbauelement ausgebildet ist.
Optoelektronisches Bauelement (100) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 4,
wobei die elektrische Schaltungsstruktur (130) eine oder mehrere der folgenden elektrischen Strukturen aufweist:
• einen elektrischen Widerstand (202) , wobei der
Ausgabewert abhängig von dem elektrischen
Widerstandswert des elektrischen Widerstandes (202) ist;
• einen Kondensator (302) aufweist, wobei der
Ausgabewert abhängig von der Kapazität des
Kondensators (302) ist ;
• ein Induktivität-Bauelement aufweist, wobei der
Ausgabewert abhängig von der Induktivität des
Induktivität-Bauelementes ist; und/oder
• eine Leiterstruktur mit mehreren elektrischen
Leitungen (408) derart, dass der Ausgabewert
abhängig ist von dem Bit-Muster (410} der mehreren elektrischen Leitungen (408) ,
Verfahren (500) zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes (100) , das Verfahren (500) aufweisend;
• Ausbilden (502) einer flächigen optisch aktiven
Struktur (150) , wobei die flächige optisch aktive Struktur (150) zum Aufnehmen oder Bereitstellen einer elektromagnetischen Strahlung ausgebildet wird;
• Ermitteln (504) wenigstens eines Betriebsparameters der optisch aktiven Struktur (150) der optisch aktiven Struktur (150) des optoelektronischen
Bauelementes (100) ; und
• Ausbilden (506) einer elektrischen
Schaltungsstruktur (130) unter Berücksichtigung des ermittelten Betriebsparameters derart, dass der Äusgabewert der elektrischen Schaltungsstruktur (130) eine Funktion des ermittelten
Betriebsparameters ist.
Verfahren (500) gemäß Anspruch 6,
wobei das Ausbilden (502) der optisch aktiven Struktur (150) ein Ausbilden einer elektrischen
Schaltungsvorstruktur (620) aufweist,
Verfahren (500) gemäß einem der Ansprüche 6 oder 7, wobei das Ausbilden (506) der elektrischen
Schaltungsstruktur (130) ein Strukturieren der
elektrischen Schaltungsvorstruktur (620) aufweist.
Verfahren (500) gemäß Anspruch 8,
wobei das Ausbilden (506) der elektrischen
Schaltungsstruktur (130) ein Ausbilden einer elektrisch isolierenden Struktur (610, 614) und/oder ein Ausbilden einer elektrischen Überbrückungsstruktur (616) in der elektrischen Schaltungsvorstruktur (620) aufweist.
Verfahren (500) gemäß Anspruch 9,
wobei das Ausbilden der elektrisch isolierenden Struktur (610, 614} eine Laserabiation aufweist.
Verfahren (500) gemäß einem der Ansprüche 8 bis 10, wobei das Ausbilden der elektrischen
Schaltungsvorstruktur (620) ein Ausbilden einer
elektrischen leitenden Struktur aufweist, wobei das Ausbilden der elektrisch isolierenden Struktur (610, 614) ein Entfernen eines Teils (614, 610) einer
elektrischen leitenden Struktur aufweist derart, dass eine erste elektrisch leitende Struktur und eine zweite elektrisch leitende Struktur ausgebildet werden.
12. Verfahren (500) gemäß Anspruch 11, wobei mittels des Entfernens des Teils (614, 610) der elektrisch leitenden Struktur der Strompfad durch die elektrische Schaltungsstruktur (130) verändert wird.
Verfahren (500) gemäß einem der Ansprüche 6 bis 12,
• wobei das Ausbilden der optisch aktiven Struktur
(150) ein Ausbilden einer ersten Elektrode (110) ,-
• ein Ausbilden einer organischen funktionellen
Schichtenstruktur (112) auf der ersten Elektrode (110) ; und
• ein Ausbilden einer zweiten Elektrode (114) auf der organischen funktionellen Schichtenstruktur (112) aufweist .
Verfahren (500) gemäß einem der Ansprüche 6 bis 13, wobei das optoelektronische Bauelement (100) als eine organische Leuchtdiode, eine organische Solarzelle und/oder ein organischer Fotodetektor ausgebildet wird.
Optoelektronische Bauelementvorrichtung (200 , 300 , 400) , aufweisend;
• ein optoelektronisches Bauelement (100) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 5
• ein elektronisches Vorschaltgerät (214) , das zu
einem Bereitstellen eines elektrischen Stromes an die flächige optisch aktive Struktur (150) und/oder zu einem Aufnehmen eines elektrischen Stroms aus der optisch aktiven Struktur (150) eingerichtet ist ;
• wobei das elektronische Vorschaltgerät (214) einen ersten Anschluss (204 ) , einen zweiten Anschluss
(206) und eine Ermittlungs -Vorrichtung aufweis , wobei die Ermittlungs -Vorrichtung mit dem ersten Anschluss (204) und dem zweiten Anschluss (206) elektrisch gekoppelt ist ;
• wobei die flächige optisch aktive Struktur (150) mit dem ersten Anschluss (204 ) elektrisch verbunden ist, und die elektrische Schaltungsstruktur (130) mit dem zweiten Anschluss (206 ) elektrisch verbunden ist wobei die Ermittlungs-Vorrichtung zum Ermitteln des
Ausgabewertes der elektrischen Schaltungsstruktur (130) eingerichtet ist und mittels des ermittelten Ausgabewertes wenigstens einen Betriebsparameter der optisch aktiven Struktur (150) hinsichtlich eines vorgegebenen Betriebsparameters verändert .
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