WO2015011124A1 - Production of a layer element for an optoelectronic semiconductor chip - Google Patents

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WO2015011124A1
WO2015011124A1 PCT/EP2014/065692 EP2014065692W WO2015011124A1 WO 2015011124 A1 WO2015011124 A1 WO 2015011124A1 EP 2014065692 W EP2014065692 W EP 2014065692W WO 2015011124 A1 WO2015011124 A1 WO 2015011124A1
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WO
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layer
recess
starting
semiconductor chip
recesses
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PCT/EP2014/065692
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Markus Burger
Rainer BRADL
Martin Brandl
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Osram Opto Semiconductors Gmbh
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    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0041—Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements

Definitions

  • the invention relates to a method for producing a layer element for an optoelectronic semiconductor chip.
  • the invention further relates to a method for producing an optoelectronic component.
  • An optoelectronic component may comprise a rule ⁇ optoelectronic semiconductor chip for generating light radiation and at least one conversion material (phosphor) for Strah ⁇ lung conversion.
  • the semiconductor chip may be a so-called surface emitter which emits the radiation substantially via a front surface.
  • a layer or platelet-shaped conversion element can be arranged, which has the at least one phosphor, so that a surface conversion (chip level conversion, CLC) is present.
  • the conversion plate may have an edge-side recess, via which a front-side contact of the semiconductor chip is free.
  • Dimensionally accurate conversion elements can be produced, for example, by providing a ceramic layer and carrying out a stamping process. This procedure is complicated and expensive.
  • Another method involves a sur fa ⁇ chiges applying a phosphor particle-containing ⁇ Ma terials on semiconductor chips of a wafer before the verze- lung. Front side contacts of the semiconductor chips can be used for
  • Example can be exposed using a laser.
  • a laser can also be used in an alternative method in which a full-surface area containing a phosphor particle Layer is structured in conversion elements.
  • the use of a laser is complex and expensive.
  • Another disadvantage is a heat input, which can result in damage to phosphor particles.
  • an optoelectronic component in which another layer element is arranged on a optoelectronic semiconductor ⁇ semiconductor chip instead of a conversion element.
  • the layer element may also have an edge-side recess over which a front-side contact of the semiconductor chip is free.
  • the object of the present invention is to provide an improved solution for a layer element with a randsei- term recess, which can be arranged on an optoelectronic semiconductor chip.
  • a method for producing a layer element for an optoelectronic semiconductor chip includes providing an initial layer.
  • the provided starting ⁇ layer has a recess.
  • the method further comprises patterning the starting layer to form the layer element.
  • the layer element produced by structuring has a recess, which is formed at least partially from the recess of the starting layer.
  • an output layer is provided which has a recess.
  • the patterning of the starting layer can be carried out in such a way as to produce a platelet-like Layer element is formed, which has a present in a Randbe ⁇ rich recess, wherein the recess at least partially emerges from the recess of the starting layer.
  • the structuring of the starting layer can take place by means of a mechanical process in which the starting layer is cut through in a simple and rapid manner at corresponding points. Disadvantages of a laser separation process such as a high cost and high costs can be avoided as a result.
  • the layer element can be singulated.
  • the layer element can be used on an optoelectronic semiconductor chip, which has a front-side contact.
  • the front-side contact can be exempted via the recess of the Schich ⁇ telements.
  • the recess of the layer element may, for example, have a rectangular shape.
  • the recess may have a curved shape or a radius, or even a different form be ⁇ undesirables. This also applies to the recess of the starting layer, from which the recess of the
  • Layer element is formed at least in part.
  • the structuring of the starting layer comprises a severing of the starting layer along separating lines running perpendicular to one another. This will make a simple and fast
  • Structuring the output layer for forming or separating the layer element further favors.
  • the sheet member formed by the struc ⁇ centering along vertically oriented dividing lines may have a rectangle, or a quad ⁇ rat corresponding outer contour, deviating the recess is present at the edge of the rectangular shape or in a corner region.
  • the structuring of the starting layer can also take place along dividing lines which are not perpendicular to one another. In this way, the layer element formed by structuring the starting layer can have a different shape.
  • a possible example is a hexagon corresponding to an outer contour, wherein the recess is present in deviation from the hexagon ⁇ form at the edge or in a corner region.
  • the method the
  • the recess of the output layer divided into a plurality of layer elements for forming the graspgehö ⁇ rigen recesses.
  • the recess of the starting layer can have relatively large lateral dimensions.
  • a simple provision and structuring of the output layer can likewise be made possible.
  • four recesses of correspondingly four layer elements can be formed from the recess of the output layer in the structuring step.
  • a separation of the starting layer which, for example, can take place along perpendicular separating lines as described above, four edge-side recesses can emerge from the recess of the starting layer by intersecting two separating lines running perpendicular to one another in a region within the recess.
  • the recess of the output layer can also be provided that the recess is reacted completely not only in part, but in a single edge-side recess in a Schich ⁇ wick member. It is also possible that from the recess of the starting layer a different number of Ausspa- ments, for example two recesses of correspondingly two layer elements.
  • the provided output layer has a plurality of recesses on ⁇ .
  • the patterning of the output layer is performed such that a plurality of layer elements are formed, each having a formed at least in part from a corresponding recess of the output layer from ⁇ savings.
  • the structuring of the starting layer into the multiple and a recess having layer elements here can be relatively easily and quickly performed.
  • each recess of the starting layer into a plurality of recesses for example, four Aus ⁇ savings of layer elements, as described above, is implemented.
  • the output layer having a plurality of recesses is provided in accordance with another embodiment of the method to perform the patterning of the output layer so that the or (at least) Telement a Schich- two recesses which respectively Wenig ⁇ least the part from a corresponding recess Starting layer are formed.
  • a layer element with a sol ⁇ chen embodiment can be used on an optoelectronic semiconductor chip is used, which has two front-side contacts.
  • the (at least one) produced by the process layer element is a Konversi ⁇ onselement to the radiation conversion.
  • the Kon ⁇ version element can be arranged on an optoelectronic semiconductor chip. During operation of the semiconductor chip can an emitted from the semiconductor chip electromagnetic radiation using the conversion element at least partially ⁇ be converted.
  • the starting layer has a radiation-transmissive base material in which the conversion material is contained.
  • Base material may be, for example, silicone.
  • the Konversi ⁇ onsmaterial may for example be in the form of fluorescent Parti ⁇ angles, which are embedded in the base material.
  • the provision of the starting layer comprises performing a
  • the printing process allows a simple and inexpensive provision of the starting layer with the recess (s).
  • the printing process can be, for example, a screen printing process or a stencil printing process. If a particle- filled base material is used, this is in a liquid or viscous state during printing.
  • the printed starting ⁇ layer can be dried or hardened before structuring.
  • the starting layer can be printed with the recess (s).
  • a suitable printing form can be used.
  • the printing form may have an area permeable to printing the output layer and one or a plurality of impermeable areas for forming the recess (s).
  • the starting layer has not only a single conversion material for radiation conversion, but several different conversion materials for radiation conversion.
  • the starting layer may also be a radiation-transmissive Have base material such as silicone, in which the different conversion materials, in particular in the form of phosphor particles, contained or embedded.
  • the method also can be instead of a Konversi ⁇ onselements (at least) one other layer element forth ⁇ filters.
  • This can be a clear or transparent, radiation, ⁇ by layer element.
  • the strahlungs tellläs- sige layer element can come to an optoelectronic semi ⁇ conductor chip for use to enable, for example, an improved coupling out radiation.
  • the initial layer may also be a strah ⁇ lung permeable material such as silicone Jerusalemwei- sen, and the output layer can be provided by performing a printing process. When printing, the material of the initial layer is in a liquid or zähflüs ⁇ sigen state.
  • the printed starting layer can be dried or hardened before structuring. It is also possible that the output layer and thus also the (Wenig ⁇ least one) layer element have a different radiation-permeable material such as a glass material.
  • the structuring of the starting layer comprises carrying out a sawing process or a cutting process. Such processes enable a simple and rapid structuring and thereby singulation of the starting layer. The structuring can also take place without damaging a conversion material contained in the starting layer, if appropriate.
  • a method for producing an optoelectronic component is proposed.
  • a layered element is produced by carrying out the above-described method or one of the above-described embodiments of the method.
  • the layer element is arranged on an opto ⁇ electronic semiconductor chip.
  • the optoelectronic semiconductor chip may have a front surface for emitting radiation and a contact present in the region of the front side.
  • the layer element can be arranged on the front side of the semiconductor chip such that the front-side contact is exposed beyond the recess of the layer element and therefore freely accessible for contacting, for example via a bonding wire. It is advantageous that the film element, as indicated above, ⁇ provides Herge in a simple and cost-effective manner can be.
  • the optoelectronic semiconductor chip can be, for example, a light-emitting diode chip (light emitting diode, LED) designed to generate light radiation.
  • the optoelectronic semiconductor chip may further be a surface emitter which emits a substantial portion of the radiation across the front surface.
  • the layer element as a conversion element that can cause a surface conversion disposed on the upstream surface of the semiconductor chip der Schoen Kon ⁇ version element.
  • the conversion element can therefore also be referred to as CLC layer or CLC plate.
  • FIG. 2 shows a top view of an optoelectronic semiconductor chip with a front-side contact
  • Figure 3 is a perspective view of an output layer produced by printing having recesses
  • Figure 4 is a further perspective view of the off ⁇ transition layer with a representation of possible dividing lines along which severing of the output layer can be carried out for forming singulated conversion elements
  • FIG. 5 is a view similar to FIG. 4 of the starting layer with possible dividing lines for forming conversion elements
  • FIG. 6 shows a side view of an optoelectronic component
  • Figures 7 to 9 are further perspective views showing an output layer with possible recesses and dividing lines for forming conversion elements.
  • FIG. 1 shows a top view of a platelet-shaped conversion element 100 used for radiation conversion.
  • the conversion element 100 has an outer contour which corresponds to a rectangle or a square, wherein a recess 105 is present at the edge or in a corner region, unlike the rectangular shape.
  • the recess 105 of the conversion element 100 may, as shown in Figure 1, egg ⁇ ne rectangular or square geometry.
  • the shape of the conversion element 100 with the edge-side Ausspa ⁇ tion 105 is matched to the shape of a front of a optoelekt ⁇ tronic semiconductor chip 150 to element 100 arrange the CONVERSION thereto.
  • FIG. 2 shows a top view of an optoelectronic semiconductor chip 150 designed to generate electromagnetic radiation.
  • Semiconductor chip 150 has a contact 155 at a corner in the region of the front side shown in FIG. 2, via which semiconductor chip 150 is contacted on the front side can. Due to the recess 105, the plate-shaped conversion element 100 can be arranged on the front side of the semiconductor chip 150 in such a way that the contact 155 is exposed via the recess 105 and thus accessible.
  • the contact 155 may, for example, be in the form of a contact surface which is suitable for contacting with the aid of a bonding wire 165 (bonding pad).
  • a bonding wire 165 bonding pad
  • the recess 105 can therefore also be referred to as a bond pad recess or bond pad opening.
  • the optoelectronic semiconductor chip 150 can in particular be a light-emitting diode or LED chip for generating a light Be radiation.
  • the semiconductor chip 150 can furthermore be a surface-emitter produced by thin film technology, in which a substantial part of the generated radiation is emitted via its front side and can thereby be coupled into the conversion element 100 provided in the region of the front side.
  • the front side of the semiconductor chip 150 is also referred to as the light exit side . With the aid of the conversion element 100, the primary generated by the semiconductor chip 150
  • a surface emitter has a surface conversion.
  • electrical energy can be supplied to the semiconductor chip 150 via the front-side contact 155 and a rear-side contact.
  • the back print ⁇ term contact is formed at a front side of the opposite back of the semiconductor chip 150 (not Darge ⁇ asserted).
  • the semiconductor chip 150 may be prepared in a known manner and which in addition to the contacts components such as a semiconductor layer sequence with a ak ⁇ tive zone for generating radiation, so that it will be explained in more detail.
  • the primary and emitted by the semiconductor chip 150 light radiation may be, for example, a blue light radiation.
  • the primary light radiation is at least partially converted to one or meh ⁇ eral light radiation of a different or more other wavelength ranges, for example in the green to red Spekt ⁇ ral Scheme. In this way, can be produced a light ⁇ radiation with a desired color, for example, change to a white light radiation, which can be delivered via the Konversi ⁇ onselement 100th
  • the radiation conversion takes place with the aid of one or more different conversion materials.
  • the radiation conversion element 100 includes the conversion element 100, a radiation-transmissive base or Mat ⁇ rixmaterial and disposed therein luminescent particles from egg one or more different conversion materials, or a mixture of phosphor particles of different conversion materials (not shown).
  • the Grundma ⁇ TERIAL may for example be a silicone material.
