WO2014063974A1 - Träger für leuchtvorrichtung mit begrenzungsstruktur für auflagefläche - Google Patents

Träger für leuchtvorrichtung mit begrenzungsstruktur für auflagefläche Download PDF

Info

Publication number
WO2014063974A1
WO2014063974A1 PCT/EP2013/071664 EP2013071664W WO2014063974A1 WO 2014063974 A1 WO2014063974 A1 WO 2014063974A1 EP 2013071664 W EP2013071664 W EP 2013071664W WO 2014063974 A1 WO2014063974 A1 WO 2014063974A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
carrier
lighting device
delimiting
semiconductor light
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/EP2013/071664
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Gregory Bellynck
Stephan Blaszczak
Thomas Schiller
Markus Emmerl
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Osram GmbH
Original Assignee
Osram GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Osram GmbH filed Critical Osram GmbH
Publication of WO2014063974A1 publication Critical patent/WO2014063974A1/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00Package configurations
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10HINORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/01Manufacture or treatment
    • H10H20/036Manufacture or treatment of packages
    • H10H20/0362Manufacture or treatment of packages of encapsulations
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10HINORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80Constructional details
    • H10H20/85Packages
    • H10H20/852Encapsulations

Definitions

  • Lighting device which carrier at least one
  • LEDs Carrier applied light-emitting diodes
  • the overlay may be in the form of a separately made ring which is adhered to the backing.
  • the disadvantage here is that the carrier to after its preparation
  • Lighting device which carrier at least one
  • the delimiting structure is therefore not manufactured separately and subsequently connected to the carrier, but produced directly on the carrier or from the carrier. As a result, even flat boundary structures can be formed with high accuracy on the carrier. An independent handling of the boundary structure or sufficient
  • Stiffness is not required. As a result, thin, soft or even very brittle materials can be used for the delimiting structure.
  • the carrier is a carrier for a lighting device
  • the carrier is specially designed and provided for this purpose.
  • Semiconductor light source at least one light emitting diode.
  • a color may be monochrome (e.g., red, green, blue, etc.) or multichrome (e.g., white). This can also be done by the at least one
  • Light emitting diodes can produce a mixed light; e.g. a white mixed light.
  • the at least one light-emitting diode may contain at least one wavelength-converting phosphor
  • the phosphor can alternatively or additionally be arranged remotely from the light-emitting diode ("remote phosphor").
  • the at least one light-emitting diode can be in the form of at least one individually housed light-emitting diode or in the form of at least one LED chip.
  • LED chips can be mounted on a common substrate (“submount").
  • the at least one light emitting diode may be provided with at least one own and / or common optics for beam guidance be equipped, eg at least one Fresnel lens,
  • organic LEDs can generally also be used.
  • the at least one semiconductor light source may be e.g. have at least one diode laser.
  • the carrier may have one or more contact surfaces for at least one semiconductor light source. Multiple bearing surfaces can be selected from a respective
  • Boundary structure to be laterally surrounded.
  • a delimiting structure may also laterally delimit several bearing surfaces, e.g. by providing corresponding recesses. In the case of multiple bearing surfaces, these may have the same semiconductor light sources, or at least two
  • Support surfaces may have different semiconductor light sources or groups of semiconductor light sources.
  • different bearing surfaces each emit groups of white mixed light
  • Semiconductor light sources have.
  • the translucent filling compound may in particular a
  • the potting compound may be transparent or translucent (e.g., opaque or whitish).
  • the potting compound may be a (e.g., transparent) matrix material to which at least one additive may be added.
  • the matrix material may be, for example, silicone or epoxy resin.
  • the at least one additive may be for example
  • Diffuser particles, light-reflecting particles, color particles and / or phosphor particles for at least partial
  • Support surfaces like at least two bearing surfaces
  • a surface-processing method may, in particular, be understood as a method in which a
  • the carrier may be a forming base body (e.g., a solid metal body, in particular
  • Process is processed.
  • Circuits and other products is basically known. In this way, fine structures can be formed in a short time using well-known, well-controlled processes.
  • Photolithography in particular by means of an exposure, an image of a photomask on a photosensitive
  • Photoresist be transferred.
  • the photoresist may have been applied over a large area to the base body and thus form a carrier. Subsequently, the exposed areas of the photoresist are dissolved (alternatively, the resolution of the unexposed areas is possible if the
  • Photoresist cures under light). It is a development that the boundary structure is formed by means of the remaining photoresist. A bearing surface may then be present in particular at a recess in a layer of photoresist.
  • the removal of material may be carried out by a machining process. This is particularly advantageous if one is not as a layer
  • Limiting structure has a surrounding the support surface groove or a trench. Because it has been shown that
  • Filling material e.g. Silicone
  • the groove or the trench is in particular introduced into a main body of the carrier.
  • Limiting structure by means of forming or displacing, in particular by means of embossing or rolling, is formed, so the method is a forming process.
  • Layer application method is or comprises.
  • the delimiting structure then has the material introduced into the window (s).
  • the process is or comprises a positive coating application process.
  • the delimiting structure does not become a full-surface layer application and following
  • Such a method may be for example
  • Planographic printing process in particular screen printing, include, which is particularly easy to carry out.
  • the method may in particular include a doctor blade. To be used
  • metal pastes and metal inks For example, metal pastes and metal inks.
  • Aerosolj etten in particular Aerosolj etten, be. It likes that
  • Planographic printing already produce the positive boundary structure, e.g. by means of a suitable printing mask.
  • Lighting device and generating a delimiting structure which has a bearing surface for at least one
  • Semiconductor light source laterally limited to the carrier.

