WO2014067834A1 - Optoelektronisches bauelement - Google Patents

Optoelektronisches bauelement Download PDF

Info

Publication number
WO2014067834A1
WO2014067834A1 PCT/EP2013/072185 EP2013072185W WO2014067834A1 WO 2014067834 A1 WO2014067834 A1 WO 2014067834A1 EP 2013072185 W EP2013072185 W EP 2013072185W WO 2014067834 A1 WO2014067834 A1 WO 2014067834A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
semiconductor chip
shaping element
axis
ellipse
optoelectronic component
Prior art date
Application number
PCT/EP2013/072185
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Ales Markytan
Christian Gärtner
Roland Schulz
Original Assignee
Osram Opto Semiconductors Gmbh
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Osram Opto Semiconductors Gmbh filed Critical Osram Opto Semiconductors Gmbh
Priority to US14/440,051 priority Critical patent/US9385286B2/en
Publication of WO2014067834A1 publication Critical patent/WO2014067834A1/de

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B19/00—Condensers, e.g. light collectors or similar non-imaging optics
    • G02B19/0004—Condensers, e.g. light collectors or similar non-imaging optics characterised by the optical means employed
    • G02B19/0009—Condensers, e.g. light collectors or similar non-imaging optics characterised by the optical means employed having refractive surfaces only
    • G02B19/0014—Condensers, e.g. light collectors or similar non-imaging optics characterised by the optical means employed having refractive surfaces only at least one surface having optical power
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B19/00—Condensers, e.g. light collectors or similar non-imaging optics
    • G02B19/0033—Condensers, e.g. light collectors or similar non-imaging optics characterised by the use
    • G02B19/0047—Condensers, e.g. light collectors or similar non-imaging optics characterised by the use for use with a light source
    • G02B19/0061—Condensers, e.g. light collectors or similar non-imaging optics characterised by the use for use with a light source the light source comprising a LED
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
    • G02B27/09—Beam shaping, e.g. changing the cross-sectional area, not otherwise provided for
    • G02B27/0938—Using specific optical elements
    • G02B27/095—Refractive optical elements
    • G02B27/0955—Lenses
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/54—Encapsulations having a particular shape