  • Possible conversion materials or phosphors, which can be considered for the conversion element 100 are gallate the case ⁇ game rare-earth doped garnets, rare earth doped alkaline earth sulfides, rare-earth-doped thio, doped with rare earth aluminates, rare earth doped silicates, rare earth doped Orthosi- silicates, rare earth doped chlorosilicates doped sel ⁇ requested Erdalkalisiliziumnitride earth doped rare earth oxynitrides, rare earth doped aluminum niumoxinitride with, rare earth doped silicon nitride, or rare earth doped sialones.
  • FIGS. 3 and 4 show a perspective view of a method by means of which a plurality of conversion elements 100 can be produced in a simple, fast and cost-effective manner.
  • a large-area output ⁇ layer 110 as shown in Figure 3, is provided.
  • the starting layer 110 comprises the previously described material composition, ie a radiation-transmissive base material with arranged therein
  • the provided output layer 110 which is only partially shown in FIG. 3 and also in other figures, furthermore has a plurality of recesses 115.
  • the recesses 115 which may have a rectangular or square shape, extend completely between opposite main sides of the flat starting layer 110. As indicated in FIG. 3, the recesses 115 are in the form of a grid or in the form of lines and Columns over the surface of the output layer 110 ver ⁇ shares arranged.
  • Providing the output layer 110 may be performed using ei ⁇ nes simple and inexpensive printing process. In such an approach, as is indicated schematically in Figure 3, a suitable printing plate 120 is used.
  • the printing form 120 has a region 121 permeable to the printing of the output layer 110 and a plurality of impermeable regions 125 for forming the recesses 115.
  • the impermeable regions 125 are matched to the shape and position of the recesses 115.
  • the printing form 120 is a screen printing form with a screen mesh (not shown).
  • the opaque areas may be formed by a layer-structured and arranged on the screen mesh 125 emulsion, which masks the screen fabric or locally in the areas of 125, whereas the range is kiert unmas- 121st
  • the printing form 120 may be a stencil printing form.
  • the transmissive region 121 there may be a lattice structure suitable for printing the output layer 110 and including apertures (not shown).
  • the lattice structure can provide adequate stability and enable printing with a homogeneous layer thickness.
  • the impermeable regions 125 in contrast, have no lattice structure and no openings.
  • the base material with the embedded phosphor particles is applied via the printing form 120 to a support suitable for printing and thereby forming the phosphor layer 110, for example a substrate (not shown).
  • a support suitable for printing and thereby forming the phosphor layer 110 for example a substrate (not shown).
  • the p arege ⁇ filled base material in a liquid or viscous inflow is standing.
  • printing a printing squeegee not shown, is set a ⁇ which is passed over the printing form 120, so that the previously applied to the printing form base material 120 with the phosphor particles through the transmissive area 121 is pressed through. Thereafter, drying or curing of the printed layer 110 can take place.
  • the starting layer 110 is structured into individual platelet-shaped conversion elements 100.
  • a through ⁇ disconnect the output layer 110 along perpendicular zuei ⁇ Nander oriented dividing lines 131, 132.
  • 132 is further shown in FIG. 5 In Figure 5, but also in the other figures, are horizontally extending dividing lines by the reference numeral 131, and vertically extending dividing lines with the Be ⁇ reference numbers 132, respectively.
  • Figure 5 illustrates further, with reference to a contemplatge ⁇ levied hatching, an image formed by the separation of the output layer 110 conversion element 100.
  • the Konversi ⁇ onselement 100 has the mold with the edge-side recess 105 as described above on.
  • the severing of the output layer 110 is conducted such that the Ausspa ⁇ tion 105 emerges from a part of a recess 115 of the output layer 110th Is further clear from Figure 5 that are reacted at the cutting recesses 115 of the output layer 110 in each of four recesses 105 corresponding to four Konversionsele ⁇ elements 100th
  • the dividing lines 131, 132 are selected for this purpose such that in a region within a recess 115, a horizontal dividing line 131 and a vertical dividing line 132 intersect.
  • the provision of recesses 115 in the starting layer 110 thus offers the possibility of structuring the starting layer 110 in a simple manner into a plurality of dimensionally true platelet-shaped conversion elements 100 with peripheral recesses 105.
  • the severing of the starting layer 110 along the straight line and at right angles to each other running dividing lines 131, 132 can be done in a fast feasible mechanical separation process, for example, sawing or cutting.
  • a not shown sawing or cutting device is used.
  • another advantage of the mechanical cutting is that a heat input and thereby a possible damage of phosphor particles on the edge of a conversion element 100, as it can occur in a Lasertrennpro- process, is avoided.
  • FIGS. 3 to 5 The production of conversion elements 100 explained with reference to FIGS. 3 to 5 is used in the context of the production of optoelectronic components 160.
  • Figure 6 shows a side view of a possible embodiment of such an optoelectronic component 160.
  • the component 160 includes an optoelectronic semiconductor chip 150, as already described above, and disposed on a front or light exit side of the semi ⁇ semiconductor chip 150 Conversion element 100 on.
  • the conversion ⁇ element 100 may, for example, using a non ge Service ⁇ th radiation-transparent adhesive, for example, a silicone adhesive, are adhered to the semiconductor chip 150th In this case, the conversion element 100 is so positioned on the semi-conductor chip 150 ⁇ that the front-side contact 155 of the semiconductor chip remains free 150th
  • the semiconductor chip 150 is furthermore arranged on a carrier 161, as shown in FIG. Disposing the semiconductor chip 150 on the substrate 161 may take place before, 100 on the semi-conductor chip 150 ⁇ or after the arrangement of the conversion element.
  • the semiconductor chip 150 may, for example, via the aforementioned rear-side contact electrically and mechanically, for example via a solder, with a corresponding counter contact of the support 161 verbun ⁇ (not shown).
  • Figure 6 further illustrates a possible contacting of the front-side contact 155 of the semiconductor chip 150.
  • the front-side contact 155 is connected via a bonding wire 165 to another mating contact, not shown, of the carrier 161.
  • the optoelectronic component 160 also with a plurality of semiconductor chips 150 arranged on the carrier 161.
  • a conversion element 100 can be arranged on each semiconductor chip 150.
  • FIG. 7 shows a plan view of a printed starting layer 110 with recesses 115, including a representation of dividing lines 131, 132 for cutting through the starting layer 110.
  • the starting layer 110 has such an arrangement of recesses 115, and the dividing lines 131, 132 for the severing of the output layer 110 are such ge selects ⁇ that platelet-shaped conversion elements 101 are ⁇ ge gained with two edge-side recesses 105 of the output layer 110th
  • FIG. 7 clarifies this with reference to a conversion element 101 highlighted by the hatching.
  • the two recesses 105 of a conversion element 101 are, with respect to the (otherwise) a rectangle or square corresponding outer contour, arranged on diagonally opposite Eck Schemeen.
  • a conversion element 101 having such a configuration can be used on a semiconductor chip which has two diagonally opposite diodes. has overlying corners arranged front side contacts (not shown).
  • patterning the throughput will disconnect the output layer 110 also performs such Runaway ⁇ that recesses 115 of the output layer are implemented by corresponding four ⁇ conversion elements 101 each in four recesses 105,110.
  • the dividing lines 131, 132 are predetermined for this purpose such that in a region within a recess 115, a horizontal dividing line 131 and a vertical dividing line 132 intersect.
  • FIG. 8 shows a further view of a printed starting layer 110 with recesses 115, as well as dividing lines 131, 132 for cutting through the starting layer 110.
  • the starting layer 110 has such an arrangement of recesses 115, and the dividing lines 131, 132 are selected such that they are platelet-shaped Conversion elements 102 are formed with two edge-side recesses 105 from the initial layer 110.
  • FIG. 8 clarifies this with reference to a conversion element 102 highlighted by the hatching.
  • the two recesses are arranged opposite diagonal 105 at a conversion element 102 but be ⁇ can be found at the ends in the area of the same edge side of the respective conversion element 102.
  • a conversion element 102 may, therefore, on a semiconductor chip for use come, which has two arranged on corners of the same edge side front side contacts (not shown).
  • the output layer 110 is severed in such a way that recesses 115 of the output layer 110 are respectively converted into four recesses 105 of correspondingly four conversion elements 102.
  • the dividing lines 131, 132 are selected for this purpose in such a way that in a region within a recess 115 an ne horizontal dividing line 131 and a vertical dividing line 132 intersect.
  • Figure 9 shows a further plan view of an overall printed output layer 110, as well as dividing lines 131, 132 for the severing of the output layer 110.
  • the output layer 110 is re-structured in conversion elements 100 with egg ⁇ ner individual edge-side recess 105 as shown in Figure 9, using a hatched by the hatching conversion element 100 is illustrated.
  • the Ausappelun ⁇ gen 115 of output layer 110 and the dividing lines 131, 132 are in this case, that a recess is not converted only partly but completely in a recess 105 ei ⁇ nes conversion element 100 115 chosen so. Therefore, two dividing lines 131, 132 intersect no longer within, but at the edge of a recess 115th
  • conversion elements can be produced by structuring a recesses 115 having output layer 110, in which edge-side savings ⁇ 105 in contrast to the conversion elements 100, 101, 102 not in a corner, but at another Place, for example, in the region of the center of a side edge, present.
  • a recess 115 can be divided into two recesses of correspondingly two conversion elements.
  • an output layer 110 is not only, as indicated in the figures, be in convergence ⁇ sion elements with a matching contour, but in conversion elements having different geometries structured manner.
  • a common structures of an output layer 110 can take place both in conversion elements 100 and in conversion elements 101.
  • the embodiments described above can be realized by a corresponding arrangement of recesses 115 in an output layer 110 and definition of dividing lines 131, 132 for the severing of the output layer 110. Furthermore, it is possible to form recesses 105 of conversion elements instead of the shown rectangular shape with a different shape, for example a curved or circular or quarter-circle-shaped contour. Also, a front contact 155 of a semiconductor chip 150 may have a corresponding curved geometry.
  • Such Substituted ⁇ staltungen can be realized with a curved contour or circular shape of recesses 115 an output layer 110th
  • an output layer 110 and thereby a conversion element formed from the output layer 110 may comprise a radiation-transmissive base material in which, in addition to phosphor particles, further particles, for example reflective particles, are arranged.
  • Such a particle-filled material may also be printed to form an initial layer 110.
  • a ceramic layer 110 with output from ⁇ recesses 115 which has at least one conversion material.
  • the ceramic starting layer can be produced by sintering.
  • Recesses 115 may be present or produced before, or after sintering.
  • the structuring of an output layer 110 can be carried out along dividing lines which are not perpendicular to one another but are oriented at a different angle or at different angles to one another.
  • conversion elements can be formed with other than the outer contours shown in the figures.
  • a possible example is a corresponding one of six ⁇ eck outer contour, deviating from the
  • Hexagonal shape can be present at the edge or in a corner area a recess.
  • the method may also be an off ⁇ junction layer 110 generates with recesses 115, and nachfol ⁇ quietly structured in layer elements with peripheral recesses.
  • Konversi ⁇ onsomme mentioned details in such layer elements may be used above analogy.
  • a clear layered element produced by the method can be used in the Supervision of Figure 1 have a corresponding contour.
  • the output layer used in such an embodiment may further be, for example, formed of a pressure- ⁇ cash radiation-transmissive material such as Sili ⁇ kon or an epoxy material, in which, in contrast to conversion elements no fluorescent particles are contained, and dried prior to patterning or be cured.
  • a pressure- ⁇ cash radiation-transmissive material such as Sili ⁇ kon or an epoxy material
  • the output layer and thus also the layer formed by patterning elements of the output layer have a different strah ⁇ lung permeable material, for example a glass material.

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Abstract

The invention relates to a method for producing a layer element for an optoelectronic semiconductor chip. The method comprises providing an initial layer. The initial layer has a recess. The method also comprises structuring the initial layer in order to form the layer element. The layer element has a cut-out portion, which is formed at least partially from the recess of the initial layer. The invention further relates to a method for producing an optoelectronic component.

Description

Beschreibung description
Herstellung eines Schichtelements für einen optoelektronischen Halbleiterchip Production of a Layer Element for an Optoelectronic Semiconductor Chip
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines Schichtelements für einen optoelektronischen Halbleiterchip. Die Erfindung betrifft des Weiteren ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements. The invention relates to a method for producing a layer element for an optoelectronic semiconductor chip. The invention further relates to a method for producing an optoelectronic component.
Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung 10 2013 214 400.8, deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird. Ein optoelektronisches Bauelement kann einen optoelektroni¬ schen Halbleiterchip zum Erzeugen einer Lichtstrahlung und wenigstens ein Konversionsmaterial (Leuchtstoff) zur Strah¬ lungskonversion aufweisen. Der Halbleiterchip kann ein sogenannter Oberflächenemitter sein, welcher die Strahlung im We- sentlichen über eine vorderseitige Oberfläche abgibt. Auf der Vorderseite kann ein Schicht- bzw. plättchenförmiges Konversionselement angeordnet sein, welches den wenigstens einen Leuchtstoff aufweist, so dass eine Oberflächenkonversion (Chip Level Conversion, CLC) vorliegt. Das Konversionsplätt- chen kann eine randseitige Aussparung aufweisen, über welche ein vorderseitiger Kontakt des Halbleiterchips freigestellt ist . This patent application claims the priority of German Patent Application 10 2013 214 400.8, the disclosure of which is hereby incorporated by reference. An optoelectronic component may comprise a rule ¬ optoelectronic semiconductor chip for generating light radiation and at least one conversion material (phosphor) for Strah ¬ lung conversion. The semiconductor chip may be a so-called surface emitter which emits the radiation substantially via a front surface. On the front, a layer or platelet-shaped conversion element can be arranged, which has the at least one phosphor, so that a surface conversion (chip level conversion, CLC) is present. The conversion plate may have an edge-side recess, via which a front-side contact of the semiconductor chip is free.
