WO2014019789A1 - Method for producing a monocrystal from silicon - Google Patents

Method for producing a monocrystal from silicon Download PDF

Info

Publication number
WO2014019789A1
WO2014019789A1 PCT/EP2013/063826 EP2013063826W WO2014019789A1 WO 2014019789 A1 WO2014019789 A1 WO 2014019789A1 EP 2013063826 W EP2013063826 W EP 2013063826W WO 2014019789 A1 WO2014019789 A1 WO 2014019789A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
crystal
silicon
melting
melt
zone
Prior art date
Application number
PCT/EP2013/063826
Other languages
German (de)
French (fr)
Inventor
Georg Raming
Ludwig Altmannshofer
Rupert Krautbauer
Waldemar Stein
Original Assignee
Siltronic Ag
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siltronic Ag filed Critical Siltronic Ag
Publication of WO2014019789A1 publication Critical patent/WO2014019789A1/en

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B13/00—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
    • C30B13/08—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the molten zone
    • C30B13/10—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the molten zone with addition of doping materials
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/02—Elements
    • C30B29/06—Silicon

Definitions

  • the invention relates to the production of a single crystal of silicon.
  • Single crystals of silicon are required in the form of so-called wafers as base material for electronic components.
  • the CZ method and the FZ method are used. At the CZ-
  • a melt of silicon contained in a quartz crucible is brought into contact with a monocrystalline seed crystal. Subsequently, the seed crystal is pulled away from the melt and silicon from the melt is crystallized on the side of the seed crystal brought into contact with the melt, finally forming a monocrystal. Since dissolves during the CZ process the crucible material in the melt and partly comes into the crystal lattice of Einkri ⁇ stalls contained by the CZ method, single crystal made of silicon is always a considerable amount of
  • the FZ process which is the subject of the present invention is usually used for the production of the single crystals.
  • a melting zone is generated at which the single crystal crystallizes.
  • a polycrystalline rod (“feed rod”) made of silicon is melted at the lower end thereof by means of an HF induction heating coil and a monocrystalline seed crystal is brought into contact with the resulting melt droplet the raw material rod lowered, eventually being a single crystal crystallizes at a melting zone, which is generated and maintained by continued melting of the raw material rod.
  • feed rod made of silicon is melted at the lower end thereof by means of an HF induction heating coil and a monocrystalline seed crystal is brought into contact with the resulting melt droplet the raw material rod lowered, eventually being a single crystal crystallizes at a melting zone, which is generated and maintained by continued melting of the raw material rod.
  • Object of the present invention is to demonstrate a contrast advantageous procedure.
  • the object is achieved by a method for producing a monocrystal of silicon, which comprises the following steps:
  • the inventive method comprises two consecutively performed FZ process, wherein polycrystalline silicon in the form of granules in the first FZ process as raw material
  • the crystal obtained in the first FZ process can also contain dislocations and therefore partially or
  • the product of the first FZ process, the first crystal may thus be a single crystal of silicon or a single crystal of silicon containing polycrystalline fractions, or a
  • Crystal made of silicon which is completely polycrystalline.
  • it is a single crystal.
  • the granules used as raw material in the first FZ process no special claims have to be made. It may even contain impurities that make it unsuitable for use as a raw material in the CZ process.
  • the granules may already contain p-type or n-type dopants. Dopant can be added to the melt zone in the course of the first FZ process and / or the second FZ process. It is preferred to use granules containing no resistance-determining dopant, and only in the course of to begin with the second FZ method with doping with p-type or n-type dopant.
  • the granules used as raw material in the first FZ process is preferably prepared by chemical vapor deposition (CVD), for example by disassembly of silane or
  • Trichlorosilane US4820587 and US6007869 are representative of sources describing methods of making granules which can be used in the present invention.
  • the first FZ method is preferably performed in a manner by ⁇ , which is different from the initially described conventional FZ method in detail.
  • a first upper RF induction coil is used to melt the granules and a second lower RF induction heating coil is used to control the temperature field in the melt zone.
  • a second difference is that between the two RF induction heating coils there is a plate on which the granules of silicon are poured before being melted and, in this state, fed through a central hole in the plate of the melting zone.
  • a description of this modified FZ method which is also called GFZ method, is for example in the
  • the inventive method is particularly suitable for
  • the inventive method does not require the use of a crucible, is therefore more cost-effective and offers a number of other advantages.
  • the yields are higher because variable amounts of silicon can be used, which are not limited by crucible volumes.