Definitions

  • Optoelectronic component The invention relates to an optoelectronic component.
  • LED chips that emit electromagnetic radiation such as LED chips and LED packages with such chips
  • the coupling-out of the LED packages are often elliptical or even rotationally symmetrical circular shaped to ermögli ⁇ chen a rotation-independent recording with pickup tools. Therefore, the distance in the corner region of the rectangular semiconductor chip to the circular lens surface is substantially smaller than in the region of the chip center.
  • an optoelectronic component comprises at least one semiconductor chip which is suitable for generating electromagnetic radiation.
  • the optoelectronic component comprises a beam-shaping element through which at least part of the electromagnetic radiation emitted by the semiconductor chip during operation occurs and which has an optical axis.
  • the Strahlfor ⁇ mung element has an outer contour with respect to a plane perpendicular to the op ⁇ tables axis coordinate system.
  • the contour represents a curve which is mirror-symmetrical to both central axes of an ellipse inscribed in the contour. In each of the four equal sections between the respective center axes follow one another: an ellipse segment, a linear part, a second ellipse segment, a further linear part and a third ellipse segment.
  • the invention comprises an electro-opto ⁇ African component which comprises at least one semiconductor chip on ⁇ which is capable of generating electromagnetic radiation suited.
  • the optoelectronic device includes a beam shaping element ⁇ , by passing at least a portion of the light emitted from the semiconductor chip during operation electromagnetic radiation and having an optical axis.
  • the beam-shaping element has an outer contour with respect to a coordinate system perpendicular to the optical axis, which deviates from a circular shape along a diagonal of the semiconductor chip, so that the beam-shaping element has a rotationally symmetrical emission characteristic.
  • the beam-shaping element is in particular a Auskoppellin ⁇ se.
  • the coupling lens has in at least one horizontal section parallel to the substrate plane of the semiconductor chip, whose contour between the inscribed ellipse and the Circumscribing rectangle lies.
  • the contour or the curve is mirror-symmetrical to both central axes.
  • the curve comprises four equal sections that are each guided through mirror; ⁇ development of the central axes of each NEN kön-. Each section is directly adjacent to the next section.
  • the optoelectronic component has a high extraction efficiency, as the total reflection is particularly reduced in the corner area of the semiconductor chip.
  • the beam shaping element is dimensioned with respect to the semi ⁇ conductor chip with a compact size. As a result, the optoelectronic component is inexpensive to produce.
  • a beam-shaping element that has two planes of symmetry and allowing a very good From ⁇ coupling of the electromagnetic radiation from the semiconductor chip and at the same time is relatively small in relation to the chip size and yet permits a Rotati ⁇ onssymmetrische radiation.
  • the curve deviates from a rectangular shape.
  • the beam-shaping element is good auto ⁇ matically handle because it has a good tolerance to twisting of the optoelectronic component or of the beam shaping element with respect to the automatic circuit element.
  • the automatic handling with vacuum suction probes takes place, which engage in a flat region of the optoelectronic component.
  • the tolerance to rotation of the component is for example +/- 10%.
  • the beam shaping element enables a com- pact as possible lens having simultaneously a high extraction efficiency, enables symmetric radiation characteristics of the construction ⁇ elements and is also robust against mecanicsto ⁇ tolerances.
  • a high coupling-out efficiency, a suitable rotationally symmetrical emission characteristic and the robustness with respect to manufacturing tolerances are met with large lenses, which leads to higher costs.
  • the beam-shaping element is according to embodiments of egg ⁇ nem silicone.
  • the beam-shaping element has a refractive index of 1.41.
  • the beam shaping element has a refractive index of 1.54 ⁇ .
  • the angle is predetermined and comes through the maximum required To ⁇ leranz with respect to rotation of the device in the automatic handling in manufacturing. The larger the angle, the greater the tolerance for twisting. This means that even with a larger rotation of the gripping element with respect to the optoelectronic Bauele ⁇ ment or the beam shaping element, the component can be gripped damage without loading the beam shaping element.
  • the ratio of linear part to further linear part corresponds to the ratio from further central axis to central axis.
  • the second ellipse segment has a first and a second half-axis.
  • the length of the semi-axes and thus the shape of the second ellipse segment are each predetermined by the lens manufacturing process.
  • the length of the second elliptical segment is between 0.05 mm and 0.5 mm.
  • the two central axes of the inscribed ellipse are the same length.
  • the inscribed ellipse is a circle according to embodiments.
  • FIG. 1 shows a schematic representation of a plan view of a beam-shaping element according to an embodiment
  • FIG. 2 shows a schematic representation of a plan view of a beam-shaping element with a pick-up tool according to an embodiment
  • Figures 3A and 3B is a schematic representation of an opto ⁇ electronic device according to an embodiment.
  • Figure 1 shows schematically a sectional view through a
  • Beam-shaping element 1 transverse to an optical axis 2 of the beam-shaping element 1.
  • the sectional view is in the plane of a coordinate system 3, 4, which is perpendicular to the optical
  • Axis 2 is aligned.
  • the beam-shaping element has ei ⁇ ne outer contour 5.
  • the beam shaping element is in particular ⁇ sondere a lens that is coupled to a semiconductor chip 8 ( Figure 3A).
  • the contour 5 represents a curve n, which writes an ellipse e ⁇ .
  • the ellipse e has two central axes al and a2.
  • the contour 5 and the curve is n aptsym ⁇ al metric to both central axes and a2.
  • the beam shaping element 1 and the curve is n aptsymmet ⁇ driven with respect to a reflection in a plane through the first axis 3 of the coordinate system and the optical axis 5 and with respect to a reflection in a plane through the second axis 4 of the coordinate system and the optical axis 5
  • the beam-shaping element 1 is quadrant-symmetrical.
  • the shaping of the beam shaping element 1 a part of the emitted from a oppel ⁇ th with the beam-shaping element 1 semiconductor chip during operation electromagnetic radiation is refracted.
  • the beam-shaping element 1 a rotationally symmetrical beam shaping is possible, although the
  • Beam shaping element 1 is not rotationally symmetrical.
  • each quadrant between the center axes al and a2 which correspond in particular to the axes 3 and 4 of the coordinate system, three ellipse segments bl, b2 and d are arranged ⁇ as two linear parts and c and c.
  • the ellipse segment el is first arranged.
  • the linear part cl is arranged.
  • the second ellipse segment d adjoins the linear part cl.
  • the second linear segment d is adjoined by the further linear part c2.
  • the third ellipse segment b2 adjoins the further linear part c2.
  • the end of the third ellipse segment b2 is located at the intersection of the curve n with the second central axis a2.
  • the sequence of elliptic segments and linear parts is repeated.
  • the third ellipse segment b2 at the intersection of the curve n with the second central axis a2 in turn includes the first ellipse segment b1.