Formtreue Konversionselemente können zum Beispiel durch Be- reitstellen einer keramischen Schicht und Durchführen eines Stanzprozesses hergestellt werden. Diese Vorgehensweise ist aufwändig und teuer. Ein weiteres Verfahren umfasst ein flä¬ chiges Aufbringen eines Leuchtstoffpartikel enthaltenden Ma¬ terials auf Halbleiterchips eines Wafers vor der Vereinze- lung. Vorderseitenkontakte der Halbleiterchips können zumDimensionally accurate conversion elements can be produced, for example, by providing a ceramic layer and carrying out a stamping process. This procedure is complicated and expensive. Another method involves a sur fa ¬ chiges applying a phosphor particle-containing ¬ Ma terials on semiconductor chips of a wafer before the Vereinze- lung. Front side contacts of the semiconductor chips can be used for
Beispiel mit Hilfe eines Lasers freigelegt werden. Ein Laser kann auch in einem alternativen Verfahren zum Einsatz kommen, in welchem eine Leuchtstoffpartikel enthaltende vollflächige Schicht in Konversionselemente strukturiert wird. Im Ver¬ gleich zu Prozessen wie Sägen oder Schneiden, mit deren Hilfe rechteckige Konversionselemente ohne Aussparungen erzeugt werden können, ist der Einsatz eines Lasers aufwändig und teuer. Ein weiterer Nachteil ist eine Hitzeeinbringung, was eine Schädigung von LeuchtstoffPartikeln zur Folge haben kann . Example can be exposed using a laser. A laser can also be used in an alternative method in which a full-surface area containing a phosphor particle Layer is structured in conversion elements. In comparison to processes such as sawing or cutting, by means of which rectangular conversion elements can be produced without recesses, the use of a laser is complex and expensive. Another disadvantage is a heat input, which can result in damage to phosphor particles.
Es ist ferner möglich, ein optoelektronisches Bauelement zu verwirklichen, bei dem anstelle eines Konversionselements ein anderes Schichtelement auf einem optoelektronischen Halb¬ leiterchip angeordnet wird. Das Schichtelement kann auch hier eine randseitige Aussparung aufweisen, über welche ein vorderseitiger Kontakt des Halbleiterchips freigestellt ist. It is also possible to realize an optoelectronic component, in which another layer element is arranged on a optoelectronic semiconductor ¬ semiconductor chip instead of a conversion element. The layer element may also have an edge-side recess over which a front-side contact of the semiconductor chip is free.
Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, eine verbesserte Lösung für ein Schichtelement mit einer randsei- tigen Aussparung anzugeben, welches auf einem optoelektronischen Halbleiterchip anordbar ist. The object of the present invention is to provide an improved solution for a layer element with a randsei- term recess, which can be arranged on an optoelectronic semiconductor chip.
Diese Aufgabe wird durch die Merkmale der unabhängigen Pa¬ tentansprüche gelöst. Weitere vorteilhafte Ausführungsformen der Erfindung sind in den abhängigen Ansprüchen angegeben. Gemäß einem Aspekt der Erfindung wird ein Verfahren zum Herstellen eines Schichtelements für einen optoelektronischen Halbleiterchip vorgeschlagen. Das Verfahren umfasst ein Bereitstellen einer Ausgangsschicht. Die bereitgestellte Aus¬ gangsschicht weist eine Ausnehmung auf. Das Verfahren umfasst des Weiteren ein Strukturieren der Ausgangsschicht zum Bilden des Schichtelements. Das durch das Strukturieren erzeugte Schichtelement weist eine Aussparung auf, welche wenigstens zum Teil aus der Ausnehmung der Ausgangsschicht gebildet ist. Bei dem Verfahren wird anstelle einer vollflächigen Schicht eine Ausgangsschicht bereitgestellt, welche eine Ausnehmung aufweist. Das Strukturieren der Ausgangsschicht kann derart durchgeführt werden, dass hierdurch ein plättchenförmiges Schichtelement gebildet wird, welches eine in einem Randbe¬ reich vorliegende Aussparung aufweist, wobei die Aussparung wenigstens teilweise aus der Ausnehmung der Ausgangsschicht hervorgeht. Hierbei kann das Strukturieren der Ausgangs- schicht mit Hilfe eines mechanischen Prozesses erfolgen, in welchem die Ausgangsschicht auf einfache und schnelle Weise an entsprechenden Stellen durchtrennt wird. Nachteile eines Lasertrennprozesses wie zum Beispiel ein hoher Aufwand und hohe Kosten können infolgedessen vermieden werden. Bei dem Strukturieren der Ausgangsschicht kann das Schichtelement vereinzelt werden. This problem is solved by the features of the independent Pa ¬ tentansprüche. Further advantageous embodiments of the invention are specified in the dependent claims. According to one aspect of the invention, a method for producing a layer element for an optoelectronic semiconductor chip is proposed. The method includes providing an initial layer. The provided starting ¬ layer has a recess. The method further comprises patterning the starting layer to form the layer element. The layer element produced by structuring has a recess, which is formed at least partially from the recess of the starting layer. In the method, instead of a full-surface layer, an output layer is provided which has a recess. The patterning of the starting layer can be carried out in such a way as to produce a platelet-like Layer element is formed, which has a present in a Randbe ¬ rich recess, wherein the recess at least partially emerges from the recess of the starting layer. In this case, the structuring of the starting layer can take place by means of a mechanical process in which the starting layer is cut through in a simple and rapid manner at corresponding points. Disadvantages of a laser separation process such as a high cost and high costs can be avoided as a result. In structuring the starting layer, the layer element can be singulated.
Aufgrund der randseitigen Aussparung kann das Schichtelement auf einem optoelektronischen Halbleiterchip zur Anwendung kommen, welcher einen vorderseitigen Kontakt aufweist. Der vorderseitige Kontakt kann über die Aussparung des Schich¬ telements freigestellt sein. Due to the edge-side recess, the layer element can be used on an optoelectronic semiconductor chip, which has a front-side contact. The front-side contact can be exempted via the recess of the Schich ¬ telements.
Die Aussparung des Schichtelements kann zum Beispiel eine Rechteckform aufweisen. Alternativ kann die Aussparung eine gekrümmte Form bzw. einen Radius, oder auch eine andere be¬ liebige Form aufweisen. Dies trifft auch auf die Ausnehmung der Ausgangsschicht zu, aus welcher die Aussparung des The recess of the layer element may, for example, have a rectangular shape. Alternatively, the recess may have a curved shape or a radius, or even a different form be ¬ undesirables. This also applies to the recess of the starting layer, from which the recess of the
Schichtelements wenigstens zum Teil gebildet wird. Layer element is formed at least in part.
In einer weiteren Ausführungsform des Verfahrens umfasst das Strukturieren der Ausgangsschicht ein Durchtrennen der Ausgangsschicht entlang von senkrecht zueinander verlaufenden Trennlinien. Hierdurch wird ein einfaches und schnelles In a further embodiment of the method, the structuring of the starting layer comprises a severing of the starting layer along separating lines running perpendicular to one another. This will make a simple and fast
Strukturieren der Ausgangsschicht zum Bilden bzw. Vereinzeln des Schichtelements weiter begünstigt. Das durch das Struktu¬ rieren entlang von senkrecht orientierten Trennlinien gebildete Schichtelement kann eine einem Rechteck oder einem Quad¬ rat entsprechende Außenkontur aufweisen, wobei abweichend von der Rechteckform am Rand bzw. in einem Eckbereich die Aussparung vorliegt. Das Strukturieren der Ausgangsschicht kann auch entlang von Trennlinien erfolgen, welche nicht senkrecht zueinander verlaufen. Auf diese Weise kann das durch das Strukturieren der Ausgangsschicht gebildete Schichtelement eine andere Form aufweisen. Ein mögliches Beispiel ist eine einem Sechseck entsprechende Außenkontur, wobei abweichend von der Sechseck¬ form am Rand bzw. in einem Eckbereich die Aussparung vorliegt . In einer weiteren Ausführungsform des Verfahrens wird dasStructuring the output layer for forming or separating the layer element further favors. The sheet member formed by the struc ¬ centering along vertically oriented dividing lines may have a rectangle, or a quad ¬ rat corresponding outer contour, deviating the recess is present at the edge of the rectangular shape or in a corner region. The structuring of the starting layer can also take place along dividing lines which are not perpendicular to one another. In this way, the layer element formed by structuring the starting layer can have a different shape. A possible example is a hexagon corresponding to an outer contour, wherein the recess is present in deviation from the hexagon ¬ form at the edge or in a corner region. In a further embodiment of the method, the
Strukturieren der Ausgangsschicht derart durchgeführt, dass mehrere Schichtelemente gebildet werden, welche eine Ausspa¬ rung aufweisen. Hierbei ist vorgesehen, dass die Aussparungen mehrerer Schichtelemente aus der Ausnehmung der Ausgangs- schicht gebildet sind. Anders ausgedrückt, wird in dieserStructuring the output layer carried out such that a plurality of layer elements are formed, which have a Ausspa ¬ tion. It is provided that the recesses of a plurality of layer elements are formed from the recess of the starting layer. In other words, in this
Ausführungsform des Verfahrens die Ausnehmung der Ausgangsschicht auf mehrere Schichtelemente zum Bilden der dazugehö¬ rigen Aussparungen aufgeteilt. Die Ausnehmung der Ausgangsschicht kann infolgedessen relativ große laterale Abmessungen aufweisen. Hierdurch kann ebenfalls ein einfaches Bereitstel¬ len und Strukturieren der Ausgangsschicht ermöglicht werden. Embodiment of the method, the recess of the output layer divided into a plurality of layer elements for forming the dazugehö ¬ rigen recesses. As a result, the recess of the starting layer can have relatively large lateral dimensions. As a result, a simple provision and structuring of the output layer can likewise be made possible.
Es ist zum Beispiel möglich, dass in dem Strukturierungs- schritt aus der Ausnehmung der Ausgangsschicht vier Ausspa- rungen von entsprechend vier Schichtelementen gebildet werden. Bei einem Trennen der Ausgangsschicht, was zum Beispiel wie oben angegeben entlang von senkrecht zueinander verlaufenden Trennlinien erfolgen kann, können aus der Ausnehmung der Ausgangsschicht vier randseitige Aussparungen hervorge- hen, indem sich zwei senkrecht zueinander verlaufenden Trennlinien in einem Bereich innerhalb der Ausnehmung schneiden. For example, it is possible for four recesses of correspondingly four layer elements to be formed from the recess of the output layer in the structuring step. In the case of a separation of the starting layer, which, for example, can take place along perpendicular separating lines as described above, four edge-side recesses can emerge from the recess of the starting layer by intersecting two separating lines running perpendicular to one another in a region within the recess.
Anstatt die Ausnehmung der Ausgangsschicht in vier Aussparungen von Schichtelementen umzusetzen, kann auch vorgesehen sein, dass die Ausnehmung nicht nur zum Teil, sondern vollständig in eine einzelne randseitige Aussparung eines Schich¬ telements umgesetzt wird. Möglich ist es auch, das aus der Ausnehmung der Ausgangsschicht eine andere Anzahl von Ausspa- rungen, zum Beispiel zwei Aussparungen von entsprechend zwei Schichtelementen, gebildet werden. Rather than implement the recess of the output layer in the four recesses of layer elements, can also be provided that the recess is reacted completely not only in part, but in a single edge-side recess in a Schich ¬ wick member. It is also possible that from the recess of the starting layer a different number of Ausspa- ments, for example two recesses of correspondingly two layer elements.
In Bezug auf das Erzeugen mehrerer Schichtelemente ist in ei- ner weiteren Ausführungsform des Verfahrens vorgesehen, dass die bereitgestellte Ausgangsschicht mehrere Ausnehmungen auf¬ weist. Hierbei wird das Strukturieren der Ausgangsschicht derart durchgeführt, dass mehrere Schichtelemente gebildet werden, welche jeweils eine wenigstens zum Teil aus einer entsprechenden Ausnehmung der Ausgangsschicht gebildete Aus¬ sparung aufweisen. Das Strukturieren der Ausgangsschicht in die mehreren und eine Aussparung aufweisende Schichtelemente kann hierbei relativ einfach und schnell durchgeführt werden. Auch in der vorstehend genannten Ausführungsform des Verfahrens kann in Betracht kommen, dass jede Ausnehmung der Ausgangsschicht in mehrere Aussparungen, zum Beispiel vier Aus¬ sparungen von Schichtelementen, wie es oben beschrieben wurde, umgesetzt wird. With respect to generating a plurality of layer elements is provided in egg ner further embodiment of the method is that the provided output layer has a plurality of recesses on ¬. Here, the patterning of the output layer is performed such that a plurality of layer elements are formed, each having a formed at least in part from a corresponding recess of the output layer from ¬ savings. The structuring of the starting layer into the multiple and a recess having layer elements here can be relatively easily and quickly performed. Also in the aforementioned embodiment of the method may be considered that each recess of the starting layer into a plurality of recesses, for example, four Aus ¬ savings of layer elements, as described above, is implemented.