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

The invention relates to a method for producing a monocrystal from silicon, consisting of providing a first melting area; melting the silicon granulate and guiding said melted granulate to the first melting area; crystallizing a first crystal in the first meting area; providing a second melting area; melting the silicon from the first crystal and guiding the melted silicon to the second melting area; and crystallizing a second crystal on the second melting area, said second crystal being a monocrystal.

Description

Verfahren zur Herstellung eines Einkristalls aus Silizium  Process for producing a single crystal of silicon
Gegenstand der Erfindung ist die Herstellung eines Einkristalls aus Silizium. The invention relates to the production of a single crystal of silicon.
Einkristalle aus Silizium werden in Form von sogenannten Wafern als Grundmaterial für elektronische Bauteile benötigt. Zur industriellen Herstellung der Einkristalle werden überwiegend das CZ-Verfahren und das FZ-Verfahren verwendet. Beim CZ-Single crystals of silicon are required in the form of so-called wafers as base material for electronic components. For the industrial production of single crystals, mainly the CZ method and the FZ method are used. At the CZ-
Verfahren wird eine Schmelze aus Silizium, die in einem Tiegel aus Quarz enthalten ist, mit einem einkristallinen Keimkristall in Kontakt gebracht. Anschließend wird der Keimkristall von der Schmelze weggezogen und Silizium aus der Schmelze auf der mit der Schmelze in Kontakt gebrachten Seite des Keimkristalls kristallisiert, wobei schließlich ein Einkristall entsteht. Da sich im Verlauf des CZ-Verfahrens Material des Tiegels in der Schmelze löst und teilweise in das Kristallgitter des Einkri¬ stalls gelangt, enthalten nach dem CZ-Verfahren hergestellte Einkristalle aus Silizium stets eine beachtliche Menge an Method, a melt of silicon contained in a quartz crucible is brought into contact with a monocrystalline seed crystal. Subsequently, the seed crystal is pulled away from the melt and silicon from the melt is crystallized on the side of the seed crystal brought into contact with the melt, finally forming a monocrystal. Since dissolves during the CZ process the crucible material in the melt and partly comes into the crystal lattice of Einkri ¬ stalls contained by the CZ method, single crystal made of silicon is always a considerable amount of
Sauerstoff . Oxygen.
Für manche Anwendungen, insbesondere Anwendungen in der For some applications, especially in the applications
Leistungselektronik, werden Wafer verlangt, die keinen vom Tiegelmaterial stammenden Sauerstoff enthalten dürfen. In solchen Fällen wird zur Herstellung der Einkristalle üblicherweise auf das FZ-Verfahren zurückgegriffen, das Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist. Bei diesem Verfahren wird eine Schmelzen-Zone erzeugt, an der der Einkristall kristallisiert. Beim klassischen FZ-Verfahren wird als Rohstoff ein polykristalliner Stab („feed rod") aus Silizium an dessen unteren Ende mittels einer HF-Induktionsheizspule angeschmolzen und ein einkristalliner Keimkristall mit dem entstandenen Schmelzen- Tropfen in Kontakt gebracht. Im Anschluss daran werden der Keimkristall und der Rohstoff-Stab abgesenkt, wobei schließlich ein Einkristall an einer Schmelzen-Zone kristallisiert, die durch fortgesetztes Schmelzen des Rohstoff-Stabs erzeugt und aufrechterhalten wird. Grundzüge des FZ-Verfahrens sind beispielsweise in der Power electronics, wafers are required that must not contain any originating from the crucible oxygen. In such cases, the FZ process which is the subject of the present