  • the ellipse segments bl and b2 include an angle 6.
  • the angle 6 lies between a junction of the beginning of the third ellipse segment b2 and the optical axis 2 in the plane of the coordinate system 3, 4 and serves to connect the end of the elliptic segment bl and the optical axis 2.
  • the angle 6 lies in particular in a range between 0 and 30 °. In the illustrated embodiment, the angle 6 has a value of 20 °.
  • the angle ⁇ specifies how far the linear regions c1 and c2 are inclined with respect to the center axes a1 and a2, respectively. As explained in more detail in connection with FIG. 2, a larger angle 6 and therefore a greater inclination of the linear parts c1 and c2 means a greater tolerance with respect to
  • the second ellipse segment d is arranged between the linear part c1 and the linear part c2.
  • the transition Zvi ⁇ rule the linear portions cl and c2 is so elliptical and not pointed.
  • the length of the region d is determined by the lens manufacturing process and is playing ⁇ , in a range of 0.05 to 0.5 mm.
  • the ellipse segment d has a first semiaxis whose length lies between 0 and 1/3 of the length of al.
  • the second half-axis of the elliptic segment d has a length which lies between 0 and 1/3 of the length of the central axis a2.
  • the linear parts c1 and c2 each have a length such that the ratio of the length of the linear part c1 to the length of the linear part c2 is equal to the ratio of the length of the central axis a2 to the length of the central axis al.
  • the two center axes al and a2 are the same length.
  • the length of the central axis al is different from the length of the central axis a2.
  • the angle 6 has a value of 0 ° and the central axes of the ellipse segment each have a value of 0.
  • the curve n describes a square shape. Due to the beam-shaping element with the contour 5, which describes the curve n, it is possible for a given package size for the optoelectronic component and a predetermined size of the semiconductor chip, which is in particular rectangular and square, for example, the size of the beam-shaping element with constant Lichtauskoppelef ⁇ efficiency to reduce compared to conventional lenses.
  • the minimum size for a lens can be calculated with the product of refractive index of the lens material and semiconductor die size. For rectangular semiconductor chips thus the minimum lens size so that as little total reflection at the transition of lens occurs to air or the to ⁇ talreflexion can be almost completely avoided results for the diagonal of the semiconductor chip. For lenses with an elliptical, rotationally symmetric contour, the calculated minimum lens size for the entire
  • Lens although in selected areas of the lens, corresponding to preparation ⁇ chen of the semiconductor chip outside the diagonal of the semi ⁇ conductor chips, a smaller lens size ⁇ rich, would to avoid total reflection. This conventionally leads to relatively large lenses in relation to the size of the semiconductor chip.
  • the contour 5 of the beam shaping element 1 has, according to exporting ⁇ approximate shape along the center axes al and a2 each having a smaller diameter than along the connection 9 between the ellipse segment d and the opposing elliptical segment.
  • the contour 5 deviates from a circular shape.
  • the connection 9 corresponds in operation to the diagonal of the semiconductor chip.
  • Figure 2 shows diagrammatically the beam-shaping element 1 and a tool 7 for gripping the beam-shaping element 1 currency ⁇ rend automated handling during manufacture.
  • a dashed line with respect to the beam-shaping element twisted tool 7a is shown.
  • the tool 7 is aligned op timal ⁇ with respect to the beam-shaping element.
  • a possible non-destructive lifting and transporting the beam-shaping element 1 is given by the tool 7.
  • the tool contacts the flat part (FIGS. 3A and 3B) of the beam-shaping element 1 outside the contour 5.
  • Beam-shaping element 1 a rotation of the tool 7 be ⁇ or 7a in the automatic handling.
  • Beam shaping element tolerates in particular a rotation of the tool 7 or 7a by an angle whose value is between 0 ° and half of the value of the angle 6.
  • a rectangular gripping mechanisms ⁇ imaging 7 is used. Despite the rotation of the tool 7a, the gripping tool 7a does not touch the lens body, ie the contour 5, and damage to the beam-shaping element 1 can be avoided.
  • the Strahlformungsele ⁇ ment 1 has a tolerance to the rotation with respect to the tool 7 of up to ⁇ 10 °.
  • FIGS. 3A and 3B show an exemplary embodiment of the beam-shaping element 1.
  • FIG. 3A shows a schematic spatial representation and Figure 3B is a plan view of the beam-shaping element. 1
  • the beam-shaping element as shown in FIGS. 3A and 3B, has an angle 6 of 20 °, as shown in FIG.
  • the two half-axes of the ellipse segment d have a value of 0.3 mm.
  • FIG. 3B additionally shows a semiconductor chip which is suitable for generating electromagnetic radiation.
  • Beam shaping element 1 is arranged on a main surface of the semi-conductor chips ⁇ . During operation, most of the emitted radiation escapes from the main surface.
  • the semiconductor device comprises the beam-shaping element 1 and the semiconductor chip 8.
  • the semiconductor component is an optoelectronic component that facilitates the conversion of
  • the semiconductor chip 8 is an optoelectronic semiconductor chip, preferably a radiation-emitting semiconductor chip.
  • the semiconductor component is preferably an optoelectronic component that controls the conversion of electrically generated data or energy into
  • the semiconductor component has at least one optoelectronic semiconductor chip, preferably a radiation-emitting semiconductor chip.
  • the semiconductor chip is preferably an LED (light emitting diode).
  • the semiconductor chip has a semiconductor layer stack in which an active layer is contained.
  • the active layer is particularly suitable for generating a radiation of a first wavelength.
  • the active layer contains For example, a pn junction, a double heterostructure, a single quantum well structure (SQW, Single Quantum Well), or a multiple quantum well structure (MQW, Multi Quantum Well) for generating radiation.
  • the term quantum well structure has no significance here with regard to the dimensionality of the quantization.
  • the semiconductor layer stack of the semiconductor chip preferably contains a III / V semiconductor material.
  • III / V semiconductor materials are particularly suitable for generating radiation in the ultraviolet, over the visible to the infrared spectral range.
  • the semiconductor chip has a square outer contour.
  • the beam shaping element 1 allows rotationssymmet ⁇ generic radiation emitted by the semiconductor chip electromagnetic radiation. In this case, the reflection within the lens is suppressed or reduced, thereby increasing the coupling-out efficiency.
  • the beam-shaping element 1 is smaller than conventional rotationally symmetrical Strahlformungselemen ⁇ te with the same Auskoppeleffizienz.
  • a beam shaping element with a quadra ⁇ contour tables would have the highest extraction efficiency. However, this contour would mean a low tolerance to tool rotation during automatic handling during manufacturing. The risk of damage to the beam-shaping element during manufacture is very great. Therefore, a square contour would not meet all gefor ⁇ ed requirements sufficiently well.
  • the beam-shaping element 1 whose contour the curve n be ⁇ writes has both a high coupling-out, which is close to the Auskoppeleffizienz a square contour, and is also particularly tolerant to Verfitun ⁇ conditions during the automatic handling during production.