Bei einem Bereitstellen der Ausgangsschicht mit mehreren Ausnehmungen ist gemäß einer weiteren Ausführungsform des Verfahrens vorgesehen, das Strukturieren der Ausgangsschicht derart durchzuführen, dass das oder (wenigstens) ein Schich- telement zwei Aussparungen aufweist, welche jeweils wenigs¬ tens zum Teil aus einer entsprechenden Ausnehmung der Ausgangsschicht gebildet sind. Ein Schichtelement mit einer sol¬ chen Ausgestaltung kann auf einem optoelektronischen Halbleiterchip zum Einsatz kommen, welcher zwei vorderseitige Kontakte aufweist. In one providing the output layer having a plurality of recesses is provided in accordance with another embodiment of the method to perform the patterning of the output layer so that the or (at least) Telement a Schich- two recesses which respectively Wenig ¬ least the part from a corresponding recess Starting layer are formed. A layer element with a sol ¬ chen embodiment can be used on an optoelectronic semiconductor chip is used, which has two front-side contacts.
In einer weiteren Ausführungsform ist das (wenigstens eine) mit dem Verfahren hergestellte Schichtelement ein Konversi¬ onselement zur Strahlungskonversion. Hierbei weist die be- reitgestellte Ausgangsschicht, aus welcher das Konversions¬ element gebildet wird, ein Konversionsmaterial auf. Das Kon¬ versionselement kann auf einem optoelektronischen Halbleiterchip angeordnet werden. Im Betrieb des Halbleiterchips kann eine von dem Halbleiterchip abgegebene elektromagnetische Strahlung mit Hilfe des Konversionselements wenigstens teil¬ weise konvertiert werden. In einer weiteren Ausführungsform des Verfahrens weist die Ausgangsschicht ein strahlungsdurchlässiges Grundmaterial auf, in welchem das Konversionsmaterial enthalten ist. In another embodiment, the (at least one) produced by the process layer element is a Konversi ¬ onselement to the radiation conversion. In this case, loading, the riding detected output layer from which the conversion element is formed on a ¬ conversion material. The Kon ¬ version element can be arranged on an optoelectronic semiconductor chip. During operation of the semiconductor chip can an emitted from the semiconductor chip electromagnetic radiation using the conversion element at least partially ¬ be converted. In a further embodiment of the method, the starting layer has a radiation-transmissive base material in which the conversion material is contained.
Dadurch ist ein kostengünstiges Bereitstellen der das Konversionsmaterial aufweisenden Ausgangsschicht möglich. Das As a result, a cost-effective provision of the conversion material having the starting layer is possible. The
Grundmaterial kann zum Beispiel Silikon sein. Das Konversi¬ onsmaterial kann zum Beispiel in Form von LeuchtstoffParti¬ keln vorliegen, welche in dem Grundmaterial eingebettet sind. Base material may be, for example, silicone. The Konversi ¬ onsmaterial may for example be in the form of fluorescent Parti ¬ angles, which are embedded in the base material.
In einer weiteren Ausführungsform des Verfahrens, welche in diesem Zusammenhang zur Anwendung kommen kann, umfasst das Bereitstellen der Ausgangsschicht das Durchführen eines In a further embodiment of the method, which may be used in this context, the provision of the starting layer comprises performing a
Druckprozesses. Der Druckprozess ermöglicht ein einfaches und kostengünstiges Bereitstellen der Ausgangsschicht mit der bzw. den Ausnehmung (en) . Bei dem Druckprozess kann es sich zum Beispiel um einen Siebdruckprozess oder um einen Schablo- nendruckprozess handeln. Bei Verwendung eines partikelgefüll¬ ten Grundmaterials befindet sich dieses beim Drucken in einem flüssigen oder zähflüssigen Zustand. Die gedruckte Ausgangs¬ schicht kann vor dem Strukturieren getrocknet bzw. ausgehär- tet werden. Printing process. The printing process allows a simple and inexpensive provision of the starting layer with the recess (s). The printing process can be, for example, a screen printing process or a stencil printing process. If a particle- filled base material is used, this is in a liquid or viscous state during printing. The printed starting ¬ layer can be dried or hardened before structuring.
In dem Druckprozess kann die Ausgangsschicht mit der bzw. den Ausnehmung (en) gedruckt werden. Hierbei kann eine geeignete Druckform zum Einsatz kommen. Die Druckform kann einen zum Drucken der Ausgangsschicht durchlässigen Bereich und einen bzw. eine Mehrzahl undurchlässiger Bereiche zum Bilden der Ausnehmung (en) aufweisen. In the printing process, the starting layer can be printed with the recess (s). In this case, a suitable printing form can be used. The printing form may have an area permeable to printing the output layer and one or a plurality of impermeable areas for forming the recess (s).
Es ist möglich, dass die Ausgangsschicht nicht nur ein ein- zelnes Konversionsmaterial zur Strahlungskonversion, sondern mehrere unterschiedliche Konversionsmaterialien zur Strahlungskonversion aufweist. In einer solchen Ausgestaltung kann die Ausgangsschicht ebenfalls ein strahlungsdurchlässiges Grundmaterial wie zum Beispiel Silikon aufweisen, in welchem die unterschiedlichen Konversionsmaterialien, insbesondere in Form von LeuchtstoffPartikeln, enthalten bzw. eingebettet sind . It is possible that the starting layer has not only a single conversion material for radiation conversion, but several different conversion materials for radiation conversion. In such an embodiment, the starting layer may also be a radiation-transmissive Have base material such as silicone, in which the different conversion materials, in particular in the form of phosphor particles, contained or embedded.
Mit Hilfe des Verfahrens lässt sich anstelle eines Konversi¬ onselements auch (wenigstens) ein anderes Schichtelement her¬ stellen. Hierbei kann es sich um ein klares bzw. strahlungs¬ durchlässiges Schichtelement handeln. Das strahlungsdurchläs- sige Schichtelement kann auf einem optoelektronischen Halb¬ leiterchip zur Anwendung kommen, um zum Beispiel eine verbesserte Strahlungsauskopplung zu ermöglichen. In einer solchen Ausgestaltung kann die Ausgangsschicht ebenfalls ein strah¬ lungsdurchlässiges Material wie zum Beispiel Silikon aufwei- sen, und kann die Ausgangsschicht durch Durchführen eines Druckprozesses bereitgestellt werden. Beim Drucken ist das Material der Ausgangsschicht in einem flüssigen oder zähflüs¬ sigen Zustand. Die gedruckte Ausgangsschicht kann vor dem Strukturieren getrocknet bzw. ausgehärtet werden. Möglich ist es auch, dass die Ausgangsschicht und damit auch das (wenigs¬ tens eine) Schichtelement ein anderes strahlungsdurchlässiges Material wie zum Beispiel ein Glasmaterial aufweisen. Using the method also can be instead of a Konversi ¬ onselements (at least) one other layer element forth ¬ filters. This can be a clear or transparent, radiation, ¬ by layer element. The strahlungsdurchläs- sige layer element can come to an optoelectronic semi ¬ conductor chip for use to enable, for example, an improved coupling out radiation. In such an embodiment, the initial layer may also be a strah ¬ lung permeable material such as silicone aufwei- sen, and the output layer can be provided by performing a printing process. When printing, the material of the initial layer is in a liquid or zähflüs ¬ sigen state. The printed starting layer can be dried or hardened before structuring. It is also possible that the output layer and thus also the (Wenig ¬ least one) layer element have a different radiation-permeable material such as a glass material.
In einer weiteren Ausführungsform des Verfahrens umfasst das Strukturieren der Ausgangsschicht das Durchführen eines Säge¬ prozesses oder eines Schneidprozesses. Derartige Prozesse er¬ möglichen ein einfaches und schnelles Strukturieren und dadurch Vereinzeln der Ausgangsschicht. Auch kann das Strukturieren ohne Schädigung eines in der Ausgangsschicht gegebe- nenfalls enthaltenen Konversionsmaterials erfolgen. In a further embodiment of the method, the structuring of the starting layer comprises carrying out a sawing process or a cutting process. Such processes enable a simple and rapid structuring and thereby singulation of the starting layer. The structuring can also take place without damaging a conversion material contained in the starting layer, if appropriate.
Gemäß einem weiteren Aspekt der Erfindung wird ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements vorgeschlagen. Bei dem Verfahren wird ein Schichtelement durch Durchführen des oben beschriebenen Verfahrens bzw. einer der oben beschriebenen Ausführungsformen des Verfahrens hergestellt. Nachfolgend wird das Schichtelement auf einem opto¬ elektronischen Halbleiterchip angeordnet. Der optoelektronische Halbleiterchip kann eine vorderseitige Oberfläche zur Strahlungsemission und einen im Bereich der Vorderseite vorliegenden Kontakt aufweisen. Das Schichtele- ment kann hierbei derart auf der Vorderseite des Halbleiter¬ chips angeordnet werden, dass der vorderseitige Kontakt über die Aussparung des Schichtelements freigestellt und daher für eine Kontaktierung, zum Beispiel über einen Bonddraht, frei zugänglich ist. Von Vorteil ist, dass das Schichtelement, wie oben angegeben, auf einfache und kostengünstige Weise herge¬ stellt werden kann. According to a further aspect of the invention, a method for producing an optoelectronic component is proposed. In the method, a layered element is produced by carrying out the above-described method or one of the above-described embodiments of the method. Subsequently, the layer element is arranged on an opto ¬ electronic semiconductor chip. The optoelectronic semiconductor chip may have a front surface for emitting radiation and a contact present in the region of the front side. In this case, the layer element can be arranged on the front side of the semiconductor chip such that the front-side contact is exposed beyond the recess of the layer element and therefore freely accessible for contacting, for example via a bonding wire. It is advantageous that the film element, as indicated above, ¬ provides Herge in a simple and cost-effective manner can be.
Der optoelektronische Halbleiterchip kann zum Beispiel ein zum Erzeugen von Lichtstrahlung ausgebildeter Leuchtdioden- chip (Light Emitting Diode, LED) sein. Der optoelektronische Halbleiterchip kann des Weiteren ein Oberflächenemitter sein, welcher einen wesentlichen Teil der Strahlung über die vorderseitige Oberfläche abgibt. Bei einer Ausgestaltung des Schichtelements als Konversionselement kann das auf der vor- derseitigen Oberfläche des Halbleiterchips angeordnete Kon¬ versionselement eine Oberflächenkonversion bewirken. Das Konversionselement kann daher auch als CLC-Schicht oder CLC- Plättchen bezeichnet werden. Die vorstehend erläuterten und/oder in den Unteransprüchen wiedergegebenen vorteilhaften Aus- und Weiterbildungen der Erfindung können - außer zum Beispiel in Fällen eindeutiger Abhängigkeiten oder unvereinbarer Alternativen - einzeln oder aber auch in beliebiger Kombination miteinander zur Anwendung kommen. The optoelectronic semiconductor chip can be, for example, a light-emitting diode chip (light emitting diode, LED) designed to generate light radiation. The optoelectronic semiconductor chip may further be a surface emitter which emits a substantial portion of the radiation across the front surface. In one embodiment of the layer element as a conversion element that can cause a surface conversion disposed on the upstream surface of the semiconductor chip derseitigen Kon ¬ version element. The conversion element can therefore also be referred to as CLC layer or CLC plate. The above-explained and / or reproduced in the dependent claims advantageous embodiments and refinements of the invention can - except for example in cases of clear dependencies or incompatible alternatives - individually or in any combination with each other are used.