Landscapes

  • Non-Portable Lighting Devices Or Systems Thereof (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

Ein Träger (11) für eine Leuchtvorrichtung (10) weist mindestens eine Auflagefläche (13) für mindestens eine Halbleiterlichtquelle (14) auf, welche mindestens eine Auflagefläche (13) seitlich von einer Begrenzungsstruktur (16) für eine auf die Auflagefläche (13) aufzugebende Füllmasse (15) umgeben ist, wobei die Begrenzungsstruktur (16) eine mittels eines flächenbearbeitenden Verfahrens hergestellte Begrenzungsstruktur (16) ist. Eine Leuchtvorrichtung (10) weist einen Träger (11) mit mindestens einer Auflagefläche auf, wobei an der mindestens einen Auflagefläche mindestens eine Halbleiterlichtquelle (14) angeordnet ist und die mindestens eine Auflagefläche bis zu der Begrenzungsstruktur (16) mit einer Füllmasse (15) bedeckt ist, welche Füllmasse (15) die mindestens eine Halbleiterlichtquelle (14) bedeckt. Ein Verfahren dient zum Herstellen eines Trägers (11) und weist mindestens die folgenden Schritte auf: Bereitstellen eines Trägers (11) für eine Leuchtvorrichtung (10) und Erzeugen einer Begrenzungsstruktur (16), welche eine Auflagefläche (13) für mindestens eine Halbleiterlichtquelle (14) seitlich begrenzt, an dem Träger. Die Erfindung ist insbesondere anwendbar auf LED-Module.