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

Ein Optoelektronisches Bauelement umfasst: -mindestens einen Halbleiterchip, der zur Erzeugung elektromagnetischer Strahlung geeignet ist, -ein Strahlformungselement (1), durch das zumindest ein Teil der von dem Halbleiterchip im Betrieb emittierten elektromagnetischen Strahlung tritt und das eine optische Achse (2) aufweist, und das eine äußere Kontur (5) bezüglich eines zur optischen Achse (2) senkrechten Koordinatensystems (3, 4) aufweist, wobei die Kontur (5) eine Kurve (n) darstellt, die spiegelsymmetrisch zu beiden Mittelachsen (a1, a2) einer von der Kontur einbeschriebenen Ellipse (e) ist, wobei in jedem der vier gleichen Abschnitte zwischen den jeweiligen Mittelachsen (a1, a2) aufeinanderfolgen: ein Ellipsensegment (b1), ein linearer Teil (c1), ein zweites Ellipsensegment (d), ein weiterer linearer Teil (c2) und ein drittes Ellipsensegment (b2).

Description

Beschreibung
Optoelektronisches Bauelement Die Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauelement.
Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung 10 2012 110 403.4, deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird.
Halbleiterchips, die elektromagnetische Strahlung emittieren, beispielsweise LED-Chips und LED-Packages mit solchen Chips, haben herkömmlich insbesondere rechteckige Abmessungen. Die Auskoppellinsen der LED-Packages sind häufig elliptisch oder sogar rotationssymmetrisch kreisförmig geformt, um eine rotationsunabhängige Aufnahme mit Pickup-Werkzeugen zu ermögli¬ chen. Daher ist der Abstand im Eckbereich des rechteckigen Halbleiterchips zur kreisförmigen Linsenoberfläche wesentlich kleiner als im Bereich der Chipmitte.
Ein geringerer Abstand vom Chip zur Linsenoberfläche hat zur Folge, dass die Wirksamkeit der Linse hinsichtlich Formung des Lichts abnimmt und damit auch die Möglichkeit zur Beein¬ flussung der Lichtverteilungskurve. Weiterhin können Auskopp- lungsverluste durch Totalreflexion in diesem Bereich auftreten. Zudem kann sich ein nicht rotationssymmetrisches Ab¬ strahlprofil ergeben, da sich die Lichtverteilungskurve im Eckbereich des Chips und der Chipmitte unterscheiden. Es ist wünschenswert, ein optoelektronisches Bauelement abzu¬ geben, das ein effektives Lichtauskoppeln ermöglicht. Gemäß einer Ausführungsform der Erfindung umfasst ein optoelektronisches Bauelement mindestens einen Halbleiterchip, der zur Erzeugung elektromagnetischer Strahlung geeignet ist. Das optoelektronische Bauelement umfasst ein Strahlformungs- element, durch das zumindest ein Teil der von dem Halbleiterchip im Betrieb emittierten elektromagnetischen Strahlung tritt und das eine optische Achse aufweist. Das Strahlfor¬ mungselement weist eine äußere Kontur bezüglich eines zur op¬ tischen Achse senkrechten Koordinatensystems auf. Die Kontur stellt eine Kurve dar, die spiegelsymmetrisch zu beiden Mittelachsen einer von der Kontur einbeschriebenen Ellipse ist. In jedem der vier gleichen Abschnitte zwischen den jeweiligen Mittelachsen folgen aufeinander: ein Ellipsensegment, ein linearer Teil, ein zweites Ellipsensegment, ein weiterer linea- rer Teil und ein drittes Ellipsensegment.
Gemäß weiterer Aspekte umfasst die Erfindung ein optoelektro¬ nisches Bauelement, das mindestens einen Halbleiterchip auf¬ weist, der zur Erzeugung elektromagnetischer Strahlung geeig- net ist. Das optoelektronische Bauelement umfasst ein Strahl¬ formungselement, durch das zumindest ein Teil der von dem Halbleiterchip im Betrieb emittierten elektromagnetischen Strahlung tritt und das eine optische Achse aufweist. Das Strahlformungselement weist eine äußere Kontur bezüglich ei- nes zur optischen Achse senkrechten Koordinatensystems auf, die entlang einer Diagonale des Halbleiterchips von einer Kreisform abweicht, so dass das Strahlformungselement eine rotationssymmetrische Abstrahlcharakteristik aufweist. Das Strahlformungselement ist insbesondere eine Auskoppellin¬ se. Die Auskoppellinse weist in mindestens einem horizontalen Schnitt parallel zur Substratebene des Halbleiterchips auf, dessen Kontur zwischen der einbeschriebenen Ellipse und dem Umschreibenden Rechteck liegt. Die Kontur beziehungsweise die Kurve ist spiegelsymmetrisch zu beiden Mittelachsen. Die Kurve umfasst vier gleiche Abschnitte, die jeweils durch Spiege¬ lung an den Mittelachsen aneinander übergeführt werden kön- nen. Die Abschnitte grenzen jeweils direkt an den nächsten Abschnitt an.
Dadurch, dass das Strahlformungselement gemäß Ausführungsfor¬ men spiegelsymmetrisch zu beiden Mittelachsen ist und von einer reinen elliptischen oder rotationssymmetrisch kreisförmigen Kontur abweicht, weist das optoelektronische Bauelement eine hohe Auskoppeleffizienz auf, da die Totalreflexion insbesondere im Eckbereich des Halbleiterchips verringert ist. Zudem ist das Strahlformungselement in Bezug auf den Halb¬ leiterchip mit einer kompakten Abmessung dimensionierbar. Dadurch ist das optoelektronische Bauelement kostengünstig herstellbar. Somit ist ein Strahlformungselement gegeben, dass zwei Symmetrieebenen aufweist und eine sehr gute Aus¬ kopplung der elektromagnetischen Strahlung aus dem Halbleiterchip ermöglicht und die gleichzeitig verhältnismäßig klein ist bezogen auf die Chipgröße und dennoch eine rotati¬ onssymmetrische Abstrahlung ermöglicht.
Gemäß Ausführungsformen weicht die Kurve von einer rechtecki- gen Form ab. Dadurch ist das Strahlformungselement gut auto¬ matisch handhabbar, da es eine gute Toleranz gegenüber Verdrehung des optoelektronischen Bauelements beziehungsweise des Strahlformungselements in Bezug auf das automatische Kreiselement aufweist. Beispielsweise erfolgt die automati- sehe Handhabung mit Unterdruckansaugrüsseln, die in einem flachen Bereich des optoelektronischen Bauelements greifen. Die Toleranz gegenüber Verdrehung des Bauelements ist beispielsweise +/- 10%. Dadurch können herstellungsbedingte Be- Schädigungen insbesondere an dem Strahlformungselement ver¬ mieden werden.
Das Strahlformungselement ermöglicht also eine möglichst kom- pakte Linse, die gleichzeitig eine hohe Auskoppeleffizienz aufweist, eine symmetrische Abstrahlcharakteristik des Bau¬ elements ermöglicht und zudem robust gegenüber Fertigungsto¬ leranzen ist. Herkömmlich wird eine hohe Auskoppeleffizienz, eine geeignete rotationssymmetrische Abstrahlcharakteristik und die Robustheit gegenüber Fertigungstoleranzen mit großen Linsen erfüllt, was zu höheren Kosten führt.
Das Strahlformungselement ist gemäß Ausführungsformen aus ei¬ nem Silikon. Beispielsweise weist das Strahlformungselement einen Brechungsindex von 1,41 auf. Gemäß weiterer Ausführungsformen weist das Strahlformungselement einen Brechungs¬ index von 1,54 auf.