Die oben beschriebenen Eigenschaften, Merkmale und Vorteile dieser Erfindung, sowie die Art und Weise, wie diese erreicht werden, werden klarer und deutlicher verständlich in Zusam- menhang mit der folgenden Beschreibung von Ausführungsbeispielen, die im Zusammenhang mit den schematischen Zeichnungen näher erläutert werden. Es zeigen: Figur 1 eine AufSichtsdarstellung eines Konversionselements mit einer Aussparung; The above-described characteristics, features and advantages of this invention, as well as the manner in which they are achieved, will become clearer and more clearly understood in connection with the following description of exemplary embodiments, which are explained in more detail in connection with the schematic drawings. Show it: Figure 1 is a AufSichtsdarstellung a conversion element with a recess;
Figur 2 eine AufSichtsdarstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips mit einem vorderseitigen Kontakt; FIG. 2 shows a top view of an optoelectronic semiconductor chip with a front-side contact;
Figur 3 eine perspektivische Darstellung einer durch Drucken erzeugten Ausgangsschicht, welche Ausnehmungen aufweist; Figur 4 eine weitere perspektivische Darstellung der Aus¬ gangsschicht mit einer Darstellung von möglichen Trennlinien, entlang welcher ein Durchtrennen der Ausgangsschicht zum Bilden vereinzelter Konversionselemente erfolgen kann; Figur 5 eine zu Figur 4 vergleichbare AufSichtsdarstellung der Ausgangsschicht mit möglichen Trennlinien zum Bilden von Konversionselementen; Figure 3 is a perspective view of an output layer produced by printing having recesses; Figure 4 is a further perspective view of the off ¬ transition layer with a representation of possible dividing lines along which severing of the output layer can be carried out for forming singulated conversion elements; FIG. 5 is a view similar to FIG. 4 of the starting layer with possible dividing lines for forming conversion elements;
Figur 6 eine seitliche Darstellung eines optoelektronischen Bauelements; und FIG. 6 shows a side view of an optoelectronic component; and
Figuren 7 bis 9 weitere AufSichtsdarstellungen, in welchen eine Ausgangsschicht mit möglichen Ausnehmungen und Trennlinien zum Bilden von Konversionselementen gezeigt sind. Figures 7 to 9 are further perspective views showing an output layer with possible recesses and dividing lines for forming conversion elements.
Auf der Grundlage der folgenden schematischen Figuren wird ein Konzept beschrieben, mit dessen Hilfe sich formtreue Konversionselemente zur Strahlungskonversion auf einfache, schnelle und kostengünstige Weise herstellen lassen. Eine Herstellung der Konversionselemente wird im Rahmen der Herstellung optoelektronischer Bauelemente durchgeführt. Hierbei können aus der Halbleitertechnik und aus der Fertigung optoelektronischer Bauelemente bekannte Prozesse durchgeführt werden und in diesem Gebiet übliche Materialien zum Einsatz kommen, so dass hierauf nur teilweise eingegangen wird. Es wird ferner darauf hingewiesen, dass die Figuren lediglich schematischer Natur sind und nicht maßstabsgetreu sind. In diesem Sinne können in den Figuren gezeigte Komponenten und Strukturen zum besseren Verständnis übertrieben groß oder verkleinert dargestellt sein. On the basis of the following schematic figures, a concept will be described with the aid of which dimensionally stable conversion elements for radiation conversion can be produced in a simple, rapid and cost-effective manner. A production of the conversion elements is carried out in the context of the production of optoelectronic components. In this case, known processes can be carried out from semiconductor technology and from the production of optoelectronic components, and customary materials can be used in this field, so that this is only partially discussed. It is further noted that the figures are merely schematic in nature and are not to scale. In this sense, components shown in the figures and Structures may be exaggerated or oversized for clarity.
Figur 1 zeigt eine AufSichtsdarstellung eines zur Strahlungs- konversion eingesetzten plättchenförmigen Konversionselements 100. Das Konversionselement 100 besitzt eine Außenkontur, welche einem Rechteck bzw. einem Quadrat entspricht, wobei abweichend von der Rechteckform am Rand bzw. in einem Eckbereich eine Aussparung 105 vorliegt. Die Aussparung 105 des Konversionselements 100 kann, wie in Figur 1 gezeigt ist, ei¬ ne rechteckige bzw. quadratische Geometrie aufweisen. Die Form des Konversionselements 100 mit der randseitigen Ausspa¬ rung 105 ist auf die Form einer Vorderseite eines optoelekt¬ ronischen Halbleiterchips 150 abgestimmt, um das Konversions- element 100 hierauf anordnen zu können. FIG. 1 shows a top view of a platelet-shaped conversion element 100 used for radiation conversion. The conversion element 100 has an outer contour which corresponds to a rectangle or a square, wherein a recess 105 is present at the edge or in a corner region, unlike the rectangular shape. The recess 105 of the conversion element 100 may, as shown in Figure 1, egg ¬ ne rectangular or square geometry. The shape of the conversion element 100 with the edge-side Ausspa ¬ tion 105 is matched to the shape of a front of a optoelekt ¬ tronic semiconductor chip 150 to element 100 arrange the CONVERSION thereto.
Zur Veranschaulichung zeigt Figur 2 eine AufSichtsdarstellung eines zum Erzeugen einer elektromagnetischen Strahlung ausgebildeten optoelektronischen Halbleiterchips 150. Der Halb- leiterchip 150 weist an einer Ecke im Bereich der in Figur 2 dargestellten Vorderseite einen Kontakt 155 auf, über welchen der Halbleiterchip 150 an der Vorderseite kontaktiert werden kann. Aufgrund der Aussparung 105 kann das plättchenförmige Konversionselement 100 derart auf der Vorderseite des Halb- leiterchips 150 angeordnet werden, dass der Kontakt 155 über die Aussparung 105 freigelegt und dadurch zugänglich ist. 2 shows a top view of an optoelectronic semiconductor chip 150 designed to generate electromagnetic radiation. Semiconductor chip 150 has a contact 155 at a corner in the region of the front side shown in FIG. 2, via which semiconductor chip 150 is contacted on the front side can. Due to the recess 105, the plate-shaped conversion element 100 can be arranged on the front side of the semiconductor chip 150 in such a way that the contact 155 is exposed via the recess 105 and thus accessible.
Der Kontakt 155 kann zum Beispiel in Form einer Kontaktfläche vorliegen, welche für ein Kontaktieren mit Hilfe eines Bond- drahts 165 geeignet ist (Bondpad) . Dies ist in Figur 6 für ein optoelektronisches Bauelement 160 dargestellt, welches den Halbleiterchip 150 und das vorderseitig auf dem Halb¬ leiterchip 150 angeordnete Konversionsplättchen 100 aufweist. Die Aussparung 105 kann daher auch als Bondpad-Aussparung o- der Bondpad-Öffnung bezeichnet werden. The contact 155 may, for example, be in the form of a contact surface which is suitable for contacting with the aid of a bonding wire 165 (bonding pad). This is illustrated in Figure 6 for an optoelectronic device 160 having the semiconductor chip 150 and the front side is arranged on the semi-conductor chip 150 ¬ conversion platelets 100th The recess 105 can therefore also be referred to as a bond pad recess or bond pad opening.
Der optoelektronische Halbleiterchip 150 kann insbesondere ein Leuchtdioden- bzw. LED-Chip zum Erzeugen einer Licht- Strahlung sein. Der Halbleiterchip 150 kann ferner ein dünn- filmtechnisch erzeugter Oberflächenemitter sein, bei dem ein wesentlicher Teil der erzeugten Strahlung über dessen Vorderseite abgegeben und dadurch in das im Bereich der Vorderseite vorgesehene Konversionselement 100 eingekoppelt werden kann. Die Vorderseite des Halbleiterchips 150 wird auch als Licht¬ austrittseite bezeichnet. Mit Hilfe des Konversionselements 100 kann die von dem Halbleiterchip 150 primär erzeugte The optoelectronic semiconductor chip 150 can in particular be a light-emitting diode or LED chip for generating a light Be radiation. The semiconductor chip 150 can furthermore be a surface-emitter produced by thin film technology, in which a substantial part of the generated radiation is emitted via its front side and can thereby be coupled into the conversion element 100 provided in the region of the front side. The front side of the semiconductor chip 150 is also referred to as the light exit side . With the aid of the conversion element 100, the primary generated by the semiconductor chip 150
Lichtstrahlung wenigstens teilweise konvertiert werden. Bei einem Oberflächenemitter liegt eine Oberflächenkonversion vor. Für das Erzeugen der Strahlung kann dem Halbleiterchip 150 elektrische Energie über den vorderseitigen Kontakt 155 und einen rückseitigen Kontakt zugeführt werden. Der rücksei¬ tige Kontakt ist an einer der Vorderseite entgegen gesetzten Rückseite des Halbleiterchips 150 ausgebildet (nicht darge¬ stellt) . Der Halbleiterchip 150 kann in an sich bekannter Weise hergestellt sein und neben den Kontakten Komponenten wie zum Beispiel eine Halbleiterschichtenfolge mit einer ak¬ tiven Zone zur Strahlungserzeugung aufweisen, so dass hierauf nicht näher eingegangen wird. Light radiation to be at least partially converted. A surface emitter has a surface conversion. For generating the radiation, electrical energy can be supplied to the semiconductor chip 150 via the front-side contact 155 and a rear-side contact. The back print ¬ term contact is formed at a front side of the opposite back of the semiconductor chip 150 (not Darge ¬ asserted). The semiconductor chip 150 may be prepared in a known manner and which in addition to the contacts components such as a semiconductor layer sequence with a ak ¬ tive zone for generating radiation, so that it will be explained in more detail.
Bei der primären und von dem Halbleiterchip 150 abgegebenen Lichtstrahlung kann es sich zum Beispiel um eine blaue Lichtstrahlung handeln. Über das Konversionselement 100 wird die primäre Lichtstrahlung wenigstens teilweise in eine oder meh¬ rere Lichtstrahlungen eines anderen oder mehrerer anderer Wellenlängenbereiche, zum Beispiel im grünen bis roten Spekt¬ ralbereich, umgewandelt. Auf diese Weise kann eine Licht¬ strahlung mit einer gewünschten Farbe, zum Beispiel eine wei- ße Lichtstrahlung, erzeugt werden, welche über das Konversi¬ onselement 100 abgegeben werden kann. The primary and emitted by the semiconductor chip 150 light radiation may be, for example, a blue light radiation. About the conversion element 100, the primary light radiation is at least partially converted to one or meh ¬ eral light radiation of a different or more other wavelength ranges, for example in the green to red Spekt ¬ ralbereich. In this way, can be produced a light ¬ radiation with a desired color, for example, change to a white light radiation, which can be delivered via the Konversi ¬ onselement 100th
Die Strahlungskonversion erfolgt mit Hilfe von einem oder mehreren unterschiedlichen Konversionsmaterialien. Zum Ermög- liehen einer einfachen und kostengünstigen Herstellung, wie sie im Folgenden näher beschrieben wird, weist das Konversionselement 100 ein strahlungsdurchlässiges Grund- bzw. Mat¬ rixmaterial und darin angeordnete Leuchtstoffpartikel aus ei- nem oder mehreren unterschiedlichen Konversionsmaterialien, bzw. eine Mischung von LeuchtstoffPartikeln unterschiedlicher Konversionsmaterialien auf (nicht dargestellt) . Das Grundma¬ terial kann zum Beispiel ein Silikonmaterial sein. Mögliche Konversionsmaterialen bzw. Leuchtstoffe, welche für das Konversionselement 100 in Betracht kommen können, sind zum Bei¬ spiel mit seltenen Erden dotierte Granate, mit seltenen Erden dotierte Erdalkalisulfide, mit seltenen Erden dotierte Thio- gallate, mit seltenen Erden dotierte Aluminate, mit seltenen Erden dotierte Silikate, mit seltenen Erden dotierte Orthosi- likate, mit seltenen Erden dotierte Chlorosilikate, mit sel¬ tenen Erden dotierte Erdalkalisiliziumnitride, mit seltenen Erden dotierte Oxynitride, mit seltenen Erden dotierte Alumi- niumoxinitride, mit seltenen Erden dotierte Siliziumnitride, oder mit seltenen Erden dotierte Sialone. The radiation conversion takes place with the aid of one or more different conversion materials. To enable borrowed a simple and inexpensive manufacture, as is described in more detail below, includes the conversion element 100, a radiation-transmissive base or Mat ¬ rixmaterial and disposed therein luminescent particles from egg one or more different conversion materials, or a mixture of phosphor particles of different conversion materials (not shown). The Grundma ¬ TERIAL may for example be a silicone material. Possible conversion materials or phosphors, which can be considered for the conversion element 100 are gallate the case ¬ game rare-earth doped garnets, rare earth doped alkaline earth sulfides, rare-earth-doped thio, doped with rare earth aluminates, rare earth doped silicates, rare earth doped Orthosi- silicates, rare earth doped chlorosilicates doped sel ¬ requested Erdalkalisiliziumnitride earth doped rare earth oxynitrides, rare earth doped aluminum niumoxinitride with, rare earth doped silicon nitride, or rare earth doped sialones.
Die Figuren 3 und 4 zeigen in einer perspektivischen Darstellung ein Verfahren, mit dessen Hilfe auf einfache, schnelle und kostengünstige Weise eine Mehrzahl an Konversionselemen- ten 100 hergestellt werden kann. Zu Beginn des Verfahrens wird, wie in Figur 3 gezeigt, eine großflächige Ausgangs¬ schicht 110 bereitgestellt. Die Ausgangsschicht 110 weist die zuvor beschriebene Materialzusammensetzung, d.h. ein strahlungsdurchlässiges Grundmaterial mit darin angeordneten FIGS. 3 and 4 show a perspective view of a method by means of which a plurality of conversion elements 100 can be produced in a simple, fast and cost-effective manner. At the beginning of the process, a large-area output ¬ layer 110 as shown in Figure 3, is provided. The starting layer 110 comprises the previously described material composition, ie a radiation-transmissive base material with arranged therein
LeuchtstoffPartikeln auf (nicht dargestellt) . Phosphor particles (not shown).