Description

Beschreibung
Träger für Leuchtvorrichtung mit Begrenzungsstruktur für Auflägefläche
Die Erfindung betrifft einen Träger für eine
Leuchtvorrichtung, welcher Träger mindestens eine
Auflagefläche für mindestens eine Halbleiterlichtquelle aufweist und welche Auflagefläche seitlich von einer
Begrenzungsstruktur für eine auf die Auflagefläche
aufzugebende Füllmasse umgeben ist. Die Erfindung ist
insbesondere anwendbar auf LED-Module.
Es sind Leuchtmodule mit mehreren auf einem gemeinsamen
Träger aufgebrachten Leuchtdioden (LEDs) bekannt, welche LEDs von einer lichtdurchlässigen Vergussmasse bedeckt sind. Um einen von der Vergussmasse bedeckten, die LEDs aufweisenden Bereich definiert zu begrenzen, ist dieser Bereich bisher mittels einer separat hergestellten, auf den Träger
aufgebrachten Auflage umlaufend begrenzt. Die Auflage mag beispielsweise als ein separat hergestellter Ring vorliegen, welcher auf den Träger aufgeklebt wird. Nachteilig ist hierbei, dass der Träger, um nach seiner Herstellung
handhabbar zu sein (z.B. um selbsttragend zu sein) und um ohne Welligkeit auf den Träger aufgebracht werden zu können, eine vergleichsweise hohe Höhe aufweist.
Es ist die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, die Nachteile des Standes der Technik zumindest teilweise zu überwinden.
Diese Aufgabe wird gemäß den Merkmalen der unabhängigen
Ansprüche gelöst. Bevorzugte Ausführungsformen sind
insbesondere den abhängigen Ansprüchen entnehmbar. Die Aufgabe wird gelöst durch einen Träger für eine
Leuchtvorrichtung, welcher Träger mindestens eine
Auflagefläche für mindestens eine Halbleiterlichtquelle aufweist, welche mindestens eine Auflagefläche seitlich von einer Begrenzungsstruktur für eine auf die Auflagefläche aufzugebende Füllmasse umgeben ist, wobei die
Begrenzungsstruktur eine mittels eines flächenbearbeitenden Verfahrens hergestellte Begrenzungsstruktur ist.
Die Begrenzungsstruktur wird also nicht separat hergestellt und folgend mit dem Träger verbunden, sondern direkt an dem Träger oder aus dem Träger hergestellt. Dadurch können auch flache Begrenzungsstrukturen mit hoher Genauigkeit an dem Träger ausgebildet werden. Eine eigenständige Handhabbarkeit der Begrenzungsstruktur oder eine ausreichende
Eigensteifigkeit wird nicht vorausgesetzt. Dadurch können dünne, weiche oder auch sehr spröde Materialien für die Begrenzungsstruktur verwendet werden.
Dass der Träger ein Träger für eine Leuchtvorrichtung ist, mag insbesondere umfassen, dass der Träger speziell dafür ausgestaltet und vorgesehen ist. Bevorzugterweise umfasst die mindestens eine
Halbleiterlichtquelle mindestens eine Leuchtdiode. Bei
Vorliegen mehrerer Leuchtdioden können diese in der gleichen Farbe oder in verschiedenen Farben leuchten. Eine Farbe kann monochrom (z.B. rot, grün, blau usw.) oder multichrom (z.B. weiß) sein. Auch kann das von der mindestens einen
Leuchtdiode abgestrahlte Licht ein infrarotes Licht (IR-LED) oder ein ultraviolettes Licht (UV-LED) sein. Mehrere
Leuchtdioden können ein Mischlicht erzeugen; z.B. ein weißes Mischlicht. Die mindestens eine Leuchtdiode kann mindestens einen wellenlängenumwandelnden Leuchtstoff enthalten
(Konversions-LED) . Der Leuchtstoff kann alternativ oder zusätzlich entfernt von der Leuchtdiode angeordnet sein ("remote phosphor") . Die mindestens eine Leuchtdiode kann in Form mindestens einer einzeln gehäusten Leuchtdiode oder in Form mindestens eines LED-Chips vorliegen. Mehrere LED-Chips können auf einem gemeinsamen Substrat ("Submount") montiert sein. Die mindestens eine Leuchtdiode kann mit mindestens einer eigenen und/oder gemeinsamen Optik zur Strahlführung ausgerüstet sein, z.B. mindestens einer Fresnel-Linse,
Kollimator, und so weiter. Anstelle oder zusätzlich zu anorganischen Leuchtdioden, z.B. auf Basis von InGaN oder AlInGaP, sind allgemein auch organische LEDs (OLEDs, z.B. Polymer-OLEDs ) einsetzbar. Alternativ kann die mindestens eine Halbleiterlichtquelle z.B. mindestens einen Diodenlaser aufweisen .
Der Träger mag eine oder mehrere Auflageflächen für jeweils mindestens eine Halbleiterlichtquelle aufweisen. Mehrere Auflageflächen können von einer jeweiligen
Begrenzungsstruktur seitlich umgeben sein. Jedoch mag eine Begrenzungsstruktur auch mehrere Auflageflächen seitlich begrenzen, z.B. durch Vorsehen entsprechender Aussparungen. Für den Fall mehrerer Auflageflächen mögen diese die gleichen Halbleiterlichtquellen aufweisen, oder mindestens zwei
Auflageflächen mögen unterschiedliche Halbleiterlichtquellen oder Gruppen von Halbleiterlichtquellen aufweisen.
Beispielsweise können verschiedene Auflageflächen jeweils Gruppen von weißes Mischlicht ausstrahlenden