Gemäß weiteren Ausführungsformen schließen das Ellipsenseg- ment und das dritte Ellipsensegment gemeinsam einen Winkel ein, der größer als 0° ist und < oder = 30° ist. Der Winkel ist vorgegeben und kommt durch die maximal erforderliche To¬ leranz hinsichtlich Verdrehung des Bauelements bei der automatischen Handhabung in der Fertigung. Je größer der Winkel ist, desto größer ist die Toleranz hinsichtlich einer Verdrehung. Dies bedeutet, dass auch bei einer größeren Verdrehung des Greifelements in Bezug auf das optoelektronische Bauele¬ ment beziehungsweise das Strahlformungselement das Bauelement gegriffen werden kann, ohne das Strahlformungselement zu be- schädigen.
Gemäß weiteren Ausführungsformen entspricht das Verhältnis von linearer Teil zu weiterer linearer Teil dem Verhältnis von weiterer Mittelachse zu Mittelachse. Dadurch ist eine kompakte Linse mit einer guten Robustheit gegenüber Ferti¬ gungstoleranzen ermöglicht. Gemäß weiteren Ausführungsformen weist das zweite Ellipsensegment eine erste und eine zweite Halbachse auf. Die Länge der ersten Halbachse ist > oder = 0 und < oder = 1/3 der Länge der Mittelachse. Die Länge der zweiten Halbachse ist > o- der = 0 und < oder = 1/3 der Länge der weiteren Mittelachse. Die Länge der Halbachsen und damit die Form des zweiten Ellipsensegments wird jeweils vorgegeben durch den Linsenher- stellungsprozess . Beispielsweise liegt die Länge des zweiten Ellipsensegments zwischen 0,05 mm und 0,5 mm. Gemäß weiterer Ausführungsformen sind die beiden Mittelachsen der einbeschriebenen Ellipse gleich lang. Die einbeschriebene Ellipse ist gemäß Ausführungsformen ein Kreis. Weitere Vor¬ teile, Merkmale und Weiterbildungen ergeben sich aus dem im Folgenden in Verbindung mit den Figuren erläuterten Beispiel. Dabei können gleiche, gleichartige oder gleich wirkende Ele¬ mente mit den gleichen Bezugszeichen versehen sein.
Es zeigen: Figur 1 eine schematische Darstellung einer Aufsicht auf ein Strahlformungselement gemäß einer Ausführungsform,
Figur 2 eine schematische Darstellung einer Aufsicht auf ein Strahlformungselement mit einem Pickup-Werkzeug gemäß ei- ner Ausführungsform, und
Figuren 3A und 3B eine schematische Darstellung eines opto¬ elektronischen Bauelements gemäß einer Ausführungsform. Figur 1 zeigt schematisch eine Schnittansicht durch ein
Strahlformungselement 1 quer zu einer optischen Achse 2 des Strahlformungselements 1. Die Schnittansicht ist in der Ebene eines Koordinatensystems 3, 4, das senkrecht zur optischen
Achse 2 ausgerichtet ist. Das Strahlformungselement weist ei¬ ne äußere Kontur 5 auf. Das Strahlformungselement ist insbe¬ sondere eine Linse, die mit einem Halbleiterchip 8 (Figur 3A) koppelbar ist.
Die Kontur 5 stellt eine Kurve n dar, die eine Ellipse e ein¬ schreibt. Die Ellipse e weist zwei Mittelachsen al und a2 auf. Die Kontur 5 beziehungsweise die Kurve n ist spiegelsym¬ metrisch zu beiden Mittelachsen al und a2. Das Strahlfor- mungselement 1 beziehungsweise die Kurve n ist spiegelsymmet¬ risch bezüglich einer Spiegelung an einer Ebene durch die erste Achse 3 des Koordinatensystems und die optische Achse 5 sowie bezüglich einer Spiegelung an einer Ebene durch die zweite Achse 4 des Koordinatensystems und die optische Achse 5. Das Strahlformungselement 1 ist quadrantensymmetrisch.
Durch die Formgebung des Strahlformungselements 1 wird ein Teil der von einem mit dem Strahlformungselement 1 gekoppel¬ ten Halbleiterchips im Betrieb emittiert elektromagnetischen Strahlung gebrochen. Mit dem Strahlformungselement 1 ist eine rotationssymmetrische Strahlformung möglich, obwohl das
Strahlformungselement 1 nicht rotationssymmetrisch ist.
In jedem Quadranten zwischen den Mittelachsen al und a2, die insbesondere mit den Achsen 3 und 4 des Koordinatensystems korrespondieren, sind drei Ellipsensegmente bl, b2 und d so¬ wie zwei lineare Teile cl und c2 angeordnet. Beginnend an dem Schnittpunkt der Kurve n mit der Mittelachse al ist zuerst das Ellipsensegment el angeordnet. Nachfolgend ist der lineare Teil cl angeordnet. An den linearen Teil cl schließt das zweite Ellipsensegment d an. An das zweite El- lipsensegment d schließt der weitere lineare Teil c2 an. An den weiteren linearen Teil c2 schließt das dritte Ellipsensegment b2 an. Das Ende des dritten Ellipsensegment b2 liegt an dem Schnittpunkt der Kurve n mit der zweiten Mittelachse a2.
Im nächsten Quadranten wiederholt sich die Abfolge von Ellipsensegmenten und linearen Teilen. Entsprechend schließt also an das dritte Ellipsensegment b2 am Schnittpunkt der Kurve n mit der zweiten Mittelachse a2 wiederum das erste Ellipsen- segment bl an.
Die Ellipsensegmente bl und b2 schließen einen Winkel 6 ein. Der Winkel 6 liegt zwischen einer Verbindung des Beginns des dritten Ellipsensegments b2 und der optischen Achse 2 in der Ebene des Koordinatensystems 3, 4 und dient der Verbindung des Endes des Ellipsensegments bl und der optischen Achse 2. Der Winkel 6 liegt insbesondere in einem Bereich zwischen 0 und 30°. Im gezeigten Ausführungsbeispiel weist der Winkel 6 einen Wert von 20° auf.
Der Winkel 6 gibt vor, wie weit die linearen Bereiche cl und c2 in Bezug auf die Mittelachsen al und a2 jeweils geneigt sind. Wie näher in Verbindung mit Figur 2 erläutert, bedeutet ein größerer Winkel 6 und damit eine stärkere Neigung der li- nearen Teile cl und c2 eine größere Toleranz hinsichtlich
Verdrehung bei der automatischen Handhabung während der Fertigung . Zwischen dem linearen Teil cl und dem linearen Teil c2 ist das zweite Ellipsensegment d angeordnet. Der Übergang zwi¬ schen den linearen Bereichen cl und c2 ist also elliptisch ausgebildet und nicht spitz. Die Länge des Bereichs d wird durch den Linsenherstellungsprozess festgelegt und liegt bei¬ spielsweise in einem Bereich von 0,05 bis 0,5 mm.
Das Ellipsensegment d weist eine erste Halbachse auf, deren Länge zwischen 0 und 1/3 der Länge von al liegt. Die zweite Halbachse des Ellipsensegments d weist eine Länge auf, die zwischen 0 und 1/3 der Länge der Mittelachse a2 liegt. Die linearen Teile cl und c2 weisen jeweils eine Länge auf, so dass das Verhältnis der Länge des linearen Teils cl zu der Länge des linearen Teils c2 gleich ist zu dem Verhältnis aus der Länge der Mittelachse a2 zu der Länge der Mittelachse al .
Gemäß Ausführungsformen sind die beiden Mittelachsen al und a2 gleich lang. Gemäß weiterer Ausführungsformen ist die Länge der Mittelachse al unterschiedlich zu der Länge der Mit- telachse a2. Gemäß Ausführungsformen weist der Winkel 6 einen Wert von 0° auf und die Mittelachsen des Ellipsensegments weisen jeweils einen Wert von 0 auf. Somit beschreibt die Kurve n eine quadratische Form. Durch das Strahlformungselement mit der Kontur 5, die die Kurve n beschreibt, ist es möglich, bei einer vorgegebenen Packagegröße für das optoelektronische Bauelement und einer vorgegebenen Größe des Halbleiterchips, der insbesondere rechteckig und beispielsweise quadratisch ist, die Größe des Strahlformungselements bei gleichbleibender Lichtauskoppelef¬ fizienz im Vergleich zu herkömmlichen Linsen zu reduzieren. Bei gleichbleibender Linsengröße ist es möglich, die Auskop¬ peleffizienz zu erhöhen. Beispielsweise kann die Mindestgröße für eine Linse berechnet werden mit dem Produkt aus Brechungsindex des Linsenmaterials und Halbleiterchipgröße. Bei rechteckigen Halbleiterchips ergibt sich somit für die Diagonale des Halbleiterchips die Mindestlinsengröße, so dass möglichst wenig Totalreflexion am Übergang von Linse zu Luft auftritt beziehungsweise die To¬ talreflexion nahezu vollständig vermieden werden kann. Für Linsen mit einer elliptischen, rotationssymmetrischen Kontur wird die so berechnete Mindestlinsengröße für die gesamte