invention is usually used for the production of the single crystals. In this method, a melting zone is generated at which the single crystal crystallizes. In the classical FZ process, a polycrystalline rod ("feed rod") made of silicon is melted at the lower end thereof by means of an HF induction heating coil and a monocrystalline seed crystal is brought into contact with the resulting melt droplet the raw material rod lowered, eventually being a single crystal crystallizes at a melting zone, which is generated and maintained by continued melting of the raw material rod. The basic features of the FZ process are, for example, in
DE 3007377 AI beschrieben. DE 3007377 AI described.
Die Herstellung eines Einkristalls nach dem FZ-Verfahren ist vergleichsweise teuer, insbesondere wegen der Kosten für den Rohstoff-Stab, der selbst in einem aufwändigen Verfahren hergestellt werden muss. Es gibt daher Bestrebungen, die The production of a single crystal by the FZ process is comparatively expensive, in particular because of the cost of the raw material rod, which itself must be produced in a complex process. There are therefore aspirations that
Herstellungskosten von nach dem FZ-Verfahren hergestellten Einkristallen zu senken. Eine Möglichkeit der Kostensenkung besteht darin, anstelle eines polykristallinen Stabs einen Einkristall als Rohstoff- Stab zu verwenden, der nach dem CZ-Verfahren hergestellt worden ist. In der EP 2 058 420 AI wird vorgeschlagen, einen Einkristall aus Silizium nach dem CZ-Verfahren herzustellen, der mit einem Dotierstoff vom P-Typ oder N-Typ dotiert ist, und diesen mittels FZ-Verfahren umzuschmelzen . Reduce manufacturing costs of single crystals produced by the FZ process. One way to reduce costs is to use a single crystal instead of a polycrystalline rod as a raw material rod, which has been produced by the CZ method. In EP 2 058 420 A1, it is proposed to produce a single crystal of silicon by the CZ method doped with a P-type or N-type dopant, and to remelt it by FZ method.
Nachteilig an diesem Vorschlag ist, dass die damit zu errei¬ chende Kostensenkung eher bescheiden ist. The disadvantage of this proposal is that to Errei so ¬-reaching cost reduction is rather modest.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, eine demgegenüber vorteilhaftere Vorgehensweise aufzuzeigen. Object of the present invention is to demonstrate a contrast advantageous procedure.
Die Aufgabe wird gelöst durch ein Verfahren zur Herstellung eines Einkristalls aus Silizium, das die folgenden Schritte umfasst : The object is achieved by a method for producing a monocrystal of silicon, which comprises the following steps:
das Bereitstellen einer ersten Schmelzen-Zone; providing a first melt zone;
das Schmelzen von Granulat aus Silizium und das Zuführen des geschmolzenen Granulats zur ersten Schmelzen-Zone; das Kristallisieren eines ersten Kristalls an der ersten melting granules of silicon and feeding the molten granules to the first melt zone; crystallizing a first crystal at the first
Schmelzen-Zone ; Melting zone;
das Bereitstellen einer zweiten Schmelzen-Zone; providing a second melt zone;
das Schmelzen von Silizium vom ersten Kristall und das Zuführen des geschmolzenen Siliziums zur zweiten Schmelzen-Zone; und das Kristallisieren eines zweiten Kristalls an der zweiten Schmelzen-Zone, wobei der zweite Kristall ein Einkristall ist. melting silicon from the first crystal and supplying the molten silicon to the second melt zone; and crystallizing a second crystal at the second melting zone, wherein the second crystal is a single crystal.
