WO2014056550A1 - Photocathode semi-transparente à taux d'absorption amélioré - Google Patents

Photocathode semi-transparente à taux d'absorption amélioré Download PDF

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WO2014056550A1
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photocathode
layer
diffraction grating
support layer
light emitting
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PCT/EP2012/070313
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Gert NÜTZEL
Pascal Lavoute
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Photonis France
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    • H01J40/16—Photoelectric discharge tubes not involving the ionisation of a gas having photo- emissive cathode, e.g. alkaline photoelectric cell
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
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    • H01J43/00—Secondary-emission tubes; Electron-multiplier tubes
    • H01J43/02—Tubes in which one or a few electrodes are secondary-electron emitting electrodes

Definitions

  • the present invention relates to the general field of semi-transparent photocathodes, and more specifically to that of semi-transparent photocathodes of antimony and alkali metal type, or silver oxide (AgOCs), frequently used in radiation detectors.
  • electromagnetic such as, for example, image intensifier tubes and photomultiplier tubes.
  • Electromagnetic radiation detectors such as, for example, image intensifier tubes and photomultiplier tubes, detect electromagnetic radiation by converting it into a light or electrical output signal.
  • Such a photocathode 1 usually comprises a transparent support layer 10 and a layer 20 of a photoemissive material deposited on a face 12 of said support layer.
  • the support layer 10 comprises a front face 11, said receiving, intended to receive the incident photons, and an opposite rear face 12.
  • the support layer 10 is transparent vis-à-vis the incident photons, and therefore has a transmittance close to the unit.
  • the light emitting layer 20 has an upstream face 21 in contact with the rear face 12 of the support layer 10, and an opposite downstream face 22, called the emission face, from which the generated photoelectrons are emitted.
  • the photons pass through the support layer 10 from the reception face 11, then penetrate into the light emitting layer 20.
  • the electrons generated move to the emission face 22 of the light emitting layer 20 and are emitted in a vacuum.
  • the vacuum is indeed made inside the detector so that the displacement of the electrons is not disturbed by the presence of gas molecules.
  • the photoelectrons are then directed and accelerated to an electron multiplier device such as a microchannel slab or a set of dynodes.
  • the yield of the photocathode, called quantum efficiency, is conventionally defined as the ratio of the number of photoelectrons emitted to the number of incident photons received.
  • the quantum yield is of the order of 15% for a wavelength of 500 nm.
  • the quantum yield depends more precisely on the three main stages, mentioned above, of the phenomenon of photoemission: the absorption of the incident photon and the formation of an electron - hole pair; transporting the generated electron to the emitting face of the light emitting layer; and the emission of the electron in a vacuum.
  • Each of these three steps has a clean performance, the product of the three yields defining the quantum yield of the photocathode.
  • the yield is s step absorption is an increasing function of the thickness of the light-emitting layer.
  • the thicker the photoemissive layer the greater the ratio of the number of photons absorbed to the number of incident photons. Photons that have not been absorbed are transmitted through the light emitting layer.
  • the efficiency s t of the transport phase that is to say the ratio between the electrons reaching the emission face on the electrons generated, is a decreasing function of the thickness of the light emitting layer. The greater the thickness of the layer, the lower the efficiency e t . Indeed, the electrons generated will be all the more likely to recombine with holes that the distance to travel is large.
  • the optimum thickness of the light emitting layer is usually between 50 and 200 nm.
  • FIG. 2 illustrates, for such a light emitting layer, the evolution of the absorption rate s a as a function of the wavelength of the incident photons, as well as the reflection rates ⁇ '' of the incident and transmission photons ⁇ ' of these through the photoemissive layer.
  • one solution may be to increase the thickness of said layer.
  • the increase in the thickness of the light emitting layer although improving the absorption rate, does not lead to an increase in quantum efficiency, especially at long wavelengths, since the transport rate is degraded.
  • the main object of the invention is to provide a semi - transparent photocathode photon detector comprising a light - emitting layer having a high incident photon absorption rate and a preserved electron transport rate.
  • the subject of the invention is a semitransparent photocathode for a photon detector, comprising: a transparent support layer having a front face for receiving said photons and an opposite rear face, and
  • a light emitting layer disposed opposite said rear face and having an opposite emission face intended to receive said photons from said support layer and to emit in response photoelectrons from said emission face.
  • said photocathode comprises a transmission diffraction grating capable of diffracting said photons, disposed in the support layer and situated at the level of said rear face.
  • Photocathode called semi-transparent means a photocathode whose photoelectrons are emitted from an emission face opposite to the incident photon receiving face. It differs from so-called opaque photocathodes for which electrons are emitted from the photon receiving face.
  • the support layer is said to be transparent insofar as it allows the transmission of incident photons.
  • the transmittance of the support layer, or ratio of the photons transmitted on the received photons, is therefore close to or equal to unity.
  • the incident photons penetrate into the support layer through the so-called reception front surface and pass through it to the opposite rear face.
  • angles of incidence, diffraction and refraction of the photons are measured relative to the normal to the considered face.
  • the angles of incidence and diffraction mentioned above are defined with respect to the normal to the rear face of the support layer at which the diffraction grating is arranged.
  • the average apparent thickness for the photons is eE (l /
  • the absorption rate of the light emitting layer is then higher than that of the photocathode according to the prior art mentioned above, insofar as it is an increasing function of the thickness, here of the apparent thickness, of the layer. emitting.
  • the transport rate is then preserved insofar as it does not depend on the apparent thickness of the photoemissive layer seen by the photons, but the actual thickness of it. Indeed, when the photons generate electron-hole pairs, the electrons generated move to the emission face regardless of the propagation direction of the photons.
  • the photocathode according to the invention has a high rate of photon absorption and a preserved electron transport rate.
  • Said diffraction grating is advantageously etched in the rear face of the support layer.
  • Said diffraction grating is preferably arranged so as to delimit at least part of the rear face of the support layer.
  • Said diffraction grating is preferably formed of a periodic arrangement of patterns filled with a material having an optical index different from the material of the support layer.
  • Patterns are understood to mean indentations, or notches, or recesses or notches, or scratches having a sinusoidal, scale-shaped, trapezoidal shape, practiced in the support layer.
  • the difference between the optical indices of the material of the diffraction grating present in said patterns on the one hand and the material of the support layer on the other hand is greater than or equal to 0.2.
  • the pitch of the grating and / or the material of the diffraction grating are chosen so that the photons are diffracted in the photoemissive layer with a diffraction angle strictly greater than
  • the photocathode comprises at least one additional diffraction grating capable of diffracting said photons, located in the support layer and disposed near said first diffraction grating, formed by a periodic arrangement of patterns filled with a material having an optical index different from the material of the support layer.