HalbleiterIichtquellen aufweisen .
Durch die Begrenzungsstruktur wird eine seitliche Grenze für die Füllmasse bereitgestellt, insbesondere analog einer Seitenwand einer Vergussform. Ein Boden kann insbesondere durch die Auflagefläche bereitgestellt werden.
Die lichtdurchlässige Füllmasse mag insbesondere eine
Vergussmasse sein. Die Vergussmasse mag transparent oder transluzent (z.B. opak oder weißlich) sein. Die Vergussmasse mag insbesondere ein (z.B. transparentes) Matrixmaterial sein, dem mindestens ein Additiv zugegeben sein kann. Das Matrixmaterial mag beispielsweise Silikon oder Epoxidharz sein. Das mindestens eine Additiv mag beispielsweise
Diffusorpartikel , lichtreflektierende Partikel, Farbpartikel und/oder Leuchtstoffpartikel zur zumindest teilweisen
Wellenlängenkonversion aufweisen. Für den Fall mehrerer „
Auflageflächen mögen zumindest zwei Auflageflächen
unterschiedliche Füllmassen aufweisen.
Unter einem flächenbearbeitenden Verfahren kann insbesondere ein Verfahren verstanden werden, bei welchem eine
vorbestimmte Fläche des Trägers zur Herstellung der
Begrenzungsstruktur bearbeitet wird.
Der Träger mag insbesondere einen formgebenden Grundkörper (z.B. einen Vollkörper aus Metall, insbesondere aus
Aluminium, Kunststoff und/oder Keramik, eine Platine usw.) aufweisen. Es ist eine Weiterbildung, dass der Träger
mindestens eine Schicht aufweist, welche mittels des
Verfahrens bearbeitet wird.
Es ist eine Ausgestaltung, dass die Begrenzungsstruktur eine materialabtragend hergestellte Begrenzungsstruktur ist. Dies ermöglicht eine besonders präzise Begrenzungsstruktur mit hoher Auflösung und erlaubt eine einfache Herstellung.
Mittels der Materialabtragung mag der Grundkörper und/oder mindestens eine auf dem Grundkörper aufgebrachte Schicht bearbeitet werden.
Es ist noch eine Ausgestaltung, dass das materialabtragende Verfahren ein fotolithographisches Verfahren ist oder
umfasst, welches beispielsweise aus der Halbleiter- und
Mikrosystemtechnik zur Herstellung von integrierten
Schaltungen und weiteren Produkten grundsätzlich bekannt ist. So können in kurzer Zeit mit bekannten, gut beherrschbaren Prozessen feine Strukturen gebildet werden. Bei der
Fotolithographie mag insbesondere mittels einer Belichtung ein Bild einer Fotomaske auf einen lichtempfindlichen
Fotolack übertragen werden. Der Fotolack mag beispielsweise großflächig auf den Grundkörper aufgebracht worden sein und so einen Träger bilden. Anschließend werden die belichteten Stellen des Fotolacks aufgelöst (alternativ ist auch die Auflösung der unbelichteten Stellen möglich, wenn der
Fotolack unter Licht aushärtet) . Es ist eine Weiterbildung, dass die Begrenzungsstruktur mittels des übrig gebliebenen Fotolacks gebildet wird. Eine Auflagefläche mag dann insbesondere an einer Aussparung in einer Schicht aus Fotolack vorliegen.
Alternativ oder zusätzlich mag der Materialabtrag durch ein spanabhebendes Verfahren durchgeführt werden. Dies ist insbesondere vorteilhaft, falls ein nicht als Schicht
vorliegendes Materialvolumen zu bearbeiten ist, z.B. der Grundkörper .
Es ist eine weitere Ausgestaltung, dass die
Begrenzungsstruktur eine die Auflagefläche umgebende Nut oder einen Graben aufweist. Denn es hat sich gezeigt, dass
Füllmasse, z.B. Silikon, auch an Gräben zum Stehen gebracht werden kann. Die Nut oder der Graben ist insbesondere in einen Grundkörper des Trägers eingebracht. Diese
Ausgestaltung ermöglicht besonders flache Träger.
Es ist außerdem eine Weiterbildung, dass die
Begrenzungsstruktur mittels Umformens oder Verdrängens, insbesondere mittels Prägens oder Walzens, gebildet wird, das Verfahren also ein Umformverfahren ist.
Es ist eine Weiterbildung, dass das Verfahren ein
Schichtaufbringungsverfahren ist oder umfasst.
Beispielsweise mag dem Schichtaufbringungsverfahren ein photolithographisches Verfahren vorangehen oder ein solches sein, bei dem im Anschluss an eine Bildung einer Maske aus Fotolack Material in offene Fenster in dem Fotolack
eingebracht wird und folgend die Maske entfernt wird. Die Begrenzungsstruktur weist dann das in das oder die Fenster eingebrachte Material auf.
Es ist eine Weiterbildung davon, dass das Verfahren ein positives Schichtaufbringungsverfahren ist oder umfasst. Dabei wird die Begrenzungsstruktur insbesondere nicht durch eine vollflächige Schichtaufbringung und folgenden
Materialabtrag, sondern durch eine direkte Aufbringung mindestens einer Schicht in der gewünschten Form
(Positivform) erreicht.
Ein solches Verfahren mag beispielsweise ein
Flachdruckverfahren, insbesondere Siebdruck, umfassen, welches besonders einfach durchführbar ist. Das Verfahren mag insbesondere ein Rakeln umfassen. Zum Einsatz kommen