Das erfindungsgemäße Verfahren umfasst zwei nacheinander durchgeführte FZ-Verfahren, wobei im ersten FZ-Verfahren als Rohstoff polykristallines Silizium in Form von Granulat The inventive method comprises two consecutively performed FZ process, wherein polycrystalline silicon in the form of granules in the first FZ process as raw material
verwendet wird und im zweiten FZ-Verfahren Silizium in Form des im ersten Verfahren hergestellten Kristalls oder Einkristalls. Da es beim erfindungsgemäßen Verfahren in erster Linie darauf ankommt, als Endprodukt einen Einkristall aus Silizium zu erhalten, kann der im ersten FZ-Verfahren erhaltene Kristall auch Versetzungen enthalten und daher teilweise oder is used and in the second FZ method silicon in the form of the crystal or single crystal produced in the first method. Since it is important in the process according to the invention to obtain a single crystal of silicon as the end product, the crystal obtained in the first FZ process can also contain dislocations and therefore partially or
vollständig polykristallin sein. completely polycrystalline.
Das Produkt des ersten FZ-Verfahrens, der erste Kristall, kann also ein Einkristall aus Silizium sein oder ein Einkristall aus Silizium, der polykristalline Anteile enthält, oder ein The product of the first FZ process, the first crystal, may thus be a single crystal of silicon or a single crystal of silicon containing polycrystalline fractions, or a
Kristall aus Silizium, der vollständig polykristallin ist. Crystal made of silicon, which is completely polycrystalline.
Vorzugsweise handelt es sich um einen Einkristall. Preferably, it is a single crystal.
An das im ersten FZ-Verfahren als Rohstoff verwendete Granulat müssen keine besonderen Ansprüche gestellt werden. Es kann sogar Verunreinigungen enthalten, die es für die Verwendung als Rohstoff im CZ-Verfahren ungeeignet machen. Das Granulat kann bereits Dotierstoff vom p-Typ oder n-Typ enthalten. Dotierstoff kann im Verlauf des ersten FZ-Verfahrens und/oder des zweiten FZ-Verfahrens zur Schmelzen-Zone hinzudotiert werden. Bevorzugt ist es, Granulat zu verwenden, das keinen den Widerstand bestimmenden Dotierstoff enthält, und erst im Verlauf des zweiten FZ-Verfahrens mit dem Dotieren mit Dotierstoff vom p- Typ oder vom n-Typ zu beginnen. To the granules used as raw material in the first FZ process no special claims have to be made. It may even contain impurities that make it unsuitable for use as a raw material in the CZ process. The granules may already contain p-type or n-type dopants. Dopant can be added to the melt zone in the course of the first FZ process and / or the second FZ process. It is preferred to use granules containing no resistance-determining dopant, and only in the course of to begin with the second FZ method with doping with p-type or n-type dopant.
Das als Rohstoff im ersten FZ-Verfahren verwendete Granulat wird vorzugsweise durch chemische Gasphasen-Abscheidung (CVD) hergestellt, beispielsweise durch Zerlegen von Silan oder The granules used as raw material in the first FZ process is preferably prepared by chemical vapor deposition (CVD), for example by disassembly of silane or
Trichlorsilan. Die US4820587 und die US6007869 sind Vertreter von Quellen, die Verfahren zur Herstellung von Granulat beschreiben, das erfindungsgemäß verwendet werden kann. Trichlorosilane. US4820587 and US6007869 are representative of sources describing methods of making granules which can be used in the present invention.