  • the diffraction gratings are oriented in distinct directions, and spaced apart from each other by a negligible distance from the average thickness of the support layer. This distance is approximately one tenth to ten times the wavelength considered.
  • the periodic arrangement of patterns of the at least one additional diffraction grating may be shifted in a direction orthogonal to the direction of thickness of the support layer relative to the arrangement of said first diffraction grating.
  • the diffraction grating and the additional diffraction grating are arranged in the same plane.
  • the photoemissive layer may comprise antimony and at least one alkali metal.
  • a light emitting layer may be made of a material selected from SbNaKCs, SbNa 2 KCs, SbNaK, SbKCs, SbRbKCs or SbRbCs.
  • the photoemissive layer may be formed of AgOCs.
  • the photoemissive layer preferably has a substantially constant thickness.
  • the photoemissive layer preferably has a thickness of less than or equal to 300 nm.
  • the invention also relates to an optical photon detection system having a photocathode according to any one of the preceding features, and an output device for transmitting an output signal in response to the photoelectrons emitted by said photocathode.
  • Such an optical system may be an image intensifier tube or a photomultiplier tube.
  • Figure 1 already described, is a schematic cross-sectional view of a photocathode according to an example of the prior art
  • Figure 2 already described, illustrates an example of changes in absorption, transmission and of reflection according to the wavelength of a light emitting layer 140nm thick of a type S25 photocathode according to an example of the prior art
  • - Figure 3 is a schematic cross sectional view of the photocathode according to a first preferred embodiment of the invention
  • Fig. 4 is an enlarged schematic cross-sectional view of a portion of the photocathode illustrated in Fig. 3;
  • FIG. 5 illustrates an example of the evolution of the quantum yield as a function of the wavelength for a photocathode according to the prior art and for a photocathode according to the first preferred embodiment of the invention
  • FIG. 6 is a schematic cross-sectional view of the photocathode according to another preferred embodiment of the invention, in which the diffracted photons are totally reflected at the emission layer of the photocathode;
  • Fig. 7 is a schematic cross-sectional view of the photocathode according to another preferred embodiment of the invention, wherein the photocathode comprises two diffraction gratings.
  • Figures 3 and 4 illustrate a photocathode 1 semi-transparent according to a first preferred embodiment of the invention.
  • the photocathode 1 according to the invention can equip any type of photon detector, such as, for example, an image intensifier tube or an electron multiplier tube.
  • the function of the photocathode is to receive a stream of incident photons and to emit electrons, called photoelectrons, in response.
  • It comprises a transparent support layer 10, a layer 20 of a photoemissive material and, according to the invention, at least one diffraction grating 30 capable of diffracting the incident photons.
  • the support layer 10 is a layer of a transparent material on which the photoemissive layer 20 is deposited.
  • the transmittance of the support layer 10 is therefore substantially equal to unity.
  • At least one transmission diffraction grating 30 is disposed in the support layer 10 at said rear face 12.
  • a single diffraction grating 30 is provided.
  • the diffraction grating 30 is formed of a periodic arrangement of patterns 31 filled with a material having an optical index different from the material of the support layer 10.
  • patterns are meant indentations, notches, recesses, notches or scratches, having a sinusoidal, scale, trapezoidal or other shape, practiced in the support layer.
  • the difference between the optical indices of the material of the diffraction grating 30 present in said patterns 31 on the one hand and the material of the support layer 10 on the other hand is greater than or equal to 0.2.
  • the diffraction grating 30 is notably characterized by the distance, called grating pitch, between two neighboring patterns 31.
  • the pitch of the grating is defined according to the wavelength of the incident photons, so as to be able to diffract them.
  • the diffraction grating 30 can be arranged in the support layer 10 at the rear face 12, thus delimiting at least part of the rear face 12.
  • the diffraction grating may be disposed inside the support layer and located in the immediate vicinity of the rear face, at a distance thereof negligible relative to the thickness of the support layer.
  • the rear face 12 of the support layer 10 is substantially flat. However, it can be curved in the case of a photocathode itself having a defined curvature.
  • the diffraction grating 30 is located in the support layer 10, so that the material filling the patterns 31 of the network does not project out of said patterns.
  • the material filling the patterns 31 may, in a variant, form a layer between the rear face 12 of the support layer and the light emitting layer 20.
  • the light emitting layer 20 is disposed against the rear face 12 of the support layer 10.
  • the light emitting layer 20 has a substantially constant average thickness, denoted e.
  • the thickness is preferably less than or equal to 300 nm.
  • the light emitting layer 20 is made of a suitable semiconductor material, preferably an alkaline antimony compound.
  • a suitable semiconductor material preferably an alkaline antimony compound.
  • Such an alkaline material may be selected from SbNaKCs, SbNa 2 KCs, SbNaK, SbKCs, SbRbKCs or SbRbCs.
  • the light emitting layer 20 may also be formed of AgOCs silver oxide.
  • the emission face 22 can be treated with hydrogen, cesium or cesium oxide to reduce its electronic affinity.
  • the photoelectrons which reach the downstream face 22 of emission of the light emitting layer 20 can be extracted naturally and thus be emitted in a vacuum.
  • An electrode (not shown) forming an electron reservoir is in contact with the light emitting layer 20 and is brought to an electric potential.
  • It can be arranged against a lateral face of the light emitting layer 20, so as not to diminish or disrupt the emission of electrons from the downstream face 22 of emission.
  • the electron reservoir allows the recombination of the holes generated by the incident photons.
  • the overall electrical charge of the light emitting layer 20 remains substantially constant.
  • the photoemissive layer 20 is sufficiently thin so that the electrons generated move naturally to the emission face 22.
  • Photons enter the photocathode 1 through the front face 11 of receiving the support layer 10.
  • the angular distribution of the diffracted beam is therefore more spread than that of the incident beam.
  • the electrons see a light emitting layer 20 of apparent average thickness: where e is the actual thickness of the layer and max is
  • the apparent average thickness e d of the light emitting layer is substantially greater than its real thickness e, ie the average distance traveled by the photons in the layer is substantially greater than in the interior art.
  • Electrons generated propagate in the photoemissive layer 20 to the downstream face 22 of emission where they are emitted in a vacuum.
  • the transport rate of the light emitting layer 20 is substantially equal to that of a photocathode according to the prior art. that is, without a diffraction grating. The transport rate is thus preserved.
  • the photocathode 1 according to the invention thus has a high absorption rate and a preserved transport rate, which leads to optimized quantum efficiency, especially for energies close to the photoemission threshold.
  • the photocathode 1 according to the invention can be performed as follows.
  • the support layer 10 is made of a suitable transparent material, for example quartz or borosilicate glass.