Die bereitgestellte Ausgangsschicht 110, welche in Figur 3 und auch in anderen Figuren lediglich ausschnittsweise gezeigt ist, weist des Weiteren eine Mehrzahl an Ausnehmungen 115 auf. Die Ausnehmungen 115, welche eine rechteckige bzw. quadratische Form aufweisen können, erstrecken sich vollständig zwischen entgegen gesetzten Hauptseiten der flächigen Ausgangsschicht 110. Wie in Figur 3 angedeutet ist, sind die Ausnehmungen 115 in Form eines Rasters bzw. in Form von Zei- len und Spalten über die Fläche der Ausgangsschicht 110 ver¬ teilt angeordnet. Das Bereitstellen der Ausgangsschicht 110 kann mit Hilfe ei¬ nes einfachen und kostengünstigen Druckprozesses durchgeführt werden. Bei einer solchen Vorgehensweise kommt, wie in Figur 3 schematisch angedeutet ist, eine geeignete Druckform 120 zum Einsatz. Die Druckform 120 weist einen zum Drucken der Ausgangsschicht 110 durchlässigen Bereich 121 und eine Mehrzahl undurchlässiger Bereiche 125 zum Bilden der Ausnehmungen 115 auf. Die undurchlässigen Bereiche 125 sind auf die Form und Lage der Ausnehmungen 115 abgestimmt. The provided output layer 110, which is only partially shown in FIG. 3 and also in other figures, furthermore has a plurality of recesses 115. The recesses 115, which may have a rectangular or square shape, extend completely between opposite main sides of the flat starting layer 110. As indicated in FIG. 3, the recesses 115 are in the form of a grid or in the form of lines and Columns over the surface of the output layer 110 ver ¬ shares arranged. Providing the output layer 110 may be performed using ei ¬ nes simple and inexpensive printing process. In such an approach, as is indicated schematically in Figure 3, a suitable printing plate 120 is used. The printing form 120 has a region 121 permeable to the printing of the output layer 110 and a plurality of impermeable regions 125 for forming the recesses 115. The impermeable regions 125 are matched to the shape and position of the recesses 115.
Es ist möglich, dass die Druckform 120 eine Siebdruckform mit einem Siebgewebe ist (nicht dargestellt) . In dieser Ausge¬ staltung können die undurchlässigen Bereiche 125 durch eine strukturierte und auf dem Siebgewebe angeordnete Emulsions- schicht gebildet sein, welche das Siebgewebe lokal bzw. in den Bereichen 125 maskiert, wohingegen der Bereich 121 unmas- kiert ist. It is possible that the printing form 120 is a screen printing form with a screen mesh (not shown). In this Substituted ¬ staltung the opaque areas may be formed by a layer-structured and arranged on the screen mesh 125 emulsion, which masks the screen fabric or locally in the areas of 125, whereas the range is kiert unmas- 121st
In einer anderen möglichen Ausgestaltung kann die Druckform 120 eine Schablonendruckform sein. Hierbei kann in dem durchlässigen Bereich 121 eine zum Drucken der Ausgangsschicht 110 geeignete und Öffnungen umfassende Gitterstruktur vorliegen (nicht dargestellt) . Die Gitterstruktur kann für eine ent¬ sprechende Stabilität sorgen, und ein Drucken mit homogener Schichtdicke ermöglichen. Die undurchlässigen Bereiche 125 weisen demgegenüber keine Gitterstruktur und keine Öffnungen auf . In another possible embodiment, the printing form 120 may be a stencil printing form. Herein, in the transmissive region 121, there may be a lattice structure suitable for printing the output layer 110 and including apertures (not shown). The lattice structure can provide adequate stability and enable printing with a homogeneous layer thickness. The impermeable regions 125, in contrast, have no lattice structure and no openings.
In dem Druckprozess wird das Grundmaterial mit den eingebet- teten LeuchtstoffPartikeln über die Druckform 120 auf einen zum Aufdrucken und dadurch Bilden der Leuchtstoffschicht 110 geeigneten Träger, zum Beispiel ein Substrat, aufgebracht (nicht dargestellt) . Hierbei befindet sich das partikelge¬ füllte Grundmaterial in einem flüssigen oder zähflüssigen Zu- stand. Beim Drucken wird eine nicht gezeigte Druckrakel ein¬ gesetzt, welche über die Druckform 120 geführt wird, so dass das zuvor auf die Druckform 120 aufgebrachte Grundmaterial mit den LeuchtstoffPartikeln durch den durchlässigen Bereich 121 hindurch gedrückt wird. Hieran anschließend kann ein Trocknen bzw. Aushärten der gedruckten Schicht 110 erfolgen. In the printing process, the base material with the embedded phosphor particles is applied via the printing form 120 to a support suitable for printing and thereby forming the phosphor layer 110, for example a substrate (not shown). Here, the partikelge ¬ filled base material in a liquid or viscous inflow is standing. When printing a printing squeegee, not shown, is set a ¬ which is passed over the printing form 120, so that the previously applied to the printing form base material 120 with the phosphor particles through the transmissive area 121 is pressed through. Thereafter, drying or curing of the printed layer 110 can take place.
Nachfolgend wird die Ausgangsschicht 110, wie in Figur 4 an- gedeutet ist, in einzelne plättchenförmige Konversionselemente 100 strukturiert. Bei diesem Prozess erfolgt ein Durch¬ trennen der Ausgangsschicht 110 entlang von senkrecht zuei¬ nander orientierten Trennlinien 131, 132. Eine zu Figur 4 vergleichbare AufSichtsdarstellung der Ausgangsschicht 110 mit einer Darstellung der Trennlinien 131, 132 ist ferner in Figur 5 gezeigt. In Figur 5, aber auch in anderen Figuren, sind horizontal verlaufende Trennlinien mit dem Bezugszeichen 131, und sind vertikal verlaufende Trennlinien mit dem Be¬ zugszeichen 132 bezeichnet. Subsequently, the starting layer 110, as indicated in FIG. 4, is structured into individual platelet-shaped conversion elements 100. In this process, a through ¬ disconnect the output layer 110 along perpendicular zuei ¬ Nander oriented dividing lines 131, 132. A similar to Figure 4 top view of the output layer 110 with a representation of the separation lines 131 is carried out, 132 is further shown in FIG. 5 In Figure 5, but also in the other figures, are horizontally extending dividing lines by the reference numeral 131, and vertically extending dividing lines with the Be ¬ reference numbers 132, respectively.
Figur 5 veranschaulicht des Weiteren, anhand einer hervorge¬ hobenen Schraffierung, ein durch das Vereinzeln der Ausgangsschicht 110 gebildetes Konversionselement 100. Das Konversi¬ onselement 100 weist die zuvor beschriebene Form mit der randseitigen Aussparung 105 auf. Das Durchtrennen der Ausgangsschicht 110 wird derart durchgeführt, dass die Ausspa¬ rung 105 aus einem Teil einer Ausnehmung 115 der Ausgangsschicht 110 hervorgeht. Anhand von Figur 5 wird ferner deutlich, dass bei dem Durchtrennen Ausnehmungen 115 der Ausgangsschicht 110 jeweils in vier Aussparungen 105 von entsprechend vier Konversionsele¬ menten 100 umgesetzt werden. Die Trennlinien 131, 132 sind zu diesem Zweck derart gewählt, dass sich in einem Bereich in- nerhalb einer Ausnehmung 115 eine horizontale Trennlinie 131 und eine vertikale Trennlinie 132 schneiden. Figure 5 illustrates further, with reference to a hervorge ¬ levied hatching, an image formed by the separation of the output layer 110 conversion element 100. The Konversi ¬ onselement 100 has the mold with the edge-side recess 105 as described above on. The severing of the output layer 110 is conducted such that the Ausspa ¬ tion 105 emerges from a part of a recess 115 of the output layer 110th Is further clear from Figure 5 that are reacted at the cutting recesses 115 of the output layer 110 in each of four recesses 105 corresponding to four Konversionsele ¬ elements 100th The dividing lines 131, 132 are selected for this purpose such that in a region within a recess 115, a horizontal dividing line 131 and a vertical dividing line 132 intersect.
Das Vorsehen von Ausnehmungen 115 in der Ausgangsschicht 110 bietet somit die Möglichkeit, die Ausgangsschicht 110 auf einfache Weise in eine Mehrzahl an formtreuen plättchenförmi- gen Konversionselementen 100 mit randseitigen Aussparungen 105 zu strukturieren. Das Durchtrennen der Ausgangsschicht 110 entlang der geradlinigen und rechtwinklig zueinander ver- laufenden Trennlinien 131, 132 kann in einem schnell durchführbaren mechanischen Trennprozess , zum Beispiel Sägen oder Schneiden, erfolgen. Hierbei kommt eine nicht dargestellte Säge- oder Schneidvorrichtung zum Einsatz. Neben der hohen Schnelligkeit besteht ein weiterer Vorteil des mechanischen Durchtrennens darin, dass eine Hitzeeinbringung und dadurch eine mögliche Schädigung von LeuchtstoffPartikeln am Rand eines Konversionselements 100, wie es bei einem Lasertrennpro- zess auftreten kann, vermieden wird. The provision of recesses 115 in the starting layer 110 thus offers the possibility of structuring the starting layer 110 in a simple manner into a plurality of dimensionally true platelet-shaped conversion elements 100 with peripheral recesses 105. The severing of the starting layer 110 along the straight line and at right angles to each other running dividing lines 131, 132 can be done in a fast feasible mechanical separation process, for example, sawing or cutting. Here, a not shown sawing or cutting device is used. In addition to the high speed, another advantage of the mechanical cutting is that a heat input and thereby a possible damage of phosphor particles on the edge of a conversion element 100, as it can occur in a Lasertrennpro- process, is avoided.
Das anhand der Figuren 3 bis 5 erläuterte Herstellen von Konversionselementen 100 kommt im Rahmen der Herstellung optoelektronischer Bauelemente 160 zum Einsatz. Zur Veranschaulichung zeigt Figur 6 eine seitliche Darstellung einer mögli- chen Ausgestaltung eines solchen optoelektronischen Bauelements 160. Das Bauelement 160 weist einen optoelektronischen Halbleiterchip 150, wie er oben bereits beschrieben wurde, und ein auf einer Vorder- bzw. Lichtaustrittsseite des Halb¬ leiterchips 150 angeordnetes Konversionselement 100 auf. The production of conversion elements 100 explained with reference to FIGS. 3 to 5 is used in the context of the production of optoelectronic components 160. For illustration, Figure 6 shows a side view of a possible embodiment of such an optoelectronic component 160. The component 160 includes an optoelectronic semiconductor chip 150, as already described above, and disposed on a front or light exit side of the semi ¬ semiconductor chip 150 Conversion element 100 on.
Bei der Herstellung des Bauelements 160 kann das Konversions¬ element 100 zum Beispiel unter Verwendung eines nicht gezeig¬ ten strahlungsdurchlässigen Klebstoffs, zum Beispiel einem Silikonkleber, auf den Halbleiterchip 150 aufgeklebt werden. Hierbei wird das Konversionselement 100 derart auf dem Halb¬ leiterchip 150 positioniert, dass der Vorderseitenkontakt 155 des Halbleiterchips 150 frei bleibt. In the manufacture of the device 160, the conversion ¬ element 100 may, for example, using a non gezeig ¬ th radiation-transparent adhesive, for example, a silicone adhesive, are adhered to the semiconductor chip 150th In this case, the conversion element 100 is so positioned on the semi-conductor chip 150 ¬ that the front-side contact 155 of the semiconductor chip remains free 150th
Der Halbleiterchip 150 ist des Weiteren, wie in Figur 6 ge- zeigt ist, auf einem Träger 161 angeordnet. Ein Anordnen des Halbleiterchips 150 auf dem Träger 161 kann vor, oder auch nach dem Anordnen des Konversionselements 100 auf dem Halb¬ leiterchip 150 erfolgen. Hierbei kann der Halbleiterchip 150 zum Beispiel über den oben erwähnten Rückseitenkontakt elektrisch und mechanisch, zum Beispiel über ein Lotmittel, mit einem entsprechenden Gegenkontakt des Trägers 161 verbun¬ den werden (nicht dargestellt) . Figur 6 veranschaulicht des Weiteren eine mögliche Kontaktierung des Vorderseitenkontakts 155 des Halbleiterchips 150. Der Vorderseitenkontakt 155 ist über einen Bonddraht 165 an einen weiteren nicht gezeigten Gegenkontakt des Trägers 161 angeschlossen. Es ist möglich, das optoelektronische Bauelement 160 auch mit mehreren auf dem Träger 161 angeordneten Halbleiterchips 150 zu verwirklichen. Hierbei kann auf jedem Halbleiterchip 150 ein Konversionselement 100 angeordnet sein. Auf der Grundlage der folgenden Figuren werden weitere Ausgestaltungen eines Verfahrens zum Herstellen von plättchenför- migen und für eine Oberflächenkonversion vorgesehenen Konversionselementen beschrieben, bei denen in gleicher Weise eine Ausgangsschicht 110 mit Ausnehmungen 115 bereitgestellt, und hieraus Konversionselemente heraus getrennt werden. Gleiche und gleich wirkende Komponenten und Strukturen, mögliche Prozessschritte, mögliche Vorteile usw. werden daher im Folgen¬ den nicht erneut im Detail beschrieben. Es wird stattdessen auf die vorstehenden Ausführungen Bezug genommen. The semiconductor chip 150 is furthermore arranged on a carrier 161, as shown in FIG. Disposing the semiconductor chip 150 on the substrate 161 may take place before, 100 on the semi-conductor chip 150 ¬ or after the arrangement of the conversion element. Here, the semiconductor chip 150 may, for example, via the aforementioned rear-side contact electrically and mechanically, for example via a solder, with a corresponding counter contact of the support 161 verbun ¬ (not shown). Figure 6 further illustrates a possible contacting of the front-side contact 155 of the semiconductor chip 150. The front-side contact 155 is connected via a bonding wire 165 to another mating contact, not shown, of the carrier 161. It is possible to realize the optoelectronic component 160 also with a plurality of semiconductor chips 150 arranged on the carrier 161. In this case, a conversion element 100 can be arranged on each semiconductor chip 150. On the basis of the following figures, further embodiments of a method for the production of platelet-shaped conversion elements intended for a surface conversion are described, in which an output layer 110 with recesses 115 is likewise provided, and from this conversion elements are separated out. Identical and equivalent components and structures, possible process steps possible benefits and so will not be described in consequences ¬ again in detail. Instead, reference is made to the above statements.