Das erste FZ-Verfahren wird vorzugsweise in einer Weise durch¬ geführt, die sich vom eingangs beschriebenen klassischen FZ- Verfahren im Detail unterscheidet. Ein Unterschied besteht darin, dass zum Schmelzen des Granulats eine erste obere HF- Induktionsspule und zum Kontrollieren des Temperaturfelds in der Schmelzen-Zone eine zweite untere HF-Induktionsheizspule eingesetzt wird. Ein zweiter Unterschied besteht darin, dass zwischen den beiden HF-Induktionsheizspulen eine Platte vorhanden ist, auf die das Granulat aus Silizium geschüttet wird, bevor es geschmolzen und in diesem Zustand durch ein zentrales Loch in der Platte der Schmelzen-Zone zugeführt wird. Eine Beschreibung dieses abgewandelten FZ-Verfahrens, das auch GFZ- Verfahren genannt wird, ist beispielsweise in der The first FZ method is preferably performed in a manner by ¬, which is different from the initially described conventional FZ method in detail. One difference is that a first upper RF induction coil is used to melt the granules and a second lower RF induction heating coil is used to control the temperature field in the melt zone. A second difference is that between the two RF induction heating coils there is a plate on which the granules of silicon are poured before being melted and, in this state, fed through a central hole in the plate of the melting zone. A description of this modified FZ method, which is also called GFZ method, is for example in the
US 20110095018 AI enthalten. US 20110095018 AI included.
Das erfindungsgemäße Verfahren eignet sich besonders zum The inventive method is particularly suitable for
Herstellen von Einkristallen aus Silizium, die einen vergleichsweise großen Durchmesser haben, insbesondere von solchen mit einem Durchmesser von mindestens 200 mm. Zu deren Herstel- lung ist es bevorzugt, im ersten FZ-Verfahren einen Kristall oder Einkristall herzustellen, dessen Durchmesser vorzugsweise nicht weniger als 100 mm und nicht mehr als 330 mm und Manufacture of single crystals of silicon, which have a comparatively large diameter, in particular of those with a diameter of at least 200 mm. For their production, it is preferred to produce a crystal or single crystal in the first FZ process whose diameter is preferably not less than 100 mm and not more than 330 mm and
besonders bevorzugt nicht weniger als 130 mm und nicht mehr als 200 mm ist, und diesen im zweiten FZ-Verfahren zu einem Einkristall mit einem Durchmesser von 200 mm oder größer umzukristallisieren . more preferably not less than 130 mm and not more than 200 mm, and this in the second FZ method to a Recrystallize single crystal with a diameter of 200 mm or larger.
Das erfindungsgemäße Verfahren kommt ohne den Einsatz eines Tiegels aus, ist daher kostengünstiger und bietet eine Reihe weiterer Vorteile. Die Ausbeuten sind höher, weil variable Mengen an Silizium eingesetzt werden können, die nicht durch Tiegelvolumina beschränkt sind. Dadurch, dass auf den Einsatz eines Tiegels mit einer Schmelze verzichtet wird, in der sich Dotierstoff anreichert, wird vermieden, dass sich über die Segregation eine im Kristall axial ansteigende The inventive method does not require the use of a crucible, is therefore more cost-effective and offers a number of other advantages. The yields are higher because variable amounts of silicon can be used, which are not limited by crucible volumes. By dispensing with the use of a crucible with a melt in which dopant accumulates, segregation prevents the crystal from increasing axially in the crystal
Dotierstoffkonzentration einstellt. Weiterhin entfallen lange Phasen der thermischen Stabilisierung der Schmelze im Tiegel und die Notwendigkeit, die Energie aufzubringen, eine große Menge an Silizium im Tiegel zu schmelzen und geschmolzen zu halten .  Adjust dopant concentration. Furthermore, there are long periods of thermal stabilization of the melt in the crucible and the need to apply the energy to melt and melt a large amount of silicon in the crucible.