  • the patterns 31 of the diffraction grating 30 are etched in the support layer 10 at the rear face 12 by known etching techniques, such as, for example, holography and / or ion etching and even etching techniques. by diamond.
  • the patterns 31 are then filled with a diffraction material whose optical index is different from that of the support layer, such as, for example,
  • This material can be deposited by known techniques of physical vapor deposition, such as, for example, sputtering (sputtering), evaporation, or EBPVD electron beam vapor deposition ( electron beam physical vapor deposition, in English).
  • physical vapor deposition such as, for example, sputtering (sputtering), evaporation, or EBPVD electron beam vapor deposition ( electron beam physical vapor deposition, in English).
  • the known techniques of chemical vapor deposition such as, for example, atomic layer deposition (ALD)
  • ALD atomic layer deposition
  • hybrid such as, for example, the reactive sputtering and ion beam assisted deposition (IBAD).
  • the rear face 12 is polished so as to remove any surplus of diffraction material projecting from the patterns 31 of the diffraction grating 30.
  • the rear face is polished without being flush with the rear face.
  • a uniform layer of diffraction material remains present on the rear face 22, in continuity with the patterns.
  • a thin diffusion barrier may then be deposited to prevent any migration / chemical interaction between the material of the light emitting layer and the material of the diffraction grating.
  • the thickness of the diffusion barrier is chosen sufficiently thin (less than ⁇ / 4 and preferably of the order of A / 10).
  • the photoemissive layer 20 is then deposited by one of the deposition techniques mentioned above.
  • a type S25 photocathode 1 according to the first preferred embodiment of the invention may be implemented in the following manner.
  • the support layer 10 is made of quartz.
  • the diffraction grating 30 is etched in the support layer 10 at the rear face 12 in the form of a periodic arrangement of grooves 31 parallel to each other.
  • the grooves 31 have a width of 341 nm and a depth of 362 nm.
  • the pitch of the grating, that is to say the distance separating two parallel and parallel grooves 31, is 795 nm.
  • the grooves 31 are filled for example with Ti0 2 , whose optical index is between 2.3 and 2.6.
  • TiO 2 can be deposited by the known Atomic Layer Deposition (ALD) technique.
  • ALD Atomic Layer Deposition
  • a step of polishing the rear face 12 is performed to remove any surplus of diffraction material projecting from the grooves 31.
  • the rear face 12 is substantially flat, and delimited in part by the material (quartz) of the support layer 10 and partly by the material (Ti0 2 ) for diffraction of the grooves 31 of the diffraction grating 30.
  • the photoemissive layer 20 is finally made of
  • SbNaK or SbNa 2 KCs is deposited on the back side 12 of the support layer 10 so as to have a thickness of 50 to 240 nm substantially constant.
  • FIG. 5 illustrates the evolution of the quantum efficiency as a function of the wavelength of the incident photons, for such a photocathode on the one hand and for a photocathode according to the example of the prior art previously described on the other hand.
  • the quantum efficiency is improved over the entire wavelength range, and more particularly at long wavelengths.
  • the quantum yield of the photocathode according to the invention is of the order of 18%, whereas it is of the order of 10% in the case of a photocathode without a diffraction grating. which gives an improvement of nearly 80% in quantum efficiency.
  • FIG. 6 illustrates a photocathode according to a second embodiment of the invention.
  • the diffraction grating 30 is advantageously sized so that the average diffraction angle has d (given the distribution More precisely, the pitch p of the grating and / or V optical index of the diffractive material filling the patterns 31 are chosen so that the average diffraction angle a d is strictly greater than
  • these reflected photons remain localized in the photoemissive layer 20 until they are absorbed and the electron-hole pair generation.
  • the quantum yield of the photocathode is therefore further improved, in particular for photons of energy close to the photoemission threshold.
  • FIG. 7 illustrates a photocathode, seen from above, according to a third embodiment of the invention, in which two diffraction gratings 30, 40 are present in the support layer 10 at the rear face 12.
  • the photocathode differs from the first preferred embodiment only in the presence of an additional diffraction grating 40 in the support layer 10.
  • additional network 40 is disposed near the first diffraction grating 30, upstream of it according to the direction of propagation of the photons.
  • the two networks 30, 40 are oriented in different directions, preferably orthogonal, and are remote I e from each other a significant distance relative to the thickness of the support layer, for example by a distance of the order of t / 10 to 10A.
  • the additional network 40 is not the same as the first diffraction grating 30 previously described.
  • the first diffraction grating and the additional grating are made in the same plane in a two-dimensional pattern whose transmission function is the product of the respective transmission functions of the first network and the additional network.
  • the two-dimensional pattern can be obtained by holographic techniques.
  • the angular distribution is more spread out than in the first embodiment and the apparent thickness of the light emitting layer 20 for photons is larger, which improves the rate of absorption.
  • this embodiment is not limited to two diffraction gratings. A greater number of diffraction gratings of different directions may be present in the backing layer at the back.
  • the photocathode described above can be integrated into an optical photon detection system.
  • an optical system comprises an output device adapted to convert the photoelectrons into an electrical signal.
  • This output device may comprise a CCD matrix, the optical system being known by the acronym EB-CCD (Electron Bombarded CCD).
  • the output device may comprise a CMOS matrix on thinned and passivated substrate, the optical system then being known by the acronym EBCMOS (Electron Bombarded CMOS).

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Abstract

L' invention concerne une photocathode (1) semi-transparente pour détecteur de photons présentant un taux d' absorption augmenté pour un taux de transport préservé. Selon l'invention, la photocathode (1) comporte un réseau de diffraction (30) en transmission apte à diffracter lesdits photons et disposé dans la couche support (10) sur laquelle est déposée la couche photoémissive (20).

Description

PHOTOCATHODE SEMI -TRANSPARENTE
À TAUX D'ABSORPTION AMÉLIORÉ
DESCRIPTION
DOMAINE TECHNIQUE
La présente invention se rapporte au domaine général des photocathodes semi- transparentes , et plus précisément, à celui des photocathodes semi- transparentes de type à antimoine et métal alcalin, ou à oxyde d'argent (AgOCs), fréquemment utilisées dans les détecteurs de rayonnement électromagnétique, tels que, par exemple, les tubes intensificateurs d'image et les tubes photomultiplicateurs.
ETAT DE LA TECHNIQUE ANTERIEURE
Les détecteurs de rayonnement électromagnétique, tels que, par exemple, les tubes intensificateurs d' image et les tubes photomultiplicateurs, permettent de détecter un rayonnement électromagnétique en le convertissant en un signal de sortie lumineux ou électrique.