beispielsweise Metallpasten und Metalltinten.
Das Verfahren mag aber auch ein Jettingverfahren,
insbesondere Aerosolj etten, sein. Dabei mag das
Flachdruckverfahren bereits die positive Begrenzungsstruktur erzeugen, z.B. mittels einer geeigneten Druckmaske.
Alternativ mag eine Schicht oder ein Schichtstapel
großflächig aufgebracht werden und die Begrenzungsstruktur aus der aufgebrachten Schicht oder Schichtstapel z.B.
chemisch oder galvanisch herausgebildet werden.
Es ist eine allgemeine Ausgestaltung, dass die
Begrenzungsstruktur eine Schichtstruktur ist. Die
Begrenzungsstruktur mag dabei eine Schicht oder mehrere
Schichten aufweisen. Durch die Schichten können vielfältige Materialeigenschaften mit feinen Strukturen kombiniert werden. Auch ist so eine besonders feste Verbindung zu einem Grundkörper möglich. Die Dicke einer Schicht mag insbesondere 100 Mikrometer nicht überschreiten. Es ist ferner eine Ausgestaltung, dass die
Begrenzungsstruktur einen die Auflagefläche umgebenden, aus mindestens einer Schicht herausgearbeiteten Ring aufweist oder ein solcher ist. Es ist eine alternative Weiterbildung, dass die
Begrenzungsstruktur mehrere Aussparungen aufweist, welche an den Auflageflächen positioniert sind. Es ist noch eine Ausgestaltung, dass die Begrenzungsstruktur eine zu der Auflagefläche unterschiedliche, für die Füllmasse abweisendere Oberfläche aufweist. Dadurch kann eine
Ausbreitung der Füllmasse effektiv gestoppt werden.
Es ist eine Weiterbildung, dass die Begrenzungsstruktur eine Oberfläche aufweist, welche ein anderes Material aufweist als die Oberfläche der Auflagefläche, z.B. eine metallische
Oberfläche oder eine Oberfläche aus einem anderen Metall.
Es ist noch eine Weiterbildung, dass die Begrenzungsstruktur eine mikroskopisch anders geformte Oberfläche aufweist als die Oberfläche der Auflagefläche, z.B. eine andere Rauhigkeit aufweist oder eine Oberflächenstruktur, welche einen Lotos- Effekt in Bezug auf die Füllmasse zeigt.
Diese unterschiedliche Oberfläche mag als zusätzliche bzw. eigenständige Schicht vorliegen bzw. aufgebracht worden sein oder durch Oberflächenbehandlung (z.B. Aufrauung) einer bestehenden Schicht erzeugt worden sein.
Die Aufgabe wird gelöst durch eine Leuchtvorrichtung, aufweisend mindestens einen Träger wie oben beschrieben.
Diese Leuchtvorrichtung weist die gleichen Vorteile auf wie der Träger und kann analog ausgestaltet werden.
Die Leuchtvorrichtung mag eine Lampe, eine Leuchte oder ein Leuchtmodul sein, insbesondere ein LED-Modul. Die Leuchtvorrichtung kann insbesondere mit mindestens einer Auflagefläche ausgerüstet sein, wobei an der mindestens einen Auflagefläche mindestens eine Halbleiterlichtquelle
angeordnet ist und die mindestens eine Auflagefläche bis zu der Begrenzungsstruktur mit einer Füllmasse bedeckt ist, welche Füllmasse die mindestens eine Halbleiterlichtquelle bedeckt . Die Aufgabe wird auch gelöst durch ein Verfahren zum
Herstellen eines Trägers, insbesondere wie oben ausgeführt, wobei das Verfahren mindestens die folgenden Schritte
aufweist: Bereitstellen eines Trägers für eine
Leuchtvorrichtung; und Erzeugen einer Begrenzungsstruktur, welche eine Auflagefläche für mindestens eine
Halbleiterlichtquelle seitlich begrenzt, an dem Träger.
Die Begrenzungsstruktur wird also nicht separat hergestellt und dann mit dem Träger verbunden, sondern durch
Materialbearbeitung des Trägers und/oder durch formbildende (also nicht vorgeformte) Materialaufbringung auf den Träger hergestellt . Es ist eine Ausgestaltung, dass der Schritt des Erzeugens einer Begrenzungsstruktur das Erzeugen der
Begrenzungsstruktur mittels einer Schichtauftragung auf den Träger umfasst. Es ist eine alternative oder zusätzliche Ausgestaltung, dass der Schritt des Erzeugens der Begrenzungsstruktur das
Erzeugen der Begrenzungsstruktur mittels einer
Materialabtragung am Träger umfasst. Es ist ferner eine alternative oder zusätzliche
Ausgestaltung, dass der Schritt des Erzeugens einer
Begrenzungsstruktur das Erzeugen der Begrenzungsstruktur mittels einer Oberflächenbehandlung umfasst. Die oben beschriebenen Eigenschaften, Merkmale und Vorteile dieser Erfindung sowie die Art und Weise, wie diese erreicht werden, werden klarer und deutlicher verständlich im
Zusammenhang mit der folgenden schematischen Beschreibung von Ausführungsbeispielen, die im Zusammenhang mit den
Zeichnungen näher erläutert werden. Dabei können zur
Übersichtlichkeit gleiche oder gleichwirkende Elemente mit gleichen Bezugszeichen versehen sein. Fig.1 zeigt als Schnittdarstellung in Seitenansicht eine Leuchtvorrichtung gemäß einem ersten
Ausführungsbeispiel ;