Claims

Patentansprüche claims
1. Verfahren zur Herstellung eines Einkristalls aus Silizium, umfassend A process for producing a single crystal of silicon, comprising
das Bereitstellen einer ersten Schmelzen-Zone; providing a first melt zone;
das Schmelzen von Granulat aus Silizium und das Zuführen des geschmolzenen Granulats zur ersten Schmelzen-Zone; melting granules of silicon and feeding the molten granules to the first melt zone;
das Kristallisieren eines ersten Kristalls an der ersten crystallizing a first crystal at the first
Schmelzen-Zone ; Melting zone;
das Bereitstellen einer zweiten Schmelzen-Zone; providing a second melt zone;
das Schmelzen von Silizium vom ersten Kristall und das Zuführen des geschmolzenen Siliziums zur zweiten Schmelzen-Zone; und das Kristallisieren eines zweiten Kristalls an der zweiten Schmelzen-Zone, wobei der zweite Kristall ein Einkristall ist. melting silicon from the first crystal and supplying the molten silicon to the second melt zone; and crystallizing a second crystal at the second melting zone, wherein the second crystal is a single crystal.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der erste Kristall und der zweite Kristall Durchmesser haben und der Durchmesser des ersten Kristalls kleiner ist, als der Durchmesser des zweiten Kristalls. 2. The method according to claim 1, characterized in that the first crystal and the second crystal have diameters and the diameter of the first crystal is smaller than the diameter of the second crystal.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder Anspruch 2, dadurch 3. The method according to claim 1 or claim 2, characterized
gekennzeichnet, dass die erste Schmelzen-Zone mit Dotierstoff dotiert wird. characterized in that the first melting zone is doped with dopant.
4. Verfahren nach Anspruch 1 oder Anspruch 2, dadurch 4. The method according to claim 1 or claim 2, characterized
gekennzeichnet, dass die zweite Schmelzen-Zone mit Dotierstoff dotiert wird. characterized in that the second melting zone is doped with dopant.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch 5. The method according to any one of claims 1 to 4, characterized
gekennzeichnet, dass die erste und die zweite Schmelzen-Zone mit Dotierstoff dotiert werden. characterized in that the first and the second melting zone are doped with dopant.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch 6. The method according to any one of claims 1 to 5, characterized
gekennzeichnet, dass der erste Kristall ein Einkristall ist oder ein Einkristall ist, der polykristalline Anteile enthält, oder ein Kristall ist, der vollständig polykristallin ist. characterized in that the first crystal is a single crystal or a single crystal containing polycrystalline moieties, or a crystal which is completely polycrystalline.
PCT/EP2013/063826 2012-07-31 2013-07-01 Method for producing a monocrystal from silicon WO2014019789A1 (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE201210213506 DE102012213506A1 (en) 2012-07-31 2012-07-31 Process for producing a single crystal of silicon
DE102012213506.5 2012-07-31

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2014019789A1 true WO2014019789A1 (en) 2014-02-06

Family

ID=48741145

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/EP2013/063826 WO2014019789A1 (en) 2012-07-31 2013-07-01 Method for producing a monocrystal from silicon

Country Status (2)

Country Link
DE (1) DE102012213506A1 (en)
WO (1) WO2014019789A1 (en)

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB898872A (en) * 1959-08-14 1962-06-14 Ici Ltd Improvements in the manufacture of crystalline silicon
DE3007377A1 (en) 1980-02-27 1981-09-03 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Non-crucible zone melting furnace - with protective cylinder reheating recrystallised part of rod by reflected heat
US4820587A (en) 1986-08-25 1989-04-11 Ethyl Corporation Polysilicon produced by a fluid bed process
EP0450494A1 (en) * 1990-03-30 1991-10-09 Sumitomo Sitix Corporation Manufacturing method for single-crystal silicon
US6007869A (en) 1997-08-14 1999-12-28 Wacker-Chemie Gmbh Process for preparing highly pure silicon granules
US20030145781A1 (en) * 2002-02-01 2003-08-07 Wacker Siltronic Ag Process and apparatus for producing a single crystal of semiconductor material
EP2058420A1 (en) 2006-09-29 2009-05-13 Sumco Techxiv Corporation Silicon single crystal manufacturing method, silicon single crystal, silicon wafer, apparatus for controlling manufacture of silicon single crystal, and program
US20110095018A1 (en) 2009-10-28 2011-04-28 Siltronic Ag Device For Producing A Single Crystal Composed Of Silicon By Remelting Granules

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4556448A (en) * 1983-10-19 1985-12-03 International Business Machines Corporation Method for controlled doping of silicon crystals by improved float zone technique
DE10216609B4 (en) * 2002-04-15 2005-04-07 Siltronic Ag Process for producing the semiconductor wafer
DE10220964B4 (en) * 2002-05-06 2006-11-02 Pv Silicon Forschungs- Und Produktions Ag Arrangement for producing crystal rods of defined cross-section and columnar polycrystalline structure by means of crucible-free continuous crystallization
DE102010006724B4 (en) * 2010-02-03 2012-05-16 Siltronic Ag A method of producing a single crystal of silicon using molten granules