Ils comportent habituellement une photocathode pour recevoir le rayonnement électromagnétique et émettre en réponse un flux de photoélectrons, un dispositif multiplicateur d' électrons pour recevoir ledit flux de photoélectrons et émettre en réponse un flux d'électrons dits secondaires, puis un dispositif de sortie pour recevoir ledit flux d' électrons secondaires et émettre en réponse le signal de sortie. Comme le montre la figure 1, une telle photocathode 1 comprend habituellement une couche support 10 transparente et une couche 20 d' un matériau photoémissif déposée sur une face 12 de ladite couche support .
La couche support 10 comporte une face avant 11, dite de réception, destinée à recevoir les photons incidents, et une face arrière 12 opposée. La couche support 10 est transparente vis-à-vis des photons incidents, et présente donc une transmittance proche de l' unité .
La couche photoémissive 20 présente une face amont 21 en contact avec la face arrière 12 de la couche support 10, et une face aval 22 opposée, dite face d' émission, de laquelle sont émis les photoélectrons générés .
Ainsi, les photons traversent la couche support 10 à partir de la face de réception 11, puis pénètrent dans la couche photoémissive 20.
Ils sont ensuite absorbés dans la couche photoémissive 20 et y génèrent des paires électrons- trous. Les électrons générés se déplacent jusqu'à la face d' émission 22 de la couche photoémissive 20 et sont émis dans le vide. Le vide est en effet réalisé à 1' intérieur du détecteur pour que le déplacement des électrons ne soit pas perturbé par la présence de molécules de gaz .
Les photoélectrons sont ensuite dirigés et accélérés vers un dispositif multiplicateur d' électrons tel qu' une galette de microcanaux ou un ensemble de dynodes . Le rendement de la photocathode, dit rendement quantique, est classiquement défini comme le rapport du nombre de photoélectrons émis sur le nombre de photons incidents reçus.
II dépend notamment de la longueur d' onde des photons incidents et de l' épaisseur de la couche photoémissive .
A titre illustratif, pour une photocathode de type S25, le rendement quantique est de l' ordre de 15% pour une longueur d' onde de 500nm.
Le rendement quantique dépend plus précisément des trois étapes principales, mentionnées précédemment, du phénomène de photoémission : l' absorption du photon incident et la formation d' une paire électron- trou ; le transport de l'électron généré jusqu'à la face d' émission de la couche photoémissive ; et l' émission de l'électron dans le vide.
Chacune de ces trois étapes présente un rendement propre, le produit des trois rendements définissant le rendement quantique de la photocathode.
Cependant, les rendements des étapes d' absorption et de transport sont directement dépendants de l'épaisseur de la couche photoémissive.
Ainsi, le rendement sa de l'étape d' absorption est une fonction croissante de l' épaisseur de la couche photoémissive. Plus la couche photoémissive est épaisse, plus le rapport du nombre de photons absorbés sur le nombre de photons incidents est important. Les photons qui n' auront pas été absorbés sont transmis au travers de la couche photoémissive. Par contre, le rendement st de la phase de transport, c' est-à-dire le rapport entre les électrons atteignant la face d' émission sur les électrons générés, est une fonction décroissante de l'épaisseur de la couche photoémissive . Plus l'épaisseur de la couche est importante, plus le rendement et est faible. En effet, les électrons générés auront d' autant plus de chance de se recombiner avec des trous que la distance à parcourir est grande.
Aussi, il existe une épaisseur optimale qui maximise le produit du taux d' absorption sa avec le taux de transport st, et donc le rendement quantique.
A titre illustratif, pour la photocathode de type S25 fréquemment utilisée dans les tubes intensificateurs d' image, l' épaisseur optimale de la couche photoémissive, réalisée en SbNaK ou SbNa2KCs, est habituellement entre 50 et 200 nm.
La figure 2 illustre, pour une telle couche photoémissive, l' évolution du taux d' absorption sa en fonction de la longueur d'onde des photons incidents, ainsi que les taux de réflexion ε' ' des photons incidents et de transmission ε' de ceux-ci au travers de la couche photoémissive.
Il apparaît que, pour les grandes longueurs d' onde, notamment les longueurs d' onde proches du seuil de photoémission, le taux d' absorption sa diminue fortement alors que le taux de transmission ε' augmente.
Ainsi, pour les photons incidents de 800μπι de longueur d' onde, seuls 40% d' entre eux sont absorbés alors que 60% sont transmis au travers de la couche photoémissive . Pour diminuer le taux de transmission de la couche photoémissive au profit du taux d' absorption dans le but d' augmenter le rendement quantigue, notamment aux grandes longueurs d' onde, une solution peut consister à augmenter l' épaisseur de ladite couche.
Ainsi, augmenter l' épaisseur à 280nm de la couche photoémissive mentionnée précédemment conduit, pour la longueur d' onde de 800pm, à un taux d' absorption de 64%, au lieu de 40%, et à un taux de transmission diminué à 36%.
Cependant, cela entraîne une forte diminution du taux de transport dans la mesure où les électrons générés ont davantage de distance à parcourir jusqu' à la face d' émission de la couche photoémissive, et donc davantage de chances de se recombiner.
Aussi, l' augmentation de l' épaisseur de la couche photoémissive, bien gu' améliorant le taux d' absorption, ne conduit pas à une augmentation du rendement quantique, notamment aux grandes longueurs d' onde, puisque le taux de transport est dégradé.
EXPOSÉ DE L ' INVENTION
L' invention a principalement pour but de présenter une photocathode semi- transparente pour détecteur de photons, comportant une couche photoémissive présentant un taux d' absorption des photons incidents élevé et un taux de transport des électrons préservé.
Pour ce faire, l' invention a pour objet une photocathode semi- transparente pour détecteur de photons, comportant : - une couche support transparente présentant une face avant pour recevoir lesdits photons et une face arrière opposée, et
- une couche photoémissive disposée contre ladite face arrière et présentant une face d' émission opposée, destinée à recevoir lesdits photons à partir de ladite couche support et à émettre en réponse des photoélectrons à partir de ladite face d'émission.
Selon l' invention, ladite photocathode comporte un réseau de diffraction en transmission apte à diffracter lesdits photons, disposé dans la couche support et situé au niveau de ladite face arrière.
Par photocathode dite semi- transparente , on entend une photocathode dont les photoélectrons sont émis à partir d' une face d' émission opposée à la face de réception des photons incidents. Elle se distingue des photocathodes dites opaques pour lesquelles les électrons sont émis à partir de la face de réception des photons.
La couche support est dite transparente dans la mesure où elle permet la transmission des photons incidents. La transmittance de la couche support, ou rapport des photons transmis sur les photons reçus, est donc proche ou égale à l'unité.
Ainsi, les photons incidents pénètrent dans la couche support par la face avant dite de réception et la traversent jusqu'à la face arrière opposée.