Linse gewählt, obwohl in Bereichen der Linse, die mit Berei¬ chen des Halbleiterchips außerhalb der Diagonale des Halb¬ leiterchips korrespondieren, eine kleinere Linsengröße aus¬ reichen würde, um Totalreflexion zu vermeiden. Dies führt herkömmlich zu verhältnismäßig großen Linsen in Bezug auf die Größe des Halbleiterchips.
Die Kontur 5 des Strahlformungselements 1 weist gemäß Ausfüh¬ rungsformen entlang der Mittelachsen al und a2 jeweils einen geringeren Durchmesser auf als entlang der Verbindung 9 zwischen dem Ellipsensegment d und dem gegenüberliegenden Ellipsensegment. Die Kontur 5 weicht von einer Kreisform ab. Die Verbindung 9 korrespondiert im Betrieb mit der Diagonale des Halbleiterchips. Somit ist die Größe des Strahlformungsele- ments bei vorgegebener Größe des Halbleiterchips im Vergleich zu herkömmlichen Linsen reduziert und dabei wird die Totalre¬ flexion ausreichen vermieden.
Figur 2 zeigt schematisch das Strahlformungselement 1 sowie ein Werkzeug 7 zum Greifen des Strahlformungselements 1 wäh¬ rend der automatischen Handhabung bei der Fertigung. Zudem ist gestrichelt ein in Bezug auf das Strahlformungselement verdrehtes Werkzeug 7a dargestellt. Das Werkzeug 7 ist in Bezug auf das Strahlformungselement op¬ timal ausgerichtet. Somit ist ein möglichst zerstörungsfreies Anheben und Transportieren des Strahlformungselements 1 durch das Werkzeug 7 gegeben. Das Werkzeug berührt den flachen Teil (Figuren 3A und 3B) des Strahlformungselements 1 außerhalb der Kontur 5.
Durch die Kontur 5, die die Kurve n beschreibt, ist auch ein zerstörungsfreies Greifen und Transportieren des Strahlformungselements 1 mit dem verdrehten Werkzeug 7 möglich.
Dadurch, dass die linearen Teile cl und c2 geneigt und nicht senkrecht zu den Mittelachsen al und a2 ausgerichtet sind, stößt das verdrehte Werkzeug 7a nicht gegen das Ellipsenseg- ment d oder andere Ecken der Kontur 5. Somit toleriert das
Strahlformungselement 1 eine Verdrehung des Werkzeuges 7 be¬ ziehungsweise 7a bei der automatischen Handhabung. Das
Strahlformungselement toleriert insbesondere eine Verdrehung des Werkzeugs 7 beziehungsweise 7a um einen Winkel, dessen Wert zwischen 0° und der Hälfte des Wertes des Winkels 6 liegt .
Gemäß dem gezeigten Beispiel wird ein rechteckiges Greifwerk¬ zeug 7 verwendet. Trotz der Verdrehung des Werkzeugs 7a be- rührt das GreifWerkzeug 7a den Linsenkörper also die Kontur 5 nicht und eine Beschädigung des Strahlformungselements 1 kann vermieden werden. Beispielsweise weist das Strahlformungsele¬ ment 1 eine Toleranz gegenüber der Verdrehung in Bezug auf das Werkzeug 7 von bis zu ± 10° auf.
In Figuren 3A und 3B ist ein Ausführungsbeispiel für das Strahlformungselement 1 gezeigt. Dabei zeigt Figur 3A eine schematische räumliche Darstellung und Figur 3B eine Drauf¬ sicht auf das Strahlformungselement 1.
Das Strahlformungselement wie in Figuren 3A und 3B darge- stellt, weist einen Winkel 6 von 20° auf, wie in der Figur 1 dargestellt. Die beiden Halbachsen des Ellipsensegments d weisen eine Wert von 0,3 mm auf.
In Figur 3B ist zudem ein Halbleiterchip dargestellt, der zur Erzeugung elektromagnetischer Strahlung geeignet ist. Das
Strahlformungselement 1 ist auf einer Hauptfläche des Halb¬ leiterchips angeordnet. Aus der Hauptfläche tritt im Betrieb ein Großteil der emittierten Strahlung aus. Das Halbleiterbauelement umfasst das Strahlformungselement 1 und den Halbleiterchip 8. Das Halbleiterbauelement ist ein optoelektronisches Bauelement, das die Umwandlung von
elektrisch erzeugten Daten oder Energie in Lichtemission ermöglicht oder umgekehrt. Der Halbleiterchip 8 ist ein opto- elektronischer Halbleiterchip, vorzugsweise ein strahlungse- mittierender Halbleiterchip. Das Halbleiterbauelement ist vorzugsweise ein optoelektronisches Bauelement, das die Um¬ wandlung von elektrisch erzeugten Daten oder Energie in
Lichtemission ermöglicht oder umgekehrt. Das Halbleiterbau- element weist zumindest einen optoelektronischen Halbleiterchip auf, vorzugsweise einen Strahlungsemittierenden Halbleiterchip. Der Halbleiterchip ist bevorzugt eine LED (Licht emittierende Diode) . Der Halbleiterchip weist einen Halbleiterschichtenstapel auf, in dem eine aktive Schicht enthalten ist. Die aktive Schicht ist insbesondere geeignet zur Erzeugung einer Strahlung einer ersten Wellenlänge. Hierzu enthält die aktive Schicht vor- zugsweise einen pn-Übergang, eine Doppelheterostruktur, eine Einfach-Quantentopfstruktur (SQW, Single Quantum Well) oder eine Mehrfach-Quantentopfstruktur (MQW, Multi Quantum Well) zur Strahlungserzeugung. Die Bezeichnungen Quantentopfstruk- tur entfaltet hierbei keine Bedeutung hinsichtlich der Dimen- sionalität der Quantisierung. Sie umfasst unter anderem Quan- tentröge, Quantendrähte und Quantenpunkte und jede Kombinati¬ on dieser Strukturen. Der Halbleiterschichtenstapel des Halbleiterchips enthält vorzugsweise ein I I I /V-Halbleitermaterial . III/V- Halbleitermaterialien sind zur Strahlungserzeugung im ultravioletten, über den sichtbaren bis in den infraroten Spektralbereich besonders geeignet.
Der Halbleiterchip weist eine quadratische äußere Kontur auf. Das Strahlformungselement 1 ermöglicht eine rotationssymmet¬ rische Abstrahlung der von dem Halbleiterchip emittierten elektromagnetischen Strahlung. Dabei wird die Reflexion in- nerhalb der Linse unterbunden beziehungsweise reduziert und dadurch die Auskoppeleffizienz erhöht. Zudem ist das Strahlformungselement 1 bei gleicher Auskoppeleffizienz kleiner als herkömmliche rotationssymmetrische Strahlformungselemen¬ te .
Theoretisch würde ein Strahlformungselement mit einer quadra¬ tischen Kontur die höchste Auskoppeleffizienz aufweisen. Diese Kontur würde jedoch eine geringe Toleranz gegenüber Verdrehungen des Werkzeugs bei der automatischen Handhabung wäh- rend der Fertigung bedeuten. Die Gefahr einer Beschädigung des Strahlformungselements während der Herstellung ist sehr groß. Daher würde eine quadratische Kontur nicht alle gefor¬ derten Anforderungen ausreichend gut erfüllen. Das Strahlformungselement 1 dessen Kontur die Kurve n be¬ schreibt weist sowohl eine hohe Auskoppeleffizienz auf, die nahe der Auskoppeleffizienz einer quadratischen Kontur liegt, und ist gleichzeitig besonders tolerant gegenüber Verdrehun¬ gen während der automatischen Handhabung bei der Fertigung.
Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele auf diese beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von
Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal o- der diese Kombination selbst nicht explizit in den Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist.