Figur 7 zeigt in der Aufsicht eine gedruckte Ausgangsschicht 110 mit Ausnehmungen 115, einschließlich einer Darstellung von Trennlinien 131, 132 für ein Durchtrennen der Ausgangsschicht 110. Die Ausgangsschicht 110 weist eine solche Anord- nung an Ausnehmungen 115 auf, und die Trennlinien 131, 132 für das Durchtrennen der Ausgangsschicht 110 sind derart ge¬ wählt, dass plättchenförmige Konversionselemente 101 mit zwei randseitigen Aussparungen 105 aus der Ausgangsschicht 110 ge¬ wonnen werden. Figur 7 verdeutlicht dies anhand eines durch die Schraffierung hervorgehobenen Konversionselements 101. FIG. 7 shows a plan view of a printed starting layer 110 with recesses 115, including a representation of dividing lines 131, 132 for cutting through the starting layer 110. The starting layer 110 has such an arrangement of recesses 115, and the dividing lines 131, 132 for the severing of the output layer 110 are such ge selects ¬ that platelet-shaped conversion elements 101 are ¬ ge gained with two edge-side recesses 105 of the output layer 110th FIG. 7 clarifies this with reference to a conversion element 101 highlighted by the hatching.
Die zwei Aussparungen 105 eines Konversionselements 101 sind, bezogen auf die (ansonsten) einem Rechteck bzw. Quadrat entsprechende Außenkontur, an einander diagonal gegenüberliegen- den Eckbereichen angeordnet. Ein Konversionselement 101 mit einer solchen Ausgestaltung kann auf einem Halbleiterchip zur Anwendung kommen, welcher zwei im Bereich von diagonal gegen- überliegenden Ecken angeordnete Vorderseitenkontakte aufweist (nicht dargestellt) . The two recesses 105 of a conversion element 101 are, with respect to the (otherwise) a rectangle or square corresponding outer contour, arranged on diagonally opposite Eckbereichen. A conversion element 101 having such a configuration can be used on a semiconductor chip which has two diagonally opposite diodes. has overlying corners arranged front side contacts (not shown).
Bei dem in Figur 7 gezeigten Strukturieren wird das Durch- trennen der Ausgangsschicht 110 ebenfalls derart durchge¬ führt, dass Ausnehmungen 115 der Ausgangsschicht 110 jeweils in vier Aussparungen 105 von entsprechend vier Konversions¬ elementen 101 umgesetzt werden. Die Trennlinien 131, 132 sind zu diesem Zweck derart vorgegeben, dass sich in einem Bereich innerhalb einer Ausnehmung 115 eine horizontale Trennlinie 131 und eine vertikale Trennlinie 132 schneiden. In the example shown in Figure 7 patterning the throughput will disconnect the output layer 110 also performs such Runaway ¬ that recesses 115 of the output layer are implemented by corresponding four ¬ conversion elements 101 each in four recesses 105,110. The dividing lines 131, 132 are predetermined for this purpose such that in a region within a recess 115, a horizontal dividing line 131 and a vertical dividing line 132 intersect.
Figur 8 zeigt eine weitere AufSichtsdarstellung einer gedruckten Ausgangsschicht 110 mit Ausnehmungen 115, sowie Trennlinien 131, 132 für das Durchtrennen der Ausgangsschicht 110. Die Ausgangsschicht 110 weist eine solche Anordnung an Ausnehmungen 115 auf, und die Trennlinien 131, 132 sind derart gewählt, dass plättchenförmige Konversionselemente 102 mit zwei randseitigen Aussparungen 105 aus der Ausgangs- schicht 110 gebildet werden. Figur 8 verdeutlicht dies anhand eines durch die Schraffierung hervorgehobenen Konversionselements 102. FIG. 8 shows a further view of a printed starting layer 110 with recesses 115, as well as dividing lines 131, 132 for cutting through the starting layer 110. The starting layer 110 has such an arrangement of recesses 115, and the dividing lines 131, 132 are selected such that they are platelet-shaped Conversion elements 102 are formed with two edge-side recesses 105 from the initial layer 110. FIG. 8 clarifies this with reference to a conversion element 102 highlighted by the hatching.
Im Unterschied zu einem Konversionselement 101 von Figur 7 sind die zwei Aussparungen 105 bei einem Konversionselement 102 nicht diagonal gegenüberliegend angeordnet, sondern be¬ finden sich an den Enden im Bereich derselben Randseite des betreffenden Konversionselements 102. Ein Konversionselement 102 kann daher auf einem Halbleiterchip zur Anwendung kommen, welcher zwei an Ecken derselben Randseite angeordnete Vorderseitenkontakte aufweist (nicht dargestellt) . In contrast to a conversion element 101 of Figure 7, the two recesses are arranged opposite diagonal 105 at a conversion element 102 but be ¬ can be found at the ends in the area of the same edge side of the respective conversion element 102. A conversion element 102 may, therefore, on a semiconductor chip for use come, which has two arranged on corners of the same edge side front side contacts (not shown).
Auch bei dem in Figur 8 gezeigten Vereinzeln wird die Ausgangsschicht 110 derart durchtrennt, dass Ausnehmungen 115 der Ausgangsschicht 110 in jeweils vier Aussparungen 105 von entsprechend vier Konversionselementen 102 umgesetzt werden. Die Trennlinien 131, 132 sind zu diesem Zweck derart gewählt, dass sich in einem Bereich innerhalb einer Ausnehmung 115 ei- ne horizontale Trennlinie 131 und eine vertikale Trennlinie 132 schneiden. Even in the case of the singulation shown in FIG. 8, the output layer 110 is severed in such a way that recesses 115 of the output layer 110 are respectively converted into four recesses 105 of correspondingly four conversion elements 102. The dividing lines 131, 132 are selected for this purpose in such a way that in a region within a recess 115 an ne horizontal dividing line 131 and a vertical dividing line 132 intersect.
Figur 9 zeigt eine weitere AufSichtsdarstellung einer ge- druckten Ausgangsschicht 110, sowie Trennlinien 131, 132 für das Durchtrennen der Ausgangsschicht 110. Hierbei wird die Ausgangsschicht 110 erneut in Konversionselemente 100 mit ei¬ ner einzelnen randseitigen Aussparung 105 strukturiert, wie in Figur 9 anhand eines durch die Schraffierung hervorgehobe- nen Konversionselements 100 verdeutlicht ist. Die Ausnehmun¬ gen 115 der Ausgangsschicht 110 und die Trennlinien 131, 132 sind hierbei derart gewählt, dass eine Ausnehmung 115 nicht nur zum Teil, sondern vollständig in eine Aussparung 105 ei¬ nes Konversionselements 100 umgesetzt wird. Daher schneiden sich zwei Trennlinien 131, 132 nicht mehr innerhalb, sondern am Rand einer Ausnehmung 115. Figure 9 shows a further plan view of an overall printed output layer 110, as well as dividing lines 131, 132 for the severing of the output layer 110. Here, the output layer 110 is re-structured in conversion elements 100 with egg ¬ ner individual edge-side recess 105 as shown in Figure 9, using a hatched by the hatching conversion element 100 is illustrated. The Ausnehmun ¬ gen 115 of output layer 110 and the dividing lines 131, 132 are in this case, that a recess is not converted only partly but completely in a recess 105 ei ¬ nes conversion element 100 115 chosen so. Therefore, two dividing lines 131, 132 intersect no longer within, but at the edge of a recess 115th
Die anhand der Figuren erläuterten Ausführungsformen stellen bevorzugte bzw. beispielhafte Ausführungsformen der Erfindung dar. Neben den beschriebenen und abgebildeten Ausführungsformen sind weitere Ausführungsformen vorstellbar, welche weitere Abwandlungen und/oder Kombinationen von Merkmalen umfassen können . Es ist zum Beispiel möglich, anstelle von oben angegebenen Materialien andere Materialien zu verwenden. Beispielsweise kann anstelle eines Silikonmaterials ein anderes für ein Dru¬ cken geeignetes und strahlungsdurchlässiges Grundmaterial wie zum Beispiel ein Epoxidmaterial eingesetzt werden. Gleiches gilt für oben genannte Farben bzw. Spektralbereiche, welche durch andere Farben bzw. Spektralbereiche ersetzt werden kön¬ nen . The embodiments explained with reference to the figures represent preferred or exemplary embodiments of the invention. In addition to the described and illustrated embodiments, further embodiments are conceivable which may include further modifications and / or combinations of features. For example, it is possible to use other materials instead of the above materials. For example, appropriate and radiation-transparent base material such as an epoxy material can be used instead of a silicone material to another for a Dru ¬ CKEN. The same applies for the above colors or spectral regions, which are replaced by other colors or spectral Kings ¬ nen.
In einer weiteren Ausführungsform können Konversionselemente durch Strukturieren einer Ausnehmungen 115 aufweisenden Ausgangsschicht 110 erzeugt werden, bei denen randseitige Aus¬ sparungen 105 im Unterschied zu den Konversionselementen 100, 101, 102 nicht in einem Eckbereich, sondern an einer anderen Stelle, beispielsweise im Bereich der Mitte einer Randseite, vorliegen. Bei einer solchen Ausführungsform kann eine Ausnehmung 115 in zwei Aussparungen von entsprechend zwei Konversionselementen aufgeteilt werden. In a further embodiment, conversion elements can be produced by structuring a recesses 115 having output layer 110, in which edge-side savings ¬ 105 in contrast to the conversion elements 100, 101, 102 not in a corner, but at another Place, for example, in the region of the center of a side edge, present. In such an embodiment, a recess 115 can be divided into two recesses of correspondingly two conversion elements.
In einer weiteren Ausführungsform kann eine Ausgangsschicht 110 nicht nur, wie in den Figuren angedeutet ist, in Konver¬ sionselemente mit übereinstimmender Kontur, sondern in Konversionselemente mit unterschiedlichen Geometrien struktu- riert werden. Beispielsweise kann ein gemeinsames Strukturen einer Ausgangsschicht 110 sowohl in Konversionselemente 100 als auch in Konversionselemente 101 erfolgen. In a further embodiment, an output layer 110 is not only, as indicated in the figures, be in convergence ¬ sion elements with a matching contour, but in conversion elements having different geometries structured manner. For example, a common structures of an output layer 110 can take place both in conversion elements 100 and in conversion elements 101.