Ils sont alors diffractés par le réseau de diffraction en direction de la couche photoémissive. Ils pénètrent dans la couche photoémissive avec un angle de diffraction sensiblement différent de l' angle d' incidence .
Par définition, les angles d' incidence, de diffraction et de réfraction des photons sont mesurés par rapport à la normale à la face considérée. Ainsi, les angles d' incidence et de diffraction mentionnés précédemment sont définis par rapport à la normale à la face arrière de la couche support au niveau de laquelle est disposé le réseau de diffraction.
Lorsqu' un photon arrive sur le réseau de diffraction avec un angle d' incidence sensiblement nul, il pénètre dans la couche photoémissive avec un angle de diffraction non nul. De manière générale, pour une distribution donnée de l' angle d' incidence, on observe une distribution sensiblement plus étalée de l' angle de diffraction.
Ainsi, pour une épaisseur de la couche photoémissive, notée e et mesurée suivant la direction d'épaisseur de celle-ci, l'épaisseur apparente moyenne pour les photons est e.E(l/|cosarf|) où ad est l' angle de diffraction des photons et E(.) désigne la moyenne prise sur la distribution angulaire de l' angle de diffraction des photons .
Le taux d' absorption de la couche photoémissive est alors plus élevé que celui de la photocathode selon 1' art antérieur mentionnée précédemment, dans la mesure où il est une fonction croissante de l' épaisseur, ici de l'épaisseur apparente, de la couche photoémissive.
De plus, le taux de transport est alors préservé dans la mesure où il ne dépend pas de l' épaisseur apparente de la couche photoémissive vue par les photons, mais de l'épaisseur réelle de celle-ci. En effet, lorsque les photons génèrent des paires électrons- trous , les électrons générés se déplacent usqu' à la face d' émission indépendamment du sens de propagation préalable des photons.
Ainsi, la photocathode selon l' invention présente un taux élevé d' absorption des photons et un taux de transport des électrons préservé.
Cela permet d' améliorer le rendement quantique de la photocathode.
Il est à noter que le rendement quantique pour les grandes longueurs d' onde, donc proche du seuil de photoémission, est significativement augmenté, dans la mesure où les photons avec de telles longueurs d' onde avaient tendance, selon l' exemple de l' art antérieur cité précédemment, à être davantage transmis qu' absorbés .
Ledit réseau de diffraction est avantageusement gravé dans la face arrière de la couche support .
Ledit réseau de diffraction est, de préférence, disposé de manière à délimiter au moins en partie la face arrière de la couche support .
Ledit réseau de diffraction est, de préférence, formé d' un arrangement périodique de motifs remplis d' un matériau présentant un indice optique différent du matériau de la couche support .
Par motifs, on entend des échancrures, ou entailles, ou êvidements ou encoches, ou rayures présentant une forme sinusoïdale, à échelle, trapézoïdale, pratiqués dans la couche support.
De préférence, la différence entre les indices optiques du matériau du réseau de diffraction présent dans lesdits motifs d' une part et du matériau de la couche support d' autre part est supérieure ou égale à 0,2.
Avantageusement, le pas du réseau et/ou le matériau du réseau de diffraction sont choisis de sorte que les photons sont diffractés dans la couche photoémissive avec un angle de diffraction strictement supérieur à
Figure imgf000010_0001
Selon un autre mode de réalisation, la photocathode comprend au moins un réseau de diffraction supplémentaire apte à diffracter lesdits photons, situé dans la couche support et disposé à proximité dudit premier réseau de diffraction, formé d' un arrangement périodique de motifs remplis d' un matériau présentant un indice optique différent du matériau de la couche support .
Les réseaux de diffraction sont orientés selon des directions distinctes, et distants les uns des autres d' une distance négligeable par rapport à l' épaisseur moyenne de la couche support. Cette distance est environ d' un dixième à dix fois la longueur d' onde considérée .
L' arrangement périodique de motifs dudit au moins un réseau de diffraction supplémentaire peut être décalé suivant une direction orthogonale à la direction d' épaisseur de la couche support par rapport à l'arrangement dudit premier réseau de diffraction.
Alternativement, le réseau de diffraction et le réseau de diffraction supplémentaire sont disposés dans le même plan.
La couche photoémissive peut comprendre de 1' antimoine et au moins un métal alcalin. Une telle couche photoémissive peut être réalisée en un matériau choisi parmi SbNaKCs , SbNa2KCs, SbNaK, SbKCs, SbRbKCs ou SbRbCs .
Alternativement, la couche photoémissive peut être formée d'AgOCs.
La couche photoémissive présente, de préférence, une épaisseur sensiblement constante.
La couche photoémissive présente, de préférence, une épaisseur inférieure ou égale à 300nm.
L' invention porte également sur un système optique de détection de photons comportant une photocathode selon l' une quelconque des caractéristiques précédentes, et un dispositif de sortie pour émettre un signal de sortie en réponse aux photoélectrons émis par ladite photocathode.
Un tel système optique peut être un tube intensificateur d'image ou un tube photomultiplicateur.
D' autres avantages et caractéristiques de 1' invention apparaîtront dans la description détaillée non limitative ci-dessous.
BRÈVE DESCRIPTION DES DESSINS
On décrira à présent, à titre d' exemples non limitatifs, des modes de réalisation de l'invention, en se référant aux dessins annexés, dans lesquels :
La figure 1, déjà décrite, est une vue schématique en coupe transversale d' une photocathode selon un exemple de l' art antérieur ;
La figure 2, déjà décrite, illustre un exemple d' évolution des taux d' absorption, de transmission et de réflexion en fonction de la longueur d' onde d' une couche photoémissive de 140nm d' épaisseur d' une photocathode du type S25 selon un exemple de l' art antérieur ,- La figure 3 est une vue schématique en coupe transversale de la photocathode selon un premier mode de réalisation préféré de l' invention ;
La figure 4 est une vue schématique en coupe transversale agrandie d' une partie de la photocathode illustrée sur la figure 3 ;
La figure 5 illustre un exemple d' évolution du rendement quantique en fonction de la longueur d' onde pour une photocathode selon l' art antérieur et pour une photocathode selon le premier mode de réalisation préféré de l' invention ;
La figure 6 est une vue schématique en coupe transversale de la photocathode selon un autre mode de réalisation préféré de l' invention, dans lequel les photons diffractés sont réfléchis totalement au niveau de la couche d' émission de la photocathode ; et
La figure 7 est une vue schématique en coupe transversale de la photocathode selon un autre mode de réalisation préféré de l' invention, dans lequel la photocathode comprend deux réseaux de diffraction.