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB898872A (en) * 1959-08-14 1962-06-14 Ici Ltd Improvements in the manufacture of crystalline silicon
DE3007377A1 (en) 1980-02-27 1981-09-03 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Non-crucible zone melting furnace - with protective cylinder reheating recrystallised part of rod by reflected heat
US4820587A (en) 1986-08-25 1989-04-11 Ethyl Corporation Polysilicon produced by a fluid bed process
EP0450494A1 (en) * 1990-03-30 1991-10-09 Sumitomo Sitix Corporation Manufacturing method for single-crystal silicon
US6007869A (en) 1997-08-14 1999-12-28 Wacker-Chemie Gmbh Process for preparing highly pure silicon granules
US20030145781A1 (en) * 2002-02-01 2003-08-07 Wacker Siltronic Ag Process and apparatus for producing a single crystal of semiconductor material
EP2058420A1 (en) 2006-09-29 2009-05-13 Sumco Techxiv Corporation Silicon single crystal manufacturing method, silicon single crystal, silicon wafer, apparatus for controlling manufacture of silicon single crystal, and program
US20110095018A1 (en) 2009-10-28 2011-04-28 Siltronic Ag Device For Producing A Single Crystal Composed Of Silicon By Remelting Granules

Also Published As

Publication number Publication date
DE102012213506A1 (en) 2014-02-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE112015003573B4 (en) Method of controlling resistivity and N-type silicon single crystal
DE112014002133B4 (en) A production method of a single crystal, silicon single crystal, a method of producing a silicon wafer, a production method of a silicon epitaxial wafer, and silicon epitaxial wafers
DE10392291B4 (en) Energy-efficient process for growing polycrystalline silicon
DE112015005768B4 (en) Process for the production of monocrystal
EP2379783B1 (en) Method and device for producing thin silicon rods
EP1739210B1 (en) Method for production of doped semiconductor single crystal, and III-V semiconductor single crystal
DE112013005434B4 (en) Process for producing silicon monocrystals
DE102011002599A1 (en) Process for producing a silicon ingot
DE102005044328A1 (en) Polycrystalline silicon for use in solar energy production is produced by passing silane gas over heated silicon seed rod in sealed reactor at high temperature, so that it is thermally decomposed or reduced with hydrogen
DE19806045A1 (en) Single crystal silicon rod growth process
DE1034772B (en) Process for pulling stress-free single crystals of almost constant activator concentration from a semiconductor melt
DE112017007122B4 (en) Process for manufacturing silicon monocrystal, flow straightening element and monocrystal pulling device
DE112014004719B4 (en) Process for producing a silicon single crystal
DE10137856A1 (en) Single crystal made of silicon by crucible zone pulling
DE112017004790T5 (en) single crystal
DE112018002163B4 (en) Method of manufacturing a silicon single crystal, method of manufacturing an epitaxial silicon wafer, silicon single crystal, and epitaxial silicon wafer
DE102011014821B4 (en) Method for producing a single crystal and device for producing a single crystal
EP2322695B1 (en) Method for producing a single crystal of silicon by remelting granules
WO2014019789A1 (en) Method for producing a monocrystal from silicon
DE102011002598B4 (en) Process for producing a silicon ingot
DE102008013325B4 (en) Single crystal silicon wafer and process for its production
DE102009048868B4 (en) Production method of SiC bulk single crystal by a thermal treatment and low-resistance SiC single-crystal substrate
DE112009004496B4 (en) Process for the production of single crystals
EP2703525B1 (en) Method for producing a silicon single crystal
DE112017005704B4 (en) Method for producing a silicon single crystal and silicon single crystal wafer

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 13732945

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 13732945

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1