Fig.2 zeigt als Schnittdarstellung in Seitenansicht eine
Leuchtvorrichtung gemäß einem zweiten
Ausführungsbeispiel; und
Fig.3 zeigt als Schnittdarstellung in Seitenansicht eine
Leuchtvorrichtung gemäß einem dritten
Ausführungsbeispiel; und
Fig.4 zeigt als Schnittdarstellung in Seitenansicht eine
Leuchtvorrichtung gemäß einem vierten
Ausführungsbeispiel .
Fig.l zeigt als Schnittdarstellung in Seitenansicht eine Leuchtvorrichtung in Form eines LED-Moduls 10 gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel.
Das LED-Modul 10 weist einen Träger 11 mit einem
plattenförmigen Grundkörper 12 auf, z.B. einen metallischen Körper, z.B. aus Aluminium, oder eine Platine, z.B.
Metallkernplatine. Der Grundkörper 12 weist an seiner
Vorderseite eine Auflagefläche 13 auf, auf welcher mehrere Leuchtdioden 14, z.B. LED-Chips, aufgebracht und verdrahtet (o.Abb.) sind. Die Leuchtdioden 14 sind von einer Füllmasse in Form einer Vergussmasse 15, z.B. Silikon, bedeckt.
Die Auflagefläche 13 ist seitlich umlaufend von einer
Begrenzungsstruktur in Form einer Schicht 16 aus
beispielsweise Fotolack, welche Schicht 16 eine Aussparung 17 an dem Ort der Auflagefläche 13 aufweist. Die Schicht weist eine Dicke von maximal einhundert Mikrometern auf, z.B. von zwanzig bis fünfzig Mikrometern, was geringer ist als die Höhe der Leuchtdioden 14 und damit auch der Vergussmasse 15. Dennoch reicht die Schicht 16 aus, die Vergussmasse 15 innerhalb der Auflagefläche 13 zu halten.
Die Aussparung 17 kann beispielsweise durch einen
fotolithographischen Materialabtrag eines zuvor auch dort vorhandenen Bereichs der Schicht 16 erzeugt worden sein. Die Schicht 16 kann aber auch durch eine (positive)
Schichtaufbringung außerhalb der Aussparung 17 erzeugt worden sein, z.B. durch ein Flachdruckverfahren.
Fig.2 zeigt als Schnittdarstellung in Seitenansicht eine Leuchtvorrichtung 20 gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel. Die Leuchtvorrichtung 20 unterscheidet sich von der
Leuchtvorrichtung 10 dadurch, dass bei dem zugehörigen Träger 21 die Begrenzungsstruktur in Form einer ringförmigen Schicht 22 vorliegt, z.B. aus Metall. Die Schicht 22 kann
beispielsweise mittels eines fotolithographischen Verfahrens, eines Druckverfahrens oder eines Jettingverfahrens,
insbesondere Aerosolj ettens , auf den Grundkörper 12
aufgebracht werden. Die ringförmige Schicht 22 ist auch hier nicht höher als einhundert Mikrometer.
Fig.3 zeigt als Schnittdarstellung in Seitenansicht eine Leuchtvorrichtung 30 mit einem Träger 31 gemäß einem dritten Ausführungsbeispiel. Die Leuchtvorrichtung 30 unterscheidet sich von den Leuchtvorrichtungen 10 oder 20 dadurch, dass die Begrenzungsstruktur nun keine auf den Grundkörper 12 des Trägers 31 aufgebrachte Schicht oder Schichtstapel ist, sondern eine durch Materialabtragung, z.B. Mikrospanen oder Ätzen, in die Vorderseite des Grundkörpers 12 eingebrachte, ringnutartige Aussparung oder Graben 32. Auch der Graben 32 ist in der Lage, eine Ausbreitung der Vergussmasse 15 zu verhindern . Fig.4 zeigt als Schnittdarstellung in Seitenansicht eine
Leuchtvorrichtung 40 gemäß einem vierten Ausführungsbeispiel. Hier wird ein Träger 41 mit einer Begrenzungsstruktur 42 eingesetzt, welche eine für die Vergussmasse 15 abweisendere Oberfläche 43 aufweist als die Auflagefläche 13, z.B. durch Aufrauung oder Herstellung einer den Lotos-Effekt zeigenden Oberflächenstruktur. Diese Oberfläche 43 kann beispielsweise durch eine Oberflächenbehandlung der Vorderseite des Grundkörpers 12 erzeugt worden sein, alternativ durch eine Schichtaufbringung .
Obwohl die Erfindung im Detail durch die gezeigten
Ausführungsbeispiele näher illustriert und beschrieben wurde, so ist die Erfindung nicht darauf eingeschränkt und andere Variationen können vom Fachmann hieraus abgeleitet werden, ohne den Schutzumfang der Erfindung zu verlassen. So mag die Begrenzungsstruktur zumindest lokal auch mehr als eine Schicht aufweisen, also insbesondere als ein
Schichtstapel ausgebildet sein.
Allgemein kann unter "ein", "eine" usw. eine Einzahl oder eine Mehrzahl verstanden werden, insbesondere im Sinne von "mindestens ein" oder "ein oder mehrere" usw., solange dies nicht explizit ausgeschlossen ist, z.B. durch den Ausdruck "genau ein" usw. Auch kann eine Zahlenangabe genau die angegebene Zahl als auch einen üblichen Toleranzbereich umfassen, solange dies nicht explizit ausgeschlossen ist.
Bezugs zeichenliste
10 Leuchtvorrichtung
11 Träger
12 Grundkörper
13 Auflagefläche
14 Leuchtdiode
15 Vergussmasse
16 Schicht
17 Aussparung
20 Leuchtvorrichtung
21 Träger
22 Schicht
30 Leuchtvorrichtung
31 Träger
32 Graben
40 Leuchtvorrichtung
41 Träger
42 Begrenzungsstruktur
43 Oberfläche