EXPOSÉ DÉTAILLÉ D ' UN MODE DE RÉALISATION PRÉFÉRÉ
Les figures 3 et 4 illustrent une photocathode 1 semi- transparente selon un premier mode de réalisation préféré de l'invention.
II est à noter que les échelles ne sont pas respectées, pour privilégier la clarté du dessin. La photocathode 1 selon l' invention peut équiper tout type de détecteur de photons, tel que, par exemple, un tube intensificateur d' image ou un tube multiplicateur d'électrons.
La photocathode a pour fonction de recevoir un flux de photons incidents et d' émettre en réponse des électrons, dits photoélectrons.
Elle comprend une couche support 10 transparente, une couche 20 d' un matériau photoémissif et, selon l' invention, au moins un réseau de diffraction 30 apte à diffracter les photons incidents.
La couche support 10 est une couche d' un matériau transparent sur laquelle est déposée la couche photoémissive 20.
Elle est dite transparente dans la mesure où les photons incidents la traversent sans être absorbés. La transmittance de la couche support 10 est donc sensiblement égale à l'unité.
Elle comporte une face avant 11, dite face de réception des photons, et une face arrière 12 opposée.
Au moins un réseau de diffraction 30 en transmission est disposé dans la couche support 10 au niveau de ladite face arrière 12.
Dans le mode de réalisation préféré de l' invention illustré sur les figures 3 et 4, un unique réseau de diffraction 30 est prévu.
Le réseau de diffraction 30 est formé d' un arrangement périodique de motifs 31 remplis d' un matériau présentant un indice optique différent du matériau de la couche support 10. Par motifs, on entend des échancrures, entailles, évidements, encoches ou rayures, présentant une forme sinusoïdale, à échelle, trapézoïdale ou autre, pratiqués dans la couche support.
La différence entre les indices optiques du matériau du réseau de diffraction 30 présent dans lesdits motifs 31 d' une part et du matériau de la couche support 10 d' autre part est supérieure ou égale à 0,2.
Le réseau de diffraction 30 est notamment caractérisé par la distance, appelée pas du réseau, entre deux motifs 31 voisins. Le pas du réseau est défini en fonction de la longueur d' onde des photons incidents, de manière à pouvoir les diffracter.
Comme le montre en détail la figure 4, le réseau de diffraction 30 peut être disposé dans la couche support 10 au niveau de la face arrière 12, délimitant ainsi au moins en partie la face arrière 12.
Alternativement, le réseau de diffraction peut être disposé à l' intérieur la couche support et situé à proximité immédiate de la face arrière, à une distance de celle-ci négligeable par rapport à l' épaisseur de la couche support .
Il est à noter que la face arrière 12 de la couche support 10 est sensiblement plane. Elle peut cependant être courbe dans le cas d' une photocathode présentant elle-même une courbure définie.
Sur la Fig. 4, le réseau de diffraction 30 est localisé dans la couche support 10, de sorte que le matériau remplissant les motifs 31 du réseau ne fait pas saillie hors desdits motifs. Toutefois, comme nous le verrons lors de la réalisation de la photocathode, le matériau remplissant les motifs 31 peut, selon une variante, former une couche entre la face arrière 12 de la couche support et la couche photoémissive 20.
La couche photoémissive 20 est disposée contre la face arrière 12 de la couche support 10.
Elle présente une face amont 21, en contact avec la face arrière 12 de la couche support 10, et une face aval 22 opposée, dite face d' émission des photoélectrons .
La couche photoémissive 20 présente une épaisseur moyenne sensiblement constante, notée e. L'épaisseur est de préférence inférieure ou égale à 300nm.
La couche photoémissive 20 est réalisée en un matériau semi-conducteur adapté, de préférence un composé alcalin à base d'antimoine. Un tel matériau alcalin peut être choisi parmi SbNaKCs , SbNa2KCs , SbNaK, SbKCs, SbRbKCs ou SbRbCs . La couche photoémissive 20 peut également être formée en oxyde d' argent AgOCs .
La face d' émission 22 peut être traitée à 1' hydrogène, au césium ou à l' oxyde de césium pour diminuer son affinité électronique. Ainsi, les photoélectrons qui atteignent la face aval 22 d' émission de la couche photoémissive 20 peuvent s' en extraire naturellement et être ainsi émis dans le vide.
Une électrode (non représentée) , formant réservoir d'électrons, est au contact de la couche photoémissive 20 et est portée à un potentiel électrique.
Elle peut être disposée contre une face latérale de la couche photoémissive 20, pour ne pas diminuer ou perturber l' émission des électrons à partir de la face aval 22 d'émission.
Le réservoir d' électrons permet la recombinaison des trous générés par les photons incidents. Ainsi, la charge électrique globale de la couche photoémissive 20 reste sensiblement constante.
Il est à noter que la couche photoémissive 20 est suffisamment mince pour que les électrons générés se déplacent naturellement jusqu'à la face d'émission 22.
II n' est donc pas nécessaire de générer un champ électrique dans la couche photoémissive 20 pour assurer le transport des électrons jusqu'à la face d'émission.
La génération d' un tel champ électrique nécessiterait en effet de déposer deux électrodes de polarisation, 1' une contre la face amont 21 de la couche photoémissive 20 et l' autre contre la face aval 22 d' émission.
Le fonctionnement de la photocathode selon l'invention est décrit ci-après.
Des photons pénètrent dans la photocathode 1 par la face avant 11 de réception de la couche support 10.
Ils traversent la couche support 10 jusqu'à la face arrière 12 de celle-ci.
Ils sont ensuite diffractés par le réseau de diffraction 30 et transmis dans la couche photoémissive 20. Ils présentent statistiquement un angle de diffraction sensiblement supérieur, en valeur absolue, à l' angle d' incidence, les angles d' incidence et de diffraction sont définis par rapport à la normale à la face arrière 12. Plus précisément, si l'on note a = a. l'angle d' incidence sur le réseau, la distribution angulaire du faisceau incident, ad l'angle de diffraction, la distribution angulaire du faisceau diffracté peut s' écrire :
F(a)=Π ® f()« f(a+ θ)+ f(cc- Θ) où Π est la figure de diffraction du réseau et l' approximation est faite en se limitant au premier ordre de diffraction avec Θ= λ1ρ où p est le pas du réseau .
La distribution angulaire du faisceau diffracté est par conséquent plus étalée que celle du faisceau incident. Les électrons voient une couche photoémissive 20 d' épaisseur moyenne apparente :
Figure imgf000017_0001
où e est l' épaisseur réelle de la couche et max est
1' angle d' incidence maximal sur le réseau.
L' épaisseur moyenne apparente ed de la couche photoémissive est sensiblement supérieure à son épaisseur réelle e, autrement dit la distance moyenne parcourue par les photons dans la couche est sensiblement plus importante que dans l'art intérieur.