Claims

Patentansprüche
1. Optoelektronisches Bauelement, umfassend:
- mindestens einen Halbleiterchip, der zur Erzeugung elektro- magnetischer Strahlung geeignet ist,
- ein Strahlformungselement (1), durch das zumindest ein Teil der von dem Halbleiterchip im Betrieb emittierten elektromagnetischen Strahlung tritt und das eine optische Achse (2) aufweist, und das eine äußere Kontur (5) bezüglich eines zur optischen Achse (2) senkrechten Koordinatensystems (3, 4) aufweist, wobei die Kontur (5) eine Kurve (n) darstellt, die spiegelsymmetrisch zu beiden Mittelachsen (al, a2) einer von der Kontur einbeschriebenen Ellipse (e) ist, wobei in jedem der vier gleichen Abschnitte zwischen den jeweiligen Mittel- achsen (al, a2) aufeinanderfolgen: ein Ellipsensegment (bl), ein linearer Teil (cl), ein zweites Ellipsensegment (d) , ein weiterer linearer Teil (c2) und ein drittes Ellipsensegment (b2) .
2. Optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 1, bei dem das Ellipsensegment (bl) und das dritte Ellipsensegment (b2) ge¬ meinsam einen Winkel (6) einschließen, der größer als 0° und kleiner oder gleich 30° ist.
3. Optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 1 oder 2, bei dem das Verhältnis von linearer Teil (cl) zu weiterer linea¬ rer Teil (c2) dem Verhältnis von weiterer Mittelachse (a2) zu Mittelachse (al) entspricht.
4. Optoelektronisches Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 3, bei dem das zweite Ellipsensegment (d) eine erste und eine zweite Halbachse aufweist, wobei die Länge der ersten Halbachse größer oder gleich 0 und kleiner oder gleich 1/3 der Länge der Mittelachse (al) ist und die Länge der zweiten Halbachse größer oder gleich 0 und kleiner oder gleich 1/3 der Länge der weiteren Mittelachse (a2) ist.
5. Optoelektronisches Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 4, bei dem das zweites Ellipsensegment (d) eine Länge von 0,05 mm bis 0,5 mm aufweist.
6. Optoelektronisches Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 5, bei dem die Mittelachse (al) und die weitere Mittel¬ achse (a2) gleich lang sind.
7. Optoelektronisches Bauelement, umfassend:
- mindestens einen Halbleiterchip, der zur Erzeugung elektro- magnetischer Strahlung geeignet ist,
- ein Strahlformungselement (1), durch das zumindest ein Teil der von dem Halbleiterchip im Betrieb emittierten elektromagnetischen Strahlung tritt und das eine optische Achse (2) aufweist, und das eine äußere Kontur (5) bezüglich eines zur optischen Achse (2) senkrechten Koordinatensystems (3, 4) aufweist, die entlang einer Diagonale des Halbleiterchips von einer Kreisform abweicht, so dass das Strahlformungselement eine rotationssymmetrische Abstrahlcharakteristik aufweist.
PCT/EP2013/072185 2012-10-30 2013-10-23 Optoelektronisches bauelement WO2014067834A1 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US14/440,051 US9385286B2 (en) 2012-10-30 2013-10-23 Optoelectronic component