Claims

Patentansprüche
1. Träger (11; 21; 31; 41) für eine Leuchtvorrichtung (10;
20; 30; 40),
- welcher Träger (11; 21; 31; 41) mindestens eine
Auflagefläche (13) für mindestens eine
Halbleiterlichtquelle (14) aufweist,
- welche mindestens eine Auflagefläche (13) seitlich von einer Begrenzungsstruktur (16; 22, 32; 43) für eine auf die Auflagefläche (13) aufzugebende Füllmasse (15) umgeben ist,
wobei
- die Begrenzungsstruktur (16; 22, 32; 43) eine mittels eines flächenbearbeitenden Verfahrens hergestellte Begrenzungsstruktur (16; 22, 32; 43) ist.
2. Träger (11; 31) nach Anspruch 1, wobei die
Begrenzungsstruktur (16; 32) eine materialabtragend oder materialumformend hergestellte Begrenzungsstruktur (16; 32) ist.
3. Träger (11) nach Anspruch 2, wobei das Verfahren ein
lithographisches oder ein chemisches Verfahren ist.
4. Träger (11; 21) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Begrenzungsstruktur (16; 22) eine
Schichtstruktur ist.
5. Träger (21) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Begrenzungsstruktur einen die Auflagefläche (13) umgebenden, schichtartigen Ring (22) aufweist.
6. Träger (31) nach einem der Ansprüche 2 bis 5, wobei die Begrenzungsstruktur eine die Auflagefläche (13)
umgebende Nut (32) aufweist.
7. Träger (41) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die die Begrenzungsstruktur (42) eine zu der Auflagefläche (13) unterschiedliche, für die Füllmasse (15) abweisendere Oberfläche (43) aufweist.
Leuchtvorrichtung (10; 20; 30; 40), aufweisend einen Träger (11; 21; 31; 41) nach einem der vorhergehenden Ansprüche mit mindestens einer Auflagefläche (13), wobei
- an der mindestens einen Auflagefläche (13) mindestens eine Halbleiterlichtquelle (14) angeordnet ist und
- die mindestens eine Auflagefläche (13) bis zu der
Begrenzungsstruktur (16; 22, 32; 43) mit einer
Füllmasse (15) bedeckt ist, welche Füllmasse (15) die mindestens eine Halbleiterlichtquelle (14) bedeckt.
Verfahren zum Herstellen eines Trägers (11; 21; 31; 41) nach einem der Ansprüche 1 bis 7, wobei das Verfahren mindestens die folgenden Schritte aufweist:
- Bereitstellen eines Trägers (11; 21; 31; 41) für eine Leuchtvorrichtung (10; 20; 30; 40);
- Erzeugen einer Begrenzungsstruktur (16; 22, 32; 43), welche eine Auflagefläche (13) für mindestens eine Halbleiterlichtquelle (14) seitlich begrenzt, an dem Träger (11; 21; 31; 41) .
Verfahren nach Anspruch 9, wobei der Schritt des
Erzeugens der Begrenzungsstruktur (16; 22) das Erzeugen der Begrenzungsstruktur (16; 22) mittels einer
Schichtauftragung auf den Träger (11; 21) umfasst.
Verfahren nach einem der Ansprüche 9 oder 10, wobei der Schritt des Erzeugens einer Begrenzungsstruktur (16; 22, 32) das Erzeugen der Begrenzungsstruktur (16; 22, 32) mittels einer Materialabtragung und/oder einer
Materialverdrängung an dem Träger (11; 21; 31) umfasst.
Verfahren nach einem der Ansprüche 9 bis 11, wobei der Schritt des Erzeugens einer Begrenzungsstruktur (43) das Erzeugen der Begrenzungsstruktur (43) mittels einer Oberflächenbehandlung umfasst.
PCT/EP2013/071664 2012-10-24 2013-10-16 Träger für leuchtvorrichtung mit begrenzungsstruktur für auflagefläche Ceased WO2014063974A1 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102012219461.4A DE102012219461A1 (de) 2012-10-24 2012-10-24 Träger für leuchtvorrichtung mit begrenzungsstruktur für auflagefläche
DE102012219461.4 2012-10-24