Il en résulte qu' un pourcentage plus élevé des photons diffractés est absorbé.
L' absorption des photons diffractés entraîne la génération de paires électrons- trous . Les électrons générés se propagent dans la couche photoémissive 20 jusqu' à la face aval 22 d' émission où ils sont émis dans le vide .
Dans la mesure où le transport des électrons dans la couche photoémissive 20 est indépendant de la direction de propagation préalable des photons, le taux de transport de la couche photoémissive 20 est sensiblement égal à celui d' une photocathode selon 1' art antérieur, c' est-à-dire sans réseau de diffraction. Le taux de transport est ainsi préservé.
La photocathode 1 selon l' invention présente ainsi un taux d' absorption élevé et un taux de transport préservé, ce qui conduit à un rendement quantique optimisé, notamment pour les énergies proches du seuil de photoémission.
La photocathode 1 selon l' invention peut être réalisée comme suit.
La couche support 10 est réalisée en un matériau transparent adapté, par exemple en quartz ou en verre borosilicate .
Les motifs 31 du réseau de diffraction 30 sont gravés dans la couche support 10 au niveau de la face arrière 12 par des techniques connues de gravure, telles que, par exemple, les techniques d' holographie et/ou de décapage ionique, voire de gravure par diamant .
Les motifs 31 sont ensuite remplis par un matériau de diffraction dont l' indice optique est différent de celui de la couche support, comme, par exemple, de
1' A1203 (n~l,7), du Ti02 (n~2,3-2,6) ou du Ta205 (n~2,2), voire du Hf02. Ce matériau peut être déposé par des techniques connues de dépôt physique en phase vapeur, telles que, par exemple, la pulvérisation cathodique (sputtering, en anglais), l' évaporation, ou le dépôt physique en phase vapeur à faisceau d'électrons EBPVD (électron beam physical vapour déposition, en anglais) . Les techniques connues de dépôt chimique en phase vapeur, telles que, par exemple, le dépôt en couche atomique ALD {atomic layer déposition, en anglais) peuvent également être utilisées, ainsi que les techniques connues dites hybrides, telles que, par exemple, la pulvérisation réactive et le dépôt assisté par faisceau d'ions (IBAD pour ion beam assisted déposition, en anglais) .
Selon une première variante avantageuse, illustrée en Fig. 4, la face arrière 12 est polie de manière à enlever tout surplus de matériau de diffraction faisant saillie hors des motifs 31 du réseau de diffraction 30.
Selon une seconde variante, non représentée, la face arrière est polie sans pour autant affleurer au niveau de la face arrière. Il en résulte qu'une couche uniforme de matériau de diffraction reste présente sur la face arrière 22, en continuité avec les motifs.
Quelle que soit la variante, une fine barrière de diffusion peut être ensuite déposée pour prévenir toute migration/interaction chimique entre le matériau de la couche photoémissive et le matériau du réseau de diffraction. L'épaisseur de la barrière de diffusion est choisie suffisamment mince (moins de λ/4 et de préférence de l' ordre de A/10) . Dans tous les cas, la couche photoémissive 20 est ensuite déposée par l' une des techniques de dépôt précédemment mentionnées . A titre illustratif, une photocathode 1 de type S25 selon le premier mode de réalisation préféré de l' invention peut être réalisée de la manière suivante.
La couche support 10 est réalisée en quartz.
Le réseau de diffraction 30 est gravé dans la couche support 10 au niveau de la face arrière 12, sous forme d' un arrangement périodique de rainures 31 parallèles les unes aux autres.
Les rainures 31 présentent une largeur de 341nm et une profondeur de 362nm. Le pas du réseau, c' est-à-dire la distance séparant deux rainures 31 voisines et parallèles, est de 795nm.
Les rainures 31 sont remplies par exemple de Ti02, dont l'indice optique est compris entre 2,3 et 2,6.
Le Ti02 peut être déposé par la technique connue de dépôt de couche atomique (ALD, pour Atomic Layer Déposition, en anglais) .
Une étape de polissage de la face arrière 12 est effectuée pour enlever tout surplus de matériau de diffraction en saillie hors des rainures 31.
Ainsi, la face arrière 12 est sensiblement plane, et délimitée en partie par le matériau (quartz) de la couche support 10 et en partie par le matériau (Ti02) de diffraction des rainures 31 du réseau de diffraction 30.
La couche photoémissive 20 est enfin réalisée en
SbNaK ou SbNa2KCs et est déposée sur la face arrière 12 de la couche support 10 de manière à présenter une épaisseur de 50 à 240 nm sensiblement constante.
La figure 5 illustre l' évolution du rendement quantique en fonction de la longueur d' onde des photons incidents, pour une telle photocathode d'une part et pour une photocathode selon l' exemple de l' art antérieur décrit précédemment d'autre part.
On remarque que le rendement quantique est amélioré sur toute la gamme de longueur d' onde, et plus particulièrement aux grandes longueurs d'onde.
Ainsi, pour À~825nm, le rendement quantique de la photocathode selon l' invention est de l' ordre de 18% alors qu' il est de l' ordre de 10% dans le cas d' une photocathode sans réseau de diffraction, ce qui donne une amélioration de près de 80% du rendement quantique.
La figure 6 illustre une photocathode selon un second mode de réalisation de l'invention.
Les références numériques identiques à celles de la figure 3 précédemment décrite désignent des éléments identiques ou similaires.
La photocathode 1 ne diffère du premier mode de réalisation préféré que par le fait que le réseau de diffraction 30 est dimensionné de sorte que tout photon arrivant sous incidence normale (ai = 0), diffracté et non absorbé dans la couche photoémissive 20, soit réfléchi au niveau de la face aval 22 d'émission.
Alternativement, le réseau de diffraction 30 est avantageusement dimensionné de sorte que l' angle de diffraction moyen ad (compte tenu de la distribution Plus précisément, le pas p du réseau et/ou V indice optique du matériau de diffraction remplissant les motifs 31 sont choisis de sorte que l' angle de diffraction moyen ad soit strictement supérieur à
Figure imgf000022_0001
Ainsi, ces photons réfléchis restent localisés dans la couche photoémissive 20 jusqu'à leur absorption et la génération de paire électron- trou .
Cela permet de diminuer significativement le taux de transmission des photons de la couche photoémissive 20 en faveur du taux d' absorption.
Le taux de transport des électrons restant inchangé, le rendement quantique de la photocathode est par conséquent encore amélioré, en particulier pour les photons d' énergie proche du seuil de photoémission.