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102012110403.4 2012-10-30
DE102012110403.4A DE102012110403A1 (de) 2012-10-30 2012-10-30 Optoelektronisches Bauelement

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2014067834A1 true WO2014067834A1 (de) 2014-05-08

Family

ID=49485721

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/EP2013/072185 WO2014067834A1 (de) 2012-10-30 2013-10-23 Optoelektronisches bauelement

Country Status (3)

Country Link
US (1) US9385286B2 (de)
DE (1) DE102012110403A1 (de)
WO (1) WO2014067834A1 (de)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
USD826871S1 (en) * 2014-12-11 2018-08-28 Cree, Inc. Light emitting diode device

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6050707A (en) * 1996-06-14 2000-04-18 Stanley Electric Co., Ltd. Light emitting diode device
US20090040769A1 (en) * 2007-08-11 2009-02-12 Inteled Corporation Free-Form Lenses for Rectangular Illumination Zones
US20110063874A1 (en) * 2007-08-08 2011-03-17 Yasushi Yatsuda Projection lens for lighting equipment and lighting equipment using projection lens for lighting equipment
WO2012132872A1 (ja) * 2011-03-25 2012-10-04 ナルックス株式会社 照明装置

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5623181A (en) * 1995-03-23 1997-04-22 Iwasaki Electric Co., Ltd. Multi-layer type light emitting device
DE102006050880A1 (de) 2006-06-30 2008-04-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauteil und Beleuchtungseinrichtung
JP2008288410A (ja) * 2007-05-18 2008-11-27 Toshiba Corp 半導体発光装置およびその製造方法
TW201033537A (en) * 2009-03-13 2010-09-16 Genius Electronic Optical Co Ltd Lens for LED illumination
DE102009015313B4 (de) 2009-03-27 2022-02-24 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Anzeigeeinrichtung
DE102010027212A1 (de) * 2010-07-15 2012-01-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes Bauelement
US8866406B2 (en) * 2011-09-26 2014-10-21 Musco Corporation Lighting system having a multi-light source collimator and method of operating such

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6050707A (en) * 1996-06-14 2000-04-18 Stanley Electric Co., Ltd. Light emitting diode device
US20110063874A1 (en) * 2007-08-08 2011-03-17 Yasushi Yatsuda Projection lens for lighting equipment and lighting equipment using projection lens for lighting equipment
US20090040769A1 (en) * 2007-08-11 2009-02-12 Inteled Corporation Free-Form Lenses for Rectangular Illumination Zones
WO2012132872A1 (ja) * 2011-03-25 2012-10-04 ナルックス株式会社 照明装置

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
"Superellipse", WIKIPEDIA, 13 September 2006 (2006-09-13), pages 1 - 5, XP055097081, Retrieved from the Internet <URL:http://en.wikipedia.org/w/index.php?title=Special:Book&bookcmd=download&collection_id=4e18974e68db177d&writer=rl&return_to=Superellipse> [retrieved on 20140117] *

Also Published As

Publication number Publication date
US9385286B2 (en) 2016-07-05
DE102012110403A1 (de) 2014-04-30
US20150255691A1 (en) 2015-09-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP2534535B1 (de) Optoelektronisches halbleiterbauelement, beleuchtungseinrichtung und linse
DE102019121014A1 (de) Lichtemittierender diodenchip vom flip-chip-typ
DE202011110759U1 (de) Licht emittierender Dioden Chip
DE102010051286A1 (de) Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102005028748A1 (de) Elektromagnetische Strahlung emittierendes Halbleiterbauelement und Bauelementgehäuse
DE112011102506T5 (de) Lichtemittierende Diode mit verteiltem Bragg-Reflektor
DE10153321B4 (de) Leuchtdiode mit Bragg-Reflektor und Verfahren zur Herstellung derselben
DE10139723A1 (de) Strahlungsemittierender Chip und strahlungsemittierendes Bauelement
EP2067177A1 (de) Optoelektronisches bauelement
WO2014139797A1 (de) Optisches element und optoelektronisches bauelement mit optischem element
DE102017101769A1 (de) Verfahren zum herstellen einer optoelektronischen faser und optoelektronische faser
WO2014067834A1 (de) Optoelektronisches bauelement
DE102008003182A1 (de) Optoelektronisches Bauelement
WO2017157638A1 (de) Halbleiterlichtquelle
DE102006041460A1 (de) Strahlungsemittierender Halbleiterchip und Vorrichtung mit einem strahlungsemittierenden Halbleiterchip
DE102007029391A1 (de) Optoelektronischer Halbleiterchip
WO2023001469A1 (de) Optoelektronisches halbleiterelement und optoelektronisches bauelement
DE102020105021A1 (de) Optoelektronisches bauelement, verfahren zum herstellen eines optoelektronischen bauelements und optoelektronische anordnung
WO2017167664A1 (de) Konverter zur teilweisen konversion einer primärstrahlung und lichtemittierendes bauelement
DE102018107615A1 (de) Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips und optoelektronischer Halbleiterchip
WO2019234185A1 (de) Optoelektronisches halbleiterbauteil
WO2018162420A1 (de) Optoelektronisches halbleiterbauteil
DE10220333B4 (de) Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement mit einer Mehrzahl von Strukturelementen
WO2019224154A1 (de) Optoelektronischer halbleiterchip und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterchips
DE102021123818A1 (de) Strahlungsemittierendes halbleiterbauteil, verfahren zur auswahl eines dielektrischen schichtenstapels und verfahren zur auswahl eines konversionsmaterials

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 13782703

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 14440051

Country of ref document: US

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 13782703

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1