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2014063974A1 true WO2014063974A1 (de) 2014-05-01

Family

ID=49382423

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/EP2013/071664 Ceased WO2014063974A1 (de) 2012-10-24 2013-10-16 Träger für leuchtvorrichtung mit begrenzungsstruktur für auflagefläche

Country Status (2)

Country Link
DE (1) DE102012219461A1 (de)
WO (1) WO2014063974A1 (de)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1659641A1 (de) * 2004-11-23 2006-05-24 Centro Ricerche Plast-Optica S.r.l. Leuchtdiode und deren Herstellung
DE102009031008A1 (de) * 2009-06-29 2010-12-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauteil
DE102010031945A1 (de) * 2010-07-22 2012-01-26 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements
US20120049222A1 (en) * 2010-08-25 2012-03-01 Yoshizumi Nobuyuki Light-emitting device and method for manufacturing light-emitting device

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7365371B2 (en) * 2005-08-04 2008-04-29 Cree, Inc. Packages for semiconductor light emitting devices utilizing dispensed encapsulants

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1659641A1 (de) * 2004-11-23 2006-05-24 Centro Ricerche Plast-Optica S.r.l. Leuchtdiode und deren Herstellung
DE102009031008A1 (de) * 2009-06-29 2010-12-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauteil
DE102010031945A1 (de) * 2010-07-22 2012-01-26 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements
US20120049222A1 (en) * 2010-08-25 2012-03-01 Yoshizumi Nobuyuki Light-emitting device and method for manufacturing light-emitting device

Also Published As

Publication number Publication date
DE102012219461A1 (de) 2014-04-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102012106859B4 (de) Verfahren zur Herstellung eines mehrfarbigen LED-Displays
EP2382673B1 (de) Optoelektronisches halbleiterbauteil und verfahren zu seiner herstellung
EP2605895B1 (de) Verfahren zur herstellung eines schichtverbunds aus einer lumineszenzkonversionsschicht und einer streuschicht
DE102011102350A1 (de) Optisches Element, optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung dieser
DE102012212963A1 (de) Optoelektronisches Halbleiterbauteil
EP2845233B1 (de) Led-modul
DE102014109717A1 (de) Substrat, Licht emittierende Vorrichtung, Beleuchtungslichtquelle und Leuchteinrichtung
DE102016116000A1 (de) Lichtemittierende Vorrichtung und Beleuchtungsvorrichtung
WO2005100016A2 (de) Lichtemittierendes paneel und optisch wirksame folie
DE102020103287A1 (de) Anordnung von Mikro-Leuchtdioden und deren Herstellverfahren
WO2016023709A1 (de) Beleuchtungsvorrichtung und verfahren zum herstellen einer solchen
DE112017002405B4 (de) Optische Anordnung, Verfahren zur Herstellung einer optischen Anordnung und Anzeigegerät
DE102014113844B4 (de) Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements und optoelektronisches Bauelement
DE102013211634A1 (de) Verfahren zum Herstellen eines Konversionselements
DE102014108362B4 (de) Verfahren zur Herstellung mehrerer optoelektronischer Bauelemente und optoelektronisches Bauelement
DE112016002926B4 (de) Optoelektronische Leuchtvorrichtung
WO2015007737A1 (de) Leuchtvorrichtung mit halbleiterlichtquellen und umlaufendem damm
DE102015112556A1 (de) Videowand-Modul und Verfahren zu dessen Herstellung
DE112018000428T5 (de) Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Elements
DE102013108876A1 (de) Fotolithografisches Verfahren zur Herstellung einer Struktur in einem Strahlung emittierenden Halbleiterbauelement
DE102016124873B4 (de) Weißlichtquelle und Verfahren zur Herstellung einer Weißlichtquelle
WO2014063974A1 (de) Träger für leuchtvorrichtung mit begrenzungsstruktur für auflagefläche
DE102013209369A1 (de) Leuchtvorrichtung mit auf lichtemittierender Oberfläche aufliegender Konversionsschicht
EP2630668B1 (de) Verfahren zur herstellung eines konversionsplättchens
DE102010047156A1 (de) Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 13777283

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 13777283

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1