La figure 7 illustre une photocathode, vue de dessus, selon un troisième mode de réalisation de 1' invention, dans laquelle deux réseaux de diffraction 30, 40 sont présents dans la couche support 10 au niveau de la face arrière 12.
Les références numériques identiques à celles de la figure 3 précédemment décrite désignent des éléments identiques ou similaires.
La photocathode ne diffère du premier mode de réalisation préféré que par la présence d' un réseau de diffraction supplémentaire 40 dans la couche support 10.
réseau supplémentaire 40 est disposé à proximité du premier réseau de diffraction 30, en amont de celui- ci suivant le sens de propagation des photons. Ces deux réseaux 30, 40 sont orientés selon des directions distinctes, de préférence orthogonales, et sont distants Ie un de l' autre d' une distance négligeable par rapport à l' épaisseur de la couche support, par exemple d' une distance de l' ordre de t/10 à 10À .
Le réseau supplémentaire 40 est par exemple de même pas que le premier réseau de diffraction 30 précédemment décrit.
Selon une variante, le premier réseau de diffraction et le réseau supplémentaire sont réalisés dans un même plan selon un motif bidimensionnel dont la fonction de transmission est le produit des fonctions de transmission respectives du premier réseau et du réseau supplémentaire. Le motif bidimensionnel peut être obtenu par des techniques holographiques.
Dans l' hypothèse de deux réseaux orthogonaux, la distribution angulaire des photons diffractés peut alors s' écrire sous la forme :
Figure imgf000023_0001
* f(a + θ,β+ ff)+ f(a + θ,β-ff)+ f(a - θ,β+ ff)+ /( -θ,β- Θ) en gardant les mêmes notations, où a et β sont respectivement les angles d' incidence du photon dans le plan perpendiculaire à la direction du premier réseau et dans le plan perpendiculaire à la direction du réseau supplémentaire, θ=λ/ρ ;
Figure imgf000023_0002
où p et p1 sont les pas du premier réseau et du réseau supplémentaire.
Ainsi, la distribution angulaire est davantage étalée que dans le premier mode de réalisation et 1' épaisseur apparente de la couche photoémissive 20 pour les photons est plus importante, ce qui améliore le taux d' absorption.
L' homme du métier comprendra que ce mode de réalisation n' est pas limité à deux réseaux de diffraction. Un plus grand nombre de réseaux de diffraction de directions distinctes peuvent être présents dans la couche support au niveau de la face arrière .
Par ailleurs, diverses modifications peuvent être apportées par l' homme du métier à l' invention qui vient d' être décrite uniquement à titre d' exemples non limitatifs .
Enfin la photocathode décrite ci-dessus peut être intégrée dans un système optique de détection de photons. Un tel système optique comprend un dispositif de sortie adapté à convertir les photoélectrons en un signal électrique. Ce dispositif de sortie peut comprendre une matrice CCD, le système optique étant connu sous l' acronyme EB-CCD (Electron Bombarded CCD) . Alternativement, le dispositif de sortie peut comprendre une matrice CMOS sur substrat aminci et passivé, le système optique étant alors connu sous l' acronyme EBCMOS (Electron Bombarded CMOS) .

Claims

REVENDICATIONS
1. Photocathode (1) semi- transparente pour détecteur de photons, comportant :
- une couche support (10) transparente présentant une face avant (11) pour recevoir lesdits photons et une face arrière (12) opposée, et
- une couche photoémissive (20) disposée sur ladite face arrière (12) et présentant une face d'émission (22) opposée, destinée à recevoir lesdits photons à partir de ladite couche support (10) et à émettre en réponse des photoélectrons à partir de ladite face d' émission ( 22 ) ,
caractérisée en ce qu' elle comporte un réseau de diffraction (30) en transmission apte à diffracter lesdits photons, disposé dans la couche support (10) et situé au niveau de ladite face arrière (12) .
2. Photocathode (1) selon la revendication 1, caractérisée en ce que ledit réseau de diffraction (30) est gravé dans la face arrière (12) de la couche support (10) .
3. Photocathode (1) selon la revendication 1 ou 2 , caractérisée en ce que ledit réseau de diffraction (30) est formé d'un arrangement périodique de motifs (31) remplis d' un matériau présentant un indice optique différent du matériau de la couche support (10) .
4. Photocathode (1) selon la revendication 3, caractérisée en ce que ledit réseau de diffraction (30) est disposé de manière à délimiter au moins en partie la face arrière (12) de la couche support (10) en affleurant au niveau de celle-ci.
5. Photocathode (1) selon la revendication 3, caractérisée en ce qu' une couche du dit matériau est disposée directement sur la face arrière, en continuité avec lesdits motifs.
6 . Photocathode (1) selon la revendication 4 ou 5 , caractérisée en ce qu' une barrière de diffusion est disposée entre le réseau de diffraction et la couche photoémissive .
7. Photocathode (1) selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, caractérisée en ce qu' elle comprend au moins un réseau de diffraction supplémentaire (40) adapté à diffracter lesdits photons, situé dans la couche support (10) et disposé à proximité dudit premier réseau de diffraction (30) , formé d'un arrangement périodique de motifs (41) selon une direction distincte de celle des motifs du premier réseau .
8 . Photocathode (1) selon la revendication 7, caractérisée en ce que le premier réseau et le réseau de diffraction supplémentaire (40) sont situés dans un même plan et réalisés au moyen de motifs bidimensionnels .
9. Photocathode (1) selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, caractérisée en ce que la couche photoemissive (20) comprend de l' antimoine et au moins un métal alcalin.
10. Photocathode (1) selon la revendication 8, caractérisée en ce que la couche photoémissive (20) est réalisée en un matériau choisi parmi SbNaKCs, SbNa2KCs, SbNaK, SbKCs, SbRbKCs ou SbRbCs .
11. Photocathode (1) selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, caractérisée en ce que la couche photoémissive (20) est formée d'AgOCs.
12. Photocathode (1) selon l'une quelconque des revendications 1 à 11, caractérisée en ce que la couche photoémissive (20) présente une épaisseur sensiblement constante .
13. Photocathode (1) selon la revendication 12, caractérisée en ce que la couche photoémissive (20) présente une épaisseur inférieure ou égale à 300nm.
14. Système optique de détection de photons comportant une photocathode (1) selon l'une quelconque des revendications 1 à 13, et un dispositif de sortie pour émettre un signal de sortie en réponse aux photoélectrons émis par ladite photocathode (1) .
15. Système optique selon la revendication 14, celui-ci étant un tube intensificateur d' image ou un tube photomultiplicateur, de type EB-CCD ou EBCMOS .
PCT/EP2012/070313 2012-10-12 2012-10-12 Photocathode semi-transparente à taux d'absorption amélioré WO2014056550A1 (fr)

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