Die vorstehend beschriebenen Ausführungsformen, welche auch kombiniert zur Anwendung kommen können, lassen sich durch eine entsprechende Anordnung von Ausnehmungen 115 in einer Ausgangsschicht 110 und Festlegung von Trennlinien 131, 132 für das Durchtrennen der Ausgangsschicht 110 verwirklichen. Des Weiteren ist es möglich, Aussparungen 105 von Konversionselementen anstatt mit der gezeigten Rechteckform mit einer anderen Form, zum Beispiel einer gekrümmten oder kreis- bzw. viertelkreisförmigen Kontur auszubilden. Auch ein vorderseitiger Kontakt 155 eines Halbleiterchips 150 kann eine ent- sprechende gekrümmte Geometrie aufweisen. Derartige Ausge¬ staltungen können mit einer gekrümmten Kontur bzw. Kreisform von Ausnehmungen 115 einer Ausgangsschicht 110 verwirklicht werden . In einer weiteren Ausgestaltung kann eine Ausgangsschicht 110 und dadurch ein aus der Ausgangsschicht 110 gebildetes Kon¬ versionselement ein strahlungsdurchlässiges Grundmaterial aufweisen, in welchem zusätzlich zu LeuchtstoffPartikeln weitere Partikel, zum Beispiel reflektive Partikel, angeordnet sind. Ein solches partikelgefülltes Material kann ebenfalls für ein Ausbilden einer Ausgangsschicht 110 gedruckt werden. Des Weiteren wird auf die Möglichkeit hingewiesen, eine we¬ nigstens ein Konversionsmaterial aufweisende Ausgangsschicht 110 mit Ausnehmungen 115 nicht mit Hilfe eines Druckprozes¬ ses, sondern auf andere Art und Weise bereitzustellen. Bei- spielsweise kann eine keramische Ausgangsschicht 110 mit Aus¬ nehmungen 115 bereitgestellt werden, welche wenigstens ein Konversionsmaterial aufweist. Die keramische Ausgangsschicht kann durch Sintern erzeugt werden. Ausnehmungen 115 können hierbei vor, oder auch nach dem Sintern vorliegen bzw. er- zeugt werden. The embodiments described above, which can also be used in combination, can be realized by a corresponding arrangement of recesses 115 in an output layer 110 and definition of dividing lines 131, 132 for the severing of the output layer 110. Furthermore, it is possible to form recesses 105 of conversion elements instead of the shown rectangular shape with a different shape, for example a curved or circular or quarter-circle-shaped contour. Also, a front contact 155 of a semiconductor chip 150 may have a corresponding curved geometry. Such Substituted ¬ staltungen can be realized with a curved contour or circular shape of recesses 115 an output layer 110th In a further refinement, an output layer 110 and thereby a conversion element formed from the output layer 110 may comprise a radiation-transmissive base material in which, in addition to phosphor particles, further particles, for example reflective particles, are arranged. Such a particle-filled material may also be printed to form an initial layer 110. Furthermore, attention is drawn to the possibility of a ¬ we nigstens a conversion material having output layer 110 with recesses 115 is not using a Druckprozes ¬ ses, but provide other way. Examples of play can be provided a ceramic layer 110 with output from ¬ recesses 115, which has at least one conversion material. The ceramic starting layer can be produced by sintering. Recesses 115 may be present or produced before, or after sintering.
In einer weiteren Ausführungsform kann das Strukturieren einer Ausgangsschicht 110 entlang von Trennlinien erfolgen, welche nicht senkrecht zueinander verlaufen, sondern unter einem anderen Winkel bzw. unter anderen Winkeln zueinander orientiert sind. Auf diese Weise können Konversionselemente mit anderen als den in den Figuren gezeigten Außenkonturen gebildet werden. Ein mögliches Beispiel ist eine einem Sechs¬ eck entsprechende Außenkontur, wobei abweichend von der In a further embodiment, the structuring of an output layer 110 can be carried out along dividing lines which are not perpendicular to one another but are oriented at a different angle or at different angles to one another. In this way, conversion elements can be formed with other than the outer contours shown in the figures. A possible example is a corresponding one of six ¬ eck outer contour, deviating from the
Sechseckform am Rand bzw. in einem Eckbereich eine Aussparung vorliegen kann. Hexagonal shape can be present at the edge or in a corner area a recess.
Darüber hinaus ist die Möglichkeit gegeben, anstelle von Kon¬ versionselementen andere Schichtelemente herstellen, welche auf optoelektronischen Halbleiterchips bzw. LED-Chips anord- bar sind. Hierbei kann es sich um klare strahlungsdurchlässi¬ ge Schichtelemente handeln. Derartige Schichtelemente können auf Halbleiterchips zum Einsatz kommen, um zum Beispiel eine veränderte Strahlungsauskopplung zu ermöglichen. In einer solchen Ausgestaltung des Verfahrens kann ebenfalls eine Aus¬ gangsschicht 110 mit Ausnehmungen 115 erzeugt, und nachfol¬ gend in Schichtelemente mit randseitigen Aussparungen strukturiert werden. Es wird darauf hingewiesen, dass oben mit Bezug auf Konversi¬ onselemente genannte Details bei solchen Schichtelementen analog zur Anwendung kommen können. Beispielsweise kann ein mit dem Verfahren hergestelltes klares Schichtelement in der Aufsicht eine Figur 1 entsprechende Kontur besitzen. Möglich sind auch andere Konturen, wie sie mit Bezug auf Konversions¬ elemente in den anderen Figuren gezeigt bzw. oben beschrieben sind. Die in einer solchen Ausführungsform verwendete Ausgangsschicht kann des Weiteren zum Beispiel aus einem druck¬ baren strahlungsdurchlässiges Material wie zum Beispiel Sili¬ kon oder einem Epoxidmaterial , in welchem im Unterschied zu Konversionselementen keine Leuchtstoffpartikel enthalten sind, gebildet sein, und vor dem Strukturieren getrocknet bzw. ausgehärtet werden. Alternativ ist es denkbar, dass die Ausgangsschicht und damit auch die durch Strukturieren der Ausgangsschicht gebildeten Schichtelemente ein anderes strah¬ lungsdurchlässiges Material, zum Beispiel ein Glasmaterial, aufweisen . In addition, the possibility exists of producing other layer elements instead of Kon ¬ version elements, which can be arranged on optoelectronic semiconductor chips or LED chips bar. These may be clear radiation- transmissive layer elements. Such layer elements can be used on semiconductor chips to enable, for example, a modified radiation decoupling. In such an embodiment, the method may also be an off ¬ junction layer 110 generates with recesses 115, and nachfol ¬ quietly structured in layer elements with peripheral recesses. It should be noted that with respect to Konversi ¬ onselemente mentioned details in such layer elements may be used above analogy. For example, a clear layered element produced by the method can be used in the Supervision of Figure 1 have a corresponding contour. Also possible are other contours, as shown with respect to conversion ¬ elements in the other figures or described above. The output layer used in such an embodiment may further be, for example, formed of a pressure-¬ cash radiation-transmissive material such as Sili ¬ kon or an epoxy material, in which, in contrast to conversion elements no fluorescent particles are contained, and dried prior to patterning or be cured. Alternatively, it is conceivable that the output layer and thus also the layer formed by patterning elements of the output layer have a different strah ¬ lung permeable material, for example a glass material.
Obwohl die Erfindung im Detail durch bevorzugte bzw. beispielhafte Ausführungsformen näher illustriert und beschrieb- ne wurde, so ist die Erfindung nicht durch die offenbarten Beispiele eingeschränkt und andere Variationen können vom Fachmann hieraus abgeleitet werden, ohne den Schutzumfang der Erfindung zu verlassen. Although the invention has been further illustrated and described in detail by way of preferred embodiments, the invention is not limited by the disclosed examples, and other variations can be derived therefrom by those skilled in the art without departing from the scope of the invention.
Bezugs zeichenliste Reference sign list
100, 101 Konversionselement100, 101 conversion element
102 Konversionselement 105 Aussparung 102 conversion element 105 recess
110 AusgangsSchicht  110 output layer
115 Ausnehmung  115 recess
120 Druckform  120 printing form
121 Durchlässiger Bereich 125 Undurchlässiger Bereich 121 Permeable area 125 Impermeable area
131, 132 Trennlinie 131, 132 dividing line
150 Halbleiterchip  150 semiconductor chip
155 Kontakt  155 contact
160 Bauelement  160 component
161 Träger 161 carriers
165 Bonddraht  165 bonding wire

Claims

Patentansprüche Patent claims
1. Verfahren zum Herstellen eines Schichtelements (100, 101, 102) für einen optoelektronischen Halbleiterchip (150), umfassend die Verfahrensschritte: 1. Method for producing a layer element (100, 101, 102) for an optoelectronic semiconductor chip (150), comprising the method steps:
Bereitstellen einer Ausgangsschicht (110), wobei die Ausgangsschicht (110) eine Ausnehmung (115) aufweist; und Providing an output layer (110), the output layer (110) having a recess (115); and
Strukturieren der Ausgangsschicht (110) zum Bilden des Schichtelements (100, 101, 102), wobei das Schichtele¬ ment (100, 101, 102) eine Aussparung (105) aufweist, welche wenigstens zum Teil aus der Ausnehmung (115) der Ausgangsschicht (110) gebildet ist. Structuring the starting layer (110) to form the layer element (100, 101, 102), the layer element (100, 101, 102) having a recess (105) which at least partially consists of the recess (115) of the starting layer ( 110) is formed.
2. Verfahren nach Anspruch 1, 2. Method according to claim 1,
wobei das Strukturieren der Ausgangsschicht (110) ein Durchtrennen der Ausgangsschicht (110) entlang von senkrecht zueinander verlaufenden Trennlinien (131, 132) um- fasst . wherein structuring the initial layer (110) includes cutting the initial layer (110) along dividing lines (131, 132) that run perpendicular to one another.
3. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das Strukturieren der Ausgangsschicht (110) derart durchgeführt wird, dass mehrere Schichtelemente (100, 101, 102) gebildet werden, welche eine Aussparung (105) aufweisen, und wobei die Aussparungen (105) mehrerer Schichtelemente (100, 101, 102) aus der Ausnehmung (115) der Ausgangsschicht (110) gebildet sind. 3. The method according to any one of the preceding claims, wherein the structuring of the initial layer (110) is carried out in such a way that a plurality of layer elements (100, 101, 102) are formed, which have a recess (105), and wherein the recesses (105) have several Layer elements (100, 101, 102) are formed from the recess (115) of the starting layer (110).
4. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, 4. Method according to one of the preceding claims,
wobei die Ausgangsschicht (110) mehrere Ausnehmungen (115) aufweist, und wobei das Strukturieren der Aus¬ gangsschicht (110) derart durchgeführt wird, dass mehre¬ re Schichtelemente (100, 101, 102) gebildet werden, wel¬ che jeweils eine wenigstens zum Teil aus einer entspre¬ chenden Ausnehmung (115) der Ausgangsschicht (110) ge- bildete Aussparung (105) aufweisen. wherein the starting layer (110) has a plurality of recesses (115), and the structuring of the starting layer (110) is carried out in such a way that several layer elements (100, 101, 102) are formed, each of which has at least one Part made from a corresponding recess (115) in the starting layer (110). have formed recess (105).
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobe die Ausgangsschicht (110) mehrere Ausnehmungen (115) aufweist, und wobei das Strukturieren der Ausgangs¬ schicht (110) derart durchgeführt wird, dass das oder ein Schichtelement (101, 102) zwei Aussparungen (105) aufweist, welche jeweils wenigstens zum Teil aus einer entsprechenden Ausnehmung (115) der Ausgangsschicht (110) gebildet sind. Method according to one of the preceding claims, wherein the starting layer (110) has a plurality of recesses (115), and wherein the structuring of the starting layer (110) is carried out in such a way that the or a layer element (101, 102) has two recesses (105). which are each at least partially formed from a corresponding recess (115) in the starting layer (110).
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das Schichtelement (100, 101, 102) ein Konversi¬ onselement ist, und wobei die Ausgangsschicht (110) ein Konversionsmaterial aufweist. Method according to one of the preceding claims, wherein the layer element (100, 101, 102) is a conversion element, and wherein the starting layer (110) has a conversion material.
Verfahren nach Anspruch 6, Method according to claim 6,
wobei die Ausgangsschicht (110) ein Grundmaterial, ins¬ besondere Silikon, aufweist, in welchem das Konversions material enthalten ist. wherein the starting layer (110) has a base material, in particular silicone, in which the conversion material is contained.
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das Bereitstellen der die Ausnehmung (115) aufwei senden Ausgangsschicht (110) mit Hilfe eines Druckpro¬ zesses durchgeführt wird. Method according to one of the preceding claims, wherein the provision of the starting layer (110) having the recess (115) is carried out with the aid of a printing process .
Verfahren nach Anspruch 8, Method according to claim 8,
wobei der Druckprozess ein Siebdruckprozess oder ein Schablonendruckprozess ist. wherein the printing process is a screen printing process or a stencil printing process.
10. Verfahren nach einem der Ansprüche 8 oder 9, 10. Method according to one of claims 8 or 9,
wobei die gedruckte Ausgangsschicht vor dem Strukturie¬ ren ausgehärtet wird. wherein the printed starting layer is hardened before structuring.
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das Strukturieren der Ausgangsschicht (110) das Durchführen eines Sägeprozesses oder eines Schneidpro zesses umfasst. Method according to one of the preceding claims, wherein structuring the starting layer (110) involves carrying out a sawing process or a cutting process process includes.
Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements (160), wobei ein Schichtelement (100, 101, 102) durch Durchführen eines Verfahrens gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche hergestellt und nachfolgend auf einem optoelektronischen Halbleiterchip (150) angeordnet wird . Method for producing an optoelectronic component (160), wherein a layer element (100, 101, 102) is produced by carrying out a method according to one of the preceding claims and is subsequently arranged on an optoelectronic semiconductor chip (150).
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